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*EP001917706B1*
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EP 1 917 706 B1

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EUROPISCHE PATENTSCHRIFT
(51) Int Cl.:
Hinweises auf die Patenterteilung: 17.07.2013 Patentblatt 2013/29 H02M 7/49 (2007.01) PCT/EP2006/064828 H02H 7/122 (2006.01)

(45) Verffentlichungstag und Bekanntmachung des

(86) Internationale Anmeldenummer: (87) Internationale Verffentlichungsnummer:

WO 2007/023064 (01.03.2007 Gazette 2007/09)

(21) Anmeldenummer: 06764273.6 (22) Anmeldetag: 31.07.2006

(54) STROMRICHTERSCHALTUNG MIT VERTEILTEN ENERGIESPEICHERN RECTIFIER CIRCUIT WITH DISTRIBUTED ENERGY STORES MONTAGE CONVERTISSEUR COMPRENANT DES ACCUMULATEURS DENERGIE REPARTIS (84) Benannte Vertragsstaaten:
CH DE FR GB LI NL SE

(72) Erfinder:
HILLER, Marc 90455 Nrnberg (DE) SOMMER, Rainer 91336 Heroldsbach (DE)

(30) Prioritt: 26.08.2005 DE 102005040543 (43) Verffentlichungstag der Anmeldung:

07.05.2008 Patentblatt 2008/19

(56) Entgegenhaltungen:
EP-A2- 0 677 910 DE-A1- 10 217 889 JP-A- 8 205 516 US-A- 5 625 545 DE-A1- 10 103 031 DE-A1- 10 323 220 NL-A- 6 605 497 US-A- 5 986 909

(73) Patentinhaber: Siemens Aktiengesellschaft

80333 Mnchen (DE)

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Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach Bekanntmachung des Hinweises auf die Erteilung des europischen Patents im Europischen Patentblatt kann jedermann nach Magabe der Ausfhrungsordnung beim Europischen Patentamt gegen dieses Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebhr entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europisches Patentbereinkommen).
Printed by Jouve, 75001 PARIS (FR)

1 Beschreibung

EP 1 917 706 B1

[0001] Die Erfindung bezieht sich auf eine Stromrichterschaltung gem Oberbegriff des Anspruchs 1. [0002] Eine derartige gattungsgeme Stromrichterschaltung ist aus der DE 101 03 031 A1 bekannt und ein Ersatzschaltbild einer derartigen Stromrichterschaltung ist in der Figur 1 nher dargestellt. Gem diesem Ersatzschaltbild weist diese bekannte Stromrichterschaltung drei Phasenmodule auf, die jeweils mit 100 bezeichnet sind. Diese Phasenmodule 100 sind gleichspannungsseitig jeweils mit einer positiven und einer negativen Gleichspannungs-Sammelschiene P0 und N0 elektrisch leitend verbunden. Zwischen diesen beiden Gleichspannungs-Sammelschienen P0 und N0 steht eine nicht nher bezeichnete Gleichspannung an. Jedes Phasenmodul 100 weist ein oberes und ein unteres Stromrichterventil T1 bzw. T3 bzw. T5 und T2 bzw. T4 bzw. T6 auf. Jedes dieser Stromrichterventile T1 bis T6 weist eine Anzahl von elektrisch in Reihe geschalteten zweipoligen Subsystemen 10 auf. In diesem Ersatzschaltbild sind vier dieser Subsysteme 10 dargestellt. Jeder Verknpfungspunkt zweier Stromrichterventile T1 und T2 bzw. T3 und T4 bzw. T5 und T6 eines Phasenmoduls 100 bildet einen wechselspannungsseitigen Anschluss L1 bzw. L2 bzw. L3 dieses Phasenmoduls 100. Da in dieser Darstellung die Stromrichterschaltung drei Phasenmodule 100 aufweist, kann an deren wechselspannungsseitigen Anschlssen L1, L2 und L3, auch als Lastanschlsse bezeichnet, eine dreiphasige Last, beispielsweise ein Drehstrommotor, angeschlossen werden. [0003] In der Figur 2 ist ein Ersatzschaltbild einer bekannten Ausfhrungsform eines zweipoligen Subsystems 10 nher dargestellt. Die Schaltungsanordnung nach Figur 3 stellt eine funktional vllig gleichwertige Variante dar, die ebenfalls aus der DE 101 03 031 A1 bekannt ist. Dieses bekannte zweipolige Subsystem 10 weist zwei abschaltbare Halbleiterschalter 1 und 3, zwei Dioden 2 und 4 und einen unipolaren Speicherkondensator 9 auf. Die beiden abschaltbaren Halbleiterschalter 1 und 3 sind elektrisch in Reihe geschaltet, wobei diese Reihenschaltung elektrisch parallel zum Speicherkondensator 9 geschaltet ist. Jedem abschaltbaren Halbleiterschalter 1 und 3 ist eine der beiden Dioden 2 und 4 derart elektrisch parallel geschaltet, dass diese zum korrespondierenden abschaltbaren Halbleiterschalter 1 oder 3 antiparallel geschaltet ist. Der unipolare Speicherkondensator 9 des Subsystems 10 besteht entweder aus einem Kondensator oder einer Kondensatorbatterie aus mehreren solchen Kondensatoren mit einer resultierenden Kapazitt C0. Der Verbindungspunkt von Emitter des abschaltbaren Halbleiterschalters 1 und Anode der Diode 2 bildet eine Anschlussklemme X1 des Subsystems 10. Der Verbindungspunkt der beiden abschaltbaren Halbleiterschalter 1 und 3 und der beiden Dioden 2 und 4 bilden eine zweite Anschlussklemme X2 des Subsystems 10. [0004] In der Ausfhrungsform des Subsystems 10 ge-

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m Figur 3 bildet dieser Verbindungspunkt die erste Anschlussklemme X1. Der Verbindungspunkt von Kollektor des abschaltbaren Halbleiterschalters 1 und Kathode der Diode 2 bildet die zweite Anschlussklemme X2 des Subsystems 10. [0005] In beiden Darstellungen der zwei Ausfhrungsformen des Subsystems 10 sind die beiden Anschlsse des Speicherkondensators 9 aus dem Subsystem 10 herausgefhrt und bilden zwei Anschlussklemmen X3 und X4. Als abschaltbare Halbleiterschalter 1 und 3 werden wie in den Figuren 2 und 3 dargestellt InsulatedGate-Bipolar-Transistoren (IGBT) verwendet. Ebenfalls knnen MOS-Feldeffekttransistoren, auch als MOS-FET bezeichnet, verwendet werden. Auerdem knnen GateTurn-Off-Thyristoren, auch als GTO-Thyristoren bezeichnet, oder Integrated-Gate-Commutated-Thyristoren (IGCT) verwendet werden. [0006] Gem der DE 101 03 031 A1 knnen die Subsysteme 10 eines jeden Phasenmoduls 100 der Stromrichterschaltung nach Figur 1 in einem Schaltzustand I und II gesteuert werden. Im Schaltzustand I ist der abschaltbare Halbleiterschalter 1 eingeschaltet und der abschaltbare Halbleiterschalter 3 ausgeschaltet. Dadurch ist eine an den Anschlussklemmen X1 und X2 anstehende Klemmenspannung UX21 des Subsystems 10 gleich Null. Im Schaltzustand II sind der abschaltbare Halbleiterschalter 1 ausgeschaltet und der abschaltbare Halbleiterschalter 3 eingeschaltet. In diesem Schaltzustand II ist die anstehende Klemmenspannung UX21 gleich der am Speicherkondensator 9 anstehenden Kondensatorspannung U C. [0007] In der Figur 4 ist das Ersatzschaltbild einer weiteren Ausfhrungsform fr das Subsystem 10 nher dargestellt, das aus der DE 102 17 889 A1 bekannt ist. Diese Ausfhrungsform des Subsystems 10 hat die Form einer Vollbrckenschaltung eines Spannungsumrichters, nur dass diese hier als einzelner Zweipol genutzt wird. Diese Brckenschaltung besteht aus vier abschaltbaren Halbleiterschaltern 1, 3, 5 und 7, denen jeweils eine Diode 2, 4, 6 und 8 antiparallel geschaltet sind. An den gleichspannungsseitigen Anschlssen dieser Brckenschaltung ist ein Speicherkondensator 9 geschaltet, der sich auf eine Spannung UC aufladen lsst. Dazu sind die abschaltbaren Halbleiterschalter 1, 3, 5 und 7 ausgeschaltet. Mit dem Schalten der abschaltbaren Halbleiterschalter 1, 3, 5 und 7 entstehen Schaltzustnde, mit denen die an den Anschlussklemmen X1 und X2 des Subsystems 10 anstehende Klemmenspannung UX21 unabhngig von der Stromrichtung positiv, negativ oder auch Null sein kann. Gegenber der Ausfhrungsform gem Figur 2 oder 3 existiert bei dieser Ausfhrungsform ein weiterer Schaltzustand III, bei dem die Klemmenspannung UX21 des Subsystems 10 gleich der negativen am Speicherkondensator 9 anstehenden Kondensatorspannung UC ist. Auch bei dieser Ausfhrungsform sind die Anschlsse des Speicherkondensators 9 herausgefhrt und mit X3 und X4 bezeichnet. [0008] Damit der Stromrichter gem Figur 1 redun-

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dant arbeiten kann, muss sichergestellt werden, dass ein fehlerhaftes Subsystem 10 an seinen Klemmen X1 und X2 dauerhaft kurzgeschlossen ist. Das heit, dass die Klemmenspannung UX21 des gestrten Subsystems 10 Null ist. [0009] Durch Ausfall eines der im Subsystem 10 vorhandenen abschaltbaren Halbleiterschalter 1, 3, 5 oder 7 oder einer zugehrigen Ansteuerschaltung ist dieses Subsystem 10 in seiner ordnungsgemen Funktion gestrt. Das heit, das Subsystem 10 kann nicht mehr in einem der mglichen Schaltzustnde I, II oder III gesteuert werden. Durch das Kurzschlieen des Subsystems 10 an seinen Anschlssen X1 und X2 wird diesem Subsystem 10 keine Energie mehr zugefhrt. Dadurch werden Folgeschden wie berhitzung und Brand beim weiteren Betrieb des Umrichters sicher ausgeschlossen. Eine derartige kurzschlussartige leitende Verbindung zwischen den Anschlussklemmen X1 und X2 eines gestrten Subsystems 10 muss zumindest den Betriebsstrom eines Stromrichterventils T1,...,T6 des Phasenmoduls 100, in dem das gestrte Subsystems 10 verschaltet ist, sicher und ohne berhitzung fhren. [0010] Aus der US 5,986,909 A ist eine Stromrichterschaltung bekannt, die pro Phasenmodul wenigstens zwei elektrisch in Reihe geschaltete Subsysteme aufweist. Als Subsysteme werden bei dieser bekannten Stromrichterschaltung Frequenzumrichter verwendet, die jeweils netzseitig eine ungesteuerte 6-polige Diodenbrcke und lastseitig einen zweiphasigen selbstgefhrten Pulsstromrichter aufweisen. Gleichspannungsseitig sind diese beiden Stromrichter mittels eines Gleichspannungszwischenkreises miteinander elektrisch leitend verbunden. Netzseitig sind diese Subsysteme jeweils mit einer Sekundrwicklung eines Netztransformators verknpft. Lastseitig sind die Subsysteme eines Phasenmoduls elektrisch in Reihe geschaltet. Bei dieser bekannten Stromrichterschaltung werden gestrte Subsysteme kurzgeschlossen, wobei ein Magnetschalter, ein Federspeicherkontakt, antiparallele Thyristoren oder zwei antiseriell geschaltete abschaltbare Halbleiterschalter als Bypass-Schaltung fr die lastseitigen Anschlsse eines jeden Subsystems verwendet werden. Die mechanischen Kurzschlieer mssen aufgrund ihrer Mechanik hufiger gewartet werden. Die elektrischen Kurzschlieer bentigen jeweils eine auf hohem Potential liegende Stromversorgung und eine Ansteuereinrichtung, die steuerungsseitig mit einer Stromrichtersteuerung signaltechnisch verbunden sein mssen. [0011] Aus der DE 103 23 220 A1 ist ebenfalls eine Stromrichterschaltung bekannt, deren Phasenmdule wenigstens zwei elektrisch in Reihe geschaltete Subsysteme aufweisen. Jedes Subsystem dieser bekannten Stromrichterschaltung hat die Form einer Vollbrckenschaltung eines Spannungsumrichters, nur dass diese als einzelner Zweipol genutzt wird. Die Brckenschaltung besteht aus vier abschaltbaren Halbleiterschaltern mit antiparallel geschalteten Dioden. An den gleichspannungsseitigen Anschlssen ist ein Speicherkondensator

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geschaltet. Um ein gestrtes Subsystem kurzschlieen zu knnen, weist jedes Subsystem ein Schutz-Bauelement auf, das elektrisch parallel zum Speicherkondensator geschaltet ist. Als Schutz-Bauelemente werden eine Rckschwingdiode oder ein Kurzschluss-Thyristor verwendet. Wird ein Kurzschluss-Thyristor verwendet, der niederinduktiv am Speicherkondensator angeschlossen ist, werden ebenfalls eine Sensorschaltung und eine Zndschaltung bentigt. [0012] Im Fehlerfall eines abschaltbaren Halbleiterschalters eines Subsystems fliet ein hoher Kurzschlussstrom, der zu einem Lichtbogen bis zur Explosion des Halbleitermoduls fhren kann. Durch diesen Kurzschlussstrom wird der Speicherkondensator entladen. Durch die parallel zum Speicherkondensator geschaltete Rckschwingdiode kommutiert der Kurzschlussstrom vom defekten Halbleitermodul auf diese Rckschwingdiode, die derart bemessen ist, dass diese im Fehlerfall des Subsystems durchlegiert. Bei der Ausfhrungsform mit dem Kurzschluss-Thyristor wird der gleichspannungsseitige Kurzschluss mittels der Sensorschaltung erkannt, die die Zndschaltung aktiviert, damit der Kurzschluss-Thyristor gezndet und infolge des auf ihn kommutierten Kurzschlussstromes durchlegiert. Nachteilig bei dieser Schutzschaltung ist, dass die Subsysteme in ihrem Aufbau abgendert werden mssen. Zustzlich wird eine Sensorschaltung und eine Zndschaltung bentigt, die in wenigen Millisekunden die Zndung des Kurzschluss-Thyristors einleiten. Auerdem muss der Kurzschluss-Thyristor niederinduktiv am Speicherkondensator angeschlossen sein. [0013] Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, die bekannte Stromrichterschaltung mit verteilten Energiespeichern derart weiterzubilden, dass die zuvor genannten Nachteile nicht mehr auftreten. [0014] Diese Aufgabe wird erfindungsgem mit dem kennzeichnenden Merkmal des Anspruchs 1 gelst. [0015] Dadurch, dass elektrisch parallel zu den Anschlussklemmen eines jeden Systems ein Schutz-Bauelement geschaltet ist, besteht die Mglichkeit, dieses Subsystem im Fehlerfall kurzschlieen zu knnen. Da dieses Schutz-Bauelement an den Anschlussklemmen des Subsystems angeschlossen wird, bleibt der Aufbau des Subsystems unberhrt. Dadurch knnen Subsysteme, die noch kein Schutz-Bauelement aufweisen, nachtrglich mit einem solchen versehen werden. Die SchutzBauelemente sind derart beschaffen, dass diese nach Absorbtion einer bestimmten berspannungsenergie in einen kurzschlussartigen Zustand bergehen. Das heit, diese Schutz-Bauelemente legieren im Fehlerfall eines korrespondierenden Subsystems durch, wodurch dieses Schutzsystem kurzgeschlossen ist. [0016] Damit ein Schutz-Bauelement eines gestrten Subsystems durchlegieren kann, muss zunchst ermittelt werden, welche von den in den Phasenmodulen der Stromrichterschaltung vorhandenen Subsysteme gestrt ist. Sobald ein gestrtes Subsystem lokalisiert ist, wird durch gezielte Ansteuerung eines oder mehrerer un-

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gestrter Subsysteme eine definierte berspannungsenergie auf das gestrte Subsystem gegeben. Zu diesem Zweck ist es mglich, wenigstens ein Subsystem eines Phasenmoduls der Stromrichterschaltung, in dem das gestrte Subsystem angeordnet ist, fr eine vorbestimmte Zeitspanne in einen Schaltzustand I zu steuern. Auerdem wird in den ungestrten Phasenmodulen der Stromrichterschaltung jeweils wenigstens zustzlich ein Subsystem fr eine vorbestimmte Zeitdauer in einen Schaltzustand II gesteuert. [0017] Anstelle eines zustzlichen Subsystems in einem gestrten Phasenmodul in den Schaltzustand I und eines zustzlichen Subsystems jeweils in den ungestrten Phasenmodulen in den Schaltzustand II zu steuern, knnen alle Subsysteme der ungestrten Phasenmodule jeweils in den Schaltzustand II und alle ungestrten Subsysteme des gestrten Phasenmoduls in den Schaltzustand I gesteuert werden. Dadurch wird eine maximale einstellbare berspannung an dem gestrten Subsystem angelegt, so dass diese durch das eingangsseitige Schutz-Bauelement einen Strom treibt, der dazu fhrt, dass dieses Schutz-Bauelement durchlegiert. [0018] Um den Spitzenwert des Stromes durch das Schutz-Bauelement auf Werte zu begrenzen, die fr die intakten abschaltbaren Halbleiterschalter zulssig sind, wird die Schaltdauer entsprechend eingestellt. Mit der Anzahl der Subsysteme, die zustzlich in einen Schaltzustand I und II gesteuert werden, kann die am gestrten Subsystem anstehende berspannung stufenweise eingestellt werden. [0019] Zur weiteren Erluterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in der mehrere Ausfhrungsformen eines erfindungsgemen Schutz-Bauelementes schematisch veranschaulicht sind. Figur 1 zeigt ein Ersatzschaltbild einer bekannten Stromrichterschaltung mit verteilten Energiespeichern, in der ist ein Ersatzschaltbild einer ersten Ausfhrungsform eines bekannten Subsystems dargestellt, die zeigt ein Ersatzschaltbild einer zweiten Ausfhrungsform eines bekannten Subsystems, die zeigt ein Ersatzschaltbild einer dritten Ausfhrungsform eines bekannten Subsystems und in den sind verschiedene Ausfhrungsformen eines Schutz-Bauelementes nach der Erfindung nher dargestellt.

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[0020] In Figur 5 ist ein erstes Schutz-Bauelement 12 fr ein Subsystem 10 gem Figur 2 oder 3 dargestellt. Als Schutz-Bauelement 12 ist eine Diode 14 vorgesehen. Anstelle dieser einen Diode 14 kann auch eine Reihenschaltung mehrerer Dioden vorgesehen sein. Mit ihren Anschlussklemmen 16 und 18 wird dieses Schutz-Bau-

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element 12 an den Anschlussklemmen X1 und X2, insbesondere an den Klemmen X1a und X2a, eines Subsystems 10 nach der Figur 2 oder 3 angeschlossen. [0021] In der Figur 6 ist eine zweite Ausfhrungsform eines Schutz-Bauelementes 12 nach der Erfindung veranschaulicht. Als Schutz-Bauelement 12 ist hier ein Thyristor 20 vorgesehen, der eine sogenannte aktive Klemmbeschaltung 22 aufweist. Diese aktive Klemmbeschaltung 22 weist wenigstens eine Zener-Diode 24 auf, die kathodenseitig mit einem Anoden-Anschluss 26 des Thyristors 20 und anodenseitig mittels eines Gate-Widerstandes 28 mit einem Gate-Anschluss 30 des Thyristors 20 verknpft ist. Anodenseitig ist die Zener-Diode 24 ebenfalls mittels eines Widerstands 32 mit einem Kathodenanschluss 34 des Thyristor 20 elektrisch leitend verbunden. Sobald eine an der Anode 26 des Thyristor 20 anstehende Spannung den Zener-Wert der Zener-Dioden 24 bersteigt, werden diese leitend und schalten den Thyristor 20 ein. Der Strom, der nun durch den Thyristor 20 fliet, sorgt dafr, dass dieser sicher durchlegiert. Der Thyristor 20 ist so bemessen, dass dieser Strom sicher zum Durchlegieren fhrt. [0022] Die Ausfhrungsform des Schutz-Bauelementes 12 gem Figur 7 entspricht weitgehend der Ausfhrungsform gem Figur 6. Der Unterschied liegt darin, dass die Ausfhrungsform gem Figur 7 zustzlich eine RC-Beschaltung 36 aufweist, die elektrisch parallel zur Anoden-Kathoden-Strecke dieses Thyristors 20 geschaltet ist. Diese RC-Beschaltung 36 weist einen Kondensator 38 und einen Widerstand 40 auf, die elektrisch in Reihe geschaltet sind. Mittels dieser RC-Beschaltung 36 werden die Schaltflanken der Schaltvorgnge der abschaltbaren Halbleiterschalter 1 und 3 eines zugehrigen Subsystems 10 gedmpft. Dadurch wird verhindert, dass das Schutz-Bauelement 12 nicht durch eine Schaltflanke eines Subsystems 10 angesteuert wird. [0023] In der Figur 8 ist eine weitere Ausfhrungsform des Schutz-Bauelementes 12 nher dargestellt. Dieses Schutz-Bauelement 12 weist zwei Dioden 14 und 42 auf, die elektrisch antiseriell geschaltet sind. Durch diese Ausgestaltung ist dieses Schutz-Bauelement 12 in der Lage, eine positive und eine negative Spannung aufnehmen zu knnen. Das heit, im ungestrten Fall eines Subsystems soll dieses eingangsseitig nicht kurzgeschlossen sein. Somit muss das Schutz-Bauelement 12 im ungestrten Fall eines Subsystems die anstehende Klemmspannung UX21 sicher aufnehmen knnen. Da bei der Ausfhrungsform des Subsystems 10 nach Figur 4 die Klemmenspannung UX21 gegenber der Klemmenspannung UX21 des Subsystems 10 nach Figur 2 oder 3 auch negativ sein kann, wird ein Schutz-Bauelement 12 bentigt, das in beiden Richtungen eine Spannung aufnehmen kann. Anstelle jeweils einer Diode 14 bzw. 42 knnen auch hier jeweils mehrere Dioden verwendet werden. [0024] Die Ausfhrungsform des Schutz-Bauelementes 12 gem Figur 9 entspricht weitgehend der Ausfhrungsform gem Figur 6. Der Unterschied liegt darin,

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dass zwischen den Zener-Dioden 24 anodenseitig und dem Gate-Widerstand 28 wenigstens eine Entkopplungsdiode 44 geschaltet ist. Dazu ist diese Entkopplungsdiode 44 kathodenseitig mit dem Gate-Widerstand 28 und anodenseitig mit der Anode der Zener-Diode 24 elektrisch leitend verbunden. Durch diese zustzliche Entkopplungsdiode 44 kann dieses Schutz-Bauelement 12 in beiden Richtungen Spannung aufnehmen. Dadurch kann dieses Schutz-Bauelement 12 mit seinen Anschlussklemmen 16 und 18 elektrisch parallel zu den Anschlussklemmen X1 und X2, insbesondere X1a und X2a, eines Subsystems 10 gem Figur 4 geschaltet werden. [0025] Die Ausfhrungsform des Schutz-Bauelementes 12 nach Figur 10 entspricht der Ausfhrungsform gem Figur 9, wobei zustzlich eine RC-Beschaltung 36 elektrisch parallel zur Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors 20 geschaltet ist. [0026] Anhand des Ersatzschaltbildes gem Figur 1 soll nun das erfindungsgeme Steuerverfahren nher beschrieben werden: [0027] Im Ersatzschaltbild gem Figur 1 ist ein Subsystem 10 des Stromrichterventils T2 gestrt. Dies ist durch eine Schraffur kenntlich gemacht. In den Phasenmodulen 100 dieser dreiphasigen Stromrichterschaltung nach Figur 1 sind zustzliche Impedanzen Z eingefgt, die summarisch die vorhandenen Induktivitten (Streuinduktivitten) und Ohmschen Widerstnde in den Brkkenhlften reprsentieren. Zustzlich zu diesen parasitren Impedanzen knnen auch diskrete Bauelemente in den Phasenmodulen 100 angeordnet sein. [0028] Die Strung eines Subsystems 10 wird mittels einer Spannungserfassung mit anschlieendem Vergleich mit einem vorbestimmten Toleranzband ermittelt. Auerdem knnen auch andere Fehler zu einem Ausfall des Subsystems fhren: z.B. Ausfall der Elektronik, Strung der Kommunikation. Diese Fehler werden ber die Steuerung erkannt und fhren auch notwendigerweise zum Kurzschlieen eines Subsystems. Fllt nun das schraffierte Subsystem 10 des Stromrichterventils T2 aus, so steht maximal der Energieinhalt aller Subsysteme 10 des Phasenmoduls 100 mit den Stromrichterventilen T3 und T4 und des Phasenmoduls 100 mit den Stromrichterventilen T5 und T6 zur Verfgung, um eine definierte berspannungsenergie zum Durchlegieren des Schutz-Bauelements 12 des schraffierten Subsystems 10 des Thyristorventils T2 zu erzeugen. Zu diesem Zweck knnten alle Subsysteme 10 dieser beiden ungestrten Phasenmodule 100 in den Schaltzustand II gesteuert werden, wobei alle ungestrten Subsysteme 10 des gestrten Phasenmoduls 100 in den Schaltzustand I gesteuert werden. Im Schaltzustand II ist die am Subsystem 10 anstehende Klemmspannung UX21 gleich der am Speicherkondensator 9 anstehenden Kondensatorspannung UC. Im Schaltzustand I ist die am Subsystem 10 anstehende Klemmenspannung UX21 gleich Null. Infolge dieser Steuerung der Subsysteme 10 flieen die in der Figur 1 mit Pfeilen gekennzeichneten Strme iK1, iK2 und iK3. Um den Spitzenwert dieser Strme iK1, iK2 und

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iK3 auf Werte zu begrenzen, die fr intakte abschaltbare Halbleiterschalter 1, 3, 5 und 7 der Subsysteme 10 zulssig sind, ist jeweils eine Zeitdauer fr diese Schaltzustnde II und I entsprechend zu regeln. Die Bestimmung dieser Zeitdauer ist bei Kenntnis der Impedanzen Z vorab mglich. Durch diese Steuerung der Subsysteme 10 steht am gestrten Subsystem 10 eine berspannung an, deren Energie vom korrespondierenden Schutz-Bauelement 12 absorbiert wird. Dadurch geht dieses SchutzBauelement 12 in einen kurzschlussartigen Zustand ber, d.h., das Schutz-Bauelement 12 legiert durch. [0029] Da die maximale verfgbare Energie bei weitem ausreichend ist, wird dieses beschriebene Steuerverfahren modifiziert. Beim modifizierten Steuerverfahren wird im gestrten Phasenmodul 100, das gem dem Ersatzschaltbild nach Figur 1 die beiden Stromrichterventile T1 und T2 umfasst, gegenber dem Normalbetrieb nur ein Subsystem 10 zustzlich in den Schaltzustand I und in den ungestrten Phasenmodulen 100 nur je ein Subsystem 10 zustzlich in den Schaltzustand II gesteuert. Die dadurch am gestrten Subsystem 10 anstehende Spannung reicht aus, um das zugehrige Schutz-Bauelement 12 durchlegieren zu lassen. [0030] Durch die Wahl und jeweilige Anzahl der eingesetzten Subsysteme 10 pro Phasenmodul 100 muss sichergestellt werden, dass mit den ungestrten Phasenmodulen 100 sowohl die Einstellung der in Figur 1 eingezeichneten Stromrichtungen durch Strme iK2 und iK3 als auch der entgegengesetzten Stromrichtung des Stromes iK1 mglich sind. [0031] Durch diese Steuerung der Subsysteme 10 der Phasenmodule 100 einer mehrphasigen Stromrichterschaltung werden die Gleichspannung an den Gleichspannungs-Sammelschienen P0 und N0 und die Wechselspannung an den Lastanschlssen L1, L2 und L3 gegenber einem Normalbetrieb nur geringfgig und nur fr die Zeitdauer beeinflusst. [0032] Eine fr intakte abschaltbare Halbleiterschalter zulssige Hhe des resultierenden Stromimpulses lsst sich, wie bereits erwhnt, rechnerisch vorab bestimmen. Eine Messung des Stromimpulses lsst sich ebenfalls durchfhren, falls Messwerterfassungen der Zweigstrme vorhanden sind. Auf diese Weise kann auch mit einer variablen Zeitdauer gearbeitet werden, die so angepasst wird, dass ein vorbestimmter Maximalstrom erreicht wird. [0033] Die genannten Schaltzustnde der Zeitdauer knnen auch mehrfach wiederholt angesteuert werden, wobei die Anzahl dieser gesteuerten Schaltzustnde und eine Pausenzeit zwischen diesen Wiederholungen so gewhlt werden, dass ein im Grenzfall vollstndig entladener Speicherkondensator 9 eines gestrten Subsystems 10 mglichst schnell wieder geladen ist.

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Patentansprche 1. Stromrichterschaltung mit drei jeweils ein oberes und ein unteres Stromrichterventil (T1,...,T6) aufwei-

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senden Phasenmodulen (100), wobei diese Phasenmodule (100) gleichspannungsseitig mit einer positiven und negativen Gleichspannungs-Sammelschiene (P0,N0) elektrisch leitend verbunden sind, und wobei jedes Stromrichterventil (T1,...,T6) wenigstens zwei zweipolige Subsysteme (10) aufweist, die elektrisch in Reihe geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, dass elektrisch parallel zu den Anschlussklemmen (X1, X2) eines jeden Subsystems (10) ein Schutz-Bauelement (12) geschaltet ist, das derart beschaffen ist, dass dieses im Fehlerfall eines korrespondierenden Subsystems durclilegiert. 2. Stromrichterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Schutz-Bauelement (12) eine Diode (14) vorgesehen ist. Stromrichterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Schutz-Bauelement (12) ein Thyristor (20) vorgesehen ist, dessen Anode (26) mittels einer aktiven Klemmbeschaltung (22) mit seinem Gate (30) verknpft ist. Stromrichterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Schutz-Bauelement (12) zwei Dioden (14,42) vorgesehen sind, die antiseriell geschaltet sind. Stromrichterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Schutz-Bauelement (12) ein Thyristor (20) vorgesehen ist, dessen Anode (26) mittels Zener-Dioden (24) und Entkopplungsdioden (44) mit seinem Gate (30) verknpft ist. Stromrichterschaltung nach Anspruch 3 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Gate (30) des Thyristors (20) mit einem Gate-Widerstand (28) versehen ist. Stromrichterschaltung nach Anspruch 3 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass elektrisch parallel zur Anoden-Kathoden-Strecke des Thyristors (20) eine RC-Beschaltung (36) geschaltet ist. Stromrichterschaltung nach einem der vorgenannten Ansprche, dadurch gekennzeichnet, dass jedes zweipolige Subsystem (10) zwei abschaltbare Halbleiterschalter (1,3), zwei Dioden (2,4) und einen unipolaren Speicherkondensator (9) aufweist, wobei die beiden abschaltbaren Halbleiterschalter (1,3) elektrisch in Reihe geschaltet sind, die elektrisch parallel zum unipolaren Speicherkondensator (9) geschaltet sind, und wobei jedem abschaltbaren Halbleiterschalter (1,3) eine Diode (2,4) antiparallel geschaltet ist. Stromrichterschalter nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussklemmen (X1,

X2) eines jeden Subsystems (10) mit den Anschlssen des unteren abschaltbaren Halbleiterschalters (1) der elektrisch in Reihe geschalteten Halbleiterschalter (1,3) elektrisch leitend verbunden sind.
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10. Stromrichterschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussklemmen (X1, X2) eines jeden Subsystems (10) mit den Anschlssen des oberen abschaltbaren Halbleiterschalters (1) der elektrisch in Reihe geschalteten abschaltbaren Halbleiterschalter (1, 3) elektrisch leitend verbunden sind. 11. Stromrichterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweipolige Subsystem (10) vier abschaltbare Halbleiterschalter (1,3,5,7) mit anti-parallelen Dioden (2,4,6,8) und einen Speicherkondensator (9) aufweist, wobei diese abschaltbaren Halbleiterschalter (1,3, 5,7) eine Brckenschaltung bilden, an deren gleichspannungsseitigen Anschlssen der Speicherkondensator (9) angeschlossen ist, und wobei die wechselspannungsseitigen Anschlsse der Brckenschaltung die Anschlussklemmen (X1, X2) des Subsystems (10) bilden. 12. Stromrichterschaltung nach einem der vorgenannten Ansprche, dadurch gekennzeichnet, dass als abschaltbare Halbleiterschalter (1,3,5,7) ein Insulated-Gate-Bipolar-Transistor vorgesehen ist. 13. Stromrichterschaltung nach einem der Ansprche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass als abschaltbarer Halbleiterschalter (1,3,5,7) ein MOSFeldeffekttransistor vorgesehen ist. 14. Stromrichterschaltung nach einem der Ansprche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass als abschaltbarer Halbleiterschalter (1,3,5,7) ein GateTurn-Off-Thyristor vorgesehen ist. 15. Stromrichterschaltung nach einem der Ansprche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass als abschaltbarer Halbleiterschalter (1,3,5,7) ein Integrated-Gate-Communutated-Thyristor vorgesehen ist. 16. Steuerverfahren fr eine Stromrichterschaltung nach Anspruch 1 mit folgenden Verfahrensschritten:

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9.

a) Ermittlung eines ausgefallenen Subsystems (10) in einem Phasenmodul (100), b) ist ein Subsystem (10) in einem Phasenmodul (100) ausgefallen, so wird wenigstens zustzlich ein Subsystem (10) dieses gestrten Phasenmoduls (100) fr eine vorbestimmte Zeitdauer in einen Schaltzustand I gesteuert, wobei in den ungestrten Phasenmodulen (100) jeweils wenigstens zustzlich ein Subsystem (10) fr

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eine vorbestimmte Zeitdauer in einem Schaltzustand II gesteuert wird. 17. Steuerverfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt b) mehrmals wiederholt wird, wobei zwischen diesen Wiederholungen eine vorbestimmte Pausenzeit eingehalten wird. 18. Steuerverfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass die an den Speicherkondensatoren (a) eines jeden Subsystems (10) anstehenden Spannungen (UC) ermittelt werden, dass diese ermittelten Spannungen (UC) mit einem vorbestimmten Toleranzband verglichen werden, und dass ein Subsystem (10) als fehlerhaft detektiert ist, sobald seine Spannung (UC) auerhalb des vorbestimmten Toleranzbandes liegt.

Inverter circuit according to Claim 3 or 5, characterized in that the gate (30) of the thyristor (20) is provided with a gate resistor (28). Inverter circuit according to Claim 3 or 5, characterized in that an RC circuit (36) is electrically connected in parallel with the anode-cathode path of the thyristor (20). Inverter circuit according to any of the preceding claims, characterized in that each two-terminal subsystem (10) comprises two semiconductor switches (1, 3) which can be switched off, two diodes (2, 4) and a unipolar storage capacitor (9), the two semiconductor switches (1, 3) which can be switched off being electrically connected in series, this series connection being electrically connected in parallel with the unipolar storage capacitor (9), and each semiconductor switch (1, 3) which can be switched off being connected in antiparallel with one diode (2, 4). Inverter circuit according to Claim 8, characterized in that the connecting terminals (X1, X2) of each subsystem (10) are electrically connected to the terminals of the lower semiconductor switch (1) which can be switched off of the semiconductor switches (1, 3) electrically connected in series.

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10

8.

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Claims 1. Inverter circuit having three phase modules (100) each comprising an upper and a lower converter valve (T1,...,T6), these phase modules (100) being electrically connected on the DC side to a positive and a negative DC busbar (P0, N0), and each converter valve (T1,...,T6) comprising at least two twoterminal subsystems (10), which are electrically connected in series, characterized in that a protective component (12) is electrically connected in parallel with the connecting terminals (X1, X2) of each subsystem (10), which protective component (12) is designed so that it breaks down in the event of a fault in a corresponding subsystem. Inverter circuit according to Claim 1, characterized in that a diode (14) is provided as the protective component (12). Inverter circuit according to Claim 1, characterized in that a thyristor (20), whose anode (26) is connected to its gate (30) by an active clamping circuit (22), is provided as the protective component (12). Inverter circuit according to Claim 1, characterized in that two diodes (14, 42) connected in series back-to-back are provided as the protective component (12). Inverter circuit according to Claim 1, characterized in that a thyristor (20), whose anode (26) is connected to its gate (30) by Zener diodes (24) and decoupling diodes (44), is provided as the protective component (12). 9.
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35

10. Inverter circuit according to Claim 8, characterized in that the connecting terminals (X1, X2) of each subsystem (10) are electrically connected to the terminals of the upper semiconductor switch (1) which can be switched off of the the semiconductor switches (1, 3) which can be switched off electrically connected in series. 11. Inverter circuit according to Claim 1, characterized in that the two-terminal subsystem (10) comprises four semiconductor switches (1, 3, 5, 7) which can be switched off having antiparallel diodes (2, 4, 6, 8) and a storage capacitor (9), these semiconductor switches (1, 3, 5, 7) which can be switched off forming a bridge circuit across whose DC-side terminals the storage capacitor (9) is connected, and with the AC-side terminals of the bridge circuit forming the connecting terminals (X1, X2) of the subsystem (10). 12. Inverter circuit according to any of the preceding claims, characterized in that an insulated gate bipolar transistor is provided as the semiconductor switches (1, 3, 5, 7) which can be switched off. 13. Inverter circuit according to any of Claims 1 to 12, characterized in that an MOS field effect transistor is provided as the semiconductor switches (1, 3, 5, 7) which can be switched off.

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14. Inverter circuit according to any of Claims 1 to 12, characterized in that a gate turn-off thyristor is provided as the semiconductor switches (1, 3, 5, 7) which can be switched off.
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comme composant ( 12 ) de protection. 3. Montage convertisseur suivant la revendication 1, caractris en ce quil est prvu comme composant ( 12 ) de protection un thyristor ( 20 ) dont lanode est relie sa grille ( 30 ) au moyen dun circuit ( 22 ) de borne actif. Montage convertisseur suivant la revendication 1, caractris en ce quil est prvu comme composant ( 12 ) de protection deux diodes ( 14, 42 ) montes tte-bche. Montage convertisseur suivant la revendication 1, caractris en ce quil est prvu comme composant ( 12 ) de protection un thyristor ( 20 ) dont lanode est relie sa grille ( 30 ) au moyen de diodes ( 24 ) zener et de diodes ( 44 ) de dcouplage. Montage convertisseur suivant la revendication 3 ou 5, caractris en ce que la grille du thyristor ( 20 ) est pourvue dune rsistance ( 28 ) de grille. Montage convertisseur suivant la revendication 3 ou 5, caractris en ce quun circuit ( 36 ) RC est mont en parallle la section anode-cathode du thyristor ( 20 ). Montage convertisseur suivant lune des revendications prcdentes, caractris en ce que chaque sous-systme ( 10 ) bipolaire a deux commutateurs ( 1, 2 ) semiconducteur pouvant tre bloqus, deux diodes ( 2, 4 ) et un condensateur ( 9 ) accumulateur unipolaire, les deux commutateurs ( 1, 3 ) semiconducteur pouvant tre bloqus tant monts lectriquement en srie et tant monts lectriquement en parallle au condensateur ( 9 ) accumulateur unipolaire et une diode ( 2, 4 ) tant monte tte-bche avec chaque commutateur ( 1, 3 ) semiconducteur pouvant tre bloqu. Montage convertisseur suivant la revendication 8, caractris en ce que les bornes ( X1, X2 ) de connexion de chaque sous-systme ( 10 ) sont relies dune manire conductrice de llectricit aux bornes du commutateur ( 1 ) semiconducteur infrieur pouvant tre bloqu des commutateurs ( 1, 3 ) semiconducteur monts lectriquement en srie.

15. Inverter circuit according to any of Claims 1 to 12, characterized in that an integrated gate commutated thyristor is provided as the semiconductor switches (1, 3, 5, 7) which can be switched off.
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4.

16. Control method for an inverter circuit according to Claim 1 comprising the following method steps: a) determining a failed subsystem (10) in a phase module (100), b) if a subsystem (10) in a phase module (100) has failed, additionally at least one subsystem (10) of this faulty phase module (100) is driven into a switching state I for a predetermined time period, while in each of the fault-free phase modules (100), additionally at least one subsystem (10) is driven in a switching state II for a predetermined time period. 17. Control method according to Claim 16, characterized in that the method step b) is repeated many times, with a predetermined time interval being observed between these repetitions. 18. Control method according to Claim 16 or 17, characterized in that the voltages (UC) across the storage capacitors (9) of each subsystem (10) are determined, that these determined voltages (UC) are compared with a preset tolerance band, and that a subsystem (10) is detected as faulty as soon as its voltage (UC) lies outside the preset tolerance band. 5.
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8.
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Revendications
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1.

Montage convertisseur ayant trois modules ( 100 ) de phase comportant une soupape ( T1,..., T6 ) de convertisseur suprieure et une soupape ( T1,..., T6 ) de convertisseur infrieure, ces modules ( 100 ) de phase tant relis dune manire conductrice de llectricit du ct de la tension continue une barre ( P0, N0 ) collectrice de tension continue positive et ngative et dans lequel chaque soupape ( T1,..., T6 ) de convertisseur a, au moins deux sous-systmes ( 10 ) bipolaires, qui sont monts lectriquement en srie, caractris en ce quil est mont lectriquement en parallle aux bornes ( X1, X2 ) de connexion de chaque sous-systme ( 10 ) un composant ( 12 ) de protection, qui est tel quil fait claquer un soussystme correspondant en cas de dfaillance. Montage convertisseur suivant la revendication 1, caractris en ce quil est prvu une diode ( 14 )

9.

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2.

10. Montage convertisseur suivant la revendication 8, caractris en ce que les bornes ( X1, X2 ) de connexion de chaque sous-systme ( 10 ) sont relies dune manire conductrice de llectricit aux bornes du commutateur ( 1 ) semiconducteur suprieur pouvant tre bloqu des commutateurs ( 1, 3 ) semiconducteur pouvant tre bloqus monts lectriquement en srie.

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11. Montage convertisseur suivant la revendication 1, caractris en ce que le sous-systme ( 10 ) bipolaire a quatre commutateurs ( 1, 3, 5, 7 ) semiconducteur pouvant tre bloqus, ayant des diodes ( 2, 4, 6, 8 ) montes tte-bche et un condensateur ( 9 ) accumulateur, ces commutateurs ( 1, 3, 5, 7 ) semiconducteur pouvant tre bloqus formant un circuit en pont, auquel sont raccordes, du ct de la tension continue, des bornes du condensateur ( 9 ) accumulateur et les bornes, du ct de la tension alternative du circuit en pont, forment les bornes ( X1, X2 ) de connexion du sous-systme ( 10 ). 12. Montage convertisseur suivant lune des revendications prcdentes, caractris en ce quil est prvu un transistor bipolaire grille isole comme commutateur ( 1, 3, 5, 7 ) semiconducteur pouvant tre bloqu. 13. Montage convertisseur suivant lune des revendications 1 12, caractris en ce quil est prvu un transistor effet de champs MOS comme commutateur ( 1, 3, 5, 7 ) semiconducteur pouvant tre bloqu. 14. Montage convertisseur suivant lune des revendications 1 12, caractris en ce quil est prvu un thyristor gate-turn-off comme commutateur ( 1, 3, 5, 7 ) semiconducteur pouvant tre bloqu.

temps dtermin lavance entre ces rptitions. 18. Procd de commande suivant la revendication 16 ou 17, caractris en ce que lon dtermine les tensions ( UC ) appliques aux condensateurs ( a ) accumulateurs de chaque sous-systme ( 10 ), on compare ces tensions ( UC ) dtermines une bande de tolrance dtermine lavance et on dtecte un sous-systme ( 10 ) comme dfectueux, ds que sa tension ( UC ) se trouve en-dehors de la bande de tolrance dtermine lavance.

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15. Montage convertisseur suivant lune des revendications 1 12, caractris en ce quil est prvu un thyristor integrated-gate-commutated comme commutateur ( 1, 3, 5, 7 ) semiconducteur pouvant tre bloqu. 16. Procd de commande dun montage convertisseur suivant la revendication 1, comprenant les stades de procd suivants :

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a) dtermination dun sous-systme ( 10 ) dfaillant dun module ( 100 ) de phase, b) si un sous-systme ( 10 ) dun module ( 100 ) de phase est dfaillant, au moins un sous-systme ( 10 ) de ce module ( 100 ) de phase perturb est command supplmentairement pendant une dure dtermine lavance, de manire venir dans un tat ( 1 ) de commutation, tandis que dans les modules ( 100 ) de phase non perturbs respectivement au moins un sous-systme ( 10 ) est command supplmentairement pour venir pendant une dure dtermine lavance dans un tat II de commutation. 17. Procd de commande suivant la revendication 16, caractris en ce que lon rpte plusieurs fois le stade b) du procd en observant un intervalle de

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IN DER BESCHREIBUNG AUFGEFHRTE DOKUMENTE Diese Liste der vom Anmelder aufgefhrten Dokumente wurde ausschlielich zur Information des Lesers aufgenommen und ist nicht Bestandteil des europischen Patentdokumentes. Sie wurde mit grter Sorgfalt zusammengestellt; das EPA bernimmt jedoch keinerlei Haftung fr etwaige Fehler oder Auslassungen.

In der Beschreibung aufgefhrte Patentdokumente DE 10103031 A1 [0002] [0003] [0006] DE 10217889 A1 [0007] US 5986909 A [0010] DE 10323220 A1 [0011]

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