SFH 314

SFH 314 FA

.Neu:
NPN-Silizium-Fototransistor SFH 314
New: Silicon NPN Phototransistor SFH 314 FA

feo06652
Area not flat
6.9
0.6 6.1
0.4 5.7 5.9
5.5 5.5
0.8
0.4
2.54 mm
spacing

ø5.1
ø4.8

1.8 4.0 0.6

1.2 3.4 0.4
29.5
27.5 Chip position
Cathode (Diode) GEX06630
Collector (Transistor)

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. feof6652

Wesentliche Merkmale Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) 460 nm to 1080 nm (SFH 314) and of
und bei 880 nm (SFH 314 FA) 880 nm (SFH 314 FA)
● Hohe Linearität ● High linearity
● 5 mm-Plastikbauform ● 5 mm plastic package

Anwendungen Applications
● Computer-Blitzlichtgeräte ● Computer-controlled flashes
● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb ● Industrial electronics
● Industrieelektronik ● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”

Semiconductor Group 1 1998-12-14

 SFH 314
SFH 314 FA

Typ Bestellnummer
Type Ordering Code
SFH 314 Q62702-P1668
SFH 314-2 Q62702-P1755
SFH 314-3 Q62702-P1756
SFH 314 FA Q62702-P1675
SFH 314 FA-2 Q62702-P1757
SFH 314 FA-3 Q62702-P1758

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 40 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung TS 260 °C
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung TS 300 °C
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung VCE 70 V
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom IC 50 mA
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs ICS 100 mA
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung VEC 7 V
Emitter-collector voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C Ptot 200 mW
Total power dissipation
Wärmewiderstand RthJA 375 K/W
Thermal resistance

Semiconductor Group 2 1998-12-14

 SFH 314
SFH 314 FA

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics
Bezeichnung Symbol Wert Einheit
Description Symbol Value Unit
SFH 314 SFH 314 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 850 870 nm
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 460 ... 1080 740 ... 1080 nm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche A 0.55 0.55 mm2
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche L×B 1×1 1×1 mm × mm
Dimensions of chip area L×W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- H 3.4 ... 4.0 3.4 ... 4.0 mm
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel ϕ ± 40 ± 40 Grad
Half angle deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCE 15 15 pF
Capacitance
Dunkelstrom ICEO 10 (≤ 200) 10 (≤ 200) nA
Dark current
VCE = 10 V, E = 0
Fotostrom,
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE ≥ 0.63 ≥ 0.63 mA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCE 7 – mA
VCE = 5 V

Semiconductor Group 3 1998-12-14

 SFH 314
SFH 314 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
-1 -2 -3 -4
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE 0.63 ... 1.25 1 ... 2 1.6 ... 3.2 ≥ 2.5 mA
SFH 314:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/ IPCE 3.4 5.4 8.6 13.5 mA
standard light A, VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit tr, tf 8 10 12 14 µs
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
Kollektor-Emitter- VCEsat 150 150 150 150 mV
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2

1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Directional characteristics Srel = f (ϕ)

40 30 20 10 0 OHF02329

ϕ 1.0
50

0.8

60
0.6

70 0.4

80 0.2

0
90

100
1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120

Semiconductor Group 4 1998-12-14

 SFH 314
SFH 314 FA

TA = 25 °C, λ = 950 nm
Rel. spectral sensitivity SFH 314 Srel = f (λ) Rel. spectr.sensitivity SFH 314 FA,Srel = f(λ) Dark current ICEO = f (VCE), E = 0
OHF02332 OHF02341
100 100
OHF02331
10 2
nA
S rel % S rel % Ι CEO

80 80
10 1
70

60 60

50 10 0

40 40

30
10 -1
20 20

10

0 0 10 -2
400 500 600 700 800 900 nm 1100 400 600 800 1000 nm 1200 0 10 20 30 40 50 V 70
λ λ V CE
Photocurrent IPCE = f (TA), Photocurrent Collector-emitter capacitance
VCE = 5 V, normalized to 25 oC IPCE = f (Ee), VCE = 5 V CCE = f (VCE), f = 1 MHz
OHF01524 OHF02339 OHF02344
1.6 10 1 50
Ι PCE mA
Ι PCE 25 Ι PCE C CE pF
1.4
40
1.2 10 0

1.0 30
-1
0.8 10

20
0.6

0.4 10 -2
10
0.2

0 10 -3 -3 0 -2
-25 0 25 50 75 C 100 10 10 -2 mW/cm 2 10 0 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2
TA Ee VCE
Photocurrent Total power dissipation Dark current
IPCE = f (VCE), Ee = parameter Ptot = f (TA) ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0
OHF02338 OHF02340 OHF02342
10 1 250 10 2
mA mW mW nA
Ι PCE 1 Ptot Ι CEO
cm 2
mW
0.5 200
cm 2
10 1

mW
0.25 150
cm 2
10 0 10 0
mW
0.1 100
cm 2

10 -1
50

10 -1 0 10 -2
0 10 20 30 40 50 V 70 0 20 40 60 80 ˚C 100 0 20 40 60 80 ˚C 100
VCE TA TA

Semiconductor Group 5 1998-12-14