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DIAS 02 - Praktikum 01: Relaxationsoszillator

Nam Tran Pham - 31.03.12 Ziel: Entwurf eines Relaxationsoszillators, Untersuchung der Frequenzabhngigkeit

I.

Optimierung des Oszillators

Abbildung 1 Schaltungskonzept eines Relaxationsoszillators

In Abbildung 1 ist Schaltungskonzept fr den Relaxationsoszillator gegeben, die besteht aus ein Oszillator-Core und ein digital D-Flipflop um den digitalen Takt-signal zu erzeugen. Die Oszillator-Core ist in Abbildung 2 dargestellt. Der Oszillator-Core wird durch den Strom betrieben, mit gegeben: . Die Parameter von dem Transistor MPmir1 ist . Fr den Stromspiegel gilt:

Die Kanal-Lnge fr MPmir2 wird

genommen, dadurch ist

Abbildung 2 Schaltung des Relaxationsoszillator-Core

Die Oszillator-Frequenz wird durch die Lade-Zeit des Kondensator bestimmt. Hier wird die Kondensatoren fr die Frequenz f = 1MHz dimensioniert. Der Referenzstrom daraus folgt der Lade-Strom , , und die Referenzspannung des Komparators

Fr die Simulation ist VDD = 3V,

genommen. Das Spektrum des

Ausgangsignal CLK wird in Abbildung 3 dargestellt. Die Grund-Frequenz liegt bei 772kHz. Diese Frequenz knnte durch die abweichende Lade-Zeit von den Kondensatoren ergeben.

Abbildung 3 FFT des CLK-Signal

Aus der Darstellung von Spannung ber den Kondensator in Abbildung 4 wird der Kondensator bei V = 1,6V umgeladen, statt 1,2V, d.h. der Lade-Vorgang dauert lnger als dimensioniert, als Folge ist die Frequenz niedriger geworden.

Abbildung 4 Spannung ber Kondensator(blau), ber Schalt-Transistor(rot)

Um die Lade-Vorgang zu verbessern, wird die Spannung ber den MN-SWITCH1 und MNSWITCH2 reduziert. Die Lnge L wird auf 0,8m und die Weite W auf 5m eingestellt um den Kanal-Widerstand zu reduzieren. Das Ergebnis in Abbildung 4 zeigt eine Spannung von 30mV ber den Transistor whrend des Lade-Vorgangs. Da die Spannung VDS in diesem Fall ist sehr klein, arbeiten die SWITCH Transistoren quasi in Trioden-Modus, als Lade-Widerstand fr den Kondensator. Bei der Erhhung von W wird der Widerstand verkleinert, wie parallele Schaltung von Widerstand, dadurch wird die Spannungsabfall VDS kleiner.

II.

Optimieren des Komparators

Abbildung 5 beschreibt den Einfluss des Propagation Delays des Komparators auf die Periodendauer.

Abbildung 5 Einfluss des Propagation Delays auf die Periodendauer

Abbildung 6 Arbeitsverhltnis des Komparator mit ICOMP = 2uA

Aus Abbildung 6 ergibt sich die Propagation Delay des Komparator mit Icomp = 2A TD = 135ns. d.h. die Lade-Zeit des Kondensator dauert 135ns lnger als geplant. Daraus folgt die gesamte Lade-Zeit des Kondensators

Daraus ergibt die Frequenz des Oszillators

Dies Ergebnis ist hnlich wie das aus der Simulation gegeben. Der Komparators-Strom wird auf 20A verndert, damit die Propagation Delay auf 15ns reduziert. Das Ergebnis wird in Abbildung 7 dargestellt. Mit dem hohen Komparator-Strom haben die Eingang-Stufe des Komparators hhere Verstrkung, dadurch wird die AusgangStufe mit hherem Spannungswechsel betrieben, dadurch wird die Schalt-Zeit reduziert.

Abbildung 7 Propagation Delay mit neuen Arbeit-Strom

Bei der Simulation mit dem neuen Komparator-Strom wird es festgestellt, dass die ergebende Frequenz hher als gewnscht ist. Der Grund dafr ist, die Spannung ber den Kondensator nicht linear ansteigen, sondern es am Anfang ein Sprung gibt, dadurch wird die Lade-Zeit reduziert, dieser Effekt ist hnlich wie in Abbildung 4. Um diese Sprung zu gltten wird die Kanal-Lnge des SWITCH-Transistors auf 10m erhht.

Abbildung 8 Spannung ber Kondensator und CLK-Signal mit neuen Komparator-Strom,Kanal-Lnge = 10um

Die ergebende Frequenz des Oszillators betrgt f = 992kHz. Das Spektrum des CLK-Signals wird in Abbildung 9 dargestellt.

Abbildung 9 Spektrum des neuen CLK-Signal

III.

Parametersimulation

Der Oszillator wird mit verschiedener Versorgungsspannung VDD bei unterschiedlicher Temperatur simuliert. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 aufgelistet. Mit der kleiner Versorgungspannung wird der Lade-Strom auch kleiner, als Folge dauert der Lade-Vorgang lnger, so wird die Frequenz auch kleiner.

Tabelle 1 Simulationsergebnisse mit verschiedener VDD und Temperatur

Frequenz in MHz VDD 5V 3V

Temperatur -40C 27C 150C 1,038 0,992 0,956 0,98 0,908 0,812

Tabelle 2 Die prozentuale Schwankung bezogen auf nominelle Frequenz fOSC = 1MHz

Min 0,8 % Max 4,4 Min 0,8 % Max 9,2 Min 0,8 Gesamte Schwankung ber VDD und T % Max 18,8 Temperaturschwankung bei VDD = 5V Versorgungsspannungsschwankung bei T = 27C

IV.

Frequenzsteuerung durch IOSC


und simulierten Ergebnisse werden in Tabelle 3 gegeben.

Die Steuerstrom IOSC wird angewendet, um die Frequenz des Oszillators einzustellen. Die berechneten (Simulationskondition: VDD = 5V, temp = 27C)
Tabelle 3 Steuerstrom IOSC zum Einstellen von Frequenz

Frequenz Berechneter Strom IOSC Simulierte Strom IOSC 100 kHz 2,16 A 1,8 A 2 MHz 40 A 43,8 A Fr die Frequenz f = 100kHz ist der simulierte Strom kleiner als der berechnete Strom, da es eine Sprung am Anfang des Lade-Vorgangs von Kondensator gibt, dadurch erreicht die Spannung am Kondensator die VREF schneller, die Propagation-Delay ist viel kleiner im Vergleich mit der Lade-Zeit. Bei der Frequenz f = 2MHz ist die nominelle Lade-Zeit kleiner, dadurch fllt die Delay-Zeit besonders in Gewicht, dadurch muss der IOSC Strom hher um die Delay-Zeit zu kompensieren. Der Steuerstrom IOSC wird durch die Steuerspannung VOSC und Widerstand R = 10k erzeugt, die Werte von Steuerspannung Vctrl werden in Tabelle 4 aufgetragen.
Tabelle 4 Steuerspannung Vctrl

Frequenz Steuerungsspannung 100kHz 18mV 2MHz 438mV Die Frequenz wird als linear zum IOSC genommen, daraus ist die bertragungsfaktor KVCO