Vokabel bersetzung

absolute maximum ratings absolute Grenzdaten

additional ergnzend
adjustment range Einstellbereich
alternating input voltage Eingangswechselspannung
approximately annhernd, in etwa
average Mittelwert
bandwidth Bandbreite
bidirectional hin und her, in beide Richtungen
buffered input Gepufferter Eingang
CMOS getaktete CMO!chaltung
Channel Separation "analtrennung
CMOS ko#ple#entrer Metall!O$id!%albleiter
coefficient Beiwert
common mode Gleichtakt
comparable &ergleichbar #it
compared '# (ergleich
compatibility "o#patibilitt
dropout voltage )bfallspannung
!type flip!flop "latch# )uffang!*lipflop
duration +ulslnge
electrical specifications Elektrische Beschreibung ,pezifizierung-
e$uivalent gleichwertig
%S electrostatic discharge. elektrostatic sensiti&e de&ice
exceeded /berschritten
fall time )bfallzeit
foolproof betriebssicher ,'diotensicher-
freedom from oscillations *ehlerfreiheit des Oszillators
gain (erstrkung
general purpose operational amplifier 0ni&ersal betriebsfhiger (erstrker
harmonic distortion "lirrfaktor ,(erzerrungen-
&SCMOS sehr schnell getaktete CMO 1ogik
human body model
Modell des #enschlichen "2rpers (z. B. zur Untersuchung des
Einflusses elektrischer Gren auf den Menschen)
impedance cheinwiderstand, 3echselstro#widerstand
increase die Erh2hung
infinite unbegrenzt
input bias current Eingangssignalstro#
input stage Eingangsstufe
intended &orgesehen, geplant, gedacht f/r
inverting in&ertierend
'()%*
"junction field!effect transistor#
perrschichtfeldeffekttransistor
junction pn!bergang, Grenzschicht
large signal voltage gain Gro4signalspannungs&erstrkung
latched eingeklinkt
leakage current 1eckstro#, perrstro#
loads Belastung
+S**+ 1ow!+ower chottk5 6ransistor!6ransistor 1ogic
maintaning einhalten
margin pielrau#
MS, "medium!scale integration# #ittlerer 'ntegrationsgrad
-MOS "n!channel metaloxide
semiconductor-
n!"anal!Metallo$id!%albleiter
nominal current 7ennstro#
offset )bweichung, (ersatz
operating conditions Betriebsbedingungen
output short!circuit duration chaltkreisausgangskurzschlusspulslnge
output voltage swing )usgangsspannungshub
overshoot berschwinger
peak forward surge current. /0 &1 half
sine!wave
to4stro# f/r eine 89 %z inus!%albwelle
performance 1eistung
possess aufweisen, besitzen
power consumption 1eistungsaufnah#e, Eigen&erbrauch
power dissipation (erlustleistung
propagation bertragung
$uiescent current Ruhestro#
range Bereich
rejection ratio 0nterdr/ckungsfaktor
reliable betriebssicher
repetitive peak forward current +eriodischer pitzenstro#
ripple rejection Bru##spannungsunterdr/ckung
rise time )nstiegszeit
rugged #echanisch stabil
silicon iliziu# ,ubstrat-
similar gleicher Bauart, hnlich
slew"ing# rate )nstiegsgeschwindigkeit
supply voltage rejection ratio 0nterdr/ckungsfakter der (ersorgungsspannungsnderungen
threestate chaltung #it drei :ustnden ,z; B; high, low, hochoh#ig-
threshold chwelle, Grenzwert, Grenzbereich
transient response Einschwing&erhalten
transition time bergangszeit ,z; B; &on low nach high-
unity gain (erstrkungsfaktor ,ggf; <-
vapor phase =a#pfphase
VCC "V!Collector# (ersorgungsspannung ,i; d; R; >-
V "V!rain# (ersorgungsspannung +lus
voltage swing pannungshub
V2MS "root mean s$uare# Effekti&wert ,?uadratischer Mittelwert-
V22M repetitive peak reverse voltage +eriodische pitzensperrspannung
VSS "V!Source# (ersorgungsspannung Masse