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der Informatik
(TGdI)
Teil 5 Zahlensysteme, Arithmetik
und Schaltalgebra
Version 2017-1.1
Einleitung
Von Technik wird also dann gesprochen, wenn Mittel oder Hilfsmittel eingesetzt
werden, um ein bestimmtes Ziel zu erreichen. Die Digitaltechnik befasst sich
demzufolge mit der Verarbeitung von Signalen, die nur eine endliche Anzahl
unterscheidbarer Werte annehmen knnen.
Wir werden uns in diesem Semester schwerpunktmig mit der Logik und dem
Entwurf von digitalen Schaltungen auf Logikbasis in der Digitaltechnik
auseinandersetzen.
Technische Grundlagen der Informatik Teil 5 Zahlensysteme, Arithmetik und Schaltalgebra
2 Prof. Dr.-Ing. Gtz C. Kappen 23. Oktober 2017
Einleitung
und 1 20 = 1)
Technische Grundlagen der Informatik Teil 5 Zahlensysteme, Arithmetik und Schaltalgebra
18 Prof. Dr.-Ing. Gtz C. Kappen 23. Oktober 2017
Zahlensysteme
Digitale Zahlensysteme Basis 10
dezimal
2 = 21
dual/
8 = 23 16 = 24
oktal hexa-
binr dezimal
0 0 0 0
Vor der technischen Realisierung erfolgt zunchst der 1 1 1 1
10 10 10 10
und 1 20 = 1) Schreibweise 10 2 8 16
(, )10 = = +
= =0 =
(, ) = = +
= =0 =
Mit dem Vorkommaanteil
1
= 1 1 + 2 2 + + 0 0 =
=0
Und dem Nachkommaanteil
1
= 1 1 + 2 2 + + =
=
berlauf
Komplement
(lat. complementum = Ergnzung, Vervollstndigung complere = erfllen, ergnzen)
Gegeben ist eine negative Zahl , mit dem Betrag ||
Fr Dualzahlen gilt: Das 2-er Komplement 2 ist dann die Ergnzung zur Zahl 2
+ 2 = 2 mit < 0
Oder umgestellt
2 = 2 ||
Durch eine Addition und Subtraktion von 1 kann der Term geschrieben werden als
2 = 2 + 1 1
In diesem Term findet man die beiden Komplementdarstellungen
2 = (2 1) + 1
1-er Komplement
Komplement
(lat. complementum = Ergnzung, Vervollstndigung complere = erfllen, ergnzen)
Gegeben ist eine negative Zahl , mit dem Betrag ||
Fr Dualzahlen gilt: Das 2-er Komplement 2 ist dann die Ergnzung zur Zahl 2
+ 2 = 2 mit < 0
Oder umgestellt
2 = 2 ||
Durch eine Addition und Subtraktion von 1 kann der Term geschrieben werden als
2 = 2 + 1 1
In diesem Term findet man die beiden Komplementdarstellungen
2 = (2 1) + 1
2-er Komplement
HA out
VA out
in
2 = 28 35 = 221
|35| lsst sich binr darstellen
35 = 00100011 = 0 27 + 0 26 + 1 25 + 0 24 + 0 23 + 1 21 + 1 20
Im Dualsystem
Operand 01111011 2
Operand + 01111111 2
bertrag out 011111110 2
Summe 11111010 2
Im Dualsystem
Operand 01110101 2
Operand 01011010 2
Borrow 000110100 2
Summe 00011011 2
Neben der klassischen Subtraktion kann auch eine Addition mit dem
2er-Komplement erfolgen
>
Operand 01110101 2
2er-Komplement Operand + 10100110 2
bertrag 111001000 2
Summe 00011011 2
Dies gilt mit der grten vorzeichenlosen darzustellenden Zahl 2 1 mit Bit
= + 2
= + 2 1 + 1
= + 2
Operand 01111111 2
2er-Komplement Operand + 01111111 2
+1
bertrag 011111110 2
Summe 11111110 2
Operand 10000000 2
2er-Komplement Operand + 10000000 2
+1
bertrag 100000000 2
Summe 00000000 2
0 0 0 1 0 1 0 0
0 1 1 1 1 0 0 0
=
1 1 1 1 1 0 0 0
0 0 0 1 0 1 0 0
0 1 1 1 1 0 0 0
=
1 1 1 1 1 0 0 0
Technische Grundlagen der Informatik Teil 5 Zahlensysteme, Arithmetik und Schaltalgebra
36 Prof. Dr.-Ing. Gtz C. Kappen 23. Oktober 2017
Zahlensysteme
Rechnen mit Dualzahlen: Multiplikation
Name Beispiel
=
Kommutativgesetze (K)
=
= ( )
Distributivgesetze (D)
= ( )
1 =
Neutrale Elemente (N)
0 =
= 0
Inverse Elemente (I)
= 1
Beispiel: = 1
Beispiel: = 1
Beispiel: = 1
Beispiel: = 1
Implikation ( )
Inverse Implikation =
quivalenz ( )
Antivalenz = ( )
EXKLUSIVES ODER-Gatter = =1
XOR =
NICHT-Gatter =
NOT =
Aussage:
Alle logischen Verknpfungen lassen sich mit nur einer Grundfunktion (einem Basisgatter
entweder NAND oder NOR) aufbauen
Realisierung
&
& & = & =
&
Aussage:
Alle logischen Verknpfungen lassen sich mit nur einer Grundfunktion (einem Basisgatter
entweder NAND oder NOR) aufbauen
Realisierung
1
1 1 = 1 =
5 V
Maximaler Strom (A = Low): EL Betr 1 = = 1,25 mA (Richtung aus dem Transistor)
4 k
Strom (A = High): EH 40 A (Richtung in den Transistor)
5 V
Maximaler Strom (A = Low): EL Betr 1 = = 1,25 mA (Richtung aus dem Transistor)
4 k
Strom (A = High): EH 40 (Richtung in den Transistor)
5 V
Maximaler Strom (A = Low): EL Betr 1 = = 1,25 mA (Richtung aus dem Transistor)
4 k
Strom (A = High): EH 40 (Richtung in den Transistor)
5 V
Maximaler Strom (A = Low): EL Betr 1 = = 1,25 mA (Richtung aus dem Transistor)
4 k
Strom (A = High): EH 40 (Richtung in den Transistor)
5 V
Maximaler Strom (A = Low): EL Betr 1 = = 1,25 mA (Richtung aus dem Transistor)
4 k
Strom (A = High): EH 40 (Richtung in den Transistor)
5 V
Maximaler Strom (A = Low): EL Betr 1 = = 1,25 mA (Richtung aus dem Transistor)
4 k
Strom (A = High): EH 40 (Richtung in den Transistor)
Source L
n n
n n p p
L L
p n
Bulk Bulk
Durch die externe Beschaltung kann ein Stromfluss zwischen Source und
Drain entstehen, der durch das Gate gesteuert wird
Durch dieses Verhalten wird ein elektronischer Schalter realisiert
Auf Basis des MOSFETs knnen nachfolgend logische Schaltungen aufgebaut
werden
Substrat und Source werden in der Regel verbunden (Verbindung nicht
eingezeichnet) + -
+ - + - + -
n n n n n n
p p p
G G
S S
nMOS n-Kanal Feldeffekttransistoren
D D
G G
S S
cMOS Mischen der p- und n-Kanal Feldeffekttransistoren
Technische Grundlagen der Informatik Teil 5 Zahlensysteme, Arithmetik und Schaltalgebra
73 Prof. Dr.-Ing. Gtz C. Kappen 23. Oktober 2017
Technische Realisierung
CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor)