Pek 01

Praktische Elektronik 1-1 Hans-Hellmuth Cuno
I. Halbleiter und Bauelemente
I.1 Halbleiter Materialien stem, z.B. III-V, II-VI und IV-IV Halb-
leiter. Zusätzlich kann man noch die
Halbleiter-Bauelemente dominieren Zahl der Verbindungspartner ange-
heute in der Elektronik und haben ben: Binär (2), ternär (3) und quater-
z.B. die Röhre fast völlig verdrängt. när (4). In ternären und quaternären
Nur höchste Leistungen und Frequen- Verbindungen müssen sich die An-
zen sowie Bildröhren werden heute zahlen der Atome aus den verschie-
noch durch Röhren bedient. Trotzdem denen Hauptgruppen natürlich
zeichnen sich Entwicklungen ab, wie entsprechen. So hat Galliumarse-
IC’s nach dem Röhrenprinzip mit nidphosphid GaAsP die variable Zu-
Feldemissions-Kathoden. sammensetzung GaAs(x)P(1-x),
Halbleiter stehen elektrisch zwischen wobei x zwischen 0 und 1 liegt. Ent-
den Isolatoren und Leitern. Chemisch sprechend lautet die Formel beim
reinen Halbleitern ist gemeinsam, daß Galliumindiumarsenidphosphid:
sie bei tiefen Temperaturen isolieren GaxIn1-xAsyP1-y mit x und y jeweils
und von einer bestimmten Tempera- zwischen 0 und 1.
tur an eine rasch anwachsende Leit-
fähigkeit zeigen. Diese intrinsische Tabelle 1 zeigt die für Halbleiter wich-
oder Eigenleitfähigkeit stört den Ein- tigen Elemente des Periodensystems.
satz bei hohen Temperaturen. Dier II. Hauptgruppe umfaßt die Er-
Es gibt eine ganze Reihe halbleiten- dalkalimetalle Beryllium - Barium. Für
der Materialien. Man unterscheidet Halbleiter ist nur die II. Nebengruppe
zuerst Element- und Verbindungs- interessant, von der das jeweils wich-
halbleiter. Letztere werden weiter un- tige Element aufgeführt ist.
terteilt nach den Hauptgruppen der
beteiligten Elemente im Periodensy-
II. Nebengr. III. Hauptgr. IV. Hauptgr. V. Hauptgr. VI. Hauptgr.

B C N O
Bor Kohlenstoff Stickstoff Sauerstoff
Al Si P S
Aluminium Silizium Phosphor Schwefel
Zn Ga Ge As Se
Zink Gallium Germanium Arsen Selen
Cd In Sn Sb Te
Cadmium Indium Zinn Antimon Tellur
Hg Tl Pb Bi Po
Quecksilber Thallium Blei Wismut Polonium
Tab. 1: Auszug des Periodensystems der Elemente

I.2 Dotierung
Von elementarer Bedeutung für alle So wird Silizium (IV. HG) durch Galli-
Halbleiter-Bauelemente ist die Mög- um (III. HG) p-dotiert und durch Arsen
lichkeit, die Leitfähigkeit durch Beimi- (V. HG) n-dotiert. Ein bereits dotierter
schen winziger Mengen anderer Halbleiter kann in den anderen Leitfä-
Elemente zu beeinflussen. Diese "Do- higkeitstyp umdotiert werden. Der wir-
tierung" erzeugt je nach Dotierele- kungsmäßig überwiegende Dotierstoff
ment im Halbleiter positive oder entscheidet, ob p- oder n-Leitfähigkeit
negative freibewegliche Ladungsträ- herrscht. Wichtig ist auch, daß in ei-
ger. Positive Ladungsträger sind nem dotierten Halbleiter neben den
Elektronenlöcher (Defektelektronen) Ladungsträgern des Leitfähigkeitstyps
und führen zu p-leitendem Halbleiter. (Majoritätsträger) immer auch eine
Negative Ladungsträger sind Elektro- geringe Konzentration von La-
nen, die n-Leitung verursachen. P-do- dungsträgern des jeweils anderen
tierend wirken Elemente aus einer Leitungstyps vorhanden ist (Minori-
niedrigeren Hauptgruppe des Peri- tätsträger). Das Produkt der beiden
odensystems, n-dotierend sind dage- ist eine Materialkonstante.
gen Elemente aus einer höheren
Hauptgruppe.
Abb. 1-1: Gitterkonstante und Bandabstand

Beispiele für verwendete Halbleiter Leuchtdiode. Je größer er ist, desto
und typische Anwendungen sind: höher ist die mögliche Betriebstempe-
ratur.
Element-Halbleiter:
Si, Ge: Die "klassischen" Halbleiter Die Gitterkonstante:
Se: Fotoelemente Das ist der Abstand zwischen glei-
C: (Diamant) in Entwicklung chen Atomanordnungen im Halbleiter-
kristall. Sie muß bei Schichtenfolgen
Einige Verbindungs-Halbleiter: ungleicher Halbleiter möglichst genau
III-V Verbindungen: übereinstimmen. Moderne optoelek-
GaAs: Feldeffekt Transistoren, tronische Bauelemente werden aus
schnelle IC’s, Optoelektronik Schichtenfolgen von Halbleitern ver-
InSb, InAs: Feldplatten und Hallgene- schiedenen Bandabstands aber glei-
ratoren cher Gitterkonstante aufgebaut.
GaAsP, GaAlAs, GaInAsP: LED’s, Mangels passender Halbleiter in der
Laserdioden, Infrarot Detektoren Natur setzt man ternäre und quater-
näre III-V Verbindungshalbleiter ein,
II-VI Verbindungen: die man durch Wahl der Zusammen-
ZnS: Leuchtstoffe, Farbe je nach Do- setzung für ein Bauelement
tierung maßschneidern kann. Man sieht in
CdS: CdSe: Fotowiderstände Abb. I.1 Bandabstand und Gitterkon-
HgCdTe: Infrarot-Detektoren stante verschiedener Verbindungs-
halbleiter. Beim GaAlAs und dem
IV-IV Verbindungen: GaInAsP ändert sich in Abhängigkeit
SiC: Leistungsbauelemente, blaue von der Zusammensetzung wohl der
Leuchtdioden Bandabstand, nicht aber die Gitter-
SiGe: Höchstfrequenz-Bauelemente konstante. Damit kann man Schichten
dieser Verbindungen aufeinander auf-
I.3 Eigenschaften von Halbleitern wachsen lassen. Der Bereich dieser
Verbindungen ist in Abb. 1-1 punk-
Die Vielzahl der verwendeten Halblei- tiert.
ter Materialien zeigt schon, daß für
bestimmte Bauelemente Halbleiter Die Ladungsträgerbeweglichkeit
mit passenden Eigenschaften benö- Eine hohe Beweglichkeit der La-
tigt werden. So kann man aus Silizi- dungsträger ist für hochfrequente und
um keine Leuchtdioden herstellen galvanomagnetische (Feldplatten und
und aus GaAs keine bipolaren Transi- Hallgeneratoren) Bauelemente wich-
storen (siehe I.3). Die wichtigsten Ei- tig. Der Strom wird dann (z.B. InSb,
genschaften eines Halbleiters sind: GaAs) von sehr wenigen, schnell be-
wegten Ladungsträgern getragen, bei
Der Bandabstand: geringer Beweglichkeit (z.B. Si) von
Der Bandabstand entspricht der erfor- sehr vielen, relativ langsam bewegten
derlichen Energie zur Erzeugung ei- Ladungsträgern.
nes Elektron-Loch Paars. Er
beeinflußt die Flußspannung einer Di-
ode und die Farbe des Lichts einer
I.4 Halbleiter Bauelemente Bei umgekehrter Polung der Diode
werden von beiden Bereichen her die
Halbleiter Bauelemente lassen sich in Ladungsträger zum pn-Übergang und
bipolare und monopolare Bauelemen- weiter ins Gebiet des anderen Leitfä-
te einteilen. In bipolaren Bauelemen- higkeitstyps gezogen. Dort rekombi-
ten fließt der Strom durch Gebiete nieren Elektronen und Elektronen-
beiderlei Dotierung, durchquert also löcher beim Aufeinandertreffen. Bild-
auch pn-Übergange, während bei den lich gesprochen "fällt" ein Elektron in
monopolaren MOS-Bauelementen ein Loch und setzt dabei etwas Ener-
der Strom nur in n- oder p-dotiertem gie in Form von Wärme frei. In dieser
Halbleiter fließt. Polung fließt ein Strom durch die Di-
ode, der mit wachsender Spannung
a) Dioden sehr stark zunimmt - die Diode leitet.
Der Spannungsabfall bei einem
fließenden Strom wird als Flußspan-
nung bezeichnet. Sie beträgt bei Sili-
ziumdioden etwa 0,65 V und ändert
sich nicht allzu stark bei Zunahme
des Stroms.
Ein anderer (nicht bipolarer) Di-

odentyp nutzt einen Metall-Halbleiter
Übergang, z.B. Aluminium gegen n-
Silizium. Die nach dem Entdecker
dieses Effekts benannten Schottky-
Dioden sind extrem schnell und ha-
ben eine kleinere Flußspannung als
pn-Dioden. Nachteilig sind die höhe-
Abb. 1-2: pn-Übergang und Diode ren, mit wachsender Temperatur
stark zunehmenden Sperrströme.
Das einfachste bipolare Bauelement
ist die Diode, deren Funktion auf ei- b) bipolare Transistoren
nem pn-Übergang beruht. Am pn- Ein gewöhnlicher (=bipolarer) Transi-
Übergang grenzen p- und n-dotierter stor besteht aus drei Halbleiterschich-
Halbleiter aneinander. Ist der n-Be- ten mit abwechselnder Leitfähigkeit.
reich (Kathode) positiv gegenüber Die Transistoren werden nach den
dem p-Bereich (Anode), so werden in zwei möglichen Schichtenfolgen npn
beiden Bereichen die Ladungsträger und pnp bezeichnet. Alle Ströme und
vom pn-Übergang weggezogen (ver- Spannungen beim pnp-Transistor ha-
schiedene Vorzeichen) und es ent- ben das umgekehrte Vorzeichen wie
steht um den pn-Übergang herum ein beim npn-Transistor. Alle Eigenschaf-
Gebiet ohne Ladungsträger, der Ver- ten des npn-Transistors gelten mit
armungsbereich. Mangels Ladungs- diesem Unterschied auch für den
trägern ist dieser hochohmig und es pnp-Transistor.
fließt kein Strom - die Diode sperrt.
Der Basisstrom fließt zum Emitter ab,
dabei wandern aus der Basis Löcher
in die Emitterschicht und aus dem
Emitter Elektronen in die Basis-
schicht. Das allein wäre in keiner
Weise bemerkenswert, da die CB-Di-
ode weiterhin sperrt. Entscheidend für
den Transistoreffekt ist die sehr dün-
ne Basisschicht. Dank der geringen
Dicke der Basiszone haben die Elek-
tronen gute Aussichten, diese zu
durchlaufen, bevor sie mit einem
Loch in der Basisschicht rekombinie-
ren. Hat ein Elektron erst einmal den
Abb. 1-3: pn-Übergang und Diode Verarmungsbereich der CB-Diode er-
reicht, so wird es mit Vehemenz zum
Die 3 Schichten des Transistors sind positiven Kollektor gezogen. In einem
in Reihenfolge der n-leitende Emitter durchschnittlichen Niederfrequenz-
E, die p-leitende Basis B und der n- Transistor schaffen mehr als 99% der
leitende Kollektor C. Elektrisch be- vom Emitter kommenden Elektronen
steht der Transistor aus 2 den Weg durch die Basis zum Kollek-
pn-Übergängen mit gemeinsamer An- tor und weniger als 1% rekombinieren
ode an der Basis des Transistors. in der Basisschicht. Das bedeutet,
Diese Anordnung erlaubt eine rasche daß der Kollektorstrom mehr als 99
Feststellung der Polarität und der mal so groß ist, wie der Basisstrom.
Funktionsfähigkeit eines Transistors. Der Quotient IC/IB wird als Gleich-
Beim npn-Transistor leitet bei positi- stromverstärkung B bezeichnet: B =
ver Basis die BE- und die BC-Diode IC/IB. B hängt nur wenig von der
und ist niederohmig. Bei umgekehr- Größe der Ströme ab.
tem Vorzeichen (negative Basis)
sperren beide Dioden und sind hoch- Auf diese Weise steuert im Transi-
ohmig. Die CE-Strecke muß immer stor der kleine Basisstrom den viel
hochohmig sein, da ja stets eine der größeren Kollektorstrom. Schaltet
beiden Dioden sperrt. man den Basisstrom wieder ab, so
werden keine Elektronen mehr vom
Zum Verstehen der Funktion des Emitter in die Basisschicht gezogen
Transistors nehmen wir an, daß der und der Kollektorstrom versiegt.
Emitter mit dem Minuspol und der
Kollektor mit dem Pluspol einer Span- Trotz des geringen Basisstroms fließt
nungsquelle verbunden ist. Wir wis- durch die Basis-Emitter Diode der vol-
sen bereits, daß bei offenem le Kollektorstrom und UBE ist gleich
Basisanschluß kein Strom fließt, weil der Flußspannung einer vom Kollek-
die CB-Diode sperrt. Das ändert sich, torstrom durchflossenen Diode (ca.
wenn wir einen kleinen Strom in die 0,65 V). Der Basisstrom führt dazu,
Basis hineinfließen lassen, z.B. über daß ein bipolarer Transistor immer
einen Widerstand. eine Steuerleistung PS braucht:
PS = IB ⋅ UBE.
c) MOSFETs vom Anreicherungstyp Wegen der extrem geringen Dicke
(nur einige µm) der Oxidschicht tritt
schon bei kleinen Spannungen eine
sehr hohe elektrische Feldstärke an
der Oberfläche des Substrats auf.
Das Feld ist so stark, daß die im p-lei-
tenden Substrat in geringer Zahl vor-
handenen Elektronen an die
Oberfläche gezogen werden und sich
unter dem Oxid anhäufen. Bei ausrei-
chender Gatespannung überschreitet
die Konzentration der Elektronen die
Konzentration der Löcher und an der
Oberfläche des Substratmaterials un-
ter dem Oxid entsteht ein dünner n-
Abb. 1-4: MOSFET (Anreicherungstyp) leitender Kanal. Dieser stellt eine
sperrschichtfreie Verbindung von der
Der MOS-Feldeffekttransistor, kurz Source zum Drain dar und der Strom-
MOSFET (= Metall-Oxid-Semicon- fluß setzt ein. Mit wachsender Gate-
ductor Field Effect Transistor) bewirkt spannung wird der Kanal immer
die Steuerung des Stroms nach ei- dicker und niederohmiger und der
nem völlig anderen Prinzip. Das den Strom nimmt rasch zu.
Stromfluß steuernde Gate (=Tor) ist
durch eine sehr dünne Schicht aus So steuert die Gatespannung den
isolierendem SiO2 (Siliziumdioxid, Drainstrom, wobei das Gate strom-
kurz: Oxid) von den anderen An- und daher leistungslos bleibt. Die lei-
schlüssen elektrisch vollkommen iso- stungslose Steuerung im MOSFET
liert. Im schwach p-leitenden Substrat hat ein prinzipielles Problem: Die ex-
befinden sich zwei n-leitende Inseln, trem geringe Dicke des Gate-Oxids
welche Source (=Quelle) und Drain ergibt schon bei kleinen Spannungen
(=Abfluß) genannt werden. die hohen Feldstärken. Bei höheren
Spannungen (ca.30V) bricht die Iso-
Im Bauelement ist Source mit dem lierschicht bereits durch. Schon ge-
Substrat verbunden und liegt am Mi- ringfügige elektrostatische Aufladun-
nuspol, während Drain über den Ar- gen des völlig isolierten Gates kön-
beitswiderstand mit dem Pluspol einer nen zur Durchschlag der Oxidschicht
Spannungsquelle verbunden ist. Der führen. Obwohl moderne MOS-Bau-
pn-Übergang Drain-Substrat ist in elemente Schutzdioden zur Ableitung
Sperrrichtung vorgespannt und ohne von Überspannungen haben, ist Vor-
Gatespannung fließt kein Drainstrom. sicht bei der Handhabung und beim
Das ändert sich, sobald an das Gate Einbau immer geboten.
eine positive Spannung gelegt wird.
d) MOSFETs vom Verarmungstyp
Abb. 1-6: JFETs
Abb. 1-5: MOSFETs (Verarmungstyp) Gate und Kanal, die genau wie im
Verarmungs MOSFET den Kanal-
Im Verarmungs-MOSFET wird bei der querschnitt einengt und den Strom-
Herstellung ein Kanal zwischen fluß hemmt.
Source und Drain erzeugt. Legt man
eine negative Spannung ans Gate, so f) Leistungs MOSFETs
bildet sich nach dem gleichen Prinzip
wie beim Anreicherungstyp eine p-lei-
tende Schicht direkt unter dem Gate-
Oxid. Diese Schicht trägt aber nicht
zum Stromfluß bei, sondern verengt
vielmehr den Kanalquerschnitt und
verringert dadurch den Drainstrom.
Bei Gatespannung 0 fließt also
Strom, der bei negativ werdender Ga-
tespannung kleiner wird. Hieran kann
man den Verarmungstyp vom Anrei-
cherungstyp unterscheiden, der bei
Gatespannung 0 sperrt. Bei beiden
Typen erhöht aber eine positiver wer-
dende Gatespannung den Drainstrom Abb. 1-7: Leistungs MOSFET
und umgekehrt.
Für Leistungsanwendungen muß der
e) Sperrschicht Feldeffekttransistoren Kanalwiderstand möglichst klein sein,
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren um die ohmschen Verluste im einge-
(JFET= Junction FET) haben ein schalteten Zustand zu minimieren.
Gate aus dotiertem Silizium, das vom Um einen möglichst großen Kanal-
Kanal durch eine Sperrschicht isoliert querschnitt auf einer möglichst klei-
ist. Sie gehören auch zum Verar- nen Chipfläche unterzubringen
mungstyp. Bei Anlegen einer negati- benutzt man Anordnungen wie z. B.
ven Spannung ans Gate bildet sich in Abb. 1-7. Auf dem n-Substrat befin-
eine Verarmungsschicht zwischen det sich eine p- und darüber eine n-
leitende Siliziumschicht. Auf die In- Der MOSFET wird leistungslos ge-
nenfläche der eingeätzten Gruben steuert und schaltet den Basisstrom
wird erst das Gateoxid und dann das des pnp-Transistors. Der Spannungs-
Gatematerial aufgebracht. Positive abfall auch bei großen Strömen liegt
Spannung am Gate erzeugt an der um 1 Volt. Das Ersatzschaltbild in
Oberfläche der p-Schicht den Kanal, Abb. 1-8 zeigt auch den parasitären
durch den der Strom von der Source npn-Transistor aus Source, Substrat
zum Drain fließt. Für höhere Sperr- und Drain des MOSFET. Zusammen
spannungen muß der Kanal länger mit dem Emitter des pnp-Transistors
und damit hochohmiger werden. entsteht so ein Thyristor (npnp), des-
sen Zünden durch spezielle Maßnah-
Leistungs MOSFETs schalten sehr men ausgeschlossen werden muß.
schnell und sind damit für
Schaltregler (siehe Kap. XI.3) hervor- h) Thyristoren
ragend geeignet.
g) Insulated Gate Base Transistor
Abb. 1-9: Thyristor
Thyristoren sind in der Schichtfolge

pnpn aufgebaut. Fast alle Eigenschaf-
ten werden durch die 2-Transistor Er-
satzschaltung gut beschrieben. Bei
negativer Anode sperrt der Thyristor
Abb. 1-8: Insulated Gate Base Transistor immer. Bei positiver Anode sperrt der
Thyristor, solange das Gate nicht an-
Mit wachsender Sperrspannung brau- gesteuert wird. Fließt ein kleiner
chen MOSFETs einen immer länge- Strom ins Gate, so verstärkt ihn der
ren und dadurch hochohmigeren npn Transistor und schickt seinen
Kanal. Deswegen haben bei Sperr- Kollektorstrom in die Basis des pnp-
spannungen ab etwa 150 V bipolare Transistors. Dieser verstärkt den
Transistoren im eingeschalteten Zu- Strom weiter und führt ihn zum Gate
stand geringere Verluste als Lei- zurück. Ist das Produkt der beiden
stungs MOSFETs. Den Nachteil des Stromverstärkungen Bpnp ⋅ Bnpn> 1,
relativ großen Basisstroms vermeidet so schaukelt sich der Strom sehr
der Insulated Gate Base Transistor schnell auf, bis er z. B. durch die Last
(IGBT) durch die Kombination eines begrenzt wird. Man sagt: der Thyristor
n-Kanal MOSFETs mit einem pnp- zündet. Im gezündeten Zustand über-
Leistungstransistor. schwemmen die Ladungsträger die
beiden inneren Schichten und die I.5 Herstellverfahren
Flußspannung ist sehr klein. Etwas lax ausgedrückt besteht die
Kunst der Herstellung von Halbleiter-
Der Thyristor bleibt gezündet, solan- Bauelementen im gezielten Ver-
ge ein Mindeststrom - der Haltestrom schmutzen (=Dotieren) des Halblei-
- fließt. Gelöscht wird der Thyristor ters. Die erste Dotierung des
nicht über das Gate sondern durch Halbleiters erfolgt bei der Herstellung
Unterschreiten des Haltestroms für des Basismaterials. Nach der extre-
die Dauer der Freiwerdezeit. Dies ist men Reinigung wird vor dem Kristall-
die Zeit, welche die Ladungsträger ziehen die erforderliche Menge
brauchen, um durch Rekombination Dotierstoff zugegeben, um die ge-
auszusterben. wünschte Leitfähigkeit einzustellen.
Die Produktion des Basismaterials ist
Zum Leidwesen der Bauelementeher- eine Domäne von Spezialfirmen, wel-
steller stellt jede Schichtfolge pnpn in che die Hersteller von Bauelementen
einem Bauelement im Prinzip einen mit fertig gesägten Kristallscheiben
Thyristor dar. Dieser kann bei Zusam- der gewünschten Leitfähigkeit belie-
mentreffen ungünstiger Umstände fern.
zünden, was für das Bauelement sehr
negative Folgen haben kann. Man Die älteste Dotiermethode ist das Le-
spricht dann von Latchup (Einschnap- gieren. Man stellte früher Germanium
pen), der in der Regel zur Zerstörung Transistoren her, indem man auf bei-
führt. Durch spezielle Maßnahmen de Seiten eines dünngeschliffenen
senkt man das Produkt der beiden Plättchens aus n-Germanium je ein
Stromverstärkungen unter 1 und be- Kügelchen aus Indium setzte und in
seitigt so diese Gefahr. einem Ofen schmelzen ließ. Das Indi-
um legierte sich in das Germanium
Spezielle GTO-Thyristoren (GTO = hinein und erzeugte an der Grenze je
Gate Turn Off) können mit einem eine p-leitende Schicht. Die Dicke der
Stromimpuls in das Gate gelöscht verbleibenden Basisschicht ließ sich
werden. Dieser Strom muß aber über Ofentemperatur und Verweilzeit
durchaus 30 - 50% des fließenden steuern. Durch die viele Handarbeit
Stroms betragen, keinesfalls genügen waren diese Transistoren bei recht
die zum Zünden erforderlichen Strö- mäßigen Eigenschaften noch ziemlich
me im mA-Bereich. teuer. Trotzdem lösten sie eine Revo-
lution in der Elektronik aus.
Zum Einsatz des Thyristors siehe Ab-
schnitt XI.1. Für eine rationelle Massenproduktion
von Transistoren und IC’s eignet sich
weit besser das Diffundieren. Man
macht sich hier die Eigenschaft des
Siliziums zunutze, sich in einer Sau-
erstoffatmosphäre bei hoher Tempe-
ratur mit einer Oxid- (=Quarz) Schicht
zu überziehen. Diese Schicht ist sehr
widerstandsfähig und verhindert den
Zutritt von Dotierstoffen zum Silizium.
Abb. 1-10: Dotiermethoden
Vor dem Diffundieren muß man mit schleunigungsspannung kann die Ge-
dem Prozeß der Photolithografie Öff- schwindigkeit und damit die Eindring-
nungen (=Fenster) in der Oxidschicht tiefe gesteuert werden, eine Messung
erzeugen. Dazu überzieht man die des Ionenstroms ergibt mit höchster
oxidierte Scheibe mit einem Photo- Präzision die Menge des Dotierstoffs.
lack, der durch eine Maske belichtet Beides sind ganz wesentliche Vorteile
und sodann entwickelt wird. Der Pho- gegenüber der Diffusion. Die Ein-
tolack hat jetzt Öffnungen, durch die dringtiefe der Ionen ist mit der Be-
hindurch man Öffnungen in die schleunigungsspannung einstellbar,
Oxidschicht ätzt und danach den aber doch relativ klein. Sie bleiben
Photolack wieder entfernt. Viele auf schon in der Oxidschicht stecken. Es
diese Weise vorbehandelte Scheiben können daher die üblichen photolitho-
kommen nun in einen Diffusionsofen, grafischen Verfahren eingesetzt w er-
in dem bei hoher Temperatur ein do- den. Für moderne, hochtechnolo-
tierstoffhaltiges Gas über die Schei- gische Bauelemente ist die Ionenim-
ben strömt. Der Dotierstoff Borwas- plantation unentbehrlich.
serstoff BH3 oder Phosphorwasser-
stoff PH3 zersetzt sich an der Schei- Bei der Herstellung von Transistoren
benoberfläche und die Dotieratome schließt sich an die Dotierung der Ba-
diffundieren durch die Fenster in das siszonen eine Oxidation der Oberflä-
Silizium hinein. Über Dotierstoffkon- che und ein zweiter, gleichartiger
zentration und Temperatur kann man Schritt zur Dotierung der Emitter an.
das Dotierungsprofil im Halbleiter Als letztes wird nochmals oxidiert und
steuern. Fenster geätzt, um eine Aluminium-
schicht für die elektrische Kontaktie-
Das modernste Dotierverfahren ist die rung aufzubringen. Eine Halbleiter-
Ionenimplantation. Die Dotieratome scheibe mit 4 Zoll Durchmesser kann
werden ionisiert und mit einem klei- über 10000 Transistorsysteme enthal-
nen Beschleuniger auf hohe Ge- ten, die nach Ritzen mit einem Dia-
schwindigkeit gebracht. Ähnlich manten oder mit Diamantsägen
einem Geschoß in einem Sandsack vereinzelt und in Gehäuse eingebaut
bleiben die Ionen in einer von der Ge- werden.
schwindigkeit abhängigen Tiefe im
Halbleiter stecken. Über die Be-
Eine Komplikation liegt darin, daß für I.6 IC-Herstellung
eine ausreichende Stabilität die Aus mehreren Gründen ist Silizium
Scheibe einige 100 µm dick sein für die Herstellung von integrierten
muß, von denen der Transistor selbst Schaltkreisen prädestiniert:
nur etwa 20 µm in Anspruch nimmt.
Der Widerstand dieser Siliziumschicht - Silizium bildet bei hoher Tempe-
liegt in Reihe mit dem Kollektor des ratur und Zutritt von Sauerstoff ein
Transistors. Er stört besonders bei festhaftendes Oxid mit sehr guter
Transistoren mit höherer Sperrspan- mechanischer und chemischer
nung, die hochohmiges Ausgangsma- Beständigkeit
terial erfordern. - Silizium läßt sich einfach reinigen
und dotieren
Abhilfe bringt die Epitaxietechnik. - Aus Silizium sind fast fehlerfreie
Man geht von einer extrem hoch do- Kristalle großen Durchmessers
tierten, äußerst niederohmigen Einkri- herstellbar
stallscheibe (Substrat) aus und läßt
durch Darüberleiten von Silan (SiH4) Das Galliumarsenid, ein Halbleiter mit
und Dotiergas bei hoher Temperatur hervorragenden elektrischen Eigen-
eine dünne Kristallschicht passender schaften hat kein Oxid wie das Silizi-
Leitfähigkeit aufwachsen. Diese Epi- um und die Kristalle weisen eine
taxieschicht ist gerade dick genug für weitaus höhere Fehlerdichte auf. In
den Transistor. Die sehr gut leitende, hochintegrierten IC’s genügt ein Kri-
hochdotierte Substratscheibe versteift stallfehler zum Ausfall des betroffe-
sie mechanisch ohne einen überflüs- nen Chips. Deswegen bleibt der
sigen Widerstand zu verursachen. Integrationsgrad von Schaltungen aus
Eine geringfügig schlechtere Kristall- GaAs weit hinter dem Silizium zurück.
qualität der Epitaxieschicht muß in
Kauf genommen werden.
Abb. 1-11: Bauelemente eines bipolaren ICs

In IC’s müssen die Kollektoren der Laterale pnp-Transistoren haben sehr
einzelnen Transistoren elektrisch von- kleine Stromverstärkungen (3...5) und
einander isoliert sein. Diese Isolation Grenzfrequenzen um 100 kHz. Man
erreicht man durch Aufbringen einer gleicht ihre schlechten Eigenschaften
n-leitenden Epitaxieschicht auf eine durch eine entsprechende Auslegung
p-leitende Substratscheibe. In der n- der Schaltung aus. Der Aufwand für
leitenden Epitaxieschicht erzeugt man diese Maßnahmen ist weit geringer
voneinander isolierte "Wannen", in- als ein weiterer Diffusionsschritt für
dem man entlang ihrer Grenzen p-lei- vertikale pnp-Transistoren. Man
tende Streifen bis zum p-Substrat nimmt diese Eigenart bei bipolaren
eindiffundiert, siehe Abb. 1-11. Wenn IC’s daher gewöhnlich in Kauf.
das Substrat mit der negativen Ver-
sorgungsspannung verbunden ist, Widerstände liegen als schmale, p-
isolieren die in Sperrichtung gepolten dotierte Streifen mäanderförmig in
pn-Übergänge die Wannen voneinan- den Wannen. Kondensatoren verwen-
der. den die Oxidschicht als Dielektrikum
und sind auf relativ kleine Werte be-
In diesen Wannen entstehen mittels schränkt. Die Verwendung der Sperr-
zweier Diffusionen in gewohnter Wei- schichtkapazität eines pn-Übergangs
se npn-Transistoren. Ein Problem ermöglicht größere, aber stark span-
stellen pnp-Transistoren dar. Zusam- nungsabhängige Kapazitätswerte.
men mit den npn-Transistoren kann
man ohne weiteres pnp-Transistoren Hochintegrierte digitale Schaltkreise
mit dem Substrat als Kollektor und werden zur Begrenzung der Verlust-
der Epitaxieschicht als Basis herstel- leistung heute überwiegend in
len. Der Kollektor dieser Transistoren CMOS-Technik aufgebaut. In ein p-
ist aber zwangsweise mit der negati- Substrat werden Source und Drain
ven Versorgungsspannung verbun- der n-Kanal Transistoren eindiffun-
den, so daß sie nur als Emitterfolger diert oder implantiert. Für die p-Kanal
einsetzbar sind. Transistoren sind n-leitende Wannen
erforderlich, in denen Source und
Braucht man pnp-Transistoren mit Drain entstehen. Das erfordert eine
isoliertem Kollektor, so müssen in der zweimalige Diffusion oder Implantati-
als Basis wirkenden p-Wanne Kollek- on. Dies erklärt den höheren Preis
tor und Emitter in der Schichtenfolge von CMOS-Schaltkreisen.
nicht übereinander (vertikaler Transi-
stor) sondern nebeneinander liegen
(lateraler Transistor).
Bei 5V Versorgungsspannung ist der
Querstrom noch zulässig, so daß
man Inverter als billige analoge Ver-
stärker mit einem Verstärkungsfaktor
von ca. 7 und extrem hohem Ein-
gangswiderstand einsetzen kann.
Man findet diese in Frequenzzählern,
Infrarot-Bewegungsmeldern und an-
deren Geräten mit geringen Anforde-
rungen an die Genauigkeit. Als
Beispiel siehe auch den Gatteroszilla-
tor in Kap. VIII.2, Abb. 8-4.
Abb. 1-12: CMOS Inverter Im CMOS-Gatter tritt die Schichten-

folge pnpn als möglicher Thyristor
auf. Dieser liegt zwischen der Versor-
Grundelement der CMOS-Technik ist
gungsspannung und Masse. Zündet
der CMOS-Inverter. Er besteht aus je
dieser Thyristor (Latch-up), so fließt
einem n- und p-Kanal Transistor mit
ein sehr hoher Strom aus der Versor-
verbundenen Gates zwischen Ub
gungsspannung, der den IC zerstört.
und Masse. Liegt der Eingang an Ma-
Durch besondere Techniken versu-
sse oder Ub , so ist immer ein Transi-
chen die Hersteller, die Latch-up
stor gesperrt, während der andere
Empfindlichkeit zu verringern. Voll-
voll durchschaltet. Da immer einer der
kommen ausschließen kann man ihn
beiden Transistoren sperrt, fließt kein
nur durch Einsatz der sehr kostspieli-
Ruhestrom. Nur während des Um-
gen dielektrischen Isolation, also
schalten leiten kurzzeitig beide Tran-
ohne sperrende pn-Übergänge.
sistoren, was als cross-conduction
bezeichnet wird. Bei den steilen Flan-
ken in digitalen Schaltungen ist der
kurzzeitige Stromfluß vernachlässig-
bar. Liegt der Eingang dauernd auf
halber Versorgungsspannnung, so
kann bei höherer Versorgungsspan-
nung der Querstrom den Inverter
thermisch überlasten.

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Praktische Elektronik 1-1 Hans-Hellmuth Cuno

I. Halbleiter und Bauelemente

II. Nebengr. III. Hauptgr. IV. Hauptgr. V. Hauptgr. VI. Hauptgr.

Tab. 1: Auszug des Periodensystems der Elemente

Abb. 1-1: Gitterkonstante und Bandabstand

Ein anderer (nicht bipolarer) Di-

Abb. 1-6: JFETs

g) Insulated Gate Base Transistor

Abb. 1-9: Thyristor

Thyristoren sind in der Schichtfolge

Abb. 1-10: Dotiermethoden

Abb. 1-11: Bauelemente eines bipolaren ICs

Abb. 1-12: CMOS Inverter Im CMOS-Gatter tritt die Schichten-

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