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VISB
Va IVBB CH1=
VBB \ VCC
- 0,1 V 0,3 V 0,5 V 1V 2V 3V 4V
𝐼𝐵 =
𝐼𝐶 = 079/A -
0. - 0.
012M .
5 07 M 9 44MA 0 . 96 m 0 . 967 m 0, 970 m
1V ,
𝑈𝐶𝐸 = 1 004 ,
1 , 004 1 , 002 0 . 9015 0 7215 ,
0 , 8480 0 . 7474
IB =
Ic 01 M
= -
0,
Alm 0,
1 861 M
4 9
, 53m 36 , 880m 55 318m 65 279 m
2V , ,
UCe= 2
, 000 7 2 0007 , 000 5 1 9183 1, 6515 6767
, 2 1 1, 1, 6462
3V UBE = 0 ,
1005 0 ,
3001 ·
,
49270 ,
60220 , 6426 0 , 66190 6747 ,
UE : 3 ,
0016 3 0015 , 3 , 0011 2 , 9702 2 , 8802 2
, 7937 2 , 7366
k =
0 , 0554 0 . 052 M 10 , 090 10 36 on 40 107m 67
, 450m 84 136m ,
4V
.
,
3. Tragen Sie die Messwerte von 𝑈𝐶𝐸 und 𝐼𝐶 auf ein Schaubild ein und zeichnen Sie das
Ausgangskennlinienfeld für verschiedene Basis-Emitter-Spannungen 𝑈𝐵𝐸 .
4. Die Verlustleistung im Transistor setzt sich aus 𝐼𝐵 ∙ 𝑈𝐵𝐸 + 𝐼𝐶 ∙ 𝑈𝐶𝐸 zusammen. Für jeden Fall
bestimmen Sie auch die Verlustleistung. Kann man einen der beiden Terme vernachlässigen?
5. Bestimmen Sie die Stromverstärkung 𝛽 von den Messwerten.
6. Versuchen Sie, die Early-Spannung zu bestimmen.
Simulation:
1. Finden Sie das Spice-Modell für den Bipolartransistor im Internet.
2. Ermitteln Sie die Kennlinien durch DC sweep in der in Abbildung 1Abbildung 1 dargestellten
Anordnung und vergleichen Sie die Simulationsergebnisse mit Messwerten.
3. Bestimmen Sie die Stromverstärkung 𝛽 und die Early-Spannung. Für eine weitere Analyse in
Excel oder Matlab können Sie die Simulationsdaten wie gezeigt in Abbildung 3 exportieren.