(01-Jac) Diplomarbeit FR - Jabobides

Inhaltsverzeichnis
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1 EINLEITUNG......................................................................................................... 1
2 SONNENENERGIE................................................................................................ 3
2.1 ENERGIEQUELLE SONNE....................................................................................... 3
2.2 CHARAKTERISTIK DER SOLARSTRAHLUNG............................................................... 5
3 GRUNDLAGEN DER PHOTOVOLTAIK................................................................. 7
3.1 HALBLEITERTHEORIE ............................................................................................ 7
3.1.1 Eigenschaften von Halbleitern.................................................................... 7
3.1.2 Dotierung von Halbleitern........................................................................... 9
3.1.3 Der p/n bergang.................................................................................... 14
3.2 DER INNERE PHOTOEFFEKT IN HALBLEITERN......................................................... 19
4 SOLARZELLEN AUS KRISTALLINEM SILIZIUM................................................ 23
4.1 PRINZIPIELLER AUFBAU VON SOLARZELLEN........................................................... 23
4.2 ERSATZSCHALTUNG EINER SOLARZELLE ............................................................... 24
4.2.1 Das Ein- Dioden- Modell .......................................................................... 24
4.2.2 Das Zwei- Dioden- Modell ........................................................................ 26
4.3 KENNLINIEN VON SOLARZELLEN UND WICHTIGE KENNDATEN ................................... 29
4.4 WIRKUNGSGRAD VON SOLARZELLEN .................................................................... 32
4.4.1 Theoretischer und praktischer Wirkungsgrad ........................................... 32
4.5 FIT AN DAS ZWEI- DIODEN- MODELL..................................................................... 35
4.5.1 Der Algorithmus....................................................................................... 37
4.5.1.1 Gram- Schmidt- Orthogonalisierungsverfahren .................................................. 37
4.5.1.2 Der Goldene- Schnitt- Algorithmus ..................................................................... 41
4.6 ANWENDUNG UND ERGEBNISSE........................................................................... 47
5 SOLARZELLEN AUS AMORPHEM SILIZIUM..................................................... 54
5.1 AUFBAU, WIRKUNGSWEISE UND EIGENSCHAFTEN.................................................. 54
5.2 ERSATZSCHALTBILD UND MATHEMATISCHES MODELL ............................................. 61
5.3 PARAMETERBESTIMMUNG.................................................................................... 64
5.3.1 Mehrdimensionale Suche......................................................................... 65
5.4 AUSWERTUNG UND ERGEBNISSE.......................................................................... 70
6 ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK............................................................ 82
Inhaltsverzeichnis
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ANHANG A - MEDATENAUFBEREITUNG.............................................................. 84
ANHANG B - BETRACHTUNGEN ZUR SENSITIVITT.............................................. 88
LITERATURVERZEICHNIS.......................................................................................... 91
EIDESSTATTLICHE ERKLRUNG ............................................................................. 95
1 Einleitung
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1 Einleitung
In den letzten Jahren ist uns Menschen immer mehr bewut geworden,
da herkmmliche Verfahren zur Energieerzeugung unsere Umwelt stark
belasten. Mit den Umweltschden wie Ozonloch, Treibhauseffekt, Luftver-
schmutzung oder Radioaktivitt belasten wir nicht nur uns selbst, sondern
auch noch Generationen nach uns. Alleine die beim Transport von fossilen
Brennstoffen (z. B. l) vorkommenden Unflle (z. B. Tankerunglck) ha-
ben oft katastrophale, meist nicht abschtzbare Konsequenzen fr Natur
und Menschheit. Des weiteren sind die heute verwendeten fossilen
Brennstoffe wie Kohle, l oder Gas nur begrenzt verfgbar.
Aus diesen Grnden tut sich der Wunsch nach alternativen, umweltscho-
nenden Verfahren zur Energieerzeugung auf. Neben Windkraft, Wasser-
kraft, Biomasse und Solarthermie hat sich die Photovoltaik in den letzten
Jahren immer mehr durchgesetzt. Die Strahlungsenergie der Sonne ist
unsere einzige unerschpfliche Energiequelle. Jeden Tag erreicht uns ein
Vieltausendfaches an unserem Primrenergiebedarf. Die direkte Um-
wandlung der Sonnenstrahlung in Elektrizitt mittels Photovoltaik erhlt
uns die ursprngliche hochwertige Form der Energie.
Angefangen hat die Solarzellenentwicklung mit dem Beginn der Raum-
fahrttechnik. In diesem Bereich ist sie praktisch ohne Konkurrenz. Gerade
die lange Lebensdauer, die Wartungsfreiheit und das Fehlen jeglicher Be-
triebsstoffe sind von groer Bedeutung. In den letzten Jahrzehnten hat
sich diese Technik, nicht zuletzt durch viele Frderprogramme (z.B. 1000
Dcher Programm), auch auf terrestrische Anwendungen erschlossen
und wer kennt nicht die solarbetriebenen Parkscheinautomaten? Neben
den vorherrschenden Solarzellen aus kristallinen Silizium setzen sich im-
mer mehr die Dnschichtzellen auf der Basis von amorphen Silizium
durch. Diese Zellen beherrschten bis jetzt vornehmlich den Konsumer-
markt wie z. B. Uhren und Taschenrechner, aber aufgrund ihrer kosten-
gnstigen Herstellung kommen sie verstrkt in groen PV- Anlagen zum
Einsatz.
1 Einleitung
- Seite 2 -
Aufgrund der immer greren Verbreitung und der somit steigenden An-
zahl von installierten PV- Anlagen gewinnt die Vermessung und Bewer-
tung solcher Anlagen direkt nach dem Aufbau sowie nach mehrjhrigem
Betrieb immer mehr an Bedeutung. Da die von den Generatoren abgege-
bene Leistung von vielen Parametern abhngt, ist eine Beurteilung des
Generatorzustandes nun anhand der Leistung nicht mglich. Vielmehr ist
die gezielte Auswertung mehrerer aufgenommenen Kennlinien fr detail-
lierte Aussagen notwendig. Ein Kennlinienvergleich verschiedener Module
bzw. Generatoren ist stets nur bei gleichen Umweltbedingungen mglich,
da diese Faktoren einen groen Einflu auf die Kennlinien haben. Als
Vergleichsstandard haben sich dabei die Standardtestbedingungen (STC)
durchgesetzt.
Ziel dieser Arbeit ist es, eine relativ einfache Mglichkeit fr die Normie-
rung der gemessenen Kennlinien auf Standardtestbedingungen zu finden.
Dazu wird untersucht, inwieweit sich die gemessenen Kennlinien an die
mathematischen Modelle der jeweiligen Zelle anpassen lassen. Mit Hilfe
der mathematischen Modelle ist es mglich eine Kennlinie bei STC zu be-
rechnen, wenn die entsprechenden Parameter bekannt sind. Neben dem
Kennlinienvergleich erffnen die mathematischen Modelle auch Bereiche
wie Fertigungskontrolle oder Leistungsvorhersagen bzw. Ertragskontrollen
bei bestimmten Umweltbedingungen.
In der vorliegenden Arbeit gehe ich zuerst auf die physikalischen Grundla-
gen der Photovoltaik ein. Anschlieend erfolgt die Behandlung der kristal-
linen Solarzellen. Es werden Aufbau, Ersatzschaltbild und das mathemati-
sche Modell vorgestellt. Im darauffolgenden Kapitel stelle ich das verwen-
dete Verfahren zur Parameterbestimmung sowie die erzielten Ergebnisse
vor.
Im 2. Teil dieser Arbeit werden die Vorteile, Nachteile sowie das mathe-
matische Modell der Dnnschichtzellen auf der Basis von amorphen Silizi-
um vorgestellt. Anschlieend erfolgt die Beschreibung des angewandten
Verfahrens und eine Darstellung der Ergebnisse.
2.1 Energiequelle Sonne
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2 Sonnenenergie
2.1 Energiequelle Sonne
Die Strahlungsenergie unserer Sonne ist die einzige unerschpfliche
Energiequelle der Menschheit. In der Sonnenstrahlung steckt ein enormes
Potential an Energie.
Tglich erreicht uns ein Vieltausendfaches des menschlichen Bedarfs an
Primrenergie in Form elektromagnetischer Strahlung. Sie wird hier, mit
Ausnahme des biologischen Prozesses Photosynthese, ohne Zwischen-
schritte in die Energieform Wrme umgewandelt. Welche Vorgnge spie-
len sich eigentlich in der Sonne ab? Dies soll im folgenden unter inge-
nieurtechnischen Aspekten nher ausgefhrt werden.
Der mittlere Abstand der Sonne zur Erde betrgt 149,6 Mio. km. Der
Durchmesser der Sonne wurde mit 1,39 Mio. km, die Masse zu 210
30
kg
bestimmt und das Volumen ist 333000 mal so gro wie das der Erde.
Nach heutigen Erkenntnissen produziert die Sonne Energie durch die
Kernverschmelzung von Wasserstoff zu Helium. Dieser Vorgang wird
auch als Kernfusion bezeichnet. Bis heute ist es dem Menschen nicht ge-
lungen, diesen Proze technisch zu realisieren. Durch die sich bei der
Kernfusion ergebende Massendifferenz, Heliumkerne sind leichter als die
beiden Kerne eines Wasserstoffmolekls, wird nach der Beziehung
2
c m E Energie frei. Die Leistung des Kernreaktors Sonne betrgt etwa
3,8510
26
W oder 3,8510
17
GW bzw. etwa das 10
17
-fache als die thermi-
sche Leistung eines Kernkraftwerkes von 1200 MW.
Dieser Vorgang spielt sich in der Zentralzone der Sonne, bei einem Druck
von 200 Mrd. bar und Temperaturen zwischen 8 - 40 Mio. Kelvin ab. An
diese Zentralzone, wo 90% der Energie erzeugt werden, schliet sich die
konvektive Zone mit einer Temperatur von 130000 K an. Diese Zone ist
eine mehrere 100 km dicke Schicht, von deren ueren Oberflche die
Strahlung ausgeht, die unsere Erde erreicht. Diese Schicht wird auch als
Photosphre bezeichnet.
2 Sonnenenergie
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In der Photosphre liegen alle Elemente, mehr oder weniger ionisiert, in
atomarer Form vor. Dadurch ist die Dichte spektral benachbarter Absorp-
tionslinien so hoch, da die gasfrmige Sonnenhlle in Nherung als ein
Schwarzer Strahler mit dem Absorptionskoeffizienten =1, mit einer Tem-
peratur von 5800 K betrachtet werden kann.
Wenn man am ueren Rand unserer Erdatmosphre eine senkrecht zur
Einstrahlung ausgerichtete Flche aufstellt, wrde diese Flche pro Se-
kunde mit einer Leistung von 1,353 kW /m
2
[4] bestrahlt werden. Dieser
Wert wird auch als Solarkonstante G
0
bezeichnet.
Aufgrund der elliptischen Umlaufbahn der Erde um die Sonne schwankt
diese extraterrestrische Bestrahlungsstrke im Mittel um ca. t 3,3%. Jhr-
lich fllt ein Solarenergiestrom von 5,610
24
J [4] auf den ueren Rand
der Erdatmosphre. Davon gelangen ca. 2/3, also 3,710
24
J [4] auf die
Erdoberflche. Das restliche Drittel wird von der Erdatmosphre zurck in
den Weltraum reflektiert (zum Vergleich der Weltbedarf an Primrenergie
lag 1990 bei 8,910
13
kW/h). Im Weltall bleibt die Intensitt der Sonnen-
strahlung nahezu konstant, auf der Erde wird sie jedoch durch verschie-
dene Faktoren beeinflut. Zum einen ndern sich Sonnenstand und somit
auch der Einfallswinkel aufgrund von Jahreszeit und Tagesablauf (Tag
und Nacht). Des weiteren wird die Sonnenstrahlung durch atmosphrische
Bedingungen, wie Witterung und geographische Breite, beeinflut.
Die Summe der auf eine horizontale Flche auftreffenden Sonnenstrah-
lung bezeichnet man als Globalstrahlung. Diese setzt sich aus der direk-
ten (aus Sonnenrichtung) und der diffusen (halbrumig verteilten) Strah-
lung zusammen. Die diffuse Strahlung entsteht unter anderem durch Re-
flexion und Streuung in der Erdatmosphre.
2.2 Charakteristik der Solarstrahlung
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2.2 Charakteristik der Solarstrahlung
Whrend bei der extraterrestrischen Strahlung das gesamte Spektrum der
Solarstrahlung zur Verfgung steht, ist dies bei der terrestrischen Strah-
lung anders. Bedingt durch den Durchgang der Strahlung durch die Erd-
atmosphre wird die Intensitt der Solarstrahlung durch Streuung, Refle-
xion und Absorption geschwcht.
Abbildung 2.1 zeigt die spektrale Energieverteilung des Sonnenlichtes in
Abhngigkeit von der Wellenlnge bzw. der Photonenenergie. Dabei wird
mit der Verteilung auerhalb der Erdatmosphre (AM0), auf der Erdober-
flche (AM1.5) und mit der eines Schwarzen Krpers bei 5800K vergli-
chen.
Abbildung 2.1: Strahlungsspektrum der Sonne Intensitt in Funktion von Wellenlnge und Photonenenergie
[aus 2, Seite 26, Bild 7]
Man erkennt deutlich die Einbrche, die durch die Strahlungsabsorption
bestimmter Molekle verursacht werden. Innerhalb unserer Atmosphre
sind das vor allem Wasserdampf (H
2
O), Ozon (O
3
), Sauerstoff (O
2
) und
Kohlendioxid (CO
2
).
2 Sonnenenergie
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Zur Charakterisierung des Atmosphreneinflusses wurden Normbezeich-
nungen eingefhrt. So entstand der Begriff der Luftmasse AMx (engl.: Air
Mass). Die extraterrestrische Strahlung wird mit AM0 bezeichnet, die
Strahlung, die senkrecht am quator auf Meereshhe fllt, mit AM1. Bei
schrgem Einfall des Sonnenlichtes durchluft es ein Mehrfaches an At-
mosphre als bei senkrechtem Einfall und somit steigt auch der Einflu
der Atmosphre. AM1.5 bezeichnet die Strahlung, die eine 1.5 -fache gr-
ere Luftmasse durchluft, als bei senkrechtem Einfall. Dies entspricht
einem Sonnenstand von 41.8 ber dem Horizont. Der lokale AMx-Wert
schwankt mit der geographischen Breite sowie Datum und Uhrzeit, auf-
grund der Variation der Erdachse. Abbildung 2.2 verdeutlicht dies.
Abbildung 2.2: Definition der Sonnenlicht- Weglnge in der Atmosphre AMx [aus 3, Seite 9, Abb. 2.5]
Gleichung 2-1 beschreibt den Zusammenhang zwischen Sonnenhhe
ber dem Horizont und AMx Wert.
sin
1
x Gleichung 2-1 [3]
Bei einer Sonnenhhe von 41,8erhlt man sin()= 0,66653247 und dies
ergibt einen AMx Wert von 1.5. Dies ist auch der wichtigste Standardwert
fr Simulationen. Dem Wert AM1.5 entspricht eine globale Strahlungs-
dichte von
etwa 1000W/m
2
.
3.1 Halbleitertheorie
- Seite 7 -
3 Grundlagen der Photovoltaik
Fr das Verstndnis der Vorgnge in einer Solarzelle ist es notwendig,
einige physikalische Grundlagen im Vorfeld zu errtern.
So werden im folgenden die wichtigsten Eigenschaften von Halbleitern
(Eigenleitfhigkeit, Dotieren) und die Vorgnge an einem p/n- bergang
erlutert, bevor auf das Funktionsprinzip einer Solarzelle eingegangen
wird.
3.1.1 Eigenschaften von Halbleitern
Die direkte Umwandlung von Licht in elektrische Energie ist nur mit Halb-
leitermaterial mglich. Ein Halbleiter ist ein Festkrper, dessen spezifische
elektrische Leitfhigkeit wie bei Metallen auf bewegliche Ladungstrger
beruht. Nach der Hhe der spezifischen elektrischen Leitfhigkeit, welche
von der Menge und besonders der Beweglichkeit der Ladungstrger ab-
hngt, lassen sich Feststoffe in folgende 3 Kategorien einteilen.
Leiter: - Leitfhigkeit > 10
4
(cm)
-1
- Elektronen sind frei im Kristall beweglich, da-
mit ist eine Leitfhigkeit gegeben
Isolatoren - Leitfhigkeit < 10
-8
(cm)
-1
(Nichtleiter) Elektronen sind fest an ihre zugehrigen Ato-
me gebunden, die Folge ist keine Leitfhig-
keit, da keine freien Ladungstrger existieren
(bzw. sehr wenig).
Halbleiter - Leitfhigkeit 10
-8
< < 10
-4
(cm)
-1
Elektronen sind an ihren zugehrigen Atomen
schwach gebunden. Eine Energiezufuhr kann
die Bindungen auflsen. Die Leitfhigkeit
hngt von der Menge der zugefhrten Energie
und der physikalischen Beschaffenheit des
Materials ab.
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Dies ist nur eine sehr einfache Methode zur Klassifizierung. Es gibt weite-
re Eigenschaften, insbesondere das Temperaturverhalten der spezifischen
Leitfhigkeit, welche ausschlaggebend fr die Einordnung sind. So nimmt
bei Metallen die spezifische elektrische Leitfhigkeit mit steigender Tem-
peratur ab, whrend sie bei Halbleitern zunimmt.
In [5, S. 18] wird folgendes Zitat von Madelung zur Charakterisierung von
Halbleitern verwendet:
Halbleiter sind kristalline Festkrper, die in reinem Zustand in der Nhe
des absoluten Nullpunktes der Temperatur isolieren, bei hheren Tempe-
raturen jedoch entweder eine eindeutig nachweisbare elektronische Leit-
fhigkeit besitzen, durch Strung des idealen Gitteraufbaus eine Leitfhig-
keit erhalten, oder bei welchen zumindest durch uere Einwirkung eine
Leitfhigkeit erzwungen werden kann.
An dieser Stelle wird das Bndermodell vorgestellt. Es dient zur Beschrei-
bung der Vorgnge in Festkrpern.
In Festkrpern existieren Energiebnder, in denen sich die Elektronen
aufhalten drfen. In der Modellvorstellung von Festkrpern unterscheidet
man zwischen Leitungs- und Valenzband. Das Valenzband ist der Ener-
giebereich der Elektronen eines Kristalls, in dem sie zur chemischen Bin-
dung beitragen. Das Valenzband beschreibt also einen Bereich niedriger
Energie. Zwischen dem Valenzband und dem Leitungsband, hherer
Energiebereich, liegt ein verbotener Bereich bzw. Zone. Das Leitungsband
beschreibt einen Energiebereich, in dem die Elektronen frei beweglich
sind und so eine elektrische Leitfhigkeit ermglichen. Die Bnder entste-
hen aus den Energieniveaus der Einzelatome durch gegenseitige Beein-
flussung im Kristall.
Anhand des Bndermodells lassen sich auch die elektrischen Eigen-
schaften von Festkrpern erklren. In Metallen ist das Leitungsband halb-
voll, bei Isolatoren und Halbleitern leer. Daraus folgt, da bei Metallen die
elektrische Leitfhigkeit gro ist und bei Isolatoren und Halbleitern sehr
gering. Bei Halbleitern ist die Energielcke zwischen Valenz- und Lei-
tungsband sehr gering, so da Elektronen schon bei geringer Energiezu-
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fuhr ins Leitungsband gelangen knnen und somit die Leitfhigkeit erh-
hen. Dies erklrt die Zunahme der elektrischen Leitfhigkeit bei Tempe-
raturerhhung bei Halbleitern.
In dieser Arbeit werden 2 Kategorien von Solarzellen betrachtet, zum ei-
nem auf der Basis von kristallinen Festkrpern (kristallines Silizium) und
zum anderen auf der Basis von amorphen Festkrpern (amorphes Silizi-
um).
Kristalline Substanzen zeichnen sich durch eine beinahe perfekte Periodi-
zitt der Anordnung der einzelnen Atome aus.
Bei amorphen Substanzen hingegen fehlt diese Periodizitt der
Atomanordnung fast vollstndig.
Der heute auf der Welt wohl am meisten verwendete und somit bedeu-
tendste Halbleiterwerkstoff ist Silizium (Si). Es wird aus Siliziumdioxid
(SiO
2
) gewonnen, welches in Quarzsand bzw. Quarzkristallen (Bergkri-
stall) vorhanden ist. Weitere Halbleiter mit technischer Bedeutung sind
Germanium (Ge), Selen (Se), Galliumarsenid (GaAs), Galliumphosphid
(GaP), Indiumphosphid (InP), Indiumantimonid (InSb), Cadmiumsulfid
(CdS), Cadmiumtellurid (CdTe) und Kupferindiumdiselenid (CuInSe
2
oder
CIS).
Die nachfolgenden Erluterungen der physikalischen Grundlagen der
Photovoltaik erfolgen anhand von kristallinem Silizium. [4, 5]
3.1.2 Dotierung von Halbleitern
Die folgenden Ausfhrungen sind angelehnt an [4] und [5].
Die im vorhergehendem Kapitel erwhnte Eigenleitfhigkeit (spezifische
elektrische Leitfhigkeit) liegt bei Silizium zwar ber der von Isolatoren, ist
aber noch sehr gering. Wie entsteht diese Eigenleitfhigkeit?
Silizium hat im Periodensystem der Elemente (PSE) die Ordnungszahl 14,
das heit es besitzt einen 14-fach positiv geladenen Atomkern und 14
Elektronen. Wie alle Elemente der 4. Hauptgruppe hat es 4 Valenz- oder
Auenelektronen. Diese 4 Elektronen befinden sich auf der uersten
Schale und dienen als Bindungselektronen mit benachbarten Atomen.
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Da jedes Atom das Bestreben nach einer stabilen Energiekonfiguration
(Edelgaskonfiguration mit 8 Auenelektronen) hat, geht jedes Si-Atom
eine sogenannte kovalente
1
Bindung mit 4 Nachbaratomen ein. Dabei
steuert jedes an der Bindung beteiligte Atom 1 Elektron bei, das heit eine
Bindung besteht aus 2 Elektronen. Abbildung 3.1 veranschaulicht dies.
Abbildung 3.1: Vereinfachte Darstellung der rumlichen Struktur des Siliziumkristalls
Diese Bindungen bzw. Elektronenpaarbrcken sind bei Temperaturen na-
he dem absolutem Nullpunkt geschlossen. Durch Energiezufuhr knnen
diese Bindungen aufgebrochen werden. Die abgespaltenen Elektronen
knnen sich dann bestimmte Zeiten im Halbleitergitter frei bewegen, bis
sie aufgespaltene Bindungen wieder fllen. Das Aufspalten der Bindung
wird auch als Generation bezeichnet. Bei der Abspaltung des Elektrons
verbleibt eine Lcke in der Elektronenschale. Aufgrund dieser Lcke ent-
steht eine positive Elementarladung, da dem 14-fach positiv geladenem
Atomkern ein Auenelektron fehlt. Diese Lcke wird als Defektelektron
bezeichnet.
Das fehlende Elektron kann nun durch ein benachbartes aufgefllt wer-
den, welches an seiner Ursprungsstelle wiederum ein Loch hinterlt,

1
Atombindung (konvalente Bindung, homopolare Bindung, unpolare Bindung) erfolgt ohne Ionisation, indem
beide Atome ein gemeinsames Elektronenpaar bilden. Beispiel: zwei Chloratome (Cl) zu molekularem Chlorgas
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Defektelektronen sind somit ebenfalls frei beweglich. Das Auffllen von
Lchern bezeichnet man als Rekombination.
Es entstehen also durch Energiezufuhr negative Ladungen (Elektronen)
und positive Ladungen (Defektelektron), welche im Kristall wandern kn-
nen und somit einen elektrischen Ladungstransport ermglichen.
Je grer die Energiezufuhr ist, desto mehr Bindungen knnen aufge-
spalten werden und desto grer wird die Eigenleitfhigkeit des Halblei-
ters. Beim Auftreten der Eigenleitung herrscht Reaktionsgleichgewicht
zwischen Generation und Rekombination.
Die Eigenleitfhigkeit von Silizium (bzw. Halbleiterstoffen) lt sich auch
auf anderem Weg beeinflussen. Durch Zusatz einer geringen Menge von
geeigneten Fremdatomen kann die Leitfhigkeit wesentlich verndert wer-
den. Dieser Vorgang wird als Dotierung bezeichnet.
Wie erwhnt ist das Dotieren, Einbringen von Fremdatomen, ein beab-
sichtigter Vorgang. Grundstzlich mu gesagt werden, sollte ein Halbleiter
sehr rein sein (<1ppb
1
, in der Mikroelektronik), denn jede Verunreinigung
stellt eine Strstelle dar, welche die sptere Funktion des Halbleiters ne-
gativ beeinflussen kann. Beim Dotieren werden geringe Mengen von
Fremdatomen (rd. ein Fremdatom auf 1 Mio. Si-Atome) gezielt in den
Halbleiter eingebracht.
Dabei kommen nur Elemente in Frage, die entweder hherwertig (ein
Elektron mehr, z. B. Antimon mit 5 Valenzelektronen), oder niedrigerwertig
(z. B. Bor mit 3 Valenzelektronen) sind.
Ersetzt man wie in Abbildung 3.2 gezeigt, ein Siliziumatom durch ein An-
timonatom mit 5 Valenzelektronen, so knnen nur 4 Antimonelektronen
durch die benachbarten Si-Atome gebunden werden. Das 5. Elektron lst
sich sehr leicht von seinem Atomkern und lt diesen positiv geladen zu-
rck. Das Elektron selbst ist eine frei bewegliche negative Ladung.

(Cl2)
1
ppb (part per billion) ist 1 Teil von 1 Milliarden Teilen, (b=billion, engl. fr Milliarde),
entspricht 1 pro kg.
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Abbildung 3.2: Vereinfachte Darstellung der n-Dotierung. Einfgung eines Antimonatoms (Donator)- Freiset-
zung eines Elektrons
Das Antimonatom gibt 1 Elektron an das Kristallgitter ab und wird deswe-
gen als Donator
2
oder auch als Donor bezeichnet. Das abgegebene
Elektron wird als Donatorelektron bezeichnet. Im Bndermodell liegt das
Donatorelektron energiemig nur wenig unterhalb der unteren Kante des
Leitungsbandes. Es bentigt also nur wenig Energie um ins Leitungsband
zu gelangen. Durch Donatorelektronen erhht sich die Elektronenkonzen-
tration im Vergleich zu der bei Eigenleitung. Es entsteht eine negative
Leitung oder auch n-Leitung.
In Abbildung 3.3 wurde hingegen ein Si-Atom durch ein niedrigerwertiges
Atom (z. B. Bor) ersetzt. Das Boratom besitzt nur 3 Valenzelektronen, so
da nur 3 der 4 Bindungen zu den benachbarten Si-Atomen eingegangen
werden knnen. Fr die 4. Bindung fehlt ein Elektron, so da ein Loch
bzw. Defektelektron entsteht. Das Boratom ist also in der Lage ein Elek-
tron aufzunehmen und wird deshalb als Akzeptor
3
bezeichnet.

2
Donator, allg. ein elektronenabgebender Stoff, speziell die in Halbleitern die n-Leitfhigkeit bewirkenden Ato-
me;
3
Akzeptor, Atom in Halbleitern, das ein Elektron aus dem Kristallgitter aufnimmt und so
die Stromleitung durch Defektelektronen ermglicht;
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Abbildung 3.3: Vereinfachte Darstellung einer p- Dotierung. Einfgung eines Akzeptoratoms (Bor) Entste-
hung eines Defektelektrons
Im Bndermodell liegt der Platz fr das vom Akzeptor nicht gelieferte
Elektron energiemig nur wenig oberhalb der oberen Kante des Valenz-
bandes. Ein Elektron vom Valenzband bentigt also nur wenig Energie,
um diesen Platz unter Hinterlassung eines Loches im Valenzband auffl-
len zu knnen. Beim Dotieren von Silizium mit Bor berwiegen positiv ge-
ladene Lcher, oder Defektelektronen. Es entsteht eine p-Leitung, oder
der Halbleiter wird p-leitend.
Abbildung 3.4 verdeutlicht das Energieniveau von Donator- und Akzeptor-
elektron im Bndermodell.
Abbildung 3.4: Energieniveau von Donator- und Akzeptorelektron
- Seite 14 -
Zusammengefat lt sich sagen, durch Zugabe von Donatoren (hher-
wertige Atome) stellt sich im Halbleiter ein Elektronenberschu ein, der
Halbleiter wird n-leitend. Dabei stellen die berschssigen Ladungstrger -
hier Elektronen - die Majorittstrger und die in der Minderheit auftreten-
den Ladungstrger - hier Defektelektronen - die Minorittstrger dar.
Bei Zugabe von Akzeptoren (niedrigerwertige Atome) wird der Halbleiter
p-leitend, da Elektronen von den Akzeptoren gebunden werden und somit
positiv geladenen Defektelektronen berwiegen. Hierbei sind die Defekte-
lektronen dir Majorittstrger und die Elektronen die Minorittstrger.
Eine weitere wichtige Tatsache ist, das Donatoratome, die ein Elektron
abgegeben haben im Kristallgitter eine positive Ladung (Ionen) darstellen.
Akzeptoratome, die ein Elektron aufgenommen haben, sind dann fest ein-
gebaute negative Ladungen (Ionen).
Abschlieend soll noch erwhnt werden, das neben Phosphor auch ande-
re 5-wertige Elemente wie Arsen (As), Antimon (Sb) oder Bismut (Bi) als
Donator geeignet sind. Als Akzeptoren eignen sich neben Bor auch Alu-
minium (Al), Gallium (Ga) oder Indium (In).
3.1.3 Der p/n bergang
Einen p/n- bergang erhlt man durch aneinanderfgen von einer p-
dotierten Schicht an eine n-dotierten. blicherweise wird ein p/n- ber-
gang dadurch hergestellt, da in einer p-leitenden Schicht eine n-leitende
Schicht bei hoher Temperatur eindiffundiert wird. Die ursprngliche p-
Dotierung wird an dieser Stelle berkompensiert. Analog dazu kann in ei-
ner n-leitenden Schicht eine p-leitende eingefgt werden.
Um die prinzipielle Funktion von Solarzellen zu verstehen, gengt es, ei-
nen p/n- bergang aus chemisch gleichartigem Material (homogener
bergang) zu untersuchen. An dem bergang entsteht auf natrliche
Weise eine Raumladungszone und somit ein starkes elektrisches Feld,
das zur Trennung der durch Photonen erzeugten Elektron/Loch- Paare
dient. Prinzipiell knnen dazu auch die Raumladungszonen und elektri-
schen Felder von heterogenen p/n- bergngen (chemisch verschiedenes
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Material), sowie bergnge zwischen Halbleitern und Metallen (Schottky-
bergang) genutzt werden.
Um die physikalischen Vorgnge an einem p/n- bergang zu verstehen,
wird zunchst eine p/n- Kombination ohne uere Spannung betrachtet.
Jeder der beiden Halbleiterblcke ist elektrisch neutral, da im n- leitenden
Teil genauso viele freie Elektronen wie ortsfeste positive Ladungen (Do-
natoratome ->Ionen) vorhanden sind. Entsprechendes gilt fr den p- lei-
tenden Teil. Im n- Leiter liegt ein Elektronenberschu vor und im p- Leiter
ein Lcherberschu. Aufgrund dieses Konzentrationsgeflles zwischen
Elektronen und Lchern wandern durch Diffusion Elektronen vom n- Ge-
biet in das p- Gebiet. Analog gelangen Lcher aus dem p- Gebiet in das n-
Gebiet. Es entstehen somit Diffusionstrme von Lchern zum n- Gebiet
hin und Diffusionsstrme von Elektronen zum p- Gebiet hin. Dieser Vor-
gang ist mit einer Rekombination der Ladungstrger verbunden.
Auf den ersten Blick knnte man annehmen, da es aufgrund der Rekom-
bination nach relativ kurzer Zeit in den Halbleiterblcken keine freien
Elektronen und Lcher mehr gibt. Dies wre tatschlich der Fall, wenn es
keinen Proze gbe, der der Diffusion entgegen wirkt und sie zum Still-
stand bringt.
Aufgrund des Abwanderns von Elektronen aus dem n- Gebiet, bleiben die
Donatoratome positiv geladen zurck. Im p- Gebiet berwiegen die zu-
rckbleibenden negativ geladenen Akzeptoratome. Diese festen Ortsla-
dungen (Ionen) bewirken, da sich an der Grenzschicht im n- Gebiet eine
positive und im p- Gebiet eine negative Raumladung ausbildet. Diese
Raumladungen haben ein elektrisches Feld zur Folge, welches die Diffu-
sion zunchst behindert und schlielich ganz zum Erliegen bringt. Weiter-
hin bewirkt diese Raumladung, bzw. das elektrische Feld, da Rekombi-
nationen nur in einer dnnen Grenzschicht stattfinden knnen. Ein Elek-
tron, das in den p- Leiter wandert, wird von der dort entstandenen negati-
ven Raumladung abgestoen. Es kann somit nicht weiter in das p- Materi-
al vordringen. Ebenso verhindert die positive Raumladung im n- Gebiet ein
tieferes Eindringen der Lcher in das n- Gebiet. Das elektrische Feld ver-
ursacht nun seinerseits Feldstrme beider Ladungstrgerarten, die den
Diffusionsstrmen entgegengerichtet sind. Beide Strme bilden ein dyna-
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misches Gleichgewicht, wenn an dem p/n- bergang keine uere Span-
nung anliegt. Dabei kompensieren sich die Lcherstrme vollstndig un-
tereinander und die Elektronenstrme ebenfalls (Abbildung 3.5). In
Abbildung 3.6 werden die Vorgnge an einem p/n- bergang veran-
schaulicht.
ber der Raumladungszone entsteht eine Spannung U
D
(Diffusionsspan-
nung) und somit eine Potentialdifferenz. Sie liegt in der Grenordnung
von 0,8 eV.
Abbildung 3.5: Schematische Darstellung der Strme in der Grenzschicht eine p/n- berganges.
Im Bndermodell stellt sich ein p/n- bergang wie folgt dar. In einem Sy-
stem mit thermischem Gleichgewicht mu das Fermi- Niveau berall
gleich sein. Dadurch kommt es zu einer Bandverbiegung am bergang
zwischen p- und n- Material. Das sich einstellende tiefere Potential V auf
der p- Seite bewirkt eine Anhebung der Energiebnder im p- Ge-
biet(Elektronen haben aufgrund ihrer negativen Ladung auf tieferem Po-
tential eine hhere Energie). Die Energiedifferenz entspricht genau eU
D
(e
= 1,60210
-19
As, Elementarladung).
- Seite 17 -
Abbildung 3.6: Vereinfachte Darstellung der Verhltnisse am p/n- bergang ohne uere Spannung.
Die unteren beiden Diagramme beschreiben die Vorgnge im Bndermodell an einem p/n- bergang [aus 2,
Seite 45]
Elektronen nehmen beim bergang vom n- zum p- Gebiet und Lcher
beim berqueren vom p- zum n- Gebiet jeweils die Energie eU
D
auf.
Um der Vollstndigkeit zu gengen, soll noch kurz der p/n- bergang bei
anliegender uerer Spannung betrachtet werden.
Eine anliegende uere Spannung am p/n- bergang ndert die Band-
verbiegung im Grenzflchenbereich. Das Anlegen einer negativen Span-
nung (Durchlarichtung) am n- Gebiet verringert die Diffusionsspannung,
dadurch verkleinert sich die Raumladungszone und somit auch die elektri-
sche Feldstrke und die Feldstrme. Das Gleichgewicht zwischen Feld-
und Diffusionsstrom ist zugunsten des Diffusionsstromes verschoben.
- Seite 18 -
Daraus resultierend, fliet ein Diffusionsstrom von Elektronen und Lchern
durch den p/n- bergang. Ist die angelegte Spannung gleich der Diffusi-
onsspannung, werden die Feldstrme zu null und der Diffusionsstrom wird
nur noch durch die Bahnwiderstnde begrenzt. Das Anlegen einer positi-
ven Spannung (Sperrspannung) am n- Gebiet bewirkt eine Vergrerung
der Raumladungszone, welche somit hochohmig wird. Des weiteren
berwiegen nun die Feldstrme, welche als resultierender Sperrstrom
mebar sind. Der Sperrstrom ist sehr klein und dem Durchlastrom ent-
gegengesetzt. Bei steigender Temperatur nimmt dieser Strom zu, da mit
steigender Temperatur die thermische Paarbildung in der Sperrzone zu-
nimmt.
Die mathematische Behandlung der Vorgnge an einem p/n- bergang
fhren auf die Diodengleichung (Shockley-Gleichung):
1
]
1
,
_
1 exp
0
T k
U e
I I
D
Gleichung 3-1
mit: e = Elementarladung; k = Boltzman -Konstante (k=8,6510
-5
eV/K)
U = angelegte Spannung: positiv -> Flu- , negativ -> Sperrichtung
Die Gre I
0
bezeichnet den sogenannten Dunkel- oder Sttigungsstrom
einer Diode. [2,5,6]
3.2 Der innere Photoeffekt in Halbleitern
- Seite 19 -
Licht besitzt sowohl Wellen- als auch Teilchencharakter. Fr das Ver-
stndnis der Funktionsweise von Solarzellen ist es wesentlich, da das
Licht aus sehr vielen einzelnen Teilchen (Lichtquanten) oder Photonen
besteht. Aufgrund der charakteristischen Wellenlnge bzw. Frequenz be-
sitzt jedes Photon eine ganz bestimmte Energie.
Es gilt:
c
h h E Gleichung 3-2
E Energie des Photons (meist in eV, wobei 1eV=1,60210
-19
J)
h = 6,62610
-34
Ws
2
Plancksches Wirkungsquantum
Wellenlnge in m
Frequenz in Hz
c = 2,99810
8
m/s Lichtgeschwindigkeit
Jedes Atom besteht aus einem positiv geladenen Kern und einer Hlle
aus negativ geladenen Elektronen (Elementarladung e=1,60210
-19
As).
Trifft ein Photon mit der Energie E auf ein Atom (z.B. ein Wasserstoffa-
tom), wird das Photon absorbiert. Wasserstoffatome bestehen aus einem
einfach positiv geladenem Kern und besitzen ein Elektron. Aufgrund der
absorbierten Energie, wird das Elektron in einen hheren Energiezustand
versetzt. Im Grenzfall, wenn die Energie des Photons gro genug ist, kann
das Elektron sogar die Atomhlle verlassen und somit zu einem freien
Elektron werden.
Dieser Effekt wurde 1887 von Heinrich Hertz entdeckt und 1905 von Ein-
stein mit Gleichung 3-2 erklrt bzw. beschrieben und wird als lichtelektri-
scher Effekt (Photoeffekt) bezeichnet.
Der Vorgang der Energiebertragung von Photon auf Elektron wird auch
als Absorption bezeichnet.
Als ueren lichtelektrischen Effekt, bzw. Photoeffekt, bezeichnet man
das Herauslsen von Elektronen aus einer Metalloberflche. Dies ge-
schieht, wenn die vom Photon gelieferte Energie grer ist als die Austritt-
senergie E
A
.
- Seite 20 -
Ist die Energie nicht ausreichend, fllt das Elektron von seinem hohen
Energiezustand unter Abgabe der aufgenommenen Energie (in Form von
Wrme oder Lichtquanten) wieder auf eine niedrigeres Energieniveau zu-
rck.
Bei manchen, nichtleitenden Kristallen reicht die durch Photonen zuge-
fhrte Energie nicht aus, um ein Elektron aus der Oberflche zu lsen.
Allerdings kann durch die Energiezufuhr das Elektron aus seiner Bindung
herausgelst werden oder vom Valenzband ins Leitungsband angehoben
werden. Man erhlt somit frei bewegliche Elektronen. Dieser Vorgang wird
als innerer licht-elektrischer Effekt bezeichnet.
Die elektrischen Eigenschaften eines Materials werden von der Verteilung
der Elektronen in den Bndern (s. 3.1.1) bestimmt. Man knnte zunchst
erwarten, da der Gleichgewichtszustand eines Kristalls derjenige ist, bei
dem sich die Elektronen alle im tiefsten erlaubten Energiezustand befin-
den. Nach dem Pauli - Prinzip ist es aber verboten, da sich mehr als 2
Elektronen auf einem Energieniveau befinden. Dies bedeutet, da bei ex-
trem niedrigen Temperaturen alle Energieniveaus eines Festkrpers bis
zu einem bestimmten Niveau mit zwei Elektronen besetzt sind. Dieses
Energieniveau heit Fermi - Energie. Bei hheren Temperaturen ist die
Fermi - Energie dasjenige Energieniveau, das mit der Wahrscheinlichkeit
0,5 mit einem Elektron besetzt ist. Mit steigender Temperatur besitzen ei-
ne zunehmende Zahl von Elektronen Energien, die ber der Fermi - Ener-
gie liegen und besetzen deshalb darberliegende Energieterme. Die Be-
setzungswahrscheinlichkeit eines erlaubten Energieniveaus als Funktion
der Temperatur wird durch die Fermi - Dirac - Verteilung geregelt. [1]
Metalle besitzen keine Energielcke zwischen Valenz- und Leitungsband.
Abbildung 3.7 zeigt, da die Elektronen in Metallen beliebige Energien
besitzen knnen. Daher knne sie beliebige Energien bei der Absorption
von Photonen aufnehmen. Die Elektronen geben aber die aufgenommene
Energie beim Zurckfallen auf ein niedrigeres Energieniveau als Wrme
wieder ab.
- Seite 21 -
Abbildung 3.7: In einem Metall geht die von Photonen aufgenommene Energie durch Ste mit den Atomen
schnell verloren. [1]
In einem Halbleiter befinden sich bei Zimmertemperatur nur sehr wenige
freie Elektronen im Leitungsband. Damit lt sich auch die geringe
Leitfhigkeit von Halbleitern bei geringer Temperatur erklren. Erst
Energiezufuhr in Form von Licht oder Wrme lt die Valenzbindungen
der Elektronen aufbrechen, so da Elektronen ins Leitungsband gelangen
und somit zum Stromflu beitragen knnen. Die Elektronen bentigen, um
ins Leitungsband gelangen zu knnen, eine Mindestenergie. Diese
Mindestenergie entspricht dem Bandabstand oder Bandlckenenergie E
G
.
Abbildung 3.8 veranschaulicht dies.
Abbildung 3.8: In einem Halbleiter verlieren Elektronen Energie durch Ste nur bis zum Unterrand des
Leitungsbandes
- Seite 22 -
Werden Photonen mit einer greren Energie als E
G
absorbiert, wird der
Energieberschu E
= E - E
G
durch Ste als Wrme abgegeben. Der
Halbleiter erwrmt sich.
Wird durch Absorption eines Photons ein Elektron aus dem Valenzband in
das Leitungsband gehoben, wird es somit ein freier Ladungstrger. An
seinem Ursprungsort verbleibt eine Leerstelle im Valenzband, die als Loch
oder Defektelektron bezeichnet wird. Ein Loch kann nun mit einem be-
nachbarten Elektron wieder aufgefllt werden, dieses hinterlt aber an
seiner Ursprungsstelle wieder ein Loch. Es entstehen also negative (Elek-
tronen) und positive (Lcher) Ladungen (s. 3.1.2).
Photonen, deren Energie kleiner als die Mindestenergie ist, werden nicht
absorbiert. Fr diese Wellenlnge ist der Halbleiter transparent.
Bei Bestrahlung eines Halbleiters entstehen Elektronen und Lcher, wel-
che nach einer bestimmten Zeit wieder rekombinieren. Erst durch Anlegen
einer elektrischen Spannung, welche ein elektrisches Feld erzeugt, kann
die Rekombination verhindert werden. Man erhlt dann einen Photoleiter
oder Photowiderstand, dessen Leitfhigkeit proportional der Bestrah-
lungstrke ist. Ein Photowiderstand ist aber ein passives Element und
kann keine Energie erzeugen!
In Halbleitern knnen jedoch unter bestimmten Umstnden (an einem
bergang zwischen n- und p- dotiertem Halbleitermaterial s. 3.1.3) starke
innere elektrische Felder entstehen. Diese Felder ermglichen eine Tren-
nung der durch Photonen erzeugten Elektronen/ Loch- Paare ohne Anle-
gen einer ueren Spannung. Dadurch wird es mglich die Energie der
getrennten Elektronen und Lcher zu ntzen.
4.1 Prinzipieller Aufbau von Solarzellen
- Seite 23 -
4 Solarzellen aus kristallinem Silizium
4.1 Prinzipieller Aufbau von Solarzellen
Abbildung 4.1 zeigt den prinzipiellen Aufbau einer Solarzelle. Sie besteht
aus einer groflchigen Diode (p/n- bergang). Die Kontaktzufhrung er-
folgt auf der Ober- und der Unterseite. Dabei wird die Kontaktierung der
Frontseite in Form eines Gitters ausgefhrt, um starke Verschattungen zu
vermeiden. Damit mglichst viele Photonen in die Nhe der Sperrschicht
gelangen knnen, mu die dem Licht zugewandte Halbleiterseite (meist n-
leitend) sehr dnn sein (z. B. 0,5 m). Um die Reflexionsverluste an der
Oberflche mglichst gering zu halten, wird die Zelloberflche mit einer
Antireflexionsschicht berzogen. Des weiteren ist eine Reflexionsminde-
rung durch Strukturierung der Oberflche mglich (invertierte Pyramiden).
Abbildung 4.1: Prinzipieller Aufbau einer mono- oder polykristallinen Solarzelle, schematisch [1].
Treffen nun Lichtquanten auf die Solarzellen, deren Energie grer ist als
der Bandabstand des Halbleitermaterials, werden diese vom Kristallgitter
absorbiert. Aufgrund des inneren Photoeffekts entstehen dabei Elektro-
nen/ Loch- Paare. Durch das starke elektrische Feld der Sperrschicht
werden die Paare getrennt. Dabei sammeln sich die Elektronen in der n-
Zone und die Lcher im ladungsfreien Teil der p- Zone.
- Seite 24 -
Durch die getrennten Ladungen wird die Raumladungszone und somit
auch die elektrische Feldstrke reduziert, bis sie fr weitere Trennungen
nicht mehr ausreicht. Damit ist die Leerlaufspannung U
OC
erreicht. Die
Spannung ber der Sperrschicht ist dabei viel kleiner als die Diffusions-
spannung U
D
, aber nicht 0. Deshalb ist die Leerlaufspannung U
OC
einer
Solarzelle immer etwas kleiner als U
D
.
Werden dagegen die Front- und Rckseitenkontakte kurzgeschlossen
(Klemmenspannung =0 V), so knnen alle durch den inneren Photoeffekt
erzeugten Elektronen/ Loch- Paare sofort aus den entsprechenden Zonen
abflieen. ber der Sperrschicht liegt weiterhin U
D
an und es fliet fr die
gegebene Bestrahlungsstrke ein maximaler Strom, der Kurzschlustrom
I
SC
. Der Kurzschlustrom ist bei einer Solarzelle proportional zur Bestrah-
lungsstrke G.
4.2 Ersatzschaltung einer Solarzelle
4.2.1 Das Ein- Dioden- Modell
Eine unbeleuchtete Solarzelle ist eine Halbleiterdiode, die einen Durch-
lastrom, bei angelegter negativen Spannung, flieen lt.
Durch Bestrahlung der Solarzelle wird durch den Photoeffekt ein zustzli-
cher Strom, der Photostrom I
Ph
, erzeugt. Der Photostrom ist proportional
zur Bestrahlungsstrke und ist dem Durchlastrom bzw. Diodenstrom ent-
gegengesetzt gerichtet.
Abbildung 4.2 zeigt das Ersatzschaltbild einer Solarzelle im Ein- Dioden-
Modell.
Abbildung 4.2: Ersatzschaltbild einer Solarzelle im Ein- Dioden- Modell
- Seite 25 -
Die blichen Modelle der idealen Solarzelle gehen von einer Superposition
der Strme aus. Dadurch erhlt man folgende Gleichung.
1
]
1
,
_
1 exp
0
T k
U e
I I I I I
ph D ph
Gleichung 4-1
Hier wird der Diodenstrom negativ und der Photostrom positiv gezhlt, es
gibt aber auch andere Vorzeichenkonventionen.
Die reale Solarzelle zeigt aber ein abweichendes Verhalten, so da dieses
Modell noch weiter entwickelt wurde.
Zur Modellierung verschiedener bei der Solarzelle auftretender Effekte
wurden folgende Modifikationen an Gleichung 4-1vorgenommen.
Da die Diodencharakteristik nicht einer idealen Shockley- Diode
entspricht, wurde der Diodenidealittsfaktor A eingefhrt.
Rekombinationen an Defekten im Halbleiter bzw. an den Halb-
leiteroberflchen fhren zu Leckstrmen. ber die Kanten der
Solarzelle bilden sich Kriechstrme. Dies soll der Parallelwider-
stand R
p
beschreiben.
Der Serienwiderstand R
s
soll die Leitfhigkeit der unterschied-
lich dotierten Halbleitergebiete, die bergangswiderstnde zwi-
schen n- und p- dotiertem Gebiet und den jeweiligen Metallkon-
takten, sowie die ohmschen Verluste an den metallischen Ab-
leitern abdecken.
Die Darstellung mit Stromdichten und flchenbezogenen Widerstnden
erweist sich fr weitere Betrachtungen als sinnvoll. Strom und Spannung
werden der Verschaltung entsprechend auf eine Zelle und der Zellstrom
auf die Flche der verwendeten Zellen normiert. Die flchenbezogenen
Parameter sind somit unabhngig von der Gre des betrachteten Solar-
generators. Alle weiteren Beziehungen, die mit dem Ein- bzw. dem fol-
genden Zwei- Dioden- Modell in Zusammenhang stehen, werden in der
Stromdichtenkonvention dargestellt.
Man erhlt somit Gleichung 4-2.
- Seite 26 -
( )
p
S S
ph
R
R j U
T k A
R j U e
j j j
+
1
]
1
,
_

+
1 exp
0
Gleichung 4-2
mit: j
ph
Photostromdichte [A/m
2
]
j
0
Diodensperrstromdichte [A/m
2
]
A Diodenidealittsfaktor (A=1)
R
S
Serienwiderstand [m
2
]
R
p
Parallelwiderstand [m
2
]
U Spannung [V]
4.2.2 Das Zwei- Dioden- Modell
Untersuchungen zum internen Serienwiderstand von Solarzellen sowie
verschiedene Meverfahren zeigten, da das Ein- Dioden- Modell nicht
ausreichend ist, um die Verhltnisse einer realen Solarzelle zu simulieren.
Der Vorschlag einer zweiten parallel geschalteten Diode zeigte eine deut-
lich bessere bereinstimmung mit experimentell gewonnenen Daten. Phy-
sikalisch kann der Term so gedeutet werden, da zustzlich zur strahlen-
den Rekombination, die Rekombination an Strstellen in der Bandlcke
groe Bedeutung hat.
Das Ersatzschaltbild des Zwei- Dioden- Modells ist in Abbildung 4.3 dar-
gestellt.
Abbildung 4.3: Ersatzschaltbild einer Solarzelle im Zwei- Dioden- Modell
- Seite 27 -
Zur besseren bersichtlichkeit wird die direkt an den Dioden anliegende
Spannung U
0
eingefhrt.
S
R j U U +
0
Gleichung 4-3
Aus Gleichung 4-2 und Gleichung 4-3 erhlt man:
p
ph
R
U
T k b
U e
j
T k a
U e
j j j
0 0
02
0
01
1 exp 1 exp
1
]
1
,
_

1
]
1
,
_
Gleichung 4-4
mit: j
ph
2
]
j
01
Diodensperrstromdichte der 1. Diode [A/m
2
]
j
02
Diodensperrstromdichte der 2. Diode [A/m
2
]
a & b Diodenfaktoren, beim Zwei- Dioden- Modell: a=1, b=2
R
p
2
]
e Elementarladung [C]
T Temperatur, [K]
Die Diodensperrstromdichten und die Photostromdichte berechnen sich
wie folgt:
,
_

T k
U e
T C j
gab
exp
3
01 01
Gleichung 4-5
,
_

T k
U e
T C j
gab
2
exp
2 5
02 02
Gleichung 4-6
( ) G T C C j
ph
+
1 0
Gleichung 4-7
mit: C
01
Diodensperrstromparameter, [
3 2
K m A ]
C
02
Diodensperrstromparameter, [
2 5 2
K m A ]
C
0
Photostromkoeffizient, Dunkelstromkoeffizient [ V 1 ]
C
1
Photostromkoeffizient, Temperaturkoeffizient [ K V 1 ]
T Temperatur, [K]
G Einstrahlung, Bestrahlungsstrke, [W/m
2
]
k Boltzmankonstante [kg]
U
gab
Potentialdifferenz des Bandabstandes, (1,14 eV bei kristallinem Si)
Der erste Diodenterm, I
01
exp(...), reprsentiert die ideale Shockley- Diode,
wie auch beim Ein- Dioden- Modell. Der zweite Diodenterm stellt die Re-
- Seite 28 -
kombination in der Raumladungszone an Strstellen dar. Der zugehrige
Diodenfaktor b wurde auf 2 gesetzt, da man davon ausgeht, da die Re-
kombinationsrate in der Bandmitte am grten ist.
Gleichung 4-7 zeigt die fast lineare Abhngigkeit der Photostromdichte
von der Einstrahlung, die nur einen schwachen Temperaturdrift unterliegt.
C
0
, C
1
, C
01
, C
02
, Serien- und Parallelwiderstand sind die 6 Parameter des
Zwei- Dioden- Modells.
4.3 Kennlinien von Solarzellen und wichtige Kenndaten
- Seite 29 -
Abbildung 4.4: Strom- Spannungs- Charakteristik einer Solarzelle im beleuchtetem Zustand. Man erkennt die 3
wichtigsten Punkte der Solarzelle: Kurzschlustrom I
K
, Leerlaufspannung U
l
, sowie den Punkt der maximalen
Leistung MPP mit zugehrigem Strom I
m
und Spannung U
m
.
Abbildung 4.4 zeigt eine Beispielkennlinie einer Solarzelle. Drei Punkte
der Strom- Spannungs- Charakteristik sind fr den Wirkungsgrad von gro-
er Bedeutung:
Kurzschlustrom I
K
bzw. I
SC
(aus engl.: short circuit current),
wird dann gemessen, wenn an der Zelle keine Spannung anliegt
Leerlaufspannung U
l
bzw. U
OC
(aus engl.: open circuit voltage),
wird erhalten, wenn I=0A ist
MPP (von maximum power point), Punkt an dem Produkt aus I
und U maximal ist, Punkt maximaler Leistung
Damit man mglichst immer die maximale Leistung von einer Solarzelle
bzw. einem Solargenerator erhlt, ist es notwendig, da ein angeschlos-
sener Verbraucher mglichst im bzw. ganz in der Nhe des MPP arbeitet.
Praktisch ist dies kaum zu realisieren, da der MPP von verschiedenen
Faktoren abhngig ist, also nicht konstant ist. Je nach Einstrahlung, Tem-
peratur, Exemplarstreuung, Alterung o. . hat er einen anderen Wert. Es
wurden aber Schaltungen entworfen, die es ermglichen, da ein Ver-
braucher immer im MPP arbeitet. Solche Schaltungen werden als Maxi-
mum Power Tracker (kurz: MPT) bezeichnet.
Aus der Beispielkennlinie ist ersichtlich, da die maximale Leistung
- Seite 30 -
m m
U I P
max
Gleichung 4-8
immer kleiner als das Produkt aus Leerlaufspannung und Kurzschlu-
strom ist.
Eine Solarzelle mu immer in der Lage sein, Leerlaufspannung sowie
Kurzschlustrom auszuhalten. Daher ist das Verhltnis von maximaler
Leistung zu dem Produkt aus Leerlaufspannung und Kurzschlustrom ne-
ben dem Wirkungsgrad ein weiteres Ma fr die Gte einer Solarzelle.
Dieses Verhltnis bezeichnet man als Fllfaktor.
SC OC
I U
P
FF Fllfaktor
max
Gleichung 4-9
Bei heutigen Solarzellen liegt der Fllfaktor etwa zwischen 60% und 80%.
Wie bereits erwhnt, ist die Kennlinie einer Solarzelle abhngig von Be-
strahlungsstrke und Zelltemperatur. Dies erkennt man ebenfalls an den
Modellen der Solarzelle.
Abbildung 4.5 zeigt die Kennlinien einer Solarzelle mit der Bestrahlungs-
strke G als Parameter. Man erkennt, da der Kurzschlustrom proportio-
nal zur Bestrahlungsstrke ist. Dagegen steigt die Leerlaufspannung mit
zunehmender Bestrahlungsstrke nur sehr wenig. Weiterhin sieht man in
der Abbildung sehr gut, wie der MPP mit variierender Bestrahlung wan-
dert.
In Abbildung 4.6 wird dagegen die Temperaturabhngigkeit der Solarzel-
len verdeutlicht. Mit steigender Temperatur nimmt der Kurzschlustrom
ebenfalls zu, allerdings nicht mehr so stark wie bei der Erhhung der Be-
strahlungsstrke. Die Leerlaufspannung sinkt dagegen mit steigender
Temperatur, im Vergleich zu Abbildung 4.5 strker. Bei kristallinem Silizi-
um liegt der Temperaturkoeffizient der Leerlaufspannung im Bereich
2mV/K bis 2,5mV/K [2]. Da mit zunehmender Temperatur der Kurzschlu-
- Seite 31 -
strom nur sehr wenig steigt, die Leerlaufspannung aber stark abnimmt,
sinkt auch die Leistungsabgabe P
max
der Solarzelle im MPP. Ist P
max
(T
0
)
die Leistung bei T
0
und T
Koeff
der Temperaturkoeffizient, so ist P
max
(T) die
Leistung bei einer Temperatur T (T T
0
) nach
)) ( 1 ( ) ( ) (
0 0 max max
T T T T P T P
Koeff
. Ein typischer Temperaturkoeffizient
fr P
max
liegt etwa bei 0,4%/K bis 0,5%/K.
Abbildung 4.5: Einflu der Bestrahlungsstrke G auf den Verlauf der I- U- Kennlinie einer Solarzelle [aus 2,
Seite 53, Bild 35]
Abbildung 4.6: Einflu der Temperatur T auf den Verlauf der I- U- Kennlinie einer Solarzelle [aus 2, Seite 53,
Bild 36]
Aufgrund der Sonneneinstrahlung liegt die Temperatur der Solarzellen
etwa 20C bis 40C ber der Umgebungstemperatur. Um einen deutlichen
- Seite 32 -
Leistungseinbruch und somit einen schlechten Wirkungsgrad an sonnen-
reichen Tagen zu vermeiden, empfiehlt es sich, die Solarzelle zu khlen
(z. B. durch Hinterlftung).
4.4 Wirkungsgrad von Solarzellen
4.4.1 Theoretischer und praktischer Wirkungsgrad
Bei Energieumwandlungen ist der Wirkungsgrad immer das wichtigste
Kennzeichen dafr, ob diese Umwandlung mit viel oder wenig Verlusten
behaftet ist. Je grer der Wirkungsgrad ist, desto geringer sind die Verlu-
ste und desto besser ist die Energieumwandlung.
Die folgenden Ausfhrungen ber den theoretischen und praktischen Wir-
kungsgrad sind an [2] angelehnt.
Wie bereits bekannt ist, knnen nur die Photonen ein Elektron/ Loch Paar
bilden, deren Energie grer ist als die Bandlckenenergie E
G
des ver-
wendeten Halbleitermaterials. Unter der Annahme, da man ein ideales
Material zur Verfgung hat, welches jedes Elektron/ Loch Paar trennt und
das die volle, aus dem Lichtquant gewonnene Energie an den ueren
Stromkreis abgegeben wird, ist es mglich, die in der Solarzelle erzeugten
Stromdichten und den spektralen Umwandlungswirkungsgrad
s
zu be-
rechnen. Die Berechnung erfolgt aus der spektralen Intensittsverteilung
des Sonnenlichts und in Funktion der Bandlckenenergie E
G
.
Die Spannung an einer idealisierten Solarzelle kann man wie folgt berech-
nen:
e
E
U ung Photospann he Theoretisc
G
Ph
Gleichung 4-10 [2]
Abbildung 4.7 zeigt den Verlauf des spektralen Umwandlungswirkungs-
grades ber der Bandlckenenergie.
4.4 Wirkungsgrad von Solarzellen
- Seite 33 -
Abbildung 4.7: Spektraler Umwandlungswirkungsgrad einer idealisierten Solarzelle mit einem einzigen
bergang in Funktion der Bandlckenenergie [aus 2, Seite 56, Bild 40]
Der theoretische Wirkungsgrad einer Solarzelle wurde bereits 1959 von
Rappaport [2] im AM0- Spektrum in Funktion der Bandlckenenergie E
G
unter einigen idealisierten Annahmen berechnet:
Die Solarzelle wird nur im MPP betrieben
Alle Photonen mit h > E
G
bilden ein Elektron/ Loch Paar
Alle Elektronen/ Loch Paare werden getrennt
Beschattung durch die Frontkontakte wird vernachlssigt
Temperatur der Zelle betrgt 25C
Die Ergebnisse zeigt Abbildung 4.8. Das Optimum liegt etwa bei einer
Bandlckenenergie von 1,5eV. Bei kristallinem Silizium (c-Si) liegt
s
bei
22% und bei amorphen Silizium (a-Si) bei 25%.
Abbildung 4.8: Theoretischer Wirkungsgrad einer Solarzelle im AM0- Spektrum ber der Bandlckenenergie bei
25C nach Rappaport. [aus 2, Seite 58]
- Seite 34 -
In der Praxis sieht es etwas anders aus. Die beim theoretischem Wir-
kungsgrad vernachlssigten Verluste (Reflexion, Rekombination, Wider-
stnde) reduzieren diesen. Des weiteren mssen Effekte wie die Ab-
schattung der Zellen durch Frontkontakte, sowie die Temperaturabhngig-
keit des Wirkungsgrades (Koeffizient etwa 0,005/K [2]) bercksichtigt
werden.
Der praktische Wirkungsgrad einer Solarzelle berechnet sich wie folgt:
i
OC SC
i
m m
p
P
U I FF
P
U I
Gleichung 4-11 [2]

P
i
stellt dabei die Einstrahlungsleistung dar.
i i
A G P Gleichung 4-12
mit: A
i
installierte Flche [m
2
]
G Bestrahlungsstrke [W/m
2
]
Nachfolgende Tabelle enthlt typische Wirkungsgrade von unterschiedli-
chen Solarzellen:
Halbleitermaterial Wirkungsgrad
p
GaAs 21 %
c-Si 19 %
a-Si 10 %
CuInSe
2
10 %
CdTe 10 %
Tabelle 4-1: Typische Wirkungsgrade fr unterschiedliche Solarzellen, [aus 2, S.60]
4.5 Fit an das Zwei- Dioden- Modell
- Seite 35 -
Die Bestimmung der Modellparameter ist ein schwieriger, aber sehr wich-
tiger Schritt bei der Bewertung von Solarzellen. Die Parameter beziehen
sich direkt auf physikalische Prozesse und ermglichen somit, eine Kon-
trolle der Herstellung. Des weiteren ermglicht die Parameterbestimmung
eine bertragung der I- U- Charakteristik von einer Umgebungsbedingung
auf eine andere, d. h. eine Kennlinie bei einer bestimmten Temperatur und
Einstrahlung ist auf eine andere Temperatur respektive Einstrahlung
bertragbar. Dadurch wird es mglich, die Leistung eines PV- Systems zu
bewerten, bzw. vorherzusagen. Dies ist um so bedeutsamer, da die Her-
steller von Solarzellen meist nur Kennlinien bei Standardtestbedingungen,
kurz: STC (G=1000 W/m
2
; T= 25C; AM1.5), verffentlichen. Diese
Werte sind offensichtlich an Laborbedingungen angepat, unter natrli-
chen Bedingungen sind diese Werte unwahrscheinlich.
Durch die Kennlinienumrechnung mit Hilfe der bestimmten Parameter ist
man in der Lage, Leistungsvorhersagen bei bestimmten Temperatur und
Einstrahlungskombinationen zu machen, bzw. aus Mewerten, eine Kenn-
linie bei STC zu ermitteln.
Die Methoden zur Kennlinienumrechnung lassen sich allgemein in 3
Gruppen teilen: graphische Bestimmung, direkte Berechnung und Para-
meter fitten (aus engl., anpassen, schtzen, bestimmen ).
Die graphischen Methoden sind nicht sehr exakt. Bei der Methode der di-
rekten Berechnung werden nur bestimmte Punkte der Kennlinie herange-
zogen. Dies sind normalerweise der Kurzschlustrom, die Leerlaufspan-
nung und Strom und Spannung im MPP, sowie die Ableitungen an diesen
Punkten. Der Vorteil dieser Methode liegt in der kurzen Berechnungszeit
sowie in der Einfachheit des Kennlinienvergleiches. Dem steht aber ge-
genber, da nur bestimmte Punkte in die Berechnung eingehen und so-
mit die Genauigkeit der ermittelten Parameter stark von den Mefehlern
der jeweiligen Punkte abhngt. Wenn man nun einen Parametersatz
mchte, welcher die komplette Kennlinie beschreiben soll, ist die 3. Me-
thode, das Parameterfitten anzuwenden.
- Seite 36 -
Das Zwei- Dioden- Modell enthlt neben den Betriebs- und Umweltpara-
metern (I, U, G, T) 6 weitere Parameter (C0, C1, C01, C02, Rs, Rp), wel-
che den PV- Generator beschreiben (s.h. 4.2.2).
p
ph
R
jRs U
T k b
jRs U e
j
T k a
jRs U e
j j j
+
1
]
1
,
_

+

1
]
1
,
_

+
1
) (
exp 1
) (
exp
02 01
Gleichung 4-4
Dabei spiegeln die Einstrahlungs- und Temperaturwerte die meteorologi-
sche Situation wider. Ausgangspunkt eines Fits ist eine gemessene bzw.
generierte Kennlinienschar (empirische Daten), ausgedrckt als Quadru-
pel (G; T; U; I).
Die gemessenen Kennliniendaten (U; I) werden dabei auf eine Zelle nor-
miert. Die Spannung wird durch die Anzahl der seriell verschalteten Zellen
geteilt. Da der Strom normalerweise in Ampere vorliegt, wird dieser neben
der Anzahl der parallel verschalteten Zellen, noch durch die Flche einer
Zelle geteilt. Somit erhlt man die auf eine Zelle bezogene Stromdichte j.
Durch Einsetzen von Mewerten in die Gleichung 4-4, erhlt man zur Be-
stimmung der unbekannten Parameter ein Gleichungssystem, welches in
diesem Fall berbestimmt ist, da die Anzahl der Gleichungen grer ist,
als die Anzahl der Unbekannten. Die Aufgabe des Fitts besteht nun darin,
den Parametersatz zu finden, der alle Gleichungen gleichzeitig erfllt. Als
Kriterium, wie gut der Parametersatz die Gleichungen erfllt, dient die
Fehlerquadratsumme. Dieses Kriterium wird hufig bei der Lsung von
berbestimmten Gleichungssystemen benutzt. Die Fehlerquadratsumme
ist die Summe der Quadrate der Differenzen zwischen linker und rechter
Seite. In diesem Fall werden die Differenzen zwischen gemessener
Stromdichte und berechneter Stromdichte gebildet (Gleichung 4-13).

N
i
mess i theo i
j j
1
2
, ,
2
) ( Gleichung 4-13
mit: N Anzahl der Datenpunkte
mess i
j
,
gemessene Stromdichte des i-ten Datenpunkts
theo i
j
,
berechnete Stromdichte des i-ten Datenpunkts
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Genauer gesagt, erhlt man keine eindeutige Lsung des Gleichungssy-
stems, sondern nur eine Nherung. Zur besseren Vergleichbarkeit der
Gte, bei Vorliegen unterschiedlicher Datenstze, ist es sinnvoll, die Feh-
lerquadratsumme auf die Anzahl der Mewerte zu beziehen. Demzufolge
wird aus Gleichung 4-13:

N
i
mess i theo i
j j
N
1
2
, ,
) (
1
Gleichung 4-14
Ziel ist es nun, Gleichung 4-14 zu minimieren. Dieser Ansatz wird auch als
Methode der kleinsten Quadrate bezeichnet (engl.: least square problem).
4.5.1 Der Algorithmus
In der Literatur finden sich verschiedene Verfahren zur Bestimmung der
Parameter des Zwei- Dioden- Modells [10]. In dieser Arbeit wurde der An-
satz von Obst [9] aufgegriffen.
Dabei wird Gleichung 4-4 durch Vorgabe eines Rs- Wertes auf ein linea-
res Problem zurckgefhrt.
4.5.1.1 Gram- Schmidt- Orthogonalisierungsverfahren
Damit die Fehlerfunktion (Gleichung 4-14) berechnet werden kann, ms-
sen die restlichen linearen Parameter (C0, C1, C01, C02, Rp) bestimmt
werden.
Durch Einsetzen der Medaten und des vorgegebenen Rs- Wertes in
Gleichung 4-4 erhlt man ein lineares Gleichungssystem der Form:
b x A Gleichung 4-15
mit: A Koeffizientenmatrix der Gre m x n, mit m>n
x Lsungsvektor der Gre n
b rechte Seite Vektor (j
mes
) der Gre m
Wenn man, wie hier, ein mathematisches Modell an Medaten anpassen
mchte, erhlt man ein berbestimmtes Gleichungssystem, also mehr
Gleichungen als Unbekannte. Fr ein berbestimmtes Gleichungssystem
- Seite 38 -
gibt es in der Regel keine Lsung. An dieser Stelle wird ein Ersatzproblem
betrachtet. Man versucht den Vektor x so zu bestimmen, da die Differenz
zwischen linker und rechter Seite minimal wird, oder anders, gesucht ist
ein Vektor x, der die euklidische Norm des Residuenvektors
Ax b r Gleichung 4-16
minimiert [12]. Dieser Ansatz wird auch als lineares Ausgleichsproblem
bezeichnet, dessen Lsung eine Lsung im Sinne kleinster Fehlerqua-
drate ist. Die Fehlerquadratsumme berechnet zu
2
2
b Ax Gleichung 4-17
wobei der Vektor x gesucht ist, der
2
minimiert.
Zur Lsung der Gleichung 4-17 wird diese differenziert und gleich Null ge-
setzt. Man erhlt das Normalgleichungssystem:
0 ) ( x A A b A
T T
Gleichung 4-18
Die Matrix A A
T
ist eine symmetrische n x n Matrix, und stellt n lineare
Gleichungen fr die n unbekannten Komponenten von x dar, da Normal-
gleichungssystem ist lsbar. Da A A
T
symmetrisch ist, sind zur Bildung
von A A
T
und b A
T
m n nm m n n
2
2
1
) 1 (
2
1
+ + Operationen ntig. Die
Normalgleichungen werden blicherweise durch Bildung des inversen von
A A
T
nach Standardverfahren wie Gau, Cholesky- Verfahren oder
Gau- Jordan Elimination gelst [12].
( )
1
) (

A A b A x
T T
Gleichung 4-19
- Seite 39 -
In der Literatur, die dieses Thema behandelt [7,12,13,14,15], wird gezeigt,
da der Einsatz solcher Standardverfahren nicht immer der beste Weg ist.
Im allgemeinen kann das Aufstellen der Normalgleichungen zu schlecht
konditionierten Gleichungssystemen fhren, so da man nur eine
schlechte Lsung erhlt. Im ungnstigsten Fall ist es sogar mglich, da
die berechnete Matrix A A
T
singulr wird, d. h. einige Spalten der Matrix
sind linear voneinander abhngig. In diesem Fall erhlt man keine Lsung.
Beim Lsen von linearen Gleichungssystemen besteht immer die Bedin-
gung, da die Koeffizientenmatrix nicht singulr ist. Die Ursachen dafr
sind vielfltig. Zum einen sind sie in Rundungsfehler begrndet, die bei
der Berechnung von A A
T
entstehen, da man nur mit endlicher Genauig-
keit rechnen kann. Gerade bei Medaten kommt es vor, da die Elemente
der Matrix A fast linear abhngig sind und das durch die bei der Berech-
nung auftretenden Rundungsfehler die Matrix A A
T
singulr wird. Ein
weiteres Problem stellen die Mefehler dar, wenn die Werte von A und b
als Medaten vorliegen. Die Standardverfahren bedienen sich der inver-
sen Matrix ( A A
T
)
-1
, dies fhrt leicht zu hufigen Divisionen durch kleine
Zahlen und damit nicht mehr zu vernnftigen Ergebnissen[7]. Solche Ver-
fahren funktionieren um so schlechter, je breiter die Streuung der Daten-
punkte ist (Mefehler) und je strker die Basisfunktionen linear voneinan-
der abhngig sind. Die Aufgabe des Kennlinienfits gehrt da zu den un-
gnstigeren Fllen. Natrlich kann der Einsatz eines dieser Standardver-
fahren zum Ziel fhren, aber man kann die Mglichkeit von Problemen
nicht ausschlieen.
Es gibt zur Lsung berbestimmter Gleichungssysteme (Gleichung 4-15)
bessere, stabilere Verfahren. Diese Verfahren haben alle den gleichen
Ansatz, die rechteckige Matrix A wird faktorisiert, zerteilt. Die Art der Tei-
lung ist dabei unterschiedlich. Eine der bekanntesten und bedeutendsten
ist wohl die Singularittswertzerlegung, kurz SVD (aus engl. Singular Va-
lue Decomposition). Allerdings ist dieses Verfahren sehr aufwendig.
Ein einfacheres und ebenso stabiles Verfahren ist das Gram- Schmidt-
Orthogonalisierungsverfahren. In dieser Arbeit wurde das Modifizierte
- Seite 40 -
Gram- Schmidt- Verfahren (kurz: MGS) eingesetzt, da es im Vergleich
zum klassischen GS stabiler ist und gerade bei Medaten die besseren
Ergebnisse liefert. Mathematisch betrachtet sind beide Verfahren quiva-
lent. Das Verfahren beruht auf der QR- Faktorisierung (engl. QR decom-
position).
Bei der QR- Zerlegung geht man davon aus, da jede m x n Matrix A
(m>n) in das Produkt einer Matrix Q und R zerlegt werden kann, so da
gilt:
R Q A Gleichung 4-20
Dabei ist Q eine m x n Matrix mit orthogonalen Spalten, d. h. 1 Q Q
T
,
und R eine obere n x n Dreiecksmatrix. Nach der Transformation ist das
Gleichungssystem b x A ber
y x R Gleichung 4-21
mit
b Q y
T
Gleichung 4-22
durch Rckwrtseinsetzen lsbar.
Das MGS ist ein spaltenweise arbeitender Algorithmus. Sind die linear
unabhngigen Vektoren a
1
,...,a
k
die Spalten der Matrix A, dann liefert das
Verfahren zu diesen Vektoren ein System von k orthogonalen Vektoren
q
1
,...,q
k
, die den gleichen Unterraum aufspannen. Dabei sind q
1
,...,q
k
, mit
k=1,2...n, die Spalten der Matrix Q.
Dazu wird bei der Berechnung, sobald ein neues q
i
berechnet wurden ist,
diese Richtung von allen noch zu behandelnden Vektoren subtrahiert, so
da diese orthogonal zu q
1
,...,q
i
sind.
Fr eine ausfhrliche Darstellung des Gram- Schmidt- Verfahrens siehe
[12] S.144ff, [16], [13] S.85ff bzw. [15] S. 61ff.
Um das System zu lsen, sind
2
mn Operationen notwendig. Verglichen
mit der Bildung und Lsung der Normalgleichungen sind etwa doppelt so-
viel Operationen notwendig. Diese knnen aber in einfacher Genauigkeit
- Seite 41 -
ausgefhrt werden, was im allgemeinen einen Geschwindigkeitsgewinn
bedeutet. [12]
4.5.1.2 Der Goldene- Schnitt- Algorithmus
Man erhlt zu dem vorgegebenen Rs- Wert die linearen Parameter und
die diesem Parametersatz entsprechende Fehlerquadratsumme. Dies
mu fr jeden mglichen Wert von Rs berechnet werden, um das Mini-
mum zu finden. Abbildung 4.9 verdeutlicht dies. In dieser Abbildung wur-
de der Verlauf der Fehlerfunktion (Rs) fr 3 unterschiedliche Solarzellen
berechnet. Dabei wurden fr jeden Rs- Wert die restlichen linearen Para-
meter berechnet und mit dem somit erhaltenem Parametersatz die Feh-
lerquadratsumme gebildet.
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
0,0000 0,0001 0,0002 0,0003 0,0004 0,0005 0,0006
Rs (Ohm*m^2)
X (%)
Medaten
SM 55
ASE PQ 1040
Abbildung 4.9: Diagramm von fr unterschiedliche Rs Werte mit jeweiliger Berechnung der restlichen Para-
meter.
Bei den betrachteten Solarzellen handelt es sich einmal um eine Siemens
SM55 Zelle und eine Zelle von ASE Typ PQ1040 . Mit dem Simulations-
programm Insel wurden fr diese Zellen Kennlinien generiert, die als Be-
rechnungsgrundlage dienten. Der dritte Datensatz sind Medaten aus
dem 1000 Dcher Programm, welche freundlicherweise von der PV-
Abteilung des ISFH, Hameln- Emmerthal zur Verfgung gestellt wurden.
Der Generator besteht aus 9 Strings zu je 2 Modulen mit einer Leistung
- Seite 42 -
von je 85W. Jedes der Module besteht aus 60 seriell verschalteten Zellen.
Aufgrund einer Fehlfunktion im MPP-Tracker, wurde der Generator bei
nahezu konstanter Spannung betrieben. Dadurch ist nur ein sehr kleiner
Teil der Kennlinie mit den Medaten abgedeckt [11]. Eine weitere Be-
schreibung bzw. Darstellung der Medaten findet sich in Anhang A.
Beim Vergleich der Kurven fllt auf, da die Fehlerfunktion fr die beiden
generierten Datenstze ein deutlich ausgeprgtes Minimum besitzt. Bei
der Kurve der Medaten ist das nicht der Fall . Dies hngt direkt mit der
Qualitt der Daten zusammen. In den Medaten flieen einerseits Me-
fehler bei der Messung des Stromes, der Spannung, aber auch bei der
Erfassung der Temperatur und der Einstrahlung ein. Des weiteren kommt
hinzu, da der gemessene Generator bei nahezu konstanter Spannung
betrieben wurde. Man kennt also nur einen sehr kleinen Ausschnitt aus
der Kennlinie der Solarzelle. Bei den generierten Daten ist dies nicht der
Fall, dort liegen mehrere komplette Kennlinien vor. Das Minimum ist aber
trotzdem noch gut bei den Medaten zu erkennen.
Zusammenfassend lt sich sagen, zu jedem Rs-Wert erhlt man einen
anderen Satz linearer Parameter und somit eine andere Fehlerquadrat-
summe. Ziel ist es, den Rs-Wert zu bestimmen, der die Fehlerquadrat-
summe minimiert.
Obst[9] entwickelte zur Bestimmung des Rs- Wertes ein evolutionres
Suchverfahren, welches aus einem vordefiniertem Bereich viele Werte
auswhlt. Dadurch waren aber sehr viele Berechnungen der Fehlerfunkti-
on (Gleichung 4-14) notwendig.
Um nun den Aufwand der evolutionren Suche von [9] zu reduzieren,
wurde ein andere Mglichkeit bei der Berechnung von Rs gewhlt. Dazu
wurde ein sehr einfacher, aber effektiver Algorithmus implementiert. Die
Goldene- Schnitt- Suche.
Nach Numerical Recipes [7] ist der einfachste Weg das Minimum einer
Funktion f(x) im eindimensionalem Raum zu finden, da sogenannte ein-
grenzen (engl. Bracketing). Man geht hierbei davon aus, da man zu Be-
- Seite 43 -
ginn ein Intervall (a, c) festlegt, in welchem sich das Minimum der Funktion
befindet. Anschlieend werden 2 neue Punkte x
1
und x
2
nach
) ( ) 1 (
1
a c d a x + Gleichung 4-23 [32]
) (
2
a c d a x + Gleichung 4-24 [32]
wobei 1 5 , 0 d eine Konstante darstellt, berechnet. Da 5 , 0 d , gilt auch
2 1
x x . Dann werden die Funktionswerte f(x
1
) und f(x
2
) berechnet und
miteinander verglichen. Gilt ) ( ) (
2 1
x f x f < , dann liegt das Minimum offen-
bar im Intervall (a,x
2
), ansonsten in (x
1
,c) [32]. Auf jeden Fall ist das Inter-
vall fr die nchste Iteration kleiner. Dieser Ablauf wird solange wiederholt,
bis der Abstand der ueren Punkte des Intervalls ausreichend klein ist.
Es sind somit pro Iteration immer 2 Funktionswertberechnungen notwen-
dig (Abbildung 4.10).
f(x)
a x
1
x
*
x
2
c
Abbildung 4.10: Ablauf bei normaler Eingrenzung des Minimums.
In [7] wird das Ganze aus einer anderen Perspektive betrachtet. Man geht
davon aus, da das Minimum einer Funktion f(x) als eingegrenzt gilt, wenn
man 3 Punkte (a, b, c) hat, a<b<c (oder c<b<a), wobei f(b) kleiner ist als
f(a) und f(c). Das heit, der mittlere Wert ist der mit dem kleinsten Funkti-
- Seite 44 -
onswert und besagt somit, da das Minimum im Intervall (a,c) liegen mu.
Dabei ist der Punkt b gleichbedeutend mit dem Punkt x
1
. Nun wird ein
neuer Punkt x ausgewhlt, entweder zwischen a und b, oder zwischen b
und c, und der Funktionswert f(x) berechnet. Ist f(b)< f(x), dann ist das
neue Intervall (a, b, x), ansonsten das Intervall (b, x, c), falls f(b)>f(x),
vergl. Abbildung 4.11.
Abbildung 4.11: Eingrenzung eines Minimums. Das Minimum ist zu Beginn durch die Punkte 1,3,2 ein gegrenzt.
Die Funktion wird dann an Punkt 4 berechnet, welcher 2 ersetzt, dann an 5, welcher 1 ersetzt, dann an 6, wel-
cher 4 ersetzt. Das Ziel ist bei jeder Iteration, einen Mittelpunkt zu haben, der vom Funktionswert her kleiner ist,
als die beiden ueren. Nach den einzelnen Schritten ist das Minimum durch die Punkte 5, 3, 6 begrenzt. [7, S.
398]
Anders betrachtet, kann gesagt werden, da b ein Bruchteil w der Strecke
zwischen a und c ist. Das Umstellen der Gleichungen 4-15 und 4-16 er-
gibt:
w
a c
a b
w
a c
b c

1 Gleichung 4-25 [7]

Weiterhin nimmt man an, da der nchste Versuchspunkt x ein zustzli-
cher Bruchteil z ist, der hinter b liegt, also auf der Strecke
bc .
z
a c
b x
Gleichung 4-26 [7]

bzw. ) ( a c z b x +
- Seite 45 -
Anschlieend wird der Funktionswert an der Stelle x berechnet. Ist
f(x)>f(b), wird der Punkt c durch x ersetzt. Man erhlt ein neues, kleineres
Intervall (a,b,x) mit der Lnge w+z (Gleichung 4-27), in Bezug zum Ausgangs-
intervall (a,b,c). Ist f(x)<f(b), wird der Punkt a durch b ersetzt und man er-
hlt das neue Intervall (b,x,c) mit der Lnge 1-w (Gleichung 4-28).
Um eine optimale Teilung zu erhalten, whlt man z so, da beide mgli-
chen Intervallsegmente (w+z bzw. 1-w) gleich werden, nmlich:
w z 2 1 Gleichung 4-29 in Gleichung 4-27
Dadurch erhalten wir eine symmetrische Teilung durch den neuen Punkt x
in demselben Verhltnis, wie b das Ausgangsintervall (a,c) geteilt hat, es
gilt: |b-a|=|x-c|. Dies bedeutet wiederum, da der neue Punkt x im gre-
rem Segment des Intervalls (a,c) liegt, da z nur dann positiv ist, wenn
w<1/2. Nach Gleichung 4-25 ist w<1/2 nur dann erfllt, wenn das Intervall
(a,b) kleiner als die Hlfte des Intervalls (a,c) ist.
Dies bedeutet, da x die Strecke zwischen b und c (wenn dies das gre-
re Segment ist) in der selben Art teilen sollte, wie es vorher b mit dem In-
tervall (a,c) getan hat, oder anders
w
z
w
1
Gleichung 4-30 in Gleichung 4-28
Gleichung 4-29 und Gleichung 4-30 geben die quadratische Gleichung
0 1 3
2
+ w w Gleichung 4-31
deren Lsung 38197 , 0
2
5 3
w ist. Gleichung 4-32

Mit anderen Worten, im optimalem Begrenzungsintervall (a,b,c) befindet
sich der mittlere Punkt b um Faktor 0,38197 von einem Ende (z.B. a), und
0,61803 vom anderem Ende (z.B. c) entfernt. Somit ist bei jeder Iteration
der Punkt der neue, welcher um den Faktor 0,38917 im grerem Seg-
ment (vom mittlerem Punkt aus gemessen) liegt. Mit anderen Worten, der
Punkt x darf bei der nchsten Iteration die Rolle des ersten internen
Punktes bernehmen, so da nur noch der zweite interne Punkt und sein
- Seite 46 -
Funktionswert berechnet werden mu. Entsprechendes gilt fr den Punkt
b, falls das verkrzte Intervall fr die nchste Iteration (a,x) ist. Man ben-
tigt jetzt nur noch einen neuen Punkt und seinen Funktionswert fr jede
Iteration. Dies ist aus rechentechnischer Sicht sehr vorteilhaft.
Die Teilungsfaktoren sind dieselben, wie beim Goldenen Schnitt, woher
auch der Name abgeleitet ist.
Die Vorteile des Goldene- Schnitt- Algorithmus liegen in seiner Einfach-
heit, sowie dem Verzicht auf Ableitungsberechnungen. Dadurch ist er
auch fr nicht glatte Optimierungsprobleme einsetzbar. Als Nachteil er-
weist sich oft seine zwar garantierte, in vielen Fllen aber doch langsame
Konvergenz zum Minimum. Dies liegt nicht zuletzt daran, da er keine
Ableitungen benutzt, welche als Anzeiger fr die Lage des Minimums be-
trachtet werden knnen.
Der Rechenaufwand fr diese Methode ist im Vergleich zur evolutionren
Suche minimal, da immer nur 1 Wert pro Iteration ntig ist.
Abbildung 4.12 zeigt den Ablauf des gesamten Algorithmus zur Berech-
nung der Parameter.
Abbildung 4.12: Ablaufdiagramm des Algorithmus zur Bestimmung der Parameter.
4.6 Anwendung und Ergebnisse
- Seite 47 -
Die Qualitt bzw. Gte eines Fitalgorithmus erkennt man daran, wie gut
sich die theoretisch berechneten Werte mit der Realitt decken. Ziel der
Berechnung ist es, ein mathematisches Modell an Medaten anzupassen,
man sucht also Parameter, welche die Realitt mglichst gut widerspie-
geln. Um die Qualitt des hier vorgestellten Verfahrens zu untersuchen,
wird es anhand von 3 unterschiedlichen Medatenstzen getestet. Zum
einen werden mit dem Simulationsprogramm Insel Datenstze von einer
Siemens SM55 Zelle und einer Solarzelle von ASE vom Typ PQ1040 ge-
neriert. Das Programm Insel ist ein Programm mit dem unter anderem
Kennlinien von Solarzellen berechnet werden knnen. Zum einen bein-
haltet es vordefinierte Blcke fr einige PV- Module verschiedener Her-
stellung und zum anderen bietet es die Mglichkeit in bestimmten Blcke
die Parameter des Zwei- Dioden- Modells selbst festzulegen. Das Pro-
gramm wurde an der Universitt Oldenburg entwickelt. Fr die Berech-
nungen stand die Version 6 zu Verfgung [21]. An dieser Stelle sei ange-
merkt, da diese generierten Daten eine gewisse Ungenauigkeit besitzen,
da der Strom nach dem Zwei- Dioden- Modell nur iterativ bestimmt werden
kann. Zum anderen wird eine Datensatz eines Solargenerators aus dem
1000 Dcher Programm verwendet, s.h. 4.5.1.
Die Auswertung erfolgt bei den generierten Daten anhand der I-U- Kennli-
nie und deren wichtigsten Kennwerten (I
SC
, U
OC
, P
MPP
, I
m
, U
m
). Bei den
empirischen Daten ist es nicht mglich, einen direkten Kennlinienvergleich
durchzufhren, da man nur Daten aus dem MPP- Bereich zur Verfgung
hat. Die Darstellung der Ergebnisse erfolgt deshalb anhand von verschie-
denen Diagrammen.
Die Anpassung der Zwei- Diode- Modell- Parameter an die jeweiligen Da-
ten wird mit dem im Rahmen dieser Arbeit entwickeltem Programm durch-
gefhrt. Dabei kommen die in 4.5.1 beschriebenen Algorithmen zum Ein-
satz. Bei den Medaten ist eine gewisse Streuung der Scharparameter
Modultemperatur und Einstrahlung erforderlich.
Durch Einsetzen der erhaltenen Parameter und der Standardtestbedin-
gung erhlt man die Standardkennlinie des entsprechenden Moduls. Die
- Seite 48 -
Kennlinienberechnungen werden ebenfalls mit Insel durchgefhrt. Das
Programm bietet neben integrierten Solarmodulen auch die Mglichkeit,
Solarzellen mit eigenen Parametern festzulegen. Im folgenden werden die
erzielten Ergebnisse dargestellt.
Siemens SM55
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Spannung U (V)
Strom I (A)
Abbildung 4.13: Gegenberstellung von Originalkurve und gefitteter Kurve einer Siemens SM55 Zelle, bei
25C und unterschiedlichen Einstrahlungen.
Abbildung 4.13 zeigt die Ergebnisse des Fits fr die SM55 Zelle. Die Kur-
ven gelten jeweils fr eine Modultemperatur von 25C. Die Kurven (Origi-
nal und Fit) bei einer Einstrahlung von 1000 W/m
2
stellen die Standardkur-
ven dar. Zustzlich wird noch die I- U- Kennlinie bei 500 W/m
2
dargestellt.
Sie dient lediglich dem Vergleich. Man erkennt, da bei beiden Einstrah-
lungen die Unterschiede zwischen Original- und berechneter Kurve mini-
mal sind. Im ersten, waagerechten Teil der Kennlinie verlaufen beide Kur-
ven direkt bereinander. Erst im fallenden Teil, wo die Diodensperrstrme
flieen, zeigen sich leichte Abweichungen. Dies liegt daran, da die
Diodensperrstromparameter C01 und C02 etwas von den Originalwerten
abweichen. In Tabelle 4-2 sind Original- und berechnete Parameter dar-
Original (500W/m
2
)
Fit (500W/m
2
)
Original (1000W/m
2
)
Fit (1000W/m
2
)
- Seite 49 -
gestellt. Wie bereits schon erwhnt, ist es nicht das Ziel die Originalpara-
meter hundertprozentig zu bestimmen, sondern den Parametersatz zu
finden, welcher die gemessene Kennlinie am besten approximiert.
Parameter SM55 ASE PQ1040
Original Fit Original Fit
C0 [1/V] 0,2841 0,284108 0,1834 0,183408
C1 [1/VK] 0,000164 0,00016401 0,0002 0,00019998
C01 [A/m
2
K
3
] 14589,34 13623,7 55997 51998,6
C02 [A/m
2
K
5/2
] 1,189 1,11439 2,55 2,39616
Rs [m
2
] 0,00013041 0,000130376 0,00015 0,00014996
Rp [m
2
] 0,0899 0,0892482 0,075 0,07467
Tabelle 4-2: Zwei- Dioden- Modell- Parameter der Zellen SM55 und PQ1040, Original und gefittete.
Anhand der Daten der jeweiligen Solarzellen knnen nun die wichtigsten
Kennwerte, wie P
MPP
, U
m
, I
m
, U
OC
, I
SC
, FF und berechnet werden. Die
Werte U
OC
und I
SC
werden direkt aus den Medaten abgelesen. Zur Be-
stimmung des MPP wird die Leistung fr jeden berechneten Punkt (alle
1mV) bestimmt und anschlieend der Punkt mit der grten Leistung als
MPP angenommen. Wenn die Kennlinie gut angenhert ist, drften sich
nur minimale Unterschiede zwischen dem MPP der Original- und der Fit-
kurve ergeben. Die Gren I
m
und U
m
bestimmen den MPP in der Kennli-
nie, so da diese Werte ebenfalls aus der Kennlinie ablesbar sind. An-
schlieend wird der Fllfaktor und der Wirkungsgrad berechnet.
SC OC
I U
P
FF Fllfaktor
max
Gleichung 4-9
i
OC SC
i
m m
p
P
U I FF
P
U I
Gleichung 4-11
- Seite 50 -
Folgende Tabellen stellen die berechneten Werte fr beide Solarzellen
gegenber.
SM55
G 500 W/m
2
1000 W/m
2
Original Fit Original Fit
P
MPP
[W]
0,7117 0,7150 1,4598 1,4664
I
m
[A] 1,4953 1,4959 3,0477 3,0487
U
m
[V] 0,476 0,478 0,479 0,481
I
SC
[A] 1,6625 1,6626 3,3251 3,3252
U
OC
[V] 0,579 0,581 0,6 0,601
FF
[%]
73,94 74,02 73,17 73,38
[%] 14,24 14,30 14,60 14,66
Tabelle 4-3: Kennwerte der I- U- Kennlinie fr Siemens SM55 Zelle, bei STC und bei 500W/m
2
, 25C
ASE PQ1040
G 1000 W/m
2
Original Fit
P
MPP
[W]
0,9674 0,9723
I
m
[A] 2,1837 2,1850
U
m
[V] 0,443 0,445
I
SC
[A] 2,4254 2,4254
U
OC
[V] 0,555 0,557
FF
[%]
71,87 71,97
[%] 9,67 9,72
Tabelle 4-4: Kennwerte der I- U- Kennlinie fr ASE PQ1040 Zelle, bei STC
Man sieht, da die Unterschiede nur minimal sind. Die Kurzschlustrme
unterscheiden sich kaum und der Unterschied der Leerlaufspannung liegt
bei 2 mV, ist also vernachlssigbar klein. Die Differenz der maximalen
Leistung betrgt nur 5- 7 mW, das sind in Bezug zur Originalkennlinie nur
- Seite 51 -
ca. 0,5% Unterschied. Weiterhin ist ersichtlich, da sich die Unterschiede
bei anderen Umweltbedingungen nicht ndern. Mit dem gefundenen Pa-
rametersatz ist das Umrechnen einer gegebenen bzw. gemessenen
Kennlinie auf andere Umweltbedingungen mit guter Genauigkeit mglich.
Abbildung 4.14 zeigt den Verlauf der Original- und Fitkennlinie der ASE
Zelle.
ASE PQ1040
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Spannung U (V)
Strom I (A)
Abbildung 4.14: Darstellung der Original- und der gefitteten Kurven der ASE Zelle bei STC.
Man sieht, da die Kurven einen hnlichen Verlauf wie bei der Siemens
Zelle aufweisen.
Neben den generierten Daten, wurde das Fitverfahren an realen Meda-
ten aus dem 1000 Dcher Programm getestet. Zur Auswertung wird der
gemessene und berechnete Strom gegenber gestellt. Zur Berechnung
des Stromes anhand der berechneten Parameter dienen als Ausgangs-
gren die gemessenen Umweltparameter Einstrahlung und Temperatur,
sowie die gemessenen Spannungswerte. Wie Abbildung 4.15 zeigt, gibt
der auf den Medaten beruhende Fit eine ziemlich gute bereinstimmung
mit den gemessenen Daten. Man erkennt, da diese bereinstim-
mung ber den gesamten Einstrahlungsbereich besteht. Eine weitere
Mglichkeit, die bereinstimmung der berechneten Parameter mit der
Original
Fit
- Seite 52 -
Realitt zu berprfen, zeigt Abbildung 4.16. Dabei wird das Verhltnis
aus Strom und Einstrahlung gegenber der Zelltemperatur abgetra-
gen. Einmal fr die Medaten und einmal fr die berechneten Werte.
0
5
10
15
20
25
0 5 10 15 20 25
gemessener Strom I (A)
m
o
d
e
l
l
i
e
r
t
e
r

S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung 4.15: Punktewolke aus gemessenen Strom (x-Achse) und gefitteten Strom (y-Achse). Je dichter die
Punkte an der gestrichelten Linie liegen, desto genauer die bereinstimmung.
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
285 290 295 300 305 310 315 320
Zelltemperatur (K)
I
/
G

(
A
/
(
W
/
m
^
2
)

)
Abbildung 4.16: Einflu der Zelltemperatur auf das Verhltnis von Strom und Einstrahlung. Die Punkte aus
gemessenen und berechneten Werten zeigen eine gute bereinstimmung.
gemessen
modelliert
- Seite 53 -
Man sieht, da die Werte ziemlich dicht beieinander liegen. Grere Ab-
weichungen sind so zu erklren, da diese vermutlich von Mefehlern be-
stimmt werden, da sie grtenteils nur bei den gemessenen Daten auftau-
chen. Abweichungen der modellierten Daten knnen damit begrndet
werden, da auch die Messung von Spannung, Temperatur und Ein-
strahlung nicht fehlerlos ist. Da diese Daten aber zur Modellierung der
Kennlinie benutzt werden, haben sie Einflu auf das Ergebnis. Im allge-
meinen kann man sagen, da das hier vorgestellte Verfahren zur Bestim-
mung der Solarzellenparameter gut arbeitet. Die Ergebnisse weisen nur
minimal Abweichungen auf. Selbst auf der Basis von Medaten, welche
nur einen kleinen Teil der Kennlinie abdecken, lassen sich gute Parameter
berechnen, welche zumindest mit den Medaten gut bereinstimmen.
5 Solarzellen aus amorphem Silizium
- Seite 54 -
Die bisherigen Abhandlungen bezogen sich auf Solarzellen auf der Basis
von kristallinem Silizium. Die Herstellung solcher Zellen ist sehr aufwendig
und teuer. Sie werden heutzutage durch technisch perfektionierte Zieh-
und Schneideprozee hergestellt. Gerade beim Schneiden von Silizium-
scheiben aus Siliziumblcken hat man hohe Materialverluste (ca. 50%)[4].
Des weiteren bedeutet eine notwendige Schichtdicke des Siliziums von
wenigstens 100 bis 200 m einen hohen Materialanteil und somit hohe
Herstellungskosten. Diese Schichtdicken sind aber notwendig, um gen-
gend Photonen einzufangen. Der hohe Aufwand an Energie und Material
beim Kristallziehen bzw. Gieen und bei der Scheibenherstellung verdeut-
licht den Wunsch nach effizienteren Technologien, wobei Silizium trotz-
dem als Ausgangsmaterial dienen soll. Dies konnte mit der Entwicklung
der Dnnschichttechnologie realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien
wie GaAs, InP oder Cu
2
S, ist amorphes Silizium die Mglichkeit, Solarzel-
len kostengnstig herzustellen.
Im technischen Sprachgebrauch wurde fr amorphes Silizium die Be-
zeichnung aSi oder auch -Si eingefhrt. Im weiteren wird die Bezeich-
nung aSi verwendet.
5.1 Aufbau, Wirkungsweise und Eigenschaften
Amorphes Silizium besitzt kein periodisch aufgebautes Gitter, wie es bei
kristallinem Silizium der Fall ist. Durch die ungeordnete Struktur ist nicht
jedes Si- Atom in der Lage, mit 4 Nachbaratomen eine Bindung einzuge-
hen. Diese offenen Bindungen bzw. nicht gebundenen Elektronen bilden
sogenannte Dangling Bonds (gebrochene Bindungen), welche fest ein-
gebaute Strstellen darstellen. Deshalb werden diese Strstellen mit
Wasserstoff gesttigt. Aus diesem Grund findet man auch die Bezeich-
nung aSi:H in der Literatur fr amorphes Silizium. Allerdings ist es nicht
mglich, alle offenen Bindungen zu sttigen. Die atomistische Struktur von
aSi kann man sich, wie in Abbildung 5.1 gezeigt, vorstellen.
- Seite 55 -
Abbildung 5.1: Schematische Darstellung des Gitters von aSi mit grtenteils durch H- Atome gesttigten ge-
brochenen Bindungen (DB = Dangling Bonds). [aus 2, S. 69]
Amorphes Silizium zeigt dasselbe Verhalten bei der Dotierung und bei ei-
nem pn- bergang wie kristallines Silizium. Des weiteren gelten dieselben
physikalischen Gesetzmigkeiten und Bedingungen fr die Erzeugung
eines Elektron- Loch- Paares durch Absorption von Photonen.
Bedingt durch die Tatsache der unregelmigen Gitterstruktur, kann die
Absorption von Photonen direkt erfolgen, d. h. es ist ein direkter ber-
gang zwischen den Bndern mglich. Man unterscheidet zwischen di-
rekten (z. B. aSi) und indirekten Halbleitern (z. B. kristallines Si). Nach
[5] gilt, da bei Bandbergngen in indirekten Halbleitern zustzlich zum
Photon die thermische Gitterschwingung, d. h. Phononen, mitwirken mu.
Die resultiert aus dem Impulserhaltungssatz, da Photonen nur einen klei-
nen Impuls besitzen, die fr eine Absorption notwendige Impulsnderung
bei indirekten Halbleitern grer ist, als bei direkten Halbleitern. Bei di-
rekten Halbleitern ist der Impuls eines Photons ausreichend, um eine
Elektron vom Valenz- ins Leitungsband zu befrdern. Nheres findet sich
in [5, S. 41]. Des weiteren ist nach [5] dadurch die Wahrscheinlichkeit fr
einen Bandbergang hher als bei direkten Halbleitern, was direkte Fol-
gen fr die notwendige Schichtdicke des Halbleitermaterials hat. Weiterhin
sind indirekte Halbleiter durch einen mit der Energie sanft ansteigenden,
direkte Halbleiter durch einen steil ansteigenden Absorptionskoeffizien-
ten gekennzeichnet ist [3]. An dieser Stelle soll erwhnt werden, da
- Seite 56 -
neben der Ladungstrgerbildung noch andere Absorptionsmechanismen
existieren. Es ist z. B. mglich, da ein Elektron durch die vom Photon
zugefhrte Energie auf ein hheres Energieniveau gehoben wird. Von dort
gibt das Elektron diese Energie in Stufen an das Gitter ab, d. h. die Tem-
peratur im Gitter erhht sich [5].
Kristallines Silizium gehrt zu den indirekten Halbleitern. Dadurch lt
sich die notwendige Schichtdicke erklren. Im Gegensatz dazu gehrt aSi
zu den direkten Halbleitern, so da nur eine geringe Schichtdicke von
ca. 2m erforderlich ist. Dadurch reduzieren sich die Herstellungskosten
extrem. Des weiteren bentigt man geringere Temperaturen bei der Her-
stellung, so da sich der Energieaufwand deutlich reduziert.
Amorphes Silizium besitzt, neben der Kostenreduktion, folgende Vorteile:
Aufgrund des direkten Bandberganges erfolgt eine nahezu
vollstndige Absorption der Photonen in dnnen Schichten.
Durch den hheren Bandabstand, ist die spektrale Empfindlich-
keit zu krzeren Wellenlngen hin verschoben. Dadurch wird
das Solarspektrum besser ausgenutzt. [1],[4]
Nachteilig ist die Tatsache, da aufgrund der Dangling Bonds in der
Gitterstruktur sich eine Grozahl von Rekombinationszentren ausbildet,
was zu niedrigen Wirkungsgraden fhrt. Typische Wirkungsgrade von aSi-
Zellen liegen zwischen 5 und 8% [4], unter Laborbedingungen wurden al-
lerdings schon ca. 13% erreicht. Abbildung 5.2 zeigt den prinzipiellen Auf-
bau einer Solarzelle aus amorphem Silizium. Man sieht, da sich bei aSi-
Zellen zwischen der p- und der n- dotierten Schicht eine undotierte intrin-
sische Schicht (kurz: i- Schicht) befindet. Bei kristallinen Solarzellen gren-
zen p- und n- Schicht direkt aneinander. Whrend der Entwicklung der
Dnnschichttechnologie wurde festgestellt, da die Diffusionslnge der
Ladungstrger durch die Dotierung stark beeintrchtigt wurde und so ex-
trem gering war, da nur ein geringer Teil der Ladungstrger eingefan-
gen werden konnte [5]. Dieses Problem wurde durch die intrinsische
Schicht, welche an beiden Seiten mit einer sehr dnnen (ca. 50nm) n-
- Seite 57 -
bzw. p- Schicht versehen ist, gelst (s. Abbildung 5.2). Die i- Schicht stellt
dabei die strkste Schicht dar.
Abbildung 5.2: Schematischer Aufbau einer typischen aSi- Zelle (pin- Zelle). Als oberste Schicht dient ein Glas-
substrat, auf welches eine transparente, leitende Oxidschicht (TCO, transparent conducting oxide) als Front-
kontakt aufgedampft wird. Anschlieend wird p- dotiertes aSi aufgedampft. Dieser Schicht schliet sich die
intrinsische Schicht an, welcher dann die n- dotierte aSi Schicht folgt. Der Rckkontakt wird in Form einer Alu-
miniumschicht ausgefhrt. Zu beachten ist, da die einzelnen Schichten in dieser Abb. nicht skaliert sind. In der
Realitt stellt die i- Schicht die strkste dar.
Durch diese Anordnung entsteht ber der gesamten i- Schicht eine
Raumladungszone mit einer hohen Feldstrke, so da die Elektronen-
Loch- Paare in hohem Mae getrennt werden knnen. Die Absorption er-
folgt dabei fast ausschlielich in der intrinsischen Schicht.
Neben den erwhnten, hat die Dnnschichttechnologie weitere Vorteile.
Aufgrund ihrer geringen Dicke, werden aSi- Zellen hufig als Tandemzel-
len gefertigt. Dies bedeutet, da einfach 2 aSi Zellen bereinander gesta-
pelt werden. Dadurch knnen die einfallenden Photonen noch besser ge-
nutzt werden. Photonen, welche die obere Zelle ohne Ladungstrgerpaar-
bildung passiert haben, knnen in der unteren Zelle Elektronen- Loch-
Paare erzeugen, vorausgesetzt, sie besitzen noch ausreichend Energie.
Hufig wird deswegen eine unterschiedliche Bandlckenenergie in den
beiden Zellen eingebaut, d. h. in der unteren Schicht verwendet man Ma-
- Seite 58 -
terialien mit kleinerem Bandabstand. Abbildung 5.3 zeigt den schemati-
schen Aufbau einer aSi- Tandemzelle (pinpin).
Abbildung 5.3: Schematischer Aufbau einer aSi- Tandemzelle. Wie in Abbildung 5.2 sind die Schichten nicht
skaliert.
Ein weiterer Vorteil der Dnnschichtzellen ist, da mit Hilfe von Masken-
drucktechniken und Lasertrennverfahren serien- oder parallelverschaltete
integrierte Solarmodule ohne die sonst blichen Lt- und Schweiverfah-
ren realisiert werden knnen.
Der Bandabstand von aSi betrgt U
gab
=1,75eV und kann in gewissen
Grenzen durch den Wasserstoffgehalt variiert werden. Aufgrund des gr-
eren Bandabstandes im Vergleich zu kristallinem Silizium (U
gab
=1,14eV),
ist die Leerlaufspannung bei den aSi- Zellen grer. Den erhofften Um-
stieg von kristallinen Zellen auf Dnnschichtzellen konnten die aSi- Zellen
leider nicht erfllen. Dies liegt zum einen an den zum Vergleich zu kristal-
linen Siliziumzellen geringeren Wirkungsgraden und zum anderen in den
Stabilittsproblemen der aSi- Zellen. Der Wirkungsgrad der Solarzellen
nimmt in den ersten Betriebsmonaten um 10- 30% ab, er degeneriert. Die-
se Degeneration wirkt sich vor allem auf den Fllfaktor und den Kurz-
schlustrom aus, wogegen die Leerlaufspannung nahezu konstant bleibt.
Dieses Phnomen wurde von Staebler und Wronski als erste untersucht.
Nach ihnen wird der Effekt auch als Staebler- Wronski- Effekt bezeichnet.
- Seite 59 -
Bis heute konnte er nicht genau geklrt werden. Man vermutet, da durch
Rekombination der erzeugten Ladungstrger schwache Si-H- Bindungen
im Gitter aufgebrochen werden. Diese aufgebrochenen Bindungen stellen
zustzliche Strstellen dar, welche den Wirkungsgrad erniedrigen und den
Serienwiderstand erhhen [5],[1]. Nach einiger Zeit sind alle angebroche-
nen Bindungen aufgespalten und der Wirkungsgrad stabilisiert sich auf
einem niedrigerem Niveau. Der Effekt ist reversibel, wenn man die Zelle
einer Temperatur von T160C aussetzt. Abbildung 5.4 soll den Staebler-
Wronski- Effekt veranschaulichen.
Abbildung 5.5 zeigt, wie sich die Degeneration auf die Strom- Spannungs-
Charakteristik auswirkt. Trotzdem decken Solarzellen aus aSi etwa 1/3 der
heutigen Weltproduktion (gemessen in Peakwatt) ab. Die Hauptanwen-
dung der aSi- Zellen lag bis jetzt verstrkt in der Energieversorgung porta-
bler Konsumartikel (Taschenrechner, Uhren etc. ). In den letzten Jahren
wurden aber verstrkt Versuche mit groflchigen Solarmodulen unter-
nommen, besonders in der modernen Architektur bieten Dnnschichtzel-
len bei der Gestaltung semitransparenter Fassaden Vorteile. Aufgrund
dessen, da der theoretische Wirkungsgrad viel hher ist, als die heute
erzielten, liegt in der Dnnschichttechnologie auf der Basis von amorphem
Silizium ein groes Potential.
Abbildung 5.4: Prinzip des Staebler- Wronski- Effektes, DB=dangling bonds [aus 2, S. 70]
- Seite 60 -
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Spannung U (V)
S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung 5.5: Vergleich einer Beispielkennlinie im Ausgangszustand (initial State) und nach Degeneration
(degraded State). nach [18].
initial State
degraded
5.2 Ersatzschaltbild und mathematisches Modell
- Seite 61 -
Wie bei den kristallinen Si- Zellen ist es bei den Solarzellen aus aSi not-
wendig ein mathematisches Modell zur Beschreibung des Verhaltens zu
kennen.
Das aus 4.2.2 bekannte Zwei- Dioden- Modell ist allerdings bei amorphen
Siliziumzellen nicht mehr anwendbar.
In der Vergangenheit wurden verschiedene Modelle verffentlicht, welche
die Strom- Spannungs- Charakteristik beschreiben sollen, vgl. dazu [17],
[18], [19] und auch [20]. Die folgenden Beschreibungen sind an diese
Quellen angelehnt.
Einer der Hauptunterschiede zum bekannten Modell ist, da die Vorgnge
in der Raumladungszone vernachlssigt werden. Da eine aSi- Zelle aber
praktisch nur aus einer groen Raumladungszone besteht, sind die be-
kannten Modelle fr kristalline Zellen nicht mehr anwendbar. Um nun ein
mathematisches Modell fr aSi Zellen zu entwickeln, dient das aus 4.2.1
bekannte Ein- Dioden- Modell als Ausgangsbasis. Die mathematische
Gleichung fr dieses Modell lautet.
p
s s
ph
R
R j U
T k A
R j U e
j j j
+
1
]
1
,
_

+
1
) (
exp
0
Gleichung 5-1
mit: j
ph
2
]
j
0
2
]
A Diodenfaktoren, A=1
R
p
2
]
T Temperatur, [K]
U Spannung [V]
Abbildung 5.6 zeigt das Ersatzschaltbild des Ein- Dioden- Modells (unter
Nichtbeachtung der gestrichelten Linie).
Abbildung 5.6: Ersatzschaltbild des Ein- Dioden- Modells (unter Nichtbeachtung der gestrichelten Linie), [18]
- Seite 62 -
Das Modell mu also modifiziert werden. Solarzellen aus aSi sind pin-
Zellen, wobei die intrinsische Schicht den Groteil der Strke ausmacht.
Dies bedeutet, da der Hauptteil der Generation der Elektronen- Loch-
Paare in dieser Schicht, unter Beeinflussung des elektrischen Feldes des
pn- berganges, stattfindet. Das elektrische Feld bestimmt also die Zelle.
Als Konsequenz daraus ergibt sich, da der Photostrom spannungsab-
hngig ist. Des weiteren findet der Groteil der Rekombination in der i-
Schicht an den angesprochenen Strstellen (Dangling Bonds) statt. Die-
ser Rekombinationsstrom wirkt dem Photostrom entgegen und bringt ei-
nen zustzlichen Verlustterm in das Modell.
Dieser zustzliche Verluststrom wird im Ersatzschaltbild als Stromsenke
dargestellt (gestrichelte Linie) und mit I
rec
bezeichnet. Aufgrund der Span-
nungsabhngigkeit des Photostroms ist die bisher angewandte Superpo-
sition der Strme nicht mehr mglich. Des weiteren ist die Annahme fr
den Diodenidealittsfaktor A=1 nicht mehr gltig. Mgliche Modelle, wel-
che diese Besonderheiten beinhalten, wurden unter anderem von Crandall
und Merten [18] entwickelt. In [19] und [20] wird gezeigt, da das Modell
von Merten, das etwas genauere Modell ist. Des weiteren ist es handlicher
als das Modell nach Crandall. Nach Merten [18] berechnet sich der Ver-
luststrom I
rec
nach:
( ) ( )
s fb
i
ph rec
R I U U
d
I I
+
,
_

2
1

Gleichung 5-2
mit: I
rec
Verluststrom [A]
I
ph
Photostrom [A]
Mobilitt der freien Ladungstrger
Lebenszeit der freien Ladungstrger
d
i
Dicke der intrinsischen Schicht
U
fb
eingebaute Spannung (built in voltage) [V]
U Spannung der Zelle [V]
I Strom der Zelle [A]
Rs Serienwiderstand []
- Seite 63 -
Demzufolge lautet das mathematische Modell nach Merten, welches in
dieser Arbeit verwendet wird, in der Stromdichtenkonvention, wie folgt:
( ) ( )
( )
P
S S
D
S fb
i
ph
R
jR U
T k n
jR U e
j
R I U U
d
j j
+
1
]
1
,
_
,
_
,
_

1 exp
1
1
2

Gleichung 5-3
mit: j Stromdichte der Zelle [A/m
2
]
j
ph
2
]
j
D
2
]
n Didoenidealittsfaktor
k Boltzmannkonstante [kg]
T Temperatur [K]
R
p
2
]
Dabei sind
( ) G T C C j
ph
+
1 0
Gleichung 5-4
,
_

T k
U e
T C j
gab
D
exp
2 5
01
Gleichung 5-5
mit: C
0
Photostromkoeffizient, Dunkelstromkoeffizient [1/V]
C
1
Photostromkoeffizient, Temperaturkoeffizient [1/VK]
C
01
Diodensperrstromparameter [A/m
2
K
5/2
]
G Einstrahlung, Bestrahlungsstrke [W/m
2
]
U
gab
Bandabstandsspannung U
gab
=1,75eV
Nach [17] kann der Faktor gut dazu genutzt werden, die Degeneration
von pin- Zellen zu modellieren.
- Seite 64 -
5.3 Parameterbestimmung
Eine Bestimmung der Parameter des mathematischen Modells ist, wie
auch bei den kristallinen Siliziumzellen, aus denselben Grnden von Vor-
teil. Zum einen zur Kontrolle der Herstellung und zum anderen bei der Lei-
stungsvorhersage bzw. Funktionsberprfung. Der Ansatz der Minimie-
rung der Fehlerquadratsumme wird ebenfalls bei dem Modell fr die aSi-
Zellen benutzt.
In den vorliegenden Verffentlichungen [17], [18], [20] wurde das Modell
dahingehend betrachtet, da die Temperaturabhngigkeit vernachlssigt
wurde. Dies bedeutet Gleichung 5-3 wird zu:
( ) ( )
( )
p
S S
D
S fb
i
p
R
jR U
T k n
jR U e
j
jR U U
d
G j j
+
1
]
1
,
_
,
_
+
1 exp
1
1
2
Gleichung 5-6
mit: j
p
Photostromkoeffizient, (beinhaltet nur noch die Einstrahlungsabhngkeit)
Der Ausdruck /d
2
i
wird im folgenden als K bezeichnet und als einzelner
Parameter behandelt. Anhand dieses Modells werden die Parameter j
p
, j
D
,
K, n, R
p
, R
S
und stellenweise U
fb
bestimmt. Dadurch ist es mglich, Para-
meter zu bestimmen, welche das Verhalten der aSi- Zellen sehr gut wider-
spiegeln. Der Nachteil dieser Variante ist, da man zu jeder Temperatur
einen anderen Parametersatz erhlt. Dadurch ist man nicht in der Lage
die I- U- Charakteristik von einer Temperatur auf eine andere umzurech-
nen. Es ist aber das Ziel dieser Arbeit, durch geeignete Parameterbe-
stimmung diese Umrechnung zu ermglichen. Aus diesem Grund erfolgt
die Parameterbestimmung anhand folgender Gleichung.
( )
( )
( ) ( )

+

+
+
+ ) 1 )
) (
)(exp( exp(
2 5
01
1 0
1 0
nkT
jR U e
kT
eU
T C
jR U U K
G T C C
G T C C j
S
gab
S fb
p
S
R
jR U +
Gleichung 5-7
- Seite 65 -
Bei einer Parameterbestimmung ist es nicht sinnvoll, zu viele Parameter
bestimmen zu wollen. Die Parameter knnen sich gegenseitig beeinflus-
sen bzw. ergnzen, so da nicht immer zuverlssige oder sogar physika-
lisch unsinnige negative Werte erhalten werden. Aus diesem Grund wurde
die FlatbandVoltage U
fb
=0,9 V gesetzt. Dieser Wert wird auch von Merten
[18] vorgeschlagen.
Als zu bestimmende Parameter bleiben demnach C
0
, C
1
, K, C
01
, n, R
S
und
R
p
, also 7 Parameter. Gleichung 5-7 ist in Bezug auf die Parameter K, n
und R
S
nicht linear, whrend C
0
, C
1
, C
01
und R
p
lineare Parameter sind.
5.3.1 Mehrdimensionale Suche
Das Zwei- Dioden- Modell der kristallinen Siliziumzellen besitzt einen nicht
linearen Parameter R
S
. Der nicht lineare Parameter R
S
wird mit Hilfe des
eindimensionalen Suchalgorithmus, der Goldenen- Schnitt- Suche, be-
stimmt.
Im Mehrdimensionalem Raum ist die Minimumsuche nicht mehr so trivial
wie der Klammerungsalgorithmus.
Durch Vorgabe der Werte fr R
S
, K und n lt sich Gleichung 5-7 auf ein
lineares berbestimmtes Gleichungssystem zurckfhren. Dieses kann
mit dem in 4.5.1.1 vorgestelltem Modifiziertem Gram- Schmidt- Verfahren
gelst werden. Mit Hilfe der erhaltenen Parameter lt sich dann die Feh-
lerquadratsumme berechnen, welche die Aussage ermglicht, wie gut der
berechnete Parametersatz ist. Die Berechnung der Fehlerquadratsumme
erfolgt auf demselben Weg wie bei den kristallinen Siliziumzellen. Nun
mte diese Berechnung fr jeden Wert aus den Intervallen von R
S
, K und
n erfolgen. Dies ist mit sehr hohem Rechenaufwand verbunden.
Fr die Bestimmung des Minimums im mehrdimensionalem Raum gibt es
ebenfalls Algorithmen, welche dies effektiver erledigen.
In dieser Arbeit wurde das Downhill- Simplex- Verfahren von Nelder und
Mead nach Numerical Recipes [7] implementiert. Um Verwechslungen mit
der Simplex- Methode der linearen Programmierung zu vermeiden, wird
der Algorithmus im folgenden als Nelder- Mead- Verfahren bezeichnet.
In [7] wird das Verfahren folgendermaen beschrieben. Die Methode hat
einen geometrischen Charakter. Ein Simplex ist eine geometrische Figur,
- Seite 66 -
welche im N- dimensionalem Raum aus N+1 Punkten und ihren Kanten
besteht. Bei 2- Dimensionen ist es ein Dreieck und bei 3- Dimensionen ein
Tetraeder, nicht unbedingt ein regulrer. Geht man davon aus, da ein
Punkt der Ausgangspunkt ist, dann sind die weiteren N Punkte Richtungs-
vektoren, die den N- dimensionalem Vektorraum aufspannen. Zum Start
des Algorithmus bentigt man genau N+1 Punkt, um das Startsimplex zu
bilden.
Allgemein lt sich sagen, zur Minimumbestimmung einer Funktion F von
N Variablen, definiert das Nelder- Mead- Verfahren einen Simplex aus
N+1 Scheitelpunkten. Whrend einer Iteration wird zu jedem Punkt die
Funktion F berechnet und somit der Punkt mit dem kleinsten (x
min
), der
Punkt mit dem grten (x
max
) und der Punkt mit dem Wert, welcher dem
grten am nchsten ist (x
nextmax
) erhalten. Der hchste Punkt wird nun
ber die gegenberliegende Kante des Simplex bzw. dem Mittelpunkt x
0
gespiegelt, um einen neuen Punkt (x
refl
) zu finden. An diesem Punkt wird
wieder die Funktion F berechnet. Das neue Simplex der nchsten Iteration
wird wie folgt konstruiert.
Ist der neue Funktionswert grer als der hchste Punkt, F(x
refl
)
F(x
max
), dann wird die Funktion an einem neuen Punkt x
1
, welcher
zwischen x
max
und x
0
liegt, berechnet.
Ist F(x
1
) < F(x
max
), dann wird der neue Simplex durch Austauschen von
x
max
durch x
1
erhalten. Ansonsten wird das neue Simplex durch Zu-
sammenziehung um den Punkt x
min
erhalten.
Gilt F(x
nextmax
) < F(x
refl
) < F(x
max
), wird die Funktion an einem neuen
Punkt x
2
, zwischen x
refl
und x
0
berechnet. Wenn F(x
2
) < F(x
refl
), dann
entsteht der neue Simplex durch Austauschen von x
max
durch x
2
. An-
sonsten wird das neue Simplex durch Zusammenziehen um den Punkt
x
min
erhalten.
Gilt F(x
min
) F(x
refl
) F(x
nextmax
), bildet sich das neue Simplex durch
Austauschen von x
max
durch x
refl
.
- Seite 67 -
Gilt F(x
refl
) < F(x
min
), wird die Funktion F an einem neuem, expandier-
ten Punkt x
exp
berechnet. Wenn F(x
exp
) < F(x
min
), wird das neue Sim-
plex durch Austauschen von x
max
durch x
exp
, d .h. in der nchsten Ite-
ration ist dieser Punkt x
min
. Ansonsten wird der Punkt x
max
durch den
Punkt x
refl
ersetzt.
Die nchste Iteration beginnt mit einem neuen Simplex. In Abbildung 5.7
werden die mglichen Schritte verdeutlicht.
Abbildung 5.7: Mgliche Schritte in der Downhil- Simplex- Methode nach Nelder und Mead. [aus 7, S.409]
Im Fall der Parameterbestimmung ist die Funktion F die Fehlerquadrat-
summe. Das Minimum gilt als gefunden, wenn zwischen einem Rechen-
schritt die nderung der Fehlerquadratsumme unterhalb einer bestimmten
Schranke liegt. Alternativ gilt auch, wenn die nderung der Punkte zwi-
schen einer Iteration unterhalb einer Schranke liegt. Dabei ist zu beach-
ten, da diese Schranke nicht kleiner als die Wurzel aus der Rechenge-
- Seite 68 -
nauigkeit ist. Ansonsten kann es durch Rundungsfehler zu Problemen
kommen, da die Schranke mglicherweise nie unterschritten wird.
Aufgrund dieses Abbruchkriteriums ist es nachvollziehbar, da der Nelder-
Mead ziemlich anfllig fr Nebenminima ist. Des weiteren ergibt sich dar-
aus, da dieses Verfahren nicht sehr effektiv ist. Es ist aber sehr robust
und ableitungsfrei. In [7] wird empfohlen das Verfahren, nach dem es eine
Lsung berechnet hat, mit der modifizierten Lsung als Startsimplex noch
mal zu starten. Mit Modifikation ist gemeint, die Lsung durch ein be-
stimmtes x zu variieren, so da das Startsimplex in unmittelbarer Nhe
des vermeintlich gefundenen Minimums neu gestartet wird.
In dieser Arbeit wird dieses Problem so gelst, da die vorgegebenen In-
tervalle von R
S
, n und K in einzelne Gitter unterteilt werden. Jedes dieser
Gitter dient dabei einmal als Startsimplex. Der Algorithmus wird also an
verschiedenen Stellen gestartet. Dabei wird bei jedem Start die Fehler-
quadratsumme der Lsung mit der, der nchsten Lsung verglichen.
Nachdem das Verfahren von jedem Startsimplex aus gestartet wurde, wird
das Gitter mit der kleinsten Fehlerquadratsumme wieder unterteilt. Die
daraus resultierende Lsung wird mit einem kleinen Intervall in jede
Richtung beaufschlagt und nochmals gestartet. Ist die Fehlerquadratsum-
me kleiner als bei der vorherigen Lsung, gilt dieser Parametersatz als
Lsung, ansonsten der vorherige.
Anschlieend kann der gesamte Vorgang durch wiederholtes modifizieren
der erhaltenen Lsung wiederholt werden. Die Startwerte des Simplex
werden also hufig variiert, so da davon ausgegangen werden kann, da
das Minimum gut bestimmt wird. Auch hier erhlt man keine direkte L-
sung, sondern nur eine Nherung.
- Seite 69 -
Abbildung 5.8: Ablaufdiagramm des gesamten Algorithmus fr die Parameterbestimmung bei aSi- Zellen
Abbildung 5.8 zeigt das Ablaufschema des Algorithmus.
An dieser Stelle sei angemerkt, da durch Variation der Ausgangsinter-
valle unterschiedliche Parameterstze erhalten wurden. Dabei blieb die
Fehlerquadratsumme aber annhernd gleich.
Dies zeigt, da sich die Parameter gegenseitig Spielraum verschaffen.
Aufgrund der Anzahl der zu bestimmenden Parameter ergeben sich viele
Kombinationsmglichkeiten fr die Werte der einzelnen Parameter. Beim
Vergleich der berechneten und der gemessenen Daten zeigte sich, da
die gemessenen Daten durch unterschiedliche Parameterstze annhernd
gleich gut angenhert wurden.
Ein Grund fr die variierenden Ergebnisse ist, da das mathematische
Modell unterschiedlich sensitiv auf die einzelnen Parameter reagiert. So
bewirkt eine nderung des Serienwiderstandes R
S
, bei ansonsten glei-
chen Parametern, nur eine minimale nderung in der Strom- Spannungs-
Charakteristik. Wogegen eine nderung des Diodenidealittsfaktor n eine
groe nderung bewirkt. Andersherum betrachtet bedeutet dies, da die
nichtsensitiven Parameter schlechter bestimmt werden knnen als die
sensitiven. Im Anhang B finden sich einige Darstellungen, die dieses Pro-
blem verdeutlichen.
- Seite 70 -
5.4 Auswertung und Ergebnisse
Zur Beurteilung der Gte des Algorithmus zur Bestimmung der Parameter
des mathematischen Modells fr amorphe Silizium Zellen werden synthe-
tische Daten und Medaten herangezogen. Bei den synthetischen Daten
handelt es sich um berechnete Werte. Dazu wurde ein Programm entwik-
kelt, welches nach Vorgabe von Einstrahlung und Temperatur, den Strom
iterativ ber einen Spannungsbereich berechnet. Allgemein gesagt wird
solange ein Stromwert eingesetzt bzw. variiert, bis die Differenz zwischen
eingesetztem und berechnetem (linke bzw. rechte Seite der Gleichung
5-7) Wert unter einer bestimmten Grenze liegt. Dazu werden die einzelnen
Parameter der Gleichung jeweils auf einen konstanten Wert gesetzt.
Die Genauigkeit zur Berechnung des Stromes liegt dabei bei 10
-5
A
(10A). Diese Vorgehensweise ist natrlich nicht reprsentativ fr die
Qualitt des Verfahrens, es lt sich aber daran gut das korrekte mathe-
matische Verhalten zeigen. Auf diese Weise wird ein zweiter Datensatz
erzeugt, aber mit einer Genauigkeit von nur 1A. Somit unterliegt der Strom
dieses generierten Datensatzes einem Fehler von ca. 3% bei U0V und
ca. 6% bei U=U
OC
. Diese unterschiedlichen Werte liegen darin begrndet,
da bei U0V die Stromwerte relativ gro sind und bei U=U
OC
gegen Null
gehen, somit ergeben sich unterschiedliche prozentuale Fehler. Die Kenn-
linien werden fr 4 verschiedene Einstrahlungs- Temperaturkombinationen
berechnet. Anschlieend wird anhand dieser generierten Medaten eine
Parameterbestimmung durchgefhrt, einmal fr die Daten ohne Fehler
und einmal fr die Daten mit Fehlern. Zur besseren bersichtlichkeit wird
in den folgenden Diagrammen und Tabellen diese Bezeichnung fr die
unterschiedlichen Datenstze beibehalten. In Abbildung 5.9 und Tabelle
5-1 sind die Ergebnisse dargestellt.
- Seite 71 -
Parameter-
vorgabe
Fit aus
ohne Fehler
Fit aus
mit Fehlern
C
0
0,05 0,05 0,04874 [1/V]
C
1
6,665E-5 6,6538E-5 6,81E-5 [1/VK]
K 20,0 19,998 19,692 [1/V]
C
01
6,8E+16 6,804E+16 7,3022E+16 [A/m
2
K
5/2
]
R
S
0,0001 9,548E-5 5,2718E-5 [m
2
]
R
p
90,0 87,75 5,2108 [m
2
]
n 2,15 2,15011 2,16207 -
Fehlerquadrat-
summe
- 7,0717E-5 0,291652 [A/m
2
]
Tabelle 5-1: Gegenberstellung der Parameter, Vorgabe und bestimmte Parameter aus unterschiedlichen
Datenstzen. ohne Fehler entspricht berechneten Stromwerten auf 10A, mit Fehlern entspricht berechneten
Stromwerten mit einer Genauigkeit von 1A.
Man erkennt, da trotz der Fehler im entsprechenden Datensatz die Pa-
rameter gut bestimmt werden knnen. Die Abweichungen bei den Para-
metern R
S
und R
p
lassen sich zustzlich durch die angesprochene Sensi-
tivitt begrnden. Die geringe Fehlerquadratsumme bei dem Datensatz
ohne zustzlichen Fehler zeigt, da das entwickelte Verfahren die Para-
meter, bei entsprechender Qualitt der Medaten, sehr gut bestimmt . In
Abbildung 5.9 werden die sich ergebenden Unterschiede anhand von
Kennlinien gezeigt.
0
10
20
30
40
50
60
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Spannung U (V)
S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung 5.9: Berechnete Kennlinien auf der Basis von 2 bestimmten Parameterstzen, sowie dem vorgege-
benem Satz.
generiert
mit Fehler
ohne Fehler
- Seite 72 -
Man sieht, da die Originalkurve und die Kurve ohne Fehler so gut wie
aufeinander liegen, es also fast keine Unterschiede gibt. Die 3. Kurve
weicht im ersten, waagerechten Teil von den beiden anderen ab, ca. 0,7A
Unterschied beim Kurzschlustrom. Dies entspricht einem Unterschied
von ca. 1,2%. Im weiteren Verlauf liegen sie aber immer dichter bei einan-
der. Bei der Leerlaufspannung ist der Unterschied verschwindend gering.
An dieser Stelle sei angemerkt, da die Kennlinien ber das angespro-
chene Verfahren berechnet werden. Ebenfalls mit einer Genauigkeit von
10A. Anhand der Abbildung und der Tabelle sieht man, da mit Hilfe des
entwickelten Verfahrens, zumindest bei sehr guter Qualitt der Mewerte,
die Parameter sehr gut bestimmt werden knnen.
Als Medaten steht ein Datensatz aus dem 1000 Dcher Programm zur
Verfgung. Der Mezeitraum erstreckte sich ber ein ganzes Jahr (1996).
Bei dem installiertem Generator handelt es sich um 90 parallel verschal-
tete Module vom Typ Phototronics PM 6008. Jedes Modul besteht aus 57
seriell verschalteten Tandemzellen (pinpin) auf der Basis von aSi und hat
eine Flche von 0,6m
2
. Das System besitzt eine Nennleistung von 27 Wp,
hat einen stabilisierten STC- Wirkungsgrad von 4,5% und befindet sich im
MPP- Betrieb. Aufgrund des MPP- Betriebs steht nur ein kleiner Aus-
schnitt aus der gesamten I- U- Kennlinie zur Verfgung. Die Auswertung
erfolgt deshalb durch den direkten Vergleich der gemessenen und be-
rechneten Werte. Die Anzahl der seriell verschalteten Zellen mu auf 114
gesetzt werden, da es sich um Tandemzellen handelt und dies in erster
Nherung einer Reihenschaltung von 2 Zellen gleich kommt. Die Zellfl-
che ergibt sich zu 0,01m
2
. Zur Parameterbestimmung wird der gemessene
Strom, die Spannung, Zelltemperatur und die Einstrahlung auf die Modu-
lebene genutzt.
Um Effekte durch die Degeneration zu vermeiden, werden Daten von 2
separaten Monaten zur Bestimmung der Parameter benutzt. Zum einen
die Medaten des Monats Mrz und zum anderen vom Monat September.
Zustzlich zum Vergleich der gemessenen und berechneten Werte des
jeweiligen Monats, wird mit den Daten eines angrenzenden Monats ver-
- Seite 73 -
glichen. Das ist einmal der Monat April, fr die Parameter aus der Mrz-
messung und einmal der Monat Oktober, fr den Septembersatz.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 5 10 15 20 25 30 35 40
b
e
r
e
c
h
n
e
t
e
r

S
t
r
o
m

I

(
A
)

Abbildung 5.10: Gemessener und berechneter Strom des Monats Mrz. Es zeigt sich eine gute bereinstim-
mung.
Abbildung 5.10 zeigt die Ergebnisse fr den Datensatz des Monats Mrz.
Man sieht, da die Werte gut bereinstimmen. Die Abweichungen von der
Ideallinie sind nur gering. Grere Abweichungen sind vermutlich auf
Mefehler im gemessenen Strom zurckzufhren. Zur weiteren Beurtei-
lung wird das Verhltnis von Strom und Einstrahlung ber der Temperatur
abgetragen, jeweils fr gemessenen und berechneten Strom. Abbildung
5.11 zeigt, da der berechnete Strom einer geringeren Streuung unterliegt
als der gemessene. Daran ist erkennbar, da die erhaltenen Parameter
sehr gut das Betriebsverhalten der Zelle widerspiegeln.
Abbildung 5.12 und Abbildung 5.13 zeigen hnliche Ergebnisse fr die
Aprilmessung. Dabei werden zur Berechnung des Stromes die gemesse-
nen Einstrahlungs-, Temperatur- und Spannungswerte der Aprilmessung,
sowie die aus den Mrzdaten erhaltenen Parameter benutzt. Auch hier
zeigt sich eine gute bereinstimmung der Daten.
- Seite 74 -
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,035
0,04
0,045
270 280 290 300 310 320 330
Temperatur T (K)
I
/

G

(
A
/
(
W
/
m
^
2
)
)
Abbildung 5.11: Verhltnis von Strom und Einstrahlung ber Temperatur anhand der Mrzdaten. Die gefitteten
Werte unterliegen einer geringeren Streuung als die Medaten. Dies zeigt, da die Medaten gut wiedergege-
ben werden knnen.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 5 10 15 20 25 30 35 40
gemessener StromI (A)
b
e
r
e
c
h
n
e
t
e
r

S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung 5.12: Gegenberstellung von Medaten (April) und berechneten Stromwerten. Es zeigt sich eine gute
bereinstimmung.
Fit
Medaten
- Seite 75 -
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,035
0,04
0,045
270 280 290 300 310 320 330 340
Temperatur T (K)
I
/

G

(
A
/
(
W
/
m
^
2
)
)
Abbildung 5.13: Verhltnis von Strom und Einstrahlung ber Temperatur fr die Aprildaten. Es zeigt sich auch
hier, da der berechnete Strom einer geringeren Streuung unterliegt.
Die Abweichungen zwischen gemessenen und berechneten Strom sind
auch hier im wesentlichen auf Mefehler bei der Messung zurckzufhren.
Bei der Berechnung der Stromwerte, auf der Basis der bestimmten Para-
meter und der gemessenen Werte fr Einstrahlung, Temperatur und
Spannung flieen ebenfalls Fehler, die bei der Erfassung dieser Werte
gemacht wurden, mit ein. Ein Grund fr die geringere Streuung der model-
lierten Daten bei der Darstellung des Strom- Einstrahlungsverhltnisses
ber der Temperatur liegt darin, da bei der Messung der Einstrahlung ein
Sensor auf der Basis von kristallinem Silizium verwendet wird. Da kristalli-
nes und amorphes Silizium unterschiedliche spektrale Empfindlichkeiten
(unterschiedlicher Bandabstand) aufweisen, erhlt man somit ebenfalls
Fehler. Bei der Berechnung des Stromes anhand der Medaten wird aber
der direkt zur Einstrahlung gehrige Strom berechnet, was sich in der ge-
ringeren Streuung der Daten zeigt. Anhand des verwendeten Modells
nach Merten lt sich das Betriebsverhalten der aSi- Zellen gut modellie-
ren. Dies zeigt sich auch bei den nachfolgenden Abbildungen. Sie bezie-
hen sich auf Medaten aus den Monaten September und Oktober. Wie
bereits erwhnt, werden auf der Basis der Medaten des Monats Septem-
Fit
Medaten
- Seite 76 -
ber die Zellparameter bestimmt. Die Auswertung erfolgt anhand der Sep-
temberdaten und an den Medaten des Monats Oktober.
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,035
0,04
0,045
270 280 290 300 310 320 330 340
Temperatur T (K)
I
/

G

(
A
/
(
W
/
m
^
2
)
)
Abbildung 5.14: Strom- Einstrahlungsverhltnis ber Temperatur. Basis sind Medaten des Monats September.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 5 10 15 20 25 30 35 40
b
e
r
e
c
h
n
e
t
e
r

S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung 5.15: Gegenberstellung von gemessenen und berechneten Strom anhand von Medaten des Mo-
nats September. Je dichter die Punkte an der gestrichelten Linie sind, desto genauer die bereinstimmung.
Fit
Medaten
- Seite 77 -
Bei der Modellierung der Oktoberdaten mit den Parametern aus den Me-
daten vom September kommt man zu hnlichen Ergebnissen, wie bei der
Modellierung der Aprildaten anhand der auf der Basis der Mrzmessung
bestimmten Parameter. Der Vollstndigkeit wegen werden sie im folgen-
den dargestellt.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 5 10 15 20 25 30 35 40
b
e
r
e
c
h
n
e
t
e
r

S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung 5.16: Gegenberstellung der berechneten und gemessenen Stromwerte. Parameter wurden anhand
der Medaten des Monats September bestimmt. Als Ausgangsdaten fr diese Abbildung dienten die Medaten
des Monats Oktober.
Auch hier stimmen die gemessenen und die berechneten Werte gut ber-
ein.
In Abbildung 5.17 zeigt sich ebenfalls eine geringe Streuung der model-
lierten Daten.
- Seite 78 -
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,035
0,04
0,045
270 280 290 300 310 320 330
Temperatur T (K)
I
/

G

(
A
/
(
W
/
m
^
2
)
)
Abbildung 5.17: Strom- Einstrahlungsverhltnis ber Temperatur. Es zeigt sich eine gute bereinstimmung der
Daten. Bei niedrigen Temperaturen streuen auch die modellierten Daten. Bei Temperaturen ab ca. 25C (298K)
reduziert sich die Streuung deutlich.
Zum Schlu soll noch die Temperaturabhngigkeit des Wirkungsgrades
von aSi- Zellen untersucht werden. Fr aSi- Zellen gilt, da der Wirkungs-
grad nicht so stark mit der Temperatur variiert. So gibt ASE fr seine aSi-
Solarzellen einen Temperaturkoeffizienten fr die Leistung von 0,2% /K
an. Dies entspricht 4% bei einer Temperaturdifferenz von 20 K. Dazu
wird mit dem Parametersatz (aus Septembermessung) Kennlinien fr
25C, 45C und 65C jeweils fr eine Einstrahlung von 100, 400, 600, 800
und 1000 W/m
2
berechnet. Aus den Medaten wird die Leistung im MPP
und somit der Wirkungsgrad berechnet. Der Wirkungsgrad wird zur besse-
ren Darstellung auf den STC- Wirkungsgrad normiert. Man erhlt folgen-
den Verlauf.
Fit
Medaten
- Seite 79 -
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
0 10 20 30 40 50 60 70
Temperatur T (C)
W
i
r
k
u
n
g
s
g
r
a
d
,

n
o
r
m
i
e
r
t
Abbildung 5.18: Wirkungsgrad, auf STC normiert ber Temperatur fr aSi- Zellen.
Im Vergleich dazu die Temperaturabhngigkeit des Wirkungsgrades fr
eine kristalline Siliziumzelle vom Typ ASE PQ1040.
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
0 10 20 30 40 50 60 70
Temperatur T (C)
W
i
r
k
u
n
g
s
g
r
a
d
,

n
o
r
m
i
e
r
t
Abbildung 5.19: Wirkungsgrad, auf STC normiert ber der Temperatur fr eine Solarzelle aus kristallinem Silizi-
um vom Typ ASE PQ1040. Bei konstanter Temperatur ist eine Betrachtung des Einflusses der Einstrahlung auf
den Wirkungsgrad mglich.
100 W/m
2
400 W/m
2
600 W/m
2
800 W/m
2
1000 W/m
2
100 W/m
2
400 W/m
2
600 W/m
2
800 W/m
2
1000 W/m
2
- Seite 80 -
In den beiden Diagrammen Abbildung 5.18 und Abbildung 5.19 ist der
Einflu von Temperatur und Einstrahlung auf den Wirkungsgrad darge-
stellt. Es fllt auf, da der Wirkungsgrad mit steigender Temperatur und
mit fallender Einstrahlung abnimmt.
Bei den kristallinen Zellen verringert sich der Wirkungsgrad um ca. 10%
bei einer Temperaturdifferenz von 20K (25C auf 45C), bei einer weiteren
Temperaturerhhung um 20K (45C auf 65C) um weitere ca. 10%. Dies
entspricht einem Temperaturkoeffizienten von 0,5% /K.
Bei den aSi- Zellen sollte dieser Unterschied geringer ausfallen. Bei der
ersten Temperaturerhhung um 20K (von 25C auf 45C) fllt der Wir-
kungsgrad auf ca. 95% (normiert). Dies entspricht einer Differenz von 5%
und somit einem Temperaturkoeffizienten von 0,25% /K. Im Datenblatt
der ASE Dnnschichtzelle ASE- 30- DG- UT ist ein Koeffizient von -0,2%
/K angegeben, d. h. die Temperaturkoeffizienten liegen dicht beieinander.
Das spricht fr die bestimmten Parameter und das Modell. Bei einer weite-
ren Temperaturerhhung um 20K sackt der Wirkungsgrad extrem ab. Es
ist davon auszugehen, da dies nicht der Realitt entspricht.
Geht man von einem konstanten Temperaturkoeffizienten aus, mte der
Wirkungsgrad um weiter -5% auf 90% (normiert) fallen. Es lt sich aber
erkennen, da die Temperaturabhngigkeit einer aSi- Zelle im Vergleich
zu einer kristallinen Siliziumzelle geringer ist.
Die Grnde fr den unverhltnismigen Abfall des Wirkungsgrades kn-
nen vielseitig sein. Auf jeden Fall kann mit Hilfe des Modells bzw. der er-
haltenen Parameter das Verhalten der Zelle bei solch hohen Temperatu-
ren nicht mehr vernnftig modelliert werden. Eine Ursache kann sein, da
in diesem Temperaturbereich keine Medaten vorhanden waren. Somit
waren keine Informationen fr das Verhalten bei diesen Temperaturen
vorhanden. Zum anderen kann es an dem Modell liegen. Das bedeutet,
da mglicherweise andere Parameter an der Modellierung der Tempe-
raturabhngigkeit beteiligt sind, die auf konstante Werte gesetzt wurden
sind. Eine Mglichkeit dabei ist der Wert der Flat- Band- Voltage, oder es
mu sogar noch das Modell modifiziert werden.
Leider sind zum jetzigen Zeitpunkt keine Verffentlichungen bekannt, wel-
che sich mit diesem Thema beschftigen.
- Seite 81 -
Des weiteren kann anhand dieser Diagramme der Einflu der Einstrahlung
auf den Wirkungsgrad untersucht werden. Es ist ersichtlich, da der Wir-
kungsgrad mit abnehmender Einstrahlung fllt. Dabei fllt auf, da der
Wirkungsgrad bei beiden Zelltypen ungefhr gleich stark abnimmt, bei
konstanter Temperatur. Die etwas strkere Variation der Punkte bei der
amorphen Siliziumzelle ist vermutlich auf den Einflu der Mefehler bei
der Parameterbestimmung zurckzufhren. Bei der Berechnung der
Punkte der kristallinen Siliziumzelle wurde ein fertigen PV- Block des Si-
mulationsprogramm Insel benutzt, es wurden also Originalparameter
verwendet. Es sei an dieser Stelle angemerkt, da die Einstrahlungsab-
hngigkeit bei aSi- Zellen kleiner sein soll als bei kristallinen Siliziumzel-
len. Dies ist aus den Diagrammen leider nicht ersichtlich. Es kann jedoch
behauptet werden, da das Verhalten des Wirkungsgrades der aSi- Zelle
(anhand der bestimmten Parameter) nicht schlechter ist, als das der kri-
stallinen Siliziumzelle.
Zusammenfassend lt sich sagen, da sich mit dem in dieser Arbeit ent-
wickelten Algorithmus die Parameter des mathematischen Modells fr
amorphe Silizium Solarzellen gut bestimmen lassen. Anhand der gene-
rierten Daten lie sich zeigen, da das Verfahren mathematisch korrekt
arbeitet und auch bei greren Abweichungen akzeptable Parameter lie-
fert. Bei Medaten ist das Bild hnlich. Die bestimmten Parameter ermg-
lichen eine gute Rckrechnung der Medaten. Einzig bei der Tempera-
turabhngigkeit des Wirkungsgrades zeigten sich grere Unstimmigkei-
ten, welche vermutlich noch andere Ursachen haben.
6 Zusammenfassung und Ausblick
- Seite 82 -
Das Ziel dieser Arbeit bestand darin, einfache und effektive Verfahren zur
Parameterbestimmung der mathematischen Modelle von Solarzellen auf
der Grundlage von kristallinem und amorphen Silizium zu entwickeln. Zur
Bestimmung der Modellparameter sollten empirische Datenstze (Me-
daten) genutzt werden.
Es wurde gezeigt, da man gemessene Kennlinien an das Zwei- Dioden-
Modell der kristallinen Solarzellen sehr gut annhern kann. Mit dem im-
plementiertem Verfahren der Goldenen- Schnitt- Suche wurde ein einfa-
cher Klammerungsalgorithmus gewhlt, welcher aber sehr gute Ergebnis-
se erzielt. Dies liegt unter anderem daran, da dieses Modell nur in Bezug
auf einem Parameter nicht linear ist.
Mit dem aus dem entwickelten Verfahren erhaltenem Datensatz konnten
einerseits die Medaten sehr gut reproduziert werden und zum anderen
waren die Unterschiede zwischen den mit dem Programm Insel simu-
lierten und den mit Hilfe der Parameter berechneten Kennlinien minimal.
Bei der Bestimmung der Parameter des mathematischen Modells der
amorphen Siliziumzellen zeigten sich grere Unterschiede zum realen
Betriebsverhalten. Die Medaten stimmten zwar gut mit den berechneten
Daten berein, doch zeigt das Verfahren noch einige Schwachpunkte, be-
sonders die verwendete mehrdimensionale Suche. Zum einen ist da die
Anflligkeit auf Nebenminimas sowie die starke Abhngigkeit von guten
Startpunkten. Dies zeigte sich auch whrend der Testphase. Oft waren
mehrere Starts des Programms ntig, um akzeptable Parameter zu er-
halten. Es wurde zwar versucht dieses Problem durch internes variieren
des Startsimplexes zu lsen, doch leider erhht sich dadurch auch der
Rechenaufwand. Bei der heutigen Computertechnik ist die Rechenzeit
aber nicht mehr so ausschlaggebend. Die Unterteilung der Startintervalle
ist ein guter Ansatz, doch hngt diese Variante ebenfalls stark vom vorge-
gebenem Intervall ab. Eine andere Variante wre eine Verfahren zu ent-
- Seite 83 -
wickeln, welches erst bessere Startwerte berechnet und diese dann als
Startsimplex verwendet.
Dafr ist das entwickelte Verfahren sehr stabil und einfach zu berschau-
en.
Zusammenfassend lt sich sagen, da mit den beiden entwickelten
Verfahren akzeptable Parameter bestimmt werden knnen. Die Abwei-
chungen bei kristallinen Zellen liegen bezglich der MPP- Leistung unter
1%, was fr eine Umrechnung der Kennlinien auf STC ausreichend ist.
Bei den amorphen Zellen zeigte sich, da mit Hilfe der Parameter des
vorgestellten mathematischen Modells zumindest die Mewerte gut repr-
sentiert werden knnen. Die Abweichungen bei dem Wirkungsgradverlauf
ber der Temperatur mten noch weiter untersucht werden, inwiefern
sich dieses Problem durch entsprechende Medaten lsen lt.
Beide entwickelte Verfahren arbeiten zuverlssig und liefern gute Para-
meterstze. Bei der Downhill- Simplex- Methode sind noch weiter ber-
legungen zur Wahl der Startwerte ntig. Wenn dort eine bessere Mglich-
keit gefunden werden kann, hat man ein stabiles, einfaches und doch ef-
fektives Verfahren zur Parameterbestimmung bei Solarzellen auf der Ba-
sis von amorphen Silizium.
Anhang A
- Seite 84 -
Anhang A - Medatenaufbereitung
In diesem Kapitel soll auf die im Text angesprochene Vorbereitung der
Medaten eingegangen werden.
Wie bereits erwhnt, werden die Ergebnisse des Fits stark von den Me-
fehlern beeinflut. Dem zufolge ist es notwendig, diese aufzubereiten.
Dies soll im folgenden anhand von Diagramme veranschaulicht werden.
Es wird dabei beispielhaft auf einen Medatensatz eingegangen. Dazu
wird der Datensatz aus dem 1000 Dcher Programm des Monats Mrz
verwendet. Bei dem vermessenen Generator handelt es sich um Zellen
auf der Basis von amorphen Silizium. Das Vorgehen bei Medaten ande-
rer Zellen ist hnlich.
Abbildung A.1 zeigt den ursprnglichen Datensatz. Dabei wird die gemes-
sene Stromdichte ber der Einstrahlung abgetragen.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 200 400 600 800 1000
Einstrahlung G (W/m^2)
S
t
r
o
m
d
i
c
h
t
e

j

(
A
/
m
^
2
)
Abbildung A.1: Darstellung der Stromdichte ber der Einstrahlung. Basis sind unbearbeitete Medaten.
Man sieht, da die Stromdichte einem relativ kleinen Fehler unterliegt. Bei
der nchsten Abbildung ist der Fehler bzw. die Streuung grer. Dabei
wird die Stromdichte ber der gemessenen Temperatur dargestellt. Man
erkennt, da eine Nachbearbeitung der Daten notwendig ist.
Anhang A
- Seite 85 -
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 10 20 30 40 50 60
Temperatur T (C)
S
t
r
o
m
d
i
c
h
t
e

j

(
A
/
m
^
2
)
Abbildung A.2: Darstellung der gemessenen Stromdichte ber der gemessenen Temperatur.
Schlielich der Verlauf der Stromdichte ber der Spannung.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Zellspannung U (V)
S
t
r
o
m
d
i
c
h
t

j

(
A
/
m
^
2
)
Abbildung A.3: Stromdichte ber Zellspannung. Man sieht, da durch den MPP Tracker einige Werte (ca.
0A/m
2
) unbrauchbar sind.
In Abbildung A.3 ist ersichtlich, da nur die Werte fr den Fit benutzt wer-
den knnen, welche grer als 0A sind. Des weiteren ist die Streuung der
Stromwerte in Abbildung A.2 zu reduzieren. Durch lschen der entspre-
chenden Punkt erhlt man folgende Darstellungen. Weiterhin wurden alle
Datenstze die unterhalb einer Einstrahlung von 200W/m
2
liegen verwor-
Anhang A
- Seite 86 -
fen. Bei Tests bzw. in vorliegenden Publikationen [11] zeigte sich, da aus
diesen niedrigen Einstrahlungen ein groer Fehler bei der Erfassung von
Strom und Spannung zu erwarten ist.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Zellspannung U (V)
S
t
r
o
m
d
i
c
h
t
e

j

(
A
/
m
^
2
)
Abbildung A.4: Stromdichte ber Zellspannung nach Bearbeitung der Medaten. Man sieht deutlich, wie auf-
grund des MPP- Trackers nur ein sehr kleiner Teil der Kurve vermessen wird. Durch unterschiedliche Tempe-
raturen und Einstrahlungen werden mehrere Kennlinienausschnitte erfat.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 10 20 30 40 50 60
Temperatur T (C)
S
t
r
o
m
d
i
c
h
t
e

j

(
A
/
m
^
2
)
Abbildung A.5: Stromdichte ber Temperatur. Im Vergleich zu Abbildung A.2 konnte die Streuung der Daten
deutlich reduziert werden.
Anhang A
- Seite 87 -
In den Abbildungen A.4 und A.5 sieht man, da stark streuende Werte
und somit Daten mit hohen Mefehlern aussortiert werden konnten.
Solch eine Bearbeitung der Daten ist wichtig, da die Qualitt der Daten
von hoher Bedeutung ist. Bei der Bestimmung der Parameter wird anson-
sten versucht das Modell auch an schlechte Daten anzunhern. Dadurch
erhlt man entweder keine akzeptablen Parameter bzw. die Medaten
knnen nur sehr ungenau reproduziert werden. Weiterhin knnen kleine
Werte I 0A zu Problemen fhren.
Zum Schlu dieses Kapitels die Darstellung der Stromdichte ber der Ein-
strahlung anhand der bearbeiteten Medaten. Im Vergleich zu Abbildung
A.1 zeigen sich nur geringe Vernderungen.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Einstrahlung G (W/m^2)
S
t
r
o
m
d
i
c
h
t
e

j

(
A
/
m
^
2
)
Abbildung A.6: Stromdichte ber der Einstrahlung auf Basis der gefilterten Daten. Es zeigt sich ein linearer
Verlauf ohne grere Fehler bzw. Abweichungen.
Eine Aufbereitung der Medaten ist auf jedem Fall zu empfehlen, um
mgliche Probleme beim Fit zu minimieren.
Anhang B
- Seite 88 -
Anhang B - Betrachtungen zur Sensitivitt
Dieses Kapitel widmet sich der angesprochenen Sensitivitt der Parame-
ter. Wie bereist erwhnt, reagiert eine mathematische Gleichung (Regel-
system) unterschiedlich stark auf nderungen der Parameter (Eingnge).
Bei einigen Parametern bentigt man eine groe nderung damit sich der
Funktionswert ndert, bei anderen Parameter reicht eine minimale nde-
rung.
Auf der anderen Seite hat dieses Verhalten zur Folge, da Parameter auf
die das System nicht so stark reagiert, schlechter zu bestimmen sind.
Aus diesem Grund werden im folgenden Diagramme gezeigt, welche dies
veranschaulichen sollen. Dazu wurden die Parameter Rs, K und n variiert.
Genauer gesagt, wurde immer nur ein Wert variiert und alle restlichen Pa-
rameter blieben unverndert. Dies alles hat beispielhaften Charakter, um
das Problem der Sensitivitt zu verdeutlichen.
Alle berechneten Kennlinien gelten fr 500W/m
2
Einstrahlung und einer
Temperatur von 25C.
0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,1
0,12
0,14
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Spannung U (V)
S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung B.1: Sensitivitt des Systems auf den Serienwiderstand. Bei einem 4- fachen Wert zeigen sich kaum
Unterschiede. Das System reagiert also nur sehr langsam auf nderungen von Rs.
Original
Rs - 400%
Rs +400%
Anhang B
- Seite 89 -
Abbildung B.1 zeigt das Verhalten des Systems bei nderung des Seri-
enwiderstandes Rs. Es zeigen sich selbst bei einem 4- fachen Wert nur
minimale Unterschiede. Dies lt den Rckschlu zu, da der Serienwi-
derstand aus den Medaten nur sehr schwierig genau zu bestimmen ist.
Dies erklrt auch die stellenweise groen Differenzen des Wertes bei un-
terschiedlichen Parameterstzen.
In Abbildung B.2 sind die Auswirkungen bei einer nderung des Diodeni-
dealittsfaktor zu sehen. Er wurde in den Grenzen t 7% variiert. Es zeigen
sich deutliche Abweichungen von der Originalkennlinie. Dies bedeutet
wiederum, da dieser Parameter gut bestimmbar ist. Auf der anderen
Seite macht Abbildung B.2 deutlich, da geringe Abweichungen bei der
Bestimmung des Parameters (etwa durch Nebenminimas) das Ergebnis
(Kennlinienvergleich) stark beeinflussen.
0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,1
0,12
0,14
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Spannung U (V)
S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung B.2: Einflu des Diodenidealittsfaktor n auf die Kennlinie.
Gleiches gilt ebenfalls fr den Parameter K (bzw. /d
i
2
), wie Abbildung
B.3 zeigt. Hier ergeben sich ebenfalls bei einer nderung des Parameters
in den Grenzen t 10% starke Abweichungen von der Originalkennlinie.
Original
n - 7%
n +7%
Anhang B
- Seite 90 -
0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,1
0,12
0,14
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Spannung U (V)
S
t
r
o
m

I

(
A
)
Abbildung B.3: Einflu des Parameters K auf den Kennlinienverlauf.
Die dargestellten Zusammenhnge sollen lediglich der Veranschaulichung
der Sensitivitt dienen. Etwaige Abweichungen zwischen gemessener und
berechneter Kennlinie lassen sich nur bedingt durch diese Problematik
erklren. Fr die Darstellungen wurde jeweils nur der entsprechende Pa-
rameter variiert, die restlichen Werte blieben konstant. Dies ist nicht mit
dem Vorgehen bei dem Fitverfahren gleichzusetzen, da man dort fr je-
weils eine Wertkombination von Rs, K, n einen anderen Satz linearer Pa-
rameter erhlt.
Da aber diese Parameter R
s
, K, n bei dem Nelder- Mead- Verfahren vari-
iert werden, um das Minimum zu finden, kann nachvollzogen werden, da
dadurch nicht sensitive Parameter schlechter bestimmt werden knnen.
Denn wie in diesem Kapitel gezeigt werden konnte, bewirkt eine Variation
von nicht sensitiven Parametern nur eine sehr kleine nderung am Aus-
gang bzw. beim Fitalgorithmus nur eine sehr kleine nderung der Fehler-
quadratsumme.
Original
K - 10%
K +10%
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- Seite 91 -
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MICROSIMULATION MODELS,
Eidesstattliche Erklrung
- Seite 95 -
Eidesstattliche Erklrung
Ich erklre hiermit an Eides statt, da ich die vorliegende Arbeit selbstn-
dig und ohne Benutzung anderer als der angegebenen Hilfsmittel angefer-
tigt habe; die aus fremden Quellen direkt oder indirekt bernommenen
Gedanken sind als solche kenntlich gemacht.
Die Arbeit wurde bisher in gleicher oder hnlicher Form keiner anderen
Prfungskommission vorgelegt und auch nicht verffentlicht.
Magdeburg, 12.03.2001
(Frank Jakobides)

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Gleichung 4-11 [2]

1 Gleichung 4-25 [7]

Gleichung 4-26 [7]

w ist. Gleichung 4-32

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