1GIG Elektronik 2022-05-31

ELEKTROTECHNIK
PhotoProRo/Shutterstock.com
Elektronik
1GIG
Version : 06/2022
Wichtige Bemerkungen:
Verschiedene Teile des folgenden Kurses sind mit einem farbigen Balken auf der linken Seite
gekennzeichnet. Diese Teile sind als nicht obligatorische Zusatzinformationen zu betrachten und sind
nicht im offiziellen Programm aufgeführt.
Auch werden aus diesen Teilen keine Fragen im Abschlussexamen gestellt.
IMPRESSUM
Titre : 1GIG - Elektrotechnik | Elektronik

Élaboré conformément au programme luxembourgeois par :
MANCINI Doris, MOOTZ Marc, PEYER Robert.
Contenus et concept didactique pour l’enseignement

au Grand-Duché de Luxembourg.
Éditeur :
SCRIPT, Service de Coordination de la Recherche
et de l’Innovation pédagogiques et technologiques
33 Rives de Clausen
L-2165 Luxembourg
secretariat@script.lu
Réalisation / Conception : SCRIPT
© 2022, SCRIPT | Tous droits réservés

1GIG Elektrotechnik Elektronik
1 Einführung
Unter dem Begriff „Elektronik“ versteht man das Gebiet der Elektrotechnik, das sich mit der
Herstellung und Anwendung der Bauteile befasst, die zum Aufbau und zur Steuerung
elektronischer Geräte wie Computer, Smartphones, Fernseher, Roboter, Elektroautos, LED-
Beleuchtung, Elektromotoren, automatisierten Anlagen usw. benötigt werden. Viele
elektronische Geräte sind programmierbar und können mit dem Internet verbunden werden.
Mikroprozessoren werden immer leistungsfähiger und befinden sich heute fast in jedem
elektronischen Gerät. Die Entwicklung ist rasant und die Geräte werden immer „intelligenter“.
Elektronische Bauteile Elektronik Board mit Mikroprozessor
Die elektronischen Bauteile wie Dioden, Transistoren, Fotowiderstände, Leuchtdioden (LED),

Solarzellen, Mikroprozessoren usw. werden aus sogenanntem Halbleitermaterial gefertigt.
Das am meisten verwendete Halbleitermaterial ist Silizium (engl. Silicon), das aus Quarz-Sand
hergestellt wird.
Video Silicon Valley

https://www.youtube.c
om/watch?v=DP8xoXLt
yDo
Häufig verwendete Mikroprozessor-Boards „Arduino“
-1-
2 Die Halbleiter
2.1 Begriffserklärung
Der Begriff Halbleiter bezieht sich auf den spezifischen Widerstand reiner Materialien. Ein
Halbleiter leitet den Strom besser als ein Isolator, aber schlechter als ein metallischer Leiter.
Spezifischer Widerstand bei Leitern, Halbleitern und Isolatoren
Zur Gruppe der Halbleiter gehören die Elemente Silizium und Germanium, aber auch die
Verbindungen wie Gallium-Arsenid (GaAs), Indium-Phosphid (InP).
Werkstoffmangel wird bei Silizium und Germanium nicht auftreten. Silizium ist in sehr vielen
Steinen und Sandarten enthalten. Germanium ist zwar nicht in so großer Menge vorhanden
wie Silizium, aber trotzdem überaus reichlich.
Für die Herstellung von Halbleiterbauelementen wird hauptsächlich Silizium (Si) verwendet.
Silizium ist ein chemisches Element, das in der IV. Gruppe des periodischen Systems steht.
Siliziumkristall
https://www.leifiphysi
k.de/elektronik/einfue
hrung-die-
elektronik/ausblick/sil
izium-kristall
In einem Si-Halbleiter besitzt jedes Si-Atom vier Valenzelektronen und bildet im festen
Zustand ein Kristallgitter. Jedes Si-Atom hat vier gleichweit entfernte Nachbaratome, an die
es durch Elektronenpaarbrücken gebunden ist. Jedes Valenzelektron umkreist somit zugleich
den eigenen Atomrumpf und einen benachbarten Atomrumpf.
-2-
Video Halbleiter
(Simple Club)
https://www.youtube
.com/watch?v=xq1Lk
N5Hi34
Rohsilizium
Monokristalline Silizium-Ingots zum Schneiden von Si-Wafer
Video Si-Wafer
Herstellung
https://www.youtube
.com/watch?v=13-
JmHpCmNA
Scheibe aus reinem Silizium = Wafer
-3-
2.2 Leitungsvorgänge im Halbleiter

Eigenleitung
Durch Zuführung von thermischer Energie wird ein reiner Halbleiter (Si, Ge) leitfähig. Diese Art
von Leitfähigkeit wird als Eigenleitung bezeichnet.
Eigenleitung im
Siliziumkristall
https://www.leifiphysik.d
e/elektronik/einfuehrung
-die-
elektronik/grundwissen/
eigenleitung-im-
siliziumkristall
Zuführen von thermischer Energie beim Si-Kristall
Beträgt die Temperatur T = 0K (Kelvin) = absoluter Nullpunkt befinden sich die Atome im
Ruhezustand und die Valenzelektronen sind fest im Kristallaufbau gebunden. Für einen Strom
stehen also keine Ladungsträger zur Verfügung. Der Halbleiter verhält sich wie ein Isolator und
sein elektrischer Widerstand ist unendlich groß.
Erhöht sich die Temperatur T > 0K (Kelvin), so werden aufgrund der Wärmeschwingungen
Elektronen von ihren Atomrümpfen losgelöst und damit beweglich. Man bezeichnet sie dann
als freie Elektronen.
Verlässt ein Elektron eine Paarbindung, so fehlt an dieser Stelle eine negative Ladung und es
entsteht eine Elektronenlücke, auch Defektelektron oder Loch genannt. Da dieses Loch eine
fehlende negative Ladung in einer Gitterbindung ist, kann es als positiv geladenes Teilchen
angesehen werden.
Mit zunehmender Temperatur entstehen jeweils paarweise Elektronen und Löcher. Dieser
Prozess wird als Paarerzeugung bezeichnet. Trifft ein freies Elektron bei seiner Bewegung auf
ein Loch, so kann es in das Loch hineinfallen. Danach ist es wieder gebunden und kann nicht
mehr zur Leitung des Stromes beitragen. Dieses „Hineinfallen in ein Loch“ wird als
Rekombination bezeichnet.
-4-
Legt man bei T > 0K (Kelvin) eine elektrische Spannung an einen Si-Kristall, so kann man einen
Stromfluss feststellen. Dieser besteht aus zwei Teilen:
➢ dem Elektronenstrom vom Minuspol der Spannungsquelle zum Pluspol

➢ dem Löcherstrom vom Pluspol der Spannungsquelle zum Minuspol (nur im Si-Kristall)
Störstellenleitung
Werden dem reinen vierwertigen Silizium geringe Mengen von 3- oder 5-wertigen
Fremdatomen zugesetzt, so erhält man außer der Eigenleitung auch die sogenannte
Störstellenleitung.
Die Fremdatome werden dabei auf die regulären Gitterplätze des Siliziumkristalls eingebaut.
Dieses Einbauen von Fremdatomen bezeichnet man als Dotieren.
Die Dotierung ist ein komplexer Prozess und wird mit spezialisierten Verfahren durchgeführt
(Diffusion, Implantation).
Dotierte
Halbleiter
https://www.leifiphysik.
de/elektronik/einfuehru
ng-die-
elektronik/grundwissen
/dotierte-halbleiter
Technik der
Dotieren von Si-Wafer in einem Diffusionsofen Dotierung
https://www.leifiphysik.
de/elektronik/einfuehru
ng-die-
elektronik/grundwissen/t
echnik-der-dotierung
-5-
N-Halbleiter
Wenn man einen reinen Si-Kristall gezielt mit 5-wertigen Atomen (zum Beispiel: P (Phosphor),
As (Arsen), Sb (Antimon)) dotiert (verunreinigt), dann erhält man N-Silizium. Diese Atome sind
Elemente der V. Hauptgruppe und werden als Donatoren (lat. donare = geben) bezeichnet.
Das eingebaute Fremdatom hat 5 Valenzelektronen.

Zur Bindung an die benachbarten Si-Atome werden
aber nur 4 von diesen 5 Valenzelektronen benötigt.
Das fünfte Elektron ist nur schwach an das Fremdatom
gebunden. Das nicht benötigte Elektron kann mit
geringem Energieaufwand abgetrennt werden. Dann
wird es zum freien Elektron und kann zum
Si-Kristall mit Phosphor-Atom Ladungstransport herangezogen werden.
Man kann also sagen, dass jedes Donator-Atom dem Si-Kristall ein freies Elektron „schenkt“.
P-Halbleiter
Wenn man einen reinen Si-Kristall gezielt mit 3-wertigen
Atomen (z. B.: B (Bor), Al (Aluminium), Ga (Gallium), In
(Indium)) dotiert, dann erhält man P-Silizium. Diese
Atome sind Elemente der III. Hauptgruppe und werden
als Akzeptoren (lat. accipere = annehmen) bezeichnet.
Das eingebaute Fremdatom hat 3 Valenzelektronen. Es
kann sich daher an 3 Si-Atome binden. Eine Bindung an
einem Si-Atom bleibt offen. Diese offene Bindung stellt
Si-Kristall mit Bor-Atom
ein Loch oder Defektelektron dar. Dieses Loch kann mit
geringem Energieaufwand von einem Elektron eines benachbarten Atoms besetzt werden.
Dadurch entsteht eine Bewegung des Loches, die Löcherbewegung, die der
Elektronenbewegung entgegengesetzt ist.
Die Löcher verhalten sich deshalb innerhalb des Si-Kristalls wie freie positive Ladungsträger.
-6-
Video Mikrochip
Herstellung
(Infineon)
https://www.youtube.co
m/watch?v=_Kj58yQ67KI
Dotierter Si-Wafer mit Integrierten Schaltungen
Durch unterschiedliche Dotierungen und Kombinationen von N- und P-Halbleiterschichten

gelingt es die verschieden elektronischen Bauteile herzustellen. Im Folgenden schauen wir uns
genauer an was passiert, wenn ein P-Halbleiter und ein N-Halbleiter zusammengefügt werden.
2.3 Der PN-Übergang

Der Grenzbereich zwischen einer P-leitenden Zone und einer N-leitenden Zone wird PN-
Übergang genannt.
PN-Übergang ohne äußere Spannung
Entstehung einer Sperrschicht beim PN-Übergang ohne äußere Spannung
Im Grenzgebiet können viele freie Elektronen (zum Beispiel der Phosphoratome) in den P-
Halbleiter eindringen und hier die Löcher (zum Beispiel der Bor-Atome) auffüllen.
-7-
Durch die unterschiedlichen Konzentrationen von positiven und negativen Ladungsträgern

entsteht ein Diffusionseffekt, welcher eine sogenannte Rekombinationen verursacht.
Die durch Diffusion verursachten Rekombinationen erzeugen eine ladungsträgerverarmte
Zone.
Diese Zone wird als Sperrschicht bezeichnet, weil sie keine Leitfähigkeit besitzt.
➢ Im Grenzbereich der N-Zone entstehen viele positiv geladene Phosphor-Ionen.

➢ Im Grenzbereich der P-Zone entstehen viele negative geladene Bor-Ionen.
Beiderseits der Grenzschicht entsteht eine Raumladungszone und somit auch ein elektrisches
Feld. Zwischen der positiven und negativen Raumladung in der Sperrschicht wird so eine
elektrische Spannung aufgebaut.
Diese Spannung wird als Diffusionsspannung UD bezeichnet und beträgt bei Si 0,6 V … 0,8V.
PN-Übergang mit äußerer Spannung

Sperrrichtung
Legt man den Pluspol einer Spannungsquelle an den N-Halbleiter, den Minuspol an den P-
Halbleiter, so werden die Löcher vom Minuspol und die Elektronen vom Pluspol angezogen.
Sie werden von der Sperrschicht weggezogen, so dass diese sich verbreitert. Es kann kein
kontinuierlicher Strom fließen. Diese Richtung nennt man deshalb Sperrrichtung.
PN-Übergang in Sperrrichtung
-8-
Durchlassrichtung
Legt man den Pluspol der Spannungsquelle an den P-Halbleiter, den Minuspol an den N-
Halbleiter, so fließen neue Ladungsträger von der äußeren Quelle auf die Sperrschicht zu und
rekombinieren hier fortwährend. Die bisher ladungsträgerfreie Sperrschicht wird zunehmend
abgebaut. Es flieβt dann der Durchlassstrom. Diese Richtung nennt man deshalb
Durchlassrichtung.
Die zum Abbau der Sperrschicht benötigte Spannung ist gleich der Diffusionsspannung.
PN-Übergang
(Diode)
https://www.leifiphysik.de/
elektronik/halbleiterdiode/
grundwissen/p-n-
uebergang-halbleiterdiode
PN-Übergang in Durchlassrichtung
Ein PN-Übergang lässt den Strom somit nur in eine Richtung durch (abhängig von der Polarität
der angelegten Spannung) und hat die Funktion eines elektronischen „Ventils“. Das „Ventil“
öffnet, sobald die angelegte Spannung den Wert der Diffusionsspannung UD erreicht. Solch
ein Bauelement wird auch „Halbleiterdiode“ oder einfach „Diode“ genannt.
Der PN-Übergang lässt sich mit einem mechanischen Rückschlagventil (Kugelventil)

vergleichen. Die Diffusionsspannung entspricht dem Federdruck, der das Ventil geschlossen
hält. Damit es öffnet, muss mindestens der gleiche Druck in entgegengesetzter Richtung
erzeugt werden!
Ventil geschlossen Ventil offen (Quelle: Wikipedia)
-9-
3 Die Halbleiterdiode
Dioden sind wichtige Bauelemente der Elektronik. Sie werden meistens aus den
Halbleiterwerkstoffen Silizium und Germanium hergestellt.
Eine Diode besteht aus einem Gehäuse (Glas, Keramik, Metall), welches mit zwei Kontakten
versehen ist. Auf dem Gehäuse ist die jeweilige Bezeichnung der Diode angebracht.
3.1 Aufbau
Die Halbleiterdiode besteht aus zwei fest miteinander verbundenen Halbleiterkristall-
schichten, einer P-Schicht und einer N-Schicht.
Dioden in verschiedenen Gehäuse-

formen
3.2 Schaltzeichen
Das Dreieck im Schaltzeichen symbolisiert den P-Kristall und der Strich
den N-Kristall. Der P-Kristallanschluss wird als Anode und der N-
Kristallanschluss wird als Katode bezeichnet.
Die Richtung des Pfeils zeigt die Durchlassrichtung der Diode an.
3.3 Wirkungsweise
Wegen des PN-Übergangs besitzt die Diode eine Ventilwirkung:
➢ Liegt der positive Pol einer Spannungsquelle an der Anode und der
negative Pol an der Katode, so wird der PN-Übergang niederohmig.
Es fließt ein Strom. Der PN-Übergang ist in Durchlassrichtung gepolt.
Video Diode
➢ Liegt der negative Pol einer Spannungsquelle an der Anode und der (Simple Club)
om/watch?v=MSncOma
positive Pol an der Katode, so wird der PN-Übergang hochohmig. Es cDJ0
fließt kein Strom. Der PN-Übergang ist in Sperrrichtung gepolt.
Die Halbleiterdiode lässt den Strom in einer Richtung durch und sperrt ihn in der
anderen Richtung (Ventilwirkung).
-10-
3.4 Diodenkennlinie
Die Kennlinie beschreibt die Zusammenhänge zwischen Strom und Spannung an einer Diode.
Der Verlauf der Kennlinie ist im Sperr- und Durchlassbereich sehr unterschiedlich.
Im Durchlassbereich tragen die Achsen die Bezeichnungen UF und IF. Der Index "F" kommt aus
dem Englischen (Forward direction = Vorwärtsrichtung = Durchlassrichtung). Im Sperrbereich
wird der Index "R" (Reverse direction = Rückwärtsrichtung = Sperrrichtung) verwendet.
Video
Diodenkennlinie -
Anwendungen
om/watch?v=h7Yg2oO6
qHc
Kennlinien einer Germanium- und einer Siliziumdiode
Kennlinienauswertung
➢ In Durchlassrichtung beginnt die Diode den Strom zu leiten, wenn die äußere Spannung
den Wert der Diffusionsspannung am PN-Übergang erreicht hat. Diese Spannung wird als
Schleusenspannung US (Schwellspannung, Durchlassspannung) bezeichnet.
Si-Dioden: US = 0,6 bis 0,8V Ge-Dioden: US = 0,3 bis 0,4V
➢ Der Durchlassstrom darf einen bestimmten Wert (IFMax) nicht überschreiten, da die Diode
sonst zerstört werden kann.
➢ Die Si-Diode hat eine steilere Durchlasskennlinie als die Ge-Diode. Bei der Si-Diode tritt
nach Überschreiten der Schleusenspannung schlagartig ein großer Stromfluss ein. Bei der
Ge-Diode erfolgt der Übergang vom kleinen zum großen Stromfluss allmählich.
➢ In Sperrrichtung fließt fast kein Strom. Ab einer bestimmten Sperrspannung
(Spitzensperrspannung URMax) kommt es zu Durchbrüchen, welche normalerweise die
Diode zerstören.
➢ Si-Dioden haben ein besseres Sperrverhalten als Ge-Dioden.
-11-
Idealisierte Kennlinie und Ersatzschaltung

Die Kennlinie 𝐈 = 𝐟(𝐔) eines konstanten
ohmschen Widerstandes R ergibt eine Gerade
durch den Ursprung mit der Gleichung 𝐲 = 𝐚 ∙ 𝐱
∆𝐈 𝟏𝟎𝐦𝐀 𝟏
𝟏 𝐚= = =
(Steigung 𝐚 = 𝐑). ∆𝐔 𝟐𝐕 𝐑
𝟐𝐕
⇔𝐑= = 𝟐𝟎𝟎
𝟏𝟎𝐦𝐀
𝟏 (Ohmsches Gesetz)
𝐈= ∙𝐔
𝐑
Die Kennlinie 𝐈𝐅 = 𝐟(𝐔𝐅 ) einer Diode ist nichlinear

(gekrümmt). Eine Diode ist im Prinzip ein
𝐔𝐅
Bauelement, dessen Gleichstromwiderstand 𝐑 𝐅 = 𝐈𝐅
∆𝐔𝐅
sich in jedem Punkt der Kennlinie ändert 𝐫𝐅 =
∆𝐈𝐅
(nichtlinearer Widerstand).
Weil es hier schwieriger wird eine genaue

mathematische Gleichung zu schreiben, definiert man für jeden Punkt der Diodenkennlinie
einen differentiellen Widerstand rF , der je nach Krümmung der Kennlinie unterschiedliche
Werte hat.
𝟏
Achtung: Der Kehrwert entspricht der Steigung der Tangente in jedem Punkt der
𝐫𝐅
Diodenkennlinie (Mathematik: Ableitung, Französisch: „dérivée“)!
Zur Vereinfachung wird die nichtlineare Kennlinie der Diode (Si-Diode) durch eine idealisierte
Kennlinie nachgebildet.
𝟏 ∆𝐈
Steigung 𝐚 = 𝐫 = ∆𝐔𝐅
𝐅 𝐅
Reale Kennlinie einer SI-Diode Idealisierte Kennlinie einer SI-Diode
Hierbei nimmt man an, dass IF = 0A, solange UF ≤ US . Wird UF > US , entspricht die
𝟏 ∆𝐈
Kennlinie einer Geraden mit der Steigung 𝐚 = 𝐫 = ∆𝐔𝐅 .
𝐅 𝐅
-12-
𝟏
Die Gleichung dieser Geraden hat die Form 𝐲 = 𝐚 ∙ 𝐱 + 𝐛 oder 𝐈𝐅 = 𝐫 ∙ 𝐔𝐅 + 𝐛, wobei b dem
𝐅
Schnittpunkt mit der y-Achse oder IF -Achse entspricht. (UF = 0V, ordonnée à l′origine)
Der Punkt mit UF = US und IF = 0A liegt auf der

𝐲=𝐚∙𝐱+𝐛
𝟏
Geraden, somit gilt: 𝟎 = 𝐫 ∙ 𝐔𝐒 + 𝐛
𝐅
𝟏
𝟏 𝐈𝐅 = ∙𝐔 +𝐛
Man erhält: 𝐛 = − 𝐫 ∙ 𝐔𝐒 und die Gleichung der 𝐫𝐅 𝐅
𝐅
∆𝐔𝐅
Diodenkennlinie für UF > US lautet: 𝐫𝐅 =
∆𝐈𝐅
𝟏 𝟏
𝐈𝐅 = ∙ 𝐔𝐅 − ∙ 𝐔𝐒
𝐫𝐅 𝐫𝐅
𝟏 𝟏
⟺ 𝐈𝐅 = ∙ (𝐔𝐅 − 𝐔𝐒 ) 𝐛=− ∙𝐔
𝐫𝐅 𝐫𝐅 𝐒
⟺ 𝐔𝐅 = 𝐔𝐒 + 𝐫𝐅 ∙ 𝐈𝐅
Anhand dieser Gleichung kann man folgende Ersatzschaltung der Diode zeichnen:
𝐔𝐅 = 𝐔𝐒 + 𝐫𝐅 ∙ 𝐈𝐅
Die Ersatzschaltung besteht aus einer Spannungsquelle, einem Widerstand und dem
Stromrichtungssymbol.
• Die Spannungsquelle besagt, dass nur nach dem Überwinden der Schleusenspannung U s
ein Strom fließt.
• Der differentielle Widerstand ist jetzt konstant und entspricht dem Kehrwert der
Kennliniensteigung.
• Das Stromrichtungssymbol zeigt, dass die Ersatzspannungsquelle ein stromrichtungs-

abhängiges Bauteil ist und nicht von sich aus Strom in einen äußeren Stromkreis
einspeisen kann.
-13-
3.5 Grenzwerte
Grenzwerte sind Werte, die der Anwender nicht überschreiten darf, ohne eine sofortige
Zerstörung des Bauelementes zu riskieren.
- Maximaler Durchlassstrom IFmax: maximaler Durchlassdauerstrom (bei bestimmter

Kristalltemperatur)
- Spitzensperrspannung URmax: höchste Spannung, die in Sperrrichtung an der Diode

anliegen darf. Dieser Wert darf auch nicht kurzzeitig
überschritten werden.
- maximale Verlustleistung Ptot: größte zulässige Gesamtverlustleistung
(Verlustleistung 𝐏𝐕 = 𝐔𝐅 ∙ 𝐈𝐅 )
3.6 Graphische Arbeitspunktbestimmung

Wird die Diodenkennlinie nicht durch eine idealisierte Kennlinie betrachtet, so bereitet die
genaue Berechnung der Strom- und Spannungsverhältnisse einer Reihenschaltung von
Widerstand und Diode Probleme. (weil die Gleichung der Diodenkennlinie unbekannt ist).
Bei nichtlinearen Kennlinien wird deshalb oft eine zeichnerische Lösung angefertigt.
Arbeitspunktbestimmung bei einer Reihenschaltung von Diode und Widerstand
Reihenschaltung: Diode mit Vorwiderstand
Bei der Reihenschaltung fließt der gleiche Strom IF durch die Diode und den Widerstand R1.
Für die Diode gilt: 𝐈𝐅 = 𝐟(𝐔𝐅 ) (Diodenkennlinie)
-14-
Für den Widerstand R1 kann der Strom IF in Abhängigkeit von UF und UB angegeben werden:
𝐔𝐑𝟏 𝐔𝐁 − 𝐔𝐅 𝐔𝐅 𝐔𝐁 𝟏 𝐔𝐁
𝐈𝐅 = = =− + =− ∙ 𝐔𝐅 +
𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏
𝟏 𝐔𝐁
𝐈𝐅 = − ∙ 𝐔𝐅 +
𝐑𝟏 𝐑𝟏
𝟏 𝐔
Dies entspricht einer Geraden der Form 𝐟(𝐱) = 𝐚 ∙ 𝐱 + 𝐛 𝐦𝐢𝐭 𝐚 = − 𝐑 𝐮𝐧𝐝 𝐛 = 𝐑𝐁 und
𝟏 𝟏
wird als Arbeitsgerade (AG) von R1 bezeichnet.
U
Die Arbeitsgerade kann durch Berechnung von 2 Punkten (0; RB ) und (UB ; 0) in das Diagramm
1
eingezeichnet werden (beachte die negative Steigung!).
Der Schnittpunkt der Diodenkennlinie mit der Arbeitsgeraden ergibt den Arbeitspunkt A1 der
Reihenschaltung. Nur in diesem Punkt ist der Strom durch die Diode und den Widerstand
gleich groß.
Auch die Spannungen UF an der Diode sowie UR1 am Widerstand können aus dem Diagramm
abgelesen werden (siehe hierzu auch die Zusatzbemerkungen zur grafischen
Arbeitspunktbestimmung).
𝐈𝐅 = 𝐟(𝐔𝐅 )
𝟏 𝐔𝐁
𝐈𝐅 = − ∙𝐔 +
𝐑𝟏 𝐅 𝐑𝟏
Kennlinien von Diode und Vorwiderstand im gleichen Diagramm
-15-
Zusatzbemerkungen zur grafischen Arbeitspunktbestimmung
Beispiel: Strom und Spannungen bei einer Reihenschaltung von 2 Widerständen:
𝐔𝐠 = 𝟏𝟎𝐕, 𝐑 𝟏 = 𝟏𝟓𝟎, 𝐑 𝟐 = 𝟏𝟎𝟎
Berechnung:
𝐔𝐠 𝟏𝟎𝐕
𝐈= = = 𝟎, 𝟎𝟒𝐀
𝐑 𝟏 + 𝐑 𝟐 𝟏𝟓𝟎 + 𝟏𝟎𝟎
𝐔𝟏 = 𝐑 𝟏 ∙ 𝐈 = 𝟏𝟓𝟎 ∙ 𝟎, 𝟎𝟒𝐀 = 𝟔𝐕
𝐔𝟐 = 𝐑 𝟐 ∙ 𝐈 = 𝟏𝟎𝟎 ∙ 𝟎, 𝟎𝟒𝐀 = 𝟒𝐕
Grafische Methode:
Auch eine Reihenschaltung von zwei ohmschen Widerständen kann mit der grafischen
Methode gelöst werden.
Bei einer Reihenschaltung kann man zur Berechnung des Stromes I als Funktion von U1
𝐼 = 𝑓(𝑈1 ) folgende Gleichungen aufstellen:
(Vergleiche die Schreibweisen mit einer Funktion 𝑦 = 𝑓(𝑥) in der Mathematik!)
𝐔𝟏 𝟏
𝟏) 𝐈 = = ⋅𝐔 ⇒ 𝐖𝐢𝐝𝐞𝐫𝐬𝐭𝐚𝐧𝐝𝐬𝐠𝐞𝐫𝐚𝐝𝐞 𝐯𝐨𝐧 𝐑 𝟏 𝐝𝐞𝐫 𝐅𝐨𝐫𝐦: 𝐲 = 𝐚 ∙ 𝐱
𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝟏
𝐔𝟐 𝐔𝐠 − 𝐔𝟏 𝐔𝐠 𝐔𝟏 𝐔𝟏 𝐔𝐠
𝟐) 𝐈 = = = − = − +
𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐
𝟏 𝐔𝐠
𝐈=− ⋅ 𝐔𝟏 + ⇒ 𝐆𝐞𝐫𝐚𝐝𝐞𝐧𝐠𝐥𝐞𝐢𝐜𝐡𝐮𝐧𝐠 𝐝𝐞𝐫 𝐅𝐨𝐫𝐦: 𝐲 = 𝐚 ∙ 𝐱 + 𝐛
𝐑𝟐 𝐑𝟐
Dies entspricht der Gleichung der Arbeitsgeraden von R2 !

1
Beachte die negative Steigung a = − R !
2
-16-
Die Arbeitsgerade von R2 kann man durch die Berechnung von zwei Punkten in das Diagramm
eintragen. Hierzu werden üblicherweise folgende Punkte genommen:
𝐔𝐠 𝐔𝐠
𝐔𝟏 = 𝟎 ⇒ 𝐈= ⇒ 𝐏𝐮𝐧𝐤𝐭 (𝟎 ; )
Gesetzt: 𝐑𝟐 𝐑𝟐
𝐈=𝟎 ⇒ 𝐔𝟏 = 𝐔𝐠 ⇒ 𝐏𝐮𝐧𝐤𝐭 (𝐔𝐠 ; 𝟎)
𝟏 𝐔𝐠
𝐈=− ⋅ 𝐔𝟏 +
𝐑𝟐 𝐑𝟐
𝟏
𝐈= ⋅𝐔
𝐑𝟏 𝟏
Der Schnittpunkt (Arbeitspunkt A) ergibt die Stromstärke I für die gegebene Reihenschaltung.
Auch die Spannungen U1 und U2 können im Diagramm ermittelt werden.
Im Vergleich mit der Reihenschaltung einer Diode mit Vorwiderstand entspricht hier R1 der
Diode und R2 dem Vorwiderstand.
-17-
Aufgaben zu den Dioden
Aufgabe 3-1
Gegeben sei die abgebildete Diodenkennlinie: 𝐈𝐅 = 𝐟(𝐔𝐅 )
a) Die Diode liegt in Reihe mit einem Widerstand R = 26 an einer Spannung UB = 2,6V. Trage
die Arbeitsgerade in das Diagramm ein und bestimme grafisch den Arbeitspunkt A 1 der
Reihenschaltung. Ermittle die Stromstärke sowie die Teilspannungen an Diode und
Widerstand.
-18-
b) Wie verändert sich die Lage des Arbeitspunktes, wenn die Betriebsspannung auf U B = 2V
verringert wird (R ändert nicht)?
Trage die neue Arbeitsgerade ein und ermittle die zugehörigen Werte im neuen
Arbeitspunkt A2.
c) Wie verändert sich die Lage des Arbeitspunktes, wenn bei UB = 2V der Wert des
Widerstandes auf R = 50Ω verändert wird?
Arbeitspunkt A3.
d) Wie verändert sich die Lage des Arbeitspunktes, wenn bei UB = 20V der Wert des
Widerstandes auf R = 200Ω verändert wird?
Arbeitspunkt A4.
-19-
Aufgabe 3-2
Ermittle rechnerisch die Stromstärke und die Teilspannungen am Widerstand und an der
Diode.
R1 = 20Ω
rF = 2,5Ω
US = 0,6V
U = 1,5V
-20-
Aufgabe 3-3
An die Reihenschaltung einer Diode mit einem Widerstand R = 33Ω wird eine
Gleichspannungsquelle angeschlossen. Die Spannungsquelle hat eine Leerlaufspannung
U0 = 1,6V und einen Kurzschlussstrom IK = 80mA.
Wie groß ist der Strom, der durch die Schaltung fließt?
-21-
Aufgabe 3-4
Eine Si-Diode wird in Reihe mit einem Widerstand R an der
Betriebsspannung UB betrieben. Dabei ergibt sich der in der
abgebildeten Kennlinie eingezeichnete Arbeitspunkt AP.
Bestimme die Betriebsspannung UB, den Wert von R so wie die
Spannung UR.
-22-
Aufgabe 3-5
a) Zeichne die idealisierte Durchlasskennlinie einer Diode mit der Schleusenspannung
US = 0,6V und dem differentiellen Ersatzwiderstand rF = 2Ω. Die Achseneinteilung soll von
0 .... 1V und von 0 .... 100mA reichen.
b) Diese Diode wird in Durchlassrichtung über einen Vorwiderstand RV = 150Ω an eine
Betriebsspannung UB = 12V angeschlossen. Bestimme zeichnerisch (oder rechnerisch) den
sich einstellenden Strom IF durch die Diode sowie die Spannung UF an der Diode.
-23-
3.7 Leuchtdioden (LED - Light Emitting Diodes)
Video „Was ist

eine LED?“
om/watch?v=jgP20PNm
P9g
LED Leuchtreklamen am Times Square in New York City
Leuchtdioden wandeln den elektrischen Strom innerhalb des PN- Überganges in Licht um
(Umkehrung des Fotoeffektes, bei dem Licht in Strom umgewandelt wird). Sie bestehen aus
Mischkristallen wie z.B. Galliumarsenid (GaAs), Galliumarsenidphosphid (GaAsP),
Galliumphosphid (GaP) oder Galliumnitrid (GaN).
Leuchtdioden betreibt man üblicherweise mit einem Strom IF von 10 bis 20mA. Dabei beträgt
die Spannung UF etwa 1,6 V bis 2,7V, je nach LED-Farbe. Der maximale Strom IFmax darf je nach
Diodentyp etwa 50mA nicht überschreiten. Deshalb ist zur Strombegrenzung immer ein
Vorwiderstand erforderlich.
Sollen Leuchtdioden mit Wechselspannung betrieben werden, so ist darauf zu achten, dass
die maximale LED-Sperrspannung (meist 5V) nicht überschritten wird.
Leuchtdioden LED-Lampen zur Wohnungsbeleuchtung
-24-
Farben von LED’s
Die klassischen Farben sind rot, grün, gelb und orange. Es gibt aber auch noch blaue und weiße
LED. Je nach Farbe besteht der Halbleiterkristall einer Leuchtdiode aus unterschiedlichen
Materialien. Die Farbe des Lichts d.h. die Wellenlänge des Lichts wird vom Halbleiterkristall
und von der Dotierung bestimmt. Der Kristall besteht aus einer n- und einer p-Schicht. Von
daher unterscheidet er sich kaum von einer normalen Halbleiterdiode.
LED unterscheiden sich nicht nur in ihrer Farbe, sondern auch in ihren elektrischen
Eigenschaften. Die verschiedenen Farben haben auch verschiedene Durchlassspannungen US.
LED werden in vielen Bereichen verwendet: Kfz-Beleuchtung, Anzeigetafeln, Taschenlampen,

Raum und Straßenbeleuchtung usw.
Die Forschung verspricht für die Zukunft sehr interessante Ergebnisse im Bereich der
Beleuchtungstechnik. Im Vergleich zu anderen Leuchtmitteln ist der Wirkungsgrad einer LED
sehr hoch, so dass der grösste Teil der elektrischen Energie in Licht umgewandelt wird.
Der Physik-Nobelpreis 2014 wurde an ein japanisches Forscherteam verliehen, dessen
Arbeiten die Herstellung von blauen und weißen LED ermöglichten.
Weitere Informationen zum Thema LED:
LED Einführung LED Video OLED

(Leifiphysik) (Wikipedia) (Sendung mit der
https://www.leifiphysik.de/ele https://de.wikipedia.org/
ktronik/halbleiterdiode/grund wiki/Leuchtdiode
Maus)
wissen/leuchtdioden-led- https://www.youtube.co
einfuehrung
m/watch?v=e-uuT3r27cg
-25-
Aufgabe 3-6
In einem Netzgerät für UB = 12V (Gleichspannung) dient eine LED CQX 35 als Betriebskontroll-
Leuchte. Es soll ein Strom IF von 40mA fließen. Bestimme den erforderlichen Vorwiderstand.
Video LED im
Stromkreis
om/watch?v=d0z0K-
fZcg8
-26-
Aufgabe 3-7
Eine blaue Leuchtdiode soll mit einem Strom von IF = 10mA an einer Reihenschaltung von 1,5V
Batterie-Zellen betrieben werden.
a) Wähle die notwendige Anzahl der 1,5V Batterien und berechne den erforderlichen
Vorwiderstand.
b) Eine rote LED soll in Reihe zur blauen LED geschaltet werden. Bestimme die
Batteriespannung, den Vorwiderstand und die Anzahl der notwendigen 1,5V Batterien,
damit weiterhin ein Strom von 10mA fließt.
-27-
3.8 Elektronik Praxis

Mit LED’s und einem Mikrocontroller wie dem Arduino lassen sich ganz einfach interessante
Projekte mit Blinklichtern, Lauflichtern und anderen Lichteffekten aufbauen. Über eine Suche
im Internet (Google oder Youtube) findet man viele Informationen und Anleitungen über
Elektronik Projekte mit Arduino, so z.B. auf folgenden Seiten:
Video Arduino- Arduino Funduino Starthardware

Tutorial 1 Offizielle https://funduino.de/ https://starthardware.org/
(Einführung) Homepage
https://www.youtub
https://arduino.cc/
e.com/watch?v=0wA
Y3DYihyg
Blinkende LED
Der Ausgang des Arduino liefert eine Spannung von
5V. Die LED muss deshalb zum Schutz über einen
geeigneten Vorwiderstand angeschlossen werden.
Video Arduino-
Tutorial 2
(Blinklicht)
Arduino-Schaltung mit Software https://www.youtub
e.com/watch?v=BKm
Code für eine blinkende LED 1QFZS0m4
-28-
Lauflicht
Auf ähnliche Weise kann man ein programmierbares Lauflicht aufbauen.
Video Arduino
Lauflicht
m/watch?v=Z_MvWpcwW
ao
Mikrocontrollergesteuertes Lauflicht mit Arduino
Über den Software-Code kann man die verschiedenen LED’s in beliebiger Reihenfolge ein- und
ausschalten.
Liest man über einen analogen Eingang des Arduino die Ausgangsspannung eines
Potentiometers ein, so kann man sogar die Blinkfrequenz verstellen.
-29-
4 Gleichrichterschaltungen
Mit Dioden kann man Wechselspannung in Gleichspannung
umwandeln. Solch eine Schaltung nennt man Gleichrichter.
Ein Gleichrichter befindet sich in jedem elektronischen Gerät,
das an die Netzspannung (sinusförmige Wechselspannung)
angeschlossen wird, und wo Gleichspannung benötigt wird.
Ladesäule für E-Auto
(Ladeadapter für Akkus, Computer, Elektroautos,
Unterhaltungselektronik usw.).
Transformator Gleichrichter Verbraucher
UN U1 UL RL
Prinzipschaltbild von einem Ladegerät: Der Lastwiderstand RL symbolisiert das angeschlossene Gerät
Der Transformator wandelt die 230V Netz-Wechselspannung UN auf eine kleinere

Wechselspannung U1 herunter und der Gleichrichter wandelt die Wechselspannung U1 in eine
Gleichspannung UL um.
Um Ladegeräte möglichst klein und ohne schweren
Transformator zu bauen (Schaltnetzteile), wird die
niedrige Wechselspannung über eine Schaltung mit
Spulen und einem hochfrequenten Schalter
(Transistor) erzeugt. Die Gleichrichtung erfolgt
jedoch ebenfalls mit Dioden.
Akku-Ladegerät
-30-
4.1 Einweg-Gleichrichter
Die einfachste Schaltung, mit der man eine

Wechselspannung in eine Gleichspannung
umwandeln kann, ist die Einweg-
Gleichrichterschaltung. Sie besteht aus einer
einzigen Diode!
Einweg-Gleichrichter
Die folgenden Diagramme zeigen die zeitlichen Verläufe von Eingangsspannung U1,
Ausgangsspannung UL, Strom IL und Diodenspannung UF. Die Diode wird dabei als ideal
angenommen, d.h. die Schleusenspannung US wird vernachlässigt (US = 0V). Somit ist UF = 0V
wenn die Diode leitet.
Der Einweg-Gleichrichter lässt die

positive Halbwelle der
Wechselspannung durch und
sperrt die negative Halbwelle.
Die Ausgangsspannung UL ist noch
keine richtige Gleichspannung
(sondern eine Mischspannung).
Ihr Verlauf besteht aus lauter
positiven Halbwellen. Eine solche
Spannung wird pulsierende
Gleichspannung genannt.
Spannungen und Laststrom beim Einweg-Gleichrichter mit idealer Diode
Vorteil: Einfache Schaltung, daher billiger Aufbau.
Nachteil: Pro Periode wird nur eine Halbwelle ausgenutzt und somit nur 50% der
möglichen Energie übertragen. Einweg-Gleichrichter werden deshalb nur für
kleine Leistungen gebaut.
-31-
4.2 Zweiweg-Gleichrichter
Der Zweiweg-Gleichrichter (Brückengleichrichter) besteht aus 4 Dioden:
• Während der positiven Halbwelle
von U1 sind die Dioden V1 und V4 in
Durchlassrichtung geschaltet. Es
fließt ein Strom I1.
• Während der negativen Halbwelle

von U1 sind die Dioden V2 und V3 in
Durchlassrichtung geschaltet. Es
Zweiweg-Gleichrichter fließt ein Strom I2.
• I1 und I2 durchfließen den Lastwiderstand in gleicher Richtung. Sie bilden zusammen den
Strom IL. Die Spannung UL hat den gleichen zeitlichen Verlauf wie der Strom IL (bei
ohmscher Belastung).
Gleichrichtermodule mit 4
Dioden
Spannungen und Laststrom beim Zweiweg-Gleichrichter mit idealen Dioden
Vorteil: Es werden beide Halbwellen ausgenutzt.
In elektronischen Geräten werden normalerweise keine Einzeldioden verwendet, sondern

Brückengleichrichtermodule die 4 Dioden enthalten.
-32-
Glättung der Ausgangsspannung mit Glättungskondensator (Ladekondensator)
Um eine saubere Gleichspannung zu erhalten muss die pulsierende Ausgangsspannung einer

Gleichrichterschaltung geglättet werden. Hierzu wird ein Glättungs- oder Ladekondensator CL
am Ausgang parallel zur Last geschaltet.
Video
Wechselspannung
und Gleichrichter
https://www.youtu
be.com/watch?v=S
FeRbLnz8NI
Zweiweg-Gleichrichter mit Glättungskondensator
Ausgangsspannung des Zweiweg-Gleichrichters mit kleinem und großem Glättungskondensator
Der Kondensator CL stellt einen Energiespeicher dar, der sich auf den Maximalwert der
Ausgangsspannung auflädt. CL muss deshalb auf den Scheitelwert der Ausgangsspannung
ausgelegt sein.
In der darauffolgenden Pause gibt der Kondensator einen Teil seiner Energie an den
Lastwiderstand ab. Bei genügend großer Kapazität von CL erhält man eine konstante
Gleichspannung.
-33-
4.3 Gleichrichtwert
Der Gleichrichtwert ist der arithmetische Mittelwert einer gleichgerichteten Spannung.
Gleichrichtwert und Effektivwert sind die beiden wichtigsten Mittelwerte von periodischen
Wechsel- und Mischgrößen. Sie können bei beliebigen periodischen Schwingungen durch
Integration berechnet werden. Gleichrichtwerte werden durch „Überstreichen“
gekennzeichnet, Effektivwerte dagegen durch Großbuchstaben.
Zum Beispiel ist bei einem Gleichstrommotor das Drehmoment proportional zum
Gleichrichtwert des Motorstroms.
Definition: Der arithmetische Mittelwert ist der Durchschnittswert den Strom bzw.
Spannung während einer Periode annehmen.
𝐓 𝐓
𝟏
𝐮 = ⋅ ∫ 𝐮(𝐭) 𝐝𝐭 𝐛𝐳𝐰. 𝐮 ⋅ 𝐓 = ∫ 𝐮(𝐭) 𝐝𝐭
𝐓 𝟎 𝟎
Beispiel: Arithmetischer Mittelwert einer Rechteckschwingung
Video
Arithmetischer
Mittelwert
m/watch?v=RlyfmqA1Nos
T
Die grüne Fläche unter der periodischen Schwingung während einer Periode (∫0 u(t) ⋅ dt)
entspricht der roten Rechteckfläche (u ⋅ T)
Durch Integration erhält man:
T 1ms 3ms
1 1
u= ⋅ ∫ u(t) ⋅ dt = ⋅ [∫ 6V ⋅ dt + ∫ 0V ⋅ dt]
T 0 3ms 0 1ms
1 1
u= ⋅ [6V ⋅ t]1ms
0 = ⋅ [6V ⋅ 1ms − 6V ⋅ 0] = 2V
3ms 3ms
-34-
Aufgaben zu den Gleichrichtern
Aufgabe 4-1
Berechne mit Hilfe der Integration den arithmetischen Mittelwert (Gleichrichtwert) der
Ausgangsspannung, wenn am Eingang eine sinusförmige Wechselspannung mit der Amplitude
û anliegt.
Die Dioden sollen als ideal betrachtet werden, so dass gilt: ûL = û
a) Einweg-Gleichrichtung ohne Glättungskondensator
-35-
b) Zweiweg-Gleichrichtung ohne Glättungskondensator
-36-
Aufgabe 4-2
Katrin ist der Meinung, dass bei ihrer Geburtstagsparty
keine Stimmung aufkommen wird, weil die Lichterkette
zu hell leuchtet. Sie hat die Idee, mit Hilfe einer Diode,
die Leuchtkraft zu reduzieren. Bei der Lichterkette
handelt es sich um 30 Glühbirnen von 40W/230V in
Parallelschaltung.
Lichterkette
a) Zeichne die Schaltung der Lichterkette mit Diode und erkläre die Funktionsweise.
b) Um wieviel Prozent wird die Leuchtkraft reduziert? Begründe deine Aussage!
c) Wähle eine passende Diode aus. Welche elektrischen Größen müssen hierzu beachtet
werden? (Datenblätter von Dioden findest du im Internet - z.B. Dioden-Typen: 1N4997,
1N5408, BY550, SB540)
-37-
Aufgabe 4-3
Während Katrin sich schick macht für die Party, liest sie auf
ihrem Föhn die Aufschrift 1600W/230V und fragt sich wie so
ein Föhn wohl genau funktioniert?
Im Internet findet sie den Schaltplan und die folgenden
Angaben:
Katrin mit ihrem Föhn
Motor: Gleichstrom-Motor für 50V
Heizdrahtwiderstand: R = 35Ω.
Schaltplan von einem Föhn
Erkläre die Funktion aller Elemente im Schaltplan!
-38-
-39-
5 Der Transistor
Der Transistor ist eine der wichtigsten Erfindungen
des 20. Jahrhunderts. Der erste funktionierende
Bipolar-Transistor wurde 1947 in den Bell
Laboratories (USA) entwickelt. Das amerikanische
Forscherteam (Bardeen, Shockley, Brattain) bekam
hierfür 1956 den Physik Nobelpreis.
Video Transistor
K-H Meier
m/watch?v=6KDafv1SZ9U
Der erste Transistor
Transistoren sind Halbleiterbauelemente die, wie ein

Schalter, den Strom ein- und ausschalten können oder
als Verstärker für Strom und Spannung angewendet
werden. Somit werden sie heute in fast allen
elektronischen Geräten benötigt. Besonders im
Bereich der Digitaltechnik wurde die Entwicklung
Einzelne Transistoren in
moderner Computer, Smartphones und des Internets verschiedenen Gehäuseformen
erst durch den Transistor ermöglicht.
Ein Transistor kann als einzelnes Bauelement verwendet werden oder in einer integrierten
Schaltung, wo sich mehrere Milliarden von
einzelnen Transistoren auf einer unvorstellbar
winzigen Fläche auf einem Silizium-Wafer
befinden können.
Je nach Anordnung und Abmessungen der

dotierten Halbleiterschichten erhält man
unterschiedliche Transistortypen wie z.B.
Bipolar- oder Feldeffekt-Transistoren (FET).
Einzelner Transistor auf Si-Plättchen mit
Anschlussdrähten
-40-
5.1 Aufbau und Schaltzeichen des NPN-Bipolartransistors

Der NPN-Transistor besteht aus zwei N-leitenden Zonen, zwischen denen sich eine schmale P-
leitende Zone befindet.
Die drei Schichten und ihre zugehörigen Anschlüsse werden bei den bipolaren Transistoren als
Emitter E, Basis B und Kollektor C bezeichnet. Der Emitter (emittere (lat.) = aussenden) liefert
die Ladungsträger. Der Kollektor (collector (lat.) = Sammler) sammelt die Ladungsträger
wieder ein. Die Basis (basis (lat.) = Grundlage) ist die Steuerelektrode.
Im Prinzip ist der Aufbau des Transistors ähnlich wie zwei gegensinnig geschaltete Dioden.
Ein Transistor kann aber nicht aus zwei getrennten Dioden aufgebaut werden, da die Basis nur
einige µm dick sein darf.
• Kollektor-Emitterspannung UCE
• Basis-Emitterspannung UBE
• Kollektorstrom IC
• Basisstrom IB
• Emitterstrom IE
Alle Spannungen werden auf den Emitter bezogen!
Video Transistor
(werde Ingenieur)
m/watch?v=5wIRJN3DN_8
5.2 Wirkungsweise
Im NPN-Transistor befinden sich zwei PN-Übergänge. Es entstehen also zwei Sperrschichten
in welchen sich keine freien Ladungsträger befinden.
Ist die Basis-Emitter-Spannung UBE = 0V oder kleiner als die Schleusenspannung US ≈ 0,7V der
Basis-Emitter-Strecke, so sperrt der Transistor und es fließt kein Strom (IB = 0, IC = 0).
-41-
Wird die Basis-Emitter-Spannung UBE größer als die Schleusenspannung US ≈ 0,7V der Basis-
Emitter-Strecke, so beginnt der Transistor zu leiten. Es fließt ein großer Strom IC vom
Kollektor zum Emitter (und ein sehr kleiner Strom IB).
Die Emitterzone ist beim Bipolartransistor stark dotiert, die Kollektorzone etwas weniger. Die
außerordentlich dünne Basisschicht enthält nur eine geringe Anzahl Fremdatome. Fließt ein
Basisstrom IB, überfluten vom Emitter her viele Elektronen die dünne Basisschicht.
Da diese Schicht nur schwach dotiert ist, können nur wenige Elektronen mit Löchern
rekombinieren. Es fließt nur ein schwacher Basisstrom. Die meisten Ladungsträger gelangen
durch das starke elektrische Feld der Basis-Kollektor-Sperrschicht zum Kollektor, wodurch ein
hoher Kollektorstrom entsteht. Er kann um den Faktor 10 bis 500 mal größer sein als der
Basisstrom.
Wird UBE > 0,7V, so wird der Transistor leitend (Strom IC fließt vom Kollektor zum Emitter)
Mit einem kleinen Basisstrom IB kann somit ein großer Kollektorstrom IC gesteuert werden.
Dies erklärt die Verstärkungswirkung des Transistors. Um den kleinen Basisstrom IB in einen
großen Kollektorstrom IC zu verstärken, muss natürlich eine externe Energiequelle zur
Verfügung stehen, die den größeren Kollektorstrom auch liefern kann. Diese externe
Energiequelle ist die Versorgungsspannung UB (Batterie) der Transistorschaltung.
Der Emitterstrom IE ist die Summe aus Kollektorstrom IC und Basisstrom IB : 𝐈𝐄 = 𝐈𝐂 + 𝐈𝐁

(wobei der Basisstrom IB vernachlässigbar klein ist)
-42-
Der Transistor
(Leifiphysik)
https://www.leifiphysik.d
e/elektronik/transistor/gr
Mechanisches Wassermodell eines Transistors undwissen/der-transistor-
effekt
Das mechanische Wassermodell eines Transistors veranschaulicht die Verstärkungswirkung:
Ein kleiner Basisstrom steuert einen großen Kollektorstrom!
Man kann einen Transistor auch als einen mit dem Basisstrom gesteuerten Widerstand
betrachten.
5.3 Kennlinien des Transistors

Wie bei einer Diode lassen sich auch bei einem Transistor Kennlinien messtechnisch mit der
folgenden Versuchsschaltung aufnehmen:
Versuchsschaltung zur Aufnahme von Transistorkennlinien
-43-
Eingangskennlinie
Der Zusammenhang zwischen dem Basisstrom IB und der Basis-Emitterspannung UBE) wird als
Eingangskennlinie eines Transistors bezeichnet. Weil es sich hierbei um einen PN-Übergang
handelt ist die Kennlinie identisch mit einer Diodenkennlinie.
Eingangskennlinie: IB = f(UBE) bei UCE = konst.
Video Transistor
Eingangskennlinie
https://www.youtu
be.com/watch?v=j6
BEg50hY2w
Die Eingangskennlinie hat den Verlauf einer in Durchlassrichtung betriebenen Diode. Für
Siliziumtransistoren ergibt sich eine Schleusenspannung von ca. 0,65V. Erst nach
Überschreiten der Schleusenspannung kann ein Basisstrom fließen.
Stromsteuerkennlinie (Stromverstärkungskennlinie)
Die Stromsteuerkennlinie gibt den Zusammenhang zwischen Kollektorstrom IC und
Basisstrom IB an.
Stromverstärkungskennlinie: IC = f(IB) bei UCE = konst.
Video Transistor
Stromsteuerkennlinie
https://www.youtube.com/w
atch?v=4TDdlGQ4k7Y
-44-
Das Verhältnis zwischen Kollektorstrom IC und Basisstrom IB wird als Gleichstromverstärkung

B bezeichnet.
𝐈𝐂
𝐁=
𝐈𝐁
Ausgangskennlinien
Die Ausgangskennlinie gibt den Zusammenhang zwischen IC und UCE bei einem konstanten
Basistrom IB an. Weil dieser Zusammenhang für jeden Basisstrom ändert, gibt es für jeden
Basisstrom eine eigene Kennlinie. Man erhält somit ein Ausgangskennlinienfeld.
Ausgangskennlinien: IC = f(UCE) bei IB = konst.
Video Transistor
Ausgangskennlinien
m/watch?v=Jz2BB9GcmTE
5.4 Grenzwerte
Jeder Transistor hat natürlich auch Grenzwerte die nicht überschritten werden dürfen,
ansonsten wird der Transistor zerstört.
• maximaler Kollektorstrom ICmax

• maximaler Basisstrom IBmax
• maximale Kollektor-Emitter-Spannung UCEmax
• maximale Verlustleistung PVmax (hängt von der Kühlung des Transistors ab)
mit 𝐏𝐕 = 𝐔𝐂𝐄 ⋅ 𝐈𝐂 + 𝐔𝐁𝐄 ⋅ 𝐈𝐁
-45-
Vierquadranten-Kennlinienfeld
Werden die 3 Kennlinien zu einem so genannten Vierquadranten-Kennlinienfeld
zusammengefügt, so erkennt man die Verstärkungswirkung. Legt man eine konstante
Spannung UCE (Betriebsspannung – z.B. UCE = 5V) an den Transistor und verändert die
Eingangsspannung UBE zwischen 0,6V – 0,8V, so ergeben sich verschiedene Basisströme IB.
Für jeden Basisstrom IB erhält man einen verstärkten Kollektorstrom IC und einen
entsprechenden Arbeitspunkt A auf einer Ausgangskennlinie.
4-Quadranten Kennlinienfeld beim bipolaren Transistor
-46-
5.5 Der Transistor als Schalter

Ein Transistor kann als elektronisch gesteuerter
Schalter betrachtet werden. Mit einem kleinen
Basisstrom IB schaltet kann man einen großen
Kollektorstrom IC resp. mit einer kleinen Spannung UBE
schaltet man eine große Spannung UCE ein- und aus.
Ein Verbraucher (Lampe, Motor) in Reihe mit dem
Transistor als Schalter Transistor, kann somit wie mit einem elektronisch
betätigten Schalter ein- und ausgeschaltet werden. Der
Verbraucher wird oft als Kollektorwiderstand RC dargestellt.
Anstelle vom Widerstand RC kann ein beliebiger

Verbraucher (Lampe, Motor) geschaltet werden!
Video Transistor
als Schalter
https://www.youtu
be.com/watch?v=t
6W9VwONJys
Transistor als Schalter
Ein Vorwiderstand RV sorgt dafür, dass der maximal zulässige Wert des Basisstroms IBmax nicht
überschritten wird. Der Wert von RV hängt auch vom maximalen Wert der Steuerspannung USt
ab: 𝐔𝐒𝐭 − 𝐔𝐁𝐄
𝐑𝐕 =
𝐈𝐁𝐦𝐚𝐱
Weil der Kollektorwiderstand RC (Verbraucher) in Reihe mit dem Transistor geschaltet ist kann
man, wie bei einer Diode, eine Arbeitsgerade in das Kennlinienfeld einzeichnen.
Weil bei dieser Schaltung der Emitter des Transistors an Masse angeschlossen ist wird sie oft
als Emitterschaltung bezeichnet.
-47-
Sobald UBE die Schwellenspannung US (= 0,7V) übersteigt, wird der Transistor leitend (Schalter
geschlossen) und der Arbeitspunkt befindet sich auf der IC-Achse. Ist UBE kleiner als US, so
sperrt der Transistor (Schalter offen) und der Arbeitspunkt befindet sich auf der UCE-Achse.
Idealer Transistor als Schalter: Arbeitspunkte in gesperrtem und leitendem Zustand
Die hier gezeigten Arbeitspunkte gelten für einen idealen Transistor in leitendem resp.
gesperrten Zustand. In der Praxis gibt es jedoch keinen idealen Transistor, so dass sich in
Wirklichkeit der Arbeitspunkt des Transistors in leitendem Zustand etwas nach rechts (UCE
sehr klein und IC etwas kleiner als ICmax) bzw. in gesperrten Zustand etwas nach links (UCE etwas
kleiner als UB und IC sehr klein) auf der Arbeitsgerade verschiebt.
Realer Transistor als Schalter – Arbeitspunkte beim Ein- und Ausschalten
-48-
5.6 Elektronik Praxis

Berührungstaster
Mit einem Transistor kann man einen einfachen Berührungstaster aufbauen. Bei Berührung
fließt genug Strom von UB über die Haut des Fingers zur Basis damit der Transistor
durchschaltet und eine Lampe ansteuert! Ein Potentiometer (verstellbarer Widerstand) dient
zur Empfindlichkeitseinstellung und zum Schutz des Transistors vor zu hohem Basisstrom.
Video Berührungs-
Taster
https://www.youtube.com/w
atch?v=39ujTQrMfP8
Berührungstaster
Treppenhausbeleuchtung (Ausschaltverzögerung)
Eine Lampe soll nach kurzer Betätigung eines Tasters T für eine gewisse Zeit leuchten.
Während der Taster geschlossen ist, lädt der Kondensator sich auf, der Transistor wird leitend
und die Lampe leuchtet. Bei geöffnetem Taster entlädt der Kondensator sich über die Basis
des Transistors. Der Basisstrom IB ist für eine kurze Zeit groß genug um den Transistor leitend
zu halten. Ist der Kondensator entladen, sperrt der Transistor und die Lampe geht wieder aus.
Will man die Leuchtdauer der Lampe verändern, so muss man den Kondensator wechseln!
Video
Ausschaltverzögerung
https://www.youtube.com/wat
ch?v=hWMUMEhtKVw
Ausschaltverzögerung
-49-
Treppenhausbeleuchtung mit Mikrocontroller

Eine solche Schaltung wird in der modernen Elektronik mit einem Mikrocontroller realisiert.
Der Taster wird vom Controller permanent eingelesen und überwacht. Sobald er gedrückt
wird schaltet der Controller einen Transistor, der wiederum die Lampe ansteuert. Die
Leuchtdauer der Lampe kann per Softwarecode beliebig programmiert werden.
Funduino Taster
einlesen
https://funduino.de/n
r-5-taster-am-
arduino#Sketch_Nr6_
Eine_LED_per_Tasten
druck_aktivieren
-50-
Dämmerungsschalter
Mit einem lichtabhängigen
Widerstand (LDR = Light Dependant
Resistor) und einem Transistor kann
man eine Schaltung bauen, die das
Licht bei Dämmerung automatisch
einschaltet. Je dunkler es wird, desto
größer wird der Widerstand eines
LDR. Ersetzt man in einem Kennlinie von einem LDR
Spannungsteiler den unteren

Widerstand mit einem LDR, so steigt die Spannung mit zunehmender Dunkelheit an. Diese
Spannung kann man an die Basis eines Transistors anschließen, um bei Dämmerung eine
Lampe einzuschalten.
Video
Dämmerungssch
alter
https://www.youtube
.com/watch?v=-
VmZ2sxXYvY
Dämmerungsschalter
Um die Widerstände zu dimensionieren muss der LDR zunächst mit einem Ohm-Meter
ausgemessen werden und seine Widerstandswerte für „hell“ und „dunkel“ ermittelt werden.
Danach muss der Spannungsteiler so eingestellt werden, dass für den Widerstandswert
„dunkel“ die Spannung am LDR bei der gewählten Betriebsspannung groß genug ist, damit der
Transistor durchschaltet. (wiederhole hierzu das Kapitel Spannungsteiler vom letzten Jahr
oder informiere dich im Internet)
-51-
Bei einem modernen Dämmerungsschalter wird die Spannung am LDR von einem analogen
Eingang eines Mikrocontrollers eingelesen, und je nach dessen Wert die Lampe eingeschaltet
oder nicht. Durch die Programmierung ist man flexibler und kann die Schaltung einfach und
genau einstellen.
Dämmerungsschalter mit Mikrocontroller
Arduino.cc
Analoge
Spannung
einlesen
https://www.arduino.
cc/en/Tutorial/Analog
Input
-52-
Drehzahlsteuerung von einem Gleichstrommotor mit Mikrocontroller

Das folgende Beispiel zeigt ein Ausblick auf die vielfältigen Möglichkeiten der Elektronik mit
Mikrocontroller. Mit wenigen elektronischen Bauteilen ist es möglich einen Gleichstrommotor
ein- und auszuschalten sowie seine Drehzahl zu steuern. Zur Steuerung der Drehzahl wird der
Transistor vom Mikrocontroller sehr schnell mit einem verstellbaren Tastverhältnis ein- und
ausgeschaltet (Pulsweitenmodulation – PWM).
Ansteuerung von einem Gleichstrommotor mit Mikrocontroller und Transistor
Bei der Pulsweitenmodulation (PWM) wird ein Verbraucher mit einem Rechtecksignal
konstanter Amplitude UB mit hoher Frequenz f = 1/T (kHz Bereich) während der Zeit Tein
eingeschaltet und während der Zeit Taus ausgeschaltet (Tein + Taus = T). Das Tastverhältnis Tein/T
̅ 𝒎 der anliegenden Spannung. Durch die „Trägheit“
(Duty Cycle) bestimmt den Mittelwert 𝑼
des Verbrauchers scheint es, als ob eine Gleichspannung mit dem Mittelwert des PWM-Signals
anliegt. Weil ein Transistor nur während der sehr kurzen Schalt-Übergänge Verlustleistung
aufnimmt, kann man mit diesem Verfahren die Leistung eines Verbrauchers ohne
nennenswerte Verluste (Elektrische Energie, die durch Wärme verloren geht) steuern.
Weil in einem Elektromotor Spulen (Induktivitäten) enthalten sind, entstehen beim Ein- und
Ausschalten hohe Selbstinduktionsspannungen. Um den Transistor gegen diese
Spannungsspitzen zu schützen, schaltet man eine Diode parallel. (Freilaufdiode).
-53-
Mikrocontroller haben spezielle PWM-Ausgänge und Befehle, mit denen sich eine PWM-
Steuerung sehr einfach programmieren lässt. Die verwendeten PWM-Frequenzen können
einige kHz betragen.
𝟏
𝐔𝐦 = ∙𝐔
𝟒 𝐁
𝟐 𝟏
𝐔𝐦 = ⋅ 𝐔𝐁 = ⋅ 𝐔𝐁
𝟒 𝟐
𝟑
𝐔𝐦 = ⋅𝐔
𝟒 𝐁
𝐓𝐞𝐢𝐧
̅𝐦 =
𝐌𝐢𝐭𝐭𝐞𝐥𝐰𝐞𝐫𝐭 𝐔 ⋅ 𝐔𝐁
𝐓
Mit dem PWM-Verfahren kann man nicht nur Gleichstrom-Motoren mit variabler Drehzahl
ansteuern, sondern auch die Helligkeit von Lampen oder die Leistung einer Heizung verändern
(Dimmer).
Video
PWM
https://www.youtube
.com/watch?v=B_Ysd
v1xRbA
-54-
Ansteuerung von einem Gleichstrommotor mit Rechts-Links-Lauf (H-Brücke)

Bei einem Gleichstrommotor kann man die Drehrichtung durch Umkehren der Stromrichtung
verändern (vertauschen von Plus- und Minuspol der Spannungsquelle). Dies kann man mit der
folgenden Schaltung erreichen, bei der ein Mikrocontroller 4 Transistoren so ansteuert, dass
jeweils 2 Transistoren gleichzeitig leiten oder sperren (T1 und T4 resp. T2 und T3).
Leiten T1 und T4, so fließt der Strom von „links“ nach „rechts“ durch den Motor. Leiten T3 und
T2, wird die Stromrichtung umgekehrt.
Zusätzlich kann man mit Pulsweitenmodulation (PWM) die Drehzahl stufenlos verstellen.
Mit einer solchen Schaltung könnte man z.B. ein Elektroauto mit Vorwärts- und
Rückwärtsgang ansteuern.
H-Brücke zur Drehrichtungsumkehr von einem Gleichstrommotor
Zum Schutz der Transistoren gegen Selbstinduktionsspannungen, die beim Schalten der
Motorströme entstehen, müssen Freilaufdioden parallel zu den Transistoren geschaltet
werden.
Eine solche Schaltung bezeichnet man als H-Brücke. Sie wird sehr häufig in der Elektronik
angewendet. Es gibt H-Brücken als integrierte Schaltungen für unterschiedliche Ströme und
Leistungen für kleine und große Motoren.
-55-
Das folgende Bild zeigt einen Ausschnitt aus dem Datenblatt einer integrierten H-Brücke zur
Ansteuerung von Gleichstrommotoren (L293D).
Integrierte H-Brücke L293D zur Ansteuerung von Gleichstrommotoren
L293 Motor Video

Driver L293D Motor
https://create.arduin Driver Shield
o.cc/projecthub/elect https://www.youtube
ropeak/arduino- .com/watch?v=VQmx
l293d-motor-driver- U7CV9bM
shield-tutorial-c1ac9b
-56-
5.7 Der Transistor als Verstärker

Ein Transistor kann nicht nur als
elektronischer Schalter verwendet werden,
um Lampen oder Motoren zu schalten,
sondern auch als Verstärker. Der Transistor
ist das wichtigste Element in einem
Hifiverstärker
modernen Musik- oder Gitarrenverstärker.
Kleine Ströme und Spannungen können
soweit verstärkt werden, dass sie hoch genug sind, um große Lautsprecherboxen mit hoher
Leistung zu betreiben.
Auch in der Mess- und Sensortechnik müssen oft sehr kleine Spannungen und Ströme mit
Transistoren verstärkt werden.
Wird der Transistor als Schalter verwendet kann seine

Ausgangsspannung UCE nur 2 Extremwerte annehmen: UCE =
0V (Transistor leitet) und UCE = UB (Transistor sperrt). Will man
den Transistor als Verstärker verwenden, um eine kleine
Wechselspannung UBE an der Basis in eine große
Wechselspannung UCE zu verstärken, die alle Werte zwischen
0V und UB annehmen kann, so muss man die zu verstärkende
Spannung UBE in den linearen Bereich der Eingangskennlinie
„anheben“. Hierzu kann man einen Spannungsteiler aus R1 und
R2 an die Basis legen, der eine dauerhafte Gleichspannung von Gitarrenverstärker
etwas mehr als 0,6V erzeugt (Basisvorspannung).
Diese Maßnahme nennt man Arbeitspunkteinstellung mit Basisspannungsteiler.
Hierdurch bringt man den Transistor in einen „halb-leitenden“ Ruhezustand. Im

Ausgangskennlinienfeld bewegt sich der Arbeitspunkt A ebenfalls ungefähr in die Mitte der
Arbeitsgerade von RC. Die Ausgangsspannung UCE des Verstärkers beträgt dann im
„Ruhezustand“ ungefähr die Hälfte der Betriebsspannung UB (UCE ≈ UB/2).
-57-
Auf diese Weise können sowohl die „oberen“ Anteile (grösser als der Mittelwert) wie auch
„unteren“ Anteile (kleiner als der Mittelwert) der Eingangswechselspannung UBE
gleichermaßen verstärkt werden.
Die Ausgangsspannung UCE wechselt somit auch zwischen 0V und der maximalen Spannung
UB hin und her.
Arbeitspunkteinstellung mit Basisspannungsteiler
Eingangsspannung = UBE
Ausgangsspannung = UCE
Transistor als Verstärker (Arbeitspunkteinstellung mit Basisspannungsteiler)
Im Vierquadranten-Kennlinienfeld erkennt man die Arbeitspunkte der Transistorschaltung am

Eingang APE und am Ausgang APA (im Ruhezustand ohne Eingangswechselspannung).
Arbeitspunkte:
Am Eingang: APE (UBE = 0,7V; IB = 0,2mA)
Am Ausgang: APA (UCE = 6V; IC=10mA)
Vierquadranten-Kennlinienfeld mit eingangs- und ausgangsseitigem Arbeitspunkt (Quelle: Europa Lehrmittel)
-58-
Nach Ablesen von UBE und IB (Arbeitspunkt am Eingang) können die Werte von R1 und R2
berechnet werden:
𝐔𝟏 𝐔𝐁 − 𝐔𝐁𝐄 𝐔𝐁𝐄 𝐈𝐪
𝐑𝟏 = = 𝐑𝟐 = 𝐦𝐢𝐭 𝐪 =
𝐈𝟏 𝐈𝐁 + 𝐈𝐪 𝐈𝐪 𝐈𝐁
Das Querstromverhältnis q bestimmt den Zusammenhang zwischen dem „Querstrom“ Iq

(Strom durch R2) und IB. In der Praxis werden für q Werte zwischen 1 und 10 gewählt. Für
kleinere Werte von q ist die Basisspannung nicht mehr stabil genug und für größere Werte
von q wird der Stromverbrauch zu groß.
Der Schnittpunkt des Kollektorstroms IC von der Stromsteuerkennlinie und der dem Strom IB
entsprechenden Ausgangskennlinie ergibt die Spannung UCE für den Arbeitspunkt am Ausgang
des Transistors.
Der Kollektorwiderstand RC berechnet sich aus der vorgegebenen Betriebsspannung UB

(Netzteil oder Batteriespannung) sowie den abgelesenen Werten UCE und IC vom Arbeitspunkt
am Ausgang.
𝐔𝐑𝐂 𝐔𝐁 − 𝐔𝐂𝐄
𝐑𝐂 = =
𝐈𝐂 𝐈𝐂
-59-
Jetzt kann auch die Arbeitsgerade für den Kollektorwiderstand RC in das

Ausgangskennlinienfeld gezeichnet werden. (siehe Diagramm). Hierzu benötigt man die 2
Punkte ICmax = UB/RC und UCEmax = UB.
Video Transistor
Kennlinien +
Verstärker
https://www.youtube
.com/watch?v=b4OpU
qBI9WU
Arbeitsgerade von RC im Ausgangskennlinienfeld
Gleichung der Arbeitsgeraden:
𝐔𝐑𝐂 𝐔𝐁 − 𝐔𝐂𝐄 𝐔𝐂𝐄 𝐔𝐁 𝟏 𝐔𝐁

𝐈𝐂 = = =− + =− ⋅ 𝐔𝐂𝐄 +
𝐑𝐂 𝐑𝐂 𝐑𝐂 𝐑𝐂 𝐑𝐂 𝐑𝐂
𝟏 𝐔𝐁
𝐈𝐂 = − ⋅ 𝐔𝐂𝐄 +
𝐑𝐂 𝐑𝐂
Das Verstärkungsprinzip wird durch das Zusammenwirken der Transistorkennlinien im

Vierquadranten-Kennlinienfeld sichtbar:
Die Eingangswechselspannung wird der Basis-Emitter-Gleichspannung UBE vom

Spannungsteiler überlagert. Die zwischen Basis und Emitter liegende Spannung ist nun eine
Mischspannung die sich mit ΔUBE ändert.
Die Spannungsänderung ΔUBE wird über die Eingangskennlinie in eine Stromänderung ΔIB
umgewandelt. Diese Stromänderung ΔIB erzeugt gemäß der Stromverstärkungskennlinie auch
auf der Ausgangsseite des Transistors eine Stromänderung ΔIC.
Am Kollektorwiderstand RC erzeugt die Stromänderung ΔIC eine Spannungsänderung ΔURC und
folglich auch ΔUCE.
Man erkennt, dass die verstärkte Ausgangswechselspannung UCE gegenüber der
Eingangswechselspannung UBE um 180° phasenverschoben ist.
-60-
Man unterscheidet beim Transistor als Verstärker zwischen der Spannungsverstärkung Vu,
Stromverstärkung Vi, und Leistungsverstärkung Vp. Diese werden folgendermaßen berechnet
(die verschiedenen Differenzwerte werden aus den Kennlinien herausgelesen; die
Verstärkungen sind Zahlenwerte ohne Einheit):
∆𝐔𝐂𝐄 ∆𝐈𝐂 ∆𝐔𝐂𝐄 ⋅ ∆𝐈𝐂

𝐕𝐮 = 𝐕𝐢 = 𝐕𝐩 = = 𝐕𝐮 ⋅ 𝐕𝐢
∆𝐔𝐁𝐄 ∆𝐈𝐁 ∆𝐔𝐁𝐄 ⋅ ∆𝐈𝐁
Verstärkungswirkung einer Wechselspannung im Vierquadranten-Kennlinienfeld
-61-
Um zu verhindern, dass der Arbeitspunkt durch Gleichspannungsanteile in der Signalquelle

UBE verschoben wird und dass Gleichströme von der Transistorschaltung in die Signalquelle
oder eine nachfolgende Schaltung hineinfließen können, werden Koppelkondensatoren C1
und C2 an Ein- und Ausgang geschaltet. (Bei der Verstärkung von Wechselspannungen
interessiert nur der reine Wechselanteil - ein Kondensator sperrt Gleichspannung, lässt
Wechselspannung jedoch durch)
Verstärkerschaltung mit Koppelkondensatoren
Arbeitspunktstabilisierung mit Stromgegenkopplung (Emitterwiderstand RE)

Durch den Stromfluss erwärmt sich der Transistor, sein Widerstand verringert und die Ströme
IB und IC im Arbeitspunkt vergrößern sich. Dies hat eine Verschiebung der Arbeitspunkte im
Eingang und Ausgang zur Folge.
Durch Hinzuschalten von einem Emitterwiderstand RE zwischen Emitter und Masse kann man
dieser Arbeitspunktverschiebung entgegenwirken (Arbeitspunktstabilisierung).
Arbeitspunktstabilisierung mit Stromgegenkopplung
Wenn IB und IC durch die Erwärmung größer werden, vergrößert sich auch der Emitterstrom IE
und somit auch die Spannung 𝑈𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 ∙ 𝐼𝐸 am Widerstand RE. UR2 bleibt jedoch konstant
wegen dem fest eingestellten Spannungsteiler und der konstanten Betriebsspannung U B.
-62-
Es gilt:
𝐔𝐑𝟐 = 𝐔𝐁𝐄 + 𝐔𝐑𝐄 ⟺ 𝐔𝐁𝐄 = 𝐔𝐑𝟐 − 𝐔𝐑𝐄
Wenn URE größer wird dann wird UBE kleiner und IB und IC verringern sich wieder. Die
Arbeitspunkte „wandern“ wieder zurück auf die ursprünglichen Positionen.
Wirkungskette:
𝐓𝐞𝐦𝐩𝐞𝐫𝐚𝐭𝐮𝐫 𝛝 ↑ ⇒ (𝐈𝐁 + 𝐈𝐂 ) ↑ ⇒ 𝐈𝐄 ↑ ⇒ 𝐔𝐑𝐄 ↑ ⇒ 𝐔𝐁𝐄 ↓ ⇒ (𝐈𝐁 + 𝐈𝐂 ) ↓
Dieses Prinzip wird Stromgegenkopplung genannt, weil ein steigender Strom IE einer
Vergrößerung von IB und IC entgegenwirkt.
Weil durch den Emitterwiderstand RE die Verstärkung herabgesetzt wird (IE wird kleiner),
schaltet man in der Praxis einen Kondensator CE parallel zu RE. Somit können Wechselströme
ungehindert über CE fließen und die Verstärkung wird nicht beeinflusst.
Arbeitspunkteinstellung mit Basisvorwiderstand

Je hochohmiger man die Widerstände R1 und R2 in der obigen Schaltung wählt, desto kleiner
wird der Einfluss des Querstromes Iq auf die Spannungsteilung und um so mehr geht der
Basisstrom IB ein. Im Grenzfall kann deshalb die Spannung UBE auch durch einen genügend
großen Vorwiderstand erzeugt werden. Der Widerstand R1 muss so groß gewählt werden, dass
der über ihn fließende Basisstrom IB groß genug ist, um den Transistor im halb-leitenden
Ruhezustand (Arbeitspunkt) zu halten.
𝐔𝟏 𝐔𝐁 − 𝐔𝐁𝐄
𝐑𝟏 = =
𝐈𝐁 𝐈𝐁
Transistor als Verstärker (Arbeitspunkteinstellung mit Basisvorwiderstand)
Für R1 kann zum Beispiel ein Stellwiderstand (Potentiometer) verwendet werden, der dann
auf den genauen Widerstandswert eingestellt wird.
-63-
5.8 Elektronik Praxis – Smartphone-Verstärker

Möchte man einen einfachen Verstärker zur Verstärkung eines schwachen Musiksignals von
einem Smartphone aufbauen, so muss der kleine Wechselstrom vom Smartphone
(Kopfhörerausgang) vom Transistor so weit verstärkt werden, dass et die Membran eines
Lautsprechers bewegen kann. Der Lautsprecher wird an die Stelle des Kollektorwiderstandes
RC geschaltet. Der Transistor funktioniert als Stromverstärker. Der Arbeitspunkt kann über
einen Basisvorwiderstand (Reihenschaltung R1 + Potentiometer) eingestellt werden.
Der Kondensator C (Koppelkondensator) verhindert, dass Gleichstrom von der Basis des
Transistors (und von UB) in die Signalquelle (Smartphone) hineinfließt und dass Gleichstrom
vom Smartphone in die Basis des Transistors fließt und so den Transistor permanent in den
leitenden Zustand versetzt (Arbeitspunktverschiebung). In diesem Fall wäre keine
Stromänderung von IC mehr möglich und der Verstärker wäre übersteuert.
Video Transistor
Verstärker mit
Lautsprecher
https://www.youtube
.com/watch?v=0Mzwi
EnAUKU
Einfache Verstärkerschaltung zum Verstärken eines Musiksignals
Achtung:
Weil ein normaler Lautsprecher einen relativ kleinen Gleichstromwiderstand (4-8Ω) besitzt,
kann der Strom IC durch den Lautsprecher ziemlich groß werden (abhängig von der
Betriebsspannung UB und des eingespeisten Basisstroms IB). Der hier verwendete
Kleinsignaltransistor könnte so überhitzen. Diese Schaltung eignet sich deshalb nicht für
Dauerbetrieb. Man kann damit jedoch die Stromverstärkung des Transistors anschaulich
demonstrieren.
-64-
Beim Betrieb dieser Schaltung sollte man deshalb die Stromaufnahme überwachen
(Amperemeter an der Betriebsspannungsquelle). Der Kollektorstrom darf längerfristig nicht
größer als der im Datenblatt vom verwendeten Transistor angegebene Wert ICmax sein (z.B.
1,5A beim BC140 – siehe Datenblatt). Durch Berühren des Transistorgehäuses mit dem Finger
kann man auch leicht überprüfen, ob der Transistor überhitzt.
Im Folgenden ist die erste Seite vom Datenblatt des Transistors BC140 mit seinen Grenzwerten
gezeigt. Im Internet findet man die vollständigen Datenblätter aller elektronischen Bauteile.
Datenblatt NPN Transistor
-65-
Eine professionelle Verstärkerschaltung ist jedoch nicht ganz so einfach aufgebaut.
In der Praxis werden Musikverstärker als mehrstufige Transistorschaltungen aufgebaut.

Mehrere Transistoren unterschiedlicher Leistungen werden hintereinander geschaltet und
können so den sehr kleinen Strom einer Musikquelle (MP3-Player, Smartphone, E-Gitarre,
Mikrofon) in einen großen Strom zum dauerhaften Betrieb eines Lautsprechers verstärken.
Die nachfolgende Schaltung vermittelt einen Eindruck von der Komplexität einer solchen
Verstärkerschaltung.
Professioneller Audio Leistungsverstärker
-66-
Aufgaben zum Transistor

Aufgabe 5-1
Ein Bipolartransistor BD135 wird an eine Basis-Emitter-Spannung von UBE = 0,8V gelegt.
a) Welcher Kollektorstrom stellt sich ein?
b) Wie groß ist die Gleichstromverstärkung?
c) Wie groß ist die Verlustleistung des Transistors bei UCE = 10V?
-67-
Aufgabe 5-2
Ein Transistor mit nachfolgenden Ausgangskennlinien wird als Verstärker in Emitterschaltung
betrieben. Die Basis-Emitter-Vorspannung UBE wird mit einem Basisspannungsteiler erzeugt.
Bekannt sind folgende Größen:
UB = 24V; RC = 300Ω; IB = 100μA; q = 5; UBE = 0,65V
a) Zeichne die prinzipielle Schaltung.

b) Bestimme die Widerstandswerte R1 und R2 des Basisspannungsteilers.
c) Zeichne die Arbeitsgerade des Lastwiderstandes in das Ausgangskennlinienfeld ein.
d) Trage den Arbeitspunkt in die Kennlinie ein und ermittle für den Transistor die Kollektor-
Emitter-Spannung UCE, den Kollektorstrom IC sowie die Gleichstromverstärkung B im
Arbeitspunkt.
-68-
-69-
Aufgabe 5-3
Ein Transistor BD 130 wird mit einem Arbeitswiderstand von 1,25Ω an eine Spannung von 10V
angeschlossen.
a) Ermittle den ausgangs- und den eingangsseitigen Arbeitspunkt (IB = 0,2A).
b) Die Basisvorspannung UBE wird durch einen Basisvorwiderstand R1 erzeugt. Berechne den
Wert von R1.
-70-
Aufgabe 5-4
Ein Transistor BC237 wird in Emitterschaltung an einer Betriebsspannung UB = 15V betrieben
und der Kollektorstrom soll 20mA betragen. Die Gleichstromverstärkung des Transistors ist
mit 340 angegeben, die Basisvorspannung mit UBE = 0,625V.
a) Berechne die Widerstände R1 und R2, wenn die Basisvorspannung mit einem
Spannungsteiler erzeugt wird (q = 6).
b) Berechne den Widerstand R1, wenn die Basisvorspannung mit einem Vorwiderstand
erzeugt wird.
-71-
Aufgabe 5-5
Folgende Kennlinien eines Kleinsignaltransistors sind gegeben. Die Betriebsspannung soll 30V
betragen und der Kollektorwiderstand wird mit 300 angegeben.
Bestimme VI, VU und VP des Transistors. Die Änderung der Eingangsspannung ist mit ΔUBE
vorgegeben.
-72-
Bildverzeichnis
Alle hier nicht aufgeführten Bilder wurden von den Autoren selbst gezeichnet bzw.
fotografiert.
Deckblatt Elektronische Komponenten: PhotoProRo / shutterstock.com
Deckblatt Elektronische Leiterplatte mit Prozessor: Volodymyr Krasyuk / shutterstock.com
Seite 1 Elektronische Komponenten: PhotoProRo / shutterstock.com
Seite 1 Elektronische Leiterplatte mit Prozessor: Volodymyr Krasyuk / shutterstock.com
Seite 1 Arduino: AlexCorv / shutterstock.com
Europa Lehrmittel
Seite 2
Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD
Seite 3 Siliziumkristalle und -blöcke für Solarzellen: Sebastian Noethlichs / shutterstock.com
Seite 3 Silicon-Ingot: Peter Sobolev / shutterstock.com
Seite 3 Silicon Wafer: Morozov Anatoly / shutterstock.com
Seite 5 Juice Verve / shutterstock.com
Seite 7 Oleksiy Mark / shutterstock.com
Quelle: Wikimedia Commons: !Original: MionVector: Chris828

Seite 9 (https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Checkvalveopen.svg), „Checkvalveopen“,
https://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/legalcode
Quelle: Wikimedia Commons: !Original: MionVector: Chris828

Seite 9 (https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Checkvalveclosed.svg), „Checkvalveclosed“,
Seite 10 Sergiy Kuzmin / shutterstock.com
Seite 24 LED Leuchtreklamen: Tinnaporn Sathapornnanont / shutterstock.com
Seite 24 Leuchtdioden: von Peter Zvonar / shutterstock.com
Seite 24 LED-Lampen: ludinko / shutterstock.com
Quelle: Wikimedia Commons: Tijl Schepens (https://commons.wikimedia.org/wiki/File:RGB_LED_Spectrum.svg),

Seite 25
Seite 26 Europa Lehrmittel: Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD
Seite 30 Ladestation: Petair / shutterstock.com
Seite 30 Elektrische Steckdose mit angeschlossenem Ladegerät: 2p2play / shutterstock.com
Quelle: Wikimedia Commons: Smial at German Wikipedia

Seite 32 (https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Brueckengleichrichter_IMGP5380.jpg), „Brueckengleichrichter
IMGP5380“, https://creativecommons.org/licenses/by-sa/2.0/de/legalcode
Seite 37 sommert sombutwanitkul / shutterstock.com.
Seite 38 Dmitry Lobanov / shutterstock.com
Quelle: Wikimedia Commons: The original uploader was Stahlkocher at German

Seite 40 Wikipedia.(https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Nachbau_des_ersten_Transistors.jpg), „Nachbau des ersten
Transistors“, https://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/legalcode
Quelle: Wikimedia Commons:

Benedikt.Seidl (https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Transistors-white.jpg), „Transistors-white“, als
Seite 40
gemeinfrei gekennzeichnet, Details auf Wikimedia Commons: https://commons.wikimedia.org/wiki/Template:PD-
self
Description: w:Transistor die, wedge w:wire bonding * Author, date of creation: selfmade by Shaddack, 5
December 2005 * Source: self-made * Copyright: Public Domain (PD) * Comments: KSY34 transistor d
Seite 40
(https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Transistor-die-KSY34.jpg), „Transistor-die-KSY34“, als gemeinfrei
gekennzeichnet, Details auf Wikimedia Commons: https://commons.wikimedia.org/wiki/Template:PD-self
-73-
Quelle: Wikimedia Commons

Stefan Riepl (Quark48 21:02, 2. Dez. 2007 (CET))
Seite 43
(https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Transistor_animation.gif), „Transistor animation“,
https://creativecommons.org/licenses/by-sa/2.0/de/legalcode
Europa Lehrmittel
Seite 43 Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD
Bild 203-2 Messschaltung zur Kennlinienaufnahme eines NPN-Transistors
Quelle: Wikimedia Commons:

Seite 46 FranzF94 (https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Kennlinienfeld_Transistor_h-Parameter.svg), Beschriftung
von mooma, https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/legalcode
Europa Lehrmittel
Seite 48 Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD
Bild 208-2 Schaltzustände des Transistors bei Widerstandslast
Quelle: Wikimedia Commons

Seite 51 Ulfbastel(https://commons.wikimedia.org/wiki/File:LDR.png), https://creativecommons.org/licenses/by-
sa/4.0/legalcode
Seite 57 Hifi-Verstärker: Olivier Le Moal / shutterstock.com
Seite 57 Elektrische Gitarre mit Verstärker: Mike Flippo / shutterstock.com
Europa Lehrmittel:Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD

Seite 61
Bild 213-2-s Verstärkungsvorgang einer Wechselspannung im Vierquadranten-Kennlinienfeld
Europa Lehrmittel:Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD

Seite 67
Bild 204-2 Kennlinienfelder des Transistors BD 135
-74-

1GIG Elektronik 2022-05-31

Hochgeladen von

Dokumentinformationen

Copyright

Verfügbare Formate

Dieses Dokument teilen

Dokument teilen oder einbetten

Freigabeoptionen

Stufen Sie dieses Dokument als nützlich ein?

Sind diese Inhalte unangemessen?

Copyright:

Verfügbare Formate

1GIG Elektronik 2022-05-31

Hochgeladen von

Copyright:

Verfügbare Formate

ELEKTROTECHNIK

Auch werden aus diesen Teilen keine Fragen im Abschlussexamen gestellt.

Titre : 1GIG - Elektrotechnik | Elektronik

Contenus et concept didactique pour l’enseignement

© 2022, SCRIPT | Tous droits réservés

Elektronische Bauteile Elektronik Board mit Mikroprozessor

Die elektronischen Bauteile wie Dioden, Transistoren, Fotowiderstände, Leuchtdioden (LED),

Video Silicon Valley

Häufig verwendete Mikroprozessor-Boards „Arduino“

Spezifischer Widerstand bei Leitern, Halbleitern und Isolatoren

Monokristalline Silizium-Ingots zum Schneiden von Si-Wafer

Scheibe aus reinem Silizium = Wafer

2.2 Leitungsvorgänge im Halbleiter

Zuführen von thermischer Energie beim Si-Kristall

➢ dem Elektronenstrom vom Minuspol der Spannungsquelle zum Pluspol

Das eingebaute Fremdatom hat 5 Valenzelektronen.

Dotierter Si-Wafer mit Integrierten Schaltungen

Durch unterschiedliche Dotierungen und Kombinationen von N- und P-Halbleiterschichten

2.3 Der PN-Übergang

PN-Übergang ohne äußere Spannung

Entstehung einer Sperrschicht beim PN-Übergang ohne äußere Spannung

Durch die unterschiedlichen Konzentrationen von positiven und negativen Ladungsträgern

➢ Im Grenzbereich der N-Zone entstehen viele positiv geladene Phosphor-Ionen.

PN-Übergang mit äußerer Spannung

Der PN-Übergang lässt sich mit einem mechanischen Rückschlagventil (Kugelventil)

Ventil geschlossen Ventil offen (Quelle: Wikipedia)

Dioden in verschiedenen Gehäuse-

fließt kein Strom. Der PN-Übergang ist in Sperrrichtung gepolt.

Kennlinien einer Germanium- und einer Siliziumdiode

Si-Dioden: US = 0,6 bis 0,8V Ge-Dioden: US = 0,3 bis 0,4V

Idealisierte Kennlinie und Ersatzschaltung

Die Kennlinie 𝐈𝐅 = 𝐟(𝐔𝐅 ) einer Diode ist nichlinear

Weil es hier schwieriger wird eine genaue

Reale Kennlinie einer SI-Diode Idealisierte Kennlinie einer SI-Diode

Der Punkt mit UF = US und IF = 0A liegt auf der

• Das Stromrichtungssymbol zeigt, dass die Ersatzspannungsquelle ein stromrichtungs-

- Maximaler Durchlassstrom IFmax: maximaler Durchlassdauerstrom (bei bestimmter

- Spitzensperrspannung URmax: höchste Spannung, die in Sperrrichtung an der Diode

- maximale Verlustleistung Ptot: größte zulässige Gesamtverlustleistung

3.6 Graphische Arbeitspunktbestimmung

Arbeitspunktbestimmung bei einer Reihenschaltung von Diode und Widerstand

Reihenschaltung: Diode mit Vorwiderstand

Für die Diode gilt: 𝐈𝐅 = 𝐟(𝐔𝐅 ) (Diodenkennlinie)

wird als Arbeitsgerade (AG) von R1 bezeichnet.

eingezeichnet werden (beachte die negative Steigung!).

Kennlinien von Diode und Vorwiderstand im gleichen Diagramm

Zusatzbemerkungen zur grafischen Arbeitspunktbestimmung

Beispiel: Strom und Spannungen bei einer Reihenschaltung von 2 Widerständen:

𝐔𝐠 = 𝟏𝟎𝐕, 𝐑 𝟏 = 𝟏𝟓𝟎, 𝐑 𝟐 = 𝟏𝟎𝟎

Dies entspricht der Gleichung der Arbeitsgeraden von R2 !

𝐈=𝟎 ⇒ 𝐔𝟏 = 𝐔𝐠 ⇒ 𝐏𝐮𝐧𝐤𝐭 (𝐔𝐠 ; 𝟎)

Aufgaben zu den Dioden

3.7 Leuchtdioden (LED - Light Emitting Diodes)

Video „Was ist

LED Leuchtreklamen am Times Square in New York City

Leuchtdioden LED-Lampen zur Wohnungsbeleuchtung

Farben von LED’s

LED werden in vielen Bereichen verwendet: Kfz-Beleuchtung, Anzeigetafeln, Taschenlampen,

Weitere Informationen zum Thema LED:

LED Einführung LED Video OLED

3.8 Elektronik Praxis

Video Arduino- Arduino Funduino Starthardware

Mikrocontrollergesteuertes Lauflicht mit Arduino

Transformator Gleichrichter Verbraucher