Erwin Böhmer

Elemente der Elektronik -

Repetitorium und
Prüfungstrainer
Weitere Bücher
aus dem Programm

Vieweg Handbuch Elektrotechnik

herausgegeben von W. Böge und W. Plaßmann

Elemente der angewandten Elektronik

von E. Böhmer

Mechatronik
herausgegeben von B. Heinrich

Elektronik für Ingenieure

herausgegeben von L. Palotas

Grundkurs Leistungselektronik
von J. Specovius

Elektronik
von D. Zastrow

vieweg ___________________''
Erwin Böhmer

Elemente
der Elektronik -
Repetitorium und
Prüfungstrainer
Ein Arbeitsbuch mit Schaltungs-
und Berechnungsbeispielen

Mit 136 Aufgaben und ausführlichen Lösungen

sowie 7 Übersichten und 3 Tafeln

6., völlig neu bearbeitete und erweiterte Auflage

Studium Technik
rII
vleweg
Bibliografische Information Der Deutschen Bibliothek
Die Deutsche Bibliothek verzeichnet diese Publikation in der Deutschen Nationalbibliografie;
detaillierte bibliografische Daten sind im Internet über <http://dnb.ddb.de> abrufbar.

Prof. Dr.-Ing. Erwin Böhmer lehrte Technische Elektronik an der Universität Siegen
(vormals: Universität - Gesamthochschule Siegen).

Das Buch erschien in fünf Auflagen unter dem Titel Rechenübungen zur angewandten Elektronik
im selben Verlag.

1. Auflage 1981
1 Nachdruck
2., überarbeitete Auflage 1984
1 Nachdruck
3., überarbeitete und erweiterte Auflage 1987
2 Nachdrucke
4., durchgesehene Auflage 1993
5., neu bearbeitete Auflage 1997
6., völlig neu bearbeitete und erweiterte Auflage Juni 2005

Alle Rechte vorbehalten

© Friedr. Vieweg & Sohn VerlaglGWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden, 2005
Lektorat: Reinhard Dapper
Der Vieweg Verlag ist ein Unternehmen von Springer Science+Business Media.
www.vieweg.de

Das Werk einschließlich aller seiner Teile ist urheberrechtlich geschützt.

Jede Verwertung außerhalb der engen Grenzen des Urheberrechtsgesetzes
ist ohne Zustimmung des Verlags unzulässig und strafbar. Das gilt
insbesondere für Vervielfältigungen, Übersetzungen, Mikroverfilmungen
und die Einspeicherung und Verarbeitung in elektronischen Systemen.

Umschlaggestaltung: Ulrike Weigel, www.CorporateDesignGroup.de

Gedruckt auf säurefreiem und chlorfrei gebleichtem Papier.

ISBN 978-3-528-54189-7 ISBN 978-3-322-92851-1 (eBook)
DOI 10.1007/978-3-322-92851-1
 Vorwort

Das vorliegende Übungsbuch ist hervorgegangen aus dem früheren Band

Rechenübungen zur angewandten Elektronik. Mit der Aufnahme typischer
Prüfungsaufgaben verfolgt es das Ziel, Studenten Hilfestellung zu geben bei der
Vorbereitung der Prüfung im Studienfach Elektronik. In seinen zahlreichen
Beispielen enthält es umfangreiches Basiswissen in "begreifbarer Form", mit dem
es auch die Vorlesung sinnvoll ergänzen und als Repetitorium dienen kann.

Im Teil A werden grundlegende Aufgaben mit einer Darstellung des Lösungs-

weges behandelt. Studierende üben damit Schaltungsberechnungen und ver-
tiefen ihre Kenntnisse im Bereich der Bauelemente und Grundschaltungen.

Im Teil B werden einfache Testaufgaben zur Verfügung gestellt, mit denen Stu-
dierende ihren Wissensstand und ihr Verständnis für Schaltungsprobleme
selbst überprüfen können.

Im Teil C werden erprobte Klausuraufgaben von unterschiedlichem Umfang ange-

boten, mit denen man das vor jeder Klausur nötige Training durchführen kann.

Dieses Buch verwendet noch die "alten" Schaltsymbole für Spannungs - und
Stromquellen, die den didaktischen Vorteil haben, dass sich bestimmte Quellen-
eigenschaften in einfacher Weise kennzeichnen lassen:

neu bisherige Kennzeichnungen

(DIN 40990) Grundform

Spannungsquelle cp Q
Stromquelle $ A
Y
Siegen, im März 2005
Inhaltsverzeichnis

A Aufgaben mit Anleitung zur Lösung ............................ 1

A1 Widerstände .......................................................................2

A2 Dioden ............................................................................... 16

A3 Kondensatoren .................................................................28

A4 Spulen und Transformatoren ......................................... .40

A5 Feldeffekttransistoren ..................................................... 56

A6 Bipolare Transistoren ...................................................... 70

A7 Operationsverstärker.......................................................84

Anhang A: Zählpfeile .................................................................98

B Testaufgaben zur Selbstprüfung ................................. 99

Lösungen zu Testaufgaben ................................................ 114

Anhang B: FunktionentafeL ................................................... 130

C Klausuraufgaben ............................................................. 131

Lösungen zu Klausuraufgaben .......................................... 144

Anhang C: Widerstands - Frequenz -TafeL .......................... 156

Literaturverzeichnis ............................................................... 157

Teil A Aufgaben mit Anleitung zur Lösung
Die Abschnitte A1 bis A7 behandeln typische Schaltungsprobleme
im Zusammenhang mit den benannten Bauelementen. Ein Über-
sichtsblatt am jeweiligen Anfang dient der Wissensauffrischung und
stellt die Berechnungsgrundlagen zusammenfassend dar.

Anhang A verweist auf den richtigen Umgang mit Zählpfeilen, der

wichtig ist für eine sichere Schaltungsberechnung.

1
 Widerstände

linear U Spannung nichtlinear

I Strom
~ R Widerstand
--u---
t
I
t
I
U
R=-=const. U
I R = T '# const.
t.U
r=-=R äU
t.1 r=-;o!R
äl
u_

Leistung P=U.I=-=I ·R
U2 2
R·

Temperaturabhängigkeit
öR 1
TK 20 "'-.-
R(T) =R 20 .[1 +cx20' (T - 20°C)+ß20' (T - 20 C)2] 0 öT R 20
R
T = Temperatur in °C
R20 = Widerstand bei 20°C
cx20 = linearer Temperaturbeiwert bei 20°C
(oft als Temperaturkoeffizient TK20 bezeichnet)
20°C T-
ß20 = quadratischer Temperaturbeiwert
(meistens vemachlässigbar)

Thermisches Erwärmung
Ersatzbild durch Leistung P

Zeit t

Rth = Wärmewiderstand, [Rthl = 1K1W, GU1 =_1_ = Wärmeleitwert

Rth
Cth = Wärmekapazität, [Cthl = 1Ws/K
'th = Rth . Cth = Wärmezeitkonstante
TE = Endtemperatur ) TE - Tu = t.T = Tü =P ·R th
Tu = Umgebungstemperatur Übertemperatur

2
 Veränderliche (steuerbare) Widerstände

Heißleiter t
(NTC-Widerstand) R

~(T)
A; B Konstanten

*)
T = Temperatur
Tee, K)-..

Kaltleiter
R
(PTC-Widerstand)

L~~l R(T)
T =Temperatur
Tee, K) -.. u-

Si-
t
R

~
Temperatursensor
\T

L'lR(T)
T =Temperatur T(Oe, K)-- U-

-Re
t
R
Fotowiderstand
--r=:::J--- "FW= R(E)
E =Beleuchtungsstärke
Eo E(lx) - -

t
±=(*r
~
Varistor R

L{'~k=
B Konstante
R(U) AAmpere
U =Spannung
U(V) - - u-

*) Für Messzwecke ist nur der (fast) lineare Teil der Kennlinie nutzbar.

3
 Spannungsteiler mit Widerstands belastung

Gegeben sei ein Spannungsteiler mit den linearen Widerständen R1 und R2 an der
Spannung U1' Der Ausgang des Spannungsteilers wird mit einem variablen Wi-
derstand R L belastet.

11
R1
U1 = 10 V
U1 R1 =4000
R2 = 600 0
R2

a) Man berechne allgemein die Spannung U2, den Strom 12 sowie die vom Lastwi-
derstand aufgenommene Leistung P2.
b) In welcher Beziehung stehen die Ströme 12 und 11 zueinander?
c) Man stelle die drei Größen nach a) in einem Diagramm mit logarithmischer Tei-
lung der Achsen in Abhängigkeit von dem Lastwiderstand RL dar.
d) Durch eine Leerlauf- und Kurzschlussbetrachtung ermittle man das Spannungs-
quellen- und Stromquellenersatzbild für die Spannungsteilerschaltung.
e) Man stelle die Ausgangsspannung U2 in Abhängigkeit vom Ausgangsstrom 12
dar.
f) Bei welchem Lastwiderstand RL ist die Ausgangsspannung gerade halb so groß
wie die Leerlaufspannung?
g) Welche Leistung P2 ergibt sich zu f)?

Lösungen

a)

b) Man prüfe an diesem Beispiel die Gültigkeit der

folgenden sehr nützlichen Stromteilerregel.
Bei einer einfachen Stromverzweigung mit zwei parallelen Widerständen ergeben sich
die Teilsträme aus dem Gesamtstrom, indem man diesen durch die Summe der Wi-
derstände teilt und jeweils mit dem gegenüberliegenden Widerstand multipliziert.

4
c) mA,mW Grenzwert 25mA V
1001+--.,4- -..,------,----.::....,.---+1o

t
10+----+-r-,~+-~~-+-~-+----+

+--~__+---+----L.--+--i-+_--_+O,1
10 102 103

R
d) Leerlaufupannung U20 = U1 . 2 = 6 V = Quellenspannung .
R1 +R 2
U
Kurzschlussstrom 12k = R: = 25 mA = Quellenstrom .

Innenwiderstand R j = U20 = R1 · R 2 = 240 n *).

12k R1 +R 2 - -

Spannungsersatzbild: Stromersatzbild :

Spannungsquelle Stromquelle
in Reihe mit Rj parallel mit Rj

e) V
t
U
6 U2 = U20 -1 2 ·Rj
= 6V -1 2 ·2400
f) RL = R j = 240 n.
2
4

,
g) P2 =3V·12,5 mA
2 12k =37,5 mW.
0 (Leistungsanpassung)
0 5 10 15 20 25mA· 1 2 -

Bei linearen Widerständen R1 und R2 ist der Innenwiderstand des Teilers konstant. Die
Ausgangsspannung U2 nimmt dann linear über dem Ausgangsstrom ab.

*) Den Innenwiderstand Rj findet man auch, indem man die Eingangsspannung U1 zu Null
setzt (Kurzschluss der Eingangsklemmen) und dann den Widerstand an den Ausgangs-
klemmen misst.

5
 Spannungsteiler als Generator und Verbraucher

Ein Spannungsteiler mit den linearen Widerständen R 1 und R2 werde ausgangssei-

tig mit einer variablen Spannungsquelle als "Last" beschaltet.

Leistung
P2= U2 ·12 U1 = 10 V
R1 P2--j
U1
I
I 12 Ro R1 =400 n
R2 = 600 n
R2
lL2 !Uo= O•.. U1 Ra = 1000 n

a) Man gebe für den Spannungsteiler eine Ersatzspannungsquelle an mit Quellen-

spannung Uq und Innenwiderstand Ri.
b) Man bestimme allgemein die Spannung U2, den Strom 12 und die Leistung P2.
c) Man stelle die Größen U2, 12 und P2 in Abhangigkeit von der Gegenspannung
Uo graphisch dar.

Lösungen

E..a~g","ell. '2 ~

U'JL lu jJuo
a)

2 '

b)

c) mW mA V t
t 5 5~2
~____--------~U~2T------------
Generator Verbraucher
12

10
O--t--
o 2 3
~ov

Anmerkung: Die Pfeile U2 und 12 bilden in Bezug auf den Spannungsteiler ein Erzeuger-
Zählpfeilsystem, in Bezug auf die Spannungsquelle mit Ua und Ra dagegen ein Verbrau-
cher-Zählpfeilsystem (siehe Anhang A, Seite 98 I).
Der Teiler wirkt im Bereich Ua < 6 V als Generator, im Bereich Ua > 6 V als Verbraucher. In
Bezug auf die Spannungsquelle mit Ua und Ra ist diese Funktion umgekehrt.

6
 Schichtwiderstände - Kenn- und Grenzwerte

Gegeben seien Schichtwiderstande der Baugröße DIN 0718 (7 0, 18 lang) mit dem
Widerstandsnennwert R = R20 = 1Mn fOr eine Temperatur T = 20 e. Die maximal 0

zulassige Spannung sei Umax = 250V.

a) Bei einer Leistungsaufnahme von 1W steigt die Temperatur T der Widerstands-

schicht auf 90 e, wenn die Umgebungstemperatur Tu = 20 e betragt. Man ge-
0 0

be den thermischen Widerstand an.

b) Man ermittle die zugehörige Lastminderungskurve (Derating-Kurve), wenn die
e
Temperatur der Widerstandsschicht maximal 110 0 betragen darf und der zu-
lassige Höchstwert für Tu =20 0 e als absoluter Grenzwert gilt.
c) Welche Nennbelastbarkeit kann man der gegebenen Baugröße zuordnen, wenn
dazu die zulassige Verlustleistung bei Tu =40 e zugrundegelegt wird?
0

d) In welchem Widerstandsbereich ist die Nennleistung aufgrund der angegebenen

Grenzspannung nicht zulassig?
e) Wie groß ist der lineare Temperaturkoeffizient TK20 (c.x.20) , wenn die Widerstan-
de in der Umgebung von T = 20 e bei einer Temperaturerhöhung um
0

AT = 1OK ihren Widerstandswert um 1%Jlerringern?

Lösungen

b) P _ Tmax - Tu
max - R th
11 0° C - 20° C = 13 W für"t =20° C .
70 K/W -'- u

Lastminderungskurve
Pmaxt W (Derating-Kurve)

c) PN =P40 =1W
gemäß Derating-Kurve.

0,5 2
d) R > Umax = 62,5 kQ .
PN
o;---~~--~~~-+~~--+--

o 20 40 60 80 100 120 oe
Tu--

7
 A1.4 Schichtwiderstand - Frequenzgang

Gegeben sei ein Schichtwiderstand mit Nennwiderstand R = 1Mn.

a) Welchen Wert hat die parallel zum Widerstand wirksame Eigenkapazität C,

wenn bei der Frequenz f = 500kHz der Scheinwiderstand nur noch den 1/-12-
fachen Nennwert hat?
b) Man zeichne mit logarithmischer Teilung der Widerstands- und Frequenzachse
den Frequenzgang des Scheinwiderstandes.
c) Man trage die Asymptoten ZR Rund Zc =
1/CüC in das Diagramm ein und =
bestimme die "Eckfrequenz" bzw. "Grenzfrequenz" des Scheinwiderstandes im
Schnittpunkt der Asymptoten.
d) Welche Grenzfrequenz fg = fE hat ein Widerstand gleicher Bauart mit dem
Nennwiderstand 100kn?

Lösungen

±
a) Z= R
- 1+ jwCR

Z = R = ~2 für f = 500 kHz

J1 + (wCR)2 "I/L.

Ersatzbild *) 1 1
wCR = 1~ C = - = == 0,32 pF .
wR 2n.500.103.!.106n
s
b) und c) f/MHz 0,1 0,3 0,5 2 5 10 100
Z/Mn 0,98 0,86 0,71 0,45 0,27 0,099 0,05 0,005

t Q
R R == _1_. : fE == 500kHz
{2' wC
Z
106 Bei der Eckfrequenz fE ist der Wirkwiderstand

gleich dem Blindwiderstand, und es ist Z = ~.

r
I
1 fE
104+-------,---~:~/-,--____~__~~__
10" 105 106 107 Hz
f-

f ___1_ _ Die Eigenkapazität ist für Widerstände

d)
9 - 2nCR - 2n 0,32 pF 105 Q == 5 MHz. derselben Typenreihe (Baugröße) gleich.

*) Die Eigeninduktivität ist bei hochohmigen Schichtwiderständen bedeutungslos.

8
 A1.5 Drahtwiderstand

Gegeben sei ein Drahtwiderstand aus Chromnickeldraht auf einem Keramikrohr.

Drahtdurchmesser d = OAmm
Rohrdurchmesser D =10mm
Sm Widerstandslänge I = 40mm
K=0,89-- Windungszahl N = 78
mm 2

a) Man bestimme den Widerstand R und die Induktivität L.

b) Man ermittle die Grenzfrequenz des Widerstandes aus den Elementen Rund L.
c) Welche Resonanzfrequenz ergibt sich, wenn man eine Eigenkapazität von 2pF
annimmt?
d) Man bestimme den Wärmewiderstand und die Wärmekapazität aus folgenden
Meßdaten: An einer Spannung U = 10V erreicht der Widerstand nach 5 min die
Endtemperatur TE = 180°C bei einer Umgebungstemperatur Tu = 20°C (s.
Übersichtsblatt).

Lösungen
a) R = ~. ~ = ~. n· o· N = 1 mm 2 . n· 0,01 m· 78 ., 22 O.
K q K ~.d2 0,89 Sm 0,785·0,16 mm 2
4
Die Wicklung bildet eine Zylinderspule [3]:
~= 4~~" 2,3 nH ~ L=~.O.N2., 2,3 nH. 1 cm· 78 2 ., 141lH.
o 0 cm D cm
R L
b) ~ Ersatzbild für höhere Frequenzen
Grenzfrequenz R 22 0 1 ro
roL=R ~ ro g =-= 6 .,1,6.106_~fg =_9 .,250kHz.
L 14.10- Os s 2n

c) Y= 1 . C R - jroL . C
+~ = +~ .
- R+jroL 2
R +(roL)2

Imaginärteil Null: f r = ~
2n'VLC
. ~1- R C ., 30 MHz.
2
L
praktisch unbedeutend

d) thermisches Ersatzbild thermischer Widerstand:

~
TE - Tu (180 - 20)° C /
R th = = ., 35 K W .
U2 P 4,5W
- P=R"=4,5W

~
thermische Zeitkonstante:
T-
'tth =R th ·C th ".~.5 min=100s,
3
RthICth
C th = 't th ., 3 Ws als Wä rrrekapazitä t .
Tu R th ~

9
 Ai.6 Kaltleiter - PTC-Widerstand

Ein keramischer Kaltleiter habe nebenstehende Widerstands-Temperaturkennlinie

=
und einen thermischen Leitwert Gth 2,5mW/K gegenüber ruhender Luft.
a) Man ermittle tabellarisch die stationäre I-U-
s ~-~ I

S2
KL r Kennlinie für eine Umgebungstemperatur
Tu = 20°C.

1 104
S
T b) Wie hoch sind der Einschaltstrom und der
stationäre Strom, wenn man den Kaltleiter
RT =
über einen Vorwiderstand Rv 100n an ei-

1<Y 7 ne Spannung Us = 20V schaltet?

5 c) Auf welchen Endwert stellt sich der Strom

) ein, wenn der Kaltleiter ohne Vorwiderstand
- an 20V betrieben wird?
T-
102 150 oe 200 d) Welche Temperatur erreicht der KL im Fall
50 100
c)?
e) Welche Zeit tab benötigt der Kaltleiter zum Abkühlen nach dem Abschalten bei
einer thermischen Zeitkonstante tth 3 s? =
Lösungen
a) b) und c) graphische Lösung --7 mA
- Einschaltstrom
",65mA
J, 60 Kaltkennlinie: RT '" 200n

I-U-Kennlinie i 50
fürTu = 20°C

T RT I'iT P U I
-- -- -- - - Widerstandsgerade für
oe kQ K mW V mA UB = 20V, Rv = 100n
20 0,2 0 0 0 0
40
50 0,18 30 75 3,7 20,4
100 0,15 80 200 5,5 36,5
130 0,14 110 275 6,2 44,3
150 0,2 130 325 8,1 40,3 30
160 0,45 140 350 12,5 27,9
15,5 stationäre Ströme
165 1,5 145 363 23,3
20 -1",20mA(b)
170 4 150 375 38,7 9,7 - I", 18mA (c)
Kennlinie U
T - Tu I'iT·G th Jp.R T --
R-T RT
10
Man gibt eine bestimmte Temperatur T vor
und ermittelt dazu die erforderliche Leistung
o+---~----~----~--~­
P bzw. U und I , o 10 20 30 40 V
u-
d) 6T = ~ = 18 mA 20 V = 144 K, T = 6T + Tu = 164°e
G th 2,5 mW/K

e) tab"" 3· Tlh = 9 s (vgl. Übersichtsblatt).

10
 A1.7 Heißleiter - I-U-Kennlinien

Gegeben sei ein Heißleiter HL mit den Werten R20 = 2,5kO und B = 3420K,
Gth =O,8mW/K.
a) Man ermittle die Widerstands-Temperatur-Kennlinie sowie die stationäre I-U-
Kennlinie zur Umgebungstemperatur Tu = 20°C in tabellarischer Form, wenn
der Heißleiter der Beziehung RT =A . e SfT folgt.
b) Man ermittle die resultierende I-U-Kennlinie für den Fall, dass der Heißleiter mit
einem linearen Widerstand R = 750 in Reihe geschaltet wird (Tu = 20°C).

c) Welcher Strom Imax darf stationär nicht überschritten werden, wenn die Grenz-
temperatur T max für den Heißleiter 160°C beträgt?

Lösungen
B
a) R T = A . e T mit T in Kelvin (K) b) I-U-Kennlinien
T in K = T in ° C + 273 K .
Bei der Reihenschaltung addieren
3420K sich die Spannungen.
2,5 kn = A·e 293K bei T = 20°C,
-+ A = 2,13.10-5 kn.
t mA
I 40
T RT LlT P U I I
- - -- - -
°C kn K mW V mA
20 2,5 0 0 0 0 30
30 1,7 10 8 3,7 2,2
50 0,84 30 24 4,5 5,4
70 0,46 50 40 4,3 9,3 20
80 0,34 60 48 4,1 11,8
100 0,20 80 64 3,6 17,9
110 0,16 90 72 3,4 21,2 10
150 0,07 130 104 2,7 38,6
B U
T-Tu LlT· Gth ~P.RT -
RT=A.e T RT o~~~~~~~~
o 2 3 4 5 6V
U-

Alle drei Kennlinien nach b) gelten für Gleich- und für Wechselstrom. Das letztere gilt für
den Heißleiter jedoch nur bei ausreichender Frequenz, wobei sich eine praktisch kon-
stante Temperatur entsprechend der mittleren Verlustleistung einstellt.

c) Tmax = 160°C: R 160 = 57,3n, Pmax = (Tmax - TU)·G th = 112 mW,

Imax = ~max
- R ~ 44,2 mA.
160

11
 A1.8 Kompensationsheißleiter

Es wird ein Widerstand mit fallender Widerstands-Temperatur-Kennlinie gesucht,

bei dem der Widerstandswert RK im Bereich von 20 bis 80 von 5kQ auf 4kQ 0
e 0
e
etwa linear abnehmen soll.

a) Man entwerfe mit dem Heißleiter des vorigen Beispiels (R20 = 2,5kQ, B = 3420K)
eine geeignete Widerstandskombination.
b) Man stelle die R-T-Kennlinie der Kombination dar.
c) Welche Linearitätsabweichung F tritt in der Bereichsmitte auf und welcher
Temperaturbeiwert ergibt sich näherungsweise?

e
d)Welcher Strom I darf bei 50 0 über die Kombination fließen, wenn der Heißleiter
dadurch nur eine Temperaturerhöhung von 1K erfährt?

Lösungen

a)

b) T RT ~
oe
-
kn kn
20 2,5 5
30 1,7 4,7
50 0,84 4,3
,
70 0,46 4,1 4 --;.--------------
80 0,34 4 I

o 20 30 40 50 60 70 80 0 e
T-

c) F"" 0,2 kn, Frei = _F_ .100% = 0,2 kn ·100% "" 4,5% .
R Ksoll 4,5 kn --

TK ßR 1 Rd70)-R K(30) 1 4,1kn-4,7kn 1 1

50 "" ßT' RK (50) = 40 K • RK{SO) = 40 K . 4,3 kn "" -0,0035 K
"" -0,35%/K.

12
 A1.9 Heißleiter - Meßbrücke

Gegeben sei eine Brückenschaltung mit 2 Festwiderstanden Rund 2 gleichen

Heißleitern HL, zwischen denen ein Temperaturgleichlauf bestehen soll. Die Heiß-
leiter haben die Daten: R20 =2,5kO, B =3420K, Gth =O,8mW/K wie in Aufg. A1.7.
+0----...-----,
R HL a) Man bestimme die Diagonalspannung

- RT Uo = f (UB, R, RT) und den Brückeninnen-

widerstand Rj = f (R, RT).

HL Uo R b) Welche Spannung Uo tritt auf, wenn infolge

einer Temperaturerhöhung um AT = 2K die
RT bei 20°C abgeglichene Brücke verstimmt
wird?

c) Man ermittle den Verlauf der Spannung Uo und des Innenwiderstandes über der
Temperatur für das Intervall O°C < T < 100°C.
d) Welche Übertemperatur können die Heißleiter in der unbelasteten Brücken-
schaltung infolge der elektrischen Verlustleistung annehmen?
Lösungen
a) Uo = Us R - RT , R j = R· RT ·2 (linearer Bereich) mit RT = A· exp(~) nach A1.7.
R+R T R+R T T

b) Uo = Us R-(R 20 +6R T ), TK T = dR T ._1_ = _~~ TK 20 = _ 3420 K = -0,04~ .

R + (R 20 + 6R T ) dT R T T2 (293 K)2 K

Damit folgt: 6R T = R 20 . TK 20 ·6T = 2,5 kn -( -0,Q4~) ·2 K = -200 n,

2,5 kn - (2,5 kn - 0,2 kn)

~ Uo = Us · 2,5 kn + 2,5 kn _ 0,2 kn '" 60 mV .

c) r RT = A.exp~ mitA =2,13.1Q-5 kn k.Q

4

oe
-
T RT
kn
~
v
~
kn
i v
1.5 ------------ 13
0 5,9 -0,6 3,5 Uo 1 Rj
20 2,5 0 2,5
50 0,84 0,75 1,26
o.
80 0,34 1,14 0,6
100 0,2 1,28 0,37

d) P = (U S )2 .~ = (0,75 V)2 = 0,225 mW (Leistungsanpassung),

max 2 R 2,5 kQ
T = Pmax = 0,225 mW = 028 K. Bei R T = R = 2,5 kn nehmen sie
6 max G th 0,8 mW/K - ' - - die größtmögliche Leistung auf.

13
I A1.10 I Silizium-Kaltleiter (Temperaturfühler)

Ein Silizium-Kaltleiter vom Typ KTY hat einen Nennwiderstand R25 = 10000. Die
Widerstands-Temperatur-Kennlinie RT = f(T) wird bestimmt durch die Wider-
standsverhältnisse R125/R25 = 1,99 und R- 55/R 25 = 0,489.

a) Man formuliere die Funktion RT =f(T) mit den Temperaturkoeffizienten a. und ß,

die zu bestimmen sind.
b) Man zeichne qualitativ die Kennlinie RT(T) und berechne einige Werte im Be-
reich -20°C :0;; T :0;; 100°C.
c) Welchen Widerstand Rp schaltet man zweckmäßig zur Linearisierung parallel
für einen Nutzbereich von -20°C bis +1 OO°C?

Lösungen
a) R T =R 25 .[1+<l25(T-Tu )+ß25 .(T-Tu )2] (Vgl.übersichtsblaU)

R 125 = 1,99 = 1 + <l25 ·100K + ß25 . (100K)2) <l25 = 0,795.10-2 ~,

R~ 1
R- 55 = 0,489 = 1- <l25 . 80K + ß25 . (80K)2 ß25 = 1,95. 10-5 "j(2 .
R 25

b) T RT
Qualitativ: Berechnet: oe n

t
-20 681,74
0 813,44
R125 20 960,74
40 1123,64
R25 60 1302,14
80 1496,24
100 1705,94
-55 25 T - 125°C

R T = 10000.[1+0,795.10-2 ~ .(T -25 e)+1,95.10-5 K12 .(T _25

o o e)2]

T und Tu müssen einheitlich in oe oder in K (absolute Temperatur) gesetzt werden.

c)
Rges{T
) RT·R p
= RT+Rp ~ ... Nutzbereich ~~

t Sollgerade

0'
R ges
Lösungsansatz :
RaollR p
RsollR p -R4011R p

= R 40 1lR p - RoIIR p

-20 0 20 40 60 SO 100°C
T~

Nach Durchrechnung folgt: Damit wird: ReliR p = 618 Q

R 40 .(R o +R ao )-2.R o ·R ao R 40 1lR p = 783 Q

Rp = '" 2580 Q
Re +R so -2·R 40 -- RaollR p = 947 Q

14
I A1.11 I Fotowiderstand

Über einen Fotowiderstand soll ein Relais geschaltet werden. Die I-U-Kennlinien
des Fotowiderstandes sind gegeben.

Licht

#
Rp

Relais:
Anzugstrom IAN = 4mA
Abfallstrom lAB = 2mA
10 20 30V
u-
a) Man trage die Verlustleistungshyperbel für P max =100mW in das Kennlinienfeld
ein.
b) Welchen Wert darf die Betriebsspannung UB höchstens haben, wenn die ange-
gebene maximal zulassige Verlustleistung von 100mW nicht überschritten wer-
den darf?
c) Man zeichne die Widerstandsgerade zu b) in das Kennlinienfeld.
d) Wo berührt die Widerstandsgerade die Verlusthyperbel?
e) Bei welcher Beleuchtungsstarke zieht das Relais an bzw. fällt ab?
f) Welche Verlustleistung kann das Relais höchstens aufnehmen?

Lösungen
a) und c)

Verlusthyperbel a)
\ I I 1I
b) Pmax =

UB
(~ ~
= ~4
r.
Pmax . R
(Leistungsanpassung)

= 20 V .

d) Bel. U --2~
UB P.max

e) Relais zieht an bei ca. 75 Ix,

Relais fällt ab bei ca. 30 Ix
(Ablesung aus Kennlinienfeld).
IAN --IrH-17-t:;.oG-l\
IAB-~~:Io-'-~
f) Ip max = ~= 20 V = 20 mA für R p ~ 0,
R 1kO
10 20 30V PRel max = (20 mA)2 ·1 kQ = 0,4 W .
u-
15
 Dioden

Kennliniendarstellungen
reale Si-Diode Idealisierungen
mit Schleusenspannung Us und Widerstand rF
Flussspannung

tI mA
tI t Us=O
rF=O
5
ideale
Diode

U=O
1=0 1=0 1=0
O+-~~~r-,--.-­ +
0-+-,;.-.""""'"----- 0-1-'+_+-_ _ +
o 0.2 1V o o o U--
U-- Us U--

Ersatzbilder
(LD. = ideale Diode)
~
~H::J--
U r
~I-- i~E
U<O
s F Us
Richtwerte: Us '" O,6V, rF '" 1...1 on

analytisch:
Nullpunktbereich Durchlaßbereich (U>0,1V)

u=m'UT 'ln(_I_+ 11 bzw. 1=IRQ.(eXP~-11 U '" m'UT.I J _I-) +I·RB

I\I
IRQ ~ mUT ~ RQ

1mA

1nA+----+----~--4----+----+_-
0.2V o 0.2 0,4 0.6 0.8 1V
U-.. U ----..
RB = Bahnwiderstand

IRQ = theoretischer "Sperrsättigungsstrom", stark temperaturabhängig

IR = tatsächlicher Sperrstrom
(IR > IRQ aufgrund von Oberflächeneffekten - nicht berechenbar)

= 86 I-lV . T
K
="Temperaturspannung"
.
'" 26mV bei Raumtemperatur

T absolute Temperatur in Kelvin (K),273K~O·C

m = Korrekturfaktor ,Wert 1... 2) .

16
 Z-Diode reale ZD ideale ZD Ersatzbild
f
~,
Iz öU z Iz
Iz -rz = M; r z= 0

uz~ J, uzo

r
i irzth
0
uz- 0 uzo uz-
I
Thermische Kenngrößen: TK u = dU zo ._1_ = Temperaturtleiwert der Spannung Uzo
dT Uzo

Rth = öT = thermischer Widerstand (P = Verlustieistung)

P
rzth = TK u .U~o ·R th = temperaturtledingter Zusatzwiderstand (3)

1=IRo{eX~m~J-1]=icl
t
E=O:
Fotodiode
E>O: I=icl-S.E

U~ U~

Id = Dunkelstrom
E = Beleuchtungsstärke
S = Fotoempfindlichkeit

Leuchtdiode mA

t 40 eE e
'E
IF ""
.E iN
IF· r::
30
~
UF~ ~
20

10

0
2 U ~3V
F

17
 A2.1 Siliziumdiode-Kennlinien

Gegeben seien die nebenstehenden Kennlinien mA

1000
IF = f(U F ) der Siliziumdiode BAV 20 für den BAV20
Durchlassbereich . Für den Sperrbereich gilt laut /
Daten blatt: 100 Tj= 100;r5 ~
IR< 100 nA bei UR = 150 V
IR < 15 !lA bei UR = 150 V
/ J
ITj = 25· c
/
Index R: Revers (rückwärts) /
Index F: Forward (vorwärts) I I
L
1/ 1/
0,1
/ /
V 1/
0,01 /
° 0,2 0,4
u F-
0,6 0,8 1,OV

a) Man bestimme aus zwei Punkten der Durchlasskennlinien für eine Sperrschicht-
temperatur Tj =25°C und Tj = 100°C die Parameter IRO und m.
b) Man bestimme den Bahnwiderstand RB zu beiden Sperrschichttemperaturen.
c) Welchen Zuwachs erfährt die Spannung U = U F an der Diode, wenn sich der
Strom I = IF verzehnfacht?
d) Man bestimme den Verlauf des differentiellen Widerstandes rF für den Bereich
1mA< I < 100mA.
e) Man trage die Durchlasskennlinien im linearen Maßstab auf und bestimme ent-
sprechende Ersatzkennlinien als lineare Näherung mit den Parametern Us und
rF für den Bereich bis 100mA.

Lösungen
a) 25°C: U T = 25,6 mV

1 mA '" IRO . exp( 600 mV ), 0,01 mA ~ IRO . ex p( 400 mV )

m·25,6 mV m·25,6 mV
---* m ~ 1,7, IRO ~ 1 nA .

100°C: U T = 32,1 mV

1mA"'I Ro .ex p( 410mV), 0,01mA~IRo.exp( 160mV )

m . 32,1 mV m . 32,1 mV
---* m ~ 1,7, IRO '" 550 nA .
 200 mA· RB .. 200 mV ~ R B .. ·1 Q siehe Übersichtsblatt
)
300 mA· RB .. 300 mV ~ RB .. 1 Q I· RB aus Kennlinie.

c) Für U » mUT gilt: U .. mUT .ln(_I_) + I· RB

IRQ

U1 = mUT .In(--.!L) + 11 • RB, U2 = mUT

IRQ
.In(~)
IRQ
+ 12 . RB

,1,U = U 2 - U1 = mUT .lnCd + (1 2 -1 1). RB .

Bei einer Verzehnfachung des Stromes wird:

12 = 10.11 und LlU = mUT ·ln10+9·1 1 ·R B .. mUT ·ln10 für 11 < 1 mA.
25°C: ,1,U .. 1,7·25,6 mV . 2,3 .. 100 mv) .
100°C: ,1,U .. 1,7·32,1 mV· 2,3 .. 125 mV RB vernachlässigt.

d) Für U » mUT wird:

dU UT
rF =-=m·-+R B
t~
dl I rF
40
250 C: rF = dU = 1,7. 25,6 mV + 10
dl
1000C: rF = dU = 1,7. 32,1 mV +10 20
dl

10 100mA
1----

e)
25°C: 1000C:
100 100% 100 100%
Us ... O,68V Us ",o,55V
mA mA
= .6.U .6.U
teo
'l'
.6.1
'" O,9V -O,68V
O,1A
t eo
'l' = -
.6.1
'" O,8V - O,55V
O,1A
60 "'2,20 60

40 40

20 20

0 0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 V 1 0 0,2 0,4 0,6 0,8 V 1
U-
U ----

Die Werte Us und rF sind nicht nur abhängig von der Temperatur, sondern auch von der
Aussteuerung der Kennlinie. Zweckmäßig markiert man die Ersatzkennlinie durch einen
10%-Punkt und einen 100%-Punkt wie in den Beispielen.

19
 A2.2 Diode als Gleichrichter

Ein Sägezahngenerator arbeitet auf die Reihenschaltung einer Si-Diode mit einem
Widerstand RL = 500ft Die Sperrschichttemperatur Tj sei gleich der Umge-
bungstemperatur Tu = 25°C. Die Diodenkennlinie werde angenähert durch eine
Ersatzkennlinie mit Us = 0,6V und rF = 10n.

Ersatzbild +5 ------- -C!q

, lD.
\ ~I----C:J-- I
I
1v
..
\\ Us r F I " uq
E>! .. 0~~--~5~--~~--~--

~RL
I
uD

-5 --------

a) Man ermittle den Maximalwert i des Stromes i und seinen Zeitverlauf.

b) Man berechne den arithmetischen Mittelwert T(Richtstrom) des Stromes i sowie
den Effektivwert I.
c) Welche (mittlere) Verlustleistung nimmt die Diode auf?
d) Welche Übertemperatur stellt sich tatsächlich ein bei einem Wärmewiderstand
RthJU (RthU) =0,3K1mW?

Lösungen

tmA
~ uq - Us 5 V - 0,6 V
I 10 -i=8,6mA
a) I = --'----
R L HF 500 n+ 10 n
",8,6mA.

o!0,6 5 10ms t-

T
b) T= 2. fidt = 8,6 mA· 4,4 ms . _1_ '" 1,9 mA (Flächenbetrachtung) .
T 2 10ms--
o

f
T 4.4ms 2

I= 1 fi 2 dt =
-T (1,95 : : . t) . dt '" 3,3 mA .
10 ms
o o
L versetzter Nullpunkt
c) p= U s . THF .1 2 = 0,6 V ·1,9 mA + 10 n· (3,3 mA)2 '" 1,25 mW *) .
d) L'. T = p. R thU = 1,25 mW· 0,3 K/mW = 0,38 K . Es ist tatsächlich Tj '" Tu.

*) In der Regel wird der Mittelwert P einfach mit P bezeichnet, zur Berechnung siehe [3].

20
 A2.3 Diode als Begrenzer

Gegeben sei folgende Schaltung. Über den Widerstand R wird die Spannung u1
vollständig an die offenen Ausgangsklemmen übertragen, solange die Diode 0
gesperrt ist. Wenn die Diode leitet, wird die Ausgangsspannung u2 begrenzt. Die
Diodenkennlinie werde idealisiert: Us =O,6V, rF =O.

a) In welchem Bereich der Spannung u1 ist 0 gesperrt bzw. leitend?

b) Man bestimme den Strom i in Abhängigkeit von der Spannung u1'
c) Man bestimme die Spannungs-Übertragungskennlinie u2 =f(u1)'
o R1 +12V
R = 1 kn
R R1 = 200 n
R2 = 1 kn

Lösungen

a) 0 ist gesperrt für U1 <12 V· R2 + Us = 10 V + 0,6 V = 10,6 V (i = 0).

R1 +R 2
D ist leitend für u1 > 10,6 V (i > 0) .

. u1- US- 10V

b) U1 > 10,6 V: I= --'----'~--
R + (R111R2) mA o sperrend o leitend
U1 -10,6 V f
i
1166,66 n
'" _U_1__ 905 mA .
1,17 kn ' 2

Der Spannungsteiler R 1 - R2 wirkt als Quelle o 2 101

mit Uq = 10 V und R j = R111R2 = 166,66 n
I
!
10,6
(vgl. Aufg. A1.2).

c) u1 < 10,6 V: U2 = u1 v
SV 0,7V
dU2 = 1 = 5 V .
dU1 5V
u1 >10,6V: U2 =u1-i·1000n
'" 0,14u1 +9 V
dU2 = 014 '" 0,7 V
U 20V
dU1 ' 5V 1-

21
 Z-Diode mit Reihen- und Parallelwiderstand

IV
Gegeben sei eine ideale 6V-Z-Diode mit
Vorwiderstand Rv an einer Gleichspannung Us
Us = 12V. Parallel zur Z-Diode ist ein va- 12V
riabler Lastwiderstand RL geschaltet.
Uzj
IZ

a) Welche Spannung Uz und welcher Strom Iz ergeben sich bei abgetrennter Last
(RL ~ oo)?
b) Man ermittle Uz = f (Rd, wenn sich RL zwischen 0 und 2kQ ändert.
c) Man ermittle die Ströme IL, Iv und Iz für den Bereich 0::; RL ::; 2kQ.
d) Welche Verlustleistung Pz ergibt sich bei RL = 2kQ?
e) Man berechne zu d) die Übertemperatur der Z-Diode zu einem Wärmewider-
stand RthU = 300KIW gegenüber der Umgebung.
f) Wie groß sind die Verlustleistung und die Übertemperatur bei abgetrennter
Last?

Lösungen
UB -U z
a) Uz = 6 V, Iz = Iv = 1 kQ = 6 mA

b) c) mA
12

3 3
I
I
O-r--,----r--,---,-- O-r---r--~--,---~I--
0,5 1,5 2kO 0,5 1,5 2kO
o o
R L- R L-

d) Pz = Uz ·I z = 6 V· 3 mA = 18 mW. e) öT = Pz . R thU = 18 mW· 0,3 K/mW = 5,4 K.

f) Pz = U z Iz = 6 V· 6 mA = 36 mW ~ öT = Pz . R thU = 36 mW 0,3 K/mW = 10,8 K .

Die Z-Diode wird bei abgetrennter Last am stärksten erwärmt.

22
 Z-Diode als nichtlinearer Vorwiderstand

Gegeben sei die folgende Schaltung, bestehend aus einer 10V-Z-Diode und einem
linearen Widerstand R. Die Eingangsspannung u1 habe einen dreieckförmigen
Verlauf gemaß Skizze. Die Z-Diode sei ideal.

a) Man zeichne maßstabiich den Zeitverlauf des Stromes i sowie der Spannungen
u2 und uz ·
b) Man zeichne maßstabIich den Zeitverlauf der Verlustleistung in der Z-Diode und
in dem Widerstand R.
c) Welche mittlere Verlustleistung ergibt sich für beide Elemente?

t vl4----T

-u--
z 1kn U1
20

R 10

o~----~----~-----+----

-10 - - - - - - - - - - - - - - -

Lösungen

z
Jz
tt t
S:zo
a) mA, V
i U2 10 U

15ms 0 5 10 15ms
L
t-

b)

,
15ms
t-

c) Pz =
T
~ fPz(t)dt -PR =T1 f
T
R·j 2 dt
o o
100 mW·5 ms
2·15 ms
Flächen-
betrachtung
1000 n
15 ms
.4. f (4
2,5ms 2
mA .t) dt
ms
= 16,66 mW. o
= 22,22 mW.

23
 Spannungsstabilisierung mit Z-Diode

Gegeben sei die folgende Schaltung zur Stabilisierung der Spannung über dem
Lastwiderstand RL.

Schaltung Kennlinie und ErsatZbild der Z-Diode

(gültig im Durchbruchgebiet)
RV

tl l"
IL

~l i'-TZ'lll1.
Iz

lUB ZD 10
RL
10051 UZO=1OV

UZO Uz-

a) Welchen Widerstandswert muss der Vorwiderstand Rv haben, wenn sich bei

einer Spannung Us = 15V ein Strom Iz = 1OmA einstellen soll?
b) Welche Werte erreichen die Spannung Uz und der Strom Iz, wenn die Span-
nung Us auf 20V ansteigt?
c) Wie groß ist der sog. Stabilisierungsfaktor S = ilUs/ilUz?
d) Man berechne allgemein die Spannung Uz und daraus den Faktor S.
e) Welchen Einfluss hat eine (kleine) Änderung ilRL = 10 des Lastwiderstandes auf
die Spannung Uz ?
f) Bei welchem Wert RL setzt bei Us = 15V die Stabilisierung aus?
g) Welche Werte für Uz und Iz ergeben sich unter Berücksichtigung der Strom-
wärme in der Z-Diode zu TK u = 5.10-42 und Rth = 100KlW?
K
h) Wie wirken sich Toleranzschwankungen der Durchbruchspannung Uzo von ±5%
auf die Spannung Uz aus?

Lösungen
a) Uz =Uzo+lz·rz =10V+10mA·100=10,1V.
I =~=101mA R = UB-U z = 4,9V =44140.
L RL ' v Iz + IL 111 mA '

b) Nach der Überlagerungsmethode wird:

rzliR L 910
~UB=5V-jo~UZ=~UB'( I)
rzlR L + Rv
=5V·'
53,240
",,0,85 V

Uz "" 10,1 V +0,85 V = 10,95 V, Iz = Uz -U zo "" 0,95 V = 95 mA.

rz 100--
Die Spannung Uz steigt relativ wenig, der Strom Iz dagegen stark.

24
 · dU B Rv Rv
c) Nach b) wird: S = - - = 1+ - +- lOS 5,85 .
dUZ rz RL -

e) dUz UBrt . R v + UzoR~ . rz

Bei UB = 15 V wird:
dRL [rzR v +(rz +R v )·RLJ2
dUz = 15V.(100)2.44,10+10V.(44,10)2.100=7,6 mV.
dR L [100.44,10+54,10.1000]2 0
dUz
dUZ lOS --·dR L = 76 mV.
dR L -'--

Bei einer Erhöhung des Lastwiderstandes um 10 erhöht sich die Spannung Uz

um 7,6 mV.

f) I -0· U -U RL -U R _ Uzo·R v _10V.44,10_ 8820

z - . z - B R v + R L - ZO ~ L - UB - Uzo - 15 V -10 V - , .

g) Für den stationären Zustand ist der Widerstand rz zu ersetzen durch rz + rzth [3]:
1 K =50 ( ..
2
rzth = TK u . Uzo . R th = 5 ·10 -4 K ·100 V 2 ·100 W siehe Ubersichtsblatt) .

UB·(r +rth)·RL+UZo·Rv·RL U U
Damit wird nach d): Uz = z z und Iz = z - zo
(rz +rzth)·(R v +RL)+R v ·R L rz +rzth

FürU B =15Vwird: U = 15V·150·1000+10V·441402 =1013V

Z 150.144,140+44140 2 "
I = 10,13V-10V =866mA.
z 150 ~'--
Als Folge der Erwärmung steigt die Spannung Uz an, der Strom Iz sir.lkt.
h) Wenn man alle anderen Parameter als konstant betrachtet, gilt:
dUz U RvR L . Uzo dUZO
d Uz IOS--·d zo = .--
dUzo (rz +rzth)· (R v + Rd + RvR L Uzo

= 44140 V0 2 . (±0,05) = ±0,33 V .

65760 2 --
Streng genommen ändert sich auch rzth mit UZO. Dieser Einfluss wurde jedoch hier
vernachlässigt.

25
 A2.7 Fotodiode - Fotoelement

Gegeben sei eine Fotodiode/Fotoelement auf Siliziumbasis mit folgenden Daten:

nA ..
IRO = 10nA, S = 50 - , m = 2 gemäß Ubersichtsblatt.
Ix
a) Man gebe die Stromgleichung I = f(U,E) entsprechend dem Erzeuger-Zähl-
pfeilsystem an für eine Temperatur von 20°C (293K).
b) Man ermittle die Leerlaufkennlinie U = UL = f(E).
c) Man ermittle die Kurzschlusskennlinie I = IK = f(E).
d) Man stelle die Strom-Spannungs-Kennlinien für E = 0 Ix, 500 Ix und 1000 Ix
graphisch dar.
e) Man ermittle zu d) die zugehörigen Leistungskennlinien.
f) Gegeben seien die folgenden Schaltungen. Wie stellen sich Strom und Span-
nung an der Fotodiode in Abhängigkeit von der Beleuchtungsstärke jeweils ein?

B) +1V 20kQ

1kQ 1kQ

g) Bei welcher Beleuchtungsstärke E wird die Spannung an der Fotodiode zu Null

und wie groß ist dann der Strom I?

Lösungen

(}
a) 1= S· E -IRO . [exp(mUu ) -1] Zum Erzeuger-Zählpfeilsystem
r siehe Anhang A

Mit mUr = 2·86 Il V ·293 K "" 50 mV folgt:

K
1= 50 nA E -10 nA· [exp(_U_) -1] = f(U, E)
Ix 50mV

b) Mit I = f(U, E) folgt für

I = 0 (Leerlauf):
/"'"
..---
- + 1~
S.E 0.3
U = UL = m· Ur ·In ( -
IRO f
0.2

"" 50 mV· In( 5 ~ + 1) 0.1

o
o 200 400 600 800 1000lx
E_

26
 L
c) Mit 1= f(U, E) folgt für
U = 0 (Kurzschluss):

I=I K =S·E=50-·E
nA
L
L
30
Ix
20

10 /
o /
o
' 200 400 600 800 1000lx
E-

d) e)

1
1 Zu B I ZuA

11
p = U·I

I
fIA 1000 Ix 20

t
I
40
~ "'W
500 Ix I 15 1000 Ix

20
1 """ I' P
Olx II
1/\ 10

\
0

5
-2

=
1 f(U, E)
0

-6 -5
-0.4 -0.2 o 0.2 0.4 V
-0.4 -0.2 0 0.2 0.4 Y
U-
U-

f) Ersatzbild Die äußere Beschaltung läßt sich mit nebenstehender Ersatz-

quelle darstellen.
Zu A: Zu B:
5 5
Uq 1 V . - = 02 V
= Uq =-1V·-=-02V
25 ' 25 '
R i = (5 knll20 kn) + 1 kn R i = (5 knll20 kn) + 1 kn
= 5 kn =5 kn
Damit ergeben sich die Arbeitsgeraden - - - unter d).

g) U = 0 nur im Fall B möglich (siehe Bild):

I· R i + U q = 0) Uq 02 V nA
E = - -- = ' = 800 Ix, 1= 50-·800 Ix = 40 IlA.
I=S·E S·R i 50 nA .5 kn - - Ix
Ix

27
 Kondensatoren

Q = Co u ~ dQ = Co du
I I~ Spannung
Kapazität
Ladung

] rg
[C = [
1As As
u] =-=1-=1F(Farad)
1V V .

Energie Strom I Spannung

i= ~ =C ~ 0 / u= ~ f idt

r
Sonderfall:
u ='Uosinrot

i=Co du
dt
l=:OCo~
=Coroouocoscot .!.!
=uocoC
Zeigerbild

Ausgleichsvorgänge
im linearen Gleichstromnetz

Die energiebestimmende und daher träge Spannung u strebt nach jeder Schalthandlung

mit der Zeitkonstante -r :~"'","id'''''Od)

von einem Ausgangswert A
zu einem Endwert E, !: -r=RoC C
Jlu stetig
L _ _ _ _ _---'

positiv steigend oder negativ steigend 0

u = E-~-A)oexJ
f\..
_.!.)
A ! 't , E~~-~--+------
flüchtige' Komponente

o o t-

28
 Kondensator an ohmschem Spannungsteiler

Ein Kondensator mit der Kapazität C = 100llF befindet sich bei der angegebenen
SChaltersteIlung u in einem stationären Ladungszustand. Zum Zeitpunkt t = 0 wird
der Schalter nach Stellung 0 umgeschaltet und nach Ablauf von 0,6s wieder zu-
rückgeschaltet in Stellung u.
+6V 0 - - - ,
a) Man stelle den Zeitverlauf der Spannung
Uc graphisch dar und formuliere die Zeit-
funktion analytisch.
b) Man bestimme den Zeitverlauf des Stro-
mes ic. R1

Lösungen
a) Zweckmäßig stellt man den Spannungsteiler für jede SchaltersteIlung durch eine Er-
satzspannungsquelle dar und findet dann die Zeitkonstanten:
"t = R 3 ·(R 1 +R 2 ).C "tu = R 3 .(R 1 +R 2 ).C
o
R 1 +R 2 +R 3 R 1 +R 2 +R 3
= 1,5 kn ·100 )lF = 0,15 s. = 0,83 kn ·100 )lF = 0,083 s.

0::;; t::;; 0,6 s:

3
ue = 3 V - 2 V . exp( __t_) .
t~
Uc
0,15 s

0,6s::;; t < 00:

,,:1ü ue = 1 V + 2 V . exp( - t - 0,6 s)
0 0,083 s
0 0,1 0,2 0,55 I (siehe Übersichtsblatt).
t-
b) mA
i 2
. 1
ic=C·-
duc
dt
0::;; t::;; 0,6 s:

'c i e = 1,33 mA. exp( __t_) .

00 0,15 s
0,1 0,2 0,35

-'1
-2
-2,4mA
O,6s::;; t < 00:

ie = -2,4 mA . exp( t - 0,6 s)

0,083 s .

Die Anfangswerte 1,33 mA und -2,4 mA ergeben sich auch direkt mit den Ersatzspan-
nungsquellen für die beiden SchaltersteIlungen:
t 0 . 3 V -1 V 133 A t 06 . 3 V -1 V = -24 mA .
= ~ 'e = t5 kn =, m, =, s ~ 'e = 0,83 kn '

29
 A3.2 Teilentladung eines Kondensators

+10V
Ein über den Widerstand R1 zuvor aufgela- e =1J.1F. Rl. R2 =11<0
dener Kondensator wird durch das Schlie- R1
ßen des Schalters S teilweise entladen. Der il s R2
Entladezweig besteht aus einer idealen 5V- ie 12

"1
Z-Diode mit Vorwiderstand R2.
e !ue Uzt ZD5
Ideal

a) Man bestimme die Größen i1. ie und ue im stationären Zustand bei zunächst
offenem Schalter S.
b) Welche Ströme i1, ie und i2 treten im Schaltaugenblick (t = 0) auf?
c) Man bestimme die Endwerte der Ströme und gebe die Zeitkonstante für den
Entladevorgang an.
d) Man skizziere den Zeitverlauf der Ströme und schreibe die Zeitfunktion an.
e) Man skizziere den Zeitverlauf der Spannung ue und gebe die Zeitfunktion an.
f) Welche Ladung Q und welche Energie W bleibt im Kondensator bei ständig
geschlossenem Schalter?

Lösungen
a) i1 = ie = Q, ue = U B = 10 V .
b) Die Spannung ue kann nicht springen. Also folgt:
i1 = U B - ue = 0 i 2 = ue - U z = 10 V - 5 V = 5 mA ie = i1 - i 2 = -5 mA.
R1 ' R2 1 kn --'
.. Us-U z 10V-5V 2
e) 11 = 12 = = = 5 mA ie = 0 mA,
R 1 +R 2 2kn ' ,
t = (R 111R 2)' C = 0,5 kn·1 IlF = 0,5 ms .
d) e)
mA
5
i2 = 2,5mA + 2,5mA· ex~ -~)
t
~ = 2,5mA - 2,5mA· exp( -~)
O~~+---r-~---r-------- 5
2ms

Ue =7,5V+2,5v.ex~ -~)

-5
o 2ms

f) Q = C· 7,5 V = 1 IlF· 7,5 V = 10-6 As ·7,5 V = 7,5.10-6 As .

V
W=..!.C'(75 V)2 =..!..10-6 As .(75 V)2 ",28 "WS
2' 2 V' r'

30
 A3.3 Kondensator mit Wechselladung

Ein Kondensator mit der Kapazität C = 10flF befindet sich bei der angegebenen
SchaltersteIlung u im stationären Ladungszustand. Vom Zeitpunkt t = 0 ab wechselt
die SchaltersteIlung zwischen u und 0 in kontinuierlicher Folge.
Schalter-Zeitdiagramm

t SchaltersteIlung
,.-
I
__ .JI

o 0,5 1,5 25

a) Man stelle den Zeitverlauf der Spannung ue graphisch dar und formuliere die
entsprechenden Zeitfunktionen analytisch.
b) Man bestimme den größten auftretenden Strom ie.

Lösungen
TO = (R 1 + Re)' e = 0,25s
a)
V
5
---
I
uc
0

-5 /-S,2V

" "- .....

"-
................... '"'
-10 --- = TU (R 2 + Re) . e =0,5s

0::; t::; 0,5 s: 1 s ::; t ::; 1,5 s:

ue = 5 V - 15 V . ex p( - 1:) .
t -1
Uc = 5 V - 10,2 V . exp( - ~ . s)
0,5 s ::; t ::; 1 s: .1,5 s ::; t ::; 2 s:

Uc = -10 V + 13 V . exp( _ t - 10~5 s) . ( t -1,5

uc=-10V+13,6V·exp- 1u
s) .

b) dul = 15 V = ~ = 60':::' bei t = 0

dt max 10 0,25 s s
--+ iCmax = C. dul = 10.10-6 As .60 V = 0,6 mA.
dt max V s--

31
 Impulsübertragung durch Re-Glieder

Auf den Eingang der beiden folgenden Re-Glieder (Tiefpass und Hochpass) wirkt ein
Doppelimpuls der dargestellten Form. Der Kondensator sei im Ausgangszustand
ungeladen.

o 2ms Tiefpass Hochpass

t-
a) Man konstruiere dazu die zugehörige Ausgangsspannung u2·
b) Man formuliere die Zeitfunktionen analytisch.
c) Welche Energie liefert der Doppelimpuls und was geschieht damit?

Lösungen
a) Zeitverläufe b) Zeitfunktionen

Ost s 1 ms:
V
r 0.5 't'=R·C
=10kSl: 50 nF
u2T = 1 V . [1- exp( -~)] .
u1 =0,5ms 1 ms s t s 1,5 ms:
0
0 2ms t- u 2T = 0,86 V . exp( _ t - : ms) .

1 1,5 ms s t s 2 ms:
V t -1,5 ms)
u2T = 1 V - 0,68 V· exp( - T .
0.5
u 2T usw.
0
Ost s 1 ms:
1
u2H =1v.exp(-~).
t
V
1 ms s t s 1,5 ms:
u 2H
u2H = -0,86 V. ex p( _ t - : ms) .
0
1,5 ms s t s 2 ms:
t -1,5 ms)
u2H = 0,68 V exp ( - .
T
-0,86V usw.

c) W = 1 V. 17°,1 mA· exp( -~)dt + 1v· °7~,068 mA· exp( -~)dt = 6,5.10- 8 Ws.

o 0
Energie wird im Widerstand R in Wärme umgesetzt.

32
 Einschwingvorgang am RC-Hochpass

Gegeben sei der folgende RC-Hochpass., auf dessen Eingang die dargestellte Im-
pulsfolge mit einem Tastverhältnis v = 0,5 aufgeschaltet wird. Der Kondensator sei
zunächst ungeladen.

t V1 T
0

~j 1~
C=O,1SpF
u\ Ti
0/5
R=10k2
o+----+----~--~----~---
o 0/5 1/Sms t- RC-Hochpass
a) Man konstruiere näherungsweise den Zeitverlauf der Ausgangsspannung u2.
b) Man bestimme die Amplitude 0 der Ausgangsspannung im stationären Zustand
sowie die Absenkung AU des Impulsdaches.
c) Welche (relative) Dachschräge ergibt sich aus der Dachtangente zum stationä-
ren Zustand?
d) Welche Ladung AQ wird dem Kondensator im stationären Zustand innerhalb
einer Periode zu- und abgeführt?

Lösungen
a)
Tangente entsprechend, =R· C =15ms

/i
o+----+----+---~~=-+_--~--~+_--~--~+_~~--~---

o 0,5 1,5 2 2,5 3 3,5 4ms t-

Der eingeschwungene (stationäre) Zustand wird praktisch nach etwa 3 ... 5. erreicht.
b)
V
--=--JI-------......:::,...---.......- +u ( "Ti) ~ (Ti) -1V=-u~
-7
i ~~=_--t_......:=""rc::_["---- u·exp -, i u·exp

~ u= Q,583V, AU = 0,166 V .
_ _ _ _ _ _ _.-=0...._ _ -u

Die Spannung schwingt symmetrisch zwischen den Werten +Q und -0. Die schraffierten
Spannungszeitflächen sind gleich, es tritt keine Gleichspannungskomponente auf.

c) Geometrie: A~U "" Ti = 0,33 = 33% bei linearer Näherung durch Tangente.
u •
d) AQ = C· AU = 0,15 I!F ·0,166 V = 0,15.10-6 As ·0,166 V "" 25.10-9 As.
V

33
 A3.6 RC-Spannungsteiler

Es ist das Übertragungsverhalten von RC-Spannungsteilern in drei verschiedenen

Schaltungsvarianten A, Bund C zu untersuchen. Die Widerstande und Kondensa-
toren sollen wie folgt bemessen werden: R1 = 1kO, R2 = 2kO, C = 0, 15f..LF.

i ~ -------- A) B) 0--"'----, C)~C

u, R, C
1,

o~~~~---+---
o 2 3 ms
t_

a) Man bestimme jeweils den Antwortimpuls, wenn am Eingang der Schaltungen

der angegebene Treppenimpuls wirksam wird.
b) Man ermittle jeweils den Frequenzgang des (Spannungs-) Übertragungsfaktors
nach Betrag und Phase.

Lösungen zu Variante A:
!d 2 = -----:=----,,=-=--
b) A = -
1+ jooCR 2
a) "t={R11IR2)·C - U1 R R2
- 1 +---=--
= R 1 ·R 2 . C 1+ jooCR 2
R 1 +R 2 A= R2 . 1
= 0,66 kn . 0,15 IlF R1 +R 2 ~1+(OO"t)2
= 0,1 ms 00
<p = -arctan OO"t = -arctan- .
Man findet die Zeitkon- OO g
stante durch Kurzschluss
der Eingangsklemmen. "t = - , OO g = Eckfrequenz (Grenzfrequenz) .
OO g

Grenzfrequenz t

I
0,66

I~ A
i
cp
u2
2 0,066 0°

0,0066 L--_ _ _ _. . l -_ _ _ _ ~_ _ _ ....::r::=--..I

2 3 ms 15,91 159,1 1591 :15910 Hz
t-
f----'

34
Lösungen zu Variante B:

a) T=(R11IR2)·e
= R 1 ·R 2 ·e
R1 + R 2
= 0,66 kn· 0,15 ~F
= 0,1 ms
Man findet die Zeitkon-
R2 1 I
er = arctan-, -
0) 0).
stante durch Kurzschluss arctan- mit .- = 0) g'
der Eingangsklemmen. O)g O)g R1 +R 2 T

i b,66 .,
I
I
'A
A I

y
->-
'f J..
-~ I
o+---+---~--~~--
o 0,'15,91
1
-11----~~-
2 ms -t 159,1
1
15 91
f-
15910 Hz

f' - f
9 - 9
.~
R +R
fg = ~
27t
(Eckfrequenzen)
1 2

Lösungen zu Variante C:
b) R2 .~ mitT=_1_.
a) T=(R 1 +R 2)·e R1 + R 2 1+ jO)T 0) 9
= 3 kn· 0,15 ~F
= 0,45 ms
Man findet die Zeitkon-
stante durch Kurzschluss
der Eingangsklemmen.

9
er = 90°- arctan- =
0) 0)
arctan- .
O)g 0)

Grenzfrequenz --.

I
0,66 90°

A
45° i
<p
0,066 0°

~ j- - - - - - -
f = <0 9
9 27t

""
-,
-
0,0066
3,53 35,37 353,7 3537 Hz
f

35
 A3.7 Tastteiler zum Oszilloskop

Es wird der Tastkopf zu einem Oszilloskop im Zusammenhang mit der Eingangs-

schaltung des Oszilloskops betrachtet.

Tastkopf Koaxialkabel Oszilloskop

a) Man gebe ein Ersatzbild in Form eines RC-Teilers an, in dem die Kapazitäten
CK und Ce zusammengefasst werden.
b) Man bestimme allgemein den komplexen Übertragungsfaktor sowie dessen
Betrag (Amplitudenfaktor).
c) Welcher Übertragungsfaktor ergibt sich für tiefe Frequenzen?
d) Man zeichne den Frequenzgang des Übertragungsfaktors (Betrag) für die Fälle
C1 = 0 und C1 = 1pF mit doppeltlogarithmischem Maßstab.
e) Welche Bedingung muss erfüllt sein, wenn der Teiler frequenzunabhängig sein
soll?
f) Man skizziere den Zeitverlauf der Spannung ue als Antwort auf einen Sprung
der Eingangsspannung für verschiedene Größen der Kapazität C1.

Lösungen
Z
a) Ersatzbild b) A= -e
~1 +~e

C~=CK"Ce
=130pF

c) 1 Mn = 01
(9 + 1)Mn -'- .

36
d) C1 = 0: Es gibt nur einen "Abwärts knick" bei der Eckfrequenz f 1 :
1
f1 = RR "" 1,36kHz (folgt direkt aus der Nennerzeitkonstante des
27t· e ( C 1 + Ce' ) -
1 Übertragungsfaktors) .
R 1 +R e
C1 =1pF: Wegen C 1 « Ce verschiebt sich der Abwärtsknick praktisch nicht. Es
gibt einen zusätzlichen "Aufwärtsknick" bei der Eckfrequenz f 2 :
1
- - - - - - - - "" 17,7kHz (nach Zählerzeitkonstante).
21t·9·106n.10-12~ - - -
n

I I J 1
r---..
~~
- - C, =0, CK=1OQ:)F, Ce=30pF

",
5 ') ----- C, =1pF, CK=100pF, Ce=30pF
I
I
2
I ~
I
I ... K""- --- ---
I i
I ~
5 I
I
I
1-
N"ad"""'h
~
e
Teilung der Ac hsen: -45°)

I
"-
"
2 -
I
~' f2~
t\.
5 5 5 105 Hz
f-

e) R 1C 1 = R 1Re ' ( C + Ce, ) -+ C1 , =

Re -+ C 1 = Ce' ,Re
- = 14,4pF .
1
R 1 + Re C 1 + Ce R 1 + Re R1
f) Mögliche Antworten auf einen Sprung der Höhe U1 am Eingang:

unterkompensiert kompensiert überkompensiert

, Re Re
Cl = C~. Re
I

iUe i t
C, <C e · - Cl >C e ' -
Rl Rl Rl

Ue ue

Ul'~
Rl +R e U1· _Cl- , l'
Cl +C e
Cl - · ( Cl +C •e )
Rl-'Re
-- Ul · _ - , =U,.~ t=
R l +R e
Cl +C e R l +R e

0 0 0
0 t_ 0 t- 0 t-

Man kann die Schaltung als Parallelschaltung eines ohmschen und eines kapazitiven
Spannungsteilers auffassen. Für die Übertragung des Sprunges (hohe Frequenzen) ist
der kapazitive Teiler maßgebend, für den stationären Wert der ohmsche Teiler.

37
 Zweigliedrige RC-Kettenschaltung

Gegeben seien folgende Kettenschaltungen:

A) RC-Tiefpass B) RC-Hochpass

rl c 1--.....---0

",I ~ I"' R I",

a) Man bestimme den Spannungs-Übertragungsfaktor in komplexer Form und
führe eine Frequenznormierung durch.
b) Der Frequenzgang des Amplitudenfaktors (Betrag des Übertragungsfaktors)
und des Phasenwinkels ist darzustellen.

Lösungen
a) Zum Tiefpass (TP) gilt: ! = ~2 . jroC und weiter
.!d:= ~2 +!. R = ~2 + ~2 . jroC· R = ~2 . (1 + jroCR) --+ r = ~2 . (1 + jroCR)· jroC,
~1 = \:t + ( ! + D· R = \:t +!. R + r· R,
= ~2 . (1 + jroCR) + ~2 . jroCR + ~2 . (1 + jroCR)· jroCR = ~2 . [1 + 3jroCR - (roCR)2].
A = ~2 = 1 1 mit 0 = ~ = roCR --+ roo = _1_
- ~1 1+j3.roCR-(roCR)2 1+3jO- 0 2 roo CR
Zum Hochpass (HP) ergibt sich analog:
A= ~2 = 1
~1 1- j_3__ (_1_)2 1- j~ __1_
roCR roCR 0 02
1
b)

30
<p = -arctan-- .
1-0 2

A q> A q>
0.1 _90 0 0.1 90 0

0.01 _180 0 0.01 0

0

0.001 _270 0 0.001 _90 0

0.01 0.1 10 100 0.01 0.1 10 100
0- 0-

'JO
vU
 A3.9 Dreigliedrige RC-Kettenschaltung

Gegeben seien folgende Kettenschaltungen:

A) RC-Tiefpass B) RC-Hochpass
R
H C I--_._--II---...---c

")~_C--,,-T I )" ',I ~ l~ ~ _ c_____ R I"

a) Man bestimme den Spannungs-Übertragungsfaktor in komplexer Form und
führe eine Frequenznormierung durch.
b) Der Frequenzgang des Amplitudenfaktors (Betrag des Übertragungsfaktors)
und des Phasenwinkels ist darzustellen.
Lösungen
a) Zum Tiefpass (TP) gilt nach Aufg. A3.8:
!,1"=!,12 .[1+3jooCR -(ooCR)2] und somit 1: =!,12 .[1+3jooCR-(ooCR)2j. jooC .
r
!,11 = !,1"+( ! + + 1:). R mit L= !,12 . jooC und r = !,12 . (1 + jeoCR). jooC . Damit folgt:
A = !,12 = 1 = 1 mit n = ~ = ooCR .
- !:!.1 1-5(ooCR)2+ jooCR[6-(ooCR)2j 1-5n 2 +jO(6-0 2) 00 0

Analog erhält man für den Hochpass(HP):

!,12 1

!O = >1, = 1- (roc~)' + i<o~R[6- (mc~),l 1_~+~(6 __1_)

02 jn n2
1 1
b) TP: A = , HP: A= ,
~(1_502)2 +n 2(6_n 2)2 ~(1_~)2 +_1 '(6 _ _
1)2
2 0 2 2 0 0
0.(6-n 2)
<p = -arctan . 60 2 -1
1-502 <p = arctan (2 ) + 1800
O· 0 -5

0.1 t 0.1 180 0

f
-90"
t
A A t
<p
<p
0.01 .180 0 0.01 90°

0
_270 0 0.001 0
0.001
0.01 0.1 10 100 0.01 0.1 10 100
0- 0-

39
 Spulen und Transformatoren
physikalisch symbolisch
'" = N . Cl> = L· i ~ d", = N . d<I> = L· di
Windungs-
zahl N 1 1
Strom
Induktivität
u L
1.-_ _ _ _ _ Induktionsfluß

(verketteter Fluß)
r\jll 1Vs Vs
[L] =f;f='1A=1A:=1H(Henry)

Energie: L = N2 ·AL Spannung I Strom

IW=~L'i21
/
Induktivitätsfaktor
d\jl =L· dt
u = dt dij'I = L
1 udt f
magn. Leitwert

Sonderfall:
u = u·sinoot
Zeigerbild
i=~f udt u
1 "
=-_·u·(-COSrot)
L·oo !,~.~
~u N.$
1=-=--
- jooL
ooL L

Ausgleichsvorgänge
im linearen Gleichstromnetz

Der energie bestimmende und daher träge Strom i strebt nach jeder Schalthandlung
.---c:J---:Y'R (Ersatzwiderstand)
mit der Zeitkonstante 't r~--C=}---+---,
i stetig
von einem Ausgangswert A ,,:
zu einem Endwert E, I
, L
I
L _ _ _ _ _-'

positiv steigend oder negativ steigend.

i = E- (E- A).ex~-~)
I !
A
f10Chtige'Komponente

o t--- o t---

40
 Spulenkem
mit lohne Luftspalt

!Le = !Lr s = !Lrls=o effektive (relative) Penneabilität [3]

1+ !Lr'~
Je
!Lr = Penneabilitätszahl (rel. Penneabilität)

Ae
AL =!Lo'ILe'- Se = effektiver Luftspalt < s (geometrischer Luftspalt)
Ia le = effektive Weglänge '" Im (mtl. Feldlinienlänge)
J!o =1,257 !LH
m Ae =effektiver Querschnitt '" A (in der Regel A e =A).

Transformator I Übertrager
physikalisch

<l>h = gemeinsamer Hauptfluß

<l>s = Streufluß

<l>s « <l>h bei hochpermeablem Kern

ohne Luftspalt
symbolisch

(j =N1/ N2 =Übersetzungsverhältnis
=
L1 AL .N? =primäre Induktivität
L 2 = AL .N~ = sekundäre Induktivität

Ersatzbild für geringe Streuung (ohne Kernverluste)

Rcu2 = Rcu2' cJ2

R2 =R 2 . ü 2 transformierte Last
= Magnetisierungsstrom
=induzierte Spannung = N1·d<l>h dif1
- =Lh · -
dt dt
= primärseitiger Kupferwiderstand
~O~
RCu1

RCu2 =sekundärseitiger Kupferwiderstand ~O

idealer Transfonnator (Trafo)

~O
Lo- = Streuinduktivität (0" = Streugrad)

Lh =Hauptinduktivität ~ L1 ~oo

41
 A4.1 Ringspule mit Eisenpulverkern

Gegeben sei eine Ringspule mit Eisenpulverkern und einer Windungszahl N = 40.
Gemessen werde: Induktivität L = 150jJH,
Kupferwiderstand Rcu = 150mQ.

Schaltversuch
S
~
1
Ae = 50mm 2
=1u .=5V
L +U L

0 Rcu
1"
a) Man berechne die Eigenzeitkonstante T und den Induktivitätsfaktor AL.
b) Welche effektive (relative) Permeabilität I-le hat der Kern?
c) Welcher Strom i wird erreicht, wenn Schalter S 0,1 ms lang schließt und dann
wieder öffnet?
d) Man ermittle zu dem berechneten Strom die erreichte Flussdichte, den zugehöri-
gen Bündelfluss ~ sowie den Induktionsfluss \jJ.
e) Man skizziere maßstäblich den Zeitverlauf des Stromes i für eine ideale Frei-
laufdiode D und schreibe die Zeitfunktion an.
f) Man skizziere maßstäblich den Zeitverlauf des Stromes i für eine Freilaufdiode
mit konstanter Flussspannung UF = 0,6V und schreibe wieder die Zeitfunktion an.
g) Man skizziere zu f) maßstäblich den Zeitverlauf der induzierten Spannung uL
und erkläre die Bedeutung der Spannungszeitflächen.
h) Welche Verlustarbeit tritt bei jedem Abschaltvorgang in der Diode auf?

Lösungen
a) T=_L_= 150.10-6 0S=1ms A =~= 150.10-6 0S=94nH.
RCu 150.10- 3 0 - ' L N2 1600

c) i = ~. [1- exp(- ~)] ~ i (0,1 ms) = ~. [1- exp(- 0,1 ms)] = 3,172 A .
R cu TReu 1ms
Da t « T·
Ist,· 1
gl t·na
· herungswelse (t) "" 1 - t
. exp - ~ ~ (siehe Anhang B, Seite 130)

Also folgt: i '" ~ . IL1- 1+ ~] = ~ . t = 5V ·0,1 ms = 3,3 A als Näherung.

R cu T L 0,15 mOs

42
d) B=J..l 'J..l . .!..!i",,1,257.10-6QS .90. 3,2A·40 ",,0,24~=0,24T.
o e le m 60.10-3m m2--

$ = B· A e = 0,24 V~ . 50·10-6 m 2 = 12 .10-6 Vs,

m
\11 = N·cP = 40·12·10-6 Vs= 480·1Q-6 Vs,
= L· i = 150.10-6 Qs.3,2A = 480·10-6Vs (Probe).

e)
tA
i3 o <tsO,1ms: i= 33,3A.[1-ex~-~)]
2
t~O,1ms: i= 3,2A. ex~ _ t-O~1ms)
----
0
0 0,5 1ms
t-
f)
t1 A
3
Ost s O,1ms: 1= 33,3A -[1-ex~ -~) ] "" 33,3 :s ,t
2
O,1ms s t s O,69ms:i = -4A + 7,2A.exp( t-O~1ms)

... .... 1ms

t---
-1 Ersatzbild
-2

-3
Jt:lL
+URcu
4+--1------------------+-----------~-------- _ UF = -4A *)
R cu

g) d'
Ost s O,1ms: uL = L· d; = SV ,ex"l-~
J t)
O,1ms s t s O,69ms: UL =L, d; .. J
d' =-1,0 8V· e""l t- 0t'1ms)

lms
t---
Die positive und negative Spannungszeitfläche sind gleich groß und entsprechen dem Auf-
-5 und Abbau des Induktionsflusses:1jI = f uLdt = L·i= O,1SmH·3,2A = 0,48mVs,

f
O,69ms O,59ms

h) W = U F · fi(t)dt = 0,6 V . [-4 A + 7,2 A· exp( -~) ] dt "" 0,5 mWs .

O,1ms °
Der Nullpunkt der Zeitachse für die Integration wird auf den Schaltaugenblick verlegt.

*) Bei einer realen Freilaufdiode geht der Strom umso rascher auf Null, je höher die Fluss -
spannung ist.

43
 A4.21 Eisendrossel im Schaltversuch

Für eine gegebene Drosselspule mit Mantelkern M42 (Luftspalt s = O,5mm) sollen
die Spulendaten aus einem Schaltversuch mit Freilaufdiode ermittelt werden. Zur
Zeit t = 0 wird Schalter Sch geschlossen. Der Strom steigt wie angegeben an.

Versuchsschaltung Versuchsergebnis

Sch r - M42r-
i
i.:..
- L
T 50 t=--=25ms
u =5V /
I
•ts R Cu
-,Rcu,L I
10 I
effektiver Luftspalt se = O,32mm O;---rl--~~--~---
o 25 50 75 100ms
Eisenquerschnitt A e (A e ) = 1,6cm2
t---
Eisenweglänge le = 10,2cm '" le (effektive magnetische Weglänge).
Die Freilaufdiode D sei nichtideal und habe die Kenndaten Us =0,7V, rF =0
a) Welchen Kupferwiderstand Rcu und welche Induktivität L hat die Spule?
b) Welche Windungszahl ergibt sich aus dem Kupferwiderstand bei einer mittleren
Windungslänge Im = 8,9cm, wenn der Drahtdurchmesser d = O,25mm beträgt?
c) Man berechne den AL-Wert (Induktivitätsfaktor).
d) Welche effektive Permeabilität ~e hat der geSCherte Kern?
e) Welche relative Permeabilität J.lr hat die verwendete Eisensorte?
f) Bis zu welcher Flussdichte B wird die Spule im Schaltversuch magnetisiert?
g) Welche magnetische Energie nimmt die Spule auf?
h) Wie verteilt sich die magnetische Energie auf Luftspalt und Eisen?
i) Wie verläuft der Strom i, wenn Schalter Sch zum Zeitpunkt t' = 0 (t > 100ms)
wieder öffnet?
j) In welcher Zeit to klingt der Strom auf Null ab?

Lösungen
5V 3
a) R eu =90mA ",,560, L='t·R eu =25·10- s·560=1,40s=1,4H.

Re 56Q
b) R eu = N ·I m . R'~ N = - ,_u = "" 1750 (R' aus Drahttabelle, z.B. [3]).
R ·I m 0,36 Q . 0,089 m
m
R' ist der Drahtwiderstand bezogen auf eine Länge von 1 m.

44
c) A = ~ = 1,4 Qs "" 0,46 IlH .
L N2 17502 _ __

d) AL = Ilo 'Ile'~ ~ Ile = ~ = 0,4:.1~-SQS.0,10! m "" 230.

le Ae 'Ilo 1,6 ·10 m ·1,257 ·10 Qs/m

Ilr Ile 230 "" 830.

e) Ile = ---'--'-- ~ Ilr = ---'--'='---
1 + ~ . Il 1- Ile . _~e 1-230. 0,32 -
le r e 102

f) B= . .~ = 1257 ·10-s Qs .230. 0,09 A·1750 "" 045 T.

Ilo Ile le' m 0,102 m -'--

g) W = ~L .1 2 = ~ ·1,4 Qs· (0,09 A)2 "" 5,7 mWs .

h) Energiedichte
Luft: W~ =~.~=~. (0,45)2(VS)2 ·m ",,80550 Ws
2 llo·1 21,257.10-s .m 4 .Qs m3 '

Eisen: W~ = _ . ~ = _. (0,45)S2 (V~2 . m "" 97 W: .

2 Ilo 'Ilr 2 1,257·10- ·m ·Qs·830 m
, Ws -3 -42
WL =WL ·VL =80550-
3 ·O,32.10 ,m·1,6·10 m ",,4,1mWs,
m
,Ws -42
WE = WE . VE = 97- 3 ·0,102 m·1,6·10 m "" 1,6 mWs.
m
In der Summe ergibt sich die unter g) berechnete Energie.
i) Es wird wie im vorigen Beispiel eine Diode mit konstanter Flussspannung UF = Us ange-
nommen (vgl. auch Übersichtsblatt A.2, Seite 16).

Ersatzbild:

L t
RCu i=-12,5mA+102,5mA.e~ -~)

i.o = - Us = -12,5mA 10 +i = 0
Rcu o+-~~-~----~------~----
L -10 - ~ 12,5mA= Us
't'=-=25ms
Rcu o 25 50 75ms t'- R cu
--.j 't t--

j) 0 = -12,5 mA + 102,5 mA· exp(-~) ~ t o = -'t' ·In 12,5 = 52,6 ms.

't 102,5

45
 A4.3 Eisendrossel im Frequenztest

Gegeben sei eine Eisendrosselspule aus Dynamoblech mit Mantelkern M55,

Luftspalt s = O,5mm.

[ur
Eisenquerschnitt AE = 3,06cm 2 .. A e
EisenwegJange IE =13,1cm .. Je
mtl. Windungslange Im =11,6cm
Wickelquerschnitt A w =2,5cm 2
eff. LuftspaJt Se = O,35mm
s

a) Man bestimme die ungefähre Windungszahl, wenn der Spulenkörper mit Kupfer-
lackdraht CuL, d = O,2mm, ohne Isolierzwischenlagen voll bewickelt wird.
b) Welcher Kupferfüllfaktor Kcu wird erreicht?
c) Welchen AR-Wert und welchen Kupferwiderstand Rcu hat die Spule?
d) Man bestimme die effektive Permeabilität f.le, den AL-Wert und die Induktivität,
wenn mit einer relativen Permeabilität IJr = 700 gerechnet wird.
e) Welcher Gleichstrom I bewirkt eine Vormagnetisierung bis auf 0,5T?

f) Welche Amplitude i eines überlagerten Wechselstromes ist zulässig, wenn die

Flussdichte B nicht über 1 T ansteigen soll?
g) Man bestimme allgemein die Spulengüte Qcu sowie den Scheinwiderstand Z in
Abhängigkeit von der Frequenz.

h) Man bestimme allgemein die Amplitude B der Flussdichte in Abhängigkeit von

der Frequenz für eine feste Klemmenspannung (ohne Gleichanteil).
i) Man stelle den Frequenzgang der Güte, des Scheinwiderstandes und der Fluss-
dichte im Bereich 1Hz bis 1000Hz dar.

Lösungen
2 1 N' = Windungszahl pro cm 2 nach
a) N = A w . N' = 2,5 cm ·1650· --2 '" 4125 .
cm Drahttabelle [3].

b) A w ' K Cu = N· ~d2 --+ K Cu = ~. ~. d 2 = 0,52 (Nutzungsgrad der Wickelfläche) .

4 Aw 4 -

c) AR =2 Im 1.mm 2 . 0,116m =159uD [3] .

K A w ·K cu 56 S·m 2,5 cm 2 ·0,52 "
R cu = AR N2 = 15,9 IlD· 4125 2 '" 270 n bei voller Bewicklung *),
alternativ:
D
R Cu = N ·I m R' = 4125·0,116 m· 0,56- '" 270 n (R' aus Drahttabelle) .
m --

*) Die Beziehung Rcu = AR' N2 ist nur anwendbar für eine Vollwicklung.

46
d) ~e: ~r 700,., 244 .
1+ ~ . ~ 1+ 700. 0,35 -
r le 131

A L :II ·11 '~:1257'10-6nS.244.3,06.10-4m2 ,.,072I1H

"-0 r-e IE ' m 0,131m 'r-'

L : AL . N2 : 0,72 ~H· 4125 2 ,., 12 H.

I·N B·l e __ 0,5 Vs/m 2 .O,131m <><52mA.

e) B: ~o~e .- ~ I: --~- .-
le N· ~o . ~e 4125· (1,257 .10-6 ns/m). 244 - -

f) Mit der Annahme einer konstanten Permeabilität ~e gilt: i: I ,., 52 mA .

g) Qcu -_ RcoL __ 2nf.L,

R Cu
I 2 2 )2
Z:VRCu+(coL) :coL'V1+l~) .
~1
CU

Ersatzbild
L ohne Eisenverluste

h)
,
B:~o~e'--:
i .N ~o~e . Cl N
.-:-_.
Cl 1 Cl ..
,.,--furQCu»1.
le ~R~u + (coL)2 le coNA e ~1+(Q:J2 coNA e

i)
Sättigung! Bs"" 1,2T bei Si-Eisen.
1 10 5 100~---~~-----.--~--.
T n

t
"...
0,1
t 10
4
t 10

B Z QCu

0,01 10 3

0.001
10 100 1000Hz
f--

In dem betrachteten Frequenzbereich sind die Kernverluste noch vernachlässigbar.

Oberhalb von 20 Hz ist die Güte bereits so hoch, dass die Spule praktisch nur als induk-
tiver Widerstand XL : coL wirkt.

Anmerkung:
Für die Flussdichte B verwendete man früher die Bezeichnung "Induktion", was in Fir-
mendruckschriften immer noch üblich ist. Man trifft zuweilen auch noch die veraltete
Einheit "Gauß": 1 Gauß (G): 10-4 Tesla (T).

47
 A4.4 Spule mit Ferritschalenkern

Gegeben sei ein Ferritschalenkern 26/16 mit Luftspalt s aus einem Ferritmaterial
mit der Anfangspermeabilität Ili ",2000. Der Hersteller gibt folgende Kennwerte an:

TI:' O_@i"
26 -
L wv
rr," J
IL,
",' ..
"'",,,'
,.,1
AL-Wert ( Nennwert)
effektive magn. Weglänge
effektiver magn. Querschnitt
A L= 400nH.
le = 37mm,
A e = 94mm 2

..jsf..-7 -lsk- rel. Temperaturkoeffizient (20°C bis 70°C) TK rel = TK lli '" 1,8.1 0- 6 ~,
AR = 55~O *) fli K
für Kcu = 0.5 tanoK 6
rel. Kernverlustfaktor (f < 20kHz) tanoKrel =--",0,5·10-
(Kupferfüllfaktor) fli

a) Man berechne die effektive Permeabilität Ile, den Scherungsfaktor S und den
effektiven Luftspalt se.
b) Welche Toleranzbreite ergibt sich für die effektive Permeabilität und den AL-
Wert, wenn die Anfangspermeabilität Ili um ±20% schwankt?
c) Man berechne Induktivität L und Kupferwiderstand Rcu für eine voll gewickelte
Einkammerspule mit Windungszahl N = 400, Draht CuL, d = 0,25mm, Kcu = 0,53.
d) Welcher Gleichstrom darf überlagert werden, wenn die Vormagnetisierung B =
150mT nicht überschreiten soll?
e) Mit welcher Induktivitätsänderung ist zu rechnen bei einer Temperaturerhöhung
von 20°C auf 70°C (L\ T = 50K)?
f) Wie ändert sich die Spulengüte im Bereich 1kHz < f < 10kHz?
g) Man bestimme angenähert die Eigenkapazität und Eigenfrequenz (Resonanz-
frequenz) der Spule zu folgenden Daten:
Spulenlänge Iw = 10mm, Wickelhöhe hw = 3mm,
mtl. Windungslänge Im = 50mm.
h) Bis zu welcher Frequenz ist die Spule einsetzbar, wenn die scheinbare Induktivi-
tätserhöhung in Resonanznähe <1 % bleiben soll?

Lösungen
a) A = . . Ae =~= 400·10- 9 Qs·37·10- 3 m·m =12526
L flo fle I ,fle A -6 -6 2 __ ' _'
e flo' e 1,257·10 Qs· 94·10 m

S = -fle ", -125

- ", 0,063. fle = fli ~ - -1~ . -le = 0,277 mm .
se = (fli
fli 2000 1 Se fle fli
+fli "
e
Entsprechend dem Faktor S verringern sich der Temperaturkoeffizient und der Kernver-
lustfaktor gegenüber einem Kern ohne Luftspalt.

*) Der AR-Wert gestattet sehr einfach die Berechnung des KupfelWiderstandes einer vollen
Spule (siehe A4.3).

48
 Ili 12
b) Ile = Se 1 Se 0,277
1+lli'-
le
-+-
Ili le 2000 ± 400
+--
37 t
Jle
124
= 125±1,5 % ~ AL = 400nH ± 1,5 %.
122
Dank der stabilisierenden Wirkung des Luftspaltes
schwanken Ile und damit AL nur um ±1 ,5 %. 120+-,---,----,--,-.,....--,...--..,.-,
1500 2000

c) L = AL' N 2
= 400 nH .400 2 = 64 mH ± 1,5 %, L mit Abgleichschraube variierbar.
I 2 0,5 2 2
R eu =AR·N =A R ·--·N =521l0·400 ",,8,30·
I 0,53 -
korrigierter Wert für Keu = 0,53.

d) !!'!. = _B_~ 1= ~.~= 2 0,15 VS'0~037 m·m ",,_88_m_A.

le Ilo 'Ile Ilo 'Ile N m ·1,257 ·10- Os ·125·400

e) Der effektive Temperaturkoeffizient ist TK e '" TK~i .S .

TK e '" TK~i 'Ile = TK rel 'Ile = 1,8 .10-6 ~ ·125 = 225 .10-6 ~ *),
Ili K K

~L = TK e . L· ~T '" 225 .10-6 ~. 64 mH· 50 K '" 0,72 mH .

K
1
f) 0=--, tanö = tanöeu + tanöKe' (tanöKe = effekt. Kernverlustfaktor) .
tanö
tanöKe = tanöK . S = tanöK 'Ile = tanöKrel 'Ile "" 0,5.10-6 ·125", 0,063.10- 3 .
Ili
f=1kHz:tanöeu=Reu = 8,30 ",20,7.10-3~tanö=20,76.10-3, 0",50.
coL 4000
Re 830 -3 -3
f=10kHz:tanöeu=--u = ' ",,2,07·10 ~tanö=2,13·10 , 0",470.
coL 40000
Die Spulengüte 0 steigt im betrachteten Intervall also von 50 bis etwa 500 an. Der
Einfluß der Kernverluste ist dabei sehr gering. Erst bei höheren Frequenzen liefern die
Kernverluste bei Ferriten einen nennenswerten Beitrag, wodurch die Güte wieder
abnimmt.

g) cw",~.lw·lm "'1,8~.1cm.5cm=30PF~fo"'fr'" 1 "'115kHz

n2 hw cm 0,3 cm 21t~
(Rechnung nach Feldtkeller [3]).

h) L ff =
()2 L ~f=fr '~1- LL =f )1- L ""f· 11-(1-001) ",,01·f [3] .
e
1-X r
eff,
101 L r v ' , r

Die Spule darf unter der genannten Voraussetzung nur bis 11,5 kHz eingesetzt werden.
Zur Näherungsrechnung vgl. Funktionentafel im Anhang B, (Seite 130).

*) Anstelle von TK rel findet man in den Datenbüchern häufig die Bezeichnung UF'

49
 A4.5 Parallelschwingkreis

Mit Hilfe einer gegebenen Ferritkernspule mit Abgleichschraube und einem noch zu
bestimmenden Kondensator soll ein Parallelschwingkreis für eine Kennfrequenz
fo = 10kHz aufgebaut werden.
Spule: L", 64mH, TKL(TK e ) '" 230.10"'6~, QL '" 500 bei 10kHz,

Cw '" 30pF, (Daten nach Aufg. A4.4)

Kondensator: Styroflex mit TK c =-210.10-6-.!., tano c = 0,2.10- 3 .

K

a) Man bestimme die notwendige Kapazität C, den Kennwiderstand Zo und die sich
ergebende Kreisgüte QK.
b) Man bestimme die Resonanzfrequenz f r• den Resonanzwiderstand Zr und die
Bandbreite M des Schwingkreises.
c) Man bestimme die Temperaturabhängigkeit der Kennfrequenz.
d) Welche Bedingung muss erfüllt sein für eine temperaturunabhängige Kennfre-
quenz bzw. Resonanzfrequenz?
e) Man gebe eine geeignete Kondensatorschaltung für praktisch vollständige
Temperaturkompensation an.

Lösungen

a) fo = ~ --+ C = (_1_) ~,,; 4 nF

2 . . Nächster Normwert: C = 3,9 nF.
2n LC 2nfo L

Zo = -,,; ~64mH
~
C
- - = 4 kn,
4nF --
- 1 = tan ÖL + tan Öe ,,; 2 ·10- +
QK
3-3
0,2 ·10 --+ QK ,,; 450 .
-

b) f f 1 Durch die Verluste ergeben sich geringfügige Abweichungen von der

r ,,; 0 = 2n..JLC· Kennfrequenz (bei hoher Güte vernachlässigbar).
1 1
Zr = R p = QK ,Zo ,,; 450·4 kn = 1,8 Mn, M = f o ' - = 10 kHz·- = 22 Hz.
QK 450 - -

c) Ofo Ofo 1 [ -2L..JLC·L.TKL·~T-2CJLC·C.

Mo";aL·~L+ac·~C";2n· 1 1 TK e'~T] ,

Mo 1 1 6 1 6 1
-,,;--(TKL+TKc)·~T=--(230-210) 10- -·~T=-1010- -·~T.
fo 2 2 K K
d) TK L = - TK e .

e)
I 1
c cI
0

czr C 1 = 3,6 nF, TK 1 = -210.10- 6 :' Styroflex 1 C = 3,9 nF .

0
C 2 =0,3nF, TK 2 =-470.10- 6 :, KeramikN470
Beweis:
C 1 . TK 1 + C 2
TK e = ---'------:c-'-----::-"-._T_K.=..,2 = 3,6· (-210)+ 0,3(-470) .10-6 ~ '" -230 10-6 ~ [3].
C1 + C2 a9 K K

50
 Bandpass mit Parallelschwingkreis

Mit dem Parallelschwingkreis nach A4.5 soll die folgende Band passschaltung
aufgebaut werden.
R = 100kO Merke:
L '" 64mH (abgleichbar) tl.f 1
e",4nF
Ta = OB
rel. Bandbreite
Zo=jf"'4kO OB = BetriebsgOte (5. unten)
fo = 10kHz r:;; Resonanzfrequenz

a) Man bestimme den komplexen (Spannungs-) Übertragungsfaktor 6.u unter Be-

rücksichtigung der Schwingkreisverluste.
b) Man skizziere den Frequenzgang des Amplitudenfaktors Au = t6.ut in der Umge-
bung der Resonanzfrequenz.

c) Wie weit wird der Spulenkern bei Resonanz magnetisiert mit U1 = 10V?

Lösungen Mit der "Betriebsgüte" OB wird der Widerstand R

a) dem Schwingkreis zugerechnet:
Ersatzschaltung
o = R.R p ._1_= 100kQ·1,8MQ ._1_r:;;24.
B R + R p Zo 100 kQ + 1,8 MQ 4 kQ

U = !:!1
.Z !:!1 Zo
-2 R -p ges = R' 1 .( 0) 0) 0)
-+J---
OB 0)0 0)
Eigenverlustwiderstand ~ A = _!:!_2 = _Z_o . _ _-,-1_ _--:-
Ypges =~ + _1_ + j (coe __1_) -u !:!1 R 1 .(0) 0)0)
R Rp coL -+J - - -
0)0 0)

1
OB
b)

i
Z
QB'-w'"=O,95
3dB
fo = 10kHz 1----'--+------'"
I
0,95
ff'
= ° 67

I
I
I
Bandbreite iI 0,4
bei L = 63,33mH (Abgleich)
tl.f = _1_. fo '" J-.. 1OkHz '" 420Hz

--
0,2
OB 24 und e = 4nF

f
0,95 0,96 0,97 0,98 0,99 ',0' ',02 'P3 ',04 ',05
fo
I I
9,6 9,7 9,8 9,9 10 10,1 '0,2 10,3 '0,4 kHz f_

u2 r:;; 9,5 V
c) B= r:;;4 mT
O)·N·A e 3 1 -6 2
27t . 10 ·10 -·400·94· 10m
s

51
 A4.7 Trennübertrager

Ein 60Q-Generator für Gleich- und Wechselspannung soll von seiner 60Q-Last
galvanisch getrennt werden. Mit dem von Aufg. A4.4 her bekannten Schalen kern
26/16 wird dazu ein 1: 1-Übertrager (ü = 1) aufgebaut. Wegen der Gleichkomponen-
te auf der Eingangsseite und zur Linearisierung der magnetischen Kennlinie soll der
Luftspalt beibehalten werden.
Aufbau

w:
_11
\
,"'. AL =400nH
i-le= 125

Uq = uq +U_ A w =15mm2 pro Kammer

= 6V + i:L· sinrot Im = O,05m, le = O,037m, Ae =94mm 2

a) Man berechne die Windungszahlen N1 = N2 bei voller Ausnutzung der Wickel-

fläche Aw mit Draht CuL, d = 0,25mm.
b) Welche Kupferwiderstände und Induktivitäten ergeben sich?
c) Man gebe ein Ersatzbild für tiefe Frequenzen an.
d) Man untersuche mit dem Ersatzbild für tiefe Frequenzen den Einschaltvorgang
für die Gleichspannung Uq = 6V.
e) Welche untere Grenzfrequenz fgu entsprechend einem 3dB-Abfali ergibt sich für
die Schaltung?
f) Welche Dämpfung bewirken die Kupferwiderstände bei mittleren Frequenzen?
g) Welche Amplitude Cl _ ist bei der unteren Grenzfrequenz noch übertragbar, wenn
ein Flußdichtehub L'lB = ±50mT zugelassen wird?
h) Welche obere Grenzfrequenz ergibt sich, wenn man mit einem Streugrad
cr = 0,05 rechnet?

Lösungen
I 1 2 I
a) N1 = N 2 = N = N . A w = 1050--2 ·0,15 cm = 157 (N aus Drahttabelle) .
cm
n
n (R cu
I I
b) R Cu1 = R Cu2 = N ·I m . R Cu = 157·0,05 m· 0,36 m = 3 aus Drahttabelle) .

L 1 = L 2 = AL' N 2 = 0,4 IlH .157 2 "" 10 mH.

600 30 30
c) Ersatzbild für tiefe Frequenzen

~l·~
(vgl. Übersichtsblatt).
Die Streuinduktivität wird bei tiefen
und mittleren Frequenzen vernach-
lässigt.
~--------~------~

52
d) iJl(O) = 0, iJl kann nicht springen _ v ,
t 3 Uh '" U2 =U2
uh
i (00) = I = 6 V = 95 mA
Jl Jl R j +R Cu1 -- 1,5

L1
't = 63 011 6 3 0 '" 0,3 ms - 0
0
't I
t-
I
Vormagnetisierung: I
I

,I::~~
IJl -N 1
B_ = J..lo -J..le --1- 111
e
I "
= 1257 _10- 6 ~-125- 95 mA -157
, Am 0,037 m
",63 mT_ t-
0

Die Gleichkomponente Uq = 6 V bewirkt in Bezug auf die Last lediglich einen exponen-
tiell abklingenden Spannungsstoß beim Einschalten_

e) Ohne Berücksichtigung der Kupferwiderstände gilt für die untere 3dB-Grenzfrequenz:

R j -R~ R j -R~ 300
(J)gu -L1 = I ~ fgU = ( I ) '" 480 Hz -
R j +R L 27t- R j +R L -L 1 27t-10 mH ---

f) Ersatzbild für mittlere Frequenzen (f» fgu ) Ohne Kupferwiderstand:

I
60 u_ 0
600 60 u20hne = u_ -120 =2"= ,5-u_

cu
R RL. 2
u =lI.2"'U h Mit Kupferwiderstand:
600 60
U2mjl = u_ = 0,476 -u_ -126
Die Dämpfung durch Rcu beträgt 5% ~ U2mjl = 0,476 = 095 ~ -045 dB
u20hne 0,5 ' , -

g) Ohne Berücksichtigung der Kupferwiderstände gilt bei der unteren Grenzfrequenz mit
dem Abschächungsfaktor 1/ J2 ~ -3 dB :
(L
~
1
fL
1
J2
-----------
-
ßB le
2 roL 1 - J..loJ..le N1
1
t
B 11' -N 1
50-10- 3 Vs-Am-0,037 m '" 75 A =J.!o-J.!e--I -
26 m - 63ml11---~'--+---+- e
m -1,257 -10- Vs -125 -157

Für f = f gu = 480 Hz wird demnach

u_ = 2 - J2 -iJl -roLl
2 -10 -10-3 0s
~ "!'
= 2,82 -75 _10- 3 A - 27t -480 111 111
s V
'" 6,4 V_ Wechselstrom

h) An der oberen Grenzfrequenz wird die Streuinduktivität Lcr berücksichtigt, die Haupt-
induktivität Lh '" L 1 jedoch vernachlässigt. Dann gilt:
I R j + R~ 1200
ro go -cr -L l = R j + R L ~ f go = '" 38 kHz [3] _
2n - cr L l 2n -0,05 -10 mH

53
 A4.8 Impulsübertrager

Es ist ein Impulsübertrager mit dem Ringkern R16 aufzubauen:

•
Kerndaten

rG\-3.2 A e = 20mm 2 (magnetischer Querschnitt)

le =39mm (magnetische Weglänge)
W I-lp = 4000 (Impulspermeabilität = I-lr)

Der Übertrager soll einen Lastwiderstand RL = 200n an einen Generator mit In-
nenwiderstand Ri = 50n anpassen. Die Generatorspannung uq verläuft rechteck-
förmig nach dem angegebenen Diagramm.

I]Rl
.. N
u=-1 T
I N2 i2 .... ....!.1-
~ -
"--[:::J-+-O-~! t
T = 120~s

uq uq
*) 0
N1 N2 o 20 40 60 80 100 ps
t-+-

Verlangt werden sekundärseitig Strom impulse der Amplitude i2 = 50mA mit einer
Impulsdauer Ti = 10llS bei einem zulässigen Dachabfall von 10%.

a) Man bestimme das Übersetzungsverhältnis und zeichne ein Zeitdiagramm der

Spannungen bei idealem Übertrager (L1 ~ CXl).
b) Man zeichne ein Zeitdiagramm der Ausgangsspannung mit 10%iger Dach-
schräge und bestimme die zugehörige Zeitkonstante und Induktivität.
c) Man bestimme die Wicklungsdaten.
d) Welche Spannungszeitfläche ist primärseitig aufzunehmen?
e) Wie weit wird der Kern im vorliegenden Fall magnetisch ausgesteuert?
f) Man ermittle den Zeitverlauf des Magnetisierungsstromes il-l' des Primärstromes
i1 und des Ausgangsstromes i2.

Lösungen
a) R j = R~ = R L . ü 2 = 50 n.
t r--
-
-u1
u2· U q
-
ü= ~ : ~ = ~ :~O ~ = i. U

o
rI U1=SV
u
ü2 = q =10V r-

U2 = i2 ·R L = n = 10 V.
50 mA·200 o 20 40 60 80 100 ps
t-+
, '.. ,R~ uq ,
= -2 ~ u
U1 = U2 . U = 5 V = u · q I q = 10 V (erforderliche Quellenspannung) .
R L +R j
*) An den Punkten eintretende Ströme wirken magnetisch gleichsinnig (siehe auch Über-
sichtsblatt) .

54
 U2 1" 11
b) -::;-=----+1"11 =10Tj
U2 1"1l- Tj
= 100 /lS

L 1 = 1" 11 . (R jIIR ~ ) = 100 /lS' 25 0

= 2,5 mH.
o 20 100 }Js
t~

c) A L = /lo/lp .~=
I'
1257.10-9 Os .4000. 20 mm 2
mm 39 mm
258 10-6 ,",
=,' .,s,
e
L1 =
N 1 = JA ~2-5-00-/l-0-S = 31-+ N 2 = ~ = 62 .
L
2,58 /lOS - ü-
Gewählt: Draht CuL, d = 0,2 mm -+ RCU1 "" 0,5 0, RCU2 "" 1 0 (vernachlässigbar).

d) U1·Tj=5V.10/ls=50/lVs.

e) LlS"" u1· Tj = 50/lVs ",,80.10-3 Vs =80mT.

N 1 ·A e 31.20.10- 6 m2 m2 - -

f) Maßgebend ist der Zeitverlauf des Magnetisierungsstromes ill , der sich mit dem Er-
satzbild für tiefe Frequenzen wie folgt ermitteln läßt:

.1 1 Ri
i1
i
Ri 12 RiIlR~2

u, LI

i}J
RL
~~lf] I}J
i}J
--.....,==~---i._ 6,3mA
t_ 100jJs:
T

O~t~Tj :
112,3mA--
J] ,
-109 /5mA
i11 = 200 mA . [ 1- ex p( - 1": --IOOmA 103,2mA-
...
Tj~t~T:
i
i 11 "" 19 mA . ex p( - t IlTj ~ J. .1

'2
T~t~T+Tj:

ill "" 200 mA -193,7 mA· exp( - t;IlT J. / 9/5mA

usw.
i1 und i~ = i2 /ü folgen wie angegeben. 1.----

Gegenüber dem dargestellten Verlauf zeigen sich in der Praxis geringfügige Impulsver-
formungen als Folge der hier vernachlässigten Streuinduktivität und Wicklungskapazität.

55
IAsl Feldeffekttransistoren
n-Kanal selbstleitend Kennlinien in 1. Näherung (2-Parameter-Darstellung)

JFET D
t10 ,,
I-Uossat =lias - U p UDS >UDSsat
-------- loss
10
t
0
t Sättigungsbereich
G I 10
UDS I Abschnürbereich
t
I

U~ S
0
UGS
Up
0
0 lbs- 0
UGS -

Sättigungsspannung
D
MOSFET
t10 ' I Lb
,,rUOSsat = S - Up >0
lbs > UDSsat

Abschnürbereich
UDS I 0
I

t
~
I

UGS
S Up
0 0
0 Uos- 0
UGS -

( r
UDS< UDSsat ("ohmscher Bereich"): ' UDS> UDSsat:

ID 1'0 IDSS · [(2· u;--1~ .U;-- (J']

UGS UDS
u;-UDS
ID 1'0 IDSS · 1-u;-
U GS

2Parameter: Up =Abschnürspannung, IDSS = Drain-Source-Kurzschlußstrom

ID lUGS =0, Uos > UOSsat
n-Kanal selbstsperrend

MOSFET
D
t10 ,,
~UOSsat = lbs - Ur

-+-------2~------

.-!------t
. - : - - - - - - - - - UGS

s o~~================- o- j - - - j L - - - j -
o lbs - 0 UGS -
UDS> UDSsat:

ID 1'0 ID(2U r ).(1- ~~sr

2 Parameter: UT = Schwellenspannung, ID (2U T ) = ID Iu GS=
2U
T,
U U
DS> DSsat

56
 Kennlinien-Modellierung
(2. Näherung durch zusätzlichen Steigungsparameter A)

10 = ideeller Sättigungsstrom t
10
für UGS = 0 bzw. UGS = 2U T
U y = "Earty-Spannung"

~------U _1 U OS -
y-T o

UGS ~
UDS (uos)2]
UDS <UOSsat: 10 "'10' [ 2· ( U;--~'U;-- Up .(1+A·Uos ) *)

UDS> UOSsa( 10 ", 10 '(1- uu:sr .(1+A.Uos) *)

allgemein: 10 = f(UGS. UDS). UGS und Uos bestimmen den Strom.

Bio Bio
~Io "'--,~UGS +-_·~Uos
BUGS B UOS
-1- -1-
Steilheit s '" ~ differentieller Leitwert _1_
~UGS ros
Damit wird: i o - '" s . uGS- + _1_ . uos- als Kleinsignalstrom.
ros

Kleinsignalersatzbild Erweitertes Ersatzbild

(für niedrige Frequenzen) (für höhere Frequenzen)

"G:rjrc::o_,. "GS- 10-I~os-

Go- D

uGs-l iO-luos_
rOS rOS COS

SO---4I---....--OS so-~--~~----~~----oS

Für UDS> UDSsat gilt für die selbstleitenden Typen:

D 10 2 • 10 2.J . ( ~ ( * *)
s=-u-= U U =-1-1·lo·loss m1t1oss =10 UGS =0,=1 0 , 1+AUos)
B GS GS - P Up

B UOS ~ UOS U y + UOS 1+A'Uos

rOS = - - '" - - = --'----
B 10 ~ 10 10 1..·10

*) Für den selbstsperrenden MOSFET ist Up durch UT zu ersetzen .

..) Für den selbstsperrenden MOSFET ist Up durch UT zu ersetzen und loss durch 10 (2UT).

57
 JFET-Kennlinien in 2-Parameterdarstellung

Die Kennlinien eines Sperrschicht-FETs (JFET) lassen sich n~herungsweise mit

den Parametern loss und Up berechnen (s. Übersichtsblatt).

Es sei: loss = 10mA, Up = -5V.

a) Man stelle für den Abschnürbereich (Uos > Uos sat ) tabellarisch den Drainstrom
10 = f(UGs) dar und berechne dazu UOssat = UGS - Up = IUpl -lUGsi·
b) Man zeichne die Übertragungskennlinie 10 = f(UGs) für den Abschnürbereich
sowie ihre Tangente an der Stelle UGS = O.
c) Man berechne für den "ohmschen Bereich" bzw. "Widerstandsbereich"
(Uos < UOS sat ) den Strom 10 = f(Uos) mit UGS als Parameter.
d) Man zeichne die vollst~ndigen lo-Uos-Kennlinien (Ausgangskennlinien).

( r
Lösungen
UGS mA
a) 10 = 10 mA· 1 - - - b) 10

UGS
-5V
10 UOSsat
Übertragungskennlinie 8 t
10
V mA V 6
0 10 5
-1 6,4 4 4
-2 3,6 3
-3 1,6 2 2
-4 0,4 1
-5 0 0 -5 -4 -3 -2 -1 0 1V
UGS -

Für die Steigung (Steilheit) der Tangente gilt:

S = ~ = 2. ~Io .I oss ~ So = ~I = 2 ·I oss = loss
BUGS IUpl BUGS UGS = 0 IUpl 0,5.jUp l

c) 10 UGS
=10 mA· [ 2· ( - - 1 .UDS ~
- - (UOS)2]
- d) mA ,UDSsat UGS=OV
-5 V -5 V -5 V 10
UDS
V mA
10
t
10
8
-1V
0 0 0 0 0 0
6
1 3,6 2,8 2 1,2 0,4
2 6,4 4,8 3,2 1,6 - 4 -2V.
3 8,4 6 3,6 - -
4 9,6 6,4 - - - 2 -3V
5 10 - - - - -4V
U GS 0
0 -1 -2 -3 -4 0 4 8 12 16 20V
V
UDS -

58
 JFET als spannungsgesteuerter Stromsteller

Gegeben sei nebenstehende Schaltung, bei der

ein von einer Spannungsquelle gesteuerter
JFET auf einen Widerstand Ro in der Drainlei-
tung arbeitet. Der FET habe die Kennwerte
Up = -sv und loss = 10mA (s. Aufg. A5.1).

a) Man zeichne die Widerstandsgerade (Arbeitsgerade) in das lo-Uos-Kenn-

linienfeld.
b) Man bestimme den Strom 10, die Verlustleistung Pos sowie die Steilheit s für
einen Arbeitspunkt mit UDS = 0,5 . UB.
c) Man ermittle den Strom io und die Spannung uDS in Abhangigkeit von der Steu-
erspannung uGs.
d) Wodurch wird der zulassige Variationsbereich der Spannung uGS einge-
schrankt?
e) Welche Übertemperatur gegenüber der Umgebung kann der FET-Kanal bei der
Durchsteuerung höchstens annehmen (RthU = O,3K1mW)?

Lösungen

i~O
a) I = Us-UOS = 10V =25mA
b)
o Ro 4 kn - ' - - '
Pos = UDS .1 0 = 10 V ·2,5 mA = 25 mW,

-lV s "" ~ "" 2 mA = 2 mA = 2 mS .

ßUGS 1V V--
Pos wird nebenstehend als Rechteckfläche
-2V
dargestellt. Sie hat für UOS = U; ein Maxi-
-3V mum, da Ro s = RD ~ Leistungsanpassung.
-IN
4 e 12 16 20V
Lbs-
c) v, mA d) 1. Durch den Durchbruch der "Gate-Drain-
----------20 Diode" bei stark negativer Spannung UGs.
16 i i
UDS iO
2. Durch die Aufsteuerung der "Gate-
Source-Diode" bei positiver Spannung
12 UGS > 0,5 V. UGS darf also nur schwach
aus a)
8
positiv werden.
e) ßT = POSmax . R thU
= 25 mW . 0,3 K/mW = 7,5 K .
~~--~_,--,_~O~
-5 -4 -3 -2 -1 0 1V
UGS-

59
 JFET - Kennlinien in 3-Parameterdarstellung

Gegeben seien nebenstehende mA Ioss= '0 .(1+ t... UDS)

Kennlinien eines n-Kanal-JFETs. Für
die mathematische Beschreibung r 10 ___ ...L~_-:-,_---UGS=ov
, UDS =10V
sollen 3 Parameter verwendet wer-
den:
10 _--r,..-/----- -0,5V

1. 10 ideeller Sättigungsstrom
_---;------lV
2. Up Abschnürspannung
__---t"----- -1,5V
3. A Steigungsparameter __----~----------2V
(siehe Übersichtsblatt) __---~------25V
00 2 10 20~'----3V
UOS -

a) Man bestimme die Parameter 10, A und Up.

b) Man bestimme die Steilheit s und den differentiellen Widerstand ros für den
Abschnürbereich (UDS> UDSsat) in Abhängigkeit vom Drainstrom 10.

Lösungen
a) Man findet direkt FürUos=10V
10 = 9 mA und weiter: liest man ab: VmÄ
3
'A = Cos s _ ~ . _1_
U GS ~ Fo Up:: -3,5V f
Uos V mA
JmA 2..flo

L-
10

= (9,5 mA -1) ._1_ 0 9,5 3,1

9 mA 10 V -0,5 7,1 2,7
-1,0 4,8 2,2
=5,55.10-3~. 0
V -1,5 3,2 1,8 -4 -3 -2 -1 V 0
-2,0 1,9 1,4 UGS-

Die graphische Bestimmung von Up mit der Fo -Darstellung ist genauer als das direkte
Ablesen (Abschätzen) aus den Kennlinien.

1+ 'AUos
ros = ---:----:-=-=-
'A·l o

t kQ
100

ros

20
O-r-,-,-,-,-,-,-,-,-,r-~
5 10mA
'0---
o 5 10mA
o
'0-'"
60
 A5.4 Konstantstromschaltung mit JFET

Es soll eine Konstantstromquelle nach ne-

benstehendem Schaltbild aufgebaut werden
für einen Strom IL = 3mA bei variablem
Lastwiderstand. Zur Verfügung steht eine UGS = -10 ·R s
niederohmige Spannungsquelle mit der
Quellenspannung Us = 20V.

a) Welcher Widerstand Rs muss eingestellt werden bei einem FET mit den Kennli-
nien nach Aufgabe A5.3 ?
b) In welchen Grenzen darf sich der Lastwiderstand ändern, wenn der Arbeitspunkt
den Abschnürbereich (Sättigungsbereich) nicht verlassen soll?
c) Welchen Innenwiderstand rj = rbs hat die Schaltung im Arbeitsbereich?
d) Wie ändert sich der Strom IL, wenn der Widerstand RL zwischen 1kQ und 2kQ
schwankt?
e) Wie ändert sich der Strom IL, wenn die Spannung Us um ±1V schwankt?

Lösungen

a) UGS "'Up .(1-J 10

loss
J=-3,5V.(1-~3mA
9,5 mA
J"'-~5V
--+ R s '" -U GS = 1,5 V = 500 Q. "'" mittlerer Wert
10 3mA--
b) Es muß stets erfüllt sein:
Uos = Us -I L . R s -I L . R L > UOSsat = IUpl-IUGsl· Wegen IL . R s = IUGsl
folgt :U s -I L ·R L > IUpl--+ R L < Us -IUpl = 20 V -3,5 V '" 5,5 kQ.
IL 3 mA
--+ Möglicher Bereich: 0< RL < 5,5 kQ .

c) Gemäß A5.3 ist für 10 = 3 mA und Uos = 10 V (mittl. Wert): s '" 3 mS und ros '" 65 kQ.
Damit wird: rj = rbs '" ros . (1 + s· R s ) = 65 kQ· (1 + 3 mS· 0,5 kQ) '" 160 kQ [3).
d)
I = I. rj I = I. rj mit Iq = 3 mA.
L1 q r-I + 1 kQ' L2 q rI + 2 kQ
~ = rj + 2 kQ '" 162 kQ = 1,006 .
IL2 rj +1 kQ 161 kQ
IL ändert sich um etwa 6 %0.

6U S ±1 V
e) 61 L = - - ' " =±6,2~A.
rj + RL 161 kQ - - -
Der stromgegengekoppelte FET wirkt gegenüber einer Spannungs- und Stromänderung
mit dem differentiellen Widerstand rj = rbs .

61
 AS.S JFET als Kleinsignalverstärker

Es soll ein JFET vom Typ BF 245B in der folgenden Soureeschaltung mit automati-
scher Einstellung der Gatevorspannung als Kleinsignalverstarker arbeiten. Der
Kondensator Cs wird als Wechselstromkurzschluss angenommen. Der Arbeitspunkt
soll bei Uos = 10V und 10 = 4mA liegen.
10
.-----o+u B
15V
UOS=15V
10 -IV
5 -15V
-2V
-2'3-1
o-3V -2 -1 0 5 10 15V
UGS -I UOS-

a) Man bestimme die Widerstande Ro, Rs und R1. Über R1 soll der Spannungsab-
fall durch den Gatestrom IG nicht größer als 1OmV sein(lG '" -5nA).
b) Man bestimme die Kapazität C1 für eine Grenzfrequenz von 20Hz.
c) Man zeichne in das Ausgangskennlinienfeld die Widerstandsgeraden für den
statischen und dynamischen Betrieb.
d) Man bestimme angenähert die Steilheit s und den differentiellen Widerstand ros
für den Arbeitspunkt.
e) Man gebe ein Kleinsignalersatzbild für mittlere Frequenzen an und bestimme die
Spannungsverstärkung V u = Au (Spannungs-Übertragungsfaktor).

Lösungen
a) R +R = UB-UOS = 15V-10V ",13kQ R = -U GS = 1,5 V ",390n
o S 10 4 mA ' , S 10 4 mA - - '

R = 1300 n _ 390 n = 910 n R < 10mV = 2Mn (Widerstä rde gerundet

o --' 1 - 5nA --' auf Normwerte) .
1 1 1
b) f g = -j- C1 = - - = ,., 4 nF .
21CR 1C 1 21CR 1f g 21C.2.10 6 Q. 20 J.. -
s
c) WG_ WG e) U1_'" uGS-
10' " ,/ - FET
r--\-------,

j :
mA
i
0--...--'-,-
s-uGS
10 u,- :
5 R1 :
,

Vu -- U2- _
-
-so rOS ·R o
u1- rOS + Ro
5 10 15V ,., -3 ms·0,9 kn,., -2,7.
UOS-

62
 Drainschaltung' (Sourcefolger)

Gegeben sei folgende Grundschaltung loss = 1OmA, Up = -4V, A. = 0

mit den angegebenen Kennwerten. statische Kennwerte

T
a) Man bestimme die Widerstandsbeschal- Ue =24V
tung des FETs fOr einen Arbeitspunkt C2
mit 10 = 5mA und Uos = 12Upl= 8V.

b) Welche Steilheit s liegt im Arbeitspunkt vor?

c) Man gebe eine Ersatzschaltung an fOr

u~j 10kn

RL

mittlere Frequenzen und bestimme die 0

Spannungsverstärkung Vu.
d) Welche Spannungsverstärkung V uq (bezogen auf die Quellenspannung eines
Steuergenerators) ergibt sich bei einem Generatorwiderstand RG = 5kn?

Lösungen

a) .-!!L=(1_ UGS 10 )=-4V.(1- (5)"'-t2V.

)2 ~UGs=Up'(1-~ loss
loss Up '110
Rs __ UB - Uos 24 V - 8 V __ 32 "'"'
No~ R1 = 1 Mn f\/orgabe ,vgl. A5.5).
10 5 mA -'--' \Y

R1
UGO = UB · '" UGS + 10 ·R s '" -1,2 V + 16 V = 14,8 V ~ R 2 '" 0,62 Mn.
R1 +R 2

b) s=~. Iloss ·lo =~.·J10mA.5mA",35mA=35mS

IUpl 'V 4V ' V -'-'

c) Eingangswiderstand der Schaltung: re '" R111R2 = 1 MOllo,62 Mn = 380 kn .

Der Eingangswiderstand des FETs selbst wird als vergleichsweise sehr hochohmig
betrachtet und daher vernachlässigt.
C1 und C2 als Wechselstrom kurzschlüsse
1 1
ra " ' - = - - ' " 285n, rQ
s 3,5mS - -
(Ausgangswiderstand) ,~j RS ,,·1 RL
Vu = u2- '" R's R'
S S
u1- ra + R~ 1+ sR~ I
'" 2,4kn ",09. R11 R 2 R~ = RsllR L
2,685 kn --1- '" 2,4kn

d) VUq = U2_ = U2- . U1- = Vu re '" 0,9. 380 kn = 0,89 (Vgl. folgende Aufgabe).
uq_ u1- uq_ R G + re 385 kn -

Mit RG «re liegt praktisch Spannungssteuerung vor.

63
 Soureeschaltung - Frequenzganganalyse

Ein JFET werde in der folgenden Sourceschaltung mit starker Gleichstromgegen-

kopplung betrieben. Im Arbeitspunkt (10 ~ 2mA, UOS ~ 6V) ergeben sich die ange-
gebenen dynamischen Kennwerte.
FET -Ersatzbild
,------1>-----0+ 24V C
5,6kQ G~c ~G~o~-+~~~D
Ro ccJ. cOS
ros

'------0--_----+---' :F j~- s = 2,5mS, rDS = 50kQ

s
CGS = 2pF, CGD = 1,5pF, CDS = 1pF

a) Man gebe fOr tiefe Frequenzen ein Kleinsignalersatzbild der Schaltung an und
bestimme damit die Spannungsversti:irkung.
b) Man stelle mit Hilfe der Eckfrequenzen und entsprechender Asymptoten den
Frequenzgang der Spannungsverstärkung im unteren Frequenzbereich doppelt-
logarithmisch dar.
c) Welche Spannungsverstärkung ergibt sich bei mittleren Frequenzen?
d) Man gebe ein Ersatzbild für hohe Frequenzen an und stelle den Frequenzgang
der Spannungsverstärkung für diesen Bereich dar.

Lösungen RG Cl G D iD~
a)

Rl R
! "G~
UGS~
ros !'DS. RO
U2~

',·1
rv u'l~ ---- - ----
Ul~

l'~
V
Rp

Rp = O,38MQ

Für die Wechselgrößen erhält man in komplexer Darstellung:

!dDs I Rs
!D + - - , !dGS =!d 1 - !d s , !d DS = -!D ·R D - !d s , !d s = 1D . 1 . C R
= s· !dGS
rDS + Jro S S
Mit der Abkürzung I-l = s· rDS » 1 und rDS » R D ergibt sich:
I

ID -- 1-l!d 1
.
1 + jroCsR s 't _
ml a -
rDS + R D
'" -----=--
- rDS +R D +(1-l+1)·R s 1+ jroCsRs·a rDS +R D +(1-l+1) R s 1+sR s '

M·1I -2
U I R f I
= --D' D 0 gl:
V __ !d 2 ___ iJR D 1+jroC s R s
-u!d~ rDS+RD+(iJ+1).Rs 1+jroC s R s ·a

64
 Mit !:!; = . jro~1Rp ) für die Eingangsschaltung (Hochpass) wird
!:!q 1+ JroC 1 R G + Rp

v U =d.
= -2 U . .=1..=
U' IlR o 1+ jroCsR s jroC 1R p
-uq !:!q !:!~!:!q ros +R o +(1l+1)·Rs '1+ jroCsRs·a '1+ jroC 1(R G +R p)'
V uq bezeichnet die Spannungsverstärkung bezogen auf die Quellenspannung.

b) Es gibt drei Eckfrequenzen:

1 1 I fs 1
f1 = "" 2 Hz, f s = "" 5 Hz, f s - - "" "" 40 Hz
2nC 1(R G +R p) - - 2nC s ·R s - -a 21tC s (111)
- Rs --'
s

dB
10 20

t
IVuql
2

Asymptoten
- - _ tatsachlicher
Verlauf

c) Vu = u2- =_ !l·R o =-s·(ros\\Ro)",,-12,5. Hieristu1_ =u;_, C1istKurzschluss.

U1- ros + R o --

VUq = u2- = Vu . R p "" -12,5, da Rp » RG . Es ist also hier: Vu "" Vuq .

uq_ R G +R p - -

d)
Ersatzschaltbild für hohe Frequenzen mit Millerkapazitaten [3]

Rp

Eingangsersatzschaltung: t
F req uenzgang
C~o = C GO ·(1- Vu) "" 20 pF mit Vu"" -12,5 IVuql dB (12,5
1 ---_
fg01 = ( ') "" 1,4 MHz. 10 20 /
2n· CGS + CGO . (R G \\R p ) Grenzfrequenz :
Ausgangsersatzschaltung: f90 '" f901 I
I
C~o = CGO {1- v:) "" 1,6 pF !
1 y~~
fg02 = ( 11 ) "" 12 MHz. 1 0 I I
21t· Cos + CGO . (ros\\R o ) 0,1 1 MHz f-
Die eigentliche Grenzfrequenz wird also durch die Eingangsschaltung bestimmt. Die
wesentlich höhere Grenzfrequenz der Ausgangsschaltung bleibt außer Betracht.

65
 A5.8 MOSFETs - Ersatzschaltbild und Kennlinien

FOr einen selbstleitenden und selbstsperrenden MOSFET soll das Verhalten im

"ohmschen Bereich" (Widerstandsbereich) mit Uos < UOssat untersucht werden
(siehe Übersichtsblatt).

Daten:

J~
Up = -3V

loss= 4mA J::r ~ UT=3V

ID(2Uy) - 4mA

a) Man entwickle anhand der 2-Parametertheorie ein Ersatzbild fOr den Wider-
standsbereich.
b) Man zeichne die lo-Uos-Kennlinien zum Widerstandsbereich.

Lösungen
a) Für den selbstleitenden Typ gilt für UDS< UOSsat = UGS - Up und UGS > Up:

10 fil:j
UGS
[( UDS
~
UDS
loss' 2 - - -1 . - - - - -
Up Up Up
() 2] = loss ·2
UGS - Up
U~
( )2
UDS
. UDS -I oss ' - -
Up

linear: UDS quadratisch: U~s

Daraus folgt das Ersatzbild
Das lineare Glied in der Stromgleichung wird
,/' Bulkdiode erfaßt durch den Widerstand Ros, das quadrati-
......- ....*1--0 sche durch die Stromquelle. Die Bulkdioden sind
im normalen Betrieb gesperrt.

Für den selbstsperrenden Typ ersetzt man Up

durch UT und loss durch 10(2Ur).

b) mA

t~ UGS -3V (9V) Klammerwerte fllr selbstsperrenden Typ

10 12

AbschnOrgrenze: UDS = UGS - Up bzw. UDS = UGS - UT

(U GD = Up bzw. UGD = UT)
-1 .... 3 4 5 6 V

~
/ '"
/
,. Uos.--
,. I
,. I Bulk-Drain-Diode wird leitend, was zu vermeiden ist durch eine negative
I Sp~nnung Uss anstelle Uss = O. Es gelten dann die gestrichelt
I
weltergefohrten Kennlinien
/
66
 AS.9 MOSFETs als Umkehrverstärker

Gegeben seien die folgenden Schaltungen, in denen ein selbstleitender bzw. ein
selbstsperrender n-Kanal-MOSFET auf einen Widerstand Ro in der Drainleitung
arbeitet.

A) selbstleitend +lJ e=15V B) selbstsperrend +U e=15V

RO RO = 2,5kf.! RO

FETswie in
Aufg. AS.a

a) Man verlängere die in Aufg. AS.8 entwickelten lo-Uos-Kennlinien in den Ab-

schnOrbereich hinein und trage die Widerstandsgerade (Arbeitsgerade) fOr
UB = 15V und Ro = 2,5kn ein.
b) Man bestimme Uos, 10 und Ros fOr UGS = 3V bzw. 9V.
c) Man ermittle die (Spannungs-) Übertragungskennlinie u2 = f(U1)'
d) Welche maximale Spannungsverstärkung tritt bei der Durchsteuerung auf?

Lösungen
a) Werte in Klammern zu B) b) Punkt 4: Uos '" 1Jl, 10 '" 5,5 mA,
mA
16 U~ 9V 2

i
Ros= =---
loss .2(U GS - Up ) 8 mA· 6 V
12
",O,19kO.
'0 8 Ue
Probe: 10 '" '" 5,6 mA,
4
Ro+Ros --
Uos '" 10 ·Ros '" 1.06 V.
o I 5 10 15 V
"'1V U05--

i
c) d)
v15
5V
ZuA: Vumax '" - 1 V = -5
/
graphisch
aus a)

4 4

-4 -3 "2 -1 0 2 3 4 5 6 7 8 9 10V
u1 -

67
 A5.10 MOSFET als Schalter

Ein selbstsperrender n-Kanal-MOSFET werde +U s =15V

von einem Rechteckpuls gesteuert. Sein
Schaltverhalten sei trägheitsfrei. Sein Ausgang
werde kapazitiv belastet. Für t < 0 sei der FET

tR_~9V_T;_D
_
gesperrt.

o 100 300 500 ns

t_ FET wie in AS.a und AS.9

a) Man skizziere im ID-UDS-Feld die Arbeitslinie, d.h. den Weg des Arbeitspunktes
für die angegebene kapazitive Belastung.
b) Man gebe ein Ersatzbild an für den ersten Abschnitt des Einschaltvorganges
(UGS == 9V, FET im Abschnürbereich) und bestimme u2 (t).
c) Welche Zeit t' vergeht, bis die Spannung U2 auf einen Wert von 3Vabgesunken
ist?
d) Man bestimme ein Ersatzbild für den zweiten Abschnitt des Einschaltvorganges
(FET im Widerstandsbereich) und gebe die Zeitfunktion für u2 an.
e) Man stelle den Zeitverlauf der Spannung u2 im Zeitintervall 0 ~ t ~ 200ns gra-
phisch dar.
f) Wie ändert sich der Zeitverlauf der Spannung U2, wenn die Pausenzeit T p auf
1OOns verkürzt wird?
Lösungen
a) mA

t 16 ~--~~~~----------~/~UGS=9V
2 :
I 12 :.------==---
I
Arbeitslinie über
10
I 1-2-3-4-5-1
I mit Sprüngen von
8
+
I
I
1 nach 2 und 4 nach 5.

4 I
I
- lineare Näherung über
11 1 - 2 - 3' - 4 - 5 - 1
(wird der folgenden Rech-
O+-+---~~~---.--~------~~\--­
o
UOS-
5 10 15 V nung zugrundegelegt).
"'lV 3V 6V

b) Ersatzbild für Abschnitt 2-3': Strom 10 springt auf 16 mA und bleibt konstant. Der
(CL wird entladen) FET wirkt als Stromsenke. Die Spannung u2 strebt
von 15 V aus gegen:
RO Us -1 0 . R o == -25 V mit der Zeitkonstante

UB!ill!", '1 == R o . CL == 2,5 kn· 20 pF == 50 ns .

~ u2 == -25 V + 40 V . exp( - ,t1 J.

68
 :J ~
c) Mit der unter b) entwickelten Zeitfunktion folgt:

3 V = -25 V + 40 V . exp( - t' = -"t 1 . In 0,7 '" 18 ns .

Der tatsächliche Wert für t' ist sicher etwas größer, da der Entladestrom über den FET
beim Absinken der Spannung U2 unter 6 V in Wirklichkeit ebenfalls abnimmt.
d) Ersatzbild für
Abschnitt 3' - 4: Der FET verhält sich wie ein linearer Widerstand Ros .

R~ = RollRos '" 0,17kn,

U~ = Us . Ros '" 1V .
Ro +Ros

Damit folgt für die Zeitfunktion u2(t) für t > t':

u2 '" 1 V + 2 V . exp( - t~, t') mit t' '" 18 ns, "t' = R~ . CL '" 3,5 ns .

e)
FET leitet FET sperrt

,,,..
1
T·1 ·14 Tp
V
Tl
,,,
15

i
Ll 2
12 I
1
I
1
9
,,,
1

6
- berechneter Verlauf
1

tatsächlicher Verlauf ,,
3
,
3---
\/
, 1
1

,i \" '--- 4 ____51

0 \ , I i , I

-3
0 10 ,20 \30
I
i
,, 40 50 100 110 120 130 140 150 ns
t_
t' ----I

",,
\
-6

-9
'___ u2 =-25V + 40V . exp( - t,)
T

Beim Sperren des MOSFETs nach 100 ns steigt die Spannung mit der Zeitkonstante "t1
wieder exponentiell auf 15 V an. Es gilt dabei ein Ersatzbild wie unter b), allerdings ohne
Stromquelle: U2'" 15 V - 14 V ·exp( t -100 ns) .
50 ns
Offensichtlich wird CL über den leitenden FET rasch entladen und beim Sperren des
FETs über RD vergleichsweise langsam wieder aufgeladen.
f) Die Spannung u2 steigt bei sperrendem FET jeweils nur noch auf etwas mehr als 12 V
an und sinkt bei leitendem FET wieder auf etwa 1 V ab.

69
 Bipolare Transistoren
npn-Typ Ersatzbild für UCE > 0, UBE >0
C C

sperrstromr--_--.
e
t
le
~"#
Is
const.

Icso BN·(l s + I cso)

B '\ innere Strom-
-.1, verstärkung
Is IlrSE
'r
I s+ Icso .!..+U
T S
innerer o- t l 5 ' - - - - - ; - - -
Steuerstrom
0\ Is - -
E ~-ICEO
Is + le = IE *) le = BN . Is + (1 + SN) . leso leEO = (1 + SN) . leso
I
Stromverstärkung S = ~ ~ SN, da leso vernachlässigbar klein.
Is

Eingangskennlinie Übertragungskennlinie
U _______ exp U SE
-exp~

USE
rSE
mLt
-us
(lineare Näherung)
t
Ic
mo;:
S.(USE -U s}

Us Schleusenspannung
(O,5V ... O,6V für Silizium)

Differentieller Widerstand Steilheit

BU SE AUSE m . UT OIe Ale le
rSE =--~--~-- s=--~--~--
. Bis Als Is BUSE AUSE m . UT

UT ="Temperaturspannung" = 86!lV . .!K ~ 26mV bei 300K, m =Korrekturfaktor

Erfahrungswert

m1+--~=~

10 100 1000~A Is ---

o~--~--.--~-------
0,1 10 100mA le---

*) Bei umgekehrter Zählweise für den Strom IE heißt es: Is + Ic = -IE bzw. Is + Ic + IE = O.

70
 ModelIierung der Ic-Uce-Kennlinien
Sättigungsbereich **)

Konstruktion nach Early

t t aktiver Bereich

1-+-------- U _ 1
Y -T o
Aktiver Bereich (Sperrstrom ICBO vernachlässigt): B =BN

le = B N .I a . (1 + AU CE ) : BN .I a + U CE , BN =Normalstromverstärkung
rCE
(wird bereichsweise als konstant betrachtet)
Gleichstromersatzbild:

U y + U CE Uy
:--
Ic BN ·I a
U y : 100... 200V

ßI C '" olc 'ßI B +~'ßUCE :ß.ßl a +_1_. ßUCE = s'ßU aE +_1_. ßU CE

ola oU CE rCE rCE

~differentielle Stromverstärkung '" ßl e I '" BN

":i
Kleinsignalersatzbild: ßi s UeE

1,- 'BE ß',- ~- J':'-

eo---~--------~--------~----oE

Erweitertes Kleinsignalersatzbild für hohe Frequenzen:

raa' '" 10...1000

j
Ur
C ra'E "'-
la
Ic- Ic
UCE- si "'-
Ur

E E C B'E : -Si- *)
21tfr

*) Si ist die innere Steilheit, und fT ist die in den Datenblättern angegebene Transitfrequenz.
**) Achtung! Beim FET wird der Abschnürbereich häufig als Sättigungsbereich bezeichnet.

71
 Emitterschaltung - Großsignalverhalten

Gegeben sei folgende Emitterschaltung, eine mittlere Eingangskennlinie und die

Ausgangskennlinien des Transistors.

IB
_rSE
10
I

I
I Us
~ '-------'
0,2 0,4 0,6 V
UBE -

a) Man ermittle die Stromsteuerkennlinie le = f(ls) für UeE = 2,5V im Bereich

o < le < 1OmA und bestimme die Stromverstärkung B für die Bereichsmitte.
b) Man gebe ein lineares Ersatzbild für den Transistor an.
c) Man zeichne ein Gesamtersatzbild und ermittle danach näherungsweise die
Funktionen is = f(u1) und u2 = f(u1)'
d) Man ermittle die Kennlinie is = f(u1) und die Spannungs-Übertragungskennlinie
u2 = f(u1) tabellarisch aus den Transistorkennlinien.
e) Man zeichne die ermittelten Kennlinien sowie ihre Näherungen nach cl.
f) Man beschreibe den Betriebszustand des Transistors mit Bezug auf die Steuer-
spannung u1.
g) Bei welchem Basisstrom geht der Transistor in die Sättigung?

72
c)
gOltig fOr
ie~O

Mit dem Überlagerungsgesetz und der Stromteilerregel folgt direkt:

. U1 Ro Us
'e = . - ~ 0,138 mS· U1 - 0,124 mA.

°
R 1 + (RollrBE) Ro HeE rBE + (R oIIR 1)
~ i B = für u1 ~ 0,9 V, iB = 15 ~ für u1 ~ 1 V .
u2 = UB -i e ·R e = UB -i B ·B N ·R e ~ 23,6 V-20,7'U1 .
~ u2 = ° für U1 ~ 1,14 V, U2 = 5 V für U1 = 0,9 V .

d) i1R 1
10 le = 30J,IA ~ ~ uBE ~ ~ ~
~ Rc=500n ~ V V Il A ~ mV mV
25 2,5 4,7 0,57 57 59,5 298 868
'\
\ 5 4,3 0,6 60 65 325 925
le 20 10 3,7 0,62 62 72 360 980
5 \
15 2,9 0,63 63 78 390 1020
15
20 2 0,635 63,5 83,5 418 1053
\
10 25 1,2 0,64 64 89 445 1085
I
1 30 0,4 0,645 64,5 94,5 473 1118
5
:~
o I
1
o 2 141: 6V
:..":'L __ _ U2=UCE __ ...1
1

UCE -
e) graphische Darstellung der tabellarisch ermittelten Werte (-) mit Näherungen (--)

5-1-.z~-_

ie =f(uj} V

0,6 0,8 1,2 V 14V

I
ul-

1)
°
Nach den tabellarisch ermittelten Kennlinien gilt etwa:
< u1 < 0,8 V: Transistor sperrt.
0,8V < u1 < 1,1 V: Transistor ist aktiv.
u1 > 1,1 V: Transistor ist gesättigt (übersteuert).

g) Bei iB = IBO ~ 30 ~. IBO ist die übliche Bezeichnung für den betreffenden Basisstrom,
der offenbar abhängig ist vom Lastwiderstand Re.

73
 Emitterfolger als Spannungsquelle

Ein Emitterfolger soll in Bezug auf den Lastwiderstand RL als Spannungsquelle ein-
gesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen Eingangs-
kennlinie. Die mittlere Stromverstarkung sei B = BN = 200.

10V
+Ue
le °
'reE = 1kn

!
20

Ul Us = O,ßV
.JI
° 0,2 0,4 0,6 V
UBE -
a) Man gebe ein lineares Ersatzbild für die Schaltung an und entwickle die Glei-
chung UL = f(lE)·
b) Man ermittle eine Ersatzspannungsquelle mit den Parametern Uq (Quellenspan-
nung) und rj (Innenwiderstand).
c) Zur gegebenen Schaltung sind die Funktionen UL = f(lE) und UL = f(RL) gra-
phisch darzustellen.
d) Welche Ströme IE und Is fließen bei RL = 1kn, wenn Widerstand R1 kurzge-
schlossen wird?
e) Wie. d), wenn Widerstand Re kurzgeschlossen wird?
f) Wie verhält sich die Ausgangsspannung UL bei einer Änderung der Betriebs-
spannung um LlUs = ±1 V, wenn der Lastwiderstand RL = 10kn beträgt?
g) Welche Parameter Uq und rj ergeben sich, wenn man den Widerstand Re durch
=
eine Z-Diode ersetzt mit Uzo 5 V und rz 10 n? =
h) Beantworten Sie erneut die Frage f) für die Schaltung mit Z-Diode.

Lösungen
a) U B · Ra = UL +U s +I B ·(R e HBE)
Ra +R 1
IE Ra' R 1
IB = - - , Re = =5kn
1+ SN Ra + R 1
-', U - U
-,. L- B'
Ra US-E'I Re + rBE
Ra +R 1 1+S N
Der Einfluss der Spannung UCE wird vernach-
lässigt. Die Earlyspannung Uy sei unenendlich:
reE = 00. IcBo wird vernachlässigt. gültig für Ue'~ > Us
Ro +R 1

74
 b) Aus UL = f(I E) folgt:
Uq Ro
= Us . - Us = 4,4 V
R o +R 1 --
1
rj =--·(R e +rSE)"'300
1+B N --

UL =Uq'~ =4,4V. RL
rj +R L 300+R L

1;1______
r 1'0 20 30 40
IE~
SOmA 0,1

d) Nach b) wird: Uq = Us - Us = 9,4 V, r, '" -rSE = 5 0 ~ IE =

9,4 V
'" 9,35 mA .
BN 50+1 kO
I = 9,35 mA = 47 )lÄ .
S 200 __

g) U = Us . rz + Uzo . R1 Us '" 5 V - 0,6 V = 4,4 V . (Vgl. folgende Aufgabe ).

q R1 +rz

~. = (R11I rz)HSE "" rz HSE = 100+1kO "" 50.

, 1+BN BN 200 -

.~J~s ·rz +U zo ·R 1 - ~,
L
h) UL =U q Usl.
rj + RL R1 + rz ~ rj + RL
dU L RL rz 100000 100 4
dU s = rj + RL . R 1 + rz = 100050 . 10010 0 = 9,98 ·10-

,W L =9,98.10- 4 .(±1V)""±1mV.

Die Spannungsquelle erhält also einen wesentlich geringeren Innenwiderstand und wird
fast unabhängig von Schwankungen der Betriebsspannung.

Anmerkung zu g): In der Praxis wird man R 1 niedriger ansetzen, um einen möglichst
niedrigen Wert für rz zu erhalten. (Siehe Kennlinien der Z-Dioden).

75
 A6.3 Emitterschaltung als Stromquelle

Eine Emitterschaltung nach nebenstehendem Schaltbild arbeitet als Stromquelle

auf den Lastwiderstand RLo Bei dem angegebenen Transistor handelt es sich um
einen üblichen Si-Transistor für Ströme bis zu 100mA. Für den interessierenden
Arbeitsbereich sollen folgende Kennwerte gelten:
B = BN = 200, Us = O,6V, rSE = 1kO,
Uy = 200V (Earlyspannung)o
+UB =10V
a) Man bestimme angenähert alle eingetragenen
Ströme sowie die Spannung UCE für RL = 00
b) Wie groß darf der Lastwiderstand höchstens
werden, wenn der Transistor stets im aktiven Is
Bereich arbeiten soll?
Iz

~j
c) Welche maximale Verlustleistung tritt im Tran-
sistor auf bei variablem Lastwiderstand?
ZD2,7
d) Welche maximale Verlustleistung tritt im Last-
widerstand auf?
e) Man gebe zu der Schaltung ein Großsignalersatzbild an und berechne danach
die Funktion Ic = f (RL)o

f) Man stelle die Schaltung formal durch eine Ersatzstromquelle dar und bestimme
Innenwiderstand und Quellenstromo
g) Um wieviel Prozent ändert sich der Kollektorstrom, wenn der Lastwiderstand RL
den zulässigen Änderungsbereich durchläuft?
h) Man berechne die Empfindlichkeit des Kollektorstromes gegenüber Schwan-
kungen der Betriebsspannung Uso

Lösungen
I =UZ-U SE ",2,7V-O,65V ",10mA.1 ",I I ",~=50 A
a) USE '" 0,65 V E R 200 n - - CE, S B Il ,
E ,
(Ansatz)
I =Us-U z = 10V-2,7V '" 7,3 V =73mA
R R 1 kn 1 kn - ' - - '
Iz = IR -I s = 7,3 mA - 0,05 mA '" 7,25 mA ,
UCE = Us -I E 0RE = 10 V -10 mA 0200 n = 8 V 0

b) UCE = Us -I E ,RE -I c 0RL > UCEsat '" 0,5 V 0 Nicht zu niedrig ansetzen!
Us -I E 0RE - UCEsat 7,5 V
Us -I E 0RE - UCEsat > Ic 0RL ~ RL < = - - '" 750 n 0
Ic 10mA - -

c) Ic '" 10 mA = const.~ PCEmax = Ic . UCEmax = 10 mA, 8 V = 80 mW bei RL = 00

d) Ic '" 10 mA = const.~ PLmax = I~ 0RLmax = 100,10-6 A 2. 750 n = 75 mW .

76
e)

rCE = l = 200V
BN·ls 10mA
=20kn
Ue rz R
US·_-+UZO·_--U
= S
rz = 100 R+rz R+rz
= 2,17V
Uzo = 2,7V
rz·R
re =--+rSE = 1,01 kO
rz +R L
Maschengleichungen:
-U e + IB . re + (lB + Ic )· RE = 0, (1)
-U B +I c ·R L +(lc -B N ·IB)·rCE +(lB +lc)·R E =0 (2)

(3) .

f)

IC = Iq . _r_i- . Durch Vergleich mit GI. (3) folgt:

R L + ri

ri ~ rCE . (1 + BN · RE ) ~ 680 kn, E «1.

da _R_
re + RE rCE
217 V. 200·20 kn +10 V
, 1,21 kn
----6'-80-kn---- ~ 10,5 mA .

680 kn
g) R L = 0: Ic = Iq , RL = 750 n: Ic = Iq . 680,75 kn = 0,999·l q .

Der Strom ändert sich um 1%0.

~.BN·rCE +1
dlc
h) - - ~
R + rz ~ + RE
e
IIA
~ 50-"'-
I
_. RL = 0 Ist der "worst case".
.
dUB R L + rCE· (1 + BN .---=--
RE) V RL - 0
re +R E

77
 Emitterschaltung als einfacher Kleinsignalverstärker

Zu untersuchen sei die folgende Emitterschaltung, wobei die Kennlinien der Aufg.
A6.1 zugrundegelegt werden.

a) Man bestimme die Wertepaare Is/UBE und

IclUCE sowie die zugehörige stati sche
Stromverstarkung B zum Arbeitspunkt.

b) Man bestimme zum Arbeitspunkt angenähert

die differentiellen Kenngrößen rBE, s, ß und
rCE sowie die Earlyspannung Uy.

c) Welche Spannungsverstärkung Vu ergibt sich bei mittleren Frequenzen (C 1

schließt kurz)?

Lösungen
a) Man ersetzt den Basisspannungsteiler durch eine Ersatzspannungsquelle mit den Pa-
rametern Uq und Rj und konstruiert die Widerstandsgerade im IB -U BE -Feld. Man findet
im Schnittpunkt IB/U BE . Anschließend konstruiert man die Widerstandsgerade
(Lastgerade) im Ic -U CE -Feld und findet damit IclU CE ·

\ R c-
- 500n

10 I<' I B = 30

\ 25

\ 20-
IC
5 ~ Ic '" 5,5mA,
\ 15
10 UCE '" 3,2V
\
10
\
Uq = 0,B3V 5 UB =6V
J( o \/
o 2 4 6V

UCE -
. .. Ic 5,5 mA
Statische Stromverstarkung: B = I; = 18 ~ "" 300.

b) Bei le = 5,5 mA wird m . UT "" 30 mV angesetzt (siehe Übersichtsblatt):

m· UT 30 mV Ic 5,5 mA mA
rBE ",,--""--=1,66kn, s""--,,,,---=183-, ß=s·rBE ",,300.
IB 18~ -- m·U T 30mV _ _V_ --
Wegen der geringen Steigung der le -U CE -Kennlinien muß man diese zur Bestimmung
von rCE stark verlängern (gestrichelt). Man findet dann in grober Näherung:
~UeE 6V
rCE = - - "" - - = 30 kn ~ U y "" rCE ·I c = 30 kn· 5,5 mA = 165 V .
~Ie 0,2 mA - - --

U2- mA
c) Vu = - = -s·(RclircE} "" -s·R c = -183-·0,5 kn "" -90 (vgl. Aufg. AS.S und 842).
u~ V

78
 Emitterschaltung mit Emitterwiderstand

Gegeben seien folgende Schaltung und die Transistorkennlinien .

Durch den Widerstand RE wird eine Reihengegen,kopplung eingeführt.
~ 10 16= 30}JÄ
10V
r----~+U6 A
25
,:--- ra A
Is Ic 20
5
15
10
10

5
o ~ .J 0
o 0,4 0,6 V 0 2 4 sV
RG=1kn Use: - UCE-
a) Man bestimme die Widerstände R1, R2, RE und Re für den eingetragenen Ar-
beitspunkt A. Dabei soll der Spannungsabfall über RE 1,2V betragen, und der
Strom über R1 soll gleich dem Dreifachen des Basisstromes sein.

b) Welchen Eingangswiderstand re und Ausgangswiderstand ra (unter Einbezie-

hung von Re) weist die Schaltung bei mittleren Frequenzen auf?
c) Welche Spannungsverstärkungen V u und V uq (bezogen auf u q _) ergeben sich?
Lösungen
a) RE = ~", 1,2 V = 200 n (lc'" IE) .
IE 6mA --

R = Us - UE - UCE = 10 V - ~2 V - 4 V = 800 n (820 0 Normwert) .

c Ic 6mA--

R 1 = UE + USE ", 1,2 V + 0,63 V ",305 kn (30 kO Normwert' der Normreihe E24)·
3·l s 3·20 llA ~'-

R 2 = Us - UE - U SE = 10 V + W3 V
",102 kO (100 kQ Normwert) .
(3+1),l s 4·201lA--

b) re ", R 111R 2 11(rSE + ß· RE)' Mit rSE ", m· UT ", 30 mV = ~5 kO und ß", 300 wird:
Is 20 llA
re ",30 knl1100 knll(~5 kn + 60 kO)'" 17 kn. Mit R~ = RGIIR111R2 wird:

ra"'RcllrcE'[1+ ßR E
rSE+RE+R G
I]' BeirCE",30kOwird:ra",Rc=8200 [3].

Mit s ", _Ic_", 6 mA = 200 mS ist sR E » 1, *)

m,U T 30 mV

V - U2- _ V. re = -4. 17 kn ", -38.

uq - u _ -
q
u re +R G 18 ",.....
I\.lo~ -'

*} s' ist die effektive (reduzierte) Steilheit aufgrund der Gegenkopplung [3].

79
 Emitterschaltung mit überbrücktem Emitterwiderstand

Gegeben sei folgende Schaltung mit kapazitiv überbrücktem Emitterwiderstand, die

auf einen Lastwiderstand RL arbeitet. Bei gleichen Widerständen und dem gleichen
Transistor wie im BeispLA6.5 stellt sich auch der gleiche Arbeitspunkt ein:

r--_r-----o+ue
IC = 6mA, uce = 4V 1QV
Is = 20JlA, use = O,63V,
ß'" 300, 5 '" 200mS, rse = ~5kn

bei

Re = 2000, Rc = 8200,
R1 = 30kn, R 2 =100kO .

a) Man ermittle den Frequenzgang der Spannungsverstärkung V uq für CE = 200J.lF

unter der Annahme beliebig großer Werte für C1 und C2.
b) Man entwickle aus a) eine Dimensionierungsformel für den Kondensator CE.
c) Man bestimme die Koppelkondensatoren C1 und C2 zur gegebenen Schaltung
so, dass sie den Frequenzgang der Spannungsverstärkung nur unwesentlich
beeinflussen.
d) Welche Spannung tritt bei mittleren Frequenzen über den Kondensatoren C1
und C2 auf?
e) Ab welcher Amplitude der Quellenspannung wird bei mittleren Frequenzen die
Ausgangsspannung begrenzt?

Lösungen
a) In komplexer Schreibweise:
R'G Ersatzbild fOr rce » R~
!:!~ = !:!q . Rp
R G +Rp
mit Rp = R111R2 '" 23 kn ,

R~ = RpliR G '" 1 kn, R~ = RcliRL '" 310 n .

rv

UBE~
1 (1+ßl'i B_
R'C
!:!~ =l B '(R~ +rBe)+!B{1+ß)' 1+ JroCeR
.R e

U
e

-!:!2 = ß 'lB . R~ ~ l B = - ß~t . Damit wird:

u'q~
RE CE
u2~
U. Rp =- !:!2 '[R~+rBe+ {1+ ß).R e ]
-q RG+R p ßR~ 1+jroC eR e .

< 1.

80
 t
100 40 - - - . , . . . . . . - - - - - . - - Rp sR~
dB --..I-~.,;.,/--~R..G~+Rp· R~+rBE ·rBE
1 I -- Asymptoten
Vuq
10 20
___ -+_---'~_+-____+------- tatsächlicher Verlauf

1 0
I
I I fE 1
1. _ 1 _ 4Hz fE = - = [ ] '" 100Hz
!
I
E - 21tCERE - ~ a 21t.CE REI(Rß~ +~)
0,1
1 10 100 1000 Hz
°f_

b} Man setzt für die gewünschte bzw. vorgegebene untere Grenzfrequenz f g = f~ .

Damit folgt: CE = [ 1 ( R ' ) ] ""

2n·f . RE 11 ~+.!
1[ 11 1] für R G
2n.fg . RE -
~0.
9 ß S S

c} In diesem Fall müssen die entsprechenden Eckfrequenzen f 1 und f2 genügend weit

unterhalb f g = f~ liegen. Gewählt wird hier: f1 = f2 = fE = 4 Hz.
1 1
f1 "" ~ C1 "" "" 2,2 IlF,
2nC 1 .[R G + RplKrBE +ßRE)] 2n.4.!.[1 k!l+(23 knl161 kn)]
s
1
~ C2 "" 1 "" 30 Il F .
2n·4-·1320 n
s
d} Die Kondensatoren C1 und C2 bilden bei mittleren Frequenzen (f > fg) einen Wechsel-
stromkurzschluß. Es tritt dann praktisch nur eine Gleichspannung auf:
UC1 = U BE + IE . RE "" 0,63 V + 1,2 V "" 1,8 V .
UC2 = UB -I c . R c = 10 V - 6 mA . 0,82 kn "" 5 V .

e}
10 \- WG", nach Rc RL

IB = 301lA Man zeichnet die dynamische Widerstandsgera-

de WG_ und findet eine einseitige Begrenzung
~
\
"- ~
I 25
WG-nach Re +R E
der Spannung u2_ bei a; "" 1,9 V .
Damit folgt:
IC ~ 20
5 , a; 1,9 V .
\
~
15 -I-I "" -36 = -
uq = V
uq
53 mV
-.

o
o
\
\ ~ Alternative Bestimmung von a; :

u'+2 =(U B - UC2) . Rl

R c +R l
500- "" 1,9 V .
"" 5 V . _
1320-
Beim augenblicklich sperrenden Transistor ent-
fällt auf die Widerstände Rc + Rl die Spannung
UB- UC2·

81
 Emitterfolger als Kleinsignalverstärker

Gegeben seien folgende Kollektorschaltungen, aufgebaut mit dem gleichen Tran-

sistor wie in den vorigen Aufgaben.
Arbeitspunkt (gleich): Dynamische Kenndaten:
Ic "" 6mA, UCE "" 4V
IB "" 201JA, UBE "" 0,6V. ß "" 300, s "" 200mS, rBE"" 1,5kQ

A) Grundschaltung B) Bootstrapschaltung
lOV

Variante A
a) Man bestimme die Widerstände R1, R2 und RE mit der Maßgabe, dass über R 1
der 5-fache Basistrom fließt +).
b) Man bestimme für mittlere Frequenzen den Eingangswiderstand re , wenn die
Schaltung unbelastet ist (RL ~ (0).
c) Man bestimme die Spannungsverstärkungen V u und V uq für RL ~ 00.

d) Man bestimme den Ausgangswiderstand ra.

Variante B
a) Man erniedrige die Widerstände R 1 und R2 auf ein Zehntel gegenüber Variante
A und bestimme dazu den Widerstand R3 bei unverändertem Widerstand RE.
b), c) und d) wie bei Variante A.

Lösungen zu Variante A gerundet auf Normwert der Reihe E 24

a) RE"" ~ = 1 kn,
6 mA -
R '"
1
6,6 V '" 6~
kn R '" 3,4 V '"
5.20 ~A - - ' 2 6·20 ~A - -
kn . 2~
b)
i rCE vernachlässigt
U1- = uSE- + u2- (1)
0 il_ is_
USE- = is- . rSE (2)
Uq _
u2- =(is- +ß·is-)·R E (3)
RG
RG Ul_

Mit 1+ ß '" ß und Rp = R 111R 2 folgt:

re '" Rpll(rSE + ßR E) = 19,3 knl1300 kn
'" 18 kO.

82
c) Mit den Gin. (1) bis (3) folgt:
V = U2-,." ß·RE RE 10000 ,.,,099
u u1_ rSE +ß·R E =-1--= 50+1000n -'-
-+R E
s
""0,94.

d) Leerlauf (R L = (0):
R~ RE
u2- = u20- = uq_ ' - ' ,
RG 1 R G
-+-+R E
S ß

RE{~+R~)
ra = ~20- ,." s ß, = REII(~+ R~) ,." 8 O. Der Ausgangswiderstand
12k- RE + ~ + R G S ß ist erwartungsgemäß niedrig.
s ß
Lösungen zu Variante B)
a) Jetzt: R p = R111R2 = t93 kn statt 19,3 kn ~ R 3 = 19,3 kn-1,93 kn,." 17,4 kO
für gleichen Arbeitspunkt.
b)
-rrl il_ ia- rCE vernachlässigt
U1- = uSE- + u2- (1)
uq _
UBE-t uSE- = i1- . (R 31IrSE) (2)
RG RG /3 • ia-
U1_ u2- = (i 1- +ß·is-)·R~ (3)

"~j
. . R3
IS- = 11- . (4)
R3 + rSE

Wegenß. R3 »1folgt:re=~1-,." R 3 .(rSE+ß·R~)""180kn.

R 3 + rSE 11- R 3 + ~SE
verzehnfacht!
c) Weiter folgt mit den Gin. (1) bis (4):

( 1+ ß.R3 ) . R~ * *
Vu = u2- ,." R3 + rSE ,." ß . RE * = ~ ,." 0,99
U1- R 3 . (rSE + ßR~) rSE + ß· RE ~ + R~
R3+~E S

V = u2- = u2-. U1- =V ._r._e_,.,,~. 1 ,.,,099

uq uq _ u1- uq _ u RG He ~+ R~ 1+ RG ·(R 3 HSE) -'-'
s R3 . (rSE + ßR~)

R* (1
R G ·(R3 HSE»)
d) ra = U20-,." E' s+ ß·R 3 = R~II(~+ RG . R3 HSE),." 8 n
i2k - R* 1 R G .(R 3 HSE) s ß R3 -'
E + S+ ßR 3 (unverändert)

+) Mit dieser Maßgabe wird der Eingangsteiler relativ niederohmig (Nachteil), der Ar-
beitspunkt aber relativ unempfindlich gegenüber Änderungen der Stromverstärkung
(Vorteil) .

83
 Operationsverstärker (OP)
Idealer OP: ip =iN =0, Leerlaufverstärkung Vo ~ 00
------=UB
Sattigung

A
'\U a
Vo=&iO
Up
Vo~OO: UD ~ 0
-UB

1:
Gleichtaktspannung uGI = up + uN ist unwirksam.
2

Nichtinvertierender Verstärker Invertierender Verstärker

Ua R,
Au =-=--
Uq RN

Nichtidealer OP
mit endlicher und frequenzabhängiger (komplexer) Leerlaufverstärkung Y..o
nichtinvertierend invertierend

v.~
A = !:!a = Vo A = !:!a =_ RN + R,
-0 [3]
-u U R
-q 1+V·-- N- _u!:!q 1+V.~
- 0 RN +R, ~ RN+R,

= (1 + =~) Q - . Korrekturfaktor = _.&..c -

RN -
Korrekturfaktor

Q= \ _1_1 .. Hür Ivsi» 1, -Vs = - -Vo . ~

RN+R,
Schleifenverstä rkung .
1+ R 1--
v. __N_ '1.s ~
-0 RN+R, K = Rückkopplungsfaktor

t
dB
105 vo{O)
Beispiel für Vo(f) 10 i '1.0=
1+{~)
I
I
mit "voller Korrektur" Vo 80 104 I
auf 20dB/Dekade.
I
I
fEO
I
I
I 20dB/Dekade
fEO =Eckfrequenz 60 103 I
I

fr =Transitfrequenz i/fEO ~.fr

= Vo(O) ·fEO 0 T1 I
10 102
I I
103 105
I
106 Hz
f-..

84
Nichtidealer OP

mit Eingangsstrom und Eingangsoffsetspannung Uos

Sattigung ~ Ua

_ Ll.ua
Vo-Ttij)
Vo ~ 00: Uo ~ Uos
+-....----+---,-,.--.---
5mV
up
Uo-

Uos
\
positiv oder negativ!

r Temperaturdrift ~eichtaktsteuerung

1
Uos = Uoso +auos auos
- - . aT +--·aUB +-,uGI
aT aus G
~ \ - '- Gleichtaktunlerdrückung ~ G =CMRR
Ruhewert '-
Betriebsspannungsdrift ~ (SVRR)-1

Statische Eingangsströme Dynamische Eingangsströme

Ip

Q-Io-+......--< l)-j
IN los = IN - Ip (Offsetstrom)
positiv oder negativ meistens vernachlässigbar

Ausgangswiderstand r~ und Fehlerspannung UaF

l-r~ ,
ra =
ra a r
a
=--,.,-
r
I
1+Vo'~ 1+IVs l Ivsl [3]
RN +R f

RN Rf
UaF =-Uos{1+ =~) -Ip .R p (1+ =~) +IN .R f [3]

Grundschaltung
(ohne Ansteuerung) Weitere Darstellungsform für UaF mit 10 und los:

uaF ~ -(1+ =~}{Uos -lo[(RNI~f)-RPI- ~s [(RNIIRf)+ Rpl}

. 1+-=-.
mit Rf 1I
RN K

85
 A7.1 Nichtinvertierender Verstärker

Gegeben sei ein Operationsverstärker vom Typ 741 mit interner Frequenzgangkor-
rektur, der folgende Kennwerte für Tu = 25°C besitzt:
Vo Leerlaufverstärkung 2 . 105 Anschlußbild (von oben)
fED Eckfrequenz 5Hz
fT Transitfrequenz 1MHz
Uos Eingangs-Offsetspannung ± 2mV *) Eing.
Eing.
au os Offsetspannungsdrift ± 10 /-lV
aT K
10 mtl. Eingangsruhestrom + 300nA
los Offsetstrom ± 50nA -ueo------ Nullpkt.
alos Offsetstromdrift + 50 pA
aT - K
SVRR Betriebsspannungsunterdrückung 100dB (supply voltage rejection ratio)
CMRR Gleichtaktunterdrückung 90dB (common mode rejection ratio)
a) Man gebe eine möglichst einfache Schaltung an für annähernd hundertfache
Spannungsverstärkung.
b) Wie groß ist der Rückkopplungsfaktor K zur angegebenen Schaltung?
c) Man schreibe zu a) die Übertragungsgleichung an unter Berücksichtigung der
Fehlerspannung am Ausgang.
d) Man berechne die Maximalwerte für die Ausgangsfehlerspannung bei 25°C.
e) Man ergänze die Schaltung für eine Nullpunktkorrektur und verbesserte Null-
punktkonstanz.
f) Man ermittle die maximale Fehlerspannung nach c) bei Tu = 45°C nach vorheri-
gem Abgleich bei 25°C.
g) Um welchen Betrag kann sich die Fehlerspannung erhöhen, wenn sich die Be-
triebsspannung um ~UB = 1V ändert?
h) Was bedeutet die angegebene Gleichtaktunterdrückung im konkreten Fall?
i) Welche Kleinsignalgrenzfrequenz fg hat die Schaltung?
j) Welche Ausgangsamplitude O2 ist bei der Grenzfrequenz f g noch unverzerrt er-
reichbar bei einer Siew Rate von O,5V/lJs?
Lösungen
a) Spannungsverstärkung:
Rf
2 ~Vu=Au=1+RN =101.
6 A
E
3+

",j
1 kn
--=-
4 101kn 101
lU1 RN lkSl. ~=Au!
K
-uB
86
 U2F ~(1+ :~)-[(IO + I~s) ·(RNIIRf)-UOS l
~ 101'[(1 0 + 1~)'1 I<O-Uos l
d) Für 10 = +300 nA, los = +50 nA, Uos = -2 mV wird:
U2F ~ 101·{0,325 j.tA·1 1<0+ 2 mV) ~ 235 mV .
Für 10 = +300 nA, los = -50 nA, Uos = +2 mV wird:
U2F ~ 101· (0,275 j.tA·1 kn - 2 mV) ~ -170 mV --+ -170 mV < U2F < 235 mV.

e) +Ug f)25°C: U2F = 0 durch Nullabgleich bei U1 = 0,

d. h. Eingang E auf Masse.
7 Rf IOOkn.
45°C: U2F ~ 101. 01 05 .L'.T. {RNIIRf)+R p
6 A oT 2
-101. oUos .L'.T
oT

1~ ",I IU 2F I::; 101· [50 pA kn+-

-K-·1

::; 20,3 mV.

10 -1lV] ·20 K
K

-UB bei gleichsinnig wirkenden Driften

Rp eliminiert
Einfluß von 10 , (worst case).

g) SVRR =100 dB --+ 100 = 20lg L'.U B --+ UOSB = 10-5 = 10 IlV **).
UOSB L'.U B V
Für L'.U B = 1 V wird UOSB = 10 IlV --+ U2FB = 10 IlV ·101 ~ 1 mV.
Die zusätzliche Fehlerspannung am Ausgang als Folge einer Betriebsspannungsände-
rung L'.U B = 1 V kann also 1 mV betragen und ist damit relativ klein.

h) CMRR = 90 dB --+ 90 = 20lg L'.U G1 --+ UOSG = 10-4,5 = 3,16.10-5 = 31,6 1lV * *).
UOSG L'.U G1 V

Für U 2 = 10 V ist UG1 = U1 = 10 V ~ 0,1 V

101
--+ U OSG ~ 3,16 IlV --+ U2FG ~ 3,16 IlV ·101 ~ 0,31 mV.
Der (statische) Gleichtaktfehler beträgt bei einer Ausgangsspannung U2 = 10 V nur
0,3 mV und ist damit vernachlässigbar. CMRR sinkt jedoch mit zunehmender Frequenz!
Der dynamische Gleichtaktfehler ist also größer.
i) Da starke Frequenzgangkorrektur vorliegt mit einem Abfall von 20dB/Dekade in Bezug
auf die Leerlaufverstärkung gilt:
10 6 Hz
= f T . K = 101 ~ 10
4
fg Hz = 10 kHz [3].
Das gleiche Ergebnis findet man über den Korrekturfaktor Q im Übersichtsblatt.

j) U2 = SR = 0,5 V 4 = 7,9 V [3] .

2nfg IlS' 2n ·10 1/s --

*) Vorzeichen unbestimmt! Die Fehlerkennwerte seien Maximalwerte.

**) Betragsverhältnis bei unbestimmtem Vorzeichen.

87
 A7.2 Invertierender Verstärker

Gegeben sei ein Operationsverstärker vom Typ 741 mit den gleichen Daten wie in
Aufgabe A7.1.
a) Man gebe eine möglichst einfache Schaltung an für annähernd hundertfache
Spannungsverstärkung.
b) Wie groß ist der Rückkopplungsfaktor K zur angegebenen Schaltung?
c) Man schreibe zu a) die Übertragungsgleichung an unter Berücksichtigung der
Fehlerspannung am Ausgang.
d) Man berechne die Maximalwerte für die Ausgangsfehlerspannung bei 25°C.
e) Man ergänze die Schaltung für eine Nullpunktkorrektur und verbesserte Null-
punktkonstanz.
f) Man ermittle die maximale Fehlerspannung nach c) bei Tu = 45°C nach vorheri-
gem Abgleich bei 25°C.
g) bis j) siehe unter Aufgabe A7.1.
k) Man untersuche die Realisierung eines invertierenden Verstärkers mit einstell-
barer ausgangsseitiger Offsetspannung im Bereich ±O,1 Us.

Lösungen
a) 1kn
101 kn 101

Rf
c) u2 ",,--,u1+U2F =-100,u1+U2F
RN
+
mit U2F "" (1 + :~) . [(1 + I~). (RNIIR f ) -
0 Uos ]

-UB
"" 101· [(1 0 + I~) ·1 kn - Uos ] .

d) -170mV<U 2F < 235 mV wie inAufg.A7.1.

Rf
Vu =A u =-R;=-100.
f) 45°C :IU 2F I ~ 20,3 mV wie in Aufg. A7.1.

'I,
e)
+Us Für u1 = 0 sind die Schaltungen identisch!

Rf 100kn g) U2FB ",,1 mV wie in Aufg. A7.i,

h) Keine Bedeutung. Es tritt bei dieser Schaltung

RN 1k2 keine Gleichtaktspannung auf!
+
i) und j) unverändert gegenüber Aufg. A7.i.
Rp lkQ.

Rp eliminiert -Us
Einfluß von 10 *)

88
k) Variante A Variante B

- - - - - - - - -f---Ir-----O - - - - - - - - -t--t------o
**) **)
-us

Für einen idealen OP (Uos = 0, Ip = IN = 0, Vo ~ (0) gilt nach dem Überlagerungsgesetz:

Variante A:

Mit - Us ::; Uv ::; +U s wird die Aufgabe erfüllt. Die gewünschten Offsetspannungen las-
sen sich einstellen. Beide Schaltungen erscheinen gleichwertig.

Für einen nichtidealen OP (uD"" Uos, Ip = IN vernachlässigbar) gelten die folgenden

Maschenumläufe:
-U1 + i1 . RN - uD = 0 (lA) -U1 +i1 ·R N -uD +I v .R p = 0 (IB)
-U v +I v ·R v -uD =0 (IIA) -U v +I v .R v +I v ·R p = 0 (IIB)
UD + (i 1 + Iv)' R f + U2 = 0 (lilA) -Iv' R p + uD + i1 . R f +U2 = 0 (IIIB)

Mit uD "" Uos folgt:

u2 "" -100,u1- 0,1·U v -101·Uos
.
11""
U1 + Uos
RN
u1 1
*--.
RN
.
11""
u1 +Uos -U v .1/1001
RN
U1
""-
I
U2 "" -100'U1 +O,101·U v -101·Uos

RN U v = 1000· Uos .
Es treten ausgangsseitig erwartungsgemäß die gleichen einstellbaren Offsetspannun-
gen mit -0,1 . Uv bzw. +0,1 . Uv wie beim idealen OP auf, zusätzlich aber auch eine
Fehlerspannung -101 . Uos.

Sollen die Schaltungen anstelle eines .. Nullpotentiometers" nur zur Beseitigung der Aus-
gangsfehlerspannung eingesetzt werden, so gilt Folgendes:

Mit Uv "" -1000· Uos wird bei A) und mit Uv "" +1000 . Uos wird bei B) die Fehlerspan-
nung kompensiert. Bei B) treten dann auch wieder eingangsseitig ideale Verhältnisse
bezüglich eines virtuellen Massepunktes auf. Variante B) ist also zur Offsetkompensati-
on (Fehlerspannungskompensation) besser geeignet als A).

*) Bei Operationsverstärkern mit FET-Eingangsstufe verzichtet man auf den Widerstand

Rp, weil die Eingangsströme vernachlässigbar klein sind und Rp ansonsten nur als
Rauschgenerator wirkt.
**) Nichtgezeichneter Zählpfeil U1 ist auf Masse gerichtet.

89
 Umschaltbarer Gleichspannungsverstärker

Gegeben seien die folgenden Schaltungen mit umschaltbarer Spannungsverstar-

kung für niedrige Frequenzen einschließlich der Frequenz null. Die Schaltungen
werden betrieben an symmetrischer positiver und negativer Betriebsspannung.

A) nichtinvertierender Verstarker B) invertierender Verstarker

- Nullpunkt *)
-' Nullpunkt *'J
I
r-rci

Daten des Operationsverstarkers:

Leerlaufversta rkung 105

Differenzeingangswiderstand 10MO
Gleichtakteingangswiderstand 500MO
Ausgangswiderstand 1kn

a) Man bestimme die Spannungsverstarkung Au = U2/U1 unter der Annahme idea-

ler Operationsverstarker.
b) Man bestimme den Rückkopplungsfaktor K und die Schleifenverstarkung V s
für tiefe Frequenzen.
c) Welcher Eingangswiderstand re ergibt sich?
d) Welcher Ausgangswiderstand r~ ergibt sich?
e) Man zeige, dass die Nullpunktkorrektur unabhangig ist von der SchaltersteIlung.
f) Wie wirkt sich eine Eingangs-Offsetspannung Uos (z.B. driftbedingt) aus?

Lösungen zu Variante A
a) SchaltersteIlung 1: SchaltersteIlung 2:
R4 1
u1= u2 (wegen uD = 0) u1 = u2 .
R3 + R4
= U2 . -
10
(UD = 0)
~ Au = J (Spannungsfolger) .
~Au=10.

b) K= 1, Vs =-Vo ·1 =-105 . K= R4 =01 Vs =-Vo ·01=-10 4 .

R 3 +R 4 " , --

(Vgl. Übersichtsblatt)

90
c) re = R p HGdlro(1+IVs l) re = R p HGlllro(1+IVsl) [3]
~rGI =500MO. ~rGI =500MO.
Der berechnete Widerstand re stellt einen differentiellen Widerstand (Wechselstrom-
widerstand) dar, in dem der Eingangsruhestrom Ip als Gleichstrom nicht erfasst ist!

d) ra' _ _ra_ _ 10000 001 I ra 10000 01" ..

- 1 + IVsl - Vo =, O. ra ~ 1+ IVsl ~ 10 4 =, u .(s. Ubersichtsblatt)

e) Die Eingangsströme Ip (P-Eingang) und IN (N-Eingang) fließen jeweils über gleiche

»
Widerstände (R p = R1 bzw. Rp = R2 + (R 3I1R4 und bilden damit stets die gleiche Feh-
lerspannung am Eingang. Diese kann zusammen mit der (Eingangs-) Offsetspannung
Uos durch die NullpunkteinsteIlung bei beliebiger SchaltersteIlung kompensiert werden,
zweckmäßig in Stellung 2 (höhere Empfindlichkeit).
f) SchaltersteIlung 1 SchaltersteIlung 2

-Uos = K· U2F -UOS = K· U2F

1
U2F = -i<. Uos
U2F = _..!.
K os
U

= -Uos = -10· Uos

Probe: Uos + U2F = 0 .

Lösungen zu Variante 8
a) SchaltersteIlung 1:
~ + ~ = 0 (virtuelle Masse
RN R 1 am N - Eingang)
R
~ Au = - R~ = -1 (Inverter).

b) K = RN = 05 K= R 4 11(R 2 + RN) RN = 0,05

R 1 +R N ' R 3 + [R 4 11(R 2 +R N)] RN +R 2
V s = -5.10 4 . Vs = -5.10 3 .

c) re = RN = 10 kO. re = RN = 10 kO .
Über den Widerstand RN fließt zur Hälfte auch der Eingangsruhestrom IN, der hier nicht
erfasst wird. Die andere Hälfte fließt über R1 bzw. R2.

d) r' ~_ra_~ 10000=0,020. I ra 10000

ra ~--~
1 lVI -02"
3 -_,_u.
a 1+IVs l 5.10 4 __ + S 5·10

e) Begründung analog zu Variante A. Für die Widerstände gilt hier: Rp = RNIIR1 bzw.
Rp = RNII[R2 + (R 3 I1R4)]. Rp wurde entsprechend gewählt.
f) Analog zu Variante A findet man:
SchaltersteIlung 1: SchaltersteIlung 2:
1 1
U 2F =-j(.U os =-2·Uos· U 2F =-K ·Uos =-20·Uos·
Die Temperaturempfindlichkeit ist also doppelt so groß wie bei Variante A.

*) Nullabgleich u2 = 0 bei U1 = 0, d.h. Eingang mit Masse verbunden.

91
 A7.4 Frequenzgang und Stabilität

Es ist ein nichtinvertierender Verstärker mit einem Operationsverstärker aufzubau-

en, dessen Leerlaufverstärkung durch folgende Kenndaten beschrieben wird:
Vo(O) = 105 , fED = 100Hz (erste Eckfrequenz), fE1 = 1MHz (zweite Eckfrequenz)
a) Man zeichne den Frequenzgang der Leerlaufverst::irkung Vo(f) auf und ermittle
den zugehörigen Phasenwinkelverlauf <Po(f).
b) Man gebe eine Beschaltung des Verst::irkers fOr folgende Spannungsverstär-
kungen an: A) Au "" 200, B) Au "" 2.
c) Welche Schleifenverstärkung V s ergibt sich bei tiefen Frequenzen?
d) Man ermittle graphisch die "Schnittfrequenz" fs, bei der IVsl = 1 wird, und be-
stimme die Phasenreserve <Pr.
e) Man stelle den Frequenzgang der Spannungsverstärkung Au analytisch und
graphisch dar.

Lösungen

105 100
dB
r 10 4 80--r-~~--~~--~~~
Vo
103 60 --r---r-~~~--~r--~

102 40 --If-----If-----I--~.--__+--__+

f f
<Po(f) = -arctan- - arctan-
f ED f E1
Jeder Abwärtsknick bewirkt eine Pha-
sendrehung um zusätzlich 90·. Die

i
o·
Drehung setzt bereits bei Frequenzen -30· ~ r-- grobe Naherung
unterhalb der jeweiligen Eckfrequenz ~ tatsachlicher Verlauf

"
-60·
(Knickfrequenz) ein.
l"o -90.

Bei f E1 ~ 00 setzt sich der 20 dB-Abfali -120· -.........

i\..
beliebig weit fort und der Winkel <Po
"'
-150·
geht nur auf -90·. -180·

Rf .
b)
Bei tiefen Frequenzen gilt:

A) Au ~1+~=200~Rf =20kO, RN =100,50.

RN (als Beispiel)
R
B) Au ~ 1+ _f = 2 ~ Rf = 20 kO, RN = 20 kO .
RN

92
 Zu B: Vs(O) = - 50000'; 94 dB,
d) Man bestimmt f s durch den Schnitt einer Horizontalen in der Höhe Au(O) mit der abfal-
lenden Flanke der Leerlaufverstärkung.

A) Au (0) = 200 B) Au (0) =2

-

'"
105 100 Au (f) ---- 100 Au (f)----
dB dB
r 104 80--r-+-~--T---T---o---~ 80
v
60 " " ;;,vo (f)I
I--+-"""--I---t-~~-- Au (0) s
102 40 --+----+----j-----+-......- 40 V- '"

ld 2 0 ---I---+---+--:-+-~!lIt-----I 20
I'"-~, :l.
Au (0)
1 O--~--~---+--~---+~~ 0
101 102 103 104 ~ 105 101 102 103 104 10 5 105·.\
Hz
f-

t
o·
---... fs '" 50kHz-:
I
~

fs '" 2,5MHz -;--

:

""""
-30·
I
"~ I : I\..
I -50.
10 -90. 1 '-...
-120·
-150·
<Po ",-90·
I
""'- I\..
~
--- ~:

" "
<Po "'-150'
-180· I I -'-

Zu A: <Pr = 360' - 180' - 90' = 90' . Zu B: <Pr = 360' - 180' - 150' = 30' .

Der nach diesen Formeln berechnete Frequenzgang von Au = 18ul ist in obigen Dia-
grammen gestrichelt eingetragen. Man stellt fest, dass bei großer Phasenreserve
(<Pr ~ 90') eine asymptotische Näherung leicht möglich ist. Bei kleiner Phasenreserve
tritt eine Verstärkungsüberhöhung (Höckerbildung) in der Umgebung der Schnittfre-
quenz ein. Mit f E1 ~ <Xl wäre eine derartige Überhöhung nicht möglich und die Phasen-
reserve bliebe 90'.

93
 A7.5\ Wechselspannungsverstärker

Zu untersuchen seien die folgenden Schaltungen zur Verstarkung einer Wechsel-

spannung mit Operationsverstarker 741-C. Dessen Frequenzgang ist intern "voll
korrigiert" auf einen durchgehenden 20dB-Abfail. Auf eine Nullpunktkorrektur soll
verzichtet werden.
A) invertierender Verstarker B) nichtinvertierender Verstarker
Rf IOOkS2 Rf IOOkS2
I OP 741-C:
re-I CN RN
~I---C~ Vo(O) = 105
5}JF fED = 10Hz
V _ Vo(O)
-0 - f
1+j-
fED
Uos = ±2mV
10 = 300nA
los = ±50nA

a) Welche Fehlerspannung (Ausgangsoffsetspannung) U20s stellt sich aufgrund

der Eingangsfehlergrößen ein?
b) Man bestimme die Spannungsverstärkung 8u (komplex) unter der Annahme
eines idealen Operationsverstärkers.
c) Man bestimme die Spannungsverstärkung 8u sowie die SChleifenverstarkung Y..s
für den realen Verstarker mit frequenzabhängiger Leerlaufverstärkung.
d) Man stelle den Frequenzgang von Au und Vs in asymptotischer Näherung dar
und ermittle das Übertragungsfrequenzband M.
e) Welcher Eingangswiderstand re ergibt sich innerhalb des Übertragungsfre-
quenzbandes M?
Lösungen zu Variante A
a) Mit CN in Reihe zu RN ergibt sich die Wirkung RN -= 00 (s. Übersichtsblatt):

U 20S "" -Uos + 10 .(R f - R p )+ I~s .(R f + R p ) "" ±2 mV ± 25 nA ·200 kQ "" ±7 mV max.

U2 R jcoCNR f 1
b) Au = =- 1 f
.
mit Eckfrequenz f N -= "" 32 Hz .
- !d 1 RN + - - 1+ jcoCNR N 2nC NRN
jcoC N
c) Nach Übersichtsblatt gilt:
-Vo(O)
_. Rf
. f
1+J- 1 Korrekturglied C
RN +-.- + R f ~------~'---------~
f ED JcoC N jcoCNR f
6. u '" - ---=-=-----'-----'-'--1,----
. f
1 + jcoCNR N
RN +-- 1+J-
1+ Vo(O) . jcoC N 1+~.1+jcoCN(RN +Rr)
. f
1+ J 1 ,Vo(O) 1+jcoC NR N ,
- RN +-.- + R f
f ED JcoC N erst wirksam bei hÖheren Frequenzen

94
d)
105 100
Zu Au gilt einfache Theorie nach b),

i
dB sofern IVsi » 1 bzw. Igl '" 1.
80
104
V 1+(~)2
103 60 fEO

102 40

10' 20 --+--,--+_I<--t---t--+--~.-----I-----"k:-:/Abfall nach Korrekturglied Igl

1 0 --+~~+---+---"~!---+--4--+--~ M '" 30Hz bis 10kHz

10-2 : 102 103 105 Hz Bandbreite
i4-!:J.f--~ f_
Fazit: Solange Vs groß genug ist (> 10), kann man bezüglich Au den OP als ideal ansehen.

e) re = RN = 1 kn. Der Eingangsruhestrom IN fließt über Rf .

Lösungen zu Variante B
a) Wie bei Variante A dank Kondensator CN .

b) 6u = ~~ ~~ = Rp
jroC 1
.[1+ RN +R~j 1:~~~~~p j;+~~~NNR:Rf)
jroC N
= 1+

jroC 1R
. p . C, Korrekturglied C und V 5 wie zu Variante A .
1+ jroCNR N - --

d) Der Verlauf der Schleifenverstärkung Vs stimmt exakt mit Variante A überein, Au ist im
ganzen Frequenzbereich um 1%'; 0,086 dB größer.
e) re = Rp = 101 kn. Der Eingangsruhestrom Ip fließt über Rp.

95
 A7.6 Aktive Re-Filter

Gegeben seien die folgenden Filterschaltungen. Sie bestehen aus einem nichtin-
vertierenden Verstärker mit einstellbarer Spannungsverstärkung Vui. dessen Ein-
gang E über ein verzweigtes Re-Netzwerk in Verbindung mit einer Rückkopplung
angesteuert wird.
A) aktiver Tiefpass B) aktiver Hochpass
C = 4,7nF
R =3,3kn
K c
o-t==:r-e''-C::::J-........E<>--j + +
R R >--+-~A >--+-~A

Vui = innere Spannungsverstärkung von E nach A *)

a) Man bestimme allgemein den komplexen (Spannungs-) Übertragungsfaktor ~u

mit der Annahme eines idealen Operationsverstärkers und spalte auf nach Be-
trag und Phase.
b) Für die Fälle Vui = 1, 1,5, 2,2 und 3 stelle man den Frequenzgang des Betrages
Au dar und trage die 3dB-Punkte ein (bezogen auf den horizontalen Kurvenab-
schnitt).
c) Man diskutiere die Kurven und überprüfe ihre Realisierbarkeit mit einem realen
(frequenzgangkorrigierten) Operationsverstärker (Vo(O) = 10 5 , fo = 10Hz).

Lösungen zu Variante A
a)

E
K R

A = 1:1 2 V ui
-u 1:1 1 1- (coCR)2 + (3 - Vui )· jcoCR
Vui
1-n 2 +j(3-V Ui )n
. co 1
mit n = - und co N = - .
coN Re
co N = Kenn(kreis)frequenz
(3 - V). n
Phase: <Pu = -arctan U1 2 ·
1- n

96
b) c)
10 20
Optimal erscheint die Kurve für
dB Vui = 1,5 wegen des relativ scharfen
i
5
Übergangs vom Durchlass- zum Sperr-
bereich ohne Verstärkungsüberhö-
Au hung. In diesem Fall stimmt auch die
3dB-Grenzfrequenz praktisch mit der
1 0 Kennfrequenz f N überein. Für V ui > 1,5
tritt offensichtlich eine Höckerbildung
0,5 I auf, die extrem wird (unendlich) im Fall
I
I
I
Vui = 3. Das bedeutet Instabilität der
I
I Schaltung.
fN = 10,26kHz ! 40dBIDekade

"":
0.1 -20----,---'f---'-L..LL.....,..---+-
102
Alle Kurven für V ui < 3 sind realisier-
bar, da genügender Abstand zur Vo-
Kurve (ausreichende Schleifenverstär-
kung) gegeben ist, vgl. dazu Aufg. A7.5.
Lösungen zu Variante B
a) Man ersetzt R durch -.1_ (und umgekehrt) und erhält so von Variante A:
JcoC

(3 - V .)
Phase: <Pu = arctan UI.

0.(1- ~2)
b) c)

10 20 Bezüglich der Verstärkungsüberhö-

dB hung (Höckerbildung) und Instabilität

i
5 gilt das gleiche wie oben. Die Realisie-
rung mit dem angegebenen Verstärker
Au
ist jedoch nur möglich bis zur eingetra-
genen Vo-Kurve, wo die Schleifenver-
1 0 stärkung zu klein wird. Die tatsächliche
Filterkurve schmiegt sich bei hohen
0,5
Frequenzen der Vo-Kurve an. Der
Hochpass hat also in Wirklichkeit Band-
passcharakter.
1
fN =-2- = 10,26kHz
llRC
0,1 -20 --r--'CLLL.--+"----,-_ _--,-_
102
f-

*) In der gezeichneten Mittenstellung des Potentiometers ist Vui '" 1+ ~ = 1,5 .

Ro ist frei wählbar, empfohlen: R o '" 10 kO . 2R o

97
 Anhang A Zählpfeile

Zählpfeile - nach DIN 5489 Bezugspfeile genannt - sind wichtige Hilfsmittel für die eindeutige
Bestimmung von Strömen und Spannungen in Netzwerken. Dazu ordnet man jedem Strom i
und jeder Spannung u einen eigenen Zählpfeil zu:

j_
Strom-Zählpfeil
beliebige
Stimmt die konventionelle Strom richtung mit der Zählpfeilrichtung
i Leitung
überein, so wird der Strom positiv bewertet, andernfalls negativ.

Spannungs-Zählpfeil
91
1 u
beliebiges
~~~~men-
Ist die Klemme am Pfeilende positiv gegenüber der Klemme an
der Pfeilspitze, so wird die entsprechende Spannung positiv be-
wertet, andernfalls negativ.

An jedem beliebigen Zweipol können Strom- und Spannungspfeil entweder gleichsinnig oder
gegensinnig eingetragen werden.

1. Gleichsinnige Zuordnung 2. Gegensinnige Zuordnung

"Verbraucher-Zählpfeilsystem" (VZS) "Erzeuger-Zählpfeilsystem" (EZS)

Ein positives Produkt u . i Ein positives Produkt u . i

bedeutet Leistungsaufnahme, bedeutet Leistungsabgabe,
ein negatives Leistungsabgabe. ein negatives Leistungsaufnahme.

Die VZS-Bepfeilung wird vorzugsweise - nicht zwingend - angewendet bei Netzwerkzweigen

ohne Quellen, die EZS-Bepfeilung dagegen bei Netzwerkzweigen mit Quellen.

Für die Elemente R, L und C gelten folgende Gesetzmäßigkeiten:

Im VZS Im EZS

i=C. du i = -Co du
dt dt

~
d$ di
ut I U = N· dt = L· dt
$ N =Windungszahl, cl> =Bündelfluss

Liefert eine Netzwerkberechnung einen negativen Strom oder eine negative Spannung, so
bedeutet dies,dass die betreffende Größe dem eingetragenen Zählpfeil entgegenwirkt.

98
Teil B Testaufgaben zur Selbstprüfung
Es werden jeweils acht einfache Aufgaben zu den Abschnitten
des Teils A angeboten . Der nötige Rechenaufwand ist so gering ,
dass Rechenhilfsmittel entbehrlich sind . Papier und Bleistift genügen!

Anhang B weist auf den Nutzen von Näherungsfunktionen beim

Rechnen mit kleinen Zahlenwerten x « 1hin . Näherungslösungen
reichen grundsätzlich aus .

Aufgaben dieser Art sind oft Bestandteil mündlicher Prüfungen .

Ausführliche Lösungen folgen am Schluss des Kapitels.

99
81 Zu einem Metallschichtwiderstand werden nebenstehen-
de Daten genannt.·
I R
-+--c:::::::J- a) Wie groß kann die Abweichung öR vom Nennwert auf-
u- grund der Toleranzvorgabe sein?
b) Welche Spannung U und welcher Strom I ergeben
R = R20 = 10 kO ±5% die maximal zulässige Verlustleistung Pmax ?
c) Welche Temperaturänderung öT und welche Wider-
P70 =Pmax =1 W standsänderung öR erfährt der Widerstand durch
die maximale Verlustleistung Pmax ?
Rth = 50 KJW d) Wie heiß wird die Widerstandsschicht bei maximaler
Verlustleistung und einer Umgebungstemperatur
TK = +100.10-6 K 1 Tu == 20·C?

82 Gegeben sei ein Präzisionswiderstand Ro == 4 0 mit ver-

nachlässigbarer Toleranz. Durch die Parallelschaltung
mit einem 2%-Widerstand R p soll ein Gesamtwiderstand
Rges = 0,98-Ra entstehen.
a) Bestimmen Sie die Widerstände R p und Rges .
b) Wie groß ist die Spannung U bei einem Strom
1=100mA?
c) Wie teilt sich der Strom 1= 100 mA auf beide Wider-
stände auf?
d) Welche Toleranz ergibt sich für den Gesamtwiderstand
R ges
aufgrund der Ungenauigkeit des Widerstandes Rp ?

B3 Ein Spannungsteiler sei aufgebaut mit den 10% - Wider-

ständen R1 = 180 0 und R2 == 820 o.

a) Man berechne die größtmöglichen Abweichungen ÖR1

und ÖR2 vom Nennwert.
b) Welche Ausgangsspannung U2 ergäbe sich bei
toleranzfreien Widerständen?
c) Um wieviel % weicht die Ausgangsspannung U2 ab,
wenn nur eine Abweichung ÖR1 mit +10% auftritt ?
d) Um wieviel % weicht die Ausgangsspannung U2 ab
bei R1 == 1800 + 10% und R2 = 8200 - 10%?
Näherungsrechnung genügt!

B4 Ein mit dem Widerstand RL belasteter Spannungsteiler

sei aufgebaut mit einem Potentiometer in Verbindung mit
U1=12V dem Vorwiderstand R1.

a) Bestimmen Sie den Vorwiderstand so, dass die Span-

nung U2 zwischen 0 V und 10 V variierbar ist.
b) In welchen Grenzen kann sich der Gesamtwiderstand
der Schaltung ändern ?
c) Welchen Größtwert 11max kann der Strom 11 errei-
chen?
d) Für welche Verlustleistung Pv müssen der Vorwider-
stand und das Potentiometer mit Rücksicht auf 11max
Ra == RL == 2 kn ausgelegt sein?

100
85 Ein Fotowiderstand RF sei angeschlossen an einen
Spannungsteiler. Sein Widerstand kann sich zwischen
10 0 im Hellzustand und 10 MO im Dunkelzustand än-
dern.
a) Welchen Maximalwert kann die Spannung UF am
Fotowiderstand annehmen?
b) Welchen Maximalwert kann der Strom IF im Foto-
widerstand annehmen?
c) Wie groß kann die Verlustleistung Pv im Fotowider-
stand maximal werden?
d) Welche Übertemperatur kann im Fotowiderstand auf-
8th =1 mW/K grund der Verlustleistung maximal auftreten?
U1 =20V, R1 =R2 =10kn
86 Eine Brückenschaltung aus einem 100 kO-Potentiometer
und den Widerständen R1 und R2 enthält im Brücken-
zweig einen praktisch widerstandsfreien Strommesser.

Bestimmen Sie die Ströme 11, 12, 18 und 10 zu den fol-

genden SchleifersteIlungen:
M a) Stellung 0,
b) Stellung M (Mitte),
o c) Stellung 1.

Rp = 100kO Die eingetragenen Strom pfeile sind Zähl pfeile, mit

denen die positive Stromrichtung definiert wird.
R1 = R2 =10kO
87 Gegeben sei die nebenstehende Widerstandsschaltung
zwischen einem positiven und einem negativen 8etriebs-
potential.

Bestimmen Sie die Ströme 1,,12 und 13 sowie die Span-

nung U3 für folgende Fälle:

a) Schalter Soffen, R3 = 1 kO.

b) Schalter S geschlossen, R3 = 00.
c) Schalter S geschlossen, R3 = o.
d) Schalter S geschlossen, R3 = 1 kO.

88 Ein Varistor (VOR) werde mit einem linearen Widerstand

R = 1000 0 in Reihe geschaltet. Die I-U-Kennlinie des
Varistors wird in Tabellenform angegeben.

a) Zeichnen Sie die I-U-Kennlinie des Varistors.

b) Welche Funktion u = f(i) für Uges = 100 Vergibt sich
durch einen Maschenumlauf ?
c) Stellen Sie die Funktion im I-U-Feld graphisch dar.
d) Interpretieren Sie die Bedeutung des Schnittpunktes
UN 0 20 40 60 80 100 mit der I-U-Kennlinie des Varistors.
e) Welche Betriebswerte für i und u ergeben sich
IImA 0 1 8 27 64 125
bei Uges = 100 V?

101
89 Gegeben sei nebenstehende Schaltung mit idealer Diode.
+10V
a) Untersuchen Sie den Betriebszustand der Diode
und bestimmen Sie die Spannung UM.
b) Bestimmen Sie den Strom I und die Spannung UD.
c) Bestimmen Sie erneut die Spannung UD und den
Strom I für den Fall, dass die Potentiale +20 V und
+10 V vertauscht werden.
d) Welcher Strom I ergibt sich zum Fall c), wenn man
eine reale Si-Diode mit einer Flussspannung
=
UD 0,7 V annimmt?

810 Gegeben sei nebenstehende "ODER-Schaltung" mit

idealen Dioden.

a) Bestimmen Sie die Ströme i1 und i2 sowie die

Spannung u a .
b) Bestimmen Sie erneut i1, i2 und Ua für den Fall, dass
die Potentiale +10 V und +1 V vertauscht werden.
c) Welche Ströme i1 und i2 fließen, wenn der Widerstand
R
R entfernt wird?
1kn
d) Welche Spannung Ua ergibt sich zu Punkt c) ?
e) Welche Werte ergeben sich zum Fall a) für reale
Si-Dioden mit einer Flussspannung UD = 0,7 V ?

811 Gegeben sei das nebenstehende Übertragungsglied

+1V
mit idealer Diode und offenem Ausgang.

R tUD a) Bestimmen Sie den Strom i sowie die Spannungen U2

und UD für U1 = OV, 1V und 2V.
b) Zeichnen Sie die Übertragungskennlinie U2 = f (U1).

~U'
1kn
Ui c) Lösen Sie die Aufgaben a) und b) für den Fall, dass
das Katodenpotential der Diode nicht +1V sondern OV
beträgt.
0
]: 0

----
UD
i
Gegeben sei das nebenstehende Übertragungsglied
mit idealer Diode und offenem Ausgang.

a) Bestimmen Sie die Ströme i und iD sowie die Span-

nung U2 für U1 = OV und U1 = 1V.
b) Bestimmen Sie die Ströme i und iD sowie die Span-
nung U1 für U2 = 1V.
c) Zeichnen Sie die Übertragunskennlinie U2 = f (U1).

R = 1kO

102
B 13 Gegeben sei nebenstehende Begrenzerschaltung mit der
Gegenreihenschaltung zweier idealer Z-Dioden mit
Uz = 10V.
R
a) Welche Spannung U2 ergibt sich jeweils fOr U1 = OV,
10V und 20V?
b) Welche Spannung U2 ergibt sich jeweils fOr U1 = -10V
und -20V?
c) Zeichnen Sie die Übertragungskennlinie U2 = f (U1).
d) Skizzieren Sie den Zeitverlauf der Spannung U2 als
R beliebig
Folge einer Sinusspannung am Eingang mit 01 = 20V.
e) Wie ändert sich der Zeitverlauf nach d), wenn Diode
D2 durch eine normale (ideale) Diode ersetzt wird?

B 14 Gegeben sei nebenstehendes Amplitudenfilter mit der

Gegenreihenschaltung zweier idealer Z-Dioden mit
Uz = 10V.
01 02
a) Welche Spannung U2 ergibt sich jeweils fOr U1 = OV,
10V und 20V?
b) Welche Spannung U2 ergibt sich jeweils fOr U1 = -10V
und -20V?
c) Zeichnen Sie die Übertragungskennlinie U2 = f (U1).
d) Skizzieren Sie den Zeitverlauf der Spannung U2 als
R beliebig
Folge einer Sinusspannung am Eingang mit 01 = 20V.
e) Wie ändert sich der Zeitverlauf nach d), wenn Diode
D2 durch eine normale (ideale) Diode ersetzt wird?

B 15 Eine Leuchtdiode soll von einem Impulsgenerator ge-

speist werden. Die Flussspannung der Diode sei
R
= =
UF 1,5 V const..

a) Welcher Widerstand R wird benötigt fOr einen Scheitel-

[j-l0 "
wert1'= 20 mA?
b) Berechnen Sie zu a) den Strommittelwert Tund den
entsprechenden Effektivwert I.
t ~
~ '5 V
c) Welche (mittleren) Verlustleistungen treten in der Dio-
de und Im Widerstand auf?

o 10 20ms t-

B 16 Ein 1,5 V-Akku soll von dem Impulsgenerator der vorigen

Aufgabe geladen werden, wobei eine ideale Diode D als
ROckstromsperre eingesetzt sei.

a) Wie groß ist der Scheitelwert i des Ladestromes ?

b) Welchen Mittelwert That der pulsierende Ladestrom ?
c) Welche Zeit ist nötig fOr die Aufladung mit Q = 1 Ah ?
d) Berechnen Sie zu c) die entsprechende Energie W.
e) Wie ändert sich der mittlere Ladestrom, wenn die
Diode OberbrOckt wird ?
R= 100 n

103
B17 Der Kondensator C sei über den Widerstand R1 auf 10 V
aufgeladen.
+10Vo---,
a) Welche Ströme i1, i2 und ic treten im Schaltaugenblick
auf, wenn Schalter S schließt?
b) Welche Endwerte streben die Ströme i1,i2 und ic nach
dem Schließen des Schalters an ?
c) Bestimmen Sie die Zeitkonstante t für den Schaltvor-
gang.
d) Skizzieren Sie den Zeitverlauf der Ströme.
e) Beschreiben Sie die Zeitverläufe mathematisch.

B 18 Gegeben sei nebenstehende Schaltung mit zunächst

geschlossenem Schalter S (Ruhebetrieb ).

a) Bestimmen Sie den Strom ic und die Spannung uc

für den Ruhebetrieb.
b) Auf wechen Wert springt der Strom ic beim Öffnen des
Schalters?
R2
}c c) Skizzieren Sie den Zeitverlauffür den Strom ic und
die Spannung Uc nach dem Öffnen des Schalters.
d) Beschreiben Sie die Zeitverläufe mathematisch.

C = 1 IJF, R1 = R2 = 1 kO

B 19 In nebenstehender Schaltung soll der zunächst unge-

o ideal lade ne Kondensator C aufgeladen werden.
UB = 20 V + 10 V
a) Skizzieren Sie maßstäblich den Zeitverlauf der Span-

l
cJ- R nung Uc, wenn Schalter S zur Zeit t = 0 schließt.
b) Beschreiben Sie die Zeitfunktion für Uc mathematisch.
ic c) Nach welcher Zeit tD etwa wird die Diode leitend?
loc
IC
u, d) Skizzieren Sie den Zeitverlauf der Ströme ic und i.

0 0

C = 1 IJF, R= 1 kO

B 20 Auf die Parallelschaltung eines Kondensators C mit einer

s idealen Z-Diode ZD 10 (Uz = 10 V) wird eine Strom-
quelle mit dem konstanten Strom i1 aufgeschaltet.
+0---/~
a) Skizzieren Sie den Zeitverlauf der Spannung Uc und
des Stromes i2.
b) Welche Anstiegsgeschwindigkeit erhält die Spannung
ZD Uc durch den Ladestrom i1 ?
c) Nach welcher Zeit tD wird die Z-Diode leitend?
d) Berechnen Sie die vom Kondensator aufgenommene
Energie aus der zugeführten Leistung.
e) Überprüfen Sie das Ergebnis zu d) mit der bekannten
C = 1 IJF, i1 = 10 mA = const.
Energieformel für den Kondensator.

104
B 21 Auf nebenstehenden RC-Hochpass werde die
abgebildete fortlaufende Impulsfolge geschaltet.

a) Bestimmen Sie die Zeitkonstante 't und die Grenzfre-

quenz f g der Schaltung für C = 10 iJF.
b) Welche Spannung Uc stellt sich im stationären Betrieb
0-----_._.-0 ein?
c) Zeichnen Sie die Spannung U2 für den stationären
Betrieb.

C
d) Welche Ausgangsspannung U2 ergibt sich, wenn die
Kapazität auf C = 10 nF herabgesetzt wird?

t-

B 22 Die Hochpassschaltung nach B 21 soll ergänzt werden

durch eine ideale Diode parallel zum Widerstand R. Die
Eingangsspannung sei unverändert.

a) Wie verhält sich die Schaltung an der Anstiegsflanke

der Eingangsimpulse ?
b) Skizzieren Sie den Zeitverlauf der Spannungen Uc
und U2 für C = 10 nF.
c) Skizzieren Sie den Zeitverlauf der Spannungen Uc
und U2 für C = 10 iJF bei stationärem Betrieb.
d) Warum müssen Sie bei den Zeitverläufen mit star-
ken Abweichungen rechnen, wenn eine reale
Si - Diode eingesetzt wird?

B 23 Die Hochpassschaltung nach B21 mit C = 10 nF werde

durch eine ideale Diode 0 und Widerstand R2 erweitert.
Die Eingangsspannung sei unverändert.

a) Skizzieren Sie den Zeitverlauf der Spannungen u'

und U2.
b) Skizzieren Sie auch den Zeitverlauf der Spannung uc.
c) Wie verhält sich die Schaltung, wenn Widerstand R1
entfernt wird?
d) Wie verhält sich die Schaltung, wenn Diode 0 umge-
polt wird?
R1 = R2 = 100 kn

B24 Nebenstehend ist der leerlaufende Eingangsteiler eines

RC-Verstärkers mit Signalquelle abgebildet. Es sei:
Uq = 1V . sincot mit co = 27tf und f = 10kHz.

a) Zeichnen Sie ein Wechselstromersatzbild.

b) Welchen Wechselstromwiderstand Xc hat der Kon-
densator bei der genannten Frequenz?
c) Wie groß ist der Wechselanteil der Spannungen U2
und uc?
d) Welche Grenzfrequenz kann man der Schaltung
zuordnen?
e) Bestimmen Sie den Gleichanteil der Spannungen U2
C = 1 iJF, R1 = R2 = 20 kn
und uc.

105
B25 Auf nebenstehenden Ringkern wurde eine Probewicklung
mit N=10 Windungen aufgebracht und dazu die
Induktivität L = 100 IJH gemessen.

a) Welchen AL-Wert hat der Kern?

b) Welche PermeabilitätszahllJrhat das Kernmaterial ?
c) Wieviel Windungen benötigt man für L = 1 mH ?
d) Welcher Strom i magnetisiert die 1 mH - Spule bis zu
einer Flussdichte B = 320 mT?

( 1 Tesla = 1T = 1Vs/m2 )

N = Windungszahl

B26 An der obigen Spule mit N = 32 und L = 1 mH wird ein

Kupferwiderstand Rcu = 100 mQ gemessen.

a) Geben Sie ein Ersatzbild für die Spule an.

Bild wie oben b) Welchen Scheinwiderstand Z hat die Spule in Ab-
hängigkeit von der Frequenz?
symbolisch c) In welchem Frequenzbereich ist die Induktivität
dominant?
d) Bestimmen Sie zu c) die "Grenzfrequenz".
e) Wie groß ist die Güte der Spule unter Berücksich-
tigung ihrer Kupferverluste bei 10kHz?

B 27 Gegeben sei ein Parallelschwingkreis mit den

3Jc
angegebenen Daten.

a) Wie groß wird der Scheinwiderstand Z bei den

Frequenzen f = 0 und f ~ co ?
b) Welche Kennfrequenz fo (000) bzw. Resonanzfrequenz
fr (oor) hat der Schwingkreis?
c) Um wieviel % ändert sich die Resonanzfrequenz,
wenn sich die Induktivität um 1 % ändert ?
verlustbehaftet .
d) Man rechne den Kupferwiderstand Rcu für die Reso-
nanzfrequenz in einen äquivalenten Parallelwiderstand
=
L 1 mH, Rcu 1 n= Rp um.
=
C 1 nF (verlustfrei)
e) Wie groß ist der Resonanzwiderstand des Kreises?

B28 Gegeben sei nebenstehende Bandpassschaltung. Ver-

wendet werde der Schwingkreis gemäß B 27.

a) Schätzen Sie den Spannungsübertragungsfaktor A

für sehr tiefe und sehr hohe Frequenzen.
b) Wie groß wird der Übertragungsfaktor A bei der
Resonanzfrequenz?
c) Welche Betriebsgüte OB hat die Schaltung?
d) Welche relative Bandbreite ergibt sich?
e) Berechnen Sie die Bandbreite M in Hertz.
Rv = 100 kQ

106
829 Nebenstehender Übertrager werde wie folgt idealisiert:
Keine Sättigung, keine Streuung, kein Kupferwiderstand.

=
a) Wie groß ist das Übersetzungsverhältnis ü N1/N2 ?
b) Zeichnen Sie zur gegebenen Schaltung ein Ersatzbild

t
~2- für e~ne Bela~tung ~it einem ~i~erstand R2.
+ c) Bestimmen Sie U1, 11, U2 und 12 fur R2 = 00 ,
N2 wenn Schalter S zum Zeitpunkt t = 0 schließt.
d) Wie c) mit der Änderung R2 = 1 o.
Uq = 1V Last R2 e) Bestimmen Sie zu d) den weiteren Zeitverlauf der
L1 = L2 = 1mH Spannungen U1, U2 und des Stromes i2, wenn nach
Kerndaten: Ae = 50 mm 2 Ablauf von 1 ms Schalter S wieder öffnet.
le = 50 mm

830 An dem obigen Ringkernübertrager wird bei Leerlauf

(R2 = 00) das nebenstehende Oszillogramm aufgenom-
men ( Stationärer Betrieb an Sinusspannung).

a) Mit welcher Frequenz wird der Übertrager betrieben?

b) Beschreiben Sie den Zeitverlauf des Stromes i1,wenn
O~-+--~-4.-+------
t~ bei unveränderter Primärspannung R2 = 10 wird.
c) Welchen Effektivwert h hat der Primärstrom nach b) ?
d) Welche Windungszahl ist erforderlich, damit die Fluss-
dichte höchstens 1 T erreicht?
U1 = 1V, t = 1A e) Welche Permeabilitätszahl iJr muss das Kernmaterial
haben?

831 = =
An dem obigen Ringkernübertrager mit N1 N2 20 wird
bei Leerlauf (R2 = 00) das nebenstehende Oszillogramm
aufgenommen.
(Stationärer Betrieb an Rechteckspannung).

a) Mit welcher Frequenz wird der Übertrager betrieben?

b) Zeichnen Sie den Zeitverlauf des Stromes h,wenn
bei unveränderter Primärspannung R2 = 10 wird.
~T ·1 c) Welchen Effektivwert h hat der Primärstrom nach b) ?
d) Welchen Scheitelwert "B erreicht die Flussdichte
7
0 1 = 1V, 1 = 1A bei Leerlauf und unter Last?
e) Beschreiben Sie den Zeitverlauf der Flussdichte B.

Der obige Ringkernübertrager mit N1 = N2 = 20 wird an

einem Impulsgenerator mit der Quellenspannung uq
und dem Innenwiderstand Rj = 1Q betrieben.

a) Zeichnen Sie das zugehörige Ersatzbild mit Gene-

rator und Lastwiderstand .
b) Skizzieren Sie den Zeitverlauf von i1, U1 und U2 für
Leerlauf (R2 = 00 ).
c) Skizzieren Sie den Zeitverlauf von i1 und U1
sowie von U2 und i2 für R2 = 1 o.
d) Bis zu welcher Flussdichte wird der Kern in den
Fällen b) und c) magnetisiert ?

107
833 Ein n-Kanal - JFET werde durch die nebenstehenden
loss =10 mA , Up =-5V Daten näherungsweise beschrieben.

o a) Zeichnen Sie ein einfaches Dioden - Widerstands-

modell für den FET.
b) Welchen Gatestrom IG erwarten Sie für UGs< 0 und
Uos> O?
c) Skizzieren Sie die Kennlinie 10 = f(Uos) für UGS = O.
d) Skizzieren Sie die Kennlinie 10 = f(UGs) für Uos > 1Up I.
e) Welche der beiden Kennlinien beschreibt die angege-
bene Gleichung?
f) Was bedeutet das zweite" s " im Index von loss ?
10 "" loss' ( 1- u;-
UGS)2 g) Welche Steilheit s ergibt sich für UGS = 0 ?

834 Gegeben sei die nebenstehende Konstantstromschal-

tung mit dem oben beschriebenen JFET.

a) Bestimmen Sie die Größen UGS, Uos und 10 für Ro = O.

b) Bis zu welchem Wert darf Ro ansteigen, ohne dass
Ro sich der Strom 10 ändert ?
c) Welche Idealisierung liegt der Frage b) zugrunde?
10 d) Bei welchem Wert für Ro wird die Verlustleistung Pos
im FET maximal?
Iuos e) Berechnen Sie die Verlustleistung POSmax und die
~t damit verursachte Übertemperatur bei einem Wärme-
widerstand RthU = 0,5 KlmW.

835 In der nebenstehenden Schaltung mit dem oben be-

+u s = 15V schriebenen JFET sind die gemessenen Potentialwerte
eingetragen.
Ro
a) Berechnen Sie daraus die Ströme IG, Is und 10 *).
b) Bestimmen Sie den Widerstand Ro.
c) Berechnen Sie die Spannungen Uos und UGs.
d) Welche Wirkung hat eine Kurzschlussbrücke über
dem Widerstand R1 ?
e) Welche Wirkung hat eine Unterbrechung der Gate-
leitung?
*) Alle Strompfeile zeigen hier in die konventionelle Stromrichtung.
R1 = 1MO, Rs = 1kO Daher positive Werte!

Die Schaltung nach 835 wird mit 3 Kondensatoren be-

schaltet und dient als Kleinsignalverstärker in "Souree-
schaltung".
a) Welche Steilheit s hat der FET im Arbeitspunkt mit
UGS = -2,5 V und 10 = 2,5 mA ?
b) Welcher Zusammenhang besteht allgemein zwischen
den Kleinsignalgrößen UGS- und io- ?
c) Zeichnen Sie ein Kleinsignalersatzbild in der Annahme,
dass alle Kondensatoren und auch die Betriebsspan-
nungsquelle Wechselstromkurzschlüsse sind.
d) Berechnen Sie mit dem Ersatzbild die Spannungsver-
stärkung.
R 1 = 1MO, Rs =1kO, Ro =2kO e) Welche Wirkung hätte ein Kurzschluss über R1 ?

108
B 37 Der nebenstehende Sourcefolger sei durch eine Abwand-
lung aus der Schaltung nach B 36 hervorgegangen.
+Us = 15V
a) Inwieweit hat sich der Arbeitspunkt geändert ?
b) Welche Maschengleichung ergibt sich mit den Span-
nungen U1-, UG8- und U2- ?
c) Bestimmen Sie aus b) die Funktion iD- = f(U1_).
d) Interpretieren Sie die gefundene Funktion durch ein
Kleinsignalersatzbild.
e) Welche Spannungsverstärkung ergibt sich?
f) Wie beeinflusst der Widerstand R1 die Spannungs-
verstärkung ?
R1 =1Mn, Rs =1kn (Die Kondensatoren seien WechselstromkurzschlOsse)

B 38 Der bekannte Transistor T1 steuert als Sourcefolger

+Us= 15V einen Transistor T2 in Gateschaltung.

a) Welchen gemeinsamen Widerstand Rs benötigt man

= =
für gleiche Drainströme 101 102 2,5mA ?
b) Welche Steilheiten S1 und S2 ergeben sich?
c) Entwickeln Sie ein Kleinsignalersatzbild.
d) Bestimmen Sie die Ströme i01- und i02- als Funktion
der Spannung U1 __
e) Welche Spannungsverstärkung ergibt sich?

(Die Kondensatoren seien WechselstromkurzschlOsse)

R1 = 1Mn, Ro = 2kn

B 39 Ein mit UGS = 4V aufsteuerbarer selbstsperrender

n-Kanal-MOSFET soll den Kondensator C entladen. Die
lo-Uos - Kennlinie des FETs werde durch einen
geknickten Geradenzug angenähert.
a) Zeichnen Sie die lo-Uos - Kennlinie mit den Para-
metern rOS(ON) = 1n für den "ohmschen Bereich"
=
und 10 1A für den "AbschnOrbereich".
b) Konstruieren Sie den Zeitverlauf der Spannung uc,
=
wenn zum Zeitpunkt t 0 der FET aufgesteuert wird.
c) Beschreiben Sie den Zeitverlauf der Spannung Uc
C = 1000 IJF, Uco = 5V
Anfangsspannung analytisch.
d) Wie lange dauert die Entladung Ober den gesperrten
FET bei einem Leckstrom loss = 1IJA = const. ?

840 +Us = 10V Ein mit UGS = 4V aufsteuerbarer selbstsperrender

n-Kanal-MOSFET soll eine induktive Last schalten. Als
~lIt. Überspannungsschutz wird eine Z-Diode eingesetzt.

l
a) Zeichnen Sie die vereinfachte lo-Uos - Kennlinie mit
den Parametern rOS(ON) = 0 n fOr den "ohmschen Be-
4V
reich" und 10 = 1A fOr den "AbschnOrbereich".
oI uos ZD
b) Konstruieren Sie den Zeitverlauf des Stromes io und
der Spannung uos zum Einschaltvorgang ( t = 0 ).
UGS~ iz c) Wie verlaufen der Strom io und die Spannung uos,
_ ....._ ......_ _ _...J wenn nach 1ms der FET wieder gesperrt wird?
d) Welche Verlustarbeit nimmt die Z-Diode beim Abschal-
ten auf?
L=1 mH (Rcu = 0), Uz=20V
109
B41 Ein Bipolartransistor mit der Stromverstärkung B = 100

.
werde in nebenstehender Schaltung betrieben.
+Us= 10V
...--- a) Bestimmen Sie in grober Näherung den Basisstrom IB
Rc und den Kollektorstrom Ic für Rc = O.
b) Wie verhält sich der Strom Is, wenn Rc beliebig
erhöht wird ?
c) Welche Ströme IB und Ic ergeben sich, wenn die
U~ Basisleitung unterbrochen wird?
d) Wie ändern sich UCE und Ic in Abhängigkeit von Rc ?
e) Bestimmen Sie zu d) die größte auftretende Verlust-
RB = 1Mn, B =100 =const. leistung PCEmax.
RthU = 1 K/mW f) Welche Übertemperatur llTmax ist möglich?

Die Schaltung nach B41 werde als Kleinsignalverstär-

ker genutzt. Die eingesetzten Koppelkondensatoren und
auch die Betriebsspannungsquelle seien zunächst
Wechselstromkurzschlüsse.

a) Bestimmen Sie angenähert die dynamischen Kenn-

RB = 1Mn, Rc = 5kn
größen rBE, sund ß.
b) Geben Sie ein Kleinsignalersatzbild an.
c) Welche Spannungsverstärkung ergibt sich?
d) Bestimmen Sie die untere Grenzfrequenz für den Ein-
gang mit C1 = O,4IJF.
e) Welche untere Grenzfrequenz ergibt sich für den
offenen Ausgang?

B43 +U s = 10V Der Bipolartransistor von B 41 werde mit Ic = 1mA und

.---'" IB = 10IJA in nebenstehender Schaltung betrieben.
Rc
a) Bestimmen Sie den Emitterstrom IE und die Spannung
Ic
UE.
~~~JUCE b) Wie groß muss der Widerstand RB sein für den ange-
gebenen Betrieb?

~u, c) Bis zu welchem Wert kann man den Widerstand Rc

erhöhen, ohne dass sich Ic nennenswert ändert ?
d) Wie groß kann die Verlustleistung PCE werden?
e) Welche Übertemperatur kann maximal auftreten?

B44 Die Schaltung nach B43 soll als Kleinsignalverstärker in

+UB = 10V der Funktion eines Emitterfolgers ( Rc = 0) betrieben
werden. Die Koppelkondensatoren und auch die Betriebs·
spannungsquelle seien Wechselstromkurzschlüsse.
a) Wie ändern sich die dynamischen Kenngrößen rBE, s
und ß gegenüber B 42 ?
b) Welcher Zusammenhang besteht zwischen der Aus-
gangsspannung U2- und dem Basisstrom iB- ?
c) Welcher Zusammenhang besteht zwischen der Ein-
gangsspannung U1- und dem Basisstrom iB- ?
d) Welche Spannungsverstärkung ergibt sich?
e) Formulieren Sie U2_ = f(U1_, RE, 1/s) und zeichnen
Sie dazu ein Ersatzbild.

110
B45 Ein Bipolartransistor mit der konstanten Stromverstär-
+Ue = 5V kung B = 100 werde in nebenstehender Schaltung mit
r--C>---'" dem Fotowiderstand R1 gesteuert.
Rc
ic a) Geben Sie ein möglichst einfaches Ersatzbild zu der
Schaltung an mit der Annahme UeE = O,6V, rBE = O.
b) Welcher Kollektorstrom kann maximal auftreten unter
der Annahme UCEsal = O,5V ?
c) Bei welchem Widerstand R1 wird der Transistor voll
durchgesteuert ?
d) Was geschieht, wenn sich R1 weiter verringert ?
e) Wie weit muss sich R1 erhöhen, damit der Transistor
Ra = 10kn, Re = 500n
sperrt ?

846 Der Bipolartransistor nach B 45 werde bei unveränder-

+U e = 5V tem Lastwiderstand Re über einen Spannungsteiler
gesteuert.
Re = 500 n a) Zeichnen Sie in Anlehnung an B 45 ein Ersatzbild,
Re
das auch für den Sperrbereich gilt.
ie
b) In welchem Bereich kann sich die Spannung U1
ändern, ohne dass der Transistor leitend wird?
c) Welche Ströme iB, ia und i1 müssen fließen, damit
der Transistor gerade voll durchgesteuert wird?
d) Welche Spannung U1 wird zur vollen Durchsteurung
benötigt?
e) Bei welcher Spannung U1 wird gerade dreifach über-
Ra = 10 kn, R1 = 3,3 kn
steuert ?

B47 In der Schaltung nach B 46 werde zu dem Widerstand

+Ue= 5V Re eine Induktivität L in Reihe geschaltet.
Re= 500 n L
L = 500 mH a) Welche Werte für UBE, iB, ic und UeE erwarten Sie
Re im stationären Betrieb bei U1 = 0 ?
ic b) Welche Werte für UBE, ie, ie und UeE erwarten Sie
im stationären Betrieb bei U1 = -1V?
c) Wie ändern sieh die vorgenannten Größen, wenn die
Spannung U1 zum Zeitpunkt t = 0 auf +1,1 V springt?
d) Wie ändert sich der Strom ie gegenüber c), wenn
die Spannung U1 auf +2V springt?
e) Wie kann man den Transistor wieder sperren?
f) Welche Gefahr besteht beim Sperren?

B48 In der Schaltung nach B 47 werde der ohmsch -

+Ue=5V induktiven Last eine Freilaufdiode parallel geschaltet,
deren Flussspannung UF konstant 0,7 V betrage.

a) Welchen Einfluss hat die Feilaufdiode auf den Ein-

schaltvorgang ?
b) Welchem Zweck dient die Freilaufdiode ?
c) Zeichnen Sie ein Ersatzbild für den Fall, dass der
Transistor plötzlich sperrt.
d) Skizzieren Sie den Zeitverlauf des Stromes iL und der
Spannung UeE, wenn der Transistor mit dem Strom
ie = iemax = 9 mA abgeschaltet wird.
e) Formulieren Sie analytisch den Zeitverlauf von iL.

111
B49 Ein idealer Operationsverstärker sei wie angegeben mit
den Widerständen R1, R2 und R3 beschaltet.
i2 R2
a) Berechnen Sie alle eingetragenen Ströme für den Fall
R1 = R2 = R3 = 1kn und U1 = 1V.
h R1 b) Bestimmen Sie diese Ströme allgemein als Funktion

1
ia
der Spannung U1.

1 u, U2
cl Bestimmen Sie mit den gefundenen Beziehungen auch
die Spannungsverstärkung V u = U2!U1.
d) Wie verhält sich die Schaltung, wenn am Widerstand
R2 eine Leitungsunterbrechung auftritt ?
e) Wie verhält sich die Schaltung, wenn am Widerstand
R1 eine Leitungsunterbrechung auftritt ?

B 50 Ein idealer Operationsverstärker sei wie angegeben mit

den Widerständen R1, R2 und R3 beschaltet.
i2 R2
a) Berechnen Sie alle eingetragenen Ströme für den Fall
R1 = R2 = R3 = 1kn und U1 = 1V.
b) Bestimmen Sie diese Ströme allgemein als Funktion
ia
der Spannung U1.
0 c) Bestimmen Sie mit den gefundenen Beziehungen auch

1 U1
1
die Spannungsverstärkung V u = U2!U1.
u d) Wie verhält sich die Schaltung, wenn am Widerstand
' R2 eine Leitungsunterbrechung auftritt ?
e) Wie verhält sich die Schaltung, wenn am Widerstand
R1 eine Leitungsunterbrechung auftritt ?

B 51 Ein idealer Operationsverstärker sei wie angegeben mit

den Widerständen R1, R2 und R3 beschaltet.
i2 R2
a) Berechnen Sie alle eingetragenen Ströme für den Fall
R1 = R2 = R3 = 1kn und U1 = 1V.
b) Bestimmen Sie diese Ströme allgemein als Funktion
ia
der Spannung U1.
c) Bestimmen Sie mit den gefundenen Beziehungen auch

1 1
die Spannungsverstärkung V u = U2!U1.
u, u d) Wie verhält sich die Schaltung, wenn am Widerstand
' R2 eine Leitungsunterbrechung auftritt ?
e) Wie verhält sich die Schaltung, wenn am Widerstand
R1 eine Leitungsunterbrechung auftritt ?

B 52 Ein idealer Operationsverstärker sei wie angegeben mit

R2 den Widerständen R1, R2, R3, ~ und R5 beschaltet.
i2
a) Berechnen Sie alle Ströme für den Fall U11 = +1V und
i1 R1 U12 =-1V mit R1 = R2 = R3 = R4 = R5 = 1kn.
ia b) Bestimmen Sie die Ströme i1, i2, i3 und i4 allgemein

1"1
als Funktion der Spannungen U11 und U12.
c) Bestimmen Sie mit den gefundenen Beziehungen auch

1
U i. R.
U12 die Funktion U2 = f (U11, ud.
u
' d) Wie verhält sich die Schaltung, wenn am Widerstand
R2 eine Leitungsunterbrechung auftritt ?
e) Wie verhält sich die Schaltung, wenn am Widerstand
R1 eine Leitungsunterbrechung auftritt ?

112
B 53 Ein idealer Operationsverstärker soll in Verbindung mit
=
einem Bipolartransistor (B 100) als Schwellwertschal-
ter für eine Glühlampe ( 6V I 0,1 A ) dienen.

a) Bestimmen Sie zu der nebenstehenden Schaltung das

Verhältnis R1/R2 für einen Schwellwert Uv = 3V.
b) Bestimmen Sie die Widerstände R1 und R2, wenn
diese einen Strom I = 1OIJA führen sollen.
c) Welchen Widerstand RE benötigt man, wenn die
RE Lampe mit Nennleistung betrieben werden soll ?
d) Welchen Widerstand RB benötigt man für eine drei-
fache Übersteuerung des Transistors?
Lampe ein: U1 > Uv e) Was geschieht, wenn Widerstand R1 abgetrennt wird?
Lampe aus: U1 < Uv
B 54 Ein idealer Operationsverstärker soll in Verbindung mit
einem Bipolartransistor eine konstante Spannung UL = 6V
für die variable Last RL bereitstellen.

a) Bestimmen Sie die Rückkopplungswiderstände R1

und R2, wenn der Strom IR = 1mA sein soll.
b) Welchen Wert muss die Betriebsspannung UB mindes-
tens haben?
RL c) Berechnen Sie näherungsweise den Maximalwert des
Stromes Ic für den Lastbereich 6 0 < RL < 60 o.
d) Wie ändert sich die Verlustleistung des Transistors
im vorgenannten Lastbereich bei UB = 12V ?
Uv = 3V = const.
e) Was geschieht beim Auftrennen der Kollektorleitung ?

B 55 Ein idealer Operationsverstärker soll in Verbindung mit

einem Bipolartransistor den Ladestrom IL = 1A für einen
+UB O-----<ip-_-, Akku ( UA = 6V ) konstant halten.
veränderlich
Ic
a) Welche Vergleichsspannung Uv benötigt man bei
=
einem Stromsensor Rs 10 in der Schaltung?

uvl
b) Welche Betriebsspannung UBmin muss für einen Kon-
stantstrombetrieb mit IL = 1A mindestens anliegen?
Rs c) Wie verhält sich der Ladestrom IL in Abhängigkeit
von der Betriebsspannung im Bereich UB < UBmin ?
d) Zeichnen Sie die Funktion IL = f(UB).
e) Wie groß sind die Verlustleistungen im Widerstand
Rs und im Transistor bei UB = 12V ?
B 56 In nebenstehender Anzeigeschaltung soll zu dem großen
Laststrom IL eine proportionale Spannung UA gebildet
+UBo--._ _ _----.
werden. Der OP sei ideal, der Transistor habe die Strom-
12V Rv verstärkung B = 100.
a) Leiten Sie allgemein die Funktion UA = f(IL) ab.
b) Bestimmen Sie diese Funktion für Rs = 0,10,
Rv = 1000 und RA = 1000 o.

lUA
c) Bestimmen Sie mit den angegebenen Werten die An-
zeigeempfindlichkeit E = dUA/dlL·
d) Welchen Widerstand Rp muss man zu RA parallel
=
schalten, damit E 1 VIA wird?
e) Bis zu welchem Wert ILmax reicht der lineare Arbeits-
bereich der Schaltung?

113
 Lösungen zum Teil B (Testaufgaben )

B1
a) ~R = ±~.10000 0 = ±500 o.
100 --
~ U 100V
b) U=vP·R=,J1W·100000=100V, 1=-=--=10mA.
R 10kO - -
c) ~T = P . R th = 1 W ·50 K/W = 50 K .

~R = R·TK·H= +10 4 0 . 10-4 K- 1·50 K = +50 O.

d) T = Tu + ~T = 20°C + 50K = 70°C.

B2
Ro·R p Rp
a) 0,98· Ro = ~ 0,98 = ~ 0,98 Ro + 0,98 Rp = Rp
Ro +R p Ro +R p
0,02 R p = 0,98·40 = 3,92 0 = Rges ' R p = 196 O.
b) U = I· Rges = 0,1 A . 3,92 0 = 0,392 V .
Rp
c) 10 = I· = 100 mA . 0,98 = 98 mA. Ip = 1- 10 = 2 mA .
Ro +R p
Ro ' Rp . (1± 0,02) Ro . Rp 1± 0,02 1± 0,02
d) Rges = =. = 3920·-.,......:--
Ro + R p . (1 ± 0,02) Ro + Rp 1± 0,02· R p , 1± 0,0196
Ro +R p
'" 3,92 O· (1 ± 0,02). (1 + 0,0196) '" 3,92 O· (1 + 0,0196 ± 0,02)
'" 3,92 O· (1 ± 0,0004) = 3,92 0 ± 0,4%0' (siehe Funktionentafel, Anhang B )

B3
a) ~R1 = ±0,1·180 0 = ±18 0, ~R2 = ±0,1· 8200 = ±82 O.

b) U = U· R2 = 10 V· 820 0 = 8 2 V .
2 1 R1 + R 2 1000 0 - ' -
R2 R2
c) U2 =U 1 · =U 1· ·
R1 + ~R1 + R 2 R1+ R 2 1+ ~R1
R 1 +R 2
1
= 8,2 V . '" 8,2 V . (1- 0,018) = 8,2 V - 1,8 % .
1+0,018
d) U2 =U 1. R2 -O,1R 2 10V. 820n-82n
R1+ 0,1 R1+ R 2 - 0,1 R 2 180 n + 18 n + 820 n - 82 n
820 n.(1-01)
= 10 V . 1000 n. (1- 0,~64) '" 8,2 V . (1- 0,1) . (1 + 0,064)

'" 8,2 V· (1- 0,1 + 0,064) = 8,2 V . (1- 0,036) = 8,2 V - 3,6 % .

114
 84
RollR L 1 kO
a) U2max =10V=12V. ( 11 )=12V. --+-R1=2000.
R 1 + Ro RL R 1 + 1 kO
b) Rgeso = R 1 + R o = 0,2 kO + 2 kO = 2,2 kO .

R ges1 = R 1 + (RoIIR L ) = 0,2 kn + 1 kO = 1,2 kO.

U1 12 V
c) 11max = - - = - - = 1 0 mA.
R ges1 ~2 kO

d) Pv1 = Ifmax' R 1 = 10-4 A 2 . 0,2.103 0 = 0,02 W = 20 mW .

Pvp = Ifmax ·R o = 10-4 A 2 .2.103 0= 0,2 W = 200 mW.

85
R
a) R Fmax = 10 MO» 10 kO: UFmax "" U1 · 2 = 10 V .
R1 +R 2
U1 20 V
b) R Fmin =100«10kO: IFmax ",,-=--=2mA.
R 1 10 kO - -

10 V, R i = R111R2 = 5 kO. Vgl. Aufg. A 1.1

Leistungsanpassung bei R F = R i

(5 V)2
--+- Pvmax = - - = 5 mW .
5kO --

1 1
d) ilTmax=PVmax·-=5mW· / =5K.
Gth 1 mW K

86
a) 11 = UB = ~ = 01 mA 1 = -1 0 = UB = ~ = 1 mA I I I 11 A
Rp 100 kO -'--' 2 R 1 10 kO - ' B = 1 + 2 = ~ .

UB U
b) Brückenabgleich: 10 = Q, 11 = -R = 0,1 mA, 12 = B = 0,5 mA, Is = 11 + 12 = 0,6 mA.
p R1 +R 2 --

c) I = UB = ~ = 1 mA 12 = _0, 11 = IB = UB + 10 = 0,1 mA + 1 mA = 1,1 mA .

o R 2 10kO - ' Rp --

87
US1 6V
a) 12 = Q, 11 = 13 = = 3 kA = 2 mA, U3 = 13 . R3 = 2 mA ·1 kO = 2 V .
R1 + R 3 ••

b) I =0 I = I = UB1 + IU B2 1= 10 V = 25 mA
3 -' 1 2 R1 + R 2 4 kO _'_ _ '

U3 = UB1 -1 1 . R 1 = 6 V - 2,5 mA . 2 kO = 6 V - 5 V = 1 V .

c) U3 =Q, 11 = UB1
R1
=~=3 mA,
2 kn - -
12 = IUB2 1 =~= 2 mA.
R2 2 kO --
13 = 11 -1 2 = 3 mA - 2 mA = 1mA .

115
88
a) mA WG b) -uges+i.R+u=O

t100 VOR u=uges-i.R

= 100 V-i·1 000 Q .
60
c) Die Funktion u = f (i)
20 ergibt die ,,widerstandsgerade" WG
20 60 100V wie nebenstehend dargestellt.
U--

d) Der Schnittpunkt S stellt ein Wertepaar für u und i dar, das sowohl der VOR-Kennlinie
als auch der Maschengleichung genügt -+ Arbeitspunkt.
e) i '" 35 mA, u '" 65 V.

89
a) Katode auf höherem Potential als Anode -+ Diode gesperrt.
UM = 10 V· R 2 = 10 V. 9 kQ = 9 V .
R1 +R 2 10 kQ -
10 V 10 V
b) 1= = - - = 1 mA , Maschenumlauf: -UM + UD + 20 V = 0
R 1 +R 2 10 kQ - -
-+ UD = UM - 20 V = 9 V - 20 V = -11 V .

c) Diode leitend: UD = Q, UM = 10 V -+ 1= 20 V -10 V = 10 mA.

1 kQ

d) UM =107V-+I=20V-10,7V =9,3V =93mA.

, R1 1 kQ ,

810

a) i1 = ~ ~~ = 10 mA, ua = 10 mA ·1 kQ = 10 V, i2 = Q.

b) i1 = Q, i2 = ~ °k~ = 10 mA, ua = 10 V. c) i1 = i2 = O. d) ua = 10 V .

e) i1 = 10 ~ ~~,7 V = 9,3 mA, ua = 9,3 V. i2 = 0 (Sperrstrom vernachlässigt).

811
b)
a) U1 = 0 : i = 0, U2 = 0, uD = -1V .
u1 = 1V : i = 0, u2 = 1V, UD = 0 . U1-
U1 = 2V : i = 1 mA, u2 = 1V, uD = 0 .
2 3 4V

116
 c) U1 = 0 : i = 0, U2 = 0, UD = 0 . V
U1 = 1V : i = 1 mA, u2 = 0, uD = O.
u1 = 2V : i = 2 mA, U2 = 0, uD = 0 .
I
Uz
u1-
0
0 2 3 4V
-1-j
812
a) U1 = 0: D gesperrt ~ iD = 0, U2 = 0 , Umlauf:

+i.(R+R)-1V=O~i= 21:0. =0,5mA.

c)

J,J-~2l
-U1

U1 = 1 V : uD = 0, iD = 0, U2 = 0, i = 2 V = 1 mA .
2kn -
b) u2 = 1 V: iD = 1mA, uD = 0, i = 2 V = 2 mA . o 2 3 4V
1kn - - -H
U1-
U1 = U2 + (i + iD)· R = 1 V + 3 mA·1 kn = 4 V .

813
a) U1 = 0 : u2 = Q; u1 = 10 V : u2 = 10 V; u1 = 20 V : U2 = 10 V .
b) u1=-10V:U2=-10V; u1=-20V:u2=-10V.

c) d) t e) t
Uz
0
20V 0 t-
U1-
I
814
a) U1 = 0 : U2 = Q;
b) u1=-10V:uz=Q;

c)
e) J,[r-s--l0V
-10
"'" o
/
I
815
a) i = uq -
R
uF = 11,5 V -1,5 V = 20 mA
R
~ R = ~ = 500
20mA --
0. .
T
b) f=~ fidt = _1_ . 20 mA . 10 ms = 10 mA .
T 0 20ms --

I= ~ fi 2dt = 1_1 -·400 (mA)2 10 ms = 20 :;;A = 14,1 mA .

T 0 ~20ms ...;2 --

c) PD = T. UF = 10 mA ·1,5 V = 15 mW , PR = 12 . R = 200 (mAf ·0,5 kn = 100 mW .

117
816
a) i = uq-UA = 11,5V-1,5V =100mA.
R 1000--
T
b) T=~ fidt=_1_.100mA.10mS=50mA.
T0 20ms --

c) Q = 1 Ah = j·t= 0,05A.t~~=t = 20 h; d) W = Q·U = 1 Ah·1,5 V =1,5 Wh.

0,05 - --

e) T= _1_.(100mA-15mA).10ms
20ms
= 42,5mA
.
Rückstrom -i = 15 mA.

817
a) ue (0)=10V:i1 =Q, i2 = 10 V = 10 V = 10 mA, ie = i1 - i2 = -10 mA .
R2 1kO - -

b) i1 =i 2 = 10V =5mA, ie =Q; c) t=(R11IR2).C=0,5kQ.1IlF =0,5ms.

R1 +R 2 - -
- -10mA
t
---,~-==-_ 5 mA i2 I - - ' - - - = = - - - 5 mA t
ie
o O~-------
o t- 0 t-

e) i1 =5mA.[1-exp(-';)} i2 =5mA-[1+ex p(-';)} ie =-10mA.ex{-~}

818
a) ie = Q, ue = R2 . UB = 5 V . b)'le -- UB - ue -- 5 mA .
R1 +R2 - R1 --

c) t t r--:;r,--=::=:::;=; 10 V
ie ue
t = R1 oC 5V
=1ms

o--i----...:~-=~~'-- Ol~--T--- __-

o t t- o t t-

d) ie = 5 mA exp( - 0 ~). ue = 10 V - 5 V exp( - 0 ~) .

819 t = R C = 1kO 11lF = 1ms .

a) 2 0 - l - - - + - - - -
0 0

b) 0 <t ::; t o : ue = 20 V [1- ex{ -

0 ~) ]
V .;
.;
t > t o : ue = 10 V = const.
"'/
_____ ue
10 Diode leitend

O~~~-----------
c) t o '" 0,7 t = 0,7 ms (Halbwertszeit) .
o to t-
0

118
d) 20 20
mA mA
10 10

0
to
t- 0 to

820
a) V mA
Uc i2
10 10

O'4---~--------~t-_~
o to

t 2 1'1 ms
c) t D =1ms. d)W = Df10mA.10~.tdt=100 W.~ = 50 IlWS.
c ms s 2
o 0

821
1 -1 OOg
a) ,= R·C = 100 kO·10 IlF = 105 0.10-5 ..!. = 1 s. oog = - = 1s , fg = - = 0,159 Hz .
o - , 2n

b) uc = -1V = 0,5 V da Ti, Tp «,.

t 10ms
I , 0,5 V ,groß
2 --
c)
Geringfügige Welligkeit vernachlässigt

, klein

822
a) Der Strom i über C-D wird bei ungeladenem Kondensator C extrem hoch: i =C' dU1/dt.
C wird entsprechend schnell geladen.
b)
t~~C=1ms t I ,= =
:tS.Q-1V
c) R.C 1s
~1-_ _ _ 1V

i i I
o 10 20 30 ms t- o 10 20 30 ms t-

il D
d) Weil 'die gewählte Impulsamplitude mit 1 V nur wenig größer ist als die Flussspannung
einer realen Diode.
823
a) t '1= R1 . C = 1 ms
u'
'2 = (R11IR2)' C = 0,5 ms
O~--~----~-----
o t-

119
 b)
c) C kann nicht aufgeladen werden:
Uc =0, u' =U1, U2 =0 .
d) Es erscheinen nur positive Impulse an den
positiven Flanken der Eingangsspannung.
824
a) b) Xc = _1_ = 1 = 15,9 n .
wC 2n·10 4 s-1 ·10- 6 s/n - - -
c) Xc« R111R2' Also: u2- '" uq , uc- '" 0 .
Wechselstromkurzschluss
R1 R2 !U2-
'-----~--' d) fg = 4 1 -6 ",15,9Hz. (Xc =R11IR2)
2n·10 n·10 s/n --

e) U2_ = Us . R1 = 5 V, uc _ = - 5 V .
R1+R 2 - - --
825

_ AL ·R e _ 10-6 ns·50.10-3 m =800

~r - - 6 6 2 -'
~o' Ae 1,25·10- ns/m·50·10- m

c) N= rL = 1000~H ",32.
fA~ 1~H -

i·N . B·R e 320.10-3 Vs/m 2 .50.10-3 m -05A

d) B = Ilo~r . - ~ I = --- = 6 -, .
ee 1l0llrN 1,25 ·10- Os/m. 800 . 32 --
826
a) -c::Jf-.------ c) wL > Rcu ~w > Rcu/L.
Rcu L
_ Rcu _ 100 mn _ 100 -1 f wg 159 H
d) O)g - -L- - 1mOs - s, 9 = 2n '" _'_z. An der Grenzfrequenz: wL = Rcu .

e) Q = wL = 2n·10 4 s- 1.10-3 0s = 628.

L RCu 100.10-3 0

827
a) f = 0: Z = Rcu = 1n. f~co: Z = O. Kapazität C schließt kurz!
1 1 6 -1
b) f '" f = = '" 159 kHz, wr '" Wo = 10 s .
r 0 2n.JLC 2n)10- 3 0s.10-9 sjO --

c) t' = 1 = 1 = ~ do.(1-0,005)~-0,5%.
r 21l)(L+0,01L).C 2n)LC.(1+0,01) 1+0,01 --

d) QL = Olr ·L = 10 6 s- 1·10-3 0s = 1000, Rp = OlrL·QL = 103 0.10 3 = 1MO. e) Zr = Rp .

RCu 1n ---
828
a) f ~ 0: A '" RCu/R v = 10-5 ", Q. f ~ co: A '" Q, Kurzschluss durch C.
R 1MO
b) Ar = p = '" 1- 0,1 = 0,9 .
Rp +R v (1+0,1)MO -

120
 RpllRv
c) aB = - - mit Zo = - =
~ 10-3 05
9
90kO
=10000~aB~ --=90 [3].
Zo C 10- s/O 1kO -
M= -1 = -1 .
d) . - 1
e) M=-·159kHz~
160 kHz
(
()
r1,6kHZ.1+0,1 ~1,76kHz.
fr aB 90 90 1001-0,1

B29

i1 = ilJ

.11 =1. = 1_
A ·t
Jl ms'

d) u1 = U2 = 1 V unverändert e) L 1 1mH
. U2 1V
12 = R2 = 10 = 1 A,
1A
1"
R
= , = -1- =1ms
2 0

.11 = IJl
. + 12
.' ml·t.'12 = iÜ2 = 1 A
O-r----~--~-----
2ms
o t--
O-+----~---7----~

2A ,,
,: , ,.IIJ -- 1A
ms· t -1V
1A
,
"
----~"'i-
,,
,
,
,
,, t-
U2' .
= .U . u2 = 1 . u2 = -IJl
.. '
R2 = U1
o-i'---...!.'--=--- 2
mit R~ = ü . R2 = 1 . 1 0
1ms
o
B30

~ U1 U1 1V 1 ro
a) 11 = - ro = -A-- =
~ 3 = 1000- ~ f = -2 = 159 Hz.
roL1 i 1 . L1 1 A . 10- 05 s 7t--

b) Ersatzbild wie oben mit Sinusquelle ständig angeschaltet:

i1 = iJl + i~ = -1 A . cos rot + 1 A . sin rot .
c) i 1 = .J2 . 1 A, 11 = i 1/.J2 = 1 A .
d) L1 · I
~
= 0 . N1 = B . N1 . A e
A A

~ N1 =
L1·i"
r- =
_ A_ _
10-3 0s.1A
= 20 .
Jl B. A e 1Vs/m2 . 50 .10-6 m2 -
2 10-3 05 -6
e) L1 = AL . N1 ~ AL = 400 ~ 2,5 . 10 Os

Il = AL . ~ = 2,5· 10-6 0s . 50 ·10-3 m = 2000.

r Ilo A e ~25 .10-6 Os/m. 50 ·10-6 m2 --

121
B31
di1 U1 _ di1 U1 =
a) u1 = L1. dt ~ ~ - dt ~ L1 T/4
l ~ T = 4· i.1. L1 = 4 mYs
U1 1V
= 4 ms ~ f = 250 Hz .

b) Ersatzbild wie oben mit Rechteckquelle

c) If = _1_.2T(1~.t)2dt
2ms 0 ms

=_1_.1A 2
2ms ms 2 3
.f.1 2ms
=~A2
6
o

11 =~A=~1,33A"'1,15A.
d) In beiden Fällen B= 1T ,
da jeweils i ll = 1 A wie in B30.
e) Dreieckförmig wie ill und phasengleich.
B32
a) L1 1mOs
b) 't=-=--=1ms
Rj 10

04L-r-.-,-,-,-,r-r-T7~~-~--
o 5
t
U1
R~ =
\
00

O~~-~----------~~,--~~
o

d) B= 1T , da in beiden Fällen der Scheitelwert des Magnetisierungsstromes 1 A beträgt

v
wie unter B30 und B31.

122
B33~
a) G b) IG "",0, da beide Dioden sperren. Je nach Typ liegt IG im Nano-
Ros oder Mikroamperebereich.
S

c)
10 mA-
~ ______. _... UGS =0 d)
loss = 10 mA

t
10
I
I
t
10
IIUpl
I
0
0 5V -5 V = Up

e) Die Kennlinie 10 = f(UGs) .

g) S=~1 = 21 0ss =4 mA =4mS.
f) §hort circuit von G nach S (UGS =0). dU GS UGS = 0 -Up V

B34
a) UGS = 0, UDS = 15 V b) UDS =U B -I D ·R D ~IUpl=5V

ID = IDSS = 10 mA . R = UB -5V =~=1kn.

D ID 10mA-
c) Die Annahme, dass der Strom 10 im Abschnürbereich unabhängig ist von der Spannung
UDS (horizontaler Kennlinienverlauf wie oben gezeichnet, ros = 00).
d) Pos =UDS' 10 wird maximal bei Ro =0 mit UOS max =15 V.
e) PDSmax = UDSmax .I D = 15 V ·10 mA = 150 mW .
~T = PDSmax . RthU = 150 mW· 0,5 K/mW = 75 K.

B35
a) IG = ~ ~~ = 1 nA , Is = ~'~~ = 2,5 mA , ID = Is + IG r:: 2,5 mA. IG ist vernachlässigbar.

b) RD = UB -10 V = ~ = 2 kn .
ID 2,5mA--
c) UDS = UB -ID . (RD + Rs ) = 15 V - 2,5 mA ·3 kn = 15 V - 7,5 V = 7,5 V .
UGS + ID . Rs -I G . R1 = 0 ---+ UGS r::-I D . R s = - 2,5 mA ·1 kn = -2,5 V ,

ID J= -5 V . (1- ~0,25 ) = - 2,5 V .

alternativ: UGS = Up . (1-
l ~ IDSS
d) Das Gatepotential wird exakt 0 V anstatt 1 mV "",0 V. Praktisch keine Wirkung.
e) Das Gatepotential "schwimmt". Negative Spannung UGS kann sich nicht bilden ---+
U
Kanal wird nicht eingeschnürt ---+ ID r:: B = 5 mA. (grob)
R D +R s

B36
a) s =~
dU
= 210ss '(1- UGS J.( __1_J = 20mA· (1-0,5)._1- = 2mS.
Up Up 5V
GS
b) dl D = s· dU GS ---+ iD_ = s· uGS- (bei rDS ---+ 00) .

123
 c)

d) s· uGS- . Ro = s . U1- . R o = -U2-

U2- mA
Vu =-=-s·R o =-2-·2kO=-4.
U1- V 7-
e) UGS- = 0, U2- = 0 . Phasenumkehr

837
a) 10 und UGS bleiben unverändert. UDS = Us -1 0 . R s = 15 V - 2,5 mA ·1 kO = 12,5 V .
b) -u1- + uGS- + U2- = 0 bzw. u1- = uGS- + u2- . bei hinreichend großen Kondensatoren.

C) uGS- = io-s' .
u2- = 10-· R
S --1- U1- = 10-· . (1g + RSJ.10- = - 1U1-- - mit. s = 2 mS nach
--1-
g+Rs 836.

e) V - U2- _ Rs _ 1 kO = 066.
u - U1- - ..!+R - 0,5kO+1kO -'-
s
s
f) Überhaupt nicht, solange _1_« R 1 und R1 > 0 ist.
roC 1

838
a) UGS1 = UGS2 = -(l01 + 102 ). Rs = -2,5 V --1- 5 mA . R s = 2,5 V --1- R s = 0,5 kO.
b) S1 = s2 = S = 2 mS wie bisher. . u1- u1-

- ;+(
d) 101 = =--
c)

1 ..
iD1- i 02- Rsll;J 7500

1
0
u
'-
R1
1
s Rs UGS2-
Rs
-+R s
i01 -
- 102- = 101- . - 1 - - = 2
s
. U1-
102- = -15öClQ .

e) i02 _· R o + U2- = 0 --1- -~. 2 kO = -U2- --1- Vu = u2- = ~ = 1,33 Phasengleichheit.

· h
(M asc heng Ielc ) 1,5 kO u1- 1,5 -
ung

839
a) b)
1A 5V duc io 1A V
-=--=---=-1-
t
10
t
UDS
dt C 1mF ms

T = rOS(ON) . C
=1ms

5V Uos- 5 ms t_

c) 0<t~4ms: UC =5V.(1- 5~SJ. t>4ms: Uc =1v.exp(- t-~msJ.

-3 5.10- 3 As
d) Q = U co· C = 5 V ·1000 ).lF = 5 ·1 0 As = loss . t --1- t= 6 = 5000 s .
10- A

124
840
b)
diL = Us
L
io il =
a)1 A.......- - - - - - - - UGS = 4 V dt ---"--1 A
10V
t10 1mH ...-..---10V
A
=10-
ms
04--r-.~r-.-.----------

o 5V UOS- 0,1 ms t-
-20V
1 A- ---
C) uDS = Uz = 20 V , ,UOS
10V
UL = Us - uDS = -10 V ,
diL _ uL _ -1 0 V _ 10 A
di-T- 1mH -- ms' o --------- ~l__ _. . , . . - - - - -
o 1 1,5 ms t-

d) W =
1.1 ms
fU z -izdt = Uz · f
1,1 ms
izdt = 20 V .
1 A .01
; ms 1mWs aus Flächenbetrachtung .
1ms 1ms

841
a) I = Us - USE "" 10 V - 0,6 V = 9 4/lÄ "" 10 /lÄ
S Rs 1MO' ,
d)
t
UCE
le =8-ls ""100-10/lÄ=1mA.
b) Is bleibt nahezu unverändert. UCEsat
0
c) Is =0, le =leEo 0 5 19 kO Rc-
,,
(Reststrom, Größenordnung /lÄ). ,

e) PeEmax =10V·1mA=10mW. t
Ic
"- 1mA U
le ""...J2..
f) i1Tmax =10mW.1K/mW=10K. Re
0 ----.-------
0 9,5kO

842
a) ~SE = Ur "" 26 mV "" 2 5 kO
le 1mA
s=-""--,,,,40mS
Is 10l-lA -'-' Ur 26mV - - '
b) C) S'U1_ -Re = -U2-

iC- VU = u2- = -s . Re
U1-
"" -40mS·5kO
Rc
",,-200.
U2_ und U1- in Gegenphase.

d) -1- = rSE- 11Rs "" rSE ~ f g "" 1 = 1 = 159 Hz .

roC 1 27t·C1 ·rSE 27t·0,4.10-6 s/O.2,5.10 3 0 - -
e) fg "" QI da Abschlusswiderstand unendlich, Zeitkonstante 't ~ 00 •

125
843
a) IE = IB + le (konventionelle Ströme) b) RB = UB -UE -UBE
IB
= IB . (1 + B) :::d B . B = le = 1 mA ,
"" 10 V - 2,4 V - 0,6 V = 700 k
UE = IE . RE "" 1 mA . 2,4 kn = 2,4 V . 10!lÄ n
c) le' Re = UB - UE - UeEsat d) Re =0: UeEmax =UB -UE =7,6V.

"" 10 V - 2,4 V - 0,5 V "" 7 V PeEmax = 7,6 V ·1mA = 7,6mW .

7V e) ~Tmax = PeEmax . R thU = 7,6mW .1K/mW

Re ",,--=7kn.
1mA - - = 7,6K.
844
a) Praktisch nicht, da 18 und Ic bleiben. b) U2- = i(iB- + ie -)· RE = iB- . (1 + p). RE

c) U1- =i B- ·rBE +i B- .(1+p).R E d) V _ U2- _ (1+P)·RE ßRE

u - U1- - rBE +(1+p).R E "" rBE +ßR E
= iB_· [rBE + (1 + ß)· RE]
PR ~ 100·2,4kn
e) U2- "" U1- . E "" ----..:...:...:......~-=.::...:......-
rBE +PR E 2,5kn+100·2,4kn

Ul-1f3l~
240

(Phasengleichheit)

845
a) r-----... +UB b) i
emax
= UB - UeEsat "" 4,5 V = 9 mA .
Re 500 n --
gültig für iB ~ 0
c) .IB -I
- BU.. -- -
iemax
- -- 9 mA -- 90 ~.
A
B 100--

i1 = iB + io "" 90 ~A + ~~6k~ = 150 ~A ,

Ra
R 1 = UB ~ UBE "" 4,4 V "" 30 kn
11 0,15 mA - - ' ,

d) Es wird iB > IBO' Der Transistor wird übersteuert. (gesättigt). Es bleibt ie = iemax = 9 mA
Ra 10kn
e) Bedingung iB=O: UB'R1+Ro =UBE~5V· R1+10kn""0,6V~R1""73kn

846 ' 0 Ro
b) IB = : U1' = UBE = 0,6 V
a) +UB R1 +Ro

R~~~_:_,~_:__ ~ ~iUCE
R 1 +R o
~ u1 = UBE · Ro "" 0,8 V

Bedingung: u1 < 0,8 V

r_U_SE___B_'_;BJ1
... c) iB = IBO = 90 ~A ,
. USE 0,6 V
10 = Ra "" 10 kn = 60 ~A .
D = ideale Diode
i1 = iB + io = 150 ~A wie in 845.
d) u1 = i1 . R 1 + UBE '" 0,15 mA . 3,3 kn + 0,6 V "" 1,1 V .
e) iB = 3 ·I BO = 270!lA,

126
 B47
a) uBE = Q, iB = Q, ie = Q, ueE = UB = 5 V .

b) uBE = U1 . Ra = -1 V. 10 kn '" - 0 75 V iB =Q, ie =Q,

R1 + Ra 13,3 kn -''-----
c) Nach B46 wird uSE '" 0,6 V, iB = 90 JlA, ueE fällt auf UeEsat, ie steigt exponentiell an
bis zum Wert iemax = 9 mA (s. B45):

(-!)]
9mA
ie =9mA'[1-exp mit 't=~= 500mH =1ms ~
't Re 500n
0-+-------
d) Praktisch nicht I der Transistor wird nur übersteuert (stark gesättigt).
e) Man muss U1 auf Werte unter 0,8 V absenken (s. B46).
f) Bei schnellem Sperren kann die in der Induktivität induzierte Spannung den Transistor
durchschlagen.

B48
a) Praktisch keinen, wenn die Diode trägheitsfrei sperrt.
b) Sie stellt beim Abschalten dem dann abklingenden Strom iL einen niederohmigen Pfad
zur Verfügung und begrenzt die Spannung UCE.
c) d)
S,7V =UB + UF
+US V mA
UCE
L t 5 t lO
/-.::....._-- UB = SV

tUF= O,7V UCE 4 iL 8

Rc 1 = ....!:.- = O,SQs = 1ms
Rc O,SkQ
iL iL 6
3
UF
. iL strebt gegen - - = -1,4 mA
ic= 0 Re
j'CE
2 4

2
1-
o o
o+-----~~----~~~----------
2'--_ t-
-1,4-+--------'----------------

e) iL = -1,4 mA + 10,4 mA . exp(- ~) , gültig für iL ~0 (Zeitachse verschoben).

B49
a) Dank der unendlich hohen inneren Verstärkung Va und der Gegenkopplung bleibt UD im
aktiven Bereich (- UB < u2 < + UB ) praktisch Null. Man setzt UD = O.

c) V _ u2 _ i3 . R 3 _ R2
u -u.;---U-1---~

d) Bei u1 > 0 wird U2 = -U B . Bei U1 < 0 wird u2 = +U B (Übersteuerung, keine Gegen-

kopplung).
e) Nicht steuerbar: U2 = 0 = const., Gegenkopplung wirksam.
(Bei realem OP mit vernachlässigbaren Eingangsströmen . wird u2 = -Uas ).

127
B50

a) i1 · R 1 + U1 = 0 (UD = O!) ~ i1 = - ~~ = -1 mA = i2 ,

i1 . R1 + i2 . R2 + i3 . R3 = 0 ~ i3 = -(i1 + i2) = 2 mA , ia = i3 - i2 = 3 mA .

., U1 . R . R 0 . U1 . R2 u1 (1 R 2 )
b) 11=12=--' -U1+ 12' 2+ 13' 3= ~13=--12'-R =-R' +-R '
R1 R3 3 3 1

c) Vu =~= i3 ·R 3 =1+ R 2 .
U1 U1 R1
d) Bei u1 > 0 : U2 = +U B , bei u1 < 0 : u2 = -U B . e) U2 = u1 (Vu = 1, Spannungsfolger).

B51
. U2 1V
a) i1 = 0 (UD = 0 !), 13 =-=--=1mA
R 3 1kn '

b) i1 = i2 = 0 -4= f(U1)' Maschenumlauf : - u1 + i2 . R 2 + i3 . R 3 = 0 ~ i3 =~,

R3
. R (UD = 01)
c) Vu = ~ = ~ =:! (Spannungsfolger).
u1 U1
d) Reine Gleichtaktsteuerung. Bei idealem OP mit G ~ OCJ : U2 = 0 .
e) Vu = 1, Spannungsfolger.

B52

a) i4 = U12 =-0,5mA,Maschenumlauf: -U11+i1·R1-i4·R4+U12=0 {UD =01),

R 4 +R 5
. U11 . R 4 U12
~ 11 = - + 14 . - - - = 1 mA - 0 5 mA + 1mA = 15 mA i2 = i1 = 1,5 mA ,
R1 R 1 R1 ' -'- - '

Spannungsfolger in Bezug auf P-Eingang, U11 unwirksam.

B53
a) Uv =~=~=~ b) R = Uv =~=300kn R 2 =2·R 1 =600kn
Us - U v 6V R2 2 1 I 10 IlA --'

c) RE '" UE = UB - 6 V - UCEsat '" 2,5 V = 25 n . (UCEsat '" 0,5 V)

Ic Ic 0,1 A

d) I .. - ~ - 0,1 A = 1 mA ~ RB = UB - (U E + USE ) = UB - (2,5 V + 0,6 V) '" 2 kn

BU - B - 100 3 .I sü 3 mA --
e) Es wird U v = 9 V . Der Transistor bleibt gesperrt im Bereich 0 < U1 < 9 V.

128
B54
U 3V R = UL - Uv = 6 V - 3 V = 3 kO .
a) Uv =I R .R 1 ~R1 =~=--=3kO
IR 1mA - ' 2 IR 1mA
UL 6V
b) USmin =U L +U SE ",,6V+0,6V=6,6V. c) ICmax ",,--=-=1A.
RLmin 60
d) UCE = Us - UL = 12 V - 6 V = 6 V = const .
RL = 6 0: PCE = PCEmax = UCE ·1 A = 6 W, RL = 60 0: PCE = UCE ·0,1 A = 0,6 W .
e) Die Stromverstärkung des Transistors entfällt. Es wird Is "" IL , was reale Operationsver-
stärker im betrachteten Strombereich in der Regel überfordert, ebenso den Transistor.

B55
a) Uv = IL . Rs = 1 A·1 0 = 1V. b) USmin = IL . Rs + UA + USE "" 1V + 6 V + 0,6 V = ~.

c) US=IL·Rs+UA+USE
IL =0,5A: Us =0,5V+UA +USE ",,7,1V
d) 1Aolt~--,-L-
_. _.
I IUB~
. .
IL = 0 : Us = 0 + UA + USE "" 6,6 V .
o 6 7 8 9 10 V
e) PR = Ir R s = 1 A 2 ·1 0 = 1 W , PT "" UCE ·I c = (U S -I L . Rs - UA) ·I c = 5 V ·1 A = 5 W .

B56
a) IL ·R s =I c ·R v , UA =(lc +ls)·R A =I c {1+i}RA ~UA =IL '~'RA {1+iJ·
b) UA=IL · 0,10 .10000.101=IL .1010.
1000 ' ,--'--
c) E=dUA/dI L =1,010=1,01V/A.
RA ·Rp RA RA
d) = - ~Rp ·1,01 = RA +Rp ~ Rp =-=100kO.
RA + Rp 1,01 0,01 - -

e) Ic ' RA + UCEsat < Us -I L . Rs ~ IL . Rs . (:: + 1) < Us - UCEsat ~ IL ·1,10< 11,5 V ,

I 11,5 V
~ Lmax ""~"" 10A.

129
 !Anhang B I Funktionentafel
2+-----+-r---+-----+--r--+-----~-,--~----~----~

f
f (x)

1,5

sinx
1~--~----;_--~~--~~--~--~----~~~

0,5

o~~~--~~~--+-~~~~-+~~+-~--~~~
o 0,5 1 1.5

Merke besonders:
--1 ' " 1 +x,
- e±X", 1 :±: x. gültig für x« 1
1 :±: x

130
Teil C Klausuraufgaben

Mit einer Reihe von erprobten Klausuraufgaben wird Übungsmaterial

zur Vorbereitung auf die schriftliche Prüfung zur Verfügung gestellt.
Ausführliche Lösungen folgen am Schluss des Kapitels.

Anh ang C bietet eine Widerstands - Frequenz - Tafel an, die zuweilen
nützlich ist beim überschlägigen Rechnen mit Induktivitäten und
Kapazitäten.

(Da jeder Prüfer erfahrungsgemäß eigene Schwerpunkte setzt,

sollte man auch "alte" Klausuren von ihm anschauen.)

131
 C1 RC- Spannungsteiler
Gegeben sei der nebenstehende RC-Spannungsteiler mit
unbelastetem Ausgang. C1 R

C1 = 1 nF, C2=9 nF, R= 10 kn

~=
U
"l/
-1
= fOro, Cl, C2, R)

a) Man bestimme allgemein den komplexen Spannungs-Übertragungsfaktor ~

sowie dessen Betrag A und Phasenwinkel <p.
b) Man skizziere mit doppeltlogarithmischer AChsenteilung den Frequenzgang des
Betrages A.
c) Für eine Frequenz f = 5 kHz berechne man den Phasenwinkel <p .
d) Man skizziere den Frequenzgang des Phasenwinkels <p.

C2 Kapazitiv belastete Brückenschaltung

Gegeben sei nebenstehende Brückenschaltung mit
zunächst offenem Schalter S. Die Spannung u1 be-
tragt 3 V (konstant). Kondensator C sei ungeladen. 2R

R= 1kn R
C = 1/lF
a) Man bestimme den Strom i1 zum Schaltaugenblick t = 0, wenn Schalter S
schließt.
b) Welche Werte erreichen der Strom i1 und die Spannung U2, wenn Schalter S
beliebig lang geschlossen bleibt?
c) Mit welcher Zeitkonstante 't ändern sich der Strom i1 und die Spannung U2 nach
dem Schließen des Schalters?
d) Man skizziere maßstabIich den Zeitverlauf i1 (t) und U2(t) für t ~ O.
e) Man formuliere die Zeitfunktionen zu d) mathematisch.

Im Folgendensoll die Brückenschaltung mit einer sinusförmigen Wechselspannung

u1 = Q . sinrot gespeist werden. Schalter S sei geschlossen.
f) Man berechne den komplexen Übertragungsfaktor ~ = llil.!J1'
g) Man bestimme den Amplitudenfaktor A = I~I = f(ro) und die zugehörige Eckfre-
quenz.
h) Man zeichne den Frequenzgang des Amplitudenfaktors A doppeltlogarithmisch
auf.

132
C3 Ohmsch - induktiver Spannungsteiler I
Ein Spannungsteiler sei aufgebaut mit
i1
dem induktionsfreien Schichtwiderstand 9000 R1
R1 und einem induktionsbehafteten
Drahtwiderstand R2 mit der Eigeninduk-
tivität L. u1 1000 R2

100~H L
1
U2

a) Man skizziere maßstäblich den Zeitverlauf des Stromes i1 und der Spannung u2
für den Fall. dass die Eingangsspannung U1 sprunghaft von Null auf 10 V an-
steigt.
b) Man bestimme allgemein den komplexen Eingangswiderstand ~1 = 1!1/b und
seinen Betrag Z1.
c) Man stelle den Frequenzgang des Scheinwiderstandes Z1 für die angegebenen
Werte doppeltlogarithmisch graphisch dar.
d) Man bestimme allgemein den komplexen Spannungsübertragungsfaktor
6. = fOro. R1. R2. L) sowie dessen Betrag A.
e) Man skizziere mit doppeltlogarithmischer Achsenteilung den Frequenzgang des
Betrages A .

C4 Ohmsch - induktiver Spannungsteiler 11

Ein Spannungsteiler sei aufgebaut mit dem induktionsbehafteten Drahtwiderstand
R1 mit der Eigeninduktivität L und dem induktionsfreien Schichtwiderstand R2.

5000 R1
10V
t
u1
u1 100~H L

0
0 0.1J.l.S t--- 5000 R2 ~U2
a) Man skizziere maßstäblich den Zeitverlauf der Spannung u2 für den Fall. dass
die Eingangsspannung u1 in der Form des angegebenen Rechteekimpulses
auftritt.
b) Man formuliere zu a) die Zeitfunktion für u2 analytisch.
e) Man bestimme allgemein den komplexen Spannungs-Übertragungsfaktor
6. = fOro. R1. R2. L) sowie dessen Betrag A.
d) Man skizziere mit doppeltlogarithmischer Achsenteilung den Frequenzgang des
Betrages A für die angegebenen Werte.
e) Man ermittle allgemein den Phasenwinkel cp zwischen den Spannungen u2 und
u1·
133
 C5 Ringkernübertrager I
Gegeben sei ein Ringkern-Übertrager. Die Windungszahlen seien N1 = 20 und
N2 = 10, hergestellt mit Kupferlackdraht CuL von 0,5 mm 0. (R' = 0,09 Olm).
Schaltversuch

0= 16 mm, d = 10 mm, h = 6,5 mm

a} Man bestimme die Induktivitäten L1 und L2 der beiden Wicklungen.

b} Man bestimme näherungsweise die beiden Kupferwiderstände RCu1 und RCu2·

c) Man zeichne ein Ersatzbild zum Einschaltvorgang und bestimme dazu die Zeit-
konstante. (Kupferwiderstände und Streuung vernachlässigen)

d) Man zeichne maßstäblich den Zeitverlauf des Stromes i1 sowie der Spannung
U2, wenn Schalter S geschlossen wird.
e) Bis zu welcher Induktion (Flussdichte) B wird der Kern magnetisiert?

C6 Ringkernübertrager 11
Gegeben sei ein streuungsfreier und praktisch verlustfreier RingkernObertrager.
Daten:
N1 = 20
N2 = 10
L1 = 0,64 mH
L2=O,16mH
0= N1/N2 = 2
N1 N2
Der Übertrager werde entsprechend der angegebenen Schaltung aus einem Gene-
rator mit Innenwiderstand Rj = 50 0 gespeist und belastet mit R2 = 25 o.
a) Man zeichne ein Ersatzbild fOr tiefe Frequenzen.
b) Man bestimme die untere Grenzfrequenz fgu .

c) Man entwickle fOr tiefe Frequenzen die Funktion A = U2 = f( 0)) .

Uq
d) Man skizziere maßstäblich die unter c) entwickelte Funktion mit Hilfe einer
asymptotischen Näherung bei doppeltlogarithmischer Achsenteilung.
e) Welche Leistung P2 empfängt der Widerstand R2 im mittleren Frequenzbereich
bei einer Quellenspannung Uq = 2 V (Effektivwert).

134
C7 Diode als Schalter
Ein Generator G mit einer trapezförmig schwankenden Quellenspannung uq speist
über eine zunächst als ideal angenommene Diode D und den Vorwiderstand R D
einen Verbraucher R L = 10000. Zur Vermeidung von Spannungseinbrüchen am
Verbraucher ist ein Akku als Puffer parallel geschaltet. Dessen Innenwiderstand sei
RA = 100.

t t t

V T
5

t 4 / ~ u qmax =5V

3 / ~
/
/

~
/
/
/
2

/ ~~ uqmin= 1V

o I
o 4 8 125
t-

a) Auf welchen Wert uLmin sinkt die Lastspannung schlimmstenfalls ab?

b) In welchem Bereich der Spannung uq leitet bzw. sperrt Diode D?
c) Zu welchen Zeitpunkten t 1 und t2 schaltet die Diode?
d) Welche Spannung uLmax wird erreicht bei uq = uqmax?
e) Man bestimme den Strom iA für uL = uLmax sowie für uL = 3V und uL = uLmin.
f) Man zeichne den Zeitverlauf der Spannung uL und des Stromes iA .
g) Man beschreibe den Verlauf des Katodenpotentials <j)K der Diode mit Bezug auf
den Schaltungsnullpunkt (Masse).
h) Man bestimme die Lösungen zu a) bis e) für eine nichtideale Diode mit den Pa-
rametern Us = 0,6V und rF = 0 (Idealisierung).

135
CS Begrenzerschaltung an pulsierender Gleichspannung

Die folgende Begrenzerschaltung mit einer Z-Diode (Uzo == 10V) werde mit einer
dreieckförmig pulsierenden Eingangsspannung betrieben.

a) Man gebe zu dem linearen Schaltungsteil (R - RL) eine Ersatzspannungsquelle

an, die von der Z-Diode belastet wird.
b) Man zeichne maßstäblich den Zeitverlauf der Spannung Uz für RL ~ 00 mit der
Annahme einer idealen Z-Diode (rz == 0) bzw. einer realen Z-Diode (rz == 1000).
c) Man zeichne den Zeitverlauf der Spannung Uz unter der Annahme einer idealen
Z-Diode für RL == 4kn.

d) Wie verhält sich die Schaltung, wenn RL < 2 kO bleibt?

R = 1k.n

o 0,25 1,25 t--

C9 Begrenzerschaltung an Wechselspannung
Die folgende Begrenzerschaltung mit einer idealen Z-Diode (Uzo == 5V) werde mit
einer sägezahnförmigen Eingangsspannung betrieben.

a) Welchen Zeit'iferlauf haben die Spannung Uz und der Strom iz im Leerlaufbetrieb

(RL ~ oo)?
b) Welche (mittlere) Verlustleistung nimmt die Z-Diode im Leerlaufbetrieb auf?
c) Welche Übertemperatur stellt sich im Leerlaufbetrieb ein bei einem thermischen
Widerstand RthU == 300KJW?
d) Man beantworte die Fragen a) bis c) für die mit R L == 5000 belastete Schaltung.

R = 1kn
t1~ ~----~---
U1
10

1,75ms

10---

136
C10 Einweggleichrichter mit Ladekondensator
Gegeben sei folgende Gleichrichterschaltung mit Lastwiderstand R == 1 kn und
Glättungskondensator C. Die Diode D sei ideal, ebenso der Übertrager mit dem
Obersetzungsverhältnis Ü = N1 / N2 = 1. Zu der angegebenen Spannung U1(t) wer-
de unter diesen Voraussetzungen die dargestellte Ausgangsspannung ug(t) ge-
messen.
UD

U1 = Q. sinrot
Q;= 10 V

ro == 21t mit T == 12 ms
T

V "'14~----T ilU =SV

tI 10 ----"
/:
---
~ ...... _ _ _ _ _ .J
-_ I
U I
- -I
I
I

0~--~----~---------4~------~~~-
o 1 3 -1213 i8ms
t --
-1l\T~

a) Mit welcher Frequenz wird die Schaltung betrieben?

b) Man berechne die Lastzeitkonstante 't = R . C und die Kapazität C.
c) Man berechne angenähert und exakt den arithmetischen Mittelwert Ugo '
d) Man skizziere den Zeitverlauf der Spannung UD und bestimme näherungsweise
die maximale Sperrspannung.
e) Entwickeln Sie die Zeitfunktion für den Strom iD im Intervall ~T.

f) Welchen Wert erreicht der Strom iD zum Zeitpunkt t = 1 ms?

g) Welche Ladung ~Qzu wird im Intervall ~T dem Kondensator C zugeführt?
h) Welche Ladung ~Qab wird im stationären Betrieb innerhalb der Periode wieder
abgeführt?
I ·T
i) Begründen Sie mit ~Q die Faustformel ~U ~ 90c .

j) Stellen Sie die Faustformel am Beispiel auf die Probe.

137
C11 Kondensatorladung mit Konstantstrom-FET
+UB = 12V
Gegeben sei die folgende Schaltung mit einem JFET T T
in Konstantstromschaltung. Bei zunächst offenem
10
Schalter S soll Kondensator C nach dem Einschalten der
Betriebsspannung Us mit dem Strom ie = 1 mA = const. loss= 6mA
geladen werden. Up = -2V
a) Man bestimme den notwendigen Widerstand Rs.
b) Welche Zeit t a wird benötigt, bis der Kondensator C
=
auf die Spannung Ue 5 V aufgeladen ist?
c) Welche Verlustarbeiten treten im Widerstand Rs und
im Transistor T während der Ladezeit ta auf?
d) Auf welchen Wert sinkt die Spannung Ue ab, wenn
Schalter S nach Ablauf der Zeit ta geschlossen wird?
e) Man zeichne maßstäblich den gesamten Zeitverlauf der Spannung Ue·
und formuliere diesen analytisch.
C12 Konstantstromschaltung mit Bipolartransistor
Gegeben sei folgende Transistorschaltung zur Einstellung eines konstanten Stro-
mes IL für den variablen Lastwiderstand RL. Die Z-Diode sei ideal mit Uz = 6 V = const.
+Us=10V Transis tor- 10 IS=30}J A

120
}JA
kennlin
;00 (A 25
Is le 20
5
10 15

1o

5
00
~ 0
Iz 0,2 0,4 0,6 V 0 2 4 6 V
UBE - - UCE -
a) Welcher Widerstand RE ist einzustellen für einen Strom IL = 6 mA?
b) Man bestimme zu a) die Ströme IR und Iz.
c) In welchem Bereich darf sich der Widerstand RL ändern, ohne dass sich der
Strom IL ändert?
d) Bei welchem Widerstand RL tritt im Transistor ein Maximum der Verlustleistung
auf?

e) Welche Sperrschichttemperatur ergibt sich zu d) im Transistor bei einem

thermischen Widerstand RthJU = 500 KIW und einer Umgebungstemperatur
Tu = 30°C?
f) Wie wirkt sich eine (mäßige) Erhöhung der Betriebsspannung UB aus?

138
C13 Transistor mit Fotowiderstand
Gegeben sei eine Emitterschaltung mit dem Lastwiderstand Rc (z.B. Relais), die
von einem Fotowiderstand RF gesteuert wird. Die Stromverstärkung des Transi-
stors sei B = 200. Seine Eingangskennlinie ist nachstehend abgebildet.
...---.......--O+Ue ,40
10V
1 kn
Ic t, )JA _rBE = 1kn
I ,20
j
UCE IB"

0,2 0,4
)
J

I
I
0,6
Us
'-------'
V
rCE ~ 00
UBE -

a) Man entwickle ein lineares Ersatzbild der Schaltung mit den Transistorparame-
tern Us, reE und B, goltig für den aktiven Bereich des Transistors.
b) Man bestimme anhand des Ersatzbildes allgemein die Funktion le = f(RF).
c) In welchem Bereich des Widerstandes RF ist der Transistor gesperrt (Ie = O)?

d) Bei welchem Widerstand RF geht der Transistor in die Sättigung?

e) Skizzieren Sie die Funktion le = f(RF) im Bereich von 10 kn bis 1 Mn.

C14 Transistor als Schalter

Ein Bipolartransistor soll im Schaltbetrieb +Ue = 12 V
das Laden und Entladen des Kondensa-
tors C in nebenstehender Schaltung be-
wirken. Dazu wird angenommen, dass
der Transistor jeweils gesättigt leitend
wird bzw. vollständig sperrt. Für den
Sättigungszustand soll gelten: 1 kn

ueE = UeEsat ~ 0,7 V, uCE = UCEsat ~ O. Ro

10 kn

a) Welche Spannungen Uc und uCE stellen sich ein, wenn der Transistor sperrt?
b) Welcher Kollektorstrom ic tritt im Schaltaugenblick auf, wenn der Transistor zum
Zeitpunkt t = 0 bis zur Sättigung (UCE ~ 0) durchgeschaltet wird?
c) Man zeichne maßstäblich den Zeitverlauf des Stromes ic for die Zeit t ~ 0 bei
gesättigt leitendem Transistor.
d) Mit welcher Spannung u1 muß mindestens angesteuert werden, damit die Sätti-
gung des Transistors auch sicher erreicht wird? Die Stromverstärkung sei B=50.
e) Man skizziere maßstäblich den Zeitverlauf der Spannungen Uc und uCE, wenn
der Transistor bei t = t1 = 10 ms wieder sperrt.

139
C15 Selektiver Verstärker
Gegeben sei ein Transistor in Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung und ei-
nem Parallelschwingkreis als Last in der Kollektorleitung.
Betriebswerte: , . . - -......-...-0 UB =6 V
UeE = 0,6 V, le = 20 JlÄ, Ic = 2 mA c
Dynamische Kennwerte:
reE ~ 1,3 kQ, ß ~ 100, rCE ~ 00 IVul= U2
U1
Schwingkreis: Spannungs-
C = 1 nF, L = 1 mH mit QL = 100 verstärkung
C verlustfrei

a) Man bestimme den Widerstand RE mit der Maßgabe, dass Ober RE ein Span-
nungsabfall von 1 V auftreten soll.
b) Man bestimme die Widerstande R1 und R2 mit der Maßgabe, dass der Strom
Ober R1 gleich dem FOnffachen des Basistromes sein soll.
c) Man entwickle ein Kleinsignal-Ersatzbild für Cl ~ 00.

d) Man bestimme die Resonanzfrequenz f r des Schwingkreises und die zugehörige

Spannungsverstarkung V ur sowie die Übertragungsbandbreite M.

C16 Emitterfolger mit symmetrischer Betriebsspannung

Gegeben sei die Schaltung eines Emitterfolgers mit Spannungssteuerung an sym-
metrischer positiver und negativer Betriebsspannung. Zu u1 = 0 (Ruhezustand)
werde gemessen: le+ = le- = 25 mA, UCE = 12,7 V, UeE = 0,7 V, i1 = o.

+ Spannungsverstarkung V u = U2/U1

Betriebsspannungsquellen sind
WechselstromkurzschlOsse !

~~~~------~UB_=-12V
IB---"
a) Bestimmen Sie die Ruheströme Ic, IE und le des Transistors sowie die statische
Stromverstärkung B.
b) Welchen Wert hat der Widerstand RE?
c) Man bestimme näherungsweise die dynamischen Kenngrößen s, rSE und ß·
d) Man zeichne ein Niederfrequenz-Ersatzbild zum Schaltungsausgang.
e) Bestimmen Sie die Kapazität C für eine untere Grenzfrequenz fgu = 50 Hz und
skizzieren Sie maßstäblich den Frequenzgang der Spannungsverstärkung.

140
C17 Operationsverstärker mit frequenzabhängigem Vorteiler
Gegeben sei die nebenstehende Ver-
stärkerschaltung mit Operationsver-
stärker. Der OP sei. ideal.

Werte: R = 1kn, C = 2IJF

U
Spannungsverstärkung V =: -2
(komplex) -u ~1

a) Welche Ausgangsspannung u2 stellt sich ein als Folge einer Eingangsgleich-

spannung u1 == 1 V?
b) Man zeichne maßstäblich den Zeitverlauf der Aussgangsspannung u2, wenn die
angegebene Eingangs spannung sprunghaft zur Zeit t == 0 aufgeschaltet wird.
c) Man formuliere die Zeitfunktion der Ausgangsspannung mathematisch.
d) Man ermittle den komplexen Obertragungsfaktor ~u zu einer Eingangswech-
selspannung U1- und spalte auf nach Betrag und Phase.
e) Man bestimme die Ecl<frequenzen und zeichne den Frequenzgang der Span-
nungsverstärkung Vu (Betrag) doppeltlogarithmisch auf.
f) Welche Phasenverschiebung ergibt sich zwischen Eingangs- und Ausgangs-
spannung bei einer Frequenz f == 100 Hz?
g) Man berechne den Eingangswiderstand Ze (ScheinWiderstand) für 100 Hz.
C18 Operationsverstärker mit frequenzabhängiger Rückkopplung
Gegeben sei ein nichtinvertierender Verstärker mit zunächst idealem Operations-
verstärker.

Werte:
C N == 111F, R p =: 2,7 kn
RN ==3 kn, Rf =33 kn

/Y'u/ == U z == ~2 =V u
U1 u1

a) Welche Spannungsverstärkung V u ergibt sich bei "mittleren" Frequenzen?

b) Welchen Eingangswiderstand rEIN hat die Schaltung?
c) Man bestimme den Frequenzgang der Spannungsverstärkung und zeichne die-
sen maßstäblich auf.
d) Man bestimme allgemein den Phasenwinkel q> zwischen der Ausgangs- und
Eingangsspannung und beschreibe dessen Frequenzabhängigkeit qualitativ.
e) Zusatzfrage für nichtidealen OP:
Welche Fehlerspannung U2F bildet sich am Ausgang als Folge einer Ein-
gangsoffsetspannung Uas =: 2 mV?

141
 C19 NF - Verstärker mit einfacher Betriebsspannung
Gegeben sei folgende Schaltung mit idealem OP.
.------.--0 +UB = 10V
R1 =R2 =1 Mn
Cl = CN = 1 J..LF

RN =3 kn. R f =33 kn

a) Bestimmen Sie die Spannung U2

zum Ruhebetrieb mit Ul =O.
b) Welche Spannungsverstärkung V u ergibt sich für mittlere Frequenzen (Cl und
CN sind WechselstromkurzschlOsse)?
c) Schreiben Sie zu b) die Zeitfunktion U2(t) für U1 = 10 mV . sinrot.
d) Bestimmen Sie die komplexe Spannungsverstärkung Y..u und skizzieren Sie a-
symptotisch den Verlauf von V u über der Frequenz.
e) Welche Folge für den Verstärker hätte ein Kurzschluss über Kondensator CN?

C20 Messverstärker mt einfacher Betriebsspannung

Die Temperaturmesszelle TM liefert eine über der Temperatur linear ansteigende
Spannung UT (1 V bei 10°C und 2 V bei 100°C). Der angegebene Messverstärker
5011 dazu eine analoge Spannung Ua erzeugen. die im genannten Temperaturinter-
vall von 1 V auf 10 V ansteigt.
r-----~~----~+
OP mit FET-Eingang:
UB = 12V

Vo = 10 5
\Uos\=10mV
ra = 100 n

a) Entwickeln Sie allgemein die Übertragungsfunktion Ua = f(U T) fOr idealen OP.

b) Bestimmen Sie die erforderlichen Widerstände R 1 und R2 wenn R f = 100 kn

vorgegeben wird. '
,
Schaltung mit realem OP (Va. Uas • ra wie angegeben):
c) Untersuchen Sie den Einfluss der endlichen Leerlaufverstärkung V und der
Eingangsoffsetspannung Uas . a

d) Bestimmen Sie den Betriebsausgangswiderstand r~ der Schaltung.

e) Warum kann man auf eine negative Betriebsspannung verzichten?

142
 C21 Spannungsregler
In der folgenden Schaltung soll ein fast idealer Operationsverstärker mit Transistor
Tals Stromsteller für eine konstante Spannung UL = 10 V am variablen Lastwider-
stand RL sorgen.
~----~-----.~+UB=20V
Daten
Iz
OP Z-Diode
Vo~oo Uzo = 4,7V
Uos = +10mV rz = 20n
0-+--+----..
o Uze Uz
Widerstände
R = 2,2 kO, Rt= 100 kO

a) Welche Spannung Uz stellt sich ein?

b) Welchen Widerstandswert RN muss man einstellen?
c) Entwickeln Sie allgemein die Funktion UL = f(Us, Uze, R, rz , RN, Rt, Uos).
d} Wie ändert sich die Lastspannung mit der Betriebsspannung?
e} Welcher Strom ILmax ist gerade noch zulässig bei PCEmax =1W im Transistor?

C22 Stromregier
In der folgenden Schaltung soll ein idealer Operationsverstärker mit Transistor T
als Stromsteller für einen konstanten Strom IL = 0,2 A im variablen Lastwiderstand
RL sorgen.
~----~-----4~-o+UB=15V

Daten Iz

Transistor Z- Diode
uzl RthJG = 30 KIW Uzo = 4,7 V
RthGK = 1 KIW rz = 200 0
Tjmax = 175°C 0 Uze Uz

a} Man bestimme den Widerstand Rv so, dass die Spannung Uz = 5 V wird.

b} Man bestimme den Widerstand RM nach Widerstandswert und Verlustleistung

c} In welchem Bereich kann sich der Widerstand RL bei konstantem Strom IL ver-
andern?
d} Welche Verlustleistung PCE tritt im Transistor maximal auf?
e} Man berechne den notwendigen Kühlkörper (RthK) für den Transistor zu einer
Umgebungstemperatur Tu = 40°C.

143
 Lösungen zum Teil C (Klausuraufgaben )

C1
b) Eckfrequenzen:
a) A = 1 + jroC1R
1
- 1+jro·(C1 +C2)·R • f1 = = 1.59 kHz
21t(C 1 +C 2)·R /
,/ 1
A
~1+(roC1R'f
= -;=~~~===
~1+[ro(C1 +C 2)·Rf
t 1.,---....0;;::-1-. f2 = 2 C R = 15.9kHz
1t 1 /

A
<p = arctan roC 1R - arctanro(C 1 + c 2)· R 0.1+----,..-4--..,.....:::..z::!!-....,..---
0.1 10 100 kHz

c) <p = arctan21t· 5 .10 3 ..! .10- 9 ~ . 1040-arctan21t . 5 .103 ..! .10- 8 ~ .10 40
s O s 0
= arctanO.314 - arctan3.14 = 17.40 - 72.3 0 ". -55 0 •

d) Grobe Skizze _ o1 1 10 100 kHz

Eigentlich mehr
Zwischenwerte
t O~' ::::::::::::_ _ _~_
-90·1
erforderlich.
<p

C2
U1 R·2R 4 . 3U1 9V
a) C wirkt als Kurzschluss ~ - = - - · 2 = -R ~ 11 = - = - - = 225 mA
i1 3R 3 4 R 4 kO' .
. u1 6V 2 1 1
b) 11 = 2· 3 R = 3 kO = 2 mA • U2 ="3U1-"3U1 ="3U1 =1V.
c) Ersatzbild ausführlich reduziert
C Rj 4

~U1l~ '~R' rl"'

t= -R·C

-li
3
= 1.33 kO . 11lF
u1
= 1.33 ms

d)

!::J
mt
0 1.33
:
2.66
I
4ms
t-
l'o,;kf:--~t
o 1,33 2,66 4 ms
_
144
e) i1 =2mA+0,25mA.eXp(-~J. U2=1V'[1-eXp(-~)l
f) ~2 1/ jmC ~ A = ~2 = ~ . _ __
~U R j + 1/jmC - ~1 3 1+ jmCR j (s. Ersatzbild).
3 -1
1 1 1 3 3 3 1 m1
g) A=-·--;===== m1 = - - = = - ·1 0 - ~ f1 = - "" 120 Hz .
3 ~1 + (mCR j )2 ' C·R j 1/lF ·4kn 4 s 27t--

h) t 11 :f 1

~, 1~1-----1---:S=:l:;:---:'3~ f -
10 100 1000 Hz

C3
a) r--~-----10mA b) ~1 =R 1 +R 2 + jmL

Z1 = ~(R1 + R2 Y+ (mL)2
c) Eckfrequenz f E: mL = R1 + R 2
R1 + R 2 7 1 _
~ mE = = 10 - f E - 1 59 MHz
0,1 0,2 0,3/ls t- L s"
I
10 V
I kn
100
t
t 10

O~---------­ 1~--~~~r--~---
o 0,1 10 100 MHz

d) A = R2 + jmL e) Eckfrequenzen:
- R1 + R2 + jmL f1 = _1_. R 2 = 0,159 MHz, f 2= f E (s.o.)
27t L
A=r=~~~===
~R~ + (mL)2 1 t 1
~(R1 + R2)2 + (mL)2 A

0, 1 -+--~L-----,---L-----r--,---
0,01 0,1 10 100 MHz
C4 L
T=--=01jls
""u~ = 5 V [1- ex{-~lJ.
'I'
a)5V R 1 +R 2 '
b) 0 $ t $ 0,1
t
U2 0,1 J.ls :0:; t :0:; <Xl :

0
0 0,1 0,2 0,3 /ls t-
U2 = 3,15 V . exp( - t - O~1/ls J.
145
c) A=
-
R2
R1 +R 2 + jOll d) t1 .....0_,5_ _ _~:lE:
__....oj< fE = -21-1t • R1 ~ R2

i "'" -
A
A= R2
~(R1 + R 2)2 + (Oll)2 0,1 \59 MHz
Oll
e) <p = -arctan--- I f-.
R1 +R 2 0,01+---,----,,.---....-'----:....-
1 10 100 1000 kHz
C5
Ae -6 Os 20 . 10-6 m2
a) AL = 110 . Ilr . - ~ 1,25 ·10 - . 2500 . 3 ~ 1,6 IlH ,
fe m 40·10- m
l1 = AL' Nf "" 640 IlH, l2 = AL . N~ "" 160 IlH .

b) RCu1 = N1 · f m · R'~ 20·0,020 m ·0,09 0 = 36 mO,

m --
RCu2 = N2 · f m . R'~ 10·0,020 m ·0,09 m
0 = 18 mO.
--

l1 640 ·10-6 0s
't=--=
'RdIR~ 400
= 16 Ils .

d)
V
t 20mA 't
-----+---------- i 1 = 50 n = 20 mA
A 1V
0,5 ~ U2 = 1V . 200 . .!. = 04 V
- 250 ü
t
'
i112

4 ------ 250 n
~=4mA t-. 0,1
0+--,--,--,--,---,- O~-.-~.--,---,-~-

o 10 30 50llS o 10 30

C6
R~ = ü 2 . R 2 = 100 n
a)
U~ = ü·U 2

146
 0,1 100 kHz f -
t1
10
d)
A ./.::;;_---0,33
0,1

0,01

C7
RL
a) Wenn die Diode sperrt, bleibt uL = UA ' '" 2,97 V = uLmin '
RA +R L

b) D leitet bei uq > 2,97 V und sperrt bei uq < 2,97 V,

V
c) 1 V + 1-, t 1 = 2,97 V ~ t1 = 1,97 S, t 2 = 12 s - t 1 = 10,03 s ,
s -- ---
d) Nach Überlagerungsgesetz:
uLmax = 5 V, RAIIR + 3 V,
R o +(R A11Rd

, 0b ' 3 V Ud'
IA = - el uL = = A un IA = uLminRA- UA

f)
V m
3,20 +1

t
UL /
"IA

\
/ UL \
VI
3,1 0 +5
\\
I

3,00
lV / \ l\
~ 0
A _\.
~ ~
Diode leitet
2,9 0 -5
'"'"
T
--
o
6 t 4 8 12s

147
g) Bei leitender Diode gilt: CPK = u q . Bei sperrender Diode gilt: CPK = uL.

h) u Lmin = 2,97 V. D leitet bei u q > 2,97 V + 0,6 V = 3,57 V und sperrt bei u q < 3,57 V.
V
1 V + 1-· t 1 = 3,57 V --+ t 1 = 2,57
s --
S, t 2 =12 s - t 1 =-
9,43 s,
-
U RAIIR L
=44V. +3V. RollR L = 3,06 V,
Lmax' Ro + (RAIIRd RA + (RoIIR L )
iA = 6 mA bei u Lmax ' iA = Qbei u L = 3 V, iA = - 2,97 mA bei u Lmin .

Mit einer realen Diode schwankt also die Lastspannung uL offenbar weniger als mit der
zuvor angenommenen idealen Diode.

CS

l
a)
Su
~
rz / Ersatzbild Z-Diode:
Su offen für 0 < Uz < Uzo,
+
o--l
Su geschlossen für Uz ~ Uzo ,
Uzo

Ideale Z-Diode Reale Z-Diode

b) uq =ul
u q =ul
- uq o _U, ,rz +Uzo,R
t1~ RI=R --- Uz t1~
u
R1=R
rz =1000
~- rz+R
U rz =0
10 10

5 RL --+ <Xl 5

0 0
0,5 lms t--- 0 0,5 lms t---
0

c) 4 _u q
d)
1~
--12V
t
U
uq =SUI -- -10V ---uz Bei Belastung mit RL < 2kn greift
die Z-Diode nicht ein, da uz< 10V
bleibt (dreieckförmig).
5 RL=4kn -4V

0
0 0,5 lms t---

C9
f .
J.:k
T
a)
b) - 1
Pz=-=r' uZ'lzdt

o 0,25
I I
0,75 1
~
i
1,25
I
1,75ms 1
=5V·_·
0
0.75 ms

fizdt
I
iI T
fO
i
mA i t--
0,25 ms
--,------
I I
I
i
i
I i 1 10 mA ·0,5 ms
iz 5 I I =5V·--·
I
I
I
I 1 ms 2
I
I
I I = 12,5 mW.
0
0
-5+--------- c) L'.T = Pz .R thU
= 12,5 mW· 300 K/W = 3,75 K .

148
 -
Pz =O-HH=O.
Bei einer realen Z-Diode wäre im
Intervall 0,75 ms < t < 1 ms die
Spannung Uz '" -0,6 V. Das be-

v
deutet auch eine Verlustleistung
in Verbindung mit dem negativen
Strom iz.

C10
1 1 1
a) f = - = = 8333 Hz co = 2 7t . f = 523,6 - .
T 12.10- 3 s " S
10 ms) 10 ms 10 ms
b) 5V=10V·exp( - - - --+
nO,5=-----+1:=---=14,4ms.
1: 1: InO,5 ---

C="::"= 14,4.~0-3S =14,4~F. c) Ugo '" 10V+5V =7,5V

R 10 n 2 --

exakt: Ugo = . Isincotdt + 10ms

10V [3mS
T J exp(-t~)dt 1 = 7,39 V .
1ms 0
V e) iO = ie + ig
fO
d)

-UO max '" 16 V =C. dU1 +~

UD t- dt R
O~--~-~--~~~--
= ucoC . cos cot + ..':!.. . sin cot
-10 R
= 75,4 mA· coscot + 10 mA· sincot

-20

f) io = 75,4 mA· cos30° + 10 mA· sin30° = 75,4 mA· 0,866 + 10 mA· 0,5", 70 mA .

g) ~Qzu =C.~U=14,4.10-6~.5V=72~As. h) ~Qzu =~Qab.

n --
'go ·T
i) ~Q=C.~U""go·(T-~T). Für ~T«T wird: W"'-C-·

j) I '" 7,5 V = 7,5 mA --+ ~U '" 7,5 mA ·12 ms = 6,25 V .

go 1kn 14,4 .10- 6 s/n - -
Das Ergebnis ist erwartungsgemäß etwas zu hoch.

C11

a) UGS"'Up.(1-~ loss)
' 1=-2V.(1-t mA 1=-2V.(1-0,41)=-1,18V.
0
6mA)

--+ UGS = -1 0 . R s --+ R s = ~1!: = 1,18 kn '" 1,2 kn (Normwert gewählt).

. dUe dUe ie 1 mA 3V V
b) ie = '0 , le = C . - - --+ - - = - = = 10 - = 1 - --+ t a = 5 ms
dt dt C 10-6 s/n s ms .

149
 Iß .R· t "" 10-6 A 2 ·1,2 kn· 5 ms = 61lWs.
c) WR =
t - - __ 10,8V
UOS = Us -i C ·RS -UC = 12V -1,2V -1~.t= 10,8 V -1~.t UDS 5,8 V
ms ms

WT = 5J~OS' icdt = 1mA· 5T(10,8 V -1~. t)dt = 41,5IlWs. O-t----,---

o 5ms
o a ms

:1d>,V
d) UC<x> = R c .1 0 = 1kn . 1mA = 1 V .
V
e) 0<t~5ms: Uc =1-·t
ms

t > 5 ms: Uc = 1V + 4 V . exp( _ t - ~ ms )

o 5ms t- mit 't = Rc . C = 1kn ·11lF = 1ms .

C12
a) Laut Kennlinien: Ic = 6 mA bei Is = 20 j.lÄ und UBE "" 0,63 V .
UE = Uz - UBE = 6 V - 0,63 V = 5,37 V, IE = Ic + Is = 6 mA + 20 j.lÄ = 6,02 mA ,

~ RE = UE = 5,37 V = 892 0 .
IE 6,02mA --

b) I =UB-U z = 10V-6V ",,103mA Iz =I R -I B =1,03mA-0,02mA=1,01mA.

R R 3,9kO -'--'
c) Laut Kennlinie muss UCE > 1 V bleiben:
I R U R UB -U E -UCErest 10V -5,37 V -1 V
UE + UCErest + L' L = S ~ L = IL
6mA

= 3,63 V = 605 0 ~ 0 0 ~ RL ~ 605 0 .

6mA --'

d) Bei RL = 0 mit UCEmax = Us - UE = 10 V - 5,37 V = 4,63 V .

e) PCEmax = UCEmax ·IL = 4,63 V . 6 mA "" 28 mW .
~ Tj = Tu + PCE ' R thJU = 30°C+28mW ·0,5K/mW = 44°C.

f) Bei idealer Z-Diode und rCE ~ 00 ohne Einfluss auf IL . UCE und PCE werden größer.

C13
a)
r------.......-o +Us

c) IB =0.. ( ) ·R =U ·R ~RF = UBU- Us ·R =313kO.

UB -U s a s F s a

Transistor gesperrt im Bereich R F > 313 kO.

150
d) I = UB - UeEsat "" 9,5 V = 95 mA ~ IB = 9,5 mA = 47,5 !-lA . (UeEsat ~ 0,5 V)
e Re 1k n ' 200--
(U B -U s )' Ro -I B ·R o . rBE _ 9,4 V· 20 kn- 0,0475 mA· 20 kn·1 kn "" 117 kn.
RF = IB . (R o + rBE)+ Us - 0,047 mA· 21 kn + 0,6 V --

e) t mA r - 117 kO
10"'1----:..
Ic r313 kO Transistor gesättigt leitend
5 t RF- im Bereich RF < 117 kn .
o-+----,--~"T"-~
10 100 1000 kn

C14
a) ue = uCE = 12 V . b) ie = UB +~=12mA+12mA =24mA
RB Re --
c) t 24mA T = Re·C = 1ms
d) . . - ie max _ 24 mA = 048 A
IB mln - B - 50 ' m ,
ic
i1 = 0,48 mA + 0,7 V = 0,55 mA
10kn
O~-r-~-~--
o 2 3 ms ~ U1 = UBEsat + i1 . R1 = 0,7 V + 2,75 V = 3,45 V .

e) V T=(R B +Rc)·C=2ms

lc1~j JE:;
o 10 12 14 16 ms

C15
a) RE = UE = ~ = 1V ~ 500 n .
IE le + IB 2,02 mA --
b) R1 =UE +UBE = 1,6V =16kn R2=UB-UE-UBE 4,4 V ~ 37kn.
5·ls 0,1mA - - ' 6.IB 0,12mA - -

R111R2 = 16 knll37 kn ~ 11,2 kn

, _ U1- _ iB- ·rSE +(1+ß)·iB_ ·R E
rBE - -.- - -=---"=---'-.~'---"'--'=-
IB- IB-
= rSE + (1 + ß)· RE ~ 1,3 kn + 100 ·0,5 kn
= 51,3kn.

1 1 6 1 10 6 1
d) (Or=--= =10 -~fr=--~159kHz .
..JL:C ~10-3ns'10-9s/n s 2ns

Resonanzwiderstand: Zr = Rp = 0L . (OrL = 100.10 6 ..!. .10- 3ns = 100 kn .

s
ß·iB- ·R p = ß· U,1- ·Rp =-u2- ~ Vur = U2- = -+.R p = 100 ·100kn = 194.
rBE U1- rBE 51,3 kn

M = fr . ~L = 15~0~HZ = 1,59 kHz. 0L = OB (Betriebsgüte) • da sonst keine Verluste.

151
C16
a) le = Is -IR = 25 mA - Us + = 25 mA _ 12 V = 2=-3::.!.8:...;m..:..:.A:....;.
+ 2 R2 10kO'

IUs-1 12V
IE =I s -I R1 =25mA---=25mA---=24,2mA.
- R1 15kO
Is = IE -I e = 24,2 mA - 23,8 mA = 0,4 mA, B = le/ls = 59,5 '" 60 .

b) RE=IUs-I-U SE 12V-0,7V =4670.

IE 24,2mA

c) 5= ~'" 23,8mA "'790 mA , rSE '" mUT '" 30 mV = 75 0 ß = 5· rSE '" 60 .

mUT 30mV V Is O,4mA-'

d) USE- '" -1 wegen .

ra = _._ IE- .
'" le- '" 5 . USE- .
IE- 5
1
'" =1,260.
790mA/V - -

C17

a) U2 =(1+~lU1 = 2u 1 =~.

b) t V
0211 ! 1 : I
~.
1I1

1:=2R·C=4m5
I
= 2 V -1 V . ex p( - ~) .
o 4 8 12 m5 t-
1
R+-
d) V u = jeoC. (1 + R) = 2. 1+ jeoCR I Vu = 2. ~1 + (eoCR)2
- 2R+~1~ R 1+ jeo2CR
jeoC ~ 1+(2eoCR)2
er = arctan eoCR - arctan 2eoCR .
10

e) f 1 =---
1
2n· 2 CR
t 5-
Vu 2 -j----...,.;:--.

10 100 1000 Hz

152
 f) <p = arctan27t .100.!. 2 .10-6 s/o. .10 3 0.- arctan27t .100.!. 4 .10-6 s/o. .10 3 0.
s s
'" arctan 1,256 - arctan 2,5 '" 51,5° - 68° = ~ (Nacheilung).

g) Ze = (2Rl +(ro~r '" ~4.10 60. 2 +63,36.10 4 0. 2 '" 2,15ko..

C18

a) -c
1 ~O (Kurzschluss): Vu =~=1+.&..=1+ 33ko. =12
ro N Ul RN 3 ko. -

b) rEIN = R p = 2,7ko..

t
Eckfrequenzen: A:;;----12
1 10
f1 = 27tCN . (RN + Rd '" 4,4 Hz , Vu
1
f2 = 2 C R '" 53 Hz.
7t N· N
10 100 1000 Hz
d) <p = arctan roC N . (RN + R f ) - arctan roCNR N

)
<p '" 0 für f » f2 und f « f1 I im Bereich f1 < f < f 2 : <p < 90° (Phasenvoreilung).

e) U2F =_ Uos -(1+ =~ = -2 mV -(1+ 1:n) = - 2 mV (s. Übersichtsblatt).

Für RN ist der Gleichstromwiderstand des betreffenden Zweiges einzusetzen.

c) u2- = 120 mV· sinrot ~ u2 = 5 V + 120 mV· sinrot.

d) R =R 111 R 2 .. V = Rp . ( 1+ Rf )
= jroC 1R p ._.!...-.,..,.".......>.....!-':-......l.L
1+ jroCN . (RN + R f )
P -u 1/jroC1 + R p 1/jroC N + RN 1 + jroC 1R p 1 + jroC N . RN

Eckfrequenzen:

fo = - - -
1
27t .C1R p
fOOj
V u 10_ ,..---12
1
_ _---:::_ _ _ _=___

27t.10- 6 s/0..0,5·10 6 0.
'" 0,32 Hz,
--
14--~I~~~I~~~-b:~I-~I-f_-'-
0,01 0,1 I 1 I 10 1100 1000 Hz
f1 '" 4,4 Hz, f 2 '" 53 Hz
0,1V 0,132 ~,4 ~3
nach Aufgabe C18.

e) Der OP ginge in die positive Sättigung mit u2 = UB = 10 V , nicht mehr steuerbar.

C20

a) Ua = - =: . UB + UT -(1+ R1,,~J = - U B . =: + UT -(1+ :~ + =: ).

(Überlagerungssatz)

153
b) 1 V = -12 V . 100 kO + 1 V . (1 + 100 kO + 100 kO) ,
R2 R1 R2

10 V = -12 V . 100 kO + 2 V . (1 + 100 kO + 100 kO) . t 1~J--7-'

Ua 5 I
R2 R1 R2 I
~ R 2 = 150 kO, R1 = 13,64 kO . o ----
I
I
I
o 1 2V UT_
c) Schleifenverstärkung Vs = -Vo . RI1111 R 2 s. Übersichtsblatt und Aufg. A 7.3.
R1 R 2 +R f
5 125kO 4 1
Vs =-10 '11~,5kO ",-10 ,Korrekturfaktor C'" 1+10- 4 ",1-0,0001.
Endliche Leerlaufverstärkung bedeutet Ungenauigkeit von lediglich 0,1 %..

Ausgangsoffsetspannung IUaFI = (1 + ~II f

R1 R 2
J. Uos = (1 + 12,5kO
100 kO J'1 0 mV = 90 mV .

Dies entspricht im Anfangsbereich einem Fehler von 9 %!

d) r' ",!L= 1000 =10- 2 0=10mO.
a IVsl 10 4 __

e) Weil im vorgesehenen Betrieb die Eingangsklemmen und der Ausgang stets positiv sind
gegenüber Masse.

C21
a)

Nach Überlagerungsgesetz gilt:

rz
U z =U s ,--+U R
zo ·--=0,180V+4,658 V=4,838 V
R + rz R + rz

RN
b) Uz - UD = UL . . Mit UD = Uos wird:
RN +R f
RN = (U z - Uos)' R f '" (4,84 V -10 mV).100 kO '" 93,4 kO.

l
UL -U z +Uos 10V-4,84V+10mV --

c) Uz-Uos=UL, RN rz R
~UL= Us.--+Uzo,---Uos . RN + R f . J
RN+R f R+rz R+rz RN
d) dUL = _rz_ . RN +R f =~. 193,4 kO = 00186= 18,6 mV .
dU s R+rz RN 22200 93,4 k O ' V
PCEmax 1 W 01A
e) PCEmax= ( ) .ILmax~ILmax=US_UL
US-UL =10V=-'-'

Unter Umständen ist ein Kühlkörper erforderlich (s. folgende Aufgabe)

C22
a) Uz = 5 V = Uzo + Iz . rz ~ Iz = Uz - Uzo = 0,3 V = 15 mA
rz 200
US-U z 10V
Rv = =--",666.0.
Iz 15mA--

154
 T-Tu
RthK = _J_ _ - RthJG - RthGK
PCE
Tjmax - Tu
RthK ::;; - RthJG - RthGK
PCEmax

= 135K -30~-1~ = 365~

2W W W 'W

155
IAnhang C I Widerstands - Frequenz - Tafel

10Hz 100Hz 1kHz 10kHz 100kHz lMHz 10MHz 100MHz

f •

Funktionen

f=~ f=~ t _ 1
2n 2n o - -2-n---'JLC=LC=

156
Literatu rverzeich nis

[1] Frohne, Löcherer u. Müller: Moeller Grundlagen der Elektrotechnik; 19. Aufl.;
B. G. Teubner, Wiesbaden 2002.

Bewährtes Standardwerk zu den klassischen Grundlagen. Es enthält

auch Abhandlungen über die elektrische Leitung im Vakuum, in Gasen,
in Flüssigkeiten und in Festkörpern sowie ein einführendes Kapitel über
Halbleiterbauelemente.

[2] Vömel, M. u. Zastrow, 0.: Aufgabensammlung Elektrotechnik 1 und 2; 2. Aufl.;

Vieweg Verlag, Wiesbaden 2001/2002.

Zweibändiges Werk mit vielen Rechenbeispielen zu den Grundlagen der

Elektrotechnik.
Band 1: Gleichstrom und elektrisches Feld
Mit strukturiertem Kernwissen, Lösungsstrategien und -methoden.

Band 2: Magnetisches Feld und Wechselstrom

Mit strukturiertem Kernwissen, Lösungsstrategien und -methoden.

[3] Böhmer, E.: Elemente der angewandten Elektronik; 14. Aufl.; Vieweg Verlag,
Wiesbaden 2004.

Kompendium für Ausbildung und Beruf. Ein praxisnahes Lehrbuch über

Bauelemente und Schaltungstechnik mit vielen Beispielen und einem
umfangreichen Bauteilekatalog.

157
Titel zur Fertigungstechnik

Fahrenwaldt, Hans 1. / Habenicht, Gerd

Schuler Volkmar Kleben - erfolgreich
Praxiswissen Schweißtechnik und fehlerfrei
Werkstoffe, Verfahren, Fertigung Handwerk, Haushalt, Ausbildung,
2003. XII, 587 S. Mit 521 Abb. u. Industrie
101 Tab. Geb. € 66,00 3., erg. u. korr. Aufl. 2003.
ISBN 3-528-03955-8 X, 162 S. Mit 77 Abb. Br. € 19,90
ISBN 3-528-24969-2

KonoId, Peter / Reger, Herbert Martin, Heinrich

Praxis der Montagetechnik
Produktdesign, Planung,
Systemgestaltung
2., überarb. u. erw. Aufl. 2003.
XII, 290 S. Geb. € 32,90
ISBN 3-528-13843-2
Transport- und Lagerlogistik
Planung, Aufbau und Steuerung
von Transport- und Lagersystemen
5., überarb. u. erw. Aufl. 2004.
XIV, 496 S. (Viewegs Fachbücher
der Technik) Br. € 28,90
ISBN 3-528-44941-1

Pietschmann, Judith Tschätsch, Heinz

Industrielle Praxis der Umformtechnik
Pulverbeschichtung Arbeitsverfahren, Maschinen,
Grundlagen, Anwendungen, Werkzeuge
Verfahren 7. verb. u. erw. Aufl. 2003.
2., überarb. u. erw. Aufl. 2003. XII, 420 S. (Vieweg Praxiswissen)
XII, 496 S. Mit 238 Abb. u. 68 Tab. Geb. mit CD. € 46,90
Geb. € 64,00 ISBN 3-528-34987-5
ISBN 3-528-13380-5

~
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Abraham-Lincoln-Straße 46
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Stand Januar 2005.
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