Technische Information /

technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT330N

Key Parameters
VDRM / VRRM 1600V

ITAVM 330A (TC=85°C)

ITSM 12500A

VT0 0,8V
rT 0,5mΩ
RthJC 0,106K/W

Base plate 50mm

For type designation please refer to actual

short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale Features
 Druckkontakt-Technologie für hohe  Pressure contact technology for high reliability
Zuverlässigkeit
 Advanced Medium Power Technology (AMPT)  Advanced Medium Power Technology (AMPT)
 Industrie-Standard-Gehäuse  Industrial standard package
 Elektrisch isolierte Bodenplatte  Electrically insulated base plate
 Optional: Thermisches Interface Material (TIM)  Option: Pre-applied thermal interface material (TIM)
bereits aufgetragen

Typische Anwendungen Typical Applications

 Sanftanlasser  Soft starter
 Gleichrichter für Antriebsapplikationen  Rectifier for drives applications
 Kurzschließer-Applikationen  Crowbar applications
 Leistungssteller  Power controllers
 Gleichrichter für UPS  Rectifiers for UBS
 Batterieladegleichrichter  Battery chargers
 Statische Umschalter  Static switches

content of customer DMX code DMX code DMX code

digit digit quantity
serial number 1..5 5
SAP material number 6..12 7 TT TD
Internal production order number 13..20 8
datecode (production year) 21..22 2
datecode (production week) 23..24 2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT330N
TT330N TD330N
TT330N16KOF_TIM TD330N16KOF_TIM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1200 1400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1200 1400 V

non-repetitive peak forward off-state voltage 1600 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300 1500 V

non-repetitive peak reverse voltage 1700 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 520 A

maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85°C ITAVM 330 A
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tP = 10ms ITSM 12500 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10ms 10000 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tP = 10ms I²t 781250 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10ms 500000 A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)cr 250 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/µs
critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = Tvj max , iT = 800 A vT max. 1,28 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,8 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT max. 0,5 mΩ
slope resistance
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 12V IGT max. 200 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 12V VGT max. 2 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 12V IGD max. 10 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω IH max. 300 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω IL max. 1200 mA
latching current iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 70 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 tgd max. 3 µs
gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs

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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
Thermische Eigenschaften 5.Kennbuchstabe / 5th letter O typ. 250 µs

Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1min VISOL 3,0 kV

insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1sec 3,6 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC max. 0,056 K/W
thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin max. 0,112 K/W
pro Modul / per Module, DC max. 0,053 K/W
pro Zweig / per arm, DC max. 0,106 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per Module RthCH max. 0,02 K/W
thermal resistance, case to heatsink pro Zweig / per arm max. 0,04 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM pro Modul / per Module max. 0,015 K/W
thermal resistance, case to heatsink, with TIM pro Zweig / per arm max. 0,030 K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 130 °C

Mechanische Eigenschaften
maximum junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+130 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+130 °C
storage temperature
Lagertemperatur mit TIM +5…+50 °C
storage temperature with TIM

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see annex page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) AlN
internal insulation Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 15% M1 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 10% M2 12 Nm
terminal connection torque
Steueranschlüsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
control terminals
Gewicht G typ. 800 g
weight
Kriechstrecke 17 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance
file-No. E 83335

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d
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1 2 3 1 2 3
4 5 7 6 4 5

TT TD

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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC

Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [K/W] 0,037 0,034 0,024 0,0088 0,002

τn [s] 5,4 0,9 0,12 0,006 0,0009

n max


–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC  R thn 1 - e n
n=1

Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin

Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

ΔZth Θ rec
0,00923 0,01520 0,01966 0,02643 0,03830
[K/W]

ΔZth Θ sin
0,00620 0,00888 0,01241 0,01829 0,03094
[K/W]

Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec

Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin

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Diagramme
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0,12

0,10

0,08
Z(th)JC [K/W]

0,06

0,04

0,02

0,00
0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Durchgangsverluste
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

100

10
d
c
vG [V]

b
a
Tvj = -40
C
Tvj = +25
C
Tvj max = +130
C

0,1
10 100 1000 iG [mA] 10000 100000

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V

Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms

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600

DC
500
PTAV [W]

180
rec
180
sin
400 120
rec
90
rec
60
rec
300
Q = 30
rec

200

100 Gehäusetemperatur bei Rechteck

0
0 100 200 300 400 500
ITAV [A]

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

140

120

100
TC [°C]

80

60

180
sin
40
QQ= =30

30
rec
rec 60
rec 90
rec 120
rec 180
rec DC

20
0 100 200 300 400 500
ITAVM [A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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2000
P tot [W]

0,10 RthCA [K/W] B2 ID

0,12 +
R-Last
0,15 R-load
1500 ~
L-Last
0,20 L-load
-
0,25

1000 0,30

0,40

0,60
500
0,80
1,00 1,00
1,00
2,00
2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 250 500 750
T A [°C] I D [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

2500
R thCA [K/W] B6 ID
P tot [W]

0,15 0,12 0,10 +

3~
2000 0,20
-
0,25

1500 0,30

0,40

1000 0,50
0,60 ,

0,80
1,00
500
1,50
2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000
T A [°C] ID [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

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R thCA K/W] W 1C
P tot [W]

0,12 0,10 0,08 ~

800 0,15 IRMS

0,20
~
600
0,25

0,30

400 0,40

0,50
0,60
0,80
200 1,00

2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800
TA [°C] I RMS [A]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
3000
W 3C
R thCA [K/W] ~ ~ ~
0,10 0,08
P tot [W]

0,12 IRMS

2500
0,15
~ ~ ~

2000 0,20

0,25

1500 0,30

0,40

1000 0,50
0,60
0,80
1,00
500
2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800
T A [°C] I RMS [A]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

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10000
Qr [µAs]

iTM = 1000A

500A
200 A
100 A
50 A
1000
20A

100
1 10 -di/dt [A/µs] 100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM

7.000

6.000 a
IT(OV)M [A]

5.000 TA = 35
C

4.000

3.000

2.000

1.000

b TA = 45
C
0
0,01 0,1 1
t [s]

Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM

a: Leerlauf / No-load conditions

b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling

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