TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Modul
IGBT-Module FF600R12KE4
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode
62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode

VorläufigeDaten/PreliminaryData

VCES = 1200V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A

TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Hochleistungsumrichter • Highpowerconverters
• Motorantriebe • Motordrives
• USV-Systeme • UPSsystems
• Windgeneratoren • Windturbines

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • ExtendedoperatingtemperatureTvjop
• NiedrigeSchaltverluste • Lowswitchinglosses
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat
• SehrgroßeRobustheit • Unbeatablerobustness
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • 4kVAC1mininsulation
• GehäusemitCTI>400 • PackagewithCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken • Highcreepageandclearancedistances
• HoheLeistungsdichte • Highpowerdensity
• IsolierteBodenplatte • Isolatedbaseplate
• Standardgehäuse • Standardhousing

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

preparedby:CE dateofpublication:2016-08-08
approvedby:MK revision:V2.2 ULapproved(E83335)

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom  600  A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  1200  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 600 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,75 2,20 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 600 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,00 V
IC = 600 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,05 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 23,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 5,00 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 1,3 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 38,0 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 600 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,17 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,18 µs
RGon = 0,62 Ω Tvj = 150°C 0,18 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 600 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,046 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,048 µs
RGon = 0,62 Ω Tvj = 150°C 0,052 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 600 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,40 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,49 µs
RGoff = 0,62 Ω Tvj = 150°C 0,52 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 600 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,062 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,098 µs
RGoff = 0,62 Ω Tvj = 150°C 0,11 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 16,0 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 11000 A/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C Eon 29,5 mJ
RGon = 0,62 Ω Tvj = 150°C 35,5 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 45,5 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 70,0 mJ
RGoff = 0,62 Ω Tvj = 150°C 78,0 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 2600 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,0460 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,0226 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF  600  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  1200  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 35000 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 33000 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 600 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,85 2,45 V
Forwardvoltage IF = 600 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,80 V
IF = 600 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,75 V
Rückstromspitze IF = 600 A, - diF/dt = 11000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 535 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 655 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 680 A
Sperrverzögerungsladung IF = 600 A, - diF/dt = 11000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 50,5 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 94,0 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 110 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 600 A, - diF/dt = 11000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 27,0 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 48,5 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 54,5 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC 0,0929 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,0303 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
 Cu 
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
 Al2O3 
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 29,0
  mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 23,0
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 23,0
  mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI  > 400 
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 0,42 mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 2,5 - 5,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 340 g
Weight

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

1200 1200
Tvj = 25°C VGE = 19V
1100 Tvj = 125°C 1100 VGE = 17V
Tvj = 150°C VGE = 15V
VGE = 13V
1000 1000 VGE = 11V
VGE = 9V
900 900

800 800

700 700
IC [A]

IC [A]
600 600

500 500

400 400

300 300

200 200

100 100

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=0.62Ω,RGoff=0.62Ω,VCE=600V

1200 150
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
1100 Tvj = 125°C 140 Eon, Tvj = 150°C
Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C
130 Eoff, Tvj = 150°C
1000
120
900 110
800 100

700 90
80
E [mJ]
IC [A]

600
70
500 60
400 50

300 40
30
200
20
100 10
0 0
6 7 8 9 10 11 12 13 0 200 400 600 800 1000 1200
VGE [V] IC [A]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=600A,VCE=600V

180 0,1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
170 Eon, Tvj = 150°C
160 Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
150
140
130
120
110

ZthJC [K/W]
E [mJ]

100 0,01
90
80
70
60
50
i: 1 2 3 4
40 ri[K/W]: 0,00222 0,00379 0,0361 0,00388
τi[s]: 0,000608 0,00922 0,0552 0,812
30
20 0,001
0 1 2 3 4 5 6 7 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=0.62Ω,Tvj=150°C
1400 1200
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip 1100 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
1000

900
1000
800

800 700
IC [A]

IF [A]

600

600 500

400
400
300

200
200
100

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0
VCE [V] VF [V]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=0.62Ω,VCE=600V IF=600A,VCE=600V

80 80
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
70 70

60 60

50 50
E [mJ]

E [mJ]
40 40

30 30

20 20

10 10

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 0 1 2 3 4 5 6 7
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)

0,1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]

0,01

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,00594 0,0388 0,0365 0,0117
τi[s]: 0,00073 0,0256 0,0726 0,678

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

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approvedby:MK revision:V2.2

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

Infineon

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IGBT-Modul
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
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