Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung
Tvj= 25° C VCES 1200 V
collector emitter voltage

Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80°C IC, nom 450 A

DC collector current Tc= 25°C IC 600 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tp= 1ms, Tc= 80°C ICRM 900 A
repetitive peak collector current

Gesamt Verlustleistung
Tc= 25°C; Transistor Ptot 2 kW
total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung

VGES +/- 20 V
gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 450 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tp= 1ms IFRM 900 A
repetitive peak forward current

Grenzlastintegral
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I²t 35 k A²s
I²t value

Isolations Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max.

Kollektor Emitter Sättigungsspannung IC= 450A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,7 2,15 V
VCEsat
collector emitter saturation voltage IC= 450A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,0 t.b.d. V

Gate Schwellenspannung
IC= 18mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE(th) 5,0 5,8 6,5 V
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V QG - 4,3 - µC

Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 32 - nF

Rückwirkungskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 1,5 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor Emitter Reststrom

VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V ICES - - 5 mA
collector emitter cut off current

Gate Emitter Reststrom

VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
gate emitter leakage current

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer date of publication: 2002-10-28

approved: SM TM; Wilhelm Rusche revision: 2.0

DB_FS450R12KE3_2.0
1 (8) 2002-10-28

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max.

IC= 450A, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 25°C td,on - 0,25 - µs
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C - 0,30 - µs
IC= 450A, VCC= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 25°C tr - 0,09 - µs
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C - 0,10 - µs
IC= 450A, VCC= 600V
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 25°C td,off - 0,55 - µs
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C - 0,65 - µs
IC= 450A, VCC= 600V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 25°C tf - 0,13 - µs
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C - 0,16 - µs

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= 450A, VCC= 600V, Lσ= 80nH

Eon - 33 - mJ
turn on energy loss per pulse VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C

Ausschaltverlustenergie pro Puls IC= 450A, VCC= 600V, Lσ= 80nH

Eoff - 65 - mJ
turn off energy loss per pulse VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C

Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C

ISC - 1800 - A
SC data VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt

Modulinduktivität
LσCE - 20 - nH
stray inductance module

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
Tc= 25°C RCC´/EE´ - 1,1 - mΩ
lead resistance, terminal-chip

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter

Durchlassspannung IF= 450A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,65 2,15 V
VF
forward voltage IF= 450A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,65 t.b.d. V

IF= 450A, -diF/dt= 5200A/µs

Rückstromspitze
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C IRM - 315 - A
peak reverse recovery current
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 405 - A

IF= 450A, -diF/dt= 5200A/µs

Sperrverzögerungsladung
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Qr - 45 - µC
recovered charge
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 85 - µC

IF= 450A, -diF/dt= 5200A/µs

Ausschaltenergie pro Puls
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Erec - 21 - mJ
reverse recovery energy
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 39 - mJ

DB_FS450R12KE3_2.0
2 (8) 2002-10-28
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IGBT-Module
IGBT-Modules FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor min. typ. max.
Nennwiderstand
Tc= 25°C R25 - 5 - kΩ
rated resistance

Abweichung von R100

Tc= 100°C, R100= 493Ω ∆R/R -5 - 5 %
deviation of R100

Verlustleistung
Tc= 25°C P25 - - 20 mW
power dissipation

B-Wert
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K
B-value

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter - - 0,060 K/W
RthJC
thermal resistance, junction to case; DC Diode Wechselrichter / diode inverter - - 0,100 K/W

Übergangs Wärmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,005 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemp.
Tvj max - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Tvj op -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

Kriechstrecke
12,7 mm
creepage distance

Luftstrecke
10,0 mm
clearance distance

CTI
225
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

Schraube / screw M5 M 3 - 6 Nm
mounting torque

Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse

Anschlüsse / terminals M6 M 3 - 6 Nm
terminal connection torque

Gewicht
G 910 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the
belonging technical notes.

DB_FS450R12KE3_2.0
3 (8) 2002-10-28
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IGBT-Module
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vorläufige Daten
preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE)

output characteristic (typical) VGE= 15V

900

Tvj = 25°C
750
Tvj = 125°C

600
IC [A]

450

300

150

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE)

output characteristic (typical) Tvj= 125°C

900
Vge=19V
Vge=17V
750
Vge=15V
Vge=13V
600 Vge=11V
Vge=9V
IC [A]

450

300

150

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]

DB_FS450R12KE3_2.0
4 (8) 2002-10-28
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Übertragungscharakteristik (typisch) IC= f(VGE)

transfer characteristic (typical) VCE= 20V

900

Tvj=25°C
750
Tvj=125°C

600
IC [A]

450

300

150

0
5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF)

forward caracteristic of inverse diode (typical)

900

750
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

600
IF [A]

450

300

150

0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]

DB_FS450R12KE3_2.0
5 (8) 2002-10-28
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IGBT-Module
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vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) VGE=±15V, RG=1,6Ω, VCE=600V, Tvj=125°C

140
Eon
120 Eoff
Erec
100

80
E [mJ]

60

40

20

0
0 150 300 450 600 750 900
IC [A]

Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)

Switching losses (typical) VGE=±15V, IC=450A, VCE=600V, Tvj=125°C

180

160 Eon
Eoff
140 Erec

120

100
E [mJ]

80

60

40

20

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
RG [Ω]

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6 (8) 2002-10-28
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IGBT-Module
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vorläufige Daten
preliminary data

Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)

Transient thermal impedance

0,1
ZthJC [K/W]

Zth : IGBT
0,01
Zth : Diode

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 25,22 30,23 3,42 1,13
τi [s] : IGBT 6,499E-02 2,601E-02 2,364E-03 1,187E-05
ri [K/kW] : Diode 42,03 50,43 5,67 1,87
τi [s] : Diode 6,499E-02 2,601E-02 2,364E-03 1,187E-05

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=±15V, RG=1,6 Ω, Tvj=125°C

1200 IC,Chip

1050

900

750
IC,Chip
IC [A]

600

450

300

150

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
VCE [V]

DB_FS450R12KE3_2.0
7 (8) 2002-10-28
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IGBT-Modules FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

DB_FS450R12KE3_2.0
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