European Power-

Semiconductor and
Electronics Company

Marketing Information
FZ 1600 R 12 KF4

61,5 M8
18

31,5 130
114

C C

E E

E
G
C

7 16,5
M4 2,5
28 18,5

external connection to be
done

C C

E
E E
external connection to be
done

20.3.1998
FZ 1600 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current IC 1600 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 ms ICRM 3200 A
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor Ptot 10 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGE ± 20 V
Dauergleichstrom DC forward current IF 1600 A
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms IFRM 3200 A
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. VISOL 2,5 kV

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=1600A, vGE=15V, Tvj=25°C vCE sat - 2,7 3,2 V
iC=1600A, vGE=15V, Tvj=125°C - 3,4 4 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=64mA, vCE=vGE, Tvj=25°C vGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität input capacity fO=1MHz,Tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0V Cies - 110 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25°C iCES - 32 - mA
vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125°C - 160 - mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25°C iGES - 400 nA
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, Tvj=25°C iEGS - 400 nA
Einschaltzeit (ohmsche Last) turn-on time (resistive load) iC=1600A,vCE=600V,vL= ±15V ton
RG=0,62Ω, Tvj=25°C - 0,7 - µs
RG=0,62Ω, Tvj=125°C - 0,8 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=1600A,vCE=600V,vL= ±15V ts
RG=0,62Ω, Tvj=25°C - 0,9 - µs
RG=0,62Ω, Tvj=125°C - 1 - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=1600A,vCE=600V,vL= ±15V tf
RG=0,62Ω, Tvj=25°C - 0,1 - µs
RG=0,62Ω, Tvj=125°C - 0,15 - µs
Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse iC = 1600 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH Eon
VL = ±15 V, RG = 0,62 Ω, Tvj = 125°C - 220 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse iC = 1600 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH Eoff
VL = ±15 V, RG = 0,62 Ω, Tvj = 125°C - 290 - mWs

Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode

Durchlaßspannung forward voltage iF=1600A, vGE=0V, Tvj=25°C VF - 2,2 2,7 V
iF=1600A, vGE=0V, Tvj=125°C - 2 2,5 V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=1600A, -diF/dt=8kA/µs IRM
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C - 500 - A
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C - 800 - A
Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=1600A, -diF/dt=8kA/µs Qr
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=25°C - 55 - µAs
vRM=600V, vEG=10V, Tvj=125°C - 180 - µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC RthJC 0,0125 °C/W
Diode /diode, DC 0,021 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module RthCK typ. 0,008 °C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature T vj max 150 °C
Betriebstemperatur operating temperature T c op -40...+150 °C
Lagertemperatur storage temperature T stg -40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation internal insulation Al2O3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M6 / tolerance +/-15% M1 5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M4 / tolerance +5 / -10% M2 2 Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca.1500 g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs VCC = 750 V
vL = ±15 V vCEM = 900 V
RGF = RGR = 0,62 Ω iCMK1 ≈ 10000 A
Tvj = 125°C iCMK2 ≈ 9000 A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
 FZ 1600 R 12 KF4
3500 3500 VGE =
20 V 15 V

3000 3000
iC iC 12 V
[A] [A]
2500 2500
10 V

2000 2000
9V
1500 1500

1000 1000 8V

500 500

0 0
1 2 3 4 5 1 2 3 4 5
FZ 1600 R 12 KF4 / 1 v CE [V] FZ 1600 R 12 KF4 / 2 vCE [V]

Bild / Fig. 1 Bild / Fig. 2

Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) / Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VG E = 15 V Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C

3500 3500
t vj =

3000 25°C
125°C 3000
iC iC
[A] [A]
2500 2500

2000 2000

1500 1500

1000 1000

500 500

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 200 400 600 800 1000 1200 1400
FZ 1600 R 12 KF4 / 3 vGE [V] FZ 1600 R 12 KF 4 / 4 vCE [V]

Bild / Fig. 3 Bild / Fig. 4

Übertragungscharakteristik (typisch) / Rückwärts-Arbeitsbereich /
Transfer characteristic (typical) Reverse biased safe operating area
VCE = 20 V Tvj = 125°C
vLF = vLR = 15 V
RG = 0,62 Ω

10 -1 3500
7
5 3000
iF
ZthJC 3 [A]
[°C/W ] Diode 2500
2
IGBT 2000
10 -2
7 1500
5
1000
3

2 500

10 -3 -3 0
10 2 3 4 6 10-2 2 3 4 6 10-1 2 3 4 6 100 2 3 4 6 101 0,5 1 1,5 2 2,5 3
FZ 1600 R 12 KF4 / 5 t [s] FZ 1600 R 12 KF4 / 6 vF [V]

Bild / Fig. 5 Bild / Fig. 6

Transienter Wärmewiderstand (DC) / Durchlaßkennlinien der Inversdiode (typisch)
Transient thermal impedance (DC) Forward characteristics of the inverse diode (typical)
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Nutzungsbedingungen

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- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die
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any such applications we urgently recommend
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

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Mouser Electronics

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