Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data

Hchstzulssige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage

VCES

1200

IC, nom
IC

35
55

A
A

Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current

Tc= 80C
Tc= 25C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

tp= 1ms, Tc= 80C

ICRM

70

Gesamt Verlustleistung
total power dissipation

Tc= 25C

Ptot

200

VGES

+20

IF

35

IFRM

70

It

300

As

VISOL

2,5

kV

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current

tp= 1ms

Grenzlastintegral
It value

VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C

Isolations Prfspannung
insulation test voltage

RMS, f= 50Hz, t= 1min

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
collector emitter saturation voltage

VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom

VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= IC,nom

min.

typ.

max.

1,7

2,1

2,0

t.b.d.

VGE(th)

5,0

5,8

6,5

VCEsat

Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage

VCE= VGE, Tvj= 25C, IC= 1,5mA

Gateladung
gate charge

VGE= -15V...+15V

QG

0,33

Eingangskapazitt
input capacitance

f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V

Cies

2,5

nF

Rckwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance

f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V

Cres

0,09

nF

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C

ICES

mA

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C

IGES

400

nA

prepared by: M. Mnzer

date of publication: 2001-08-16

approved: M. Hierholzer

revision: 3

1 (8)

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IGBT-Module
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FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

max.

85

ns

90

ns

30

ns

45

ns

420

ns

520

ns

65

ns

90

ns

Eon

3,5

mJ

Eoff

4,8

mJ

ISC

140

LCE

nH

RCC/EE

1,65

2,1

1,65

t.b.d.

49

51

3,7

6,8

1,4

mJ

2,7

mJ

IC= IC, nom, VCC= 600V

Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C

td,on

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C

IC= IC, nom, VCC= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C

tr

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C

IC= IC, nom, VCC= 600V
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C

td,off

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C

IC= IC, nom, VCC= 600V
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C

tf

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C

Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data

IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C
IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C
tP 10sec, VGE 15V, TVj 125C
VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE di/dt

Modulindiktivitt
stray inductance module
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip

Tc= 25C

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rckstromspitze
peak reverse recovery current

IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25C

IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125C

VF

IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/s

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C

IRM

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C

Sperrverzgerungsladung
recoverred charge

IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/s

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C

Qr

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C

Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/s

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C

2 (8)

Erec

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FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, juncton to case; DC

Transistor Wechelr. / transistor inverter

bergangs Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

pro Modul / per module

Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K

0,60

K/W

0,95

K/W

RthCK

0,01

K/W

Hchstzulssige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature

Tvjmax

150

Betriebstemperatur
operation temperature

Tvjop

-40

125

Lagertemperatur
storage temperature

Tstg

-40

125

Nm

Diode Wechselrichter / diode inverter

RthJC

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation

Al2O3

CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque

225
Schraube M 5
screw M 5

Gewicht
weight

300

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
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FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)

IC= f(VCE)
VGE= 15V

70
Tvj = 25C

60

Tvj = 125C

IC [A]

50
40
30
20
10
0
0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)

IC= f(VCE)
Tvj= 125C

70
VGE=19V

60

VGE=17V
VGE=15V

50

VGE=13V

IC [A]

VGE=11V

40

VGE=9V

30
20
10
0
0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

VCE [V]

4 (8)

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vorlufige Daten
preliminary data

bertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)

IC= f(VGE)
VCE= 20V

70
Tvj=25C

60

Tvj=125C

IC [A]

50
40
30
20
10
0
4

10

11

12

VGE [V]

IF= f(VF)

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)

forward caracteristic of inverse diode (typical)
70
Tvj = 25C

60

Tvj = 125C

IF [A]

50
40
30
20
10
0
0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

VF [V]

5 (8)

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FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data

Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC)

Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)

VGE= 15V, RGon=RGoff= 27, VCE= 600V, Tvj= 125C

10
9

Eon

Eoff
Erec

E [mJ]

7
6
5
4
3
2
1
0
0

10

20

30

40

50

60

70

IC [A]

Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)

Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)

VGE= 15V, IC= 35A, VCE= 600V, Tvj= 125C

8
Eon

Eoff
Erec

E [mJ]

5
4
3
2
1
0
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

RG []

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vorlufige Daten
preliminary data

ZthJC = f (t)

Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal impedance

ZthJC [K/W]

0,1
Zth : IGBT
Zth : Diode

0,01
0,001

0,01

0,1

t [s]

i
ri [K/kW] : IGBT
i [s] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
i [s] : Diode

1
6,769E-02
2,345E-03
9,674E-02
3,333E-03

2
1,052E-01
2,820E-01
6,249E-01
3,429E-02

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA)

3
2,709E-01
2,820E-02
1,800E-01
1,294E-01

4
1,523E-01
1,128E-01
5,701E-02
7,662E-01

VGE=15V, Tj=125C

80
70
60
IC [A]

50
IC,Chip

40
30
20
10
0
0

200

400

600

800

1000

1200

1400

VCE [V]

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preliminary data

Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

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