Datenblatt FM35R12KE3 V3

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Hchstzulssige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
VCES
1200
IC, nom
IC
35
55
A
A
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Tc= 80C
Tc= 25C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 80C
ICRM
70
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25C
Ptot
200
VGES
+20
IF
35
IFRM
70
It
300
As
VISOL
2,5
kV
Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
It value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C
Isolations Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
collector emitter saturation voltage
VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom

VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= IC,nom
min.
typ.
max.
1,7
2,1
2,0
t.b.d.
VGE(th)
5,0
5,8
6,5
VCEsat
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE= VGE, Tvj= 25C, IC= 1,5mA
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
QG
0,33
Eingangskapazitt
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
2,5
nF
Rckwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cres
0,09
nF
Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C
ICES
mA
Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C
IGES
400
nA
prepared by: M. Mnzer
date of publication: 2001-08-16
approved: M. Hierholzer
revision: 3
1 (8)
Datenblatt FM35R12KE3 V3.xls

2001-08-16

IGBT-Module
IGBT-Modules
FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data

Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
typ.
max.
85
ns
90
ns
30
ns
45
ns
420
ns
520
ns
65
ns
90
ns
Eon
3,5
mJ
Eoff
4,8
mJ
ISC
140
LCE
nH
RCC/EE
1,65
2,1
1,65
t.b.d.
49
51
3,7
6,8
1,4
mJ
2,7
mJ
IC= IC, nom, VCC= 600V

Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C
td,on
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C

Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C
tr
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C

Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C
td,off
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C

Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C
tf
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C

Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH

VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C
IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH
VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C
tP 10sec, VGE 15V, TVj 125C
VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE di/dt
Modulindiktivitt
stray inductance module
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25C

Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25C

IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125C
VF
IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/s

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C
IRM
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C

Sperrverzgerungsladung
recoverred charge

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C
Qr
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C

Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C
2 (8)
Erec

2001-08-16

IGBT-Module
IGBT-Modules
FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, juncton to case; DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
bergangs Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module

Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K
0,60
K/W
0,95
K/W
RthCK
0,01
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Tvjmax
150
Betriebstemperatur
operation temperature
Tvjop
-40
125
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40
125
Nm
Diode Wechselrichter / diode inverter
RthJC
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
225
Schraube M 5
screw M 5
Gewicht
weight
300
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
3 (8)

2001-08-16

IGBT-Module
IGBT-Modules
FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
VGE= 15V
70
Tvj = 25C
60
Tvj = 125C
IC [A]
50
40
30
20
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
Tvj= 125C
70
VGE=19V
60
VGE=17V
VGE=15V
50
VGE=13V
IC [A]
VGE=11V
40
VGE=9V
30
20
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
4 (8)

2001-08-16

IGBT-Module
IGBT-Modules
FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
bertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
70
Tvj=25C
60
Tvj=125C
IC [A]
50
40
30
20
10
0
4
10
11
12
VGE [V]
IF= f(VF)
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)

forward caracteristic of inverse diode (typical)
70
Tvj = 25C
60
Tvj = 125C
IF [A]
50
40
30
20
10
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
VF [V]
5 (8)

2001-08-16

IGBT-Module
IGBT-Modules
FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC)
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
VGE= 15V, RGon=RGoff= 27, VCE= 600V, Tvj= 125C
10
9
Eon
Eoff
Erec
E [mJ]
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
IC [A]
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
VGE= 15V, IC= 35A, VCE= 600V, Tvj= 125C
8
Eon
Eoff
Erec
E [mJ]
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
RG []
6 (8)

2001-08-16

IGBT-Module
IGBT-Modules
FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
ZthJC = f (t)
Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC [K/W]
0,1
Zth : IGBT
Zth : Diode
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
i
ri [K/kW] : IGBT
i [s] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
i [s] : Diode
1
6,769E-02
2,345E-03
9,674E-02
3,333E-03
2
1,052E-01
2,820E-01
6,249E-01
3,429E-02
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA)
3
2,709E-01
2,820E-02
1,800E-01
1,294E-01
4
1,523E-01
1,128E-01
5,701E-02
7,662E-01
VGE=15V, Tj=125C
80
70
60
IC [A]
50
IC,Chip
40
30
20
10
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
7 (8)

2001-08-16

IGBT-Module
IGBT-Modules
FM35R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)

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Technische Information / technical information

Hchstzulssige Werte / maximum rated values

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tp= 1ms, Tc= 80C

Gate Emitter Spitzenspannung

VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C

RMS, f= 50Hz, t= 1min

Charakteristische Werte / characteristic values

VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom

VCE= VGE, Tvj= 25C, IC= 1,5mA

f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V

f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V

Kollektor Emitter Reststrom

VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C

Gate Emitter Reststrom

VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C

prepared by: M. Mnzer

date of publication: 2001-08-16