Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 600 V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom Tc= 70°C IC,nom. 100 A

DC-collector current Tc= 25°C IC 130 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tP= 1ms, Tc= 70°C ICRM 200 A
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
Tc= 25°C, Transistor Ptot 445 W
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 100 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tP= 1ms IFRM 200 A
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2 VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I2t 1.250 A2s
I t - value, Diode

Isolations-Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,95 2,45 V
VCE sat
collector-emitter saturation voltage IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,20 - V

Gate-Schwellenspannung
IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage

Eingangskapazität
Cies - 4,3 - nF
input capacitance

Rückwirkungskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,4 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1 500 µA

ICES
collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1 - mA

Gate-Emitter Reststrom
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current

prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26

approved by: Michael Hornkamp revision: 1

BSM 100 GB 60 DLC

1 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
IC= 100A, VCC= 300V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 25°C td,on - 25 - ns
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C - 26 - ns
IC= 100A, VCC= 300V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 25°C tr - 10 - ns
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C - 11 - ns
IC= 100A, VCC= 300V
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 25°C td,off - 130 - ns
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C - 150 - ns
IC= 100A, VCC= 300V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 25°C tf - 20 - ns
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C - 30 - ns

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= 100A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eon - 1,0 - mJ
turn-on energy loss per pulse RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 15nH

Abschaltverlustenergie pro Puls IC= 100A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eoff - 2,9 - mJ
turn-off energy loss per pulse RG= 2,2Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 15nH

Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V

ISC - 450 - A
SC Data Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt

Modulinduktivität
LσCE - 40 - nH
stray inductance module

Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

Tc= 25°C RCC'+EE' - 1,0 - mΩ
lead resistance, terminals - chip

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF= 100A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,25 1,6 V
VF
forward voltage IF= 100A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,20 - V
IF= 100A, -diF/dt= 4400A/µsec
Rückstromspitze
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IRM - 150 - A
peak reverse recovery current
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 180 - A
IF= 100A, -diF/dt= 4400A/µsec
Sperrverzögerungsladung
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Qr - 7,7 - µC
recoverred charge
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 13 - µC
IF= 100A, -diF/dt= 4400A/µsec
Abschaltenergie pro Puls
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Erec - - - mJ
reverse recovery energy
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 3,2 - mJ

BSM 100 GB 60 DLC

2 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC - - 0,28 K/W
RthJC
thermal resistance, junction to case Diode / diode, DC - - 0,50 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,03 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Tvj - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Top -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

Kriechstrecke
15 mm
creepage insulation

Luftstrecke
8,5 mm
clearance

CTI
275
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung Schraube M6 5 Nm

M1
mounting torque screw M6 -15 +15 %

Gewicht
G 180 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.

It is valid in combination with the belonging technical notes.

BSM 100 GB 60 DLC

3 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC

Ausgangskennlinie (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) VGE= 15V

200

180
Tvj = 25°C
160 Tvj = 125°C

140

120
IC [A]

100

80

60

40

20

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) Tvj= 125°C

200

180
VGE = 8V
160 VGE = 9V
VGE = 10V
140 VGE = 12V
VGE = 15V
120
IC [A]

VGE = 20V
100

80

60

40

20

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

BSM 100 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC

Übertragungscharakteristik (typisch) I C= f (VGE)

Transfer characteristic (typical) VCE= 20V

200

180
Tvj = 25°C
160 Tvj = 125°C

140

120
IC [A]

100

80

60

40

20

0
5 6 7 8 9 10 11 12 13

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F= f (VF)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

200

180
Tvj = 25°C
160 Tvj = 125°C

140

120
IF [A]

100

80

60

40

20

0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6

VF [V]

BSM 100 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC

Schaltverluste (typisch) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC)

Switching losses (typical) Ω,= Ω , VCC= 300V, Tvj= 125°C
Ω, =RG,off = 2,2Ω
RG,on= 2,2Ω,

6,0

Eon
5,0
Eoff
Erec

4,0
E [mJ]

3,0

2,0

1,0

0,0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IC [A]

Schaltverluste (typisch) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG)

Switching losses (typical) IC= 100A , VCC= 300V , Tvj = 125°C

3,5

3,0

2,5

2,0
E [mJ]

1,5

Eon
1,0
Eoff
Erec
0,5

0,0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Ω]
RG [Ω

BSM 100 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC

Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t)

Transient thermal impedance

0,1
Zth:IGBT
[K / W]
ZthJC

Zth:Diode

0,01

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10

t [sec]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 11,9 146,7 98,7 22,7
τi [sec] : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626
ri [K/kW] : Diode 176,2 169,0 106,1 48,7
τi [sec] : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) Ω, Tvj= 125°C
VGE= +15V, R G,off = 2,2Ω,

220

200
180

160

140

120

100 IC,Modul
IC [A]

IC,Chip
80

60

40
20

0
0 100 200 300 400 500 600 700

VCE [V]

BSM 100 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC

Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

13 M5
10 2,8 x 0,5

6
6 17 6
7

1 2 3

23 23 17 5
80 4
94

6
7

1 3

5
2 4

BSM 100 GB 60 DLC

8 (8) 2000-02-08
Nutzungsbedingungen

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