Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
Technische Information / Technical Information
IGBT-Modules BSM50GP60G IGBT-Module
IGBT-Modules BSM50GP60G
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Modul Isolation/ Module Isolation
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier VISOL 2,5 kV
insulation test voltage NTC connected to Baseplate
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
VRRM 1600 V
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
I FRMSM 40 A
RMS forward current per chip Charakteristische Werte / Characteristic values
Dauergleichstrom min. typ. max.
TC = 80°C Id 50 A Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
DC forward current
Durchlaßspannung
Stoßstrom Grenzwert tP = 10 ms, Tvj = 25°C I FSM 315 A Tvj = 150°C, IF = 50 A VF - 1,3 - V
forward voltage
surge forward current tP = 10 ms, Tvj = 150°C 260 A
Grenzlastintegral tP = 10 ms, Tvj = 25°C 2
500 2 Schleusenspannung
I t As Tvj = 150°C V(TO) - - 0,8 V
threshold voltage
I 2t - value tP = 10 ms, Tvj = 150°C 340 A2s
Ersatzwiderstand
Tvj = 150°C rT - - 10,5 mΩ
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter slope resistance
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Sperrstrom
VCES 600 V Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR - 2 - mA
collector-emitter voltage reverse current
Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 80 °C I C,nom. 50 A
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
DC-collector current TC = 25 °C IC 70 A TC = 25°C RAA'+CC' - 4 - mΩ
lead resistance, terminals-chip
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
tP = 1 ms, TC = 80 °C I CRM 100 A Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter min. typ. max.
repetitive peak collector current
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC = 50 A VCE sat - 1,95 2,55 V
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C Ptot 250 W collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 50 A - 2,2 - V
total power dissipation
Gate-Schwellenspannung
Gate-Emitter-Spitzenspannung VCE = VGE, Tvj = 25°C, IC = 1,0 mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V
VGES +/- 20V V gate threshold voltage
gate-emitter peak voltage
Eingangskapazität f = 1MHz, Tvj = 25°C
Cies - 2,8 - nF
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V
Dauergleichstrom Kollektor-Emitter Reststrom VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = 600 V I CES - 1,5 500 µA
Tc = 80 °C IF 50 A
DC forward current collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj =125°C, VCE = 600 V - 2,0 - mA
Periodischer Spitzenstrom Gate-Emitter Reststrom
tP = 1 ms I FRM 100 A VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C I GES - - 300 nA
repetitive peak forw. current gate-emitter leakage current
Grenzlastintegral Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = INenn, VCC = 300 V
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C I 2t 760 A2s
I 2t - value turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm td,on - 50 - ns
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 22 Ohm - 50 - ns
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Anstiegszeit (induktive Last) I C = INenn, VCC = 300 V
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 600 V rise time (inductive load) VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm tr - 55 - ns
collector-emitter voltage
TC = 80 °C I C,nom. VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 22 Ohm - 55 - ns
Kollektor-Dauergleichstrom 25 A
DC-collector current TC = 25 °C IC Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = INenn, VCC = 300 V
35 A
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm td,off - 260 - ns
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
tP = 1 ms, TC = 80°C I CRM 50 A VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 22 Ohm - 275 - ns
repetitive peak collector current
Fallzeit (induktive Last) I C = INenn, VCC = 300 V
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C Ptot 130 W fall time (inductive load) VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = tf
total power dissipation 22 Ohm - 30 - ns
Gate-Emitter-Spitzenspannung VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 22 Ohm - 40 - ns
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage Einschaltverlustenergie pro Puls I C = INenn, VCC = 300 V
turn-on energy loss per pulse VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 22 Ohm Eon - 2,3 - mWs
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
LS = 75 nH
Dauergleichstrom I C = INenn, VCC =
Tc = 80 °C IF 12,5 A Abschaltverlustenergie pro Puls 300 V
DC forward current
turn-off energy loss per pulse VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 22 Ohm Eoff - 1,7 - mWs
Periodischer Spitzenstrom LS = 75 nH
tP = 1 ms I FRM 25 A
repetitive peak forw. current
Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, RG = 22 Ohm
SC Data Tvj≤125°C, VCC = 360 V I SC - 200 - A
prepared by: Andreas Schulz date of publication:29.03.2001
dI/dt = 3000 A/µs
approved by: Robert Severin revision: 3

1(11) 2(11)
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IGBT-Module
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM50GP60G IGBT-Modules BSM50GP60G

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Charakteristische Werte / Characteristic values
Innerer Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode RthJC - - 1 K/W
min. typ. max. thermal resistance, junction to case Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 0,5 K/W
Modulinduktivität Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 0,8 K/W
LσCE - - 100 nH
stray inductance module
Trans. Bremse/ Trans. Brake - - 1 K/W
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip Diode Bremse/ Diode Brake - - 2,3 K/W
TC = 25°C RCC'+EE' - 7 - mΩ
lead resistance, terminals-chip Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode λPaste=1W/m*K RthCK - 0,04 - K/W
min. typ. max. thermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter λgrease=1W/m*K - 0,02 - K/W
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Durchlaßspannung VGE = 0V, Tvj = 25°C, IF = 50 A VF - 1,25 1,7 V Diode Wechsr./ Diode Inverter - 0,04 - K/W
forward voltage VGE = 0V, Tvj = 125°C, IF = 50 A - 1,2 - V Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Tvj - - 150 °C
Rückstromspitze I F=INenn, - diF/dt = 1150A/µs maximum junction temperature
peak reverse recovery current VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 300 V I RM - 35 - A Betriebstemperatur
Top -40 - 125 °C
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 300 V - 46 - A operation temperature
Sperrverzögerungsladung I F=INenn, - diF/dt = 1150A/µs Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
recovered charge VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 300 V Qr - 3,4 - µAs storage temperature
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 300 V - 6,2 - µAs
Abschaltenergie pro Puls I F=INenn, - diF/dt = 1150A/µs
reverse recovery energy VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 300 V ERQ - 0,8 - mWs Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 300 V - 1,3 - mWs

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper min. typ. max. Innere Isolation

Al2O3
VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC = VCE sat internal insulation
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung 25,0 A - 2,2 2,75 V
collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 25,0 A - 2,5 - V CTI
225
comperative tracking index
Gate-Schwellenspannung
VCE = VGE, Tvj = 25°C, IC = 0,5 mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M 3 Nm
gate threshold voltage
mounting torque ±10%
Eingangskapazität f = 1MHz, Tvj = 25°C
Cies - 1,1 - nF
input capacitance VCE = 25 V, VGE = 0 V Gewicht
G 300 g
VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = I CES weight
Kollektor-Emitter Reststrom 600 V - 0,7 500 µA
collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE = 600 V - 1,0 - mA
Gate-Emitter Reststrom
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I GES - - 300 nA
gate-emitter leakage current

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper min. typ. max.

Durchlaßspannung Tvj = 25°C, IF = 25,0 A VF - 1,6 2,05 V
forward voltage Tvj = 125°C, IF = 25,0 A - 1,65 - V

NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor min. typ. max.

Nennwiderstand
rated resistance TC = 25°C R25 - 5 - kΩ

Abweichung von R100

deviation of R100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

Verlustleistung TC = 25°C P25 20 mW

power dissipation
B-Wert R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 3375 K
B-value

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IGBT-Module IGBT-Module
IGBT-Modules BSM50GP60G IGBT-Modules BSM50GP60G

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE) Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) IC = f (VGE)

Output characteristic Inverter (typical) VGE = 15 V Transfer characteristic Inverter (typical) VCE = 20 V

100 100

90 90

80 80
Tj = 25°C
70 Tj = 125°C 70 Tj = 25°C
Tj = 125°C
60 60
IC [A]

IC [A]
50 50

40 40

30 30

20 20

10 10

0 0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 0 2 4 6 8 10 12 14

VCE [V] VGE [V]

Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE) Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) IF = f (VF)
Output characteristic Inverter (typical) Tvj = 125°C Forward characteristic of FWD Inverter (typical)

100 100

90 VGE = 20V 90
VGE = 15V
80 80
VGE = 12V
70 VGE = 10V 70 Tj = 25°C
VGE = 9V Tj = 125°C
60 60
IC [A]

IF [A]
50 50

40 40

30 30

20 20

10 10

0 0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6

VCE [V] VF [V]

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IGBT-Module IGBT-Module
IGBT-Modules BSM50GP60G IGBT-Modules BSM50GP60G

Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC = 300 V Transienter Wärmewiderstand Wechselr. ZthJC = f (t)
Switching losses Inverter (typical) Tj = 125°C, VGE = ±15 V, RGon = RGoff = 22 Ohm Transient thermal impedance Inverter

8 1

7
Eon Zth-IGBT
Eoff Zth-FWD
6
Erec

ZthJC [K/W]
5
E [mWs]

4 0,1

0 0,01
0 20 40 60 80 100 120 0,001 0,01 0,1 1 10

IC [A] t [s]

Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG) Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) IC = f (VCE)
Switching losses Inverter (typical) Tj = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn , VCC = 300 V Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG = 22 Ohm

4 120

Eon
3,5
Eoff 100
Erec
3

80
2,5 IC,Modul
E [mWs]

IC,Chip

IC [A]
2 60

1,5
40

20
0,5

0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 100 200 300 400 500 600 700

RG [Ω ] VCE [V]

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IGBT-Module IGBT-Module
IGBT-Modules BSM50GP60G IGBT-Modules BSM50GP60G

Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) IC = f (VCE) Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) IF = f (VF)

Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) VGE = 15 V Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)

50 100

45 90

40 Tj = 25°C 80
Tj = 125°C
35 70
Tj = 25°C
30 60 Tj = 150°C
IC [A]

IF [A]
25 50

20 40

15 30

10 20

5 10

0 0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2

VCE [V] VF [V]

Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF) NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)

Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical) NTC- temperature characteristic (typical)

50 100000
Rtyp

45

40

35
Tj = 25°C 10000
30 Tj = 125°C

R[Ω ]
IF [A]

25

20
1000
15

10

0 100
0 0,5 1 1,5 2 2,5 0 20 40 60 80 100 120 140 160

VF [V] TC [°C]

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IGBT-Module
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Nutzungsbedingungen
Schaltplan/ Circuit diagram Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
21 22 8 9 bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

20 18 16 In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
19 17 15 NTC
4 5 6 Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
1 2 3 7
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
14 13 12 11 insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie
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23 24 10 Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro
Gehäuseabmessungen/ Package outlines in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen
einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die
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Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

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Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine

Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

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