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0.6 0.4
2.54 mm spacing
0.8 0.4
5.9 5.5
1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) Approx. weight 0.4 g
0.6 0.4
GEX06630
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet fr Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA) q Hohe Linearitt q 5 mm-Plastikbauform Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgerte q Lichtschranken fr Gleich- und
460 nm to 1080 nm (SFH 314) and of 880 nm (SFH 314 FA) q High linearity q 5 mm plastic package Applications
q q q q
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik q Messen/Steuern/Regeln
Computer-controlled flashes Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits
Semiconductor Group
1997-11-27
feof6652
feo06652
Typ Type SFH 314 SFH 314-2 SFH 314-3 SFH 314 FA SFH 314 FA-2 SFH 314 FA-3
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lttemperatur bei Tauchltung Ltstelle 2 mm vom Gehuse, Ltzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Lttemperatur bei Kolbenltung Ltstelle 2 mm vom Gehuse, Ltzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Wrmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value 55 ... + 100 260 Einheit Unit C C
Top; Tstg TS
TS
300
V mA mA V mW K/W
Semiconductor Group
1997-11-27
Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Flche Radiant sensitive area Abmessung der Chipflche Dimensions of chip area Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazitt, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Fotostrom, Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Symbol Symbol SFH 314 S max 850 Wert Value SFH 314 FA 870 nm Einheit Unit
A LB LW H
mm2 mm mm mm
40 15 10 ( 200)
40 15 10 ( 200)
Grad deg. pF nA
CCE ICEO
IPCE IPCE
0.63 7
0.63
mA mA
Semiconductor Group
1997-11-27
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 314: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-EmitterSttigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2
1) 1)
Symbol Symbol -1 -2
Wert Value -3 -4
Einheit Unit
2.5 13.5 14
mA mA s
VCEsat
150
150
150
150
mV
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
10
0 1.0
OHF02329
50 0.8 60
0.6
70
0.4
80 90
0.2 0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
1997-11-27
TA = 25 C, = 950 nm
Rel. spectral sensitivity SFH 314 Srel = f () Rel. spectr.sensitivity SFH 314 FA,Srel = f() Dark current ICEO = f (VCE), E = 0
100
OHF02332
100
OHF02331
S rel %
80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100
S rel %
80 70 60 50 40 30 20 10 0
CEO
10 2 nA
OHF02341
10 1
10 0
10 -1
PCE
1.6
PCE
10 1 mA
50
OHF02344
C CE pF
40
10 0
30
10
-1
20
10 -2
10
25
50
75 C 100 TA
10 -3 -3 10
10 -2
mW/cm 2 Ee
10 0
0 -2 10
10 -1
10 0
10 1
V 10 2 VCE
mW cm 2 mW 0.5 cm 2 mW cm 2
10 1
150
0.25 10 0
10 0 mW 0.1 cm 2
100
10 -1
50
10 -1
10
20
30
40
50
V 70 VCE
20
40
60
80 C 100 TA
10 -2 0 20 40 60 80 C 100 TA
Semiconductor Group
1997-11-27