Sie sind auf Seite 1von 5

SFH 314 SFH 314 FA

. eu: NPN-Silizium-Fototransistor N New: Silicon NPN Phototransistor

SFH 314 SFH 314 FA

0.6 0.4
2.54 mm spacing

0.8 0.4

Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5


5.1 4.8

5.9 5.5

1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) Approx. weight 0.4 g

4.0 3.4 Chip position

0.6 0.4

GEX06630

Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet fr Anwendungen im

Features
q Especially suitable for applications from

Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA) q Hohe Linearitt q 5 mm-Plastikbauform Anwendungen
q Computer-Blitzlichtgerte q Lichtschranken fr Gleich- und

460 nm to 1080 nm (SFH 314) and of 880 nm (SFH 314 FA) q High linearity q 5 mm plastic package Applications
q q q q

Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik q Messen/Steuern/Regeln

Computer-controlled flashes Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits

Semiconductor Group

1997-11-27

feof6652

feo06652

SFH 314 SFH 314 FA

Typ Type SFH 314 SFH 314-2 SFH 314-3 SFH 314 FA SFH 314 FA-2 SFH 314 FA-3

Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1668 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1675 Q62702-P1757 Q62702-P1758

Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lttemperatur bei Tauchltung Ltstelle 2 mm vom Gehuse, Ltzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Lttemperatur bei Kolbenltung Ltstelle 2 mm vom Gehuse, Ltzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Wrmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value 55 ... + 100 260 Einheit Unit C C

Top; Tstg TS

TS

300

VCE IC ICS VEC Ptot RthJA

70 50 100 7 200 375

V mA mA V mW K/W

Semiconductor Group

1997-11-27

SFH 314 SFH 314 FA

Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Flche Radiant sensitive area Abmessung der Chipflche Dimensions of chip area Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazitt, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Fotostrom, Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Symbol Symbol SFH 314 S max 850 Wert Value SFH 314 FA 870 nm Einheit Unit

460 ... 1080 740 ... 1080 nm

A LB LW H

0.55 11 3.4 ... 4.0

0.55 11 3.4 ... 4.0

mm2 mm mm mm

40 15 10 ( 200)

40 15 10 ( 200)

Grad deg. pF nA

CCE ICEO

IPCE IPCE

0.63 7

0.63

mA mA

Semiconductor Group

1997-11-27

SFH 314 SFH 314 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 314: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-EmitterSttigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2
1) 1)

Symbol Symbol -1 -2

Wert Value -3 -4

Einheit Unit

IPCE IPCE tr, tf

0.63 ... 1.25 1 ... 2 3.4 8 5.4 10

1.6 ... 3.2 8.6 12

2.5 13.5 14

mA mA s

VCEsat

150

150

150

150

mV

IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Directional characteristics Srel = f ()


40 30 20

10

0 1.0

OHF02329

50 0.8 60

0.6

70

0.4

80 90

0.2 0

100

1.0

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

Semiconductor Group

1997-11-27

SFH 314 SFH 314 FA

TA = 25 C, = 950 nm
Rel. spectral sensitivity SFH 314 Srel = f () Rel. spectr.sensitivity SFH 314 FA,Srel = f() Dark current ICEO = f (VCE), E = 0
100
OHF02332

100

OHF02331

S rel %
80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100

S rel %
80 70 60 50 40 30 20 10 0

CEO

10 2 nA

OHF02341

10 1

10 0

10 -1

10 -2 400 500 600 700 800 900 nm 1100 0 10 20 30 40 50 V 70 V CE

Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 oC


PCE 25
1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -25

Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V


OHF01524

Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz


OHF02339

PCE

1.6

PCE

10 1 mA

50

OHF02344

C CE pF
40

10 0

30
10
-1

20
10 -2

10

25

50

75 C 100 TA

10 -3 -3 10

10 -2

mW/cm 2 Ee

10 0

0 -2 10

10 -1

10 0

10 1

V 10 2 VCE

Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = parameter


PCE
10 1 mA
OHF02338

Total power dissipation Ptot = f (TA)


Ptot
250 mW 200
OHF02340

Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0


CEO
10 2 nA
OHF02342

mW cm 2 mW 0.5 cm 2 mW cm 2

10 1
150

0.25 10 0

10 0 mW 0.1 cm 2
100

10 -1
50

10 -1

10

20

30

40

50

V 70 VCE

20

40

60

80 C 100 TA

10 -2 0 20 40 60 80 C 100 TA

Semiconductor Group

1997-11-27