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Ekbert Hering

Klaus Bressler
Jürgen Gutekunst Hrsg.

Elektronik für
Ingenieure und
Naturwissenschaftler
7. Auflage
Elektronik für Ingenieure und
Naturwissenschaftler
Ekbert Hering  Klaus Bressler 
Jürgen Gutekunst
(Hrsg.)

Elektronik für
Ingenieure und
Naturwissenschaftler
7., aktualisierte und verbesserte Auflage

Unter Mitarbeit von: Manfred Crygon,


Julian Endres, Rainer Höhnle,
Joachim Kempkes, Rolf Martin,
Harald Rudolph, Jürgen Schüle
Herausgeber
Ekbert Hering Jürgen Gutekunst
Hochschule für angewandte Nürtingen, Deutschland
Wissenschaften Aalen
Aalen, Deutschland

Klaus Bressler
Ditzingen, Deutschland

ISBN 978-3-662-54213-2 ISBN 978-3-662-54214-9 (eBook)


DOI 10.1007/978-3-662-54214-9

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Vorwort zur siebten, aktualisierten
und verbesserten Auflage

In nunmehr über 20 Jahren hat sich dieses Werk einen Spitzenplatz als Lehr-
buch an Universitäten und Hochschulen der angewandten Wissenschaften
und als Nachschlagewerk für den Praktiker erobert. Sein überzeugendes di-
daktisches Konzept, die klaren Strukturen, die lehrreichen Übungsaufgaben
und die aktuellen, praxisnahen Beispiele sind die Ursache. Bereits drei Jahre
nach der letzten, sechsten Auflage hatten wir die Chance, das erfolgreiche,
völlig überarbeitete Werk an wenigen Stellen zu aktualisieren und zu korri-
gieren.
Die Aktualisierungen betreffen folgende Kapitel:
Prof. Dr. Jürgen Schüle von der Hochschule Aalen ergänzte Kap. 1
(Grundlagen der Elektrotechnik) um die Simulation elektronischer Schaltun-
gen mit SPICE (Abschn. 1.5.5).
Neu eingeführt wurden in Kap. 15 (Schnittstellen, Bussysteme und
Netze) die Abschnitte über die USB-Schnittstelle (Abschn. 15.3.4), die
Bluetooth-Schnittstelle (Abschn. 15.3.5), den IO-Link (Abschn. 15.3.6) und
die Echtzeit-Internet-Protokolle (Abschn. 15.6.4).
Das Kap. 16 (Speicherprogrammierbare Steuerungen) wurde um die für
den Praxiseinsatz wichtigen Kleinsteuerungen (Abschn. 16.5) ergänzt.
Die erfolgreichen Merkmale des Buches: Seine Strukturiertheit, seine vie-
len Beispiele und Übungsaufgaben sowie seine Praxisnähe, kombiniert mit
dem erforderlichen theoretischen Wissen, wurden beibehalten und halfen,
dieses Profil zu schärfen.
Die zahlreichen Hinweise der Studierenden, der Praktiker und der Kol-
legen haben dieses Buch wesentlich verbessert. Dieser fachkundigen Le-
serschaft haben wir, die Autoren und der Springer-Verlag, sehr zu danken.
Stellvertretend hierfür gebührt unser besonderer Dank für die intensive Mit-
arbeit Herrn Prof. Dr. H. Graf von der Fachhochschule München und Herrn
Dr.-Ing. R. Süße von der Technischen Universität Ilmenau. Besonderer Dank
gilt dem Springer-Verlag, insbesondere Frau Birgit Kollmar-Thoni und Frau
Eva Hestermann-Beyerle. Sie haben es mustergültig verstanden, zusammen
mit den Herausgebern, den Autoren und den Herstellern dieses komplexe und
in Text und Bild anspruchsvolle Werk so professionell zu begleiten, dass es
uns immer motiviert hat, in aller gebotener Kürze noch klarer, strukturierter
und praxisorientierter für unsere Leser zu schreiben.
Wir hoffen, dass für unsere Leser die neue, aktualisierte und verbesser-
te Auflage eine noch größere Hilfe bei der Erlernung und der Anwendung
des Wissens in Elektrotechnik und Elektronik sein wird. In der Zukunft wird
V
VI Vorwort zur siebten, aktualisierten und verbesserten Auflage

dieses Wissen im Zuge der Digitalisierung der Ingenieurbereiche von unent-


behrlichem Nutzen sein. Es würde uns sehr freuen, wenn die Leser uns auch
weiterhin mit Verbesserungsvorschlägen und konstruktiver Kritik unterstüt-
zen würden.

Heubach, Ditzingen, Nürtingen Ekbert Hering


Frühjahr 2017 Klaus Bressler
Jürgen Gutekunst
Inhaltsverzeichnis

1 Grundlagen der Elektrotechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1


Ekbert Hering und Rolf Martin
1.1 Physikalische Größen und Einheiten . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2.1 Ladung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2.2 Elektrischer Strom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.3 Elektrische Spannung . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2.4 Widerstand und Leitwert . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2.5 Elektrische Arbeit und elektrische Leistung . . . 6
1.2.6 Ohm’sches Gesetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2.7 Richtungssinn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.8 Bildzeichen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3 Elektrische Netze – Kirchhoff’sche Regeln . . . . . . . . . 9
1.3.1 Knotenregel (1. Kirchhoff’sches Gesetz) . . . . . 9
1.3.2 Maschenregel (2. Kirchhoff’sches Gesetz) . . . . 11
1.3.3 Anwendung der Kirchhoff’schen Gesetze . . . . 12
1.4 Grafische Verfahren zur Ermittlung von Strömen
und Spannungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.4.1 Reihenschaltung mit linearem Widerstand
und einem Kaltleiter (PTC) . . . . . . . . . . . . . 18
1.4.2 Reihenschaltung mit linearem Widerstand
und zwei nichtlinearen Bauelementen (Z-Dioden) 19
1.4.3 Schaltungskombination aus linearem Wider-
stand, Kaltleiter und Heißleiter . . . . . . . . . . . 20
1.5 Maschen- und Knotenanalyse . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.5.1 Ersatzspannungs- und Ersatzstromquelle . . . . . 22
1.5.2 Lineare Überlagerung (Superpositionsprinzip
nach HELMHOLTZ) . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.5.3 Berechnung elektrischer Netzwerke . . . . . . . . 25
1.5.4 Brückenschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
1.5.5 Simulation elektronischer Schaltungen . . . . . . 34
1.6 Grundlagen der Wechselstromlehre . . . . . . . . . . . . . 39
1.6.1 Grundlagen komplexer Rechnung . . . . . . . . . 39
1.6.2 Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
1.6.3 Komplexe Rechnung im Wechselstromkreis . . . 46
1.6.4 Nicht sinusförmige Wechselgrößen . . . . . . . . 56
1.6.5 Dämpfung und Verstärkung . . . . . . . . . . . . . 59
VII
VIII Inhaltsverzeichnis

1.6.6 Shannon’sches Abtasttheorem . . . . . . . . . . . 61


1.6.7 Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
1.7 Bezeichnung und Messung elektrischer Größen . . . . . . 63
1.7.1 Bezeichnung elektrischer Größen . . . . . . . . . 63
1.7.2 Messung elektrischer Größen . . . . . . . . . . . . 64
1.8 Grundlagen der Halbleiterphysik . . . . . . . . . . . . . . . 65
1.8.1 Materialien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
1.8.2 Energiebänder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
1.8.3 Ladungsträgerkonzentration . . . . . . . . . . . . . 69
1.8.4 Beweglichkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
1.8.5 Leitfähigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
1.8.6 Ausgleichsvorgänge . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
1.8.7 pn-Übergang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
1.8.8 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
1.9 Herstellung kompletter Schaltungen . . . . . . . . . . . . . 87
1.9.1 Leiterplatten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
1.9.2 Streifenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
1.9.3 SMT (Surface Mounted Technology) . . . . . . . 91
1.9.4 Dickschicht-Technologie . . . . . . . . . . . . . . . 93
1.9.5 Dünnschicht-Technologie . . . . . . . . . . . . . . 93
1.9.6 Trägermaterial mit eingebetteten Bauteilen . . . 94
1.10 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94

2 Passive Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
Ekbert Hering und Klaus Bressler
2.1 Elektronische Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
2.1.1 Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
2.1.2 Anforderungen und Anwendungsklassen . . . . . 95
2.1.3 Zuverlässigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
2.1.4 Normreihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
2.1.5 Klassifikation von diskreten Halbleiter-Bauele-
menten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
2.1.6 Datenblätter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
2.2 Widerstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
2.2.1 Übersicht über die Widerstände . . . . . . . . . . . 103
2.2.2 Lineare Festwiderstände . . . . . . . . . . . . . . . 104
2.2.3 Nichtlineare Widerstände . . . . . . . . . . . . . . 110
2.2.4 Einstellbare Widerstände
(Potenziometer und Trimmer) . . . . . . . . . . . . 117
2.2.5 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
2.3 Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
2.3.1 Übersicht über die Kondensatoren . . . . . . . . . 122
2.3.2 Kondensatoren mit dünnen Folien
als Dielektrikum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
2.3.3 Elektrolyt-Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . 128
2.3.4 Keramik-Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . 131
2.3.5 Einstellbare Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . 135
2.4 Induktivitäten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
Inhaltsverzeichnis IX

2.4.1 Kerneigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136


2.4.2 Wicklungseigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . 143
2.5 Dioden ................. . . . . . . . . . . . . . . 146
2.5.1 Schaltdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
2.5.2 Schottky-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
2.5.3 Gleichrichterdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
2.5.4 Schottky-Leistungsdioden . . . . . . . . . . . . . . 157
2.5.5 Z-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
2.5.6 Diac Triggerdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
2.5.7 Fotodioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
2.5.8 Kapazitätsdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
2.5.9 Pin-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
2.5.10 Step-Recovery-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . 165
2.5.11 Tunneldioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
2.5.12 Backwarddioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166

3 Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
Klaus Bressler und Harald Rudolph
3.1 Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
3.1.1 Arten von Transistoren und deren Aufbau . . . . 167
3.1.2 Beschaltung und Funktion des Transistors . . . . 169
3.1.3 Wichtige Kennwerte von Transistoren . . . . . . . 170
3.1.4 Weitere Kennwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
3.1.5 Transistor-Grenzwerte . . . . . . . . . . . . . . . . 177
3.1.6 Typenschlüssel für Halbleiter . . . . . . . . . . . . 181
3.1.7 Transistordatenblatt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
3.2 Analoge Grundschaltungen mit bipolaren Transistoren . . 183
3.2.1 Emitterschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
3.2.2 Kollektorschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
3.2.3 Basisschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
3.2.4 Stromquelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
3.2.5 Stromspiegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
3.2.6 Differenzverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
3.2.7 Darlingtonschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
3.2.8 Verstärker für höhere Frequenzen . . . . . . . . . 205
3.2.9 Kaskodeschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
3.3 Feldeffekttransistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
3.3.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) . . . 209
3.3.2 MOS-Feldeffekttransistoren . . . . . . . . . . . . . 211
3.3.3 Weitere Kennwerte der Feldeffekttransistoren . . 214
3.3.4 Grenzwerte der Feldeffekttransistoren . . . . . . . 216
3.4 Schaltungstechnik mit Feldeffekttransistoren . . . . . . . . 217
3.4.1 Übergang vom bipolaren Transistor
zum Feldeffekttransistor . . . . . . . . . . . . . . . 217
3.4.2 Grundschaltungen der Feldeffekttransistoren . . 218
3.4.3 Stabilisierung des Arbeitspunktes
und der Verstärkung durch Gegenkopplung . . . 219
3.4.4 Wirkung der Gegenkopplung . . . . . . . . . . . . 220
X Inhaltsverzeichnis

3.4.5 Differenzverstärker mit Feldeffekttransistoren . . 221


3.4.6 Steuerbare Spannungsteiler
mit Feldeffekttransistoren . . . . . . . . . . . . . . 222
3.4.7 Feldeffekttransistoren als Schalter
für analoge Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
3.4.8 Dual-Gate-MOSFET (Doppelgate-MOSFET) . . 223
3.4.9 MOSFET-Leistungstransistoren für Schalter . . . 223
3.4.10 MOSFET-Leistungstransistoren
für analoge Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . 229
3.5 Lineare und nichtlineare Verstärker . . . . . . . . . . . . . . 231
3.5.1 Wichtige Eigenschaften linearer Verstärker . . . 231
3.5.2 Herleitung der Oberschwingungen
und der Mischprodukte . . . . . . . . . . . . . . . . 231
3.5.3 Messverfahren zur Beurteilung von Verstärkern . 232
3.5.4 Nichtlineare Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . 233
3.5.5 Aufbau linearer Verstärker in der Praxis . . . . . 233
3.5.6 Schaltungstechnische Besonderheiten
gegengekoppelter Verstärker . . . . . . . . . . . . 235
3.5.7 Vorsichtsmaßnahmen beim Umgang
mit Halbleitern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
3.5.8 Rechnergestützte Schaltungsberechnung . . . . . 237
3.6 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
3.7 Quarzoszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
3.7.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
3.7.2 Frequenzstabilität und Frequenzgenauigkeit . . . 240
3.7.3 Kurzzeitstabilität, Phasenrauschen und Jitter . . . 241
3.7.4 Phasenrauschen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 242
3.7.5 Phasenjitter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 243
3.7.6 Langzeitstabilität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244
3.7.7 Last- und Betriebsspannungsabhängigkeit
der Frequenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
3.7.8 Frequenzgenauigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
3.7.9 XOs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
3.7.10 Temperaturabhängigkeit der Frequenz . . . . . . 246
3.7.11 VCXO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 247
3.7.12 Hochfrequente VCXOs . . . . . . . . . . . . . . . . 248
3.7.13 (VC)TCXOs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
3.7.14 (VC)OCXOs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251
3.7.15 Auswahlkriterien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
3.7.16 Kostenparameter von Quarzoszillatoren . . . . . 254
3.7.17 Vor- und Nachteile von Ausgangssignalformen . 254
3.7.18 Anpassung der Schnittstelle zum Verbraucher . . 255
3.7.19 Ausführungsformen von Quarzoszillatoren . . . 256
3.8 Weiterführende Literatur zu Abschn. 3.1 bis Abschn. 3.5 257
3.8.1 Normen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 258
3.8.2 Weiterführende Literatur zu Abschn. 3.7 . . . . . 258
3.8.3 Web-Seiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 258
Inhaltsverzeichnis XI

4 Hochfrequenz-Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
Jürgen Langner
4.1 Anpassung und Reflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
4.2 Transport der Hochfrequenz auf Leitungen . . . . . . . . . 260
4.3 Wellenwiderstand einer Hochfrequenzleitung . . . . . . . 262
4.4 Eingangs- und Ausgangswiderstände
von HF-Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263
4.4.1 S-Parameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264
4.4.2 Definition der S-Parameter . . . . . . . . . . . . . 264
4.4.3 Messung der S-Parameter . . . . . . . . . . . . . . 265
4.5 Rauschparameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
4.5.1 Rauschfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
4.5.2 Rauschen bei mehrstufigen Verstärkern . . . . . . 268
4.6 Darstellung komplexer Größen . . . . . . . . . . . . . . . . 268
4.7 Anwendung des Smith-Diagramms . . . . . . . . . . . . . . 270
4.7.1 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
4.8 Aufbau von HF-Schaltungen aus fertigen HF-Bauteilen . 274
4.8.1 Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
4.8.2 Leistungsteiler (engl.: Power Divider) . . . . . . . 276
4.8.3 Richtkoppler – (engl.: Directional Couplers) . . . 276
4.8.4 90ı -Hybrid-Koppler – (engl.: 90ı Hybrid
Coupler) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
4.8.5 Zirkulator – (engl.: Circulator) . . . . . . . . . . . 277
4.8.6 Tiefpassfilter – (engl.: Low-Pass Filter)
und Hochpassfilter (engl.: High Pass Filter) . . . 278
4.8.7 Bandpassfilter – (engl.: Band-Pass Filter) . . . . 278
4.8.8 Mischer – (engl.: Mixer) . . . . . . . . . . . . . . . 279
4.8.9 Demodulator – Detektor (engl.: Demodulator) . 280
4.8.10 Beispiel einer HF-Schaltung
aus fertigen Komponenten . . . . . . . . . . . . . . 280
4.8.11 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 281
4.9 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
4.9.1 Web-Seiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282

5 Bauelemente der Leistungselektronik . . . . . . . . . . . . . . . 283


Jürgen Gutekunst
5.1 Passive Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
5.1.1 Induktivitäten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
5.1.2 Stromtransformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . 287
5.1.3 Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
5.1.4 Hochleistungswiderstände . . . . . . . . . . . . . . 294
5.1.5 Hochleistungsdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . 296
5.1.6 Schutzelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 296
5.2 Aktive Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
5.2.1 Power MOS-FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 298
5.2.2 Darlingtonschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 298
5.2.3 IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
5.2.4 Smart Power ICs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300
XII Inhaltsverzeichnis

5.2.5 SCR (Silicon Controlled Rectifier), Thyristor . . 301


5.2.6 GTO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304
5.2.7 Triac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304
5.2.8 Sicherheitsbeschaltung von Leistungshalbleitern 304
5.2.9 Spannungssteuerung eines Thyristors . . . . . . . 305
5.3 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 306

6 Optoelektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
Rolf Martin
6.1 Einleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 307
6.2 Radiometrische und fotometrische Größen . . . . . . . . . 308
6.2.1 Radiometrische Größen . . . . . . . . . . . . . . . 309
6.2.2 Fotometrische Größen . . . . . . . . . . . . . . . . 310
6.3 Halbleiter-Sender . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 312
6.3.1 Strahlungsemission aus Halbleitern . . . . . . . . 312
6.3.2 Lumineszenzdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . 313
6.3.3 Halbleiterlaser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 322
6.4 Displays . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 329
6.4.1 Anthropotechnische Gesichtspunkte . . . . . . . . 329
6.4.2 Displaytypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330
6.4.3 Analoganzeigen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336
6.4.4 Numerische Anzeigen . . . . . . . . . . . . . . . . 336
6.4.5 Alphanumerische Anzeigen . . . . . . . . . . . . . 339
6.5 Halbleiter-Detektoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 340
6.5.1 Strahlungsabsorption in Halbleitern . . . . . . . . 340
6.5.2 Gütekriterien von Detektoren . . . . . . . . . . . . 341
6.5.3 Fotowiderstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
6.5.4 Fotodiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 345
6.5.5 Solarzelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355
6.5.6 Wirkungsweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355
6.5.7 Wirkungsgrad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357
6.5.8 Fototransistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360
6.5.9 Fotothyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 362
6.5.10 Bildsensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 363
6.6 Optokoppler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 367
6.7 Lichtwellenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
6.8 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 377
6.9 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 379

7 Sensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 381
Ekbert Hering
7.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 381
7.1.1 Definition und Einteilung . . . . . . . . . . . . . . 381
7.1.2 Wirtschaftliche und technische Bedeutung . . . . 381
7.2 Sensoren für die wichtigsten Messgrößen . . . . . . . . . . 386
7.2.1 Weg- und Positions-Sensoren . . . . . . . . . . . . 386
7.2.2 Kraft- und Druck-Sensoren . . . . . . . . . . . . . 391
7.2.3 Temperatur-Sensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . 392
Inhaltsverzeichnis XIII

7.3 Werkstoffe und Technologien . . . . . . . . . . . . . . . . . 394


7.3.1 Siliciumtechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 394
7.3.2 Dünnschichttechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . 397
7.3.3 Dickschichttechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . 398
7.3.4 Faseroptische Sensoren . . . . . . . . . . . . . . . . 399
7.3.5 Chemische Sensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . 400
7.4 Bevorzugte Einsatzgebiete . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
7.5 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 404

8 Analoge integrierte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 405


Klaus Bressler und Rolf Martin
8.1 Herstellung und Technologie . . . . . . . . . . . . . . . . . 405
8.2 Operationsverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 406
8.2.1 Idealer und realer Operationsverstärker . . . . . . 406
8.2.2 Schaltungstechnischer Aufbau . . . . . . . . . . . 407
8.2.3 Beispiel eines Standardverstärkers . . . . . . . . . 412
8.2.4 Operationsverstärker für höhere Anforderungen 415
8.2.5 Stabilitätsbetrachtung . . . . . . . . . . . . . . . . . 416
8.2.6 Verstärker mit sehr kleiner Offsetspannung
(Zero Drift) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420
8.2.7 Verstärker für eine Versorgungsspannung . . . . 421
8.2.8 Rail to Rail Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . 422
8.2.9 Sehr schnelle Operationsverstärker . . . . . . . . 423
8.2.10 Verschiedene Operationsverstärker
mit besonderen Eigenschaften . . . . . . . . . . . 425
8.3 Operationsverstärker mit statischer Beschaltung . . . . . . 425
8.3.1 Invertierender Spannungsverstärker . . . . . . . . 428
8.3.2 Nicht invertierender Spannungsverstärker . . . . 429
8.3.3 Subtrahierverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430
8.3.4 Schmitt-Trigger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 432
8.3.5 Nichtlinearer Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . 433
8.3.6 Addierender Verstärker, invertierend . . . . . . . 435
8.3.7 Konstantstromquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . 436
8.3.8 Idealer Einweggleichrichter . . . . . . . . . . . . . 437
8.3.9 Zweiweggleichrichter ohne gemeinsames
Potenzial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 438
8.3.10 Zweiweggleichrichter
mit gemeinsamem Potenzial . . . . . . . . . . . . . 438
8.3.11 Spitzenwertgleichrichter . . . . . . . . . . . . . . . 439
8.3.12 Logarithmierschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . 439
8.3.13 Delogarithmierschaltung (Exponentialverstärker) 441
8.4 Operationsverstärker mit dynamischer Beschaltung . . . . 442
8.4.1 Integrator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 443
8.4.2 Differenzierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 447
8.4.3 Filterschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 448
8.5 Weitere wichtige integrierte Analogschaltungen . . . . . . 458
8.5.1 Komparatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 458
8.5.2 Spannungsregler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 459
XIV Inhaltsverzeichnis

8.5.3 Bandabstands-Referenzelement
(Bandgap Voltage Reference) . . . . . . . . . . . . 461
8.6 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 465
8.7 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466

9 Digital-Analog (DA)-, Analog-Digital (AD)-Wandler und digi-


tale Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 467
Klaus Bressler und Julian Endres
9.1 Digital-Analog-Wandler (DA-Wandler) . . . . . . . . . . . 467
9.1.1 R-2R-Leiternetzwerk . . . . . . . . . . . . . . . . . 468
9.1.2 Multiplizierender DA-Wandler . . . . . . . . . . . 469
9.1.3 Vier-Quadranten multiplizierender DA-Wandler 470
9.1.4 Parallel-DA-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . 471
9.1.5 Datenwandler mit mikroprozessorkompatibler
Schnittstelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 472
9.1.6 Unerwünschte Spitzen beim Weiterzählen
des digitalen Eingangswertes . . . . . . . . . . . . 473
9.1.7 Fehler bei der Datenumsetzung . . . . . . . . . . . 475
9.1.8 Delta-Sigma DA-Wandler . . . . . . . . . . . . . . 476
9.2 Analog-Digital-Wandler (AD-Wandler) . . . . . . . . . . . 477
9.2.1 Integrierende Analog-Digital-Wandler . . . . . . 477
9.2.2 Analog-Digital-Wandler nach dem Prinzip
der sukzessiven Approximation . . . . . . . . . . . 481
9.2.3 Abtast- und Halteschaltung (Sample and Hold) . 483
9.2.4 Parallel-Analog-Digital-Wandler . . . . . . . . . . 484
9.2.5 Analog-Digital-Wandler
nach dem Delta-Sigma-Verfahren . . . . . . . . . 486
9.3 Digitale Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 490
9.3.1 Grundlagen und Eigenschaften
zeitdiskreter LTI-Systeme . . . . . . . . . . . . . . 490
9.3.2 Infinite Impulse Response-Filter (IIR-Filter) . . . 493
9.3.3 Finite Impulse Response (FIR)-Filter . . . . . . . 495
9.3.4 Implementierung digitaler Filter . . . . . . . . . . 498
9.4 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 502

10 Elektronische Regler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 503


Joachim Kempkes
10.1 Steuerung und Regelung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 503
10.2 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 504
10.2.1 Aufbau des Regelkreises . . . . . . . . . . . . . . . 505
10.2.2 Regelstrecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 505
10.2.3 Offener und geschlossener Regelkreis . . . . . . . 512
10.2.4 Stabilität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514
10.3 Reglerentwurf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 515
10.3.1 Reglertypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 516
10.3.2 Kaskadenregelung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 519
10.3.3 Optimierung und Simulation . . . . . . . . . . . . 523
10.3.4 Empirische Einstellregeln . . . . . . . . . . . . . . 525
Inhaltsverzeichnis XV

10.4 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 527


10.5 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 527

11 Grundlagen der digitalen Schaltungstechnik . . . . . . . . . . 529


Jürgen Gutekunst
11.1 Zahlensysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 529
11.1.1 Duales Zahlensystem . . . . . . . . . . . . . . . . . 530
11.1.2 Hexadezimales Zahlensystem . . . . . . . . . . . . 531
11.1.3 BCD-Zahlensystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . 534
11.1.4 Erweiterungen des binären Zahlensystems . . . . 535
11.2 Kodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 539
11.2.1 Gray-Kode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 540
11.2.2 Fernschreibe-Kode . . . . . . . . . . . . . . . . . . 541
11.2.3 ASCII-Kode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 543
11.2.4 Redundante Kodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 546
11.2.5 Fehlererkennende Kodes . . . . . . . . . . . . . . . 546
11.2.6 Fehlerkorrigierende Kodes . . . . . . . . . . . . . . 548
11.3 Grundlagen der Boole’schen Algebra . . . . . . . . . . . . 551
11.3.1 Binäre Verknüpfungen . . . . . . . . . . . . . . . . 551
11.3.2 Gesetze von Boole und De Morgan . . . . . . . . 554
11.3.3 Entwicklung einer Schaltung
mit Hilfe der Boole’schen Algebra . . . . . . . . . 557
11.4 Minimierung nach Karnaugh-Veitch . . . . . . . . . . . . . 559
11.4.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 559
11.4.2 Karnaugh-Veitch-Diagramm
für drei Eingangsvariable . . . . . . . . . . . . . . 562
11.4.3 Karnaugh-Veitch-Diagramm
für vier Eingangsvariable . . . . . . . . . . . . . . 563
11.4.4 Karnaugh-Veitch-Diagramm
für fünf Eingangsvariable . . . . . . . . . . . . . . 564
11.4.5 Karnaugh-Veitch-Diagramm
für sechs und mehr Eingangsvariable . . . . . . . 566
11.4.6 Beispiele zur Karnaugh-Veitch-Minimierung . . 568
11.5 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570
11.6 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 573

12 Digitale Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 575


Jürgen Gutekunst
12.1 Logikfamilien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 576
12.1.1 TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 579
12.1.2 FAST . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 582
12.1.3 CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 583
12.1.4 High-Speed-CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 587
12.1.5 ECL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 591
12.1.6 Schaltzeichen und Gehäuseformen . . . . . . . . . 593
12.2 Flip Flops und Zähler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 595
12.2.1 Flip Flops . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 595
12.2.2 Zähler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 598
XVI Inhaltsverzeichnis

12.3 Speicherbauteile und Speicheraufbau . . . . . . . . . . . . 600


12.3.1 Flüchtige Speicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 601
12.3.2 Nicht flüchtige Speicher . . . . . . . . . . . . . . . 603
12.3.3 Sonderformen von Speicherbauteilen . . . . . . . 605
12.3.4 Aufbau großer Speichersysteme . . . . . . . . . . 607
12.4 Mikrorechner . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 608
12.4.1 Mikroprozessoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 610
12.4.2 Mikro Controller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 612
12.4.3 RISC-Computer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 614
12.4.4 Transputer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 615
12.5 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 616
12.6 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 617

13 Entwicklung digitaler Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . 619


Jürgen Gutekunst
13.1 Entwicklungsphasen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 619
13.2 Pulsfahrplan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625
13.3 Leitungen für digitale Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . 628
13.3.1 Bandbegrenzung digitaler Signale . . . . . . . . . 628
13.3.2 Reflexionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 630
13.4 Störfreier Entwurf digitaler Schaltungen
(Glitch-Free-Design) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 642
13.5 Phase Locked Loop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 645
13.5.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 645
13.5.2 Digitaler PLL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 648
13.5.3 Tiefpass 1. Ordnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . 655
13.6 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 656
13.7 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 658

14 ASIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 659
Jürgen Gutekunst
14.1 Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 661
14.1.1 Digitale ASIC-Familien . . . . . . . . . . . . . . . 661
14.1.2 Analoge ASIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 662
14.2 Programmierbare logische Bauteile (PLD) . . . . . . . . . 665
14.2.1 Aufbau des PAL (Programmable Array Logic) . 666
14.2.2 Realisierung einer Schaltung . . . . . . . . . . . . 671
14.2.3 Testen von PLD-Bauteilen . . . . . . . . . . . . . . 672
14.3 Digitale Gate-Arrays . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 675
14.3.1 Kanal-Gate-Array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 675
14.3.2 Kanallose Gate-Arrays (Sea of Gates) . . . . . . . 676
14.3.3 Programmierbare Gate-Arrays . . . . . . . . . . . 677
14.4 Standard-Zellen-ASIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 681
14.4.1 Aufbau der Standard-Zellen-ASIC . . . . . . . . . 683
14.4.2 Elektronenstrahl-Direkt-Schreibverfahren . . . . 684
14.4.3 Standardisierte Kundenschaltkreise
(Application Specific Standard Products, ASSP) 685
14.5 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 686
Inhaltsverzeichnis XVII

15 Schnittstellen, Bussysteme und Netze . . . . . . . . . . . . . . . 687


Jürgen Gutekunst
15.1 Grundbegriffe der Datenübertragung . . . . . . . . . . . . . 688
15.1.1 Verbindung, Betrieb und Übertragung . . . . . . . 688
15.1.2 Grundlagen zur seriellen Datenübertragung . . . 690
15.1.3 Grundlagen zur parallele Datenübertragung . . . 692
15.1.4 Topologien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 693
15.2 Parallele Schnittstellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 694
15.2.1 IEC-Bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 694
15.2.2 SCSI-Bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 696
15.3 Serielle Schnittstellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 699
15.3.1 TIA-232-F, V.24-Schnittstelle . . . . . . . . . . . . 699
15.3.2 I2 C -Schnittstelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 705
15.3.3 SPI-Schnittstelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 707
15.3.4 USB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 708
15.3.5 Bluetooth . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 710
15.3.6 IO-Link . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 712
15.4 Bussysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 716
15.4.1 Struktur und Arbitrierungsverfahren . . . . . . . . 716
15.4.2 Profibus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 718
15.4.3 CAN-Bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 720
15.5 Netze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 725
15.5.1 Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 725
15.5.2 Das OSI-Modell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 726
15.5.3 Zugriffsverfahren bei Netzen . . . . . . . . . . . . 730
15.6 Ethernet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 731
15.6.1 Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 733
15.6.2 Ethernet Hub und Ethernet Switch . . . . . . . . . 736
15.6.3 TCP=IP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 737
15.6.4 Echtzeit Ethernet-Protokolle . . . . . . . . . . . . 738
15.7 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 743
15.7.1 Organisationen im Web: . . . . . . . . . . . . . . . 744

16 Speicherprogrammierbare Steuerungen . . . . . . . . . . . . . 745


Rainer Hönle
16.1 Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 745
16.2 Aufbau und Funktionsweise einer SPS . . . . . . . . . . . 751
16.3 Befehle einer SPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 754
16.3.1 Basisfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 754
16.3.2 Digitalfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 764
16.3.3 Sprungoperationen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 772
16.3.4 Programmfluss-Steuerung . . . . . . . . . . . . . . 775
16.4 Programmierung einer SPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 776
16.5 Kleinsteuerungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 789
16.6 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 791
16.7 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 792
16.8 Marken und Warenzeichen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 792
XVIII Inhaltsverzeichnis

17 Spannungsversorgungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 793
Jürgen Gutekunst
17.1 Trafonetzgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 793
17.1.1 Potenzialtrennung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 794
17.1.2 Transformator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 794
17.1.3 Transformator-Netzteil . . . . . . . . . . . . . . . . 796
17.1.4 Gleichrichter-Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . 796
17.1.5 Lineare Regler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800
17.2 Spannungswandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 804
17.2.1 Prinzip der getakteten Stromversorgung . . . . . 805
17.2.2 Durchflusswandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . 807
17.2.3 Sperrwandler oder Inverswandler . . . . . . . . . 815
17.3 Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) . . . . . . 816
17.3.1 Aufbau der USV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 816
17.3.2 Störunterdrückung durch die USV . . . . . . . . . 819
17.4 Entstörtechnik und Netzfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . 820
17.4.1 Entstörkondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . 820
17.4.2 Netzfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 821
17.4.3 Dreiphasen Netzfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . 821
17.5 Zur Übung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 823
17.6 Weiterführende Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 823

18 Lösungen der Übungsaufgaben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 825


Ekbert Hering, Klaus Bressler, Rolf Martin, Jürgen Gutekunst
und Rainer Hönle
18.1 Grundlagen der Elektrotechnik . . . . . . . . . . . . . . . . 825
18.2 Passive Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 827
18.3 Aktive Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 827
18.4 Hochfrequenz (HF)-Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . 827
18.5 Bauelemente der Leistungselektronik . . . . . . . . . . . . 828
18.6 Optoelektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 828
18.7 Sensoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 829
18.8 Analoge integrierte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . 829
18.9 Digital-Analog- und Analog-Digital-Wandler . . . . . . . 830
18.10 Elektronische Regler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 830
18.11 Grundlagen der digitalen Schaltungstechnik . . . . . . . . 832
18.12 Digitale Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 836
18.13 Entwicklung digitaler Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . 836
18.14 ASIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 840
18.15 Schnittstellen, Bussysteme und Netze . . . . . . . . . . . . 840
18.16 Speicherprogrammierbare Steuerungen . . . . . . . . . . . 840
18.17 Spannungsversorgung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 842

Sachverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 843
Abkürzungsverzeichnis

ADC Analog-to-Digital Converter, AD-Wandler


ADEV Allan Standard Deviation, Stadardabweichung bei Quarzos-
zillatoren
ADLCP Advanced Data Link Control Protocol, Leitungsprotokoll als
bitorientiertes Übertragungsverfahren (ANSI)
ANSI American National Standard Institute, amerikanische Nor-
menstelle
APD Avalanche Photodiode, Fotolawinendiode
AQL Acceptance Quality Level, Herstellgrenzqualität
ASCII American Standard Code for Information Interchange, Ko-
dierungssystem für Zeichen
ASIC Application Specific Integrated Circuit, kundenspezifisches
Bauteil
ASSP Application Specific Standard Product, kundenspezifisches
Standard-Bauteil
ATMR Asynchronous Transfer Mode Ring, Doppelring
AT-Schnitt Bestimmter Schnittwinkel zum Quarzkristall
AWL Anweisungsliste in einer speicherprogrammierten Steuerung
(SPS)
BCD Binary Coded Decimal System; binär kodiertes Dezimalsys-
tem
BGA Ball-Grid-Array
BH-Schleife Zusammenhang der Induktion B und der Feldstärke H in ei-
nem magnetisch aktiven Material
BP Bandpass
BSC Binar Synchronous Control, Leitungsprotokoll als bitorien-
tiertes Übertragungsverfahren (IBM)
CA Collision Avoidance, kollosionsbehaftetes Kommunikati-
onsverfahren, das Kollisionen vermeidet
CAD Computer-Aided Design, rechnerunterstütze Konstruktion
CAE Computer Aided Engineering, rechnerunterstützte Inge-
nieurleistung
CAN Controller Area Network, bitserieller Bus zur Nachrichten-
übertragung
CAP Computer Aided Planning, rechnergestützte Planung von
Zeit, Kosten, Personal während der Produktentwicklung

XIX
XX Abkürzungsverzeichnis

CAQ Computer Aided Quality Assurance, rechnerunterstützte


Qualitätssicherung
CCD Charge-Coupled Device, ladungsgekoppeltes Bauelement
CCITT Comité Consultatif International Téléphonique et Télé-
graphique, internationaler beratender Ausschuss für den
Telegrafen- und Telefondienst
CENELEC Comité Européen de Normalisation Electrotechnique, euro-
päisches Normensystem für Elektrotechnik
CIM Computer Integrated Manufacturing, rechnerunterstützte
Produktion
CIP Common Industry Protocol, Zugriffsverfahren bei industri-
ellen Anwendungen
CISC Complex Instruction Set Computer, Rechner mit komplexem
Befehlinhalt
CLB Configurable Logic Block, konfigurierbarer Logikblock
CMMR Common Mode Rejection Ratio, Gleichtaktunterdrückung
CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, integrierte
Schaltung mit p-Kanal- und n-Kanal-Transistoren
CPU Central Processing Unit, Zentraleinheit eines Rechners
CRC Cyclic Redundancy Check, zyklischer Redundanz-Check
(Prüfsummenbildung)
CSMA/CA Carrier Sense Multiple Access/Collision Avoidance, Kom-
munikationsverfahren, das Daten überschreiben kann, ohne
die Daten anderer Kommunikationsteilnehmer zu zerstören
CVD Chemical Vapour Deposition, chemische Oberflächenbe-
schichtung
DAC Digital-to-Analog Converter, DA-Wandler
DDC Digital-to-Digital Converter, digitaler Umsetzer beim Delta-
Sigma DA-Wandler
DDS Direct Digital Synthesizer, direkte Frequenzerzeugung durch
Berechnung vieler Einzelwerte des Signalverlaufs
DECT Digital Enhanced Cordless Telecommunication, Standard
für schnurlose Telefone
DIAC Diode for Alternating Current, Triggerdiode für beide Halb-
wellen
DIL Dual-In-Line
DIN Deutsche Industrie-Norm
DMA Direct Memory Access, direkter Speicherzugriff
DO Diode Outline, Diodengehäuse mit axialen Anschlüssen
DOCXO Double Oven Controlled Crystal Oscillator, Quarzoszillator
in zwei Thermostaten ineinander
DP Dezentrale Peripherie
DTL Dioden-Transistor-Logik
ECL Emitter Coupled Logic
EDA Electronic Design Automation, computerunterstütztes
Leiterplatten-Layout
EEPLD Electrically Erasable Programable Logic Device, elektrisch
löschbarer, programmierbarer ASIC
Abkürzungsverzeichnis XXI

EEPROM Electrically Erasable Programable Read Only Memory, elek-


trisch löschbarer Datenspeicher
EMI Electro Magnetic Interference, deutsch: EMV
EMV Elektromagnetische Verträglichkeit, engl.: EMI
EN Europa-Norm
EPLD Erasable Programmable Logic Device, löschbarer, program-
mierbarer ASIC
EPROM Erasable Programmable Read Only Memory, löschbarer,
programmierbarer Nur-Lese-Speicher
ESD Electro Static Discharge, Entladung einer elektrostatischen
Aufladung
ESL Equvalent Series Inductor, äquivalente Serieninduktivität
ESR Equivalent Series Resistor, äquivalenter, ohmscher Serien-
widerstand in einem Kondensator
ETD Economic Transformer Design, wirtschaftliche Transforma-
tor-Konstruktion
FAST Fairchild Advance Schottky Transistor-Transistor-Logik
FDDI Fiber Distributed Data Interface,Token Ring mit Glasfaser
FET Feldeffekttransistor
FF Flip Flop, bistabile Kippstufe
FPAL Field-Programmable Array Logic, zweidimensional (matrix-
artig) programmierbares Bauteil
FPGA Field-Programmable Gate Array
FPGA Field Programmable Gate-Array, vom Anwender program-
mierbares Gate-Array
FR4 Leiterplattenmaterial glasfaserverstärktes Epoxy für erhöhte
Anforderungen
FSM Foreward Surge Maximum, größter Wert im Durchlassbe-
reich
FUP Funktionsplan in einer speicherprogrammierten Steuerung
(SPS)
GAL General Array Logic, programmierbares Bauteil über eine
ODER (OR)-Matrix
GAN Global Area Network, weltweites, interkontinentales Netz-
werk
GIPS Giga Instructions Per Second, eine Billion Befehle pro Se-
kunde
GPS Global Position System, Satellitensystem zur Ortsbestim-
mung
GTO Gate Off Thyristor, Abschalt-Thyristor
HBE High Byte Enable, Steuerbit zur Ausgabe des hochwertigen
Bytes
HCMOS High-Speed Complementary MOS, schnelle Digitalschal-
tungen
HCT High Speed Complementary HCMOS TTL-kompatibel
HDLC High Level Data Link Protocol, Leitungsprotokoll als bitori-
entiertes Übertragungsverfahren (ISO)
HF Hochfrequenz
XXII Abkürzungsverzeichnis

HFFXtal High Frequency Fundamental Crystal, Quarz, der mit sehr


hoher Grundfrequenz schwingt
HiRel High Reliability, hoch zuverlässige Bauteile, beispielsweise
für Satelliten
HP Hochpass
IC Integrated Circuit
IEC International Electrotechnical Commission, Internationales
Normungsgremium für Elektrotechnik
IF Intermediate Frequency, Zwischenfrequenz, meist nach dem
Mischen
IGBT Insulated-Gate Bipolar Transistor, Bipolarer Leistungstran-
sistor mit kleinem FET als Treiber
IGFET Insulated-Gate FET, FET mit hochwertiger Gateisolierung,
unabhängig von der Polarität
IP Internet Protocol, Adressierung und Identifikation eines Pro-
duktes in einem Netzwerk
JEDEC Joint Electron Device Engineering Control, JEDEC Solid
State Technology Association
JFET Junction FET, Sperrschicht FET, Gateisolierung über einen
gesperrten pn-Übergang
KOP Kontaktplan in einer speicherprogrammierten Steuerung
(SPS)
LAN Local Area Network, Netzwerk innerhalb eines Gebäudes,
eines Büros oder anderer Funktionsbereiche
LBE Low Byte Enable, Steuerbit zur Ausgabe des niederwertigen
Bytes
LCA Logic Cell Array, frei konfigurierbares, programmierbares
und löschbares Bauteil
LCD Liquid Crystal Display, Flüssigkristallanzeige
LC-Oszillator Oszillator mit einem Schwingkreis aus L und C als frequenz-
bestimmendes Element
LDAC Load DA Converter
LDO Low Dropout Regulator, Spannungsregler mit kleinem Span-
nungsabfall
LDR Light Dependent Resistor, Fotowiderstand, Fotoleiter
LED Light-Emitting Diode, Leuchtdiode, Lumineszenzdiode
LLC Logic Link Control, Strukturierung der Daten in der Siche-
rungsschicht des OSI-Modells
LNA Low Noise Amplifier, rauscharmer Verstärker
LNB Low Noise Block, rauscharmer Verstärker mit weiteren
Schaltungsteilen
LO Local Oscillator, lokaler Oszillator, meistens zum Mischen
LSB Least Significant Bit, niederwertigstes Bit in einem Daten-
wort
LSI Large Scale Integration, große Integrationsdichte von digita-
len Bauelementen
LSTTL Low Power Schottky Transistor-Transistor-Logik
LVDS Low-Voltage Differential Signalling
Abkürzungsverzeichnis XXIII

LVHCMOS Low-Voltage High-Speed Complementary MOS, kleine Pe-


gel, hohe Taktrate
LVPECL Low-Voltage Positive Referenced Emitter Coupled Logic
LWL Lichtwellenleiter
MAC Medium Access Control, Zugriff auf das Übertragungsmedi-
um in der Sicherungsschicht des OSI-Modells
mho SI-fremde, in den USA gebräuchliche Maßeinheit des Leit-
werts, SI-Einheit: Siemens (S)
MIPS Million Instructions Per Second, eine Million Befehle pro
Sekunde
MOS Metal Oxide Semiconductor
MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor, Feldef-
fekttransistor mit isolierter Steuerelektrode (Gate)
MSB Most Significant Bit, höchstwertiges Bit in einem Datenwort
MSI Medium Scale Integration, mittlere Integrationsdichte von
digitalen Bauelementen
MTBF Mean Time Between Failure, mittlere Ausfallzeit (Ausfall-
rate)
NCDT Non Contacting Displacement Transducer, berührungsloser
Abstandsmesser
NEP Noise-Equivalent Power, rauschäquivalente Leistung
NF Niederfrequenz, engl.: AF, Audio frequency
NF Noise Figure, Rauschfaktor in dB
npn Schichtaufbau eines bipolaren Transistors (negativ-positiv-
negativ)
NTC Negative Temperature Coefficient, Widerstand mit negati-
vem Temperaturkoeffizienten K
OCXO Oven-Controlled Crystal Oscillator, Quarzoszillator im
Thermostat
OLED Organic Light-Emitting Diode, organische Lichtdiode
OMB Oberflächen Montiertes Bauelement
OPV Operationsverstärker
OSI Open Systems Interconnection Reference Model, Modell mit
7 Schichten zur Übertragung von Informationen
OSR Oversampling Ratio, Überabtastrate bezogen auf den Min-
destwert des Abtasttheorems
OUI Organizationally Unique Identifier, Herstellerkennung
PAL Programmable Array Logic, programmierbares Bauteil über
eine UND (AND)-Matrix
PC Personal Computer
PCB Printed Circuit Board, gedruckte Leiterplatte
PECL Positive Referenced Emitter Coupled Logic
PGA Pin Grid Array
pin positive-intrinsic-negative, Schichtaufbau einer Diode
PLCC Plastic Leaded Chip Career
PLD Programmable Logic Device, programmierbares Bauteil
PLL Phase-Locked Loop, phasenstarr gekoppelter Regelkreis
PM Pot Module, topfförmiger Mantelkern für Ferrite
XXIV Abkürzungsverzeichnis

pnp Schichtaufbau eines bipolaren Transistors


ppb Parts per Billion, 1 aus 109
ppm Parts per Million, 1 aus 106
PROM Programmable Read-Only Memory
PTAT Proportional to Absolute Temperature, Mess-Spannung, die
der absoluten Temperatur streng proportional ist
PTC Positive Temperature Coefficient, Widerstand mit positivem
Temperaturkoeffizienten
PTH Plated Through Hole, Durchkontaktierung von Leiterplatten
PVD Physical Vapour Deposition, physikalische Oberflächenbe-
schichtung
PWM Pulse Width Modulation, Pulsbreiten-Modulation
QPSX/DQDB Queue Packed Synchronous Exchande/Distributed Queue
Dual Bus, Doppelbus nach ISO 880216
RAM Random Access Memory, Speicher mit wahlfreiem Zugriff
RF Radio Frequency, Hochfrequenz
RFI Radio Frequency Interference, Störstrahlung im Hochfre-
quenz-Bereich
RISC Reduced Instruction Set Computer, Rechner mit reduziertem
Befehlinhalt
RL Return Loss, Rückflussdämpfung, Hochfrequenz
RM Rectangular Module, rechteckiger Mantelkern für Ferrite
RMS Root Mean Square, quadratischer Mittelwert, hier Effektiv-
wert
ROHS Row Of Hazardous Substances, Liste gefährlicher Stoffe, in
der EU seit 2006 verboten. ROHS konform heißt, das Bauteil
enthält keine gefährlichen Stoffe
ROM Read Only Memory, nur lesbarer Speicher
RRM Repetetive Reverse Maximum, größter regelmäßig zulässi-
ger Wert im Sperrbereich
RTL Resistor-Transistor-Logik
S/N Signal-to-Noise Ratio, Signal-Rausch-Verhältnis
SCH Sample and Hold, Abtast- und Halteschaltung
SAP Service Access Point, definierte Schnittstellen zur Daten-
übergabe
SAR Successive Approximation Register, mittelschnelles AD-
Wandler Verfahren
SC-Schnitt Stress Compensated (Quarz Schnitt), bestimmter Schnitt-
winkel zur Kristallausrichtung
SDLC Synchronous Data Link Control, Leitungsprotokoll als bit-
orientiertes Übertragungsverfahren (IBM)
SI Système International d´Unités, internationales Einheiten-
system
SIM Single Inline Module, hybride Speicher
SMD Surface-Mounted Device, Oberflächen montiertes Bauele-
ment, OMB
SMT Surface Mounted Technology, Technologie zur Oberflächen-
montage von Bauteilen
Abkürzungsverzeichnis XXV

SNR Signal-to-Noise Ratio, Signal-Rausch-Verhältnis


SO8 Small Outline, 8 Anschlüsse, Bezeichnung für Halbleiterge-
häuse
SOAR Safe Operating Area, sicherer Arbeitsbereich eines Transis-
tors
SOD Small Outline Diode, Diodengehäuse zur Oberflächen-
Montage
SOT Small Outline Transistor, Transistorgehäuse zur Oberflächen-
Montage
S-Parameter Scattering Parameter, Streuparameter in der Hochfrequenz
SPI Serial Peripheral Interface, schnelle serielle Datenschnitt-
stelle
SPS Speicher Progammierbare Steuerung
SR Slew Rate, größte Änderungsgeschwindigkeit einer Span-
nung in V/s
SRAM Static Random Access Memory, statischer, wahlfreier Spei-
cher
SRC Silicon Controlled Rectifier, Thyristor
SSB Single Side Band, Einseitenband (-modulation)
SSI Small Scale Integration, geringe Integrationsdichte von digi-
talen Bauelementen
STTL Schottky Transistor-Transistor-Logik
TCP/IP Transmission Control Protocol/Internet Protocol, Standard-
protokoll für die Ethernetkommunikation
TCXO Temperature Compensated Crystal Oscillator, temperatur-
kompensierter Quarzoszillator
THT Through Hole Technology, Durchstecktechnik für bedrahte-
te Bauelemente
TIA Telecommunication Industry Association, amerikanisches
Norminstitution des Telekommunikationsverbandes
TK Temperatur-Koeffizient
TO Transistor single Outline, Gehäuse für Leistungstransistoren
und Dioden
TO220 Transistorgehäuse mit Kühlfläche und drei Anschlüssen,
Kunststoffumhüllung, sehr verbreitet
TP Tiefpass
TTL Transistor-Transistor-Logik
UART Universal Asychronous Receiver Tranmitter, Profibusproto-
koll für serielle Schnittstellen
UMTS Universal Mobile Telecommunications System, Mobilfunk
mit hoher Datenübertragungsrate
USV Unterbrechungsfreie Strom-Versorgung
VBD Vorzeichen-Betrags-Darstellung
VCO Voltage Controlled Oscillator, spannungsgesteuerter Oszilla-
tor
VCSEL Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser
VCXO Voltage-Controlled Crystal Oscillator, spannungsgesteuerter
Quarzoszillator
XXVI Abkürzungsverzeichnis

VDE Verband Deutscher Elektrotechniker


VDI Verein Deutscher Ingenieure
VDR Voltage Dependent Resistor, spannungsabhängiger Wider-
stand, nichtlinear
VKE Verknüpfungsergebnis in einer speicherprogrammierten
Steuerung (SPS)
VLSI Very Large Scale Integration, sehr große Integrationsdichte
von digitalen Bauelementen
VSWR Voltage Standing Wave Ratio, Stehwellenverhältnis
WAN Wide Area Network, landesweites oder gebietsweites Netz-
werk
XO Crystal Oscillator, Oszillator mit einem Schwingquarz als
frequenzbestimmendes Element
Z-Diode Zenerdiode
Grundlagen der Elektrotechnik
1
Ekbert Hering und Rolf Martin

Dieser Abschnitt enthält die elektrotechnischen Für die Schreibweise von Formelzeichen in
Grundlagen für die nachfolgenden Abschnitte. diesem Buch gelten folgende Vereinbarungen:
Zunächst sind die physikalischen Größen, ihre  Vektoren sind fett gedruckt,
Formelzeichen und Einheiten zusammengestellt, z. B. E: Elektrische Feldstärke.
die Grundbegriffe erläutert sowie deren Rich-  Komplexe Größen sind unterstrichen,
tungssinn (Pfeilung) festgelegt. Im Anschluss z. B. Z: Komplexer Widerstand.
daran werden die Kirchhoff’schen Gesetze in ei- Augenblickswerte sind klein geschrieben,
nem Stromkreis hergeleitet und Netzwerke mit z. B. i: Augenblickswert eines Wechselstroms.
der Maschen- und Knotenanalyse untersucht so- Alle anderen Größen sind groß geschrieben. Des-
halb gilt insbesondere:
wie grafische Verfahren zur Ermittlung der Werte
für Spannung und Strom bei nichtlinearen Kenn-  Wechselgrößen und Gleichgrößen sind groß
linien vorgestellt. Der nächste Abschnitt erläu- geschrieben,
tert die Grundlagen der Wechselstromlehre; es z. B. U: Gleichspannung bzw. Effektivwert ei-
folgt eine Zusammenstellung der Messgeräte zur ner Wechselspannung.
 Amplituden oder Scheitelwerte sind mit dem
elektrischen Messung elektrischer und nichtelek-
trischer Größen. Schließlich werden die Grund- Zeichen O versehen,
lagen der Halbleiterphysik wiedergegeben und z. B. û: Scheitelwert einer sinusförmigen
Hinweise zur Herstellung von Halbleiterbauele- Wechselspannung.
menten gegeben.  arithmetische Mittelwerte haben einen waag-
rechten Strich über dem Zeichen,
z. B. Ī, Ū: arithmetischer Mittelwert des
1.1 Physikalische Größen Stroms oder der Spannung.
und Einheiten Dezimale Vielfache oder Teile davon sind durch
die in Tab. 1.2 zusammengestellten Vorsätze ge-
Die wichtigsten physikalischen Größen, ihre kennzeichnet.
Symbole und ihre Einheiten sind in Tab. 1.1 in
alphabetischer Reihenfolge zusammengestellt.
1.2 Grundbegriffe

1.2.1 Ladung
E. Hering ()
E-Mail: ekbert.hering@hs-aalen.de Die grundlegende Eigenschaft, auf der alle Ge-
R. Martin setze und technischen Anwendungen der Elek-
E-Mail: rolf.martin@hs-esslingen.de trotechnik beruhen, ist das Vorhandensein einer
© Springer-Verlag GmbH Deutschland 2017 1
E. Hering, K. Bressler, J. Gutekunst (Hrsg.), Elektronik für Ingenieure und Naturwissenschaftler,
DOI 10.1007/978-3-662-54214-9_1
2 E. Hering und R. Martin

Tab. 1.1 Physikalische Größen und Einheiten in der Elektrotechnik


Symbol physikalische Größe Einheit
A Fläche m2
B Magnetische Flussdichte, Induktion T D Wb=m2 D Vs=m2
B Blindleitwert B D X=.R2 C X 2 / S
c0 Vakuumlichtgeschwindigkeit c0 D 2;9979  108 m=s; c02 D 1=0 "0 m=s
C Elektrische Kapazität F D A s=V
D Elektrische Flussdichte (elektrische Verschiebungsdichte) D D "E C=m2
e Elementarladung e D 1;60217733  1019 C C
E Elektrische Feldstärke E D F=Q (Q: Probeladung) V=m D N=C
f Frequenz f D 1=T Hz
F Kraft N
G Wirkleitwert G D R=.R2 C X 2 / S D 1=
h Planck’sches Wirkungsquantum h D 6;6260755  1034 J s Js
H Magnetische Feldstärke H D B= A=m D N=Wb
i Elektrische Stromstärke i D dQ=dt A
R
S Stromdichte S D E D E=; IA D S dA A=m2
A
J Magnetische Polarisation J D B  0 H T D Wb=m2 D V s=m2
L Induktivität H D Wb=A D V s=A
P Leistung W D V A D J=s
Q Elektrische Ladung C D As
R Ohm’scher Widerstand R D U=I 
r Differenzieller Widerstand r D U=I 
t Zeit s
T Periodendauer T D 1=f s
T Temperatur K
R2
U Elektrische Spannung U12 D E ds V
1
v Geschwindigkeit m=s
W Arbeit, Energie J D VAs D Ws
X Blindwiderstand (Reaktanz) X D ImfZg 
p
Y Scheinleitwert Y D G 2 C B 2 1/
Y Komplexer Leitwert (Admittanz) Y D G C j B S
p
Z Scheinwiderstand Z D R2 C X 2 
Z Komplexer Widerstand (Impedanz) Z D R C j X 
ı
ı Verlustwinkel
" Permittivität " D "0 "r F=m D C=.V m/
"0 Elektrische Feldkonstante "0 D 8;854  1012 .A s/=.Vm/ (A s)=(V m)
"r Permittivitätszahl "r D "="0
 Wirkungsgrad
ı
# Temperatur C
 Permeabilität  D 0 r H=m
0 Magnetische Feldkonstante 0 D 1;257  106 H=m H=m D Vs=.Am/
r Permeabilitätszahl
 Spezifischer elektrischer Widerstand  mm2 =m oder  m
 Elektrische Leitfähigkeit  D 1= 1=. m/ D S=m
˚ Magnetischer Fluss Wb D V s
ı
' Phasenverschiebungswinkel
' Potenzial im Punkt P V
! Kreisfrequenz ! D 2 f 1=s
1 Grundlagen der Elektrotechnik 3

Tab. 1.2 Bezeichnung der dezimalen Vielfachen und Tei- I Gebunden an Materie Die Ladung ist nicht
le von Maßeinheiten für sich allein vorhanden, sondern an Materie ge-
Zehnerpotenz Vorsilbe Kurzzeichen Beispiel bunden. Die Materie setzt sich – vereinfachend
1018 Exa E EV formuliert – aus einzelnen Atomen zusammen,
1015 Peta P PV die aus einem Atomkern und einer Elektronen-
1012 Tera T TV hülle bestehen. Im Atomkern (Durchmesser etwa
109 Giga G GHz
1014 m) befinden sich Protonen (Träger der po-
106 Mega M M
sitiven Elementarladung) sowie Neutronen (keine
103 Kilo k k
102 Hekto h hl
Ladung) und in der Atomhülle (Durchmesser von
101 Deka da daA 1010 m) kreisen die Elektronen (Träger der ne-
101 Dezi d dB gativen Elementarladung). Die Massen der Elek-
102 Zenti c cm tronen sind etwa 1840-mal kleiner als die der
103 Milli m mA Protonen oder Neutronen.
106 Mikro  µA
109 Nano n nA
Ein Atom ist normalerweise nach außen hin
1012 Piko p pF
elektrisch neutral, d. h., es besitzt gleich viele po-
1015 Femto f fF
sitive Ladungen (Protonen) wie negative (Elek-
1018 Atto a am
tronen). Ein elektrisch geladenes Atom oder ein
Atomverbund wird Ion genannt. Ein positives Ion
wird Kation (z. B. Fehlen eines Elektrons), ein
elektrischen Ladung Q, die in der Einheit Cou- negatives wird Anion genannt (z. B. Anlagerung
lomb (C) oder Amperesekunden (As) gemessen eines Elektrons).
wird. Sie hat folgende wichtige Eigenschaften: Eine besondere Atombindung ist die metalli-
sche Bindung. In Metallen sind die Elektronen
sehr leicht verschiebbar. Deshalb fließen hier ne-
I Elementarladung e Die Ladung Q ist quan-
gative Ladungen. Die Eigenschaften von Halblei-
tisiert, d. h., es gibt eine kleinste elektrische La-
tern werden in Abschn. 1.8 erläutert.
dungseinheit, die Elementarladung e. Sie ist eine
Naturkonstante und hat den Wert

e D 1;6021765651019 As : (1.1) 1.2.2 Elektrischer Strom

Dies bedeutet, dass jede elektrische Ladung Durch die Bewegung von Ladungsträgern ent-
ein Vielfaches der Elementarladung ist. Die La- steht ein Strom I , der in Ampere (A) gemessen
dungseinheit von 1 C entspricht deshalb etwa wird. Das Ampere gehört zu den sieben Basis-
6;24  1018 Elektronen (negative Ladungsträger). größen der Physik und ist folgendermaßen fest-
gelegt:
Eine Stromstärke I ist 1 Ampere, wenn die
I Positive und negative Ladungen Ladungen durch zwei im Abstand von 1 Meter befindli-
können entweder positiv (C) oder negativ () chen geradlinigen, parallelen Leiter (Durchmes-
sein. Da gleichnamige Ladungen (C und C ser null) fließende Stromstärke je Meter Leiter-
bzw.  und ) sich abstoßen und ungleichnamige länge die Kraft 2  107 Newton hervorruft.
(C und  bzw.  und C) sich anziehen, können Tabelle 1.3 zeigt die sieben Basisgrößen der
Kräfte zwischen Ladungen und somit Bewegung Physik.
von Ladungsträgern erklärt werden. Ferner ist der Da der elektrische Strom I die Ladungsmenge
Zustand der Ladungsneutralität definiert; denn er dQ beschreibt, die im Zeitintervall dt fließt, gilt
liegt vor, wenn gleich viele positive wie negative
Ladungsträger vorhanden sind. I D dQ=dt : (1.2)
4 E. Hering und R. Martin

Tab. 1.3 Basisgrößen, Basiseinheiten und Definitionen im SI-Maßsystem


Basisgröße Basiseinheit Symbol Definition Relative
Unsicher-
heit
Zeit Sekunde s 1 Sekunde ist das 9.192.631.770-fache der Periodendauer der 1014
dem Übergang zwischen den beiden Hyperfeinstrukturniveaus
des Grundzustands von Atomen des Nuklids 133 Cs entspre-
chenden Strahlung.
Länge Meter m 1 Meter ist die Länge der Strecke, die Licht im Vakuum wäh- 1014
rend der Dauer von 1/299.792.458 Sekunden durchläuft.
Masse Kilogramm kg 1 Kilogramm ist die Masse des internationalen Kilogrammpro- 109
totyps.
elektrische Ampere A 1 Ampere ist die Stärke eines zeitlich unveränderlichen 106
Stromstärke Stroms, der, durch zwei im Vakuum parallel im Abstand von
1 Meter voneinander angeordnete, geradlinige, unendlich
lange Leiter von vernachlässigbar kleinem kreisförmigem
Querschnitt fließend, zwischen diesen Leitern je 1 Meter Lei-
terlänge die Kraft 2  107 Newton hervorruft.
Temperatur Kelvin K 1 Kelvin ist der 273,16te Teil der thermodynamischen Tempe- 106
ratur des Tripelpunktes des Wassers.
Lichtstärke Candela cd 1 Candela ist die Lichtstärke in einer bestimmten Richtung 5  103
einer Strahlungsquelle, die monochromatische Strahlung der
Frequenz 540 THz aussendet und deren Strahlstärke in dieser
Richtung 1=683 W/sr beträgt.
Stoffmenge Mol mol 1 Mol ist die Stoffmenge eines Systems, das aus ebenso viel 106
Einzelteilchen besteht, wie Atome in 12=1000 Kilogramm des
Kohlenstoffnuklids 12 C enthalten sind.

Aus dieser Gleichung kann für zeitabhängige 1.2.3 Elektrische Spannung


Ströme I.t/ die zwischen den Zeiten t1 und t2 ge-
flossene Ladungsmenge berechnet werden: Die elektrische Spannung U ist die Ursache
des Ladungstransports, d. h. des Stromflusses. Da
Zt2 aber Ladungen nur fließen werden, wenn unter-
Q D I.t/dt : (1.3) schiedlich viele positive und negative Ladungs-
t1 träger vorhanden sind, müssen diese im neutralen
Zustand getrennt werden. Deshalb ist die Span-
Ist der Strom zeitlich konstant, dann fließen pro nung U ein Maß für die Ladungstrennungsar-
Zeit immer gleich viele Ladungsträger, und die beit W je Ladung Q, und es gilt:
obigen Gleichungen vereinfachen sich zu
U D W=Q : (1.7)

I D Q=t (1.4) Die Spannung hat die Einheit Volt (V).


Da aber die elektrische Spannung U die Ursa-
und che für die Kraft F ist, die im elektrischen Feld
QDIt: (1.5) der Feldstärke E wirkt, gilt auch
Z2
Wird die abgeflossene Ladung dQ pro Zeit dt
U12 D E ds : (1.8)
und Fläche A bestimmt, so errechnet sich die
Stromdichte S zu 1

Damit ist die Spannung U12 zwischen den Punk-


S D I =A : (1.6) ten 1 und 2 definiert als das Linienintegral über
1 Grundlagen der Elektrotechnik 5

Abb. 1.1 Zusammenhang zwischen Potenzial und Span-


nung Abb. 1.2 Pfeile und Vorzeichen für Strom und Spannung

die elektrische Feldstärke E entlang des Wegele- Da die positiven Ladungen von Orten höhe-
mentes ds. ren Potenzials zu solchen niedrigeren Potenzials
Die elektrische Feldstärke E ist ihrerseits be- fließen, ist die Spannung positiv, wenn ' größer
2
stimmt durch die Kraft F, die auf eine Probela- als ' ist.
1
dung Q einwirkt: In der Zusammenfassung dieser Herleitungen
bedeutet dies: Sind positive und negative La-
E D F =Q : (1.9) dungen getrennt worden (die dazu notwendige
Energie W pro Ladung ist die zugehörige Span-
Wird Gl. 1.9 in Gl. 1.8 eingesetzt, so ergibt sich nung U ), dann gibt es einen positiven Pol (positi-
ver Ladungsüberschuss) und einen negativen Pol
Z2 (negativer Ladungsüberschuss). Zwischen diesen
U12 D .F ds/=Q : Polen herrscht eine Spannung U . Werden diese
Pole miteinander verbunden, so findet ein La-
1
dungstransport und damit ein Stromfluss statt.
Die Ladungsunterschiede gleichen sich aus. Für
Da der Ausdruck Fds der Arbeit dW entspricht,
die Richtung des Stromflusses wurde festgelegt:
die für die Ladungstrennung aufgewandt werden
Der Strom fließt beim Verbraucher vom
muss, ergibt sich dU12 D dW=Q.
Plus- zum Minus-Pol, bei Spannungsquellen vom
Abbildung 1.1 zeigt die elektrischen Feldlini-
Minus- zum Plus-Pol.
en zwischen zwei Polen (gestrichelte Linien) und
Abbildung 1.2 zeigt die Pfeile und die Vor-
die zugehörigen Äquipotenziallinien (durchgezo-
zeichenregelung für den Strom und die Span-
gene Linien). Es ist zu sehen, dass die Spannung
nung.
zwischen dem Punkt P1 und O das Potenzial '1
des Punktes P1 ist und die Spannung zwischen P2
und O das Potenzial '2 des Punktes P2 , so dass
die Spannung U12 zwischen den Punkten P1 und 1.2.4 Widerstand und Leitwert
P2 als Potenzialdifferenz zwischen diesen beiden
Punkten interpretiert werden kann, und es gilt: Der elektrische Widerstand R ist ein Maß für
die Hemmung des Ladungstransports (z. B. durch
U12 D ' D '1  '2 : (1.10) Fehler im Kristallaufbau oder durch Wärmebe-
6 E. Hering und R. Martin

wegung der Atomgitter) und ist folgendermaßen temperaturabhängig. Beim metallischen Leiter
definiert: gelten näherungsweise folgende Beziehungen:
Der elektrische Widerstand R beträgt 1 Ohm,
wenn zwischen zwei Punkten eines Leiters bei ei- R.#/  R20 .1 C ˛.#  20 ı C// ;
(1.15)
ner Spannung von 1 Volt ein Strom von genau .#/  20 .1 C ˛.#  20 ı C// :
1 Ampere fließt.
Die Einheit ist 1 V=A D 1  (G. S. O HM, R20 bzw. 20 ist der Widerstand bzw. der spe-
1789 bis 1854). Durch den von K. V. K LITZING zifische elektrische Widerstand bei # D 20 ı C,
wobei # die Temperatur in ı C und ˛ der Tem-
(geb. 1943) entdeckten Quanten-Hall-Effekt lässt
peraturkoeffizient des spezifischen elektrischen
sich das Ohm unabhängig von der Geometrie
Widerstandes (bei 20 ı C) ist.
und den Werkstoffeigenschaften allein durch Na-
Der Temperaturkoeffizient ˛ gibt an, welche
turkonstanten bestimmen (Genauigkeit 108 ).
relative Widerstandsänderung R=R der Leiter
Es gilt nämlich h=e 2 D 25:812;8 . (h ist das
bei einer Änderung um T D 1 K erfährt:
Planck’sche Wirkungsquantum h D 6;62606957
1034 J s, und e ist die Elementarladung e D R 
1;602176565 As. Der Kehrwert des elektrischen ˛D D : (1.16)
R T  T
Widerstandes R ist der Leitwert G:
Tabelle 1.4 gibt den spezifischen elektrischen Wi-
G D 1=R : (1.11) derstand , die elektrische Leitfähigkeit  und
den Temperaturkoeffizienten ˛ ausgewählter Lei-
Die Einheit ist Siemens S (1 ) oder im eng- terwerkstoffe an.
lischsprachigen Raum mho (Ohm „rückwärts“).
Die in Datenblättern zu findende Einheit mmho I Hinweis: Nichtmetallische Werkstoffe und
bedeutet daher mS oder 103 S. Flüssigkeiten besitzen andere Temperaturab-
Der elektrische Widerstand R eines metalli- hängigkeiten der spezifischen elektrischen
schen Leiters der Länge l und dem Querschnitt A Widerstände (Abschn. 2.2).
ist
l
RD : (1.12)
A 1.2.5 Elektrische Arbeit
Die Proportionalitätskonstante  ist der spezifi- und elektrische Leistung
sche elektrische Widerstand , für den gilt:
Um eine Ladung Q von einem Punkt P1 zu ei-
RA nem Punkt P2 zu bewegen, zwischen denen die
D : (1.13)
l Spannung U liegt, ist eine elektrische Arbeit W
erforderlich. Sie beträgt
Die gebräuchlichste Einheit ist ( mm2 =m), die
den spezifischen elektrischen Widerstand eines W D QU : (1.17)
Leiters mit 1 mm2 Querschnitt und 1 m Länge an-
gibt. Ist der Strom I.t/ und die Spannung U.t/ von der
Der Kehrwert des spezifischen elektrischen Zeit abhängig,Rso gilt unter Berücksichtigung der
Widerstandes ist die elektrische Leitfähigkeit : Gl. 1.4: Q D I.t/dt und damit für die elektri-
sche Arbeit W :
1 l
D D : (1.14) Zt2
 RA W D u.t/ i.t/ dt : (1.18)
Die Einheit ist .Sm/=mm2 . t1

Elektrischer Widerstand und spezifischer elek- Für den Spezialfall des Gleichstroms ergibt sich
trischer Widerstand (und damit auch der Leit-
wert und die elektrische Leitfähigkeit) sind W DUIt: (1.19)
1 Grundlagen der Elektrotechnik 7

Tab. 1.4 Spezifischer Werkstoff Spezifischer elektri- Spezifische elektri- Temperatur-


elektrischer Widerstand, scher Widerstand  sche Leitfähigkeit in koeffizient ˛ in
elektrische Leitfähigkeit in 102 ( mm2 )=m (Sm)=mm2 104 K1
und Temperaturkoeffizient Aluminium 2,65 37,7 42,9
ausgewählter Leiterwerk-
AlMgSi 3 32 36
stoffe (bei 0 ı C)
Al-Bronze 13 8 32
.Cu90 Al10 /
Blei 19 5,3 42
Bronze 18 5,6 5
CrAl 205 137 0,7 0,5
(Heizleiterlegierung)
CrAl 305 144 0,7 0,1
(Heizleiterlegierung)
Dynamoblech 13 8 45
Eisen 8,9 11,2 65
Gold 2,04 49 40
Graphit 800 0,13 –2
Grauguss 80 1,2 19
Indium 8,4 11,9 49
Iridium 5,3 18 39
Konstantan 50 29 0,1
Kupfer 1,56 64,1 43
Magnesium 4,6 22 38
Manganin 43 2,3 0,1
Messing 7 14,3 13
Monel 42 2,8 2
Neusilber 30 3,3 32
Ni60 Cr15 Fe 110 1 1,3
Nickel 6,84 14,6 68
Nickelin 43 2,32
Palladium 10 10 38
Platin 10 10,2 39,2
Platin-Iridium 32 3,1
Platin-Rhodium 20 5
Quecksilber 95 1 1
Silber 1,51 66,2 41
Stahl 13 7 45
(0,1 % C; 0,5 % Mn)
Stahl 18 5,5 45
(0,25 % C; 0,3 % Si)
Tantal 16 6,2 35
Wismut 120 0,8 45
Wolfram 4,9 20,4 48
Zink 5,5 18,2 42
Zinn 10,4 9,6 46
8 E. Hering und R. Martin

Die Einheit ist V A s oder W s. In der Praxis


wird häufig mit der Einheit kW h gerechnet. Es
gilt

1 kW h D 3;6  106 W s
.1 kW h D 860 kcal I 1 W s D 0; 239 cal/ :

Da als Leistung P die Arbeit pro Zeit definiert


wird, gilt:
dW Abb. 1.3 U –I -Kennlinien linearer ohmscher Widerstän-
P .t/ D : (1.20) de R als Steigung der Geraden U D R I
dt
Daraus lässt sich auch die Energie nach folgender
Gleichung berechnen:

Zt2
W D P .t/ dt : (1.21)
t1

Für einen zeitlich konstanten Strom (Gleich-


strom) ergibt sich mit Gl. 1.20

P D W=t D U I : (1.22)

Die Leistung P wird in 1 W D 1 J=s gemessen.


In vielen technischen Anwendungen wird
elektrische Energie in andere Energieformen
(z. B. Wärme) verwandelt. Das Verhältnis von
Nutzen in Form von abgegebener Leistung Pab
(bzw. Arbeit Wab ) zum Aufwand in Form von zu- Abb. 1.4 Nichtlineare U –I -Kennlinien
geführter Leistung Pzu (bzw. Arbeit Wzu ) ist der
Wirkungsgrad :

Pab Wab Kreuzen wird der Widerstand R errechnet, z. B.


D D : (1.23) 25  D 200 V=8 A).
Pzu Wzu
Viele elektronische Bauelemente zeigen einen
nichtlinearen Zusammenhang zwischen Strom I
1.2.6 Ohm’sches Gesetz und Spannung U . Typische Beispiele sind in
Abb. 1.4 zusammengestellt (Abschn. 2 und Ab-
In einem metallischen Leiter nimmt der Strom I schn. 3).
proportional der angelegten Spannung U zu, so Das Ohm’sche Gesetz U D R I stellt als
dass das Ohm’sche Gesetz gilt: Kennlinie eine Gerade dar, wobei der Widerstand
die konstante Steigung ist (Abb. 1.3). Sind die
U D R I D I =G : (1.24) Kennlinien, wie Abb. 1.4 zeigt, keine Geraden,
so ist auch der Widerstand nicht konstant.
Wie Abb. 1.3 zeigt, ist die U–I-Kennlinie des In diesen Fällen wird der differenzielle Wi-
Ohm’schen Gesetzes (bei konstanter Tempera- derstand r D U=I bestimmt, der für jeden
tur) eine Gerade, deren Steigung der elektrische Punkt der Kennlinie unterschiedlich sein kann
Widerstand ist (an den eingezeichneten roten (Abb. 1.5).
1 Grundlagen der Elektrotechnik 9

1.3 Elektrische Netze – Kirchhoff’sche


Regeln

Werden verschiedene elektrische Bauteile, bei-


spielsweise Spannungsquellen und Widerstände
netzförmig miteinander verbunden, dann entsteht
ein elektrisches Netz, wie Abb. 1.7 zeigt.
Dieses Netzwerk ist aus Knoten und Maschen
aufgebaut. Ein Knoten ist ein Punkt, von dem
aus sich die Ströme I verzweigen, und eine Ma-
Abb. 1.5 Nichtlineare Kennlinie und differenzieller Wi- sche beschreibt einen möglichen geschlossenen
derstand
Umlauf innerhalb des Netzwerkes. Die Kirch-
hoff’schen Regeln (G. K IRCHHOFF, 1824 bis
1887) beschreiben das Verhalten in den Knoten
1.2.7 Richtungssinn (Knotenregel) und in den Maschen (Maschen-
regel).
Die Regeln für die Vorzeichen und Richtun-
gen des elektrischen Stroms I und der elektri-
schen Spannung U sind Übereinkünfte und in 1.3.1 Knotenregel
DIN EN 60375 (Richtungssinn und Vorzeichen (1. Kirchhoff’sches Gesetz)
in der Elektrotechnik) genormt. Bereits in Ab-
schn. 1.2.3 wurde in Abb. 1.2 gezeigt, dass in Da in einem Stromknoten keine Ladung entste-
positiver Richtung die positiven Ladungsträger hen oder verschwinden kann (Gesetz der La-
laufen (vom Plus- zum Minus-Pol). Der Bezugs- dungserhaltung), müssen alle einem Stromkno-
pfeil für den Strom I wird in die Stromleitung ten zugeführten Ladungen (C) gleich den abflie-
gezeichnet. Das bedeutet für den Strompfeil, dass ßenden Ladungen (–) sein. Dies bedeutet für die
bei positivem Strom I der Minuspol an die Pfeil- Ströme in einem Knoten:
spitze anzulegen ist (Abb. 1.2). Alle Gesetze Die vorzeichenbehaftete Summe aller Ströme
für die passiven Zweipole (z. B. das Ohm’sche eines Stromknotens ist null:
Gesetz) gelten nur, wenn die Spannung U und X m
der Strom I die gleiche Richtung aufweisen; im Ii D 0 : (1.25)
anderen Fall muss das entsprechende negative i D1
Vorzeichen berücksichtigt werden. Bei Indizie- Hierbei werden die dem Knoten zufließenden
rung wird dringend empfohlen, dass der Pfeil Ströme positiv und die abfließenden negativ ein-
vom Index 1 auf Index 2 zeigt. Doppelpfeile müs- gesetzt, wie Abb. 1.8 zeigt.
sen unter allen Umständen vermieden werden, da Nach Abb. 1.8 gilt:
in solchen Fällen das Vorzeichen der Spannung
(z. B. bei der Anwendung der Maschenregel, Ab- I1 C I2  I3  I4  I5  I6 D 0 : (1.26)
schn. 1.3.2) unbestimmt ist.
Beispiel 1.3-1
Im Knoten nach Abb. 1.8 wurden folgende
1.2.8 Bildzeichen Ströme gemessen: I1 D 2 A, I2 D 3 A,
I3 D 5 A, I4 D 1 A, I5 D 2 A. Wie groß
Die Bildzeichen der verschiedenen Teile eines ist der Strom I6 ?
Stromkreises und die Symbole für die unter- Lösung:
schiedlichen Bauelemente der Elektronik sind in Nach Gl. 1.27 gilt für I6 :
DIN EN 60617 genormt und in Abb. 1.6 zusam-
mengestellt. I6 D I1 C I2  I3  I4  I5 :
10 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.6 Bildzeichen der Elektrotechnik nach DIN 40100


1 Grundlagen der Elektrotechnik 11

Abb. 1.9 Maschenregel


Abb. 1.7 Elektrisches Netzwerk (Beispiel)

tung) durch die Masche beliebig ist (DIN 5489).


Die in Zählrichtung zeigenden Spannungen wer-
den positiv, die gegen die Zählrichtung verlaufen-
den Spannungen sind negativ einzusetzen.

Beispiel 1.3-2
Für Abb. 1.9 soll der Strom I bestimmt wer-
den, der durch die Masche fließt.
Abb. 1.8 Knotenregel
Lösung:
Nach der Maschenregel gilt:
Mit den Werten ergibt sich I6 D 2 A C
.3 A/  .5 A/  1 A  .2 A/ D 5 A . UR1  U2 C UR2 C U3 C UR4 C UR3  U1 D 0 :

Für die Spannungen (UR ), die an den Wider-


1.3.2 Maschenregel ständen abfallen, gilt das Ohm’sche Gesetz
(2. Kirchhoff’sches Gesetz) UR D R I , so dass geschrieben werden kann

Nach dem Energieerhaltungssatz muss beim R1 I  U2 C R2 I C U3 C R4 I C R3 I  U1 D 0 :


Transport einer elektrischen Ladung in einem ge-
schlossenen Stromkreis (Masche) die zugeführte Nach Umformen und Ausklammern des
und die abgeführte elektrische Arbeit gleich groß Stroms I erhält man
sein. Für die elektrische Spannung U als Maß da-
für gilt: I .R1 C R2 C R4 C R3 / D U2  U3 C U1
Die vorzeichenbehaftete Summe aller Span-
nungen eines Stromkreises (Masche) ist null, oder
U2  U3 C U1
Xm I D :
Ui D 0 : (1.27) R1 C R2 C R4 C R3
i D1
Anmerkung: Für dieses Beispiel kann auch,
Die Richtung des Maschendurchlaufs kann be- ohne die Maschenregel anzuwenden, nach
liebig gewählt werden. Abbildung 1.9 zeigt ein dem Ohm’schen Gesetz gerechnet werden:
Beispiel für die Maschenregel.
Es ist wichtig, nochmals darauf hinzuweisen, I D †U=†R
dass der gewählte Umlaufsinn (bzw. Zählrich- D .U1 C U2  U3 / = .R1 C R2 C R3 C R4 / :
12 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.11 Parallelschaltung und Gesamtwiderstand


Abb. 1.10 Reihenschaltung und Gesamtwiderstand

Bei einer Reihenschaltung verhalten sich die Teil-


1.3.3 Anwendung der Kirchhoff’schen spannungen wie die Teilwiderstände.
Gesetze
1.3.3.2 Parallelschaltung
1.3.3.1 Reihenschaltung von Widerständen
von Widerständen Die Parallelschaltung von Widerständen zeigt
Abbildung 1.10 zeigt die Reihenschaltung von n Abb. 1.11. Es ist erkennbar, dass bei einer Paral-
Widerständen R1 bis Rn . Da keine Knoten vor- lelschaltung die Spannung U konstant bleibt, d. h.
handen sind, kann keine Aufteilung des Stroms I an allen Bauteilen liegt dieselbe Spannung U0 .
erfolgen. Das bedeutet, dass bei einer Reihen- Das vorliegende Netzwerk hat zwei Knoten
schaltung der Strom I konstant bleibt, d. h. alle und n Maschen. Es gilt die Knotenregel
Bauteile von demselben Strom I durchflossen I D I1 C I2 C I3 C : : : C In (1.30a)
werden.
Nach der Maschenregel gilt: und die Maschenregel

UR1 C UR2 C UR3 C : : : C URn  U0 D 0 ; U0 D I1 R1 ;


U0 D U2 R2 ;
und unter Berücksichtigung des Ohm’schen Ge-
setzes ergibt sich U0 D I3 R3 ; (1.30b)
:::
U0 D I R1 C I R2 C I R3 C : : : C I Rn ; U0 D In Rn :
U0 D I.R1 C R2 C R3 C : : : C Rn /:
Werden die aus der Maschenregel berechneten
Wird für R1 CR2 CR3 C: : :CRn D Rges gesetzt, Ströme I1 bis In in die Knotenregel (Gl. 1.30a)
so ist U0 D I Rges . Das bedeutet: eingesetzt, so ist
X
m U0 U0 U0 U0
Rges D R1 C R2 C R3 C : : : C Rn D Ri : I D C C C::: ;
R1 R2 R3 Rn
i D1  
1 1 1 1
(1.28) I D U0 C C C:::
In einer Reihenschaltung ist der Gesamtwider- R1 R2 R3 Rn
stand die Summe der Teilwiderstände. 1
D U0 :
Da alle Widerstände vom gleichen Strom Rges
durchflossen werden, gilt außerdem
Da für den Kehrwert des Widerstandes 1=R auch
UR1 I R1 R1 der Leitwert G gesetzt werden kann, ergibt sich
D D I auch
UR2 I R2 R2
allgemein ist I D U0 .G1 C G2 C G3 C : : : C Gn / D U0 Gges :
Um Rm Wie man erkennt, lässt sich im Falle der Par-
D .m; k D 1; 2; 3; : : : ; n/ : (1.29)
Uk Rk allelschaltung mit Leitwerten einfacher rechnen
1 Grundlagen der Elektrotechnik 13

als mit Widerständen. Für den Gesamtwiderstand


Rges bzw. den Gesamtleitwert Gges ergibt sich

1 1 1 1 1 X 1 n
C C C C ::: D ;
Rges R1 R2 R3 Rn i D1
Ri
(1.31)
Xn
Gges D G1 C G2 C G3 C : : : Gn D Gi :
i D1
(1.32)
In einer Parallelschaltung ist der gesamte Leit-
wert gleich der Summe der Teil-Leitwerte.
Aus der Tatsache, dass bei der Parallelschal-
tung an jedem Bauteil dieselbe Spannung liegt,
ergibt sich:

I1 U G1 G1 Abb. 1.12 Parallelschaltung von zwei bzw. drei Wider-


D D : ständen
I2 U G2 G2

Allgemein gilt:
mit den zwei in Reihe geschalteten Wider-
ständen R1 und RE (Zusammenfassung der
Im Gm
D .m; k D 1; 2; 3; : : : ; n/ : (1.33) Widerstände R12 ; R2 C R6 und R34 ).
Ik Gk
Der Gesamtwiderstand der Schaltung ist
Bei einer Parallelschaltung verhalten sich die nach Abb. 1.13c:
Teilströme wie die Teil-Leitwerte oder umgekehrt
wie die Teilwiderstände. Rges D R1 C RE : (1.34a)
Für die Parallelschaltung von zwei und drei
Widerständen sind die Ergebnisse in Abb. 1.12 Der Ersatzwiderstand RE ist die Parallelschal-
zusammengestellt. tung des Widerstandes R12 mit dem Wider-
stand R2 C R6 C R34 . Deshalb gilt
Beispiel 1.3-3
R12 .R2 C R6 C R34 /
Gegeben sei die Schaltung gemäß Abb. 1.13. RE D : (1.34b)
R12 C R2 C R6 C R34
Die angelegte Spannung beträgt Us D 24 V
(der Index s steht für supply: Versorgung). Be- Der Ersatzwiderstand R12 ist die Parallelschal-
rechnet werden sollen der Gesamtstrom I und tung der Widerstände .R3 C R4 / und des
alle Ströme I1 bis I6 in den Zweigen. Widerstandes R5 . Deshalb gilt

Lösung: .R3 C R4 /R5


R12 D
Wie Abb. 1.13 zeigt, kann man zusammen- R3 C R4 C R5
gehörige Widerstände zu Ersatzwiderständen .3  C 7 /10 
zusammenfassen. In Abb. 1.13b sind die Wi- D D 5:
3  C 7  C 10 
derstände R3 , R4 und R5 zum Ersatzwi-
derstand R12 , die Widerstände R2 und R6 Für den Ersatzwiderstand R34 gilt wegen der
zum Ersatzwiderstand R2 C R6 und die Parallelschaltung der Widerstände R7 und R8 :
Widerstände R7 und R8 zum Ersatzwider-
stand R34 zusammengefasst. Schließlich zeigt R7 R8 20   20 
R34 D D D 10  :
Abb. 1.13c das vereinfachte Ersatzschaltbild R7 C R8 20  C 20 
14 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.13 Schaltung zu Beispiel 1.3-3

Werden die Werte von R12 und R34 in Widerstände), so dass gilt:
Gl. 1.34b zur Errechnung von RE eingesetzt, I1 R12
dann ergibt sich D
I2 R2 C R6 C R34
5 1
5  .8  C 2  C 10 / D D
RE D D 4: 8  C 2  C 10  4 (1.34d)
5  C 8  C 2  C 10 
d. h.
Damit gilt nach Gl. 1.34a für den Gesamtwi- 1
I1 D I2 :
derstand Rges : 4
Werden Gl. 1.34c und Gl. 1.34d gleichgesetzt,
Rges D R1 C RE D 4  C 4  D 8  : dann ergibt sich I  I2 D 14 I2 , oder I2 D
4
5
I D 2;4 A.
Nach dem Ohm’schen Gesetz ist I D In Gl. 1.34d eingesetzt, erhält man I1 D
U0 =Rges D 24 V=8  D 3 A. 0;6 A.
Am Knoten (1) teilt sich der Strom I in die Der Teilstrom I2 teilt sich entsprechend sei-
beiden Teilströme I1 und I2 . Die Knotenregel ner Teilleitwerte (Gl. 1.35) in die Teilströme
sagt I3 und I4 auf. Nach der Knotenregel gilt I2 D
I3 C I4 , d. h.
I D I1 C I2 oder I1 D I  I2 : (1.34c) I3 D I2  I4 I (1.34e)

ferner ist I3 =I4 D R5 =.R3 C R4 /, d. h.


Nach Gl. 1.35 verhalten sich die Teilströme
wie die Teilleitwerte (oder umgekehrt wie die I3 D I4 R5 =.R3 C R4 / : (1.34f)
1 Grundlagen der Elektrotechnik 15

Abb. 1.15 Messbereichserweiterung eines Spannungs-


messers
Abb. 1.14 Messbereichserweiterung eines Strommessers

zur Messbereichserweiterung eines Strommes-


Durch Gleichsetzung der Gl. 1.34e und sers. Wird die neu zu messende Stromstärke mit
1.34f erhält man In und die höchstmögliche Stromstärke durch das
Amperemeter mit Ia bezeichnet, so fließt durch
I2  I4 D I4 R5 =.R3 C R4 /
den Parallelwiderstand Rp die Stromstärke In 
oder Ia . Da sich gemäß Gl. 1.35 bei der Parallel-
I2 D I4 .R5 =.R3 C R4 / C 1/ : schaltung die Stromstärken umgekehrt wie die
Widerstände verhalten, gilt:
Damit ist
Ia Rp
I4 D I2 =.R5 =.R3 C R4 / C 1/ D :
In C Ia Ri
D 0;6 A=.10 =.3  C 7 / C 1/
Daraus lässt sich der parallel zu schaltende Wi-
I4 D 1;2 A :
derstand Rp errechnen:
Nach Gl. 1.34e ergibt sich I3 D 1;2 A.
Ri
Der Strom I1 teilt sich zu gleichen Teilen Rp D : (1.35)
(weil die Widerstände R7 und R8 gleich sind)
In
Ia
1
in I5 und I6 auf, so dass gilt: I5 D I6 D 0;3 A.
Spannungsmesser (Voltmeter)
Um den Spannungsabfall in einem Stromkreis
1.3.3.3 Messbereichserweiterung messen zu können, muss der Spannungsmesser
parallel zum zu messenden Spannungsabfall (Ne-
Strommesser (Amperemeter) benschluss) liegen. Der Innenwiderstand Ri des
Um die Stromstärke in einem Stromkreis messen Spannungsmessers muss möglichst groß sein, da-
zu können, muss der Strommesser im Strom- mit möglichst wenig Strom durch das Voltmeter
kreis (Hauptschluss) liegen. Der Innenwider- fließt und der ganze Strom durch Ra fließen kann.
stand Ri des Strommessers muss möglichst klein Müssen Spannungen gemessen werden, die
sein, damit die volle Spannung Us am äuße- den Messbereich des Spannungsmessers über-
ren Widerstand Ra abfallen kann. Müssen Strö- schreiten, so muss der die Höchstspannung über-
me gemessen werden, die den Messbereich des steigende Teil der Spannung an einem Vorwi-
Strommessers überschreiten würden, so muss der derstand RV abfallen, verdeutlicht in Abb. 1.15.
überschüssige Stromanteil am Amperemeter vor- Die neu zu messende Spannung wird mit Un und
beigeleitet werden. Dies bezweckt ein parallel der höchstmögliche Spannungsabfall im Voltme-
geschalteter Widerstand Rp (Shunt, Nebenwi- ter mit Ua bezeichnet. Da sowohl der Vorwider-
derstand). Abbildung 1.14 zeigt die Schaltung stand RV als auch das Voltmeter von derselben
16 E. Hering und R. Martin

Stromstärke I durchflossen werden, gilt:


Un  Ua Ua
I D D :
RV Ri
Daraus ergibt sich der Vorwiderstand zu
 
Un
RV D Ri 1 : (1.36)
Ua

Beispiel 1.3-4
a) Der Messbereich eines Amperemeters
(Ia D 10 mA; Ri D 0;5 ) soll auf 100 mA,
1 A, 10 A und 20 A und b) der Messbereich ei-
nes Voltmeters (Ua D 100 mV; Ri D 100 )
auf 1 V, 10 V, 100 V und 1 kV erweitert wer- Abb. 1.16 Wheatstone’sche Brücke
den. Die entsprechenden Widerstände sind zu
ermitteln. 10 V W RV D 100   .100  1/
Lösung: D 9900  I
a) Messbereichserweiterung des Ampereme- 100 V W RV D 100   .1000  1/
ters: Nach Gl. 1.36 gilt im vorliegenden D 99:900  I
Fall:
0;5  1 kV W RV D 100   .10000  1/
Rp D In :
10 mA  1
D 999:900  :
Erweiterung auf
1.3.3.4 Ausgewählte Messanordnungen
0;5 
100 mA W Rp D D 0;055  I Wheatstone’sche Brücke
10  1
0;5  Mit der Wheatstone’schen Brücke (C. W HEAT-
1 A W Rp D STONE , 1802 bis 1875) lassen sich Ohm’sche
100  1
D 5;050  103  I Widerstände bestimmen. Abbildung 1.16 zeigt
das Schaltschema der Wheatstone’schen Brücke.
0;5 
10 A W Rp D Der zu messende Widerstand Rx wird zwi-
1000  1 schen die Klemmen C und B eingesteckt. Den
D 5;005  104  I Gleitkontakt verschiebt man auf einem Wider-
0;5  standsdraht zwischen A und B solange, bis über
20 A W Rp D
2000  1 die Brücke CD kein Strom mehr fließt. (Punkt D
D 2;501  104  : ist der Gleitkontakt.) Dann gilt die Maschenregel
(Gl. 1.28) für Masche ACD:

b) Messbereichserweiterung des Voltmeters: Rn I1  R1 I2 D 0 oder Rn I1 D R1 I2 :


Nach Gl. 1.38 gilt im vorliegenden Fall: (1.37a)
  Masche CBD:
Un
RV D 100  1 : Rx I1  R2 I2 D 0 oder Rx I1 D R2 I2 :
0;1 V
(1.37b)
Erweiterung auf Durch Division von Gl. 1.37b und 1.37a erhält
man
1 V W RV D 100   .10  1/ Rx R2
D :
D 900  I Rn R1
1 Grundlagen der Elektrotechnik 17

Abb. 1.17 Potenziometer-


schaltung

Damit errechnet sich der gewünschte Widerstand Wird dieser in Gl. 1.40 eingesetzt, dann beträgt
zu die Spannung Ux0
R2
Rx D Rn : (1.38)
R1 Rp
Ux0 D U1
R1 C Rp
Potenziometerschaltung
Mit Hilfe der Schaltung entsprechend Abb. 1.17 oder
wird eine Aufteilung der Gesamtspannung U1
R2 Ra
in kleinere Teilspannungen möglich (Spannungs- Ux0 D U1 : (1.41)
teiler), indem ein Schleifkontakt den Gesamt- R R
1 2 C Ra .R1 C R2 /
widerstand Rges in die Anteile R1 und R2 auf-
Gleichung 1.41 geht in Gl. 1.40 über, wenn
teilt. Für die abgegriffene Spannung Ux ist es
R1 R2 D 0 ist. Dies ist der Fall, wenn durch den
entscheidend, ob der Spannungsteiler unbelas-
äußeren Widerstand Ra kein Strom fließt (oder
tet (Abb. 1.17a) oder wegen des Stromflusses
wenn näherungsweise gilt: Ra  R2 ).
durch einen äußeren Widerstand Ra belastet ist
(Abb. 1.17b).
Beispiel 1.3-5
Für den unbelasteten Fall gilt:
Eine Spannungsquelle mit U1 D 24 V ist an
U1 einem Gesamtwiderstand von 8  angeschlos-
I D und (1.39a)
R1 C R2 sen. An einem Teilwiderstand von R2 D 1 
Ux D R2 I : (1.39b) wird die Spannung Ux abgegriffen. Wie groß
ist sie im unbelasteten und im belasteten Zu-
Wird Gl. 1.39a in Gl. 1.39b eingesetzt, so ergibt stand, wenn der äußere Widerstand a) gering
sich für die gesuchte Teilspannung Ux (Ra D 0;5 ) bzw. wenn er b) hoch ist (Ra D
R2 100 )?
Ux D U1 : (1.40)
R1 C R2
Lösung:
Dies bedeutet, dass sich die Gesamtspan- a) Geringer äußerer Widerstand:
nung U1 im Verhältnis des Teilwiderstandes zum Ra D 0;5  .
Gesamtwiderstand aufteilt. Unbelasteter Zustand:
Im Belastungsfall fließt durch Ra der Strom Ia Ux D 24  18 V D 3 V ,
und durch R2 nur noch die Stromstärke I  Ia . belasteter Zustand:
Da R2 und Ra parallel geschaltet sind, ist der Ge- Ux0 D 24  71C0;58
10;5
V D 1;09 V .
samtwiderstand
R2 Ra b) Hoher äußerer Widerstand:
Rp D :
R2 C Ra Ra D 100  .
18 E. Hering und R. Martin

Unbelasteter Zustand:
Ux D 3 V (unverändert) ,
belasteter Zustand:
Ux0 D 24  71C1008
1100
V D 2;97 V .
Der Wert der abgegriffenen Spannung Ux0
im belasteten Fall weicht bei einem großen äu-
ßeren Widerstand kaum vom unbelasteten Fall
ab (in diesem Beispiel lediglich um 1 %).
Abb. 1.18 Reihenschaltung eines linearen Widerstandes
und eines Kaltleiters

1.4 Grafische Verfahren


zur Ermittlung von Strömen Aufgelöst nach dem Strom IPTC ergibt sich
und Spannungen
1 Us
IPTC D  UPTC C :
Ströme und Spannungen lassen sich für Ohm’- R R
sche Widerstände mit Hilfe der Knoten- und Ma-
Aus dieser Geradengleichung (y D m x C b)
schenregel einfach ermitteln, da die Zusammen-
lassen sich die Achsenschnittpunkte wie folgt be-
hänge linear sind. Für den Fall, dass auch nichtli-
rechnen:
neare Bauelemente (z. B. Heißleiter (NTC), Kalt-
 Schnittpunkt mit der Stromachse IPTC :
leiter (PTC) oder spannungsabhängige Wider-
Es gilt: UPTC D 0. Daraus folgt: IPTC D
stände (VDR), Abschn. 2.2.3) in einer Schaltung
Us =R.
vorkommen, werden die stationären Strom- und
 Schnittpunkt mit der Spannungsachse UPTC :
Spannungswerte häufig grafisch ermittelt (ande-
Hier ist IPTC D 0. Damit wird UPTC D Us .
re Möglichkeiten sind Berechnungen mit Nähe-
Das bedeutet: Die Arbeitsgerade schneidet die
rungsgleichungen oder mit iterativen Methoden).
Stromachse I immer im Punkt Us =R und die
Im Folgenden wird die Berechnung für eine Rei-
Spannungsachse im Punkt Us . Wird die Span-
henschaltung mit einem linearen Widerstand und
nung Us verändert, dann verschiebt sich die Ge-
einem Kaltleiter (PTC), einem linearen und zwei
rade parallel; ihre Steigung ändert sich nur mit
nichtlinearen Bauelementen (Z-Dioden) und ei-
dem Widerstand R. Abbildung 1.19 zeigt die
ner Schaltungskombination aus linearem Wider-
Kennlinien des Ohm’schen Widerstandes und des
stand, Kaltleiter (PTC) und Heißleiter (NTC)
Kaltleiters (PTC) sowie ihre Schnittpunkte.
durchgeführt.

1.4.1 Reihenschaltung mit linearem


Widerstand und einem Kaltleiter
(PTC)

Abbildung 1.18 zeigt die Schaltung. In die Kenn-


linie des Kaltleiters (I D f.U /), die aus dem
Datenblatt stammt, wird die lineare Kennlinie des
Ohm’schen Widerstandes als Gerade so einge-
zeichnet, dass die beiden Achsenabschnitte be-
stimmt und miteinander verbunden werden.
Die Maschenregel lautet:
Abb. 1.19 Kennlinien des linearen Widerstandes und des
Us C R IPTC C UPTC D 0 : Kaltleiters (PTC)
1 Grundlagen der Elektrotechnik 19

I Hinweis: Ist die Kennlinie des nichtlinearen


Bauteils im doppelt logarithmischen Maßstab
gegeben, dann muss die Kennlinie in den linea-
ren Maßstab übertragen werden.

Wie Abb. 1.19 zeigt, ergeben sich drei Schnitt-


punkte, von denen jedoch nur A1 und A2 stabil
sind. Der Punkt Ainstabil ist ein instabiler Arbeits- Abb. 1.20 Schaltung mit linearem und zwei nichtlinearen
punkt, der nur durchfahren, nicht aber eingestellt Widerständen
werden kann.
Die Arbeitspunkte A1 und A2 haben folgende
Bedeutung:
 Arbeitspunkt A1 : Er liegt im Bereich der Wi-
derstandsänderung durch Fremderwärmung,
d. h. der Kaltleiter hat die Temperatur der Um-
gebung; die Spannung UPTC1 ist gering und der
Strom relativ groß.
 Arbeitspunkt A2 : Die Temperatur des Kalt-
leiters wird erhöht, so dass das Maximum
der Kennlinie überschritten wird. In diesem
Bereich nimmt die Leistung im Kaltleiter
(PPTC D UPTC  IPTC ) ständig zu, so dass eine
Widerstandsänderung durch Eigenerwärmung
Abb. 1.21 Kennlinie einer Z-Diode
einsetzt, die erst im Arbeitspunkt A2 zu Ende
ist. Die Spannung UPTC2 ist stark angestie-
gen, und der Strom hat sich verringert. Diese
Temperaturabhängigkeit der Spannung wird in 1. Schritt: Bestimmen der Ersatzkennlinie:
der Praxis ausgenutzt, um Geräte mit geringer Im ersten Schritt muss aus den zwei Einzel-
Leistung vor Überlastungen zu schützen (Ab- kennlinien der Dioden Z1 (gestrichelte rote
schn. 2.3). Linie) und Z2 (gestrichelte schwarze Linie)
eine Ersatzkennlinie (rote Linie) konstruiert

1.4.2 Reihenschaltung mit linearem


Widerstand und zwei
nichtlinearen Bauelementen
(Z-Dioden)

Abbildung 1.20 zeigt die Schaltung mit einem li-


nearen und zwei nichtlinearen Widerständen (ge-
geneinander geschaltete Z-Dioden, Abschn. 2.3).
Die Kennlinie einer Z-Diode ist in Abb. 1.21
gezeichnet. Die beiden Z-Dioden sind gegenein-
ander geschaltet (Abb. 1.20). Bei einer positiven
Versorgungsspannung Us ist deshalb die Diode
Z1 in Durchlassrichtung und die Diode Z2 in
Sperr-Richtung betrieben.
Um den Arbeitspunkt ermitteln zu können, Abb. 1.22 Kennlinien der Schaltung und Ermitteln des
geht man in zwei Schritten vor (Abb. 1.22): Arbeitspunktes
20 E. Hering und R. Martin

tet. Diese Schaltung kann zur Entmagnetisierung


(Abschn. 2.4.1.5) für Farbbildröhren verwendet
werden.
Beim Einschalten sind der Kaltleiter und der
Heißleiter kalt. Infolge des kleinen Widerstands-
wertes des PTCs fließt ein hoher Strom durch
die Parallelschaltung aus NTC und R. Da der
NTC einen hohen Widerstand aufweist, fließt der
Strom hauptsächlich durch den Ohm’schen Wi-
Abb. 1.23 Schaltungskombination aus Kaltleiter (PTC), derstand R (Entmagnetisierungsspule). Bei Er-
Heißleiter (NTC) und linearem Widerstand wärmung nimmt der Strom durch den PTC stark
ab, der Widerstand des NTC wird ebenfalls klei-
ner, so dass der Strom durch R noch stärker
werden. Die beiden Z-Dioden werden vom abnimmt.
gleichen Strom durchflossen, so dass nach der Zur Bestimmung des Arbeitspunktes geht man
Maschenregel für die Spannung Ua an den wieder schrittweise vor (Abb. 1.24):
beiden Dioden gilt: 1. Schritt: Bilden der Ersatzkennlinie von NTC
und R:
Ua D U=Z1  UZ2 : In Abb. 1.23 ist die Parallelschaltung des NTC
mit dem Widerstand R rot umrandet. Sei-
Da die Diode Z2 in Sperr-Richtung betrieben ne Ersatzkennlinie erhält man durch folgende
wird, sind die Zahlenwerte für die Spannung Überlegung: Bei einer Parallelschaltung ist
UZ2 negativ. Das bedeutet, dass die Beträge die Spannung an beiden Bauelementen gleich.
der Spannungen der beiden Z-Dioden für ver- Deshalb ergibt sich die Ersatzkennlinie bei
schiedene Ströme addiert werden müssen. Für Parallelschaltung durch die Addition der Strö-
einen Wert des Stromes IZ1 ist dies im Punkt P me INTC C IR für verschiedene Werte für UPar
in Abb. 1.22 eingezeichnet. Wird dies für al- (Punkt P in Abb. 1.24).
le Punkte ausgeführt, dann ergibt sich die in 2. Schritt: Schnitt der Ersatzkennlinie mit der
Abb. 1.22 rot eingezeichnete Ersatzkennlinie. PTC-Kennlinie:
2. Schritt: Konstruktion der linearen Kennlinie: Anschließend wird die PTC-Kennlinie ein-
Wie in Abschn. 1.4.1 gezeigt, schneidet der gezeichnet. Der Schnittpunkt mit der Ersatz-
Ohm’sche Widerstand die Achsen in den kennlinie ergibt den Arbeitspunkt A.
Punkten Us =R und Us . Der Schnittpunkt der
Kennlinie des Ohm’schen Widerstandes mit Beispiel 1.4-1
der Ersatzkennlinie der Z-Dioden ergibt den Die Schaltung entspricht Abb. 1.23. Die Ver-
gesuchten Arbeitspunkt A, d. h. die Span- sorgungsspannung Us beträgt 10 V und der
nung Ua und den Strom IR D IZ1 D IZ2 . Widerstand R 400 . Die Kennlinie des NTC-
Widerstandes ist in Abb. 1.24 gegeben (Daten-
blatt). Der Kaltleiter (PTC) hat eine Kennlinie,
die durch folgende Werte bestimmt ist:
1.4.3 Schaltungskombination aus
linearem Widerstand, Kaltleiter
UPTC in V 0 2 3 4 5 6 7 8
und Heißleiter
IPTC in mA 0 40 50 52 46 40 35 30

In Abb. 1.23 ist die Schaltungskombination aus


Kaltleiter (PTC), Heißleiter (NTC) und linearem Bestimmt werden soll der Arbeitspunkt A,
Widerstand gezeichnet. Dabei sind der Heißleiter d. h. die Spannung UPar und die Ströme IPTC ,
und der lineare Widerstand R parallel geschal- IR und INTC .
1 Grundlagen der Elektrotechnik 21

Abb. 1.24 Kennlinien und Arbeitspunkt des Beispiels 1.4-1

Lösung: Für UPTC D 0 ist UPar D Us . Der Null-


1. Schritt: Ersatzkennlinie von NTC und R: punkt der PTC-Kennlinie (rot gestrichelte
In Abb. 1.24 ist INTC als Funktion von Linie in Abb. 1.24) liegt also bei Us D
UNTC aufgetragen und die entsprechenden 10 V. Die anderen Werte lassen sich ent-
Kennlinien eingezeichnet. sprechend ausrechnen (z. B. für UPTC D
Für die Parallelschaltung bei einer be- 2 V ist UNTC D 10 V  2 V D 8 V; der zu-
stimmten Spannung (z. B. UParl D 4 V/ gilt gehörige Strom ist I D 40 mA). Auf diese
für die Ströme an einem Punkt P: IP D Weise lässt sich die PTC-Kennlinie (rot ge-
INTC C IR . In Abb. 1.24 wird die Addi- strichelte Linie in Abb. 1.24) konstruieren.
tion der Ströme (schwarz durchgezogene Der Arbeitspunkt A ist der Schnitt-
und schwarz gestrichelte Kurve ergeben punkt der Ersatzkennlinie (rote Linie in
die rote Kurve) für den Punkt P gezeigt. Abb. 1.24) mit der PTC-Kennlinie (rot ge-
Wird für jeden Spannungswert dies durch- strichelte Kennlinie in Abb. 1.24). Daraus
geführt, dann ergibt sich die rote Kurve. ergibt sich UPar D 5;4 V und IPTC D
2. Schritt: Schnitt der Ersatzkennlinie mit der 48 mA.
PTC-Kennlinie: Für den Strom IR durch den Widerstand R
Zunächst wird die PTC-Kennlinie einge- gilt: IR D 5;4 V=400  D 13;5 mA. Da-
zeichnet. Dabei ist zu beachten, dass auf mit errechnet sich für den Strom durch den
der y-Achse UNTC D UPar und nicht UPTC Heißleiter INTC D IPTC  IR D 48 mA 
aufgetragen ist. Nach der Maschenregel 13;5 mA D 34;5 mA.
Us C UPTC C UPar D 0 lässt sich UPar
berechnen: UPar D UNTC D Us  UPTC .
22 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.25 Linearer Zweipol: a Schema, b Zusammen-


hang zwischen U12 und I

1.5 Maschen- und Knotenanalyse

Liegt ein Netz von Widerständen, Spannun-


gen und Stromstärken vor, so ist es mit dem Abb. 1.26 Schaltung und Kennlinie der realen Span-
Ohm’schen Gesetz (zur Berechnung der Wider- nungsquelle und Stromquelle
stände), mit der Knotenregel (zur Berechnung
der Stromstärken) und der Maschenregel (zur
Berechnung der Spannungen) möglich, gesuchte Da die unzugänglichen Knoten und Maschen
Widerstände, Stromstärken oder Spannungen zu des Zweipols durch lineare Gleichungssysteme
berechnen. Dazu dient die hier vorgestellte Ma- beschrieben werden, muss auch die Abhängig-
schen- und Knotenanalyse. Folgende Sätze sind keit des Stromes I von der Spannung U12
von allgemeiner Bedeutung: zwischen den beiden Polen linear sein, wie
 In einem Netz mit w Widerständen gibt es Abb. 1.25b zeigt. Der Zusammenhang lautet all-
w Gleichungen für das Ohm’sche Gesetz. gemein: U12 D K1  K2 I .
 In einem Netz mit k Knoten existieren (k  1)
linear unabhängige Knotenregeln.
 Ein Netz mit m Maschen ist durch m linear un-
1.5.1 Ersatzspannungs-
abhängige Maschengleichungen zu beschrei-
und Ersatzstromquelle
ben.
 Ein Netz mit k Knoten und m Maschen ist des-
1.5.1.1 Ersatzspannungsquelle
Eine ideale Spannungsquelle liefert eine Span-
halb mit p D k C m  1 linear unabhängigen
nung Us , die konstant, d. h. vom äußeren Wi-
Gleichungen vollständig beschrieben.
derstand Ra unabhängig ist. Die realen Span-
Zur Berechnung der fehlenden Größen sind li-
nungsquellen dagegen (z. B. Generatoren, Akku-
neare Gleichungssysteme zu lösen. Dazu gibt es
mulatoren oder Batterien) besitzen einen inneren
verschiedene mathematische Verfahren. Wir be-
Widerstand Ri , an dem eine Spannung Ui abfällt,
schränken uns auf die Darstellungsform linearer
die nach dem Ohm’schen Gesetz Ui D Ri I von
Gleichungssysteme mit Matrizen und Berech-
der Stromstärke I abhängt. In Abb 1.26 sind in
nung der Lösungen über das Aufstellen von De-
der linken Spalte die Schaltung und darunter die
terminanten nach Cramer (G. C RAMER, 1704 bis
Kennlinie gezeichnet. Für die am Ausgang lie-
1752).
gende Spannung U12 gilt:
Wird ein elektrisches Netz, bestehend aus
Ohm’schen Widerständen und Spannungsquel- U12 D Uq  Ui D Uq  Ri I : (1.42)
len, an einer beliebigen Stelle aufgetrennt, so
entstehen zwei Anschlussklemmen 1 und 2, und Dabei bedeuten U12 die Klemmenspannung,
man spricht von einem Zweipol (Abb. 1.25). Uq die Quellenspannung und Ri der innere
1 Grundlagen der Elektrotechnik 23

I0 D 2 A; I 00 D 6 A :
Da der innere Widerstand Ri die Steigung der
Kennlinie ist, gilt:
00 0
U12  U12 4V  8V
Ri D  00 0
D D 1:
I I 6A  2A
Aus der Gleichung für die Kennlinie (Gl. 1.43)
errechnet sich die Quellenspannung Uq zu:
0
Abb. 1.27 Kennlinie einer realen Spannungsquelle nach U12 D Uq  Ri I 0 und damit
0
Beispiel 1.5-1 Uq D U12 C Ri I 0
D 8 V C 1  2 A D 10 V :
Widerstand. Es ist festzuhalten, dass die Quel-
lenspannung Uq und der innere Widerstand Ri Für den Kurzschluss-Strom I0 gilt nach
künstlich eingeführt werden mussten, um die Gl. 1.45 I0 D Uq =Ri D 10 V=1  D 10 A.
Abhängigkeit U D f.I / richtig beschreiben zu Die in Abb. 1.26 links oben angegebe-
ne Schaltung zeigt, dass die Klemmenspan-
können. In den meisten Fällen ist die Abhängig-
nung U12 richtig beschrieben wird, wenn sich
keit linear, so dass Gl. 1.43 gilt (Abb. 1.26, links
im linearen Zweipol eine Ersatzspannungs-
unten), aus der folgt, dass die Quellenspannung
quelle der Quellenspannung Uq mit einem
Uq und der innere Widerstand Ri konstant sein
vorgeschalteten Innenwiderstand Ri befindet.
müssen. Wie aus Abb. 1.26 weiter hervorgeht, ist
der innere Widerstand die Steigung der U12 –I - Das bedeutet, dass jede noch so komplizierte
Kennlinie, so dass gilt: Schaltung durch die dargestellte Ersatzspan-
nungsquelle ersetzt werden kann. Mit dieser
Uq Methode können auch elektrische Netzwerke
Ri D : (1.43)
I0 berechnet werden (Abschn. 1.5.3).
Dabei bedeuten Uq die Quellenspannung (Span-
nung beim Strom I D 0, d. h. Leerlauf) und I0 1.5.1.2 Ersatzstromquelle
die Stromstärke bei der Spannung U12 D 0, d. h. Statt einer Ersatzspannungsquelle kann auch, wie
im Kurzschluss. Abb. 1.26 auf der rechten Seite zeigt, eine Er-
Die beiden Größen Uq und I0 können meist satzstromquelle definiert werden. Diese liefert für
nicht direkt gemessen werden, da beispielsweise die Anschlussklemmen (1) und (2) den konstan-
im Kurzschlussfall ein zu großer Kurzschluss- ten Strom I . Die Ersatzstromquelle besteht aus
Strom fließen und die Bauelemente zerstören einer Urstromquelle mit der Stromstärke I0 und
würde. Deshalb wählt man zur Bestimmung von einem parallel geschalteten Innenwiderstand Ri ,
Ri als Steigung der Kennlinie zwei beliebige Be- durch den der Strom Ii fließt, so dass gilt:
lastungsfälle aus, wie es Beispiel 1.5-1 zeigt.
I D I0  Ii D I0  U12 =Ri D I0  U12 Gi :
Beispiel 1.5-1
Eine reale Spannungsquelle zeigt eine lineare Hierbei ist Gi der Leitwert der Ersatzstromquel-
Spannungs-Strom-Kennlinie nach Abb. 1.27. le (Gi D 1=Ri ). Damit ein möglichst konstanter
Bestimmt werden soll der innere Wider- Strom I aus dem Zweipol fließen kann, wird
stand Ri , die Quellenspannung Uq und der der Leitwert Gi möglichst klein gehalten, d. h.,
Kurzschluss-Strom I0 . der Innenwiderstand Ri ist möglichst groß zu
Die Messungen hatten folgendes Ergebnis: wählen. In Abb. 1.26 ist unten rechts die entspre-
chende Kennlinie abgebildet. Die rot gezeichnete
0 00
U12 D 8V U12 D 4V; Stromstärke I ist die aus dem Zweipol fließende
24 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.28 Äquivalente


aktive Zweipole und ihre
Leistung

Stromstärke. Die Steigung der Kurve ist wieder- an der Ersatzstromquelle gerichtet, und es gelten
um der innere Widerstand Ri , dessen Kehrwert folgende Umrechnungsbeziehungen:
der zugehörige Leitwert Gi ist. Die Berechnun-
Uq
gen erfolgen entsprechend dem Beispiel 1.5-1, Ri D
I0 (1.44)
lediglich mit dem Unterschied, dass der innere
Widerstand sehr groß zu wählen ist (z. B. 1 M), und G i D 1=R i :
damit wenig Stromverlust innerhalb der Ersatz- I Hinweis: Auch wenn im Leerlauf die Klem-
stromquelle auftritt. menspannung U12 und im Kurzschluss der
Klemmenstrom I gleich sind, liegen zwar äqui-
1.5.1.3 Äquivalente Zweipole valente Zweipole vor; sie können aber völlig
Zweipole, die hinsichtlich ihrer Klemmenspan- unterschiedliche Schaltungen aufweisen. Bei
nung U12 und der Stromstärke I gleiche Werte Zweipolen mit einer unterschiedlichen Anzahl
liefern, werden äquivalente Zweipole genannt. von Spannungsquellen (aktive Zweipole) kann
Wie Abb. 1.26 zeigt, kann der Zweipol entweder vor allem die Leistung im Inneren des Zweipols
durch eine Ersatzspannungsquelle (Urspan- sehr unterschiedlich sein (Abb. 1.28).
nungsquelle U0 mit vorgeschaltetem Innenwi-
derstand Ri ) oder durch eine Ersatzstromquelle
(Urstromquelle I0 mit parallel geschaltetem 1.5.2 Lineare Überlagerung
Innenwiderstand Ri bzw. dessen Leitwert Gi ) er- (Superpositionsprinzip
setzt werden. (Auch andere Schaltungen im Inne- nach HELMHOLTZ)
ren sind möglich.) Wie aus Abb. 1.26 ersichtlich
ist, sind die Spannungspfeile an der Ersatzspan- Zu Beginn dieses Abschnitts wird gezeigt, dass
nungsquelle entgegengesetzt zu den Strompfeilen alle Gleichungen (das Ohm’sche Gesetz, die
1 Grundlagen der Elektrotechnik 25

die Spannungsquelle U01 kurzgeschlossen. Die


Summe beider Beiträge (unter Beachtung der
Richtung der Stromstärken) ergibt die gesuch-
te Stromstärke I2 (Abb. 1.29 unten). Allgemein
kann dieser Sachverhalt für die Stromstärke Im
im Zweig m folgendermaßen formuliert werden:

Im Dk1 U01 C k2 U02 C k3 U03 C : : : C kn U0n ;


Im DIm1 C Im2 C Im3 C : : : C Imn : (1.45)

Zur Berechnung der einzelnen Teilströme geht


man folgendermaßen vor:
 1. Teilstrom Im1 berechnen: Alle Quellenspan-
nungen bis auf eine werden kurzgeschlossen
und (unter Berücksichtigung der entsprechen-
den Innenwiderstände) und der entsprechende
Teilstrom Im1 errechnet.
 2. Teilstrom Im2 berechnen: Alle Quellen-
spannungen bis auf eine zweite werden kurz-
geschlossen und der entsprechende Teilstrom
Im2 errechnet.
 3. Teilstrom Im3 berechnen: Alle Quellen-
spannungen bis auf eine dritte werden kurz-
geschlossen und der entsprechende Teilstrom
Abb. 1.29 Beispiel zum Satz der linearen Überlagerung Im3 errechnet. Die Berechnung weiterer Teil-
ströme erfolgt nach der gleichen Weise.
 n. Teilstrom Imn berechnen: Alle Quellen-
Knoten- und die Maschenregel) lineare Zusam- spannungen bis auf die letzte werden kurz-
menhänge zwischen Strömen und Spannungen geschlossen, und man berechnet den entspre-
beschreiben. chenden Teilstrom Imn .
Dies bedeutet, dass jede Stromstärke linear Aus der linearen Überlagerung der Teilströ-
von den Quellenspannungen des Netzes abhängt. me Im1 bis Imn (Gl. 1.41) errechnet sich die ge-
Daraus ergibt sich der Satz der linearen Überla- wünschte Stromstärke Im . Abbildung 1.29 zeigt
gerung: die Berechnungen für die Stromstärke I2 im mitt-
Jede Stromstärke Im in einem Stromzweig m leren Zweig.
errechnet sich aus der Summe aller durch diesen
Zweig fließenden Teilstromstärken Im1 bis Imn ,
die durch die einzelnen Quellenspannungen ver- 1.5.3 Berechnung elektrischer
ursacht werden. Netzwerke
An Hand von Abb. 1.29 wird dies verdeut-
licht. Soll die Stromstärke I2 durch den mittleren Wie bereits mehrmals erwähnt, werden die Span-
Zweig errechnet werden, so wird sie erzeugt nungen, Ströme und Widerstände in einem Netz-
durch die beiden Quellenspannungen U01 und werk durch lineare Gleichungssysteme beschrie-
U03 . Deshalb gilt in diesem Fall I2 D k1 U01 C ben. Im nächsten Abschnitt wird deshalb die Lö-
k3 U03 . sung linearer Gleichungssysteme hergeleitet und
Zur Berechnung von I2 D k1 U01 wird die am Beispiel eines Netzwerks ausgeführt. Die fol-
Spannungsquelle U03 kurzgeschlossen (U03 D genden Abschnitte beschreiben die Maschen- und
0), und zur Berechnung von I2 D k3 U03 wird Knotenanalyse.
26 E. Hering und R. Martin

1.5.3.1 Lösung linearer Für die Determinanten der Koeffizienten er-


Gleichungssysteme gibt sich
Stimmt die Anzahl der Unbekannten x1 bis xn mit ˇ ˇ
ˇ U1 0 R3 ˇˇ
der Anzahl der linear unabhängigen Gleichun- ˇ
ˇ ˇ
gen überein (n Gleichungen für n Unbekannte), DI1 D ˇU2 R2 R3 ˇ (1.46b)
ˇ ˇ
dann lassen sich die Unbekannten durch das in ˇ 0 1 1 ˇ
Abb. 1.30 geschilderte Verfahren berechnen. Die ˇ ˇ
ˇR1 U1 R3 ˇˇ
Berechnung der Determinanten wird nur für drei ˇ
ˇ ˇ
Koeffizienten gezeigt. Bei einer größeren An- DI2 D ˇ 0 U2 R3 ˇ (1.46c)
ˇ ˇ
zahl von Koeffizienten sei auf die mathematische ˇ1 0 1 ˇ
Fachliteratur verwiesen. ˇ ˇ
ˇR1 0 U1 ˇˇ
ˇ
ˇ ˇ
DI3 D ˇ 0 R2 U2 ˇ (1.46d)
Beispiel 1.5-2 ˇ ˇ
ˇ 1 1 0 ˇ
Für das in Abb. 1.31 gezeigte Netzwerk sollen
die Teilströme I1 , I2 und I3 berechnet werden. Für die Stromstärken I1 bis I3 in den Zweigen
Wie groß müsste U2 gewählt werden, damit resultiert
I2 D 0 oder I3 D 0 wird? (Für diesen Fall
D11
ist U1 D 6 V, R1 D 1 k, R2 D 2 k und I1 D ; (1.46e)
D
R3 D 3 k.)
D12
I2 D (1.46f)
D
Lösung: D13
Ein Netzwerk mit k Knoten und m Maschen I3 D (1.46g)
D
ist durch z D .k  1/ C m unabhängige, li-
Für die Determinanten erhält man (Rechenver-
neare Gleichungen eindeutig beschrieben (z:
fahren Abb. 1.30):
Anzahl der Zweige). Im vorliegenden Beispiel
gibt es zwei Knoten (k D 2) und zwei Ma- D D R1 R2  R1 R3  R2 R3 ; (1.47a)
schen (m D 2), so dass folgende drei (z D DI1 D U1 R2 C U2 R3  U1 R3 ; (1.47b)
.2  1/ C 2 D 3) Gleichungen für die Ströme
DI2 D U2 R1  U1 R3 C U2 R3 ; (1.47c)
I1 bis I3 formuliert werden können:
DI3 D U2 R1  U1 R2 : (1.47d)
Masche I: I1 R1 CI3 R3 D U1 (A) ; Damit errechnen sich die Ströme zu
Masche II: I2 R2 I3 R3 D U2 (B) ; U1 R2 C U1 R3  U2 R3
I1 D : (1.47e)
Knoten I: I1  I2 I3 D 0(C) : R1 R2 C R1 R3 C R2 R3
U1 R3  U2 R1  U2 R3
I2 D ; (1.47f)
R1 R2 C R1 R3 C R2 R3
Dieses Gleichungssystem kann nach U1 R2 C U2 R1
I3 D : (1.47g)
Abb. 1.30 wie folgt beschrieben werden: R1 R2 C R1 R3 C R2 R3
Für I2 D 0 errechnet sich U2 aus Gl. 1.47f wie
I1 I2 I3 folgt:
R1 0 R3 U1 U1 R3  U2 R1  U2 R3
0 R2 R3 U2 I2 D D0
R1 R2 C R1 R3 C R2 R3
1 1 1 0 oder U1 R3  U2 .R1 C R3 / D 0
ˇ ˇ
ˇR1 0 R3 ˇˇ
ˇ Damit wird
ˇ ˇ
mit D D ˇ 0 R2 R3 ˇ (1.46a) U1 R3
ˇ ˇ U2 D
ˇ1 1 1 ˇ ; (1.47h)
R1 C R3
1 Grundlagen der Elektrotechnik 27

Abb. 1.30 Lösung linearer Gleichungssysteme mit Determinanten


28 E. Hering und R. Martin

sich die Zweigströme ergeben. Dadurch entfällt


die Gleichung für die Knotenregel. Ein in mehre-
ren Maschen gemeinsamer Widerstand (im vor-
liegenden Fall R3 ) wird Koppelwiderstand be-
zeichnet. Für die Maschenanalyse gilt allgemein:
Bei der Maschenanalyse müssen nur die Ma-
schengleichungen (unter Berücksichtigung der
Abb. 1.31 Netzwerk für Beispiel 1.5-2 Kreisströme) aufgestellt werden. Die Knotenglei-
chungen werden eingespart.
Abbildung 1.32 zeigt die Definition der Ma-
eingesetzt wird U2 D 4;5 V. Für I3 D 0 folgt
schenströme allgemein (Abb. 1.32a) und am spe-
aus Gl. 1.47g U1 R2 C U2 R1 D 0 oder
ziellen Beispiel nach der Schaltung in Abb. 1.31.
R2 Wie aus Abb. 1.32a zu erkennen ist, ist die Kno-
U2 D U1 ; (1.47i) tenregel immer erfüllt, da in einem Knoten ein
R1
Maschenstrom stets als zufließender und als ab-
eingesetzt wird U2 D 12 V. fließender Strom erscheint.
Somit liefern das Ohm’sche Gesetz und In der Schaltung nach Abb. 1.32b werden die
die Kirchhoff’schen Regeln die linearen Maschenströme eingeführt, und die Gleichungen
Gleichungssysteme, mit denen beispielswei- nach der Maschenregel Ui D 0 aufgestellt:
se Ströme und Spannungen berechenbar sind.
Im Folgenden werden mit der Maschen- und I1 R1 C I1 R3  I2 R3  U1 D 0 und
Knotenanalyse zwei Verfahren vorgestellt, mit I2 R2 C I2 R3  I1 R3 C U2 D 0 :
denen durch vorheriges Ersetzen die Anzahl
der zu lösenden Gleichungen verringert und Daraus ergeben sich die bereits oben formulierten
damit der mathematische Aufwand zur Lö- Zusammenhänge:
sung vermindert werden kann. I1 R1 C .I1  I2 /R3  U1 D 0 .A0 /
und
1.5.3.2 Maschenstromanalyse
(Kreisstromverfahren) I2 R2  .I1  I2 /R3 C U2 D 0 .B0 / :
Um das Verfahren der Maschenanalyse zu verste- Mit dem in Abschn. 1.5.3.1 aufgezeigten Ver-
hen, betrachtet man die Schaltung in Abb. 1.31. fahren lassen sich die Stromstärken folgenderma-
Wird die Stromstärke I3 in den beiden Maschen- ßen berechnen:
gleichungen (A) und (B) durch die Differenz der Für das Gleichungssystem gilt
Maschenströme I1  I2 ersetzt (nach der Kno-
tenregel gilt I3 D I1  I2 ), dann ergeben sich I1 I2
folgende Maschengleichungen: .R1 C R3 / R3 U1
R 3 .R 2 C R 3 / U 2
I1 R1 C .I1  I2 /R3  U1 D 0 .A0 / und
I2 R2  .I1  I2 /R3 C U2 D 0 .B0 / : Für die Determinanten erhält man
ˇ ˇ
ˇ .R C R / R3 ˇ
ˇ 1 3 ˇ
Demzufolge hat sich die Anzahl der zu lö- D D ˇ ˇ;
ˇ R3 .R2 C R3 / ˇ
senden Gleichungen (in diesem Fall um eine)
verringert. Das geschilderte Vorgehen wird als D D .R1 C R3 /.R2 C R3 /  R32
Maschenanalyse bezeichnet und kann folgender- D R1 R2 C R2 R3 C R3 R1 :
ˇ ˇ
maßen interpretiert werden: ˇ U R3 ˇ
ˇ 1 ˇ
Anstelle der Zweigströme werden bei der Ma- DI1 D ˇ ˇ
ˇ U2 .R2 C R3 / ˇ
schenanalyse sogenannte Maschen- oder Kreis-
ströme eingeführt, durch deren Überlagerung D U1 .R2 C R3 /  U2 R3 ;
1 Grundlagen der Elektrotechnik 29

Abb. 1.32 Maschenanaly-


se: a allgemeine Definition
eines Maschenstromes,
b Maschenströme in der
Schaltung nach Abb. 1.31

ˇ ˇ
ˇ .R C R / U ˇ
ˇ 1 3 1 ˇ I1 I2 I3 ::: Im
DI2 D ˇ ˇ
ˇ R3 U2 ˇ Masche 1 R11 a12 R12 a13 R13 : : : a1m R1m U1
Masche 2 a21 R21 R22 a23 R23 : : : a2m R2m U2
D U2 .R1 C R3 / C U1 C R3 : Masche 3 a31 R31 a32 R32 R33 : : : a3m R3m U3
Masche m am1 Rm1 am2 Rm2 am3 Rm3 : : : Rmm Um
Die Stromstärken errechnen sich dann zu
Die Abkürzungen bedeuten:
DI1 U1 .R2 C R3 /  U2 R3  Ix : Maschenstrom in der Masche x.
I1 D D ;
D R1 R2 C R2 R3 C R3 R1  Ux : Summe aller Quellenspannungen (Vor-
zeichen entgegen dem Umlaufsinn der Ma-
DI2 U1 R3  U2 .R1 C R3 /
I2 D D : sche x).
D R1 R2 C R2 R3 C R3 R1  Rxx : Summe aller Widerstände in der Ma-
sche m.
Für den Strom I3 durch den Widerstand R3 ergibt  Rxy : Widerstand, der von den Maschen-
sich dann strömen Ix und Iy gemeinsam durchflossen
wird.
U1 C R2 C U2 R1  Hinweis: Haben zwei Kreisströme Ix und
I3 D I1  I2 D :
R1 R2 C R2 R3 C R3 R1 Iy keinen gemeinsamen Zweig, dann ist
Rxy D 0.
In der folgenden Liste sind die Schritte für die  axy : Vorzeichenfaktor nach folgender Fest-
Anwendung der Maschenanalyse zusammenge- legung:
stellt.
Systematisches Vorgehen bei der Maschen-
stromanalyse:
1. Bestimmen der Anzahl m der unabhängigen
Maschengleichungen: Es gilt: m D z .k 1/
(z: Anzahl Zweige; k: Anzahl Knoten) 5. Kontrolle des Schemas: Die Koeffizienten
2. Umrechnen aller Stromquellen in äquivalente des Rechenschemas müssen symmetrisch zur
Spannungsquellen (Abschn. 1.5.1.1). Hauptdiagonalen (Achse R11  Rmm ) sein.
3. Für jede Masche ist ein Maschenstrom I D 6. Bestimmen der Lösung des linearen Glei-
I1  Im anzunehmen. Die Pfeilung der Ma- chungssystems (Abb. 1.30).
schenströme erfolgt möglichst im Uhrzeiger-
sinn. Jeder Zweig muss in mindestens einer 1.5.3.3 Knotenspannungsanalyse
Masche enthalten sein. (Knotenpotenzialanalyse)
4. Für jede Masche: Aufstellung der Maschen- Bei der Knotenspannungsanalyse werden im
regel Ui D 0. Eintragen in folgendes Rechen- Vergleich zur Maschenstromanalyse die Knoten-
schema: regeln angewandt (†Ii D 0), und die Span-
30 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.33 Knoten-


spannungsanalyse:
a Ausgangsschaltung,
b Schaltung mit äquiva-
lenten Stromquellen und
Leitwerten

nungen durch die Maschenregel ersetzt. Dabei Knoten 2:


müssen vorhandene Spannungsquellen in äquiva-
lente Stromquellen (Abschn. 1.5.1.2) umgewan- G3 .U10  U20 /  U20 .G4 C G5 / C I2 D 0 :
delt und wegen I D U G die Widerstände durch
die Leitwerte ersetzt werden. Für die Knoten- Werden die Knotengleichungen entsprechend ge-
spannungsanalyse gilt allgemein: ordnet, so ergibt sich:
Bei der Knotenspannungsanalyse müssen nur Knoten 1:
die Knotengleichungen (unter Berücksichtigung
der Knotenspannungen) aufgestellt werden. Die U10 .G1 C G2 C G3 /  U20 G3 D I1 ;
Maschengleichungen werden eingespart.
Knoten 2:
Zum besseren Verständnis dient als Beispiel
die Schaltung in Abb. 1.33a, für die die Span- U10 G3 C U20 .G3 C G4 C G5 / D I2 :
nungsquellen in Abb. 1.33b durch äquivalente
Stromquellen und die Widerstände R durch die Nach dem in Abschn. 1.5.3.1 (Abb. 1.30) be-
Leitwerte G ersetzt sind. schriebenen Verfahren zur Lösung linearer Glei-
Die Spannung zwischen zwei Knoten wird chungssysteme erhält man folgende Ergebnisse:
Knotenspannung genannt (im vorliegenden Bei- Rechenschema:
spiel: U10 D '1  '0 , U20 D '2  '0 und
U12 D '1  '2 , wobei '0 D 0 V). Für sie gilt U10 U20
die Maschenregel: Knoten 1 .G1 C G2 C G3 / G3 I1
Knoten 2 G3 .G3 C G4 C G5 / I2
U12 C U20  U10 D 0 oder
U12 D U10  U20 : Für die Determinanten ergeben sich nach erfolg-
ter Ausrechnung
Für die Ströme I1 und I2 gilt nach der Kno-
tenregel: †Ii D 0 (unter Berücksichtigung der D D .G1 C G2 /.G3 C G4 C G5 /
obigen Maschenregel für U12 ). C G3 .G4 C G5 / ;
Knoten 1:
DU10 D U1 G1 .G3 C G4 C G5 / C U2 G3 G5 ;
I1  U10 .G1 C G2 /  G3 .U10  U20 / D 0 ; DU20 D U2 G5 .G1 C G2 C G3 / C U1 G1 G3 :
1 Grundlagen der Elektrotechnik 31

Für die Spannungen ergeben sich


DU10
U10 D
D
U1 G1 .G3 C G4 C G5 / C U2 G3 G5
D ;
.G1 C G2 /.G3 C G4 C G5 / C G3 .G4 C G5 /
DU20
U20 D Abb. 1.34 Verschiebung einer Spannungsquelle über
D einen Knoten
U2 G5 .G1 C G2 C G3 / C U1 G1 G3
D :
.G1 C G2 /.G3 C G4 C G5 / C G3 .G4 C G5 /
 Kontrolle des Schemas:
Für die Stromstärken durch die Widerstände er-
– Die Koeffizienten des Rechenschemas
hält man daher
müssen symmetrisch zur Hauptdiagonalen
IR2 D U10 =R2 I (Achse G11  Gnn ) sein;
– Summe der Elemente jeder Zeile muss 0
IR3 D U12 =R3 D .U10  U20 /=R3 I
sein;
IR4 D U20 =R4 : – Summe der Elemente jeder Spalte muss 0
sein;
In der folgenden Liste sind die Schritte für
– Summe der Einströmungen Ix muss 0 sein.
die Anwendung der Knotenspannungsanalyse zu-
 Streichung der Zeile n und der Spalte n (Be-
sammengestellt.
zugsknoten).
Systematisches Vorgehen bei der Knotenspan-
 Lösung des linearen Gleichungssystems
nungsanalyse:
(Abb. 1.30).
 Umrechnen aller Spannungsquellen in äquiva-
lente Stromquellen (Abschn. 1.5.1.2). I Hinweis: Ist der Innenwiderstand der Span-
 Die Knoten werden durchnummeriert (von 1 nungsquelle sehr klein (annähernd gleich null),
bis n) und ein Knoten als Bezugsknoten ge- so ergibt sich rechnerisch ein Leitwert G von
wählt (Ziffer 0). näherungsweise unendlich. In diesem Fall ist es
 Für jeden Knoten: Aufstellung der Knotenre- sinnvoll, einen kleinen realen Wert für Ri an-
gel: Ii D 0. Eintragen in folgendes Rechen- zusetzen, oder von folgender Eigenschaft der
schema: Knotenspannungsanalyse Gebrauch zu ma-
chen (Abb. 1.34):
U10 U20 U30 ::: Un0
Knoten 1 CG11 G12 G13 ::: G1n I1 Eine Spannungsquelle in einem Zweig kann
Knoten 2 G21 CG22 G23 ::: G2n I2 über einen Knoten hinweg verschoben werden.
Knoten 3 G31 G32 CG33 ::: G3n I3 Dann muss sie in allen an den Knoten anschlie-
Knoten n Gn1 Gn2 Gn3 ::: CGnn In ßenden Zweigen berücksichtigt werden. Damit
ändert sich aber auch die Spannung zwischen den
Die Abkürzungen bedeuten: Knoten (1) und (2).
– Ux0 : Knotenspannung zwischen Knoten x
und Bezugsknoten 0. 1.5.3.4 Vergleich der Maschenstrom- und
– Ix : Summe aller Quellenströme, die in den Knotenspannungsanalyse
Knoten fließen (negativ, wenn Strom von Bei der Auswahl der Maschen- oder Knoten-
Knoten wegfließt). analyse muss entschieden werden, mit welchem
– Gxx : Summe aller Leitwerte, die einseitig Verfahren die wenigsten Gleichungen zu lösen
mit Knoten x verbunden sind (Knotenleit- sind. Allgemein gilt:
wert; in Hauptdiagonale). Für Netze mit mehr als vier Knoten ist die
– Gxy : Leitwert zwischen Knoten x und Kno- Maschenstromanalyse günstiger; bei vier Knoten
ten y (Koppelleitwert; es ist: Gxy D Gyx /. und weniger die Knotenspannungsanalyse.
32 E. Hering und R. Martin

Rechenschema:

I1 I2 I3
.R1 C R2 / R1 R2 Uq
R1 .R1 C Rn C RD / RD 0
R2 RD .R2 C RD C Rx / 0.

5. Kontrolle des Schemas


Die Symmetrie der Koeffizienten zur Haupt-
diagonalen ist gegeben.
6. Lösung des linearen Gleichungssystems
Das lineare Gleichungssystem löst man nach
Abb. 1.35 Schaltung der Wheatstone’schen Brücke Abb. 1.30. Wird die Determinante des Glei-
chungssystems berechnet, so ergibt sich
1.5.4 Brückenschaltungen
D D RD .R1 C R2 /.Rn C Rx /
Zur Messung elektrischer Größen (z. B. Wider- C R1 R2 .Rn C Rx / C Rn Rx .R1 C R2 / :
stände oder Kapazitäten) werden häufig Brücken-
schaltungen eingesetzt. Bereits in Abschn. 1.3.3.4 Es gilt
ist die Funktionsweise der Wheatstone’schen UD D .I3  I2 /RD : (1.48)
Brücke vorgestellt, das Messprinzip erläutert und Deshalb werden die Stromstärken I2 und I3
mit der Maschenregel der zu messende Wider- berechnet. Die entsprechenden Determinan-
stand Rx bestimmt worden (Abb. 1.16). In diesem ten lauten:
Abschnitt wird mit Hilfe der Maschenanaly-
se und der Methode der Ersatzspannungsquelle DI2 D U0 .R1 RD C R1 .R2 C Rx / C R2 RD / ;
die Diagonalspannung UD bestimmt, die bei der DI3 D U0 .R1 RD C R2 .R1 C RD C Rn // :
Messung auf den Wert null abgeglichen wird.
Abbildung 1.35 zeigt die Schaltung der Wheat- Für die Stromstärken gilt I2 D DI2 =D und
stone’schen Brücke. I3 D DI3 =D.
Eingesetzt in Gl. 1.48 gilt für die Diagonal-
1.5.4.1 Berechnung
spannung UD nach erfolgter Zusammenfas-
mit der Maschenanalyse
sung im Zähler
Zur Berechnung wird das Schema der folgenden
Liste verwendet. UD D U0 RD
1. Bestimmung der Anzahl der unabhängigen Rn R2  R1 Rx
Maschengleichungen  :
Die vorliegende Schaltung nach Abb. 1.35 hat RD .R1 C R2 /.Rn C Rx /C
z D 6 Zweige und k D 4 Knoten (A bis D). CR1 R2 .Rn C R2 / C Rn Rx .R1 C R2 /
Damit ergeben sich m D z  k C 1 D 6  4 C (1.49)
1 D 3 unabhängige Maschengleichungen.
2. Es liegen nur Spannungsquellen vor. 1.5.4.2 Berechnung mit der Methode
3. Maschenströme sind in Abb. 1.35 eingezeich- der Ersatzspannungsquelle
net. Man geht, wie Abb. 1.36a und b zeigt, in zwei
4. Die Maschenregel für die einzelnen Maschen Schritten vor:
lautet 1. Berechnung der Diagonal-Leerlaufspannung
UDL : Nach der Maschenregel und gemäß
I1 .R1 C R2 /I2 R1 I3 R2 D Uq ;
Abb. 1.36a ist
I1 R1 CI2 .R1 C Rn C RD /I3 RD D 0 ;
I1 R2 I2 RD CI3 .R2 C RD C Rx / D 0 : UDL D U2  Ux : (1.50a)
1 Grundlagen der Elektrotechnik 33

Abb. 1.36 Wheat-


stone’sche Brückenschal-
tung; Ersatzspannungs-
quelle

Für die Teilspannungen U2 und Ux gilt Lösung:


Gl. 1.41 für den unbelasteten Spannungstei- Aus dem Ohm’schen Gesetz Uq D .Ra1 C
ler: Ri /I1 und Uq D .Ra2 C Ri /I2 ergibt sich:
R2 Rx
U2 D U0 und Ux D U0 Ra1  Ra2
R1 C R2 Rn C Rx Uq D D 100 V ;
.1=I1  1=I2 /
Eingesetzt in Gl. 1.50a erhält man Ra1 I1  Ra2 I2
  Ri D  D 10  :
R2 Rx I1  I2
UDL D U0  :
R1 C R2 Rn C Rx
(1.50b) Beispiel 1.5-4
2. Ersatzspannungsquelle: Nach Abschn. 1.5.1.1 Für die Schaltung gemäß Abb. 1.37 ist die
(Abb. 1.26) ergibt sich als Ersatzspannungs- Spannung Ux zu bestimmen (R1 D 4 , R2 D
quelle die Schaltung in Abb. 1.36b. Für die 20 , Uq D 12 V), a) mit der Maschenanalyse
Spannung UD ergibt sich nach dem Span- und b) mit der Knotenanalyse.
nungsteiler (Gl. 1.41): a) Maschenanalyse (Abb. 1.37a)
Der Widerstand R1 wird vom Maschen-
RD
UD D UDL : (1.50c) strom I1 , der Widerstand R2 wird vom Ma-
Ri C RD
schenstrom I2 durchflossen. Deshalb gilt
Für den Innenwiderstand Ri gilt nach für die Spannung Ux D I1 R2 C I2 R1 .
Abb. 1.26: Da z D 5 und k D 4, gibt es m D 2 Ma-
schengleichungen:
R1 R2 Rn Rx
Ri D C : (1.50d)
R1 C R2 Rn C Rx I1 I2
Werden die Ausdrücke für UDL (Gl. 1.50b) Masche 1 .2R1 C R2 / R1 U0
Masche 2 R1 .2R1 C R2 / 0
und Ri (Gl. 1.50d) in die Gl. 1.50c für die Span-
nung UD eingesetzt, dann ergibt sich die bereits
bekannte Gl. 1.51. D D .R1 C R2 /.3R1 C R2 / I
DI1 D U0 .2R1 C R2 / I
Beispiel 1.5-3
DI2 D U0 R1 :
An den Ausgang eines linearen Zweipols
ist ein Außenwiderstand Ra anzuschließen. I1 D DI1 =D I I2 D DI2 =D :
Messungen mit unterschiedlichen Außenwi- R1 C R2
Ux D U0 D 9 V:
derständen ergeben für Ra1 D 40  eine 3R1 C R2
Stromstärke I1 D 2 A und für Ra2 D 90 
eine Stromstärke von I2 D 1 A. Wie groß ist b) Knotenanalyse (Abb. 1.37b)
die Quellenspannung Uq und der Innenwider- Netzwerk für die Knotenanalyse:
stand Ri der Ersatzspannungsquelle? Rechenschema:
34 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.37 a Maschenana-


lyse, b Knotenanalyse

U10 U20 U30 U00 und


Kn. 1 .2G1 C G1 G2 G1 U0 G1
G2 / DUx D U0 G1 .G1 C G2 /2 :
Kn. 2 G1 .2G1 C G1 G2 0 Damit ist
G2 /
Kn. 3 G2 G1 .G1 C 0 0 DUx U0 .R1 C R2 /
Ux D D D 9V:
G2 / D 3 R1 C R2
Kn. 0 G1 G2 0 .G1 C U0 G1
G2 /
1.5.5 Simulation elektronischer
Die Kontrolle (Zeilen gleich null; Spalten Schaltungen
gleich null; rechte Spalte gleich null) be-
Im Entwicklungsprozess elektronischer Schaltun-
stätigt die Richtigkeit der Gleichungen.
gen steht die Simulation zwischen Grobausle-
Der Bezugsknoten wird gestrichen (Zei-
gung und Konzeptbestätigung anhand eines Pro-
le mit Knoten 0 und Spalte mit Span-
totyps. Die im ersten Schritt verwendeten Re-
nung U00 ). Es wird für U30 die gesuchte
chenmodelle sind in der Regel stark vereinfacht
Spannung Ux gesetzt. Damit liegt folgen-
– beispielsweise werden Halbleiterbauelemen-
des Gleichungssystem vor:
te üblicherweise durch abschnittsweise lineare
U10 U20 U30 Modelle repräsentiert – und erlauben oft kei-
Knoten 1 .2G1 C G2 / G1 G2 U0 G1 ne Aussage darüber, ob die geforderten Schal-
Knoten 2 G1 .2G1 C G2 / G1 0 tungseigenschaften unter allen Randbedingungen
Knoten 3 G2 G1 .G1 C G2 / 0 wie beispielsweise Schwankungen der Umge-
bungstemperatur oder Toleranzen der eingesetz-
Die entsprechenden Determinanten errech-
ten Bauteile eingehalten werden. Die kosten- und
nen sich zu
zeitaufwändige Fertigung eines Prototyps stellt
D D G1 .G1 C G2 /.G1 C 3G2 / auf dieser Basis ein signifikantes Risiko dar.
1 Grundlagen der Elektrotechnik 35

Eine Simulation der Schaltung ermöglicht der Differenzialgleichungen mit dem Trapezver-
noch vor der Prototypenfertigung eine genauere fahren. Diese ermöglichen die Kernfunktionalität
Analyse der Schaltungseigenschaften. Reine di- des Simulators: Gleichstromanalyse (DC Ana-
gitale Systeme werden meist auf der Basis einer lysis), Wechselstromanalyse (AC Analysis) und
Hardwarebeschreibungssprache wie VHDL oder die Berechnung von Ausgleichsvorgängen (Tran-
Verilog simuliert; bei analogen bzw. gemischten sient Analysis). Aufbauend auf den Kernfunk-
Analog-Digital-Schaltungen sind SPICE-basier- tionalitäten sind weitere Berechnungen möglich,
te Simulationsprogramme Stand der Technik. Im beispielsweise Empfindlichkeitsuntersuchungen,
Folgenden wird auf diese näher eingegangen. Rausch- und Fourieranalyse.
Das Akronym SPICE steht für Simulation Pro- Obwohl SPICE auf bewährten Algorithmen
gram with IC Emphasis. Die Algorithmen werden basiert, müssen die Ausgaben des Programms
seit Beginn der 1970er Jahre an der University of dennoch kritisch geprüft und plausibilisiert wer-
California, Berkeley entwickelt. Die Version SPI- den. Zum einen bilden die verwendeten Model-
CE3f5 aus dem Jahr 1997 ist frei verfügbar und le nur die Bauteileigenschaften ab, die model-
bildet die Basis für kommerzielle und freie Tools. liert und parametriert sind, zum anderen können
Prominente Vertreter sind PSPICE des EDA-Tool- Konvergenzprobleme und sich aufsummierende
Herstellers Cadence, LTspice des IC-Herstellers Fehler auftreten. Kritisch sind Transientenanaly-
Linear Technology oder Ngspice (open source). sen mit zu groß gewählten Abtastschritten; auch
SPICE ist ein textbasierter Simulator auf Bau- Schaltungen mit mehreren stabilen Arbeitspunk-
teileebene. Als Eingabedaten verarbeitet SPI- ten erfordern gezielte Eingriffe des Benutzers,
CE die Beschreibung der Schaltungstopologie in beispielsweise das Setzen geeigneter Initialwer-
Form einer Netzliste, Definitionen der zu verwen- te. Kein Simulationsprogramm, auch nicht SPI-
denden Bauteilemodelle und Steueranweisungen. CE, kann daher grundlegende elektrotechnische
Diese können mit einem Texteditor von Hand Kompetenzen ersetzen.
erstellt werden. Meist ist der Simulator in ei- Im Folgenden werden die Bauteilemodelle
ne EDA-Toolchain integriert. Die Netzliste wird und anhand einfacher Beispiele die Kernfunktio-
dann direkt aus dem Schaltplan generiert, ebenso nalitäten Gleichstrom-, Wechselstrom- und Tran-
die Parametrierung von Bauteilmodellen. Die Er- sientenanalyse vorgestellt. Die Beispiele wurden
zeugung syntaktisch korrekter Steueranweisun- mit LTSpice und ngspice geprüft, verwenden aber
gen werden dann durch grafische Benutzerober- keine speziellen Funktionalitäten und sollten da-
flächen unterstützt. In vielen Fällen ist auch ei- her mit jeder SPICE-Variante lauffähig sein.
ne hybride Arbeitsweise möglich, bei der direkt
im Schaltplan Steueranweisungen und Modell- 1.5.5.1 Bauteilmodelle
parameter platziert werden. Geübte Anwender SPICE verfügt über eine Sammlung grundlegen-
erzielen dadurch einen Zeitvorteil. Eine grafi- der Bauteilmodelle, die vom Benutzer parame-
sche Darstellung der Simulationsergebnisse kann triert werden:
innerhalb der Toolchain durch Setzen von Mess-  Widerstände,
punkten im Schaltplan erzeugt werden. Gängig  Kondensatoren,
ist auch die Weiterverarbeitung der generierten  (Gekoppelte) Induktivitäten,
Daten in Programmen wie Matlab oder Octave.  Leitungen,
Intern arbeitet SPICE mit einer Knotenpoten-  (Gesteuerte) Spannungs- und Stromquellen,
zialanalyse. Die Eigenschaften der Bauteile und  gesteuerte Schalter,
die Topologie des Netzwerks definieren ein Dif-  Dioden,
ferenzialgleichungssystem, dessen Koeffizienten  Bipolartransistoren und
im Allgemeinen nichtlinear sind. Die wesent-  Feldeffekttransistoren.
lichen Bestandteile des Simulationsalgorithmus Die Basismodelle werden in der Netzliste durch
sind die Behandlung von Nichtlinearitäten nach Buchstaben referenziert, beispielsweise steht R
Newton-Raphson und die numerische Integration für einen Widerstand oder D für eine Halbleiter-
36 E. Hering und R. Martin

a b c
LED-Schaltung --- Operating Point ---
R1 1 2 330
V(2): 1.8644 voltage
V1 1 0 3.3
I(D1): 0.00435031 device_current
D1 2 0 LEDred
.model LEDred D
+ IS=1.3E-18
+ N=2.0
+ RS=3.5
.op.print op v(2) i(D1)
.end

Abb. 1.38 Bestimmung des Arbeitspunktes einer LED, die an den Ausgang einer Digitalschaltung angeschlossen ist.
a die Schaltung, b die Spice-Anweisungen und c das Simulationsergebnis

diode. Zudem können Teilschaltungen definiert Auslegung soll im Folgenden mit einer Simulati-
werden, die ihrerseits als Modell in einer überge- on verifiziert werden.
ordneten Hierarchiestufe dienen. Je nach SPICE- In Abb. 1.38b wird die Syntax der Spi-
Variante sind zusätzliche Modelle, beispielsweise ce-Anweisungen deutlich. Die Topologie des
Halbleitermodelle für höchstintegrierte Schaltun- Netzwerks ist in der Form <Bauteilteiltyp>
gen oder RC-Leitungen vorhanden. <Index><Schaltungsknoten 1>. . . <Schaltungs-
Bereits die Basismodelle verfügen teilweise knoten n><Wert> abgebildet. Der Bauteiltyp und
über mehr als 40 Parameter. Häufig sind diese bei damit das zu verwendende Modell wird mit ei-
den Bauteilherstellern erhältlich. Bei nicht voll- nem Buchstaben gekennzeichnet: R steht für
ständig spezifizierten Parametersätzen verwendet einen Ohm’schen Widerstand, V für eine Span-
SPICE Ersatzwerte, die in der Regel dazu führen, nungsquelle und D für eine Halbleiterdiode. Die
dass die entsprechenden Eigenschaften nicht mo- Anschlussfolge ist im Bauteilmodell festgelegt:
delliert werden (z. B. die Temperaturabhängigkeit So ist beispielsweise in Zeile 4 die Reihenfolge
eines Widerstandes). Anode – Kathode bei der Angabe der Knoten ein-
zuhalten. Im Schaltungsbeispiel ist also die Anode
an den Knoten 2, die Kathode an das Bezugspoten-
1.5.5.2 Gleichstromanalyse
zial 0 angeschlossen. In jeder Netzliste muss genau
Die Gleichstromanalyse hat in SPICE zwei Aus-
ein mit „0“ benannter Bezugsknoten vorhanden
prägungen: Die Berechnung des Arbeitspunktes
sein. Bei Verwendung eines Schaltplaneditors
(Operating Point) und die Bestimmung des Groß-
wird der Bezugsknoten wie in Abb. 1.38 a mit
signalverhaltens (DC Sweep) einer Schaltung.
einem Massesymbol gekennzeichnet.
Letztgenannter ist dabei eine fortgesetzte Berech-
Bei passiven Bauteilen reicht in der Regel
nung hinreichend vieler Arbeitspunkte.
die Angabe des Nominalwertes aus (s. Zeile 2
in Abb. 1.38b). Dies ist auch bei Halbleiterbau-
Arbeitspunktberechnung elementen möglich, wenn beispielsweise für die
Ein einfaches Beispiel zur Arbeitspunktbestim- Diode in Abb. 1.38a ein Parametersatz des Her-
mung ist in Abb. 1.38 dargestellt. Eine Leucht- stellers vorliegt, der mit der „.lib“-Anweisung in
diode soll am Ausgang einer Digitalschaltung die Simulationsdatei eingebunden wurde.
angeschlossen werden, die einen High-Pegel von Im hier dargestellten Beispiel wurden die Pa-
3,3 V liefert. Eine überschlägige Auslegung geht rameter aus Datenblattangaben abgeleitet, ent-
von einer Flussspannung von 1,8 V bei einem sprechende Vorgehensweisen sind in der Lite-
Anode-Kathode-Strom von 5 mA aus. Der er- ratur zu finden (z. B. Baumann). Die Parameter
forderliche Vorwiderstand ergibt sich zu R D werden dem Simulator ab Zeile 4 übergeben: Die
.3;3 V1;8 V/=5 mA D 300 . Gewählt wird ein Leuchtdiode D1 erhält die Referenz LEDred, die
Widerstand von 330  aus der E12-Reihe. Diese „.model“-Anweisung ab Zeile 5 stellt mit dem
1 Grundlagen der Elektrotechnik 37

a b c
CMOS-Inverter 5
U3/(V)
M1 3 2 0 0 N1_SH 4
Vin 2 0 0
3
VDD 1 0 5.0
2
M2 1 2 3 VDD P1_SH
1
.MODEL N1_SH NMOS LEVEL = 1
+ VTO = 0.8 0
0 1 2 3 4 5
+ KP = 1E-3 U2 /(V)

+ LAMBDA = 0.02
.MODEL P1_SH PMOS LEVEL = 1
+ VTO = -0.8
+ KP = 1E-3
+ LAMBDA = 0.02
.dc Vin 0 5 1m
.end

Abb. 1.39 Analyse eines CMOS-Inverters; a die Schaltung, b die Spice-Anweisungen und c das Simulationsergebnis

Bezeichner „D“ ein Bezug dieser Referenz zum Gleichstromkennlinie


Standard-Bipolardiodenmodell von SPICE her, Gleichstromkennlinien (DC Sweep) sind wieder-
welches anschließend parametriert wird. Da das holte Arbeitspunktberechnungen und werden mit
dynamische Verhalten hier nicht relevant ist, wur- der Anweisung „.dc“ erzeugt. Ein Beispiel hier-
de lediglich eine ideale Diode mit exponentiellem für ist die in Abb. 1.39 dargestellte CMOS-Inver-
Zusammenhang zwischen Strom und Anode-Ka- terschaltung. Das verwendete Transistormodell
thode-Spannung in Verbindung mit einem Serien- ist einfachster Art und basiert auf den Shichman-
widerstand modelliert. Für eine genaue Beschrei- Hodges-Gleichungen. Angegeben sind die Ein-
bung aller Diodenparameter ist in der Literatur, satzspannung, der Übertragungsleitwertparame-
beispielsweise bei Beetz (2008) enthalten. ter und der Kanallängenmodulationsparameter;
Die „.op“-Direktive weist den Simulator an, für die übrigen Parameter werden die Ersatzwerte
eine Berechnung des Arbeitspunktes vorzuneh- von SPICE verwendet.
men; „.end“ markiert das Ende der Eingabedatei. Im Beispiel Abb. 1.39b wird die Spannungs-
In der Regel werden die Simulationsergebnis- quelle Vin im Bereich zwischen 0 V und 5 V
se automatisch in eine Datei geschrieben bzw. mit einer Schrittweite von 1 mV variiert, d. h. es
dem Bildschirm angezeigt. Die Verwendung ex- werden 5001 Arbeitspunktberechnungen durch-
pliziter Ausgabeanweisungen wie „.print“ oder geführt. Abb. 1.39c zeigt wie erwartet eine sym-
„.plot“ ist inzwischen obsolet. Sie stammen noch metrische Übertragungskennlinie mit einer Inver-
aus der Zeit, als textbasierte Ausgabegeräte Stan- terschwellenspannung von 2,5 V.
dard waren. Heutzutage wird der Simulator meist
mit einer grafischen Oberfläche bedient, welche 1.5.5.3 Transientenanalyse
die Erzeugung der Netzliste und der Simulatoran- Die Transientenanalyse berechnet Ausgleichs-
weisungen unterstützt und neben der grafischen vorgänge im Zeitbereich. Sie ist in Abb. 1.40 am
Darstellung der Ergebnisse auch den Export in ei- Beispiel eines mit einem RC-Tiefpass gefilterten
ne Reihe gängiger Dateiformate erlaubt. PWM-Signals dargestellt. Das PWM-Signal wird
Das Simulationsergebnis zeigt, dass der Strom zum Zeitpunkt t D 0 eingeschaltet.
durch die Diode mit etwa 4,4 mA etwas unter In der Netzliste ist das PWM-Signal in Zei-
dem Auslegungsansatz liegt, was auf den größe- le 4 (Abb. 1.40b) durch die Spannungsquelle V1
ren Vorwiderstand und die etwas höhere Durch- mit pulsförmigem zeitlichem Verlauf repräsen-
flussspannung zurückzuführen ist. tiert. Die „.param“-Anweisung erlaubt es, in der
38 E. Hering und R. Martin

a b
PWM-Signal mit RC-Filter
R1 1 2 1k
C1 2 0 1u
V1 1 0 PULSE(0 {VDD} 0 0.1n 0.1n {ontime} {period} 100)
.param VDD = 1
.param a = 0.7
.param period = 1m
.param ontime = 'period*a'
*.step param a list 0.3 0.5 0.7 *LTspice only
.ic v(2)=0
.tran 1u 10m
.end

c
1
u2
0.9

0.8

0.7

0.6
u/V

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
t/ms

Abb. 1.40 Ausgleichsvorgang eines RC-Filters, das von einem PWM-Signal angesteuert wird. a Schaltung, b Spice-
Anweisungen und c das Simulationsergebnis

Netzliste mit Variablen zu arbeiten. Im Beispiel Die grafische Darstellung der Simulationser-
werden damit die Parameter des PWM-Signals in gebnisse in Abb. 1.41 zeigt die beiden Kom-
übersichtlicher Weise eingestellt. Die „.param“- ponenten, aus denen der Ausgleichsvorgang be-
Anweisung erlaubt es, mehrere Simulationen der- steht: Die Antwort des RC-Tiefpasses auf eine
selben Schaltung für verschiedene Dimensionie- Sprunganregung mit der Amplitude a*VDD und
rungen durchzuführen. Ein Beispiel ist in Zeile 9 eine überlagerte Wechselkomponente.
(Abb. 1.40) zusehen: Die Simulation wird dreimal
für verschiedene Werte von a durchgeführt. Der 1.5.5.4 Wechselstromanalyse
Befehl ist auskommentiert, da die Syntax nur mit Eine Wechselstromanalyse stellt das Verhalten ei-
LTspice, nicht jedoch mit ngspice kompatibel ist. ner Schaltung im Frequenzbereich dar. SPICE
Die Transientenanalyse wird durch die An- variiert dabei die Frequenz der im Netzwerk vor-
weisung „.tran“ initiert, im Beispiel erfolgt die handen Wechselspannungen – bzw. – Stromquel-
Simulation im Zeitbereich von 0 ms bis 10 ms len und berechnet den ausgeglichenen Zustand
mit einer Schrittweite von 1 s. Startwerte für des Netzwerkes. Im Beispiel in Abb. 1.41 wird
energietragende Größen werden entweder von dies für einen Tiefpass erster Ordnung dargestellt.
SPICE aus einer Arbeitspunktanalyse berechnet Die „.ac“-Anweisung in Zeile 6 bewirkt, dass
oder können wie im Beispiel mit der Direktive die Frequenz der Wechselspannungsquelle V1
„.ic“ vorgegeben werden. von 10 Hz bis 100 kHz verändert wird. Die Fre-
1 Grundlagen der Elektrotechnik 39

a b
Tiefpass 1. Ordnung
*R1 1 2 '10k/2/pi' *LTspice
R1 1 2 1.5915k
C1 2 0 100n
V1 1 0 AC 1
.ac dec 100 10 100k
.end

c
1

u2

0.1

0.01
u 2 /V

0.001

0.0001

1e-05
0.01 0.1 1 10 100
f/kHz

Abb. 1.41 Frequenz- und Phasengang eines Tiefpasses erster Ordnung. a Schaltung, b Spice-Anweisungen und c das
Simulationsergebnis

quenzvariation soll dekadisch erfolgen, je De- schaften ermitteln, Rausch- und Temperaturana-
kade sind 100 Werte zu berechnen. Für eine lysen bis hin zu Monte-Carlo-Analysen, mit denen
logarithmische Darstellung des Betrags der Über- auf Basis der statistische Verteilung von Schal-
tragungsfunktion ist es sinnvoll, eine Amplitude tungsparametern durch Simulation vieler Kombi-
von 1 V für V1 zu wählen. Die Wechselstromana- nationen dieser Parameter Aussagen über die Ver-
lyse ist eine Kleinsignalanalyse, d. h. unabhängig teilung relevanter Größen zu erhalten sind. Für nä-
von der Amplitude der Wechselquellen wird im- here Ausführungen hierzu wird auf die weiterfüh-
mer mit einem im Gleichstromarbeitspunkt linea- rende Literatur (z. B. Beetz) verwiesen.
risierten Ersatznetzwerk gerechnet.
Die grafische Darstellung in Abb. 1.41 zeigt
die erwartete Übertragungsfunktion eines RC-
1.6 Grundlagen der
Tiefpasses 1. Ordnung mit einer 3dB-Grenzfre-
Wechselstromlehre
quenz von fgrenz D 1 kHz und einer Dämpfungs-
zunahme von 20 dB/Dekade für f  fgrenz .
1.6.1 Grundlagen komplexer Rechnung

1.5.5.5 Weitere Analysemethoden 1.6.1.1 Reelle, imaginäre


Neben den dargestellten Grundfunktionalitäten und komplexe Zahlen
sind mit SPICE weitere Analysen möglich. Zu er- In der Wechselstromlehre ist es sehr vorteilhaft,
wähnen sind Verzerrungsanalysen, beispielswei- mit komplexen Größen zu rechnen. Deshalb wird
se zur Berechnung des Klirrfaktor eines Verstär- eine kurze Einführung in die komplexe Rechnung
kers, Empfindlichkeitsanalysen, die den Einfluss vorangestellt. Abbildung 1.42 zeigt eine Über-
von Bauteileeigenschaften auf Schaltungseigen- sicht über die Zahlensysteme.
40 E. Hering und R. Martin

Links sind die reellen Zahlen zu finden. Aus- Wie aus dieser Gleichung hervorgeht, sind die
gehend von den ganzen Zahlen kommt man durch reellen Zahlen (für b D 0) und die imaginären
Division zu den rationalen Zahlen, die als un- Zahlen (für a D 0) ein Spezialfall von Z.
endliche periodische Dezimalzahlen dargestellt Die komplexe Zahl Z kann nach Gl. 1.53 auch
werden können. als Zeiger verstanden werden, der die Zeiger-
Durch das Radizieren (Wurzelziehen) gelangt länge Z besitzt und sich im Winkel ' von der
man zu den irrationalen Zahlen (Wurzel aus einer Waagrechten befindet. Wird die Euler’sche For-
positiven Zahl) und zu den imaginären Zahlen mel ej' D cos ' C j sin ' verwendet, dann kann
(Wurzel aus einer negativen Zahl). Die irratio- Z auch folgendermaßen geschrieben werden:
nalen Zahlen liefern nicht periodische Dezimal-
Z D Zej' : (1.54)
brüche. Zu den reellen Zahlen werden noch die
transzendenten Zahlen (z. B. die Zahl e oder  )
1.6.1.2 Rechnen mit komplexen Zahlen
gezählt, ferner die Logarithmen.
In Abb. 1.43 sind die komplexen Zahlen und
Wie Abb. 1.42 zeigt, sind die reellen Zahlen
ihre Darstellungsformen sowie die Rechenopera-
durch den Zahlenstrahl in waagrechter Richtung
tionen dargestellt, so dass hier nur noch die wich-
veranschaulicht. Vom Nullpunkt aus sind nach
tigsten Formelzusammenhänge aufgeführt sind.
rechts die positiven und nach links die negativen
a) Darstellungsformen
Zahlen eingetragen.
Aus einer komplexen Zahl Z wird eine konju-
Die imaginären Zahlen und ihre Definitionen
giert komplexe Zahl Z  , wenn der Imaginär-
sind auf der rechten Seite der Abb. 1.42 zu se-
teil sein Vorzeichen ändert:
hen. Grundlage ist die Einführung der imaginären
Einheitsgröße j: Z  D a  jb (1.55)
p Das Produkt aus einer komplexen Zahl Z
jD 1 : (1.51)
und der dazugehörigen konjugiert komplexen
Zahl Z  ist eine reelle Zahl gemäß
Daraus resultieren folgende wichtige Umrech-
nungen: Z Z  D .a C jb/.a  jb/ D a2 C b 2 (1.56)
In Abb. 1.43 sind die verschiedenen Darstel-
j2 D 1 I j3 D j I j4 D C1I j5 D CjI 1=j D j :
lungsformen einer komplexen Zahl Z aufge-
(1.52)
zeigt:
Die allgemeinen Zusammenhänge sind in ˇ ˇ
Abb. 1.42 zusammengestellt. Z D aC jb D jZj .cos 'C j sin '/ D ˇZej' ˇ :
Imaginäre Zahlen werden grafisch in einem (1.57)
senkrechten Zahlenstrahl dargestellt und in ihm Dabei gilt (jZj D Z/:
gerechnet (Rechenbeispiel 4j  j D 3j). p
Reelle und imaginäre Zahlen zusammen er- Z D a2 C b 2 I tan ' D b=a I
(1.58)
geben eine komplexe Zahl Z. (Das Unterstrei- cos ' D a=Z I sin ' D b=Z :
chungszeichen kennzeichnet komplexe Größen.) b) Addition bzw. Subtraktion
Sie werden grafisch in der Gauß’schen Hierfür gelten folgende Gleichungen:
Zahlenebene (C. F. G AUSS, 1777 bis 1855) dar-
gestellt. Die waagrechte Achse stellt die reellen Z 1 C Z 2 D .a1 C a2 / C j.b1 C b2 / ;
Größen dar und in der senkrechten Achse stehen Z 1  Z 2 D .a1  a2 / C j.b1  b2 / :
die imaginären. Beide Achsen stehen somit senk- (1.59)
recht aufeinander. Eine komplexe Zahl Z besteht Dies bedeutet, dass die Real- und Imaginär-
also aus einem Realteil a und einem Imaginärteil teile getrennt verrechnet werden müssen. In
b, so dass gilt (Abb. 1.42): Abb. 1.43 ist das zugehörige Diagramm in der
Gauß’schen Zahlenebene mit einem Beispiel
Z D a C bj D Z.cos ' C j sin '/ : (1.53) dargestellt.
1 Grundlagen der Elektrotechnik 41

Abb. 1.42 Übersicht über die Zahlensysteme


42 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.43 Komplexe Zahlen, Darstellungsformen und Rechenoperationen

c) Multiplikation bzw. Division Für die Division gilt:


Hierfür gelten folgende Zusammenhänge:
Z 1 =Z2 D Z1 =Z2 .cos.'1  '2 /
Z 1 Z 2 D Z1 Z2 .cos.'1 C '2 / C j sin.'1  '2 // (1.62)
j.'1 '2 /
C j sin.'1 C '2 // (1.60) D Z1 Z2 e :
j.'1 C'2 /
D Z1 Z2 e : Hierbei ist
q
Dabei errechnet sich Z1 =Z2 D .a12 C b12 /=.a22 C b22 / ;

Z1 Z2 tan.'1  '2 /
p D .a2 b1  a1 b2 /=.a1 a2 C b1 b2 / :
D .a1 a2  b1 b2 /2 C .a1 b2 C b1 a2 /2 ; (1.63)
tan .'1 C '2 / Wie aus diesen Gleichungen sowie aus
D .a1 b2 C b1 a2 /=.a1 a2  b1 b2 / : Abb. 1.43 hervorgeht, findet bei der Multipli-
(1.61) kation eine Drehstreckung statt. Dabei wird
1 Grundlagen der Elektrotechnik 43

Abb. 1.43 Fortsetzung

p p
der Zeiger auf Z1 Z2 gestreckt und um '1 C'2 n
ZD
n
Z.cos..'/ C k 2 =n//
gedreht. C j sin..' C k2 /=n/
d) Potenzieren bzw. Wurzelziehen p (1.65)
D Z ej..'Ck 2 /=n/ :
n
Nach Abb. 1.43 gelten die Gleichungen
.k D 0; 1; 2; : : : ; .n  1// :
Wie Gl. 1.65 zeigt, ergibt die n-te Wurzel
Z D Z .cos.n'/ C j sin.n'// D Z e :
n n n jn '
einer komplexen Zahl insgesamt n verschie-
(1.64) dene Wurzelwerte mit gleichen Absolutwer-
44 E. Hering und R. Martin

ten Z. Grafisch veranschaulicht


p ergibt sich Kreisfrequenz ! errechnet sich nach
ein Kreis mit dem Radius n Z mit n Zei-
gern. Abbildung 1.43 zeigtpden Rechnungs- ! D 2 f D .2 /=T : (1.69)
gang und die Lösungen für 3 8.
e) Differenziation und Integration Die Frequenz f gibt an, wie viele Schwingun-
Für die Differenziation und die Integrati- gen pro Sekunde stattfinden und errechnet sich
on komplexer Zeitfunktionen gilt, wie das aus der Periodendauer T zu f D 1=T . Die
Beispiel der komplexen Wechselspannung U Frequenz der technischen Wechselspannung bzw.
zeigt, des Wechselstroms ist f D 50 Hz, was einer
U D U ej.!t C'/ : Kreisfrequenz von ! D 100   s1 entspricht.
Nach der Zeit differenziert erhält man Die Kreisfrequenz ! entspricht der Winkelge-
schwindigkeit, mit der der Zeiger rotiert. Der
dU Nullphasenwinkel 'u gibt den Startwinkel des ro-
D j!U ej.!t C'/ D j!U : (1.66)
dt tierenden Zeigers an (Abb. 1.44a).
In einem geschlossenen Wechselstromkreis
Durch die Differenziation wird der komplexe fließt durch die Bauelemente ein Wechselstrom
Zeiger um 90ı gedreht und auf das !-fache i.t/ derselben Frequenz. Er lautet allgemein
gestreckt. Integriert ergibt sich
Z Z i.t/ D iO cos.!t C 'i / : (1.70)
U dt D U ej.!t C'/dt
Z Hierbei ist iO der Scheitelwert des Wechselstromes
DUej!
ej ! t dt (maximaler Augenblickswert des Stroms) und 'i
(1.67) der Nullphasenwinkel des Wechselstroms.
1
D U ej.!t C'/ ; In Abb. 1.44a ist das Liniendiagramm, das
j!
Z Zeigerdiagramm (Abb. 1.44b) und die komplexe
j j.!t C'/ j
U dt D  U e D U Darstellung (Abb. 1.44c) zu sehen.
! ! In einem Wechselstromkreis sind der Nullpha-
senwinkel der Spannung 'u und des Stromes 'i
Durch die Integration wird der komplexe Zei-
oft unterschiedlich groß, so dass sich eine Pha-
ger um 90ı gedreht und durch ! dividiert.
senverschiebung ' zwischen Spannung u.t/ und
Strom i.t/ ergibt
1.6.2 Kenngrößen
' D 'u  'i : (1.71)
1.6.2.1 Wechselspannung
und Wechselstrom Die Phasenverschiebung ' zwischen Spannung
Die wichtigsten Kenngrößen beim Wechsel- und Strom hängt, wie der folgende Abschn. 1.6.3
strom sind der periodische Verlauf der Span- zeigt, von der Induktivität L der Spule und der
nung u.t/ und des Stromes i.t/. Die Bezeichnun- Kapazität C des Kondensators ab. Ist ' > 0, so
gen für die Wechselstromgrößen orientieren sich eilt die Spannung dem Strom voraus, ist ' < 0,
an DIN 40110 (Wechselstromgrößen). so eilt die Spannung dem Strom nach (Abb. 1.44).
Die periodische Wechselspannung u.t/ kann
folgendermaßen beschrieben werden: 1.6.2.2
Effektivwert und
Halbschwingungsmittelwert
u.t/ D û cos.!t C 'u / : (1.68) Zur Messung von Wechselstromgrößen werden
häufig Gleichstrominstrumente mit vorgeschal-
Dabei ist û der Scheitelwert der Spannung, der tetem Gleichrichter verwendet. Sie zeigen – al-
den größten Augenblickswert u.t/max angibt. Die lerdings nur bei sinus- bzw. cosinusförmigem
1 Grundlagen der Elektrotechnik 45

Abb. 1.44 Wechsel-


spannung u.t / und
Wechselstrom i.t /:
a Liniendiagramm, b Zei-
gerdiagramm, c Komplexe
Darstellung für ' D  =4

Verlauf – den sog. Effektivwert an, d. h. diejenige


Gleichstromgröße, die dieselbe Leistung erzeugt
wie die Wechselstromgröße. Mathematisch aus-
gedrückt ist der Effektivwert im allgemeinen Fall
der zeitliche quadratische Mittelwert der entspre-
chenden elektrischen Größe. Für den Effektiv-
wert des Wechselstroms I gilt daher

v
u
u ZT
u1
I Dt i 2 dt : (1.72)
T Abb. 1.45 Wechselstromverlauf iO .t / D i cos.!t /, Schei-
0 telwert iO , Effektivwert I und Halbschwingungsmittel-
wert Ih

Mit i.t/ D iO cos.!t C 'i / ist


Entsprechend gilt für den Effektivwert der Span-
v
u r nung U :
u ZT
u 1 T û
I D iO t cos .!t/dt D iO
2 U D p  0;707û : (1.74)
T 2T 2
0
Abbildung 1.45 zeigt die Zusammenhänge.
Der arithmetische Mittelwert über einer gan-
und damit
zen Periode wird Gleichwert genannt; er ist
bei einer reinen Cosinus- bzw. Sinusschwin-
iO
I D p  0;707iO : (1.73) gung gleich null. Deshalb wird häufig der arith-
2 metische Mittelwert über einer halben Periode
46 E. Hering und R. Martin

nicht sinusförmigen Wechselgrößen ermittelt,


so ist folgendes zu beachten: Der in der Ge-
brauchsanweisung angegebene Scheitelfaktor
darf auf keinen Fall überschritten werden, an-
dernfalls wird falsch gemessen.

1.6.2.4 Formfaktor
Der Formfaktor kf einer Wechselgröße ist der
Quotient aus Effektivwert und Mittelwert (arith-
Abb. 1.46 Bestimmung des Scheitelfaktors bei zwei metischer Mittelwert oder Halbschwingungsmit-
Halbwellen
telwert), so dass sich der Formfaktor des Stromes
(analoges gilt für die Spannung) ergibt:
der Wechselgröße ermittelt, welcher Halbschwin-
Effektivwert I I
gungsmittelwert genannt wird. Er entspricht des- kf D D D : (1.77)
halb der Höhe eines Rechtecks, dessen Flächen- Mittelwert Ih IN
inhalt gleich dem einer Halbwelle ist (Abb. 1.45).
Für reine Cosinus-
p bzw. Sinusschwingungen ist
Deshalb gilt beispielsweise für den Halbschwin-
kf D  =.2 2/ D 1;111 : : : Für steilere Kur-
gungsmittelwert Ih des Wechselstroms i.t/ D
venverläufe ist der Formfaktor größer und für
iO cos.!t/:
flachere kleiner. Er kann je nach Kurvenform zwi-
Z
3 =2 schen 1 und 1 liegen.
1 iO
iO cos 'd' D Œsin '
 =2
3 =2
Ih D
   
 =2 (1.75)
1.6.3 Komplexe Rechnung
2iO im Wechselstromkreis
D  0;637iO :
 
Die im Folgenden beschriebene komplexe Rech-
1.6.2.3 Scheitelfaktor (Crestfaktor)
nung im Wechselstromkreis gilt nur für cosinus-
Das Verhältnis des Scheitelwertes (z. B. iO oder û)
bzw. sinusförmige Wechselstromgrößen.
zum Effektivwert (z. B. I oder U ) wird Scheitel-
faktor ks genannt. Es gilt für den Scheitelfaktor
1.6.3.1 Zeigerdarstellung
des Wechselstromes
komplexer Größen
Scheitelwert der Wechselgröße iO Wechselstromgrößen, beispielsweise cosinus-
ks D D : bzw. sinusförmige Ströme oder Spannungen
Effektivwert der Wechselgröße I
(1.76) gleicher Frequenz, werden in der Gauß’schen
Die Formulierungen für die Wechselspannung Zahlenebene als komplexe Zeiger Z dargestellt.
sind entsprechend. Da nur der Realteil eines Zeigers messbare Wir-
Nur für den Fall, dass die Wechselgröße durch kungen zeigt, bezeichnet man die elektrischen
eine Cosinus- bzw. Sinusfunktion beschrieben Wechselstromgrößen (Strom, Spannung, Wider-
p
werden kann, gilt wegen Gl. 1.82 ks D 2  stand, Leistung) gemäß Abb. 1.47.
1;414. Für eine Dreiecksspannung ist der Schei- Der Realteil ist der Wirkanteil, der Imagi-
telfaktor beispielsweise ks D 1;73. närteil der Blindanteil einer Wechselstromgröße;
Abbildung 1.46 zeigt das Vorgehen bei der beide zusammen ergeben als komplexen Zeiger
Bestimmung des Scheitelfaktors für zwei Halb- die Scheingröße Z. Komplexe Größen, die zeit-
wellen. unabhängig sind, werden Operatoren genannt. So
ergeben sich beispielsweise durch die Division
I Hinweis: Wird mit einem Multimeter mit ei- der Spannung durch den Strom der Widerstands-
nem Rechenschaltkreis der Effektivwert von operator (oder komplexe Widerstand) und durch
1 Grundlagen der Elektrotechnik 47

des komplexen Leitwerts Y der konjugiert kom-


plexe Leitwert Y  eingezeichnet, da er – wie
Abb. 1.48 zeigt – in Richtung des komplexen Wi-
derstands Z liegt.

Beispiel 1.6-1
In einem Wechselstromkreis befindet sich ein
Abb. 1.47 Bezeichnung elektrischer Wechselstromgrö- Ohm’scher Widerstand von R D 30  und
ßen im Zeigerdiagramm eine Induktivität. Der Effektivwert der Span-
nung beträgt U D 156 V und der Effektivwert
des Stromes I D 2 A. Wie lauten die kom-
die Division des Stromes durch die Spannung der plexen Größen, die Phasenverschiebungen und
Leitwertoperator (oder komplexe Leitwert). die entsprechenden Schein-, Wirk- und Blind-
anteile.
1.6.3.2 Ohm’sches Gesetz
In Abb. 1.48 sind die Herleitungen für den kom-
Lösung:
plexen Widerstand Z und den komplexen Leit-
a) Komplexer Widerstand Scheinwiderstand
wert Y zusammengefasst. Für die komplexen
(Gl. 8 in Abb. 1.48)
Effektivwerte von Wechselspannung und -strom
gilt
Z D U=I D 156 V=2 A D 78  :
U D U ej'u ; (1.78)
I D I ej'i : (1.79) Blindwiderstand (Gl. 10 in Abb. 1.48)
Wird die komplexe Spannung U durch den kom- p
plexen Strom I dividiert, dann ergibt sich nach XD Z 2  R2
p
dem Ohm’schen Gesetz der komplexe Wider- D .78 /2  .30 /2 D 72  :
stand Z zu
Z D U =I D .U=I / ej.'u 'i / : (1.80) Phasenwinkel (Gl. 14 in Abb. 1.48)

Der komplexe Leitwert Y ist der Kehrwert des tan ' D X=R D 72 =30  D 2;4 oder
komplexen Widerstandes Z, so dass sich ergibt
' D 1;176 ; d. h. 67;38ı :
j.'i 'u /
Y D I =U D .I =U / e : (1.81)
Der komplexe Widerstand Z lautet somit
In Abb. 1.48 sind die zugehörigen Zeigerdia-
nach Gl. 5 in Abb. 1.48
gramme dargestellt und die Schein-, Wirk- und
Blindanteile des komplexen Widerstandes Z ı
bzw. des komplexen Leitwerts Y zusammenge- Z D 78  ej1;176 D 78  ej67;38
stellt und die Gleichungen zur Berechnung des D R C jX D .30 C j72/  :
Absolutbetrags des Zeigers und des Phasenwin-
kels zu finden. b) Komplexer Leitwert
Wie aus Abb. 1.48 zu erkennen ist und Gl. 1.90 Scheinleitwert (Gl. 7) in Abb. 1.48)
im Vergleich mit Gl. 1.91 zeigt, ist der Phasen-
winkel des komplexen Leitwerts Y gleich dem ı
Y D 1=Z D 1=78 ej67,38 1
negativen Phasenwinkel des komplexen Wider-
stands Z. Oft werden komplexe Widerstände und D .0;00493  j0;01183/ 1
komplexe Leitwerte in ein gemeinsames Dia- 1 1
Y D D D 0;01182 1 :
gramm eingezeichnet. In diesen Fällen wird statt Z 78 
48 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.48 Ohm’sches Gesetz im Wechselstromkreis: komplexer Widerstand Z und komplexer Leitwert Y
1 Grundlagen der Elektrotechnik 49

Wirkleitwert  bei der Kapazität C der Strom der Spannung


um  =2 vorauseilt.
R 30  Dies wird durch den zeitlichen Verlauf der
GD 2 D
R C X2 .302 C 722 / 2 Spannungen und Ströme veranschaulicht. Mit
D 4;931  103 1 : dem Ohm’schen Gesetz für den komplexen
Widerstand Z D U =I errechnen sich die ent-
Blindleitwert B sprechenden Widerstände, die in der Gauß’schen
Zahlenebene eingezeichnet werden (Abb. 1.49,
X 72  sechste Zeile). Folgendes wird deutlich:
BD 2 D 
R C X2 .302 C 722 / 2  der ohmsche Widerstand R liegt auf der reel-
D 0;01183 1 : len Achse,
 der induktive Blindwiderstand ist jXL D j!L
Phasenwinkel ' (Gl. 15 in Abb. 1.48) (Gl. 5 in Abb. 1.49) und liegt deshalb auf der
positiven imaginären Achse,
tan ' D B=G I  der kapazitive Blindwiderstand ist jXC D
ı
' D 1;176; d. h. 67;38 : 1=.j! C / D j.1=! C / (Gl. 6 in Abb. 1.49).
Er ist auf der negativen imaginären Achse (–j)
Der komplexe Leitwert lautet somit nach aufzutragen.
Gl. 6 in Abb. 1.48 In der unteren Zeile in Abb. 1.49 ist die Frequenz-
abhängigkeit der entsprechenden komplexen
Y D .4;93  j 11;8/  103 1 Widerstände aufgezeichnet. So ist der ohmsche
ı Widerstand von der Frequenz unabhängig, der
D 0;0128  ej67;38 1 : induktive Widerstand nimmt linear mit der Fre-
quenz zu und der kapazitive Widerstand nimmt
gemäß einer Hyperbel mit zunehmender Fre-
1.6.3.3 Verhalten der Bauelemente quenz ab.
Abbildung 1.49 zeigt das Verhalten der drei pas-
siven Bauelemente, Ohm’scher Widerstand R, Beispiel 1.6-2
Induktivität L und Kapazität C im Wechsel- Gegeben sind die Frequenz f D 50 Hz, ei-
stromkreis. ne Induktivität von 1,5 H und eine Kapazität
In der ersten Zeile der Abb. 1.49 ist das Bau- von 8 µF. Berechnet werden soll a) der kom-
element und sein Schaltzeichen zu sehen und in plexe Widerstand Z L für die Induktivität L
der zweiten Zeile ist der Strom als Ausgangs- und b) der komplexe Widerstand Z C für die
größe angegeben. Ein spezielles, vom Bauele- Kapazität C .
ment abhängiges Gesetz gibt die Beziehung zwi-
schen der Spannung u.t/ und dem Strom i.t/
an (Ohm’sches Gesetz für den Widerstand, das Lösung:
Induktionsgesetz für die Induktivität und der Zu- a) Induktivität L
sammenhang zwischen Ladung und Spannung Nach Gl. 5 in Abb. 1.49 ist der Betrag des
bei der Kapazität). Die Beziehungen werden Blindwiderstandes
durch die Gl. 1.104 bis 1.107 beschrieben. Daraus
XL D ! L D 50  2 s1  1;5 H
lässt sich im Zeigerdiagramm erkennen, ob ei-
ne Phasenverschiebung zwischen Spannung und D 471;2  :
Strom vorliegt. So ist daraus ersichtlich, dass
 beim ohmschen Widerstand R Spannung und Der komplexe Widerstand Z L beträgt des-
Strom nicht phasenverschoben sind, halb:
 bei der Induktivität L die Spannung dem
ı
Strom um  =2 vorauseilt, Z L D j 471;2  D 471;2   ej90 :
50
E. Hering und R. Martin

Abb. 1.49 Bauelemente im Wechselstromkreis


1 Grundlagen der Elektrotechnik 51

b) Kapazität C Nach Gl. 6 in Abb. 1.49 komplexe Widerstand für die Reihenschaltung
gilt für den Betrag des Blindwiderstan- und b) der komplexe Leitwert für die Paral-
des jXC j: lelschaltung und die Teilströme IR , IL und IC
(für die Schaltung R-L-C ) bei einer Spannung
jXC j D 1=.! C / von U D 230 V.
D 1=.100 s1  8  106 F/
Lösung:
D 397;9  : a) Reihenschaltung
 R-L-Schaltung: Nach Gl. 1 in Abb.
Somit beträgt der komplexe Widerstand 1.50 ist
ı
Z C D j 397;9  D 397;9   ej90 : XL D !L D 100  s1  2;5 H
D 785;4  :
1.6.3.4 Reihen- und Parallelschaltung
Abbildung 1.50 zeigt die Zusammenhänge bei Es gilt Gl. 4 in Abb. 1.50
einer Reihenschaltung der drei Bauelemente Wi-
derstand (R), Induktivität (L) und Kapazität (C ). Z RL D 1500  C j 785;4  ;
Da bei einer Reihenschaltung der Strom I p
ZRL D .1500 /2 C .785;4 /2
konstant bleibt, addieren sich nach der Maschen-
regel die komplexen Spannungen. In der zweiten D 1693  ;
Zeile sind die zugehörigen Zeigerdiagramme für tan ' D 785;4 =1500  I
die Spannungen und die Widerstände zu sehen, in ' D 27;6ı :
der dritten Zeile von Abb. 1.50 die Maschenregel.
Anschließend werden die allgemeinen Formeln  R-C -Schaltung:
zur Bestimmung des komplexen Widerstandes Z Nach Gl. 2 in Abb. 1.50 ist
aufgeführt und in der fünften Zeile der spezielle
komplexe Gesamtwiderstand durch Addition der XC D 1=.! C / D 636;6  :
komplexen Einzelwiderstände errechnet. In der
letzten Zeile werden für ein RLC-Glied die Glei- Es gilt nach Gl. 7 in Abb. 1.50
chungen für die Reihenresonanz aufgeführt.
In Abb. 1.51 sind die Zusammenhänge bei der Z RC D 1500   j636;6  ;
p
Parallelschaltung aufgeführt. ZRC D .1500 /2 C .636;6 /2
Im Gegensatz zur Reihenschaltung bleibt bei
D 1630  ;
der Parallelschaltung die komplexe Spannung U
konstant. Deshalb addieren sich nach der Knoten- tan ' D 636;6 =1500  I
regel die Teilströme und die Teilleitwerte. Auch ' D 23ı :
in diesem Bild sind die allgemeinen Gleichungen
zur Bestimmung von komplexen Leitwerten auf-  R-L-C -Schaltung:
geführt und die speziellen Leitwertgleichungen Es ist XL D 785;4 ; XC D 636;6 ;
für die verschiedenen Schaltungen. Ist IC D IL , R D 1500 
dann liegt Parallelresonanz vor.
ZRLC D 1500  C j.785;4   636;6 /
Beispiel 1.6-3 D 1500  C j148;8  ;
p
In einem Wechselstromkreis von f D 50 Hz ZRLC D .1500 /2 C .148;8 /2
sind folgende Bauelemente gegeben: Wider-
D 1507  ;
stand R D 1;5 k, Induktivität L D 2;5 H
und die Kapazität C D 5 F. Wie groß ist tan ' D 148;8 =1500  I
für ein R-L-, R-C - und R-L-C -Glied a) der ' D 5;66ı :
52
E. Hering und R. Martin

Abb. 1.50 Reihenschaltung der Bauelemente im Wechselstromkreis


1
Grundlagen der Elektrotechnik
53

Abb. 1.51 Parallelschaltung von Bauelementen im Wechselstromkreis


54 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.52 Äquiva-


lente Umwandlungen:
a Reihenschaltung, b Par-
allelschaltung

b) Parallelschaltung I C D U Y C D U j! C D j 0;3613 A :
 R-L-Schaltung: Nach Gl. 4 in
Der Gesamtstrom I ges errechnet sich
Abb. 1.51 ist
aus:
Y RL D 1=R  j=!L
I ges D I R C I L C I C I
D 6;67  104 1  j 1;27  103 1 ;
p I ges D 0;1533 A
YRL D .1=1500 /2 C .1;27  103 1 /2  j 0,293 A C j 0,3613 A
D 1;44  103 1 D 1;44 mS D 0;153 A C j 0;0684 AI
tan ' D R=!L D 1;91 I Iges D 168 mA; ' D 24;1ı :
ı
' D 62;3 :
 R-C -Schaltung: 1.6.3.5 Äquivalente Umwandlungen
Bei gleicher Frequenz f (bzw. Kreisfrequenz !)
Y RC D 1=R C j! C lässt sich jede Reihenschaltung von komplexen
D 6;67  104 1 C j1;57  103 1 Widerständen in eine äquivalente Parallelschal-
p tung verwandeln und umgekehrt. In Abb. 1.52a ist
YRC D .1=1500/2 C .1;57  103 3 /2
die Reihenschaltung (Index r) und in Abb. 1.52b
D 1;71  103 1 D 1;71 mS : die Parallelschaltung (Index p) zu sehen.
Nach Gl. 9 in Abb. 1.51 ist
Parallelschaltung und äquivalente
tan ' D ! CR D 2;356 I Reihenschaltung
' D 67ı : Da der komplexe Widerstand der Reihenschal-
 R-L-C -Schaltung: tung Z r gleich dem komplexen Widerstand der
Nach Gl. 2 in Abb. 1.51 ist: Parallelschaltung Z p sein muss, gilt Z r D Z p
oder
Y RLC D 1=R C j .! C  1=.!L// Rp j Xp
Rr C j Xr D :
D 1=1500 1 Rp C j Xp

C j.1;57  103 1  1;27  103 1 / Um den Nenner in eine reelle Größe zu überfüh-
ren, wird der Bruch auf der rechten Seite mit der
D 6;67  104 1 C j 2;98  104 1 : konjugiert-komplexen Zahl (Rp  j Xp ) erweitert:
p
YRLC D .1=1500 1/2 C .2;98  104 1 /2 Rp j Xp .Rp  j Xp /
Rr C j Xr D
D 0;730  103 1 D 0;73 mS .Rp  j Xp /.Rp  j Xp /
tan ' D R.1=.! L/  ! C / I Rp Xp2 C j Rp2 Xp
ı D :
' D 24;1 : Rp2 C Xp2
Für die Stromstärken gilt: Werden die Realteile und die Imaginärteile
I R D U =R D 0;153 A I gleichgesetzt, so ergibt sich:
I L D U Y L D jU=.! L/ Rp Xp2
Rr D ; (1.82)
D j 0;293 A : Rp2 Xp2
1 Grundlagen der Elektrotechnik 55

Rp2 Xp
Xr D : (1.83)
Rp2 Xp2

Reihenschaltung und äquivalente


Parallelschaltung
Auch hier gilt die Gleichheit des komplexen Leit-
wertes der Reihenschaltung Y r D 1=Z r mit der
Parallelschaltung Y p :

1 Abb. 1.53 Schaltung zu Beispiel 1.6-4


Yr D D 1=Rp  j .1=Xp / :
Rr C j Xr

Wird der Nenner wieder reell gemacht (durch


Erweitern mit dem konjugiert komplexen Wert Der komplexe Widerstand Z 2 ist nach
Rp  j Xr ), so gilt Gl. 1.116 in Abb. 1.50

Rr Xr 1 1 Z 2 D R2 C j!L2 D 18  C j 125;7 
j 2 D j : ı (1.86b)
Rr2 C Xr
2 Rr C Xr
2 Rp Xp D 127 ej 81:8 :
Aus dem Vergleich der Real- mit den Imaginär- Die Teilströme ergeben sich zu
teilen erhält man

Rr2 C Xr2 U 12 ej 0 V
Rp D ; (1.84) I1 D D
Rr Z1 64;2 ej 82;8ı 
ı
R2 C Xr2 D 0;187 ej 82;8
Xp D r : (1.85)
Xr D 0;0233 A C j 0;186 A :
U 12 ej 0 V ı
1.6.3.6 Zusammengesetzte Schaltungen I2 D D j 81;8ı D 0;0944 ej 81;8
An ein paar Beispielen soll gezeigt werden, wie Z2 127 e 
einfach mit zusammengesetzten Schaltungen ge- D 0;0134 A  j 0;0934 A :
rechnet werden kann, wenn die komplexen Wi- (1.86c)
derstände Z verwendet werden. Der Gesamtstrom I ges errechnet sich aus der
Addition der Teilströme:
Gemischte Parallelschaltung
I ges D I 1 C I 2 D 0;0367 A C j 0;0920A
Beispiel 1.6-4 ı
D 0;0991 A ej68;2 :
Gegeben ist die Schaltung nach Abb. 1.53. Ge-
(1.86d)
sucht sind die Teilstromstärken I1 und I2 , die
Da die Bezugsgröße U D 12 ej0 V war, eilt der
gesamte Stromstärke Iges sowie der komplexe
Strom um 68,2ı der Spannung voraus.
Scheinwiderstand Z und die Phasenverschie-
Für den komplexen Gesamtwiderstand er-
bung '.
gibt sich

Lösung: Z ges D U =I ges


Für den komplexen Widerstand Z 1 gilt nach ı
D .12 ej0 V/=.0;0991 ej68;2 A/
Gl. 1.117 in Abb. 1.50 ı
D 121 ej68;2 D 44;9   j 113  :
Z 1 D R1  j .1=! C1 / D 8   j 63;66 
ı
D 64;2 ej82.8 : (Der gleiche Wert kann auch über die Formel
(1.86a) des Gesamtwiderstandes bei Parallelschaltung
56 E. Hering und R. Martin

Werden die beiden Größen multipliziert, so er-


ı
gibt sich Z 1 Y 2 D 1;254 ej 4,47 . Damit ist

12 ej 0 12 ej0
U2 D ı D ;
1 C 1;252 ej4;47 2;25  j0;098
ı
U 2 D 5;33 ej 2;5 V :

Der Effektivwert der Ausgangsspannung be-


trägt 5,32 V, sie eilt der Eingangsspannung um
' D 2;5ı vor.

1.6.4 Nicht sinusförmige


Abb. 1.54 Wien-Glied Wechselgrößen

Jede periodische Wechselgröße y.t/ kann nach


Fourier (J. B. J. F OURIER, 1768 bis 1830) in
Z ges D .Z 1 Z 2 /=.Z 1 C Z 2 / errechnet wer- eine Reihe von elementaren Cosinus- und Sinus-
den; oder durch Addition der komplexen Leit- schwingungen zerlegt werden. Die auftretenden
werte). Kreisfrequenzen sind dabei ganzzahlige Vielfa-
che der Grundkreisfrequenz, welche die periodi-
Wien-Glied als komplexer Spannungsteiler sche Wechselgröße beschreibt. Somit gilt
1
Beispiel 1.6-5 a0 X
y.t/ D C .ak cos .k ! t//
Abbildung 1.54 zeigt ein Wien-Glied. Berech- 2
kD1
net werden soll die komplexe Ausgangsspan- 1
(1.87)
X
nung U 2 . C .bk sin .k ! t// :
Für die komplexe Spannung U 2 gilt nach kD1
dem Spannungsteiler, wenn die komplexen
Widerstände Z 1 (aus Reihenschaltung R1 und Die Fourier-Koeffizienten a0 , ak und bk sind
C1 ) und Z 2 (aus Parallelschaltung von R2 und die Amplituden der einzelnen Schwingungsbei-
C2 ) eingesetzt werden: träge und errechnen sich aus der periodischen
Wechselgröße y.t/ nach folgenden Gleichungen:
Z2 1
U2 D U1 D U1 I ZT
Z1 C Z2 1 C .Z 1 =Z 2 / 2
a0 D y.t/ dt ; (1.88)
T
da Y 2 D 1=Z 2 ist, wird U 2 D U 1 =.1 C 0

Z 1 Z 2 /. Es ist nach Gl. 1.117 in Abb. 1.50 Z T


2
ak D y.t/ cos .k ! t/ dt ; (1.89)
T
Z 1 D 9  10   j7;96  10 
3 3 0

3 j41;5ı ZT
D 12;0  10 e  2
bk D y.t/ sin .k ! t/ dt (1.90)
T
0
und Y2 nach Gl. 1.132 in Abb. 1.51
.für k D 1; 2; 3; : : :/ :
Y 2 D .1=12:000/ 1 C j6;283  105 1 Häufig werden die Amplituden der Schwin-
ı
D 1;044  104 ej37;02 1 : gungsbeiträge, d. h. die Fourier-Koeffizienten, im
1 Grundlagen der Elektrotechnik 57

Abb. 1.55 Fourier-Analyse einer Rechteckschwingung


Abb. 1.56 Fourier-Koeffizienten und Symmetrieeigen-
schaften von Funktionen
Frequenzbereich dargestellt, so dass sich das Am-
plitudenspektrum ergibt. Abbildung 1.55 zeigt
die Fourier-Zerlegung einer Rechteckschwin-
CT1=2
gung in die Schwingungsanteile und in das Am- Z
2yO
plitudenspektrum. ak D cos.k!t/dt
Werden die Symmetrieeigenschaften be- T
T1=2
stimmter Funktionen berücksichtigt, dann ent-  
4yO T1
fallen entsprechende Fourier-Koeffizienten, wie D sin k!
k!t 2
Abb. 1.56 zeigt.  
Abbildung 1.57 zeigt den Kurvenverlauf y 2yO T1
D sin k 
(t) und die Impulsfolge für Rechteck, Dreieck k  T
 T 
und Sägezahn sowie das Amplitudenspektrum T1 sin k  21
mit den dazugehörigen Fourier-Reihen. D 2yO   I
T k  T21
Im Folgenden werden mit Hilfe der Fourier-
Analyse Rechteckimpulse der Höhe ŷ und der bk D 0 :
Zeitdauer T1 untersucht, die mit der Periodendau-
er T wiederkehren (Abb. 1.57b). Daraus ist das Das Amplituden-Spektrum weist als einhüllende
Tastverhältnis ˛ zu ermitteln: Kurve die Form sin.x/=x auf, deren erste Null-
stelle bei x D   liegt. Daraus folgt in unserem
˛ D T1 =T : (1.91) Fall k D T =T D 1=˛. Das bedeutet, dass sich
1

Nach Gl. 1.88 bis Gl. 1.90 ergeben sich die Fou- die Anzahl der Spektrallinien bis zur Nullstelle
rierkoeffizienten für eine symmetrische Funktion aus dem Kehrwert des Tastverhältnisses ergibt.
zu Die Impulsform (z. B. Rechteck- oder Dreieckim-
puls) ist erst an den später folgenden Amplituden
CT1=2
Z erkennbar.
2yO 2T1
a0 D dt D yO I In Abb. 1.58 sind am Beispiel periodischer
T T
T1=2 Rechteckimpulse (T D 1 ms) die Funktionen
58 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.57 Amplitudenspektrum verschiedener periodischer, nicht sinusförmiger Wechselspannungen


1 Grundlagen der Elektrotechnik 59

Abb. 1.58 Impulsfolge und Linienspektrum eines Rechteckimpulses mit unterschiedlichen Tastverhältnissen: a Tast-
verhältnis ˛ D 1=2, b Tastverhältnis ˛ D 1=5, c Tastverhältnis ˛ D 1=10

und das Amplitudenspektrum für unterschied- 1.6.5 Dämpfung und Verstärkung


liche Tastverhältnisse aufgezeichnet. Daraus ist
Folgendes deutlich ersichtlich: je kleiner das
Tastverhältnis (d. h. je länger der Abstand zwi- Eingangsleistung P1 und Ausgangsleistung P2
schen den einzelnen Impulsen), desto langsamer eines Elementes im Signalweg, beispielsweise
nehmen die einzelnen Fourier-Koeffizienten ab. eines Verstärkers, eines Kabels, einer Funkstre-
60 E. Hering und R. Martin

cke oder eines Filters, können oft Unterschiede b) Nach Gl. 1.93 ist:
von mehreren Zehnerpotenzen aufweisen. Die-  
ser große Dynamikbereich wird vorteilhafter- 12 V
a D 20 log D 4;4 dB
weise durch ein logarithmisches Verhältnis zwi- 20 V
schen Eingangsleistung P1 und Ausgangsleistung
d. h. es liegt eine Verstärkung um 4,4 dB
P2 .log.P1 =P2 // angegeben, das Dämpfung a ge-
vor.
nannt wird. Obwohl es sich um Verhältnisgrößen
Wird der Eingangswert auf eine Bezugs-
handelt, die eigentlich keine Einheit besitzen, ist
größe bezogen, dann bezeichnet man die
es üblich, die Dämpfung a in dB (Dezibel) anzu-
Dämpfung als Pegel L. Häufig werden die
geben (Bel, nach A. G. B ELL, 1847 bis 1922), so
Leistungen am Anfang oder am Ende einer
dass gilt:
Übertragungsstrecke nicht in absoluten Leis-
 
P1 tungsgrößen angegeben, sondern auf 1 mW
a D 10 log dB : (1.92) bezogen. An die Einheit dB wird ein m ange-
P2
fügt, und es steht dBm. Statt 500 mW wird in
Ist der Eingangs- und der Ausgangswiderstand diesem Fall angegeben:
gleich groß (z. B. bei vollkommener Leistungs-
 
anpassung), dann gilt P D U 2 =R und man erhält 500 mW
L D 10 log dB m D 27 dB m :
für die Dämpfung der Spannungen: 1 mW
 2 
U1  R2 Die professionelle Hochfrequenztechnik ar-
a D 10 log ;
R1  U22 beitet mit R D 50 . Der Pegel L für die
Leistung 1 mW ist
da R1 D R2 D R ist, gilt auch
 2  2 L D 10 log.1 mW=1 mW/ dB m D 0 dB m :
U1 U1
a D 10 log 2
D 10 log oder
U2 U2 Soll die Spannung berechnet werden, dann
 2
U1 muss der Abschlusswiderstand bekannt sein.
a D 20 log dB : (1.93)
p gilt P D U0 =R, aus dem folgt U0 D
2
U2 Es
P  R.
Bei einer Dämpfung ist die Ausgangsspan- In der Fernsprechtechnik bei niedrigen Fre-
nung U2 kleiner als die Eingangsspannung U1 , quenzen sind die Speise-, Leitungs- und Ab-
weshalb das Verhältnis U1 =U2 > 1 und der Lo- schlusswiderstände R D 600 .
garithmus positiv ist. Bei einer Verstärkung ergibt Damit wird für die Fernsprechtechnik:
sich ein negativer Dämpfungswert (U1 =U2 < 1). 0 dB an 600  ergibt
Häufig wird auch a D 10 log.P2 =P1 / dB ange-
p
geben. In diesem Fall ist die Verstärkung positiv U0 D 1 mW  600  D 775 mV I
und die Dämpfung negativ.
für die Hochfrequenztechnik gilt:
Beispiel 1.6-6 0 dB an 50  ergibt
An einer Schaltung liegen als Eingangsspan- p
nung U1 D 12 V. a) Berechnet werden soll die U0 D 1 mW  50  D 224 mV :
Dämpfung a für eine Ausgangsspannung von
U2 D 8 V und b) für eine Ausgangsspannung In der Hochfrequenztechnik sind die Begriffe
U2 D 20 V. Leistungspegel LP bzw. Spannungspegel LU
gebräuchlich, wobei gilt
Lösung:  
a) Für die Dämpfung a gilt nach Gl. 1.93: P
LP D 10 log mit
  P0
12 V
a D 20 log D 3;5 dB: P0 D 1 mW
8V
1 Grundlagen der Elektrotechnik 61

und
 
U
LU D 20 log mit
U0
U0 D 0;0224 V :

In der Übertragungstechnik kann die gesamte


Dämpfung ages einer Strecke als die Summe
aus den Dämpfungen ai der einzelnen Über- Abb. 1.59 Abtasten einer kontinuierlichen Kurve im
tragungsglieder i ermittelt werden, so dass Zeitintervall T
man schreibt:

ages D a1 C a2 C a3 C : : : C an : (1.94) Abb. 1.59 zeigt. Aus diesen diskreten Werten


kann man auf die Kurvenform schließen.
Ganz entscheidend für die richtige Umwand-
Beispiel 1.6-7 lung ist die Frage, wie groß das Abtastintervall T
Eine Verstärkerkette mit 5 Gliedern verstärkt höchstens sein darf, damit die Kurvenform ein-
jeweils um folgende Faktoren: V1 D 20, V2 D deutig bestimmt ist und keine Information ver-
0;1, V3 D 40, V4 D 20 und V5 D 5. Wie groß loren geht. Für eine Kurve mit der Bandbrei-
ist die Gesamtverstärkung? te B (Abb. 1.60 oben) gilt das Shannon’sche
Abtasttheorem (S HANNON, geb. 1916) für das
Lösung: Tastintervall T oder für die Beziehung zwischen
Nach Gl. 1.94 ist die gesamte Verstärkung Signalfrequenz f
Signal und Tastfrequenz fTast :
ages D a1 C a2 C a3 C a4 C a5 mit
1
a1 D 20 log.20/ D 26 dB ; T <
2B
oder fTast > 2fSignal : (1.95)
a2 D 20 log.0;1/ D 20 dB ;
Das bedeutet, dass bei der Digitalisierung analo-
a3 D 20 log.40/ D 32 dB ;
ger Kurvenverläufe die Tastfrequenz mindestens
a4 D 20 log.20/ D 26 dB und doppelt so groß sein muss wie die Signalfre-
a5 D 20 log.5/ D 14 dB : quenz. Für eine einfache Sinusschwingung be-
deutet dies, dass je Periode mindestens zwei
Daraus ergibt sich Tastwerte erfasst werden müssen. Mit Hilfe der
Fourier-Analyse (Abschn. 1.6.5) ist allgemein
ages D C26 dB  20 dB C 32 dB erklärbar, dass beim Abtasten das Amplituden-
C 26 dB C 14 dB spektrum im Frequenzbereich periodisch wie-
D 78 dB : derholt wird. In Abb. 1.60 sind die Fourier-
Amplitudenspektren für unterschiedliche Tast-
verhältnisse schematisch dargestellt.
Entscheidend für das Shannon’sche Theorem
1.6.6 Shannon’sches Abtasttheorem ist, dass das Amplitudenspektrum bandbreiten-
begrenzt ist (Abb. 1.60 oben). Aus Abb. 1.60
Kontinuierliche Kurvenverläufe müssen in der ist ferner ersichtlich: Ist das Abtasttheorem er-
Digitaltechnik (Abschn. 11) in diskrete Signale füllt, dann sind die Amplitudensignale gerade
zerlegt werden können. Dies geschieht dadurch, voneinander zu unterscheiden (Abb. 1.60a). Wird
dass der kontinuierliche Kurvenverlauf in kon- häufiger als erforderlich abgetastet, dann entsteht
stanten Zeitintervallen T abgetastet wird, wie zwischen den Amplituden eine Lücke; das Signal
62 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.60 Wirkung verschiedener Abtastintervalle T

ist aber gut zu erkennen (Abb. 1.60b). Ist das so ist ein sehr steiles Filter (nahe einem idealen
Abtastintervall zu groß, dann überlappen die Am- Tiefpassfilter) zur Trennung des Ausgangsspek-
plitudensignale und die Ausgangskurve ist nicht trums notwendig. Für Abb. 1.60b braucht we-
eindeutig zu bestimmen. In diesem Fall entstehen gen der Lücken im Spektrum das Tiefpassfilter
Aliasing-Effekte, bei denen statt der tatsächlich nicht so steil zu sein und kann deshalb einfa-
vorhandenen höheren Frequenz fälschlicherweise cher ausgeführt werden. Dies wird beispielsweise
eine niedrigere gemessen wird. Werden diese Si- bei CD-Spielern ausgenutzt, bei denen die In-
gnale digitalisiert, so entstehen Fehler, die nicht formationen mehrfach abgetastet werden (engl.:
mehr zu erkennen und damit nicht mehr zu korri- oversampling) und somit teilweise große Lücken
gieren sind. im Amplitudenspektrum entstehen.
Um die periodischen Anteile des Signals her- Die strikte Beachtung des Abtasttheorems ist
auszufiltern, muss ein Tiefpassfilter nachgeschal- besonders wichtig beim Einsatz von Analog-
tet werden. Wie in den Abb. 1.60a und b rot ein- Digital-Wandlern (Abschn. 10) und bei der Ver-
gezeichnet, ist damit die eindeutige Rückgewin- wendung von digitalen Messgeräten. Gerade
nung des Ausgangssignals möglich. Die Steilheit bei Messgeräten ist der Zusammenhang zwi-
des Tiefpassfilters ist dabei von der Lücke zwi- schen Einschwingzeit tE (entspricht der Abtast-
schen den beiden Amplituden abhängig. Wird zeit tTast D 1=fTast ) und Grenzfrequenz fgrenz zu
das Abtasttheorem gerade erfüllt (Abb. 1.60a), beachten, der sich nach dem Shannon’schen Ab-
1 Grundlagen der Elektrotechnik 63

tasttheorem (Gl. 1.95) folgendermaßen bestimmt: a) Berechnen Sie den komplexen Widerstand ei-
ner Reihenschaltung aus R  L, R  C und
1
tE D : (1.96) R  L  C.
2fgrenz b) Berechnen Sie den komplexen Widerstand ei-
Ein abtastendes Messgerät muss den Wert zwi- ner Parallelschaltung aus R  L, R  C und
schen zwei Messzeitpunkten aufnehmen, verar- R  L  C.
beiten und weiterleiten oder speichern.
Ü 1-6-3 Gegeben sind zwei komplexe Wider-
Beispiel 1.6-8 stände. Z 1 ist eine Reihenschaltung aus 1000 
Das Telefonnetz besitzt eine Bandbreite von und 6 µF, Z 2 ist eine Reihenschaltung aus 500 
B D 3;4 kHz. Wie groß darf das Abtastinter- und 0,6 H. Beide werden aus 230 V und 50 Hz
vall bei der Umwandlung in digitale Signale gespeist. Gesucht sind die komplexen Widerstän-
höchstens sein? de der Zweige Z 1 und Z 2 , die Teilströme I1
und I2 , der gesamte Strom Iges und die Phasen-
Lösung: verschiebung ' zwischen Speisespannung und
Nach dem Shannon’schen Abtasttheorem Gesamtstrom.
(s. Gl. 1.95) gilt T D 1=.2  3400 Hz/ D
147 s. Ü 1-6-4 Eine Antennenanlage besitzt einen
Die Tastzeit muss also mindestens 147 µs Quellwiderstand von 75  und gibt eine Span-
betragen. In Wirklichkeit wird alle 125 µs ab- nung UA D 600 V ab. Die gesamte Leitung
getastet. weist eine Dämpfung von aLeit D 8 dB auf, der
Verteiler von aV D 5 dB und die Weiche von
aW D 12 dB. Der eingebaute Verstärker hat ei-
1.6.7 Übung ne 30fache Spannungsverstärkung . Wie groß ist
die gesamte Dämpfung ages , die Eingangsleistung
Ü 1-6-1 Eine Wechselspannungsquelle mit f D
Pein und die Ausgangsleistung Paus ?
50 Hz und U D 160 V speist eine Reihenschal-
tung aus einem Kondensator C D 50 F und
einer verlustbehafteten Spule, deren reiner Blind- Ü 1-6-5 CD-Spieler sind in der Lage, Frequen-
widerstand hier j60  beträgt. In diesem Kreis zen bis zu 20 kHz zu übertragen.
fließen 1,2 A. a) Welches ist die minimale Abtastfrequenz
a) Wie groß ist der ohmsche Widerstand der nach Shannon?
Spule? b) Was versteht man unter einem „8fach-
b) Wie groß ist der komplexe Widerstand der Oversampling“?
Gesamtschaltung? c) Welche Abtastfrequenz hat ein solcher CD-
c) Wie groß ist der Phasenwinkel zwischen Spieler?
Strom und Spannung? d) Welchen Vorteil hat das Oversampling?
d) Berechnen Sie den komplexen Leitwert und
die Werte für Wirk-, Blind- und Scheinleit-
wert. 1.7 Bezeichnung und Messung
elektrischer Größen
Ü 1-6-2 Folgende Bauteile sind vorhanden: Ein
Widerstand mit R D 500 , eine ideale Induk- 1.7.1 Bezeichnung elektrischer Größen
tivität mit L D 4;6 H (widerstandslos) und ein
Kondensator mit 2,5 µF. Sie werden bei f D Bei der Beschreibung und Berechnung elektri-
50 Hz betrieben. scher Schaltkreise werden häufig Teilgrößen der
64 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.61 Bezeichnung elektrischer Größen

elektrischen Parameter betrachtet, um die Berech-


nung zu vereinfachen oder klarer darzustellen. Abb. 1.62 Absoluter Widerstand rBE und differenzieller
Die Größen bestehen aus dem Symbol für Widerstand rbe
die physikalische Einheit, das mit einem oder
mehreren Buchstaben oder Zahlen indiziert wird.
Dadurch lassen sich verschiedene Größen oder vorhandene Größen, beispielsweise der Basis-
Teilgrößen mit der gleichen physikalischen Ein- Emitterwiderstand eines Transistors, mit dem
heit, beispielsweise der Spannung U , eindeutig Kleinbuchstaben r bezeichnet. Der selten be-
unterscheiden. Die folgende Aufstellung zeigt ei- nutzte Absolutwiderstand heißt rBE , während der
nige wichtige Bezeichnungen. häufig gebrauchte interne differenzielle Basis-
Emitterwiderstand mit rbe bezeichnet wird. Inter-
U; I; P Gleich-, Mittel-, Absolut- und Effektivwerte ne Kapazitäten C und Induktivitäten L werden
werden mit Großbuchstaben bezeichnet.
immer mit Großbuchstaben bezeichnet.
u; i; p Augenblickswerte werden stets mit Klein-
buchstaben bezeichnet.
Abbildung 1.62 verdeutlicht den Zusammen-
UBE ; uBE Gesamtwerte werden mit Großbuchstaben hang. Dabei ist der innere Absolutwiderstand
indiziert, diese Werte werden von null an rBE D UBE =IB , während der für den Kleinsignal-
gezählt. betrieb wichtige differenzielle Widerstand rbe D
Ube Besteht eine Spannung aus einem kon- UBE =IB ist.
stanten Gleichanteil, beispielsweise dem
Mittelwert UBE .AV/ und einem überlagerten
Wechselspannungsanteil Ube , dann bezeich-
net ein Großbuchstabe mit kleinen Indizes 1.7.2 Messung elektrischer Größen
den veränderlichen Signalanteil.
Für die Messung elektrischer Größen sowie zur
Abbildung 1.61 veranschaulicht einige Grö- Entwicklung und zum Test elektronischer Bau-
ßen. elemente steht eine Vielzahl von Messgeräten zur
Elementare elektrische Bauteile werden nor- Verfügung, die in Abb. 1.63 zusammengestellt
malerweise mit den Großbuchstaben R; L und C sind. Dieses Bild gibt nicht nur eine Übersicht
bezeichnet. Physikalisch direkt vorhandene Bau- über die Vielzahl an Messgeräten, sondern liefert
teile, beispielsweise die externe Beschaltung ei- dem Leser auch Anhaltspunkte dafür, mit wel-
nes Transistors, werden immer mit Großbuch- chen Geräten seine speziellen Messaufgaben zu
staben bezeichnet. Dagegen werden inhärent lösen sind.
1 Grundlagen der Elektrotechnik 65

1.8 Grundlagen der Halbleiterphysik mal so groß ist, wie die Zahl der Gitteratome,
können nach dem Schema von Tab. 1.5 Elemente
Die Eigenschaften der Halbleiterbauelemente aus verschiedenen Gruppen des Periodensystems
sind eng verknüpft mit den physikalischen Eigen- kombiniert werden. Die meisten Verbindungs-
schaften der Halbleitermaterialien. Zum besseren halbleiter kristallisieren in der Zinkblendestruk-
Verständnis der entsprechenden Abschnitte wer- tur, die aussieht wie die Diamantstruktur von
den deshalb einige fundamentale Gesetzmäßig- Abb. 1.64, wobei aber beispielsweise beim GaAs
keiten der Physik der Halbleiter vorangestellt. jedes Ga-Atom von vier As-Atomen umgeben
ist, umgekehrt auch jedes As-Atom von vier
Ga-Atomen. Der Halbleiter GaAs erlangt zuneh-
1.8.1 Materialien mende Bedeutung, weil er eine wesentlich höhere
Ladungsträgerbeweglichkeit aufweist als Si, so
Halbleiter sind Festkörper, deren spezifischer dass daraus sehr schnelle Bauelemente gefertigt
elektrischer Widerstand stark temperaturabhängig werden können.
ist. In der Nähe des absoluten Temperaturnull-
punkts sind sie perfekte Isolatoren; bei höheren
Temperaturen (z. B. bei Raumtemperatur) weisen 1.8.2 Energiebänder
sie eine elektrische Leitfähigkeit auf. Der spe-
zifische Widerstand der Halbleiter liegt etwa im Die Quantenmechanik lehrt, dass in isolierten
Bereich 103 cm bis 109 cm. Atomen die Elektronen um die Atomkerne eine
Die Elemente Silicium, Germanium und grau- Aufenthaltswahrscheinlichkeit haben, die durch
es Zinn (˛-Sn) aus der IV. Gruppe des Perioden- stehende Wellen beschrieben wird. Die Wellen-
systems werden als Elementhalbleiter bezeich- funktionen n dieser Materiewellen und die da-
net. Aufgrund seiner physikalischen Eigenschaf- mit verknüpften Energien En ergeben sich durch
ten und der guten technologischen Verarbeitbar- Lösung der Schrödingergleichung. Es zeigt sich,
keit ist Si mit Abstand der wichtigste Halbleiter dass die Elektronen nur diskrete Energiezustän-
überhaupt. Die Atome der Elementhalbleiter ha- de einnehmen können, die auf einer Energieleiter
ben vier Valenzelektronen, die mit jeweils vier angeordnet sind (Abb. 1.65).
nächsten Nachbarn Elektronenbrücken bilden In einem Festkörper sind sehr viele Elektronen
(kovalente Bindung). Räumlich ordnen sich da- miteinander in Wechselwirkung, was dazu führt,
her die Atome so an, wie es das Modell von dass die erlaubten Energieniveaus zu Bändern
Abb. 1.64 zeigt: Jedes Atom sitzt im Zentrum verbreitert werden, die durch verbotene Zonen
eines Tetraeders, an dessen vier Ecken die nächs- getrennt sind. Der Übergang vom Einzelatom
ten Nachbarn angeordnet sind. Kristallographisch zum Festkörper ist in Abb. 1.65 schematisch dar-
wird diese sogen. Diamantstruktur auch als ku- gestellt.
bisch flächenzentriertes Gitter beschrieben. Bei den Halbleitern sind nun alle energetisch
Abbildung 1.64 zeigt einen Würfel als Ele- tief liegenden Bänder, die sogen. Valenzbänder,
mentarzelle, an dessen Ecken und Flächenmitten mit Elektronen gefüllt. Das oberste vollständig
jeweils ein Atom sitzt. Zu jedem dieser Atome gefüllte Valenzband ist durch eine Energielücke
gehört ein zweites, das in Richtung der Raum- der Breite Eg (vom engl. energy gap) von höher
diagonale des Würfels um ein Viertel derselben liegenden leeren Bändern, die als Leitungsbän-
verschoben ist. Die wichtigsten Raumrichtungen der bezeichnet werden, getrennt. Abbildung 1.66
im Kristall, die durch Millersche Indizes [h k l] zeigt das Bändermodell mit dem obersten Va-
bezeichnet werden, sind ebenfalls eingezeichnet. lenzband (VB), der verbotenen Zone und dem
Zunehmende Bedeutung erlangen die Verbin- untersten leeren Leitungsband (LB).
dungshalbleiter, die erstmals von W ELKER sys- Das Gittermodell ist vereinfacht so gezeich-
tematisch untersucht wurden. Unter der Voraus- net, dass jedes Si-Atom in der Zeichenebene
setzung, dass die Zahl der Valenzelektronen vier vier nächste Nachbarn hat. Elektronen im Va-
66
E. Hering und R. Martin

Abb. 1.63 Messgeräte und ihre Eigenschaften (vorher Abb. 1.61)


1 Grundlagen der Elektrotechnik 67

Abb. 1.63 (Fortsetzung)


68 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.64 Kristallgitter von Diamant und Zinkblende. a kubisch flächenzentriertes Gitter, b tetraedrische Struktur der
vier nächsten Nachbarn

Tab. 1.5 Element- und Verbindungshalbleiter


Gruppen des Perioden- Beispiele
systems
IV Si, Ge, ˛-Sn
IV–IV SiC
III–V GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP
II–VI CdS, CdSe, HgS, ZnS, ZnTe

Abb. 1.66 Bändermodell und Kristallgitter eines Halblei-


ters bei Eigenleitung

lenzband sind solche, die im Kristallgitter fest an


die Atomrümpfe gebunden sind, also die Elektro-
nenpaarbindung bewirken. Ein solcher Halbleiter
hat keine frei beweglichen Elektronen und damit
keine Leitfähigkeit. Dieser Zustand ist bei T 
0 K verwirklicht. Mit steigender Temperatur aber
werden durch die wachsende thermische Schwin-
gungsenergie Bindungen aufgerissen, so dass
sich Elektronen mehr oder weniger frei im Git-
ter bewegen können. Dieser Vorgang entspricht
Abb. 1.65 Erlaubte Energiezustände der Elektronen im im Bändermodell einem Anheben von Elektronen
Atom, Moleküle und Festkörper über die verbotene Zone ins Leitungsband.
1 Grundlagen der Elektrotechnik 69

1.8.3 Ladungsträgerkonzentration

Die Konzentration der frei beweglichen Ladungs-


träger ist bei einem Halbleiter von entscheidender
Bedeutung für die elektrische Leitfähigkeit. Sie
ist stark temperaturabhängig und kann durch Do-
tieren mit Fremdstoffen in weiten Grenzen verän-
dert werden.

1.8.3.1 Eigenleitung
In einem reinen Halbleiter (engl.: intrinsic se-
miconductor) beruht die elektrische Leitfähig-
keit auf der Bewegung von Elektronen, die un-
ter Energieaufwendung über die Bandlücke weg
vom Valenzband ins Leitungsband gehoben wur-
den (Abb. 1.66). Jedes Elektron, das aus dem
Abb. 1.67 Variation des Bandabstandes mit der Tempera-
Valenz- ins Leitungsband gehoben wird, hin-
tur für Ge, Si und GaAs terlässt in der Elektronenverteilung des Valenz-
bandes eine Lücke. Diese Defektelektronen oder
Löcher verhalten sich im See der negativen Elek-
Die Breite des Bandabstandes Eg ist von der
tronen wie positive Teilchen. Wird an den Kristall
Temperatur abhängig. Bei den meisten Halblei-
eine elektrische Spannung angelegt, dann fließen
tern nimmt Eg mit steigender Temperatur ab. Der
die Elektronen zur Anode. Gebundene Elektro-
Zusammenhang für die Halbleiter Ge, Si und
nen in der Nachbarschaft von Löchern können
GaAs ist in Abb. 1.67 dargestellt.
durch Platzwechsel in ein Loch springen; da-
Die Abhängigkeit des Bandgaps von der Tem-
durch wandert das Loch in Richtung Kathode.
peratur wirkt sich auf viele Eigenschaften von
Der Strom in einem Halbleiter lässt sich daher
Halbleiterbauelementen aus. Tabelle 1.6 zeigt
als Summe aus einem Elektronenstrom und ei-
eine Zusammenstellung des Bandabstandes Eg
nem Löcherstrom darstellen:
und des Temperaturkoeffizienten dEg =dT einiger
Halbleiter. I D In C Ip : (1.97)

Tab. 1.6 Bandabstand Eg und Temperaturkoeffizient Dabei fließen die Löcher in der technischen
dEg =dT für einige Halbleiter bei T D 300 K Stromrichtung (von C nach ), die Elektronen
Halbleiter Eg (eV) dEg /dT entgegengesetzt. Da freie Elektronen (Elektronen
(104 eV=K) im Leitungsband) und Löcher immer paarweise
Si 1,11 –2,7 erzeugt werden, gilt für die Dichten n und p der
Ge 0,66 –3,7 Elektronen und Löcher
GaAs 1,43 –3,9
GaP 2,27 –5,2 n D p: (1.98)
GaSb 0,70 –3,7
InAs 0,356 –3,5 Die Berechnung der Ladungsträgerkonzentratio-
InP 1,34 –2,9 nen n und p geschieht mithilfe der Fermi-Dirac-
InSb 0,18 –2,8 Statistik. Danach ist die Wahrscheinlichkeit für
CdO 1,3 –4,2
die Besetzung eines Energieniveaus E durch ein
CdS 2,5 4,1
Elektron gegeben durch die Fermi-Funktion
CdSe 1,75 3,6
ZnS 3,56 –5 h i
EEF 1
ZnTe 2,3 –4,5 f .E/ D 1 C e k T :
70 E. Hering und R. Martin

Kristall nicht nur die äußeren Kräfte verspüren,


sondern auch innere Kräfte, die durch die peri-
odisch variierenden Potenziale der Atomrümpfe
verursacht werden. Das Verhältnis aus äußerer
Kraft und tatsächlicher Beschleunigung ist die
effektive Masse me der Kristallelektronen. Die-
se ist von der Bewegungsrichtung abhängig und
kann experimentell bestimmt werden (z. B. durch
Zyklotronresonanz). Sie beträgt beispielsweise
im Germanium für Elektronen im Leitungsband,
die sich in [111]-Richtung (Abb. 1.64) bewegen
me,l D 1;6  m0 , wenn m0 die Ruhemasse freier
Elektronen ist, in der dazu senkrechten Richtung
ist sie me,t D 0;082 m0 . Durch eine spezielle
Mittelung ergibt sich die effektive Zustandsdich-
Abb. 1.68 Besetzungswahrscheinlichkeit f .E/, Zu- temasse, die in die Formel für die
standsdichte D.E/ sowie schematische Anordnung der Zustandsdichte einzusetzen ist: me,d D
Elektronen und Löcher im Leitungs- und Valenzband 0;554 m0 .
eines reinen Halbleiters Die Dichte aller Elektronen im Leitungsband
wird damit
EF ist die Fermi-Energie, für die gilt f .EF / D Z1
0;5. Sie liegt näherungsweise in der Mitte der ver- n D f .E/De .E/dE :
botenen Zone (Abb. 1.66). k ist die Boltzmann- EL
Konstante (k D 8;6173  105 eV=K), T ist die
absolute Temperatur. Die Elektronendichte n.E/ Für den Fall, dass E  EF  kT , kann die
im Energieintervall zwischen E und E C dE ist Fermi-Funktion durch den Boltzmann-Faktor er-
gegeben durch das Produkt aus Fermi-Funktion setzt werden:
EEF
f .E/, der Zustandsdichte De .E/ und der Breite f .E/  e k T :
des Intervalls dE:
Damit lässt sich obiges Integral geschlossen lö-
n.E/ D f .E/  De .E/ dE : sen. Die Integration ergibt:
EL EF
Alle drei Funktionen sind in Abb. 1.68 darge- n D NL e kT ; (1.99)
stellt. Die Zustandsdichte gibt die Dichte der mit der effektiven Zustandsdichte des Leitungs-
erlaubten Energiezustände im betrachteten Ener- bandes
giebereich an, für sie gilt  
2 me,d kT 3=2
  3=2 NL D 2 :
1 2me h2
De .E/ D .E  EL / :
1=2
2 2 ¯2 Für die Löcher im Valenzband gelten die oben
gemachten Ausführungen sinngemäß. Analog zu
Sie wächst mit der Wurzel aus der Energie der
Gl. 1.99 ergibt sich für die Löcherdichte im Va-
Leitungsbandelektronen und hängt stark von der
lenzband
effektiven Masse me der Ladungsträger ab. EF EV
p D NV e kT (1.100)
Nun gibt es bei Halbleitern die Besonder-
heit, dass sich die Elektronen aufgrund äuße- mit der effektiven Zustandsdichte des Valenzban-
rer Kräfte so bewegen, als ob ihre Masse nicht des  
identisch wäre mit der Masse freier Elektro- 2 mh,d kT 3=2
NV D 2 :
nen. Das kommt daher, dass die Elektronen im h2
1 Grundlagen der Elektrotechnik 71

Tab. 1.7 Eigenschaften Physikalische Größe Ge Si GaAs


der Halbleiter Ge, Si und Kristallstruktur Diamant Diamant Zinkblende
GaAs bei T D 300 K
Gitterkonstante a in 1010 m 5;65771 5;43043 5;65325
linearer Ausdehnungskoeffizient ˛ in 106 K1 5;9 2;56 6;86
spezifische Wärmekapazität c in kJ=(kg K) 0;31 0;70 0;35
Wärmeleitfähigkeit in W=(m K) 64 145 46
Schmelzpunkt #s in ı C 937 1415 1238
Atomdichte N=V in 1022 cm3 4;42 5;0 4;42
Dichte  in kg=m3 5326;7 2328 5320
Molmasse M in g=mol 72;60 28;09 144;63
relative Permittivitätszahl "r 16;2 11;9 12;9
Bandgap Eg in eV 0;660 1;11 1;43
intrinsische Trägerdichte ni in cm3 2;33  1013 1;02  1010 2;0  106
Effektive Zustandsdichte
im Leitungsband NL in cm3 1;24  1019 2;85  1019 4;55  1019
im Valenzband NV in cm3 5;35  1018 1;62  1019 9;32  1018
Beweglichkeit n in cm2 =(Vs) 3900 1350 8500
p in cm2 =(Vs) 1900 480 435

Tabelle 1.7 zeigt neben anderen Materialparame-


tern die effektiven Zustandsdichten der Halbleiter
Ge, Si und GaAs.
Aus den Gl. 1.99 und 1.100 ergibt sich für das
Produkt der Trägerdichten

n  p D n2i D NL NV eEg =.kT / : (1.101)

ni wird als Eigenleitungsdichte (engl. intrinsic


carrier concentration) bezeichnet. Nach Gl. 1.98
ist ni D n D p. Durch Wurzelziehen folgt aus
Gl. 1.101
p
ni .T / D NL NV eEg =.2kT /
(1.102)
D ni0 T 3=2 eEg =.2kT / :

Die nach Gl. 1.102 errechneten Intrinsic-Daten


sind in Tab. 1.7 angegeben. Diese Trägerdichten
sind stark temperaturabhängig. Abbildung 1.69
zeigt den Zusammenhang für Ge. Bei logarith-
mischer Auftragung von ni gegen 1=T entsteht
näherungsweise eine Gerade mit der Steigung
Eg =.2k/. Abweichungen von der Geraden ent-
stehen durch den Faktor T 3=2 in Gl. 1.102 so- Abb. 1.69 Eigenleitungsdichte ni von Germanium in Ab-
wie durch die Temperaturabhängigkeit der Band- hängigkeit von der Temperatur T
lücke. Für den temperaturunabhängigen Faktor
ni0 in Gl. 1.102 folgt bei
 Germanium ni0 D 1;57  1015 cm3 K3=2 , Offensichtlich ist die Eigenleitungsdichte ni
 Silicium ni0 D 4;14  1015 cm3 K3=2 , mit der Breite Eg des Bandgaps korreliert. Bei
 Galliumarsenid ni0 D 3;95  1015 cm3 K3=2 . Halbleitern mit großem Bandabstand ist die Trä-
72 E. Hering und R. Martin

gerdichte klein. Bei den Halbleitern Si und GaAs Tab. 1.8 Ionisierungsenergien ED von Donatoren und EA
sind die Dichten ni so klein, dass sie praktisch gar von Akzeptoren in Silicium und Germanium
nicht verifizierbar sind. Das kommt daher, dass Störstelle Ionisierungsenergie
diese Substanzen nicht mit genügender Reinheit ED bzw. EA in meV
Silicium Germanium
hergestellt werden können. Wenn nämlich der
Donatoren
Kristall (absichtlich oder unabsichtlich) Fremd-
P 46 12,76
stoffe enthält. dann wird die Ladungsträgerkon-
As 54 14,04
zentration durch die Verunreinigungskonzentra- Sb 43 10,19
tion bestimmt, die in diesen Substanzen immer Akzeptoren
höher ist als ni . Von den drei in Tab. 1.7 aufge- B 45 10,4
listeten Halbleitern ist lediglich Ge in der genü- Al 69 10,2
genden Reinheit darstellbar, so dass dort ni auch Ga 73 10,8
tatsächlich gemessen werden kann (z. B. mit Hil- In 155 11
fe des Hall-Effekts).
Die genaue Lage der Fermi-Energie folgt aus
den Gl. 1.99 und 1.100 zu
in Tab. 1.8 für die Halbleiter Silicium und Germa-
p nium zusammengestellt. Aus den Zahlenwerten
EF D EV C Eg =2  k T ln NL =NV : (1.103)
ist ersichtlich, dass bereits bei Raumtempera-
tur praktisch alle Störstellen ionisiert sind. Die
Sie liegt demnach bei T D 0 K exakt in der Mitte
Dichte der Elektronen im Leitungsband nimmt
der verbotenen Zone. Bei endlicher Temperatur
dadurch sehr viel größere Werte an als ni beim
entfernt sie sich geringfügig von der Zonenmit-
Eigenleiter. Gleichzeitig geht dafür die Dichte der
te. Beispielsweise liegt sie im Germanium bei
freien Löcher im Valenzband zurück, denn nach
T D 300 K um E D 0;0138 eV unterhalb. Ei-
Gl. 1.101 gilt für jeden Halbleiter, unabhängig
ne genaue Kenntnis der Lage des Fermi-Niveaus
von der Dotierung:
ist deshalb wichtig, weil es in einem Halbleiter-
Bauelement im thermodynamischen Gleichge-
wicht überall auf gleicher Höhe sein muss. n  p D n2i : (1.104)

1.8.3.2 Störstellenleitung In diesem Fall beruht die elektrische Leitfähig-


keit beinahe ausschließlich auf dem Transport der
n-Halbleiter negativen Elektronen, weshalb der Halbleiter als
Die Konzentration freier Ladungsträger und da- n-Typ (n-leitend) bezeichnet wird. Die Elektro-
mit die Leitfähigkeit kann erheblich beeinflusst nen sind die Majoritätsträger (Majoritäten), die
werden durch den Einbau von Fremdatomen ins Löcher die Minoritätsträger (Minoritäten).
Kristallgitter (Dotieren). Wird beispielsweise Si- Aus Neutralitätsgründen muss die Summe al-
licium mit Atomen eines Elements der V. Gruppe ler positiven Ladungen (Löcher plus ionisierte
des Periodensystems dotiert, dann bringt jedes Störstellen) gleich der Ladung der freien Elektro-
Störatom ein Elektron mit, das keine Bindung mit nen sein:
nächsten Nachbarn eingeht und deshalb durch ge- p C nC
D D n:
ringe Energiezufuhr von seinem Atom abgetrennt
werden kann. Im Bänderschema von Abb. 1.70 Unter der Voraussetzung, dass alle Donatoren
sind diese Elektronen dicht unter der Leitungs- ionisiert sind (dieser Zustand wird als Störstel-
bandkante angesiedelt. Durch Zufuhr der Io- lenerschöpfung bezeichnet), ist die Dichte der
nisationsenergie ED kann ein solcher Donator ionisierten Donatoren identisch mit der Dichte
(Elektronenspender) ionisiert werden, d. h. das der Donatoren überhaupt: nC D D nD . Also gilt:
Elektron ins Leitungsband gehoben werden. Die
Ionisationsenergien ED einiger Dotierstoffe sind p C nD D n : (1.105)
1 Grundlagen der Elektrotechnik 73

Abb. 1.70 Bändermodell und Kristallgitter dotierter Halbleiter

Aus den beiden Gl. 1.104 und 1.105 folgt für die
Dichte der freien Elektronen und Löcher:
r 
nD nD 2
nD C C n2i ;
2 2 (1.106)
p D n2i =n :
Die Abhängigkeit der Elektronen- und Löcher-
dichte von der Donatorenkonzentration ist in
Abb. 1.71 dargestellt. Für nD  ni (was zumin-
dest bei Si und GaAs immer erfüllt ist) gilt die
praktische Näherung

n  nD ; p  n2i =nD : (1.107)

Die Elektronenkonzentration verringert sich


drastisch mit abnehmender Temperatur. Insbe-
sondere sind am absoluten Nullpunkt alle Stör-
stellen neutral, der Halbleiter also ein idealer
Isolator. Im Falle tiefer Temperaturen spricht man
vom Zustand der Störstellenreserve, um anzudeu- Abb. 1.71 Konzentration der freien Elektronen (n) und
ten, dass mit steigender Temperatur zunehmend Löcher (p) in n-Typ Germanium in Abhängigkeit von der
Störstellen ionisiert werden können. Die Trä- Donatorenkonzentration im Falle der Störstellenerschöp-
fung
gerdichte wird wie bei der Eigenleitung durch
Anwendung der Fermi-Dirac-Statistik berechnet.
Abbildung 1.72 zeigt die Fermi’sche Verteilungs- Die Fermi-Energie EF liegt jetzt in der Mitte
funktion f .E/ der Elektronen bei tiefen Tempe- zwischen den Störstellenniveaus und der benach-
raturen. barten Bandkante. In Analogie zu Gl. 1.102 folgt
74 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.72 Fermi-Dirac-Verteilung in n- und p-Halblei-


tern bei tiefen Temperaturen. Die roten Gebiete entspre-
chen den mit Elektronen besetzten Energiezuständen

für die Konzentration der freien Elektronen bei


tiefen Temperaturen (kT  ED = ln.NL =2nD /):
r
nD NL ED =.2kT /
n.T / D e : (1.108)
2

In diesem Ausdruck spielt ED dieselbe Rolle


Abb. 1.73 Ladungsträgerdichte in n-Typ-Silicium in Ab-
wie das Bandgap Eg beim Eigenleiter. Abbil- hängigkeit von der Temperatur. Dotierung: Phosphor mit
dung 1.73 zeigt den Verlauf der Elektronendichte verschiedenen Konzentrationen
in n-Silicium in Abhängigkeit von der Tempera-
tur. Mit steigender Temperatur nimmt die Dichte
der freien Elektronen rasch zu und geht schließ- Gruppe Elektronen aufnehmen, werden sie als
lich in ein waagrechtes Plateau über, wenn im Akzeptoren bezeichnet. Die Ionisierungsenergien
Zustand der Störstellenerschöpfung alle Störstel- der wichtigsten Akzeptoren in Si und Ge sind in
len ionisiert sind. Ein weiterer Temperaturanstieg Tab. 1.8 zusammengestellt.
verursacht eine erneute Zunahme der Trägerdich- Analog zu Gl. 1.106 ist die freie Löcherdichte
te, wenn die Eigenleitungsdichte ni .T / größer im Zustand der Störstellenerschöpfung, also bei
wird als die Störstellenkonzentration. hohen Temperaturen, gegeben durch
r 
p-Halbleiter nA n 2
A
pD C C n2i
Dotiert man mit Elementen aus der III. Gruppe 2 2 (1.109)
des Periodensystems, so fehlt an jedem Störatom n D n2i =p :
ein Elektron zur Bindung. Bereits durch gerin-
ge Energiezufuhr kann dieses lokalisierte Loch Ist die Akzeptorendichte nA sehr viel größer als
von einem Elektron eines Nachbaratoms aus- die Eigenleitungsdichte ni , dann gilt
gefüllt werden. Dadurch wandert das Loch ins
Valenzband und kann dort als freies Loch am La- p  nA ; n  n2i =nA : (1.110)
dungstransport teilnehmen. Die elektrische Lei-
tung beruht hier vorwiegend auf der Wanderung Bei tiefen Temperaturen, also im Zustand der
der positiven Löcher; man spricht deshalb von Störstellenreserve, gilt
p-Leitung und p-Typ-Halbleitern. Im p-Halbleiter r
sind also die Löcher die Majoritäten, die Elektro- nA NV EA =.2kT /
p.T / D e : (1.111)
nen die Minoritäten. Da die Störatome aus der III. 2
1 Grundlagen der Elektrotechnik 75

Tab. 1.9 Exponent a im Potenzgesetz Gl. 1.113


Germanium Silicium Galliumarsenid
n p n p n p
a 1,66 2,33 2,42 2,2 1 2,1

1.8.4 Beweglichkeit

Die elektrische Leitfähigkeit eines Halbleiters


hängt nicht nur von der Konzentration der freien
Ladungsträger. sondern auch von deren Beweg-
lichkeit ab. Die Beweglichkeit  verknüpft die
Driftgeschwindigkeit vd der Ladungsträger mit
der elektrischen Feldstärke E:

vd D E : (1.112)

Tabelle 1.7 zeigt die Beweglichkeiten n und p


für Elektronen und Löcher in den Halbleitern Ge, Abb. 1.74 Beweglichkeit von Ge, Si und GaAs bei T D
Si und GaAs. Die Zahlenwerte gelten für bei 300 K in Abhängigkeit von der Störstellenkonzentration
(nach Casey und Panish, Prince, Beadle et al.)
Raumtemperatur.
Die Ladungsträger sind auf der Wanderung
durch den Kristall verschiedenen Streumechanis-
men ausgesetzt. Bei relativ reinen Kristallen er- Die Gültigkeit von Gl. 1.112 mit einer kon-
folgt die Streuung vor allem an Gitterschwingun- stanten Beweglichkeit und damit die Gültigkeit
gen (Phononen). Da mit steigender Temperatur des ohmschen Gesetzes ist auf relativ kleine Feld-
die Amplitude der Gitterschwingungen ansteigt, stärken beschränkt. Mit steigender Feldstärke
nimmt die Beweglichkeit ab. Die Abhängigkeit nehmen die Ladungsträger mehr Energie aus dem
der Beweglichkeit von der absoluten Temperatur elektrischen Feld auf, als sie durch Stöße abgeben
lässt sich durch ein Potenzgesetz der Form können. Dadurch bekommen die Ladungsträger
eine höhere effektive Temperatur als das Kristall-
.T / D 0 .T0 =T /a (1.113) gitter. Wenn die Driftgeschwindigkeit die Schall-
geschwindigkeit erreicht hat, ist die Tempera-
ausdrücken. Dabei ist T0 D 300 K und 0 D tur der Ladungsträger um etwa 24 % höher als
.T0 /. Bei Streuung an akustischen Phononen die Gittertemperatur. Die „heißen“ Ladungsträ-
sollte der Exponent nach theoretischen Überle- ger geben ihre Überschussenergie ab, indem sie
gungen a D 3=2 betragen. Tatsächlich beobach- in erhöhtem Maße Phononen (Gitterschwingun-
tet man meist andere Exponenten. In Tab. 1.9 sind gen) aussenden. Dies führt schließlich bei hohen
empirisch ermittelte Werte zusammengestellt. Feldstärken dazu, dass die aus dem elektrischen
Bei dotierten Halbleitern wird mit zuneh- Feld aufgenommene Energie vollständig in ther-
mender Störstellenkonzentration die Streuung an mische Energie des schwingenden Gitters umge-
ionisierten Störstellen immer wichtiger. Abbil- setzt wird, die Ladungsträger also nicht weiter
dung 1.74 zeigt den Zusammenhang zwischen beschleunigt werden können. Das bedeutet, dass
Beweglichkeit und Störstellendichte bei Raum- die Driftgeschwindigkeit nicht weiter anwächst,
temperatur. Bei starker Dotierung ist die Beweg- sondern bei großen Feldstärken sättigt. Abbil-
lichkeit praktisch nicht mehr von der Temperatur dung 1.75 zeigt den Zusammenhang zwischen
abhängig. Driftgeschwindigkeit und elektrischer Feldstär-
76 E. Hering und R. Martin

Lösung:
Nach Tab. 1.7 ist ni D 2;33  1013 cm3 und
n C p D 5800 cm2 =.Vs/. Damit ergibt sich
 D 0;0217 1 cm1 und  D 46  cm.
Da der ohmsche Widerstand R zum spezi-
fischen Widerstand  proportional ist, ergibt
sich unter Verwendung von Gl. 1.102 für den
Widerstand eines Halbleiters näherungsweise
eine exponentielle Abhängigkeit von der Tem-
peratur:

R.T /  R0 eEg=.2kT / : (1.117)

Abb. 1.75 Driftgeschwindigkeit von Elektronen Der Widerstand hat einen negativen Tempera-
(schwarz) und Löchern (rot) in Si, Ge und GaAs in turkoeffizienten, weshalb Halbleiter auch als
Abhängigkeit von der Feldstärke bei T D 300 K (nach
Jacobini et al., Smith et al., Ruch und Kino) NTC-Widerstände bezeichnet werden.
Bei dotierten Halbleitern hängt nach
Gl. 1.114 die Leitfähigkeit vorwiegend von
ke. Die Sättigungsdriftgeschwindigkeit liegt in der Konzentration der Majoritätsträger ab.
der Größenordnung von vd;sat  107 cm=s. Beispielsweise ist in n-Silicium mit einer Do-
natorenkonzentration von nD D 1016 cm3
bei Raumtemperatur die Elektronendichte
1.8.5 Leitfähigkeit n  1016 cm3 . Die Löcherdichte ist ledig-
lich p  n2i =nD D 104 cm3 . Damit wird die
Die elektrische Leitfähigkeit eines Halbleiters Leitfähigkeit
hängt ab von der Dichte der freien Ladungsträger
und von ihrer Beweglichkeit. Nach Gl. 1.97 setzt  D 1= D enD n : (1.118)
sich der Gesamtstrom in einem Halbleiter aus
dem Elektronen- und Löcherstrom zusammen. Im p-Material gilt entsprechend
Entsprechend besteht die elektrische Leitfähig-
keit aus einem Elektronen- und einem Löcheran-  D 1= D enA p : (1.119)
teil:
 D e.nn C pp / : (1.114)
Für den spezifischen Widerstand gilt damit:
Beispiel 1.8.2
1 1 Wie groß ist der spezifische Widerstand von
D D : (1.115) n-Silicium bei einer Donatorenkonzentration
 e.nn C pp /
von nD D 4  1016 cm3 bei Raumtemperatur?
Bei einem Eigenleiter ist n D p D ni und damit
Lösung:
1 Nach Abb. 1.74 ist die Beweglichkeit n 
 D D eni .n C p / : (1.116)
 103 cm2 =.Vs/. Damit wird nach Gl. 1.118 der
spezifische Widerstand  D 0;156  cm.
Beispiel 1.8.1 Vernachlässigt man in erster Näherung die
Wie groß sind die elektrische Leitfähigkeit Abhängigkeit der Beweglichkeit von der Stör-
und der spezifische Widerstand von reinem stellenkonzentration, so folgt aus Gl. 1.118
Germanium bei Raumtemperatur? und 1.119, dass der spezifische Widerstand
1 Grundlagen der Elektrotechnik 77

verursacht Ausgleichsvorgänge, d. h. eine Dif-


fusion von Ladungsträgern in nicht beleuchtete
Gebiete sowie eine vermehrte Rekombination.
Da bei einer solchen Störung des Gleichgewichts
immer die Minoritätsträgerdichte sehr stark ver-
ändert wird, die Majoritätsträgerdichte aber nur
wenig, wird im Folgenden nur das Verhalten
der Minoritäten betrachtet und zwar exempla-
risch das der Elektronen in einem p-Halbleiter.
Für Löcher in einem n-Halbleiter müssen in den
jeweiligen Gleichungen lediglich n und p ver-
tauscht werden.

1.8.6.1 Zeitverhalten
Ist die Konzentration der Elektronen im ther-
modynamischen Gleichgewicht n0 und wird bei-
Abb. 1.76 Spezifischer Widerstand von Ge, Si und GaAs spielsweise durch Bestrahlung die Konzentration
bei T D 300 K in Abhängigkeit von der Dotierungskon-
zentration (nach Cuttriss, Irvin, Sze und Irvin). Die rote auf n vergrößert, dann gilt für die Überschuss-
Gerade gibt den theoretischen Verlauf nach Gl. 1.120 wie- dichte n D n  n0 .
der Die zeitliche Änderung der Überschussdich-
te wird bestimmt durch eine Generationsrate gn ,
die angibt, wie viele neue Ladungsträger pro s
reziprok von der Dotierungskonzentration ab- und pro cm3 erzeugt werden sowie durch ei-
hängt: ne Rekombinationsrate rn , die angibt, wie viele
Ladungsträger pro s und pro cm3 durch Rekom-
1 1
 bzw.  : (1.120) bination verschwinden. Bei der Generation neuer
nD nA Träger durch Bestrahlung ist die Generationsrate
für Elektronen und Löcher dieselbe, da jedes ab-
Abbildung 1.76 zeigt Messwerte für diesen
sorbierte Photon ein Elektron-Loch-Paar erzeugt
Verlauf. Offensichtlich folgen die Kurven bei
(Abschn. 6.5.1). Im Bänderschema entspricht die
kleiner Störstellenkonzentration dem obigen
Generation einem Anheben eines Elektrons vom
Zusammenhang. Bei starker Dotierung ist der
Valenz- ins Leitungsband unter Energieaufwen-
spezifische Widerstand größer wegen der ab-
dung. Bei der Rekombination füllt ein freies
nehmenden Beweglichkeit.
Elektron auf seinem Weg durch den Kristall ein
Loch auf. Diese Restaurierung einer Kristallbin-
dung entspricht im Bänderschema dem Übergang
1.8.6 Ausgleichsvorgänge eines Elektrons vom Leitungs- ins Valenzband.
Die dabei frei werdende Energie wird in Form
Die Ladungsträgerkonzentrationen n und p der von Wärme oder als Lichtquant abgegeben (Ab-
freien Elektronen und Löcher in einem Halblei- schn. 6.3.1).
ter können räumlich und zeitlich variieren (z. B. Für die Änderung der Überschusskonzentrati-
infolge von Beleuchtung, räumlich veränderli- on n gilt damit folgende Ratengleichung:
cher Dotierung, Injektion von Ladungsträgern
über eine Grenzfläche). Wird beispielsweise ein d.n/
Halbleiter an einer Stelle beleuchtet, so entste- D g n  rn : (1.121)
dt
hen dort Ladungsträger, die im thermodynami-
schen Gleichgewicht nicht vorhanden sind. Diese Bei schwacher Injektion (n  p0 ) kann man
Störung des thermodynamischen Gleichgewichts davon ausgehen, dass die Rekombinationsrate
78 E. Hering und R. Martin

Tab. 1.10 Lebensdauer, Diffusionskonstante und Diffusi-


onslänge der Elektronen in Ge, Si und GaAs bei T D
300 K
Halbleiter Lebens- Diffusions- Diffusions-
dauer konstante länge
n in s Dn in Ln in m
cm2 /s
Germanium 103 101 3200
Silicium 106 35 59
Galliumarsenid 108 220 15
Abb. 1.77 Zeitliche Veränderung der Überschusskonzen-
tration n beim Einschalten (a) und Ausschalten (b) einer
Lichtquelle

Injektion über eine Grenzfläche in einem pn-


proportional zur Überschussdichte selbst ist: Übergang), so führt die Dichteerhöhung zu einem
Diffusionsstrom, der zum Ziel hat, die Ladungs-
rn D n=n : trägerdichten zu nivellieren. Abbildung 1.78a
zeigt einen lang gestreckten Kristall der Quer-
Mit diesem Ansatz wird die Differenzialglei- schnittsfläche A, in den von links her Minoritäts-
chung 1.121 zu träger injiziert werden. Die Ladungsträgerdichte
d.n/ n wird dadurch qualitativ einen Verlauf bekommen,
D gn  : (1.122) wie in Abb. 1.78b gezeigt. Die Überschusskon-
dt n
zentration nimmt vom Wert ns (surface) an der
Wird ein Halbleiter mit konstanter Bestrahlungs- Oberfläche ins Kristallinnere hinein ab.
stärke bestrahlt, ist also die Generationsrate kon- Infolge des Konzentrationsgefälles fließt ein
stant, dann ist die Lösung von Gl. 1.122 Diffusionsstrom ins Kristallinnere. Die Zahl der
Ladungsträger dN , die im Zeitintervall dt die
n.t/ D n0 .1  et =n /
(1.123) Stelle x passieren, wird durch das 1. Fick’sche
mit n0 D gn n :

Wird andererseits bei einem beleuchteten Halb-


leiter, bei dem die Überschussdichte n0 vor-
liegt, zurzeit t D 0 die Lichtquelle ausgeschaltet,
ist also gn D 0 für t > 0, dann ist die Lösung der
Ratengleichung 1.122

n.t/ D n0 et =n : (1.124)

Beide Fälle sind in Abb. 1.77 dargestellt.


Die Zeitkonstante n wird als Lebensdauer der
Überschussladungsträger bezeichnet. Sie hängt
stark von der Reinheit des Materials und von
der Bandstruktur ab. Tabelle 1.10 zeigt eine Zu-
sammenstellung typischer Zahlenwerte für relativ
reine Materialien.

1.8.6.2 Räumliche Ausbreitung


Abb. 1.78 a Generation von Ladungsträgern an der
einer Störung Grenzfläche eines Kristalls durch Bestrahlung; b räum-
Wird in einem Halbleiter lokal die Minoritäts- liches Abklingen der Überschusskonzentration n ins
trägerdichte erhöht (z. B. durch Bestrahlung oder Kristallinnere
1 Grundlagen der Elektrotechnik 79

Abb. 1.79 Lösungen der Diffusionsgleichung 1.128 für aufeinander folgende Zeiten t . An der Oberfläche (x D 0)
wird für t
0 die konstante Konzentration ns eingestellt

Gesetz beschrieben: Abbildung 1.79 zeigt Lösungen n.x, t/ für


ˇ sukzessiv ansteigende Zeiten, wenn auf der Stirn-
dN d.n/ ˇˇ
D Dn A : (1.125) fläche des Kristalls für t
0 eine konstante Über-
dt dx ˇx
schussdichte ns erzwungen wird. Nach längerer
Die Diffusionsstromdichte an der Stelle x ins Kri- Zeit (t  n ) stellt sich ein stationärer Verlauf
stallinnere ist dann n.x/ ein, d. h. es ist @.n/=@t D 0. Damit lau-
ˇ tet die Differenzialgleichung 1.128
dN e d.n/ ˇˇ
Jn .x/ D D Dn e : (1.126)
dt A dx ˇx @2 .n/ n
Dn  D 0:
In diesen Gleichungen ist Dn die Diffusionskon- @x 2 n
stante der Elektronen. Sie ist umso größer, je
größer die Beweglichkeit und je höher die Tem- Die Lösung ist ein exponentielles Abklingen der
peratur ist. Der Zusammenhang Überschussdichte ins Kristallinnere:

kT n.x/ D ns ex=Ln : (1.129)


Dn D n (1.127)
e
wird als Einstein-Relation bezeichnet. Zahlen- Der Verlauf entspricht in Abb. 1.79 der Kur-
werte für Dn sind in Tab. 1.10 für Raumtempera- ve rechts für t D 1. Die Größe Ln wird als
tur zusammengestellt. Die Diffusionskonstanten Diffusionslänge der Elektronen bezeichnet. Sie
Dp D kTp =e für die Löcher sind wegen der hängt mit der Diffusionskonstante Dn und der
kleineren Löcherbeweglichkeit geringer. Minoritätsträger-Lebensdauer n zusammen:
Die Überschussdichte im Volumenelement p
zwischen x und x C dx ergibt sich aus der Bilanz Ln D Dn n (1.130)
zwischen von links her zuströmenden Elektronen,
nach rechts abfließenden Elektronen und solchen, Zahlenwerte der Diffusionslänge sind in
die durch Rekombination verschwinden. Durch Tab. 1.10 zusammengestellt. Aus Gl. 1.129
Kombination aller drei Effekte ergibt sich unter folgt, dass im Abstand x D Ln von der Grenz-
Verwendung von Gl. 1.122 in Verbindung mit fläche die Überschusskonzentration n auf
Gl. 1.125 das 2. Fick’sche Gesetz: ns =e D 0;37ns abgenommen hat. Anschau-
lich kann man sagen, dass die Diffusionslänge die
@.n/ @2 .n/ n mittlere Strecke ist, welche die Ladungsträger
D Dn  (1.128)
@t @x 2 n aufgrund eines Dichtegradienten im Halbleiter
80 E. Hering und R. Martin

im Laufe ihrer Lebensdauer diffundieren kön-


nen. Das bedeutet also, dass beispielsweise in
einem pn-Übergang in Silicium die Elektronen
aus dem n-Material ca. 60 µm weit ins p-Material
diffundieren. Umgekehrt diffundieren die Löcher
wegen der kleineren Beweglichkeit ca. 35 µm
weit ins n-Gebiet.

1.8.7 pn-Übergang

1.8.7.1 Feld- und Potenzialverlauf


Das Grundelement der meisten Halbleiterbau-
elemente ist der pn-Übergang, bei dem nach
Abb. 1.80a p- und n-leitendes Material anein-
ander stoßen. Abbildung 1.80b zeigt den Do-
tierungsverlauf eines unsymmetrischen abrupten
pn-Übergangs in Silicium mit der Akzeptorkon-
zentration nA D 1  1016 cm3 im p-Gebiet und
der Donatorkonzentration nD D 4  1016 cm3
im n-Gebiet. Die Ladungsträgerkonzentrationen
sind in Abb. 1.80c dargestellt.
Weit weg vom Übergang sind die Majoritäts-
trägerdichten identisch mit den Störstellenkon-
zentrationen. So gilt für die Elektronendichte im
n-Gebiet nn0 D nD D 4  1016 cm3 und für
die Löcherdichte im p-Gebiet pp0 D nA D 1 
1016 cm3 . Die Minoritätsdichten in großem Ab-
stand vom Übergang werden nach den Gl. 1.106
und 1.110 berechnet. Für die Elektronendichte
im p-Gebiet ergibt sich np,0 D n2i =nA D 1;04 
104 cm3 ; für die Löcherdichte im n-Gebiet folgt
pn,0 D n2i =nD D 2;6  103 cm3 . Infolge des
großen Konzentrationsunterschieds diffundieren
Elektronen aus dem n- ins p-Gebiet sowie Löcher
vom p- ins n-Gebiet. Die Übergangszone verarmt
an beweglichen Ladungsträgern. Die minimale Abb. 1.80 pn-Übergang a p- und n-leitendes Silicium in
Ladungsträgerkonzentration in der Verarmungs- Kontakt, b Störstellenkonzentrationen c Konzentrationen
zone beträgt .n C p/min D 2ni ; in Si ist dies der beweglichen Ladungsträger d Raumladungsdichte e
elektrische Feldstärke f Potenzialverlauf
2;04  1010 cm3 .
Durch die Abwanderung der Löcher aus dem
p-Gebiet entsteht an dessen Rand durch die io- dungsdichte . Aufgrund der Ladungsneutralität
nisierten Akzeptoren, die nicht mehr durch die gilt für die Breiten dn und dp :
entsprechende Anzahl von Löchern kompensiert
werden, eine negative Raumladungszone (RLZ). dn  n D D dp  n A : (1.131)
Ebenso entsteht im n-Gebiet durch die positiven
Donatorrümpfe eine positive Raumladungszone. Wegen der positiven und negativen Raumladun-
Abbildung 1.80d zeigt den Verlauf der Raumla- gen entsteht ähnlich wie beim Plattenkondensator
1 Grundlagen der Elektrotechnik 81

ein elektrisches Feld und ein Potenzialgefälle Daraus folgt für die Breite des Übergangs
zwischen n- und p-Gebiet. Feldstärke E.x/ und
s
Potenzialverlauf '.x/ lassen sich durch Lösung 2"r "0 Ud nA C nD
der Poisson-Gleichung d D dn C dp D  : (1.134)
e nA  nD
d2 ' .x/
D Der Betrag der Diffusionsspannung kann aus
dx 2 "r "0
thermodynamischen Überlegungen berechnet
bestimmen. Eine erste Integration ergibt d'/dx D werden. Das Verhältnis der Elektronendich-
E.x/, also den Verlauf der elektrischen Feld- te im p-Gebiet np0 zu der im n-Gebiet nn0
stärke. Die Feldstärke hängt linear vom Ort x ab: wird bestimmt durch den Boltzmann-Faktor
(Boltzmann-Näherung der Fermi-Dirac-Vertei-
enA
E.x/ D .xp  x/ für xp x x0 lung)
"r "0
np0 n2i
D D eeUd =.kT / :
und nn0 nA nD
enD Daraus folgt für die Diffusionsspannung
E.x/ D .x  xn / für x0 x xn :
"r "0
kT nA nD
Die maximale Feldstärke an der Stelle x0 beträgt Ud D ln 2 : (1.135)
e ni
enD enA
Emax D E.x0 / D  dn D  dp : Die Größe kT =e D UT wird häufig als Tempe-
"r "0 "r "0
(1.132) raturspannung bezeichnet. Bei Raumtemperatur
Der Feldstärkeverlauf ist in Abb. 1.80e darge- (300 K) beträgt sie UT D 25;9 mV.
stellt.
Durch eine zweite Integration ergibt sich der Beispiel 1.8.3
parabolische Potenzialverlauf, der in Abb. 1.80f Für den in Abb. 1.80 dargestellten pn-
gezeigt ist: Übergang soll berechnet werden:
enA a) Diffusionsspannung Ud ,
'.x/ D .x  xp /2 b) Breite d der Raumladungszone, sowie dn
2"r "0
und dp ,
für xp x x0
c) Maximale Feldstärke Emax .
und
enD Lösung:
'.x/ D  .x  xn /2 a) Nach Gl. 1.135 ist Ud D 0;75 V.
2"r "0
e b) Mit "r D 11;8 folgt aus Gl. 1.134 d D
C .d 2 nD C dp2 nA / 0;35 m und mit Gl. 1.131 dn D 0;070 m
2"r "0 n
sowie dp D 0;28 m.
für x0 x xn :
c) Aus Gl. 1.132 folgt Emax D 4;3106 V=m.
Die Potenzialdifferenz Ud D '.xn /  '.xp / zwi-
schen n- und p-Gebiet wird als Diffusionsspan-
1.8.7.2 Strom-Spannungs-Kennlinie
nung bezeichnet (engl. built-in potential), weil sie
Die Verteilung der beweglichen Ladungsträger
infolge der Diffusion der beweglichen Ladungs-
und die Bandstruktur eines pn-Übergangs mit
träger entsteht. Für sie gilt:
und ohne angelegte Spannung sind in Abb. 1.81
e 1 dargestellt. Die linke Hälfte zeigt anschaulich
Ud D .dn2 nD Cdp2 nA / D  Emax .dn Cdp / : die räumliche Verteilung der Ladungsträger. Da-
2"r "0 2
(1.133) bei stellen die Kreise die ortsfesten ionisierten
82 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.82 Löcherkonzentration pn .x/ im n-Gebiet bei


Anliegen einer Flussspannung

großen Sperrspannungen sättigt der Strom und


geht über in den Sperrsättigungsstrom IS . Die
Sperrschicht besitzt wie der Plattenkondensator
eine Kapazität, welche wie beim Plattenkonden-
Abb. 1.81 Verteilung der Ladungsträger und Bändermo-
dell beim pn-Übergang: a ohne äußere Spannung, b sator mit der Dicke zusammenhängt. Da nach
Spannung in Sperrrichtung (U < 0), c Spannung in Fluss- Gl. 1.134 die Sperrschichtbreite von der angeleg-
richtung (U > 0) ten Spannung abhängt, wird die Sperrschichtka-
pazität CS von der angelegten Sperrspannung U
abhängig:
Akzeptoren und Donatoren dar. Der graue Be-
reich symbolisiert das Gebiet der beweglichen
CS .Ud C jU j/1=2 : (1.136)
Elektronen, der rote das der Löcher. Das weiße
Gebiet zeigt die Raumladungszone (RLZ). Die
rechte Hälfte zeigt die Energiebänder in Abhän- Abbildung 1.81c zeigt die Verhältnisse im pn-
gigkeit der Ortskoordinate x. Abbildung 1.81a Übergang unter der Wirkung einer in Fluss-
beschreibt die Verhältnisse im pn-Übergang oh- richtung angelegten Spannung (U > 0). Die
ne äußere Spannung (U D 0). Das Fermi-Niveau anliegende Spannung U baut die Diffusions-
liegt im thermodynamischen Gleichgewicht über- spannung Ud ab, so dass die Bandverbiegung
all auf gleicher Höhe. In diesem Zustand haben kleiner wird. Die Breite der RLZ wird verrin-
alle Elektronen mit derselben Energie E an je- gert (in Gl. 1.134 wird Ud ersetzt durch Ud  U );
dem Ort dieselbe Aufenthaltswahrscheinlichkeit; die beweglichen Ladungsträger reichern sich in
es besteht also kein Zwang, den Ort zu wechseln. der Verarmungszone an und dringen in die be-
Die Bandkanten verschieben sich zwischen dem nachbarten Gebiete ein, wo sie mit den dortigen
n- und dem p-Gebiet um den Energiebetrag eUd . Majoritäten rekombinieren.
Legt man eine Sperrspannung an (U < 0), Zur Herleitung der Strom-Spannungs-
dann werden gemäß Abb. 1.81b die bewegli- Charakteristik wird ein pn-Übergang betrachtet,
chen Elektronen zum Pluspol und die Löcher zum der in Flussrichtung gepolt ist. Die Dichte pn der
Minuspol gezogen. Dadurch verbreitert sich die von der Raumladungszone sich ins n-Gebiet aus-
RLZ (in Gl. 1.134 wird Ud ersetzt durch Ud  U ). breitenden Löcher ist in Abb. 1.82 skizziert. Die
Es fließt nur ein geringer Sperrstrom, der darauf Löcherdichte am rechten Rand der RLZ (x D 0)
beruht, das Minoritäten an den Übergang dif- beträgt nach der Boltzmann-Statistik
fundieren und dort von dem starken elektrischen
Feld auf die andere Seite befördert werden. Bei pn .0/ D pn0 eeU=.kT / : (1.137)
1 Grundlagen der Elektrotechnik 83

Abb. 1.83 Diodenkennlinie nach Shockley, IS D 1 pA: a Koordinatenursprung vergrößert, b Gleichrichterverhalten


bei größeren Spannungen und Strömen

Die Überschussdichte pn D pn  pn0 nimmt Auch dieser Strom ist näherungsweise durch
nach Gl. 1.129 exponentiell ins n-Gebiet hinein die ganze RLZ hindurch konstant. Die gesamte
ab: Stromdichte im pn-Übergang ist damit

pn .x/ D pn .x/  pn0 D .pn .0/  pn0 / ex=Lp :


J D Jn C Jp
 
Damit ergibt sich ein Löcherstrom (Diffusions- Dn np0 Dp pn0
De C .eeU=.kT /  1/ :
strom) von der Raumladungszone weg in das Ln Lp
n-Gebiet hinein. Für die Stromdichte unmittelbar
am Rand der RLZ gilt nach Gl. 1.126: Für den Strom gilt entsprechend
ˇ
d.pn / ˇˇ  eU 
Jp .0/ D eDp
dx ˇxD0 I D IS e kT  1 ; (1.138)
pn .0/  pn0
D eDp
Lp mit dem Sperrsättigungsstrom
oder mit Gl. 1.137  
Dn np0 Dp pn0
eDp IS D JS A D eA C : (1.139)
Jp .0/ D pn0 .eeU=.kT /  1/ : Ln Lp
Lp

Unter der Voraussetzung, dass die Raumladungs- Diese Ableitung der Strom-Spannungs-Kennlinie
zone dünn ist im Vergleich zur Diffusionslän- geht zurück auf W. S HOCKLEY (1910 bis 1989).
ge der Ladungsträger, fließt dieser Löcherstrom Abbildung 1.83 zeigt Darstellungen der Gl. 1.138
nicht nur am Rand der RLZ, sondern durch die wobei der Ordinatenmaßstab in Abb. 1.83a in pA,
ganze RLZ praktisch unverändert. Etwaige Re- in Abb. 1.83b in mA gewählt wurde. In beiden
kombinationen in der RLZ werden also vernach- Fällen ist IS D 1 pA. Abbildung 1.83b zeigt, dass
lässigt. bei Erreichen einer bestimmten Spannung, die
Analog zu den obigen Überlegungen ergibt in der Größenordnung der Diffusionsspannung
sich für den Elektronenstrom, der vom linken liegt und auch als Knick- oder Schleusenspan-
Rand der RLZ ins p-Gebiet fließt nung bezeichnet wird, ein starker Vorwärtsstrom
fließt. Der Sperrsättigungsstrom IS liegt in der
eDn Größenordnung von pA bei Silicium und µA bei
Jn .0/ D np0 .eeU=.kT /  1/ :
Ln Germanium.
84 E. Hering und R. Martin

legten Spannung U fällt nur noch der Anteil


10 10 ideale Kennlinie UD D U  IR an der Diode ab, was zu einem
I weiteren Abflachen der Kennlinie führt.
IS
10 8 Einfluss der Aus den genannten Gründen wird die
starken Injektion
und des
Kennlinie einer Diode im Durchlassbereich
Serienwiderstands häufig geschrieben als
10 6

 
10 4 I D IS eU=.mUT /  1
Einfluss der (1.140)
Rekombination  IS eU=.mUT / ;
10 2 in der RLZ

10 0
wobei der Emissionskoeffizient folgende Wer-
te annimmt: 1 m 2.
0 0,2 0,4 0,6 0,8 U / V In Sperrrichtung ist der Strom höher als der
idealisierte Sättigungssperrstrom wegen stän-
Abb. 1.84 Typische Kennlinie einer Silicium-Diode (rot)
diger Generation neuer Ladungsträger in der
im Vergleich zur Kennlinie einer idealen Diode nach
Shockley. Aufgetragen ist der Strom I bezogen auf den ausgeräumten Raumladungszone. Bei großen
Sättigungssperrstrom IS auf einer logarithmischen Achse Spannungen in Rückwärtsrichtung kann es
gegen die Spannung U zu einem Durchbruch kommen. Das bedeu-
tet, dass ab einer bestimmten Sperrspannung,
der Durchbruchspannung, der Sperrstrom steil
Beispiel 1.8.4 ansteigt. Dies beruht zum einen auf dem
Wie groß ist die Sperrsättigungsstromdichte Zener-Effekt, wobei nach Abb. 1.85a infolge
einer Si-Diode mit nD D 4  1016 cm3 und der großen Feldstärke in der Raumladungs-
nA D 1  1016 cm3 ? zone Elektronen aus dem Valenzband des p-
Materials waagrecht über die verbotene Zo-
ne ins Leitungsband des n-Materials gezogen
Lösung: werden (tunneln). Der Zener-Effekt tritt be-
Mit den Daten von Tab. 1.10 und Gl. 1.139 vorzugt bei stark dotierten Dioden auf und
ergibt sich JS D 1;14  1011 A=cm2 . Ist die kann dort schon bei wenigen Volt Sperrspan-
Diodenfläche A D 1 mm2 , so ist der Sperrsät- nung einsetzen. Der zweite Mechanismus, der
tigungsstrom IS D 0;11 pA. zum Durchbruch führt, ist in Abb. 1.85b dar-
Die reale Kennlinie einer Diode weicht in gestellt. Ein Elektron bewegt sich bei großer
einigen Punkten, die in Abb. 1.84 dargestellt elektrischer Feldstärke so schnell, dass es bei
sind, von der idealen Shockley-Kennlinie nach einem Zusammenstoß mit dem Gitter einen
Gl. 1.138 ab. Bei kleinen Strömen ist die Re- Teil seiner Energie abgeben und ein neues frei-
kombination in der Raumladungszone und der es Elektron-Loch-Paar erzeugen kann. Diese
dadurch entstehende Beitrag zum Strom nicht Ladungsträger werden in gleicher Weise be-
mehr vernachlässigbar. Dadurch hängt hier der schleunigt und können ihrerseits neue freie
Strom proportional zu exp.eU=.2kT // von Paare schaffen, so dass der Strom lawinenartig
der Spannung ab. Bei großen Strömen wächst anwächst. Beide Effekte weisen eine gegen-
der Strom ebenfalls exp.eU=.2kT // weil läufige Temperaturabhängigkeit der Durch-
bei starker Injektion die Majoritätsträgerdichte bruchspannung Uz (Z-Spannung) auf. Bei Si-
ansteigt. Schließlich kann bei großen Strö- Dioden mit Uz D 5;6 V lässt sich die beste
men der Einfluss des Bahnwiderstandes nicht Temperaturkonstanz der Durchbruchspannung
mehr vernachlässigt werden. Von der ange- erzielen.
1 Grundlagen der Elektrotechnik 85

Abb. 1.85 Durchbruch des pn-Übergangs: a Zener-Effekt, b Lawinenmultiplikation

1.8.7.3 Temperaturabhängigkeit Für T D 300 K und m D 1 ergibt sich bei ei-


der Diodenparameter ner Spannung von U D 0;6 V für Silicium ein
Der Sperrsättigungsstrom ist nach Gl. 1.139 pro- Anstieg von 7,6 %=K.
portional zu np0 D n2i =nA und pn0 D n2i =nD , Die I -U -Kennlinie einer Diode verschiebt
weshalb er zum Quadrat der intrinsischen Träger- sich mit steigender Temperatur nach links,
dichte proportional ist: IS n2i . Er ist deshalb d. h. zu kleineren Spannungen. Die Abnahme
wie die Eigenleitungsdichte ni stark von der Tem- der Diodenspannung mit steigender Temperatur
peratur abhängig: kann z. B. dadurch berechnet werden, dass man
Gl. 1.140 nach U auflöst und dann U nach
IS T 3 eEg =.kT / : (1.141) der Temperatur T ableitet. Für konstanten Strom
folgt aus
Der relative Temperaturkoeffizient des Sperr- I
U D mUT ln (1.144)
stroms beträgt IS
dIS 1 3 Eg 3 Eg der Temperaturkoeffizient (TK)
 D C D C ˇ
dT IS T

kT 2

T eUT T dU ˇˇ 1
1 Ug
(1.142)
ˇ D .U  mUg  3mUT / : (1.145)
D 3C dT I Dconst T
T UT
Für Siliciumdioden ergibt sich mit m D 1 bei
mit Ug D Eg =e als der Bandabstandsspannung T D 300 K und U D 0;7 V ein TK von
(gap voltage). Bei T D 300 K ergibt sich daraus 1;63 mV=K. Die Durchlassspannung von Si-
für Silicium ein Anstieg von 15 %=K. Dioden nimmt also um etwa 100 mV ab pro
Wenn der Sperrsättigungsstrom von der Tem- 60 K Temperaturanstieg. Dieser Effekt kann aus-
peratur abhängt, dann wirkt sich das nach genutzt werden, um in integrierten Schaltkreisen
Gl. 1.140 auch auf den Flussstrom aus. Für des- die Temperatur zu messen.
sen relativen Temperaturkoeffizienten ergibt sich

dI 1 3 Eg eU 1.8.8 Zur Übung


 D C 
dT I T  kT 2 mkT 2 
(1.143)
1 Ug U Ü 1-8-1 Durch einen quaderförmigen Germani-
D 3C  :
T UT mUT um-Kristall mit der Stirnfläche A D 2 mm2 und
86 E. Hering und R. Martin

der Länge l D 10 mm fließt in Längsrichtung ein nung an, dass die Beweglichkeit sich nicht mit
elektrischer Strom. der Temperatur ändert.
a) Wie groß ist der Widerstand R des undo- b) Welche Temperatur herrscht in einem Kryo-
tierten Halbleiters bei der Temperatur T D staten, in dem der Widerstand des Sensors
250 K unter Berücksichtigung der Tempera- R D 15 M beträgt?
turabhängigkeit der Beweglichkeit? Die Tem-
peraturabhängigkeit des Bandabstandes soll Ü 1-8-4 Ein kleiner Si-Kristall wird beleuchtet.
nicht berücksichtigt werden. Der Kristall ist mit nA D 1014 cm3 Akzeptoren
b) Wie groß ist der Widerstand, wenn die Tem- dotiert. Die Generationsrate neuer Ladungsträ-
peraturabhängigkeit des Bandabstandes be- gerpaare beträgt gn D gp D 1019 cm3 s1 .
rücksichtigt wird? a) Welche Konzentration der Minoritäten stellt
c) Der Kristall sei mit Akzeptoren der Konzen- sich bei Beleuchtung ein, wenn vorausge-
tration nA D 1014 cm3 dotiert. Berechnen setzt wird, dass sich die generierten Träger
Sie den Widerstand bei der Temperatur T D gleichmäßig im Kristall verteilen und die Le-
300 K. Die Dotierungskonzentration ist so ge- bensdauer n D l s beträgt?
ring, dass die Beweglichkeiten n und p b) Wie groß ist der spezifische Widerstand l bei
für eigenleitendes Material verwendet werden Beleuchtung und d bei Dunkelheit?
können. c) Berechnen Sie den spezifischen Widerstand
zurzeit t D 1 s nach Abschalten der Licht-
Ü 1-8-2 Ein Halbleiterkristall besteht aus Silici- quelle.
um, dotiert mit Arsen der Konzentration nD D
2  1017 cm3 . Die Molmasse von As ist M D Ü 1-8-5 Ein GaAs-Kristall wird an der Stirn-
74;9 g=mol. fläche beleuchtet. Der Kristall ist mit Donatoren
3
a) Wie viel µg Arsen ist in einem cm Silicium der Konzentration nD D 10 cm dotiert. In-
18
3

enthalten? folge der Beleuchtung entsteht unmittelbar an


b) Wie viele Si-Atome kommen auf ein As- der16 Oberfläche die Löcherkonzentration ps D
3
Atom? 10 cm .
c) Wie groß ist der mittlere Abstand der As- a) Wie groß ist die Diffusionskonstante Dp der
Atome voneinander? Löcher bei T D 300 K?
d) Wie groß ist der spezifische Widerstand  bei b) Wie groß ist die Diffusionslänge Lp der Lö-
der Temperatur T D 300 K? cher bei einer Lebensdauer von p D 10 ns?
c) In welcher Entfernung x von der Oberflä-
che ist die Löcherkonzentration auf p D
Ü 1-8-3 Ein dotierter Germanium-Kristall soll 1014 cm3 abgeklungen?
als Temperatursensor bei tiefen Temperaturen
verwendet werden. Zur Kalibrierung misst man Ü 1-8-6 Ein pn-Übergang in Silicium ist auf der
seinen Widerstand bei der Temperatur des flüs- n-Seite mit n D 1017 cm3 und auf der p-Seite
D
sigen Heliums und des flüssigen Wasserstoffs. mit n D 1014 cm3 dotiert.
A
Folgende Werte wurden gemessen: a) Wie groß ist die Diffusionsspannung U ? d
b) Berechnen Sie die Breite d der Raumladungs-
R.4;2 K/ D 538 k; R.20;4 K/ D 0;45  : zone; wie breit ist die Ausdehnung dp ins
p-Gebiet und dn ins n-Gebiet?
a) Bestimmen Sie die Ionisationsenergie der c) Wie groß ist die maximale Feldstärke Emax ?
Störstelle. Mit welcher Substanz wurde der d) Die Minoritätslebensdauer sei  D 1 s. Wie
Halbleiter dotiert? Nehmen Sie zur Berech- groß ist die Sperrsättigungsstromdichte JS ?
1 Grundlagen der Elektrotechnik 87

Basismaterialien für gedruckte Schaltungen

Unverstärkt Glasgewebeverstärkt Sondermaterialien

Polyimid (PI) Standard-Epoxy Teflon

Polyethylennaphtalat (PEN) Hochtemperatur-Epoxy Keramik

Polyethylenterephtalat (PET) Halogenfreies Epoxy Metal Clad Substrates (MCS)

Harzbeschichtete Kupferfolien Hochfrequenz-Systeme Semiflex

Polyimid(PI) Wärmeleiähige Substrate

BismaleimideTriazine

Abb. 1.86 Übersicht über Basismaterialien für gedruckte Schaltungen (nach Manfred Cygon, Firma Isola GmbH)

1.9 Herstellung kompletter 1.9.1 Leiterplatten


Schaltungen
Das Basismaterial einer Leiterplatte dient dazu,
Die elektronischen Bauteile einer Schaltung müs- die Bauelemente zu tragen und durch Stromfüh-
sen mechanisch gehalten und elektrisch mitein- rungen zu verbinden. Die Trägermaterialien ent-
ander verbunden werden. Hierzu dient häufig scheiden in hohem Maße über die mechanischen,
eine gedruckte Schaltung. Das ist eine Platte aus elektrischen, thermischen und hochfrequenztech-
Isolierstoff, auf der alle Bauteile befestigt und nischen Eigenschaften sowie über den Preis. Die
durch dünne Kupferbahnen miteinander verbun- Kunststoffträger müssen alle flammwidrig (engl.:
den sind. Für die unterschiedlichsten Anwen- FR: Flame Retardant) sein. Für flexible Schal-
dungsfelder gibt es entsprechende Basismateria- tungen wird Glasgewebe mit Polyesterharz, für
lien, wie Abb. 1.86 zeigt. Dabei unterscheidet hochfrequente Anwendungen wird Glasgewebe
man insbesondere zwischen unverstärkten Ma- mit Teflon eingesetzt und keramische Materiali-
terialien, glasgewebeverstärkten Materialien und en (Al2 O3 -Keramik) für Mikrowellenanwendun-
Sonderwerkstoffen, zu denen auch die Keramik gen. In Tab. 1.11 sind die Eigenschaften und die
gehört. Anwendungsgebiete vergleichend gegenüberge-
Auf den Leiterplatten, die als Träger der Bau- stellt.
teile und zur Stromführung dienen, werden die Abbildung 1.87 zeigt die Herstellung von Ba-
Bauelemente als oberflächenmontierbare Bautei- sismaterialien für eine Leiterplatte in folgenden
le (OMB; engl.: SMD: Surface Mounted Devi- vier Schritten:
ces) aufgelötet bzw. aufgeklebt. Für das Kleben 1. Bereitstellung der Rohstoffe: Gewebe, Harz
der SMDs mit Leitklebern ist eine große ferti- und Kupferfolie sowie Vorbereitung der Harz-
gungstechnische Erfahrung notwendig. rezeptur.
Tab. 1.11 Trägerwerkstoffe für Leiterplatten, ihre Eigenschaften und Anwendungsfelder
88

Eigenschaften Trägerwerkstoff
FR 2 Hartpapier/ FR 3 FR 4 FR 5 Mylarfolie Glas/Teflon Aluminium-
Phenolharz Hartpapier/ Glasgewebe/ wie FR 4, Polyesterharz oxid/
Epoxidharz Epoxidharz wärmebeständig (flexibel) Keramik
Elektrische Volumen- 2  1010 1012 1012 1012 1016 2  1013 1014
Eigenschaften widerstand  cm
Oberflächen- 2  108 1011 1011 1011 1014 3  1014 1012
widerstand 
Permittivitätszahl 5,0 4,9 4,7 4,6 3,3 2,2 8
"r (1 MHz)
Dielektrischer 0,05 0,041 0,019 0,016 0,0025 0,0028 0,0022
Verlustfaktor
tanı (1 MHz)
Kriechstrom- 200 300 200 bis 400 300 300 300 500
Festigkeitsstufe
Thermische maximale Be- 105 110 130 170 130 340 400
Eigenschaften triebstemperatur
ı
C
thermische Leit- 0,15 0,35 0,25 bis 0,35 0,25 bis 0,35 0,15 0,25 21
fähigkeit W/(mK)
thermischer 13 bis 17 12 bis 16 vom Aufbau vom Aufbau 6 bis 10 6 bis 10 5 bis 7
Ausdehnungs- abhängig abhängig
koeffizient 106 /K
in x-, y-Richtung
Feuchteabsorp- 0,2 0,5 0,2 0,5 0,2 0,2 keine
tion %
Kosten 0 C0 C C CC CCC CC
Eigenschaften gut stanzbar wie FR 2 durchkontaktierbar wie FR 4 gute mechanische, geringe Verluste mechanisch
nur einmal lötbar bessere elek- mehrfach lötbar bessere elek- elektrische, thermi- bei Hochfrequenz ähnlich zu
bedingt bleifrei trische und gutes bleifreies trische und sche Eigenschaften Mechanisch rela- FR4
lötbar mechanische Löten möglich thermische Ei- hochflexibel tiv instabil Geringe di-
nicht durch- Eigenschaften genschaften Einlagerung von Relativ flexibel elektrische
kontaktiert Wasser Verluste
Anwendungsgebiete billige Massen- billige Massenwa- hochwertige In- Industriequalität flexible Leiterplat- Hochfrequenz Mikrowellen
ware (TV, Radio) re (TV, Radio) dustriequalität Höherer Tem- ten Anwendungen Anwendun-
(EDV) peraturbereich Starre Leiterplatten gen
Bessere mechani- für hohe Tempera-
E. Hering und R. Martin

sche Festigkeit turen


1 Grundlagen der Elektrotechnik 89

Abb. 1.87 Herstellung des Basismaterials für eine Leiterplatte (Werkfoto: RUWEL International)

2. Imprägnierung des Gewebes mit dem Harz. dieser Richtlinie nicht mehr eingesetzt werden.
Dadurch entsteht ein Prepreg (vorimprägnier- Dadurch haben sich für bleifreies Löten die Tem-
tes Bauteil). peraturen etwa um 40 ı C erhöht (Löttemperatur
3. Eintafeln der Kupferfolien, Pressen der Kup- von Reinzinn), so dass Bauteile und Steckverbin-
ferfolien in die Gewebeschichten und Austa- dung höhere Temperaturfestigkeiten aufweisen
feln. müssen. Verwendet werden Legierungen mit >
4. Endbearbeitung des Basismaterials (z. B. Zu- 95 % Sn, Rest Cu und Ag.
schnitte, Kantenbearbeitung, Bohren). Für komplexere Schaltungen reichen zwei
Leiterplatten werden speziell für die jeweili- Leiterbahnebenen nicht mehr aus, so dass Mehr-
ge Schaltung maßgeschneidert hergestellt. Wie ebenen-Leiterplatten oder Multilayer hergestellt
Abb. 1.88 zeigt, können sie einseitig oder zwei- werden müssen. Wichtige elektrische Eigen-
seitig mit Leiterbahnen versehen sein und die Lö- schaften wie Gleich- und Wechselstromwider-
cher auch durchkontaktiert werden. Diese Durch- stand sind einfacher festzulegen. Die Möglich-
kontaktierungen werden PTH (Plated Through keit, Masse- und Stromversorgungsleitungen in
Hole) oder Vias genannt und sind Bohrungen von verschiedene Ebenen zu legen, bietet eine ver-
0,3 mm bis 1 mm Durchmesser, die innenwandig besserte elektrische Störfestigkeit (z. B. geringes
mit Kupfer oder anderen gut leitfähigen Metall- Übersprechen von Signalleitungen) und die Mög-
schichten versehen sind. lichkeit der besseren Wärmeabfuhr. Zu diesem
Seit Juli 2006 ist die EU-Richtlinie 2002/95/ Zweck kann sogar ein spezieller innerer Me-
EWG (RoHS) zur Beschränkung der Verwen- tallkern (z. B. aus Cu/Invar; insbesondere zur
dung bestimmter gefährlicher Stoffe in Elektro- Temperaturkompensation) dienen, der allerdings
und Elektronikgeräten in Kraft. Blei darf nach sehr teuer ist. Die Komponenten- und Leiter-
90 E. Hering und R. Martin

Abb. 1.89 Schematischer Aufbau einer Mehrebenen-


Leiterplatte (Multilayer). Werkfoto: Philips Components

Die häufigsten Multilayer sind Vierebenen-


und Achtebenen-Leiterplatten. Bis zu 48 Ebe-
nen sind heute technisch beherrschbar. Abbil-
dung 1.89 zeigt den Aufbau einer Mehrebenen-
Leiterplatte.
Die Standardgröße von Leiterplatten liegt
bei verschiedenen Abmessungen. Typisch ist
die Europa-Karte mit 100 mm × 160 mm bzw.
doppeltes Europakartenformat mit 160 mm ×
Abb. 1.88 Verschiedene Typen von Leiterplatten: a ein- 233 mm (DIN EN 60297-3-101). Die Plattendi-
seitig, b doppelseitig, c Löcher durchkontaktiert, d cken variieren von 0,6 mm bis 3,2 mm (typisch
Mehrebenen-Leiterplatte
sind 1,5 mm bis 1,6 mm). In der Praxis sind
Leiterbahnbreiten und -abstände von 0,1 mm bis
0,5 mm üblich sowie Bohrlochdurchmesser von
etwa 0,1 mm. Es ist aber auch möglich, mittels
bahndichte kann wesentlich erhöht werden, wenn Laser Bohrlochdurchmesser von 50 µm herzu-
im Innern des Multilayers bestimmte Ebenen stellen. Die Kupferschichten sind meistens 18 µm
miteinander verbunden werden, und zwar durch bzw. 35 µm dick. Je schmaler die Leitungen und
von außen nicht sichtbare Kontaktlöcher (buried die Abstände sind, desto dünner muss die Kupfer-
holes). Ein Multilayer sollte außen die Signal- bahn sein, da mit zunehmender Kupferdicke die
ebenen besitzen und im Innern nur Masse und Konturen ungenauer werden. In Ausnahmefällen
C5 V. Wenn die beiden äußeren Signalebenen werden die Leitungen auch galvanisch verstärkt,
nicht ausreichen, sollten weitere Signalebenen im wobei grobe Leitungsstrukturen Voraussetzung
Inneren angelegt werden. Beim Schaltungsent- sind.
wurf ist äußerst diszipliniert vorzugehen, weil Das Leiterplatten-Layout wird mit speziellen
Fehler in Multilayern nachträglich nur schwierig EDA-Systemen (EDA: Electronic Design Auto-
zu beheben sind. mation) vom Entwurf bis zum Test entwickelt.
1 Grundlagen der Elektrotechnik 91

Tab. 1.12 Trägermaterialien für Streifenleiter und ihre elektrischen Eigenschaften


Trägermaterial
Dielektrische Eigen- Teflon Polyethersulfon Epoxid/ HF-
schaften Glasgewebe Material mit
Glasgewebe
Rein Glas Keramik Rein Wirrglas
Permittivitätszahl "r 2;06 C 0;05 2;25 C 0;02 6 bis 10 C 3,5 4,2 4 bis 5 3
im Frequenzbereich 0;25
102 Hz bis 10 GHz 10 GHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 10 GHz
1010 Hz
Verlustfaktor tan ı 6  104 9  104 15  104 50  104 20  104 200  104 35  104
im Frequenzbereich
10 GHz 10 GHz 10 GHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 10 GHz

Dabei wird neben dem Stromlaufplan, der Plat- nische Schaltungen immer kleiner zu bauen, d. h.
zierung der Bauelemente und der Entflechtung die Bauteile dichter zu packen, und andererseits
der elektrischen Verbindungen auch die Belast- möglichst wirtschaftlich zu produzieren, haben
barkeit durch die Stromdichte in den Leiterbah- dazu geführt, die Verbindungsdrähte zwischen
nen berücksichtigt. dem Bauteil und der Leiterplatte wegzulassen
und das Bauteil direkt auf der Leiterplatte zu be-
festigen. Dadurch werden folgende Arbeitsgänge
1.9.2 Streifenleiter eingespart:
 An den Bauteilen müssen keine Abschluss-
Streifenleiter (engl.: strip line) sind Designele- drähte befestigt, gebogen und abgeschnitten
mente innerhalb einer Leiterplatte, denen der Trä- werden;
gerwerkstoff und die Anordnung der Leiterbah-  auf der Leiterplatte müssen keine Löcher ge-
nen als elektrisch wirksame Bauelemente (z. B. bohrt werden, wodurch die Kupfereinsparung
Induktivitäten oder Kapazitäten) in die Schaltung erheblich ist;
einbezogen werden. Deshalb sind die elektri-  es wird viel Platz gespart und die Bestückung
schen Eigenschaften der verwendeten Materiali- kann automatisch erfolgen, was die Fehler ver-
en (z. B. die Permittivitätszahl "r des Trägerwerk- ringert und Kosten spart.
stoffs) sowie die Abmessungen der Leiterbahnen
Aufgabe der SMT ist es, eine Leiterplatte
und deren Toleranzen von besonderer Bedeu-
so zu bestücken, dass die technischen Kenn-
tung. Anwendung finden die Streifenleiter in der
werte und die wirtschaftlichen Randbedingungen
Hochfrequenztechnik (Abschn. 4.3). Tabelle 1.12
erfüllt werden. Um diese komplexe Anforde-
zeigt die eingesetzten Trägermaterialien und ih-
rung erfüllen zu können, muss man die SMT
re elektrischen Eigenschaften im Vergleich zu
als technisches Gesamtsystem betrachten, das im
Glas/Epoxid.
Wesentlichen aus folgenden drei Teilen besteht
(Abb. 1.90):
1. SMD-Bauelemente und Leiterplatte,
1.9.3 SMT
2. Bestückungssystem und
(Surface Mounted Technology)
3. Fertigungsverfahren einschließlich Qualitäts-
sicherung.
Die Fertigungstechnologie, Bauelemente direkt
auf der Oberfläche einer Leiterplatte zu befesti- Die bekannten elektrischen passiven (Ab-
gen, wird als SMT (Surface Mounted Technology) schn. 2) und aktiven Bauelemente (Abschn. 3)
bezeichnet. Die Forderungen, einerseits elektro- (z. B. Widerstände, Kaltleiter, Heißleiter, Kon-
92 E. Hering und R. Martin

Tab. 1.13 SMT und herkömmliche Bestückung im Ver-


gleich
Vorteile Miniaturisierung
kleinere Bauelemente
Zweiseiten-Bestückung
bis zur Hälfte weniger Gewicht
Verringerung der Kosten
kleinere Leiterplattenformate bzw. weni-
ger Leiterplatten
weniger Bohrlöcher für bedrahtete Bau-
elemente
geringere Bestückungskosten wegen
hoher Bestückungsgeschwindigkeit (bis
100.000 SMDs=h)
drei- bis fünfmal höhere Produktivität
Wegfall von Vorbereitungsarbeiten (z. B.
Sichern, Schneiden und Biegen von An-
schlussdrähten)
Abb. 1.90 SMT als technisches Gesamtsystem hohe Bestückungssicherheit (kaum
Nacharbeit)
Höhere Qualität
 höhere Qualität der SMD-Bauteile
 höhere Zuverlässigkeit im Betrieb
Günstigere HF-Eigenschaften
Wegfall parasitärer Induktionen (An-
schlussdrähte)
bessere Kapazitäten (kleinere Abmessun-
gen)
Nachteile hohe Investitionskosten
hohe Rüstkosten
hohe Einmalkosten (Programmierkosten)
keine Widerstände mit hohen Leistungen
(> 1 W) montierbar
Steckerbefestigungen und Anbringen von
LLCC (Leadless Chip Carrier) schwierig
Abb. 1.91 Gurte für SMD-Bauteile (Werkfoto: Philips Probleme bei der Befestigung, wenn
Components) Ausdehnungskoeffizienten der Leiterplat-
te und der Bauteile zu unterschiedlich

densatoren, Spulen, Übertrager oder Dioden,


Transistoren, Speicher und IC) sind meist SMD-
Bauteile. Für Neuentwicklungen stellt die Indus- Die Gurte erfüllen die Anforderungen nach
trie fast nur noch SMD-Bauteile zur Verfügung, einer störungsfreien und kontinuierlichen Zu-
da bedrahtete Teile in der Durchstecktechnik führung zum Bestückungsautomaten, nach im-
(THT: Through Hole Technology) nur noch we- mer gleicher Orientierung in der Verpackung,
nig nachgefragt werden. nach Standardisierung, nach produktionsgerech-
Für die automatisierte Bestückung mit SMD- ten Mengen je Packungseinheit und nach Schutz
Bauteilen kommt der Anlieferform große Bedeu- beim Transport.
tung zu. Durchgesetzt haben sich Gurte nach Tabelle 1.13 zeigt die Vor- und die Nachteile
DIN EN 60286-3 mit den Breiten von 8, 12, 16 der SMT im Vergleich zur herkömmlichen Be-
und 24 mm (Abb. 1.91). stückung mit bedrahteten Bauteilen.
1 Grundlagen der Elektrotechnik 93

 für Teilschaltungen in hoher Stückzahl vor al-


lem im Automobilbau und
 bei engen Raumverhältnissen.

1.9.5 Dünnschicht-Technologie

Mit Hilfe der Dünnschicht-Technologie ist es


möglich, noch kleinere Schaltungen oder noch
höhere Speicherdichten zu bauen, wobei die
Betriebssicherheit gleichzeitig gesteigert werden
kann. Wesentliche Einsatzgebiete sind in der
Feinstleitertechnik (etwa 0,1 µm Dicke), der Sen-
sorik im Niedrigkosten-Bereich (z. B. Dehnmess-
Abb. 1.92 Dickschichtschaltung in mehreren Lagen mit streifen), der Integrierten Optik (z. B. optische
Halbleiterchips (Werkfoto: ANT)
Bauelemente und Schaltungen, wie ein Faserkrei-
selkompass) und der Hochfrequenztechnik (Ab-
schn. 4.3).
1.9.4 Dickschicht-Technologie In der Dünnschicht-Technik werden dünne
Schichten (Abmessungen bis 2 µm Breite und
Schaltungen in Dickschicht-Technik gehören zu 0,01 µm bis 3 µm Dicke) aus Metallen oder Isola-
den integrierten Schichtschaltungen, weil we- tionswerkstoffen auf Trägermaterialien (Substra-
sentliche Teile der Schaltung (z. B. Leiterbah- te) wie Kunststoffe, Glas, Keramik oder Silicium
nen, Widerstände und bedingt Kondensatoren) aufgebracht. Als Substrat beim Einsatz in der
als Schichten ausgebildet sind (Abb. 1.92). Als Hochfrequenztechnik verwendet man meist wie
Substrat dient das keramische Trägermaterial in der Dickschicht-Technik Al2 O3 , auf das man
Aluminiumoxid Al2 O3 , das eine gute Wärmeleit- eine 0,02 µm dicke Metallschicht aus NiCr-Ni
fähigkeit und eine hohe Temperatur- und Korro- in Hochvakuumanlagen durch Kathodenzerstäu-
sionsbeständigkeit aufweist. bung oder thermische Verdampfung aufbringt.
Dickschichtschaltungen zeichnen sich durch Anschließend trägt man nach dem Fotolithogra-
folgende Vorteile aus: fieverfahren und durch galvanische Abscheidung
 sehr großer Widerstandsbereich, die Leiterbahnschichten (meist Au) auf. Häufig
 kleine parasitäre Kapazitäten, sind noch Haft- oder Diffusionssperrschichten
 enge Toleranzen durch den statischen und dy- einzulegen. Als Widerstandschicht dient TaN und
namischen Laserabgleich, NiCr mit unterschiedlich einstellbarem Flächen-
 hohe elektrische Stabilität und widerstand.
 gute Wärmeleitfähigkeit. Die wesentlichen Vorteile der Dünnschicht-
Die Vorteile der Dickschicht-Technik liegen technik sind:
in der Zuverlässigkeit und in der Kompaktheit  hohe Widerstandspräzision,
der Geräte. Aus diesem Grunde sind die An-  guter thermischer Gleichlauf der Widerstände,
wendungsbereiche sehr vielfältig. Einige seien  sehr hohe Packungsdichten und
beispielhaft genannt:  sehr gute Hochfrequenzeigenschaften.
 in der kommerziellen Technik bei hoher Zu- Abbildung 1.93 zeigt eine Dünnschichtschal-
verlässigkeit und hoher Verlustleistung (z. B. tung mit SMD-Bauteilen.
Geräte für größere Übertragungskapazitäten Die Dünnschicht-Technik wird für die Elek-
bei Breitbandsystemen); tronik zunehmend wichtiger. So stellt man u. a.
94 E. Hering und R. Martin

1.10 Weiterführende Literatur

 Baumann, P.: (2015) Ausgewählte Sensor-


schaltungen. Vom Datenblatt zur Simulation.
Wiesbaden: Springer Vieweg.
 Beetz, B. (2008): Elektroniksimulation mit
PSPICE. Analoge und digitale Schaltungen
mit ausführlichen Simulationsanleitungen. 3.,
verbesserte und erweiterte Auflage. Wiesba-
den: Friedr. Vieweg & Sohn Verlag |GWV
Fachverlage GmbH Wiesbaden. Online ver-
fügbar unter http://dx.doi.org/10.1007/978-3-
8348-9450-2.
Abb. 1.93 Dünnschichtschaltung mit SMD-Bauteilen
 Clausert, H., Wiesemann, G.: (2011) Grund-
(Werkfoto: ANT)
gebiete der Elektrotechnik Bd. 1 u. 2; 11.
Auflage, München: Oldenbourg Verlag.
auch hochpräzise Widerstände aus einer dünnen  Ebinger, A., Adam, V.: (1994) Komplexe Rech-
Platinschicht auf einem Keramiksubstrat her. Fer- nung in der Wechselstromtechnik, 5. Auflage,
ner ist es möglich, die dünnen Schichten nicht nur Heidelberg: Hüthig Verlag.
aufzubringen, sondern sie mit Hilfe der Fotoli-  Föllinger, O.: (2011) Laplace- und Fourier-
tografie auch zu strukturieren. Auf diese Weise Transformationen. 10. Auflage, Elitera Verlag.
kann man Strukturen bis zu Dicken von Atomla-  Goßner, S.: (2011) Grundlagen der Elektro-
gen (< 1 nm) erzeugen. Mit der Dünnfilmtech- nik, Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen.
nik werden häufig auch Sensorelemente herge- Shaker Verlag.
stellt.  Hering, E., Martin, R., Gutekunst, J., Kemp-
kes, J.: (2017) Elektrotechnik und Elektronik
für Maschinenbauer, 3. Auflage, Springer Ver-
1.9.6 Trägermaterial mit lag.
eingebetteten Bauteilen  Hagmann, G.: (2010) Grundlagen der Elektro-
technik. Aula-Verlag.
Um die Forderungen nach kleineren, leichteren  Lindner, H., Brauer, H., Lehmann C.: (2008)
und dünneren elektronischen Geräten zu erfüllen, Taschenbuch der Elektrotechnik und Elektro-
wie sie vor allem bei Handys und medizinischen nik, 9. Auflage, Hanser Verlag.
Produkten (z. B. Hörgeräte) gestellt werden, kön-  Meinke, H.H.: (2008) Taschenbuch der Hoch-
nen Bauteile in die gedruckte Leiterplatte einge- frequenztechnik. 5. Auflage, Springer Verlag.
bettet werden. Derzeit werden vor allem passive  Müller, R.: (1995) Grundlagen der Halbleiter-
(Kap. 2) und aktive (Kap. 3) Bauelemente in das Elektronik. In: Halbleiter-Elektronik. Bd. 1; 7.
Trägermaterial eingebettet. Die entsprechenden Auflage. Berlin: Springer Verlag.
Prüfverfahren für eingebettete passive und aktive  Sauer, R.: (2009) Halbleiterphysik. München:
Bauelemente sind in DIN EN 62326-15 festge- Oldenbourg Verlag.
legt.  Sze, S.M.: (2012) Semiconductor Devices
Physics and Technology. 5. Auflage, Verlag
Wiley-Interscience 2012.
 Thuselt, F.: (2011) Physik der Halbleiterbau-
elemente. Heidelberg: Springer Verlag.
Passive Bauelemente
2
Ekbert Hering und Klaus Bressler

2.1 Elektronische Bauelemente in passive und aktive Bauelemente eingeteilt


(Abb. 2.2).
2.1.1 Übersicht Passive Bauelemente erhalten nur eine Signal-
größe, wobei meistens mit einer Spannung ein
Die Elektronik befasst sich mit den Vorgängen
entsprechender Strom erzeugt wird oder umge-
der Bewegung elektrischer Ladungsträger (meist
kehrt. Aktive Bauelemente erhalten dagegen eine
Elektronen) in Festkörpern, Flüssigkeiten und
Signalgröße und eine Hilfsenergie (Stromversor-
Gasen (zur Halbleiterphysik, s. Abschn. 1.8).
gung), wobei die Signalgröße am Eingang jenen
Der Begriff Bauelement ist in DIN 40 150
Anteil der Hilfsenergie steuert, der zum Aus-
festgelegt und ist demnach hinsichtlich der Da-
gang fließt. Aktive Bauelemente können deshalb
tenangaben, der Prüfung, der Anwendung und
verstärken und schwingen. Zu den passiven Bau-
der Instandsetzbarkeit die kleinste, nicht weiter
elementen gehören der Widerstand (R), der Kon-
zerlegbare Einheit in der Elektronik (z. B. Wi-
densator (C ), die Spule (L) und die Diode (D),
derstände, Kondensatoren, monolithische IC,
zu den aktiven der Transistor (T ), der Thyristor,
engl.: Integrated Circuits). Die weiteren Be-
integrierte Schaltungen und sonstige Bauelemen-
griffsbestimmungen nach DIN 40 150 und ihre
te. Die weitere Unterteilung zeigt Abb. 2.2.
Zusammenhänge zeigt Abb. 2.1.
Wie Abb. 2.1 zeigt, bestehen Bauteile aus
einzelnen Bauelementen und Baugruppen (z. B. 2.1.2 Anforderungen und
ein Netzteil) aus mehreren Bauteilen und Bau- Anwendungsklassen
elementen. Geräte (z. B. Oszilloskope) sind aus
Baugruppen, Bauteilen und Bauelementen zu- Je nach Einsatzgebiet sind an elektronische Bau-
sammengesetzt. In Anlagen (z. B. ein Computer) elemente folgende unterschiedliche Anforderun-
befinden sich Geräte, Baugruppen, Bauteile und gen zu stellen:
Bauelemente.  Elektrische Sicherheit (VDE-Vorschriften),
Elektronische Bauelemente haben die Auf-  maximale elektrische Belastbarkeit (Span-
gabe, elektrische Signale zu erzeugen oder zu nung, Strom, Leistung, Kurven- bzw. Impuls-
wandeln. Sie spielen auch in der Datentechnik form, Frequenzbereich),
eine wichtige Rolle. Üblicherweise werden sie  Umgebungstemperatur
 Insbesondere bei Halbleiterbauelementen un-
terscheidet man folgende Bereiche:
E. Hering () – Industrieller Bereich (0 °C bis C70 °C),
E-Mail: ekbert.hering@hs-aalen.de – erweiterter industrieller Bereich (25 °C
K. Bressler bis C85 °C) und,
E-Mail: klaus.bressler@web.de – militärischer Bereich (55 °C bis C125 °C);
© Springer-Verlag GmbH Deutschland 2017 95
E. Hering, K. Bressler, J. Gutekunst (Hrsg.), Elektronik für Ingenieure und Naturwissenschaftler,
DOI 10.1007/978-3-662-54214-9_2
96 E. Hering und K. Bressler

 Temperaturkoeffizient,
 Langzeitstabilität der elektrischen Kennwerte
(Alterung),
 Feuchtigkeit, Staub, Einstrahlung,
 maximale Beschleunigung und Schwingungs-
frequenz,
 Qualität,
 Lebensdauer,
 Größe und Gewicht und
 Preis.
Welchen Einflüssen man ein Bauelement ausset-
zen darf, ohne dass sich seine elektrischen Kenn-
daten in unzulässiger Weise ändern (Änderungs- Abb. 2.1 Begriffsbestimmungen für Baueinheiten nach
DIN 40 150
fall) oder gar ein Totalausfall eintritt, wird in
DIN 40 040 durch Anwendungsklassen beschrie-
ben. Eine zu große Abweichung der elektrischen
Kenndaten bezeichnet man als Änderungsausfall. Lösung
Die Anwendungsklassen werden durch Buchsta-
ben gekennzeichnet und sind für alle elektroni- G Untere Grenztemperatur 40 °C.
schen Bauelemente gültig. Die einzelnen Kenn- P Obere Grenztemperatur C85 °C.
G Zulässige Feuchtebeanspruchung:
buchstaben, von denen man in der Regel nur die
Höchstwert: 85 %, jedoch nur 60 Tage im Jahr,
ersten drei nennt, haben folgende Bedeutung: im übrigen 75 %
Jahresmittel: 65 %. Keine Betauung.
Q Ausfallquotient beträgt 30  106 h1
Bezeichnung der klimatischen Anwendungsklasse: R Beanspruchungsdauer von 100.000 h.
1. Kennbuchstabe Untere Grenztemperatur in °C. W Mechanische Beanspruchung:
2. Kennbuchstabe Obere Grenztemperatur in °C. Schwingen: 10 Hz bis 55 Hz mit 20 m=s2 ;
3. Kennbuchstabe Zulässige Feuchtebeanspruchung. Schock: 150 m=s2 für 11 ms.
Angaben zur Zuverlässigkeit: Z Luftdruck ist dem Datenblatt zu entnehmen.
4. Kennbuchstabe Ausfallquotient (Anteil ausfallender Z Sonderbeanspruchung ist dem Datenblatt zu
Bauteile in einer gegebenen Zeit). entnehmen.
5. Kennbuchstabe Beanspruchungsdauer.
Mechanische Anwendungsklasse:
6. Kennbuchstabe Mechanische Beanspruchung. 2.1.3 Zuverlässigkeit
7. Kennbuchstabe Luftdruck.
8. Kennbuchstabe Klimatische Sonderbeanspruchung
Die Zuverlässigkeit ist ein Maßstab für die
(Wasser, Luft, Staub, Sandsturm,
Eignung eines Bauelementes, bei einer gege-
Schimmel, Termiten, Sonnenbe-
strahlung, Höheneinsatz).benen Belastung innerhalb eines bestimmten
Zeitraums voraussichtlich fehlerfrei zu arbei-
ten. Von elektronischen Geräten, beispielsweise
in industriellen Fertigungsprozessen oder im
medizinischen Bereich, wird eine hohe Betriebs-
zuverlässigkeit erwartet. Ein Geräteausfall, sei
Beispiel 2.1-1 es durch Überbelastung oder durch Erreichen der
Ein Bauelement trägt die Kennzeichnung Lebensdauer, hat im Fertigungsbetrieb einen Pro-
GPGQRWZZ. Für welche Anwendungen ist duktionsausfall oder -ausschuss zur Folge, was
es geeignet? erhebliche Kosten verursacht; im medizinischen
2 Passive Bauelemente 97

Abb. 2.2 Einteilung der Bauelemente

Abbildung 2.3 zeigt, dass eine Erhöhung der


Zuverlässigkeit zwar die Betriebskosten sinken
lässt, aber die Herstellungskosten der Bauele-
mente sehr stark ansteigen. Deshalb nehmen zwar
die Kosten mit zunehmender Zuverlässigkeit zu-
nächst ab, steigen aber mit höheren Anforderun-
gen überproportional an. Es wird zwischen einem
Änderungsausfall und einem Totalausfall unter-
schieden.

Abb. 2.3 Kosten in Abhängigkeit von der Zuverlässigkeit 2.1.3.1 Ursachen eines Ausfalls
Außer den bereits bei der Herstellung entstan-
denen Fehlern, die sich häufig erst im Laufe der
Bereich können sogar Menschenleben gefähr- Zeit auswirken, kommen als Ausfallursachen in
det sein. Aus diesem Grunde ist die Auswahl Frage:
der richtigen Bauelemente und ihre geeigne-  Fertigungsfehler bei einem Bauteil („angetö-
te Beschaltung sehr wichtig. Die Erhöhung der tetes“ Bauteil),
Zuverlässigkeit eines Bauelementes kostet aber  Überbeanspruchung des Bauelements beim
ihren Preis (Abb. 2.3). Einbau (z. B. zu hohe Temperaturen beim Lö-
98 E. Hering und K. Bressler

ten oder zu hohe mechanische Beanspruchung


beim Abbiegen der Anschlüsse);
 Überbelastung (elektrisch oder thermisch)
während des Betriebes;
 Ende der Lebensdauer. Hierüber ist meistens
keine direkte Aussage möglich, da die Lebens-
dauer vor allem von der elektrischen, mecha-
nischen und klimatischen Belastung im Be-
trieb abhängt; Abb. 2.4 Ausfallrate im Verlauf der Einsatzzeit
 Beschädigungen infolge zu hoher elektrostati-
scher Entladungen (ESD; engl.: Electrostatic
Discharge). Bei allen modernen Halblei- elementen ist durchschnittlich jede Stunde mit
tern (außer bipolaren Leistungstransistoren) einem Ausfall zu rechnen.
besteht die Gefahr, dass isolierende Silicium-
schichten und Sperrschichten durch statische Früh- und Verschleißausfälle
Aufladungen beschädigt oder durchschlagen Die Ausfallrate ist häufig innerhalb der Lebens-
werden. Deshalb sind folgende Vorsichtsmaß- dauer nicht gleichbleibend. Abbildung 2.4 zeigt
nahmen erforderlich (s. auch Abschn. 3.5.7): die typische, sogenannte Badewannenkurve, d. h.
– Transport in antistatischer, d. h. hochohmig die Ausfallrate ist bei Einsatzbeginn des Bauele-
leitender Verpackung. mentes hoch (Frühausfälle) und steigt am Ende
– Lötkolben werden geerdet, und die Be- der Lebensdauer (Verschleißausfälle) an. In der
dienungsperson ist über ein hochohmiges Mitte sind die Zufallsausfälle gleichmäßig ver-
Armband geerdet. teilt. Die Zeit bis zum Beginn der Verschleißaus-
– Arbeitsplatz mit antistatischem Belag, ge- fälle nennt man Brauchbarkeitsdauer.
erdete Kupfernetze unter dem hochohmig
leitenden Kunststofffußbodenbelag, hoch- Frühausfälle
ohmig geerdete Stühle und Polster. Um Bauelemente mit Frühausfällen ausson-
– Arbeitsschuhe mit leitfähiger Sohle. dern zu können, sind die Eingangsprüfungen
zu verschärfen oder Voralterungen vorzunehmen
2.1.3.2 Mittlere Ausfallrate (entweder vor dem Einbau oder in der fertigen
Als Ausfallrate wird der Bruchteil von Ausfäl- Schaltung). Eine Voralterung ist eine auch burn in
len pro Zeiteinheit bezeichnet, bezogen auf die genannte Dauerprüfung, die man in Form von
Gesamtzahl der Bauelemente. Es gilt elektrischen und thermischen Belastungszyklen
beispielsweise über einen Zeitraum von 168
Anzahl der Ausfälle n Stunden durchführt.
D (2.1)
Gesamtzahl der funktionsfähigen
Zufallsausfälle
Bauelemente N  Testzeit t In diesem Bereich wird von einer konstanten
Ausfallrate ausgegangen. Die errechneten Wer-
Die Ausfallrate bezieht man auf eine Stunde te sind die Grundlage für die Berechnung der
(h1 ). Die Ausfallrate von einzelnen Bauele- Lebensdauer, auch Brauchbarkeitsdauer genannt,
menten wird in fit (engl.: failure in time) ange- und der Zuverlässigkeit von Bauelementen.
geben: 1 fit D 109 =h. Ein Schichtwiderstand
besitzt beispielsweise eine Ausfallrate D 0;2  Verschleißausfälle
109 h1 entsprechend 0,2 fit. Das bedeutet, der Gegen Ende der Betriebszeit nehmen die Ver-
Widerstand fällt in einer Stunde mit einer Wahr- schleißausfälle (z. B. wegen undichter Gehäuse,
scheinlichkeit von 0;2  109 aus, oder anders Korrosion, Materialversprödung) zu. Ein recht-
betrachtet: Bei 1=.0;2  109 / D 5  109 Bau- zeitiges Auswechseln von kritischen Bauelemen-
2 Passive Bauelemente 99

Tab. 2.1 Ausfallraten einiger Bauelemente Gesamtausfallrate


Bauelemente .109 h1 / Sind mehrere Bauelemente im Einsatz, dann er-
1. Widerstände rechnet sich die Gesamtausfallrate ges als Sum-
Kohleschicht 0,1 me der einzelnen Ausfallraten. Es gilt:
Draht 1
2. Kondensatoren ges D 1 C 2 C 3 C : : : C n (2.2)
Keramik 0,06
AI-Elektrolyt 5
2.1.3.3 Durchschnittliche Lebensdauer
3. Spulen
Bei der Berechnung der durchschnittlichen Le-
HF-Spulen 0,3
Transformatoren 1
bensdauer tm geht man von einer konstanten
4. Dioden Ausfallrate aus. Als durchschnittliche Lebens-
Si, normal 0,05 dauer tm benennt man die Zeit, die vergeht, bis
Si, Leistung 0,5 63 % aller Bauelemente ausgefallen sind. Mit der
LED 0,1 Ausfallrate besteht folgender Zusammenhang:
5. Transistoren
Si, normal 0,06 D 1=tm (2.3)
FET 0,5
6. Integrierte Schaltkreise In der Regel wird der mittlere Ausfallabstand
digital, bipolar (MSI) 2 (MTBF: Mean Time Between Failure) eines Ge-
digital, MOS (MSI) 1
rätes berechnet. Für n Bauelemente der gleichen
7. Sonstige Halbleiter
Ausfallrate beträgt er
Optokoppler 2
Thyristor 0,5
8. Verbindungen tm D 1=.n / (2.4)
Steckkontakt 0,1
Klemmkontakt 0,3 Beispiel 2.1-2
Lötverbindung 0,05 Ein Kofferradio besteht aus n D 120 Bauele-
9. Sonstige Bauelemente menten mit der gleichen Ausfallrate von 2000
Glimmlampe 102 fit ( D 2000  109 h1 ). Wie lange funktio-
Glühlampe 103 niert das Radio, wenn es täglich 3 Stunden in
Betrieb ist?

Lösung
ten (Bauelementen mit niedrigem ) verhindert Der mittlere Ausfallabstand ist nach Gl. 2.4:
diese Verschleißausfälle.
Tabelle 2.1 zeigt die Ausfallrate einiger Bau- tm D 1=.n /
elemente.
Zu dieser Tabelle ist kritisch anzumerken, D 1=.120  2  106 h1 /
dass sich die Ausfallraten für dieselben Bau- D 4167 h
3
teile bis zum Faktor 10 unterscheiden können.
Dies hängt vom Fertigungsverfahren, von der Bei einer täglichen Betriebsdauer von 3 h
Verarbeitung beim Zusammenbau, von den ist der mittlere Ausfallabstand 4167=3 D
klimatischen Verhältnissen und von den Ein- 1389 Tage oder 3,8 Jahre.
satzbedingungen (beispielsweise Flugzeug oder
klimatisierter Raum) ab. Den strengsten Maßstab I Hinweis: Da Bauelemente auch altern, ohne
legt das amerikanische militärische Handbuch dass diese ihre Funktion erfüllen (z. B. Lage-
MIL-HDBK-217 E an, dessen Zuverlässig- rung), sind bei genaueren Berechnungen die
keitswerte aber heute in der Praxis größtenteils dann gültigen, aber wesentlich kleineren -
übertroffen werden. Werte zu berücksichtigen.
100 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.5 Kosten in Abhängigkeit vom Qualitätsgrad


Abb. 2.6 Annahmewahrscheinlichkeit in Abhängigkeit
vom Fehleranteil in der Liefermenge (Operations-Charak-
teristik)

2.1.3.4 Herstellgrenzqualität
Eine der wichtigsten Voraussetzungen für den si-
cheren Einsatz und die Stabilität der Kennwerte fung als befriedigende durchschnittliche Herstel-
ist die Qualität der Bauelemente. Wie Abb. 2.5 lerqualität ansehen kann. In der Regel wird sie im
zeigt, sinken mit steigender Qualität die Ausfall- Kaufvertrag zwischen Abnehmer und Hersteller
kosten, während die Fehlerverhütungskosten der festgelegt. Im Indifferenzpunkt (in Abb. 2.6 bei
Produktion und die Prüfkosten für die Qualitäts- einer Fehlerrate von 0,6 %) ist die Annahmewahr-
sicherung ansteigen. scheinlichkeit 50 %, d. h. die Annahme und die
Mit den Verfahren der statistischen Qualitäts- Ablehnung ist gleich wahrscheinlich. Die Rück-
sicherung ist es möglich, einen Qualitätsstandard weisgrenzqualität (in Abb. 2.6 bei 1 % Fehleran-
zu garantieren sowie die Kosten für die Fehlerver- teil) sagt aus, dass bei einem so hohen Fehleran-
hütung in der Herstellung zu verringern und die teil die Annahmewahrscheinlichkeit lediglich bei
Prüfhäufigkeiten den tatsächlichen Erfordernis- 10 % liegt.
sen anzupassen. Die statistischen Verfahren und Die genauen Prüfpläne unterscheiden sich
die verwendeten Daten sind in DIN 40 080 nach- noch in der Prüfschärfe (I: reduziert, II: normal
zulesen. und III: verschärft, sowie Sonderprüfungen S1
Die statistischen Grundlagen sowie die Prüf- bis S4 für kleine Lose). Sie sind in DIN 40 080
bedingungen stellt man häufig als Operations- nachzulesen.
Charakteristik dar. Sie ist die Annahmewahr- Die Komplexität der Industrieprodukte hat
scheinlichkeit der Liefermengen in Abhängigkeit sehr stark zugenommen (z. B. befinden sich in
vom Fehlerprozentsatz und ist in Abb. 2.6 wie- einem PKW der Oberklasse 100 Rechner und
dergegeben. ebenso viele Elektromotoren sowie eine Vielzahl
Die Kennlinie zeigt, mit welcher Wahrschein- von Sensoren, die nach den unterschiedlichsten
lichkeit eine Liefermenge mit einem bestimm- physikalischen Prinzipien arbeiten). Diese kom-
ten prozentualen Fehleranteil angenommen wird. plexen Systeme müssen fehlertolerant sein. Das
Die Herstellgrenzqualität oder AQL (Acceptance bedeutet, die Software muss fehlerhafte Bau-
Quality Level: annehmbare Qualitätsgrenzlage) elemente erkennen und andere Informationen
ist der maximale Fehlerprozentsatz (in Abb. 2.6 verwenden, damit die Systeme weiterlaufen kön-
bei 0,3 %), den man bei einer Stichprobenprü- nen und nicht still stehen.
2 Passive Bauelemente 101

Tab. 2.2 Zahlenreihe E 6


p
E 6 10n D 10n=6 100=6
6
101=6 102=6 103=6 104=6 105=6
Wert 1 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8

Tab. 2.3 Werte der Normreihen E 6, E 12, E 24, E 48,


E 96 und E 192 (Ausschnitt)
E6 E 12 E 24 E 48 E 96 E 192
˙ 20 % ˙ 10 % ˙ 5 % ˙ 2% ˙ 1% ˙ 0,5 %
100 100 100 100 100 100
101
102 102
104
105 105 105
106
107 107
109
110 110 110 110
111
113 113
114
Abb. 2.7 Zahlenreihe E 6
115 115 115
117
118 118
120 120 120
2.1.4 Normreihen 121 121 121
123
Die Nennwerte käuflicher Widerstände und Kon- 124 124
126
densatoren sind nach DIN 41 426 in Normreihen 127 127 127
abgestuft, um eine wirtschaftliche Fertigung und 129
Lagerhaltung zu ermöglichen. Die Normreihe hat 130 130 130
den Kennbuchstaben E und ist eine geometri- 132
133 133 133
sche Reihe, d. h. aufeinanderfolgende Werte un- 135
terscheiden sich immer um denselben Faktor q. 137 137
Damit gilt für die Reihe die Gleichung y D q x , 138
wobei y der Nennwert ist und x in ganzen Schrit- 140 140 140
142
ten
p von 0 ab läuft. Der Faktor q errechnet sich zu 143 143
E
10, wobei E die Nummer der Baureihe ist. In 145
Tab. 2.2 ist die Zahlenreihep E 6 berechnet. Der 147 147 147
Faktor q beträgt hier q D 6 10 D 1;467 : : :, d. h. 149
150 150 150 150 150
etwa 1,5. 152
Von Reihe zu Reihe werden die Werte ver- 154 154 154
doppelt, d. h. es gibt üblicherweise die Reihen 156
E 3, E 6, E 12, E 24, E 48 und E 92. Diese 158 158
160 160
Verdoppelung hat zur Folge, dass die Werte der 162 162 162
vorhergehenden Reihe in der folgenden enthalten 164
sind. Dies zeigt Tab. 2.3. 165 165
In Abb. 2.7 ist der Verlauf der Werte der ersten 167
169 169 169
drei Reihen grafisch dargestellt. 172
Zu den Bauelemente-Toleranzen ist zu bemer- 174 174
ken, dass beispielsweise bei der E 12-Reihe die 176
Werte um den Faktor 1,2 voneinander abweichen. 178 178 178
102 E. Hering und K. Bressler

Tab. 2.3 (Fortsetzung)


E6 E 12 E 24 E 48 E 96 E 192
˙ 20 % ˙ 10 % ˙ 5 % ˙ 2% ˙ 1% ˙ 0,5 %
180 180 180
182 182
184
Abb. 2.8 Klassifikation von Halbleiterbauelementen
187 187 187
189
191 191
193 Lagerhaltung zu vereinfachen, sollte man Wider-
196 196 196 stände mit Drahtanschlüssen mit E 24-Stufungen,
198 aber mit E 96-Werten wählen. Bei Chipwider-
200 200 200
203
ständen ist sogar die E 6-Stufung mit Werten
205 205 205 aus der E 96-Reihe zu bevorzugen. Hierdurch
208 kann man die Anzahl der benötigten Magazine
210 210 für einen Bestückungsautomaten einschränken.
213
215 215 215
220 220 220 218
221 221 2.1.5 Klassifikation von diskreten
223 Halbleiter-Bauelementen
226 226 226
229
232 232
Um Bauelemente mit den gewünschten Kenn-
234 werten verwenden zu können, sind diese von
237 237 237 der in Brüssel ansässigen Organisation PRO
240 240 ELECTRON klassifiziert worden. Der PRO
243 243
246
ELEKTRON-Typenschlüssel besteht aus drei
249 249 249 Feldern (Abb. 2.8), bestehend aus zwei Buch-
252 staben (erster Buchstabe: Material, zweiter
255 255 Buchstabe: Funktion) und einem Kennzeichen
258
261 261 261
(entweder dreistellige Zahl für Konsumelektro-
264 nik oder ein Buchstabe und eine zweistellige Zahl
270 270 267 267 für die Industrieelektronik). (Zu den Abkürzun-
271 gen und ihren Bedeutungen s. Abschn. 3.1.6).
274 274 274
277
280 280
284 2.1.6 Datenblätter
287 287 287
291 Datenblätter geben Auskunft über die mechani-
294 294
298
schen und elektrischen Eigenschaften des Bau-
300 301 301 301 elementes. Die Gliederung, der Inhalt und die
verwendeten Kurzzeichen sind in DIN 41 785
und DIN 41 791 festgelegt. Das Datenblatt ent-
Das entspricht einer Toleranz von ˙ 10 %. Ei- hält:
ne größere Toleranz für diese Reihe zuzulassen
wäre sinnlos, weil dann der Wert bereits im Be- 1. Kurzbeschreibung des Bauelementes Hier
reich der E 6-Reihe liegen würde. Das bedeutet, stehen die Typenbezeichnung, der Hersteller, die
dass die Reihen die größtmögliche Toleranz vor- Technologie und der Anwendungsbereich.
geben (z. B. für die Reihe E 24 eine Toleranz
von ˙ 5 %). Bei Metallschicht- und Metallglasur- 2. Gehäusedaten Man erkennt die Werkstoffe,
widerständen ist die E 96-Reihe üblich. Um die die Kenn-Nummer der Anschlüsse und bestimm-
2 Passive Bauelemente 103

te Markierungen (z. B. für die Polung und die 2.2 Widerstände


Lage von Pin Nummer 1).
Widerstände sind sehr häufig eingesetzte Bau-
3. Mechanische Daten Dazu gehören die elemente mit der Eigenschaft, den elektrischen
Abmessungen mit Toleranzen, die Montage- Strom zu begrenzen. Das bedeutet: Ein Wider-
bedingungen (z. B. maximale Löttemperatur, stand erzeugt bei einer vorhandenen Spannung
-verfahren und -zeit, kleinster Abstand vom Ge- den gewünschten Strom oder liefert bei einem ge-
häuse für das Abbiegen der Anschlussdrähte, gebenen Strom die gewünschte Spannung. Am
kleinste Länge der Anschlussdrähte). Widerstand wird elektrische Energie in Wärme
umgesetzt. Deshalb muss für den Einsatz der Wi-
4. Nennwerte Die Nennwerte beschreiben ent- derstände die Abhängigkeit seiner elektrischen
weder als Zahlenwerte oder als Kennlinien die Kenngrößen von der Temperatur bekannt sein.
Die Werte für den Widerstand umfassen einen
Eigenschaften oder die Funktion eines Bauele-
sehr großen Bereich von m bis zu 30 M.
mentes. Sie gelten ab Hersteller unter Beach-
Oberhalb von 30 M wird der Einsatz kritisch,
tung der Messbedingungen (z. B. Temperatur und
weil Kriechströme und Instabilitäten die Wider-
Frequenz). Die Toleranz ist entweder als pro-
standswerte erheblich verfälschen können. Diese
zentuale Abweichung oder als Grenzkurve einer
Hochohmbereiche sind Sonderfälle, die speziell
Kennlinie angegeben. Während die dynamischen
Nennwerte das zeitliche Verhalten der einzelnen behandelt werden müssen.
Größen beschreiben, berücksichtigen die stati- Um den angesprochenen großen Wertebereich
schen Nennwerte diese nicht. der Widerstände zu realisieren, muss man geeig-
nete Materialien verwenden und entsprechende
Geometrien auswählen. Dabei spielen folgende
5. Typische Werte Insbesondere bei Halbleiter- Kennwerte eine wichtige Rolle: der Widerstands-
bauelementen werden typische Werte angegeben. wert, die Toleranz, die Belastbarkeit, der Tempe-
Sie sind völlig unverbindlich und können sich raturkoeffizient, die Größe (möglichst klein) und
von Los zu Los unterscheiden. Für die Entwick- die Kosten. In den folgenden Abschnitten werden
lung von Schaltungen sind die minimalen und die
diese Kenngrößen ausführlicher beschrieben.
maximalen Werte zu berücksichtigen.

6. Garantiewerte Je nach Hersteller, Bauele- 2.2.1 Übersicht über die Widerstände


ment und Anwendung werden Maximal- und Mi-
nimalwerte (oder nur einer) garantiert. In Aus- Abbildung 2.9 zeigt eine Übersicht über die Wi-
nahmefällen kann der Kunde manche Bauele- derstände.
mente mit gewünschten Kennwerten bestellen. Aus Abb. 2.9 ist zu erkennen, dass Wider-
stände in Festwiderstände eingeteilt werden, die
7. Grenzwerte Die Grenzwerte sind Absolut- einen festen Widerstandswert liefern und in ein-
werte, die nicht überschritten werden dürfen. stellbare Widerstände, deren Widerstandswerte
Es handelt sich hierbei meist um Strom-, verstellbar sind. Die Festwiderstände können ein
Spannungs-, Leistungs- und Temperaturwerte so- lineares Strom-Spannungs-Verhalten nach dem
wie um mechanische Kenndaten. Im Hinblick auf Ohm’schen Gesetz (R D U=I ) aufweisen oder
eine gute Zuverlässigkeit ist es immer zweckmä- nicht. Bei den nicht linearen Widerständen hängt
ßig, die angegebenen Grenzwerte (engl.: absolute der Widerstand von einer physikalischen Größe
maximum rating) zu unterschreiten. Man spricht ab, beispielsweise von der Temperatur (Heißlei-
dann von einem Derating. Wird beispielsweise ter NTC und Kaltleiter PTC), von der Spannung
eine 100 V-Diode nur mit einer Sperrspannung (Varistor VDR) oder vom Magnetfeld (Feldplat-
von uR D 80 V betrieben, so ist der Derating- te). Die Lichtabhängigkeit der Widerstände (Fo-
Faktor d D 0;8. towiderstände LDR) wird im Kap. 6 (Optoelek-
104 E. Hering und K. Bressler

tronik) beschrieben. Die einstellbaren Widerstän-


de kann man in der Regel entlang einer Ge-
raden (linear) oder einer positiv oder negativ
logarithmischen Kurve verändern (dies für Fälle,
in denen große Widerstandsbereiche überstrichen
werden). Widerstände, die während des Betriebs
eingestellt werden können, nennt man Potenzio-
meter; Widerstände, die vor dem Betrieb zum
Abgleich einer Schaltung genau eingestellt wer-
den müssen, werden Trimmer genannt.
Alle diese Widerstände gibt es auch als
oberflächenmontierbare Bauteile (OMB: Ober-
flächenmontierbare Bauteile oder engl.: SMD:
Surface mounted Devices; Abschn. 1.9.3). In
diesen Fällen führen die Widerstände die entste-
hende Wärme nicht direkt über die Luft, sondern
über die Lötflächen der Leiterplatte ab. Das nor-
malerweise günstiger und erlaubt deshalb eine
geringere Baugröße der SMD-Widerstände.

2.2.2 Lineare Festwiderstände

Ein linearer Festwiderstand besitzt einen festen,


d. h. nicht veränderbaren linearen Widerstand.
Als Werkstoffe finden, wie Abb. 2.9 zeigt,
Drähte oder leitende Schichten (Kohleschich-
ten bzw. Metallschichten) Verwendung. Neben
den Edelmetall- und hochwertigen Metallglasur-
widerständen werden auch Mehrfachwiderstände
(arrays) auf ein Keramiksubstrat mit seitlichen Abb. 2.9 Einteilung der Widerstände
Lötanschlüssen aufgebracht. Ein Beispiel sind
Eingangs-Spannungsteiler von Messgeräten. Al-
le Widerstände werden in gleicher Technologie geben durch einen 6. Ring den Temperaturkoef-
in einem Arbeitsgang aufgebracht, wodurch fizienten des Widerstandes an. Dabei bedeuten
die Genauigkeit (vor allem der Widerstands- die Farben schwarz bis grau abnehmende Tem-
Verhältnisse) sehr groß ist. peraturkoeffizienten von 250  106 K1 bis 1 
106 K1 .
2.2.2.1 Farbcodierung
Der Nennwert eines Widerstandes ist meistens Beispiel 2.2-1
durch Farbringe verschlüsselt. Dies hat den Vor- Ein linearer Festwiderstand trägt folgende
teil, dass der Wert im eingebauten Zustand unab- Farbringe: blau, grau, braun, orange, grün.
hängig von der Lage zu lesen ist. In Tab. 2.4 ist Welchen Widerstandswert besitzt er und in
der Internationale Farbcode zusammengestellt. welche Toleranzklasse (und Baureihe) ist er
Bei Widerständen mit engen Toleranzen (z. B. einzuordnen?
bei Metallschichtwiderständen) werden für den
Vorzugswert drei Stellen benötigt. Der Farbcode I Hinweis: Werden die Farbringe in verkehrter
besitzt dann fünf Farbringe. Manche Hersteller Reihenfolge (z. B. grün, orange, braun usw.)
2 Passive Bauelemente 105

Abb. 2.9 (Fortsetzung)

entschlüsselt, dann ergeben diese keinen E- rechnet sich wie folgt:


Wert (Abschn. 2.1.4).
#0  #a
Pmax D (2.5)
Rth A
Lösung
wobei #0 die Temperatur an der Oberfläche des
Der Widerstandswert ist: R D 681 k, Tole-
Widerstandes und #a die Umgebungstemperatur
ranz ˙ 0,5 % (Baureihe E 96).
ist und Rth A der Wärmewiderstand in K=W (Kel-
vin pro Watt). Aus Gl. 2.5 ist ersichtlich, dass die
2.2.2.2 Belastbarkeit bei Dauerbetrieb Belastbarkeit umso größer ist, je größer die Tem-
Die Belastbarkeit Pmax ist die während der Be- peraturdifferenz #0  #a (bei gleichem Wärme-
triebszeit maximal umgesetzte Leistung und er- widerstand Rth A / oder je kleiner der Wärmewi-
106 E. Hering und K. Bressler

Tab. 2.4 Internatio- Kennfarbe Widerstandswert in  Toleranz Temperaturkoeffizient


naler Farbcode nach zählende Ziffern Multiplikator
DIN JEC 62 und JEC 115-
silber – 102 ˙10 % –
1-4.5
gold – 101 ˙5 % –
schwarz 0 1 – ˙200  106 =K
braun 1 10 ˙ 1% ˙100  106 =K
rot 2 102 ˙ 2% ˙50  106 =K
orange 3 103 – ˙15  106 =K
gelb 4 104 – ˙25  106 =K
grün 5 105 ˙ 0,5 % –
blau 6 106 ˙ 0,25 % ˙10  106 =K
violett 7 107 ˙ 0,1 % ˙5  106 =K
grau 8 – – ˙1  106 =K
weiß 9

derstand Rth A ist (bei konstanter Temperaturdif-


ferenz #0  #a /. In der DIN-Norm 44 051 ist fest-
gelegt, dass die Nennbelastbarkeit eines Wider-
standes für eine Umgebungstemperatur von #a D
70ı C anzugeben ist. Mit dieser Leistung P70 darf
der Widerstand dauernd betrieben werden.

2.2.2.3 Impulsbelastbarkeit
Widerstandswerkstoffe sind in der Lage, kurzzei-
tig wesentlich höhere Leistungen aufnehmen zu
können als im Dauerbetrieb. Dabei bestehen fol-
Abb. 2.10 Impulsbelastbarkeit von kappenlosen Wider-
gende Unterschiede: ständen

– Periodische Pulsfolge
Die Kurve beschreibt eine Widerstandsänderung
Hierbei können Pulsfolgen mit Spitzenspannun-
R=R < 0;25%.
gen bis zum 3,5-fachen der maximalen Betriebs-
spannung noch zulässig sein und eine Spitzenlast
2.2.2.4 Maximale Dauerspannung Umax
bis zur 6-fachen zulässigen Belastbarkeit (Einzel-
Die maximale Dauerspannung Umax ist durch die
heiten sind in den jeweiligen DIN-Normen für die
Spannungsfestigkeit (Überschläge zwischen den
Widerstände festgelegt, Abb. 2.9).
Anschlüssen oder Teilen der Wendel) bestimmt.
Sie hängt deshalb in hohem Maße von der Bau-
– Vereinzelte Impulse sehr hoher größe ab. Bei kleineren Widerstandsgeometrien
Spitzenleistung (z. B. Baugröße 0204 und 0207) liegen die Werte
Die Impulsbelastbarkeit hängt prinzipiell sehr zwischen 200 V und 350 V, bei größeren Baufor-
stark von der Impulsform und von der Impuls- men (z. B. Typ 0411 und 0617) bei 500 V bis
breite ab. 750 V. Bei speziellen Hochspannungswiderstän-
Die Beanspruchungen mit sehr energiereichen den sind wesentlich höhere Spannungen zulässig.
Einzelimpulsen sind nicht genormt, sondern sind
den jeweiligen Datenblättern der Hersteller zu 2.2.2.5 Kritischer Widerstandswert Rkrit
entnehmen. Der kritische Widerstandswert Rkrit ist ein be-
Abbildung 2.10 zeigt die maximale Impulss- stimmter, im Datenblatt angegebener Wert, der
pannung in Abhängigkeit vom Widerstandswert. sich aus der maximal zulässigen Dauerspannung
2 Passive Bauelemente 107

Umax und der Nennbelastbarkeit P70 nach folgen- Lösung


der Gleichung errechnet: Nach Gl. 2.7 ist: R=R D ˛ #, wo-
bei # D #U C PRth (Gl. 2.5). Damit ist:
Rkrit D 2
Umax =P70 (2.6)
R=R D 100  106 K1 .45 ı C C 0; 2 W 
Ist der Nennwiderstandswert RN > Rkrit , dann 150K=W/ D 0;75%
wird die zulässige Spannung durch Umax be-
stimmt, im anderen Fall durch die Verlustleistung 2.2.2.7 Stabilität
nach Gl. 2.6. Mit Stabilität bezeichnet man die relative Wi-
derstandsänderung R=R, die durch elektrische
2.2.2.6 Temperaturabhängigkeit Belastung oder andere Einflüsse in einem be-
Die Temperaturabhängigkeit eines Widerstandes stimmten Zeitraum verursacht wird. Der Wert
wird durch den Temperaturkoeffizienten ˛ be- hängt im Wesentlichen von den verwendeten Wi-
schrieben (auch TKR genannt), der definiert ist als derstandsmaterialien, der Oberflächentemperatur,
Widerstandsänderung R=R pro Temperaturdif- dem Widerstandswert und von Umgebungsein-
ferenz #. Seine Einheit ist deshalb 1=K. Somit flüssen (z. B. Klima, Feuchtigkeit oder starke
gilt: Temperaturwechsel) ab. Bei sonst gleichen
˛ D TKR D R=.R#/ (2.7) Bedingungen sind niederohmige Widerstände
stabiler, da die Schichtdicke größer ist.
Es ist darauf hinzuweisen, dass der Tem-
Die Messung der Stabilität erfolgt mit speziel-
peraturkoeffizient sowohl positiv (z. B. bei
len Tests, wie durch schnelle Temperaturwechsel,
reinen Metallen) als auch negativ (z. B. bei
Lagerung bei hoher und niedriger Temperatur
Kohle) sein kann (Angabe im Datenblatt mit
und Unterdruck, Feuchte, Langzeitprüfung und
C ). Bei Widerstandswerkstoffen aus Metall-
Überlast. Außer in der Präzisionsmesstechnik,
Legierungen (z. B. Drahtwiderständen oder
deren Abhandlung den Umfang dieses Buches
Metallschichtwiderständen) wird durch entspre-
übersteigen würde, prüft man nur maximale Ab-
chende Legierungszusammensetzung versucht,
weichungen.
einen möglichst kleinen Temperaturkoeffizienten
˛ zu erreichen.
Die Temperaturänderung #, die zur Wider- Rauschen
standsänderung R=R führt, ergibt sich aus der Das Wort „Rauschen“ ist aus der Akustik entlie-
Änderung der Umgebungstemperatur #U und der hen und bezeichnet in der Elektrotechnik ein Si-
Temperaturerhöhung aus der Belastung #Ü , wie gnal, das alle Frequenzen innerhalb einer großen
sie durch den Wärmewiderstand bestimmt wird Bandbreite enthält. Es ist auf dem Oszilloskop als
(Gl. 2.5). Üblich ist die Angabe des Tempera- breitbandiges, nichtperiodisches Signal zu erken-
turkoeffizienten TKR in ppm=K (ppm: parts per nen. Folgende Arten von Rauschen eines Wider-
million D 106 ). Bei den meisten Typen von standes sind zu unterscheiden:
Metallschichtwiderständen wird ein Temperatur-
koeffizient von TKR D ˙50ppm=K erreicht.
2.2.2.8 Thermisches Rauschen
Beispiel 2.2-2 Das thermische Rauschen wird durch Gitter-
Ein Nennwiderstand RN wird bei einer Umge- schwingungen im Werkstoff verursacht, welche
bungstemperatur von 25 °C gemessen. Es ist die Ladungsträger beim Weg durch das Material
der Wärmewiderstand Rth D 150 K=W, der in unregelmäßigen Abständen stören. Das ther-
Temperaturkoeffizient ˛ D ˙100  106 K1 , mische Rauschen nimmt mit der Temperatur zu.
die im Widerstand umgesetzte Leistung P D Nach Nyquist (NYQUIST, 1889 bis 1943) gilt für
0;2 W. Gesucht ist die maximale, relative Wi- die thermische Rauschleistung PR :
derstandsänderung für eine Umgebungstem-
peratur #U D 70 ı C. PR D 4 kT df (2.8)
108 E. Hering und K. Bressler

wobei k die Boltzmann-Konstante (k D


1;3806488  1023 J=K), T die absolute Tempera-
tur und df die Bandbreite der p Messeinrichtung
ist. Wegen der Beziehung U D PR gilt für die
thermische Rauschspannung UR :
p
UR D 4 k T df R (2.9)
Abb. 2.11 Ersatzschaltbild eines Widerstandes bei hohen
Stromrauschen Frequenzen
Wenn die Ladungsträger (meist Elektronen)
durch Widerstandsschichten wandern, deren
Material nicht homogen ist, entsteht Stromrau- kapazitiv. Abbildung 2.12 zeigt den Scheinwider-
schen. Drahtwiderstände weisen praktisch keine standsverlauf für Schichtwiderstände.
Stromrauschspannung auf, während die Strom-
rauschspannungen bei Kohleschichtwiderständen
hoch sind. 2.2.2.11 Drahtwiderstände
Die gesamte Rauschspannung eines Wider- Die wichtigsten Werkstoffe, technischen Werte
standes setzt sich aus dem thermischen Rauschen und Anwendungsfelder sind in Abb. 2.9 zu-
und aus dem Stromrauschen zusammen. sammengestellt. Bei den Drahtwiderständen ist
der Widerstandsdraht auf einen Keramik- oder
2.2.2.9 Nichtlinearität Glasfiberkörper gewickelt. Als Widerstandsdraht
Bei einem linearen Widerstand wird erwartet, verwendet man folgende Legierungen: Cu–Ni
dass nach dem Ohm’schen Gesetz die Spannung (Konstantan), Cu–Ni–Mn (Manganin), Ni–Cr
proportional zum Strom ist (U D R I ). Bei (Nickelin) und Au–Cr. Die Wicklungen und die
sehr genauer Betrachtung ist der Widerstands- Anschlüsse (Kappen oder Schellen) sind kontakt-
wert jedoch spannungsabhängig. Dieses ist im sicher verschweißt. Zum Schluss überzieht man
Allgemeinen jedoch zu vernachlässigen. die Widerstände zum Schutz gegen Umwelt-
einflüsse üblicherweise mit einer Lackschicht.
2.2.2.10 Hochfrequenzverhalten Aber auch andere Oberflächenbehandlungen
Je nach Aufbau der Widerstände und Einbau sind möglich. Für hohe Oberflächentemperatu-
in die Schaltung besitzt ein Widerstand R0 für ren (bis 450 °C) glasiert oder zementiert man die
hochfrequente Anwendungen eine Selbstindukti- Widerstände und umhüllt sie für hohe Isolations-
vität LS , eine Kapazität zwischen den Anschluss- Spannungsfestigkeiten (bis 2 kV) mit Keramik.
kappen CA und eine Teilkapazität bei einer vor- Kleine hochbelastbare Widerstände umgibt man
handenen Wendelung CW . Abbildung 2.11 zeigt mit einem Metallgehäuse und montiert sie auf
das Ersatzschaltbild. Kühlkörper.
Wegen der hohen Selbstinduktivität LS und Die wichtigsten Vorteile von Drahtwider-
den Kapazitäten der Wendelung CW sind Draht- ständen sind: hohe Belastbarkeit (0,25–200 W),
widerstände in der Regel für hochfrequente An- großer Temperaturbereich (55–450 °C) und ge-
wendungen nicht geeignet. ringer Temperaturkoeffizient (˛ D ˙106 K1
Bei ungewendelten Schichtwiderständen (Ab- bis ˙200  106 K1 ). Nachteilig wirken sich
schn. 2.2.2.12) – das sind meistens solche mit neben den hohen Preisen vor allem die hohen
niedrigen Widerstandwerten – weicht der Schein- Selbstinduktivitäten der Drahtwicklungen aus, so
widerstand bis etwa 100 MHz nicht wesentlich dass ein Einsatz dieser Widerstände im Hochfre-
vom ohm’schen Wert ab. Je nach Widerstands- quenzbereich nicht in Frage kommt. In der Praxis
wert und Frequenzbereich ist der Scheinwider- finden Drahtwiderstände bis zu einem Wert von
stand reell, induktiv, kapazitiv oder induktiv und R 200 k Verwendung.
2 Passive Bauelemente 109

fall von Kohlenwasserstoffen bei hohen Tempe-


raturen (900 ı C bis 1100 ı C). Die Schichtdicken
liegen dabei im nm- (hohe Widerstandswerte)
oder im m-Bereich (niedrige Widerstands-
werte). Kohleschichtwiderstände haben einen
negativen Temperaturkoeffizienten 1000 
106 =K ˛ 200  106 =K.
Die Metallschicht lässt sich entweder galva-
nisch abscheiden (dickere Schichten für niedrige
Widerstandswerte) oder im Vakuum aufdampfen
(Sputterverfahren; auch für dünnere Schichten,
d. h. für hohe Widerstandswerte; zum Verfahren
s. Abschn. 1.9.5). Eine Edelmetallschicht (z. B.
Au–Pt) entsteht durch Reduktion von Edelmetall-
salzen beim Einbrennen.
Da die aufgebrachten Widerstandsschichten
höchstens bis 10 % genau sein können, erfolgt
der genaue Widerstandsabgleich durch einen La-
serabgleich. Wenn der genaue Widerstandswert
erreicht ist, schneidet der Laser die restliche Wi-
derstandsschicht ab. Die SMD-Widerstände mit
einer Toleranz des Widerstandswertes von 1 %
sind sehr preiswert und besitzen einen hohen
Verbreitungsgrad. Metallschichtwiderstände sind
die am häufigsten eingesetzten Widerstände. Die
entsprechenden Daten sind in Abb. 2.9 zusam-
mengestellt.

2.2.2.13 Metallglasurwiderstände
Dieser Widerstandstyp heißt auch Dickschicht-
oder Cermetwiderstand. Die Widerstandsschicht
besteht aus Glasurpaste mit eingelagerten Metall-
teilen (Cermet) und wird in Dickschichttechnik
(Abschn. 1.9.4) beispielsweise als mäanderförmi-
ges Muster auf ein Keramiksubstrat aufgebracht,
getrocknet und bei etwa 1150 °C eingebrannt. Als
Abb. 2.12 Verlauf des Scheinwiderstandes Z für Schicht- leitende Materialien dienen am häufigsten Tantal,
widerstände; a R < 100 , b 100  < R < 1000 , c Tantalkarbid, Titan und Titankarbid sowie Wolf-
R > 1000 
ram. Den genauen Widerstandswert stellt man
auch hier durch Laserabgleich ein. Metallglasur-
widerstände sind auch in Chipform zur SMD-
2.2.2.12 Schichtwiderstände Bestückung im Handel. Ihren Widerstandswert
Schichtwiderstände (Abb. 2.9) bestehen aus gleicht man durch Einschnitte, die quer zur Wi-
Kohle- oder Metallschichten (Cr–Ni), die auf derstandsbahn verlaufen, mit einem Laserstrahl
Keramikkörpern aufgebracht sind. ab. Abbildung 2.13 zeigt Chipwiderstände un-
Bei Kohleschichtwiderständen entsteht die terschiedlicher Größe, die der Anwender selbst
Widerstandsschicht durch den thermischen Zer- abgleichen kann.
110 E. Hering und K. Bressler

Widerständen (NTD-Si) und Kaltleitern (PTC)


mit positivem Temperaturkoeffizienten. Die Va-
ristoren sind spannungsabhängige Widerstände
(VDR) und Feldplatten bieten magnetfeld-
abhängige Widerstände. Die lichtabhängigen
Fotowiderstände (LDR) werden in der Optoelek-
tronik (Kap. 6) beschrieben. Die Abhängigkeit
des Widerstandswertes von den physikalischen
Größen lässt sich durch Näherungsgleichungen
(Abb. 2.9) berechnen. Die tatsächlichen Abhän-
gigkeiten, die für den Einsatz in Schaltungen
wichtig sind, stellt man aber durch Kennlinien
dar.

2.2.3.1 Heißleiter (NTC-Widerstände)


Heißleiter besitzen einen negativen Temperatur-
koeffizienten (NTC: Negative Temperature Co-
efficient), d. h. die Leitfähigkeit ist im heißen
Zustand größer als im kalten (daher der Name
Heißleiter). Zum Einsatz kommen Mischkristal-
le aus Fe3 O4 (mit MgCr2 O4 oder Zn2 TiO4 ), aus
Fe2 O3 (mit TiO2 ) sowie NiO oder CoO (mit
Li2 O).

Temperaturabhängigkeit
Die Temperaturabhängigkeit eines Heißleiters
lässt sich näherungsweise durch folgende Glei-
chung beschreiben:

RT D RN eB.1=T 1=TN / (2.10)

dabei bedeuten RT , RN den Widerstand bei der


Temperatur T bzw. TN (Nenntemperatur) und B
Abb. 2.13 Abgleichbare Chipwiderstände in Dick-
schichttechnik Werkfoto Siegert electronic eine Materialkonstante (der „B“-Wert).
Durch Differenzieren der Gl. 2.10 ergibt sich
der Temperaturkoeffizient ˛ zu
2.2.3 Nichtlineare Widerstände 1 dR B
˛D D 2 (2.11)
R dT T
Wie Abb. 2.9 zeigt, sind die nichtlinearen
Widerstände zusätzlich von einer weiteren phy- Die Widerstands-Kennlinie zeigt Abb. 2.14.
sikalischen Größe abhängig. Diese Abhängigkeit
wird im Widerstandssymbol durch die schräge Stationäre Spannungs-Strom-Kennlinie
Linie verdeutlicht, an deren Ende die entspre- Trägt man die Werte für die Spannung bei kon-
chende physikalische Größe steht. Was die stanter Temperatur als Funktion des Stromes auf,
Temperaturabhängigkeit betrifft, unterschei- dann ergibt sich die Spannungs-Strom-Kennlinie
det man zwischen Heißleitern mit negativem eines Heißleiters. Wird der Heißleiter von einem
Temperaturkoeffizienten (NTC) sowie Silicium- elektrischen Strom durchflossen, dann gilt für die
2 Passive Bauelemente 111

Abb. 2.15 Spannungs-Strom-Kennlinie mit Belastungs-


und Widerstandslinien. Werkfoto: Siemens

doppelt-logarithmischen Maßstab werden die


Kurven gleicher Leistung (P D konst) und die
Kurven gleicher Widerstandswerte (RT D konst)
zu Geraden mit der Steigung von 45°. Abbil-
dung 2.15 zeigt die zugehörige Spannungs-
Strom-Kennlinie.
Wie die Kennlinie zeigt, ist der Widerstands-
Abb. 2.14 Widerstands-Temperatur-Kennlinie eines verlauf bei kleinen Strömen und Spannungen
Heißleiters im Aluminium-Gehäuse. Werkfoto: Philips linear, da die zugeführte Leistung so gering
ist, dass keine spürbare Eigenerwärmung auf-
tritt. In diesem Bereich wird der Widerstand
elektrische Leistung P : durch die Umgebungstemperatur oder die Fremd-
erwärmung bestimmt. Deshalb können hier
dT Fremdtemperaturen gemessen werden. Mit zu-
P D Gth .T  Tu / C Cth (2.12)
dt nehmender elektrischer Belastung wird der
Heißleiter selbst erwärmt (Eigenerwärmung) und
wobei Gth der Wärmeleitwert, T die Tempera-
der Widerstand beginnt zu sinken. In diesem
tur des Heißleiters, Tu die Umgebungstemperatur,
Bereich kann man den Heißleiter zur Spannungs-
und Cth die Wärmekapazität des Heißleiters ist.
stabilisierung einsetzen. Das Haupteinsatzgebiet
Wird dem Heißleiter elektrische Energie zu-
der Heißleiter liegt heute bei Schutz- und Kom-
geführt, dann erwärmt er sich zunächst. Nach
pensationsaufgaben; denn zur Messung der
einiger Zeit ist der stationäre Zustand erreicht,
Fremderwärmung gibt es präzisere Widerstände
d. h. er gibt die zugeführte elektrische Leistung
(z. B. Silicium-Widerstände, s. Abschn. 2.2.3.2).
durch Wärmeleitung oder Wärmestrahlung an die
Die Heißleiter werden beispielsweise sehr häufig
Umgebung ab. Dann wird dT =dt D 0, so dass
zur Begrenzung des Einschaltstromes eingesetzt.
sich aus Gl. 2.12 ergibt:
Ein geeigneter, großer NTC wird einem Elektro-
P D Gth .T  Tu / oder motor (die Leistung kann durchaus im unteren
kW-Bereich liegen) vorgeschaltet. Zuerst fällt ein
I RT D Gth .T  Tu / oder
2
(2.13) großer Teil der Netzspannung am NTC ab. Die-
U =RT D Gth .T  Tu /
2
(2.14) ser erwärmt sich innerhalb von 100 ms so stark,
dass der Widerstand niederohmiger wird. In die-
Die Gl. 2.13 und 2.14 sind die Parameterdar- ser Zeit hat sich der Motor in Bewegung gesetzt,
stellung der Spannungs-Strom-Kennlinie. Im eine Gegenspannung aufgebaut und zieht deshalb
112 E. Hering und K. Bressler

wenn sich die Arbeitstemperatur im Wendepunkt


der Kennlinie befindet. Für den Widerstandswert
des parallelen Widerstandes Rp gilt dann:

B  2 TM
RP D RMNTC (2.15)
B C 2 TM

Dabei ist RMNTC der Widerstandswert des Heiß-


leiters bei der mittleren absoluten Temperatur TM
(wird der Kennlinie entnommen) und B ist der
„B-Wert“ des Heißleiters.
Die Steilheit der Kennlinie dR=dT der Kom-
bination ist von der Temperatur in folgender Wei-
se abhängig:

dR B 1
D RMNTC
dT TM 2 Œ1 C .RMNTC =Rp /2

(2.16)
Aus Gl. 2.15 lässt sich der Quotient RMNTC =Rp
bestimmen. Wird er in Gl. 2.16 eingesetzt, dann
kann man für ein bekanntes dR=dT den entspre-
Abb. 2.16 Linearisierung der Heißleiter-Kennlinie (Kalt-
widerstand des NTC D 10 k/ durch einen Parallel- chenden Heißleiter-Widerstand berechnen.
Widerstand (Rp D 3 k/. Werkfoto: Siemens Allerdings ist Folgendes zu beachten: Wird
mit einem NTC die Kennlinie korrigiert, so
macht sich dessen Nichtlinearität bei Tempe-
weniger Strom. Die Sicherung muss nicht aktiv raturabweichungen von
˙10 K bemerkbar.
werden. Am heißen NTC fällt dann wenig Span- In diesen Fällen werden zur Korrektur besser
nung ab, die Verluste sind gering und der Motor Silicium-Widerstände eingesetzt, die im folgen-
läuft mit seiner angegebenen Leistung. Für diesen den Abschnitt behandelt werde.
Fall braucht man einen NTC mit großer Masse
und großer Wärmekapazität. 2.2.3.2 Silicium-Widerstände
Zum Einsatz kommt n-dotiertes Silicium mit Do-
Kennlinienkorrektur tierungskonzentrationen zwischen 1014 cm3 und
15 3
Für manche Schaltungen wird ein bestimmter 10 cm . Diese engen Toleranzen lassen sich
Kennlinienverlauf benötigt, den kein handels- im Wesentlichen nur mit NTD-Silicium (Neutron
üblicher Typ besitzt. In anderen Anwendungen Transmutated Doped) erreichen. Diese Silicium-
stört die starke Nichtlinearität der Widerstands- Widerstände haben einen positiven Temperatur-
Temperatur-Kennlinie. Diese Forderungen lassen koeffizienten, d. h., der Widerstand nimmt mit
sich durch eine Parallel- oder Reihenschaltung steigender Temperatur zu (Abb. 2.17). Dabei gilt
mit einem Festwiderstand erfüllen. Allerdings als Näherung:
ist der Temperaturkoeffizient ˛ der Kombination
aus Heißleiter und Festwiderstand immer kleiner R# D RS Œ1 C ˛ # C ˇ.#/2
(2.17)
als der des Heißleiters selbst. In Abb. 2.16 ist die
Linearisierung einer Heißleiter-Kennlinie durch mit R# als Widerstand bei der Temperatur #, RS
einen parallelen Festwiderstand zu sehen. als Widerstand bei #S D 25 ı C, ˛ als Temperatur-
Wie Abb. 2.16 zeigt, besitzt die neue Kenn- koeffizienten (˛ D 0;773  102 K1 ) und ˇ als
linie einen S-förmigen Verlauf mit einem Wen- Temperaturkenngröße (ˇ D 1;83  105 K2 ). Für
depunkt. Die beste Linearisierung erreicht man, die Dimensionierung einer Schaltung verwendet
2 Passive Bauelemente 113

Abb. 2.18 Schaltung zur Linearisierung der Kennlinie:


a Reihenschaltung, b Parallelschaltung, c Leitwert in Ab-
hängigkeit von der Temperatur bei einer Reihenschaltung
von 2370 
Abb. 2.17 Abhängigkeit des Widerstandes von der Tem-
peratur. Werkfoto Philips
ficient), d. h., die Leitfähigkeit ist im kalten Zu-
stand größer als im warmen (daher der Name
man häufig die Näherungsformel Kaltleiter), oder anders ausgedrückt: Der Wider-
stand steigt mit zunehmender Temperatur. Als
R D RS  eA (2.18) Werkstoff dient eine ferroelektrische Mischkera-
mik aus BaTiO3 oder SrTiO3 .
Dabei ist A der Temperaturkoeffizient ˛ bei # D
25 ı C (A D 0;773  102 K1 ). Abbildung 2.17 Temperaturabhängigkeit
zeigt die Abhängigkeit des Widerstandes von der Der Kaltleiter hat im Gegensatz zum Heißlei-
Temperatur. ter nicht immer einen positiven Temperaturko-
Die leicht gekrümmte Kennlinie kann man effizienten, wie Abb. 2.19 zeigt. Auch ist die
durch geeignete Festwiderstände – in Reihe Kurvenform nicht als mathematisch geschlosse-
oder parallel geschaltet – linearisieren. Ab- ne Funktion darzustellen.
bildung 2.18 zeigt mögliche Schaltungen und Der positive Temperaturkoeffizient beginnt
Teilbild 2.18c den Verlauf der Leitfähigkeit bei dem kleinsten Widerstand Rmin . Die Wi-
1=.R C R# / in Abhängigkeit von der Tempe- derstandsänderung erstreckt sich über mehrere
ratur bei einem Serienwiderstand von 2370 . Zehnerpotenzen.
Der Vorteil der Siliciumwiderstände gegen- Der Hersteller gibt eine Bezugstemperatur #b
über den Heißleitern ist die hohe Messgenauig- an, bei dem sich der kleinste Widerstandswert
keit bei sehr engen Toleranzen zu einem güns- Rmin verdoppelt hat. Ab dieser Bezugstempera-
tigen Preis. Aus diesen Gründen verdrängen sie tur #b beginnt der steile Temperaturanstieg, der
bei der Temperaturmessung und -kompensation für den Kaltleiter typisch ist, und endet bei der
zunehmend die NTC-Widerstände. Temperatur #e . Vom Verlauf der Kennlinie sind
folgende zwei Bereiche von Interesse:
2.2.3.3 Kaltleiter (PTC-Widerstände)  Im Bereich des linearen, steilen Anstiegs
Kaltleiter besitzen einen positiven Temperatur- können Temperaturmessungen vorgenommen
koeffizienten (PTC: Positive Temperature Coef- werden.
114 E. Hering und K. Bressler

schneller ab als Luft) führt zu unterschiedli-


chen Erwärmungen der Medien. Dies führt beim
Kaltleiter, entsprechend der Temperaturen, zu
unterschiedlichen Widerstandswerten. Diese sind
ein Maß für die Füllhöhe von Flüssigkeiten. Auf
die gleiche Weise kann festgestellt werden, ob
sich ein Kaltleiter in einem ruhenden oder in
einem strömenden Medium befindet.
Auch wenn die Kaltleiter für genaue Mes-
sungen aufwändige Beschaltungen benötigen, so
sind sie doch als kostengünstige Bauelemente
(keine Halbleiterfertigungstechnologien) in klei-
nen Bauformen in den oben erwähnten Einsatz-
gebieten häufig anzutreffen.
Wie Schaltungskombinationen mit Festwider-
ständen, Kaltleitern und Heißleitern bestimmt
werden, ist in Abschn. 1.4.3 ausführlich darge-
stellt.

2.2.3.4 Spannungsabhängige
Widerstände (Varistoren, VDR)
Spannungsabhängige Widerstände (VDR: Volta-
ge Dependent Resistor) werden auch Varisto-
Abb. 2.19 Widerstands-Temperatur-Kennlinie eines ren genannt. Ihre U=I -Kennlinie ist symmetrisch
Kaltleiters (Abb. 2.20), und der Widerstand nimmt mit stei-
gender Spannung ab, wie ein Nichtlinearitätsex-
ponent ˛ beschreibt.
 Der Bereich des Übergangs von geringen Wi- Den Verlauf der Spannungs-Strom-Kennlinie
derstandswerten zum steilen Anstieg zeigt ein beschreibt die Gleichung:
schlagartiges Umschalten vom niederohmigen
in den hochohmigen Bereich. I D K Ua (2.19)
Man unterscheidet zwischen der Eigenerwär-
I ist der Strom (in A) und U die Spannung
mung und der Fremderwärmung (Erwärmung
von außen). Fließt ein Strom durch den Kalt- (in V) des Varistors, K eine geometrieabhängi-
leiter, so erwärmt er sich (Eigenerwärmung). ge Konstante (in A V1 / und ˛ der Nichtlinea-
Dadurch steigt der Widerstand. Mit diesem Ef- ritätsexponent. Für den Widerstand R und die
Leistung P in Abhängigkeit der angelegten Span-
fekt kann der Strom begrenzt werden. Werden
nung U gilt der Zusammenhang
Kaltleiter beispielsweise in die Transformatoren-
wicklungen eingebaut, so erwärmen sie sich beim 1 1˛
Stromfluss (Außenerwärmung), der Widerstand R D U=I D U (2.20)
K
steigt und der Stromfluss wird verringert oder das P D UI D KU ˛C1 (2.21)
Aggregat sogar ganz abgeschaltet. In diesem Fall
dienen die Kaltleiter zur reversiblen Überstrom- Logarithmiert man Gl. 2.19 bis 2.21, so erge-
sicherung. Mit diesem Effekt werde sie auch als ben sich folgende Geradengleichungen, die eine
selbstregelnde Thermostate eingesetzt. Kaltlei- anschauliche Beschreibung der Zusammenhänge
ter werden auch als Flüssigkeits-Niveaufühler zulassen:
eingebaut. Die unterschiedliche Wärmeleitfähig-
keit der Medien (Flüssigkeit führt die Wärme log I D log K C ˛ log U (2.22a)
2 Passive Bauelemente 115

Abb. 2.20 Spannungs-Strom-Kennlinie eines Varistors

Abb. 2.21 Strom-, Widerstands- und Leistungsabhängig-


log R D log (1=K/ C .1  ˛/ log U (2.22b) keit von der Spannung
log P D log K C .˛ C 1/ log U (2.22c)

Abbildung 2.21 zeigt die entsprechenden Kurven eines Varistors im doppelt logarithmischen Maß-
in linearer und logarithmischer Darstellung. In stab wieder.
den Datenblättern wird meist die logarithmische Wie aus Abb. 2.22 zu ersehen ist, gibt es einen
Darstellung bevorzugt. Arbeitsbereich, in dem die Kennlinie im doppelt
Der Nichtlinearitätskoeffizient ˛ lässt sich aus logarithmischen Maßstab in guter Näherung ei-
Gl. 2.22a bestimmen, wenn man zwei Wertepaare ne Gerade mit ˛ D 38 ist. Nach Abb. 2.22
für Strom und Spannung (I1 =U1 und I2 =U2 ) aus liegt dieser Arbeitsbereich bei Strömen von 105
der Kennlinie nimmt und einsetzt, so dass sich ˛ bis 102 A, d. h. bei Spannungen im Bereich von
wie folgt errechnet: 170 V bis 300 V. Häufig gibt man in den Daten-
blättern die Varistorspannung an, die der Span-
log I2  log I1 nung eines Varistorstromes von 1 mA entspricht
˛D (2.23)
log U2  log U1 (in Abb. 2.22 sind dies 250 V). Diese Spannung
dient zur Klassifikation des Varistors. In der Pra-
Die ˛-Werte liegen zwischen 30 und 60 (für ZnO- xis rechnet man nicht mit der Kurve, sondern
Varistoren). sucht den Varistor so aus, dass seine Verlustleis-
Während Abb. 2.21 den theoretischen Zusam- tung bei der höchsten vorkommenden Betriebs-
menhang zwischen Strom und Spannung zeigt spannung klein ist, gefährliche Überspannungen
(Bild rechts oben), gibt Abb. 2.22 den tatsäch- aber durch sehr hohe Ströme im Varistor begrenzt
lichen Verlauf der Strom-Spannungs-Kennlinie werden.
116 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.23 Charakteristik einer Feldplatte: a Strompfad


ohne Magnetfeld, b Strompfad mit Magnetfeld, c Kenn-
Abb. 2.22 Strom-Spannungs-Kennlinie im doppelt loga- linie
rithmischen Maßstab. Werkfoto: Philips

die Spannungsstabilisierung und die Absorption


Die Varistoren sind wie Kondensatoren auf- von Schaltenergie (z. B. beim Funkenlöschen).
gebaut (s. Schema in Abb. 2.9). Zwischen den
beiden Elektroden befindet sich gesintertes ZnO 2.2.3.5 Magnetfeldabhängige
(früher SiC) mit anderen Oxiden. Während die Widerstände (Feldplatten)
Körner aus ZnO gut leiten, besitzen die Kör- Bei den magnetfeldabhängigen Widerständen
ner aus den anderen Oxiden eine geringe Leit- steigt der Widerstand bei Erhöhung des Magnet-
fähigkeit, d. h. einen hohen Widerstand. An den feldes an. Ursache ist der Halleffekt, bei dem
Stellen, an denen die ZnO-Körner zusammen- ein transversales Magnetfeld die Stromrichtung
stoßen, bilden sich Mikro-Varistoren mit einer zu drehen vermag. Als Material dient Indium-
Ansprechspannung (Spannung für den leitenden Antimonid (InSb), in dem in Querrichtung gut
Zustand) von 3,8 V. Das elektrische Verhalten leitende Nickel-Antimonid-Nadeln (NiSb) bei
eines Varistors ergibt sich durch Reihen- und der Herstellung ausgeschieden werden. Ohne äu-
Parallelschaltung solcher Mikro-Varistoren. Der ßeres Magnetfeld leitet der Kristall gut, weil der
steile Anstieg des Widerstandes (Abb. 2.20) und Strom über die eingebetteten NiSb-Nadeln fließt
die schnellen Schaltzeiten tS < 25 ns machen (Abb. 2.23a). Beim Anlegen eines Magnetfel-
den Varistor zu einem sehr guten Schutzelement. des werden die Ladungsträger abgelenkt, so dass
Für kleine Leistungen (z. B. bei Telekommuni- sich der Widerstand erhöht (Abb. 2.23b). Die
kationsleitungen) werden SMD-Bauteile einge- Änderung des Widerstandes mit zunehmender
setzt und bei großen Leistungen (z. B. für Blitz- Induktion B zeigt Abb. 2.23c.
Stoßspannungen in Versorgungsnetzen) Varisto- Der Widerstand besteht aus zwei Anteilen:
ren in Scheibenform. Andere Einsatzgebiete sind zum einen aus dem Grundwiderstand R0 der
2 Passive Bauelemente 117

Abb. 2.24 Potenziometer:


a als Spannungsteiler, b als
veränderbarer Widerstand

Feldplatte (Widerstand ohne Magnetfeld) und Für Potenziometer sind, wie Abb. 2.24 zeigt,
dem zusätzlichen Widerstand aufgrund der ma- hierzu mindestens drei Anschlüsse notwendig
gnetischen Induktion RB . Der Grundwiderstand (Abb. 2.24), der Anfang (a) und das Ende (c)
R0 wird bestimmt durch die des Widerstandes sowie der Schleiferabgriff (b).
 Leitfähigkeit  des Materials, für die es je Abbildung 2.25 zeigt ein Drehpotenziometer mit
nach Dotierung (mit Tellur) drei Grundtypen den Drehbereichen und den Anschlüssen.
gibt: Widerstandskurven nach DIN 41450 geben
D-Material: Undotiert mit einer Leitfähigkeit an, wie sich der Widerstandswert Rab =Rac in
von  D 200 . cm/1 ; Abhängigkeit von der Schleiferstellung ˛ ändert
L-Material: Dotiert mit einer Leitfähigkeit von (maximal etwa 270°). Abbildung 2.26 zeigt die
 D 550 . cm/1 ; möglichen Widerstandskurven. Ein positiver lo-
N-Material: Dotiert mit einer Leitfähigkeit garithmischer Widerstandsverlauf wird beispiels-
von  D 800  cm1 ; weise zur Einstellung der Lautstärke benötigt,
 Breite des Mäanderstreifens (meist 80 m); da das Ohr die Lautstärkeänderung logarithmisch
 Dicke des Mäanderstreifens (meist 25 m); wahrnimmt. Dann ergibt sich pro Drehwinkel
 Länge des Mäanderstreifens. eine als gleichmäßig empfundene Lautstärkezu-
Da die Veränderung des Widerstandes durch das nahme.
Magnetfeld trägheitslos erfolgt, kann man Feld- Als Werkstoffe für Potenziometer eignen sich
platten in der Hochfrequenztechnik einsetzen. Drahtwicklungen, Kohleschichten oder Schich-
Der Temperaturkoeffizient ˛ ist bei diesen ten aus Cermet (Metallteilchen in Keramik
Bauelementen sowohl von der Temperatur als
auch von der magnetischen Induktion B abhän-
gig. Genauere Angaben sind in den Datenblättern
der betreffenden Hersteller zu finden.
Wie Abb. 2.9 zeigt, finden Feldplatten vor-
nehmlich als kontaktlose Potenziometer, zur
Drehzahlmessung und als berührungslose Ge-
schwindigkeitsmesser Verwendung, ferner zur
Ansteuerung von bipolaren Transistoren (Kap. 3).

2.2.4 Einstellbare Widerstände


(Potenziometer und Trimmer)
Einstellbare Widerstände dienen als veränderli-
che Spannungsteiler (Abb. 2.24a) oder als verän-
derliche Widerstände (Abb. 2.24b). Wie Abb. 2.9
zeigt, unterscheidet man zwischen Widerständen,
die während des Betriebs eingestellt werden kön-
nen (Potenziometer) und solchen, die als Wider-
stände vor dem Betrieb eingestellt werden müs- Abb. 2.25 Schnitt durch ein Drehpotenziometer. Werkfo-
sen (Trimmer). to: Bourns
118 E. Hering und K. Bressler

 Schiebepotenziometer
Der Schleifer ist von außen durch eine Schie-
benase zu betätigen. Solche Schiebepotenzio-
meter benutzt man häufig in der Unterhal-
tungselektronik.
 Spindel-Potenziometer
Im Prinzip handelt es sich dabei um ein Schie-
bepotenziometer, das aber den Schleifer ganz
fein mit einem Spindelantrieb einstellen kann.
 Trimmer-Potenziometer
Bei einem Trimmer-Potenziometer stellt man
meist mit Hilfe eines Schraubendrehers die
Arbeitspunkte oder Spannungspegel in elek-
tronischen Schaltungen ein. Üblicherweise
handelt es sich um Kohleschicht-Potenzio-
meter. Da man die Potenziometerstellung nur
Abb. 2.26 Widerstandskurven nach DIN 41 450
selten verändert, prüft man diese Bauelemente
nur mit 100 Zyklen. Trimmer-Potenziome-
ter sind auch als SMD-Bauteile verfügbar
oder Glasmasse). Einfache Schichtpotenziome- (Abb. 2.9).
ter sind nicht sehr genau (Abweichungen von Die Potenziometer sind (außer bei Trimmern)
˙ 20 %). Wesentlich genauer sind Drahtpo- vorwiegend als Stellglieder zur Umsetzung
tenziometer oder Präzisionspotenziometer, die von Weg- und Winkelinformationen für die
jedoch sehr teuer sind. Die Widerstandsbahn aus Bedienung von Geräten in Gebrauch. Die da-
einer Hartkohleschicht verläuft kreisförmig um bei auftretenden Informationen gehen als Ist-
die Drehachse. oder Sollgröße in elektronischen Schaltungen
Bei der einfachsten Ausführung befindet sich zu Steuer- und Regelzwecken ein.
die Kohleschicht auf einer Hartpapierplatte, bei
hochwertigeren Potenziometern ist es eine Kera- 2.2.5 Zur Übung
mikscheibe.
Folgende Bauformen sind üblich: Ü 2-2-1 Ein Kohleschichtwiderstand der Grö-
 Draht-Drehpotenziometer ße 0207 besitzt laut Datenblatt folgende Werte:
Ein ringförmiger Keramikkörper wird mit Wi- P70 D 0;33 W, Umax D 250 V und Rkrit D
derstandsdraht bewickelt. Den Schleifer be- 200 k.
wegt man von Windung zu Windung; deshalb a) Wie groß ist der kritische Widerstand Rkrit ?
weist der Widerstand Stufen auf, die umso b) Es sind die Widerstandswerte RN1 D 100 k
kleiner sind, je mehr Windungen die Wicklung und RN2 D 470 k vorhanden. Entscheiden
hat. Sie, welche Widerstandswerte auf Grund der
Als Präzisions-Potenziometer findet das Viel- Spannungen Umax nicht mit der vollen Leis-
gang-Potenziometer Verwendung, wobei der tung P70 belastet werden dürfen.
Widerstandskörper nicht ringförmig, sondern
schraubenförmig ist. Der Schleifer folgt der
2.3 Kondensatoren
Schraube (Abb. 2.9, rechts unten).
Die Potenziometer aus Draht sind am höchs- Ein Kondensator besteht prinzipiell aus zwei
ten belastbar (bis zu 100 W). Dem Trend von elektrisch leitfähigen Flächen (auch Elektroden
der Analog- zur Digitaltechnik folgend, ersetzt oder Beläge genannt), die durch einen Isola-
man die genauen Potenziometer zunehmend tor (Dielektrikum) voneinander getrennt sind
durch Schaltungen mit AD-Wandlern. (Abb. 2.27).
2 Passive Bauelemente 119

" ist die Permittivität des Dielektrikums (" D


""r ; dabei ist " die elektrische Feldkonstante:
" D 8;854187817  1012 (As)=(Vm) und "r die
Permittivitätszahl), A die wirksame Elektrodeno-
berfläche und d der Abstand der Elektroden (oder
die Dicke d des Dielektrikums). Die Kapazi-
tät C eines Kondensators ist nach Gl. 2.24 um-
so größer, je höher die Permittivität " oder die
Permittivitätszahl "r ist, je größer die Elektroden-
fläche A und je kleiner der Elektrodenabstand d
Abb. 2.27 Aufbau eines Kondensators
ist. In der Technik wählt man deshalb folgen-
de Maßnahmen zur Erhöhung der Kapazität und
Ein Kondensator kann Ladung und damit auch kombiniert sie miteinander, soweit dies möglich
elektrische Energiespeichern. Die Kapazität C ist:
als Maß für das Speichervermögen des Konden-  Dielektrika mit sehr hohen "r -Werten (z. B.
sators gibt an, wieviel Ladung Q pro Spannungs- Keramik-Kondensator),
einheit U gespeichert werden kann (C D Q=U ).  Vergrößerung der Fläche A durch Aufwi-
Die Einheit der Kapazität ist das Farad F (M. ckeln der Elektroden und des Dielektrikums
FARADAY, 1791 bis 1867): 1 F D 1 As=V. Das (Wickelkondensator), durch mehrere Schich-
heißt, ein Kondensator besitzt die Kapazität C ten (Schichtkondensator) oder Aufrauen
von 1 F, wenn bei einem Strom von 1 A innerhalb der Elektrodenoberfläche durch Ätzen (z. B.
von 1 Sekunde (s) die Spannung U auf 1 V an- Aluminium-Elektrolytkondensator) oder Sin-
steigt (Definition nach DIN 1301). Das Farad ist tern (z. B. Tantal-Elektrolytkondensator),
eine sehr große Einheit. In der Praxis eingesetzte  Verringern der Dicke d durch dünne Foli-
Kondensatoren besitzen nur Bruchteile eines Fa- en (Wickelkondensator, Schichtkondensator)
rads (mF, F, nF oder pF). Der Kondensator kann oder durch dünne Oxidationsschichten (Alu-
im Gleichstrom- und im Wechselstromkreis ein- minium- und Tantal-Elektrolytkondensator).
gesetzt werden und erfüllt dabei im Wesentlichen Aus diesen Möglichkeiten lassen sich entspre-
folgende Funktionen: chende Bauformen ableiten, die immer auch für
 Ladungs- und Energiespeicher im Gleich- die speziellen Einsatzbedingungen geeignet sein
stromkreis und müssen.
 frequenzabhängiger Widerstand im Wechsel- Bei Kondensatoren steigen, trotz ständiger
stromkreis. Verkleinerung des Kondensatorvolumens, die
Mit der gespeicherten Ladung bei der Span- Belastungen zunehmend. Darum muss man
nung U besitzt der Kondensator den Energiein- die Belastbarkeitsgrenzen der Materialien und
halt Wel D 1=2Q  U D 1=2C  U 2 . Das Bauformen (z. B. für Spannungen, Ströme,
bedeutet, je höher die Kapazität C ist, desto Betriebstemperaturen, Eigenerwärmung oder Ka-
mehr Ladung Q und elektrische Energie Wel pazitätsstabilität) experimentell genau ermitteln,
kann ein Kondensator bei einer konstanten Span- und die Anforderungen der Anwender genau ken-
nung U speichern. Für den frequenzabhängigen nen. Die Angabe von Kapazität und Spannung
Widerstand gilt: Xc D 1=.! C / in . Wie in allein genügt deshalb nicht, um den geeigne-
Abschn. 1.6.3.3 (Abb. 1.48) ausführlich darge- ten Kondensator für den jeweiligen Einsatzfall
stellt wurde, eilt beim verlustfreien Kondensator herauszufinden. Dazu sind weitere Daten erfor-
der Strom I der Spannung U um 90° voraus. derlich, wie beispielsweise
Die Kapazität C eines Platten-Kondensators  Spannungsform, Betriebsfrequenzen, Ströme,
errechnet sich nach  Einsatztemperaturen und Kühlbedingungen,
 Zuverlässigkeitsforderungen (Lebensdauer,
C D "A=d (2.24) Ausfallrate, Kapazitätsstabilität),
120 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.28 Übersicht über die Kondensatoren (Luft-/Keramik-Trimmer)


2 Passive Bauelemente 121

Abb. 2.28 (Fortsetzung)


122 E. Hering und K. Bressler

 mechanische Anforderungen (Anschlussele- darf. Die Toleranz muss bei 20 °C im Neuzustand


mente, Schwingungen), des Kondensators eingehalten werden. Durch La-
 klimatische Beanspruchung, gerung und/oder Betrieb kann die Toleranz grö-
 Einbaulage und die ßer werden. Die Toleranzangabe ist meist auf das
 Beanspruchung bei der Verarbeitung (z. B. Gehäuse oder die Umhüllung des Kondensators
Lötbedingungen). aufgedruckt.
Datenblätter für die einzelnen Kondensatoren ge-
ben zumindest teilweise Auskunft über die ent- Verlustfaktor tan ı Jeder Kondensator enthält
sprechenden zulässigen Werte. im Betrieb verlustbehaftete Komponenten: Ohm-
sche Widerstände der Elektroden und Zuleitun-
gen sowie Dipolumlagerungen und Ionenleitung
2.3.1 Übersicht über die im Dielektrikum. Diese Verluste gibt der Ver-
Kondensatoren lustfaktor tan ı D Wirkleistung=Blindleistung
an. Abbildung 2.29 zeigt das zugehörige Ersatz-
Abbildung 2.28 zeigt eine Einteilung der schaltbild des Kondensators.
Fest-Kondensatoren sowie die einstellbaren Kon- Die Verluste im Dielektrikum sind dargestellt
densatoren. In dieser Übersicht sind die einzelnen durch R (in der Regel kein ohmscher Wider-
Typen und an Hand von Schnittbildern ihr prinzi- stand). Parallel dazu liegt der Isolationswider-
pieller Aufbau angegeben, ferner die wichtigsten stand Risol , der jedoch nur bei niedrigen Fre-
Kennwerte wie Nennspannungs- und Kapazi- quenzen wichtig ist. Die ohmschen Verluste er-
tätsbereiche, Verlustfaktor, gespeicherte Energie geben sich aus der endlichen Leitfähigkeit der
pro Volumen und Frequenzbereich. Auch wird Elektroden und aus Widerständen der inneren
auf umfangreiche Normen und Qualitätsvor- Zuleitungen sowie aus Kontaktwiderständen zwi-
schriften verwiesen (weltweit IEC: International schen Elektroden und Anschlussdrähten (darge-
Electrotechnical Commission; für Europa CE- stellt durch den Reihenwiderstand r). Jeder tech-
NELEC: Comite Européen de Normalisation nische Kondensatoraufbau besitzt eine Eigenin-
Electrotechnique; CECC: CENELEC Electronic duktivität L.
Components Committee sowie die nationalen
Normen VDE und DIN). Aus der Übersicht sind
zusätzlich die wichtigsten Anwendungsbereiche Isolationswiderstand und Zeitkonstante Für
und die häufigsten Bauformen zu erkennen. Das die Güte eines Kondensators wird der Isolations-
Diagramm rechts zeigt, in welchen Spannungs- widerstand Risol in M angegeben als Verhältnis
und Kapazitäts-Bereichen die einzelnen Konden- von angelegter Gleichspannung zum Isolations-
satoren Anwendung finden. strom (meist eine Minute nach Aufladung des
Zum Verständnis des Verhaltens von Konden- Kondensators gemessen). Die Selbstentladungs-
satoren sind folgende Kenngrößen von Bedeu- Zeitkonstante  D Risol C in M  F D s
tung: gibt an, wieviel Sekunden nach Abtrennung von
der Spannungsquelle die Spannung zwischen
Nennspannung Mit dieser Gleichspannung den Anschlüssen eines geladenen Kondensa-
kann man den Kondensator im Dauerbetrieb oh- tors auf 37 % abgesunken ist. Typische Werte
ne Schaden betreiben. Dies gilt allerdings nur für Kondensatoren mit Papierdielektrikum sind
für eine eingeschränkte Betriebstemperatur (z. B.   5000 s und mit Kunststoffdielektrikum
C85 ı C/, da bei höheren Temperaturen bei-   50:000 s, gemessen bei Raumtemperatur.
spielsweise die zulässige Dauergrenz-Spannung
abfällt (Spannungs-Derating). Temperaturkoeffizient der Kapazität Die
Kapazität C bei einer bestimmten Umgebungs-
Kapazitätstoleranz Sie gibt an, um wieviel Pro- temperatur errechnet sich aus der Kapazität C20
zent der Kapazitätswert vom Sollwert abweichen bei 20 °C, der Umgebungstemperatur # und dem
2 Passive Bauelemente 123

Kontakte gefährdet. Deshalb gibt man in den Da-


tenblättern für jeden Typ die zulässige Flanken-
steilheit FN für den Spannungshub um die ganze
Nennspannung UN in V=s an. Nach Gl. 2.27
ist für gleiche Werte des Integrals die gleiche
Kontaktbelastung zu erwarten (bei konstant ge-
haltenem rK und C ). Dann gilt: Je kleiner der
Spannungshub und damit die Impulsdauer T ,
Abb. 2.29 Ersatzschaltbild für einen realen Kondensator umso größere Werte darf dU =dt annehmen. Die
maximale Flankensteilheit Fmax errechnet sich
aus der Nenn-Flankensteilheit FN und den ent-
Temperaturkoeffizienten ˛ wie folgt sprechenden Spannungen wie folgt:

C D C20 Œ1 C ˛.#  20/


(2.25) Fmax D .UN =UB /FN (2.28)

Somit gibt der Temperaturkoeffizient ˛ an, um Beispiel 2.3-1


welchen Bruchteil sich der bei 20 °C gemessene Für eine Nennspannung UN D 63 V beträgt
Kapazitätswert reversibel ändert, wenn die Um- die Flankensteilheit FN D 45 V=s. Die Be-
gebungstemperatur um 1 K ansteigt. Der Tempe- triebsspannung UB liegt bei 8 V. Wie groß ist
raturkoeffizient ˛ kann positiv oder negativ sein die maximale Flankensteilheit Fmax ?
(Abb. 2.30 und 2.31). Sein Verlauf beeinflusst vor
allem die Resonanzfrequenz eines Schwingkrei- Lösung
ses. Nach Gl. 2.28 ergibt sich für Fmax D
.63 V=8 V/45 V=s D 354;4 V=s.
Impulsbelastbarkeit Eine Spannungsänderung
du verursacht am Kondensator eine Ladungszu-
nahme dQ D i dt nach der Gleichung i dt D 2.3.2 Kondensatoren mit dünnen
C du. Wird diese Gleichung nach dem Strom i Folien als Dielektrikum
umgestellt, so ergibt sich
2.3.2.1 Aufbau
i D C .du=dt/ (2.26) Bei den Kondensatoren mit Metallfolien liegt
zwischen den Metall-Elektroden (meist aus
Deshalb bewirken Spannungsimpulse mit ei- Aluminiumfolie) ein Dielektrikum aus imprä-
ner Flankensteilheit F D du=dt impulsförmi- gniertem Papier oder aus Kunststoff. Metallfolien
ge Ströme i durch den Kondensator. Bei einem und Dielektrika werden aufgewickelt; im
Spannungsimpuls der Dauer T wird am Kon- abgewickelten Zustand stellen sie einen Platten-
taktwiderstand rK (Teil von r in Abb. 2.29) die kondensator dar. Die Kunststoff-Folien haben das
Energie Papier wegen ihres niedrigeren Verlustfaktors, ih-
rer großen Homogenität und ihrer Herstellbarkeit
ZT Z in kleinen Dicken teilweise verdrängt. Von den
E D rK i 2 dt D rK C 2 .du=dt/2 dt Kunststoffen (K) sind als Dielektrikum vor allem
Polycarbonat (KC), Polypropylen (KP), Polysty-
(2.27) rol (KS) und Polyester (Polyethylenterephtalat
in Wärme umgesetzt. Zu hohe Ströme können so KT) im Einsatz (Abb. 2.28 und Tab. 2.5).
die Kontaktierung zwischen Elektroden und An- Bei Kondensatoren mit metallisierten Belägen
schlussdrähten schädigen. Besonders Kondensa- werden die Dielektrika (Papier oder Kunststoff)
toren mit dünnen metallisierten Elektroden (Ab- mit Metall (häufig Aluminium oder Zink) be-
schn. 2.3.2.1) sind durch Abbrand solcher dünner dampft und so die Elektroden sehr platzsparend
124

Abb. 2.30 Relative Kapazitätsänderung in Abhängigkeit von der Temperatur


E. Hering und K. Bressler
2 Passive Bauelemente 125

Tab. 2.5 Eigenschaften von Dielektrika aus Kunststoff


Eigenschaft Kunststoff
Polycarbonat Polypropylen Polyester
Permittivitätszahl "r 2,8 2,2 3,3
(1 kHz; 23 °C) (temperaturkonstant) (bei zunehmender Tempe- (bei zunehmender Tempe-
ratur negativ) ratur positiv)
Spezifischer Durchgangs- 2  1017 6  1018 1018
widerstand =( cm)
(23 °C)
Durchschlagsfestigkeit in 535 V 650 V 580 V
V=m (23 °C)
Temperaturbereich 55 °C bis 100 °C 55 °C bis 85 °C 55 °C bis 100 °C

Abb. 2.32 Kennzeichnung des Außenbelages von Kapa-


zitäten

Kondensatoren mit Metallfolien und für die me-


Abb. 2.31 Relative Kapazitätsänderung in Abhängigkeit tallisierten Typen).
von der Temperatur Wie aus Abb. 2.30 zu entnehmen ist, hängt
die Kapazität mehr oder weniger stark von der
Temperatur ab. Das Temperaturverhalten ist aber
erzeugt (Abschn. 2.3.2.3). Metallisierte Papier- weitgehend reversibel und zwischen den Tem-
folien haben meist die Abkürzung MP, metal- peraturen von etwa 20 °C und C70 °C annä-
lisierte Kunststoff-Folien MK. Bei den Kunst- hernd linear. Eine vergleichende Zusammenstel-
stoffen dient ein weiterer Buchstabe zur Kenn- lung zeigt Abb. 2.31. Daraus ist zu ersehen (rote
zeichnung der Kunststoffart (z. B. MKP: metalli- Linie), dass der Kondensator mit einer Polycar-
sierte Kunststoff-Folie aus Polypropylen und ein bonat-Folie (KC, MKC) einen annähernd kon-
Kondensator mit der Bezeichnung KP: Alumini- stanten Temperaturverlauf aufweist.
umfolie mit Polypropylen als Dielektrikum). Die In Tab. 2.5 sind die wichtigsten Kennwerte für
Kunststoff-Folien werden in Dicken unter 2 m einige Dielektrika aus Kunststoff zusammenge-
verwendet. Eine wichtige Eigenschaft der MK- stellt.
und MP-Kondensatoren ist die Fähigkeit zur Aus- Der mit dem außen liegenden Kondensatorbe-
heilung nach erfolgten Durchschlägen. lag verbundene Anschlussdraht wird durch einen
Strich oder einen Ring auf dem Gehäuse gekenn-
zeichnet (Abb. 2.32).
2.3.2.2 Eigenschaften Verbindet man in hochohmigen Kreisen den
In Abb. 2.30 sind Diagramme für die wichtigs- Außenbelag des Kondensators mit dem jeweils
ten Kenngrößen der Kondensatoren mit Folien- niederohmigeren Teil („Masse“) der Schaltung,
Dielektrikum zusammengestellt (die roten Linien so wirkt er wie ein Faraday’scher Käfig als Ab-
gelten für die Folien, die schwarzen Linien für schirmung gegen äußere elektrische Störfelder,
126 E. Hering und K. Bressler

wie beispielsweise das elektrische Feld der Netz-


spannung.

2.3.2.3 Selbstheilende Kondensatoren


(MP und MK)
Bei selbstheilenden Kondensatoren bestehen die
Elektroden (Beläge) nicht aus Metallfolien (Di-
cke etwa 6 m bis 20 m), sondern aus sehr
dünnen (0,02 m–0,05 m), im Hochvakuum
aufgedampften Metallbelägen (metallisierte Pa-
pierfolie: MP oder metallisierte Kunststoff-Folie:
MK). Die Selbstheilung kommt folgendermaßen
zustande: Der bei einem Durchschlag entstehen-
de Lichtbogen verdampft den Metallbelag in der
Umgebung der Durchschlagstelle. Dadurch wird
die Durchschlagstelle vom elektrisch aktiven
Belag abgetrennt. Der Selbstheilvorgang dauert
weniger als 10 s; die Strom- und Energiezufuhr
zur Durchschlagstelle ist begrenzt. Da der Me-
tallbelag nur in der unmittelbaren Umgebung der
Durchschlagstelle verdampft, ist die Kapazitäts- Abb. 2.33 Aufbau eines metallisierten, ausheilfähigen
abnahme auch nach vielen Selbstheilvorgängen Kondensators mit erfolgtem Durchschlag. a Bedampfte
gering (z. B. etwa 1 % nach 1000 Durchschlä- Folien, b Wickelbereich mit Durchschlag
gen).
Im Gegensatz zu Elektroden aus Metallfolien
kann der aufgedampfte Metallbelag nicht durch
Kontaktstreifen kontaktiert werden. Selbstheilen- 2.3.2.4 Kondensatoren für die
de und impulsfeste Kondensatoren werden des- Leistungselektronik
halb an den Wickel-Stirnseiten vollflächig kon- Ein spezielles Anwendungsgebiet für Kondensa-
taktiert. Dazu ist es erforderlich, dass das Dielek- toren mit Folien als Dielektrikum ist die Leis-
trikum (Papier oder Kunststoff) auf einer Seite tungselektronik im Spannungsbereich von 50 bis
nicht bis zum Rand bedampft wird, um die Iso- 10.000 V (VDE 0560, Teil 12). In Schaltungen
lierung der beiden Beläge gegeneinander sicher- mit Leistungshalbleitern erfüllen die Kondensa-
zustellen. Abbildung 2.33 zeigt den Aufbau. In toren folgende Aufgaben:
Abb. 2.33a sind der Belag 1 und der Belag 2  Filtern von unerwünschten Oberwellen; die
jeweils mit unbedampftem Rand dargestellt. Ab- Kondensatoren werden zwischen dem Gleich-
bildung 2.33b zeigt einen Wickel-Teilbereich mit stromnetz und dem Gleichstromsteller einge-
einem erfolgten Durchschlag. setzt.
Auf die Stirnseite des fertigen Wickels wird  Stützen der Gleichspannung im Zwischenkreis
im Flammspritzverfahren Metall (häufig Zink) bei spannungsgeführten Umrichtern (periodi-
aufgespritzt (Schoopen). Dadurch sind alle Be- sche Abgabe kurzer und hoher Stromimpulse).
lagwindungen kontaktiert. Zuleitungswiderstand  Aufnahme oder Abgabe starker Stromstöße
und -induktivität sind sehr gering (dämpfungs- (z. B. Laser; Kopierer, Blitzlicht).
arme Kondensatoren). Dies ist Voraussetzung,  Bedämpfen oder Unterdrücken unerwünschter
wenn der Kondensator bei höheren Frequenzen Spannungsspitzen an Halbleiterbauelementen
oder bei Spannungen mit hochfrequenten Antei- (Trägerstaueffekt in Leistungsdioden, Leis-
len im Einsatz ist. tungsthyristoren, GTO-Thyristoren, s. Kap. 5).
2 Passive Bauelemente 127

Abb. 2.34 MKV-Kondensator: a Schnitt durch den Wickel, b Schnitt durch den Kondensator

 Kommutieren, d. h. Löschen des leitenden Zu- zeit). Der MKP-Kondensator hat sich durchge-
standes von Thyristoren in Gleichstromstel- setzt für den Spannungsbereich 250 V bis 600 V
lern und zwangsgeführten Wechselrichtern. und für einfachere Anwendungen.
Für diese Einsatzgebiete müssen die Kondensato-
ren folgende Eigenschaften aufweisen:
a) Hohe Spitzenstrom-Belastbarkeit.
b) Hohe Spannungsfestigkeit. MKV-Kondensator
c) Niedrige Eigeninduktivität. Dieser Kondensatortyp besitzt einen besonderen
d) Hohe Energie-Speicherfähigkeit. Aufbau. Ein Kondensatorpapier wird als Elek-
e) Große Zuverlässigkeit auch bei thermi- trode beidseitig mit Metall bedampft und liegt
scher Belastung. Zum Einsatz kommen je dadurch nicht im elektrischen Feld. Als Dielektri-
nach Anforderungsprofil die Bauformen: kum dient eine Polypropylenfolie, die dafür sorgt,
Metallfolien-Kondensator, MP-Kondensator, dass vom aufgedampften Metall keine Spitzen-
MKP-Kondensator und MKV-Kondensator. wirkungen ausgehen können und deshalb an jeder
Die letzten beiden Bauformen werden im Folgen- Stelle dieselbe Durchschlagfestigkeit herrscht.
den näher beschrieben. Abbildung 2.34 zeigt im Teilbild a den schemati-
schen Aufbau des Wickels und im Teilbild b das
Schnittbild eines Leistungskondensators.
MKP-Kondensator Der MKV-Kondensator weist folgende Vortei-
Wie die Kurzbezeichnung aussagt, handelt es sich le auf:
dabei um einen Kondensator mit einem Dielek-  niedrige Verluste im Dielektrikum,
trikum aus einer metallisierten Polypropylenfolie.  höhere Spannungsfestigkeit durch Imprägnie-
Die Vorteile dieser Bauform sind: rung,
 niedrige Verluste im Dielektrikum,  hohe Kapazitätsstabilität durch Imprägnie-
 trockener Aufbau, d. h. kein flüssiges Imprä- rung,
gniermittel,  hohe Spitzenstrom-Belastbarkeit, da Papier als
 kleines Volumen, Träger von zwei Metallbelägen die Kontaktie-
 preisgünstiges Material für das Dielektrikum. rung verbessert.
Nachteilig sind die relativ geringe Spitzenstrom- Nachteilig ist seine Empfindlichkeit gegenüber
belastbarkeit und die nur mäßige Kapazitätsstabi- Temperaturwechseln. Der MKV-Kondensator
lität (Kapazitätsabnahme im Laufe der Betriebs- ist geeignet für Nennspannungen bis etwa 3 kV
128 E. Hering und K. Bressler

Tab. 2.6 Bestandteile von Elektrolyt-Kondensatoren


Ventilmetall: Aluminium Tantal
Dielektrikum: Al2 O3 Ta2 O5
Elektrolyt: nass Salzlösung Schwefelsäure
trocken Mangandioxid

(durch Serienschaltung von Wickeln oder in den


Wickeln) und für erhöhte Anforderungen.

Abb. 2.35 Ersatzschaltung eines Elko

2.3.3 Elektrolyt-Kondensatoren

Jeder Kondensator besteht aus zwei elektrisch misch gebundene Sauerstoff notwendig und der
leitfähigen Elektroden (Belägen), die durch ein Reststrom IR unvermeidlich.
dazwischenliegendes Dielektrikum voneinander Im Abb. 2.35 ist das Ersatzschaltbild von
isoliert werden. Einen Kondensator, dessen Belag Elektrolyt-Kondensatoren dargestellt. Der ohm-
von einem Elektrolyten anstelle einer metalli- sche Anteil der Ersatzserienschaltung hat die
schen Elektrode gebildet wird, bezeichnet man Bezeichnung ESR (Equivalent Series Resistor).
als Elektrolyt-Kondensator oder auch kurz als El- Der Parallelwiderstand RP , der den Reststrom bei
ko richtiger Polung darstellt, ist zusätzlich noch von
Der Elko ist in der Regel gepolt. Ein elek- der Spannung und von der Temperatur abhän-
trisch leitfähiges Material, der Elektrolyt, bildet gig. Durch eine Falschpolung, hier als verbotener
die negative Elektrode, Kathode genannt. Der Betrieb gekennzeichnet, fließt der Inversstrom
Elektrolyt besteht aus Salzen, die in organischen IRR über die vom Ventilmetall gebildete Diode
oder anorganischen Flüssigkeiten gelöst sind und D und kann durch Bildung von Knallgas zu ei-
eine geringe Menge Wasser ( 2 %) enthalten. ner Explosion des Kondensators führen. Beim
Die von dem Elektrolyten gebildete Kathode wird Elko mit flüssigem Elektrolyten sind die Kapa-
mit dem gleichen Metall kontaktiert, aus dem die zität C und der ESR von der Frequenz und von
Anode besteht. der Temperatur abhängig. Nur die äquivalente
Die positive Elektrode eines Elkos (Anode) Serieninduktivität ESL (Equivalent Series induc-
besteht aus einem sogenannten Ventilmetall. Die tor L) ist konstant. Dieser Zusammenhang ist im
Oxide von Ventilmetallen sperren den Strom in Abb. 2.36 dargestellt.
einer Richtung, lassen ihn aber in der anderen Der ESR, der Verlustfaktor tan ı und die Ka-
Richtung durch. Technisch genutzt werden die pazität C hängen wie folgt zusammen
Metalle Aluminium und Tantal, deren Oxide
Aluminiumoxid (Al2 O3 ) oder Tantalpentoxid
tan ı
(Ta2 O5 ) das Dielektrikum des Elkos bilden ESR D f C (2.29)
(Tab. 2.6). 2
Aluminium- und Tantal-Elektrolyt-Kondensa-
toren stellt man sowohl mit festem als auch mit Der Elko ist ein recht preisgünstiges Bauelement,
flüssigem Elektrolyten her; man spricht deshalb das eine sehr große Volumenkapazität besitzt.
auch von flüssigen und trockenen Elektrolyt-Kon- Abgesehen von Spezialtypen, bei denen beide
densatoren. Der Elko mit flüssigem Elektrolyten Beläge eine große Oberfläche besitzen, beispiels-
ist selbstheilend; denn Störstellen im Dielektri- weise bei Kondensatoren für Lautsprecherwei-
kum werden bei angelegter Gleichspannung an- chen und zum Motoranlauf, ist der Elko nur für
odisch oxidiert. Hierzu ist der im Wasser che- Gleichspannung geeignet.
2 Passive Bauelemente 129

Abb. 2.36 Idealisierter Scheinwiderstand Z eines Elko in


Abhängigkeit von der Frequenz f

Abb. 2.37 Aufbau der Wicklung eines Al-Elko

2.3.3.1 Nasse Aluminium-Elektrolyt-


Kondensatoren
Der Aluminium-Elektrolyt-Kondensator mit des nassen Alu-Elkos gehört die etwas instabile
flüssigem Elektrolyten, nachfolgend Al-Elko ge- Oxidschicht. Wenn er lange Zeit spannungslos
nannt, findet am häufigsten Verwendung. Den ist, bildet sich die Aluminium-Oxidschicht etwas
Al-Elko stellt man für Spannungen UN 450V zurück. Das hat zur Folge, dass die Kapazität
und mit Kapazitätswerten bis zu CN 220 mF steigt, aber die Spannungsfestigkeit sinkt. Des-
her. Seine Hauptbestandteile sind zwei Alu- halb ist dieser Elko-Typ für Zeitglieder nicht
miniumfolien und mit Elektrolyt getränktes geeignet. Wird dieser Kondensator mit einer
Fließpapier, die zu einem Wickel aufgerollt sind. Spannung belastet, dann wird die Oxidschicht
Flüssige oder pastöse Elektrolyte werden durch durch einen erhöhten Reststrom wieder verstärkt
Fließpapier (Separator) fixiert, wodurch meistens (nachformiert). Dabei sinkt die Kapazität und die
ein von der Lage unabhängiger Einbau des Elko Spannungsfestigkeit steigt. Ist der Reststrom zu
möglich ist und die beiden Folien gegeneinander groß, dann wird der Kondensator heiß und kann
isoliert werden (Abb. 2.37). platzen. Um Schäden vorzubeugen, sollte man
Um die wirksame Oberfläche der Alumi- die Nennspannung nur zu 70 % ausnutzen. Das
niumfolie, welche die Kathode bildet, stark erhöht auch die Zuverlässigkeit.
zu vergrößern, erhält diese durch Ätzen eine Der Betriebstemperaturbereich des Al-Elko ist
schwammartige Oberflächenstruktur. Die das Di- durch das Elektrolytsystem und die Abdichtung
elektrikum bildende Oxidschicht Al2 O3 erzeugt seines Gehäuses festgelegt. Die Gehäusetempera-
man anschließend durch anodische Oxidation tur und die Wechselstrombelastung eines Al-Elko
(Formierung). Diese Oxidschicht braucht nur bestimmen maßgeblich dessen Brauchbarkeits-
sehr dünn zu sein (1;2 nm=V d 2;2 nm=V). dauer. In modernen Elektrolytkondensatoren fin-
Durch die große Oberfläche, die dünne Oxid- den die in Tab. 2.7 aufgeführten Elektrolyte Ver-
schicht und die Permittivitätszahl "r (9,5 für wendung.
Al2 O3 ) realisiert man große Kapazitätswerte Diese Elektrolyte sind chemisch sehr stabil.
bei kleinem Volumen. Man spricht von einer Mit ihnen sind gute elektrische Werte, wie bei-
großen Volumenkapazität. Zu den Eigenheiten spielsweise niedrige Impedanz, kleine Restströ-
130 E. Hering und K. Bressler

Tab. 2.7 Elektrolyte für den Al-Elko Als Kategorietemperatur bezeichnet man
Substanz obere Grenztemperatur die Temperatur, auf die sich die spezifizierte
Dimethylformamid (DMF) 85 °C (105 °C) Brauchbarkeitsdauer, beispielsweise 3000 Stun-
Dimethylamid (DMA) 85 °C (105 °C) den für einen GP-Typ und 10.000 Stunden für
Dimethylacetamid (DMAC) 85 °C einen LL-Typ, des Kondensators bezieht. Üblich
Gamma-Butyrolakton (BGL) 105 °C sind die Kategorietemperaturen 85 °C, 105 °C
Butyrolakton 125 °C und 125 °C. Abgesehen von dem Bereich der
Frühausfälle ist die Ausfallrate während der
Brauchbarkeitsdauer konstant.
Hersteller geben für sogenannte LL-Typen
me und ein gutes Langzeitverhalten, zu erreichen. Ausfallraten zwischen 2 fit 20 fit an,
Den guten elektrischen Eigenschaften steht eine während die GP-Typen ein von 50 fit errei-
problematische Entsorgung entgegen. chen. Bei der in den Datenblättern angegebenen
Nach der Rahmenspezifikation DIN IEC 384- Belastung für die Bezugszuverlässigkeit darf die
4/CECC30300 stellt man an den Al-Elko entspre- Übertemperatur des Kondensatorbechers um 3 K,
chend des Anwendungsbereiches unterschiedli- manche Hersteller geben auch 5 K an, ansteigen.
che Anforderungen. Typen für erhöhte Anforde- Wird der Kondensator mit den für die Bezugszu-
rungen werden mit Long Life grade (LL oder Typ verlässigkeit angegebenen Werten belastet, dann
I) bezeichnet. Für allgemeine Anwendungen gibt ist seine Brauchbarkeitsdauer gleich der Bezugs-
es die General Purpose-Typen (GP oder Typ II). zuverlässigkeit.
Den Al-Elko setzt man hauptsächlich zur Sie- Die Angaben in den Datenblättern beziehen
bung ein, vor allem in Stromversorgungen. Dazu sich in der Regel auf eine Messfrequenz von
wird er mit Gleichspannung betrieben, der ein 100 Hz und eine Temperatur von 20 °C. Für hö-
Wechselstrom IW überlagert ist. here Frequenzen und abweichende Temperaturen
Für die Dimensionierung in der Praxis ist zu gibt man Korrekturwerte an. Mit der Wahl von
beachten, dass die wichtigen Parameter, wie der Frequenzen f > 100 Hz und vor allem von
Ersatz-Serien-Widerstand ESR, die Kapazität C kleineren Strömen kann man die Brauchbarkeits-
und damit die Impedanz Z von der Frequenz dauer wesentlich vergrößern. Die angelegte Be-
und von der Temperatur abhängig sind. Bedeu- triebsspannung hat, entgegen früheren Angaben,
tend ist vor allem die sehr starke Zunahme des bei neueren Elko-Typen mit den in der Tab. 2.8
ESR bei tiefen Temperaturen, die erheblich unter genannten Elektrolyten einen nur unwesentlichen
dem Gefrierpunkt liegen (20 °C). Hier friert der Einfluss auf die Brauchbarkeitsdauer. Typisch für
Elektrolyt allmählich ein und wird hochohmig. den nassen Al-Elko sind Änderungsausfälle, die
Die Wechselstrom-Belastbarkeit wird bei durch das Austrocknen des Elektrolyten und das
niedrigen Frequenzen durch die maximal zulässi- dadurch verursachte Driften seiner Kennwerte C ,
ge Spannung, die am Kondensator anliegen darf, Z, IR und tan ı verursacht werden.
begrenzt. Jede auch nur kurzzeitige Verpolung Verwendet man den Elko in zeitbestimmen-
des Kondensators ist wegen der Zersetzung des den Schaltungen, so sind folgende Effekte zu
Elektrolyten zu Gas und der damit verbundenen berücksichtigen: Der stark von der Temperatur
Explosionsgefahr unbedingt zu vermeiden. Bei und der Spannung abhängige Reststrom  kann
hohen Frequenzen bestimmt die vom Wechsel- durch einen Widerstand parallel zur Kapazität
strom am ESR verursachte Erwärmung Pmax D dargestellt werden. Der über die Ladungsmen-
2
IW ESRmax die Strombelastbarkeit des Elkos. ge mit einer Gleichspannung ermittelte Kapazi-
Der in den Datenblättern angegebene Nennwert tätswert heißt Gleichspannungskapazität CG und
der Wechselstrombelastung IW darf ausgenutzt kann deutlich über der Wechselspannungskapazi-
werden, solange die Umgebungstemperatur TA tät CW liegen (CG 1;5 CW v).
des Kondensators die sogenannte obere Katego- Stehende Bauformen des Elkos sind vorteil-
rietemperatur TOK nicht übersteigt. hafter als axiale Typen, die liegend eingebaut
2 Passive Bauelemente 131

werden. Die auf der Leiterplatte beanspruchte zum Abblocken von Versorgungsspannungen ge-
Fläche ist klein. Da die Anschluss-Stifte nahe eignet, da diese einen Vorwiderstand von 3 =V
beieinander liegen, lässt sich das Layout für die benötigen, um zuverlässig zu arbeiten. Ihr nied-
Elko-Anschlüsse so gestalten, dass diese eine riger Reststrom ist für zeitbestimmende Kreise
sehr kleine Leiterschleife bilden. Dadurch kann vorteilhaft. Prinzipiell sind die trockenen Tantal-
der Kondensator-Wechselstrom nur kleine hoch- Elkos zuverlässiger und teurer, aber auch größer,
frequente Magnetfelder erzeugen. da sie eine deutlich niedrigere spezifische Kapa-
zität pro Volumen aufweisen.
2.3.3.2 Trockene Aluminium-Elektrolyt-
Kondensatoren 2.3.3.4 Nasse Tantal-Elektrolyt-
Diese Kondensatoren sind ähnlich aufgebaut wie Kondensatoren
solche mit nassem Elektrolyten. Der mit Glas- Hier wird die Ladung in der sehr dünnen Grenz-
fasergewebe fixierte Elektrolyt besteht aus Man- schicht der porösen und damit extrem großflä-
gandioxid (MnO2 ), das auch Braunstein genannt chigen Kohlestaub- oder Kohlefaserelektroden
wird. Trockene Aluminium-Elektrolyt-Konden- zum elektrolytgetränkten Separator gespeichert.
satoren, vom Hersteller SAL-Kondensator (SAL Mit 2,3 V bis 5,5 V Betriebsspannung und 0,1 F
D Solid Aluminium) genannt, sind nur für er- bis 1000 F stehen Energiespeicher für die Lücke
höhte Anforderungen und mit einem Nennspan- zwischen Kondensator und Batterie bereit. Diese
nungsbereich UN 40 V im Einsatz. Kondensatoren sind lediglich für den militäri-
SAL-Kondensatoren kann man in niederoh- schen und medizinischen Bereich von Bedeutung.
migen Kreisen betreiben. Sie sind für Wechsel-
strombelastung gut geeignet. Selbst eine Verpo-
lung mit einer Spannung von 0,3 UN ist zuläs-
sig. SAL-Kondensatoren haben im Vergleich zum 2.3.4 Keramik-Kondensatoren
nassen Elko sowohl bei hohen als auch bei niedri-
gen Betriebstemperaturen hervorragende Eigen- 2.3.4.1 Werkstoffe und Einteilung
schaften. Bei diesen Kondensatoren besteht das Dielek-
Da der feste Elektrolyt nicht austrocknen trikum aus einer Keramik, d. h. einer anorgani-
kann, ist ein Beginn von Verschleißausfällen schen, nicht metallischen, polykristallinen Sub-
nicht bekannt, so dass deren Ausfallrate kon- stanz, die durch einen Brennprozess bei hohen
stant klein (108 109 ) bleibt und die Temperaturen (1200 °C bis 1400 °C) entsteht. Für
Brauchbarkeitsdauer nahezu unbegrenzt ist. We- die Kondensatorkeramik kommt meist Titandi-
gen ihrer hohen Zuverlässigkeit finden trockene oxid (TiO2 ) mit einer Permittivitätszahl "r von
Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren auch in etwa 100 zum Einsatz. Durch Verwendung ande-
der Raumfahrt Verwendung. rer Oxide (vor allem BaO im Verhältnis 1 W 1)
kann man die Permittivitätszahl wesentlich stei-
2.3.3.3 Trockene gern. Sie beträgt für die ferroelektrische Substanz
Tantal-Elektrolyt-Kondensatoren Bariummetatitanat (BaTiO3 ) bis zu 10.000. Für
Trockene Tantal-Elektrolyt-Kondensatoren ha- die Keramik-Kondensatoren gelten die Normen
ben eine sehr hohe Volumenkapazität und heißen DIN EN 60384-8/9/21/22.
im Sprachgebrauch nur Tantal-Kondensatoren.
Ihre Anode besteht aus einem mit Tantal-Pulver 2.3.4.2 Eigenschaften
hergestellten Sinterkörper. Tantal-Kondensatoren Die Keramik-Kondensatoren teilt man nach IEC
stellt man mit Nennspannungen UN 50 V, mit 384-9/CECC 30 600 und 30 700 sowie nach
hermetisch dichtem Gehäuse bis UN 75 V DIN 45 910 – je nach dielektrischem Werkstoff –
und mit Kapazitätswerten bis zu 330 F her. in drei Klassen ein. Die einzelnen Keramikwerk-
Trockene Tantal-Elektrolyt-Kondensatoren sind stoffe, die zugehörigen Kennwerte, die sonstigen
prinzipiell nicht für niederohmige Kreise, etwa Eigenschaften sowie die bevorzugten Einsatzge-
132 E. Hering und K. Bressler

Tab. 2.8 Eigenschaften und Anwendungen von Keramik-Kondensatoren der verschiedenen Klassen
Eigenschaften Klasse
Klasse 1 Klasse 2 Klasse 3
(NDK: Niedrige Permittivität) (HDK: Hohe Permittivität) (Sperrschicht)
Keramik- TiO2 ferroelektrisches BaTiO3 ferroelektrisches BaTiO3 mit
Werkstoff Halbleitersperrschichten
(mit BaOP, La2 O3 , Nd2 O5 /
Permittivitätszahl 13 bis 470 103 bis 104 bis 50  104
"r
Verlustfaktor tan ı < 1; 5  103 < 30  103 60  103
Keramikart COG X7R Z5U
Temperaturkoeffi- konstant (0 ˙ 30) groß sehr groß nicht konstant
zient ˛  106 K1
Alterung keine 2 % 5 % 2%
je log. Zeitdekade je log. Zeitdekade
Sonstige Eigen-  Kapazitätsänderung linear  Kapazitätsänderung nicht-  geringer Isolationswider-
schaften von der Temperatur abhängig linear von Temperatur und stand
 Kapazität und Verlustfaktor Spannung abhängig  kleine Nennspannung (max.
nicht spannungsabhängig  hoher Isolationswider- 100 V)
 hoher Isolationswiderstand stand bei Gleichstrom  höchste Kapazitätswerte pro
niedrige dielektrische Verluste  große Kapazitätswerte bei Volumen
(bis in den UHF-Bereich) kleinen Abmessungen  hoher Verlustfaktor
 enge Kapazitätstoleranzen  Abnahme der Permittivi-
 keine Alterung tät bei höheren Frequenzen,
bei Alterung
Einsatzgebiete  Schwingkreis  Kopplung Stützkondensator sonst wie
 Filterschaltung  Entkopplung Klasse 2, aber geringere An-
 Messverstärker  (Sieben, Abblocken) sprüche an Kapazitätskonstanz
 Zeitglied  Funkentstörung bei klei- NF-Anwendungen
 Kopplung und Siebung nen Spannungen
 (besonders bei HF)

biete der verschiedenen Klassen nach DIN 45 910 Kapazitäten, die genau und stabil sind auf klei-
sind in Tab. 2.8 vergleichend gegenübergestellt. nem Volumen zu erträglichen Preisen.
Es sei darauf hingewiesen, dass viele dieser
genannten Kenngrößen von Umgebungseinflüs- 2.3.4.3 Bauformen
sen, beispielsweise von der Temperatur oder der
Spannung abhängen. Die Diagramme für die Einschicht-Kondensator (Klasse 1 und 2)
Kapazitätsänderung in Abhängigkeit von der Um- Der Einschicht-Kondensator besteht aus einem
gebungstemperatur oder der Betriebsspannung dünnen Keramikplättchen mit beidseitig auf-
zeigt Abb. 2.38. Die anderen Abhängigkeiten sind gebrachten Kupfer-Belägen, an die Anschluss-
den Datenblättern zu entnehmen. drähte angelötet sind. Die im Tauchverfahren
Deutlich erkennbar in Abb. 2.38 ist beispiels- aufgebrachte Epoxidharz-Umhüllung verleiht
weise der völlig unterschiedliche Verlauf der Ka- dem Kondensator große mechanische Festigkeit,
pazitätsänderung in Abhängigkeit von der Tem- einen guten Feuchteschutz und ist widerstands-
peratur innerhalb derselben Klasse 2, zum einen fähig gegen alle verwendeten Lösungsmittel.
für die Keramikart X7R und zum andern für Abbildung 2.39 zeigt einen Einschichtkondensa-
die Keramikart Z5U. Mit der SMD-Technik (Ab- tor im Schnitt und schematisch.
schn. 1.9.3) und dem Zwang zur Miniaturisierung Für den Einbau sind die Vorschriften über die
hat die Bedeutung der Keramik-Kondensatoren mindestens einzuhaltende Länge der Anschluss-
deutlich zugenommen. Die Vorteile sind: große drähte (markiert durch Stauchteller oder Sicke)
2 Passive Bauelemente

Abb. 2.38 Kapazitätsänderung in Abhängigkeit von der Temperatur und der Betriebsspannung für verschiedene Klassen Keramik-Kondensatoren. Werkbild: Siemens
133
134 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.39 Einschichtkondensator. a Schnitt, b Schema

sowie die Lötparameter (Löttemperatur maximal


270 °C, Lötdauer maximal 10 s) einzuhalten.

Vielschicht-Kondensator (Klasse 1 und 2)


Keramische Vielschicht-Kondensatoren (MLCC:
Multi Layer Ceramic Capacitor) bestehen aus
kammartig ineinandergreifenden Elektroden, die
in einem monolithischen Keramikblock einge-
sintert sind. Die seitlich zueinander versetzten
Elektroden werden von den Stirnseiten herausge-
führt und dort kontaktiert. Die so hergestellten
Vielschicht-Kondensatoren sind für konven-
tionelle Bestückung radial bedrahtet. In Chip-
Ausführung kann man diese Bauform als SMD
direkt auf die Platine löten. Abbildung 2.40a zeigt Abb. 2.40 Schematischer Aufbau eines Vielschicht-Kon-
den Aufbau eines Keramik-Vielschicht-Chip- densators: a Chip, b bedrahtete Ausführung
Kondensators und Abb. 2.40b den Aufbau eines
bedrahteten Vielschicht-Kondensators.
Inzwischen gibt es Keramik-Vielschichtkon-
densatoren auch mit hohen Kapazitätswerten,
bis 100 F und kleinen Betriebsspannungen
von 6,3 V. Ebenso werden hochwertige Präzi-
sionskondensatoren mit 1 % Toleranz bis in den
nF-Bereich angeboten.
Eine spezielle Bauform mit vier Abschlüssen Abb. 2.41 Aufbau eines keramischen Sperrschicht-Kon-
densators
pro Gehäuse (X2Y-Kondensator) wird besonders
zur Filterung von hochfrequenten Signalen und
zur Störunterdrückung von schnellen digitalen Reduktion wird die Keramik leitfähig gemacht.
Schaltungen eingesetzt. Dann bildet sich durch oberflächliche Oxidation
eine sehr dünne Dielektrizitätsschicht, die Sperr-
Sperrschicht-Kondensator (Klasse 3) schicht. Zwei Arten Sperrschichtkondensatoren
Die Forderung nach hoher Kapazität pro Volumen sind zu unterscheiden: Bei der ersten befindet
oder Oberfläche führte zur Entwicklung des kera- sich die Sperrschicht direkt an der Oberfläche
mischen Sperrschicht-Kondensators (Abb. 2.41). der Keramik, d. h. unter den Metallelektroden.
Er besteht vorwiegend aus Barium- oder Die Sperrschicht wird beim zweiten Typ an den
Strontiumtitanat mit einer extrem hohen Per- Korngrenzen der Keramik erzeugt. Dadurch gibt
mittivitätszahl "r D 50:000. Durch chemische es innerhalb der Keramik viele Miniaturkonden-
2 Passive Bauelemente 135

satoren, die in Reihe oder parallel geschaltet sind Tab. 2.9 Materialien für variable Kondensatoren und ihre
und nach außen wie eine große Kapazität wirken. Eigenschaften (Quelle: Amidon)
Durch diesen Aufbau ist bei gleicher Dicke d Material Permittivi- Durch-
und Fläche A die Kapazität etwa fünfmal höher. tätszahl schlags-
festigkeit
Die Sperrschichtkondensatoren weisen folgende
"r bei 1 kHz kV=mm
Besonderheiten auf:
Vakuum 1 20 bis 500
 große Kapazitätswerte bei geringem Bauvolu- Luft 1 2 bis 5
men, SchwefelhexafluoridSF6 2 8
 niederer Isolationswiderstand, Glimmer 7 25 bis 200
 hohe frequenzabhängige Verluste, Keramik Klasse 1 6 bis 200 20
 große Frequenzabhängigkeit und Hartpapier, Pertinax 4 20 bis 80
 starke Alterung. Polystyrol (PS) 2,5 25 bis 200
Der Sperrschichtkondensator wird häufig als Polyester (PET) 3,3 25 bis 580
Stützkondensator für Halbleiterspeicher bei Polycarbonat (PC) 3,0 35 bis 535
Stromausfall (Gold Caps) eingesetzt, ferner wer- Polyethylennaphtalat (PEN) 3,0 25 bis 500
den sie zum Übernehmen großer Stromspitzen Polypropylen (PP) 2,2 100 bis 650
Teflon (PTFE) 2,1 100 bis 250
bei Gleichstrom (> 1000 A) eingesetzt.

2.3.5 Einstellbare Kondensatoren


Empfänger abzustimmen oder den frequenzun-
Mit einstellbaren oder variablen Kondensatoren
abhängigen Spannungsteiler am Y-Eingang eines
können Kapazitäten innerhalb bestimmter Gren-Oszilloskops abzugleichen. In Abb. 2.28 ist das
zen mechanisch (per Hand oder durch eine Mo- Schema eines Drehkondensators zu sehen, des-
torsteuerung) stufenlos verändert werden. Prin-
sen parallel geschaltete Platten ineinandergreifen
zipiell können Kondensatoren gemäß Gl. 2.24 (die maximale Kapazität ist 500 pF). Die früher
durch die Permittivitätszahl "r , den Abstand d
besonders in Rundfunkgeräten weit verbreiteten
zwischen den Elektroden oder durch die wirk- Drehkondensatoren werden heute durch Kapazi-
same Elektrodenfläche A verändert werden. In tätsdioden ersetzt, die elektrisch steuerbar und
der Regel geschieht die Änderung der Kapazität
billig herzustellen sind. Für Leistungsanwen-
durch die Änderung der Elektrodenfläche A. Indungen und im Hochfrequenzbereich sind noch
Tab. 2.9 sind die Materialien zusammengestellt,
elektronisch über Motoren gesteuerte Drehkon-
die für variable Kondensatoren Einsatz finden so-
densatoren im Einsatz. Diese Drehkondensatoren
wie deren Permittivitätszahl "r (bei 1 kHz) und
haben als Dielektrikum meistens Vakuum (ho-
ihrer Durchschlagsfestigkeit in kV=mm. he Spannungsfestigkeit von 40 kV=mm) oder
Schutzgas (meist SF6 /. Die SF6 -Schutzgas-
Je nach Einsatzgebiet unterscheidet man da-
Drehkondensatoren überstreichen einen Win-
bei zwischen Kondensatoren, deren Kapazität öf-
kel > 360°. Sie werden für den Abgleich der
ters verändert werden kann (Drehkondensatoren)
Schwingkreise bei Mittel- und Langwellensen-
und Kondensatoren, deren Kapazität bei der Erst-
dern eingesetzt. Sie arbeiten bei einem Druck von
inbetriebnahme oder endgültig eingestellt wird
(Trimmer-Kondensatoren). 3 bar bis 7 bar und können Kapazitäten von 50
Die Prüfverfahren sind in DIN EN 134 000 bis zu 5000 pF einstellen, ertragen Prüfspannun-
festgelegt, die Spezifikationen in DIN EN 134gen bis zu 80 kV und Stromstärken bis 800 A bei
101, DIN EN 134 102 und DIN EM 134 104. minimalen dielektrischen Verlusten. Drehkonden-
satoren im Vakuum werden für Sendeleistungen
2.3.5.1 Drehkondensatoren über 10 kW eingesetzt, überstreichen eine Ka-
Veränderbare Kapazitäten sind beispielsweise pazitätsbereich von 3 pF bis 6600 pF, halten
notwendig, um in der Nachrichtentechnik die Spannungen bis zu 90 kV und Stromstärken bis
136 E. Hering und K. Bressler

1000 A aus. In diesen Fällen werden sie mit Was- eine Induktivität. Maßgebend für die Größe der
ser gekühlt. Induktivität L ist das mit der Leiterschleife ver-
kettete Magnetfeld. Die wichtigsten Gleichungen
2.3.5.2 Trimm-Kondensatoren des Magnetismus sind in der Tab. 2.10 wieder-
Trimm-Kondensatoren (Abb. 2.28) dienen zum gegeben. Induktivitäten stellt man durch Auf-
einmaligen oder selten veränderbaren Feinab- wickeln eines Drahtes auf einen Spulenkörper
gleich der Kapazität beim Ersteinsatz oder nach mit vorzugsweise rundem Querschnitt her und
der Reparatur eines Gerätes und lassen sich nur benennt sie auch mit dem Sammelbegriff Wickel-
mit einem entsprechenden Werkzeug einstellen. güter. Induktivitäten sind, im Gegensatz zu Kon-
Als Dielektrikum werden Luft (Luftplatten- Luft- densatoren und Widerständen, keine genormten
rohr- und Tauchtrimm-Kondensatoren), Kunst- technischen Bauelemente. Es gibt kleine Baufor-
stoff-Folien (Folientrimm-Kondensatoren) oder men, die in ihrem Aussehen Widerständen ähneln
Keramik (Rohr-, Scheiben- und SMD-Trimm- und sich für kleine Ströme eignen. Überwiegend
Kondensatoren) eingesetzt. In Abb. 2.28 ist ein entwickelt und fertigt man Induktivitäten spezi-
solcher SMD-Trimm-Kondensator als Schnitt- ell für die jeweilige Anwendung. Wie Abb. 2.42
zeichnung zu sehen. Eine metallisierte Elektrode zeigt, gibt es Induktivitäten mit Kern und ohne
ist als Stator fest in der Grundplatte verankert, magnetisch wirksamen Kern.
während die andere Elektrode als Rotorelektrode
drehbar montiert ist. Über sie ist die Kapazi-
tät einstellbar. Der Wert für die Kapazität wird
aber immer häufiger durch Wegbrennen von Flä- 2.4.1 Kerneigenschaften
chenteilen durch einen Laser (Laserabgleich)
eingestellt. Dies geschieht mit einer sehr großen 2.4.1.1 Luftspulen
Genauigkeit. Trimmer-Kondensatoren werden Induktivitäten ohne Kern heißen auch Luftspulen.
bevorzugt zur Feinabstimmung der Kapazitäten Die Vorteile von Luftspulen sind deren fast kon-
in Hochfrequenz-Filtern, Schwingkreisen und stante Induktivität: Da es keine Hystereseschleife
Oszillatoren eingesetzt. (Abb. 2.45) gibt, besteht ein linearer Zusammen-
hang zwischen der magnetischen Feldstärke H
und der magnetischen Induktion B. Ohne einen
2.3.5.3 MIS-Kondensatoren
magnetisch wirksamen Kern gibt es keine ma-
In der Halbleitertechnik integriert man Konden-
gnetische Sättigung. Auch wirken keine stören-
satoren häufig als Bauelemente (integrierter Kon-
den Eisenverluste. Nachteilig sind deren niedri-
densator) (MIS-Kondensator in Abb. 2.28; MIS:
ge Induktivität, d.h. man benötigt für die glei-
Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur). Die beiden
che Induktivität mehr Windungen als für Spulen
Elektroden bestehen in diesem Fall aus der Me-
mit Kernen. Dadurch steigt der ohmsche Wider-
tallschicht an der Oberfläche und dem Halblei-
stand. Weil der magnetische Fluss nicht gezielt
tergebiet (z. B. p-dotiertes Silicium). Dazwischen
durch einen Kern geführt wird, entsteht ein ho-
befindet sich als Dielektrikum eine dünne SiO2 -
her magnetischer Streufluss L ; Transformatoren
Schicht. Der Aufbau ähnelt dem eines MOS-
für niedrige Frequenzen (f D 50 Hz) können
Feldeffekttransistors (Abschn. 3.3.2) und wird
deshalb auch nicht mit Luftspulen gebaut wer-
auch als MOS-Kondensator bezeichnet.
den. Luftspulen werden nur noch in speziellen
Fällen eingesetzt, so beispielsweise bei Frequenz-
weichen in Mehrweg-Lautsprecherboxen (L D
2.4 Induktivitäten
0;1 mH oder 6,8 mH), für sehr hohe Frequenzen,
Eine Induktivität L ist ein passiver Zweipol, der – bei denen Ferritkerne versagen oder als Rah-
ähnlich wie ein Kondensator – Energie speichern menantennen (Luftspulen mit besonders großem
und wieder abgeben kann. Jeder Leiter besitzt Durchmesser; L von 100 nH bis 100 H).
2 Passive Bauelemente 137

Abb. 2.42 Bauarten von Induktivitäten

2.4.1.2 Induktivitäten mit Kern nichtlinearer Zusammenhang zwischen der ma-


Induktivitäten mit Kern nutzen die Permeabi- gnetischen Induktion B und der magnetischen
litätszahl r des verwendeten Kernmaterials, Feldstärke H . Diese Abhängigkeit ist aus ei-
um mit kleiner Windungszahl N eine möglichst ner Magnetisierungskurve, die auch BH-Schleife
große Induktivität L zu erhalten. Die Permea- oder Hysteresekurve genannt wird, zu entnehmen
bilitätszahl r ist ein Proportionalitätsfaktor. (Abb. 2.45).
Dieser gibt an, um wie viel sich die Induktivi-
tät L gegenüber einer Spule ohne Kern erhöht. 2.4.1.3 Kernformen
Bei Spulen, die einen Kern aus ferro- oder fer- In Tab. 2.11 sind die gebräuchlichsten Bauformen
rimagnetischem Material besitzen, besteht ein von Kernen zusammengestellt. Die Benennung
138 E. Hering und K. Bressler

Tab. 2.10 Grundgleichungen magnetischer Kreise


Gleichungen Einheit
(Analogie)
Durchflutung  (engl.: magneto motive force)
H R
H ds D  allgemein; H ds D V (magnetische Spannung) A
 gerader Leiter:  D H 2 r; Spule:  D NI (U)
Magnetische Feldstärke H (engl.: magnetic field strength)
H D = le , lange Zylinderspule: H D N I= le A=m
Magnetische Feldkonstante 0
0 D 4107 V s=A m
Induktion B (engl.: magnetic flux density)
B D H , wobei  D r 0 und damit: B D r 0 N I =le T D V s=m2
Magnetischer Fluss (engl.: total flux)
R H
 D BdA; B dA D 0 Wb D Vs
A
 D BA;  D =Rm , ohne Luftspalt:  D  N I Ae =le , ges D Li (I)
Magnetischer Formfaktor ˙ le =Ae mm1
Magnetischer Widerstand Rm A=Wb
Rm D = D le = Ae D ˙ le =Ae =0 r ()
Magnetischer Leitwert AL (Induktivitätsfaktor) nH
RL D 1=Rm D 0 r =˙ le =Ae D L=N 2 (S)
Induktivität L (engl.: inductance)
L D Ae N 2 =le 0 r N 2 =˙ le =Ae H=V s=A D Wb=A
Gespeicherte Energie W
W D 1=2Li 2 ; W D 1=2 L I 2 J D Ws
Sprungantwort des Stroms bei einer Reihenschaltung L; R
I.t / D U=R.1  et= /; Zeitkonstante  D L=R

Tab. 2.11 Kernformen


KernformenRohmaterial EE EI EF EK ETD M P PM RM U Ring Stab
Blech    
Blechpaket  
Band 
Schnittband  
Massiv: Ferrite          
Verbund  

erfolgt meist nach der Formgebung wie EE, EI Vorteile sind: runder Mittelschenkel, konstanter
(oft EJ geschrieben), EK, U, Ring und Stab. Kernquerschnitt längs des Eisenwegs und großes
Der Buchstabe „M“ steht für Mantelkern und Spulenfenster. Außerdem sind diese Spulenkör-
„P“ für Pot (Topf). Pot Module kürzt man mit per für eine Automatenbewicklung geeignet. Mit
PM, und Rectangular Module (rechteckiges Mo- U-Kernen kann man durch das Aneinanderfügen
dul) mit RM ab. Die aus Schnittband gefertigten mehrerer Kernpaare große magnetische Quer-
Varianten heißen SM und SU. Schnittbandkerne schnitte verwirklichen.
fertigt man aus aufgewickeltem und mitein-
ander verklebtem Band. Die Kernform ETD
ist eine neuere Entwicklung. Die Abkürzung 2.4.1.4 Ersatzschaltbilder
bedeutet Economic Transformer Design (wirt- Die Ersatzschaltbilder von Induktivitäten sind in
schaftliche Transformator-Konstruktion). Seine Abb. 2.43 dargestellt.
2 Passive Bauelemente 139

Abb. 2.44 Scheinwiderstand Z einer Induktivität in Ab-


hängigkeit von der Frequenz f
Abb. 2.43 Ersatzschaltbilder von Induktivitäten. a Bei
gleich- und niederfrequenter Wechselspannung, b bei
Wechselspannung mit Frequenzen f fges
quenz fres verhält sich der Scheinwiderstand Z
ideal, nämlich rein induktiv, und hat den Verlauf
Der Parallelwiderstand RFe charakterisiert Z D j ! L.
die sogenannten Eisenverluste eines magnetisch An der Resonanzstelle fres wird der Scheinwi-
wirksamen Kerns. Diese setzen sich aus den derstand Z von der Güte Q bestimmt. Oberhalb
Wirbelstrom- und den Hystereseverlusten zusam- der Resonanzfrequenz fres ist der kapazitive An-
men und sind Materialeigenschaften, die von teil der Induktivität Z D 1=j! C wirksam. (s.
der Induktion B, der Materialtemperatur #C , der zum Vergleich Abb. 2.36: Idealisierter Schein-
Frequenz f und dem spezifischen Widerstand  widerstand Z eines Elko in Abhängigkeit der
abhängen. Metalle haben einen niedrigen spe- Frequenz f ). Die Eisenverluste werden in der
zifischen Widerstand . Deshalb setzt man zur Praxis als Verlustleistung PFe in W=kg ange-
Verringerung der Wirbelstromverluste gegenein- geben. Bei höheren Frequenzen kann man die
ander isolierte Bleche ein. Der Absolutwert des parasitäre Parallelkapazität Cp und den durch den
Scheinwiderstandes jZj von Spulen errechnet Skin Effekt (Stromleitung nur in der Außenhaut
sich bei niedrigen Frequenzen näherungsweise des Leiters und die damit verbundene Stromver-
zu p drängung) verursachten Anstieg des Kupferwi-
jZj D .! =L/2 C R2 derstandes RCu nicht mehr vernachlässigen. Die
Darstellung der Wicklungskapazität als eine ein-
Das Verhältnis des Blindwiderstandes !L zum zelne Parallelkapazität stellt eine Näherung dar,
Gesamtwiderstand R einer Spule bezeichnet da Kapazitäten zwischen Windungen und Wick-
man als Güte Q (Quality) und dessen Kehrwert lungen existieren.
als Spulenverlustfaktor oder auch Verlustwinkel
tan ı:
!L 1 2.4.1.5 Hysteresekurve
QD D
R tan ı Die Hysteresekurve, auch Hystereseschleife ge-
Der Verlauf des Scheinwiderstandes Z in Ab- nannt, stellt die nichtlineare Abhängigkeit der
hängigkeit von der Frequenz ist in Abb. 2.44 magnetischen Induktion B von der magnetischen
dargestellt. Bis in die Nähe zur Resonanzfre- Feldstärke H dar. Hysteresekurven beschreiben
140 E. Hering und K. Bressler

manenz Br nennt. Bei Kernen mit Luftspalt ist


die Remanenz deutlich niedriger und der Kern
kann, wie in Abb. 2.45c dargestellt, auch für uni-
polare Aussteuerung verwendet werden. Um wie-
der einen unmagnetischen Zustand des Materials
(B D 0) zu erreichen, muss man eine Gegenfeld-
stärke, die Koerzitivfeldstärke HC , einstellen. Bei
einem weiter zunehmenden Gegenfeld wird das
Material entgegengesetzt bis zur Sättigung (BS )
aufmagnetisiert. Lässt man die magnetische Feld-
stärke H wieder zu null (H D 0) werden,
dann sinkt die magnetische Induktion wieder bis
zur Remanenz (BR ) ab. Erst ein positives Ma-
gnetfeld (HC ) erzeugt wieder ein unmagnetisches
Material. Die Hystereseverluste sind die Diffe-
renz zwischen der Energie, die in einer Periode,
also mit einem vollständigen Umlauf der Hyste-
reseschleife, aufgenommen und wieder abgege-
ben wird. Sie entsprechen dem Flächeninhalt der
Hystereseschleife. Wird die Aussteuerung herab-
gesetzt, dann verringert sich auch die von der
Hystereseschleife gebildete Fläche (Abb. 2.45b).
Die Gesamtverluste setzen sich aus den Hyste-
rese-, den Wirbelstrom- und den Kupferverlusten
zusammen. Die statischen Hysteresekurven sind
schmaler als die bei höheren Frequenzen. Um die
Hystereseverluste möglichst klein zu halten, sol-
len die für Induktivitäten in Frage kommenden
Werkstoffe eine möglichst schmale Hysterese-
schleife haben. Man spricht von weichmagneti-
schen Werkstoffen; Permanentmagnete dagegen
werden aus hartmagnetischem Material herge-
stellt, das eine möglichst große Koerzitivfeldstär-
ke HC besitzt (HC
103 A=m).
Abb. 2.45 Hysteresekurven. a Mit und ohne Luftspalt,
b mit verschiedenen Induktionen, c mit unipolarer Induk-
tion 2.4.1.6 Ferrimagnetisches Material
Ferrimagnetisch werden die Eigenschaften von
Ferriten genannt. Es sind weichmagnetische
die Eigenschaften von ferro- oder ferrimagneti- Werkstoffe mit einer kristallinen Struktur, die
schen Materialien. In Abb. 2.45 sind Hysterese- hauptsächlich aus Eisenoxid (Fe2 O3 ) und Bei-
kurven von weichmagnetischen Werkstoffen dar- mengungen von Oxiden aus Zink, Nickel,
gestellt. Die erstmalige Aufmagnetisierung folgt Mangan (ZnO, NiO, MnO) oder anderen Metal-
der sogenannten Neukurve. Die maximal mög- len bestehen. Ferrite erzeugt man durch Sintern
liche Induktion ist die sogenannte Sättigungs- vorgeformter Teile. Dieser Vorgang ähnelt dem
induktion BS . Bei ihr sinkt die Permeabilitäts- Brennen von Keramik, deshalb spricht man auch
zahl r bis auf 1 (Abb. 2.45a oben rechts). Wird von schwarzer Keramik. Im Vergleich zu Me-
die magnetische Feldstärke H zu null (H D 0), tallen haben Ferrite einen hohen spezifischen
dann bleibt eine Restinduktion übrig, die man Re- Widerstand , so dass selbst bei hohen Frequen-
2 Passive Bauelemente 141

Tab. 2.12 Eigenschaften Eigenschaft Wert


von Ferriten Linearer Ausdehnungskoeffizient ˛ 105 =K
Wärmeleitfähigkeit 5  103 J=(mm s K)
Spezifische Wärme cW 103 J=(kg K)
Spezifischer Gleichstromwiderstand  0,1 bis 4  m
Induktion B nahe der Sättigung (H 5000 A m)
Filtermaterial (nutzbarer Wert) 380 mT (10 mT)
Leistungsübertragermaterial (nutzbarer Wert) 500 mT (350 mT)
Hochfrequenzmaterial 110 mT B 390 mT
Anfangspermeabilität i (Ringkern) 10:000

zen nur kleine Wirbelstromverluste entstehen werden (Tab. 2.11). Soweit dies für die Anwen-
können. Der spezifische Widerstand  von Fer- dung erforderlich ist, gibt es alle Kerne auch
riten liegt um 106 bis 1010 höher als der von mit verschieden großem Luftspalt. Je größer der
Ferromagnetika. Die wichtigsten Eigenschaften Luftspalt, desto kleiner ist der AL -Wert (kleiner
sind in Tab. 2.12 zusammengefasst. AL -Wert bedeutet niedrige Permittivitätszahl r ;
Die Angabe  m für den spezifischen Wider- Abschn. 2.4.2.5), der dafür aber umso genauer
stand  lässt sich folgendermaßen umrechnen: eingehalten werden kann.

 mm2 2.4.1.7 Ferromagnetika


1  m D 106 Außer Eisen (Fe) haben vor allem Nickel (Ni)
m
und Kobalt (Co) ferromagnetische Eigenschaf-
Auf weitere physikalische Unterschiede zwi- ten. Nickel und Kobalt verwendet man als
schen ferro- und ferrimagnetischen Werkstoffen Legierungsbestandteile für Kerne mit weich-
wird nicht näher eingegangen, da sich für die magnetischen Eigenschaften. Eisen mit einem
Anwendung keine wesentlichen Unterschiede er- Anteil von 3 % Silicium (Siliciumeisen) findet als
geben. Die angebotene Typenvielfalt an Ferriten Dynamoblech eine vielfältige Anwendung. Eine
und Kernformen ist groß. Ferrite zum Bau von Übersicht über die wichtigsten ferromagneti-
Breitbandüberträgern und Schwingkreisen sind schen Werkstoffe ist in Tab. 2.13 wiedergegeben.
für kleine Induktionen (B 10 mT) ausgelegt,
während Ferrite für Leistungsanwendungen mit Bleche
Induktionen von B 350 mT betrieben werden Da weichmagnetische Metall-Legierungen im
können. Gegensatz zu Ferriten einen wesentlich niedrige-
Die herkömmlichen Netzteile (z. B. 50 Hz- ren spezifischen Widerstand  aufweisen, müssen
Transformator, Gleichrichter, Ladekondensator diese, um die Wirbelstromverluste bei Wechsel-
und Regler) werden immer mehr durch getak- strom niedrig zu halten, zu dünnen Blechen oder
tete Netzteile ersetzt. Die Netzspannung wird Folien ausgewalzt werden. Für Anwendungen
gleichgerichtet und zu Wechselspannung im bei Frequenzen von f D 50 Hz sind Blechdi-
Frequenzbereich zwischen 100 kHz und 1 MHz cken von d 0;35 mm üblich. In Abb. 2.46
zerhackt. Wegen der wesentlich kleineren Haupt- sind die wichtigsten Geometrien der Dynamo-
induktivität ist der Trafo viel kleiner und leichter. bleche für Transformatoren und der bewickelten
Das magnetische Material muss allerdings für Schenkel schematisch dargestellt.
die hohen Frequenzen (bis 100 MHz) geeignet Sind bei einem ferromagnetischen Material
sein. Dynamoblech ist das nicht. Das erklärt auch die magnetischen Eigenschaften in allen Rich-
den Rückzug der konventionellen Trafos und tungen gleich, so spricht man von einem isotro-
den verstärkten Einsatz der Kleintransformatoren pen Verhalten. Durch Walzen von beispielsweise
mit Ferritkernen bei hohen Frequenzen. Ferrite Siliciumeisen (SiFe) erreicht man eine paralle-
können in verschiedenen Kernformen hergestellt le Ausrichtung der Kristallachsen (Anisotropie)
142 E. Hering und K. Bressler

Tab. 2.13 Eigenschaften von Ferromagnetika


Kristallines Gefüge
i Hc =A=M Bs .Js /=T Bemerkung
(Verwendung)
Dynamoblech, isotrop (DIN 46400) 100 2; 1 (Trafos)
Silicium-Eisenblech (3 % Si) anisotrop, 2000
20 2 (Trafos)
kornorientiert
Reineisen 2300
12 2; 1 (Polschuhe)
% Ni
Nickel-Eisen 36–40 9  103
20 1; 4 rechteckige und flache
(NiFe) (IEC 404-2) Hysteresekurven möglich
45–50 15  103
5 1; 6
54–68 60  103
5 1; 5
72–83 250  103
2; 5 1
Cobalt-Eisen % Co hohe Sättigungsinduktion
(CoFe)
47–50 1; 2  103
100 2; 3
Amorphes Gefüge
Legierungsbestandteile: i Hc =A=m Bs .Js /=T Schleife
Fe, Co, Ni, sowie B, C, P und Si als Glas- 8  103 0; 7 D B flach
bildner

50  103 0; 8 0; 8 rund
600  103
0; 4 0; 55 rechteckig
nanokristallin: 4  103 bis <3 1,2 Band
Basis: Fe, Si, B; Zusätze von Nb und Cu 15  104

Verfügung. Es gibt auch Bänder aus amorphem


Metall (s
17 m), auch metallisches Glas ge-
nannt. Zur Herstellung von amorphen Metallen
lässt man deren Schmelze sehr schnell erkal-
ten, so dass sich kein kristallines Gefüge bilden
kann. Hierzu spritzt man das schmelzflüssige
Metall auf eine oder zwischen zwei sich sehr
schnell drehende Walzen. Damit sich kein kris-
Abb. 2.46 Kernbleche. a EI-Schnitt b M-Schnitt c UI-
Schnitt tallines Gefüge bilden kann, ist die Schmelze
mit einer Geschwindigkeit von bis zu 106 K=s
abzuschrecken. Deshalb lassen sich nur ver-
gleichsweise dünne Bänder (d 0;05 mm)
und damit in Walzrichtung eine magnetische Vor- herstellen. Mit nanokristallinen Legierungen
zugsrichtung (hohes , und rechteckige Hyste- können mit der oben beschriebenen Technolo-
reseschleife). Man spricht von kornorientiertem gie ebenfalls dünne Bänder mit einer Dicke von
Blech. Solche Dynamobleche mit 3 % Si verwen- 20 m hergestellt werden. Diese Legierungen
det man für die meisten Netztransformatoren. haben eine große Bedeutung erlangt, weil sie
eine geringe Banddicke aufweisen, eine sehr
Bänder hohe Permittivitätszahl r , (bis zu 150.000),
Für Spulen und Transformatoren mit kleinem Vo- einen relativ hohen spezifischen elektrischen
lumen bei höheren Frequenzen (f 20 kHz) ste- Widerstand  (1,1 m bis 1,2 m), einen
hen Ringkerne aus dünnen Bändern (s
30 m) sehr guten Frequenzgang sowie günstige ther-
mit Legierungen von hohem Nickelanteil zur mische Eigenschaften (z. B. konstantes r , im
2 Passive Bauelemente 143

Bereich von 40 °C bis C120 °C). Das be- mal ausnutzen. Wird nach dem Wickeln jeder La-
deutet unter anderem, dass hohe Induktivitäten ge eine sogenannte Lagenisolation aufgebracht,
mit relativ wenigen Windungen verwirklicht dann spricht man von einer Lagenwicklung. Bei
werden können. Dadurch kann das Bauvolu- einer Präzisionswicklung ist zusätzlich die Win-
men um einen Faktor 3 verkleinert werden. dungszahl jeder Lage vorgeschrieben.
Besondere Anwendungsfeder sind: Solarwech-
selrichter, Frequenzumrichter, Schaltnetzteile, 2.4.2.2 Wicklungskapazität
Windgeneratoren, EMV-Filter, unterbrechungs- In den meisten Fällen liegen die Windungen dicht
freie Stromversorgungen, Induktionskochfelder aneinander und die Lagen sind über die gesam-
und Anwendungen im Automobilbereich. te Breite des Spulenkörpers gewickelt. Bei dieser
allgemein üblichen Wickeltechnik liegt der Wick-
Massekerne lungsanfang auf dem Ende der jeweils darüber
Diese Kerne stellt man aus sogenannten Pulver- liegenden Wicklung; die Lagen sind also mä-
verbundwerkstoffen her. Sie bestehen meistens anderförmig angeordnet, wie beispielsweise die
aus Nickel-Eisen-Pulver mit einem Nickelanteil gefalteten Seiten von Endlos-Druckerpapier. Da
von bis zu 80 %. Eine Kunststoffumhüllung der die Spannung zwischen dem Wicklungsanfang
einzelnen Nickeleisen-Partikel bewirkt einen und dem darüber liegenden Wicklungsende am
dreidimensionalen und um den ganzen Kern- höchsten ist, wirkt sich hier die Eigenkapazität
umfang homogen verteilten Luftspalt, welcher der Wicklung stark aus.
Wirbelströme in allen drei Achsen unterdrückt. Die Wicklungskapazität und die Hauptinduk-
Vorteilhaft sind deren lineare Magnetisierungs- tivität der Spule bilden einen Schwingkreis. Die
kurven mit möglichst konstanter Permeabilität Grenzfrequenz fg einer Induktivität ist erreicht,
selbst bis zu hohen Induktionen. Diese eignen wenn der Serienwiderstand R gleich groß ist wie
sich gut für Drosseln, denen ein Gleichstrom der Betrag des komplexen Widerstandes der In-
überlagert ist (Speicherdrosseln in Stromver- duktivität, wenn also gilt: R D j!L, (! D 2 f ).
sorgungen s. Abschn. 17.3). Nachteilig sind Bei der Resonanzfrequenz fres sind die Beträge
deren recht hohe Koerzitivfeldstärke HC und die der komplexen Widerstände der Induktivität und
vergleichsweise geringe Permittivitätszahl r . der Kapazität gleich groß. Es gilt: j!L D 1=j! C .
Massekerne haben überwiegend die Form von Hieraus ergibt sich die Resonanzfrequenz zu
Ringkernen und kleinen Stabkernen (Stiftker- r
1 1
nen). fres D
2   LC
Die Eigen-Resonanzfrequenz fres des Schwing-
2.4.2 Wicklungseigenschaften kreises, der aus der Induktivität L und der parasi-
tären Eigenkapazität Cp gebildet wird, ist niedrig.
2.4.2.1 Zylinderwicklung (Solenoid) Deshalb ist die Verwendung in einem Schwing-
Die am häufigsten verwendete Art der Wicklung kreis oder als Wicklung eines Transformators für
hat die Form eines Zylinders und ist mehrlagig. hohe Frequenzen oft nicht möglich.
Einlagige Spulen sind einfach herzustellen und Um den Einfluss der Eigenkapazität Cp einer
finden wegen ihrer kleinen Eigenkapazität Cp in Spule zu verringern, ist diese, oder die Span-
Hochfrequenzschaltungen Verwendung. Wenn an nung zwischen sich berührenden Windungen und
die wirksame Eigenkapazität der Spule keine be- Wicklungen, so klein wie möglich zu halten. Eine
sonderen Anforderungen gestellt werden (z. B. Verbesserung der kapazitiven Bürde erreicht man
bei Relais), kann der Kupferdraht ungeordnet auf durch eine Vergrößerung des Abstandes zwischen
den Spulenkörper gewickelt werden. Mit dicht den einzelnen Lagen, mittels einer Polycarbonat-
aneinander anliegenden Windungen und voll be- folie (PC) als Lagenisolation einer Lagenwick-
wickelten Lagen lässt sich der Wickelraum opti- lung.
144 E. Hering und K. Bressler

den. Nachteilig ist die sehr aufwändige Herstel-


lung.

2.4.2.3 Scheibenwicklung
Von einer Scheibenwicklung wird gesprochen,
wenn die Höhe der Wicklung größer als deren
Breite ist. Scheibenwicklungen finden bei-
spielsweise für Hochspannungstransformatoren
Verwendung, um die Spannung pro Lage genü-
Abb. 2.47 Lagenwicklung. a normale Lagenwicklung,
b gleichgerichtete Lagenwicklung gend klein zu halten. Eine Scheibenwicklung
kann auch als gedruckte Leiterplatte gestaltet
sein, wobei die magnetische Achse senkrecht zur
Plattenoberfläche verläuft. Vor allem kleine Wer-
Eine weitere Verbesserung der kapazitiven
te der Induktivität lassen sich in dieser Form auf
Bürde ist durch eine gleichgerichtete Lagen-
einer gedruckten Leiterplatte realisieren.
wicklung zu erreichen. Die gleichgerichtete
Lagenwicklung ist eine Präzisionswicklung, bei
der die Anfänge und die Enden der einzelnen La- 2.4.2.4 Ringkernspule (Toroid)
gen jeweils am selben Flansch des Spulenkörpers Mit einem Ringkern lassen sich besonders streu-
liegen. In Abb. 2.47 ist die Lagenwicklung und arme Induktivitäten aufbauen. Niedrige magne-
die gleichgerichtete Lagenwicklung schematisch tische Ausstreuungen erreicht man, wenn mög-
anhand einer Hälfte eines durchgeschnittenen lichst alle Feldlinien innerhalb des Kerns ver-
Spulenkörpers und mit rot gekennzeichneter La- laufen. Zu diesem Zweck muss die Wicklung
genisolation dargestellt. gleichmäßig über den gesamten Umfang verteilt
Bei einer gleichgerichteten Lagenwicklung sein, und der Außendurchmesser des Kerns sollte
wickelt man eine Lage voll und dann mit nur nicht wesentlich kleiner als der Innendurchmes-
wenigen Windungen zurück bis an den Anfang ser des Rings sein. Auch Ringkernspulen haben
der Wicklung, wobei nach jeder Windung ei- ein Streufeld. Werden die Lagen in nur einer
ne Lagenisolation eingelegt wird. Die parasitäre Drehrichtung gewickelt, so wirkt jede Lage ähn-
Kapazität Cp wird umso niedriger, je weniger lich wie eine Windung, die auf dem äußeren
Windungen jede Lage hat. Kernumfang aufgebracht ist. Daraus ergibt sich
Eine kostengünstige Möglichkeit zur Verrin- ein Streufeld in axialer Richtung. Für hohe Fre-
gerung von Cp ist die Verwendung von Mehrkam- quenzen, für die kein geeigneter Ferrit mehr zur
mer-Spulenkörpern, deren Wickelraum in mehre- Verfügung steht, verwendet man magnetisch neu-
re Kammern aufgeteilt ist. Hierdurch kann man in trale Keramikringe.
den meisten Fällen auf eine Lagenwicklung oder Ringkerne aus Ferrit sind bevorzugt für Funk-
eine gleichgerichtete Lagenwicklung verzichten. entstördrosseln im Einsatz, da deren Eisenweg
Sehr kleine parasitäre Kapazitäten Cp lassen nicht von einem Luftspalt unterbrochen wird und
sich mit einer sogenannten Kreuzwicklung errei- deshalb hohe Induktivitäten zu verwirklichen
chen. Bei ihr liegen die Lagen nicht parallel, sind. Auf den Kern bringt man mindestens zwei
sondern im spitzen Winkel übereinander, so dass vollkommen identische Wicklungen auf. Diese
sich die Kupferdrähte von übereinanderliegen- Drosseln schaltet man so, dass in beiden Wick-
den Lagen nur an einzelnen Punkten gegenseitig lungen der entgegengesetzt gleiche Strom fließt
berühren. Die Kreuzwicklung weist auch wegen und sich dessen Wirkungen im Kern kompensie-
des stetigen Wicklungsaufbaus eine sehr gleich- ren. Es sind die sogenannten stromkompensierten
mäßige Spannungsaufteilung zwischen den La- Drosseln. Da die Kerne keinen Luftspalt besitzen,
gen auf. Dadurch werden Überschläge vermie- ist eine hohe Permeabilität leicht zu erreichen,
2 Passive Bauelemente 145

so dass gute Dämpfungen von hochfrequenten Induktion B erhöht. Die magnetische Feldkon-
Gleichtakt-Störströmen zu erzielen sind. stante 0 ist eine Naturkonstante und besitzt fol-
genden Wert:
2.4.2.5 Induktivität einer Zylinderspule
Wb
Die Induktivität einer Zylinderspule wird nach- 0 D 4   107 (2.33)
folgend anhand der Induktionsgesetze erläutert. Am
Wie M. FARADAY (1791 bis 1867) erkann- Die magnetische Feldstärke H einer langen Zy-
te, wird durch jede zeitliche Änderung dt linderspule (Solenoid) ist beispielsweise
des magnetischen Flusses d eine elektrische
Spannung uind induziert, die proportional zur N I
Windungszahl N ist: H D (2.34)
le

d wenn deren Länge l D le  d ist (le ist die


uind D N (2.30)
dt effektive magnetische Weglänge). Ersetzt man d
durch die Gl. 2.31, 2.32 und 2.34, so erhält man
Der magnetische Fluss  ist wie folgt definiert:
Z Z N 2 dI
uL D  Ae (2.35)
D B dA D B cos ' dA le dt

Der Ausdruck vor der Stromänderung (dI =dt)


und besitzt die Einheit Wb (Weber), wobei bestimmt die Induktivität L einer Spule, so dass
1 Wb D 1 Vs ist; dabei ist ' der Winkel zwischen gilt
der Normalen der Fläche A und der Richtung des Ae N 2
magnetischen Flusses B. Bei einer ebenen Fläche L D  0  r (2.36)
le
und senkrecht darauf stehender Induktion kann
Die Selbstinduktionsspannung uL ist:
man vereinfacht schreiben
dI
 D BAe (2.31) uL .t/ D L (2.37)
dt

wobei Ae die effektive magnetisch wirksame Flä- Setzt man die beiden Gl. 2.35 und 2.37 gleich,
che und B die magnetische Induktion sind. Es dann erhält man die Induktivität L einer Zylin-
gilt: derspule (Solenoid) zu:

 Ae N 2
BD oder allgemein LDf (2.38)
A le
d
BD Der Faktor f ist 1, wenn die effektive Län-
dA
ge le für die Spule wesentlich größer ist als deren
Die magnetische Induktion B ist mit der magne- Durchmesser. Außerdem darf die Frequenz nur
tischen Feldstärke H durch die Permeabilität  so niedrig sein, dass man den Skin-Effekt noch
verknüpft. Sie ist das Produkt aus der magneti- vernachlässigen kann. Die Induktivität eines über
schen Feldkonstanten  und der Permeabilitäts- den Umfang gleichmäßig bewickelten Toroids
zahl r : (Ringkernspule) erhält man durch Einsetzen der
mittleren Weglänge des Toroids le D 2   r.
B D H; mit  D 0 r (2.32) Die Einheit der Induktivität L ist das Henry
(H), wobei 1 H D 1 Vs=A D 1  s ist.
Die Permeabilitätszahl r ist eine dimensionslo- Die Induktivität beträgt 1 Henry, wenn bei ei-
se Zahl, die im Vakuum den Wert 1 hat. Sie gibt ner Änderung der Stromstärke um 1 A innerhalb
an, um welches Verhältnis sich die magnetische von 1 s eine Spannung von 1 V induziert wird.
146 E. Hering und K. Bressler

In der Praxis verwendet man die sogenannten Zur Dimensionierung von Speicherdrosseln
AL -Werte. Dazu formt man die Gl. 2.36 so um, verwendet man unterschiedliche Verfahren. Man-
dass auf der rechten Seite nur N 2 steht und die che Hersteller von Ferriten geben eine Hanna-
restlichen Größen in der Größe AL zusammenge- Kurve an, die für eine Kernform mit einem Ma-
fasst sind. Es gilt: terial gültig ist. In den Hanna-Kurven werden
Li 2 über der optimalen Durchflutung D D NI
Ae N 2 als Funktion des Luftspaltes dargestellt. Nicht
L D 0 r D AL  N 2 :
le berücksichtigt wird die fast ausschließlich durch
Im Faktor AL sind demnach die Permeabilität den Kupferwiderstand verursachte Eigenerwär-
( D r ), der effektive Querschnitt Ae , die mung (Kupferverluste) der Drossel. Deshalb ist
Länge des Eisenweges l und eines eventuell vor- eine tabellarische Angabe von optimierten Wer-
handenen Luftspalts berücksichtigt. Üblicherwei- ten für eine vorgegebene Temperaturerhöhung
se wird AL in nH pro Windung zum Quadrat an- # praxisgerecht. Hierin sind die Werte für LI 2
gegeben. Der AL -Wert entspricht nach Tab. 2.10 und die dazugehörigen optimalen Werte für NI
dem Leitwert bzw. dem Kehrwert des magneti- enthalten, sowie die Breite des Luftspalts sL und
schen Widerstandes Rm , so dass gilt: die effektive Überlagerungspermeabilität eff ./
bei einer definierten Temperaturerhöhung #.
AL D 1=Rm oder L D N 2 =Rm Andere Hersteller beschränken sich auf die Anga-
be der reversiblen Permeabilität in Abhängigkeit
Kennt man den AL -Wert einer Spule, so kann von der Feldstärke H mit der effektiven Permea-
man die Windungen N ausrechnen, die man zu bilität als Parameter. Diese Kurven gestatten eine
einer bestimmten Induktivität L benötigt. Abschätzung des Verlaufs der Induktivität bei
Besteht die Rückleitung eines gestreckten Lei- zunehmender Gleichstrom-Vormagnetisierung.
ters aus einer metallischen Wand mit einem Ab-
stand, der ein Vielfaches des Leiterdurchmessers
beträgt, dann lässt sich die Induktivität des ge- 2.5 Dioden
streckten Leiters definieren.
Die Induktivität einer einzelnen kreisförmi- Dioden sind unsymmetrisch aufgebaute Zweipo-
gen Leiterschleife lässt sich mit folgender Nähe- le, deren Widerstand von der Polarität und der
rungsformel beschreiben: Größe der angelegten Spannung abhängt. Heu-
   te ist Silicium das wichtigste Grundmaterial für
L D D=cm
D2  ln I Dioden. Germanium wird nur noch für Sonderfäl-
nH cm d=cm
le im Hochfrequenzbereich verwendet. Gallium-
Spulendurchmesser D und Drahtdurchmesser d arsenid eignet sich durch die hohe Beweglichkeit
in cm. der Ladungsträger gut für Halbleiter im GHz-
Bereich, es wird aber wegen seines hohen Preises
Hinweise zur Dimensionierung von Drosseln noch wenig eingesetzt.
mit überlagertem Gleichstrom (z. B. Speicher- Dioden bestehen aus zwei unterschiedli-
drosseln in Stromversorgungen) Kerne für In- chen Werkstoffen, meistens p- und n-dotiertem
duktivitäten mit einem überlagertem Gleichstrom Silicium, wobei der Widerstand der Grenz-
benötigen einen Luftspalt, damit dieser nicht sät- schicht unter anderem von der Richtung und
tigt. Wie in Abb. 2.45a dargestellt, reichen bei dem Betrag des angelegten elektrischen Feldes
Kernen ohne Luftspalt schon kleine magnetische abhängt. Schottky-Dioden bestehen aus einem
Feldstärken H aus, um den Kern zu sättigen. Halbleiter-Metall-Übergang, der eine ähnli-
Dies gilt insbesondere für Ringkerne. Je größer che Ventilwirkung wie ein pn-Übergang hat.
der Luftspalt ist, umso höher kann die Feldstär- In Abschn. 1.8.7 ist der pn-Übergang und in
ke werden, ohne dass der Wert der Induktivität L Abschn. 3.1.3.1 die Diodenkennlinie als Ein-
abfällt. gangswiderstand eines Transistors beschrieben.
2 Passive Bauelemente 147

Abb. 2.48 Aufbau einer Diode; a pn-Übergang ohne angelegte Spannung; b pn-Übergang in Sperrrichtung vorge-
spannt; c pn-Übergang in Durchflussrichtung betrieben

Eine Diode besteht, wie Abb. 2.48 zeigt, aus der Dioden durch folgende Parameter bestimmt:
zwei verschieden dotierten Schichten eines Halb- die Fläche der Sperrschicht, ihre mögliche Dicke
leitermaterials. Dabei enthält p-leitendes Silicium und die Art der Kontaktierung sowie die Do-
Störstellenatome mit drei Valenzelektronen, bei- tierung. Bei der Dotierung beeinflussen die ver-
spielsweise Aluminium und n-leitendes Silicium wendeten Elemente und ihre Konzentration die
und Störstellenatome mit fünf Valenzelektronen, elektrischen Daten erheblich. Mit zunehmender
beispielsweise Phosphor. Im n-Material neutra- Störstellenkonzentration wird der Halbleiter nie-
lisieren die zusätzlichen Elektronen die höhere derohmiger, da mehr Ladungsträger vorhanden
positive Ladung des Kerns; sie haben aber keinen sind. Gleichzeitig sinkt die maximale Sperrspan-
festen Platz im Kristallgitter und können un- nung, da im stärker dotierten Halbleiter auch in
ter dem Einfluss der Wärmebewegung in das Sperrrichtung eher Ladungsträger aktiviert wer-
p-Material diffundieren, wo zwar keine ent- den als in einem schwach dotierten Material. Die
sprechenden Kernladungen, aber die Plätze im Gleichstromkennlinien in Abb. 2.50 weisen auf
Kristallgitter vorhanden sind. Dadurch entsteht diesen Zusammenhang hin, wobei nur einige Di-
im stromlosen Zustand am Rand der Sperrschicht odentypen dargestellt sind.
im p-Material eine negative und im n-Material
eine positive Raumladung (Abb. 2.48a). Eine
zwischen n- und p-Material angelegte positi- 2.5.1 Schaltdioden
ve Spannung vergrößert diese Raumladungen
auf beiden Seiten. Das elektrische Feld drängt Schaltdioden sind schnelle Dioden mit kleiner
die Ladungsträger aus der Sperrschicht, und Leistung. Liegt innerhalb der Schaltung an der
der Stromfluss ist weitgehend unterbrochen Diode eine Spannung in Durchlassrichtung an,
(Abb. 2.48b). Minoritätsträger, das sind Elek- dann ist die Diode niederohmig und sie leitet
tronen in der positiven und Löcher in der den Strom und das Signal weiter. Ist die Dioden-
negativen Raumladungszone, werden vom elek- spannung in Sperrrichtung gepolt, dann sperrt
trischen Feld durch die Sperrschicht getrieben die Diode den Strom und das Signal. Diese Di-
und verursachen den Reststrom in Sperrrichtung. oden werden in großer Stückzahl preisgünstig
Liegt eine positive Spannung zwischen p- und hergestellt und vielfältig eingesetzt. Sie wer-
n-Material (Abb. 2.48c), dann unterstützt das den deshalb auch Universaldioden genannt. Die
elektrische Feld die aus Abb. 2.48a bekannte wichtigsten typischen Daten sind: Sperrspannung
Diffusion der Elektronen und der Strom steigt 50 V bis 100 V, Dauerdurchlass-Strom 50 mA bis
exponentiell mit der angelegten Spannung an 200 mA, Schaltzeiten zwischen 2 ns und 20 ns.
(Gl. 1.138). Die Restströme können meistens vernachlässigt
Für die vielen verschiedenen Anwendungs- werden.
bereiche wurden unterschiedliche Diodentypen Es gibt verschiedene Typen der Schaltdioden,
entwickelt. Abbildung 2.49 zeigt eine Übersicht. deren Eigenschaften für den jeweiligen Anwen-
Dabei werden die die elektrischen Eigenschaften dungsfall optimiert sind. Die Verbesserung ei-
148

Abb. 2.49 Übersicht über Dioden und Gleichrichter


E. Hering und K. Bressler
2 Passive Bauelemente 149

Abb. 2.50 Abnahme der Sperrspannung mit zunehmender Dotierung. a Schalterdiode, b Gleichrichterdiode mit kon-
trolliertem Durchbruch, c Z-Diode, d Backwarddiode, e Tunneldiode

Abb. 2.51 Schaltverzögerung einer Diode; a Messschaltung; b Spannungen und Ströme an der Diode

ner Eigenschaft, beispielsweise eine sehr kurze Das elektrische Feld in der Sperrschicht be-
Schaltzeit, verschlechtert im Allgemeinen ande- schleunigt und bewegt die Ladungsträger. Ändert
re Daten und kann zu einer Diode mit kleine- sich das Feld, dann ändert sich die Leitfähigkeit
rer Sperrspannung und einem höheren Reststrom der Sperrschicht erst, wenn die Ladungsträger
führen. Da normalerweise nur ein oder zwei Para- ihre neue Lage haben. Der Strom folgt der Span-
meter wichtig sind, lässt sich aus den Datenblät- nung nicht unmittelbar, sondern mit einer kleinen
tern im Internet immer der passende Halbleiter nichtlinearen Verzögerung (Abb. 2.51).
finden. Abbildung 2.51a zeigt die prinzipielle Mess-
Die Durchlasskennlinie entspricht der Ein- Schaltung, Abb. 2.51b die Ansteuerspannung und
gangskennlinie eines bipolaren Transistors (Abb. den zeitlichen Verlauf des Diodenstroms. Beim
3.7). Sie besitzt auch denselben Temperaturgang, Einschalten liegt die volle Generatorspannung
und der Sperrstrom bei 25 °C Sperrschichttempe- kurzzeitig in Durchlassrichtung an der Diode an.
ratur kann fast immer vernachlässigt werden. Mit Sobald genügend Ladungsträger in der Sperr-
zunehmender Temperatur steigt der Sperrstrom schicht sind, sinkt die Spannung auf die normale
stark an. Erhöht sich die Sperrschichttemperatur Durchlassspannung ab. Die erforderliche Zeit
um 125 K, dann steigt der Reststrom ungefähr heißt Einschaltverzögerungszeit (engl.: forward
um den Faktor 1000. recovery time tfr ); sie dauert 0,5 ns bis 50 ns.
150 E. Hering und K. Bressler

2.5.2 Schottky-Dioden

Schottky-Dioden (engl.: Schottky-Barrier-Di-


odes) haben keinen pn-Übergang sondern einen
Metall-Halbleiter-Übergang. Abbildung 2.53a
zeigt den Aufbau, Abb. 2.53b die Wirkungs-
weise einer Schottky-Diode im Sperrbetrieb und
Abb. 2.53c im Durchlassbetrieb. In Schottky-
Dioden tragen nur Majoritätsträger zur Strom-
leitung bei. Wechselt das elektrische Feld an der
Sperrschicht die Richtung, dann bildet sich sehr
schnell eine isolierende Sperrschicht. Die Sperr-
Abb. 2.52 Entkopplung der Eingangssignale mit Schalt- verzögerungszeit trr verkürzt sich auf 100 ps bis
dioden 10 ps (ps: Picosekunden D 1012 s). Abhängig
von ihrem Aufbau und der Kontaktierung eig-
nen sich Schottky-Dioden bis zu Frequenzen von
Wird die Spannung an der Diode umgepolt, dann 40 GHz. Wegen der hohen Schaltgeschwindig-
ändert sich die Stromrichtung und die Diode keit heißen sie im Englischen auch Hot-Carrier-
verhält sich während der Sperrverzögerungszeit Diodes.
(engl.: reverse recovery time trr ) wie ein ohm- Die Durchlass-Spannung einer Schottky-Si-
scher Widerstand. Während dieser Zeit räumt das gnaldiode ist bei kleinen Strömen (0,1 mA bis
elektrische Feld die Ladungsträger aus der Sperr- 1 mA) wesentlich kleiner (0,35 V bis 0,4 V) als
schicht aus. Die Sperrverzögerungszeit hängt bei Sperrschichtdioden (0,6 V). Die hohen Ar-
vom Diodentyp und dem Durchlassstrom ab und beitsfrequenzen erfordern ein System mit kleiner
dauert 2 ns bis 100 ns. Dioden halten kurzzei- Kapazität, die beispielsweise durch eine kleine
tig Stoßströme iFstoß aus, die bis zum 50-fachen aktive Fläche des Chips realisiert wird. Dadurch
des zulässigen Dauerdurchlassstroms IF betra- steigt der Durchlasswiderstand der Diode, die
gen können. Maßgebend ist die Wärmekapazität Kennlinie ist weniger steil als bei einer pn-Si-
des Halbleiterchips sowie die Impulsdauer und gnaldiode, wie Abb. 2.54 zeigt. Nachteilig ge-
-wiederholrate. Die zulässigen Stoßströme kön- genüber Sperrschichtdioden ist die auf 50 V bis
nen den Datenblättern entnommen werden. 100 V begrenzte Sperrspannung; höhere Sperr-
spannungen sind selten. Auch der Sperrstrom ist
vor allem bei höheren Temperaturen ungewöhn-
Beispiel 2.5-1
lich hoch. Die zulässigen Sperrschichttempera-
Ein Transistor wird aus drei verschiedenen
turen sind mit 125 °C deutlich niedriger als bei
Quellen mit dem logischen Pegel 0 oder 1
Dioden mit pn-Übergang.
angesteuert; die Signalquellen dürfen sich ge-
Tabelle 2.14 zeigt einige Beispiele aus der
genseitig nicht beeinflussen. Die Eingangs-
großen Bandbreite verschiedener Schottky-
signale sollen durch Schaltdioden entkoppelt
Dioden.
werden.
Schottky-Dioden finden als sehr schnelle
Schaltdioden für Signal-Gleichrichter, Mischer
Lösung und weitere Zwecke bei hohen und höchsten Fre-
In Abb. 2.52 werden die verschiedenen Ein- quenzen Verwendung. Dioden bis 1 GHz werden
gangssignale einer Logikschaltung durch in gängige SMD-Gehäuse eingebaut, beispiels-
Schaltdioden entkoppelt: Zwischen zwei Ein- weise SOT143 (SOT: Small Outline Transistor:
gangssignalen liegen stets zwei gegeneinander Transistor mit kleinem Grundriss als SMD-Bau-
gepolte Dioden, die einen Stromfluss und da- teil) oder SOD323 (SOD: Small Outline Diode:
mit eine Verkopplung verhindern. Diode mit kleinem Grundriss als SMD-Bauteil).
2 Passive Bauelemente 151

Abb. 2.53 Aufbau und Arbeitsweise einer Schottky-Diode; a Metall-Halbleiter-Übergang; b Metall-Halbleiter-


Übergang in Sperrschicht vorgespannt; c Metall-Halbleiter-Übergang in Durchlassrichtung vorgespannt

Tab. 2.14 Einige Schottky-Dioden für verschiedene Anwendungen


Diodentyp UR IF UF IR C Gehäuse Bemerkung
V mA mV A pF Abmessungen
1PS66SB17 4 30 360 0,25 0,8 SOD523 Hochfrequenzdemodulator,
1;7 1;3 Mischer
1PS66SB82 15 30 340 0,2 1 SOT666 Hochfrequenzdemodulator,
1;6 1;2 Mischer
BAT15-05 4 110 320 0,5 0,35 SOT323 Hochfrequenzdemodulator,
2 1;25 Mischer bis 12 GHz
BAS40-06 40 120 450 1 5 SOT143 Schalter, Klemmdiode,
2;9 1;3 (Clamping)
BAS3010B- 30 1A 420 10 40 SOD323 Schaltregler
03 W 2;5 1;25
16CTQ100 100 2 8 A 720 600 500 TO220AB Schaltregler
15 10

Dioden für höhere Frequenzen baut man in klei-


nere Gehäuse mit kurzen, breiten und deshalb
induktionsarmen Zuleitungen ein, beispielsweise
SOD523 oder SOT666 oder direkt als Chip in ei-
ne Schichtschaltung. Werden für eine Schaltung
mehrere Dioden benötigt, sind diese häufig in ei-
nem Gehäuse erhältlich, beispielsweise SOT323.
Durch das Herstellverfahren weichen ihre Daten
wenig voneinander ab. Der gute Wärmekontakt
sorgt für die gleiche Temperatur aller Dioden,
so dass sich Temperatureinflüsse bei richtiger
Beschaltung weitgehend kompensieren.
Abbildung 2.55a zeigt ein Schaltungsbeispiel
für einen einfachen Hochfrequenzdemodulator,
der aus einer Diode und einem Kondensator als
Tiefpass besteht. Sinkt der Spitzenwert der Ein-
gangsspannung des Hochfrequenzmodulators un-
Abb. 2.54 Durchlasskennlinien von Signal-Dioden: ter die Schwellspannung UD der Diode, dann
1 Shaltdiode mit pn-Übergang; 2 Schottky-Diode; liefert der Demodulator keine Spannung mehr.
3 Zero-Bias-Diode Die Schaltung nach Abb. 2.55b vermeidet die-
152 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.55 Hochfrequenz-Demodulatorschaltung; a Einfache Demodulatorschaltung; b HF-Demodulatorschaltung mit


unterdrückter Schwellspannung UD der Diode D

sen Nachteil: Hier fließt ein Vorstrom ID2 durch  Niedrige Fluss-Spannung UF , auch bei nied-
die Diode D2 und spannt sie um ihre Durchlass- rigen Kristalltemperaturen Tj , um die Durch-
spannung UD2 vor. Der gleiche Strom fließt durch lassverluste Pv klein zu halten.
die Diode D1 und verursacht an ihr die Durch-  Hohe Sperrspannung UR:
lassspannung UD1 . Die Anode D1 ist über C2 für  Niedriger Sperrstrom IR:
Hochfrequenz geerdet. Die positiven Halbwellen  Hohe Stoßstromfestigkeit (Surge Current)
der HF laden C3 über R1 auf. Die vorgespann- IFSM .
te Diode D1 schließt die negativen Halbwellen  Schnelles Ein- und Ausschalten (trr ) beim
schon bei kleinen HF-Spannungen kurz. Wenn Gleichrichten von Wechselspannungen mit
die Gleichströme ID1 und ID2 und die Tempe- Frequenzen f  50 Hz.
ratur beider Dioden gleich sind, kompensieren Gleichrichterdioden werden als Einzelelement,
sich die Durchlassspannungen UD beider Dioden Doppeldiode und als Vollbrücke angeboten. In
und der Demodulator arbeitet linear, auch wenn Tab. 2.15 wird ein kleiner Ausschnitt über Di-
die Hochfrequenz-Eingangsspannung kleiner als oden für verschiedene Anwendungen mit Daten
die Diodenspannung UD ist. Der Widerstand R1 und Gehäusen gegeben. Bei den Gehäusen ist
entkoppelt den Hochfrequenz führenden Eingang die Grundform angegeben: Hier gibt es zahlrei-
vom hochfrequenzfreien Ausgang. Bei R1  R che Varianten. Sofern nichts anderes vermerkt ist,
fallen an R1 Spannungen in Höhe von 100 mV sind Schaltregler die vorwiegende Anwendung.
bis 200 mV ab. Die Diodenschwellspannung UD Vollbrücken bestehen aus Einzeldioden, die
ist nur dann kompensiert, wenn R1 D R2 ist. zusammengeschaltet und in einem mit Gießharz
ausgefüllten Gehäuse eingebaut sind. Metallische
Gehäuse oder metallische Montageflansche von
2.5.3 Gleichrichterdioden
Plastikgehäusen haben in der Regel Kathoden-
Gleichrichterdioden dienen als Ventil und rich- potenzial, da die Kathode, mit Ausnahme von
ten Wechselströme in eine gleiche Richtung. Mit Dioden mit axialen Drahtanschlüssen, auf einem
ihnen werden Wechselspannungen möglichst metallischen Träger aufgelötet ist. Liegt die An-
verlustarm in Gleichspannungen umgeformt. ode am Gehäuse, dann ist dies bei Dioden, die
Gleichrichter sollen mehrere, teilweise einander nach dem Pro Electron-Schlüssel gekennzeichnet
widersprechende Forderungen erfüllen: sind, durch den Zusatz R in dem Typenaufdruck
2 Passive Bauelemente 153

Tab. 2.15 Daten und Gehäuse einiger Gleichrichter und Dioden


Typ Sperrspan- Durchlass- Durchlass- Erholzeit von Wärmewider- Gehäuse
Verwendung nung strom spannung IFAV =trr =ns stand Abmessungen
UR =V IFAV =A UFAV =V TC =K=W = mm
1N4148 75 V 0,2 1,0 4 240 DO-35
LL4148 75 V 0,2 1,05 4 300 4; 2 1; 8 d
Signaldiode 3; 5 1; 6 d
SOD27
1N4007 1000 1 1,1 lang 50 DO-41
Netzgleich- 1000 1 1,1 45 5; 0 2; 7 d
richter 5; 0 2; 5 d
SM4007 DO214AB
MBR7H45 45 7,5 0,63 <10 3 TO220AC
Schottkydiode 15 10
VS-4EW 200 4 0,9 23 2,7 TO252
H02FN-M3 7 6
BYW29EB/ED 150 8 0,9 < 25 2,7 SOT428
7 6
BYV25FX-600 600 5 1,3 18 5,5 TO220F
Boden isoliert 15 10
IDP15E60 600 15 1,5 100 1,8 TO220AB
15 10
IDW75E60 600 75 1,65 150 0,5 TO247
21 16
BYC15-600 600 15 1,4 19 1,5 TO220AC
15 10
BYV44 400 30 1,1 60 1,4 TO220AB
15 10
SKN3F20 1200 20 1,3 600 1,2 E7
SKR3F20

gekennzeichnet. R steht für reverse, der eng- Spannung am pn-Übergang. Der Spannungsab-
lischen Bezeichnung für invers. Beispielsweise fall wird durch die Herstellung nach dem Epita-
lautet eine Typenbezeichnung SKN3F20 und für xie-Verfahren klein gehalten. Dabei geht man
den invers gepolten Typ SKR3F20. Doppeldi- von einem hochdotierten und deshalb niederoh-
oden haben in der Regel eine gemeinsame Ka- migen Siliciumsubstrat aus. Gasförmige Silici-
thode, da beide Gleichrichterkristalle auf einem umverbindungen, beispielsweise SiCl4 , werden
gemeinsamen Träger sitzen. darüber zu Silicium reduziert, das als einkris-
Die Sperrströme IR von bipolaren Silicium- talline Schicht aufwächst und die aktive Schicht
Dioden sind vergleichsweise niedrig. Sie dürfen bildet. Ihre Stärke und ihre Dotierung richten
aber nicht vernachlässigt werden, da sie bei hö- sich nach den erwünschten Eigenschaften des
heren Sperrschichttemperaturen zusätzliche Ver- Halbleiters. Die Güte der aktiven Schicht wird
luste verursachen. nicht durch eine hochohmige Trägerschicht ver-
Die Durchlass-Spannungen UF von Gleich- schlechtert.
richterdioden erreichen UF D 2 V. Die Durch- Die Typen von Gleichrichterdioden können
lass-Spannung einer Diode setzt sich aus der typi- nach der Art ihrer Anwendung voneinander un-
schen Spannung am pn-Übergang (Gl. 1.138 und terschieden werden. Es sind:
Abb. 1.83b) und dem Spannungsabfall am ohm-  Gleichrichter für ein- oder mehrphasige Wech-
schen Widerstand im Chip zusammen. Die Geo- selspannung mit 40 Hz < f < 400 Hz.
metrie und die Dotierung der Diode beeinflus- Bei 230 V spricht man von Netzgleichrich-
sen den Sperrsättigungsstrom IS und damit die tern.
154 E. Hering und K. Bressler

 Schnelle Gleichrichterdioden, beispielsweise stoß ohne Zerstörung aufnehmen kann. Es


zur Verwendung in getakteten Stromversor- dient zur Dimensionierung einer Sicherung
gungen. als Kurzschluss-Schutz. Das Grenzlastintegral
der Sicherung muss kleiner sein als das des
Gleichrichters. Als Integrationszeit ist t D 1 ms
2.5.3.1 Netzgleichrichter ausreichend. Als Vorwiderstand eignet sich auch
Gleichrichterschaltungen für Wechselspannun- ein NTC (Abschn. 2.2.3.1), ein Widerstand
gen mit f D 50 Hz bestehen meistens nur aus mit negativem Temperaturkoeffizienten, des-
den Gleichrichtern selbst und einem Elektrolyt- sen Widerstand in der ersten Sekunde nach dem
kondensator (Abb. 2.37). Da der Kondensator Einschalten deutlich sinkt, wobei der große Wi-
in jedem Halbzyklus (t D 10 ms) nur teilweise derstand zu Beginn den Einschaltstrom begrenzt,
entladen wird, ergibt sich bei jedem Maximum der niedrigere Widerstand im warmen Zustand
der Spannung ein hoher Spitzenstrom. Es ist der geringere Verluste verursacht.
periodische Spitzenstrom IFRM . Der Wert des Die Sperrspannung ist eine wichtige Größe der
periodischen Spitzenstroms IFRM , mit dem ei- Diode oder des Gleichrichters. In Datenblättern
ne Gleichrichterdiode belastet werden darf, wird wird oft zwischen mindestens zwei verschie-
von den Herstellern spezifiziert. Der Spitzen- denen Sperrspannungen unterschieden. Es ist
strom IFRM darf je nach Diodentyp bis zu 22 mal die höchstzulässige periodische Scheitelspan-
höher als der Mittelwert IAV sein. Zur Ermittlung nung URWM und die höchstzulässige periodische
der in einem Gleichrichter verbrauchten Leistung Spitzensperrspannung URRM oder die höchstzu-
ist der Effektivstrom IFRMS maßgebend. RMS lässige Gleichsperrspannung UR . Bei Dioden, die
steht für root mean square, der engl. Bezeichnung im Lawinen-Durchbruch (Avalanche) betrieben
für die Quadratwurzel bzw. den Effektivwert. werden dürfen, gibt man anstelle von URRM nur
Der zulässige Durchlass-Strom kann zu- der Wert für UR an. Die Indizierung RWM ist
sammen mit der Durchlass-Spannung eine die Abkürzung für die englischen Ausdrücke Re-
Verlustleistung erzeugen, die innerhalb der zu- verse (inverse), Working (Arbeit) und Maximum
lässigen Übertemperatur nicht abgeführt werden und RRM bedeutet Repetitive (sich wiederho-
kann. Die Verlustleistung ist das Produkt aus lend) Reverse Maximum. Die höchstzulässige
dem Durchlass-Strom, der Durchlass-Spannung periodische Scheitelspannung URWM reicht bis zu
und der prozentualen Einschaltdauer. Die Ver- 1200 V, während die höchstzulässige periodische
lustleistung muss soweit begrenzt werden, dass Spitzensperrspannung URRM sogar bei 1600 V
die Wärme über den Boden der Leistungsdiode liegt. Die höchstzulässige periodische Spitzen-
und den Kühlkörper innerhalb der zulässigen sperrspannung URRM ist die Spitzenspannung,
Temperaturgrenzen abgeführt wird. die bei sinusförmiger Eingangsspannung am
Werden Gleichrichterschaltungen direkt vom Gleichrichter auftreten darf. Die dem Sinus even-
230-V-Netz betrieben, dann muss der Dioden- tuell überlagerten kurzzeitigen Spannungsspitzen
stoßstrom IFSM (FSM, engl.: Foreward Surge dürfen den für die periodische Spitzensperrspan-
Maximum) berücksichtigt werden. Werden beim nung URRM gegebenen Wert nicht überschreiten.
Einschalten eines Gerätes die beispielsweise Dabei sind Spannungsspitzen mit einem Tastver-
noch leeren Elektrolytkondensatoren aufgela- hältnis von d 0; 01 zulässig. Die periodische
den, so muss entweder der Innenwiderstand der Spitzensperrspannung URRM sollte beispiels-
speisenden Quelle (Netz oder Transformator) weise auch beim Abschalten von unbelasteten
ausreichend hoch sein, oder es muss ein entspre- Transformatoren nicht überschritten werden. Zur
chender Widerstand vorgeschaltet werden, um Bedämpfung sind dem Transformator RC-Glieder
den Diodenstoßstrom IFSM , auch IFStoß genannt, parallel zu schalten. Da Dioden mit kontrolliertem
zu begrenzen. R 1 ms Durchbruchverhalten in der Lage sind, die Sperr-
Das Grenzlastintegral 0 I 2 dt gibt an, verlustleistung PRSM aufzunehmen, braucht diese
welche Arbeit der Halbleiter als kurzen Strom- entsprechend weniger bedämpft zu werden.
2 Passive Bauelemente 155

Die Serienschaltung von Gleichrichtern erfor- Temperaturen und Verlustleistungen parallel ge-
dert Schutzmaßnahmen gegen die Überspannung. schalteter Dioden pendeln sich in der Nähe des
Normale Gleichrichterdioden darf man nur mit Maximums ein. Im Datenblatt wird auf die einfa-
einer Schutzbeschaltung in Reihe schalten. Da che Parallelschaltung hingewiesen.
die Sperrströme IR in jeder der beteiligten Di- An die Sperrerholzeit trr (rr: engl.: reverse
oden unterschiedlich sein können, teilen sich die recovery, d. h. inverse Erholung) von Netzgleich-
Sperrspannungen undefinierbar auf und führen richtern werden keine besonderen Ansprüche ge-
zu einer Zerstörung der Dioden. Außerdem muss stellt. Deshalb wird für Dioden, die zur Gleich-
man die sich dynamisch ändernde Sperrschicht- richtung von niederfrequenten und sinusförmigen
kapazität der Dioden durch Parallelkondensatoren Spannungen bestimmt sind, die Sperrerholzeit trr
CP überbrücken. Keine Schutzbeschaltung ist in der Regel auch nicht spezifiziert. In der Praxis
erforderlich, wenn Avalanche-Dioden verwen- haben solche Dioden Sperrerholzeiten von trr D
det werden. Avalanche-Dioden oder Controlled 2 s. Obwohl Gleichrichterdioden relativ lang-
Avalanche-Dioden werden solche Gleichrichter sam sein dürfen, muss in der Praxis darauf geach-
genannt, die ein kontrolliertes Lawinen-Durch- tet werden, dass die Dioden während ihrer Sperr-
bruchverhalten aufweisen. Man spricht auch von erholzeit keinen abrupten Stromabriss haben, da
einem kontrollierten Lawinendurchbruch (engl.: dieser im Zusammenwirken mit den Schaltungs-
controlled avalanche). Sie können im Durchbruch induktivitäten L zu unerwünschten Überschwin-
betrieben werden, solange die in den Datenblät- gungen entsprechend uL D Ldi=dt führt.
tern angegebenen Sperrverlustleistungen PR nicht
überschritten werden. Beispielsweise darf die
Substratdiode moderner MOSFET-Leistungs- 2.5.3.2 Schnelle Gleichrichterdioden
transistoren auch im Avalanche-Durchbruch Um einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen,
betrieben werden (Abschn. 3.4.9). Für Controlled- benötigen beispielsweise getaktete Stromver-
Avalanche-Dioden werden in den Datenblättern sorgungen Gleichrichterdioden, die vor allem
folgende zusätzliche Angaben gemacht: in der Lage sind, schnell auszuschalten. Bei
Mittelwert der höchstzulässigen Sperrverlust- schnellen Gleichrichtern werden zwei Arten
leistung PRAV , höchstzulässige periodische Spit- unterschieden: Die Planartypen mit Sperrver-
zen-Sperrverlustleistung PRRM und die höchstzu- zugszeiten trr > 100 ns und mit Sperrspannungen
lässige Stoß-Sperr-Verlustleistung PRSM . Die pe- UR 1300 V und die Epitaxialtypen mit
riodische Sperr-Verlustleistung gilt für die Netz- trr 50 ns. Die Sperrverzugszeit trr nimmt
frequenz f D 50 Hz. Die Spitzen- und die mit der Sperrspannung UR und dem zulässigen
Stoß-Sperr-Verlustleistung gelten für Zeitinter- Durchlassstrom IF zu. Dieser Zusammenhang ist
valle von 10 s. in Tab. 2.16 angegeben.
Eine Parallelschaltung von herkömmlichen Die „schnellen“ Planartypen werden im an-
Gleichrichtern sollte vermieden werden, da die- gelsächsischen meist als Fast Recovery Rectifiers
se nur mit Einschränkungen und mit relativ bezeichnet, während die Epitaxialtypen Ultrafast
hohem Aufwand möglich ist. Es ist eine elek- Recovery Rectifiers genannt werden. Inzwischen
trische und thermische Symmetrierung, also eine wird eine noch schnellere Gruppe als hyperfast
gleichmäßige Stromaufteilung und thermische bezeichnet.
Kopplung erforderlich. Da eine vollständige
Symmetrierung kaum möglich ist, sollte der Sperrerholzeit trr
Summenstrom um etwa 20 % verringert und Das Verhalten der Gleichrichterdioden während
der Diodenstoßstrom IFSM sogar halbiert wer- ihres Übergangs vom leitenden in den gesperrten
den. Inzwischen gibt es Leistungsdioden, deren Zustand ist vor allem in getakteten Stromver-
Durchlassspannung bei einer mittleren Tempe- sorgungen von überragender Bedeutung. Das
ratur ein Maximum hat und die bei niedrigeren Sperrverhalten wird durch die Sperrverzugs-
Sperrschichttemperaturen wieder abnimmt. Die ladung QR der Diode bestimmt, wie sie in
156 E. Hering und K. Bressler

Tab. 2.16 Erholzeiten trr in ns von Epitaxialdioden (ultrafast) abhängig vom zulässigen Durchlassstrom und der zuläs-
sigen Durchlassspannung
Dauerstrom IF /A 3–4 5–6 9–10 15–18 30 45
Spannung/V trr /ns trr /ns trr /ns trr /ns trr /ns trr /ns
200 15 15 20 20 30 35
600 60 70 75 87 126 140
1200 115 – 140 195 240 400

Hat die Diode ein snap-off-Verhalten, dann


kommt es, im Zusammenwirken mit Schaltungs-
induktivitäten LS , während der Sperrerholzeit
zu unerwünschten und hochfrequenten (f >
5 MHz) Überschwingern. Diese müssen, um de-
ren zulässige Sperrspannung einzuhalten und
Funkstörungen zu unterdrücken, durch RC-
Glieder bedämpft werden. Diese hochfrequenten
Ein- und Ausschwingvorgänge speisen uner-
wünschte Störungen in das speisende Netz.
Die Störungen haben einerseits die Schaltfre-
quenz der getakteten Stromversorgung mit ihren
Harmonischen, andererseits die viel höheren Fre-
quenzen der Einschwingvorgänge ebenfalls mit
ihren Harmonischen.
Die Sperrverzögerungszeit trr wird auch
Sperrverzugszeit oder Rückwärtserholzeit ge-
Abb. 2.56 Sperrverzugsladung einer Gleichrichterdiode
nannt. Sie ist als die Zeitdauer definiert, die vom
Nulldurchgang der Abschaltflanke dIF =dt bis
zu dem Punkt reicht an dem die positive Flanke
Abb. 2.56 dargestellt ist. Die Sperrverzugsla- dIR =dt auf 10 % des Spitzensperrstroms, IRM ab-
dung QR ist durch die Fläche dargestellt, die im geklungen ist. Die Sperrverzögerungszeit trr ist
Sperrbereich der Diode vor dem endgültigen Ab- von der Temperatur Tj , dem Strom iF , der un-
schalten, von der Flanke dIF =dt und der wieder mittelbar vor dem Umpolen in Vorwärtsrichtung
ansteigenden Flanke dIR =dt begrenzt wird. Die durch die Diode floss, und der Änderungsge-
negative Flanke dIF =dt wird entweder beim schwindigkeit di=dt des Stroms abhängig.
Betrieb als Gleichrichter, durch die Induktivitäten Die Schaltgeschwindigkeit (ton ) des verwen-
der Schaltung oder als Freilaufdiode arbeitend, deten Transistors bestimmt hauptsächlich die
durch die Stromanstiegsgeschwindigkeit des Stromänderungsgeschwindigkeit dI =dt der
Schalttransistors bestimmt. Freilaufdioden.
Die positive Flanke dIR =dt ist eine Eigenschaft Die Bedeutung der Sperrverzögerungszeit trr
der Diode selbst. Während der Flanke dIR =dt soll anhand einer typischen Gleichrichterschal-
reißt der Strom ab. Bei Gleichrichterdioden ist ein tung, wie der in Kap: 17 (Abb. 17.21) darge-
abrupter Stromabriss, (engl.: snap-off ), nicht ge- stellten Stromversorgung, verdeutlicht werden.
wünscht. In Hochfrequenzschaltungen dagegen Solange der Transistor T gesperrt ist, fließt der
ist der sehr abrupte Stromabriss von Step-Reco- von der Drossel L gespeiste Strom I3 durch die
very-Dioden gewollt. Gleichrichterdioden sollen sogenannte Freilaufdiode D1 . Wird nun der Tran-
aber bis zu dem Zeitpunkt, zu dem die Diode end- sistor T eingeschaltet, dann fließt durch die Di-
gültig sperrt, einen weichen Stromanstieg, soft ode D1 solange der inverse Strom IRM , bis die
recovery genannt, aufweisen. Sperrverzögerungszeit trr abgelaufen ist. Wäh-
2 Passive Bauelemente 157

rend dieser Zeit ist die Sekundärseite des Trans- Diode nicht unnötig hoch gewählt wird. Außer-
formators fast kurzgeschlossen und der Strom dem haben schnelle Epitaxialdioden eine kleinere
wird durch Streuinduktivitäten LS oder den Tran- Einschaltüberspannung als Dioden, die in anderer
sistor selbst begrenzt. Die dabei im Transistor Technologie hergestellt wurden.
und der Schaltung entstehenden Verluste können
erheblich sein.
Die für schnelle Gleichrichter in den Daten- 2.5.4 Schottky-Leistungsdioden
blättern nach JEDEC-Test-bedingungen angege-
benen Sperrverzögerungszeiten sind in der Pra- Schottky-Dioden werden mit Sperrspannungen
xis unbrauchbar, da die Messbedingung nicht bis etwa 100 V und für Durchlass-Ströme bis
den tatsächlichen Betriebsfall der Diode nach- 10 A gebaut. Diese Leistungsdioden werden
vollzieht. Nach JEDEC wird unter folgenden Be- in getakteten Stromversorgungen anstelle von
dingungen gemessen: Epitaxial-Dioden eingesetzt werden. Vorteilhaft
 Flussstrom IF D 1 A, sind die geringe Durchlassspannung und die ex-
 Stromänderungsgeschwindigkeit di=dt D trem kurze Schaltzeit. Nachteilig sind vor allem
15 A=s, der hohe Sperrstrom und die begrenzten Werte
 Sperrspannung UR D 30 V. der Sperrspannung und des Durchlassstroms.
Die unter realistischen Bedingungen ermittelten Schottky-Dioden sind bei Schaltreglern für
Werte sind erheblich schlechter, da die tat- kleinere Spannungen und mittlere Leistung eine
sächlichen Strom-Änderungsgeschwindigkeiten interessante Alternative zu Epitaxialdioden. Je
100 A=s dI =dt 400 A=s betragen kön- kleiner die Ausgangsspannung einer Stromver-
nen, vor allem wenn ein MOSFET als Schalter sorgung ist, desto mehr stört der Spannungsabfall
verwendet wird. Werden für die Sperrverzugs- an der Gleichrichterdiode. Bei kleinen Ein- und
ladung QR Datenblattwerte genannt, die unter Ausgangsspannungen, Umgebungstemperaturen
realistischen Messbedingungen ermittelt wurden, bis 45 °C und einem guten Kühlsystem bieten
dann kann man die in der Freilaufdiode zusätz- Schottky-Dioden oft Vorteile gegenüber Epitaxi-
lich auftretenden Verluste PV.rr/ errechnen: aldioden. Durch die sehr kurze Schaltzeit können
Schaltregler bei einer höheren Frequenz mit
PV.rr/ D QR UR fS ; einem kleineren Transformator oder einer kleine-
ren Speicherdrossel gebaut werden.
wobei fS die Schaltfrequenz ist. Beim Entwurf eines Schaltreglers sind die
Vor- und Nachteile beider Diodentypen sorgfältig
Vorwärtserholzeit tfr abzuwägen. Der hohe Sperrstrom einer Schottky-
Beim Einschalten einer schnell sperrenden Di- Diode erfordert eine sehr sorgfältige Auslegung
ode tritt für die Vorwärtserholzeit, tfr (engl.: des Kühlkörpers, um ein thermisches Driften und
forward recovery time) eine höhere Spannung, damit eine Zerstörung zu vermeiden.
die sogenannte Einschaltüberspannung (engl:. Die Tab. 2.15 enthält neben Signal- und HF-
forward recovery voltage), auch Einschalt- Dioden auch zwei Schottky-Leistungsdioden.
Scheitelspannung genannt, auf. Sie kann deutlich Unter Abschn. 2.5.2 Schottky-Dioden sind diese
über der statischen Flussspannung UF liegen und weiter beschrieben.
ist umso höher, je größer die Sperrspannung UR
der betreffenden Diode, der ihr eingeprägte
Strom IF und dessen Anstiegsgeschwindigkeit 2.5.5 Z-Dioden
di=dt sind. Eine schnell auf die Diode geschaltete
Spannung bewirkt während der Vorwärtserhol- Z-Dioden, früher Zener-Dioden (C. M. ZENER,
zeit tfr eine Verzögerung des Stromanstiegs. 1905 bis 1993), sind verhältnismäßig stark dotier-
Einschaltüberspannungen werden niedrig ge- te Dioden, die in Sperrrichtung betrieben werden.
halten, wenn die Sperrspannung der verwendeten Sie verhalten sich im Durchlassbereich und im
158 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.57 Kennlinie einer Z-Diode


Abb. 2.58 Kennlinien verschiedener Z-Dioden

Sperrbereich unterhalb der Zenerspannung wie


normale Siliciumdioden. Beim Erreichen der Ar-
beitsspannung UZ steigt der Sperrstrom stark an
und muss außerhalb der Z-Diode begrenzt wer-
den (Abb. 2.57).
Der plötzliche Stromanstieg hat zwei Ursa- Abb. 2.59 Einfache Schaltung zur Spannungsstabilisie-
chen. Bei Dioden mit kleinen Arbeitsspannun- rung
gen UZ zwischen 2,7 V und 5 V, werden im Kris-
tall gebundene Elektronen durch die hohe Feld-
stärke (20 V/m) gelöst und bewegen sich als Durchbruchspannung sind beide Effekte gleich
freie Ladungsträger in der Sperrschicht. Dieser stark, der TK ist ungefähr null.
Vorgang wird als Zenereffekt bezeichnet und ist Abbildung 2.58 zeigt die Kennlinien mehrerer
im Prinzip eine Feldemission im Innern des Kris- Z-Dioden in einem Diagramm. Der differenzielle
talls. Oberhalb 5 V verursacht der Lawinen- oder Widerstand ist bei Dioden mit Arbeitsspannun-
Avalancheeffekt einen ähnlich sprunghaften An- gen UZ zwischen 6 V und 9 V ein Minimum, er
stieg des Stroms bei der Arbeitsspannung. Ein- steigt jedoch mit kleiner oder größer werdender
zelne, beispielsweise durch Feldemission freige- Durchbruchspannung an. Der Sperrstrom nach
setzte Elektronen werden in dem hohen elek- dem Zenereffekt setzt langsam ein, der Lawi-
trischen Feld im Halbleiterkristall beschleunigt nendurchbruch dagegen schnell und verursacht
und schlagen immer mehr Elektronen heraus. Da- einen scharfen Knick der Arbeitskennlinie. Die
durch wird die Sperrschicht mit Ladungsträgern schwarzen Kurven für 25 °C und die roten für
gefüllt, so dass der Strom in der jetzt niederohmi- 125 °C zeigen den Temperaturkoeffizienten ab-
gen Sperrschicht lawinenartig ansteigt. Z-Dioden hängig von der Durchbruchspannung UZ .
mit mehr als 15 V Arbeitsspannung arbeiten nach Abbildung 2.59 gibt eine einfache Stabilisie-
dem Lawineneffekt, zwischen 4 V und 15 V ist rungsschaltung mit einer Z-Diode wieder. Die
der Übergang fließend. kleinste Spannung Ue muss größer als die stabili-
Der Zenereffekt verursacht eine Durchbruch- sierte Spannung Ua sein, die Differenz Ue  Ua
spannung mit einem negativem Temperaturkoef- fällt am Vorwiderstand Rv ab. Steigt die Ein-
fizienten (TK ungefähr 5  104 =K), während gangsspannung an, dann steigt die Ausgangs-
der Lawineneffekt einen positiven Temperaturko- spannung Ua wenig, der Strom in der Z-Diode
effizienten (ungefähr 10  104 =K) hat. Bei 5 V aber stark an. Der zusätzliche Strom im Vorwi-
2 Passive Bauelemente 159

derstand Rv fließt in die Z-Diode. Rv muss so nung UD , dann wird die Diode niederohmig, und
klein sein, dass bei der niedrigsten Eingangsspan- der Strom steigt stark an, während die Spannung
nung noch Strom in der Z-Diode fließt. Bei der um etwa 5 V absinkt.
höchsten Eingangsspannung ist auf die Verlust- Diacs haben aus einer langsam ansteigen-
leistung in Rv und der Z-Diode zu achten. den Steuerspannung für Thyristoren und Triacs
Z-Dioden werden wegen ihres Temperatur- schnell ansteigende Triggerimpulse erzeugt. Sie
gangs und ihres Innenwiderstandes heute kaum sind heute von wesentlich genaueren integrierten
noch als Spannungsreferenz benutzt. Hierzu die- Steuerschaltungen verdrängt, die preisgünstig zu
nen Band-gap-Referenzelemente (Abschn. 8.5.3). haben sind.
Z-Dioden eignen sich aber gut als Spannungsbe-
grenzer innerhalb und an den Schnittstellen einer
Schaltung. 2.5.7 Fotodioden
Eine Sonderbauform der Z-Dioden sind die
Suppressor-Dioden, (Transient Voltage Suppres- Die in einem Halbleiter gebundenen Ladungsträ-
sor Diodes) sie werden auch als Transzorb- ger können durch die Energiezufuhr des Lichts
oder Transildioden bezeichnet. Sie verhalten aus dem Kristall gelöst und zu freien Ladungsträ-
sich wie Leistungs-Z-Dioden, die einer gestör- gern werden. Dazu muss die Energie der Licht-
ten Gleichspannung parallel geschaltet werden, quanten (Photonen) EPh D hf größer als die
durch die Wahl ihrer Arbeitsspannung aber nor- Bindungsenergie der Ladungsträger im Kristall
malerweise stromlos sind. Treten kurzzeitige sein. Dabei ist h das Plancksche Wirkungsquan-
und hohe Spannungsspitzen auf, beispielsweise tum (h D 6;626  1034 J s) und f die Frequenz
von einem elektromechanischen Generator, kann des Lichts in Hz. Wird die Frequenz zu klein, d. h.
die Suppressor-Diode diese Spannungsspitzen die Wellenlänge zu groß, dann wird der Halbleiter
zusammen mit dem Innenwiderstand der Span- trotz hoher Lichtintensität nicht mehr beeinflusst,
nungsquelle auf ungefährliche Werte begrenzen. woraus sich das meist abrupte Ende der spektra-
Große Suppressor-Dioden können während ei- len Empfindlichkeit erklärt (Abschn. 6.5.4 Foto-
nes 1 ms dauernden Impulses eine Leistung von dioden und Abb. 6.53).
25 kW aufnehmen. Voraussetzung ist ein großes Dieser Fotoeffekt funktioniert im Prinzip bei
Halbleiterelement und ein gleichmäßiger Strom- jedem pn-Übergang, bei Fotohalbleitern wird er
fluss durch die Sperrschicht. Suppressor-Dioden jedoch durch Aufbau und Dotierung gezielt ge-
sind extrem schnell, ihre Schaltzeit liegt im ns- fördert. Die obere Sperrschicht und das Gehäuse
Bereich, sie können deshalb Störspitzen mit sehr müssen lichtdurchlässig sein (Abb. 2.60).
kurzer Anstiegszeit ableiten. Suppressor-Dioden Die meisten Fotodioden werden heute mit
stellt man in Epitaxietechnik her. transparentem Kunststoff umpresst, für feucht-
warme und aggressive Umgebungsluft gibt es
noch Metallgehäuse mit Glasfenster. Das häufigs-
2.5.6 Diac Triggerdioden te Grundmaterial für Fotohalbleiter ist Silicium.
Es empfängt sichtbares Licht und nahes Infra-
Diacs sind stark dotierte symmetrische Drei- rot, hat einen geringen Dunkelstrom ID und ist
schicht-Halbleiterdioden mit definiertem Durch- preisgünstig. Fotodioden sind schwach dotiert,
bruchverhalten. Diac ist ein Kunstwort aus der häufig ist zwischen der p- und der n-Schicht eine
englischen Bezeichnung Diode Alternating Cur- eigenleitende (intrinsic) Schicht. Dadurch sinkt
rent Switch. Liegt eine Spannung am Diac an, der Dunkelstrom und die Ladungsträger werden
dann wird immer ein pn-Übergang in Durchlass-, schneller. Diese pin-Fotodiode kann noch kleine-
der andere in Sperrrichtung betrieben. Dabei re Lichtstärken messen und Signale mit höherer
fließt nur ein kleiner Sperrstrom I < 100 A, Frequenz erfassen. Die aktive Fläche kann bei
weshalb die Diode hochohmig ist. Erreicht empfindlichen Fotodioden mehrere Quadratmil-
die angelegte Spannung die Durchbruchspan- limeter betragen, um bei kleinen Lichtstärken
160 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.60 Gehäuse für Fotodioden. a Fotodiode im Metallgehäuse, b Fotodiode im Kunststoffgehäuse

verwertbare Ströme zu erhalten. Fotodioden ar- gesetzten Ladungsträger werden im elektrischen


beiten in Sperr-Richtung. Der Sperrstrom hängt Feld im Halbleiter beschleunigt und schlagen
in einem großen Bereich streng linear von der weitere Ladungsträger aus dem Kristall heraus,
Lichtstärke, aber nur wenig von der angelegten so dass man den lichtabhängigen Sperrstrom um
Sperrspannung und der Sperrschichttemperatur den Faktor 100 verstärken kann. Im Gegensatz
ab (Abb. 2.61 und Abb. 2.62). zu einer nachträglichen Verstärkung wird das
Der kleine, beleuchtungsabhängige Sperr- Rauschen dabei nicht verstärkt.
strom kommt aus einer hochohmigen Quelle Die spektrale Empfindlichkeit hängt vom
und lässt sich bei hohen Arbeitsfrequenzen nicht Halbleiterwerkstoff ab (Abb. 6.53). Sie kann aber
gut verstärken. Bei der Datenübertragung über
Glasfasern werden einerseits sehr hohe Ar-
beitsfrequenzen (1 GHz bis 2 GHz) verlangt,
andererseits ist das Signal durch die großen Ver-
stärkerabstände in der Faser auch sehr schwach.
Diese hochfrequenten schwachen Signale wer-
den mit Avalanche-Fotodioden empfangen, die
mit einer Sperrspannung wenige zehntel Volt un-
terhalb der Durchbruchspannung UD (10 V bis
180 V) betrieben werden. Die vom Licht frei-

Abb. 2.62 Strom- und Spannungskennlinien einer Foto-


diode

Abb. 2.61 Sperrstrom als Funktion der Beleuchtungsstär- Abb. 2.63 Spektrale Empfindlichkeiten von Silicium-
ke und Germanium-Fotodioden
2 Passive Bauelemente 161

Abb. 2.64 Mess-Schaltungen mit Fotodioden. a Einfache Messschaltung mit direkter Anzeige, b Verstärkung des
Sperrstroms mit einem Operationsverstärker

mit konstruktiven Maßnahmen, beispielsweise


einem Antireflexbelag für die bevorzugte län-
gere Wellenlänge, innerhalb der physikalischen
Grenzen verbessert werden. Häufig wird eine An-
gleichung an die spektrale Empfindlichkeit des
menschlichen Auges verlangt. Ein vorgeschalte-
tes Grünfilter dämpft die Empfindlichkeitskurve
so, dass diese Kurve näherungsweise erreicht
wird (Abb. 2.63).
Fotodioden werden zur Messung der Licht-
stärke, zur Datenübertragung, beispielsweise bei
der Infrarot-Fernbedienung oder als Empfänger
Abb. 2.65 Funktionsweise der Kapazitätsdiode
am Ende einer Glasfaserstrecke und für viele
andere Zwecke benutzt. Hierbei sind der große
Dynamikbereich und die kurze Ansprechzeit von
Vorteil. Der abgegebene kleine Strom muss fast Richtung anliegende Steuerspannung treibt die
immer verstärkt werden. Abbildung 2.64a zeigt Ladungsträger in ihre Schicht zurück. Dazwi-
die einfache Grundschaltung und Abb. 2.64b schen bleibt eine isolierende Sperrschicht, die mit
einen Operationsverstärker, der den Strom direktzunehmender Steuerspannung dicker wird. Die
in eine Spannung umsetzt. variable Sperrschicht mit den leitenden Deckflä-
Außer den Fotodioden gibt es die wesent- chen ist ein Kondensator, dessen Fläche konstant
bleibt und dessen Plattenabstand mit der Steu-
lich empfindlicheren Fototransistoren. Statt eines
eingespeisten Basisstroms setzt das einfallende erspannung verändert werden kann. Sie heißen
Licht Ladungsträger in der Basis-Emitterzone desauch Varactordioden (Abb. 2.65).
Fototransistors frei, so dass der kleine Fotostrom Bei jeder Diode ändert sich die Kapazität
um die Stromverstärkung B zum Kollektorstrom mit der Sperrspannung. Kapazitätsdioden haben
verstärkt wird. Fototransistoren mit offener Ba-ein großes Verhältnis zwischen der größten und
sis sind sehr lichtempfindlich, aber langsam undder kleinsten nutzbaren Kapazität, einen niedri-
haben einen größeren Dunkelstrom. Ein Basis- gen Innenwiderstand und damit eine hohe Güte.
Emitterwiderstand reduziert die Empfindlichkeit Verschiedene Typen decken einen großen Kapa-
und den Dunkelstrom, wodurch der Fototransis- zitätsbereich ab. Sie werden als spannungsgesteu-
tor auch schneller wird. erte, veränderbare Kondensatoren eingesetzt und
haben die mechanisch veränderbaren Konden-
satoren fast überall ersetzt. Als Grundmaterial
2.5.8 Kapazitätsdioden dient meistens das preisgünstige Silicium, bei
sehr hohen Frequenzen auch Galliumarsenid.
Kapazitätsdioden sind Flächenkontaktdioden, die Bei Galliumarsenid ist die Beweglichkeit der
aus einem pn-Übergang bestehen. Die in Sperr- Ladungsträger ungefähr viermal größer als in
162 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.67 Mit Kapazitätsdioden abgestimmte Schwing-


kreise

Abb. 2.66 Kapazität als Funktion der Sperrspannung

Abb. 2.68 Aufbau einer pin-Diode

Silicium, entsprechend kleiner ist der Reihenwi-


derstand und entsprechend größer die Güte. Die
dem kapazitiven Blindwiderstand Z D 1=! C
elektrische Feldstärke beeinflusst den Abstand
und dem ohmschen Serienwiderstand rs . Deshalb
der leitenden Flächen in der Diode, der mit der
gilt:
angelegten Spannung zunimmt. Deshalb verrin-
gert sich die Kapazität mit steigender Sperrspan- Q D 1=! C rs D 1=2 f  C rs
nung. Die genaue Funktion hängt von der Bauart
Der Serienwiderstand rs ist konstant, der Blind-
und der Fertigungsstreuung der Diode ab. Ab-
widerstand nimmt mit steigender Frequenz ab, so
stimmdioden für mehrere parallel laufende Krei-
dass die Güte sinkt. Bei der Grenzfrequenz fg ist
se, beispielsweise für die Vorkreise eines Funk-
die Güte Q D 1. Bei 100 MHz kann die Gü-
oder Fernsehempfängers, werden auf einem Chip
te Q > 1000 sein. Eine Kapazitätsdiode kann
mit engen Toleranzen hergestellt oder aus Einzel-
den Kondensator eines Schwingkreises ganz oder
dioden auf automatischen Messplätzen passend
teilweise ersetzen (Abb. 2.67).
zueinander ausgesucht und als Quartett geliefert.
Der Koppelkondensator Ck trennt die stets
Kapazitätsdioden betreibt man meistens mit
gleichspannungsfreie Induktivität von der span-
Sperrspannungen zwischen 1 V und 25 V, ihre
nungsgesteuerten Kapazitätsdiode. Der Parallel-
Kennlinie ist bei kleinen Steuerspannungen steil,
kondensator Cp begrenzt den Abstimmbereich zu
d. h. dC =dU ist groß, bei großen Steuerspan-
hohen Frequenzen hin. Die bis auf den Reststrom
nungen ist die Kapazitätsänderung klein und die
im nA-Bereich stromlosen Kapazitätsdioden er-
Kennlinie verläuft flach (Abb. 2.66). Wird die
halten ihre Vorspannung über hochohmige Wi-
Sperrspannung zu groß, dann bricht die Diode
derstände Rv .
durch und wird zerstört.
Die Spannung an der Diode setzt sich aus der
Summe der steuernden Signalspannung und dem
Augenblickswert der Hochfrequenzspannung zu- 2.5.9 Pin-Dioden
sammen. Auch die HF-Spannung ändert die Ka-
pazität. Sie sollte im Interesse kleiner Verzerrun- Pin-Dioden sind Silicium-Flächenkontaktdioden,
gen stets klein gegen die Steuerspannung sein. die aus jeweils einer hoch dotierten p - und nC -
Kapazitätsdioden haben eine hohe Güte und leitenden Schicht mit einer dazwischen liegen-
eignen sich deshalb besonders für schmalbandige den eigenleitenden i-Zwischenschicht (intrinsic
Schwingkreise. Die Güte Q ist der Quotient aus layer) bestehen (Abb. 2.68).
2 Passive Bauelemente 163

dungsträger in dieser Schicht die untere noch


sinnvoll anwendbare Frequenz bestimmt. Diese
Frequenz berechnet sich zu:

fg D 1=2 (2.39)

Der Leitwert der Diode ist proportional zu der


gespeicherten Ladung und die Ladung ist propor-
tional zum Diodenstrom:
dQd Qd
id D C (2.40)
dt 
Dabei ist:

id : Diodengleichstrom
 : Lebensdauer der Ladungsträger
Qd : gespeicherte Ladung in der Diode
Abb. 2.69 Hochfrequenzwiderstand einer pin-Diode als
Funktion des Steuerstroms
Wird die Diode mit einem konstanten Strom ge-
speist, dann ist auch die gespeicherte Ladung
Ist die Sperrschicht nicht oder in Sperrrich- konstant und ergibt sich zu:
tung vorgespannt, d. h. mit einer Spannung in
Sperrrichtung betrieben, dann isoliert die prak- Qd D Id   (2.41)
tisch ladungsträgerfreie Intrinsic-Schicht und die
Diode ist sehr hochohmig. Wird die Diode mit Pin-Dioden finden als steuerbare Widerstände
der angelegten Spannung in Durchlassrichtung in der HF-Technik Verwendung, beispielswei-
betrieben, fließen Ladungsträger aus den hoch se für analoge Abschwächer oder HF-Schalter.
dotierten Randschichten in die Intrinsic-Schicht Dabei wird ein Spannungsteiler aus einem Fest-
und diese leitet. Der differenzielle Leitwert der widerstand und einer pin-Diode als steuerbarem
Sperrschicht ist zum Vor- oder Steuerstrom pro- Widerstand oder aus mehreren pin-Dioden aufge-
portional, ihr differenzieller Widerstand entspre- baut. Abbildung 2.70a zeigt das Ersatzschaltbild
chend umgekehrt proportional. Die Diode verhält eines Abschwächers mit einem regelbaren Wider-
sich wie eine ganz normale Siliciumdiode. stand. Im Abb. 2.70b ist dieser Widerstand durch
Abweichend von anderen Dioden haben die eine pin-Diode ersetzt, deren Widerstand durch
Ladungsträger in pin-Dioden eine lange Lebens- den Steuerstrom eingestellt wird.
dauer  und die Sperrschicht eine lange Aus- Die Beschaltung der pin-Diode muss den
räumzeit trr . Wird dem Steuerstrom ein Hoch- Hochfrequenzpfad vom Gleichstrompfad tren-
frequenzstrom überlagert, dessen Periodendau- nen. Dazu fließt der Steuerstrom über die für
er kurz gegen die Ladungsträgerlebensdauer  Hochfrequenz hochohmige Drossel L1 durch die
und gegen die Ausräumzeit trr ist, dann verhält pin-Diode und weiter über die Drossel L2 nach
sich die pin-Diode für die Hochfrequenz wie Masse. Für die Hochfrequenz sind die Dros-
ein ohmscher Widerstand. Sein Widerstandswert seln hochohmig und stellen keinen spürbaren
lässt sich mit dem Vorstrom mindestens um den Nebenschluss dar. Die Hochfrequenzleistung
Faktor 1000 ändern (Abb. 2.69). fließt über den Kondensator C1 in die pin-Diode
Die Ladungsdichte der Intrinsic-Schicht und und von dort über den Kondensator C2 oder
deren Geometrie bestimmen den Leitwert der direkt in den Verbraucher RL . Die Kondensa-
pin-Diode, während die Lebensdauer  der La- toren C1 und C2 trennen den Gleichstrom vom
164 E. Hering und K. Bressler

Abb. 2.70 HF-Abschwächer mit pin-Dioden; a Ersatzschaltbild; b Pinzipschaltbild; c Pin-Dioden-T-glied mit kon-
stantem Eingangs-und Ausgangswiderstand

HF-Kreis ab. Die gezeigte Schaltung schwächt Sperrspannung ab (Abschn. 2.5.8, Kapazitätsdio-
die durchlaufende HF-Leistung durch ihren den).
Längswiderstand, reflektiert aber auch einen Eine positive Steuerspannung Ust1 lässt Strom
Teil aufgrund der entstehenden Fehlanpassung durch die Diode D1 fließen, der durch die Grö-
(Abschn. 4.1). ße der Steuerspannung und den Widerstand R1
Günstiger sind T- oder  -Glieder aus pin- bestimmt wird. D1 ist niederohmig. Die Steuer-
Dioden, die so angesteuert werden, dass der Ein- spannung liegt an D2 in Sperrrichtung; deshalb
gangs- und Ausgangswiderstand stets konstant ist die Diode hochohmig und hat eine kleine
ist (Abb. 2.70c). Pin-Dioden eignen sich sehr Kapazität. Das HF-Eingangssignal kommt am
gut für Hochfrequenzschalter bis in den hohen Ausgang A1 mit geringer Dämpfung (0,5 dB bis
GHz-Bereich. Durch entsprechende Schaltun- 1 dB) an. Gleichzeitig liegt an USt2 eine negative
gen können einfache EIN-AUS-Schalter ebenso Steuerspannung. Die Diode D3 ist mit der Diffe-
wie Auswahlschalter (1 aus n) realisiert wer- renz beider Steuerspannungen gesperrt, D4 führt
den. Abbildung 2.71 zeigt einen zweistufigen Strom und ist entsprechend niederohmig. Das
Hochfrequenzschalter. Jeder Zweig des HF- HF-Signal am Ausgang A2 ist stark gedämpft
Schalters besteht aus einem Spannungsteiler aus (40 dB bis 70 dB). Die Dämpfung des Ab-
zwei pin-Dioden D1 und D2 . Eine Diode führt schwächers und des HF-Schalters ist im Prinzip
Gleichstrom und ist niederohmig, die andere ist frequenzunabhängig. Die unvermeidbare Sperr-
stromlos und deshalb hochohmig. Die hochoh- schichtkapazität und der restliche Reihenwider-
mige Diode soll eine möglichst kleine Kapazität stand verschlechtern die Eigenschaften bei hohen
haben, um den Spannungsteiler wenig zu be- Frequenzen. Pin-Dioden sind, je nach Einsatzge-
einflussen. Sie wird deshalb normalerweise mit biet, mit unterschiedlichen Schaltzeiten für ver-
einer hohen Spannung in Sperr-Richtung be- schiedene Frequenz- und Leistungsbereiche im
trieben, um ihre Kapazität klein zu halten. Die Handel. Alle wichtigen Eigenschaften sind in den
Sperrschichtkapazität nimmt mit zunehmender Datenblättern enthalten und im Internet zu finden.
2 Passive Bauelemente 165

Abb. 2.71 Zweistufiger Hochfrequenzschalter mit pin-Dioden; a HF-Umschalter schematisch; b HF-pin-


Diodenschalter

2.5.10 Step-Recovery-Dioden japan. Physiker, *1925) und heißen deshalb


auch Esaki-Dioden. Elektronen mit einem klei-
Im Durchlass betriebene Dioden speichern La- nen Energieniveau können die Sperrschicht in
dungsträger in der Sperrschicht. Ändert die an- Durchlassrichtung passieren, d. h. durchtunneln,
liegende Spannung ihr Vorzeichen, dann fließt obwohl die anliegende Spannung deutlich unter-
der Strom solange weiter, bis die Ladungsträger halb der Schwellspannung liegt. Das Maximum
die Sperrschicht verlassen haben. Bei geeignetem des Tunnelstroms wird bei 50 mV bis 100 mV
Aufbau und entsprechender Dotierung der Diode Durchlassspannung erreicht; danach nimmt der
endet der Stromfluss in der Sperrphase plötzlich. Tunnelstrom wieder ab. Bei UD  0;4 V setzt
Dieser Stromabriss kann in einer Induktivität in der normale Durchlass-Strom der Germanium-
einen Spannungsimpuls mit steilen Flanken um- diode ein, beide Ströme überlagern sich und
gewandelt werden. Wird die Diode mit Wechsel- ergeben die charakteristische Kennlinie der Tun-
spannung betrieben, entsteht ein nichtsinusförmi- neldiode. Im abfallenden Teil der Kennlinie hat
ger Strom, der außer der anregenden Frequenz f0 die Tunneldiode einen negativen differenziellen
auch deren Vielfache oder Harmonische enthält Innenwiderstand (Abb. 2.49).
(Abb. 2.49). Tunneldioden gehörten lange Zeit zu den
Step-Recovery-Dioden werden zur Erzeugung schnellsten Halbleiterbauteilen. Sie können bei
steiler Impulse und als Frequenzvervielfacher bis einem bestimmten Strom zwei verschiedene
in den hohen GHz-Bereich eingesetzt. Heute ha- stabile Spannungszustände annehmen und da-
ben integrierte Frequenzvervielfacher auf PLL- mit, ähnlich wie ein Flip-Flop, zwei Zustände
Basis die meisten Aufgaben der Step-Recovery- speichern. Die instabilen Bereiche werden sehr
Dioden übernommen. schnell durchlaufen. Deshalb erzeugt ein si-
nusförmiger Wechselstrom eine Spannung mit
steilen Flanken. Der negative differenzielle Wi-
2.5.11 Tunneldioden derstand eignet sich zum Entdämpfen eines
Schwingkreises so, dass ein Oszillator entsteht.
Tunneldioden sind extrem stark dotierte Germa- Transistoren und integrierte Schaltungen aus
niumdioden mit einer sehr dünnen Sperrschicht. Galliumarsenid erreichen heute vergleichbare
Sie wurden von Esaki erforscht (L. ESAKI, Schaltgeschwindigkeiten bei wesentlich größe-
166 E. Hering und K. Bressler

rem Spannungshub, weshalb die Bedeutung der ode leitet in Sperrrichtung und sperrt bei kleinen
Tunneldioden heute gering ist. Spannungen in Durchlassrichtung, sie wird rück-
wärts (engl.: backward) betrieben (Abb. 2.49).
Backwarddioden sind, wie Tunneldioden, sehr
2.5.12 Backwarddioden schnell. Sie eignen sich zum Gleichrichten klei-
ner Hochfrequenzspannungen, die in normalen
Backwarddioden sind ähnlich wie Tunneldioden Dioden mit hoher Schwellspannung unterdrückt
aufgebaut, aber schwächer dotiert. Es tritt nur ein oder verfälscht werden. Die Bedeutung dieser
geringer Tunneleffekt auf, weshalb der Strom in speziellen Germaniumdioden ist heute gering.
Durchlassrichtung gegenüber dem normalen Di- Kleine Hochfrequenzspannungen kann man heu-
odenstrom nur wenig erhöht ist. Der Zenerdurch- te besser verstärken oder mit Schottky-Dioden
bruch macht die Diode schon bei kleinen Span- mit besonders kleiner Schwellspannung (Zero-
nungen in Sperr-Richtung niederohmig. Die Di- Bias-Detektordioden, Abb. 2.54) gleichrichten.
Transistoren
3
Klaus Bressler und Harald Rudolph

3.1 Transistoren der modernen Schaltungstechnik. Sie werden in


diesem Kapitel nur Transistoren genannt.
3.1.1 Arten von Transistoren Transistoren sind auf einem quadratischen
und deren Aufbau Halbleiterchip von wenigen zehntel Millimetern
Kantenlänge untergebracht. (Bei Leistungs-
Transistoren sind aktive Halbleiterbauelemente transistoren kann die Kantenlänge mehrere
zum Verstärken von elektrischen Signalen. Die Millimeter betragen). Der Transistorwerkstoff ist
unterschiedlichsten Anwendungsfälle haben zu überwiegend Silicium (4. Gruppe des Perioden-
einer großen Vielfalt verschiedener Transistor- systems der Elemente) oder besteht aus einer
typen geführt. Selbst analoge und digitale inte- Kombination drei- und fünfwertiger Elemen-
grierte Schaltungen (IC) sind aus Transistoren te (z. B. GaAs). Die Herstellung verschiedener
mit der erforderlichen Beschaltung zusammenge- Ladungszonen geschieht durch Diffusion oder Io-
setzt. Abbildung 3.1 gibt eine Übersicht über die nenimplantation. Die so hergestellten Transisto-
verschiedenen Transistortypen, den prinzipiellen ren sind äußerst empfindlich gegen Feuchtigkeit
Aufbau, die Schaltzeichen, die charakteristischen und Wärme und neigen zu schneller Korrosion.
Kennlinien und zeigt einige wichtige Anwen- Sie werden deshalb in ein Gehäuse eingebaut,
dungsfälle. das schädliche Umwelteinflüsse fernhält und die
Man teilt die Transistoren in bipolare und Verlustwärme des Transistors an die umgebende
unipolare oder Feldeffekttransistoren ein. Die Luft oder an einen Kühlkörper abgibt.
historisch älteren bipolaren und stromgesteuerten Alle Halbleiter sind zum Schutz gegen äuße-
Transistoren wurden durch die spannungsge- re Einflüsse und zur mechanischen Stabilität mit
steuerten Feldeffekttransistoren ergänzt. Die Kunststoff umpresst.
hochentwickelte Herstellungstechnologie erlaubt In Abb. 3.2 sind der prinzipielle Aufbau, die
es, für jeden Anwendungsfall einen geeigneten Schaltzeichen und die Schaltungen eines bipola-
Transistor zu finden. Obwohl die Bedeutung der ren Transistors verdeutlicht.
Feldeffekttransistoren für diskrete und integrier- Der npn-Transistor in Abb. 3.2a besteht aus
te Schaltungen erheblich gewachsen ist, haben drei verschiedenen Elektroden: dem negativ do-
bipolare Transistoren einen wichtigen Platz in tierten Emitter (n), der positiv dotierten Basis-
zone (p) und dem negativ dotierten Kollektor
(n). Für den in der Praxis am häufigsten ein-
K. Bressler () gesetzten npn-Transistor sollen alle Schaltungen
E-Mail: klaus.bressler@web.de erklärt werden. (Beim pnp-Transistor werden le-
H. Rudolph diglich p- und n-Schichten sowie die Vorzeichen
E-Mail: harald_kg_rudolph@yahoo.de der Strom- und Spannungsrichtungen vertauscht;

© Springer-Verlag GmbH Deutschland 2017 167


E. Hering, K. Bressler, J. Gutekunst (Hrsg.), Elektronik für Ingenieure und Naturwissenschaftler,
DOI 10.1007/978-3-662-54214-9_3
168 K. Bressler und H. Rudolph

Abb. 3.1 Übersicht über die verschiedenen Transistortypen

Abb. 3.2 Aufbau, Schaltzeichen und Schaltung eines bipolaren Transistors mit Kollektorwiderstand RC

das Funktionsprinzip und die Schaltungsberech- Der im Prinzip symmetrische Transistor wird für
nung bleiben unverändert). Abbildung 3.2b zeigt viele Anwendungsfälle unsymmetrisch gebaut,
die schematische Darstellung der drei Transis- um spezielle Eigenschaften, beispielsweise ei-
torelektroden mit den entsprechenden Strömen ne hohe Stromverstärkung, zu erzielen. Abbil-
und Spannungen. Den Transistor kann man, wie dung 3.2d zeigt das Schaltzeichen und die Be-
Abb. 3.2c zeigt, vom Aufbau her als Kombinati- pfeilung eines npn-Transistors, Abb. 3.2e für den
on zweier gegeneinander geschalteter Dioden mit pnp-Transistor (zu Schaltzeichen, Abschn. 1.2.8,
gemeinsamer Mittelschicht, der Basis, verstehen. Abb. 1.6).
Diese Struktur lässt sich zwar mit einem Ohm- Abbildung 3.3 zeigt verschiedene Transistor-
meter leicht nachweisen, sie erklärt aber nicht gehäuse mit ihren Abmessungen und typischer
die physikalische Wirkungsweise des Transistors. Verlustleistung.
3 Transistoren 169

Abb. 3.3 Transistorgehäuse mit Abmessungen und typischer Verlustleistung

3.1.2 Beschaltung und Funktion und deshalb isolierende Basis-Kollektor-Diode


des Transistors und macht diese leitfähig. Wie die weiter unten
dargestellten Kennlinien zeigen (z. B. Abb. 3.10
Die äußere Beschaltung (d. h. der Einbau eines in Abschn. 3.1.3.2), erzeugt der Basisstrom einen
Transistors in eine elektrische Schaltung) bringt wesentlich größeren Kollektorstrom IC , der von
den Transistor in den gewünschten Arbeitsbe- der Kollektor-Emitter-Spannung UCE nur wenig
reich (Strom- und Spannungsbereich, in dem der abhängt. Dieser Kollektorstrom IC fließt über die
Transistor arbeitet). Zu diesem Zweck erhält die Basis zum Emitter. Nach diesem Prinzip arbeiten
Basis einen kleinen Gleichstrom, dem der zu alle bipolaren Transistoren.
verstärkende Signalstrom überlagert wird. Die Abbildung 3.4 zeigt den Kollektorstrom IC
Basis-Emitter-Diode (Abb. 3.2c) betreibt man in in Abhängigkeit von der Kollektorspannung UC
Durchlassrichtung; sie beginnt ab einer Basis- und dort die verschiedenen nutzbaren und verbo-
Emitter-Spannung UBE von etwa 0,5 V zu leiten. tenen Arbeitsbereiche eines npn-Transistors. Im
Der Basisstrom IB hängt (Gl. 3.2 und Gl. 3.3) aktiven Bereich (1) arbeitet der Transistor als ana-
von der angelegten Basis-Emitter-Spannung UBE loger Verstärker. Hierbei hängt die Verstärkung
und der Sperrschichttemperatur Tj ab (j: engl.: nur wenig von den Betriebsgrößen, beispiels-
junction: Sperrschicht). Dieser Basisstrom bringt weise der Kollektor-Emitter-Spannung UCE , dem
Ladungsträger in die in Sperrrichtung betriebene Kollektorstrom IC , der Sperrschichttemperatur Tj
170 K. Bressler und H. Rudolph

2
Kollektorstrom IC

Abb. 3.5 Der Transistor als Vierpol


4
1
Allgemein beschreiben Kennlinien grafisch
in einem Diagramm die typische Abhängigkeit
zweier (oder mehrerer) Kenngrößen, beispiels-
weise die Abhängigkeit des Kollektorstroms IC
vom Basisstrom IB . Werden verschiedene
5 Parameter verändert, wie beispielsweise die
Sperrschichttemperatur Tj , so entstehen mehrere
Kennlinien; man spricht von Kennlinienfeldern.
Kollektor-Emitterspannung UCE
Zur praktischen Dimensionierung einer Schal-
tung müssen die Eigenschaften des Transistors
Abb. 3.4 Betriebsbereiche eines Transistors. Parameter:
Basisstrom
bekannt sein, damit man sie durch eine geeigne-
te Beschaltung optimal dem Anwendungszweck
anpassen kann. Die Eigenschaften werden in
Kennwerte und in Grenzwerte eingeteilt. Wäh-
oder der Betriebsfrequenz f ab. Mit kleiner wer- rend Kennwerte bekannt sein müssen, um
dender Kollektor-Emitter-Spannung (UCE < 1 V) sinnvolle Anwendungen bauen zu können, dürfen
nimmt die Stromverstärkung stark ab, und der Grenzwerte nicht überschritten werden.
Transistor kommt in den Übersteuerungsbereich
(2). Wird der Basisstrom IB D 0, dann fließt auch
kein Kollektorstrom mehr; der Transistor ist im 3.1.3 Wichtige Kennwerte
Sperrbereich (5). Der Übersteuerungs- und der von Transistoren
Sperrbereich werden bei gesättigten Logikschal-
tungen (Abschn. 12.1) genutzt. Der Betrieb im Im Folgenden werden die wichtigsten Kennwerte
Durchbruchbereich (4) und oberhalb des zulässi- von Transistoren genannt.
gen Kollektorstroms (3) zerstört den Transistor.
Abbildung 3.5 zeigt die prinzipielle Wir- 3.1.3.1 Eingangswiderstand
kungsweise der Verstärkung eines Transistors, Abbildung 3.6 zeigt die wesentlichen Zusam-
der als Vierpol zu verstehen ist. menhänge, wobei der Transistor als Vierpol
Der Transistor wirkt als Verstärker, da ein (Abb. 3.5) aufzufassen ist und stets die Emit-
kleiner Basisstrom IB einen großen Kollek- terschaltung als Beispiel dient.
torstrom IC verursacht. Das Verhältnis von Der Eingangswiderstand der Emitterschal-
Kollektor- zu Basisstrom (IC =IB ) bezeichnet tung rbe stellt den Eingangswiderstand Re D rbe
man als Gleichstromverstärkung B oder, bei der Basis-Emitter-Strecke dar (Abb. 3.6a). Der
kleinen Änderungen des Basisstroms IB , als Basisstrom I B hängt von der angelegten Basis-
differenzielle Stromverstärkung ˇ. Diese Ver- Emitter-Spannung UBE , der Größe und Bauart
stärkungsgrößen sind nicht konstant, sondern des Transistors und der absoluten Sperrschicht-
für verschiedene Arbeitspunkte (Werte für IB , temperatur Tj nach Gl. 3.1 folgendermaßen ab:
IC und Tj ) unterschiedlich groß und werden in  U 
BE
den Kennlinienfeldern genauer beschrieben (Ab- IB D I0  e UT j
1 : (3.1)
schn. 3.1.4).
3 Transistoren 171

Abb. 3.7 Basisstrom IB als Funktion der Basis-Emitter-


Spannung UBE und der Sperrschichttemperatur Tj (lineare
Skala)

Abb. 3.6 Ersatzschaltbild des Transistors


aus und steuert zu diesem Zweck den Transistor
mit einem bestimmten Basisstrom IB (statt einer
Betreibt man die Basis-Emitter-Diode in Durch- Spannung) an.
lassrichtung, gilt für den Basisstrom IB nähe- Der Eingangsleitwert gbe D 1=rbe des Tran-
rungsweise sistors errechnet sich durch Differenzieren des
UBE
Eingangsstroms IB nach der Eingangsspan-
IB D IS  e UT j
: (3.2)
nung UBE . Aus Gl. 3.1 ergibt sich
Dabei ist IS der für den Transistor charakteristi- 1 dIB I0  eUBE =UT
scher Sperrsättigungsstrom (z. B. I0 D 0;1 nA für D D :
rbe dUBE UT
einen Silicium-Kleinsignaltransistor bei 25 °C),
Wird für I0 Gl. 3.2 eingesetzt, so ist der Ein-
und UT die Temperaturspannung, für die gilt:
gangswiderstand des Transistors rbe
UT D kT =e0 (3.3) rbe D UT =IB (3.4)
mit der Boltzmann-Konstanten k D 1;38  Es ist zu beachten, dass UT temperaturabhängig
1023 W s=K, der absoluten Temperatur T und ist und bei 25 °C ungefähr 40 mV beträgt.
der Elementarladung e0 D 1;602  1019 A s. Der Eingangswiderstand Re erscheint im Er-
Mit diesen Werten beträgt UT bei Raumtempe- satzschaltbild des Transistors als Basis-Emitter-
ratur (25 °C oder 298 K) 26 mV. Praktisch liegt Widerstand rbe (Abb. 3.6a). Die Abb. 3.7 und 3.8
der Wert aber eher bei 40 mV. (Vergleiche zur zeigen den Basisstrom IB als Funktion der Basis-
Temperaturspannung Abschn. 1.8.7.1). Emitter-Spannung UBE und der Sperrschichttem-
Wie Gl. 3.2 zeigt, hängt der Basisstrom peratur Tj sowie den in Gl. 3.2 aufgeführten
nicht linear, sondern exponentiell von der nichtlinearen Verlauf des Eingangsstroms IB .
Basis-Emitter-Spannung UBE ab. Dieser stark Während Abb. 3.7 den Zusammenhang in ei-
nichtlineare Eingangswiderstand stört die meis- nem linearen Diagramm darstellt, zeigt Abb. 3.8
ten Anwendungen. Deshalb gleicht man ihn dieselben Abhängigkeiten logarithmisch und
durch eine geeignete Beschaltung des Transistors über einen großen Basisstrombereich.
172 K. Bressler und H. Rudolph

Abb. 3.9 Aufteilung der Ströme im Transistor

Kollektor- und Basisstrom weisen einen weit-


gehend linearen Zusammenhang auf. Deshalb
ist der Quotient aus Kollektorstrom IC und
Basisstrom IB im aktiven Arbeitsbereich nach
Abb. 3.4 ungefähr konstant. Man bezeichnet ihn
Abb. 3.8 Basisstrom IB als Funktion der Basis-Emitter- als Gleichstromverstärkung B, und es gilt
Spannung UBE und der Sperrschichttemperatur Tj (loga-
rithmische Skala)
IC
BD : (3.5)
IB

Eine lineare Spannungsverstärkung kann man Bei großen Änderungen des Kollektorstroms
durch eine Gegenkopplung (Abschn. 3.2.1) errei- (IC > 10) oder, wenn die Kollektor-Emitter-
chen. Dabei wird ein Teil des Ausgangssignals Spannung UCE sehr klein wird, dann ändert sich
mit der dem Eingangssignal entgegengesetzten auch die Stromverstärkung B. Da sie auch von
Phase dem Eingang wieder zugeführt, so dass die der Sperrschichttemperatur Tj und der Betriebs-
Linearität verbessert, aber die Verstärkung ver- frequenz f abhängt, gibt man die differenzielle
ringert wird (Abschn. 3.2.1). Außerdem hängt Stromverstärkung ˇ an, die folgendermaßen de-
die Basis-Emitter-Spannung UBE von der Sperr- finiert ist:
schichttemperatur Tj ab. Der Temperaturkoeffizi- IC
ent ˛ beträgt etwa 2 mV=K. Auch dieser Tem- ˇD : (3.6)
IB
peraturgang muss durch geeignete Schaltungen
Abbildung 3.10 zeigt die Zusammenhänge.
korrigiert werden.
Im Ersatzschaltbild des Transistors nach
Abb. 3.6a bestimmt die Stromverstärkung ˇ das
3.1.3.2 Stromverstärkung Verhältnis zwischen dem Basisstrom IB und dem
Abbildung 3.9 zeigt die Aufteilung der Ströme im Kollektorstrom IC . Zwischen den Größen beste-
Transistor. hen folgende Abhängigkeiten:
Ein kleiner Basisstrom IB (1 % des Emitter-
stroms) verursacht beim Transistor einen großen Kollektorstrom IC Der Kollektorstrom IC
Kollektorstrom IC (99 % des Emitterstroms), der eines Transistors hängt überwiegend vom Ba-
aus der angelegten Spannungsquelle entnom- sisstrom IB ab. Andere Größen, insbesondere
men wird. Abbildung 3.6a zeigte bereits den die Kollektor-Emitter-Spannung UCE haben, wie
Basisstrom IB , der durch den Eingangswider- Abb. 3.11 verdeutlicht, nur einen geringen Ein-
stand Re D rbe festgelegt ist und die Stromquelle fluss.
ˇ  IB im Kollektor-Emitter-Kreis. Die Summe
aus Basisstrom IB und Kollektorstrom IC fließt Gleichstromverstärkung B Die Gleichstrom-
über den Emitter als Emitterstrom IE ab. verstärkung B hängt, wie Abb. 3.12 zeigt, sowohl
3 Transistoren 173

Abb. 3.12 Gleichstromverstärkung in Abhängigkeit vom


Kollektorstrom IC (Parameter, Sperrschichttemperatur Tj )

Abb. 3.10 Stromverstärkung eines Transistors

Abb. 3.13 Frequenzabhängige Stromverstärkung

Abb. 3.11 Ausgangskennlinienfeld eines Kleinsignaltran-


sistors ab. Die Frequenz, bei der die differenziel-
le Stromverstärkung ˇ auf 1 abgefallen ist,
heißt Transitfrequenz fT . In Abb. 3.13 ist die
vom Kollektorstrom IC als auch von der Sperr- Stromverstärkung ˇ in Abhängigkeit von der
schichttemperatur Tj ab. Arbeitsfrequenz f dargestellt.
Aus Abb. 3.13 ist zu erkennen, dass bei der
Differenzielle Stromverstärkung ˇ: Weiter- Grenzfrequenz fg D p fT =ˇ0 die Stromverstär-
hin besteht ein Zusammenhang zwischen der kung auf ˇ D ˇ0 = 2 abgefallen ist. Wie bei
Stromverstärkung ˇ und Arbeitsfrequenz f . einem RC-Glied, das die dem Transistor entspre-
Die bei Gleichstrom und niederen Frequenzen chende Grenzfrequenz fg D fT =ˇ0 hat, tritt auch
in einem Arbeitspunkt konstante Stromverstär- hier eine Phasenverschiebung zwischen Basis-
kung ˇ0 nimmt mit zunehmender Frequenz und Kollektorstrom auf. Bei kritischen Schaltun-
174 K. Bressler und H. Rudolph

gen sind deshalb der Verstärkungsabfall und die Basiswiderstand rr mit dem niederohmigen
Phasenverschiebung zu berücksichtigen. Basis-Emitterwiderstand rbe einen Spannungs-
Zu den oben genannten systematischen teiler bildet, wirkt die Kollektorspannung
Abhängigkeiten kommen große Exemplarstreu- nur wenig zurück. Abbildung 3.6c zeigt den
ungen der differenziellen Stromverstärkung ˇ Rückwirkungswiderstand rr als Ursache der
bei Transistoren gleichen Typs, die der Herstel- Spannungsrückwirkung D, die eine dimensions-
ler durch Sortieren in Stromverstärkungsgruppen lose Zahl ist. Sie ist als Steigung der Kennlinie
mildern kann. Moderne Fertigungsverfahren wie Kollektor-Emitter-Spannung UCE als Funktion
die Ionenimplantation führen zu Halbleitern mit der Basis-Emitter-Spannung UBE definiert:
engeren Toleranzen. Trotz aller Verbesserungen
in der Herstellungstechnik kann man den Gleich- UCE
DD : (3.8)
stromarbeitspunkt einer Halbleiterschaltung nur UBE
in einer gegengekoppelten Schaltung sicher im
aktiven Arbeitsbereich (Abb. 3.4) halten, ohne in D liegt für Kleinsignaltransistoren lediglich in
einen verbotenen Arbeitsbereich zu driften. der Größenordnung 3  104 , weshalb diese auf
die Schaltungseigenschaften nur einen geringen
3.1.3.3 Ausgangsleitwert Einfluss hat, so dass man sie im allgemeinen ver-
Der Kollektor eines Transistors wurde bisher als nachlässigen kann.
reine, vom Basisstrom IB gesteuerte Stromquelle Die Transistorgrößen Eingangswiderstand rbe ,
betrachtet, deren Strom am Arbeitswiderstand Stromverstärkung ˇ, Ausgangsleitwert ga und
die gewünschte Ausgangsspannung Ua er- die Spannungsrückwirkung D sind bei Gleich-
zeugt. Durch den Kollektor-Basis-Widerstand rr strom und niedrigen Frequenzen reell. Mit zuneh-
fließt, abhängig von der Kollektor-Basis-Span- mender Frequenz machen sich jedoch die Kapa-
nung UCB , ein kleiner Strom in die Basis, der um zitäten und Laufzeiten zwischen den Elektroden
den Faktor B verstärkt in der Kollektor-Emitter- bemerkbar und beeinflussen die Verstärkung ˇ
Strecke auftritt. Im Ersatzschaltbild ist die Ur- und den Eingangs- und Ausgangswiderstand er-
sache dieses Stroms der Leitwert ga D 1=ra , heblich. Die Größen werden dann komplex.
der sich parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke
befindet (Abb. 3.6b). Der Ausgangsleitwert ga 3.1.3.5 h-Parameter
ist im Ausgangskennlinienfeld nach Abb. 3.11 als Transistorkennwerte
durch die Reststeigung der Kollektorkennlinie zu Den Transistor kann man, wie bereits in Abb. 3.5
erkennen, wobei gilt dargestellt ist, als Vierpol betrachten, und man
kann seine Eingangs- und Ausgangsgrößen be-
IC rechnen. Für Niederfrequenztransistoren dienen
ga D : (3.7)
UCE die h-Parameter als Kenngrößen. Sie hei-
ßen hybride Parameter, weil sie verschiedene
Bei hochohmigen Arbeitswiderständen muss Dimensionen haben, und entsprechen den un-
man den Ausgangsleitwert ga parallel zum ter Abschn. 3.1.3.1 bis 3.1.3.4 beschriebenen
Arbeitswiderstand in solchen Fällen berück- Kenngrößen. In Abb. 3.6 sind die h-Parameter
sichtigen, wenn er den Arbeitswiderstand RC eingetragen. Tabelle 3.1 zeigt den Zusam-
merklich verkleinert. Bei Kleinsignaltransistoren menhang zwischen den Kennwerten und den
liegt ga in der Größenordnung 5 bis 50 S. h-Parametern in Emitterschaltung. Die deutsch-
sprachige Fachliteratur indiziert die h-Parameter
3.1.3.4 Spannungsrückwirkung mit Zahlen, während im angloamerikanischen
Genaue Untersuchungen zeigen, dass die Sprachgebrauch Buchstaben üblich sind.
Kollektor-Basis-Spannung UCB auch die Basis- Die nachfolgenden Gl. 3.9 und 3.10 beschrei-
Emitter-Spannung UBE und den Basisstrom IB ben mit den h-Parametern den Zusammenhang
beeinflusst. Da der hochohmige Kollektor- zwischen der Eingangsspannung Ube und dem
3 Transistoren 175

Tab. 3.1 Zusammenhang zwischen Transistorkennwerten


und h-Parametern
Kenngröße h-Parameter Dimension
Eingangswiderstand re h1 1e D hie Widerstand
Spannungs- D h1 2e D hre dimensionslos
rückwirkung
Stromverstärkung ˇ h2 1e D hfe dimensionslos Abb. 3.14 Rauschzahl F linear und Rauschmaß F  loga-
Ausgangsleitwert ga h2 2e D hoe Leitwert rithmisch

Kollektorstrom Ic mit Hilfe des Basisstroms Ib mit der Boltzmannkonstanten k D 1;38 


und der Kollektor-Emitter-Spannung 1023 W s=K. Über den Widerstand R kann
man aus der Rauschleistung PR die Rauschspan-
Ube D h1 1 Ib C h1 2 Uce ; (3.9) nung UR nach folgender Gleichung ermitteln:
Ic D h2 1 Ib C h2 2 Uce : (3.10) p
UR D P R  R
Ausgehend von diesen Gleichungen kann man p
UR D 4  k  T  df  R : (3.13)
die h-Parameter als Matrix H darstellen.
!
h1 1 h1 2 In Transistoren erzeugt die Bewegung der La-
H D : (3.11) dungsträger ein zusätzliches Rauschen. Diese
h2 1 h2 2
Rauschspannung hängt vom Innenwiderstand Ri
Wie Gl. 3.9 und Tab. 3.1 zeigen, hat der Ein- der Signalquelle, der Temperatur Tj , der Fre-
gangswiderstand h1 1 die Dimension eines Wider- quenzbandbreite df , dem Transistortyp und
standes, während die Spannungsrückwirkung h1 2 seinem Arbeitspunkt ab. Diese Bedingungen
dimensionslos ist. Gleichung 3.10 beschreibt den sind bei der Berechnung zu berücksichtigen. Die
Kollektorstrom Ic und enthält die dimensionslo- Rauschspannung bezieht man zum besseren Ver-
se Stromverstärkung h2 1 und den Ausgangsleit- gleich mit der zu verstärkenden Signalspannung
wert h2 2 . An dieser Stelle ist anzumerken, dass auf den Eingang des Transistorverstärkers.
die h-Parameter keine festen Werte sind, son- Die Rauschzahl F ist der Faktor, um den
dern, wie die Kenngrößen auch, vom Typ, dem die Rauschleistung der Signalquelle am Ein-
Arbeitspunkt und den unvermeidbaren Exemplar- gang des Transistors vergrößert erscheint. Den
streuungen abhängen. Transistor selbst betrachtet man als rauschfrei.
Üblich ist auch das Rauschmaß F  als loga-
3.1.3.6 Rauschen rithmiertes Verhältnis aus der gesamten intern
In einem Leiter, beispielsweise einem Widerstand anstehenden Rauschleistung PRT im jeweili-
oder einem Halbleiter, erzeugt die Wärme unre- gen Arbeitspunkt und der Rauschleistung des
gelmäßige Bewegungen der Ladungsträger, die Quellwiderstandes PR . Abbildung 3.14 zeigt die
als Rauschen wahrgenommen und als Rauschleis- Zusammenhänge.
tung PR definiert werden. Den Quotienten aus Für die Rauschzahl F und das Rauschmaß F 
der Rauschleistung PR und der Frequenzband- (die Einheit ist dB) gilt
breite df bezeichnet man als Rauschleistungs-
dichte PR =df . Ist sie, wie bei Widerständen, bei PRT
F D (3.14)
allen Frequenzen gleich, spricht man von weißem PR
 
Rauschen. Die Rauschleistung PR hängt in die- PRT
F  D 10  lg dB : (3.15)
sem Fall von der absoluten Temperatur T und der PR
Frequenzbandbreite df , nicht aber vom Wider-
stand ab. Es gilt Das Nutzsignal und das Rauschen werden im
Transistor um den Faktor v verstärkt. Das un-
PR D 4  k  T  df (3.12) ter Berücksichtigung der Rauschzahl berechne-
176 K. Bressler und H. Rudolph

Abb. 3.15 Rauschmaß F  in Abhängigkeit von der Fre-


quenz f

te Signal-Rauschverhältnis bleibt auch nach der


Verstärkung erhalten.
Die Rauschspannung UR hängt nur von der Abb. 3.16 Rauschmaß F  als Funktion des Quellwider-
Schaltung, der Temperatur, der Frequenzband- standes Ri (Parameter: Kollektorstrom IC /
breite und dem Transistortyp ab, nicht aber von
der Signalgröße. Sie ist deshalb bei kleinen
Signalspannungen am Eingang eines Verstär- nehmendem Innenwiderstand der Signalquelle
kers von Bedeutung. Hier muss man durch verschiebt sich dieses Minimum zu kleineren
eine rauscharme Eingangsstufe ein günstiges Kollektorströmen IC , wie Abb. 3.16 zeigt.
Signal-Rauschverhältnis erreichen, da die nach- Im Allgemeinen ist die Rauschspannung am
folgenden Verstärkerstufen das Nutzsignal nicht Ausgang einer Transistorstufe zu minimieren.
vom Rauschen unterscheiden können und beide Ein zunehmender Innenwiderstand der Signal-
gleich verstärken. quelle vergrößert die Rauschspannung, weshalb
Das Transistorrauschen hängt vom Typ, von die Auswirkungen des Innenwiderstandes Ri
der Arbeitsfrequenz f , vom Kollektorstrom IC auf die Rauschzahl F zu beachten sind. Für
und dem Innenwiderstand Ri der Signalquelle ab. den Anwender ist weniger die Rauschzahl einer
Es gibt rauscharme Transistoren, die durch ih- Schaltung wichtig, sondern das aus dem Ver-
re Bauart wenig zusätzliches Rauschen erzeugen. stärker kommende Signal-Rausch-Verhältnis.
Der Hersteller gibt die Rauschzahl für die Ar- Abbildung 3.17 zeigt für verschiedene Kollek-
beitsbedingungen an, überwacht sie bei der End- torströme IC die effektive Rauschspannung UR
prüfung und sortiert teilweise die unterschied- des Transistors in Abhängigkeit vom Innenwi-
lichen Transistoren in verschiedene Rauschleis- derstand Ri der Signalquelle.
tungsgruppen.
Das Transistorrauschen ist frequenzabhängig,
wie Abb. 3.15 zeigt. 3.1.4 Weitere Kennwerte
Aus Abb. 3.15 ist folgendes zu erkennen: Un-
terhalb 1 kHz steigt das Rauschmaß merklich an, Während die zuvor behandelten Kenngrößen
während es zwischen 1 kHz und der Grenzfre- zu einfachen Schaltungsberechnungen herange-
quenz fT =ˇ auf einem niedrigen Niveau bleibt zogen werden, beschreiben die Kennwerte in
und oberhalb der Grenzfrequenz fg schnell an- diesem Abschnitt wichtige Eigenschaften ei-
steigt. Da hier auch die Verstärkung abfällt, wirkt nes Transistors, die der Planer einer Schaltung
sich dieser Anstieg aber weniger deutlich aus. kennen muss, um diese mit den geforderten Ei-
Zu jedem Kollektorstrom IC gibt es einen genschaften auslegen zu können. Dabei ist zu
Quellwiderstand Ri , bei dem die gesamte beachten, dass die Transistorschaltungen trotz
Rauschleistung PR ein Minimum ist. Mit zu- Streuung der Transistorparameter in der Serien-
3 Transistoren 177

Tab. 3.2 Kennzeichnung der Restströme


1. Buchstabe 2. Buchstabe 3. Buchstabe
Positive Negative O: 3. Anschluss
Elektrode Elektrode offen
R: 3. Anschluss mit
2. Elektrode über
einen Widerstand
verbunden
S: 3. Anschluss mit
2. Elektrode
kurzgeschlossen
(shorted)
Abb. 3.17 Breitbandige (10 kHz bis 16 kHz) Rauschspan-
nung UR des Transistors als Funktion des Innenwider-
standes Ri der Signalquelle (Emitterschaltung; Parameter:
Kollektorstrom IC )
3.1.4.3 Transitfrequenz
Mit zunehmender Frequenz nimmt die differen-
zielle Stromverstärkung ˇ eines Transistors ab.
fertigung in gleichbleibender Qualität herstellbar Die Frequenz, bei der ˇ auf 1 abgesunken ist, hat
sind und während ihres Einsatzes zuverlässig die Bezeichnung Transitfrequenz fT . Bei dieser
arbeiten. Frequenz kann man Transistoren nur in Aus-
nahmefällen sinnvoll betreiben. Die Transitfre-
quenz fT ist eine Rechengröße, die das Ver-
3.1.4.1 Restströme
halten des Transistors bei höheren Frequenzen
Für die normalerweise stromlosen Strecken,
beschreibt (Abb. 3.13).
nämlich Kollektor–Basis und Kollektor–Emitter
in gesperrtem Zustand, gibt man mittlere Rest-
ströme an. Sie hängen von der angelegten
3.1.4.4 Schaltzeiten
Spannung und der Sperrschichttemperatur ab. Transistoren in Digitalschaltungen sind meis-
Tabelle 3.2 zeigt die Kennzeichnung der Rest- tens bis zur Sättigungsspannung durchgesteuert
oder stromlos (mit Ausnahme von schnellen di-
ströme.
gitalen Schaltern, den ECL; Abschn. 12.1.5).
Abbildung 3.18 zeigt die entsprechenden
Der Kollektorstrom IC folgt dem Basisstrom IB
Messschaltungen für Restströme.
nicht trägheitslos; denn das Füllen und vor al-
lem das Ausräumen von Ladungsträgern in
3.1.4.2 Sperrschichtkapazitäten der Sperrschicht kostet Zeit. Die entsprechen-
Die sehr dünnen Sperrschichten bilden Kon- den Verzögerungs-, Anstiegs- und Abfallzeiten
densatoren, deren Blindwiderstände sich bei sind die charakteristischen Schaltzeiten für diese
höheren Frequenzen bemerkbar machen. Da- Transistoren.
bei stört die Kollektor-Basis-Kapazität CCB am
meisten, da sie, um die Spannungsverstärkung
der Schaltung vergrößert, scheinbar parallel zum 3.1.5 Transistor-Grenzwerte
Eingang liegt. Die Basis-Emitter-Kapazität CBE
ist streng genommen keine Sperrschichtkapa- Grenzwerte dürfen nicht überschritten werden,
zität, da die Basis-Emitter-Diode im Durchlass sonst wird der Halbleiter zerstört oder irreversibel
betrieben wird; sie wirkt sich aber bei höheren geschädigt. Folgende Grenzwerte sind von Be-
Frequenzen deutlich aus. Typische Werte für deutung:
einen Kleinsignaltransistor sind: CBE D 8 pF bei
UBE D 0;5 V und CCB D 4 pF bei UCB D 5 V. 3.1.5.1 Sperrspannungen
Die Kollektor-Emitter-Kapazität CCE hat wegen Der Hersteller gibt für jedes Elektrodenpaar ei-
der abschirmenden Basis nur geringe Bedeutung. nes Transistors die höchste zulässige Sperrspan-
178 K. Bressler und H. Rudolph

Abb. 3.18 Messschaltungen für Restströme

Durchlassrichtung arbeitet, übersieht man diesen


Grenzwert leicht.

3.1.5.2 Ströme
Zwischen Kollektor und Basis wird normalerwei-
se kein Strom zugelassen.
Der Kollektorstrom IC , der über den Emit-
ter abfließt, erwärmt die Kollektorzone. Wird IC
zu groß, dann fließt er nicht mehr gleichmä-
ßig über die ganze Kollektorfläche, sondern be-
vorzugt einen Kanal, der durch die Erwärmung
niederohmiger wird und den Strom noch mehr
ansteigen lässt. Die Verlustleistung entsteht in
einem wesentlich kleineren Volumen als beab-
sichtigt und zerstört das Kristallgefüge. Außer-
dem kann ein zu hoher Kollektorstrom die meist
Abb. 3.19 Ausgangskennlinienfeld bei hohen Spannun- dünnen Bonddrähte, die den Kristall mit den Löt-
gen, ohne Berücksichtigung des zweiten Durchbruchs anschlüssen verbinden, durchschmelzen. Deshalb
begrenzt man den Kollektorstrom auf einen abso-
luten Maximalwert und auf kleinere spannungs-
nung Umax an, die dieser ohne Schaden dauernd abhängige Werte, den zulässigen Arbeitsbereich
aushält. Bei der Kollektor-Emitter-Spannung ist (Abschn. 3.1.5.5).
auch die Beschaltung der Basis maßgebend, wie Der größte zulässige Basisstrom ist zwar klei-
Abb. 3.19 zeigt. ner als der Kollektorgrenzstrom, aber wesentlich
Im Interesse einer hohen Zuverlässigkeit der größer als der zur Stromverstärkung erforderliche
Halbleiter sollten die Sperrspannungen höchstens Basisstrom. Wegen der steilen Eingangskennli-
zu etwa 90 %, besser nur zu etwa 70 % ausge- nie kann der zulässige Basisstrom trotzdem leicht
nutzt werden, sofern nicht andere Effekte eine überschritten werden, wenn die Basis-Emitter-
weitere Verringerung verlangen. Dabei ist zu be- Strecke aus einer niederohmigen Quelle gespeist
achten, dass beispielsweise eine induktive Last wird.
die anliegende Spannung kurzzeitig weit über die
Betriebsspannung hinaus erhöhen und damit den 3.1.5.3 Temperaturen
Halbleiter zerstören kann. Bei hohen Temperaturen – bei Silicium mehr als
Die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors 200 °C – setzt die Diffusion der verschiedenen
hält in Sperrrichtung häufig nur Spannungen dotierten Schichten ein und ändert irreversibel
von 3 V bis 7 V aus. Wird die Spannung größer, die Kristallstruktur. Kurze Temperaturüberschrei-
dann tritt ein Zenerdurchbruch ein. Da die Basis- tungen, beispielsweise durch Einlöten, werden
Emitter-Strecke in den meisten Schaltungen in leichter überstanden als lang andauernde. Als
3 Transistoren 179

Grenzwert dient die maximal zulässige Sperr-


schichttemperatur Tj (junction temperature), die
nicht überschritten werden darf.

3.1.5.4 Verlustleistung
Hohe Temperaturen entstehen in Halbleitern
meistens durch die interne Verlustleistung PV in
der Basis-Emitter- und in der Kollektor-Emitter-
Strecke. Es gilt

PV D IC  UCE C IB  UBE :

Die Verlustleistung in der Kollektor-Emitter-


Strecke IC  UCE ist wesentlich größer als die
vernachlässigbar kleine Verlustleistung in der
Basis-Emitter-Strecke IB  UBE . Deshalb gilt mit
Abb. 3.20 Zulässige Verlustleistung und Gehäusetempe-
guter Näherung ratur

PV D IC  UCE : (3.16)
über den Anschluss und die Lötfläche der Lei-
Die Verlustleistung PV entsteht zum größten Teil terplatte an diese abgeführt Beispiel: Gehäuse
in der Kollektor-Basis-Sperrschicht, von wo aus SOT323. Bei größerer Leistung ist die Grund-
sie über den Kollektor und das Gehäuse an die platte, auf der der Chip aufgelötet ist, vergrößert,
umgebende Luft und bei Leistungstransistoren, beispielsweise beim Gehäuse SOT89. Der Wär-
ab etwa 1 W Verlustleistung, über den Gehäuse- meübergang vom Transistor zur Grundplatte und
boden an einen externen Kühlkörper abgegeben von dort auf die Leiterplatte ist optimal, die Wär-
werden muss. meabgabe der Leiterplatte ist begrenzt. Nur eine
Die maximale Verlustleistung gibt man im größere Kupferfläche kann mehr Wärme abge-
Allgemeinen für 25 °C Umgebungstemperatur ben, ein Richtwert sind 6 cm2 bei 35 m Kupfer-
oder 25 °C Gehäusetemperatur an. Bei höherer auflage für 2,5 W.
Umgebungstemperatur ist die Verlustleistung zu Eine größere Leistung erfordert einen eige-
verringern (was man im englischen Sprachge- nen Kühlkörper und meistens ein größeres Tran-
brauch als derating bezeichnet); sie darf aber bei sistorgehäuse. Die Gehäuse TO220 und TO247
Temperaturen unter 25 °C nicht über den Nenn- werden häufig auf einen Rippenkühlkörper auf-
wert erhöht werden. Abbildung 3.20 zeigt den geschraubt. Wärmeleitpaste im unvermeidlichen
Zusammenhang zwischen zulässiger Verlustleis- Luftspalt zwischen Transistor und Kühlkörper
tung und Gehäusetemperatur. Zu beachten ist, verringert den Wärmewiderstand etwas, eine Iso-
dass es mit Luftkühlkörpern normalerweise nicht lierscheibe erhöht ihn erheblich. Die Hersteller
gelingt, ein stark Wärme abgebendes Transistor- von Kühlkörpern bieten auf ihrer Internetseite
gehäuse auf 25 °C zu halten. meistens eine gute Anleitung zur Dimensionie-
Die im Transistor entstehende Verlustwärme rung.
kann erheblich sein und muss so abgeführt wer- Abbildung 3.21a zeigt die Wärmewiderstände
den, dass die Sperrschicht die zulässige Tempera- vom aktiven Element bis zur Umgebung. Abbil-
tur, meist 175 °C, nicht überschreitet. Heute sind dung 3.21b zeigt den Temperaturverlauf mit und
nur noch OMB-Gehäuse üblich, sie werden direkt ohne Kühlkörper mit den entsprechenden Ver-
auf die Leiterplatte aufgelötet. Auf einem An- lustleistungen.
schluss, meist dem Kollektor, des Halbleiters ist Übersteigt die Verlustleistung 10 W bis 20 W
das aktive Element aufgelötet; die Wärme wird dann kann der Kühlkörper sehr groß werden. Ab-
180 K. Bressler und H. Rudolph

Abb. 3.21 Wärmeabfluss beim Halbleiter. a Thermisches Ersatzschaltbild eines Transistors mit Kühlkörper, b Tempe-
raturverlauf von der Sperrschicht zur Umgebung, mit und ohne Kühlkörper

hilfe schafft ein forcierter Luftstrom, der bei glei-


begrenzt. Bei bipolaren Leistungstransistoren
chem Kühlkörper und gleicher Übertemperatur kommt durch den sekundären Durchbruch ei-
bis zur sechsfachen Wärmemenge abführen kann. ne zusätzliche, meist engere Grenze dazu, wie
Wegen der Geräusche und der Staubansammlung Abb. 3.22 zeigt. Der sichere Arbeitsbereich (Safe
wird diese Lösung häufig abgelehnt. Für die for- Operating ARea, SOAR), verläuft unterhalb der
cierte Kühlung gibt es besondere Kühlkörper, die Verlustleistungshyperbel und gibt Ströme und
einfach zu montieren sind. Spannungen an, mit denen der Transistor dauernd
belastet werden darf. Der verbotene Arbeitsbe-
3.1.5.5 Erlaubter Arbeitsbereich reich ist in Abb. 3.22 grau gekennzeichnet.
Bei Transistoren für kleine Leistungen ist der Ar- Da der zweite Durchbruch über eine punkt-
beitsbereich durch die Grenzwerte von Strom IC , förmige Erwärmung der Sperrschicht zustande
Spannung UCE und Sperrschichttemperatur Tj kommt, sind kurzzeitige Überschreitungen des
3 Transistoren 181

Abb. 3.22 Sekundärer


Durchbruch und erlaubter
Arbeitsbereich bei Leis-
tungstransistoren

sicheren Arbeitsbereiches und sogar der Verlust-


leistungshyperbel ohne Schaden möglich. We-
gen der sehr kleinen Masse des Transistorsys-
tems und der endlichen Wärmeableitung zum
Gehäuse beträgt die thermische Zeitkonstante ei-
nes Leistungstransistors oft nur 1 ms, für punkt-
förmige Erwärmung noch wesentlich weniger.
Abbildung 3.23 zeigt den zulässigen Arbeitsbe-
reich eines bipolaren Leistungstransistors.
Die Halbleitereigenschaften hängen in hohem
Maß von der Konstruktion und dem Herstellver-
fahren ab. Die Grenzwerte darf man nur nach
verbindlichen Herstellerangaben ausnutzen. Zu
Abb. 3.23 Zulässiger Arbeitsbereich eines bipolaren
beachten ist ferner, dass Halbleiter verschiedener Leistungstransistors
Hersteller mit gleicher Typenbezeichnung unter-
schiedliche Eigenschaften aufweisen können.
Grenzwerte sollte man während des Betriebs  aus welchem Grundmaterial das Bauelement
nicht dauernd, sondern nur kurzzeitig ausnut- hergestellt ist,
zen. Werden Grenzwerte überschritten, so muss  ob es sich um eine Diode, einen Transistor
das nicht zwangsläufig zu einem Totalausfall des oder ein anderes Teil handelt,
 für welche Anwendung das Teil gedacht ist.
Halbleiters führen. Häufiger, aber auch schwieri-
ger zu ermitteln, sind Teilschäden, die nicht ohne Der erste Buchstabe kennzeichnet das Halb-
weiteres zu erkennen sind und die früher oder leitermaterial. Es bedeuten:
später zu einem Ausfall des Bauteils führen wer-A Germanium
den. B Silicium
C Gallium-Arsenid.
Der zweite Buchstabe kennzeichnet den
3.1.6 Typenschlüssel für Halbleiter Verwendungszweck, für den das Halbleiter-
Bauelement in erster Linie entwickelt wurde:
Die Typenschlüssel der europäischen Halbleiter- A Signaldiode
hersteller enthalten folgende Angaben: B Kapazitätsdiode
182 K. Bressler und H. Rudolph

Tab. 3.3 Datenblatt eines bipolaren Transistors


Deutsche Bezeichnung Wert Englische Bezeichnung
Kurzdaten Quick Reference Data
Kollektorstrom IC Collector current
Kollektor-Emitter-Spannung VCE Collector-Emitter voltage
Typ NPN Type
Anwendung Application
Gehäuse SOT23 Case
Grenzwerte Maximum Ratings
Kollektor-Basis-Spannung VCB Collector-base voltage
Kollektor-Emitter-Spannung VCE Collector-emitter voltage
Emitter-Basis-Spannung VEB Emitter-base voltage
Kollektor-Dauerstrom IC Collector current
Kollektor-Spitzenstrom IC;peak Peak collector current
Basis-Spitzenstrom IB;peak Peak base current
Verlustleistung Ptot Total power dissipation
Lagertemperatur Tstg Storage temperature
Sperrschichttemperatur Tj Junction temperature
Arbeitstemperaturbereich TA Operating ambient temperature
Löttemperatur und -zeit TS Soldering temperature and time
Kennwerte Electrical Characteristics
Thermischer Widerstand Sperrsch.-Gehäuse Rth;j-a Thermal resistance junction to ambient
Kollektor-Basis-Reststrom ICB0 Collector cut-off current
Emitter-Basis-Reststrom IEB0 Emitter cut-off current
Stromverstärkung bei verschiedenen Strömen hFE Current gain at different collector currents
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat Collector-emitter saturation voltage
Basis-Emitter-Spg bei verschiedenen Basisstr. VBE Base-emitter voltage at different base curr.
Kollektor-Basis-Kapazität CCB Collector-base capacitance
Emitter-Basis-Kapazität CEB Emitter-base capacitance
Transitfrequenz fT Transition frequency
Rauschzahl NF Noise figure
Referenzliste: Zuordnung der vollständigen Halbleiterbezeichnung zu den zwei bis drei aufgedruckten Zeichen des
Kurzcodes.
Angaben zum Fertigungsstatus: Vorläufige Daten einer Neuentwicklung, laufende Fertigung, nicht für Neuentwicklun-
gen oder abgekündigt.

C Transistor für kleine Leistungen (Rth


Q Leuchtdiode
15 K=W) für niedere und mittlere Frequen- R Thyristor-Tetrode
zen S Schalttransistor
D Leistungstransistor (Rth < 15 K=W) für nie- T Thyristor
dere und mittlere Frequenzen U Leistungsschalttransistor
E Tunneldiode X Guneffektelemente
F Transistor zur Anwendung im Hochfrequenz- Y Leistungsdiode (Gleichrichter)
bereich (Rth
15 K=W) Z Z-Diode.
L Leistungstransistor für Hochfrequenz (Rth < Typen für professionelle Anwendungen sind
15 K=W) mit einem dritten Buchstaben gekennzeichnet,
N Optokoppler der keine standardisierte Aussage hat. Die meist
P Fotohalbleiter (Fotodiode, Fototransistor, Fo- dreistellige Ordnungszahl hat keine technische
tothyristor) Bedeutung, Halbleiter mit aufeinanderfolgender
3 Transistoren 183

Ordnungszahl müssen nicht unbedingt ähnliche tus gibt darüber Auskunft, man vermeidet Liefer-
Eigenschaften haben. probleme und den Einsatz veralteter Teile.
Halbleiter werden heute von internationalen
Konzernen hergestellt, die Datenblätter sind in
3.1.7 Transistordatenblatt englischer Sprache verfasst. Die Tabelle enthält
deshalb die deutsche und die englische Bezeich-
Tabelle 3.3 gibt den üblichen Inhalt eines Tran- nung.
sistordatenblatts eines bipolaren Transistors wie-
der. Es zeigt einige Kurzdaten, das vorgeschla-
gene Anwendungsgebiet und das Gehäuse. Die 3.2 Analoge Grundschaltungen
wichtigsten Kenndaten sind die Arbeitsspannun- mit bipolaren Transistoren
gen und -ströme sowie die Stromverstärkung, die
Transitfrequenz und die Rauschzahl. Sie stehen Die Grundschaltung bestimmt die Eigenschaf-
auf einer Seite und gestatten eine schnelle Vor- ten bei der Verstärkung von Wechselspannungs-
auswahl aus der Vielzahl der angebotenen Typen. signalen. Sie wird nach der für den Ein- und
Damit weiß der Entwickler, ob der Transistor Ausgang gemeinsamen Elektrode benannt. Tran-
für die Anwendung geeignet sein könnte. Aus sistoren kann man in drei verschiedenen Grund-
den Grenzwerten sieht man, ob der Transistor schaltungen betreiben; jede hat ihre besonderen
für die vorgesehenen Spannungen, Ströme und Vorzüge und Nachteile (Abb. 3.24).
Leistungen ausreicht. Mit den Kennwerten wird
die Schaltung berechnet. Zum Schluss überprüft
man, ob sekundäre Größen wie die Kollektor 3.2.1 Emitterschaltung
Emitter-Sättigungsspannung oder die Kollektor-
Basis-Kapazität nicht stören. Die Emitterschaltung hat sich aufgrund ihrer
Ausführliche Datenblätter enthalten viele Dia- guten Spannungs- und Stromverstärkung zur
gramme über die vom Arbeitspunkt abhängigen häufigsten Verstärkerschaltung entwickelt. Ab-
Größen wie beispielsweise Transitfrequenz, Rau- bildung 3.25 zeigt einen Transistorverstärker in
schen, Impulsleistungen und andere interessante Emitterschaltung.
Größen. Für den einfachen Transistorverstärker in
Neben der Gehäusebezeichnung enthält das Emitterschaltung nach Abb. 3.25 ergibt sich:
Datenblatt eine genaue Zeichnung des Gehäu-
ses und oft auch die empfohlenen Lötflächen auf ˇ RC
Verstärkung: vu D (3.17)
der Leiterplatte. Da in der Serienfertigung alle rbe
Bauteile mit Bestückungsmaschinen verarbeitet UT
Eingangswiderstand: rbe D
werden, sind die Bauteile auf Bändern verpackt IB
und werden von der Maschine dort entnommen. 40 mV
 (3.18)
Die Art der Verpackung ist häufig dargestellt. Üb- IB
lich sind Rollen mit 2500 bis 10.000 Stück. Ausgangswiderstand: Ra  RC (3.19)
Bei kleinen OMB-Gehäusen, beispielsweise
SOT23, kann die normale Typenbezeichnung aus Zur erhöhten Temperaturspannung, UT D
fünf bis sieben Zeichen nicht aufgedruckt wer- 40 mV (Abschn. 3.1.3.1). Abbildung 3.26 zeigt
den. Stattdessen werden zwei Buchstaben oder die Spannungen und Ströme der Emitterschal-
Ziffern aufgedruckt, aus denen mit der Referenz- tung nach Abb. 3.25 in vier zusammengesetzten
liste des Datenblattes die genaue Bezeichnung Kennlinien.
des Halbleiters zu sehen ist. Die sinusförmige Eingangsspannung Ube .t/
Wie alle Industrieprodukte werden Transisto- erzeugt an der nichtlinearen Eingangskennlinie
ren weiterentwickelt und bei geringer Nachfrage der Basis-Emitter-Strecke (im 3. Quadranten)
wird die Fertigung eingestellt. Der Fertigungssta- einen verzerrten, d. h. nicht mehr sinusförmigen
184 K. Bressler und H. Rudolph
3
Transistoren

Abb. 3.24 Grundschaltungen von Transistoren und ihre wichtigsten Eigenschaften. Die Zahlenwerte gelten für einen Kleinsignaltransistor mit folgenden Daten:
ˇe D 100; h22e D 50 S; FT D 300 MHz; IE D 5 mA; UT D 40 mV; rbe D 800 
185
186 K. Bressler und H. Rudolph

Eingangsspannung UBE .t/ ist, aber kein linea-


res Abbild von ihr darstellt. Die Kennlinie des
Kollektorwiderstandes RC ist in das Ausgangs-
kennlinienfeld im 1. Quadranten eingezeichnet.
Die vom Kollektorstrom IC am Kollektorwi-
derstand RC erzeugte Signalspannung URC
verringert die Versorgungsspannung US auf
die Kollektor-Emitterspannung UCE .t/, die im
4. Quadranten dargestellt ist.
Diese einfache Emitterschaltung hat eine sehr
Abb. 3.25 Transistorverstärker in Emitterschaltung
hohe Verstärkung, aber drei schwerwiegende
Nachteile:
Basisstrom IB .t/. Dieser Basisstrom verur- 1. Die Eingangsspannung wird am Ausgang
sacht über die Stromverstärkungskennlinie (im verzerrt wiedergegeben.
2. Quadranten) einen fast linear vergrößerten 2. Abweichungen der überlagerten Eingangs-
Strom IC .t/ im Kollektor. Am Kollektorwider- gleichspannung können den Transistor
stand RC entsteht dadurch ein Spannungsab- stromlos machen oder die Basis-Emitter-Stre-
fall URC , der zwar wesentlich größer als die cke durch Überstrom zerstören.

Abb. 3.26 Spannungen und Ströme in der Emitterschaltung nach Abb. 3.25
3 Transistoren 187

Abb. 3.27 Transistorverstärker in Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung und Potentialen an den Transistoran-
schlüssen

3. Temperaturänderungen im Transistor wirken Ua D US  ˇ  IB  RC : (3.20)


sich wie Änderungen der Eingangsgleich-
Ausgangsspannungsänderung:
spannung aus, d. h. die Gleichstromverhält-
nisse sind nicht stabil. dUa D dIB  ˇ  RC :
Ist die Eingangsspannung so klein, dass die
Eingangskennlinie in diesem Bereich näherungs- Spannungsverstärkung:
weise eine Gerade ist, spricht man von kleinen
Signalamplituden. Dafür hat der Verstärker bei dUa
vu D :
der Wechselspannungsverstärkung folgende Ei- dUe
genschaften:
ˇ  RC
Für den Eingangswiderstand gilt: vu D : (3.21)
rbe
Re D rBE D UT =IBD Ausgangswiderstand:
mit IBD als mittlerem Basisgleichstrom.
Ra D RC :
Die Eingangsspannung Ue ergibt sich zu:

Ue D UBED C Ib  rbe Der Ausgangswiderstand wird im Wesentlichen


durch den Kollektorwiderstand RC dargestellt.
mit UBED als mittlerer Basis-Emitter-Gleichspan- Ist er sehr hochohmig, dann ist der parallel ge-
nung. schaltete Ausgangsleitwert ga (Abschn. 3.1.3.3)
Zur Berechnung der Wechselstromeigenschaf- zu berücksichtigen.
ten, d. h. der Reaktion der Schaltung auf eine
Änderung der Eingangsspannung, wird die Glei- 3.2.1.1 Emitterschaltung
chung für die entsprechende Größe differenziert. mit Stromgegenkopplung
Damit entfallen die konstanten (Gleichstrom-) Bei dem in Abb. 3.27b dargestellten Transistor-
Anteile, und es wird mit reinen Wechselstrom- verstärker mit Stromgegenkopplung verursacht
größen gerechnet. Somit gilt: eine ansteigende Eingangsspannung einen an-
Eingangsspannungsänderung: steigenden Basisstrom. Gleichzeitig werden
der Kollektor- und der Emitterstrom um die
dUe D dIB  rbe : Stromverstärkung ˇ verstärkt. An der Basis-
Ausgangsspannung: Emitterstrecke liegt nicht mehr die ganze
Eingangsspannung Ue , sondern nur die Diffe-
Ua D US  IC  RC ; renz zwischen Ue und dem Spannungsabfall UE
188 K. Bressler und H. Rudolph

am Emitterwiderstand RE . Die vom Ausgangs- Zur Ermittlung der Verstärkung wird Ua nach
strom erzeugte Spannung UE wird gegenphasig dem Basisstrom differenziert, weshalb die
in den Eingangskreis zurückgekoppelt und setzt Gleichspannung US entfällt.
dadurch die Verstärkung herab. Diesen Vorgang
bezeichnet man deshalb als Gegenkopplung. dUa D dIB  ˇ  RC :
Eine Gegenkopplung verringert immer die
Verstärkung einer Schaltung. Je nach der Schal- Für die Spannungsverstärkung vu gilt
tungstechnik verbessern sich dafür andere
dUa dIB  ˇ  RC
erwünschte Eigenschaften. Für die Emitterschal- vu D D ;
tung mit Stromgegenkopplung nach Abb. 3.27 dUe dIB .rbe C ˇ  RE /
gelten folgende Zusammenhänge:
ˇ  RC
Spannungsverstärkung: vu D : (3.24)
rbe C ˇ  RE
ˇ  RC
vu D (3.22a) Meistens ist ˇ  1 und rbe  .1Cˇ/RE. Damit
rbe C ˇ  RE kann man die Gl. 3.24 für eine Überschlagsrech-
nung folgendermaßen vereinfachen:
Verstärkung:
RC RC
vu   (3.22b) vu D : (3.25)
RE RE
Eingangswiderstand:
Bei der genauen Berechnung nach Gl. 3.24 muss
Re D rbe C ˇ  RE (3.22c) man für RC die Parallelschaltung des Arbeits-
widerstandes RC mit dem Lastwiderstand RL ,
Ausgangswiderstand: auf den der Verstärker arbeitet, einsetzen. Die-
se Parallelschaltung bestimmt zusammen mit der
Ra  RC (3.22d) Lastkapazität CL die obere Grenzfrequenz !g der
Schaltung. Sie ist
Abbildung 3.27a zeigt die zur Transistorschal-
1
tung vergleichbare Beschaltung eines Operati- !g D  RC : (3.26)
onsverstärkers. Bei beiden Schaltungen wird ein C
Teil des Ausgangssignals auf den Eingang zu- Solange die Stromverstärkung ˇ und der Ein-
rückgekoppelt und von der Eingangsspannung gangswiderstand Re ausreichend groß sind,
abgezogen. hängen Verstärkung und Eingangswiderstand
Die folgende Berechnung des Transistorver- nur noch von der Beschaltung ab. Die aus
stärkers mit Gegenkopplung nach Abb. 3.27 soll verschiedenen Ursachen sich ändernden Tran-
diese Zusammenhänge zeigen. sistorparameter beeinflussen die wichtigen
Die Spannungen im Eingangskreis sind Schaltungseigenschaften nur wenig.

Ue D IE  rbe C IB  ˇ  RE D IB .rbe C ˇ  RE / :
3.2.1.2 Einstellung des Arbeitspunktes
Der Transistor erreicht die gewünschte Arbeits-
Daraus lässt sich der Eingangswiderstand Re be- weise nur mit der richtigen Beschaltung, die ei-
rechnen nerseits die notwendigen Spannungen und Strö-
Ue me zuführt, andererseits die Ausbildung der ge-
Re D D rbe C ˇ  RE : (3.23) forderten Signalgrößen ermöglicht.
IB
Der richtige Arbeitspunkt wird in Abb. 3.28
Die Ausgangsspannung wird erläutert. Teilbild a zeigt die Spannungen in
der gegengekoppelten Emitterschaltung und ih-
Ua D US  IB  ˇ  RC : ren Zusammenhang bei der Aussteuerung. Den
3 Transistoren 189

Abb. 3.28 Gegengekoppelte Emitterschaltung mit den Signalspannungen und Arbeitskennlinien

Arbeitspunkt der Schaltung legt man mit der sein, dass parasitäre Kapazitäten, das sind unver-
Basisgleichspannung so fest, dass der Tran- meidbare Leitungs- und Sperrschichtkapazitäten,
sistor immer im linearen Bereich bleibt, d. h. problemlos und ohne große Phasendrehung der
der Spannungsabfall URC an RC soll 1 V und Ausgangsspannung umgeladen werden kön-
der Spannungsabfall UCE am Transistor 1,5 V nen. Dazu muss der Wechselstromwiderstand
nicht unterschreiten. Es empfiehlt sich daher, R D 1=! C deutlich größer als der Arbeitswi-
die gefundene Dimensionierung auch dann derstand RC sein. Auch der Innenwiderstand des
einzuhalten, wenn Signale mit sehr kleiner Transistors 1=ga sollte deutlich größer als der
Amplitude verstärkt werden. Abbildung 3.28b Arbeitswiderstand RC sein.
zeigt die Arbeitskennlinien der Emitter- und Der Ausgangswiderstand Ra der Schaltung
Kollektorspannung im Ausgangskennlinienfeld beträgt mit guter Näherung
des Transistors. Auf der Arbeitsgeraden des
Kollektorwiderstandes kann man zu jedem Kol- Ra D RC : (3.27)
lektorstrom die zugehörige Kollektorspannung
ablesen, während die Arbeitsgerade des Emit- Bei üblicher Dimensionierung beträgt der Ein-
terwiderstandes die zugehörige Emitterspannung fluss der nicht berücksichtigten Parameter 0,5
zeigt. Die Kollektorspannung UCE muss dabei bis 2 %.
immer im aktiven Arbeitsbereich (Abschn. 3.1.2) Die Basisgleichspannung kann man über
des Transistors bleiben. Zu beachten ist, dass einen Spannungsteiler erzeugen, sofern sie
der Sättigungsbereich nicht auf die Betriebs- nicht direkt von der Vorstufe geliefert wird.
spannung, sondern stets auf die Emitterspannung Der Querstrom im Teiler sollte mindestens das
bezogen wird, wodurch er im Abb. 3.28 immer Dreifache des mittleren Basisstroms betragen.
rechts von der Arbeitsgeraden des Emitterwider- Abbildung 3.28a zeigt die Erzeugung der Basis-
standes liegt. vorspannung mit den Widerständen RB1 und RB2 .
Diese Schaltung eignet sich gut zur Verstärkung
von Wechselspannungen; für Gleichspannungen
3.2.1.3 Praktische Dimensionierung gibt es die später beschriebenen Differenzverstär-
der Emitterschaltung ker.
Um den Stromverbrauch, die Erwärmung und Der Basisspannungsteiler aus RB1 und RB2
die Ausbreitung von Störungen klein zu hal- muss die Basisspannung
ten, sollte man die Schaltung mit einem kleinen
Strom betreiben. Der Strom muss aber so groß UB D UBE C UE
190 K. Bressler und H. Rudolph

erzeugen und dazu noch den erforderlichen Damit wird der Kollektorwiderstand
Basisgleichstrom liefern. Dabei sollte man
Widerstände, die größer als 1 M sind, im US
RC D ;
Interesse stabiler Gleichstromverhältnisse ver- 2 IC .1 C 1=vu /
meiden. Schaltungen, die unter erschwerten 9V
RC D ;
Bedingungen, beispielsweise einem großen Tem- 2  2 mA .1 C 0;05/
peraturbereich, hoher Feuchtigkeit oder starker RC D 2;143 k :
Verschmutzung arbeiten, sollten keine Wider-
stände über 100 k enthalten. Der nächste Normwert aus der Reihe E12 ist
RC D 2;2 k. Aus der Verstärkung und dem
Beispiel 3.2-1 Kollektorwiderstand berechnet man den Emit-
Eine Emitterschaltung mit folgenden Daten terwiderstand.
soll entwickelt werden:
 Spannungsverstärkung: vu D 20; RE D
RC
;
 Eingangswiderstand der Schaltung: Re > vu
10 k RE D 110  :
Vorgegeben sind:
 Die Betriebsspannung: US D 9 V Der nächste Normwert aus der Reihe E12 ist:
 und der Transistor: BCW 60
 mit der Stromverstärkung: B  ˇ D 400 RE D 100  :
 und dem Eingangswiderstand: h11 D rbe D
5 k: Die Spannung am Kollektor ist

Lösung: UC D US  IC  RC ;
Für den Kollektorstrom setzt man aus der Er-
UC D 4;6 V :
fahrung 2 mA an. Der Wert ist im Prinzip frei
wählbar. Die weitere Rechnung beweist oder
Die Spannung an der Basis ist
widerlegt den richtigen Ansatz. Die nachfol-
gende Rechnung oder die Vermessung zeigen,
UB D UE C UBE ;
ob der Arbeitsbereich stimmt, die Bandbreite
ausreicht oder ob der Verstärker andere uner- UB D 0;2 V C 0;6 V D 0;8 V :
wünschte Eigenschaften hat.
Der Basisstrom wird aus dem Kollek-
IC D 2 mA : torstrom IC und der Stromverstärkung ˇ
berechnet:
Die Spannungsverstärkung vu ist überschlägig IC
IB D :
ˇ
RC
vu D  : Die Gleichstromverhältnisse werden nur dann
RE
stabil, wenn der Querstrom im Spannungstei-
Ohne Aussteuerung soll UCE D URC C URE D ler deutlich größer als der Basisgleichstrom
US =2 sein. UCE D US =2, ist.
Durch RB2 soll der 3fache Basisstrom flie-
US ßen,
UCE D ;
2
US =2 UB
IC D ; RB 2 D ;
RC C RE 3 IB
US 0;8 V
IC D : RB 2 D D 53;3 k :
2 RC .1 C 1=vu / 15 A
3 Transistoren 191

Der nächste Normwert aus der Reihe E12 ist Wie Gl. 3.22a zeigt, fällt ein Teil der Ein-
RB2 D 56 k. gangsspannung im Basis-Emitter-Widerstand
rbe ab, was in der Formel für die Über-
US  UB schlagsberechnung nicht berücksichtigt wird.
RB 1 D ;
4 IB Vergrößert man jetzt den Arbeitswiderstand
8;2 V im Verhältnis Vsoll =Vist , dann hat die Schaltung
RB 1 D D 410 k :
20 A die gewünschte Verstärkung. Selbstverständ-
lich kann man auch die Gl. 3.22a nach RC
Der nächste Normwert aus der Reihe E12 ist auflösen und den Kollektorwiderstand direkt
RB1 D 390 k. aus allen bekannten Größen berechnen.
Der Eingangswiderstand der Schaltung Der Einfluss der Spannungsrückwirkung
nach Abb. 3.28 wird vom Emitterwiderstand und des Ausgangsleitwerts, ungefähr 1 %,
und der Spannungsgegenkopplung wesent- wird hier vernachlässigt. Wegen großer
lich beeinflusst. Er ist die Summe aus dem Streuung aller Parameter hat eine genauere
Basis-Emitter-Widerstand rbe und dem um die Rechnung keine praktische Bedeutung.
Stromverstärkung vergrößerten Emitterwider- Die Rechnung zeigt folgende Eigenschaf-
stand RE . Diesem Eingangswiderstand wird ten der Schaltung:
der Widerstand des Basisspannungsteilers RT  Die überschlägig berechnete Verstärkung
parallel geschaltet. ist etwa 13 % höher als die genau berech-
nete.
RB1  RB2  Der Eingangswiderstand wird hauptsäch-
RT D RB1 kRB2 D ;
RB1 C RB2 lich vom Emitterwiderstand und dem Ba-
Re D Œrbe C RE  ˇ
kRT ; sisspannungsteiler, weniger von den Tran-
Re D Œ5 k C 100   400
k56 kk 390 k ; sistordaten bestimmt.
 Je höher man die Verstärkung der gesamten
1 1 1 1
D C C ; Schaltung wählt, desto größer ist die Ab-
Re 5 k C 40 k 56 k 390 k
weichung zwischen der überschlägigen und
Re D 23;4 k : der genauen Rechnung und desto mehr ge-
hen die Transistordaten in das Ergebnis ein.
Nachdem alle Bauteile des Verstärkers be-  Stark gegengekoppelte Schaltungen sind
kannt sind, kann man die Verstärkung vu nach stabil und gut reproduzierbar.
der vereinfachten Gl. 3.22b überschlägig und
nach der genaueren Gl. 3.22a, die den Ein- 3.2.1.4 Emitterschaltung mit
gangswiderstand rbe des Transistors und sei- Spannungsgegenkopplung
nen Ausgangsleitwert ga berücksichtigt, genau Bei der Emitterschaltung mit Spannungsgegen-
berechnen. Es gilt kopplung, Abb. 3.29a, wird der Basisstrom über
den Spannungsteiler RCB und RBE aus der Kol-
RC
vu  ; lektorspannung UC gewonnen. Die dabei auf den
RE Eingang zurückgekoppelte Spannung stabilisiert
vu  22 ; den Gleichstromarbeitspunkt und verringert die
UE D IB .rbe C ˇ  RE / ; Verstärkung. Dabei setzt man voraus, dass der
UA D IB  ˇ  RC ; Basisstrom IB klein gegen den Querstrom I2 im
Spannungsteiler ist, beispielsweise I2 D 10 IB .
UA IB  ˇ  RC
vu D D ; Der Kollektorwiderstand RC wird durch die
UE IB  .re C ˇ  RE / Betriebsspannung Us und den notwendigen Kol-
400  2;2 k lektorgleichstrom IC bestimmt. Die mittlere Kol-
vu D ;
5 k C 400  0;1 k lektorgleichspannung sollte die halbe Betriebs-
vu D 19;5 : spannung betragen. Die zum Eingangsstrom ge-
192 K. Bressler und H. Rudolph

Abb. 3.29 Emit-


terschaltung mit
Spannungsgegenkopplung

genphasige Ausgangsspannung UC erzeugt über Maßgebend für den Arbeitspunkt ist außer der
RCB eine Gegenkopplung, die den Arbeitspunkt Beschaltung die üblicherweise stark streuende
stabilisiert und die offene Verstärkung (herabsetzt Stromverstärkung B. Sind ihre Grenzen bekannt,
Abb. 3.29). und wird nicht der volle Aussteuerbereich benö-
Für die Emitterschaltung mit Spannungsge- tigt, dann ermöglicht diese Schaltung einen Ver-
genkopplung nach Abb. 3.29 gelten folgende stärker mit einem niederohmigen Eingang und
Werte: Ausgang. Der Arbeitspunkt ist jedoch wesent-
Spannungsverstärkung: lich weniger stabil als in der Emitterschaltung mit
Stromgegenkopplung.
1 1 1 RCB
0
D  C mit v  D (3.28)
v v v0 RB

dynamischer Eingangswiderstand: 3.2.1.5 Emitterschaltung bei höheren


Frequenzen
Re D RB C .rbe kRCB =v 0 /  RB (3.29) Bisher wurden alle Schaltungen unter Gleich-
strombedingungen betrachtet. Mit zunehmender
dynamischer Ausgangswiderstand: Frequenz beeinflussen Laufzeiteffekte im Halblei-
 ter (Abnahme der Stromverstärkung ˇ oberhalb
 rbe RB
Ra D RC 
ˇ R (3.30) der Grenzfrequenz fg ) und unvermeidbare Kapa-
CB zitäten im Halbleiter die Verstärkung v0 sowie die
Eingangs- und Ausgangswiderstände Re und Ra
In Gl. 3.28 bedeutet
und die Spannungsrückwirkung D einer Verstär-
 v0 D dUC =dUB : die offene Verstärkung des
kerschaltung.
Transistors,
Abbildung 3.30 zeigt den aus Abb. 3.25 be-
 v 0 D dUC =dUe : die Verstärkung des ganzen
kannten Transistorverstärker, der aus der Quelle
gegengekoppelten Verstärkers,
mit dem Innenwiderstand RB gespeist wird und
 1=v  D RB =RCB : den Gegenkopplungsfaktor.
bei einer Frequenz betrieben wird, bei der die
Die Gegenkopplung über RCB verkleinert den
Kollektor-Basis-Kapazität nicht mehr vernach-
Eingangswiderstand des Transistors zwischen
lässigt werden darf. Die Schaltung lässt sich als
Basis und Emitter so sehr, dass der Eingangs-
Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung
widerstand Re der gesamten Schaltung praktisch
(Abschn. 3.2.1.4) entsprechend Abb. 3.29 be-
nur vom Widerstand RB abhängig ist (s. Gl. 3.29).
rechnen, wenn RCB durch 1=j! Ccb ersetzt wird.
Der dynamische Ausgangswiderstand wird
Damit ist der Gegenkopplungsfaktor 1=v  :
um den Faktor v 0 =v0 verkleinert. Der Einfluss
des Ausgangsleitwertes ga ist meistens gegen
den Kollektorwiderstand RC zu vernachlässigen. 1=v  D j! Ccb  RB :
3 Transistoren 193

Abb. 3.31 Spannungen und Ströme in der Kollektorschal-


tung

Die Spannungsverstärkung der Kollektorschal-


tung ist  1, dagegen hat die Schaltung die
Abb. 3.30 Emitterschaltung bei höheren Frequenzen Stromverstärkung des Transistors, die nur um
den Verlust im Emitterwiderstand RE verringert
wird. Die Kollektorschaltung setzt man zur Im-
Die Kollektor-Basis-Kapazität Ccb beeinflusst die pedanzwandlung ein (das ist eine Widerstands-
Verstärkung bereits dann, wenn das Produkt aus transformation zwischen Eingang und Ausgang)
Kreisfrequenz ! und der Zeitkonstanten Ccb  rbe und zur reinen Stromverstärkung. Häufig wird
die kleine Größe 1=v0 erreicht. der Transistor in Kollektorschaltung direkt von
An der Kollektor-Basis-Kapazität Ccb liegt anderen Transistoren versorgt, so dass er keine
die Summe aus der Eingangsspannung UBE zusätzliche Beschaltung für die Gleichstromzu-
und der um den Faktor v0 verstärkten Ein- führung hat. Abbildung 3.31 zeigt die Spannun-
gangsspannung. Dadurch wird der Strom im gen und Ströme in der Kollektorschaltung.
Kondensator Ccb um den Faktor (1 C v0 ) grö- Für die Kollektorschaltung nach Abb. 3.31 er-
ßer, und die Kollektor-Basis-Kapazität Ccb rechnen sich folgende Größen:
erscheint um den Faktor (1 C v0 ) dynamisch Verstärkung:
vergrößert. Diese Kapazität heißt allgemein
Miller-Kapazität. vu  1
Die Kollektor-Basis-Kapazität Ccb wird nur (3.31)
vi  ˇ
bei der Emitterschaltung dynamisch vergrößert.
Eine Gegenkopplung vermindert die Verstärkung Eingangswiderstand:
und damit auch den Einfluss dieser parasitären
Kapazität. Re D rbe C .1 C ˇ/  .RE kRL / (3.32)
Die ebenfalls vorhandene und meistens größe-
re Basis-Emitter-Kapazität Cbe hat eine wesent- Ausgangswiderstand:
lich geringere Wirkung, da sie nicht dynamisch
RG C rbe
vergrößert wird. Ra D (3.33)
ˇ

Die Spannungsverstärkung errechnet sich mit


3.2.2 Kollektorschaltung
Ue D Ib  rbe C Ib  .1 C ˇ/  RE und
Bei dieser Schaltung ist der Kollektor die ge- Ua D Ib  .1 C ˇ/  RE zu
meinsame Bezugselektrode. Diese Schaltung be- Ua Ib  .1 C ˇ/  RE
vu D D
zeichnet man auch als Emitterfolger, im engli- Ue Ib  Œrbe C .1 C ˇ/  RE

schen Sprachgebrauch als voltage follower. Das


Eingangssignal an der Basis erscheint am Emitter .1 C ˇ/  RE
vu D : (3.34)
mit nahezu gleichem Pegel und gleicher Phase. rbe C .1 C ˇ/  RE
194 K. Bressler und H. Rudolph

Der Eingangswiderstand Re der Kollektorschal-


tung errechnet sich mit

Ie D .1 C ˇ/  Ib ;
Ua D .1 C ˇ/  Ib  RE und
Ue D Ib  Œrbe C .1 C ˇ/  RE
zu
dUE
Re D D rbe C .1 C ˇ/  RE :
dIB

Der Eingangswiderstand wird mit guter Nähe- Abb. 3.32 Einstellung des Arbeitspunktes bei der Kollek-
rung durch folgende Gleichung beschrieben: torschaltung

Re D rbe C ˇ  .RE kRL / : (3.35)

Der Ausgangswiderstand Ra der Schaltung hängt Mit diesen Daten soll die Spannungsverstär-
zusätzlich noch vom Innenwiderstand RG des kung vu , der Eingangswiderstand Re und der
speisenden Generators ab. Für die Ausgangsspan- Ausgangswiderstand Ra errechnet werden.
nung Ua gilt
401 k
vu D D 0;99 :
Ua D U0  URG  Ube ; 4 k C 401 k
Ua D U0  Ib  RG  Ib  rbe ;
Die Spannungsverstärkung vu ist nahezu 1
Ie
Ua D U0   .RG C rbe / :
1Cˇ
vu  1 :
Damit wird der Ausgangswiderstand Ra :
Der Eingangswiderstand wird nach Gl. 3.29 zu
dUa RG C rbe
Ra D D Cˇ
dIa 1 Re D 4 k C 400  1 k D 404 k :
oder näherungsweise
Der Innen- oder Ausgangswiderstand Ra ist
RG C rbe nach Gl. 3.30
Ra  : (3.36)
ˇ
10 k C 4 k
Ra ist dabei der dynamische Innenwiderstand, der Ra D D 35  :
400
solange gilt, wie der Transistor oder der Wider-
stand RE den Ausgangsstrom I aufbringen kann. Wenn die Basisgleichspannung der Kollektor-
Der Maximalstrom, der aus dem Verbraucher in schaltung nicht von der Signalquelle kommt,
den Widerstand RE fließen kann, wird nur durch muss man sie mit einem eigenen Spannungs-
den Widerstand RE und die an ihm anliegen- teiler erzeugen, wie Abb. 3.32 zeigt.
de Gleichspannung bestimmt. Ein Zahlenbeispiel Jetzt liegen die Widerstände R1 und R2
soll die Verhältnisse veranschaulichen. parallel zum hohen Eingangswiderstand Re
der Kollektorschaltung. Dieser Spannungstei-
Beispiel 3.2-2 ler verringert den Eingangswiderstand der Ge-
Es gelten folgende Werte: samtschaltung auf einen Bruchteil des Ein-
gangswiderstandes der reinen Kollektorschal-
ˇ D 400 RE D 1 k
tung. Ein schaltungstechnischer Kniff ermög-
IE D 4 mA rbe D 4 k licht aber eine stabile Schaltung mit hohem
RG D 10 k: Eingangswiderstand.
3 Transistoren 195

Bei tiefen Frequenzen wird der Kondensa-


tor C hochohmig, die Schaltung arbeitet wie
in Abb. 3.32.
Die praktische untere Frequenz liegt bei

R1 kR2
10  1=! C
10
!g D
.R1 kR2 /  C
1
!g D 37
s
fg D 5;9 Hz :
Abb. 3.33 Erhöhung des Eingangswiderstandes mit der
Bootstrapschaltung
Die hochohmige Eingangsstufe könnte auch
mit einem Feldeffekttransistor realisiert wer-
3.2.2.1 Bootstrapschaltung den, dessen Gate-Potenzial man problemlos
Bei der Bootstrapschaltung (Abb. 3.33) wer- über einen hochohmigen Widerstand zuführt
den die Verluste des Signalstroms in R1 und R2 (Abschn. 3.4.3).
vom niederohmigen Ausgang der Kollektorschal- Die Kollektorschaltung zeigt bei zuneh-
tung aufgebracht. Dazu muss der Kondensator C mender Frequenz folgende Eigenschaften: Die
für alle Signalfrequenzen einen Kurzschluss Basis-Emitter-Kapazität Cbe liegt parallel zum
bilden. An R3 steht nur die kleine Basis-Emitter- Basis-Emitter-Widerstand rbe , d. h., bei Klein-
Signalspannung Ube . Der Widerstand R3 wird im signaltransistoren beginnt der Einfluss dieser
Verhältnis Ue =Ube dynamisch hochtransformiert. parasitären Kapazität erst im MHz-Bereich.
Die Kollektor-Basis-Kapazität Ccb liegt par-
Ue allel zum Eingang und wird nicht dynamisch
R30 D R3 R3
Ube vergrößert. Den größten Einfluss hat hier die
rbe C .1 C ˇ/ RE oberhalb der Grenzfrequenz fg abnehmen-
D
rbe de Stromverstärkung ˇ. Damit sinkt auch der
ˇ  RE hohe Eingangswiderstand Re .
 R3 :
rbe
Der Eingangswiderstand Re ist
3.2.3 Basisschaltung
Re D R30 k.rbe C ˇ RE / :
Bei der Basisschaltung ist die Basis des Tran-
Beispiel 3.2-3 sistors die gemeinsame Bezugselektrode für Ein-
Eine Bootstrapschaltung nach Abb. 3.33 ist zu gang und Ausgang (Abb. 3.34).
berechnen. Der Widerstand R1 soll 112,5 k, Die Basisschaltung eignet sich nur zur
R2 D 150 k, R3 D 10 k, der Konden- Spannungsverstärkung, während die Stromver-
sator C D 10 F und die Stromverstärkung stärkung vi  1 ist. Sie hat folgende Vorteile:
ˇ D 400 betragen (übrige Daten wie in Bei-  Sie arbeitet gut bis zu hohen Signalfrequen-
spiel 3.2-2). zen,
 sie hat eine geringe Rückwirkung vom Aus-
gang auf den Eingang, und
Lösung  sie ist unempfindlich gegen Parameter- und
400  1 k Temperaturschwankungen.
R30 D 10 k
4 k Nachteilig ist, dass man den Emittergleich-
0
R3 D 1 M : strom am Signaleingang einspeisen muss und
196 K. Bressler und H. Rudolph

Beispiel 3.2-4
Für die Schaltung nach Abb. 3.35 sollen der
Arbeitspunkt und die wichtigen Signal- und
Gleichspannungen berechnet werden.
Folgende Ausgangsdaten sollen gelten:
US D 6 V, IC D 3 mA, rbe D 1;3 k,
UC D 4 V, ˇ D 100.

Lösung
Abb. 3.34 Transistor in Basisschaltung Die Schaltung ist richtig dimensioniert, wenn
im Arbeitspunkt ohne Aussteuerung gilt

deshalb möglicherweise die Signalquelle belas- UCE D UE C URC ;


tet. Den Emitterstrom kann man auch über eine UCE C UE C URC D US :
Drossel, einen Transformator oder eine Strom-
quelle zuführen, wenn dadurch das Signal nicht Ansatz: UCE D US =2 D 3 V
gestört wird. Die Eigenschaften dieser Schaltung URC D 2 V
bestimmen weitgehend ihren Einsatz als Hochfre-
UE D 1 V:
quenzverstärker.
Folgende Zusammenhänge ergeben sich für Basisstrom bei IC D 3 mA W
die Basisschaltung:
IB D 30 A:
Spannungsverstärkung:
Da an der Basis kein Signal steht, kann der
ˇ Rc Basisspannungsteiler aus R1 und R2 nieder-
vu D : (3.37)
rbe ohmig sein; der Querstrom beträgt 10 IB . Der
Kondensator C2 muss für die kleinste Arbeits-
Stromverstärkung: frequenz ein Kurzschluss sein.

UB D UE C 0;5 V D 1;5 V :
ˇ
˛ D vi D 1: (3.38)
1Cˇ An R2 steht die Summe aus der Eingangsspan-
nung UE und der Basis-Emitterschaltung UBE ,
Eingangswiderstand: zusammen 1,5 V. Durch den Spannungsteiler
sollen 300 A fließen, R2 beträgt demnach
rbe 5 k. Der nächste Normwert E 12 ist 4,7 k.
Re D : (3.39)
ˇ An R1 stehen 4,5 V, durch ihn sollen
330 A fließen, er beträgt 13,6 k. Der nächs-
Die Stromverstärkung ist vi  1, solange ˇ  1 te Normwert E 12 beträgt 12 k. Mit diesen
ist. Trotzdem erreicht die Schaltung eine gu- Werten und den Ausgangsdaten der Schaltung
te Leistungsverstärkung, da auch für eine große erhält man folgende Einzelspannungen:
Ausgangsspannung Ua nur eine kleine Eingangs-
UB D 1;49 V
spannung Ue erforderlich ist. Der Ausgangs- oder
Innenwiderstand Ra der Basisschaltung wird al- UE D 1;0 V
lein vom Kollektorwiderstand RC bestimmt. Der URC D 2;0 V
parallel liegende Ausgangsleitwert gab ist sehr UC D 4;0 V :
klein und praktisch immer zu vernachlässigen.
Der Transistor arbeitet deshalb als fast ideale Aus dem Emitterstrom IE D IC D 3 mA und
Stromquelle. dem Spannungsabfall UE an RE kann man den
3 Transistoren 197

vernachlässigt werden. Würde das Signal an


der Basis eingespeist, dann wäre die Verstär-
kung
RC
vD D2:
RE
Der Eingangswiderstand der Emitterschaltung
wäre aber wesentlich höher und im vorliegen-
den Beispiel durch den Basisteiler bestimmt.
Bei einem HF-Verstärker kann man den
Kollektorwiderstand auch durch eine Dros-
Abb. 3.35 Transistor in Basisschaltung mit Gleichstrom- sel oder einen Schwingkreis ersetzen. Emitter
versorgung und internen Spannungen und Basis werden wie bei der Stromquelle
beschaltet, um einen stabilen Gleichstromar-
beitspunkt zu erhalten. Häufig blockt man die
Emitterwiderstand RE berechnen. Gleichspannungspotenziale am Eingang und
Ausgang über Kondensatoren ab (C1 und C3
UE
RE D D 333  I in Abb. 3.35). Dabei müssen die Wechsel-
IE stromwiderstände dieser Kondensatoren we-
sentlich kleiner als die Eingangs- und Aus-
nächster Normwert E 12: 330 .
gangswiderstände sein. Abblocken ist die Be-
Der Kollektorwiderstand RC wird ebenso
aus dem Kollektorstrom und dem geforderten zeichnung für das Trennen der Signal- und
Spannungsabfall berechnet. der Versorgungsströme durch Kondensatoren
und Drosseln (Induktivitäten) im Längs- oder
URC Querzweig eines Signalweges.
RC D D 666 I Die Basisschaltung zeigt bei zunehmender
IC
Frequenz folgende Eigenschaften:
nächster Normwert E 12: 680 . Die kleine Basis-Emitter-Kapazität Cbe
Bis hierher berechnet man den Arbeits- ist dem sehr niederohmigen Emitter-Basis-
punkt genauso wie bei der Emitterschaltung in Widerstand rbe parallel geschaltet und hat
Abschn. 3.2.1. keinen praktischen Einfluss. Die Kollektor-
Am Transistor liegen jetzt die in Abb. 3.35 Basis-Kapazität Ccb liegt zum Lastwiderstand
rot eingezeichneten Potenziale. Das am Emit- parallel und kann deshalb von Bedeutung sein.
ter eingespeiste Signal Ue wird um die Span- Beide parasitäre Kapazitäten werden nicht dy-
nungsverstärkung vu verstärkt, so dass gilt namisch vergrößert. Da die Schaltung den
Steuerstrom nicht verstärkt, setzt auch der
ˇ RC Einfluss der abnehmenden Stromverstärkung
vu D ;
rbe erst bei höheren Frequenzen ein.
100  680 
vu D D 51;1 :
1;33 k
3.2.4 Stromquelle
Für den Eingangswiderstand Re ergibt sich

rbe Beim Transistor verursacht ein Basisstrom IB


Re D D 13  : einen entsprechend großen Kollektorstrom IC ,
ˇ
der von der Kollektor-Emitter-Spannung UCE
Der zur Gleichstromversorgung nötige Emit- weitgehend unabhängig ist. Diese Eigenschaft
terwiderstand RE D 330  kann gegen den erlaubt es, mit einem Transistor nach Abb. 3.36
dynamischen Eingangswiderstand Re D 13  eine einfache Stromquelle aufzubauen.
198 K. Bressler und H. Rudolph

a b

Abb. 3.37 Stromspiegel ohne und mit Gegenkopplung


Abb. 3.36 Temperaturkompensierte Stromquelle a einfacher Stromspiegel, b Stromspiegel mit Gegenkopp-
lung

Unter der Annahme, dass IC  IE und ˇ  1


ist, erhält man für die Spannung UB C UD im 3.2.5 Stromspiegel
Basis-Emitter-Kreis
Eine besondere Form der Stromquelle ist der
UB C UD D UE C UBE Stromspiegel. Abbildung 3.37 zeigt zwei mögli-
che Schaltungen. Beim einfachen Stromspiegel,
Abb. 3.37a, fließt der Steuerstrom I1 in den Kol-
mit
lektor von T1 und in die Basisanschlüsse beider
UD  UBE
Transistoren. Die für beide Transistoren gleiche
UB D UE D IE  RE Basis-Emitter-Spannung erzeugt in beiden Tran-
UB D IE  RE : sistoren den gleichen Kollektorstrom. I2 ist so
groß wie I1 C 2IB . Bei hoher Stromverstärkung,
Löst man diese Gleichung nach IE auf und ˇ
400, kann der Unterschied meist vernachläs-
setzt IE D IC , ergibt sich für IC der Zusammen- sigt werden.
hang
UB I1 D IC1 C 2IB
IC D : (3.40)
RE I DI DI
C1 C2 2
Bei veränderlicher Betriebsspannung kann man I2 D I1 .1  2=ˇ/ :
den Widerstand R1 durch eine Z-Diode ersetzen.
Der Spannungsabfall an der Diode D hat unge- Die Schaltung funktioniert gut, wenn bei-
fähr den gleichen Temperaturgang von 2 mV=K, de Transistoren genau gleich sind. D. h., die
wie die Basis-Emitter-Spannung des Transistors. Stromverstärkung ˇ und die Basis-Emitter-
Dadurch bleibt die Spannung UE konstant und Spannung UBE müssen bei beiden Transistoren
verursacht in RE einen temperaturunabhängigen gleich sein. Das gelingt praktisch nur, wenn bei-
Strom I . de Transistoren in einer integrierten Schaltung
Die Stromquelle erzeugt auch zeitlich verän- nebeneinander hergestellt sind.
derliche Ströme, wenn sie mit der entsprechen- Der Spannungsabfall an der Kollektor-
den Spannung UB angesteuert wird. Bei gerin- Emitter-Strecke von T1 ist UBE , der Span-
gen Anforderungen an die Temperaturstabilität nungsabfall an T2 liegt je nach der externen
des Stromes kann man die Diode weglassen und Anforderung zw