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Fachverband für Design, Leiterplatten- &

Elektronikfertigung

Elektronikkühlung
in Leiterplatten-
design und -fertigung
Referent II Dr. Christoph Lehnberger

– Vita
– 1989 – 1998 Studium der Chemie (Uni Konstanz / TU Dresden)
– 1998 – 1999 Junior-Produktmanager (Start-Up, Berlin)
– 2000 – heute ANDUS ELECTRONIC GmbH, Berlin
– - Forschung & Entwicklung
– - Leiter Techn. Vertrieb
– - Projektmanager
– - Leiter Technologie

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Teil 2:„Leiterplatten“

1. Strategien zur Technologieauswahl


2. Dickkupfer und Inlay Multilayer
3. Heatsink & Co
4. Design Thermischer Vias
5. Basismaterial & Interface-Material
6. Projektbeispiele
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1. Strategien zur Technologieauswahl
a. Wo entsteht die Wärme?
b. Wo soll die Wärme hin?
c. Wie kommt sie dort hin?

Ziele des Seminarteils

► Bringt Licht in den


Technologie-Dschungel

► Navigiert durch
verschlungene Wärmepfade

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1. Strategien zur Technologieauswahl

Beispiel: 4 Lagen Multilayer

dTmax: 57 °C

Zusätzlich Kupferprofile auf die Innenlagen geschweißt:

dTmax: 38 °C

Kostenlose Alternative: Optimierung Innenlagen-Layout:

dTmax: 29 °C

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1. Strategien zur Technologieauswahl

Beispiel für eine Technologieentscheidung (LED)

Multilayer & Cu-Bändchen Gebogenes IMS (Alu-LP)


(Bild: Häusermann HSM-Tec) (Bild: Fela)

KISS: Keep It Smart & Simpel


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Technologie-Scout
70 .. 400µm Cu
Power LPs Dickkupfer-LPs

Eisberg
Wirelaid
CombiBoard

Hohe Ströme & Inlay-LPs


Leistungen SMT

IMS

≤400µm Cu
Leadframe-LP
Metallkern-LP
Bauteil-
Kühlung 2L-Flex auf HS
Hybrid / Keramik

Dünnlaminat

Cu-Heatsink
mit Microvias
CTExy- X-Cool 1lagig
Ausdehnung
IMS-LPs:
begrenzen
Bergquist, …
DCB Flex auf Alu/Cu
Dickschicht Fluidik
Dünnschicht CIC Cu-Invar-Cu
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1. Strategien zur Technologieauswahl

Auf dem Wärmepfad fließt die Wärme von warm nach kalt. Dazu muss
sie den Thermischen Widerstand Rth überwinden.

.
Wärmestrom Q = P
T1 [Joule/s = Watt] T2

.
Rth = (T1 – T2) / Q

[Rth] = K/W

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1. Strategien zur Technologieauswahl

Elektrisches Analogon:

U1 U2

R = (U2 - U1) / I

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1. Strategien zur Technologieauswahl

Rth in der Praxis? Verschlungene Wärmepfade (Symbolbild)


Junction → Case → Leiterplatte → Gehäuse → Umgebung
TPads
Tc1 Th1
Leadframe
TLP
Tj Tc2 Th2 Ta
Mold TBottom TTIM Dome
Interface
Tc3 TKühlpad TKK Th3
Heatsink Heatsink
Tair

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1. Strategien zur Technologieauswahl

Elektrisches Analogon:

Planen Sie, wo die Wärme fließen soll.


Voraussetzung: Sie kennen die Wärmewiderstände
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1. Strategien zur Technologieauswahl

Wo fängt man die Planung an? Vorne, an der Quelle:


Relevante Wärmequellen:

Kühlung per Kühlkörper, … Kühlung per Leiterplatte


Bei der Bauform werden die entscheidenden Weichen
für den Wärmepfad gestellt. ( Blick ins Datenblatt)
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1. Strategien zur Technologieauswahl

Wie geht die Planung weiter?


Wärmepfade optimieren mit der Temperatur-Treppe:
→ Große Temperaturgefälle im Wärmepfad suchen
→ Verbesserungen gezielt einbauen
T

Ort
Bauteil … LP Ort1 … LP Ort x … Umgebung

Fazit: Nicht nur Tmax bewerten, sondern alle Temperaturen entlang des Wärmepfades.
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1. Strategien zur Technologieauswahl (Fortsetzung)

Fortsetzung an Beispielen

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1. Strategien zur Technologieauswahl
Beispiel
Eine THT-Baugruppe weist wenige kleine,
aber heiße Hotspots auf.

Frage
Wie vermeidet man Überhitzung der Bauteile?

Mögliche Antworten
- Bauteilauswahl
- Kühlkörper, Staubschutz
- SMT-Bauteile statt THT
- Layout und Multilayer-Aufbau anpassen

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1. Strategien zur Technologieauswahl
Beispiel
Eine SMT-Baugruppe weist zu hohe
Temperaturen auf.

Frage
Wie reduziert man die Überhitzung der
Bauteile?

Antworten
- Konvektion: Luftöffnungen vergrößern
- Lüfter einsetzen
- Konstruktion: Gehäuse als Kühlkörper
- Separater Kühlkörper
- Wärmespreizung durch Aufbau, Layout
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1. Strategien zur Technologieauswahl

Wärmespreizung nutzen
Je nach Geometrie des Kupfers und Anordnung der
Wärmequelle kann man grundsätzlich unterscheiden:

(lineare) Wärmeleitung und (radiale) Wärmespreizung

Die erwärmte Fläche wächst mit der Länge des Wärmepfades ...
... proportional  ... quadratisch ☺

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1. Strategien zur Technologieauswahl
Frage: Wie weit muss die Wärme gespreizt werden?

Antwort: Bis die Temperatur der Hotspots nicht mehr zu hoch ist.
Grundlegende Überlegung zur Wahl der Kupferstärke:

Hot Spot oder nur Temperatur- Temperatur


„Lauwarm-Spot“? gradient gleichmäßig
Kupfer Kupferdicke Kupfer „zu“ dick oder
zu dünn? ausgewogen schlechter Wärmeüberg.

Radius [m] =
(Wärmekreis)
√ Leitfähigkeit  [W/m K] x Dicke Cu [m]
2x Wärmeübergangskoeffizient  [W/m² K]
Live
Rechnung
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1. Strategien zur Technologieauswahl
Heatsinks und Lüfter verbessern die Kühlung
→ Der „Wärmekreis“ wird kleiner

↑

↓
=/d
(isotherm)
Live
Rechnung

Tipp:
Baugruppen, die auf einer Tischplatte aufliegen,
sind deutlich kühler als wenn sie „frei schweben“.
(Fehlerquelle bei Thermographie, etc.)

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1. Strategien zur Technologieauswahl
Wärmespreizung auf Masselagen

200x80 mm
70 µm Cu
3x je 1 W
TU = 20°C
(TRM-Software)

Kupferflächen sind unterbrochen durch


Via-Freisparungen und Potentialtrennungen → Hürde für Wärmestrom.
Maßnahmen:
→ Kupferpotentiale verschachteln
→ Bei der Kalkulation berücksichtigen
→ Bei HDI-Aufbau berücksichtigen

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1. Strategien zur Technologieauswahl
Tipp: Verteilung von Wärmequellen
theoretisch in der Praxis

Wärmequellen Wärmequellen Verbesserungspotential:


gehäuft verteilt - Bauteile weiter zur Mitte
► gute Spreizung ► geringe Spreizung - Bauteile auseinander
(viel Cu) notwenig reicht aus Grenze: Bestückungsdichte
Gilt nicht bei Kühlkörpern/Heatsinks am
Rand oder punktuell auf der Leiterplatte.
Hier muss das Bauteil nahe zum Heatsink.
Beispiel: Wedge-Lock verspannte LPs:
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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Aufgabe Wie kann man die Wärmespreizung
in Multilayern verbessern?
Lösung Verwendung von Dickkupfer:
→ Design: Dickkupfer-Lagen „fluten“
→ Aufbau: Kerne und Prepregs anpassen
Lunker?

Isolation? Feinleiter? Maximales Kupfer im Layout !

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Verfügbare Dickkupfer-Stärken
Basiskupfer:
35 µm ( = 1 ounce / ft², Standard)
70 µm ( = 2 ounces / ft²)
105 µm ( = 3 ounces / ft²)
140 µm ( = 4 ounces / ft²)
210 µm ( = 6 ounces / ft²)
400 µm
1 mm ...

Achtung! Toleranzen beachten.


Nach IPC 6012 sind abweichende End-Dicken (innen / außen) zulässig:
35 µm → 25 µm / 46 µm 105 µm → 91 µm / 107 µm
70 µm → 56 µm / 76 µm 140 µm → 122 µm / 137 µm
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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer

Beispiel für Dickkupfer-Leiterplatten

Kupferstärken
70, 105 und 210 µm

Kombination mit
Sacklochtechniken

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Wie sieht ein gutes Dickkupfer-Design aus? Rechenbeispiel zur Kupferbelegung
1% Kupfer  10% Kupfer  90% Cu, „geflutet“ ☺

Innenlage Prepreg
210 µm Cu
Zwischenraum: 99% 90% 10%
→ Im Schnitt... 208 µm Harz 189 µm Harz µm Harz
= 10 Prepregs = 9 Prepregs = 2 Prepregs

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Wie berechnet man den Lagenaufbau bei Dickkupfer?

Die Mindestzahl der Prepregs kann man berechnen durch

= Kupferstärke * Fächenanteil Zwischenräumea) / Harzmenge pro Prepregb)

a) Harz aus Prepregs fließt wenige cm weit.


Die Bestimmung des Kupferanteils erfolgt
in einem Bereich von wenigen Zentimetern
mit der geringsten Belegung.

b) Standard-Prepregs: ~15 µm. Harzreiche Prepregs: ~25 µm

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Aufgabenstellung: Ein Dickkupfer-Layout enthält nur wenig Kupfer.
- wegen hohen Spannungsabständen
- wegen großen Randabständen
- bei kleinen Abmessungen gibt es viel Fräsrand-Freistellung um die Leiterplatte
Bei >105µm reichen Prepregs oft nicht aus.
Was tun?
Lösung: →Verfüllen bzw. Einebnen der Lagen

Beispiel Planartrafo
mit <50% Cu

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Bottleneck für die Wärme: Lagen-Abstände reduzieren
Standard: 200 µm
Minimum: 100 µm (Machbarkeit vom Layout abhängig, siehe oben)
Beispiele:
4x 400 µm Cu, 5x 100 µm Abstand 6x 400 µm Cu

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Design für Dickkupfer
Allgemeine Faustregel für minimale Leiterbreite / Abstand:
Leiterbreite ≥ 3 x Kupferschichtstärke
Abstand ≥ 3 x Kupferschichtstärke

≥3x h ≥3x h

Bei 210 µm Kupfer sind also 0,6 mm Leiterabstand nötig.

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Designeinschränkungen für Dickkupfer
Kupfer ist ein sehr zähes Material.
→ Die Bohrkosten sind höher als bei Standard-Multilayern
→ Durchmesser möglichst hoch. Faustregel: Durchmesser ≥ Kupferstärke
Bei Einpresssteckern: 1) 1,5 mm () und 2) 3,0 mm ()
1)

2)

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Aufgabe: Zwei verschiedene Kupferstärken sollen auf einer Lage kombiniert werden:
(A) 210 µm zur Wärmespreizung
(B) 50 µm für ein fine-pitch QFP-Bauteil

A
B

HDD für die ISS


(2004)

Lösung: Selektive Dickkupfer-Techniken

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Selektiv Dickkupfer I: Eisberg-Technik

Auf einer Lage (meist Außenlagen): hohe und geringe Kupferstärken

Beispiel Metapher Herstellung

Kupferfolien
vorgeätzt

Hinweis: Notwendigkeit / Alternative prüfen (Dickkupfer-Innenlagen, ..)

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Selektiv Dickkupfer II: Wirelaid, die drahtgeschriebene Leiterplatte

(Jumatech/Schweizer* bis 350 µm vs. Häusermann HSMTec** 500 µm)

*
*

**

Hinweis: Notwendigkeit, Wirtschaftlichkeit und Alternativen prüfen.


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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Selektiv Dickkupfer III: Kombiboard von Schweizer Elektronik

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Aufgabe: Lassen sich Ströme von 1000 A in LPs leiten?

Lösung: Kupfer-Inlays, „Hochstromleiterplatte“

Einbetten von 1 - 3 mm Dickkupfer für


- hohe Ströme
- gute Kühlung
► Umrichter
► Batterieschalter

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Kontaktmöglichkeit zum Inay / Busbar

Fräsungen

Gefüllte Microvias

Inlay-Pads

Laschen

Einpresskontakte
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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Top Seller
1 Inlay-Lage

DKs zwischen Micro Vias Einpress-


Busbars oder X-Cool Stecker
Top Function
1 + 2 Lagen Inlay

DC Eingang AC Ausgang
(geringe Impedanz)

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Design-Regeln

Innenlagen: 1) auf Höhe der Inlays


2) zwischen den Inlays
3) zwischen Inlay und Außenlage (aufwändig)
Inlay Stärke: 1 .. 1,5 .. 2 .. 2,5 .. 3 .. mm
Inlay Breite: ≥ 2 mm
Inlay Abstand: ≥ 2 mm
Via - Inlay Abstand: 0,5 mm
Form der Inlays: 1 mm Radius für alle Ecken (Innen- & Außenecken)
Bohrungen: ≥ 1,5 mm (1,0mm … 0,8 mm); je mehr, desto besser
Höcker: 0,5 mm Radius
keine Verbindung zu den Außenlagen!
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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Beispiel 1 für eine Hochstromleiterplatte

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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer
Kupfer-Inlay in Durchkontaktierung (A) / Freistellung (B)
→ Leider kein (sicherer) Kontakt zu Innenlagen

(A)

(B)

Zähne/Krallen rund/abgerundet

Oft ist dieses Interface der thermische Flaschenhals.


Kupfer dient daher v.a. als Wärmespeicher (Impulse).
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2. Dickkupfer und Inlay-Multilayer

Andere Metalle als Kupfer?

Aluminium
- Galv. Kontaktierung nur in Sonderprozessen
- 40% geringere Leitfähigkeit (thermisch, elektrisch)
- 3,3 mal leichter als Kupfer
- Häufigstes Metall in der Erdkruste
- Preis: Faktor 10 (pro m³) günstiger als Kupfer

CIC (Kupfer-Invar-Kupfer)
- CTExy -Kontrolle (4 ppm/K)
→ Zuverlässigere Lötverbindungen bei T
- keine gute Wärmeleitung (Invar: 11 W/mK)
CIC unter den Außenlagen
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3. Heatsink & Co
IMS-Leiterplatten
Insulated Metal Substrate
(Synonyme: MCPCB = Metal Core PCB, Metallkern-LP)
→ Eine elektrische Lage
→ Aluminiumträger, dazwischen thermisch optimierte Isolation
→ Keine wesentliche Wärmespreizung im Kupfer
→ Materialien lassen sich vergleichen durch den Quotienten
λ/d (Wärmeleitung / Schichtstärke) (≙)
→ Materialpreise steigen mit höherer Leitfähigkeit.
Es gibt ein wirtschaftlich/technisches Optimum
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3. Heatsink & Co
Übersicht IMS–Substrate (nur High End Varianten: >4 W/cm²K)

Hersteller Typ Stärke d Leitfähigkeit λ/d


HITT PLATE TH-1 85 µm 4,0 W/mK 5 W/cm²K
HPL 38 µm 3,0 W/mK 8 W/cm²K
Cobritherm 35 µm 3,2 W/mK 9 W/cm²K
VT-4B7 50 µm 7 W/mK 14 W/cm²K
ZeroGap 1.5 - - 32 W/cm²K

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3. Heatsink & Co
Flex auf Metallträger (Heat Sink)

Vorteile:
- Konstruktionsfreiheit größer
- Gehäuse können gleichzeitig Träger sein 1 Lage Flex
- preiswerter; Semiflex = dünnes FR4

Anwendung: 2 Lagen Flex


- KfZ Leuchten

Nachteil:
- Thermischer Widerstand Optimierter
höher als bei IMS-Material, Fertigungs-
(~1 Größenordnung) panel: Bsp.:
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3. Heatsink & Co
Leiterplatten auf Metallträger (Heat Sink)

Alu/Kupfer-Blech oder Gehäuse als unterklebte Wärmesenke

Bauteilkühlung durch Direktmontage von


thermischen Vias Halbleiter auf Heatsink

THT-Bestückung oder TIM: thermisches Lagen zur


Kontaktierung von unten Interface-Material Wärmespreizung

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3. Heatsink & Co
Leiterplatten auf Metallträger (Heat Sink)

Beispiel: Industrie-PC im Aluminiumdruckgussgehäuse

1. →

Quelle: elektroniknet.de

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3. Heatsink & Co
Rahmentechnik: Leiterplatten-Rahmen auf Metallträger
Trennung von Thermik und Elektronik:
► Thermik auf dem Heatsink, ► Elektronik auf der Leiterplatte

Beispiel: Chip-Direktmontage auf Heatsink per


Chip-Leitkleber, Reaktivloten, Sintern, Löten

Aluminium Heatsink

96 Hochleistungs-Peltier-
Kupfer Heatsink Elemente auf 3 mm Kupfer

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3. Heatsink & Co
Direktkontakt zu Heatsink:
Einseitiges „Kupfer-Inlay“

mit gefüllten Microvias einseitiges

Vorteile:
- Heatsink ohne Isolationsschicht
- Standard SMD-Bestückungsprozess

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3. Heatsink & Co
Zwischenruf: Den Wärmepfad vorausschauend planen

LED-Substrat (IMS)
LED

Therm. Interface- Wärmeleitung:


Material (TIM) 10 IMS ► TIM ► KK

Kühlkörper (KK) KK-Oberfläche

Wärmeübergang:
In dieser Anordnung ist der Wärmewiderstand 1k
KK ► Luft
des Kühlkörpers ~100 mal höher als das IMS-Substrat
Umgebung
→ Der Kühlkörper ist viel zu klein?
→ Ist so also nur Kurzzeit-Betrieb möglich?
→ Ein günstiges IMS-Material würde reichen.
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3. Heatsink & Co

Aluminiumkern-Leiterplatten, Metallkernleiterplatten (im engeren Sinn)

Relativ aufwändige Produktion:


Alu bohren, Pluggen, Laminieren, Bohren, DK, Leiterbild

- Beidseitig dichte SMD-Bestückung möglich


- Einsatz von THT-Bauteilen möglich (Lötprozess angepasst)
- Elektrische und thermisch direkte Anbindung nur in
Sonderprozessen möglich.
- Für HF-Anwendungen (Antenne oben, Verstärker unten) öfters gesehen.

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3. Heatsink & Co
Thema:
Thermische Ausdehnungsunterschiede
bei Leiterplatten mit Alu:

CTE (Alu) = 26 ppm/K


CTE (Cu, FR4) = 17 ppm/K

→ Inneren Spannungen bei


Herstellung, Löten, in der Anwendung

Lösung:
→ symmetrische Aufbauten ODER
→ Faustformel: Aluminium 10x dicker als Cu+FR4 ODER
→ Alu-Sonderlegierungen: CTE wie Kupfer verwenden
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3. Heatsink & Co
Historisches Heatsink (THT Baugruppe)
Geätztes, aufgeklebtes Kupfer- oder Alu-Blech

Die Thermische Anbindung von THT-


Bauteilen ist nur direkt über die THT-
Gehäuse sinnvoll.

Der Wärmepfad über die Bauteilpins


> Leiterplatte > Blech ist zu lang.

Dieses Heatsink ist quasi ein


individueller flacher Kühlkörper
für diskrete Bauteile.

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3. Heatsink & Co
Wasser als Kühlmittel in Leiterplatten - Ist das eine gute Idee?

Ansatz: Kühlkanäle in 400µm Kupfer ätzen

A
B
Quelle: Ilfa
Größenordnung der Thermischer Widerstände:
A) Wärmeleitung Bauelement → Dickkupfer: Rth ~ 0,1 K/W
B) Wärmeübergang Dickkupfer → Wasser: Rth ~ 10 K/W

Antwort: Die Wärmekapazität von Wasser ist zwar hoch.


Limitierend ist u.a. der Wärmeübergang zum Wasser.
Alternative: Optimierte Wasserkühler vollflächig aufkleben.

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3. Heatsink & Co
Keramik -Substrate / -Heatsink
AlN-Keramik als LED-Substrat, Aluminium-Nitrid, Alunit® (Ceramtec)

+ Wärmeleitfähigkeit = 180 W/mK (wie Alu)


+ CTE = 4 ppm/K (wie Si)
+ Spannungsfestigkeit: 20kV/mm (wie Keramik)
 Sehr gute Wärmespreizung bei gleichzeitig
sehr guter Isolation und Chip-Kompatibilität.

- 1 DIN A5 Format = 250 € (gegenüber IMS:~1 €. Al2O3:~10 €)


 AlN-Anwendungen nur für kleinste Größen:
- Substrate für LEDs
- evtl. zukünftig als Interposer z.B. für IGBT-Module

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Technologie-Scout
70 .. 400µm Cu
Power LPs Dickkupfer-LPs

Eisberg
Wirelaid
CombiBoard

Hohe Ströme & Inlay-LPs


Leistungen SMT

IMS

≤400µm Cu
Leadframe-LP
Metallkern-LP
Bauteil-
Kühlung 2L-Flex auf HS
Hybrid / Keramik

Dünnlaminat

Cu-Heatsink
mit Microvias
CTExy- X-Cool 1lagig
Ausdehnung
IMS-LPs:
begrenzen
Bergquist, …
DCB Flex auf Alu/Cu
Dickschicht Fluidik
Dünnschicht CIC Cu-Invar-Cu
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4. Design Thermischer Vias

Varianten:

A) offene thermische Vias

B) gefüllte Vias mit


metallisierten, lötbaren
Deckeln (Bild)

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4. Design Thermischer Vias

Frage: Was bringt ein Thermisches Via? Wie hoch ist der Rth?
Annahme: 1,6 mm FR4, 25 µm Hülsenkupfer
Verbesserungsmöglichkeiten:
→ dünnere Leiterplatte
Via-Ø Rth für 1 Via (rechnerisch)
0,2 mm 300 K/W
→ mehrere Vias
0,3 mm 210 K/W → mehr Kupfer in die Hülse
0,4 mm 160 K/W
0,5 mm 130 K/W Grenzen:
0,6 mm 110 K/W → Preis
1,0 mm 65 K/W → Via-Dichte
> 1 mm ~ reziprok proportional
0,1 mm Gefülltes Microvia: 100 K/W
(1 µVia ~ für 5A und 0,2 W)

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4. Design Thermischer Vias

Frage: Wieviel leisten thermische Vias maximal?


Maß Wert
Rasterabstand 0,50 mm
Fertigloch Ø 0,25 mm
Kupferschichtdicke 25 µm

Antwort: 10% Kupfer in der LP = 10% Leitfähigkeit von Cu = 36 W/mK.


Material Wärmeleitfähigkeit 
Kupfer 360 W/m·K
Thermal Vias 36 W/m·K
Wärmeleitmaterial ~3 W/m·K
FR4 ~0,3 W/m·K
! Oft liegt der Bottleneck an anderer Stelle. → Anzahl der Vias reduzieren (€!)
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4. Design Thermischer Vias

Frage: Was bringt das Füllen von Thermovias mit Wärmeleitpaste?

Ansatz: Beispiele (maximaler Anzahl an Thermovias):

Antwort: Das Füllen von Vias ist aus thermischer Sicht sinnlos.
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4. Design Thermischer Vias
A B Wie verhindert man Lotabfluss?

A: Lötstopplack: auf der


Rückseite, ~ 50 µm Restring.
B: Alu-Träger: Leiterplatten
C D sind auf Heatsink montiert.
C: Plugging: Füllen und
Metallisieren.
D: Via-Fill: Schließen mit
E F Spezial-Lack oder Folie.
E: Lackstege: Löcher abdecken
F: Microvias, gefüllt oder offen
 Bauteil-Datenblätter geben manchmal hilfreiche Hinweise
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5. Basismaterial und Thermisches Interface-Material
Thermisch relevante Parameter

Tg: (Glasübergang): Erweichungspunkt des Harzes


Td: (Decomposition): Zersetzungstemperatur (Masse -5%)
TMax: Maximale Betriebstemperatur (Datenblatt)
MOT/COT: Max./Continuous Operation Temp. (nach UL)
TI: Temperature Index (nach UL, extrapolierte Werte nach beschleunigten Tests)
CTExy: Therm. Ausdehnungskoeffizient (Lötstellenstress)
CTEz: Therm. Ausdehnungskoeffizient (Hülsenstress)
t288ºC: Zeit bis Delamination im Lötbad

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5. Basismaterial und Thermisches Interface-Material
Auswahlkriterium: Thermischer Stress auf Hülsen
Gutes FR4 typisch
bis max. 150°C
LP-Dicke

Dauerbetrieb
(oft 125/140°C)

FR4
FR4,
gefüllt Darüber hinaus:
hoch-Tg
FR4 - Polyimid-Glas
bis 200°C
hoch-Tg
FR4 gefüllt
Tg Tg Tg Tg T
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5. Basismaterial und Thermisches Interface-Material
2005 → 2022
Thermische Anbindung von Wärmequellen
Thermische Interface-Materialien (TIMs):
Selbstklebende Pads, Folien, Thermopads, →
Phase-Change-Material, Wärmeleitpaste, …

→ Nicht die Wärmeleitfähigkeit λ zählt, sondern λ/d.


TIMs also möglichst dünn oder flüssig
Vergleich von Konsistenzen:

→ → →… →
→ Je planer die Fügepartner, desto dünneres TIM

(Ganze Leiterplatte relativ uneben → TIM eher dicker)

TIPP: Design-In durch Consultant: www.hala-tec.de
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6. Projektbeispiele: LEDs
LED ist nicht gleich LED.
Jede LED braucht das richtige Substrat.

1A
10 K/W
20 mA 75 mA 10 A
240 K/W 120 K/W 1 K/W

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6. Projektbeispiele

Gleiche Randbedingung für alle LEDs


- Junction-Temperatur

TJ <125 ºC !

- Umgebungstemperaturen variieren Langsamer Hitzetod im


- Signalleuchten am Monitor: 35 ºC Jahrhundertsommer 2006
- Armaturenbrett mit Sonne: 85+ºC

- LED-Peripherie variiert
- normale FR4-Leiterplatte - vs. IMS-Leiterplatte
- Gehäuse, Lüfter, Kühlkörper
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6. Projektbeispiele

Design LED-Leiterplatten
Hinweise der LED-Hersteller beachten!
Aber: Es gibt nicht immer Hinweise!

Layout: 20x20 mm

Flexband 1,6 mm FR4 Flexband 1,6 mm FR4


ΔT=220ºC ΔT=120ºC ΔT=15ºC ΔT=15ºC
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6. Projektbeispiele

Aufbau LED-Leiterplatten
Einfluss eines Heatsinks

Flexband Flexband Flexband


auf Heatsink auf Heatsink
ΔT=220ºC ΔT=25°C ΔT=16°C
(Heatsink gekühlt)
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6. Projektbeispiele

Peripherie:
Einfluss eines Heatsinks (isotherm)

Flexband IMS Gefüllte X-Cool- Wasser-


auf Heatsink Bergquist HT Microvias IMS Kühlung
ΔT=16 ºC ΔT=2,4 ºC ΔT=1,1 ºC ΔT=0,5 ºC (Laser-
Dioden,

Curamik)

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6. Projektbeispiele
Zusammenfassung LED-Substrate
Das richtige Substrat für jede LED

Ausnahmen bestätigen die Regel:


Endoskopiebeleuchtung: „Strahler“ mit 5mm
TU=37ºC, Tmax=41ºC LEDs: sind keine
Fläche: ~einige cm²
Emissivität:ε ~ 0
→ nur wenig Lichtleistung möglich
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6. Projektbeispiele
Anwendungsbeispiel Gaslaternen

Thermosimulation Montage (IMS)

Montage (Flex auf Cu) Montage


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6. Projektbeispiele: Umrichter
Leiterplatten-Technologie und –Design in der Optimierungsschleife

BLDC-Motor
60A Umrichter
3 Vollbrücken
6 MOSFETS à 4W

Foto: www.freiepresse.de

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6. Projektbeispiele
210+ µm Cu
Erster Ansatz:

TU = 40°C

120°C

152°C

Strom = 15% Heizung → kein Engpass.


6x 4 W machen 85% der Aufheizung aus.

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6. Projektbeispiele
Zweiter Ansatz: Layoutoptimierung bzgl. Wärmeverteilung

136°C


152°C

Bei bester Wärmeverteilung wäre T= 131°C.


→ nur bessere Kühlung hilft.
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6. Projektbeispiele
6. Projektbeispiele
Dritter Ansatz: - Gehäuse als Kühlkörper: 6 Dome
- 4 Lagen mit innen 2x 400 µm Kupfer:
durch die bessere Kühlung muss die
L1 Wärmespreizung angepasst werden.

68°C

L2/L3

L4

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6. Projektbeispiele
Vierter Ansatz: - Layoutoptimierung, Thermische Vias, ...
- Kühlring 10 mm umlaufend auf BOT

L1

54°C

L2/L3

L4

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6. Projektbeispiele
Fünfter Ansatz: - Preiswerter Aufbau:
- 2x 210 µm Cu + vollflächiges Heatsink

TU = 40°C

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6. Projektbeispiele

Fazit:
Der iterative Ansatz optimieren & vereinfachen
kann für komplexe Aufgaben
lehrreich und zielführend sein.

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6. Projektbeispiele: Batteriemanagement
Aufgabe 1: Batteriemanagementsysteme
Überwachung & Nachladung der Zellen in einem Batterieblock

BMS

(Symbolbild)

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6. Projektbeispiele
Optimierter Ansatz
Flexible Leiterplatte mit Strombrücken aus Alu oder Cu

- Verbindungstechnik Zelle - Strombrücke (Schrauben, US-Schweißen)


- Verbindungstechnik Strombrücke - Leiterplatte
(Löten, Leitkleben, Einpressen, Crimpen, Nieten, Bonden, …)
→ www.enmech.de/anwendungen/batterie-elektronik.html
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6. Projektbeispiele: Batterieschalter
Aufgabe
Batterieschalter für automotive Anwendung mit Mosfets
Vorgaben:

Mosfets: RDS ON= 0,7 mOhm → PS1-S4 = 23 W (4x im worst case)


Strombelastung: in FR4: 17x2 mm Cu Querschnitt: +30K

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6. Projektbeispiele
Ansätze finden 70 .. 400µm Cu Dickkupfer-LPs

Eisberg
Wirelaid
CombiBoard

Hohe Ströme & Inlay-LPs


Leistungen SMT

IMS

≤400µm Cu
Leadframe-LP
Metallkern-LP
Bauteil-
Kühlung 2L-Flex auf HS
Dünnlaminat

Cu-Heatsink
mit Microvias
X-Cool 1lagig

IMS-LPs:
Bergquist, …
Flex auf Alu/Cu
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6. Projektbeispiele
→ 2 Ansätze gefunden

A) Inlay:
→ 2mm Kupfer
→ gefüllte Microvias
→ Laschen
→ perfekte Stromleitung

B) IMS
→ 1,5 mm Alu, 70 µm Kupfer
→ SMD Stecker/Schrauben
→ perfekte Kühlung

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6. Projektbeispiele
A) Inlay
→ 8 Inlays, z.T. recht klein
→ Strombelastbarkeit problemlos
→ Kühlung über Rückseite und etwas über Kabel

Beispiel-Layout:

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6. Projektbeispiele
B) IMS
1,5 mm Alu, 70 µm Cu und 180 A. Wie geht das?
25 mm breiten Leitungen wären normalerweise ~400 K wärmer.
→ Reduktion der Leitungslänge zwischen den Bauteilen:
5 Stellen: 10mm x 2 mm x 0,07 mm à 0,05 mΩ = 1,6W = 10% der FETs

5x
3x 4x

Viele Entwickler sind skeptisch, weil zu einfach.


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6. Projektbeispiele
Simulation der Erwärmung
nur die Leistung aus RDS-on
Tmax = 111ºC

nur Leistung aus Kupfer-Widerstand


Tmax = 45ºC

Original (RDS-on + RCu): 131°C

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Projektbeispiel UAV Radar
P↓

Wirkung eines Heatsink-Inlays ΔT

17x35

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Zusammenfassung
Mein Ziel: → Sie können jetzt gezielt Lösungen für Ihre
thermische Herausforderungen finden
Die Temperatur-Treppe: das Optimierungs-Tool
→ Große Temperaturgefälle im Wärmepfad suchen
→ Verbesserungen gezielt einbauen
T

Ort
Bauteil … LP Ort1 … LP Ort x … Umgebung

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Fachverband für Design, Leiterplatten-&
Elektronikfertigung

Vielen Dank für Ihre


Aufmerksamkeit.

FED e. V.
Frankfurter Allee 73C
10247 Berlin
Tel. +49(0)30340603050
info@fed.de
www.fed.de

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