PC & Elektronik. PC-Elektronik Labor. Von Herbert Bernstein. Überarbeitet. Franzis Verlag, Poing 2008

PC & Elektronik
PC-Elektronik Labor
von
Herbert Bernstein
berarbeitet
Franzis Verlag, Poing 2008

Verlag C.H. Beck im Internet:
www.beck.de
ISBN 978 3 7723 5315 4
schnell und portofrei erhltlich bei beck-shop.de DIE FACHBUCHHANDLUNG
23.06.2008
16:41 Uhr
Seite 1
PC & ELEKTRONIK
Herbert Bernstein
inkl.* NI Multisim
Schler- und Studentenversion mit
ber 1.000 Simulationsbeispiele
PC-Elektronik
Labor
Dieses praxisnahe Lehrbuch und Nachschlagewerk bietet Basiswissen auf dem Gebiet der Elektrotechnik, Elektronik, Messtechnik,
VDE-Vorschriften, Leistungselektronik, Operationsverstrker, TTLund CMOS-Bausteine, Mikrocontroller und der Gestaltung von
Platinenlayouts. Dabei dient das Simulationsprogramm Multisim
als Basis fr das effektive Lernen, denn alle Versuche kann man
sofort nachvollziehen. Dabei steht ein groer Umgang an virtuellen
Messgerten zur Verfgung.
Aus dem Inhalt:

Einfhrung in die Schaltungssimulation und
Instrument-Bauteilbibliothek mit:
Multimeter, Funktionsgenerator, Wattmeter, 2- und 4-Kanal-Oszilloskop,
Frequenzzhler, Bitmuster-Generator, Logikanalysator, Logikkonverter,
Kennlinienschreiber (I-U-Analysator), Klirrfaktormessgert, Spektrumanalysator,
Netzwerkanalysator, HP-Funktionsgenerator, HP-Multimeter, HP-Oszilloskop,
Tektronix-Oszilloskop
Spannung, Strom und Widerstand

Kondensator
Spulen, Transformatoren, Relais und Lautsprecher
Zusammengesetzte Wechselstromkreise
Dioden und ihre praktischen Anwendungen
Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors
Schaltungen mit Feldeffekttransistoren und MOSFETs
Thyristoren und TRAICs
Drehstrom, Wechselstrom und VDE-Vorschriften
Analoge Schaltungstechnik mit Operationsverstrkern
Aktive Filterschaltungen
Grundfunktionen der TTL-Schaltungstechnik
Grundfunktionen der CMOS-Schaltungstechnik
Praktische Schaltungstechnik mit TTL- und CMOS-Bausteinen
Mikrocontroller
Schaltungsentwicklung (Multisim)
und Platinenlayout (Ultiboard)
FRANZIS
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Simulationsoftware NI Multisim - Schlerund Studentenversion im Buch enhalten
Der Autor:
Dipl.-Ing. Herbert Bernstein ist Dozent
an einer Technikerschule und an der IHK
Fr die Zielgruppen:
Schler der
Elektrotechnik/Elektronik
Studenten der Elektrotechnik,
Informatik und Physik
Weiterbildung fr Facharbeiter,
Meister, Techniker und Ingenieure
Hobby-Elektroniker
ISBN 978-3-7723-5315-4
PC-Elektronik Labor
5315-4 U1+U4:5315-4 U1+U4
Euro 49,95 [D]
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Bernstein
PC & ELEKTRONIK
Herbert Bernstein
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und Platinenlayout
Das ganze Wissen der Elektonik
auf ber 1.400 Seiten
6. berarbeitete Nachauflage
PC-Elektronik
Labor
Praxisnahes Lernen mit dem

PC als Simulationssystem
inkl.* NI Multisim
Schler- und Studentenversion
mit ber 1.000 Simulationsbeispiele
Vorwort
Seit 1970 hat die Mikroelektronik, der 8-, 16-, 32- und 64-Bit-Mikroprozessor und der
8-, 16-, 32- und 64-Bit-Mikrocontroller in einer beispiellosen Entwicklung praktisch in
allen Bereichen der Elektrotechnik, Elektronik, Mechatronik und Physik Einzug gehalten. Dementsprechend gro ist auch die Anzahl der Schler, Auszubildenden und Studenten aller Studienzweige, die in Vorbereitung auf das Berufsleben, auf ein entsprechendes Studium oder nur zum eigenen Interesse, sich in die Grundlagen der
Elektrotechnik und Elektronik einarbeiten wollen oder mssen. Genau an diesen Leserkreis wendet sich das vorliegende Buch.
Ziel und Aufgabe dieses Buches ist es aber nicht, eine bersicht ber die Komponenten,
Schaltungstechniken und Verfahren der Elektronik zu vermitteln. Im Vordergrund
steht vielmehr der Wunsch, beim Leser das Verstndnis fr die Funktionsweise einfacher elektronischer Grundelemente zu entwickeln und zu frdern.
Besonders wichtig in diesem Zusammenhang ist die Mglichkeit einer experimentellen
berprfung der Funktionen bzw. des Zusammenwirkens einzelner Schaltungselemente. Gerade im spielerisch-experimentellen und deshalb oft kreativen Umgang mit
elektronischen Komponenten liegt die Bedeutung der hufig unterbewerteten Bastelpraxis. Diese ersten handgerechten Kontakte des Elektronikeinstieges mit Transistoren,
FET- und MOSFET, Thysistoren, Operationsverstrkern, TTL/CMOS-Bausteinen, Mikrocontrollern und Platinenlayout erfolgen zumeist in privater und schulischer Umgebung. Die einzelnen Versuche sind mithilfe der Simulation mit ihren zahlreichen Bausteinen und Messgerten durchzufhren, die selbst einem Entwicklungsingenieur im
Forschungslabor nicht zur Verfgung stehen. Wer hat schon einen Messgertepark von
ber 100.000 Euro zur Verfgung?
Wer hat schon einen Funktionsgenerator von 1 mHz bis 1 THz zur berprfung der
Sinusform einer Signalspannung, ein 2- und 4-Kanal-Oszilloskop mit einem Frequenzbereich von Gleichstrom bis ber 10 THz, einen Logikanalyser mit 32 Eingangskanlen,
Bode-Plotter fr den Frequenz- und Phasengang fr Filterschaltungen und Operationsverstrker, ein Klirrfaktormessgert, ein Frequenzmessgert usw. Damit lassen sich
analoge, digitale und analoge/digitale Schaltungen aller Art abgleichen und messen.
Die Simulationssoftware von Electronics Workbench (EWB) wurde 1989 speziell
nach den technischen und ergonomischen Anforderungen in Kanada entwickelt. Seit
dieser Zeit wurde EWB kontinuierlich weiterentwickelt und steht jetzt in der Version 10
zur Verfgung. Das Buch ist eine Auswahl meiner langjhrigen Lehrererfahrung am
Elektronik-Zentrum Mnchen, Haus Metallischer Handwerke, Technikerschule, IHK,
Telekom, Eisenbahnerfachschule und Siemens.

Vorwort
Die Zeichnungen fertigte meine Frau Brigitte an, die auch das Manuskript vor dem
Lektorat in lesbare Form brachte. Der Autor wnscht viel Spa und guten Erfolg allen,
die sich in die Thematik der Simulation einarbeiten wollen oder mssen.
Inhalt
1 Einfhrung in die Schaltungssimulation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.1
Modelle fr lineare und nicht lineare Bauteile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.1.1 Modelle fr digitale Bausteine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
1.1.2 Erstellung von Bibliotheken und Modellen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.2
Quellen-Bauteilbibliothek. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
1.2.1 Spannungs- und Stromquellen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
1.2.2 Einstellbare Signalquellen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.2.3 Kontrollierbare Funktionsblcke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
1.2.4 Kontrollierbare Spannungsquellen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
1.3
Basis-Bauteilbibliothek. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
1.3.1 Virtuelle Bauelemente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
1.3.2 Reale Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
1.3.3 Messgerte und Anzeigeelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.3.4 Bauteilbibliothek Verschiedenes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
1.4
nstrument-Bauteilbibliothek. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
1.4.1 Multimeter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
1.4.2 Funktionsgenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
1.4.3 Wattmeter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
1.4.4 Zwei-Kanal-Oszilloskop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
1.4.5 Vier-Kanal-Oszilloskop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
1.4.6 Bode-Plotter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
1.4.7 Frequenzzhler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
1.4.8 Bitmuster-Generator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
1.4.9 Logikanalysator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
1.4.10 Logikkonverter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
1.4.11 Kennlinienschreiber (I-U-Analysator) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
1.4.12 Klirrfaktormessgert. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
1.4.13 Spektrumanalysator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
1.4.14 Netzwerkanalysator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
1.4.15 HP-Funktionsgenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
1.4.16 HP-Multimeter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
1.4.17 HP-Oszilloskop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
1.4.18 Tektronix-Oszilloskop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
1.4.19 LabView-Messgerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
1.4.20 Tastkopf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
Inhalt
2 Spannung, Strom und Widerstand. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125

2.1
Spannung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
2.1.1 Simulierte Quellen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
2.1.2 Gesteuerte Spannungs- und Stromquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
2.1.3 Funktionsgenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
2.1.4 Oszilloskop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
2.1.5 Simuliertes Oszilloskop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
2.1.6 Messanordnung und einfache Messbungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
2.2
Widerstnde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
2.2.1 Leiterwerkstoffe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
2.2.2 Eigenschaften von Widerstnden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
2.2.3 Bauarten von Widerstnden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
2.2.4 Aufbau einer simulierten Schaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
2.2.5 Reihenschaltung von Widerstnden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
2.2.6 Parallelschaltung von Widerstnden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
2.2.7 Gemischte Schaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
2.2.8 Potentiometer und Einsteller. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
2.2.9 Spannungsteiler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
2.2.10 Brckenschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
2.3
Ohmsches Gesetz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
2.3.1 Vorwiderstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
2.3.2 Kenngren von Spannungsquellen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
2.3.3 Spannungs-, Strom- und Leistungsanpassung. . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
2.3.4 1. Kirchhoffscher Satz (Knotenpunktregel). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
2.3.5 2. Kirchhoffscher Satz (Maschenregel). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
2.3.6 Reihen- und Parallelschaltung von Spannungsquellen. . . . . . . . . . . 176
2.4
Messschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
2.4.1 Messbereichserweiterung bei Spannungsmessern. . . . . . . . . . . . . . 179
2.4.2 Messbereichserweiterung bei Strommessern . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
2.4.3 Widerstandsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
2.4.4 Messungen an Spannungsteilern. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
2.4.5 Dezibel-Messung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
2.4.6 Messungen von Spannungsfllen an Leitungen. . . . . . . . . . . . . . . . . 189
2.4.7 Messung von Gleich- und Wechselspannung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
2.4.8 Oszillografische Spannungs- und Frequenzmessung . . . . . . . . . . . . 191
2.4.9 Frequenzmessung mit Lissajous-Figuren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
2.4.10 Strom-Spannungs-Kennlinie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
2.5
Widerstandserwrmung bei Reihen- und Parallelschaltung. . . . . . . 196
3 Kondensator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1
Physikalische Grundlagen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.1 Elektrisches Feld. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.2 Kondensatoren an Gleichspannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
201
202
205
205
Inhalt
3.1.3
3.1.4
3.1.5
3.1.6
3.2
3.2.1
3.2.2
3.2.3
3.2.4
3.2.5
3.2.6
3.3
3.3.1
3.3.2
3.3.3
3.3.4
3.3.5
3.3.6
3.3.8
3.3.9
3.4
3.4.1
3.4.2
3.4.3
Aufbau von Festkondensatoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208

Aufbau von Kunststoffkondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
Elektrolytkondensatoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212
Vernderbare Kondensatoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214
Kondensator an Rechteckspannung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
Vorgnge am RC-Glied. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215
RC-Glied an symmetrischer Rechteckspannung. . . . . . . . . . . . . . . . . 217
Integrierglied an unsymmetrischer Rechteckspannung. . . . . . . . . . . 219
Differenzierglied. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
Nadelimpulsgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223
KO-Tastkopf mit frequenzkompensiertem Spannungsteiler . . . . . . . 224
Kondensator an Wechselspannung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
Kapazittsmessung durch Strom und Spannung. . . . . . . . . . . . . . . . 227
Kapazittsmessung durch Spannungsvergleich. . . . . . . . . . . . . . . . 228
Parallelschaltung von Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
Reihenschaltung von Kondensatoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
Kapazitive Blindleistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231
Wirkleistung und Phasenverschiebung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
Reihenschaltung von Kondensator und Widerstand . . . . . . . . . . . . . 237
Parallelschaltung von Kondensator und Widerstand. . . . . . . . . . . . . 239
Filterschaltungen mit Widerstnden und Kondensatoren. . . . . . . . . 242
RC-Tiefpass. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 243
Arbeiten mit dem Bode-Plotter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
RC-Hochpass. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
4 Spulen, Transformatoren, Relais und Lautsprecher. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.1
Physikalische Grundlagen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.1 Magnetischer Fluss und magnetische Feldstrke . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.2 Magnetische Feldstrke und magnetische Flussdichte. . . . . . . . . . .
4.1.3 Hysterese . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.4 Permeabilitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.5 Magnetische Kernformgren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.1.6 Magnetischer Widerstand. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2
Aufbau und Wirkungsweise von Spulen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.1 Luftspulen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.2 Spulen mit magnetisierbarem Kern. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.3 Blechkerne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.4 Ferritkerne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.5 Ferritkerne mit und ohne Luftspalt. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2.6 Kerne fr Filteranwendungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3
Spule an Gleichstrom. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.3.1 Messung einer idealen Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
249
249
250
251
253
255
256
256
259
259
260
262
264
265
267
269
269
10
Inhalt
4.3.2
4.3.3
4.3.4
4.4
4.4.1
4.4.2
4.4.3
4.4.4
4.5
4.5.1
4.5.2
4.6
4.6.1
4.6.2
4.6.3
4.6.4
4.6.5
4.6.6
4.7
4.7.1
4.7.2
4.8
4.8.1
4.8.2
Spule an Rechteckspannung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 272

Reihenschaltung von Spulen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
Parallelschaltung von Spulen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
Spule im Wechselstromkreis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
Messung einer idealen Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
Messung einer realen Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 276
Reihenschaltung von Widerstand und Spule. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
Parallelschaltung von Widerstand und Spule. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280
Filterschaltungen mit Widerstand und Spule. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
RL-Tiefpass . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
RL-Hochpass. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
Transformatoren und bertrager. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
Funktionsweise. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
Kleintransformatoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288
Simulation eines idealen Transformators. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 290
Berechnung eines Transformators. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 292
Innenwiderstand eines Transformators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
Kopplung mit bertragern und Transformatoren. . . . . . . . . . . . . . . . 294
Relais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
Aufbau eines Relais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
Simuliertes Relais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
Lautsprecher. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300
Aufbau eines Lautsprechers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300
Simulation eines Lautsprechers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 302
5 Zusammengesetzte Wechselstromkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1
Reihen- und Parallelschaltung von Widerstand, Kondensator .

und Spule. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.1 Reihenschaltung von R, C und L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.2 Simulation einer RCL-Reihenschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.3 Parallelschaltung von R, C und L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.4 Simulation einer RCL-Parallelschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.5 Leistung im Wechselstromkreis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.1.6 Kompensationsschaltung fr den Einphasenbetrieb. . . . . . . . . . . . .
5.2
Schwingkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.1 Simulation eines idealen Reihenschwingkreises. . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.2 Simulation eines idealen Parallelschwingkreises . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.3 Realer Schwingkreis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.4 Gte und Bandbreite. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.5 Simulation realer Widerstnde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.6 Simulation eines realen Kondensators. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2.7 Simulation einer realen Spule. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
303
303
303
305
309
311
313
315
319
320
321
322
324
326
328
330
Inhalt
5.3
5.3.1
5.3.2
5.3.3
5.3.4
5.3.5
5.3.6
5.4
5.4.1
5.4.2
5.4.3
5.4.4
5.4.5
5.5
5.5.1
5.5.2
5.5.3
Filterschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
CL-Bandpass. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
CL-Bandsperre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Kritische Bandfilter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Einfache LC- und CL-Glieder. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T- und -Filter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
m-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Phasenschieber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RC-Tiefpass-Phasenkette. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RC-Hochpass-Phasenkette. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RC-Bandpass. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RC-Bandsperre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Phasenschieberbrcke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Bandfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Induktive Kopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Kapazitive Kopfpunktkopplung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Filter mit kapazitiver Fupunktkopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
333
333
334
335
337
338
340
343
343
344
345
346
347
348
349
350
351
6 Dioden und ihre praktischen Anwendungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 352

6.1
Grundlagen der Halbleitertechnik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 352
6.1.1 Eigenschaften von Halbleitermaterial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 353
6.1.2 Stromfluss in einem Halbleiter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355
6.2
Aufbau von Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 361
6.2.1 Raumladung und Raumladeschicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 361
6.2.2 pn-bergang unter verschiedenen ueren Bedingungen. . . . . . . . 364
6.2.3 pn-bergang in Sperrrichtung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 364
6.2.4 pn-bergang in Durchlassrichtung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 366
6.2.5 Kennlinien von Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 367
6.2.6 Farbkennzeichnung von Kleinsignaldioden nach JEDEC und .

Pro-Electron . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 368
6.2.7 Montage- und Ltvorschriften. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
6.2.8 Wrmeableitung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 372
6.2.9 Standard-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 373
6.3
Untersuchung von Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 376
6.3.1 Statische Aufnahme der Kennlinie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 376
6.3.2 Statischer und dynamischer Innenwiderstand. . . . . . . . . . . . . . . . . . 378
6.3.3 Dynamische Aufnahme der Kennlinie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 380
6.3.4 Aufbau von Datenblttern. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
6.3.5 Begriffserklrungen zu Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 384
6.3.6 Simulation von Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 387
6.3.7 Parameter einer realen Diode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 390
6.4
Z-Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 392
12
Inhalt
6.4.1
6.4.2
6.5
6.5.1
6.5.2
6.5.3
6.6
6.6.1
6.6.2
6.7
6.7.1
6.7.2
6.7.3
6.7.4
6.7.5
6.8
6.8.1
6.8.2

6.8.3
6.8.4
6.8.5
6.8.6
6.8.7
6.9
6.9.1
6.9.2
6.9.3
6.10
6.10.1
6.10.2
6.10.3
6.10.4
6.10.5
6.10.6
6.10.7
6.11
6.11.1
6.11.2
6.11.3
6.11.4
6.11.5
6.11.6
Statische Kennlinienaufnahme einer Z-Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . 392

Dynamische Kennlinienaufnahme von Z-Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . 395
Leuchtdioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 396
Wirkungsweise von Leuchtdioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 397
Aufbau von Leuchtdioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 399
Simulation von Leuchtdioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 401
Kapazittsdioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
Wirkungsweise von Kapazittsdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 403
Frequenzabstimmung mit Kapazittsdiode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 405
Gleichrichterschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 406
Einweggleichrichtung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 408
Zweiweggleichrichtung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 411
Brckengleichrichtung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 413
Drehstrom-Einweggleichrichtung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416
Drehstrom-Brckengleichrichtung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 418
Gleichrichterschaltungen mit Ladekondensator. . . . . . . . . . . . . . . . 418
Einweggleichrichter mit Ladekondensator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419
Einweggleichrichter mit Ladekondensator fr negative .
Ausgangsspannung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424
Zweiweggleichrichtung mit Ladekondensator . . . . . . . . . . . . . . . . . . 425
Brckengleichrichtung mit Ladekondensator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 426
Brckengleichrichtung mit Ladekondensator und 100-Hz-Zeitbasis. . . 427
RC-Siebschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 428
LC-Siebschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 431
Spannungsvervielfacherschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433
Delon- oder Greinacher-Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433
Villard-Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 435
Kaskadenschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 436
Begrenzerschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 437
Positive Klipper-Schaltung mit Diode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 437
Negative Klipper-Schaltung mit Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 438
Bidirektionale Klipper-Schaltung mit Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 439
Positive Klipper-Schaltung mit Z-Diode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 439
Negative Klipper-Schaltung mit Z-Diode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440
Bidirektionale Klipper-Schaltung mit Z-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . 442
Differenzierglied mit Amplitudenbegrenzung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 442
Elektronische Schalterfunktionen mit Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . 444
Diode als Schalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 444
Diode als Wechselstromschalter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445
Diodenschalter Typ I und II . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 446
Dioden als Entkopplungselemente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450
Diodendecoder. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450
ODER-Gatter in RDL-Technik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 452
Inhalt
6.11.7
6.11.8
6.12
6.12.1
6.12.2
6.12.3
6.12.4
UND-Gatter in RDL-Technik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Freilaufdiode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Simulierte Z-Dioden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Einfache Spannungsstabilisierung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Stabilisierung bei Eingangsschwankungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Z-Diode zur Unterdrckung von Brummspannungen. . . . . . . . . . . . .
13
453
454
456
457
458
460
461
7 Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors. . . . . . . . . . . . 463

7.1
Aufbau, Herstellung und Bezeichnungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 464
7.1.1 Wirkungsweise des npn-Transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466
7.1.2 Statische Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors in .

Emitterschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 468
7.1.3 Dynamische Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors in .

Emitterschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 473
7.1.4 Untersuchung der Verstrkerwirkung eines npn-Transistors. . . . . . . 476
7.1.5 Untersuchung der Verstrkerwirkung eines pnp-Transistors. . . . . . . 480
7.1.6 Emittergrundschaltung eines npn-Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . 481
7.1.7 Kollektorgrundschaltung eines npn-Transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . 483
7.1.8 Basisgrundschaltung eines npn-Transistors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 485
7.2
Verstrkerschaltungen mit Transistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 487
7.2.1 Ruhestromeinstellung fr den A-Betrieb. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 487
7.2.2 Ruhestromeinstellung fr den A-Betrieb durch .

Spannungsteiler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 489
7.2.3 Ruhestromeinstellung und Temperaturstabilisierung durch .

Stromgegenkopplung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 490
7.2.4 Ruhestromeinstellung fr den A-Betrieb durch .

Spannungsgegenkopplung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 493
7.3.1 Kapazitive Signalkopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 494
7.3.2 Kapazitive Signalkopplung mit wechselstromgegengekoppelter .

Transistorstufe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 498
7.3.3 Kapazitive Signalkopplung mit spannungsgegengekoppelter .

Transistorstufe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 501
7.3.4 Transistorstufe mit Bootstrap-Schaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 503
7.3.5 Zweistufiger Verstrker mit Gleichstromkopplung. . . . . . . . . . . . . . . 505
7.3.6 Zweistufiger Verstrker mit komplementren Transistoren. . . . . . . . 506
7.3.7 Zweistufiger Verstrker mit kapazitiver Kopplung . . . . . . . . . . . . . . . 508
7.3.8 Zweistufiger Verstrker mit gemeinsamer .

Arbeitspunktstabilisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 509
7.3.9 Zweistufiger komplementrer Verstrker mit gemeinsamer .

Arbeitspunktstabilisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 510
7.3.10 Zweistufiger Verstrker mit Emitterfolger. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 511
7.3.11 Verstrker in Basisschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 512
14
Inhalt
7.4
7.4.1
7.4.2
7.4.3
7.4.4
7.4.5
7.5
7.5.1
7.5.2
7.5.3
7.5.4
7.5.5
7.5.6
7.5.7
7.5.8
7.5.9
7.5.10
7.6
7.6.1
7.6.2
7.6.3
7.7
7.7.1
7.7.2
7.7.3
7.7.4
7.7.5
7.7.6
7.7.7
7.7.8
7.7.9
7.7.10
7.8
7.8.1
7.8.3
7.8.4
7.8.5
7.8.6
7.8.7
7.8.8
7.9
7.9.1
7.9.2
7.9.3
Transistor als Schalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514

Statische Schaltstufe mit einem ohmschen Verbraucher . . . . . . . . . 516
Dynamische Schaltstufe mit einem ohmschen Verbraucher. . . . . . . 519
Schalten einer ohmschen Last mit Transistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 520
Schalten einer induktiven Last mit Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 521
Schalten einer kapazitiven Last mit Transistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . 523
NF-Verstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 524
Zweistufiger Vorverstrker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 526
Vorverstrker mit Klangregler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 532
Rauscharmer NF-Vorverstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 534
Leistungsverstrker im A-Betrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 536
Leistungsverstrker mit Trafo im Eintakt-A-Betrieb . . . . . . . . . . . . . . 540
Leistungsverstrker mit verbessertem Eintakt-A-Betrieb. . . . . . . . . . 541
Gegentaktverstrker mit Trafo im B-Betrieb. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 543
Komplementrer Leistungsverstrker im B-Betrieb. . . . . . . . . . . . . . 545
Komplementrer Leistungsverstrker im AB-Betrieb. . . . . . . . . . . . . 548
Leistungsverstrker mit Darlington-Stufe im A-Betrieb. . . . . . . . . . . 549
Differenzverstrker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 553
Statisches und dynamisches Verhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 553
Differenzverstrker mit Konstantstromquelle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 555
Differenzverstrker als Regeleinheit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 557
Stabilisierungsschaltungen fr Spannungen und Strme. . . . . . . . . 559
Einfache Serienstabilisierungsschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560
Einstellbares Netzgert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 561
Geregeltes Netzgert. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 563
Verbesserte Konstantspannungsquelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 566
Elektronische Netzgerte mit Darlington-Stufe . . . . . . . . . . . . . . . . . 567
Elektronische Sicherung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 569
Kurzschlussfeste Stabilisierungsschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 574
Einstellbares Netzgert fr positive bis negative Spannung. . . . . . . 576
Parallelstabilisierung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 577
Konstantstromquellen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 579
Digitale Transistorschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 582
NICHT-Gatter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 582
NOR-Gatter in DTL- und RTL-Technik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 586
quivalenz-Gatter in RTL-Technik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 589
RS-Kippglieder (Flipflops) in RTL-Technik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 590
Astabiles Kippglied (Rechteckgenerator). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 591
Monostabiles Kippglied. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 593
Schmitt-Trigger. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 595
Signalgeneratoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 597
Rechteckgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 597
Blinkschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 599
Sperrschwinger. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 601
Inhalt
7.9.4
7.9.5
7.9.6
7.9.7
7.10
7.10.1
7.10.2
15
Impulsgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 603
LC-Oszillatoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 604
RC-Phasenschiebergenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 607
Wien-Brckengenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 609
Zeitgeberschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 610
Relais mit Anzugsverzgerung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 611
Relais mit Abfallverzgerung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 612
8 Schaltungen mit Feldeffekttransistoren und MOSFETs. . . . . . . . . . . . . . . . . .

8.1
Sperrschicht-FET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.1.1 Untersuchung eines n-Kanal-FETs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.1.2 FET-Verstrker in Sourceschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.1.3 FET-Verstrker in Drainschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.1.4 FET-Verstrker in Gateschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2
Schaltungstechnik mit Feldeffekttransistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.1 Konstantstromquelle mit FET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.2 FET-Vorverstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.3 FET-Vorverstrker mit Stromgegenkopplung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.4 Zweistufiger FET-Vorverstrker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.5 FET-Vorverstrker mit Klangregler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.6 Messvorverstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.7 Feldeffekttransistor als Analogschalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.8 Differenzverstrker mit Konstantstromquelle. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.2.9 Differenzverstrker mit Darlington-FET-Eingngen. . . . . . . . . . . . . . .
8.2.10 Differenzverstrker in FET-Technologie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3
MOSFET-Transistoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.1 Aufbau und Wirkungsweise. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.2 Sourceschaltung mit n-Kanal-Anreicherungstyp . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.3 Zweistufiger Vorverstrker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.4 Drainschaltung mit n-Kanal-MOSFET-Anreicherungstyp . . . . . . . . . .
8.3.5 Sourceschaltung mit n-Kanal-Verarmungstyp. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.6 MOSFET als Analogschalter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.7 CMOS-Analogschalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.8 NICHT-Gatter in CMOS-Technik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.9 NAND-Gatter in CMOS-Technik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.3.10 NOR-Gatter in CMOS-Technik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
615
617
618
621
624
626
627
627
629
632
634
635
637
640
641
642
643
644
645
648
652
652
653
654
656
657
659
660
9 Thyristoren und TRIACs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

9.1
Vierschichtdiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.2
Unijunktiontransistor und programmierbarer .

Unijunktiontransistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.3
Optokoppler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9.4
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
662
663
667
675
677
16
Inhalt
9.4.1
9.4.2
9.4.3
9.4.4
9.4.5
9.4.6
9.4.7
9.5
9.5.1
9.5.2
9.5.3
9.5.4
9.5.5
9.5.6
9.5.7
9.5.8
9.6
9.6.1
9.6.2
9.6.3
9.6.4
9.6.5
Gleichstromzndung eines Thyristors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 680

Wechselstromzndung eines Thyristors. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 683
Impulszndung des Thyristors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 685
Dynamisches Verhalten von Thyristoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 687
Lschverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 690
Reihen- und Parallelschaltung von Thyristoren. . . . . . . . . . . . . . . 693
Schutzschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 695
Thyristor als Leistungsschalter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 697
Schaltende Leistungssteuerung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 699
Prinzip der Phasenanschnittsteuerung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700
Phasenanschnittsteuerung mit Thyristor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 704
Phasenanschnittsteuerung mit zwei Thyristoren. . . . . . . . . . . . . . 706
Phasenanschnittsteuerung mit Thyristor im Gleichstromkreis. . . 707
Phasenanschnittsteuerung mit Thyristor im Wechselstromkreis 709
Nullspannungsschalter mit Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 711
Schwingungspaketschalter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 712
Leistungselektronik mit TRIACs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 715
Aufbau eines DIACs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 715
Aufbau eines TRIACs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 717
Phasenanschnitt mit DIAC und TRIAC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 721
Khlung fr Thyristoren und TRIACs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 723
Thermische Ersatzschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727
10 Drehstrom, Wechselstrom und VDE-Vorschriften. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 731

10.1
Drehstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 734
10.1.1 Sternschaltung bei symmetrischer Belastung. . . . . . . . . . . . . . . . 735
10.1.2 Sternschaltung mit angeschlossenem Nullleiter. . . . . . . . . . . . . . 739
10.1.3 Unsymmetrische Belastungen in einer Sternschaltung. . . . . . . . . 742
10.1.4 Dreieckschaltung mit verschiedenen Belastungen. . . . . . . . . . . . 748
10.1.5 Stern-Dreieck-Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 754
10.1.6 Drehstromleistung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 756
10.2
Schutzmanahmen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 763
10.2.1 Stromschlag. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 764
10.2.2 Fehlerstromkreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 767
10.2.3 Leitungsschutz-Sicherungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 773
10.3
Verteilungssysteme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 774
10.3.1 TN-Verteilungssystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 775
10.3.2 Erdung und Schutzleiter nach DIN VDE 0100 Teil 540. . . . . . . . . . 777
10.3.3 TT-Netz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 781
10.3.4 Schutz durch Fehlerstrom-Schutzschalter (RCD). . . . . . . . . . . . . . 786
Inhalt
17
11 Analoge Schaltungstechnik mit Operationsverstrkern. . . . . . . . . . . . . . . 790

11.1
Analoge Verstrkerfamilien. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 791
11.1.1 Vergleich zwischen diskreten, hybriden und integrierten .

Verstrkerschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 792
11.1.2 Technologien fr Verstrker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 794
11.1.3 Interner Schaltungsaufbau von Operationsverstrkern . . . . . . . . 797
11.1.4 Betriebsarten eines Operationsverstrkers. . . . . . . . . . . . . . . . . . 799
11.1.5 bertragungscharakteristik bei Operationsverstrkern . . . . . . . . 801
11.1.6 Betriebsarten fr eine Mit- und Gegenkopplung. . . . . . . . . . . . . . 802
11.1.7 Invertierender Betrieb. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 804
11.1.8 Nicht invertierender Betrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 806
11.2
Lineare Schaltungsbeispiele. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 809
11.2.1 Addierer oder Summierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 810
11.2.2 Addierer als NF-Mischpult. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 812
11.2.3 Subtrahierer oder Differenzverstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 813
11.2.4 Integrator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 815
11.2.5 Differenzierer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 820
11.3
Statische Schaltungen mit Operationsverstrkern . . . . . . . . . . . . 822
11.3.1 Operationsverstrker als Komparator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 822
11.3.2 Spannungsvergleicher im gesttigten Verstrkerbetrieb . . . . . . . 824
11.3.3 Fenster-Komparator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 826
11.3.4 Schmitt-Trigger. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 827
11.3.5 Schmitt-Trigger mit erweiterten Funktionen. . . . . . . . . . . . . . . . . . 829
11.3.6 Schmitt-Trigger in nicht gesttigter Betriebsart. . . . . . . . . . . . . . . 831
11.3.7 Zweipunktregler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 833
11.3.8 Dreipunktregler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 834
11.4
Netzgerte mit Operationsverstrker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 835
11.4.1 Wahl der richtigen Spannungsreferenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 835
11.4.2 Einfache Referenzspannungsquellen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 836
11.4.3 Konstantspannungsquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 839
11.4.4 Einstellbares Netzgert. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 842
11.4.5 Einstellbares Netzgert mit gepuffertem Ausgang . . . . . . . . . . . . 846
11.4.6 Einstellbares Netzgert mit Lgstransistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 847
11.4.7 Einfaches Netzgert fr negative Ausgangsspannung . . . . . . . . . 849
11.4.8 Parallelstabilisierung mit Operationsverstrker . . . . . . . . . . . . . . 850
11.4.9 Parallelstabilisierung fr hhere Ausgangsstrme. . . . . . . . . . . . 851
11.4.10 Konstantstromquelle mit Operationsverstrker. . . . . . . . . . . . . . . 852
11.4.11 Konstantstromquelle mit Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 853
11.5
Messtechnik mit Operationsverstrker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 855
11.5.1 Verstrker mit differentiellem Ausgang. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 856
11.5.2 Differentieller Verstrker mit differentiellem Ausgang. . . . . . . . . . 857
11.5.3 Instrumentenverstrker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 857
18
Inhalt
11.5.4 Strom-Spannung- und Spannung-Strom-Wandler . . . . . . . . . . . . . 859

11.5.5 Spannung- und Strommessung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 861
12 Signalgeneratoren, Oszillatoren und Zeitglieder. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 864
12.1
Rechteckgeneratoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 865
12.1.1 Grundschaltung eines OP-Rechteckgenerators . . . . . . . . . . . . . . . 865
12.1.2 Impulsgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 867
12.1.3 Einstellbarer Impulsgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 869
12.1.4 Rechteckgenerator mit Feldeffekttransistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 870
12.2
Monostabile Kippglieder. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 871
12.3
Sinusgeneratoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 874
12.3.1 Sinusgenerator mit RC-Phasenschieber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 876
12.3.2 Sinusgenerator mit Wien-Robinson-Brcke . . . . . . . . . . . . . . . . . . 879
12.3.3 Quarz-Oszillator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 881
12.3.4 Sinusgenerator mit LC-Glied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 887
12.4
Dreieck- und Sgezahngeneratoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 890
12.4.1 Dreieck-Rechteck-Generator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 890
12.4.2 Sgezahngenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 891
12.5
Funktionsgeneratoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 892
12.6
Schaltungen mit dem Zeitgeberbaustein 555 . . . . . . . . . . . . . . . . 896
12.6.1 Innenleben und Anschlussschema. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 897
12.6.2 Rechteckgenerator mit dem Baustein 555. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 899
12.6.3 Monoflop mit dem Baustein 555. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 901
12.6.4 Nachtriggerbares Monoflop mit dem Baustein 555. . . . . . . . . . . . 902
12.6.5 Schmitt-Trigger mit dem Baustein 555. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 903
12.6.6 Symmetrisches Tastverhltnis fr den Baustein 555. . . . . . . . . . . 904
12.6.7 Einstellbarer Rechteckgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 907
12.6.8 Rechteckgenerator mit einstellbarem Tastverhltnis. . . . . . . . . . . 908
13 Aktive Filterschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 910
13.1
Filterklassen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 910
13.1.1 Vergleich zwischen den passiven Filtergrundschaltungen. . . . . . . 911
13.1.2 Passiver Hoch- und Tiefpass 1. Ordnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 913
13.1.3 RC-Filter nach Gau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 915
13.1.4 Filter nach Gau, Bessel, Butterworth, Cauer und Tschebyscheff 918
13.1.5 Amplitudengang von Filtern. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 920
13.2
Aktive Tief- und Hochpassfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 922
13.2.1 Aktiver Tiefpass 1. Ordnung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 922
13.2.2 Aktiver Hochpass 1. Ordnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 925
13.2.3 Aktives Tiefpassfilter 2. Ordnung mit Zweifachgegenkopplung. . . 926
13.2.4 Aktives Tiefpassfilter 2. Ordnung mit Einfachmitkopplung . . . . . . 929
13.2.5 Aktives Hochpassfilter 2. Ordnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 930
Inhalt
13.2.6
13.3
13.3.1
13.3.2
13.3.3
13.3.4
13.3.5
13.4
13.4.1
13.4.2
13.4.3
13.4.4
13.5
13.5.1
13.5.2
13.6
13.6.1
13.6.2
13.6.3
13.6.4
13.7
13.7.1
13.7.2
13.7.3
Umwandlung von Tiefpass- in Hochpassfilter. . . . . . . . . . . . . . . . .

Aktive Bandpass- und Bandsperrfilter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Selektiver Verstrker mit Schwingkreis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Selektives Filter 2. Ordnung in Gegenkopplung. . . . . . . . . . . . . . .
Selektives Filter 2. Ordnung in Mitkopplung. . . . . . . . . . . . . . . . . .
Aktive Bandsperre mit T-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Bandsperre mit T-Filter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Einstellbare Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Einstellbares Tiefpassfilter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Einstellbares Hochpassfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NF-Vorverstrker mit Klangnetzwerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Einstellbares Bandsperrfilter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Allpassfilter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Allpassfilter 1. Ordnung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Allpassfilter 2. Ordnung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Aktives Tiefpassfilter hherer Ordnung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Berechnungsbeispiele fr aktive Tiefpassfilter. . . . . . . . . . . . . . . .
Aktives Tiefpassfilter 3. Ordnung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Aktives Tiefpassfilter 4. Ordnung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Aktive Tiefpassfilter bis zur 10. Ordnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Kontinuierliche Filterschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Ein-Verstrkerfilter nach Sallen-Key. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Multiverstrkerfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Universalfilter (state variable-Filter) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19
932
934
934
935
936
937
938
939
939
940
942
944
946
946
948
949
949
952
954
955
957
958
960
962
14 Grundfunktionen der TTL-Schaltungstechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 964

14.1
Arbeiten mit der TTL-Bibliothek. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 967
14.1.1 Untersuchung des NAND-Gatters 7400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 967
14.1.2 Untersuchung des NAND-Gatters 7403N. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 975
14.1.3 Untersuchung des AND-Gatters 7408. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 977
14.1.4 Untersuchung des ODER-Gatters 7432. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 978
14.1.5 Untersuchung des NICHT-Gatters 7404. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 980
14.1.6 Untersuchung des Exklusiv-ODER-Gatters 7486. . . . . . . . . . . . . . 981
14.1.7 Untersuchung des Inklusiv-ODER-Gatters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 983
14.2
Beispiele zur Booleschen Algebra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 984
14.2.1 Verknpfung von Eingangsvariablen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 984
14.2.2 Inhibition und Implikation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 987
14.2.3 Aufbau einer Antivalenz- bzw. Exklusiv-ODER-Funktion . . . . . . . . 988
14.2.4 Aufbau einer quivalenz- bzw. Inklusiv-ODER-Funktion. . . . . . . . 988
14.2.5 UND/ODER/NICHT-Gatter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 989
14.2.6 Digitaler Komparator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 992
14.2.7 Grer-Gleich-Kleiner-Vergleicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 994
20
Inhalt
14.2.8
14.2.9
14.2.10
14.2.11
14.2.12
14.2.13
14.3
14.3.1
14.3.2
14.3.3
14.3.4
14.4
14.4.1
14.4.2
14.4.3
14.5
14.5.1

14.5.2

14.5.3
14.5.4
14.5.5
14.5.6
14.5.7
14.6
14.6.1
14.6.2
14.6.3
14.6.4
14.6.5
14.6.6
14.6.7
14.6.8
14.6.9

14.6.10

14.6.11

14.6.12

Halbaddierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 996
Halbsubtrahierer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 997
Volladdierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 998
Elektronische Weiche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1001
Digitaler Polumschalter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1002
Digitaler Drehschalter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1002
Codierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1005
Dezimal- zu BCD-Codierer mit ODER-Gatter. . . . . . . . . . . . . . . . . 1006
Dezimal- zu BCD-Codierer 74147. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1008
Dezimal-zu-Aiken-Codierer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1012
BCD-zu-Dezimal-Decoder 7442 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1014
Anzeigeeinheiten mit Decoder. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1017
7-Segment-Anzeige ohne und mit 7-Segment-Decoder. . . . . . . 1018
Pegel- und Signalauswertung mit 7-Segment-Anzeige . . . . . . . . 1024
Dezimal- zu-Gray-Codierer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1026
Schaltkreise in TTL-Technik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1026
BCD- zu-Dezimal-Decoder/Anzeigentreiber 7445 .
(o.C., 30V, 80mA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1027
BCD- zu-7-Segment-Decoder/Anzeigentreiber 7446 .
(o.C., 30V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1029
Drei-Bit-Binrdecoder/Demultiplexer (3 zu 8) 74138. . . . . . . . . 1030
Zwei 2-Bit-Binrdecoder/Demultiplexer 74139. . . . . . . . . . . . . . 1033
BCD-zu-Dezimal-Decoder/Anzeigentreiber 74145 . . . . . . . . . . . 1036
Binrer 8- zu-3-Priorittscodierer 74148. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1038
Zwei 2-Bit-Binrdecoder/Demultiplexer 74155. . . . . . . . . . . . . . 1040
Speicherschaltungen und spezielle Schaltfunktionen . . . . . . . . 1042
Bistabile Kippschaltungen bzw. Flipflops. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1044
NAND- und NOR-Flipflop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1045
NAND- und NOR-Speicherflipflop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1046
D-Flipflop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1049
JK-Flipflop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1050
Master-Slave-Flipflop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1055
JK-Master-Slave-Flipflop 7472. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1057
D-Flipflop mit Preset und Clear. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1061
Untersuchung und Anwendungen des TTL-Bausteins 7475 .
(Latch-Funktion). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1064
(Latch-Funktion). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1065
(Latch-Funktion). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1067
(Latch-Funktion). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1070
Inhalt
21
15 Grundfunktionen der CMOS-Schaltungstechnik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1072

15.1
Kenndaten ber die CMOS-Technik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1073
15.1.1 Invertierender CMOS-Buffer 4049 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1079
15.1.2 Nicht invertierender CMOS-Buffer 4050. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1084
15.1.3 Nicht invertierender und invertierender CMOS-Buffer 4041 . . . . . 1086
15.1.4 CMOS-NAND-Gatter 4011. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1087
15.1.5 CMOS-NOR-Gatter 4001 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1088
15.1.6 Elektronische Schalter mit mechanischer Auslsung. . . . . . . . . 1093
15.1.7 NOR- und NAND-Flipflops . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1094
15.1.8 Sensorenschaltung mit CMOS-Bausteinen . . . . . . . . . . . . . . . . . 1097
15.2
Digitaler Analogschalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1099
15.2.1 Bilateraler Schalter (Analogschalter) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1100
15.2.2 Arbeitsweise von Analogschaltern. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1102
15.2.3 Analoge Frequenzweiche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1103
15.2.4 Programmierbare Eingangsstufen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1104
15.3
Komplexe CMOS-Schaltkreise. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1105
15.3.1 BCD-zu-Dezimal-Decoder 4028 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1106
15.3.2 8- zu-3-Priorittscodierer 4532. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1108
15.3.3 4-Bit-Volladdierer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1110
15.3.4 Sechsfach-Buffer/Logikpegel-Konverter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1111
15.3.5 CMOS-Zhler 4017 (Dekadenzhler/Teiler). . . . . . . . . . . . . . . . . 1111
15.3.6 CMOS-Zhler 4024 (7-stufiger Binrzhler). . . . . . . . . . . . . . . . . 1115
15.3.7 CMOS-Zhler 4040 (12-stufiger Binrzhler). . . . . . . . . . . . . . . . 1116
15.3.8 CMOS-Zhler 4510 (programmierbarer BCD-Zhler). . . . . . . . . . 1117
15.3.9 CMOS-Zhler 4516 (programmierbarer 4-Bit-Binrzhler). . . . . 1118
15.3.10 CMOS-Zhler 4518 (synchroner BCD-Zhler). . . . . . . . . . . . . . . . 1119
15.3.11 CMOS-Zhler 4018 (Zhler/Teiler). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1120
15.3.12 CMOS-Zhler 4020 (14-stufiger Binrzhler/Teiler) . . . . . . . . . . 1121
15.3.13 CMOS-Zhler 4029 (voreinstellbarer Vor-/Rckwrtszhler). . . . . 1122
15.4
Schieberegister . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1126
15.4.1 Schieberegister mit seriellem Ein- und Ausgang. . . . . . . . . . . . . 1127
15.4.2 4-Bit-Schieberegister mit seriellem Ein- und Ausgang . . . . . . . . 1129
15.4.3 Schieberegister mit seriellem Eingang und parallelem .

Ausgang. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1131
15.4.4 Schieberegister mit parallelem Eingang und seriellem .

Ausgang. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1133
15.4.5 Schieberegister mit parallelem Ein- und Ausgang. . . . . . . . . . . . 1134
15.4.6 Schieberegister als Ringzhler nach dem Libaw-Craig-Code. . . . 1134
15.4.7 8-Stufen-Schieberegister 4014 mit Paralleleingang und .

Serienausgang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1137
15.4.8 Statisches CMOS-Schieberegister 4015. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1139
15.4.9 8-Stufen-Schieberegister 4021. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1141
22
Inhalt
15.4.10 Universalschieberegister 4035. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1143

15.4.11 Vierphasen-Taktgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1146
16 Praktische Schaltungstechnik mit TTL- und CMOS-Bausteinen. . . . . . . . . 1147
16.1
Monostabile Kippschaltung oder Monoflop. . . . . . . . . . . . . . . . . 1147
16.1.1 Monoflops mit NAND- und NOR-Gattern. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1148
16.1.2 Einfache Monoflops mit NAND- und NOR-Gattern. . . . . . . . . . . . 1152
16.1.3 Integriertes Monoflop 74121 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1155
16.1.4 Integriertes retriggerbares Monoflop 74123. . . . . . . . . . . . . . . . 1157
16.1.5 Monoflops fr extrem kurze Verzgerungszeiten. . . . . . . . . . . . . 1158
16.1.6 Verzgerungen von Impulsflanken durch ein Monoflop. . . . . . . 1160
16.1.7 Impulsverzgerungen durch zwei Monoflops . . . . . . . . . . . . . . . 1162
16.1.8 Sequentielle Laufzeitschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1164
16.2
Rechteckgeneratoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1165
16.2.1 Grundschaltungen eines Rechteckgenerators. . . . . . . . . . . . . . . 1166
16.2.2 Rechteckgenerator mit Start-Stopp-Eingang . . . . . . . . . . . . . . . . 1168
16.2.3 Rechteckgenerator mit Monoflop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1169
16.2.4 Rechteckgenerator mit Schmitt-Trigger. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1172
16.2.5 Rechteckgenerator mit simulierten CMOS-NICHT-Gattern. . . . . . 1174
16.2.6 Quarzstabilisierter Rechteckgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1176
16.3
Frequenzteiler und Zhler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1179
16.3.1 Codes von Zhlern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1181
16.3.2 Frequenzteiler 1:2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1182
16.3.3 Frequenzteiler 1:4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1183
16.3.4 Frequenzteiler 1:8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1186
16.3.5 Frequenzteiler 1:16. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1187
16.3.6 Vor- und Rckwrtszhler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1189
16.3.7 Teiler mit negativ-flankengetriggerten JK-Flipflops . . . . . . . . . . . 1190
16.3.8 Frequenzteiler 1:3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1191
16.3.9 Frequenzteiler 1:5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1192
16.3.10 Frequenzteiler 1:6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1194
16.3.11 Frequenzteiler 1:10. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1195
16.3.12 Dezimalzhler 7490 und 74290. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1197
16.3.13 Modulo-100-Zhler mit zweistelliger Anzeige. . . . . . . . . . . . . . . 1202
16.3.14 Modulo-60-Zhler mit zweistelliger Anzeige. . . . . . . . . . . . . . . . 1203
16.4
Schaltungstechnik mit DA- und AD-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . 1206
16.4.1 Vierstufiger Sinusgenerator. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1209
16.4.2 Treppenstufengenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1211
16.4.3 Integrierte D/A-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1215
16.4.4 AD-Wandler nach dem Zhlverfahren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1216
16.4.5 A/D-Wandler mit Nachlaufsteuerung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1219
Inhalt
23
16.4.6 Single-Slope-A/D-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1221

16.4.7 Spannungs-Frequenz-Wandler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1223
17 Mikrocontroller 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1226
17.1
Einleitung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1227
17.1.1 Architektur des 8051. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1231
17.1.2 Speicheraufbau. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1231
17.1.3 Oszillator- und Taktgeberschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1235
17.1.4 Zeitliche Ablufe in der Zentraleinheit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1240
17.1.5 Aufbau und Betrieb der Ports. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1242
17.1.6 E/A-Struktur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1243
17.1.7 Schreiben in einen Port. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1246
17.1.8 Read-Modify-Write-Merkmale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1248
17.1.9 Zugriff auf externe Speicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1249
17.1.10 Signal PSEN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1250
17.1.11 Signal ALE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1252
17.1.12 Zeitgeber/Zhler und zugehrige Register TMOD und TCON . . . . . 1252
17.1.13 Serielle Schnittstelle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1258
17.1.14 Datenverkehr in Multiprozessorsystemen. . . . . . . . . . . . . . . . . . 1273
17.1.15 Baudraten (bertragungsraten). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1274
17.1.16 Interrupts. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1275
17.1.17 Einzelschrittbetrieb. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1282
17.1.18 Rcksetzen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1282
17.1.19 Betriebsarten mit reduzierter Leistungsaufnahme . . . . . . . . . . . 1283
17.1.20 EPROM-Version 8751. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1286
17.1.21 Anschlussbelegung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1289
17.1.22 Speicherorganisation und Adressierungsarten . . . . . . . . . . . . . . 1293
17.1.23 Boolescher Prozessor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1298
17.2
Funktionale Aufschlsselung des Befehlsvorrats . . . . . . . . . . . . 1298
17.2.1 Datentransport. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1299
17.2.2 Arithmetische Operationen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300
17.2.3 Logische Operationen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1301
17.2.4 Programmverzweigung zu einem nicht unmittelbar .

folgenden Speicherplatz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1302
17.2.5 Adressierungsarten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1303
17.3
Definition und Beschreibung der 51 grundlegenden Befehle . . . . 1305
17.4
Definitionen der Befehle des Mikrocontrollers 8051 . . . . . . . . . 1313
17.4.1 Unbedingter Aufruf einer Subroutine innerhalb 2-Kbytes .

im Programmspeicher (ACALL addr11). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1313
17.4.2 Addieren (ADD A,<Quellenbyte>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1313
17.4.3 Addiere mit bertrag (ADDC A,<Quellenbyte>). . . . . . . . . . . . . . . 1315
17.4.4 Unbedingter Sprung innerhalb 2-Kbytes im .

Programmspeicher (AJMP Addr11). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1316
24
Inhalt
17.4.5 Verknpfe Byte-Variable durch logisches UND .

(ANL <Zielbyte>,<Quellenbyte>) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1317
17.4.6 Verknpfe Bit durch logisches UND zum bertragsbit .

(ANLC,<Quellenbit>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1319
17.4.7 Vergleiche und springe, wenn ungleich .

(CJNE <Zielbyte>,<Quellenbyte>,rel). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1320
17.4.8 Lsche Akkumulator (CLR A). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1322
17.4.9 Lsche Bit (CLR bit). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1322
17.4.10 Komplementiere Akkumulator (CPL A). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1323
17.4.11 Komplementiere direktes bit (CPL bit). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1324
17.4.12 Dezimalkorrektur des Akkumulators bei Addition (DA A). . . . . . . . 1324
17.4.13 Dekrementieren (DEC byte). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1326
17.4.14 Dividiere Akkumulator durch Register B (DIV AB) . . . . . . . . . . . . 1327
17.4.15 Dekrementiere und springe, falls ungleich null .

(DJNZ <Byte>,<relative Adresse>) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1328
17.4.16 Inkrementieren (INC <Byte>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1329
17.4.17 Inkrementiere Datenzeiger (INC DPTR). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1331
17.4.18 Springe, wenn direktes Bit gesetzt ist (JB bit,rel). . . . . . . . . . . . 1331
17.4.19 Springe, wenn direktes Bit gesetzt ist und lsche das Bit .

(JBC bit,rel). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1332
17.4.20 Springe, wenn bertragsbit gesetzt ist (JC rel). . . . . . . . . . . . . . . 1333
17.4.21 Springe indirekt relativ zu DPTR (JMP @A+DPTR). . . . . . . . . . . . . 1333
17.4.22 Springe, wenn direktes Bit nicht gesetzt ist (JNB bit,rel). . . . . . . 1334
17.4.23 Springe, wenn bertragsbit nicht gesetzt ist (JNC rel). . . . . . . . . 1334
17.4.24 Springe, wenn Akkumulator nicht null ist (JNZ rel) . . . . . . . . . . . 1335
17.4.25 Springe, wenn Akkumulator null ist (JZ rel) . . . . . . . . . . . . . . . . . 1336
17.4.26 Unbedingter Aufruf einer Subroutine innerhalb des .

64-Kbyte-Programmspeichers (LCALL addr16) . . . . . . . . . . . . . . 1336
17.4.27 Unbedingter Sprung innerhalb des .

64-Kbyte-Programmspeichers (LJMP addr16) . . . . . . . . . . . . . . . 1337
17.4.28 Transportiere Byte-Variable (MOV <Zielbyte>,.
<Quellenbyte>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1338
17.4.29 Transportiere direktes Bit zum bertragsbit oder .

umgekehrt (MOV <Zielbit>,<Quellenbit>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1341
17.4.30 Lade Datenzeiger mit einer 16-Bit-Konstante .

(MOV DPTR,#data16). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1342
17.4.31 Transportiere Programmbyte (A,@A+<Basisregister>). . . . . . . . . 1343
17.4.32 Transportiere vom oder zum externen RAM .

(MOVX <Zielbyte>,<Quellenbyte>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1344
17.4.33 Multipliziere Akkumulator mit Register B (MUL AB). . . . . . . . . . . 1346
17.4.34 Keine Operation (NOP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1346
17.4.35 Verknpfe Byte-Variable durch logisches ODER .

(ORL <Zielbyte>,<Quellenbyte>) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1347
Inhalt
17.4.36

17.4.37
17.4.38
17.4.39
17.4.40
17.4.41
17.4.42

17.4.43
17.4.44

17.4.45
17.4.46

17.4.47
17.4.48
17.4.49

17.4.50

17.4.51

17.5
17.5.1
17.5.2
17.5.3
17.5.4
17.5.5
17.5.6
25
Verknpfe Bit durch logisches ODER zum bertragsbit .

(ORL C,<Quellenbit>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1349
Bringe direktes Byte aus dem Stack (Pop direct). . . . . . . . . . . . . 1350
Bringe direktes Byte in den Stack (PUSH direct). . . . . . . . . . . . . 1351
Rcksprung von Subroutine (RET). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1351
Rcksprung vom Interrupt (RETI). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1352
Schiebe Akkumulator nach links rund (RL A). . . . . . . . . . . . . . . . 1352
Schiebe Akkumulator nach links durch bertragsbit rund .
(RLC A). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1353
Schiebe Akkumulator nach rechts rund (RR A) . . . . . . . . . . . . . . 1353
Schiebe Akkumulator nach rechts durch bertragsbit rund .
(RRC A). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1354
Setze Bit (SETB <bit>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1354
Unbedingter Sprung innerhalb 128...+127 im .
Programmspeicher (SJMP rel). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1355
Subtrahieren mit bertrag (SUBB A,<Quellenbyte>) . . . . . . . . . . 1356
Vertausche Halbbytes im Akkumulator (SWAP A) . . . . . . . . . . . . 1357
Vertausche variables Byte mit Akkumulatorinhalt .
(XCH A,<Byte>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1358
Vertausche unteres Halbbyte indirekt aus RAM mit .
unterem Halbbyte des Akkumulators (XCHD A,@Ri). . . . . . . . . . 1359
Verknpfe Byte-Variable durch logisches Exklusiv-ODER .
(XRL <Zielbyte>,<Quellenbyte>). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1359
Programmierung des Mikrocontrollers 8051 und 8052 . . . . . . . 1361
Assemblerprogrammierung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1362
Editoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1369
Cross-Assembler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1375
Emulatoren und Stand-alone Debug-Stationen. . . . . . . . . . . . . . 1377
Arbeiten mit dem MCU-Modul. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1381
Realisierung einer Ampelschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1387
18 Schaltungsentwicklung (Multisim) und Platinenlayout (Ultiboard) . . . . . . . . 1396

18.1
Schaltungsbeispiel fr analoge und digitale Bauelemente . . . . 1396
18.1.1 Bauelement und Anordnung fr den Analogteil . . . . . . . . . . . . . 1397
18.1.2 Einfgen der passiven Bauteile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1400
18.1.3 Einfgen der aktiven Bauteile. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1404
18.1.4 Testen des Analogteils. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1422
18.1.5 Aufbau des Digitalteils . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1423
18.1.6 Besonderheiten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1426
18.2
Von der Schaltung zum Platinenlayout. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1427
18.2.1 bertragung von Multisim nach Ultiboard. . . . . . . . . . . . . . . . . . 1428
18.2.2 Leiterplatte. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1430
18.2.3 Bearbeiten der Platine. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1433
26
Inhalt
18.2.4
18.2.5
18.2.6
18.2.7
18.2.8
18.2.9
Entwurfsrichtlinien fr die Leiterplatten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1436

Platzieren der Bauelemente auf der Platine. . . . . . . . . . . . . . . . . 1437
Einfgen der Bauelemente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1440
Verlegen von Leiterbahnen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1444
Weitere Funktionen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1450
Vorbereitung fr Herstellung und Bestckung. . . . . . . . . . . . . . . 1451
19 Sachverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1452
463
7 Grundlagen und
praktische Schaltungslehre
des Transistors
Die Bezeichnung Transistor ist ein Kunstwort aus transfer resistor, was sich als
bersetzender Widerstand oder bertragungswiderstand definieren lsst.
Grundstzlich unterscheidet man zwischen drei Transistorfamilien in der Praxis:

Transistor
(prinzipiell)
Bipolare
Transistoren
Unijunktiontransistor
UJT

Unipolare
Transistoren
pnp-Typ
n-Kanal-FET
npn-Typ
p-Kanal-FET
Fr den Betrieb von bipolaren Transistoren sind immer zwei pn-bergnge erforderlich, d.h., ein Transistor besteht normalerweise aus drei Zonen. Davon weisen die beiden ueren Zonen untereinander prinzipiell identische Eigenschaften auf, whrend
die mittlere Zone abweichende Kriterien hat. Die besonderen Eigenschaften erreicht
man durch unterschiedliche Dotierung bestimmter chemischer Elemente. Den elektrischen Charakter der Zonen kennzeichnet man mit den Buchstaben p und n, wie bei
den Dioden. Da die beiden ueren Zonen im Prinzip gleiche Eigenschaften aufweisen,
gilt fr diese Zonen auch der gleiche Buchstabe. Fr die Zwischenzone hat man dagegen andere Buchstaben. Bei einem pnp-Transistor lautet daher die Reihenfolge der
Zonen pnp und beim npn-Transistor npn. Die drei Anschlsse eines Transistors
werden mit Basis [basis (lat.) = Grundlage], Emitter [emittere (lat.) = hervorbringen]
und Kollektor [collector (lat.) = Sammler] bezeichnet.
Ein Unijunktiontransistor UJT ist dagegen ein Bauelement, das aus einem einkristallinen Siliziumstab mit n-Dotierung, zwei ohmschen Endkontakten und einem Sperrschichtkontakt mit p-Dotierung besteht. Die beiden ohmschen Kontakte bezeichnet
man als Basis 1 (B1) und Basis 2 (B2) und den Sperrschichtkontakt als Emitter. Die
Erklrung von den Unijunktiontransistoren folgt im Kapitel zur Leistungselektronik.
Unter einem Feldeffekttransistor FET versteht man ein Bauelement, bei dem der Majorittstrgerstrom zwischen Source (Quelle) und Drain (Abfluss) mithilfe eines elek-
464
7 Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors
trischen Felds am Gate (Tor) gesteuert wird, das entweder die Bahn des gesteuerten
Stroms quer zur Stromrichtung durchsetzt oder den Strmungsquerschnitt im Halbleiter beeinflusst. Da nur eine Ladungstrgerart am Verstrkermechanismus beteiligt
ist, bezeichnet man die Feldeffekttransistoren auch als unipolare Transistoren.
Im Gegensatz zu den bipolaren Transistoren hat man bei den Feldeffekttransistoren
das Gate (Tor) fr den Steueranschluss, das die Funktion der Basis beim Transistor hat,
den Drain-Anschluss (Senke) und den Source-Anschluss (Quelle). Der Stromfluss
zwischen Source und Drain wird durch ein elektrisches Feld gesteuert. Beim Sperrschicht-Feldeffekttransistor oder J-FET (Junction) wirkt das elektrische Feld ber einen pn-bergang auf den Stromfluss ein. Bei den Isolierschicht-FETs, den MOSFETs
(Metal Oxide-Semiconductor-FET) hat man dagegen eine hochisolierende Schicht
zwischen Kanal und Gate. Aus diesem Grund auch die Bezeichnung IG-FET (IsolatedGate-FET). Insgesamt gibt es zwei Arten von Feldeffekttransistoren, den p- und den
n-Kanal, bei den MOSFETs ebenfalls die beiden Typen mit p- und n-Kanal, wobei man
noch zwischen dem Verarmungstyp (Depletion) und dem Anreicherungstyp (Enhancement) unterscheiden muss.
7.1 Aufbau, Herstellung und Bezeichnungen

Bipolare Transistoren bestehen aus drei Zonen, Emitterzone, Basiszone und Kollektorzone. Zu jeder der drei Zonen gehrt ein separater Anschluss und somit weist der
Transistor einen Emitteranschluss, einen Basisanschluss und einen Kollektoranschluss
auf.
Abb.7.1: Querschicht durch einen npn-Planar-Epitaxial-Transistor. Das Verhltnis der

Hhe zur Breite des Schnittbilds wurde wesentlich bertrieben dargestellt, insbesondere
soweit das die epitaxiale Schicht und deren Abdeckung betrifft.
Wie Abb.7.1 erkennen lsst, ist die Grenzflche der Basiszone gegen die Kollektorzone
grer als die gegen die Emitterzone. Dieser Grenunterschied hat zwei Grnde:
Der den Transistor durchflieende Strom ist, wie der Strom auch sonst, eine Drift
von Ladungstrgern. Die Ladungstrger gehen von der Emitterzone zur Kollek-
465
torzone ber. Hierbei sollen sie auf den mittleren Bereich der Grenzflche zwischen Basiszone und Kollektorzone treffen, damit ihre Wege in der Basiszone mglichst kurz ausfallen. Das erreicht man, indem man die Kollektorgrenzflche nach
allen Seiten grer gestaltet als die Emittergrenzflche.
Bei Betrieb liegt zwischen Basis und Kollektor im Allgemeinen eine weit hhere
Spannung als zwischen Emitter und Basis. Der Emitterstrom IE und der Kollektorstrom IC hingegen weisen fast identische Werte auf. Daraus folgt, dass an der Grenze zwischen Kollektor und Basis eine grere elektrische Leistung entsteht als an
der Grenze zwischen Emitter und Basis. Beide Leistungen werden in Wrme umgesetzt. An der Grenze zwischen Kollektor und Basis entsteht folglich mehr Wrme
als an der Grenze zwischen Emitter und Basis.
Abb.7.2: Gegenberstellung von pnp- und npn-Transistor im Schichtenaufbau, Wirkung

der Dioden und die Schaltzeichen
Die Gegenberstellung von pnp-Transistor (links) und npn-Transistor (rechts) in

Abb.7.2 zeigt den unterschiedlichen Aufbau der Transistoren. Bei der Frage nach dem
Schichtenaufbau muss man die technologischen Varianten des Transistors beachten,
wobei zahlreiche, recht unterschiedliche Mglichkeiten fr die Realisierung vorhanden
sind: Legierungstransistor, Drifttransistor, diffundiert-legierter Mesa-Transistor, Pla
nartransistor, Epitaxie-Planar-Transistor, HF-Leistungstransistor, Overlay-Transistor
und Hochspannungstransistor. Jeder Transistor ist anders aufgebaut und fr bestimmte Anwendungsbereiche optimiert worden. Bei allen Transistoren ist aber gleich, dass
die Ladungstrger ber den Emitteranschluss in den Transistor eintreten und diesen
ber den Kollektoranschluss verlassen. Der gesteuerte bzw. zu steuernde Strom fliet
somit vom Emitter zum Kollektor. Die Steuerung dieses Stroms bernimmt die Basis.
Betrachtet man sich die Diodenmodelle, erkennt man die Grenzschicht zwischen
Basis- und Emitterzone, die als Basis-Emitter-Sperrschicht bezeichnet wird. Die
466
Grenzschicht zwischen Basis- und Kollektorzone definiert man als Basis-KollektorSperrschicht. Die Diode zwischen Basis und Emitter bezeichnet man als Basis-EmitterDiode und die zwischen Basis und Kollektor als Basis-Kollektor-Diode.
7.1.1 Wirkungsweise des npn-Transistors

Aus technologischen Herstellungsgrnden wurden bis 1970 pnp-Transistoren aus
Germanium und npn-Transistoren aus Silizium hergestellt. Heute arbeitet man ausschlielich mit Silizium-Transistoren, ob man nun npnoder pnp-Typen in der analogen oder digitalen Schaltungstechnik einsetzt. Germanium findet man dagegen nur
sehr selten.
Abb.7.3: Ausschnitt eines npn-Transistors mit seinen drei Zonen. Dieser

Ausschnitt umfasst die Teile, die an den
beiden Grenzflchen aneinanderstoen.
Jede der Grenzflchen stellt einen pnbergang dar.
Bei einem npn-Transistor sind die Emitterzone und die Kollektorzone mit Donatoren
dotiert und daher erfolgt die Darstellung in Abb.7.3 als n-Zone. Die Basiszone wird
mit Akzeptoren dotiert und ist als p-Zone dargestellt. Aufgrund dieser drei Zonen
weist ein npn-Transistor zwei Grenzflchen auf, an denen jeweils eine n-Zone und eine
p-Zone aneinanderstoen. Hierbei handelt es sich nicht etwa um drei einzelne Siliziumstcke, sondern um ein durchgehendes Silizium-Atomgitter, das auf der einen Seite der Grenzflche mit Donatoren und an der anderen Seite mit Akzeptoren dotiert
ist.
Diesseits und jenseits der Grenzflche, an der die beiden unterschiedlichen Zonen aneinander grenzen, entstehen besondere elektrische Zustnde. Die gesamte Schicht, die
durch diese Zustnde charakterisiert ist, bezeichnet man als Sperrschicht. Diese Bezeichnung lsst sich damit begrnden, dass diese Schicht eine Diodenwirkung aufweist.
Zwei gegeneinandergeschaltete Dioden wirken noch nicht wie ein Transistor. Man
erkennt dessen Wirkungsweise auch nicht aus einer solchen Schaltung, wie die
Diodenmodelle in Abb.7.2 zeigen. Aufgrund der Diodenmodelle wre zunchst lediglich zu vermuten, vom Emitter msse zur Basis durch die Emitter-Basis-Diode ein
verhltnismig hoher Strom flieen. Wenn man dann noch zur Kenntnis nimmt,
467
dass |UCE| > |UBE| ist, knnte man auerdem annehmen, es wird ber den Kollektor
nur ein sehr geringer Strom flieen. So aber ist eine Funktion des Transistors als verstrkendes Bauelement nicht mglich.
Abb.7.4: Physikalisches Prinzip eines npn-Transistors
Das physikalische Prinzip eines npn-Transistors lsst sich ber zwei Gleichstromkreise
erklren, wie Abb.7.4 zeigt. Hier muss man nun zwischen der technischen Stromrichtung (Plus nach Minus) und der Elektronenflussrichtung (Minus nach Plus) unterscheiden.
In Abb.7.4 entspricht die Polung der Betriebsspannungsquelle der technischen Stromrichtung. Damit fliet vom Pluspol der Spannungsversorgung ein Kollektorstrom IC
zum Kollektor C weiter in die Kollektor-Basis-Diode, die in Sperrrichtung betrieben
wird. Bei einem nicht angeschlossenen Emitter kann demzufolge im Kollektorstromkreis nur ein sehr geringer Sperrstrom durch die Kollektor-Emitter-Diode flieen. Dieser Strom ist fr die Kollektor-Emitter-Diode (wie dies auch bei jeder Diode der Fall ist,
wenn in Sperrrichtung nur ein geringer Strom flieen kann) ein Majorittstrgerstrom.
Als Majorittstrgerstrom kommen in der p-Zone der Basis nur Elektronen infrage.
Ist der Kollektor dagegen offen und die Basis-Emitter-Strecke angeschlossen, d.h. in
Durchlassrichtung, so wrden die in den Basisraum injizierten Elektronen mit den
dort auf Grund der p-Dotierung vorhandenen Defektelektronen rekombinieren. Dabei wrden an dem Basisanschluss des Pluspols der angeschlossenen Spannungsquelle
laufend Defektelektronen nachgeliefert werden.
Jedoch ist der Kollektorstromkreis gem Abb.7.4 angeschlossen. Wie bei fehlendem
Kollektorstromkreis, gelangen auch jetzt Elektronen aus der n-Zone des Emitters in
468
die p-Zone der Basis. Elektronen in der p-Zone sind dort nichts anderes als Majorittstrger, da ja in der p-Zone die Defektelektronen die Minorittstrger darstellen.
Der auf die Basis-Kollektor-Sperrschicht entfallende Teil der Kollektorspannung ist
fr die Minorittstrger in Sperrrichtung gem gepolt. Diese Polung stellt aber fr
die Majorittstrger, d.h. fr die vom Emitter her in die Basiszone flieenden Elektronen, die Durchlassrichtung dar. Was also an Elektronen durch die Basis-Emitter-Diode in die Basisschicht kommt, findet dort durch die Basis-Kollektor-Sperrschicht
hindurch einen offenen Weg zum Kollektoranschluss.
Die Funktion des Transistors beruht demzufolge darauf, dass der ber die Emitter-Basis-Diode flieende Elektronenstrom, der von der zwischen Basis und Emitter wirkenden Signalquelle gesteuert ist, zum allergrten Teil durch die Kollektorspannung aus
der Basis ber die Kollektor-Basis-Diode abgesaugt wird. Dabei bemht man sich, den
im Prinzip unvermeidlichen, ber die Basis flieenden Stromanteil so klein wie mglich
zu halten. Der Basisstrom IB betrgt 0,5% bis 5% des Kollektorstroms IC, d.h.
IE = IC + IB
Der Emitterstrom IE ist eine Addition zwischen dem Kollektorstrom IC und dem Basisstrom IB. Der Wert des Basisstroms ist zwar im Vergleich zum Kollektorstrom gering,
muss aber beim Entwurf und Aufbau einer Schaltung bercksichtigt werden.
Die verstrkende Wirkung des Transistors erklrt sich so: Weil die Basis-EmitterDiode in Durchlassrichtung betrieben wird, ist die an dieser Diode erforderliche BasisEmitter-Signalspannung geringer und liegt je nach Typ bei UBE 0,6V. Da man dafr
sorgt, dass der durch die Basis-Emitter-Diode flieende Strom zum grten Teil zum
Kollektor weiterfliet, hat der Basisstrom auch nur einen niedrigen Wert. Beides zusammen ergibt eine nur kleine Signalsteuerleistung. Im Ausgang fliet der Kollektorsignalstrom, der wesentlich hher ist als der Basissignalstrom. Die Kollektorgleichspannung ermglicht im Ausgang bei Einschalten eines passenden Arbeitswiderstands
eine Kollektorsignalspannung, deren Scheitelwert den Wert der Kollektorbetriebsspannung +UB erreichen kann. Es gilt:
UCE = UBE + UBC
Hoher Signalstrom bei hoher Signalspannung auf der Kollektorseite ergeben gemeinsam die Kollektorsignalleistung, die die Basissignalleistung wesentlich bersteigt.
7.1.2 Statische Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors in

Emitterschaltung
Im Transistor stehen folgende vier Gren zueinander in Beziehung:
Eingangsstrom I1 oder Basisstrom IB
469
Eingangsspannung U1 oder Basis-Emitter-Spannung UBE

Ausgangsstrom I2 oder Kollektorstrom IC
Ausgangsspannung U2 oder Kollektor-Emitter-Spannung UCE
Wegen der internen Verkopplungen der einzelnen Sperrschichten sind alle vier Gren voneinander abhngig.
Abb.7.5: Schaltung zur statischen Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors in Emitterschaltung
Mit der Schaltung von Abb.7.5 lassen sich folgende vier Kennlinien des Transistors
aufnehmen:
Eingangskennlinie: Diese Kennlinie zeigt den Zusammenhang von IB = f(UBE) bei
UCE = konstant und hat den Verlauf einer Siliziumdiode.
Stromverstrkungskennlinie: Diese Kennlinie zeigt den Zusammenhang von IC = f(IB)
bei UCE = konstant. Aus der Stromverstrkungskennlinie kann die Stromverstrkung B
(statischer Wert) oder (dynamischer Wert) eines Transistors ermittelt werden. In der
analogen Schaltungspraxis setzt man die Bedingung voraus: B .
Ausgangskennlinie: Diese Kennlinie zeigt den Zusammenhang von IC = f(UCE) mit
IB= konstant. Die Ausgangskennlinie stellt fr den praktischen Entwurf die wichtigsten Kenngren zur Verfgung.
Rckwirkungskennlinie: Diese Kennlinie zeigt den Zusammenhang von
UBE = f (UCE) bei IB = konstant. Aus dieser Kennlinie ist zu entnehmen, dass eine
470
nderung der Kollektor-Emitter-Spannung nur einen sehr geringen Einfluss auf

die Eingangsspannung UBE hat. Diese Kennlinie wird fr den praktischen Schaltungsentwurf nicht bentigt.
Bei der Untersuchung der Eingangskennlinie lsst sich die Abhngigkeit des Basis
stroms IB von der Basis-Emitter-Spannung UBE ermitteln. Bedingung ist hier, dass die
Kollektor-Emitter-Spannung UCE einen konstanten Wert fr die Kennlinienaufnahme
hat. Tabelle 7.1 zeigt die Werte fr die statische Aufnahme der Eingangskennlinie bei
Transistor BC107, wenn die Bedingung UCE = +5V betrgt.
Tabelle 7.1: Werte fr die statische Aufnahme der Eingangskennlinie des Transistors BC107
bei einer konstanten Kollektor-Emitter-Spannung von UCE = +5V
UBE in mV 400
IB in A
450
500
550
600
650 700 750 800
0,028 0,055 0,111 0,278 1,77 11
69
314 938
850
900
2056 3736
Aus Tabelle 7.1 lsst sich die Eingangskennlinie im doppelt-linearen Mastab (links)
und im linear-logarithmischen Mastab darstellen, wie Abb.7.6 zeigt.
Abb.7.6: Eingangskennlinie des Transistors BC107 im doppelt-linearen Mastab (links)

und im linear-logarithmischen Mastab
Man bentigt die Eingangskennlinie aus zwei Grnden in der analogen Schaltungstechnik:
Die Kennlinie gibt Aufschluss ber die Belastung bzw. das Ansteuerverhalten der
Signalquelle am Eingang der Transistorstufe.
Man muss den zur Basis-Emitter-Spannung flieenden Basisstrom kennen, um die
Stromquelle dieser Signalerzeugung richtig zu berechnen und die erforderlichen
Bauelemente dimensionieren zu knnen.
471
Aus der Basis-Emitter-Spannung UBE und dem Basisstrom IB kann man den statischen
und den dynamischen Eingangswiderstand ermitteln mit
Rein =
U BE
IB
rein =
U BE
I B
Es wird zwischen dem Eingangswiderstand fr reinen Gleichstrombetrieb und Signalstrom- bzw. Wechselstrombetrieb unterschieden.
Bei der Untersuchung der Steuerkennlinie bzw. Stromverstrkungskennlinie lsst sich
der Kollektorstrom IC in Abhngigkeit des Basisstroms IB ermitteln. Bedingung ist hier,
dass die Kollektor-Emitter-Spannung UCE einen konstanten Wert fr die Kennlinienaufnahme hat. Tabelle 7.2 zeigt die Werte fr die statische Aufnahme der Steuerkennlinie bei Transistor BC107, wenn die Bedingung UCE = +5V betrgt.
Tabelle 7.2: Werte fr die statische Aufnahme der Steuerkennlinie bzw. Stromverstrkungskennlinie des Transistors BC107 bei einer konstanten Kollektor-Emitter-Spannung von UCE = +5V
UBE in mV
IB in A
IC in mA
500
0,12
8
550
0,28
52
600
1,77
360
650
11
2,42
700
69
15
750
314
62
800
938
159
850
2056
292
900
3736
446
Aus Tabelle 7.2 lsst sich die Steuerkennlinie bzw. Stromverstrkungskennlinie des Transistors BC107 bei UCE = +5V im doppelt-linearen Mastab darstellen, wie Abb.7.7 zeigt.
Abb.7.7: Steuerkennlinie bzw. Stromverstrkungskennlinie des Transistors BC107 bei

einer konstanten Kollektor-Emitter-Spannung von UCE = +5V im doppelt-linearen Mastab
472
Aus dieser Kennlinie lsst sich die Stromverstrkung des Transistors ermitteln. Dabei
unterscheidet man zwischen der
statischen Stromverstrkung (Gleichstromverstrkung) mit
B=
I C 2 ,42mA
=
= 220
IB
11 A
dynamischen Stromverstrkung (Wechselstromverstrkung) mit

B=
I C 15mA 2 ,62mA
=
= 217
I B
69 A 11 A
Da sich die statische und dynamische Stromverstrkung sehr hnlich sind, denn die
Differenzen treten im Wesentlichen durch menschliche Messfehler und Messungenauigkeiten auf, gilt in der analogen Schaltungstechnik immer die Bedingung:
B
Die Ausgangskennlinie stellt dagegen den Zusammenhang zwischen den beiden Ausgangsgren von Kollektorstrom IC und Kollektor-Emitter-Spannung UCE dar, wobei
entweder der Basisstrom IB oder die Basis-Emitter-Dioden-Spannung UBE auf einem
konstanten Wert gehalten wird. Statt einer Konstantspannungsquelle setzt man eine
Konstantstromquelle ein, wie Abb.7.8 zeigt.
Abb.7.8: Schaltung zur Untersuchung der Ausgangskennlinie
Fr die Untersuchung der Ausgangskennlinie stellt man den Basisstrom IB auf einen
bestimmten Wert ein und erhht dann die Ausgangsspannung. Tabelle 7.3 zeigt die
Einstellungen und die Messergebnisse.
473
Tabelle 7.3: Einstellungen und Messergebnisse fr die Untersuchung der Ausgangskennlinie
IB = 0,5A UCE in V 0,5

IC in A 73
1
73
2
73
3
75
4
75
5
77
IB = 1A
UCE in V 0,5
IC in A 194
1
195
2
197
3
200
4
202
5
206
IB = 1,5A UCE in V 0,5

IC in A 324
1
326
2
330
3
335
4
338
5
344
IB = 2A
UCE in V 0,5
IC in A 460
1
465
2
469
3
475
4
481
5
488
IB = 3A
UCE in V 0,5
IC in A 740
1
744
2
754
3
764
4
774
5
784
IB = 4A
UCE in V 0,5
IC in A 1027
1
1034
2
1047
3
1061
4
1074
5
1089
IB = 5A
UCE in V 0,5
IC in A 1319
1
1338
2
1345
3
1363
4
1379
5
1398
Aus Tabelle 7.3 lsst sich die Ausgangskennlinie des Transistors BC107 im doppeltlinearen Mastab darstellen, wie Abb.7.9 zeigt.
ber die Ausgangskennlinie lsst sich der statische und dynamische Ausgangswiderstand berechnen mit
U CE
U
raus =
Raus = CE
I B
IB
Auf die Untersuchung der Rckwirkungskennlinie, die den Zusammenhang zwischen
UBE = f (UCE) mit IB = konstant darstellt, wird verzichtet, da diese Kennlinie keine praktische Bedeutung hat.
7.1.3 Dynamische Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors in

Emitterschaltung
Die dynamische Kennlinienaufnahme eines Transistors bedeutet fr ein Simulationsprogramm sehr viel Rechenarbeit.
Abb.7.10 zeigt die Prinzipschaltung zur dynamischen Kennlinienaufnahme eines npnoder pnp-Transistors in Emitterschaltung. Das Problem ist die gleichzeitige nderung
474
des Basisstroms IB und der Kollektor-Emitter-Spannung UCE. Fr die nderung des

Basisstroms in Stromstufen setzt man einen Treppenspannungsgenerator ein, der eine
stufenfrmige Ausgangsspannung erzeugt. Je nach Ausgangsspannung stellt sich ein
bestimmter Basisstrom ein, der den nachfolgenden Transistor an seiner Basis ansteuert. Hierbei muss man zwischen npn- und pnp-Transistor unterscheiden, denn die
Spannungs- und Stromverhltnisse verhalten sich genau umgekehrt.
Abb.7.9: Ausgangskennlinie des Transistors BC107
Abb.7.10: Prinzipschaltung zur dynamischen Kennlinienaufnahme eines npnoder pnpTransistors in Emitterschaltung
475
Whrend sich der Basisstrom stufenfrmig ndert, wird durch eine Wechselspannungsquelle mit nachgeschaltetem Brckengleichrichter eine pulsierende Wechselspannung fr die Aussteuerung der Kollektor-Emitter-Spannung erzeugt. Der Kollektorstrom errechnet sich aus
IC =
UY
RC
Mit einem Oszilloskop lsst sich nur ber den Umweg der Spannungsmessung ein
Strom am Bildschirm darstellen. Die Spannung am Y-Eingang muss invertiert anliegen oder die Kennlinienschar der Ausgangskennlinie ist um 180 nach unten geklappt.
Dies gilt auch fr den Basisstrom, der sich berechnet aus
IB =
U Tr
RB
Die Spannung UY ist mit dem Strom IC proportional und wird auf den negierten
Y-Eingang des Oszilloskops gegeben. Der Strom IC ist die Wirkung auf die KollektorEmitter-Spannung UCE. Entfernt man den Widerstand RC, wird der Elektronenstrahl
in Y-Richtung abgelenkt. Entfernt man den Widerstand RB, wird der Elektronenstrahl
dagegen in X-Richtung abgelenkt.
Abb.7.11: Simulationsschaltung zur dynamischen Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors
Zur Realisierung eines simulierten Kennlinienschreibers fr einen npn-Transistor verwendet man die Schaltung von Abb.7.11.
Mit der Schaltung von Abb.7.12 lsst sch die Stromsteuerkennlinie IC = f (IB) durchfhren. Aus dieser Kennlinie lsst sich erkennen, wie sich der Kollektorstrom bei unterschiedlichem Basisstrom ndert. Um diese Kennlinienaufnahme durchfhren zu
knnen, muss der Funktionsgenerator eine Wechselspannung erzeugen, die ber den
476
Kondensator eingekoppelt wird. Dadurch entsteht eine Mischspannung, die auf den
X-Eingang des Oszilloskops gegeben wird. Dazu ist die Konstantspannungsquelle an
der Basis des Transistors erforderlich. Durch die sinusfrmige Wechselspannung fliet
ein sich ndernder Basisstrom und damit ndert sich auch der Kollektorstrom. Whrend der Basisstrom in der Grenordnung zwischen 0 und 100A differiert, ergibt
sich ein entsprechend groer Kollektorstrom.
Abb.7.12: Untersuchung der IC-IB-Kennlinie eines npn-Transistors
ber den Widerstand zwischen Konstantspannungsquelle und Masse misst man den
Kollektorstrom IC, der als Spannungswert durch den Operationsverstrker invertiert auf
den Y-Eingang gegeben wird. Das Oszillogramm zeigt den typischen Verlauf der Stromsteuerkennlinie des BC107, also eine nahezu gerade Linie, d.h., der Kollektorstrom IC ist
dem Basisstrom IB annhernd proportional. Die Stromverstrkung ist der Quotient aus
der Kollektorstromnderung IC und der diese nderung bewirkenden Basisstromnderung IB. Damit ergibt sich eine entsprechende Neigung der Kennlinie.
7.1.4 Untersuchung der Verstrkerwirkung eines npn-Transistors

Jeder Transistor hat Kenngren und Kennwerte. Ein Kennwert, in den Datenbchern
auch als Messwert bezeichnet, ist der Wert einer am Transistor elektrisch oder wrme-
477
mig messbaren, ihn charakterisierenden Gre, also als Kenngre definierte Gre. Der einzeln angegebene Kennwert stellt immer nur einen Mittelwert dar. In der
Praxis hat man einen Streubereich und innerhalb diesem befinden sich die Werte der
Kenngre unter bestimmten Bedingungen fr diesen Transistortyp. Hufig begngt
man sich, falls dies sinnvoll ist, auch nur mit der Angabe des Streubereichs mit seinen
minimalen bzw. maximalen Werten. In diesem Streubereich befindet sich dann der
Verlauf der Kennlinie.
Die Kennwerte bzw. die hier zugrunde liegenden Kenngren lassen sich im Wesentlichen in Gruppen zusammenfassen:
Signalkenngren (Signalkennwerte, Wechselstrommesswerte): Hierbei handelt es
sich um Kenngren, die das Verhltnis zweier Signalgren zueinander angeben,
also des Signalstroms und einer Signalspannung, zweier Signalstrme oder zweier
Signalspannungen.
Gleichstromkenngren und Gleichstromkennwerte (Gleichstrommesswerte oder
auch statische Kennwerte bzw. statische Kenngren): Diese Werte lassen sich entweder durch Gleichstrme bzw. durch Gleichspannungen unmittelbar darstellen,
oder es handelt sich um das Verhltnis zweier dieser Gren zueinander.
Erwrmungskenngren: Es handelt sich um Gren, die die Temperaturabhngigkeit und die Wrmeabgabe des Bauelements betreffen.
Frequenzkenngren: Sie geben die Signalfrequenz an, fr die eine bestimmte
Eigenschaft einer Transistorgrundschaltung auf ein feststehendes Ma (Transitfrequenz v = 1) abgesunken ist.
Rauschkenngren: Sie sind zunchst nur durch einen einzigen Kennwert vertreten, nmlich durch die Rauschzahl bzw. den Rauschfaktor.
Bei der Betrachtung dieser Kenngren ist zu beachten, dass in den Datenblttern, die
die Kenngren beinhalten, oft in gleicher Weise auch die entsprechenden Einstellwerte angegeben sind. Hierunter sind die Werte zu verstehen, fr die die angegebenen
Kennwerte gelten. Einstellwerte sind z.B. die Kollektor-Emitter-Gleichspannung UCE
und der Kollektorruhestrom IC.
Fr die statische Untersuchung des npn-Transistors BC239 bentigt man eine Konstantstromquelle, die den Basisstrom IB erzeugt, wie die Schaltung (Abb.7.13) zeigt.
Durch den Transistor wird der Basisstrom IB verstrkt und es ergibt sich ein bestimmter Kollektorstrom IC, der an dem Kollektor-, Last- bzw. Arbeitswiderstand einen bestimmten Spannungsfall erzeugt. Dieser Spannungsfall errechnet sich aus
UR = IC RC
Entsprechend entsteht an dem Transistor zwischen dem Kollektor- und dem Emitteranschluss die Spannung UCE. Addiert man UR und UCE, muss sich die Betriebsspannung ergeben, wie die Spannungswerte in der Schaltung von Abb.7.13 zeigen.
Um mit einem Ausgangskennlinienfeld arbeiten zu knnen, bentigt man zwei maximale Werte. In der Praxis hat man hierzu die Betriebsspannung +UB und den maximalen Kollektorstrom IC. Trgt man diese beiden Werte als Punkte in das Kennlinienfeld
478
ein und verbindet diese beiden Punkte mit einer Geraden, erhlt man die Arbeitsgerade oder Widerstandsgerade fr den Betrieb eines Transistors. Der maximale Kollektorstrom IC errechnet sich aus
I Cmax =
+U B
15V
=
= 75mA
RC
200
Abb.7.13: Schaltung zur statischen Untersuchung der Verstrkerwirkung eines npn-Transistors
Trgt man den Kollektorstrom IC und die Kollektor-Emitter-Spannung UCE in das Ausgangskennlinienfeld ein, lsst sich auf der Arbeitsgeraden ein Arbeitspunkt definieren.
Abb.7.14 zeigt das Ausgangskennlinienfeld des BC239 mit dem Arbeitspunkt AP.
Vergleicht man die Messergebnisse der Simulation mit dem Ausgangskennlinienfeld
des BC239, ergeben sich geringfgige Unterschiede am Arbeitspunkt AP.
Dieses Wertepaar von der Kollektor-Emitter-Spannung UCE und dem Kollektorstrom IC
fasst man unter der Bezeichnung Arbeitspunkt zusammen, da hiermit z.B. im Kollektorstrom/Kollektor-Emitter-Spannungs-Kennlinienfeld ein bestimmter Punkt festgelegt ist. Man knnte zum Arbeitspunkt auer UCE und IC auch die Basis-EmitterSpannung UBE und schlielich hierzu noch den Basisstrom IB einbeziehen. Wegen der
Temperaturabhngigkeit der Transistoreigenschaften geschieht das nicht. Wie spter
noch erklrt wird, strebt man an, den mit dem Kollektorstrom IC bei gegebener Kollektor-Emitter-Spannung UCE bestimmten Arbeitspunkt durch passende Vernderungen
des Werts der Basis-Emitter-Spannung UBE festzuhalten und damit ergibt sich fr die
Praxis der optimale Verstrkerbetrieb.
479
Abb.7.14: Ausgangskennlinienfeld des BC239 mit dem Arbeitspunkt AP fr die

Messergebnisse von Schaltung 7.13
Zu einem mit UCE und IC gegebenen Arbeitspunkt gehren im Allgemeinen einigermaen konstante Signalkennwerte, unabhngig davon, ob die Sperrschichttemperatur
tatschlich, wie fr Kennwertangaben vorausgesetzt, 25 C betrgt, oder ob bei geringen Abweichungen von den 25 C durch passende nderungen von UBE bzw. von IB der
Wert des Arbeitspunkts von dem Kollektorstrom IC festgehalten wird.
Im Arbeitspunkt AP ergibt sich eine Stromverstrkung von
I
40mA
B= C =
= 400
I B 100 A
Im Datenblatt (Tabelle 7.4) sind folgende Werte fr das Kollektor-Basis-Gleichstromverhltnis hFE bei UCE = 5V und IC = 2mA vorhanden:
Tabelle 7.4: Werte fr das Kollektor-Basis-Gleichstromverhltnis
Gruppe A:
Gruppe B:
Gruppe C:
Min.
110
200
420
Typ.
180
290
520
Max.
222
450
800
Es ergeben sich erhebliche Unterschiede zwischen den einzelnen Gruppen, wobei man
noch zwischen den Spezifikationen unterscheiden muss.
480
7.1.5 Untersuchung der Verstrkerwirkung eines pnp-Transistors

Durch den unterschiedlichen Aufbau der Halbleiterschichten eines pnp-Transistors zu
einem npn-Typ, sind fr den Betrieb und die Ansteuerung andere Spannungspotentiale erforderlich.
Abb.7.15: Schaltung zur statischen Untersuchung der Verstrkerwirkung eines .

pnp-Transistors
Der BC212 ist ein pnp-Transistor fr den Betrieb von Treibern und Endstufen. Der
maximale Kollektorstrom errechnet sich aus
I Cmax =
U B 3V
=
= 400mA
RC
7 ,5
Trgt man die Betriebsspannung UB und den maximalen Kollektorstrom IC in das

Datenblatt des BC212 ein, erhlt man Abb.7.16.
Im Arbeitspunkt AP ergibt sich eine Stromverstrkung von
B=
I C 225mA
=
= 112 ,5
IB
1mA
Im Datenblatt (Tabelle 7.5) sind folgende Werte fr das Kollektor-Basis-Gleichstromverhltnis hFE bei UCE = 1V und IC = 100mA vorhanden:
481
Abb.7.16: Ausgangskennlinienfeld des BC212 mit dem Arbeitspunkt AP fr die Mess-.

ergebnisse der Schaltung aus Abb. 7.15
Tabelle 7.5: Werte fr das Kollektor-Basis-Gleichstromverhltnis
Min.
Max.
Gruppe 10:
67
150
Gruppe 16:
106
236
Gruppe 25:
170
373
Gruppe 40:
265
600
Es ergeben sich erhebliche Unterschiede zwischen den einzelnen Gruppen.
7.1.6 Emittergrundschaltung eines npn-Transistors

Anhand der bisherigen Betrachtungen ber die Transistorschaltungen muss man den
Eindruck gewinnen, dass es nur eine grundstzliche Schaltungsvariante gibt. In der
praktischen Schaltungstechnik unterscheidet man zwischen
Emitterschaltung, bei der der Emitteranschluss des Transistors entweder direkt
oder ber einen niederohmigen Widerstand mit Masse verbunden ist.
Kollektorschaltung, bei der der Kollektoranschluss des Transistors entweder direkt
oder ber einen niederohmigen Widerstand mit der Betriebsspannung verbunden
ist.
482
Basisschaltung, bei der der Basisanschluss des Transistors entweder mit der Betriebsspannung oder mit Masse verbunden ist.
Jede dieser drei Schaltungen hat in der analogen bzw. digitalen Schaltungstechnik entsprechende Vor- und Nachteile. Etwa 98% aller Transistorschaltungen basieren auf
der Emitterschaltung, bei etwa 1,5% verwendet man die Kollektorschaltung und nur
in 0,5% aller Flle setzt man die Basisschaltung ein.
Abb.7.17: Schaltung zur Untersuchung der Emittergrundschaltung mit einem npn-Transistor
Mithilfe der Schaltung von Abb.7.17 lassen sich mehrere Signalkenngren fr die
Emittergrundschaltung eines npn-Transistors untersuchen. Der Eingangswiderstand
der Emitterschaltung lsst sich berechnen aus
Rein =
U BE 747mV
=
= 7 ,47k
IB
100 A
Erhht man den Wert der Konstantstromquelle auf IB = 150A, reduziert sich der
Eingangswiderstand auf
Rein =
U BE 768mV
=
= 5,12k
IB
150 A
Der statische Eingangswiderstand Rein einer Emittergrundschaltung stellt keinen konstanten Wert dar, sondern muss fr jeden Basisstrom separat bestimmt werden.
Der Ausgangswiderstand Raus errechnet sich aus
Raus =
U CE
8 ,47V
=
= 260
IC
32 ,6mA
483
Ausgangswiderstand Raus auf
Raus =
U CE
5,96V
=
= 132
IC
45,2mA
Der statische Ausgangswiderstand einer Emittergrundschaltung stellt keinen konstanten Wert dar, sondern muss fr jeden Basisstrom separat bestimmt werden.
Aus dem Verhltnis von Kollektorstrom IC und Basisstrom IB lsst sich die statische
Stromverstrkung berechnen mit
B=
I C 32 ,6mA
=
= 326
I B 100 A
Die Stromverstrkung B ndert sich nur geringfgig, wenn man z.B. den Basisstrom
auf IB = 150A erhht. In der Verstrkertechnik bezeichnet man den Stromverstrkungsfaktor mit vI. Bei einem Eingangsstrom von IB = 100A stellt sich eine BasisEmitter-Spannung von UBE = 0,747V ein. Damit ergibt sich eine Kollektor-EmitterSpannung von UCE = 8,47V. Die Spannungsverstrkung einer Emittergrundschaltung
berechnet sich aus
vU =
U CE
8 ,47V
=
= 11,3
U BE 0 ,747V
Die Leistungsverstrkung ist dann

v P = v I vU = 326 11,3 = 3696
Die Stromverstrkung einer Emittergrundschaltung ist hoch, die Spannungsverstrkung dagegen liegt im mittleren Bereich und es ergibt sich eine relativ hohe Leistungsverstrkung. Die einzelnen Spezifikationen sind im Vergleich mit den beiden anderen
Grundschaltungen zu betrachten.
7.1.7 Kollektorgrundschaltung eines npn-Transistors

Bei der Kollektorgrundschaltung mit npn-Transistor verbindet man den Kollektor des
Transistors direkt mit der Betriebsspannung, whrend der Arbeitswiderstand zwischen
Emitteranschluss und Masse eingeschaltet ist.
Mithilfe der Schaltung von Abb.7.18 lassen sich mehrere Signalkenngren untersuchen. Der Eingangswiderstand der Kollektorschaltung lsst sich berechnen aus
Rein =
U CB
4 ,6V
=
= 46k
IB
100 A
484
Abb.7.18: Schaltung zur Untersuchung der Kollektorgrundschaltung mit einem .

npn-Transistor
Eingangswiderstand auf
Rein =
U CB 2 ,19V
=
= 14 ,6k
IB
150 A
Der statische Eingangswiderstand einer Kollektorgrundschaltung stellt keinen konstanten Wert dar, sondern muss fr jeden Basisstrom separat bestimmt werden.
Unter der Annahme IC = IE errechnet sich der Ausgangswiderstand mit
Raus =
UR
6 ,67V
=
= 200
I E 33,2mA
Fr den Ausgangswiderstand einer Kollektorgrundschaltung gilt:

Raus = RE
Erhht man den Wert der Konstantstromquelle auf IB = 150A, vergrert sich der
Kollektorstrom auf IC = 45,1mA und der Spannungsfall an dem Emitterwiderstand
steigt auf UR = 9,04V an, aber der Ausgangswiderstand bleibt weitgehend konstant.
Aus dem Verhltnis von Kollektorstrom IC und Basisstrom IB lsst sich die Stromverstrkung berechnen mit
B=
I C 33,2mA
=
= 336
I B 100 A
485
Die Stromverstrkung B ndert sich nur geringfgig, wenn man z.B. den Basisstrom auf
IB = 150A erhht. In der Verstrkertechnik bezeichnet man den Stromverstrkungsfaktor mit vI. Bei einem Eingangsstrom von IB = 100A stellt sich eine Basis-EmitterSpannung von UBE = 0,747V ein. Da die Eingangsspannung U1 zwischen der Basis und
Masse liegt, stellt sich ein Spannungswert von 7,4V ein. Die Ausgangsspannung U2 wird
am Emitterwiderstand abgegriffen und betrgt U2 = 6,65V, d.h., die Spannungsverstrkung bei einer Kollektorgrundschaltung ist vU < 1. Fr die Messschaltung gilt:
vU =
U 2 6 ,65V
=
= 0 ,9
U1 7 ,4V
Die Leistungsverstrkung ist

v P = v I vU = 332 0 ,9 = 299
Die Stromverstrkung einer Emittergrundschaltung ist hoch, die Spannungsverstrkung dagegen liegt unter 1 und es ergibt sich eine mittlere Leistungsverstrkung. Die
einzelnen Spezifikationen sind im Vergleich mit den beiden anderen Grundschaltungen zu betrachten.
7.1.8 Basisgrundschaltung eines npn-Transistors

Bei der Basisgrundschaltung wird die Basis signalmig mit Masse verbunden. Der
Arbeitswiderstand befindet sich zwischen dem Kollektoranschluss des Transistors und
der Betriebsspannung. Beim Anschluss der Konstantstromquelle muss eine andere Polaritt gewhlt werden, damit die Basis-Emitter-Spannung von UBE 0,7V erreicht
wird, d.h., der Anschluss des Emitters muss ein negatives Potential aufweisen.
Abb.7.19: Schaltung zur Untersuchung der Basisgrundschaltung mit einem npn-Transistor
1452
Sachverzeichnis
Sachverzeichnis
15...81343
7-Segment-Anzeige74
-Grenzfrequenz495
-Filter340
A
Avalanche-Effekt392
A-Betrieb487, 537
A/D-Wandler1215
AB-Betrieb487, 537
Abbruchspannung665
Abfallverzgerung613
Abschaltkennlinie570
Abschnrspannung620
Abschwchungsfaktor605
Abtastfilter910
AC89
ACIA1005
Addierer810
Adressbus1243
Aiken-Code1012
Akkumulator1233
Akzeptoren466
ALE1240
Allpassfilter911, 946
AM-Quelle40
Amperemeter72, 862
Amplitudenbegrenzung443
Amplitudengang912
Analogschalter640, 1099, 1100
AND-Gatter977
Anreicherungstyp464, 616
ANSI1399
Anstiegszeit1418
Antivalenz589, 988
Anweisungen1362
Anwenderdatenbank1399
Anzugsverzgerung611
quivalenz589, 988
Arbeitskontakt299
Arbeitspunkt478, 537, 649
Arbeitspunktkurve521
Arbeitspunktstabilisierung492
ASCII-Code970
Assembler1362, 1375, 1385
Auffangflipflop1047
Augenblickswert406
Ausgangsbelastbarkeit966
Ausgangskennlinie113, 469
Ausrumfaktor515
Ausschaltverzgerung1160
Auenleiter37, 732
Aussteuerungsbereich530
Aussteuerungsgrenze530
Auswickelgrad266
B
B-Betrieb487, 537
B-Verstrker546
B2U413
Bahnwiderstand384
Balkenanzeige1016
Bandbreite325, 1418
Bandfilter335, 348
Bandmittenfrequenz349
Bandpass333
Bandpassfilter911, 935
Bandsperre334, 937
Bandsperrfilter911, 944
Baranzeige1016
Basisgrundschaltung485
Basisschaltung513
Basisvorwiderstand489
Bassregler942
Batchfile1393
Batterie35
Baudrate1265, 1274
Bauteilbibliotheksdateien33
Sachverzeichnis
BCD-Code450
BCD-Zhler1119
Befehlssatz1362
Begrenzerschaltung437
Berhrungsspannung763
Bessel-Filter911
Bezier-Spline1411
Bibliotheksmodell33
bifilare Wicklung150
Binrzhler1115
Bitdetektor1265
Bitmuster-Generator105
Bitmustergenerator970
Blind-Vias1435
Blindleistung231, 234, 313, 737
Blindleistungskompensation317
Blindleitwert313
Blindstromkompensation315
Blindwiderstand228, 260, 275, 304
Bode-Plotter101, 245, 308, 498
Boost-Konverter85
Bootstrap504
Bridge1006
Brckengleichrichter376
Brckengleichrichtung413
Brummspannung421, 461
Buck-Boost-Konverter85
Buck-Konverter84
Bulk616
Buried-Vias1435
Butterworth-Filter911
C
C-Betrieb488, 537
C-Programm1392
C51-Compiler1384
CA-Typen1020
CC-Typ1020
Chopper-Verstrker793
CL-Bandpass333
CL-Bandsperre334
CMOS-Analogschalter656
CMOS-Schaltkreis1072
Codierer1005
Colpitts-Oszillator604
Compiler1385
Coulomb205
Cross-Assembler1364, 1375
CTR-Wert676
Curie-Temperatur253
D
D-Flipflop1049, 1062
D/A-Wandler1215
Dmpfung188, 244, 325, 915
Dmpfungsfaktor89
Dmpfungswiderstand384
Darlington-FET642
Darlington-Stufe549, 568
Datenbus1243
Datenerfassungssystem1206
Datenspeicher1228, 1249, 1293
Datenzeiger1235
DC89
Debugger1391
Delon433
Depletion464, 647
Dezibel188
Dezibelmessung90
Dezimalzhler1017, 1197
DIAC715
diamagnetisch253
Dielektrizittszahl203
Differenzierglied221, 443
Differenzverstrker553, 641, 813
Differenzverstrkerstufe790
Diffusion358
Digitalmasse35
Dimmer722
Diode376
Diodenkapazitt384
Diodenmatrix451
Diodenschalter446
Donatoren466
Doppel-T-Filter937
Doppel-T-Glied879
Doppelbasistransistor667
Doppelintegrator895
1453
1454
Sachverzeichnis
Dotierungsgrad390
Drhte144
Drain615
Drainschaltung624
DRC-Funktion1442
Drehkondensator214
Drehpotentiometer162
Drehstrom-Brckengleichrichter418
Drehstrom-Einweggleichrichtung416
Drehstromquelle38
Drehstromsystem731
Dreieck-Oszillator51
Dreieckgenerator890
Dreieckschaltung418, 732, 748
Dreieckspannung133
Dreipunktregler834
Dreipunktschaltung607
Drossel433
DTL-Technik584
Dualzhler1200
Durchflutung249
Durchlasskennlinie678
Durchlassrichtung361, 376
E
Echtzeitemulator1379
Editor1370
Effektivwert38, 131, 407
EI-Schnitt263
Eigenkapazitt327
Eigenresonanz332
Ein-Verstrker-Filter959
Einchip-Mikrocontroller1227
Eingangskapazitt1083
Eingangskennlinie113, 469
Eingangsstufe524
Einpuls-Mittelpunktschaltung408
Einschalter68
Einschaltspitzenstrom424
Einschaltverzgerung1160
Einsteller162, 1403
Eintaktstufe793
Einweggleichrichtung408, 420
Einzelschrittbetrieb1282
Eisenverluste290
Elektrizittsmenge205
Elektrolytkondensator212
Elektrometerverstrker794
Elektronenstrom356
Emitterfolger511
Emitterkondensator499
Emitterschaltung482, 495
Emulator1378
EMV1406
Endstufe524
Enhancement464, 647
ENOR-Gatter983
Entkopplungselement450
Entladezeit866
EOR-Gatter981
EPROM1289
ERC1422
ERC-Befehl1399
Erdfehlerstrme778
Erdungswiderstand773
Erwrmungskenngren477
ESD1074, 1406
Even-Parity-Check1011
EVF959
Exklusiv-ODER589, 981, 988
EXNOR589
EXOR589
F
Farad204
Fehlerschleife768
Fehlerstrom-Schutzschalter786
Fehlerstromkreis770
Feldkonstante203, 252
Feldlinienlnge250
Feldstrke202, 205, 249
ferrimagnetisch254
ferromagnetisch253
Festspannungsreglern84
Festwiderstnde150
FET-Vorverstrker634
Filterkoeffizienten927
Firmendatenbank1399
Flipflop590, 1043
Flussdichte250
Sachverzeichnis
FM-Quelle41
fold-back847
Folge-Umschaltkontakt299
Formfaktor131, 407
Formverzerrungen531
Forward376
Freilaufdiode455, 523
Freiwerdezeit681
Fremdzndung678
Frequenz131
Frequenzkenngren477
Frequenzmessgert104
Frequenzteiler1179, 1197
Frequenzweiche1103
Frequenzzhler104
FSK-Quelle51
Fundamenterder778
Funktionsgenerator130, 893
Funktionsregister1242
Fupunktkopplung351
G
Gateschaltung626
Gau-Filter911
Gegenkopplung803, 926
Gegentakt-Endstufe966, 547, 975
Gegentaktstufe793
Gegentaktverstrker544
Gehusekapazitt384
Germanium353
Gesamttemperaturkoeffizient198
Gesamtverlustleistung844
Gitterableitwiderstand622
Gittervorspannungserzeugung625
Glttungsfaktor429, 461, 561, 565, 840
Gleichrichtwert131, 407
Gleichspannungsquelle35
Gleichstromkenngren477
Gleichstrommittelwert544
Gleichstrommotor81
Gleichstromsteller697
Gleichstromverstrkung472
Gleichstromzndung574, 680, 719
Gleichtaktunterdrckung800
Gleitpotentiometer162
1455
Glhlampe74
Grafikeditor1369
Gray-Code1026
Greinacher433
Grenzfrequenz283, 915
Grer-Gleich-Kleiner-Vergleicher995
Grosignalverstrker527
Gruppenlaufzeit919, 946
Gte325
Gtefaktor260
H
Halbaddierer996
Halbbyte1299
Halbleiter353
Halbsubtrahierer997
Hardware1361
Hartley-Oszillator604
Hauteffekt260
HDK211
HDK-Werkstoffe211
Heifleckbildung487
Henry274
Herzkammerflimmern764
Hilfsbertragsbit1300, 1315
Hochpass242, 283
Hochpassfilter911, 925
Hochpasskette608
Hochtner301
Hckerspannung668
Hhenregler942
Horizontalsteuerung687
Hysterese722
I
I-U-Analysator112
IC-Spannungsregler83
Idle-Betriebsart1284
IEC-Reihe146
IG-FET464, 615
Impedanzwandler808
Implikation987
Impulsbetrieb1072, 1089
Impulsdauer866
1456
Sachverzeichnis
Impulsgenerator603, 868
Impulsspannung45
Impulszndung685
Induktivitt249
Inhibition987
Inklusiv-ODER589, 983
Innenwiderstand378
Instrumentenverstrker793, 857
Integrator815, 890
Integrierglied218
Interrupt1277
Interrupt-Routinen1280
Isolationsmessung769
Isolationswiderstand209, 328
Isolator353
Istwert563
IT-Netz733
J
J-FET464, 615
JK-Flipflop1050, 1182
Johnson-Zhlstufe1120
K
Kapazittsdiode402
Kapazittsfilter959
Karnaugh110
Kaskadenschaltung436
Kennlinienaufnahme473
Kennlinienschreiber195, 381
Kennwiderstand180
Klangeinstellnetzwerk532
Klangnetzwerk525, 942
Klangregler635
Kleinsignalverstrker527
Kleinsignalverstrkung494
Kleintransformator288
Klemmenspannung178
Klipper-Schaltung437
Klirrfaktor487
Klirrfaktormessgert113
KO-Tastkopf224
Kohleschichtwiderstnde150
Kollektor467
Kollektorschaltung483, 511, 545, 556
Komparator822, 992, 1218
Kondensator201
Konstantspannungsquelle838
Konstantstromquelle555, 579, 628, 852
Kopfpunktkopplung350
Koppelkondensatoren495
Kopplungsfaktor349
Krperschluss769
Krperstrom763
Kreisfrequenz131
Kristallgitter353
Khlkrper372, 845
Kunststoffkondensatoren210
Kurzschlussfall570
Kurzschlussstromverstrkung529
L
Label1364
Ladekondensator418
Ladezeit866
Ladungsmenge201
Latch1044, 1068
Latch-up-Effekt1083, 1091
Lautsprecher300
Lawinendurchbruch392
LC-Filter337
LC-Generator887
LC-Oszillator875, 604
LC-Siebschaltung431
LED396
Leerlaufverstrkung799, 822
Leistungsanpassung173, 527
Leistungsfaktor94, 238
Leistungshyperbel517
Leiterbahn1444
Leitfhigkeit141
Leitungen144
Leitungswiderstand189
Leuchtdioden397
Leuchtstofflampen315
Libaw-Craig1134
Sachverzeichnis
Linker1364, 1375
Lissajous-Figur278, 97, 193
Locater1375
Locatorprozess1376
Logikanalysator972, 1380
Logikkonverter110, 970
Lschvorgang690
LSB1214
Luftspalt255, 263
Luftspule65, 259, 260
M
M-Schnitt263
M1U-Schaltung408
M2U411
Macros1369
magnetische Widerstand256
Magnetkern65
Majorittstrger364
Majorittstrgerstrom467
Maschenregel175
Maschinensprache1362
Maschinenzyklus1240
Massebezugspunkt35
Master-Prozessor1273
Mehr-Verstrker-Filter959
Mehrschichthalbleiter662
Meiner-Oszillator604
Messverstrker815
Messvorverstrker637
Messwerk179
Metallschichtwiderstnde150
Micro-Vias1435
Mikrocontroller1226
MIL-STD-8831075
Miller-Kapazitt504
Minorittstrger364, 468
Mischspannung126, 565
Mitkopplung803, 832, 926
Mittelpunktschaltung425
Mittenfrequenz349, 936
Mnemonics1364
Modellbibliotheksdateien33
Modellparameter28
Modulo1201
Monoflop593, 871, 901, 1043, 1147
MOSFET616, 644
MS-Flipflop1055
MUART1005
Multimeter89, 119
Multiprozessorsystem1259, 1273
Multivibrator597, 1043
MVF959
N
n-Kanal-FET617
n-Zone357
Nachladungseffekt213
Nachlaufsteuerung1219
Nachtriggerung1043
Nadelimpulse443
Nadelimpulsgenerator223
NAND-Gatter584, 659, 967
NDK211
NDK-Werkstoffe211
Nebenwiderstand181
Nennbelastung301
Netzgert561
Netzwerkanalysator116
Neukurve254
Neutralleiter37, 732
NF-Mischpult812
Nibble1299
NICHT-Gatter583, 658
Nichtleiter353
NOR-Gatter586, 660
NOT-Gatter980
NTC-Verhalten200
Nullausblendung1022
Nullleiter416, 732
O
Oberflchenerder778
Odd-Parity-Check1010
ODER-Gatter452
offener Kollektor966, 975
1457
1458
Sachverzeichnis
Offset130
Offsetspannung818
Operationsverstrker790
Optokoppler675
OR-Gatter978
Oszillator864, 1239
Oszillatorfrequenz1274
Oszilloskop96, 134
P
p-Zone357
Parallelstabilisierung850
Parallelverlustwiderstand323
paramagnetisch253
Paritt1301
Parittsbit1131
PCI1005
PEN-Leiter733
Permeabilitt252
Phasenanschnittsteuerung700
Phasenkette343
Phasenlaufzeit919
Phasenschieber343
Phasenschieberbrcke347
Phasenverschiebung239, 278, 308
Phasenwinkel702
Piezo-Effekt127
PIN-Struktur359
pinch-off620
Polumschalter1002
Polwechselschalter445
Polygon1415
Port1242
Portbit1248
Post-Trigger108
Post-Triggerdaten972
Potentiometer162, 1403
Power-Down-Betriebsart1284
Prsenzfilter944
Pre-Triggeranzahl108, 973
Primrelement126
Primrspule285
Prioritt1038, 1108, 1277
Priorittsdecoder1008
Priorittsstufe1278
Programmspeicher1228, 1249, 1293
Programmzhler1250
Proportionalregler848
PSEN1249
Pseudoinstruktion1365
PTC-Verhalten200
PUT673
PWL-Quelle45
Q
Quantisierer1207
Quantisierungsma1208
Quantum1208
Quarz881, 1177
Quellen-Bauteilbibliothek34
Quelltext1365
Querstrom489
Querstromfaktor493
Quine-McCluskey-Methode110
R
R2R-Netzwerk1211
RAM1382
Rate-Effekt690
Ratsnest1446
Raumladedichte362
Rauschen838
Rauschkenngren477
Rauschspannung46
RC-Bandpass345
RC-Glied218
RC-Oszillator874
RC-Phasenschieber876
RC-Phasenschiebergenerator607
RC-Siebschaltung429
RC-Tiefpassfilter922
RCD786
RCL-Parallelschaltung310
RCL-Reihenschaltung303
Rechteck-Oszillator51
Rechteckgenerator591, 900, 1043, 1165
Sachverzeichnis
Referenzbezeichnung1398
Referenzdiode394, 836
Regeldifferenz564
Register1044
Reihenschwingkreis320, 322
Reihenverlustwiderstand323
Relais62, 298, 1099
relocatibel1375
Repeater1006
Resonanzfall308
Resonanzfrequenz304, 934
Resonanzwiderstand322
Richtstrom384
Ringzhler1134
ROM1382
RS-Flipflop1045
RS-Master-Slave-Flipflop1055
RS-Zwischenspeicher1068
RS232C1131
RTL-Technik584
Rckwrtserholzeit385
Rckwrtszhler1189
Rckwirkungskennlinie113, 469
Ruhekontakt299
S
Sgezahngenerator890
Sallen-Key-Filter959
Sttigungsmagnetisierung254
SBUF1235
SC-Filter959
Schaltgeschwindigkeit517
Schalthysterese827, 1172
Schaltregler833
Scheinleistung234, 313, 737
Scheinleitwert313
Scheitelfaktor131, 407
Scheitelwert131, 407, 732
Schichtwiderstnde150
Schieberegister1126, 1262
Schleifenimpedanz768
Schleifenverstrkung799
Schleifenwiderstand767
Schmelzsicherung773
Schmitt-Trigger595, 822, 890, 904
Schnittbandkerne289
Schutzleiter37
Schwebung813
Schwingkreis319
Schwingungspaketsteuerung712
SCR663
Sekundrelemente126
Sekundrspule285
Selbstinduktion269, 299, 454
Selbstinduktionsspannung260
Serienresonanzfrequenz884
Serienstabilisierung839
Shunt181
Shunt-Widerstand72
Sicherheitsbit1287
Sicherung80, 570
Siebkondensator429
Signalgenerator597, 864
Signalkenngren477
Signallaufzeit946
Silizium353
SINAD-Wert115
Sinus-Oszillator51
Sinusgenerator874
Sinusnetzwerk890
Skineffekt144
Slew Rate1418
Software1361
Sollwert563
Source615
Source-Code1391
Source-Level-Debugger1392
Sourcefolger624
Spannung-Strom-Wandler860
Spannungs-Frequenz-Umsetzer1223
Spannungs-Frequenz-Wandler1167
Spannungsamplitude191
Spannungsanpassung173, 527
Spannungsfall189
Spannungsgegenkopplung493
Spannungsreferenz835
Spannungsregler84
Spannungsresonanz305
Spannungssteilheit681
Spannungsteiler165, 186
Spannungsverstrker801
Spannungsvervielfacher433
1459
1460
Sachverzeichnis
Speicherflipflop1046
Speicheroszilloskop100
Spektrumanalysator116
Sperrkennlinie678
Sperrrichtung361
Sperrschwinger601
Sperrwiderstand378
SPICE328
Spitzenbelastung301
Spitzensperrspannung386
Spline1411
Stabilisierungsfaktor460, 839
Stackpointer1234, 1313
Standardfarbencode151
Standortwiderstand763
Startbit1131
State-Variable-Filter961
Stern-Dreieck-Schalter754
Sternschaltung418, 732
Steuerkennlinie624
Steuerregister1235
Steuerverlustleistung726
Stoppbit1131
Strkopplung1407
Stodurchlassstrom386
Strang732
Strangspannungen416
Streameditor1373
Streuinduktivitt290
Strom-Spannung-Wandler859
Strom-Spannungs-Kennlinie195, 367
Stromanpassung173, 527
Stromflusswinkel702
Stromgegenkopplung492, 632
Stromquelle580
Stromsenke580
Stromstabilisierungsfaktor581
Stromsteilheit681
Strombertragungsverhltnis676
Stromverstrker801
Stromverstrkung529
Stromverstrkungskennlinie113, 469
Stromverzweigungspunkt174
Styroflexkondensator211
Subroutine1313
Substrat616
Subtrahierer814
Summer73
T
T-Filter338, 937
T-Flipflop1182
Taktgenerator38, 1170
Tastgrad133, 900
Tastverhltnis133, 592, 598, 868
Temperaturbeiwert141
Temperaturkoeffizient148
Tesla250
Testpunkt73
Texteditor1370
THD-Wert114
thermischer Widerstand372
Thermoelement127
Thyristor677
Thyristortetrode678
Tiefenerder778
Tiefpass242, 283
Tiefpassfilter911
Tiefpasskette608
Tieftner301
TK-Wert148
TN-C-S-Netz733
TN-System774
Toleranz146
Totem-pole-Endstufe966
Tow-Universalfilter960
Trace-Speicher1380
Tracking-Wandler1219
Trgerstaueffekt682
Trgerstauladung693
Transformator59, 285
Transistor463
Transitgrenzfrequenz497
Transmissionsgatter657, 1138
Trennverstrker793
Treppenstufengenerator1213
TRIAC715
Triggerimpuls594, 871
Triggerschwelle135
Triggersignal972
Trimmer1403
Trioden-Vakuumrhre82
Sachverzeichnis
Tristate966
Tschebyscheff-Filter911
TSE695
TT-Netz733
TT-System774
U
U/F-Wandler1223
berkopfzndung689
berlastungsschutz570
berlaufbit1300, 1315
bersetzungsverhltnis292
bersprechen144, 1101
bersteuerungsfaktor515
bertrager287
bertragsbit1300, 1315
bertragungsfaktor916
bertragungsfunktion912
bertragungskennlinie801
bertragungsleitung85
UJT667
Umladeverlust1072
Umschalter68
UND-Gatter453
Unijunktiontransistor667
Universalfilter960
Universallautsprecher301
Universalzhler1179
Unterlastkurve149
Unterprogrammtechnik1367
USART1005, 1131
V
V/F-Wandler1223
Valenzelektronen356
Verarmungstyp464, 616
Verbindungspunkt53
Vergleicher564
Verlustfaktor325
Verlustleistung457
Verlustleitung386
Verlustwrme1089
1461
Verlustwiderstand322
Verstrkung188
Verstrkungsfaktor799
Vertikalsteuerung685
Verzerrungen487
Vierleitersystem736
Vierschichtdiode663
Villard435
virtueller Kurzschluss805
Volladdierer1110
Voltmeter71, 861
Vorverstrker629, 942
Vorwrtsrichtung376
Vorwrtssteilheit622
Vorwrtszhler1189
W
Wirkleistung94
Wahrheitstabelle970
Warmwiderstand56, 143
Watchpoints1392
Wattmeter94, 238
Weber250
Wechselstromgegenkopplung499, 526
Wechselstromleistung231
Wechselstrommotor315
Wechselstromrelais298
Wechselstromschalter445
Wechselstromsteller697
Wechselstromverstrkung472
Wechselstromzndung683
Wehneltzylinder134
Weiche1001
Wellenlnge131
Welligkeit921
Wicklungsverluste290
Widerstandsnderung56
Widerstandsbrckenschaltung167
Widerstandsfarbkennzeichnung151
Widerstandsmessung90
Wien-Brcke609, 879
Wien-Robinson-Brcke345
Wired-AND976
Wirkleistung233, 313, 737
1462
Sachverzeichnis
Wirkleitwert313
Worst-case-Strspannungsabstand1075
Wortgenerator105
Z
Z-Diode392, 1404
Z-Zustand1070
Zhler1179
Zeichenstifttyp1415
Zeitbasis97
Zeitgeber896
Zeitgeber-Register1235
Zeitkonstante206
Zentraleinheit1227
Zielhardware1377
Zieloperand1248
Znden665
Zndimpuls685
Zndverzgerungswinkel702
Zweifachgegenkopplung926
Zweipuls-Brckenschaltung413
Zweipuls-Mittelpunktschaltung411
Zweipunktregler833
Zweiweggleichrichtung411, 425
23.06.2008
16:41 Uhr
Seite 1
PC & ELEKTRONIK
Herbert Bernstein
inkl.* NI Multisim
Schler- und Studentenversion mit
ber 1.000 Simulationsbeispiele
PC-Elektronik
Labor
Dieses praxisnahe Lehrbuch und Nachschlagewerk bietet Basiswissen auf dem Gebiet der Elektrotechnik, Elektronik, Messtechnik,
VDE-Vorschriften, Leistungselektronik, Operationsverstrker, TTLund CMOS-Bausteine, Mikrocontroller und der Gestaltung von
Platinenlayouts. Dabei dient das Simulationsprogramm Multisim
als Basis fr das effektive Lernen, denn alle Versuche kann man
sofort nachvollziehen. Dabei steht ein groer Umgang an virtuellen
Messgerten zur Verfgung.
Aus dem Inhalt:

Einfhrung in die Schaltungssimulation und
Instrument-Bauteilbibliothek mit:
Multimeter, Funktionsgenerator, Wattmeter, 2- und 4-Kanal-Oszilloskop,
Frequenzzhler, Bitmuster-Generator, Logikanalysator, Logikkonverter,
Kennlinienschreiber (I-U-Analysator), Klirrfaktormessgert, Spektrumanalysator,
Netzwerkanalysator, HP-Funktionsgenerator, HP-Multimeter, HP-Oszilloskop,
Tektronix-Oszilloskop
Spannung, Strom und Widerstand

Kondensator
Spulen, Transformatoren, Relais und Lautsprecher
Zusammengesetzte Wechselstromkreise
Dioden und ihre praktischen Anwendungen
Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors
Schaltungen mit Feldeffekttransistoren und MOSFETs
Thyristoren und TRAICs
Drehstrom, Wechselstrom und VDE-Vorschriften
Analoge Schaltungstechnik mit Operationsverstrkern
Aktive Filterschaltungen
Grundfunktionen der TTL-Schaltungstechnik
Grundfunktionen der CMOS-Schaltungstechnik
Praktische Schaltungstechnik mit TTL- und CMOS-Bausteinen
Mikrocontroller
Schaltungsentwicklung (Multisim)
und Platinenlayout (Ultiboard)
FRANZIS
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Simulationsoftware NI Multisim - Schlerund Studentenversion im Buch enhalten
Der Autor:
Dipl.-Ing. Herbert Bernstein ist Dozent
an einer Technikerschule und an der IHK
Fr die Zielgruppen:
Schler der
Elektrotechnik/Elektronik
Studenten der Elektrotechnik,
Informatik und Physik
Weiterbildung fr Facharbeiter,
Meister, Techniker und Ingenieure
Hobby-Elektroniker
ISBN 978-3-7723-5315-4
PC-Elektronik Labor
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Euro 49,95 [D]
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6. berarbeitete Nachauflage
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Praxisnahes Lernen mit dem

PC als Simulationssystem
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mit ber 1.000 Simulationsbeispiele

PC &amp; Elektronik. PC-Elektronik Labor. Von Herbert Bernstein. Überarbeitet. Franzis Verlag, Poing 2008

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Aus dem Inhalt:

Spannung, Strom und Widerstand

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Praxisnahes Lernen mit dem

2 Spannung, Strom und Widerstand. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125

Aufbau von Festkondensatoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208

4 Spulen, Transformatoren, Relais und Lautsprecher. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Spule an Rechteckspannung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 272

6 Dioden und ihre praktischen Anwendungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 352

Statische Kennlinienaufnahme einer Z-Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . 392

7 Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors. . . . . . . . . . . . 463

Transistor als Schalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514

8 Schaltungen mit Feldeffekttransistoren und MOSFETs. . . . . . . . . . . . . . . . . .

9 Thyristoren und TRIACs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Gleichstromzndung eines Thyristors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 680

10 Drehstrom, Wechselstrom und VDE-Vorschriften. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 731

11 Analoge Schaltungstechnik mit Operationsverstrkern. . . . . . . . . . . . . . . 790

11.5.4 Strom-Spannung- und Spannung-Strom-Wandler . . . . . . . . . . . . . 859

Umwandlung von Tiefpass- in Hochpassfilter. . . . . . . . . . . . . . . . .

14 Grundfunktionen der TTL-Schaltungstechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 964

15 Grundfunktionen der CMOS-Schaltungstechnik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1072

15.4.10 Universalschieberegister 4035. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1143

16.4.6 Single-Slope-A/D-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1221

17.4.5 Verknpfe Byte-Variable durch logisches UND .

Verknpfe Bit durch logisches ODER zum bertragsbit .

18 Schaltungsentwicklung (Multisim) und Platinenlayout (Ultiboard) . . . . . . . . 1396

Entwurfsrichtlinien fr die Leiterplatten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1436

7 Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors

7.1 Aufbau, Herstellung und Bezeichnungen

Abb.7.1: Querschicht durch einen npn-Planar-Epitaxial-Transistor. Das Verhltnis der

7.1 Aufbau, Herstellung und Bezeichnungen

Abb.7.2: Gegenberstellung von pnp- und npn-Transistor im Schichtenaufbau, Wirkung

Die Gegenberstellung von pnp-Transistor (links) und npn-Transistor (rechts) in

7 Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors

7.1.1 Wirkungsweise des npn-Transistors

Abb.7.3: Ausschnitt eines npn-Transistors mit seinen drei Zonen. Dieser

7.1 Aufbau, Herstellung und Bezeichnungen

Abb.7.4: Physikalisches Prinzip eines npn-Transistors

7 Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors

7.1.2 Statische Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors in

7.1 Aufbau, Herstellung und Bezeichnungen

Eingangsspannung U1 oder Basis-Emitter-Spannung UBE

Abb.7.5: Schaltung zur statischen Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors in Emitterschaltung

7 Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors

nderung der Kollektor-Emitter-Spannung nur einen sehr geringen Einfluss auf

650 700 750 800

0,028 0,055 0,111 0,278 1,77 11

Abb.7.6: Eingangskennlinie des Transistors BC107 im doppelt-linearen Mastab (links)

7.1 Aufbau, Herstellung und Bezeichnungen

Abb.7.7: Steuerkennlinie bzw. Stromverstrkungskennlinie des Transistors BC107 bei

7 Grundlagen und praktische Schaltungslehre des Transistors

dynamischen Stromverstrkung (Wechselstromverstrkung) mit

Abb.7.8: Schaltung zur Untersuchung der Ausgangskennlinie

7.1 Aufbau, Herstellung und Bezeichnungen

Tabelle 7.3: Einstellungen und Messergebnisse fr die Untersuchung der Ausgangskennlinie

IB = 0,5A UCE in V 0,5

IB = 1,5A UCE in V 0,5

7.1.3 Dynamische Kennlinienaufnahme eines npn-Transistors in

PC & Elektronik. PC-Elektronik Labor. Von Herbert Bernstein. Überarbeitet. Franzis Verlag, Poing 2008

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