Kapitel 1 - Atomaufbau

FIT
Kath ode C l
Oxidation: Atom gibt mindestens ein e- ab → Kation
-

(+ )
e lektr Feld )
im .

Anode (t )
Reduktion: Atom nimmt mindestens ein e- auf → Anion ( )
-

Elementarteilchen: Protonen, -
Neutronen Elektron en
, --
-
Hille
Kern

Energetisches Modell:

→ Beschreibung erlaubter Aufenthaltsorte (Energieniveaus) von e-

beschreibt die Shale

Hauptquantenzahl: → ganzzahlig; n (n= 1,2,3,... bzw. K,L,M,...) befindet
sich
-

auf der das e

→ je höher desto größer der Abstand des e- vom Atomkern
→ gibt Energiewert an um e- von Atomhülle zu lösen
→ beschreibt Hauptenergieniveau

Kennzeichnet die Form des

Nebenquantenzahl:
→ ganzzahlig; l (n-1=0,1,2,3,... bzw. s,p,d,f,...)
→ Aussage über Geometrie des Aufenthaltsortes Orbitals
→ beschreibt Unterniveau
→ Unterniveau und Hauptenergieniveau können bei Elementen höherer Ordnung
überlappen

Magnetquantenzahl: → ganzzahlig; ml (ml=...,-2,-1,0,+1,+2,...)

→ beschreibt Anzahl der Orbitale bei gegebener Nebequantenzahl l
→ s-Elektronen; ml = 0; 1 Orbital
beschreibt die rauml .

→ p-Elektronen; ml = -1,0,+1; 3 Orbitale

des e
-

→ d-Elektronen; ml = -2,-1,0,+1,+2; 5 Orbitale Orienteering

→ f-Elektronen; ml = -3,2,-1,0,+1,+2,+3; 7 Orbitale

Spinquantenzahl: → halbzahlig; ms (+1/2 bzw. -1/2)

→ beschreibt Drehung des e- um seine eigene Achse bei Bewegung um Atomkern

Okletttegel (ciupeve
Schall mit 8 e- befallen)
Edelgaskonfiguration
-
a
→ ziel :
 Kapitel 2 – Bindungen

weitere
Ionenbindung (bzw. heteropolare Bindung oder elektrovalente Bindung) '
das Bestreben v .
Ato men ,

e- aufzuhehmeh
Elektron egativitat
Diff d Elektron
egativitatv
*Metall – Nichtmetall
I ¥9
Indraft
. .
.

.
2 Element >
1,8 *Metall gibt e- ab → Kation
*Nichtmetall nimmt e- auf → Anion Grunts
'

Abstand d. Sahak
zum

*kristalline Anordnung
.
.

-
wcichst

€€
Kern .

Fest
rper *schlechte elektrische und thermische Leitfähigkeit aufgrund gebundener e-
*schlechte plastische Verformbarkeit
*in sichtbarem Licht transparent
*bestrebt möglichst dichte Packung
*
lonehbindungimschmelzftiissigemzustandmo.gl guk dektr Leitfiihigkeit .
→ .

Kovalente Bindung (bzw. homöopolare Bindung, Elektronenpaarbindung oder Atombindung)

Bsp .
: Ht It → H2 *Nichtmetall – Nichtmetall
*geben e- an gemeinsam genutztes Orbital ab um Edelgaskonfiguration zu erhalten
⑨
④ t →
*gerichtete Bindung, d.h. e--dichte in gemeinsam genutzten Orbital am höchsten
* A 3 Elektron enpaarbl.no/ungenmEgl
- .

Elektro
Diff negativity
!
.
d. v
.

2 Element c 1 ,8

Metallbindung *Metall – Metall Kein em bestimmlen Atom)

*Bildung von e- -Gas ( freie e-
im Energieband
gehoren → zu

( Ab gabe btw .
Auf nah m e v .

) *in e- -Gas sind e- delokalisiert (delokalisierte e- -paarbindung)

e-

*delokalisierte / freie e- halten Atomrümpfe zusammen

*gute plastische Verformbarkeit
*gute elektrische und thermische Leitfähigkeit
*gutes Reflexionsvermögen
*bestrebt möglichst dichte Packung
abrupt
Problem :
Bindungszustand endet
Atom el Bin dungs partner mehr
Reine
d. h .
an den Oberflcichenlkcindern
nach auden
→
Bindungsbestreben -
-

Fest I Fest -
Grenz e - A Adhcisionskrcifte
Beneteungsprozesse
Fliissig firenze
→
Fest I
-

I Absorbtionsprozesse
Gasformig Grenze
is
Fest
-
-

Anziehende und Abstoßende interatomare Kräfte:

Newton'sche und Coulomb'sche Anziehungskräfte wechselwirken bei Annäherung zweier Atome.

Ionenbindung → hauptsächlich Coulomb'sche Anziehungskräfte (+ zu -)

→ Abstoßung durch gleichnamig geladene Ionen

Metall- und Atombindung → Anziehende Kräfte aus e- in gemeinsamen Orbitalen und positiv geladenen
Atomrümpfen
→ Abschirmung der Atomhüllen durch e- -hüllen sowie Valenz- e-
→ Abstoßung durch entsprechend geladene Atomrümpfe und -hüllen

d isoliertn Atone
d wechselwirkenden Atone a
Energie
zuvor
Fur Stabile Energie
.

oraussetzung Binding
.
:
 Bindung in verschiedenen Phasenzuständen:

gasförmig → große mittlere freie Weglänge

→ geringe Häufigkeit; 1019 cm-3
→ hohe Geschwindigkeit relativ zueinander
→ hohe Komprimierbarkeit

flüssig → Atome finden sich in ständigen Kontakt miteinander, d.h. geringe Komprimierbarkeit
→ hohe Häufigkeit; 1022 cm-3; deshalb geringe mittlere freie Weglänge
→ Nahordnung; sprich kurzzeitige Konfigurationen wie bei kristalliner Ordnung
→ geringe Geschwindigkeit relativ zueinander

fest → Relativbewegung der Atome kommt fast vollständig zum erliegen

→ größte Dichte, am stabilsten und energieärmster Zustand wenn kristallin (1023 cm-3)
→ kristalliner Zustand durch langsame Abkühlungsgeschwindigeit
→ amorpher Zustand (bzw. statistisch regellos, unterkühlt od. eingefrorene Flüssigkeit) durch
hohe Abkühlungsgeschwindigkeit

Wärmeausdehnung

→ Zustand absoluter Ruhe der Atome bei 0° Kelvin

→ bei Zuführung thermischer Energie schwingen Atome zunehmend um Ihre Gleichgewichtslage
→ Unterschreiten Atome Ihren energetisch günstigsten Abstand (r0), stoßen Sie sich ab
→ Überschreiten Atome Ihren energetisch günstigsten Abstand (r0), ziehen Sie sich an
→ r0 steigt mit zunehmender Temperatur (thermische Energie), d.h. die Distanz zwischen den Atomen
wird größer => Wärmeausdehnung

Durch wcirmezufuhr bewegen sich Atone

Dich le Schmelzer ist heirs
Schmelzer
:

gr
.

→
bleiben trottdem
.

Atone wird gr Aber sie

& Ab stand d
.

auf ihren Gi Herp kitten .

tienen sich
Atone horen auf zu schwingen .

→ Kl Dichter : Temp sink .

fest auf
Festkorper ) Atone
.

wechselwirkungunlereinander
.

zusammen (
ihren Gilterptiitceh
Kapitel 3 – Kristallstrukturen

↳ a morph -
-
Kei ne Anordnung
Stoffer mit amorpherstruktur lichtdurchkissig
Kristalline Struktur amorphe Strucker
Charakteristika kristalliner (metallischer) Werkstoffe:

→ metallischer Glanz .

→ gute elektrische und thermische Leitfähigkeit

→ gute plastische Verformbarkeit ( Duktilitcit)

Festlegungen einer Elementarzelle:

→ möglichst klein, jedoch volle Symmetrie des Gitters

→ sich schneidende Koordinatenachsen möglichst bei 90° bzw. 120°
→ Achsenkreuze sind Rechtssysteme mit x,y und z
→ mit eingeschlossenen Winkeln α, β und γ
→ und den Gitterkonstanten bzw. Gitterparametern (Kantenlänge) a, b und c

kubisch raumzentriert (krz): ( Chron ; Wolfram ; Eisen ; Molybdcin)

→ Stapelfolge: keine
→ Gleitsysteme: keine dichtestgepackten
→ Gitterkonstanten: a=b=c
→ eingeschlossene Winkel: α = β = γ = 90°
→ Duktilität: schlecht
Gleitebehen
p=V
→ 6
→ Raumerfüllung: 68 % VEZ
→ Atome pro EZ: 2 →
jew
2 Gleitrichtungen
Fkichen)
.

CDiagonale d gelbeh
→ Oktaederlücke pro Atom: 3
.

→ Tetraederlücke pro Atom: 6

Silber ; Gold ; Cobalt ; Blei ; Nickel)

kubisch flächenzentriert (kfz): ( Aluminium ; Kupfer;

→ Stapelfolge: A, B, C Oktaederebene dichtes gepackte Ebene im kfz Gitter

→ Gleitsysteme: 12; bestehend aus 3 Gleitrichtungen und 4 Gleitebenen
→ Gitterkonstanten: a=b=c
→ eingeschlossene Winkel: α = β = γ = 90°
→ Duktilität: gut
→ Raumerfüllung: 74 % p Vatom
-
-

VEZ
→ Atome pro EZ: 4
→ Oktaederlücke pro Atom: 1 =

→ Tetraederlücke pro Atom: 2

→ gepackte
4 dichtest
Eben en

→
jew . 3 dichtest gepackte Gleitrichtung

hexagonal dichtestgepackt (hdp): ( Zink ; Magnesium ; Titan ; Ber ilium)

12 Eden 2 Atone
f- Atone
=
-

→ Stapelfolge: A, B
2 Eben en t Atom
→ Gleitsysteme: 3
-

I Atone
-

→ Gitterkonstanten: a=b≠c
→ eingeschlossene Winkel: α = β = 90° und γ = 120° Atone da Ahlen de Stucke
→ Duktilität: schlecht zganze ,

s
- -
-

,
,

Atomen aus d benachbarten

I von den
→ Raumerfüllung: 74 %
.

'

I
Liicken ist O
in den
I

→ Atome pro EZ: 6 '

-
-
-
.
' Et

→ Oktaederlücke pro Atom: 1

→ Tetraederlücke pro Atom: 2
Basisebene dichtest gepackte Ebene im hdp Gitter
→ a Hauptgleitebene
Gleitrichtungen
→
jew 3
.
 Allotropie bzw. allotrope Umwandlung:

→ beschreibt die Änderung der Gitterstruktur (Modifikation) in Abhängigkeit von Temperatur und Druck
→ Anhand gegebener Raumerfüllung verschiedener Gitterstrukturen (siehe EZ), können bei der allotropen
Umwandlung die jeweiligen Volumina zunehmen bzw. abnehmen! → z.B. von krz (68%) zu kfz (74%)

Raumtemp krz
Eisen (Fe): bei .
→

→ 768° C: Umwandlung von α-Fe (krz) zu β-Fe (krz) !!nicht mehr ferromagnetisch!! (Curie-Temperatur)
→ 911° C: Umwandlung von β-Fe (krz) zu γ-Fe (kfz) besser Verformbar daher Eisen bein Schmiden erhitter
-
→
,

→ 1392° C: Umwandlung von γ-Fe ( kfz) zu δ-Fe (krz)

→ 1536° C: Schmelztemperatur Chier lost sich Gilterstruktur auf )

Titan (Ti): von hdp zu krz bei 882° C

Cobalt (Co): von hdp zu kfz bei 1120° C

Verformbarkeit d .
Kristallgitter

dichtest ge dichtes ge -

Product
-

packte Eben e packte Richtung

ZZ 24
* →
reformbar
6 4
verformbar
KFZ 4 3 12 → gut
nicht reform
bar
HDP 1 3 3 →

!
Prod muss mind .
5 sin gate Verformbarkeit
* Kann man verformen .

Aber gropere Krcifte notwendig

→ fur Verformung
bestimmte kritis che schubspannungnotwendig

Diagramm fir umwandlung

von Kfz → hdp bei
Abkiihlung

iz help
-

Stapdfolge ABAB
BE Packungsdichteberechnen
Try

ftp.
-61Ttr
=t¥Fa
¥
Vatome
813
=
0,68 100=684
KI ¥
.

>
p
=

⇐
Vatome
=
2
.

4J IT r3 .
=
8gTp
' '

Vez =
'
a
=
¥) r =

↳
zar =4r

a =

¥ r

f-
'
Vinton 1% Tr re
> Kfz = =
0,74 100=744
p
= = -
.

VEZ 16T

VAtom =
4
.

4JT.rs =
16J Irs

Vez =
as =
r
)! ropers

↳ =4r

r
a =
 Eisen -

Kohlenstoff -

Diagram m

Eisen →
Polymorph es Metall C tritt in versch .
Gilterstrukturen auf)

Ci Schmelzer
( Schmelz
.

1536
-

temp )
.

krz 8 Fe
-

1392

N Fe f- Austenit)
-

Kfz
Cdichlesle Packing)
.
C best Verformbarkeit)
gyp
Fe f- Ferri t)
\
x -

krz
Raumtemp .

zeit

( krz)

Eulektisches
system ( hfheemp )

\-
Lederburn't

"
eutektischer
Guides .
punkt
linie
•
Solidus linie
( Kfz)

ukktoides
System •

(niedrige Temp) .

Peru't

2- phaser Gebiet Gebiet zw .

2 Phaser bezieht sich immer auf . S G. B .

a -

ye
-

Misch Kristall )

Begrenzle slichkeit von C in Fe & Fe unloslich in C →

wird i Graft Eez C )

.
eutektoider Punkt :
0,81 C. & 723°C

•
eukktischer Purist :
4,31:c & 1147°C

>
Schmelztemp .
von Fe 1536°C sink wg .
C- Ankit auf 1147C
 Gold → Kfz Molybdcin → krz

Atom ab stand :

'
Wirfels
habe
Kanlenkinged .

Tetraeder

→ Oktaeder :
Miltelpunkt in Warfel mile
→
Ab stand zu Nachbaratom -
-

hat be Kan
tentage d. Wuirfds
→
Kanlenliinged .
Oktaeders =
habe
Fkichendiagonale d. Wlirfels

→ 40 ktaederliicken
krz -

Giller mit
Oktaederkicke

i
•
Abkiihlkurve

emp .
Co ① typische Abkiihlkurve eines amorphen Metals
↳ heine

I
Giltostruktur

/ Uber fest
"

② lverbindungen tiber fhissig gang fliissig

gang gasformig
Element : →
→

③/④ typische Abkiihlkurve v .

Legierungen

④
③
① ②

Zeit t

> Zustand d . Atone

Raumlemp test) .
→ Atone an d .

reguliiren kitten
Giltop ohne Bewegung
Gilterpkiteen Schwingen Cgr vdumen)
wcirmezufuhrcftiissig) and reguliiren fanger
→
Atone .
an zu .

>
Makroseigerung :

Legierung Schmelzer erstarrt Festkorper

.
: → →

} konzentrationsunterschied
zuerst erstarrende Bereiche -
-
Kohlenstoffcirmer =
Seigerung
inlerdendritische Zwischenraceme Kohlehstoffreicher Einhomogene Misch Kristalle)
-
-

zweistoffgefiige
>

↳
vollig unloslich C Eisen 1B ki ) Tim feskn & fliissigen Zustand -
• beside Komponentenentmischen sich in d. Schmetze
↳
vollstcindig Ioslich ( KupferI Nickel) I
HIM tustand
Jim
↳ →
begrenzf loslich ( zinni Bhi ) beide Komponenten ineinandergetost
↳
unloslich C BrittAntinori) Legierung
volts
Kindig

konzentrationsuntoschied Mitte Korns hoherSchmelzerden Komponenk

d
groper Ankit d
: :
. v .
.

anBen :

niedriger schmelzerde Komp Oriente

Keimbildung I
→
Gefiigebildung )
(ohne FremdKei me)
→
homo
gene Keim
bildung d. h . eine Erstarrungstemp .
die erreicht werden muss

→
hetero Keim C mit Fremdkeime) d. h Kristallemit untoschiedl Erstarrungslemp somit erstarren hier tile d
gene bildung .
. .

d. Schmelzer beoeits bei gerigerer Temp .

> Wachstum v .
Kristallen C2 Vorausseteungen)
Kristall keimenotwendigceigen-ffremdka.me)
→
Kristall meissen waohsen
 Kapitel 4 Kristallbaufehler Selbstdiffusion v .
Gi Heratomen :

directer Platzwechsel mit unmiltelbar benach barten Alto

men

& Leersteller .

1 Fehlerarten: 2 ← neue Leer stelle → um hohe

beizubehalten
Leerstellenkonz
- Werkstuck
.

mit hohen Temp abschrecken

Nulldimensionale Gitterfehler (Punktförmig)
.

in dem d Plate nicht besehf werden

Bildung d Kristal Is
• Leerstellen entsthen bei

ph aj eunfig reanhzenf
d
.

,
→
.
.

• Interstitielle Gitteratome →
Gilteratome springer .

Interstitiell – In Gitterlücke
o
Verseteungs
-

regukiren Gitterpkitzen auf

zwischengilterpkitze
Substitionell – Auf Gitterplatz
.

spring eh • Interstitielle und substitionelle Fremdatome

Quellenlsenkeh ↳ Fremdatome auf d.
regulareh Gilterpl
Eindimensionale Gitterfehler (Linienförmig)
.

• Versetzungen
Zweidimensionale Gitterfehler (Flächen förmig)
• Kleinkorngrenzen und Großwinkelkorngrenzen
• Stapelfehler
• Zwillingsgrenzen
• Antiphasengrenzen und Phasengrenzen
B A
2 Kirkendall-Effekt
Der Kirkendall Effekt beschreibt im Prinzip nur dass Verschiedene
Materialien unterschiedlich schnell Diffundieren. Die Diffusion
findet in diesem Fall nur über Leerstellen statt. Durch diesen Effekt
lassen sich viele Probleme erklären. In einem Mischkristall kann
zum Beispiel Stoff A Schneller in Stoff B Diffundieren als Stoff B
in Stoff A. Die „Körner“ von Stoff B Wachsen also während sich in
den Körnern von Stoff A eine Leerstellenübersättigung bildet. Es
kommt dann zu Porenbildung in Stoff A.
diffundiert Schneller
→ Metall mit niedrige Schmelztemp .

3 Mischkristalle
Ungewollte Fremdatome (Begleiterelement) und gewollte Fremdatome (Legierungselement)
Mischen sich in Abhängigkeit Ihrer Größe Interstitiell oder Substitionell mit dem Kristall.
Schlechte Mischbarkeit → Entmischung bei Abkühlung der Schmelze.
Bildung von Konglomeraten (3D Ansammlungen von Fremdatomen)
Durch schnelle Abkühlung ist jedoch das „Einfrieren“ der Fremdatome an Ihrem ungünstigen Platz
möglich. (Übersättigung → Diffusion bei erwärmen)
h here
wg Verzerrung
Generell gilt: Alle Gitterverzerrungen (Gitterfehler) führen zur Festigkeitssteigerung.
.

→
kritische Schubspannung
Alle Atome brauchen eine gewisse Chemische Ähnlichkeit. notwendig fur Verformung

Interstitielle Fremdatome
Besetzen von Zwischengitterlücken. Sehr schlechte Mischbarkeit. Größere Festigkeitssteigerung.
Nur kleine Atome : H , B, C, N, O
unterschiedl
Matrix gitterliicke & Grope d. Fremd atoms
.

Groped .

Festigkeit f- Misch
Kristal lverfestigung )
→
Folge :
Matrixgilterverzerrung -
p bessere
 Substitionelle Fremdatome
Besetzen von Gitterplätzen. Lückenlose Mischbarkeit möglich. Das heißt Atom B kann zwischen 0
und 100% der A Atome ersetzen.
Die Fremdatome dürfen maximal 15% größer oder kleiner als die Atome des Gitters sein.

IPs – Intermetallische Phase

Ordnungsphasen (Überstrukturphasen) weisen die gleiche Gitterstruktur wie die einzelnen
Komponenten auf. ( KFZ, KRZ, HDP). Tritt nur in bestimmten Konzentrationen auf und die
Elementarzellen sind verzehrt. bei hohen Temp
besetzen ihre Gitterpkitze
.
gitter statistisch regellos
Fremdatome
Fremdatomverteil
im Matrix ,
.

statist sch regellose Besetzung geordnete

.

→
kritis Chen Temp wird
unterschreitung d aus
→ bei
.
.

wie komponente ) Z B Gold-

Kupfer Kfz Gitter

-

Gitter struktur
ordnungs phase Cgl
. .

4 Diffusion
Bewegung von Teilchen im Festen, Flüssigen oder Gasförmigen Zustand.
(siehe auch Kirkendall Effekt)
Diffusionsbegünstigend:
Viele Leerstellen. Korngrenzen. Oberflächen. Hohe Temperatur. Interstitielle Plätze.

5 Eindimensionale Kristallbaufehler (Versetzungen)

Eine Versetzung wird durch Äußere Schubkräfte erzeugt. Bei der Ausbreitung einer Versetzung
Lösen sich die Verbindungen der Atome nacheinander (und werden neu erzeugt). Damit sich eine
Versetzung ausbreitet muss eine kritische Schubspannung überschritten werden, sonst dehnt sich
das Gitter nur elastisch (Hookscher Bereich).
Es gibt 2 Versetzungstypen:
• Stufenversetzung
Burgersvektor und Versetzungslinie 90° versetzt.
• Schraubenversetzung
Burgersvektor und Versetzungslinie parallel.
In der Realität bilden sich Versetzungen die sich kreisförmig durch das Kristallgitter ausbreiten. Das
bedeutet dass Schraubenversetzungen und Stufenversetzungen gleich vorkommen.

Schraubenversetz. Burgersvektor Stufenversetz.

im Metall vorhanden sind

Erstarren v Schmelzer o wenn Spannungen
entstehen bein
.

→ versetzungen
 Diffusionmechanismen

Diffusion konzentrationsausgleich durch Platewechsd d Atone

/
> :

konzentrationsgradient ¥0
.

→
Diffusion
Diffusion interstitial geloskn Fremdatomenlcilteratome benotigt Reine Kerstetter
→

gradient
v.

Zwischen
konzentrations =
O → Heine
da Bewegung in -

gilterliidsen erfolgt
Konzentrationsverteilung
.

i. Ficksche Gesetz

J -

ft .

dff -

D
.

↳
MaterialHuss d. h .

Menge m d. Atone
,
↳
Diffusionsko efficient ,
beschreibt Diffusionsstrom

die in der Zeit durch die Fkichef

einer Ebene senkrecht zur

Diffusion srichtung wandert .

2
Ficksche Gesetz
.

date ¥
'
=
D .

d '

c fremddiffusion)
>
Matrixgitteratome & substitutionell geloste Fremdatome LeerStetten
Diffusion v. →
notwendig hoherer Energie aufw .

>
Dinterstitial i ff
gelostentremdatomen
v. & u sKerstetter
interstitial Gittoatome io nicht n
notwendig
→
geringer Energieaufw .

( hohe Diffusion sgeschw

>
Zwischengitter mechanismus)
-

Po ren
Entstehung von

wenn 2 Stoffe miteinander diffundieren deren Schmelztemp sich stark centerScheider entslehen Pored
, ,
.

Porer ents then auf Seith Stokes mit der

niedrigeren Schmelztemp
-

d .
d .
.

Voraussetzungen Kirkendoll -

Effekt
Schmelztemp .
der beiden zu diffundietenden Stoffe muss sich dealt .
unterscheiden
Es miissen Kerstetter vorhanden sein
-

Ziehkraft
Material Ziel
>
Siegen Ben hohe Harte
: :
→
an

inner →
niedrige Harte
DruckKraft
>
Stufenversetzung

eingeschobene Halbebene verschiebt sich durch Schab nach aurea

spanning
•
TIL Kante d. Halbebene Versetzungslinie

>
Schraubenversetzung

> Hume -

Rothery Regan
miissen erfiillt sein , class liickenlose Mischbarkett mogi . ist

a) Giller d .
Matrixatone & d. Fremdatome miissen gleich sein

2.) Matrixgilteratomradius & Fremdatomradius miissen cihnlich sein ( Abweichung bis 15% i. O .
)
3.) Matrixgitteratom & Fremdatom miissen Chem .
cihnlich sein

Liickenlose Mischbarkeit :

eingelagolefremdatome substituieren Matrixgilteratome auf den

regukiren
Gilterpkiteen .
Dadurch wird reines A- Kristall zu reinem B Kristall
-

Kristall
Matrixgilteratome A
=
-

Fremdatom
=
B -

Kristall
Behinderung der Versetzungen
Durch im Kristall enthaltene Fehler erhöht sich die erforderliche Kritische
Schubspannung um die Versetzungen zu verschieben. Dazu gehören 0 D
Dimensionale Fehler sowie Korngrenzen und Phasengrenzen. Außerdem
begünstigen oder erschweren sich die Versetzungen gegenseitig (Bild). Z
Schneiden sich zwei Versetzungen so entsteht eine Kinke und ein Sprung
jeweils in Richtung des Burgosvektors.
Kinke: Eine Versetzung nach vorne in Gleitrichtung. Es entsteht eine Schraubenversetzung.
Sprung: Eine Versetzung nach oben (90° zu Gleitrichtung). Es entsteht eine Stufenversetzung.

Treffen zwei Schraubenversetzungen aufeinander so entsteht dabei stets eine Stufenversetzung.

Das aufeinander Treffen von Versetzungen hat eine Festigkeitssteigerung und eine Verringerung der
Duktilität zufolge. ( Bildung von Leerstellen, Stapelfehler und
Freisetzungen von Interstitiellen Atomen)

Erzeugen von Versetzungen

Versetzungen werden bei der Plastischen Verformung erzeugt.
Die Versetzungen werden dabei aus Korngrenzen
Phasengrenzen und Frank-Read-Quellen freigesetzt.

Wenn Versetzungen auf „Fremdkörper“ treffen können sie

diese entweder durchschneiden oder bei Größeren, härteren sie Frank-Read-Quelle
einfach umgehen. So klettern Stufenversetzungen z.B. über
solche härteren „Fremdkörper“ Hinweg.
Alle diese Vorgänge haben meist einen Höheren Energieaufwand zufolge. Das heißt → höhere
kritische Schubspannung und höhere Festigkeit.

6 Zweidimensionale Kristallbaufehler

Korngrenzen
Körner entstehen dadurch das die Schmelze an mehreren stellen gleichzeitig erstarrt. Es wachsen
also viele kleine Kristalle auf einmal bis sie sich Treffen und eine Korngrenze Bilden.
• Korngrenzen
Die angrezenden Körner bestehen aus der selben Phase (Material)
-

• Phasengrenzen
Die angrenzenden Körner bestehen aus unterschiedlichen Phasen.
-

Korngrenzen welche eine geringere Abweichung als 15° zueinander haben bezeichnet man als
Kleinwinkelkorngrenzen. Abweichungen von mehr als 15° werden als Großwinkelkorngrenzen
bezeichnet.
7 Stapelfehler
Als Stapelfehler bezeichnet man alle
Gitterfehler die die Stapelreihenfolge
verändert. Sie entstehen dadurch das sich
Leerstellen oder Zwischengitter Atome
(Interstitiell) aus energetischen Gründen
Scheibenförmig ansammeln. Stapelfehler stehen bei Versetzungen nicht zur Verfügung und haben
deswegen eine Festigkeitssteigerung zur Folge.

Bwinkelkorngrenze)
Zwillingsgrenze ( Form a Gro
spez
.

Zwillingsgrenzen entstehen durch Scherkräfte im Gitter. Es

entsteht dann eine Zwillingsgrenze an der sich die Ausrichtung
der Benachbarten Körner spiegelt.

inkohcirentzwihingsebe.net
↳ kohcirent Zwillingsgrenze → linearer verlauf
zwillingsebene
=

willkiirlicherverlauf
↳ zwillingsgrenze

Phasengrenzen
Durch die vergrößerten Gitterparameter bei hohen Temperaturen (Schwingungen der Atome)
Können mehr Fremdatome eingelagert werden als bei niedrigen Temperaturen (Gitter wird kleiner).
Das liegt meist an den unterschiedlichen Atomradien der verschiedenen Stoffe. Wenn jetzt also ein
Stark erhitztes Gefüge (z.B schmelze) abkühlt wird es für die gelösten Fremdatome immer enger.
Sie sammeln sich deshalb (durch Diffusion) aus energetischen Gründen.
• Kohärente Phasengrenze
Ähnliche Gitterparameter , gleiche Struktur und gleiche Ausrichtung der
beiden Phasen.

• Teilkohärente Phasengrenzen
Gleiche Struktur und gleiche Ausrichtung. Jedoch stark abweichende
Gitterparameter. Es kommt nur noch teilweise zu Verbindungen.

• Inkohärente Phasengrenzen
Hier sind alle Parameter zu verschieden. Die Grenze der beiden Phasen
nimmt die Gestalt einer Großwinkelkorngrenze an.
Kapitel 5: Gleichgewichtszustände Binärer Legierungen.
Wichtige Begriffe:
• Komponente Eine Legierung besteht aus verschiedenen Elementen welche als
Komponente bezeichnet werden.
• Mischbarkeit Beschreibt die Mischbarkeit einer Legierung im Festen zustand.
(auch Löslichkeit) Abhängig von den Komponenten ist eine Legierung entweder
Vollständig Mischbar, begrenzt Mischbar oder nicht Mischbar.
• Gefüge Beschreibt das Aussehen bzw die Struktur die das erstarrte Kristall
annimmt.
• Phase Alle Bereiche im Gefüge welche die gleichen Gehalte an
Komponenten haben werden als Phase zusammengefasst.

Gleichgewichtszustand
Eine Legierung ist meistens nie vollständig Mischbar im festen Zustand. Kann z.B. nur 1% B in
Stoff A gemischt werden, aber man jedoch 5% B der Schmelze hinzugibt, so wird bei langsamer
Erstarrung der Schmelze langsam die B Atome ausgeschieden (Diffusion). Das bedeutet das ich die
B Atome in microskopisch kleinen Insteln zusammenfinden. Das geschieht solange bis der
Gleichgewichtszustand erreicht ist. Friert man die Schmelze jedoch ein, man kühlt sie also sehr
schnell ab, haben die B Atome nicht genug Zeit sich an den Inseln zusammen. Somit liegt die
Legierung Übersättigt vor. Auch im Festen versuchen die B Atome noch sich in Richtung des
Gleichgewichtszustandes zu sammeln. Dies geschieht jedoch sehr langsam.

Abkühlkurve und Ihre Haltepunkte

Wenn ein einkomponentiges System Abkühlt erhält man bei jeder Phasen änderung (Gas → Flüssig
→ Fest) einen Haltepunkt (Die Temperatur bleibt für eine Zeit gleich). Der Haltepunkt resultiert
aus der Energie (Wärme) die freigesetzt wird um den neuen Zustand anzunehmen. Umgekehrt muss
diese Energie natürlich auch aufgewendet werden beim erhitzen. Stoffe wie Eisen die ihre
Gitterstruktur im Festen je nach Temperatur ändern, haben zusätzliche Haltepunkte.

Binäre Legierungen
Die Gleichgewichtszustände von Binären Legierungen lassen sich durch die drei Variablen
Temperatur, Stoffgehalt A und Stoffgehalt B beschreiben. In den meisten Fällen sind Stoffe nur
begrenzt Mischbar. Die folgende Darstellung zeigt ein Erstarrungsdiagramm von zwei teilweise
mischbaren Komponenten. Mann kann also direkt ablesen das nur ca 8% Sn in Pb gelöst werden
können.
Eutektischer
Punkt

3
• Einphasenraum → Flächen S , (Pb) und (Sn)
◦ Wir gehen von der Fläche (Pb) aus. Es handelt sich hierbei um einen Einphasenraum da
der Anteil dieser Phase 100% des Gefüges ausmacht. Dies resultiert durch die begrenze
Mischbarkeit der beiden Komponenten. Bei 100% können also nur ca 8% Sn in Pb
gemischt werden. Das heisst es ensteht eine Homogene Struktur ohne Ausscheidungen
also nur eine Phase.
• Zweiphasenraum → Flächen S+(Sn), S+(Pb) und (Sn)+(Pb)
◦ Trifft ein Berreich links und rechts auf einen Einphasenraum, so ensteht ein
Zweiphasenraum. In dieser Fläsche können nur die Gefüge (Phasen) der zwei
angrenzenden Einphasenräume vorkommen. Die Komponentengehalte der Phase, also
wie viel % des Stoffes A oder B in einer der beiden Phase an einem bestimmten Punkt
vorkommen, lässt sich durch Herunterloten ablesen. Die Phasengehalte, also wie viel
Prozent der jeweiligen Phase in einem Bestimmten Punkt vorkommen lässt sich durch
das Hebelgesetz errechnen. Schauen wir uns in der Grafik Punkt 1 an so muss die
Schmelze viel „Schwerer“ sein als (Pb), da die schmelze eine viel kleineren Hebel hat.
Bei Punkt 2 ist Schon viel mehr (Pb) da nun dort der kürzere Hebel ist. Anders erklärt.
Fahren wir die Linie 3 von oben nach unten ab (abkühlen) so muss zuerst 100%
schmelze sein. Es wächst dann immer mehr (Pb) bis letzendlich 100% (Pb) vorhanden
ist.
• Dreiphasenraum → Eutektischer Punk (nur genau in diesem Punkt)
◦ Hier kommen 3 Phasen aufeinander: Schmelze, S+(Sn) und S+(Pb) (das S+ ist hier
überflüssig und dient nur zum Verständniss). Bei einer Eutektischen Reaktion zerfällt eine
Phase in zwei andere Phase. Bei einer Peritektischen Reaktion zwerfallen zwei Phasen
zu einer gemeinsamen. Eutektische Legierungen schmelzen Kongrurent.

Von oben
nach unten
betrachten
Schmelzdiagramm Intermetallischer Phasen
Intermetallische Phasen (siehe Kap 4)
Schmelzen bei ihrer bestimmten
Zusammensetzung, hier Mg2Ca, Kongruent.
Das heißt sie zerfallen vorher nicht in
einzelne Phasen. Links und rechts dieser
bestimmten Zusammensetzung finden sich
zwei einzelne Eutektische Schaubilder wieder.
Siehe hierzu auch Skript Seite 85-87.

Schmelzdiagramm vollständig Mischbarer Komponenten

Lassen sich zwei Komponenten bei jeder
Temperatur und Zusammensetzung Mischen, so
entsteht ein Zigarrenartiges Schmelzdiagramm.
Hier hat man oben und unten einen
Einphasenraum und in der Mitte (in der Zigarre)
einen Zweiphasenraum von bereits
Kristallisiertem Gefüge und Restschmelze.
 Kapitel 6 – Phasenumwandlungen

hier (diffusionskontrolliert):

→ fest/fest - Phasenumwandlung z.B.: → Ausscheidungen

→ peritektische Reaktion
→ eutektischer Zerfall
→ Ordnungseinstellung
iii.ioaiiiiiingoijiert
→ allotrope Umwandlung

Fatefulness
→ Phasenumwandlungen findet u.a. in folgenden Stadien statt: → Keimbildung
→ Keimwachstum
→ Aufzehrung der Ausgangsphase

Gibbs'sche freie Enthalpie [G]:

→ ΔGV = GA - GP mit: ΔGV → pro Einheitsvolumen des umgewandelten Bereiches frei-

werdende Differenz der freien Enthalpie;
wird mit zunehmender Unterkühlung ΔT größer
GA → der Ausgangsphase (GL = LIQUIDUS) Cftiissig)
GP → und der Erstarrung in der Produktphase (GS = SOLIDUS) (fest)

hfratiebeienfedaerietemg Energie inhalt

einen best
deg
.
.

da Wo G Kleinsten ist
Stabile Phase am

Unlerschreitungliiberschreitung
.

,
bei
:
>

" "" G" Phase Produktphase

2 Phaser im gieichgewicht

Keimbildung:

Homogene Keimbildung: → findet nur im idealen Fall statt. Wahrscheinlichkeit der Bildung von Produktphase
aus Ausgangsphase überall gleich groß angenommen (Ideal)

→ Atome der Ausgangsphase nehmen via Diffusion mit unterschrittener Gleich-

gewichtstemperatur (TGG) Plätze der Produktphase ein.

Am Beispiel der freiwerdenden Energie (G) an kugelförmigen umwandelnden Volumen (Keim) mit der pro
Einheitsvolumen frei werdenden spezifischen Kristallisationswärme (ΔGV) ergibt sich

ΔGVolumen = -Volumen * ΔGV = - 4/3 * π * r3 * ΔGV (1)

Nun herrscht eine Phasengrenze zwischen Ausgangsphase zwischen Produktphase. Für die Bildung der Phasengrenze
muss Energie aufgebracht werden. Diese berechnet sich aus der pro Einheitsfläche aufzuwendenden Phasen-
grenzenenrgie γ (Oberflächenspanung):

ΔGOberfläche = + Oberfläche * γ = + 4 * π * r2 * γ (2)

Nun herrscht zwischen Ausgangsphase und Produktphase aufgrund abweichender Dichte eine Verzerrungsenergie,
welche jedoch im Falle der Erstarrung fest/fest vernachlässigt wird. :-)

Also → ΔG = (1) + (2) ; Bei konkreter Temperatur ist ΔGV (= GL – GS) konstant, somit ersetzbar durch α und β:

ΔG = ΔGVolumen + ΔGOberfläche = … = - α * r³ + β * r²
Die folgenden vier Diagramme drücken die Abhängigkeit von Temperatur (T), den Keimradius (r), und den Energie-
beträgen α*r³ (Volumen), β*r² (Oberfläche) und ΔG (Kristallisationwärme) aus.

Bild 1: Bei einer Temperatur größer als die Gleichgewichtstemperatur sind alle Vorzeichen positiv.
(v. l. n. r.) → theoretisch keine Keimbildung

Bild 2: Entspricht die Temperatur der Gleichgewichtstemperatur, entspricht der Energiegehalt der Ober-
flächenspannung gleich der, der Kristallisationswärme (beide positiv) - während der Energiebetrag
des Volumens gleich Null ist.
→ instabile Keimbildung

Bild 3: In diesem unterkühlten Zustand wechselt das Vorzeichen des Volumenenergiebetrags und das Sum-
menverhältnis von Oberfläche und Volumen (=ΔG) bildet ein Maximum → kritischen Keim-
radius (rk). Ein Keim ist nur dann stabil, wenn der Keimradius dem kritischen Keimradius
entspricht bzw. größer ist als der kritische Keimradius. Soll heißen die aufzuwendende Energie zur
Phasengrenzenvergrößerung muss höher sein als die dabei entstehende Kristallisationswärme.
→ stabile Keimbildung möglich

Bild 4: Mit weiterhin sinkender Temperatur in den stark unterkühlten Zustand der Schmelze wird der
kritische Keimradius weiterhin kleiner, und ist somit schneller als wachsender Keim erreicht.
→ stabile Keimbildung sehr wahrscheinlich

Der Grund weshalb ein sich bildender Keim überhaupt einen kritischen Radius erreichen kann wird in den
folgenden zwei Bilder dargestellt:

→ Bei erreichen der Schmelztemperatur Tm (= TGG) ist die Anzahl an Leerstellen am höchsten
→ Festkörper schmilzt unter Zunahme an Volumen und Abnahme von Dichte
→ Nahordnung bleibt bei Übergang in Schmelze teilweise vorhanden, aber lokal nicht fixiert
→ Fernordnung jedoch unmöglich

→ Mit Erreichen einer kritischen Unterkühlung (ΔTkrit) der Schmelze unter TGG erreichen die Nahordnungsbereiche die
für das stabile Wachstum kritische Größe rkrit
Heterogene Keimbildung: → findet real statt.

→ Hochschmelzende Partikel in der Schmelze und die Formwand bieten die für
Erstarrungsprozesse erforderlichen Oberflächen.
→ Diese vorhandenen Oberflächen werden Teil des Keims und widersprechen
hinsichtlich der homogenen Keimbildung, dass überall in der Ausgangsphase mit
gleicher Wahrscheinlichkeit zur Keimbildung kommt, sondern eben an diesen bereits
vorhandenen Oberflächen.

→ Durch vorhandene Oberflächen wird β kleiner, die kritische

Keimgröße rkrit und die kritische Temperatur Tkrit verringert.

→ Anlagerung von Atomen an Oberflächen wird grundsätzlich

bevorzugt wenn: → gleiche Gitterstruktur
→ möglichst ähnliche Gitterparameter

→ Die dadurch reduzierte Grenzflächenenergie begünstigt Keim-

bildung schon bei nahezu TGG

Stabiles Keimwachstum:

Idealfall ohne Versetzungen

→ stabiles Keimwachstum bis zur vollständigen Aufzehrung der Ausgangsphase

→ Rauigkeit der Phasengrenze trägt wesentlich zur Vergrößerung bei
→ Wachstum erfolgt immer bevorzugt in 'Halbkristalllage' (1)
→ Angefangene Atomlagen werden zuerst komplettiert, ehe eine Neue
Halbkristalllage auf einer glatten Oberfläche geschaffen wird
(erheblicher Energieaufwand)
→ langsamstes Wachstum senkrecht in Richtung glatter Oberfläche (6)

Realfall mit Versetzungen

→ In der Entstehungsphase jedes Keims bilden sich Versetzungen;

speziell Schraubenversetzungen
→ Schraubenversetzungen lassen Halbkristalllage an Austrittspunkt entsehen
→ kontinuierlicher Keimwachstum

Polykristallines Erstarrungsgefüge:

→ Zahlreiche Keime wachsen nahezu gleichzeitig stabil

→ Korngrenzenbildung bei Zusammenstoß nach Aufzehrung der Ausgangsphase
Keimbildung und Keimwachstum:

→ Die Geschwindigkeiten von Keimbildung und Keimwachstum unterscheiden sich bei Unterkühlung unter T GG

geringe Unterkühlung: → Keimbildungsgeschwindigkeit gering

→ Keimwachstumsgeschwindigkeit hoch
→ Grobkörniges Gefüge

hohe Unterkühlung: → Keimbildungsgeschwindigkeit hoch

→ Keimwachstumsgeschwindigkeit gering
→ Feinkörniges Gefüge

Erstarrung von Reinstmetallen:

und von kongruent schmelzenden intermetallischen Phasen

Kristallisation in einem Gussstück: → stärkste Abkühlung am Gussrand → Feinkorn

→ Abkühlung schwächt zur Gussmitte hin ab → Transkristalline Zone
→ größte Wachstumsgeschwindigkeit senkrecht zur kubischen Oberfläche
hin in Richtung Wärmegefälle
→ Überwucherung weniger günstig ankristallisierter Kristalle
→ Wachstumsauslese; Bildung der Stängelkristallzone

Dendritenstamm Bildung aufgrund Kristallisationswärme:

→ Durch Kristallisation an der Gusswand entsteht Kristal-

lisationswärme
→ Kristallisationswärme geht in Gusswand und Schmelze über
→ Kristallisationswärme verlangsamt Kristallisation an Gusswand
→ Entstehung eines Temperaturprofils durch Ankeimung an be-
stehenden Keimen
→ Kristallspitze erfährt niedrigere Temperatur in Richtung
Gussmitte und wächst weiter
→ Ausbildung von Kleinwinkelkorngrenzen zwischen Dendriten
Erstarrung von Metallen technischer Reinheit:

→ technische Reinheit bedeutet, dass noch hochschmelzende Partikel (Fremdatome) enthalten sein können bzw. sind
→ ermöglichen erneute heterogene Keimbildung in der globulitischen Kernzone des Gusses

Erstarrung von Legierungen:

Trotz des fehlen hochschmelzender Partikel kann globulitische Kernzone entstehen:

→ Der bereits erstarrte Kristall hat eine andere Zusammensetzung als noch bestehende Restschmelze
→ Kristall und Schmelze stehen jedoch im Gleichgewicht zueinander
→ Für Konzentrationsausgleich sorgende Stofftransport unmittelbar vor Phasengrenze allein durch Diffusion
→ aufgrund der Abkühlungsgeschwindigkeit bleibt für Diffusion nicht ausreichend Zeit
→ Schmelze reichert sich weiterhin mit Legierungselement an
→ Schmelze unterkühlt weiter
→ Unterkühlung hat Ursache in Anreicherung von Legierungs-
element → konstitutionelle Unterkühlung
→ geringe Ausprägung dieser Zone: dendritisches Wachstum
→ starke Ausprägung dieser Zone: dendritisches Wachstum mit
zusätzlicher Keimbildung vor Erstarrungsfront
→ Breiartige Erstarrung
→ Phasengrenze (Erstarrungsfront) schiebt Legierungselement
in Gussblockmitte, dies führt zur
→ Makroseigerung

Zonenmischkristallbildung:

→ Verursacht durch Mikroseigerung bzw. Kristallseigerung

→ In der Regel unerwünscht, wegen der dadurch inhomogenen Verteilung unterschiedlich edler Elemente
→ Reversibel durch diffusionsbegünstigtes langzeitiges Glühen dicht unterhalb der Solidustemperatur
→ Beginnend unter der scheinbaren Soliduslinie und mit zunehmendem Konzentrationsausgleich
→ Erhöhung der Temperatur in Richtung der Gleichgewichtssoliduslinie

Entstehung der Mikroseigerung (Zonenmischkristallbildung):

Im Idealfall, also bei langsamer Abkühlung, folgen die Konzentrationsänderungen von Legierungselementen der
Solidus- bzw. Liquiduslinie. In der Praxis jedoch läuft die Abkühlung schneller von statten.
→ Konzentrationsausgleich der Legierungselemente nicht möglich!

→ Kristallbildung mit Zusammensetzung c1

bei entsprechender Temperatur T1
→ Näherungsweise berechnete Zusammen-
setzung aus c1 = c1 (mitte c1 und c2 auf T2)
→ Kristallbildung mit Zusammensetzung c2
bei Temperaturgefälle (T2) umhüllt
Kristall c1 mit Zusammensetzung c1
→ Näherungsweise berechnete Zusammen-
setzung aus c2 = c2 (mitte c1 und c0 auf T3)
→ Restschmelze kristallisiert mit Zusammen-
x

setzung c3 bei Temperatur T4

→ Näherungsweise berechnete Zusammen-
setzung aus c3 = c3 (mitte c2 und c3 auf T4)

→ Scheinbare Soliduskurve gebildet aus den

Punkten c1/T1, c1/ T2, c2/T3 und c3/T4

→ Differenz zwischen T3 und T4 auf c0 entspricht ΔT (zwischen der scheinbaren Soliduslinie und
der Gleichgewichtssoliduslinie) der eigentlich schon bei c0 auf T3 vollständig auskristallisierten
Schmelze, welche jedoch aufgrund der Mikroseigerung erst bei T4 vollständig auskristallisiert
Ausscheidungen:

Die Berechnung der Gibbs'schen freien Enthalpie G fordert in diesem Fall noch die Berücksichtigung der
aufzuwendenden elastischen Verzerrungsenergie vom Keimradius, zusätzlich zur Phasengrenzenenergie und
Kristallisationswärme:

ΔG = ΔGVolumen + ΔGOberfläche + ΔGVerzerrung

ΔG = - 4/3 * π * r3 * ΔGV + 4 * π * r2 * γ + Δεelastisch

→ Keimbildung und Keimwachstum sind temperatur-

und zeitabhängig (also diffusionskontrolliert)
→ Verzögerung durch beschleunigte Abkühlung und
→ gänzliche Unterdrückung durch schnelle Abkühlung
auf tiefe Temperaturen
→ Fremdatome im Matrixgitter zwangsgelöst
(Übersättigung bzw. Zwangszutand)
→ Diffusionsprozesse sind bei tiefen Temperaturen
sehr stark verzögert (Ziel erreichen des Gleich-
gewichtszustand)
→ (kontrollierte) Ausscheidungsprozesse können durch
anheben der Temperatur deutlich beschleunigt
werden

Metastabile Ausscheidungen:

Neben den Gleichgewichtsausscheidungen (hoher ΔGV -Wert;

werden bevorzugt gebildet) aufgeführt im Gleichgewichtsdia-
gramm gibt es Metastabile Ausscheidungen. Diese Metastabil-
en Ausscheidungen weisen einen geringeren ΔGV -Wert auf,
dafür jedoch:

→ höhere strukturelle Verwandschaft zum Mischkristall,

→ (gleichzeitig) geringere spezifische Phasengrenzenergie γ und
→ geringere spezifische Verzerrungsenergie Δεelastisch

als bei Gleichgewichtsausscheidungen, und können daher vor der stabilen Gleichgewichtsphase gebildet werden.
→ siehe kohärente und teilkohärente Phasengrenzen verglichen zu inkohärenten Phasengrenzen (Kapitel 4)

→ Hohe Abkühlgeschwindigkeiten führt zum Einfrieren der Leerstellen und Fremdatome (diffusionsförderlich)

→ Einmal entstandene Metastabile Ausscheidungen können bei Temperatur weit unterhalb der Schmelztemperatur (T m)
sehr lange bestehen, da temperaturbedingte starke Verzögerung von Diffusionsprozessen.

Ausscheidung der metastabilen Phase (kohärente Phasengrenze):

→ niedrigste spezifische Phasengrenzenenergie
→ hohe Anzahl und feine Verteilung
→ begünstigste Keimbildungsbedingungen
→ (erste) metastabile Vorläuferphase

Ausscheidung der metastabilen Phase (teilkohärente Phasengrenze):

→ geringere Neigung zur Keimbildung
→ etwas höhere Anzahl und grober Verteilung
→ weniger günstige Keimbildungsbedingungen
→ (zweite) metastabile Vorläuferphase

Ausscheidung der Gleichgewichtsphase (inkohärente Phasengrenze):

→ sehr geringe Neigung zur Keimbildung
→ erst in geringer Zahl und grober Verteilung
→ Keimbildung benötigt erhebliche thermische Energie (weil hohe Oberflächenenergie)
→ Abnahme mit zunehmender Unterkühlungish
Modifizierter Ausscheidungsmechanismus:

Bisherige Darstellungen gelten für idealisierten Fall der homogenen Keimbildung.

Die im Vielkristall vorliegenden Gitterfehler begünstigen die heterogene Keimbildung.

Gitterfehler haben elastische Verzerrungen (Maschenaufweitungen) des Matrixgitters zur Folge:

→ In der Nähe von Versetzungskernen
→ Korngrenzen und
→ Phasengrenzen der bereits ausgeschiedenen Teilchen

Eingelagerte (interstitielle) Fremdatome, bedingen Druckspannungsfelder in radialer Richtung, weshalb sie sich
bevorzugt in dilatierten (durch Zugspannung erweiterte) Gitterbereichen ansammeln.

→ heterogene Keimbildung beschleunigt Ausscheidungsgeschehen nicht nur, sondern kann vorzeitige Bildung gleich-
gewichtsnäherer Ausscheidungsformen begünstigen

→ metastabile Vorläuferphasen können durch heterogene Keimbildung gänzlich unterdrückt werden, da teilkohärente
Vorläuferphase und Gleichgewichtsphase mit inköhärenter Phasengrenze vor der kohärenten Vorläuferphase
ausgeschieden werden

→ An Korngrenzen ankeimende Ausscheidungen führen zu Versprödung des Werkstoffs

→ Verhinderung durch geringfügige plastische Verformung vor oder während der Auslagerung und
→ dadurch 'erzwungene' Keimbildung im Korninneren und beschleunigter Ausscheidungsablauf

Ostwald Reifung:

→ Vergröberung der Ausscheidungsverteilung durch Volumenzunahme an wachsenden Auschscheidungen

(steigende Grenzflächenenergie)
→ Je größer die Ausscheidung, desto weniger Ausscheidungen in unmittelbarer Nähe
→ Nachlieferung verarmter Atome aus der Matrix geht mit Größe der Ausscheidung zurück bis alle aufgebraucht sind
→ Ab dann Diffusion von kleinerer Ausscheidung in die größere Ausscheidung (Stadium 1) bis zum Verschwinden der
kleineren Ausscheidung

→ Anzahl der Ausscheidungen geht zurück

→ mittlerer gegenseitiger Abstand nimmt zu

→ Gleichgewichtsausscheidungen mit kohärenten Phasengrenzen vergröbern am langsamsten und behalten auch bei
hohen Temperaturen am längsten feine Verteilung bei

→ Wirkungsvolle Festigkeitssteigerung durch geringen Abstand der von Haus aus feindispersen Ausscheidungen
Kapitel 7: Reaktion auf stetig zunehmende Beanspruchung

Elastische Dehnung Einkristall

In einem Einkristall Verformt sich das Kristallgitter zu beginn rein Elastisch. Dies resultiert daraus
das die Verbindungen der Atome zu Beginn nur gedehnt werden. So kann sich also nach
wegnehmen der Spannung das Gitter wieder in den Urzustand zurück
dehnen. Das Verhältnis von Spannung und Dehnung wird als Das E-
Modul bezeichnet. Es beschreibt auch die Steigung der Hookschen
Geraden. Das E-Modul gilt natürlich nur für den elastischen Bereich
Ein Einkristall weißt in verschiedene Richtungen Verschiedene E-
Module auf. Dieser Effekt kommt durch die unterschiedliche
Dehnbarkeit der Atome einer Elementarzelle

Elastische Dehnung Vielkristall

In einem Vielkristall ist das E-Modul nicht richtungsabhängig. Da die einzelnen Körner
unterschiedliche Richtungen des Kristallgitters aufweisen ist das E-Modul hier quasi der Mittelwert
von günstiger ausgerichteten Gittern mit höherer Dehnung und ungünstig ausgerichteten Gittern mit
weniger Dehnung. Jedoch ist das E-Modul hier abhängig von der Temperatur und den
Legierungselementen bzw. ihrer Konzentrationen.

Mikrofließen
Dehnt man einen Vielkristall im Elastischen Bereich, so werden wie zuvor
beschrieben günstige und weniger günstig ausgerichtete Kristalle gedehnt.
So ist es auch klar das günstig ausgerichtete Kristalle (45% zur äußeren
Kraft) schneller den Elastischen Bereich verlassen als die anderen
ungünstigen Kristalle. Deshalb kann es bereits in der Elastischen
Verformung zu sehr kleinen Anteilen von plastischer Verformung kommen.
Dieser Effekt ist kaum Messbar.

Anelastisches Verhalten
Benötigt Interstitielle Fremdatome. Dehnt man einen Kristall und hält
ihn eine weile aus dieser Dehnung, springen die Interstitiell gelösten
Fremdatome über Diffusionsmechanismen in die Gestreckten
Zwischengitterlücken, da sie Dort mehr platz haben. Die Dehnung wird
dann bei gleicher Spannung noch größer da die Atome die
Zugspannungen in den gedehnten Lücken verringern können. Lässt man
die Spannung nun wieder weg dehnt sich das Kristallgitter nicht ganz
zurück. Wartet man nun wieder eine Weile Hüpfen die intersitiellen
Fremdatome wieder in ihre ursprünglichen Lücken und die Dehnung
geht ganz zurück.
Plastische Verformung im Einkristall
Gibt es im Einkristall eine besonders Günstig orientierte Gleitebene so beginnt diese nach verlassen
des Elastischen Bereiches an abzugleiten. Das heißt Versetzungen bewegen sich. Haben sich genug
Versetzungen Bewegt und sich dadurch genug Versetzungen aufgestaut bzw. sich gegenseitig
behindert beginnen auch ungünstig orientierte Gleitebenen an sich zu bewegen. Es wird also eine
höhere Spannung benötigt.

Plastische Verformung im Vielkristall

Im Vielkristall entstehen, wie beim Mikrofließen erklärt, zuerst in den günstig orientierten
Kristallen Versetzungen. Diese Versetzungen werden jedoch an den Korngrenzen aufgestaut. Durch
das ansammeln von vielen Versetzungen an den Korngrenzen und das aufaddieren ihrer
Spannungen können jedoch im Nachbarkorn neue Versetzungen auf ungünstigeren Gleitebenen
aktiviert werden.( es beginnt das Makrofließen )

Um das Makrofließen zu beginnen muss die Spannung die Dehngrenze überschreiten. Durch
verfestigende Eigenschaften der erzeugten Versetzungen:
• Verankerungen von Versetzungen an Korngrenzen
• Das erzeugen von Versetzungen aus Frank Read Quellen
• Versetzungsreaktionen allgemein
Steigt die Festigkeit stets weiter an. Gleichzeitig entfestigt sich das Material durch den Verringerten
Querschnitt der Brucheinschnürung. Das heißt also bis zum Punkt Rm überwiegen die
Festigkeitssteigernden Mechanismen. Beim Punkt Rm sind sie gleich mit den Entfestigenden
Mechanismen. Nach Rm überwiegt die Entfestigung durch die Querschnitts Verringerung bis die
Probe schließlich bricht.
Texturen
Texturen sind Vielkristalle bei denen die Einzelnen Körner die selbe Kristallrichtung auffweisen.
Dieser Effekt entsteht durch folgende Ursachen:
• Verformung → Verformungstexturen
• Erstarrung → Wachstumstexturen
• Elektolytisch → Wachstumstexturen
• Rekristallisation → Glühtexturen
Durch Texturen können auch im Mischkristall Richtungsabhängige E-Module enstehen. Dieser
Effekt ist meist ungewünscht.

Bruch
Unter 45° zur angreifenden Last kommt es meist zum Gleitbruch. Unter 90° zur Last kommt es
meist zum Spaltbruch. In der Realität gibt es keinen Kristall ohne Versetzungen. Deshalb geht dem
Bruch meist eine Plastische Verformung vor raus.
Einkristall
In einem Einkristall wandern die Versetzungen durch den
Kristall. Irgendwo treffen sich diese Versetzungen dann und
Stauen sich auf. Die aufgestauten Spannungsfelder können auf
einer weniger dicht gepackten Ebene zur Rissbildung führen.
Das selbe lässt sich bei einem Einkristall einer Homogenen
Legierung beobachten

Heterogene Legierung
Ausscheidungen und Teilchen in einem Mischkristall
Blockieren Versetzungen. Durch die Häufigkeit der
Ausscheidungen sind die Strecken der Versetzungen
wesentlich kürzer. Das heißt es können sich gar nicht so
viele Versetzungen anstauen wie in einem Einkristall. Dies
erklärt auch eine höhere Festigkeit von Legierungen. Durch
die Aufstauung von Versetzungen an den Phasengrenzen bilden sich Risse entlang der Phasen. Es
entstehen Poren. Durch die inhomogene Spannungsverteilung in dem Bereich einer
Brucheinschnürung, Bilden sich die Risse zuerst im Inneren der Probe, und wachsen dann
horizontal durch die Probe. An den Rändern bilden sich sogenannte Scherlippen welche eher 45°
zur Spannung wachsen.
Transkristalliner und Interkristalliner Risswachstum
Meistens Wachsen die Risse Transkristallin, also über die Körner Hinweg. Befinden sich auf den
Korngrenzen jedoch Verbindungsstörende Fremdkeime so können Risse, wenn sie auf solche stellen
Treffen Interkristallin weiter laufen.

Kerbschlagarbeit
Siehe Skript.
Kapitel 8: Festigkeitssteigerung und Festigkeitsabbau

Grundlegendes
Wie Schon erwähnt sind alle Mechanismen welche Versetzungsbewegung erschweren gleichzeitig
für eine höhere Festigkeit verantwortlich. Das bedeutet je mehr Kraft aufgewendet werden muss
damit sich Versetzungen bewegen, desto größer ist der elastische Bereich. Anders gesagt der
Werkstoff hält Größere Spannungen aus bevor er sich plastisch verformt. Wichtig hierbei ist jedoch
das man nicht zu viel an Duktilität verliert, denn spröde brechende Werkstoffe sind für die Praxis
meist uninteressant.

Hall-Petch-Beziehung
Die Hall-Petch-Beziehung zeigt den Zusammenhang der Dehngrenze und der Wechselwirkung von
Versetzungen mit Gitterfehlern.

Das σ i lässt sich dabei in die 4 Ursachen der Festigkeitssteigerung aufteilen:

1. Eigenspannung des Gitters. Verschiedene Elemente haben unterschiedliche
Gitterspannungen.
2. Durch Gitterfehler.
3. Durch schon vorhandene Versetzungen die durch eine Kaltverformung angehäuft wurden.
4. Durch Ausscheidungen.
Der andere Teil (Delta Sigma KG) Beschreibt die Verfestigung in Abhängigkeit der Korngrößen.

Feinkornhärtung
Die Feinkornhärtung ist die Wichtigste Festigkeitssteigerung, da sie die einzige Methode ist um
gleichzeitig die Dehngrenze und die Duktilität zu vergrößern. Generell gilt: (Wir belasten den
Werkstoff) In größeren Körnern können sich mehr Versetzungen an den Korngrenzen anstauen.
Dadurch entsteht eine hohe Spannung in den Benachbarten Körnern. Dies kann zu Rissen oder zu
weiterem Versetzungswandern in den Benachbarten Körnern führen. Sind die Körner jedoch
kleiner, können sich gar nicht genug Versetzungen ansammeln, um genug Spannungen für einen
Riss ,oder Weitere Versetzungsbildung aufzubringen. Wir müssen also mehr Äußere Kraft
einbringen um Versetzungen in den anderen Körnern zu aktivieren und den Werkstoff somit
plastisch zu verformen.
Methoden um Feinere Körner zu erzeugen:
• Abschrecken der Schmelze ( Starke Unterkühlung )
• Impfen. Viele Fremdkeime in die Schmelze zu mischen.
• Kaltverformen. Viele Versetzungen erzeugen, dies führt zur Rekristallisation.
• Fein verteile Ausscheidungen. Behindern die Körner beim wachsen.
• Normalisieren. Nur bei allotropen Werkstoffen.
Mischkristallhärtung

Cottrell-Wolken
Interstitiell gelöste Fremdatome neigen durch ihr Spannungsfeld,
welches sie im Gitter erzeugen und dadurch das sie sich sehr gut
durch das Gitter bewegen können, dazu sich unter Versetzungen
anzusammeln. Dadurch Löschen sich die Spannungen gegenseitig
aus. Die Festigkeitssteigerung resultiert dadurch das die
Spannungsfelder erst wieder erzeugt werden müssen um die
Versetzung zu bewegen. Auch Ausscheidungen können an
Versetzungen an keimen. Durch diesen Effekt entsteht auch das
„Fließen“ bei ausgeprägten Streckgrenzen.

Substitionsmischkristalle
Wenn Versetzungen auf Substitionelle Fremdatome Treffen so müssen die Spannungen welche diese
Fremdatome auslösen überwunden werden. Es lässt sich also sagen: je größer der Radien
unterschied zu den anderen Atomen, desto größer die Gitterverzerrung, desto größer die
Festigkeitssteigerung.

Ausgeprägte Streckgrenze
Wie Schon erwähnt entsteht durch das ansammeln von Cotrell Wolken eine ausgeprägte
Streckgrenze. Dies ist in den meisten Technischen Anwendungen unerwünscht das sich durch das
Fließen an den Oberflächen Raue stellen Bilden (Lüdersbänder). Um dies zu Verhindern muss man
die Interstitiellen Fremdatome im Schmelzprozess entfernen oder die Versetzungen durch leichtes
Verformen aus ihren Verankerungen lösen.

Kaltverfestigung
Festigkeitssteigerung durch erhöhen der Versetzungsdichte. Normalerweise hat ein Werkstoff 107
cm-2 Versetzungen. Verformt man einen Werkstoff so beginnen Versetzungen zu gleiten. Da auf allen
Gleitebenen die Versetzung gleiten, treffen sich zwangsläufig die Versetzungen irgendwann. Durch
diese Versetzungsreaktionen (z.B. Frank-Read-Quelle, Kinke - Sprung) werden nachfolgende
Gleitebenen behindert. Nimmt man nun die Spannung vom Werkstoff weg und erhöht diese dann
wieder, vergrößert sich die Dehngrenze, da die Versetzungen nun auf viele Hindernisse Treffen
(Versetzungsdichte 1012 cm-2). Die Bruchdehnung und Brucheinschnürung verringert sich dadurch.
Außerdem ist zu beachten das der Werkstoff wieder in die selbe Richtung belastet werden muss, da
sonst selbst die Dehngrenze stark leidet (Bauschinger-Effekt).
Ausscheidungshärten
Bei der Ausscheidungshärtung geht es Darum durch Diffusionsglühen (Lösungsglühen)
Ausscheidungen zu erzeugen. Das heißt z.B. B Atome lösen sich aus dem Gitter und finden sich
durch Diffusionsprozesse als Ausscheidungen (Kugelige Ansammlungen) zusammen. Hierbei ist zu
beachten das die Ausscheidungsgröße wichtig für die Festigkeit ist. Glüht man zu Kurz sind die
Ausscheidungen zu klein, man spricht von underaged und Kohärenten Phasengrenzen. Die
Versetzungen werden also kaum Gebremst. Bei der richtigen Größe ( Peakaged ) ist die Festigkeit
am größten. Im Bezug auf die Ausscheidungsgröße ist das genau der Bereich wo es günstiger wird
die Ausscheidungen zu umgehen als sie zu Schneiden. Glüht man noch länger werden die
Ausscheidungen noch größer, es wird für die Versetzungen wieder einfacher die Ausscheidungen zu
umgehen. Neben der Dauer ist noch die Temperatur wichtig. Glüht man bei einer Hohen Temperatur
hat meine eine Kurze Auslagerungszeit, es bilden sich jedoch durch die guten
Diffusionsbedingungen nur wenige Ausscheidungen. Glüht man bei einer niedrigen Temperatur
dauert die Diffusion länger, es bilden sich jedoch an mehreren Stellen Ausscheidungen. Die
Festigkeit steigt also auch mit der Anzahl der Ausscheidungen.

Härtungsmethoden zusammengefasst und ihre Grenzen:

• Mischkristallhärtung. Begrenzt durch die jeweilige Legierung und ihre Mischbarkeit.
• Kaltverfestigung. Maximale Versetzungsdichte 1012 cm-2 kann nicht überschritten werden, da
sonst Rekristallisation beginnt.
• Feinkornhärtung. Begrenzt durch die Technischen Möglichkeiten kleine Körner zu erzeugen.
• Ausscheidungshärtung. Nur durch Peak-aged begrenzt.

Festigkeitsabbau
Nicht bei allen Prozessen ist eine hohe Festigkeit gewünscht. So sollte der Werkstoff bei
Verformungsprozessen eher eine Kleine Dehngrenze haben und eine hohe Duktilität.

Erholung:
Mit Erholung fasst man alle Vorgänge zusammen die ohne Bewegung von Großwinkelkorngrenzen
zur Rückbildung der Eigenschaften führen. Es geht immer darum Spannungen durch häufige
Gitterfehler und Versetzungen aus dem Kristall zu entfernen. Dies erreicht man durch erhitzen.
Rekristallisation (Primäre Rekristallisation)
Zusammengefasst lässt sich sagen das die
Rekristallisation durch Wanderung von
Großwinkelkorngrenzen besteht. Hierbei Bilden sich
neue Körner, meistens entsteht gleichzeitig eine
Kornverfeinerung. Einer guten Rekristallisation ist eine
starke Verformung vorausgesetzt. Haben die
Großwinkelkorngrenzen eine Günstige Lage, das heißt
sie wandern mit einer Stufenförmigen Linie durch das
Kristall, können sie sich Schneller fortbewegen als
Großwinkelkorngrenzen welche eine gerade Linie haben.
Sehr wichtig ist auch das es ein Verhältnis zwischen
Verformungsgrad und Temperatur gibt. Ist das Gitter stark
Verformt so hat es eine hohe Eigenspannung, welche
druck auf die Großwinkelkorngrenze ausübt und dieser
beim Wandern hilft. Verformt man das Gitter nicht sehr
stark muss man mehr Hitze einbringen um die Diffusion
zu begünstigen. Der Kritische Verformungsgrad, also
der Verformungsgrad bei welchem Rekristallisation
stattfinden liegt zwischen 1 und 5 %. Wie groß die Körner
werden liegt hierbei, ähnlich wie bei der Feinkornhärtung,
an der Glühtemperatur und Auslagerungsdauer. Zusätzlich
kommt jedoch noch der Verformungsgrad dazu.

Kornvergrößerung (Sekundäre Rekristallisation)

Wenn man nach der Primären Rekristallisation den Kristall noch weiter bei zu hohen Temperaturen
auslagert beginnt eine Kornvergrößerung. Das entstandene Gefüge versucht dann aus energetischen
Gründen die Oberfläche zu minimieren. Die Körner versuchen sich in energetischen 120° Winkeln
anzuordnen und Vereinen sich sogar.
 9. Reaktion auf statische mechanische Beanspruchung

9.1 Auswirkungen höherer Temperaturen:

Mit steigender Temperatur steigt der Gitterparameter im Kristall, die Elementarzellen werden
größer. Dies steigert die Diffusion, denn interstitiell gelöste Atome können nun leichter
umherwandern, wodurch wiederum mehr Leerstellen entstehen. Dadurch, dass es mehr
Leerstellen gibt, diffundieren nun auch Gitteratome und Substitutions-Fremdatome.

9.1.1 Verformung durch konservative Versetzungsbewegung

Im Bereich von 0 Kelvin bis B gibt es noch fast keine Diffusion. Die Ausscheidung von
substitutionellen Fremdatomen ist stabil (stabil = gering???) Plastische Verformung
funktioniert in diesem Bereich nur durch Mechanismen, die keine Diffusion benötigen (z.B.
Stufen- oder Schraubenversetzung). Stufenversetzungen können sich aufgrund der geringen
Diffusion nur auf ihren Gleitebenen bewegen (gleiten) und diese nicht durch Klettern auf
andere Gleitebenen verlassen. Das bezeichnet man als konservative Versetzungsbewegung.
Schraubenversetzungen hingegen können schon bei diesen Temperaturen ihre Gleitebenen
verlassen, falls nötig.
Einfluss der Temperatur
Die Peierlsspannung (Schubspannung, die nötig ist, um eine Versetzung durch einen Kristall
zu „schieben“) wird
1. durch das Kristallsystem beeinflusst (im kfz-Kristall ist die Peierlsspannung am
niedrigsten, da viele Gleitsysteme vorhanden sind) und
2. durch die Temperatursteigerung verringert, weil die Gitterparameter durch
zunehmende Temperatur zunehmen. (Große Atomabstände erleichtern das „thermisch
aktivierte Fließen“)

Beim Erreichen der Raumtemperatur diffundieren die interstitiell gelösten Fremdatome immer
stärker und können an ruhenden Versetzungen Cortrell-Wolken bilden. Dieser verfestigende
Vorgang bewirkt, dass die Dehngrenze ca. ab Raumtemperatur erst einmal nicht mehr weiter
fällt (siehe Bild 9.5).

Kohlenstoffstahl

Ab einer Temperatur von ca. 300°C sind aber die Abstände der Atome so groß geworden,
dass sich interstitiell gelöste Atome nicht mehr in Cortrell-Wolken ansammeln müssen,
sondern sich frei, überall im Kristallgitter bewegen können und sich auf regulären
Gitterplätzen niederlassen können. Da jetzt weniger Cortrell-Wolken die
Versetzungsbewegungen verhindern, verliert das Metall ab 300°C wieder an Festigkeit; die
Dehngrenze fällt.
Wählt man die Temperatur und Spannung so, dass man im unteren Temperaturbereich von B
landet, so nimmt die Entfestigung zu. Hier kommen neben den genannten konservativen
Versetzungsbewegungen die nichtkonservativen Versetzungsbewegungen dazu. Der
diffusionsgestützte Entfestigungsmechanismus des Kletterns von Stufenversetzungen beginnt.
Wenn man die Temp. erhöht, dominiert sogar dieser diffusionsgestützte
Entfestigungsmechanismus.

9.1.3 Verformung durch Korngrenzengleiten und Diffusion

Im Temperaturbereich oberhalb 0,5 * TL ist die Diffusion der Gitteratome und Fremdatome
so beschleunigt, dass sich ein Vielkristall nicht mehr allein durch die Bewegung von
Versetzungen verformen muss. Daneben kann es auch zum Abgleiten der Kristalle
gegeneinander kommen (Korngrenzengleiten) (Für mehr Informationen zu diesem
Unterthema, siehe Skript. Der Rest dieses Unterthemas ist im Skript recht knapp formuliert,
weshalb es hier nicht sinnvoll zusammengefasst werden kann.)

9.2 Kriechbruch
Wie wir in einem früheren Kapitel erfahren haben, verläuft ein allein durch Ver-
setzungsbewegung bedingter Gleitbruch im Korninnern, also transkristallin. Bei hohen
Temperaturen und bestimmten Zugspannungen, bei denen Diffusionskriechen und das Korn-
grenzengleiten verformungsbestimmend werden, findet eine andere Art von Gleitbruch statt:
der Kriechbruch.
Es existieren zwei Grundtypen von Kriechbrüchen:

Keilförmige Risse. Keilförmige Risse gehen von dem auch als Tripelpunkt bezeichneten
Schnittpunkt dreier Korngrenzen aus (Bild 9.12). Sie bilden sich bei relativ hohen
Spannungen und niedrigen Temperaturen.

Kugelförmige oder ellipsoidförmige Poren treten bevorzugt an den Korngrenzen auf, die
senkrecht zur Belastungsrichtung liegen. Sie können zum einen durch Kondensation von
Leerstellen entstehen. Eine andere Möglichkeit ist in Bild 9.14 skizziert: Entlang der
Korngrenze gleiten zwei benachbarte Kristalle relativ zueinander ab. Dabei können sich
Stufen und damit Hohlräume bilden, wenn sich in den benachbarten Kristallen bewegende
Versetzungen an der gemeinsamen Korngrenze aufstauen und durch die Spannungskon-
zentrationen Werkstofftrennungen hervorrufen. Diese Poren treten bei relativ niedrigen
Spannungen und hohen Temperaturen (Nabarro-Herring-Kriechen) auf.

9.3 Kriechfestigkeitssteigernde Mechanismen

Dieses Thema ist wieder im Skript sehr knapp und verständlich geschrieben.

10. Reaktion auf wechselnde mechanische Beanspruchung

Bauteile können bereits bei einer mechanischen Spannung geschädigt werden, unter
Umständen sogar brechen, die unterhalb der Zugfestigkeit, oder sogar unterhalb der
Dehngrenze liegt, wenn diese Beanspruchung wiederholt aufgebracht wird. Diese unerwartete
Schädigung oder das unerwartete Versagen wird als Ermüdung bezeichnet.
Durch wechselnde Beanspruchungen entstehen Versetzungsbewegungen, durch die Risse
entstehen (eine Keimbildung von Rissen entsteht). Durch Risswachstum kann es schließlich
zum Versagen in Form eines Gewaltbruchs kommen.

10.1 Mikroverformung
Wenn ein Werkstoff bei geringer Belastung auf makroskopischer Ebene elastisch verformt
wird, kann er auf mikroskopischer Ebene, also an einzelnen Stellen im Werkstoff, schon
plastisch verformt werden (Mikrofließen). Hierfür muss aber auf den Gleitebenen, die in der
Richtung der Belastung liegen, die für Versetzungsbewegungen kritische Schubspannung
überschritten werden. Die andersorientierten Kristalle werden lediglich elastisch verformt.

Regionen in denen Spannungskonzentrationen auftreten, z.B. an nie ganz zu vermeidenden

Oberflächenkerben, erlauben Mikrofließen schon bei sehr kleinen Belastungen. Das ist der
Grund dafür, dass Mikrofließen in der Regel an der Oberfläche eines Bauteils vorkommt.
Die Verfestigung oder Entfestigung, die im Rahmen einer mechanischen
Wechselbeanspruchung zu beobachten ist, erfolgt vor der Risskeimbildung und lässt sich
durch die Aufnahme von zyklischen Spannungs-Dehnungs-Kurven verfolgen. Diese ergeben
Hystereseschleifen. Mit zunehmender Anzahl an Belastungen ändert sich die
Hystereseschleife je nachdem ob verfestigende oder entfestigende Mechanismen ablaufen
(siehe Skript). Schließlich wird ein Endzustand erreicht.

10.2 Risskeimbildung
Es hat sich gezeigt, dass die Risskeimbildung bei mechanischer Wechselbeanspruchung in der
Regel an der äußeren Oberfläche stattfindet: Versetzungen, die an der Bauteiloberfläche
austreten, bilden dort Auspressungen, Extrusionen genannt, beziehungsweise Einsenkungen,
Intrusionen genannt (Bild 10.2). Sie stellen potentielle Risskeime dar.
10.3 Risswachstum
Zuerst breiten sich die Risse, die sich an der Oberfläche in Richtung der Gleitebenen, in der
Richtung maximaler Schubspannungen also, gebildet haben, transkristallin unter einem
Winkel von 45° zur Beanspruchungsrichtung aus. Mit zunehmendem Risswachstum nimmt
der Einfluss der Normalspannungskomponente immer weiter zu. Dadurch schwenkt die
Risswachstumsrichtung nach dem Durchlaufen von 1 oder 2 Körnern in eine Richtung
annähernd senkrecht zu der Richtung maximaler Zugspannung um.
10.4 Bruchmorphologie
Grob lassen sich die glatte Dauerbruchfläche und die raue Gewaltbruchfläche unterscheiden.
Durch die Dauerbruchfläche ziehen sich feine Linien, die Schwingstreifen, die man erkennt,
weil deren Rissflanken oxidieren und dadurch eine andere Farbe bekommen. Wenn das
Bauteil so weit aufgerissen ist, dass der verbleibende Bauteilquerschnitt die Belastung nicht
mehr aushält, kommt es zum Gewaltbruch.

10.5 Einflüsse auf die Neigung zum Dauerbruch

Um einen Dauerbruch zu verhindern, muss man Versetzungsbewegungen verhindern.

Zugfestigkeit. Die Dauerfestigkeit glatter ungekerbter Proben nimmt mit zunehmender

Zugfestigkeit zu. Allerdings wird mit zunehmender Festigkeit die Anfälligkeit für Kerben
größer, weshalb die Kurven in Bild 10.6 schließlich wieder abnehmen.

Korngröße. Analog zur Dehngrenze nimmt die Dauerfestigkeit, daneben aber auch die
Zeitfestigkeit, mit abnehmender Korngröße d zu.

Hall-Petch-Gleichung:

10.6 Massnahmen zur Reduzierung der Dauerbruchgefahr

Durch mechanische, chemische sowie thermische und aus ihnen kombinierte Behandlungen
kann die Dauerfestigkeit gesteigert werden, wenn dadurch:
• die Festigkeit erhöht wird, zum Bleistift durch Nitrieren, Einsatzhärten,
Induktionsflammhärten, Martensithärten, Ausscheidungshärten,…
• ein feines Gefüge entsteht
• in die Oberfläche Druckspannungen eingebaut werden, die den Spannungsspitzen der
Kerben entgegenwirken (Kugelstrahlen, Rollen, Rollhämmern).
• die Oberfläche geglättet wird, damit durch Verschleiß oder Korrosionsangriff keine
Kerben entstehen.