Thermische Oxidation

0 Versuchsziel

Der Versuch vermittelt die Grundlagen der physikalisch-chemischen Vorgänge bei

der Schichtherstellung durch thermische Oxidation. Die experimentellen Arbeiten
sollen das Verständnis für technologische Prozesse fördern.

1 Einleitung

Silizium reagiert mit Sauerstoff (кисень) oder sauerstoffhaltigen (кисневмісні)

Verbindungen (сполуки) unter Bildung einer amorphen, glasartigen Schicht, dem
Siliziumdioxid. Bei Raumtemperatur wächst auf frisch geätzten oder gespaltenen
Siliziumoberflächen, die längere Zeit an der Luft liegen, eine Gleichgewichtsdicke
von kleiner ca. 2 nm Siliziumdioxid. Zum Aufwachsen der für die Halbleitertechnik
erforderlichen Schichtdicken über 2 nm ist eine Aktivierung dieses
Oxidationsprozesses durch Zufuhr von Wärme, durch elektrische Felder oder
Anregung des Sauerstoffs im Plasma erforderlich. Prinzipiell gibt es 3 Verfahren der
SiO2-Bildung: die thermische Oxidation (SiO2-Bildung bei Temperaturen zwischen
500 °C und 1200 °C in oxidierender Atmosphäre), die Plasma-Oxidation (SiO 2-
Bildung bei Temperaturen von ca. 400 °C in reiner Sauerstoffentladung) und das
CVD-Verfahren (SiO2-Abscheidung je nach Verfahren bei Temperaturen zwischen
250 °C und 750 °C). Die anodische Oxidation soll hier nicht betrachtet werden.

2 Thermische Oxidation

2.1 Wichtige Verfahren und ihre Anwendung

Oxidationsverfahren
_____________________________________________________________

Oxidation im Oxidation im Oxidation im

Sauerstoff Sauerstoff mit Wasserdampf (водяна пара)
passivierenden
Zusätzen
____ I ____ ____ I ____ _______ I ________

O2 O2/H2O HCl/O2 Cl2/O2 H2/O2 O2/H2O HCl/O2

(Trocken) (Feucht)

Mit Hilfe der thermischen Oxidation lassen sich zum einen SiO 2-Schichten von sehr
hoher Qualität herstellen, wie sie als Gateoxid in der MOS-Technik benötigt werden;
zum anderen können auch dickere Schichten (> (mehr)0.5 μm) erzeugt werden, die
z.B. als "Feldoxid" oder strukturierbares "Maskieroxid" eingesetzt werden.
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Nur zum Gebrauch als Lehrmaterial innerhalb der TU Chemnitz zugelassen. Nachdruck und Vervielfältigungen verboten.
Die thermische Oxidation wird üblicherweise bei Atmosphärendruck in einem
horizontalen Rohrofen durchgeführt. Um die Oxidationstemperaturen senken zu
können, wurde das Verfahren der Hochdruckoxidation (high pressure oxidation)
entwickelt.
Bei der "feuchten" Oxidation ist die Oxidationsgeschwindigkeit sehr viel größer, so
dass diese Technik zur Herstellung dicker SiO 2-Schichten bevorzugt eingesetzt wird.
Mit "trockener" Oxidation können dagegen SiO2-Schichten mit hoher elektrischer
Durchbruchstabilität und größerer Dichte erzeugt werden. Durch Zusatz einiger
Prozente HCl Salzsäure oder anderer chlorhaltiger Gase kann die Qualität der
Oxidschichten noch weiter verbessert werden.
Nachfolgend ist eine typische Oxidations (=Diffusions)anlage dargestellt.

Bild 1: Prinzipaufbau einer Oxidationsanlage

2.2 Qualitative Beschreibung des Oxidationsvorganges

Die Schichtbildung beginnt mit der Reaktion der schichtbildenden Teilchen an der
Oberfläche des Siliziumkristalls. Danach wandern die schichtbildenden Teilchen
durch die bereits vorhandene Schicht und reagieren an den Grenzflächen (u.U. auch
in der Schicht). Die aufgewachsenen SiO2-Schichten sind in der Regel amorph
(glasartig), d.h. die SiO4--Tetraeder (Si4+ im Zentrum des Tetraeders, O2- an den
Ecken) sind im Gegensatz zum Kristall regellos einander zugeordnet. Dies wird
durch eine große Streubreite des Bindungswinkels an den O 2--Brücken (zwischen
zwei Si-Teilchen) charakterisiert (Netzwerk).
Entgegen vielen Fällen der Metalloxidation ist bei der Siliziumoxidation die
Wanderung von Si-Teilchen zu vernachlässigen (Festigkeit der Tetraederbindung).
Die Oxidation selbst findet an der Si/SiO 2-Grenzfläche statt, so dass die Oxidanten
durch die bereits gebildete Oxidschicht zur Grenzfläche diffundieren müssen.
Während des Oxidationsprozesses wandert die Grenzschicht in das Silizium hinein.
Andererseits expandiert das Volumen, da sich ein Silizium-Atom (r Si = 0,042 nm) mit
zwei Sauerstoffatomen (rO = 0,123 nm ) zu SiO 2 verbindet. Dies hat zur Folge, daß
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die äußere SiO2-Grenzfläche nicht mit der anfänglichen Siliziumoberfläche identisch
sein kann.
Zur Bildung einer SiO2-Schicht der Dicke dOx wird eine Siliziumschicht

dSi = 0,44 dOx

verbraucht.

Bild 2: Wachstum einer SiO2-Schicht (thermische Oxidation) als Funktion der Zeit

2.2.1 Oxidation im trockenen Sauerstoff

Für die Trockenoxidation wird Sauerstoff mit einem H 2O-Gehalt von kleiner 5ppm
verwendet. Ein höherer Wasseranteil würde bewirken, daß die angestrebte
Trockenoxidation unter Umständen unkontrolliert modifiziert wird
(Oxidationsgeschwindigkeit, Oxidqualität, Isolatorladungen, Grenzflächenzustände).
Zur Minimierung der Anzahl der während der Oxidation in das SiO 2 eingebauten
Alkaliionen kann dem Sauerstoff HCl beigefügt werden, wodurch die im
Oxidationsrohr befindlichen Alkaliionen zu Salzen reagieren (NaCl, KCl,...), die bei
den hohen Oxidationstemperaturen gasförmig sind und mit dem strömenden
Sauerstoff abgeführt werden.
Es gilt folgende chemische Reaktion:

Si + O2 → SiO2

Es folgt eine Darstellung der zu betrachtenden Prozesse:

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 Oxidanten-
konzen- pox Oxidantendiffusion / Drift
tration c* und chem. Reaktion an der
cs Grenzfläche

cr
 F1  F2  F3

x
GAS x o OXIDSCHICHT xi SILIZIUM
der Dicke L

Bild 3: Modell zur Oxidantendiffusion: (Trockenoxidation, Feuchtoxidation)

x = x0 : Eintritt der O2-Teilchen ins SiO2 unter Bildung von O2, O, O2- und O- x0
< x < xi : Bewegung der Sauerstoffteilchen durch das SiO2 infolge Diffusion und
Drift
x = xi: chem. Reaktion der Sauerstoffteilchen mit dem Silizium
Der Sauerstoffteilchenstrom durch das SiO2 setzt sich also aus einem Drift- und
einem Diffusionsanteil zusammen, wobei der Driftanteil in der quantitativen
Beschreibung der Trockenoxidation nicht vernachlässigbar ist.

2.2.2 Oxidation im Wasserdampf (Feuchtoxidation)

Bei der Feuchtoxidation wird Wasserdampf in das Oxidationsrohr gebracht. Die

Bereitstellung des Wasserdampfes kann auf verschiedenen Wegen erfolgen:
- Beladen eines Trägergases (O2, N2) mit H2O-Dampf oder
- Synthese von H2O durch Reaktion von H2 mit O2 im Oxidationsrohr

Analog zu Bild 3 gilt:

x = x0: Aufspaltung des H2O an der SiO2-Oberfläche unter Bildung von OH-
Gruppen und geladenen Teilchen (OH-, O2-, O-) H-O-H + 2
(≡Si-O-Si≡) → 2 (≡Si-OH)
x0 < x < xi : Bewegung der OH-Gruppen und der geladenen Teilchen durch das
SiO2 vorrangig infolge Diffusion
x = xi: Reaktion der OH-Gruppen und der geladenen Teilchen mit dem
Silizium, wobei der entstehende Wasserstoff aus dem SiO2 her-
ausdiffundiert
2 (≡Si-OH) + 2 (=Si=) → 2 (≡Si-O-Si≡) + H2

Der Teilchenstrom durch das SiO2 kann sich auch hier aus einem Diffusions- und
Driftanteil zusammensetzen, für die Feuchtoxidation ist der Driftanteil aber in erster
Näherung zu vernachlässigen.

2.3 Quantitative Beschreibung des Oxidationsvorganges

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Das Ziel der quantitativen Beschreibung des Oxidationsvorganges ist es, einen
Zusammenhang zwischen der Oxiddicke und den verschiedenen
Oxidationsparametern (Zeit, Temperatur, Druck, Dotantenkonzentration im Silizium,
HCl-Konzentration, H2/O2/N2-Verhältnis, Orientierung des Siliziumsubstrates) zu
finden, um die Oxidation in komplexen Technologien gezielt nutzen zu können.
Diese modellmäßige Beschreibung von technologischen Prozessen erlangt mit
Erhöhung des Integrationsgrades immer mehr an Bedeutung. Dies gilt vor allem für
zwei- und dreidimensionale Rechnungen an strukturierten Gebieten, z.B.
strukturierten Si3N4-Schichten für die lokale Oxidation.
Als Grundlage zur Verknüpfung von Theorie und Praxis soll hier zunächst das
einfachste Modell der thermischen Oxidation, das Modell von DEAL und GROVE
kurz erläutert werden.

2.3.1 Einkomponenten-Flußmodell nach DEAL und GROVE

Zur Beschreibung der Oxidation von einkristallinem Silizium wird ein einfaches
Modell abgeleitet, welches zur Erfassung darin nicht enthaltener Einflüsse weiter
empirisch modifiziert werden kann.

Die Oxidwachstumsgeschwindigkeit dL/dt wird gemäß hier: L = Oxiddicke

dL 1
= F3 (1) dt
NOx

bestimmt.
NOx ist die Atomkonzentration des im Oxid chemisch gebundenen Sauerstoffs

ρ
Nox = ν • SiO2 • NA

MSiO2 (2)

mit: v = stöchiometrischer Koeffizient der Reaktion

(v = 1 für O2-, v = 2 für O, OH)
ρSiO2 = Massendichte des SiO2 Nox
= Dichte des Sauerstoffs im SiO2
NA = Avogadrosche Zahl (6,023 1023 Mol-1)
MSiO2 = Molmasse des SiO2

F3 ist der Fluß der durch die Oxidationsreaktion verbrauchten Oxidanten.

Die Oxidationsreaktion ist von erster Ordnung, so daß für F3

F 3 = k r • Cr (3)

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gilt. Cr ist die Konzentration freier Oxidanten an der Reaktionsfläche und kr die
Reaktionsgeschwindigkeitskonstante. Cr soll nicht von der Konzentration
möglicherweise entstehender Nebenprodukte, sondern nur von der Adsorption und
Diffusion des Oxidanten abhängen.

Die bei diesen Prozessen auftretenden Oxidantenflüsse sind

Cs
= h (C* - Cs) , F2 = D - Cr
F1 (4)
L

h ist der Gasphasen-Transportkoeffizient,

C* = K* • pOx (5)

ist die dem Partialdruck pOx des Oxidanten entsprechende

*
Gleichgewichtskonzentration des Oxidanten im Oxid, K der Adsorptionskoeffizient
und CS die tatsächliche Oxidantenkonzentration an der Gas/SiO2-Grenzfläche.

Unter stationären Bedingungen (F1 = F2 = F3) können aus (2) – (4) die
Konzentrationen eliminiert werden und man erhält

dL = 1 • K* • pOx ≡ B (6) dt NOx 1+1+L A + 2L kr h

D

Die Integration von (6) ergibt

+ AL = B • t , L(t) = A ( 1 +
2
t -1 ) (7)
L 2 A2 /4B

Wird statt t der Ausdruck (t+τ) gesetzt, kann mit τ eine Anpassung der
Näherungsrechnungen an die Experimente vorgenommen werden, z.B. bei der
Trockenoxidation.
Für kurze Oxidationszeiten (t << A2/4B) wächst das Oxid gemäß

B
L(t) = •t (8)
A

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mit der linearen Wachstumsrate B/A

K
B = * • pOx ( 1 + 1 )-1 ≡ Kl • pOx (9)
A NOx kr h

Für lange Oxidationszeiten (t >> A2/4B) wächst das Oxid entsprechend

L(t) = B • t
(10)

mit der parabolischen Wachstumsrate B

2K*
B= D • pOx ≡ Kp • pOx (11)
NOx

Kl und Kp repräsentieren die linearen bzw. parabolischen Wachstumskonstanten,

welche für die Modellierung der Oxidationsprozesse geeigneter sind.
Wegen h >> kr wird das Oxidwachstum in der Anfangsphase hauptsächlich von der
Reaktionsgeschwindigkeit, nach langer Oxidationsdauer dagegen von der
Diffusionsgeschwindigkeit bestimmt. Daher besitzen Kl und Kp im Wesentlichen die
Temperaturabhänigkeit von kr bzw. D und können durch die Arrheniusgleichungen
dargestellt werden.

ΔWx ) (12)
Kx = Kx0 exp (- k

•T
(x steht für linear bzw. parabolisch)

Sowohl der Vorfaktor Kx0 als auch die Aktivierungsenergie ΔWx sind bei der linearen
Konstanten orientierungsabhängig.

Dünne Oxidschichten und deren beschleunigtes Anfangswachstum (Feldeinfluß bei

der Trockenoxidation) müssen nach dem Modell von MASSOUD berechnet werden.
2.3.2 Beschleunigtes Anfangswachstum nach MASSOUD

Bei dünnen Oxiden ( ≤ 50 nm) erfolgt durch die Wirkung elektrischer Felder auf den
Oxidantentransport im SiO2 ein gegenüber dem klassischen Deal-Grove-Modell
beschleunigtes Oxidwachstum. Eine weitere Ursache dafür sind morphologische
Defekte (Poren), deren Dichte mit wachsender Oxiddicke abnimmt.

In diesem Falle kann die Gleichung (6) wie folgt modifiziert werden
a) schnelle analytische Lösung:
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dL = B + U* exp (- t / τ2) (13)
dt A + 2L

U* und τ2 sind empirisch gefundene Werte, die eine Beschleunigung der Oxidation für
t < τ zu modellieren erlauben.

b) numerische Lösung:

dL B
= + V* exp (- L / L0) (14) dt A + 2L
Analog zu Gleichung (13) wird auch hier mit den Parametern V* und L0 ein
beschleunigtes Oxidwachstum simuliert.

2.3.3 Modellierung der Wachstumsraten

Die Wachstumsraten können zur Erfassung weiterer Einflüsse auf das

Oxidationsverhalten durch bestimmte Faktoren modifiziert werden. Diese werden als
voneinander unabhängig wirkend angenommen und stellen eine empirische
Erweiterung des Deal-Grove-Modells dar.
Somit ergibt sich folgende Schreibweise als allgemeiner Ansatz für dotiertes Silizium:

- Oxidation in trockenem Sauerstoff

p
B1 = Kp(O2) • (O2) • Fp (15)

B1 = • p(O2)m • Fl (16)
A1 Kl(O2)

- Feuchtoxidation

p
B2 = Kp(H2O) • (H2O) • Fp (17)

p
B2 = • (H2O)n • Fl (18)
A2 Kl(H2O)

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Die Abhängigkeit der Wachstumsraten vom Partialdruck der Oxidanten wird durch
einen Potenzansatz empirisch beschrieben. Die Exponenten m und n müssen
experimentell ermittelt werden.

Fl und Fp beschreiben die Wachstumsbeschleunigung durch Dotierung. Wegen des

gegenüber Silizium vergrößerten Raumbedarfs von SiO2 wird die Oxidationsreaktion
durch die Anwesenheit von Leerstellen im Silizium begünstigt.

Ist die Vakanzenkonzentration Cv gegenüber ihrem Intrinsic-Wert Cvi durch hohe

Dotierung vergrößert, steigt infolgedessen kr und damit Kl an. Unter Annahme einer
linearen Abhängigkeit erhält man

Fl (n) = 1 + γ (CCvi - 1)

(19)

mit

n n n
1 C C C )
+ n ni ni
+ i - 2- 2
( )+ ( )+ ( v
C
=
Cv 1 + C + + C - + C 2-
i

+ E+ - E i - = exp(Ei - E-), C2- = exp(2 Ei - E- - E2-)

C = exp( ), C
kT kT kT

wobei n und ni die Elektronendichten im dotierten bzw. undotierten (Intrinsic-) Fall

sind. E+, E-, E2- und Ei bezeichnen die Lage der Energieniveaus der verschiedenen
geladenen Vakanzen und des Intrinsicniveaus im Bändermodell.

Dotanten gelangen durch Segregation ins Oxid und erhöhen dort den
Diffusionskoeffizienten der Oxidanten. Dadurch entsteht eine vergleichsweise
schwache Vergrößerung von Kp, die durch

Fp (CD,A) = 1 + δ ( CD,-A 3 )β
cm (20)

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ausgedrückt wird. In CD,A geht die chemische Dotantenkonzentration (Donator,
Akzeptor) ein, und die experimentellen Werte δ, γ und β werden in Arrhenius-Form
dargestellt.

Zusätze von einem geringen Prozentsatz HCl bei der Gateoxidation wirken sich
ebenfalls beschleunigend auf die Oxidation aus und müssen durch modifizierte
Wachstumskonstanten Kl,p berücksichtigt werden.

2.3.4 Modell der gemischten Flüsse

Besteht die Oxidationsatmosphäre aus O2 und Wasserdampf mit entsprechenden

Partialdrücken, so muß das Modell der gemischten Flüsse zur Anwendung kommen.
Als resultierende Wachstumsrate erhält man mit (15) - (18)

B = B1 + B2 (21)

und

A = A1B1 + A2B2 (22)

B1 + B 2

2.3.5 Bestimmung der Konstanten A und B

Zur Bestimmung der Konstanten A und B des linear/parabolischen Wachstums der

Feuchtoxidation kann in guter Näherung eine einfache grafische Methode
angewendet werden. Teilt man das Wachstumsgesetz durch L und stellt L als
Funktion von (t / L) in einem entsprechenden Koordinatensystem grafisch dar, so hat
die entstehende Gerade den Anstieg B und schneidet die L-Achse bei A.

t
L=B -A (23)
L

Eine genaue Berechnung der Parabelkonstanten ist durch Parabelregression

möglich.

3 Arbeiten mit dem Programmsystem OXI

3.1 Programmangebot

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Das Programm bietet folgende Lösungsverfahren an:
1. Deal-Grove-Modell
(schnell; ungenau für dünne Oxide)

2. Massoud, analytisch
(schnell, verbesserte Berechnung für dünne Oxide)

3. Massoud, numerisch
(langsam; genau bei dünnen Oxiden)

Bei Oxiddicken, die so gering sind, daß das Deal-Grove-Modell nicht sinnvoll
angewendet werden kann, wird automatisch das analytische Massoud-Modell
verwendet.

3.2 Erläuterungen zum Programminhalt

Das vorliegende Programm ist geeignet, die Abhängigkeit des Oxidwachstums von
den verschiedenen technologischen Parametern darzustellen. Als Substratmaterial
können verwendet werden:
- einkristallines Silizium Kennzahl 1
- Siliziumnitrid Kennzahl 2
- polykristallines Silizium Kennzahl 6
- Molybdändisilicid Kennzahl 7
Es ist hervorzuheben, daß bei beiden Siliziumvarianten (1 und 6) der Einfluß der
Dotantenkonzentration auf die Oxidwachstumsgeschwindigkeit berücksichtigt wird.
Die Art des Dotanten wird bei der Eingabe der chemischen Nettokonzentration durch
ein positives (Akzeptor) bzw. negatives (Donator) Vorzeichen fixiert.
Folgende technologische Bedingungen sind simulierbar:
- Dampfoxidation (Normaldruck) Kennzahl 1
- Wasserstoffverbrennung H2/O2 Kennzahl 2 - Wasserstoffverbrennung
H2/O2/N2 Kennzahl 3
- Trockenoxidation Kennzahl 4 - HCl-O2-Oxidation Kennzahl 5
- Dampfoxidation (Hochdruck) Kennzahl 6
Die Abhängigkeit der Oxidationsrate von der Temperatur, der Orientierung, dem
Leitungstyp, der Dotantenkonzentration sowie der Anfangsoxiddicke werden
berücksichtigt.

3.3 Allgemeiner Programmablauf

Nach der Wahl des zu oxidierenden Materials sowie der Festlegung auf ein
bestimmtes Verfahren werden die jeweils benötigten Parameter abgefragt. Die

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Ergebnisse der Berechnungen können auf verschiedene Weise dargestellt werden.
Unter "Art der Rechnung" wird der gewünschte Modus abgefragt.
Es gibt folgende Möglichkeiten:
- ohne Steuerkurve "0" - 1.....1000 min "1"
- 1.....1000 nm "2"
Bei Eingabe einer "0" wird ein einzelner Wert berechnet, und zwar kann mit "OD" die
Oxiddicke (Prozeßzeit und Anfangsoxiddicke sind gefragt) bzw. mit "OZ" die
notwendige Oxidationszeit zur Erreichung einer bestimmten Oxiddicke ermittelt
werden.
Erfolgt eine automatische Variation der Parameter "Oxidationszeit" (Eingabe einer
"1") oder "Oxiddicke" (Eingabe einer "2"), kann nach der Ergebnistabelle auch eine
grafische Darstellung realisiert werden. Die Eingabe der Darstellungsart sowie der
minimalen bzw. maximalen Zeit oder der Oxiddicke als Abzissenwert erfolgt, durch
Leerzeichen getrennt, fortlaufend. Dies gilt auch für die entsprechenden
Ordinatenwerte, wobei der Darstellungsbereich anhand der Tabelle ausgewählt
werden muß. Die Tabelle gibt lediglich eine schnelle Übersicht über die typischen
Werte.

4 Versuchsaufbau und -durchführung

Die Oxidation wird in Quarzrohren, die sich in widerstandsgeheizten Rohröfen

befinden, durchgeführt. Die Öfen haben eine temperaturkonstante Zone (ΔT< 1K)
mit einer Länge von etwa 90 cm.

Für eine Feuchtoxidation werden Wasserstoff und Sauerstoff in einem speziellen

Brenner „verbrannt“ (Knallgasreaktion) und damit wird sehr heißer Wasserdampf in
das Oxidationsrohr geleitet.
Sie lernen den Ablauf der thermischen Oxidation kennen.

5 Aufgabenstellung

1. Erklärung des Aufbaus der Oxidationsanlage im ZfM

2. Die Dicke der Oxidschicht ist anhand der ausliegenden Farbtabelle durch
Vergleich zu bestimmen und anschließend mittels Ellipsometrie auszumessen.
3. Ermitteln Sie mit Hilfe des PC typische Kennlinienfelder L = f(t) und stellen diese
grafisch dar.

6 Schwerpunkte der Versuchsvorbereitung

1. Leiten Sie die Beziehung für die Konzentration der im Oxid eingebauten
Sauerstoffteilchen (Gleichung 2) her !
2. Es ist zu zeigen, daß für das Verhältnis der Dicke der verbrauchten
Siliziumschicht ΔxSi zur Dicke der gebildeten SiO2-Schicht L der Ausdruck

ß = ΔxSi / L = (MSi / ρSi) / (MSiO2 / ρSiO2) = 0,44

gültig ist.
3. Vertiefung des Wissens zu folgenden technologischen Aspekten:
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 - Hochdruckoxidation
- Reinheit der Medien (H2O-Dampf durch Knallgasreaktion)
- Rohrmaterialien
- Oxidation unter Zusatz von HCl bzw. anderer Chlorverbindungen

7 Literatur
/1/ Deal, B. E.; Grove, A. S.;
General relationship for the thermal oxidation of silicon
J. Appl. Phys. 36 (1965) 12, S. 3770 - 3778
/2/ Widman, D.; Mader, H.; Friedrich, H.;
Technologie hochintegrierter Schaltungen
Springer- Verlag 1988
/3/ Beneking, H.; Halbleitertechnologie
B. G. Teubner Stuttgart; 1991
/4/ Schade, K.;
Halbleitertechnologie Band 1
Verlag der Technik Berlin
/5/ Büttgenbach, S.;
Mikromechanik
Teubner Studienbücher Physik/Elektrotechnik
/6/ Hoppe, B.
Mikroelektronik 2, Kamprath-Reihe, Vogel
Fachbuch Verlag Würzburg 1998 /7/
Schumicki, G.; Seegebrecht, P.
Prozeßtechnologie
Springer-Verlag 1991

13
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