Elektronik 1 Dritte Einheit: Werkmeisterschule Bfi NÖ Wolfgang Kainrath WS 2015/16

Elektronik 1
dritte Einheit
Werkmeisterschule bfi NÖ
Wolfgang Kainrath
WS 2015/16
Transistor
• Ein „Kofferwort“:
• Transfer resistor
Elektronik 1 2
Transistor
• Transfer resistor
Elektronik 1 3
Transistor
• Transistor
Elektronik 1 4
Transistor
• Herkunft und Verwendung:
• 2 Probleme in der Elektro- / Nachrichten-

Technik:
Elektronik 1 5
Transistor
• 2 Probleme in der Elektro- / Nachrichten-

Technik:
• Elektrisches Schalten
• Verstärkung von Wechselspannungen
Elektronik 1 6
Transistor
• Erste elektrisch gesteuerte

Schalter:
• Relais
(elektromechanischer http://www.1600i.de/1600i-
elektronik/relais-steuergeraet/relais-
Schalter) offen-seite.jpg
Elektronik 1 7
Transistor
• Relais brauchen ordentlich Strom, sind

langsam und störungsanfällig
• Wurden bald durch Röhren ersetzt!
Elektronik 1 8
https://www.emsp.tu-berlin.de/fileadmin/fg232/
Elektronik 1 Lehre/MixedSignal/Bilder/BLACK_CAT/gluehende_roehren.jpg 9
Transistor
• Röhren benötigen Heizleistung, sind

voluminös, Lebensdauer kurz (einige
Jahre)…
• Können nicht nur schalten, sondern auch

verstärken
Elektronik 1 10
Transistor
• Der erste Computer von Konrad Zuse (Z3,

1941) war ausschließlich aus 2600 Relais
aufgebaut.
• Einer der ersten Großrechner "ENIAC" in

den USA arbeitete im Jahr 1946 mit 14468
Elektronenröhren.
Elektronik 1 11
http://www.technikum29.de/shared/photos/rechnertechnik/anita-innen.jpg
Elektronik 1 12
Transistor
• Mitte des 20. Jahrhunderts wurde von

vielen Forschern ein Ersatz auf
Halbleiterbasis für diese Bauteile gesucht
Elektronik 1 13
Transistor
• Walter Schottky konnte 1939 eine Diode

auf Halbleiterbasis herstellen, die
• Spitzendiode
Elektronik 1 http://www.leifiphysik.de/themenbereiche/transistor/geschichte 14
Transistor
• Um die Metallspitze bildet sich ein kleiner,

p-leitender Bereich, weil auf Grund der
niedriger liegenden Energieniveaus im
Metall die Elektronen dorthin abfließen
• Vorläufer der Schottky-Diode
Elektronik 1 15
Transistor
• 1948 bauten Shockley, Bardeen und
Brattain, die ein großes Team der Bell
Labs leiteten, den ersten pnp-Transistor
• Zwei Goldspitzen erzeugten kleine p-

leitende Bereiche in einem n-leitenden
Germaniumkristall
Elektronik 1 16
Elektronik 1 17
Transistor
• Erst später (50er Jahre) wurde die
Planartechnik entwickelt, bei der die
gewünschten Strukturen mittels
photolithographischer Methoden auf einem
Einkristallplättchen hergestellt wurden.
Elektronik 1 18
Transistor
• In den 1960er Jahren wurden
Feldeffekttransistoren zur Serienreife
entwickelt.
• Ihre Funktion entspricht weitgehend jener

von Elektronenröhren
Elektronik 1 19
Transistor
• Ihre Funktion entspricht weitgehend jener
von Elektronenröhren
• Heute haben sie die bipolarenTypen

weitgehend verdrängt
Elektronik 1 20
http://www.radartutorial.eu/21.semiconductors/pic/transistoren.png
Elektronik 1 21
Bipolare und unipolare
Transistoren
• Grobe Einteilung nach Funktion und
Aufbau
• Bipolare Transistoren: stromgesteuerte

Stromverstärker
• Unipolare Transistoren:
spannungsgesteuerte Widerstände
Elektronik 1 22
Bipolare Transistoren
http://img.webme.com/pic/h/hobbyelektronik/transistor1.jpg
Elektronik 1 23
Bipolare Transistoren
• Der durch den Transistor fließende Strom
durchquert n-Leiter und p-Leiter
• also Halbleiter beider Polarität
• Bipolarer Transistor
Elektronik 1 24
Bipolare Transistoren: Aufbau
• Bipolarer Transistor = Dreischichthalbleiter
• „Dreipol“
• Anschlüsse –
Emitter, Basis, Kollektor
https://qph.is.quoracdn.net/main-qimg-9b58be1f7188ec19810ca02284ee111c?convert_to_webp=true
Elektronik 1 25
• Zwei Möglichkeiten:
• npn-Transistor
• pnp-Transistor
Elektronik 1 http://www.helmutdisse.de/transistoren.htm 26
• Die Schaltsymbole für bipolare
Transistoren:
http://1.bp.blogspot.com/-
16ACJOMkSMQ/UcnSBS0HH3I/
AAAAAAAAAM8/vQsDhMejrzE/s
1600/NPNvsPNP.png
Elektronik 1 27
npn-Transistor: Funktion
• Zwei p-n-Übergänge
zwischen Kollektor und
Emitter:
• Eine Diode sperrt immer, http://www.helmutdisse.d

e/transistoren.htm
unabhängig von der Polarität
Elektronik 1 28
• Legt man den Kollektor an
positive Spannung, sperrt
die Kollektor-Basis-Diode
• Daher fließt auch zwischen

Basis und Emitter kein
Strom http://www.helmutdisse.d
e/transistoren.htm
Elektronik 1 29
• Legt man aber die
Basis an positive
Spannung, beginnt bei
Erreichen der
Diffusionsspannung
zwischen Basis und
Emitter ein Strom zu http://www.helmutdisse.d
fließen e/transistoren.htm
Elektronik 1 30
• Da die Basis dünn und
schwach dotiert ist,
können nicht alle
Leitungselektronen aus
dem Emitter in der
Basis rekombinieren
http://www.helmutdisse.d
e/transistoren.htm
Elektronik 1 31
• Sie werden von der
positiven Spannung
am Kollektor
angezogen,
durchqueren die Basis
und fließen durch den
Kollektor ab http://www.helmutdisse.d
e/transistoren.htm
Elektronik 1 32
• Geometrischer Aufbau
und die Dotierung der
einzelnen Schichten
bestimmen, wie viele
Ladungsträger durch
die Basis und wie viele
durch den Kollektor http://www.helmutdisse.d
abfließen e/transistoren.htm
Elektronik 1 33
• Das Verhältnis von Kollektorstrom IC zu
Basisstrom IB nennt man die
„Stromverstärkung“ B des Transistors
𝐼𝐶
𝐵=
𝐼𝐵
• Ihr Wert liegt oft zwischen 100 und 1000

Elektronik 1 34
𝐼𝐶
𝐵=
𝐼𝐵
http://www.leifiphysik.de/sites/default/fil
es/medien/verstaerk1_transistor_gru.gif
Elektronik 1 35
• Die Stromverstärkung ist relativ
unabhängig von der Stromstärke
https://www.fairchildsemi.com/
datasheets/bc/bc547.pdf
Elektronik 1 36
• Im Datenblatt heißt dieser Parameter hFE
(engl. hybrid equivalent circuit
forward current amplification
common emitter)
𝐼𝐶
ℎ𝐹𝐸 =𝐵=
𝐼𝐵
Elektronik 1 37
• Dabei bezieht sich hFE (deutsch B)auf die
Gleichstrom- (gesamte), hfe (deutsch β)
auf die Wechselstrom- (differentielle)
Verstärkung
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/bc/bc547.pdf
Elektronik 1 38
• Da hFE stark von Dotierung und
Schichtstärke abhängt, kann es für ein und
denselben Transistortyp erheblich
schwanken
https://www.fairchildsemi.com/datasheets/bc/bc547.pdf
Elektronik 1 39
npn-Transistor: Schaltung
• Wie (und wofür) kann ein Transistor in
einer Schaltung eingesetzt werden?
• Wichtigste Anwendungen sind
• Verstärker
• Schalter
Elektronik 1 40
• Verstärker
• Ein Eingangsstromkreis steuert einen

Ausgangskreis
• Steuerelement ist ein Vierpol
Elektronik 1 41
• Steuerelement ist ein Vierpol
http://eitidaten.fh-pforzheim.de/daten/mitarbeiter/mohr/materialien/ET3/Skript-ET3-Kap04.pdf
Elektronik 1 42
• Der Transistor ist aber ein…
• „Dreipol“
https://qph.is.quoracdn.net/main-qimg-9b58be1f7188ec19810ca02284ee111c?convert_to_webp=true
Elektronik 1 43
• Ein Anschluss des Transistors muss also
beiden Stromkreisen angehören
• Danach unterscheidet man Emitter-,

Basis- und Kollektorschaltung
Elektronik 1 44
Emitter – Schaltung
• Die einfachste und häufigste Schaltung
eines bipolaren Transistors
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/schalt/02043022.gif
Elektronik 1 45
• Wird UB > 0,7 V, fließt ein Basisstrom
Elektronik 1 46
• Der Basisstrom ist (für Si-Transistoren)
𝑈𝑒 − 0,7𝑉
𝐼𝐵 =
𝑅𝑉
Elektronik 1 47
• Damit wird der Kollektorstrom zu
𝑈𝑒 − 0,7𝑉
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 ∗ 𝐵 = 𝐵 ∗
𝑅𝑉
Elektronik 1 48
• Dadurch steigt die Spannung an RC
𝑈𝑒 − 0,7𝑉
𝑈𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 = 𝐵 ∗ 𝑅𝐶 ∗
𝑅𝑉
Elektronik 1 49
• Die Ausgangsspannung sinkt also bei
steigender Eingangsspannung
• „Invertierender Verstärker“
Elektronik 1 50
• Erst wenn die Kollektor-Emitterspannung
unter einen gewissen Wert sinkt (~ 0,2 V),
sinkt die Stromverstärkung stark ab
• „Sättigung“
Elektronik 1 51
• Diese einfache Schaltung verstärkt den
Strom um B und die Spannung um
𝑈𝑎 𝑅𝐶
= −𝐵 ∗
𝑈𝑒 𝑅𝑣
http://www.elektronik-
kompendium.de/sites/slt/schalt/020
43022.gif
Elektronik 1 52
• Die Verstärkungseigenschaften eines npn-
Transistors in Emitterschaltung lassen sich
berechnen
• z.B.:
RV = 10 kΩ
RC = 680 Ω
UB = 200 http://www.elektronik-
UB = 12 V 43022.gif
Elektronik 1 53
• RV = 10 kΩ
RC = 680 Ω
B = 200
UB = 12 V
Elektronik 1 54
• RV = 10 kΩ
RC = 680 Ω
B = 200
UB = 12 V
Elektronik 1 55
• Spannungsverstärkung der
Emitterschaltung:
Elektronik 1 56
• Bei UE < 0,7 V sperrt der Transistor

• Bei UE > 1,4 V (in dieser Beschaltung) ist
er „in der Sättigung“
Elektronik 1 57
Transistor als Schalter
• Wird ein Transistor als Schalter
verwendet, sind nur die Zustände „ein“ ind
„aus“ relevant
• „aus“ bedeutet, dass der Transistor sperrt
• „ein“ heißt, dass der Transistor in der

Sättigung ist
Elektronik 1 58
• „ein“ heißt, dass der Transistor in der
Sättigung ist – der Basisstrom ist meist der
doppelte bis dreifache notwendige
Sättigungsstrom
• Bei Pegelwechsel sollte der Bereich

zwischen „aus“ und „ein“ schnell
durchlaufen werden
Elektronik 1 59
• Bei Pegelwechsel sollte der Bereich
zwischen „aus“ und „ein“ schnell
durchlaufen werden
• So wird höhere Verlustleistung

(Erwärmung) und die Gefahr undefinierter
Ausgangspegel ausgeschlossen
Elektronik 1 60
Schalten kapazitiver Last
• Bei kapazitiver Last fließt im
Moment des Einschaltens
ein großer Strom
• Gleichzeitig bleibt die

Spannung am Kondensator
niedrig, während jene am
Transistor hoch ist http://www.elektropla.n
et/grundlagen/transist
or_als_schalter/schalt
ung_kap_last.jpg
Elektronik 1 61
• Bei großen
Kapazitäten kann das
zu thermischer
Zerstörung des
Transistors führen
http://www.elektropla.net/grundlagen/transist
or_als_schalter/schaltung_kap_last.jpg
Elektronik 1 62
• Daher ist ein

Widerstand in Serie
zum Kondensator
wichtig!
or_als_schalter/schaltung_kap_last.jpg
Elektronik 1 63
Schalten induktiver Last
• Bei induktiver Last entsteht

im Moment des
Ausschaltens durch
Selbstinduktion der Spule
eine hohe Spannung
http://www.bibianatroo
st.de/Webcard/elektro
nik/bauteile/transistor/i
ndukschalter.PNG
Elektronik 1 64
• Um den Transistor
nicht zu zerstören,
verwendet man eine
„Freilaufdiode“
or_als_schalter/schaltung_induk_last.jpg
Elektronik 1 65
• Diese verhindert
Spannungsspitzen,
die den Transistor
zerstören können
or_als_schalter/schaltung_induk_last.jpg
Elektronik 1 66
Transistor als Verstärker
• Hier ist ein möglichst konstanter
Verstärkungsfaktor über den gesamten
Eingangssignalbereich wünschenswert
Elektronik 1 67
• Sonst wird das Ausgangssignal
„eingedellt“
Elektronik 1 68
• Das ist insbesondere bei Audio-
Verstärkern ein Problem
Elektronik 1 69
• Sieht nicht schlimm aus?
• Aber: das Ohr kann nur Sinustöne hören!

Elektronik 1 70
• Das Ohr führte eine Fourier-Analyse des
akustischen Signals durch
• Danach besteht jedes periodische Signal

aus einer Überlagerung der
Grundschwingung und von
Oberschwingungen, deren Frequenz ein
Vielfaches der Grundschwingung beträgt
Elektronik 1 71
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/fa/Fourier_synthesis.svg/748px-Fourier_synthesis.svg.png
Elektronik 1 72
• Das charakteristische Muster aus Grund-
und Obertönen macht den „Klang“ eines
Tones aus
• So kann man verschiedene Instrumente

unterscheiden
• Oder verschiedene Menschen am Klang

ihrer Stimme
Elektronik 1 73
• Ändert sich die Verstärkung abhängig vom
Eingangssignalpegel, wird das
Obertonmuster verzerrt
• Diesen Effekt nennt die Audio-Technik

„Klirren“
• „Klirrfaktor“
Elektronik 1 74
• Sei U0 der Effektivwert der Spannung der
Grundschwingung und U1, U2, etc. jene
der Oberschwingungen, ist der Klirrfaktor k
2 2 2
𝑈1 + 𝑈2 + ⋯ + 𝑈𝑛
𝑘=
2 2 2 2
𝑈0 + 𝑈1 + 𝑈2 + ⋯ + 𝑈𝑛
Elektronik 1 75
𝑈1 2 + 𝑈2 2 + ⋯ + 𝑈𝑛 2
𝑘=
𝑈0 2 + 𝑈1 2 + 𝑈2 2 + ⋯ + 𝑈𝑛 2
• k ist eine dimensionslose Größe und wird

in % angegeben
Elektronik 1 76
• Ein geschultes Ohr kann einen Klirrfaktor

von 1% gerade noch hören
• Eine gute Stereoanlage hat k < 1 %
Elektronik 1 77
Emitterschaltung mit
Stromgegenkopplung
• Um die Verzerrungen zu verringern, wird

oft eine Stromgegenkopplung verwendet
• Das verringert die Strom- und Spannungs-

Verstärkung, macht sie aber linearer
Elektronik 1 78
Elektronik 1 http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/schalt/02041342.gif 79
Emitterschaltung mit
Stromgegenkopplung
• Dabei wird die Spannungsverstärkung
𝑈𝑎
𝑉=
𝑈𝑒
• zu
𝑈𝑎 𝑅𝐶
𝑉= =
𝑈𝑒 𝑅𝐸
• wenn sie klein ist gegen die
Gleichstromverstärkung des Transistors
Elektronik 1 80
Elektronik 1 81
Basisschaltung
• Ist die Basis Teil des Eingangs- wie des
Ausgangskreises, nennt man das
Basisschaltung
• Eingang Emitter
• Ausgang Kollektor
kompendium.de/sites/slt/sc
halt/02050812.gif
• Nicht invertierend
Elektronik 1 82
Basisschaltung
• Geringer Eingangswiderstand
• Spannungsverstärkung hoch
(etwas höher als bei
Emitterschaltung)
• Gleichstromverstärkung
halt/02050812.gif
B≈1
Elektronik 1 83
Basisschaltung
• Hohe Grenzfrequenz
• Ausgangswiderstand gleich
dem Kollektorwiderstand
• Eingesetzt als HF-Verstärker

halt/02050812.gif
Elektronik 1 84
Kollektorschaltung
• Die Kollektorschaltung ist im Prinzip wie
eine Emitterschaltung mit umgekehrtem
Ausgang aufgebaut
• Eingang Basis
• Ausgang Emitter
halt/02050812.gif
Elektronik 1 85
Kollektorschaltung
• Wird auch Emitterfolger genannt
• Gleichstromverstärkung hoch
• Spannungsverstärkung
knapp unter 1
halt/02041332.gif
Elektronik 1 86
Kollektorschaltung
• Eingangswiderstand hoch
• Ausgangswiderstand niedrig
• Wenig Verzerrungen
• Nicht invertierend
halt/02041332.gif
Elektronik 1 87
• Mittlere bis hohe Spannungs- und
Stromverstärkung
• Hoher Eingangs-,
niedriger Ausgangs-
widerstand
2043022.gif
• Verzerrungsfrei nur für kleine

Eingangsspannung
Elektronik 1 88
• Wird in fast allen Bereichen der Elektronik
eingesetzt
• Speziell Kleinsignal-
verstärker, Eingangsstufen
2043022.gif
Elektronik 1 89
pnp-Transistor
• Aufbau komplementär zum
npn-Transistor
• Basis-Emitter-Diode hat die

umgekehrte Polung wie beim
npn-Transistor
http://www.helmutdisse.d
e/transistoren.htm
Elektronik 1 90
pnp-Transistor
• Für Si-pnp-Transistoren
muss die Basis 0,7 V
negativer als der Emitter
sein, damit der Transistor
durchschaltet
http://1.bp.blogspot.com/-
16ACJOMkSMQ/UcnSBS0HH3I/A
AAAAAAAAM8/vQsDhMejrzE/s160
0/NPNvsPNP.png
Elektronik 1 91
pnp-Transistor
• Werden alle Polaritäten
invertiert, funktioniert der
pnp- wie ein npn-
Transistor
• Abgesehen von der

unterschiedlichen
Ladungsträger- http://1.bp.blogspot.com/-
16ACJOMkSMQ/UcnSBS0HH3I/A
Beweglichkeit AAAAAAAAM8/vQsDhMejrzE/s160
0/NPNvsPNP.png
Elektronik 1 92
pnp-Transistor
• pnp- und npn-Transistoren mit gleichen
Eigenschaften (bis auf die Polarität)
werden als „komplementäre Typen“
bezeichnet (z.B. BC550 und BC560)
• Sie werden etwa für Gegentakt-

Verstärkerstufen verwendet
Elektronik 1 93
Elektronik 1 94
Arbeitspunkt
• Um gute Verstärkereigenschaften zu
erreichen, sollten Spannungen und
Ströme am Transistor in der Mitte des
linearen Bereichs liegen
• Man nennt das die Arbeitspunkteinstellung
Elektronik 1 95
Elektronik 1 96
Arbeitspunkt
• Die Koppelkondensatoren CK dienen dabei
der Gleichspannungsisolierung zwischen
den einzelnen Verstärkerstufen
• Da die zu verstärkenden Signale in der

Regel Wechselspannungen sind, werden
sie über die Kondensatoren übertragen
Elektronik 1 97
Arbeitspunkt
• Je höher die Frequenz der Schaltung ist,
desto geringer kann CK sein
• Verstärker bestehen meist aus mehreren

Stufen, da eine Stufe mit geringer
Verstärkung bessere Linearität (weniger
Klirr) aufweist
Elektronik 1 98
Rauschen
• Die Rauschspannung steigt mit der
Temperatur
• Das Rauschsignal ist auf alle Frequenzen

verteilt
• Normal ist es vernachlässigbar im

Vergleich zum Signalpegel
Elektronik 1 99
Rauschen
• Entscheidend für das Rauschverhalten
eines Verstärkers ist vor Allem die erste
Stufe, denn alles, was sie aussendet, wird
von den folgenden Stufen verstärkt
• Daher sollten auch nicht zu viele Stufen

hintereinander geschaltet werden
Elektronik 1 100
Rauschen
• Die Auswirkung des Rauschens wird im
Rauschabstand (engl. Signal noise ratio,
snr) ausgedrückt
𝑃𝑆𝑖𝑔𝑛𝑎𝑙
𝑠𝑛𝑟 = 10 ∗ 10log⁡( )
𝑃𝑅𝑎𝑢𝑠𝑐ℎ
• Es ist eine Verhältnisgröße, die in dB

angegeben
Elektronik 1
wird 101
Rauschen
• Speziell bei kleiner Eingangsleistung kann
das Rauschen zum Problem werden (etwa
schwaches Antennensignal)
• Eingangsstufen für kleine Signalleistung

sollten daher eine hohe Verstärkung
aufweisen
Elektronik 1 102
Rauschen
• Gute Verstärker haben heute einen
Rauschabstand von 90 dB und mehr
Elektronik 1 http://www.hoer-wege.de/bilder/phonoV3_Noise_t.jpg 103

But now, ladies and gentlemen…
for something completely different…
Elektronik 1 104
Feldeffekttransistor FET
• Im Gegensatz zu den bipolaren
Transistoren werden Elektronenröhren
(die es schon früher gab) von einer
Spannung gesteuert
• Schon früh gab es Versuche, das auf

Halbleiterbasis zu bewerkstelligen
Elektronik 1 105
• 1925 meldete Julius Lilienfeld ein Patent
an, das im Prinzip einen FET darstellte
• Zu dieser Zeit war die Herstellung solcher

Bauteile noch nicht möglich
• Erst ab Ende der 1960er Jahre wurden

FETs kommerziell hergestellt
Elektronik 1 106
• Im FET oder „unipolaren Transistor“ ist nur
eine Art Ladungsträger (Elektronen oder
Löcher) am Stromfluss beteiligt
• Es gibt Sperrschicht-FETs (J-FET) und

MOSFETs (MISFET), beides p- und n-
leitend, MOSFETs auch noch selbst
sperrend
Elektronik 1 107
• Die Anschlüsse eines FET haben andere
Namen als jene bipolarer Transistoren
• Source (Quelle)
• Drain (Abfluss)
• Gate (Tor)
Elektronik 1 108
• Das Gate steuert den Stromfluss von

Source zu Drain
• Es ist hochohmig bis extrem hochohmig,

damit ist bei statischem Betrieb eine fast
leistungslose Ansteuerung möglich
Elektronik 1 109
J-FET
• Im Sperrschicht-FET wird ein (p- oder n-)
leitender Kanal von einem Bereich anderer
Polarität umgeben
https://upload.wikimedia.org/wiki
pedia/commons/7/7c/Scheme_o
f_n-junction_field-
effect_transistor_de.svg
Elektronik 1 110
J-FET
• Beim n-Kanal-J-FET wird der n-leitende
Kanal durch das p-leitende Gate
eingeschnürt
f_n-junction_field-
Elektronik 1 111
J-FET
• Wird an das Gate eine negative Spannung
gelegt, fließt kein Strom durch das Gate,
die Gate-Kanal-Diode sperrt
f_n-junction_field-
Elektronik 1 112
J-FET
• Je höher die negative Spannung am Gate
wird, umso mehr werden die negativen
Ladungsträger aus dem Kanal gedrückt
f_n-junction_field-
Elektronik 1 113
J-FET
• Bei Ansteigen der negativen
Gatespannung sinkt der Stromfluss im
Kanal, bis der J-FET sperrt
f_n-junction_field-
Elektronik 1 114
J-FET
• Beim p-Kanal-J-FET sind p- und n- dotierte
Schichten vertauscht
• Die Gatespannung muss dann positiv sein,

um den FET zu sperren
http://people.senecac.on.ca/john
.kawenka/EDV255/jfet.html
Elektronik 1 115
J-FET
• In beiden Fällen ist die Stromrichtung
zwischen Source und Drain gleichgültig …
f_n-junction_field- http://people.senecac.on.ca/john
effect_transistor_de.svg .kawenka/EDV255/jfet.html
Elektronik 1 116
J-FET
• solange die Gate-Spannung eindeutig
negativ (n-Kanal) oder positiv (p-Kanal) ist
f_n-junction_field- http://people.senecac.on.ca/john
effect_transistor_de.svg .kawenka/EDV255/jfet.html
Elektronik 1 117
Selbst leitende MOSFETs
• Bei MOSFETs (MISFETs) ist das Gate

durch eine isolierende Schicht vom Kanal
getrennt
• Die Funktion selbst leitender Typen ist

identisch zu jener von J-FETs
Elektronik 1 118
• Hier ein selbst leitender n-Kanal-MOSFET
http://elektroniktutor.oszkim.de/bauteilkunde/bt_pict/mosfet1.gif
Elektronik 1 119
• Bei negativer Spannung am Gate wird der
n-Kanal eingeschnürt, bis der Stromfluss
unterbrochen wird
http://elektroniktutor.oszkim.de/bauteilkunde/bt_pict/mosfet1.gif
Elektronik 1 120
• Zur Erzielung hoher Feldstärken ist die
Isolierschicht extrem dünn (nm - µm)
• Daher Gefahr des Durchschlags =>

Zerstörung!
• Wegen isolierender Eigenschaft des Gates

ist elektrostatische Aufladung gefährlich!
Elektronik 1 121
• Wurden früher MOSFETs nur an
speziellen Arbeitsplätzen (Schutz vor
elektrostatischer Aufladung) verarbeitet
• sind sie heute meist durch ins Gehäuse

(auf dem Chip) integrierte Schutz-
(Schottky-) Dioden abgesichert
Elektronik 1 122
http://www.circuitstoday.com/wp-content/uploads/2009/09/mosfet-protection.jpg
Elektronik 1 123
Selbst sperrende MOSFETs
• Beim selbst sperrenden MOSFET ist im
Kanal ein Bereich umgekehrter Polarität
eingebaut
• Damit sperrt der Kanal ohne Spannung

am Gate
Elektronik 1 124
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/3/34/Scheme_of_metal_oxide_semiconductor_field-
effect_transistor.svg
Elektronik 1 125
• Bei diesem n-Kanal-MOSFET ist der p-
Bereich nur schwach dotiert und enthält
viele Minoritätsladungsträger
• Bei Anlegen einer positiven Spannung am

Gate werden diese Minoritätsladungs-
träger unter das Gate gezogen und bilden
dort einen n-leitenden Kanal
Elektronik 1 126
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/3/34/Scheme_of_metal_oxide_semiconductor_field-
effect_transistor.svg
Elektronik 1 127
• Der selbst sperrende n-Kanal-MOSFET
wird bei Anlegen einer positiven Spannung
am Gate also leitend
• Analog wird ein selbst sperrender p-Kanal-

MOSFET bei Anlegen einer negativen
Spannung am Gate leitend
Elektronik 1 128
• Die verschiedenen Typen unipolarer
Transistoren https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/6/63/FET-
Typen_(mit_Schaltbildern).svg/2000px-FET-
Typen_(mit_Schaltbildern).svg.png
Elektronik 1 129
Anwendung von FETs
• Wegen des fehlenden p-n-Übergangs
werden FETs (speziell MOSFETs) in der
Leistungselektronik immer wichtiger
• Selbst sperrende MOSFETs werden in der

Digitaltechnik eingesetzt (CMOS)
Elektronik 1 130
Anwendung von FETs
• In der Audio-Technik ist das höhere
Transistorrauschen der FETs ein
Hindernis
• In den meisten anderen Teilgebieten der

Elektronik haben FETs die bipolaren
Typen bereits verdrängt
Elektronik 1 131
Elektronik 1 132
this is
the end…
Elektronik 1 133

Elektronik 1 Dritte Einheit: Werkmeisterschule Bfi NÖ Wolfgang Kainrath WS 2015/16

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Elektronik 1

• Herkunft und Verwendung:

• 2 Probleme in der Elektro- / Nachrichten-

• 2 Probleme in der Elektro- / Nachrichten-

• Verstärkung von Wechselspannungen

• Erste elektrisch gesteuerte

• Relais brauchen ordentlich Strom, sind

• Wurden bald durch Röhren ersetzt!

• Röhren benötigen Heizleistung, sind

• Können nicht nur schalten, sondern auch

• Der erste Computer von Konrad Zuse (Z3,

• Einer der ersten Großrechner "ENIAC" in

• Mitte des 20. Jahrhunderts wurde von

• Walter Schottky konnte 1939 eine Diode

• Um die Metallspitze bildet sich ein kleiner,

• Vorläufer der Schottky-Diode

• Zwei Goldspitzen erzeugten kleine p-

• Ihre Funktion entspricht weitgehend jener

• Heute haben sie die bipolarenTypen

• Bipolare Transistoren: stromgesteuerte

• also Halbleiter beider Polarität

• Eine Diode sperrt immer, http://www.helmutdisse.d

unabhängig von der Polarität

• Daher fließt auch zwischen

• Ihr Wert liegt oft zwischen 100 und 1000

• Wichtigste Anwendungen sind

• Ein Eingangsstromkreis steuert einen

• Steuerelement ist ein Vierpol

• Danach unterscheidet man Emitter-,

• Bei UE < 0,7 V sperrt der Transistor

• „aus“ bedeutet, dass der Transistor sperrt

• „ein“ heißt, dass der Transistor in der

• Bei Pegelwechsel sollte der Bereich

• So wird höhere Verlustleistung

• Gleichzeitig bleibt die

• Daher ist ein

• Bei induktiver Last entsteht

• Sieht nicht schlimm aus?

• Aber: das Ohr kann nur Sinustöne hören!

• Danach besteht jedes periodische Signal

• So kann man verschiedene Instrumente

• Oder verschiedene Menschen am Klang

• Diesen Effekt nennt die Audio-Technik

• k ist eine dimensionslose Größe und wird

• Ein geschultes Ohr kann einen Klirrfaktor

• Eine gute Stereoanlage hat k < 1 %

• Um die Verzerrungen zu verringern, wird

• Das verringert die Strom- und Spannungs-

• Eingesetzt als HF-Verstärker

• Verzerrungsfrei nur für kleine

• Basis-Emitter-Diode hat die

• Abgesehen von der

• Sie werden etwa für Gegentakt-

• Man nennt das die Arbeitspunkteinstellung

• Da die zu verstärkenden Signale in der

• Verstärker bestehen meist aus mehreren

• Das Rauschsignal ist auf alle Frequenzen

• Normal ist es vernachlässigbar im

• Daher sollten auch nicht zu viele Stufen

• Es ist eine Verhältnisgröße, die in dB

• Eingangsstufen für kleine Signalleistung

Elektronik 1 http://www.hoer-wege.de/bilder/phonoV3_Noise_t.jpg 103

for something completely different…