G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt.

E+I 72
7. Bipolare Transistoren
7.1 Arbeitsweise von Transistoren
Die Arbeitsweise von bipolaren Transistoren beruht auf der Wirkung von zwei PN-bergngen
innerhalb eines Germanium- oder Silizium-Einkristalls. Transistoren aus Mischkristallen (z.B.
Galliumarsenid) sind in der Entwicklung und Erprobung. An den inneren Leitungsvorgngen sind
Ladungstrger beider Polaritt beteiligt (bipolar).
NPN-Transistor
Das Kristall eines NPN-Transistors besteht aus zwei N-leitenden Zonen, zwischen denen sich eine
sehr schmale, niedrigdotierte P-leitende Zone (Basis) befindet. Die eine hochdotierte N-Zone wird
Emitter genannt, die andere N-Zone heit Kollektor.
Wird an die Basis gegenber dem
Emitter eine kleine positive Spannung
(0,6 V U
BE
0,8 V) angelegt, dann
wird die Sperrschicht abgebaut und
Ladungstrger (Elektronen) in die
Basis injiziert.
Emitterschicht in Durchlassrichtung
vorgespannt
(Elektronenstrom -I
F
)


Bei spannungslosem Emitter und ohne
injizierte Ladungstrger in der P-Zone
fliet ber die Sperrschicht (Kollektor-
Basis) nur ein sehr kleiner Sperrstrom,
der berwiegend thermisch bedingt ist.

PN-bergang (Kollektor-Basis)
in Sperrrichtung vorgespannt


Wird der PN-bergang (Emitter-Basis) mit einer kleinen Spannung geffnet, gelangen ber
die Emitterschicht Elektronen in die sehr schmale mittlere P-Zone. Das starke positive Feld
des in Sperrrichtung vorgespannten PN-berganges (Kollektor-Basis) zieht die injizierten
Elektronen an. Auf diese Weise gelangt der grte Teil der vom Emitter ausgesandten
negativen Ladungstrger in die Kollektorzone. Hier entsteht folglich ein von der Sperr-
spannung getriebener Elektronenstrom. Nur ein sehr kleiner Anteil, der aus der Emitterschicht
injizierten Ladungstrger, fliet unmittelbar ber die Basis zur Emitterspannungsquelle
zurck.
Der Anteil der vom Emit-
ter ber die Basis bis zum
Kollektor gelangenden La-
dungstrger ist rd. 20-...
300-mal grer als der
unmittelbare Elektronen-
strom der Basis.
Elektronenstrme eines
NPN-Transistors
-I
F
N P N
E C
B
U
F
N P N
E C
B
U
R
N P N
E C
B
-I
B
-I
C
-I
E
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 73
Der in den Emitter hineinflieende Elektronenstrom wird als Emitterstrom -I
E
bezeichnet. Der
Elektronenstrom, der aus dem Kollektor herausfliet, heit Kollektorstrom -I
C
. Aus der Basis
heraus und unmittelbar zum Emitter zurck fliet der Basisstrom -I
B
als Elektronenstrom.









NPN-Transistor mit
genormten Schaltzeichen



Die an Emitter und Basis in Durchlassrichtung liegende Spannung wird als Emitter-Basis-
Spannung U
BE
bezeichnet. Die ber den Kollektor gelegte Spannung in Sperrrichtung heit
Kollektor-Basis-Spannung U
CB
. Die Spannung U
CE
ist vom Kollektor auf den Emitter bezogen.
Es gilt:
Der Emitterstrom I
E
setzt sich zusammen aus dem Kollektorstrom I
C
und dem Basisstrom I
B
.
Verstrkereigenschaften des Transistors
Die Ladungstrgerinjektion vom Emitter in den Basisraum erfordert nur einen kleinen
Spannungsbetrag U
BE
. Der grte Anteil des injizierten Stromes I
E
wird von der Kollektor-
elektrode aufgenommen. Der jetzt genannte Strom I
C
lsst sich vom wesentlich kleineren Basis-
strom I
B
steuern. Mit dem Transistor ist demnach eine Stromverstrkung erreichbar.
Der Strom I
C
lsst sich gegen die relativ hohe Spannung U
CB
durch den Lastwiderstand treiben.
Da zur Steuerung die kleine Spannung U
BE
dient, ist eine gewisse Spannungsverstrkung mit dem
Transistor mglich.
Kleine Basisstromnderungen gehren zu groen Kollektorstromnderungen.
Kleine Basisspannungsnderungen fhren zu groen Kollektorspannungsnderungen (bez. auf
den Emitter).
PNP-Transistor
Wird ein Kristall in der Folge PNP dotiert, ist die Emitterzone P-leitend, die Basis N-leitend und
die Kollektorzone P-leitend.
Um den Emitter-PN-bergang zu ffnen, muss eine positive Spannung -U
BE
an den Emitter-
anschluss gelegt werden. Der Emitter injiziert daraufhin positive Ladungstrger (Lcher bzw.
Defektelektronen) in die Basiszone, die bei anliegender Spannung -U
CB
durch die hohe Feldstrke
in der Basis-Kollektor-Sperrschicht in die Kollektorzone gelangen.
Spannungen und Strme beim PNP-Transistor haben gegenber dem NPN-Transistor umgekehrte
Vorzeichen und Richtungspfeile.


BE CB CE
U U = U + (7.1)
B C E
I I = I + (7.2)
I
C
I
E
I
B
U
CE
E C
B
U
CB
U
BE
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 74







PNP-Transistor mit
genormten Schaltzeichen




7.2 Aufbau und Bauformen bipolarer Transistoren
Legierungstransistoren
Zwei kleine Tropfen eines dreiwertigen Metalls werden auf beiden Seiten des Kristalls in N-
leitendes Gebiet eingeschmolzen. Es bildet sich eine dnne Legierungsschicht aus Halbleiter-
material und Dotierungselement.



PNP-Legierungstransistor im Schnitt



Anwendung: NF-Verstrker, Impedanz-
wandler, Grenzfrequenz rd. 500 kHz

Drift-Field-Transistor
Der Drift-Field-Transistor ist eine Weiterentwicklung des Legierungstransistors. Das Basis-
material besteht aus Schichten verschiedener Dotierung.
Anwendung: Schneller Schalttransistor, Grenzfrequenz rd. 100 MHz
Diffusionstransistoren
Die Dotierungsstoffe werden bei hoher Temperatur in gasfrmigem Zustand dem Halbleiter-
kristall zugefhrt. Dabei diffundieren die Dotierungsstoffe langsam in den Kristall.
Beim einfach diffundierten Transistor (MESA) wird der Kristall beidseitig den Dotierungsstoffen
ausgesetzt. Diese dringen mit unterschiedlicher Geschwindigkeit in den Kristall. Dabei entsteht
ein Dotierungsgeflle.

PNP-Diffusions-MESA-
Transistor

Anwendung: HF-Verstrker,
Oszillatoren, Chopper, Grenz-
frequenz rd. 40 MHz

I
C
I
E
I
B
-U
CE
E C
B
-U
CB
-U
BE
E
Ltung
B
P
P
N
C und Gehuse
E
P
B
P
N
C und Gehuse
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 75
Beim doppelt diffundierten Transistor erhlt die Kollektorzone eine schwchere Dotierung.
Anwendung: Schalter in schnellen Digitalschaltungen
Planar-Transistoren werden unter Zuhilfenahme fotolithografischer Verfahren hergestellt. Nach
dem Planar-Verfahren werden auf der Oberflche des Halbleiterplttchens Masken erzeugt. Mit
Hilfe dieser abdeckenden Masken aus Siliziumdioxid erfolgt nur eine Dotierung an bestimmten
vorgesehenen Punkten. Zur Herstellung sind mehrere Masken und Dotierungen erforderlich.
Planartransistoren werden doppelt oder dreifach - Kollektorzone erhlt hier zwei verschieden
starke Dotierungen - diffundiert hergestellt.
Die Planartechnik ist zur Zeit das bedeutendste Herstellungsverfahren fr Silizium-Halbleiter-
elemente. Sie ermglicht es, eine groe Anzahl gleicher oder individueller Bauelemente auf
einem Siliziumblttchen unterzubringen (monolithische Technik).

NPN-Planartransistor im Schnitt Fingerstruktur von Emitter und
Basis beim Planartransistor
Durch die Fingerstruktur von Emitter und Basis wird der Bahnwiderstand verkleinert, die Basis-
Emitterkapazitt klein und das Schaltverhalten von Leistungstransistoren verbessert.
Anwendung: Schalttransistor in Digitalrechnern, Leistungs-Schalttransistoren
Grenzfrequenz rd. 300 MHz, hohe Kollektorspannung
Epitaxialtransistoren
Bei der Herstellung von Epitaxialtransistoren wachsen auf der Oberflche des Halbleitermaterials
Epitaxialschichten in einer Hochtemperatur-Reaktionskammer. Der Wachstumsprozess erfolgt
Atom auf Atom, so dass der regelmige Atomaufbau des Grundkristalls erhalten bleibt.
Auf einen hochdotierten Kollektor wird eine gering dotierte Basisschicht aufgebracht. Die
Emitterzone entsteht durch Diffusion in der Basiszone nach dem Planarverfahren.
Durch gut kontrollierbare Herstel-
lung werden eingeengte Transistor-
Kennwerte mit kleinem Kollek-
torwiderstand erzielt.
Beim Epitaxial-Zweischichttyp
liegt ber der hochdotierten
Kollektorzone eine niedrigdotierte
Kollektor-Epitaxialschicht. Darber
wird die Basisschicht aufgebracht.

NPN-Epitaxialtransistor
C und Gehuse
E B
P
N
N
Siliziumdioxid
E B
Siliziumdioxid
C und Gehuse
N
N
P
eindiffundierte
Emitterschicht
Grund-
kristall
Epitaxial-
schicht
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 76
Der Overlay-Transistor ist wie der doppelt diffundierte Epitaxialtyp aufgebaut, jedoch mit einer
groen Zahl parallel geschalteter Emitter. Die Umschaltzeiten werden weiter verkrzt. Die
Grenzfrequenz liegt bei rd. 1 GHz (Transistor fr sehr schnelle Schaltfunktionen).
MIS-Transistoren (metal-insulator-silicon-junction-type) werden nach dem Epitaxial-Planar-
verfahren hergestellt und zum Schutz gegen eindringende Fremdionen zustzlich mit Silicon-
Nitrid geschtzt. Diese Transistoren haben eine sehr groe Langzeitkonstanz.
In integrierten Schaltungen mssen die einzelnen Transistoren untereinander und gegen die
anderen Bauelemente isoliert werden.


Integrierter
Transistor mit
vergrabener
Schicht zur
Verminderung des
Kollektor-
bahnwiderstandes
Bauformen
Es gibt eine Vielzahl genormter Transistorgehuse. Bei Leistungstransistoren erfolgt die Wrme-
bergabe ber den Gehuseboden, der gleichzeitig der Kollektoranschluss ist oder mit dem
Kollektor leitend verbunden ist.
5,2 14,1
0,4 0,4
2,5
4,2
5,2
2,5
E B C
TO-92 m = 0,25 g Mae in mm
0,45
13,5 5,2
4,75
E B C
5,5
2,54
TO-18 m = 0,3 g Mae in mm
TO-39 m = 1,5 g Mae in mm
13,5 6,6
8,4
0,5
C E B
9,2
5,0
0,8 0,5
E
C
B
1,25
3,0
7,6
3,7
10,7 16,2
TO-126 m = 0,5 g Mae in mm

Standard- und Kleinleistungsgehuse fr Transistoren
Das Kunststoffgehuse TO-92 (oben links, z.B. BC 547) und das Metallgehuse TO-18 (oben
rechts, z.B. BC 107, Kollektor mit dem Gehuse verbunden) finden Anwendung fr Transistoren
zur Verwendung in NF-Vor- und Treiberstufen. Das Metallgehuse TO-39 (unten links, z.B.
BC 141, Kollektor mit dem Gehuse verbunden).findet Anwendung fr Transistoren fr NF-
Schalter-Anwendungen bis 1 A Das Kunststoffgehuse TO-126 (unten rechts, z.B. BD 140)
findet Anwendung fr NF-Treiber- und Endstufen mittlerer Leistung. Der Kollektor ist mit der
Emitter Basis Kollektor
n
+
-Kollektor-
kontaktzone
Isolationszone
n-Epi
p-Substrat
n
+
-vergrabene Schicht
p
+
p
+
n
+
p
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 77
metallischen Montageflche des Transistors verbunden. Die Gehuse TO-18, TO-39 und TO-126
knnen mit Khlkrper betrieben werden.

BC 547 (TO-92), BC 107 (TO-18), BC141 (TO-39), BD 141 (TO-126) und 2N 3055 (TO-3)
Fr HF-Transistoren sind induktivitts- und kapazittsarme Anschlsse wichtig. Die Gehuse sind
den in der HF-Technik blichen Aufbautechniken angepasst (z.B. Gehuse mit Streifenleitungs-
anschlssen).
Transistoren fr Oberflchenmontage erfordern sehr kleine Abmessungen. Gehuse aus Epoxyd-
harz sind preiswert; Metall-Keramik-Gehuse sind hermetisch dicht, allerdings wesentlich teurer.
C
E
B
0,8
0,8
1,2
0,9 1,1 0,9
Lnge 3,0 mm
Breite

2,6 mm
Tiefe 1,1 mm

SMD-Transistorgehuse SOT-23 mit Abmessungen und Ltflchen Auslegung
7.3 Kennlinienfelder und Kennwerte
Die drei Grundschaltungen, in denen sich ein Transistor betreiben lsst, sind die Basisschaltung
(Basis an Masse), die Emitterschaltung (Emitter an Masse) und die Kollektorschaltung (Kollektor
an Masse). Die hufigste Schaltung ist die Emitterschaltung, mit der sich gleichzeitig eine Strom-
und Spannungsverstrkung erzielen lsst. Der Emitter liegt am gemeinsamen Pol des Eingangs-
und Ausgangskreises. Die Basis dient dabei als Eingangs-, der Kollektor als Ausgangselektrode.
Da Transistorschaltungen blicherweise mit der Vierpoltheorie berechnet werden, bentigt man
fr diese Berechnungen die sogenannten Vierpolparameter, die das Signalverhalten eines Transis-
tors kennzeichnen. Die folgenden Kennwerte und Kennlinien beziehen sich grundstzlich auf die
Emitterschaltung.
Eingangskennlinie
Die Eingangskennlinie zeigt den
Zusammenhang zwischen der Basis-
Emitter-Spannung U
BE
und dem
Basisstrom I
B
. Die Emitter-Basis-
Strecke ist praktisch vergleichbar mit
einer in Durchlassrichtung betrie-
benen Diode. Zum Abfhren der
injizierten Ladungstrger wird der
Kollektor mit einer konstanten
Spannung U
CE
1 V vorgespannt.
Schaltung zur Aufnahme der Eingangskennlinie
I
B
A
V
U
BE
V
U
CE
R
i
stellbare Gleichspannungs-
quelle R
i
~ 0
~
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 78
Der Anstieg der I
B
-U
BE
-
Kennlinie in einem be-
stimmten Kennlinienpunkt
A ergibt den differentiellen
Eingangswiderstand r
BE
in
diesem Kennlinienpunkt.





Eingangskennlinien von
Transistoren




Aus der Basis-Emitter-Spannungsnderung U
BE
und der Basisstromnderung I
B
lsst sich der
differentielle Eingangswiderstand r
BE
berechnen, der dem Vierpolparameter h
11e
entspricht.
Ausgangskennlinie
Die Ausgangskennlinie zeigt
den Zusammenhang zwischen
Kollektorstrom I
C
und Kollek-
torspannung U
CE
. Der Basis-
strom I
B
ist hierbei der Para-
meter.

Schaltung zur Aufnahme der
Ausgangskennlinie

Der Anstieg der I
C
-U
CE
-Kennlinie in einem bestimmten Arbeitspunkt A ergibt den differentiellen
Ausgangswiderstand r
CE
in diesem Arbeitspunkt.
Aus der Kollektor-Emitter-Spannungsnderung U
CE
und der Kollektorstromnderung I
C
lsst
sich der differentielle Ausgangswiderstand r
CE
berechnen, dessen Kehrwert dem Vierpolpa-
rameter h
22e
(differentieller Ausgangsleitwert) entspricht.
Folgende Kennwerte lassen sich den Ausgangskennlinien entnehmen:
- Der differentielle Ausgangswiderstand r
CE
oder der Ausgangsleitwert h
22e
in einem
bestimmten Kennlinienpunkt.
- Die Sttigungs- oder Restspannung U
CEsat
. Diese Restspannung zwischen Emitter und
Kollektor hat einen Einfluss bei der Verstrkung groer Signale und im Anwendungsfall als
Schaltverstrker.
konstant) = U (fr
I
U
= r = h
CE
B
BE
BE e 11

(7.3)
konstant) = I (fr
U
I
=
r
1
= h
B
CE
C
CE
e 22

(7.4)
0,4
0,3
0,2
0,1
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
U
BE
/V
I
B
/mA
U
BE

A
I
B

Germanium-
Transistor
Silizium-
Transistor
U
CE
= 1 V
I
B
A
U
BE
V
U
CE
R
i
stellbare Gleichspannungs-
quelle R
i
~ 0
~
R
i
A
I
C
stellbare Gleichstrom-
quelle R
i
>> r
be
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 79
- Der Zusammenhang von
dem Basisstrom I
B
und dem
Kollektorstrom I
C
(Strom-
Steuerkennlinie).









Ausgangskennlinie des NPN-
Transistors BCY 59





Stromsteuerungskennlinienfeld
0,1 0
U
CE
/V
0,5
0,2
0,3
0,4
1 2 3 4 5 0,2 0,3 0,4 0,5
50
100
I
C
/mA
I
B
= 0,1 mA
I
B
/mA
U
CE
= 1 V
U
CE
= 5 V
Stromsteuerkennlinien
I
C
= f{I
B
} U
CE
= Parameter
Ausgangskennlinienfeld
I
C
= f{U
CE
} I
B
= Parameter

Stromsteuerungskennlinienfeld mit zugehrigem Ausgangskennlinienfeld
Die fr einen bestimmten Arbeitspunkt A geltende Gleichstromverstrkung B, auch Kollektor-
Basis-Gleichstromverhltnis genannt, kann dem Stromsteuerungskennlinienfeld entnommen
werden. Die Gleichstromverstrkung B gibt an, wie gro der Kollektorstrom I
C
bei einem
bestimmten Basisstrom I
B
ist.
B
C
I
I
= B (7.5)
80
60
40
20
0
0 10 20 30 40 50
U
CE
/V
I
C
/mA
I
B
= 0,05 mA
100
0,45
0,40
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 80
In einem bestimmten Arbeitspunkt A lsst sich aus der Kollektorstromnderung I
C
und der
Basisstromnderung I
B
der differentielle Stromverstrkungsfaktor berechnen, der dem Vier-
polparameter h
21e
entspricht.
Rckwirkungskennlinienfeld
Eine Vergrerung der Kollektor-Emitter-Spannung U
CE
fhrt zur Vergrerung der Spannungen
U
CB
und U
BE
.
Die Rckwirkung vom Ausgang auf den Eingang ist sehr unerwnscht und sollte deshalb sehr
gering sein. Das Ma fr die Rckwirkung ist der differentielle Rckwirkungsfaktor D.
Aus der Basis-Emitter-Spannungsnderung U
BE
und der Kollektor-Emitter-Spannungsnderung
U
CE
lsst sich der differentielle Rckwirkungsfaktor D berechnen, der dem Vierpolparameter
h
12e
entspricht.

























Vierquadrantenkennlinienfeld zur Bestimmung
der Vierpolparameter h
11e
, h
12e
, h
21e
und h
22e


Transistorarbeitspunkt
Ein Transistor bentigt zum Betrieb bestimmte Spannungswerte fr U
CE
und U
BE
und bestimmte
Stromwerte fr I
C
und I
B
. Diese Werte knnen unter Bercksichtigung ihrer gegenseitigen
Abhngigkeit in einem gewissen Bereich frei gewhlt werden.
konstant) = U (fr
I
I
= = h
CE
B
C
e 21

(7.6)
konstant) = I (fr
U
U
= D = h
B
CE
BE
e 12

(7.7)
U
CE
/V
2
5
0,2
I
C
/mA
I
B
= 100 A
200 100
I
B
/A
U
BE

I
B

U
CE
= 6 V
U
BE
= f{I
B
}
U
CE
Parameter
h
11
I
C

I
B

h
21
h
22
h
12
0,4
0,6
0,8
1,0
4 8 10 6
10
15
20
U
CE
= 6 V
I
C
= f{I
B
}
U
CE
Parameter
U
BE
/V
U
BE
= f{U
CE
}
I
B
Parameter
U
BE

U
CE

U
CE

I
C

I
C
= f{U
CE
}
I
B
Parameter
I
B
= 50 A
I
B
= 100 A
I
B
= 150 A
200
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 81
Zwei der vier Gren
U
CE
, U
BE
, I
C
und I
B

bestimmen den Arbeits-
punkt des Transistors.
blich legt man mit
U
CE
und I
B
den Arbeits-
punkt fest.
Die Betriebsspannung
U
b
liegt meist fest. Jetzt
wird der Lastwider-
stand R
C
so gewhlt,
dass sich bei dem ge-
wnschten Basisstrom
I
B
die gewhlte Kollek-
tor-Emitter-Spannung
U
CE
einstellt.
Basisvorspannungseinstellung mit Vorwiderstand
Beispiel: U
b
= 12 V, I
B
= 100 A, U
CE
= 6 V. Im Vierquadrantenkennlinienfeld wird aus den
Vorgaben I
B
und U
CE
der Kollektorstrom I
C
= 10 mA bestimmt.
Der Lastwiderstand R
C
wird nach Gl. 7.8 berechnet.
Bei der Basisvorspannungseinstellung mit Vorwiderstand R
V
wird dieser fr den gewnschten
Basisstrom I
B
aus U
b
und U
BE
berechnet.
Beispiel: R
C
= 600 , R
V
= 113 k.
Bei der Basisvorspannungseinstellung mit Spannungsteiler soll der Strom durch R
2
das 2 bis
10fache des Basisstromes betragen.



Basisvorspannungseinstellung
mit Spannungsteiler



Durch R
1
fliet der Basisstrom und
der Strom durch R
2
.
Beispiel: R
2
= 3,3 k
gewhlt, R
1
= 36,2 k.
C
CE b
C
I
U U
= R

(7.8)
B
BE b
V
I
U U
= R

(7.9)
B
BE
2
I 10) ... 2 (
U
= R

(7.10)
2
BE
B
BE b
1
R
U
+ I
U U
= R

(7.11)
I
B
U
BE
I
C
U
CE
U
b
R
C
R
V
I
B
U
BE
I
C
U
CE
U
b
R
C
R
1
R
2
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 82
Steuerung des Transistors
Nach Einstellung des Arbeitspunktes kann der Transistor gesteuert werden. Die Gleichspannungs-
und Gleichstromwerte des Arbeitspunktes werden gekennzeichnet. Fr das Beispiel gilt:
- U
CE
= 6 V, I
C
= 10 mA, U
BE
= 0,68 V, I
B
= 100 A.
Die Basis erhlt nun beispielhaft zum Gleichstrom I
B
einen sinusfrmigen Wechselstrom mit
einem Scheitelwert von
B
= 50 A. Im Kennlinienfeld wird die Widerstandsgerade fr R
C
mit U
b

(U
CE
-Achse) und U
b
/R
C
(I
C
-Achse) festgelegt. Der Gesamtbasisstrom schwankt zwischen einem
Kleinstwert von 50 A und einem Grtwert von 150 A.
Die nderung des Basisstromes hat eine nderung des Kollektorstromes zur Folge. Der Gesamt-
kollektorstrom schwankt jetzt zwischen einem Kleinstwert von 5 mA und einem Grtwert von
15 mA. Der Wechselstrom ist nahezu sinusfrmig; er hat einen Scheitelwert von
C
= 5 mA.
Der Kollektorstrom erzeugt am Lastwiderstand R
C
einen entsprechenden Spannungsfall. Die
Gesamtkollektorspannung des Transistors schwankt zwischen 9 V und 3 V. Die Kollektor-
Wechselspannung hat einen Scheitelwert von
CE
= 3 V.
Zum Basisstrom gehrt immer eine Basisspannung. Diese kann aus dem U
BE
-I
B
-Kennlinienfeld
entnommen werden (
BE
= 0,1 V, nicht sinusfrmig).

Eingangsgren u
1
(t), i
1
(t) Ausgangsgren u
2
(t), i
2
(t)
Steuerung des Transistors im Vierquadrantenkennlinienfeld
Fr die Emitterschaltung knnen die Spannungsverstrkung V
u
, die Stromverstrkung V
i
und die
Leistungsverstrkung V
p
angegeben werden.
i u p
B
C
i
BE
CE
u
V V = V
i

= V
u
u
= V (7.12)
U
CE
/V
2
5
0,2
I
C
/mA
200 100
I
B
/A
0,4
0,6
0,8
1,0
4 8 10 6
10
A
U
BE
/V
I
B
= 50 A
I
B
= 100 A
I
B
= 150 A
15
U
b
U
b
/R
C
A
A
u
1
(t)
u
2
(t)
i
2
(t)
i
1
(t)
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 83
Bei der Emitterschaltung ist die Ausgangswechselspannung U
2
gegenber der Eingangsspannung
U
1
um 180 phasenverschoben.
Will man eine mglichst verzerrungsarme Signalverstrkung, so muss man darauf achten, dass
der zeitliche Verlauf des Basisstromes dem zeitlichen Verlauf des zu verstrkenden Signals
entspricht (Stromsteuerung). Der Innenwiderstand der steuernden Spannungsquelle muss gro
gegenber dem Transistoreingangswiderstand sein.
Kollektorwechselstrom und Kollektorwechselspannung haben angenhert den gleichen zeitlichen
Verlauf wie der Basiswechselstrom.
Die Spannungssteuerung mit kleinem Innenwiderstand der steuernden Spannungsquelle fhrt im
Allgemeinen zu groen Verzerrungen.
Reststrme, Sperrspannungen und Durchbruchspannungen
I
CE0
= Kollektor-Emitter-Reststrom bei offener Basis,
I
CES
= Kollektor-Emitter-Reststrom bei kurzgeschlossener Basis,
I
EB0
= Emitter-Basis-Reststrom bei offenem Kollektor,
weitere Reststrme werden in Datenblttern angegeben.
Die bei der Messung der Reststrme angelegten Spannungen nennt man Sperrspannungen. Fr
Sperrspannungen gibt es bestimmte Grenzwerte.
Wird die hchstzulssige Sperrspannung am Transistor berschritten, so steigt der Sperrstrom
stark an. Die Durchbruchspannung wird immer fr einen bestimmten Stromwert angegeben.
Die Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung bei offener Basis hat also die Bezeichnung: U
(BR)CEO
.
bersteuerungszustand und Sttigungsspannungen
Je grer der Basisstrom I
B
ist, desto mehr steuert ein Transistor durch. Die Spannung U
CE
wird
immer kleiner. Bei einem bestimmten Basisstrom wird der kleinste Wert fr die Kollektor-
Emitter-Spannung, die Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung U
CEsat
0,2 V erreicht. Der Kollek-
torstrom I
C
wird nahezu ausschlielich durch den ueren Stromkreis bestimmt.
Ab einem bestimmten Steuer-
zustand gilt U
CE
U
BE
. Die
Kollektordiode ist nicht mehr
in Sperrrichtung gepolt. Ein
Transistor befindet sich im
bersteuerungszustand, wenn
Kollektordiode und Emitter-
diode in Durchlassrichtung
betrieben werden. Im ber-
steuerungszustand ist das In-
nere des Transistors von La-
dungstrgern berschwemmt.
Im bersteuerungszustand bei
Sttigungsspannung erreicht
die Kollektor-Emitter-Strecke
ihren kleinsten Widerstands-
wert.
Aussteuerung eines Transistors
Mit der Batteriespannung U
B
als Leerlaufspannung (1) und dem Kurzschlussstrom U
B
/R
C
(5)
wird die Arbeitsgerade durch den Widerstand R
C
im Ausgangskennlinienfeld festgelegt.
U
CE
I
C
I
B
bersteuerungsbereich
bersteuerungs-
grenze U
CB
= 0
3
U
CE sat
U
CE Rest
Sperrbereich
I
B
0
aktiver Bereich
Arbeitsgerade
R
C
4
5
2
1
U
b
/R
C
U
b
I
B
< 0
I
B
= 0
0
I
B
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 84
Sperrbereich: I
B
0;
aktiver Bereich: zwischen I
B
= 0 (2) und I
B
= I
B
(3);
bersteuerungsbereich: zwischen I
B
= I
B
(3) mit U
CB
= 0, U
CEsat
und I
B
= I
Bmax
(4) mit U
CE Rest
.
Bei Schalttransistoren liegt der Arbeitspunkt im Sperrbereich oder im bersteuerungsbereich.
Transistorverlustleistung
In einem Transistor wird whrend des Betriebes elektrische Arbeit in Wrme umgesetzt. Der
Transistor wird dadurch erwrmt.
Grundstzlich unterscheidet man eine Kollektor-Emitter-Verlustleistung und eine Basis-Emitter-
Verlustleistung. Fr die Gesamtverlustleistung P
tot
gilt:
Die Basis-Emitter-Verlust-
leistung ist vernachlssig-
bar klein gegenber der
Kollektor-Emitter-Verlust-
leistung.
In den Transistordaten-
blttern wird eine hchst-
zulssige Gesamtverlust-
leistung bei bestimmten
Khlbedingungen angege-
ben. Im Ausgangskenn-
linienfeld wird P
tot
~ P
Cmax

als sogenannte Verlust-
hyperbel dargestellt.


Darstellung der Verlusthyperbel

Khlung von Transistoren
Die hchstzulssige Verlustleistung P
tot
, hngt einmal davon ab, welche Sperrschichttemperatur
j

das Transistorkristall vertragen kann; zum anderen hngt sie davon ab, welche Wrmemenge pro
Zeiteinheit abgefhrt wird.
Die Berechnung der Verlustleistung P von Transistoren und die Bestimmung des Wrmewider-
standes R
th
erfolgt entsprechend den Angaben fr Dioden (Kap. 6.2).
Temperatureinfluss und Arbeitspunktstabilisierung
Die meisten Kennwerte von Transistoren sind temperaturabhngig. Die Kennlinien verschieben
sich etwas bei Temperaturerhhung. Dies gilt besonders fr die Eingangskennlinie I
B
= f{U
BE
}.
Bei gleicher Basis-Emitter-Spannung ergeben sich bei hheren Temperaturen hhere Basis-
strme. Diese haben hhere Kollektorstrme zur Folge, sodass der Arbeitspunkt wegluft.
Der Arbeitspunkt kann mit einem Emitter-Widerstand R
E
oder mit einem NTC-Widerstand, der
parallel zum Basisspannungsteiler-Widerstand R
2
geschaltet wird, stabilisiert werden. Der NTC-
Widerstand muss eng mit dem Transistorgehuse verbunden sein.
Um den Wechselspannungsfall am Widerstand R
E
zu vermeiden, wird ein groer Kondensator C
E

parallel geschaltet.

C CE B BE C CE tot
I U I U I U = P + (7.13)
U
CE
I
C
U
CB
= 0
U
CE,A
U
b
/R
C
U
b
I
B
= 0
0
I
C max
I
C,A
I
B,A
P
C max
A
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 85
Nherungsweise betrgt I
C
~ I
E
.
Der Spannungsfall an R
E
steuert
bei einem greren Strom I
E

den Transistor zu, sodass U
BE

und I
B
kleiner werden.
In der Praxis betrgt der Span-
nungsfall am Emitterwiderstand
R
E
I
E
1,0 V 0,1 U
b
.



Basisvorspannungseinstellung
mit Spannungsteiler und
Emitterwiderstand zur
Stabilisierung des
Arbeitspunktes

Der Arbeitspunkt wird entsprechend den Gl. 7.8, 7.10 und 7.11 festgelegt. Fr R
C
, R
2
und R
1
gilt:
Transistorrauschen
Ladungstrger fhren in Leitern und in Halbleiterkristallen unregelmige Bewegungen aus, das
heit, sie bewegen sich nicht alle gleich schnell und nicht in gleicher Richtung. Die Ladungs-
trgerbewegungen werden ganz wesentlich durch die Wrmeschwingungen der Atome
beeinflusst.
Die unregelmigen Ladungstrgerbewegungen fhren bei allen Strmen zum sehr kleinen
Wechselstromanteil, dem sogenannten Rauschstrom.
An einem Widerstand entsteht so eine Rauschspannung. Die Rauschleistung P
r
ist das Produkt aus
dem Effektivwert der Rauschspannung U
r
und dem Rauschstrom I
R
. Die Rauschleistung P
rR
eines
Widerstandes R ist proportional der Temperatur T. Sie wird stets fr eine interessierende
Frequenz-Bandbreite b angegeben.
k = 1,38 10
-23
Ws/K (Boltzmann-Konstante)
Der Transistor verstrkt die Eingangsrauschleistung P
R1
zur Ausgangsrauschleistung P
R2
, der die
Rauschleistung des Transistors P
RT
hinzugefgt wird.
E
C
CE b
C
CE E E b
C
R
I
U U

I
U R I U
= R

(7.14)
B
E E BE
2
I 10) ... 2 (
R I U
= R

+
(7.15)
2
E E BE 2 B
E E BE b
1
R
R I U R I
R I U U
= R
+ +

(7.16)
b T k 4
R
U
I U = P
2
r
r r rR
= = (7.17)
I
B
U
2
I
C
U
CE
U
b
R
C
R
1
R
2
C
E
I
E
U
BE
R
E
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 86
Die Rauschzahl F = P
RT2
/P
R2
gibt das Verhltnis zwischen der tatschlichen Rauschausgangs-
leistung P
RT2
und der Rauschausgangsleistung bei rauschfreiem Transistor P
R2
an.
7.4 Transistordaten und Datenbltter
Kennwerte geben die Betriebseigenschaften des Transistors an.
Signalkennwerte fr die Emitterschaltung:
- differentieller Eingangswiderstand r
BE
= h
11e

- differentieller Ausgangswiderstand r
CE
= 1/h
22e

- differentieller Stromverstrkungsfaktor = h
21e

- differentieller Rckwirkungsfaktor D = h
12e

Gleichstromverstrkung B: Sie ist das Kollektor-Basis-Stromverhltnis B = I
C
/I
B
. B wird fr
verschiedene Arbeitspunkte angegeben.
Transistorreststrme: Kollektor-Emitter-Reststrom (Basis mit Emitter verbunden) I
CES
und
Kollektor-Basis-Reststrom (offener Emitter) I
CB0
.
Durchbruchspannungen: Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (Basis offen) U
(BR)CE0
,
Emitter-Basis-Durchbruchspannung (Kollektor offen) U
(BR)EB0
, Kollektor-Emitter-Durchbruch-
spannung (Emitter mit Basis verbunden) U
(BR)CES
.
Sperrschichtkapazitten: Die Kapazittswerte gelten fr bestimmte Sperrspannungen.
- Kollektor-Basis-Kapazitt C
CB0
= 6 pF (U
CB
= 10 V)
- Emitter-Basis-Kapazitt C
EB0
= 25 pF (U
EB
= 0,5 V)
Grenzfrequenz f
g
: Bei der Frequenz f
g
ist der Betrag einer gemessenen Gre auf das 0,707fache
seines Wertes bei niedrigen Frequenzen (1 kHz) abgesunken.
Transitfrequenz f
T
: Die Transitfrequenz ist eine Rechengre. Sie ist das Produkt aus einer
Messfrequenz mit dem bei dieser Frequenz vorhandenen Stromverstrkungsfaktor . Die Mess-
frequenz muss nahe der Frequenz f
= 1
liegen, bei der die Stromverstrkung = 1 betrgt.
Transistor-Schaltzeiten:
Die Einschaltzeit t
ein
ist die Zeit, die vom Anlegen des Einschalt-Basissignals an vergeht, bis der
Kollektorstrom 90 % seines vorgesehenen Hchstwertes erreicht hat.
Die Ausschaltzeit t
aus
ist die Zeit, die vom Anlegen des Sperrsignals an der Basis vergeht, bis der
Kollektorstrom auf 10 % seines Hchstwertes zurckgegangen ist.
Grenzwerte sind Werte, die nicht berschritten werden drfen.
- Hchstzulssige Sperrspannungen: Von den Herstellern werden meist die maximalen
Sperrspannungen U
CB0
, U
CE0
und U
EB0
angegeben.
- Hchstzulssige Strme:
hchstzulssiger Dauerkollektorstrom I
Cmax
,
kurzzeitiger (10 ms) Kollektorspitzenstrom I
CM
,
hchstzulssiger Basisdauerstrom I
Bmax
.
- Hchstzulssige Temperaturen:
hchstzulssige Sperrschichttemperatur
j
,
Grenzen des Lagerungstemperaturbereiches.






RT R2 RT p 1 R 2 RT
P P P V P = P + = + (7.18)
G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 87
Auszge aus den Datenblttern des epitaxischen NPN-Silizium-Planar-Transistors BC 107
Der Kollektor ist elektrisch mit dem Metallgehuse verbunden. Der Transistor eignet sich
besonders fr NF-Vor- und Treiberstufen.
Absolute Grenzdaten (Absolute maximum ratings):
- Kollektor-Emitter-Spannung (Collector-emitter voltage) U
CES
= 50 V
- Kollektor-Emitter-Spannung (Collector-emitter voltage) U
CEO
= 45 V
- Emitter-Basis-Spannung (Emitter-base voltage) U
EBO
= 6 V
- Kollektorstrom (Collector current) I
Cmax
= 100 mA
- Kollektor-Spitzenstrom (Collector peak current) I
CM
= 200 mA
- Basisstrom (Base current) I
Bmax
= 50 mA
- Gesamtverlustleistung (Total power dissipation) P
tot
= 300 mW
- Sperrschichttemperatur (Junction temperature)
j
= 175C
- Lagerungstemperaturbereich (Storage temperature range)
stg
= -55 ... +175C
Wrmewiderstand (Thermal resistance):
- Kollektorsperrschicht - Umgebung (Collector-junction - ambient) R
thJA
500 K/W
- Kollektorsperrschicht - Gehuse (Collector-junction - case) R
thJC
200 K/W
Statische Kenndaten (Static characteristics,
A
= 25C):
- Kollektor-Emitter-Reststrom (Collector-emitter cut-off current, U
CES
= 50 V) I
CES
= 0,2 nA
- Kollektor-Emitter-Reststrom (Collector-emitter cut-off current,
A
= 125C) I
CES
= 0,2 A
- Emitter-Basis-Durchbruchspannung (Emitter-base breakdown voltage)
bei I
EBO
= 1 A U
R(BR)EBO
> 6 V
- Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (Collector-emitter breakdown voltage)
bei I
ECO
= 2 mA U
R(BR)EBO
> 45 V
- Statische Stromverstrkung B (DC current gain) gruppiert und mit A, B, C gekennzeichnet
(
A
= 125C) I
C
= 0,1 mA Gruppe A: B = 90 B: B =150 C: B = 270
I
C
= 2 mA Gruppe A: B = 170 B: B =290 C: B = 500
I
C
= 100 mA Gruppe A: B = 120 B: B =200 C: B = 400
Dynamische Kenndaten (Dynamic characteristics,
A
= 25C):
- Transitfrequenz (Transition frequency) bei I
C
= 0,5 mA, U
CE
= 3 V f
T
= 85 MHz
bei I
C
= 10 mA, U
CE
= 5 V f
T
= 250 MHz
- Kollektor-Basis-Kapazitt (Collector-base capacity, U
CBO
= 10 V, f = 1 MHz) C
CBO
= 3,5 pF
- Emitter-Basis-Kapazitt (Emitter-base capacity, U
EBO
= 0,5 V, f = 1 MHz) C
EBO
= 8 pF
- Rauschzahl F (noise-figure NF) F = 2 dB
bei I
C
= 0,2 mA, U
CE
= 5 V, R
G
= 2 k, f = 1 kHz, f = 200 Hz
- h-Parameter (I
C
= 0,2 mA, U
CE
= 5 V, f = 1 kHz, Stromverstrkungsgruppe B)
h
11e
= 2,7 k, h
12e
= 1,5 10
-4
, h
21e
= 220, h
22e
= 18 S.

Das Eingangskennlinienfeld I
B
= f{U
BE
}und die Ausgangskennlinien I
C
= f{U
CE
} mit I
B
als
Parameter sind im Folgenden im linearen Mastab dargestellt. Weitere Datenbltter der Transis-
toren BC 107, BC 108, BC 109 knnen, wie die Hilfsbltter zur Vorlesung, unter Datenbltter der
PDF-Datei BC107-109.pdf eingesehen werden.







G. Schenke, 1.2008 Bauelemente der Elektrotechnik FB Technik, Abt. E+I 88
















Eingangskennlinienfeld I
B
= f{U
BE
} des NPN-Silizium-Planar-Transistors BC 107
bei Raumtemperatur (Emitterschaltung)


Ausgangskennlinien I
C
= f{U
CE
} des NPN-Silizium-Planar-Transistors BC 107
mit I
B
als Parameter (Emitterschaltung)

1000
800
600
400
200
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8
I
B
/A
U
BE
/V
I
B
0,01
I
B
0,1
1000
800
600
400
200
0 1
I
C
/A
U
CE
/V
0
2 3 4 5
I
B
= 0,5 A
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0