AC Skript

Grundlagen
Elektronik
Ergänzung zu Automation
Control
Polymechaniker Niveau E
Version 14.10.2019
BBZ Biel-Bienne CFP Biel-Bienne Berufsbildungszentrum
Eine Institution des Une institution du Centre de formation professionnelle
Kantons Bern canton de Berne
Elektronikbauteile
Inhalt
1 Halbleiter ......................................................................................................................................... 2
2 Dotieren von Halbleitern ................................................................................................................. 3
3 Fotoelektrischer Effekt .................................................................................................................... 4
4 PN-Übergang ................................................................................................................................... 5
5 Veränderbarer Widerstand / einstellbarer Widerstand.................................................................. 6
5.1 Potentiometer / Trimmerwiderstand...................................................................................... 6
5.2 Feldplatte................................................................................................................................. 8
5.3 Varistor (VDR = Volt dependent resistor = spannungsabhängiger Widerstand)..................... 9
6 Dioden ........................................................................................................................................... 10
6.1 LED Leuchtdiode (Light Emitting Diode) ................................................................................ 12
6.2 Z-Diode (Zenerdiode) ............................................................................................................ 14
7 Transistor ....................................................................................................................................... 15
7.1 Transistor als Schalter ........................................................................................................... 15
8 Strom-Gleichrichtung .................................................................................................................... 16
8.1 Funktion ................................................................................................................................. 16
8.2 Einweggleichrichtung ............................................................................................................ 17
8.3 Zweiweggleichrichtung (B2) .................................................................................................. 17
9 Quellenangaben ............................................................................................................................ 19
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1 Halbleiter
Allgemein gesehen, sind Halbleiter Werkstoffe, die schlechter leiten als Leiter aber besser leiten als
Nichtleiter. In der Elektronik versteht man unter Halbleitern den Werkstoff, aus dem Dioden und
Transistoren gefertigt werden. Verwendet werden vor allem Silizium und Germanium aber auch
Selen, Galliumarsenid, Indiumphospid und Indiumantimonid.
Aufbau eines Halbleiterkristalls
Germanium und Silizium sind Kristalle, mit vier Elektronen auf der Aussenschale, diese Elektronen
nennt man Valenzelektronen.
Die Anzahl der Valenzelektronen bestimmt die Wertigkeit eines Atoms. Silizium ist also 4-wertig.
Jedes Valenzelektron stellt eine Bindungsmöglichkeit zum Nachbaratom dar. Im Kristall verbinden
sich die Valenzelektronen zu Elektronenpaaren, so dass jedes Atom 8 Elektronen auf der Aussenscha-
le besitzt.
Eigenleitfähigkeit
Die elektrische Leitfähigkeit hängt von der Anzahl der freien Elektronen im Kristall ab. Da bei reinem
Silizium aber alle Valenzelektronen zur Kristallbildung benutzt werden, stehen keine freien Elektro-
nen zur Verfügung. Aus diesen Kristallbindungen können die Elektronen nur durch sehr starke Kräfte
gelöst werden. Silizium in diesem Zustand müsste also ein Nichtleiter sein.
Bei steigender Temperatur schwingt das Gitter immer stärker und es können sich Elektronen aus den
Bindungen lösen. Diese stehen dann als freie Ladungsträger zur Verfügung.
Die Eigenleitfähigkeit ist also stark Temperaturabhängig. Um die Leitfähigkeit des Halbleiterwerk-
stoffes gezielt zu beeinflussen, werden die Kristalle dotiert.
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2 Dotieren von Halbleitern

Das gezielte verunreinigen von reinem Silizium oder Germanium nennt man "Dotieren". Durch das
Dotieren wird die Leitfähigkeit des Halbleiterkristalls erhöht. Je grösser der Grad der Verunreinigung,
desto niederohmiger wird der Kristall.
N-Dotierung
Durch das Einbringen von 5-wertigen Atomen in den Kristall erzeugt man einen N-Dotierten Halblei-
ter. Ein geeigneter 5-wertiger Werkstoff ist beispielsweise Phosphor, P. Ein Phosphoratom baut sich
wie ein Siliziumatom in den Kristall ein. Da es aber 5-wertig ist, hat es 5 Valenzelektronen. Für den
Einbau werden aber nur 4 benötigt. Folglich bleibt also ein Elektron übrig und steht damit als freier
Ladungsträger zur Verfügung. Jedes eingebaute Atom stellt also ein freies Elektron für den Strom-
fluss zur Verfügung. Die Phosphoratome nennt man deshalb auch Donatoratome oder Donatoren
(von donare, lat. schenken).
Je mehr Fremdatome eingebaut werden, desto mehr Elektronen stehen für den Stromfluss zur Ver-
fügung. Man spricht von einem Elektronenstrom. Legt man an einen N-Dotierten-Halbleiterkristall
eine Spannung an, bewegen sich die Elektronen in Richtung des Pluspols. Es fliesst ein normaler
Elektronenstrom, ähnlich wie in Metallen.
N-dotierter Halbleiterwerkstoff ist elektrisch neutral und nicht negativ geladen!
P-Dotierung
Durch das Einbringen von 3-wertigen Atomen in den Kristall erzeugt man einen P-Dotierten Halblei-
ter. Ein geeigneter 3-wertiger Werkstoff ist beispielsweise Aluminium, Al. Ein Aluminiumatom baut
sich wie ein Siliziumatom in den Kristall ein. Da es aber 3-wertig ist, hat es nur 3-Valenz-Elektronen.
Für den Einbau werden aber 4 benötigt. Folglich kann sich also ein Elektron des Siliziums nicht bin-
den. Es stellt eine offene Bindung dar und wird als "Loch" bezeichnet. Jedes eingebaute Atom stellt
also ein freies Loch für den Stromfluss zur Verfügung. Die Aluminiumatome nennt man deshalb auch
Akzeptoren oder Akzeptoratome (von accipere, lat. annehmen)
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Die Löcher sind innerhalb des Kristalls beweglich. Gerät infolge der thermischen Unruhe ein Elektron
in die Nähe der offenen Bindung, wird es in diese Bindung gezogen. Das Loch ist jetzt hier ver-
schwunden und es ist zu der Stelle gewandert, von der das Elektron gekommen ist. Das Loch wan-
dert. Man spricht von einem Löcherstrom. Legt man an einen P-Dotierten-Halbleiterkristall eine
Spannung an, so wird auf die Elektronen eine Kraft ausgeübt. Das wandern der Elektronen von einem
Loch zum nächsten wird erleichtert. Die Löcher wandern gleichzeitig vom Plus- zum Minuspol. Das
bedeutet, sie verhalten sich wie positive Ladungsträger.
P-dotierter Halbleiterwerkstoff ist elektrisch neutral und nicht positiv geladen!
3 Fotoelektrischer Effekt
Nicht dotierte Halbleiterwerkstoffe haben eine gewisse Eigenleitfähigkeit. Wird dem Werkstoff
Energie in Form von Wärme oder Licht zugeführt, erhöht sich diese Eigenleitfähigkeit.
Wird dem Kristall Wärme zugeführt, gerät das Kristallgitter in Schwingungen und es lösen sich Elekt-
ronen. Diese Elektronen und die entstandenen Löcher stehen dann dem Stromfluss zur Verfügung.
Wird dem Kristall Energie in Form von Licht zugeführt werden ebenfalls Elektronen aus ihren Bindun-
gen gerissen. Man kann sich vorstellen, dass die Lichtteilchen, sogenannte Photonen, beim Aufprall
die Bindungen zerschlagen.
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Die Elektronen dieser Bindungen werden dadurch freigesetzt. Die entstandenen offenen Bindungen
stellen Löcher dar.
Die Leitfähigkeit wird dadurch erhöht. Diesen Vorgang bezeichnet man als "innerer fotoelektrischer
Effekt". Er tritt bei einkristallinen genauso wie bei polykristallinen Halbleiterwerkstoffen auf. Da
dieser Effekt in der Regel nicht erwünscht ist benutzt man lichtdichte Gehäuse.
Ausgenutzt wird er bei allen Fotohalbleitern wie z.B. LDR, Fotodiode, Fototransistor, Fotothyristor
(lichtempfindliches elektronisches Halbleiter-Bauelement),Fotoelement.
4 PN-Übergang
Bringt man einen P-Leiter und einen N-Leiter zusammen, entsteht an der Berührungsstelle ein PN-
Übergang.
An der Grenze vom N- zum P-Leiter dringen durch die Wärmebewegung Elektronen vom N-Leiter in
den P-Leiter ein und rekombinieren mit Löchern.
Umgekehrt diffundieren Löcher des P-Leiters in den N-Leiter und verbinden sich dort mit freien
Elektronen. Beiderseits verarmt die Grenze des Halbleiters an freien Ladungsträger.
Die Grenzschicht wird zum Isolator und bildet eine sogenannte Sperrschicht.
Fehlen in der Grenzschicht Leitungselektronen und Löcher, werden dadurch das N-Grenzgebiet posi-
tiv und das P-Grenzgebiet negativ aufgeladen. Die weitere Diffusion wird dadurch beendet.
Die Ladung (durch die Ionen) in der ca. 1µm dicken Grenzschicht verursacht eine Diffusionsspan-
nung. Bei einem Si-PN-Übergang ist dies ca. 0.7V.
Durch Anlegen einer Spannung kann der PN-Übergang in Sperrrichtung oder in Durchlassrichtung
betrieben werden.
Wirkung einer Spannung auf einen PN-Übergang

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5 Veränderbarer Widerstand / einstellbarer Widerstand

5.1 Potentiometer / Trimmerwiderstand
Beschreibung
Ein Potentiometer (Potenziometer) ist ein elektrischer Widerstand, mit einem festen Widerstands-
wert zwischen Ein- und Ausgangsanschluss, dem Nennwiderstand. An einem sogenannten Schleifer
kann man jeden Widerstandswert, zwischen 0 und dem Nennwiderstand mechanisch durch Drehen
oder Verschieben einstellen, bzw. abgreifen.
Schaltzeichen
Links: Schaltzeichen eines Potentiometers. Rechts: Trimmerpotentiometers. Die-

ses wird mit einem Werkzeug eingestellt.
Aufbau
Zwischen dem Anfangsanschluss A und dem Endanschluss E befin-
det sich eine Widerstandsbahn mit einem festen Widerstandswert,
dem Nennwiderstand Rn.
Der Nennwiderstand ist normalerweise auf dem Potentiometer
aufgedruckt. Die Widerstandsbahn besteht in der Regel aus einer
Kohleschicht oder einer Wicklung aus Widerstandsdraht. Zusätzlich
existiert ein dritter Anschluss S, der sogenannte Schleiferanschluss.
Der Schleifer hat mit der Widerstandsbahn Kontakt. Durch Drehen
der Achse, mit der der Schleifer mechanisch verbunden ist, kann
man den Schleifer zu jedem beliebigen Punkt auf der Widerstands-
bahn bewegen.
Funktionsweise
Grundsätzlich funktioniert ein Potentiometer wie ein ganz normaler Festwiderstand. Jedoch kann
man aufgrund des Aufbaus im Gegensatz zu einem Festwiderstand zwischen dem Schleifer und dem
Eingangskontakt bzw. dem Aufgangskontakt jeden Widerstand von 0 Ohm bis zum Nennwert des
Potentiometers einstellen.
Dreht man den Schleifer auf Kontakt 1, so misst man zwischen dem Kontakt 1 und dem Schleifer 0
Ohm. Wird der Schleifer auf den Kontakt 2 gedreht, misst man zwischen dem Kontakt 1 und dem
Schleifer den Nennwert des Potentiometers.
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Die eingestellten Teilwiderstände 1-3 und 2-3 ergeben in Summe immer den Nennwert des Potenti-
ometers.
Tandempotentiometer Doppelpotentiometer
Ein Tandempotentiometer besteht aus zwei oder Ein Doppelpotentiometer besteht aus zwei axial
mehr axial hintereinander angeordneten Po- hintereinander angeordneten Potentiometern,
tentiometern, die durch eine gemeinsame Achse die nicht nur elektrisch, sondern auch mecha-
gleichzeitig betätigt werden. nisch voneinander getrennt sind.
Die beiden Potentiometer sind elektrisch von Das hinten liegende Potentiometer wird über
einander getrennt. Tandempotentiometer wer- eine Welle bewegt, die durch eine Hohlwelle
den z.B. bei einer Stereo-Lautstärkeregelung geführt wird, mit der das vordere Potentiometer
verwendet, um beide Kanäle synchron verän- eingestellt wird.
dern zu können.
Anwendung
• in der Messtechnik
• zum Abgleich in Schaltungen
• Spannungsteiler
• Lautstärkeregelung in Geräten
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5.2 Feldplatte
Feldplatten sind Halbleiterwiderstände, deren Widerstandswert über ein Magnetfeld gesteu-
ert werden kann. Der Widerstandswert nimmt bei steigender magnetischer Flussdichte zu.
Aufbau Schaltzeichen
Aufbau
Feldplatten bestehen aus einer Trägerplatte, auf die eine dünne Halbleiterschicht aus Indi-
umantimonid (InSb) aufgebracht ist.
In diese Halbleiterschicht sind in geringen Abständen elektrisch gut leitende Metallnadeln
aus Nickelantimonid (NiSb) eingebettet die quer zur Stromrichtung ausgerichtet sind.
Funktionsweise
Wird an die Enden der Feldplatte eine elektrische Spannung angelegt, so fliesst ein Strom
durch das Halbleitermaterial. Die Metallnadeln beeinflussen die Bewegung der Elektronen
nicht.
Der Bahnwiderstand ist jetzt gering. Wird die Feldplatte jetzt in ein Magnetfeld gebracht, so
werden die Elektronen infolge der Lorentzkraft nach einer Seite hin abgelenkt.
Die Elektronenbahnen verlaufen jetzt nicht mehr parallel zur Längskante der Feldplatte son-
dern in einem von der Flussdichte abhängigen Winkel (genannt Hallwinkel).
Treffen die Elektronen auf eine Nadel, wirkt diese wie eine Kurzschlussbrücke und gleicht die
auftretenden unterschiedlichen Ladungsträgerdichten aus. Je grösser die Flussdichte, desto
schräger verlaufen die Bahnen der Elektronen. Dadurch wird die Weglänge der Elektronen
und damit der Widerstand erhöht. Eine Umpolung der Richtung des Magnetfeldes oder der
Spannung hat keinen Einfluss auf die Grösse des Widerstandes.
Anwendung
- Kontaktlose Taster
- Steuerbare Widerstände in der Steuer - und Regelungstechnik
- Messsonden, zum Ausmessen von Magnetfeldern
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5.3 Varistor (VDR = Volt dependent resistor = spannungs-

abhängiger Widerstand)
Der Widerstandswert von Varistoren nimmt mit steigender Spannung ab. Die Polung der
Spannung spielt keine Rolle.
Kennlinie Schaltzeichen
Aufbau
VDR-Widerstände werden aus Siliziumkarbid mit bestimmten Korngrössen und elektrischen
Eigenschaften hergestellt. Dieses Siliziumkarbid wird zu Stäbchen oder Scheiben gepresst
und dann gesintert. Die elektrischen Eigenschaften werden durch die Sinterzeit und Sinter-
temperatur beeinflusst.
Funktionsweise
Das gesinterte Siliziumkarbid besteht aus vielen kleinen Halbleiterkristallen. Diese stellen
Sperrschichten unterschiedlicher Leitfähigkeit dar (ähnlich wie bei Dioden). Die Polung der
Schichten ist unregelmässig. Wird nun eine Spannung angelegt entsteht ein elektrisches
Feld. Dieses Feld baut die Sperrschichten teilweise ab. Je grösser die angelegte Spannung
ist, desto mehr Sperrschichten werden abgebaut und damit die Leitfähigkeit erhöht.
Anwendung
- Spannungsbegrenzung
- Verformung von Strom- und Spannungen in der Impulstechnik
- Überspannungsschutz von Halbleiterschaltungen
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6 Dioden
Dioden sind Halbleiterbauteile, die in Durchlassrichtung niederohmig und in Sperrrichtung
hochohmig sind.
Kennlinie Schaltzeichen
Aufbau
Halbleiterdioden bestehen lediglich aus n- und p-dotiertem Halbleitermaterial, das wie im
folgenden Bild dargestellt angeordnet ist. Die Anschlüsse werden mit K für Katode und A für
Anode bezeichnet
Das n-dotierte Halbleitermaterial besitzt freie Elektronen (-) und dem p-dotierte Halbleiterma-
terial fehlen Elektronen (+), man spricht auch von Löchern oder Defektelektronen.
Funktionsweise
Wird keine Spannung an die Diode angelegt, rekombinieren die Elektronen und die Löcher
im Grenzbereich und es bildet sich eine Sperrschicht die sogenannte Raumladungszone. In
ihr befinden sich keine freien Ladungsträger mehr. Es entsteht die sogenannte Diffusions-
spannung. Bei Siliziumdioden beträgt die Spannung ca. 0,7 V und bei Germanieumdio-
den ca. 0,2 V. Aus diesem Grund hat die Diode einen hohen elektrischen Widerstand. Um
die Diode in den leitenden Zustand zu versetzen, muss man eine Spannung in Durchlass-
richtung anlegen, die grösser als die Diffusionsspannung ist.
Sperrrichtung
Legt man nun eine Spannung in Sperrrichtung an, d.h. eine negative Spannung an die
Anode und eine positive Spannung an die Katode, so werden die negativgeladenen Elekt-
ronen in der N-Schicht zum Pluspol angezogen und die positivgeladenen Löcher in der
P-Schicht wandern zum Minuspol. Auf diese Weise verbreitert sich die Sperrschicht im
Grenzbereich und der Widerstand der Diode nimmt zu.
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Durchlassrichtung
Legt man nun eine Spannung in Durchlassrichtung an, d.h. eine positive Spannung an die
Anode und eine negative Spannung an die Katode, so drückt der Minuspol Elektronen in die
N-Schicht. Die Elektronen überschwemmen den Kristall und die Raumladungszone wird ab-
gebaut und die Elektronen werden vom Pluspol angezogen.
Die Diode ist jetzt niederohmig. Zur Strombegrenzung muss ein Vorwiderstand in Reihe
geschaltet werden.
Kennzeichnung
Die Katode einer Diode wird meistens durch einen Balken gekennzeichnet.
Anwendung
- Gleichrichter
- Verpolungsschutz
- Schalter
- u.a.
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6.1 LED Leuchtdiode (Light Emitting Diode)
Die Leuchtdiode ist eine Halbleiterdiode, die beim Betrieb in Durchlassrichtung Licht er-
zeugt (emittiert).
Aufbau
Der grundsätzliche Aufbau einer Leuchtdiode beruht auf einem grossflächigen PN-Übergang,
der dicht unter der Oberfläche liegt.
LED's bestehen nicht aus Silizium oder Germanium, sondern aus Mischkristallen. Je
nach verwendetem Material leuchten sie rot (Gallium-Arsenid-Phosphid), grün (Gallium-
Phosphid), blau (Gallium-Nitrid) oder infrarot (Gallium-Arsenid). Sie müssen einen entspre-
chenden Bandabstand aufweisen, der damit auch die Wellenlänge des Lichtes vorgibt.
Die abgeflachte Seite am Gehäuse ist der Katodenanschluss. Den Anodenanschluss

erkennt man auch an dem längeren Anschlussbein.
Hält man die Diode gegen das Licht kann man im Inneren die beiden Flächen erkennen.
Die grosse Fläche gehört immer zum Katodenanschluss.
Eselsbrücke:
Würde man bei einer Leuchtdiode das längere Bein auf die gleiche Länge wie das Kürzere abschnei-
det, so kann man mithilfe des abgeschnittenen Drahtes ein Pluszeichen (+) legen. Also muss das län-
gere Bein an + (Anode)
Funktionsweise
Der pn-Übergang einer LED wird in Durchlassrichtung
betrieben. Beim Anlegen einer Spannung wird die
durch die Rekombination von Elektronen und Defekte-
lektronen in der Grenzschicht frei werdende Energie
als Licht abgestrahlt.
Beispielsweise erfolgt bei Silizium-Dioden der Über-
gang strahlungslos durch Photonenanregung (Gitter-
schwingungen), das Gitter führt die Energie als Wärme
ab. Gallium-Arsenid (GaAs) hingegen leuchtet.
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Wie entsteht das Licht?

Nach dem Bohrschen Atommodell bewegen sich Elektronen auf ganz bestimmten Bahnen
um den Kern. Die Elektronen bewegen sich auf diesen Bahnen strahlungsfrei, d.h. ohne
Energieverlust.
Je grösser der Abstand der Bahnen vom Kern ist, umso grösser ist das Energieniveau des
Elektrons. Der Übergang von einer Bahn auf eine andere, der sogenannte Elektronen- oder
Quantensprung, erfolgt dabei immer unter Aufnahme oder Abgabe der entsprechenden
Energiedifferenz.
LED’s müssen den der gewünschten Lichtfrequenz entsprechenden Energieabstand, der bei
der Rekombination überbrückt wird, haben. Kurzwelliges Licht (blau oder UV) emittierende
LED’s müssen also eine grössere Energielücke bieten.
LEDs geben schmalbandige nahezu monochromatische Strahlungen von IR- über den sicht-
baren bis zum UV-Bereich ab (IR =Infrarot, UV = Ultraviolett).
Trägt man die Wellenlängen lichtstarker LEDs in die Farbtafel ein, so bleibt einzig der Gelb-
bereich offen. Erkennbar ist, dass durch eine geeignete RGB- Dioden Kombination der
Weisston erzeugt werden kann.
Eine Weisslicht - LED kann durch die Kombination mehrerer Farb-LEDs in einem Chip als
Multi-LED hergestellt werden. Eine andere Methode ist der Einsatz von Leuchtstoff mit der
Eigenschaft einer Fotolumineszenz.
Der Lumineszenz - Farbstoff wird von einer blauen Diode angeregt und gibt langwelligeres
Licht ab. Durch die Kombination verschiedener Lumineszenz - Farbstoffe lassen sich damit
alle gewünschten Farbwerte mit LEDs verwirklichen. Eine vergleichbare Lichttransformation
kommt in Leuchtstofflampen und Energiesparlampen zur Anwendung.
Gewisse organische Verbindungen zeigen einen ähnlichen Effekt wie LED und strahlen beim
Übergang von einem höheren zu einem tieferen Energieniveau ebenfalls „Bandlicht“ ab. In
Anlehnung an LED werden Sie OLED (Organic Light Emittig Diodes) genannt.
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Anwendung
- in Siebensegment- und Punktmatrixanzeigen
- Statusanzeigen
- Leuchtmittel, um Glühbirnen zu ersetzen
- Laufschriftanzeigen
- Fahrradbeleuchtung
- Infrarot-LEDs in Fernbedienungen
- Siebensegmentanzeigen an Taschenrechnern und Messgeräten
- u.v.a.
6.2 Z-Diode (Zenerdiode)

Z-Dioden sind Siliziumdioden mit definiertem und sehr steilem Durchbruch in Sperrrichtung.
In Durchlassrichtung verhalten sie sich wie normale Dioden.
Aufbau
Z-Dioden werden grundsätzlich aus Silizium hergestellt, und bestehen aus einer N-Schicht
und P-Schicht, wobei die Dioden am PN-Übergang stark dotiert werden. Die Höhe der Z-
Spannung wird bei der Herstellung durch die Dotierung beeinflusst. Es gibt Z-Dioden von
2,7V bis zu einigen 100V.
Funktionsweise
In Durchlassrichtung arbeitet sie wie eine normale Diode. In Sperrrichtung steigt der Strom
ab einer bestimmten Spannung infolge des Zenereffektes stark an, ohne dass die Diode zer-
stört wird.
Zenereffekt
Bei sehr starker Dotierung am PN-Übergang entsteht wegen der grossen Raumladungsdich-
te eine schmale Raumladungszone. In dieser entsteht eine grosse elektrische Feldstärke, die
beim Anlegen einer Spannung in Sperrrichtung noch erhöht wird. Übersteigt die Feldstärke
einen bestimmten Wert, so werden Elektronen aus den äusseren Schalen der Atome geris-
sen. Dadurch steigt die Zahl der Ladungsträger stark an.
Erhöht man die Sperrspannung weiter (etwa grösser als ca. 5 Volt), so werden die beim Ze-
nereffekt entstandenen Elektronen so stark beschleunigt, dass sie ihrerseits weitere Elektro-
nen aus Bindungen herausschlagen. Es kommt zu einem Lawineneffekt.
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7 Transistor
Ein Transistor ist ein elektronisches Bauelement zum Schalten und Verstärken von elektri-
schen Signalen, ohne dabei mechanische Bewegungen auszuführen. Transistoren sind die
weitaus wichtigsten „aktiven“ Bestandteile elektronischer Schaltungen, welche beispielswei-
se in der Nachrichtentechnik, der Leistungselektronik und in Computersystemen eingesetzt
werden. Besondere Bedeutung haben Transistoren in integrierten Schaltkreisen, was die
derzeit weit verbreitete Mikroelektronik ermöglicht.
7.1 Transistor als Schalter

Eine Einsatzmöglichkeit des Transistors ist der Einsatz als elektronischer Schalter, zum
schnellen Schalten von kleinen und mittleren Lasten. Hierbei wird der Transistor zwischen
den beiden Arbeitspunkten "Transistor gesperrt" und "Transistor leitend" gesteuert.
Schaltung Funktion
Legt man die Schaltung an Spannung, wird
der Transistor V2 über R1 angesteuert.
Er schaltet durch und die LED V1 leuchtet.
R2 dient zur Strombegrenzung, damit we-
der die LED noch der Transistor zerstört
werden.
Wenn der Transistor durchgeschaltet ist, ist
er zwischen der Emmitter-Kollektor-Strecke
so niederohmig, dass nur noch ca. 0,1 V an
ihr abfallen.
Wird der Schalter S1 geschlossen, fliesst der

gesamte Strom über R1 nach Masse. Der
Strom zur Basis ist so gering, dass der Tran-
sistor nicht angesteuert werden kann. Er
sperrt und die LED leuchtet nicht.
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8 Strom-Gleichrichtung
In der Regel funktionieren elektronische Geräte mit einer Gleichspannung. Da die Nutzung
von Batterien unwirtschaftlich ist wird die zur Verfügung stehende Wechselspannung ge-
nutzt. Hierzu wird eine Herabtransformierung, Gleichrichtung und Glättung der Wechsel-
spannung erforderlich. Gut geeignet dazu sind Gleichrichterdioden wegen ihrer kleinen
Durchlassspannung und hohen Sperrspannung.
Für geringe und mittlere Belastungen werden neben Siliziumdioden auch Selengleich-
richter eingesetzt. Für hohe Belastungen werden in der Regel Siliziumgleichrichter einge-
setzt.
Man unterscheidet bei den Gleichrichterschaltungen zwischen der Einweg- und Zweiwegg-
leichrichtung. Die Zweiweggleichrichtung kann als Zweipulsmittelpunktschaltung oder als
Brückenschaltung realisiert werden.
Schaltzeichen Bauformen (Bsp)
8.1 Funktion
Dioden lassen Spannung in der Durchlassrichtung durch, sperren aber die Spannung in der
Gegenrichtung der sogenannten Sperrrichtung.
Diesen Effekt nutzen Gleichrichterdioden. Sie lassen die Spannung eines Wechselstromnet-
zet nur in einer Richtung durch und schneiden die Spannung in Sperrrichtung ab.
Dadurch entsteht eine Gleichspannung mit einer hohen Restwelligkeit. Die Restwelligkeit
wird auch Brummspannung genannt. Die Brummspannung hat die Frequenz des Wechsel-
stromes bei Einweggleichrichtung (50HZ) resp. die doppelte Frequenz des Wechselstro-
mes bei Zweiweggleichrichtung.
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Restsignal bei einer Einweggleichrichtung

Durch parallelschalten eines Kondensators kann die Spannungskurve geglättet werden.
Ohne Belastung kann sich der Kondensator voll aufladen und es entsteht eine schöne
Gleichstromspannung.
Unter Last aber ist die Brummspannung von der Grösse der Kapazität des Kondensators,
der Lastgrösse sowie des Vorwiederstandes abhängig.
Unbelastete Gleichspannung Belastete Gleichspannung
8.2 Einweggleichrichtung
Bei der Einweggleichrichtung wird eine Gleichrichterdiode mit einem Verbraucher in Reihe
geschaltet.
Dadurch wird eine Halbwelle der sinusförmigen Eingangswechselspannung genutzt und
die zweite Halbwelle gesperrt. An dem Verbraucher liegt eine pulsierende Gleichspannung
an. Es ist die einfachste Form der Gleichrichtung einer Wechselspannung und nur für kleine
Leistungen geeignet.
Schaltung
Durchlassrichtung Sperrrichtung
8.3 Zweiweggleichrichtung (B2)

Zweipulsmittelpunktschaltung B2
Die Zweipulsmittelpunktschaltung besteht aus zwei Einweggleichrichterschaltungen. Es wer-
den beide Halbwellen zur Erzeugung der Gleichspannung gleichgerichtet. Für die Schaltung
wird ein Transformator mit Mittelabgriff benötigt.
Schaltung
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Signal nach der Zweiweggleichrichtung
Brückenschaltung
Bei der Brückenschaltung werden durch vier Dioden sowohl die positive als auch die negati-
ve Halbwelle einer Wechselspannung gleichgerichtet. Dabei kommt die Brückenschaltung
mit einem Transformator ohne Mittelabgriff aus. Sie ist die Schaltung, die grösstenteils zur
Gleichrichtung von Wechselspannungen eingesetzt wird.
Brückenschaltung
Funktion
Positive Halbwelle Negative Halbwelle
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9 Quellenangaben
Europa Lehrmittel, Fachkunde Elektrotechnik, 28. Ausgabe 2012

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Grundlagen

2 Dotieren von Halbleitern

N-dotierter Halbleiterwerkstoff ist elektrisch neutral und nicht negativ geladen!

P-dotierter Halbleiterwerkstoff ist elektrisch neutral und nicht positiv geladen!

Wirkung einer Spannung auf einen PN-Übergang

5 Veränderbarer Widerstand / einstellbarer Widerstand

Links: Schaltzeichen eines Potentiometers. Rechts: Trimmerpotentiometers. Die-

5.3 Varistor (VDR = Volt dependent resistor = spannungs-

6.1 LED Leuchtdiode (Light Emitting Diode)

Die abgeflachte Seite am Gehäuse ist der Katodenanschluss. Den Anodenanschluss

Wie entsteht das Licht?

6.2 Z-Diode (Zenerdiode)

7.1 Transistor als Schalter

Wird der Schalter S1 geschlossen, fliesst der

Schaltzeichen Bauformen (Bsp)

Restsignal bei einer Einweggleichrichtung

Unbelastete Gleichspannung Belastete Gleichspannung

8.3 Zweiweggleichrichtung (B2)

Signal nach der Zweiweggleichrichtung

Europa Lehrmittel, Fachkunde Elektrotechnik, 28. Ausgabe 2012

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