Halbleiter

Wie wir gesehen haben, erhöht sich der elektrische Widerstand bei einem Metalldraht mit
steigender Temperatur.
So kann man z.B. den Widerstand einer Glühlampe bestimmen, wenn man die angelegte Spannung
und Stromstärke durch sie kennt.

Widerstand einer Glühlampe:

1. Wir messen den Widerstand mit einem Vielfachmessgerät (es wird von der eingebauten
Batterie ein kleiner Strom – die Glühlampe leuchtet dabei nicht - durch die Metallwendel
geschickt und der Widerstand berechnet.

U
R KALT = =
I

2. Dann betreiben wir die Glühlampe bei Nennbedingungen und errechnen den Widerstand
wiederum mit der U-I-Methode

U
R WARM = =
I

In einem metallischen Leiter steigt der Widerstand, je höher die Temperatur (je höher also auch die
Schwingung der Atomrümpfe(+) ) ist.

Leitungselektronen in einem metallischen Leiter

Glas wird zum Leiter

Bei Zimmertemperatur hat Glas ca. den 1018fachen Widerstand von Kupfer, ist also ein Isolator.

Erhitzt man einen Glasstab, wie in der untenstehenden Abbildung, so wird er bei heißen
Temperaturen trotzdem (sehr schlecht) leitend und mit einem sehr sensiblen Amperemeter kann
man winzige Ströme messen.

Durch die Erhöhung der Temperatur werden einige der gebundenen Elektronen zu
beweglichen Leitungselektronen. Legt man nun eine Spannung zwischen den Enden des
Glasstabes an, so führen die wenigen Leitungselektronen zu einer geringen Stromstärke.

Schließt man einen Stab aus Silizium in Reihe mit einem Amperemeter und schließt eine Spannung
von 20 V an, so fließt in unserer Messung ein kleiner Strom von I = 3 μA. Erhitzt man den Stab dann
unter einem Teelicht, ist eine höhere Stromstärke von I = 100 μA messbar.

Wie man also im oben stehenden Experiment sehen kann, leitet Silizium besser, wenn es erhitzt
wird. Die Leitfähigkeit steigt, weil die Stromstärke in der Schaltung größer wird, das heißt auch, dass
der Widerstand des Siliziumstabs bei Erhöhung der Temperatur sinkt.
Silizium verhält sich somit ähnlich wie ein Isolator, nur dass es besser leitet.

Zwischen Leiter und Nichtleiter: Halbleiter

Zu den Halbleitern gehören Elemente wie Silizium, Germanium, Selen oder Kupferoxid.
Warum leitet ein Halbleiter besser, wenn er erwärmt wird?

Bei den metallischen Leitern schwingt das Atomgitter bei hohen Temperaturen und hindert die
Elektronen stärker am Weiterkommen, der Widerstand des Metalls steigt an.

Bei den Halbleitern werden durch Wärmezufuhr einige der Bindungselektronen aus der
Atombindung gelöst und stehen plötzlich als frei bewegliche Ladungsträger zur Verfügung. So leiten
Halbleiter bei Erwärmung besser.

In der untenstehenden Tabelle sehen wir den elektrischen Widerstand der Halbleiter im Vergleich
mit guten Leitern und Isolatoren:
 ● Halbleiter sind Stoffe der 4. Gruppe des Periodensystems der Elemente mit hohem
Widerstand

● Das technisch wichtigste Halbleitermaterial ist Silizium.

● Mit steigender Temperatur steigt die Anzahl der frei beweglichen Ladungsträger sehr
stark an, der elektrische Widerstand sinkt.

Im obenstehenden Bild sieht man, dass die 4 Bindungselektronen von Silizium mit den
Nachbaratomen feste Bindungen eingehen; das erklärt das schlechte Leitungsverhalten.

Mehr Leitungselektronen durch Phosphor:

1. Die n - Dotierung
Es klingt paradox, aber die Leitfähigkeit von Halbleitern steigt erst mit einer gezielten Verun-
reinigung der Elemente

Bringt man ein chemisch fünfwertiges Atom (beispielsweise Phosphor oder Arsen) in einen
Halbleiter-Kristall (beispielsweise Silicium) ein, so können nur vier der fünf Valenzelektronen des
Phosphors kovalente Bindungen mit den benachbarten Atomen aufbauen. Das fünfte
Valenzelektron bleibt ungebunden am Phosphoratom zurück und lässt sich verhältnismäßig leicht
ablösen. Somit steht es im weiteren Sinn als ein “freier” Ladungsträger für den elektrischen Strom
zur Verfügung.

Typische chemisch fünfwertige Fremdatome

(“Donatoren”) sind beispielsweise Phosphor (P), Arsen (As)
und Antimon (Sb). In üblichen n - Dotierungen wird ein
Fremdatom auf etwa 1 bis 10 Millionen Halbleiter-Atome
eingebracht. Der Halbleiter bleibt durch die n - Dotierung
weiterhin elektrisch neutral.

2. Die p - Dotierung

Bei einer p - Dotierung werden gezielt zusätzliche positiv geladene Ladungsträger in einen
Halbleiter eingefügt.

Bringt man ein chemisch dreiwertiges Atom

(beispielsweise Bor) in einen Halbleiter-Kristall ein,
so bleiben an den Bor-Atomen “Löcher” oder
“Defektstellen” in den kovalenten Bindungen
zurück. Jedes Bor-Atom ist zwar fest im
Halbleiterkristall eingebunden, doch stellt jedes
Loch einen freien Platz für benachbarte
Valenzelektronen dar, der verhältnismäßig leicht
besetzt werden kann. Springt ein
Valenzelektron aus einer anderen kovalenten
Bindung in die Defektstelle, so ist das Loch an eine
neue Stelle weiter gewandert. Somit können die
eingebrachten Löcher im weiteren Sinn als freie, einfach positiv geladene Ladungsträger
angesehen werden.
Typische chemisch dreiwertige Fremdatome (“Akzeptoren”) sind beispielsweise Bor ,
Aluminium (Al) , Gallium (Ga) sowie Indium (In). In üblichen p - Dotierungen wird ebenfalls ein
Fremdatom auf etwa 1 bis 10 Millionen Halbleiter-Atome eingebracht. Auch durch die p - Dotierung
bleibt der Halbleiter elektrisch neutral.
 3. Der n - p Übergang
Verbindet man einen n - mit einem p - dotierten Halbleiterkristall, so bildet sich entlang der
Verbindungslinie ein neutraler Übergangsbereich aus, in der die zusätzlichen Elektronen der -
dotierten Schicht die Löcher der p - dotierten Schicht auffüllen. Die paarweise Aufhebung von
Elektronen und Löchern wird als “Rekombination”, der entstehende Raumbereich als
“Raumladungszone” oder “Grenzschicht” bezeichnet. Diese (im untenstehenden Bild
dunkelgrau eingefärbte) Zone in der Mitte ist nicht elektrisch leitend, da es keine Löcher und
auch keine freien Elektronen mehr gibt.

Abbildung: n-p-Übergang

Innerhalb der Raumladungszone gleicht ein Halbleiter-Kristall mit n - p Übergang einem Halbleiter
ohne Dotierung, d.h. der elektrische Widerstand der neutralen Grenzschicht ist gegenüber den
restlichen dotierten Bereichen deutlich erhöht.

Die Dicke der neutralen Grenzschicht wird dadurch begrenzt, dass durch das Abdriften der
Elektronen in der (ursprünglich neutralen) n - dotierten Schicht eine positive elektrische Ladungs-
Anhäufung entsteht; in der (ursprünglich ebenfalls neutralen) p - dotierten Schicht baut sich
entsprechend durch die zusätzlichen Elektronen entlang der Grenzschicht eine negative Ladungs-
Anhäufung auf.

Da sich durch die Ladungstrennung eine elektrische Spannung zwischen beiden Schichten aufbaut,
kommt es schließlich zu einem Gleichgewicht zwischen dem (thermisch bedingten) Driften der
Elektronen und der entgegengesetzt wirkenden “Drift-Spannung”, meist aber Schwellenspannung
genannt.
In Silizium-Kristallen beträgt die Drift-Spannung rund U S ,Si ≈ 0,7 V , in Germanium-Kristallen rund
U S ,≥¿ ≈0,3 V ¿ .
Bei Polung in Durchlassrichtung (+ am p-Kristall, − am n-Kristall) wird das elektrische Feld der Sperrschicht
es fließt ein signifikanter elektrischer Strom, aber dazu gleich mehr.

Die Dicke der Raumladungszone hat bei typischen Dotierungen eine Größenordnung von ca 1μm.

Durchlass-Richtung und Sperr-Richtung

Legt man an einen Halbleiter-Kristall mit n - p Übergang von außen eine elektrische Spannung an,
so lässt sich die Dicke seiner Grenzschicht und damit auch seine elektrische Leitfähigkeit gezielt
beeinflussen.

● SPERRICHTUNG:

Verbindet man die n - dotierte Schicht mit dem Plus- und die p - dotierte Schicht mit dem
Minus-Pol einer Stromquelle (“Sperr-Richtung”), so werden die Elektronen und Löcher von
der Grenzschicht weg bzw. an den Rand des Halbleiter-Kristalls hingezogen. Die neutrale
Raumladungszone wird dadurch vergrößert, der elektrische Widerstand steigt stark an. Der
Halbleiter leitet nicht!

● DURCHLASSRICHTUNG:

Verbindet man die -dotierte Schicht mit dem Minus- und die p - dotierte Schicht mit dem
Plus-Pol einer Stromquelle (“Durchlass-Richtung”), so werden an der n - Schicht
kontinuierlich Elektronen nachgeliefert. Ist die angelegte Spannung größer als die Drift-
Spannung im Kristall, so können sich die zusätzlichen Elektronen im Kristall ausbreiten. Die
Elektronen und Löcher verteilen sich, ähnlich wie gelöste Ionen im Wasser, über den
gesamten Kristall.Der Halbleiter wird leitend!.
Damit man bei einem Halbleiter sofort erkennt, wie man ihn in eine Schaltung richtig integriert gibt
es genormte Schaltzeichen.

Am Beispiel einer Diode erkennt man sofort die Durchlassrichtung:

Beim rechts abgebildeten Symbol ist schnell klar, dass diese Diode
nur einen Stromfluss von links nach rechts ermöglicht.
Der Strich quer zum Leiter stellt die Sperrung der Diode von
Strömen, die von rechts kommen dar.

Auch auf den elektronischen Bauteilen ist die Sperrichtung

durch einen Strich ersichtlich. Im nebenstehenden Bild ist eine
Germanium Diode abgebildet.

In der Elektronik werden n - p Übergänge in Halbleiter-Bauelementen verwendet. Ein einzelner n - p

- Übergang erfüllt die Funktion einer Diode. Zwei- bzw. dreifache n - p Übergänge finden z.B. in
Transistoren Anwendung.

Nachfolgend eine Schaltung einer Germanium Diode in Durchlass- bzw. in Sperrichtung. Achtet
dabei auf den Ausschlag am Amperemeter!
 Diode in Durchlassrichtung (I = 4mA) Diode in Sperrichtung (kein Stromfluss)

Kennlinie einer Silizium Diode

U D /V 0,1 0,3 0,5 0,55 0,60 0,65 0,70 0,75 0,80 0,85 0,9 0,95 1,0 1,05

I /mA

Erklärung der Kennlinie:

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Die Schwellenspannung

Die Schwellenspannung ist der wichtigste Nennwert einer Diode. Die Schwellspannung gibt an, ab
welcher Spannung eine Halbleiterdiode in Durchlassrichtung leitend wird. Das bedeutet, eine Diode
in Durchlassrichtung ist nicht immer leitend, sondern erst ab einembestimmten Spannungswert.
Die Schwellenspannung ist abhängig vom Halbleitermaterial und entspricht nur einem
ungefähren Wert. Ein paar Beispiele häufiger Halbleitermaterialien:

● Germanium ~ 0,3V
● Silizium ~ 0,7V
● Selen ~ 0,6V
● Kupferoxydul ~ 0,2V

In der Elektronik gilt im Wesentlichen ein wichtiger Grundsatz: Bei einem Halbleiter, wie z.B. einer
Diode muss man immer darauf achten, dass __________________________________________
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Die Leuchtdiode LED

Die Leuchtdiode funktioniert gleichermaßen wie eine herkömmliche Diode außer, dass bei der
Rekombination (der Löcher mit den freien Elektronen) Photonen, also Licht ausgesandt wird. Eine
Reflektorwanne, ähnlich einer Parabolschüssel, und eine oben drauf gesetzte Linse verstärken die
Aussendung von Licht noch einmal. Oft wird das ausgesandte Licht einer LED unter einem kleinen
Ausstrahlwinkel abgestrahlt.

Im Unterschied zu einer herkömmlichen Diode liegt der Wert der Schwellenspannung bei einer LED
wesentlich höher. Im untenstehenden Diagramm sieht man, dass es, unterschiedlich für die
jeweilige Farbe, bei einer grünen LED eine Schwellspannung von ca. 2V benötigt, damit sie leitend
wird.

Farbe der LED:___________ Schwellenspannung: ____________

Spannung U GES: __________

Berechnung des Vorwiderstandes:

 Der Transistor

Ein Transistor ist ein Halbleiterelement, bei dem 3 dotierte Halbleiter miteinander
verbunden werden. Bei NPN Transistoren sind das zwei n-dotierte und eine p-
dotierte Schicht.

In den beiden Grafiken oben wird gezeigt, das beim Bauteil jede der dotierten Schichten mit einem
Draht nach außen geführt wird. Die schwarze Linie zwischen den verschieden dotierten Schichten
soll eine dünne Sperrschicht darstellen.
Ähnlich wie bei einer Diode wird nun geschickt an den Halbleiterschichten der Plus- bzw Minuspol
der Spannungsquelle angeschlossen, damit der Transistor richtig funktioniert.

Das genormte Schaltzeichen des Transistors, das in Plänen verwendet wird, sieht folgendermaßen
aus:

Da der Transistor aus zwei N-P Übergängen besteht und diesen vorher als Diode kennengelernt
haben, untersuchen wir nun den Transistor genauer zwischen welchen der drei Füßchen ein
Durchkommen eines elektrischen Stromes möglich ist.

Wir testen also, wie in der nebenstehenden Schaltung,

was passiert, wenn man eine Spannungsquelle, einen
Vorwiderstand und eine LED (U Q = ca. 3V - der
Vorwiderstand soll ca. 100-400 Ώ betragen) zuerst an die
Basis und den Emitter anschließt. Die LED soll lediglich
durch Leuchten ein Durchlassen des Stromes in diese
Richtung anzeigen. Anschließend wird die Polung der
Spannungsquelle vertauscht.

Ändere beim Umpolen die Steckrichtung, nicht die Spannungsquelle (LED! sonst
falsch drinnen)

LED leuchtet LED leuchtet NICHT

1. B+ E- X

2. B- E+ X

3. C+ E- X

4. C- E+ X

5. B+ C- x

6. B- C+ X
Wir können beobachten, dass ein Durchkommen eines Stromes nur möglich ist, wenn ___ ______
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Ersatzschaltbild eines Transistors

Das Ersatzschaltbild eines Transistors sieht folgendermaßen aus:

Die einfachste Funktionsweise eines Transistors ist die als elektrischer Schalter.
Legt man an zwischen die Basis und dem Emitter einen kleine Spannung (die über der
Schwellspannung des Halbleitermaterials liegt, bei Silizium ca. 0,7V) an, so wird der Transistor
zwischen Kollektor und Emitter leitend.

Wenn also der Widerstand, der an der Basis

angeschlossen ist mit dem + Pol einer Spannungsquelle
verbunden, so entsteht die kleine Spannung U B-E damit
der Transistor zwischen Kollektor (oben) und Emitter
(unten) leitend wird und die Glühlampe zum Leuchten
bringt.

Ein Transistor kann durch einen kleinen Basistrom

einen um das Vielfache größeren Kollektorstrom
schalten.
Die nachfolgenden Bilder zeigen eine schematische Darstellung der Funktionsweise eines
Transistors in Analogie zu einem Wasserkreislauf:

Messversuch: Feuchtigkeitssensor:

R B = ca. 1000 Ω
R C = ca. 300 - 500 Ω

Schaltung: