HLS V001

Halbleiter-Schaltungstechnik
Teil 1 – pn-Übergang und Dioden
Dr.-Ing. Sven Kuhn

(Quelle: Texas Instruments )
Gliederung
1. Halbleitermaterial und PN-Übergang

2. Halbleiterdiode
3. Bipolartransistor
4. Feldeffekttransistor
5. Operationsverstärker
16.04.2019 Halbleiter-Schaltungstechnik 2
Literaturvorschlag
 Standardwerk
 U. Tietze, CH. Schenk: Halbleiterschaltungstechnik, Springer,
Heidelberg 2008
 Lehrbuch
 G. Koß, W. Reinhold, F. Hoppe: Lehr und Übungsbuch Elektronik,
Fachbuchverlag Leipzig, Hanser Verlag, München 2005
 Göbel, Holger: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik, Springer,
Heidelberg 2011
 Software
 LT-Spice
Einleitung
Klassifizierung von Festkörper Material
 Die Unterscheidung zwischen Leiter und Isolator geht auf

Stephen Gray (1727) zurück
 Ohmsches Gesetz (1821) Georg Simon Ohm
 Gleichrichtereffekt (1874) Ferdinand Braun
Festkörperelektronik
Halbleiter
 Die Halbleiter gehören zur IV. Hauptgruppe

 Verbindungshalbleiter bestehen aus Elementen der IV., III. oder V. Hauptgruppe
 Germanium und Silizium hat die größte Bedeutung
Bändermodell
Energiebänder
Bändermodell – kovalente Bindungen
Temperaturabhängigkeit des Siliziumkristalls
Leitungsmechanismen
Leitungsband Leitungsband
Valenzband Valenzband
Halbleiter bei ϑ = 0 K Halbleiter bei ϑ > 0 K
Intrinsische Ladungsträgerdichte
Ladungsträger durch Dotierung
 Donator Dotierung aus der V.

Hauptgruppe des Periodensystems
 das Donatoratom (hier Phosphor)

besitzt 5 Valenzelektronen auf der
äußeren Schale
 ein freies Elektron steht zur Leitung

zur Verfügung
 Donatoratom wird ionisiert
 Akzeptor Dotierung durch Element naus der III. Gruppe des Periodensystems
 Das Atom (hier Bor) hat nur 3 Valenzelektronen auf der äußeren Schale
 Das Akzeptoratom wird ionisiert wenn sich das Loch vom Atom weg bewegt
Donator Dotierung Akzeptor Dotierung
Leitungsband Leitungsband
Valenzband Valenzband
EC – ED < EG EA – EV < E
Halbleiter G ϑ = 0 K
bei
Ladungsträgermobilität
Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerkonzentration
Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstandes
Temperaturabhängigkeit der Fermienergie
pn-Übergang
Raumladungszone am pn-Übergang
p n p n
pn-Übergang
Bänderschema des pn-Übergangs
Energieniveaus am pn-Übergang
Wiederholung
Der pn-Übergang in Flusspolung
Diode
Schaltzeichen und Definitionen
Großsignalverhalten der Diode
Verhalten der Diode im Durchlassbereich
 Der Strom nimmt für Ud > 0 V exponentiell zu

 Bei Siliziumdioden fließt ab ca. 0,4 V ein nennenswerter Strom
Verhalten der Diode im Sperrbereich
 Der Strom nimmt zunächst langsam zu

 Bei Annäherung an die Durchbruchspannung steigt der Strom schlagartig
Beschreibung der Kennlinie
 mU
UD


I D (U D )  I S e T
 1 für U D  0
 
 
Sättigungssperrstrom: 10-12 A < IS < 10-6 A
Emissionskoeffizient: 1 m  2
Temperaturspannung: UT = kT/q ca. 26 mV bei Raumtemperatur
Diodenkennlinie Beispiel 1
UD= 0,8 V
IF= 32 mA
Näherungen für die Diodenkennlinie

UD
Für UD >> mUT : I D (U D )  I S e mU T
ideale Diode
Somit gilt für die Diodenspannung: reale Diode
ID
U D  mU T ln
IS
- mit Berücksichtigung des Bahnwiderstandes:
ID
U D  mU T ln  I D RB
IS
Die Diode als Schalter – ideales Diodenmodell
ID = 0 für UD < UF
UD = UF für ID > 0
UD = UF + IDRB für ID > 0 mit Bahnwiderstand
 Das ideale Diodenmodell ermöglicht eine einfache und schnelle

Analyse von Schaltungen. Ein aufwendiger Ansatz über die e-Funktion
kann so vermieden werden.
Beispiel 2
Ermitteln Sie die Arbeitspunkte für die Dioden in der

folgenden Schaltung. Treffen Sie, sofern nötig, dazu
geeignete Annahmen.
Kleinsignalverhalten der Diode
Wechselstromwiderstand – differentieller Widerstand
U
rf  für U  0
I
I U 
U
Is
dI
dU  mU T e mU t
 mU T  gf  1
rf
Diodenkennlinie Beispiel 3
UD= 0,8 V
IF= 32 mA
Gehäuseformen von Dioden
Aufbau von Dioden
pn-Diode Schottky-Diode
Siliziumdiode in Planartechnologie
 Das Substrat (Bulk) ist leicht dotiert (p-)

 p+ und n+ Zonen sind stark dotiert
 Als Kontaktmaterial wird z.B. Aluminium eingesetzt
 SiO2 dient zur Isolation
Daten verschiedener Dioden
Daten verschiedener Dioden
Spezielle Dioden
Z-Diode
Schaltsymbol Kennlinie
Z-Dioden
Lawineneffekt durch Stoßionisation
 Elektronen in der Raumladungszone werden durch ein elektrisches Feld innerhalb

der Raumladungszone beschleunigt.
 Bei hinreichend großer Feldstärke reicht die Energie aus um Elektronen aus dem
Gitterverband herauszuschlagen, wodurch neue freie Ladungsträger entstehen ->
Lawinen- oder Avalanch-Effekt.
 UZ > 5 V .. 200 V; bei hohen Dotierungen von 1017 .. 1018 cm-3
 UZ hat einen positiven Temperaturkoeffizienten
Z-Dioden
Zenereffekt durch tunneln
 Bei hohen Feldstärken (Silizium 300kV/cm) werden Valenzelektronen der Gitteratome

aus ihrem Paarbindungen herausgerissen.
 Im Bändermodell sieht man, dass diesen Elektronen freie Plätze auf gleicher
energetischer Höhe im n-Gebiet gegenüberstehen. Die Elektronen tunneln in das n-
Gebiet und rekombinieren dort mit freien Löchern.
 UZ < 6 V .. 8 V; bei sehr hohen Dotierungen von 1018 .. 1019 cm-3 und daraus
resultierender schmaler Raumladungszone.
 UZ hat einen negativen Temperaturkoeffizienten
Anwendungen der Z-Diode
Stabilisierung einer Gleichspannung
Stabilisierung einer Gleichspannung mit überlagerter Wechselspannung
 Wechselstrom Ersatzschaltbild
für RL >> rZ gilt:
mit RV >> rZ erhält man:
Mit dieser Gleichung wird der Glättungs- oder Siebfaktor definiert:
Verlustleistung der Z-Diode

Der Momentanwert der Verlustleistung an der Z-Diode ergibt sich aus:
PZ  U Z (t )  I Z (t )
Für die mittlere Verlustleistung gilt somit:
T T
1 1
PVZ   PZ (t ) dt   U Z (t )  I Z (t ) dt
T 0 T 0
T T
Für reinen Wechselspannungsanteil gilt: u

0
Z (t )  dt  0 und i
0
Z (t )  dt  0
Hieraus ergibt sich:

T 2
1 u Zeff
PVZ  U Z  I Z  rZ   iZ dt  U Z  I Z  rZ  iZeff  U Z  I Z 
2 2
T 0 rZ
Die Verlustleistung setzt sich somit aus Gleich- und Wechselanteil zusammen
PVZ  PV   pV ~
Maximale Verlustleistung
Wärmewiderstand
Allgemein: 
Rth 
Pth
Für die Verlustleistung gilt somit in Abhängigkeit der Sperrschicht-Temperatur:
 j  U
Pj 
RthU
Die Wärmewiderstände von der Sperrschicht bis zur Umgebung können addiert
werden. Für Silizium-Bauelemente liegt die maximal zulässige
Sperrschichttemperatur bei jmax = 175°C
Kapazitätsdiode
 Bei den Kapazitätsdioden wird die spannungsabhängige

Sperrschichtkapazität genutzt.
 Die Sperrschichtkapazität lässt sich je nach Dotierungsprofil um Faktor 3
bis 30 (bei hyperabrupt) variieren.
n
 UD 
cS  cS 0  
UD UR 
 n ist abhängig vom Dotierungsprofil (in PSPICE m Grading)
n = 1/2 n = 1/3 n = 1,5 … 2
Kapazitätsdiode
Frequenzabstimmung mit einer Kapazitätsdiode
 Die Resonanzfrequenz des Schwingkreises LC wird durch UA

beeinflusst
 Die Induktivität LB kann auch durch einen hochohmigen Widerstand
ersetzt werden
Kapazitätsdiode
Kennlinien verschiedener Kapazitätsdioden
Aufgabe 1
In vielen Fällen kann man die Funktion einer Diode in einer Schaltung
ausreichend beurteilen, in dem man die nicht lineare (z.B. exponentielle)
Kennlinie einer Diode durch eine lineare Näherung ersetzt.
Analysiere mit dieser Vorgehensweise die Einzelschaltungen und
ermittle jeweils die eingezeichneten Spannungen und Ströme.
UF = 0,7 V
UZ = 8,2 V
Lösung 1
- Zur Beurteilung der Schaltungen ermittelt man zunächst, welche Spannung sich am Ausgang
ergeben würde, wenn die Dioden nicht vorhanden wären.
- Als nächstes prüft man, ob und wie die vorhandenen Dioden diese Spannung beeinflussen (je
nachdem, ob sie in Sperrrichtung, in Durchlassrichtung oder im Durchbruch betrieben werden).
- Schließlich ermittelt man aus den dann an den Widerständen anliegenden Spannungen die dort
fließenden Ströme.
- Die Ströme durch die Dioden ergeben sich dann unmittelbar daraus oder über eine
Knotengleichung.
U1 = 0,7V I1 = 14,3mA I8 = 0 I15 = 12,2mA

U2 = 8,2V I2 = 6,8mA I9 = 0 I16 = 13,6mA
U3 = 6,1V I3 = 4,45 mA I10 = 14,3mA
U4 = 6,8V I4 = 1,65mA I11 = 13,6mA
U5 = 0,7V I5 = 6,1mA I12 = 0,7mA
U6 = 6,8V I6 = 6,8mA I13 = 6,8mA
U7 = 13,6V I7 = 6,8mA I14 = 1,4mA
Netzgleichrichter
Netzgleichrichter
Netzgleichrichter
Netzgleichrichter
Glättung der Ausgangsspannung
Leistung Glättung durch Welligkeit sinkt Welligkeit steigt

für für
klein (< 1kW) Kondensator IL -> 0 IL > 0
mittel Spule IL > 0 IL -> 0
groß Drehstromgleich Welligkeit fast

richter lastunabhängig
Aufgabe 2
Skizzieren Sie den Verlauf der Spannung V0 für die folgenden

Schaltungen:
1 2 3
4
6
5
Teil 2 – Transistoren
Dr.-Ing. Sven Kuhn

Bipolar Transistor
Aufbau von bipolaren Transistoren
E - Emitter
B – Basis
C - Kollektor
Bipolar Transistor
 Technologien zur Herstellung von Transistoren

 Diffusionstechnik
 Diffusionstransistor, ICs, FET
 bei hoher Temperatur diffundieren Atome der Dotierungselemente

aus einer Dampfatmosphäre in eine Halbleiterscheibe ein
 Ionenimplantation
 ICs, FET
 Donator- bzw. Akzeptorionen werden im elektrischen Feld

beschleunigt und in den Halbleiterkristall hineingeschossen
 Epitaxie
 Epitaxialtransistor, ICs
 auf eine Halbleiterscheibe wächst bei hoher Temperatur eine

dotierte Halbleiterschicht aus der Dampfphase auf
Bipolar Transistor
Prinzipieller Aufbau eines Einzeltransistors in Epitaxialtechnik
Bipolar Transistor
Prinzipieller Aufbau eines Transistors in planarer Epitaxialtechnik
Bipolar Transistor
Funktionsweise
1. Sperrspannung am Kollektor-Basis pn-Übergang
 Minoritätsträgerstrom über den Kollektor-Basis-Übergang

 Durch niedrige Dotierung des Kollektors wird eine hohe Kollektor-
Basis-Sperrspannung erreicht
Bipolar Transistor
Funktionsweise
2. Flussspannung am Emitter-Basis pn-Übergang
 Majoritätsträgerstrom über den Emitter-Basis-Übergang
Bipolar Transistor
Funktionsweise
3. Flussspannung am Emitter-Basis pn-Übergang und
Sperrspannung am Kollektor-Basis pn-Übergang
 Der Majoritätsträgerstrom über den Emitter-Basis-Übergang

überwindet die räumlich schmale Basiszone und fließt zum Kollektor
Bipolar Transistor
Schaltzeichen und Definitionen
Hieraus ergibt sich:

 Knotengleichung: I B + IC + IE = 0
 Maschengleichung: UCE = UCB + UBE
Bipolar Transistor
Ströme und Spannungen im Normalbetrieb
Bipolar Transistor
Basisschaltung
Eingangskennlinie
Bipolar Transistor
Ausgangskennlinie der Basisschaltung
 Der Kollektorstrom ist eine Funktion des Emitterstromes

 Mit IE als Parameter verlaufen die Ausgangskennlinien im 1.
Quadranten nahezu horizontal
Bipolar Transistor
Übertragungskennlinie der Basisschaltung
 IC und IE unterscheiden sich nur um den Basisstrom
Bipolar Transistor
Stromverstärkung der Basisschaltung
 Der Emitterstrom teilt sich auf in:

 Hauptstrom zum Kollektor: A I E

 Nebenstrom zur Basis: 1  A  I 
E
Bipolar Transistor
Emitterschaltung
Eingangskennlinie
Bipolar Transistor
Ausgangskennlinie der Emitterschaltung
 Die Ausgangskennlinie stellt die Abhängigkeit des Kollektorstromes von der

Kollektor-Emitter-Spannung dar
 Der Kollektorstrom ist eine Funktion des Basisstromes
 Mit IB als Parameter verlaufen die Ausgangskennlinien im 1. Quadranten
nahezu horizontal
Bipolar Transistor
Early Effect
UA
Bipolar Transistor
Übertragungskennlinie der Emitterschaltung
 Die Übertragungskennlinie IC = f(IB) ist näherungsweise eine vom

Ursprung ausgehende Gerade.
 Die Steigung ist von der Stromverstärkung B und der Kollektor-
Emitter-Spannung abhängig
Bipolar Transistor
Stromverstärkung der Emitterschaltung

 Das Verhältnis der steuerbaren Anteile von
Kollektorstrom und Basisstrom wird als
Stromverstärkung B des Transistors in
Emitterschaltung bezeichnet:
I C  I CB 0 I C
B 
I B  I CB 0 I B
 Werte der Stromverstärkung liegen im

Bereich: (20) … 100 < B < 500 … (1000)
Bipolar Transistor
Kollektorschaltung
Äquivalente Schaltung
 Es werden die Kennlinien der

Emitterschaltung verwendet
Bipolar Transistor
Kollektorschaltung
 Stromverstärkung:
 I E  I C  I B  B  I B  I B  ( B  1) I B
Die Stromverstärkung der Kollektorschaltung entspricht somit B+1

 Spannungsverstärkung:
U Q  U I  U BE
Die Spannungsverstärkung beträgt somit AU = 1
Bipolar Transistor
Darlington Schaltung
Bipolar Transistor
Einstellen des Arbeitspunktes durch Einprägung des Basisstromes
 Basiswiderstand:
U S  U BE
RB 
IB
 Kollektorstrom:
U S  U BE
IC  B  I B  B
RB
Der Kollektorstrom und damit der Arbeitspunkt ist stark von der
Stromverstärkung B abhängig.
Bipolar Transistor
Einstellen des Arbeitspunktes durch Einprägung einer Basis-Emitter-Spannung
 Basis-Emitter-Spannung:
R2 R R
U BE  U S  IB  1 2
R1  R2 R1  R2
 Kollektorstrom:
Der Kollektorstrom ergibt sich aus der Spannungssteuerkennlinie IC = f(UBE).
U BE
IC  B  I B  I S  e UT
Bipolar Transistor
Stabilisierung des Arbeitspunktes
 Einprägung des Basisstromes durch

Spannungsgegenkopplung U CE  U BE
RB 
IB
U S  U CE
RC 
IC  I B
Mit IC  B  I B
U CE  U BE  I B  RB
U S  U CE  ( I C  I B ) RC
(U S  U BE ) B
Ergibt sich: IC 
RB  ( B  1) RC
U S  U BE
Für B 1  B gilt: IC  B 
RB  B  RC
Diese Näherung kann für B > 100 angewendet werden
Bipolar Transistor
 Einprägung der Basis-Emitter-Spannung durch

Stromgegenkopplung
Bipolar Transistor

S
 Der Eingangsspannungsteiler wird durch Ug und
Rg ersetzt
Mit IC  B  I B
U g  I B  Rg  U BE  ( I B  I C ) RE
(U g  U BE ) B
Ergibt sich: IC 
Rg  ( B  1) RE
(U g  U BE ) B
Für B 1  B gilt: IC 
Rg  B  RE
Bipolar Transistor

S
Abweichung des Arbeitspunktes durch Änderung von UBE
 Für kleine Änderungen von UBE gilt:
I C
I C  U BE
U BE
Durch Differenzieren der Hauptgleichung erhält man:
B
I C  U BE
Rg  B  RE
UBE ist von der Temperatur ϑ abhängig. Für Siliziumtransistoren

gilt : DUBE  2 mV K
mit U BE  DUBE   ergibt sich:
B 2 mV K  
I C  DUBE   für RG  B  RE folgt: I C 
Rg  B  RE RE
Bipolar Transistor

S
Abweichung des Arbeitspunktes durch Änderung von B
 Für kleine Änderungen von B gilt:

I C R (U  U BE )
I C  B  G G B
B ( RG  RE  B) 2
Nach Dividieren durch die Hauptgleichung wird

daraus: I C RG
 B
IC ( RG  RE  B) B
Mit RG  B  RE erhält man
I C RG B
 
IC RE B 2
Bipolar Transistor

S
Abweichung des Arbeitspunktes durch Änderung von US
 UG muss zunächst ersetzt werden durch
R2
Ug  US
R1  R2
 Für kleine Änderungen von US gilt:
R2 B
I C   U S
R1  R2 RG  RE  B
Mit RG  B  RE erhält man
R2 U S
I C  
R1  R2 RE
Bipolar Transistor
Dimensionierung der Emitterschaltung

S
Emitterwiderstand
 Zunächst muss der Temperaturbereich definiert
werden – z.B. ϑ = 40 K.
Mit 2 mV K  
I C 
RE
gilt für den Emitterwiderstand:

2 mV K  
RE 
I C
Bipolar Transistor
Dimensionierung der Emitterschaltung

S
Basisspannungsteiler
 Mit dem Basisspannungsteiler wird der Einfluss
des Verstärkungsfaktors B des Transistors auf
den Arbeitspunkt eingestellt.
Mit I C RG B
 
IC RE B 2
gilt für den Basisspannungsteiler:

I C  RE  B 2
RG 
I C  B
Bipolar Transistor
Aufgabe 3
Feldeffekttransistor
Aufbau
 unipolares Bauelement
 stromlose Ansteuerung durch elektrisch isoliertes Gate
 Isolation durch:
 Metalloxid (MOSFET)
 pn Übergang (junction Fet, JFET)
Funktionsweise des JFETs

Beispiel n-Kanal JFET
 Bildung eines N-Kanals zwischen

Source und Drain
 Die Kanalbreite ist über die Breite
der Raumladungszone einstellbar.
Hierzu muß die Spannung am Gate
0 oder negativ gegenüber Source
und Drain sein – der pn-Übergang
wird in Sperrrichtung betrieben.
 in diesem Bereich Funktion als
steuerbarer Widerstand
Funktionsweise des JFETs
 Durch Anlegen von Spannungen kleiner 0 an die Gate-Source-Strecke verbreitert

sich die Raumladungszone und verringert dadurch den Kanalquerschnitt
 Die Spannung zwischen Drain und Source führt ebenfalls zu einer breiteren
Raumladungszone. Hierdurch kommt es bei ausreichend hoher Drain-Source-
Spannung zur Abschnürung in Drain-Nähe
Kennlinien des JFETs

 Ausgangskennlinie
 Darstellung in Abhängigkeit der
Abschnürspannung UP
(Up wird als pinch-off bzw.
Abschnürspannung Spannung bei
JFETs verwendet. Beim MOSFET
wird diese Spannung auch als Uth
(threshold) bezeichnet).

 Ausgangskennlinie für kleine
Spannungen UDS
 der JFET lässt sich als steuerbarer
Widerstand einsetzen

Spannungssteuerkennlinie
 Ausgangskennlinie für Betrieb an niederohmiger Last

(senkrechte Arbeitsgerade, in diesem Beispiel bei 5 V)

Arbeits-
Spannungssteuerkennlinie
für Last RD + RS
 Ausgangskennlinie für Betrieb an realer Last RD + RS

 bei hoher Aussteuerung (hier UGS > - 0,5 V) wird der Sättigungsbereich
verlassen – die Schaltung wird nichtlinear
Klassifizierung
FET
JFET MOSFET
n-Kanal p-Kanal selbstsperrend selbstleitend
n-Kanal p-Kanal n-Kanal p-Kanal
Funktionsweise des MOSFETs
Anreicherungstyp (enhancement MOSFET)

 Durch Anlegen einer positiven Spannung an das elektrisch isolierte Gate bildet
sich unmittelbar unter der Gate Elektrode eine Raumladungszone mit Elektronen,
die einen leitfähigen n-Kanal bilden.
Kennlinien des MOSFETs (Anreicherungstyp)
Steuerkennlinie Ausgangskennlinie
FET als Analogschalter

 Mit dem Steuersignal ust kann die
Verbindung zwischen dem Signal
ui und der Last RL unterbrochen
werden
FET als Stromquelle (Variante 1)
 Die Schaltung weist eine geringe Stabilität des Arbeitspunktes auf
FET als Stromquelle (Variante 2)
 Im Vergleich zu Variante 1 wurde die Stabilität des Arbeitspunktes

erheblich verbessert.

FET in Source-Schaltung mit Stromgegenkopplung
 Durch den größeren Widerstand RS wird eine höhere Stabilität des Arbeitspunktes
erzielt. Die Arbeitskennlinie von RS wird um die Spannung UG0 nach rechts
verschoben, um den gleichen Arbeitspunkt wie in Variante 2 zu erhalten. UG0 wird
durch den Spannungsteiler R1 ,R2 erzeugt.

Gleichungen der Kennlinien
Sperrbereich
ohmscher Bereich
Abschnürbereich
 Der Steilheitskoeffizient K ist ein Maß für die Steigung der Übertragungskennlinie

Gleichungen der Kennlinien

Aufgabe 4

CMOS-Technik
CMOS-Inverter
UI n-Kanal-FET p-Kanal-FET UQ
0 V  low sperrt leitet US  high
US  high leitet sperrt 0 V  low

CMOS-Technik
CMOS-NOR-Gatter

Teil 3 – Operationsverstärker
Dr.-Ing. Sven Kuhn

Operationsverstärker
 Der Operationsverstärker verstärkt die an den Eingängen anliegende

Differenzspannung UID = UIP – UIN und gibt eine entsprechende Spannung
am Ausgang ab.
 Ep ist der „nicht invertierende“ Eingang des Operationsverstärkers
 En ist „invertierende“ Eingang des Operationsverstärkers

Operationsverstärker - Aufbau
 Grundlegende Struktur

Operationsverstärker - Grundschaltungen
 Komparator
 Die Schaltung stellt einen invertierenden Komparator dar

 Die Ausgangsspannung UQM entspricht in etwa der Betriebsspannung des
Operationsverstärkers
 Der Komparator vergleicht die Eingangsspannung mit einer Referenzspannung

 Komparator
 für kleine Änderungen der Eingangsspannung um URef ist der Verlauf der
Übertragungskennlinie nicht mehr senkrecht. Die Steigung wird durch die open-
loop-Verstärkung des Operationsverstärkers bestimmt.
 Um dennoch ein digitales Verhalten des Ausgangs zu erzielen muss ein Schmitt-
Trigger realisiert werden.

 Komparator mit Schutzbeschaltung
 Um die Eingänge des Operationsverstärkers vor zu hohen Spannungen zu

schützen, können zwei antiparallele Dioden zwischen die Eingänge des
Operationsvertärkers geschaltet werden.
 Durch diese Beschaltung wird auch verhindert, dass die interne Schaltung des
Operationsverstärkers in einen Sättigungszustand gerät und sich dadurch das
Zeitverhalten der Schaltung stark verlangsamt.

 Schmitt-Trigger
 Der Schmitt-Trigger verhält sich wie ein Komparator mit Hysterese

 Die Ausgangsspannung wird über R1 und R2 auf den nicht invertierenden
Eingang gekoppelt (Mitkopplung). Hierdurch ergibt sich in jedem Falle ein
sprunghaftes Umschalten des Ausgangs.

 Spannungen am Schmitt-Trigger bei sich langsam änderndem

Eingangssignal

 Astabiler Multivibrator
 Der astabile Multivibrator besteht aus einem Schmitt-Trigger mit einer

Gegenkopplung über ein RC-Glied (RF, C).
 Die Periodendauer entspricht:
2 R1
T  2  C  RF  ln(1  )
R2
 Spannungsverläufe am astabilen Multivibrator

Einleitung
Wo werden Operationsverstärker benötigt ?
Spezielle Anwendungen
 Audio
 Messtechnik
 Treiber für Analog-Digital-Wandler
 DSL-Transmitter und Receiver
Vorteile gegenüber diskret aufgebauten Verstärkern

 weniger Parameterstreuungen der Halbleitereigenschaften
 geringere Temperaturabhängigkeit der Parameter
 universelle Schaltungsentwürfe möglich
 kurze Entwicklungszeiten

Verstärkerschaltungen mit Gegenkopplung

 Durch Gegenkopplung können Verstärkerschaltungen realisiert werden, die einen
größeren linearen Bereich aufweisen als der nicht gegengekoppelte
Operationsverstärker mit seiner sehr großen Leelaufverstärkung.
 Zur Gegenkopplung wird das Ausgangssignal auf den invertierenden Eingang
zurückgekoppelt.
 Der Operationsverstärker kompensiert über die Gegenkopplung die an den
Eingängen anliegende Differenzspannung so dass sich eine dem Ausgangssignal
proportionale Eingangsdifferenzspanung einstellt.
U ID  (U Q / VU 0 )  0

Invertierender Verstärker
 Der Operationsverstärker stellt die Ausgangsspannung so ein, dass der aus UI über
R1 fließende Strom IF über den Rückkopplungswiderstand RF abgeleitet wird.
RF
U Q  U I
R1
UQ RF
VUF  
UI R1

Nicht-invertierender Verstärker
RF
U Q  U I  (1  )
R1
UQ RF
VUF   1
UI R1

Sonderfall Spannungsfolger (oder Impedanzwandler)
UQ  U I
UQ 0
VUF   1  1
UI 

Addierer (mit Inversion)
RF R R
U Q  (U1   U2  F  U3  F )
R1 R2 R3

Subtrahierer (Differenzverstärker)
R1  R3 R4 R
UQ  U2    U1  3
R2  R4 R1 R1
 mit R1 = R2 = RI und R3 = R4 = RF
erhält man:
RF
U Q  (U 2  U1 ) 
RI

Integrierer
1
uQ  
R C  u I dt

Differenzierer
d (u I )
uQ   R  C
dt

Tiefpass
RF 1 R 1  j
U Q  U I   U I F 
R1 1  j R1 1   2

Hochpass
RF 1
U Q  U I 
R1 1  j (1 / )

Eigenschaften von Operationsverstärkern
Vergleich idealer / realer Operationsverstärker

Idealer Op-Amp Realer Op-Amp
Spannungsverstärkung ∞ 105 .. 108 100 … 160 dB
Eingangsimpedanz ∞ 106 .. 109 (1013)
Ausgangsimpedanz 0 60  .. 1000 
Eingangsoffsetspannung 0V 10 µV … 10 mV
Gleichtaktunterdrückung ∞ 105 .. 107 100 … 140 dB
Transitfrequenz ∞ Hz 500 kHz .. 1 GHz
Rauschen 0V 1,4 nV/√ Hz .. 1 µV/√ Hz

Beispiel Mikrofonverstärker
Eigenschaften:
Mikrofon:
- Übertragungsfaktor: 84 dB SPL -> Uq = 1 mV
- Impedanz: Rq = 300 
- Frequenzgang: 50 Hz … 15 kHz
Ausgangssignal:
- Ausgangsspannung: Ua = 1 V
- SNR > 60 dB

Datenblatt LM324 (1)

Datenblatt LM324 (2)

Datenblatt LMV721 (1)

Datenblatt LMV721 (2)

Datenblatt OPA 27 (1)



Schaltplan

Simulationsergebnis

Zusammenfassung
Dimensionierung von Operationsverstärker-Schaltungen

 Die Anforderungen an die Schaltung müssen bekannt sein
 Auswahl eines Operationsverstärkers in geeigneter Technologie
 Abschätzung der wesentlichen Parameter der Schaltung
 Nach Möglichkeit Simulation der Schaltung
Wesentliche Parameter
 Eingangsoffsetspannung / -strom
 Transitfrequenz
 Rauschen
 Spannungsverstärkung (open loop gain)

 Eingangsimpedanz
 Ausgangsimpedanz

Operationsverstärker - Fehlerrechnung
Eingangs-Offset-Spannung
 Durch Unsymmetrien in der Eingangsschaltung des Operationsverstärkers tritt die
Ausgangsspannung UQ = 0 nicht exakt bei UID = 0 auf. Die Eingangsspannung UID bei
der sich die Ausgangsspannung UQ = 0 einstellt nennt man Eingangs-
Offsetspannung UI0. Für den Fehleranteil der Ausgangsspannung UQF ergibt sich :
RF
U QF  U I 0 (1  )
R1

Eingangsströme (Bias-Ströme)
 Die Ströme IIp und IIn verursachen Spannungsabfälle am äußeren
Widerstandsnetzwerk und führen damit zu einem Fehler der Ausgangsspannung.
U QF   I In RF

Kompensation der Eingangsströme (Bias-Ströme)

 Der Einfluss der Bias-Ströme kann kompensiert werden, indem man eine
Kompensationsspannung addiert, die den Ausgangsspannungsfehler gerade aufhebt.
Dies wird mit einem weiteren Widerstand am nicht invertierenden Eingang des
Operationsverstärkers erreicht. R+ muss so gewählt werden, dass die
Innenwiderstände der an die Operationsverstärkereingänge angeschlossenen
Netzwerke gleich groß sind.
R1  RF
R 
R1  RF

Operationsverstärker - Stabilitätsprobleme
Schwingneigung durch Mitkopplung
 Durch die Phasenverschiebung in

den einzelnen Stufen des
Operationsverstärkers kann aus der
Gegenkopplung eine Mitkopplung
werden. Die Schaltung schwingt.

Analyse der Stabilität durch Ermittlung der Schleifenverstärkung

 Ist der Betrag der Schleifenverstärkung VS bei der Frequenz bei der die
Mitkopplung auftritt ( φ(VS)= -360°) größer als 1, so beginnt die Schaltung zu
schwingen.
uS Z1
VS  VU0 
u ID Z1  Z F

Beispiel
 Stabilität in Abhängigkeit von

der Schleifenverstärkung VS

Korrektur des Frequenzgangs
 Durch eine interne Kapazität

wird die Transitfrequenz des
Operationsverstärkers soweit
reduziert, dass auch bei VUF =
1 noch eine ausreichend
große Phasenreserve
vorhanden ist.

Operationsverstärker - Aufgaben
Aufgabe 4
Gegeben ist rechts abgebildete Schaltung
mit folgenden Parametern:
 UQM = +/- 15 V
 UP = 15 V
1. welche Funktion hat die Schaltung ?

2. Berechnen Sie die für die Funktion
wichtigen Daten.
3. Zeichnen Sie den Verlauf der
Ausgangsspannung uQ in
Abhängigkeit von ui.

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Halbleiter-Schaltungstechnik

Teil 1 – pn-Übergang und Dioden

Dr.-Ing. Sven Kuhn

1. Halbleitermaterial und PN-Übergang

Klassifizierung von Festkörper Material

 Die Unterscheidung zwischen Leiter und Isolator geht auf

 Die Halbleiter gehören zur IV. Hauptgruppe

Temperaturabhängigkeit des Siliziumkristalls

Halbleiter bei ϑ = 0 K Halbleiter bei ϑ > 0 K

 Donator Dotierung aus der V.

 das Donatoratom (hier Phosphor)

 ein freies Elektron steht zur Leitung

 Donatoratom wird ionisiert

Donator Dotierung Akzeptor Dotierung

Bänderschema des pn-Übergangs

Der pn-Übergang in Flusspolung

Schaltzeichen und Definitionen

Verhalten der Diode im Durchlassbereich

 Der Strom nimmt für Ud > 0 V exponentiell zu

Verhalten der Diode im Sperrbereich

 Der Strom nimmt zunächst langsam zu

Beschreibung der Kennlinie

Temperaturspannung: UT = kT/q ca. 26 mV bei Raumtemperatur

Näherungen für die Diodenkennlinie

Die Diode als Schalter – ideales Diodenmodell

UD = UF + IDRB für ID > 0 mit Bahnwiderstand

 Das ideale Diodenmodell ermöglicht eine einfache und schnelle

Ermitteln Sie die Arbeitspunkte für die Dioden in der

Wechselstromwiderstand – differentieller Widerstand

 Das Substrat (Bulk) ist leicht dotiert (p-)

Lawineneffekt durch Stoßionisation

 Elektronen in der Raumladungszone werden durch ein elektrisches Feld innerhalb

Zenereffekt durch tunneln

 Bei hohen Feldstärken (Silizium 300kV/cm) werden Valenzelektronen der Gitteratome

Stabilisierung einer Gleichspannung

Stabilisierung einer Gleichspannung mit überlagerter Wechselspannung

für RL >> rZ gilt:

mit RV >> rZ erhält man:

Mit dieser Gleichung wird der Glättungs- oder Siebfaktor definiert:

Verlustleistung der Z-Diode

Für reinen Wechselspannungsanteil gilt: u

Hieraus ergibt sich:

Für die Verlustleistung gilt somit in Abhängigkeit der Sperrschicht-Temperatur:

 Bei den Kapazitätsdioden wird die spannungsabhängige

n = 1/2 n = 1/3 n = 1,5 … 2

Frequenzabstimmung mit einer Kapazitätsdiode

 Die Resonanzfrequenz des Schwingkreises LC wird durch UA

Kennlinien verschiedener Kapazitätsdioden

U1 = 0,7V I1 = 14,3mA I8 = 0 I15 = 12,2mA

Glättung der Ausgangsspannung

Leistung Glättung durch Welligkeit sinkt Welligkeit steigt

mittel Spule IL > 0 IL -> 0

groß Drehstromgleich Welligkeit fast

Skizzieren Sie den Verlauf der Spannung V0 für die folgenden

Dr.-Ing. Sven Kuhn

Aufbau von bipolaren Transistoren

 Technologien zur Herstellung von Transistoren

 bei hoher Temperatur diffundieren Atome der Dotierungselemente

 Donator- bzw. Akzeptorionen werden im elektrischen Feld

 auf eine Halbleiterscheibe wächst bei hoher Temperatur eine

Prinzipieller Aufbau eines Einzeltransistors in Epitaxialtechnik

Prinzipieller Aufbau eines Transistors in planarer Epitaxialtechnik

 Minoritätsträgerstrom über den Kollektor-Basis-Übergang

 Majoritätsträgerstrom über den Emitter-Basis-Übergang