FHB - Klausuren - WiSe19-20 - SoSe20 (Nur Zum Persönlichen Gebrauch)

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Nachname, Vorname Matrikelnummer Unterschrift
Klausur “Festkörper-, Halbleiter- und Bauelementephysik”

24.2.2020
Prof. M. Tornow, TU München
Diese Klausur besteht aus insgesamt 8 Seiten

Schreiben Sie Name, Matrikelnr. und Unterschrift auf das Deckblatt
Zeit: 90 min
Erlaubte Hilfsmittel:
handgeschriebene Formelsammlung:
2 Seiten A4: 1 Blatt Vorder- und Rückseite oder 2 Blätter einseitig
Darin erlaubt: beliebige handschriftliche Eintragungen (=mit Stift auf Papier, keine Ausdrucke
oder Kopien)
Anm.: benötigte Naturkonstanten werden auch in den Aufgaben angegeben
Standard wissenschaftlicher Taschenrechner (nicht programmierbar)
Wörterbuch (Dictionary), nicht elektronisch
Nicht erlaubt:
Skripten, Bücher, Mitschriften etc.
andere elektronische Geräte (Mobiltelefone, Notebooks, Smartwatches etc.)
TEIL 1: VERSTÄNDNISFRAGEN
- Ankreuzen, kurze Antworten bzw. Zeichnungen -
Frage F1 (20 Punkte)

Elektronen im Festkörper
a) Kreuzen Sie jeweils an, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage handelt.
Korrekte Kreuze zählen +2 Punkte, fehlerhafte Kreuze -2 Punkte. Minimal erhalten Sie 0
Punkte für diese Teilaufgabe.
Aussage Richtig Falsch

„Die Fermi-Verteilungsfunktion ist für T=1000K eine perfekte
Stufenfunktion. Sie erfährt für ansteigende Energie einen abrupten
Übergang von 1 nach 0 bei der Fermi-Energie“
„Die Fermienergie von Metallen ist typischerweise erheblich größer als
die thermische Energie bei Raumtemperatur“
„Der Beitrag der Elektronen zur spezifischen Wärme ist groß, da alle
Elektronen bis EF beitragen“
„Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung E(k) im periodischen

Potential sind invariant gegenüber der Verschiebung um einen
reziproken Gittervektor“
„Vollständig gefüllte Bänder können nicht zur Leitfähigkeit beitragen“
b) In die Berechnung der Elektronendichte in
Metallen geht das Produkt von Fermi-
Verteilungsfunktion und Zustandsdichte ein.
Beschriften Sie die nebenstehenden Kurven

mit den folgenden Bezeichnungen relevanter
Größen (in vorgegebene Kästen eintragen):
f(E), D(E), D(E)·f(E), EF, 2kBT

Magnetismus
Das Metall Nickel ist ein wichtiger Vertreter der

ferromagnetischen Materialien.
a) Oberhalb der sogenannten Curie-Temperatur

Tc verliert Nickel seine ferromagnetischen
Eigenschaften und zeigt ______________-
magnetisches Verhalten (fehlendes Wort
einsetzen).
b) Im nebenstehenden Diagramm wurde lediglich

ein einziger Messpunkt bei T=1050 K
aufgenommen. Ergänzen Sie das Diagramm, in
dem Sie für den Temperaturbereich von
Tc=650 K bis T=1100 K die erwartete Messkurve
qualitativ einzeichnen.
c) Auch die Leitungselektronen von Metallen zeigen einen Paramagnetismus, aufgrund

unterschiedlicher Energien der Elektronenspin-Einstellungen im Magnetfeld. Ist folgende
Aussage richtig oder falsch?
„Der Paramagnetismus der Leitungselektronen ist schwach und temperaturunabhängig“.
Antwort:____________________
pn-Übergänge

„Bei Betrieb des pn-Übergangs in Sperrrichtung ist die Ausdehnung der
Raumladungszone größer als im Gleichgewicht“
„Weit entfernt von der Verarmungszone fallen die Quasi-Ferminiveaus für

Elektronen und Löcher zusammen“
„Bei einem unsymmetrischen p+n-Übergang (Dotierkonzentrationen

NA >> ND) kann die gesamte Verarmungszone praktisch mit der
Verarmungszone nur im p-Bereich gleichgesetzt werden“
„Die Diffusionsspannung ist unabhängig von der Temperatur“
„In den Übergangszonen der Bahngebiete ist der Minoritätsträgerstrom

ein reiner Diffusionsstrom“
b) Vervollständigen Sie das Diagramm des

Bandverlaufs und der Ladungsträgerdichten
im Durchlassbereich eines pn-Übergangs
durch Eintragen der folgenden
Bezeichnungen in die korrekten Felder:
np0, pn0, pp0, nn0, -wp, wn, EL, EV
Im Bandverlauf bezeichnet EFn
das ______________________-Niveau
der Elektronen.
(korrekte Bezeichnung eintragen)
nach A. Schlachetzki, “Halbleiter-Elektronik”, Teubner (1990)

TEIL 2: RECHENAUFGABEN
Hinweise:
• Bei Teilaufgaben mit Lösungskasten wird nur der dort eingetragene Zahlenwert mit der
vorgegebenen Einheit bewertet.
• Der Lösungsweg muss stets nachvollziehbar sein.
• Folgende Annahmen gelten generell: - Raumtemperatur (300 K)
- Vollständige Ionisation der Dotierstoffatome.
Konstanten:
1 As
𝑁Av = 6,0221 ⋅ 1023 (Avogadro-Konstante) 𝑒 = 1,6022 ⋅ 10−19 As 𝜀0 = 8,8542 ⋅ 10−12
mol Vm
eV
𝑘B = 8,6173 ⋅ 10−5 𝑛i (Si) = 9,65 ⋅ 109 cm−3
K
Aufgabe A1 (15 Punkte)

Ionenbindung und Gitterkonstante
a) Ein Na+-Ion und ein F--Ion werden aus dem Unendlichen zusammengeführt. Welche
Energie 𝐸el (= Coulombenergie) wird dabei frei, wenn Sie die Ionen als starre Kugeln
annehmen, die bis auf die Summe ihrer Radien zusammengeführt werden? Die
Radien sind dabei für Na+: 𝑟Na = 186 pm und für F-: 𝑟F = 64 pm.
𝐸el = eV
b) Wie groß ist betragsmäßig die Bindungsenergie eines NaF-Moleküls 𝐸bind ? Die
Ionisierungsenergie von Na beträgt betragsmäßig 5,14 eV und die Elektronenaffinität
eines F-Atoms beträgt betragsmäßig 3,40 eV. Nehmen Sie an, dass nach dem
Ionisieren die beiden Ionen wieder aus dem Unendlichen bis auf die Summe ihrer
Atomradien zusammengeführt werden.
Hinweis: Verwenden Sie dabei für 𝐸el nicht das Ergebnis aus Teilaufgabe a),
sondern 𝐸el = 5,96 eV
𝐸bind = eV
c) NaF kristallisiert in einer kubisch-flächenzentrierten (fcc) Gitterstruktur mit einer

g
zweiatomigen Basis. Die Dichte von kristallinem NaF ist 𝜌 = 2,78 cm3, die molare
g
Masse ist 𝐴r (NaF) = 42,0 mol
. Berechnen Sie die Gitterkonstante 𝑎 des fcc-Gitters.
Hinweise: In einer Einheitszelle befinden sich 4 NaF-Moleküle. Sie können so
rechnen, als ob ein NaF-Molekül ein großes Atom wäre und jedes einen fcc-
Gitterpunkt besetze.
𝑎= pm
Dotierung von Silizium
a) Welche Masse an Phosphor 𝑚P muss einem Gramm Silizium beigegeben werden,

um eine Dotierung von 𝑁D = 4,5 ⋅ 1016 cm−3 zu erreichen? Die molare Masse von
g g
Phosphor ist 𝐴r (P) = 30,97 mol und die Dichte von Silizium ist 𝜌(Si) = 2,34 cm3.
𝑚P = µg
b) Berechnen Sie die Löcherkonzentration, sowie betragsmäßig die Energiedifferenz

zwischen Fermilevel und Leitungsbandkante, wenn ein Stück Silizium mit Phosphor
mit einer Dotierdichte von 4,5 ⋅ 1016 cm−3 dotiert ist. Die effektive Zustandsdichte im
Leitungsband sei 𝑁L = 2,92 ⋅ 1019 cm−3. Alles sei im thermodynamischen
Gleichgewicht. Verwenden Sie die Boltzmann-Näherung.
𝑝= cm−3 𝐸L − 𝐸F = meV
c) Ein anderes Stück Silizium sei sowohl mit Akzeptoren, als auch mit Donatoren dotiert,
wobei die Akzeptorendichte 𝑁A = 1 ⋅ 1016 cm−3 und die Donatorendichte 𝑁D = 5 ⋅
1016 cm−3 beträgt. Welche Elektronendichte (𝑛) stellt sich im thermodynamischen
Gleichgewicht ein?
𝑛= cm−3

n-Kanal-MOSFET als spannungsgesteuerter Widerstand
Ein n-Kanal-MOSFET soll als

spannungsgesteuerter
Widerstand eingesetzt werden.
Der MOSFET soll nur im
Anlaufbereich betrieben werden
und die Drain-Source-
Spannung sei sehr klein und konstant (𝑈ds < 0,1 V). Die Beweglichkeit der Elektronen sei
cm2 nF
µn = 230 Vs
, die flächennormierte Kapazität des Gate-Oxids sei 𝑐i = 270 cm2
und die
Schwellspannung des MOSFETs betrage 𝑈T = 1,4 V. Die Flächenwiderstände sollen
zwischen 6 kΩ und 12 kΩ einstellbar sein.
a) In welchem Bereich muss dazu die Gate-Source-Spannung eingestellt werden

können (Minimalwert 𝑈gs, min und Maximalwert 𝑈gs, max )?
𝑏 1 2
Hinweise: Im Anlaufbereich gilt 𝐼d ≈ µn ⋅ 𝑐i ⋅ 𝑙 ⋅ [(𝑈gs − 𝑈T ) ⋅ 𝑈ds − 2 ⋅ 𝑈ds ], was unter
der Annahme einer sehr kleinen Drain-Source-Spannung weiter genähert werden
𝑏
darf. Für den Flächenwiderstand 𝑅□ gilt 𝑅□ = 𝑅on ⋅ 𝑙 , wobei 𝑅on der Widerstand
zwischen Source und Drain, 𝑏 die Gateweite und 𝑙 die Gatelänge ist.
𝑈gs, min = V 𝑈gs, max = V
b) Welche Gateweite 𝑏 muss der Transistor haben, wenn die Gatelänge 𝑙 = 6 µm

beträgt und ein Flächenwiderstand von 10 kΩ einem Source-Drain-Widerstand Ron
von 1,2 kΩ entsprechen soll?
𝑏= µm
MUSTERLÖSUNG
Klausur “Festkörper-, Halbleiter- und Bauelementephysik”

24.2.2020
Diese Klausur besteht aus insgesamt 8 Seiten [Musterlösung: 8 Seiten]

Schreiben Sie Name, Matrikelnr. und Unterschrift auf das Deckblatt
Zeit: 90 min
oder Kopien)
Nicht erlaubt:
andere elektronische Geräte (Mobiltelefone, Notebooks, Smartwatches etc.)
- Ankreuzen, kurze Antworten bzw. Zeichnungen -


„Die Fermi-Verteilungsfunktion ist für T=1000K eine perfekte
Stufenfunktion. Sie erfährt für ansteigende Energie einen abrupten x
„Die Fermienergie von Metallen ist typischerweise erheblich größer als
die thermische Energie bei Raumtemperatur“ x
„Der Beitrag der Elektronen zur spezifischen Wärme ist groß, da alle
Elektronen bis EF beitragen“ x
„Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung E(k) im periodischen

Potential sind invariant gegenüber der Verschiebung um einen x
„Vollständig gefüllte Bänder können nicht zur Leitfähigkeit beitragen“
x
Beschriften Sie die nebenstehenden Kurven

mit den folgenden Bezeichnungen relevanter
Größen (in vorgegebene Kästen eintragen):

Magnetismus
Das Metall Nickel ist ein wichtiger Vertreter der

ferromagnetischen Materialien.
a) Oberhalb der sogenannten Curie-Temperatur

Tc verliert Nickel seine ferromagnetischen
Eigenschaften und zeigt para_______-
magnetisches Verhalten (fehlendes Wort
einsetzen).
b) Im nebenstehenden Diagramm wurde

lediglich ein einziger Messpunkt bei T=1050 K
aufgenommen. Ergänzen Sie das Diagramm, in
dem Sie für den Temperaturbereich von
Tc=650 K bis T=1100 K die erwartete
Messkurve qualitativ einzeichnen.
c) Auch die Leitungselektronen von Metallen zeigen einen Paramagnetismus, aufgrund

unterschiedlicher Energien der Elektronenspin-Einstellungen im Magnetfeld. Ist folgende
Aussage richtig oder falsch?
„Der Paramagnetismus der Leitungselektronen ist schwach und temperaturunabhängig“.
Antwort:______ Richtig ____

pn-Übergänge

„Bei Betrieb des pn-Übergangs in Sperrrichtung ist die Ausdehnung der
Raumladungszone größer als im Gleichgewicht“ X
„Weit entfernt von der Verarmungszone fallen die Quasi-Ferminiveaus für

Elektronen und Löcher zusammen“ X
„Bei einem unsymmetrischen p+n-Übergang (Dotierkonzentrationen

NA >> ND) kann die gesamte Verarmungszone praktisch mit der X
Verarmungszone nur im p-Bereich gleichgesetzt werden“
„Die Diffusionsspannung ist unabhängig von der Temperatur“
X
„In den Übergangszonen der Bahngebiete ist der Minoritätsträgerstrom

ein reiner Diffusionsstrom“ X
b) Vervollständigen Sie das Diagramm des

Bandverlaufs und der Ladungsträgerdichten
im Durchlassbereich eines pn-Übergangs
durch Eintragen der folgenden
Bezeichnungen in die korrekten Felder:
np0, pn0, pp0, nn0, -wp, wn, EL, EV
Im Bandverlauf bezeichnet EFn
das Quasi-Fermi________-Niveau
der Elektronen.
(korrekte Bezeichnung eintragen)
nach A. Schlachetzki, “Halbleiter-Elektronik”, Teubner (1990)

Hinweise:
• Bei Teilaufgaben mit Lösungskasten wird nur der dort eingetragene Zahlenwert mit der
vorgegebenen Einheit bewertet.
• Der Lösungsweg muss stets nachvollziehbar sein.
• Folgende Annahmen gelten generell: - Raumtemperatur (300 K)
- Vollständige Ionisation der Dotierstoffatome.
Konstanten:
1 As
𝑁Av = 6,0221 ⋅ 1023 (Avogadro-Konstante) 𝑒 = 1,6022 ⋅ 10−19 As 𝜀0 = 8,8542 ⋅ 10−12
mol Vm
eV
𝑘B = 8,6173 ⋅ 10−5 𝑛i (Si) = 9,65 ⋅ 109 cm−3
K

d) Ein Na+-Ion und ein F--Ion werden aus dem Unendlichen zusammengeführt. Welche
annehmen, die bis auf die Summe ihrer Radien zusammengeführt werden? Die
Radien sind dabei für Na+: 𝑟Na = 186 pm und für F-: 𝑟F = 64 pm.
Lösung:
Die Summe der Radien beträgt
𝑟0 = 𝑟Na + 𝑟F = 186 pm + 64 pm = 250 pm.
Die dabei freiwerdende Energie errechnet sich aus
𝑟0
𝑒2 𝑒2 (1,6022 ⋅ 10−19 As)2
𝐸el = ∫ (− ) d𝑟 = = = 9,2286 ⋅ 10−19 J
4𝜋𝜀0 𝑟 2 4𝜋𝜀0 𝑟0 4𝜋 ⋅ 8,8542 ⋅ 10−12 As ⋅ 250 ⋅ 10−12 m
∞ Vm
= 5,760 eV.
𝐸el = 5,76 eV
e) Wie groß ist betragsmäßig die Bindungsenergie eines NaF-Moleküls 𝐸bind ? Die
Ionisierungsenergie von Na beträgt betragsmäßig 5,14 eV und die Elektronenaffinität
eines F-Atoms beträgt betragsmäßig 3,40 eV. Nehmen Sie an, dass nach dem
sondern 𝐸el = 5,96 eV!
Lösung:
Zuerst werden die Atome ionisiert und anschließend zusammengeführt. Die Reaktionen
lauten
Na + 5,14 eV → Na+ + e−
F + e− → F − + 3,40 eV
Na+ + F − → NaF + 5,96 eV
und damit
Ebind = −5,14 eV + 3,40 eV + 5,96 eV = 4,22 eV.
𝐸bind = 4,22 eV
f) NaF kristallisiert in einer kubisch-flächenzentrierten (fcc) Gitterstruktur mit einer

g
zweiatomigen Basis. Die Dichte von kristallinem NaF ist 𝜌 = 2,78 cm3, die molare
g
Masse ist 𝐴r (NaF) = 42,0 mol
. Berechnen Sie die Gitterkonstante 𝑎 des fcc-Gitters.
Hinweise: In einer Einheitszelle befinden sich 4 NaF-Moleküle. Sie können so
rechnen, als ob ein NaF-Molekül ein großes Atom wäre und jedes einen fcc-
Gitterpunkt besetze.
Lösung:
Für die Dichte gilt:
𝐴r
𝜌 = 𝜌M ⋅ ,
𝑁Av
Anzahl Moleküle 4
wobei 𝜌M = = die Moleküldichte ist. Daraus ergibt sich
Volumen 𝑎3
g
4 𝐴r 4𝐴r 3 4𝐴r 3 4 ⋅ 42,0
𝜌= 3⋅ 3
⇒𝑎 = ⇒𝑎= √ =√ mol = 464,7 pm.
𝑎 𝑁Av 𝜌𝑁Av 𝜌𝑁Av g 1
2,78 ⋅ 106 3 ⋅ 6,0221 ⋅ 1023
m mol
𝑎= 465 pm

Dotierung von Silizium
d) Welche Masse an Phosphor 𝑚P muss einem Gramm Silizium beigegeben werden,

um eine Dotierung von 𝑁D = 4,5 ⋅ 1016 cm−3 zu erreichen? Die molare Masse von
g g
Phosphor ist 𝐴r (P) = 30,97 mol und die Dichte von Silizium ist 𝜌(Si) = 2,34 cm3.
Lösung:
Da Silizium 4-wertig ist und Phosphor 5-wertig, gibt jedes Phosphor-Atom ein Elektron im
Silizium ab. Ein Gramm Silizium hat ein Volumen von
𝑚Si 1g
𝑉Si = = = 0,4274 cm3 .
𝜌(Si) 2,34 g
cm3
Es wird daher bei einer gewünschten Dotierung von 𝑁D = 4,5 ⋅ 1016 cm−3 für ein Gramm
Silizium eine Masse von
g
𝐴r (P) 1 30,97
𝑚P = 𝑁D 𝑉Si = 4,5 ⋅ 1016 3 ⋅ 0,4274 cm3 ⋅ mol = 0,989 µg
𝑁Av cm 1
6,0221 ⋅ 1023
mol
Phosphor benötigt.
𝑚P = 0,989 µg
e) Berechnen Sie die Löcherkonzentration, sowie betragsmäßig die Energiedifferenz

zwischen Fermilevel und Leitungsbandkante, wenn ein Stück Silizium mit Phosphor
mit einer Dotierdichte von 4,5 ⋅ 1016 cm−3 dotiert ist. Die effektive Zustandsdichte im
Leitungsband sei 𝑁L = 2,92 ⋅ 1019 cm−3. Alles sei im thermodynamischen
Gleichgewicht. Verwenden Sie die Boltzmann-Näherung.
Lösung:
Da vollständige Ionisation der Dotierstoff-Atome angenommen werden kann und dieses
Stück Silizium nur n-dotiert ist, gilt
𝑛 ≈ 𝑁D
und damit
𝑛i2 𝑛i2 (9,65 ⋅ 109 cm−3 )2
𝑛 ⋅ 𝑝 = 𝑛i2 ⇒ 𝑝 = ≈ = = 2,07 ⋅ 103 cm−3 .
𝑛 𝑁D 4,5 ⋅ 1016 cm−3
Der Abstand zwischen Fermilevel und Leitungsbandkante lässt sich mit Hilfe der Boltzmann-
Näherung folgendermaßen errechnen:
𝐸 −𝐸 𝑁L 𝑁L
− L F
𝑛 = 𝑁L ⋅ 𝑒 𝑘B 𝑇 ⇒ 𝐸L − 𝐸F = 𝑘B 𝑇 ⋅ ln ( ) ≈ 𝑘B 𝑇 ⋅ ln ( )
𝑛 𝑁D
19
eV 2,92 ⋅ 10 cm−3
= 8,6173 ⋅ 10−5 ⋅ 300 K ⋅ ln ( ) = 167,4 meV.
K 4,5 ⋅ 1016 cm−3
𝑝= 2,07 ⋅ 103 cm−3
𝐸L − 𝐸F = 167 meV
f) Ein anderes Stück Silizium sei sowohl mit Akzeptoren, als auch mit Donatoren dotiert,
wobei die Akzeptorendichte 𝑁A = 1 ⋅ 1016 cm−3 und die Donatorendichte 𝑁D = 5 ⋅
1016 cm−3 beträgt. Welche Elektronendichte (𝑛) stellt sich im thermodynamischen
Gleichgewicht ein?
Lösung:
Es gilt mit 𝑁 = 𝑁D − 𝑁A = 5 ⋅ 1016 cm−3 − 1 ⋅ 1016 cm−3 = 4 ⋅ 1016 cm−3, 𝑁D+ = 𝑁D , 𝑁A− = 𝑁A
und 𝑛 ⋅ 𝑝 = 𝑛𝑖2:
𝑛i2
𝑁D+ + 𝑝 = 𝑁A− + 𝑛 ⇒ 𝑁D + = 𝑁A + 𝑛 ⇒ 𝑛2 − 𝑁𝑛 − 𝑛𝑖2 = 0
𝑛
𝑁 + √𝑁 2 + 4𝑛i2 4 ⋅ 1016 cm−3 + √(4 ⋅ 1016 cm−3 )2 + 4 ⋅ (9,65 ⋅ 109 cm−3 )2
⇒𝑛= =
2 2
16 −3
≈ 4,00 ⋅ 10 cm = 𝑁
Alternativ: 𝑛 ≈ 𝑁, wegen 𝑁 ≫ 𝑛i .
𝑛= 4,00 ⋅ 1016 cm−3

n-Kanal-MOSFET als spannungsgesteuerter Widerstand
Ein n-Kanal-MOSFET soll als

spannungsgesteuerter
Widerstand eingesetzt werden.
Der MOSFET soll nur im
Anlaufbereich betrieben werden
und die Drain-Source-
Spannung sei sehr klein und konstant (𝑈ds < 0,1 V). Die Beweglichkeit der Elektronen sei
cm2 nF
µn = 230 Vs
, die flächennormierte Kapazität des Gate-Oxids sei 𝑐i = 270 cm2
und die
Schwellspannung des MOSFETs betrage 𝑈T = 1,4 V. Die Flächenwiderstände sollen
zwischen 6 kΩ und 12 kΩ einstellbar sein.
c) In welchem Bereich muss dazu die Gate-Source-Spannung eingestellt werden

können (Minimalwert 𝑈gs, min und Maximalwert 𝑈gs, max )?
𝑏 1 2
Hinweise: Im Anlaufbereich gilt 𝐼d ≈ µn ⋅ 𝑐i ⋅ 𝑙 ⋅ [(𝑈gs − 𝑈T ) ⋅ 𝑈ds − 2 ⋅ 𝑈ds ], was unter
der Annahme einer sehr kleinen Drain-Source-Spannung weiter genähert werden
𝑏
darf. Für den Flächenwiderstand 𝑅□ gilt 𝑅□ = 𝑅on ⋅ , wobei 𝑅on der Widerstand
𝑙
zwischen Source und Drain, 𝑏 die Gateweite und 𝑙 die Gatelänge ist.
Lösung:
Im Anlaufbereich gilt:
𝑏 1 2 𝑈ds sehr klein 𝑏 𝑈ds

𝐼d ≈ µn ⋅ 𝑐i ⋅ ⋅ [(𝑈gs − 𝑈T ) ⋅ 𝑈ds − ⋅ 𝑈ds ] ≈ µn ⋅ 𝑐i ⋅ ⋅ (𝑈gs − 𝑈T ) ⋅ 𝑈ds =
𝑙 2 𝑙 𝑅on
1 𝑙 𝑙 1
⇒ 𝑅on = ⋅= 𝑅□ ⋅ ⇒ 𝑅□ =
µn ⋅ 𝑐i ⋅ (𝑈gs − 𝑈T ) 𝑏 𝑏 µn ⋅ 𝑐i ⋅ (𝑈gs − 𝑈T )
1
⇒ 𝑈gs = + 𝑈T
𝑅□ ⋅ µn ⋅ 𝑐i
1
⇒ 𝑈gs, min = + 1,4 V = 2,74 V und
cm2 −9 F
12000 Ω ⋅ 230 Vs ⋅ 270 ⋅ 10
cm2
1
𝑈gs, max = + 1,4 V = 4,08 V
cm2 F
6000 Ω ⋅ 230 Vs ⋅ 270 ⋅ 10−9
cm2
𝑈gs, min = 2,74 V 𝑈gs, max = 4,08 V
d) Welche Gateweite 𝑏 muss der Transistor haben, wenn die Gatelänge 𝑙 = 6 µm

beträgt und ein Flächenwiderstand von 10 kΩ einem Source-Drain-Widerstand Ron
von 1,2 kΩ entsprechen soll?
Lösung:
𝑏 𝑅□ 𝑅□ 10000 Ω
= ⇒𝑏= ⋅𝑙 = ⋅ 6 µm = 50 µm
𝑙 𝑅on 𝑅on 1200 Ω
𝑏= 50,0 µm
Wiederholungsklausur “Festkörper-, Halbleiter- und
Bauelementephysik” 2.10.2020 – ONLINE – via ZOOM/Moodle
Wichtige Bemerkungen:
Diese Klausur besteht aus insgesamt 7 Seiten
Verwenden Sie ausschließlich weißes Papier (A4) für Ihre Lösungen
Schreiben Sie mit Kugelschreiber o.ä. (nicht Bleistift, nicht in rot)
Schreiben Sie Name, Matrikelnr. und Datum auf jedes Ihrer Blätter
Zeit: 90 min
oder Kopien)
Nicht erlaubt:
weitere elektronische Geräte (Mobiltelefone, Notebooks, Smartwatches etc.)
Computer, Tablet, Mobiltelefon, Internet etc. dürfen ausschließlich zum Download und zur
Ansicht der Klausuraufgaben, für die Kamera (ZOOM) und zum Fotografieren und Hochladen
Ihrer fotografierten Lösungen auf Moodle verwendet werden!

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage
handelt. Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte
Antworten -2 Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.
Aussage
1) „Die Fermi-Verteilungsfunktion ist für T=0K eine perfekte
Stufenfunktion. Sie erfährt für ansteigende Energie einen abrupten
2) „Die Fermienergie von Metallen ist typischerweise etwa so groß wie
die thermische Energie bei Raumtemperatur“
3) „Der Beitrag der Elektronen zur spezifischen Wärme ist groß, da alle
Elektronen bis EF beitragen“
4) „Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung E(k) im periodischen

Potential sind invariant gegenüber der Verschiebung um einen
5) „Vollständig gefüllte Bänder können nicht zur Leitfähigkeit beitragen“
Ordnen Sie im nebenstehenden Diagramm die

dort eingetragenen Ziffern 1 bis 5 den folgenden
Bezeichnungen zu:
Beispiel: „6: Ei“

Dielektrische und optische Eigenschaften
a) Ordnen Sie den unterschiedlichen Frequenzbereichen 1 bis 4 (s. Abbildung) die jeweiligen
Beiträge zum Realteil der dielektrischen Funktion von Isolatoren zu:
• Ionenpolarisation
• Orientierungspolarisation permanenter Dipole
• Vakuum
• elektronische Polarisation
Beispiel: „5: ferroelektrische Polarisation“
b) Im Grenzfall sehr hoher Frequenzen (>1018 rad/s)

nimmt ‘ den Wert ______ an. (fehlende Zahl
nach: S. Hunklinger, Festkörperphysik, Oldenbourg (2011)
angeben)
Optoelektronische Bauelemente
Aussage
1) „Indirekte Halbleiter eignen sich gut als Materialien für Lichtquellen“
2) „Zum effektiven optischen Einschluss (‘Index Guiding‘) bei

Halbleiterlasern wird zur Totalreflexion die aktive Schicht zwischen
Materialien mit kleinerem Brechungsindex eingebettet“
3) „Die oberflächennahe, dünne p-Schicht einer p-i-n Photodiode ist zur
praktisch vollständigen Absorption ausgelegt“
4) „Bei einer Solarzelle wird Spannung in Durchlassrichtung generiert,

und der Photostrom induziert einen Stromfluss in Sperrrichtung“
5) „Bei einer Doppelheterostruktur-LED ist eine dünne Schicht eines

Halbleiters mit kleinem Bandabstand beidseitig in Halbleiterschichten
mit größerem Bandabstand eingefasst.“
b) Ordnen Sie im nebenstehenden Diagramm der

I-U-Kennlinien eines pn-Übergangs die dort
eingetragenen Ziffern 1 bis 3 den folgenden
Bauelementen (normaler Betriebsbereich) zu:
Photodiode, LED/Laser, Solarzelle
Beispiel: „4: Phototransistor“
c) Ergänzen Sie die fehlenden Worte: „Eine weiße LED lässt sich mit Hilfe einer blauen LED
(aktive Schicht: Gallium-Indium- ) realisieren, welche mit einem Fluoreszenzfarbstoff
überdeckt wird. Dieser Fluoreszenzfarbstoff wandelt einen Teil des blau-farbigen Lichts in
-farbiges Licht um.“
Hinweise:
• Rahmen Sie die in den Lösungskästen der Aufgaben gesuchten Endergebnisse in gleicher
Weise auf Ihrem Blatt ein. Es werden nur die auf Ihrem Blatt eingerahmten Zahlenwerte
mit der jeweils vorgegebenen Einheit bewertet. Beispiel:
m = 200 mg
• Der Lösungsweg muss zudem stets nachvollziehbar sein!

• Folgende Annahmen gelten generell: - Vollständige Ionisation der Dotierstoffatome
- Raumtemperatur (300 K)
Konstanten:
As J
𝑒 = 1,6022 ⋅ 10−19 As 𝜀0 = 8,8542 ⋅ 10−12 ℏ = 1,0546 ⋅ 10−34 Js 𝑘B = 1,3806 ⋅ 10−23
Vm K
N J
𝑚0 = 9,1094 ⋅ 10−31 kg 𝑛i (Si) = 9,65 ⋅ 109 cm−3 𝜇0 = 1,2566 ⋅ 10−6 𝜇𝐵 = 9,2740 ⋅ 10−24
A2 T

g) Ein Rb+-Ion und ein I--Ion werden aus dem Unendlichen zusammengeführt. Welche
annehmen, die bis auf die Summe ihrer Radien zusammengeführt werden? Nehmen
Sie als Radien dabei für Rb+: 𝑟Rb = 220 pm und für I-: 𝑟I = 140 pm an.
𝐸el = eV
h) Wie groß ist betragsmäßig die Bindungsenergie eines RbI-Moleküls 𝐸bind ? Die
Ionisierungsenergie von Rb beträgt betragsmäßig 4,18 eV und die Elektronenaffinität
eines I-Atoms beträgt betragsmäßig 3,06 eV. Nehmen Sie an, dass nach dem
𝐸bind = eV
Eigenschaften von Silber
Silber ist ein einwertiges Metall (jedes Atom gibt ein Elektron ab) mit einer spezifischen
elektrischen Leitfähigkeit von 𝜎Ag = 6,135 ⋅ 107 Ω−1 m−1 und einer atomaren Dichte von
1
𝜌at,Ag = 5,8547 ⋅ 1028 m3
(also 5,8547 ⋅ 1028 Atome pro m³). Es kristallisiert in einer fcc
(kubisch flächenzentrierten) Struktur, wobei jeder Gitterpunkt von einem Silber-Atom besetzt
wird. Die effektive Masse der Elektronen sei gleich deren Ruhemasse.
a) Welche Gitterkonstante besitzt monokristallines Silber?
𝑎= pm
V
b) Berechnen Sie unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes von ℰ = 0,500 m
sowohl
die Drift- (𝑣d ), als auch die Fermi-Geschwindigkeit (𝑣F ) der Elektronen im Silberkristall
(beide nur betragsmäßig).
m
|𝑣d | =
s
m
|𝑣F | =
s
c) Wie hoch ist die rein von den Leitungselektronen stammende, magnetische
m
Suszeptibilität 𝜒el (Summe para- und diamagnetischer Anteile) von Silber?
2
m 𝑛𝜇B
Hinweis: 𝜒el = ⋅ 𝜇0 .
𝑘B 𝑇 F
m
𝜒el =
d) Die Elektronenkonfiguration von Silber lautet [Kr] 4d10 5s1, wobei im Kristall das 5s-
Elektron als Leitungselektron abgegeben wird. Wie groß sind der elektronische
Gesamtbahndrehimpuls 𝐿, der Gesamtspin 𝑆 und der Gesamtdrehimpuls 𝐽 der
Elektronen der Silber-Atomrümpfe Ag+?
𝐿=
𝑆=
𝐽=

Bipolartransistoren
Betrachten Sie einen pnp-

Transistor aus Silizium, mit einem
Kurzschluss zwischen Basis und
Kollektor (siehe nebenstehende
Skizze: 𝑥1 und 𝑥2 bezeichnen die
Ränder der entsprechenden
Raumladungszonen in der Basis,
der Ursprung x = 0 sei an der Grenze von p (Emitter) zu n (Basis) dotiertem Silizium, und 𝑑b0
markiere die Grenze von n (Basis) zu p (Kollektor) (=Breite der Basis)). Vernachlässigen Sie
Felder in den Bahngebieten. Die Basis sei verhältnismäßig dick (keine Überlappungen der
Raumladungszonen o. Ä.). Die Dotierdichten in Emitter, Basis und Kollektor betragen 𝑁Ae =
6,00 ⋅ 1018 cm−3 , 𝑁Db = 1,00 ⋅ 1016 cm−3 , 𝑁Ac = 4,00 ⋅ 1015 cm−3 .
Hinweis: Die Diffusionsspannungen betragen am linken (E-B) Übergang 𝑈D1 = 0,881 V und
rechts (B-C) 𝑈D2 = 0,692 V.
a) Bei welcher angelegten Spannung 𝑈eb sind 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 , also die beiden
Raumladungszonen der Basis gleich groß? 𝑈eb werde an den Emitter gegen Basis
und Kollektor gelegt.
𝑈eb = V
b) Wie groß sind die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen bei 𝑥1 und 𝑥2 bei einer
angelegten Spannung von 𝑈eb = 0,400 V?
𝑝n (𝑥1 ) = cm−3
𝑝n (𝑥2 ) = cm−3
MUSTERLÖSUNG
Wiederholungklausur “Festkörper-, Halbleiter- und

Bauelementephysik” 2.10.2020 – ONLINE – via ZOOM/Moodle
Wichtige Bemerkungen:
Diese Klausur besteht aus insgesamt 7 Seiten [Musterlösung: 9 Seiten]
Verwenden Sie ausschließlich weißes Papier (A4) für Ihre Lösungen
Schreiben Sie mit Kugelschreiber o.ä. (nicht Bleistift, nicht in rot)
Schreiben Sie Name, Matrikelnr. und Datum auf jedes Ihrer Blätter
Zeit: 90 min
oder Kopien)
Nicht erlaubt:
weitere elektronische Geräte (Mobiltelefone, Notebooks, Smartwatches etc.)
Computer, Tablet, Mobiltelefon, Internet etc. dürfen ausschließlich zum Download und zur
Ansicht der Klausuraufgaben, für die Kamera (ZOOM) und zum Fotografieren und Hochladen
Ihrer fotografierten Lösungen auf Moodle verwendet werden!

Aussage
1) „Die Fermi-Verteilungsfunktion ist für T=0K eine perfekte
Stufenfunktion. Sie erfährt für ansteigende Energie einen abrupten Richtig
2) „Die Fermienergie von Metallen ist typischerweise etwa so groß wie
die thermische Energie bei Raumtemperatur“ Falsch
3) „Der Beitrag der Elektronen zur spezifischen Wärme ist groß, da alle
Elektronen bis EF beitragen“ Falsch
4) „Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung E(k) im periodischen

Potential sind invariant gegenüber der Verschiebung um einen Richtig
5) „Vollständig gefüllte Bänder können nicht zur Leitfähigkeit beitragen“
Richtig
Ordnen Sie im nebenstehenden Diagramm die

dort eingetragenen Ziffern 1 bis 5 den folgenden
Bezeichnungen zu:
Beispiel: „6: Ei“
1: 2kBT, 2: EF, 3: D(E), 4: D(E)·f(E), 5: f(E)

Dielektrische und optische Eigenschaften
a) Ordnen Sie den unterschiedlichen Frequenzbereichen 1 bis 4 (s. Abbildung) die jeweiligen
Beiträge zum Realteil der dielektrischen Funktion von Isolatoren zu:
• Ionenpolarisation
• Orientierungspolarisation permanenter Dipole
• Vakuum
• elektronische Polarisation
Beispiel: „5: ferroelektrische Polarisation“
1: Orientierungspolarisation permanenter Dipole, 2:

Ionenpolarisation, 3: elektronische Polarisation, 4:
Vakuum
b) Im Grenzfall sehr hoher Frequenzen (>1018 rad/s)

nimmt ‘ den Wert __1___ an. (fehlende Zahl angeben) nach: S. Hunklinger, Festkörperphysik, Oldenbourg (2011)
Optoelektronische Bauelemente
Aussage
1) „Indirekte Halbleiter eignen sich gut als Materialien für Lichtquellen“
Falsch
2) „Zum effektiven optischen Einschluss (‘Index Guiding‘) bei

Halbleiterlasern wird zur Totalreflexion die aktive Schicht zwischen Richtig
Materialien mit kleinerem Brechungsindex eingebettet“
3) „Die oberflächennahe, dünne p-Schicht einer p-i-n Photodiode ist zur
praktisch vollständigen Absorption ausgelegt“ Falsch
4) „Bei einer Solarzelle wird Spannung in Durchlassrichtung generiert,

und der Photostrom induziert einen Stromfluss in Sperrrichtung“ Richtig
5) „Bei einer Doppelheterostruktur-LED ist eine dünne Schicht eines

Halbleiters mit kleinem Bandabstand beidseitig in Halbleiterschichten Richtig
mit größerem Bandabstand eingefasst.“
b) Ordnen Sie im nebenstehenden Diagramm der

I-U-Kennlinien eines pn-Übergangs die dort
eingetragenen Ziffern 1 bis 3 den folgenden
Bauelementen (normaler Betriebsbereich) zu:
Photodiode, LED/Laser, Solarzelle
Beispiel: „4: Phototransistor“
1: Photodiode, 2: LED/Laser, 3: Solarzelle
c) Ergänzen Sie die fehlenden Worte: „Eine weiße LED lässt sich mit Hilfe einer blauen LED
(aktive Schicht: Gallium-Indium-Nitrid) realisieren, welche mit einem Fluoreszenzfarbstoff
überdeckt wird. Dieser Fluoreszenzfarbstoff wandelt einen Teil des blau-farbigen Lichts in
gelb-farbiges Licht um.“
Hinweise:
• Rahmen Sie die in den Lösungskästen der Aufgaben gesuchten Endergebnisse in gleicher
Weise auf Ihrem Blatt ein. Es werden nur die auf Ihrem Blatt eingerahmten Zahlenwerte
mit der jeweils vorgegebenen Einheit bewertet. Beispiel:
m = 200 mg
• Der Lösungsweg muss zudem stets nachvollziehbar sein!

• Folgende Annahmen gelten generell: - Vollständige Ionisation der Dotierstoffatome
- Raumtemperatur (300 K)
Konstanten:
As J
𝑒 = 1,6022 ⋅ 10−19 As 𝜀0 = 8,8542 ⋅ 10−12 ℏ = 1,0546 ⋅ 10−34 Js 𝑘B = 1,3806 ⋅ 10−23
Vm K
N J
𝑚0 = 9,1094 ⋅ 10−31 kg 𝑛i (Si) = 9,65 ⋅ 109 cm−3 𝜇0 = 1,2566 ⋅ 10−6 𝜇𝐵 = 9,2740 ⋅ 10−24
A2 T

a) Ein Rb+-Ion und ein I--Ion werden aus dem Unendlichen zusammengeführt. Welche
annehmen, die bis auf die Summe ihrer Radien zusammengeführt werden? Nehmen
Sie als Radien dabei für Rb+: 𝑟Rb = 220 pm und für I-: 𝑟I = 140 pm an.
Lösung:
Die Summe der Radien beträgt
𝑟0 = 𝑟Rb + 𝑟I = 220 pm + 140 pm = 360 pm.
Die dabei freiwerdende Energie errechnet sich aus
𝑟0
𝑒2 𝑒2 (1,6022 ⋅ 10−19 As)2
𝐸el = ∫ (− ) d𝑟 = = = 6,4087 ⋅ 10−19 J
4𝜋𝜀0 𝑟 2 4𝜋𝜀0 𝑟0 4𝜋 ⋅ 8,8542 ⋅ 10−12 As ⋅ 360 ⋅ 10−12 m
∞ Vm
= 4,000 eV.
𝐸el = 4,00 eV
b) Wie groß ist betragsmäßig die Bindungsenergie eines RbI-Moleküls 𝐸bind ? Die
Ionisierungsenergie von Rb beträgt betragsmäßig 4,18 eV und die Elektronenaffinität
eines I-Atoms beträgt betragsmäßig 3,06 eV. Nehmen Sie an, dass nach dem
Lösung:
Zuerst werden die Atome ionisiert und anschließend zusammengeführt. Die Reaktionen
lauten
Rb + 4,18 eV → Rb+ + e−
I + e− → I − + 3,06 eV
Rb+ + I − → RbI + 4,52 eV
und damit
Ebind = −4,18 eV + 3,06 eV + 4,52 eV = 3,40 eV.
𝐸bind = 3,40 eV

Eigenschaften von Silber
Silber ist ein einwertiges Metall (jedes Atom gibt ein Elektron ab) mit einer spezifischen
elektrischen Leitfähigkeit von 𝜎Ag = 6,135 ⋅ 107 Ω−1 m−1 und einer atomaren Dichte von
1
𝜌at,Ag = 5,8547 ⋅ 1028 m3
(also 5,8547 ⋅ 1028 Atome pro m³). Es kristallisiert in einer fcc
(kubisch flächenzentrierten) Struktur, wobei jeder Gitterpunkt von einem Silber-Atom besetzt
wird. Die effektive Masse der Elektronen sei gleich deren Ruhemasse.
a) Welche Gitterkonstante besitzt monokristallines Silber?
Lösung:
Da die fcc-Einheitszelle 4 Gitterpunkte besitzt und jeder davon mit einem Silberatom besetzt
ist, gilt für 𝜌at,Ag
4
𝜌at,Ag = 3
𝑎
und damit
3 4 3 4
𝑎=√ =√ = 408,8 pm.
𝜌at,Ag 1
5,8547 ⋅ 1028 3
m
𝑎= 409 pm
V
b) Berechnen Sie unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes von ℰ = 0,500 sowohl
m
die Drift- (𝑣d ), als auch die Fermi-Geschwindigkeit (𝑣F ) der Elektronen im Silberkristall
(beide nur betragsmäßig).
Lösung:
Die Elektronendichte 𝑛 ist aufgrund der Einwertigkeit von Silber gleich 𝜌at,Ag:
1
𝑛 = 𝜌at,Ag = 5,8547 ⋅ 1028 3 .
m
Die Drift-Geschwindigkeit errechnet sich aus:
V
𝜎Ag ℰ 6,135 ⋅ 107 Ω−1 m−1 ⋅ 0,5 m m
𝑗 = −𝑛𝑒𝑣d = 𝜎Ag ℰ ⇒ |𝑣d | = = = 3,2701 ⋅ 10−3
𝑛𝑒 1 s
5,8547 ⋅ 1028 3 ⋅ 1,6022 ⋅ 10−19 As
m
und die Fermi-Geschwindigkeit aus
ℏ2 2 1
2𝐸F √2 ⋅ 2𝑚∗ (3𝜋 2 𝑛)3 ℏ(3𝜋 2 𝑛)3 ℏ ⋅ √3𝜋 2 𝑛
3
𝑣F = √ ∗ = = =
𝑚 𝑚∗ 𝑚∗ 𝑚0
3 1
1,0546 ⋅ 10−34 Js ⋅ √3𝜋 2 ⋅ 5,8547 ⋅ 1028 m
m3
= = 1,3907 ⋅ 106 .
9,1094 ⋅ 10−31 kg s
m
|𝑣d | = 3,27 ⋅ 10−3
s
m
|𝑣F | = 1,39 ⋅ 106
s
c) Wie hoch ist die rein von den Leitungselektronen stammende, magnetische
m
Suszeptibilität 𝜒el (Summe para- und diamagnetischer Anteile) von Silber?
2
m 𝑛𝜇B
Hinweis: 𝜒el = ⋅ 𝜇0 .
𝑘B 𝑇 F
Lösung:
Die Fermi-Temperatur errechnet sich aus
2
ℏ2 2 3
2
2 1 3
𝐸F 2𝑚0 (3𝜋 𝑛)
−34
ℏ2 (3𝜋 2 𝑛)3 (1,0546 ⋅ 10 Js)2 ⋅ (3𝜋 2 ⋅ 5,8547 ⋅ 1028 3 )
𝑇F = = = = m
𝑘B 𝑘B 2𝑚0 𝑘B J
2 ⋅ 9,1094 ⋅ 10−31 kg ⋅ 1,3806 ⋅ 10−23 K
= 6,3807 ⋅ 104 K,
1
wobei hier wieder 𝑛 = 𝜌at,Ag = 5,8547 ⋅ 1028 m3
und 𝑚∗ = 𝑚0 verwendet wurden.
Aus der Fermi-Temperatur kann sofort der Anteil der Leitungselektronen an der
Suszeptibilität errechnet werden:
1 J 2
𝑛𝜇B2 5,8547 ⋅ 1028 3 ⋅ (9,2740 ⋅ 10−24 T) N
m
𝜒el = ⋅ 𝜇0 = m ⋅ 1,2566 ⋅ 10−6 2 = 7,1829 ⋅ 10−6
𝑘B 𝑇F J A
1,3806 ⋅ 10−23 K ⋅ 6,3807 ⋅ 104 K
m
𝜒el = 7,18 ⋅ 10−6
d) Die Elektronenkonfiguration von Silber lautet [Kr] 4d10 5s1, wobei im Kristall das 5s-
Elektron als Leitungselektron abgegeben wird. Wie groß sind der elektronische
Gesamtbahndrehimpuls 𝐿, der Gesamtspin 𝑆 und der Gesamtdrehimpuls 𝐽 der
Elektronen der Silber-Atomrümpfe Ag+?
Lösung:
Da die Silber-Atomrümpfe die Elektronenkonfiguration [Kr] 4d10 besitzen, sind alle Schalen
vollständig gefüllt. Für das 4d-Orbital gilt folgendes Pauling-Schema:
1 1
Dadurch ist 𝑆 = 5 ⋅ (+ ) + 5 ⋅ (− ) = 0, 𝐿 = 2 ⋅ [(−2) + (−1) + 0 + 1 + 2] = 0 und dadurch
2 2
𝐽 = |𝐿 − 𝑆|, ⋯ , 𝐿 + 𝑆 = |0 − 0|, ⋯ ,0 + 0 = 0.
𝐿= 0
𝑆= 0
𝐽= 0
Bipolartransistoren
Betrachten Sie einen pnp-

Transistor aus Silizium, mit einem
Kurzschluss zwischen Basis und
Kollektor (siehe nebenstehende
Skizze: 𝑥1 und 𝑥2 bezeichnen die
Ränder der entsprechenden
Raumladungszonen in der Basis,
der Ursprung x = 0 sei an der Grenze von p (Emitter) zu n (Basis) dotiertem Silizium, und 𝑑b0
markiere die Grenze von n (Basis) zu p (Kollektor) (=Breite der Basis)). Vernachlässigen Sie
Felder in den Bahngebieten. Die Basis sei verhältnismäßig dick (keine Überlappungen der
Raumladungszonen o. Ä.). Die Dotierdichten in Emitter, Basis und Kollektor betragen 𝑁Ae =
6,00 ⋅ 1018 cm−3 , 𝑁Db = 1,00 ⋅ 1016 cm−3 , 𝑁Ac = 4,00 ⋅ 1015 cm−3 .
Hinweis: Die Diffusionsspannungen betragen am linken (E-B) Übergang 𝑈D1 = 0,881 V und
rechts (B-C) 𝑈D2 = 0,692 V.
c) Bei welcher angelegten Spannung 𝑈eb sind 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 , also die beiden
Raumladungszonen der Basis gleich groß? 𝑈eb werde an den Emitter gegen Basis
und Kollektor gelegt.
Lösung:
Es gilt für die Ausdehnung der Raumladungszonen im n-Gebiet generell die Formel
2𝜀𝜀0 𝑁A 𝑈D
𝑤n = √ .
𝑒𝑁D (𝑁D + 𝑁A )
Setzt man die hier vorliegenden Bezeichnungen für die jeweiligen Raumladungszonen ein
und berücksichtigt die zusätzlich anliegende Spannung, so ergeben sich die Formeln
2𝜀𝜀0 𝑁Ae (𝑈D1 − 𝑈eb ) 2𝜀𝜀0 (𝑈D1 − 𝑈eb )
𝑥1 = √ ≈√ und
𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ae ) 𝑒𝑁Db
2𝜀𝜀0 𝑁Ac 𝑈D2

𝑑b0 − 𝑥2 = √ .
𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ac )
Da nun 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 gelten soll, ergibt sich (mit Näherung gerechnet)

2𝜀𝜀0 (𝑈D1 − 𝑈eb ) 2𝜀𝜀0 𝑁Ac 𝑈D2 𝑁Ac 𝑈D2 𝑁Ac 𝑈D2
√ =√ ⇒ 𝑈D1 − 𝑈eb = ⇒ 𝑈eb = 𝑈D1 −
𝑒𝑁Db 𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ac ) 𝑁Db + 𝑁Ac 𝑁Db + 𝑁Ac
4 ⋅ 1015 cm−3 ⋅ 0,692 V
= 0,881 V − = 0,683 V.
1,0 ⋅ 1016 cm−3 + 4 ⋅ 1015 cm−3
Ohne Näherung gerechnet ergibt sich ebenfalls

𝑁Ac (𝑁Db + 𝑁Ae )𝑈D2
𝑈eb = 𝑈D1 − = 0,683 V.
𝑁Ae (𝑁Db + 𝑁Ac )
𝑈eb = 0,683 V
d) Wie groß sind die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen bei 𝑥1 und 𝑥2 bei einer

angelegten Spannung von 𝑈eb = 0,400 V?
Lösung:
Es gilt allgemein
𝑛i2 𝑘𝑒𝑈𝑇 𝑒𝑈
𝑝n (𝑤n ) = 𝑝n0 𝑒 𝑘B 𝑇 =
𝑒 B ,
𝑁D
wobei gemäß Angabe zu Beginn des Rechenteils die vollständige Ionisation der
𝑛2 𝑛2
Dotierstoffatome (also 𝑝n0 = 𝑛 i = 𝑁i ) angenommen wurde.
n0 D
Für den hier vorliegenden Fall gilt also

1,6022⋅10−19 As⋅0,4 V
𝑛i2 (9,65 ⋅ 109 cm−3 )2 1,3806⋅10−23 J ⋅300 K
𝑒𝑈eb
𝑝n (𝑥1 ) = 𝑒 𝑘B 𝑇
= 𝑒 K = 4,8876 ⋅ 1010 cm−3
𝑁Db 1,0 ⋅ 1016 cm−3
und aufgrund der Spannungsfreiheit des pn-Übergangs von Basis zu Kollektor
𝑛i2 (9,65 ⋅ 109 cm−3 )2
𝑝n (𝑥2 ) = = = 9,3123 ⋅ 103 cm−3 .
𝑁Db 1,0 ⋅ 1016 cm−3
𝑝n (𝑥1 ) = 4,89 ⋅ 1010 cm−3
𝑝n (𝑥2 ) = 9,31 ⋅ 103 cm−3

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Nachname, Vorname Matrikelnummer Unterschrift

Klausur “Festkörper-, Halbleiter- und Bauelementephysik”

Diese Klausur besteht aus insgesamt 8 Seiten

Frage F1 (20 Punkte)

Aussage Richtig Falsch

„Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung E(k) im periodischen

Beschriften Sie die nebenstehenden Kurven

f(E), D(E), D(E)·f(E), EF, 2kBT

Frage F2 (10 Punkte)

Das Metall Nickel ist ein wichtiger Vertreter der

a) Oberhalb der sogenannten Curie-Temperatur

b) Im nebenstehenden Diagramm wurde lediglich

c) Auch die Leitungselektronen von Metallen zeigen einen Paramagnetismus, aufgrund

Aussage Richtig Falsch

„Weit entfernt von der Verarmungszone fallen die Quasi-Ferminiveaus für

„Bei einem unsymmetrischen p+n-Übergang (Dotierkonzentrationen

„In den Übergangszonen der Bahngebiete ist der Minoritätsträgerstrom

b) Vervollständigen Sie das Diagramm des

Im Bandverlauf bezeichnet EFn

(korrekte Bezeichnung eintragen)

nach A. Schlachetzki, “Halbleiter-Elektronik”, Teubner (1990)

Aufgabe A1 (15 Punkte)

c) NaF kristallisiert in einer kubisch-flächenzentrierten (fcc) Gitterstruktur mit einer

a) Welche Masse an Phosphor 𝑚P muss einem Gramm Silizium beigegeben werden,

b) Berechnen Sie die Löcherkonzentration, sowie betragsmäßig die Energiedifferenz

Aufgabe A3 (15 Punkte)

Ein n-Kanal-MOSFET soll als

a) In welchem Bereich muss dazu die Gate-Source-Spannung eingestellt werden

b) Welche Gateweite 𝑏 muss der Transistor haben, wenn die Gatelänge 𝑙 = 6 µm

Klausur “Festkörper-, Halbleiter- und Bauelementephysik”

Diese Klausur besteht aus insgesamt 8 Seiten [Musterlösung: 8 Seiten]

Frage F1 (20 Punkte)

Aussage Richtig Falsch

„Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung E(k) im periodischen

Beschriften Sie die nebenstehenden Kurven

f(E), D(E), D(E)·f(E), EF, 2kBT

Frage F2 (10 Punkte)

Das Metall Nickel ist ein wichtiger Vertreter der

a) Oberhalb der sogenannten Curie-Temperatur

b) Im nebenstehenden Diagramm wurde

c) Auch die Leitungselektronen von Metallen zeigen einen Paramagnetismus, aufgrund

Antwort:______ Richtig ____

Aussage Richtig Falsch

„Weit entfernt von der Verarmungszone fallen die Quasi-Ferminiveaus für

„Bei einem unsymmetrischen p+n-Übergang (Dotierkonzentrationen

„In den Übergangszonen der Bahngebiete ist der Minoritätsträgerstrom

b) Vervollständigen Sie das Diagramm des

Im Bandverlauf bezeichnet EFn

(korrekte Bezeichnung eintragen)

nach A. Schlachetzki, “Halbleiter-Elektronik”, Teubner (1990)

Aufgabe A1 (15 Punkte)

f) NaF kristallisiert in einer kubisch-flächenzentrierten (fcc) Gitterstruktur mit einer

Aufgabe A2 (20 Punkte)

d) Welche Masse an Phosphor 𝑚P muss einem Gramm Silizium beigegeben werden,

e) Berechnen Sie die Löcherkonzentration, sowie betragsmäßig die Energiedifferenz

𝑝= 2,07 ⋅ 103 cm−3

𝑛= 4,00 ⋅ 1016 cm−3

Aufgabe A3 (15 Punkte)

Ein n-Kanal-MOSFET soll als

c) In welchem Bereich muss dazu die Gate-Source-Spannung eingestellt werden

𝑏 1 2 𝑈ds sehr klein 𝑏 𝑈ds

𝑈gs, min = 2,74 V 𝑈gs, max = 4,08 V

Antwort:__ Richtig