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Klausur “Festkörper-, Halbleiter- und Bauelementephysik”

04.03.2022 – ONLINE – via ZOOM/Moodle/TUMexam
Prof. M. Tornow, TU München

Wichtige Bemerkungen:
Diese Klausur besteht aus insgesamt 7 Seiten
Schreiben Sie mit Kugelschreiber o.ä. auf Papier oder mit Eingabestift auf Touchscreen (nicht Bleistift,
nicht in rot)
Unterschreiben Sie die Titelseite Ihrer Lösungsblätter
Zeit: 90 min

Erlaubte Hilfsmittel:
handgeschriebene Formelsammlung:
2 Seiten A4: 1 Blatt Vorder- und Rückseite oder 2 Blätter einseitig
Darin erlaubt: beliebige handschriftliche Eintragungen (=mit Stift auf Papier, keine Ausdrucke
oder Kopien)
Anm.: benötigte Naturkonstanten werden auch in den Aufgaben angegeben
Standard wissenschaftlicher Taschenrechner (nicht programmierbar)
Wörterbuch (Dictionary), nicht elektronisch

Nicht erlaubt:
Skripten, Bücher, Mitschriften etc.
weitere elektronische Geräte (Mobiltelefone, Notebooks, Smartwatches etc.)
Computer, Tablet, Mobiltelefon, Internet etc. dürfen ausschließlich zum Download und zur
Ansicht der Klausuraufgaben, für die Kamera (ZOOM), zum Schreiben auf Touchscreen und zum
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TEIL 1: VERSTÄNDNISFRAGEN

Frage F1 (10 Punkte)

Mechanische Eigenschaften

a) Für das nebenstehende Diagramm der Messung

der spezifischen Wärme von Diamant wurden
lediglich die zwei eingetragenen Messpunkte
aufgenommen (blaue Dreieck-Symbole).
Übertragen Sie das Diagramm mit Messpunkten auf
Ihr Blatt und zeichnen Sie für den gesamten
Temperaturbereich die erwartete Messkurve
qualitativ ein.

b) Die spezifische Wärme nähert sich bei hohen Temperaturen für viele Materialien (auch z.B.
Diamant) an den universellen Wert CV ≈ _______ J mol-1 K-1 an (Dulong-Petit-Gesetz).
(Zahlenwert auf Lösungsblatt schreiben)
1
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Frage F2 (20 Punkte)

Elektronen im Festkörper

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage handelt.
Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte Antworten -2
Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.

Aussage

1) „Die Fermi-Verteilungsfunktion ist für T = 0 K eine perfekte Stufenfunktion. Sie erfährt

für ansteigende Energie einen abrupten Übergang von 1 nach 0 bei der Fermi-Energie“

2) „Die Fermienergie von Metallen ist typischerweise viel kleiner als die thermische
Energie bei Raumtemperatur“

3) „Die Wärmeleitfähigkeit von Metallen ist von der Fermi-Geschwindigkeit der Elektronen
unabhängig“

4) „Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung E(k) im periodischen Potential sind invariant

gegenüber der Verschiebung um einen reziproken Gittervektor“

5) „Vollständig gefüllte Bänder können nicht zur Leitfähigkeit beitragen“

b) In die Berechnung der Elektronendichte in

Metallen geht das Produkt von Fermi-
Verteilungsfunktion und Zustandsdichte ein.

Ordnen Sie im nebenstehenden Diagramm die

dort eingetragenen Ziffern 1 bis 5 den
folgenden Bezeichnungen zu:
f(E), D(E), D(E)·f(E), EF, 2kBT

Beispiel: „6: Ei“

2
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Frage F3 (20 Punkte)

Optoelektronische Bauelemente

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage handelt.
Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte Antworten -2
Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.

Aussage

1) „Indirekte Halbleiter eignen sich gut als Materialien für Lichtquellen“

2) „Zum effektiven optischen Einschluss (‘Index Guiding‘) bei Halbleiterlasern wird zur
Totalreflexion die aktive Schicht zwischen Materialien mit kleinerem Brechungsindex
eingebettet“

3) „Die relativ dicke, intrinsische („i“) Schicht einer p-i-n Photodiode ist zur praktisch
vollständigen Absorption ausgelegt“

4) „Bei einer Solarzelle wird Spannung in Durchlassrichtung generiert, und der Photostrom
induziert einen Stromfluss in Sperrrichtung“

5) „Bei einer Doppelheterostruktur-LED ist eine dünne Schicht eines Halbleiters mit
großem Bandabstand beidseitig in Halbleiterschichten mit kleinerem Bandabstand
eingefasst.“

b) Ordnen Sie im nebenstehenden Diagramm

der I-U-Kennlinien eines pn-Übergangs die dort
eingetragenen Ziffern 1 bis 3 den folgenden
Bauelementen (normaler Betriebsbereich) zu:

LED/Laser, Solarzelle, Photodiode

Beispiel: „4: Phototransistor“

c) Ergänzen Sie die fehlenden Worte: „Eine weiße LED lässt sich mit Hilfe einer blauen LED
(aktive Schicht: Gallium-Indium- ) realisieren, welche mit einem Fluoreszenzfarbstoff
überdeckt wird. Dieser Fluoreszenzfarbstoff wandelt einen Teil des blau-farbigen Lichts in
-farbiges Licht um.“
(Fehlende Worte auf Lösungsblatt schreiben)
3
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TEIL 2: RECHENAUFGABEN

Hinweise:
• Rahmen Sie die in den Lösungskästen der Aufgaben gesuchten Endergebnisse in gleicher Weise auf
Ihrem Lösungsblatt ein. Beispiel:

• Es werden nur die auf Ihrem Blatt als Endergebnis gekennzeichneten Zahlenwerte mit der jeweils
vorgegebenen Einheit bewertet.
• Der Lösungsweg muss zudem stets nachvollziehbar sein!
• Folgende Annahme gilt, wenn nicht anders angegeben: Raumtemperatur (300 K)

Konstanten:
m
𝑒 = 1,6022 ⋅ 10−19 As ℎ = 6,6261 ⋅ 10−34 Js 𝑐 = 2,9979 ⋅ 108 s

ℎ 1 J
ℏ= = 1,0546 ⋅ 10−34 Js 𝑁A = 6,0221 ⋅ 1023 𝑘B = 1,3806 ⋅ 10−23
2𝜋 mol K

𝑚0 = 9,1094 ⋅ 10−31 kg (Ruhemasse des Elektrons)

Aufgabe A1 (15 Punkte)

Elektronen in Metallen

a) Berechnen Sie die Anzahl der elektronischen Zustände pro Energieeinheit (in eV-1) in
einer Nanoelektrode aus Kupfer mit Abmessungen 200 nm × 500 nm × 1,00 µm bei
der Energie 𝐸 = 100 meV. Die effektive Masse der Elektronen ist gleich deren
Ruhemasse 𝑚0 .

𝑑𝑁
= eV −1
𝑑𝐸

b) Berechnen Sie die Atom- bzw. Elektronendichte 𝑛 (in m-3) in Silber. Es sind folgende
Daten von Silber gegeben: Molmasse 𝐴r (Ag) = 108 g/mol, Dichte 𝜌(Ag) =
10,5 g/cm3 . Hinweis: Aus der elektronischen Konfiguration von Ag nehmen Sie an,
dass jedes Ag-Atom mit einem Leitungselektron beiträgt.

𝑛= m−3

4
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c) Berechnen Sie die Fermi-Energie 𝐸F (in eV) von Gold bei der Temperatur 𝑇 = 0 K.
Hinweis: die Elektronendichte von Gold beträgt 𝑛 = 5,91 ⋅ 1028 m−3, und die effektive
Masse der Elektronen ist gleich deren Ruhemasse 𝑚0 .

𝐸F = eV

Aufgabe A2 (20 Punkte)

Halbleiter

In einem Halbleiterbauelement liegt in einem Bereich der Breite 𝐿 = 1,00 μm folgendes

Banddiagram vor:

Das Bauelement befinde sich im thermodynamischen Gleichgewicht (keine extern angelegte

Spannung). Der Halbleiter ist im gesamten Bereich von 0 bis 𝐿 nicht-entartet und befindet sich
bei 𝑇 = 300 K. Für den Halbleiter sind folgende Daten gegeben: Bandlücke 𝐸g = 1,20 eV,
effektive Zustandsdichte des Leitungsbands 𝑁L = 3,00 ⋅ 1019 cm−3, intrinsische
10 −3
Ladungsträgerdichte 𝑛i = 1,00 ⋅ 10 cm , Beweglichkeit der Elektronen und der Löcher 𝜇𝑛 =
cm2 cm2
2000 und 𝜇𝑝 = 500 .
Vs Vs
a) Berechnen sie die maximale Wellenlänge 𝜆 (in nm) des Photons, das emittiert wird,
wenn ein Elektron aus dem Leitungsband mit einem Loch aus dem Valenzband
rekombiniert.

𝜆= nm

5
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b) Berechnen Sie die Elektronendichte 𝑛(𝑥) und die Löcherdichte 𝑝(𝑥) (in cm-3) an der
Stelle 𝑥 = 0.

𝑛(0) = cm−3 𝑝(0) = cm−3

c) Berechnen Sie die Driftstromdichte (Feldstromdichte) 𝑗drift (in A/cm2) an der Stelle
𝐿 𝐿 𝐿
𝑥 = . Die Ladungsträgerdichten an dieser Stelle betragen 𝑛 ( ) = 𝑝 ( ) = 𝑛i .
2 2 2

A
𝑗drift =
cm2

Aufgabe A3 (15 Punkte)

Bipolartransistor

Betrachten Sie einen pnp-Transistor aus Silizium, mit einem Kurzschluss zwischen Basis und
Kollektor (siehe untenstehende Skizze). 𝑥1 , 𝑥2 und 𝑥3 bezeichnen die Ränder der
entsprechenden Raumladungszonen in der Basis und im Kollektor, der Ursprung 𝑥 = 0 sei an
der Grenze von p- (Emitter) zu n- (Basis) dotiertem Silizium, und 𝑑b0 markiere den Abstand
zwischen p- (Emitter) und p- (Kollektor) dotiertem Silizium (= geometrische Breite der Basis).
Vernachlässigen Sie Felder in den Bahngebieten. In der Basis gebe es keine Überlappungen
der Raumladungszonen. Der Transistor befinde sich bei 𝑇 = 300 K. Intrinsische
Ladungsträgerdichte von Silizium: 𝑛i = 1,00 ⋅ 1010 cm−3.

a) Wenn die Stromverstärkung 𝛼 = 0,950 und der Basisstrom 𝐼b = 0,500 mA betragen,

bestimmen Sie den Emitterstrom 𝐼e (in mA) des Transistors. Vernachlässigen Sie die
Generation/Rekombination von Ladungsträgern in den Raumladungszonen.

6
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𝐼e = mA

b) Wenn die Dotierdichten in Emitter und Basis 𝑁Ae = 3,00 ⋅ 1018 cm−3 und
𝑁Db = 5,00 ⋅ 1016 cm−3 betragen, berechnen Sie die Diffusionsspannung 𝑈D1 (in V) am
E-B Übergang. Hinweis: Die Diffusionsspannung ist positiv definiert.

𝑈D1 = V

c) Nehmen Sie nun an, dass die Diffusionsspannungen 𝑈D1 = 0,851 V und 𝑈D2 = 0,696 V
betragen und für die Dotierdichten 𝑁Ae = 200 ⋅ 𝑁Db (also 𝑁Ae ≫ 𝑁Db ) und 𝑁Db = 2 ⋅ 𝑁Ac
gilt. Bei welcher angelegten Spannung 𝑈eb (in V) gilt 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 , sind also die beiden
Raumladungszonen der Basis gleich groß? 𝑈eb werde an den Emitter gegen Basis
gelegt, d.h. 𝑈eb > 0 ↔ Durchlassrichtung (forward bias).

𝑈eb = V

7
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Musterlösung
Klausur “Festkörper-, Halbleiter- und Bauelementephysik”
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Prof. M. Tornow, TU München

Wichtige Bemerkungen:
Diese Klausur besteht aus insgesamt 7 Seiten (Musterlösung: 11 Seiten)
Schreiben Sie mit Kugelschreiber o.ä. auf Papier oder mit Eingabestift auf Touchscreen (nicht Bleistift,
nicht in rot)
Unterschreiben Sie die Titelseite Ihrer Lösungsblätter
Zeit: 90 min

Erlaubte Hilfsmittel:
handgeschriebene Formelsammlung:
2 Seiten A4: 1 Blatt Vorder- und Rückseite oder 2 Blätter einseitig
Darin erlaubt: beliebige handschriftliche Eintragungen (=mit Stift auf Papier, keine Ausdrucke
oder Kopien)
Anm.: benötigte Naturkonstanten werden auch in den Aufgaben angegeben
Standard wissenschaftlicher Taschenrechner (nicht programmierbar)
Wörterbuch (Dictionary), nicht elektronisch

Nicht erlaubt:
Skripten, Bücher, Mitschriften etc.
weitere elektronische Geräte (Mobiltelefone, Notebooks, Smartwatches etc.)
Computer, Tablet, Mobiltelefon, Internet etc. dürfen ausschließlich zum Download und zur
Ansicht der Klausuraufgaben, für die Kamera (ZOOM), zum Schreiben auf Touchscreen und zum
Fotografieren und Hochladen Ihrer fotografierten Lösungen auf TUMexam verwendet werden!

TEIL 1: VERSTÄNDNISFRAGEN

Frage F1 (10 Punkte)

Mechanische Eigenschaften

a) Für das nebenstehende Diagramm der Messung

der spezifischen Wärme von Diamant wurden
lediglich die zwei eingetragenen Messpunkte
aufgenommen (blaue Dreieck-Symbole).
Übertragen Sie das Diagramm mit Messpunkten
auf Ihr Blatt und zeichnen Sie für den gesamten
Temperaturbereich die erwartete Messkurve
qualitativ ein.

8
 Verwenden Sie ausschließlich die Lösungsblätter von TUMexam für Ihre Lösungen!
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b) Die spezifische Wärme nähert sich bei hohen Temperaturen für viele Materialien (auch z.B.
Diamant) an den universellen Wert CV ≈ _24,9__J mol-1 K-1 an (Dulong-Petit-Gesetz).
(Zahlenwert auf Lösungsblatt schreiben)

Frage F2 (20 Punkte)

Elektronen im Festkörper

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage
handelt. Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte
Antworten -2 Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.

Aussage

1) „Die Fermi-Verteilungsfunktion ist für T = 0 K eine perfekte

Stufenfunktion. Sie erfährt für ansteigende Energie einen abrupten
Übergang von 1 nach 0 bei der Fermi-Energie“ Richtig

2) „Die Fermienergie von Metallen ist typischerweise viel kleiner als die
thermische Energie bei Raumtemperatur“
Falsch

3) „Die Wärmeleitfähigkeit von Metallen ist von der Fermi-

Geschwindigkeit der Elektronen unabhängig“
Falsch

4) „Die Lösungen der Schrödinger-Gleichung E(k) im periodischen

Potential sind invariant gegenüber der Verschiebung um einen
reziproken Gittervektor“ Richtig

5) „Vollständig gefüllte Bänder können nicht zur Leitfähigkeit beitragen“

Richtig

9
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b) In die Berechnung der Elektronendichte in

Metallen geht das Produkt von Fermi-
Verteilungsfunktion und Zustandsdichte ein.

Ordnen Sie im nebenstehenden Diagramm die

dort eingetragenen Ziffern 1 bis 5 den folgenden
Bezeichnungen zu:
f(E), D(E), D(E)·f(E), EF, 2kBT

Beispiel: „6: Ei“

1: 2kBT, 2: EF, 3: D(E), 4: D(E)·f(E), 5: f(E)

Frage F3 (20 Punkte)

Optoelektronische Bauelemente

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage
handelt. Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte
Antworten -2 Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.

Aussage

1) „Indirekte Halbleiter eignen sich gut als Materialien für Lichtquellen“

Falsch

2) „Zum effektiven optischen Einschluss (‘Index Guiding‘) bei

Halbleiterlasern wird zur Totalreflexion die aktive Schicht zwischen
Materialien mit kleinerem Brechungsindex eingebettet“ Richtig

3) „Die relativ dicke, intrinsische („i“) Schicht einer p-i-n Photodiode ist
zur praktisch vollständigen Absorption ausgelegt“
Richtig

4) „Bei einer Solarzelle wird Spannung in Durchlassrichtung generiert,

und der Photostrom induziert einen Stromfluss in Sperrrichtung“
Richtig

5) „Bei einer Doppelheterostruktur-LED ist eine dünne Schicht eines

Halbleiters mit großem Bandabstand beidseitig in Halbleiterschichten mit
kleinerem Bandabstand eingefasst.“ Falsch

10
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b) Ordnen Sie im nebenstehenden Diagramm der

I-U-Kennlinien eines pn-Übergangs die dort
eingetragenen Ziffern 1 bis 3 den folgenden
Bauelementen (normaler Betriebsbereich) zu:

LED/Laser, Solarzelle, Photodiode

Beispiel: „4: Phototransistor“

1: Photodiode, 2: LED/Laser, 3: Solarzelle

c) Ergänzen Sie die fehlenden Worte: „Eine weiße LED lässt sich mit Hilfe einer blauen LED
(aktive Schicht: Gallium-Indium-Nitrid) realisieren, welche mit einem Fluoreszenzfarbstoff
überdeckt wird. Dieser Fluoreszenzfarbstoff wandelt einen Teil des blau-farbigen Lichts in
gelb-farbiges Licht um.“
(Fehlende Worte auf Lösungsblatt schreiben)

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TEIL 2: RECHENAUFGABEN

Hinweise:
• Rahmen Sie die in den Lösungskästen der Aufgaben gesuchten Endergebnisse in gleicher Weise auf
Ihrem Lösungsblatt ein. Beispiel:

• Es werden nur die auf Ihrem Blatt als Endergebnis gekennzeichneten Zahlenwerte mit der jeweils
vorgegebenen Einheit bewertet.
• Der Lösungsweg muss zudem stets nachvollziehbar sein!
• Folgende Annahme gilt, wenn nicht anders angegeben: Raumtemperatur (300 K)

Konstanten:
m
𝑒 = 1,6022 ⋅ 10−19 As ℎ = 6,6261 ⋅ 10−34 Js 𝑐 = 2,9979 ⋅ 108 s

ℎ 1 J
ℏ= = 1,0546 ⋅ 10−34 Js 𝑁A = 6,0221 ⋅ 1023 𝑘B = 1,3806 ⋅ 10−23
2𝜋 mol K

𝑚0 = 9,1094 ⋅ 10−31 kg (Ruhemasse des Elektrons)

Aufgabe A1 (15 Punkte)

Elektronen in Metallen

d) Berechnen Sie die Anzahl der elektronischen Zustände pro Energieeinheit (in eV-1) in
einer Nanoelektrode aus Kupfer mit Abmessungen 200 nm × 500 nm × 1,00 µm bei
der Energie 𝐸 = 100 meV. Die effektive Masse der Elektronen ist gleich deren
Ruhemasse 𝑚0 .

Lösung:
3
𝑑𝑁 1 2𝑚0 2
= 𝐷(𝐸) ∙ 𝑉 = 2 ( 2 ) √𝐸 ∙ 𝑉
𝑑𝐸 2𝜋 ℏ
3
1 2 ∙ 9,1094 ∙ 10−31 kg 2
= 2∙( ) ∙ √100 ∙ 10−3 ∙ 1,6022 ∙ 10−19 J ∙ 200 nm ⋅ 500 nm ⋅ 1,00 μm
2𝜋 (1,0546 ∙ 10−34 )2 (Js)2

3
2 ∙ 9,1094 ∙ 10−31 kg 2
= 0,0506 ∙ ( ) ∙ √100 ∙ 10−3 ∙ 1,6022 ∙ 10−19 J ∙ 1,00 ∙ 10−19 m3
(1,0546 ∙ 10−34 )2 (Js)2
= 1,3427 ∙ 1027 J−1 = 1,3427 ∙ 1027 ⋅ 1,6022 ∙ 10−19 eV −1 = 2,1513 ∙ 108 eV−1

𝑑𝑁
= 2,15 ∙ 108 eV −1
𝑑𝐸

12
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e) Berechnen Sie die Atom- bzw. Elektronendichte 𝑛 (in m-3) in Silber. Es sind folgende
Daten von Silber gegeben: Molmasse 𝐴r (Ag) = 108 g/mol, Dichte 𝜌(Ag) =
10,5 g/cm3 . Hinweis: Aus der elektronischen Konfiguration von Ag nehmen Sie an,
dass jedes Ag-Atom mit einem Leitungselektron beiträgt.

Lösung:
g 23 −1
𝑁 𝑛mol 𝑁A 𝜌𝑁A 10,5 cm3 ∙ 6,0221 ∙ 10 mol
𝑛= = = = g
𝑉 𝑉 𝐴r 108
mol
= 5,8548 ∙ 1022 cm−3 = 5,8548 ∙ 1022 ⋅ 106 m−3
= 5,8548 ∙ 1028 m−3

𝑛= 5,85 ∙ 1028 m−3

f) Berechnen Sie die Fermi-Energie 𝐸F (in eV) von Gold bei der Temperatur 𝑇 = 0 K.
Hinweis: die Elektronendichte von Gold beträgt 𝑛 = 5,91 ⋅ 1028 m−3, und die effektive
Masse der Elektronen ist gleich deren Ruhemasse 𝑚0 .
Lösung:
2 ℏ2 2 2 (1,0546 ⋅ 10−34 )2 (Js)2 2
𝐸F = (3𝜋 2 )3 𝑛3 = (3𝜋 2 )3 ∙ −31
∙ (5,91 ∙ 1028 )3 m−2
2𝑚0 2 ∙ 9,1094 ∙ 10 kg
−19
8,8646 ∙ 10
= 8,8646 ∙ 10−19 J = eV = 5,5328 eV
1,6022 ∙ 10−19

𝐸F = 5,53 eV

13
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Aufgabe A2 (20 Punkte)

Halbleiter

In einem Halbleiterbauelement liegt in einem Bereich der Breite 𝐿 = 1,00 μm folgendes

Banddiagram vor:

Das Bauelement befinde sich im thermodynamischen Gleichgewicht (keine extern angelegte

Spannung). Der Halbleiter ist im gesamten Bereich von 0 bis 𝐿 nicht-entartet und befindet sich
bei 𝑇 = 300 K. Für den Halbleiter sind folgende Daten gegeben: Bandlücke 𝐸g = 1,20 eV,
effektive Zustandsdichte des Leitungsbands 𝑁L = 3,00 ⋅ 1019 cm−3, intrinsische
10 −3
Ladungsträgerdichte 𝑛i = 1,00 ⋅ 10 cm , Beweglichkeit der Elektronen und der Löcher 𝜇𝑛 =
cm2 cm2
2000 und 𝜇𝑝 = 500 .
Vs Vs
a) Berechnen sie die maximale Wellenlänge 𝜆 (in nm) des Photons, das emittiert wird,
wenn ein Elektron aus dem Leitungsband mit einem Loch aus dem Valenzband
rekombiniert.

Lösung:
−34 m
ℎ𝑐 ℎ𝑐 2𝜋 ⋅ 1,0546 ⋅ 10 Js ⋅ 2,9979 ⋅ 108 s
𝐸g = ⇔𝜆= =
𝜆 𝐸g 1,20 eV
−34 m
2𝜋 ⋅ 1,0546 ⋅ 10 Js ⋅ 2,9979 ⋅ 108 s
=
1,20 ⋅ 1,6022 ⋅ 10−19 J
= 1033 nm

𝜆= 1030 nm

14
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b) Berechnen Sie die Elektronendichte 𝑛(𝑥) und die Löcherdichte 𝑝(𝑥) (in cm-3) an der
Stelle 𝑥 = 0.

Lösung:
𝐸L (0) − 𝐸F 1,20 eV − 0,90 eV
𝑛(0) = 𝑁L exp (− ) = 3,00 ⋅ 1019 cm−3 ⋅ exp (− )=
𝑘B 𝑇 J
1,3806 ⋅ 10−23 ⋅ 300 K
K

1,20 eV − 0,90 eV
= 3,00 ⋅ 1019 cm−3 ⋅ exp (− ) = 2,736 ⋅ 1014 cm−3
1,3806 ⋅ 10−23 eV
⋅ 300 K
1,6022 ⋅ 10−19 K

𝑛i2 (1,00 ⋅ 1010 cm−3 )2

𝑝(0) = = = 3,655 ⋅ 105 cm−3
𝑛(0) 2,737 ⋅ 1014 cm−3

𝑛(0) = 2,74 ⋅ 1014 cm−3

𝑝(0) = 3,66 ⋅ 105 cm−3

c) Berechnen Sie die Driftstromdichte (Feldstromdichte) 𝑗drift (in A/cm2) an der Stelle
𝐿 𝐿 𝐿
𝑥 = 2. Die Ladungsträgerdichten an dieser Stelle betragen 𝑛 (2) = 𝑝 (2) = 𝑛i .

Lösung:
Ohm’sches Gesetz:
𝑗drift = 𝜎ℰ
Aus
𝜎 = 𝑒(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 ) = 𝑒𝑛i (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )
und
𝑑𝜙 1 d𝐸L (𝑥) 1 Δ𝐸L
ℰ=− = ⋅ = ⋅ .
𝑑𝑥 𝑒 𝑑𝑥 𝑒 𝐿
folgt
Δ𝐸L cm2 cm2 0,600 eV
𝑗drift = 𝑛i (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 ) = 1,00 ⋅ 1010 cm−3 ⋅ (2000 + 500 )⋅
𝐿 Vs Vs 1,00 μm
2 2 −19
cm cm 0,600 ⋅ 1,6022 ⋅ 10 J
= 1,00 ⋅ 1010 cm−3 ⋅ (2000 + 500 )⋅ −4
= 0,02403 A/cm2
Vs Vs 1,00 ⋅ 10 cm

15
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A
𝑗drift = 0,0240
cm2

Aufgabe A3 (15 Punkte)

Bipolartransistor

Betrachten Sie einen pnp-Transistor aus Silizium, mit einem Kurzschluss zwischen Basis und
Kollektor (siehe untenstehende Skizze). 𝑥1 , 𝑥2 und 𝑥3 bezeichnen die Ränder der
entsprechenden Raumladungszonen in der Basis und im Kollektor, der Ursprung 𝑥 = 0 sei an
der Grenze von p- (Emitter) zu n- (Basis) dotiertem Silizium, und 𝑑b0 markiere den Abstand
zwischen p- (Emitter) und p- (Kollektor) dotiertem Silizium (= geometrische Breite der Basis).
Vernachlässigen Sie Felder in den Bahngebieten. In der Basis gebe es keine Überlappungen
der Raumladungszonen. Der Transistor befinde sich bei 𝑇 = 300 K. Intrinsische
Ladungsträgerdichte von Silizium: 𝑛i = 1,00 ⋅ 1010 cm−3.

d) Wenn die Stromverstärkung 𝛼 = 0,950 und der Basisstrom 𝐼b = 0,500 mA betragen,

bestimmen Sie den Emitterstrom 𝐼e (in mA) des Transistors. Vernachlässigen Sie die
Generation/Rekombination von Ladungsträgern in den Raumladungszonen.

Lösung:
Die Definition der Stromverstärkung lautet:
𝐼c
𝛼=
𝐼e
Die 1. Kirchhoff’sche Regel lautet:
𝐼e = 𝐼b + 𝐼c ⇔ 𝐼c = 𝐼e − 𝐼b
Daraus folgt:
𝐼e − 𝐼b
𝛼= ⇔
𝐼e
𝐼b 0,500 mA
𝐼e = = = 10,0 mA
1 − 𝛼 1 − 0,950

16
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𝐼e = 10,0 mA

e) Wenn die Dotierdichten in Emitter und Basis 𝑁Ae = 3,00 ⋅ 1018 cm−3 und
𝑁Db = 5,00 ⋅ 1016 cm−3 betragen, berechnen Sie die Diffusionsspannung 𝑈D1 (in V) am
E-B Übergang. Hinweis: Die Diffusionsspannung ist positiv definiert.

Lösung:

𝑘B 𝑇 𝑁Ae 𝑁Db
𝑈D1 = ln ( )
𝑒 𝑛i2
J
1,3806 ⋅ 10−23 ⋅ 300 K 3,00 ⋅ 1018 cm−3 ⋅ 5,00 ⋅ 1016 cm−3
= K ⋅ ln ( ) = 0,9034 V
1,6022 ⋅ 10−19 As (1,00 ⋅ 1010 cm−3 )2

𝑈D1 = 0,903 V

f) Nehmen Sie nun an, dass die Diffusionsspannungen 𝑈D1 = 0,851 V und 𝑈D2 = 0,696 V
betragen und für die Dotierdichten 𝑁Ae = 200 ⋅ 𝑁Db (also 𝑁Ae ≫ 𝑁Db ) und 𝑁Db = 2 ⋅ 𝑁Ac
gilt. Bei welcher angelegten Spannung 𝑈eb (in V) gilt 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 , sind also die beiden
Raumladungszonen der Basis gleich groß? 𝑈eb werde an den Emitter gegen Basis
gelegt, d.h. 𝑈eb > 0 ↔ Durchlassrichtung (forward bias).

Lösung:
Es gilt für die Ausdehnung der Raumladungszonen im n-Gebiet generell die Formel
2𝜀𝜀0 𝑁A 𝑈D
𝑤n = √ .
𝑒𝑁D (𝑁D + 𝑁A )

Setzt man die hier vorliegenden Bezeichnungen für die jeweiligen Raumladungszonen ein
und berücksichtigt die zusätzlich anliegende Spannung, so ergeben sich die Formeln
2𝜀𝜀0 𝑁Ae (𝑈D1 − 𝑈eb ) 2𝜀𝜀0 (𝑈D1 − 𝑈eb )
𝑥1 = √ ≈√ und
𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ae ) 𝑒𝑁Db

2𝜀𝜀0 𝑁Ac 𝑈D2

𝑑b0 − 𝑥2 = √ .
𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ac )

Da nun 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 gelten soll, ergibt sich (mit Näherung gerechnet):

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2𝜀𝜀0 (𝑈D1 − 𝑈eb ) 2𝜀𝜀0 𝑁Ac 𝑈D2 𝑁Ac 𝑈D2 𝑁Ac 𝑈D2
√ =√ ⇒ 𝑈D1 − 𝑈eb = ⇒ 𝑈eb = 𝑈D1 −
𝑒𝑁Db 𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ac ) 𝑁Db + 𝑁Ac 𝑁Db + 𝑁Ac
1 1
= 𝑈D1 − 𝑈D2 = 0,851 V − ⋅ 0,696 V = 0,619 V
𝑁Db 2+1
𝑁Ac + 1

𝑈eb = 0,619 V

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