Klausur “Festkörper-, Halbleiter- und Bauelementephysik”

8.10.2021 – ONLINE – via ZOOM/Moodle

Prof. M. Tornow, TU München

Wichtige Bemerkungen:
Diese Klausur besteht aus insgesamt 7 Seiten
Verwenden Sie ausschließlich weißes oder kariertes Papier (A4) für Ihre Lösungen
Schreiben Sie mit Kugelschreiber o.ä. (nicht Bleistift, nicht in rot)
Schreiben Sie Name, Matrikelnr. und Datum auf jedes Ihrer Blätter
Zeit: 90 min

Erlaubte Hilfsmittel:
handgeschriebene Formelsammlung:
2 Seiten A4: 1 Blatt Vorder- und Rückseite oder 2 Blätter einseitig
Darin erlaubt: beliebige handschriftliche Eintragungen (=mit Stift auf Papier, keine Ausdrucke
oder Kopien)
Anm.: benötigte Naturkonstanten werden auch in den Aufgaben angegeben
Standard wissenschaftlicher Taschenrechner (nicht programmierbar)
Wörterbuch (Dictionary), nicht elektronisch

Nicht erlaubte Hilfsmittel:

Skripten, Bücher, Mitschriften etc.
weitere elektronische Geräte (Mobiltelefone, Notebooks, Smartwatches etc.)
Computer, Tablet, Mobiltelefon, Internet etc. dürfen ausschließlich zum Download und zur
Ansicht der Klausuraufgaben, für die Kamera (ZOOM) und zum Fotografieren und Hochladen
Ihrer fotografierten Lösungen auf Moodle verwendet werden!

TEIL 1: VERSTÄNDNISFRAGEN

Frage F1 (20 Punkte)

Ladungstransport in Festkörpern

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage
handelt. Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte
Antworten -2 Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.

Aussage
1) „Die effektive Masse ist umgekehrt proportional zur Krümmung der
E(k) − Kurve“

2) „Bei Anlegen eines typischen elektrischen Feldes verschiebt sich die

Fermi-Kugel im k-Raum nur um einen sehr kleinen Betrag“

3) „Für alle ferromagnetischen Elemente konnte Supraleitung

nachgewiesen werden“

4) „Der elektrische Widerstand von Metallen geht für T=0K stets gegen
Null“

5) „Die Supraleitung lässt sich mikroskopisch in einer einfachen Ein-

Elektron-Näherung erklären“

1
b) Im nebenstehenden Diagramm ist der Verlauf eines
elektronischen Energiebandes E(k) innerhalb der 1.
Brillouinzone dargestellt. Übertragen Sie die darunter
gezeigten Diagramme für die zugehörige
Gruppengeschwindigkeit vgr und die effektive Masse m*
der Elektronen auf Ihr Lösungsblatt und skizzieren den
qualitativen Verlauf dieser beiden Größen zwischen
− 𝜋⁄𝑎 und 𝜋⁄𝑎.

c) Ein Supraleiter ist ein idealer Leiter. Ist er zudem auch noch ein idealer Paramagnet,
Diamagnet, Ferromagnet oder Ferrimagnet?

(korrektes Wort angeben)

2
Frage F2 (10 Punkte)
Magnetismus

Das Metall Nickel ist ein wichtiger Vertreter der

ferromagnetischen Materialien.

a) Oberhalb der sogenannten Curie-Temperatur Tc

verliert Nickel seine ferromagnetischen
Eigenschaften und zeigt _________-magnetisches
Verhalten (fehlendes Wort angeben).

b) Für das nebenstehende Diagramm wurde

lediglich ein einziger eingetragener Messpunkt
aufgenommen: 𝜒𝑝−1 (1050 K) = 0,377 mol cm−3.
Übertragen Sie das Diagramm auf Ihr Blatt und
zeichnen Sie für den Temperaturbereich von
Tc = 650 K bis T = 1100 K die erwartete Messkurve
qualitativ ein.

c) Auch die Leitungselektronen von Metallen zeigen einen Paramagnetismus, aufgrund

unterschiedlicher Energien der Elektronenspin-Einstellungen im Magnetfeld. Ist folgende
Aussage richtig oder falsch?
„Der Paramagnetismus der Leitungselektronen ist sehr stark und temperaturabhängig“.

3
Frage F3 (20 Punkte)
pn-Übergänge

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage
handelt. Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte
Antworten -2 Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.

Aussage
1) „Bei Betrieb des pn-Übergangs in Sperrrichtung ist die Ausdehnung
der Raumladungszone kleiner als im Gleichgewicht“

2) „Weit entfernt von der Verarmungszone fallen die Quasi-

Ferminiveaus für Elektronen und Löcher zusammen“

3) „Bei einem unsymmetrischen p+n-Übergang (Dotierkonzentrationen

NA >> ND) kann die gesamte Verarmungszone praktisch mit der
Verarmungszone nur im p-Bereich gleichgesetzt werden“
4) „Die Diffusionsspannung ist unabhängig von der Temperatur“

5) „In den Übergangszonen der Bahngebiete ist der

Minoritätsladungsträgerstrom ein reiner Diffusionsstrom“

b) Ordnen Sie im Diagramm des Bandverlaufs

und der Ladungsträgerdichten im
Durchlassbereich eines pn-Übergangs die dort
eingetragenen Ziffern 1 bis 8 den folgenden
Bezeichnungen zu:
np0, pn0, pp0, nn0, -wp, wn, EL, EV

Beispiel: „9: Ei“

c) Im Bandverlauf bezeichnet UD

die …?

(korrekte Bezeichnung angeben)

4
 TEIL 2: RECHENAUFGABEN

Hinweise:
• Rahmen Sie die in den Lösungskästen der Aufgaben gesuchten Endergebnisse in gleicher
Weise auf Ihrem Blatt ein. Beispiel:

m = 200 mg

• Es werden nur die auf Ihrem Blatt als Endergebnis gekennzeichneten Zahlenwerte mit der
jeweils vorgegebenen Einheit bewertet.
• Der Lösungsweg muss zudem stets nachvollziehbar sein!
• Folgende Annahmen gelten generell: - Raumtemperatur (300 K)
- Vollständige Ionisation der Dotierstoffatome

Konstanten:
ℎ = 6,6261 ⋅ 10−34 Js ℏ = 1,0546 ⋅ 10−34 Js 𝑒 = 1,6022 ⋅ 10−19 As
J eV
𝑚0 = 9,1094 ⋅ 10−31 kg (Ruhemasse eines Elektrons) 𝑘B = 1,3807 ⋅ 10−23 = 8,6173 ⋅ 10−5
K K

As
𝑛i (Si) = 9,65 ⋅ 109 cm−3 𝜀0 = 8,8542 ⋅ 10−12 𝜀𝑆𝑖 = 11,9
Vm

Aufgabe A1 (10 Punkte)

Dotierung von Silizium

Ein Stück Silizium sei sowohl mit Akzeptoren, als auch mit Donatoren gering dotiert, wobei
die Akzeptorendichte 𝑁A = 4,00 ⋅ 1010 cm−3 und die Donatorendichte 𝑁D = 5,00 ⋅ 1010 cm−3
beträgt. Welche Elektronendichte 𝑛 und welche Löcherdichte 𝑝 stellen sich im
thermodynamischen Gleichgewicht ein?

𝑛= cm−3

𝑝= cm−3

5
Aufgabe A2 (20 Punkte)
Bipolartransistoren

Betrachten Sie einen pnp-

Transistor aus Silizium, mit einem
Kurzschluss zwischen Basis und
Kollektor (siehe nebenstehende
Skizze: 𝑥1 , 𝑥2 und 𝑥3 bezeichnen
die Ränder der entsprechenden
Raumladungszonen in der Basis /
im Kollektor, der Ursprung x = 0 sei an der Grenze von p (Emitter) zu n (Basis) dotiertem
Silizium, und 𝑑b0 markiere die Grenze von n (Basis) zu p (Kollektor) (=Breite der Basis)).
Vernachlässigen Sie Felder in den Bahngebieten. Die Basis sei verhältnismäßig dick (keine
Überlappungen der Raumladungszonen o. Ä.). Die Dotierdichten in Emitter, Basis und
Kollektor betragen 𝑁Ae = 9,74 ⋅ 1017 cm−3 , 𝑁Db = 8,39 ⋅ 1015 cm−3 , 𝑁Ac = 7,60 ⋅ 1014 cm−3.
Hinweis: Die Diffusionsspannungen betragen am linken (E-B) Übergang 𝑈D1 = 0,830 V und
rechts (B-C) 𝑈D2 = 0,645 V.

a) Bei welcher angelegten Spannung 𝑈eb gilt 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 , sind also die beiden
Raumladungszonen der Basis gleich groß? 𝑈eb werde an den Emitter gegen Basis
und Kollektor gelegt.

𝑈eb = V

b) Wie groß sind die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen an den Orten 𝑥1 und 𝑥2 bei

einer angelegten Spannung von 𝑈eb = 0,400 V?

𝑝n (𝑥1 ) = cm−3

𝑝n (𝑥2 ) = cm−3

c) Wie groß ist die Verarmungszone im Kollektor 𝑤C , also die Strecke 𝑥3 − 𝑑b0 , ohne
angelegte Spannung?

𝑤C = µm

6
Aufgabe A3 (20 Punkte)
Quantenmechanik

Ein Elektron sei in einem eindimensionalen

unendlich hohen Potentialtopf der Länge 𝐿 =
1,00 nm gefangen. Für das Potential gelte:
∞ ,𝑥 < 0
𝑉(𝑥) = { 0 , 0 ≤ 𝑥 ≤ 𝐿
∞ ,𝑥 > 𝐿
(s. Abbildung). Nehmen Sie bei allen
Berechnungen an, dass sich das Elektron wie
ein ideales quantenmechanisches Teilchen
verhalte.

a) Wie hoch ist das zweite

Energieniveau des Elektrons in diesem Potentialtopf?

𝐸2 = eV

b) Berechnen Sie die Orte 𝑥1 und 𝑥2 (𝑥1 < 𝑥2 ), bei welchen die beiden Maxima der
Aufenthaltswahrscheinlichkeitsdichte des Elektrons für den zweiten Eigenzustand
liegen.
2 2𝜋
Hinweis: Ψ2 (𝑥) = √𝐿 sin ( 𝐿 ⋅ 𝑥)

𝑥1 = nm

𝑥2 = nm

c) Berechnen Sie den Erwartungswert des Ortes 𝑥̅ des Elektrons in diesem Potentialtopf
für den zweiten Eigenzustand.
𝑥2 𝑥 1
Hinweis: ∫ 𝑥 sin2(𝑎𝑥) d𝑥 = 4
− 4𝑎 sin(2𝑎𝑥) − 8𝑎2 cos(2𝑎𝑥)

𝑥̅ = nm

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 Musterlösung
Klausur “Festkörper-, Halbleiter- und Bauelementephysik”
8.10.2021 – ONLINE – via ZOOM/Moodle
Prof. M. Tornow, TU München

Wichtige Bemerkungen:
Diese Klausur besteht aus insgesamt 7 Seiten
Verwenden Sie ausschließlich weißes oder kariertes Papier (A4) für Ihre Lösungen
Schreiben Sie mit Kugelschreiber o.ä. (nicht Bleistift, nicht in rot)
Schreiben Sie Name, Matrikelnr. und Datum auf jedes Ihrer Blätter
Zeit: 90 min

Erlaubte Hilfsmittel:
handgeschriebene Formelsammlung:
2 Seiten A4: 1 Blatt Vorder- und Rückseite oder 2 Blätter einseitig
Darin erlaubt: beliebige handschriftliche Eintragungen (=mit Stift auf Papier, keine Ausdrucke
oder Kopien)
Anm.: benötigte Naturkonstanten werden auch in den Aufgaben angegeben
Standard wissenschaftlicher Taschenrechner (nicht programmierbar)
Wörterbuch (Dictionary), nicht elektronisch

Nicht erlaubte Hilfsmittel:

Skripten, Bücher, Mitschriften etc.
weitere elektronische Geräte (Mobiltelefone, Notebooks, Smartwatches etc.)
Computer, Tablet, Mobiltelefon, Internet etc. dürfen ausschließlich zum Download und zur
Ansicht der Klausuraufgaben, für die Kamera (ZOOM) und zum Fotografieren und Hochladen
Ihrer fotografierten Lösungen auf Moodle verwendet werden!

TEIL 1: VERSTÄNDNISFRAGEN

Frage F1 (20 Punkte)

Ladungstransport in Festkörpern

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage
handelt. Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte
Antworten -2 Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.

Aussage
1) „Die effektive Masse ist umgekehrt proportional zur Krümmung der
E(k) − Kurve“ Richtig

2) „Bei Anlegen eines typischen elektrischen Feldes verschiebt sich die

Fermi-Kugel im k-Raum nur um einen sehr kleinen Betrag“ Richtig

3) „Für alle ferromagnetischen Elemente konnte Supraleitung

nachgewiesen werden“ Falsch

4) „Der elektrische Widerstand von Metallen geht für T=0K stets gegen
Null“ Falsch

5) „Die Supraleitung lässt sich mikroskopisch in einer einfachen Ein-

Elektron-Näherung erklären“ Falsch

8
b) Im nebenstehenden Diagramm ist der Verlauf eines
elektronischen Energiebandes E(k) innerhalb der 1.
Brillouinzone dargestellt. Übertragen Sie die darunter
gezeigten Diagramme für die zugehörige
Gruppengeschwindigkeit vgr und die effektive Masse m*
der Elektronen auf Ihr Lösungsblatt und skizzieren den
qualitativen Verlauf dieser beiden Größen zwischen
− 𝜋⁄𝑎 und 𝜋⁄𝑎.

9
c) Ein Supraleiter ist ein idealer Leiter. Ist er zudem auch noch ein idealer Paramagnet,
Diamagnet, Ferromagnet oder Ferrimagnet?

(korrektes Wort angeben)

Diamagnet

Frage F2 (10 Punkte)

Magnetismus

Das Metall Nickel ist ein wichtiger Vertreter der

ferromagnetischen Materialien.

a) Oberhalb der sogenannten Curie-Temperatur Tc

verliert Nickel seine ferromagnetischen
Eigenschaften und zeigt para_______-
magnetisches Verhalten (fehlendes Wort
angeben).

b) Für das nebenstehende Diagramm wurde

lediglich ein einziger eingetragener Messpunkt
aufgenommen: 𝜒𝑝−1 (1050 K) = 0,377 mol cm−3.
Übertragen Sie das Diagramm auf Ihr Blatt und
zeichnen Sie für den Temperaturbereich von
Tc = 650 K bis T = 1100 K die erwartete Messkurve
qualitativ ein.

c) Auch die Leitungselektronen von Metallen zeigen einen Paramagnetismus, aufgrund

unterschiedlicher Energien der Elektronenspin-Einstellungen im Magnetfeld. Ist folgende
Aussage richtig oder falsch?
„Der Paramagnetismus der Leitungselektronen ist sehr stark und temperaturabhängig“.

Antwort:______ Falsch ____

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Frage F3 (20 Punkte)
pn-Übergänge

a) Schreiben Sie jeweils auf Ihr Blatt, ob es sich um eine richtige oder falsche Aussage
handelt. Beispiel: „Aussage 6: falsch“. Korrekte Antworten zählen +2 Punkte, fehlerhafte
Antworten -2 Punkte. Minimal erhalten Sie 0 Punkte für diese Teilaufgabe.

Aussage
1) „Bei Betrieb des pn-Übergangs in Sperrrichtung ist die Ausdehnung
der Raumladungszone kleiner als im Gleichgewicht“ Falsch

2) „Weit entfernt von der Verarmungszone fallen die Quasi-

Ferminiveaus für Elektronen und Löcher zusammen“ Richtig

3) „Bei einem unsymmetrischen p+n-Übergang (Dotierkonzentrationen

NA >> ND) kann die gesamte Verarmungszone praktisch mit der Falsch
Verarmungszone nur im p-Bereich gleichgesetzt werden“
4) „Die Diffusionsspannung ist unabhängig von der Temperatur“
Falsch

5) „In den Übergangszonen der Bahngebiete ist der

Minoritätsladungsträgerstrom ein reiner Diffusionsstrom“ Richtig

11
b) Ordnen Sie im Diagramm des Bandverlaufs
und der Ladungsträgerdichten im
Durchlassbereich eines pn-Übergangs die dort
eingetragenen Ziffern 1 bis 8 den folgenden
Bezeichnungen zu:
np0, pn0, pp0, nn0, -wp, wn, EL, EV

Beispiel: „9: Ei“

1: EL, 2: EV, 3: pp0, 4: np0, 5: -wp, 6: wn,

7: pn0, 8: nn0

c) Im Bandverlauf bezeichnet UD

die …? Diffusionsspannung.

(korrekte Bezeichnung angeben)

12
 TEIL 2: RECHENAUFGABEN

Hinweise:
• Rahmen Sie die in den Lösungskästen der Aufgaben gesuchten Endergebnisse in gleicher
Weise auf Ihrem Blatt ein. Beispiel:

m = 200 mg

• Es werden nur die auf Ihrem Blatt als Endergebnis gekennzeichneten Zahlenwerte mit der
jeweils vorgegebenen Einheit bewertet.
• Der Lösungsweg muss zudem stets nachvollziehbar sein!
• Folgende Annahmen gelten generell: - Raumtemperatur (300 K)
- Vollständige Ionisation der Dotierstoffatome

Konstanten:
ℎ = 6,6261 ⋅ 10−34 Js ℏ = 1,0546 ⋅ 10−34 Js 𝑒 = 1,6022 ⋅ 10−19 As
J eV
𝑚0 = 9,1094 ⋅ 10−31 kg (Ruhemasse eines Elektrons) 𝑘B = 1,3807 ⋅ 10−23 = 8,6173 ⋅ 10−5
K K

As
𝑛i (Si) = 9,65 ⋅ 109 cm−3 𝜀0 = 8,8542 ⋅ 10−12 𝜀𝑆𝑖 = 11,9
Vm

Aufgabe A1 (10 Punkte)

Dotierung von Silizium

Ein Stück Silizium sei sowohl mit Akzeptoren, als auch mit Donatoren gering dotiert, wobei
die Akzeptorendichte 𝑁A = 4,00 ⋅ 1010 cm−3 und die Donatorendichte 𝑁D = 5,00 ⋅ 1010 cm−3
beträgt. Welche Elektronendichte 𝑛 und welche Löcherdichte 𝑝 stellen sich im
thermodynamischen Gleichgewicht ein?

𝑛= 1,59 ⋅ 1010 cm−3

𝑝= 5,87 ⋅ 109 cm−3

Lösung:
Es gilt mit 𝑁 = 𝑁D − 𝑁A = 5,00 ⋅ 1010 cm−3 − 4,00 ⋅ 1010 cm−3 = 1,00 ⋅ 1010 cm−3, 𝑁D+ = 𝑁D ,
𝑁A− = 𝑁A und 𝑛 ⋅ 𝑝 = 𝑛𝑖2 :
𝑛i2
𝑁D+ +𝑝 = 𝑁A− + 𝑛 ⇒ 𝑁D + = 𝑁A + 𝑛 ⇒ 𝑛2 − 𝑁𝑛 − 𝑛𝑖2 = 0
𝑛

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 𝑁 + √𝑁 2 + 4𝑛i2 1,00 ⋅ 1010 cm−3 + √(1,00 ⋅ 1010 cm−3 )2 + 4 ⋅ (9,65 ⋅ 109 cm−3 )2
⇒𝑛= =
2 2
≈ 1,587 ⋅ 1010 cm−3
𝑛𝑖2 (9,65 ⋅ 109 cm−3 )2
⇒𝑝= = ≈ 5,868 ⋅ 109 cm−3
𝑛 1,587 ⋅ 1010 cm−3

Aufgabe A2 (20 Punkte)

Bipolartransistoren

Betrachten Sie einen pnp-

Transistor aus Silizium, mit einem
Kurzschluss zwischen Basis und
Kollektor (siehe nebenstehende
Skizze: 𝑥1 , 𝑥2 und 𝑥3 bezeichnen
die Ränder der entsprechenden
Raumladungszonen in der Basis /
im Kollektor, der Ursprung x = 0 sei an der Grenze von p (Emitter) zu n (Basis) dotiertem
Silizium, und 𝑑b0 markiere die Grenze von n (Basis) zu p (Kollektor) (=Breite der Basis)).
Vernachlässigen Sie Felder in den Bahngebieten. Die Basis sei verhältnismäßig dick (keine
Überlappungen der Raumladungszonen o. Ä.). Die Dotierdichten in Emitter, Basis und
Kollektor betragen 𝑁Ae = 9,74 ⋅ 1017 cm−3 , 𝑁Db = 8,39 ⋅ 1015 cm−3 , 𝑁Ac = 7,60 ⋅ 1014 cm−3.
Hinweis: Die Diffusionsspannungen betragen am linken (E-B) Übergang 𝑈D1 = 0,830 V und
rechts (B-C) 𝑈D2 = 0,645 V.

d) Bei welcher angelegten Spannung 𝑈eb gilt 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 , sind also die beiden
Raumladungszonen der Basis gleich groß? 𝑈eb werde an den Emitter gegen Basis
und Kollektor gelegt.

𝑈eb = 0,776 V

Lösung:
Es gilt für die Ausdehnung der Raumladungszonen im n-Gebiet generell die Formel
2𝜀𝜀0 𝑁A 𝑈D
𝑤n = √ .
𝑒𝑁D (𝑁D + 𝑁A )

Setzt man die hier vorliegenden Bezeichnungen für die jeweiligen Raumladungszonen ein
und berücksichtigt die zusätzlich anliegende Spannung, so ergeben sich die Formeln
2𝜀𝜀0 𝑁Ae (𝑈D1 − 𝑈eb ) 2𝜀𝜀0 (𝑈D1 − 𝑈eb )
𝑥1 = √ ≈√ und
𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ae ) 𝑒𝑁Db

2𝜀𝜀0 𝑁Ac 𝑈D2

𝑑b0 − 𝑥2 = √ .
𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ac )

Da nun 𝑥1 = 𝑑b0 − 𝑥2 gelten soll, ergibt sich (mit Näherung gerechnet)

14
 2𝜀𝜀0 (𝑈D1 − 𝑈eb ) 2𝜀𝜀0 𝑁Ac 𝑈D2 𝑁Ac 𝑈D2 𝑁Ac 𝑈D2
√ =√ ⇒ 𝑈D1 − 𝑈eb = ⇒ 𝑈eb = 𝑈D1 −
𝑒𝑁Db 𝑒𝑁Db (𝑁Db + 𝑁Ac ) 𝑁Db + 𝑁Ac 𝑁Db + 𝑁Ac
7,60 ⋅ 1014 cm−3 ⋅ 0,645 V
= 0,830 V − = 0,7764 V.
8,39 ⋅ 1015 cm−3 + 7,60 ⋅ 1014 cm−3

Ohne Näherung gerechnet ergibt sich ebenfalls

𝑁Ac (𝑁Db + 𝑁Ae )𝑈D2
𝑈eb = 𝑈D1 − = 0,776 V.
𝑁Ae (𝑁Db + 𝑁Ac )

e) Wie groß sind die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen an den Orten 𝑥1 und 𝑥2 bei

einer angelegten Spannung von 𝑈eb = 0,400 V?

𝑝n (𝑥1 ) = 5,82 ⋅ 1010 cm−3

𝑝n (𝑥2 ) = 1,11 ⋅ 104 cm−3

Lösung:
Es gilt allgemein
𝑛i2 𝑘𝑒𝑈𝑇
𝑒𝑈
𝑝n (𝑤n ) = 𝑝n0 𝑒 𝑘B 𝑇 =
𝑒 B ,
𝑁D
wobei gemäß Angabe zu Beginn des Rechenteils die vollständige Ionisation der
𝑛i2 𝑛i2
Dotierstoffatome (also 𝑝n0 = = ) angenommen wurde.
𝑛n0 𝑁D

Für den hier vorliegenden Fall gilt also

1,6022⋅10−19 As⋅0,4 V
𝑛i2 𝑒𝑈 eb (9,65 ⋅ 109 cm−3 )2 1,3806⋅10−23 J ⋅300 K
𝑝n (𝑥1 ) = 𝑒 𝑘B 𝑇 = 𝑒 K = 5,821 ⋅ 1010 cm−3
𝑁Db 8,39 ⋅ 1015 cm−3
und aufgrund der Spannungsfreiheit des pn-Übergangs von Basis zu Kollektor
𝑛i2 (9,65 ⋅ 109 cm−3 )2
𝑝n (𝑥2 ) = = = 1,110 ⋅ 104 cm−3 .
𝑁Db 8,39 ⋅ 1015 cm−3

f) Wie groß ist die Verarmungszone im Kollektor 𝑤C , also die Strecke 𝑥3 − 𝑑b0 , ohne
angelegte Spannung?

𝑤C = 1,01 µm

15
Lösung:
Es gilt

2𝜀0 𝜀Si 𝑁Db 𝑈D2

𝑤C = 𝑤p = √
𝑒𝑁Ac (𝑁Ac + 𝑁Db )

As
2 ⋅ 8,8542 ⋅ 10−12 ⋅ 11,9 ⋅ 8,39 ⋅ 1021 m−3 ⋅ 0,645 V
= √ Vm
1,6022 ⋅ 10−19 As ⋅ 7,60 ⋅ 1020 m−3 (7,60 ⋅ 1020 m−3 + 8,39 ⋅ 1021 m−3 )
≈ 1,012 µm
Die Näherung 𝑁Ac ≫ 𝑁Db kann hier nicht angewendet werden, da 𝑁Ac < 𝑁Db . Über die
entsprechende Näherung 𝑁Ac ≪ 𝑁Db ergibt sich
As
2𝜀0 𝜀Si 𝑁Db 𝑈D2 2𝜀0 𝜀Si 𝑈D2 √2 ⋅ 8,8542 ⋅ 10−12 Vm ⋅ 11,9 ⋅ 0,645 V
𝑤C = 𝑤p = √ ≈√ =
𝑒𝑁Ac (𝑁Ac + 𝑁Db ) 𝑒𝑁Ac 1,6022 ⋅ 10−19 As ⋅ 7,60 ⋅ 1020 m−3

≈ 1,057 µm,
was dadurch, dass der Fehler bei bloß ca. 4,4% liegt auch verwendet werden darf. Allerdings
dient als korrekter Wert der, der ohne Näherung errechnet wurde.

Aufgabe A3 (20 Punkte)

Quantenmechanik

Ein Elektron sei in einem eindimensionalen

unendlich hohen Potentialtopf der Länge 𝐿 =
1,00 nm gefangen. Für das Potential gelte:
∞ ,𝑥 < 0
𝑉(𝑥) = { 0 , 0 ≤ 𝑥 ≤ 𝐿
∞ ,𝑥 > 𝐿
(s. Abbildung). Nehmen Sie bei allen
Berechnungen an, dass sich das Elektron wie
ein ideales quantenmechanisches Teilchen
verhalte.

d) Wie hoch ist das zweite

Energieniveau des Elektrons in diesem Potentialtopf?

𝐸2 = 1,50 eV

Lösung:
Für die Energieniveaus in einem unendlich hohen eindimensionalen Potentialtopf gilt
𝑛 2 ℏ2 𝜋 2
𝐸𝑛 = ,
2𝑚𝐿2
16
was für das zweite Energieniveau eines Elektrons
22 ℏ2 𝜋 2 22 ⋅ (1,0546 ⋅ 10−34 Js)2 ⋅ 𝜋 2
𝐸2 = = = 2,410 ⋅ 10−19 J = 1,504 eV
2𝑚0 𝐿2 2 ⋅ 9,1094 ⋅ 10−31 kg ⋅ (1,00 nm)2
ergibt.

e) Berechnen Sie die Orte 𝑥1 und 𝑥2 (𝑥1 < 𝑥2 ), bei welchen die beiden Maxima der
Aufenthaltswahrscheinlichkeitsdichte des Elektrons für den zweiten Eigenzustand
liegen.
2 2𝜋
Hinweis: Ψ2 (𝑥) = √𝐿 sin ( 𝐿 ⋅ 𝑥)

𝑥1 = 0,250 nm

𝑥2 = 0,750 nm

Lösung:
Die Wellenfunktion in einem eindimensionalen Potentialtopf lässt sich über
2 𝑛⋅𝜋
Ψ𝑛 (𝑥) = √ sin ( ⋅ 𝑥)
𝐿 𝐿
errechnen. Für den zweiten Eigenzustand ergibt sich demnach für die
Aufenthaltswahrscheinlichkeitsdichte:
2
2 2⋅𝜋 2 2𝜋
𝑃(𝑥) = |Ψ2 (𝑥)|2 = |√ sin ( ⋅ 𝑥)| = sin2 ( ⋅ 𝑥).
𝐿 𝐿 𝐿 𝐿
Nun müssen nur noch die 𝑥-Koordinaten der Maxima dieser Funktion im Intervall [0; 𝐿]
ermittelt werden:
d𝑃(𝑥) 8𝜋 2𝜋 2𝜋
= 2 sin ( ⋅ 𝑥) cos ( ⋅ 𝑥),
d𝑥 𝐿 𝐿 𝐿
2𝜋 𝐿 2𝜋 𝐿
was bei sin ( 𝐿 ⋅ 𝑥) = 0 (also 𝑥 = 0, 𝑥 = 2 und 𝑥 = 𝐿) oder cos ( 𝐿 ⋅ 𝑥) = 0 (also 𝑥 = 4 und 𝑥 =
3𝐿
4
) Null ergibt. Da für die drei sin-Lösungen zwangsläufig auch 𝑃(𝑥) = 0 ist, müssen die
beiden cos-Lösungen die entsprechenden Maxima und damit die gesuchten Lösungen sein:
𝐿 1,00 nm 3𝐿 3 ⋅ 1,00 nm
𝑥1 = = = 0,2500 nm und 𝑥1 = = = 0,7500 nm.
4 4 4 4

Alternativ können auch die Extrema der Wellenfunktion errechnet werden, die wegen 𝑃(𝑥) =
|Ψ2 (𝑥)|2 genau den gesuchten Maxima entsprechen:
dΨ2 (𝑥) 2𝜋 2 2𝜋 2𝜋
= ⋅ √ ⋅ cos ( ⋅ 𝑥) ≡ 0 ⇒ cos ( ⋅ 𝑥) = 0
d𝑥 𝐿 𝐿 𝐿 𝐿

17
 𝐿 1,00 nm 3𝐿 3 ⋅ 1,00 nm
⇒ 𝑥1 = = = 0,2500 nm und 𝑥1 = = = 0,7500 nm.
4 4 4 4

f) Berechnen Sie den Erwartungswert des Ortes 𝑥̅ des Elektrons in diesem Potentialtopf
für den zweiten Eigenzustand.
𝑥2 𝑥 1
Hinweis: ∫ 𝑥 sin2(𝑎𝑥) d𝑥 = 4
− 4𝑎 sin(2𝑎𝑥) − 8𝑎2 cos(2𝑎𝑥)

𝑥̅ = 0,500 nm

Lösung:
Für den Erwartungswert einer Größe 𝐵 gilt in diesem Potentialtopf
𝐿

𝐵̅ = ∫ Ψ ∗ 𝐵Ψd𝑥
0
2 2𝜋
und damit mit Ψ2 (𝑥) = √𝐿 sin ( 𝐿 ⋅ 𝑥) für
𝐿 𝐿
2 2𝜋 2 𝑥 2 𝐿𝑥 4𝜋𝑥 𝐿2 4𝜋𝑥 𝐿 1,00 nm
𝑥̅ = ∫ 𝑥 sin2 ( 𝑥) d𝑥 = [ − sin ( )− 2
cos ( )] = =
𝐿 𝐿 𝐿 4 8𝜋 𝐿 32𝜋 𝐿 0 2 2
0
= 0,5000 nm

18