F-P RAKTIKUM RUB F ESTKÖRPERPHYSIK

P HOTOLUMINESZENZ AN
HL-H ETEROSTRUKTUREN

Teilnehmer 1 Jan Elspaß (108014274421)

Teilnehmer 2 Niklas Espendiller (108014204297)

Praktikumsleiter Marcel Schmidt

Datum 15.09.2021
Inhaltsverzeichnis

1 Einleitung 1

2 Grundlagen 2
2.1 Kastenpotential . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2 Halbleiter-Heterostrukturen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.3 Photolumineszenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.4 Temperatureinfluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

3 Aufbau 5
3.1 Kryostat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.2 Monochromator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

4 Auswertung 7
4.1 Photolumineszenz Spektren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.2 Unbekannte Proben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.3 Proportionalität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.4 Linienpositionen des unendlichen Potentialtopfes bei 300 K . . . . . . . . . 9
4.5 Linienpositionen des Endlichen Potentialtopfes . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.6 Temperaturabhängigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

5 Fazit 12

A Anhang I

Literaturverzeichnis I

ii
1. Einleitung

Da Halbleiter im Bereich der Digitalelektronik einfach nicht mehr wegzudenken sind ist es
wichtig zu verstehen was sie sind und wie man ihre Eigenschaften manipulieren kann, um
ein spezifisches Ergebnis zu erzielen.
Eine Methode Halbleitereigenschaften zu manipulieren ist die Erstellung sogenannter He-
terostrukturen, in diesen fügt man zwei Halbleiter auf eine spezifische Art zusammen was
einen Halbleiter mit anderen Eigenschaften erzeugt.
Dieser Versuch beschäftigt sich mit einer speziellen Art an Heterostrukturen, bei denen zwei
verschiedene Halbleiter so zusammengefügt werden, dass ein Potentialtopf im Leitungs- und
Valenzband entsteht. Da die Breite dieses Potentialtopfes von der Schichtdicke eines der Ma-
terialien abhängt ist es so möglich die Übergangsenergie zwischen den Bändern zu manipu-
lieren.
Die Eigenschaften einer solchen Halbleiterverbindung werden in diesem Versuch nun ge-
nauer untersucht und ein paar andere gemäß ihrer Eigenschaften zugeordnet. Dies sollte uns
einen guten Einblick in die Funktionsweise solcher Strukturen und von Halbleitern im All-
gemeinen vermitteln.

1
2. Grundlagen

2.1 Kastenpotential
Ein Teilchen in einem Potentialtopf mit unendlich hohen Wänden kann aufgrund der Be-
dingungen für die Wellenfunktion an den Rändern des Topfes nur diskrete Energiemengen
haben. Für die möglichen Energieniveaus gilt wenn man die Schrödingergleichung mit den
Randbedingungen löst:

h2  n 2
En = (2.1)
8m∗ d
Hierbei ist m∗ die effektive Masse des Teilchens d die Breite des Potentialtopfes und n die
Zustandszahl (n = 1, 2, 3 usw.). Es ist klar zu sehen, dass die Abstände der Energieniveaus
quadratisch mit der Quantenzahl n steigen. Und sich quadratisch antiproportional zur Breite
des Potentialtopfes verhalten.
Ein Potentialtopf mit unendlich hohen Wänden existiert in der Realität nur leider nicht. Ein
Potentialtopf kann nur endlich große Wände haben, in diesem Fall ist die Schrödinger Glei-
chung nur leider nicht mehr analytisch lösbar. Das heißt man kann Wellenfunktion und Ener-
gieeigenwerte des Teilchens nur durch Näherungsverfahren bestimmen. Die Gleichung zur
Bestimmung der Wellenfunktion ist:
p
ζ 2 − (qa)2
tan(qa) = (2.2)
qa
p a
ζ = 2m∗ V0 (2.3)
~
Hierbei ist a die halbe Breite des Potentialtopfes und q der Wellenvektor.
Auch hier nimmt die Zustandsenergie mit der Breite des Topfes zu, allerdings schwächer als
beim Potentialtopf mit unendlich hohen Wänden und die Energie für hohe Quantenzahlen
wächst auch langsamer.

2.2 Halbleiter-Heterostrukturen
Eine Methodik der Arbeit mit Halbleitern ist das sogenannte "band-gap-engineering", da-
bei geht es darum Halbleiter mit verschiedenen Bandlücken zu kombinieren um bestimmte
physikalische Eigenschaften bei dem resultierenden Produkt zu erhalten. Eine Anwendung
ist hierbei das Erstellen eines Potentialtopfes (A.26). Dazu wird eine dünne Schicht eines
Halbleiters mit kleiner Bandlücke auf einen Halbleiter mit großer Bandlücke aufgetragen
und dann von dem Halbleiter mit großer Bandlücke bedeckt. So bilden sich Potentialtöpfe in
Valenz- und Leitungsband aus.
Dieser Potentialtopf hat endlich große Wände, zeigt aber deutliche Quantisierungseffekte,

2
Abbildung 2.1: Schematische Darstellung eines Potentialtopfes an einer Halbleiter-Hetero
Struktur

wenn die Differenz der Bandlücken beider Materialien groß genug ist. Natürlich muss die
fertige Heterostruktur auch gewisse Anforderungen erfüllen damit diese Effekte sauber zu
sehen sind. So müssen beide Halbleiter aus möglichst perfekten Kristallen bestehen, sie
müssen möglichst perfekte Potentialtöpfe bilden, also sehr abrupte Grenzflächen haben und
selbige Grenzflächen müssen auch noch perfekt kristalline Qualität haben um kein offenen
Bindungen zu erzeugen, die Elektronen einfangen könnten.

Dies sind Eigenschaften, die man nicht mit jedem Halbleiter erreichen kann Verbindungen
aus Elementen der dritten und fünften Hauptgruppe des PSE eignen sich in der Regel aber
recht gut. In diesem Versuch werden von diesen das Aluminiumarsenid(AlAs), Galliumar-
senid(GaAs) System betrachtet. Bei diesem System kann man die Bandlücke über einen
Bereich von ca. 1 eV einstellen, da die Bandlücke für GaAs bei 300K bei ca. 1, 425 eV liegt
und die Bandlücke für AlAs bei 300 K bei ca. 2, 2 eV.
Dabei lässt sich leider nicht exakt voraussagen welcher Leitungs-(∆ELB ) und welcher Va-
lenzbandsprung (∆EV B ) sich einstellt. Diese Werte müssen in der Regel experimentell be-
stimmt werden. Im AlAs System ist dieser in etwa im Verhältnis von 2:1 zwischen Leitungs-
und Valenzband aufgeteilt. Auch für die Bandlücke gibt es folgende Näherungsformel:
Eg (x) = 1, 425 eV + 1, 155x eV + 0, 370x2 eV (300K) (2.4)
Eg (x) = 1, 520eV + 1, 162x eV + 0, 296x2 eV (0K) (2.5)
Hierbei steht x für den Anteil an Al der in dem Material ist im Gegensatz zu dem Anteil an
Ga, genormt auf 1. Mit dieser Formel lässt sich die Bandlücke für 300K und 0K berechnen.

3
Benötigt man Werte an anderen Temperaturen kann man diese Näherungsweise berechnen
indem man die Werte für Temperatur nimmt die näher dran sind. Damit lässt sich dann die
Bandlücke bestimmen und aus dieser lassen sich Valenz- und Leitungsbandoffset, sowie die
Tiefen der Potentialtöpfe bestimmen.

2.3 Photolumineszenz
Um die Energien der Bandlücken bestimmen zu können wird der Effekt der Photolumines-
zenz verwendet. Durch Photonen, deren Energie höher ist als die der Bandlücke wird ein
Elektron aus dem Valenzband zu einem angeregten Elektron im Leitungsband. Dabei wird
ein Lochzustand zurückgelassen. Das Elektron regt sich dann durch strahlungsfreie Intra-
bandübergänge ab. Springt es dann zurück in das Valenzband sendet es ein Photon mit der
genauen Energie der Bandlücke ab.

2.4 Temperatureinfluss
Da Ladungsträger durch thermische Anregungen an Energie gewinnen, wird bei höheren
Temperaturen sowohl die Intensitätsverteilung breiter und die Energien der Bandlücken ver-
schieben sich entsprechend der Formel:

αT 2
Eg (T ) = Eg (0) − (2.6)
T +β

Wobei die Parameter für GaAs die folgenden sind: Eg (0) = 1, 519 eV, α = 5, 405·10−4 eV/K
und β = 204 K

4
3. Aufbau

Der Versuchsaufbau zur messung der Übergangsenergien der Heterostrukturen besteht aus
mehreren Komponenten. Die Photolumineszenz wird mit einer Laserdiode angeregt. Diese
hat eine Wellenläng von 636 nm was ca. 1,9 eV an Energie entspricht und somit ausreicht
um angeregte Elektronen die Bandlücke überspringen zu lassen.
Die Probe selbst ist in einem Kryostat angebracht um die Temperatur reduzieren zu kön-
nen. Die Strahlung der Probe wird von Linsen aufgefangen und an einen Monochromator
gesendet, der Wellenlänge die und Intensität des abgestrahlten Lichtes bestimmt und diese
Information an einen Lock-In Verstärker weitergibt.
Der Lock-In Verstärker kontrolliert auch die Laserdiode und ist somit nicht nur in der Lage
das Signal zu verstärken, sonder auch das Signal zu Rauschen Verhältnis zu verringern indem
er nur Signale einfängt wenn er dir Diode schaltet und den Untergrund abzieht.

Abbildung 3.1: Aufbau der Messapparatur

3.1 Kryostat
Das Kryostat besteht aus einem Kühlfinger, der mit flüssigem Stickstoff auf ca. 77 K ge-
kühlt werden kann. Dieser befindet sich in einer Vakuumkammer, um zu verhindern, dass
Fremdkörper, zum Beispiel gefrorenes Wasser sich an der Oberfläche der Heterostruktur ab-
setzen und um die Temperatur besser erhalten zu können. Die Temperatur selbst wird über
ein Widerstandsthermometer gemessen.

5
3.2 Monochromator
Um die einzelnen Wellenlängen messen zu können, wird ein Gittermonochromator genutzt.
Dieser fokussiert das eintretende Licht durch den Eintrittsspalt über Hohlspiegel auf ein
Spiegelgitter und von dort weiter auf eine Photodiode. Durch Beugung trennt das Gitter
die einzelnen Wellenlängen auf und man kann über den Gitterwinkel die gemessene Wel-
lenlänge einstellen. In diesem Versuch wird eine InGaAs Diode verwendet, da diese bei den
gemessenen Wellenlängen von 650 nm bis 90 nm am empfindlichsten ist. Für die einzelnen
Messungen wird dann das gewünschte Wellenlängenspektrum abgetastet.

6
4. Auswertung

4.1 Photolumineszenz Spektren

Die Spektren der Probe 1537 ist in Abbildung 4.1 dargestellt, dabei ist der Peak der Band-
lücke von Galliumarsenid in grün markiert und die Peaks der einzelnen Potentialtöpfe in
blau. Da die Potentialtopfenergie mit der Breite abnimmt, lassen sich die Peaks auch den
einzelnen Breiten zuordnen. Von niedrigen Energieen aus gesehen sind dies: 16 nm, 12 nm,
10 nm, 8 nm, 7 nm, 6 nm, 5, 5 nm und 5 nm.

(a) (b)

(c) (d)

Abbildung 4.1: Energie und Frequenzspektren der Probe 1537, bei 77 K (a und b) und bei
Raumtemperatur (c und d), mit eingezeichneter Bandlücken- (grün) und Potentialtopf-Peaks
(blau)

7
4.2 Unbekannte Proben
Die Spektren der beiden unbekannten Proben sollen jetzt mit den Proben aus Anhang F der
Versuchsanleitung verglichen werden [1]. Die Spektren sind im Anhang dargestellt (Abbil-
dung A.1 und A.2).
Allein aus der Anzahl der Peaks lassen sich für Probe 1479 alle Proben ausschließen die
nicht genau drei verschiedenbreite Quantentöpfe aufweisen, erkennbar an den verschiede-
nen Schichtdicken. Dabei bleiben nur Nummer 2 und 3 übrig. Vergleicht man die Peaks der
unbekannten Probe mit denen entsprechender Breite der Probe 1537 (Dritter Peak von den
niedrigen Energien aus), stellt man fest, dass sie bei höherer Energie auftreten. Daher muss
es sich um ein anderes Material mit höheren Potentialtopfwänden handeln. Somit ist diese
Probe die Probe Nummer 2.
Vergleicht man für Probe 1538 die Anzahl der Peaks wieder mit der Anzahl unterschiedlich
dicker Potentialtöpfe bleiben nur Proben Nummer 1, 4, 5, 6, 8, 9, 10, 11 und 12. Vergleicht
man die Positionen der Peaks wieder mit denen der Probe 1537 lassen sich die Nummern 5
und 6 direkt eliminieren, da die Peaks übereinstimmen müssten. Probe 9, 11 und 12 haben
viel zu dünne Potentialtöpfe, um in dem von uns messbaren Spektrum zu liegen. Probe Num-
mer 10 hat die Potentialtopf breite von 15 nm, welche eine viel zu niedrige Energie hätte. Das
selbe gilt für Probe Nummer 1, mit einer Breite von 13,7 nm. Somit bleiben nur noch Proben
Nummer 4 und 8, welche nicht zu unterscheiden sind.

4.3 Proportionalität
Um zu überprüfen ob das Verhältnis zwischen Grundzustandsenergie und Potentialtopfbreite
aus Gleichung 2.1 stimmt, wurde in Abbildung 4.2 die Energie der Potentialtöpfe gegen den
Kehrwert der Potentialtopfbreite geplottet. Man erkennt, dass der daraus resultierende Graph
nahezu linear ist, was die Aussage bekräftigt, aber leicht abflacht, da hier kein unendlich
hoher Potentialtopf vorliegt.

Abbildung 4.2: Verhältnis der Potentialtopfbreite gegenüber der Energie der Probe 1537

8
4.4 Linienpositionen des unendlichen Potentialtopfes bei 300 K
In der Aufgabe war gefordert, dass wir die Linienpositionen für 77 K nach Gleichung 2.1
bestimmen, es standen allerdings nur die Daten für 300 K zur Verfügung, also haben wir
die Linienpositionen für 300 K bestimmt. Hierbei ergibt sich die die Energie des ersten Ei-
genwertes indem man die effektiven Massen aus dem Anhang und die Topfbreiten in die
Gleichung für den ersten Eigenwert einfügt. Damit erhält man für jede Topfbreite zwei Wer-
te, einen für das Valenz- und einen für das Leitungsband.
Die Summe aus diesen Werten ist die Energie die mehr aufgewendet werden muss um die
Bandlücke an der Position des Potentialtopfes zu überspringen, sie wird also auf die Grund-
zustandsenergie addiert. Es ergaben sich die Werte aus 4.1. Diese werden dort auch direkt
mit den gemessenen Werten verglichen sofern diese erkennbar waren.
Es ist klar zu erkennen, dass die gemessenen Energien systematisch niedriger waren als die
berechneten. Die Ursache dafür liegt darin, dass Gleichung 2.1 einen Potentialtopf mit un-
endlich hohen Wänden voraussetzt. Die Wände von reellen Potentialtöpfen sind aber immer
endlich hoch und damit wächst die Energie nicht so stark mit der Potentialtopfbreite, was
bedeutet, dass sie systematisch kleiner sein muss was sehr gut erkennbar ist.

Tabelle 4.1: Vergleich der nach Gleichung 2.1 berechneten Übergangsenergien mit den ge-
messenen Werten bei 300 K

Potentialtopfbreite in nm Berechnete Energie in eV Gemessene Energie in eV

16 1,46 1,44
12 1,46 1,45
10 1,48 1,48
8 1,51 1,49
7 1,54 1,51
6 1,58 1,52
5,5 1,62
5 1,66

4.5 Linienpositionen des Endlichen Potentialtopfes

Um Gleichung 2.3 numerisch zu lösen müssen erst die anderen Parameter bestimmt werden.
Diese sind:
m∗ = 0, 06 · 9, 10938 · 10−31 kg = 5, 5 · 10−32 kg (4.1)
V0 = VLeitungsband + VValenzband + VBandlcke = (0, 217 + 0, 108 + 1, 425)eV (4.2)
Die halbe Potentialtopfbreite a lässt sich aus Tabelle 4.1 bestimmen. Um das Newton verfah-
ren anwenden zu können, wurde die Gleichung zunächst folgendermaßen umgestellt:
p
ζ 2 − (qa)2
y= − tan(qa) (4.3)
qa
(4.4)
Zusätzlich wird ein x-Wert bei dem die Funktion über und ein x-Wert bei dem sie unter
null liegt benötigt. Werte über null sind nahe dem Ursprung leicht zu finden, um Werte un-
ter null zu finden, wurde die Funktion nahe einer Tangens-Singularität geplottet und der in

9
Abbildung 4.3 markierte Wert (x=314159265) abgelesen. Als Stelle über null wurde 10 ver-
wendet. Für die Potentialtopfbreite 10 nm wurde dann ein Wellenvektor von 280210354 m−1
gefunden, was einer Energie von E = ω~ = qc~ = 55 eV entspricht. Diese Energie ist
im vergleich zu den gemessenen Werten eine vielfaches zu groß. Andere Potentialtopfbrei-
ten wurden auch überprüft mit ähnlich extremen Ergebnissen. Zusätzlich wurde das Newton
Verfahren durch den Root-Finding Algorithmus von SciPy überprüft, mit den selben Ergeb-
nissen.

Abbildung 4.3: Position einer Tangens Singularität, um einen negativen Wert der Funktion
4.4 zu finden

4.6 Temperaturabhängigkeit
Um die Temperaturabhängigkeit der Übergangsenergien zu betrachten wurde die Energie
der Bandlücke und eines Potentialtopfes aus den Abbildungen A.3 bis ?? in Abbildung 4.4
gegen die Temperatur zum Messzeitpunkt aufgetragen. Da diese sich während der Messung
eines Spektrums ändert, wurde zwischen den einzelnen Aufnahmen die Temperatur linear
extrapoliert. Man erkennt bei beiden Energien den selben verlauf. Im Vergleich zum theo-
retischen Wert, flacht die Energiezunahme bei niedrigen Temperaturen jedoch ab. Dies liegt
daran, dass die effektive Masse bei niedrigen Temperaturen zunimmt.

10
Abbildung 4.4: Abhängigkeit der Energie eines Potentialtopfes, einer Bandlücke von der
Temperatur im Vergleich zum theoretischen Wert aus Gleichung 2.6

11
5. Fazit

Bis auf das fehlgeschlagene numerische Lösung von Gleichung 2.3 liegen alle gemesse-
nen Werte in der Nähe der theoretisch erwarteten Werte. Insgesamt gibt dieser Versuch einen
guten Einblick in das Verhalten heterogener Halbleiter, da man mithilfe einer einzelnen Mes-
sapparatur die Auswirkungen von Schichtdicke, Temperatur und Material untersuchen kann.

12
A. Anhang

(a) (b)

(c) (d)

Abbildung A.1: Energie und Frequenzspektren der Probe 1497, bei 77 K (a und b) und bei
Raumtemperatur (c und d)

I
 (a) (b)

(c) (d)

Abbildung A.2: Energie und Frequenzspektren der Probe 1536, bei 77 K (a und b) und bei
Raumtemperatur (c und d)

Abbildung A.3: Energiespektrum der Probe 1537 bei 87 K bis 88 K

II
Abbildung A.4: Energiespektrum der Probe 1537 bei 88 K bis 115 K

Abbildung A.5: Energiespektrum der Probe 1537 bei 115 K bis 143 K

III
Abbildung A.6: Energiespektrum der Probe 1537 bei 143 K bis 168 K

Abbildung A.7: Energiespektrum der Probe 1537 bei 168 K bis 186 K

IV
Abbildung A.8: Energiespektrum der Probe 1537 bei 186 K bis 204 K

Abbildung A.9: Energiespektrum der Probe 1537 bei 204 K bis 219 K

V
Abbildung A.10: Energiespektrum der Probe 1537 bei 219 K bis 231 K

Abbildung A.11: Energiespektrum der Probe 1537 bei 231 K bis 241 K

VI
Abbildung A.12: Energiespektrum der Probe 1537 bei 241 K bis 252 K

Abbildung A.13: Energiespektrum der Probe 1537 bei 252 K bis 260 K

VII
Abbildung A.14: Energiespektrum der Probe 1537 bei 260 K bis 267 K

Abbildung A.15: Energiespektrum der Probe 1537 bei 267 K bis 273 K

VIII
Abbildung A.16: Energiespektrum der Probe 1537 bei 273 K bis 278 K

Abbildung A.17: Energiespektrum der Probe 1537 bei 278 K bis 282 K

IX
Abbildung A.18: Energiespektrum der Probe 1537 bei 282 K bis 286 K

Abbildung A.19: Energiespektrum der Probe 1537 bei 286 K bis 289 K

X
Abbildung A.20: Energiespektrum der Probe 1537 bei 289 K bis 291 K

Abbildung A.21: Energiespektrum der Probe 1537 bei 291 K bis 294 K

XI
Abbildung A.22: Energiespektrum der Probe 1537 bei 294 K bis 295 K

Abbildung A.23: Energiespektrum der Probe 1537 bei 295 K bis 297 K

XII
Abbildung A.24: Energiespektrum der Probe 1537 bei 297 K bis 299 K

Abbildung A.25: Energiespektrum der Probe 1537 bei 299 K bis 300 K

XIII
Abbildung A.26: Energiespektrum der Probe 1537 bei 300 K bis 301 K

Abbildung A.27: Energiespektrum der Probe 1537 bei 301 K aufwärts

XIV
Literaturverzeichnis

[1] Versuch 501 photolumineszenz an hl-heterostrukturen. [Cited on page 8]

XV