Script Emfii

Skript zur Lehrveranstaltung
Theoretische Grundlagen der Hochfrequenztechnik
Prof. Dr. sc. techn. R. Negra

Prof. Dr.-Ing. C. Jungemann
HFE – Lehrstuhl für

Höchstfrequenzelektronik
ITHE – Institut für

Theoretische Elektrotechnik
RWTH Aachen University
28. Februar 2021

Vorwort
Zur Begleitung der Vorlesung dieses Semester wird das Skript Theoretische
”
Grundlagen der Hochfrequenztechnik“, das von Prof. Jungemann erstellt wurde,
mit einigen Erweiterungen verwendet. In den kommenden Semestern wird diese
Vorlesung und auch das Skript überarbeitet, teilen Sie uns daher bitte eventuelle
Fehler mit (thiel@hfe.rwth-aachen.de).
Das vorliegende Skript zur Vorlesung Theoretische Grundlagen der Hochfrequenz-

”
technik“ soll den Hörern der Vorlesung das Kopieren von Formeln und Abbildungen
ersparen, damit mehr Zeit für die Konzentration auf die gedankliche Darlegung des
Gegenstandes der Vorlesung zur Verfügung steht.
Ich danke Kollege Prof. C. Jungemann für das Bereitstellen des Skripts, Herrn
D. Bierbüsse für das Überarbeiten des Textes, Herrn D. Kahlen und N. Dieterich
für die Erstellung der Abbildungen und Herrn A. Noculak für die Messungen.
R. Negra
ii
Gate-DC-Anschluss
Drain-DC-Anschluss
Koaxialbuchse
(SMA Port)
HF-Kurzschluss
(Kondensator)
Substrat
Niet (auf Masse)
λ/4-Leitung
Drain-HF-Anschluss
LC-Anpassnetzwerk
Gate-HF-Anschluss Stabilisierung mit RC-Glied
Koppelkondensator
GaN-JFET
Abbildung 1: Schmalbandiger HF-Verstärker.
In Abb. 1 ist ein schmalbandiger HF-Verstärker dargestellt, der am Institut für Theoreti-
sche Elektrotechnik im Rahmen einer Studienarbeit gebaut wurde. Ziel der Vorlesung ist es,
dass Sie nach Abschluss der Vorlesung in der Lage sind, den Aufbau und die Funktionsweise
dieser Mikrowellenschaltung zu verstehen. Die einzelnen Elemente der Schaltung werden in
der Vorlesung besprochen und es werden Methoden entwickelt, mit denen sich das gesamte
System beschreiben lässt.
iii
iv
Inhaltsverzeichnis
Literatur zur Vorlesung ix
1 Leitungstheorie 1
1.1 Das Modell der zylindrischen Leitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.2 Die Differentialgleichung der elektrischen Leitung: Telegraphengleichungen . . 6
1.2.1 Differentialgleichungen der verlustlosen Leitung . . . . . . . . . . . . . 6
1.3 Die Telegraphengleichung der verlustbehafteten Leitung . . . . . . . . . . . . 10
1.3.1 Die Wellengleichung der verlustbehafteten Leitung . . . . . . . . . . . 10
1.3.2 Wellenausbreitung auf der verlustbehafteten Leitung . . . . . . . . . . 12
1.4 Spannung und Strom auf der verlustbehafteten Leitung . . . . . . . . . . . . 15
1.5 Spannungverlauf entlang der verlustfreien Leitung . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.5.1 Bestimmung des Reflexionsfaktors aus dem Stehwellenverhältnis . . . 22
1.6 Impedanztransformation mittels der verlustfreien und verlustbehafteten Leitung 23
1.6.1 Die Kettenmatrix der Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.6.2 Impedanztransformation mit einer Leitung . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.6.3 Impedanztransformation des Reflexionsfaktors mit einer verlustbehaf-
teten Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.6.4 Impedanztransformation mit einer verlustfreien Leitung . . . . . . . . 27
1.7 Das Smith-Diagramm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.7.1 Eigenschaften des Smith-Diagramms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
1.7.2 Anwendung des Smith-Diagramms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
1.7.3 Lösung von Anpassungsproblemen mit dem Smith-Diagramm . . . . 41
1.8 Leitungstypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
1.8.1 Die Koaxialleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
1.8.2 Die Zweidrahtleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
1.8.3 Die Mikrostreifenleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
1.9 Betriebsbereiche von Leitungen mit Ohmschen Verlusten . . . . . . . . . . . . 73
1.9.1 Niederfrequenter Betrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
1.9.2 Hochfrequenter Betrieb mit R0 (f ) = konstant . . . . . . . . . . . . . . 78
1.9.3 Hochfrequenter Betrieb mit ausgeprägtem Skineffekt . . . . . . . . . . 78
1.10 Signale auf Leitungen im Zeitbereich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
1.10.1 Signale auf der verlust- und dispersionsfreien Leitung mit resistiven
Abschlüssen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
1.10.2 Das Bergeron-Verfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
1.10.3 Die verlustfreie Leitung mit eingangsseitiger Anpassung und reaktiv-
resistiver Last . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
1.10.4 Impulsverzerrung auf der skineffektbehafteten Leitung . . . . . . . . . 97
1.10.5 Phasen- und Gruppenlaufzeit, Dispersion . . . . . . . . . . . . . . . . 100
v
1.11 Mehrfachleitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
1.11.1 Die Analyse der allgemeinen Mehrfachleitung . . . . . . . . . . . . . . 109
1.11.2 Die querhomogene Mehrfachleitung mit idealen Leitern . . . . . . . . 117
1.11.3 Die einfachste querinhomogene Mehrfachleitung: die symmetrische
Dreifachleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
2 N-Tortheorie 137
2.1 Zweitore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
2.1.1 Admittanzparameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
2.1.2 Impedanzparameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
2.1.3 Kettenparameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
2.1.4 Hybridparameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
2.2 Umrechnung der Zweitorparameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
2.3 Reziprozität und Symmetrie von N-Toren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
2.4 Beispiele für Zweitore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
3 Streuparameter 153
3.1 Komplexe Wellenamplituden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
3.2 Streumatrizen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
3.3 Wellenquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
3.4 Wellenkettenparameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
3.5 Trsf. in versch. Darst. der Zweitorparammeter . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
3.6 Signalflussdiagramme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
3.6.1 Das Vereinfachen des Signalflussdiagramms . . . . . . . . . . . . . . . 169
3.6.2 Die Regel nach Mason . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
4 Passive Mikrowellenbauelemente 177

4.1 Eintore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
4.1.1 Absorber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
4.1.2 Leerlauf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
4.1.3 Kurzschluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.1.4 Leitungsresonator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
4.2 Zweitore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
4.2.1 Dämpfungsglied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
4.2.2 Leitungstransformator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
4.2.3 Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
4.2.4 Induktivät . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
4.2.5 Tiefpassfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
4.2.6 Bandpass . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
4.2.7 Transmissionsresonator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
4.2.8 Richtungsleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
4.2.9 Diskontinuitäten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
4.3 Dreitore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
4.3.1 Leistungsteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
4.3.2 Zirkulator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
4.3.3 Gleichspannungszuführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
4.4 Viertore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
4.4.1 Parallelleitungskoppler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
4.4.2 Sprossenkoppler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
vi
4.4.3 Ringhybrid . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
4.5 Parallel gekoppelte Mikrostreifenleitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
4.5.1 Symmetrische gekoppelte Mikrostreifenleitung . . . . . . . . . . . . . . 195
4.5.2 Mikrostreifenleitung als Bandpass . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
5 Aktive Bauelemente der Mikrowellentechnik 207

5.1 Elemente der Halbleitertechnologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
5.2 Kleinsignalersatzschaltbild . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
5.3 Halbleiterbauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
5.3.1 Schottky-Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
5.3.2 Heterojunction Bipolar Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211
5.3.3 Feldeffekttransistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212
5.3.4 Realer GaAs-MESFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
5.3.5 HEMT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224
5.4 Elektronenröhren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
5.4.1 Klystron . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
5.4.2 Wanderfeldröhre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
5.4.3 Magnetron . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
5.4.4 Gyrotron . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
6 Kleinsignalverstärker 227
6.1 Verstärkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
6.2 Stabilität von Zweitoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232
6.3 Realer Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
6.4 Beidseitig angepasster Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
vii
viii
Literatur zur Vorlesung
[1] Pozar, David M.

Microwave Engineering“
”
John Wiley & Sons, New York
[2] Gonzalez, Guillermo

Microwave Transistor Amplifiers (Analysis and Design)“
”
Prentice Hall, New Jersey
[3] Orfanidis, Sophocles J.

Electromagnetic Waves and Antennas“
”
Free download at: www.ece.rutgers.edu/∼orfanidi/ewa
[4] Jungemann, C.; Meinerzhagen, B.

Elektromagnetische Felder I“
”
Skript, ITHE, RWTH Aachen
[5] Noll, Tobias

Grundgebiete der Elektrotechnik III, Elektromagnetische Felder“
”
Hilfsblätter zur Vorlesung, Lehrstuhl für Allgemeine Elektrotechnik und Datenverarbei-
tung, RWTH Aachen
[6] Beneking, Heinz

High Speed Semiconductor Devices“
”
Chapman and Hall, London
ix
Liste der Symbole
e Eulersche Zahl
j Imaginäre Einheit
x Reelle Zahl
x Komplexe Zahl, Zeiger
~x Vektor
x̂ Matrix
† ~x† = (~x? )T
Unabhängige Spannungsquelle Unabhängige Stromquelle
Gesteuerte Spannungsquelle Gesteuerte Stromquelle
Rauschspannungsquelle Rauschstromquelle
x
Kapitel 1
Leitungstheorie
Üblicherweise wird unter dem Begriff einer elektrischen Leitung eine Anordnung von zwei
parallelen, zylindrischen und metallischen Leitern verstanden, die von Luft oder einem festen
Isolator umgeben sind. Sie führen ein elektrisches Signal oder elektrische Energie von einer
Quelle zu einer Senke. Ganz allgemein hat eine Leitung die Aufgabe, eine elektromagnetische
Welle möglichst ohne Verluste zu führen. Dazu muss eine Leitung nicht notwendigerweise dem
beschriebenen Aufbau entsprechen. Es ist beispielsweise auch bekannt, dass sich elektroma-
gnetische Signale leicht und mit wenig Verlusten über eine Glasfaser, einer rein dielektrischen
Struktur ohne Metalle, übertragen lassen. Abb. 1.1 zeigt eine Zusammenstellung verschiede-
ner technisch bedeutender Leitungen. Allen diesen Strukturen ist gemein, dass sie aus Leitern
und Dielektrika aufgebaut und zylindrisch sind, d. h., dass sie in der Transversalebene eine
von der z-Koordinate unabhängige Geometrie aufweisen. Die z-Achse wird im Folgenden
o. B. d. A. als Ausbreitungsrichtung der Welle angenommen.
Die Leitungstheorie beschreibt die elektrischen Eigenschaften von Leitungen aller Art und lie-
fert die Grundlagen zur Beschreibung des Verhaltens von Signalen im Frequenzbereich und im
Zeitbereich. Es wird gezeigt, dass diese Eigenschaften nicht mit einfachen Ersatzschaltungen,
bestehend aus diskreten, linearen Elementen wie Widerstände, Induktivitäten, Kapazitäten
und Quellen, nachgebildet werden können. Die hier behandelten Leitungen sind zwar linear,
müssen aber als verteilte Elemente betrachtet werden, da ihre Längsdimensionen vergleichbar
oder größer sein können als die Wellenlängen der übertragenen Signale.
Da die Leitungstheorie im Wesentlichen die eindimensionale Wellenausbreitung beschreibt,
bildet sie auch den Grundstock zum Verständnis ähnlicher Vorgänge in der Physik, wie bei-
spielsweise das Verhalten von
ebenen, elektromagnetische Wellen im Raum
akustischen Wellen als Volumenwellen oder Oberflächenwellen
Materiewellen u. a.
Leitungen müssen immer dann als verteilte Strukturen dargestellt werden, wenn die betrach-
teten Signalzeiten oder -perioden vergleichbar mit den Leitungslaufzeiten werden. Als grobe
Regel gilt, dass eine Leitung als verteilte Struktur behandelt werden muss, wenn ihre Länge
größer als 1/10 der Wellenlänge des betrachteten Signals ist. Dazu drei Beispiele:
1. Eine Standard-CMOS-Logik zeigt typische Signalanstiegszeiten tr ≈ 2 ns. In dieser Zeit

legt ein Signal einen Weg von 60 cm zurück, wenn die Signalgeschwindigkeit der Lichtge-
schwindigkeit in Vakuum co = 3·108 m/s entspricht. Auf typischen Leiterplatten und auf
1
2 KAPITEL 1. LEITUNGSTHEORIE
Halbleiterchips wird die Signalgeschwindigkeit durch die Dielektrizität des Materials auf
0.3 co bis 0.7 co reduziert. Auf einem Halbleiterchip mit maximalen Leiterlängen von ca.
1 cm kann damit der Leitungscharakter der elektrischen Verbindungen vernachlässigt
werden. Auf einer Karte mit maximalen Leitungslängen im Bereich von etwa 20 cm wird
das Verhalten des Signals durch die verteilte Leitungsstruktur deutlich bestimmt. Auf
dem Systembus, der in einem 19 Zoll Gehäuse eine Länge von 50 cm annehmen kann,
ist die Beeinflussung durch die Leitung sehr ausgeprägt.
2. In Kabelfernsehsystemen werden Signale mit Trägerfrequenzen von bis zu ca. 500 MHz
übertragen. Bei dieser Frequenz beträgt die Wellenlänge λ = 60 cm im Vakuum und
ca. 40 cm in typischen in der CATV-Technik (community antenna TV system: Gemein-
schaftsantennenanlagen) verwendeten Kabeln. Jedes Kabelstück mit einer Länge von
4 cm wird sich damit als verteiltes Leitungselement bemerkbar machen.
3. Bei einer Energieübertragungsleitung mit einer Netzfrequenz von 50 Hz beträgt die

Wellenlänge λ = 6000 km. Das elektrische Verhalten einer Hochspannungsleitung mit
einer Länge von 600 km würde damit bereits durch die verteilten Leitungseigenschaf-
ten bestimmt. Beim Auftreten von Transienten, wie beim Zu- oder Abschalten der
Betriebsspannung, wird der Leitungscharakter sehr ausgeprägt.
In der vorliegenden Einführung in die Leitungstheorie beschränken wir uns auf die Be-
handlung von Leitungen, die aus zwei oder mehr metallischen Leitern aufgebaut sind, ent-
sprechend den Beispielen überschrieben mit Zwei- und Mehrleitersysteme in Abb. 1.1. Auf
solchen Leitungen werden TEM-Wellen (transverse electromagnetic waves) geführt: Sie zeigen
nur elektrische und magnetische Feldstärken in der Transversalebene, d. h. in der zur Ausbrei-
tungsrichtung normalen Ebene. Obwohl die reine TEM-Welle theoretisch auch von Leitungen
mit sehr großen Abmessungen in der transversalen Geometrie geführt wird, machen wir hier
die Einschränkung, dass die Lateraldimensionen immer wesentlich kleiner als die betrachteten
Signalwellenlängen sein sollen, wie dies der technischen Realisierung der meisten Zwei- und
Mehrleitersysteme entspricht. Ein Verzicht auf diese Einschränkung würde bedeuten, dass
noch andere Arten geführter Wellen auf den Leitungen auftreten könnten. Zudem könnte
die Leitung als Antenne wirken und somit könnte elektromagnetische Abstrahlung auftreten.
Die Theorie dieses allgemeinen Falles zylindrischer Leitungen ist wesentlich aufwendiger und
würde den Rahmen dieser Einführung sprengen. Wie in den obigen drei Beispielen gezeigt
wurde, liegt die Signalgeschwindigkeit vg auf Leitungen im Bereich: 0.3co < vg < co . Es ist
dabei nützlich, gewisse Zahlenwerte auswendig zu wissen:
Frequenz Periode Wellenlänge im Vakuum

1 MHz 1 µs 300 m
10 MHz 100 ns 30 m
100 MHz 10 ns 3m
1 GHz 1 ns 30 cm
Die folgenden Konstanten sind ständige Begleiter in der Leitungstheorie:

Dielektrizitätskonstante im Vakuum ε0 = 8.85418 · 10−12 As/Vm ≈ 8.85 pF/m,
Permabilitätskonstante im Vakuum µ0 = 4π · 10−7 Vs/Am ≈ 1.26 µH/m,
√
Lichtgeschwindigkeit im Vakuum c0 = 1/ ε0 µ0 ≈ 30 cm/ns.
3
Abbildung 1.1: Beispiele von Leitungen: Zwei- und Mehrleitersysteme, metallischer Hohlleiter
und dielektrischer Wellenleiter.
1.1 Das Modell der zylindrischen Leitungen

Eine allgemeine Behandlung elektromagnetischer Wellen auf zylindrischen Leitungsstruk-
turen verlangt den Einsatz der elektromagnetischen Feldtheorie, beginnend mit den
Maxwellschen Gleichungen. In dieser Einführung verzichten wir auf diese rigurose Behand-
lung und nehmen eine einfachere, aber plausible und anschauliche Betrachtung zu Hilfe, in
der auf die bekannten Gesetze der Elektrostatik und Magnetostatik zurückgegriffen wird .
Abb. 1.2 zeigt die schematische Darstellung einer zylindrische Zweidrahtleitung.
Abbildung 1.2: Allgemeine geometrische Form einer Zweidrahtleitung.
Wir setzen voraus, dass der Abstand d zwischen den Leitern wesentlich kleiner ist als die
Wellenlänge λ des auf der Leitung auftretenden Signals im Dielektrikum der Leitung:
c0
dλ= √ (1.1)
f εr
Wird auf eine Leitung entsprechend Abb. 1.2 eine Spannungsquelle Uq aufgeschaltet, wird
sich auf beiden Leitern der Leitung sofort ein Strom i einstellen. Ohne zu wissen, wie schnell
sich dieser Stromschritt auf der Leitung fortbewegt, können wir feststellen, dass dieser Strom
ein die Leiter umgebendes magnetisches Feld erzeugen wird, wie dies in Abb. 1.3 dargestellt
ist. Der Strom i ist damit mit einem magnetischen Flussbelag Φ0 , d. h. mit einem auf die
Leitungslänge bezogenen magnetischen Fluss mit der Dimension Vs/m, verbunden.
Abbildung 1.3: Symmetrische Zweidrahtleitung mit Leitungssymbol und Feldlinienverteilung

der magnetischen und elektrischen Feldstärke H und E in der Transversalebene.
Über einem infinitesimal kurzen Stück dz der Leitung wird der magnetische Fluss Φ0 dz
auftreten. Somit kann ein Induktivitätsbelag L0 , Leitungsinduktivität pro Längeneinheit der
1.1. DAS MODELL DER ZYLINDRISCHEN LEITUNGEN 5
Leitung, definiert werden:

Φ0 dz = iL0 dz (1.2)
In gleicher Weise wird eine über den Leitern auftretende Spannung u eine Oberflächen-
ladung auf den Leitern verursachen. Dieser Ladungsbelag Q0 , Ladung pro Längeneinheit der
Leitung, ist mit der Spannung u über den Kapazitätsbelag C 0 , Leitungskapazität pro Längen-
einheit der Leitung, verbunden:
Q0 dz = uC 0 dz (1.3)
In Abb. 1.4 ist die im Moment noch als verlustfrei angenommene Leitung und ihre elektri-
sche Ersatzschaltung mit den reaktiven Elementen L0 und C 0 gezeigt. Über einer infinitesima-
len Länge dz der Leitung erscheint eine Längsinduktivität L0 dz und eine Querkapazität C 0 dz.
Die Induktivitäts- und Kapazitätsbeläge L0 und C 0 sind primäre Leitungskonstanten und ha-
ben typischerweise die Größenordnung L0 = 1 µH/m und C 0 = 10 pF/m. Induktivitäts- und
Kapazitätsbeläge können mit üblichen L- und C-Messgeräten gemessen werden. Für einfache
Leitungsgeometrien lassen sie sich analytisch bestimmen, bei komplizierteren Strukturen, wie
Streifenleiter, müssen numerische Methoden herangezogen werden.
Eine reale Leitung mit metallischen, verlustbehafteten Leitern und einem verlustbehafteten
Dielektrikum zeigt einen gewissen Widerstandsbelag R0 , der einen Längsspannungsabfall be-
wirkt, sowie einen Leitwertbelag G0 parallel zu C 0 , der den Verluststrom im Dielektrikum
modelliert. Das vollständige Ersatzschaltbild einer Leitung der infinitesimalen Länge dz ist
in Abb. 1.4 dargestellt.
Abbildung 1.4: Ersatzschaltbild der verlustbehafteten Leitung.
Es ist zu beachten, dass der Widerstandsbelag R0 den metallischen Widerstand beider

Leiter der Leitung beinhaltet. Im Allgemeinen sind die reaktiven Beläge L0 und C 0 nur gering
frequenzabhängig, wohingegen die Verlustelemente R0 und G0 meist stark frequenzabhängig
sind. Die Praxis zeigt, dass der von R0 verursachte Verlust in der Regel über den Verlust
in G0 dominiert. Daher wird der Leitwertbelag G0 häufig vernachlässigt. Vorerst werden alle
primären Leitungskonstanten L0 , C 0 , R0 und G0 als frequenzunabhängig angenommen.
1.2 Die Differentialgleichung der elektrischen Leitung: Tele-

graphengleichungen
Abb. 1.5 zeigt das Ersatzschaltbild der verlustbehafteten Leitung infinitesimaler Länge dz
mit der zugehörigen Spannung u und dem Strom i am Eingang und der Spannung u + du
und dem Strom i + di am Ausgang.
Abbildung 1.5: Ersatzbild der verlustbehafteten Leitung infinitesimaler Länge.
Die Spannung u und der Strom i sind Funktionen des Ortes z entlang der Leitung und
der Zeit t: u(z, t), i(z, t). Spannungs- und Stromänderungen in der Leitung lassen sich durch
die partiellen Ableitungen dieser Funktionen ausdrücken:
∂u ∂i
du = dz di = dz (1.4)
∂z ∂z
Die Kirchhoffschen Gesetze liefern folgende Beziehungen:
∂i 0 ∂u
u = iR0 dz + L dz + u + dz (1.5)
∂t ∂z
∂u 0 ∂i
i = uG0 dz + C dz + i + dz (1.6)
∂t ∂z
Mit Subtraktion von u bzw. i aus (1.5) und (1.6) erhalten wir die beiden Differentialglei-
chungen:

∂u 0 0 ∂
=− R +L i (1.7)
∂z ∂t

∂i ∂
= − G0 + C 0 u (1.8)
∂z ∂t
Die Gleichungen (1.7) und (1.8) bilden ein System partieller, linearer Differentialgleichun-
gen 1. Ordnung mit konstanten Koeffizienten.
1.2.1 Differentialgleichungen der verlustlosen Leitung

Mit der Vernachlässigung der Verlustterme R0 und G0 vereinfachen sich die Gleichungen (1.7)
und (1.8) zu
∂u ∂i
= −L0 (1.9)
∂z ∂t
∂i ∂u
= −C 0 (1.10)
∂z ∂t
1.2. DIE DIFFERENTIALGLEICHUNG DER ELEKTRISCHEN LEITUNG: TELEGRAPHENGLEICHUNG
Die so erhaltenen Gleichungen (1.9) und (1.10) sind die Telegraphengleichungen der ver-
lustlosen Leitung. Sie wurden erstmals von J. C. Maxwell um 1860 formuliert. Sie beinhalten
beide Strom und Spannung. Indem (1.9) nach z und (1.10) nach t abgeleitet werden, kann
der Strom i eliminiert werden:
∂2u 2
0 0∂ u
= L C (1.11)
∂z 2 ∂t2
In gleicher Weise, durch Ableiten von (1.9) nach t und von (1.10) nach z, kann die Span-
nung u eliminiert werden:
∂2i 2
0 0∂ i
= L C (1.12)
∂z 2 ∂t2
Die beiden gefundenen Gleichungen (1.11) und (1.12) für die Spannung u und den Strom i
sind identisch und entsprechen der aus der Physik bekannten eindimensionalen Wellenglei-
chung. Als homogene Differentialgleichungen zweiter Ordnung haben diese Wellengleichungen
Lösungen, die sich aus der Summe von zwei Partiallösungen, die wir mit Index a und b be-
zeichnen, zusammensetzen. Jede zweimal differenzierbare Funktion der Form
u(t, z) = ua (t − z/v) + ub (t + z/v) bzw. (1.13)

i(t, z) = ia (t − z/v) − ib (t + z/v) (1.14)
erfüllt (1.11) bzw. (1.12) für 1/v 2 = L0 C 0 oder

1
v=√ (1.15)
L0 C 0
Durch Einsetzen von (1.13), (1.14) und (1.15) in (1.9) und (1.10) folgt für die Partiallösun-
gen: r
dua dub L0 1
= = 0
= L0 v = 0 = konstant (1.16)
dia dib C Cv
Die Integration von (1.16) nach i liefert
r
L0
ua (t, z) = ia (t, z) + Ka (1.17)
C0
r
L0
ub (t, z) = ib (t, z) + Kb (1.18)
C0
Da nur der dynamische Anteil von u(t, z) für uns interessant ist, entfallen die Integrati-
onskonstanten Ka und Kb :
r
ua (t, z) ub (t, z) L0
= = = Zw (1.19)
ia (t, z) ib (t, z) C0
Dabei ist Zw die Wellenimpedanz der Leitung.

Interpretation der Resultate der Gleichungen (1.13) bis (1.19):
a) Die in (1.13) und (1.14) gefundenen Partiallösungen ua , ub , ia und ib sind beliebige

Spannungs- und Stromverläufe der Form u(t, z) = u(t ± z/v) bzw. i(t, z) = i(t ± z/v),
die sich auf der Leitung für das negative Vorzeichen von z/v in positiver z-Richtung
und für das positive Vorzeichen von z/v in negativer z-Richtung bewegen. Daher wer-
den diese Partiallösungen auch als vorwärts- bzw. rückwärtslaufende Wellen bezeichnet.
Der Index a steht im Folgenden für die vorwärtslaufende, der Index b für die rückwärts-
laufende Welle. Wie Abb. 1.6 veranschaulicht, ist die Ausbreitung der Wellen auf der
verlustfreien Leitung völlig dispersionsfrei, d. h. verzerrungsfrei.
Abbildung 1.6: Ausbreitung eines Signals u(t) auf der verlustfreien Leitung.
In einem homogenen Medium gilt für die Ausbreitungsgeschwindigkeit

1 1 c0
v=√ =√ =√ (1.20)
εµ ε0 εr µ 0 µ r εr µ r
Damit ist für Leitungen mit Vakuum oder Luft als Dielektrikum die Ausbreitungsge-
schwindigkeit v gleich der Lichtgeschwindigkeit c0 . In einem Dielektrikum mit relativer
Dielektrizitätskonstante εr und relativer Permeabilitätskonstante µr = 1 ist die Aus-
√
breitungsgeschwindigkeit v = c0 / εr .
b) Vorwärts- bzw. rückwärtslaufende Spannungen ua (t − z/v) und ub (t + z/v) sind über

die Wellenimpedanz Zw mit den vorwärts- und rückwärtslaufenden Strömen ia (t − z/v)
und ib (t + z/v) verknüpft.
ua ub
ia = ib = (1.21)
Zw Zw
Dies bedeutet, dass die Spannungen und Ströme so gerichtet sind, dass ein Leistungs-
transport in Laufrichtung stattfindet. Dem Betrag nach gilt immer (1.19). Für die ver-
lustfreie Leitung ist die Wellenimpedanz Zw reell. Die reelle Wellenimpedanz Zw zeigt,
dass ua und ia bzw. ub und ib in Phase sind und damit ein reiner Wirkleistungstransport
stattfindet. Diese Eigenschaft der verlustfreien Leitung wird in Abb. 1.7 veranschaulicht.
1.2. DIE DIFFERENTIALGLEICHUNG DER ELEKTRISCHEN LEITUNG: TELEGRAPHENGLEICHUNG
Abbildung 1.7: Strom- und Spannungsrichtung einer hin- und einer rücklaufenden Welle.
Die Bedeutung des reellen Wellenwiderstandes soll an zwei Beispielen erläutert werden:
Beispiel 1
Eine sehr lange Leitung nach Abb. 1.8 wird durch eine Spannungsquelle mit einem Span-
nungsschritt gespeist.
Abbildung 1.8: Lange Leitung mit der reellen Wellenimpedanz Zw , die mit einem Spannungs-
schritt gespeist wird.
Existiert auf der Leitung nur eine vorwärtslaufende Welle, sieht die Quelle lediglich die
reelle Wellenimpedanz Zw der Leitung. Auf dieser erscheint√ ein Spannungsschritt der Höhe
Uq Zw /(Rq + Zw ), der sich mit der Geschwindigkeit v = 1/ L0 C 0 in z-Richtung bewegt.
Beispiel 2
Wird eine Leitung nach Abb. 1.9 mit der Wellenimpedanz Zw abgeschlossen, kann auf der
Leitung keine rückwärtslaufende Welle auftreten. Die Leitung ist reflexionsfrei abgeschlossen
und zeigt die Eingangsimpedanz Zw .
Abbildung 1.9: Eine mit der Wellenimpedanz Zw abgeschlossene Leitung zeigt die Ein-
gangsimpedanz Zw .
Nach dieser kurzen Betrachtung der verlustfreien Leitung wenden wir uns dem allgemei-
neren Fall, der verlustbehafteten Leitung, zu.
1.3 Die Telegraphengleichung der verlustbehafteten Leitung

1.3.1 Die Wellengleichung der verlustbehafteten Leitung
Die Differentialgleichungen (1.7) und (1.8) der verlustbehafteten Leitung nach Abschnitt 1.2
lauten:

∂u 0 0 ∂
=− R +L i (1.22)
∂z ∂t

∂i 0 0 ∂
=− G +C u (1.23)
∂z ∂t
Aus diesem Gleichungssystem wird in einem ersten Schritt die Variable i eliminiert, indem
(1.22) nach z abgeleitet und in (1.23) eingesetzt wird, sowie (1.23) nach t abgeleitet wird. Es
resultiert eine partielle lineare Differentialgleichung mit konstanten Koeffizienten:
∂2u ∂u ∂2u
2
= −R0 G0 u + (R0 C 0 + L0 G0 ) + L0 C 0 2 (1.24)
∂z ∂t ∂t
In gleicher Weise finden wir durch Elimination von u aus (1.22) und (1.23) die zu (1.24)
identische Gleichung für i:
∂2i 0 0 0 0 0 0 ∂i
2
0 0∂ i
= −R G i + (R C + L G ) + L C (1.25)
∂z 2 ∂t ∂t2
(1.24) und (1.25) sind die Telegraphengleichungen der verlustbehafteten Leitung.
Sie sind linerare Differentialgleichungen 2. Ordnung mit konstanten Koeffizienten und

völlig identisch. Die Lösungen für u(t, z) und i(t, z) müssen folglich von gleicher Form sein.
Der einfache Ansatz nach Gleichung (1.13) bzw. (1.14), der für die verlustfreie Leitung
zum Ziel geführt hat, ist für die Lösung von (1.24) bzw. (1.25) nicht anwendbar. Die
verlustbehaftete Leitung ist im Allgemeinen dispersiv, d. h. eine im Zeitbereich dargestellte
Signalform u(t, z) wird als Funktion der Zeit t und des Ortes z verzerrt.
Wie bei der Analyse linearer Schaltungen mit diskreten Elementen führt hier die Betrachtung
zeitlich stationärer, sinusförmiger Signalen zum Ziel. Bekanntlich ist die Antwort eines linea-
ren, zeitunabhängigen Systems auf ein zeitlich sinusförmiges Signal wieder ein sinusförmiges
Signal. Bei bekanntem Frequenzgang der Übertragungsfunktion eines linearen Netzwerkes
kann das Verhalten im Zeitbereich über die Fouriertransformation gefunden werden.
Wir führen für u(t, z) und i(t, z) Phasoren ein:

jωt
u(t, z) = < U (z)e (1.26)

jωt
i(t, z) = < I(z)e (1.27)
mit U und I: Amplituden; ω: Kreisfrequenz, ω = 2πf
Diese Phasoren werden in (1.22) und (1.23) eingesetzt:

dU
= −(R0 + jωL0 )I (1.28)
dz
dI
= −(G0 + jωC 0 )U (1.29)
dz
1.3. DIE TELEGRAPHENGLEICHUNG DER VERLUSTBEHAFTETEN LEITUNG 11
Aus (1.28) und (1.29) wird I eliminiert:
d2 U
= (R0 + jωL0 )(G0 + jωC 0 )U (1.30)
dz 2
Im Unterschied zu (1.24) tritt in (1.30) die Zeit t nicht mehr auf: (1.30) ist eine gewöhn-
liche, lineare Differentialgleichung 2. Ordnung mit konstanten Koeffizienten.
Durch Elimination von U aus (1.28) und (1.29) finden wir die zu (1.30) entsprechende Glei-
chung für I:
d2 I
= (R0 + jωL0 )(G0 + jωC 0 )I (1.31)
dz 2
(1.30) und (1.31) sind die Wellengleichungen der verlustbehafteten Leitung und werden
üblicherweise in folgender Form geschrieben:
Wellengleichungen der verlustbehafteten Leitung
d2 U
= γ2U (1.32)
dz 2
d2 I
= γ2I (1.33)
dz 2
p
mit γ = (R0 + jωL0 )(G0 + jωC 0 ) (1.34)
Dabei ist γ die komplexe Wellenausbreitungskonstante (propagation constant) mit der Di-
mension 1/m.
Die Lösungen von (1.32) und (1.33) sind von der Form:
U (z) = U a + U b = U a0 e−γz + U b0 eγz (1.35)

I(z) = I a − I b = I a0 e−γz − I b0 eγz (1.36)
Wird (1.35) nach z abgeleitet und in (1.28) eingesetzt, finden wir eine Beziehung zwischen
den Leitungsspannungen und -strömen:
s
−1 dU G0 + jωC 0 −γz γz

I(z) = 0 · = · U a0 e − U b0 e (1.37)
R + jωL0 dz R0 + jωL0
Durch Koeffizientenvergleich mit (1.36) folgt die

s
R0 + jωL0 U U
Wellenimpedanz: Zw = = a0 = b0 (1.38)
G0 + jωC 0 I a0 I b0
Für den schon behandelten Fall der verlustlosen Leitung ist die Wellenimpedanz nach (1.19)
rein reell: r
L0
Z w = Zw = (1.39)
C0
Nach dieser formalen Lösung der Wellengleichungen (1.32) und (1.33) sollen die gefunde-
nen Resultate interpretiert werden.
1.3.2 Wellenausbreitung auf der verlustbehafteten Leitung

Vorwärts- und rückwärtslaufende Wellen
Wie nachfolgend gezeigt wird, kann der Lösungsansatz nach (1.35) einfach und plausibel
interpretiert werden. (1.35) als Zeitfunktion ausgeschrieben ist:
u(t, z) = < U a0 e−γz ejωt + U b0 eγz ejωt

(1.40)
| {z } | {z }
a) b)
Wir spalten die Wellenausbreitungskonstante γ nach Real- und Imaginärteil auf:
p
γ= (R0 + jωL0 )(G0 + jωC 0 ) = α + jβ (1.41)
mit α: Dämpfungsbelag mit Dimension Np/m
β: Phasenbelag mit Dimension rad/m
Da der Dämpfungsbelag α nach (1.41) als Exponent zu e erscheint, ist die Dimension Np/m
(Neper/Meter). Häufig wird α in dB/m angegeben. Die Umrechnung erfolgt dann nach der
Definition der Dämpfung im logarithmischen Maß:
α α
0.05 [dB/m] z z
10 = e [Np/m] (1.42)
daraus folgt
α α
= 8.686 (1.43)
[dB/m] [Np/m]
Ebenso kann der Phasenbelag β in Grad/m angegeben werden.

Der Anteil a) in (1.40) entspricht einer vorwärts, d. h. in positiver z-Richtung, laufenden
gedämpften Spannungswelle ua (t, z):
ua (t, z) = < U a0 e−γz ejωt = < U a0 e−αz ej(ωt−βz)

(1.44)
oder
U a (z) = U a0 e−γz (1.45)
Der Anteil b) in (1.40) entspricht einer rückwärts, d. h. in negativer z-Richtung, laufenden
gedämpften Spannungswelle ub (t, z):
ub (t, z) = < U b0 eγz ejωt = < U b0 eαz ej(ωt+βz)

(1.46)
oder
U b (z) = U b0 eγz (1.47)
1.3. DIE TELEGRAPHENGLEICHUNG DER VERLUSTBEHAFTETEN LEITUNG 13
Phasengeschwindigkeit vp und Wellenlänge λ
Wir stellen uns nun die Frage, mit welcher Geschwindigkeit vp sich die Welle in der z-
Richtung bewegt, d. h. wie schnell sich beispielsweise der Nulldurchgang einer in positiver
z-Richtung laufenden Welle (ωt − βz = π/2) bewegt. Mit der Phasengeschwindigkeit vp
bewegt sich der Beobachtungspunkt z mit z = z0 + vp t. Die Phase (ωt − β(z0 + vp t)) bleibt
konstant, wenn die Phasengeschwindigkeit
ω
vp = (1.48)
β
beträgt.
Die Phasengeschwindigkeit der rückwärtslaufenden Welle, Anteil b) in (1.40), läuft mit der
Geschwindgkeit vpr .
ω
vpr = −vp = − (1.49)
β
Abb. 1.10 zeigt die in positive und negative z-Richtung laufenden, mit dem Dämpfungs-
belag α behafteten Teilwellen.
Die Wellenlänge λ entspricht der Periodenlänge in Ausbreitungsrichtung, d. h. der Länge in

z-Richtung, die einer Phasendrehung von 2π entspricht:
ejβ(z+λ) = ejβz+j2π (1.50)

2π
λ= (1.51)
β
Die Ströme der vorwärts- und rückwärtslaufenden Wellen lassen sich nach (1.38), (1.45)
und (1.47) wie folgt bestimmen:
U a0 e−γz U (z)
vorwärtslaufende Welle: I a (z) = = a (1.52)
Zw Zw
U b0 eγz U (z)
rückwärtslaufende Welle: I b (z) = = b (1.53)
Zw Zw
Wie im Fall der verlustfreien Leitung stellt auch die verlustbehaftete Leitung für die reine
vorwärtslaufende Welle bzw. für die reine rückwärtslaufende Welle eine Impedanz, die Wellen-
impedanz Zw , dar. Durch diese Wellenimpedanz Zw ist die vorwärtslaufende Spannungswelle
mit einem in Vorwärtsrichtung laufenden Strom und die rückwärtslaufende Spannungswelle
mit einem in Rückwärtsrichtung laufenden Strom verbunden.
Abbildung 1.10: In positive und negative z-Richtung laufende gedämpfte Spannungs- und
Strom-Teilwellen.
1.4. SPANNUNG UND STROM AUF DER VERLUSTBEHAFTETEN LEITUNG 15
1.4 Spannung und Strom auf der verlustbehafteten Leitung

Nach (1.35), (1.36), (1.52) und (1.53) können die Leitungsspannungen U (z) und Ströme I(z)
durch Funktionen der vorwärts- und rückwärtslaufenden Spannungswellen U a (z) und U b (z)
dargestellt werden:
U (z) = U a + U b = U a0 e−γz + U b0 eγz (1.54)

I(z) = I a − I b = I a0 e−γz − I b0 eγz (1.55)
Die Amplituden U a0 und U b0 der Teilwellen werden durch die Beschaltung der Leitung
mit Quelle und Last bestimmt. Im Folgenden betrachten wir nur einfache Beschaltungen
an den Leitungsenden. Die Verallgemeinerung für beliebige lineare Netzwerke ist problemlos
möglich. Abb. 1.11 zeigt die Beschaltung einer Leitung der Wellenimpedanz Z w mit einer
Spannungsquelle U q mit Quellenimpedanz Z q und einer Lastimpedanz Z 2 .
Abbildung 1.11: Beschaltete Leitung.
Am Ort z = 0 gilt nach (1.54) und (1.55):
U (0) = U 1 = U a0 + U b0 (1.56)
1
I(0) = I 1 = U a0 − U b0 (1.57)
Zw
Am Ort z = l sind
U (l) = U 2 = U a0 e−γl + U b0 eγl (1.58)

1 −γl γl
I(l) = I 2 = U a0 e − U b0 e (1.59)
Zw
Die Amplituden U a0 und U b0 der Teilwellen können als Funktion von Strom und Spannung
am rechten Leitungsende ausgedrückt werden. Durch Addition und Subtraktion von (1.58)
und (1.59) finden wir:
I2
U a0 = (Z + Z w )eγl (1.60)
2 2
I
U b0 = 2 (Z 2 − Z w )e−γl (1.61)
2
Für den Spezialfall Z 2 = Z w wird nach (1.61) U b0 = 0. Es verschwindet also die rückwärts-
laufende Welle (U b und I b ). Die vorwärtslaufende Welle sieht an jedem Ort z = 0...l der
Leitung die gleiche Impedanz wie an einer unendlich langen Leitung, nämlich die Wellenim-
pedanz Z w . Dieser wichtige Fall mit Z 2 = Z w wird als Wellenanpassung bezeichnet.
Aus der Netzwerktheorie ist bekannt, dass eine Quelle mit einer Lastimpedanz belastet werden
muss, die dem konjugiert komplexen Wert der Quellenimpedanz entspricht, um einen maxi-
malen Leistungstransfer zu ermöglichen. Für die Leistungsanpassung folgt also mit Z q = Z w :
Z 2 = Z ?w (1.62)
Für die Wellenanpassung, d. h. für eine reflexionsfreie Anpassung gilt dagegen: Z 2 = Z w .

Bei komplexen Wellenimpedanzen ist also Leistungsanpassung und Reflexionsfreiheit nicht
gleichzeitig realisierbar. In den meisten praktischen Fällen ist die Wellenimpedanz elektrisch
langer Leitungen nahezu reell, sodass gleichzeitig Wellen- und Leistungsanpassung erreicht
werden kann.
Für den allgemeinen Fall einer beliebigen Abschlussimpedanz Z 2 tritt nach (1.61) gleich-
zeitig eine vorwärts- und eine rückwärtslaufende Welle auf. Abb. 1.12 zeigt die beiden Span-
nungswellen U a (z) und U b (z) für einen beliebigen Zeitpunkt t.
Bei einer beliebigen Abschlussimpedanz Z 2 gilt mit (1.54) am Ort z = l:
U a (l) = U a0 e−γl , U b (l) = U b0 eγl , (1.63)
Mit (1.60) und (1.61) sind
I2
U a (l) = (Z + Z w ) (1.64)
2 2
I
U b (l) = 2 (Z 2 − Z w ) (1.65)
2
Damit finden wir für das Verhältnis U b (l)/U a (l):
U b (l) Z − Zw
Reflexionsfaktor: r2 = = 2 (1.66)
U a (l) Z2 + Zw
In der Literatur wird der Reflexionsfaktor r auch mit Γ bezeichnet.
Hier ist mit dem Reflexionsfaktor r2 ist der Spannungsreflexionsfaktor gemeint. Der
Stromreflexionsfaktor, analog definiert durch das Stromverhältnis I b (l)/I a (l), ist nach (1.52)
und (1.53):
I b (l) U (l)
= b = r2 (1.67)
I a (l) U a (l)
Der Reflexionsfaktor r2 nach (1.66) ist vom Verhältnis Z 2 /Z w und nicht von den Absolut-
werten abhängig und wird daher häufig als Funktion der normierten Impedanz z 2 = Z 2 /Z w
ausgedrückt:
Z /Z − 1 z −1
r2 = 2 w = 2 (1.68)
Z 2 /Z w + 1 z2 + 1
Abbildung 1.12: Leitungen im allgemeinen Betriebszustand: a) Leitungen mit Beschaltung,

b) vor- und rückwärtslaufende Wellen ua (z) und ub (z), c) Wellen U a , U b und ihre Überlage-
rung U = U a + U b in komplexer Darstellung.
Für den Moment seien an dieser Stelle nur die folgenden Spezialfälle genannt:
a) Wellenanpassung (keine Reflexion):
Z 2 = Z w → r2 = 0
b) Leerlaufende Leitung:
Z 2 = ∞ → r2 = 1, reell
c) Kurzgeschlossene Leitung:
Z 2 = 0 → r2 = −1, reell
d) Reelle Wellen- und Abschlussimpedanzen Z2 und Zw :
Z2 ≥ Zw → 0 ≤ r2 ≤ 1, reell
Z2 ≤ Zw → −1 ≤ r2 ≤ 0, reell
Nach dieser Betrachtung der Spannungs- und Stromwellen an den Leitungsenden und
des Reflexionsfaktors soll nun der Spannungs- und Stromverlauf entlang der Leitung näher
untersucht werden. Dabei starten wir mit dem unter c) gegebenen Spezialfall der am Ende
kurzgeschlossenen Leitung, dargestellt in Abb. 1.13.
Abbildung 1.13: Am Ende kurzgeschlossene Leitung.
Der Leitungskurzschluss bewirkt einen Reflexionsfaktor r2 = −1. Es folgt zusätzlich mit

U a (z) = U a0 e−γz und U b (z) = U b0 eγz :
U b (z) = U b (l)eγ(z−l) = U a (l)r2 eγ(z−l) = −U a0 eγ(z−2l) (1.69)
Damit wird die Gesamtspannung U (z) am Ort z zu:

−γz γ(z−2l)
U (z) = U a + U b = U a0 e −e (1.70)
Mit γ = α + jβ = α + j2π/λ ergibt sich U (z) zu
U (z) = U a0 e−αz−jz2π/λ − U a0 eα(z−2l)+j(z−2l)2π/λ (1.71)

| {z } | {z }
Ua Ub
Den Gesamtstrom I(z) am Ort z erhält man aus

Ua U U U
I(z) = I a − I b = − b = a0 e−αz−jz2π/λ + a0 eα(z−2l)+j(z−2l)2π/λ (1.72)
Zw Zw Z Z
| w {z } | w {z }
Ia −I b
Abb. 1.14 zeigt die durch (1.71) und (1.72) gegebene Strom- und Spannungsverläufe
entlang der kurzgeschlossenen verlustbehafteten Leitung nach Abb. 1.13.
Abb. 1.14 a) zeigt die Spannungsamplituden |U a |, |U b | und |U |:

am Ort 1 z = l : U b = −U a und damit U = 0
am Ort 2 z = l − λ/8 : U a (z) läuft gegenüber U a (l) um π/4 vor
U b (z) läuft gegenüber U b (l) um π/4 nach
am Ort 3 z = l − λ/4 : U a (z) läuft gegenüber U a (l) um π/2 vor
U b (z) läuft gegenüber U b (l) um π/2 nach
usw.
Abb. 1.14 b) zeigt die Stromamplituden |I a |, |I b | und |I|:

Am Ort 1 z = l, Ort des Kurzschlusses, sind die Teilströme I a und I b in Phase und
überlagern sich zu einem Strommaximum. Die Amplitude des Gesamtstromes variiert
entlang der Leitung in gleicher Weise wie die Spannung und berührt die Einhüllenden
im Abstand von ∆z = λ/2.
Abb. 1.14 c) zeigt die Spannungsamplituden |U a |, |U b | und |U | in der komplexen Ebene.

Abbildung 1.14: Spannungen und Ströme entlang einer kurzgeschlossenen verlustbehafteten

Leitung nach Abb. 1.13.
a) Spannungsamplituden |U a |,|U b | und |U | = |U a + U b |
b) Stromamplituden |I a |,|I b | und |I| = |I a + I b |
c) Ortskurven der Zeiger U a (z), U b (z) und U (z) = U a + U b
1.5. SPANNUNGVERLAUF ENTLANG DER VERLUSTFREIEN LEITUNG 21
1.5 Spannungverlauf entlang der verlustfreien Leitung

Als Spezialfall der im vorhergehenden Abschnitt behandelten verlustbehafteten Leitung wen-
den wir uns nun der verlustlosen Leitung zu. Obwohl in der Realität alle Leitungen verlustbe-
haftet sind, sind namentlich bei kurzen Leitungen die Verluste häufig auch noch bei höheren
Frequenzen so klein, dass mit guter Genauigkeit eine verlustfreie Anordnung angenommen
werden kann. Relativ kurze, verlustarme Leitungen mit in z-Richtung verschiebbaren Span-
nungsdetektoren, sogenannten Messleitungen, wurden früher häufig zur Bestimmung der Re-
flexionsfaktoren verwendet. Abb. 1.15 zeigt schematisch dieses Messsystem. Dabei kann mit
der verschiebbaren Sonde, die eine verschwindend kleine elektrische Belastung für die Leitung
darstellt, nur der Betrag der Leitungsspannung U = U a + U b bestimmt werden.
Abbildung 1.15: Messleitung mit verschiebbarer Sonde zur Abtastung der Spannung |U | ent-
lang der Leitung
Am Ort z = l gilt:
nach rechts laufende Welle U a (l)
nach links laufende Welle U b (l) = r2 U a (l)
Am Ort z = l − d gilt:
U (l − d) = U a (l − d) + U b (l − d) = U a (l) ejβd + r2 e−jβd

Leitungsspannung
Abb. 1.16 zeigt den Verlauf U (z) für die Reflexionsfaktoren r2 = 0.5 und r2 = 1.
Abbildung 1.16: Sondenspannungen |U | für Reflexionsfaktoren r = 1 und r = 0.5.

Die Sondenspannung |U (z)|, variiert periodisch mit einer Periode λ/2. Für den Reflexi-
onsfaktor r2 = 1 sind die Extremwerte der Sondenspannung: Umax = 2|U a |, Umin = 0
1.5.1 Bestimmung des Reflexionsfaktors aus dem Stehwellenverhältnis

Die Überlagerung der vorwärtslaufenden und der rückwärtslaufenden Welle mit der in
Abb. 1.16 dargestellten periodischen Schwankung des Betrages wird Stehwelle genannt. Das
Stehwellenverhältnis VSWR (voltage standing wave ratio) ist das Verhältnis der Extremwerte
der Sondenspannung:
|U |max Spannungsmaximum
V SW R = = (1.73)
|U |min Spannungsminimum
Mit |U |max = |U a0 |(1 + |r|) und |U |min = |U a0 |(1 − |r|) wird das Stehwellenverhältnis zu
1 + |r| V SW R − 1
V SW R = ↔ |r| = (1.74)
1 − |r| V SW R + 1
Für |r| = 1 ist der Verlauf der Stehwelle ∼ | sin 2πz

λ |
Die einfache Methode der Stehwellenmessung zur Bestimmung von Reflexionsfaktoren

wurde in der Mikrowellentechnik bis vor ca. 30 Jahren intensiv angewendet. Heute werden
Reflexionsfaktoren elektronisch mit Hilfe von Netzwerkanalysatoren im ganzen technisch in-
teressanten Frequenzbereich von bis zu 100 GHz gemessen.
1.6. IMPEDANZTRANSFORMATION MITTELS DER VERLUSTFREIEN UND VERLUSTBEHAFTETEN
1.6 Impedanztransformation mittels der verlustfreien und

verlustbehafteten Leitung
In den bisherigen Betrachtungen wurde das elektrische Verhalten der Leitung mithilfe der
vorwärts- und rückwärtslaufenden Wellen U a und U b einfach und plausibel dargestellt. Auf
Grund dieser Betrachtung wurde der Begriff des Reflexionsfaktors r eingeführt. Wenn Leitun-
gen als Elemente von größeren Schaltungen auftreten, ist die Darstellung mittels der Wellen
U a und U b unter Umständen nicht vorteilhaft. Eine Darstellung der Leitung in Form eines
allgemeinen Vierpols ist dann vorzuziehen. In diesem Abschnitt soll daher die Leitung als
allgemeiner Vierpol mit Spannungen und Strömen dargestellt und eine einfache graphische
Konversion des Reflexionsfaktors r in Impedanzen und Admittanzen vorgestellt werden. Dazu
gehen wir wie folgt vor:
1. Aus der schon eingeführten Wellengleichung werden die Kettenmatrix und zwei Lei-
tungsersatzschaltungen ermittelt.
2. Zur Umrechung zwischen Reflexionsfaktoren und Impedanzen/Admittanzen, sowie zur

Transformation von Impedanzen über Leitungen wird das Smith-Diagramm eingeführt.
1.6.1 Die Kettenmatrix der Leitung

Die Kettenmatrix Â dient zur Berechnung der Zweitorparameter von in Kette geschalteten
Zweitoren. Die Kettenmatrix des resultierenden Zweitors erhält man durch Multiplikation der
Kettenmatrizen der einzelnen Zweitore. Die Kettenmatrix eines allgemeinen linearen Zweitors
nach Abb. 1.17 ist wie folgt definiert:

U1 U2 A11 A12 U2
= Â = (1.75)
I1 −I 2 A21 A22 −I 2
Abbildung 1.17: Strom- und Spannungsdefinition der Kettenmatrix
Das negative Vorzeichen von I 2 in (1.75) ermöglicht es, die Stromrichtungen in Abb. 1.17
symmetrisch zu definieren. Ausgehend von (1.56) bis (1.59) finden wir durch Elimination der
Amplituden U a0 und U b0 die
Kettengleichungen der verlustbehafteten Leitung:
U 1 = U 2 cosh γl − I 2 Z w sinh γl (1.76)

sinh γl
I1 = U 2 − I 2 cosh γl (1.77)
Zw
Die Kettenmatrix der verlustbehafteten Leitung ist also

 
cosh γl Z w sinh γl
 
Â = 
 sinh γl

 (1.78)
cosh γl
Zw
Die Leitung ist ein reziprokes, symmetrisches Zweitor. In der Kettenmatrix kommt dies
wie folgt zum Ausdruck:
1. Reziprozität: det Â = 1
2. Symmetrie: A11 = A22
Die Beziehungen zwischen den Strömen und Spannungen an den Leitungsenden (1.76)
und (1.77) können mit einer π- oder T-Ersatzschaltung nach Abb. 1.18 dargestellt werden.
Abbildung 1.18: Leitungsersatzschaltungen, a) π- Schaltung, b) T-Schaltung
Die Elementwerte sind:
a) π−Schaltung:
1 γl
Z π1 = Z w sinh γl Y π2 = tanh (1.79)
Zw 2
b) T-Schaltung:
γl 1
Z T 1 = Z w tanh Y T2 = sinh γl (1.80)
2 Zw
Die sinh- und die tanh-Funktionen haben dabei komplexe Argumente. Die Ersatzelemente
sind in transzendenter Weise frequenzabhängig und können nicht durch Netzwerken mit einer
endlichen Anzahl diskreter Komponenten R, L und C beschrieben werden.
1.6.2 Impedanztransformation mit einer Leitung

Mithilfe der Kettenmatrix oder einer Leitungsersatzschaltung nach Abb. 1.18 kann die am
Eingang einer Leitung auftretende Impedanz Z 1 bestimmt werden, wenn die Leitung aus-
gangsseitig mit der Impedanz Z 2 belastet wird, wie es in Abb. 1.19 dargestellt ist. Mit
Z 2 = U 2 /I 2 finden wir mit (1.76) und (1.77):
Z 2 + Z w tanh γl
Z1 = Zw (1.81)
Z w + Z 2 tanh γl
Abbildung 1.19: Transformation einer Impedanz Z 2 über eine verlustbehaftete Leitung auf
die Impedanz Z 1 .
Mit der Nomierung z 1 = Z 1 /Z w und z 2 = Z 2 /Z w der Impedanzen Z 1 und Z 2 wird (1.81)

zu
z 2 + tanh γl
z1 = (1.82)
1 + z 2 tanh γl
Die komplexe tanh-Funktion kann mithilfe eines bekannten Additionstheorems in Real-

und Imaginärteil zerlegt werden:
tanh αl + j tan βl
tanh γl = tanh(α + jβ)l = (1.83)
1 + j tanh αl tan βl
Wenn die Abschlussimpedanz Z 2 der Wellenimpedanz der Leitung Z w entspricht, dann
ist nach (1.81) die Eingangsimpedanz Z 1 = Z w , wie dies zu erwarten ist.
Bei der Transformation nach (1.81) wird die Impedanz Z 2 in die Impedanz Z 1 transfor-
miert. Die Transformation von Z 1 (Z 2 ) bei konstanten γl und Z w ist eine bilineare Trans-
formation oder Möbius-Transformation. Diese Abbildung von Z 2 auf Z 1 ist winkeltreu und
kreistreu. In Abb. 1.20 ist ein Beispiel dieser Transformation dargestellt:
Wird der Realteil von Z 2 konstant gehalten und der Imaginärteil variiert, dann bewegt
sich die Impedanz Z 1 in der komplexen Ebene auf einer Kreisbahn.
Abbildung 1.20: Bilineare Transformation einer Impedanz Z 2 über eine Leitung auf die Im-
pedanz Z 1 .
Wird andererseits der Imaginärteil von Z 2 konstant gehalten und der Realteil variiert,
dann ist die Ortskurve von Z 1 wiederum ein Kreis, der den ersten Kreis im rechten Winkeln
schneidet. Die Kreistreue ist erhalten, wenn die Gerade als Spezialfall des Kreises betrachtet
wird. Bei dieser Abbildung kann ohne weitere Angabe sofort die Zuordnung der Kreise zu den
Geraden bestimmt werden: Die Gerade mit <{Z 2 } = konstant wird in den ganz in der rechten
Z 1 -Halbebene liegenden Kreis abgebildet, während die Gerade Z 2 mit ={Z 2 } = konstant im
Bereich <{Z 2 } < 0 eine aktive Impedanz darstellt und damit auch über eine verlustbehaftete
Leitung zu einer Impedanz mit negativem Realteil abgebildet werden kann.
Bei einer sehr langen, verlustbehafteten Leitung (αl 1) strebt die Eingangsimpedanz Z 1
gegen den Wellenwiderstand Z w , wie dies mit einer Grenzwertbetrachtung von (1.81) gezeigt
werden kann.
1.6.3 Impedanztransformation des Reflexionsfaktors mit einer verlustbe-

hafteten Leitung
Während die Transformation der Impedanz nach (1.81) keine einfache, mit Kopfrechnung“
”
abschätzbare Funktion ist, kann die Transformation sehr einfach dargestellt werden, wenn
statt der Impedanz Z 2 der entsprechende Reflexionsfaktor r2 bezüglich der Wellenimpe-
danz Z w betrachtet wird. In Abb. 1.21 ist der Reflexionsfaktor am Leitungsende r2 und der
auf den Leitungseingang transformierte Reflexionsfaktor r1 dargestellt.
Abbildung 1.21: Wellen und Reflexionsfaktoren einer mit der Lastimpedanz Z 2 belasteten
Leitung. Transformation des Reflexionsfaktors.
Gemäß Definition (1.66) ist der Reflexionsfaktor r2

U b2 U (l) Z − Zw
r2 = = b = 2 (1.84)
U a2 U a (l) Z2 + Zw
Am Leitungseingang ist definitionsgemäß
U b1
r1 = (1.85)
U a1
Nach (1.45) und (1.47) erfahren die hinlaufenden und die zurücklaufenden Wellen U a und
U b auf der Leitung eine Dämpfung und Phasendrehung um e−γl . Damit kann r1 als Funktion
von r2 geschrieben werden:
U b1 U e−γl
r1 = = b2 γl = r2 e−2γl (1.86)
U a1 U a2 e
r1 = r2 e−2γl = r2 e−2αl e−2jβl (1.87)

Bei einer Transformation des Reflexionsfaktors r2 über eine Leitung auf den Reflexions-
faktor r1 erfährt r2 eine Phasendrehung um 2βl in negativer Richtung (Uhrzeigersinn)
und eine Veränderung des Betrages um den Faktor e−2αl .
1.6.4 Impedanztransformation mit einer verlustfreien Leitung

Für die verlustfreie Leitung mit γl = jβl wird (1.81) zu
Z 2 + jZ w tan βl
Z1 = Zw (1.88)
Z w + jZ 2 tan βl
mit β = 2π/λ und Z w = Zw = reell
Diese Beziehung, die Transformation einer Impedanz über eine verlustfreie Leitung,
spielt in der Schaltungstechnik eine sehr wichtige Rolle: Jede Zuleitung mit einer mit der
Wellenlänge λ vergleichbaren Länge wird eine Lastimpedanz transformieren.
Der λ/4-Transformator
Ein wichtiger Spezialfall der Transformation über eine verlustfreie Leitung ist die Trans-
formation über eine Leitung der Länge l = λ/4. Die transformierte Impedanz Z 1 ist für
βl = π/2 nach (1.88):
Z2
Z1 = w (1.89)
Z2
Der Nutzen des Viertelwellenlängen-Transformators wird am folgenden Beispiel aus der
Praxis offensichtlich.
Beispiel
Gegeben: ein Generator mit Quellenwiderstand Rq = 25 Ω,
ein Lastwiderstand Z 2 = 100 Ω
betrachtete Signalfrequenz f = 100 MHz (λ = 3 m)
Gesucht: eine Methode, um die Last leistungsmäßig an den Generator anzupassen

1. Lösung: Verwendung eines Transformators mit einem Windungsverhältnis w2 /w1 = 2
nach Abb. 1.22.
Abbildung 1.22: Leistungsanpassung eines Generators an eine Last mittels eines Transforma-
tors.
Diese Transformatorlösung ist recht aufwendig. Zudem zeigen Transformatoren bei der
Frequenz von 100 MHz erhebliche Verluste. Eine wesentlich einfachere und kostengünstigere
Lösung ist:
2. Lösung: Verwendung eines λ/4-Transformators nach Abb. 1.23.
Abbildung 1.23: Impedanztransformation mit einem λ/4-Transformator.
Damit der Generator mit einer Impedanz von 25 Ω belastet wird, wird die Lastimpedanz
Z 2 mit einem λ/4-Transformator aufp Z 1 = 25 Ω transformiert. Dies geschieht, wenn nach
(1.81) die Wellenimpedanz Z w = Z 1 Z 2 , in unserem Beispiel Z w = 50 Ω, gewählt wird.
Die elektrische Länge l des λ/4-Transformators beträgt dabei l = λ/4 = 75 cm. Die
gleiche Impedanztransformation tritt auch bei einer Leitungslänge auf, die einem ungeraden
Vielfachen von λ/4 entspricht: l = λ/4, l = 3λ/4, l = 5λ/4...
Die λ/2-Leitung
Als weiteren Spezialfall betrachten wir die Transformation über eine Leitung der Länge
λ/2. Mit βl = π wird Z 1 nach (1.88): Z 1 = Z 2
Eine verlustlose Leitung der Länge l = λ/2, λ, 3λ/2... transformiert eine Impedanz Z 2
unabhängig von der Wellenimpedanz Z w auf den gleichen Wert Z 1 = Z 2 .
Transformation von Leerlauf und Kurzschluss
Als weitere Spezialfälle der Transformationen von Impedanzen über verlustfreie Leitun-
gen betrachten wir den transformierten Kurzschluss und den transformierten Leerlauf nach
Abb. 1.24.
Abbildung 1.24: Transformation von Kurzschluss und Leerlauf über eine verlustfreie Leitung.
Beim Kurzschluss mit Z 2 = 0 wird nach (1.88) die Eingangsimpedanz:
Z 1K = jZ w tan βl (1.90)
Beim Leerlauf mit Z 2 = ∞ wird die Eingangsimpedanz:
Z 1L = −jZ w cot βl (1.91)

Aus (1.90) und (1.91) folgt p

Zw = Z 1K Z 1L (1.92)
(1.92) gilt auch für verlustbehaftete Leitungen. Für eine Leitungslänge l = λ/8 sind die
Kurzschluss- und Leerlaufimpedanzen: Z 1K (l = λ/8) = jZ w und Z 1L (l = λ/8) = −jZ w .
Die behandelten Spezialfälle des transformierten Kurzschlusses und des transformierten Leer-
laufs haben gezeigt, dass je nach Leitungslänge Z 1 induktiv (Im{Z 1 } > 0) oder kapazitiv
(Im{Z 1 } < 0) sein kann. In Abb. 1.25 sind die Impedanzen Z 1K und Z 1L in Funktion von
βl bzw. l dargestellt.
Abbildung 1.25: Normierte transformierte Kurzschlussimpedanz und Leerlaufimpedanz in

Funktion von βl bzw. l
Der Verlauf von Z 1K und Z 1L ist periodisch mit der Leitungslänge, mit der Periode
∆l = λ/2 bzw. ∆βl = π. Die Pole und Nullstellen von Z 1K entsprechen Nullstellen und
Polen von Z 1L .
Abb. 1.26 zeigt das elektrische Verhalten kurzgeschlossener und leerlaufender Leitungen mit
verschiedenen Längen.
Abbildung 1.26: Das elektrische Verhalten von kurzgeschlossenen und leerlaufenden Leitungen
der Längen l λ/4 und l = λ/4 + nλ/2; n = 0, 1, 2, ....
Abb. 1.26 a) und b): für kurze Leitungslängen l λ/4 verhält sich die kurzgeschlossene
Leitung induktiv und die leerlaufende Leitung kapazitiv.
Abb. 1.26 c) und d): für Leitungslängen l = λ/4 + nλ/2; n = 0, 1, 2... verhält sich die
kurzgeschlossene Leitung wie ein Parallelresonanzkreis und die
leerlaufende Leitung wie ein Serienresonanzkreis.
Das umgekehrte Verhalten finden wir für Leitungslängen l = nλ/2; n = 1, 2, 3...
In der Hochfrequenztechnik spielen Leitungselemente dank handlicher Wellenlängen ei-

ne besonders wichtige Rolle. Sie werden in allen Schaltungen, wie Anpassungen, Filter,
Koppler usw. anstelle von Induktivitäten, Kapazitäten, Serie- und Parallelresonanzkreisen
eingesetzt.
1.7. DAS SMITH-DIAGRAMM 31
1.7 Das Smith-Diagramm

Die Transformation der Impedanz (1.81) und des Reflexionsfaktors (1.87) über eine Leitung
zeigt, dass es einfacher wäre mit dem Reflexionsfaktor r zu arbeiten. Wenn andererseits eine
Leitung ein Teil eines Netzwerkes ist, das auch konzentrierte Elemente beinhaltet, kann nicht
auf die Darstellung mit Impedanzen verzichtet werden, wie folgendes Beispiel zeigt:
Abbildung 1.27: Beispiel der Transformation von konzentrierten Elementen über eine Leitung.
Die Eingangsimpedanz Z 0 der Schaltung nach Abb. 1.27 kann mit folgendem Vorgehen
ermittelt werden:
1
1. Bestimmung der Lastimpedanz: Z 2 =
1/R2 + jωC2
Z2 − Zw
2. Bestimmung des ausgangsseitigen Reflexionsfaktors: r2 =
Z2 + Zw
3. Transformation des Reflexionsfaktors auf die Eingangsseite: r1 = r2 e−2γl
1 + r1
4. Bestimmung der Impedanz: Z 1 = Z w
1 − r1
1
5. Bestimmung der Eingangsimpedanz: Z 0 =
1/Z 1 + jωC1
Bei der Bestimmung der Impedanz Z 0 wird zwischen der Impedanz-, Admittanz- sowie
der Reflexionsfaktordarstellung gewechselt. Eine Methode zur schnellen, graphischen Um-
wandlung zwischen diesen drei Darstellungen wäre daher vorteilhaft. Das Smith-Diagramm
stellt ein solches einfaches Hilfsmittel dar und wird bei der Analyse von Schaltungen mit
Leitungselementen angewendet. Es wurde zu einer Zeit erfunden, als von Taschenrechnern
mit komplexen Funktionen noch nicht die Rede war. Heute wird schon die Schaltungsanalyse
von einfachen Systemen numerisch vorgenommen. Das Smith-Diagramm bleibt jedoch
weiterhin bei der Darstellung und schnellen Umrechnung von Z und Y auf r in Verwendung.
Nach (1.68) ist der Reflexionsfaktor r
Z − Zw z−1
r = ξ + jη = = (1.93)
Z + Zw z+1
Z Abschlussimpedanz
mit z: normierte Impedanz z = u + jv = =
Zw Wellenimpedanz
Der Reflexionsfaktor ist eine bilineare Abbildung (Möbius-Transformation) der nor-

mierten Impedanz z. Bei allen praktischen Anwendungen ist dabei die Bezugs- oder
Wellenimpedanz Z w rein reell.
Das Smith-Diagramm ist die Abbildung der komplexen z-Ebene in die komplexe r-Ebene:
z−1
r = ξ + jη = (1.94)
z+1
1.7.1 Eigenschaften des Smith-Diagramms

Abb. 1.28 zeigt die Transformation der komplexen Ebene der normierten Impedanz z in die
komplexe Ebene des Reflexionsfaktors r.
Abbildung 1.28: Abbildung der positiven reellen Achse u und der imaginären Achse v der
normierten Impedanz z in der komplexen Ebene des Reflexionsfaktors r.
a) Abbildung der positiven reellen Achse z = u + jv mit u = 0...∞ und v = 0.

u−1
r = ξ + jη = = −1...1 (1.95)
u+1
Die positive reelle Achse der z-Ebene wird in die Strecke −1 ≤ r ≤ 1 abgebildet.
b) Abbildung der imaginären Aachse z = u + jv mit u = 0 und v = −∞...∞.
jv − 1
r= (1.96)
jv + 1
Da nach der obigen Gleichung |r| = 1 gilt, wird die imaginäre Achse der z-Ebene in
den Einheitskreis der r-Ebene abgebildet.
Abb. 1.28 verdeutlicht eine weitere Eigenschaft konformer Abbildungen, die Winkeltreue.
Der rechte Winkel zwischen den Achsen der z-Ebene bleibt bei der Transformation erhalten,
d. h. der Einheitskreis (Abbildung von z = jv = −j∞...j∞) und die Strecke −1 < r < +1
(Abbildung von z = u = 0...∞) schneiden sich unter einem rechten Winkel.
Abb. 1.29 zeigt die Transformation der Geradenschar z = u + jv mit u = konstant in die
r-Ebene.
Abbildung 1.29: Abbildung der Geradenschar z = u + jv der normierten Impedanz z mit

u = konstant in der komplexen Ebene des Reflexionsfaktors r.
Die Geraden u = konstant gehen in Kreise mit Mittelpunkten auf der ξ-Achse über.
u−1
Der Punkt z = u + j0 wird abgebildet auf r = ξ = , η = 0.
u+1
Der Punkt z = u ± j∞ wird abgebildet auf r = ξ = 1, η = 0.
Abb. 1.30 zeigt die Abbildung der Geradenschar z = u + jv mit v = konstant in der
r-Ebene. Sie besteht aus Kreisen mit Mittelpunkten auf der Geraden ξ = 1. Diese Kreise
gehen durch r = 1 und schneiden den Einheitskreis rechtwinklig.
Abbildung 1.30: Abbildung der Geradenschar z = u + jv der normierten Impedanz z mit

v = konstant in der komplexen Ebene des Reflexionsfaktors r.
Es gilt allgemein:
z−1 u + jv − 1
r = ξ + jη = = (1.97)
z+1 u + jv + 1
1+r 1 + ξ + jη
z = u + jv = = (1.98)
1−r 1 − ξ − jη
Nach u und v aufgelöst durch Zerlegung in Real- und Imaginärteile:
1 − (ξ 2 + η 2 ) 2 2η
u= (ξ + η 2 ) v= (1.99)
(1 − ξ)2 + η 2 (1 − ξ)2 + η 2
Daraus finden wir die Gleichungen der Kreisscharen für u = konstant und v = konstant
(ξ − ξ0 )2 + η 2 = ρ2u (ξ − 1)2 + (η − η0 )2 = ρ2v (1.100)
mit
u 1 1
ξ0 = , ρu = , η0 = ρv = (1.101)
1+u 1+u v
Abbildung 1.31: Kreisscharen im Smith-Diagramm für u = konstant und v = konstant.
Wie Abb. 1.31 veranschaulicht, wird durch (1.100) der passive Bereich, d. h. die rechte
Hälfte der z-Ebene (<{z} > 0), in das Innere des Einheitskreises der r-Ebene abgebildet.
Abb. 1.32 zeigt das Smith-Diagramm in der Form, wie es in der Praxis angewendet wird.
Abbildung 1.32: Smith-Diagramm für den praktischen Gebrauch.

1.7.2 Anwendung des Smith-Diagramms

Umwandlung zwischen Impedanz und Reflexionsfaktor
Beispiel 1:
Bestimmung des Reflexionsfaktors r einer Impedanz Z L bezüglich der Wellenimpedanz Z w
Leitung: Koaxialkabel für Fernsehen mit Z w = 75 Ω

Abschlussimpedanz der Leitung: Z L = 150 Ω + j25 Ω
Abbildung 1.33: Bestimmung des Reflexionsfaktors r aus dem Smith-Diagramm.
Mithilfe des Smith-Diagramms nach Abb. 1.33 wird die Aufgabe graphisch gelöst:
1. Berechnung der auf Z w normierten Impedanz z
ZL
z= = 2 + j0.33 (1.102)
Zw
2. Eintragen des Wertes von z in das Koordinatennetz des Smith-Diagramms
3. Bestimmung des Reflexionsfaktors r durch Ausmessen der Koordinaten
|r| = 0.35 (1.103)

∠r = 12◦ (1.104)
Bestimmung des Reflexionsfaktors entlang einer Leitung
Nach (1.87) transformiert sich der Reflexionsfaktor r in Abhängigkeit der Ortskoordinate

z über:
r(z) = r(l)e−2γ(l−z) = r(l)e−2α∆z e−2jβ∆z (1.105)

mit ∆z = l − z.
Beispiel 2:
Für den Fall der verlustlosen Leitung (α = 0) bewirkt (1.105) im Smith-Diagramm nur eine
Drehung des Reflexionsfaktors um den Winkel
− 2β∆z = −4π∆z/λ (1.106)
Wenn wir Beispiel 1 weiterführen und uns für den Reflexionsfaktor r(z) interessieren, den
wir in einer Distanz von ∆z = l − z = λ/8 von der Abschlussimpedanz messen würden, dann
entspricht diese Verschiebung einer Phasendrehung des Reflexionsfaktors um
2π λ π
−2 · =− (1.107)
λ 8 2
Damit wird r(z) = 0.35∠(12◦ − 90◦ ) = 0.35∠ − 78◦
Die Phasendrehung des Reflexionsfaktors ist in Abb. 1.34 dargestellt.
Abbildung 1.34: Transformation des Reflexionsfaktors r entlang einer verlustlosen Leitung

für eine Distanz von ∆z = λ/8.
Wir entnehmen aus dieser Darstellung auch die transformierte Impedanz Z(z)
Z(z) = (0.95 − j0.75) · 75 Ω = 71.25 Ω − j56.25 Ω

Beispiel 3:
Für den Fall der verlustbehafteten Leitung (α > 0) erfährt der Reflexionsfaktor nach
(1.105) zusätzlich zur Drehung noch eine Reduktion seines Betrages um den Faktor e−2α(l−z) .
Abb. 1.35 zeigt als Beispiel die Transformation der normierten Impedanz z(l) = 0.5 + j2 über
eine Leitung mit einem Dämpfungsbelag α = 0.25/λ.
Abbildung 1.35: Transformation des Reflexionsfaktors r entlang einer verlustbehafteten Lei-

tung.
Für die normierte Impedanz z(l) wird ein Reflexionsfaktor r(l) = 0.825∠51◦ aus dem
Smith-Diagramm abgelesen. Durch Transformation des Reflexionsfaktors mit (1.105) und
verschiedenen Werten von z erhalten wir
z l l − λ/8 l − λ/4 l − 3λ/8 l − λ/2

r 0.825∠51◦ 0.775∠ − 39◦ 0.728∠ − 129◦ 0.684∠141◦ 0.643∠51◦
Umwandlung zwischen Admittanz und Reflexionsfaktor
Mit der normierten Impedanz z = Z/Z w und normierten Admittanz y = Y /Y w = 1/z

ist nach (1.94)
z−1 y−1
r= =− (1.108)
z+1 y+1
Die Abbildung r(y) entspricht also der Abbildung von −r(z).
Die Abbildung r(y) entspricht der mit -1 multiplizierten Abbildung r(z), d. h. das um
180◦ gedrehte Smith-Diagramm liefert die Abbildung r(y).
Abb. 1.36 a) zeigt ein Ablesebeispiel eines Reflexionsfaktors als Funktion einer normierten
Admittanz mithilfe des um 180◦ gedrehten Smith-Diagramms.
Abbildung 1.36: Graphische Methoden zur Konversion zwischen normierter Admittanz y,

Reflexionsfaktor r und normierter Impedanz z.
a) Drehung des Smith-Diagramms um 180◦ gibt die Abbildung der komplexen y-Ebene in die
komplexe r-Ebene.
b) Drehung von r um 180◦ zur Ablesung von y im Smith-Diagramm.
Da sich die Abbildungen von r(z) und r(y) = r(1/z) nur durch das Vorzeichen unterschei-
den, kann das Smith-Diagramm auch zur Bildung des reziproken Wertes einer komplexen
Zahl oder zur Umwandlung einer normierten Impedanz in eine Admittanz verwendet werden.
Ausgehend von einer normierten Impedanz z wird im Smith-Diagramm der zugehörige
Reflexionsfaktor r bestimmt. Der mit -1 multiplizierte Reflexionsfaktor r führt im Smith-
Diagramm zum Wert y, dem zu z reziproken Wert. Abb. 1.36 b) veranschaulicht dieses
Verfahren.
Die Admittanzdarstellung ist bei der Berechnung von Parallelschaltungen vorteilhaft, da
parallele Leitwerte einfach addiert werden können.
Beispiel 4:
Bestimmung der Eingangsimpedanz ZE einer Parallelschaltung mit der Wellenimpedanz Zw .
Abbildung 1.37: Graphische Bestimmung der Eingangsimpedanz ZE einer Schaltung mit

parallel geschalteten Leitungsstücken.
Die Eingangsimpedanz ZE entsprechend Abb. 1.37 kann wie folgt bestimmt werden:
Z0 l1
1. Transformation der normierten Impedanz z0 = nach z00 (Drehung um )
Zw λ
2. Admittanzdarstellung von z00 zu y00
Z1 l2
3. Transformation der normierten Impedanz z1 = nach z10 (Drehung um )
Zw λ
4. Admittanzdarstellung von z10 zu y10
5. Berechnung von y 00 = y00 + y10 und Konvertierung in Impedanzform zu z 00

l3
6. Transformation von z 00 nach zE (Drehung um ) und es folgt ZE = zE · Zw
λ
1.7.3 Lösung von Anpassungsproblemen mit dem Smith-Diagramm
Anpassung mit zwei Reaktanzen
Viele Bauelemente/Schaltungen benötigen eine Impedanz am Eingang, die vom Leitungs-

wellenwiderstand der Zuleitung abweicht, oder man möchte die Bauelemente/Schaltungen an
eine Leitung anpassen. Für eine konstante Frequenz kann man mit einem einfachen Zweitor,
das aus zwei Reaktanzen besteht, eine beliebige, passive Impedanz an einen Leitungswellen-
widerstand anpassen.
Anpassungs- Anpassungs-
Z1 Zw
netzwerk netzwerk
Zw Z1
Abbildung 1.38: Anpassungszweitor, mit dem eine beliebige, passive Impedanz Z 1 in den
Leitungswellenwiderstand Zw gewandelt wird (links) oder umgekehrt (rechts).
Es gibt acht mögliche Anpassungsnetzwerke mit zwei Reaktanzen (Abb. 1.39), wobei für
die einzelnen Reaktanzen entweder eine Spule oder ein Kondensator verwendet werden kann.
jXs jXs
jXp jXp
Abbildung 1.39: Anpassungszweitore mit zwei Reaktanzen.
Verwendet man die linke Schaltung aus Abb. 1.39, um eine beliebige passive Impedanz
Z 1 in den Leitungswellenwiderstand Zw umzuwandeln (Abb. 1.38 links), gilt
1 1 1
= + . (1.109)
Zw Z 1 + jXs jXp
Aus dieser komplexen Gleichung lassen sich die beiden Unbekannten Xs und Xp bestimmen
p
Xs = −={Z 1 } ± Zw <{Z 1 } − <{Z 1 }2 (1.110)
<{Z 1 }2 + (={Z 1 } + Xs )2
Xp = − . (1.111)
={Z 1 } + Xs
Da jXs rein imaginär sein soll, muss 0 ≤ <{Z 1 } ≤ Zw gelten. Dies bedeutet, dass mit
dem linken Anpassungsnetzwerk keine Impedanzen angepasst werden können, die im Kreis
|Γ − 1/2|2 = 1/4 liegen (entspricht <{Z 1 } > Zw ), wobei Zw als Normierungsimpedanz für
das Smith Chart verwendet werden muss. Dies ist der Kreis, der durch die Punkte Γ = 0 und
Γ = 1 geht und symmetrisch zur reellen Achse ist.
Xs Xs
Xp ={Γ} Xp ={Γ}
<{Γ} <{Γ}
Abbildung 1.40: Anpassungsbereich (weiß) für eine Serienspule und einen parallelen Konden-
sator. Im schraffierten Bereich ist keine Anpassung möglich. Als Normierungsimpedanz muss
der Leitungswellenwiderstand der Leitung verwendet werden.
Xs Xs
Xp ={Γ} Xp ={Γ}
<{Γ} <{Γ}
Abbildung 1.41: Anpassungsbereich (weiß) für eine parallele Spule und einen Reihenkonden-
sator.
Legt man noch den Typ der Serienimpedanz (Spule/Kondensator) fest, gibt es weitere
Einschränkungen. Soll das diskrete Bauteil Xs rein induktiv sein, muss Xs > 0 gelten. Dies ist
für ={Z 1 } < 0 unter der genannten Bedingung immer der Fall. Ist ={Z 1 } > 0, muss zusätzlich
<{Y 1 } > 1/Zw mit Y 1 = 1/Z 1 gelten. Dies ergibt einen Halbkreis mit |Γ + 1/2|2 = 1/4
und ={Γ} > 0.
Wählt man in (1.110) das positive Vorzeichen, ist die parallele Reaktanz immer eine Kapa-
zität und es ergibt sich für diese Schaltung der in Abb. 1.40 links gezeigte Anpassungsbereich.
Verwendet man die rechte Schaltungstopologie aus Abb. 1.39, folgt genau der umgekehrte Fall
(Abb. 1.40 rechts).
Die anderen sechs möglichen Netzwerke und ihre Anpassungsbereiche sind in den
Abb. 1.41 bis 1.43 dargestellt.
Xs Xs
Xp ={Γ} Xp ={Γ}
<{Γ} <{Γ}
Abbildung 1.42: Anpassungsbereich (weiß) für einen Parallel- und einen Reihenkondensator.
Xs Xs
Xp ={Γ} Xp ={Γ}
<{Γ} <{Γ}
Abbildung 1.43: Anpassungsbereich (weiß) für eine Parallel- und eine Reihenspule.
Die Anpassung kann leicht im zy-Smith Chart durchgeführt werden. In Abb. 1.44 ist eine
Eingangsimpedanz von z 1 = (1 − j)/2 dargestellt, zu der entweder eine Reiheninduktivität,
eine Reihenkapazität, eine parallele Induktivität oder eine parallele Kapazität hinzugefügt
wird. Im Fall der Reiheninduktivität bewegt man sich auf einem Kreis mit konstantem Real-
teil der Impedanz (z-Koordinatensystem) im Uhrzeigersinn und im Fall einer Reihenkapazität
entgegen dem Uhrzeigersinn. Handelt es sich um eine Parallelschaltung, bewegt man sich auf
einem Kreis mit konstantem Realteil der Admittanz (y-Koordinatensystem). Im Uhrzeiger-
sinn addiert man eine Kapazität und in die andere Richtung eine Induktivität. Somit können
alle notwendigen Schritte der Anpassung im zy-Smith Chart durchgeführt werden.
0.0 —> WAVELE
0.49
–X s 0.48
LOAD <— 0.0 0.49
NGTHS
TOW
ARD
GEN
s
+X 44
WARD
7 TH S TO ± 180 0.48 ERA
0.4 ENG -170 170 TO
V EL 0.4
R—
>
WA 7
6 <— -90 90
160 0.0
4
0.4 -160
50
50
20
20
10
10
4
0.1
0.1
-85 85 0.4
6
0.0
50
5 0 15
0
0.0
5
0.4 80
0.2
0.2
o)
-15 -80
5.0
5.0
20 IND
5 jB/Y UCT 0.4
0.0 E (+ IVE 5
NC
4.0
4.0
TA RE
EP AC
4 4 -7 5 C 0.1 TA 75 0.
06
0.3
0.3
0. 40 US 10 NC 14
0 0.
06 -1 ES EC
0
44
3.
0. TIV OM
3.
0
CI PO
APA NE
C
0.
4
70
43
0.
-70 R
NT
4
0.
0.
07
O (+
0.
07
), jX
0.
43
30
13
Zo 0.2 /Z
-1
X/
o)
(-j
5.0
,O
NT
R
2
NE
IN
0.0
0. 5 65
8
-65 5
0.4
8
4.0 0.
PO
DU
0.4
0 2.
0.0
0
M
2.
CT
0.3
CO
IV
0
E
12
0
-12
CE
SU
1.8
1
1.8
AN
3.0
0.0
9
0.6
0.4
9
CT
CE
0.6 60
0.4
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo)

-60
0.0
1
0.4
PT
REA
CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
1.6
AN
1.6
E
Reihen L
CE
ITIV
(-jB
110
0.7
-110
0.5
AC
0.4
0.1
0.7
0.1
0.4
/Yo
2.0
)
5 55
CAP
1.4 1.4
-5
1.8
0.6
0.8 0.8
0
1.
1.6
1.
0
0.39
0.11
1. 0
0
0.11
0.39
0.7
1.
Parallel C
100
-100
1.2
0.8
0.8
1.2
0.
1.4
8
0.
0 50
-5 0.8
0.9 0.9
0.6
0.6
0.6
0.6
1.2
0.9
0.4
0.4
0.38
0.12
0.12
0.38
0.4
0.4
0.2
0.2
0.2
0.2
1.0 1.0 1.0
90
-90
1.0 1.0 1.0
5 45
0.2
0.2
0.2
0.2
-4
0.4
0.4
0.9
0.4
0.4
1.2
0.13
0.37
0.37
0.13
0.6
0.6
0.9
0.6
0.6
0.8 0.9
0.
8
0.
1.4 1.2
0.8
0.8
1.2
Parallel
80
-80
0.7
0
1. 0
0
0
1.
40
1.
-4
1.
0
Reihen C
0.14
0.36
1.6
0.36
0.14
0.8 0.8
0.6
1.8
1.4 1.4
2.0
0.15
0.35
0.7 0.5 0.7
0.35
0.15
70
-70
35
-3
1.6
1.6 0.4
6
0.3
4
0.1
4
0.6
0.1
0.6
3.0
0.3
6
1.8
1.8
60
-60
30
-30
0.3
7
0 2.
0
0.3
KAPITEL 1.
2. 4.0
3
0.1
3
0. 5
0.1
5 0.
0.3
7
5.0
Abbildung 1.44: Anpassung im zy-Smith Chart.

0
25
-25
50
-5
0.
0.2
18
0.
32
4
0.
0.
32
4
0.
0.
18
0
3.
3.
0
0.
20
-20
19 31
0 10
0. 40
-4 0.
0.3
0.3
31 0.1 19
0.
4.0
4.0
0.3
15
0.2 20
-15
5.0
5.0
0.2
0.2
30 0.2
0.3 -30
1 50
0.2
9
10
10
10
-10
0.2
0.1
0.1
20
20
ANG
50
50
9 LE OF EES 20 0.2
0.2 -20 TRANSM DEGR 1
2 ISSION COEFFICIENT IN 8
0.2
0.2 ANGL
E OF R REES
8 0.27 EFLECTION COEFFICIENT IN DEG 2
0.2
0.2 0.23
0.26 0.24
0.23 0.25
p 0.27
0.24 0.26
0.25
+B –B p
LEITUNGSTHEORIE
Ein Beispiel für die Anpassung einer Eingangsimpedanz mit dem Wert Z 1 = 10 Ω + j10 Ω
an eine 50 Ω-Leitung bei 500 MHz ist in Abb. 1.45 dargestellt:
1. Die normierte Impedanz z 1 = 0.2 + j0.2 wird in das zy-Smith Chart eingetragen
(Punkt A).
2. Die Impedanz wird bei konstantem Realteil solange im Uhrzeigersinn gedreht, bis
der Admittanz-Kreis mit konstantem Realteil erreicht wird, der durch den Ursprung
(Punkt C mit z = y = 1) geht (Punkt B mit z = 0.2 + j0.4, y = 1 − j2.0).
3. Die Reihenimpedanz kann am Rand des Smith Charts abgelesen werden. Ihr Wert ist
durch die Änderung des Imaginärteils der Impedanz von Punkt A nach B gegeben.
4. Die Parallelkapazität wird durch die Differenz der Imaginärteile der Admittanzen der
Punkte C und B bestimmt.
5. Der reflexionsfreie Abschluss ist geschafft, da der Endpunkt C genau auf den Ursprung
des Smith Charts fällt (Γ = 0).
Man erkennt leicht, dass es weitere Lösungen gibt. Bewegt man sich in beiden Fällen
gegen den Uhrzeigersinn, ergibt sich eine Schaltung mit einer Reihenkapazität und einer
Parallelinduktivität (Abb. 1.47).
Im ersten Fall ergibt sich jXs = j0.2 für die normierte Reiheninduktivität und jXp = −j0.5
(jBp = j2.0) für die Parallelkapazität. Nach der Entnormierung folgt für die Spule j10 Ω
und für die Kapazität −j25 Ω. Um diese Impedanzen bei 500 MHz zu realisieren, muss
die Induktivität 3.18 nH betragen und die Kapazität 12.7 pF (Abb. 1.46). Im zweiten Fall
erhält man 10.6 pF und 7.95 nH (Abb. 1.48). Man beachte, dass diese Anpassung nur für die
angegebene Frequenz gilt (Abb. 1.49). Für eine breitbandige Anpassung sind aufwendigere
Netzwerke erforderlich.
Der umgekehrte Fall, die Wandlung des Leitungswellenwiderstands in eine beliebige

passive Impedanz (Abb. 1.38 rechts), kann leicht auf den umgekehrten Fall zurückgeführt
werden. Für die linke Schaltung in Abb. 1.39 ergibt sich
1
Z1 = 1 1 + jXs . (1.112)
Zw + jXp
Löst man nach Zw auf, erhält man

1 1 1
= − . (1.113)
Zw Z 1 − jXs jXp
Die Reaktanzen haben nun genau das umgekehrte Vorzeichen verglichen mit (1.109). Dies
kommt daher, dass man sich nun vom Ursprung des Smith Charts zum Punkt für Z 1 bewegt
und damit die Bewegungsrichtung und den Drehsinn umkehrt.
Im Fall von Leistungsanpassung passt man statt an Z 1 an den konjugiert komplexen Wert
∗
Z 1 an
1 1 1
= ∗ − . (1.114)
Zw Z 1 − jXs jXp
Die Eingangsimpedanz auf der linken Seite des Anpassungsnetzwerks ist dann wieder Zw , da
(1.114) dem konjugiert komplexen von (1.109) entspricht. Dies muss so sein, da die Reflekti-
onsfreiheit auf der Leitung auch die Leistungsanpassung einschließt (siehe Abs. 3.3).
0.12 0.13
0.11 0.14
0.38 0.37 0.15
0.1 0.39 0.36
90
100 80 0.35
9 0.4 0.1
0.0 6
45
50
1 110 40 70 0.3
1.0
1.0
0.4 4
0.9
0.9
1.2
1.2
0.1
55
8
0.8
0.8
0.0 35
7
1.4
1.4
2 0.3
0.7
0.7
60
0.4 12
0 3
0.6 60
)
1.6
1.6
/Yo 0.
07 (-jB 18
0. 30
0.6
CE 0.
43 AN 0.2 32
1.8
1.8
0. PT 0.2
E 50
5 65
0 SC
13 SU
2.
0
2.
0.
E
06
0.
0.
IV
5
25
19
0.
CT
44
0.
DU j2.0
31
0.
IN
70
R 0.4
,O 0.4
0
o)
0.
40
14
5
0.2
0. 4
0.0
/Z
5
jX
0.3
20
0.4
(+
3.
NT
0 0
3.
75
0.6
NE
0.6
B
PO
4
0.2
0.0
OM
0.3
6
0.2
0
0.3
30
1
0.4
15
EC
9
0.8
j0.2 0.8 15
>
4.0
NC
R—
4.0
80
TA
s
TO
1.
AC
0.2
0 1.
+X
–B p
ERA
0.2
RE
0.4
2
5.0 1. 5.0
8
IVE
1.
GEN
0.2
0
160
0.2
20
85
UCT
0. 10
ARD
8 8
0.
IND
0.23
0.48
0.27
TOW
ANG
90
0.6
0.6
ANGL
A
NGTHS
LE OF
10 10
E OF R
170
0.1 0.4 0.1

0.4
TRANSM
0.24
0.0 —> WAVELE
0.49
0.26
E
20
FLECTION COEFFICIENT
20
0.2 0.2
ISSION COEFFICIENT IN
50 RESISTANCE COMPONENT (R/Zo) 50
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.25
0.25
± 180
0.0
50
20
10
5.0
4.0
3.0
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
C
50 50
LOAD <—
0.2 0.2
20 20
0.24
0.49
0.26
IN
WARD
0.4
-170
D
0.1 0.4 0.1
DEGR
EG
10 10
REES
S TO
0.6
EES
0.6
-90
0.23
0.48
0.27
o)
H
jB/Y
T
ENG
0. 8
8 0.
E (+
-10
L
-160
-85
-20
0.2
E
0.2
NC
–X s
1.
5.0
WA
1.
0.2
+B
5.0
0
TA
7
0.2
1.
0.4
2
EP
0
<—
0 1.
p
C
US
4.0
-80
4.0
ES
0.8
0.8 -15
TIV
4
0.2
0
0.3
-30
0.0
0.3
-15
6
0.2
CI
1
0.4
PA
9
0.6
A
0.6
5
3. 0
-7
0 3.
R
O
5
0.2
),
-20
0.0
Zo
0.
5
0.3
4
X/
0.4
0. 4
40
-4
(-j
-1
0.4 0.4
NT
-70
NE
06
0.
PO
19
0.
M
-25
4
0.
O
4
0.
C
31
0.
0.
2.
.0
E
5
NC -5
0
30 TA 0
-65
-1 AC 0.2 0.
1.8
1.8
07 RE 0.2 18
0. E
0.6
0.6
ITIV 0.
43 AC -30 32
0.
1.6
1.6
CAP
-60
0 -60 0.1
0.7
0.7
-12 0.08
1.4
1.4
7
35 0.3
0.8
0.8
2 -
0.4
1.2
1.2
3
5
0.9
0.9
-5
1.0
1.0
9 -70 0.1
-11 0 0 .0 0 6
0
-4
-5
0.3
-4
.41 0.15 4
0.1 0 -100 -80
-90
0.11 0.14 0.35
0.4 0.12 0.13
0.39 0.36
0.38 0.37
Abbildung 1.45: Anpassung im zy-Smith Chart mit einer Reiheninduktivität und einer Par-
allelkapazität.
L = 3.18nH
R = 10Ω
C = 12.7pF
L = 3.18nH
Abbildung 1.46: Anpassnetzwerk für das Beispiel in Abb. 1.45.

0.12 0.13
0.11 0.14
0.38 0.37 0.15
0.1 0.39 0.36
90
100 80 0.35
9 0.4 0.1
0.0 6
45
50
1 110 40 70 0.3
1.0
1.0
0.4 4
0.9
0.9
1.2
1.2
0.1
55
8
0.8
0.8
0.0 35
7
1.4
1.4
2 0.3
0.7
0.7
60
0.4 12
0 3
0.6 60
Yo)
1.6
1.6
0.
0.
07 -jB/ 30
18
E(
0.6
NC 0.
43 TA 0.2 32
1.8
1.8
0. 0.2
EP 50
5 65
0 C
13 SU
S
2.
0
2.
0.
E
06
0.
0.
IV
5
25
1
0.
CT
9
4
0.
DU
4
31
0.
IN
70
R 0.4
,O 0.4
0
o)
0.
40
14
5
0.2
0. 4
0.0
/Z
5
jX
0.3
20
0.4
(+
3.
NT
0 0
3.
75
0.6
NE
0.6
PO
4
0.2
0.0
OM
0.3
6
0.2
0
0.3
30
1
0.4
15
EC
9
0.8
0.8 15
>
4.0
NC
R—
4.0
80
TA
s
TO
1.
AC
0.2
0 1.
+X
–B p
ERA
.47
0.2
RE
2
5.0
5.0
1.
0
0
8
IVE
1.
GEN
0.2
0
160
0.2
20
85
UCT
0. 10
A
ARD
8 8
0.
IND
0.23
0.48
0.27
TOW
ANG
90
0.6
0.6
ANGL
NGTHS
LE OF
10 10
E OF R
170
0.1 0.4 0.1

0.4
TRANSM
0.24
0.0 —> WAVELE
0.49
0.26
EFLECTION COEFFICIENT IN DEG
20 20
0.2 0.2
50 RESISTANCE COMPONENT (R/Zo) 50
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.25
0.25
± 180
0.0
50
20
10
5.0
4.0
3.0
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
C
50 50
—
-j0.6 0.2 0.2

D LOAD <
20 20
0.24
0.49
0.26
0.4
-170
0.1 0.4 0.1

R
DEGR
A
10
W
10
REES
O
0.6
EES
HS T
0.6
-90
0.23
0.48
0.27
/Yo)
GT
0.
(+jB
8
LEN
8 0. -10
-160
-85
CE
-20
0.2
E
0.2
–X s
1.
0
AN
5.0
WA
1.
0.2
+B
5.0
0
7
0.2
PT
1.
0.4
2
0
<—
0 1.
CE
p
S
4.0
-15 -80
SU
0.8 4.0
0.8 -15
E
TIV
4
0.2
0
0.3
-30
0.0
0.3
6
0.2
CI
1
0.4
PA
9
B
0.6
CA
0.6
-75
3. 0
0 3.
R
O
5
0.2
),
-20
0.0
Zo
0.
5
0.3
4
X/
0.4
0. 4
40
-4
(-j
-1
0.4 0.4 0
NT
-70
NE
-j2.0
06
0.
PO
19
0.
M
-25
44
0.
CO
5
0.
31
0.
0.
2.
CE
2. 5
-5
0
30 AN 0
-65
-1 CT 0.
EA 0.2
1.8
1.8
07 0.2 18
0. ER
0.6
0.6
IV 0.
43 AC
IT -30 3
0. 2
1.6
1.6
CAP
-60
0 -60 0.1
0.7
0.7
8
0.0 -12
1.4
1.4
7
5 0.3
0.8
0.8
2 -3
0.4
1.2
1.2
3
5
0.9
0.9
-5
1.0
1.0
9 -70 0.1
0.0 -110 0 6
0
-4
-5
0.3
-4
1
0.4 0.1 -100 -80 0.15 4
-90
0.11 0.14 0.35
0.4 0.12 0.13
0.39 0.36
0.38 0.37
Abbildung 1.47: Anpassung im zy-Smith Chart mit einer Reihenkapazität und einer Paral-
lelinduktivität.
C = 10.6pF
R = 10Ω
L = 7.95nH
L = 3.18nH
Abbildung 1.48: Anpassnetzwerk für das Beispiel in Abb. 1.47.

0.9
1
0.8
0.7
0.6
1.5
0.5
2
4
0.
0.3 3
10GHz
0.2 4
5
0.1
10
0Hz
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1 1.5 2 3 4 5 10 2020
0Hz
1 500MHz −20
−0.10GHz
−10
2
−0.
−5
.3
−0
−4
4
0. −3
−
.5
−0
−2
.6
−0
5
−0.
−0.8
−1.
−0.9
−1
Abbildung 1.49: Reflexionsfaktor des linken Tors für die Beispiele in Abb. 1.46 (rot) und
Abb. 1.48 (blau) als Funktion der Frequenz von 0 bis 10GHz.
Anpassung mit einer Leitung
Nach (1.106) erfährt der Reflexionsfaktor r entlang einer verlustfreien Leitung eine Dre-
hung um den Winkel 4π∆z/λ, wobei ∆z = l−z der Abstand zwischen der Messebene und der
Abschlussimpedanz Z L ist. Wie aus Abb. 1.50 ersichtlich ist, kann mittels einer verlustfreien
Leitung mit der Wellenimpedanz Zw jede Impedanz, die einen Reflexionsfaktor des Betrags
r bezüglich Zw in irgendeine andere Impedanz mit unverändertem Betrag des Reflexionsfak-
tors r überführt werden. Die benötigte Leitungslänge ist l < λ/2.
Abbildung 1.50: Transformation einer Impedanz über eine Leitung mit Wellenimpedanz Zw
= Referenzimpedanz des Reflexionsfaktors.
Für eine allgemeine Transformation stellt sich die Frage, wie das Verhalten eines Refle-
xionsfaktor r ist, der auf eine reelle Referenzimpedanz Zw bezogen wird, wenn die Transfor-
mation über eine Leitung mit einer Wellenimpedanz Zw0 6= Zw erfolgt (Abb. 1.51).
Abbildung 1.51: Transformation eines auf die reelle Referenzimpedanz Zw bezogenen Refle-
xionsfaktors r über eine Leitung mit der Wellenimpedanz Zw0 6= Zw .
Für die Transformation einer Impedanz Z L über eine verlustfreie Leitung der Wellenim-
pedanz Zw0 und der Länge l gilt nach (1.88):
Z L + jZw0 tan βl
Z = Zw0 (1.115)
Zw0 + jZ L tan βl
mit β = 2π/λ.
Die Funktion Z(l) stellt einen Kreis mit Mittelpunkt auf der reellen Z-Achse dar, wie in
Abb. 1.52 dargestellt ist.
Abbildung 1.52: Kreisförmige Ortskurve Z(l) der über eine Leitung der Wellenimpedanz Zw0
und Länge l transformierten Impedanz Z L .
Um die Richtigkeit der Ortskurve nach Abb. 1.52 zu beweisen, schreiben wir (1.115) mit
Zmin als reeller Abschlussimpedanz:
Z L + jZw0 tan βl Zmin + jZw0 · x

Z = Zw0 = Zw0 (1.116)
Zw0 + jZ L tan βl Zw0 + jZmin · x
mit x = tan β(l − lmin ).
Bekanntlich ist die Inversion einer Geraden ein Kreis. Es ist nur noch zu zeigen, dass der
Kreismittelpunkt auf der <{Z}-Achse liegt, d. h., dass die konjugiert komplexen Werte Z ∗ (x)
von Z(x) ebenfalls auf dem Kreis liegen. Dies ist der Fall, da nach (1.116) der konjugiert
komplexe Wert Z ∗ = Z(−x) ist.
Aus (1.116) folgt ferner: p

Zw0 = Zmin Zmax (1.117)
Jeder vollständig in der rechten Halbebene liegende Kreis mit Mittelpunkt auf der reellen
Achse <{Z} stellt einen möglichen Transformationskreis dar. Diese Transformationskreise
schneiden die <{Z}-Achse bei den Werten Zmin und Zmax . Mit der gewählten Leitungswel-
lenimpedanz kann also die reelle Impedanz Zmin auf Zmax transformiert werden. Nach (1.116)
wird für eine Leitungslänge l = lmin + nλ/4 (n = ungerade Zahl) eine reelle Impedanz Zmin
in eine reelle Impedanz Zmax transformiert.
Wird nun der Transformationskreis von der Z-Ebene in ein Smith-Diagramm mit beliebiger
reeller Bezugsimpedanz Zw abgebildet, dann wird die Kreisform erhalten bleiben und alle
möglichen Transformationskreise sind wiederum symmetrisch zur reellen Achse. Dies folgt
aus der kreis- und winkeltreuen Abbildung der Möbius-Transformation. Somit muss der rech-
te Winkel zwischen der reellen Achse und den Tangenten in den Punkten Zmin und Zmax
bei der Transformation erhalten bleiben. Dies bedeutet, dass der Kreismittelpunkt auf der
reellen Achse liegen muss.
Abb. 1.53 zeigt einen Transformationskreis im Smith-Diagramm.
Abbildung 1.53: Transformation einer Impedanz Z L über eine Leitung mit Wellenimpedanz
Zw0 6= Referenzimpedanz Zw
Wenn die Bezugsimpedanz Zw des Smith-Diagramms nicht gleich der Wellenimpedanz

Zw0 der Transformationsleitung ist, dann ist der Transformationskreis nicht mehr zentrisch
im Smith-Diagramm. Wie in Abb. 1.52 kann auch in Abb. 1.53 die Wellenimpedanz Zw0 der
Transformationsleitung aus den Schnittpunkten des Transformationskreises mit der reellen
Achse ermittelt werden:
r
p Zmin Zmax
Zw0 = Zmin Zmax = Zw · (1.118)
Zw Zw
Bei Abb. 1.53 ist zu beachten, dass die elektrische Länge auf dem exzentrischen
Transformationskreis nicht mehr, wie in Abb. 1.50, proportional zur Kreisbogenlänge ist.
Auch entspricht das Kreiszentrum nicht der Wellenimpedanz Zw0 der Transformationsleitung.
Die exakte Länge der Transformationsleitung wird bestimmt, indem, entsprechend der
Darstellung nach Abb. 1.34, die ganze Transformation in ein Smith-Diagramm mit der
Normierungsimpedanz Zw0 gemäß (1.116) gezeichnet wird.
Abb. 1.54 zeigt den möglichen Transformationsbereich einer Impedanz Z L über eine
Leitung für verschiedene Wellenimpedanzen Zw0 .
Abbildung 1.54: Möglicher Transformationsbereich im Smith-Diagramm einer Impedanz Z L

über eine Leitung mit Wellenimpedanz Zw0 6= Referenzimpedanz Zw .
Anpassungsleitung mit parallel geschaltetem Blindwiderstand
Jede beliebige Impedanzanpassung kann auch mit Parallelschalten eines Blindwider-

stands Zk zu einer Leitung der Wellenimpedanz Zw erreicht werden. Hierbei entspricht das
Anpassungsnetzwerk dem Aufbau aus Abb. 1.55.
Da Zk parallel zur Leitungsimpedanz liegt, wird der Aufbau in der Admittanzdarstellung
betrachtet.
l1' / 
''
l 1/

1  bk' g1
yL
zL
1  bk''
ZE Zw Zk Zw ZL
l1
Abbildung 1.55: Anpassungsleitung mit parallel geschaltetem Blindwiderstand.
Durch Addition des Blindleitwertes jbk = 1/Zk wird nur der Imaginärteil der Leitungs-
admittanz geändert, der Realteil bleibt unverändert. Mit einer geeignete Länge l1 gilt dann
<{y} = g = 1. Wandert man von ZL nach links, bewegt man sich auf auf einem Kreis im
Smith-Diagramm mit |r| = konstant. Die Schnittpunkte mit g = 1 ergeben zwei mögliche
Werte l10 und l100 . Die Admittanzen in diesen Schnittpunkten sind y 0 = 1 + jb0k und y 00 = 1 + jb00k
mit b0k = −b00k . Durch Addition eines geeigneten Blindleitwertes bk zu y 0 bzw. y 00 muss deren
Blindanteil verschwinden. Folglich muss bk für y 0 den Wert −b0k und für y 00 den Wert −b00k = b0k
annehmen. b0k ist dementsprechend mit einer Induktivität zu kompensieren und b00k mit einer
Kapazität. Für die Wahl zwischen Kapazität und Induktivität sind technische Gründe aus-
schlaggebend.
Ist der Kompensationswiderstand ein Längswiderstand, so gelten die gleichen Überlegungen
bis auf die Inversion, da hier, wegen der Serienschaltung, Impedanzen geeigneter sind.
Anpassungsleitung mit parallel geschalteter Stichleitung
Der eben besprochene Kompensationsleitwert wird in der Praxis oft durch eine kurzge-
schlossenen Leitung (Stichleitung), die zur anzupassenden Leitung parallel geschaltet wird,
ersetzt. Eine Serienschaltung ist ebenso möglich. Die Reaktanz einer kurzgeschlossenen Lei-
tung kann, abhängig von der Länge, alle Werte zwischen −∞ und +∞ annehmen.

lk/
 bk
g1
zL yL K
b
bk
1  bk
l1 / 
bk
ZE Zw ZL
l1
lk
Abbildung 1.56: Anpassungsleitung mit parallel geschalteter Stichleitung.
Die Länge der Stichleitung wird nach Abb. 1.56 wie folgt ermittelt:
1. Der Blindanteil y = 1 + jbk soll kompensiert werden. Hier ist bk < 0, folglich addiert
man −bk > 0.
2. Die Last der Stichleitung ist als Kurzschlusspunkt K im Smith-Diagramm zu sehen.
3. Man geht nun auf dem Kreis |r| = 1 von K in Richtung Generator (Uhrzeigersinn!),
bis der Leitwert −bk erreicht ist.
4. Die gesuchte Länge der Stichleitung lk kann nun über die Bogenlänge der Drehung
bestimmt werden.
Anpassungleitung mit 3 parallel geschalteten Stichleitungen
Das Anpassen mit einem verschiebbaren Blindleitwert, wie es zwei Abschnitte zuvor
behandelt wurde, wird wegen des technischen Aufwandes mit 3 Stichleitungen in festen
Abständen ersetzt.
k  y 1 k 1v
y 2
2

y 2
y 1
y 3 k 2v
k 3
y 3
yL
kL
yi = Admittanz rechts der i-ten Stichleitung
yi = Admittanz links der i-ten Stichleitung
 /8  /8 /4
y3 y2 y1
ZE Zw ZL
l3 l 2 l1
Abbildung 1.57: Anpassungsleitung mit 3 parallel geschalteten Stichleitungen.
Für das Beispiel nach Abb. 1.57 ist der Abstand der Stichleitungen mit λ/8 angenommen.
Es sind auch andere Werte möglich, z. B. λ/4, nicht jedoch λ/2. Der Abstand von der
1. Stichleitung wurde hier willkürlich mit λ/4 angenommen. Aufgrund der Parallelschaltung
der Stichleitungen wird wieder in Leitwerten skaliert.
Geeignete Leitungslängen der Stichleitungen lassen sich wie folgt bestimmen:
1. Der gewünschte Zustand auf der Generatorseite ist ZE = Zw (Anpassung). Da

die 3. Stichleitung (vgl. vorhergehenden Abschnitt) nur einen Blindanteil kompen-
sieren kann, muss der Admittanzwert y3+ rechts von der 3. Stichleitung auf dem
Kreis k3+ (g = 1) liegen.
2. Auf der linken Seite der 2. Stichleitung ist die Admittanz y2− , welche der um λ/8
transformierten Admittanz y3+ entspricht, auf dem Kreis k2− zu finden.
3. Von der Last kommend gelangt man von y2+ nach y2− durch parallel schalten eines
reinen Blindleitwertes (hier verkörpert durch die Stichleitung l2 ), d. h. man bewegt sich
auf Kreisen g = konstant. Man erkennt, dass auf diese Weise der Kreis k2− nur erreicht
werden kann, wenn die Admittanz y2+ außerhalb des punktierten Kreises k2v +
(welcher k2−
tangiert) liegt. Innerhalb von k2v liegt also ein verbotenes Gebiet für die Admittanz y2+ .
+
4. Liegt die Admittanz y2+ außerhalb des verbotenen Gebietes, kann man mit den Stich-
leitungen 2 und 3 anpassen.
+
5. Liegt sie innerhalb des verbotenen Gebietes k2v , so ist das zugehörige verbotene Ge-
−
biet k1v wieder durch eine λ/8-Transformation (90◦ ) zu erhalten.
6. Die erste Stichleitung hat dann die Aufgabe, den Imaginärteil der Admittanz so zu
verändern, dass die Admittanz y1− links der 1. Stichleitung nicht innerhalb des Krei-
−
ses k1v liegt. Dies ist immer möglich, da keine Kreise mit g = konstant vollständig
−
innerhalb k1v liegen. Der hinzugefügte Blindleitwert ist beliebig, solange die obige Be-
dingung erfüllt wird.
7. Ist die Last nun λ/4 von der 1. Stichleitung entfernt, kann man einen Kreis kL mit
der Eigenschaft angeben, dass alle Admittanzen yL innerhalb des Kreises kL alle drei
Stichleitungen zur Anpassung benötigen.
1.8. LEITUNGSTYPEN 57
1.8 Leitungstypen
In den bisherigen Betrachtungen von Leitungen wurde nur von den primären Leitungskon-
stanten L0 , C 0 , R0 und G0 ausgegangen und darauf aufbauend das elektrischen Verhalten
untersucht. Die technische Realisierung von Leitungen und deren Eigenschaften wurden bis-
her noch nicht behandelt. Von den Leitungen, die den untersuchten TEM-Wellentyp führen,
sind hauptsächlich
die Koaxialleitung,
die Zweidrahtleitung und
die Streifenleitung
von technischem Interesse. Für diese Leitungstypen sollen die primären Leitungsparame-
ter bestimmt werden. Es zeigt sich, dass, je nach Frequenzbereich, gewisse Vereinfachungen
gemacht werden können. Von ganz besonderer Bedeutung ist dabei der Einfluss des Skinef-
fektes (Stromverdrängungseffekt bei hohen Frequenzen), der die Leitungsdämpfung mit zu-
nehmender Frequenz ansteigen lässt. Für die Leitungstypen Koaxialleitung und Zweidrahtlei-
tung können die Leitungsparameter mit kleinem mathematischen Aufwand bestimmt werden.
Für Mikrostreifenleitungen, insbesondere mit endlicher Metallisierungsdicke, sind numerische
Feldberechnungsmethoden erforderlich.
1.8.1 Die Koaxialleitung

Die Koaxialleitung spielt technisch eine sehr bedeutende Rolle, sowohl für die Energieübert-
ragung wie auch für die Kommunikationstechnik. Abb. 1.58 zeigt den Aufbau eines Koaxial-
kabels, das mit verschiedenen Techniken gefertigt wird:
Abbildung 1.58: Aufbau eine Koaxialkabels.
Der Außenleiter besteht aus einem Geflecht, einer gewickelten Folie oder ist ein solides
Rohr, meist aus Kupfer (eventuell versilbert) oder Aluminium. Der Innenleiter ist entweder
massiv oder besteht aus verdrillten Drähten, meist aus versilbertem Kupfer. Das Dielektri-
kum ist entweder Luft (mit Stützscheiben oder Wendel zur Fixierung des Innenleiters) oder
ein organisches Polymer (Polyethylen (PE), Polytetrafluorethylen (PTFE), Polystyren).
Telefonkabel sind teilweise mit ölgetränktem Papier isoliert.
Die relativen Dielektrizitätskonstanten εr sind:

Polyethylen: 2.4 ... 2.6
Teflon (PTFE): 2.1
Polystyrol und Polystren: 2.5 .. 2.6
geschäumte Stoffe: 1.02 ... 1.24
Berechnung der Leitungskapazität
Zur Berechnung der Leitungskapazität betrachten wir Abb. 1.59.
Abbildung 1.59: Zur Bestimmung des Kapazitätsbelags C 0 .
Definitionsgemäß ist der Kapazitätsbelag C 0

Q0 Ladungsbelag
C0 = =
U Spannung zwischen Innen- und Außenleiter
Mit einem Ladungsbelag Q0 ist die elektrische Verschiebung D auf dem Innenleiter
Q0
D(ri ) = (1.119)
2πri
mit ri : Innenleiterradius
Die elektrische Verschiebung D im Isolator ist proportional zu 1/r.

ri Q0
D(r) = D(ri ) = (1.120)
r 2πr
Die zugehörige elektrische Feldstärke E(r) ist
D(r) D(r)
E(r) = = (1.121)
ε ε0 εr
Die Spannung U zwischen Innen- und Außenleiter ist

Q0 Q0
Z ra Z ra
dr ra
U= E · dr = = ln (1.122)
ri 2πε ri r 2πε ri
mit ra : Außenleiterradius
Wir finden daher für den Kapazitätsbelag C 0

Q0

0 2πε 55.6 εr pF
C = = = (1.123)
U ln(ra /ri ) ln(ra /ri ) m
Berechnung der Leitungsinduktivität
Der Induktivitätsbelag L0 setzt sich zusammen aus dem:

a) inneren Induktivitätsbelag L0i , herrührend vom magnetischen Feld im Innen- und Au-
ßenleiter
b) äußeren Induktivitätsbelag L0a , herrührend vom magnetischen Feld zwischen den Lei-
tern.
Während die Berechnung des äußeren Induktivitätsbelags einfach ist und keine Unsicher-
heiten birgt, ist die innere Induktivität abhängig von der Stromverteilung in den Leitern. In
einem ersten Schritt nehmen wir eine völlig homogene Stromverteilung an und bestimmen
die zugehörige Induktivität. Diese Stromverteilung stellt sich bei Gleichstrom und sehr
niedriger Signalfrequenz ein. In einem zweiten Schritt betrachten wir die Induktivität bei
höheren Signalfrequenzen. Der innere Induktivitätsbelag L0i setzt sich zusammen aus den
Induktivitätsbelägen des Innenleiters und des Außenleiters L0ii und L0ia .
Die innere Induktivität

Zur Bestimmung des Induktivitätsbelags des Innenleiters L0ii bei Gleichstrom (homogene
Stromverteilung) gehen wir von Abb. 1.60a) aus.
Abbildung 1.60: Darstellung der Feldverteilung in einem Koaxialkabel zur Bestimmung der
inneren Induktivität: a) Innenleiter b) ganzer Kabelquerschnitt.
Bei einem Innenleiterradius ri betrachten wir den Strom, der innerhalb eines Radius r
fließt. Das Umlaufintegral der magnetischen Feldstärke H über dem Kreis mit Radius r ist:
I
H · dl = I(r) (1.124)
mit I(r): in der Kreisfläche mit Radius r fließender Strom.

I
H · dl = 2πr · H = I(r) = Ii r2 /ri2 (1.125)
mit Ii : Strom im Innenleiter.
Damit finden wir für die magnetische Feldstärke H:

r
H(r) = Ii (1.126)
2πri2
Wir bestimmen den Induktivitätsbelag L0ii über die im Innenleiter gespeicherte magneti-
0 .
sche Energie pro Längeneinheit Wmi
I2 H ·B
Z
0
Wmi = L0ii i = dA (1.127)
2 A 2
mit A: Querschnitt des Innenleiters
Mit B = µH und dA = 2πrdr ist

Z r
0
Wmi = πµ H 2 rdr (1.128)
A
Mit (1.126), (1.127) und (1.128):

r
Ii2 πµI 2 µIi2
Z
0
Wmi = L0ii = 2 i4 r3 dr = (1.129)
2 4π ri 0 16π
Der innere Induktivitätsbelag des Innenleiters L0ii ist somit:

µ
L0ii = (1.130)
8π
Er ist bei konstanter Stromdichte unabhängig vom Radius ri des Innenleiters.
In gleicher Weise kann der innere Induktivitätsbelag des Außenleiters L0ia mit Dicke d
bestimmt werden. Für d/ra 1 gilt näherungsweise (ohne Herleitung):
µd
L0ia = (1.131)
6πra
Damit ist der innere Induktivitätsbelag L0i :

µ 1 d
L0i = L0ii + L0ia = + (1.132)
π 8 6ra
Die äußere Induktivität

Die magnetische Feldstärke im Bereich ri < r < ra ist:
Ii
H(r) = (1.133)
2πr
Somit ist die magnetische Energie pro Längeneinheit in diesem Bereich:

ra
Ii2 µH 2 µI 2 ra
Z
0
Wmi = L0a = 2πrdr = i ln (1.134)
2 ri 2 4π ri
Daraus erhalten wir den äußeren Induktivitätsbelag L0a der Koaxialleitung:
µ ra
L0a = ln (1.135)
2π ri
Ein Vergleich der inneren und äußeren Induktivitätsbeläge zeigt, dass für ri ra der äußere
Induktivitätsbelag L0a immer dominiert. Dies gilt noch in verstärktem Maß bei einer Strom-
verteilung bei hohen Signalfrequenzen. Die Induktivitätsbeläge liegen offensichtlich in der
Größenordnung der Permeabilitätskonstante µ = µ0 µr . Bei praktisch allen Leitungen ist die
relative Permabilitätskonstante µr = 1. Damit sind die primären Leitungskonstanten der
verlustfreien Koaxialleitung bestimmt. Abb. 1.61 zeigt das Ersatzschaltbild mit dem Kapa-
zitätsbelag C 0 und den inneren und äußeren Induktivitätsbelägen.
Abbildung 1.61: Ersatzschaltbild der verlustfreien Koaxialleitung bei niedrigen Frequenzen.
Unter Vernachlässigung der inneren Induktivitätsbeläge finden wir:
Die Leitungskonstanten der Koaxialleitung

0 µ ra ra nH
L ≈ L0a = ln = 200 ln (1.136)
2π ri ri m

0 2πε εr pF
C = = 55.6 (1.137)
ln ra /ri ln ra /ri m
r
L0
r
ln ra /ri µ ln ra /ri
Zw = = = 60[Ω] √ (1.138)
C0 2π ε εr
Die Leitungskonstanten L0 , C 0 und Zw von Koaxialleitungen sind in Abb. 1.62 als Funktion
von ra /ri dargestellt.
Abbildung 1.62: Leitungskonstanten L0 ,C 0 und Zw von Koaxialleitungen für εr = 1 (Luft)

und εr = 2.25 (Polyethylen)
Mit gut realisierbaren Radienverhältnissen ra /ri liegt die Wellenimpedanz Zw von Koaxi-
alleitungen mit Luft oder einem Kunststoff als Dielektrikum im Bereich 30Ω bis 100Ω. Für die
Normwellenimpedanzen 50Ω und 75Ω ist das Radienverhältnis mit PE-Isolation (εr = 2.25):
Zw = 50Ω : ra /ri = 3.4
Zw = 75Ω : ra /ri = 6.4
Verluste in Koaxialleitungen
In allen Leitungstypen treten Verluste auf. Da die Koaxialleitung dank der Rotations-
symmetrie sehr einfach zu beschreiben ist, werden die Verluste an dieser Stelle eingeführt.
Die gleichen Verlustphänomene treten auch in anderen Leitungstypen auf, sind aber
mathematisch komplizierter zu beschreiben. Die dominierenden Verluste sind die Ohmschen
Verluste der metallischen Leiter. Weniger bedeutend sind die dielektrischen Verluste, auf die
zuerst eingegangen werden soll.
Die dielektrischen Verluste

Alle Isolatoren zeigen, mehr oder weniger ausgeprägt, Umpolarisierungsverluste. Diese
können, je nach Material, im gesamten Frequenzbereich vom Audiobereich bis zu optischen
Frequenzen auftreten. Ein einfaches Modell dieser Verluste ist in Abb. 1.63 dargestellt.
Abbildung 1.63: Modell der dielektrischen Verluste.
Mit diesen Verlusten erscheint im Leitungsersatzschaltbild parallel zum Kapazitätsbelag

ein Leitwertbelag G0 (ω):
Y 0 = jωC 0 + G0 (ω) (1.139)
G0 ist im allgemeinen frequenzabhängig. In beschränkten Frequenzbereichen gilt nähe-

rungsweise:
<{Y 0 } G0 (ω)
tan δ = = = konstant (1.140)
={Y 0 } ωC 0
δ ist der sogenannte Verlustwinkel. Für kleine Verlustwinkel gilt mit δ ≈ tan δ daher
G0 (ω) ≈ ωC 0 δ ∝ f (1.141)
Die Ohmschen Verluste, der Skineffekt
Bei tiefen Frequenzen ist die Stromdichte in den Leitern ortsunabhängig. Der Wider-
standsbelag R0 ist dann

0 ρ 1 1
R = + (1.142)
π ri2 2(ra + d/2)d
mit ρ: spezifischer Widerstand, Geometrie gemäß Abb. 1.60b)
Dass bei höheren Frequenzen die Stromdichte in den Leitern nicht mehr ortsunabhängig
sein kann, kann mit folgender Überlegung qualitativ erklärt werden.
Wir betrachten dazu eine Koaxialleitung im Längsschnitt nach Abb. 1.64.

Abbildung 1.64: Längsschnitt durch eine Koaxialleitung zur Erklärung des Skineffekts.
Bei der Frequenz f = 0 ist die Stromdichte J(r) im Leiterinnern konstant.

Bei einer Frequenz f > 0 wird das magnetische Feld zu einem Wechselfeld, das Kreisströme
anregt (Abb. 1.64). Diese Kreisströme bewirken, dass die Stromdichte gegen das Innere des
Leiters kontinuierlich abnimmt. Bei einer ebenen oder nur wenig gekrümmten Oberfläche
stellt sich eine exponentielle Abnahme der Stromdichte mit der Tiefe im Leiter ein.
Ein Oberflächenstrom mit durch Skineffekt exponentiell abnehmender Stromdichte ist durch
die Eindringtiefe δs charakterisiert. Dies ist die Tiefe, bei der der Betrag der Stromdichte
gegenüber der Oberfläche um einen Faktor e abgenommen hat. Die Eindringtiefe δs ist
r r
2 1
δs = = (1.143)
ωµσ πf µσ
mit σ: elektrische Leitfähigkeit σ = 1/ρ
Für den Fall mit ausgeprägtem Skineffekt, d. h. wenn der Krümmungsradius der Leitero-
berfläche rk δs ist, kann eine Oberflächenimpedanz Z definiert werden:
E(ra ) Oberflächenfeldstärke
Z = 0 = (1.144)
I Oberflächenstromdichte
R∞
mit I 0 : Oberflächenstromdichte I 0 = ra J(r) · dr
Diese Oberflächenimpedanz Z kann nach Abb. 1.65 als die Impedanz eines quadratischen
Stückes der Leiteroberfläche betrachtet werden.
r
p ωµρ
Z = jωµρ = (1 + j) = (1 + j)R (1.145)
2
mit R : Oberflächenwiderstand
r
ωµρ p
R = = πf µρ (1.146)
2
Abbildung 1.65: Darstellung der Stromverteilung an der Leiteroberfläche zur Definition der
Oberflächenimpedanz bei ausgeprägtem Skineffekt.
Die Oberflächenimpedanz ist induktiv, wobei Realteil und Imaginärteil von Z gleich
groß sind. Die Leitungsverluste
√ sind durch den Oberflächenwiderstand R bestimmt und
sind somit proportional zu f . Für die besten Leiter, Kupfer und Silber, ist näherungsweise
s
f
R ≈ 250µΩ (1.147)
[MHz]
Abb. 1.66 zeigt den Oberflächenwiderstand R und die Eindringtiefe δs für Silber als Funktion
der Frequenz.
Abbildung 1.66: Eindringtiefe δs und Oberflächenwiderstand R für Silber in Abhängigkeit

der Frequenz f .
Ausgeprägter Skineffekt tritt in vielen Leitungen der Kommunikationstechnik auf,

beispielsweise bei Datenleitungen (Ethernet, Token Ring) oder Kabelfernsehnetzen
(50 MHz < f < 500 MHz). Merklicher Skineffekt erscheint schon in einer 50 Hz Energiever-
sorgung bei großen Sammelschienen aus Kupfer mit δs ≈ 1 cm.
Koaxialleitungen mit ausgeprägtem Skineffekt
Nach Abb. 1.66 tritt schon bei Frequenzen f > 100 kHz bei Leiterdicken < 0.4 mm ein
ausgeprägter Skineffekt auf. Die Skin-Verluste dominieren eindeutig das Dämpfungsverhalten
von Leitungen. Bei allen Leitern kann mit einer Vergrößerung des Leiterquerschnittes eine zur
Leiterdimension proportionale Reduktion des Widerstandbelages erreicht werden. Es stellt
sich noch die Frage, ob mit einer geeigneten Wahl des Verhältnisses ra /ri bei konstantem
Radius ra eine Optimierung der Verluste möglich ist. Im Folgenden wird diese Optimierung
untersucht. Der Widerstandsbelag R0 bei ausgeprägtem Skineffekt ist
R R
R0 = + (1.148)
2πra 2πri
Die dielektrischen Verluste werden vernachlässigt. Wellenimpedanz und Ausbreitungskon-

stante bestimmen sich mit G0 = 0 zu:
s
R0 + jωL0
Zw = (1.149)
jωC 0
p
γ = (R0 + jωL0 )jωC 0 (1.150)
Wie erwähnt, ist der resistive Anteil der Oberflächenimpedanz gleich dem induktiven
Anteil. Der Induktivitätsbelag L0 ist hauptsächlich durch den äußeren Induktivitätsbelag L0a
bestimmt und es gilt:
R0 ωL0
Die Wellenimpedanz kann damit als reelle Wellenimpedanz Zw genähert werden.

r
L0
Zw = (1.151)
C0
Die Ausbreitungskonstante γ wird mit R0 ωL0 zu
s
√ R0 √ R0

γ = α + jβ = jω L0 C 0 1+ 0 0
≈ jω L C 1 + (1.152)
jωL0 2jωL0
Daraus folgt
R0 R0
α≈ p = (1.153)
2 L0 /C 0 2Zw
√
β ≈ ω L0 C 0 (1.154)
Mit diesen Näherungen entsprechen Zw und β den Beziehungen der verlustlosen Lei-
tung. Das Dämpfungsmaß α ist dagegen proportional zum Widerstandsbelag R0 . Der Wi-
derstandsbelag ist andererseits für die Koaxialleitung und allen anderen Leitungstypen bei
ausgeprägtem Skineffekt proportional zum Oberflächenwiderstand R . Damit gilt für das
Dämpfungsmaß α:
√
α≈ ωρ
Auf der Suche nach dem optimalen Radienverhältnis ra /ri setzen wir (1.138) und (1.148)
in (1.153) ein:
R 1 + ra /ri
α= p (1.155)
2ra µ/ε ln ra /ri
Wir bestimmen das Extremum für α(ra /ri ), indem wir den zweiten Faktor von (1.153)
differenzieren und gleich null setzen:

dα R 1 1 + ra /ri
= − =0 (1.156)
2ra µ/ε ln ra /ri (ln ra /ri )2 ra /ri
p
d(ra /ri )
Für das optimale Verhätlnis ra /ri gilt: ln ra /ri = 1 + ri /ra .
Daraus ermittelt sich das optimale Verhältnis: ra /ri = 3.59.
Die Wellenimpedanz für minimale Dämpfung einer Koaxialleitung ist nach (1.138):
r r
ln ra /ri µ µr
Zw,opt = = 76.6 [Ω] (1.157)
2π ε εr
Eine luftisolierte Leitung hat somit die optimale Wellenimpedanz Zw,opt = 76.6 Ω. Für
eine PE-isolierte Leitung mit εr = 2.25 ist Zw,opt = 51 Ω. Die Funktion α(ra /ri ) hat allerdings
ein sehr flaches Optimum. Aus Abb. 1.67 kann abgelesen werden, dass der Dämpfungsbelag
in dem Bereich 2.3 ≤ ra /ri ≤ 6 um 10 % variiert.
Abbildung 1.67: Normierter Dämpfungsbelag α/αmin in Funktion des Verhältnisses ra /ri der
Radien von Außen- und Innenleiter der Koaxialleitung.
Nach dieser Betrachtung der Verluste in der Koaxialleitung scheint also die Wahl der
Standardwellenimpedanzen der Kabel in der Nachrichtentechnik von Zw = 50 Ω und in der
Fernsehtechnik von Zw = 75 Ω kein Zufall zu sein.
Die Tabelle 1.1 zeigt den Aufbau und die typischen Parameter von gebräuchlichen Koaxial-
kabeln. In Abb. 1.68 ist die Dämpfung der Kabeltypen RG-58C/U, RG-400/U und RG 214/U
als Funktion
√ der Frequenz dargestellt. Bei reiner Skineffektdämpfung nimmt die Dämpfung
mit f zu. Bei den hohen Frequenzen ist der Einfluss der dielektrischen Verluste erkennbar.
Tabelle 1.1: Aufbau und typische Parameter einiger Koaxialkabel
Bezeichnung Innenleiter, Dielektrikum, Außen- Zw [Ω] Di /Da [mm/mm] v/c0 [%]

leiter
RG-58C/U verzinnte Cu-Litze, Polyethylen, 50 ± 2 0.9/2.95 66
Geflecht aus verzinnten Cu-Drähten
RG-400/U versilberte Cu-Litze, Teflon, doppel- 50 ± 2 1.0/2.95 69
tes Geflecht versilberter Cu-Drähte
RG-214U versilberte Cu-Litze, Teflon, doppeltes 50 ± 2 2.25/7.25 69
Geflecht versilberter Cu-Drähte
Abbildung 1.68: Dämpfungsbelag α der Kabeltypen RG-58C/U, RG-400/U und RG 214/U

in Abhängigkeit von der Frequenz f .
1.8.2 Die Zweidrahtleitung

Paralleldrahtleitungen werden in der Kommunikationstechnik als Teilnehmerleitungen in der
Telefonie und als (geschirmte und ungeschirmte) Datenleitungen eingesetzt. Besonders bei
der zweiten Anwendung erlebt die Zweidrahtleitung eine wahre Renaissance. Mit modernen
Codierungs- und Modulationsverfahren wurde der nutzbare Frequenzbereich wesentlich erwei-
tert und der Nachteil der hohen Dämpfung reduziert. Vorteile der verdrillten Zweidrahtleitung
sind die niedrigen Herstellungskosten und die leichte, platzsparende Verlegbarkeit. Mit dem
Drahtdurchmesser d und Drahtabstand D gilt für Zw (ohne Herleitung):
120 D
Zw = √ arcosh [Ω] (1.158)
εr d
Ist D d, dann folgt

120 2D
Zw = √ ln [Ω] . (1.159)
εr d
Abb. 1.69 zeigt die Leitungskonstanten L0 , C 0 und Zw in Abhängigkeit von D/d.
Abbildung 1.69: Kapazitätsbelag C 0 , Induktivitätsbelag L0 und Wellenimpedanz Zw der Zwei-

drahtleitung als Funktion des Verhältnisses von Drahtabstand D zu Drahtdurchmesser d für
r = 1.
1.8.3 Die Mikrostreifenleitung

Die Mikrostreifenleitung ist die gebräuchlichste planare Leitung. Abb. 1.70 zeigt deren Auf-
bau.
Abbildung 1.70: Aufbau einer Mikrostreifenleitung.
Sie findet breite Anwendung in der Elektronik und Hochfrequenztechnik bei
Leiterplatten für analoge und digitale Schaltungen,
hybride Hochfrequenzschaltungen und
monolithisch integrierte Schaltungen der Hochfrequenztechnik.
Das Dielektrikum der Mikrostreifenleitung besteht aus zwei Teilen: Zwischen Streifenlei-
ter und Grundplatte ist ein organischer oder anorganischer Träger, über dem Streifenleiter
ist Luft. Die Mikrostreifenleitung ist somit eine querinhomogene Leitung und zeigt sehr kom-
plexe Eigenschaften der Wellenleitung. Die quasistatische Näherung erlaubt allerdings eine in
den meisten Fällen hinreichend genaue Beschreibung der Leitungseigenschaften mit den er-
mittelten primären Leitungskonstanten L0 und C 0 der Elektrostatik. Die Leitungskonstanten
können analytisch über konforme Abbildungen oder mit numerischen Feldberechnungsme-
thoden ermittelt werden.
Während das Dielektrikum den Induktivitätsbelag nicht beeinflusst, ist der Kapazitätsbe-
lag davon abhängig. Da das elektrische Feld teilweise in Luft und teilweise im Trägermaterial
verläuft, ist der Kapazitätsbelag daher größer als im querhomogenen Fall mit einer einzigen
Dielektrizitätskonstante εr = 1. Er ist jedoch kleiner als im querhomogenen Fall mit der Di-
elektrizitätskonstanten εr (Substrat) des Trägermaterials. In der querinhomogenen Leitung
wird eine effektive Dielektrizitätskonstante εre wie folgt definiert:
1. Im querhomogenen Fall mit εr = 1 ist der Kapazitätsbelag C00 . In den meisten technisch
verwendeten Leitungen tritt der hochfrequente Betrieb mit frequenzunabhängigem Wi-
derstandsbelag R0 nicht deutlich in Erscheinung, d. h. das Leitungsverhalten geht vom
niederfrequenten Betrieb direkt in den hochfrequenten Betrieb mit ausgeprägtem Ski-
neffekt über. Vollständigkeitshalber werden alle drei Betriebsarten dargestellt.
2. In der querinhomogenen Leitung ist der Kapazitätsbelag C 0 .

Die effektive Dielektrizitätskonstante εre ist
εre = C 0 /C00 (1.160)
mit 1 < εre < εr (Substrat)
Da im querhomogenen Fall mit εr = 1 die Phasengeschwindigkeit vp gleich der Lichtge-

schwindigkeit c0 ist, gilt für die querinhomogene Leitung
1 c0
vp ≈ √ =√ (1.161)
L0 C 0 εre
Da die analytische oder numerische Ermittlung der Leitungskonstanten L0 und C 0

aufwendig ist, sind verschiedene, für praktische Bedürfnisse hinreichend genaue, Näherungen
für die effektive Dielektrizitätskonstante εre und Wellenimpedanz Zw entwickelt worden.
Näherungsformel für εre und Zw

εr + 1 εr − 1
εre = + p (1.162)
2 2 1 + 12h/w
für w/h ≤ 1
60 h w
Zw = √ ln 8 + 0.25 [Ω] (1.163)
εre w h
für w/h ≥ 1 √
120π/ εre
Zw = [Ω] (1.164)
w/h + 1.393 + 0.667 ln(w/h + 1.444)
√
In Abb. 1.71 sind Zw εre und εre als Funktion des Verhältnisses w/h der Mikrostreifen-
leitung dargestellt.
√
Abbildung 1.71: Zw εre und εre in Funktion des Verhältnisses w/h der Mikrostreifenleitung.
1.9. BETRIEBSBEREICHE VON LEITUNGEN MIT OHMSCHEN VERLUSTEN 73
1.9 Betriebsbereiche von Leitungen mit Ohmschen Verlusten

Bei den meisten Leitungen mit metallischen Leitern sind die Ohmschen Verluste dominierend.
Das Leitungsersatzschaltbild vereinfacht sich dann gemäß Abb. 1.72.
Abbildung 1.72: Leitungsersatzschaltbild bei vernachlässigbaren dielektrischen Verlusten.
Grundsätzlich sind für dieses Ersatzschaltbild drei verschiedene Betriebsfrequenzbereiche

definierbar:
1. Niederfrequenter Betrieb:
Bei niedrigen Frequenzen mit R0 > ωL0 kann im Ersatzschaltbild Abb. 1.72 der Induk-
tivitätsbelag L0 vernachlässigt werden. Diese Betriebsart wird in älteren Lehrbüchern
auch als Kabeltyp“ bezeichnet.
”
2. Hochfrequenter Betrieb:
In diesem Frequenzbereich ist R0 < ωL0 . Dabei entspricht R0 dem Widerstandsbelag
mit konstanter Stromdichte (ohne Skin-Effekt). Das gültige Leitungsersatzschaltbild
entspricht dem von Abb. 1.72 mit R0 konstant.
3. Hochfrequenter Betrieb mit ausgeprägtem Skineffekt:

In dieser Betriebsart ist R0 ωL0 . Der Widerstandsbelag R0 bestimmt die Leitungsver-
luste und wird deshalb nicht vernachlässigt. R0 wird durch den ausgeprägten Skineffekt
bestimmt, d. h. R0 = R00 ω/ω0 .
p
In den meisten technisch verwendeten Leitungen tritt der hochfrequente Betrieb mit fre-
quenzunabhängigem Widerstandsbelag R0 nicht deutlich in Erscheinung, d. h. das Leitungs-
verhalten geht vom niederfrequenten Betrieb direkt in den hochfrequenten Betrieb mit aus-
geprägtem Skineffekt über. Vollständigkeitshalber werden alle drei Betriebsarten aufgeführt.
1.9.1 Niederfrequenter Betrieb

Mit R0 ωL0 finden wir die Wellenimpedanz Z w aus (1.38) und (1.41):
s s r
R0 + jωL0 R0 R0
Zw = = = (1 − j) (1.165)
G0 + jωC 0 jωC 0 2ωC 0
und die Ausbreitungskonstante

r
p p ωR0 C 0
γ = (R0 + jωL0 )(G0 + jωC 0 ) = jωR0 C 0 = (1 + j) (1.166)
2
Im niederfrequenten Betrieb ist der Dämpfungsbelag gleich dem Phasenbelag:

r
ωR0 C 0
α=β= (1.167)
2
Mit der vorliegenden Frequenzabhängigkeit von α und β ist die Leitung dispersiv und
eine Signalübertragung ist mit einer Verzerrung verbunden. Leitungen im niederfrequenten
Betrieb sind meist elektrisch kurz, d. h. Leitungslänge l Wellenlänge λ.
Beispiel einer Leitung im niederfrequenten Betrieb: dünnes Koaxialkabel
Dimensionen: ri = 0.25 mm ra = 0.75 mm
L0 = 250 nH/m C 0 = 100 pF/m Zwn = L0 /C 0 = 50 Ω

p
Leitungskonstanten:
R0 = 100 mΩ/m (für Kupferleiter σ = 60 · 106 S/m)
Als Grenzfrequenz fg für den niederfrequenten Betrieb wird definiert:
ωg L0 = R0 (1.168)
Daraus folgt
ωg R0
fg = = (1.169)
2π 2πL0
Mit den obigen Leitungsparametern eingesetzt:
r
dB f
fg = 64 kHz α = 0.0486
m [MHz]
Abb. 1.73 zeigt
pdie Ortskurve für die normierte Wellenimpedanz Z w (f )/Zwn mit der Nor-
mierung: Zwn = L0 /C 0
Abbildung 1.73: Ortskurve der normierten Wellenimpedanz Z w (f )/Zwn p

einer Koaxialleitung
mit R0 = 100 mΩ/m, C 0 = 100 pF/m, L0 = 250 nH/m und Zwn = L0 /C 0 = 50 Ω im
niederfrequenten Betrieb.
Beispiel einer Leitung im niederfrequenten Betrieb: Mikrostreifenleitung

einer integrierten Schaltung
Abb. 1.74 zeigt den Aufbau einer Mikrostreifenleitung auf einem Siliziumsubstrat einer
integrierten Schaltung. Typische Parameter einer solchen Leitung sind:
Material = Al, w = 5 µm, t = 1 µm, h = p 1 µm, εr = 2.3, v/c0 = 0.7, R0 =
10 kΩ/m, L0 = 380 nH/m, C 0 = 60 pF/m, Zwn = L0 /C 0 = 80 Ω
Daraus ermittelt sich die Grenzfrequenz fg für niederfrequentes Verhalten zu
R0
fg = ≈ 4 GHz
2πL0
Abbildung 1.74: Mikrostreifenleitung einer integrierten Schaltung.
Im Allgemeinen ist das Substrat wesentlich hochohmiger als die Metallleitungen. Die
exakte Berechnung der Leitungsparameter einer Einzelleitung kann daher recht aufwendig
werden. Befinden sich dagegen andere geerdete Metallleitungen in der Nähe, bewegen sich
die Leitungsparameter in relativ engen Grenzen. Für den Frequenzbereich, der in integrierten
Schaltungen verarbeitet werden kann, verhalten sich die On-Chip-Leitungen wie niederfre-
quent betriebene Leitungen.
Für dieses Beispiel sind Phasen- und Dämpfungsbelag
s
f dB
α = β ≈ 12.9 (1.170)
[MHz] m
Diese Dämpfung tritt dann auf, wenn die Leitung mit der komplexen Wellenimpedanz
Z w abgeschlossen würde. In diesem Fall erhalten wir für das Spannungsverhältnis U 2 /U 1 :
U2
= e−αl(1+j) (1.171)
U1
Abb. 1.75 zeigt den Verlauf dieser Funktion für das vorhin angegebene Zahlenbeispiel.
Abbildung 1.75: Dämpfung einer mit der Wellenimpedanz abgeschlossenen On-Chip-Leitung.
Diese Betriebsart mit Wellenanpassung wird in der Praxis kaum angewandt, da sie
schwierig zu realisieren ist. In integrierten Schaltungen ist der Abschluss meist hochoh-
mig und kapazitiv. Zur Bestimmung des Dämpfungsverhaltens der leerlaufenden On-Chip-
Mikrostreifenleitung benutzen wir das Leitungsersatzschaltbild nach Abschnitt 1.6.1. Das
Ersatzbild der mit einer idealen Spannungsquelle gespeisten und leerlaufenden Leitung ist in
Abb. 1.76 dargestellt.
Abbildung 1.76: Ersatzschaltung der leerlaufenden On-Chip-Leitung.
Die Elementwerte sind

γl
Z T 1 = Z w tanh (1.172)
2
1
Y T2 = sinh γl (1.173)
Zw
Das Spannungsverhältnis ist
U2 1 1
= = (1.174)
U1 Y T 2 (Z T 1 + 1/Y T 2 ) γl
1 + tanh sinh γl
2
x cosh x − 1
Mit der Beziehung tanh = folgt
2 sinh x
U2 1
= (1.175)
U1 cosh γl
Abb. 1.77 zeigt das Dämpfungsverhalten der leerlaufenden On-Chip-Leitung für das
betrachtete Zahlenbeispiel.
Abbildung 1.77: Dämpfung einer leerlaufenden On-Chip-Leitung.
Wie verhält sich nun eine typische, lange“ On-Chip-Leitung der Länge
”
l = 1 cm bei Frequenzen f < 100 MHz?
Aus (1.170) ist mit f < 100 MHz α ≤ 0.15 1

1
Mit |γl| 1 kann cosh γl entwickelt werden: cosh γl ≈ 1 + (γl)2 + ...
2
Damit wird für l = 1 cm und f = 100 MHz
U2 1 1 1
= 2
= 0 0 2
= (1.176)
U1 1 + 0.5(γl) 1 + 0.5 jωR C l 1 + j0.019
Dieses Resultat ist einfach und naheliegend. Es kann auch direkt aus dem Ersatzschaltbild
der elektrisch kurzen Leitung ermittelt werden, das in Abb. 1.78 dargestellt ist.
Abbildung 1.78: Ersatzschaltbild der elektrisch kurzen Leitung im niederfrequenten Betrieb.

1.9.2 Hochfrequenter Betrieb mit R0 (f ) = konstant

Bei diesem Betrieb ist die Frequenz so hoch, dass R0 < ωL0 ist. Der Widerstandsbelag R0
wird noch als frequenzunabhängig angenommen.
Mit G0 ≈ 0 und R0 ωL0 ist die Wellenimpedanz (fast) reell und frequenzunabhängig:
s r
R0 + jωL0 L0 jR0 jR0

Zw = ≈ 1− = Zwn 1 − (1.177)
G0 + jωC 0 C0 2ωL0 2ωL0
r
L0
mit Z wn =
C0
Für die Ausbreitungskonstante finden wir mit den gleichen Annahmen:
√ jR0

p
0 0 0 0
γ = (R + jωL )(G + jωC ) ≈ jω L C 1 −0 0 (1.178)
2ωL0
Die Dämpfungskonstante α und die Phasenkonstante β sind:

r
R0 C 0
α= (1.179)
2 L0
√
β = ω L0 C 0 (1.180)
Mit einer frequenzunabhängigen Dämpfung und einer frequenzproportionalen Phasenkon-

stante ist dieser Betrieb dispersionsfrei.
1.9.3 Hochfrequenter Betrieb mit ausgeprägtem Skineffekt

Im hochfrequenten Betrieb bei Frequenzen, die eine Eindringtiefe δs bewirken, die kleiner ist
als die Dicke der Leiter, wird von einem Betrieb mit ausgeprägtem Skineffekt gesprochen.
Die Grenzfrequenz fsk für ausgeprägten Skineffekt beim runden Leiter mit Radius ri ist:
1
fsk = (1.181)
πµσri2
Nach (1.145) und (1.146) ist die Oberflächenimpedanz Z

r
p ωµρ
Z = jωµρ = (1 + j) = (1 + j)R (1.182)
2
Der induktive Anteil von Z kann gegenüber dem Induktivitätsbelag L0 , d. h. gegenüber

der äußeren Induktivität, vernachlässigt werden. Der resistive Anteil <{Z } ist, wie schon
√
früher festgestellt, proportional zu ω. Wie im Fall der Koaxialleitung (1.148) und (1.149)
gilt auch für Leitungen mit nicht homogener Oberflächenstromdichte:
√
r
0 0 0 ω
R ∝ ω oder R = R0 (1.183)
ω0
und r
L0 jR00 jR00

Zw = 1− √ = Zwn 1 − √ (1.184)
C0 2L0 ωω0 2L0 ωω0
Das Leitungsersatzschaltbild für die allgemeine skineffektbehaftete

r Leitung ist in
0 2ω
Abb. 1.79 mit dem komplexer Skineffektimpedanzbelag Z = R00 j dargestellt.
ω0
Abbildung 1.79: Ersatzschaltbild der Leitung im hochfrequenten Betrieb mit ausgeprägtem

Skineffekt.
Bei ausgeprägtem Skineffekt gilt ωL0 |Z 0 |. Damit finden wir für die Ausbreitungskon-
stante
√ Z0 √ R00
r
2ω
q
0 0 0 0 0 0 0
γ = (Z + jωL )jωC ≈ jω L C 1 + 0
= jω L C + j (1.185)
2jωL 2Zwn ω0
Für α und β folgt:
R00
r
ω dB
α = 8.686 (1.186)
2Zwn ω0 m
√
β = ω L0 C 0 + α (1.187)
Bei Leitungen mit ortsabhängigen Oberflächenstromdichten ist die analytische Ermitt-
lung von R00 aufwendig, da dazu die Kenntnis der Oberflächenstromverteilung oder der
Feldverteilung an den Leiteroberflächen erforderlich ist. Experimentell kann R00 aber sehr
einfach mit einer Dämpfungsmessung bestimmt werden.
Beispiel einer Leitung im hochfrequenten Betrieb: dünnes Koaxialkabel
Wir untersuchen das Verhalten des dünnen Koaxialkabels bei hochfrequentem Betrieb
mit ausgeprägtem Skineffekt.
Dimensionen: ri = 0.25 mm ra = 0.75 mm
L0 = 250 nH/m C 0 = 100 pF/m

p
Leitungskonstanten: Zwn = L0 /C 0 = 50 Ω
σ = 60 · 106 S/m
1
Grenzfrequenz für den Bereich mit ausgeprägtem Skineffekt: fsk = = 67 kHz
πµσri2
Mit (1.146) und (1.148) ist der Skineffektwiderstandsbelag R0 = <{Z 0 }:
r s
1 1 1 ω Ω f
R0 = + R (ω0 ) = 0.21 (1.188)
2π ri ra ω0 m [MHz]
Mit (1.186) ist der Dämpfungsbelag α
s
R0 dB f
α= = 0.018 (1.189)
2Zwn m [MHz]
Abb. 1.79 zeigt den Frequenzgang der Dämpfung α des Koaxialkabels für den nieder- und
hochfrequenten Betrieb. Bei diesem Kabel tritt der hochfrequenter Betrieb R0 (f ) = konstant
kaum in Erscheinung, da fg ≈ fsk .
Abbildung 1.80: Frequenzgang der Dämpfung α eines Koaxialkabels. a) Niederfrequenter

Betrieb, b) Hochfrequenter Betrieb mit ausgeprägtem Skineffekt.
1.10. SIGNALE AUF LEITUNGEN IM ZEITBEREICH 81
1.10 Signale auf Leitungen im Zeitbereich

In den bisherigen Betrachtungen wurde das elektrische Verhalten von Leitungen bei stati-
onärer, harmonischer Anregung untersucht. Dabei konnte der mathematische Aufwand auf
ein Minimum reduziert werden. Naheliegenderweise besteht der Wunsch andere Signale auf
Leitungen analytisch darzustellen, namentlich transiente Signale im Zeitbereich. Von beson-
derem Interesse ist hier die Schrittantwort. Zur Analyse kann die Laplace-Transformation
verwendet werden, da sich Leitungen vollkommen linear verhalten. Allerdings sind nur für
die einfachsten Leitungen mathematisch geschlossene Ausdrücke zu erwarten.
Tabelle 1.2 zeigt die in der Praxis wichtigsten Fälle des Betriebs von Leitungen im Zeit-
bereich.
Tabelle 1.2: Verschiedene Leitungsarten, ihre Abschlüsse und die entsprechenden Lösungsme-
thoden im Zeitbreich.
Leitungen Abschlüsse Lösungsmethode

* verlustfrei, Widerstände (linear, nichtlinear) graphisch, numerisch
dispersionsfrei (einfach)
* verlustfrei, Eingang: angepasst, analytisch, numerische
dispersionsfrei Ausgang: lineares RLC-Netzwerk Simulation
* verlustbehaftet, beidseitig angepasst analytisch für einfache Fälle,
dispersionbehaftet numerische Simulation
verlustbehaftet, Eingang und Ausgang: nur numerische Simulation
dispersionbehaftet lineare, nichtlineare Netzwerke z. B. SPICE
Einzelne Fälle aus den mit * bezeichneten Klassen werden in diesem Abschnitt behandelt.
Unter der Voraussetzung, dass das Zeitbereichssignal schmalbandig ist, z. B. ein amplituden-
oder phasenmoduliertes, harmonisches Signal, können viele lineare Leitungsprobleme analy-
tisch gelöst werden.
1.10.1 Signale auf der verlust- und dispersionsfreien Leitung mit resistiven
Abschlüssen
Die Lösungen der Telegraphengleichung des verlustfreien Falls wurden ausführlich in Ab-
schnitt 1.2.1 hergeleitet.
Spannung: u(t, z) = u(t ± z/v) = ua (t, z) + ub (t, z) (1.190)

Strom: i(t, z) = i(t ± z/v) = ia (t, z) − ib (t, z) (1.191)
mit der Signalgeschwindigkeit

1
v=√ (1.192)
L0 C 0
und der Wellenimpedanz r
ua (t, z) ub (t, z) L0
Zw = = = (1.193)
ia (t, z) ib (t, z) C0
Mit (1.191) und (1.193) folgt
iZw = ua − ub (1.194)
Abbildung 1.81: Definition der Richtungen der Spannungen und Ströme ua , ub , u, ia , ib und i.
Die Richtungen der Ströme ia und ib sind mit den Laufrichtungen der entsprechenden Welle
identisch.
Aufgelöst nach ua , ub , ia und ib

1
ua = (u + iZw ) (1.195)
2
1
ub = (u − iZw ) (1.196)
2
1 u
ia = ( + i) (1.197)
2 Zw
1 u
ib = ( − i) (1.198)
2 Zw
Mit (1.195) bis (1.198) kann der Verlauf von Spannung und Strom im folgenden Beispiel
für beliebig viele Reflexionen an beiden Enden der Leitung analysiert werden.
Schrittantwort einer einseitig leerlaufenden, verlustfreien Leitung mit resisti-

ver Quelle
Abb. 1.82 zeigt eine einseitig leerlaufende, verlustfreie Leitung, gespeist durch eine Quelle
uq mit endlicher, reeller Quellenimpedanz Zq . Die Quelle erzeugt zur Zeit t = 0 eine Schritt-
spannung der Höhe Uq0 .
Abbildung 1.82: Einseitig leerlaufende verlustfreie Leitung, gespeist durch eine Quelle mit
endlichem Quellenwiderstand.
Zur Zeit t < 0 ist das ganze System in Ruhe, sämtliche Ströme und Spannungen sind null.
Zur Zeit t = 0 schaltet die Spannungsquelle vom Wert uq = 0 auf uq = Uq0 . Im Zeitbereich
0 < t < T (T = Signallaufzeit der Leitung) läuft nur eine Welle ua , ia nach rechts (Abb. 1.83):
Zw
u = ua = Uq0 (1.199)
Zq + Zw
ua
i = ia = (1.200)
Zw
ub = 0 (1.201)
ib = 0 (1.202)
Abbildung 1.83: Nach rechts laufende Welle zur Zeit 0 < t < T .
Zur Zeit t = T erreicht die Welle ua , ia das leerlaufende Ende der Leitung und erfährt eine
Reflexion mit dem Reflexionsfaktor r2 = 1. Abb. 1.84 illustriert den Zeitbereich T < t < 2T .
Abbildung 1.84: Ströme und Spannungen zur Zeit T < t < 2T .

Abb. 1.85 zeigt die Ströme und Spannungen auf der Quellenseite.
Abbildung 1.85: Ströme und Spannungen auf der Quellseite.
Zur Zeit t = 2T erreicht die Vorderflanke der rücklaufenden Welle ub , ib die Quellenseite
der Leitung und erfährt wiederum eine Reflexion. Die Randbedingung auf der Quellenseite
ist:
ua ub
Uq0 = ua + ub + − Zq (1.203)
Zw Zw
Damit gilt für den Zeitbereich 2T < t < 3T
Zw Uq0 Zq − Zw
ua = + ub = ua (2T ) + ub r1 (1.204)
Zq + Zw Zq + Zw
r1 entspricht dem Reflexionsfaktor am linken Leitungsende
Zq − Zw
r1 = (1.205)
Zq + Zw
Abb. 1.86 zeigt Ströme und Spannungen im Zeitbereich 2T < t < 3T .
Abbildung 1.86: Ströme und Spannungen zur Zeit 2T < t < 3T .

Nach jedem Zeitinkrement 2T erhöht sich ua am linken Leitungsende:
t=0:
Uq0 Zw
ua = = ua0 (1.206)
Zq + Zw
t = 2T :
ua1 = ua0 + ua0 r1 = ua0 (1 + r1 ) (1.207)
t = 4T :
ua2 = ua0 + ua1 r1 = ua0 (1 + r1 + r12 ) (1.208)
t = 2nT :
uan = ua0 + uan−1 r1 = ua0 (1 + r1 + r12 + ..r1n−1 + r1n ) (1.209)
Die Spannung u1 am linken Ende nimmt also folgenden zeitlichen Verlauf an:
u1,n = uan + ubn = uan + uan−1 (1.210)
Der Index n gibt das zeitliche Inkrement ∆t = 2nT an. Die Eingangsspannung u1,n ist
also:
t=0:
u1,0 = ua0 (1.211)
t = 2T :
r1
u1,1 = 2ua0 1 + (1.212)
2
t = 4T :
r12

u1,2 = 2ua0 1 + r1 + (1.213)
2
t = 2nT :
rn

u1,n = 2ua0 1 + r1 + r12 + ...r1n−1 + 1 (1.214)
2
Abb. 1.87 zeigt den zeitlichen Verlauf u1 (t) für Zq = 3Zw ⇒ r1 = 0.5
Abbildung 1.87: Zeitlicher Verlauf der Eingangsspannung u1 (t) der leerlaufenden Leitung für
Zq = 3Zw ⇒ r1 = 0.5.
Mit jedem Durchgang einer Welle wird die Leitung weiter aufgeladen. In erster Näherung
kann die leerlaufende Leitung mit der Leitungskapazität CL dargestellt werden. Sie bildet
mit der reellen Quellenimpedanz Zq ein RC-Glied, wie es in Abb. 1.88 veranschaulicht ist.
Abbildung 1.88: Ersatzschaltung der leerlaufenden Leitung mit einer Kapazität CL .
Dabei ist die Leitungskapazität

T
CL = C 0 l = (1.215)
Zw
mit T : Laufzeit der Leitung
und die Zeitkonstante τRC der Ersatzschaltung

Zq
τRC = Zq CL = T (1.216)
Zw
Abb. 1.87 zeigt die mit der Zeitkonstante τRC exponentiell zunehmende Kondensatorspan-
nung uRC , die eine Näherung an den exakten stufenförmigen Spannungsverlauf darstellt.
Im obigen Beispiel, das mit dem Reflexionsfaktor r2 = 1 noch eine Spezialfall darstellt,
konnte die Schrittantwort der Schaltung ohne großen Aufwand ermittelt werden. Für den
allgemeinen Fall mit linearen oder nichtlinearen Abschlüssen einer verlustfreien Leitung
besteht ein graphischer Algorithmus, der im nächsten Abschnitt eingeführt wird.
1.10.2 Das Bergeron-Verfahren

Das Bergeron-Verfahren ist ein graphische Methode, mit dessen Hilfe Mehrfachreflexionen
sehr einfach und anschaulich dargestellt werden können. Mit dem Bergeron-Verfahren werden
Ströme und Spannungen auf einer Leitung in karthesischen Koordinaten dargestellt, wobei
wir uns darauf einigen, den Strom auf der horizontalen Achse und die Spannung auf der
vertikalen Achse nach Abb. 1.89 aufzuzeichnen. Die Maßstäbe werden dabei zweckmäßiger-
weise so gewählt, dass die Steigung von 45◦ gerade dem Wert der reellen Wellenimpedanz Zw
entspricht. Die Ströme und Spannungen einer Leitung können, mit geeigneten vorwärts- und
rückwärtslaufenden Welle, jeden Punkt in diesem Diagramm einnehmen. Liegt aber bei-
spielsweise ein solcher Strom/Spannungspunkt exakt auf der Zw -Geraden (45◦ -Geraden) im
1. oder 3. Quadranten, dann führt die Leitung eine rein vorwärtslaufende Welle. Bei einer rein
rückwärtslaufenden Welle liegt der zugehörige Strom/Spannungspunkt auf der Zw -Geraden
im 2. oder 4. Quadranten. Nach Abb. 1.90 kann jeder beliebige u-i-Zustand in zwei Teilwellen,
entsprechend einer vorwärtslaufenden und einer rückwärtslaufenden Welle aufgeteilt werden,
indem das Lot auf eine der Zw -Geraden gefällt wird.
Abbildung 1.89: Darstellung von Strom und Spannung auf einer Leitung.
Abbildung 1.90: Aufteilung eines beliebigen u-i-Zustandes in eine vorwärts- und eine
rückwärtslaufende Welle.
Zur Zeit t = 0 zeigt die Spannungsquelle den Übergang von der Spannung uq = 0 zu
uq = Uq0 . Die Laplace-Transformierte der Sprungfunktion uq (t) ist Uq (s) = Uq0 /s. Mit dem
eingeführten Strom-Spannungsdiagramm, dem Bergeron-Diagramm, stellen wir in einem ers-
ten Schritt die Verhältnisse auf einer Leitung dar, die mit einer Quelle mit reeler Innen-
impedanz Zq gespeist wird. Abb. 1.91 zeigt das Bergeron-Diagramm für eine an eine Span-
nungsquelle angeschlossene Leitung. Unter der Annahme, dass keine rückwärtslaufende Welle
existiert (ub , ib = 0) kann als Schnittpunkt der Quellencharakteristik mit der Zw -Geraden
im 1. Quadranten die vorwärtslaufende Welle ua , ia bestimmt werden. Im nächsten Schritt
lassen wir in Abb. 1.92 für die gleiche Schaltung eine schon vorhandene rückwärtslaufende
Welle ub , ib zu. Nun verschiebt sich der Strom-Spannungszustand u-i am Leitungseingang auf
einen Schnittpunkt zwischen der Quellengeraden und einer Zw -Geraden durch den Punkt ub ,
Abbildung 1.91: Darstellung des u-i-Zustandes ohne rückwärtslaufende Welle ub , ib auf einer
Leitung.
ib .
Damit sind alle Elemente der Bergeron-Methode eingeführt und es soll nun, anhand des
in Abb. 1.93 abgebildeten Beispiels, das vollständige Diagramm konstruiert werden.
Die Spannungsquelle erzeugt zur Zeit t = 0 einen Spannungsschritt von uq = 0
auf uq = Uq0 . Es entsteht eine vorwärtslaufende Welle ua , ia , deren Parameter durch
den Punkt 1“ bestimmt werden. In diesem Punkt schneiden sich die Quellengerade mit der
”
Steigung Zq und die Zw -Gerade im 1. Quadranten.
Erreicht die Welle die Lastseite, muss am Leitungsausgang ein Strom/Spannungszustand
erzeugt werden, der dem Lastwiderstand entspricht. Dabei wird eine rückwärtslaufen-
de Welle angeregt. Die bestehende vorwärtslaufende Welle bleibt erhalten. Diesen neuen
Strom/Spannungszustand finden wir als Punkt 2“ auf der Lastgeraden RL , ausgehend vom
”
Punkt 1“. Die Strecke 1“- 2“ zeigt die Steigung −Zw . Damit ist die Welle ub , ib erzeugt
” ” ”
worden.
Zum Zeitpunkt t = 2T trifft die Welle ub , ib auf der Quellenseite ein. Hier muss sich
ein Strom/Spannungszustand entsprechend der Quellengeraden einstellen. Ausgehend vom
Punkt 2“ finden wird den neuen Punkt 3“ als Schnittpunkt der Geraden mit der Stei-
” ”
gung Zw mit der Quellengeraden.
Abbildung 1.92: Darstellung des u-i-Zustandes mit rückwärtslaufender Welle ub , ib auf einer
Leitung.
Abbildung 1.93: Bergeron-Diagramm bei schrittförmiger Anregung für Zq = Zw /3 und

RL = 4Zw .
Abbildung 1.94: Die Spannung u1 am Leitungseingang und u2 am Leitungsausgang.
Die Strom- und Spannungsverläufe am Leitungseingang und -ausgang können nun aus
dem Diagramm entnommen werden:
Auf der Quellenseite entsprechen der Leitungsstrom und die Leitungsspannung zur
Zeit t = 0 dem Punkt 1“ und zur Zeit t = 2T dem Punkt 3“. Auf der Lastseite entsprechen
” ”
u2 und i2 zur Zeit t = T dem Punkt 2“ und zur Zeit t = 3T dem Punkt 4“. Die Spannung
” ”
u1 am Leitungseingang und u2 am Leitungsausgang sind in Abb. 1.94 dargestellt.
In Abb. 1.95 findet sich das gleiche Schaltungsbeispiel, wobei hier die Anregung aus einem
kurzen Rechteckimpuls besteht. Auch diese Aufgabe lässt sich mit dem Bergeronverfahren
lösen. Es ist einzig zu beachten, dass zum Zeitpunkt t = 2T , wenn die reflektierte Welle auf
der Quellenseite eintrifft, die Quellengerade mit der Steigung Zq durch den Nullpunkt geht
und nicht mehr durch u = Uq0 . Das liegt daran, dass der Rechteckimpuls bereits wieder auf
uq = 0 gesunken ist, denn die Dauer des Impulses ist kürzer als die doppelte Signallaufzeit T
der Leitung.
Das Bergeron-Verfahren lässt sich auch für nichtlineare Quellen- bzw. Lastcharakteristiken
anwenden. Die ist besonders in der Digitaltechnik von Bedeutung, da verschiedene logische
Schaltungen in den spezifizierten Betriebsbereichen nichtlineares Verhalten zeigen. Abb. 1.96
zeigt als Beispiel eine Leitung mit einer Diode als nichtlineare Last.
Abbildung 1.95: Bergeron-Verfahren einer mit einem kurzen Rechteckimpuls angeregten Lei-
tung.
Abbildung 1.96: Das Bergeron-Verfahren für eine Leitung mit nichtlinearem Abschluss.
1.10.3 Die verlustfreie Leitung mit eingangsseitiger Anpassung und

reaktiv-resistiver Last
Die in Abb. 1.97 gezeigte Leitung, die eingangsseitig angepasst und ausgangsseitig mit einem
reaktiven Netzwerk belastet ist, scheint im ersten Moment ein etwas konstruierter Spezialfall
zu sein.
Abbildung 1.97: Verlustfreie Leitung mit eingangsseitiger Anpassung und reaktiv-resistiver

Last.
Tatsächlich handelt es sich dabei um eine Messmethode der Schrittantwort von Leitun-
gen und Netzwerken, die in der Elektronik sehr häufig eingesetzt wird: die Reflektometrie
(TDR = Time Domain Reflectometer). Im Reflektometer wird mit der angepassten Quelle
ein Spannungsschritt generiert, der von der reaktiven Last reflektiert wird und mittels einer
Spannungssonde detektiert wird. Die Spannungssonde hat nur einen geringen Einfluss auf
die Messung, da sie die Leitung nur unwesentlich belastet. Abb. 1.98 zeigt schematisch diese
TDR-Messeinrichtung.
Abbildung 1.98: Schematische Darstellung eines Reflektometers (TDR).
In Abb. 1.99 ist ein typischer Spannungsverlauf, wie er vom Detektor eines Reflektometers
erfasst wird, gezeigt.
Abbildung 1.99: Ein typisches vom Spannungsdetektor gezeigtes Signal us (t) eines Reflekto-
meters.
Der Spannungsdetektor sollte eine möglichst hohe zeitliche Auflösung aufweisen. Bei
den meisten TDRs ist der Spannungsdetektor ein Abtastoszillograph (Sampling Oscillos-
cope). Die zeitliche Auflösung liegt bei den schnellsten Geräten bei 6 ps. Der Detektor des
Reflektometers misst die Leitungsspannung, d. h. die Summe der vorwärts- und rückwärts-
laufenden Spannungswellen. Die Detektorspannung wird zuerst den Spannungsschritt
der Quelle anzeigen und erst nach der doppelten Laufzeit vom Detektor zur Last das
überlagerte, reflektierte Signal. Das TDR ist somit auch geeignet zur Bestimmung einer
Distanz zwischen einem Leitungseingang und einer Stelle, an der eine Leitung einen Feh-
ler, wie z. B. einen Kurzschluss, einen Unterbruch oder eine beliebige Diskontinuität, aufweist.
Analyse der verlustfreien Leitung mit reaktiv-resistiver Last
Die Schrittanwort des TDR-Systems soll nun mit Hilfe der Laplace-Transformation ana-
lysiert werden. Abb. 1.100 zeigt die verwendeten Parameter u1a und u1b am Leitungseingang
und u2a und u2b am Leitungsausgang.
Abbildung 1.100: Definitionen der in der Analyse verwendeten vorwärts- und rückwärtslau-
fenden Spannungswellen ua und ub .
Zur Zeit t = 0 zeigt die Spannungsquelle den Übergang von der Spannung uq = 0 zu
uq = Uq0 . Die Laplace-Transformierte von uq (t) ist
Uq0
Uq (s) = (1.217)
s
und die vorwärtslaufende Welle am Ort z = 0 ist
Uq0 (s) Uq0
U1a (s) = = (1.218)
2 2s
Am Ort z = l gilt für die vorwärtslaufende und die reflektierte Welle:
Uq0 −sT
U2a (s) = U1a (s)e−sT = e (1.219)
2s
Uq0 −sT ZL (s) − Zw
U2b (s) = U2a (s)r(s) = e (1.220)
2s ZL (s) + Zw
Die Spannung an der Lastimpedanz Z L ist somit
Uq0 −sT ZL (s)

U2 (s) = U2a (s) + U2b (s) = e (1.221)
s ZL (s) + Zw
Am Ort z = 0 ist die Detektorspannung Us :
Us (s) = U1 (s) = U1a (s) + U1b (s) = U1a (s) + U2b (s)e−sT (1.222)
daraus ergibt sich
Detektorspannung:
Uq0 Uq0 −2sT ZL (s) − Zw
Us (s) = + e (1.223)
2s 2s ZL (s) + Zw
Die Schrittantworten u2 (t) und us (t) können wie folgt sehr plausibel dargestellt werden:
1. Die Schrittantwort u2 (t):

Für die Zeit t > T entspricht u2 (t) der um die Laufzeit T verzögerten Schrittantwort
u02 (t) der in Abb. 1.101 dargestellten Ersatzschaltung.
u2 (t) = u02 (t − T )
Mit dieser Definition der Spannung u02 wird die t-Achse des Koordinatensystems so ver-
schoben, dass nun die vorwärtslaufende Welle u1a das Leitungsende zum Zeitpunkt t = 0
erreicht.
2. Detektorspannung us (t):
Für die Zeit 0 < t < 2T erscheint in us (t) nur die vorwärtslaufende Welle u1a . Für
t ≥ 2T entspricht us (t) der um 2T verzögerten Schrittantwort u02 (t).
us (t) = u02 (t − 2T )
Abbildung 1.101: Ersatzschaltung zur Erzeugung von u02 (t) und typischer Schrittantworten
der Spannungen u2 (t), us (t) und u02 (t).
Beispiel:
Abb. 1.102 zeigt eine mit einem einfachen reaktiven Netzwerk belastete Leitung.
Abbildung 1.102: Leitung mit reaktiver Last.
Zw = 50 Ω, l = 4 m, T = 20 ns, RL = 100 Ω, CL = 500 pF, Uq0 = 1 V
Nach (1.221) ist
Uq0 −sT
e
Uq0 −sT 1 Z w C L
U2 (s) = e = (1.224)
s 1 + Zw /Z L 1 1 1
s s+ +
CL RL Zw
Im Zeitbereich:
für t < T :
u2 (t) = 0
für t ≥ T :
t−T
Uq0 −
u2 (t) = 1−e τ (1.225)
1 + Zw /RL
CL
mit τ : Zeitkonstante τ =
1 1
+
RL Zw
Mit den gegebenen Werten folgt für die Zeitkonstante τ = 16.7 ns. Abb. 1.103 zeigt die
entsprechenden Spannungen uq (t), u2a (t), u2 (t), u2b (t) und us (t).
Abbildung 1.103: Spannungen uq (t), u2a (t),u2 (t), u2b und us (t) = u1a + u1b .
1.10.4 Impulsverzerrung auf der skineffektbehafteten Leitung

Bei längeren Leitungen mit Signalfrequenzen >10...100 kHz (Elektronik, Datenübertragung,
Trägerfrequenztelefonie, Kabelfernsehen usw.) tritt der ausgeprägte Skineffekt meist als do-
minanter Anteil der Leitungsverluste auf. In diesem Abschnitt wird die Schrittantwort einer
skineffektbehafteten Leitung analysiert. Es wurde bereits gezeigt, dass die Dämpfung durch
√
den Skineffekt proportional zu ω ist, d. h. die Leitung zeigt Tiefpass-Eigenschaften und wir
erwarten daher eine Schrittantwort, wie sie qualitativ in Abb. 1.104 dargestellt ist.
Abbildung 1.104: Qualitatives Verhalten der Schrittantwort einer skineffektbedämpften Lei-

tung.
Für die Analyse machen wir folgende Annahmen bezüglich des betrachteten Frequenzbe-
reichs fmin ...fmax :
1. fmin ist so hoch, dass ein ausgeprägter Skineffekt auftritt:

Eindringtiefe δ(fmin ) Leiterdicke
2. Im betrachteten Frequenzbereich soll nur der bisher angenommene TEM-Wellentyp

ausbreitungsfähig sein (keine höheren Wellentypen).
Das für den ausgeprägten Skineffekt gültige Leitungsersatzschaltbild ist nochmals in

Abb. 1.105 dargestellt.
Abbildung 1.105: Leitungsersatzschaltung der skineffektbehafteten Leitung.

Für die Koaxialleitung gilt (1.145) und (1.148):

r
Z Z ω
Z = + = R00 (1 + j)
0
(1.226)
2πra 2πrb ω0
r
ωµρ
mit Z : Oberflächenimpedanz Z = (1 + j)
2
und ω0 : Referenzkreisfrequenz bei der Z 0 = R00 (1 + j)
Die Ausbreitungskonstante γ ist

√ R0
r
j2ω
γ ≈ jω L0 C 0 + 0 (1.227)
2Zw ω0
und die Wellenimpedanz Z w
s r
R0 + jωL0 L0
Zw = ≈ (1.228)
G0 + jωC 0 C0
Die Betriebsübertragung U 2 /U 1 über eine Leitung der Länge l ist:
√ R l 0 q √ √ q jω
U2 0 0 − 0
j2ω
−jωl L0 C 0 −α0 l 2 ω0
= e−jωl L C e 2Zw ω0
=e e (1.229)
U1
R00 l
mit α0 l = = Leitungsdämpfung bei der Kreisfrequenz ω = ω0
2Zw
Zur Bestimmung der Schrittantwort im Zeitbereich suchen wir vorerst die Laplace-
Transformierte. Die Laplace-Transformierte der Impulsantwort lässt sich mit U 2 (ω)/U 1 (ω)
darstellen, wenn jω durch s ersetzt wird. Dies ist zulässig, da U 2 /U 1 die Antwort eines pas-
siven Systems ist und im Zeitbereich für t ≤ 0 U 2 /U 1 = 0 gilt. Die Laplace-Transformierte
der Impulsantwort ist somit:
√ √ q s
U 2 (s) 0 0 −α0 l 2 ω
= e−sl L C e 0 (1.230)
U 1 (s)
Die Laplace-Transformierte der Schrittantwort mit Schritthöhe U10 ist:
√ q s
U 2 (s) 1 −α0 l 2 ω
= e−sT e 0 (1.231)
U10 s
√
mit T : Zeitverzögerung T = l L0 C 0
Wir interessieren uns in erster Linie√ für die Verzerrung der Schrittform und vernachlässi-
gen den reinen Verzögerungsterm e −sl L0 C 0 für die weitere Betrachtung:
√ q s
U 2 (s) 1 −α0 l 2 ω
= e 0 (1.232)
U10 s
Ein (gutes) Laplace-Lexikon liefert die entsprechende Zeitfunktion:
√
e−a s

a
↔ 1 − erf √ (1.233)
s 2 t
Die Errorfunktion erf(x), ist wie folgt definiert:
Z x
2 2
erf(x) = √ e−u du (1.234)
π 0
Damit wird die Schrittantwort im Zeitbereich:

r
u2 (t) α0 l τ
= 1 − erf √ = 1 − erf (1.235)
U10 2ω0 t t
α02 l2
mit τ : Zeitkonstante τ =
2ω0
Abb. 1.106 zeigt

p die Errorfunktion erf(x). In Abb. 1.107 ist die normierte Schrittantwort
u2 /u1 = 1 − erf( 1/T ) mit T = t/τ dargestellt. Der Vergleich mit der Schrittantwort ei-
nes Tiefpasses 1. Ordnung zeigt, dass die Schrittantwort einer skineffektgedämpften Leitung
bei anfänglich starker Zunahme von u2 /u1 im Bereich von u2 /u1 > 0.5 ein höchst lahmes“
”
Verhalten zeigt. Eine digitale Datenübertragung im Basisband und NRZ-Format müsste bei-
spielsweise eine Bitdauer von mindestens 20τ aufweisen, damit der Diskriminierung noch eine
gewisse Toleranz zugeordnet werden könnte. Die charakteristische Zeitkonstante ist propor-
tional zum Quadrat der Leitungslänge.
Abbildung 1.106: Errorfunktion erf(x).
Abbildung 1.107: p Normierte Schrittantwort einer durch skineffektbedämpften Leitung:

u2 /U1 = 1 − erf( 1/T ) mit T = t/τ .
1.10.5 Phasen- und Gruppenlaufzeit, Dispersion

In den bisherigen Betrachtungen von Signalen auf Leitungen haben wir nur ein Beispiel einer
Signalverzerrung, die Schrittantwort einer skineffektbehafteten Leitung, behandelt. Ganz
allgemein bewirken frequenzabhängige Dämpfungen und Laufzeiten lineare Verzerrungen.
Solche Verzerrungen können zu einem gewissen Grad mit einem phasenkorrigierenden
Netzwerk und einer frequenzabhängigen Verstärkung rückgängig gemacht werden.
Die Schrittantwort eines Systems, wie wir sie im vorhergehenden Abschnitt untersucht haben,
umfasst theoretisch eine unendlich große Bandbreite im Basisband. Zu einer hinreichenden
Charakterisierung einer Schrittantwort muss also der Frequenzgang einer Übertragungsstre-
cke über einen sehr großen Frequenzbereich bekannt sein. In vielen technischen Anwendungen
werden Signale (analoge und digitale) nicht im Basisband, sondern mittels eines Träger-
frequenzsignals in einem nach unten und oben begrenzten Frequenzband übertragen. Es
stellt sich also die Frage, ob bei einem Frequenzgang von Phase und Amplitude, der in
einem engen Frequenzbereich bekannt ist, einfache Aussagen zur Dispersion schmalbandiger
Signale im Zeitbereich gemacht werden können.
Dieser Abschnitt enthält eine Zusammenstellung

der Bedingung für Dispersionsfreiheit
der Beziehungen für die Phasen- und Gruppenlaufzeit
des Dispersionsverhaltens einer einfachen Signalform, des Gaußschen Impulses
Phasengeschwindigkeit und Gruppengeschwindigkeit
Unter der Phasengeschwindigkeit vp versteht man die Geschwindigkeit mit der sich ein
Punkt konstanter Phase auf einer Welle u(t, z) in z-Richtung bewegt:
n o
u(t, z) = < U 0 ej(ωt−βz) (1.236)
Die Bedingung, dass die Phase (ωt − βz) mit z = vp t konstant bleibt, ist
ω
Phasengeschwindigkeit: vp = (1.237)
β
Die Gruppengeschwindigkeit vg ist die Geschwindigkeit, mit der sich die Einhüllende einer
Wellengruppe bewegt, wie in Abb. 1.108 dargestellt.
Zur Bestimmung der Gruppengeschwindigkeit vg betrachten wir eine möglichst einfa-
che Wellengruppe: eine Schwebung u(t, z), d. h. die Überlagerung von zwei sinusförmigen
Signalen mit gleicher Amplitude und einem sehr kleinen Kreisfrequenzunterschied ∆ω, wie
u(t, z) = U0 [cos(ω0 t − β0 z) + cos((ω0 + ∆ω)t − (β0 + ∆β)z)] (1.238)

α+β α−β
Mit dem Additionstheorem cos α + cos β = 2 cos cos wird (1.238) zu
2 2

∆ω ∆β ∆ω ∆β
u(t, z) = 2U0 cos t− z cos + ω0 t − + β0 z (1.239)
2 2 2 2
| {z }| {z }
Einhüllende Träger
Abbildung 1.108: Phasengeschwindigkeit vp und Gruppengeschwindigkeit vg .
Abbildung 1.109: Schwebung: Überlagerung von zwei sinusförmigen Signalen mit gleicher
Amplitude und mit einem sehr kleinen Kreisfrequenzunterschied ∆ω.
Der erste Term von (1.239) stellt die langsam oszillierende Einhüllende, der zweite Term
das Trägersignal dar. Die Geschwindigkeit vg der Einhüllenden, die sogenannte Gruppenge-
schwindigkeit, kann wie im vorher betrachteten Fall der Phasengeschwindigkeit vp bestimmt
werden.
∆ω ∆β
Damit die Phase t− z mit z = vg t konstant bleibt, muss gelten:
2 2
∆ω
vg = (1.240)
∆β
Für beliebig kleine Kreisfrequenzunterschiede ∆ω machen wir den Übergang vom Diffe-
renzenquotienten zum Differentialquotienten:
dω
Gruppengschwindigkeit: vg = (1.241)
dβ
Ein beliebiges amplitudenmoduliertes Signal (nicht nur eine Schwebung) wird unverzerrt
übertragen, wenn im Frequenzbereich des Signals die Gruppengeschwindigkeit vg konstant
bleibt, d. h. eine Ausbreitungskonstante γ die linear von der Frequenz abhängig ist, überträgt
die Einhüllende eines Signals mit der Trägerkreisfrequenz ω0 dispersionsfrei.
γ = jβ = j(β0 + β 0 (ω − ω0 )) (1.242)
Die Gruppengeschwindigkeit ist dabei
dω 1
vg = = 0 (1.243)
dβ β
Abb. 1.110 illustriert die Übertragung einer Wellengruppe mit einem linearen Frequenz-
gang des Phasenbelags β.
Abbildung 1.110: Übertragung einer Wellengruppe mit einem linearen Frequenzgang des Pha-
senbelags β. Die Einhüllende bleibt unverändert, während sich die Phase des Trägers relativ
zur Einhüllenden verändern kann.
Allgemein kann die Gruppengeschwindigkeit vg mit (1.237) und (1.241) als Funktion der
Phasengeschwindigkeit vp und des Phasenbelags β wie folgt ausgedrückt werden:
dω d(vp β) dvp
vg = = = vp + β (1.244)
dβ dβ dβ
Die Gruppengeschwindigkeit vg entspricht der Energietransportgeschwindigkeit der
elektromagnetischen Welle und kann die Lichtgeschwindigkeit c0 nicht überschreiten.
Beispiel: Gruppenlaufzeit der skineffektbehafteten Leitung
Es gilt
√ R0
r
ω
β = ={γ} = ω L0 C 0 + 0 (1.245)
2Zw ω0
Die spezifische Gruppenlaufzeit τg0
1 dβ √ R00
τg0 = = = L0 C 0 + √ (1.246)
vg dω 4Zw ωω0
Mit den Leitungsdaten des Beispiels aus Abschnitt 1.9.3 finden wir für eine Trägerfre-
quenz f0 = 1 MHz eine spezifische Gruppenlaufzeit τg0 = 4.881 ns/m.
√
Davon sind: Anteil der idealen Leitung L0 C 0 = 4.714 ns/m
R00
Anteil der Skineffektverluste √ = 0.167 ns/m
4Zw ωω0
Die Gruppenlaufzeit erfährt durch den Skineffekt nur eine sehr kleine Erhöhung ge-
genüber dem Wert der idealen Leitung.
Dispersion von schmalbandigen Signalen: Dispersion des Gaußschen Impulses
Im vorangehenden Abschnitt wurde gezeigt, dass in einem Bereich konstanter Gruppen-

geschwindigkeit eine Signaleinhüllende unverzerrt übertragen wird. Eine Phasenkonstante
β = β0 + β 0 (ω − ω0 ) bewirkt keine Dispersion eines schmalbandigen Signals mit einer Mit-
tenkreisfrequenz ω0 .
Es stellt sich nun die Frage, ob eine einfache Aussage gemacht werden kann für eine Pha-
senkonstante, die neben dem linearen Term β 0 (ω − ω0 ) noch, als bessere Näherung zu einer
00
beliebigen Funktion β(ω), einen quadratischen Term β2 (ω − ω0 )2 aufweist:
β 00
β = β0 + β 0 (ω − ω0 ) + (ω − ω0 )2 (1.247)
2
Es wird im Folgenden gezeigt, dass für die spezielle Signalform eines gaußförmigen Impul-
ses eine sehr einfache Dispersionsbeziehung besteht. Ein gaußförmiger Impuls im Zeitbereich
ist von der Form
2 2 A 2 2
G0 (t) = U0 e−t /(2σt ) = √ e−t /(2σt ) (1.248)
σt 2π
mit σt : zeitliche Standardabweichung
und A : Impulsfläche
Ein gaußförmig amplitudenmodulierter Impuls ist von der Form:

n 2 2
o
g(t) = < G0 (t)ejω0 t = < U0 e−t /(2σt ) ejω0 t

(1.249)
In Abb. 1.111a ist ein Gaußscher Impuls und in Abb. 1.111b ist ein gaußförmig amplitu-
denmodulierter Impuls im Zeitbereich dargestellt:
Abbildung 1.111: a) Gaußscher Impuls im Basisband und b) gaußförmig amplitudenmodu-

lierter Impuls.
Wir beschränken uns auf den schmalbandigen amplitudenmodulierten Gaußschen Impuls:

1 2π
σt = (1.250)
f0 ω0
Die Herleitung des Dispersionsverhaltens des gaußförmig amplitudenmodulierten Impul-

ses (1.249) mit dem Phasenbelag (1.247) ist etwas langwierig; das Resultat aber sehr einfach.
Wir beschränken uns auf die Interpretation des Resultates:
Unter dem Einfluss des Phasenbelags als quadratische Funktion der Frequenz (1.247) wird
die ursprünglich reelle Funktion der Einhüllende G0 (t) des Gaußschen Impulses

jω0 t A −t2 /(2σt2 ) jω0 t
g(t) = < G0 (t)e =< √ e e (1.251)
σt 2π
komplex und es resultiert ein verzerrter Gaußscher Impuls der Form:

A 2 2
g1 (t) = < G0 (t)ejω0 t = < √ e−t /(2σtc ) ejω0 t

(1.252)
σ tc 2π
Dabei ist die komplexe Einhüllendenfunktion G0 (t)
A 2 /(2σ 2 )
G0 (t) = √ e−t tc (1.253)
σ tc 2π
und die komplexe zeitliche Standardabweichung
σ 2tc = σt2 − jLβ 00 (1.254)
mit l: Leitungslänge
In Abb. 1.112 ist die komplexe Einhüllendenfunktion G0 (t) und die zugehörige Funktion
g1 (t) für verschiedene Werte von lβ 00 /σt2 dargestellt.
Abbildung 1.112: Verhalten der komplexen Einhüllenden G0 (t) und des verzerrten gaußförmi-
gen Impulses g1 (t) für verschiedene Werte von lβ 00 /σt2 .
Ein gaußförmiger Impuls g1 (t) mit komplexer Standardabweichung hat wiederum eine
gaußförmige Einhüllende. Daher kann er auch als ein gaußförmiger Impuls mit einer reellen
gaußförmigen Einhüllenden mit reeller zeitlicher Standardabweichung σt0 und Impulshöhe U1
dargestellt werden.
Die Verzerrung eines gaußförmig amplitudenmodulierten Impulses durch eine Ausbreitungs-
konstante γ unter Einbezug eines konstanten Dämpfungbelags α
β 00

0 2
γ = α + j β0 + β (ω − ω0 ) + (ω − ω0 ) (1.255)
2
kann wie folgt zusammengefasst werden (Abb. 1.113):
Abbildung 1.113: Verhalten des gaußförmig amplitudenmodulierten Impulses unter Einfluss

β 00

0
einer Ausbreitungskonstante: γ = α + j β0 + β (ω − ω0 ) + (ω − ω0 )2
2
50 % Impulsbreite = FWHM (Full Width Half Maximum)
FWHM ≈ 2.36σt
1.Die gaußförmige Einhüllende bleibt erhalten:

2 02
g1 (t) = Re U1 e−t /(2σt ) ejω0 t (1.256)
2.Die zeitliche Standardabweichung σt wird auf den Wert σt0 vergrößert:

s
l2 β 002
σt0 = σt 1 + (1.257)
σt4
3. Die Impulshöhe U0 wird auf den Wert U1 reduziert:

r
σt
U1 = U0 e−αl (1.258)
σt0
Bei schmalbandigen Signalen ist im Allgemeinen die Auswirkung der Dispersion bei den hier
behandelten Leitungen (TEM-Wellentyp) von untergeordneter Bedeutung. Bei einer skinef-
fektbedämpften Leitung wird die maximal einsetzbare Leitungslänge in erster Linie durch die
reine Dämpfung begrenzt. Laufzeitverzerrungen schmalbandiger Signale sind dagegen wichtig
bei
Filtern
optischen Fasern (Lichtwellenleitern)
metallischen Hohlleitern
1.11. MEHRFACHLEITUNGEN 107
1.11 Mehrfachleitungen
Unter einer Mehrfachleitung verstehen wir eine zylindrische Leitungsstruktur mit mehr als
zwei metallischen Leitern, die induktiv und kapazitiv gekoppelt sind. Abb. 1.114 zeigt drei
technisch wichtige Mehrfachleiterstrukturen: die geschirmte Zweidrahtleitung, den Sternvierer
und den Mehrfach-Streifenleiter.
Abbildung 1.114: Mehrfachleiterstrukturen: a) geschirmte Zweidrahtleitung, b) Sternvierer

c) Mehrfach-Streifenleiter.
In diesem Abschnitt werden wir das elektrische Verhalten der gekoppelten Leitungen
untersuchen. In den meisten Fällen ist die Kopplung, das sogenannte Übersprechen (cross
talk), zwischen den Leitern eine unerwünschte Erscheinung. In der Hochfrequenztechnik
wird allerdings die Kopplung zwischen Leitern nutzbringend in verschiedenen Typen von
Kopplern und Filtern eingesetzt.
Als kurzer Ausblick und Vorgeschmack werden drei interessante Resultate vorweggenom-
men:
1. Wie im Fall der einfachen Leitung ist die querhomogene, verlustfreie Mehrfachleitung
am einfachsten zu analysieren. In der Praxis ist sie die nullte Näherung für beliebige
gekoppelte Leitungen.
2. Auch Mehrfachleitungen können mit einem geeigneten Abschlussnetzwerk (Wellenim-

pedanzmatrix) reflexionsfrei abgeschlossen werden. Als Beispiel ist in Abb. 1.115 ein
reflexionsfreies Abschlussnetzwerk für eine Vierfachleitung dargestellt.
Abbildung 1.115: Reflexionsfreies Abschlussnetzwerk einer querhomogenen, verlustfreien

Vierfachleitung.
Das Abschlussnetzwerk hat dabei folgende Eigenschaften: Es ist topologisch identisch

mit dem Netzwerk der Leitungskapazitäten, d. h. es besteht eine Impedanz zwischen
jedem Leiterpaar mit dem Wert
1
Z Li = (1.259)
Ci0 vp
1
Z Lik = 0 v (1.260)
Cik p
Ci0 : Kapazitätsbelag zwischen dem Leiter i und Bezugsleiter 0 (Erdleiter)

0 : Kapazitätsbelag zwischen den Leitern i, k
Cik
vp : Phasengeschwindigkeit der querhomogenen Leitung
3. Bei querinhomogenen Mehrfachleitungen existieren Anregungsarten, die frei von Kopp-

lungen sind. Eine solche Welle breitet sich mit einer bestimmten Phasengeschwindigkeit,
einem sogenannten Eigenwert des Systems, aus. Entlang der Leitung bleiben hierbei die
Verhältnisse der Leiterspannungen unverändert. Abb. 1.116 zeigt als einfaches Beispiel
die Gleich- und die Gegentaktanregung auf einer symmetrischen Dreifachleitung. Im
Gleichtaktfall führen beide Streifenleiter den gleichen Strom und der Rückstrom läuft
über die Grundplatte. Im Gegentaktfall sind die Stöme in den Streifenleitern dem Be-
trag nach gleich, unterscheiden sich aber im Vorzeichen. In der Grundplatte fließt dabei
kein Strom. Aus Symmetriegründen kann zwischen den beiden Fällen keine Kopplung
stattfinden. Die beiden Wellen werden aber eine unterschiedliche Phasengeschwindigkeit
aufweisen.
Abbildung 1.116: Querinhomogene, symmetrische Dreifachleitung.
In diesem Abschnitt werden wir zuerst eine allgemeine Betrachtung der nichthomogenen,
verlustbehafteten Mehrfachleitung anstellen und dabei einige wichtige grundsätzliche Resul-
tate gewinnen. Des Weiteren werden wir technisch interessante Spezialfälle behandeln, deren
Analyse wesentlich einfacher ist, als beim allgemeinen Fall.
1.11.1 Die Analyse der allgemeinen Mehrfachleitung
Für die Herleitung der Leitungsgleichungen der Mehrfachleitung werden wir gleichzeitig die
Dreifachleitung und die allgemeine Mehrfachleitung mit n + 1 Leitern nach Abb. 1.117 be-
trachten. Im Folgenden werden Matrizen mit einemˆ(Zirkumflex) gekennzeichnet.
Abbildung 1.117: Definition der Dreifachleitung und der Mehrfachleitung.
Abb. 1.118 illustriert die Definition der Längsinduktivitätsbeläge und der Gegenindukti-
vitätsbeläge
Abbildung 1.118: Definition der Längsinduktivitätsbeläge und der Gegeninduktivitätsbeläge.
Längsimpedanzbeläge
Dreifachleitung n + 1-Fachleitung
Z 011 = R10 + jωL01

Z 0ii = Ri0 + jωL0i (1.261)
Z 022 = R20 + jωL02
Gegenimpedanzbeläge
Z 012 = jωM12
0 0
Z 0ik = jωMik
(1.262)
Z 021 = Z 012 ∀Z 0ik mit i 6= k
Mit den gewählten Stromrichtungen ist M12 0 > 0. Analog zu den Längs- und Gegenindukti-
vitätsbelägen lassen sich Quer- und Gegenadmittanzbeläge nach Abb. 1.119 definieren:
Abbildung 1.119: Definition der Queradmittanz- und Gegenadmittanzbeläge.
Queradmittanzbeläge
Y 01 = G01 + jωC10
Y 0i = G0i + jωCi0 (1.263)
0
Y = 2 G02 + jωC20
Gegenadmittanzbeläge
Y 012 = −G012 − jωC12

0
Y 0ik = −G0ik − jωCik
0
(1.264)
Y 021 = Y 012 ∀ Y 0ik mit i 6= k
Mit den so definierten Impedanz- und Admittanzbelägen werden nun die Leitungsglei-
chungen wie in Abschnitt 1.2 aufgestellt.
Spannungsabfälle an den Längsimpedanzen

dU 1
− = Z 011 I 1 + Z 012 I 2 ~
dz dU 0
− = Ẑ I~ (1.265)
dU dz
− 2 = Z 021 I 1 + Z 022 I 2
dz
Querströme
dI 1
− = Y 011 U 1 + Y 012 U 2
dz dI~ 0
~
− = Ŷ U (1.266)
dI dz
− 2 = Y 021 U 1 + Y 022 U 2
dz
mit
Y 011 = Y 01 − Y 012 X
Y 0ii = Y 0i − Y 0ik (1.267)
0 0 0
Y 22 =Y −Y
2 21 k6=i
Wie im Fall der Zweidrahtleitung kann aus den Matrizengleichungen (1.265) und (1.266)
~ oder I~ eliminiert werden. Wir eliminieren I~ durch Ableiten von (1.265) nach z
entweder U
und Einsetzen in (1.266):
~
d2 U ~
0 dI 0 0
= −Ẑ ~ = K̂ U
= Ẑ Ŷ U ~ (1.268)
dz 2 dz
0 0
mit K̂: Leitungsmatrix K̂ = Ẑ Ŷ
Für die Dreifachleitung erhalten wir

0 0
Z 11 Y 11 + Z 012 Y 021 Z 012 Y 022 + Z 011 Y 012

K̂ = (1.269)
Z 021 Y 011 + Z 022 Y 021 Z 022 Y 022 + Z 021 Y 012
0 0
Ẑ und Ŷ sind symmetrische Matrizen, aber K̂ ist im Allgemeinen nicht symmetrisch.
~ mit al-
(1.268) ist die Wellengleichung der Mehrfachleitung. Dabei ist jede Teilspannung von U
len anderen Leitern verkoppelt. Durch eine geeignete Linearkombination der Teilspannungen
ist es möglich, ein System ungekoppelter Wellengleichungen zu erhalten. Die Teilspannungen
von U~ sind dann Funktionen der ungekoppelten Spannungen U ~ u:
U 1 = V 11 U u1 + V 12 U u2
~ = V̂ U
U ~u (1.270)
U 2 = V 21 U u1 + V 22 U u2
Die Transformationsmatrix V̂ transformiert (1.268) so, dass ein System ungekoppelter

−1
Gleichungen entsteht. (1.270) in (1.268) eingesetzt und mit V̂ multipliziert:
~u
d2 U −1
~u
= V̂ K̂ V̂ U (1.271)
dz 2
−1
Für ein unverkoppeltes System nimmt die Matrix V̂ K̂ V̂ die Form
−1
V̂ K̂ V̂ = γ̂ 2 (1.272)
an, wobei γ̂ 2 eine Diagonalmatrix ist:

 2
γ1 0 ... 0

0 γ 22 ... 0
γ̂ 2 = 

·
 (1.273)
· ... 0
0 0 ... γ 2n
(1.272), mit V̂ vormultipliziert, lautet:

K̂ V̂ − V̂ γ̂ 2 = 0̂ (1.274)
und ausgeschrieben für die Dreifachleitung
(K 11 − γ 21 )V 11 + K 12 V 21 (K 11 − γ 22 )V 12 + K 12 V 22

0 0
= (1.275)
K 21 V 11 + (K 22 − γ 21 )V 21 K 21 V 12 + (K 22 − γ 22 )V 22 0 0
Jede Spalte von (1.275) bildet ein Gleichungssystem zur Bestimmung von γ 2 und einem
zugehörigen V -Vektor, d. h. einer Spalte der V̂ -Matrix.
X
(K ik − γ 2i δik )V ki = 0 (1.276)
k
δik : Kronecker-Delta: δik = 1 für i = k, δik = 0 für i 6= k
Da jede Spalte von (1.272) ein homogenes lineares Gleichungssystem ist, existieren nicht-
triviale Lösungen nur, wenn die entsprechende Determinante verschwindet:
K 11 − γ 2

K 12
det K̂ − γ 2 δik = 0

det =0 (1.277)
K 21 K 22 − γ 2
(K 11 − γ 2 )(K 22 − γ 2 ) − K 12 K 21 = 0 (1.278)
r
2 K 11 + K 22 (K 11 − K 22 )2
γ 1,2 = ± + K 12 K 21 (1.279)
2 4
Die Lösungen γ nach (1.277) sind die Eigenwerte der K̂-Matrix. Mit den Lösungen von
2
γ kann die Transformationsmatrix V̂ ermittelt werden.
V 11 γ 21 − K 22 V 11 V
= =, 21 =, ... (1.280)
V 21 K 21 V n1 V n1
V 12 γ 2 − K 22 V 12 V
= 2 =, 22 =, ... (1.281)
V 22 K 21 V n2 V n2
Jede Kolonne der V̂ -Matrix ist bis auf einen konstanten Faktor bestimmt. Im Fall der
Dreifachleitung heißt dies, dass für den Eigenwert γ 1 das Verhältnis U 1 /U 2 mit (1.270) wie
folgt bestimmt wird:
U1 V γ 2 − K 22
= 11 = 1 (1.282)
U2 V 21 K 21
und für den Eigenwert γ 2 finden wir
U1 V γ 2 − K 22
= 12 = 2 (1.283)
U2 V 22 K 21
Mit (1.279): s
U1 K − K 22 (K 11 − K 22 )2 K 12
= 11 ± + (1.284)
U2 2K 21 4K 221 K 21
Beispiel für eine querinhomogene verlustfreie Mehrfachleitung:
Abb. 1.120 zeigt eine symmetrische Vierfach-Mikrostreifenleitung.
Abbildung 1.120: Eine symmetrische Vierfach-Mikrostreifenleitung.
Es gilt:
0 0
K̂ = Ẑ Ŷ = (jω)2 L̂0M ĈM
0
(1.285)
Mit einem numerischen Verfahren wurden die L̂0M - und ĈM
0 -Matrizen berechnet:
   
0.165 0.0404 0.0404 16.3 −1.43 −1.43
L̂0M 0
= µ0 0.0404 0.232 0.0152 ĈM = ε0 −1.43 11.1 −0.0904 (1.286)
0.0404 0.0152 0.232 −1.43 −0.0904 11.1
Bestimmung der Eigenwerte von K̂:

Eigenwerte: β 2 /(ω 2 µ0 ε0 ) = 2.24 2.96 2.43

vp
Phasengeschwindigkeit: = 0.67 0.58 0.64
c
Spannungseigenvektoren: V1 = -0.657 0.630 0.0
V2 = 0.533 0.565 -0.707
V3 = 0.533 0.565 0.707
Die Spannungsverteilungen für die drei Eigenwerte zeigt Abb. 1.121.
Abbildung 1.121: Spannungsverteilung der Eigenwerte für die gekoppelte Mikrostreifenlei-

tung.
Nach diesem Beispiel machen wir eine Zusammenfassung und ziehen eine Zwischenbilanz
zu den Betrachtungen der allgemeinen Mehrfachleitung.
Zusammenfassung:
Die Leitungsgleichungen der Mehrfachleitung sind untereinander völlig verkoppelt:

~
d2 U ~
0 dI 0 0
= −Ẑ ~ = K̂ U
= Ẑ Ŷ U ~
dz 2 dz
Z 0ii = Ri0 + jωL0i Z 0ik = Z 0ki = jωMik
0
Y 0ii = G0i + jωCi0 + 0 )

(G0ik + jωCik Y 0ki = Y 0ik = −G0ik − jωCik
0
P
k6=i
Mit einer geeigneten Transformation kann die Leitungsgleichung der Mehrfachleitung

in ein System unverkoppelter Gleichungen überführt werden:
~ = V̂ U
U ~u
~u
d2 U −1
~ u = γ̂ 2 U
= V̂ K̂ V̂ U ~u
dz 2
−1
γ̂ 2 = V̂ K̂ V̂ , ist eine Diagonalmatrix und die Matrixelemente sind die Eigenwerte der
K̂-Matrix, d. h. sie sind die Lösung von

det K̂ − γ 2 δik = 0
γ, die Wurzeln der Eigenwerte, sind die Ausbreitungskonstanten der Spannungsvektoren,

die untereinander unverkoppelt sind. Die Spannungsvektoren V ~ ei , die Eigenvektoren,
2
lassen sich für jeden Eigenwert γ i über die Lösung des Gleichungssystems gewinnen

K̂ − γ 2 δik V~ ei = 0
Behandlung von Mehrfachleitungen in der Netzwerkanalyse, konzeptionelles Vorgehen:
Gegeben: Mehrfachleitung mit Beschaltung an beiden Enden
1. Bestimmung der Eigenwerte (Wellenausbreitungskonstanten): γ 1 , γ 2 ...

 
V 11 V 12 · · ·
Bestimmung der Eigenvektoren: V̂ = V 21 V 22 · · ·
 
.. .. ..
. . .
2. Bestimmung der Wellenimpedanzmatrix Ẑ w
~ a = Ẑ w I~a
U
~ a : vorwärtslaufende Leitungsspannungswelle
U
~
I a : vorwärtslaufende Leitungsstromwelle
Die Wellenimpedanzmatrix Ẑ w (ohne Herleitung):
−1 0
Ẑ w = V̂ γ̂ −1 V̂ Ẑ
3. Mit der quellenseitigen Beschaltung werden die Eingangsspannungen U 1 , U 2 , U 3 ...

bestimmt.
4. Diese Spannungen werden aus Spannungseigenvektoren aufgebaut:
U 1 = aV 11 + bV 12 + cV 13 + ...
U 2 = aV 21 + bV 22 + cV 23 + ...
U 3 = aV 31 + bV 32 + cV 33 + ...
5. Jeder dieser Spannungseigenvektoren propagiert mit der entsprechenden Ausbrei-

tungskonstante auf der Leitung und wird am Leitungsende vom Abschlussnetzwerk
teilweise reflektiert (Abb. 1.122):
Abbildung 1.122: Schematische Übertragung von Eigenvektorwellen V ik mit den Aus-

breitungskonstanten γ i und deren Reflexionen und Kopplungen am Leitungsende.
In technisch einsetzbaren Systemen muss die unkontrollierte Anregung von verschie-

denen Eigenvektoren und deren Kopplung über Reflexionen vermieden werden.
Quintessenz: Der allgemeine Fall, die unsymmetrische, querinhomogene Mehrfachleitung mit

beliebiger Beschaltung, ist maßlos kompliziert. Er kann nur mit numerischen Methoden gelöst
werden und ist technisch meist nicht interessant. Es existieren aber einfache Fälle, die tech-
nisch besonders wichtig sind:
1. querhomogene Mehrfachleitung
2. querhomogene oder querinhomogene, symmetrische Dreifachleitung
Wir wenden uns im Folgenden diesen Fällen zu.

1.11.2 Die querhomogene Mehrfachleitung mit idealen Leitern

Mit den Annahmen
querhomogene Leitung, d. h. zwischen den Leitern ist das Dielektrikum mit εr und µr
konstant
ideal leitende Leiter

vereinfachen sich die Leitungseigenschaften entscheidend. εr und µr müssen dabei nicht not-
wendigerweise rein reell sein. Unter diesen Bedingungen treten reine TEM-Wellen auf, d. h.
die elektrischen und magnetischen Felder zeigen keine Komponenten in Ausbreitungsrich-
tung. Bei guten, aber nicht idealen Leitern ist die Annahme von TEM-Wellen eine gute
Approximation. Die TEM-Wellen breiten sich immer mit der Ausbreitungskonstante
p
γ = jω µε (1.287)
aus. Die Phasengeschwindigkeit ist vp = ω/={γ} und die Dämpfung α = <{γ}. Die Glei-
chung (1.287) kann ausgehend von den Maxwellschen Gleichungen hergeleitet werden. Die
Feldverteilungen von TEM-Wellen entsprechen den elektrostatischen bzw. magnetostatischen
Feldern der zylindrischen Mehrfachleitungen und jede beliebige statische Spannungsverteilung
liefert ein korrektes TEM-Feldlinienbild, wie Abb. 1.123 veranschaulicht. Jede dieser TEM-
Wellen propagiert mit der gleichen Ausbreitungskonstante γ.
Abbildung 1.123: Jede beliebige statische Feldverteilung ist eine mögliche TEM-
Feldverteilung.
Die Eigenschaft, dass alle möglichen Feldverteilungen zulässige TEM-Wellen mit gleichen
Ausbreitungskonstanten darstellen, macht sich auch in der Wellengleichung (1.268) bemerk-
0 0
bar. Während K̂ = Ẑ Ŷ für eine allgemeine Mehrfachleitung eine gefüllte“ Matrix ist, ist
”
sie für die TEM-Mehrfachleitung eine Diagonalmatrix mit identischen Diagonalelementen:
 2 
γ 0 ... 0
 0 γ 2 ... 0 
K̂ =   = γ 2 Ê (1.288)
· · ... 0 
0 0 ... γ 2
mit Ê: Einheitsmatrix

~
d2 U
Die Wellengleichung = K̂ U ~ zeigt damit keine direkte Kopplung zwischen den
dz 2
Leitungsspannungen. Es besteht trotzdem eine Verkopplung zwischen den Leitern, da die
Leiterspannungen über Gleichung (1.266) mit allen Leiterströmen gekoppelt sind. Im Fall der
reinen TEM-Mehrfachleitung stellt sich also das Problem der Aufspaltung einer beliebigen
Spannungsverteilung in Eigenvektoren nicht. Andererseits wäre wichtig zu wissen, wie die
Leitungsspannungen und -ströme verknüpft sind und wie ein reflexionsfreies Abschlussnetz-
werk beschaffen sein muss.
Für alle vorwärts laufenden Wellen gilt: U~ =U ~ 0 e−γz+jωt

Eingesetzt in (1.265)
~ = 1 Ẑ 0 I~ = Ẑ w I~
U (1.289)
γ
1 0
Die Matrix Ẑ stellt die Wellenimpedanzmatrix Ẑ w der TEM-Mehrfachleitung dar. In
γ
gleicher Weise kann, ausgehend von (1.266) die Wellenadmittanzmatrix Ŷ w gefunden werden:
1 0 −1
Ŷ w = Ŷ = Ẑ w (1.290)
γ
Eine TEM-Mehrfachleitung wird mit einem Abschlussnetzwerk mit der Admittanzmatrix

0
Ŷ w reflexionsfrei abgeschlossen. Bei einer verlustfreien TEM-Mehrfachleitung ist Ŷ nur durch
die Kapazitätsbeläge bestimmt:
1 0
Ŷ w = Ŷ = vp ĈM (1.291)
jβ
ω
mit β =
vp
Das Abschlussnetzwerk kann somit aus Admittanzen YLi = vp Ci0 und YLik = vp Cik 0 auf-
gebaut werden. Es weist die gleiche Topologie auf, wie das Netzwerk der Leitungskapazitäts-
beläge (Abb. 1.124).
Abbildung 1.124: Reflexionsfreies Abschlussnetzwerk einer verlustfreien TEM-

Mehrfachleitung.
1.11.3 Die einfachste querinhomogene Mehrfachleitung: die symmetrische

Dreifachleitung
Abb. 1.125 zeigt zwei Beispiele symmetrischer, querinhomogener Dreifachleitungen: zwei Mi-
krostreifenleitungen über einer Grundplatte und eine geschirmte Zweidrahtleitung.
Abbildung 1.125: Symmetrische querinhomogene Dreifachleitungen: a) gekoppelte Mikrost-

reifenleitungen, b) geschirmte Zweidrahtleitung.
Abb. 1.126 zeigt das Leitungsersatzschaltbild der symmetrischen Dreifachleitung.
Abbildung 1.126: Das Leitungsersatzschaltbild der symmetrischen Dreifachleitung.
0 0
Die Impedanzmatrix Ẑ und die Admittanzmatrix Ŷ sind
0
Z 11 Z 012 Y 011 Y 012

Ẑ = Ŷ = (1.292)
Z 012 Z 011 Y 012 Y 011
Die K̂-Matrix, die Matrix der Wellengleichung, ist für diesen Spezialfall symmetrisch.

0 0 K 11 K 12
K̂ = Ẑ Ŷ = (1.293)
K 12 K 11
mit
K 11 = Z 011 Y 011 + Z 012 Y 012 (1.294)

K 12 = Z 012 Y 011 + Z 011 Y 012 (1.295)
Die Eigenwerte γ 21 und γ 22 sind nach (1.279):
γ 21 = K 11 + K 12 = (Z 011 + Z 012 )(Y 011 + Y 012 ) (1.296)
γ 22 = K 11 − K 12 = (Z 011 − Z 012 )(Y 011 − Y 012 ) (1.297)
Das Verhältnis der Leitungsspannungen für die beiden Eigenwerte sind nach (1.284):
U1 V
für γ 21 = K 11 + K 12 → = 11 = 1 (1.298)
U2 V 21
U1 V
für γ 22 = K 11 − K 12 → = 12 = −1 (1.299)
U2 V 22
Die beiden Eigenvektoren (V 11 , V 21 ) = (1, 1) und (V 12 , V 22 ) = (1, −1) sind orthogonal.
Dies trifft auf alle symmetrischen Matrizen zu.
Interpretation der Eigenvektoren der symmetrischen Dreifachleitung:

Gleichtakt- und Gegentaktwelle
Nach (1.298) stellt sich für γ 2 = γ 21 eine symmetrische Spannungsverteilung U 1 = U 2

ein. Zwischen den beiden symmetrischen Leitern besteht kein Potentialunterschied. Dieser
Eigenwert wird als Gleichtaktanregung oder Gleichtaktmode bezeichnet. Abb. 1.127 zeigt das
Leitungsersatzschaltbild mit den zugehörigen Spannungen und Ströme für die verlustfreie
symmetrische Dreifachleitung.
Abbildung 1.127: Leitungsersatzschaltbild der symmetrischen, verlustfreien Dreifachleitung

mit Gleichtaktanregung.
Diesem Ersatzschaltbild entnimmt man in Übereinstimmung mit (1.296) sofort die Gleich-
taktwellenausbreitungskonstante γ e und die Gleichtaktwellenimpedanz Zwe :
q
γ e = γ 1 = jω (L01 + M12
0 )C 0
1 (1.300)
s
L01 + M12
0
Zwe = (1.301)
C10
Der Index e steht für even mode“ = Gleichtaktmode.

”
Für die Gegentaktanregung ist die Spannungsverteilung mit γ 2 = γ 22 antimetrisch:
U 1 = − U 2 . Aus Symmetriegründen ist das Potential der Symmetrieachse gleich dem Poten-
tial der Grundplatte.
Abbildung 1.128: Ersatzschaltbild der symmetrischen verlustfreien Dreifachleitung mit Ge-

gentaktanregung.
Abb. 1.128 zeigt das zugehörige Leitungsersatzschaltbild, woraus wiederum die Gegen-
taktwellenausbreitungskonstante γ o und die Gegentaktwellenimpedanz Zwo ermittelt werden
können:
q
γ o = γ 2 = jω (L01 − M120 )(C 0 + 2C 0 )
1 12 (1.302)
s
L01 − M12
0
Zwo = (1.303)
C10 + 2C12
0
Der Index o steht für odd mode “ = Gegentaktmode.

”
Mit der Überlagerung einer Gleichtakt- und einer Gegentaktwelle kann eine beliebige
Anregung beschrieben werden. Es bleibt nun noch die Frage zu klären, wie sich beliebige
Quellen- und Lastbeschaltungen auf die Anregung und Reflexion der Gleich- und Gegen-
taktwellen auswirken. Im nächsten Abschnitt wird der allgemeine Fall, d. h. die beliebig
abgeschlossene symmetrische Dreifachleitung, behandelt. Anschließend wird der technisch

wichtige Spezialfall der symmetrisch abgeschlossenen Dreifachleitung dargestellt.
Die symmetrische Dreifachleitung mit Beschaltung
Abb. 1.129 zeigt die Quellenseite einer beschalteten Dreifachleitung.
Abbildung 1.129: Quellenseite einer beschalteten symmetrischen Dreifachleitung.
Die vorwärtslaufenden Wellen U ae und U ao setzen sich zusammen aus den von der Quelle
U q verursachten Anteilen U aeq und U aoq und die am quellenseitigen Netzwerk reflektierten
Anteile U aer und U aor der rückwärtslaufenden Wellen U be und U bo :
U ae = U aeq + U aer U ao = U aoq + U aor (1.304)
Wir setzen vorerst die rückwärts laufenden Wellen U be = U bo = 0 und betrachten nur
die von U q angeregten Wellen U aeq und U aoq .
Die entsprechenden Netzwerkgleichungen lauten:

U 1 = U aeq + U aoq U 2 = U aeq − U aoq (1.305)
U aeq U aoq U aeq U aoq
I1 = + I2 = − (1.306)
Z we Z wo Z we Z wo

U2 U2
Uq = U1 + + I 1 + I 2 Z q1 U1 − U2 = + I 2 Z q3 (1.307)
Z q2 Z q2
Aus diesen Gleichungen können U aeq und U aoq ermittelt werden.
Z q2 2Z q2

Uq + +1
Z wo Z q3
U aeq = (1.308)
2Z q1 Z q2

2 1 1 2 1
2 + (Z q1 + Z q2 ) + + + +
Z q3 Z we Z wo Z we Z q3 Z wo
Z q2
+1
Z we
U aoq = U aeq (1.309)
2Z q2 Z q2
+ +1
Z q3 Z wo
Abb. 1.130 zeigt die Lastseite einer beschalteten Dreifachleitung.
Abbildung 1.130: Lastseite einer beschalteten symmetrischen Dreifachleitung.
Zur Unterscheidung zur Quellenseite bezeichnen wir hier die Ströme und Spannungen
mit ’ (Apostroph). Die entsprechenden Netzwerkgleichungen für die Lastseite lauten:
0
Z L11 Z L12 I 01

U1
= = Ẑ L I~ (1.310)
U 02 Z L12 Z L22 I 02
mit
Z L11 = Z L1 ||(Z L3 + Z L2 ) (1.311)

Z L22 = Z L2 ||(Z L3 + Z L1 ) (1.312)
Z L1 Z L2
Z L12 = Z L21 = (1.313)
Z L1 + Z L2 + Z L3
Mit der Impedanzmatrix des Abschlussnetzwerkes Ẑ L kann die Matrix der Reflexionsfak-
toren r̂L für die Gleich- und Gegentaktwellen bestimmt werden:
U 0be = rLee U 0ae + rLeo U 0ao (1.314)

U 0bo = rLoe U 0ae + rLoo U 0ao (1.315)
in Matrixform
U 0be
0
U ae
0 = r̂L (1.316)
U bo U 0ao
Dabei sind:
rLee : Reflexionsfaktor von der vorwärtslaufenden Gleichtaktwelle in die rückwärtslaufen-

de Gleichtaktwelle
rLeo : Reflexionsfaktor von der vorwärtslaufenden Gegentaktwelle in die rückwärtslaufende

Gleichtaktwelle
rLoe : Reflexionsfaktor von der vorwärtslaufenden Gleichtaktwelle in die rückwärtslaufen-

de Gegentaktwelle
rLoo : Reflexionsfaktor von der vorwärtslaufenden Gegentaktwelle in die rückwärtslaufen-

de Gegentaktwelle
Die Reflexionsmatrix r̂L wird wie folgt bestimmt:
Am Leitungsende z = l gilt nach Abb. 1.130:
U 01 = U 0ae + U 0ao + U 0be + U 0bo = Z L11 I 01 + Z L12 I 02 (1.317)

U 02 = U 0ae − U 0ao + U 0be − U 0bo = Z L21 I 01 + Z L22 I 02 (1.318)
U 0ae − U 0be U 0ao − U 0bo
I 01 = + (1.319)
Z we Z wo
I 02 = − (1.320)
Z we Z wo
Alle Ströme und Spannungen beziehen sich auf das Leitungsende. Aus dem linearen Glei-
chungssystem (1.317) bis (1.320) erhält man die Gleichungen
aL1 U 0ae + aL2 U 0ao + aL3 U 0be + aL4 U 0bo = 0 (1.321)

bL1 U 0ae + bL2 U 0ao + bL3 U 0be + bL4 U 0bo = 0 (1.322)
mit
Z L11 + Z L12 Z L11 − Z L12
aL1 = −1 aL2 = −1 (1.323)
Z we Z wo
Z L11 + Z L12 Z L11 − Z L12
aL3 = − −1 aL4 = − −1 (1.324)
Z we Z wo
Z L21 + Z L22 Z L21 − Z L22
bL1 = −1 bL2 = +1 (1.325)
Z we Z wo
Z L21 + Z L22 Z L21 − Z L22
bL3 = − −1 bL4 = − +1 (1.326)
Z we Z wo
Aus (1.321) und (1.322) folgt für die Reflexionsfaktoren
U 0be aL4 bL1 − aL1 bL4

rLee = = (1.327)
U 0ae U 0ao =0 aL3 bL4 − aL4 bL3
U 0bo aL1 bL3 − aL3 bL1

rLoe = = (1.328)
U 0ae U 0ao =0 aL3 bL4 − aL4 bL3
U 0be aL4 bL2 − aL2 bL4

rLeo = = (1.329)
U 0ao U 0ae =0 aL3 bL4 − aL4 bL3
U 0bo aL2 bL3 − aL3 bL2

rLoo = = (1.330)
U 0ao U 0ae =0 aL3 bL4 − aL4 bL3
Die Gleichungen (1.316) und (1.321) bis (1.330) beschreiben das Verhalten der Leitung auf
der Lastseite vollständig. Es bleibt nun noch die Reflexion auf der Quellenseite zu berück-
sichtigen. Abgesehen von der Spannungsquelle ist das quellenseitige Netzwerk topologisch
mit dem lastseitigen identisch. Die von der Reflexion am quellenseitigen Ende verursachten
Anteile U aer bzw. U aor der Wellen U be und U bo sind:
U aer = rqee U be + rqeo U bo (1.331)
U aor = rqoe U be + rqoo U bo (1.332)
und in Matrixform
U aer U be
= r̂q (1.333)
U aor U bo
Die Reflexionsfaktoren sind entsprechend (1.321) bis (1.330)
aq4 bq1 − aq1 bq4

rqee = usw. (1.334)
aq3 bq4 − aq4 bq3
Mit den Gleichungen

U ae U aeq U be
= + r̂q (1.335)
U ao U aoq U bo
U 0ae = U ae e−γe l U 0ao = U ao e−γo l (1.336)
U 0be = U be eγe l U 0bo = U bo eγo l (1.337)
und mit (1.316)
U 0be
0
U ae
0 = r̂L
U bo U 0ao
ist die beschaltete symmetrische Dreifachleitung vollständig beschrieben. Es können

damit jede Teilwellen U ae , U ao , U be , U bo , U 0ae , U 0ao , U 0be , U 0bo als Funktion der Anregung U q
ausgedrückt werden.
Die symmetrische Dreifachleitung mit symmetrischer Beschaltung
In der Elektronik und Kommunikationstechnik werden symmetrische Dreifachleitungen

auf zwei Arten betrieben:
- In einer geschirmten Zweidrahtleitung wird möglichst nur der Gegentaktmode angeregt

und der Gleichtaktmode unterdrückt. Die Leitung überträgt nur ein Signal.
- In symmetrischen Zwei- und Mehrfachleitungen vom Typ wie in Abb. 1.114c wird nach
Möglichkeit jeder Streifenleiter für einen Informationskanal eingesetzt.
Im zweiten Fall wird die Mehrfachleitung an den Enden so beschaltet, dass nur identische
Impedanzen gegenüber der Masse (0) auftreten und die Impedanzen zwischen den Leitern
i, k (i, k 6= 0) unendlich sind, wie dies für die symmetrische Dreifachleitung in Abb. 1.131
gezeigt ist.
Abbildung 1.131: Symmetrische Dreifachleitung mit quellen- und lastsseitig symmetrischer

Belastung. Z q3 = Z L3 = ∞
Auf der Quellenseite gelten, wenn die nach linkslaufenden Wellen U be = U bo = 0 gesetzt
werden, die Gleichungen (1.305) bis (1.307). Mit Z q3 = ∞ wird das Gleichungspaar (1.307)
zu
U q = U 1 + I 1Z q U 2 = −I 2 Z q (1.338)
Daraus folgt

U ae U
U q = U ae + U ao + Z q + ao (1.339)
Z we Z wo

U ae U
0 = U ae − U ao + Z q − ao (1.340)
Z we Z wo
Die vorwärtslaufenden Spannungswellen sind:

Uq
U ae = (1.341)
2(1 + Z q /Z we )
Uq
U ao = (1.342)
2(1 + Z q /Z wo )
Mit der gewählten quellenseitigen Beschaltung mit Impedanzen Z q kann die Gleich- und
Gegentaktanregung mit den Ersatzschaltungen nach Abb. 1.132 dargestellt werden.
Abbildung 1.132: Ungekoppelte Ersatzschaltungen für die Gleich- und Gegentaktanregung

der nach Abb. 1.131 beschalteten Dreifachleitung.
Von besonderem Interesse ist der Betriebszustand der Anpassung auf der Quellen- und
Lastseite mit der Bedingung
U1
= Zq (1.343)
I1
mit
U ae U
U 1 = U ae + U ao und I 1 = + ao (1.344)
Z we Z wo
Dabei wird der in der Praxis wichtige Fall mit reellen Wellenimpedanzen Zwe und Zwo
betrachtet. Mit der obigen Bedingung und mit (1.341) und (1.342) finden wir als Bedingung
für Anpassung:
p
Zq = Z we Z wo (1.345)
Dabei ist das Verhältnis: r

Z we
1+
U ae Z wo
= r (1.346)
U ao Z wo
1+
Z we
Reflexion am fernen Ende:

Die von der Quelle angeregten Teilwellen breiten sich mit γ e und γ o ((1.296) und (1.297)),
die im Allgemeinen unterschiedlich sind, aus. Die Gleich- und Gegentaktwellen werden mit
γ e 6= γ o unterschiedlich gedämpft und verzögert. Mit symmetrischer Belastung durch die
Lastimpedanzen Z L gilt:
U 01 = U 0ae + U 0ao + U 0be + U 0bo = Z 0L I 01 (1.347)

U 02 = U 0ae − U 0ao + U 0be − U 0bo = Z 0L I 02 (1.348)
I 01 = + (1.349)
Z we Z wo
I 02 = − (1.350)
Z we Z wo
Alle Ströme und Spannungen beziehen sich auf das Leitungsende z = l. Aus (1.347) und
(1.350) kann die Reflexionsmatrix ermittelt werden:
U 0be = rLee U 0ae + rLeo U 0ao (1.351)

U 0bo = rLoe U 0ae + rLoo U 0ao (1.352)
Z L − Z we
rLee = (1.353)
Z L + Z we
Z L − Z wo
rLoo = (1.354)
Z L + Z wo
rLeo = rLoe = 0 (1.355)
Danach gilt also:
- Gleich- und Gegentaktwellen sind völlig entkoppelt: rLeo = rLeo = 0
- Die Reflexionsfaktoren rLee und rLoo der Gleich- und Gegentaktwellen verhalten sich
wie die Reflexionsfaktoren auf ungekoppelten Leitungen (Abb. 1.133)
Abbildung 1.133: Reflexionsfaktoren rLee und rLoo der symmetrisch belasteten symmetrischen
Dreifachleitung.
Aus den (1.353) bis (1.355) konnte das Ersatzschaltbild nach Abb. 1.133 gewonnen wer-
den. In der Herleitung der Gleichungen (1.341) und (1.342), die die Wellen U ae und U ao als
Funktion der anregenden Spannung U q bestimmen, wurde die Voraussetzung gemacht, dass
keine nach links laufenden Wellen U be und U bo existieren. Das Reflexionsverhalten der symme-
trischen Quellenimpedanzen ist identisch mit dem auf der Lastseite und das Ersatzschaltbild
nach Abb. 1.133 mit den Gleichungen (1.353) und (1.354) kann auch auf der Quellenseite an-
gewandt werden. Das ganze symmetrische Dreileitersystem kann daher mit der Ersatzschal-
tung nach Abb. 1.134 mit je einer Ersatzschaltung für die Gleich- und die Gegentaktwelle
dargestellt werden.
Abbildung 1.134: Ersatzschaltung für symmeterische Dreileitersystem.

p
Symmetrischer Abschluss mit Z L = Z we Z wo
Bei einer Parallelübertragung von Signalen über Mehrfachleitungen wird man versu-
chen die Kopplung zwischen den Leitungen möglichst klein zu halten und gleichzeitig
Anpassung anzustreben. Für die ideale TEM-Dreifachleitung mit γ e = γ o kann mit
p
Z q = Z L = Z we Z wo eine völlige Unterdrückung der Kopplung auf der Lastseite erreicht
werden: U 2 (z = l) = 0.
Mit γ e = γ o gilt nach (1.346):

r
Z we
1+
U ae U Z wo
= ae = r (1.356)
U ao z=l U ao z=0 Z wo
1+
Z we
Nach (1.348), (1.351) und (1.352) gilt am Leitungsende
U 2 = U ae − U ao + U be − U bo = U ae (1 + rLee ) − U ao (1 + rLoo ) (1.357)
Die Bedingung für U 2 (z = l) = 0 lautet:

r
Z we
1+
U ae 1 + rLoo Z wo
= = r (1.358)
U ao z=l 1 + rLee Z wo
1+
Z we
Diese Bedingung ist erfüllt für

p
ZL = Zq = Z we Z wo (1.359)
p
Mit den Abschlussimpedanzen Z L = Z q = Z we Z wo besteht bei einer symmetrischen
TEM-Dreifachleitung eine ideale Entkopplung zum fernen Ende der gekoppelten Leitung
(Abb. 1.135). Dagegen kann die Kopplung zum nahen Ende nicht für alle Frequenzen unter-
drückt werden.
Abbildung 1.135: Kopplungseigenschaften der symmetrischen TEM-Dreifachleitung.

Zusammenfassung: symmetrische, verlustfreie Dreifachleitung mit symmetrischen

Abschlusswiderständen und unsymmetrischer Anregung
Abbildung 1.136: Symmetrische verlustfreie Dreifachleitung mit symmetrischen Ab-

schlusswiderständen und unsymmetrischer Anregung.
Gleichtaktwelle (Even Mode):
Wellenausbreitungskonstante: Wellenimpedanz:
s
L01 + M12
0
q
0 )C 0
γ e = jβe = jω (L01 + M12 1 Zwe =
C10
Gegentaktwelle (Odd Mode):
Wellenausbreitungskonstante: Wellenimpedanz:
s
L01 − M12
0
q
0 )(C 0 + 2C 0 )
γ o = jβo = jω (L01 − M12 1 12 Zwo = 0 0
C1 + 2C12
Von der Quelle angeregte Wellen:
Gleichtakt: Gegentakt:
Uq Uq
U ae = U ao =
2(1 + Z q /Z we ) 2(1 + Z q /Z wo )
An der Lastseite reflektierte Wellen:
U be = rLee U ae U bo = rLoo U ao
Z L − Z we Z L − Z wo
rLee = rLoo =
Z L + Z we Z L + Z wo
U ae (z = l) = U ae (z = 0)e−jβe l U ao (z = l) = U ao (z = 0)e−jβo l
Zusammenfassung: angepasste, symmetrische, verlustfreie TEM-Dreifachleitung
Abbildung 1.137: Angepasste symmetrische verlustfreie TEM-Dreifachleitung.

p
Anpassungsbedingung: ZL = Zq = Z we Z wo
Kopplungsfrei zum fernen Ende
Kopplung zum nahen Ende (Resultat ohne Herleitung):
U2 jk tan βl
=√ (1.360)
U1 1 − k 2 + j tan βl
Kopplungsfaktor:
0
C12 0
M12
k= 0 + C0 = (1.361)
C12 1 L01
Ein Fall aus der Praxis der Elektronik: Kopplung in einer kurzen, symmetri-
schen TEM-Dreifachleitung mit schwacher Kopplung
Bei diesem in der Praxis wichtigen Fall werden folgende Vereinfachungen gemacht:
1. Mit einer elektrisch kurzen Leitung kann ein Ersatzschaltbild mit wenigen konzentrier-
ten Elementen verwendet werden.
2. Mit einer schwachen Kopplung kann eine unilaterale Kopplung von der gespeisten Lei-
tung in die passive Leitung angenommen werden, d. h. statt einer induktiven Kopplung
wird eine stromgesteuerte Spannungsquelle und statt einer kapazitiven Kopplung wird
eine spannungsgesteuerte Stromquelle eingesetzt.
Die Vereinfachungen des Ersatzschaltbildes sind in Abb. 1.138 dargestellt. Für die umge-
wandelte Ersatzschaltung in Abb. 1.138d gilt:
0 l
jωI 1 (0)M12 0 l
jωU 1 (0)C12
U 2 (0) = + Zw (1.362)
2 2
U 1 (0) = Z w I 1 (0) = U q /2 (1.363)
jωI 1 (0)l 0 0
Z 2w

U 2 (0) = M12 + C12 (1.364)
2
Bei der TEM-Mehrfachleitung ist der Kopplungfaktor k für schwache Kopplung
0
M12 0
C12 0
C12
k= = ≈ (1.365)
L01 0 + C0
C12 1 C10
Aus (1.364) und (1.365) folgt
jωI 1 (0)L01 l M12

0 0
0 l
C12 M12
U 2 (0) = + = jωU q (1.366)
2 L01 C10 2Z w
jωU q L01 l M0 0

C12
U 2 (l) = − 12 + =0 (1.367)
4Z w L01 C10
Dieses Resultat stimmt, wie zu erwarten ist, mit der Beziehung (1.360) für l/λ 1 und
0 /C 0 1 überein.
C12 1
Wir vergleichen das Resultat (1.366) und (1.367) mit der exakten Simulation einer gekop-
pelten Leitung, wobei wir die vereinfachenden Annahmen l/λ 1 und C12 0 /C 0 1 etwas
1
strapazieren.
Abbildung 1.138: a) Kurze symmetrische TEM-Dreifachleitung mit schwacher Kopplung,

b) Ersatzschaltung für kleine Leitungslänge l,
c) Ersatzschaltung für schwache Kopplung: k 1,
d) Umwandlung der ungekoppelten Elemente in Leitungselemente.
Beispiel:
Kurze, symmetrische, verlustfreie, gekoppelte TEM-Dreifachleitung mit schwacher Kopp-

lung nach Abb. 1.139
Abbildung 1.139: Impuls als Anregung für die gekoppelte Dreifachleitung.
Kopplungsfaktor k = 0.17 elektrische Länge l = 70 cm

Wellenimpedanz Zw = 50 Ω Signalform Uq (t) : cos2 -Impuls
Im Zeitbereich wird (1.366) zu
di1 (t, 0) L01 l M12

0 0
0 l
C12 duq (t) M12
u2 (t, 0) = + = (1.368)
dt 2 L01 C10 dt 2Zw
Abb. 1.140 zeigt die Resultate der exakten Simulation für die Spannung U1 (t, 0) und
U2 (t, 0) am Leitungseingang und U1 (t, l) am Leitungsausgang. In Abb. 1.140 ist noch ein Ver-
gleich von U2 (t, 0) gemäß der Approximation (1.368) und der exakten Simulation dargestellt.
Obwohl die Bedingungen für die Gültigkeit der Approximation bezüglich der Kopplungskon-
stante k1 und der Leitungslänge l nur schlecht eingehalten werden, ergibt (1.368) immer noch
eine brauchbare Abschätzung.
Abbildung 1.140: Simulation des Übersprechens eines cos2 -Impulses.

Vergleich von Simulation und Approximation (1.368) von U2 (t, 0)
Kapitel 2
N-Tortheorie
In der Schaltungstechnik werden Bauelemente mit zwei oder mehr Polen (Kontakten) ein-
gesetzt. Beispielsweise hat ein Widerstand zwei Pole und ein Bipolartransistor drei. Ist der
Substratanschluss eines MOSFETs nicht mit der Source verbunden, hat dieser vier Kontakte.
Allgemein gilt: Lassen sich jeweils zwei der 2N Kontakte zusammenfassen, sodass der
Strom, der in den einen Kontakt hineinfließt, gleich dem Strom ist, der aus dem anderen
herausfließt, so spricht man von einem Tor. Lassen sich alle 2N Kontakte zu N Toren zusam-
menfassen, spricht man von einem N-Tor.
Ein Tor ist ein Polpaar (zwei Kontakte), wobei der Torstrom in den einen Kontakt
hinein- und aus dem anderen wieder hinausfließt. Die Stromsumme muss für das Tor
exakt gleich Null sein. Die Torspannung ist durch die Spannung gegeben, die zwischen
dem Pol, in den der Strom hineinfließt, und dem Pol, aus dem der Strom herausfließt,
anliegt. Der Strom des i-ten Tors kann von allen anderen Torspannungen abhängen Ii =
Ii (U1 , . . . , Ui , . . . , UN ) mit i = 1, . . . , N .
1
Ii
2
3 Ui N-Tor
Sechstor
4
Ii
5
Abbildung 2.1: Ein Sechstor (links); i-tes Tor eines N-Tors (rechts).
137
138 KAPITEL 2. N-TORTHEORIE
I1
U1 R
Abbildung 2.2: Widerstand als Eintor.
I1 I2
IB IC
U1 UBE UCE U2
Abbildung 2.3: NPN-Bipolartransistor in common emitter“-Konfiguration als Zweitor.

”
Das einfachste Beispiel ist ein Widerstand, der sich als Eintor darstellen lässt (Abb. 2.2).
Die Torbedingung, dass die Stromsumme für das Tor gleich Null sein muss, ist erfüllt und
der Torstrom hängt nur von der Torspannung ab. Ist der Widerstand ideal, gilt das Ohmsche
Gesetz mit einem festen Widerstandswert und damit eine lineare Beziehung zwischen der
Spannung und dem Strom.
In Abb. 2.3 ist ein Bipolartransistor in der sogenannten common emitter“-Konfiguration

”
als Zweitor dargestellt. Da der Bipolartransistor nur drei Kontakte hat, muss ein Kontakt
doppelt verwendet werden. In der common emitter“-Konfiguration ist dies der Emitter.
”
Am linken Tor (Tor 1) liegt die Basis-Emitterspannung an und es fließt der Basisstrom in
das Tor hinein. Dies entspricht dem Eingang, weswegen das linke Tor auch als Eingangstor
bezeichnet wird. Am rechten Tor (Tor 2) liegt die Kollektor-Emitterspannung an und es fließt
der Kollektorstrom in das Tor hinein. Dieses Tor wird auch als Ausgangstor bezeichnet.
Der Basis- und Kollektorstrom hängen beide nichtlinear von den beiden Spannungen ab.
Dies macht Berechnungen schwierig und viele nützliche Theoreme können nicht angewendet
werden. Sind die relevanten Größen jedoch klein genug, kann man das Verhalten des Tran-
sistors bezüglich dieser Größen linearisieren. Dies soll für das einfachste Modell, in dem der
Basisstrom exponentiell von der Basis-Emitterspannung abhängt, gezeigt werden.
UBE
IB ≈ Ke UT
(2.1)
mit K = konstant
139
I1 I1 I2
+ +
U1 −
U0 =
b U1 U2 −
U0
Abbildung 2.4: Beispiel für das Abtrennen einer unabhängigen Spannungsquelle durch
Einfügen eines Tors mit U 2 = U 0 .
Die Basis-Emitterspannung lässt sich in einen Gleich- und einen Wechselanteil zerlegen
UBE (t) = UBE,DC + uBE (t), wobei der Wechselanteil uBE verglichen mit der thermischen
Spannung UT klein sein soll:
UBE,DC +uBE (t) UBE,DC uBE (t)

uBE (t)
IB ≈ Ke UT
= Ke UT
}e
UT
≈ IB,DC 1 + = IB,DC + iB (t) (2.2)
| {z UT
=IB,DC
Die Gleichanteile lassen sich abziehen und man erhält eine lineare Beziehung zwischen den
Kleinsignalanteilen:
IB,DC
iB (t) = uBE (t) (2.3)
UT
Da die Gleichanteile zeitlich konstant sind, handelt es sich somit um ein lineares und
zeitinvariantes (linear and time invariant, LTI) System, das sich am einfachsten im Frequenz-
bereich beschreiben lässt. Man geht in den harmonisch eingeschwungenen Zustand über und
führt Zeiger für die Kleinsignalspannungen U i und -ströme I i der Tore ein.
ii (t) = < I i ejωt

(2.4)
ui (t) = < U i ejωt

(2.5)
mit i = 1, . . . N
Die verallgemeinerte Kleinsignalanalyse ergibt nun für ein N-Tor eine lineare Beziehung
zwischen den Zeigern der Kleinsignaltorspannungen und -ströme
N
X
Ii = Y ij U j (2.6)
j=1
mit den von Strom und Spannung unabhängigen Admittanzparametern Y ij (auch Y-

Parameter genannt), wobei für ein N-Tor die Anzahl der Y-Parameter N2 ist. Dies bedeutet,
dass ein beliebiger, stabiler Teil einer LTI Schaltung, der keine unabhängigen Spannungs- oder
Stromquellen enthält und ein N-Tor bildet, durch entsprechende Y-Parameter vollständig
beschrieben wird. Die Torbedingungen müssen dazu für jedes einzelne Tor erfüllt sein. Gibt
es in dem Schaltungsteil unabhängige Spannungs- oder Stromquellen, so muss man diese über
Tore von der Schaltung abtrennen (Abb. 2.4).
Umgekehrt kann man den Rest der Schaltung bezüglich des betrachteten Schaltungsteils
durch entsprechende Spannungsquellen, die genau den Wert der entsprechenden Torspannung
vor dem Heraustrennen haben, an den Toren nachbilden und den Schaltungsteil getrennt vom
Rest der Schaltung betrachten (Abb. 2.5). Hierbei ist es notwendig, dass der Schaltungsteil
bei kleinsignalmäßig kurzgeschlossenen Eingängen stabil ist.
I b1 I b2
a U a2 U b1 b U b2 U c1 c
I b1 I b2
U a2 +
− U b1 b U b2
+
− U c1
Abbildung 2.5: Beispiel für das Heraustrennen eines Zweitors (hier b) aus einer Schaltung.
Abbildung 2.6: Viertor-Netzwerkanalysator.
Die Admittanzparameter können gemessen werden, indem man an allen Toren außer
dem j-ten Tor die Kleinsignaltorspannung zu Null setzt und den Kleinsignaltorstrom I i als
Funktion einer hinreichend kleinen Torspannung U j misst.
Ii
Y ij = |U =0 für k6=j und k=1,...,N (2.7)
Uj k
Dabei müssen an allen Toren die entsprechenden Gleichspannungen, die für die Einstel-
lung des Arbeitspunkts benötigt werden, anliegen. Es darf kein Tor kleinsignalmäßig intern
kurzgeschlossen sein und das N-Tor muss stabil sein.
Mit Vektor-Netzwerkanalysatoren kann man die Admittanzparameter in Abhängigkeit

der Frequenz bestimmen. In Abb. 2.6 ist ein Viertor-Netzwerkanalysator für Frequenzen
von 10 MHz bis 50 GHz dargestellt. Genau genommen werden die im nächsten Kapitel
besprochenen Streuparameter bestimmt und daraus die Admittanzparameter berechnet.
141
Fasst man die Torströme und -spannungen zu Vektoren zusammen, kann man Bezie-
hung (2.6) mit der Admittanzmatrix Ŷ darstellen.
    
I1 Y 11 · · · Y 1N U1
I~ =  ...  =  ... .. ..   ..  = Ŷ U
~ (2.8)
  
. .  . 
IN Y N1 · · · Y NN UN
Mit der Impedanzmatrix Ẑ erhält man die inverse Beziehung

~ = Ẑ I~
U (2.9)
mit den Z-Parametern

Ui
Z ij = |I =0 für k=1,...,N und k6=j (2.10)
Ij k
wobei kein Tor intern kleinsignalmäßig offen sein darf und der Schaltungsteil für offene Tore
−1
stabil sein muss. Ist die Impedanzmatrix invertierbar, ergibt sich Ŷ = Ẑ .
2.1 Zweitore
I1 I2
U1 Zweitor U2
Abbildung 2.7: Lineares, zeitinvariantes und stabiles Zweitor mit symmetrischen Zählpfeilen.
Es sollen nun die gebräuchlichsten Parameterdarstellungen für die wichtigsten N-Tore, die
Zweitore (Abb. 2.7), diskutiert werden und wie sie auf verschiedene Verschaltungen von Zwei-
toren angewendet werden. Bei der Verschaltung von Zweitoren muss sichergestellt werden,
dass die Stromsumme weiterhin für jedes einzelne Tor gleich Null ist.
2.1.1 Admittanzparameter
Für ein Zweitor lautet die Admittanzmatrix

Y 11 Y 12
Ŷ = (2.11)
Y 21 Y 22
Diese Darstellung hat den Vorteil, dass sich die Admittanzmatrix, die die gesamte Schal-
tung beschreibt, aus der Summe der beiden einzelnen Y-Matrizen ergibt, wenn man die je-
a b
weils gleichen Tore zweier Zweitore, wie in Abb. 2.8 dargestellt, parallel schaltet (I~ = I~ + I~ ,
~ =U
U ~a = U ~ b ).
a b a a
~ b = Ŷ a + Ŷ b U
~ + Ŷ b U ~ = Ŷ ges U

I~ = I~ + I~ = Ŷ U ~ (2.12)
ges a b
Ŷ = Ŷ + Ŷ (2.13)
2.1.2 Impedanzparameter
Für ein Zweitor lautet die Impedanzmatrix

Z 11 Z 12
Ẑ = (2.14)
Z 21 Z 22
Diese Darstellung hat den Vorteil, dass bei Reihenschaltung der jeweils gleichen Tore (I~ =
a b
I~ = I~ , U
~ =U ~a +U~ b ), sich die die gesamte Schaltung beschreibende Impedanzmatrix aus
der Summe der beiden einzelnen Z-Matrizen ergibt (Abb. 2.9)
ges a b
Ẑ = Ẑ + Ẑ . (2.15)
2.1. ZWEITORE 143
I a1 I a2
a
U a1 Ŷ U a2
I1 I2
U1 U2
I b1 I b2
b
U b1 Ŷ U b2
Abbildung 2.8: Parallelschaltung zweier Zweitore.
I1 I a1 I a2 I1
a
U a1 Ẑ U a2
U1 U2
I b1 I b2
b
U b1 Ẑ U b2
Abbildung 2.9: Reihenschaltung zweier Zweitore.

I a1 I a2 I b1 I b2
a b
U a1 Â U a2 U b1 Â U b2
Abbildung 2.10: Verkettung zweier Zweitore.
2.1.3 Kettenparameter
Mit den Kettenparametern gilt folgende Beziehung

U1 A11 A12 U2
= (2.16)
I1 A21 A22 −I 2
| {z }
=Â
Diese Form eignet sich für die Hintereinanderschaltung (Verkettung, Abb. 2.10) von zwei
Zweitoren. Dabei wird das zweite Tor des ersten Zweitors mit dem ersten Tor des zweiten
Zweitors verbunden. Es gilt U a2 = U b1 und I a2 = −I b1 und somit
ges a b
Â = Â Â . (2.17)
In der englischen Literatur werden Kettenparameter auch als ABCD-Parameter bezeich-

net.

A B
Â = (2.18)
C D
Dies wird hier jedoch nicht verwendet.

−1
Die inverse Kettenmatrix ist B̂ = Â , falls die Inverse existiert.
2.1.4 Hybridparameter
Mit den Hybridparametern gilt folgende Beziehung

U1 H 11 H 12 I1
= . (2.19)
I2 H 21 H 22 U2
| {z }
=Ĥ
Diese Form wird verwendet, wenn man die Eingänge der beiden Zweitore in Reihe und die
Ausgänge parallel schaltet (Abb. 2.11). Es gilt U 1 = U a1 + U b1 , I 2 = I a2 + I b2 und I 1 = I a1 = I b1 ,
U 2 = U a2 = U b2 und somit
ges a b
Ĥ = Ĥ + Ĥ . (2.20)
2.1. ZWEITORE 145
I1 I a1 I a2
a
U a1 Ĥ U a2
I2
U1 U2
I b1 I b2
b
U b1 Ĥ U b2
Abbildung 2.11: Eingangsseitige Reihen- und ausgangsseitige Parallelschaltung zweier Zwei-

tore.
2.2 Umrechnung der Zweitorparameter

Die verschiedenen Darstellungen der Zweitorparameter lassen sich ineinander umrechnen. Die
Umrechnung ist nur möglich, falls im Nenner der entsprechenden Formel in Tab. 2.1 keine Null
vorkommt.
|X̂| = X 11 X 22 − X 12 X 21 bezeichnet die Determinante der Matrix X̂.
Tabelle 2.1: Beziehungen zwischen den verschiedenen Zweitorparameterdarstellungen.
Gegeben → Ŷ Ẑ Â Ĥ
Gesucht ↓
Z 22 Z 12 A22 |Â| 1 H 12
Y 11 Y 12 − − −
|Ẑ| |Ẑ| A12 A12 H 11 H 11
Z 21 Z 11 1 A11 H 21 |Ĥ|
Y 21 Y 22 − −
|Ẑ| |Ẑ| A12 A12 H 11 H 11
Y 22 Y 12 A11 |Â| |Ĥ| H 12

Z 11 Z 12 −
|Ŷ | |Ŷ | A21 A21 H 22 H 22
Y 21 Y 11 1 A22 H 21 1
Z 21 Z 22 − −
|Ŷ | |Ŷ | A21 A21 H 22 H 22
Y 22 1 Z 11 |Ẑ| |Ĥ| H 11
A11 A12 − − − −
Y 21 Y 21 Z 21 Z 21 H 21 H 21
|Ŷ | Y 11 1 Z 22 H 22 1
A21 A22 − − − −
Y 21 Y 21 Z 21 Z 21 H 21 H 21
1 Y 12 |Ẑ| Z 12 A12 |Â|

H 11 H 12 −
Y 11 Y 11 Z 22 Z 22 A22 A22
Y 21 |Ŷ | Z 21 1 1 A21
H 21 H 22 − −
Y 11 Y 11 Z 22 Z 22 A22 A22
2.3. REZIPROZITÄT UND SYMMETRIE VON N-TOREN 147
2.3 Reziprozität und Symmetrie von N-Toren

Es soll zuerst ein passives Zweitor betrachtet werden, dessen Tore mit idealen Koaxialkabeln
angeschlossen sind. An dieses Zweitor werden zwei Sätze von unterschiedlichen Spannungs-
quellen angeschlossen (Abb. 2.12).
I a1 I a2 I b1 I b2
U a1 Y U a2 U b1 Y U b2
Abbildung 2.12: Zweitor mit idealen Spannungsquellen beschaltet. Links: Fall a), rechts:
Fall b).
Das Reziprozitätstheorem
NK
~ a · I~ b = U
~ aT I~ b = I~ bT U
~a = U
~ bT I~ a .
X
U ak I bk = U (2.21)
k=1
kann mit Admittanzparametern (2.8) auf folgende Form gebracht werden

bT a
I~ U ~ b )T U
~ = (Ŷ U ~a = U
~ bT Ŷ T U
~a = U
~ bT I~ a = U
~ bT Ŷ U
~a . (2.22)
Zieht man den rechten Ausdruck von dem mittleren ab, ergibt sich
~ bT (Ŷ T − Ŷ )U
U ~a = 0 . (2.23)
Da die Spannungen unabhängig und beliebig gewählt werden können, muss

T
Ŷ = Ŷ (2.24)
gelten. Das ist der Fall, wenn die Materialien, aus denen das N-Tor besteht, passiv, linear,
isotrop und zeitinvariant sind. Lineare und passive N-Tore, die keine magnetisierten Ferrite,
gesteuerte Quellen usw. enthalten, sind üblicherweise reziprok. Die Tore i und j eines N-Tors
gelten als reziprok, falls
Y ij = Y ji (2.25)
gilt. Die Admittanzmatrix ist symmetrisch, wenn alle Torpaare des N-Tors reziprok sind.
Kann die Admittanzmatrix invertiert werden, dann ist auch die Impedanzmatrix symme-
trisch. Dies gilt für sehr viele passive Strukturen und erleichtert die Berechnung der Torpa-
rameter, da die Anzahl der unbekannten Größen stark reduziert wird. Man beachte, dass das
Reziprozitätstheorem nur für den harmonisch eingeschwungenen Zustand gilt.
Zwei unterschiedliche Tore i und j eines N-Tors gelten als symmetrisch, falls man sie
vertauschen kann, ohne dass sich die Eigenschaften des N-Tors dadurch verändern. Für die
Admittanzparameter bedeutet dies
Y ii = Y jj (2.26)
Y ij = Y ji . (2.27)
Insbesondere ergibt sich für ein Zweitor
Y 11 = Y 22 (2.28)
Y 12 = Y 21 . (2.29)
Ein symmetrisches Zweitor ist somit immer reziprok und hat nur zwei unabhängige Para-
meter. Ähnliche Bedingungen lassen sich auch für die anderen Darstellungen des Zweitors
ableiten. In der rechten Spalte der Tab. 2.2 ist die zusätzlich zur Reziprozität notwendige
Bedingung für die Symmetrie dargestellt.
Tabelle 2.2: Bedingungen für die Reziprozität und darüber hinaus für die Symmetrie eines
Zweitors.
Reziprozität Symmetrie
Ŷ Y 12 = Y 21 Y 11 = Y 22
Ẑ Z 12 = Z 21 Z 11 = Z 22
Â |Â| = 1 A11 = A22
Ĥ H 12 = −H 21 |Ĥ| = 1
2.4. BEISPIELE FÜR ZWEITORE 149
2.4 Beispiele für Zweitore

Als Beispiel soll nun eine einfache Admittanz Y betrachtet werden, die als Zweitor verschaltet
ist (Abb. 2.13).
I1 I2
Y
U1 U2
Abbildung 2.13: Symmetrisches Zweitor mit einer Admittanz.
Die Admittanzmatrix ergibt sich mit I 1 = −I 2 = Y (U 1 − U 2 ) zu

Y −Y
Ŷ = . (2.30)
−Y Y
Dieses Zweitor ist reziprok und symmetrisch. Vertauscht man die beiden Tore, geht die Schal-
tung in sich selbst über. Da es keine Verbindung der oberen Kontakte mit den unteren gibt,
ist die Admittanzmatrix nicht invertierbar (|Ŷ | = 0). Es können für dieses Beispiel keine
Z-Parameter angegeben werden, da bei der Bestimmung der Z-Parameter (2.10) immer ei-
nes der beiden Tore offen ist und kein Strom fließen kann. Kettenparameter (2.16) hingegen
existieren
1 Y1

Â = . (2.31)
0 1
Ein etwas allgemeineres Beispiel ist in Abb. 2.14 dargestellt, das noch reziprok, aber für
6 Z c nicht mehr symmetrisch ist.
Za =
I1 I2
Za Zc
U1 Zb U2
Abbildung 2.14: Reziprokes Zweitor mit drei unterschiedlichen Impedanzen.
Die Impedanzmatrix kann direkt aus der Schaltung abgelesen werden

Za + Zb Zb
Ẑ = (2.32)
Zb Zc + Zb
Für eine feste Frequenz kann man jedes reziproke und stabile Zweitor durch das T-
Ersatzschaltbild (Abb. 2.14) darstellen.
Als Beispiel für das T-Ersatzschaltbild soll eine verlustlose Doppelleitung der Länge l
mit dem Leitungswellenwiderstand Zw und der Ausbreitungskonstanten γ = jβ betrachtet
werden. Mit (1.80) bestimmt sich die Admittanzmatrix zu
!
−j cot
Zw
βl j
Zw sin βl
Ŷ = j cot βl . (2.33)
Zw sin βl −j Zw
Das Zweitor ist reziprok und darüber hinaus symmetrisch (Tab. 2.2). Die Kettenparameter
sind (Tab. 2.1)

cos βl jZw sin βl
Â = sin βl (2.34)
j Zw cos βl
und die Impedanzmatrix lautet (Tab. 2.1)
!
Zw
−jZw cot βl −j sin βl
Ẑ = Zw . (2.35)
−j sin βl −jZ w cot βl
Mit (2.32) lauten die Impedanzen des T-Ersatzschaltbilds (Abb. 2.14)
1 − cos βl
Z a = Z c = jZw (2.36)
sin βl
1
Z b = −jZw . (2.37)
sin βl
Eine ideale Leitung kann somit z. B. für eine Schaltkreissimulation durch drei spezielle
Reaktanzen ersetzt werden.
Der MOSFET ist als aktives Bauelement ein Beispiel für ein nichtreziprokes Zweitor. Ein
einfaches Kleinsignalersatzschaltbild ist in Abb. 2.15 dargestellt.
I1 I2
G D
gm U GS
CGS GDS
U1 U2
S S
Abbildung 2.15: Einfaches Ersatzschaltbild eines MOSFETs in common source“-

”
Konfiguration als Zweitor. Der Bulkanschluss ist mit der Source kurzgeschlossen und taucht
daher nicht im Ersatzschaltbild auf.
Die Admittanzmatrix lässt sich leicht aus der Schaltung ablesen

jωCGS 0
Ŷ = . (2.38)
gm GDS
Aufgrund der spannungsgesteuerten Stromquelle ist das Zweitor nicht reziprok. Da die
direkte Kopplung zwischen dem Gate und dem Drain vernachlässigt wurde (Y 12 = 0),
2.4. BEISPIELE FÜR ZWEITORE 151
I1 I2
Y 12 U 2 Y 21 U 1
U1 U2
Y 11 Y 22
Abbildung 2.16: Vollständiges Ersatzschaltbild eines Zweitors basierend auf den Y-

Parametern.
hat der Ausgang keinen Einfluss auf den Eingang und man bezeichnet das Zweitor als
rückwirkungsfrei. Diese Näherung wird gerne für einfache Berechnungen verwendet, da man
die Eingangsseite vollständig ohne Kenntnis der Ausgangseite berechnen kann.
Mit den Y-Parametern kann man leicht ein allgemeines Ersatzschaltbild für ein Zweitor
angeben (Abb. 2.16). Trotz der gesteuerten Quellen ist das Zweitor für den Spezialfall Y 12 =
Y 21 reziprok.
Kapitel 3
Streuparameter
3.1 Komplexe Wellenamplituden

In der Leitungstheorie wurden die Leitungsgleichungen für vorwärts- und rückwärtslaufende
Wellen bezüglich einer Wellenimpedanz Z w eingeführt. Bei Annahme einer rellen Wellenim-
pedanz Zw gilt im verlustlosen Fall (γ = jβ)
U (z) = U a e−jβz + U b ejβz (3.1)

−jβz jβz
Zw I(z) = U a e − U be . (3.2)
Mit der normierten Spannung u und dem normierten Strom i
U (z)
u(z) = √ (3.3)
Z
p w
i(z) = Zw I(z) (3.4)
können die komplexen Wellenamplituden eingeführt werden

U
a1 = √ a (3.5)
Zw
Ub
b1 = √ . (3.6)
Zw
Der Parameter a1 beschreibt die hinlaufende und b1 die rücklaufende Welle bezüglich
des linken Tors (Eingang) der Leitung. Die hinlaufende Welle bewegt sich von links nach
rechts. Würde man sich auf das rechte Ende der Leitung beziehen, müsste man die hin- und
I1 I(z) I2
U1 β, Zw U (z) U2
0 l z
Abbildung 3.1: Strom und Spannung auf einer verlustlosen Doppelleitung der Länge l.
153
154 KAPITEL 3. STREUPARAMETER
rücklaufende Welle vertauschen, da die hinlaufende Welle nun von rechts nach links laufen
würde.
Zwischen den komplexen Wellenamplituden und dem normierten Strom und der normier-
ten Spannung am linken Tor besteht die lineare Beziehung
u1 + i1
a1 = (3.7)
2
u − i1
b1 = 1 . (3.8)
2
Diese lässt sich umkehren
U
u1 = a1 + b1 = √ 1 (3.9)
Zw
p
i1 = a1 − b1 = Zw I 1 . (3.10)
Der spannungsbezogene Reflexionsfaktor am linken Tor kann mit den komplexen Wellen-
amplituden berechnet werden
U b
Γ1 = b = 1 . (3.11)
Ua a1
Schließt man die Leitung am rechten Tor mit dem Leitungswellenwiderstand Zw ab, gilt
dort U (l) = Zw I(l)
U (l) = U a e−jβl + U b ejβl (3.12)
Zw I(l) = U (l) = U a e−jβl − U b ejβl . (3.13)
Zieht man die untere von der oberen Gleichung ab, erhält man U b = 0 und damit b1 = 0
und a1 = U a . Für den Reflexionsfaktor am linken Tor folgt Γ1 = 0 und somit die Anpassung
der Leitung.
Für die elektrische Leistung auf der Leitung gilt im zeitlichen Mittel für den harmonisch
eingeschwungenen Zustand bei beliebigem Abschluss mit (3.1), (3.2), (3.5) und (3.6)
a e−jβz − b ejβz ∗
( )
1 ∗ 1 p −jβz jβz 1 1
Pp (z) = <{U (z)I(z) } = < Zw a1 e + b1 e √
2 2 Zw
 

 
1 1 1 
=< |a1 |2 − |b1 |2 + a∗1 b1 e2jβz − a1 b∗1 e−2jβz

 2 {z 2 } |2 }

| {z 
rein reell rein imaginär
1 1
= |a1 |2 − |b1 |2 . (3.14)
2 2
Die Wirkleistung hängt auf einer verlustlosen Leitung nicht von der Position ab
1 1
Pp = Ppa − Ppb = |a1 |2 − |b1 |2 (3.15)
2 2
und die Wirkleistungen der hin- und rücklaufenden Welle können unabhängig voneinander
berechnet werden. Die komplexen Wellenamplituden wurden so gewählt, dass ihr Quadrat
direkt eine Leistung ergibt, weswegen sie auch als Leistungsparameter bezeichnet werden.
3.1. KOMPLEXE WELLENAMPLITUDEN 155
Bisher wurden nur Leitungen betrachtet. Man kann die komplexen Wellenamplituden auch
für Hohlleiter definieren, allerdings muss man für jeden Mode einen eigenen Satz komplexer
Wellenamplituden verwenden. Da die einzelnen Moden orthogonal sind, lässt sich die Leis-
tung für jeden einzelnen Mode immer noch mit (3.15) unabhängig von den anderen Moden
berechnen.
3.2 Streumatrizen
Ii
ai
Ui N-Tor
bi
Abbildung 3.2: Zuordnung von Strom, Spannung und komplexen Wellenamplituden zum i-ten
Tor eines N-Tors.
Für das i-te Tor eines N-Tors (Abb. 3.2) kann man komplexe Wellenamplituden definieren,
ohne dass es sich um eine Wellenleitung handeln muss, da sich die komplexen Wellenampli-
tuden aus einer linearen Transformation der Torspannung und des Torstroms ergeben
U i + Z0i I i
ai = √ (3.16)
2 Z0i
U i − Z0i I i
bi = √ (3.17)
2 Z0i
bzw.
p
Ui = Z0i (ai + bi ) (3.18)
p
Z0i I i = Z0i (ai − bi ) . (3.19)
Der Normierungswiderstand Z0i kann für jedes Tor unterschiedlich gewählt werden, sollte
jedoch positiv und reell sein1 . Gehört das Tor zu einer Leitung oder wird es mit einer Leitung
verbunden, sollte man den Leitungswellenwiderstand dieser Leitung verwenden, da es die
Berechnungen vereinfacht. In technischen Anwendungen werden fast immer 50 Ω verwendet.
Wählt man einen Normierungswiderstand, der von dem Leitungswellenwiderstand abweicht,
kann man die komplexen Wellenamplituden nicht mehr mit der realen hin- und rücklaufenden
Welle identifizieren. Die linearen Transformationen (3.16) und (3.17) sind natürlich immer
noch möglich und man kann weiterhin die komplexen Wellenamplituden verwenden.
Ähnlich zu den Y-Parametern, die einen linearen Zusammenhang zwischen Strom und
Spannung angegeben, kann mit den sogenannten Streuparametern oder auch S-Parametern
eine lineare Beziehung zwischen den Koeffizienten der rück- und der hinlaufenden Wellen
angegeben werden:
N
X
bi = S ij aj mit i = 1, . . . , N (3.20)
j=1
1
Komplexe Normierungsimpedanzen führen zu Problemen bei der Definition der Leistung oder des Refle-
xionsfaktors, weswegen sie hier nicht verwendet werden.
3.2. STREUMATRIZEN 157
Die Streuparameter S ij sind durch folgende Gleichung gegeben
bi
S ij = | ak =0 . (3.21)
aj k=1,...,N
k6=j
In das j-te Tor läuft eine Welle mit aj herein und alle anderen Tore sind reflexionsfrei
abgeschlossen. Man bestimmt dann bi für die Welle, die aus dem i-ten Tor herausläuft. Die
Parameter S ii bezeichnet man als Reflexionskoeffizienten und die Elemente S ij mit i 6= j als
Transmissionskoeffizienten.
Gilt S ii = S jj , ist das N-Tor reflexionssymmetrisch bezüglich der Tore i und j. Gilt
S ij = S ji , ist das N-Tor transmissionssymmetrisch bzw. reziprok bezüglich der Tore i und j.
Gilt dies für alle i und j, ist das N-Tor vollständig transmissionssymmetrisch bzw. reziprok.
Werden die komplexen Wellenamplituden für die verschiedenen Tore zu Vektoren zusam-
mengefasst, erhält man
    
b1 S 11 ··· S 1N a1
~b =  ..  =  .. .. ..   ..  = Ŝ ~a . (3.22)
 .   . . .  . 
bN SN 1 ··· SN N aN
In praktisch allen realistischen Fällen existiert die Inverse der Streumatrix Ŝ. Ein Zweitor
ist reziprok, falls S 21 = S 12 gilt, und symmetrisch, falls noch zusätzlich S 22 = S 11 gilt.
In Abb. 3.3 ist eine Impedanz als Eintor dargestellt. Mit U 1 = Z 1 I 1 erhält man unter
Beachtung von (3.18) und (3.19)
Z 1 − Z01
b1 = S 11 a1 = a , (3.23)
Z 1 + Z01 1
wobei der Streuparameter eines Eintors oft auch als Reflexionsparameter bezeichnet wird
Z 1 − Z01
Γ1 = S 11 = . (3.24)
Z 1 + Z01
Schließt man eine Doppelleitung mit der Impedanz Z 1 ab und wählt als Normierungswi-
derstand den Leitungswellenwiderstand (Z01 = Zw ), dann ergibt sich der bekannte Ausdruck
für den Reflexionsfaktor.
I1
a1
U1 Z1
b1
Abbildung 3.3: Eine Impedanz als Eintor.

Die von einem N-Tor absorbierte Wirkleistung ist gegeben durch

N
1X
Pp = < {U i I ∗i }
2
i=1
N N
1X 1X 2
= |ai |2 − |bi |
2 2
i=1 i=1
1 1 †
= ~a†~a − ~b ~b
2 2
1 1 †
= ~a†~a − ~a† Ŝ Ŝ ~a
2 2
1 †

= ~a† Ê − Ŝ Ŝ ~a
2
1
= ~a† P̂ ~a . (3.25)
2
†
Ê bezeichnet die Einheitsmatrix N -ter Ordnung. Die Formmatrix P̂ = Ê − Ŝ Ŝ ist her-
†
mitesch (P̂ = P̂ ) und damit ist das Ergebnis der quadratischen Form (3.25) immer reell.
Abhängig von der absorbierten Wirkleistung unterscheidet man drei Fälle für beliebiges, nicht
verschwindendes ~a:
Pp > 0 ⇒ P̂ ist positiv definit
Pp ≥ 0 ⇒ P̂ ist positiv semidefinit
Pp = 0 ⇒ P̂ ist neutral, verlustlos

† −1 †
Im letzten Fall gilt Ê = Ŝ Ŝ und somit Ŝ = Ŝ . Dies bedeutet, dass die Streumatrix
unitär ist. Dies ist für viele einfache Grundelemente der Mikrowellenschaltungstechnik der
Fall, falls sie in guter Näherung als verlustlos betrachtet werden können. Aus dem Wirkleis-
tungsverhalten folgen somit direkt weitere Bedingungen für die Streuparameter.
3.3. WELLENQUELLEN 159
3.3 Wellenquellen
I1
a1
Eintorquelle U1
b1
Abbildung 3.4: Eintorquelle.
In Abb. 3.4 ist eine Eintorquelle dargestellt, für die gilt
b1 = Γ1 a1 + b0 (3.26)
mit b0 = Quellterm
Für b0 = 0 geht die Eintorquelle in ein quellenloses Eintor über.
I1
Z1
a1
Uq U1
b1
Abbildung 3.5: Eine unabhängige Spannungsquelle als Eintorquelle.
Es besteht folgender Zusammenhang zwischen einer Eintorquelle und einer Ersatzspan-

nungsquelle (Abb. 3.5). Die Eintorquelle wird durch (3.26) beschrieben und die Ersatzspan-
nungsquelle durch
U 1 = Z 1I 1 + U q (3.27)
mit <{Z 1 } ≥ 0.
Einsetzen von (3.16) und (3.17) in (3.26) ergibt
U 1 − Z01 I 1 U + Z01 I 1
√ = Γ1 1 √ + b0 , (3.28)
2 Z01 2 Z01
wobei Z01 der beliebige (reelle und positive) Normierungswiderstand ist. Auflösen nach der
Spannung führt zu
√
1 + Γ1 2 Z01 b0
U 1 = Z01 I + . (3.29)
1 − Γ1 1 1 − Γ1
| {z } | {z }
=Z 1 =U q
Die Gleichung für die Innenimpedanz Z 1 aufgelöst nach dem Reflexionsfaktor ergibt
Z 1 − Z01
Γ1 = (3.30)
Z 1 + Z01
und für die komplexe Wellenamplitude der Quelle erhält man

√
Z01 U q
b0 = . (3.31)
Z 1 + Z01
Beide Größen, Γ1 und b0 , hängen von der Wahl

√ von Z01 ab. Im Fall einer idealen Spannungs-
quelle (Z 1 = 0) ist Γ1 = −1 und b0 = U q / Z01 .
Schließt man die Eintorquelle mit der Impedanz Z 2 ab, gilt I 1 = −U 1 /Z 2 und b2 = Γ2 a2
(Abb. 3.6).
I1
Z1
a1 b2
Uq U1 Z2
b1 a2
Abbildung 3.6: Eine Eintorquelle mit Last.
Aufgrund der direkten Verbindung gilt mit Z01 = Z02 auch a2 = b1 und b2 = a1 und
somit
Γ2 b0
a1 = (3.32)
1 − Γ1 Γ2
b0
b1 = . (3.33)
1 − Γ1 Γ2
Die von der Quelle abgegebene und von der Last aufgenommene Wirkleistung ist
1 1 1 1 − |Γ2 |2
PL = |a2 |2 − |b2 |2 = |b |2 , (3.34)
2 2 2 |1 − Γ1 Γ2 |2 0
wobei die Reflexionskoeffizienten und komplexen Wellenamplituden von der Wahl des Normie-
rungswiderstand, der für beide Tore gleich sein muss (Z01 = Z02 = Z0 ), abhängen. Allerdings
ist die Leistung unabhängig vom Normierungswiderstand.
1 1 − |Γ2 |2 1 <{Z 2 }
PL = |b0 |2 = |U |2 (3.35)
2 |1 − Γ1 Γ2 | 2 2 |Z 1 + Z 2 |2 q
Im Fall der reflexionsfreien Anpassung gilt Z 2 = Z 1 und somit Γ2 = Γ1 . Für die Wirk-
leistung erhält man
1 1 − |Γ1 |2 1 <{Z 1 }
PL = 2 |b0 |2 = |U q |2 . (3.36)
2 |1 − Γ1 |2 8 |Z 1 |2
3.3. WELLENQUELLEN 161
Man beachte, dass bei beliebiger Wahl des Normierungswiderstands die Reflexionskoeffizien-
ten bei Anpassung nicht notwendigerweise gleich Null sind.
Die maximal verfügbare Wirkleistung (available Power) ergibt sich für konjugiert kom-
plexe Anpassung an die Quellenimpedanz mit Z 2 = Z ∗1 und damit Γ2 = Γ∗1
1 1 2 1 |U q |2
PL, verf = |b | = . (3.37)
2 1 − |Γ1 |2 0 8 <{Z 1 }
Diese Anpassung wird oft verwendet, damit die maximale Leistung für die weitere Verarbei-
tung zur Verfügung steht. Ist die Innenimpedanz Z 1 reell und somit Z2 = Z1 , bedeutet Anpas-
sung sowohl Reflexionsfreiheit als auch, dass man die maximale Wirkleistung erhält. Wählt
man nun noch den Normierungswiderstand entsprechend Z0 = Z1 = Z2 , gilt Γ1 = Γ2 = 0
und
1 1 |U q |2
PL, verf = |b0 |2 = (3.38)
2 8 Z1
√
und b0 = U q /2 Z0 .
Sind die beiden Normierungswiderstände der Tore 1 und 2 nicht gleich, gilt nicht mehr
a2 = b1 und b2 = a1 . Man muss dann die Wellengrößen unter Verwendung der Spannung und
des Stroms ineinander umrechnen. Rechnet man die komplexen Wellenamplituden des Tors
1 mit (3.16) bis (3.19) auf die Normierung des Tors 2 um, erhält man
q q q q 
Z01 Z02 Z01 Z02
0
a1 1 Z02 + Z01 Z02 − Z01

a1
0 = q q q q  , (3.39)
b1 2 Z01
− Z02 Z01
+ Z02 b1
Z02 Z01 Z02 Z01
und dann gilt a2 = b01 und b2 = a01 .
Bisher wurden nur Eintorquellen betrachtet. Man kann diese leicht auf N-Torquellen er-
weitern
~b = Ŝ ~a + ~b , (3.40)
0
wobei ~b0 der Vektor der N Quellenwellenparameter ist.

3.4 Wellenkettenparameter
Verkettet man zwei Zweitore entsprechend Abb. 3.7, kann man die Streuparameter des Ge-
samtsystems mit den Wellenkettenparametern ausrechnen, wenn die komplexen Wellenam-
plituden des Tors 2 des linken Zweitors mit dem gleichen Normierungswiderstand berechnet
a = Z b ).
wurden, wie die des Tors 1 des rechten Zweitors (Z02 01
aa1 aa2 ab1 ab2

a b
ba1 ba2 bb1 bb2
Abbildung 3.7: Verkettung zweier Zweitore.
Dann gilt
ab1 = ba2 (3.41)

bb1 = aa2 . (3.42)
Mit den Wellenkettenparametern gilt

a1 T 11 T 12 b2
= (3.43)
b1 T 21 T 22 a2
und insgesamt
ges a b
T̂ = T̂ T̂ . (3.44)
Man kann die Streuparameter in die Wellenkettenparameter umrechnen
 
1 S 22

T 11 T 12

S − S 21
T̂ = =  S 21 S S
 (3.45)
T 21 T 22 11
S − 11 22S 21 12 S 21
und umgekehrt  
T 21 T 21 T 12

S 11 S 12

T 11 T 22 − T 11
= 
T 12
 . (3.46)
S 21 S 22 1
−T
T 11 11
Im Fall eines reziproken Zweitors gilt det T̂ = 1 und im Fall der Symmetrie zusätzlich
noch T 21 = −T 12 .
Die Streumatrix einer verlustlosen Doppelleitung der Länge l (Abb. 3.1) lautet
!
0 e−jβl
Ŝ = , (3.47)
e−jβl 0
wobei der reelle Leitungswellenwiderstand zur Normierung verwendet wurde (Z01 = Z02 =
Zw ). Die Wellenkettenmatrix ergibt sich zu
!
ejβl 0
T̂ = . (3.48)
0 e−jβl
3.4. WELLENKETTENPARAMETER 163
Abbildung 3.8: Ein über zwei Kabel mit einem 2-Tor-Netzwerkanalysator verbundenes Zwei-
tor (Bandpass).
In Messungen werden Zweitore oft über Kabel, die nahezu verlustlose TEM-Wellenleiter
sind, angeschlossen (Abb. 3.8). Das mit dem linken Tor des Zweitors verbundene Kabel habe
die Länge l1 und das rechte Kabel die Länge l2 . Der Leitungswellenwiderstand sei in bei-
den Fällen Zw (meistens Zw = 50 Ω) und werde als Normierungswiderstand für alle Tore
verwendet. Die Ausbreitungskonstante β sei ebenfalls für beide Kabel gleich
!
K,i ejβli 0
T̂ = . (3.49)
0 e−jβli
Die Wellenkettenparameter für das Zweitor zusammen mit den beiden Kabeln erhält man
mit !
T ZT jβ(l1 +l2 ) T ZT jβ(l1 −l2 )
ges K,1 ZT K,2 11 e 12 e
T̂ = T̂ T̂ T̂ = , (3.50)
T ZT −jβ(l1 −l2 ) T ZT e−jβ(l1 +l2 )
21 e 22
ZT
wobei T̂ die Wellenkettenmatrix des Zweitors ist. Daraus kann man die Streuparameter
der gesamten Anordnung bestimmen
!
S ZT −2jβl1 S ZT −jβ(l1 +l2 )
ges 11 e 12 e
Ŝ = . (3.51)
S ZT −jβ(l1 +l2 ) S ZT −2jβl2
21 e 22 e
ges
Will man die Kabel aus den Messergebnissen herausrechnen, muss man T̂ mit den
Inversen der Wellenkettenmatrizen multiplizieren
ZT
n K,1 o−1 ges n K,2 o−1
T̂ = T̂ T̂ T̂ . (3.52)
Für die Streumatrix des Zweitors selbst erhält man damit

S ges S ges
!
2jβl1 jβ(l1 +l2 )
ZT 11 e 12 e
Ŝ = . (3.53)
S ges
21 e
jβ(l1 +l2 ) S ges
22 e
2jβl2
Diese Umformung bezeichnet man als De-Embedding oder Abstrippen (der Kabel). Dieses
Ergebnis kann man auch einfacher mit folgender Betrachtung erhalten:
S ges
11 ist der Reflexionsfaktor des Tors 1 zusammen mit dem Kabel 1. Will man den Refle-
xionsfaktor S ZT
11 allein berechnen, muss man berücksichtigen, dass die Welle durch das Kabel
1 bis zum Tor 1 laufen muss und von dort wieder zurück. Dies verursacht eine Phasendrehung
ges ges
um e−2jβl1 für S ZT
11 verglichen mit S 11 . Ist S 11 gegeben, muss man durch den Phasenfaktor
teilen und erhält das obige Ergebnis. Die anderen Gleichungen kann man analog folgern.
Die Gleichung (3.52) kann auch verwendet werden, wenn nicht nur Kabel, sondern auch
andere Teile einer Schaltung de-embedded“ werden sollen. Dies könnten z. B. die Stecker
”
oder ganze Teile einer Schaltung sein. Dafür benötigt man allerdings die entsprechenden
Wellenkettenmatrizen und das Endergebnis ist komplexer als (3.53).
3.5. TRSF. IN VERSCH. DARST. DER ZWEITORPARAMMETER 165
3.5 Transformation in verschiedene Darstellungen der Zwei-

torparameter
Man kann die Streuparameter in die anderen Parameter (Y, Z, A, H) umrechnen und um-
gekehrt. Wie man diese Vorschriften ableitet, soll exemplarisch für die Umrechnung der
Admittanz- in die Streuparameter gezeigt werden. Mit der Diagonalmatrix
√ !
Z01 0
D̂ = √ (3.54)
0 Z02
lautet (3.22) mit (3.16) und (3.17)
~b = 1 D̂−1 U
~ − D̂I~ = Ŝ ~a = Ŝ 1 D̂−1 U
h i h i
~ + D̂I~ . (3.55)
2 2
~ und der Bedingung, dass diese Beziehung für beliebige Spannungsvektoren U
Mit I~ = Ŷ U ~
gelten muss, erhält man h i h i
D̂−1 − D̂Ŷ = Ŝ D̂−1 + D̂Ŷ . (3.56)
Multiplikation von rechts mit D̂ und Auflösen nach Ŝ ergibt

h ih i−1
Ŝ = Ê − D̂Ŷ D̂ Ê + D̂Ŷ D̂ . (3.57)
Diese Gleichung gilt auch entsprechend für N-Tore.
In Tab. 3.1 sind die Umrechnungsvorschriften für die Y-, Z- und H-Parameter in S-
Parameter und zurück für Zweitore angegeben. Die kleinen Buchstaben beziehen sich auf
die mit den Normierungswiderständen skalierten Parameter
p p
y ij = Z0i Y ij Z0j (3.58)
Z ij
z ij = √ p (3.59)
Z0i Z0j
H 11
h11 = (3.60)
Z01
h22 = H 22 Z02 (3.61)
r
Z0j
hij |i6=j = H ij . (3.62)
Z0i
Tabelle 3.1: Umrechung zwischen Streuparametern und Zweitorparametern.
(1 − S 11 )(1 + S 22 ) + S 12 S 21 −2S 12
y 11 = y 12 =
(1 + S 11 )(1 + S 22 ) − S 12 S 21 (1 + S 11 )(1 + S 22 ) − S 12 S 21
−2S 21 (1 + S 11 )(1 − S 22 ) + S 12 S 21
y 21 = y 22 =
(1 + S 11 )(1 + S 22 ) − S 12 S 21 (1 + S 11 )(1 + S 22 ) − S 12 S 21
(1 − y 11 )(1 + y 22 ) + y 12 y 21 −2y 12
S 11 = S 12 =
(1 + y 11 )(1 + y 22 ) − y 12 y 21 (1 + y 11 )(1 + y 22 ) − y 12 y 21
−2y 21 (1 + y 11 )(1 − y 22 ) + y 12 y 21
S 21 = S 22 =
(1 + y 11 )(1 + y 22 ) − y 12 y 21 (1 + y 11 )(1 + y 22 ) − y 12 y 21
(1 + S 11 )(1 − S 22 ) + S 12 S 21 2S 12
z 11 = z 12 =
(1 − S 11 )(1 − S 22 ) − S 12 S 21 (1 − S 11 )(1 − S 22 ) − S 12 S 21
2S 21 (1 − S 11 )(1 + S 22 ) + S 12 S 21
z 21 = z 22 =
(1 − S 11 )(1 − S 22 ) − S 12 S 21 (1 − S 11 )(1 − S 22 ) − S 12 S 21
(z 11 − 1)(z 22 + 1) − z 12 z 21 2z 12
S 11 = S 12 =
(1 + z 11 )(1 + z 22 ) − z 12 z 21 (1 + z 11 )(1 + z 22 ) − z 12 z 21
2z 21 (z 11 + 1)(z 22 − 1) − z 12 z 21
S 21 = S 22 =
(1 + z 11 )(1 + z 22 ) − z 12 z 21 (1 + z 11 )(1 + z 22 ) − z 12 z 21
(1 + S 11 )(1 + S 22 ) − S 12 S 21 2S 12
h11 = h12 =
(1 − S 11 )(1 + S 22 ) + S 12 S 21 (1 − S 11 )(1 + S 22 ) + S 12 S 21
−2S 21 (1 − S 11 )(1 − S 22 ) − S 12 S 21
h21 = h22 =
(1 − S 11 )(1 + S 22 ) + S 12 S 21 (1 − S 11 )(1 + S 22 ) + S 12 S 21
(h11 − 1)(h22 + 1) − h12 h21 2h12

S 11 = S 12 =
(1 + h11 )(1 + h22 ) − h12 h21 (1 + h11 )(1 + h22 ) − h12 h21
−2h21 (1 + h11 )(1 − h22 ) + h12 h21
S 21 = S 22 =
(1 + h11 )(1 + h22 ) − h12 h21 (1 + h11 )(1 + h22 ) − h12 h21
3.6. SIGNALFLUSSDIAGRAMME 167
3.6 Signalflussdiagramme
Signalflussdiagramme stellen ein grafisches Hilfsmittel zur Berechnung komplexer Wellenam-
plituden dar. Die wesentlichen Anforderungen an diese Graphen sind:
Das Netzwerk muss linear sein.
Die komplexen Wellenamplituden a und b werden durch Knoten repräsentiert.
Die Knoten werden über gerichtete Zweige verbunden, deren Gewichtungen durch die
Streuparameter gegeben sind. Sie stellen den Signalfluss dar.
Ein Zweig zeigt von dem Knoten, dessen komplexe Wellenamplituden mit dem Streu-
parameter multipliziert wird, zu dem Knoten, der das Ergebnis aufnimmt.
Jeder Knoten ergibt sich aus der Summe der darin endenden Zweige.
Die Signalflussdiagramme einer Wellenquelle und einer Last sind in Abb. 3.9 und Abb. 3.10
abgebildet.
bq b
Zq 1
→b Γq
Uq
←a
a
Abbildung 3.9: Signalflussdiagramm einer Wellenquelle mit b = bq + Γq a.
a→ ΓL
ZL
b←
b
Abbildung 3.10: Signalflussdiagramm einer Last mit b = ΓL a.
Es soll im Folgenden das Signalflussdiagramm eines Zweitors ohne äußere Beschaltung

aufgestellt werden. Für das linke Tor gilt b1 = S 11 a1 + S 12 a2 (Abb. 3.11).
a1
S 11
S 12 a2
b1
Abbildung 3.11: Signalflussdiagramm für b1 = S 11 a1 + S 12 a2 .

Für das rechte Tor gilt entsprechend b2 = S 21 a1 + S 22 a2 (Abb. 3.12).
a1 S 21 b2
S 22
a2
Abbildung 3.12: Signalflussdiagramm für b2 = S 21 a1 + S 22 a2 .
Die Kombination beider Graphen ergibt das Signalflussdiagramm für das komplette Zwei-
tor (Abb. 3.13).
a1 S 21 b2
S 11 S 22
S 12 a2
b1
Abbildung 3.13: Signalflussdiagramm für ein Zweitor.
Wird das rechte Tor mit einer Last abgeschlossen (Abb. 3.14), gilt zusätzlich a2 = ΓL b2 .
Es soll nun der Eingangsreflexionsfaktor (ΓEin = b1 /a1 ) für diesen Fall bestimmt werden. Es
wird eine Beziehung für b1 gesucht, die nur von den Transmissionsfaktoren und a1 abhängt.
Es gilt
b1 = S11 a1 + S12 a2 (3.63)
mit
a2 = ΓL b2 (3.64)
b2 = S21 a1 + S22 a2 (3.65)
S21 a1
⇒ b2 = . (3.66)
1 − S22 ΓL
Damit folgt
b1 = S11 a1 + S12 a2 (3.67)

= S11 a1 + S12 ΓL b2 (3.68)
S 12 ΓL S 21 a1
= S 11 a1 + (3.69)
1 − S 22 ΓL
S 12 S 21 ΓL
⇒ ΓEin = S 11 + . (3.70)
1 − S 22 ΓL
ΓEin ΓAus
a1 a2 aL
Zweitor Last
b1 b2 bL
ΓL
a1 S 21 b2
ΓEin → S 11 S 22 ΓL
S 12 a2
b1
Abbildung 3.14: Signalflussdiagramm (unten) für ein Zweitor, dessen rechtes Tor mit einer
Last abgeschlossen ist (oben).
Ist der Ausgang reflexionsfrei abgeschlossen (ΓL = 0) oder ist das Zweitor rückwirkungs-
frei (S 12 = 0) gilt ΓEin = S 11 .
Ist der Eingang eines Zweitors mit einer Quelle (ΓQ ) beschaltet, ergibt sich bei analoger
Rechnung für den Ausgangsreflexionsfaktor
S 12 S 21 ΓQ
ΓAus = S 22 + . (3.71)
1 − S 11 ΓQ
3.6.1 Das Vereinfachen des Signalflussdiagramms

Ein Signalflussdiagramm kann über die folgenden vier Transformationen vereinfacht werden.
1. Serienschaltung
Aus Abb. 3.15 können links die Beziehungen
b = Sba a (3.72)
und
c = Scb b (3.73)
abgelesen werden. Durch Eliminieren von b folgt mit
c = Sba Scb a (3.74)
direkt die vereinfachte Darstellung in Abb. 3.15 rechts.

Sba Scb Sba Scb

a b c a c
Abbildung 3.15: Signalflussdiagramm einer Serienschaltung.
2. Parallelschaltung
Der Ausdruck
b = S1 a + S2 a (3.75)
aus Abb. 3.16 beschreibt eine Parallelschaltung zwischen den Knoten a und b. Er ist
äquivalent zu
b = (S1 + S2 )a (3.76)
S1
S1 + S2
a b a b
S2
Abbildung 3.16: Signalflussdiagramm einer Parallelschaltung.
Folglich lassen sich zwei parallele Pfade durch einen Zweig, der mit der Summe der
Transmissionsfaktoren der einzelnen Pfade gewichtet ist, vereinfachen.
3. Aufteilen von Zweigen

Ein Knoten kann wie in Abb. 3.17 gezeigt geteilt werden, da für den Ausgang
c = S3 s (3.77)
= S3 (S1 a + S2 b) (3.78)
= S3 S1 a + S3 S2 b (3.79)
gilt. Das Produkt der Gewichte vom Eingang zum Ausgang bleibt gleich und somit
auch das Signal am Ausgang.
S1 S1 s S3
a a
S3
s c c
b b
S2 S2 s S3
Abbildung 3.17: Teilen einzelner Zweige im Signalflussdiagramm.
4. Schleifen und Rückkopplungen

Ausgehend von Abb. 3.18 gilt
b = Sba a + Γb (3.80)
kann b mit der Beziehung
c = Scb b (3.81)
eliminiert werden. Es folgt

Sba
b= a (3.82)
1−Γ
und damit
Scb Sba
c= a (3.83)
1−Γ
Eine Schleife kann demnach durch die Division des Eingangsübertragungsfaktors durch
Eins minus den Übertragungsfaktor der Schleife ersetzt werden.
Scb Sba
Sba b Scb 1−Γ
a c a c
Abbildung 3.18: Auflösen einer Schleife.
Die Reduktion eines Signalflussdiagramms soll nun an einem Beispiel veranschaulicht

werden. Wir betrachten wieder das abgeschlossene Zweitor aus Abb. 3.14 oben und bestimmen
den Eingangsreflexionsfaktor (ΓEin = b1 /a1 ) am linken Tor bei Abschluss des Rechten mit
einer Last ΓL (Abb. 3.19).
a1 S 21 b2
ΓEin → S 11 S 22 ΓL
S 12 a2
b1
Abbildung 3.19: Signalflussdiagramm eines mit ΓL abgeschlossenen Zweitors.
Gesucht ist wiederum eine Beziehung für b1 , die nur von den Transmissionsfaktoren und
a1 abhängig ist. Zunächst muss die Schleife bei b2 aufgelöst werden. Dazu wird der Knoten
a2 dupliziert (Abb. 3.20 links). Das Gewicht der Schleife wird anschließend über die Trans-
formation der Serienschaltung bestimmt (Abb. 3.20 rechts).
a1 S 21 b2 a1 S 21 b2
S 22 ΓL S 22
S 11 ΓL ΓL S 11 ΓL
a2
S 12 a2 S 12 a2
b1 b1
Abbildung 3.20: Erweiterung um einen Knoten (links) und Bildung der Schleife (rechts).
Die Schleife kann jetzt mithilfe der vierten Transformation eliminiert werden (Abb. 3.21).
Es gilt
ΓL
a2 = b . (3.84)
1 − S22 ΓL 2
a1 S 21 b2
ΓL
S 11
1 − ΓL S 22
S 12 a2
b1
Abbildung 3.21: Signalflussdiagramm mit aufgelöster Schleife.
Der in (Abb. 3.21) rot eingezeichnete Pfad wird wieder mittels der Regel zur Serienschal-
tung zusammengefasst (Abb. 3.22).
a1
S 21 ΓL S 12
S 11
1 − ΓL S 22
b1
Abbildung 3.22: Zusammengefasste Serienschaltung.
Als letzten Schritt wird die Parallelschaltung vereinfacht und der Eingangsreflexionsfak-
tor ΓEin kann direkt abgelesen werden (Abb. 3.23).
a1
S 21 ΓL S 12
S 11 +
1 − ΓL S 22
b1
Abbildung 3.23: Eingangsreflexionsfaktor ΓEin des abgeschlossenen Zweitors.
Wie erwartet ist ΓEin identisch zu dem vorher berechneten Ergebnis in (3.70).
3.6.2 Die Regel nach Mason

Mit der Mason-Regel lassen sich Übertragungsfaktoren Sij berechnen, ohne dass die
Netzwerkgleichungen gelöst werden müssen. Dies ist insbesondere bei größeren Signalfluss-
diagrammen von Interesse.
Bei der Regel nach Mason sind zwei Begriffe von grundlegender Bedeutung: der Pfad und
die Masche. Ein Pfad ist von einem Knoten aj zu einem Knoten bi gerichtet. Auf diesem
Pfad zeigen alle Zweige in Richtung von bi . Der Pfadübertragungsfaktor P ergibt sich aus
dem Produkt der Transmissionsfaktoren der einzelnen Zweige.
Y
P = Smn (3.85)
Eine Masche ist im Signalflussdiagramm ein geschlossener Pfad. Der Maschenübertragungs-

faktor L ist gleich dem Produkt der Transmissionsfaktoren der einzelnen Zweige.
Y
L= Smn (3.86)
Nach Mason kann der gesuchte Transmissionsfaktor folgendermaßen beschrieben werden:
P1 1 − L(1)(1) + L(2)(1) − ... + P2 1 − L(1)(2) + L(2)(2) − ... + ...

P P P P
T = P P (3.87)
1 − L(1) + L(2) − ...
Eine Erklärung der einzelnen Elemente ist Tab. 3.2 zu entnehmen. Ein Schleifenprodukt
n-ter Ordnung ist das Produkt von n Maschen, die keinen gemein Knoten haben. Eine Schleife
2. Ordnung ist dem Beispiel in Abb. 3.25 und Abb. 3.26 zu entnehmen.
Tabelle 3.2: Abkürzungen in der Mason-Regel.
P
L(1) Summe der Schleifenprodukte aller Maschen
P
L(n) Summe der Produkte von n disjunkter Maschen
P1 , P2 , ... Produkt der Zweige eines Pfades
L(1)(1)
P
Summe der Schleifenprodukte 1. Ordnung, die den Pfad P1 nicht berühren
L(n)(m)
P
Summe der Schleifenprodukte n-ter Ordnung, die den Pfad Pm nicht berühren
T gesuchtes Verhältnis
Es soll wieder der Eingangsreflexionsfaktor ΓEin des mit ΓL abgeschlossene Zweitors aus
Abb. 3.14 bestimmt werden. Dazu müssen erst die Pfade und Maschen nach Mason bestimmt
werden. Aus Abb. 3.24 lässt sich ablesen:
P1 = S 11 (3.88)
P2 = S 21 ΓL S 12 (3.89)
La = S 22 ΓL (3.90)
Für die Maschen n-ter Ordung gilt

L(1) = La (3.91)
a1 S 21 b2
S 11 S 22 ΓL
S 12 a2
b1
Abbildung 3.24: Signalflussdiagramm eines mit ΓL abgeschlossenen Zweitors mit dem Pfad
P1 (rot), dem Pfad P2 (blau) und der Masche La (grün).
Die zuvor bestimmten Parameter werden jetzt in die Mason-Regel eingesetzt:
b1 P1 (1 − La ) + P2 (1 − 0)
T = = (3.92)
a1 1 − La
S 11 (1 − S 22 ΓL ) + S 21 ΓL S 12
= (3.93)
1 − S 22 ΓL
S 21 ΓL S 12
= S 11 + (3.94)
1 − S 22 ΓL
S 12 S 21 ΓL
⇒ ΓEin = S 11 + (3.95)
1 − S 22 ΓL
Der Eingangsreflexionsfaktor ΓEin ist wiederum identisch zu (3.70).
Jetzt wird das Zweitor aus Abb. 3.14 am Eingang an eine Spannungsquelle angeschlossen.
Das erweiterte Signalflussdiagramm ist in Abb. 3.25 dargestellt.
bq a1 b2
S 21
Γq S 11 S 22 ΓL
S 12 a2
b1
Abbildung 3.25: Signalflussdiagramm eines abgeschlossenen Zweitors und einer angeschlosse-

nen Quelle.
a1 S 21 b2
Γq S 11 S 22 ΓL
S 12 a2
b1
Abbildung 3.26: Signalflussdiagramm eines abgeschlossenen Zweitors und einer angeschlosse-

nen Quelle mit den Pfaden P1 (rot) und P2 (blau) sowie den Maschen La (grün), Lb (orange)
und Lc (hellblau).
Es soll auch für diesen Fall das Verhältnis von b1 /a1 bestimmt werden. Die Pfade und
Maschen nach Mason können aus Abb. 3.26 abgelesen werden:
P1 = S 11 (3.96)
P2 = S 21 ΓL S 12 (3.97)
La = S 22 ΓL (3.98)
Lb = S 11 Γq (3.99)
Lc = S 21 ΓL S 12 Γq (3.100)
Die Schleifen 1. Ordnung sind La , Lb und Lc . Das Produkt La Lb bildet die Schleife 2. Ordnung,
da sie keinen gemeinsamen Knoten besitzen. Für das Verhältnis b1 /a1 folgt:
b1 P1 (1 − La ) + P2
= (3.101)
a1 1 − (La + Lb + Lc ) + La Lb
S 11 (1 − S 22 ΓL ) + S 21 ΓL S 12
= (3.102)
1 − (S 22 ΓL + S 11 Γq + S 21 ΓL S 12 Γq ) + S 11 Γq S 22 ΓL
Kapitel 4
Passive Mikrowellenbauelemente
Die passiven Mikrowellenbauelemente kann man nach ihrer Torzahl und Funktion klassifizie-
ren. Es werden hier nur Mikrostreifenleitungsbauelemente betrachtet, da diese im Vergleich
zum Hohlleiter oft in einem weiteren Frequenzbereich einsetzbar und leichter herstellbar sind.
Als Ausgangsmaterial werden Substrate verwendet, die auf beiden Seiten mit Kupfer beschich-
tet sind. Durch einfache fotolithografische Verfahren und Ätzen lassen sich diese strukturieren
(Abb. 4.1).
Abstimmstrukturen
DC
Input Output
FETs
FET
RF
Stichleitungen Richtkoppler Breitbandiger

virtueller Kurzschluss
Abbildung 4.1: 5.5GHz-Verstärker.
Während die einfache Mikrostreifenleitung sehr breitbandig ist, gilt dies nicht für alle hier
betrachteten Bauelemente. Sie haben spezielle Funktionen, die oft nur in einem bestimmten
Frequenzbereich realisiert werden können. Dies muss bei der Auswahl der Bauelemente
berücksichtigt werden. Ebenso gelten die angegebenen Ersatzschaltbilder auch nur in einem
bestimmten Frequenzbereich.
Eine Mikrowellenschaltung enthält oft viele Bauelemente, die über Mikrostreifenleitun-

gen verbunden sind (Abb. 1, 4.1). Für eine Berechnung muss die Schaltung in ihre Einzelteile
zerlegt werden, wie dies in Abb. 4.2 exemplarisch für ein T-Stück dargestellt ist. An der
Stelle, wo sich die Leitungen treffen, verhalten sie sich nicht mehr wie normale Mikrostrei-
fenleitungen und es kommt zu einer Kopplung aller drei Leitungen. Dies kann durch eine
entsprechende Streumatrix für das Dreitor erfasst werden. Dazu muss das T-Stück von den
177
178 KAPITEL 4. PASSIVE MIKROWELLENBAUELEMENTE
Zuleitungen abgetrennt werden. Die Stelle, an der die Leitung aufgetrennt wird, bezeichnet
man als Bezugsebene, da für diese Stelle die Streuparameter bestimmt werden. Die Bezug-
sebenen müssen so weit von der Stelle, an der sich die Leitungen treffen, entfernt sein, dass
alle Streufelder abgeklungen sind und sich die Leitungen an den Bezugsebenen wieder wie
normale Mikrostreifenleitungen verhalten.
BE3
BE1 BE2
Abbildung 4.2: T-Stück mit Bezugsebenen.

4.1. EINTORE 179
4.1 Eintore
Passiven Eintore lassen sich durch ihren Reflexionsfaktor charakterisieren. Im Folgenden wer-
den die wichtigsten Eintore und ihre Einsatzmöglichkeiten erläutert.
4.1.1 Absorber
Ein idealer Absorber hat einen Reflexionsfaktor vom Wert null (Abb. 4.3), sodass sich eine
von links einlaufende Welle in der Widerstandsschicht tot läuft.
Leitung Cr-Haftschicht
Abbildung 4.3: Absorber (Γ = 0).
Reflexionsfreie Abschlüsse können in der Mikrostreifentechnik auf vielfältige Weise her-

gestellt werden, z. B. durch Einbringen eines Kohle-Schichtwiderstandes zwischen der Strei-
fenleitung und der Masseplatte (Abb. 4.4). Dies kann zu einem erheblichen mechanischen
Aufwand führen, wenn eine Durchkontaktierung notwendig wird oder gar das Substrat in der
Form des Widerstandskörpers ausgestanzt werden muss. Dem Vorteil geringer geometrischer
Abmessungen steht der Nachteil gegenüber, dass die Anordnung nur bis zu relativ niedri-
gen Frequenzen (< 5 GHz) eingesetzt werden kann, da darüber merkliche parasitäre Anteile
auftreten. Diese können teilweise mit Kompensationselementen ausgeglichen werden.
Abbildung 4.4: Reflexionsfreier Abschluss mittels eines Kohle-Schichtwiderstandes.
Durch Verwenden eines verlustbehafteten Substrats, z. B. Ferritmaterial (Abb. 4.5) ist

es möglich stark gedämpfte Leitungen mit guter Anpassung herzustellen. Ein Problem ist
dabei der Übergang zwischen den beiden Substraten. Deshalb kann diese Methode nicht auf
der eigentlichen Streifenleitung eingesetzt werden. Solche Aufbauten finden hauptsächlich in
eigenen Baugruppen, z. B. als Kalibrierstandard, Verwendung.
Abbildung 4.5: Reflexionsfreier Abschluss mittels eines verlustbehafteten Substrats.
Ein aufgelegter verlustbehafteter Keil (Abb. 4.6) dämpft nur den Feldanteil in der Luft
und benötigen daher einige Wellenlängen als Baugröße.
Abbildung 4.6: Reflexionsfreier Abschluss mittels eines verlustbehafteten Keils.
Durch Aufbringen einer Dämpfungspaste auf einer Spiralanordnung (Abb. 4.7) kann auf
verhältnismäßig kleinem Raum eine gute Anpassung erreicht werden. Solche Formen der
Leitungsführung werden auch als Antennen für höhere Frequenzen eingesetzt und haben
deshalb viele Feldanteile außerhalb des Substrats.
Abbildung 4.7: Reflexionsfreier Abschluss mittels einer Dämpfungspaste.
4.1.2 Leerlauf
Eine am Ende offene Microstrip-Leitung stellt das klassische Streifenleitungsbauelement dar,
wie es z. B. für Stichleitungen eingesetzt wird. Ein Leerlauf mit Γ = 1 lässt sich auf diese Weise
realisieren und eine von links kommende Welle wird am rechten Ende reflektiert (Abb. 4.8).
Allerdings endet das Feld der Microstrip-Leitung nicht abrupt am Leitungsende, sondern
reicht weiter in Richtung der Streifenleitungssymmetrieachse fort. Diese Streufelder bewirken
eine scheinbare Verlängerung der eigentlichen Streifenleitung, wobei das zusätzliche Endfeld
4.1. EINTORE 181
als Parallelkapazität bzw. als Leitungsverlängerung gedeutet werden kann. Die zusätzliche
Länge ∆l muss bei der Berechnung des Reflexionsfaktors (1.87) am linken Eingang berück-
sichtigt werden (Bezugsebenenverschiebung).
Γ=1
BE
∆l
Abbildung 4.8: Leerlauf (Γ = 1). Durch Streufelder verschiebt sich der Punkt, an dem die
Reflexion stattfindet um ∆l (Bezugsebenenverschiebung).
4.1.3 Kurzschluss
Werden reale Kurzschlüsse an Streifenleitungen verlangt, so treten zumeist erhebliche tech-
nische Probleme auf. Solange nur schmalbandige Lösungen angestrebt werden (ca. 5 % Band-
breite), kann der Kurzschluss bekanntermaßen durch λ/4-Transformation aus einem Leerlauf
abgeleitet werden. Ist ein breitbandige Nutzung vorgesehen, so scheidet diese Möglichkeit
aus. Hier eignet sich nur eine Durchkontaktierung (Via) nach Abb. 4.9.
Substrat
Kupfer
Abbildung 4.9: Kurzschluss Γ = −1. Links von oben und rechts im Schnitt.
Es wird ein Teilbereich des Substrats durch ein Messer oder eine Stanze ausgespart und
die Streifenleitung auf die Masseplatte umgebogen und dort kontaktiert. Nachteilig ist, dass
nicht das gesamte Feld abrupt endet, sondern Feldanteile nach hinten über den Streifen
hinausragen können und zu einer Endkapazität führen. Gleichzeitig beengt der Leiter die
Masseströme und führt zu einer parallelen Endinduktivität Lp , sodass der Kurzschluss nur
für nicht zu hohe Frequenzen hinreichend gut ist.
Das Einführen einer Kurzschlussplatte schafft hier Abhilfe (Abb. 4.10). Die Masseströme
können ungehindert abfließen und es ragt kein E-Feld über den Kurzschluss hinaus (das
gesamte elektrische Feld wird kurzgeschlossen). Gemein ist beiden Methoden, dass die Un-
terseite des Substrats verletzt wird und Unebenheiten durch Lötungen erhält, wodurch ein
zusätzlicher mechanischer Aufwand beim Gehäuseeinbau entsteht.
Abbildung 4.10: Kurzschluss mit einer Kurzschlussplatte.
4.1.4 Leitungsresonator
Resonatoren werden in frequenzbestimmenden und zeitgebenden Schaltungen eingesetzt, z. B.
in Clock-Oszillatoren. Sie sind aber auch Bestandteile von Filtern. Reaktanz- und Suszeptanz-
verläufe, wie sie LC-Schwingkreise erzeugen, können mit einseitig offenen oder kurzgeschlos-
senen Leitungsstücken erzeugt werden. Diese haben, wie in Abb. 1.26 bereits verdeutlicht,
Leitungslängen von λ/4 oder λ/2. Die Leerlaufgüte eines Leitungsresonators bestimmt sich
zu
π
Q= (4.1)
λα
mit α = Dämpfungsbelag in Np/m.
Ein kapazitiv an das Ende einer Leitung angekoppelter Resonator ist in Abb. 4.11 darge-
stellt.
Abbildung 4.11: Eintor als Resonator.

4.2. ZWEITORE 183
4.2 Zweitore
4.2.1 Dämpfungsglied
Ein Dämpfungsglied ist in Abb. 4.12 dargestellt. Dieses sollte nicht nur reziprok, sondern auch
symmetrisch sein. Idealerweise gilt für die Streuparameter S 11 = S 22 = 0 und S 12 = S 21 mit
0 < |S 12 | < 1.
Cr-Haftschicht
Abbildung 4.12: Dämpfungsglied für kleine Leistungen.
Attenuatoren schwächen ein Signal um einen möglichst konstanten und frequenzu-

nabhängigen Betrag ab. Häufig werden Dämpfungsglieder auch verwendet, wenn schlecht
angepasste Komponenten (z. B. Filter) zwangsangepasst werden sollen. Konzentrierte, ange-
passte Dämpfungsglieder werden meist als T- oder π-Schaltung beschrieben.
4.2.2 Leitungstransformator
Zur Verbindung zweier unterschiedlich breiter Leitungen kann die Struktur aus Abb. 4.13
verwendet werden. Das Zweittor ist nicht symmetrisch, aber reziprok. Die Frequenz sollte
allerdings so hoch sein, dass die Wellenlänge deutlich kleiner als d ist. Dann werden durch
das langsame Verändern der Breite Reflexionen unterdrückt. Im umgekehrten Fall (λ > d)
handelt es sich praktisch um einen abrupten Übergang. Dies führt zu einer sprunghaften
Änderung des Wellenwiderstandes und es entstehen Reflexionen. Die Auswirkungen der ab-
rupte Breitenänderung wird in Abschnitt 4.2.5 für die Modellierung reaktiver Komponenten
ausgenutzt.
d
Abbildung 4.13: Leitungstransformator.
4.2.3 Kapazität
Allgemein können Kapazitäten auf vielfältige Art und Weise hergestellt werden. In Abb. 4.14
sind einige Bauformen für Kondensatoren gezeigt. Kapazitäten können auch durch Verbrei-
tern eines kurzen Stückes einer Leitung realisiert werden. Die Leitung wirkt wie ein Kondensa-
tor, wenn alle Abmessungen klein gegenüber der Wellenlänge sind. Dies folgt aus dem Ersatz-
schaltbild für ein kurzes verlustloses Leitungsstück (Abb. 1.18a mit l = ∆z und |γ∆z| 1)
mit R0 = 0 und G0 = 0, da bei einer breiteren Leitung der Kapazitätsbelag anwächst, während
der Induktivitätsbelag sinkt. In grober Näherung nimmt man an, dass die Induktivität L0 ∆z
vernachlässigbar ist und das Ersatzschaltbild reduziert sich auf eine parallele Kapazität mit
dem Wert C 0 ∆z.
Abbildung 4.14: Realisierung eines Kondensators als a) Koppelspalt, b) Interdigitalkonden-

sator, c) dielektrischer Overlaykondensator und d) Scheibenkondensator.
4.2.4 Induktivät
Wie für die Kondensatoren, gibt es ebenfalls mehrere Möglichkeiten eine Induktivität zu
realisieren. Einige sind in Abb. 4.15 dargestellt.
Abbildung 4.15: Realisierung einer Induktivität als a) schmaler Streifenleiter, b) mäandrierter

schmaler Streifenleiter, c) dünner Draht, d) ringförmiger Streifenleiter und e) Spirale.
Auch eine Induktivität kann durch eine Leitung realisiert werden. Es zeigt sich das
entgegengesetzte Verhalten zu den Kapazitäten: Wird die Leitung schmaler, wirkt sie wie
eine Reiheninduktivität mit L0 ∆z.
4.2.5 Tiefpassfilter
Wendet man die Bildungsregeln für Kapazitäten und Induktivitäten auf die Struktur in
Abb. 4.16 an, erhält man als Ersatzschaltbild eine Siebkette.
C L C L C
Abbildung 4.16: Tiefpass mit Ersatzschaltbild (Siebkette).

4.2. ZWEITORE 185
Dieses symmetrische Zweitor zeigt die entsprechende Tiefpasscharakteristik (Abb. 4.17),

jedoch nur für nicht zu große Frequenzen. Aufgrund der groben Näherungen, die nur bei
kleinen Frequenzen, bei denen ∆z < λ gilt, anwendbar ist, ergeben sich bei höheren Fre-
quenzen Abweichungen. Weiterhin sind die Übergänge von einem Leitungsstück zum andern
nicht ideal und man muss für jeden Übergang entsprechende parasitäre Kapazitäten und In-
duktivitäten berücksichtigen (Abb. 4.18). In den Messungen sind darüber hinaus auch noch
die Einflüsse der sogenannten SMA-Stecker enthalten. Für ein qualitatives Verständnis des
Bauteils reicht diese grobe Betrachtung jedoch aus. Ein etwas besseres Ergebnis erhält man,
wenn man anstelle des Ersatzschaltbilds für kurze Leitungen das für endlich lange Leitungen
(Abb. 1.18a) verwendet (gestrichelte Linien in Abb. 4.17).
1
S11 Mess.
S21 Mess.
0.8 S11 Sim.
S21 Sim.
0.6
|S|
0.4
0.2
0
0 2 4 6 8 10
f [GHz]
Abbildung 4.17: Absolutwert der Streuparameter des Tiefpasses als Ergebnis einer Messung
und einer einfachen Simulation entsprechender Leitungsstücke.
Stromlinien Elektrische
Streufelder
gegen Masse
wa wb =
b Zw a , β a Zw b , β b
Abbildung 4.18: Abrupter Übergang von einer Leitung mit der Weite wa auf die Weite wb
und ein einfaches Ersatzschaltbild, bestehend aus zwei idealen Leitungen und jeweils einer
Induktivität und Kapazität.
4.2.6 Bandpass
Einen Bandpass kann man mit λ/2-Resonatoren realisieren (Abb. 4.19), die kapazitiv und
induktiv gekoppelt sind. Das Zweitor ist symmetrisch. Die Mittenfrequenz wird durch die
Länge der Resonatoren, die bei Resonanz der halben Wellenlänge entspricht, festgelegt. In
Abb. 4.20 sind die gemessenen Streuparameter dargestellt. Die Mittenfrequenz liegt bei etwa
2.1 GHz. Bei der doppelten Frequenz gibt es ebenfalls ein Band, das durchgelassen wird und
für das die Resonatoren die Länge λ haben.
λ/4
Abbildung 4.19: Bandpass.
1
S11
S21
0.8
0.6
|S|
0.4
0.2
0
0 1 2 3 4 5
f [GHz]
Abbildung 4.20: Absolutwert der Streuparameter des Bandpasses.

4.2. ZWEITORE 187
4.2.7 Transmissionsresonator
Bei einem Transmissionsresonator sind zwei Leitungen mit dem Resonator kapazitiv gekoppelt
(Abb. 4.21). Dieses Zweitor ist symmetrisch. Ein einfaches Ersatzschaltbild ist ebenfalls in der
Abbildung gegeben.
Streufeldkapazität Koppelkapazität
Resonator
Abbildung 4.21: Transmissionsresonator mit Ersatzschaltbild.
4.2.8 Richtungsleiter
Ein als edge guided mode isolator“ ausgeführter Richtungsleiter ist in Abb. 4.22 dargestellt.
”
Dieses Bauelement enthält ein stark vormagnetisiertes Ferritsubstrat. Es ist anisotrop und
seine Permeabilitätsmatrix ist nicht symmetrisch. Daher ist das Zweitor nicht reziprok.
Bei einer bestimmten Frequenz, die unter anderem von der vorgegebenen magnetischen
Feldstärke abhängt, werden Wellen nur in eine Richtung durch das Zweitor gelassen. Eine
von rechts kommende Welle wird in die Cr-Haftschicht abgedrängt und dort absorbiert. Die
Bandbreite dieses Effekts ist begrenzt.
Im Idealfall sind alle Tore ideal angepasst und die Übertragung in den unerwünschten
Richtungen ist Null. In der Praxis erreicht man solche Werte nicht perfekt. Gute Richtlei-
tungen weisen Reflexionsdämpfungen von 25 bis 30 dB auf und die Dämpfung in den un-
erwünschten Richtungen liegt in derselben Größenordnung. Die relativen Bandbreiten, über
die solche Resultate erreicht werden können, reichen von 10 % bis 50 %, in Einzelfällen bis zu
100 %. Hierbei ist die Übertragung bei geringerer Bandbreite besser als bei großer. Idealer-
weise sollte S 11 = S 22 = 0, |S 21 | = 1 und |S 12 | = 0 gelten.
H0
Cr-Haftschicht
Abbildung 4.22: Richtungsleiter.

4.2.9 Diskontinuitäten
Das am häufigsten verwendete Zweitor ist die Mikrostreifenleitung, die schon ausführlich
diskutiert wurde. Im Idealfall kann eine Leitung der Länge l durch eine einfache Streuma-
trix (3.47) beschrieben werden. Hat die Leitung jedoch eine Knick (Abb. 4.23), ist dies nicht
mehr möglich. Der Knick muss dann aus der Leitung herausgetrennt und gesondert behandelt
werden. Der einfache Knick aus Abb. 4.23a führt zu einer Aufweitung der Leitung, was durch
Abtrennen der rechten oberen Ecke kompensiert werden kann (Abb. 4.23b). Durch Abrun-
dung kann dies ebenfalls erreicht werden Abb. 4.23c). Trotz dieser Gegenmaßnahmen wirkt
sich ein Knick immer auf das Übertragungsverhalten aus und muss bei einer entsprechend
genauen Berechnung berücksichtigt werden.
a) b) c)
Abbildung 4.23: Verschiedene Leitungsknicke.

4.3. DREITORE 189
4.3 Dreitore
Idealerweise sollte ein Dreitor an allen Toren angepasst, verlustlos und reziprok sein. Dies
ist allerdings nicht möglich, da die Reziprozität erfordert, dass die Streuparametermatrix
symmetrisch ist  
S 11 S 12 S 13
T
Ŝ = S 12 S 22 S 23  = Ŝ .
S 13 S 23 S 33
Weiterhin sollen alle drei Tore angepasst sein (S ii = 0)
 
0 S 12 S 13
Ŝ = S 12 0 S 23  .
S 13 S 23 0
Verlustlosigkeit erfordert zusätzlich, dass die Formmatrix P̂ aus (3.25) verschwindet und
somit  †    
0 S 12 S 13 0 S 12 S 13 1 0 0
S 12 0 S 23  S 12 0 S 23  = 0 1 0
S 13 S 23 0 S 13 S 23 0 0 0 1
gilt. Dies ergibt sechs unabhängige Gleichungen
|S 12 |2 + |S 13 |2 = 1
|S 12 |2 + |S 23 |2 = 1
|S 13 |2 + |S 23 |2 = 1
S ?13 S 23 = 0
S ?12 S 23 = 0
S ?12 S 13 = 0 ,
die keine Lösung haben. Es daher muss auf eine dieser Bedingungen verzichtet werden.
4.3.1 Leistungsteiler
Eine Parallelverzweigung ergibt einen sehr einfachen Leistungsteiler (Abb. 4.24). Durch ein
Tor fließt Leistung in den Teiler hinein, die an den beiden anderen Toren zu gleichen Teilen
abgegeben wird. Dieses Dreitor ist reziprok, verlustlos und nicht vollständig symmetrisch. Es
sind nicht alle drei Tore angepasst.
2Zw
Zw
2Zw
Abbildung 4.24: Leistungsteiler.
4.3.2 Zirkulator
Ein Zirkulator ist ein allseits angepasstes, verlustloses Dreitor, das zwangsweise nichtrezipork
ist (Abb. 4.25). Zirkulatoren sind insofern sonderbare Bauteile, da sie passiv und trotzdem
nichtreziprok sind. Sie existieren in dieser (passiven) Form nur im HF-Bereich (also ab ca.
100 MHz), sie haben keine reale Entsprechung in der niederfrequenten Elektrotechnik. Dort
lassen sie sich mit gesteuerten Quellen (Verstärkern) synthetisieren, sind dann aber nicht
mehr passiv.
H0
Sender Empfänger
Antenne
Abbildung 4.25: Zirkulator (oben) mit beispielhafter Beschaltung (unten).
Mit einem Dreitor-Zirkulator kann eine Antenne mit einem Sender und Empfänger ver-
bunden werden, wobei der Sende- und Empfangszweig getrennt werden. Man schließt die
Antenne an das untere, den Sender an das linke und den Empfänger an das rechte Tor an.
Alle drei Tore sollten angepasst sein. Der Sender sendet ein Signal aus, das nur zu dem Tor
geht, das sich gegen den Uhrzeigersinn am nächsten befindet. Dort ist die Antenne ange-
schlossen. Das gegen den Uhrzeigersinn gezählte zweite Tor wird isoliert. Somit kann kein
Sendersignal in den Empfänger gelangen. Genauso gelangt das Ausgangssignal der Anten-
ne nur zum Empfänger und nicht zum Sender. Die Streumatrix für einen idealen Zirkulator
lautet  
0 0 1
Ŝ = 1 0 0 (4.2)
0 1 0
4.3. DREITORE 191
4.3.3 Gleichspannungszuführung
Mit einer Gleichspannungszuführung (Abb. 4.26) kann man eine Gleichspannung auf eine
Leitung geben, ohne die Transmissionseigenschaften der Leitung zu stark zu stören. Dazu
sollte die Zuführung einen hohen Leitungswellenwiderstand Zi haben (schmal sein). Dieses
reziproke Dreitor findet beispielsweise bei der DC-Arbeitspunkt-Einstellung eines aktiven
Bauelements Verwendung.
Zw Zi Zw
Abbildung 4.26: Gleichspannungszuführung.

4.4 Viertore
In der Mikrostreifentechnik sind insbesondere Richtkoppler und ihre Hybride als Vertreter
der Viertore von Interesse. Unter Richtkopplern versteht man passive, symmetrische und
verlustlose Viertore mit der Eigenschaft, dass ein Eingangssignal an einem der vier Tore
immer nur zu zwei der drei restlichen Tore weitergegeben wird. Das allgemeine Symbol eines
Richtkopplers in einpoliger Darstellung zeigt Abb. 4.27.
Abbildung 4.27: Allgemeine Schaltsymbol eines Richtkopplers.
Speist man den Richtkoppler mit einer einfallenden Welle am Tor 1, so treten nur an
den Toren 3 und 4 Wellen aus. An Tor 2 wird keine Welle detektiert. Man sagt, dass das
Tor 2 von Tor 1 entkoppelt ist. Zu welchen Toren die am Tor 1 einfallende Welle verteilt
wird, deutet das Symbol des Richtkopplers durch seine Linien an. Vom Tor 1 gehen direkte
Linien nur zum Tor 3 und 4 jedoch nicht zum Tor 2. Folgt man dieser Beschreibungsart, so
teilt sich eine einfallende Welle am Tor 2 auf die Tore 3 und 4, nicht aber auf das Tor 1 auf.
Verfolgt man die Aufteilung aller möglichen einfallenden Wellen, so sieht man, dass immer
die Torpaare 1 und 2 sowie 3 und 4 voneinander entkoppelt sind. Zwischen diesen findet kein
Energieaustausch statt, sofern alle Tore mit ihren Wellenwiderständen abgeschlossen sind.
Beim idealen Richtkoppler sind beide Torpaare entkoppelt und er ist an allen Toren ange-
passt. Da der Richtkoppler reziprok ist, folgt sofort, dass die Übertragungskoeffizienten zwi-
schen zwei Toren richtungsunabhängig sein müssen. Aus Symmetriegründen müssen gleich-
artige Übertragungskoeffizienten gleich sein. Damit können im Moment folgende Aussagen
über die Streuparameter von Richtkopplern gemacht werden:
Sii = 0 (4.3)
S12 = S21 = S34 = S43 = 0 (4.4)
S14 = S41 = S23 = S32 (4.5)
S13 = S31 = S24 = S42 (4.6)
Je nach Bauart wird zwischen 0◦ /180◦ -Kopplern und 90◦ -Kopplern unterschieden. Diese
Aussage bezieht sich auf den Phasenunterschied zwischen den beiden austretenden Wellen
b2 und b4 bei einer einfallenden Welle a1 , oder zwischen S21 und S41 .
Sehr oft sind nur die Beträge der Streuparameter eines Richtkopplers von Interesse. Es
4.4. VIERTORE 193
wird dann die logarithmische Schreibweise verwendet (Verstärkung oder Dämpfung):

ar = −20 log |S ii | Reflexionsdämpfung (4.7)
aT = −20 log |S 41 | Durchgangsdämpfung (4.8)
aC = −20 log |S 21 | Koppeldämpfung (4.9)
aI = −20 log |S 31 | Isolation (4.10)
aD = aI − aC Durchgangsdämpfung (4.11)
4.4.1 Parallelleitungskoppler
Der Parallelleitungskoppler besteht aus zwei Leitungen, die über eine Länge λ/4 parallel
laufen. Man beachte bei diesem Koppler die andere Nummerierung der Tore. Die entkoppelten
Tore liegen sich diagonal gegenüber. Dieser Koppler ist sehr breitbandig und wird recht häufig
gebraucht. Parallelleitungskoppler eignen sich in der einfachsten Ausführung eher für höhere
Koppeldämpfungen (> 6 dB), sind breitbandig (1 Oktave und mehr) und weisen eine 90◦ -
Koppelphase auf. Abb. 4.28 zeigt einen Parallelleitungskoppler in Mikrostreifen-Technologie.
Abbildung 4.28: Richtkoppler aus zwei parallelen, galvanisch getrennten Leitungen.
4.4.2 Sprossenkoppler
Ein ähnliches Verhalten zeigt der branch line coupler“ (Abb. 4.29), wobei die galvanische
”
Trennung der oberen und unteren Tore nicht gegeben ist. Wird die Frequenz so gewählt, dass
die Abmessungen genau λ/4 entsprechen, ergibt sich im idealen Fall folgende Streumatrix für
das reziproke Viertor  
0 0 1 j
−1 0 0 j 1
Ŝ = √   . (4.12)
2 1 j 0 0 
j 1 0 0
Alle vier Eingänge sind angepasst und eine z. B. links unten eingespeiste Leistung wird
zu gleichen Teilen an die rechten Ausgänge abgegeben, wobei die Welle im oberen gegenüber
dem unteren Ausgang um π/2 verschoben ist. Das obere linke Tor ist isoliert.
4.4.3 Ringhybrid
In einem Ringkoppler sind die Tore A und D sowie B und C entkoppelt (Abb. 4.30). Die
Leistung am Eingang A wird zu gleichen Teilen an B und C abgegeben, wobei die Wellen
im Gegensatz zum Sprossenkoppler die gleiche Phase haben. Typische Anwendungen sind
Leistungsteiler mit 180° Koppelphase und Gegentaktmischer (balanced mixers).
( )
√
Zw / 2
Zw λ/4
λ/4
2 3
1 4
Abbildung 4.29: Richtkoppler ( branch line coupler“).

”
C
√
2Zw
A
Zw 3λ
4
B
D
( )
Abbildung 4.30: Ringkoppler ( rat race coupler“).
”
4.5. PARALLEL GEKOPPELTE MIKROSTREIFENLEITUNGEN 195
4.5 Parallel gekoppelte Mikrostreifenleitungen

Im folgenden Abschnitt sollen die Streuparameter der parallel gekoppelten Mikrostreifenlei-
tung zunächst allgemein und anschließend für einen Bandpass berechnet werden.
4.5.1 Symmetrische gekoppelte Mikrostreifenleitung
2 3
1 4
l
Abbildung 4.31: Symmetrische gekoppelte Mikrostreifenleitungen der Länge l als Viertor.
Es wird eine verlustlose Mikrostreifenleitung als Viertor betrachtet, die aus zwei parallelen
Streifen auf einem Dielektrikum, dessen Unterseite metallisiert ist, besteht (Abb. 1.116, 4.28
und 4.31). Die Anordnung ist symmetrisch bzgl. der Längs- und Querachse (Spiegelung an
diesen Achsen). Aus der Symmetrie lassen sich Aussagen für die Streuparameter machen. Die
Reflexionskoeffizienten sind für alle vier Tore gleich (Reflexionssymmetrie)
S 11 = S 22 = S 33 = S 44 . (4.13)
Bzgl. der Transmissionskoeffizienten gilt
S 41 = S 32 (4.14)
S 21 = S 34 (4.15)
S 31 = S 42 . (4.16)
T
Da diese Anordnung reziprok ist, ist die Streuparametermatrix symmetrisch (Ŝ = Ŝ ). Die
Streumatrix hat somit nur vier unabhängige Elemente (S 11 , S 21 , S 31 , S 41 )
 
S 11 S 21 S 31 S 41
S 21 S 11 S 41 S 31 
Ŝ = 
S 31 S 41 S 11 S 21  .
 (4.17)
S 41 S 31 S 21 S 11
Diese vier Elemente sollen nun mit der even/odd-Analyse bestimmt werden. Wie schon im
Abschnitt 1.11.3 gezeigt wurde, gibt es auf einer symmetrischen Leitung dieser Art einen
Gleich- und Gegentaktmode. Durch entsprechende Beschaltung der vier Tore können diese
Moden gezielt ausgewählt. Es werden vier Fälle betrachtet, da vier Streuparameter zu
bestimmen sind.
a) Gleiche Spannung an allen vier Eingängen

An alle vier Tore werden gleiche Spannungsquellen angelegt, die den Innenwiderstand Z0
und die Leerlaufspannung U aq haben (Abb. 4.32). Da die Spannungen unten und oben gleich
sind (U 1 = U 2 und U 3 = U 4 ), wird nur der even Mode angeregt. Da weiterhin auch links
und rechts die gleichen Spannungen angelegt werden (U 1 = U 4 und U 2 = U 3 ), wird der
Z0 2 3 Z0
U aq U aq
Z0 1 4 Z0
U aq U aq
l
Abbildung 4.32: Symmetrische gekoppelte Mikrostreifenleitungen der Länge l beschaltet mit

vier gleichen Quellen.
von links kommende Strom in der Mitte (z = l/2) genau durch den von rechts kommenden
Strom kompensiert. Dies entspricht einem Leerlauf in der Mitte. Man kann die gekoppelten
Leitungen durch eine einzelne Leitung mit halber Länge ersetzen, deren eines Ende mit der
Spannungsquelle verbunden ist und deren anderes Ende offen ist (Abb. 4.33).
Z0 I
1
U aq U1 Γ=1
l/2
Abbildung 4.33: Ersatzschaltbild für die symmetrische gekoppelte Mikrostreifenleitungen be-

schaltet mit vier gleichen Quellen.
Aus (1.76) und (1.77) folgt für z = l/2
βe l U βe l
I(l/2) = I 1 cos − j 1 sin =0 (4.18)
2 Zw,e 2
U aq = U 1 + Z0 I 1 (4.19)
und damit
Zw,e
U1 = βe l
U aq (4.20)
Zw,e + jZ0 tan 2
j tan β2e l
I1 = βe l
U aq . (4.21)
Zw,e + jZ0 tan 2
Normiert man die Spannung und den Strom mit der Wurzel aus Z0 und wendet (3.7) und
(3.8) an, erhält man die komplexen Wellenamplituden

Zw,e + jZ0 tan β2e l U aq U aq
aa = √ = √ (4.22)
Zw,e + jZ0 tan β2e l 2 Z0 2 Z0
Zw,e − jZ0 tan β2e l U aq

ba = √ . (4.23)
Zw,e + jZ0 tan β2e l 2 Z0
Daraus folgt somit der Eingangsreflexionsfaktor der Leitung für diesen Fall
ba Zw,e − jZ0 tan β2e l
Γa = = . (4.24)
aa Zw,e + jZ0 tan β2e l
Da die Wellenparameter für alle vier Tore gleich sind, gilt
   
1 1
1 1 aa ,
ba 
   
1 = Ŝ 1 (4.25)
1 1
und somit
Γa = S 11 + S 21 + S 31 + S 41 . (4.26)
b) Gleiche Spannungen oben und unten und links und rechts mit umgekehrtem
Vorzeichen
An die beiden linken Tore wird die gleiche Spannung angelegt, rechts die entsprechende
negative (Abb. 4.34).
Z0 2 3 Z0
U bq −U bq
Z0 1 4 Z0
U bq −U bq
l
Abbildung 4.34: Symmetrische gekoppelte Mikrostreifenleitungen der Länge l beschaltet links

mit zwei gleichen positiven Quellen und rechts mit entsprechenden negativen.
Auch in diesem Fall kann man das Viertor wieder durch eine Leitung halber Länge erset-
zen, nur das sich jetzt bei z = l/2 ein Kurzschluss anstelle des Leerlaufs befindet. Es wird
wieder nur der Gleichtaktmode angeregt. Für den Eingangsreflexionsfaktor der Leitung ergibt
sich mit U (l/2) = 0
Zw,e + jZ0 cot β2e l
Γb = . (4.27)
Zw,e − jZ0 cot β2e l
Da die Wellenparameter der rechten Tore die negierten der linken sind, gilt
   
1 1
1 1 b
bb 
   
−1 = Ŝ −1 a , (4.28)

−1 −1
und somit
Γb = S 11 + S 21 − S 31 − S 41 . (4.29)
c) Gleiche Spannungen links und rechts sowie mit umgekehrtem Vorzeichen

oben und unten
An die beiden unteren Tore wird die gleiche Spannung angelegt, oben die entsprechende
negative (Abb. 4.35).
Z0 2 3 Z0
−U cq −U cq
Z0 1 4 Z0
U cq U cq
l
Abbildung 4.35: Symmetrische gekoppelte Mikrostreifenleitungen der Länge l beschaltet un-

ten mit zwei gleichen positiven Quellen und oben mit negativen.
Auch in diesem Fall kann man das Viertor wieder durch eine Leitung halber Länge erset-
zen, die bei z = l/2 mit einem Leerlauf abgeschlossen ist. Es wird jetzt nur der Gegentaktmode
angeregt (U 2 = −U 1 und U 3 = −U 4 ). Für den Eingangsreflexionsfaktor der Leitung ergibt
sich mit I(l/2) = 0
Zw,o − jZ0 tan β2o l
Γc = . (4.30)
Zw,o + jZ0 tan β2o l
Da die Wellenparameter der oberen Tore die negierten der unteren sind, gilt
   
1 1
−1 −1
bc    c
   
−1 = Ŝ −1 a , (4.31)

1 1
und somit
Γc = S 11 − S 21 − S 31 + S 41 . (4.32)
d) Gleiche Spannung links unten und rechts oben sowie links oben und rechts
unten mit umgekehrtem Vorzeichen
An das linke untere und rechte obere Tor wird die gleiche Spannung angelegt, an die
beiden anderen die entsprechende negative (Abb. 4.36).
Z0 2 3 Z0
−U dq U dq
Z0 1 4 Z0
U dq −U dq
l
Abbildung 4.36: Symmetrische gekoppelte Mikrostreifenleitungen der Länge l beschaltet links

mit zwei entgegengesetzten Quellen und rechts umgekehrt.
Auch in diesem Fall kann man das Viertor wieder durch eine Leitung halber Länge er-
setzen, nur das sich jetzt bei z = l/2 wieder ein Kurzschluss befindet. Es wird ebenfalls nur
der Gegentaktmode angeregt. Für den Eingangsreflexionsfaktor der Leitung ergibt sich mit
U (l/2) = 0
Zw,o + jZ0 cot β2o l
Γd = . (4.33)
Zw,o − jZ0 cot β2o l
Da die Wellenparameter der rechten Tore die negierten der linken sind, gilt
   
1 1
−1 −1 d
bd 
   
 1  = Ŝ  1  a , (4.34)
−1 −1
und somit
Γd = S 11 − S 21 + S 31 − S 41 . (4.35)
Fasst man die vier Fälle a) bis d) zusammen, folgen die Streuparameter:
Γa + Γ b + Γ c + Γ d
S 11 = (4.36)
4
Γa + Γb − Γc − Γd
S 21 = (4.37)
4
Γa − Γb − Γc + Γd
S 31 = (4.38)
4
Γ − Γ + Γ c − Γd
a b
S 41 = . (4.39)
4
Es soll nun ein einfacher Fall betrachtet werden, bei dem es nur ein homogenes Dielek-
trikum gibt, sodass sich TEM-Wellen ausbreiten können (β = βe = βo ). Wählt man die
Frequenz so, dass die Länge der Leitung gerade λ/4 entspricht, gilt
p φ = βl/2 = π/4 und
tan φ = cot φ = 1. Den Normierungswiderstand wählt man zu Z0 = Zw,e Zw,o . Dann ergibt
sich
S 11 = 0 (4.40)
2 − Z2
Zw,e 0
S 21 = =k (4.41)
Zw,e + Z02
2
S 31 = 0 (4.42)
Zw,e Z0 p
S 41 = −2j 2 2 = −j 1 − k 2 . (4.43)
Zw,e + Z0
Die gesamte Streuparametermatrix lautet nun für diesen speziellen Fall

√
−j 1 − k 2
 
0 k √0
 k √0 −j 1 − k 2 0 
Ŝ =  2
 . (4.44)

√ 0 −j 1 − k 0 k 
−j 1 − k 2 0 k 0
Der verschwindende Wert von S 11 bedeutet, dass alle Tore angepasst sind. Fällt durch
ein Tor eine Welle ein, wird der k-te Teil an das entsprechende andere Tor auf der gleichen
Seite weitergeleitet. Das diesem Tor gegenüberliegende Tor ist dann isoliert (S 31 = 0).
Aus dem Tor,√ das dem Tor, in das die Welle einfällt, gegenüberliegt, tritt der Teil mit
S 41 = −j 1 − k 2 aus. Da die Welle die Strecke λ/4 durchlaufen muss, ist sie mit −j
verzögert. Die Leistungssumme für alle vier Tore ergibt genau null, weil das Viertor verlust-
−1 †
los ist. Deswegen gilt auch Ŝ = Ŝ . Dieses auch als Richtkoppler bezeichnete Bauelement
kann also einen Ausgang isolieren und die einlaufende Welle auf zwei Ausgänge aufteilen,
wobei der Koppelwert k durch Parameterwahl in Grenzen variiert werden kann.
Zwei gekoppelte, symmetrische Mikrostreifenleitungen in der Praxis
3
4
l
d
εr = 9.8
2 w s
w
1
Abbildung 4.37: Layout des Beispiels für zwei gekoppelte Mikrostreifenleitungen.
Es sollen die Streuparameter zweier gekoppelter, symmetrischer Mikrostreifenleitungen

entsprechend Abb. 4.37 berechnet werden. Die Weite der beiden Leiter sei w = 0.6 mm und
ihr Abstand s = 0.1 mm, wobei die Dicke der beiden Leiter vernachlässigbar klein sein soll. Die
Dicke des Substrats sei d = 0.635 mm und die relative Permittivität εr = 9.8. Das Substrat
und die Leiter sollen verlustlos sein. Die Struktur soll bei 10 GHz betrieben werden. Dann
ergibt sich für die Induktivitätsbeläge
nH
L0 = 438 (4.45)
m
0 nH
M = 208 (4.46)
m
und für die Kapazitätsbeläge
0 pF
CM = 133 (4.47)
m
0 pF
CK = 69 . (4.48)
m
Die Phasengeschwindigkeiten der Gleich- und Gegentaktmode bestimmen sich zu
m
ve = 1.08 · 108 (4.49)
s
8 m
vo = 1.27 · 10 . (4.50)
s
Da sich die Phasengeschwindigkeiten der beiden Wellenmoden unterscheiden, wird die ent-
sprechende Länge der Struktur, die einem Viertel der Wellenlänge entsprechen soll, mit dem
geometrischen Mittel der beiden Geschwindigkeiten berechnet. Für 10 GHz ergibt sich eine
Länge von l = 3 mm (Abb. 4.37). Die für diese realistische Mikrostreifenleitung berechneten
Streuparameter (Abb. 4.38 und 4.39) sind weniger ideal als im obigen Beispiel (4.44). Bei etwa
10 GHz ist |S 21 | maximal. Insbesondere ist keine ideale Isolierung möglich und |S 31 | > 0.1 bei
maximaler Kopplung. Da der even und odd Mode unterschiedliche Ausbreitungskonstanten
und Phasengeschwindigkeiten haben, ist die Bedingung l = λ/4 nur ungenau erfüllt. Geht die
Frequenz gegen null, verschwindet die Kopplung der beiden Leiter (|S 21 | → 0 und |S 31 | → 0)
und die Welle wird von der jeweiligen Leitung fast vollständig weiter geleitet (|S 41 | → 1 und
|S 11 | → 0). Für TEM-Wellen sollte sich diese Situation auch für l = λ/2 einstellen, jedoch ist
dies auf der realen Mikrostreifenleitung bei der entsprechenden Frequenz von 20 GHz nicht
mehr der Fall.
1
S11
S21
0.8 S31
S41
0.6
|S|
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20
f [GHz]
Abbildung 4.38: Betrag der Streuparameter.
S11
S21
S31
90
S41
Phase
−90
0 5 10 15 20
f [GHz]
Abbildung 4.39: Phase der Streuparameter.

4.5.2 Mikrostreifenleitung als Bandpass
Der Bandpass aus Abb. 4.19 kann in vier parallel gekoppelte Mikrostreifenleitungen zerlegt
werden (Abb. 4.40). Es soll nun zunächst nur eine einzelne parallel gekoppelte Mikrostrei-
fenleitung untersucht werden. Die Tore 1 und 3 sind dabei jeweils offen (Γ = 1) und es gilt
a1 = b1 und a2 = b3 (Abb. 4.41).
← Γ=1
Γ=1 →
a b c d
Abbildung 4.40: Zerlegung des Bandpasses aus Abb. 4.19 in vier einzelne parallel gekoppelte
Mikrostreifenleitungen. An den offenen Enden soll die Welle ideal reflektiert werden.
1’ 2 3
Γ=1
1 4 2’
Γ=1
Abbildung 4.41: Reduktion des Viertors auf ein Zweitor.
Dies führt dazu, dass das Viertor auf ein Zweitor reduziert wird und sich die Tore 2 und
4 deutlich anders verhalten, als wenn die Tore 1 und 3 reflexionsfrei abgeschlossen sind. Mit
(4.17) erhält man für b1 und b3 die Ausdrücke
b1 = a1 =S 11 a1 + S 21 a2 + S 31 a3 + S 41 a4 (4.51)
b3 = a3 =S 31 a1 + S 41 a2 + S 11 a3 + S 21 a4 . (4.52)
Auflösen nach a1 und a3 ergibt
(1 − S 11 )S 21 + S 31 S 41 (1 − S 11 )S 41 + S 31 S 21
a1 = 2 a2 + a4 (4.53)
2
((1 − S 11 ) − S 31 ((1 − S 11 )2 − S 231
| {z } | {z }
M 12 M 14
(1 − S 11 )S 41 + S 31 S 21 (1 − S 11 )S 21 + S 31 S 41
a3 = 2 a2 + a4 . (4.54)
2
((1 − S 11 ) − S 31 ((1 − S 11 )2 − S 231
| {z } | {z }
M 32 M 34
Es gilt M 12 = M 34 und M 14 = M 32 . Setzt man dies in die Gleichungen für b2 und b4 ein,
erhält man
b2 =S 21 (M 12 a2 + M 14 a4 ) + S 11 a2 + S 41 (M 14 a2 + M 12 a4 ) + S 31 a4 (4.55)
b4 =S 41 (M 12 a2 + M 14 a4 ) + S 31 a2 + S 21 (M 14 a2 + M 12 a4 ) + S 11 a4 (4.56)
und somit

b10 b2 S 11 + S 21 M 12 + S 41 M 14 S 31 + S 21 M 14 + S 41 M 12 a2
= =
b20 b4 S 31 + S 21 M 14 + S 41 M 12 S 11 + S 21 M 12 + S 41 M 14 a4
(4.57)
ZT a10
= Ŝ .
a20
ZT
Das Zweitor mit der Streumatrix Ŝ ist ebenfalls symmetrisch.
In Abb. 4.42 sind die Absolutwerte der beiden Streuparameter dargestellt. Sie unterschei-
den sich stark von den beiden entsprechenden Streuparametern des Viertors (S 10 10 entspricht
S 22 = S 11 und S 20 10 entspricht S 42 = S 31 ). Eine in das Tor 2 einfallende Welle wird teilweise
zum Tor 1 und teilweise zum Tor 3 gelangen. Durch die Reflexion an diesen Toren gelangt
ein Teil dann zum Tor 4. Deswegen ist der Betrag von S 20 10 viel größer als der von S 31 . Das
Zweitor zeigt Bandpassverhalten, allerdings ist das Band sehr breit.
Schaltet man zwei dieser Zweitore hintereinander, so wird das Band deutlich schmaler
(Abb. 4.43) (zur Berechnung verwende man die Wellenkettenparameter). Bei etwa 10 GHz
entspricht die Länge der oberen Mikrostreifenleitung in Abb. 4.43 etwa λ/4. Die mittlere
Leitung hat somit die Länge λ/2 und es tritt Resonanz auf, da eine stehende Welle mit genau
dieser Wellenlänge die Randbedingung, dass der Strom an beiden Enden gleich Null sein
muss, erfüllt. Schaltet man das Zweitor viermal hintereinander ergeben sich die in Abb. 4.44
gezeigten Streuparameter. Es ergibt sich für jede der drei mittleren Mikrostreifenleitungen
ein Resonanzmaximum in S 20 10 bei etwa 10 GHz. Das Übertragungsband hat etwa die gleiche
Breite wie in Abb. 4.43, allerdings sind die Flanken deutlich steiler. Will man die Breite
des Bands reduzieren, muss man den Abstand zwischen den beiden obersten und untersten
Mikrostreifenleitungen entsprechend reduzieren, wie dies in Abb. 4.19 der Fall ist.
1
S10 10
S20 10
0.8
0.6
|S|
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20
f [GHz]
Abbildung 4.42: Betrag der Streuparameter einer parallel gekoppelten Mikrostreifenleitung

entsprechend Abb. 4.41.
1
S10 10
S20 10
0.8
0.6
|S|
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20
f [GHz]
Abbildung 4.43: Betrag der Streuparameter zweier verketteter parallel gekoppelter Mikrost-
reifenleitungen entsprechend Abb. 4.41.
1
S10 10
S20 10
0.8
0.6
|S|
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20
f [GHz]
Abbildung 4.44: Betrag der Streuparameter vierer verketteter parallel gekoppelter Mikrost-
reifenleitungen entsprechend Abb. 4.41.
Kapitel 5
Aktive Bauelemente der

Mikrowellentechnik
Zu den aktiven Bauelementen gehören unter anderem Halbleiterbauelemente und Elektro-

nenröhren. Im Folgenden werden einige Vertreter aus beiden Gruppen vorgestellt.
5.1 Elemente der Halbleitertechnologie

Viele aktive Bauelemente basieren auf Halbleitern. Die wichtigsten Halbleiter und ihre An-
wendung sind in Tab. 5.1 aufgezählt.
Tabelle 5.1: Elemente der Halbleitertechnik
Halbleiter Anwendung
der erste gefertigte Transistor
Germanium Ge
heute: Fotodioden
Dioden, Bipolartransistoren, MOSFETs,
Silizium Si
Fotodetektoren
GaAsFETs, HEMTs, Laser, LED,
Galliumarsenid GaAs (+ Al)
Fotodetektoren, Heterobipolartransistoren
Heterobipolartransistoren, HEMTs, Laser,
Indiumphosphid InP (+ Al, Ga)
LED, Fotodetektoren
Galliumnitrid GaN blaue LED
207
208 KAPITEL 5. AKTIVE BAUELEMENTE DER MIKROWELLENTECHNIK
5.2 Kleinsignalersatzschaltbild
Aktive Bauelemente werden für den Schaltungsentwurf über ihre Kleinsignalersatzschaltbil-
der beschrieben. Dabei dienen sie der Modellierung der physikalischen Vorgänge im Inneren
des Bauelements, die über eine meist nichtlineare Kennlinie beschrieben werden. Bei der
Anregung mit einem Kleinsignal um einen Arbeitspunkt (DC Bias) kann jedoch von einer
linearen Abhängigkeit ausgegangen werden. Somit folgt ein arbeitspunktbezogenes, lineares
Ersatzschaltbild.
In der Planartechnik bilden die Ersatzschaltbildelemente den Querschnitt des aktiven
Bauelements und lassen sich in guter Näherung längenbezogen, d. h. senkrecht zum Quer-
schnitt, skalieren. Die Werte der Ersatzschaltbildelemente werden durch Fitten an gemessene
AC- und DC-Daten ermittelt.
Bei Transistoren verwendet man neben dem Ersatzschaltbild zwei weitere wichtige Kenn-
größen zu ihrer Charakterisierung. Dazu zählt die Transitfrequenz fT , bei der für die Kurz-
schlussstromverstärkung
|H12 (fT )| = 1 (5.1)
gilt. Die andere Kenngröße ist die maximale Schwingfrequenz fmax , bei der die unilaterale
Leistungsverstärkung Eins beträgt:
U (fmax ) = 1 . (5.2)
Dabei wird davon ausgegangen, dass der zu beschreibende Transistor im Falle eines Bipo-
lartransistors in Emitterschaltung, im Falle eines FETs in Sourceschaltung, in beiden Fällen
also als Zweitor betrieben wird.
5.3. HALBLEITERBAUELEMENTE 209
5.3 Halbleiterbauelemente
5.3.1 Schottky-Diode
Die Schottky-Diode ist nach dem deutschen Physiker Walter Schottky benannt, der sie 1938
entwickelte. Im Gegensatz zu den pn-Dioden wird sie nicht durch den Kontakt eines p- und
eines n-Halbleiters hergestellt, sondern durch das Aufbringen einer Metallschicht auf einen
Halbleiter (z. B. auf n-dotiertes Silizium). Elektronen diffundieren aus dem n-dotierten Halb-
leiter in das Metall und in der Silizium-Schicht bildet sich eine Elektronenverarmungszone,
die sogenannte Schottky-Sperrschicht. Das sich dabei aufbauende elektrische Feld wirkt der
Diffusion entgegen, bis keine Elektronendiffusion mehr stattfinden kann und sich die Diode
im Gleichgewicht befindet.
Schaltet man die Schottky-Diode in Sperrrichtung – Plus an das n-Silizium und Minus
an die Metallschicht – wächst die Raumladungszone. Wird die Schottky-Diode dagegen in
Durchlassrichtung gepolt, wird die Raumladungszone schmaler und die Elektronen fließen
von der n-Schicht in die Metallschicht. Der Strom durch die Schottky-Diode besteht nur aus
Elektronen, den Majoritäten.
Der schematische Aufbau einer Schottky-Hochfrequenzdiode ist in Abb. 5.1 dargestellt.
Aufgrund der unterschiedlichen Austrittsarbeiten von Silizium und Metall bildet sich im n-
Gebiet (Dotierung: Nd ) unterhalb des Gates eine Raumladungszone aus. Der Gegenkontakt
wird durch die hoch dotierte Zone (Dotierung: Nd+ ) gebildet. Die Tiefe des niedrig dotierten
Gebiets ist a.
Die Diode kann mit einem einfachen Kleinsignalersatzschaltbild beschrieben werden
(Abb. 5.2). Der Sperrschichtwiderstand Rj und die Sperrschichtkapazität Cj sind Arbeits-
punkt abhängig. Die anderen Elemente beschreiben parasitäre Effekte und werden im Wesent-
lichen nicht durch den Arbeitspunkt beeinflusst. In den Widerstand Rs geht der Widerstand
des Gate-Fingers Rg , der Widerstand der hoch dotierten Zone Rch und der Kontaktwider-
stand Rc ein. Die Induktivität Ls beschreibt die Induktivität der Anordnung und der zu der
Diode gehörigen Zuleitungen. Die Kapazität Ct beschreibt die parasitären Kapazitäten, wie
sie sich zum Beispiel zwischen der metallischen Anode und der Kathode ergeben.
In der Hochfrequenztechnik werden bis ca. 500 GHz Schottky-Dioden statt der klassi-
schen pn-Dioden verwendet, da diese bei hohen Frequenzen einen deutlich höheren Leitwert
haben. Das liegt an der größeren Stromdichte und der somit steileren Kennlinie bei nied-
rigeren Diodenspannungen (0.1-0.4 V im Vergleich zu 0.6-1.2 V). Außerdem sind Schottky-
Dioden sehr viel schneller als ein normaler pn-Übergang, da keine Rekombination stattfindet
und damit auch keine Ladungsspeicherung. So kann schneller vom leitenden Zustand in den
sperrenden Zustand geschaltet werden. Durch eine kleine Dimensionierung wird auch die RC-
Zeitkonstante klein gehalten, sodass Schottky-Dioden eine Größenordnung schneller sind als
normale pn-Dioden. Weniger Rauschen und kleine Kapazitäten macht sie auch ideal als De-
tektor bei hohen Frequenzen. Sie findet ebenso Anwendung in Gleichrichtern oder MESFETs.
In schnellen logischen Schaltungen verwendet man Schottky-Dioden zwischen dem Kollektor
und der Basis von Treiberstufen. Bei einer logischen Null am Ausgang ist der Kollektor-Basis-
Übergang in Flussrichtung gepolt und die Diode übernimmt den meisten Strom. Somit kann
der Transistor schneller ausschalten.
Gatemetall
W
L
D
A=D×W
Anode Rs = Rc + Rch + Rg Kathode
Gatemetall
Beschichtung Beschichtung
ohmscher
Nd a a + Rc
Rg Nd+
Rch
halb-isolierendes GaAs
Abbildung 5.1: Schematischer Aufbau einer Hochfrequenz-Schottky-Diode.
Ls
Rs
Rj
Cj Ct
Abbildung 5.2: Kleinsignalersatzschaltbild der Hochfrequenz-Schottky-Diode. Der Pfeil in der

Sperrschichtkapazität und dem Sperrschichtwiderstand soll andeuten, dass diese Größen vom
Arbeitspunkt abhängen.
5.3.2 Heterojunction Bipolar Transistoren

In den letzten Jahren wurden sehr schnelle SiGe Heterojunction Bipolar Transistoren (HBT)
entwickelt, die Grenzfrequenzen von bis zu 500 GHz erreichen (Abb. 5.3). Die Geschwindigkeit
dieser Transistoren ist vergleichbar mit III-V-Bauelementen, haben jedoch eine kleinere Ab-
bruchspannung. Vorteilhaft sind die geringeren Herstellungskosten und die Integrierbarkeit
in CMOS-Schaltungen (BiCMOS).
E B C
metal 1
metal 1
n- -Si field oxide C-deep
SiGe
subcollector
Abbildung 5.3: SiGe HBT (Schüppen et al., Microwave Engineering Europe, June 1998).
Ein sehr einfaches Kleinsignalersatzschaltbild für die Common-Emitter-Konfiguration ist

in Abb. 5.4 als Zweitor dargestellt. In diesem Fall hängen alle Größen vom Arbeitspunkt ab.
IB = I1 IC = I2
B C
gm U BE
rBE CE GCE
U BE = U 1 U CE = U 2
E E
Abbildung 5.4: Sehr einfaches Kleinsignalersatzschaltbild eines Bipolartransistors in

Common-Emitter-Konfiguration.
Die Admittanzmatrix kann direkt aus der Schaltung abgelesen werden

1
rBE + jωCE 0
Ŷ = . (5.3)
gm GCE
Dieses aktive Bauelement ist aufgrund der spannungsgesteuerte Stromquelle im Kollek-

T
torzweig nicht reziprok (Ŷ 6= Ŷ ). Die Kleinsignalstromverstärkung bei kurzgeschlossenem
Ausgang ist
I2 Y gm rBE
|U 2 =0 = H 21 = 21 = . (5.4)
I1 Y 11 1 + jωrBE CE
Der Betrag der Kleinsignalstromverstärkung ist in Abb. 5.5 dargestellt. Bei einer hinrei-
chend großen Frequenz wird die Verstärkung kleiner als eins (0dB). Die Frequenz, bei der der
20dB log |H 21 |
20dB/dec
0dB fT log f
Abbildung 5.5: Betrag der Kleinsignalstromverstärkung.
Betrag der Verstärkung genau gleich eins ist, bezeichnet man als Transitfrequenz (Cutoff-
Frequency)
gm rBE H21 (0) H21 (0)

|H 21 (ωT )| = =q ≈ =1 (5.5)
1 + jωT rBE CE 1 + ωT 2 τ2 ωT τ 1 ωT τ
mit τ = rBE CE und H21 (0) = gm rBE . Für die Transitfrequenz ergibt sich somit
gm
fT = . (5.6)
2πCE
Die Transitfrequenz ist eine wichtige Kenngröße für Transistoren. Bei sehr schnellen Transis-
toren ist diese Größe jedoch schwer direkt messbar, Daher wird der Betrag der Verstärkung
für hinreichend hohe Frequenzen (ωτ 1) zu
H21 (0) ωT
|H 21 (ω)| ≈ = (5.7)
ωτ ω
genähert. Die Stromverstärkung ist dann umgekehrt proportional zur Frequenz und fällt
mit 20dB/dec ab. Für eine hinreichend große Messfrequenz ωmess kann dann den Wert der
Transitfrequenz durch Extrapolieren bestimmt
ωmess
fT = |H 21 (ωmess )| (5.8)
2π
werden.
Im Folgenden wenden wir uns verschiedenen Feldeffekttransistoren zu, bei denen der
Strom, im Gegensatz zum Bipolartransistor, durch eine zum Ladungsfluss senkrechte Span-
nung gesteuert wird.
5.3.3 Feldeffekttransistoren
Bei unipolaren Feldeffekttransistoren (FET) wird der Strom durch die Spannung senkrecht
zum Ladungsfluss gesteuert, die Steuerstrecke wird durch die Gate-Source-Verbindung (pn,
MIS, MOS, MES) gebildet. Es sind nur Majoritätsladungsträger am Ladungsfluss beteiligt,
sodass es zu keiner Trägheit durch Diffusion kommt.
Das Funktionsprinzip eines FETs wird hier anhand des GaAs-Sperrschicht-FETs unter-
sucht. Im Vergleich zu Silizium-FETs sind Transistoren aus GaAs deutlich schneller, da GaAs
eine deutlich höhere Elektronenbeweglichkeit hat als Silizium. Der schematische Aufbau ist
Schottky-Kontakt
S G Metall D
n+ RLZ n+
n
GaAs
i
Abbildung 5.6: GaAs-Sperrschicht-FET.
I1 I2
G D
gm U GS
CGS RDS
U1 U2
S S
Abbildung 5.7: Sehr einfaches Kleinsignalersatzschaltbild eines FETs.
Der Transistor besteht aus undotiertem GaAs (i: intrinsisch), auf dem sich eine n-dotierte
GaAs-Schicht befindet. Auf diese wird eine Metallschicht, das Gate, aufgebracht. Die hoch-
dotierten n-Zonen rechts und links des Gates bilden die Source und das Drain des FEts. Un-
terhalb des Gates bildet sich eine Raumladungszone aus, deren Größe von der Gate-Source-
Spannung UGS abhängt. Für negative Gate-Source-Spannungen sperrt die Schottky-Diode
und die Raumladungszone dehnt sich tiefer in das GaAs aus. Ist die Spannung hinreichend
negativ, kann die leitende Verbindung zwischen der Drain und Source vollständig unter-
brochen werden. Soll der Transistor leiten, wird eine positive Gate-Source-Spannung ange-
legt. Diese sollte allerdings so klein sein, dass der Gate-Strom vernachlässigbar bleibt. Legt
man zusätzlich eine positive Drain-Source-Spannung an, fließen die Elektronen vom Source-
Kontakte zum Drain-Kontakt.
Das einfache Kleinsignalersatzschaltbild des FETs (Abb. 5.7) ähnelt stark dem eines HBTs
(Abb. 5.4). Da der stationäre Gate-Strom klein ist, kann der sehr hohe Sperrschichtwiderstand
der Schottky-Diode, der parallel zur Gate-Kapazität liegt, vernachlässigt werden. Ebenso
wird angenommen, dass das metallische Gate sehr gut leitet, sodass es insgesamt keinen
Widerstand im Gate-Zweig gibt.
Für die Kleinsignalstromverstärkung bei kurzgeschlossenem Ausgang ergibt sich
gm
H 21 = (5.9)
jωCGS
und daraus
gm
fT = . (5.10)
2πCGS
CDG
I1 RG I2
G D
gm U g
U1 Ug U2
CGS RDS
S S
Abbildung 5.8: Detaillierteres Kleinsignalersatzschaltbild eines FETs.
Gate-Anschluss
z y
x
S G D
wG
Abbildung 5.9: Ausdehnung des FETs in die dritte Dimension.
Da der Sperrschichtwiderstand des Gates vernachlässigt wurde, geht die Verstärkung für
verschwindende Frequenzen gegen unendlich.
Ein Nachteil dieses Ersatzschaltbilds ist, dass die Kapazität CDG zwischen Gate und
Drain und damit der Miller-Effekt vernachlässigt wird. Weiterhin fehlt der Gate-Widerstand
RG (Abb. 5.8), der eine starke Auswirkung auf das Hochfrequenzverhalten hat.
Der Reihenwiderstand im Gate hat seine Ursache darin, dass das Gate sehr schmal ist
und nur an einer Stelle kontaktiert wird (Abb. 5.9). Der Widerstand des Gates in z-Richtung
wird durch diesen Reihenwiderstand beschrieben. Das Gate bildet in dieser Richtung eine
Wellenleitung mit dem Widerstandsbelag R0 , dem Kapazitätsbelag C 0 und einer Länge, die
der Weite wG des Transistors entspricht. Nach (1.28) und (1.29) folgt mit L0 = 0 und G0 = 0
dU
+ R0 I = 0 (5.11)
dz
dI
+ jωC 0 U = 0 . (5.12)
dz
Für z = 0 wird die Spannung zu U (z = 0) = U GS vorgegeben. Am anderen Ende gilt
I(z = wG ) = 0. Die Lösung lautet unter Berücksichtigung der Randbedingungen
cosh[γ(wG − z)]
U (z) = U GS (5.13)
cosh[γwG ]
γU GS sinh[γ(wG − z)]
I(z) = (5.14)
R0 cosh[γwG ]
mit γ 2 = jωR0 C 0 . Der Eingangsleitwert des Gates
I(0) γ sinh[γwG ]
Y 11 = = 0 (5.15)
U (0) R cosh[γwG ]
muss dem Eingangsleitwert der Ersatzschaltung aus Abb. 5.8 entsprechen
jω(CGS + CDG )
Y 11 = . (5.16)
1 + jωRG (CGS + CDG )
Dies ist offensichtlich nicht für alle Frequenzen möglich. Beschränkt man sich jedoch auf eine
Entwicklung bis zweiter Ordnung in der Frequenz, ergibt sich
γ sinh[γwG ]
Y 11 =
R0 cosh[γwG ]
(γw )3
γ γwG + 6G
≈ 0
R 1 + (γwG )2
2
!
γ 2 wG (γwG )2 (γwG )2
≈ 1+ −
R0 6 2
jωR0 C 0 wG
2

0
= jωC wG 1 − . (5.17)
3
Entwickelt man den Ausdruck des Ersatzschaltbilds, erhält man
jω(CGS + CDG )
Y 11 = ≈ jω(CGS + CDG ) (1 − jωRG (CGS + CDG )) (5.18)
1 + jωRG (CGS + CDG )
und somit
CGS + CDG = C 0 wG (5.19)

R0 w G
RG = . (5.20)
3
Der in das Ersatzschaltbild einzusetzende Widerstand ist damit um einen Faktor drei kleiner
als der Widerstand des Gates selbst. Sind beide Enden des Gates kontaktiert, erhält man
RG = R0 wG /12.
Die Admittanzmatrix des detaillierteren Ersatzschaltbilds (Abb. 5.8) lautet
 jω(CGS + CDG ) −jωCDG 
 1 + jω(CGS + CDG )RG 1 + jω(CGS + CDG )RG 
Ŷ =   . (5.21)
 g − jωC
m DG jωCDG (1 + gm RG + jωCGS RG ) 1 
+
1 + jω(CGS + CDG )RG 1 + jω(CGS + CDG )RG RDS
Aufgrund der Kapazität CDG ist das Zweitor nicht mehr rückwirkungsfrei (Y 12 6= 0). Dies
wirkt sich auf die Kurzschlussstromverstärkung aus
gm − jωCDG
H 21 = . (5.22)
jω(CGS + CDG )
20dB log |H 21 |
20dB/dec
0dB fT log f
Abbildung 5.10: Betrag der Kleinsignalstromverstärkung des detaillierteren Ersatzschaltbilds.
I1 I2
G D
Y 21 U 1
U1 Y 11 Y 22 U2 Y ∗22
S S
Abbildung 5.11: Ersatzschaltbild zur Bestimmung der Leistungsverstärkung eines unilateralen

Zweitors.
Die Transitfrequenz wird wieder durch Extrapolation des Bereichs, in dem die Verstärkung
um 20dB/dec abfällt, bestimmt (Abb. 5.10)
gm
fT = . (5.23)
2π(CGS + CDG )
Neben der Transitfrequenz betrachtet man auch oft die sogenannte maximale Schwing-
frequenz fmax . Diese wird durch die unilaterale Leistungsverstärkung bestimmt. Eine rück-
wirkungsfreie Schaltung ist unilateral und in der Abb. 5.11 ist Y 12 = 0. Da die Schaltung
unilateral ist, ist die Admittanz des Ausgangs direkt durch Y 22 gegeben. Damit die maximal
verfügbare Leistung am Ausgang (3.37) abgegeben wird, ist der Ausgang mit der konjugiert
komplexen Ausgangsadmittanz abgeschlossen. Die verfügbare Leistung am Ausgang, die von
der Last aufgenommen wird, lautet mit I 2 = −Y ∗22 U 2 und −2<{Y 22 }U 2 = Y 21 U 1
1 1 1 |Y 21 |2 |U 1 |2
PL, verf = − <{U 2 I ∗2 } = |U 2 |2 <{Y 22 } = . (5.24)
2 2 2 4<{Y 22 }
Die am Eingang aufgenommene Leistung lautet
1 1 1
PEin = <{I 1 U ∗1 } = <{Y 11 |U 1 |2 + Y 12 U 2 U ∗1 } = <{Y 11 }|U 1 |2 . (5.25)
2 2 |{z} 2
=0
Die Leistungsverstärkung lautet somit im unilateralen Fall
PL, verf |Y 21 |2
U= = . (5.26)
PEin 4<{Y 11 }<{Y 22 }
Setzt man in (5.21) die Kapazität CDG zu null, wird die Schaltung unilateral. In diesem
Fall kann man fmax sehr leicht ausrechnen. Es folgt für die Admittanzmatrix
jωCGS
!
1+jωCGS RG 0
Ŷ = gm 1
. (5.27)
1+jωCGS RG RDS
Für die Leistungsberechnung wird der Ausgang mit der konjugiert komplexen Ausgangsim-
pedanz abgeschlossen. Dies ist im rückwirkungsfreien Fall RDS und die verfügbare Leistung
lautet
1 2R
gm DS 2
PL, verf = 2 R2 |U 1 | .
8 1 + ω 2 CGS
(5.28)
G
Am Eingang wird die Leistung
1 ω 2 CGS2 R
G 2
PEin = 2 R2 |U 1 |
2 1 + ω 2 CGS
(5.29)
G
aufgenommen. Die unilaterale Leistungsverstärkung lautet nun
2R
2 2
1 gm DS 1 fT RDS fmax
U= 2 2 = = (5.30)
4 ω CGS RG 4 f RG f
und
r
fT RDS
fmax = . (5.31)
2 RG
Die maximale Schwingfrequenz kann wieder durch Extrapolation bei einer hinreichend großen
Frequenz, bei der die unilaterale Verstärkung um 20dB/dec abfällt, bestimmt werden. Man
beachte dabei, dass in dB die unilaterale Verstärkung durch 10dB log(U ) gegeben ist, da
es sich um Leistungen handelt. Das Prinzip der unilateralen Leistungsverstärkung kann auf
Zweitore, für die Y 12 6= 0 gilt, verallgemeinert werden, wenn man eine Rückkopplung einführt,
sodass Y 12 der gesamten Schaltung inklusive der Rückkopplung verschwindet. Dies bezeichnet
man als Unilateralisieren, was hier jedoch nicht weiter besprochen werden soll.
Die maximale Schwingfrequenz hängt stark von den unerwünschten parasitären Größen
ab. Leider lassen sich die Transitfrequenz und die maximale Schwingfrequenz nur schwer
gleichzeitig erhöhen. Oft führt eine Erhöhung der einen Größe zur Erniedrigung der anderen.
Viele Anwendungen erfordern jedoch, dass beide Frequenzen möglichst hoch und etwa gleich
sein sollten.
5.3.4 Realer GaAs-MESFET
Als Beispiel für einen realen Hochfrequenztransistor soll nun ein GaAs-MESFET von GEC
betrachtet werden, der aus sechs Gate-Streifen mit einer Weite von jeweils 320 µm besteht
(Abb. 5.12). Der Transistor befindet sich in dem Rechteck und die Bezugsebenen für Tor 1
und 2 sind gestrichelt dargestellt. Die Zuleitungen zum Gate und zur Drain wurden mit den
Pads de-embedded, sodass sich die gemessenen Parameter nur auf den Transistor beziehen.
Gate JFET Drain
Tor 1 Tor 2
Source
Abbildung 5.12: GaAs-MESFET.
0.5
0.4
IDS [A]
0.3
0.2
0.1
0
0 1 2 3 4 5 6
UDS [V]
Abbildung 5.13: Stationäre Ausgangskennlinie für UGS = −1.5, −1.125, −1.0, −0.875, −0.75,
−0.625, −0.5, −0.375, −0.25, −0.125, 0.0, 0.125, 0.250V des GaAs-MESFETs.
Der Transistor wurde für eine konstante Drain-Source-Spannung von 4 V vermessen. In

Abb. 5.14 ist die Transit- und die maximale Oszillationsfrequenz als Funktion der Gate-
Source-Spannung dargestellt. Bei kleinen Gate-Source-Spannung (UGS < −0.8 V) schaltet der
Transistor ab, und beide Frequenzen werden sehr klein. Bei großen Gate-Source-Spannungen
beginnt die Schottky-Diode zu leiten und der Transistor funktioniert nicht mehr gut. Die
maximalen Werte sind fT = 28 GHz und fmax = 30 GHz. Das Bauelement ist relativ gut
balanciert, da beide Werte etwa gleich groß sind.
fT
25 fmax
fT , fmax [GHz] 20
15
10
0
−1 −0.8 −0.6 −0.4 −0.2 0
UGS [V]
Abbildung 5.14: Gemessene Transit- und maximale Oszillationsfrequenz des GaAs-MESFETs

als Funktion der Gate/Source-Spannung für UDS = 4 V.
Bei kleinen Frequenzen können die Parameter des detaillierteren Ersatzschaltbilds

(Abb. 5.8) leicht bestimmt werden. Für Frequenzen von 0.3 bis 1 GHz kann man die Werte di-
rekt aus den entsprechenden Y-Parametern ablesen. Man erhält gm = 0.574S, RDS = 28.8 Ω,
RG = 10.6 Ω, CGS = 1.88 pF und CDG = 0.188 pF für z. B. UGS = −0.25 V. Wenn man
die Absolutwerte der gemessenen Y-Parameter mit denen des Ersatzschaltbilds vergleicht
(Abb. 5.15), stellt man fest, dass das Ersatzschaltbild nur für Frequenzen gilt, die mehr als
eine Größenordnung unterhalb der Transitfrequenz fT = 27.6 GHz liegen.
100
|Y 11 |
|Y 12 |
10−1 |Y 21 |
|Y 22 |
|Y | [S]
10−2
10−3
10−4 −1
10 100 101
f [GHz]
Abbildung 5.15: Gemessene Absolutwerte der Y-Parameter des GaAs-MESFETs und Ergeb-
nisse des Ersatzschaltbilds (gestrichelt) für UGS = −0.25 V, UDS = 4 V.
Dies liegt daran, dass S 22 ab etwa 4.5 GHz und S 11 ab 8 GHz induktives Verhalten zei-
gen (Abb. 5.16). Dies wird von dem einfachen Ersatzschaltbild nicht erfasst. Will man den
Transistor bei höheren Frequenzen modellieren, muss man ein deutlich komplexeres Ersatz-
schaltbild verwenden. Insbesondere muss man die Induktivitäten der in diesem Transistor
sehr langen Kontakte berücksichtigen.
1
S 11
0.5 2 S 22
50GHz
0.2 5
0.2 0.5 1
50MHz 2 5
0 50MHz
−0.2 −5
−0.5 −2
−1
Abbildung 5.16: Gemessene Eingangs- und Ausgangsreflexionsfaktoren des GaAs-MESFETs

für Z0 = 50 Ω für UGS = −0.25 V, UDS = 4 V.
Analytische Berechnungen sind dann aber praktisch ausgeschlossen und solche Ersatz-
schaltbilder lassen sich nur in Schaltkreissimulatoren verwenden. Gute Kompaktmodelle, die
auch das Großsignalverhalten beschreiben, haben mehr als 50 Parameter.
Mit dem Ersatzschaltbild aus Abb. 5.8 kann man die Transitfrequenz (5.23) bestimmen.
Diese ist mit 44 GHz größer als die gemessene (28 GHz), da der Absolutwert der Kleinsignal-
stromverstärkung |H 21 | bei hohen Frequenzen überschätzt wird (Abb. 5.17). Unterhalb von
10 GHz wird das Verhalten gut reproduziert, insbesondere ergibt sich für den Abfall ein Wert
von 20dB pro Dekade. Der prinzipielle Unterschied zwischen dem Verhalten in Abb. 5.10 und
5.17 ist durch die im Ersatzschaltbild vernachlässigten Induktivitäten bedingt. Gleiches gilt
für die unilaterale Leistungsverstärkung.
Als Beispiel für die Modellierung von Transistoren mit kommerzieller Software soll das
Programm LinMic betrachtet werden. Mit diesem Programm wurde für diesen Transistor
eine Anpassung über den gesamten Frequenzbereich durchgeführt. Es wird das in Abb. 5.18
gezeigte Kleinsignalersatzschaltbild verwendet. Mit einem Optimierer wurden die Parameter
an die gemessenen S-Parameter angepasst (Tab. 5.2). Da das Modell Induktivitäten für alle
drei Kontakte enthält, ergibt sich insbesondere bei hohen Frequenzen eine bessere Anpassung
(Abb. 5.19, 5.20). Allerdings passt auch dieses Modell nicht perfekt zu den Messdaten.
|H 21 | meas.
40 |H 21 | Equiv. cir.
U meas.
30 U Equiv. cir.
Gain [dB]
20
10
10−1 100 101

f [GHz]
Abbildung 5.17: Gemessene Kleinsignalstromverstärkung und unilaterale Leistungs-

verstärkung des GaAs-MESFETs und das Ergebnis des Ersatzschaltbilds (gestrichelt) für
UGS = −0.25 V, UDS = 4 V.
gt1 U GS
GGD
jωct2 U GS CP DS
G LG RG CGD RID RD LD D
U GD0
jωct1 U GD0
CGS
CP GS U GS
gm U GS GDS CDS
GGS RIS
RS
LS
Abbildung 5.18: Kleinsignalersatzschaltbild eines FETs in LinMic (Agilent EEFET).

1
Meas.
0.5 2 Model
0.2 5
0.2 0.5 1 2 5
0
−0.2 −5
−0.5 −2
−1
105 90 75 Meas.
120 60 Model
135 45
150 30
165 15
0 0.1 0.2
180 0
195 345
210 330
225 315
240 300
255 270 285
Abbildung 5.19: S 11 (oben) und S 12 (unten) des Ersatzschaltbilds (Z0 = 50 Ω) und Messdaten
für Frequenzen von 50 MHz bis 50 GHz für UGS = −0.25 V, UDS = 4 V.
105 90 75 Meas.
120 60 Model
135 45
150 30
165 15
0 10 20
180 0
195 345
210 330
225 315
240 300
255 270 285
1
Meas.
0.5 2 Model
0.2 5
0.2 0.5 1 2 5
0
−0.2 −5
−0.5 −2
−1
Abbildung 5.20: S 21 (oben) und S 22 (unten) des Ersatzschaltbilds (Z0 = 50 Ω) und Messdaten
für Frequenzen von 50 MHz bis 50 GHz für UGS = −.25 V, UDS = 4 V.
CP GS = 1.515e-014 CP DS = 8.869e-015
RD = 7.086 RS = 1.219
LG = 9.374e-011 LD = 7.576e-011
CDS = 9.147e-021
LS = 2.795e-011 RG = 3.814
CGD = 1.182e-012 ct2 = -1.446e-011
CGS = 1.746e-011 ct1 = -1.043e-012
gm = 6.686 GDS = 0.389
GGD = 1e-008 RIS = 1e-008
RID = 1e-008 Gt1 = 8.65e-005
Tabelle 5.2: Parameter des Ersatzschaltbilds in LinMic für UGS = −0.25 V, UDS = 4 V.
5.3.5 HEMT
Die Geschwindigkeit eines Feldeffekttransistors kann durch die Verwendung von Heterostruk-
turen im Transistor weiter gesteigert werden. Dazu werden unter dem Gate Schichten aus
Halbleitern aufgebracht, die unterschiedlich große Bandlücken haben. Zieht man beispielswei-
se von Source zu Drain eine III-V-Halbleiterschicht mit kleinerem Bandabstand ein, sammeln
sich die Elektronen in dieser Schicht an. Ist diese Schicht undotiert, hat sie eine deutlich höhere
Beweglichkeit als das dotiert GaAs, sodass eine höhere Geschwindigkeit des Transistors folgt.
Diese Transistoren bezeichnet man als HEMTs (High Electron Mobility Transistor) oder als
HFETs. Durch die hohe Geschwindigkeit ist der HEMT gut bei Hochfrequenzanwendungen
einsetzbar.
5.4. ELEKTRONENRÖHREN 225
5.4 Elektronenröhren
Elektronenröhren waren lange wichtige Bauelemente der Elektronik, da es bis zur Erfindung
des Transistors keine anderen schnellen steuerbaren Bauelemente gab. Mit der Entwicklung
des Transistors haben sie jedoch an Bedeutung verloren und werden nur noch selten ver-
wendet. Heutzutage werden sie hauptsächlich eingesetzt, wenn besonders hohe Leistungen
(10 kW bis 10 MW) oder hohe Frequenzen (> 100 GHz) benötigt werden, die nicht mit Halb-
leiterbauelementen realisiert werden können. Dies ist beispielsweise in Industriegeneratoren,
Teilchenbeschleunigern und Kernfusionsanlagen der Fall. Eine bekannte Anwendung der Elek-
tronenröhre ist der Mikrowellenherd.
Eine einfache Elektronenröhre bestehen aus einem evakuierten Kolben mit zwei Elektro-
den, deren Anschlüsse nach außen geführt werden. Der Kolben kann ebenfalls mit einem Gas
gefüllt sein. Eine Elektrode wird beheizt, sodass aus ihr Elektronen austreten. Durch ein
elektrisches Feld werden die Elektronen von der Glühkathode zur Anode beschleunigt. Zwi-
schen diesen beiden Elektroden können noch mehr Elektroden enthalten sein. Diese werden
beispielsweise zur Fokussierung oder Steuerung des Elektronenstrahls verwendet.
5.4.1 Klystron
Klystrone gehören zu den Linearstrahlröhren, beiden einen äußeres Magnetfeld nur zur Fo-
kussierung des Elektronenstrahls verwendet wird. Mit ihnen können schmalbandige, hohe
Verstärkungen mit großen Ausgangsleistungen realisiert werden. Die möglichen Frequenzen
liegen im Bereich 100 MHz bis 50 GHz.
Anwendung finden Klystrone in der Radartechnik und der Satellitenkommunikation. Ein
anderes Beispiel ist die Mikrowellenheizung.
5.4.2 Wanderfeldröhre
Die Wanderfeldröhre zählt ebenso wie das Klystron zu den Linearstrahlröhren, ist ver-
gleichsweise jedoch deutlich breitbandiger (> 1 Oktave). Sie ermöglicht ebenfalls eine hohe
Verstärkung mit einem hohen Wirkungsgrad (70%). Eingesetzt wird die Wanderfeldröhre ab
10 W Ausgangsleistung im Frequenzbereich 300 MHz bis 300 GHz. Bereits ab 10 GHz ist die
Wanderfeldröhre besser geeignet als ein Verstärker aus Halbleitern.
Verwendungsmöglichkeiten findet man bei der Satellitenkommunikation, der Richtfunk-
technik und der Radartechnik.
5.4.3 Magnetron
Das Magnetron wird zur Erzeugung eines Plasmas oder beim Radar verwendet. Die be-
kannteste Anwendung ist der Mikrowellenherd. Es können Ausgangsleistungen im kW- bis
MW-Bereich mit einem Wirkungsgrad von ca 60% erzeugt werden. Der Frequenzbereich geht
von 1 GHz bis zu 15 GHz.
5.4.4 Gyrotron
Das Gyrotron ist ein leistungsfähiger Mikorwellen-Oszillator und erreicht einige MW als Aus-
gangsleistung im Bereich 5 GHz bis 170 GHz.
Kapitel 6
Kleinsignalverstärker
6.1 Verstärkung
Es wird eine einfache Verstärkerschaltung betrachtet (Abb. 6.1), die aus einem im Kleinsi-
gnalbetrieb befindlichen Transistor, der als Zweitor mit dem Eingangsreflexionsfaktor ΓEin
und dem Ausgangsreflexionsfaktor ΓAus dargestellt ist, einer Eintorquelle am Eingang mit
dem Reflexionsfaktor ΓQ und einer Last mit dem Reflexionsfaktor ΓL besteht. Die letzteren
Reflexionsfaktoren sind vom Betrag her kleiner als eins (|ΓQ | < 1, |ΓL | < 1).
Nach (3.70) ist der Eingangsreflexionsfaktor des mit dem Reflexionsfaktor ΓL abgeschlos-
senen Zweitors durch
S S Γ
ΓEin = S 11 + 12 21 L (6.1)
1 − S 22 ΓL
und der Ausgangsreflexionsfaktor durch
S 12 S 21 ΓQ
ΓAus = S 22 + (6.2)
1 − S 11 ΓQ
gegeben. Die am Eingang aufgenommene Leistung berechnet sich mit (3.34) zu
1 1 1 1 − |ΓEin |2
PEin = |a1 |2 − |b1 |2 = |a1 |2 1 − |ΓEin |2 = |b0 |2 . (6.3)
2 2 2 |1 − ΓQ ΓEin |2
ΓEin ΓAus
aQ a1 a2 aL
Quelle Zweitor Last
bQ b1 b2 bL
b0
ΓQ ΓL
Abbildung 6.1: Verstärker bestehend aus einem Zweitor (Transistor im Kleinsignalbetrieb),

an dessen Eingang eine Eintorquelle und am Ausgang eine Eintorlast hängt.
227
228 KAPITEL 6. KLEINSIGNALVERSTÄRKER
Die maximal verfügbare Leistung lautet für diese Quelle mit (3.37)
1 |b0 |2
PEin, verf = . (6.4)
2 1 − |ΓQ |2
Diese Leistung wird nur dann am Eingang aufgenommen, wenn konjugiert komplexe An-
passung vorliegt. Ist dies nicht der Fall, gilt PEin ≤ PEin, verf . Die am Ausgang abgegebene
Leistung lautet mit a2 = ΓL b2
1 1
|b2 |2 − |a2 |2 = |b2 |2 1 − |ΓL |2 .

PL = (6.5)
2 2
Mit b2 = S 21 a1 + S 22 a2 und a2 = ΓL b2 ergibt sich
S 21
b2 = a , (6.6)
1 − S 22 ΓL 1
und somit
1 1 − |ΓL |2 1 |b0 |2 1 − |ΓL |2
PL = |a1 |2 |S 21 |2 2
= 2
|S 21 |2 . (6.7)
2 |1 − S 22 ΓL | 2 |1 − ΓQ ΓEin | |1 − S 22 ΓL |2
In der Hochfrequenztechnik gibt es verschiedene Definition der Leistungsverstärkung.
Abhängig vom betrachteten System sind die unterschiedliche Größen besser geeignet die Ei-
genschaften der Schaltung zu beschreiben. Die verschiedenen Definitionen werden im Folgend
genauer erläutert.
Die wirkliche Leistungsverstärkung (Power Gain) ist definiert als Verhältnis der am
Ausgang an die Last abgegebenen Leistung PL zur Eingangsleistung PEin
PL 1 1 − |ΓL |2
GP = = 2
|S 21 |2 . (6.8)
PEin 1 − |ΓEin | |1 − S 22 ΓL |2
Dies ist beispielsweise das Verhältnis zwischen der entnommenen Leistung aus einem
Verstärker und der vom Verstärker aufgenommenen Leistung. Die wirkliche Leistungs-
verstärkung hängt nicht von den Kenngrößen der Quelle (ΓQ , b0 ) ab, da diese auf gleiche
Weise in die Leistung im Aus- und Eingang eingehen.
Die Übertragungsleistungsverstärkung (Transducer Power Gain) ergibt sich, wenn die
am Ausgang abgegebene Leistung auf die am Eingang maximal verfügbare Leistung
bezogen wird:
PL PEin
GT = = GP
PEin, verf PEin, verf
1 − |ΓQ |2 2 1 − |ΓL |
2
= |S 21 |
|1 − ΓQ ΓEin |2 |1 − S 22 ΓL |2
(1 − |ΓQ |2 )|S 21 |2 (1 − |ΓL |2 )

=
S 12 S 21 ΓL 2

1 − ΓQ S 11 + 1−S Γ |1 − S 22 ΓL |2
22 L
(1 − |ΓQ |2 )|S 21 |2 (1 − |ΓL |2 )

=
|(1 − ΓQ S 11 )(1 − S 22 ΓL ) − S 12 S 21 ΓL ΓQ |2
1 − |ΓQ |2 1 − |ΓL |2
= 2
|S 21 |2 . (6.9)
|1 − ΓQ S 11 | |1 − ΓAus ΓL |2
6.1. VERSTÄRKUNG 229
Man beachte dabei, dass der Eingang nicht angepasst sein muss. Dies bedeutet, dass
GT ≤ GP ist und nur GP im Allgemeinen die wirkliche Leistungsverstärkung wiedergibt.
GT hängt im Gegensatz zu GP von ΓQ ab.
Die maximal verfügbare Übertragungsleistungsverstärkung (Available Gain) erhält

man, wenn man für die Leistung am Ausgang statt der realen Ausgangsleistung die
maximal verfügbare annimmt, die sich für ΓL = Γ∗Aus ergibt
PL, verf 1 − |ΓQ |2 1

GA = = 2
|S 21 |2 . (6.10)
PEin, verf |1 − ΓQ S 11 | 1 − |ΓAus |2
Damit gilt GA ≥ GT .
Den Maximum Available Gain GMA erhält man mit der Annahme, dass der Ein- und
Ausgang wirklich angepasst sind. Dies erfordert die zusätzliche Bedingung ΓQ = Γ∗Ein .
In diesem Fall gilt GMA = GA = GT = GP .
Die unilaterale Übertragungsleistungsverstärkung ergibt sich für ein rückwirkungsfreies

Zweitor (S 12 = 0)
PL 1 − |ΓQ |2 2 1 − |ΓL |
2
GTU = |S 12 =0 = |S | . (6.11)
PEin, verf |1 − ΓQ S 11 |2 21 |1 − S 22 ΓL |2
Die maximale unilaterale Übertragungsleistungsverstärkung ergibt sich unter der An-

nahme, dass die Quelle und die Last wirklich angepasst sind und dass das Zweitor
rückwirkungsfrei ist
PL, verf 1 1
GAU = |S 12 =0 = 2
|S 21 |2 . (6.12)
PEin, verf 1 − |S 11 | 1 − |S 22 |2
Da die maximale unilaterale Übertragungsleistungsverstärkung GAU nur von den Zwei-

torparametern abhängt, wird sie gerne als Kenngröße verwendet.
Damit die maximale Leistungsverstärkung erreicht wird, schaltet man oft zwischen die
Quelle und den Eingang und die Last und den Ausgang ein verlustloses Anpassungsnetzwerk,
sodass am Ein- und Ausgang die maximal verfügbare Leistung zur Verfügung steht. Verkettet
man zwei Zweitore (Abb. 2.10), so ergeben sich für die gesamte Leistungsverstärkung die
folgenden Ausdrücke
GP, total = GaP GbP (6.13)

GA, total = GaA GbA (6.14)
GT, total = GaA GbT . (6.15)
Es soll nun die Übertragungsleistungsverstärkung in Abhängigkeit des Reflexionsfaktors am

Ein- und Ausgang betrachtet werden. Um die Betrachtung zu vereinfachen, wird angenom-
men, dass das Zweitor rückwirkungsfrei (unilateral) ist (S 12 = 0). Für die Betrachtung wird
der unilaterale Transducer Power Gain in drei Teile zerlegt
1 − |ΓQ |2 1 − |ΓL |2
GTU = |S 21 |2 . (6.16)
|1 − ΓQ S 11 |2 | {z } |1 − S 22 ΓL |2
| {z } =G0 | {z }
=GQ =GL
Mit GQ wird der Einfluss der Anpassung am Eingang auf die Verstärkung beschrieben, mit
G0 die eigentliche Verstärkung des Transistors und mit GL der Einfluss der Anpassung am
Ausgang. GQ und GL werden jeweils maximal bei konjugiert komplexer Anpassung. In vielen
Fällen wird eine geringere Verstärkung als die maximale angestrebt. Man gibt dann z. B. GQ
vor. Aus
1 − |ΓQ |2
GQ = (6.17)
|1 − ΓQ S 11 |2
folgt dann
GQ |1 − ΓQ S 11 |2 + |ΓQ |2 = 1 (6.18)
und daraus
|ΓQ |2 + GQ (1 − 2<{ΓQ S 11 } + |ΓQ |2 |S 11 |2 ) = 1 . (6.19)
Diese Gleichung beschreibt einen Kreis für ein festes GQ
|ΓQ − C GQ |2 = RGQ
2
= |ΓQ |2 − 2<{ΓQ C ∗GQ } + |C GQ |2 . (6.20)
Vergleicht man die beiden letzten Gleichungen miteinander, ergibt sich für den Kreismittel-
punkt
GQ
C GQ = S∗ (6.21)
1 + GQ |S 11 |2 11
und für den Radius
2 1 − GQ (1 − |S 11 |2 )
RGQ = . (6.22)
(1 + GQ |S 11 |2 )2
Die Mittelpunkte der Kreise liegen alle auf einer Geraden durch den Punkt S ∗11 und den
Ursprung des Smith Charts (Abb. 6.2).
Bei Anpassung (ΓQ = S ∗11 ) ergibt sich die maximale Verstärkung
1
GQ, max = (6.23)
1 − |S 11 |2
und somit
C GQ = S ∗11 (6.24)
und
RGQ = 0 . (6.25)
In Analogie ergibt sich für festes GL ein Kreis, dessen Mittelpunkt durch
GL
C GL = S∗ (6.26)
1 + GL |S 22 |2 22
und Radius durch

2 1 − GL (1 − |S 22 |2 )
RGL = (6.27)
(1 + GL |S 22 |2 )2
geben ist.
Die Verstärkungen werden oft in dB angegeben. Da es sich um Leistungsverstärkungen
handelt, verwendet man 10dB log G.
6.1. VERSTÄRKUNG 231
0.12 0.13
0.11 0.14
0.38 0.37 0.15
0.1 0.39 0.36
90
0.0
9 0.4 100 80 0.35 0.1
6 Γ
glL
45
50
1 110 40 70 0.3
1.0
0.4 4
0.9
1.2
0.1
55
8
0.8
0.0 35
7
1.4
2 0.3
0.4 12
0 0.7 60 3
0.6 60
1.6
7 0.
0 18
0. 30 0.
43 32
1.8
0. 0.2
50
65
0
13 Zo
)
0
jX/
2.
5
06
0.
0.
(+ 25
19
0.
NT
44
0.
NE
31
0.
PO
70
M 0.4
CO
0
40
14
05
0.
0.
E
0.
2
45
NC
0.
20
0.
3
TA
3.0
AC
75
0.6
RE
4
0.2
E
0.0
IV
6
0.2
0
0.3
30
1
0.4
15
CT
9
0.8
DU
15
>
S ∗22
R—
4.0
80
IN
0.3dB 1.2dB1.0
TO
0.2
ERA
0.2
0.4
2
5.0
8
1.
GEN
0dB 0.8dB
160
0.2
20
85
8 10
ARD
0.
0.23
0.48
0.27
TOW
ANG
90
0.6
ANGL
NGTHS
LE OF
10
E OF R
170
0.1
0.4
TRANSM
0.24
0.0 —> WAVELE
0.49
0.26
EFLECTION COEFFICIENT IN DEG
20
0.2
50
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.25
0.25
± 180
0.0
50
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo)
—
0.2
D LOAD <
20
0.24
0.49
0.26
70
0.1 0.4
OWAR
DEGR
-1
10
REES
EES
HS T
0.6
-90
0.23
2.0dB 0.7dB
0.48
0.27
NGT
8
0. -10
E
2.9dB 2.5dB 1.4dB 0dB

L
-160
-85
-20
VE
0.2
0
WA
1.
0.2
S ∗11
5.0
7
0.2
0.4
2
1.0
<—
8
-15 -80
4.0
/Zo
0.8 -15
(-jX
4
0.2
0
-30
0.3
0.0
NT
6
0.2
1
0.4
NE
9
PO
0.6
-75
3.0
M
O
05
0.
-20
E
0.
2
5
0.
4
.4
0.
N
40
-4
3
0
TA
-1
0.4
AC
-70
RE
06
0.
VE
19
0.
TI -25
44
0.
CI
-65 .5
31
0.
PA
0
0
2.
CA -5
30 0
-1 0.
1.8
07 0.2 18
0.
0.6
0.
43 -30 32
0.
1.6
-60
0 -60 0.1
0.7
8
0.0 -12 7
1.4
-35 0.3
0.8
2
0.4
1.2
3
5
0.9
gq
-5
1.0
9 -70 0.1
0.0 -110 0 6
ΓQ
-4
0
-5
0.3
-4
1
0.4 0.1 -100 -80 0.15 4
-90
0.11 0.14 0.35
0.4 0.12 0.13
0.39 0.36
0.38 0.37
Abbildung 6.2: Kreise konstanter Verstärkung als Funktion des Quellen- und Lastreflexions-
faktors. Links unten befinden sich die Kreise für konstantes GQ und rechts oben für konstantes
GL .
6.2 Stabilität von Zweitoren

Es soll nun die Stabilität der Schaltung aus Abb. 6.1 betrachtet werden. Es wird zwischen
instabilen, bedingt und unbedingt stabilen Zweitoren unterschieden. Ein Netzwerk ist stabil,
wenn eine herbeigeführte Störung nicht anklingt. Verhält sich ein Zweitor bei jeder passiven
Beschaltung stabil, so ist das Netzwerk unbedingt stabil. Die Stabilitätsbedingungen lassen
sich mit Hilfe der S-Parameter ausdrücken.
Für die Stabilitätsbetrachtung spielt der Wert von b0 keine Rolle und es wird b0 = 0
verwendet. Weiterhin sollen sowohl die Eingangs- als auch die Ausgangsbeschaltung passiv
sein (|ΓQ | < 1, |ΓL | < 1). Damit nun das Zweitor stabil ist, muss |ΓEin | < 1 und |ΓAus | < 1
gelten. Als erstes soll der Eingangsreflexionsfaktor betrachtet werden
S 12 S 21 ΓL S − S 11 S 22 ΓL + S 12 S 21 ΓL
ΓEin = S 11 + = 11 . (6.28)
1 − S 22 ΓL 1 − S 22 ΓL
Mit
∆ = S 11 S 22 − S 12 S 21 (6.29)
gilt
S 11 − ∆ ΓL
ΓEin = . (6.30)
1 − S 22 ΓL
Dies ist wieder eine Möbiustransformation bzgl. ΓL und ΓEin . Stabilität erfordert
|ΓEin | < 1 . (6.31)
Betrachtet man nun den Fall |ΓEin | = 1, ergibt sich für ΓL ein Kreis |ΓL − C L |2 = RL2 mit
dem Mittelpunkt
S ∗ − ∆∗ S 11
C L = 22 2 (6.32)
|S 22 | − |∆|2
und dem Radius
|S 12 S 21 |2 |S 11 |2 − 1
RL2 = = + |C L |2 . (6.33)
(|S 22 |2 − |∆|2 )2 |S 22 |2 − |∆|2
Damit hat man allerdings nur den Stabilitätsrand gefunden. Jetzt muss man noch bestimmen,
ob das Innere oder das Äußere des Kreises stabil ist. Dies kann man leicht entscheiden, indem
man einen bekannten Punkt überprüft. Dazu bietet sich der Punkt ΓL = 0 an, für den
ΓEin = S 11 gilt. Ist |S 11 | < 1, ist der Eingang stabil, und damit derjenige Bereich der ΓL -
Ebene, der den Ursprung (ΓL = 0) enthält und durch den Kreis |ΓL − C L |2 = RL2 berandet
wird (Abb. 6.3).
Für die Stabilität muss man noch fordern, dass auch |ΓL | < 1 gilt. Der stabile Bereich
ergibt sich dann aus der Schnittmenge der beiden einzelnen stabilen Bereiche (Abb. 6.4).
Liegt der Reflexionsfaktor der Last im schraffierten Bereich, sind der Eingang und die Last
stabil. Eine gleiche Analyse kann man für den Ausgangs- und den Quellenreflexionsfaktor
durchführen. Sind alle Stabilitätsbedingungen erfüllt, ist das so beschaltete Zweitor stabil.
Absolute Stabilität des Eingangs liegt vor, wenn für alle |ΓL | < 1 auch |ΓEin | < 1 gilt.
Dies ist nur möglich, wenn |S 11 | < 1 ist, weil ΓL = 0 mit (6.1) |ΓEin | = |S 11 | ergibt. Weiterhin
dürfen sich die beiden Kreise im Beispiel aus Abb. 6.4 nicht überlappen. Da |S 11 | < 1 ist,
muss der Radius RL kleiner als |C L | sein, damit der Außenbereich des Kreises stabil ist. Dies
erfordert |S 22 |2 − |∆|2 > 0 (vergl. (6.33)). Es muss also insgesamt gelten
|C L | − RL > 1 , |S 11 | < 1 und |S 22 |2 − |∆|2 > 0 (6.34)
2 2
|C Q | − Rq > 1 , |S 22 | < 1 und |S 11 | − |∆| > 0 . (6.35)
6.2. STABILITÄT VON ZWEITOREN 233
={ΓL }
|ΓEin | = 1
|ΓEin | > 1
<{ΓL }
|ΓEin | < 1
Abbildung 6.3: Für |S 11 | < 1 gilt für den grauen Bereich außerhalb des Kreises |ΓEin | < 1.
={ΓL }
|ΓEin | = 1
|ΓEin | > 1
RL
CL
|ΓL | < 1
<{ΓL }
|ΓL | = 1
|ΓEin | < 1
Abbildung 6.4: Im grauen Bereich gilt |ΓEin | < 1 und |ΓL | < 1 (|S 11 | < 1).
Die zweite Bedingung ergibt sich, wenn man statt des Eingangs den Ausgang betrachtet.
Ist andererseits das Innere des Kreises für |ΓEin | = 1 stabil, müssen beide Kreise vollständig
überlappen und es muss gelten (Ausgangstor analog)
RL − |C L | > 1 , |S 11 | < 1 und |S 22 |2 − |∆|2 < 0 (6.36)

2 2
Rq − |C Q | > 1 , |S 22 | < 1 und |S 11 | − |∆| < 0 . (6.37)
Aus diesen Bedingungen lassen sich einfache Beziehungen ableiten. Es wird zuerst die Stabi-
lität des Eingangs für den Fall |C L | − RL > 1 mit |S 11 | < 1 und |S 22 |2 − |∆|2 > 0 betrachtet.
Aus |C L | − RL > 1 folgt
|C L |2 > (1 + RL )2 (6.38)
und somit
|S ?22 − ∆? S 11 |2 > (|S 22 |2 − |∆|2 )2 + 2(|S 22 |2 − |∆|2 )|S 21 S 12 | + |S 21 S 12 |2 . (6.39)
Mit |S ?22 − ∆? S 11 |2 = |S 21 S 12 |2 + (1 − |S 11 |2 )(|S 22 |2 − |∆|2 ) erhält man
K>1, (6.40)
wobei der Rollet-Faktor K durch

1 − |S 11 |2 − |S 22 |2 + |∆|2
K= (6.41)
2|S 12 S 21 |
gegeben ist. Wertet man die anderen Ungleichungen für den Ein- und Ausgang aus, erhält
man die gleiche Bedingung für den Rollet-Faktor. Es muss daher immer für absolute Stabilität
von Ein- und Ausgang gelten
K>1 (6.42)
|∆| < 1 , (6.43)
wobei die letzte Ungleichung aus weiteren Betrachtungen folgt. Diese ist aber üblicherweise
für K > 1 erfüllt. Diese beiden Gleichungen sind notwendig und hinreichend. Ist S 12 = 0,
gilt immer K > 1 und |∆| < 1.
Für das Ersatzschaltbild (Abb. 5.8) kann man den Rollet-Faktor mit (5.21) berechnen
und es zeigt sich, dass er für kleine Frequenzen proportional zur Frequenz ist (Abb. 6.5). Dies
bedeutet, dass der Transistor für hinreichend kleine Frequenzen nicht mehr absolut stabil ist
(Die andere Bedingungen für Stabilität in (6.43) ist für alle betrachteten Frequenzen erfüllt.).
Dieses Verhalten beobachtet man auch bei realen Transistoren, die, wenn sie schwingen, dies
bei relativ kleinen Frequenzen tun.
Möchte man einen Oszillator bauen, sucht man genau einen Fall, für den das Zweitor
instabil wird. Durch Verwendung sehr schmalbandiger Filter kann man erreichen, dass die
Instabilität genau bei einer scharf definierten Frequenz auftritt. Durch nicht lineare Effekte
wird die durch die Instabilität angeregte Oszillation auf endliche Werte beschränkt. Um
Oberwellen zu vermeiden, sollten die nicht linearen Effekte nicht zu stark sein.
6.2. STABILITÄT VON ZWEITOREN 235
K meas.
K Equiv. circ.
Rollet-factor K, |∆|
101 K LinMic
|∆| meas.
100
10−1
10−1 100 101

f [GHz]
Abbildung 6.5: Gemessener Rollet-Faktor des GaAs-MESFETs und das Ergebnis des Ersatz-
schaltbilds aus Abb. 5.8 (gestrichelt) und von LinMic Abb. 5.18 (gepunktet), sowie der Betrag
des gemessenen ∆.
6.3 Realer Verstärker
Das Ersatzschaltbild des schmalbandigen HF-Verstärkers aus Abb. 1 ist in Abb. 6.6 darge-
stellt.
Cblock LD,match output

input LG,match Cblock
RD,stab
RG,stab
λ λ
4 4
CD,match
CG,match
Cshort Cshort
CD,stab
CG,stab
Abbildung 6.6: Ersatzschaltbild des schmalbandigen HF-Verstärkers aus Abb. 1.
Der Verstärker enthält eingangs- und ausgangsseitig Stabilisierungs- und Anpassnetzwer-

ke. Den Absolutbeträgen der Streuparameter kann man entnehmen, dass der Verstärker nicht
optimal ist (Abb. 6.7-Abb. 6.10). Er ist auf der Eingangsseite nur schlecht angepasst. Dass
die Messungen durchgeführt werden konnten, bedeutet, dass er zumindest stabil ist.
0.8
0.6
|S 11 |
0.4
0.2
0
0 0.5 1 1.5 2
f [GHz]
Abbildung 6.7: Absolutwert des Streuparameters S 11 des Verstärkers aus Abb. 1 für VGS =
−1.25 V, VGS = 28 V.
6.3. REALER VERSTÄRKER 237
20
15
|S 21 |
10
0
0 0.5 1 1.5 2
f [GHz]
−1.25 V, VGS = 28 V.
·10−2
3
2
|S 12 |
0
0 0.5 1 1.5 2
f [GHz]
−1.25 V, VGS = 28 V.
0.8
0.6
|S 22 |
0.4
0.2
0
0 0.5 1 1.5 2
f [GHz]
−1.25 V, VGS = 28 V.
Die λ/4-Leitungen erfüllen drei Zwecke. Zum einen sind sie die Zuleitungen für die Gleich-
stromversorgung des Transistors, wobei die Gleichspannungsquellen im Kleinsignalersatz-
schaltbild durch Kurzschlüsse ersetzt worden sind. Diese Gleichspannungen werden vom Ein-
und Ausgang durch die Kondensatoren Cblock abgeblockt. Zweitens transformieren die λ/4-
Leitungen den Kurzschluss, der hochfrequenzmäßig noch durch Kapazitäten Cshort verstärkt
wird, bei 1GHz in offene Leitungen, sodass der Ein- und Ausgang des Transistors nicht be-
lastet wird. Drittens werden durch die Leitungen gerade Oberwellen (2 GHz, 4 GHz, usw.)
herausgefiltert, weil die oberen Enden der Leitungen für diese Frequenzen genau einen Kurz-
schluss darstellen.
6.4. BEIDSEITIG ANGEPASSTER VERSTÄRKER 239
6.4 Beidseitig angepasster Verstärker

Es soll nun ein Verstärker betrachtet werden, der nicht unilateral ist und sowohl eingangsseitig
als auch ausgangsseitig mittels Anpassnetzwerken an 50 Ω-Leitungen angepasst ist. Wie in
Kapitel 1.7.3 ausgeführt, bedeutet dies, dass beide Tore leistungsmäßig angepasst sein müssen
(ΓL = Γ?Aus , ΓQ = Γ?Ein ). Mit (6.1) ergibt sich für den Eingang
S 12 S 21 Γ?Aus S 11 − ∆ Γ?Aus
ΓEin = S 11 + = (6.44)
1 − S 22 Γ?Aus 1 − S 22 Γ?Aus
und mit (6.2) für den Ausgang
S 12 S 21 Γ?Ein S 22 − ∆ Γ?Ein
ΓAus = S 22 + = . (6.45)
1 − S 11 Γ?Ein 1 − S 11 Γ?Ein
Setzt man die zweite Gleichung in die erste ein, erhält man
S ?22 −∆? ΓEin
S 11 − ∆ S 11 − ∆ S ?22 + |∆|2 − |S 11 |2 ΓEin

1−S ?11 ΓEin
ΓEin = S ?22 −∆? ΓEin
= . (6.46)
1− S 22 1−S ? Γ 1 − |S 22 |2 + (S 22 ∆? − S ?11 ) ΓEin
11 Ein
Dies ist eine quadratische Gleichung für den Eingangsreflexionsfaktor
|S 22 |2 − |S 11 |2 + |∆|2 − 1 S − ∆ S ?22
Γ2Ein − ? ? ΓEin = 11 ? . (6.47)
S 22 ∆ − S 11 S 22 ∆ − S ?11
Mit den Abkürzungen a = |S 22 |2 − |S 11 |2 + |∆|2 − 1 und b = S 22 ∆? − S ?11 ergibt sich die

Lösung q
a ± a2 − 4 |b|2
ΓEin = . (6.48)
2b
Ist das Argument der Wurzel kleiner als null (4 |b|2 > a2 ), ist die Wurzel in der obigen
Gleichung rein imaginär und der Betrag von ΓEin = 1. Damit ist das Eingangstor nicht stabil
und die Diskriminate muss positiv sein
a2 > 4 |b|2 . (6.49)
Weiterhin erfordert Stabilität |ΓEin |2 < 1 und somit

q
a ± a a2 − 4 |b|2 < 4 |b|2 < a2 .
2
(6.50)
Die zweite Ungleichung folgt aus der vorhergehenden Gleichung und somit
q
± a a2 − 4 |b|2 < 0 . (6.51)
Das Vorzeichen muss entgegengesetzt zum Vorzeichen von a gewählt werden. Dies bedeutet,
dass für ein positives a das negative Vorzeichen in (6.48) gewählt werden muss und für ein
negatives a das positive.
Aus a2 > 4 |b|2 folgt für das Eingangstor
2
|S 22 |2 − |S 11 |2 + |∆|2 − 1 > 4 |S 22 ∆? − S ?11 |2 . (6.52)
Mit
4|b|2 =4 |S 22 ∆? − S ?11 |2
=4 |S 12 S 21 |2 + (1 − |S 22 |2 )(|S 11 |2 − |∆|2 )

=4 |S 22 |2 |∆|2 + |S 11 |2 − |∆|2 − |S 11 |2 |S 22 |2 + |S 12 S 21 |2

(6.53)
ergibt sich
2
1 − |S 11 |2 − |S 22 |2 + |∆|2 > 4|S 12 S 21 |2 . (6.54)
Dies entspricht der Bedingung K2 > 1 mit (6.41) und ist erfüllt, wenn K > 1 gilt. Für das
Ausgangstor ergibt sich die gleiche Bedingung und Anpassung beider Tore ist für K > 1
möglich. Ist zusätzlich noch die weitere Bedingung in (6.43) erfüllt, ist das Zweitor absolut
stabil. Der Ausgangsreflexionsfaktor ist dann ebenfalls durch (6.48) gegeben, allerdings mit
a = |S 11 |2 − |S 22 |2 + |∆|2 − 1 und b = S 11 ∆? − S ?22 .
Führt man die Leistungsanpassung für beide Tore für K < 1 durch, ist das Zweitor nicht
mehr stabil, da dann |ΓEin | = 1 und |ΓAus | = 1 gilt. In diesem Fall kann man das Zweitor sta-
bilisieren, indem man geeignete, eventuell verlustbehaftete Zweitore mit dem ursprünglichen
Zweitor verknüpft.
Hat man den Ein- und Ausgang leistungsmäßig angepasst, ergeben sich spezielle Aus-
drücke für die Leistungsverstärkung. Ist das Zweitor stabil (K > 1, |∆| < 1), erhält man die
maximal verfügbare Verstärkung (maximum available gain, MAG)
GMA = GP |ΓQ =Γ?Ein , ΓL =Γ?Aus
1 − |Γ?Ein |2 1
= ? 2
|S 21 |2
|1 − ΓEin S 11 | 1 − |ΓAus |2
|S | p
= 21 (K − K 2 − 1) . (6.55)
|S 12 |
Ist K < 1, kann man diese Formel nicht verwenden und es wird stattdessen die maximale
stabile Verstärkung (maxiumum stable gain, MSG) benutzt
|S 21 |
GMS = , (6.56)
|S 12 |
die sich für K = 1 ergibt. Die Größen GMA und GMS sind weitere wichtige Kenngrößen eines
Zweitors, die nur von den Zweitorparametern abhängen.
Es soll nun ein Verstärker mit dem GaN-HEMT GH40006P von Cree für Hochfre-
quenzleistungsanwendungen entworfen werden. Für den stationären Arbeitspunkt wird ei-
ne Drain/Source-Spannung von 28V und ein Drain-Strom von 100 mA verwendet. Die dem
Datenblatt entnommenen Streuparameter für eine Normierungsimpedanz Z0 = 50Ω sind in
Abb. 6.11 und 6.12 dargestellt. Der Parameter S 12 ist so klein, dass er in der Abb. 6.12 mit
dem Ursprung zusammenfällt. In der Abb. 6.13 sind K und |∆| dargestellt und der Tran-
sistor ist für diesen Arbeitspunkt ab 3GHz absolut stabil. Der Verstärker soll für 3.4 GHz
am Ein- und Ausgang leistungsmäßig angepasst werden. Die Streuparamter sind für diesen
Arbeitspunkt und diese Frequenz
S 11 = − 0.729 + j0.359
S 21 = + 3.347 + j1.457
S 12 = + 0.024 − j0.008
S 22 = − 0.309 − j0.338 . (6.57)
S 11
S 11 at 3.4GHz
1
ΓEin at 3.4GHz
0.5 2 S 22
S 22 at 3.4GHz
ΓAus at 3.4GHz
0.2 5
0.2 0.5 1 2 5
0
−0.2 −5
−0.5 −2
−1
Abbildung 6.11: Reflexionskoeffizienten des Cree-Transistors GH40006P für 28V

Drain/Source-Spannung und 100mA Drainstrom von 0.5 bis 6GHz und der Ein- und
Ausgangsreflexionskoeffizient für Leistungsanpassung beider Tore.
S 12
105 90 75 S 12 at 3.4GHz
120 60 S 21
135 S 21 at 3.4GHz
45
150 30
165 15
0 5 10 15 20
180 0
195 345
210 330
225 315
240 300
255 270 285
Abbildung 6.12: Transmissonskoeffizienten des Cree-Transistors GH40006P für 28V

Drain/Source-Spannung und 100mA Drain-Strom von 0.5 bis 6GHz.
K
|∆|
100 K at 3.4GHz
Rollet-factor K, |∆|
|∆| at 3.4GHz
10−1
100 101
f [GHz]
Abbildung 6.13: Rollet-Faktor und der Absolutwert der Determinante der Streuparameterma-
trix des Cree-Transistors GH40006P für 28V Drain/Source-Spannung und 100mA Drainstrom
von 0.5 bis 6 GHz.
Mit (6.48) erhält man unter Leistungsanpassung für den Ein- und Ausgang
ΓEin = − 0.823 + j0.423

ΓAus = − 0.587 − j0.535 . (6.58)
Die maximale verfügbare Leistungsverstärkung beträgt in diesem Fall
GMA = 19.25 dB (6.59)
und ist in Abb. 6.14 dargestellt. Unterhalb von 3 GHz handelt es sich um GMS (K < 1) und
oberhalb um GMA (K > 1).
25
GMS / GMA [dB]
20
15
100 101
f [GHz]
Abbildung 6.14: Maximale stabile und verfügbare Leistungsverstärkung des Cree-Transistors

GH40006P für 28 V Drain/Source-Spannung und 100 mA Drainstrom von 0.5 bis 6 GHz.
Die Leistungsanpassung soll mittels Leitungen, wie in Kap. 1.7.3 beschrieben, durch-
geführt werden. Es ergeben sich für das Anpassungsnetzwerk im Eingangszweig (Abb. 6.15)
ls, Ein =2.25cm

lp, Ein =1.47cm (6.60)
für einen Leitungswellenwiderstand von Zw = Z0 und c = 1.77 · 108 m/s (β = ω/c). Für den
Ausgang erhält man
ls, Aus =0.04cm

lp, Aus =1.60cm . (6.61)
Es werden offene Stichleitungen verwendet, da diese einfacher verlängert oder gekürzt werden
können.
I1 ls,Ein ls,Aus I2
U1 GH40006P U2
l p,
us
,A
E
in
lp
Abbildung 6.15: Der Transistor als Zweitor mit Anpassnetzwerken am Ein- und Ausgang.
Mit den in Kap. 2 und 3 eingeführten Methoden kann man nun die Streuparameter der ge-
samten Anordnung bestimmen. Die maximal verfügbare Leistungsverstärkung und der Rollet-
Faktor werden durch die verlustlosen Anpassnetzwerke nicht verändert. Das gesamte Zweitor
ist immer noch absolut stabil für 3.4 GHz und GMA = 19.25 dB. Der Absolutbetrag der Re-
flexionsparameter ist in Abb. 6.16 dargestellt. Für 3.4 GHz ist der Ein- und Ausgang perfekt
angepasst, wobei der Anpassbereich extrem schmalbandig ist. Dies macht die Anpassung in
der Praxis unbrauchbar, weil es immer Parameterschwankungen gibt, sodass man keine An-
passung für genau 3.4GHz bekommen wird. Verschiebet sich zum Beispiel die Kennlinie des
Transistors durch Selbsterwärmung, würde dies die Anpassung verändern und aufgrund der
Flankensteilheit käme es zu einer extremen Änderung der Reflexionsparameter. In der Praxis
verwendet man daher breitbandigere Anpassstrukturen.
|S 11 |
1 |S 22 |
0.8
|S 11 |, |S 22 |
0.6
0.4
0.2
0
1 2 3 4 5 6
f [GHz]
Abbildung 6.16: Reflextionsparameter der gesamten Schaltung aus Abb. 6.15 für Leistungs-
anpassung bei 3.4 GHz.
Abbildung 6.17: Layout des beidseitig angepassten Verstärkers.
− −
+ DCGate DCDrain +
C2filter C2filter
C1filter C1filter
Cshort Cshort
λ/4 λ/4
Rstab lp,Ein lp,Aus

F ET
EIN AU S
CBlock ls,Ein ls,Aus CBlock
Abbildung 6.18: Schaltplan des beidseitig angepassten Verstärkers.

Script Emfii

Hochgeladen von

Dokumentinformationen

Copyright

Verfügbare Formate

Dieses Dokument teilen

Dokument teilen oder einbetten

Freigabeoptionen

Stufen Sie dieses Dokument als nützlich ein?

Sind diese Inhalte unangemessen?

Copyright:

Verfügbare Formate

Script Emfii

Hochgeladen von

Copyright:

Verfügbare Formate

Skript zur Lehrveranstaltung

Theoretische Grundlagen der Hochfrequenztechnik

Prof. Dr. sc. techn. R. Negra

HFE – Lehrstuhl für

ITHE – Institut für

RWTH Aachen University

28. Februar 2021

Das vorliegende Skript zur Vorlesung Theoretische Grundlagen der Hochfrequenz-

Gate-HF-Anschluss Stabilisierung mit RC-Glied

Literatur zur Vorlesung ix

4 Passive Mikrowellenbauelemente 177

5 Aktive Bauelemente der Mikrowellentechnik 207

[1] Pozar, David M.

[2] Gonzalez, Guillermo

[3] Orfanidis, Sophocles J.

[4] Jungemann, C.; Meinerzhagen, B.

[5] Noll, Tobias

[6] Beneking, Heinz

x Komplexe Zahl, Zeiger

Unabhängige Spannungsquelle Unabhängige Stromquelle

Gesteuerte Spannungsquelle Gesteuerte Stromquelle

 ebenen, elektromagnetische Wellen im Raum

 akustischen Wellen als Volumenwellen oder Oberflächenwellen

1. Eine Standard-CMOS-Logik zeigt typische Signalanstiegszeiten tr ≈ 2 ns. In dieser Zeit

3. Bei einer Energieübertragungsleitung mit einer Netzfrequenz von 50 Hz beträgt die

Frequenz Periode Wellenlänge im Vakuum

Die folgenden Konstanten sind ständige Begleiter in der Leitungstheorie:

1.1 Das Modell der zylindrischen Leitungen

Abb. 1.2 zeigt die schematische Darstellung einer zylindrische Zweidrahtleitung.

Abbildung 1.2: Allgemeine geometrische Form einer Zweidrahtleitung.

Abbildung 1.3: Symmetrische Zweidrahtleitung mit Leitungssymbol und Feldlinienverteilung

Leitung, definiert werden:

Abbildung 1.4: Ersatzschaltbild der verlustbehafteten Leitung.

Es ist zu beachten, dass der Widerstandsbelag R0 den metallischen Widerstand beider

1.2 Die Differentialgleichung der elektrischen Leitung: Tele-

Abbildung 1.5: Ersatzbild der verlustbehafteten Leitung infinitesimaler Länge.

1.2.1 Differentialgleichungen der verlustlosen Leitung

u(t, z) = ua (t − z/v) + ub (t + z/v) bzw. (1.13)

erfüllt (1.11) bzw. (1.12) für 1/v 2 = L0 C 0 oder

Dabei ist Zw die Wellenimpedanz der Leitung.

Interpretation der Resultate der Gleichungen (1.13) bis (1.19):

a) Die in (1.13) und (1.14) gefundenen Partiallösungen ua , ub , ia und ib sind beliebige

In einem homogenen Medium gilt für die Ausbreitungsgeschwindigkeit

b) Vorwärts- bzw. rückwärtslaufende Spannungen ua (t − z/v) und ub (t + z/v) sind über

1.3 Die Telegraphengleichung der verlustbehafteten Leitung

Sie sind linerare Differentialgleichungen 2. Ordnung mit konstanten Koeffizienten und

Wir führen für u(t, z) und i(t, z) Phasoren ein:

mit U und I: Amplituden; ω: Kreisfrequenz, ω = 2πf

Diese Phasoren werden in (1.22) und (1.23) eingesetzt:

Aus (1.28) und (1.29) wird I eliminiert:

Wellengleichungen der verlustbehafteten Leitung

U (z) = U a + U b = U a0 e−γz + U b0 eγz (1.35)

Durch Koeffizientenvergleich mit (1.36) folgt die

1.3.2 Wellenausbreitung auf der verlustbehafteten Leitung

u(t, z) = < U a0 e−γz ejωt + U b0 eγz ejωt

Wir spalten die Wellenausbreitungskonstante γ nach Real- und Imaginärteil auf:

Ebenso kann der Phasenbelag β in Grad/m angegeben werden.

ua (t, z) = < U a0 e−γz ejωt = < U a0 e−αz ej(ωt−βz)

ub (t, z) = < U b0 eγz ejωt = < U b0 eαz ej(ωt+βz)

Phasengeschwindigkeit vp und Wellenlänge λ

Die Wellenlänge λ entspricht der Periodenlänge in Ausbreitungsrichtung, d. h. der Länge in

ejβ(z+λ) = ejβz+j2π (1.50)

1.4 Spannung und Strom auf der verlustbehafteten Leitung

U (z) = U a + U b = U a0 e−γz + U b0 eγz (1.54)

ebenen, elektromagnetische Wellen im Raum

akustischen Wellen als Volumenwellen oder Oberflächenwellen