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Alexander Hensler
Lastwechselfestigkeit von Halbleiter-Leistungsmodulen für

den Einsatz in Hybridfahrzeugen
Alexander Hensler
Lastwechselfestigkeit von Halbleiter-

Leistungsmodulen für den Einsatz in
Hybridfahrzeugen
Universitätsverlag Chemnitz
2013
Impressum
Bibliografische Information der Deutschen Nationalbibliothek
Die Deutsche Nationalbibliothek verzeichnet diese Publikation in der

Deutschen Nationalbibliografie; detaillierte bibliografische Angaben
sind im Internet über http://dnb.d-nb.de abrufbar.
Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2012
Technische Universität Chemnitz/Universitätsbibliothek

Universitätsverlag Chemnitz
09107 Chemnitz
http://www.bibliothek.tu-chemnitz.de/UniVerlag/
Herstellung und Auslieferung

Verlagshaus Monsenstein und Vannerdat OHG
Am Hawerkamp 31
48155 Münster
http://www.mv-verlag.de
ISBN 978-3-941003-76-7
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-101573
Lastwechselfestigkeit von
Halbleiter-Leistungsmodulen
für den Einsatz in Hybridfahrzeugen
Dissertation
zur Erlangung des akademischen Grades

Doktor-Ingenieur (Dr.-Ing.)
vorgelegt
der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

der Technischen Universität Chemnitz
von Alexander Hensler
verteidigt am 11.12.2012
Gutachter:
Prof. Dr.-Ing. Prof. h.c. Josef Lutz
Prof. Dr.-Ing. Andreas Lindemann
Bibliographische Beschreibung
Lastwechselfestigkeit von Halbleiter-Leistungsmodulen für den Einsatz in
Hybridfahrzeugen
Alexander Hensler
155 Seiten, 102 Abbildungen, 13 Tabellen
Dissertation 2012
Technische Universität Chemnitz

Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik
Schlagwörter
Hybridfahrzeug, Fahrzeuggetriebe, Halbleiter-Leistungsmodul, Leistungs-
elektronik, Lastwechselfestigkeit, hohe Kühlmitteltemperatur, hohe Sperr-
schichttemperatur, thermische Impedanzspektroskopie, Diffusionslöten,
Niedertemperatur-Verbindungstechnik
Referat
Eine kompakte Integration der Leistungselektronik in einem Fahrzeugge-
triebe des Hybridfahrzeugs stellt hohe Anforderungen an die Lastwechsel-
festigkeit der Halbleiter-Leistungsmodule. Gefordert wird die Auslegung
für die Kühlmitteltemperatur von 125◦ C und für die Sperrschichttempe-
ratur von 200◦ C.
Für die Untersuchung der Lastwechselfestigkeit bei geforderten hohen

Temperaturen werden neue Prüfstandskonzepte und Messmethoden vorge-
stellt. Mit realisierten Testständen wird die Lastwechselfestigkeit der
neuen Aufbau- und Verbindungstechnologien „gehärtete Aluminium-
bonddrähte”, „Diffusionslöten”, „Lötung mit vertikalen Strukturen” und
„Niedertemperatur-Verbindungstechnik” untersucht.
Meiner Frau gewidmet
9
Inhaltsverzeichnis
Inhaltsverzeichnis 9
Verzeichnis der Abkürzungen und Symbole 11
1 Einleitung 17
1.1 Gründe für Elektro- und Hybridfahrzeuge . . . . . . . . . 17
1.2 Technologische Herausforderungen . . . . . . . . . . . . . 18
1.3 Gegenstand und Ziel der Arbeit . . . . . . . . . . . . . . . 19
2 Anforderungen an die Leistungselektronik in Hybridfahr-

zeugen 21
2.1 Optimale Integration der Leistungselektronik im Fahrzeug 21
2.2 Leistungshalbleitermodul . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.1 Zuverlässigkeitsproblematik . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.2 Fehlermechanismen und Lebensdauermodelle . . . 26
2.3 Ermittlung der Anforderungen . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.3.1 Definition der Temperaturzyklen . . . . . . . . . . 29
2.3.2 Passive Temperaturzyklen . . . . . . . . . . . . . . 31
2.3.3 Aktive und überlagerte Temperaturzyklen . . . . . 33
2.4 Diskussion der Anforderungen . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3 Messmethoden und Prüfstandskonzepte 39

3.1 Messung der Sperrschichttemperatur . . . . . . . . . . . . 39
3.1.1 Einfluss der Messunsicherheit . . . . . . . . . . . . 39
3.1.2 Eigenschaften der Kalibrierfunktion . . . . . . . . 41
3.1.3 Einfluss von Rekombinationszeit und Verlustleistung 50
3.2 Thermische Impedanzspektroskopie . . . . . . . . . . . . . 55
3.2.1 Messung der thermischen Impedanz . . . . . . . . 55
3.2.2 Quasi-kontinuierliches Impedanzspektrum . . . . . 60
3.2.3 Strukturfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.2.4 Messung von Alterungsprozessen . . . . . . . . . . 71
3.2.5 Bestätigung der Methode . . . . . . . . . . . . . . 73
3.3 Lastwechselstand mit Gleichstrombelastung . . . . . . . . 80
3.3.1 Stromregelung und Kühlung . . . . . . . . . . . . 80
3.3.2 Prinzip der Steuerung und Messwerterfassung . . . 82
3.4 Konzept für Lastwechseltests unter Umrichterbedingungen 86
3.4.1 Betriebsweise des Lastkreises . . . . . . . . . . . . 86
3.4.2 Messung alterungsrelevanter Parameter . . . . . . 89
10
4 Ergebnisse der Zuverlässigkeitstests 97

4.1 Lastwechseltest unter Umrichterbedingungen . . . . . . . 97
4.1.1 Wahl der Testparameter . . . . . . . . . . . . . . . 97
4.1.2 Fehlermechanismen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.1.3 Lebensdauerbewertung . . . . . . . . . . . . . . . . 102
4.2 Einfluss der Chipdicke und Bonddrahttechnologie . . . . . 104
4.2.1 Testbedingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
4.2.2 Alterungsverhalten und Lebensdauer . . . . . . . . 106
4.3 Einfluss der Chipverbindungstechnologie . . . . . . . . . . 114
4.3.1 Diffusionslöten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.3.2 Lastwechseltest mit verbesserter Chipverbindung . 115
4.3.3 Lastwechseltest mit Diffusionslöten und verbesser-
ten Bonddrähten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
4.4 Applikationsnahe Lastwechseltests . . . . . . . . . . . . . 124
4.4.1 Übersicht der Verbindungstechnologien . . . . . . . 124
4.4.2 Testergebnisse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
4.4.3 Lebensdauerbewertung . . . . . . . . . . . . . . . . 134
5 Zusammenfassung und Ausblick 139
A Anhang 143
A.1 Analytische Berechnung der Kalibrierkennlinie . . . . . . 143
A.2 Modell zur Simulation von Fehlermechanismen im Kühlpfad145
Literaturverzeichnis 147
11
Verzeichnis der Abkürzungen und Symbole

αAl Ausdehnungskoeffizient, Al: Abkürzung für Material
α Konstante der LESIT-Gleichung
βi Konstanten der CIPS2008-Gleichung
∆T Temperaturhub allgemein
∆Tj Temperaturhub der Sperrschicht
∆Tcase Temperaturhub der Leistungsmodul-Grundplatte
∆TEinsatz Temperaturhub im realen Einsatz
∆TT est Temperaturhub im beschleunigten Test
λ Wärmeleitfähigkeit
µp Beweglichkeit freier Löcher
ρ Achse der Strukturfunktionen
σ mechanische Spannung
τ thermische Zeitkonstante
τn Lebensdauer der Elektronen
τp Lebensdauer der Löcher
ε Dielektrizitätskonstante
εpl plastische Dehnung
ξ logarithmische Zeitkonstanten-Achse
A Faltungsmatrix; Fläche; Konstante der LESIT-Gleichung
a Konstante der Lebensdauergleichung; Element der Fal-
tungsmatrix
aji Element der Faltungsmatrix A
Al Aluminium
Al2 O3 Aluminiumoxid
AlN Aluminiumnitrid
AlSiC Aluminium-Siliziumkarbid
b Fulop-Exponent (7 in Si bei 300K); Konstante der Le-
bensdauergleichung
C0 Fulop-Konstante (1, 8 · 10−35 inSibei300K)
Ci thermische Teilkapazität im FOSTER-Ersatzschaltbild
ci thermische Teilkapazität im CAUER-Ersatzschaltbild
Ckum (ρ) kumulative Strukturfunktion
cosφ Leistungsfaktor
Cu Kupfer
D Bonddrahtdurchmesser in CIPS2008-Gleichung (in µm)
d Dicke der Materialschicht
Dp Diffusionskonstante von Löchern
E Elastizitätsmodul
Eof f IGBT Verlustenergie beim Ausschalten
12
Eon IGBT Verlustenergie beim Einschalten

Err Dioden Verlustenergie beim Ausschalten
fM otor Grundfrequenz des Motorstroms
fT akt Taktfrequenz des Wechselrichters
I Strom; in CIPS2008-Gleichung Strom pro Bondfuß
Iphase Ausgangsstrom des Wechselrichters
Ipn Strom durch einen pn-Übergang
j Stromdichte
js Sättigungsstromdichte
Jmin minimal einzustellende Stromdichte für Sperrschichttem-
peraturmessung
K Konstante der Lebensdauergleichung
K(ρ) differentielle Strukturfunktion
Lp Diffusionslänge von Löchern
M Modulationsgrad der Ausgangsspannung
m Aussteuergrad des Wechselrichters
NC Zustandsdichte am Leitungsband
ND Konzentration der Donatoren
Nf Anzahl der Zyklen bis zum Ausfall
ni intrinsische Ladungsträgerdichte
NV Zustandsdichte am Valenzband
Ncyc Konstante der Lebensdauergleichung
NEinsatz Anzahl der Zyklen im realen Einsatz
Nf,einzel Lebensdauerermittlung mit einzelnem Messwert
Nf,mittel Lebensdauerermittlung mit dem Mittelwert der Mess-
werte
NT est Anzahl der Zyklen im Test
p Anzahl von Iterationen; Zählerpolynom
PV Verlustleistung
Pleit Durchlassverluste
Pschalt Schaltverluste
Q Konstante der Lebensdauergleichung
q Elementarladung (1, 60218 · 10−19 ); Nennerpolynom
R Gaskonstante (8, 314J/(mol · K)
r Vektor des thermischen Impedanzspektrums
R(ξ) Impedanzspektrum
Ri thermischer Teilwiderstand im FOSTER-Ersatzschaltbild
ri thermischer Teilwiderstand im CAUER-Ersatzschaltbild
rd differentieller Widerstand der Durchlasskennlinie
RGate Gate-Widerstand
Rthjc thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Grund-
platte
Rthjh thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Kühl-
13
körper
Rth thermischer Widerstand, stationärer Wert
s Wärmespeicherzahl; Variable der Laplace-Transformierten
Si Silizium
T Temperatur in ◦ C, K
t Zeit
Tm mittlere Sperrschichttemperatur
Tcase Grundplattentemperatur des Leistungsmoduls
Tj,F ehler absoluter Messfehler in der Sperrschichttemperatur
Tj Sperrschichttemperatur
TKühlmittel,max maximale Kühlmitteltemperatur
TKühlmittel,min minimale Kühlmitteltemperatur
TKühlmittel Kühlmitteltemperatur
Tm,Einsatz Mittlere Sperrschichttemperatur im realen Einsatz
Tm,T est Mittlere Sperrschichttemperatur im Test
Tmax Maximalwert des Temperaturmessbereichs
ton Einschaltzeit im Lastwechselzyklus
Tref Referenztemperatur bei Messung der thermischen Impe-
danz
Tvj,max maximale virtuelle Sperrschichttemperatur im Zyklus
Tvj,min minimale virtuelle Sperrschichttemperatur im Zyklus
Tvj Sperrschichttemperatur gemessen mit VCE (T)-Methode
u Messunsicherheit
UBD Einsatzspannung des Lawinendurchbruchs
Upn Spannungsabfall am pn-Übergang
US Schleusenspannung der Durchlasskennlinie
UZK Zwischenkreisspannung
V Sperrspannungsklasse in CIPS2008-Gleichung (in 1/100V)
VCE , VCEsat Durchlassspannung am Leistungsbauelement
VDC Zwischenkreisspannung im Wechselrichter
Vf Durchlassspannung der Diode
wB Basisweite im Leistungshalbleiterbauelement
WG Bandlücke
x logarithmische Zeitachse
z Messwerte der thermischen Impedanz als Vektor
Zth,abkühl thermische Impedanz als Abkühlkurve
Zth,auf heiz thermische Impedanz als Aufheizkurve
Zthja thermische Impedanz zwischen Sperrschicht und Kühl-
medium
Zth Thermische Impedanz
EfA Elektrokomponenten für Aktivgetriebe
EMV Elektromagnetische Verträglichkeit
TIM Thermisches Interface-Material
14
15
Vorwort
Die vorliegende Arbeit entstand während meiner Beschäftigung als Wis-

senschaftlicher Mitarbeiter an der Professur für Leistungselektronik und
elektromagnetische Verträglichkeit der Technischen Universität Chem-
nitz. Initiiert wurde die Arbeit durch das Verbundforschungsprojekt „EfA”
(Elektrokomponenten für Aktivgetriebe), an dem als Projektpartner neben
der Technischen Universität Chemnitz folgende Firmen beteiligt waren:
BMW Group, ZF, Liebherr-Elektronik, Infineon Technologies, Kemet.
Dieses Projekt wurde gefördert von BMWi (Bundesministerium für Wirt-
schaft und Technologie), vertreten und betreut durch TÜV Rheinland.
An dieser Stelle möchte ich mich bei allen Projektpartnern für eine gute
und erfolgreiche Zusammenarbeit bedanken.
Mein besonderer Dank gilt meinem Doktorvater Prof. Dr. J. Lutz für
seine fachliche Betreuung. Aufgrund seiner fundierten Kenntnisse auf dem
Gebiet der Zuverlässigkeit der Leistungselektronik ist er international
bekannt und anerkannt, wovon ich während meiner Forschungstätigkeit
sehr profitierte. Er gab mir wichtige fachliche Impulse und motivierte mich
herausfordernde Problemstellungen zu lösen und trug damit zu erfolgrei-
chen Ergebnissen bei. Insbesondere danke ich ihm für die Unterstützung
auf internationalen Fachkonferenzen teilzunehmen.
Mein Dank richtet sich auch an Prof. Dr. A. Lindemann für die Bewertung
der Arbeit und die Erstellung des Zweitgutachtens und Beisitzern Herrn
Dr. Thoben und Herrn Dr. Polenov für die Mitwirkung im Promotions-
verfahren als Beisitzer.
Mein großer Dank gilt der Firma Infineon Technologies für Aufbau und Be-
reitstellung der Leistungsmodule, die im Rahmen dieser Arbeit untersucht
wurden. Herrn Dr. Thoben danke ich außerdem für produktive fachliche
Diskussionen über Ergebnisse dieser Arbeit. Herrn Dr. Bayerer danke ich
für sehr aufmerksames Kontrollieren der experimentellen Testergebnisse.
Ich möchte mich auch bei allen ehemaligen Mitarbeitern der Professur
Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit für eine sehr
gute Zusammenarbeit, interessante Gespräche und fachliche Diskussionen
bedanken. Besonders danke ich den ehemaligen Studierenden Herrn Dipl.-
Ing. C. Herold, Herrn M. Sc. S. Kremp und Herrn Dipl.-Ing. M. Ott, die
mich durch Ihre wissenschaftlichen Arbeiten unterstützt haben. Weiterhin
danke ich Herrn Dipl.-Math. Daniel Wingert für wichtige Anregungen bei
16
mathematischen Problemen zum Thema „Thermische Impdanzspektro-

skopie”.
Für das Korrekturlesen der Arbeit danke ich Herrn Matthias Mühle und
Frau Damaris Mühle.
Meinem aktuellen Arbeitgeber, Siemens AG, danke ich für die finanzielle
Unterstützung, die Ergebnisse meiner Arbeit auf zwei Fachkonferenzen
präsentieren zu können.
Nicht weniger möchte ich meiner Familie und besonders meiner Frau
danken, die mir während der arbeitsreichen Zeit der Promotion zur Seite
gestanden haben und mich unterstützt haben.
Chemnitz, Juni 2012
Alexander Hensler
17
1 Einleitung
1.1 Gründe für Elektro- und Hybridfahrzeuge
Fahrzeuge mit Elektroantrieben sollen in Zukunft die Straßen von Deutsch-

land erobern. Der Grundstein für diese Entwicklung ist von der Politik
in den letzten Jahren gelegt worden. Mit der verfolgten Strategie „weg
vom Öl” wurde der „nationale Entwicklungsplan Elektromobilität der
Bundesregierung” Deutschlands im August 2009 veröffentlicht. Demnach
ist das erste Ziel bis zum Jahr 2020 eine Million Elektrofahrzeuge auf
Deutschlands Straßen zu haben und bis zum Jahr 2030 mehr als fünf
Millionen [15] [17]. Um diese Ziele zu erreichen, werden von der Bundes-
regierung Forschungs- und Entwicklungsprojekte der Automobilindustrie
für neue Fahrzeugkonzepte mit elektrischen Antriebssystemen verstärkt
unterstützt und für potenzielle Fahrzeugkäufer Kaufanreize geschaffen.
Für die Einführung von Elektro- bzw. Hybridfahrzeugen ist einer der
Gründe die Unabhängigkeit vom Erdöl. Die Erdölreserven sind begrenzt
und es ist schwer einzuschätzen, wie lange dieser fossile Energieträger noch
reichen wird [73]. Nicht nur die verbleibenden Reserven sind entscheidend
für die Automobilität, sondern die Diskrepanz zwischen wachsender Erd-
ölnachfrage und maximal möglicher weltweiter Ölförderung, genannt als
globaler „Peak Oil”. Dieser Punkt ist erreicht, wenn alle Erdöllieferanten
in Summe die Ölproduktion nicht mehr steigern können. Laut Studie
der Energy Watch Group [82] wurde dieser Punkt bereits 2006 erreicht,
was mit der Ölpreisentwicklung bestätigt werden kann. Aus dieser Sicht
heraus ist der Umstieg auf alternative Fahrzeugantriebe für die Zukunft
notwendig.
Der zweite und wichtigere Grund für die Elektromobilität ist die Redukti-
on von CO2 -Emissionen. Dieses Ziel trägt zum Klimaschutz bei und soll
die Erderwärmung aufgrund von Treibhausgasen verhindern. Die globale
Erwärmung macht sich bereits deutlich bemerkbar in steigendem Meeress-
piegel, schmelzenden Gletschern und Erdpolen und ausbreitenden Tropen.
Von vielen Klimaforschern wird die Klimaveränderung deutlich mit der
Industrialisierung verbunden bzw. mit von den Menschen verursachten
Treibhausgasemissionen. Der Straßenverkehr trägt einen großen Anteil
dazu bei, wie es in Abbildung 1.1 für Deutschland zu sehen ist. Die elek-
trifizierten Antriebe in Kraftfahrzeugen können den CO2 -Ausstoß stark
reduzieren und zur Lösung dieses globalen Problems einen signifikanten
18 1 Einleitung
Beitrag leisten. Eine wichtige Voraussetzung dafür ist, dass die Energie
für Elektrofahrzeuge regenerativ und emissionsfrei erzeugt wird.
Anteile der CO2-Emissionen in Deutschland
Energieerzeugung Haushalte
und -umwandlung 13%
41%
Verkehr
19%
Gewerbe,
Handel,
Dienstleistung
Industrie 6%
21%
Quelle: DAT Deutschland, 2009
Abbildung 1.1: CO2 -Emissionen in Deutschland
1.2 Technologische Herausforderungen
Das ideale Ziel der Elektromobilität-Politik ist das Null-Emissionen-

Fahrzeug, welches gegenüber den heutigen Fahrzeugen mit Verbrennungs-
motor keine wesentlichen technischen und wirtschaftlichen Nachteile hat.
Theoretisch ist das mit einem Elektrofahrzeug zu einem akzeptablem
Kaufpreis möglich, wobei dafür die elektrische Energie aus Wind-, Wasser-
oder Sonnenkraftwerken geliefert wird. Die wohl größte Herausforderung
stellt dabei der Energiespeicher im Fahrzeug dar. Die heutigen elektroche-
mischen Energiespeicher sind für den breiten Einsatz der Elektromobilität
nicht gerüstet. Diese sind noch zu teuer, zu schwer, haben keine aus-
reichende Lebensdauer im Fahrzeugeinsatz, brauchen lange Ladezeiten,
ermöglichen nur eine geringe Reichweite und müssten auch noch aus Sicht
der Sicherheit verbessert werden [17]. Viele dieser Punkte haben in der
Autogeschichte am Anfang des zwanzigsten Jahrhunderts dazu geführt,
dass auf den Straßen damals überlegene Elektrofahrzeuge von den Fahr-
zeugen mit einem Verbrennungsmotor schnell verdrängt wurden. Seit
schon mehr als 100 Jahren besteht dieses Problem des Energiespeichers
im Elektrofahrzeug. In dieser Zeitspanne hat die Batterie eine merkliche
Verbesserung erfahren, aber nur in der Form einer Evolution nicht jedoch
1.3 Gegenstand und Ziel der Arbeit 19
einer Revolution. Ein leichtes sicheres batteriegespeistes Elektrofahrzeug

mit einer vergleichbar großen Reichweite und zu einem konkurrenzfähigen
Preis bleibt vermutlich noch lange für Wissenschaftler und Ingenieure ein
weit entferntes Ziel.
Eine mögliche langfristige Zwischenlösung für dieses Problem sind Elek-
trofahrzeuge mit geringer Reichweite für den städtischen Verkehr oder für
tägliche Kurzstreckenfahrten und Hybridfahrzeuge mit einer großen Reich-
weite. Dieses Mobilitätskonzept kann auch in einem Fahrzeug kombiniert
werden, welches als „Plug-In-Hybrid” bezeichnet wird [4]. Dieses Fahrzeug
ist so ausgelegt, dass es kurze Strecken rein elektrisch fährt, bei längeren
Fahrten springt der zusätzliche Verbrennungsmotor an und lädt die Batte-
rie nach. Für dieses Konzept sprechen aktuelle Statistiken. So haben z.B.
63 % aller Fahrten in Deutschland eine Fahrtstrecke unter 50 km pro Tag
[22]. Die meisten davon sind im städtischen Verkehr. Mit der Reichweite
des Elektrofahrzeugs von 100 km können sogar statistisch gesehen 90%
aller Fahrten abgedeckt werden [63]. Doch auch dafür müssen noch einige
Probleme gelöst werden. Die Infrastruktur für die Energieversorgung der
Ladestationen muss ausgebaut werden. Die emissionsfreie Stromerzeugung
aus regenerativen Energiequellen muss sichergestellt werden. Und eines
der wichtigen Ziele ist die Konkurrenzfähigkeit zu herkömmlichen Antrie-
ben, damit sich diese Autos schnell durchsetzen und zum Umweltschutz
beitragen können. Die wirtschaftliche Hybridisierung der Fahrzeuge kann
realisiert werden, wenn neben hohen Batteriekosten die Kosten für die
Leistungselektronik und deren Fahrzeugintegration und Kühlung reduziert
werden. In diesem Punkt gibt es ein großes Verbesserungspotential.
1.3 Gegenstand und Ziel der Arbeit
Für die Kühlung der Leistungselektronik im Hybridfahrzeug wird heute

ein separater Kühlkreislauf verwendet. Dieser ist vom Kühlkreislauf des
Verbrennungsmotors getrennt und hat eine niedrigere Temperatur im
Vergleich zum Kühlkreislauf des Verbrennungsmotors. Diese niedrigere
Temperatur ist notwendig um die maximale Sperrschichttemperatur des
Leistungsmoduls und die Belastung mit großen Temperaturhüben niedrig
zu halten und somit die Zuverlässigkeit der Leistungselektronik während
der ganzen Lebensdauer des Hybridautos zu garantieren. Gewicht und
Kosten können eingespart werden, wenn die Leistungselektronik mit dem
Kühlmittel des Verbrennungsmotors gekühlt werden kann bei gleichzei-
tiger Erhöhung der Leistungsdichte. Das kann mit der auf dem Markt
vorhandenen Technologie nicht realisiert werden.
Für die Entwicklung einer sehr kompakten Leistungselektronik-Einheit,
20 1 Einleitung
die in einem Hybridfahrzeug in den Kühlkreislauf des Verbrennungsmotors

integriert werden kann, wurde ein Forschungsprojekt „EfA - Elektrokom-
ponenten für Aktivgetriebe” vom Projektträger BMWi, vertreten durch
TÜV Rheinland, gefördert. Die Schwerpunkte der Forschungsarbeit im
EfA-Projekt waren [80]:
• kompakter Wechselrichter mit sehr hoher Leistungsdichte
• Kühlung, die eine platzsparende Einbindung in die Infrastruktur
des Fahrzeuges zulassen
• Zwischenkreiskondensator für Kühlmitteltemperaturen von bis zu
125◦ C
• Aufbau- und Verbindungstechnik der Leistungselektronik für Kühl-
mitteltemperaturen von bis zu 125 ◦ C und Sperrschichttemperaturen
von bis zu 200◦ C
Der letzte Schwerpunkt des EfA-Projektes ist der Gegenstand der vor-
liegenden Arbeit. Der Ausgangspunkt ist die Vorstellung des neuen Hy-
bridantriebskonzeptes. Für diese Applikation werden die Anforderungen
an die Temperatur- und Lastwechselfestigkeit der Leistungsmodule er-
mittelt. Danach werden in dieser Arbeit entwickelte Messmethoden und
Teststände für Lastwechselprüfungen beschrieben. Im experimentellen
Teil dieser Arbeit werden die Ergebnisse der Lastwechseltests bei Sperr-
schichttemperaturen bis zu 200◦ C präsentiert. Bei diesen Tests ist der
Schwerpunkt die Untersuchung neuer Aufbau- und Verbindungstechno-
logien im Vergleich zu Standard-Leistungsmodulen. Die Vorgehensweise
innerhalb dieser Arbeit ist in Abbildung 1.2 dargestellt. Die Zwischen-
ergebnisse der Arbeit wurden in [39], [37], [40], [41], [95], [38], [43], [42],
[36] und [44] veröffentlicht.
Integrationskonzept im
Hybridfahrzeug
Applikation und
Anforderungen
Anforderungen an die
Leistungselektronik
Messmethoden
Entwicklung der Teststände
Teststände
Lastwechseltests mit aktuellen

und neuen Leistungsmodulen
Experimentelle
Lastwechseluntersuchungen
Lebensdauervergleich, Analyse
Abbildung 1.2: Vorgehensweise innerhalb dieser Arbeit

21
2 Anforderungen an die Leistungselektronik

in Hybridfahrzeugen
2.1 Optimale Integration der Leistungselektronik im

Fahrzeug
Ausgehend von den erläuterten Gründen für die Elektromobilität ist das
wichtigste Ziel der Hybridfahrzeugentwicklung eine möglichst schnelle
und wirtschaftliche Hybridisierung aller Fahrzeugklassen. Um das zu er-
reichen ist der Ansatz nicht ein komplett neues Fahrzeug zu entwickeln,
sondern bereits auf dem Markt vorhandene Fahrzeugmodelle zu modifizie-
ren und mit zusätzlichem elektrischen Antrieb auszustatten. Bei dieser
Vorgehensweise besteht die Problematik der Integration der zusätzlichen
Fahrzeugkomponenten.
Des Weiteren erschwert die Variantenvielfalt der Fahrzeuge eine flächen-
deckende Hybridisierung. Es sollen sowohl Kleinwagen als auch Oberklas-
senwagen hybridisiert werden, wobei insbesondere bei kleinen Fahrzeugen
ein relativ geringer zusätzlicher Bauraum zur Verfügung steht.
Nach dem Stand der Technik sind zwei unterschiedliche Ansätze zur
Integration der Leistungselektronik bekannt (siehe Abbildung 2.1). In der
ersten Lösung ist die Leistungselektronik eine separate Einheit und von
der elektrischen Maschine entfernt im Fahrzeug platziert.
Vorteile:
• Hohe Flexibilität bei Änderungen
• Möglichkeit für getrennte Vormontage und Prüfung
• Gute Skalierbarkeit
Nachteile:
• Meist lange geschirmte Wechselstromleitungen zwischen E-Maschine
und Leistungselektronik
• Aufwendige EMV-Maßnahmen notwendig
• Hoher Bauraumbedarf
• Fahrzeugspezifische Bauweise
• Viele Schnittstellen
• Relativ hohes Gewicht
22 2 Anforderungen an die Leistungselektronik in Hybridfahrzeugen
El. Maschine El. Maschine

Leistungselektronik Leistungselektronik
Externe Einheit Vollintegration
Abbildung 2.1: Integrationsansätze der Leistungselektronik [99]
Demgegenüber steht die Vollintegration. Bei dieser Lösung wird die Leis-
tungselektronik konzentrisch meist außen im Gehäuse der elektrischen
Maschine untergebracht. Diese Anordnung kann wie folgt bewertet werden.
Vorteile:
• Keine Wechselstromleitungen zwischen E-Maschine und Leistungs-
elektronik
• Weniger EMV-Störungen als bei der externen Einheit
• Kompakte Bauweise
• Plattformübergreifender Einsatz als Getriebevariante möglich
• Wenig Schnittstellen
• Relativ niedriges Gewicht
Nachteile:
• Änderungen aufwendig
• Funktionsprüfung nur mit Gesamtgetriebe möglich
• Nur bedingt skalierbar
Diese Lösungen stellen zwei Extrema dar. Es ist kaum möglich alle Vorteile
beider Varianten bei der Integration der Leistungselektronik im Hybrid-
fahrzeug zu vereinen. Die beste Integrationslösung ist ein Optimum, wobei
die wichtigsten Vor- und Nachteile beider Seiten berücksichtigt sein sollen.
Basierend auf diesem Ansatz wurde eine neue Lösung für die optimale
2.1 Optimale Integration der Leistungselektronik im Fahrzeug 23
Leistungselektronikintegration in [99] vorgestellt. Der Bauraum inner-

halb eines serienmäßig eingesetztem Automatikgetriebes wird dort als
optimal zwischen der Vollintegration und der separaten Einheit bewertet.
Für dieses neue Konzept wurde aus dem Standard-Automatikgetriebe
der mechanische Wandler entfernt und stattdessen in diesem Raum die
elektrische Maschine mit der Kupplung integriert und von der unteren
Fahrzeugseite die Leistungselektronik angeflanscht [81], [80], [79]. Diese
Anordnung ist in der Abbildung 2.2 dargestellt. Innerhalb des Bauraumes
für die Leistungselektronik mit dem Volumen von 1,8 Liter befinden sich
Leistungsmodul mit der dreiphasigen Wechselrichterschaltung, Zwischen-
kreiskondensator, Strom- und Spannungssensoren, Sicherheitsbeschaltung
und Regelungselektronik.
Mit dieser Topologie besteht nahezu eine Bauraumneutralität im Vergleich
zu heutigen Antriebssträngen. Da die Leistungselektronik direkt an die
elektrische Maschine angeschlossen wird, entfallen lange Zuleitungen für
den dreiphasigen Wechselstrom. Damit werden Gewicht und Kosten einge-
spart und der Aufwand für die EMV-Maßnahmen stark reduziert. Für den
Automobilhersteller bzw. den Zulieferer sinkt der Produktionsaufwand
aufgrund der Möglichkeiten zur einfachen Vormontage und der separaten
Prüfung losgelöst vom ganzen Getriebe. Des Weiteren vereinfachen sich
Service- und Reparaturarbeiten an der gesamten Getriebeglocke. Hervorge-
hoben werden soll aber neben all den genannten Punkten die Möglichkeit
zum plattformübergreifenden Einsatz als eine Getriebevariante. Dieses
Aktivgetriebe könnte in vielen heutigen Fahrzeugklassen ohne viel Än-
derungsaufwand implementiert werden. Somit wäre das Ziel einfacher
zu erreichen, möglichst schnell viele Hybridfahrzeuge auf die Straße zu
bringen. Ein Nachteil dieser neuen Leistungselektronikintegration ist der
relativ kleine Bauraum. Dadurch sind Skalierung und Änderungen im
Rahmen der Weiterentwicklung stark eingeschränkt.
Die Leistungselektronik wird in den Kühlkreislauf des Verbrennungsmotors
integriert. Die Kühlmitteltemperatur beträgt nach den Anforderungen des
EfA-Projektes nominal 105◦ C und kann in extremen Fällen bis zu 125◦ C
erreichen [61]. Für eine hohe Leistungsdichte wird in dieser Anwendung
200◦ C für die maximale Sperrschichttemperatur der Leistungsbauelemente
gefordert.
Getriebe Leistungselektronik
Abbildung 2.2: Optimale Systemintegration der Leistungselektronik im
Getriebe [99]
2.2 Leistungshalbleitermodul
2.2.1 Zuverlässigkeitsproblematik
Für den vorgestellten Integrationsansatz der Leistungselektronik im Hy-

bridfahrzeug eignet sich am besten der Einsatz eines Leistungshalbleiter-
moduls, die auch als Leistungsmodule bezeichnet werden. Leistungsmodule
werden üblicherweise ab einer Leistung von einem Kilowatt eingesetzt
[19]. Deren Funktionen sind es eine robuste elektrische Kontaktierung zu
ermöglichen, gegen Kühlkörper elektrisch zu isolieren, gleichzeitig eine
gute Kühlung für Leistungshalbleiterbauelemente zu gewährleisten und
vor schädlichen Umweltbedingungen zu schützen. Der prinzipielle Aufbau
ist in Abbildung 2.3 dargestellt.
Bonddrahtverbindung (Al)
Chip-Metallisierung (Al)
Chip (Si, SiC)
Chipverbindung (Lot)
Substrat-Metallisierung (Cu, Al)
Keramik (Al2O3, AlN)
Substrat-Metallisierung (Cu, Al)
Systemverbindung (Lot)
Grundplatte (Cu, AlSiC)
Wärmeleitmaterial (Paste, Folie)
Kühlkörper (Cu, Al)
Abbildung 2.3: Prinzipieller Leistungsmodulaufbau
In diesem Aufbau sind verschiedene Materialien miteinander verbunden,

2.2 Leistungshalbleitermodul 25
die unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten haben. Dies ist die Haupt-

ursache für die Zuverlässigkeitsproblematik bei Temperaturwechseln. Die
Tabelle 2.1 gibt die Werte für oft eingesetzte Materialien.
Tabelle 2.1: Ausdehnungskoeffizienten der häufig verwendeten Materialien

[58]
Material Abkürzung Ausdehnungskoeffizient
in 10-6 ·K-1
Aluminium Al 23,5
Silizium Si 2,6
Kupfer Cu 17,5
Aluminiumoxid Al2 O3 6,8
Aluminiumnitrid AlN 4,7
Aluminium-Siliziumkarbid AlSiC 7,5
Bei der Erwärmung des Leistungsmoduls dehnen sich verbundene Mate-

rialien unterschiedlich aus und es kommt zu Spannungen bzw. Dehnungen
in den Verbindungsschichten. Bei den üblichen Temperaturzyklen im
Leistungsmodul erreichen die Belastungswerte der Lote und Bonddrähte
den plastischen Bereich [13], [92]. Die Hystereseschleife im Spannungs-
Dehnungs-Diagramm schließt dabei eine Fläche ein und es wird eine
Verformungsenergie umgesetzt. Dies führt zur Materialermüdung bzw.
zur Rissbildung und schließlich zum Versagen des elektrischen oder des
thermischen Pfads im Leistungsmodul.
Grundsätzlich werden in der Forschung und Entwicklung zwei Wege ver-
folgt um die Temperaturwechselfestigkeit der Leistungsmodule zu erhöhen.
Eine Möglichkeit davon ist die Anpassung der Ausdehnungskoeffizienten
verbundener Materialien. Dies ist z.B. beim Aluminium-Siliziumkarbid
(AlSiC) als Grundplattenmaterial möglich. Je nach Zusammensetzung der
Materialanteile lässt sich der Ausdehnungskoeffizient an das Keramikmate-
rial anpassen. Die beste Anpassung gelingt dabei an die Aluminiumnitrid-
Keramik. AlSiC hat jedoch im Vergleich zu Kupfer eine niedrigere Wär-
meleitfähigkeit. Für die Stromtragfähigkeit des Leistungsmoduls ist es
von Nachteil.
Der zweite Ansatz zur Erhöhung der Zuverlässigkeit ist die Verbesserung
der Verbindung zwischen den zu verbindenden Modulschichten. Neben
den Ausdehnungskoeffizienten müssen hier andere Parameter betrachtet
werden. Eine der entscheidendsten Einflussgrößen ist die homologe Tempe-
ratur. Diese Größe ist das Verhältnis von der Einsatz- zur Schmelztempera-
tur des Verbindungsmaterials in Kelvin. Zum Beispiel für Chipverbindung
aus der Abbildung 2.3 werden bleifreie Zinn-Silber-Lote SnAg(3.5) mit
dem Schmelzpunkt von 221◦ C eingesetzt. Hierfür beträgt die homologe

Temperatur für 150◦ C Chiptemperatur von 0,86. Als mechanisch stabil
gilt der Arbeitspunkt mit einer homologen Temperatur kleiner 0,4 [58].
Des Weiteren hat die Geometrie der Verbindungsschicht einen Einfluss auf
die Zuverlässigkeit. Je größer die Verbindungsfläche ist, desto größer wird
die mechanische Belastung bei Temperaturwechseln. Besonders ausgeprägt
ist dieser Effekt in Lötverbindungen, die sich stark plastisch verändern. In
diesen Schichten wird nur wenig Spannung aufgenommen und es kommt
deswegen zu einer starken Dehnung und Ermüdungserscheinungen an den
Flächenrändern. Bekannt ist auch der Einfluss der Dicke der Lotschicht
auf das Risswachstum innerhalb der Verbindungsschicht [18]. In [26]
wird gezeigt, dass für die Systemverbindung eine optimale Schichtdicke
existiert und sowohl eine zu dünne als auch eine zu dicke Lotschicht zu
einer größeren Rissfortschrittsgeschwindigkeit führen.
2.2.2 Fehlermechanismen und Lebensdauermodelle
In Leistungsmodulen treten aufgrund der Temperaturwechselbelastung

unterschiedliche Fehlermechanismen auf. Der für die Lebensdauer be-
stimmende Fehler ist abhängig von der Aufbau- und Verbindungstechnik.
Auch die Art der Temperaturwechsel, aktiv oder passiv, sind entschei-
dend (siehe Abbildung 2.4). Nach dem Stand der Forschung sind folgende
Fehlermechanismen bekannt ([12], [1], [16], [39]):
• Bonddrahtfehler (Bonddrahtabgang oder ”Fersenbruch”)
• Degradation der Chipverbindung
• Degradation der Verbindung zwischen Keramiksubstrat und Grund-
platte
• Ablösung der Substratmetallisierung
• Rekonstruktion der Chipmetallisierung
• Chipbruch
• Gate-Kurzschluss
• Anstieg des Sperrstromes
Bei Standard-Leistungsmodulen sind die drei ersten Fehlermechanismen
für die Lebensdauer entscheidend [57]. Der Bonddrahtfehler und die
Degradation der Chipverbindung bestimmen die Zuverlässigkeit bei kurzen
aktiven Temperaturzyklen. Die Degradation der Systemverbindung tritt
überwiegend bei passiven Zyklen oder langen aktiven Zyklen auf.
In der Fachliteratur wird die Zuverlässigkeit der Leistungsmodule für
die aktiven bzw. passiven Zyklen mit folgenden analytischen Modellen
beschrieben. Diese Modelle beruhen auf experimentell ermittelten Daten
2.2 Leistungshalbleitermodul 27
und werden deshalb auch als empirische Lebensdauermodelle bezeichnet.

Das erste Modell aus [35] beschreibt die Zuverlässigkeit bei aktiven Zy-
klen in Abhängigkeit von der mittleren Sperrschichttemperatur und dem
Temperaturhub, den die Sperrschicht während eines Zyklus erfährt (siehe
Gleichung 2.1). Dieses Modell wird auch als LESIT-Gleichung bezeichnet.
In dieser Gleichung ist R (8, 314J/(mol · K)) die Gaskonstante. Parameter
Q und α sind Konstanten, die für die Aufbau- und Verbindungstechnik
des Leistungsmoduls experimentell bestimmt werden müssen. Die Para-
meter Tm (mittlere Sperrschichttemperatur auf der Kelvinskala) und ∆Tj
(Temperaturhub der Sperrschicht) sind die Randbedingungen der aktiven
Temperaturzyklen.
Q
Nf = A · ∆Tjα · e( R·Tm ) (2.1)
Die CIPS2008-Gleichung 2.2 aus [3] beschreibt die Lebensdauer der Leis-
tungsmodule in Abhängigkeit von folgenden Parametern: Temperaturhub
der Sperrschicht (∆Tj in K), minimale Sperrschichttemperatur im Lastzy-
klus (Tj in ◦ C), Einschaltzeit (ton in s), Stromstärke pro Bondfuß (I in A),
Spannungsklasse des Halbleiterchips (V in 1/100V der Sperrspannung),
Durchmesser des Bonddrahts (D in µm).
β2
Nf = K · ∆Tjβ1 · e Tj +273 · tβon3 · I β4 · V β5 · Dβ4 (2.2)
Sowohl die LESIT-Gleichung als auch die CIPS2008-Gleichung haben Ter-

me, die die Zusammenhänge des Cofin-Manson-Models und der Arrhenius-
Gleichung berücksichtigen. Das Cofin-Manson-Model beschreibt die Zu-
verlässigkeit der Materialien bei zyklischer plastischer Verformung und
die Arrhenius-Gleichung die Veränderung der Materialeigenschaften bei
Änderung der Temperatur. Diese Teile der Gleichung enthalten ∆Tj und
Tm bzw. Tj . Diese Parameter haben den stärksten Einfluss auf die Le-
bensdauer der Leistungsmodule [3]. In der CIPS2008-Gleichung wurden
zusätzliche und für die Materialermüdung wichtige physikalische Vor-
gänge wie Kriechen und Relaxationsvorgänge berücksichtigt. Auch der
Einfluss geometrischer Abmessungen wie Chipdicke oder Kontaktfläche
des Bonddrahts werden in Betracht gezogen. Jedoch sind die einzelnen
Parameter in der Gleichung zum Teil voneinander abhängig. So führt z.B.
in einem Lastwechsel größerer Strom pro Bondfuß I zu einem größeren
Temperaturhub ∆Tj , ebenso hängt ∆Tj mit der Einschaltzeit ton zusam-
men. Eine klare Trennung dieser Parameter ist nicht möglich. Deshalb ist
eine physikalische Interpretation der Einflüsse anhand der einzelnen Glei-
chungsparameter, die für diese Gleichung anhand statistischer Auswertung
ermittelt wurden, nicht eindeutig. Diese Gleichung dient im Vergleich zur
LESIT-Gleichung einer genaueren Lebensdauerabschätzung bei aktiver
Temperaturwechselbelastung.
Mit Gleichungen 2.1 und 2.2 ist es nicht möglich in Abhängigkeit von
den Belastungsbedingungen auf einen bestimmten Fehlermechanismus
zu schließen. Zwei weitere bekannte Modelle beziehen sich dagegen auf
einen bestimmten Fehlermechanismus. Gleichung 2.3 aus [46] beschreibt
die Lebensdauer der Systemverbindung bei passiven Temperaturzyklen.
Dieses Modell basiert auf das Cofin-Manson-Gesetz.
−4,5
∆Tcase
Nf = Ncyc (∆Tcase = 80K) · (2.3)
80
Der Parameter Ncyc (∆Tcase = 80K) ist dabei abhängig von der Verbin-
dungstechnologie des Leistungsmoduls. Für heutige Leistungsmodule mit
Kupfer-Grundplatte variiert dieser Parameter zwischen 3000 und 15000.
Ein anderes Modell (Gleichungen 2.4 und 2.5) aus [24] beschreibt die
Lebensdauer des Bonddrahtes. Damit wird nur der Bonddrahtabgang be-
schrieben und hierfür die plastische Verformung ∆εpl des Bonddrahts bei
der Erwärmung um den Temperaturhub ∆T vereinfacht betrachtet. Für
die Ermittlung von ∆εpl dienen Ausdehnungskoeffizienten (αSi , αAl ), me-
chanische Spannung (σyAl ) und Elastizitätsmodule (E Si , E Al ). Werte a und
b sind Konstanten, die anhand der Testergebnisse ermittelt werden. Diese
Gleichung basiert ebenfalls auf dem Cofin-Manson-Gesetz. Der Einfluss der
absoluten Temperatur, wie in der LESIT- und der CIPS2008-Gleichung,
wird in dieser Veröffentlichung anhand experimenteller Untersuchungen
in Hinsicht auf den Bonddrahtabgang nicht bestätigt.
Nf = a · ∆εbpl (2.4)
!
σyAl σyAl
∆εAl
pl = (α Al Si
− α ) · ∆T − 2 · + (2.5)
E Si E Al
Außer den beschriebenen analytischen Lebensdauermodellen wird aktu-

ell für Leistungsmodule ein physikalisch basiertes Lebensdauermodell
erforscht ([50], [9]). Dieses Modell beschreibt die Zuverlässigkeit der Leis-
tungsmodule unter der Annahme, dass die Lebensdauer nur von der
Degradation der Lotschicht bestimmt wird. In [34] wird außerdem nur der
Bonddrahtfehler betrachtet und ein anderer physikalisch basierter Ansatz
vorgestellt.
2.3 Ermittlung der Anforderungen 29
2.3 Ermittlung der Anforderungen
2.3.1 Definition der Temperaturzyklen
Die vorgestellte Applikation stellt an die Leistungselektronik bezüglich

der Temperatur- und Lastwechselfestigkeit neue Anforderungen. Für die
Kühlung der Leistungselektronik wird kein separater Niedertemperatur-
Kühlkreislauf vorgesehen, wie es heute in den serienmäßigen Hybridfahr-
zeugen der Fall ist. Die Kühlung wird einfach mit Hilfe eines parallelen
Zweiges aus dem Kühlkreislauf des Verbrennungsmotors realisiert. Die
nominelle Kühlmitteltemperatur des Verbrennungsmotors im stationären
Zustand beträgt 105◦ C, in extremen seltenen Betriebspunkten muss von
125◦ C ausgegangen werden ([39], [61]). Um mit diesem hohen Kühlmittel-
temperaturniveau die geforderte hohe Leistungsdichte des Wechselrichters
zu erreichen, muss die maximal zulässige Sperrschichttemperatur im
Vergleich zu den heutigen Standardanwendungen angehoben werden. Ge-
fordert wird eine maximale Sperrschichttemperatur von 200◦ C. Für diese
hohen Temperaturen sollen im Nachfolgenden die genauen Anforderungen
an die Temperatur- bzw. Lastwechselfestigkeit abgeschätzt werden.
Die im Kühlkreislauf des Verbrennungsmotors integrierte Leistungselek-
tronik ist unmittelbar den Temperaturschwankungen des Kühlmittels
ausgesetzt. Bei einem vollständigen Warmlauf des Verbrennungsmotors
erwärmt sich das Kühlmittel von der Umgebungstemperatur auf die no-
minelle Kühlmitteltemperatur von 105◦ C, die während der Weiterfahrt
mit Hilfe eines Temperaturreglers konstant gehalten wird. Nachdem die
Fahrt beendet ist und danach das Fahrzeug ausreichend lange steht, kühlt
sich das ganze System wieder auf die Umgebungstemperatur ab. So eine
typische Fahrt belastet die Leistungselektronik mit passiven Temperatur-
zyklen.
Zu den passiven Temperaturzyklen überlagern sich aufgrund der Verlus-
te in den Leistungsbauelementen zusätzliche Temperaturzyklen, welche
durch Lastwechsel erzeugt werden. Für den Arbeitspunkt der maximalen
Beschleunigung oder Rekuperation des Hybridfahrzeugs ist die Leistungs-
elektronik in der Regel so ausgelegt, dass in diesem Betrieb die Sperr-
schicht bei der maximalen Kühlmitteltemperatur die maximal zulässige
Sperrschichttemperatur erreicht.
In Abbildung 2.4 ist beispielhaft ein vollständiger Temperaturzyklus
dargestellt.
Es gibt drei unterschiedliche Gruppen der Temperaturzyklen, welche jede
für sich eine andere Belastungsart im Leistungsmodul darstellt: passiv
(Temperaturwechsel), aktiv (Lastwechsel) und überlagert. Die erste Grup-
200 Sperrschichttemeperatur
180
160
140 aktiv
Temperatur in °C
120
überlagert
100
80
passiv
60 Kühlmitteltemperatur
40 Umgebungstemperatur
20 Zeit
0 vollständiger Betriebszyklus
Abbildung 2.4: Beispielhafte Temperaturbelastung des Leistungsmoduls

im Hybridfahrzeug
pe sind Temperaturwechsel aufgrund der schwankenden Kühlmitteltempe-

ratur. Diese Zyklen belasten insbesondere die großflächige Verbindung des
Leistungsmoduls zwischen Keramik und Grundplatte. Die überlagerten
Temperaturzyklen und die rein aktiven Zyklen stellen die Belastung für
chipnahe Verbindungen dar.
Der Ausgangspunkt für die nachfolgende Ermittlung der Anforderung
sind reale Temperaturprofile im Leistungsmodul eines Hybridfahrzeugs.
Diese Betriebsbedingungen werden mit heutigen analytischen Lebensdau-
ermodellen auf beschleunigte Zuverlässigkeitstests umgerechnet. Die erste
Anforderung sind passive Temperaturzyklen, wobei hier das Lebensdauer-
modell für die großflächige Verbindung zwischen Keramik und Grundplatte
verwendet wird. Bei aktiven Zyklen wird die Lebensdauergleichung für
chipnahe Verbindungen verwendet. Die so ermittelten Zyklen können als
ein Kriterium für die Bewertung der Zuverlässigkeit der Leistungsmodule
bei beschleunigten Labortests verwendet werden.
2.3.2 Passive Temperaturzyklen
Für die Abschätzung der Anforderungen an die passiven Zyklen bei hoher
Kühlmitteltemperatur soll zunächst die Umgebungstemperatur betrachtet
werden. Diese Temperatur bestimmt direkt die Starttemperatur und somit
die Temperaturwechsel der Leistungselektronik. Das Temperaturprofil ist
vom Einsatzort des Fahrzeugs abhängig. In Abbildung 2.5 sind Tempera-
turtageswerte für zwei Orte Deutschlands gezeigt. Diese Temperaturen
sind die vom Wetterdienst aufgezeichnete Tagesminima, die 5 cm über
dem Erdboden gemessen wurden. Bezüglich der Umgebungstemperatur
sind diese Orte zwei Extrempunkte.
Minimale Temperaturtageswerte 2010

25
20
15 Konstanz
10
Temperatur in °C
5
0
-5
-10
-15 Zugspitze
-20
-25
-30
01. Jan 31. Dez
Abbildung 2.5: Verläufe der minimalen Temperaturtageswerte, gemessen

5cm über dem Erdboden, Daten aus [14]
Die Belastung mit den passiven Temperaturzyklen, die aufgrund der

schwankenden Umgebungs- und Kühlmitteltemperaturen hervorgerufen
wird, kann mit Hilfe dieser Umgebungstemperaturprofile abgeschätzt
werden. Dafür wird angenommen, dass das Fahrzeug für 15 Jahre Lebens-
dauer ausgelegt wird und innerhalb dieser Zeit täglich zwei Fahrten mit
vollständigem Betriebszyklus bzw. Warmlauf absolviert werden.
Die Temperaturtageswerte aus Abbildung 2.5 wurden in 5◦ C Schritte
unterteilt und die Häufigkeitsverteilung der Starttemperaturen für das
Fahrzeug bestimmt. Abbildung 2.6 zeigt die ermittelten statistischen
Verteilungen für zwei gewählte Orte. Diese Profile sind verglichen mit den
Anforderungen des Automobilherstellers BMW aus [39].
Statistische Verteilung der Fahrzeugstarts

3500
Anzahl kompletter Warmläufe
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
-40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Starttemperatur in °C
Zugspitze Konstanz Anforderung BMW
Abbildung 2.6: Verteilung der Fahrzeugstarts in Abhängigkeit der Umge-

bungstemperaturen
Für einen bestimmten Temperaturhub aus der Verteilung der Fahrzeug-

starts können die Testzyklen für beschleunigte Labortests mit Gleichung
2.6 berechnet werden. Für die Gesamtanzahl der Testzyklen werden alle
auftretenden Temperaturhübe mit Hilfe der Gleichung 2.7 bestimmt. Für
diese Umrechnung wird das analytische Lebensdauermodell verwendet,
welches nur die Degradation der Systemverbindung berücksichtigt. Die-
ser Fehlermechanismus ist bei passiven Zyklen für die Lebensdauer der
Leistungsmodule entscheidend.
NEinsatz
NT est = a (2.6)
∆TEinsatz
∆TT est
X NEinsatz
NT est,Gesamt = a (2.7)
∆TEinsatz
∆TEinsatz ∆TT est
Der Parameter a ist dabei abhängig von der Verbindungstechnologie.

In [94] wird für bleifreie Lötverbindungen der Bereich von –2,5 bis –2
angegeben, in [46] liegt der Wert für alle heutigen Standard-Module mit
Kupfer-Grundplatte bei –4,5. Mit diesen Parametern wurde die Abschät-
zung der Anforderungen an die passiven Zyklen bei 105◦ C Kühlmitteltem-
peratur und mit den in Abbildung 2.6 angegebenen Zyklenverteilungen
durchgeführt. Zu der nominellen Kühlmitteltemperatur wurde noch der
Anteil berücksichtigt, der durch die Verlustleistung im Leistungsmodul
verursacht wird. Aufgrund des thermischen Übergangswiderstands zwi-
schen der Leistungsmodul-Grundplatte und dem Kühlmedium wird die
Grundplattentemperatur eine geringfügig höhere Temperatur aufweisen.
In [94] wird dieser Anteil bei 70◦ C Kühlmitteltemperatur mit 15K angege-
ben. Bei 105◦ C Kühlmitteltemperatur und höherer Leistungsdichte ist ein
größerer Wert zu erwarten. Deshalb wurde für die Abschätzung angenom-
men, dass die Grundplatte des Leistungsmoduls bei jedem kompletten
Betriebszyklus einen Temperaturwechsel zwischen Umgebungstemperatur
und 125◦ C erfährt.
In Abbildung 2.7 ist die Ermittlung der Testzyklen in Abhängigkeit vom
Temperaturhub ∆Tpassiv durchgeführt. Die Kurven sind für zwei gewählte
Parameter a = −4, 5 und a = −2 aufgezeichnet. Mit Hilfe dieser Kurven
ist zu sehen, dass je kleiner der Betrag des Parameters a ist, desto geringer
wirken sich die Unterschiede der Umgebungsbedingungen auf die Anforde-
rungen aus. Des Weiteren ist zu sehen, dass für höhere Temperaturhübe
kleinere Parameter a höhere Testanforderungen bedeuten. Im Vergleich
zu den ermittelten Anforderungen ist die Lebensdauerkurve der heutigen
Leistungsmodule bei passiven Temperaturzyklen aufgezeichnet. Hierzu
wurde die Gleichung 2.8 verwendet, wobei die Parameter dieser Gleichung
für heutige Industrie-Leistungsmodule mit Kupfer-Grundplatte gelten.
−4,5
∆Tcase
Nf = 15000 · (2.8)
80
Mit dieser Vorgehensweise kann mit gegebenem Parameter a für eine

bestimmte Verbindungstechnologie die Anforderung an die Temperatur-
wechselfestigkeit abgeleitet werden. Die ermittelte Zyklenzahl muss mit
beschleunigten Labortests mindestens erreicht werden, um die Zuverläs-
sigkeit in der realen Anwendung zu gewährleisten.
2.3.3 Aktive und überlagerte Temperaturzyklen
Die aktiven und überlagerten Temperaturzyklen des beispielhaften Tem-

peraturprofils aus Abbildung 2.4 wurden ähnlich nach der Vorgehensweise
Anforderung an die Temperaturwechselfestigkeit

1,0E+06
1,0E+05
Anzahl Zyklen
1,0E+04
a=-2
1,0E+03 a=-4,5
1,0E+02
40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
∆Tpassiv
Zugspitze
Konstanz
Anforderung BMW
Standard-Leistungsmodule mit Cu-Grundplatte (Stand 2011)
Abbildung 2.7: Anforderung an die Temperaturwechselfestigkeit bei passi-

ven Zyklen
bei passiven Temperaturwechseln auf aktive Lastwechsel-Bedingungen

umgerechnet. Die ermittelte Anzahl von Testzyklen muss unter Laborbe-
dingungen mit Hilfe der Lastwechseltests nachgewiesen werden. Die genaue
Bestimmung dieser Testzyklen ist jedoch aufwendig. Die grundsätzliche
Vorgehensweise ist in [25] und [11] beschrieben. Ein etwas modifizierter
Ablauf dieser Anforderungsabschätzung ist in Abbildung 2.8 dargestellt.
Es wird in Abbildung 2.8 deutlich, dass für eine genaue Abschätzung viele
Faktoren berücksichtigt werden müssen. Primär wird das Temperaturprofil
im Leistungsmodul vom Fahrzeug-Fahrprofil vorgegeben. Dieses Profil ist
abhängig vom Verhalten des Fahrers. Meist werden hier häufig standar-
disierte Fahrprofile wie NEFZ verwendet. Für geforderte Drehmomente
stellt die Regelung des Wechselrichters die jeweiligen Ausgangsströme ein.
Diese Ströme zusammen mit den Eigenschaften der Leistungsbauelemente
bestimmen das Verlustleistungsprofil im Leistungsmodul. Mit dem Verlust-
leistungsprofil und den transienten thermischen Widerständen kann das
Temperaturprofil berechnet werden. Danach kann mit Zählalgorithmen
die Verteilung der Zyklen ermittelt werden.
Im Hybridfahrzeug erfährt das Leistungsmodul beispielsweise den in
Abbildung 2.4 dargestellten Betriebszyklus. Werden nach dem ”Rain-Flow-
Elektische Eigenschaften Regelungsparameter (Motor,

der Leistungsbauelemente Umrichter) Fahrzeug-Fahrprofil
(VCE_sat, Vf, Eon, Eoff, Erec) (VDC, IPhase, m, cos ϕ , fTakt, fMotor)
Kühlrandbedingungen
Verlustleistungsberechnung (Thermische Impedanzen,
Kühlmitteltemperatur)
Thermische Simulation
(Temperaturprofil)
Umrechnung mit Anzahl von Testzyklen für

Zyklenzählung Lebensdauermodellen auf beschleunigte
Testzyklen Lastwechseltests
Abbildung 2.8: Vorgehensweise für die Bestimmung der geforderten aktiven

Testzyklen an die Leistungsmodule in einer Hybridfahrzeuganwendung
Verfahren” [2] diese überlagerten Zyklen in einzelne Zyklen unterteilt,

ergibt das einen großen Temperaturhub als Differenz zwischen der absolut
maximalen Sperrschichttemperatur und der Umgebungstemperatur und
je nach Fahrzyklus viele kleinere Zyklen.
Für die nachfolgende Abschätzung der Anforderung an die Lastwechselfes-
tigkeit wurde die statistische Verteilung von rein aktiven Zyklen aus dem
Forschungsbericht [93] entnommen, wo die Zyklenverteilung für eine reale
Anwendung mit der Vorgehensweise in Abbildung 2.8 ermittelt wurde.
Diese statistische Verteilung wurde so verschoben, dass maximal auftre-
tende Temperaturhübe bei der maximalen Kühlmitteltemperatur von
125◦ C zu der geforderten maximalen Sperrschichttemperatur von 200◦ C
führen. Zusätzlich zu diesen rein aktiven Zyklen wurden die überlagerten
Zyklen hinzugenommen, die sich mit dem „Rain-Flow-Verfahren” aus
der Differenz der absoluten maximalen Sperrschichttemperatur und der
Umgebungstemperatur in einem Betriebszyklus ergeben. Damit ergibt
sich die Verteilung der Zyklen, wie sie in Abbildung 2.9 dargestellt ist.
Die überlagerten Zyklen wurden für die Umgebungstemperaturen der
Zugspitze berechnet. Insgesamt ergibt diese Abschätzung insgesamt etwa
eine Million aktiver Zyklen mit verschiedenen Temperaturhüben.
Mit diesen ermittelten Zyklen wurde im nächsten Schritt die Anforderung
an die Lastwechselfestigkeit bestimmt. Hierfür wurde die Lebensdau-
ergleichung 2.1 verwendet. Die Parameter für diese Gleichung wurden
anhand der Lastwechselergebnisse bei hohen Sperrschichttemperaturen
aus [96] ermittelt. Es ergibt sich die Lebensdauergleichung 2.9, die für
600V Standard-Leistungsmodule für maximale Sperrschichttemperaturen
bis zu 200◦ C gültig ist.
2,82E−20
Nf = 3, 44E9 · ∆Tj−3,426 · e( 1,38E−28·Tm ) (2.9)
Die ermittelten Zyklen in Abbildung 2.9 wurden mit dieser Lebensdau-

ergleichung in die Zyklen umgerechnet, die mit beschleunigten Tests
mindestens nachgewiesen werden müssen, um die Lastwechselfestigkeit
des Leistungsmoduls bei 200◦ C Sperrschichttemperatur zu gewährleisten.
Dazu dient Gleichung 2.10. Darin ist Nf,T est die zu bestimmende Anfor-
derung für beschleunigte Lastwechseltests beim Temperaturhub ∆Tj,T est ,
der Wert Nf,Einsatz ist die Zyklenzahl aus dem Einsatzprofil (Abbildung
2.9) beim Temperaturhub ∆Tj,Einsatz .
Das Ergebnis der Anforderungsermittlung ist in Abbildung 2.10 dargestellt.
Die Kennlinie beschreibt die Anforderung für Umgebungsbedingungen von
Zugspitze und Konstanz. Wie man erkennt, ergeben sich für beide Orte
in etwa gleiche Anforderungen an die Lastwechselfestigkeit. Im Vergleich
hierzu zeigt die gestrichelte Linie die Lastwechselfestigkeit von heutigen
Standard-Leistungsmodulen. Bei den Anforderungen an die Lastwechsel-
festigkeit machen die rein aktiven Zyklen etwa ein Drittel der gesamten
geforderten Lebensdauer aus. Zwei Drittel des Lebensdauerverbrauchs
ergeben sich aus überlagerten Zyklen.
X
NT est = NEinsatz ·
∆TEinsatz

2,32E−20
1,38E−23·Tm,T est (2.10)
(∆TT est )−3,426 · e

2,32E−20
1,38E−23·Tm,Einsatz
(∆TEinsatz )−3,426 ·e
Zyklenverteilung für Lastwechselbelastung

7,0E+05
rein aktive Zyklen überlagerte Zyklen
537500
537500
6,0E+05
5,0E+05
Anzahl Zyklen
Zugspitze
4,0E+05
Konstanz
223000
3,0E+05 223000
2,0E+05 87000
87000
39000
39000
1,0E+05
6500
6500
4980
5010
3810
3570
2250
1170
960
150
0
0
0,0E+00
30 40 50 60 70 180 190 200 210 220
ΔTj in K
Abbildung 2.9: Verteilung der Zyklen für die Ermittlung der Anforderung
an die Lastwechselfestigkeit
Anforderung an die Lastwechselfestigkeit

1,0E+07
1,0E+06
Anzahl Zyklen
1,0E+05
1,0E+04
Anforderung 200°C (Zugspitze)
Anforderung 200°C (Konstanz)
Standard-Lestungsmodule 200°C (Stand 2011)
1,0E+03
40 60 80 100 120 140 160
∆Tj in K
Abbildung 2.10: Anforderung an die Lastwechselfestigkeit der Leistungs-

module für die maximale Sperrschichttemperatur von 200◦ C
2.4 Diskussion der Anforderungen
Das Ziel der gezeigten Anforderungsermittlung ist die realen Bedingun-

gen im Fahrzeug auf beschleunigte Labortestbedingungen mit bekannten
Lebensdauermodellen umzurechnen. Das Ergebnis zeigt, dass heutige
Standard-Leistungsmodule die geforderte Zuverlässigkeit sowohl bei passi-
ven als auch bei aktiven Zyklen nicht erreichen. Im ungünstigsten Fall in
Abbildung 2.7 müssen mit beschleunigten passiven Temperaturwechsel-
tests bei ∆T =100K bis zu 40.000 Zyklen nachgewiesen werden. Heutige
Standard-Leistungsmodule mit Kupfer-Grundplatte erreichen bei diesen
Bedingungen eine Lebensdauer von 5.000 Zyklen. Die Temperaturwechsel-
festigkeit für den Einsatz bei hohen Kühlmitteltemperaturen muss dem-
nach um den Faktor acht verbessert werden. Auch die Lastwechselfestigkeit
(aktive Zyklen) ist nicht ausreichend. Die Lebensdauer heutiger Aufbau-
und Verbindungstechnik liegt beim Temperaturhub von 100K und 200◦ C
maximaler Sperrschichttemperatur bei ca. 25.000 Zyklen. Nach Abbildung
2.10 müssen bei diesen Testbedingungen 100.000 Zyklen nachgewiesen
werden. Die Lastwechselfestigkeit muss also für die Sperrschichttemperatur
von 200◦ C um den Faktor vier verbessert werden.
Diese ermittelten Anforderungen gelten nur als grober Richtwert. Für
eine genaue Aussage, ob andere Aufbau- und Verbindungstechnologi-
en die Anforderungen der Hybridfahrzeuganwendung erfüllen, müssen
Ausfallmechanismen dieser Technologien erforscht und Parameter der Le-
bensdauermodelle angepasst werden. Entscheidend dabei ist der Exponent
a
a der Terme ∆Tcase und ∆Tja in den verwendeten Lebensdauergleichun-
gen 2.8 und 2.9. Oft ist dieser Wert gleich für verschiedene Aufbau- und
Verbindungstechnologie, wie es z.B. in Gleichung 2.3 angegeben wird.
Weichen diese Exponenten ab, muss die Anforderung mit angepassten
Gleichungsparametern erneut ermittelt werden.
Ein wichtiger Aspekt der Anforderungsermittlung ist die Annahme der
linearen Schadensakkumulation, die auch als die „Miner-Regel” bezeichnet
wird. Bei Leistungsmodulen ist bekannt, dass unterschiedliche Amplitu-
den des Temperaturhubs zu unterschiedlichen Fehlermechanismen führen
können. Je nach Amplitude und Länge des Temperaturhubes im Last-
wechsel kommt es zu Bonddrahtfehler, Degradation der Chipverbindung
oder Versagen der Systemverbindung. Treten in der Anwendung Zyklen
auf, die diese unterschiedlichen Fehlermechanismen ansprechen, kann die
Anwendung der „Miner-Regel” zur zu gering geschätzten Lebensdaue-
rerwartung führen [76]. Die tatsächliche Lebensdauer kann also deutlich
höher liegen als die Voraussage verwendeter Lebensdauermodelle.
39
3 Messmethoden und Prüfstandskonzepte
3.1 Messung der Sperrschichttemperatur
3.1.1 Einfluss der Messunsicherheit
Die Sperrschichttemperatur ist die wichtigste Messgröße für die Untersu-

chung der Zuverlässigkeit der Leistungsmodule. Diese wird bei Lastwech-
seltests überwiegend mit der VCE (T)-Methode gemessen. Im Hinblick
auf die Zuverlässigkeitsuntersuchungen bei hohen Sperrschichttemperatu-
ren sollen im Nachfolgenden einige Aspekte dieser Methode betrachtet
werden. Wichtig ist die Kenntnis über den Einfluss des Messfehlers in
der Sperrschichttemperaturmessung. Gleichungen 2.1 und 2.2 beschreiben
die Lebensdauer in Abhängigkeit von den Lastwechselbedingungen. Die
Bewertung der Parameter in [3] zeigt, dass die Lebensdauer im Wesentli-
chen vom Temperaturhub der Sperrschicht ∆Tj und von der mittleren
bzw. minimalen Sperrschichttemperatur Tj bestimmt wird. Diese zwei
Parameter werden während der Lastwechseltests mit Hilfe von gemessener
minimaler und maximaler Sperrschichttemperatur Tvj,min und Tvj,max
bestimmt. Um den Einfluss der Messunsicherheit dieser zwei Messwerte
auf die Lebensdauer zu zeigen, wird Gleichung 2.9 verwendet. Diese Glei-
chung beschreibt die Lebensdauer heutiger IGBT-Leistungsmodule mit der
600V-Chiptechnologie. Gleichung 3.1 zeigt den Zusammenhang zwischen
der mittleren Sperrschichttemperatur Tm (in K) und den Messwerten
Tvj,min (in ◦ C) und Tvj,max (in ◦ C).
(Tvj,max + Tvj,min )
Tm = + 273, 15K (3.1)
2
Für die Berechnung des Fehlers bei der Lebensdauerbewertung, hier de-
finiert als Nf,max /Nf,min in Abhängigkeit der Messunsicherheit in den
Messwerten der minimalen und der maximalen Sperrschichttemperatur
Tvj,min und Tvj,max , gelten Gleichungen 3.2 und 3.3. In diesen Gleichun-
gen ist der Fehler der Temperaturmessung Tj,F ehler in beiden Parametern
∆Tj und Tm der Lebensdauergleichung berücksichtigt. Beim Temperatur-
hub ∆Tj wird der Fehler mit dem Faktor zwei multipliziert, da in diesem
Parameter die Messunsicherheit sowohl der minimalen als auch der maxi-
malen Sperrschichttemperatur berücksichtigt werden muss. Obwohl bei
40 3 Messmethoden und Prüfstandskonzepte
der mittleren Sperrschichttemperatur Tm auch beide Messwerte der Sperr-

schichttemperatur eingehen, kann man hier aufgrund der Umrechnung in
der Formel 3.1 mit einfachem Fehler rechnen.
Nf,max = Nf (∆Tj − 2 · Tj,F ehler , Tm − Tj,F ehler ) (3.2)
Nf,min = Nf (∆Tj + 2 · Tj,F ehler , Tm + Tj,F ehler ) (3.3)
Abbildung 3.1 zeigt den berechneten Fehler Nf,max /Nf,min der Lebens-
dauer in Abhängigkeit vom Temperaturhub der Sperrschicht ∆Tj und
dem Messfehler der Sperrschichttemperatur Tj,F ehler . Es ist deutlich zu
sehen, dass schon eine geringe Messabweichung in der Sperrschichttempe-
raturmessung zu einem großen Fehler in der Lebensdauerbewertung führt.
Besonders kritisch ist die Messunsicherheit der Sperrschichttemperatur
bei kleinen Temperaturhüben. Bereits 3K Messabweichung führt bei 30K
Temperaturhub zu einem Unsicherheitsfaktor in der Lebensdauer von fast
drei.
Einfluss des Tj-Messfehlers auf die Lebensdauerbewertung
2,50-2,75
2,25-2,50
3,00
2,75 2,00-2,25
Nf, max / Nf, min
2,50 1,75-2,00
2,25
2,00 1,50-1,75
1,75 1,25-1,50
1,50
1,25 1,00-1,25
1,00
30
40
3
50
60
70
80
2
90
Tj, Fehler
100
110
120
1
130
in K
140
150
ΔTj in K
Abbildung 3.1: Einfluss der Messunsicherheit in der Sperrschichttempera-

turmessung auf die Lebensdauer der Leistungsmodule
Es wird bei der Messunsicherheit zwischen dem systematischen oder dem

zufälligen Fehler unterschieden. Bei Lastwechseltests können zufällige
3.1 Messung der Sperrschichttemperatur 41
Messfehler vernachlässigt werden, wenn Messwerte über viele Zyklen ge-

mittelt werden. Der zufällige Messfehler verringert sich bei der Mittelung
nach dem Zusammenhang in der Formel 3.4 [51]. Der Wert u(Nf,mittel )
ist die Unsicherheit nach der Mittelung der Messwerte, u(Nf,einzel ) ist
die Unsicherheit auf Basis eines Messwerte und n die Anzahl der gemit-
telten Werte [64]. Mit diesem Zusammenhang verringert sich der zufällige
Messfehler von 1K nach der Mittelung von 100 Werten auf 0,1K und bei
1000 Werten auf 0,03K.
u(Nf,einzel )
u(Nf,mittel ) = √ (3.4)
n
Der Fehler in der Lebensdauer wird deshalb überwiegend aufgrund des

systematischen Fehlers in der Sperrschichttemperaturmessung bestimmt.
Es ist von großer Bedeutung die Quellen für diesen Fehler zu kennen und
auf das Minimum zu reduzieren. Das soll im Nachfolgenden betrachtet
werden.
3.1.2 Eigenschaften der Kalibrierfunktion
Für die Messung der virtuellen Sperrschichttemperaturmessung mit der

VCE (T)-Methode ist die Kalibrierfunktion erforderlich, welche die Abhän-
gigkeit der Durchlassspannung des Leistungsbauteils von der Temperatur
beim eingeprägten Strom beschreibt. Diese Funktion beeinflusst direkt
die Genauigkeit der Sperrschichttemperaturmessung. Insbesondere für die
Zuverlässigkeitsuntersuchungen bei hohen Sperrschichttemperaturen bis
zu 200◦ C ist die Kenntnis über die Eigenschaften dieser Funktion von
großer Bedeutung. Die Kalibrierfunktion wird mit Hilfe einer Messvor-
richtung wie Klimakammer oder Heizplatte aufgenommen. Bekannt ist
auch eine aktive Kalibrierung, bei der der Halbleiterchip als Heizquelle
genutzt wird [8]. Für eine zu messende Sperrschichttemperatur herrscht
im ganzen Leistungsmodul homogene Temperaturverteilung.
Die Aufbau- und Verbindungstechnik des Leistungsmoduls wird so ausge-
legt, dass in der Nähe des Leistungshalbleiter-Bauelementes die maximale
Sperrschichttemperatur auftreten kann. Die weiter entfernten Materialien
wie z.B. das Kunststoffgehäuse oder die Lotschicht zwischen DCB und
Grundplatte müssen nicht für diese hohe Temperatur bestimmt sein. In
einem realen Einsatz treten die hohen Temperaturen nur im Bereich des
Halbleiterchips auf. Aufgrund des Wärmeflusses und des thermischen
Widerstandes erfahren die darunter liegenden Materialschichten niedrigere
Temperaturen. Bei Zuverlässigkeitsuntersuchungen wird das Leistungsmo-
dul bei maximal zulässigen Sperrschichttemperatur getestet. Hierfür ist die
Kalibrierkennlinie bis zu dieser Temperatur erforderlich. Bei Temperaturen

nahe 200◦ C kann es zu Veränderungen der mechanischen Eigenschaften
oder sogar zu Schädigung in der Aufbau- und Verbindungstechnik des
Leistungsmoduls kommen und die Ergebnisse der Zuverlässigkeitstests
verändern. Der Temperaturbereich in der Kalibrierfunktion nahe dieser
hohen Sperrschichttemperaturen kann bei Lastwechseluntersuchungen bei
bestimmter Aufbau- und Verbindungstechnik nur anhand einer Extra-
polation abgedeckt werden. Wie im Folgenden gezeigt wird, kann die
Extrapolation aus den gemessenen Punkten unter bestimmten Bedingun-
gen zu einem systematischen Fehler führen und die Testergebnisse der
Lastwechseltests verfälschen.
In der Literatur wird die Kalibrierkennlinie oft mathematisch mit Hilfe
einer Geraden approximiert [1], [35], [59]. Allerdings ist die Genauigkeit
dieser Approximation nicht ausreichend, insbesondere bei hochsperrenden
IGBT-Chips und hohen Sperrschichttemperaturen. Das zeigen die gemes-
senen Kalibrierkennlinien der 600V-, 1200V und 6,5kV-Leistungsmodule
in Abbildung 3.2.
Gemessene Kalibrierkennlinien VCE=f(Tvj)

0,6
0,5
0,4
VCE in V
0,3
0,2
0,1
0
0 50 100 150 200 250
Tvj in °C
600V IGBT 1200V IGBT 6,5kV IGBT
Abbildung 3.2: Vergleich der gemessenen Kalibrierkennlinien von 600V

(Stromdichte 62mA/cm2 ), 1200V (Stromdichte 120mA/cm2 ) und 6,5kV
(Stromdichte 17mA/cm2 ) IGBT-Leistungsmodulen
Wenn die Kalibrierkennlinien mit einer Geraden beschrieben werden und

diese Geradenfunktion zur Messung der Sperrschichttemperatur genutzt

wird, kommt es zu einem nicht zu vernachlässigbaren systematischen
Messfehler. Die Größenordnung des Fehlers zeigt Abbildung 3.3. Beim
600V IGBT liegt der Fehler bei ca. 1K, beim 1200V IGBT bei ca. 4K und
beim 6,5kV beträgt die systematische Abweichung sogar bis zu 20K.
Abweichung von der linearen Approximation

20
15
10
5
Fehler in K
0
-5
-10
-15
-20
0 50 100 150 200 250
Tvj in °C
600V IGBT 1200V IGBT 6,5kV IGBT
Abbildung 3.3: Systematischer Fehler bei der Messung der Sperrschicht-

temperatur bei der Beschreibung der Kalibrierkennlinie mit einer Gera-
denfunktion; Vergleich auf Basis der Messung in der Abbildung 3.2
Die Messung zeigt, dass die Kalibrierkennlinie einen nichtlinearen Verlauf

hat. Die Linearität ist abhängig von der Spannungsklasse des Halbleiter-
Leistungsbauelements. Zusätzlich wird die Eigenschaft der Kennlinie von
der Stromdichte beeinflusst. Die Messungen in Abbildung 3.4 zeigt den
Einfluss der Stromdichte beim 6,5kV IGBT. Bei der Stromdichte von
67mA/cm2 weist die Kalibrierkennlinie eine starke Rechtskrümmung auf.
Diese steigt ab einer Temperatur von 150◦ C stark an. Bei 17mA/cm2
ist die Rechtskrümmung weniger ausgeprägt, jedoch kommt es bei hohen
Temperaturen zusätzlich zu einer Linkskrümmung. Bei niedrigster Strom-
dichte ist die Kennlinie bis 150◦ C annähernd linear und läuft ab dieser
Temperatur asymptotisch zu der x-Achse.
Für die Erläuterung der Eigenschaften der Kalibrierkennlinie dienen
nachfolgende Ergebnisse aus [66], die mit dem Bauelementsimulator
SentaurusTCAD erzielt wurden. Für diese Simulation wurde eine pin-
Kalibrierkennlinien VCE=f(Tvj) eines 6,5kV IGBT-

Leistungsmoduls bei verschiedenen Stromdichten
0,8
0,7
0,6
0,5
VCE in V
0,4
0,3
0,2
0,1
0
0 50 100 150 200 250
Tvj in °C
67 mA/cm² 17 mA/cm² 1,7 mA/cm²
Abbildung 3.4: Einfluss der Stromdichte auf den Verlauf der Kalibrier-
kennlinie eines 6,5kV/200A IGBTs
Leistungsdiode angenommen (siehe Abbildung 3.5). Die Simulationspara-

meter sind in Tabelle 3.1 angegeben.
Tabelle 3.1: Simulationsparameter

600V 6,5kV
- −3
Dotierung des n -Gebietes [cm ] 3, 93 · 1014 1, 64 · 1013
Dicke [µm] 50, 1 728
Basisweite [µm] 45, 0 722
Stromdichte [mA/cm2 ] 66, 7 100
Trägerlebensdauer (bei 300K):
der Löcher τp [µs] 0, 3 1, 4
der Elektronen τn [µs] 3 7
Dotierung des n- -Gebietes und Basisweite konnten vereinfacht mit den

Zusammenhängen einer idealen Non-Punch-Through-Dimensionierung be-
rechnet werden [56]. Ausgehend von der gegebenen IGBT-Spannungsklasse,
die hier der Einsatzspannung des Lawinendurchbruchs UBD gleichgesetzt
ist, wird anhand der Formel 3.5 die Grunddotierung des n- -Gebietes ND
p n- n+
Basisweite (wB)
Dicke (d)
Abbildung 3.5: Halbleiterstruktur für die Simulation der Kalibrierkennlinie
mit dem Bauelementsimulator SenataurusTCAD
bestimmt. Danach lässt sich mit diesem Wert die Basisweite mit 3.8
berechnen. In Formel 3.5 sind C 0 und b Ionisierungsraten nach Shields
und Fulop, die mit Formeln 3.6 und 3.7 analytisch beschrieben werden.
Diese Abschätzung legt eine ideale NPT-Dimensionierung des Leistungs-
bauelements zugrunde. Für reale Bauelemente wird jedoch meist eine
moderate PT-Dimensionierung mit trapezförmigem Feldverlauf gewählt
[58]. Eine genaue Bestimmung der Dotierung und Basisweite für diese
Auslegung ist nicht möglich und bedarf Herstellerangaben sowohl zur
Dotierung als auch zum Feldverlauf. In Tabelle 3.1 berechneten Werte für
Dotierung und Basisweite für den dreiecksförmigen Feldverlauf weichen
deshalb geringfügig von einem realen Leistungsbauelement ab.
1
b+1 1
1 b+1 q · ND b+1
UBD = · · (3.5)
2 C0 ε
T
C 0 = 2 · 10−28 · e−16,22· 300K (3.6)
T
b = 5, 8 + 1, 2 · (3.7)
300K
s
2 · ε · UBD
wB = (3.8)
q · ND
Abbildung 3.6 zeigt das Ergebnis der Simulation, wo ähnliche Eigen-

schaften im Vergleich zu den gemessenen Kennlinien zu sehen sind. Die
Kennlinie für 600V IGBT zeigt einen nahezu linearen Verlauf, beim 6,5kV
IGBT ist eine starke Rechtskrümmung sichtbar.
Simulierte Kalibrierkennlinien
1,40
1,20
1,00
Spannung in V
0,80
0,60
0,40
0,20
0,00
0 50 100 150 200 250
Temperatur in°C
600V 6,5kV 6,5kV ohne Mittelgebiet
Abbildung 3.6: Simulierte Kalibrierkennlinien
Die Nichtlinearität der Kalibrierkennlinie wird wegen des Spannungsabfalls

am Mittelgebiet verursacht. Dieser Effekt führt zu einer Rechtskrümmung.
Die Spannung am schwach dotierten Mittelgebiet nimmt mit höherer Span-
nungsklasse zu. Abbildung 3.7 zeigt den Verlauf des Spannungsabfalls in
Abhängigkeit von der Temperatur. Bei den gewählten Stromdichten ist
der Spannungsabfall am n- -Gebiet beim 600V-Bauelement im Bereich von
wenigen Millivolt, beim 6,5kV IGBT beträgt dieser etwa die Hälfte des
Gesamtspannungsabfalls am Bauelement. Die Spannung des n- -Gebietes
steigt zunächst leicht mit steigender Temperatur an, fällt dann bei hohen
Temperaturen ab. Der Anstieg ist aufgrund der abnehmender Beweg-
lichkeit der Ladungsträger zu begünden, während der Spannungsabfall
mit einer längeren Trägerlebensdauer und einer höheren Ladungsträgerin-
jektion bei höheren Temperaturen zusammenhängt. Die Diffusionslänge
nimmt zu und das Ladungsträgerplasma im Mittelgebiet steigt. Damit
sinkt der Spannungsabfall im Mittelgebiet. Dieser Effekt überwiegt bei
höheren Temperaturen [66]. Zieht man den Anteil des Mittelgebietes von
der Gesamtspannung ab, ist dieses Verhalten nicht mehr zu sehen (siehe
Kennlinie „6,5kV ohne Mittelgebiet” in Abbildung 3.6).
Ein weiterer Effekt führt zur Nichtlinearität der Kalibrierkennlinie im
Bereich hoher Temperaturen und verursacht eine Linkskrümmung. In
diesem Bereich kommt es zu einem asymptotischen Verlauf der Kennlinie,
Spannungsabfall über dem ni-Gebiet

1
Spannung in V
0,1
0,01
0,001
0 50 100 150 200 250
Temperatur in °C
6,5kV 600V
Abbildung 3.7: Spannungsabfall am n- -Gebiet, Ergebnisse der Bauteilsi-

mulation mit Parametern aus Tabelle 3.1
wenn die Stromdichte zu klein gewählt wurde. Je kleiner die Stromdichte

desto stärker wird dieser Einfluss (siehe hierzu Simulationsergebnisse in
Abbildung 3.8).
Um diese Art von Nichtlinearität zu vermeiden muss eine ausreichend
große Stromdichte gewählt werden. Die Höhe der minimalen Stromdichte
ist abhängig vom gewünschten Temperaturbereich und von der Spannungs-
klasse des Leistungsbauelements. Für die Abschätzung der minimalen
Stromdichte kann die Kalibrierkennlinie mit einem analytischen Modell
berechnet werden. Dabei ist es ausreichend nur den Spannungsabfall des
pn-Übergangs zu betrachten und den Spannungsabfall des n- -Gebietes
zu vernachlässigen. Die analytische Berechnung der Kalibrierkennlinie ist
im Anhang A.1 beschrieben. Das Ergebnis dieses analytischen Modells
ist in Abbildung 3.9 verglichen mit dem Ergebnis des Bauelementsimula-
tors und der real gemessenen Kennlinie eines 600V-Leistungsbauelements.
Die Ergebnisse der analytischen Berechnung weichen von der gemessenen
Kennlinie stärker ab als die Ergebnisse der Simulation mit SentaurusTCAD .
Für eine Abschätzung der minimalen Stromdichte für eine Kalibrierkenn-
linie ist die Genauigkeit des analytischen Modells ausreichend.
Für verschiedene Spannungsklassen der Leistungsbauelemente und ver-
Einfluss der Stromdichte auf die Kalibrierkennlinie

0,70
0,60
0,50
Spannung in V
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0 50 100 150 200 250
Temperatur in°C
0,62 mA/cm² 62 mA/cm² 620 mA/cm²
Abbildung 3.8: Einfluss der Stromdichte auf die Kalibrierkennlinien eines

600V Leistungsbauelements, Simulationsergebnisse aus [66]
schiedene maximale Sperrschichttemperaturen wurde mit dem analy-

tischen Modell der Zusammenhang in Formel 3.9 gefunden. Abhängig
von der Sperrspannung UBD (in V ) und der maximalen Sperrschicht-
temperatur Tj,max (in K) erhält man damit die minimale Stromdichte
Jmin (in mA/cm2 ), bei der es bis zur maximalen Sperrschichttemperatur
zu keiner Linkskrümmung der Kalibrierkennlinie kommt. Hierfür wurde
vereinfacht angenommen, dass bei maximaler Sperrschichttemperatur
mindestens 60mV als Spannungsabfall am pn-Übergang noch vorhanden
sein müssen. Bei diesem Wert zeigte die berechnete Kalibrierkennlinie mit
dem analytischen Ansatz noch keine Linkskrümmung. Abbildung 3.10
zeigt Verläufe der Stromdichten für typische Sperrspannungsklassen der
Leistungsbauelemente. Aus diesem Diagramm kann abhängig von der
maximalen Sperrschichttemperatur die minimale Stromdichte für die zu
messende Kalibrierkennlinie abgelesen werden.
−2
Jmin (UBD , T ) = 1, 59 · 10−17 · UBD 1,33 · e7,17·10 ·Tmax
(3.9)
Insgesamt zeigen die gemessenen und die simulierten Eigenschaften der

Kalibrierkennlinie, dass für eine Sperrschichttemperaturmessung bei ho-
hen Temperaturen mit geringem systematischem Fehler einige Aspekte
Vergleich der Kalibrierkennlinien

0,6
0,5
0,4
UCE in V
0,3
0,2
0,1
0,0
0 50 100 150 200
Tvj in °C
Sentaurus analytisch gemessen
Abbildung 3.9: Kalibrierkennlinie für ein 600V / 400A - Leistungsmo-

dul, Vergleich zwischen Messung, Simulation mit Bauelementsimulator
SentaurusTCAD und analytischer Berechnung
beachtet werden müssen. Es muss eine ausreichend große Stromdichte

gewählt werden. Die Kennlinie darf nicht mit einer Geradenfunktion
approximiert werden. Für die Bestimmung der Sperrschichttemperatur
muss die Kalibrierkennlinie mindestens mit der Polynomfunktion dritten
Grades beschrieben werden, damit der systematische Fehler bei einer
Interpolation kleiner 0,1K bleibt. Hierfür sollte die Kennlinie mindestens
einen Messpunkt mehr haben, als der Grad der Polynomfunktion. Eine
Extrapolation der Kennlinie in Richtung hoher Sperrschichttemperaturen
kann bei hochsperrenden Bauelementen zu einer Messunsicherheit von
mehreren Kelvin führen. Bei 600V Bauelementen kann die Extrapolation
unter Beachtung der minimalen Stromdichte durchgeführt werden. Mit
experimentellen Daten lässt sich feststellen, dass eine Verlängerung der Nä-
herungsfunktion als Polynomfunktion dritten Grades um 25◦ C in Richtung
höherer Temperaturen zu einem systematischen Fehler von maximal einem
Kelvin führt. Die Extrapolation über einen weiteren Temperaturbereich
führt zu einer nicht mehr akzeptablen Abweichung.
Eine andere Art der mathematischen Näherung der Kalibrierkennlinie
ist eine stückweise lineare Approximation zwischen zwei Messpunkten.
Ein kleiner systematischer Fehler kann damit erreicht werden, wenn die
Minimale Stromdichte für Kalibrierfunktion

1000
100
J in mA/cm²
10
0,1
380 400 420 440 460 480
T in K
600V 1200V 1700V 3300V 6500V
Abbildung 3.10: Diagramm zur Bestimmung der minimalen Stromdich-

te für die Kalibrierkennlinie eines Leistungsmoduls, ermittelt mit dem
analytischen Berechnungsmodell im Anhang A.1
Kalibrierkennlinie viele Messpunkte enthält. Eine Extrapolation bei dieser

Methode ist jedoch nicht möglich.
3.1.3 Einfluss von Rekombinationszeit und Verlustleistung
Eine weitere Quelle für die systematische Messunsicherheit in der Sperr-

schichttemperaturmessung mit der VCE (T)-Methode ist der Einfluss der
Rekombinationszeit. Gleichzeitig spielt die Höhe der Verlustleistung eine
besondere Rolle, die in der Stromflussphase für die Erwärmung des Chips
verantwortlich ist.
Die maximale Sperrschichttemperatur wird dann gemessen, wenn der
Laststrom durch den Chip abgeklungen ist und der Messstrom auf den
gewünschten Wert ausgeregelt ist. Dieser Schaltvorgang verursacht eine
Verzögerung, die in [77] als Rekombinationszeit bezeichnet wird. Erst
nach dieser Zeit kann die Sperrschichttemperatur gemessen werden. Ab-
bildung 3.11 zeigt den typischen Messvorgang. Diese Verläufe wurden
an einem 600V / 400A Leistungsmodul nach der Belastung mit 400A
Gleichstrom aufgenommen. In diesem Beispiel erfolgt die Messung der
Sperrschichttemperatur nach ca. 500µs.
Messung von Tvj,max nach Laststromabschaltung

600 190
Oszillationen
500 ILast 185
400 Zeitbereich für Tvj,max-Messung 180
Tvj in °C
ILast
300 Tvj 175
200 170
Verzögerung
100 165
0 160
-2,0E-03 0,0E+00 2,0E-03 4,0E-03
t in s
Abbildung 3.11: Messung der maximalen Sperrschichttemperatur nach

Abschalten des Belastungsstroms
Während der Rekombinationszeit kühlt sich der Halbleiterchip bereits

ab. Die Rekombinationszeit wird deshalb so kurz wie möglich eingestellt.
Praktisch erreicht man abhängig von der Höhe des Belastungsstroms,
von der Schnelligkeit der Messstromquelle, vom Leistungsbauelement
selbst und von der parasitären Induktivität des Stromkreises die mini-
male Rekombinationszeit von etwa 300 µs [77]. Bereits während dieser
kurzen Zeit kühlt sich die Sperrschicht um einige Kelvin ab. Aufgrund des
schnellen Abkühlvorgangs ist es nicht möglich, den Fehler in der Messung
der maximalen Sperrschichttemperatur zu vermeiden. Der Fehler lässt
sich aber anhand der Methode aus [6] kompensieren. Es wird gezeigt,
dass bei großflächigen Halbleiterchips in dem ersten Zeitabschnitt nach
dem abrupten Abschalten des Laststroms die Sperrschichttemperatur
nach der Wurzelfunktion abklingt. Trägt man den Verlauf der Sperr-
schichttemperatur über der Wurzel der Zeit, so ergeben die Messwerte
in diesem Zeitabschnitt eine Gerade. Die Messung in Abbildung 3.12
zeigt, dass bei Leistungsmodulen diese Näherung in den ersten 10ms mit
hinreichend guter Genauigkeit gilt. Über diesen Zeitabschnitt lässt sich
eine lineare Approximation durchführen, welche erlaubt, die maximale
Sperrschichttemperatur im Zeitpunkt t = 0 indirekt zu bestimmen. Der
Zeitpunkt t = 0 ist definiert als die Mitte der negativen Laststromflanke

(50% des Laststromes) beim Abschaltvorgang. Diese Methode wird im
Nachfolgenden als „Wurzel-t-Methode” bezeichnet.
Wurzel-t-Methode
Tj=f(t1/2)
200
195
190
lineare Approximation
185
180
Tj in °C
175 Tj
170
165
160
155
150
0,0E+00 2,0E-02 4,0E-02 6,0E-02 8,0E-02 1,0E-01
t1/2 in s1/2
Abbildung 3.12: Wuzel-t-Methode zur Bestimmung der maximalen Sperr-

schichttemperatur, Messwerte aus Abbildung 3.11
Die Methode der indirekten Messung der maximalen Sperrschichttem-

peratur erlaubt abzuschätzen, wie groß der systematische Fehler bei der
herkömmlichen Messmethode ausfällt. In der durchgeführten Messung
verringert sich die Sperrschichttemperatur nach 300µs bereits um 4K,
nach 500µs sind es etwa 6K.
Der Abkühlgradient nach dem Abschaltvorgang ist abhängig von der Höhe
des Laststroms bzw. von der Verlustleistung und vom transienten thermi-
schen Widerstand des Leistungsmoduls. Den Einfluss der Verlustleistung
zeigt Abbildung 3.13. Aufgezeichnet sind gemessene Abkühlverläufe für
die ersten 10ms der Sperrschicht über der Wurzel der Zeit eines 400A
/ 600V Leistungsmoduls bei verschiedenen Verlustleistungsdichten. Für
jeden Verlauf wurde die lineare Approximation durchgeführt. Die Stei-
gung der Geraden gibt den Abkühlgradienten an, der y-Achsenabschnitt
einzelner Geraden gibt die maximale Sperrschichttemperatur an.
Es ist zu sehen, dass das Abkühlverhalten unabhängig von der Verlustleis-
tungseinspeisung linear über der Wurzel der Zeit verläuft. Die Steigung
Abkühlverhalten bei verschiedenen

Wärmestromdichten
190
170 y = -229,3∙t1/2 + 160,3
420W/cm² (400A)
150
130 y = -142,6∙t1/2 + 120,4 259W/cm² (300A)
Tvj in °C
110
90 y = -77,4∙t1/2 + 72,5 142W/cm² (200A)
70
50 y = -30,6∙t1/2 + 37,9 61,7W/cm² (100A)
30
0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,1
t1/2 in s1/2
Abbildung 3.13: Einfluss der Verlustleistung auf das Abkühlverhalten der

Sperrschicht, Messungen an einem 400A / 600V Modul
p
der Geraden bzw. der Gradient, angegeben als dTvj /d( (t)), wird von der
Verlustleistung beeinflusst. Abkühlgradient und Wärmeflussdichte sind
zueinander proportional, wie das in Abbildung 3.14 gezeigt ist. Durch die
gemessenen Punkte lässt sich eine Ursprungsgerade durchziehen. Damit
kann für beliebige Wärmeflussdichten das Abkühlverhalten in den ersten
10ms mit guter Genauigkeit abgeschätzt werden.
Dieses gemessene Abkühlverhalten kann mit dem transienten thermischen
Widerstand berechnet werden. Für die Berechnung gilt der Zusammenhang
in Formel 3.10. Darin ist PV die in den Chip eingespeiste Verlustleistung,
Ri und τi die FOSTER-Koeffiezienten. Gefordert wird hierfür ein genau
gemessener transienter thermischer Widerstand. Die Genauigkeit der
Datenblattwerte zu einem bestimmten Leistungsmodul können für die
Berechnung nicht ausreichen, da üblicherweise nur ein typisches Verhalten
angegeben wird. Leistungsbauelemente eines Leistungsmoduls können
aufgrund verschiedener Positionen auf der DCB-Keramik im transienten
thermischen Verhalten geringfügig schwanken.
n
− τt
X
Tj,abkühl (t) = PV · Ri · e i (3.10)
i=1
Abkühlgradient in Abhängigkeit der Verlustleistung

0
-50
dTj/d(t1/2) in K/(s1/2)
-100
-150
-200
-250
0 100 200 300 400 500
PV/A in W/cm²
Abbildung 3.14: Zusammenhang zwischen dem Abkühlgradienten und der

Wärmeflussdichte, Werte aus Abbildung 3.13
Ein weiterer bekannter Effekt der Verlustleistung ist die Temperaturvertei-

lung über dem Chip. Je größer die Strom- bzw. Wärmestromdichte, desto
größer ist der Temperaturunterschied zwischen Chipmitte und Chiprand
[32]. Bei früheren Chipgenerationen mit niedrigen Stromdichten im Ver-
gleich zu heutigen Leistungsbauelementen war dieser Temperaturgradient
im Bereich von 20K. Bei heutigen Leistungsmodulen bei im Datenblatt
angegebenem Nennstrom ist der Temperaturunterschied zwischen Chip-
mitte und Chiprand höher. In Abbildung 3.15 ist die Messung mit einer
Infrarotkamera gezeigt, wo der Temperaturunterschied bei 420W/cm2
etwa 80K beträgt. Bei dieser hoher Wärmestromdichte ist der Einfluss der
Rekombinationszeit auf die gemessene maximale Sperrschichttemperatur
Tvj mit der VCE (T)-Methode sehr groß. Bei der Messung nach 500µs liegt
der Wert etwa 13K unterhalb der maximalen Oberflächentemperatur, der
Messwert mit der Wurzel-t-Methode dagegen nur 7K (siehe Abbildung
3.15). Die Genauigkeit der verwendeten Infrarotkamera wird mit +/ − 2K
angegeben.
p
Die Messungen zeigen, dass der Abkühlgradient dT /d (t) ein Indikator
für die Temperaturverteilung im Chip ist. Je größer die Verlustleistung im
Chip ist, desto größer ist dieser Parameter. Ebenso zeigt dieser Messwert
den Zusammenhang zwischen dem transienten Wärmewiderstand und der
Wärmestromdichte und schließt zusätzliche die Kühlrandbedingungen ein.
3.2 Thermische Impedanzspektroskopie 55
Dieser Messwert beschreibt demnach mehrere physikalische Effekte im

Leistungsmodul. Es ist notwendig mit Hilfe von weiteren Messungen zu un-
tersuchen, ob dieser Parameter zur Verbesserung vorhandener empirischer
Lebensdauermodelle verwendet werden kann. Ein erweitertes Lebens-
dauermodell könnte die Lebensdauer in Abhängigkeit der maximalen
Sperrschichttemperatur,
p dem Temperaturhub und dem Abkühlgradienten
dT /d (t) genauer beschreiben als heutige Lebensdauermodelle, die auf
der LESIT-Gleichung basieren.
200 Tvj,max=179°C (Wurzel-t-Methode)
175
150 Tvj,max=173°C IR-Kamera

(nach 500µs Rekombinationszeit)
T in °C
125
Chip 1 Chip 2
100
75
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Diagonale normiert auf 9mm x 9mm Chipgröße
Chip2 Chip1
Abbildung 3.15: Gemessene Temperaturverteilung an der Chipo-

berfläche im 400A / 600V Leistungsmodul nach 0,2s Stromfluss,
420W/cm2 Wärmestromdichte
3.2 Thermische Impedanzspektroskopie
3.2.1 Messung der thermischen Impedanz
Im Nachfolgenden werden zwei Methoden der thermischen Impedanzspek-

troskopie erläutert, die eine zerstörungsfreie Fehleranalyse des Kühlpfads
im Leistungsmodul ermöglichen. Damit kann die Ursache für die Verän-
derung des thermischen Widerstandes im Leistungsmodul eindeutig auf

eine bestimmte degradierte Verbindungsschicht eingegrenzt werden. Die
erste Variante beruht auf der bekannten Analysemethode, mit der zwei
Strukturfunktionen aus der thermischen Impedanz berechnet werden ([91],
[90]). Diese Methode wird für ie Fehleranalyse oder Bestimmung parti-
eller thermischer Widerstände bei Mikroelektronikbauelementen ([55]),
Leuchtdioden ([101], [89]), diskreten Leistungsbauelementen ([85], [86],
[67]) oder zur Bewertung der thermischen Eigenschaften von Wärmeleit-
materialien ([72], [71]) genutzt. Speziell für diese Anwendungen werden
bereits Messgeräte angeboten ([62]). In der vorliegenden Arbeit wird diese
Methode für die Anwendung bei Leistungsmodulen modifiziert.
Der zweite Teil der thermischen Impedanzspektroskopie in dieser Ar-
beit analysiert die thermische Impedanz mit einem diskreten CAUER-
Ersatzschaltbild und führt die Veränderung der CAUER-Teilwiderstände
auf bestimmte Fehlermechanismen im Leistungsmodul zurück.
Beide Methoden der thermischen Impedanzspektroskopie benötigen als
Basis die thermische Impedanzfunktion des Leistungsmoduls. Einige wich-
tige Aspekte werden im Nachfolgenden behandelt, die bei der Messung
dieser Funktion beachtet werden müssen. Diese sind für die weitere ma-
thematische Behandlung der Messwerte signifikant.
Die thermische Impedanz als Funktion der Zeit (Zth (t)) beschreibt das
thermische Verhalten zwischen der Sperrschicht des Leistungsbauelements
und einem definierten Referenzpunkt. Für Leistungsmodule mit der glatten
Grundplatte liegt der Referenzpunkt meist auf der Unterseite der Grund-
platte mittig unterhalb des Halbleiterchips. Bei direkt flüssigkeitsgekühlten
Grundplatten ist die Referenz in der Regel die Kühlmitteltemperatur.
Die Zth (t)-Funktion wird überwiegend mit der Messung des Abkühlver-
haltens bestimmt. Beim Abkühl-Messverfahren wird das Leistungsmodul
mit einem definierten Laststrom bis zum stationären thermischen Zustand
aufgeheizt. Am Ende der Heizphase wird die Durchlassspannung und der
Strom gemessen und damit die Verlustleistung PV bestimmt. Danach
wird der Laststrom abgeschaltet und die Abkühlkurve der Sperrschicht
aufgenommen. Die Sperrschichttemperatur Tvj wird dabei mit Hilfe des
Spannungsabfalls am Bauelement bei einem eingeprägten kleinen Strom
gemessen [77]. Simultan dazu wird die Referenztemperatur Tref aufge-
zeichnet. Das Prinzip der Messung ist in Abbildung 3.16 dargestellt. Mit
den gemessenen drei Größen berechnet sich die thermische Impedanz als
Abkühlkurve mit Gleichung 3.11.
Tvj (t) − Tref (t)
Zth,abkühl (t) = (3.11)
PV
S1
Prüfling
Laststrom Tref V Messstrom
15V
A
Abbildung 3.16: Messprinzip der thermischen Impedanz Zth (t) am IGBT-

Leistungsmodul
Die gemessene Funktion Zth,abkühl (t) wird im nächsten Schritt in die

Aufheizkurve umgerechnet. Die Umrechnungsvorschrift ist in Gleichung
3.12 angegeben. Dabei ist die Annahme, dass das Abkühlverhalten des
Leistungsmoduls analog zum Aufheizverhalten ist. Streng genommen
sind diese Funktionen nicht identisch [7]. Beim Aufheizen startet der
Vorgang bei niedrigerer Temperatur als beim Abkühlen. Weiterhin ist
beim Beginn des Abkühlvorgangs ein relativ starker Temperaturgradient
in der Sperrschicht ausgeprägt [77], beim Start des Aufheizvorgangs ist
die Temperaturverteilung des Chips dagegen homogen. Diese Einflüsse
werden mit der Umrechnung der Abkühlfunktion in die Aufheizfunktion
vernachlässigt.
Die Aufheizkurve kann physikalisch richtig mit dem Aufheiz-Messverfahren
gemessen werden. Das Prinzip des Messverfahrens ist in Abbildung 3.17
erläutert. Hier wird die Impedanzfunktion punktweise gemessen. Für je-
den Messpunkt wird ein Verlustleistungsimpuls erzeugt und nach dem
Abschaltvorgang ein Punkt der Impedanzfunktion bestimmt. Danach wird
das Leistungsmodul wieder auf den stationären Zustand abgekühlt. Im
darauf folgenden Impuls wird die Impulslänge verlängert und die Messung
analog durchgeführt. Für die komplette thermische Impedanz wird die
Vorgehensweise entsprechen der Anzahl der Messpunkte wiederholt. Bei
großer Anzahl der Messpunkte dauert die Messung der thermischen Impe-
danz mit diesem Verfahren viel länger als mit dem Abkühl-Messverfahren.
In Abbildung 3.18 zeigen die Messergebnisse beider Messmethoden keine
wesentliche Unterschiede. Geringfügige Abweichungen können vernach-
lässigt werden. Das Abkühlverhalten des Leistungsbauelements verhält
sich also analog zum Aufheizverhalten. Die Umrechnung der thermischen
Impedanz aus der Abkühlkurve in die Aufheizkurve führt damit zu keinem
gravierenden Fehler.
1,2
Prinzip des Aufheiz-Messverfahrens
PV 1,02E+00
1
8,20E-01
0,8
Messpunkt
PV, Tvj
0,6 6,20E-01
0,4 4,20E-01
0,2 Tvj 2,20E-01
0 2,00E-02
0 2 4 6 8 10 12 14
Abbildung 3.17: Prinzip des Aufheiz-Messverfahrens
Der erste Schritt der Umrechnung der Abkühlkurve in die analoge Aufheiz-
kurve ist die korrekte Bestimmung des stationären thermischen Widerstan-
des Rth . Dieser Wert liegt auf der Abkühlkurve Zth,auf heiz zum Zeitpunkt
t = 0 (siehe Formel 3.13). Unter realen Messbedingungen kann dieser Wert
nicht gemessen werden. Nach dem Abschalten des Laststromes verzögert
sich der Startzeitpunkt für die Messung aufgrund von Rekombinations-
vorgängen im Bauelement und der Einregelzeit der Messstromquelle. Erst
nach dieser Verzögerung kann mit der Messung begonnen werden. Die
Verzugszeit liegt im Bereich einiger 100µs. In dieser Zeit kühlt sich die
Sperrschicht bereits ab. In Abbildung 3.19 wird eine Methode gezeigt, wie
trotz dieser Messverzögerung der stationäre thermische Widerstand Rth
richtig bestimmt werden kann.
Zth,auf heiz (t) = Zth,abkühl · (−1) + Rth (3.12)
Rth = Zth,abkühl (t = 0) (3.13)
Wie in Kapitel 3.1 gezeigt, ist der Temperaturverlauf der Sperrschicht im

ersten kurzen Zeitabschnitt des Abkühlvorgangs eine Geradenfunktion
über der Wurzel der Zeit. Weil in diesem Zeitabschnitt sich die Referenz-
temperatur Tref aufgrund hoher Zeitkonstanten des Kühlkörpers oder
des Kühlmediums nicht ändert, ist der Zusammenhang auch auf die ther-
mischen Impedanz Zth,abkühl (t) übertragbar. Wie Abbildung 3.19 zeigt,
ist das in sehr guter Näherung mit der Messung übereinstimmend. Wie
Zthja(t) Vergleich zwischen Aufheiz- und Abkühl-Messverfahren

0,18
0,16
0,14
0,12
Zthja in K/W
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
1,0E-04 1,0E-03 1,0E-02 1,0E-01 1,0E+00 1,0E+01 1,0E+02
t in s
Aufheiz-Messverfahren Abkühl-Messverfahren
Abbildung 3.18: Vergleich der thermischen Impedanzen, ermittelt mit dem

Aufheiz-Messverfahren und Abkühl-Messverfahren; Messung zwischen
Sperrschicht und Kühlflüssigkeit an einem 600V 300A Leistungsmodul mit
direkt gekühlter Grundplatte, Messung bei 150A Laststrom bzw. 171W
Verlustleistung
bei der Messung der maximalen Sperrschichttemperatur ist der Zeitpunkt

t=0 in der negativen Stromflanke bei 50% des Stromwertes.
Mit dem Prinzip kann der verzögerte Start der Messung kompensiert
und der richtige thermische Widerstand Rth bestimmt werden. Damit
kann nun die Abkühlkurve in die Aufheizkurve mit der Formel 3.12
umgerechnet werden. Grafisch bedeutet diese Umrechnung eine Spiegelung
der Abkühlkurve an der Zeitachse und eine Verschiebung um den Wert
Rth nach oben. Als Ergebnis erhält man eine weit verbreitete Darstellung
der thermischen Impedanz (siehe Abbildung 3.18) als Aufheizkurve.
Beachtet werden muss bei der Messung der Einfluss des Laststromes bzw.
der Wärmestromdichte. Wie Abbildung 3.20 zeigt, führt eine höhere Wär-
mestromdichte zu einem höheren thermischen Widerstand. Der höhere
Laststrom führt zu höheren Temperaturen im Leistungsmodul. Da die
Wärmeleitfähigkeit der Materialien mit der Temperatur sinkt, steigt der
thermische Widerstand des Leistungsmoduls. Dieser Effekt muss berück-
sichtigt werden. Verglichen werden dürfen nur thermische Impedanzen
Gemessene Zthja, abkühl(t) eines 400A, 600V IGBTs

0,20 0,20 Rth
0,18 0,18
0,16
0,16
0,14
0,14
0,12
0,12 0 0,05 0,1
Zthja in K/W
(t)1/2 in (s)1/2
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 100
t in s
Abbildung 3.19: Gemessene Abkühlkurve Zth,abkühl (t), indirekte Bestim-

mung des thermischen Widerstands Rth
eines Leistungsmoduls bei etwa gleichen Wärmestromdichten, was für die

thermische Impedanzspektroskopie relevant ist.
3.2.2 Quasi-kontinuierliches Impedanzspektrum
Die thermische Impedanz wird vereinfacht mit Hilfe eines eindimensionalen

Ersatzschaltbildes beschrieben. Üblicherweise wird hierzu die FOSTER-
Darstellung genommen (siehe Abbildung 3.21). Diese Schaltung spie-
gelt das thermische Verhalten des betrachteten Systems zwischen der
Sperrschichttemperatur Tvj und der Referenztemperatur Tref wieder. Die
Knotenpunkte zwischen den einzelnen RC-Gliedern können dabei nicht
einem realen Punkt im Kühlpfad des Leistungsmoduls zugeordnet werden.
Das Verhalten des FOSTER-Ersatzschaltbildes wird mathematisch mit
Formeln 3.14 und 3.15 beschrieben.
n
− t
X
Zth (t) = Ri 1 − e τi (3.14)
i=1
Zth in Abhängigkeit des Laststroms

0,18
0,16
0,14
0,12
Zth in K/W
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
1,0E-04 1,0E-03 1,0E-02 1,0E-01 1,0E+00 1,0E+01 1,0E+02
t in s
150A 250A 350A
Abbildung 3.20: Einfluss des Laststroms bzw. der Wärmestromdichte

auf den Verlauf der thermischen Impedanz, gemessen am 600V, 300A
Leistungsmodul mit einer direkt gekühlten Grundplatte mit der PinFin-
Struktur
τi = Ri · Ci (3.15)
Je nach Dicke und Anzahl der Materialschichten zwischen der Sperrschicht-
temperatur und der Referenztemperatur sind unterschiedlich viele Glieder
im FOSTER-Ersatzschaltbild für eine genaue Approximation notwendig.
Für das Leistungsmodul mit glatter Grundplatte sind für die Beschreibung
der thermischen Impedanz zwischen Sperrschicht und Grundplattenun-
terseite (oft bezeichnet als Zthjc ) drei bis vier RC-Glieder ausreichend.
Ein bis zwei Glieder mehr sind notwendig, wenn die Referenztemperatur
im Kühlkörper oder im Kühlmedium (Luft, Kühlflüssigkeit) liegt. Die
in dieser Form beschriebene thermische Impedanz lässt sich grafisch in
der Form eines diskreten Spektrums darstellen. Dabei bilden die Zeit-
konstanten τi die x-Achse und die Amplituden sind die dazugehörigen
thermischen Teilwiderstände. Ein Beispiel dafür ist in der Abbildung 3.22
dargestellt. In diesem Diagramm ist das diskrete Spektrum eines Standard-
Leistungsmoduls FS400R07A1E3 (600V, 400A) des Herstellers Infineon
Technologies dargestellt. Die Daten hierfür sind in Tabelle 3.2. Dieses
diskrete Spektrum kann mit dem „Levenberg-Marquardt-Verfahren” be-
R1 Rn
Tj
PV
C1 Cn
Tref
Abbildung 3.21: FOSTER-Ersatzschaltbild für die thermische Impedanz
rechnet werden [33]. Möglich hierfür ist auch das Lösungsverfahren „NNLS”
(non negative least square) aus [53].
Tabelle 3.2: RC-Glieder des FOSTER-Ersatzschaltbildes für den IGBT

im Leistungsmodul FS400R07A1E3 (600V, 400A), Datenblattwerte
Index τi in s ri in K/W
1 3,60E-4 0,01419
2 1,94E-2 0,06479
3 3,76E-2 0,03350
4 9,87E-1 0,00743
Obwohl das diskrete Spektrum das thermische Verhalten ausreichend

genau beschreibt, muss dieses in komplexen thermischen Systemen eher
kontinuierlicher Natur sein. In [91] und [90] wird eine Vorgehensweise
vorgestellt, wie man ausgehend von der gemessenen thermischen Impedanz
das kontinuierliche Impedanzspektrum berechnet.
Die Berechnung des kontinuierlichen Impedanzspektrums unterteilt sich
in drei Schritte:
1. Logarithmieren der Zeitachse der Zth -Funktion

2. Ableitung der Zth -Funktion
3. Lösung eines Faltungsintegrals
Problematisch erweist sich bei der Anwendung dieser Methode auf die Leis-
tungsmodule die Ableitung der gemessenen Zth -Funktion. Dieser Schritt
liefert bei bereits geringem Rauschen der Messwerte in der thermischen
Impedanz zu starken Störungen in der Ableitungsfunktion. Ein weiteres
Verarbeiten dieser Werte führt zu schlechten Ergebnissen. Um dies zu
veranschaulichen, zeigt Abbildung 3.23 die ermittelte Ableitungsfunktion
aus einer gemessenen thermischen Impedanz eines Leistungsmoduls. Wie
Diskretes Spektrum
0,07
0,06
0,05
Rth in K/W
0,04
0,03
0,02
0,01
0
1,0E-05 1,0E-04 1,0E-03 1,0E-02 1,0E-01 1,0E+00 1,0E+01
τ in s
Abbildung 3.22: Diskretes Impedanzspektrums des Leistungsmoduls

FS400R07A1E3
im rechten Diagramm zu erkennen, enthält die Ableitungsfunktion ein

starkes Rauschen, obwohl die gemessene thermische Impedanz im linken
Diagramm nur eine geringe Streuung der Messwerte aufweist. Ein Filtern
dieser Funktion würde zu einem Informationsverlust führen.
Deshalb wird speziell für Leistungsmodule ein anderer Lösungsweg nach-
folgend vorgeschlagen. Bei dem neuen Lösungsansatz wird die Ableitung
der thermischen Impedanzfunktion vermieden. Der erste Schritt dieses
Lösungsweges ist das Logarithmieren der t- und der τ -Achse (siehe Glei-
chungen 3.16 und 3.17). Damit lässt sich die FOSTER-Darstellung aus
Gleichung 3.14 in Gleichung 3.18 umformen.
x = ln(t) (3.16)
ξ = ln(τ ) (3.17)
n
X (xj −ξi )
Zth (t) = R(ξi ) 1 − e−e (3.18)
i=1
Gemesssene thermische Impedanz Ableitungsfunktion

Zthja(ln(t)) dZthja/d(ln(t))
0,12 0,030
0,10 0,025
0,08 0,020
dZthja/d(ln(t)
Zthja in K/W
0,06 0,015
0,04 0,010
0,02 0,005
0,00 0,000
-8 -6 -4 -2 0 2 4 -8 -6 -4 -2 0 2 4
ln(t) ln(t)
Abbildung 3.23: Links: gemessene thermische Impedanz eines 800A / 600V

IGBTs im direkt gekühlten Leistungsmodul; rechts: rechnerisch ermittelte
Ableitungsfunktion
Für die Verarbeitung der Messwerte ist Gleichung 3.18 in der Matrix-
Darstellung von Vorteil, siehe Gleichungen 3.19 und 3.20. Damit ist die
Matrixgleichung 3.21 vorgegeben. Der Vektor z enthält die Messwerte der
gemessenen thermischen Impedanz Zth , die Matrix A ist die Faltungsma-
trix der logarithmierten t- und τ -Achsen und der Vektor r ist unbekannt,
der die Amplitudenwerte des zu berechnenden Impedanzspektrums ent-
hält. Die logarithmierte t-Achse wird von der gemessenen thermischen
Impedanz vorgegeben. Dagegen muss die τ -Achse frei gewählt werden,
wobei der Wertebereich mindestens zwischen der kleinsten und der größten
Zeitkonstante des zu untersuchenden thermischen Systems liegen soll.
Zth (x1 ) a11 · · · a1i · · · a1n R(ξ1 )
     
..   .. .. ..   .. 
.   . . .   . 


 Zth (xj )  =  aj1 · · · aji · · · ajn  ·  R(ξi )  (3.19)
     
 ..   ..
  .. ..   .. 
 
. . . . .
 
Zth (xm ) am1 · · · ami · · · amn R(ξn )
(xj −ξi )

aji = 1 − e−e (3.20)
z =A·r (3.21)
Prinzipiell kann Gleichung 3.21 mit verschiedenen mathematischen Hilfs-
mitteln gelöst werden. Als optimal für die gegebene Problemstellung
erweist sich der iterative Lösungsalgorithmus nach [49], der mit Formel
3.22 angegeben ist. Darin ist der Index p die Anzahl der Iterationen.
(p+1) 1 X aji · r(p) · zj

i
ri =P · P (p)
(3.22)
aji j ajk · rk
j k
Mit Hilfe der beschriebenen Vorgehensweise wurde das Spektrum für ein
IGBT des Standardmoduls FS400R07A1E3 (650V, 400A) des Herstellers
Infineon Technologies AG berechnet. Hierfür war der Ausgangspunkt die
thermische Impedanz zwischen der Sperrschicht und der Grundplatten-
unterseite (Rthjc ) aus dem Datenblatt. Mit Hilfe der FOSTER-Glieder
wurde die thermische Impedanz mit 300 Punkten erstellt, danach für diese
Funktion das quasi-kontinuierliches Spektrum berechnet. Die Lösung zeigt
Abbildung 3.24.
Im Vergleich zum diskreten Spektrum wird die thermische Impedanz mit
viel mehr RC-Gliedern des FOSTER-Netzwerkes beschrieben und erlaubt
mit der weiteren mathematischen Analyse eine physikalische Interpretation
des Kühlpfads im Leistungsmodul.
3.2.3 Strukturfunktionen
Das quasi-kontinuierliche Spektrum stellt ein FOSTER-Ersatzschaltbild

mit vielen RC-Gliedern dar. Für die weitere Analyse ist die Umrech-
nung dieses FOSTER-Ersatzschaltbildes in das äquivalente CAUER-
Ersatzschaltbild (Abbildung 3.25) notwendig.
Die Transformation des FOSTER-Ersatzschaltbildes in das äquivalente
CAUER-Ersatzschaltbild kann mit dem rekursiven Umrechnungsalgorith-
mus aus [21] durchgeführt werden. Im Nachfolgenden wird die Herleitung
des Algorithmus nicht im Detail erläutert, sondern nur die Anwendung
dieser Transformation beschrieben.
Der erste Schritt der Umrechnungsvorschrift ist die Anwendung der
Laplace-Transformation in Gleichung 3.14. Das FOSTER-Ersatzschaltbild
Quasikontinuierliches Impedanzspektrum
0,025
0,020
0,015
Rth in K/W
0,010
0,005
0,000
1,0E-05 1,0E-04 1,0E-03 1,0E-02 1,0E-01 1,0E+00 1,0E+01
τ in s
Abbildung 3.24: Berechnetes quasi-kontinuierliches Spektrum für den

IGBT des Standard-Leistungsmoduls FS400R07A1E3 (650V, 400A)
im Bildbereich nach dieser Transformation beschreiben Gleichungen 3.23

und 3.24
n
X 1
Zth (s) = (3.23)
i=1
Ci (s − si )
−1
si = (3.24)
Ri · Ci
Mit der Laplace-Darstellung muss die Summe der PT1-Glieder der Glei-
r1 rn
Tj
PV c1 cn
Tref
Abbildung 3.25: CAUER-Ersatzschaltbild für die thermische Impedanz
chung 3.23 in die Form der gebrochen rationalen Funktion gebracht werden
(siehe 3.25), wobei p(s) Zählerpolynom und q(s) Nennerpolynom darstellen.
In dieser Funktion ist der Zählergrad um eins kleiner als der Nennergrad.
p(s)
Zth (s) = (3.25)
q(s)
Im dritten Schritt wird der Nenner durch den Zähler der Gleichung
3.25 mit Hilfe der Polynomdivision dividiert, wobei als Ergebnis die
Summe aus einer linearen Funktion und einem Rest herauskommt (siehe
Gleichung 3.26). Die ersten Teilkomponenten ri und ci des CAUER-
Ersatzschaltbildes können nun aus dem Term s · a + b bestimmt werden.
Die Gleichungen 3.27 und 3.28 beschreiben den Zusammenhang zwischen
CAUER-Parameter und der linearen Funktion.
q(s) qrest (s)
= s · a + b + Rest; Rest = (3.26)
p(s) pi (s)
1
ri = (3.27)
b
ci = a (3.28)
Im letzten Schritt wird eine gebrochen rationale Funktion mit Hilfe der
Rekursion in Gleichungen 3.29 und 3.30 definiert. Für die neue Funktion
pi−1 (s)/qi−1 (s) kann wieder die Umrechnungsvorschrift ab Gleichung 3.25
angewendet werden. Die Iterationsschleife wird so lange durchgeführt
bis der Rest Null wird. Die Anzahl der Schleifendurchläufe entspricht
genau der Anzahl der RC-Paare im FOSTER-Ersatzschaltbild. Damit
hat das CAUER-Ersatzschaltbild nach der Transformation genauso viele
RC-Paare wie das äquivalente FOSTER-Netzwerk.
qi−1 (s) = b · pi (s) + qrest (3.29)
−qrest
pi−1 (s) = (3.30)
b
Mit dem berechneten CAUER-Ersatzschaltbild können Strukturfunktio-
nen gebildet werden, die eine physikalische Interpretation des Kühlpfads
ermöglichen. Bekannt sind differentielle Strukturfunktion und kumulative
Strukturfunktion [70], [69], [48], [47]. Die differentielle Strukturfunkti-
on K(ρ) wird mit Gleichung 3.31 und die kumulative Strukturfunktion
Ckum (ρ) mit Gleichung 3.32 gebildet. Die Berechnung erfolgt mit den
Parametern ri und ci des CAUER-Ersatzschaltbildes.
n
ci X
K(ρ) : Ki = ; ρi = ri (3.31)
ri i=1
n
X n
X
Ckum (ρ) : Ckum,i = ci ; ρi = ri (3.32)
i=1 i=1
Als Beispiel wurden beide Strukturfunktionen für das berechnete Spek-

trum aus Abbildung 3.24 bestimmt. Zunächst wurde das Spektrum bzw.
das FOSTER-Ersatzschaltbild nach dem beschriebenen Verfahren in das
CAUER-Ersatzschaltbild transformiert, danach die Parameter der Struk-
turfunktionen mit den Gleichungen 3.31 und 3.32 berechnet. Das Ergebnis
ist in Abbildungen 3.26 und 3.27 dargestellt.
K(ρ)
1,0E+07
1,0E+06 Rthjc 4
1,0E+05
K in (W²s)/K²
1,0E+04 3
1,0E+03 2
1
1,0E+02
1,0E+01
1,0E+00
1,0E-01
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14
ρ in K/W
Abbildung 3.26: Differentielle Strukturfunktion eines 650V/400A IGBTs,

ermittelt nach der thermischen Impedanz des Datenblattes
Auf der ρ-Achse bei diesen Strukturfunktionen ist bei ρ = 0 der Halbleiter-
chip. Von diesem Punkt aus nach rechts ist der physikalische Wärmefluss
vom Chip zum Referenzpunkt Tref . Strukturfunktionen können nach [90]
Ckum(ρ)
1,0E+04
1,0E+03 Rthjc
4
1,0E+02
Ckum in (Ws)/K
1,0E+01
3
1,0E+00
2
1,0E-01
1
1,0E-02
1,0E-03
0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14
ρ in K/W
Abbildung 3.27: Kumulative Strukturfunktion eines 650V/400A IGBTs,

ermittelt nach der thermischen Impedanz des Datenblattes
wie folgt physikalisch interpretiert werden. In der differentiellen Struktur-

funktion geben die lokalen Maxima die Informationen über die jeweilige
Materialschicht. Bei der kumulativen Strukturfunktion liefern Plateaus
Werte für die Identifikation des Kühlpfads. In diesem gezeigten Beispiel
konnten vier Punkte identifiziert werden, die einzelnen Materialschichten
zugeordnet werden können. Den physikalisch Zusammenhang der Werte
K und Ckum geben die Gleichungen 3.33 und 3.34. λ ist die Wärmeleitfä-
higkeit, s ist die Wärmespeicherzahl, A ist die am Wärmefluss beteiligte
Fläche und d ist die Dicke der Materialschicht. Die Konstanten der im
Leistungsmodul verwendeten Materialien sind in Tabelle 3.3 aufgelistet.
K(ρ) = λ · s · A2 (3.33)
Ckum (ρ) = s · A · d (3.34)

Mit grober Kenntnis über den Leistungsmodulaufbau bzw. über darin
verwendete Materialien lassen sich die wesentlichen Schichten identifizieren.
In Tabelle 3.4 sind anhand der ermittelten Strukturfunktionen die vier
markierten Punkte den einzelnen Materialien im Leistungsmodul-Kühlpfad
zugeordnet.
Tabelle 3.3: Materialkonstanten aus [100]

Material Wärmeleitfähigkeit Wärmespeicherzahl
λ in W/(m · K) s in W s/(m3 · K)
Si 148 1,65·106
Cu 394 3,40·106
Al2 O3 24 3,03·106
Lot 70 1,67·106
Tabelle 3.4: Zuordnung der Messpunkte aus Strukturfunktionen (Abbil-

dungen 3.26 und 3.27 zu Materialschichten
Punkt Nr. 1 2 3 4
Material Si Al2 O3 Cu (Grundplatte) TIM
Mit den Werten K und Ckum und den Materialkonstanten aus Tabelle 3.3
können die Abmessungen des Chips ermittelten werden. Im betrachteten
Leistungsmodul sind zwei IGBT-Chips parallel geschaltet, die jeweils
eine Chipfläche von ca. 10mm x 10mm haben. Die Dicke des IGBTs
beträgt 70µm. Aus Strukturfunktionen können für den Si-Chip die Werte
K = 6(W 2 s)/K 2 und C = 0, 02W s/K abgelesen werden. Damit ergibt
sich für die Fläche eines Chips 9mmx9mm und für die Chipdicke der Wert
von 77µm. Das entspricht mit guter Genauigkeit der tatsächlichen Größe.
Für andere Schichten können prinzipiell mit der gleichen Vorgehensweise
die geometrischen Abmessungen bestimmt werden. Je weiter die Schicht
vom Chip entfernt ist, desto schlechter wird jedoch die Genauigkeit.
Die Abweichung ist auf die Unsicherheitsproblematik der differentiellen
Strukturfunktion zurückzuführen. Diese Funktion ist einerseits von der
Messqualität der thermischen Impedanz abhängig und kann andererseits
vom numerischen Rauschen des Lösungsalgorithmus beeinflusst ([74], [75])
werden.
Die partiellen thermischen Widerstände können mit ausreichend guter
Qualität in Abbildungen 3.27 und 3.26 voneinander getrennt werden,
was für die Fehleranalyse verwendet werden kann. Man sieht in der
differentiellen Strukturfunktion den bestimmenden Anteil des thermischen
Widerstandes zwischen den Punkten 2 und 3. Dieser Anteil ist die Al2 O3 -
Schicht und beträgt etwa 70% des Gesamtwiderstandes. Zwischen den
Punkten 1 und 2 ist der Teilwiderstand bestehend aus Silizium-, Lot-,
und Kupferschicht (obere Metallisierung der DCB-Keramik). Dieser Teil
beträgt etwa 16%. Dies entspricht mit sehr guter Genauigkeit der Aussage
in [100] für heutige Standard-Leistungsmodule. Punkt 3 kann der Cu-
Grundplatte zugeordnet werden. Zwischen Punkt 4 und dem stationären
Endwert Rthjc ist der Übergangswiderstand zwischen Grundplatte und

Messpunkt der Referenztemperatur.
3.2.4 Messung von Alterungsprozessen
Die zweite Methode der thermischen Impedanzspektroskopie, die nach-

folgend beschrieben wird, bietet eine Möglichkeit zur Beobachtung von
Alterungsprozessen im thermischen Pfad des Leistungsmoduls während
der Lastwechseltests. Ziel ist es zu ermöglichen, die zeitliche Reihenfolge
von verschiedenen Fehlermechanismen im Leistungsmoduls zu verfolgen.
Im Laufe des Tests von Lastwechseltests treten oft in mehreren Schichten
des Leistungsmoduls Degradationsprozesse auf. Wenn die Fehleranalyse
des Kühlpfads im Leistungsmoduls nur am Testende durchgeführt wird,
kann keine Aussage über die zeitliche Abfolge der Fehlermechanismen
gemacht werden. Im Vergleich zur ersten Fehleranalysemethode mit Struk-
turfunktionen lässt sich diese Methode einfacher in einem Messprogramm
automatisieren.
Der Ansatz ist die Messung der Parameter des CAUER-Ersatzschaltbildes.
Hierfür ist es ausreichend nach der herkömmlichen Methode die thermi-
schen Impedanz mit dem diskreten Impedanzspektrum zu beschreiben.
Die gemessene Kurve wird mit Hilfe vom FOSTER-Netzwerk mit weni-
gen RC-Paaren approximiert. Dieses Netzwerk wird dann im nächsten
Schritt in das CAUER-Netzwerk mit der vorgeschlagenen Methode der
FOSTER-CAUER-Transformation in Kapitel 3.2.3 umgerechnet. Da die
Knotenpunkte des CAUER-Ersatzschaltbildes einem bestimmten phy-
sikalischen Punkt im Kühlpfads zugeordnet werden können, liefern die
Teilwiderstände dieses Netzwerks die Information über einen bestimmten
Bereich des Kühlpfads. Misst man diese Teilwiderstände über die Dauer
des Lastwechseltests in regelmäßigen Abständen, können Degradationen
in verschiedenen Schichten des Leistungsmoduls gemessen werden.
Dieser Ansatz kann mit Hilfe einer thermischen Simulation bestätigt
werden. Für diese Simulation wurde das vereinfachte thermische Modell
aus [31] verwendet. Der simulierte Kühlpfad des Leistungsmoduls ist in
Abbildung 3.28 gezeigt. Die Simulation wurde für ein 600V / 400A Stan-
dardmodul durchgeführt. Für die Berechnung der thermischen Impedanz
wurde eine Chipfläche von 2cm2 angenommen. Weitere Angaben zum
Simulationsmodell sind im Anhang A.2.
Simuliert wurden thermische Impedanzen zwischen Sperrschicht und Kühl-
wasser für drei typische Fehler im Kühlpfad des Leistungsmoduls:
• Degradation der Chipverbindung
Chip (Si, SiC)

Chipverbindung (Lot)
Substrat-Metallisierung (Cu)
Wärmestrom Keramik (Al2O3)
Substrat-Metallisierung (Cu)
Systemverbindung (Lot)
Grundplatte (Cu)
Wärmeleitpaste
Kühlkörper (Cu)
Wasser
Abbildung 3.28: Schichtenmodell für die thermische Simulation verschie-
dener Fehlerfälle im Kühlpfad eines Leistungsmoduls
• Degradation der Systemverbindung

• Degradation der Wärmeleitpaste
Für die Simulation dieser Fehlerfälle wurden vereinfacht die Flächen
entsprechender Schichten so verkleinert, dass der Gesamtwiderstand zwi-
schen Chip und Kühlwasser um 20% höher wurde. Das Prinzip dieser
Flächenverkleinerung ist in Abbildung 3.29 gezeigt.
Simulation von typischen Fehlermechanismen im Kühlpfad
Chipverbindung Systemverbindung Wärmeleitpaste

Abbildung 3.29: Prinzip der Simulation von typischen Fehlermechanismen
Die simulierten thermischen Impedanzen zeigt Abbildung 3.30. Diese

Kurven wurden mit Hilfe der Methode der kleinsten Quadrate „NNLS”aus
[53] an das FOSTER-Ersatzschaltbild mit sieben RC-Paaren approximiert
und danach in die CAUER-Parameter umgerechnet. Die Verteilung der
CAUER-Teilwiderstände in Abbildung 3.31 zeigt, dass für einen bestimm-
ten Fehlerfall nur ein Teilwiderstand einen signifikanten Anstieg zeigt.
Betrachtet man den Fall „Chipverbindung”, sieht man den größten An-
stieg im Rth -Anteil Nr. 2. Die anderen Anteile dieses Fehlerfalles zeigen
zwar auch eine Erhöhung; diese bleibt aber relativ gering. Dieser Effekt
kann anhand Abbildung 3.29 erläutert werden. Bei der Degradation der
Chipverbindung kommt es im ganzen Kühlpfad zu einer Einengung des
Wärmeflusses. Die relative Abnahme der Fläche ist in der Chipverbindung
am größten, in den darunter liegenden Schichten nimmt sie aufgrund der
Wärmespreizung ab. Analog zu diesem Fehlerfall können Veränderungen

der Rth -Anteile für andere Fehlerfälle beobachtet werden.
Zth-Verläufe bei verschiedenen Fehlern

0,30
0,25
0,20
Zth in K/W
0,15
0,10
0,05
0,00
1,0E-04 1,0E-03 1,0E-02 1,0E-01 1,0E+00 1,0E+01
t in s
ohne Fehler Chipverbindung Systemverbindung Wärmeleitpaste
Abbildung 3.30: Verläufe der thermischen Impedanz eines wassergekühlten

Leistungsmoduls mit drei verschiedenen Fehlern im Kühlpfad
Die Teilwiderstände des CAUER-Ersatzschaltbildes beschreiben einen be-

stimmten Bereich des Kühlpfads. Die Reihenfolge der Parameter entspricht
der Richtung vom Chip zum Kühlwasser. Für die physikalische Interpre-
tation der Parameter muss abgeschätzt werden, zu welchem Punkt des
Kühlpfades der Knotenpunkt zwischen den Teilwiderständen zugeordnet
werden kann.
Prinzipiell kann die Auflösung, womit man den Kühlpfad in Teile zerlegt,
mit der Anzahl der RC-Paare frei gewählt werden. Für die Erkennung
von typischen Fehlerfällen ist es ausreichend die thermische Impedanz mit
drei bis vier Gliedern zu beschreiben.
3.2.5 Bestätigung der Methode
In diesem Abschnitt soll anhand experimenteller Beispiele die Anwendbar-

keit der thermischen Impedanzspektroskopie bestätigt werden. Es werden
Beispiele zur ersten Methode gezeigt. Die Anwendbarkeit der zweiten
Methode für die Beobachtung von Alterungsprozessen wird in Kapitel 4
Rth-Anteile des CAUER-Ersatzschaltbildes

0,14
0,12
0,10
Rth in K/W
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
1 2 3 4 5 6 7
Rth-Anteil (Nr.)
ohne Fehler Chipverbindung Systemverbindung Wärmeleitpaste
Abbildung 3.31: Einfluss verschiedener Fehlerfälle auf die Verteilung der

CAUER-Teilwiderstände, Ergebnisse für simulierte Zth (t)-Kurven in Ab-
bildung 3.30
experimentell nachgewiesen.
Der Prüfling war in der ersten Untersuchung ein 600V/400A Leistungs-
modul mit heutiger Standardtechnologie. Dieses Leistungsmodul war
auf einem wassergekühlten Kühlkörper montiert und wurde mit aktiven
Zyklen belastet. Die Testparameter waren laut Tabelle 3.5.
Der Test erreichte das „End-of-Life” aufgrund des angestiegenen ther-
mischen Widerstandes. Wie die nachfolgende Analyse gezeigt hat, war
für den Anstieg die Degradation der Chipverbindung verantwortlich. Ab-
bildung 3.32 zeigt die gemessenen thermischen Impedanzen am Anfang
und am Ende des Lastwechseltests. Der stationäre thermische Widerstand
Rth ist am Ende des Tests um ca. 20% erhöht, was dem Ausfallkriterium
entspricht. Nach Erreichen dieses Kriteriums wurde der Lastwechseltest
gestoppt.
Eine eindeutige Lokalisierung des Fehlers mit Hilfe der thermischen Impe-
danzspektroskopie liefert die kumulative Strukturfunktion in Abbildung
3.33. Die Funktion mit der degradierten Chipverbindung ist im Vergleich
zur Funktion ohne Degradation um den Wert ∆ nach rechts verschoben.
Die Verschiebung ist gleich an der ersten Stufe zu erkennen. In Bezug
Tabelle 3.5: Testparameter beim Lastwechseltest für die Untersuchung

der thermischen Impedanzspektroskopie
Parameter I 400A
für Lastwechsel ton 0,6s
tof f 3,1s
Tvj,max 175◦ C
∆Tj 105K
TW asser 70◦ C
PV 320W/cm2
Parameter I 250A
für Zth -Messung ton 30s
tof f 30s
Messperiode 250Zyklen
auf die Interpretation der Funktion in Abbildung 3.26, bedeutet diese

Verschiebung eine Verschlechterung des lokalen thermischen Widerstandes
zwischen dem Chip und Al2 O3 -Keramik. Damit ist die Degradation in
der Chipverbindung eindeutig nachgewiesen. Dieser Fehler wird mit der
Ultraschallaufnahme in Abbildung 3.34 bestätigt.
Für die Untersuchung der thermischen Impedanzspektroskopie auf die
Lokalisierung des Fehlers in der Systemverbindung dient ein Lastwech-
seltestergebnis aus [31]. Das 600V/400A Leistungsmodul fiel unter den
gewählten Lastwechselbedingungen nur aufgrund der Degradation in der
Systemverbindung. Das Fehlerbild, aufgenommen mit einem Ultraschallmi-
kroskop, zeigt Abbildung 3.35. Die Systemverbindung weist Schädigungen
auf, die als helle Bereiche zu erkennen sind; in der Chipverbindung sind
dagegen keine Degradationen sichtbar.
Dieses Fehlerbild kann anhand der Strukturfunktion in Abbildung 3.36
bestätigt werden. Im Bereich des Chips sind keine wesentlichen Verände-
rungen des Funktionsverlaufs zu sehen. Strukturfunktionen für beide Fälle
laufen erst im Bereich von etwa ρ = 0, 1 auseinander, was physikalisch
dem Bereich zwischen der DCB-Keramik und der Grundplatte entspricht.
Damit kann eindeutig die Degradation der Systemverbindung eingegrenzt
werden.
Für den Fall, dass die Wärmeleitpaste im Kühlpfad des Leistungsmoduls
altert, eignet sich die Strukturfunktion ebenfalls zur Fehlerlokalisierung.
Für diesen typischen Fehlerfall zeigt Abbildung 3.37 die differentielle
Zth(t)
0,30
0,25
0,20
Zth in K/W
0,15
0,10
0,05
0,00
1,0E-04 1,0E-03 1,0E-02 1,0E-01 1,0E+00 1,0E+01 1,0E+02
t in s
ohne Degradation mit Degradation der Chipverbindung
Abbildung 3.32: Thermische Impedanz des 600V/400A IGBTs am Anfang

und am Ende des Lastwechseltests
Strukturfunktion. Es ist deutlich zu erkennen, dass die Strukturfunk-

tionen Änderungen außerhalb von dem thermischen Widerstand Rthjc
aufweisen. Die Kurve für den Fall mit gealterter Wärmeleitpaste hat einen
höheren partiellen thermischen Widerstand zwischen Rthjc (thermischer
Widerstand zwischen Sperrschicht und Modulgrundplatte) und Rthjh
(thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Kühlkörper). Dieser
partielle Widerstand wird von der Wärmeleitpaste bestimmt.
Anhand der vorgestellten Messungen kann gezeigt werden, dass sowohl
die kumulative als auch die differentielle Strukturfunktion für die Fehler-
analyse bei Zuverlässigkeitsuntersuchungen der Leistungsmodule geeignet
ist. Es besteht nach dem heutigen Stand der Technik oft die Schwie-
rigkeit die Schädigungen im Kühlpfad eines Leistungsmoduls eindeutig
einzugrenzen. Nach der herkömmlichen Methode wird bei Lastwechsel-
tests der stationäre thermische Widerstand zwischen der Sperrschicht des
Leistungsmoduls und der Referenztemperatur-Messstelle überwacht. Der
Anstieg des thermischen Widerstandes kann aufgrund der Degradation der
Verbindungsschichten im Leistungsmodul oder der Verschlechterung des
Wärmeleitmaterials wie z.B. Wärmeleitpaste zwischen Leistungsmodul
und Kühlkörper verursacht werden. Auch die Verringerung des Kühlmit-
teldurchflusses und Ablagerungen im Kühlkörper bei wassergekühlten
Ckum(ρ)
1,0E+05 Rthjh(Testende)
1,0E+04 Rthjh(Teststart)
1,0E+03
Ckum in (Ws)/K
1,0E+02 Rthjc(Teststart)
1,0E+01 Δ
1,0E+00
1,0E-01
1,0E-02
0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25
ρ in K/W
ohne Degradation mit Degradation der Chipverbindung
Abbildung 3.33: Kumulative Strukturfunktion des 600V/400A IGBTs

ohne Degradation und mit degradierten Chipverbindung
Testsystemen kann zur Erhöhung des thermischen Widerstandes führen.

Für die Bewertung der Zuverlässigkeit der Leistungsmodule sind nur Fehler
im Leistungsmodul relevant. Wird ein Anstieg des thermischen Widerstan-
des während des Lastwechseltests detektiert, muss der Fehler im Kühlpfad
eindeutig lokalisiert werden. Dafür muss der Test bei herkömmlichen
Lastwechseluntersuchungen unterbrochen, das Leistungsmodul abmontiert
und zerstörungsfrei analysiert werden. Geeignete Methoden sind dafür die
Ultraschall- oder Röntgenanalyse.
Delaminationen innerhalb der Verbindungen können meist nur mit Hilfe
der Ultraschallanalyse festgestellt werden, Mikrorisse in den Lotschichten
werden mit Hilfe des Röntgenbildes sichtbar gemacht [45]. Eine zerstö-
rungsfreie Analyse des Leistungsmoduls mit diesen Methoden ist jedoch
nicht bei allen Aufbau- und Verbindungstechnologien möglich. Z.B. bei
direkt flüssigkeitsgekühlten Leistungsmodulen mit der PinFin-Struktur
auf der Grundplatte können keine Aufnahmen der Verbindungsschichten
mit dem Ultraschallgerät in ausreichender Auflösung gemacht werden.
Eine fein auflösende Ultraschallanalyse ist nur möglich, wenn die PinFin-
Struktur abgefräst wird. Nach dieser zerstörenden Prüfung kann der
Lastwechseltest nicht weiter durchgeführt werden. In diesem Fall ist die
zerstörungsfreie Analyse mit der thermischen Impedanzspektroskopie ein
IGBT IGBT
Abbildung 3.34: Ultraschallanalyse eines 600V/400A Leistungsmoduls

nach einem Lastwechseltest, links: Systemverbindung, mitte: Chipverbin-
dung mit Degradation, rechts: Chipverbindung im Ausgangszustand
wichtiges Hilfsmittel für die Zuverlässigkeitsuntersuchungen.
Abbildung 3.35: Ultraschallanalyse eines 600V/400A Leistungsmoduls

nach einem Lastwechseltest, links: Systemverbindung mit Degradation,
rechts: Chipverbindung ohne Degradation
Ckum(ρ)
1,0E+05 Rthjh (ohne Fehler)
1,0E+04 Rthjc (Systemverbindung degradiert)
1,0E+03
Rthjc (ohne Fehler)
Ckum in (Ws)/K
1,0E+02
1,0E+01
1,0E+00
Δ
1,0E-01
1,0E-02
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25
ρ [K/W]
ohne Fehler Systemverbindung degradiert
Abbildung 3.36: Kumulative Strukturfunktion des 600V/400A IGBTs

ohne Degradation und mit degradierten Systemverbindung
K(ρ)
1,0E+09 Rthjh (Wärmeleitpaste gealtert)
1,0E+08
1,0E+07 Rthjh (ohne Fehler)
1,0E+06 Rthjc
K in (W²s)/K²
1,0E+05
1,0E+04
1,0E+03
1,0E+02
1,0E+01
1,0E+00
1,0E-01
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25
ρ [K/W]
ohne Fehler Wärmeleitpaste gealtert
Abbildung 3.37: Differentielle Strukturfunktion des 600V/400A IGBTs

ohne Degradation und mit gealterter Wärmeleitpaste
3.3 Lastwechselstand mit Gleichstrombelastung
3.3.1 Stromregelung und Kühlung
Dieses Prüfstandskonzept ermöglicht die Lastwechselfestigkeit der Leis-

tungsmodule mit dem weit verbreiteten Testverfahren zu untersuchen.
Die Lastzyklen werden mit dem Gleichstrom generiert, wobei die Erwär-
mung bzw. die Temperaturhübe im Leistungsmodul aufgrund von internen
Durchlassverlusten der Leistungsbauelemente entstehen. Zusätzlich zu
diesem typischen Testverfahren bietet das hier beschriebene Testkon-
zept die Nachbildung von Kühlrandbedingungen eines Hybridfahrzeugs.
Den realisierten Prüfstand zeigt Abbildung 3.38. Das Konzept für die
Automatisierung des Prüfstandes entstand in [31].
Das Funktionsprinzip des Prüfstandes ist in Abbildung 3.39 dargestellt.
Für den geregelten Belastungs-Gleichstrom wird zunächst die Netzspan-
nung über einen Stelltransformator herunter transformiert und mit Hilfe
einer Zwölfpuls-Gleichrichterschaltung gleichgerichtet. Die gleichgerichtete
Spannung wird genutzt um den Laststrom mit Hilfe einer Zweipunktrege-
lung zu regeln. Wichtige Eigenschaften der Stromregelung sind sowohl die
geringe Welligkeit als auch das sehr schnelle Abschalten großer Ströme.
Die abrupte Stromabschaltung ist notwendig, um die Sperrschichttempe-
ratur im Leistungshalbleiter möglichst schnell nach dem Abschaltvorgang
mit Hilfe der VCE (T)-Methode messen zu können.
Die Stromregelung wird mit Hilfe eines Tiefsetzstellers realisiert (siehe
Abbildung 3.40). Der Schalter MOSFET 1 in dieser Schaltung ist für die
Regelung des Stroms zuständig. Mit Hilfe des Schalters MOSFET 2 und
des parallel geschalteten Varistors wird die schnelle Stromabschaltung
realisiert. Während des Abschaltvorgangs wird die in der Lastinduktivität
gespeicherte Energie im Varistor in Wärme umgesetzt. Der Varistor be-
grenzt die Überspannung am Schalter MOSFET 2 und muss entsprechend
Schalthäufigkeit, Größe der Lastinduktivität und Stromstärke thermisch
bemessen sein.
Für Kühlung bzw. Temperieren der zu testenden Leistungsmodule ist der
Einsatz eines Kühl- und Heizgerätes erforderlich. Damit wird ermöglicht,
neben der reinen Kühlung des Prüflings ein konstantes Temperaturni-
veau des Kühlmittels unabhängig von der Verlustleistungseinspeisung
des Prüflings zu halten und passive Temperaturzyklen einzustellen. Um
die Temperaturen größer als 100◦ C erreichen zu können, muss der Kühl-
kreislauf als geschlossenes System ausgeführt sein. Insgesamt können
mit Funktionen des Kühlkreislaufs für die zu testenden Leistungsmodu-
le die Umgebungsbedingungen eines Hybridfahrzeugs im beschränkten
3.3 Lastwechselstand mit Gleichstrombelastung 81
Prüflinge
Laststromregler
Kühl-, Heizgerät
Messstromquelle
Stelltransformator,
Gleichrichter
Lastinduktivität Steuerung und Messwerterfassung

Abbildung 3.38: Realisierter Testaufbau für Lastwechseltests mit Gleich-
strombelastung
Temperaturbereich nachgebildet werden.

Das Prinzip des Kühlkreislaufs ist in Abbildung 3.41 dargestellt. Das
Kühlkonzept besteht aus zwei getrennten Kreisläufen. Der primäre Kreis-
lauf wird an das Kühlwasser des Prüflabors angeschlossen, welches die
Wärme über einen Wärmetauscher aus dem Sekundärkreislauf entzieht.
Die minimal mögliche Temperatur im Kühlsystem wird mit diesem Kühl-
wasser bestimmt. Über das Ventil (Kühlen) kann die Kühlung ein- und
ausgeschaltet werden und somit die Kühlleistung geregelt werden. Im
Sekundärkreislauf befinden sich die zu temperierenden Leistungsmodule.
Hier dient die Heizung als Wärmequelle, die zusätzlich zur Verlustleistung
der Prüflinge zum Aufheizen des Kühlmittels genutzt werden kann. Die
Steuerung, Messwerterfassung
U~ UDC+ Imax IDC,Last

y Q
3~ 230/400V
D
U~ UDC- IDC,Last
d Imin
Dyd- B12- Laststrom- Kühlung,

Prüfling
Stelltransformator Gleichrichter Zweipunktregler Temperierung
Abbildung 3.39: Übersichtsschaltbild des Prüfstandes für Lastwechseltests

mit Gleichstrombelastung
Pumpe stellt die Durchflussmenge ein. Das Ausdehnungsgefäß ist ein

kleiner Speicher, welches die Volumenänderung des Kühlmittels kompen-
siert. Darin wird der Kühlmittelstand kontrolliert und bei Bedarf das
Kühlmittel aus dem Kühlmittel-Reservoir nachgefüllt.
3.3.2 Prinzip der Steuerung und Messwerterfassung
Die Aufgaben der automatisierten Steuerung des Lastwechselversuchs

unterteilen sich in zwei Gruppen. Zum einen müssen gewünschte Belas-
tungsbedingungen ausgegeben und zum anderen die alterungsrelevanten
Größen gemessen und überwacht werden.
Beim vorgestellten Versuchsaufbau sind die Belastungsbedingungen rein
aktive, rein passive oder überlagerte Temperaturzyklen. Für die Belastung
mit aktiven Zyklen sind vier verschiedene Steuerungsverfahren möglich
([83]):
1. Konstante Ein- und Ausschaltzeit (ton , toff = const.)

2. Konstanter Temperaturhub an Gehäuse oder Kühlkörper (Tc =
cont.)
3. Konstante Verlustleistung (Pv = const.)
4. Konstanter Temperaturhub der Sperrschicht
Bei konstanter Ein- und Ausschaltzeit während des Lastwechseltests wer-

den die Alterungseffekte im Kühlpfad des Leistungsmoduls nicht kompen-
siert. Eine Verschlechterung des thermischen Widerstandes im Laufe des
Tests führt zur steigenden maximalen Sperrschichttemperatur. Bei übli-
chen Lastwechselbedingungen verändert der erhöhte Wärmewiderstand
jedoch kaum die minimale Sperrschichttemperatur. Es kommt dadurch
Laststrom-Zweipunktregler
MOSFET 1 MOSFET 2
UDC Messstrom
ILast
L Prüfling
Regler
ILast EIN/AUS
Sollwert Signal
Abbildung 3.40: Übersichtsschaltbild des Prüfstandes für Lastwechseltests
mit Gleichstrombelastung
zusätzlich zu einem erhöhten Temperaturhub der Sperrschicht und folglich

zur Alterungsbeschleunigung der Aufbau- und Verbindungstechnik im
Leistungsmodul. Wird während des Tests die zweite Steuerungsmethode
angewendet, kompensiert man teilweise die Degradationen im Kühlpfad.
Es kommt dadurch zu einer geringeren Alterungsbeschleunigung. Noch
größer ist die Kompensation der Degradationsprozesse bei den letzten zwei
Steuerungsverfahren. Wie in [83] gezeigt, führt das Verfahren mit konstan-
ter Ein- und Ausschaltzeit zu kürzester Lebensdauer. Im Vergleich dazu
wird beim konstantem Temperaturhub der Sperrschicht mit heutigen Leis-
tungsmodulen die bis zu dreifache Zyklenzahl erreicht. Die Bedingungen
in den ersten beiden Steuerungsmethoden kommen einer realen Anwen-
dung am nächsten. Die anderen zwei entsprechen dagegen keiner realen
Anwendung und sind deshalb für eine solide Lebensdaueruntersuchung
nicht erwünscht.
Die Steuerung des vorgestellten Prüfstandes für die Belastung mit über-
lagerten Zyklen basiert auf der Steuerungsmethode mit konstanter Ein-
und Ausschaltzeit. Das Prinzip ist in Abbildung 3.42 dargestellt. Der ge-
samte Belastungszyklus ist in vier Phasen unterteilt: Aufwärmen, Halten
warm, Abkühlen, Halten kalt. Im ersten Zustand wird der Prüfling passiv
mit einer definierten Temperaturrampe aufgewärmt. Gleichzeitig erfährt
das Leistungsmodul Lastwechsel, die eine feste Ein- und Ausschaltzeit
Temperatur
TE
Vorlauf
Kühlmittel
Vorlauf
Wasser-Wasser- Ausdehnungsgefäß
Heizung
Plattenwärmetauscher Ventil
(Befüllen)
Temperatur Kühlmittel-
Pumpe TE
Reservoir
Rücklauf
Kühlmittel
Rücklauf
Ventil
(Kühlen)
Kühlwasser
Kühlwasser
Abbildung 3.41: Prinzip des Kühlkreislaufs für die Nachbildung der Um-
gebungsbedingungen des Hybridfahrzeugs
haben. Erreicht die Kühlmitteltemperatur den maximalen eingestellten

Wert, wird die Temperatur auf dem Niveau gehalten, bis die gewünschte
Anzahl von aktiven Zyklen erreicht ist. Danach wird das System auf die
Anfangstemperatur mit einer definierten Rampe abgekühlt. Nach diesem
Zustand wird das untere Temperaturniveau des Kühlmittels konstant ge-
halten. Während dieser Phase werden die Durchlassspannung VCE und der
transiente thermische Widerstand Zth des Prüflings gemessen. Dazu wird
ein Strompuls mit einer gewünschten Länge ausgegeben. Diese Messung
wird nur in gewissen Zeitabständen durchgeführt, nicht in jedem passi-
ven Zyklus. Der Zeitabschnitt zwischen zwei Messungen muss abhängig
von Testbedingungen gewählt werden, damit das Alterungsverhalten der
Prüflinge mit einer noch ausreichenden Auflösung gemessen werden kann.
Zusätzlich muss der Temperaturhub der Sperrschicht im Messvorgang
möglichst niedrig sein, um den Einfluss auf die gesamte Lebensdauer des
Prüflings im laufenden Test vernachlässigbar gering zu halten.
Für rein aktive Zyklen wird die Kühlmitteltemperatur auf konstantem
Niveau gehalten. Lastwechsel werden kontinuierlich ausgegeben und nur
für den Messpuls, mit dem die Durchlassspannung und der transiente ther-
mische Widerstand gemessen werden, kurzzeitig unterbrochen. Beim rein
passiven Temperaturwechseltest werden die aktiven Zyklen weggelassen.
Für die Aufzeichnung des Alterungsverhaltens werden während des Tests
drei Messgrößen erfasst: Belastungsstrom I durch Prüflinge, Spannungs-
abfall am Leistungsbauelement VCE , Temperatur an einem gewählten
Referenzpunkt Tc (Grundplatte des Prüflings, Kühlkörper oder Kühlmit-
tel). Diese Größen müssen mit hoher Zeitauflösung abgetastet werden, um
folgende Werte für die Zuverlässigkeitsbewertung aufzuzeichnen:
200
1. Aufwärmen 2. Halten 3. Abkühlen 4. Halten
180 warm kalt
160 Tvj,max
140 Tvj
Temperatur
120
TKühlmittel, max
100
TKühlmittel VCE, Zth
80 Tvj,min
dT/dt kühlen Messung
60 dT/dt heizen
40
TKühlmittel, min
20
ton Zeit
toff
0
Abbildung 3.42: Steuerungsverfahren für die Belastung der Leistungsmo-

dule mit überlagerten Temperaturzyklen
• Sperrschichttemperatur Tvj,min und Tvj,max

• Kühlmittel- bzw. Referenztemperatur Tc,min und Tc,max
• Belastungsstrom I
• Durchlassspannung VCE
• Verlustleistung im Leistungsbauelement PV
• stationärer thermischer Widerstand Rth
• Transiente thermische Impedanz Zth (t)
Im aktiven Zyklus wird während der Stromflussphase unmittelbar nach
dem Stromanstieg die Durchlassspannung VCE gemessen. Die Erwärmung
des Leistungsbauelement soll in diesem Zeitbereich noch vernachlässigbar
bleiben. Bei den typischen Leistungsmodulen ist das im Bereich bis zu
einer Millisekunde gewährleistet. Dieser Messwert dient zur Erfassung
des Bonddrahtfehlers im Leistungsmodul. Beim überlagerten Temperatur-
und Lastwechseltest wird diese Messung im Messpuls bei der unteren
Kühlmitteltemperatur durchgeführt.
Am Ende der Stromflussphase ton wird die Verlustleistung mit Hilfe von
VCE und I erfasst und unmittelbar nach dem Ausschalten des Stroms die
maximalen Werte Tvj,max und Tc,max . Mit der gemessenen Verlustleistung

und der Differenz zwischen Tvj,max und Tc,max errechnet sich der thermi-
sche Widerstand Rth . Dieser Wert ist korrekt, wenn der Strom ausreichend
lange davor geflossen ist und der stationäre Zustand für diese gemessene
Temperaturdifferenz zwischen der Sperrschicht und dem Referenzpunkt er-
reicht wurde. Bei kurzen Zyklen wird der stationäre Zustand nicht erreicht.
Dadurch entspricht der auf diese Weise gemessene thermische Widerstand
Rth nicht dem richtigen stationären Wert und repräsentiert einen Punkt
der transienten thermischen Impedanz. Bei kurzen Zyklen muss deshalb
der thermische Widerstand mit Hilfe des Messpulses gemessen werden
(siehe Abbildung 3.42, Haltephase kalt). Hier wird die Strompulsbreite
so gewählt, damit der stationäre Zustand erreicht wird. Der Messpuls
dient zusätzlich zur Messung des transienten thermischen Verhaltens
des Leistungsmoduls, um damit Fehlermechanismen im Kühlpfad des
Leistungsmoduls mit Hilfe der thermischen Impedanzspektroskopie zu
lokalisieren.
Am Ende der Kühlphase im aktiven Zyklus werden Messwerte Tvj,min
und Tc,min gemessen.
Insgesamt werden alle Messungen im Lastwechseltest auf ansteigende bzw.
fallende Flanke des Belastungsstroms getriggert. Für eine gute Qualität
der Messung ist eine Abtastrate im Bereich von mindestens 25 kHz in
jedem Messkanal erforderlich. Die hohe Abtastrate wird insbesondere für
die Messung von Tvj,max und Zth (t) gefordert.
3.4 Konzept für Lastwechseltests unter Umrichterbe-

dingungen
3.4.1 Betriebsweise des Lastkreises
Zuverlässigkeitsuntersuchungen und Qualifizierungstests an Leistungsmo-

dulen bezüglich der Lastwechselfestigkeit werden üblicherweise mit Gleich-
strombelastung durchgeführt (siehe Kapitel 3.3). Dabei wird der Prüfling
mit aktiven Lastwechseln belastet, die Temperaturwechseln im Chip und
im Modul hervorrufen. Während eines solchen Tests wird das Leistungs-
bauelement keinen hohen Spannungen ausgesetzt. Die Erwärmung wird
nur mit Durchlassverlusten erzeugt, Schaltverluste sind vernachlässigbar
klein und tragen nicht zur Erwärmung bei. Dagegen machen die Schalt-
verluste in der Anwendung je nach Betriebspunkt des Umrichters etwa
die Hälfte der Gesamtverluste aus. Um während des Lastwechseltests mit
Gleichstrombelastung hohe Temperaturhübe der Sperrschicht zu erreichen,
ist der Strom aufgrund fehlender Schaltverluste in den meisten Fällen

höher als in der Anwendung. Weiterhin können während des Tests IGBTs
und dazugehörigen Freilaufdioden nicht gleichzeitig belastet werden.
Für die Auslegung des Umrichters werden Lebensdauermodelle genutzt, die
mit solchen Tests ermittelt werden. Es gibt jedoch keine experimentellen
Untersuchungen, wie genau diese Lebensdauermodelle die Zuverlässig-
keit des Leistungsmoduls in der Anwendung beschreiben. Es ist deshalb
von großem Interesse die Lastwechselfestigkeit unter realen Umrichterbe-
dingungen zu überprüfen. Zu diesem Zweck wurde in [68] und [41] ein
Testkonzept für Leistungsmodule vorgestellt. Dieses Konzept wird in der
vorliegenden Arbeit für Lastwechseluntersuchungen verwendet.
Für die Konzipierung des Lastwechselstandes dient als Prüfling ein drei-
phasiges Wechselrichter-Leistungsmodul. Als Last am Ausgang wird eine
Induktivität gewählt. Damit ist es möglich eine induktive Blindleistung zwi-
schen der Last und dem Zwischenkreis zu fahren. In den Ausgangsphasen
kann der volle gewünschte Strom eingestellt werden, wobei eingangsseitig
in den Wechselrichter nur die Verlustleistung eingespeist werden muss. Der
prinzipielle Aufbau des Laststromkreises ist in Abbildung 3.43 dargestellt.
Die Ansteuerung des Laststromkreises kann mit einer Sinus-Dreieck-
oder Raumzeigermodulation realisiert werden. Die Leiter- bzw. Stangströ-
me sind am Ausgang bei vernachlässigbarem Stromrippel sinusförmig
und jeweils um 120◦ C gegeneinander phasenverschoben. Zwischen dem
Strangstrom und der Strangspannung ist die Phasenverschiebung aufgrund
der induktiven Last annähernd 90◦ . Dadurch werden die Freilaufdioden im
Vergleich zu einer realen Last stärker und die IGBTs schwächer belastet.
Dies ist besonders dann der Fall, wenn das zu testende Leistungsmodul
für die Steuerung eines Wechselstrommotors ausgelegt ist.
Wird der Lastwechseltest mit einer induktiven Last bei sonst gleichen
Betriebsparametern der realen Anwendung betrieben, führt dies also zu
einer abweichenden thermischen Belastung der Leistungsbauelemente. Um
die thermischen Verhältnisse im Leistungsmodul während des Tests ähnlich
den realen Einsatzbedingungen einzustellen, müssen die Betriebsparameter
des Wechselrichters richtig gewählt werden. Diese Parameter können mit
Hilfe der analytischen Verlustleistungsberechnung aus [5] und [10] gefunden
werden. Bei einem sinusförmigen Ausgangsstrom lassen sich die Verluste
im IGBT und der Freilaufdiode mit den Gleichungen 3.35, 3.36, 3.37 und
3.38 mit ausreichender Genauigkeit abschätzen.
Für die Berechnung der Durchlassverluste werden die Durchlasskennlinien
der Leistungsbauelemente mit einer Geradenfunktion beschrieben (Werte
US und rd ). Bei Schaltverlusten geht die analytische Berechnung von einem
proportionalen Zusammenhang zwischen dem Strom bzw. Spannung und
+UZK/2 U V W
CZK
UGate
-UZK/2
IU IV IW
R R R
UU UV UW
L L L
Induktive Last
Abbildung 3.43: Dreiphasiger Wechselrichter für den Lastwechseltest unter

Umrichterbedingungen
der Verlustenergie beim Ein- und Ausschaltvorgang aus. Hierfür müssen

die Verlustenergien für einem bestimmten Referenzpunkt bekannt sein.
In der Regel werden die Werte für den Nennstrom des Leistungsmoduls
und für die halbe Sperrspannung des Leistungsbauelements im Datenblatt
angegeben.
Bei dieser Berechnung muss beachtet werden, dass die Verlustenergi-
en von der Größe der Gatewiderstände abhängig sind. Der Einschalt-
Gatewiderstand des IGBTs beeinflusst das Einschaltverhalten des IGBTs
und das Ausschaltverhalten der Diode. Die Vergrößerung des Wider-
standswertes bedeutet eine Erhöhung der IGBT-Einschaltverluste und
eine Verringerung der Dioden-Ausschaltverluste. Der Wert des Gatewider-
standes, der beim Ausschaltvorgang des IGBTs wirksam ist, beeinflusst
nur die Ausschaltverluste des IGBTs. Das Einschaltverhalten des IGBTs
kann dabei stärker beeinflusst werden, als dessen Ausschaltverhalten.

1 US ˆ rd ˆ2 US ˆ rd ˆ2
Pleit,IGBT = ·I + · I +M ·cosφ ·I + ·I (3.35)
2 π 4 8 3π
1 UZK Iˆ
Pschalt,IGBT = · fs · (Eon,ref + Eof f,ref ) · · (3.36)
π Uref Iref

1 US ˆ rd ˆ2 US ˆ rd ˆ2
Pleit,diode = ·I + · I − M · cosφ ·I + ·I (3.37)
2 π 4 8 3π
1 UZK Iˆ
Pschalt,diode = · fs · Err,ref · · (3.38)
π Uref Iref
Mit Verringerung des Ausgangsstroms, Erhöhung des Gate-Widerstandes

und Erhöhung der Schaltfrequenz können beim Betrieb des Wechselrich-
ters mit rein induktiver Last Verlustleistungsverhältnisse von IGBTs und
Dioden im Leistungsmodul ähnlich den Bedingungen bei einer realen
Motorlast eingestellt werden [68]. Dies kann mit der analytischen Verlust-
leistungsberechnung mit hinreichender Genauigkeit bestimmt werden.
3.4.2 Messung alterungsrelevanter Parameter
Zu den alterungsrelevanter Parameter gehört die Durchlassspannung,

die Sperrschichttemperatur und der thermische Widerstand bzw. die
thermische Impedanz. Mit diesen Messungen werden Bonddrahtfehler
und Degradationen im Kühlpfades des Leistungsmoduls während des
Lastwechseltests detektiert. Die Sperrschichttemperatur dient zusätzlich
zur nachträglichen Lebensdauerbewertung des Leistungsmoduls.
Im Lastzyklus muss die maximale und die minimale Sperrschichttem-
peratur gemessen werden. Die minimale Temperatur wird am Ende der
Ausschaltzeit gemessen. Für die Messung der maximalen Sperrschicht-
temperatur während des Wechselbetriebs muss ein richtiger Zeitpunkt
am Ende der Heizphase gefunden werden, da die Sperrschicht neben dem
großen relativ langsamen Temperaturzyklus kurzen Zyklen ausgesetzt
ist. Die Amplitude der kleinen Temperaturzyklen ist abhängig von der
Grundfrequenz des Ausgangsstromes und beträgt bei typischer Frequenz
von 50 Hz wenige Kelvin. Bei dieser hohen Ausgangsfrequenz ist der Ein-
fluss der kleinen Zyklen alleine auf die Lebensdauer des Leistungsmoduls
vernachlässigbar. Diese kleinen Zyklen müssen jedoch für die Messung

der absolut maximalen Sperrschichttemperatur betrachtet werden. Nach
dem simulierten Temperaturverlauf des IGBTs in Abbildung 3.44 ist die
maximale Sperrschichttemperatur unmittelbar nach dem Erreichen des
Strommaximums.
TJ, IGBT
TJ, max
IIGBT
t
Abbildung 3.44: Simulierter Temperaturverlauf im IGBT während des

Wechselrichterbetriebs [68]
Für die Messung der Sperrschichttemperatur im Wechselrichterbetrieb ist

es sinnvoll, die bekannte VCE (T)-Methode anzuwenden. Die Ergebnisse
der Lastwechseltests unter Umrichterbedingungen sind damit mit den
Ergebnissen typischer Tests mit Gleichstrom vergleichbar. Es wird verhin-
dert, dass aufgrund von unterschiedlichen Temperaturmessmethoden die
Lebensdauerergebnisse verfälscht werden.
Für die VCE (T)-Methode muss unter Umrichterbedingungen der Einfluss
des Sperrstromes beachtet werden. Wie die Abbildung 3.45 an der Messung
der IGBT-Sperrschichttemperatur zeigt, fließt durch das zu messende
IGBT der Sperrstrom der unteren IGBTs und Dioden. Insgesamt wird
dieser somit von sechs Leistungsbauteilen bestimmt, wobei jedes davon
eine Parallelschaltung von mehreren Chips sein kann. Der Sperrstrom fließt
zusätzlich zum eingespeisten Messstrom im oberen IGBT und verfälscht
somit die Kennlinie, die zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur
dient.
Der Messfehler aufgrund des Sperrstromes ist primär abhängig von der
Temperatur. Wie die Messung des Sperrstromes an einem 1200V / 100A
IGBT in Abbildung 3.46 zeigt, kann der Sperrstrom bei höheren Tempe-
raturen für die VCE (T)-Methode nicht mehr vernachlässigt werden. Hinzu
100mA
IGBT für Tj-Messung
VCE -15V
-15V +15V
UDC C
-15V -15V -15V
Abbildung 3.45: Einfluss des Sperrstromes bei der Messung der Sperr-
schichttemperatur im Wechselrichterbetrieb
kommt, dass die Werte des Sperrstromes bei Leistungshalbleiterbauele-

menten abhängig von der Herstellungscharge sehr stark variieren können.
Hersteller geben in den Datenblättern bei heutigen Leistungsmodulen
den maximal möglichen Sperrstrom bei Raumtemperatur im einstelligen
mA-Bereich an. Typischerweise ist der Sperrstrom jedoch viel kleiner.
Der Sperrstrom erhöht den Messstrom durch das zu messende Bauelement
und verändert die Kalibrierkennlinie. Es ist von Interesse zu wissen, ab
welchem Sperrstrom der Einfluss auf die Kalibrierkennlinie nicht mehr
vernachlässigbar ist. Mit Hilfe des analytischen Modells zur Berechnung
der Kalibrierkennlinie, beschrieben im Anhang A.1, wurde der Einfluss
der Stromdichte auf die Veränderung der Kalibrierkennlinie für ein 1200V
Bauelement berechnet. Das Ergebnis ist in Abbildung 3.47 dargestellt. Bei
150◦ C Sperrschichttemperatur wird verdeutlicht, welchen Fehler die Strom-
dichtenänderung von 50mA/cm2 in der Temperaturmessung verursacht.
Diese Abschätzung liefert den Zusammenhang in Gleichung 3.39. Dieses
Ergebnis sagt aus, dass eine Änderung der Stromdichte um 1mA/cm2
zu einem Fehler von 0, 14K in der Sperrschichttemperaturmessung führt.
Bezogen auf die Problematik des Sperrstromes führt bei einem Chip mit
einer Fläche von 1cm2 , bei dem die Kalibrierkennlinie beim Messstrom
von 100mA aufgenommen wurde, ein Sperrstrom von etwa 7mA zu einem
Sperrstrom
1000
100
10
IR in mA
0,1
0,01
100 120 140 160 180 200
Tj in °C
1200V / 100A IGBT, Messung bei 1200V
600V / 150A IGBT, Messung bei 200V
600V / 150A Diode, Messung bei 200V
Abbildung 3.46: Gemessene Sperrströme aus [30] der 1200V und 600V
Leistungsbauelemente in Abhängigkeit von der Sperrschichttemperatur
Fehler von 1K bei der Messung der Sperrschichttemperatur.
dT cm2
= 0, 14K (3.39)
dj mA
Die Messungen der Sperrströme in Abbildung 3.46 zeige, dass es notwendig

ist den Einfluss der Sperrstromes bei der Messung der Sperrschichttempe-
ratur im Wechselrichterbetrieb zu korrigieren. Dafür muss der Sperrstrom
genau gemessen werden können. Das ermöglicht die Schaltung in Abbil-
dung 3.48.
Mit der Parallelschaltung von zwei antiparallelen Dioden und einem Wi-
derstand lässt sich der Sperrstrom mit hinreichend guter Genauigkeit
bestimmen. Die Schaltung muss für die entsprechende Anwendung richtig
dimensioniert werden. Die Dioden dienen dazu, den Strom des Wechsel-
richters im Durchlasszustand zu leiten, sie müssen für mindestens den
Spitzenstrom des Umrichters ausgelegt werden. Im Sperrzustand des
Wechselrichters soll der Sperrstrom nur durch den Messwiderstand fließen
und der Stromfluss durch die Dioden dabei vernachlässigbar klein blei-
ben. Voraussetzung hierfür ist, dass der Spannungsabfall am Widerstand
Einfluss der Stromdichte auf die Kalibrierkennlinie

0,30
0,25
ΔT
UCE
0,20
0,15
0,10
125 130 135 140 145 150 155 160 165 170 175
Tj in °C
75mA/cm² 100mA/cm² 125mA/cm²
Abbildung 3.47: Einfluss der Stromdichte auf die Kalibrierkennlinie im

1200V Leistungsbauelement, simulierte Kennlinien mit dem analytischen
Modell aus Anhang A.1
kleiner ist als die Schleusenspannung der anti-parallelen Dioden. Da die

Schleusenspannung mit steigender Temperatur kleiner wird, muss beim
Auslegungspunkt die maximal mögliche Sperrschichttemperatur der Di-
oden gewählt werden. Die Spannung am Messwiderstand repräsentiert
dann den Sperrstrom des Wechselrichters. Die gemessene Größe kann
der Messstromquelle zugeführt werden, die den Messstrom durch das
Leistungshalbleiterbauelement für die Sperrschichttemperaturmessung
einstellt. Damit kann der Messstrom durch das zu messende Leistungs-
bauelement auf die richtige Größe geregelt werden. Das Prinzip der Mess-
stromregelung zeigt Abbildung 3.49. Der Strom der Messstromquelle und
der Sperrstrom werden simultan kontinuierlich gemessen. Die Stromquelle
erhält mit dieser Regelungsstruktur als Sollwert die Differenz zwischen IQ
und Isperr , sodass die Summe aus diesen beiden Strömen den gewünschten
Messstrom durch den IGBT ergibt. Die Stromquelle muss hierfür vom
Wechselrichter galvanisch getrennt ausgeführt sein.
Mit dem richtig geregelten Messstrom kann die Durchlassspannung am
Leistungsbauelement auf die Sperrschichttemperatur im Wechselrichterbe-
trieb zurückgeführt werden. Diese Spannung muss differentiell gemessen
werden und ebenfalls wie die Stromquelle vom Potential des Wechselrich-
ter getrennt werden. Eine mögliche Schaltung für diese Messung ist in
der Abbildung 3.50 angegeben. In dieser Schaltung wird eingangsseitig
Rmess
Zwischenkreis Wechselrichter
Abbildung 3.48: Schaltung zur Messung des Sperrstromes im Wechselrich-

ter [68], [59]
ISperr Sperrstrommessung
A
-
+
A
Imess=konstant IQ
+15V
ISperr
Abbildung 3.49: Prinzip der Messstromregelung für die Messung der

Sperrschicht im Wechselrichterbetrieb
der Messbereich mittels der Z-Diode und Eingangswiderstände nur auf

den Durchlassbereich des Bauelements begrenzt, welches für die Mes-
sung der Sperrschichttemperatur wichtig ist. Die Filter der Schaltung
filtern die Störungen, müssen aber so eingestellt werden, dass die schnelle
Sperrschichttemperaturänderungen noch messbar bleiben. Die maximale
Zeitkonstante der Schaltung sollte nicht größer als 100µs sein. Ein Problem
stellt hierfür die Reihenschaltung aus hochohmigen Widerständen und der
Z-Diode. Die Sperrschicht der Z-Diode hat eine relativ hohe Kapazität und
führt mit den Widerständen zu einer zu hohen Zeitkonstante und verlang-
samt merklich die Sperrschichttemperaturmessung. Um dies zu verhindern
müssen die Widerstände am Eingang niederohmiger gewählt werden, was
jedoch zu einem Anstieg des Stromes durch die Messschaltung führt. In
[68] wird für Widerstände der Wert von 360kOhm vorgeschlagen. Bei
600V Zwischenkreisspannung fließt in die Messschaltung im Sperrzustand
des IGBTs ein Strom von 1,7mA und muss wie auch der Sperrstrom der
Leistungsbauelemente in der Regelschleife des Messstroms berücksichtigt
werden.
Mess-
karte
Spannungs- Eingangs- Differenz- Zwischen- Potential-

begrenzung filter Verstärker filter trennung
Abbildung 3.50: Schaltung für die Messung der Durchlassspannung am

Leistungsbauelement im Wechselrichterbetrieb [68]
Mit den gezeigten Messanordnungen können während des Wechselrichter-

betriebes die Sperrschichttemperaturen gemessen werden. Weitere zwei
Parameter für die Messung der Alterung des Leistungsmoduls ist die
Durchlassspannung und der thermische Widerstand bzw. die thermi-
sche Impedanz. Für diese zwei Parameter muss ein separater Messzyklus
eingeführt werden, da die Messung dieser Größen im Wechselrichterbe-
trieb zu ungenau wäre. Die Durchlassspannung für die Lokalisierung der
Bonddrahtfehler muss im gesamten Testverlauf bei gleicher Sperrschicht-
temperatur und gleichem Strom gemessen werden. Für die Messung des
thermischen Widerstandes bzw. der transienten thermischen Impedanz
müssen die Verluste im Leistungsbauelement genau bekannt sein. Im Um-
richterbetrieb können die Verluste im Leistungsbauelement nur mit sehr
großem Messaufwand genau bestimmt werden. Hinzu kommt, dass die
Verlustleistungseinspeisung zeitlich nicht konstant ist. Für die Messung
des thermischen Widerstandes muss die Verlustleistung jedoch genau
bekannt sein und über eine gewisse Zeit konstant in das zu messende
Bauelement eingespeist werden. Diese gewünschten Bedingungen können
sehr einfach mit Hilfe der Gleichstrommessung realisiert werden. Hierzu
muss in definierten Zeitabständen der Wechselrichterbetrieb im laufenden
Lastwechseltest unterbrochen werden. Für die Messung wird durch das
zu untersuchende Leistungsbauelement ein Gleichstromimpuls mit einer
bestimmten Pulsbreite und Amplitude eingespeist. Die Durchlassspan-
nung wird kurz nach dem Einschalten des Gleichstroms im Bauelement
gemessen, wo die Erwärmung des Bauelements noch vernachlässigbar ist.
Dadurch wird sichergestellt, dass die Messung bei einer definierten Sperr-
schichttemperatur durchgeführt wird. Für die Messung der thermischen
Impedanz bzw. des thermischen Widerstandes wird das Bauelement bis
zum thermisch stationären Zustand mit dem Gleichstrom belastet und

danach das Abkühlverhalten der Sperrschicht gemessen. Diese Messung
ist im Kapitel 3.2.1 ausführlicher beschrieben.
Der Lastwechseltest unter Wechselrichterbedingungen kann nach der zeit-
lichen Abfolge in der Abbildung 3.51 durchgeführt werden. Es sind drei
Betriebszyklen definiert: Wechselrichterbetrieb, Abkühlphase und Mess-
zyklus. Das Aufwärmen des Leistungsmoduls im Wechselbetrieb und die
darauf folgende Abkühlphase stellen einen Lastwechselzyklus dar, wel-
cher für die Alterung des Prüflings von Bedeutung ist. Die Bedingungen
für den Messzyklus werden so gewählt, dass diese für die Belastung mit
thermischen Zyklen vernachlässigbar sind. Dieser Messzyklus wird nur in
definierten Zeitabständen durchgeführt, nicht nach jedem Lastwechselzy-
klus.
WR-
Betrieb Rth, Zth
Abkühlung Tjmin, UCE
Mess-
zyklus Tjmax
t
Tjmin, Tjmax Messung im Wechselrichterbetrieb
UCE, Rth, Zth Messung im Messzyklus mit Gleichstrom
Abbildung 3.51: Zeitliche Abfolge der Messungen im Lastwechseltest unter

Wechselrichterbedingungen
97
4 Ergebnisse der Zuverlässigkeitstests
4.1 Lastwechseltest unter Umrichterbedingungen
4.1.1 Wahl der Testparameter
Im Kapitel 3.4 ist die Methode für die Lastwechseluntersuchungen der

Leistungsmodule unter Umrichterbedingungen beschrieben. Mit dieser
Methode wurde ein Lastwechseltest mit dem Standard-Leistungsmodul
BSM100GD120DLC durchgeführt, dessen Ergebnisse im Nachfolgenden
vorgestellt werden.
Für den Betrieb unter realen Wechselrichterbedingungen wurde das Leis-
tungsmodul entsprechend Abbildung 3.43 betrieben. Als Last wurde am
Ausgang eine dreiphasige Induktivität angeschlossen, die elektrisch ei-
ne RL-Last darstellt. Für die Kühlung des Moduls wurde der Aufbau
in Abbildung 4.1 realisiert. Die Grundplatte des Prüflings ist über eine
Wärmeleitpaste auf eine Aluminium-Platte montiert. Die Wärmeleitfolie
zwischen Aluminiumplatte und Aluminiumkühlkörper dient zur Einstel-
lung des gewünschten thermischen Widerstandes zwischen Modul und
Umgebungsluft.
Prüfling (BSM100GD120DLC)
Al Platte
Al Kühlkörper
Themoelement (Tcase) Wärmeleitfolie
Abbildung 4.1: Kühlrandbedingungen für den Lastwechseltest unter Um-

richterbedingungen
Die Ausgangspunkte für die Wahl der Betriebsparameter des Wechsel-

richters im Lastwechseltest mit RL-Last sind die festgelegten Werte für
Ausgangsstrom, Schaltfrequenz und Gatewiderstand bei einer realen Mo-
torlast mit Leistungsfaktor cos(φ) = 0, 9. Für diese Randbedingungen
wurden die Verlustleistungen in den Leistungsbauelementen (IGBT, Di-
ode) mit Formeln 3.35 bis 3.38 berechnet. Um Verlustleistungsverhältnisse
für den Lastwechseltest mit der RL-Last einzustellen, wurden Ausgangs-
98 4 Ergebnisse der Zuverlässigkeitstests
strom, Gatewiderstand und Schaltfrequenz verändert. Die Parameter der

zwei Betriebspunkte (Motor- und RL-Last) sind in Tabelle 4.1 aufgelistet.
Den Vergleich der Verlustleistungsaufteilung zeigt Abbildung 4.2.
Tabelle 4.1: Testparameter für den Lastwechseltest unter Umrichterbedin-

gungen im Vergleich zu realen Betriebsbedingungen bei einer Motorlast
Motorlast RL-Last (Lastwechseltest)
Ief f [A] 54,4 50,2
m 0,800 0,064
cos(ϕ) 0,90 0,27
fSchalt [Hz] 9000 9000
UZK [V] 400 400
RGate [Ω] 6,5 22
100
90
80 8 13
70 15 7
60
PV in W
50 29
40 42
30 P_schalt_Diode
Pschalt, diode
20 38 Pleit, diode
P_leit_Diode
10 22 Pschalt, IGBT
P_schalt_IGBT
Pleit, IGBT
P_leit_IGBT
0
Lastwechseltest Reale Anwendung
Abbildung 4.2: Berechnete Verlustleistungsverteilung zwischen IGBT- und

Diode bei gewählten Testparametern
Mit den gewählten Testparametern und Kühlrandbedingungen hatten

die IGBTs des Leistungsmoduls etwas höhere Chiptemperaturen als die
Dioden. Unter der Annahme, dass der Chip mit der höchsten Temperatur
die Lebensdauer des Prüflings bestimmt, war es ausreichend das Ausfall-
verhalten eines IGBTs der mittleren Phase zu messen. Dieser Chip erfuhr
im Test die höchste Temperatur und den höchsten Temperaturhub.
4.1 Lastwechseltest unter Umrichterbedingungen 99
Der Lastwechseltest wurde entsprechend der Reihenfolge in Abbildung

3.51 durchgeführt. Nach der definierten Einschaltzeit im Wechselrichterbe-
trieb wurde der Wechselrichter zum Zeitpunkt des maximalen Stroms in
der mittleren Phase ausgeschaltet und zu diesem Zeitpunkt die maximale
Sperrschichttemperatur des oberen IGBTs gemessen. Die minimale Sperr-
schichttemperatur wurde nach der Abkühlphase erfasst. Der thermische
Widerstand und die Durchlassspannung wurden im Messzyklus überwacht.
Gesteuert wurde der Lastwechseltest über die konstante Einschalt- und
Ausschaltzeit. Die Parameter des Belastungszyklus waren:
• Tcase,min ; Tvj,min = 60◦ C
• Tcase,max = 132◦ C
• Tvj,max = 152◦ C
• ton = 30s
• tof f = 90s
4.1.2 Fehlermechanismen
Für die Messung des Ausfallverhaltens des Leistungsmoduls während

des Lastwechseltests wurden Sperrschichttemperatur, Grundplattentem-
peratur, Durchlassspannung und thermischer Widerstand gemessen. In
Abbildung 4.3 ist der Verlauf der Temperaturen dargestellt. Die maxi-
malen Werte Tcase,max und Tvj,max wurden am Ende der Einschaltzeit
und die minimalen Werte am Ende der Ausschaltzeit im Wechselrich-
terzyklus gemessen. An den gemessenen Trends erkennt man, wie der
Prüfling mit den gewählten Parametern belastet wurde. ∆Tcase zeigt den
Temperaturhub an der Grundplatte und der Wert ∆Tj die Belastung an
der Sperrschicht.
Aufgrund der nicht konstanten Raumtemperatur und der gewählten Steue-
rungsmethode mit konstanter Ein- und Ausschaltzeit weisen die Tem-
peraturverläufe Schwankungen auf. Der Verlauf der Differenz zwischen
maximaler Sperrschichttemperatur (Tvj,max − Tcase,max ) filtert diesen Ef-
fekt heraus und zeigt die Alterung des Leistungsmoduls. Ab 25.000 Zyklen
ist ein stetiger Anstieg dieser Differenz zu erkennen. Dieser Anstieg kann
physikalisch aufgrund der steigenden Verlustleistung im Chip oder des
steigenden thermischen Widerstandes bewirkt werden. Den eindeutigen
Grund für diesen Anstieg liefert der gemessene Verlauf des thermischen
Widerstandes in Abbildung 4.4.
Der thermische Widerstand wurde im Messzyklus gemessen, wobei im
Leistungsbauelement eine definierte Verlustleistung mit Gleichstrom einge-
speist wurde. Diese Messung wurde im Intervall von etwa 700 Lastzyklen
durchgeführt. Der Verlauf des thermischen Widerstandes zeigt ab ca. der
Hälfte der Gesamtlebensdauer eine beginnende Degradation. Damit lässt

sich nachweisen, dass der Anstieg der maximalen Sperrschichttemperatur
Tvj,max und der Differenz Tvj,max − Tcase,max auf die Verschlechterung
des Kühlpfades zurückzuführen ist. Abbildung 4.4 zeigt zusätzlich den
Verlauf der Durchlassspannung. Hier ist gegen Ende des Lastwechseltests
ein Sprung zu erkennen. Dieser Sprung deutet auf den Bonddrahtabgang
hin.
Temperaturverläufe
180
160 Tvj,max
140
Tcase,max
120
T in °C, ΔT in K
100
ΔTj ΔTcase
80
60 Tcase, min ,Tvjmin
40
Tvj,max-Tcase,max
20
0
0 10000 20000 30000 40000 50000 60000
Zyklen
Abbildung 4.3: Gemessener Trend der Sperrschicht- und Grundplatten-

temperatur während des Lastwechseltests
Das gemessene Ausfallverhalten wurde von der optischen Ausfallanalyse

bestätigt. In Abbildung 4.5 ist der Bonddrahtfehler dargestellt. Für diese
mikroskopische Analyse wurde der Weichverguss aus dem Modul chemisch
entfernt.
Festzustellen ist, dass der Bonddrahtfehler an der Stelle aufgetreten ist,
an der die Degradation der Lotschicht am größten war. In Abbildun-
gen 4.6 und 4.7 sind Ultraschallaufnahmen der Systemverbindung und
der Chipverbindung gezeigt. Diese Bilder wurden aus der Richtung der
Modulunterseite aufgenommen. Die größte Delamination ist in der Sys-
temlotschicht zu sehen, wobei unterhalb des mittleren DCB-Substrates die
geschädigte Fläche am größten ist. Aufgrund der Kühlrandbedingungen
war in der Mitte des Leistungsmoduls die Temperatur am größten und
führte deshalb zu diesem Ausfallbild. In der Chiplotschicht sind beginnen-
Verlauf von VCE und Rth

110 160
5% Grenze (VCE)
105 150
VCE
100 140
95 130
VCE in %
20% Grenze (Rth)
Rth in %
90 120
85 110
Rth
80 100
75 90
70 80
0 10000 20000 30000 40000 50000 60000
Zyklen
Abbildung 4.4: Gemessener Trend der Durchlassspannung und des ther-

mischen Widerstandes
de Degradationen an den Chipecken und -rändern sowohl bei IGBTs als

auch bei Dioden zu sehen.
Die elektrischen Messungen während des Lastwechseltests und auch die
nachträglichen Fehleranalysen zeigen, dass die primäre Ursache für den
Ausfall des Leistungsmoduls die Degradation der Systemlotschicht war.
Dieser Fehler führte im Laufe des Tests zur steigenden Sperrschichttempe-
ratur und verursachte damit den Bonddrahtfehler. Diese Fehlerreihenfolge
ist sicherlich von den Betriebsbedingungen des Wechselrichters abhängig.
Dabei wurden die Parameter so gewählt, dass sie einer realen Anwendung
sehr nahe kommen. Es kann deshalb aus dem Testergebnis gefolgert wer-
den, dass die Systemlotschicht der Schwachpunkt des Leistungsmoduls
unter realen Umrichterbedingungen ist. Insgesamt konnten drei Fehlerme-
chanismen (Degradation der System- und Chiplotschicht, Bonddrahtab-
gang) mit verschieden starker Ausprägung beobachtet werden, die auch aus
den Forschungsergebnissen der Lastwechseltests mit Gleichstrombelastung
bekannt sind [57].
Abbildung 4.5: Bondddrahtabgang nach dem Lastwechseltest unter Um-

richterbedingungen
4.1.3 Lebensdauerbewertung
Ein wichtiges Ergebnis des Lastwechseltests ist der Vergleich der er-
reichten Lebensdauer im Vergleich zu den Lebensdauermodellen, die
mit Hilfe der vereinfachten beschleunigten Lastwechseltests mit Gleich-
strombelastung ermittelt wurden. Für das untersuchte Leistungsmodul
BSM100GD120DLC gelten die Lebensdauerkurven für Technologien, die
für die Sperrschichttemperatur von 125◦ C angegeben sind. Aus der Zu-
verlässigkeitskurve in [3] kann entnommen werden, dass für diese Leis-
tungsmodultechnologie bei 92K Temperaturhub und 125◦ C Sperrschicht-
temperatur die Lebensdauer etwa 40.000 Zyklen beträgt. Erreicht wurden
bei diesem Temperaturhub und bei 152◦ C maximaler Sperrschichttem-
peratur im Lastwechseltest 45.000 Zyklen. Es wurde also im Test unter
Umrichterbedingungen trotz höherer Sperrschichttemperatur eine höhere
Lastwechselfestigkeit im Vergleich zum angegebenem Lebensdauermodell
erreicht.
Ein weiteres Vergleichskriterium ist die Lebensdauer unter passiven Tem-
peraturwechseln. Aufgrund von relativ langsamen Temperaturzyklen kann
der Temperaturhub an der Grundplatte des Prüflings als passiver Tempe-
raturzyklus angenommen werden. Dieser Temperaturhub ∆Tcase betrug
nach Abbildung 4.3 etwa 75K. Für dieses Modul ergibt die vom Her-
steller angegebene Lebensdauerkurve für passive Temperaturzyklen eine
Lebensdauer von etwa 15.000 Zyklen. Bei diesem Kriterium übertraf das
getestete Leistungsmodul die erwartete Lebensdauer um den Faktor drei.
Abbildung 4.6: Ultraschallaufnahme des Systemlots, helle Bereiche zeigen

Delamination des Lotes
Beginnende
Chiplotschicht nicht sichtbar Delamination
wegen Delamination im Systemlot des Chiplotes
Abbildung 4.7: Ultraschallaufnahme des Chiplotes
Mit dem Ergebnis kann keine genaue Aussage über die statistische Mess-
abweichung des Messergebnisses gemacht werden. Hierfür müssen eine
größere Anzahl von Prüflingen getestet werden. Auf Basis der Untersuchun-
gen in 3.1.1 bezüglich der Messgenauigkeit der Sperrschichttemperatur,
die den größten Einfluss auf die Lebensdauer der Leistungsmodule hat,
kann der systematische Messfehler bei der ermittelten Lebensdauer auf
etwa 20% abgeschätzt werden. Dabei wird von einer Messunsicherheit der
Sperrschichttemperatur von 1K ausgegangen.
Insgesamt kann auf Basis des durchgeführten Lastwechseltests unter Um-
richterbedingungen zusammengefasst werden, dass die Leistungsmodule
unter realen Einsatzbedingungen eher eine höhere Lebensdauer errei-
chen als bei vergleichbaren beschleunigten Lastwechseltests mit Gleich-
strombelastung. Die Lebensdauermodelle, die mittels Lastwechseltests mit
Gleichstrombelastung ermittelt werden, liefern auf Basis des gezeigten
Ergebnisses eine sichere Lebensdauervorhersage.
4.2 Einfluss der Chipdicke und Bonddrahttechnologie
4.2.1 Testbedingungen
Weitere Lastwechseltests in dieser Arbeit wurden mit Gleichstrombelas-

tung durchgeführt.
Dieser Lastwechseltest diente primär zur Untersuchung des Einflusses der
Bonddrahttechnologie auf die Zuverlässigkeit des ganzen Leistungsmoduls
unter aktiven Lastwechseln. Der zweite zu untersuchende Parameter in
diesem Test war die Chipdicke. Um den Einfluss der Chipdicke experimen-
tell zu bestimmen, wurden Leistungsmodule mit Halbleiterbauelementen
verschiedener Sperrspannungsklassen aufgebaut. Gegenstand der Untersu-
chung waren drei Spannungsklassen der Leistungsmodule mit den Werten
in Tabelle 4.2.
Tabelle 4.2: Angaben zu Spannungsklasse und Chipdicke

Spannungsklasse Chipdicke
600V 70 µm
1200V 120 µm
1700V 180 µm
Der Aufbau der Prüflinge ist in Abbildung 4.8 zu sehen. Im Vergleich

zu heutigen Standard-Leistungsmodulen, in denen Bonddrähte aus rei-
nem Aluminium verbaut werden, hatten die Prüflinge in diesem Test
dotierte bzw. gehärtete Aluminium-Bonddrähte. Zusätzlich zu diesen
Prüflingen mit der neuen Bonddrahttechnologie wurde ein Standardmo-
dul BSM100GD120DLC unter ähnlichen Bedingungen getestet, um eine
vergleichbare Referenz bezüglich der Lastwechselfestigkeit zu erhalten.
Die Belastung der Leistungsmodule mit Lastwechseln erfolgte mit Gleich-
strom. Hierfür wurden drei Prüflinge in Reihe geschaltet. In jedem Prüfling
floss der Laststrom jeweils durch zwei IGBTs einer Halbbrücke. Der prinzi-
pielle Aufbau dieses Tests ist in Abbildung 4.9 dargestellt. Die Durchlasss-
pannung an jedem IGBT und der Laststrom durch diese Reihenschaltung
wurden gemessen. Des Weiteren wurde die Grundplattentemperatur Tcase
unter jedem Leistungsmodul in der Mitte zwischen zwei belasteten IGBTs
erfasst. Mit Hilfe der Durchlassspannung wurde die virtuelle Sperrschicht-
temperatur mit der in Kapitel 3.1 beschriebenen Methode aufgenommen.
Der Messstrom betrug 100mA.
4.2 Einfluss der Chipdicke und Bonddrahttechnologie 105
Abbildung 4.8: Aufbau des Prüflings mit gehärteten Aluminium-

Bonddrähten und verschiedenen Chipdicken
Der Lastwechseltest wurde über die konstante Ein- und Ausschaltzeit

gesteuert. Die Testparameter waren wie folgt:
• ton = 15s
• tof f = 25s
• I = 100A
• TW asser = 75◦ C
Bezüglich der Temperatur an der Sperrschicht des Halbleiterchips und
an der Grundplatte erfuhren die Prüflinge unterschiedliche Belastungen.
Die Unterschiede wurden primär aufgrund von unterschiedlicher Verlust-
leistung verursacht, da dickere Chips bzw. Bauelemente höherer Sperr-
spannungsklasse höhere Durchlassspannungen aufweisen im Vergleich zu
dünneren Chips. Der zweite Faktor, der die Temperaturen beeinflusste,
war die Wahl der Kühlrandbedingungen. Die drei gleichzeitig geteste-
ten Leistungsmodule wurden auf einem gemeinsamen wassergekühlten
Kühlkörper montiert. Der Prüfling in der Nähe des Wassereintritts er-
fuhr bessere Kühlung als das Modul am Wasseraustritt. Das Modul in
der Mitte der zwei äußeren Prüflinge hatte aufgrund der niedrigsten
Wärmespreizung die schlechteste Kühlung. Die unterschiedlichen Tempe-
raturrandbedingungen wurden gezielt gewählt, um die Testergebnisse bei
variablen Temperaturhüben zu erhalten. Insgesamt waren die Temperatur-
parameter der Prüflinge mit neuer Bonddrahttechnologie in den folgenden
Parameterbereichen (Werte in Klammern gelten für das Standardmodul
BSM100GD120DLC):
• Tcase,min ; Tvj,min = 78,9..84,2◦ C (84,0..84,8◦ C)
• Tcase,max = 106,1..117,9◦ C (128,6..135,1◦ C)
• Tvj,max = 135,1..166,8◦ C (189,1..196,4◦ C)
Ein/Aus
Steuerung und Messwerterfassung

VCE
DUT1 Tcase
VCE
100A 100mA DUT2 Tcase
VCE
DUT3 Tcase
ILast
Abbildung 4.9: Prinzipieller Testaufbau
Zur Veranschaulichung der Temperaturwechselbelastung innerhalb des

Leistungsmoduls während des Tests zeigt Abbildung 4.10 den Tempera-
turverlauf, welcher in einem der getesteten Prüflinge gemessen wurde. Für
diese Messung wurde die Temperatur der Grundplattentemperatur mit ei-
nem Thermoelement aufgenommen. Die Sperrschichttemperatur während
der Abkühlphase ist gemessen mit der VCE (T)-Methode. Während der
Aufheizphase wurde diese Temperatur indirekt bestimmt mit Hilfe der ge-
messenen Verlustleistung des Chips (Produkt aus Durchlassspannung und
Belastungsstrom) und dem transienten thermischen Widerstand, der in
einem der vorherigen Temperaturzyklen in diesem Chip gemessen wurde.
4.2.2 Alterungsverhalten und Lebensdauer
Ziel der Auswertung in diesem Test ist zu zeigen, welchen Beitrag die
verbesserte Bonddrahttechnologie zur Zuverlässigkeitssteigerung des Leis-
tungsmoduls leistet. Ebenso soll der Einfluss der Chipdicke herausgestellt
werden.
Das erste Ergebnis des Tests war, dass sich bei allen Prüflingen mit
verbesserter Bonddrahttechnologie trotz verschiedener Chipdicken und
variablen Temperaturhüben das gleiche Ausfallverhalten zeigte. In Ab-
bildung 4.11 sind während des Lastwechseltests gemessenen Verläufe der
Durchlassspannung und des thermischen Widerstandes eines Prüflings
dargestellt. Diese Messungen repräsentieren das Ausfallverhalten aller ge-
testeten Prüflinge mit gehärteten Aluminium-Bonddrähten. Die Verläufe
Temperaturverlauf beim Lastwechseltest

160
Tvj
150
140
130
T in °C
120 Tcase
110
100
90
80
70
60
0 20 40 60 80 100 120
t in s
Abbildung 4.10: Temperaturverlauf der Sperrschicht- und Grundplatten-

temperatur
zeigen, dass die Leistungsmodule aufgrund des gestiegenen thermischen

Widerstands ausgefallen sind. Im Verlauf der Durchlassspannung ist ein
leichter Anstieg im Bereich des Lebensdauerendes zu sehen. Diese leichte
Erhöhung ist jedoch nicht auf die Alterung der Bonddrahtverbindungen
zurückzuführen, sondern auf die erhöhte Sperrschichttemperatur bei der
Messung der Durchlassspannung. Die Durchlassspannung wird kurz nach
dem Einschalten des Laststromes gemessen, etwa eine Millisekunde nach
der Einschaltflanke. In diesem Zeitpunkt ist die Erwärmung im Leistungs-
modul ohne eine Alterungserscheinung vernachlässigbar. Man kann davon
ausgehen, dass die Durchlassspannung bei der minimalen Sperrschicht-
temperatur am Ende des Abkühlvorgangs gemessen wurde. Wenn sich
jedoch der thermische Widerstand im Leistungsmodul im Laufe des Tests
verschlechtert, kommt es innerhalb dieser kurzen Zeit nach der Einschalt-
flanke des Laststromes bereits zu einer nicht mehr vernachlässigbaren
Erwärmung der Sperrschicht. Besonders stark ist dieser Effekt, wenn die
Verschlechterung des thermischen Widerstands von der Chiplotdegrada-
tion verursacht wird. Dann ist die relative Veränderung des transienten
thermischen Widerstandes im Millisekunden-Bereich sehr hoch, siehe
hierzu Abbildung 3.32. Da die Durchlassspannung im Bereich des Mo-
dulnennstroms einen positiven Temperaturkoeffizienten hat, kommt es in
Abbildung 4.11 beim Anstieg des thermischen Widerstandes ebenfalls zu
einer Erhöhung der gemessenen Durchlassspannung. Die Prüflinge zeigten
also keine Alterung der Bonddrahttechnologie. Die Ausfallursache war

allein der Anstieg des thermischen Widerstands.
Trend von VCE und Rth

200 110
5% Grenze (VCE)
105
150 VCE
VCE in %
100
Rthjc in %
20% Grenze (Rth)
Rth 95
100
90
IGBT_links IGBT_rechts
50 85
0 50000 100000 150000 200000 250000 300000
Anzahl Zyklen
Abbildung 4.11: Verlauf des thermischen Widerstandes und der Durch-

lassspannung der Prüflinge mit verbesserten Bonddrähten
Die Ursache für den Anstieg des thermischen Widerstandes ist die De-
gradation der Chiplotschicht. Die Ultraschallaufnahme des Prüflings in
Abbildung 4.12 zeigt diesen Fehlermechanismus. Diese Bilder sind vom
Prüfling, von dem in Abbildung 4.11 die Verläufe der Durchlassspannung
des thermischen Widerstandes dargestellt sind. Unter dem linken Chip
ist die degradierte Fläche in der Chipverbindung kleiner als unter dem
rechten Chip. Entsprechend ist der relative Anstieg des thermischen Wi-
derstands in Abbildung 4.11 zu sehen. Die Degradation in Abbildung 4.12
ist mit Pfeilen markiert und ist in dieser Aufnahme als verschwommene
unregelmäßige Fläche zu sehen. Die Prüflinge wurden aus der Richtung
der Grundplatte mit dem Ultraschallmikroskop analysiert. Die Reflektions-
ebene des Ultraschallsignals wurde auf die Ebene fokussiert, sodass gerade
noch die Bonddrähte sichtbar sind. Die sichtbaren Punkte über der nicht
beschädigten Fläche sind die Bondfüße. Die Lotdegradation ist dadurch
zu erkennen, dass die Bondfüße nicht mehr sichtbar sind. Aufnahmen mit
der Fokussierung in der Chipverbindung würden die degradierten Bereiche
hell darstellen. Die Justierung auf diese Lotschicht wäre problematisch,

da aufgrund der Toleranzen im Leistungsmodul der Ultraschall ungewollt
die Schichten unterhalb oder oberhalb der Lotschicht treffen und die zu
untersuchende Schicht nicht sauber darstellen könnte. Deshalb wurde bei
der Aufnahme diese Einstellung des Ultraschallmikroskops gewählt.
Abbildung 4.12: Degradation des Chiplotes nach dem Lastwechseltest,

Prüfling mit 1200V /100A IGBT-Chips, Testparameter: ton = 15s, tof f =
25s, I = 100A, Tvj,min = 82, 0◦ C, ∆Tj = 62, 1K
Im Vergleich zu Prüflingen mit verbesserter Bonddrahttechnologie zeigte

das Standardmodul, welches unter ähnlichen Randbedingungen getestet
wurde, ein ähnliches Alterungsverhalten. Die Verläufe der Durchlassspan-
nung und des thermischen Widerstandes sind in Abbildung 4.13 gezeigt.
Das Standardmodul ist primär aufgrund des angestiegenen thermischen
Widerstandes ausgefallen. Jedoch sieht man im Verlauf der Durchlassspan-
nung, dass gegen Ende der Lebensdauer zusätzlich noch der Bonddraht-
fehler aufgetreten ist. Der stufenförmige Anstieg der Durchlassspannung
ist typisch für diese Fehlerart.
Die Messung des Alterungsverhaltens zeigt, dass sowohl bei Prüflingen
mit verbesserten Bonddrähten als auch beim Standardmodul das primäre
Ausfallverhalten die Degradation der Chiplotschicht war. Mit verbesserter
Bonddrahttechnologie ist bei keinem der getesteten Leistungsmodule ein
Bonddrahtfehler aufgetreten. Dagegen kam es beim Standardmodul bei
diesen Testbedingungen zum Bonddrahtabgang, der jedoch als sekundärer
Fehler betrachtet werden kann. Die Ergebnisse aus Abbildungen 4.11 und
4.13 können bezüglich des Ausfallverhaltens miteinander verglichen werden.
Die Lebensdauer beider Aufbau- und Verbindungstechnologien sind jedoch
nicht direkt vergleichbar, da die beiden Module bei unterschiedlichen
Temperaturhüben getestet wurden.
Um einen Lebensdauervergleich zu ermöglichen, werden im Nachfolgen-
Trend von VCE and Rth

110 160
5% Grenze (VCE)
105 150
VCE
100 140
95 130
Rth in %
VCE in %
20% Grenze (Rth)

90 120
85 Rth 110
80 100
75 90
70 80
0 5000 10000 15000 20000 25000
Zyklen
Abbildung 4.13: Verlauf des thermischen Widerstandes und der Durch-

lassspannung des Standardmoduls BSM100GD120DLC, Testparameter:
ton = 15s, tof f = 25s, I = 100A, Tvj,min = 83, 3◦ C, ∆Tj = 105, 7K
den alle Ergebnisse dieses Tests mit Hilfe der CIPS2008-Gleichung 2.2
ausgewertet. Die Konstanten für diese Gleichung sind aus [60]:
• K = 9, 3E14
• β1 = −4, 416
• β2 = 1285
• β3 = −0, 463
• β4 = −0, 716
• β5 = −0, 761
• β6 = −0, 5
Für die Lebensdauerbestimmung werden in diesem Lastwechseltest fol-
gende Testparameter der CIPS2008-Gleichung als konstant angenommen:
• Minimale Sperrschichttemperatur Tj,min = 84◦ C
• Strom pro Bondfuß I = 6, 3A
• Einschaltzeit ton = 15s
• Durchmesser des Bonddrahts D = 400µm
Variable Testparameter sind:
• Sperrspannungsklasse V
• Temperaturhub der Sperrschicht ∆Tj
Wie in den Testrandbedingungen zu sehen, ist die minimale Sperrschicht-
temperatur nicht für alle Prüflinge konstant und variiert um etwa 5K. Der
Fehler durch die Annahme des konstanten Wertes von Tj,min = 84◦ C ist
bei der berechneten Lebensdauer gering und kann vernachlässigt werden.
Mit diesen Definitionen vereinfacht sich die Lebensdauergleichung zur
Funktion: Nf = f (V, ∆Tj ).
Die erzielten Testergebnisse im Vergleich zur berechneten Lebensdauer
sind in Abbildung 4.14 dargestellt. Die drei Kennlinien sind die berechne-
ten Lebensdauerkurven für drei Spannungsklassen in Abhängigkeit des
Temperaturhubs an der Sperrschicht. Die Punkte sind die erzielten Tester-
gebnisse. Das berechnete Ergebnis stimmt mit dem Testergebnis mit guter
Genauigkeit überein. Die Lebensdauer sowohl des Standardmoduls als
auch der Module mit verbesserten Bonddrähten liegen auf den zugehörigen
Lebensdauerkurven.
Lebensdauerauswertung
1,0E+07
Anzahl Zyklen
1,0E+06
1,0E+05
1,0E+04
40,00 50,00 60,00 70,00 80,00 90,00 100,00 110,00 120,00
ΔTj in K
Test 600V IGBT Test 1200V IGBT Test 1700V IGBT
CIPS2008 600V CIPS2008 1200V CIPS2008 1700V
Standard BSM100GD120DLC
Abbildung 4.14: Lebensdauerauswertung für Leistungsmodule mit gehär-

teten Bonddrähten, Vergleich mit Ergebnissen der CIPS2008-Gleichung
und des Standard-Moduls
Die Annahme für die Lebensdauerbewertung ist, dass die CIPS2008-

Gleichung die Lebensdauer der Standard-Leistungsmodule beschreibt.
Diese Annahme wird mit dem Ergebnis des Standard-Leistungsmoduls

BSM100GD12DLC bestätigt. Die Prüflinge mit verbesserten Bonddrähten
haben nur das Niveau der CIPS2008-Gleichung erreicht. Somit zeigen die
Leistungsmodule unter diesen Testbedingungen keine höhere Lebensdauer
als die vergleichbaren Standard-Module. Der Grund hierfür ist, dass der
lebensdauerbestimmende Fehlermechanismus die Degradation der Chiplot-
schicht war. Die Technologie dieser Verbindung war in allen Prüflingen
identisch.
Dieses Ergebnis verdeutlicht, dass für die Erhöhung der Lastwechselfestig-
keit die Verbesserung der Bonddrahttechnologie alleine nicht ausreichend
ist. Allerdings existieren Lastwechselbedingungen, bei denen die verbes-
serte Bonddrahttechnologie zur Lebensdauersteigerung führt [96]. Die
Lastwechsel-Testparameter in [96] waren anders als die Parameter dieses
Lastwechseltests. Die Unterschiede waren bei Strom, Zykluszeit, Sperr-
schichttemperatur und Temperaturhub. Die erzielten Aussagen über die
Lebensdauer der Leistungsmodule mit verbesserter Bonddrahttechnolo-
gie widersprechen sich nicht. Die Testergebnisse der vorliegenden Arbeit
zeigen, dass bei bestimmten Lastwechselbedingungen (niedrigere Tem-
peraturhübe im Vergleich zu [96], was einer realen Anwendung näher
kommt) die Lebensdauer der Leistungsmodule von der Degradation der
Chiplotschicht bestimmt wird und die verbesserte Bonddrahttechnologie
zur höheren Zuverlässigkeit keinen Beitrag leistet.
Ein weiterer Nachweis für die Aussage liefert der Vergleich der erzielten
Ergebnisse mit den Ergebnissen aus [24], [78] und [34]. In diesen Veröffent-
lichungen wurde die Lebensdauer der Standard-Aluminiumbonddrähte
in Leistungsmodulen unabhängig von anderen Fehlermechanismen un-
tersucht. Der Vergleich ist in Abbildung 4.15 dargestellt. Die Daten in
Diagrammen sind wie folgt definiert:
• Goehre CIPS2010: Ergebnisse aus [24]
• Schmidt PCIM2012: Ergebnisse aus [78]
• Hartmann PCIM2012: Ergebnisse aus [34]
• Test 600V IGBT, Test 1200V IGBT, Test 1700V IGBT: Ergebnisse
vorliegender Arbeit, Prüflinge mit verbesserten Bonddrähten und
Standard-Chipverbindung
Die Lebensdauer der Standard-Bonddrähte für „Goehre CIPS2010” wur-
den aus [24] (Figure 7) anhand der linearen Extrapolation der gemessenen
Scherkräfte über der Zyklenzahl (im Wertebereich „Average Shear Force”=
2500cN..1000cN) ermittelt, wobei die Lebensdauer als der Schnittpunkt
mit der x-Achse definiert wurde.
In Abbildung 4.15 sind die Ergebnisse der Prüflingen mit gehärteten
Aluminium-Bonddrähten unterhalb der Lebensdauerkurve für Standard-
Al-Bonddrähte. Aufgrund der Degradation der Chipverbindung konnten

die verbesserten Bonddrähten zu keiner Verbesserung der Lebensdauer
im Vergleich zu Standard-Leistungsmodulen beitragen.
1,0E+07
Lebensdauerkurve für Standard-Aluminiumbonddrähte

Anzahl Zyklen
1,0E+06
1,0E+05
1,0E+04
40,00 50,00 60,00 70,00 80,00 90,00 100,00 110,00 120,00
ΔTj in K
Test 600V IGBT Test 1200V IGBT Test 1700V IGBT
Goehre CIPS2010 Schmidt PCIM2012 Hartmann PCIM2012
Abbildung 4.15: Leistungsmodule mit gehärteten Bonddrähten im Ver-

gleich zur Lebensdauer der Standard-Al-Bonddrähte
Das zweite Ergebnis dieses Tests ist, dass die Chipdicke die Zuverlässigkeit
wesentlich beeinflusst. Je dünner der Halbleiterchip ist, desto weniger Be-
lastung erfährt die Verbindungsschicht zwischen Chip und DCB-Substrat
und desto größer ist die Lebensdauer des Leistungsmoduls. Im durchge-
führten Test zeigten Module mit 600V-Chips im Durchschnitt etwa eine
doppelte Lebensdauer im Vergleich zu Prüflingen mit 1700V-Chips. Die
erzielten Ergebnisse bestätigen die empirisch ermittelten Zusammenhänge
der CIPS2008–Gleichung. Diese Abhängigkeit gilt aber nur dann, wenn die
Lebensdauer des Leistungsmoduls von der Degradation der Chiplotschicht
bestimmt wird. Unter anderen Belastungsbedingen, bei denen z.B. Bond-
drahtfehler oder die großflächige Verbindung zwischen DCB-Substrat und
Grundplatte die Zuverlässigkeit des Leistungsmoduls bestimmen, kann
sich die Chipdicke weniger stark auf die Zuverlässigkeit auswirken.
4.3 Einfluss der Chipverbindungstechnologie
4.3.1 Diffusionslöten
Wie bereits gezeigt wurde, ist die Verbesserung der Bonddrahttechnologie

nicht ausreichend, um die Lastwechselfestigkeit der Leistungsmodule zu
erhöhen. Der Grund dafür ist die Degradation der Chipverbindung, die
unter bestimmten Lastwechselbedingungen die Lebensdauer der Leistungs-
module bestimmt. Die Verbesserung der Chipverbindungstechnologie ist
deshalb notwendig.
Der Gegenstand der Untersuchung des folgenden Lastwechseltests war,
die Zuverlässigkeit der Leistungsmodule mit der neuen Verbindungstech-
nologie „Diffusionslöten” zu untersuchen.
Die Verbindung, die mittels Diffusionslöten hergestellt wird, ist schema-
tisch mit der Standard-Lotschicht in Abbildung 4.16 verglichen. Links ist
die bleifreie Standard-Lotschicht dargestellt, welche nach dem Lötprozess
im Wesentlichen aus der Zinn-Silber-Legierung besteht. Dagegen hat die
Chipverbindung, die mit Diffusionslöten ausgeführt ist, intermetallische
Phasen. Der Unterschied des Diffusionslötens im Vergleich zur Standard-
Lötung sind die Schmelztemperaturen der intermetallischen Phasen, die
400◦ C bzw. 600◦ C betragen. Die Standard-Lötung hat dagegen in den
größten Bereichen eine Schmelztemperatur von 221◦ C. Sowohl beim Stan-
dardlötverfahren als auch beim Diffusionslöten ist der Ausgangszustand
beim Löten die zinnbasierte Legierung mit niedriger Schmelztempera-
tur. Erst im Laufe des Lötprozesses bilden sich beim Diffusionslöten die
intermetallischen Phasen.
Abbildung 4.16: Prinzipieller Vergleich der Chipverbindungstechnologien:

Standard-Lötung und Diffusionslöten [28]
Ein weiterer Unterschied zwischen den beiden Verbindungstechnologien

für die Chipverbindung ist die Schichtdicke. Die Verbindung mit Diffusi-
onslöten beträgt etwa 10µm und ist somit nur ein Zehntel der Standard-
4.3 Einfluss der Chipverbindungstechnologie 115
Lotschichtdicke [29]. Der Querschnitt einer realen Verbindung mit dem

Diffusionslöten ist in Abbildung 4.17 gezeigt.
Abbildung 4.17: Schliffbind der verbesserten Chipverbindung (Diffusions-

löten)
Aufgrund der dünnen Verbindungsschicht beim Diffusionslöten ist diese

Technologie für Verbindungsflächen bis zu 185 mm2 beschränkt [28].
Größere Flächen weisen oft Unebenheiten auf, die beim Lötprozess nicht
ausgeglichen werden können; deshalb ist die Neigung zu Lufteinschlüssen
sehr hoch. Der Einsatz des Diffusionslötens für die großflächige Verbindung
zwischen DCB-Substrat und Grundplatte im Leistungsmodul ist nach
dem heutigen Stand der Technik nicht möglich. Das Verfahren eignet sich
nur für die Verbindung zwischen Chip und DCB-Substrat [27].
4.3.2 Lastwechseltest mit verbesserter Chipverbindung
Das Diffusionslöten verspricht nach dem Zusammenhang der homologen

Temperatur eine wesentlich höhere Lastwechselfestigkeit der Leistungsmo-
dule. Um das zu testen, wurde nachfolgender Lastwechseltest durchgeführt.
Die Prüflinge für diesen Test wurden, wie in Abbildung 4.18 dargestellt,
aufgebaut. Im Vergleich zur Aufbau-und Verbindungstechnik der Standard-
Module wurde nur die Chipverbindungstechnologie geändert.
Der Lastwechseltest wurde mit Gleichstrombelastung bei konstanter Zy-
kluszeit durchgeführt, wobei die Prüflinge mit Hilfe einer Luftkühlung
gekühlt wurden. Folgende Testparameter wurden gewählt:
• ton = 4s
Abbildung 4.18: Prüfling mit verbesserter Chipverbindung (Diffusionslö-

ten)
• tof f = 6s
• I = 150..165A
• Tcase,min ; Tvj,min = 71,6..77,4◦ C
• Tcase,max = 97,7..108,2◦ C
• Tvj,max = 170,2..186,5◦ C
Für die Bewertung der Lastwechselfestigkeit der Prüflinge mit Diffusi-
onslöten, wurden Standard-Leistungsmodule unter vergleichbaren Testbe-
dingungen getestet. Die Standard-Technologie repräsentieren in diesem
Test die Leistungsmodule FS150R06KE3 und Prototypmodule des 400A /
600V HybridPACK1-Leistungsmoduls des Herstellers Infineon. Für diese
Standard-Module wurden Testparameter laut Tabelle 4.3 eingestellt.
Tabelle 4.3: Testparameter für Standard-Module

FS150R06KE3 Prototyp HybridPACK1
ton 4s 0,6..0,8s
tof f 6s 3,1..5,1s
I 150A 400A
Tcase,min ; Tvj,min 81,9..90,4◦ C 73,0..75,8◦ C
Tvj,max 186,6..198,6◦ C 164,5..185,0◦ C
Kühlart Luftkühlung Wasserkühlung
Wie an den Testparametern in Tabelle 4.3 zu sehen, wurden die Standard-

Module bezüglich der maximalen Sperrschichttemperatur bei stark unter-
schiedlichen Werten getestet. Um die Testergebnisse als eine vergleichbare
Referenz für die Prüflinge mit verbesserter Chipverbindung nehmen zu
können, wurde die erreichte Lebensdauer mit der Formel 4.1 auf die ma-
ximale Sperrschichttemperatur Tj,max = 175◦ C umgerechnet, wobei die

Basis für diese Umrechnung die Lebensdauergleichung 2.9 ist. Durch die
Umrechnung wurden die realen Testergebnisse um maximal 7% korrigiert.
Nf,T estergebnis 2,32
Nf = 2,32 · e 1,38E−23·Tm,175◦ C
(4.1)
1,38E−23·Tm,T estergebnis
e
Die Lebensdauerauswertung der Testergebnisse ist in Abbildung 4.19
zusammenfassend dargestellt. Die gestrichelte Linie ist die berechnete
Lebensdauer mit der Gleichung 2.9. Die Ergebnisse der Standard-Module
stimmen in etwa mit dem Ergebnis der Lebensdauergleichung überein
und erreichten somit die erwartete Lebensdauer.
Verglichen mit den Ergebnissen aus Abbildung 4.14 (600V-Module) er-
reichten die Standard-Module in diesem Test nicht das gleiche Lebens-
dauerniveau. Die Begründung hierfür liegt in der Belastung mit der
Strom- bzw. Wärmestromdichte. Die Wärmestromdichte der Prüflinge in
Abbildung 4.14 betrug für 600V-Module in etwa PV = 150W/cm2 , für
Standard-Module in diesem Test war die Belastung um den Faktor zwei
höher.
Im Vergleich zu Standard-Modulen zeigen die Prüflinge mit der verbes-
serten Chipverbindung eine zwei- bis dreifach höhere Lebensdauer. In
[24], [23], [52], [78] und [34] wurde die Lastwechselfestigkeit der Standard-
Bonddrähte unabhängig von anderen Fehlermechanismen untersucht. Die-
se Ergebnisse wurden in Abbildung 4.15 verwendet und daraus eine
Lebensdauerkurve für Standard-Aluminiumbonddrähte ermittelt. Die-
se Lebensdauerkurve ist zur Lebensdauerbewertung in Abbildung 4.14
aufgezeichnet und verdeutlicht, dass die Zuverlässigkeit der Prüflinge
„Chipverbindung Diffusionslöten” von der Standard-Bonddrahttechnologie
bestimmt wird.
Das gemessene Alterungsverhalten der Module mit der verbesserten Chip-
verbindung bestätigt, dass die Lebensdauer dieser Aufbau-und Verbin-
dungstechnik nur vom Bonddrahtfehler bestimmt wird. Die gemessenen
Trends der Durchlassspannung und des thermischen Widerstands zeigt
Abbildung 4.20.
Die Standard-Module fielen unter den gewählten Lastwechselbedingun-
gen überwiegend aufgrund der Degradation der Chiplotschicht aus. Bei
einigen Standard-Modulen kam es zusätzlich zum Bonddrahtfehler. Be-
vor jedoch der Bonddrahtfehler aufgetreten ist, war bei allen Prüflingen
eine Verschlechterung des thermischen Widerstandes messbar. Dieses
Alterungsverhalten ist in Abbildung 4.21 dargestellt.
Die höhere Lebensdauer der Standard-Bonddrähte in den Modulen mit
1,0E+07
Anzahl Zyklen
1,0E+06
1,0E+05
1,0E+04
80 85 90 95 100 105 110 115 120
Standard FS150R06KE3
ΔTj in K
Standard 400A/600V
Lebensdauergleichung 600V-Standardmodule
Chipverbindung Diffusionslöten
Lebensdauerkurve Standard-Aluminiumbonddrähte
Abbildung 4.19: Vergleich der Lastwechsel-Testergebnisse zwischen

Standard-Modulen und Prüflingen mit verbesserter Chipverbindung
verbesserter Chipverbindung kann auf den Einfluss des thermischen Wider-

standes zurückgeführt werden. Der Anstieg des thermischen Widerstandes
führte im Laufe des Tests zu einer immer höheren Sperrschichttemperatur.
Dieser Effekt beschleunigte die Alterung der Bonddrahtverbindungen.
Bei verbesserter Chipverbindung trat dieser Beschleunigungsmechanismus
nicht auf. Der Vergleich der Verläufe der minimalen und der maximalen
Sperrschichttemperatur ist in Abbildung 4.22 gezeigt.
Verglichen sind Standardmodul und Prüfling mit der verbesserten Chipver-
bindung. Das verbesserte Modul in diesem Beispiel erfuhr ab Beginn des
Lastwechseltests eine höhere maximale Sperrschichttemperatur und auch
einen höheren Temperaturhub im Vergleich zum Standard-Modul. Trotz
dieser härteren Bedingungen zeigen die Standard-Bonddrahtverbindungen
bei verbesserter Chipverbindung eine höhere Lebensdauer. Während des
ganzen Lastwechseltests hat das Standardmodul einen viel geringeren
Temperaturhub erfahren. Trotzdem erzielten hier die Bonddrähte eine
geringere Lebensdauer. Es ist zu vermuten, dass im Standard-Modul die
Chiplotdegradation lokale Temperaturüberhöhungen verursachte und da-
durch die Bonddrahtverbindungen an den betroffenen Stellen mit viel
höheren Temperaturen belastet wurden. Diese lokalen Temperaturen konn-
ten mit der Sperrschicht-Temperaturmessung nicht erfasst werden. Die

110 120
5% Anstieg (VCE)
105 110
VCE
Rth in %
VCE in %
100 100
Rth
95 90
90 80
0 20000 40000 60000 80000
Zyklen
Abbildung 4.20: Verlauf des thermischen Widerstandes und der Durchlass-

spannung des Prüflings mit verbesserter Chipverbindung, Testparameter:
ton = 4s, tof f = 6s, I = 150A, Tvj,min = 77◦ C, ∆Tj = 99, 8K
virtuelle Sperrschichttemperatur ist ein stromgewichteter Mittelwert der

Sperrschichttemperatur über den ganzen Chip [77]. Diese Methode liefert
über die Temperaturverteilung im Chip keine Information.
Wie im Kapitel 4.2 zeigen die Ergebnisse dieses Lastwechseltests, dass
der Schwachpunkt der Aufbau-und Verbindungstechnik in den Standard-
Modulen primär in der Chiplotschicht liegt. Das Versagen der Bonddraht-
verbindung war der sekundäre Fehlermechanismus und begrenzte nicht die
Lebensdauer der Leistungsmodule. Erst bei verbesserter Chipverbindung
wurde die Bonddrahtverbindung zum bestimmenden Schwachpunkt der
Aufbau- und Verbindungstechnik. Die Lebensdauer der neuen Verbindung
(Diffusionslöten) wurde unter den gewählten Testbedingungen aufgrund
des Bonddrahtfehlers nicht erreicht. Die Verbindungstechnologie zeigt also
ein Potenzial für eine viel höhere Zuverlässigkeit, wenn im Leistungsmodul
zusätzlich die Bonddrahtverbindungen verbessert werden.

110 140
5% Anstieg (VCE) 130

105
VCE
120
Rth in %
VCE in %
100 20% Anstieg (Rth)

110
Rth
95
100
90 90
0 10000 20000 30000 40000 50000
Zyklen
Abbildung 4.21: Verlauf des thermischen Widerstandes und der Durchlass-

spannung des 400A / 600V Standard-Moduls, Lastwechseltestparameter:
ton = 0, 4, tof f = 4, 1s, I = 400A, Tvj,max = 166, 1◦ C, ∆Tj = 90, 9K
4.3.3 Lastwechseltest mit Diffusionslöten und verbesserten Bond-

drähten
Die vorhergehenden Lastwechseluntersuchungen vorliegender Arbeit zei-

gen, dass die Verbesserung nur der Bonddrahtverbindungen im Leis-
tungsmodul unter bestimmten Lastwechselbedingungen zu keiner Lebens-
dauererhöhung führt. Durch die Verbesserung der Chipverbindung lässt
sich die Lastwechselfestigkeit der Leistungsmodule wesentlich erhöhen.
Dabei erwies sich die Bonddrahtverbindung als der lebensdauerbestim-
mende Fehlermechanismus. Dieses Ergebnis bezieht sich wiederum streng
genommen nur auf bestimmte Testbedingungen. Demzufolge ist die Ver-
besserung sowohl der Chipverbindung und der Bonddrahtverbindungen
für die Verbesserung der Zuverlässigkeit der Leistungsmodule erforder-
lich. Im folgenden Lastwechseltest wurden beide Verbindungstechnologien
(Diffusionslöten und dotierte bzw. gehärtete Aluminiumbonddrähte) in
den zu untersuchenden Prüflingen integriert auf die Lastwechselfestigkeit
untersucht.
Die neuen Technologien wurden in einem Standard-Gehäuse HybridPACK1
aufgebaut. Untersucht wurden 650V IGBTs mit dem Nennstrom von 300A.
Verlauf von Tvj,min und Tvj,max

150 200
standard
140 190
Tvj,max verbessert
130 180
120 170
Tvj,max in °C
110 160
Tvj,min in °C
100 150
90 140
Tvj,min verbessert
80 130
70 standard 120
60 110
50 100
0 20000 40000 60000 80000
Zyklen
Abbildung 4.22: Verlauf der Sperrschichttemperatur; Vergleich zwischen

Standard-Modulen (standard) und Modulen mit Diffusionslöten (verbes-
sert), Messungen aus dem Test der Abbildungen 4.20 und 4.21
Ein IGBT war eine Parallelschaltung von zwei 150A IGBT-Chips. Es

wurden insgesamt drei Gruppen der Prüflinge getestet, wobei die Chip-
metallisierungstechnologie als Untersuchungsparameter variiert wurde.
Während des Tests wurden die Prüflinge mit dem Gleichstrom belastet
und mit Wasser direkt an der Grundplatte gekühlt. Die Steuerung des
Tests erfolgte mit konstanter Zykluszeit. Die anderen Testparameter der
Prüflinge waren wie folgt:
• ton = 0, 1..6, 0s
• tof f = 0, 2..8, 0s
• I = 300..400A
• Tvj,max = 168, 0..207, 0◦ C
• ∆Tj = 73, 0..155, 0K
Alle Leistungsmodule mit den Verbesserungen in der Aufbau- und Verbin-
dungstechnik fielen unter diesen Bedingungen aufgrund des Anstiegs in
der Durchlassspannung aus, was auf das Versagen der Bonddrahtverbin-
dung zurückzuführen war. Die Lebensdauerauswertung ist in Abbildung
4.23 gezeigt. Die Vergleichsbasis sind Lastwechselergebnisse der Standard-
Module aus [40]. Dabei wird sichtbar, dass die verbesserten Bonddrähte
sehr gute Ergebnisse erreichen, sofern die Metallisierung damit verträglich

ist.
1,0E+08
1,0E+07
bei 3 Modulen kein Ausfall
Anzahl Zyklen
1,0E+06
1,0E+05
1,0E+04
1,0E+03
20,00 40,00 60,00 80,00 100,00 120,00 140,00 160,00
∆Tj
Standard-Module Chipmetallisierung V1 Chipmetallisierung V2
Chipmetallisierung V3 Anforderung 200°C
Abbildung 4.23: Lebensdauerauswertung bei aktiven Zyklen für Module

mit verbesserter Chipverbindung, verbesserten Bonddrahtverbindungen
und verschiedenen Chipmetallisierungsvarianten im Vergleich zu 600V
Standard-Leistungsmodulen
Mit Variante 1 wird nur die Lebensdauer von den Standard-Modulen

erreicht. Im Vergleich zu den Testergebnissen in Abbildung 4.19 (Module
mit Diffusionslöten für die Chipverbindung und Standard-Bonddrähten)
zeigen Bonddrahtverbindungen mit dieser Chipmetallisierungsvariante
eine wesentlich schlechtere Zuverlässigkeit. Mit Variante 2 konnte die Last-
wechselfestigkeit deutlich gesteigert werden. Dabei fiel die Verbesserung
der Lebensdauer bei niedrigen Temperaturhüben höher aus.
Bei einem Prüfling mit der Chipmetallisierungsvariante V2 wurde die
Bonddrahtverbindung mit Hilfe des metallographischen Schliffs analy-
siert. Die Ergebnisse zeigt Abbildung 4.24. Das Ausfallbild zeigt den
Fehlermechanismus, der in dieser Form bei Standard-Modulen nicht
bekannt war. Der wesentliche Unterschied ist das Risswachstum inner-
halb der Chipmetallisierung. Im Vergleich dazu ist der Bonddrahtfehler
der Standard-Module in Abbildung 4.25 dargestellt. Der Riss breitet
sich bei der Standard-Bonddrahtverbindung oberhalb der Grenzfläche
(Chipmetallisierung-Bonddraht) im Bonddrahtmaterial aus.
Al dotiert
Grenzfläche
Riss
Metallisierung Si Chip
Abbildung 4.24: Metallographischer Schliff der Bonddrahtverbindung mit
der Chipmetallisierungsvariante V2, Riss in der Chipmetallisierung nach
dem Lastwechseltest
Abbildung 4.25: Risswachstum in der Bonddrahtverbindung bei Standard-

Leistungsmodulen [24]
Die Analyse der Chipmetallisierungsvariante V2 zeigt, dass durch ei-

ne weitere Verbesserung der Chipmetallisierung die Zuverlässigkeit der
Leistungsmodule mit der betrachteten Aufbau- und Verbindungstechnik
gesteigert werden kann. Dies lässt sich mit dem Testergebnis der Varian-
te V3 bestätigen. Diese Prüflinge zeigen eine Lebensdauerverbesserung
im Vergleich zu Variante V2 um den Faktor zehn und im Vergleich zu
Standard-Modulen um den Faktor 100. Von den getesteten vier Leis-
tungsmodulen erreichte ein Prüfling das Lebensdauerende aufgrund des
Anstiegs in der Durchlassspannung. Die Verläufe von VCE und Rth des
ausgefallenen Moduls sind in Abbildung 4.26 dargestellt. Im Verlauf des
gesamten Lastwechseltests ist ein stetiger Anstieg der Durchlassspannung
zu erkennen. Dieses Verhalten ist bekannt aus dem Alterungsverhalten
der Standard-Module und ist auf die Verschlechterung der Leitfähigkeit
der Chipmetallisierung zurückzuführen [57]. Zwei stufenförmige Anstie-
ge der Durchlassspannung weisen auf einen Bonddrahtabgang hin. Der

thermische Widerstand bleibt im Verlauf des Lastwechseltests annähernd
unverändert. Daraus ist zu schließen, dass das Diffusionslöten das Poten-
tial zu einer höheren Zuverlässigkeit hat, als die erreichte Lebensdauer
des Leistungsmoduls in diesem Test.

110
VCE
105
Rth
VCE, Rth in %
100
Kühlmittel gewechselt
95
90
0 1.000.000 2.000.000 3.000.000 4.000.000
Zyklen
Abbildung 4.26: Verlauf der Durchlassspannung des Prüflings mit Chip-

metallisierungsvariante V3, Lastwechseltestparameter: ton = 0, 7s, tof f =
3, 1s, I = 300A, Tvj,max = 176, 9◦ C, ∆Tj = 94, 2K
4.4 Applikationsnahe Lastwechseltests
4.4.1 Übersicht der Verbindungstechnologien
Die bisher vorgestellten Testergebnisse basierten auf reiner Lastwechselbe-

lastung. Bei diesen Tests wurden die Leistungsmodule mit relativ kurzen
Temperaturzyklen belastet, die zum Versagen der Bonddraht- und Chip-
verbindungen führten. Solche Temperaturzyklen bilden nur einen Teil der
Belastung einer Hybridfahrzeuganwendung nach. Von großem Interesse
sind Zuverlässigkeitstests, die die Temperaturschwankungen des Kühlmit-
tels nachbilden und zusätzlich die Verbindung zwischen DCB-Substrat und
Grundplatte (in dieser Arbeit als Systemverbindung bezeichnet) belasten.
4.4 Applikationsnahe Lastwechseltests 125
In diesem Kapitel werden Ergebnisse der applikationsnahen Lastwech-

seltests gezeigt, womit zusätzlich zu gehärteten Aluminiumbonddrähten
und zur neuen Chipverbindung, dem Diffusionslöten, zwei neue Verbin-
dungstechnologien für die Systemverbindung untersucht wurden: Die
Silber-Sintertechnologie (Niedertemperaturverbindungstechnik) und die
neuartige Lötung mit vertikalen Mikrostrukturen. Abbildung 4.27 zeigt
diese Verbindungstechnologien in der Schnittdarstellung des Leistungsmo-
duls.
Standard: Al
Verbessert: dotiertes Aluminium,
modifizierte Chipmetallisierung
Si
Standard: Sn-Ag Lot
Verbessert: Diffusionslötung
Cu, Al2O3, Cu (DCB)
Standard: Sn-Ag Lot

Verbessert: Silber Sintertechnologie
Lötung mit vertikalen Strukturen
Standard: 3mm Cu ohne PinFin
Verbessert: 5mm Cu mit PinFin
Abbildung 4.27: Übersicht der Verbindungstechnologien für die Zuverläs-

sigkeitsuntersuchungen mit applikationsnahen Lastwechseltests
Eine bereits sehr ausführlich erforschte Verbindungstechnologie für die

großflächige Systemverbindung der Leistungselektronik zwischen DCB-
Substrat und Grundplatte ist die Silber Sintertechnologie, die auch als
Niedertemperaturverbindungstechnik bezeichnet wird ([92], [84]). Die
Prozesstemperatur für die Herstellung dieser Verbindung liegt bei ca.
250◦ C, die Schmelztemperatur dieser Verbindungsschicht beträgt dage-
gen 960◦ C. Die Einsatztemperatur dieser Verbindung im Leistungsmodul
liegt weit unterhalb dieser Schmelztemperatur und zeigt deshalb bei
Lastwechseln eine hohe Zuverlässigkeit [1]. Ein weiterer Vorteil dieser
Verbindungstechnologie ist eine viel bessere thermische Eigenschaft im
Vergleich zu Standard-Lotschichten. Die Dicke der Niedertemperaturver-
bindungstechnik beträgt ca. 30µm und ist somit nur ein Drittel der Dicke
bei Standard-Lotschichten. Außerdem lässt sich die Silber-Sinterschicht
lunkerfrei herstellen. Dagegen nehmen Lunker bei Standard-Loten einen
relativ hohen Anteil der Verbindungsfläche ein und verschlechtern somit
den thermischen Widerstand dieser Schicht. Ein neuer Ansatz speziell
für großflächige Verbindungen zwischen Substrat und Grundplatte ist die
Lötung mit vertikalen Mikrostrukturen. Diese eingebrachten Strukturen
verhindern den Risswachstum bei Temperaturwechseln in die horizontale
Richtung und versprechen eine viel höhere Zuverlässigkeit für den Einsatz
bei hohen Temperaturen ([28], [54]). Der Vorteil dieser Technologie ist,
dass für die Herstellung der Verbindung vorhandene Standard-Lötprozesse

verwendet werden können und Kosten für neue Fertigungslinien deshalb
entfallen.
Die metallographischen Schliffe beider betrachteten Technologien für
die großflächigen Verbindungen im Leistungsmodul sind im Vergleich in
Abbildung 4.28 dargestellt. Die Mikrostrukturen in der neuartigen Lötung
sind Kupfer-Zinn Ausscheidungen, wobei das Grundmaterial der Lötung
eine Zinn-Silber-Legierung ist.
Abbildung 4.28: Schliffbilder der Niedertemperaturverbindung [97] und

neuartiger Systemlötung mit Mikrostrukturen [28]
4.4.2 Testergebnisse
Für die Zuverlässigkeitsuntersuchung beider Verbindungstechnologien wur-

de ein überlagerter Temperaturwechseltest durchgeführt. Hierfür wurden
Prüflinge mit Hilfe eines Wasser-Kühlkreislaufes passiv aufgeheizt und
abgekühlt. Während der Aufheizphase wurden die Module zusätzlich mit
aktiven Zyklen belastet, die mit einer Gleichstrombelastung erzeugt wur-
den. Der Verlauf des gewählten Temperaturzyklus ist in Abbildung 4.29
dargestellt. Module mit verbesserter Aufbau- und Verbindungstechnologie
und ein Prototyp des Standard-Leistungsmoduls Hybridpack1 600V /
400A als Vergleichsreferenz wurden unter diesen Bedingungen getestet.
Der Prüfling mit der Niedertemperaturverbindungstechnik in der Sys-
temverbindung ist in Abbildung 4.30 dargestellt. Der Prüfling mit der
neuartigen Systemlötung wurde im gleichen Leistungsmodulgehäuse auf-
gebaut, die Grundplatte war jedoch ohne PinFin-Struktur und hatte eine
Dicke von 3mm.
Alle Prüflinge wurden bei aktiven Zyklen mit gleichem Laststrom von 220A
und gleichen Zykluszeiten belastet. Es ergab sich ein Unterschied in der
maximalen Sperrschichttemperatur, die am Ende der Heizphase gemessen
200 200
Tvj
175
180
150
160 125
140 100 Tcase
580 590 600 610
120
T in °C
100
80
60
40
20
0
0 200 400 600 800 1000
t in s
Abbildung 4.29: Gemessener Temperaturverlauf während des überlagerten

Temperaturwechseltests, Messung am Standard-Modul
wurde. Der Prüfling mit der neuartigen Systemverbindung erfuhr die höchs-
te Temperatur. Dieses Modul hatte gleiche Kühlrandbedingungen wie das
Standard-Modul. Beide Module wurden mit der Wärmeleitpaste auf einen
wassergekühlten Kühlkörper montiert. Aufgrund eines kleineren IGBT
Chips (300A) im Vergleich zum Standard-Modul (400A) war der thermi-
sche Widerstand insgesamt höher, was die höhere Sperrschichttemperatur
begründet. Das Modul mit der direkt gekühlten PinFin-Grundplatte hatte
trotz des 300A-Chips einen besseren thermischen Widerstand und dadurch
die niedrigste Sperrschichttemperatur. Für alle Module wurde der passive
Zyklus mit der Kühlwassertemperatur zwischen 22◦ C und 122◦ C gesteuert.
Die Zykluszeit im passiven Zyklus setzte sich zusammen aus 9min Auf-
wärmphase, 1min Haltephase bei maximaler Wassertemperatur und 5min
Abkühlphase, siehe Abbildung 4.29. In einem passiven Zyklus wurden
IGBTs mit 100 aktiven Zyklen während der Aufwärm- und Haltephase
belastet. Die Temperaturen sind in Tabelle 4.4 aufgelistet.
Zur Messung des Alterungsverhaltens während des Tests wurden Durch-
lassspannung und der transiente thermische Widerstand aufgezeichnet.
Beim Standard-Modul und beim Prüfling mit der neuartigen Systemlötung
wurde die thermische Impedanz zwischen Sperrschicht und Kühlkörper
gemessen. Für die Messung der Kühlkörpertemperatur wurden auf der
Oberfläche des Kühlkörpers 1mm dicke Kanäle eingefräst. Die Temperatur
wurde in der Mitte der Modulgrundplatte mit Hilfe eines Thermoelements
erfasst. Beim Modul mit der PinFin-Grundplatte wurde für die thermische
Abbildung 4.30: Prüfling mit verbesserter Aufbau- und Verbindungstech-

nik, Technologien wie in Abbildung 4.27, Systemverbindung mit Nieder-
temperaturverbindungstechnik
Tabelle 4.4: Testparameter für den applikationsnahen Lastwechseltest

NTV / PinFin Neue Systemlötung Standard
Tvj,min 22◦ C 22◦ C 22◦ C
Tvj,max 173◦ C 195◦ C 175◦ C
∆Tj,aktiv 48K 70K 50K
Tc,max - 143◦ C 143◦ C
Kühlung Wasser direkt Wasser indirekt Wasser indirekt
Impedanz die Kühlmitteltemperatur als Bezugstemperatur aufgenommen.

Die Messung der thermischen Impedanz erfolgte mit diesen Parametern:
• I = 250A
• ton = 30s
• Messdauer = 30s
• TW asser = 20◦ C
Abbildung 4.31 zeigt die Verläufe gemessener thermischen Impedanzen
für die drei getestete Leistungsmodule. Der transiente thermische Wi-
derstand des Standardmoduls zeigt aufgrund der größten Chipfläche im
Millisekundenbereich die niedrigsten Werte. Der Prüfling mit der PinFin-
Grundplatte und das Modul mit der neuartigen Systemlötung haben bis
etwa 30ms den gleichen Verlauf, da beide Module bis zur DCB-Unterseite
aus der Richtung des IGBT-Chips den gleichen Aufbau hatten. Die 5mm
dicke PinFin-Grundplatte macht sich bemerkbar im Bereich von 100ms
bis 3s. Bei diesem Modul sind die Zth -Werte viel kleiner als beim Modul
mit 3mm dicken Grundplatte (Modul mit neuartigen Systemlötung). Bei
den anderen zwei Prüflingen sind die Anteile des Kühlpfads zwischen dem
Kühlkörper und dem Kühlwasser nicht enthalten, da der Referenzpunkt
der Zth -Messung auf der Oberseite des Kühlkörpers lag.
Zth(t)-Verlauf
0,25
0,20
Zth in K/W
0,15
0,10
0,05 Standard-Modul (600V / 400A)

Modul mit NTV und PinFin (650V / 300A)
Modul mit neuer Systemlötung (650V / 300A)
0,00
1,0E-04 1,0E-03 1,0E-02 1,0E-01 1,0E+00 1,0E+01 1,0E+02
t in s
Abbildung 4.31: Verläufe der thermischen Impedanz für Prüflinge mit

verschiedener Aufbau- und Verbindungstechnik, Messung am Anfang des
applikationsnahen Lastwechseltests mit Parametern aus Tabelle 4.4
Ausfallkriterien im Lastwechseltest waren 20%-Anstieg des stationären

thermischen Widerstandes und 5%-Anstieg der Durchlassspannung.
Die Durchlassspannung aller Prüflinge ist im Laufe des Tests konstant
geblieben, was zeigte, dass kein Bonddrahtfehler aufgetreten ist.
Die gewählten Testbedingungen führten beim Standard-Modul zum An-
stieg des thermischen Widerstandes, wie es im Rth -Verlauf in Abbildung
4.32 gezeigt ist.
Das Standard-Modul wurde nach dem Test mit dem Ultraschallmikroskop
analysiert. Die Aufnahmen der Chiplot- und der Systemlotschicht sind in
Abbildung 4.33 zu sehen. Deutlich zu erkennen ist die Delamination in der
Systemlotschicht. Schlecht zu erkennen ist der Zustand der Chiplotschicht.
Die thermische Impedanzspektroskopie liefert für das Standard-Modul
bessere Analyseergebnisse für die Chiplotschicht im Vergleich zu Ultra-
schallaufnahmen. In Abbildung 4.34 sind Verläufe der Rth -Anteile des
Verlauf von Rth

0,22
0,20 20% Fehlerkriterium (Standard)
0,18
Rth in K/W
0,16
0,14
Wärmeleitpaste erneuert
0,12
0,10
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
passive Zyklen
Standard (Chip1) Standard (Chip2)
Lötung Mikrostrukturen (Chip1) Lötung Mikrostrukturen (Chip2)
NTV (Chip1) NTV (Chip2)
Abbildung 4.32: Verläufe der stationären thermischen Widerstände im

applikationsnahen Lastwechseltest
diskreten CAUER-Ersatzschaltbildes dargestellt. Diese Werte wurden

anhand der Zth -Messungen ermittelt. Hierfür wurde die Methode des
Kapitels 3.2 angewendet. Die thermische Impedanz wurde mit vier RC-
Gliedern approximiert. Damit konnten die gemessenen Kurven mit aus-
reichender Genauigkeit angenähert werden. Der erste Anteil r1 hat den
Anteil von etwa 10% des Gesamtwiderstandes und beschreibt somit den
Bereich zwischen Sperrschicht und Oberseite des DCB-Substrats. Die
Werte von r2 zeigen den Anteil von 50% und zeigen den partiellen Wider-
stand der Al2 O3 –Keramik und Grundplatte. Die Anteile r3 und r4 zeigen
den Einfluss der Wärmeleitpaste und der Oberseite des Kühlkörpers. Der
Kühlpfad mit CAUER-Gliedern kann somit wie folgt analysiert werden:
• r1: Anteil zwischen Sperrschicht und Oberseite des DCB-Substrates,
zeigt Alterung der Chipverbindung
• r2: Anteil zwischen Oberseite des DCB-Substrates und Grundplatte,
zeigt Alterung der Systemverbindung
• r3, r4: Anteile zwischen Grundplatte und Referenzpunkt der Tem-
peraturmessung (Oberseite des Kühlkörpers), zeigt Einfluss der
Wärmeleitpaste
Im Verlauf von r1 (Chip2) sieht man einen Anstieg, was auf die Degradati-
Chip2 Chip1
Abbildung 4.33: Ultraschallbilder des Standard-Moduls (600V / 400A)

nach 2.620 passiven Zyklen und 262.000 aktiven Zyklen
on des Chiplotes schließen lässt. Der Anstieg im Anteil r2 (Chip1) zeigt die
Alterung der Systemlotschicht. Bei Chip2 bleibt dieser Wert annähernd
konstant. Das Ultraschallbild in Abbildung 4.33 bestätigt diese Unter-
schiede. Unterhalb von Chip1 ist eine starke Delamination im Systemlot
zu erkennen, unterhalb von Chip2 sind dagegen keine hellen Bereiche zu
sehen. Die Unregelmäßigkeiten unterhalb Chip1 in der Chipverbindung
deuten im Ultraschallbild auf die Degradation hin und bestätigen die
Messung.
Die Verläufe der gemessenen CAUER-Zeitkonstanten und -Kapazitäten
zeigen Abbildungen 4.35 und 4.36. In den Bereichen, wo Widerstände
ansteigen, werden Zeitkonstanten größer und Kapazitäten kleiner. Die
relativen Veränderungen sind nur schwach zu erkennen. Dies lässt sich
wie folgt begründen.
Physikalisch gesehen verändert sich die thermische Kapazität des Materi-
als im Laufe des Lastwechseltests nicht. Im Falle einer Degradation einer
Materialschicht wird jedoch die Kühlfläche verkleinert und das führt zur
Einengung des Wärmeflusses. Insgesamt verringert sich das Materialvolu-
men, welches an der Kühlung des Halbleiterchips beteiligt ist. Deshalb
sinkt die gemessene Wärmekapazität bei der Erhöhung des partiellen
thermischen Widerstandes. Bei diesem Effekt würden die entsprechenden
Zeitkonstanten der RC-Glieder konstant bleiben.
Eine kleiner werdende Kühlfläche zwingt jedoch bei gleicher abzuführender
Verlustleistung zu einer stärkeren Wärmespreizung. Dieser Effekt wirkt
der Einengung des Wärmeflusses entgegen. Dadurch kommt es zu einer
Erhöhung der Zeitkonstanten.
Beide Effekte beeinflussen sich gegenseitig. Messungen zeigen, dass sowohl
Zeitkonstanten als auch thermische Kapazitäten ungefähr in gleichem
Maße sich relativ verändern. Dadurch ist die Empfindlichkeit dieser Werte
bei einem Fehler geringer als bei Widerständen.
Verlauf der CAUER-Widerstände

0,12
Chip1
Chip2
0,1
r2
0,08
Rth in K/W
0,06
r3
0,04
r1
0,02
r4
0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
Passive Zyklen
Abbildung 4.34: Verlauf der CAUER-Widerstände des Standard-Moduls
Das Ergebnis des Lastwechseltests zeigt, dass die Lastwechselbedingungen

entsprechend einer realen Anwendung in einem Standard-Leistungsmodul
zum Versagen sowohl der Chipverbindung als auch der großflächigen
Verbindung zwischen DCB-Substrat und Grundplatte führt. Unter den
gewählten Testbedingungen begrenzten die Bonddrahtverbindungen nicht
die Lebensdauer des Leistungsmoduls.
Der Test mit dem Prüfling mit der neuen Systemlötung wurde nach 2.160
Zyklen abgebrochen und das Leistungsmodul mit dem Ultraschallmikro-
skop analysiert. Die Aufnahmen in Abbildung 4.37 zeigen bereits eine
beginnende Degradation des Systemlotes in den Eckbereichen des mitt-
leren DCB-Substrates. Diese delaminierten Bereiche sind außerhalb der
Chipfläche und verursachten deshalb keinen Rth -Anstieg in Abbildung
4.32.
Das Modul mit der PinFin-Grundplatte und der Niedertemperaturver-
bindungstechnik erreichte 6.500 passive und 650.000 aktive Zyklen ohne
Fehler. Allerdings kann man im Rth –Verlauf in Abbildung 4.32 einen An-
stieg von etwa 10% feststellen. Die Analyse mit dem Ultraschallmikroskop
war aufgrund der PinFin-Struktur auf der Grundplatte nicht möglich.
Eine klare Aussage über die Ursache für den gemessenen Rth -Anstieg zeigt
die thermische Impedanzspektroskopie in Abbildung 4.38. Analog zum
Verlauf der CAUER-Zeitkonstanten

10
τ4
1
τ3
0,1
τ in s
τ2
0,01
τ1
0,001
Chip1
Chip2
0,0001
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
Passive Zyklen
Abbildung 4.35: Verlauf der CAUER-Zeitkonstanten des Standard-Moduls
Standard-Modul wurden CAUER-Parameter gemessenen. Hierfür wurde

die thermische Impedanz mit drei RC-Gliedern approximiert. Die Anteile
des CAUER-Ersatzschaltbildes unterteilen den Kühlpfad wie folgt:
• r1: Anteil zwischen Sperrschicht und Al2 O3 -Keramik, zeigt Alterung
des Chiplotes
• r2: Anteil zwischen Al2 O3 -Keramik und Grundplatte, zeigt Alterung
von Systemverbindung
• r3: Anteil zwischen Grundplatte und Kühlwasser
Die Unterteilung des Kühlpfads weicht vom Standard-Leistungsmodul ab.
Der Anteil r1 enthält, anders als beim Standard-Modul, den größten Teil
der Al2 O3 -Keramik. Im Anteil r2 ist der Rest Al2 O3 -Keramik enthalten,
wobei dieser Teil kleiner ist. Diese Unterteilung ergab sich aufgrund der
Vorgabe an den mathematischen Lösungsalgorithmus, die thermische
Impedanz mit drei RC-Gliedern zu approximieren.
Der Verlauf der CAUER-Widerstände zeigt, dass der Anstieg des sta-
tionären thermischen Widerstandes aufgrund der Verschlechterung des
Wärmeübergangwiderstandes zwischen PinFin-Grundplatte und Kühlwas-
ser hervorgerufen wird. Die nachträgliche Analyse zeigte auf der PinFin-
Kühlstruktur der Grundplatte Ablagerungen, die als Ursache für den
Anstieg des Übergangswiderstands festgestellt wurden. Die Degradationen
Verlauf der CAUER-Kapazitäten

1000
C4
100
C3
10
C in J/K
1
C2
0,1
Chip1 C1
Chip2
0,01
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
Passive Zyklen
Abbildung 4.36: Verlauf der CAUER-Kapazitäten des Standard-Moduls
Verbindungstechnologien im Leistungsmodul konnten somit ausgeschlossen

werden.
4.4.3 Lebensdauerbewertung
Die erreichten Ergebnisse im applikationsnahen Lastwechseltest sollen im

Nachfolgenden bezüglich der Lebensdauer bewertet werden. Da sowohl
der Ausfall der Chiplotschicht als auch der Systemlotschicht im Standard-
Modul beobachtet wurde, werden Lebensdauermodelle sowohl für aktive
Zyklen als auch für passive Zyklen für die Auswertung dieses Moduls
verwendet. Die erste Gleichung 2.9 aus [96], deren Genauigkeit im Kapitel
4.3.2 anhand der Testergebnisse gezeigt wurde, beschreibt die Lebens-
dauer der Standard-Leistungsmodule mit 600V-Sperrspannungsklasse bei
aktiven Zyklen und hoher Sperrschichttemperatur. Das zweite Lebens-
dauermodell 2.8 aus [46] gibt die Zyklenzahl bis zum Ausfall bei passiven
Temperaturzyklen. Diese Gleichung gilt für Industrie-Leistungsmodule
mit Kupfer-Grundplatte mit vergleichbarer Verbindungstechnologie wie
das in dieser Arbeit getestete Standard-Leistungsmodul.
Für die Anwendung der Gleichung 2.9 werden die gemessenen Tempera-
turzyklen in einem passiven Zyklus (Abbildung 4.29) der Sperrschicht in
Abbildung 4.37: Ultraschallbilder des Moduls mit neuer Systemlötung

nach 2.160 passiven Zyklen und 216.000 aktiven Zyklen
zehn Temperaturbereiche unterteilt. Ein Bereich wird für eine bestimmte

mittlere Sperrschichttemperatur Tm betrachtet. In jedem dieser Tempera-
turbereiche werden die Zyklen für die Temperaturhübe der Sperrschicht
gezählt und Temperaturhübe ∆Tj bestimmt. Die ermittelte Verteilung der
gezählten Temperaturhübe zeigt Tabelle 4.5. In dieser Tabelle zeigt die
Spalte „Tm inK” die gewählten Temperaturbereiche, die Spalte „∆Tj inK”
ist der Temperaturhub der Sperrschicht, die Werte „Nf (Tm , ∆Tj inK)”
sind die berechneten Zyklen mit der Gleichung 2.9 und die Spalte „An-
zahl Zyklen im Test” sind die gezählten Temperaturzyklen. Durch das
Verhältnis der Zyklen im Test zu den berechneten Zyklen ergibt sich der
Lebensdauerverbrauch. Mit der Annahme der linearen Akkumulation des
Lebensdauerverbrauchs ergibt sich, dass während des Lastwechseltests et-
wa 96% der gesamten berechneten Lebensdauer verbraucht wurde. Dieses
Ergebnis zeigt, dass die erreichte Lebensdauer des Moduls sehr gut mit
der Vorhersage des gewählten Lebensdauermodells übereinstimmt.
Auch für die Lebensdauer bei passiven Zyklen liefert der Vergleich zwischen
dem Testergebnis und dem Lebensdauermodell eine gute Übereinstimmung.
Für den gemessenen Temperaturhub an der Grundplatte des Standard-
Moduls von 121K ergibt sich mit Gleichung 2.8 eine Lebensdauer von
2330 Zyklen. Im Test wurden etwa 12% mehr Zyklen erreicht.
Die Lebensdauer der neuen Systemlötung mit vertikalen Mikrostrukturen
kann mit Hilfe der Ultraschallaufnahme in Abbildung 4.37 abgeschätzt
werden. In diesem Bild lässt sich die Länge des Risses in der Systemlötung
bestimmen. Mit der Annahme, dass sich der Riss linear mit der Anzahl der
Temperaturzyklen ausbreitet [92], lässt sich die Zyklenzahl bis zum Ausfall
abschätzen. Das Lebensdauerende wird erreicht, wenn die delaminierte
Fläche gleich der des Leistungsmoduls in Abbildung 4.33 ist. Die Lebens-
dauer dieser Verbindung lässt sich hiermit auf 6500 Zyklen abschätzen.
Damit ist die Zuverlässigkeit dieser Verbindungstechnologie um den Fak-
tor 2,5 höher als die des Standard-Moduls. Vergleicht man dieses Ergebnis
Verlauf der Rth-Anteile des CAUER-Ersatzschaltbildes

0,08 r1 (Chip-Al2O3)
0,07
0,06 r3 (Grundplatte- Kühlwasser)
0,05
Rth in K/W
0,04 r2 (Al2O3-Grundplatte)
0,03
0,02
0,01
0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000
passive Zyklen
Abbildung 4.38: Verlauf der CAUER-Widerstände des Prüflings mit

PinFin-Grundplatte und Niedertemperaturverbindungstechnik
mit der ermittelten Anforderung an die Temperaturwechselfestigkeit für

Leistungsmodule in Abbildung 2.7, so wäre der Einsatz der neuartigen
Lötung mit vertikalen Mikrostrukturen bei hoher Kühlmitteltemperatur
im Hybridfahrzeug kritisch. Gefordert werden bei 120K Temperaturhub
an der Grundplatte etwa 10.000 bis 20.000 Zyklen.
Bezüglich der Lastwechselfestigkeit (aktive Zyklen) für den Prüfling mit
der neuartigen Systemlötung (mit vertikale Mikrostrukturen) wurde ei-
ne ähnliche Abschätzung des Lebensdauerverbrauchs durchgeführt, wie
für das Standard-Modul in Tabelle 4.6. Hier zeigt die Auswertung mit
dem Lebensdauermodell (gültig für Standard-Module), dass neue Verbin-
dungstechnologien eine mehr als doppelt so hohe Lastwechselfestigkeit
im Vergleich zum Standard-Modul erreichen. Die Lastwechselfestigkeit
dieser Verbindungstechnologie war bei rein aktiven Zyklen um den Faktor
100 höher gegenüber der von Standard-Modulen, siehe hierzu Abbildung
4.23. Es ist zu erwarten, dass bei der abgeschätzten Lebensdauer von
6500 Zyklen, bei der die Degradation der Systemverbindung zum Ausfall
des Prüflings führen wird, die Lebensdauer der gehärteten Aluminium-
bonddrähte und der neuen Chipverbindung (Diffusionslöten) noch nicht
erreicht wird. Deshalb wird bei den gewählten Testparametern die Le-
bensdauer der untersuchten Verbindungstechnologie im Prüfling allein
Tabelle 4.5: Abschätzung des Lebensdauerverbrauchs für das Standard-

Modul mit Gleichung 2.9
Tm in K ΔTj in K Nf(ΔTj, Tm) Zyklen im Test Lebensdauer-

verbrauch in %
330 50 845887 13100 1,5
340 50 728233 18340 2,5
350 50 632332 18340 2,9
360 50 553384 20960 3,8
370 50 487797 23580 4,8
380 50 432848 23580 5,4
390 50 386450 26200 6,8
400 50 346987 26200 7,6
410 50 313195 28820 9,2
420 50 284077 28820 10,1
430 50 258838 34060 13,2
380 154 9174 2600 28,3
Lebensdauerverbrauch gesamt 96,2
von der Lebensdauer der neuartigen Systemverbindung mit vertikalen

Mikrostrukturen bestimmt.
Das Leistungsmodul mit der Niedertemperaturverbindungstechnik, Diffu-
sionslöten, gehärteten Aluminium-Bonddrähten und verbesserten Chip-
metallisierung hat offensichtlich das Potenzial die Anforderungen für den
Einsatz in Hybridfahrzeugen bei hoher Kühlmitteltemperatur zu erfüllen.
Mit dem erreichten Ergebnis wurde allerdings noch kein vollständiger
Nachweis für die Erfüllung der Anforderungen an die passiven Temperatur-
zyklen geliefert. Mit 6.500 Zyklen beim Temperaturhub des Kühlmittels
von 100◦ C wurde etwa ein Drittel der geforderten Zyklen erreicht. Die
Anforderung wurde für die Kühlmitteltemperatur von 105◦ bzw. für die
maximale Grundplattentemperatur von 125◦ C ermittelt (siehe Kapitel
2.3.2). Der Test wurde aus Zeitgründen nach 6.500 Zyklen abgebrochen,
wo noch keine Degradationen in den Verbindungsschichten messbar waren.
Es besteht deshalb mit dieser Verbindungstechnologie das Potential die
geforderten 20.000 Zyklen zu erreichen.
Aus dem Standpunkt heraus, dass die untersuche Aufbau- und Verbin-
dungstechnik mindestens 6.500 Zyklen bei 100K Temperaturhub des
Kühlmittels standhält, kann abgeschätzt werden, bei welcher maximaler
Kühlmitteltemperatur diese Technologie betrieben werden kann. Die Ab-
Tabelle 4.6: Abschätzung des Lebensdauerverbrauchs für den Prüfling mit

der neuartigen Systemlötung (mit vertikalen Mikrostrukturen), Auswer-
tung mit Gleichung 2.9
Tm in K ΔTj in K Nf(ΔTj, Tm) Zyklen im Test Lebensdauer-

verbrauch in %
340 70 229951 10800 4,7
350 70 199669 15120 7,6
360 70 174740 15120 8,7
370 70 154030 17280 11,2
380 70 136679 19440 14,2
390 70 122028 19440 15,9
400 70 109567 21600 19,7
410 70 98896 21600 21,8
420 70 89702 23760 26,5
430 70 81732 23760 29,1
440 70 74786 28080 37,5
380 173 6158 2160 35,1
Lebensdauerverbrauch gesamt 232,0
schätzung nach der Vorgehensweise des Kapitels 2.3.2 ergibt, dass das
untersuchte Leistungsmodul für die angenommenen Umgebungstempe-
raturen der Stadt Konstanz die Anforderungen für die maximale Kühl-
mitteltemperatur von 95◦ C erfüllt. Für die Temperaturen der Zugspitze
kann das Leistungsmodul für 80◦ C zugelassen werden.
Bezüglich der Lastwechselfestigkeit dieser Verbindungstechnologie, zeigen
die Ergebnisse in Abbildung 4.23 eine klare Tauglichkeit für die maximale
Sperrschichttemperatur von 200◦ C. Die erreichten Zyklen übertreffen die
Anforderungen um mindestens Faktor 10. Diese Ergebnisse verdeutlichen,
dass die Lastwechselfestigkeit im Vergleich zu Temperaturwechselfestigkeit
bei passiven Zyklen deutlich höhere Anforderungen erfüllen können. Man
könnte in der Nähe des Halbleiterchips deshalb höhere Temperaturen als
200◦ C zulassen und die Leistungsdichte des Umrichters steigern. Das kann
z.B. für den Einsatz von SiC-Bauelementen sprechen. Diese Bauelemente
konnten bisher aufgrund der Lastwechselproblematik noch nicht für diese
hohen Temperaturen zugelassen werden.
139
5 Zusammenfassung und Ausblick
Die Kühlmitteltemperatur von max. 125◦ C in der Hybridfahrzeuganwen-

dung erfordert neue Aufbau- und Verbindungstechniken für eine maximale
Sperrschichttemperatur von 200◦ C. In der vorliegenden Arbeit wurde
anfangs mit den bekannten Lebensdauermodellen die Anforderung an die
Leistungsmodule bei hohen Temperaturen abgeschätzt. Demnach muss die
Zyklenfestigkeit bei passiven Zyklen um den Faktor acht verbessert werden
und die Lastwechselfestigkeit erfordert eine vierfache Zuverlässigkeit im
Vergleich zu heutigen Leistungsmodulen.
Für die Untersuchung der Lastwechselfestigkeit bei hohen Kühlmittel- und
Sperrschichttemperaturen wurden neue Prüfstandskonzepte und Mess-
methoden entwickelt. Eines der neuen Konzepte war der Prüfstand für
Lastwechseluntersuchungen unter Umrichterbedingungen. Mit diesem Kon-
zept wurde ein Lastwechseltest durchgeführt. Das Ergebnis unterstützt
die Annahme, dass die Lebensdauermodelle, die mit vereinfachten Tests
mit Gleichstrombelastung ermittelt werden, eine brauchbare Lebensdau-
ervorhersage liefern.
Weitere Ergebnisse der Zuverlässigkeitsuntersuchungen dieser Arbeit ba-
sierten auf den Temperatur- und Lastwechseltests mit Gleichstrombelas-
tung. Für diese Testmethode wurde der signifikante Einfluss der Sperr-
schichttemperaturmessung auf die Bestimmung der Lebensdauer gezeigt.
Es wurden zwei Quellen für den systematischen Messfehler bei der Messung
der Sperrschichttemperatur identifiziert und Methoden für die Korrektur
der Fehler behandelt. Anhand der „Wurzel-t-Methode” und mit Unter-
suchungsergebnissen zur Kalibrierkennlinie konnten die systematischen
Messfehler in der Sperrschichttemperaturmessung deutlich reduziert wer-
den.
Als weitere Methode für die Durchführung von Lastwechseltests wurde
die thermische Impedanzspektroskopie vorgestellt, welche in zwei Teil-
methoden unterteilt wurde. Diese erste Methode basiert auf der Analyse
der thermischen Impedanzfunktion, die aus dem Feld der Mikroelektronik
bekannt ist. Für die Anwendung dieser Methode auf die Leistungsmodule
wurde die mathematische Analyse der Impedanzfunktion modifiziert. Der
zweite Teil der thermischen Impedanzspektroskopie ist die Aufzeichnung
der diskreten CAUER-Teilwiderstände. Besonders hilfreich erweisen sich
beide Methoden der thermischen Impedanzspektroskopie bei direkt ge-
kühlten Leistungsmodulen mit der PinFin-Struktur auf der Grundplatte,
140 5 Zusammenfassung und Ausblick
bei denen eine zerstörungsfreie Fehleranalyse mit heutigen Ultraschallmi-

kroskopen nicht möglich ist.
Die Lastwechseltests mit verbesserten Aufbau- und Verbindungstechno-
logien zeigten, dass allein die Verbesserung der Bonddrahttechnologie
für die Erhöhung der Lastwechselfestigkeit nicht ausreichend ist, da die
Lebensdauer der Leistungsmodule unter bestimmten Bedingungen von
der Degradation der Chipverbindung bestimmt wird. Der Einsatz der
neuen Chipverbindungstechnologie Diffusionslöten zeigt eine signifikant
höheren Lastwechselfestigkeit der Leistungsmodule trotz der Standard-
Aluminiumbonddrähte. Prüflinge mit Diffusionslöten und dotierten bzw.
gehärteten Aluminium-Bonddrähten zeigten eine um den Faktor 100 hö-
here Lastwechselfestigkeit im Vergleich zu Standard-Leistungsmodulen.
Für die Untersuchung der Zuverlässigkeit der großflächigen Verbindung
zwischen DCB-Substrat und Grundplatte (Systemverbindung) wurden
applikationsnahe Lastwechseltests durchgeführt, wo Lastwechsel einem
passiven Temperaturzyklus überlagert wurden. Mit diesem Test wurden
zwei neue Verbindungstechnologien für die Systemverbindung untersucht:
Niedertemperaturverbindungstechnik und neuartige Lötung mit vertikalen
Mikrostrukturen. Das Ergebnis zeigte, dass die neuartige Lötung zwar
eine deutlich höhere Zuverlässigkeit erreicht im Vergleich zu der Standard-
Verbindungstechnologie, jedoch die gestellten Anforderungen für eine hohe
Kühlmitteltemperatur von 125◦ C und eine maximale Sperrschichttempe-
ratur von 200◦ C nach dem heutigen Stand der Forschung nicht erfüllt.
Da diese neuartige Lötverbindung sich noch im Entwicklungsstadium
befindet, ist eine Steigerung der Zuverlässigkeit noch denkbar.
Eine deutlich bessere Zuverlässigkeit zeigte in diesem Test das untersuchte
Leistungsmodul mit der Niedertemperaturverbindungstechnik. In diesem
Modul wurden gleichzeitig gehärtete Aluminium-Bonddrähte, die verbes-
serte Chipmetallisierung und das Diffusionslöten untersucht. Der Aufbau
des Leistungsmoduls mit diesen Verbindungstechnologien verspricht auf
Basis der Untersuchungen in der vorliegenden Arbeit die Anforderungen
bei hohen Temperaturen im Hybridfahrzeug zu erfüllen.
Für die neuen Verbindungstechnologien können anhand der vorgestellten
Ergebnisse der vorliegenden Arbeit noch keine genauen Lebensdauermo-
delle abgeleitet werden. Hierfür sind weitere Testergebnisse notwendig, die
vor allem bei verschiedenen Sperrschichttemperaturen und Temperaturhü-
ben die Lastwechselfestigkeit zeigen. Wichtig sind auch Untersuchungen,
wie sich die Parameter wie Zykluszeit, Stromstärke pro Bondfuß und
Chipdicke bei dieser neuen Verbindungstechnologie auf die Lastwechsel-
festigkeit auswirken. Mit diesen Ergebnissen können die neuen Parameter
der CIPS2008-Gleichung ermittelt werden und die Gültigkeit dieser Glei-
chung für neue Verbindungstechnologien systematisch überprüft werden.
141
Lebensdauerbestimmende Fehlermechanismen bei verschiedenen Testbe-

dingungen können mit der Vorgehensweise ebenfalls ermittelt werden.
Es wurde bei der Anwendung
p der „Wurzel-t-Methode” gezeigt, dass der ge-
messene Gradient dT /d (t) im ersten Zeitabschnitt des Abkühlvorgangs
der Sperrschicht ein Indikator dafür ist, welche Wärmeflussdichte das
Leistungsmodul bei entsprechenden Belastungsparametern erfährt und
wie sich die Temperaturverteilung über der Chipfläche einstellt. Sowohl
Wärmeflussdichte als auch Temperaturverteilung im Chip beeinflussen
wesentlich das Ausfallverhalten des Leistungsmoduls und werden in der
CIPS2008-Gleichung nur indirekt mit dem Gleichungsparameter „Strom
pro Bondfuß” berücksichtigt. Ein neues Lebensdauermodell, welches als
Parameter Temperaturhub der Sperrschicht, mittlere Sperrschichttempe-
ratur,pEinschaltzeit, Verlustleistungsdichte und zusätzlich den Gradienten
dT /d (t) enthält, wird vermutlich die Lebensdauer der Leistungsmo-
dule genauer und zuverlässiger beschreiben. Der letzte Parameter kann
physikalisch mit Hilfe der thermischen Impedanz und Verlustleistung im
Chip beschrieben werden. Diese Parameter können auf die physikalischen
Zusammenhänge von Coffin-Manson-Gesetz, Arrhenius-Gleichung, Rela-
xationsprozesse bzw. Kriechvorgänge, Kühlrandbedingungen und Tempe-
raturverteilung im Leistungsmodul zurückgeführt werden. Der Einfluss
dieser Parameter auf die Lastwechselfestigkeit kann mit Hilfe von Testrei-
hen für beliebige Aufbau- und Verbindungstechnologien ermittelt werden.
Für eine reale Anwendung der Leistungselektronik wäre so ein physikalisch
basiertes Lebensdauermodell genauer und zuverlässiger. Weiterführende
Forschungen in diese Richtung sind notwendig.
Ein hilfreiches Werkzeug für eine reale Applikation oder für lange Feldver-
suche der Leistungselektronik wäre die thermische Impedanzspektroskopie.
Mit dieser Messmethode können die Degradationsprozesse im Kühlpfad
des Leistungsmoduls unter realen Bedingungen beobachtet werden. Für die
Integration dieser Messmethode in das Fahrzeug oder in ein Diagnosegerät
sind weitere Forschungsarbeiten notwendig.
Interessant für die weiteren Forschungen sind Tests unter Umrichterbe-
dingungen bei gleichzeitig kombinierten Temperaturzyklen (passiv und
aktiv). Hierfür können in dieser Arbeit vorgestellte Prüfstandskonzepte
verwendet werden.
Insgesamt zeigen die Ergebnisse dieser Arbeit, dass sich die Lastwechsel-
festigkeit der Leistungsmodule mit untersuchten Verbindungstechnologien
wesentlich verbessern lässt. Die Messmethoden für die Tests wurden im
Vergleich zum Stand der Technik verbessert. Die Ergebnisse dieser Arbeit
sind aus Sicht einer Hybridfahrzeuganwendung, wobei Erkenntnisse auf
andere Anwendungen ausgeweitet werden können.
142 5 Zusammenfassung und Ausblick
143
A Anhang
A.1 Analytische Berechnung der Kalibrierkennlinie
Die Berechnung der Kalibrierkennlinie erfordert folgende Größen des

Leistungsbauelements: Sperrspannung bzw. die Durchbruchspannung bei
Raumtemperatur, aktive Chipfläche, Messstrom durch das Bauelement.
Als Ergebnis erhält man die Kalibrierkennlinie als Funktion U = f (T ).
Das analytische Modell basiert auf den Ergebnissen der Arbeit [65] und
wurde modifiziert. Zur Berechnung der Kalibrierkennlinie werden folgende
analytische Gleichungen verwendet.
q·Upn
Ipn = IS · e k·T − 1 (A.1)

k·T j
Upn (T ) = · ln +1 (A.2)
q js (T )
Sperrsättigungsstrom:
Dp (T )
js (T ) = q · ni (T )2 · (A.3)
Lp (T ) · ND
Temperaturabhängigkeit der Eigenleitdichte [56]:

q
−WG (T )
ni (T ) = Nc (T ) · NV (T ) · e k·T (A.4)
Effektive Zustandsdichten [56]:

1,7
T
NC (T ) = 3, 22 · 1019 · [cm−3 ] (A.5)
300
1,75
T
NV (T ) = 1, 83 · 1019 · [cm−3 ] (A.6)
300
144 A Anhang
Temperaturabhängigkeit der Bandlücke im Silizium [98]:
7, 021 · 10− 4 · T 2
WG (T ) = 1, 1557eV − (A.7)
T + 1108
Zusammenhang zwischen der Durchbruchspannung und der Dichte der

Dotierstoffatome im intrinsischen Bereich für eine NPT-Dimensionierung
des Leistungsbauelements [56]:
2
b+1 1−b
1 b+1 q · ND 1+b
UBD = · · (A.8)
2 C0 ε
Gleichung A.8 nach ND umgestellt:
1+b
2 ! 1−b
− b+1
ε b+1
ND = 2 · UBD · · (A.9)
q C0
Ionisationsraten b und C 0 werden in [88] auf Basis Shields [87] und Fulop
[20] mit diesen Gleichungen beschrieben:
T
C 0 = 2 · 10−28 · e−16,22· 300K (A.10)
T
b = 5, 8 + 1, 2 · (A.11)
300K
Diffusionskonstante der Löcher [58]:
k·T
Dp (T ) = · µp (T ) (A.12)
q
Beweglichkeit der Löcher:

µ0 (T ) − µ∞ (T )
µp (T ) = µ∞ (T ) + γ(T ) (A.13)
ND
1 + Nref (T )
2,1
cm2

300
µ0 (T ) = 469 · (A.14)
T Vs
A.2 Modell zur Simulation von Fehlermechanismen im Kühlpfad 145
0,8
cm2

300
µ∞ (T ) = 44 · (A.15)
T Vs
4,13
T
Nref (T ) = 2, 4 · 10 17
· cm−3 (A.16)
300
0,26
T
γ(T ) = 0, 7 · (A.17)
300 · K
Diffusionslänge der Löcher [56]:

q
Lp (T ) = Dp (T ) · τp (T ) (A.18)
Trägerlebensdauer der Löcher [56]:
2
T
τp (T ) = 1 · 10−6 s · (A.19)
300 · K
A.2 Modell zur Simulation von Fehlermechanismen

im Kühlpfad
Jede Schicht des Kühlpfads im Leistungsmodul wird als ein Pyramiden-

stumpf beschrieben und damit vereinfacht die Wärmespreizung mit 45◦
berücksichtigt. Für das thermische CAUER-Ersatzschaltbild ist jedes
dieser Teile anhand der Materialkonstanten mit zwei thermischen Wider-
ständen und einer thermischen Kapazität mathematisch beschrieben. Die
ganze Strecke vom Chip zum Kühlwasser werden diese Teilglieder in Reihe
geschaltet. Das Prinzip dieser Simulation ist in Abbildung A.1 erläutert.
Für die Berechnung der Teilwiderstände und der Teilkapazitäten werden
Formeln A.20 und A.21 verwendet. Die Materialkonstanten sind hierfür in
Tabelle A.1 angegeben. Die Abhängigkeit der thermischen Eigenschaften
von der Temperatur werden vernachlässigt.
l
Rth,i = (A.20)
λ·A
146 A Anhang
45°
PV ...
Si (Chip) Cu (DCB) Cu (Kühlkörper)
Abbildung A.1: Prinzip der thermischen Simulation
Cth,i = Vi · s (A.21)
Tabelle A.1: Materialparameter aus [100]
Wärmeleitfähigkeit λ Wärmespeicherzahl s Dicke

in W/mmK in J/(mm³K) in mm
Si 1,5E-01 1,65E-03 0,060
Lot (Chipverbindung) 7,0E-02 1,67E-03 0,100
Cu (DCB) 3,9E-01 3,40E-03 0,300
Al2O3 (DCB) 2,4E-02 3,03E-03 0,320
Cu (DCB) 3,9E-01 3,40E-03 0,300
Lot (Systemverbindung) 7,0E-02 1,67E-03 0,150
Cu (Grundplatte) 3,9E-01 3,40E-03 3,000
Wärmeleitpaste 5,9E-04 2,00E-03 0,025
Cu (Kühlkörper) 3,9E-01 3,40E-03 5,000
147
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Alexander Hensler

Lastwechselfestigkeit von Halbleiter-Leistungsmodulen für

Lastwechselfestigkeit von Halbleiter-

Bibliografische Information der Deutschen Nationalbibliothek

Die Deutsche Nationalbibliothek verzeichnet diese Publikation in der

Zugl.: Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2012

Technische Universität Chemnitz/Universitätsbibliothek

Herstellung und Auslieferung

zur Erlangung des akademischen Grades

der Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

von Alexander Hensler

155 Seiten, 102 Abbildungen, 13 Tabellen

Technische Universität Chemnitz

Für die Untersuchung der Lastwechselfestigkeit bei geforderten hohen

Verzeichnis der Abkürzungen und Symbole 11

2 Anforderungen an die Leistungselektronik in Hybridfahr-

3 Messmethoden und Prüfstandskonzepte 39

4 Ergebnisse der Zuverlässigkeitstests 97

5 Zusammenfassung und Ausblick 139

Verzeichnis der Abkürzungen und Symbole

Eon IGBT Verlustenergie beim Einschalten

Die vorliegende Arbeit entstand während meiner Beschäftigung als Wis-

mathematischen Problemen zum Thema „Thermische Impdanzspektro-

1.1 Gründe für Elektro- und Hybridfahrzeuge

Fahrzeuge mit Elektroantrieben sollen in Zukunft die Straßen von Deutsch-

Anteile der CO2-Emissionen in Deutschland

Abbildung 1.1: CO2 -Emissionen in Deutschland

1.2 Technologische Herausforderungen

Das ideale Ziel der Elektromobilität-Politik ist das Null-Emissionen-

einer Revolution. Ein leichtes sicheres batteriegespeistes Elektrofahrzeug

1.3 Gegenstand und Ziel der Arbeit

Für die Kühlung der Leistungselektronik im Hybridfahrzeug wird heute

die in einem Hybridfahrzeug in den Kühlkreislauf des Verbrennungsmotors

Lastwechseltests mit aktuellen

Abbildung 1.2: Vorgehensweise innerhalb dieser Arbeit

2 Anforderungen an die Leistungselektronik

2.1 Optimale Integration der Leistungselektronik im

El. Maschine El. Maschine

Externe Einheit Vollintegration

Abbildung 2.1: Integrationsansätze der Leistungselektronik [99]

Leistungselektronikintegration in [99] vorgestellt. Der Bauraum inner-

Für den vorgestellten Integrationsansatz der Leistungselektronik im Hy-

Abbildung 2.3: Prinzipieller Leistungsmodulaufbau

In diesem Aufbau sind verschiedene Materialien miteinander verbunden,

die unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten haben. Dies ist die Haupt-

Tabelle 2.1: Ausdehnungskoeffizienten der häufig verwendeten Materialien

Bei der Erwärmung des Leistungsmoduls dehnen sich verbundene Mate-

dem Schmelzpunkt von 221◦ C eingesetzt. Hierfür beträgt die homologe

2.2.2 Fehlermechanismen und Lebensdauermodelle

In Leistungsmodulen treten aufgrund der Temperaturwechselbelastung

und werden deshalb auch als empirische Lebensdauermodelle bezeichnet.

Sowohl die LESIT-Gleichung als auch die CIPS2008-Gleichung haben Ter-

Außer den beschriebenen analytischen Lebensdauermodellen wird aktu-

2.3 Ermittlung der Anforderungen

2.3.1 Definition der Temperaturzyklen

Die vorgestellte Applikation stellt an die Leistungselektronik bezüglich

Abbildung 2.4: Beispielhafte Temperaturbelastung des Leistungsmoduls

pe sind Temperaturwechsel aufgrund der schwankenden Kühlmitteltempe-

2.3.2 Passive Temperaturzyklen

Minimale Temperaturtageswerte 2010

Abbildung 2.5: Verläufe der minimalen Temperaturtageswerte, gemessen

Die Belastung mit den passiven Temperaturzyklen, die aufgrund der

Statistische Verteilung der Fahrzeugstarts