Fakultt fr Physik

SOMMERSEMESTER 2017

Physikalisches Praktikum II

PROTOKOLL

Experiment:
PS07 - Halbleiter I

Datum der Durchfhrung: 16.05.2017

Namen der Studierenden:

Lachner Katharina
Sappl Lisa

Kurstag/Gruppe: Di/11

Betreuerin bzw. Betreuer:

Univ.-Prof. Mag. Dr. Herwig Peterlik
Inhaltsverzeichnis
1 Eigenschaften verschiedener Dioden 3
1.1 Aufgabenstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Grundlagen zum Experiment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Versuchsaufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4 Durchfhrung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.5 Ergebnisse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.6 Diskussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2 Die Diode als Gleichrichter 10

2.1 Aufgabenstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2 Grundlagen zum Experiment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3 Versuchsaufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.4 Durchfhrung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.5 Ergebnisse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.6 Diskussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3 Quellen 16

Falls nichts anderes angegeben ist, wurde jegliche Information aus dem Leitfaden fr PS07
entnommen.

2
1 Eigenschaften verschiedener Dioden
1.1 Aufgabenstellung
Zunchst soll mit dem rc-2000-Lehrsystem die Strom-Spannungs-Kennlinie eines Ohmschen Wi-
derstands ermittelt werden, um den Umgang mit dem System kennenzulernen. Fr das eigent-
liche Experiment wird dann die Strom-Spannungs-Kennlinie von einer Silizium-Diode sowie die
Kennlinien von vier verschiedenen Zener-Dioden und von vier verschiedenen LEDs ermittelt.
Zum Schluss wird noch das optische Spektrum der LEDs gemessen und in Zusammenhang mit
den Kennlinien gebracht.

1.2 Grundlagen zum Experiment

1.2.1 Halbleiter und Dotierung
Unter reinen Halbleitern versteht man in erster Linie Elemente der vierten Hauptgruppe des Pe-
riodensystems wie Silizium und Germanium, also Elemente mit vier Auenelektronen. Halbleiter
knnen aber auch aus dreiwertigen und fnfwertigen Atomen zu gleichen Teilen zusammenge-
setzt sein, so ergibt sich im Mittel eine Vierwertigkeit des Stoffes, wie bei einem Element aus
der vierten Hauptgruppe. Solche Verbindungen werden als III-V-Halbleiter bezeichnet, Galliu-
marsenid ist ein sehr gefragtes Beispiel dafr.

Abbildung 1: Silizium-Kristall mit n-Dotierung (oben) und p- Dotierung (unten) und rechts
davon das jeweils dazugehrige Energiebandmodell, Quelle: [1]

In Dioden finden sich jedoch keine reinen, sondern dotierte Halbleiter. Unter Dotierung versteht
man eine gezielte Verunreinigung des Halbleiters durch Aufbringen von Atomen aus der drit-
ten oder fnften Hauptgruppe. Wenn mit Atomen aus der dritten Hauptgruppe dotiert wird,
spricht man von p-Dotierung, bei einer Dotierung mit Atomen aus der fnften Hauptgruppe wird
der Halbleiter als n-dotiert bezeichnet. Durch Dotierung werden die elektrischen Eigenschaften
des Stoffes verndert: bei n-Dotierung werden nur vier Auenelektronen des fnfwertigen Frem-
datoms fr die kovalente Bindung zu den anderen Silizium-Atomen verwendet, ein Elektron ist
ungebunden und lsst sich daher leicht vom Atom lsen - Elektronenleitung ist daher leicht mg-
lich. Bei p-dotierten Halbleitern hingegen ist ein Bindungselektron zu wenig - man bezeichnet
die freie Stelle, mit der Elektronen eingefangen werden knnen, als Loch. Die Lcher wandern,

3
wenn ein Elektron eingefangen wird - ihre Bewegung kann dabei mit der eines positiven La-
dungstrgers verglichen werden. Die p- und n-Dotierung von Siliziumkristallen ist in Abbildung
1 links dargestellt, im rechten Teil der Abbildung ist das jeweils zugehrige Bndermodell zu
sehen.

1.2.2 Der p-n-bergang

Wird ein p-Leiter mit einem n-Leiter in Verbindung gebracht, diffundieren die freien Elektronen
vom n-Leiter in den p-Leiter und verbinden sich an der Grenze mit den Lchern. In diesem Be-
reich befinden sich keine freien Ladungstrger mehr, daher wird er als Sperrschicht bezeichnet.
Der n-Leiter, in dem nun Elektronen fehlen, wird positiv geladen, der p-Leiter wird negativ gela-
den. Die so entstandene Potentialdifferenz wirkt der Diffusion entgegen und wenn die elektrische
Spannung gleich gro wie der Potentialdruck ist, stellt sich ein Gleichgewicht ein.

1.2.3 Sperr- und Durchlassrichtung von Dioden

Legt man an Dioden eine uere Spannung an, so kommt es auf die Polung an, ob Strom flieen
kann oder nicht. Wenn der p-Leiter mit dem Minuspol und der n-Leiter mit dem Pluspol verbun-
den wird, bewegen sich die Lcher zum Minuspol und die Elektronen zum Pluspol. Man spricht
von einer Schaltung in Sperrichtung, da sich die Sperrschicht verbreitert. Im Idealfall fliet hier
kein Strom. Weil sich aber im p-Leiter auch einige freie Leitungselektronen und im n-Leiter
einige Lcher befinden, kommt es zu einem geringen Stromfluss. Die Strke dieses Sperrstroms
IS hngt von der Temperatur ab. Wenn der Sperrstrom eine gewisse Strke berschreitet, ist
die kinetische Energie der Ladungstrger so hoch, dass sie weitere Elektronen herausschlagen.
Es kommt zu einer Kettenreaktion und immer mehr Elektronen werden herausgeschlagen, man
bezeichnet dies mit "Durchbrechen" der Diode.
Wird hingegen der p-Leiter mit dem Pluspol und der n-Leiter mit dem Minuspol verbunden,
so werden die freien Elektronen im n-Leiter vom negativen Pol abgestoen und bewegen sich in
Richtung Sperrschicht. Ebenso werden die Lcher zur Sperrschicht gedrckt. Die uere Span-
nung UA verringert die Diffusionsspannung und ab einem ausreichend groem UA beginnt die
Sperrschicht sich mit Ladungstrgern zu fllen. Ab diesem Punkt steigt der Durchlassstrom ID
exponentiell mit der ueren Spannung an. Auerdem ergibt sich bei konstanter Spannung eine
exponentielle Abhngigkeit des Durchlasstroms von der Temperatur. Eine typische Kennlinie fr
eine Diode ist in Abbildung 2 dargestellt. Solche Kennlinien knnen mit der Schockley-Gleichung
beschrieben werden  U 
A
ID = IS e nUT (1)

mit der Temperaturspannung UT = kBe T = 26 mV bei 300 K und dem Emissionskoeffizienten n.

Die Steigung dU
dI = rd stellt den differentiellen Widerstand der Diode dar. In Abbildung 2 ist die
Steigung der Kennlinie I(U) also gleich der Leitfhigkeit, die dem Kehrwert des differentiellen
Widerstands entspricht.

4
 Abbildung 2: Kennlinie I(U) einer Diode, Quelle: [1]

1.2.4 Zener-Dioden und LEDs

In diesem Experiment werden neben einer gewhnlichen Silizium-Diode auch noch spezielle Di-
odentypen verwendet. Eine davon ist die Zenerdiode (Z-Diode): Zenerdioden sind wie die zuvor
beschriebenen "normalen" Dioden aufgebaut, haben aber im Gegensatz zu herkmmlichen Di-
oden eine vom Hersteller bekanntgegebene Durchbruchspannung, die auch Zenerspannung ge-
nannt wird. Diese hngt nur von der Dotierung ab. Meistens ist die Durchbruchspannung auch
etwas geringer als bei anderen Dioden. Wenn die Durchbruchspannung kleiner als 5.7 V ist, wird
sie nur durch den Zenereffekt hervorgerufen. Der Zenereffekt tritt auf, wenn die Feldstrke gro
genug ist, dass Elektronen aus ihren Bindungen gerissen werden und es so in der Sperrschicht
zu freien Ladungstrgern kommt. Bei Durchbruchspannungen grer als 5.7 V ist hauptschlich
der Lawineneffekt fr freie Ladungstrger verantwortlich. Dann haben die durch den Zenereffekt
frei gewordenen Elektronen eine kinetische Energie, die gro genug ist, um weitere Elektronen
herauszuschlagen.
Des weiteren wird mit LEDs (= Light Emitting Diodes) experimentiert. Bei LEDs wird bei der
Rekombination eines Lochs mit einem Elektron in der Sperrschicht die frei werdende Energie in
Form von Licht abgegeben, wobei die Frequenz f der emittierten Strahlung von der Differenz
der Energieniveaus E1 und E2 abhngt:

hf = E1 E2 (2)

mit dem Planckschen Wirkungsquantum h. Bei der Rekombination mssen sowohl die Energie-
als auch der Impuls erhalten bleiben. Da der Impuls des frei werdenden Photons vernachlssigbar
ist, muss der Impuls des Loches etwa dem des Elektrons entsprechen. Bei der Rekombination
von Elektron und Loch fllt das Elektron vom Leitungsband ins Valenzband. Nur bei sogenann-
ten direkten Halbleitern liegt das Minimum des Leitungsbandes direkt ober dem Maximum des
Valenzbands, das bedeutet, dass beim bergang keine Impulsnderung ntig ist. Bei indirekten
Halbleitern ist dies nicht der Fall. Es wird beispielsweise ein Phonon bentigt, das den Impuls
beisteuert. In Abbildung 3 ist die Bandstruktur von direkten und indirekten Halbleitern darge-
stellt, wobei die Wellenzahl k ber das reduzierte Plancksche Wirkungsquantum proportional
zum Impuls ist (k~ = p). Es ist jedoch unwahrscheinlich, dass ein Phonon richtiger Gre zum
richtigen Zeitpunkt vorhanden ist. Daher werden Rekombinationszentren in den Hableiter ein-
gebaut, wo freie Ladungstrger "eingefangen" werden. Die Ladungstrger werden damit stark
lokalisiert und mit der Heisenbergschen Unschrferelation ergibt sich ein sehr unscharfer Impuls.
Das wird ausgentzt, um die ntige Impulsdifferenz zwischen Leitunsband und Valenzband auf-
zubringen. Die Frequenz des Photons entspricht dann dem Abstand des Rekombinationszentrums
vom Valenzband.

5
Abbildung 3: Bndermodell eines direkten Halbleiters (a) und eines indirekten Halbleiters (b),
Quelle: [1]

1.3 Versuchsaufbau
Die Versuche werden mit dem rc-2000-Messsystem durchgefhrt, einem Modulsystem mit in-
ternen Messgerten und mit Sicherungen, die verhindern, dass bei falschem Aufbau Bauteile
zerstrt werden. Die vier Module sind die ADDU, das Component Board, die Widerstandsde-
kade und der Funktionsgenerator. In der ADDU (Analog und Digital Data Unit) befinden sich
Ein- und Ausgnge fr Messdaten und die Systemversorgung. Am Component Board knnen
elektrische Schaltkreise gesteckt werden. Die Widerstandsdekade dient zur schnellen Einstellung
eines Ohmschen Widerstands und am Funktionsgenerator kann eine Rechtecks- oder eine Sinus-
Wechselspannung mit einer Amplitude zwischen 0.01 V und 10 V bei einer Frequenz von 0.01
Hz bis 10kHz eingestellt werden.
Um Kennlinien zu Messen, wird eine Serienschaltung von einem bekannten Widerstand mit dem
interessierenden Bauteil aufgebaut und mit der Spannungsquelle verbunden, wie in Abbildung 4
skizziert ist. Dabei wird im ersten Versuch statt der Diode D ein zweiter Ohmscher Widerstand
an derselben Position eingebracht. In allen Experimenten wird ein Vorwiderstand R von 1 k
verwendet. Mit dem zugehrigen Messprogramm werden am Computer Kennlinien dargestellt.
Zur Auswertung der Spektren der LEDs wird das Programm "SpektraSuite" verwendet.

Abbildung 4: Versuchsaufbau, Quelle: [1]

1.4 Durchfhrung
Zunchst wird die Kennlinie des Ohmschen Widerstands bestimmt. Dazu wird wie in allen
weiteren Versuchen der Vorwiderstand mit 1 k als Referenzwiderstand fr die Strommessung

6
verwendet, gemessen wird der Spannungsabfall ber einem zweiten Ohmschen Widerstand mit
10 k. Im Messprogramm wird "Single Measurement" ausgewhlt. Diese Einstellung wird auch
bei der darauffolgenden Kennlinienmessung der Silizium-Diode gewhlt. Die Silizium-Diode wird
in Durchlassrichtung betrieben. Die Kennlinie wird in QTI-Plot mit einem Fit-Assistenten mit
der Shockley-Gleichung (Gleichung 1) ausgewertet. Dann werden die Kennlinien von vier ver-
schiedenen Zener-Dioden in Sperrichtung ermittelt, hier wird auf "Sequence-Measurement" um-
geschalten. Auch bei der nchsten Messung der Kennlinien vierer LEDs in Durchlassrichtung
wird diese Einstellung verwendet.
Zuletzt werden die Spektren der LEDs ermittelt. Dazu wird die Schaltung etwas abgendert: Die
Stromversorgung kommt nun nicht mehr vom Analog Output der ADDU, sondern vom Compo-
nent Board und die 10 V-Spannungsquelle wird mit der Versorgungsleiste verbunden. Dann wird
ein Stpschlauch ber die LED gelegt, in diesem befindet sich ein Lichtleiter, der das Spektrum
der LED in das Programm "SpektraSuite" bertrgt.

1.5 Ergebnisse
Fr den Ohmschen Widerstand ergibt sich die in Abbildung 5 dargestellte Kennlinie, diese wur-
de linear gefittet (Ax+B = 0), woraus sich der Wert fr den Ohmschen Widerstand aus 1/A mit

R = (10.007 0.002) k

ergibt. Die Unsicherheit wurde hier aus dem linearen Fit bernommen und als relative Un-
sicherheit auf den umgerechneten Wert bertragen. Die Kennlinie der Si-Diode ist in Abbildung
6 zu sehen, diese wurde mit der Shockley-Gleichung (Gleichung 1) gefittet, wobei der Emissi-
onsgrad mit 1, und die Temperatur mit 300 K angenommen wurde. Aus dem Fit ergibt sich fr
den Sttigungsstrom der Wert

IS = (6.2 0.3) 1014 A

Abbildung 5: Strom-Spannungs-Kennlinie eines Ohmschen Widerstands

7
 Abbildung 6: Strom-Spannungs-Kennlinie einer Si-Diode
Die Kennlinien der vier Zener-Dioden sind in Abbildung 7 abgebildet. Es ergaben sich fr die
Zenerspannung UZ bei I = 1 mA die folgenden, in Tabelle 1 aufgelisteten Werte:

Diode UZ 0.05 (V)

2V3 -1.92
3V0 -2.46
3V6 -3.00
4V3 -3.70
Tabelle 1: Zenerspannung bei I = 1 mA

Diese Werte wurden aus der Messwertetabelle abgelesen, die Unsicherheit wurde geschtzt.

Abbildung 7: Strom-Spannungs-Kennlinie einer Zener-Diode

8
Die Kennlinien der LEDs sind in Abbildung 8 dargestellt, die zugehrigen Spektren sind dem
Anhang zu entnehmen. Die Maxima der Spektren sind in Tabelle 2 aufgelistet:

Farbe Wellenlnge (nm)

blau 470 10
grn 570 20
gelb 590 20
rot 640 40
Tabelle 2: Maxima der Spektren der jeweiligen LED

Die Werte wurden direkt im Programm Spektra-Suite mit dem Ablese-Tool ermittelt, als Unsi-
cherheit wurde die halbe Halbwrtsbreite (HWHM) gewhlt.

Abbildung 8: Strom-Spannungs-Kennlinie einer LED

1.6 Diskussion
Die Kennlinie des Ohmschen Widerstands ist eine lineare Funktion, was den Erwartungen ent-
spricht. Die Steigung betrgt ziemlich genau 10 k, was gut passt, da der 10 k Widerstand
gewhlt wurde.

Der Verlauf der Kennlinie der Si-Diode entsprach den Erwartungen. Mit der Shockley-Gleichung
konnte der Sttungungsstrom gut ermittelt werden, im Diagramm ist jedoch ersichtlich, dass die
Werte vor allem im Bereich von 0.4 bis 0.5 V leicht von der Fitkurve abweichen. Das liegt
wahrscheinlich an den beiden Nherungen zum einen von Silizium als schwarzen Strahler mit
Emissionskoeffizienten n = 1 und zum anderen der Nherung der Temperatur mit 27 C.

An den Kennlinien der Zener-Dioden ist gut erkennbar, dass jede eine andere, spezifische Zen-
erspannung aufweist. Die Beschriftung der Dioden mit dem Wert der Zenerspannung bei einem
unbekannten Referenzstromwert passt gut mit den ermittelten Werten der Zenerspannung bei

9
I = 1 mA zusammen: fr die mit dem kleinsten Spannungswert beschriftete Diode wurde auch
bei I = 1 mA der kleinste Wert der Zenerspannung ermittelt, ebenso fr alle weiteren (wie in
Tabelle 1 ersichtlich ist). In Durchlassrichtung verhalten sich alle vier verwendeten Zenerdioden
gleich, wie in Abbildung 7 erkennbar.

Aus der Bestimmung der Kennlinien der LEDs konnte das Gesetz E = hf fr die Photonen-
energie besttigt werden: bei kleineren Wellenlngen ( groen Frequenzen) ist im Vergleich zu
groen Wellenlngen die Diffusionsspannung hoch, es wird also mehr Spannung bentigt, damit
die Diode leitet. Somit kann auch mehr Energie bei der Rekombination des Elektrons mit dem
Loch frei werden, das Photon hat also eine hhere Energie. Da h eine Konstante ist, muss also
rckschlieend aus E = hf auch f grer sein.

2 Die Diode als Gleichrichter

2.1 Aufgabenstellung
Im ersten Teilversuch soll ein Brckengleichrichter mit 4 LEDs gebaut werden, und die Ein-
gangsspannung sowie die Lastspannung in Abhngigkeit der Zeit gemessen werden.
Danach soll ein Brckengleichrichter mit 4 gewhnlichen Si-Dioden gebaut werden, und erneut
Eingangs- sowie Lastspannung gegen die Zeit dargestellt werden. Dabei soll einmal ohne Glt-
tungskondensator, einmal mit einer Kapazitt C = 1 F, und einmal mit C = 10 F gemessen
werden. Bei den Bauweisen mit Kondensator soll auerdem die Brummspannung berechnet wer-
den.
Ziel des dritten Teilexperiments ist beim Brckengleichrichter mit 4 gewhnlichen Si-Dioden
und Glttungskondensator mit C = 1 F die die Brummspannung sowie die Lastspannung als
Funktion des Lastwiderstands zu ermitteln.

2.2 Grundlagen zum Experiment

2.2.1 Einweggleichrichter
Gleichrichter werden verwendet um das Signal einer Wechselstromquelle fr Gleichstromanwen-
dungen zu prparieren. Hierzu knnen Dioden benutzt werden, da diese nur eine Stromrichtung
zulassen, sofern die Spannung in Sperrrichtung nicht zu gro ist. Der einfachste Aufbau fr einen
Gleichrichter ist der Einweggleichrichter, der aus 1 Diode, 1 Verbraucher RL , sowie 1 Wechsel-
spannungsquelle UE besteht (Abb. 9). Es folgt dass beim Lastwiderstand nur die positiven
Halbwellen ankommen, bei den negativen Halbwellen fliet kein Strom durch den Verbraucher.
Eine solche Spannung wird daher auch als "pulsierende Gleichspannung" bezeichnet.

Abbildung 9: Einweggleichrichter, Quelle: [1]

10
2.2.2 Glttungskondensator
Mchte man verhindern, dass die Gleichspannung pulsiert, so kann man sie mit einem Kon-
densator gltten. Die einfachste Mglichkeit besteht darin, in der Einweggleichrichter-Schaltung
einen Kondensator C parallel zum Verbraucher RL zu positionieren (Abb. 10).

Abbildung 10: Einweggleichrichter mit Glttungskondensator, Quelle: [1]

Whrend der positiven Halbwelle der Wechselspannung UE (t) leitet die Diode, und der Konden-
sator ldt sich somit auf. Whrend der negativen Halbwelle sperrt die Diode, es fliet jedoch
weiterhin Strom durch den Verbraucher RL , da sich der Kondensator wieder entldt. Da hier der
Kondensator als Spannungsquelle fr den Lastwiderstand agiert, wird die Lastspannung Ua (t)
whrend der Entladung des Kondensators kleiner, da auch die Spannung am Kondensator durch
die Entladung abnimmt. Die Differenz zwischen maximaler Lastspannung Uamax und minimaler
Lastspannung Uamin wird als Brummspannung UBrSS bezeichnet (Abb. 11).

UBrSS = Uamax Uamin (3)

Abbildung 11: Oben: Spannungsverlauf der Eingangsspannung UE (t) sowie der Ausgangsspan-
nung Ua (t). Unten: Stromverlauf durch die Diode ID (t), Quelle: [1]

Der nach wie vor pulsierend verlaufende Strom durch die Diode ID (t) ist im unteren Diagramm
der Abb. 11 gezeigt. Ua und Ia sind die Effektivwerte fr Spannungsabfall und Strom am Ver-
braucher. Je grer der Lastwiderstand RL bzw. je grer die Kapazitt C ist, desto glatter
wird die Lastspannungskurve. Die effektive Lastspannung kann nherungsweise berechnet wer-
den durch:

11
 2Uamax Uamin
Ua (4)
2

2.2.3 Brckengleichrichter
Der Brckengleichrichter besteht aus 4 Dioden, 1 Verbraucher R, einer Spannungsquelle UE ,
und wahlweise auch aus einem Glttungskondensator C. Das besondere an dieser Bauweise ist,
dass die Dioden so angeordnet sind, sodass bei beiden Polrichtungen der Spannungsquelle Strom
durch den Verbraucher fliet (Abb. 12).

Abbildung 12: Brckengleichrichter (LEDs) mit Glttungskondensator, Quelle: [1]

Mit Hilfe der effektiven Leerlauf Ausgangsspannung Ua0 und dem Innenwiderstand der Wechsel-
spannungsquelle, lassen sich die effektive Lastausgangsspannung Ua sowie die Brummspannung
UBrSS beim Brckengleichrichter auch theoretisch berechnen:
r !
Ri
Ua = Ua0 1 (5)
2RL

r ! r ! r !
Ua 4 Ri Ua0 Ri 4 Ri
UBrSS = 1 = 1 1 (6)
2 C RL f 2RL 2 C RL f 2RL 2RL

2.3 Versuchsaufbau
Am Component Board wird der Schaltkreis nach Abb. 12 nachgebaut. Die Spannungsversorgung
luft ber den Funktionsgenerator, welcher an der Versorgungsleiste angeschlossen wird. Eingang
A des ADDU Moduls wird zur Messung der Eingangsspannung UE verwendet, Eingang B zur
Messung der Ausgangsspannung Ua . Der Kondensator C wird vorerst noch weggelassen. Im
Programm "rc 2000" wird der Programmteil "Zweikanal Oszilloskop" gewhlt. Als Verbraucher
dient ein Ohmscher Widerstand mit RL = 10 k.

2.4 Durchfhrung
Fr das erste Teilexperiment werden 4 LEDs gewhlt und in richtiger Durchlassrichtung fr den
Brckengleichrichter eingebaut. Die Wahl der Farbe sowie die Wahl der Position jeder Farbe ist
fr dieses Experiment nicht vorgegeben, und auch nicht relevant. Beim Funktionsgenerator wird
eine Frequenz von f = 0.5 Hz sowie eine Amplitude von U0 = 10 V. Mit "single measurement"

12
wird die Messung durchgefhrt, und gegebenenfalls das Zoom-Fenster an die Kurven angepasst.

Beim zweiten Teilexperiments werden die 4 LEDs durch 4 Si-Dioden ausgewechselt, und auer-
dem die Frequenz auf f = 100 Hz erhht. Die Amplitude bleibt bei U0 = 10 V. Mit "sequence"
wird die erste Kurve ohne Kondensator aufgenommen. Danach wird der Kondenstator mit C = 1
F eingebaut und die zweite Kurve aufgenommen. Zuletzt wird noch der Kondenstator durch
einen anderen mit C = 10 F ausgetauscht und die dritte Kurve aufgenommen.

Fr das dritte Teilexperiment wird der Glttungskondensator mit C = 1 F verwendet, und der
fixe Lastwiderstand mit RL = 10 k durch eine Widerstandsdekade ausgewechselt. In Schritten
von 5k wird der Lastwiderstand zwischen RL = 5 k und RL = 50 k variiert, und dabei
jedes mal die Spannungskurven aufgenommen.

2.5 Ergebnisse
Beim ersten Teilexperiment mit den LEDs im Brckengleichrichter zeigt sich anhand der niedri-
gen Frequenz und der Tatsache, dass es sich um licht-emittierende Dioden handelt gut, Masche
zu welchem Zeitpunkt stromdurchflossen ist. Bei jeder Halbwelle sind 2 sich gegenberliegen-
de LEDs leuchtend. In Abb. 13 ist die Stromrichtung fr beide Polungen der Spannungsquelle
gezeigt. Zu Verdeutlichen ist, dass der Stromfluss durch den Verbraucher in beiden Fllen die
gleiche Richtung hat.

Abbildung 13: Brckengleichrichter mit 4 LEDs. Links: 1. Halbwelle, rechts: 2. Halbwelle der
Wechselspannung

Beim der zeitabhngigen Darstellung am Oszilloskop lsst sich erkennen, dass die Eingangsspan-
nung UE (t) (in gelb dargestellt) einer Sinuskurve folgt, whrend die Lastspannung Ua (t) (in blau
dargestellt) annhernd einer Betrags-Sinuskurve folgt, blo gibt es eine kurze spannungslose Zeit
zwischen den Halbwellen (Abb. 14).

13
Abbildung 14: Verlauf der Eingangsspannung (gelb) und der Lastspannung (blau) beim Brcken-
gleichrichter mit 4 LEDs

Die Ergebnisse des zweiten Teilexperiments sind in Abb. 15 gezeigt. Der Verlauf der Eingangs-
spannung UE (t) (in wei dargestellt) ist wie erwartet sinusformig. Keine Glttung zeigt die
Lastspannung ohne Kondensator (in gelb dargestellt). Diese Kurve gleicht wie bei den LEDs
annhernd einer Betrags-Sinuskurve, jedoch mit viel krzerer spannungsloser Zeit und greren
Amplituden. Die Lastspannung der kleineren Kapazitt von C = 1 F ist in blau dargestellt, die
Lastspannung mit der greren von C = 1 F in grn. Die Brummspannung UBrSS bei beiden
Fllen berechnet sich wie folgt. Fr die Messunsicherheit wurde das Gausche Fehlerfortpflan-
zungsgesetz aufgerundet angewandt:

UBrSS (C = 1F ) = 8.8 6.2 = (2.6 0.2) V (7)

UBrSS (C = 10F ) = 8.6 8.3 = (0.3 0.2) V (8)

Abbildung 15: Verlauf der Eingangsspannung (wei) und der Lastspannung beim Brckengleich-
richter mit 4 Si-Dioden. Gelb: Ohne Glttungskondensator, blau: C = 1 F, grn:
C = 10 F

Fr das dritte Teilexperiment, wo die Abhngigkeit der effektiven Lastspannung Ua und der
Brummspannung UBrSS vom Lastwiderstand RL berprft wurde, wurden Gl. 4 und Gl. 3 zur
Berechnung der Gren aus den gemessenen zeitabhngigen Werten benutzt. Ihre Abhngigkeit
vom Widerstand wird in den Graphen 16 und 17 gezeigt.

14
Abbildung 16: Abhngigkeit der effektiven Lastspannung vom Lastwiderstand im Brckengleich-
richter mit Glttungskondensator

Abbildung 17: Abhngigkeit der Brummspannung vom Lastwiderstand im Brckengleichrichter

mit Glttungskondensator

15
Abb. 16 zeigt, dass die effektive Lastspannung Ua unterproportional mit dem Lastwiderstand
zunimmt. Durch einen Blick auf Gleichung 5 besttigt sich dieser Zusammenhang, und lsst sich
sogar ableiten, dass dieser einer negativen reziproken Wurzelfunktion gleicht. Umgeformt ergibt
Gleichung 5 nmlich:
r ! r
Ri Ri 1 1
Ua = Ua0 1 = Ua0 Ua0 =A+B (9)
2RL 2 RL RL
Abb. 17 lsst erahnen, dass die effektive Lastspannung Ua in etwa reziprok zum Lastwiderstand
ist. Durch Umformen der Gleichung 6 leitet sich folgender polynomischer Zusammenhang ab,
der sich durch den Fit auch besttigt:

1 7 3 5
UBrSS = A RL + B RL 4 + C RL 2 + D RL 4 (10)

2.6 Diskussion
Die spannungsfreie Zeit im ersten Teilexperiment kommt daher, dass der Stromfluss durch die
Dioden zeitverzgert zum Spannungswechsel stattfindet, da sich zuerst die Sperrschicht in den
Dioden in Sperrrichtung verbreitern muss, sowie die Sperrschicht in den Dioden in Durchlass-
richtung verschmlern muss. Erst wenn sich ein neuer Gleichgewichtszustand zwischen Diffusion
und Spannung eingestellt hat, geht der Stromfluss wieder von statten. Auerdem ist deutlich
zu erkennen, dass die Amplitude der Lastspannung, und somit auch die effektive Lastspannung
weit geringer ist als die der Eingangsspannung. Es fllt also relativ viel Spannung an den LEDs
ab. Das lsst sich dadurch erklren, dass bei LEDs die Energie durch die Potenzialdifferenz
zum Teil zur Erzeugung von Photonen verwendet wird, wodurch weniger Spannung fr den
Lastwiderstand zur Verfgung steht. Auch sind die Amplituden der beiden Halbwellen bei der
Lastspannung unterschiedlich hoch, was daher kommt, dass 4 unterschiedliche LEDs verwendet
wurden, die alle einen anderen Wirkungsgrad hatten.

Beim zweiten Teilexperiment zeigt sich der Glttungseffekt des Kondensators deutlich. Die Ver-
wendung einer hheren Kapazitt fhrt auerdem sichtbar zu einer besseren Glttung. Das ist
auch nicht verwunderlich, da ein Kondensator mit hherer Kapazitt beim Entladen langsamer
an Spannung verliert (bei gleicher Stromstrke). Deutlich zu sehen ist auch, dass die Amplitude
der Lastspannung annhernd gleich gro ist, wie die Amplitude der Eingangsspannung, sowie
dass die spannungsfreie Zeit krzer ist. Das liegt daran, dass Si-Dioden weniger Energie ver-
brauchen, somit weniger Spannungsabfall verursachen, als ihre licht-emittierende Version, die
Energie zur Erzeugung von Photonen braucht.

Beim dritten Teilexperiment konnten die mathematischen Zusammenhnge zwischen effekti-

ver Lastspannung und Lastwiderstand, sowie zwischen Brummspannung und Lastwiderstand
durch das Experiment besttigt werden. Die Fits beruhen auf der annahme, dass alle anderen
verwendeten Gren: Ua0 , C, f , sowie der Innenwiderstand der Spannungsquelle Ri vom Lastwi-
derstand unabhngig sind. Das ist naheliegend, da all diese Gren physikalisch nicht mit dem
Lastwiderstand RL zusammenhngen.

3 Quellen
[1]: Anleitungstext fr das Praktikumsbeispiel PS07

16