Elektronikpraktikum 2023

Versuch 3
Transistor und Transistorkennlinien

Oliver Seeger & Syed Ahmed Mazhar

31. August 2023
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung 3

2 Theorie 4
2.1 Bipolartransistoren (BJTs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2 Feldeffekttransistoren (FETs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

3 Vergleich von BJT und FET 4

4 Voraufgaben 5
4.1 Aufgabe A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
4.2 Aufgabe B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
4.3 Aufgabe C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
4.4 Aufgabe D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
4.5 Aufgabe E . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
4.6 Aufgabe F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.7 Aufgabe G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.8 Aufgabe H . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.9 Aufgabe I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4.10 Aufgabe J . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

5 Versuchsdurchführung und Auswertung 8

6 Fazit 19

Abbildungsverzeichnis 19

Tabellenverzeichnis 19

Literatur 19
Versuch 1 Einleitung

1 Einleitung
Dieser Versuch besteht aus zwei Versuchstagen, in diesem Protokoll wird
der erste Tag behandelt. Wir beobachten hier vor allem den Unterschied
zwischen Bipolaren und Fet Transistoren. Insbesondere betrachten wir deren
Ausgangskennlinien und den Effekt der Emitter / Sourcefolger Schaltung.

3
Versuch 1 Vergleich von BJT und FET

2 Theorie
2.1 Bipolartransistoren (BJTs)
Bipolartransistoren sind eine wichtige Klasse von Transistoren in der Elektro-
nik. Sie bestehen aus drei Schichten von Halbleitermaterialien, nämlich dem
Emitter, der Basis und dem Kollektor. Es gibt zwei Haupttypen von Bipolar-
transistoren: NPN und PNP. Der NPN-Typ hat eine negativ-dotierte Basis
zwischen zwei positiv-dotierten Emitter und Kollektor Schichten, während
der PNP-Typ positiv-dotierte Basis zwischen zwei negativ-dotierten Schich-
ten hat.
Die Funktionsweise eines Bipolartransistors beruht auf der Steuerung des
Kollektorstroms durch einen kleinen Basisstrom. Der Transistor kann als
Schalter oder Verstärker eingesetzt werden. Im aktiven Modus fließt ein klei-
ner Basisstrom, der einen größeren Kollektorstrom steuert. Dabei wird die
Basis-Emitter-Schicht in Durchlassrichtung betrieben, während die Basis-
Kollektor-Schicht in Sperrrichtung betrieben wird.

2.2 Feldeffekttransistoren (FETs)

Feldeffekttransistoren sind eine andere wichtige Art von Transistoren, die auf
einem anderen Prinzip basieren als Bipolartransistoren. Es gibt verschiedene
Arten von FETs, darunter der MOSFET (metall-oxid-halbleiter Feldeffekt-
transistor).
Der MOSFET besteht aus einem Isolator (Oxid) zwischen dem Gate und dem
Kanal, durch den der Strom fließt. Es gibt zwei Haupttypen von MOSFETs:
N-Kanal und P-Kanal. Der N-Kanal-MOSFET schaltet den Stromfluss ein,
wenn eine positive Spannung am Gate angelegt wird, während der P-Kanal-
MOSFET den Stromfluss einschaltet, wenn eine negative Spannung am Gate
angelegt wird.

3 Vergleich von BJT und FET

Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren haben unterschiedliche Ar-
beitsprinzipien und Anwendungen. BJT-Transistoren sind hauptsächlich als
Verstärker geeignet, während FETs in Schaltungen verwendet werden, in
denen hohe Eingangsimpedanz und geringer Energieverbrauch erforderlich
sind.

4
Versuch 1 Voraufgaben

4 Voraufgaben
4.1 Aufgabe A
Sperrstrom (wenn angelegte Spannung nicht groß genug ist) und Diffusionss-
trom.

4.2 Aufgabe B

5
Versuch 1 Voraufgaben

4.3 Aufgabe C

4.4 Aufgabe D

C I
IC IC IE α
β= = =  =
IB IE − IC I
1 − IEC (1 − α)

IE IE − IB IC
γ= = = +1=β+1
IB IB IB

4.5 Aufgabe E
Uoutmax = U0
Hier ist es ähnlich zu einem Spannungsteiler Uoutmin = U0 RER+R
E
c

6
Versuch 1 Voraufgaben

4.6 Aufgabe F
Das ist einfach die gleiche Kennlinie wie einer normale Diode, wo es ab 0.6
V expoenential ansteigt

4.7 Aufgabe G
Die Spannung über den Widerstand R2 (UB ) kann wie folgt berechnet werden:
 
U0 − UB
UB = I2 R2 = (I1 − IB )R2 = − IB R2
R1

Diese Gleichung kann umgeformt werden, um UB zu lösen:

 
R2 U0
UB 1 + = − IB R2
R1 R2

Schließlich ergibt sich der Ausdruck für UB :

 
U0 R1 + R2 R2
UB = − IB (R1 + R2 )
R2 R1 R1 R2

4.8 Aufgabe H
Dies führt zu einem erheblichen Anstieg des Basisstroms, der möglicherweise
dazu führt, dass nicht mehr ausreichend Ladungsträger für den Kollektor-
strom zur Verfügung stehen.

4.9 Aufgabe I
Uthr = 0, 6V entspricht Schwellenspannung.Die Abbildung sieht ähnlich aus
wie die einer normalen Diode, aber hier ist der exponentieller Anstieg stärker.

4.10 Aufgabe J
Da IG = 0, gilt ID = IS . Es erfolgt keine Veränderung.

7
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

5 Versuchsdurchführung und Auswertung

Kennlinienschreiber
npn-Transistor
Wir wollen zuerst einen Kennlinienschreiber verwenden.

Abbildung 1: Aufbau des KennlinienschreibersAbb. 3.1 aus dem Skript: [1].

Diesen schließen wir wie folgt an,

Abbildung 2: Abb. 3.2 aus dem Skript: [1].

Außerdem schließen wir den zu messenden Transistor und 15V an den Kenn-
linienschreiber an. Wie in dem Skript beschrieben stellen wir an dem Funk-
tionsgenerator USS = 10V, einen Offset von 5V und ein Rampensignal mit
600Hz ein. Bei Verwendung des X-Y Modus mit invertiertem CH 2 sehen wir
nun am Oszilloskop die Kennlinien des Transistors. Wir erwarten 16 einzelne
Kennlinien die erst linear ansteigen und dann horizontal weiter verlaufen.
Leider gab es Bei uns einige Probleme dabei ein sauberes Bild zu erhalten,
vor allem bei dem FET haben sich die Kennlinien konstant verschoben. Wir
vermuten, dass dies ein Problem mit dem externen Triggerausgang des Funk-
tionsgenerator war. Generell war unser Signal sehr unsauber, wir konnten
aber keinen Grund dafür finden.

8
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

Abbildung 3: Kennlinien npn-Transistor 1V = 1cm

Da in der Schaltung ein 500Ω RC Widerstand verwenden, können wir die

Spannung auf der Y-Achse einfach in IC umrechnen. Die Kennlinien sollten
dIC
einen einheitlichen Abstand voneinander haben. Nun können wir β = dI B
bestimmen, wir wissen, dass IB = 6 µA ist und können IC durch mitteln
mehrerer der Kennlinienabstände bestimmen. Es erstrecken sich 8 Kennlinien
über 6cm daraus erhalten wir IC = 0, 0015±0, 0001A und somit β = 250±17.
Laut [1] ist hier ein Wert von 40 bis 300 realistisch somit ist unser Wert
durchaus valide.

9
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

Abbildung 4: Arbeitspunktbestimmung npn-Transistor

Die Bestimmung des Arbeitspunktes ist bei uns leider nicht möglich, da wir
kein auswertbares Bild, auf dem gleichzeitig alle 16 Kennlinien zu sehen waren
erzeugen konnten. Dies wäre aber nötig da am unteren Rand, der auf unse-
ren Bildern abgeschnitten ist der Nullpunkt von IC abzulesen ist. Sobald wir
diesen aber darstellen wollten, wurden die Kennlinien noch unschärfer und
somit nicht sinnvoll. Man müsste nun auf der Y-Achse den Punkt finden bei
dem IC = 19, 23mA ist und diesen mit U0 = 15V verbinden. Diese Verbin-
dung ist die Arbeitsgerade. Der Arbeitspunkt liegt bei IB = 60µA dies wird
mithilfe von β aus der vorherigen Aufgabe zu IC umgerechnet. Wenn man
nun die Kennlinie bei diesem IC erweitert ist der Schnittpunkt von dieser
und der Arbeitsgeraden der Arbeitspunkt.
Auf dem Bild wurde so viel wie möglich bearbeitet leider ist aufgrund des
nicht bestimmbaren Y Nullpunktes keine weitere Bearbeitung möglich.

10
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

FET
Für die Bestimmung der Kennlinien des FET verwenden wir im Grunde die-
selbe Schaltung, da wir aber nun eine Eingangspannung benötigen verwenden
wir ein Potentiometer, mithilfe dessen wir die Kennlinien verschieben könne.
Da wir bei der ersten Messung den Widerstand des Potentiometers mit ein-
gesteckter Stromquelle gemessen und somit verfälscht haben, haben wir diese
Messung wiederholt. Wir haben hier bei 720,62 Hz und einem Widerstand
des Potentiometers von 40 kΩ gemessen. Die Kennlinien sind alle zu sehen
aber sehr Schief, obwohl auf beiden Achsen die Auflösung bei 1 V/cm lag. In
den späteren Versuchsteilen hatten wir auch Probleme mit unserem FET wir
vermuten, dass dieses etwas beschädigt war werden die Daten aber so weit
wie möglich auswerten.

Abbildung 5: Kennlinien des FET 730,62 Hz 1 V/cm

Um nun die Schwellspannung und Transkonduktanz zu bestimmern rechnen

wir ersteinmal wie bereits in der letzten Aufgabe die Spannung auf der Y-
Achse in den Strom ID = URD um. Der Abstand von zwei Kennlinien sollte
bei dUGS = R · 6µA = 0, 24V liegen, die 16nte und damit oberste Kennlinie
liegt dabei bei 16 · 0, 24V = 3.84V.

11
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

Unsere Kennlinien laufen nicht wie erhofft horizontal, aber sie sind immern-
och paralle und Äquidistant, somit kann der Abstand dieser am rechten Rand
des Bildschirmes verwendet werden, um ID gegen UGS aufzutragen.

U [V] I [mA] Fehler I [mA]

0.24 0.00 0.0
0.48 0.53 0.02
0.72 1.10 0.03
0.96 1.83 0.06
1.20 2.64 0.08
1.44 3.36 0.1
1.68 4.08 0.12
1.92 4.74 0.14
2.16 5.45 0.16
2.40 6.14 0.18
2.64 6.85 0.21
2.88 7.54 0.23
3.12 8.27 0.25
3.36 8.99 0.27
3.60 9.71 0.29
3.84 10.45 0.31

Tabelle 1: ID und UGS der FET Kennlinie

Abbildung 6: Der Plot

12
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

Wir erhalten hier nicht wie in der Theorie erwartet eine quadratische Abhängigkeit,
dies spricht weiterhin dafür, dass
√ unser FET bei dieser Messung kaputt war.
Im weiteren würde man nun ID gegen UGS auftragen und eine Gerade dar-
an anpassen, aus der Steigung dieser könnte man Uthr bestimmen, da die
Steigung a = (UGS − Uthr ) ist. Dies ergibt aber bei unseren Werten wenig
Sinn.

Emitterfolger
In diesem Versuchsteil bauen wir einen Emitterfolger auf, zuerst wollen wir
nur ein paar Beobachtungen machen.

Abbildung 7: Emitterfolger mit npn Transistor bei 500 Hz RC = RE =

390ΩUB = 2, 1V

Da Wir keinen Kondensator eingebaut haben ist die Pahsenverschiebung 0.

Die Spannungsverstärkung lässt sich bestimmen indem Wir die Skalenteile
zählen die zwischen dem größten und kleinsten Wert der Jeweiligen Signa-
le liegen. Bei beiden zählen wir 9 Skalenteile es liegt also im Rahmen der
Messgenauigkeit keine Spannungsverstärkung vor. Aber der CH 2 auf dem
das Ausgangssignal gemessen wird liegt rund 0,6V unter dem Eingangssignal,
dies Ist die Spannung die über den Transistor abfällt.
Um nun die Aussteuergrenzen, also die Spannungen ab denen an das Aus-
gangssignal verzerrt wird zu finden, verringern der erhöhen wir den DC Offset
und die Amplitude.

13
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

Abbildung 8: In dem Blauen Signal ist am Unteren Rand die Verzerrung

deutlich zu sehen

Unsere untere Aussteuergrenze lag bei 9,2 V Amplitude und 5 V Offset Vor.
In der Messreihe die Wir leider verloren haben da Das Oszilloskop unsere
daten nicht korrekt gespeichert hat haben wir die Untere Grenze bei 3Vpp 2V
Offset gefunden, die Obere Grenze lag bei 15Vpp 2V Offset. Bei zu kleinen
Spannungen unterschreiten wir die Betriebspannung des Transistors, der So-
mit in teilen des Signales nicht schaltet. Die Obere Grenze liegt aufgrund
der Spannung U0 vor, die Über den Transistor anliegt, eine Verstärkung über
diese hinaus ist nicht möglich, somit wird dann der Obere Teil des Signales
Abgeschnitten.
Um den nutzbaren Spannungsbereich zu vergrößern gibt es verschiedene Op-
tionen:

ˆ U0 erhöhen um die Obere Grenze zu verschieben

ˆ Ein anderes Transistormaterial verwenden, dessen Betriebsspannung

unter 0,7V liegt.
ˆ RC verkleinern.

ˆ RE vergrößern.

Eine Veränderung der Offsetspannung beeinflusst hierbei nicht die Größe des
nutzbaren Bereiches aber verschiebt diesen.

14
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

Arbeitspunkteinstellung
Wenn wir nun die Offsetspannung über einen Spannungsteiler einstellen und
einen Kondensator in Serie mit dem 10 kΩ Widerstand schalten, sind abhängig
von der Größe des Kondensators die Signale etwas Phasenverschoben. Wir
haben keine Änderung in den Aussteuergrenzen festgestellt.

Abbildung 9: Die Signale sind mit einem 0,1µF Kondensator minimal ver-
schoben

15
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

FET
Wir bauen auf dem Board II einen Emitterfolger mit dem npn-Transistor
auf. Dabei verwenden wir einen RC von 0Ω unser RE ist 1kΩ

Abbildung 10: Wir beobachten einen Spannungsabfall UBE von 1,1V

Bei Variation der Offset-Spannung verändert sich dieser Abstand leicht bleibt
aber um 1V herum was etwas über dem Theoretischen Wert von 0,7V liegt.
Bei Wiederholung des Versuches mit dem FET ergibt sich Uthr auf 1, 2±0, 1V
was mit unserer Erwartung übereinstimmt.

Eingangswiederstand
In dem letzten Versuchsteil wollen wir den Eingangswiderstand der Transis-
toren bestimmen. Dafür verwenden wir Kondensatoren, die wir zuerst nur
über den Eingangswiderstand des Oszilloskops entladen um deren T1/2 zu be-
stimmen. Im weiteren wollen wir dann den Kondensator über die Transisto-
ren entladen, aus der Entladezeit können wir dann den Eingangswiederstand
berechnen.

16
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

Abbildung 11: Entladekurve 1µΩ Kondensator ohne Transistor.

19
Bis die Spannung auf die Hälfte abgefallen ist, dauert es 25 sec = 0, 74sec und
damit etwas länger als der theorie Wert von R · C ln(2) = 0, 69sec Dies ist
aber immer noch durch die Auflösung des Oszilloskop und die Varianz des
Kondensators zu erklären und durchaus im Rahmen des Messfehlers. Wir
haben dieselbe Messung auch für die kleineren Kondensatoren durchgeführt,
dort ist aber nichts unerwartetes aufgetreten.

17
Versuch 1 Versuchsdurchführung und Auswertung

Wenn wir nun den Kondensator über den npn-Transistor entladen, passiert
dies weitaus schneller. Die Entladekurve gleicht außerdem eher einer Geraden
als dem zu erwartendem exponentiellem Abfall, da wir im Nachhinein an
diese heranzoomen mussten und das Oszilloskop diese dadurch anscheinend
ungenauer vermessen hat.

Abbildung 12: Entladekurve 1µΩ Kondensator über npn-Transistor.

Hier dauert es 17
25
Skalenteile wobei wir von 1 s/cm zu 25 ms/cm übergegangen
sind. Also ist hier T1/2 = 0.017sec. Nun können wir umstellen und erhalten
t1/2
R = C·ln(2) ≃ 25 ± 2kΩ
Bei der Verwendung des FET haben wir erst nur sinnloses Rauschen gesehen,
was mit der Theorie das unser FET beschädigt war übereinstimmt. Mit einem
anderen FET konnten wir aber gut beobachten, dass sich der Kondensator
nun nicht mehr entlädt.

18
6 Fazit
Insgesamt liefen unsere Messungen bis auf, dass sie beim ersten mal nicht
gespeichert wurden, gut. Leider haben wir beim Zweiten mal nicht bemerkt,
dass unser FET beschädigt war.

Abbildungsverzeichnis
1 Aufbau des Kennlinienschreibers
Abb. 3.1 aus dem Skript: [1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2 Abb. 3.2 aus dem Skript: [1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3 Kennlinien npn-Transistor 1V = 1cm . . . . . . . . . . . . . . 9
4 Arbeitspunktbestimmung npn-Transistor . . . . . . . . . . . . 10
5 Kennlinien des FET 730,62 Hz 1 V/cm . . . . . . . . . . . . . 11
6 Der Plot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
7 Emitterfolger mit npn Transistor bei 500 Hz RC = RE =
390ΩUB = 2, 1V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
8 In dem Blauen Signal ist am Unteren Rand die Verzerrung
deutlich zu sehen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
9 Die Signale sind mit einem 0,1µF Kondensator minimal ver-
schoben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
10 Wir beobachten einen Spannungsabfall UBE von 1,1V . . . . . 16
11 Entladekurve 1µΩ Kondensator ohne Transistor. . . . . . . . . 17
12 Entladekurve 1µΩ Kondensator über npn-Transistor. . . . . . 18

Tabellenverzeichnis
1 ID und UGS der FET Kennlinie . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Literatur
[1] EP Skript. url: https://ecampus.uni-bonn.de/goto_%20ecampus_
file_2977805_download.html.