N-Kanal MOSFETs

Ein Video zum Schalten von MOSFETs gibt's noch nicht

Hinterlasst einen Kommentar, wenn ihr Ideen habt, was in diesem Video gezeigt werden sollte (außer den schon in diesem
Kapitel erwähnten Themen).

Übersicht

In diesem Kapitel ist nachzulesen:

Wie ein MOSFET anzuschließen ist, um damit Signale zu verstärken.

Was bezüglich der Schwellspannung zu beachten ist.
Wie digitale Signale verstärkt werden.
Was beim Schalten hoher Lasten zu beachten ist.
Warum eine Freilaufdiode benötigt wird.
Wie schnell ein MOSFET schalten kann.
Was Schaltverluste verursacht.
Warum ein Pull-Down Widerstand sinnvoll ist.
Warum MOSFETs nur in Ausnahmefällen parallel geschaltet werden sollten.
Beispielschaltungen.
Liste möglicher Bauteile inklusive Bezugsquellen.

GPIO schaltbare Leistung

Abbildung 1:
Im vorangegangenen Kapitel haben wir gelernt, wie man mit Hilfe von GPIOs LEDs direkt schalten kann. Dabei wird die
maximal schaltbare elektrische Leistung der Verbraucher von den Spezifikationen der General Purpose Input Output Pins
des jeweiligen Rechners bestimmt. In dem Foto sind ein Arduino Uno und ein Raspberry Pi zu sehen. Erstgenannter
arbeitet mit einer Logikspannung von 5V und kann Ströme von bis zu 50mA an einem GPIO direkt schalten. Die
maximale Leistung ergibt sich somit zu 0.25W. Für den Raspberry Pi sind 16mA bei 3.3V Logikspannung, also nur
0.053W das Limit. Wie zu sehen, fällt die schaltbare Leistung eher klein aus. In diesem Kapitel werde ich daher zeigen,
wie die zu schaltende Leistung mit Hilfe von MOSFETs verstärkt werden kann.

MOSFET

Abbildung 2:
MOSFET steht für Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, also Metalloxid Halbleiter Feldeffekt Transistor.
Mit diesem Halbleiterbauteil können elektrische Signale verstärkt werden. MOSFETs sind aktive Halbleiterbauteile mit
üblicherweise 3 Anschlüssen, die mit Source (=Quelle), Gate (=Steuerelektrode) und Drain (=Abfluss) bezeichnet werden.
Welcher Pin zu welchem Anschluss führt, ist dabei dem Datenblatt des Transistors zu entnehmen. Die Anschlüsse sind
nicht standardisiert und ein Vertauschen führt sehr wahrscheinlich zur Zerstörung des Bauteils! Der Widerstand
zwischen Source und Drain kann abhängig von der Gatespannung variiert werden und mit dieser Eigenschaft können
elektrische Signale verstärkt werden.

N-Kanal MOSFET
Abbildung 3:
Betrachten wir zunächst einen N-Kanal MOSFET an einer einfachen Gleichspannungsquelle genauer. Die damit
aufgebaute Verstärkerschaltung besteht aus zwei Schaltkreisen, die beide über Masse (den Minuspol) verbunden sind. Der
Source Pin des MOSFET ist ebenfalls direkt mit Masse verbunden. Der Eingangskreis besteht lediglich aus einer variablen
Spannungsquelle, die mit dem Gate Pin verbunden ist. Der Ausgangskreis besteht aus einer konstanten Spannungsquelle,
deren Pluspol über eine Last (hier ein ohmscher Widerstand) hin zum Drain Pin des Transistors führt.

Abbildung 4:
Ein Versuchsaufbau zur Untersuchung der Eigenschaften eines MOSFET ist hier zu sehen. Wie zuvor ist hier im
Ausgangskreis der Drain Pin über einen Lastwiderstand mit dem Pluspol verbunden, der eine Spannung von 12V liefert.
Der Eingangskreis besteht aus einem Potentiometer, das ebenfalls mit dem +12V Anschluss der Spannungsquelle und mit
Masse verbunden ist. Der Schleifkontakt führt zum Gate Pin des MOSFET. Ist dieser Schleifkontakt am unteren Anschlag,
so ist der Gate Pin direkt mit der Masse verbunden, es liegen somit 0V zwischen Source und Gate des Transistors an. Wie
gesagt, ist der Widerstand zwischen Source und Drain abhängig von dieser Spannung. Bei dem hier gezeichneten
selbstsperrenden MOSFET ist in diesem Zustand der Widerstand maximal, üblicherweise im Bereich von einem
Megaohm.
R1 (=100Ω) und die Source-Drain-Strecke des MOSFET bilden einen Spannungsteiler. Nach dem Ohmschen Gesetz gilt
für einen Spannungsteiler:
UDS / USupply = RDS / (RDS + 100Ω)
und somit für die Spannung zwischen Source und Drain:
UDS = USupply * RDS / (RDS + 100Ω)
UDS = 12V * 1 MΩ / (1MΩ + 100Ω) = 11.99880012V
Für die Spannung am Lastwiderstand gilt:
ULoad = USupply - UDS = 12V - 11.99880012V = 0.00119988V
Mehr oder weniger die gesamte Eingangsspannung fällt an dem MOSFET ab, die Spannung an der Last beträgt so gut wie
0V.
Für den Strom durch den Lastwiderstand und somit auch durch in den Drain Pin gilt:
ID = USupply / (RDS + 100Ω)
ID = 12V / (1MΩ + 100Ω) = 11.999μA

Abbildung 5:
Hier ist der Schleifkontakt des Potentiometers am oberen Ende, womit der Gate Pin direkt mit der Eingangsspannung von
+12V verbunden ist. Der Widerstand des Transistors wird somit minimal, typischerweise fällt dieser auf unter 1Ω. Somit
erhalten wir für den Spannungsabfall an der Drain-Source-Strecke des MOSFET:
UDS = 12V * 1Ω / (1Ω + 100Ω) = 0.1188V
Für die Spannung am Lastwiderstand gilt:
ULoad = 12V - 0.1188V = 11.8812V
Mehr oder weniger die gesamte Eingangsspannung fällt nun an dem Lastwiderstand ab, während die Spannung am
MOSFET nahezu 0V beträgt.
Für den Strom durch den Lastwiderstand und somit auch durch in den Drain Pin gilt nun:
ID = 12V / (1Ω + 100Ω) = 0.1188A

Das Verhalten eines selbstleitenden MOSFET unterscheidet sich darin, dass der Widerstand bei Anliegen von 0V
zwischen Gate und Source minimal (üblicherweise kleiner 1Ω) ist und hin zu seinem Maximalwert (etwa 1MΩ ) steigt,
wenn die Spannung am Gate seinen Maximalwert erreicht. Die Funktionsweise derartiger Feldeffekttransistoren erkläre ich
im Kapitel zu JFETs. Der verbreitetere Typ ist der selbstsperrende MOSFET, auf den ich mich in diesem Kapitel
beschränke.
Schwellspannung

Abbildung 6:
Der Zusammenhang zwischen dem Widerstand der Drain-Source-Strecke und der Gatespannung ist nicht über den
ganzen Bereich linear! Es ist also nicht davon auszugehen, dass dieser Widerstand bei halber Eingangsspannung am
Gateanschluss der Hälfte des maximalen Widerstandes beträgt. Der Zusammenhang ist deutlich komplexer und ein zu
beachtender Kennwert ist die sogenannte Schwellspannung (engl.: threshold voltage). Vereinfacht gesagt ist der Drain-
Source-Widerstand unterhalb dieser Schwellspannung mehr oder weniger maximal; auch große Änderungen der
Gatespannung (so lange diese unterhalb von Uth bleibt) bewirken nur eine sehr geringe Änderung des
Transistorwiderstandes. Der Bereich der Gatespannung von 0V bis zur Schwellspannung (Uth) wird daher Sperrbereich
(eng.: cutoff region) genannt.
Im Bereich bis etwas oberhalb von Uth am Gate Pin ändert sich der Drain-Source-Widerstand schon bei kleinen Änderung
der Gatespannung sehr stark und es besteht dann doch ein (nahezu) linearer Zusammenhang zwischen der Gatespannung
und dem Widerstand der Drain-Source-Strecke. Dieser allerdings sehr kleine Bereich (üblicherweise weniger als 1V) wird
daher als linearer oder ohmscher Bereich (engl.: ohmic region) bezeichnet.
Fällt der Transistorwiderstand bei weiter steigender Gatespannung bis nahe an seinen Minimalwert, so geht der MOSFET
in den sogenannten Sättigungsbereich (engl.: saturation region). In diesem Bereich bewirkt eine weitere Steigerung der
Gatespannung eine nur noch sehr geringe Änderung des nun eh schon sehr geringen Drain-Source Widerstandes.

Verstärkung digitaler Signale

Abbildung 7:
In diesem Kapitel möchte ich auf die Verstärkung digitaler Signale eingehen. Dabei geht es vereinfacht gesagt darum,
einen MOSFET EIN oder AUS zu schalten, also diesen so zu betreiben, dass der Drain-Source Widerstand entweder
minimal (der Transistor ist eingeschaltet) oder maximal (der Transistor ist ausgeschaltet) ausfällt. Beginnen wir mit dem
Fall "Ausgeschaltet". Wie weiter oben bereits beschrieben, ist das der Fall, wenn die Spannung zwischen Gate und Source
0V beträgt. So lange die Gatespannung deutlich unterhalb der Schwellspannung bleibt, ist dieser Zustand ebenfalls
hinreichend gut erfüllt. Deutlich unterhalb von Uth bedeutet in der Praxis mehr als 1V davon entfernt. Zu beachten ist, dass
es in realen Schaltkreisen immer zu einem sogenannten Signalrauschen kommt, die Spannung also um den vorgegebenen
Wert schwankt. Es muss vermieden werden, dass die Gatespannung im ausgeschalteten Zustand plus der maximal durch
das Rauschen verursachten Spannung im Bereich der Schwellspannung liegt! Somit sollte die Gatespannung im
ausgeschalteten Zustand so nahe wie möglich an 0V liegen.
Abbildung 8:
Im Zustand "Eingeschaltet" sollte die Gatespannung deutlich über der Schwellspannung (U th plus mindestens 1V)liegen.
Diese Bedingung muss auch unter Berücksichtigung des Signalrauschens gelten. Je höher die Gatespannung, um so besser,
jedoch darf die maximale Gatespannung, die im Datenblatt steht, nie überschritten werden! Dabei ist ebenfalls das
Signalrauschen einzurechnen, man sollte also beim Design einer Schaltung einen "Sicherheitsabstand" einhalten. In
Datenblättern ist meist vermerkt, bei welcher Gatespannung der maximale Drainstrom gemessen wurde (z.B. I D = 13A
@VGS 10V) oder es ist der minimale Widerstand im Zustand "EIN" vermerkt (z.B. RDS(on) 50mΩ @VGS10V). Diese
Gatespannung ist beim Design einer Schaltung für den Zustand "EIN" anzupeilen, wenn man bezüglich der
Leistungsverstärkung ans Limit gehen möchte.

Hohe Ausgangsleistung

Abbildung 9:
Sollen die Signale der GPIOs eines Arduino Uno oder eines Raspberry Pi verstärkt werden, so muss der verwendete
MOSFET bei 5V beziehungsweise 3.3V sauber einzuschalten sein. Die Schwellspannung Uth muss also deutlich unter dem
jeweiligen Wert liegen. Im Datenblatt des hier zu sehenden N-Kanal MOSFET Typ IRLZ34N ist die Schwellspannung
zwischen 1.0 (Minimum) und 2.0V (Maximum) mit 1.5V als typischem Wert gelistet. Mit einer Gatespannung von 3.3V
kann der MOSFET also durchaus als eingeschaltet angesehen werden, spezifiziert für den maximalen Strom ist der
Transistor allerdings nur bei einer Gatespannung von mindestens 5V. Der maximale Drain Strom ist mit 30A angegeben,
die maximale Drain-Source Spannung mit 55V.
Abbildung 10:
Ein weiterer bedeutender Faktor ist die maximale Verlustleistung. Beim IRLZ34N ist diese mit 68W gelistet. Der
Widerstand der Drain-Source Strecke ist bei einer Gatespannung von 5V zwischen 28mΩ und 46mΩ gelistet. Gehen wir
vom ungünstigsten Wert von 48mΩ aus. Fließt nun der maximale Strom von 30A durch den Transistor, so fällt an diesem
eine Leistung von:
(1) R = U / I -> U = R * I
und
(2) P = U * I
mit (1) erhält man
P = R * I2 = 0.046Ω * 30A * 30A = 41.4W
Wir sind also im "grünen Bereich". Zu bedenken ist allerdings, dass diese 41W in Form von Wärme entstehen und
schnellstens vom Transistor weggeleitet werden müssen. Ein großer Kühlkörper ist also Pflicht! Der Widerstand von
48mΩ gilt nämlich nur für eine Transistortemperatur von 25°C.
Abbildung 11:
Wie sieht es nun bei einer Gatespannung von nur 3.3V aus? Der IRLZ34N ist für diesen Logikpegel nicht spezifiziert,
daher sind dazu keine Daten direkt gelistet. Aus den Diagrammen kann abgeschätzt werden, dass Ströme bis zu 10A mit
dieser Gatespannung bei guter Kühlung geschaltet werden können, wer jedoch darüber hinaus gehen möchte, kann die
Gatespannung mit einem weiteren Transistor vorverstärken:
Dazu wird der Drain Pin des ersten Transistors mit dem Gate Pin des zweiten Transistors und über einen Widerstand mit
der positiven Eingangsspannung verbunden. Liegen nun 3.3V an dem Gate des ersten Transistors an, so fällt der
Widerstand der Drain-Source-Strecke dieses Bauteils auf weniger als 1Ω (für das Rechenbeispiel gehen wir von exakt 1Ω
aus). Transistor 1 bildet mit dem 1kΩ Widerstand einen Spannungsteiler und somit gilt für den Spannungsabfall zwischen
Drain und Source:
UDS1 = USupply * RDS1 / (1kΩ + RDS1) = 12V / 1001Ω = 0.012V
Somit liegen zwischen Source und Gate des zweiten Transistors eben diese 0.012V an, was weit unterhalb der
Schwellspannung liegt, womit Transistor Nummer 2 ausgeschaltet ist; dessen Widerstand ist im Bereich von einem
Megaohm.
Abbildung 12:
Werden 0V an den Eingang des Schaltkreises, also zwischen Source und Gate des ersten Transistors gelegt, so sperrt dieser
und der Drain-Source-Widerstand des Bauteils steigt auf etwa 1MΩ. Durch den Spannungsteiler erhalten wir nun für die
Spannung zwischen Drain und Source:
UDS1 = 12V * 1000000Ω / 1001000Ω = 11.988V
Nun liegen zwischen Source und Gate des zweiten Transistors fast 12V an, was weit oberhalb der Schwellspannung liegt,
womit Transistor Nummer 2 eingeschaltet ist; dessen Widerstand ist nun im Bereich von unter einem Ohm. Der Strom der
zu schaltenden Last fließt ausschließlich über Transistor Nummer 2 und mit der nun deutlich erhöhten Gatespannung
können Ströme bis zum erlaubten Maximum von 30A geschaltet werden. Zu beachten ist, dass das Signal am GPIO
invertiert wird! Ist der GPIO wie hier gezeigt ausgeschaltet, so liegen 0V am Gate des ersten Transistors und somit 12V
am Gate des zweiten Transistors. Dieser ist somit eingeschaltet, es fließt ein Strom durch die Last. In der vorherigen
Abbildung war der GPIO eingeschaltet, womit 3.3V am Gate des ersten, aber 0V am Gate des zweiten Transistors
anliegen. Bei eingeschaltetem GPIO ist Transistor 2 ausgeschaltet und es fließt kein Strom durch die Last.
Abbildung 13:
Dieses invertierende Schaltverhalten kann durch einen dritten Transistor korrigiert werden:
Liegen nun 3.3V am Eingang der Schaltung an, so ist Transistor 1 eingeschaltet, womit am Gate von Transistor 2 Null Volt
anliegen und dieser ausgeschaltet ist. Das wiederum bewirkt, dass am Gate von Transistor 3 circa 12V anliegen und dieser
eingeschaltet ist; durch die Last fließt bei eingeschaltetem GPIO ein Strom.
Für die Vorverstärkerstufen werden üblicherweise keine Leistungs-MOSFETS wie der hier besprochene IRLZ34N
verwendet. Hier fließen gerade einmal 12mA durch die beiden Transistoren 1 und 2, womit deutlich kostengünstigere
Alternativen gewählt werden können.

Auch 5V sind für viele MOSFETs keine ausreichend hohe Gatespannung, um zuverlässig einzuschalten! Die
Schwellspannung des BUZ11 liegt z.B. zwischen 2.1V (günstigster Fall) und 4V (ungünstigster Fall) womit der maximale
Darainstrom ID von 30A erst bei 10V UGS spezifiziert ist. Somit ist bei der Verwendung dieses MOSFET an 5V
Logikspannung ebenfalls eine Vorverstärkung nötig! Behaltet die Schwellspannung beim Kauf eines MOSFET auf
jeden Fall im Auge!

Maximale Gatespannung
Abbildung 14:
Nächster zu beachtende Punkt bei der Verwendung von Vorverstärkern ist die maximale Gate-Source-Spannung, die
üblicherweise niedriger als die maximale Drain-Source-Spannung ist. Beim IRLN34N beträgt U GS(maxx) 13V, UDS(max)
hingegen 55V. Wird die Eingangsspannung der Schaltung mit einem Vorverstärker auf 24V erhöht, so liegt diese
Versorgungsspannung an dem Gateanschluss des zweiten Transistors an, sobald Transistor 1 gesperrt ist, also 0V vom
GPIO ausgegeben werden. Der MOSFET wird augenblicklich zerstört!

Abbildung 15:
Abhilfe schafft hier ein weiterer Widerstand, der parallel zu Drain und Source des ersten Transistors geschaltet wird. Durch
die Parallelschaltung wird der maximale Gesamtwiderstand dieser Kombination verringert. Wird z.B. ein 820Ω Widerstand
verwendet, so ergibt sich bei ausgeschaltetem Transistor ein Gesamtwiderstand von:
RTotal = 1MΩ * 820Ω / ( 1MΩ + 820Ω) = 819Ω
Als resultierende Spannung am Gate des zweiten Transistors ergibt sich somit:
UGS2 = 24V * 819Ω / (819Ω + 1000Ω) = 10.8V
Dieser Wert ist weit oberhalb von Uth und deutlich unterhalb der maximalen Gatespannung.

Variable Versorgungsspannung

Abbildung 16:
Wird mit variablen Versorgungsspannungen gearbeitet, so kann eine Zenerdiode verwendet werden, um die Gatepannung
am zweiten Transistor zu begrenzen. Die Zenerspannung sollte dabei deutlich über U th und ebenso deutlich unterhalb von
UGS(max) liegen. Für den IRLZ34N sind 10V ein guter Wert. Liegt die Versorgungsspannung oberhalb der Zenerspannung,
so wird die Gatespannung am zweiten Transistor auf den Wert dieser Diode begrenzt. Ist die Versorgungsspannung kleiner,
so entspricht UGS2 (weitgehend) dieser Eingangsspannung. Die Minimalspannung mit welcher diese Schaltung betrieben
werden kann, liegt somit bei 5V, da bei kleineren Spannungen der zweite Transistor wie bereits besprochen nicht mehr
sauber einschaltet. Die maximale Versorgungsspannung wird nun von der maximalen Spannung zwischen Drain und
Source des zweiten Transistors begrenzt. Für den IRLZ34N sind das 55V. Auch hier gilt es einen "Sicherheitsabstand"
einzuhalten, da Störspannungen immer zu berücksichtigen sind!

Freilaufdiode
Abbildung 17:
Bislang habe ich die zu schaltenden Verbraucher als Ohmsche Lasten betrachtet. Häufig werden jedoch Relais oder
Motoren über GPIOs geschaltet. Derartige induktiven Verbraucher besitzen eine besondere Eigenschaft: Werden diese
schnell ein- oder ausgeschaltet, so wird in diesen eine mit unter sehr hohe Spannung induziert, wobei diese
Induktionsspannung der äußeren Spannungsänderung entgegenwirkt. Beim Einschalten eines derartigen Verbrauchers
bewirkt das, dass eine Gegenspannung induziert wird, welche den Strom durch die Last nur langsam ansteigen lässt.
Dieses Verhalten ist für die Transistoren in unseren Beispielen nicht weiter schädlich, gefährlich wird es erst beim
Ausschalten: Nun wird eine Spannung induziert, die versucht den Stromfluss durch den Verbraucher aufrecht zu erhalten.
Diese Selbstinduktionsspannung wird zur Versorgungsspannung addiert und ist um so größer, je schneller der Stromfluss
unterbrochen wird. Da beim Ausschalten der Widerstand des MOSFET steigt, fällt somit die Versorgungsspannung plus
der induzierten Spannung an der Drain-Source-Strecke ab. Wird der MOSFET mit einer Versorgungsspannung
betrieben, die nahe am Maximum liegt, genügt schon eine kleine Induktionsspannung, um das Bauteil zu zerstören!
Abbildung 18:
Abhilfe schafft eine Diode, die parallel zur Last und in Sperrichtung bezüglich der Versorgungsspannung geschaltet wird.
Baut sich nun beim Ausschalten des MOSFET eine Induktionsspannung in der Last auf, so ist deren Polung in
Vorwärtsrichtung bezüglich der Diode. Durch die Diode kann der Strom durch den Verbraucher weiterfließen, bis die
Induktionsspannung abgebaut ist. An dem MOSFET fällt nun zusätzlich zur Versorgungsspannung nur die Spannung der in
Vorwärtsrichtung gepolten Diode ab. Diese zum Schutz vor Überspannungen eingesetzte Diode bezeichnet man als
Freilaufdiode (engl.: flyback diode). Vorteilhaft ist die Verwendung einer schnell schaltenden Diode mit geringem
Spannungsabfall in Vorwärtsrichtung. Die Sperrspannung sollte etwas höher als die Versorgungsspannung sein und der
maximale Vorwärtsstrom (maximaler Pulsstrom) muss den durch die Induktionsspannung verursachten Strom verkraften
können. Dieser ist mit meist etwas höher als der Strom durch die induktive Last bei Anliegen der vollen
Versorgungsspannung.

Schaltgeschwindigkeit

Bislang haben wir nur die beiden Extremzustände EIN und AUS des MOSFET betrachtet. Der Übergang zwischen diesen
beiden Zuständen verläuft jedoch nicht augenblicklich, sondern benötigt eine gewisse Zeitspanne. Im Datenblatt sind dazu
meist mehrere Parameter gelistet:

Einschaltverzögerung (tdon, Turn-on delay time): Um diese zu messen, wird die angegebene Gatespannung
(beginnend bei 0V) an den Gate Pin angelegt und die Zeitspanne gemessen zwischen dem Erreichen von 10% der
Gatespannung (VGS) bis nur noch 90% der Versorgungsspannung zwischen Drain und Source anliegen (VDS). Es
wird also ermittelt, wie lange es dauert, bis sich genügend Ladung im Gate aufgebaut hat, um eine Reaktion an der
Drain-Source-Strecke zu bewirken.
Einschaltzeit (tr, Turn-on rise time): Hier wird die Zeitspanne angegeben, innerhalb derer beim Einschalten eines
Transistors die Spannung zwischen Drain und Source (VDS) von 90% der Versorgungsspannung auf nur noch 10%
fällt.
Ausschaltverzögerung (tdoff, Turn-off delay time): Um diese zu messen, wird am Gate die angegebene Spannung
angelegt und schlagartig auf 0V gesenkt. Gemessen wird die Zeitspanne zwischen dem Anliegen von 10% der
Versorgungsspannung zwischen Drain und Source (beginnend bei 0V) und dem Erreichen von 90% der
angegebenen Spannung zwischen Gate und Source.
Ausschaltzeit (tf, Turn-off fall time): Hier wird die Zeitspanne angegeben, innerhalb derer beim Ausschalten eines
Transistors die Spannung zwischen Drain und Source (VDS) von 10% der Versorgungsspannung auf 90% steigt.

Abbildung 19:
Soll ein Verbraucher sehr schnell geschaltet werden, wie es z.B. bei der Verwendung von Pulsweitenmodulation zur
Ansteuerung mit variabler Leistung der Fall ist, so sollte ein Blick auf die Schaltzeiten des verwendeten Transistors
geworfen werden. Im Datenblatt vermerkt sind die Zeiten für turn-on delay (tdon), turn-on rise time (tr), turn-off delay
(tdoff) und turn-off fall time (tf). Werden alle vier Zeiten addiert, so erhält man für den IRLZ34N im ungünstigsten Fall:
tdon + tr + tdoff + tf = 21ns + 110ns + 80ns + 65ns = 276ns
Geht man davon aus, dass der Transistor dann auch tatsächlich für mindestens 90% der Zeit einer Periode eingeschaltet
sein soll, so ergibt sich eine minimale Periodendauer von T=2.76μs und im Umkehrschluss eine maximale Frequenz von
f = 1/T = 360kHz. Werden - wie oben gezeigt - noch Vorverstärkerstufen verwendet, so verschlechtert sich dieser Wert
entsprechend. Bei zwei Transistoren hintereinander ergibt sich Pi mal Daumen nur noch die halbe Frequenz.

Schaltverluste

Abbildung 20:
Während der Einschaltzeit ändert sich der Widerstand der Drain-Source-Strecke eines MOSFET von etwa einem
Megaohm hin zu weniger als einem Ohm. In dieser Zeitspanne variiert somit auch die an diesem Bauteil abfallende
elektrische Leistung. Dabei gilt:
PDS = VDS * ID = VDS2 / RDS
In guter Näherung kann diese Verlustleistung im ausgeschalteten Zustand als Null und nichtig betrachtet werden. Für eine
Versorgungsspannung von 12V ergibt sich:
PDS = 12V * 12V / 1MΩ = 0.144mW
Dass die Verlustleistung im eingeschalteten Zustand durchaus in gefährliche Regionen wächst, haben wir bereits gesehen.
Gehen wir von einer hohen Last mit einem Widerstand von nur 2Ω an einer Versorgungsspannung von 48V aus, so
erhalten wir bei einem Transistorwiderstand von 46mΩ (Werte für den schon oben verwendeten IRLZ34N) im
eingeschalteten Zustand:
UDS=USupply * RDS / (RLoad + RDS) = 48V * 46mΩ / 2.046Ω = 1.02V also rund 1V
Der Strom durch die Drain-Source-Strecke ergibt sich zu:
ID = USupply / (RLoad + RDS) = 48V / 2.046Ω = 23A
und die Verlustleistung ist:
PLoss = UDS * ID = 1V * 23A = 23W
Die maximale Verlustleistung von 68W ist lange nicht erreicht. Steigt der Widerstand des Transistors beim Ausschalten, so
wird irgendwann der Wert von 1Ω erreicht, womit sich ein Stom von:
ID=48V / 3Ω = 16A
eine Drain-Source Spannung von:
UDS = 48V * 1Ω / 3Ω = 16V
und somit eine Verlustleistung von:
PLoss = 16V * 16A = 256W
ergibt! Da diese zu hohe Verlustleistung nur extrem kurzzeitig erreicht wird, brennt der Transistor nicht augenblicklich
durch. Der Ausschaltvorgang wird beendet, die Verlustleistung ist bei nahezu 0W und der Transistor kann wieder
abkühlen. Wird der Transistor allerdings mit einer hohen Schaltfrequenz betrieben, so macht sich die erhöhte
Verlustleistung während des Schaltvorgangs durchaus bemerkbar und kann zur Zerstörung des Bauteils führen!

Pull-Down Widerstand

Abbildung 21:
Der Gateanschluss eines MOSFET ähnelt von den elektrischen Eigenschaften einem sehr kleinen Kondensator. Beim
Einschalten fließt kurzzeitig ein Strom, bis die vorgegebene Gatespannung erreicht ist. Zur Aufrechterhaltung dieser
Spannung und um somit den Transistor im eingeschalteten Zustand zu halten, ist (nahezu) keine weitere elektrische
Leistung nötig. Es fließt in diesem Zustand kein (merklicher) Strom durch den Gateanschluss. Für den IRLZ34N ist der
Strom mit 1μA angegeben. Trennt man den Gateanschluss nun von der Spannungsquelle (also dem GPIO der zur
Ansteuerung verwendet wird), so bleibt der MOSFET im eingeschalteten Zustand. Trennt man den Gateanschluss im
ausgeschalteten Zustand, so bleibt der MOSFET ausgeschaltet. Ist der Verstärkerschaltkreis von der Steuerspannung
getrennt, so genügt eine kleine Ladung, um diesen einzuschalten. Das kann durch Berühren mit dem Finger passieren, da
der menschliche Körper durch Reibungselektrizität meist ein wenig geladen ist. Um somit ein unbeabsichtigtes Einschalten
eines leistungsstarken Verbrauchers zu verhindern, wird ein Pull-Down-Widerstand zwischen Gate und Source des
MOSFET geschaltet. Dieser sorgt dafür, dass unerwünschte Ladung am Gate abfließt und der Transistor somit
ausgeschaltet ist, wann immer dieser von der Steuerspannung getrennt wird. Je kleiner der Widerstandswert des pull-down
Widerstandes, um so schneller kann die Ladung abfließen, aber um so höher der Strom bei Anliegen einer Steuerspannung.
In der Praxis werden Widerstände im Bereich zwischen 1kΩ und 10kΩ verwendet.

MOSFETs parallel schalten

Abbildung 22:
Bisweilen werden MOSFETs parallel geschaltet, um den maximal möglichen Strom einer Verstärkerschaltung zu
erhöhen, davon ist aber eher abzuraten! Wie bereits erwähnt, schwanken die elektrischen Eigenschaften ein und des
selben Transistortyps auf grund von Fertigungstoleranzen. Nehmen wir erneut den IRLZ34N als Beispiel. Der Widerstand
im eingeschalteten Zustand schwankt zwischen 28mΩ und 46mΩ. Gehen wir nun vom ungünstigsten Fall aus, dass
Transistor 1 den niedrigsten und Transistor 2 den höchsten Widerstand besitzt. Für den Strom durch die beiden Zweige
einer Parallelschaltung gilt:
I1 = Itotal * Rtotal / R1
oder
I2 = Itotal * Rtotal / R2
mit dem Gesamtwiderstand zu:
Rtotal=RDS1 * RDS2 / (RDS1 + RDS2) = 28mΩ * 46mΩ / (28mΩ + 46mΩ) = 17mΩ
Soll der Maximalstrom von 30A auf 60A durch Parallelschaltung erhöht werden, so ergibt sich in unserem Beispiel für die
Verteilung der Stromstärken auf die beiden Zweige:
I1 = 60A * 17mΩ / 28mΩ = 36A
und
I2 = 60A * 17mΩ / 46mΩ = 22A
Wer das aufaddiert, erkennt dass der Gesamtstrom bei nur 58A ergibt, was aber an Rundungsfehlern bei meiner
Berechnung des Gesamtwiderstandes liegt. Entscheidend aber ist, dass der Strom durch Transistor Nummer 1 deutlich
über dem erlaubten Maximum liegt!. Durch Parallelschaltung zweier MOSFETs kann man den Maximalstrom also
keinesfalls verdoppeln. Soll gelten, dass durch den Transistor mit dem niedrigeren Widerstand ein Strom von 30A fließt, so
ergibt sich für den Strom durch den zweiten Transistor:
I2 = I2 * R1 / R2 = 30A * 28mΩ / 46mΩ = 18A
Der maximale Gesamtstrom wäre somit 48A. Noch ungünstiger ist die Stromverteilung während des Ein- und
Ausschaltvorganges, da die Zeitkonstanten ebenfalls unterschiedlich ausfallen dürften. Werden MOSFETs parallel
geschaltet, so handelt es sich dabei um Transistoren mit sehr engen Fertigungstoleranzen, üblicherweise Teile der selben
Charge, eventuell noch nach den elektrischen Eigenschaften selektiert. Als Hobbybastler sollte man doch besser zu einem
MOSFET mit höherem maximalem Drainstrom zurückgreifen.

Beispielschaltungen
Abbildung 23:
Ein-Stufen-Verstärker:
Transistor IRLZ34N:
5V Logikpegel am GPIO, bis 30A, Versorgungsspannung 5V bis etwa 36V.

Transistor IRF3708:
Versorgungsspannung 5V bis 20V, an 3.3V Logikpegel am GPIO bis 7.5A, bei 5V Logikpegel bis 12A.

Freilaufdiode z.B. SR5100, 5A Dauerstrom, 150A Spitzenstrom, Sperrspannung 100V

Abbildung 24:
Zwei-Stufen-Verstärker (invertiertes Schaltverhalten):
Transistor 1 = BS170 oder 2N7000
Transistor 2 = IRLZ34N:
Bis 30A, Versorgungsspannung 5V bis etwa 36V.

Freilaufdiode z.B. SR5100, 5A Dauerstrom, 150A Spitzenstrom, Sperrspannung 100V

Zenerdiode 10V, 500mW

Abbildung 25:
Drei-Stufen-Verstärker:
Transistoren 1 und 2 = BS170 oder 2N7000
Transistor 3 = IRLZ34N:
Bis 30A, Versorgungsspannung 5V bis etwa 36V.

Freilaufdiode z.B. SR5100, 5A Dauerstrom, 150A Spitzenstrom, Sperrspannung 100V

Zenerdioden 10V, 500mW