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N-Kanal MOSFETs
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N-Kanal-MOSFET
Typen

N-Kanal-MOSFET

Ein N-Kanal-MOSFET lässt sich grob mit

einem npn-Transistor vergleichen, wenn
man das Gate (G) als Basis, Drain (D) als
Kollektor und Source (S) als Emitter
betrachtet.

Der interne Widerstand der Drain-Source-

Strecke wird mit der Spannung am Gate
gesteuert.

Ist die Spannung am Gate identisch mit der

Spannung am Source, dann sperrt der
Transistor. Zwischen Drain und Source kann
(abgesehen von einem Leckstrom von
einigen Mikroampere) kein Strom fließen.

++HINWEIS++
Eine Spannung von 0V am Gate bedeutet in
der Praxis, dass Gate und Source
galvanisch verbunden sind. Man kann nicht
einfach in die Gate-Leitung einen Schalter
einbauen, diesen dann öffnen, und glauben,
dass da 0V am Gate anliegen. Vielmehr
wäre das Gate dann vom Rest der
Schaltung isoliert und würde weiterhin die
alte Ladung tragen.
Wer solchen Problemen aus dem Wege
gehen will, der sollte zwischen Gate und
Source einen hochohmigen Widerstand
(einige 10 kOhm) einsetzen. Der entlädt
dann bei "offenem Schalter" das Gate auf
0-V-Pegel.

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Legt man am Gate aber eine Spannung an,

die 10 Volt höher ist als die Spannung am
Source, dann leitet der Transistor, Drain und
Source sind nun verbunden.

Auf der obersten Abbildung auf dieser Seite

kann man erkennen, dass die Drain-Source-
Strecke des MOSFET mit einer Diode
überbrückt ist. Dabei handelt es sich um
eine Schutzdiode, durch die es aber
unmöglich ist, die Polarität der Spannung an
Drain und Source zu vertauschen. Im
normalen Betrieb liegt Drain immer an der
positiveren Spannung (im Vergleich zu
Source).

MOSFETs werden für verschiedene Anwendungen entworfen, und haben dementsprechend gänzlich
andere technische Parameter. Der Schalttransistor in einem Netzteil muss eine Spannung von mehr als
400V aushalten, hat es aber nur mit Strömen im einstelligen Ampere-Bereich zu tun.

Die Power-MOSFETs mit denen ich mich meistens beschäftige, sind dagegen auf höchste Ströme optimiert.
Um 100A von Drain nach Source fließen zu lassen, ist es nötig, den Drain-Source-Widerstand so klein wie
möglich zu machen. Werte unter 10 Milliohm sind heute typisch. Erreicht wird das dadurch, dass der
MOSFET in Wirklichkeit aus einigen tausend kleinen MOSFETS besteht, die alle gemeinsam auf einem
Chip sitzen und parallel geschaltet sind. So kleine Strukturen sind allerdings nicht sehr spannungsfest. Die
maximale Drain-Source-Spannung beträgt je nach Typ 30V bis 60V.

Während in einem npn-Transistor der Kollektor-

Emitter-Strom mit dem Basisstrom gesteuert wird,
wird in einem N-Kanal-MOSFET der Drain-
Source-Widerstand mit der Gatespannung
gesteuert.

Das nebenstehende Diagramm zeigt den Drain-

Source-Stromfluss eines SUP75N06-08 bei
maximaler Drain-Source-Spannung und
steigender Gate-Source-Spannung.
Bis zu einer Gate-Spannung von 3V sperrt der
FET komplett, danach wird er mit steigender
Spannung immer besser leitend. Bei einer Gate-
Spannung von 10V beträgt sein Innenwiderstand
nur noch etwa 7 Milliohm.

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Nachteilig erscheint zunächst die hohe

Ansteuerspannung von ca. 10V, es gibt aber
spezielle Logic-Level-MOSFETS (LL), die schon
bei einer Gate-Spannung von etwa 4..4,5V leitend
sind. Solche FETs lassen sich also direkt mit TTL-
Pegeln ansteuern.

Nebenstehendes Diagramm zeigt den Drain-

Source-Stromfluss eines SUP75N06-07L bei
maximaler Drain-Source-Spannung und steigender
Gate-Source-Spannung.
Bis zu einer Gate-Spannung von 2V sperrt der FET
komplett, danach wird er mit steigender Spannung
immer besser leitend. Bei einer Gate-Spannung von
4,5V beträgt sein Innenwiderstand nur noch etwa 7
Milliohm. Bei 10V sinkt er auf 6 Milliohm.

Solche LL-FETs haben in der Regel eine geringere

Spannungsfestigkeit, für Spannungen zwischen D
und S. Viele LL-Typen vertragen nicht mehr als
30V.

Typen

Nachfolgend sind einige Typen aufgelistet, die auch für Bastler erhältlich sind. Der Großvater BUZ11
kennzeichnet das untere Ende der Power-FETs. Moderne Typen haben weitaus bessere Kennwerte. Die
Liste kann natürlich nur einige Typen beispielhaft auflisten.

• Die 'von-bis'-Angaben der Innenwiderstände bei LL-Typen kennzeichnet den Innenwiderstrand bei
TTL-High-Pegel (4..5V je nach Typ) sowie bei 10V Gate-Spannung.

• Der Innenwiderstand ist für eine Temperatur von 25°C angegeben. Mit der Temperatur des Transistors
steigt aber auch sein Innenwiderstand. Beim Erreichen der maximalen Betriebstemperatur hat sich der
Innenwiderstand in etwa verdoppelt.

• Es gibt viele Typen auch in SMD-Gehäusen (TO-263), ich bevorzuge aber TO-220-Gehäuse, da sie
sich viel besser kühlen lassen. Ohne Kühlung vertragen auch die besten Typen weniger als 4 W.

• Bei den IRL-Typen habe ich zwei D-S-Strom-Werte angegeben. Der Wert in Klammern ist der vom
Hersteller für den Halbleiter angegebene Wert. Der Wert vor der Klammer ist der maximale
Dauerstrom, den das TO-220-Gehäuse verträgt. Die 75A sind also die reale Dauerstromgrenze.

• Tr+Tf ist ein Kennzeichen für die Schaltgeschwindigkeit des MOSFET

max.
Typ Spannung Strom Innenwiderstand LL Leistung Tr+Tf Gehäuse
Temp
200 150
BUZ11 50 V 30 A 30 mOhm nein 75 W TO-220
ns °C
115
SUP75N06-08 60 V 75 A 8 mOhm nein 250 W 175°C TO-220
ns
SUP75N06-07L 60 V 75 A 8..6 mOhm ja 250 W 65 ns 175°C TO-220
75 A
224
IRL1004 40 V (130 9..7 mOhm ja 200 W 175°C TO-220
ns
A)
75 A 218
IRL3705N 55 V 18..10 mOhm ja 170 W 175°C TO-220
(89 A) ns

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75
265
IRL3803 30 V (140 9..6 mOhm ja 200 W 175°C TO-220
ns
A)
SMP60N03-10L 30V 60 A 10..7 mOhm ja 105 W 70 ns 150°C TO-220

Ein IRL3803 kostet bei Nessel -Elektronik geradeeinmal 1,40 € (und ein BUZ11 nur 0,60 €). Solche Bauteile
sind also kein Luxus.
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Autor: sprut
erstellt: 07.07.2003
bearbeitet:16.12.2009

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