Sputter Technologien

Dr. Georg Strauss

MCT – Material Center Tyrol

Universität Innsbruck, Fakultät der technischen Wissenschaften
Institut für Konstruktion und Materialwissenschaften
Arbeitsbereich: Materialtechnologie
Technikerstr.13, 5.Stock, A-6020 Innsbruck
e: georg.strauss@uibk.ac.at
m: +43 664 255 4847

PhysTech Coating Technology GmbH

Knappenweg 34, A-6600 Pflach
e: strauss@phystech-coating.com
m: +43 664 255 4847

TP-1 03/2017 1
VDT-3 03-2017 1
 Überblick Sputter-Technologien

TP-1 03/2017 2
VDT-1 03-2017 2
 Prinzip Sputter-Technologien

Allgemeines:
 Das heute industriell gebräuchlichste Verfahren für die Herstellung von
dünnen Schichten ist das Sputter-Verfahren, das zur Gruppe der PVD-
Verfahren (PVD - engl.: Physical Vapor Deposition) zählt und auch
Kathodenzerstäubung genannt wird.
 Es ermöglicht die Abscheidung von Schichten definierter
Zusammensetzung, wobei sich das Verfahren durch eine sehr gute
Reproduzierbarkeit auszeichnet.
 In einer Vakuumkammer wird bei konstantem Gasdruck von ca. 10-2 bis
10-4 mbar durch eine Gleich- oder Hochfrequenzspannung zwischen zwei
Elektroden ein Plasma gezündet. Die vorwiegend im Kathodenfall
beschleunigten positiven Gasionen (meist Argonionen) können durch ihre
hohe kinetische Energie (ca. 1keV) beim Aufprall auf die Kathode Atome
aus deren Oberfläche herausschlagen.
 Während die Gasionen entsprechend dem vertikal gerichteten
elektrischen Feld senkrecht auf das Target prallen, ist die Energie der
gesputterten Atome gering (einige eV), und sie verlassen die
Targetoberfläche nach allen Richtungen, wobei z.B. eine Cosinus-
Winkelverteilung angenommen werden kann
TP-1 03/2017 3
VDT-1 03-2017 3
 Prinzip Sputter-Technologien

TP-1 03/2017 4
VDT-1 03-2017 4
 Prinzip Sputter-Technologien

TP-1 03/2017 5
VDT-1 03-2017 5
 Prinzip Sputter-Technologien

Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 6
VDT-1 03-2017 6
 Teilchenströme und Potenziale

Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 7
VDT-1 03-2017 7
 Stoßkaskaden

Stoßkaskaden:
 Energieabgabe an
Festkörperatome erzeugt in
einem gewissen Volumen
unterhalb der Targetoberfläche
weitere hochenergetische
Stoßprodukte.
  es kommt zur Ausbildung
einer Stoßkaskade.
 In der Stoßkaskade verteilt
sich die Primärenergie auf eine
große Anzahl von Atomen.

 Stoßkaskaden besitzen Abmessungen von einigen 10nm.

 Wird auf oberflächennahe Atome ausreichend Impuls (Energie) übertragen, so
können diese die Bindungsenergie überwinden und werden als zerstäubte
Teilchen emittiert.
 Etwa 99% der zerstäubten Teilchen sind neutral.
TP-1 03/2017 8
VDT-1 03-2017 8
 Berechnete Stoßkaskaden

TP-1 03/2017 9
VDT-1 03-2017 9
 Verlauf der Sputterausbeute

Sputterausbeute S:

 Schwellenenergie ES: ist die

Mindestenergie, um eine Stoßkaskade
zu erzeugen
 Typischer Wertebereich:
10eV < ES < 30eV
 Die Kennlinie zeigt einen steilen
Verlauf bis etwa 10keV der stoßenden
Teilchen (Ar).
 Für Stoßenergien mit E0 > 10keV
tritt ein langsamer Abfall der Stoßrate
ein. Der Grund dafür ist, dass die
stoßenden Ionen (Ar) immer tiefer in
den Festkörper (Targetmaterial) ES
eindringen.
 Bei der Ionen-Implantation kann Quelle: H. Frey, Vakuumbeschichtung 1, VDI Verlag, 1995
diese bewußt ausgenützt werden.

TP-1 03/2017 10
VDT-1 03-2017 10
 Energieverteilung der Sputterprodukte

Energieverteilung der
Epeak  U0/2
gesputterten Atome:

 Die Energieverteilung der

abgesputterten Atome ist:
E
N (E) 
E  U 0 3
 Sie hängt somit von der Ionenenergie
Ei ab, der wahrscheinlichste Wert liegt
bei

Epeak  U0/2

 U0 … Oberflächenbindungsenergie
 Ep … hängt nicht von der Ionen
(Projektil)-Energie Ei ab

TP-1 03/2017 11
VDT-1 03-2017 11
 Sputter-Yield

TP-1 03/2017 12
VDT-1 03-2017 12
 Sputter-Yield

Target Material Density (g/cc) Yield @ 600 ev Rate* (Å/sec) Target Material Density (g/cc) Yield @ 600 ev Rate* (Å/sec)
Ag 10.5 3.4 380 Pt 21.45 1.6 205
Al 2.7 1.2 170 Re 20.53 0.9 120
Au 19.31 2.8 320 Rh 12.4 1.5 190
Be 1.85 0.8 100 Ru 12.3 1.3 180
C 2.25 0.2 20 Si 2.33 0.5 80
Co 8.9 1.4 190 Ta 16.6 0.6 85
Cr 7.2 1.3 180 Th 11.7 0.7 85
Cu 8.92 2.3 320 Ti 4.5 0.6 80
Fe 7.86 1.3 180 U 19.05 1 155
Ge 5.35 1.2 160 V 5.96 0.7 85
Hf 13.31 0.8 110 W 19.35 0.6 80
Ir 22.42 1.2 135 Y 4.47 0.6 85
Mg 1.74 1.4 200 Zr 6.49 0.7 85
Mn 7.2 1.3 180
Mo 10.2 0.9 120
Nb 8.57 0.6 80
Ni 8.9 1.5 190
Os 22.48 0.9 120

TP-1 03/2017 13
VDT-1 03-2017 13
 Sputter-Prozesse

Energiebilanz beim Sputtern:

 Etwa 85% der eingespeisten elektrischen Energie werden in Wärme

umgesetzt.  Das Target muß also ausreichend gekühlt werden
(Wasserkühlung).
 Der Targetträger (Kathodenkörper) besteht üblicherweise aus Kupfer. Das
Target wird auf den Kathodenkörper gebondet (leitfähiges Lot – z.B. Ag oder
In haltiges Lot). Ein sehr guter und gleichmäßiger Wäremekontakt ist dabei
wichtig. Das sogenannte Targetbonden erfordert somit ein spezielles Know-
How, um lokale Überhitzungen zu vermeiden und stabile Prozesse zu
gewährleisten.

 Nur etwa 2% der eingespeisten elektrischen Energie werden in kinetische

Energie zerstäubter (gesputterter) Teilchen umgewandelt.
 Kathodenzerstäubung ist also ein Prozess mit extrem niedrigem
energetischen Wirkungsgrad.
 Der verbleibende Anteil der eingebrachten Energie wird hauptsächlich für die
Erzeugung von Sekundärelektronen aufgebracht.

TP-1 03/2017 14
VDT-1 03-2017 14
 RF Sputter Prozesse
RF-Sputtern (Radio
Frequency):

 Die Diodenzerstäubung mit

Gleichspannung erfordert
leitfähige Targets.
 Legt man eine Gleichspann-
ung an eine Kathode mit einem
isolieren-dem Target (z.B. SiO2,
TiO2), so können die positiven
Ladungen der auftreffenden
Ionen nicht durch Elektronen
aus der Spannungsversorgung
neutralisiert werden.
 Die Targetoberfläche lädt sich
positiv auf, weiterer Ionen-
beschuss wird unterdrückt. Die
Entladung kann nicht aufrecht
erhalten werden.
Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 15
VDT-1 03-2017 15
 RF Sputter Prozesse

Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 16
VDT-1 03-2017 16
 Magnetron Sputter Prozesse
Magnetron Sputtern:

 Um die Ionisierungsrate durch

die ausgetretenen Sekundär-
elektronen zu erhöhen, wird
beim Magnetronsputtern unter
dem Target ein starker Magnet
angebracht.
 In dessen Feld werden die
Elektronen auf Zykloiden-
bahnen gefangen und kreisen
nun über der Targetoberfläche.
 Durch die längere Verweilzeit
im Gas sorgen sie durch Stöße
für einen größere Ionisations-
wahrscheinlichkeit und damit Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013
für ein Zünden des Plasmas bei
Drücken, die um bis zu 100x
mal geringer sind als beim
konventionellen Sputtern.
TP-1 03/2017 17
VDT-1 03-2017 17
 Magnetron Sputter Prozesse

Magnetron Sputtern:

 Zum einen werden dadurch höhere

Raten realisiert, zum anderen
erfährt das abgesputterte Material
wegen des geringeren Druckes auf
dem Weg zum Substrat deutlich
weniger Stöße und besitzt eine
höhere kinetische Energie beim
Auftreffen auf das Substrat.
 Da die Elektronendichte und damit
die Zahl erzeugter Ionen dort am
höchsten ist, wo das B-Feld parallel
zur Targetoberfläche liegt, findet der
Sputterabtrag auf dem Target
unmittelbar im Bereich darunter
statt.
 Es bildet sich ein Erosionsgraben
aus, der der Form des Magnetfeldes
folgt.
TP-1 03/2017 18
VDT-1 03-2017 18
 Magnetron Sputter Prozesse

Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 19
VDT-1 03-2017 19
 Magnetron Sputter Prozesse
Magnetron Sputtern:

Ein wesentlicher Nachteil des

Racetrack Racetrack
planaren Magnetrons ist:

 Durch die inhomogene

Erosion können nur 25-35%
des zur Verfügung stehenden
Targetmaterials genutzt
werden.
 Die Erhöhung der Material-
ausnutzung ist nach wie vor
eines der wichtigsten Entwick-
lungsziele.
 Möglichkeiten zur Verbesser-
ung der Targetausnutzung
liegen im Bereich angepasster
Magnetsysteme oder auch
durch Verwendung von
Rohrtargets
TP-1 03/2017 20
VDT-1 03-2017 20
 Magnetron Sputter Prozesse
Möglichkeiten zur Steigerung der Targetausbeute:

Schematische Ansicht einer Targetoberfläche mit Race-

Track Bereich eines rotierenden zylindrischen Targets (a)
und eines planaren Targets (b).

TP-1 03/2017 21
VDT-1 03-2017 21
 Magnetron Sputter Prozesse
Möglichkeiten zur Steigerung der Targetausbeute:

a) Vergleich der Targetausnutzung einer Standardgeometrie und einer

„dog-bone“ Geometrie

b) Einbau von zusätzlichen Magnetsystemen für ein Doppel-Race-Track

Design
TP-1 03/2017 22
VDT-1 03-2017 22
 Magnetron Sputter Prozesse
Eigenschaften der Magnetron-Kathode:

 Das „Einfangen“ der Elektronen im Magnetfeld führt zu einer drastischen

Zunahme des Ionisierungsgrades (Plasmadichte) und damit zu einem
Absinken der Plasmaimpedanz.
 Typische Entladungsspannungen liegen im Bereich von 300V bis 800V. Für
Großkathoden (3750mm Länge) können Ströme bis 200A realisiert werden.
 Die Leistungsdichten am Target sind bis 40W/cm2 möglich.
 Der Betriebsdruck liegt üblicherweise um 5*10-3mbar, Drücke bis 8*10-
4mbar sind je nach Magnetfeldstärke und Konstruktion möglich.

 Gegenüber dem Diodensputtern erhöht sich die Depositionsrate um etwa

den Faktor 10.
 Die Temperaturbelastung des Substrates ist gering. Für Schichtdicken um
100nm sind 50°-70°C typisch. Damit können auch Kunststoffe (z.B. CD‘s,
Folien) beschichtet werden.
 Prinzipiell kann am Substrat eine Bias-Spannung von üblicherweise bis zu
±100V angelegt werden, um gezielt Ionen oder Elektronen auf das Substrat
zu beschleunigen oder vom Auftreffen auf das Substrat abzuhalten.
Die Targetgeometrie oder besser das Targetalter und die damit zunehmende
Tiefe des Erosionsgrabens beeinflussen die Hauptsputterrichtung und damit
die laterale Beschaffenheit der Filme
TP-1 03/2017 23
VDT-1 03-2017 23
 Magnetron Sputter Prozesse

Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 24
VDT-1 03-2017 24
 Magnetron Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 25
VDT-1 03-2017 25
 Magnetron Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 26
VDT-1 03-2017 26
 Magnetron Sputter Prozesse
Eigenschaften der Magnetron-Kathode:

 Der Sputterstrom bestimmt im wesentlichen die Rate des Depositions-

prozesses und damit die Zeit, die den auftreffenden Teilchen beim
Schichtwachstum zur Oberflächendiffusion und Anlagerung an bestehende
Wachstumskeime oder Keimbildung mit anderen Adatomen bleibt.
 Die anliegende Spannung bestimmt die max. Energie, mit der die abge-
sputterten Teilchen aus dem Target austreten können (- Bindungsenergie).
 Die Energie der abgetragenen Teilchen folgt einer breiten Verteilung mit
dem Maximum typischerweise zwischen 1eV und 10eV.
 Der Druck p im Rezipienten bestimmt für das abgesputterte Material die
mittlere freie Weglänge , die proportional zu 1/p ist.
 Zusammen mit dem Target-Substrat Abstand (TS) entscheidet der Druck
darüber, wie viele Stöße die Teilchen auf dem Weg zum Substrat erfahren und
entsprechend, wie groß ihre verbleibende kin. Energie bei der Deposition ist.
 Es lassen sich dadurch deutliche Unterschiede unter anderem in der
Porosität der Filme und der Mikrostruktur erreichen.
 Im Normalfall liegen Substrat und Targetoberfläche in zueinander parallelen
Ebenen. Eine Variation des Depositionswinkels läßt sich durch Verkippen des
Substrates erreichen. Dadurch ergeben sich eine neue Vorzugsrichtung beim
Schichtwachstum und eventuell anisotrope Filme.
TP-1 03/2017 27
VDT-1 03-2017 27
 Reaktive Sputter Prozesse
Reaktives Sputtern:

 Das Target liegt als (leitfähig)

chemisches Element vor.
 Moleküle der chemischen
Verbindung können gebildet
werden:
a) auf der Oberfläche des
Targets
b) auf der Oberfläche des
Substrates
c) auf den Kammerwänden

 Die Bildung von Verbindungs-

molekülen in der Gasphase ist
unwahrscheinlich 
Energieerhaltung: Zur Abfuhr
der Reaktionsenergie sind
Dreierstöße notwendig.

TP-1 03/2017 28
VDT-1 03-2017 28
 Reaktive Sputter Prozesse
Herstellung isolierender Dünnschichtsysteme auf große
Flächen mit konventionellen Prozessen:

RF-Magnetronsputtern (radio frequency): f=13,56MHz

 metallisches Target oder Verbindungstarget
 leitfäiges oder isolierendes Verbindungstarget
 sehr stabiler Prozess, auch für hochisolierende Schichten
 niedrige Beschichtungsraten
 hohe Kosten für Leistungsversorgung und Anpassung
 Probleme bei der Hochskalierung (Kathoden < 1m)

DC-Magnetronsputtern (direct current):

 metallisches (leitfähiges) Target notwendig
 reaktiver Prozess in Ar/O2 bzw. Ar/N2
 für großtechnische Anwendungen hinreichend wirtschaftliche Raten
 relative niedrige Kosten für die Leistungsversorgung
 keine Skalierungsprobleme
 Arbeitspunktstabilisierung kritisch – Hysterese
 ungenügende Langzeitstabilität – Arc‘s, verschwindende Anode

TP-1 03/2017 29
VDT-1 03-2017 29
 Reaktive Sputter Prozesse

Herstellung isolierender Dünnschichtsysteme auf große

Flächen mit konventionellen Prozessen:

Die reaktive Abscheidung von Verbindungsschichten wird beherrscht

durch:

 Zerstäubungsprozesse an der Targetoberfläche

 Getterprozesse auf der Targetoberfläche (Bildung von Verbindungsschichten
unter Bindung von Reaktivgasmolekülen)
 Getterprozesse auf dem Substrat und den Kammerwänden

Die zunehmende Bedeckung der Targetoberfläche mit

Verbindungsschichten bei steigendem Reaktivgas-Partialdruck hat
zwei wichtige Effekte zur Folge:

 die Sputterausbeute (Sputterrate) sinkt – Oxide und Nitride lassen sich im

allgemeinen schlechter sputtern als die reinen Metalle
 die Sekundärelektronenausbeute steigt, damit fällt die Plasmaimpedanz

TP-1 03/2017 30
VDT-1 03-2017 30
 Reaktive Sputter Prozesse

Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 31
VDT-1 03-2017 31
 Reaktive Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 32
VDT-1 03-2017 32
 Reaktive Sputter Prozesse

Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 33
VDT-1 03-2017 33
 Reaktive Sputter Prozesse

Quelle: K. Bewilogua, OTTI Fachforum –PVD und CVD Verfahren, 2013

TP-1 03/2017 34
VDT-1 03-2017 34
 Reaktive Sputter Prozesse

Deposition rates as a function of O2 sputter gas fraction for Nb2O5 films from
DC sputtering of Nb suboxide and Nb metal. Process windows yielding non-
absorbing films indicated as horizontal bars.
TP-1 03/2017 35
VDT-1 03-2017 35
 Reaktive Sputter Prozesse
Reaktives DC-Sputtern von isolierenden
Verbindungsschichten – die wesentlichen Problemstellungen

TP-1 03/2017 36
VDT-1 03-2017 36
 Gepulste Sputter Prozesse

Puls-Magnetron-Sputtern

Frequenzbereich: 10 – 100 kHz

 Herstellung isolierender Dünnschichtsysteme auf großen Flächen

 Lösung für die wesentlichen Probleme

 Verwendung von Doppelkathodenanordnungen

TP-1 03/2017 37
VDT-1 03-2017 37
 Gepulste Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 38
VDT-1 03-2017 38
 Gepulste Sputter Prozesse

Sputter targets, sputter source and schematic of the applied

pulses for DC pulsed mode.
TP-1 03/2017 39
VDT-1 03-2017 39
 Gepulste Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 40
VDT-1 03-2017 40
 Gepulste Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 41
VDT-1 03-2017 41
 Gepulste Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 42
VDT-1 03-2017 42
 Gepulste Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 43
VDT-1 03-2017 43
 Gepulste Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 44
VDT-1 03-2017 44
 Gepulste Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 45
VDT-1 03-2017 45
 Vergleich der Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 46
VDT-1 03-2017 46
 Vergleich der Sputter Prozesse

TP-1 03/2017 47
VDT-1 03-2017 47
 Prozessführung - Prozessregelung

TP-1 03/2017 48
VDT-1 03-2017 48
 Prozessführung - Prozessregelung

TP-1 03/2017 49
VDT-1 03-2017 49
 Prozessführung - Prozessregelung

TP-1 03/2017 50
VDT-1 03-2017 50
 Prozessführung - Prozessregelung

TP-1 03/2017 51
VDT-1 03-2017 51
 Anlagentechnik

TP-1 03/2017 52
VDT-1 03-2017 52
 Anlagentechnik

TP-1 03/2017 53
VDT-1 03-2017 53
 Anlagentechnik

TP-1 03/2017 54
VDT-1 03-2017 54
 Anlagentechnik

TP-1 03/2017 55
VDT-1 03-2017 55
 Anlagentechnik

TP-1 03/2017 56
VDT-1 03-2017 56