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Chemie

IIngenieur
Technik
DOI: IO.IOo2jcite.200900177 Verkrustung 11081

Untersuchung zu arteigenen
kristallinen Verkrustungen in einem
Kristallisationsprozess
Essa Abohamra und Joachim Ulrich*

Kristalline Verkrustungen stellen ein großes Problem in der Industrie und insbesondere
bei der industriellen Kristallisation dar. Sie verursachen Stillstandszeiten und Kosten. In
dieser Arbeit wird die Bildung von kristallinen Verkrustungen untersucht, wobei die Ver-
laustungen aus dem Material des gewünschten Produktes bestehen. Dabei wird die Wech·
selwirkung zwischen der Bildung kristalliner Verkrustungen einerseits und dem Wachstum
der anwesenden Produktkristalle andererseits untersucht

Schlagwörter: heterogene Keimbildung, Kaliumsulfat, Kühlfinger, sekundäre Keimbildung,


Verkrustung
Eingegangen: 14. Dezember 2009; revidiert: 21. januar 2010; akzeptiert: 03. März 2010

1 Einleitung führen. Eine heterogene Keimbildung stellt da-


bei den Startpunkt ftir eine Verkrustung dar,
Als Verkrustungen sollen hier feste Ablagerun- wobei die Keime zu einer Kristallschicht weiter
gen des produzierten Produktes bezeichnet wachsen.
werden, die in Apparaten ungewollt haften Zum besseren Verständnis der Entstehung
und wachsen. Dieses Phänomen lässt sich bei von laistallinen Verkrustungen werden Metho·
vielen technischen Prozessen beobachten und den der Schmelzkristallisation eingesetzt. Es
beruht auf Vorgängen der heterogenen Keim- gibt eine Reihe von Publikationen, in denen
bildung [1). Wenn z. B. die Temperatur der Be- die Kühlfingertechnik beschrieben wird, z. B.
hälterwände so weit sinkt, dass die Löslichkeit von Haasner [4J, Neumann [5J und Bierwirth
unterschritten wird, laistallisieren die Stoffe [6]. Dabei werden genau die Bedingungen ver-
an den Wanden aus und bilden die besagten mieden, die für einen Schmelzlaistallisations-
Verlaustungen [2J. Dadurch verschlechtert sich prozess der Art der Schichtkristallisation in
die Quantität und oft auch die Qualität des Hinblick auf Ausbeute und Zusammenset·
Produkts erheblich. Weiter kann es z. B. zu zung angestrebt werden und daher gut unter· Verkrustungen
Verstopfungen der Kristallisatorabflüße füh· sucht sind. Zur Vermeidung bzw. Reduzierung
lassen sich oft nur
ren, was schwerwiegende Auswirkungen hätte. von Verlaustungen ist die Optimierung des
Diese Verkrustungen lassen sich oft nur teil· Prozesses in der Gegenrichtung vorzuneh- teilweise und unter
weise und unter enorm hohen Aufwand wie- men; d. h. was gut ftir die Schichtkristallisation enorm hohen
der entfernen [3]. Die Reinigungsmaßnahmen ist, ist schlecht rur das Vermeiden von Ver- Aufwand wieder
sind zeit- und arbeitsintensiv, stellen aber aus krustungen und umgekehrt.
technischer und wirtschaftlicher Sicht eine uno Im Rahmen dieser Arbeit soll ennittelt entfernen.
bedingte Notwendigkeit dar. Die kristallinen werden, inwiefern der Verkrustungsprozess in
Verlaustungen lassen sich in zwei Arten unter k
einem Suspensionskristallisationsprozess ge-
teilen. Bei der ersten stellt die Verkrustung ein zielt beeinflusst werden kann. Daftir werden
Nebenprodukt dar und bei der zweiten ist die zur Simulation von Kältebmcken, an denen
Verkrustung das gewünschte Produkt, aber sich die kristallinen Verkrustungen bilden und
an unerwünschten Stellen. Die Ursache der zu einer Schicht wachsen, insgesamt sechs
laistallinen Verkrustungen liegt z. B. an soge- Kühlfinger unterschiedlicher Materialien bzw.
nannten Kältebrücken im Kristallisator. Diese Oberflächeneigensc4aften eingesetzt. Die an
KältebTÜcken können Glasfenster, Befesti· ihnen wachsenden Verkrustungen stellen da-
gungsstellen oder Schweißnähte im Kristalli- bei das unerwünschte Ergebnis des Prozesses
sator sein. Ist die Oberflächentemperatur dort dar. Als Einflussfaktoren wirken sowohl die
niedriger als für die Gleichgewichtsbedingung Temperatur der Lösung, die Oberflächentem-
des Systems vorgegeben, und kommen diese peratur der Kühlfinger als auch die zur Ver-
Stellen mit einer übersättigten Lösung in Kon· fügung stehenden Oberflächen der Kühlfinger.
takt, so kann dieser Zustand zu Verlaustungen Es wird untersucht, welcher Zusammenhang

Chemie Ingenieur Technik 2010,82, No. 7 © 2010 Wiley·VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim www.dt-journal.de
10821 Forschungsarbeiten E. Abohamra, J, Ulrich

zwischen Verkrustung, Material sowie Be- 2.2 Oberflächentemperatur


schaffenheit der Kühlfingeroberflächen exis· der Kühlfinger
tiert. Weiterhin soll der Einfluss der entstehen-
den Verkrustungen auf das Wachstum der Zur einheitlichen Bewertung der im Hauptver-
Produktkristalle geprüft werden. Ziel soll es such gemessenen Werte sind gleiche Bedingun-
Ziel soll es sein, sein, einerseits die Verlaustungen zu mini- gen fiir die unterschiedlichen Versuchsreihen
einerseits die Ver- mieren und andererseits eine möglichst hohe zu gewährleisten. Die Oberflächentemperatur
Produktausbeute anzustreben. Als Modell~ aller Kühlfmger (s. Abb. 1) sollte deshalb bei
krustungen zu mini- substanz wurde Kaliumsulfat und Wasser ge· einer einheitlichen Temperatur liegen. Auf..
mieren und anderer- wählt. grund der verschiedenen, eingesetzten Mate·
seits eine möglichst rialien lagen unterschiedliche Warmeleitfahig.
keiten vor, weshalb vorab Untersuchungen
hohe Produktaus- 2 Experimenteller Teil durchgefiihrt werden mussten, um die einzu-
beute anzustreben. stellenden Parameter für die gewählte Oberflä-
2.1 Messungen der Oberflächenrauheit chentemperatur von 17 ce zu ermitteln.
. Zur exakten Bestimmung der Oberflächen-
Zur Bestimmung der Oberflächenrauheit temperatur wird ein Temperaturfuhler auf der
unterschiedlicher Materialien bedient man Oberfläche der Kühlfinger angebracht. Bei
sich im Allg~meinen eines Perthometers. Für dem Teflon-Kühlfinger wurde als Alternative
die folgenden Untersuchungen wurde ein zu der Silikonfixierung eine Fixierung auf der
Perthometer des Typs S3P der Finna Mahr ein- Oberfläche durch Drähte gewählt, da es keine
gesetzt, welches mit dem sogenannten Tast· ausreichende Haftung durch das Silikon gab.
schnittverfahren arbeitet. Als wichtigster Wert
zur Charakterisierung der Oberflächenrauheit
wird allerdings lediglich der MittenrauheHs· 2.3 Benetzbarkeit
wert RA herangezogen.
Die Benetzbarkeit wird durch die Messungen
der Kontaktwinkel der gesättigten Kaliumsul·
fatlösung bei 28 ce auf den unterschiedlichen
.J1 Oberflächen der einzelnen KüWfinger bei
Raumtemperatur von 21 cc bestimmt. In die-

-
sem Fall bedient man sich der DSA-Methode

~
8 lr-- 6
/;';;T
211/';
~~
lr (Drop-Shape-Analysis), welche die Kontur
eines Tropfens optisch analysiert und auswer-

L-
I l
§J tet. Die Durchmesser der einzelnen Kühlfin-
ger, die Rauheiten sowie die Kontaktwinkel
sind der Tab. 1 zu entnehmen. Die RaubeHen

10 ® 5 und die Kontaktwinkel sind Mittelwerte aus je-


weils fünf Messungen. In Abb. 2 sind Kalium-
sulfat-Lösungstropfen auf vier Kühlfingern
Abbildung 1. Apparativer Aufbau mit Impfkristallen und Kühl- dargestellt.
finger, (1) Lösung, (2) Kühlfinger, (3) und (4) Thermostaten, (5)
Rührer, (6) K2S04-lmpfkristalle.

2.4 Versuchsaufbau und Versuchs-


durchführung
Emaille 0 =28" Glase = 41"

.....
Stahl 1 e =97 0
Der Versuchsaufbau ist in Abb. 1 schematisch
dargestellt. Er besteht aus einem doppelwandi-
gen 100mL Glasbecher, dessen Inhalt über
einen Thermostat temperiert wird, und dem
ebenfalls temperaturkontrollierten Kühlfinger,
auf dem die heterogene Keimbildung und das
Wachstum der Verkrustung stattfinden soll.
Zu Beginn des Versuches wird die gesättigte
Lösung, bestehend aus 52 g destilliertem Was-
ser und 6,36 g Kaliumsulfat, in das Glasgefaß
gegeben. Dieses Verhältnis entspricht einer
bei 28 ce gesättigten Lösung. Die gesättigte Lö-
Abbildung 2. Kallumsulfat-Lösungstropfen auf unter-
schiedlichen Kühlfingern zur Bestimmung der Benetzbar- sung wird auf 40 ce erwärmt und der Kühl·
kelt. finger auf die gewünschte Temperatur gekühlt.

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Anschließend werden die Lösungen auf die Tabelle 1. Eigenschaften der Kühlfinger und Kontaktwinkel zur gesättigten Lösung.
Lösungstemperaturen in den metastabilen Be-
Stahl ange- Stahl Stahl
reichen gekühlt. Sind die Temperaturen er- schliffen poliert geätzt Emaille Glas Teflon
reicht, wird der Rührer entfernt, jeweils 2,0 g
Kaliumsulfat werden als Impfkristalle zugege- Bezeichnung Stahl 1 Stahl 2 Stahl 3 Emaille Glas Teflon
ben und der Kühlfinger wird 5,4 cm tief in die Durchrnesser
[mmJ 20,0 20,0 20,0 22,0 18,0 24,0
Lösung getaucht. Nach 2 h wird der Kühlfinger
aus der Lösung genommen und die darauf ge- Rauheit
bildeten Verkrustungen werden gewogen. Par- 4,99 0,67 3,79 0,04 0,01 0,37
IfllIlJ
allel wird die Lösung filtriert und die gewach- Kontaktwinkel 0
senen Irnpfkristalle werden getrocknet. I"J 85,15 94,2 94,6 32,5 39,9 105,7

3 Ergebnisse und Diskussion 0.35

[n Abb. 3 sind die auf dem Kühlfinger gebilde- D,3D ~.

~~
ten Verkrustungen gegen die Lösungstempera-

";;;'
tur aufgetragen. Es ist der Abbildung zu ent·
:§! 0,25
nehmen, dass es eine klare Tendenz der
.!,.~;\
. _... --_.~- - . - Stahl1
Verkrustungsmasse in Abhängigkeit von der $ -<o-StahI2
~ 0,20
Lösungstemperatur, d. h. mit einem Tempera-
ij ..,/
~ ...-----1) --I, ... Stahl3
tunmterschied zu den Gleichgewichtsbedin-
gungen, gibt. Hierbei handelt es sich um die
§'" D,1S f_'--"'- ~~ - v - Teflon
m ~ Glas
-~- Emaille
-c2 0,10
Verlaustung, die sich am Kühlfinger gebildet Q
hat und bis zum Ende des Versuches haften
~

---
geblieben ist, während im Kristallisator die
O,D5
Saatkristalle wachsen. Bei allen Kühlfingerar-
ten nehmen die Verkrustungen mit steigender ----.,~
Lösungstemperatur, d. h. kleinere übersätti- C,Cl
Temper~tur der Löf8ng ["CI
« <0

gung aber größere Temperaturdifferenz zwi-


schen der Lösung und dem Kühlfinger, zu. Je
rauer ein Kühlfinger ist, desto mehr Verlaus-
-lI .. -, ..:! C

Unlerkühltmg ["Cl
tungen bilden sich an den Metallkühlfingern.
Im Vergleich zu den NichtmetallküWfingern
sind die drei Stahlkühlfinger deutlich stärker Abbildung 3. Die Verkrustungen auf den Kühlfingern bei einer Oberflä-
chentemperatur von 17 oe und einer Sättigungstemperatur 28 oe in Anwe-
verkrustet. Allerdings ist in diesem Zusam- senheit von Saatkristallen.
menhang zu erwähnen, dass sich diese Aus-
sage lediglich auf die erhaltene Verlaus-
tungsmasse bezieht. Eine Aussage zu den taUe als Verkrustung gewachsen. Die Kristalle Bei allen Kühlfinger-
entsprechenden Haftlaäften findet nicht statt. bilden sich an Stellen, wo die Oberfläche rauer arten nehmen die
Beim Entfernen der Verkrustungen wurde als der Rest der Oberfläche ist, während ande-
eine Besonderheit festgestellt. Die Verkrustun- re Kristalle an glatten Stellen offenbar nicht Verkrustungen mit
gen am Teflonkühlfinger konnten mit sehr ge- haften bleiben. steigender Lösungs-
ringen Kräften entfernt werden. Am Glasleühl- In Abb. 4 wird dargestellt, wie stark der temperatur zu,
finger, sowie den Metallkühlfmgern hingegen, Wachstum der Impfkristalle bei den verschie-
musste viel mehr Kraft zum Entfernen der denen Kühlfingerarten und Lösungstempera-
Verkmstung aufgewendet werden. Am schwie· turen bei einer Oberflächentemperatur von
rigsten waren die Krusten von den Metallkühl- 17 oe ist. So nimmt bei jedem der eingesetzten Die höchsten Aus-
fingern zu entfernen. Da die Versuche nur in Kühlfinger das Kristallwachstum der Impfkris- beuten lassen sich
einer ruhenden Lösung durchgeftihrt wurden, taUe mit erhöhter Temperatur der Lösung ab.
ist zu vermuten, dass eine erzwungene Strö- Da die Oberflächentemperatur der Kühlfinger
dann erreichen.
mung die Verlaustungen beeinflusst hätte. Es über alle Versuche konstant gehalten wird, wenn in der Lösung
konnte außerdem festgestellt werden, dass während die Lösungstemperatur gesenkt wird, ein Glaskühlfinger
die Verkrustungen an den Kühlfingern nach erhöht sich natürlich die Temperaturdifferenz
oder ein emaillierter
unterschiedlichen Mustern wachsen. So ist die zwischen der Lösungstemperatur und den
Verkmstungsschicht an den Stahlkühlfingern Gleichgewichtsbedingungen und somit auch Kühlfinger genutzt
im Vergleich zu den anderen Kühlfingern sehr die Triebkraft zum Wachstum der Impfkris- wird,
gleichmäßig und häufig ähnlich zu deren taUe. Den Werten zufolge lassen sich die
Oberflächenstruktur entstanden. Bei Glas und höchsten Ausbeuten dann erreichen, wenn in
Teflon waren hingegen nur vereinzelte Kris- der Lösung ein Glaskühlfinger oder ein email-

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10841 Forschungsarbeiten E. Abohamra, ), Ulrich

Die Verkrustung kann auf einem niedrigen


Niveau gehalten und daher die Arbeitszeit des
a,'l:I- Kristallisators verlängert werden. Ebenfalls
kann der Kristallisator, ohne negative Auswir-
kungen auf die Produktqualität, bei einem
hohen Übersättigungsniveau betrieben wer-
den. Bei einem hohen Übersättigungsniveau
ist das Kristallwachstum so dominant, dass die
Verlaustung deutlich langsamer abläuft.
Über den Zusammenhang zwischen der
Benetzbarkeit und der Verkrustungsbildung
kann keine quantitative sondern nur eine qua-
litative Aussage erzielt werden. Mit Ausnahme
12,112
des Teflonkühlfingers zeigen die Kühlfinger,

.0

.
.... ..
O,Os+--,--..,--...---.--.-...-~--,--~--1
'B JO
••
..,
Temperatur der Lösung [lle}
die eine höhere Benetzbarkeit (ldeiner Kon-
taktwinkel) besitzen, weniger Verkrustungen
auf als die anderen Kühlfinger.
,
-I
, 0
, •,
Unterkühlung ["Cl

Abbildung 4. Das Wachstum der Impfkristalle bei einer Oberflächeritempe-


ratur von 17 ce und einer Sättigungstemperatur von 28 oe.

Herter Kühlfinger genutzt wird. Bei Einsatz


eines Stahl· oder Teflonkühlfingers ist das
Wachstum bei höherer Läsungstemperatur DipI.-Ing. E. Abohamra,
deutlich geringer. Mit sinkender Läsungstem· Prof. Dr.-Ing. Dr. h. c. J. Ulrich
perahu nähert sich das Wachstum in Anwe- {joachim.ulrich@iw.uni-halle.deJ,
senheit des Glaskühlfingers bzw. des emaillier- Martin-Luther-Uni/,lBrsität Halle- Wittenberg,
ten Kühlfingers aber an die Ergebnisse der Zentrum}Ur !ngenieunvissenschaften,
anderen Kühlfinger an. Verfthrenstechnik /TVT, Hoher Weg 7,
D-06099 Halle, Deutschland.

4 Schlussfolgerung
I Literatur
Mit Hilfe der Kühlfingertechnik ist es möglich,
die heterogene Keimbildung sowie das Ver- [1] L. M.Förster, Dissertation, Technische Universi·
tät Braunschweig, 2001-
krustungswachstum in Kristallisationsanlagen
[2J S. Weiß, K. E. Militzer, K. Gramlich, Thermische
nachzustellen. Der Einfluss des Oberflächen-
Verfahrenstechnik, Deutscher Verlag ftir Grund·
materials, der ~beschaffenheit sowie der Über- stoffindustrie, Leipzig 1993.
sättigung auf den Start und das Wachstum der [3] S. Schuldei, Schmelzkristallisation in Apparaten
Krusten kann beobachtet und qualifiziert wer- der Lösungskristallisation, Shaker Verlag, Aachen
den. 2000.
Zum Verhindern bzw. Reduzieren von Ver- [4] T. Haasner, Beeitiflussung der Keimbildung in der
krustungen und gleichzeitigem Erhöhen der Schichtkristallisation durch gezielte Obeiflächen-
Quantität des Produktes ist es vorteilhaft, den modifikation, VDI Verlag, Düsseldorf2002.
Kristallisator mit Emaille oder Glas auszuklei- [5] M. Neumann, Vergleich statischer und dynami-
den. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, scher Schichtkristallisation und das Rein.igungs-
potential der Dijfitsionswäsche, Papierflieger,
nicht die gesamte innere Oberfläche zu be-
Clausthal-Zellerfeld 1996.
schichten, sondern nur den Bereich im Kristal-
[6] J. Bierwirth, Zur Trennwirkungvon Schichtkris·
lisator, der für eine heterogene Keimbildung tallisatioltsprozessen, Shaker Verlag, Aachen
anfallig ist. 1998.

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