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Universitat Leipzig, Fakultt fur Physik und Geowissenschaften a Abteilung Nukleare Festkrperphysik o

Bestimmung der Prozessparameter fur die Herstellung von Mikrostrukturen in Zinkoxid mittels Protonenstrahlschreiben

Bachelor-Arbeit

vorgelegt von Jan Lehnert

Erstgutachter: Dr. rer. nat. Daniel Spemann Zweitgutachter: Prof. Dr. Michael Lorenz

Leipzig, den 1. September 2011

Inhaltsverzeichnis
Zusammenfassung der Ergebnisse Einleitung 1 Experimentelle Techniken 1.1 Das LIPSION-Labor . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 Der Beschleuniger . . . . . . . . . . . . . . 1.1.2 Strahlfhrung . . . . . . . . . . . . . . . . u 1.1.3 Die Ionennanosonde . . . . . . . . . . . . 1.2 Bestrahlung der Zinkoxid-Proben . . . . . . . . . 1.2.1 Einuss der Strahlung auf die Proben . . . 1.2.2 Experimentelles Vorgehen . . . . . . . . . 1.3 Elektrochemisches Atzen . . . . . . . . . . . . . . 1.3.1 Der Prozess des elektrochemischen Atzens 1.3.2 Experimentelles Vorgehen . . . . . . . . . 1.4 Charakterisierung der erzeugten Strukturen . . . 5 7 9 9 9 11 12 13 13 15 17 18 20 21 23 23 24 26 39 41 46 47 49 55 57 59

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2 Strukturerzeugung in Zinkoxid 2.1 Bestimmung der optimalen Prozessparameter . . . . . 2.1.1 Gegenberstellung der beiden Atzmedien . . . . u 2.1.2 Vergleich der Zinkoxid-Proben zweier Hersteller 2.1.3 Zusammenfassung . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Mikrostrukturerzeugung . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1 Zusammenfassung . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Ausblick Literaturverzeichnis Danksagung Selbststndigkeitserklrung a a Erklrung fur die Bibliothek a

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Zusammenfassung der Ergebnisse


Im Laufe der Arbeit wurden die optimalen Prozessparameter fr die Struku turerzeugung mittels der Methode des Protonenstrahlschreibens1 an dem Halbleitermaterial Zinkoxid ermittelt. Dabei wurden ZnO-Einkristalle von zwei verschiedenen Herstellern (Institut f r Kristallz chtung Beru u lin und CrysTec GmbH) mit verschiedenen Fluenzen zwischen 6,2 1015 Protonen/cm2 (10 pC/m2 ) und 5,0 1018 Protonen/cm2 (8000 pC/m2 ) getestet. Als die beste Bestrahlungsuenz fr homogene, also gleichmig u a bestrahlte Flchen stellten sich 6,2 1016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) hera aus. Bei dieser bleibt die Originaloberche der Probe nach dem elektroa chemischen Atzprozess erhalten und der Zeitaufwand fr die Erzeugung von u Strukturen ist moderat. Weiterhin zeigte sich bei geringen Fluenzen zwischen 6,21015 Protonen/cm2 (10 pC/m2 ) und 6,21016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) eine Fluenzabhngigkeit der Strukturhhe. Damit kann auch grayscale proton a o beam writing, d.h. die Herstellung verschieden hoher Strukturen durch Variation der Fluenz whrend der Bestrahlung, angewandt werden. a Fr den elektrochemischen Atzprozess, der sich an die Bestrahlung u der Proben anschliet, erwies sich eine 0,1-molare ZnCl2 -Lsung und eine o Atzspannung von 9,2 V fr die Strukturerzeugung als am besten geeignet. Die u gemessenen Strukturhhen stimmten gut mit denen aus den Faradayschen Geo setzen berechneten uberein, wodurch also eine Vorhersage der Strukturhhe o nach einer bestimmten Atzzeit mglich ist. o Bei geschlossenen, aber im Inneren unbestrahlten Strukturen (Kreise etc.), kam es wie auch bei anderen Halbleitermaterialien zu dem Eekt der redu zierten Atzrate. Dieser war u.a. von der Gre der Struktur, aber vor allem o
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engl. proton beam writing, im Laufe der Arbeit als PBW bezeichnet

Zusammenfassung der Ergebnisse

von der Anzahl der freien Ladungstrger in der Probe, abhngig. Ab einer a a 17 3 Ladungstrgerkonzentration von 7,3 10 cm ist es mglich, geschlossene a o Kreisstrukturen mit Durchmessern von 30 m ohne das Auftreten einer redu zierten Atzrate im Inneren der Struktur zu erzeugen. Als minimalen Abstand, bei denen sich die Strukturen noch komplett getrennt ausbildeten, wurden 5,5 m ermittelt. Bei kleineren Abstnden waren a sie an der Basis verbunden. Mithilfe der ermittelten Parameter war es dann mglich, gezielte Mio krostrukturen, wie die Grundstruktur eines Mikroresonator in Zinkoxid oder freitragende Strukturen, zu erzeugen. Allgemein festzustellen war jedoch ein Auftreten des rein chemischen Atzprozesses, der sich negativ in Form von Atzgruben und Terrassenbildung auf die Strukturqualitt auswirkte. Die Erzeugung von Strukturen mit hohem a Aspektverhltnis (z.B. hoher aber sehr dnner Sulen) war dadurch ebenfalls a u a nicht mglich. Weiterhin zeigten die hier verwendeten Proben, selbst wenn sie o von dem gleichen Hersteller stammten, ein unterschiedliches Verhalten bei der Strukturierung, wodurch die Optimierung der Parameter erschwert wurde.

Einleitung
In der heutigen Zeit hat die Erzeugung und Verarbeitung von Strukturen im Mikro- und Nanometerbereich erheblich an Bedeutung gewonnen. Beispielsweise werden aktuell in der Halbleiterindustrie Strukturen in Bereichen unter 45 nm angefertigt [1,2]. Auch in der optischen Industrie erfolgt die Herstellung von Gittern, welche dann in der Spektroskopie oder als Strahlteiler in der Laserindustrie Verwendung nden, im Submikrometer- bzw. Nanometer-Bereich. Eine weitere Anwendung der Strukturerzeugung in diesem Grenbereich no det sich auch in der Mikrouidik und dem damit verbundenen lab on a chip, womit zum Beispiel Kapillarelektrophorese mglich ist [3]. o Es gibt verschiedene Arten der Erzeugung von Strukturen in Materialien. Die UV-Lithograe, die Rntgen-Lithograe und das Elektronenstrahlschreio ben sollen noch als Beispiele genannt werden [4, 5]. Eine seit Mitte der neunziger Jahre entwickelte Art der Mikrostrukturierung ist das sogenannte Protonenstrahlschreiben [6]. Dies ist eine direkte und maskenlose Methode fr die Herstellung von Mikrostrukturen in verschiedenen u Materialien [7]. Auf die Herstellung von Masken mit Strukturen im Mikrometerbereich kann somit verzichtet werden. Weiterhin ist man mit einer Maske an feste Strukturen gebunden. Beim PBW kann man dagegen mit wenig Aufwand die Struktur den Wnschen entsprechend anpassen. u Die Methode des PBW besteht prinzipiell aus folgenden Schritten [8]: Im ersten Schritt wird die Probe mit hochenergetischen Teilchen (hier Protonen, Wasserstomoleklionen bzw. Heliumionen) beschossen. Im zweiten Schritt u wird sie in einem Entwicklungsprozess, bei dem es sich meist um einen chemi schen bzw. elektrochemischen Atzprozess handelt, entwickelt. Es gibt eine Vielzahl von Experimenten mit dieser Methode an verschiedenen Materialien, von denen hier stellvertretend einige genannt werden sollen. Besonders hervorzuheben sind so genannte Resiste. Dies sind Kunststoverbindungen, welche aus Moleklketten bestehen [9], die dann unter Ionenbeu 7

Einleitung

schuss aufgespalten (positiver Resist) oder vernetzt (negativer Resist) werden [8]. M.B.H. Breese et al. schrieben mittels PBW verschieden lange Kanle in PMMA-Fotolack [10]. Van Kan et al. zeigten, dass in positiven a PMMA- sowie negativen SU-8-Resisten dreidimensionale Strukturen erzeugt werden knnen [11]. Von der Universitt Singapur gibt es seit 1997 zahlreio a che Verentlichungen, in denen PBW als Methode zur Erzeugung von Mio krostrukturen in Resisten und Halbleitermaterialien wie Silizium verwendet wurde [12, 13]. Direkte Anwendung ndet die Methode auch fr die Herstelu lung von Waveguides und Gittern in Resisten [14]. Im Zuge einer Dissertation wurde die Methode des PBW durch Frank Menzel an der Universitt Leipzig eingefhrt [8]. Experimente an Resisten, sowie a u an Halbleitermaterialien wie Si, GaAs und auch InP sind dort ausfhrlich u beschrieben. Auerdem enthlt sie eine neue Art der maskengesttzten Hera u stellung von vergrabenen Strukturen mittels PBW in Fotolacken. Eine weitere Anwendung der Methode des PBW ndet sich auch in der Diplomarbeit von Ronald Werner, der Petrischalen fr kontrolliertes Zellwachstum strukturieru te [15]. In der vorliegenden Arbeit soll PBW auf das Halbleitermaterial Zinkoxid angewandt werden. Erste Untersuchungen zeigten, dass es zur Mikrostrukturierung mithilfe dieser Methode verwendet werden kann, wie die Ergebnisse von Experimenten an anderen Halbleitermaterialien bereits vermuten lieen. Ziel dabei ist, die Prozessparameter fr eine optimale Strukturqualitt zu beu a stimmen und diese fr die Erzeugung von Mikrostrukturen anzuwenden. u

Kapitel 1 Experimentelle Techniken


Im folgenden Kapitel wird auf die experimentellen Techniken eingegangen. Dabei wird zunchst das LIPSION-Labor vorgestellt. Im Anschluss wird der a Prozess der Bestrahlung der Proben erklrt, welcher die Fokussierung des Ioa nenstrahls sowie die experimentelle Fluenzbestimmung1 beinhaltet. Am Ende werden der elektrochemische Atzprozess, welcher sich an die Bestrahlung anschliet und die experimentelle Durchfhrung erlutert. u a Sehr ausfhrlich wird das LIPSION-Labor in der Dissertation von Daniel u Spemann [16] beschrieben.

1.1

Das LIPSION-Labor

Das LIPSION-Labor besteht aus einem 3,5 MV SingletronTM - Ionenbeschleuniger, einer RBS2 /PIXE3 /Channeling-Messkammer sowie der Ionennanosonde, die fr ortsaufgelste Ionenstrahlanalyse und -modikation genutzt u o wird [17, 18]. Der Aufbau der Anlage ist in Abbildung 1.1 dargestellt. Der Beschleuniger und die einzelnen Messpltze werden im Folgenden beschrieben. a

1.1.1

Der Beschleuniger

Der im Labor zum Einsatz kommende 3,5 MV SingletronTM - Ionenbeschleuniger [20] ist ein elektrostatischer Linearbeschleuniger der Firma High Voltage
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Fluenz bezeichnet die Anzahl der Teilchen pro Flche a RBS - Rutherford Backscattering Spectrometry 3 PIXE - Particle Induced X-ray Emission
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KAPITEL 1. EXPERIMENTELLE TECHNIKEN

Abb. 1.1: Aufbau des Lipsion-Labors. (aus [19])

Engineering Europe B. V. (HVEE) aus den Niederlanden. Die elektrisch geladenen Teilchen werden also entlang einer Geraden durch ein elektrisches Feld beschleunigt. Am Ende der Beschleunigungsstrecke besitzen sie somit die kinetische Energie EKin = q U, (1.1)

wobei q die Ladung der Teilchen und U die Beschleunigungsspannung bezeichnen. Die Hochspannungserzeugung erfolgt hnlich dem Prinzip von J.D. Cocka croft und E.T.S. Walton [21]. Dazu wird Energie in Form einer Wechselspannung in einen Schwingkreis geleitet. Dieser besteht aus einer Spule und zwei Dynodenblechen, welche sich gegenberliegend, einen Zylinder bilu den. Durch eine Reihe von Koronaringen, die zwischen den Dynodenblechen platziert sind, wird die Eingangsspannung kapazitiv in die Diodenkaskade eingespeist. Diese Kaskade vervielfacht dann die Eingangsspannung und stellt eine Gleichrichtung her. Auf eine detaillierte Darstellung der darauf folgenden Spannungsstabilisierung mittels Regelkreisen soll hier verzichtet werden, da dies fr das weitere Verstndnis der Arbeit nicht notwendig ist. Stattdessen u a wird auf die Arbeiten [8, 16] verwiesen.

1.1. DAS LIPSION-LABOR

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1.1.2

Strahlfuhrung

Nachdem die Ionen bzw. Protonen beschleunigt wurden, treten sie aus dem Beschleunigertank aus und durchlaufen zwei, jeweils paarweise angebrachte Metallplatten. Diese dienen zur Justierung des Strahls, indem sie durch eine angelegte Spannung ein elektrisches Feld generieren, das jeweils senkrecht zur Strahlrichtung steht. Im Anschluss durchluft der Ionenstrahl den so genanna ten Schaltmagneten (vgl. Abbildung 1.1). Dieser dient dazu, die Teilchen zu den jeweiligen Messpltzen (z.B. in die RBS/PIXE-Kammer) zu lenken. Dies a geschieht auf die folgende Art und Weise: Durch das in dem Schaltmagnet vorhandene Magnetfeld B wirkt die sogenannte Lorentzkraft FL = q (E + v B) (1.2)

auf die Teilchen. Elektrische Felder sind im Schaltmagnet nicht vorhanden und das Magnetfeld steht senkrecht auf der Teilchengeschwindigkeit. Somit ergibt sich fr den Kraftausdruck u FL = q v B. (1.3)

Diese Kraft lenkt den Strahl auf eine Kreisbahn, da sie zu jeder Zeit senkrecht zur Geschwindigkeit der Teilchen steht. Sie wirkt somit als Zentripetalkraft, fr welche u FRad = m v2 r (1.4)

gilt. Gleichsetzen der beiden Krfte und Einsetzen der Beziehung4 a v= fhrt zu u 2mEKin r= qB (1.6) 2mEKin m (1.5)

Somit knnen durch das Einstellen eines bestimmten Magnetfeldes Teilchen o nach ihren Massen bzw. Ladungen geltert werden. An der RBS/PIXEDie Protonen haben bei 2,25 MeV eine Geschwindigkeit von v = 0,07 c, was den nichtrelativistischen Ansatz rechtfertigt.
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KAPITEL 1. EXPERIMENTELLE TECHNIKEN

Kammer kommen somit nur die Teilchen an, welche fr die Messung gewnscht u u sind. Wird kein Magnetfeld eingestellt, gelangen die Teilchen ohne Ablenkung in den 90-Grad-Magneten, welcher die Teilchen auf die gleiche Weise wie der Schaltmagnet ltert und dann zur Nanosonde weiterleitet.

1.1.3

Die Ionennanosonde

Nachdem der Teilchenstrahl den 90-Grad-Magneten, welcher die Teilchen analog wie der Schaltmagnet selektiert, passiert hat, gelangt er in die Ionennanosonde (vgl. Abbildung 1.1). Da in dieser Arbeit ausschlielich an der Nanosonde gemessen wurde, soll diese ausfhrlicher erlutert werden. u a Mittels Ionenoptik der Sonde wird der Strahl elektromagnetisch fokussiert und kann somit uber die Probe gescannt werden. Dadurch ist es mglich, beo stimmte Positionen auf der Probe zu bestrahlen. Die Sonde wurde am Microanalytical Research Centre (MARC) der Universitt Melbourne entwickelt und a besteht aus der Objektblende und der Aperturblende, vier magnetischen Quadrupollinsen, einem um 45 gedrehten Quadrupol, einer elektromagnetischen Rastereinheit und der Probenkammer [8]. Der Strahl durchluft nach dem 90-Grad-Magneten die Objekt- und Apera turblende. Fr erstere stehen Blendendurchmesser von 5, 10, 20, 30, 50, 100, 200 u und 300 m und fr letztere 10, 20, 50, 100, 150, 200, 300 und 500 m zur u Verfgung [8, 18]. Die Objektblende dient dabei der Einstellung des Strahlu durchmessers, die Aperturblende der Kollimierung. Hinter den Objektblenden sind zustzlich Mikroschlitze installiert, mit deren Hilfe eine kontinuierliche a Variation des Strahldurchmessers mglich ist. o Weiterhin ist direkt nach dem 90-Grad-Magneten eine schnelle Strahlab schaltung installiert. Sie besteht aus einem Paar von Ablenkplatten, an die eine Spannung von 250 V [16] angelegt werden kann. Dadurch wird der Strahl soweit abgelenkt, dass er nicht in die Nanosonde eindringen kann. Nach dem Passieren beider Blenden gelangt der Strahl in die bereits erwhnten Quadrupollinsen, die ihn fokussieren. Der Verkleinerungsfaktor bea trgt dabei in x- und y-Richtung Dx,y = 130. Danach wird der fokussierte a Strahl in die Rastereinheit gefhrt, mit der eine Rasterung des Strahls uber u die Probe erfolgen kann. Dafr lenkt sie den Strahl horizontal und vertikal zur u Ausbreitungsrichtung ab. Die Rastereinheit wird uber einen Transkonduktanzverstrker Murray Ama

1.2. BESTRAHLUNG DER ZINKOXID-PROBEN

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pliers MA 534 angesteuert [16]. Dieser erzeugt den zur Ablenkung bentigten o Strom in den Scanspulen. Fr diese stehen verschiedene Windungszahlen u (1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128 und 256) zur Verfgung. Da die Kraft, welche die Teilu chen ablenkt, von der magnetischen Feldstrke, und somit von den Windungsa zahlen abhngt, kann durch die Wahl der Scanspulen die Scanfeldgre beeina o usst werden. Eine Windung entspricht dabei einer Auslenkung von 6,25 m 5 fr Protonen mit einer Energie von 2,25 MeV. u Am Ende des Strahlwegs steht die Probenkammer. Im Jahr 2007 wurde die ursprngliche Messkammer durch eine in der Abteilung eigens entwickelte u Kammer ersetzt [8]. Die neue Kammer besteht aus dem Probenhalter, einem Rntgen-, RBS- und STIM6 - Detektor, zwei Mikroskopen und einem Faradayo becher. Letzterer dient der Strahlstrommessung whrend bzw. zwischen den a Messungen.

1.2

Bestrahlung der Zinkoxid-Proben

In diesem Abschnitt soll auf die Bestrahlung der Proben eingegangen werden. Hierbei wird zunchst die Beeinussung der Probe durch den Ionenstrahl sowie a das experimentelle Vorgehen beschrieben. Im Anschluss erfolgt die Erluterung a des elektrochemischen Atzprozesses und die Beschreibung der dafr erforderu lichen experimentellen Anordnung.

1.2.1

Einuss der Strahlung auf die Proben

Durch den Ionenstrahl werden in der Probe Defekte erzeugt, die zu einer Anderung der elektrischen Eigenschaften fhren. Dies resultiert am Ende in u einem unterschiedlichen Atzverhalten der bestrahlten und unbestrahlten Bereiche [22]. Um eine Vorstellung uber die Anzahl der erzeugten Defekte zu bekommen, wurden SRIM-Simulationen [23] durchgefhrt. Dabei wurden die vollen Schau denskaskaden beim Beschuss von ZnO mittels 2,25 MeV Protonen und 50000 Inzidenzteilchen simuliert. Fr die Versetzungsenergien ED,Zn und ED,O2 wuru den wie im Programm vorgegeben ED,Zn = 25 eV und ED,O2 = 28 eV eingestellt [24].
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D.h. fr die Scanspulwindungen 2 2 erhlt man z.B. ein Scanfeld von 25 m 25 m. u a STIM - Scanning Transmission Ion Microscopy

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KAPITEL 1. EXPERIMENTELLE TECHNIKEN

Abb. 1.2: SRIM-Simulation der Trajektorien von 2,25 MeV Protonen in ZnO. Die maximale Eindringtiefe liegt bei 32 m.

Die Ergebnisse der Simulationen sind in Abbildung 1.2 und 1.3 gezeigt. Dabei ist zu erkennen, dass die meisten Vakanzen im Bereich des BraggPeaks erzeugt werden. Die Defektdichte ist an der Stelle ca. 14 mal hher o als an der Probenoberche. Durch die Bestrahlung werden an der Obera che 0,4 103 Vakanzen/Ion/nm und im Bereich des Bragg-Peaks 5,6 103 a Vakanzen/Ion/nm erzeugt. Aufgrund dieser Strstellen werden die freien Lao dungstrger auf dem Weg zur Probenoberche whrend des elektrochemia a a schen Atzvorgangs eingefangen [22]. Bei einer Bestrahlungsuenz von 6,2 1016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) fhrt dies zu einer Erzeugung von 2,5 1020 u 3 Vakanzen/cm an der Oberche und 3,5 1021 Vakanzen/cm3 im Bereich des a Bragg-Peaks. Diese Zahl an Strstellen liegt zwei bis drei Grenordnungen o o hher als die Ladungstrgerkonzentration, welche fr die gut leitfhigen Kriso a u a 18 3 7 talle 1,0 10 cm betrgt . Somit ist die Wahrscheinlichkeit fr das Einfana u gen von freien Ladungstrgern recht hoch. Dies ist der Grund fr ein anderes a u Atzverhalten der bestrahlten im Gegensatz zu den unbestrahlten Bereichen. Eine genauere Ausfhrung wird in Abschnitt 1.3 gegeben. u Einen wichtigen Parameter der Bestrahlung stellt die Fluenz dar. Diese gibt an, wieviel Ladung bzw. Teilchen pro Flche auf die Probe gebracht wera den, was u.a. die verursachte Defektdichte in dem Kristall bestimmt und somit wichtig fr das Einfangen freier Ladungstrger und das elektrochemische u a
7

vgl. Tabelle 2.1 auf Seite 24

1.2. BESTRAHLUNG DER ZINKOXID-PROBEN

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Abb. 1.3: SRIM-Simulation der Defekterzeugung in ZnO beim Beschuss mit 2,25 MeV Protonen.

Atzverhalten ist. Die Erluterung der experimentellen Bestimmung der Fluenz a erfolgt im nchsten Abschnitt. a

1.2.2

Experimentelles Vorgehen

Der Probenhalter in der Messkammer der Ionennanosonde wird mittels des Programms mpstage gesteuert. Damit ist es mglich, die Probe in mo Schritten in x-, y- und z-Richtung zu verschieben. Die Strukturen, welche auf die Proben geschrieben werden, werden mittels des Programms mpsys4 [25] sowie microscan2 vorgegeben. Letzteres wurde im Zuge einer Diplomarbeit von Herrn Silvio Petriconi entwickelt [26]. Die Funktionsweise der beiden Programme soll im Folgenden erlutert werden. a mpsys ist das eigentliche Datenaufnahmeprogramm, womit im Allgemeinen die Proben zu analytischen Zwecken gescannt werden knnen. In dieser o Arbeit wurde das Programm jedoch auch fr die Herstellung von Strukturen u verwendet. Dabei wird die Scanche mittels der Scanspulen und der Scana pixel, welche in dem Programm angegeben werden knnen, fr die jeweilige o u Struktur angepasst. Dadurch ist es mglich, einfache Strukturen wie Rechto 8 ecke und Punkte zu schreiben . Weiterhin kann man einen Skalierungsfaktor
Fr Punkte wurde bei groer Scanche die Pixelzahl auf 5 5 Pixel gesetzt, wodurch u a diese einen sehr groen Abstand voneinander haben und ein Punktraster von 5 5 Punkten erzeugt wird.
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KAPITEL 1. EXPERIMENTELLE TECHNIKEN

zwischen 0 und 1 eingeben, welcher die Scanfeldgre, vorgegeben durch die o Scanspulen, nochmals variiert. Die Fluenz, die auf die Probe gebracht wird, kann mit den zwei Parametern Scans und Clock beeinusst werden. Ersterer gibt an, wie oft uber die Probe gescannt werden soll, whrend der zweite die a Dauer der Bestrahlung pro Pixel bestimmt.

(a)

(b)

Abb. 1.4: Die beiden Mglichkeiten der Bestrahlung der Probe in Abhngigkeit von o a der verwendeten Software: (a) Bestrahlung mittels mpsys4. (b) Bestrahlung mittels microscan2 mit direkter Eingabe der Zielpixel.

Das Programm microscan2 hat ebenfalls die Eingabemglichkeiten fr o u die Anzahl der Scans und der Bestrahlzeit pro Pixel (Clock). Jedoch kann man mit microscan2 sogenannte .dat-les laden, in denen genaue Koordinaten gespeichert sind, an welchen die Bestrahlung erfolgen soll. Damit ist die Erzeugung von komplizierteren Strukturen wie z.B. Halbkreise und Schriftzge u mglich. o Die beiden mglichen Arten des Abscannens der Probe werden in Abbilo dung 1.4 dargestellt. Die Fokussierung des Ionenstrahls kann unter Nutzung von mpsys4 erfolgen. Dabei wird ein Gitter aus bekanntem Material (z.B. Kupfer) mit dem PIXE-Detektor aufgenommen. Dadurch entsteht ein zweidimensionales Bild des bestrahlten Gitters. Whrend der Aufnahme kann der Fokus per Fernbea dienung live eingestellt werden. Wenn das Gitter mit scharfen Kanten in xund y-Richtung abgebildet wird, ist der Strahl fokussiert.

1.3. ELEKTROCHEMISCHES ATZEN Bestimmung der Fluenz

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Wie bereits erwhnt, stellt die Fluenz eine wichtige Gre beim PBW dar. a o Darum soll kurz erlutert werden, wie diese genau bestimmt wird. a Die Fluenz ist im Grunde von den Gren Strahlstrom, Pixelzahl, Clock o und der Flche abhngig. Im Allgemeinen ist die Fluenz deniert durch Zahl a a der Teilchen pro Flche, also a = N . A (1.7)

Dabei ist N = Q/e = (I t)/e, wobei I der Strahlstrom, e die Elementarladung und t die Zeit der Bestrahlung pro Pixel (also der eingegebene Clock -Wert) ist. Damit erhlt man allgemein a Pixel = I t , e APixel (1.8)

wobei diese Formel fr jeden bestrahlten Pixel gilt und die Anzahl n der Scans u noch nicht mit bercksichtigt wird. Fgt man diese noch hinzu erhlt man als u u a Fluenz pro Schreibvorgang ges = I t n (N N ) , eA (1.9)

wobei I wieder der Strahlstrom, t die eingestellte Clock-Zeit, n die Anzahl der Scans, (N N ) die Anzahl der eingegebenen Pixel und A die Scanche ist. a Der Strahlstrom I wird jeweils zwischen den einzelnen Bestrahlungen gemessen. Dafr wird ein Faradaybecher in den Strahlengang gefahren und mit u dessen Hilfe und einem Strommessgert der Strahlstrom bestimmt. Die Paa rameter n, t und (N N ) knnen uber die verwendete Software eingegeben o werden. Die Flche A ist die durch die Scanspulen vorgegebene Scanche (vgl. a a Kapitel 1.1.3).

1.3

Elektrochemisches Atzen der bestrahlten Proben

Nach der Bestrahlung der Probe wird sie elektrochemisch getzt (Abbildung a 1.5). Im Folgenden wird dieser Schritt nher erlutert. a a

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KAPITEL 1. EXPERIMENTELLE TECHNIKEN

Abb. 1.5: Schematische Darstellung der Erzeugung der Strukturen. Im Ersten Schritt wird die Probe bestrahlt, im zweiten Schritt dann elektrochemisch getzt. a Somit bleiben am Ende erhabene Strukturen zurck. u

1.3.1

Der Prozess des elektrochemischen Atzens

Bei dem elektrochemischen Atzprozess wird die Probe in eine saure Lsung, o z.B. ZnCl2 [27], bzw. basische Lsung, z.B NaOH [28] getaucht und zustzlich o a eine elektrische Spannung angelegt (vgl. nchsten Abschnitt). Durch diese ana gelegte Spannung (Probe als positiver Pol, Gegenelektrode als negativer Pol) bilden sich in der Probe E-Feldlinien senkrecht zur Probenoberche aus (vgl. a Abbildung 1.6). Zustzlich wird eine Hg-Lampe auf die Probe gerichtet. Ist die a Energie der Photonen grer oder gleich der Bandlckenenergie des Kristalls, o u bilden sich in diesem Elektronen-Loch-Paare aus [29]. Durch das elektrische Feld wandern die Lcher in Richtung der zu tzenden Probenoberche und o a a anschlieend in die Lsung, wodurch ein Materialabtrag an der Oberche des o a Kristalls stattndet. In den bestrahlten Gebieten wurden jedoch Strstellen o erzeugt, wodurch die freien Ladungstrger an diesen eingefangen werden (vgl. a letzten Abschnitt). Daraus resultiert ein deformiertes elektrisches Feld (vgl. Abbildung 1.6) und ein reduzierter Stromuss in den bestrahlten Gebieten [22], was letztendlich zu einer reduzierten Atzrate fhrt.9 u Wie in [22] gezeigt wurde, kann der Stromuss bzw. die Stromdichte (Lcherstrom) in den bestrahlten Bereichen bis auf Null gesenkt werden, indem o man eine gengend hohe Fluenz bei der Bestrahlung verwendet. Auerdem u stellte sich heraus, dass die Strke des elektrochemischen Atzprozesses zwia schen zwei Strukturen von deren Abstand abhngt. Fr diese Untersuchung a u
M. B. H. Breese et. al. bestrahlten das Halbleitermaterial Silizium, die Grundidee ist jedoch die gleiche.
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1.3. ELEKTROCHEMISCHES ATZEN

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Abb. 1.6: Deformation der Feldlinien durch die Erzeugung von Strstellen in der o Kristallstruktur, an denen Ladungstrger eingefangen werden. a

wurden Wnde in Si in verschieden groen Distanzen voneinander erzeugt. Der a minimale Abstand lag bei 2,5 m. Wurde der Zwischenraum kleiner gewhlt, a waren die Wnde nicht mehr vollstndig getrennt, sondern an deren Basis vera a bunden. Dieser Eekt wurde durch das nach auen Wandern der E-Feldlinien aus der Lcke zwischen zwei Wnden, wenn diese immer kleiner wird, erklrt. u a a Dieses nach auen Wandern fhrt zu einer reduzierten Atzrate an diesen Stelu len, da die freien Ladungstrger somit ebenfalls nach auen abgelenkt werden. a Weiterhin tritt auch bei geschlossenen Bestrahlungsmustern der Eekt der reduzierten Atzrate auf. Durch M.B.H. Breese et. al. wurde in [30] mittels einer MEDICI Simulation10 [31] gezeigt, dass der Lcherstrom innerhalb des o nur am ueren Rand bestrahlten Gebietes sehr klein ist, wodurch an diesen a Stellen kein Material abgetragen wird. Als Grund wurde auch hier das nach auen Wandern der Feldlinien genannt. Zusammenfassend ist also davon auszugehen, dass auch bei der Struktu rierung von ZnO ein solches Phnomen der reduzierten Atzrate zwischen eng a benachbarten Strukturen auftritt. Die Hhe der erzeugten Strukturen hngt von der Atzdauer tA und der o a
MEDICI simuliert zweidimensional die Potential- und Ladungstrgerverteilung in Halba leitern, indem es die Poisson-Gleichung und die Kontinuittsgleichung fr die Elektronen a u bzw. Lcher in der simulierten Region lst. o o
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KAPITEL 1. EXPERIMENTELLE TECHNIKEN

Atzrate RA ab. Letztere gibt die getzte Tiefe pro Zeit an [32] und wird von a drei wesentlichen Prozessen, nmlich von der Ablsung des Feststoes in die a o Lsung, der Wiederablagerung von Teilen der Lsung an die Oberche des o o a Stoes und von dem Wegtransport der gelsten Teile des Festkrpers von deso o sen Oberche weg in die Lsung, beeinusst [27]. a o Nach den Faradayschen Gesetzen gilt d= M IA tA , zA F (1.10)

wobei M die molare Masse, IA der Atzstrom, tA die Atzzeit, die Dichte, A die Flche, F die Faradaykonstante und z die Wertigkeit des Ions ist. Somit a ist ersichtlich, dass die Atzrate (RA = d/tA ) durch die Atzstromdichte o a (jA = IA /A) beeinusst wird. Damit ist es mglich, die Dicke der whrend des Atzvorgangs abgetragenen Schicht zu ermitteln, was in Kapitel 2 im Rahmen der Auswertung der Experimente dargelegt wird.

1.3.2

Experimentelles Vorgehen

Fr den elektrochemischen Atzprozess wird eine hnliche Anordnung benutzt u a wie in [8] beschrieben. Zu Beginn wird die Probe mit einem In/Ga-Eutektikum auf der Rckseite u benetzt. Im Anschluss wird sie mit Hilfe eines Edelstahlplttchens mechanisch a auf einem Atzgef, welches aus Teon besteht, befestigt. In dieses wird die a o Atzlsung eingefllt, so dass ein Kontakt zwischen Lsung und bestrahlter u o Probenseite besteht. An das Metallplttchen wird dann der positive Pol des a Spannungsgertes ISO-Tech IPS303D angeschlossen. Von oben wird ein Plaa o tinblech in die Atzlsung getaucht, welches mit dem negativen Pol der Spannungsversorgung verbunden ist. Zwischen Platinblech und Spannungsquelle wird ein Strommessgert VOLTCRAFT VC-250 geschaltet, mit dessen Hila fe die Stromberwachung whrend des Atzprozesses erfolgt. Die Anordnung u a ist in Abbildung 1.7 dargestellt. Nach dem elektrochemischen Atzprozess wird die Probe mit destilliertem Wasser gesplt und mit einem Fn getrocknet. u o

1.4. CHARAKTERISIERUNG DER ERZEUGTEN STRUKTUREN

21

(a)

(b)

Abb. 1.7: Die Anordnung fr das elektrochemische Atzen der bestrahlten Prou be: (a) Anordnung im Labor und (b) schematische Darstellung der experimentellen Versuchsanordnung.

1.4

Charakterisierung der erzeugten Strukturen

Zur Untersuchung der Strukturen standen verschiedene Methoden zur Verfgung. Zuerst wurden die Proben mittels Lichtmikroskopie untersucht, u um einen Uberblick uber den Erfolg der Strukturerzeugung zu gewinnen. Im Anschluss erfolgten Elektronenmikroskopieaufnahmen, um eine detailliertere Darstellung zu erhalten. An manchen Proben wurden zustzlich DEKTAKa Messungen durchgefhrt, um ein Prol der Oberchentopographie zu gewinu a nen. Des Weiteren wurden noch Hallmessungen durchgefhrt. u Die verwendeten Gerte bzw. Methoden sollen kurz erlutert werden. a a

Lichtmikroskopie Zur Lichtmikroskopie stand ein Olympus BX51 [33] zur Verfgung, das eine u maximale Vergrerung von 50x/0,80 besitzt. Auf diesem ist eine ColorView o II - Kamera installiert, womit eine computergesteuerte Bildaufnahme mglich o ist.

22

KAPITEL 1. EXPERIMENTELLE TECHNIKEN

Elektronenmikroskopie Als Rasterelektronenmikroskop stand ein CamScan CS44 [34] zur Verfgung. u Der in der Elektronenquelle erzeugt und dann fokussierte Elektronenstrahl wird dabei uber die Probe gerastert. Durch die erzeugten Sekundrelektronen a und Detektion dieser ergibt sich ein Bild des abgescannten Bereiches. Weiterhin gab es die Mglichkeit, die Strukturen am DualBeam-System o Nova 200 NanoLab [35] der Firma FEI Company sowie mittels der SEM AURIGA R -CrossBeam R Workstation [36] der Firma ZEISS am Leibniz-Institut fr Oberchenmodikation zu mikroskopieren. Da dieses Miu a kroskop jedoch nicht stndig zur Verfgung stand, konnten nicht alle, der im a u Laufe der Arbeit erzeugten Strukturen damit untersucht werden. Zum Teil wurden die elektronenmikroskopischen Untersuchungen von Dipl.Phys. J. Lenzner aus der Abteilung fr Halbleiterphysik und von Dr. W. u Bhlmann aus der Abteilung fr Supraleitung und Magnetismus sowie von o u Frau Esther Machalett vom Institut fr Oberchenmodikation Leipzig u a durchgefhrt. u Strukturhohenmessung Um die Hhen der geschriebenen Strukturen zu ermitteln, wurden in der Abo teilung fr Halbleiterphysik durch Frau Ramm DEKTAK-Messungen [37] u durchgefhrt. Dabei wird eine spitze Nadel aus Titan uber die Probe gerastert u und die Auslenkung der Nadel aufgezeichnet. Diese Auslenkung entspricht der Strukturhhe. o Hall-Messung Die Hall-Messungen an ausgewhlten Proben wurden von Dr. Holger von a Wenckstern und Frau Dipl.-Phys. Kerstin Brachwitz aus der Abteilung fr u Halbleiterphysik durchgefhrt. Ziel der Messungen war die Bestimmung der u Konzentration der freien Ladungstrger in den verschiedenen Halbleiterproa ben. Diese ist vor allem fr den elektrochemischen Atzprozess von Bedeutung. u

Kapitel 2 Strukturerzeugung in Zinkoxid bei verschiedenen Prozessparametern


In diesem Kapitel werden die Ergebnisse der Strukturerzeugung mittels PBW an ZnO-Einkristallen vorgestellt. Zu Beginn sollen die Messungen zur Bestim o mung der optimalen Prozessparameter (Atzlsung sowie Fluenz) ausgewertet, und im Anschluss die Ergebnisse der Mikrostrukturierung mit diesen Parametern gezeigt werden.

2.1

Bestimmung der optimalen Prozessparameter

Fr die Bestimmung der optimalen Prozessparameter fr die Strukturerzeuu u gung wurden ZnO-Einkristalle zwei verschiedener Firmen (CrysTec und IKZ) verwendet. Die Einkristalle beider Firmen wurden jeweils hydrothermal gezchtet. Eine Ubersicht der Eigenschaften der Proben zeigt Tabelle 2.1. u Um einen allgemeinen Uberblick uber die mglichen Strukturen und Struko turqualitten sowie deren Vergleich zwischen den verwendeten Proben zu bea kommen, wurden zunchst einfache Bestrahlungsmuster wie Punkte, Rechtecke a und Kreisstrukturen mit jeweils gleichen Fluenzen fr die Proben gewhlt. Des u a o Weiteren kamen zwei verschiedene Atzlsungen zur Anwendung. Fr die Bestrahlung der Proben wurden 2,25 MeV Protonen verwendet. u 23

24

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID Ladungstrgertyp a n-Typ n-Typ n-Typ n-Typ n-Typ n-Typ Ladungstrgera konzentration 3,7 1016 cm3 1,5 1016 cm3 7,3 1017 cm3 1,9 1017 cm3 1,1 1018 cm3 1,1 1018 cm3 Orientierung (0001)c-plane (0001)c-plane (0001)c-plane (0001)c-plane (0001)c-plane (0001)c-plane

Probenhersteller CrysTec 1 CrysTec 2 IKZ 1 IKZ 2 IKZ 3 IKZ 4

Dicke 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm

Tabelle 2.1: Ubersicht uber die in der Arbeit verwendeten Proben. Die Ladungs trgerkonzentrationen der Proben CrysTec 2 und IKZ 4 sind Herstellerangaben, die a der Proben CrysTec 1, IKZ 1 und IKZ 2 sowie IKZ 3 wurden durch Hall-Messungen ermittelt.

o Als Atzlsung diente zum einen eine 0,1-molare ZnCl2 -Lsung1 , als auch eio 2 ne 0,1-molare NaOH-Lsung . Die Atzspannung betrug jeweils 9,2 V und die o Atzstromdichte lag bei den Proben zwischen 0,4 mA/cm2 und 0,96 mA/cm2 fr beide Atzmedien. Als Atzdauer wurden 120 Minuten fr den ersten und u u jeweils 90 Minuten fr den zweiten und dritten Atzprozess gewhlt. u a Ein Problem bei der Ermittlung der optimalen Prozessparamater fr das u elektrochemische Atzen liegt in der begrenzten Anzahl der Proben. Bei der Bestrahlung kann eine ganze Reihe von verschiedenen Fluenzen und Strukturen auf eine Probe aufgebracht werden, wodurch sich eine groe Bandbreite an Parametern abdecken lsst. Im Gegensatz dazu lsst sich bei dem elektrochea a o mischen Atzprozess nur eine Spannung, eine Atzlsung und ihre Zusammensetzung fr je eine Probe whlen. u a Aus diesem Grund konnten nur zwei verschiedene Atzmedien getestet werden.

2.1.1

Gegenuberstellung der beiden Atzmedien

Das Atzmedium stellt bei dem gesamten Prozess des PBW einen wichtigen Teil dar. Aus diesem Grund wurden, wie bereits erwhnt, zwei verschiedene a o Atzlsungen getestet. Dazu wurde die IKZ 1-Probe und die CrysTec 2-Probe mit Rechteckmustern bei verschiedenen Fluenzen bestrahlt und anschlieend 120 Minuten elektrochemisch getzt. Bei ersterer wurde dabei die ZnCl2 a
1 2

gemessener pH-Wert: 5,5 gemessener pH-Wert: 13,5

2.1. BESTIMMUNG DER OPTIMALEN PROZESSPARAMETER

25

(a)

(b)

Abb. 2.1: Lichtmikroskopieaufnahmen nach dem elektrochemischen Atzen fr (a) u ZnCl2 und (b) NaOH als Atzmedium und einer Atzdauer von jeweils 120 min. Die Fluenz betrug fr beide 3,12 1018 Protonen/cm2 (5000 pC/Spot). Bei Benutzung u der NaOH-Lsung ist im Ergebnis lediglich die bestrahlte Stelle zu erkennen. o

Lsung und bei letzterer die NaOH-Lsung verwendet. o o Dabei zeigte sich bei allen getesteten Fluenzen eine Strukturausbildung ausschlielich nach Anwendung der ZnCl2 -Lsung (Abbildung 2.1a). Nach dem o Atzvorgang mit der NaOH-Lsung konnte man hingegen nur mit Lichtmikroo skopie die bestrahlten Bereiche erkennen (Abbildung 2.1b). In den Aufnahmen mittels Elektronenmikroskop waren die bestrahlte Bereich dagegen nicht zu erkennen. Der Grund fr die Strukturausbildung nach der Anwendung von ZnCl2 u als Atzmedium liegt wahrscheinlich in dem Vorhandensein des Zink in der Lsung selbst. Wie in [27] beschrieben wird, lagert sich dieses whrend des o a Atzvorganges an der Probenoberche an. Dadurch fllt der rein chemische a a Atzprozess im Gegensatz zur NaOH-Lsung geringer aus. Bei letzterer wird o durch den chemischen Atzprozess die Struktur selbst ebenfalls abgetragen. Durch die begrenzte Anzahl der IKZ-Proben wurde der elektrochemische Atzvorgang mittels der NaOH-Lsung bei diesen nicht nochmals getestet. Es ist o jedoch davon auszugehen, dass sich auch bei diesen Proben keine Strukturen ausgebildet htten, da sich die Proben lediglich durch die Anzahl an freien a Ladungstrgern unterscheiden. a Zusammenfassend zeigt sich, dass die Verwendung von Zinkchlorid als Atzmedium fr die Strukturerzeugung zu bevorzugen ist. u

26

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

2.1.2

Vergleich der Zinkoxid-Proben zweier Hersteller

Im Folgenden werden die Ergebnisse der Strukturerzeugung bei den ZinkoxidEinkristallen CrysTec 1 und IKZ 1 (Tabelle 2.1) ausgewertet, womit ein direkter Vergleich der Strukturqualitten zwischen den ZnO-Kristallen dieser beiden a Hersteller nach den einzelnen Atzvorgngen mglich ist. Als Atzmedium diente a o eine 0,1-molare ZnCl2 -Lsung. o Ergebnisse der Punktbestrahlung Das Ziel der Punktbestrahlung war die Ausbildung von Sulen whrend des a a elektrochemischen Atzprozesses, wie es bei Halbleitermaterialien wie Si und GaAs bereits erfolgreich angewandt wurde [38, 39]. Dazu wurde ein 55-Punktraster geschrieben, bei dem die einzelnen Punkte einen Abstand von 20 m besaen. Die Fluenzen wurden zwischen 6,2 1015 Protonen/cm2 (10 pC/Spot) 3 und 3,11018 Protonen/cm2 (5000 pC/Spot) variiert. Die Ergebnisse nach dem ersten Atzprozess sind in Abbildung 2.2 dargestellt. Wie zu erkennen ist, bildeten sich keine Sulen aus. Fr Fluenzen a u 18 2 kleiner 3,1 10 Protonen/cm (5000 pC/Spot) waren selbst die bestrahlten Stellen nicht zu erkennen.

(a)

(b)

Abb. 2.2: Ergebnisse der Punktbestrahlung nach dem ersten Atzvorgang (120 min) fr (a) die CrysTec 1- und (b) die IKZ 1-Probe bei einer Fluenz von 3,1 u 1018 Protonen/cm2 .

Nach dem zweiten Atzprozess bildeten sich ebenfalls keine Sulen aus, wie a Abbildung 2.3 zeigt. Lediglich auf der IKZ 1-Probe waren die bestrahlten StelEin Spot hatte dabei die Gre des Strahldurchmessers, welcher ca. ein Mikrometer o betrug.
3

2.1. BESTIMMUNG DER OPTIMALEN PROZESSPARAMETER

27

Abb. 2.3: Punktbestrahlung der IKZ 1-Probe nach dem zweiten Atzvorgang (ins18 Protonen/cm2 . gesamt 210 min); Fluenz: 3,1 10

len noch vorhanden. Nach dem drittem Atzprozess waren bei beiden Proben die bestrahlten Stellen nicht mehr zu erkennen. Der Grund fr die Nichtausbildung der Strukturen liegt wahrscheinlich an u der bezogen, auf die bestrahlte Flche, unzureichenden Schdigung der Krisa a tallstruktur. Dadurch greift der elektrochemische Atzprozess auch an den bestrahlten Stellen an wodurch auch an diesen die Oberche abgetragen wird. a Da das Medium auch rein chemisch getzt wird, ist die Herstellung von Sulen a a mit einem hohen Aspektverhltnis, wie sie beispielsweise bei der Verwendung a von Si entstehen, bei dem man den chemischen Atzprozess gut unterdrcken u kann [39], eventuell gar nicht mglich. o

Ergebnisse der Rechteckbestrahlung Weiterhin wurden auf beide Proben Rechteckmuster mit einer Gre o von 25 m 25 m aufgebracht. Dabei wurden Fluenzen zwischen 6,2 1015 Protonen/cm2 (10 pC/m2 ) und 5,0 1018 Protonen/cm2 (8000 pC/m2 ) gewhlt. a Bei einer Fluenz von 6,2 1015 Protonen/cm2 (10 pC/m2 ) bis 6,2 1016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) bildeten sich nur bei der IKZ 1-Probe Rechteckstrukturen aus, welche in Abbildung 2.4 dargestellt sind. Dabei zeigte sich in dem genannten Bereich eine Abhngigkeit der Strukturhhe von der Flua o enz. Da bei einer kleinen Fluenz die Defektdichte geringer ist als bei einer hheren Fluenz, werden da auch weniger Ladungstrger whrend des elektroo a a chemischen Atzvorgangs eingefangen. Dies uert sich in einer hheren Atzrate a o der bestrahlten Struktur und damit in einer geringeren Strukturhhe (Abbilo

28

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

(a)

(b)

(c)

(d)

Abb. 2.4: Rechteckbestrahlung der IKZ 1-Probe nach dem ersten Atzvorgang (120 min). Bei geringen Fluenzen (a,b) ist die Schdigung der Kristallstruktur so a klein, dass auch an den bestrahlten Stellen noch ein Materialabtrag stattndet. Bei hohen Fluenzen ist dies nicht mehr der Fall (c,d). (a) 6,2 1015 Protonen/cm2 ; (b) 1,2 1016 Protonen/cm2 ; (c) 3,1 1016 Protonen/cm2 ; (d) 6,2 1016 Protonen/cm2 .

dung 2.4a und 2.4b). Dieses Verhalten macht sogenanntes grayscale proton beam writing mglich, wo sich durch Verwendung verschieden hoher Fluenzen o verschieden hohe Strukturen ausbilden lassen [40]. Dies wurde jedoch in dieser Arbeit nicht weiter verfolgt. Whrend die Strukturhhen bei IKZ 1 wie oben beschrieben zwischen a o 6,2 1015 Protonen/cm2 (10 pC/m2 ) bis 6,2 1016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) zunehmen und bei letzterer ihr Maximum erreicht (vgl. Abbildung 2.4d), fallen sie jedoch bei weiterer Erhhung der Fluenz zunchst sprunghaft ab und o a 17 2 2 steigen von 6,210 Protonen/cm (1000 pC/m ) und 3,11018 Protonen/cm2 (5000 pC/m2 ) wieder an (vgl. Abbildung 2.5c und 2.5d). Bei Fluenzen grer o 18 2 2 als 5,0 10 Protonen/cm (8000 pC/m ) ist die Originaloberche wieder a vorhanden (vgl. Abbildung 2.6). Dieser Eekt, dass ab einer gewissen Fluenz

2.1. BESTIMMUNG DER OPTIMALEN PROZESSPARAMETER

29

(a)

(b)

(c)

(d)

Abb. 2.5: (a) CrysTec 1-Probe mit 6,2 1017 Protonen/cm2 ; (b) CrysTec 1-Probe mit 3,1 1018 Protonen/cm2 ; (c) IKZ 1-Probe mit 6,2 1017 Protonen/cm2 ; (d) IKZ 1 Probe mit 3,1 1018 Protonen/cm2 ; (Atzzeit jeweils 120 min).

(a)

(b)

Abb. 2.6: (a) CrysTec 1- und (b) IKZ 1-Probe nach Bestrahlung mit 5,0 1018 Protonen/cm2 und einer Atzdauer von 120 min.

30

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

die Hhe der Struktur sinkt und dann wieder ansteigt, wurde bei der Bestraho lung der IKZ 2-Probe nochmals untersucht. Im Gegensatz zu IKZ 1 bildeten sich jedoch bei allen Fluenzen grer 6,2 1016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) die o Rechteckstrukturen komplett aus, was ein weiterer Hinweis auf die verschiedenen Eigenschaften der IKZ-Proben untereinander ist. Dies wird im nchsten a Abschnitt genauer diskutiert. Weiter zeigt sich der Einuss des rein chemischen Atzprozesses durch die Ausbildung sogenannter Atzgruben an der Oberche a der Probe. Dies knnte an kleinen Unebenheiten oder Defekten liegen, welche o selbst nach der Polierung der Probenoberche whrend der Herrstellung noch a a existieren. An denen kann der chemische Atzprozess wahrscheinlich strker ana greifen. Auf der CrysTec 1-Probe bildeten sich bei Fluenzen zwischen 6,2 10 Protonen/cm2 (1000 pC/m2 ) bis 3,1 1018 Protonen/cm2 (5000 pC/m2 ) Rechteckstrukturen aus. Deren Hhe nahm mit steigender Fluenz zu, was in o Abbildung 2.5a) und b) dargestellt ist. Ein Verhalten wie bei der IKZ 1-Probe, bei welcher nochmals ein Abfall der Strukturhhe trotz steigender Fluenz aufo trat, war nicht zu beobachten.
17

(a)

(b)

Abb. 2.7: IKZ 1-Probe nach Bestrahlung mit 6,2 1016 Protonen/cm2 nach dem (a) zweiten und (b) dritten Atzvorgang. Die Oberche bleibt komplett erhalten. a

Beim Vergleich der Proben zeigt sich auerdem, dass die original erhaltene Oberche bei der IKZ 1-Probe grer ist. Hier ist der Rand der Struktur a o steiler als bei der CrysTec-Probe, bei der die Struktur eher ach nach auen abfllt. Dies liegt wahrscheinlich an dem rein chemischen Atzprozess, welcher a bei der CrysTec 1-Probe strker ausgeprgt zu sein scheint. Eine Zunahme der a a

2.1. BESTIMMUNG DER OPTIMALEN PROZESSPARAMETER

31

(a)

(b)

(c)

(d)

Abb. 2.8: IKZ 1-Probe nach dem zweiten (a,b) und dritten (c,d) Atzvorgang (ins17 Protonen/cm2 ; (b) und (d) Fluenz gesamt 300 min); (a) und (c) Fluenz von 6,2 10 von 5,0 1018 Protonen/cm2 .

Gre der Originaloberche mit steigender Fluenz, wie sie in [41] beobachtet o a wurde, ist hier ebenfalls zu verzeichnen (Abbildung 2.6a und 2.5b). Bei den weiteren Atzvorgngen zeigte die IKZ 1-Probe ein zum ersten a Atzvorgang analoges Verhalten. Abbildung 2.7 zeigt die Probe nach der Be strahlung mit 6,2 1016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) und einer Atzdauer von 210 min und 300 min. In Abbildung 2.8 ist sie nach dem zweiten und drit ten Atzvorgang (jeweils 90 min) und hherer Bestrahlungsuenz dargestellt. o Man erkennt, dass bei einer gengend hohen Fluenz auch grere Atzdauern u o keinen Einuss auf die Oberchenbeschaenheit haben und die Originaloa berche erhalten bleibt. Es ndert sich somit nur die Strukturhhe. Anders a a o stellt sich dies bei den oben erwhnten Fluenzen von 6,2 1017 Protonen/cm2 a 2 18 (1000 pC/m ) bis 3,1 10 Protonen/cm2 (5000 pC/m2 ) dar. Hier ndet whrend des Atzprozesses ein weiterer Abtrag an der Oberche statt, woa a

32

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

(a)

(b)

(c)

(d)

Abb. 2.9: CrysTec 1-Probe nach dem zweiten (a,b) und dritten (c,d) Atzvorgang 17 Protonen/cm2 ; (b) und (d) (insgesamt 300 min); (a) und (c) Fluenz von 6,2 10 Fluenz von 3,1 1018 Protonen/cm2 .

durch sich die Strukturhhe nicht so hoch ausbildet (analog zu dem ersten o Atzvorgang). Bei 6,2 1015 Protonen/cm2 (10 pC/m2 ) war nach dem zweiten und dritten Atzprozess keine Struktur mehr zu erkennen, was auf die fr dieu se Atzdauer unzureichende Schdigung des Kristalls durch die geringe Fluenz a zurckzufhren ist. u u Bei der CrysTec 1-Probe blieb die Struktur ab einer Fluenz von 3,1 10 Protonen/cm2 (1000 pC/m2 ) auch nach dem zweiten und dritten Atzprozess komplett erhalten. Die Ergebnisse sind in Abbildung 2.9 darge stellt. Nach dem dritten Atzprozess erreichen die Strukturen an der Basis die 25 m Seitenlnge, welche als Scangre bei der Bestrahlung eingestellt wurde. a o
18

Die Strukturqualitt bei der CrysTec 1-Probe ist verglichen mit dem IKZ 1a Einkristall deutlich schlechter. Whrend bei der IKZ 1-Probe die Seiten der a Strukturen glatt sind, kommt es bei der CrysTec 1-Probe zu Terrassenbil-

2.1. BESTIMMUNG DER OPTIMALEN PROZESSPARAMETER

33

dung, fr welche nach dem ersten Atzvorgang noch eine Fluenzabhngigkeit u a 17 zu verzeichnen ist. Whrend sich bei einer Fluenz von 6,2 10 Protonen/cm2 a die Seitenchen glatt ausbilden (Abbildung 2.5a), sind diese bei 3,12 a 18 10 Protonen/cm2 rau (Abbildung 2.5b). Nach dem zweiten und dritten Atzvorgang kam es jedoch bei beiden Fluenzen zur Terrassenbildung (Abbil dung 2.9). Uber den Grund fr das Auftreten dieser Terrasenbildung kann nur u spekuliert werden. Wahrscheinlich ist es auch hier das Auftreten von kleinen Defekten an denen der chemische Atzprozess angreifen kann. Im Folgenden sollen noch die Strukturhhenmessungen fr die Rechto u eckstrukturen ausgewertet werden.

Strukturhohen Die Strukturhhen wurden mittels DEKTAK-Messungen bestimmt und mit o den aus den Faradayschen Gesetzen berechneten Werten verglichen (vgl. Abschnitt 1.3.1 und 1.4). Da die Rechtecke nur eine Flche von 25 m 25 m a haben, war es sehr kompliziert, die genaue Strukturhhe mittels der vorhano denen Gerte zu bestimmen. Aus diesem Grunde wurde mit der Nadel des a DEKTAK-Gerts einmal quer uber die Atzmulde gefahren. Aus dem daraus a entstandenen Querschnitt wurde die Tiefe der Mulde ermittelt und somit auf die Hhe der Strukturen geschlossen, bei denen die Originaloberche nach o a dem Atzen noch vorhanden war. Leider war es nicht mglich die Hhe der o o Strukturen zu bestimmen, bei denen die Oberche durch den Atzprozess aba getragen wurde. Selbst die Berechnung mithilfe der Elektronenmikroskopieaufnahmen gestaltete sich aufgrund des schrgen Abfalls der Strukturen als a schwierig. Atzstrom IKZ 0,49 mA 0,66 mA 0,77 mA CrysTec 0,75 mA 0,91 mA 0,63 mA

Atzvorgang 1 2 3

Tabelle 2.2: Atzstrme whrend der einzelnen Atzvorgnge fr die Proben IKZ 1 o a a u und CrysTec 1.

34

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

Abb. 2.10: Gemessene und berechnete Werte fr die Strukturhhen bei der u o CrysTec 1 -und IKZ 1 - Probe.

Fr die Berechnung wurden in den Faradayschen Gesetzen die folgenden u Werte verwendet: fr die Faradaykonstante F = 96485,34 Coulomb/Mol, fr u u 2 die Flche A = 38,5 mm , die molare Masse M = 81,39 g/Mol ZnO und fr die a u Dichte = 5,61 g/cm3 . Fr die Atzstromstrke wurde jeweils der Mittelwert u a fr den jeweiligen Atzvorgang eingesetzt. Diese sind in Tabelle 2.2 aufgelistet. u Ein Vergleich zwischen gemessenen und mittels der Faradayschen Gesetzen berechneten Werten wird in Abbildung 2.10 gezeigt. Der unstetige Anstieg der Strukturhhen mit der Atzzeit begrndet sich durch die verschiedenen o u Atzstromdichten, die zwischen den einzelnen Atzprozessen variierten. Durch die gute Ubereinstimmung der gemessenen mit den berechneten Werten ist jedoch eine Berechenbarkeit der Strukturhhe gegeben. o Obwohl die CrysTec-Probe weniger freie Ladungstrger besitzt, war der a Atzstrom bei ihr grer als bei der IKZ-Probe. Dies lag an der Vorrichtung fr o u das elektrochemische Atzen. Der Atzstrom schwankte schon beim leichten Ver schieben der Hg-Lampe sehr stark. Die unterschiedlichen Atzstrme knnen alo o so auf verschiedene Positionierung der Lampe bei den einzelnen Atzvorgngen a zurckgefhrt werden. u u

2.1. BESTIMMUNG DER OPTIMALEN PROZESSPARAMETER Ergebnisse der Kreisstrukturbestrahlung

35

Fr die Kreisstrukturen wurden dat-les verwendet, welche von Frank Menu zel im Zuge seiner Dissertation erstellt wurden. Die Strukturvorlage, die den dat-les zu Grunde liegt, zeigt Abbildung 2.11. Diese Kreise wurden dann in unterschiedlichen Gren geschrieben. Dabei lag die Fluenz bei o 18 2 2,8 10 Protonen/cm (4500 pC/m2 ).

Abb. 2.11: Strukturvorlage fr die geschriebenen Kreisstrukturen. u

(a)

(b)

Abb. 2.12: Ergebnis der Kreisstrukturbestrahlung mit Kreisen von 13 mDurchmesser und einer Fluenz von 2,8 1018 Protonen/cm2 fr (a) IKZ 1- und (b) u CrysTec 1.

Fr die Erzeugung der Kreisstrukturen wird auf der Probe eine groe Flche u a bentigt. Diese ist jedoch durch die mechanische Befestigung der Probe auf o dem Atzgef fr das elektrochemische Atzen nur begrenzt verfgbar. Aus a u u diesem Grund konnten fr die Kreisstrukturen nicht so viele Fluenzen getestet u werden wie es beispielsweise bei den homogenen Rechtecken der Fall war. In Abbildung 2.12 sind die Kreisstrukturen mit den kleinsten Durchmessern von ca. 13 m dargestellt. Bei diesem Durchmesser bildete sich bei der IKZ 1-

36

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

Probe nur an der homogen bestrahlten Flche eine Struktur. An den anderen a Stellen ist nur der bestrahlte Bereich zu erkennen.

(a)

(b)

(c)

(d)

Abb. 2.13: Ergebnisse der Kreisbestrahlung mit einem Durchmesser von 30 m bei der IKZ 1-Probe nach einer Atzdauer von 120 min.

Anders stellte sich dies bei der CrysTec 1-Probe dar. Auf ihr bildeten sich kleine Sulen, auch an den nicht homogen bestrahlten Stellen. Der Eekt der a reduzierten Atzrate, wie er in Kapitel 1.3.1 beschrieben wurde, ist hier deutlich zu erkennen. Das Herauswandern der E-Feldlinien aus dem bestrahlten Gebiet fhrt zu einem geringeren Stromuss und somit zu einer reduzierten Atzrate u auch innerhalb des nur am Rand bestrahlten Gebietes. Dieser Eekt wird mit Grerwerden des Durchmessers der Kreisstrukturen o immer schwcher. In Abbildung 2.13 ist die IKZ 1-Probe und in Abbildung 2.14 a die CrysTec 1-Probe jeweils nach dem ersten Atzvorgang (120 min) dargestellt. Die IKZ 1-Probe weist im Gegensatz zu dem CrysTec 1-Kristall keine reduzierte Atzrate auf. Bei letzterem ist diese nur noch in der geschlossenen Kreisstruktur zu verzeichnen. Der Eekt, dass die reduzierte Atzrate mit der Gre der o

2.1. BESTIMMUNG DER OPTIMALEN PROZESSPARAMETER

37

Struktur abnimmt, wurde in [8, 30] ebenfalls fr andere Halbleitermaterialien u wie Si und GaAs beobachtet.

Abb. 2.14: Ergebnisse der Kreisbestrahlung mit einem Durchmesser von 30 m bei der CrysTec 1-Probe nach einer Atzdauer von 120 min. Es sind deutlich die reduzierte Atzrate und der Einuss der Kristallstruktur auf die Struktur zu erkennen.

(a)

(b)

Abb. 2.15: (a) Hervortreten der Kristallstruktur bei der CrysTec 1-Probe nach der Bestrahlung mit 5,0 1018 Protonen/cm2 sowie einer Atzdauer von 120 min und (b) die hexagonale Kristallstruktur von Zinkoxid.

38

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

Die originale Oberche ist analog zu den homogen bestrahlten Rechtea cken bei der hier verwendeten Fluenz nicht erhalten. Bei der Bestrahlung der CrysTec 1-Probe wurde die Struktur nochmals mit einer hheren Fluenz von o 18 2 2 5,0 10 Protonen/cm (8000 pC/m ) geschrieben. Das Ergebnis ist in Abbildung 2.15 gezeigt. Nach 120 min tzen trat deutlich die Kristallstruktur des a Zinkoxid-Kristalls hervor. Vergleich der IKZ-Proben untereinander Wie oben erwhnt, verhalten sich die einzelnen IKZ-Proben bei der Struktua rierung mittels PBW unterschiedlich. Bei der IKZ 1-Probe bildeten sich die Strukturen bei Fluenzen zwischen 6,2 1017 Protonen/cm2 (1000 pC/m2 ) und 3,12 1018 Protonen/cm2 (5000 pC/m2 ) nicht komplett aus. Bei der Bestrahlung der IKZ 2-Probe besttigte sich dieses Verhalten jedoch nicht, wie in Aba bildung 2.16 gezeigt ist. Der Grund fr den Abtrag der Oberche whrend u a a des Atzprozesses bei IKZ 1 konnte nicht geklrt werden. a

Abb. 2.16: Die IKZ 2-Probe nach der Bestrahlung mit der angegebenen Fluenz. Bei dieser Probe bildeten sich die Strukturen im Gegensatz zu der IKZ 1-Probe komplett aus.

Bei der Kreisstrukturbestrahlung zeigte sich trotz gleicher Bestrahlungsuenz ebenfalls ein unterschiedliches Verhalten. In Abbildung 2.17 sind die beiden Proben im Vergleich gezeigt. Das Phnomen der reduzierten Atzrate, a welches bei der CrysTec 1-Probe auftrat, ist im Gegensatz zur IKZ 1 auch bei der IKZ 2-Probe zu verzeichnen (Abb. 2.17b). Dies ist auf die Konzentration der freien Ladungstrger in der Probe zurckzufhren, welche bei der IKZ 1 a u u im Vergleich zur IKZ 2 um den Faktor vier grer ist. Die hhere Leitfhigkeit o o a

2.1. BESTIMMUNG DER OPTIMALEN PROZESSPARAMETER

39

(a)

(b)

Abb. 2.17: Vergleich der zwei IKZ-Proben IKZ 1 und IKZ 2 nach der Kreisbestrah lung mit einer Fluenz von 2,8 1018 Protonen/cm2 und einer Atzdauer von jeweils 120 min. Bei Probe 1 (a) tritt im Gegensatz zu Probe 2 (b) keine reduzierte Atzrate auf.

unterdrckt den Eekt der reduzierten Atzrate bei IKZ 1. Weiterhin bildeten u sich bei IKZ 2 im Gegensatz zu IKZ 1 auch Kreisstrukturen mit einem Durchmesser kleiner 15 m aus. In Abbildung 2.17b sind auch erste Einsse der u Kristallstruktur der Zinkoxid-Probe auf die Gestalt der Strukturen zu erkennen.

2.1.3

Zusammenfassung

Die Ergebnisse zeigen, dass es prinzipiell mglich ist, gleichmig bestrahlte o a sowie beliebige Strukturen mittels PBW in Zinkoxid zu erzeugen. Eine Zusammenfassung zeigen die Tabellen 2.3 und 2.4. Fr die IKZ-Kristalle stellte sich eine Fluenz von 6,2 1016 Protonen/cm2 u (100 pC/m2 ) als am besten geeignet heraus. Bei ihr bleiben die Strukturen selbst nach einer Atzdauer von 300 min komplett erhalten. Bei hheren Fluo enzen ab 5,01018 Protonen/cm2 (8000 pC/m2 ) ist dies zwar ebenfalls der Fall, jedoch dauert die Strukturerzeugung bei dieser Bestrahlungsuenz wesentlich lnger. a Die Erzeugung von erhabenen Kreisringen gelang bei der ersten Probe, wenn diese einen Durchmesser von mindestens 30 m hatten. Bei kleineren Durchmessern war es lediglich mglich, homogen ausgefllte Kreisstrukturen o u

40

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID Struktur IKZ CrysTec ja ja nein nein Bemerkung zu den Strukturen IKZ CrysTec Oberche stark a abgetragen (Abb. keine 2.4a) Oberche erhalten a keine (Abb. 2.4d,2.7a,2.7b) Bei IKZ 1 Oberche a Oberche leicht a abgetragen (Abb. abgetragen, glatte 2.5c,2.8a,2.8c), bei Seitenchen nach a IKZ 2 Oberche a erstem Atzvorgang erhalten (Abb. 2.16) (Abb. 2.5a,2.9b,2.9d) Oberche bei IKZ 1 a Teil der Oberche a leicht abgetragen erhalten, (Abb. 2.5d), bei IKZ 2 Terrassenbildung nicht (Abb. 2.16) (Abb. 2.5b) Teil der Oberche a Oberche erhalten a erhalten, (Abb. 2.6b) Terrassenbildung (Abb. 2.6a)

Fluenz
pC 10 m2

pC 100 m2

pC 1000 m2

ja

ja

pC 5000 m2

ja

ja

pC 8000 m2

ja

ja

Tabelle 2.3: Zusammenfassung der Rechteckbestrahlung als Vergleich der IKZ- und CrysTec-ZnO-Probe.

Fluenz

Struktur IKZ CrysTec

pC 4500 m2

ja

ja

Bemerkung zu den Strukturen IKZ CrysTec originale Oberche a originale Oberche a nicht vorhanden nicht vorhanden reduzierte Atzrate keine reduzierte bei geschlossenen Atzrate bei IKZ 1, Strukturen mit jedoch bei IKZ 2 Durchmessern unter 30 m (Abb. 2.14) keine Ausbildung von Strukturen bei Ausbildung von Durchmessern unter Strukturen bei 15 m bei IKZ 1 Durchmessern unter (Abb. 2.12b), jedoch 15 m (Abb. 2.12a) bei IKZ 2 (Abb. 2.17a)

Tabelle 2.4: Zusammenfassung der Kreisstrukturbestrahlung als Vergleich der IKZund CrysTec-ZnO-Probe.

2.2. MIKROSTRUKTURERZEUGUNG

41

zu erzeugen. Die kleinsten hatten dabei einen Durchmesser von 13 m. Bei der IKZ 2-Probe gelang es dagegen auch ringfrmige Kreisstrukturen mit Durcho messern unter 15 m zu erzeugen. Jedoch trat hier der Eekt der reduzierten Atzrate auf und die Kristallstruktur trat leicht hervor. Erkennbar ist ein Zu sammenhang zwischen reduzierter Atzrate und der Konzentration der freien Ladungstrger. Je grer letztere ist, umso kleiner wird der Eekt der redua o zierten Atzrate. Bei der CrysTec 1-Probe erhlt man ab einer Fluenz von 3,1 a 1018 Protonen/cm2 (5000 pC/m2 ) bei homogen bestrahlten Flchen Rechta eckstrukturen, bei denen die originale Kristalloberche ebenfalls noch nach a 300 min Atzdauer erhalten bleibt. Jedoch sind die Strukturen von schlechterer Qualitt als bei den IKZ-Proben. a Die Kreisstrukturerzeugung gelang bei der CrysTec 1-Probe schon bei einem Durchmesser der Kreise von 13 m. Jedoch zeigte sich hierbei deutlich der Eekt der reduzierten Atzrate. Dieser trat auch noch bei Kreisdurchmessern von 30 m auf. Weiterhin trat bei der CrysTec 1-Probe nach Bestrahlung mit hohen Fluenzen die Kristallstruktur des Zinkoxids deutlich hervor. Insgesamt war die Optimierung der Parameter aufgrund des unterschiedlichen Verhaltens der Proben, selbst wenn diese von dem gleichen Hersteller stammen, jedoch schwierig. Fr die folgende Mikrostrukturierung von Zinkoxid wurden somit u IKZ-Einkristalle und eine Bestrahlungsuenz von 6,2 1016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) verwendet, da diese zu den besten Ergebnissen fhrten. u

2.2

Mikrostrukturerzeugung

In diesem Teil werden die Ergebnisse der Mikrostrukturierung mittels der im vorigen Kapitel ermittelten Parameter vorgestellt. Dabei war das Ziel, den minimal mglichen Abstand zwischen Strukturen zu ermitteln. Weiterhin sollten o freitragende Strukturen und verschiedene geometrische Formen geschrieben werden. Bestrahlt wurden dazu die Proben IKZ 3 und IKZ 4. Minimal mglicher Abstand zwischen Strukturen o Um den minimal mglichen Abstand zwischen zwei Strukturen zu ermitteln, o bei dem beide Strukturen noch vollstndig getrennt sind, wurden sechs Rechta

42

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

Abb. 2.18: Rechteckbestrahlung der IKZ 3-Probe zur Bestimmung des minimal mglichen Abstandes zwischen zwei Strukturen. Bestrahlungsuenz: 6,2 o 16 Protonen/cm2 ; Atzdauer: 300min 10

eckstrukturen mit verschiedenen Abstnden zueinander geschrieben. Dabei a wurde eine Fluenz von 6,2 1016 Protonen/cm2 (100 pC/m2 ) gewhlt. Das a Ergebnis ist in Abbildung 2.18 zu sehen. Whrend in [22] fr Silizium ein minimal mglicher Abstand zwischen a u o zwei Wnden von 2,5 m ermittelt wurde, lag dieser bei der hier verwendea ten Zinkoxid-Probe bei 5,5 m. Wurde der Abstand kleiner gewhlt, waren die a Strukturen an der Basis nicht mehr getrennt. Bei einem Scanfeldabstand von 1 m waren sie dann komplett verbunden. Der Grund dafr, dass der Abstand nicht beliebig klein gemacht werden u kann, liegt in dem Herauswandern der elektrischen Feldlinien aus der Lcke u zwischen den zwei bestrahlten Bereichen [22]. Dadurch ndet in dieser kein Materialabtrag mehr statt. Erzeugung freitragender Strukturen Fr die Erzeugung von freitragenden Strukturen wurden sowohl Protonen als u u u a auch H+ - Molekle fr die Bestrahlung gewhlt. Dabei wurden zwei schmale 2 Balken mittels Protonen der Energie 2,25 MeV sowie quer dazu zwei Balken jeweils mittels H+ - Moleklen der Energie 1,125 MeV geschrieben. u 2 Die H+ - Molekle zerfallen beim Eindringen in das ZnO sofort in zwei Prou 2 tonen, welche jeweils eine Energie von 1,125 MeV besitzen. Dadurch verringert sich die Eindringtiefe. Eine SRIM-Simulation fr den Beschuss von Zinkoxid u mittels solcher Molekle ist in Abbildung 2.19 dargestellt. Wie zu erkennen ist u liegt die Eindringtiefe fr die Molekle bei ca. 5 m, die von Protonen mit eiu u ner Energie von 2,25 MeV bei ca. 32 m. Vorausgesetzt, die Atzdauer wird lang

2.2. MIKROSTRUKTURERZEUGUNG

43

genug gewhlt, werden also die mit Moleklen bestrahlten Bereiche untertzt, a u a wodurch dann freitragende Strukturen zurckbleiben [42, 43]. u Das Ergebnis des ersten Versuches bei der IKZ 3-Probe ist in Abbildung 2.20 dargestellt.

Abb. 2.19: SRIM-Simulationen fr die Eindringtiefen von 2,25 MeV-Protonen sowie u 1,125 MeV H+ - Moleklen. u 2

Leider hat sich die Struktur in nur schlechter Qualitt ausgebildet. Ein a Grund knnte der auch chemisch angreifende Atzprozess sein. Andererseits o sind die frei hngenden Strukturarme nicht sehr breit und somit womglich a o beim Splen der Probe abgebrochen. u Es ist also prinzipiell mglich freitragende Strukturen in Zinkoxid zu ero zeugen. Die Qualitt derer kann jedoch noch optimiert werden, vor allem was a den Einuss des chemischen Atzprozesses angeht. Durch dessen Einuss ist es schwierig, kleine freitragende Strukturen zu erzeugen, da diese wohl mglich o schon vor bzw. whrend ihrer Ausbildung chemisch weggetzt werden, wie es a a schon bei der Erzeugung der Sulen in Kapitel 2.1.2 der Fall war. a

44

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

Abb. 2.20: Freitragende Struktur nach dem Beschuss mit den angegeben Fluenzen und einer Atzdauer von 300 min.

Erzeugung eines Mikroresonators in Zinkoxid

Als letztes sollte ein Mikroresonator erzeugt werden. Diese werden z.B. als Einzelphotonenquelle [44, 45] oder auch zur Kopplung von mechanischen mit optischen Freiheitsgraden durch den Strahlungsdruck des Lichts [46]. Dabei gibt es verschiedene Formen der Ausfhrung. u Eine einfache Ausfhrung ist der Fabry-Perot-Resonator. Dabei stehen u sich zwei Spiegel im Abstand d gegenber. Ist der Abstand d ein ganzzahliges u Vielfaches der halben Wellenlnge kommt es zwischen den Spiegeln zu kona struktiver Uberlagerung der Lichtwellen. Weiterhin kann man Resonatoren in verschiedenen geometrischen Formen wie Kreise [47, 48], Dreiecke [49] und he xagonale Formen [50] konstruieren. Ublich ist dabei z.B. die Verwendung von photolithographischen Methoden und Photolacken.

2.2. MIKROSTRUKTURERZEUGUNG

45

Hier sollte nun mittels PBW ein Mikroresonator in Zinkoxid der gleichen Form wie in [47] erzeugt werden. Dazu wurde die Funktionsgleichung

r() = r0 1 +

(2.1)

mit r0 = 300 und einen Deformationsfaktor von = 0,1 sowie als Laufvariable in Polarkoordinaten im Intervall von [0,2] geplottet, anschlieend der innere Teil der Spirale ausgefllt und daraus dann das dat-le erstellt. u

Abb. 2.21: Mittels PBW geschriebener Mikroresonator in Zinkoxid. Der Kreisdurchmesser betrgt ca. 300 m und die Kantenlnge der Nocke ca. 15 m. a a

Abb. 2.22: Groaufnahme der Nocke des Mikroresonators.

46

KAPITEL 2. STRUKTURERZEUGUNG IN ZINKOXID

Die Abbildungen 2.21 und 2.22 zeigen das Ergebnis. Koppelt man nun axial Licht in den Resonator ein, wird dieses aufgrund der Totalreexion4 in den Resonator eingeschlossen und tritt gerichtet nur an der Nocke aus. Eine Simulation diesbezglich ist in [48] gezeigt. u

2.2.1

Zusammenfassung

Der letzte Abschnitt uber die Mikrostrukturierung zeigt, dass es prinzipiell mglich ist, auch freitragende Strukturen in Zinkoxid mittels PBW zu erzeuo gen. Weiterhin stellte sich heraus, dass der minimale Abstand zwischen zwei Strukturen bei den hier verwendeten Methoden mindestens 5,5 m betragen muss, damit diese vollstndig getrennt sind. Die Erzeugung eines Mikroresonaa tors war ebenfalls erfolgreich. Die Untersuchung der optischen Eigenschaften, welche vor allem von der Qualitt der runden Auenche abhngen, konnte a a a im Rahmen dieser Arbeit jedoch nicht mehr erfolgen (vgl. Kapitel Ausblick).

Vorausgesetzt die Brechungsindizes der beiden begrenzenden Medien stehen im richtigen Verhltnis, vgl. Snelliussches Brechungsgesetz. a

Kapitel 3 Ausblick
Als Fortsetzung der Arbeit knnen noch mehrere Dinge variiert werden. o Whrend bei der Bestrahlung bereits viele Fluenzen getestet wurden, a kann der sich daran anschlieende elektrochemische Atzprozess noch optimiert werden. Beispielsweise kann eine strkere Lampe fr die Erzeugung der a u Elektronen-Loch-Paare eingesetzt werden. Dadurch erhht sich der Atzstrom o und somit die Atzrate, wodurch man die Atzzeit fr eine bestimmte Hhe der u o Strukturen verringern kann. Dies htte zur Folge, dass der Einuss des para allel ablaufenden chemischen Atzprozesses besser unterdrckt werden knnte. u o Dies sollte sich positiv auf die Strukturqualitt, z.B. in Form steilerer Kanten, a auswirken. Weiterhin sollten noch -PL-Messungen1 an den Proben erfolgen, um einen Eindruck von den elektronischen Eigenschaften der Strukturen nach der Bestrahlung zu bekommen. Die optischen Eigenschaften des erzeugten Mikroresonators sollten noch untersucht werden, um festzustellen, ob sich die Methode des PBW in Verbindung mit dem Halbleitermaterial Zinkoxid fr solche Anwendungsbereiche u eignet.

Photolumineszenz-Spektroskopie

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Danksagung
An dieser Stelle mchte ich mich bei allen, vor allem bei dem ganzen Team der o NFP-Gruppe, fr die Hilfe bei der Erstellung dieser Arbeit bedanken. Besonu deren Dank gebhrt Herrn Dr. Daniel Spemann fr die Aufnahme in die Abteiu u lung der Nuklearen Festkrperphysik und die Betreuung meiner Arbeit. Durch o seinen kritischen Blick wurden stets alle Fehler sofort bemerkt und konnten somit schnell korrigiert werden. Weiterhin waren die kurzen Konversationen mit ihm zwischendurch, bei denen es auch um Dinge wie die Hobbyfotograe ging, stets sehr gewinnbringend. Fr die Bereitstellung der Zinkoxid-Proben sowie fr die Zweitkorrektur u u und das Interesse an der Arbeit danke ich auch Herrn Prof. Dr. Michael Lorenz. Weiterhin danke ich Dr. Frank Menzel sehr fr die Einarbeitung in die u experimentellen Techniken fr das PBW und die Bereitstellung dieser, vor u allem im Bezug auf das elektrochemische Atzen. Herrn Dr. Jrgen Vogt danke ich fr die Hilfe im Labor und vorallem fr u u u die Hilfe beim Fokussieren und Einstellen der Blenden fr die Messungen. u Ohne das Team im Beschleunigerlabor, Dipl.-Ing. Joachim Starke und Carsten Pahnke, wre natrlich keine Messung mglich gewesen. Sie sorgten stets a u o fr reibungslosen Betrieb und gute Stimmung im Labor. u Ebenso danke ich Herrn Dipl.-Phys. J. Lenzner aus der Abteilung fr Halbu leiterphysik und Herrn Dr. W. Bhlmann aus der Abteilung fr Supraleitung o u und Magnetismus fr die Einarbeitung und Bereitstellung des Elektronenmiu kroskops sowie fr die Erstellung ausgewhlter Elektronenmikroskopieaufnahu a men. Fr die Elektronenmikroskopieaufnahmen des Mikroresonators danke ich u ebenso Frau Esther Machalett vom Institut fr Oberchenmodikation in u a Leipzig. Weiterer Dank gebhrt Frau Ramm fr die Strukturhhenmessung sowie u u o Herrn Dr. Holger von Wenckstern und Dipl.-Phys. Kerstin Brachwitz fr die u Hallmessungen an den Zinkoxidproben. 55

56

Danksagung

Zum Schluss mchte ich noch meiner ganzen Familie, meinem Vater und o besonders meiner Mutter und Oma danken, die jedes Wochenende fr saubere u Wsche sowie leckeres Essen sorgten und stets an den Erfolg des Studiums bis a zu dieser Stelle glaubten.

Selbststndigkeitserklrung a a
Hiermit erklre ich, die vorliegende Arbeit selbststndig verfasst zu haben. a a Dazu wurden keine anderen als die angegebenen Quellen benutzt. Alle Stellen, die sinngem aus Verentlichungen oder anderweitigen Quellen entnommen a o wurden, sind als solche kenntlich gemacht. Die Arbeit wurde nicht in einem anderen Studiengang als Prfungsleistung verwendet. u

Jan Lehnert

Leipzig, den 1. September 2011

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Erklrung fur die Bibliothek a


Ich bin einverstanden, dass die Arbeit nach positiver Begutachtung in den Bestand der Zweigstelle Physik der Universittsbibliothek der Universitt Leipzig a a aufgenommen wird.

Jan Lehnert

Leipzig, den 1. September 2011

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