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Magnetische Hysteresis
9.1. GRUNDLAGEN
9.1
125
Grundlagen
F
ur statische magnetische Felder im Vakuum gilt die Maxwellgleichung
~ H
~ = ~j
(9.1)
NI
2 rm
(9.2)
~ = 0 H
~ +M
~ = 0 (1 + m ) H
~
B
(9.3)
(9.4)
Im Falle von isotropen dia- oder paramagnetischen Stoen ist r eine Materialkonstante.
F
ur die hier betrachteten ferromagnetischen Stoe h
angt r aber in komplizierter Weise vom
Magnetfeld H sowie von der Vorgeschichte des Materials ab. Ziel dieses Praktikumsversuches
ist es diesen Zusammenhang, also die Hysterese, experimentell zu bestimmen.
Um einen wohldefinierten Ausgangszustand des zu untersuchenden Materials zu erhalten,
muss man das Material zuerst entmagnetisieren. Dies gelingt unter anderem durch Erhitzen
des Materials auf Temperaturen oberhalb der Curietemperatur TC (TC (Fe) = 1043 K) und
langsames Abk
uhlen in einer Umgebung mit niedrigem magnetischen Feld. Oberhalb der
Curietemperatur gilt das Curie-Weiss Gesetz
m =
C
T TC
(9.5)
Eine weitere Moglichkeit zur Entmagnetisierung des Materials ist rasches Ummagnetisieren
mit abnehmender Amplitude des Spulenstromes.
Beginnend mit entmagnetisiertem Material nehmen bei Erh
ohung des Spulenstromes, d.h.
bei Erhohung von H, die Magnetisierung M und damit auch die magnetische Induktion B
1
126
9. MAGNETISCHE HYSTERESIS
Abbildung 9.1: Hysteresisschleifen der Magnetisierung M und der magnetischen Induktion B in Abh
angigkeit
des Magnetfeldes H.
9.2. AUFGABENSTELLUNG
127
Energie pro Volumenseinheit des Materials. Materialien mit breiten Hystereseschleifen, also
grossem Koerzitivfeld eignen sich deshalb gut als Dauermagneten, w
ahrend man f
ur Transformatoren Materialien mit sehr hoher Permeabilit
at und kleiner Fl
ache der Hystereseschleife
verwendet um die Ummagnetisierungsverluste klein zu halten.
9.2
Aufgabenstellung
9.3
9.3.1
128
9. MAGNETISCHE HYSTERESIS
(()*+,
*-'"-.
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Abbildung 9.2: Schaltung zur Entmagnetisierung der Ringkerne. Achtung: Die Sekund
arseite des Ringkernes bleibt unbeschaltet!
Uberbr
uckung onen und Widerstand auf Maximalwert hochfahren, was den Strom
ganz auf Null bringt (bei Variac=0 kommt eventuell noch ein Reststrom)
Variac abschalten und vom Netz trennen
Spule abk
uhlen lassen
Aufgabe: Erklaren Sie den hier beschriebenen Entmagnetisierungsvorgang mittels physikalischer Eekte.
9.3.2
Messschaltung fu
r den Magnetisierungszyklus
F
ur die eigentliche Messung wird der Ringkern mit einem Gleichspannungsnetzger
at prim
arsei
tig versorgt. Durch Andern des Widerstandswertes in der Zuleitung (Widerstandsdekade4 ,
Ri ), bei konstanter Einstellung des Netzger
ates,
andert man den Strom durch die Prim
arspule und damit das Magnetfeld H. Der Integrator misst nun den Ladungspuls, welcher beim
Umschalten von einem Widerstandswert zum n
achsten in der Sekund
arspule induziert wird.
Die dazu verwendete Schaltung ist in Abb. 9.3 angegeben. Die Details der Beschaltung des
Integrators entnehmen Sie der Abb. 9.4.
Das tatsachliche Innenleben des Integrators ist allerdings um einiges komplizierter als in Abb.
9.4 dargestellt. F
ur das Verstandnis der Funktionsweise des Integrators sind diese Details
129
Widerstandsdekade, Ri
I1
!
Netzgert
Integrator
Ringkern
Abbildung 9.3: Messschaltung f
ur den Magnetisierungszyklus
9.3.3
130
9. MAGNETISCHE HYSTERESIS
Speicheroszilloskop
Y1
Rint
i2(t)
u2(t)
Ringkern
RL
Y2
Cint
Ua(t)
Integrator
131
4 AT
n2 = 100
50
ra
ri
10
3
1
0
n1= 2000
Abbildung 9.6: Innenleben der Ringkerne: n1 ist die Zahl der Prim
arwindungen, n2 die Zahl der Sekund
arwindungen und 4 AT steht f
ur eine 4 A Sicherung tr
age.
9.3.4
132
9.4
9. MAGNETISCHE HYSTERESIS
Auswertung
N1 I1
2rm
(9.6)
1
(ra + ri )
2
Die Anderung
der magnetischen Induktion ist
qi
Bi =
(RL + RS )
N2 F
(9.7)
(9.8)
Rint Cint
Ua (i)
RL
(9.11)
X
i
1
(RL + RS )
N2 F
Rint Cint
Ua (i)
RL
(9.12)
F
ur RS << RL ergibt sich
B=
X
i
1
(Rint Cint Ua (i))
N2 F
(9.13)
Literaturverzeichnis
[1] Busch, 13. Auflage, Kapitel 35, Seite 246 , Depot Physik
[2] Feynman Lectures on Physics, II-36-6
[3] Eder, Elektrodynamik, Seite 116
[4] Kittel, 6. Auflage, Einf
uhrung in die Festk
orperphysik, 507
[5] M.A. Omar, Elementary Solid State Physics, Chapter 9
[6] Tietze & Schenk, 3. Auflage, Halbleiterschaltungstechnik, 203