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Audio

I G B T-
Leistungsverstärker
die Feldeffekt-Variante HEXFET-MPA
90-W-Endstufe mit 'bipolaren' MOSFETs (12/93) und schließlich den Ulti-Amp
(5/94) als absoluten Spitzenreiter in
Sachen Verzerrungsarmut.
Seit einiger Zeit sind für Audio-Zwecke geeignete IGBTs im
Modifikationen in IGBT
Handel. Grund genug für eine gar nicht so neue Leistungs- Es ist kein Zufall, daß gerade die HEX-
endstufe, die bei hervorragenden Klangeigenschaften satte FET-Endstufe als Grundlage für den
90 W an 8 Ω und 160 W an 4 Ω liefert. IGBT-Verstärker herangezogen wurde.
Schon bei der Entwicklung der HEX-
FET-Version hatten wir eine "schwere-
re" Ausführung im Auge, wie die
Im letzten Jahrzehnt wurden in Elektor tor 11-12/88) wurde zur verzerrungsar- doppelten Platinen-Bohrungen für die
eine Vielzahl von Audio-Endstufen vor- men 50-W-Klasse-A-Endstufe (10/91), Endtransistoren bewiesen. In unserem
gestellt, alle mit hervorragenden techni- die andere Familie basiert auf dem Labor kursierten nämlich nicht nur
schen Daten, jedoch jede einzelne mit superstabilen und kompakten Medium- Gerüchte, sondern schon Datenblätter
ihren individuellen Stärken und Power-Amp (10/90), der in der Audio- einer brandneuen Transistorfamilie, die
Schwächen. Insbesondere zwei Ver- Presse ein glattes Spitzenklasse auf den Namen Insulated Gate Bipolar
stärkerkonzepte erlebten eine Reihe von einheimste. Hier gab es im Laufe der Transistors hörte, eine Zwitterstellung
Modifikationen. Der Stammvater der Jahre eine leistungsfähigere MPA- zwischen bipolaren und MOSFET- Tran-
einen Familie, der robuste 150-W-Low- Brücke (1/91), den Strom-Champion The sistoren einnahm und ganz hervorra-
Feedback-Verstärker The Amp mit Current Amp (11/92) mit einer Aus- gende Eigenschaften aufzuweisen
schnellen Ringemittertransistoren (Elek- gangsleistung von 140 W an 0,4 Ω (!), hatten. Leider standen diese Daten nur
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IGBT-Leistungsverstärker

43V

43V 43V
R17 R22 R24 RF1
D1
C7 C11

56Ω2
1k21

1k21

499Ω

150Ω

0Ω1
R8
R9 R10
* GT20D101
100µ 10mF
R3 C3
10V 50V GT20D201
10M
C6 100Ω GT20D201
P1 BD140 T8
2n7 R26
1M
33n BD139 15Ω
T5
T1 T2 R20
2x 2k2 T12
43V T7
BC550C
R7 BC560C
T10 R25
22Ω1

22Ω1
10M

15Ω0
R11 R12
C5 G C E
A L1

330p BD139 re1

C1 R1 R5 RL1
470Ω 2k00 2Ω2
R31
2µ2 84Ω5
R6 R19 R21 150Ω
R32 R33
* Ls1

6Ω81

6Ω81
C9

22k

1k
R28 R30
22Ω1

22Ω1

15Ω0
R15 R16

68Ω
R2 1µ
C2
47k5

T11
BC550C P2 C10
2n2 T3 T4 1k
HP1
T13 100n
2x
BC560C T9
T6 R29
BD140 15Ω
R4 C4
100Ω BD139 GT20D101
R18 R23 R27 RF2
2n7 D2
C8 C12
56Ω2
1k21

1k21

499Ω

150Ω

0Ω1
R13 R14
*
100µ 10mF
10V 50V
43V

43V
D3 R35
GT20D101 zie tekst 30V
Spezifikationen GT20D201 * 330Ω
C13
D6 Re1

* siehe Text D4
47µ
 Eingangsempfindlichkeit: * seeVefftext
1,1 30V 63V
 Eingangsimpedanz: 47,7voirkΩ 1N4148
 Ausgangsleistung (1 kHz; 0,1% THD): * texte 3x
D5
B
C
88 W an 8 Ω 1N4003 T14
146 W an 4 Ω R36

 Musikleistung (1 kHz Burst, 5 x an, 5 x aus): R34

8M2

94 W an 8 Ω C14
BC617
3k3

167 W an 4 Ω
G C E
22µ
 Leistungsbandbreite (40 W/8 Ω): 1,5 Hz...115 kHz 40V
 Slew rate: > 35 V/µs
 Signal/Rauschverhältnis (bei 1 W/8 Ω): 950077 - 11

101 dB (linear 22 Hz...22 kHz)
 Harmonische Verzerrung (THD) (80 kHz Bandbreite,
1 W/8 Ω, 1 kHz:
80 W/8 Ω, 1 kHz:
20 Hz...20 kHz:
 Intermodulationsverzerrungen (50 Hz : 7 kHz, 4 : 1)
(1 W/8 Ω):
(40 W/8 Ω):
 Dynamische IM-Verzerrungen (Rechteck 3,15 kHz mit Sinus 15 kHz)
(1 W/8 Ω):
(80 W/8 Ω):
 Dämpfungsfaktor (bei 8 Ω, 1 kHz):
(bei 8 Ω, 20 kHz):
auf dem Papier, es war uns schier
unmöglich, eine größere Stückzahl die-
ser Transistoren zu organisieren. Der
IGBT-Verstärker wurde so erst einmal
auf die lange Bank geschoben, und
unser Labor "begnügte" sich mit HEX-
FETs von International Rectifier.
Mittlerweile sind IGBTs auch in Stück-
zahlen erhältlich, so daß einem Projekt
IGBT-Endstufe nichts mehr im Wege
steht. Wie diese Transistoren funktio-
105 dB(A)
Bild 1. Die Schaltung des IGBT-Verstärkers unter-
0,002 % scheidet sich nur durch einige Details von der
0,003 % ursprünglichen, mit HEXFETs bestückten Version.
< 0,05 %
0,002 % nieren, T12 und T13 mit dem HEXFET-AMP
0,003 % welche identisch. Erst bei genauerer Betrach-
Vor- und tung werden weitere Unterschiede deut-
0,0025 % Nachteile lich. Das noch auffälligste Detail ist der
0,002 % sie für das Ersatz der Schmelzsicherungen in den
> 600
jeweilige Sourceleitungen der HEXFET-Endtran-
> 400
Einsatz- sistoren durch Emitterwiderstände RF1
gebiet und RF2 für die IGBTs ersetzt worden
aufwei- sind. Eine zweite Änderung betrifft die
sen, haben wir ausführlich in dem Verdopplung der Werte zweier Kom-
Grundlagenartikel in Elektor 5/95 erläu- pensationswiderstände im Eingangsbe-
tert. IGBTs sind dermaßen einfach reich (R3 und R4), ein zur Verbesserung
anzusteuern, daß sie ohne Umstände des Rauschverhaltens niederohmigeres
die HEXFETs ersetzen können. Sogar Eingangsfilter (R1/C2), eine Erhöhung
das ursprüngliche Platinenlayout kann des Widerstands bei der Ruhestromein-
verwendet werden, ohne daß Leiter- stellung (R21) sowie eine Modifikation
bahnen weggekratzt oder zusätzliche von zwei Kondensatoren und einem
Drahtverbindungen gelegt werden müß- Widerstand in der Schutzschaltung
ten. Selbst die Schaltung ist auf den (C13, C14 und R35). Schließlich ist des
ersten Blick bis auf die Endtransistoren besseren Hochfrequenzverhaltens
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IGBT-Leistungsverstärker

Stückliste

2A5/F
F2
35V
Widerstände:
R1 = 470 Ω
R8
R2 = 47k5

T13
C1

C6
R3,R4 = 100 Ω

P1

R23

R13
R27
R29
R1
C12
R5 = 2k00 1% R7

C2
R6 = 84Ω5 1%

T9
T
R7,R8 = 10 M

C5
R2

R5
R6
R9,R10,R13,R14 = 1k21 1% R14

C8

T11
R11,R12,R15,R16 = 22Ω1 1%

C4
R18
R17,R18 = 499 Ω 1%

P2
R4

R28
R21
R19 = 22 k -

+
Ls1
D2

C9
R15

T6
R20 = 2k2

A
R16

T3

T4
R21 = 1 k 201039
R19

Re1
R31
R22,R23 = 56Ω2 1% 930102 R11

T7
R24,R27 = 150 Ω 1%
T5

R12

T1

T2

R33
R32
R25
R20
R25,R28 = 15Ω0 1% R30
R3
D1

R17

R26,R29 = 15 Ω

C10
C3

T10
R30 = 68 Ω/5 W

L1
C7

R10 D6
R31 = 150 Ω/5 W
T

R32,R33 = 6Ω81 1%

T8
R34
R34 = 3k3
T14
0

0
R36
R35 = 330 Ω

R22
R24
R26
D3
D4
D5

R9
~ ~

R35
R36 = 8M2
RF1,RF2 = 0Ω1/5 W
C

C11
RL1 = 2Ω2/5 W (in L1)

T12
C14

C13

P1 = 1 M Trimmpoti +

2A5/F
F1
35V

P2 = 1 k Trimmpoti

Kondensatoren:
C1 = 2µ2 MKT, RM5 Bild 3. Die Platine kann ohne die
C2 = 2n2 T13 = GT20D101
geringste Änderung vom HEXFET-
C3,C4 = 2n7 T14 = BC617
Amp übernommen werden, so daß
C5 = 330 p/160 V Styroflex
C6 = 33 n Außerdem: auch ein einfacher Umbau bestehen-
C7,C8 = 100 µF/10 V stehend Re1 = Relais 24 V / 875 Ω, 16 A, 1·um der Schaltungen möglich ist.
C9 = 1µ MKT, RM5 (Siemens V23056-A0105-A101)
C10 = 100 n AMP-Flachstecker für Schraubmontage
C11,C12 = 10.000 µF/50 V stehend Keramische Isolierplättchen AOS220 wesentlichen die Verstärkung. Um Ver-
C13 = 47 µF/63 V stehend (Fischer) für T7, T10, T11 zerrungen so weit wie möglich zu ver-
C14 = 22 µF/40 V stehend Glimmer-Isolierplättchen für T12, T13 meiden, stellt diese Art lokaler
Kühlprofil SK85 (Fischer) für T7, T10...T13 Gegenkopplung nur eine geringe Ver-
Spulen: (Rth <0,65 °C/W) stärkung ein. Die Netzwerke R3/C3 und
L1 = Luftspule mit 6 Windungen 1,5 mm 2 Platinen 930102 R4/C4 begrenzen die Bandbreite der
CuL, 16 mm Durchmesser Eingangsstufe und legen die Leerlauf-
Netzteil: Bandbreite des gesamten Verstärkers
Halbleiter: 1 Netztrafo, sek. 2·30 V / 3,75 A (225 VA) fest. Die Gleichstromeinstellung der Dif-
D1,D2 = LED rot, flache Bauform 1 Sicherung 1 A träge, I2t >> 20
D3,D4,D5 = 1N4003 ferenzverstärker wird von den beiden mit
1 Gleichrichterbrücke 100 V/35 A T5 und T6 aufgebauten Stromquellen
D6 = 1N4148 4 Widerstände 0,22 Ω / 5 W
T1,T2,T6 = BC550C vorgenommen, die ihrerseits die LEDs
4 Elkos 10.000 µF/50 V stehend
T3,T4,T5 = BC560C D1 und D2 als Referenzquelle verwen-
Netz-Einschaltverzögerung: Softstart für
T7,T9,T10 = BD139 den. Die LEDs sind thermisch mit den
230 V (Halbleiterheft '92, S. 128)
T8,T11 = BD140 Transistoren verbunden, um eine gute
T12 = GT20D201 Temperaturstabilität zu erreichen.
Zurück zum Eingang. Neben Koppel-
kondensator C1 und dem für die Begren-
wegen ein Dämpfungswiderstand (RL1) Völlig symmetrisch: zung der Eingangsbandbreite
parallel zur oder besser in die Aus- Die Schaltung notwendigen Tiefpaßfilter R1/C2 findet
gangsspule hinzuzufügen. Wer einen Die Wirkungsweise der Endstufe, des- sich ein Netzwerk (P1, R8 und C6), das
schon aufgebauten HEXFET umrüsten sen komplette Schaltung Sie in Bild 1 auf etwas ungewöhnliche Art das Offset-
will, kann dies also ohne Schwierigkei- sehen, wurde schon bei der Beschrei- Problem löst. An P1 wird ganz einfach
ten tun. bung des HEXFET-Amps ausführlich die Ausgangsgleichspannung der End-
Allerdings ist - und dies ist die letzte erläutert. Deshalb begnügen wir uns hier stufe auf Null abgeglichen.
Veränderung - ein anderes Netzteil mit mit einer Kurzbeschreibung. Von den Kollektorleitungen der Transi-
einer höheren Ausgangsspannung nötig. Die Eingangsstufe dieses sehr kompak- storen T1 und T3 wird das verstärkte Ein-
Statt eine sekundären Wechselspan- ten und völlig symmetrischen IGBT-Ver- gangssignal zu den Vortreibern T8 und
nung von 2·25 V muß der Trafo 2·30 V stärkers wird von den beiden T9 geleitet. Zwischen diesen Transisto-
produzieren, woraus sich eine Erhöhung Differenzstufen T1/T2 und T3/T4 gebil- ren sitzt die an P2 einstellbare Span-
der symmetrischen Betriebsspannung det. Das Verhältnis zwischen Kollektor- nungsquelle T7, die den Ruhestrom
der Endstufe um ±8 V auf ±43 V ergibt. und Emitterwiderständen bestimmt im durch die Endtransistoren bestimmt.
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IGBT-Leistungsverstärker

2x 30V/3A75
100V/35A

1A T
Netz-
spannungs- mains 43V
Einschalt-switch-on

Leistungsverstärker
Verzögerungdelay

power amplifier
zum

to
43V
4x 10mF/50V
4x 0Ω22/5W
30V 30V
Für Relais-Versorgung
for relay auf
supply 950077 - 12
der Verstärkerplatine
on power amplifier board

Danach folgt ein komplementäres Trei- Bild 2. Das Netzteil ist einfach und robust. Die Trafospannung wurde von 2·25 V
ber-Paar (T10/T11), das über R26 und auf 2·30 V erhöht.
R29 die IGBTs T12 und T13 mit einer
Steuerspannung versieht. In die Lei-
stungsstufe ist (auch hier um Verzer- bewirkt, ist die gestrichelt eingezeich-
rungen zu vermeiden) mit R30/R31 eine nete Netzspannungs-Einschaltver-
lokale Gegenkopplung realisiert, die die zögerung sicher kein überflüssiger
Spannungsverstärkung dieses Endstuf- Luxus. Wohlgemerkt: Das
enteiles auf den Faktor 3 festlegt. Für abgebildete Netzteil versorgt
die Über-alles-Gegenkopplung sind R5, nur eine Endstufe; bei
R6 und C5 zuständig. einem Stereo-Verstär-
Am Ausgang ist schließlich das bekann- ker benötigt man
te Boucherot-Netzwerk mit R32, R33 und zwei Endstufen
C10 zu sehen, ebenso wie die Aus- und zwei
gangsspule, die Stromspitzen bei kapa- Netztei-
zitiven Belastungen dämpfen soll. Re1 le!
sorgt zusammen mit der Schaltung um
T14 für ein verzögertes Einschalten des
Lautsprechers nach dem Einschalten der
Betriebsspannung, da C14 sich über
R36 erst langsam auf etwa 1,2 V aufla-
den muß, bevor T14 durchschaltet und
das Relais anziehen kann. Da dieser
Schaltungsteil nicht an der gepufferten
Betriebsspannung, sondern direkt an der
Sekundärwechselspannung (D3/D4
arbeiten als Gleichrichter, C13 als sehr
kleiner Pufferelko) betrieben wird, fällt
das Relais beim Ausschalten auch sofort
ab, so daß auch der Ausschaltknacks
nicht im Lautsprecher zu hören sein wird.
Das in Bild 2 gezeigte Netzteil des Ver-
stärkers ist mit Trafo, Brückengleich-
richter und einer Anzahl "dicker"
Pufferelkos klassisch aufgebaut. In die
Betriebsspannungsleitungen befinden
sich vier Reihenwiderstände, die einer-
seits Stromspitzen dämpfen, die beim
Laden der Elkos C11 und C12 auf der
Endstufenplatine entstehen als auch in
Zusammenarbeit mit ebendiesen Kon-
densatoren als eine Art Tiefpaß-Entstör-
filter fungieren. Da die gesamte
Pufferkapazität mit 6·10.000 µF einen nicht
zu unterschätzenden Einschaltstromstoß
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IGBT-Leistungsverstärker

Elektor DEFAULT THD+N(%) vs FREQ(Hz) 24 FEB 95 15:54:45

1
Meßergebnisse a
Obwohl der IGBT-Verstärker bezüglich der
Meßergebnisse keinen neuen Weltrekord auf-
stellt, zeigen die ermittelten Meßdaten, daß wir
es mit einer überdurchschnittlich guten Endstufe 0.1
zu tun haben. Gute Zahlen sagen natürlich nur
wenig über den Klang, sondern sind eine
Voraussetzung, daß der Verstärker theoretisch
in der Lage ist, gute Klangergebnisse abzulie-
fern. Verstärker mit nahezu identischen techni-
0.010
schen Daten können grundverschieden klingen,
so daß die abschließende und entscheidende
Beurteilung der Qualität immer gehörmäßig vor-
genommen werden sollte. Die abgebildeten
Diagramme, ermittelt mit dem Audio Precision
Analyzer, zeigen, daß die Voraussetzungen für 0.001
einen guten Klang gegeben sind.
In Bild A sind die Harmonischen Verzerrungen .0005
(THD+Noise) von 20 Hz bis 20 kHz zu sehen. 20 100 1k 10k 20k
Die durchgezogene Linie gibt die Werte für 1 W
an 8 Ω an, die gestrichelte 75 W an 8 Ω. Bei
hohen Frequenzen ist die übliche Zunahme der AUDIO PRECISION THDVSLVL THD+N(%) vs measured LEVEL(W) 01 MAR 95 10:34:07
Verzerrungen zu beobachten, aber der Anstieg 1
bleibt doch auf einem sehr niedrigen Niveau. b
Diagramm B zeigt die Verzerrungen eines 1-
kHz-Signals als Funktion der Aussteuerung,
alles bei einer Bandbreite von 22 Hz bis 22 kHz
an einer 8-Ω-Last. Die Kurve weist einen Verlauf
auf, bei dem viele teurere Verstärker neidisch 0.1
werden könnten! Der scharfe Knick der Kurve
bei 80 W ist der Clipping-Punkt. Die Kurven in
Bild C zeigen die maximale Aussteuerung bei
einer Verzerrung von 0,1 % an. Beide Linien, die
gestrichelte Linie (4-Ω-Last) und die durchgezo-
gene (8 Ω), zeigen, daß die maximale
0.010
Aussteuerung unabhängig von der Frequenz ist.
Schließlich noch Diagramm D, eine Fourier-
Analyse eines 1-kHz-Signals bei 1 W an 8 Ω mit
unterdrücktem Grundton. Zwar ist die zweite,
dritte und vierte Harmonische gut zu erkennen,
liegen aber satte -100 dB, -110 dB und -120 dB
unter dem Grundton. 0.001
1m 10m 0.1 1 10 100

Elektor GB2FFT AMP1(dBr) vs FREQ(Hz) 01 MAR 95 11:26:18 AUDIO PRECISION PWR-BAND LEVEL(W) vs FREQ(Hz) 01 MAR 95 13:41:04
0.0 300

d c
-20.00
100
-40.00

-60.00

-80.00

10
-100.0

-120.0

-140.0

-160.0 1
0.0 1.00k 2.00k 3.00k 4.00k 5.00k 6.00k 20 100 1k 10k 20k
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IGBT-Leistungsverstärker

Netzspannungs-Einschaltverzögerung
R4 R5
10Ω 10Ω
* see text * zie tekst Re1,Re2 = V23056-A0105-A101 R3
5W 5W
R6

10Ω

10Ω
* voir texte * siehe Text 5W 5W

C1
Re1 Re2
S1 R1
C2
*
270Ω

* R2 *
K1 K3 1M B1 K2
La1 C3 C4
22µ 1000µ
40V 40V
C5
B380C1500 470µ
40V

950077 - 16

Im Schaltbild des Netzteils des IGBT-Verstärkers ist gestrichelt der
Block Netzspannungs-Einschaltverzögerung eingezeichnet. Dieser
Block hat eine andere Funktion als die Lautsprecher-Einschaltverzö-
gerung, die Ein- und Ausschaltgeräusche im Lautsprecher verhindern
soll. Eine Netzspannungs-Einschaltverzögerung soll dagegen verhin-
dern, daß beim Einschalten "dicker" Verbraucher die Netzsicherung
im Sicherungskasten anspricht. Wir haben in der Vergangenheit schon
häufig Schaltungen vorgestellt, die diese Funktion erfüllten. Eine der
wirkungsvollsten, Softstart für 230 V, stammt aus dem Halbleiterheft
'92.
Die Schaltung zeigt die Funktionsweise der Einschaltverzögerung.
Wenn der Netzschalter betätigt wird, gelangt die Netzspannung über
den Wechselstrom-Spannungsteiler C1/C2 und R1 zur Gleichrichter-
brücke, hinter der eine von C3 geglättete Gleichspannung zur Verfü-
gung steht, so daß Re1 einschaltet. Der Einschaltstrom fließt über
eine Reihe von Leistungswiderständen (R3...R6) und wird von ihnen
auf etwa 5 A begrenzt. Erst nach einigen Sekunden, wenn der Ein-
schaltstromstoß vorbei ist, sind C4/C5 so weit aufgeladen, daß auch
Re2 anzieht und die strombegrenzenden Widerstände überbrückt. Der
Wert von C1/C2 ist von der Netzspannung und vom Spulenstrom der
Relais (ca. 30 mA) abhängig. Bei 220-V-Netzspannung ist C1 = 330
nF und C2 = 220 nF, bei 230 V oder 240 V ist C1 auf 470 nF zu
erhöhen, während C2 entfällt. In allen Fällen müssen die Kondensa-
toren eine ausreichende Spannungsfestigkeit aufweisen (630 VDC).

Vor dem Hörgenuß
Was seinerzeit für den Aufbau der HEX-
FET-Endstufe galt, trifft natürlich auch
für die IGBT-Version zu. In Bild 3 ist der
fast unveränderte Bestückungsplan der
Platine zu sehen. Unterschiede gibt es
vor allem bei der Auswahl der Bauteile.
Insbesondere bei den IGBTs sollte man
darauf achten, daß sie möglichst gleich
sind. Dies erkennt man an den gleichen
(!) letzten Buchstaben der Typenbe-
zeichnung, wobei der Buchstabe ein Y
oder ein O sein kann. Auch für T8/T9
und T10/T11 gilt, daß die PNP- und die
NPN-Typen möglichst gleiche Parame-
ter aufweisen sollten. Am besten ver-
wendet man komplementäre
BD139/140-Paare, auch wenn diese im
Handel nicht so leicht erhältlich sind.
Noch wichtiger ist eine gute Symmetrie
im Eingangsbereich. Die Kleinsignal-
transistoren T1/T2 und T3/T4 kann man
preiswert in großen Mengen erwerben
und mit einem Kennlinienschreiber paa-
ren.
Unabdingbar für die Stabilität der inter-
nen Gleichstromeinstellung ist eine gute
thermische Kopplung von T1/T2, T3/T4,
D1/T5 und D2/T6. Der thermische
Aspekt ist auch im Leistungsteil wichtig.
Die Endtransistoren, die Treiber und der
Spannungsquellen-Transistor T7 benöti-
gen einen (gemeinsamen) Kühlkörper.
Die IGBTs werden mit speziellen Glim-
mer-Plättchen, die BD-Typen mit kera-
mischen Isolierscheiben versehen.
Vergessen Sie keinesfalls eine dünne
Lage Wärmeleitpaste an beiden Seiten
der Glimmerplättchen.
T8 und T9 werden nicht - wie der
Bestückungsplan vermuten läßt - lie-
gend, sondern stehend montiert. Zwi-
schen den Transistoren befestigt man
einen entsprechend gebogenen Alumi-
niumstreifen, der ausreichend Platz zur
Bedienung des Trimmers läßt. Die Tran-
sistoren müssen isoliert befestigt wer-
den. Verzichtet man auf den
gemeinsamen Kühlkörper und setzt
gewöhnliche Aufsteckkühlkörper ein, ver-
spielt man die Vorteile gepaarter Tran-
sistoren und riskiert ein instabiles
Verhalten der Endstufe!
Die Spule L1 besteht aus sechs Win-
dungen 1,5-mm-Kupferlackdrahtes, die
auf den Schaft eines 16-mm-Bohrers
gewickelt werden. Der Widerstand RL1
sollte durch die Spule führen, man kann
ihn aber notfalls auch auf der Platinen-
unterseite festlöten.
Ein häufiger Fehler bei der Gehäuse-
montage ist es, die Endtransistoren
gegen die Innen- und den Kühlkörper
gegen die Außenseite der Gehäu-
serückwand zu schrauben. Eine solche
Anordnung kann zum sofortigen Able-
ben der Endtransistoren führen! In der
Beschreibung des HEXFET-Amps fin-
den Sie einen Verdrahtungsplan für ein
komplettes und kompaktes Mono-Modul.
Vor den ersten Höreindrücken steht jetzt
nur noch der Abgleich der Endstufe.
Bevor die Betriebsspannung einge-
schaltet wird, dreht man P2 auf maxi-
malen Widerstand (Schleifer in Richtung
R33). Dann dreht man an P1, bis ein
digitales Multimeter am Verstärkeraus-
gang genau 0 V anzeigt. Das DVM wird
anschließend über RF1 oder RF2 ange-
schlossen und P2 langsam so gedreht,
daß der Spannungsabfall ungefähr 10
mV beträgt, was einem Ruhestrom von
100 mA durch T12 und T13 entspricht.,
Wenn die thermische Stabilität des Ver-
stärkers gewährleistet ist, steigt der
Ruhestrom im Laufe einer halben Stun-
de auf den doppelten Wert (200 mA).
Eventuell ist P2 noch ein wenig nach-
zustellen. Als Folge des positiven Tem-
peraturkoeffizienten der IGBTs nimmt
der Ruhestrom bei steigender Verlust-
leistung nicht wie gewöhnlich zu, son-
dern verringert sich. (950077)