ME2 Kurz2 Kompr

Welche Halbleitermaterialien gibt es?
Übersicht über Elementare und Verbindungshalbleiter

• Elementare Halbleiter
• Si, Ge, B, Se, Te,
• Binäre Verbindungshalbleiter
• IV/IV-Verbindungshalbleiter
SiGe, SiC, GeSn
• II/VI-Verbindungshalbleiter:
ZnO, ZnSe, CdS, CdTe, BeSe, HgS, HgTe
• III/V-Verbindungshalbleiter:
GaAs, GaP, GaN, InP, InAs, AlN
• Weitere binäre Verbindungshalbleiter:
II/IV: Mg2Si, Mg2Ge
II/V: Zn3As2,Cd3As2
IV/VI: PbO,PbS, PBSe, PbTe
V/VI: Sb2S3, Sb2Te3, Bi2Te3
Mikroelektronik II (ME II)

Universität Stuttgart | Institut für Halbleitertechnik | Dr. Michael Oehme
Folie 01-21
Übersicht über Verbindungshalbleiter
• Ternäre Verbindungshalbleiter
Durch Änderung der Zusammensetzung lassen sich sowohl Gitterabstand als auch Energielücke
gezielt variieren
• IV/IV-Verbindungshalbleiter
SiGeSn
• III/V-Verbindungshalbleiter:
AlGaAs, InGaN, InGaAs
• II/VI-Verbindungshalbleiter:
(Zn,Cd)Se, Zn(S,Se), (Be,Zn)Se, (Be,Cd)Se
• Quarternäre Verbindung
GaInAsP

Moontragoon et al. J. Appl. Phys. 112, 073106 (2012)
Folie 01-22
Organische Halbleitermaterialien

Folie 01-23
Silizium: Warum wurde es so dominant?
5 + 1 technologische Gründe für die Dominanz des Siliziums
• Silizium ist ein elementarer Halbleiter.
• Man findet Silizium „wie Sand am Meer“.
• Silizium lässt sich in einem großen
Konzentrationsbereich n- und p-dotieren.
• Silizium ist ungiftig.
• Silizium bildet ein natürlich Oxid mit hoher Güte
für elektronische Anwendungen.
• Die Halbleiterindustrie zählt zu den

konservativsten Industriebranchen der Welt

Folie 01-26
Die Triebkraft des Marktes – Das Mooresche Gesetz
Ein Business-Plan
Gordon E. Moore (*03.01.1929, San
Francisco, Begründer von Intel)
1. Vervierfacht sich die Anzahl der Transistoren pro Chip alle

drei Jahre und …
2. … erhöhen sich dabei die Herstel-
lungskosten für einen Chip im glei-
chen Zeitraum nur um den Faktor
zwei, ergibt sich …
3. eine Steigerung des ökonomischen
Profits um 30 % jedes Jahr!
„Cramming More Components onto Integrated Circuits“

Gordon E. Moore (Fairchild Camera and Instrument Corp.,
USA) in „Electronics“, Vol. 38 #8, 19. April 1965
„Progress in Digital Integrated Electronics“
Gordon E. Moore (Intel Corp., USA), IEDM, 1.-3. Dezember
1975, Washington DC, USA
Folie 01-35
Skalierung, Skalierung, Skalierung
Minimale Strukturgröße (links) und Chipgröße

(rechts) vs. DRAM-Generation
Exponentielle Wachstumsraten
der Halbleiterindustrie
=
„Mooresche Gesetz“
Zeitliche Entwicklung der Transistor-

dichte auf einem Chip
Folie 01-37
Miniaturisierung & Skalierung
... würden wir das Automobil in gleicher Weise wie unsere
Computer skalieren (1975-1993), dann:
• Geschwindigkeit: Mach 4 (Mach 1: 1.245 km/h)
• Verbrauch: 2,12·105 Kilometer pro Liter
• Größe: 1,25 cm
• Zuverlässigkeit: 750-mal höher
• Preis: 2 € 18 Cents
Speichereinheit
Mikroelektronik II (ME II) einer Z4
Folie 01-41
Extrapolation des Mooreschen Gesetzes
2012

Folie 01-45
Die Zukunft der Silizium-basierten Halbleitertechnologie
FinFET-Technologie und III/V-Heterointegration
a) 10 nm LC Si-MOSFET
b) Non-planar Si Tri-Gate
c) III-V QWFET
d) CNT-FET
e) Si-Nanowire-FET
Quelle: Intel Corporation

Folie 01-50
Kapitel 2
Der pn-Übergang
Mikroelektronik II (ME II) Mikroelektronik II (ME II)

Universität Stuttgart | Institut für Halbleitertechnik | Dr. Michael Oehme Universität Stuttgart | Institut für Halbleitertechnik | Pfaffenwaldring 47
Folie 2-1
Dr. Michael Oehme | www.iht.uni-stuttgart.de
Eine kurze Geschichte der Dioden
„npnpnpnpnpnpnpnpnpn“
Diacs: Es gibt Ausführungen mit pnp-Über-
gängen (Dreischichtdiode), pnpn-Übergäng-
en (Vierschichtdiode) und pnpnp-Übergäng-
en (Fünfschichtdiode).
Bipolartransistor
Shockley-Diode Triac (Triode for

(4-Lagen-Transistor-Diode) Alternating Current)
Folie 2-4
Eine kurze Geschichte der Dioden
1874: Entdeckung der Halbleiter-Diode – Kristall-Detektoren
Galenit oder Bleiglanz (Blei(II)sulfid, PbS), ist ein weit verbreitetes Mineral aus der Mine-
ralklasse der „Sulfide und Sulfosalze“. Es kristallisiert im kubischen Kristallsystem und
ent-wickelt oft Kristalle von vollkommener Würfelform, aber auch oktaedrische, seltener
tafe-lige oder skelettförmige Kristalle und massige Aggregate von bleigrauer Farbe und
Strich-farbe.
Galenit oder Bleiglanz (Blei(II)sulfid, PbS)

Folie 2-7
Elektronische Bandstruktur eines Festkörpers
Bilder zu den Stichworten „Bändermodell“ & „Bandstruktur“

Folie 2-16
Wozu braucht es eine „elektronische Bandstruktur“?
Um die elektronischen Eigenschaften eines Festkörpers beschreiben zu können,
ist es wichtig, folgende Informationen zu haben:
• An welchen Orten dürfen sich die Elektronen im Kristall aufhalten?
• Welche Energien können die Elektronen an diesen Orten aufnehmen bzw. besitzen
sie bereits an diesen Orten?
• Wie können sie diese Energien einsetzen? Oder anders: Mit welchen Geschwindig-
keiten können sich die Elektronen in welche Richtungen mit Hilfe dieser Energien
durch den Kristall bewegen? Also: Welche Impulse sind erlaubt?
Energie
Hexagonale Kristall-
struktur des Graphits
px  k x 
    
p = py  =  ⋅ k y 
Impuls p  k 
 z  z
x
  
r = y
z
 
Folie 2-18
Ortsraum (= Bändermodell)
Energie
px  k x  
r
     Ursprung beliebig
x
p = py  =  ⋅ k y  wählbar
Impuls p  k 
 z  z
y
x
   Impulsraum bzw. k-Raum (= Bandstruktur)
r = y
pz =  ⋅ k z
z
 
 
Aufsplittung in Orts- Ursprung in einem p =  ⋅k
px =  ⋅ k x
und Impulsraum ruhenden Elektron
Mikroelektronik II (ME II) py =  ⋅ k y

Folie 2-19
z
Ortsraum (= Bändermodell)

r
x

Folie 2-20
pz =  ⋅ k z
(= Bandstruktur)
Impulsraum bzw. k-Raum
 
p =  ⋅k
px =  ⋅ k x
py =  ⋅ k y

Folie 2-21
Systematik der Werkstoffe der Elektrotechnik
Werkstoffe der
Elektrotechnik
Nichtleiter (Isolatoren) Leiter (Metalle)

𝜎𝜎𝐼𝐼 = 0 Halbleiter 𝜎𝜎𝑀𝑀 ≫ 0
0 𝐾𝐾 < 𝑇𝑇 < 𝑇𝑇𝑆𝑆 𝑇𝑇 ↑ 𝜎𝜎 ↓
Halbmetalle Verbindungshalbleiter Legierungshalbleiter

Indirekte Halbleiter Direkte und indirekte Direkte und indirekte
(Elementhalbleiter) Halbleiter (III/V-, II/VI-, Halbleiter
IV/IV-VHL) (IV/IV-LHL)
lim 𝜎𝜎𝐻𝐻𝐻𝐻 = 0 = 𝜎𝜎𝐼𝐼 lim 𝜎𝜎𝐻𝐻𝐻𝐻 = 𝜎𝜎𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 ≪ 𝜎𝜎𝑀𝑀 𝑇𝑇 ↑ 𝜎𝜎 ↑

𝑇𝑇→0𝐾𝐾 𝑇𝑇→𝑇𝑇𝑆𝑆
Folie 2-22
Bindungsarten und Kristallstruktur
NaCl-Kristallstruktur
(Ionische Bindung)
Metallische Bindung: Ein „Fermi-Gas“ aus Elektronen

umspült einfach (ggf. zweifach) positiv geladene Me-
tallionenrümpfe
CaF2-Kristallstruktur Salz im abflusslosen Binnensee

(Ionische Bindung) Salar de Uyuni (Bolivien)
Folie 4-4
d
d 109,5°

Folie 4-5
[001]
bSi-Si
aSi = 0,543 nm
[010]
[100]
Die Hybridisierung erklärt z. B. die Bildung

der Diamantstruktur im Kohlenstoff-, Sili-
zium-, Germanium- & α-Zinn-Kristall.

Folie 4-6
Die „effektive Massenäherung“
Fermi-Verteilungsfunktion bei verschiedenen Temperaturen
1,00
1
f(W,T)
𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) =
𝐸𝐸 − 𝐸𝐸𝐹𝐹
1 + 𝑤𝑤𝑒𝑒𝑒𝑒
𝑘𝑘𝐵𝐵 � 𝑇𝑇
0,50
0,25 T = 30 K
T = 300 K
T = 1400 K
0
EF E / eV
Enrico Fermi (*29.09.1901 in Rom, †28.11.1954 in Chicago,
italienischer Physiker, Nobelpreis für Physik 1938)
Folie 4-11
1
E E E 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) = 𝐸𝐸−𝐸𝐸𝐹𝐹
1 + 𝑤𝑤 𝑘𝑘𝐵𝐵 �𝑇𝑇
∞
𝑤𝑤� = � 𝐷𝐷 𝐸𝐸 � 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇)𝑑𝑑𝐸𝐸

𝑇𝑇>0𝐾𝐾
0
EF
𝐷𝐷(𝐸𝐸) ∝ 𝐸𝐸
x D(E) fF(E, T)
Mikroelektronik II (ME II) 0 1
Folie 4-7
Das „Bändermodell“ (Metall)
1
𝜎𝜎 = = 𝑞𝑞 � 𝑤𝑤 � 𝜇𝜇𝑛𝑛
𝜌𝜌
unipolarer ohmscher Leiter

Folie 4-8
Das „Bändermodell“ (Halbleiter)
1
𝜎𝜎 = = 𝑞𝑞 � (𝑤𝑤 � 𝜇𝜇𝑛𝑛 + 𝑒𝑒 � 𝜇𝜇𝑝𝑝 )
𝜌𝜌
bipolarer ohmscher Leiter

Folie 4-11
1
E E E 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) = 𝐸𝐸−𝐸𝐸𝐹𝐹
lim 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) = 𝐹𝐹𝐹𝐹 (𝐸𝐸)

𝑇𝑇→0
𝐷𝐷𝑛𝑛 (𝐸𝐸) ∝ 𝐸𝐸 − 𝐸𝐸𝐿𝐿 1, 𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤 𝐸𝐸 ≤ 𝐹𝐹𝐹𝐹
𝐹𝐹𝐹𝐹 𝐸𝐸 = �
0, 𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤 𝐸𝐸 > 𝐹𝐹𝐹𝐹
EF
𝐷𝐷𝑝𝑝 (𝐸𝐸) ∝ 𝐸𝐸 − 𝐸𝐸𝑉𝑉
EF
x D(E) F(E)
Folie 4-13
∞
1
E E 𝑤𝑤� = � 𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐸𝐸 � 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇)𝑑𝑑𝐸𝐸E 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) = 𝐸𝐸−𝐸𝐸𝐹𝐹
𝑇𝑇>0𝐾𝐾 1 + 𝑤𝑤 𝑘𝑘𝐵𝐵 �𝑇𝑇
𝐸𝐸𝐿𝐿
𝑒𝑒� = � 𝐷𝐷𝑝𝑝 𝐸𝐸 � (1 − 𝑓𝑓𝐹𝐹 𝐸𝐸, 𝑇𝑇 )𝑑𝑑𝐸𝐸

𝑇𝑇>0𝐾𝐾
𝐸𝐸𝑉𝑉
EF
x D(E) fF(E, T)
Folie 4-14
Definition der „effektiven Zustandsdichten NL und NV

Folie 4-16
*) Die auftretenden Bandverbiegungen werden nicht dargestellt.
**) RLZ: Raumladungszone
Die abrupte (a)symmetrische pn-Diode

Bildung von Raumladungszonen
positive RLZ** negative RLZ
*E *
Zentrum (Q = -q)
ortsfestes, negativ geladenes
L
ortsfestes, positiv geladenes
EL
EV EV
Zentrum (Q = +q)
Situation in einem abrupten pn-Übergang nach dem Einsetzen

der Ladungsträgerdiffusion und -rekombination bei Raumtem-
Mikroelektronik II (ME II) peratur (τ >> 0, µn > µp)
Folie 4-7
Bildung von Raumladungszonen
Schematische Darstellung eines asymmetrischen, abrupten
pn-Übergangs mit Raumladungszonen
I(U)-Kennlinie (schematisch) eines

abrupten pn-Übergangs
Verteilung der Dotierstoffkonzentrationen in einem

asymmetrischen, abrupten pn-Übergang
Folie 4-8
Die „Depletion-Näherung“
Es gilt das Maxwellsche Gesetz: 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝔇𝔇 𝑟𝑟⃗ = 𝜚𝜚 𝑟𝑟⃗ .

𝑑𝑑𝔇𝔇 𝑥𝑥
Formuliert in nur einer Dimension ergibt sich: = 𝜚𝜚 𝑥𝑥 .
𝑑𝑑𝑥𝑥
Mit 𝔇𝔇 𝑥𝑥 = 𝜀𝜀0 � 𝜀𝜀𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟 � 𝔈𝔈(𝑥𝑥) und 𝔈𝔈 𝑥𝑥 = −𝑔𝑔𝑟𝑟𝑔𝑔𝑑𝑑 𝜑𝜑(𝑥𝑥) erhält man daraus die Poisson-
Gleichung:
𝑑𝑑2 𝜑𝜑 𝑥𝑥 𝜚𝜚 𝑥𝑥
= −
𝑑𝑑𝑥𝑥 2 𝜀𝜀0 � 𝜀𝜀𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟
In der „Depletion“-Näherung (Schottkysche Parabelnäherung) erhält man damit für
Bereiche mit einfach positiv geladenen Donatoren:
𝑑𝑑2 𝜑𝜑 𝑥𝑥 𝑞𝑞 � 𝑁𝑁𝐷𝐷
= −
𝑑𝑑2 𝜑𝜑 𝑥𝑥 𝑞𝑞 � 𝑁𝑁𝐴𝐴
bzw. für Bereiche mit einfach negativ geladenen Akzeptoren: = .
Folie 4-9
Die „Depletion-Näherung“: Elektrostatisches Potential und Feld
Abfall des elektrostatischen Potentials ϕ(x) in einem asymmetrischen,
abrupten pn-Übergang
ϕ(x) = Vbi Berechneter Verlauf des elektrostatischen Potentials

unter Verwendung der „Depletion“-Näherung
ND NA
NA ≡ Akzeptorkonzentration
ND ≡ Donatorkonzentration
ϕ(x) = 0
-xn 0 xp

Folie 4-12
Die „Depletion-Näherung“: Elektrostatisches Potential und Feld
Elektrische Feldverteilung 𝕰𝕰(𝒙𝒙) in einem asymmetrischen,
abrupten pn-Übergang
𝔈𝔈 𝑥𝑥 = 𝔈𝔈𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 Berechneter Verlauf des elektrischen Feldes unter

Verwendung der „Depletion“-Näherung
ND NA
𝔈𝔈 𝑥𝑥 = 0
-xn 0 xp

Folie 4-13
Die „Depletion-Näherung“: Verlauf der Bandkanten
Zeitliche Entstehung der Bandkantenverbiegung in einem symmetrischen, abrupten
pn-Übergang aufgrund des sich aufbauenden elektrischen Feldes 𝕰𝕰(𝒙𝒙, 𝒕𝒕) (t = 0)
Berechneter Verlauf der Valenzbandoberkante EV(x)

ND NA und der Leitungsbandunterkante EL(x)
EL(x) EV(x) = –q∙ϕ(x)

EF, n-Typ HL EL(x) = –q∙ϕ(x) + Eg
EF, p-Typ HL
Eg
EV(x)

Folie 4-16
pn-Übergang aufgrund des sich aufbauenden elektrischen Feldes 𝕰𝕰(𝒙𝒙, 𝒕𝒕) (t = τ1 > 0)

EV(x) = –q∙ϕ(x)
EL(x) EL(x) = –q∙ϕ(x) + Eg
EF, n-Typ HL
EF, p-Typ HL
Eg
EV(x)
-xn 0 xp

Folie 4-17
pn-Übergang aufgrund des sich aufbauenden elektrischen Feldes 𝕰𝕰(𝒙𝒙, 𝒕𝒕) (t = τ5 = τ∞
> τ4)
EL(x) = –q∙ϕ(x) + Eg
EL(x) ND ≡ Donatorkonzentration
EF, p-Typ HL = EF, n-Typ HL
Eg
EV(x)
-xn 0 xp

Folie 4-21
Die „Depletion-Näherung“: Diffusionsspannungen
2
ten Gebiets. Konzentration des höher dotierten Gebiets:

als Funktion der Dotierkonzentration des schwächer dotier-
Diffusionsspannung für verschiedene Halbleiter-materialien
1∙1020 cm-3
Silizium
Germanium
Diffusionsspannung Ubi (V) 1,5

Galliumarsenid
0,5
0
1013 1014 1015 1016 1017 1018 1019
Dotierungskonzentration NA(D) (cm-3)

Folie 8-3
Die „Depletion-Näherung“: Raumladungszonenweiten
101
zium als Funktion der Dotierkonzentrationen

Weite der Raumladungszone eines pn-Übergangs aus Sili-
100
wRL (µm)
10-1
ND(A) = 1014 cm-3
ND(A) = 1015 cm-3
ND(A) = 1016 cm-3
10-2 ND(A) = 1017 cm-3
ND(A) = 1018 cm-3
ND(A) = 1019 cm-3
10-3
1014 1015 1016 1017 1018 1019
NA(D) (cm-3)
Folie 8-4
Die „Depletion-Näherung“: Verlauf der Bandkanten unter externer Spannung
Banddiagramm eines abrupten pn-Übergangs
mit und ohne äußerer Spannung Vext
xp(-Vext)
E
Leitungsbandkante EL(x) = –q·ϕ(x) + Eg -q·Vext
Valenzbandkante: EV(x) = –q·ϕ(x)
+q·Vext
-xn(-Vext)
EL(x)
-q·Vext
EF
+q·Vext
EV(x)
-xn -xn(+Vext) xp(+Vext) xp x

Folie 8-5
Bandkantenverlauf in einem symmetrischen, abrupten pn-Übergang mit angelegter
äußerer Spannung Vext (Vbi – Vext, 0 = Vbi, Vext, 0 = 0)

EL(x) ND ≡ Donatorkonzentration
EF, p-Typ HL = EF, n-Typ HL
Eg
EV(x)
-xn 0 xp

Folie 8-6
äußerer Spannung Vext (Vbi – Vext, 2 > 0, Vext, 2 > Vext, 1 > 0)

EL(x)
–q∙Vext, 2
Eg
EV(x)
-xn 0 xp

Folie 8-8
äußerer Spannung Vext (Vbi – Vext, 4 > 0, Vext, 4 > Vext, 3 > 0)

EL(x) EL(x) = –q∙ϕ(x) + Eg
–q∙Vext, 4
Eg
EV(x)
-xn 0 xp

Folie 8-10
äußerer Spannung Vext (Vbi – Vext, 5 = 0, Vext, 5 = Vbi > Vext, 4 > 0)


–q∙Vext, 5
Eg
EV(x)

Folie 8-11
äußerer Spannung Vext (Vbi – Vext, 6 < 0, Vext, 6 > Vbi = Vext, 5 > 0)


–q∙Vext, 6
Eg
EV(x)

Folie 8-12
Bandkantenverlauf und Fermi-Verteilung in einem E
symmetrischen, abrupten pn-Übergang
Berechneter Verlauf der Valenzbandober-
kante EV(x) und der Leitungsbandunterkan-
te EL(x)
ND NA
EL(x)
EF
Eg
EV(x)
-ln 0 lp
fF(E, T)
Mikroelektronik II (ME II) 0 ½ 1
Folie 8-13
Herleitung der Kennlinie: Berechnung des Diffusionsstromes
100 20
normierte Stromdichte j / jS
normierte Stromdichte j / jS
10
10
1 0
Flussbereich Sperrbereich Fluss-

bereich
0,1 -10
0 2,5 5 -10 -7,5 -5 -2,5 0 2,5 5
normierte Spannung q∙Vext/(kB∙T) normierte Spannung q∙Vext/(kB∙T)
Normierte I(U)-Kennlinie eines abrupten pn-Übergangs: Flussbereich in halblogarithmischer
Auftragung (links); Fluss- und Sperrbereich in linearer Auftragung (rechts)

Folie 8-14
1939: Erfindung der Spitzen-Diode durch W. Schottky – Die erste „echte“ pn-Diode
Siemens & Halske, Berlin, Deutschland

Walter Schottky (*23.07.1886 in Zürich, †04.03.1976 in
Pretzfeld, deutscher Physiker und Elektrotechniker)
Typische Germanium-Spitzendiode im
Glasgehäuse für bis etwa 1 GHz
Folie 8-15
Herstellung von pn-Übergängen
Anlagenkonzepte zur Herstellung von Diffusionsprofilen
Diffusionsofens (Horizontalofen)
Schematische Darstellung eines
Vertikaler Ofen
Folie 8-17
Das Verfahren der lokalen Díffusion
Dicke einer Oxidmaske gegen Diffusion

als Funktion von Zeit und Temperatur
Zweidimensionale Störstellenverteilung
am Rand einer maskierenden Schicht
Maskenkonzept für die

lokale Diffusion
Folie 8-18
1954: Patent zur Ionenimplantation – I2
William Bradford Shockley (*13.02.1910 in London,
02.04.1957, US-Patentnum-mer 2787564)

Bombardment“ von W. Schockley (beantragt: 29.10.1954, erteilt:
Patentschrift
Schematische Zeichnung einer Implantationsanlage aus der
†12.08.1989 in Stanford, US-amerikanischer Physiker,
Nobelpreis für Physik 1956)
„Forming Semiconductive Devices by Ionic

Target-Kammer einer modernen
Implantationsanlage
Folie 8-19
I2-Profil und Reichweite von Ionen

Folie 8-20
1959: Beginn der Planartechnologie
Jean Amédée Hoerni (*26.09.1924 in Genf, †12.01.1997
in Seattle, Washington, USA, schweizer Physiker und
Mathematiker)
Gehäuster Silizium-
npn-Transistor
Erster planarer Transistor von Fairchild aus Silizium

(Durchmesser 0,75 mm, hergestellt mittels selekti-
ver Dotierung durch eine Oxidmaske): Dotierprofil
(unten links), schematische Zeichnung (unten
rechts), Draufsicht (oben rechts)
Fairchild,
Mountain View, CA,
USA

Folie 8-21
Molekularstrahlepitaxie – MBE
Typische Form einer epitaxischen Verwachsung von Cumengeit
(tetragonale Pyramiden) auf Boleit-Würfeln
MBE-Systems
mit einer Silizium-Quelle eines
Elektronenstrahlverdampfer (ESV)
Folie 8-22
MBE-Dotierprofile in einem realen pn-Übergang

Folie 8-23
Kapitel 3
Der Schottky-Kontakt

Folie 8-24
Metalle & metallische Leitfähigkeit
Elemente des periodischen Systems, die Metalle bilden
Leichtmetalle (ρ < 5 g/cm³)
Schwermetalle (ρ < 10 g/cm³)
Schwermetalle (ρ > 10 g/cm³)

Folie 8-27
Eigenschaften der Metalle
Charakteristika der Metalle
1. Hohe elektrische Leitfähigkeit,
die mit steigender Temperatur
abnimmt,
2. Hohe Wärmeleitfähigkeit,
3. Duktilität (Verformbarkeit,
Schmiedbarkeit)
4. Metallischer Glanz
(Spiegelglanz).,
5. Rost.
Mikroelektronik II (ME II) v. l. n. r.: Gallium, Kupfer, Gold, Eisen

Folie 8-28
Das Fermi-Gas: Brownsche Molekularbewegung und Drift
𝕰𝕰
a) Thermische Bewegung (Brownsche Molekularbewegung) der Elektronen des Fermi-Gases ohne

Feld (𝔈𝔈 = 0, 𝑇𝑇 ≠ 0) und b) Drift thermischer Elektronen in einem elektrischen Feld (𝔈𝔈 ≠ 0, 𝑇𝑇 ≠ 0)

Folie 8-30
Der Metall/Metall-Übergang
Vergleich der Zustände der Fermi-Gase zweier Metalle bei T > 0 K
E E
EVakuum
ΦM1 ΦM2
|∆ΦM|
EF, M1
EF, M2
DM1(E) DM2(E)
Folie 8-8
*) RLZ: Raumladungszone

Der Metall/Metall-Übergang
Situation in einem Metall/Metall-Übergang nach dem Einsetzen der Ladungsträger-
diffusion
Elektronen des Fermi-
Elektronen des Fermi-

Gases im Metall 1
Gases im Metall 2
Φ𝑀𝑀𝑀 < Φ𝑀𝑀2 ⟹ Diffusion der

Elektronen von M1 nach M2
Mikroelektronik II (ME II) positive RLZ* negative RLZ
Folie 8-10
Thermoelektrizität
Jean Charles Athanase Peltier (*22.02.1785, Ham (Somme),
†27.10.1845, Paris, französischer Physiker)
Durch den Seebeck-Effekt entsteht in einem Stromkreis aus zwei verschiedenen

elektrischen Leitern bei einer Temperaturdifferenz zwischen den Kontaktstellen ei-
ne kleine elektrische Spannung. Beim Peltier-Effekt liegen gegenüber dem See-
beck-Effekt umgekehrte Verhältnisse vor – ein elektrischer Stromfluss bewirkt ei-
ne Änderung des Wärmetransportes.
Thomas Johann Seebeck (*29.03.1770, Reval

(heute Tallinn), †10.12.1831, Berlin, deutsch-
baltischer Physiker)
Folie 8-11
*) Die auftretende Bandverbiegung wird nicht dargestellt.
Schottky-Diode
Schottky-Diode mit n-Typ-Halbleiterelektrode negativ geladenes
Zentrum (Q = -q)
Walter Schottky (*23.07.1886, Zürich,
†04.03.1976, Pretzfeld, deutscher
Situation in einem Metall/n-Typ-Halbleiter-

Übergang bei T > 0 K nach Einsetzen der
Physiker und Elektrotechniker)
Ladungsträgerdiffusion EL *
EV
ortsfestes, positiv geladenes

Zentrum (Q = +q)
positive RLZ**
Universität Stuttgart | Institut für Halbleitertechnik | Dr. Michael Oehme negativ geladene Flächenladungsdichte (σ-)
Folie 8-6
Schottky-Diode
Schottky-Diode mit n-Typ-Halbleiterelektrode
Höhe der Barriere für Elektronen:
ΦMHL = ΦM – ΦHL (HL → M)

Φ0 = ΦM – Ξ (M → HL)
Vakuumniveau
q⋅ΦM q⋅ΦHL
EL
EF, n-HL q⋅ΦMHL
q⋅Φ0 q⋅Φ0
EL
EF, M EF
EV
EV
Metall n-Typ-HL Metall n-Typ-HL
Banddiagramm eines Metalls (M) und ei- Banddiagramm nach dem Kontakt
nes n-Typ-Halbleiters (HL) vor dem Kon- (n-Typ-Halbleiter-Schottky-Kontakt)
takt
Banddiagramm einer Schottky-Diode mit

einer n-Typ-Halbleiterelektrode
Folie 8-7
Schottky-Diode
Schottky-Diode mit p-Typ-Halbleiterelektrode
Höhe der Barriere für Löcher:
|ΦMHL| = |ΦM – ΦHL| (HL → M)

|Φ0|= |ΦM – (Ξ + EG)| (M → HL)

Vakuumniveau
q⋅ΦM q⋅(Ξ + EG) q⋅Ξ q⋅ΦHL

EL
EL
EF, M EF
q⋅|Φ0| q⋅|Φ0| EV
EF, p-HL q⋅|ΦMHL|
EV
Metall p-Typ-HL Metall p-Typ-HL
Banddiagramm eines Metalls (M) und ei- Banddiagramm nach dem Kontakt
nes p-Typ-Halbleiters (p-HL) vor dem (p-Typ-Halbleiter-Schottky-Kontakt)
Kontakt
Banddiagramm einer Schottky-Diode mit

einer p-Typ-Halbleiterelektrode
Folie 8-8
Schottky-Diode
Schottky-Diode mit p-Typ-Halbleiterelektrode positiv geladenes
Zentrum (Q = +q)
Situation in einem Metall/p-Typ-Halbleiter-

Übergang bei T > 0 K nach Einsetzen der
Ladungsträgerdiffusion EL *
EV
ortsfestes, negativ geladenes

Zentrum (Q = -q)
negative RLZ**
Universität Stuttgart | Institut für Halbleitertechnik | Dr. Michael Oehme positive geladene Flächenladungsdichte (σ+)
Folie 8-12
Schottky-Diode
I(U)-Charakteristik einer Schottky-Diode mit n-Typ-Halbleiterelektrode
q⋅(ΦMHL – Φ(U)) < q⋅ΦMHL
n-Typ-Halbleiterelektrode unter Spannung

Banddiagramm einer Schottky-Diode mit einer
q⋅(ΦMHL – Φ(U)) = q⋅ΦMHL EL

q⋅Φ0 q⋅Φ0
EL EF, n-HL
EF EF, M EF, i-HL
EF, i-HL
EV
+ - EV
q⋅(ΦMHL – Φ(U)) < 0

q⋅(ΦMHL – Φ(U)) = 0 EL
EL EF, n-HL
EF, n-HL
q⋅Φ0 q⋅Φ0 EF, i-HL
EF, i-HL
-
EV
- EV
+
+
Folie 8-14
Schottky-Diode

q⋅(ΦMHL – Φ(U)) = q⋅ΦMHL

q⋅Φ0
EL
EF
EF, i-HL
EV
q⋅Φ0 q⋅(ΦMHL – Φ(U)) > q⋅ΦMHL
EF, M EL
EF, n-HL
EF, i-HL
- + EV

Folie 8-15
Schottky-Diode


Folie 8-16
Schottky-Diode

q⋅(ΦMHL – Φ(U)) = q⋅ΦMHL

q⋅Φ0
EL
EF
EF, i-HL
EV
q⋅Φ0 Lawinen-
durchbruch
EF, M
Tunnel-
durchbruch
q⋅(ΦMHL – Φ(U)) > q⋅ΦMHL
- EL
EF, n-HL
EF, i-HL
EV
+
Folie 8-17
Ohmsche Kontakte
Einfluss hoher n-Typ-Dotierungen auf das Leitungsband
3 16 18 3 20 3
ND = 10 /cm N D = 10 /cm N D = 10 /cm
WD
2
𝑁𝑁 𝑁𝑁
𝐸𝐸𝐺𝐺 (𝑁𝑁) = 6,92 𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 � ln + ln + 0,5
1,3 � 1017 𝑐𝑐𝑚𝑚−3 1,3 � 1017 𝑐𝑐𝑚𝑚−3
Sehr hohe Dotierungen führen

zum „Bandgap Narrowing“.
Folie 8-23
Ohmsche Kontakte
Schottky-Dioden vs. ohmsche Kontakte
Walter Schottky (*23.07.1886 in Zürich, †04.03.1976 in
Pretzfeld, deutscher Physiker und Elektrotechniker)
q⋅ΦMHL
q⋅Φ0
EL
EF
EF, i-HL
EV
Halbleiter-Schottky-Kontaktes
Banddiagramm eines n-Typ-
Metall n-Typ-HL
Ohmscher Tunnel-
q⋅Φ0 durchgang
EF
EL
EF, i-HL Reflexion an und Durchtunneln einer Potential-
barriere durch ein Elektron-Wellenpaket. Ein
EV Teil des Wellenpaketes geht durch die Barriere
hindurch, was nach der klassischen Physik
Metall n++-Typ-HL nicht möglich wäre.
(entartet)
Ohmsche Kontakte
Der quantenmechanische Tunneleffekt
Der Tunneleffekt ist der quantenmechanische Effekt, der Teilchen die Überwindung endli-
cher Potentialbarrieren erlaubt, welche nach den Vorstellungen der klassischen Physik für
diese Teilchen unüberwindbar wären.
Abhängigkeit der Tunnelwahrscheinlichkeit |T(G)|2 vom Gamow-Faktor (G):
George Anthony Gamow (*04.03.1904 in Odessa, †19.08.1968 in
Boulder, Colorado, russisch-amerikanischer Physiker) 𝐸𝐸𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 (𝑥𝑥)
𝐵𝐵𝑟𝑟
2 � 𝑚𝑚 𝑚𝑚0
𝐺𝐺 = � � 𝐸𝐸𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝𝑝 (𝑥𝑥) − 𝐸𝐸𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔 𝑑𝑑𝑥𝑥
ℏ2
−𝐵𝐵𝑙𝑙
𝑎𝑎
2
2 � 𝑚𝑚
= � � 𝑚𝑚0 − 𝐸𝐸𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔 𝑑𝑑𝑥𝑥
ℏ2
𝑎𝑎
−
2
2
𝑇𝑇 𝐺𝐺 = 𝑚𝑚 −2�𝐺𝐺
𝑎𝑎 𝑎𝑎
−
2 2
Ohmsche Kontakte
MISFET: Inversionskanal bei eingeschaltetem Gate
RLZ-(+) p(n)-Typ Silizium p++(n++)-Typ Silizium SiO2
RLZ+(-) n(p)-Typ Silizium n++(p++)-Typ Silizium Aluminium
VS = 0 V |VG – VT| > 0 V VD = 0 V

(GND) (GND)
Source- Gate-Elektrode Drain-

Kontakt Kontakt
Source Drain
Body
Rückseitenelektrode
Mikroelektronik II (ME II) VB = 0 V (GND)

Ohmsche Kontakte
MISFET: Ersatzschaltbild mit eingeschaltetem Gate
RLZ-(+) p(n)-Typ Silizium p++(n++)-Typ Silizium SiO2
RLZ+(-) n(p)-Typ Silizium n++(p++)-Typ Silizium Aluminium
VS = 0 V |VG – VT| > 0 V VD = 0 V

(GND) (GND)
Gate-Elektrode
Source Drain
Body
Mikroelektronik II (ME II) VB = 0 V (GND)

Kapitel 4
Der Bipolartransistor

Der Transistor: Eine kurze Reise durch die Geschichte
1941: Die Z3 – Der erste programmierbare Computer der Welt
Konrad Ernst Otto Zuse (*22.06.1910, Berlin-Wilmersdorf; †18.12.1995,
Hünfeld bei Fulda, deutscher Bauingenieur, Erfinder und Unternehmer)
Die Z1 (Original und Replik)
Z3 (oben) & Z4 (links)
Speichereinheit
einer Z4

Der Transistor: Eine kurze Reise durch die Geschichte
1948: Findung des Bipolartransistors
William Bradford Shockley (*13.02.1910, London, †12.08.1989, Stanford, US-
amerikanischer Physiker, Nobelpreis für Physik 1956)
John Bardeen (*23.05.1908, Madison, Wisconsin, †30.01.1991, Boston,
US-amerikanischer Physiker, Nobelpreis für Physik 1956 und 1972)
Wollten eigentlich einen

Feldeffekttransistor bauen!
Walter Houser Brattain (*10.02.1902, Amoy,

Kaiserreich China, †13.10.1987, Seattle,
Washington, US-amerikanischer Physiker, Schematische Zeichnung eines Bipolartransistors aus der
Nobelpreis für Physik 1956) Patentschrift „Circuit element utilizing semiconductive ma-
terials“ von W. Shockley (erteilt: 23.12.1952, CAD-Patent-
Mikroelektronik II (ME II) nummer 489134)
Schematischer Aufbau

Schaltsymbole und Beschaltung
npn-Transistor Basisschaltung
(E/A*: E/K)
C E C
Emitter Kollektor
n+ p n
B
B B
Emitterschaltung
E C (E/A*: B/K)
Basis
B
pnp-Transistor
C
Emitter Kollektor
E E
p+ n p
B Kollektorschaltung
E (E/A*: B/E)
B
E
Basis
Universität Stuttgart | Institut für Halbleitertechnik | Dr. Michael Oehme C C
Kennlinienfelder des npn-Bipolartransistors

Betriebszustände eine npn-Bipolartransistors in Emitterschaltung
Sperrbreich bzw. Sperrbetrieb (engl. reverse region bzw. cut-off region)
n+ p n
Emitter Kollektor
(UE = 0 V) (UCE > 0 V)
Basis
(UB < 0 V)
Minoritätsladungsträgerverteilung in der Basis im Sperrbetrieb

(beide pn-Übergänge sind gesperrt). Der Transistor verhält sich
wie ein offener Schalter.

Verstärkungsbereich bzw. Normalbetrieb (engl. forward-active region)
n+ p n
Emitter Kollektor
(UE = 0 V) (UCE > 0 V)
Basis
(0 V < UB < UCE)
Minoritätsladungsträgerverteilung in der Basis im Normalbe-

trieb (der EB-Übergang ist in Flusspolung, der BC-Übergang ist
in Sperrpolung). Der Transistor verhalt sich als Verstärker.

Sättigungsbereich bzw. Sättigungsbetrieb (engl. saturation)
n+ p n
Emitter Kollektor
(UE = 0 V) (UCE > 0 V)
Basis
(UB > UCE)
Minoritätsladungsträgerverteilung in der Basis im Sättigungsbe-

trieb (beide pn-Übergänge sind geöffnet). Der Transistor ver-
hält sich wie ein geschlossener Schalter. Es findet Rückinjek-
tion von Minoritäten aus dem Kollektor statt.
Bandstruktur und Grundverschaltung eines npn-Bipolartransistors
ohne Vorspannung Basisschaltung
(E/A*: E/K)
E C
q⋅UD
q⋅UD
B B
Emitterschaltung
mit Vorspannung (UEB < 0V, UEB > 0V) C (E/A*: B/K)
B
q⋅(UD +UEB)
E E
q⋅(UD +UCB) Kollektorschaltung
E (E/A*: B/E)
B
Emitter Basis Kollektor
(n-dotiert) (p-dotiert) (n-dotiert)
Universität Stuttgart | Institut für Halbleitertechnik | Dr. Michael Oehme C C
npn-Bipolartransistor in Basisschaltung
n+ p n
RL IE (< 0) IC (> 0)
UEB (< 0) UCB (> 0)

Elektronenstrom
IB (> 0)
Löcherstrom
npn-Bipolartransistor in Basisschaltung
p+ n p
RL IE (> 0) IC (< 0)
UEB (> 0) UCB (< 0)

Elektronenstrom
IB (< 0)
Löcherstrom
Stromverstärkung in der Basisschaltung
Durch Rekombinations- und Generationsvorgänge in der
n+ p n neutralen Basis resultierender Konzentrationsgradient der
αT
Minoritätsladungsträger (w gibt die effektive Basis-weite an)
IE αE IC
IB
Elektronenstrom
Löcherstrom
IC = α0 ⋅ IE = αE ⋅ αT ⋅ IE
αE ≡ Emitterwirksamkeit (Löcherstrom über die Basis-Emitter-Diode)

αT ≡ Transportfaktor (Rekombination in der Basis)
Kennlinienfelder des npn-Bipolartransistors in der Basisschaltung
Eingangskennlinienfeld Ausgangskennlinienfelder
-IE
IC IC
-UEB = konst.
-IE = konst.
ICS
ICB0
-UEB UCB UCB
Kennlinienfelder des npn-Bipolartransistors in der Basisschaltung
Die Spannungsverstärkung steigt proportional mit RL,

Verstärkungen >> 1 sind möglich.
npn-Bipolartransistor in der Emitterschaltung
IC
IB
Kollektor n
UBE UCE
Basis p IE
RL
Emitter n+
Stromverstärkung in Emitterschaltung:
IC
IC IC IE α
β0 = = = = 0
IB IE − IC 1− IC 1− α0
Elektronenstrom IE
Löcherstrom
Der Fototransistor
Links: Schemazeichnung eines Fototransistors; rechts: Fotografie eines Fototransistors (quadratischer Silizium-Chip in der Mitte) mit he-
rausgeführter Basis (Ringstruktur, Bonddraht führt nach rechts). Emitteranschluss mit Bonddraht nach unten, Kollektoranschluss durch
Montage zum Gehäuse

Kapitel 5
Der MIS-Varaktor

Das Bändermodell für Isolatoren der Halbleitertechnologie
Auswahl relevanter Isolatoren der Halbleitertechnologie
Siliziumdioxid
Das grundlegende Strukturelement der verschie-
denen SiO2-Kristallstrukturen ist ein Tetraeder,
bei dem ein Si-Atom von vier O-Atomen umge-
ben ist.
Hafnium(IV)-oxid
Reiner Quarz (Bergkristall)
Aluminiumoxid
Mikroelektronik II (ME II) Im technischen Bereich wird Aluminiumoxid
Universität Stuttgart | Institut für Halbleitertechnik | Dr. Michael Oehme als Elektrokorund (ELK) bezeichnet.
Kovalente Bindung in Halbleitermaterialien
E E E 1
𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) = 𝐸𝐸−𝐸𝐸𝐹𝐹
lim 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) = 𝐹𝐹𝐹𝐹 (𝐸𝐸)

𝑇𝑇→0
𝐷𝐷𝑛𝑛 (𝐸𝐸) ∝ 𝐸𝐸 − 𝐸𝐸𝐿𝐿
1, 𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤 𝐸𝐸 ≤ 𝐹𝐹𝐹𝐹
𝐹𝐹𝐹𝐹 𝐸𝐸 = �
𝐸𝐸𝐺𝐺,𝐻𝐻𝐿𝐿 @𝑅𝑅𝑇𝑇 < 3 𝑤𝑤𝑒𝑒 0, 𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤𝑤 𝐸𝐸 > 𝐹𝐹𝐹𝐹
EF
EF
x D(E) F(E)
Kovalente Bindung in Halbleitermaterialien
∞
E E 1
𝑤𝑤� = � 𝐷𝐷𝑛𝑛 𝐸𝐸 � 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇)𝑑𝑑𝐸𝐸E 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) =
𝑇𝑇>0𝐾𝐾 𝐸𝐸−𝐸𝐸𝐹𝐹
𝐸𝐸𝐿𝐿 1 + 𝑤𝑤 𝑘𝑘𝐵𝐵 �𝑇𝑇
𝑝𝑝� = � 𝐷𝐷𝑝𝑝 𝐸𝐸 � (1 − 𝑓𝑓𝐹𝐹 𝐸𝐸, 𝑇𝑇 )𝑑𝑑𝐸𝐸

𝐸𝐸𝐺𝐺,𝐻𝐻𝐿𝐿 @𝑅𝑅𝑇𝑇 < 3 𝑤𝑤𝑒𝑒 𝑇𝑇>0𝐾𝐾
𝐸𝐸𝑉𝑉
EF
x D(E) F(E)
Kovalente Bindung in Isolatoren
E E E 1
𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) = 𝐸𝐸−𝐸𝐸𝐹𝐹
𝐷𝐷𝑛𝑛 (𝐸𝐸) ∝ 𝐸𝐸 − 𝐸𝐸𝐿𝐿

𝐸𝐸𝐺𝐺,𝐼𝐼 @𝑅𝑅𝑇𝑇 > 3 𝑤𝑤𝑒𝑒
EF
EF
D(E) F(E)
Definition eines idealen MIS-Varaktors
Banddiagramm des idealen MIS-Varaktors ohne externe Spannung
Der ideale MIS-Varaktor ist über den sogenannten Flachbandzustand definiert (ΦMHL = ΦM – ΦHL = 0).
Darüber hinaus ist der Isolator ladungsfrei und es fließen keine Leckströme durch den Isolator.
Vakuumniveau Vakuumniveau
q⋅Ξi q⋅Ξi
q⋅ΦM q⋅Ξ q⋅ΦHL q⋅ΦM q⋅Ξ q⋅ΦHL
q⋅ΦB
EL EL
q⋅ΦB
EF
q⋅ΨB
EF, i-HL EF, i-HL
q⋅ΨB
EF
EV EV
Metall n-Typ-HL Metall p-Typ-HL
d d
Isolator Isolator
Definition eines idealen MIS-Varaktors
Banddiagramm des idealen MIS-Varaktors mit Spannung
Bei Anlegen einer negativen Spannung V werden
Löcher zur Grenzfläche p-Typ-Halbleiter/Isolator
gezogen (Akkumulation), und es bildet sich eine
EF, M positiv geladene Raumladungszone (RLZ).
Akkumulation
EL
Kanal
V<0
EF, i-HL EL
EF, p-HL
EF, i-HL
EV
EF, p-HL
Inversion
EV
RLZ V>0
EF, M RLZ
Bei Anlegen einer positiven Spannung V

werden Elektronen zur Grenzfläche p-Typ-
Halbleiter/Isolator gezogen (Inversion),
und es bilden sich ein quasi zweidimen-
sionaler Elektronenkanal und eine nega-
Mikroelektronik II (ME II) tiv geladene Raumladungszone.
Zustände eines MIS-Varaktors unter Spannung Jedes Schließen eines Loches macht eine
negative Akzeptorladung „sichtbar“, zu der eine
MIS-Varaktor mit p-Typ-Halbleiterelektrode Spiegelladung auf der Metallseite gehört.
EL *
EV
VG GND
MIS-Kapazität mit externer Spannung (VG > 0 V)
Mikroelektronik II (ME II) T = 300 K, ΨB = ΨS > 0 (starke Verarmung)
Zustände eines MIS-Varaktors unter Spannung

Durch Generation von Elektron-Loch-Paaren
MIS-Varaktor mit p-Typ-Halbleiterelektrode und deren Trennung im elektrischen Feld
erzeugte (freie) Elektronen
EL *
EV
VG GND
MIS-Kapazität mit externer Spannung (VG > 0 V)
Mikroelektronik II (ME II) T = 300 K, 2∙ΨB = ΨS > ΨB > 0 (starke Inversion)

Erzeugung eines freien Lochs durch
MIS-Varaktor mit p-Typ-Halbleiterelektrode Besetzung des Akzeptorzustandes
EL *
EV
VG GND
MIS-Kapazität ohne externer Spannung (VG = 0 V)
Mikroelektronik II (ME II) T = 300 K, ΨB > ΨS = 0 (Flachbandzustand)

Durch Generation von Elektron-Loch-Paaren
MIS-Varaktor mit p-Typ-Halbleiterelektrode und deren Trennung im elektrischen Feld
erzeugte freie Löcher
EL *
EV
VG GND
MIS-Kapazität mit externer Spannung (VG < 0 V)
Mikroelektronik II (ME II) T = 300 K, ΨS < 0 (Akkumulation)
MIS-Varaktor mit p-Typ-Halbleiterelektrode
E(x) Spannung der starken Inversion:
EL Vstarke Inversion = VIsolator + 2·ΨB
VG = VIsolator + ΨS = 0 V
EF, i-HL • ΨB > ΨS = 0: Flachbandzustand
q⋅ΨB
EF, p-HL
EV
x
ΨS
ϕ(x)
Folie 5-12
VG = VIsolator + ΨS > 0 V
q⋅ΨS q⋅ΨB
• ΨB > ΨS > 0: Elektrische Feldlinien dringen in den
EF, p-HL
Halbleiter ein, die Bänder biegen sich nach unten.
EV
Elektronen fließen im Valenzband zur Grenzfläche, d.
h. Löcher werden über Drift und Diffusion von der
Grenzfläche wegtransportiert. Zusätzlich durch Gene-
x=0 ration erzeugte Elektronen fließen zur Grenzfläche
ϕ(0) = 0 und rekombinieren mit noch vorhandenen Löchern; die
x zeitgleich generierten Löcher werden ebenfalls von
ΨS der Grenzfläche wegtransportiert (schwache Verar-
mung).
ϕ(x)
Folie 5-13
q⋅ΨS q⋅ΨB
• ΨB > ΨS > 0: Schwache Verarmung
EF, p-HL
• ΨB = ΨS: An der Grenzfläche p-Typ-Halbleiter/Isolator
EV
gilt Ei = EF, damit beträgt die Konzentration der La-
dungsträger an der Grenzfläche ni (für Si z. B. würde
ni = 1⋅1010 cm-3 gelten). Es bildet sich im p-Typ-Halb-
x=0 leiter eine Raumladungszone aus ortsfesten negativen
ϕ(0) = 0 Akzeptorladungen. Die Raumladungszone ist in erster
x Näherung frei von freien Ladungsträgern (intrinsischer
Zustand = starke Verarmung)
ΨB = ΨS
ϕ(x)
Folie 5-14
q⋅ΨS q⋅ΨB
EF, p-HL
• ΨB = ΨS: Starke Verarmung
EV
• ΨB < ΨS: Durch Generation erzeugte Elektronen flie-
ßen zur Grenzfläche und verleiben an der Grenzfläche
zum Isolator als freie Ladungen, die zeitgleich gene-
x=0 rierten Löcher werden von der Grenzfläche über Drift
xd ϕ(0) = 0 und Diffusion von der Grenzfläche wegtransportiert, d.
x h. Elektronen fließen im Valenzband zur Grenzfläche
(schwache Inversion)
ΨB
ΨS
ϕ(x)
Folie 5-15
q⋅ΨS q⋅ΨB
EF, p-HL
EV
• ΨB < ΨS: Schwache Inversion
• ΨS = 2⋅ΨB: Starke Inversion an der Grenzfläche, EF
liegt nun um q⋅ΨB über Ei (An der Grenzfläche befin-
x=0 den sich nun so viele freie Elektronen, wie sich im
xd ϕ(0) = 0 spannungslosen Fall freie Löcher an der Grenzfläche
x befinden.)
ΨB
ΨS
ϕ(x)
Folie 5-16
VG = VIsolator + ΨS = 0 V
q⋅ΨB
EF, p-HL
EV
x
ΨS
ϕ(x)
Folie 5-17
q⋅ΨS
VG = VIsolator + ΨS < 0 V
EF, i-HL • ΨS < 0: Im Valenzband des p-Typ-Halbleiters werden
weitere freie Löcher an die Grenzfläche gezogen, d. h.
EF, p-HL
Elektronen werden im Valenzband über Drift und Dif-
EV
fusion von der Grenzfläche wegtransportiert (Akkumu-
lation)
x=0
ΨS ϕ(0) = 0
x
ϕ(x)
Folie 5-18
q⋅ΨS q⋅ΨB
EF, p-HL
EV
• ΨB < ΨS: Durch Generation erzeugte Elektronen flie-
ßen zur Grenzfläche und verleiben an der Grenzfläche
zum Isolator als freie Ladungen, die zeitgleich gene-
x=0 rierten Löcher werden von der Grenzfläche über Drift
xd ϕ(0) = 0 und Diffusion von der Grenzfläche wegtransportiert, d.
x h. Elektronen fließen im Valenzband zur Grenzfläche
(schwache Inversion)
ΨB
ΨS
ϕ(x)
Folie 5-20
Starke Inversion und Schwellwertspannung eines MISFETs
EL Schwellwertspannung eines MISFETs:
VT = Vstarke Inversion = VIsolator + 2·ΨB
EF, i-HL
EF, p-HL
EV
q⋅V
Für die Grenzflächenladungen an beiden Seiten des MIS-Varaktors
EF, M
gilt im Falle starker Inversion: −𝜎𝜎𝑝𝑝−𝑇𝑇𝑇𝑇𝑝𝑝 𝐻𝐻𝐻𝐻 = − 𝜎𝜎𝐾𝐾 + 𝑞𝑞 � 𝑁𝑁𝐴𝐴 � 𝑥𝑥𝑑𝑑 und
(„Depletion“-Näherung) 𝜎𝜎𝑀𝑀 = 𝜎𝜎𝑝𝑝−𝑇𝑇𝑇𝑇𝑝𝑝 𝐻𝐻𝐻𝐻 . Mit einer geeigneten Ab-
-σK schätzung für die Kanalladung −𝜎𝜎𝐾𝐾 ergibt sich:
𝑑𝑑𝐼𝐼 2 𝑁𝑁𝐷𝐷 𝑁𝑁𝐷𝐷

𝑉𝑉𝑇𝑇 ≈ − � 2 � 𝑞𝑞 � 𝑁𝑁𝐷𝐷 3 + 𝜀𝜀2 � 𝛽𝛽 � 𝑞𝑞 � 𝑁𝑁𝐷𝐷 � ln − 𝛽𝛽 � ln
x 𝜀𝜀1 𝑛𝑛𝑖𝑖 𝑛𝑛𝑖𝑖
-q⋅NA⋅xd
𝑑𝑑𝐼𝐼 2 𝑁𝑁𝐴𝐴 𝑁𝑁𝐴𝐴
+σM 𝑉𝑉𝑇𝑇 ≈ � 2 � 𝑞𝑞 � 𝑁𝑁𝐴𝐴 3 + 𝜀𝜀2 � 𝛽𝛽 � 𝑞𝑞 � 𝑁𝑁𝐴𝐴 � ln + 𝛽𝛽 � ln
𝜀𝜀1 𝑛𝑛𝑖𝑖 𝑛𝑛𝑖𝑖
2 � 𝑘𝑘𝐵𝐵 � 𝑇𝑇
𝛽𝛽 = 𝜀𝜀1 = 𝜀𝜀𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟,𝐼𝐼 � 𝜀𝜀0 𝜀𝜀2 = 𝜀𝜀𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟,𝐻𝐻𝐻𝐻 � 𝜀𝜀0
𝑞𝑞
Mikroelektronik II (ME II) ρ(x)
Folie 5-21

ME2 Kurz2 Kompr

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Welche Halbleitermaterialien gibt es?

Übersicht über Elementare und Verbindungshalbleiter

Mikroelektronik II (ME II)

Mikroelektronik II (ME II)

Mikroelektronik II (ME II)

• Die Halbleiterindustrie zählt zu den

Mikroelektronik II (ME II)

1. Vervierfacht sich die Anzahl der Transistoren pro Chip alle

„Cramming More Components onto Integrated Circuits“

Minimale Strukturgröße (links) und Chipgröße

Zeitliche Entwicklung der Transistor-

Mikroelektronik II (ME II)

Quelle: Intel Corporation

Mikroelektronik II (ME II)

Mikroelektronik II (ME II) Mikroelektronik II (ME II)

Shockley-Diode Triac (Triode for

Mikroelektronik II (ME II)

Mikroelektronik II (ME II)

Mikroelektronik II (ME II) py =  ⋅ k y

Mikroelektronik II (ME II)

Mikroelektronik II (ME II)

Nichtleiter (Isolatoren) Leiter (Metalle)

Halbmetalle Verbindungshalbleiter Legierungshalbleiter

lim 𝜎𝜎𝐻𝐻𝐻𝐻 = 0 = 𝜎𝜎𝐼𝐼 lim 𝜎𝜎𝐻𝐻𝐻𝐻 = 𝜎𝜎𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 ≪ 𝜎𝜎𝑀𝑀 𝑇𝑇 ↑ 𝜎𝜎 ↑

Metallische Bindung: Ein „Fermi-Gas“ aus Elektronen

CaF2-Kristallstruktur Salz im abflusslosen Binnensee

Mikroelektronik II (ME II)

Die Hybridisierung erklärt z. B. die Bildung

Mikroelektronik II (ME II)

𝑤𝑤� = � 𝐷𝐷 𝐸𝐸 � 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇)𝑑𝑑𝐸𝐸

Mikroelektronik II (ME II)

Mikroelektronik II (ME II)

lim 𝑓𝑓𝐹𝐹 (𝐸𝐸, 𝑇𝑇) = 𝐹𝐹𝐹𝐹 (𝐸𝐸)

𝐷𝐷𝑝𝑝 (𝐸𝐸) ∝ 𝐸𝐸 − 𝐸𝐸𝑉𝑉

𝑒𝑒� = � 𝐷𝐷𝑝𝑝 𝐸𝐸 � (1 − 𝑓𝑓𝐹𝐹 𝐸𝐸, 𝑇𝑇 )𝑑𝑑𝐸𝐸

Mikroelektronik II (ME II)

Die abrupte (a)symmetrische pn-Diode

Situation in einem abrupten pn-Übergang nach dem Einsetzen

I(U)-Kennlinie (schematisch) eines

Verteilung der Dotierstoffkonzentrationen in einem

Es gilt das Maxwellsche Gesetz: 𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑𝑑 𝔇𝔇 𝑟𝑟⃗ = 𝜚𝜚 𝑟𝑟⃗ .

ϕ(x) = Vbi Berechneter Verlauf des elektrostatischen Potentials

Mikroelektronik II (ME II)

𝔈𝔈 𝑥𝑥 = 𝔈𝔈𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚𝑚 Berechneter Verlauf des elektrischen Feldes unter

Mikroelektronik II (ME II)

Berechneter Verlauf der Valenzbandoberkante EV(x)

EL(x) EV(x) = –q∙ϕ(x)

Mikroelektronik II (ME II)

Berechneter Verlauf der Valenzbandoberkante EV(x)

Mikroelektronik II (ME II)

EF, p-Typ HL = EF, n-Typ HL

Mikroelektronik II (ME II)

ten Gebiets. Konzentration des höher dotierten Gebiets:

Diffusionsspannung Ubi (V) 1,5

Dotierungskonzentration NA(D) (cm-3)

zium als Funktion der Dotierkonzentrationen

Mikroelektronik II (ME II)

Berechneter Verlauf der Valenzbandoberkante EV(x)

EF, p-Typ HL = EF, n-Typ HL

Mikroelektronik II (ME II)

Berechneter Verlauf der Valenzbandoberkante EV(x)

Mikroelektronik II (ME II)

Berechneter Verlauf der Valenzbandoberkante EV(x)