Wilfried Plaßmann | Detlef Schulz (Hrsg.

Handbuch Elektrotechnik
Wilfried Plaßmann, Detlef Schulz (Hrsg.)
Handbuch Elektrotechnik
Beiträge und Mitarbeiter

Mathematik Prof. Dr. Arnfried Kemnitz

Physik Dr. Horst Steffen
Werkstoffkunde Prof. Dipl.-Ing. Egon Döring
Elektrotechnik Reinhard von Liebenstein
Dr. Horst Steffen
Elektronik Peter Döring
Technische Kommunikation Peter Döring
Heribert Gierens †
Datentechnik Dr. Dieter Conrads
Heribert Gierens †
Automatisierungstechnik Günter Wellenreuther
Dieter Zastrow
Messtechnik Prof. Dr. Wilfried Plaßmann
Energietechnik Reinhard von Liebenstein
Nachrichtentechnik Prof. Dipl.-Ing. Egon Döring
Prof. Dr. Wilfried Plaßmann
Signal- und Systemtheorie Prof. Dr. Wilfried Plaßmann

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Wilfried Plaßmann | Detlef Schulz (Hrsg.)

Handbuch
Elektrotechnik
Grundlagen und Anwendungen für Elektrotechniker
5., korrigierte Auflage
Mit 1835 Abbildungen und 300 Tabellen

PRAXIS
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freisetzen.

1. 1999
2., verbesserte Auflage 2002
3., verbesserte und ergänzte Auflage 2004
4., überarbeitete Auflage 2007
bisher erschienen unter Böge/Plaßmann, Vieweg Handbuch Elektrotechnik
5., korrigierte Auflage 2009

Alle Rechte vorbehalten

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Gedruckt auf säurefreiem und chlorfrei gebleichtem Papier.
Printed in Germany

ISBN 978-3-8348-0470-9
 V

Vorwort

Das Handbuch Elektrotechnik wurde für Studenten an Fach- und Fachhochschu-

len sowie für Praktiker erarbeitet. Dieses Nachschlagewerk vermittelt in komp-
rimierter Form alle wesentlichen Grundlagen der Elektrotechnik.

Die einzelnen Abschnitte folgen der Didaktik der jeweiligen Lehrpläne für den
Fachbereich Elektrotechnik. Die darin noch nicht erfaßten Inhalte neuer Ent-
wicklungen werden angemessen berücksichtigt und verständlich dargestellt. Das
Handbuch ist daher auch als Informationsbasis für die in der Praxis tätigen In-
genieure nützlich, zum Beispiel im Hinblick auf den zunehmenden Einsatz der
Elektronik in allen Bereichen der Elektrotechnik.

Für ihre Informations- und Lösungsarbeit finden Studierende und Praktiker alle
notwendigen Formeln, Hinweise, Tabellen, Schaltpläne und Normen.
Zur Sicherung sachkundiger Anwendungen werden wichtige Berechnungsglei-
chungen ausführlich hergeleitet.
Zahlreiche anwendungsbezogene Beispiele in jedem Kapitel erhöhen das Ver-
ständnis für die oft komplexen Zusammenhänge und geben die zur Problemlö-
sung unerläßliche Sicherheit.

Die jetzt vorliegende 5. Auflage ist gegenüber der 4. Auflage korrigiert worden.
Die Herausgeber danken für die kritischen Anmerkungen zum Buch und sind
auch weiterhin für Anregungen und Verbesserungsvorschläge dankbar.

Die eMail-Adressen der Herausgeber lauten:

wilfried.plassmann@fh-hannover.de
detlef.schulz@hsu-hh.de

Hannover/Hamburg, September 2008 Wilfried Plaßmann/Detlef Schulz

Herausgeber
Inhaltsverzeichnis VII

Inhaltsverzeichnis

Mathematik

I Arithmetik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1 Mengen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2 Aussageformen und logische Zeichen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2.1 Aussageformen . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2.2 Logische Zeichen . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2.3 Vollständige Induktion . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3 Einteilung der Zahlen . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
4 Grundrechenarten . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
5 Grundlegende Rechenregeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
5.1 Buchstabenrechnen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
5.2 Kehrwert, Quersumme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
5.3 Teilbarkeitsregeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
5.4 Punktrechnung vor Strichrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
5.5 Potenzrechnung vor Punktrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
5.6 Grundgesetze der Addition und Multiplikation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5.7 Grundregeln der Klammerrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5.8 Multiplikation mit Klammern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5.9 Indizes, Summenzeichen, Produktzeichen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
5.10 Binomische Formeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
5.11 Fakultäten, Binomialkoeffizienten und Pascalsches Dreieck . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
5.12 Binomischer Lehrsatz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
5.13 Division mit Klammern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
6 Bruchrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
6.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
6.2 Erweitern und Kürzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
6.3 Addieren und Subtrahieren gleichnamiger Brüche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
6.4 Addieren und Subtrahieren ungleichnamiger Brüche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
6.5 Multiplizieren von Brüchen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
6.6 Dividieren von Brüchen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
7 Potenz- und Wurzelrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
7.1 Definition der Potenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
7.2 Regeln der Potenzrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
7.3 Definition der Wurzel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
7.4 Regeln der Wurzelrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
8 Dezimalzahlen und Dualzahlen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
8.1 Dezimalsystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
8.2 Dualsystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
8.3 Runden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
9 Logarithmen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
9.1 Definition des Logarithmus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
9.2 Spezielle Basen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
9.3 Regeln der Logarithmenrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
9.4 Zusammenhang von Logarithmen mit verschiedenen Basen . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
9.5 Dekadische Logarithmen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
10 Mittelwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
10.1 Arithmetisches Mittel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
10.2 Geometrisches Mittel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
10.3 Harmonisches Mittel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
10.4 Quadratisches Mittel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
11 Ungleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
11.1 Definitionen und Rechenregeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
11.2 Absolutbetrag . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
11.3 Intervalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
VIII Inhaltsverzeichnis

12 Komplexe Zahlen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
12.1 Algebraische Form . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
12.2 Trigonometrische Form . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
12.3 Addieren und Subtrahieren komplexer Zahlen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
12.4 Multiplizieren komplexer Zahlen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
12.5 Dividieren komplexer Zahlen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
12.6 Potenzieren komplexer Zahlen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
12.7 Radizieren komplexer Zahlen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
12.8 Eulersche Formel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

II Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1 Gleichungsarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2 Äquivalente Umformungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3 Lineare Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
4 Proportionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
5 Quadratische Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5.2 Lösungsverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5.2.1 Sonderfälle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5.2.2 Normalform. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5.2.3 Allgemeine Formen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
5.2.4 Zerlegung in Linearfaktoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
5.3 Satz von Viëta für quadratische Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
6 Algebraische Gleichungen höheren Grades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
6.1 Kubische Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
6.2 Polynomdivision . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
6.3 Gleichungen vierten Grades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
6.4 Gleichungen n-ten Grades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
6.5 Satz von Viëta für Gleichungen n-ten Grades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
7 Auf algebraische Gleichungen zurückführbare Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . 34
7.1 Bruchgleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
7.2 Wurzelgleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
8 Transzendente Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
8.1 Exponentialgleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
8.2 Logarithmische Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
8.3 Trigonometrische Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
9 Lineare Gleichungssysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
9.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
9.2 Zwei lineare Gleichungen mit zwei Variablen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
9.3 Drei lineare Gleichungen mit drei Variablen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
9.4 Matrizen und Determinanten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
10 Lineare Ungleichungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
10.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
10.2 Lineare Ungleichungen mit einer Variablen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
10.3 Lineare Ungleichungen mit zwei Variablen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
10.4 Lineare Ungleichungssysteme mit zwei Variablen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

III Planimetrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1 Geraden und Strecken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2 Winkel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3 Grundkonstruktionen mit Zirkel und Lineal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4 Projektion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5 Geometrische Örter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
6 Dreiecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
6.1 Allgemeine Dreiecke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
6.2 Gleichschenklige Dreiecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.3 Gleichseitige Dreiecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.4 Rechtwinklige Dreiecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
Inhaltsverzeichnis IX

6.5 Besondere Geraden, Strecken und Kreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

6.6 Flächensätze im rechtwinkligen Dreieck . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
6.7 Kongruenz von Dreiecken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
6.8 Grundkonstruktionen des Dreiecks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7 Vierecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
7.1 Allgemeine Vierecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
7.2 Trapeze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
7.3 Parallelogramme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
7.4 Rhomben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
7.5 Rechtecke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
7.6 Quadrate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
7.7 Drachen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
7.8 Sehnenvierecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
7.9 Tangentenvierecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8 Reguläre n-Ecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
9 Polygone. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
10 Kreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
10.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
10.2 Kreissektoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
10.3 Kreissegmente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
10.4 Kreise und Geraden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
10.5 Winkelsätze am Kreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
10.6 Eigenschaften von Sekanten und Sehnen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
10.7 Tangentenkonstruktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
10.8 Sätze über Sehnen, Sekanten, Tangenten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
10.9 Bogenmaß . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
11 Symmetrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
11.1 Punktsymmetrie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
11.2 Achsensymmetrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
12 Ähnlichkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
12.1 Zentrische Streckung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
12.2 Strahlensätze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
12.3 Ähnliche Figuren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
12.4 Streckenteilungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

IV Stereometrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
1 Prismen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
1.1 Allgemeine Prismen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
1.2 Parallelepiped und Würfel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
2 Zylinder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
2.1 Allgemeine Zylinder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
2.2 Gerade Kreiszylinder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
2.3 Hohlzylinder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3 Pyramiden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.1 Allgemeine Pyramiden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.2 Gerade quadratische Pyramiden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
4 Kegel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.1 Allgemeine Kegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
4.2 Gerade Kreiskegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
5 Cavalierisches Prinzip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
6 Pyramidenstümpfe und Kegelstümpfe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
6.1 Pyramidenstümpfe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
6.2 Kegelstümpfe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
7 Platonische Körper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
8 Kugeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
8.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
8.2 Kugelsegmente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
8.3 Kugelsektoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
8.4 Kugelschichten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
X Inhaltsverzeichnis

V Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
1 Definition und Darstellungen von Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
1.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
1.2 Funktionsgleichung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
1.3 Graph einer Funktion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
1.4 Wertetabelle einer Funktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
2 Verhalten von Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
2.1 Monotone Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
2.2 Symmetrische Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
2.3 Beschränkte Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
2.4 Injektive Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
2.5 Surjektive Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
2.6 Bijektive Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
2.7 Periodische Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
2.8 Umkehrfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
2.9 Reelle und komplexe Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3 Einteilung der elementaren Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
4 Ganze rationale Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.1 Konstante Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.2 Lineare Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.3 Quadratische Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.4 Kubische Funktionen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
4.5 Ganze rationale Funktionen n-ten Grades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.6 Horner-Schema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
5 Gebrochene rationale Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
5.1 Nullstellen, Pole, Asymptoten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
5.2 Partialbruchzerlegung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
6 Irrationale Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
7 Transzendente Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
7.1 Exponentialfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
7.2 Logarithmusfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96

VI Trigonometrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
1 Definition der trigonometrischen Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
2 Trigonometrische Funktionen für beliebige Winkel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
3 Beziehungen für den gleichen Winkel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4 Graphen der trigonometrischen Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
5 Reduktionsformeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
6 Additionstheoreme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
7 Sinussatz und Kosinussatz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
8 Grundaufgaben der Dreiecksberechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
9 Arkusfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104

VII Analytische Geometrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

1 Koordinatensysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
1.1 Kartesisches Koordinatensystem der Ebene . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
1.2 Polarkoordinatensystem der Ebene . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
1.3 Zusammenhang zwischen kartesischen und Polarkoordinaten . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
1.4 Kartesisches Koordinatensystem des Raums . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
2 Geraden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
2.1 Geradengleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
2.2 Abstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
3 Kreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.1 Kreisgleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.2 Berechnung von Kreisen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.3 Kreis und Gerade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
4 Kugeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
Inhaltsverzeichnis XI

5 Kegelschnitte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
5.1 Ellipsen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
5.2 Hyperbeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
5.3 Parabeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
5.4 Anwendungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
6 Graphisches Lösen von Gleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
7 Vektoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
7.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
7.2 Multiplikation eines Vektors mit einem Skalar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
7.3 Addition und Subtraktion zweier Vektoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
7.4 Komponentendarstellung von Vektoren in der Ebene . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
7.5 Komponentendarstellung von Vektoren im Raum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
7.6 Skalarprodukt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
7.7 Vektorprodukt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
7.8 Spatprodukt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130

VIII Differential- und Integralrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131

1 Folgen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
1.1 Grundbegriffe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
1.2 Arithmetische Folgen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
1.3 Geometrische Folgen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
1.4 Grenzwert einer Folge. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
1.5 Tabelle einiger Grenzwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
1.6 Divergente Folgen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
2 Reihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
2.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
2.2 Arithmetische Reihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
2.3 Geometrische Reihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
2.4 Harmonische Reihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
2.5 Alternierende Reihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
3 Grenzwerte von Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
3.1 Grenzwert an einer endlichen Stelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
3.2 Einseitige Grenzwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
3.3 Grenzwert im Unendlichen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
3.4 Rechenregeln für Grenzwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
3.5 Unbestimmte Ausdrücke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
3.6 Stetigkeit einer Funktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
3.7 Unstetigkeitsstellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
4 Ableitung einer Funktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
4.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
4.2 Differentiationsregeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
4.3 Höhere Ableitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.4 Ableitungen einiger algebraischer Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.5 Ableitungen einiger transzendenter Funktionen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.5.1 Trigonometrische Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.5.2 Logarithmusfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
4.5.3 Exponentialfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
4.5.4 Zusammenfassende Übersicht. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
4.6 Sekanten und Tangenten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
4.7 Extremwerte von Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4.8 Krümmungsverhalten von Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4.9 Wendepunkte von Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
4.10 Kurvendiskussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.11 Anwendungsbeispiele . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
4.12 Näherungsverfahren zur Nullstellenbestimmung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
4.12.1 Regula falsi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
4.12.2 Newtonsches Verfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
5 Integralrechnung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.1 Unbestimmtes Integral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.2 Integrationsregeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.3 Unbestimmte Integrale einiger algebraischer Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.4 Unbestimmte Integrale einiger transzendenter Funktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.5 Bestimmtes Integral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
XII Inhaltsverzeichnis

5.6 Hauptsatz der Differential- und Integralrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152

5.7 Eigenschaften des bestimmten Integrals. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
5.8 Einige Anwendungen der Integralrechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
6 Funktionenreihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
6.1 Definitionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155
6.2 Potenzreihen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
6.3 Fourier-Reihen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
Anhang
A Symbole und Bezeichnungsweisen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
B Mathematische Konstanten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
C Das griechische Alphabet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163

Physik

I Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
1 Physikalische Größen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
1.1 Skalare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
1.2 Vektoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
2 SI-System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
II Mechanik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
1 Kinematik des Massenpunktes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
1.1 Eindimensionale Bewegungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
1.1.1 Geschwindigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
1.1.2 Beschleunigung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
1.1.3 Freier Fall. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
1.1.4 Senkrechter Wurf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
1.2 Zusammengesetzte Bewegungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
1.2.1 Schiefer Wurf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
1.3 Kreisbewegung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
1.3.1 Bahngeschwindigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
1.3.2 Winkelgeschwindigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
1.3.3 Kreisfrequenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
1.3.4 Winkelbeschleunigung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
2 Dynamik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
2.1 Newtonsche Axiome . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
2.2 Kraft . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
2.3 Impuls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
2.4 Arbeit, Leistung, Wirkungsgrad und Energie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
2.5 Stoßprozesse. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
2.6 Rotation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
2.7 Gravitation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
3 Elastische Verformung fester Körper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
4 Mechanik der ruhenden Flüssigkeiten und Gase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.1 Druck . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.2 Kompressibilität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.3 Volumenausdehnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.4 Hydrostatischer Druck in Flüssigkeiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.5 Schweredruck in Gasen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
4.6 Auftrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
5 Hydrodynamik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
5.1 Kontinuitätsgleichung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
5.2 Bernoulli-Gleichung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
5.3 Innere Reibung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183

III Thermodynamik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183

1 Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
Inhaltsverzeichnis XIII

2 Temperatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0183
2.1 Einheiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0183
2.2 Temperaturmessung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0184
3 Thermische Ausdehnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0184
3.1 Feste Stoffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0184
3.2 Flüssigkeiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0184
3.3 Gase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0185
4 Ideale Gase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0185
4.1 Allgemeine Zustandsgleichung idealer Gase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0185
4.2 Kinetische Gastheorie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0186
4.3 Wärmeenergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0186
4.4 Zustandsänderungen idealer Gase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0187
4.5 Kreisprozesse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0188
5 Wärmeübertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0188
5.1 Wärmeleitung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0188
5.2 Wärmeströmung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0189
5.3 Wärmestrahlung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0189
IV Schwingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0189
1 Freie ungedämpfte harmonische Schwingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0189
2 Gedämpfte Schwingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0190
3 Erzwungene Schwingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0190
4 Überlagerung harmonischer Schwingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0191
4.1 Schwingungsrichtung parallel zueinander . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0191
4.2 Schwingungsrichtung senkrecht zueinander . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0192
V Wellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0193
1 Harmonische Wellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0193
1.1 Ausbreitung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0193
1.2 Interferenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0194
2 Huygensches Prinzip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0195
2.1 Reflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0196
2.2 Brechung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0196
2.3 Beugung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0196
3 Dopplereffekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0197
VI Akustik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0198
1 Schallausbreitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0199
2 Reflexion, Transmission, Absorption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0199
3 Ultraschall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0199
VII Optik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0200
1 Eigenschaften des Lichtes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0200
2 Geometrische Optik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0200
2.1 Reflexion des Lichtes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0200
2.2 Brechungsgesetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0202
2.3 Optische Geräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0206
3 Wellenoptik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0208
3.1 Interferenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0208
3.2 Beugung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0209
4 Photometrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0210
4.1 Strahlungsphysikalische Größen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0211
4.2 Lichttechnische Größen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0212
5 Licht als Korpuskel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0213
VIII Anhang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0215
A Physikalische Größen und Einheiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0215
B Zahlenwerte physikalischer Größen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0216
XIV Inhaltsverzeichnis

Werkstoffkunde
I Stoffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
1 Eigenschaften der Stoffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
2 Atombau und Periodensystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
3 Aufbau der festen Körper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
4 Chemische Grundzusammenhänge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
5 Elektrochemie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224
II Elektrische Leitfähigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
1 Leitungsmechanismus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
2 Isolator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
3 Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
4 Normalleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
5 Supraleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
6 Halleffekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
III Elektrische Leiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
1 Normalleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
2 Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
3 Supraleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
IV Magnetische Leitfähigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
1 Modellvorstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
2 Verhalten von Materie im Magnetfeld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
3 Magnetisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
4 Magnetisierungskurve . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 235
5 Permeabilität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
V Magnetika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
1 Metalloxide (Ferrite) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
2 Weichmagnetika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
3 Hartmagnetika (Dauermagnete) (DIN 17410) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 242
VI Dielektrische Eigenschaften. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
1 Modellvorstellungen zur dielektrischen Polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
2 Dielektrische Materialeinteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
3 Elektrische Materialeinteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 246
VII Dielektrika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
1 Natürliche anorganische Dielektrika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 248
2 Natürliche organische Dielektrika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
3 Künstliche anorganische Dielektrika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
4 Künstliche organische Dielektrika . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
5 Silikone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250
Literaturhinweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250

Grundlagen der Elektrotechnik

I Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
1 Aufbau der Atome . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
2 Ladungsträger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
3 Spannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
Inhaltsverzeichnis XV

4 Strom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0253
4.1 Bewegung von Ladungsträgern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0253
4.2 Stromstärke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0254
4.3 Stromdichte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0254
5 Das Ohmsche Gesetz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0254
6 Spezifischer Widerstand, Leitfähigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0254
7 Temperaturabhängigkeit des elektrischen Widerstandes von Metallen . . . . . . . . . . 0255
II Der Gleichstromkreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0256
1 Zählpfeilsysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0256
2 Kirchhoffsche Gesetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0256
2.1 Knotenregel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0256
2.2 Maschenregel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0256
3 Schaltung von Widerständen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0257
3.1 Reihenschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0257
3.2 Parallelschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0257
3.3 Stern-Dreieck-Umwandlung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0257
3.4 Messbereichserweiterung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0258
3.4.1 Voltmeter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0258
3.4.2 Amperemeter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0259
4 Ersatzspannungsquelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0259
4.1 Kombination von Spannungsquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0259
4.1.1 Reihenschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0260
4.1.2 Parallelschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0260
5 Ersatzstromquelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0260
6 Netzwerkberechnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0260
6.1 Gemischte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0261
6.2 Überlagerungsverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0261
6.3 Ersatzspannnungsquelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0262
6.4 Nichtlineare Gleichstromkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0262
7 Energie, Leistung, Wirkungsgrad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0263
7.1 Leistungsanpassung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0263
7.2 Leistungsverlust auf Leitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0264
7.3 Wirkungsgrad. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0264
7.4 Umwandlung elektrischer Energie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0264
7.4.1 Wärme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0264
7.4.2 Mechanische Energie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0264
III Das Elektrische Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0265
1 Grundgrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0265
1.1 Kräfte zwischen Ladungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0265
1.2 Feldstärke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0266
1.3 Feldlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0266
1.4 Potential, Spannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0266
1.5 Äquipotentiallinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0267
1.6 Elektrischer Fluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0267
1.7 Energie geladener Teilchen im elektrischen Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0267
2 Materie im elektrischen Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0268
2.1 Leiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0268
2.2 Nichtleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0268
3 Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0268
3.1 Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0269
3.1.1 Plattenkondensator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0269
3.1.2 Spezielle Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0269
3.2 Schaltungen mit Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0270
3.2.1 Reihenschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0270
3.2.2 Parallelschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0270
3.2.3 Gemischte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0271
3.3 Energie des elektrostatischen Feldes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0271
3.4 Laden und Entladen eines Kondensators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0272
3.5 RC-Reihenschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0273
XVI Inhaltsverzeichnis

IV Das Magnetische Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274

1 Feldlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
1.1 Dauermagnet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
1.2 Stromdurchflossene Leiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
1.3 Stromdurchflossene Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
1.4 Magnetfeld der Erde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
2 Magnetische Grundgrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
2.1 Feldstärke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
2.2 Fluss, Flussdichte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 278
3 Kräfte im Magnetfeld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279
3.1 Kräfte auf bewegliche Ladungsträger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279
3.2 Stromdurchflossener Leiter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279
3.3 Magnetisches Moment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280
3.4 Kräfte zwischen zwei parallelen Leitern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280
3.5 Hall-Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 281
4 Energie des Magnetfeldes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
5 Materie im Magnetfeld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
5.1 Diamagnetismus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
5.2 Paramagnetismus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 283
5.3 Ferromagnetismus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
5.3.1 Magnetisierungskurve . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 284
5.3.2 Verlauf der Permeabilität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
5.3.3 Temperaturabhängigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 285
5.3.4 Magnetostriktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
5.4 Antiferromagnetismus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
5.5 Ferrimagnetismus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
6 Magnetische Kreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
6.1 Magnetische Spannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
6.2 Magnetischer Widerstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 287
6.3 Unverzweigte Kreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 287
6.4 Verzweigte Kreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288

V Induktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
1 Induktion bei Änderung der Fläche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
2 Induktion bei Änderung des Magnetfeldes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 291
3 Die Induktivität einer Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 291
3.1 Selbstinduktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 291
3.2 Gegeninduktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 292
3.3 Energie im Magnetfeld einer Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
3.4 Ein- und Ausschaltvorgänge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
3.5 Zusammenschalten von Induktivitäten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294

VI Wechselstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
1 Grundbegriffe des Wechselstroms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
1.1 Erzeugung einer sinusförmigen Wechselspannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
1.2 Phasenverschiebung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
1.3 Effektivwert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 295
1.4 Darstellungsarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 296
1.4.1 Zeigerdarstellung von Sinusgrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 296
1.4.2 Darstellung von Sinusgrößen in der komplexen Zahlenebene . . . . . . . . . . . . . 296
2 Grundschaltelemente im Wechselstromkreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
2.1 Ohmscher Widerstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
2.2 Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
2.3 Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
3 Schaltungen von Wechselstromwiderständen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
3.1 Reihenschaltung von Wechselstromwiderständen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
3.1.1 Wirkwiderstand und Induktivität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
3.1.2 Wirkwiderstand und Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300
3.1.3 Wirkwiderstand, Induktivität und Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 301
Inhaltsverzeichnis XVII

3.2 Parallelschaltung von Wechselstromwiderständen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0303

3.2.1 Wirkwiderstand und Induktivität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0303
3.2.2 Wirkwiderstand und Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0304
3.2.3 Wirkwiderstand, Induktivität und Kapazität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0305
3.3 Gemischte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0306
4 Passive Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0307
4.1 Hochpassschaltung mit RC- und RL-Glied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0307
4.2 Tiefpassschaltung mit RC- und RL-Glied. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0308
4.3 Bandpassschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0309
5 Schwingkreise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0309
5.1 Reihenresonanz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0310
5.2 Parallelresonanz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0310
6 Leistung und Arbeit im Wechselstromkreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0310
6.1 Leistung und Arbeit bei Phasengleichheit von Spannung und Strom. . . . . . . . . . . . . . 0310
6.2 Leistung und Arbeit bei Phasenverschiebung von Spannung und Strom . . . . . . . . . . . . 0311
6.3 Leistung in komplexer Schreibweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0312
6.4 Leistungsfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0312

VII Drehstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0313

1 Erzeugung von mehrphasigem Wechselstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0313
2 Phasenverkettung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0313
2.1 Sternschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0313
2.2 Dreieckschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0314
3 Leistung des Dreiphasenstroms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0315
4 Das unsymmetrische Dreiphasensystem. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0315
4.1 Das unsymmetrische Dreileiternetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0315
4.2 Das unsymmetrische Vierleiternetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0316

Elektronik
I Leitungsmechanismen bei Halbleitern, pn-Übergang . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0319
1 Einführung in die Halbleiterphysik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0319
2 Der pn-Übergang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0321
II Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0322
1 Kennlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0322
2 Kenndaten und Grenzwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0323
3 Kennzeichnung von Halbleiter-Bauelementen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0326
4 Diodenarten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0327
4.1 Kapazitätsdioden . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0328
4.2 Schalterdioden . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0329
4.3 Schottky-Dioden . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0330
4.4 Gleichrichter-Dioden .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0330
4.5 Z-Dioden . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0331
5 Anwendungsschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0332
5.1 Begrenzerschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0332
5.2 Gleichrichter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0333
5.2.1 Einweggleichrichter (M1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0333
5.2.2 Mittelpunktschaltung (M2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0335
5.2.3 Brückengleichrichterschaltung (B2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0336
5.3 Spannungsvervielfacher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0338
5.4 Diode als Konstantspannungsquelle (Z-Diode) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0339
III Mehrschichtdioden und -trioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0341
1 Vierschichtdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0341
2 Thyristoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0342
XVIII Inhaltsverzeichnis

3 Diac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 345
4 Triac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 346
5 Schutz der Dioden und Trioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 346
6 Zündmethoden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 347
IV Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 349
1 Bipolare Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 349
1.1 Transistoreffekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 349
1.2 Transistorkennlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350
1.3 Kenn- und Grenzwerte des Transistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 352
2 Feldeffekttransistoren (FET) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 356
2.1 Aufbau und Wirkungsweise des Sperrschicht-FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 356
2.2 Aufbau und Wirkungsweise des MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 358
2.3 Kennlinien von FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 359
2.4 Kennwerte von FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360
V Besondere Halbleiter-Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 365
1 Unijunction-Transistor (Doppelbasisdiode) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 365
2 Darlington-Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 366
3 VMOS-Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 367
4 SIPMOS-Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 368
5 IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 369
VI Analoge Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
1 Bipolarer Transistor als Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
1.1 Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 373
1.2 Arbeitspunktstabilisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375
1.3 Emitterschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 379
1.4 Kollektorschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 381
1.5 Basisschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
2 Feldeffekt-Transistor als Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 383
2.1 Arbeitspunkteinstellung und -stabilisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 383
2.2 Grundschaltungen von FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 385
2.2.1 Sourceschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 386
2.2.2 Drainschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 388
2.2.3 Gateschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 389
2.3 Weitere Anwendungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 390
3 Mehrstufige Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 392
VII Endstufen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 397
1 Betriebsarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 397
2 Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 397
VIII Operationsverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
1 Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
2 Differenzverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
3 Grundlagen des OP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 403
4 Operationsverstärker als Verstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 406
4.1 Verstärker mit frequenzunabhängiger Gegenkopplung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 406
4.2 Verstärker mit frequenzabhängiger Gegenkopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 409
4.3 OP als Leistungsverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 411
4.4 Aktive Filterschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 412
IX Elektronische Schalter, Kippstufen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 413
1 Transistor als Schalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 413
2 Kippschaltungen mit Transistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417
2.1 Bistabile Kippstufe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417
2.2 Monostabile Kippstufe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 418
2.3 Astabile Kippstufe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419
2.4 Triggerschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419
Inhaltsverzeichnis XIX

3 Operationsverstärker als Schalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0420

4 Kippschaltungen mit Operationsverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0421
4.1 Triggerschaltungen mit Operationsverstärker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0421
4.2 Astabile Kippstufe mit Operationsverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0422
4.3 Monostabile Kippstufe mit Operationsverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0423
4.4 Bistabile Kippstufe mit Operationsverstärker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0423
5 Zeitgeber 555 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0424
6 Trigger TCA 345 A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0425
X Oszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0425
1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0425
2 Sinusgeneratoren (RC-Oszillatoren) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0426
3 Funktionsgeneratoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0428
XI Schaltungstechniken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0429
1 Integrierte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0429
2 SMD-Technik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0431
XII Optoelektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0433
1 Grundsätzliche Überlegungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0433
2 Optoelektronische Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0433
2.1 Fotowiderstand (LDR – light dependent resistor) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0433
2.2 Fotodiode und Fotoelement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0434
2.3 Fototransistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0436
2.4 Lumineszenzdioden und Flüssigkristalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0437
3 Anzeigeeinheiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0439
4 Signalübertragung mit Optokoppler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0440
5 Faseroptische Übertragungsmittel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0441
XIII Analog-Digital-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0441
1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0441
2 Spannungs-Frequenz-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0442
3 Sägezahnverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0442
4 Dual-Slope-Verfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0442
5 Flash-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0443
6 Wandler nach dem Wägeverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0443
7 Integrierte Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0444
XIV Digital-Analog-Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0444
1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0444
2 D/A-Wandler-Varianten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0444
3 Integrierte Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0445
XV Leistungselektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0447
1 Gleichrichterschaltungen/Stromversorgung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0447
2 Anwendungsschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0453
3 Schaltnetzteile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0455
4 Elektronische Schalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0457
5 Elektronische Steller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0458

Technische Kommunikation

I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0461

1 Zeichengeräte. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0461
2 Normen für Technische Zeichnungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0462
XX Inhaltsverzeichnis

3 Darstellung und Bemaßung von Körpern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462

4 Normteile und Konstruktionselemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 476
5 Wichtige Normteile des Maschinenbaues . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 489
6 Nutzen der Normung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 493

II Schaltungsunterlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 447
1 Schaltzeichen nach DIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 496
2 Elektrische Betriebsmittel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 499
3 Schaltungsunterlagen der Energietechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 502
4 Schaltungsunterlagen der Elektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 506
4.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 506
4.2 Schaltzeichen nach DIN 40 900 Teil 12 Binäre Elemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 506
4.3 Entwurf von Schaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 509
4.3.1 Verdrahtungsplan mit Universalplatinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 509
4.3.2 Entwurf und Herstellung gedruckter Schaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 509
5 Projektierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 510
III Schaltungssynthese und -analyse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 511
1 Beispiele aus der Elektrotechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 511
2 Beispiele aus der Elektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 511
IV CAD-Technik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514
1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514
2 Hardware und Software . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514
3 Erstellen von Schaltplänen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514
4 Erstellen von Layouts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514
5 Anwendungen in der Elektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 517
6 Auswahl von CAD-Systemen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 517

Datentechnik
I Digitaltechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 521
1 Grundbegiffe der Digitaltechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 521
2 Logische Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 522
2.1 Grundverknüpfungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 522
2.1.1 NICHT-Verknüpfung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 522
2.1.2 UND-Verknüpfung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 522
2.1.3 ODER-Verknüpfung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 523
2.2 Realisierungsmöglichkeiten logischer Verknüpfungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 523
3 Schaltalgebra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525
3.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525
3.2 Normalform einer binären Funktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525
3.2.1 Disjunktive Normalform. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525
3.2.2 Konjunktive Normalform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 526
3.2.3 Umwandeln der Gleichung in Schaltzeichen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 526
3.2.4 Schaltungsminimierung mit Hilfe der Schaltalgebra . . . . . . . . . . . . . . . . . 526
3.2.5 Umsetzung in NAND- oder NOR-Technik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 526
3.2.6 KV-Tabelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 529
3.2.7 Analyse logischer Schaltungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 529
3.2.8 Synthese logischer Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 530
4 Zahlensysteme in der Digital- und Datenverarbeitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 532
4.1 Dualsystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 532
4.1.1 Bildung der Dualzahlen und Umwandlung in Dezimalzahlen . . . . . . . . . . . . . 532
4.1.2 Umwandlung dezimal nach dual . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 532
4.2 Hexadezimalsystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 534
Inhaltsverzeichnis XXI

4.3 Rechnen mit Dualzahlen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0534

4.4 Zahlen in Rechenanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0534
4.4.1 Darstellung von Zahlen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0534
4.4.2 Einer- und Zweierkomplement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0536
4.4.3 Subtraktion mit Hilfe des Komplements . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0536
5 Codes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0537
5.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0537
5.2 Binär-Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0537
5.3 BCD-Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0537
5.3.1 BCD-Dual-Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0537
5.3.2 3-Excess-Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0537
5.3.3 Aiken-Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0538
5.4 Gray-Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0538
5.5 Codierung alphanumerischer Zeichen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0539
5.6 Fehlererkennung und Redundanz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0540
5.6.1 Einfache Prüfung auf Parität . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0540
5.6.2 Kreuzsicherungsprüfung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0541
5.6.3 Hamming-Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0541
6 Digitale Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0542
6.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0542
6.2 Schaltnetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0542
6.2.1 Rechennetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0542
6.2.1.1 Halbaddierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0542
6.2.1.2 Volladdierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0542
6.2.1.3 Serieller n-Bit-Addierer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0543
6.2.1.4 Paralleler n-Bit-Addierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0544
6.2.1.5 Subtrahierer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0544
6.2.1.6 Addierer für BCD-Dualzahlen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0545
6.2.2 Komparatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0545
6.2.2.1 Einfacher Komparator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0545
6.2.2.2 Komparator mit Größer- und Kleiner-Vergleich . . . . . . . . . . . . . . 0546
6.2.3 Codewandler und Decoder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0547
6.2.3.1 Codewandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0547
6.2.3.2 1-aus-n-Decoder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0548
6.2.4 Multiplexer und Demultiplexer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0548
6.2.4.1 Multiplexer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0549
6.2.4.2 Demultiplexer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0550
6.3 Schaltwerke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0550
6.3.1 Speicherbausteine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0550
6.3.1.1 Allgemeines Flipflop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0550
6.3.1.2 RS-Flipflop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0551
6.3.1.3 Flipflops mit dominierenden Eingängen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0551
6.3.1.4 D-Flipflop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0551
6.3.1.5 JK-Flipflop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0552
6.3.1.6 Master-Slave-JK-Flipflop. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0552
6.3.1.7 T-Flipflop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0553
6.3.2 Grundschaltungen aus Speicherbausteinen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0553
6.3.2.1 Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0553
6.3.2.2 Schieberegister . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0554
6.3.2.3 Frequenzteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0555
6.3.2.4 Zähler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0556
6.3.2.4.1 Asynchroner Zähler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0556
6.3.2.4.2 Asynchroner BCD-Vorwärtszähler . . . . . . . . . . . . . . 0558
6.3.2.4.3 Synchroner Dual-Vorwärts-1-Zähler . . . . . . . . . . . . . . 0559
6.3.2.4.4 Zähler für mehrere Decaden . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0559
6.4 Sonderschaltungen0560
6.4.1 Monoflops . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0560
6.4.2 Astabile Kippstufen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0561

II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0562

1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0562
2 Umgang mit integrierten Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0563
3 Daten und Begriffe der Logikschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0563
3.1 Grenz- und Kenndaten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0563
3.2 Pegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0563
XXII Inhaltsverzeichnis

3.3 Störsicherheit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 564

3.4 Lasteinheit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 564
3.5 Temperaturbereich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 564
3.6 Gatterlaufzeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 565
3.7 Verlustleistung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 565
4 TTL-Familie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 566
4.1 Eigenschaften und Kenndaten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 566
4.2 Standard-TTL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 566
4.3 Schaltungen mit 3-state . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 569
4.4 Schottky-TTL und Low-Power-Schotky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570
5 Emittergekoppelte Logik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570
6 Integrierte MOS-Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570
6.1 NMOS- und PMOS-Technik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 571
6.2 CMOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 571
6.2.1 14000-Serie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 571
6.2.2 CMOS-Schalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 573
6.2.3 High-Speed-CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 574
6.2.4 BICMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 574
7 Interfaceschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 575
8 Anwendungsspezifische integrierte Schaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 575
8.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 575
8.2 Kundenspezifische IC’s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 576
8.3 Programmierbare Logikbausteine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 577
8.3.1 PROM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 577
8.3.2 PAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 577
8.3.3 GAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 581
8.3.4 pLSI, ispLSI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 584
9 Gehäuse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 587
III Mikrocomputertechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 588
1 Komponenten eines Mikrocomputers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 588
2 Mikroprozessoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 588
2.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 588
2.2 Architektur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 588
2.3 Übersicht gängiger Mikroprozessoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 590
2.4 8-Bit-Mikroprozessoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 590
2.4.1 8085-CPU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 590
2.4.2 Beispiel Z80 CPU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 598
2.5 16-Bit-Prozessoren. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 601
2.5.1 8086/80286 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 601
2.5.2 Adressenbildung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 603
3 Halbleiterspeicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 604
3.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 604
3.2 Kenndaten und Technologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 604
3.3 Bedeutung der Anschlüsse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 605
3.4 Organisation und Aufbau. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 605
3.4.1 Bitorganisierter und wortorganisierter Speicher. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 606
3.4.2 Speicher mit Adressenzwischenspeicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 606
3.5 Zeitverhalten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 607
3.6 Speichertypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 608
3.6.1 Festwertspeicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 608
3.6.1.1 Masken-ROM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 609
3.6.1.2 PROM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 609
3.6.1.3 EPROM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 609
3.6.1.4 EEPROM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 611
3.6.1.5 Flash-EPROM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 612
3.6.2 Schreib-Lesespeicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 613
3.6.2.1 SRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 613
3.6.2.2 NVRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 614
3.6.2.3 DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 615
3.6.2.4 PSRAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 616
3.7 Speichererweiterung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 616
3.8 Zentralspeicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 617
Inhaltsverzeichnis XXIII

4 Peripheriebausteine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0618
4.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0618
4.2 BUS-Treiber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0618
4.3 Einfache E-/A-Bausteine für den parallelen Betrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0618
4.4 Programmierbare Schnittstellen- bausteine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0620
4.5 Zeitgeberbausteine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0625
4.6 Programmierbarer E/A-Baustein mit Speicher und Zeitgeber . . . . . . . . . . . . . . . . . 0627
4.7 Eingabe-Ausgabe-Bausteine für den seriellen Betrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0629
4.7.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0629
4.7.2 USART . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0632
4.8 Bausteine mit Sonderfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0635
5 Mikrocontroller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0636
5.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0636
5.2 8-Bit-Mikrocontroller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0637
5.2.1 Funktionsbeschreibung des MC 8051 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0637
5.2.2 Ein-/Ausgabeeinheit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0640
5.2.3 RESET-Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0640
5.2.4 Taktgenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0640
5.2.5 Stromaufnahme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0640
5.2.6 TIMER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0641
5.2.7 Unterbrechungssystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0642
5.2.8 Speicher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0643
5.2.9 Serielle Schnittstelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0644
5.3 16-Bit-Mikrocontroller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0645
6 Maschinensprache . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0647
6.1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0647
6.2 Maschinencode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0647
6.3 Befehlsaufbau. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0648
6.4 Befehlsdarstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0648
6.5 Befehle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0648
6.5.1 Befehlsfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0648
6.5.2 Adressierungsarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0652
6.6 Befehlszyklus und Befehlszeiten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0653
6.6.1 Befehlszyklus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0653
6.6.2 Befehlszeiten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0655
7 Befehlsvorrat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0655
8 Hinweise zur Programmierung und Progammbeispiele . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0658

IV Computertechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0659
1 Komponenten eines Computers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0659
2 Massenspeicher. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0659
2.1 Magnetplatten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0659
2.1.1 Diskette und Diskettenlaufwerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0659
2.1.2 Festplatte und Festplattenlaufwerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0663
2.1.3 Magnetbandgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0664
2.2 CD-ROM- und CD-Laufwerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0664
3 Eingabegeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0665
3.1 Tastatur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0665
3.2 Maus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0666
4 Ausgabegeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0666
4.1 Datensichtgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0666
4.1.1 Monitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0666
4.1.2 LCD-Bildschirm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0669
4.2 Drucker. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0669
4.2.1 Typenraddrucker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0669
4.2.2 Matrixdrucker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0669
4.2.3 Tintenstrahlrucker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0669
4.2.4 Laserdrucker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0669

V Programmiertechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0670
1 Programmiersprachen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0670
1.1 Assembler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0670
1.2 ADA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0670
XXIV Inhaltsverzeichnis

1.3 ALGOL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 671

1.4 BASIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 671
1.5 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 671
1.6 FORTRAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 671
1.7 PASCAL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 671
1.8 PL/M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 671

2 Grundlagen der Programmierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 672

2.1 Interpreter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 672
2.2 Compiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 672
2.3 Editor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 672
2.4 Integrierte Entwicklungsumgebung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 672
2.5 Methoden der Programmentwicklung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 673
2.6 Problembeschreibung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 673
2.7 Top-Down-Methode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 673
2.8 Bottom-Up-Methode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 673
2.9 Bewertung der Methoden. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 673
2.10 Programm-Test . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 674

VI Datenkommunikation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 674

1 Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 674
2 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 675
2.1 Verkehrsarten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 675
2.2 Vermittlungsprinzipien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 676
2.3 Vermittlungseinrichtungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 676
2.4 Klassifizierung von Netzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 677
2.5 Standardisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 677
2.5.1 Standardisierungsgremien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 678

3 Lokale Netze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 680

3.1 Ethernet (CSMA/CD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 680
3.2 Token-Ring . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 682
3.3 ISDN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 684
3.4 Breitband-ISDN (ATM-Technik) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 685
Literatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 688

Automatisierungstechnik
1 Einführung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 689

2 Automatisierungsgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 689

3 Grundzüge der SPS-Norm IEC 61131-3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 690

3.1 Programmorganisationskonzept. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 690
3.2 Deklaration von FB- und FC-Bausteinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 691
3.3 Variablen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 692
3.4 Programmiersprachen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 695

4 Programmstrukturen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 696
4.1 Lineares Programm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 696
4.2 Gegliedertes Programm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 696
4.3 Parametrierbares Programm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 696

5 Eingabe- und Ausgabesignale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 697

5.1 Binäre Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 697
5.2 Digitale Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 697
5.3 Analoge Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 697
Inhaltsverzeichnis XXV

6 Eingabe-/Ausgabebaugruppen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 697

7 Verknüpfungssteuerungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 698
7.1 Logische Grundverknüpfungen in verschiedenen Darstellungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 698
7.2 Zusammengesetzte logische Grundverknüpfungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 698
7.3 Schließer- und Öffnerkontakte, Drahtbruchsicherheit, Erdschlussgefahr . . . . . . . . . . . . . . . . 700
7.4 Speicherfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700
7.5 Flankenauswertung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 701
7.6 Darstellung und Eigenschaften elektropneumatischer Stellglieder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 701
7.7 Regeln für das Umsetzen von Schützschaltungen in SPS-Programme . . . . . . . . . . . . . . . . . 702
7.8 Zeitfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 703
7.9 Zählerfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 703
7.10 Vergleichsfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 704
7.11 MOVE-Funktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 705
7.12 EN/ENO-Mechanismus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706

8 Aufruf und Wertübergaben zwischen Bausteinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706

8.1 Aufrufhierarchie der Bausteine P, FB und FC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
8.2 Aufruf von Funktionsbausteinen in FBS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
8.3 Aufruf von Funktionsbausteinen in AWL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 706
8.4 Aufruf von Funktionen in AWL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 707

9 Ablaufsteuerung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 707
9.1 Ablauf-Funktionsplan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 707
9.2 Grafische Darstellung von Ablaufsteuerungsfunktionen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 708
9.3 Betriebsartenteil und Bedienfeld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 711

10 Kommunikation in Automatisierungssystemen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 713

10.1 Bussysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 713
10.2 PROFINET – Offener Industrial Ethernet Standard . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 713
10.3 OPC-Technologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 715

11 Steuerungssicherheit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 716
11.1 Europäische Richtlinien und Sicherheitsnormen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 717
11.2 Sicherheitsbegriff . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 717

12 Regelungstechnische Grundbegriffe der Automatisierungstechnik . . . . . . . . . . . . . . . 719

12.1 Unterschied zwischen Steuern und Regeln, regelungstechnische Größen . . . . . . . . . . . . . . . 719
12.2 Regler-Technologien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 721

13 Regelstrecken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 721
13.1 Bespiele für Regelstrecken. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 721
13.2 Beschreibungsmittel zur Darstellung von Regelstreckeneigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . 722

14 Regler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 725
14.1 P-Regler, P-Regelfunktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 726
14.2 I-Regler, I-Regelfunktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727
14.3 PI-Regler, PI-Regelfunktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727
14.4 PID-Regler, PID-Regelfunktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 729
14.5 Vergleich der verschiedenen Reglertypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 729
14.6 PID-Reglerbaustein für digitale Abtastregelung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 729
14.7 SPS als kontinuierlicher PID-Abtastregler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 731
14.8 Digitaler Schrittregler mit PI-Verhalten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 732
14.9 Zweipunktregler, Zweipunkt-Regelfunktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 732
14.10 Regelgüte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 733

Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 733
XXVI Inhaltsverzeichnis

Messtechnik
I Grundlagen und Grundbegriffe der Messtechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 735

1 Begriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 735
2 Einheiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 735
3 Messabweichung, Messfehler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 736
3.1 Systematische Abweichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 736
3.2 Zufällige Abweichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 736
3.3 Arithmetischer Mittelwert, Erwartungswert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 737
3.4 Standardabweichung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 737

4 Abweichungsfortpflanzung, Fehlerfortpflanzung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 738

5 Fehlerangaben von Messgeräten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 739
5.1 Analog anzeigende Messgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 739
5.2 Digital anzeigende Messgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 739

6 Arithmetischer Mittelwert und Effektivwert von Wechselgrößen . . . . . . . . . . . . 739

7 Häufigkeitsverteilung, Vertrauensbereich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 739
8 Bearbeitung und Auswertung von Messwerten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 740

II Analog anzeigende Messgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0741

1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0741

2 Drehspul-Messwerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0741

3 Dreheisen-Messwerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0742

4 Elektrodynamisches Messwerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0743

5 Symbole und Instrumentenbeschriftungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0744

III Oszilloskop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0744

1 Aufbau eines Standard-Oszilloskopes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0744

1.1 Oszilloskopröhre. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0744
1.2 Y-Ablenkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0745
1.3 X-Ablenkung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0746
1.4 Netzteil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0746

2 Oszilloskope mit speziellen Eigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0747

2.1 Zwei- oder Mehrkanal-Oszilloskope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0747
2.2 Speicheroszilloskope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0747
2.3 Oszilloskope mit Differenzverstärker-Eingang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0748
2.4 Sampling-Oszilloskope. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0748
2.5 Zusatzeinrichtungen bei Oszilloskopen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0748

IV Schreibende Messgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0750

1 Y-t-Schreiber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0750

2 X-Y-Schreiber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0751

3 Auslenkung des Schreibstiftes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0751

Inhaltsverzeichnis XXVII

V Digital anzeigende Messgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0751

1 Digitalvoltmeter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0751

2 Digitalmultimeter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0752

3 Messung von Kapazitäten, Frequenzen und Stromverstärkungen . . . . . . . . . . . 0753

4 Messung von Temperaturen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0753

VI Messverfahren zur Messung elektrischer Größen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0754

1 Messung von Gleichspannungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0754

1.1 Analog anzeigende Spannungsmessgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0754
1.2 Digital anzeigende Spannungsmessgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0754
1.3 Messabweichung durch den Innenwiderstand des Spannungsmessers . . . . . . . . . . . . 0754
1.4 Spannungsmessung mit dem Kompensator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0755

2 Messung von Gleichströmen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0755

2.1 Analog anzeigende Strommessgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0755
2.2 Digital anzeigende Strommessgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0755
2.3 Messabweichung durch den Innenwiderstand des Strommessers . . . . . . . . . . . . . . . 0756

3 Messbereichserweiterung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0756
3.1 Spannungsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0756
3.2 Strommessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0756

4 Messung von Wechselspannungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0756

4.1 Analog anzeigende Wechselspannungsmessgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0756
4.1.1 Spannungsmesser mit Dreheisenmesswerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0756
4.1.2 Spannungsmesser mit Drehspulmesswerk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0757
4.1.3 Spannungsmesser mit Thermoumformermesswerk . . . . . . . . . . . . . . . . . 0757
4.2 Digital anzeigende Wechselspannungsmessgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0757

5 Messung von Wechselströmen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0758

5.1 Analog anzeigende Wechselstrommessgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0758
5.2 Digital anzeigende Wechselstrommessgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0758

6 Widerstands- und Impedanzmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0758

6.1 Gleichstrom-Messbrücken zur Widerstandsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0758
6.1.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0758
6.1.2 Wheatstone-Messbrücke im Abgleichverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0759
6.1.3 Thomson-Messbrücke im Abgleichverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 759
6.1.4 Wheatstone-Messbrücke im Ausschlagverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . 760
6.1.5 Wheatstone-Messbrücke im Ausschlagverfahren mit Widerstand in der Brücken-
diagonalen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 761
6.2 Wechselstrom-Messbrücken zur Widerstands- und Impedanzmessung . . . . . . . . . . . . 761
6.2.1 Messung von ohmschen Widerständen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 761
6.2.2 Messung von Impedanzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 762
6.3 Vergleich mit bekanntem Widerstand – Spannungsvergleich . . . . . . . . . . . . . . . . . 762
6.4 Messung von Strom und Spannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 763
6.5 Widerstandsmessung mit analogen Multimetern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 763

7 Leistungsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 764
7.1 Wirkleistungsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 764
7.1.1 Wirkleistungsmessung bei Wechselstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 764
7.1.2 Wirkleistungsmessung in Drehstromsystemen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 765
7.1.3 Symmetrisch belastetes Drehstromsystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 765
7.1.4 Beliebig belastetes Dreileiter-Drehstromsystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 765
7.1.5 Beliebig belastetes Vierleiter-Drehstromsystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 766
XXVIII Inhaltsverzeichnis

7.2 Blindleistungsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 767

7.2.1 Blindleistungsmessung bei Wechselstrom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 767
7.2.2 Blindleistungsmessung in symmetrisch belasteten Dreileiter-Drehstromsystemen . . . 767
7.2.3 Blindleistungsmessung in beliebig belasteten Vierleiter-Drehstromsystemen . . . . . 767
7.3 Scheinleistungsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 768
7.4 Messbereichserweiterung bei der Leistungsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 768
7.5 Leistungsfaktormessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 768
8 Messung der Arbeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 768
9 Messung von L, C, Gütefaktor und Verlustfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 769
9.1 Messung von ⏐ZL⏐oder ⏐ZC⏐. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 770
9.2 Messung von ZL, ZC, Gütefaktor und Verlustfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 770
10 Messung magnetischer Größen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 771
10.1 Magnetischer Fluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 771
10.2 Magnetische Flussdichte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 772
10.3 Magnetische Feldstärke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 772
10.4 Permeabilität. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 772

VII Messverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen . . . . . . . . . . . . . . . . . 773

1 Messaufnehmer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 774
1.1 Ohmsche Aufnehmer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 775
1.2 Kapazitive Aufnehmer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 775
1.3 Induktive Aufnehmer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 776
1.4 Optische Aufnehmer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 777
1.4.1 Fotodiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 777
1.4.2 Fotovervielfacher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 777
1.5 Ladungsliefernde Aufnehmer. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 778
1.6 Thermische Aufnehmer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 779
1.6.1 Thermoelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 779
1.7 Chemische Aufnehmer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780
1.7.1 pH-Wert-Messeinrichtung mit Glaselektrode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780
1.7.2 Aufnehmer zur Messung der Sauerstoffkonzentration . . . . . . . . . . . . . . . . 781
1.8 Aufnehmer zur Messung von Gaskonzentrationen allgemein . . . . . . . . . . . . . . . . . 781
2 Messverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 782
2.1 Kraftmessung mit Dehnungsmessstreifen (DMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 783
2.2 Füllstandsmessung und Messung der Foliendicke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 786
2.3 Drehzahlmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 786
2.4 Durchflussmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 787
2.5 Zeit- und Frequenzmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 789
2.6 Weg- und Winkelmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 790
2.7 Beschleunigungsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 791

VIII Messdatenaufbereitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 794

1 Verringerung der Störeinflüsse von außen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 794
2 Messverstärker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 795

IX Bussysteme für die Messtechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0797

1 Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0797
2 IEC-Bus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0798
3 DIN-Messbus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0800
4 Aktuator-Sensor-Interface (ASI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0800

X Probleme bei der Digitalisierung analoger Messwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . 0802

1 Fehler bei der Digitalisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0802
2 Signal-Quantisierungs-Geräuschabstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0803
3 Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0804
4 Abtast-Halte-Glied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0804
5 Aliasing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0804
6 Erfassung von Momentanwerten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0804
Inhaltsverzeichnis XXIX

XI PC-gestützte Messverfahren und Messsignalanalyse . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0805

1 Statistische Verfahren zur Messsignalauswertung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0805
2 Graphische Darstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0805
3 Ermittlung von Kenngrößen, Klassierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0806
4 Messsignalanalyse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0806
4.1 Verfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0807
4.2 Anwendungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0807
4.2.1 Messung des Klirrfaktors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0807
4.2.2 Geräuschmessung zur Schadenfrüherkennung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0807
4.2.3 Abstandsmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0807
4.2.4 Erkennung periodischer Signalanteile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0807
5 Automatisierung von Messabläufen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0807
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0808
Literatur allgemein: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0808
Spezielle Literatur: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0808

Energietechnik
I Elektrische Maschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0809
1 Transformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0809
1.1 Aufgaben eines Transformators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0809
1.2 Bauteile eines Transformators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0809
1.2.1 Eisenkerne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0809
1.2.2 Wicklungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0809
1.2.3 Kühlung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0810
1.3 Wirkungsweise eines Einphasen-Transformators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0810
1.3.1 Leerlauf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0810
1.3.2 Belastung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0811
1.3.3 Leerlaufversuch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0812
1.3.4 Kurzschlussversuch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0813
1.3.5 Wirkungsgrad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0814
1.4 Aufbau und Schaltung von Drehstrom-Transformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0815
1.4.1 Wirkungsweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0815
1.4.2 Schaltgruppen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0816
1.4.3 Unsymmetrische Belastungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0816
1.5 Parallelschalten von Transformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0816
1.6 Transformatorschutz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0817
1.7 Überlastung von Transformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0817
1.8 Aufstellen von Transformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0817
1.9 Sondertransformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0818
1.9.1 Spartransformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0818
1.9.2 Drosselspulen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0818
1.9.3 Streufeldtransformatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0819
1.10 Messwandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 819
1.10.1 Spannungswandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 819
1.10.2 Stromwandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 820
2 Drehstrommaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 820
2.1 Die Drehstromasynchronmaschine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 821
2.1.1 Wirkungsweise der Asynchronmaschine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 821
2.1.2 Betriebsverhalten der Asynchronmaschine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 821
2.1.2.1 Spannungsgleichung, Ersatzschaltbild. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 822
2.1.2.2 Leistungsfluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 822
2.1.2.3 Betriebskennlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 823
2.1.3 Kurzschlussläufer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 823
2.1.3.1 Anlassverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 824
2.1.3.2 Bremsverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 825
2.1.3.3 Drehzahlsteuerung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 826
2.1.3.4 Ständerspannungsänderung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 826
XXX Inhaltsverzeichnis

2.1.3.5 Frequenzänderung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 826

2.1.3.6 Polumschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 828
2.1.4 Der Schleifringläufer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 828
2.1.4.1 Anlassverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 828
2.1.4.2 Bremsverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 829
2.1.4.3 Drehzahlsteuerung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 829
2.2 Linearmotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 830
2.2.1 Aufbau des Linearmotors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 830
2.3 Drehstromsynchronmaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 830
2.3.1 Wirkungsweise der Synchronmaschine. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 831
2.3.2 Spannungsgleichung der Synchronmaschine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 832
2.3.3 Anlauf und Synchronisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 832
3 Einphasen-Asynchronmotoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 833
3.1 Einsträngiger Motor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 833
3.2 Zweisträngiger Motor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 833
3.3 Kondensatormotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 833
3.4 Spaltpolmotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 834
4 Drehstrommotor im Einphasenbetrieb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 834
5 Sonderbauformen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 835
5.1 Schrittmotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 835
5.2 Servomotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 835
5.2.1 Scheibenläufermotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 836
5.2.2 Stabankermotoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 836
6 Gleichstrommaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 836
6.1 Aufbau und Wirkungsweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 837
6.1.1 Ankerrückwirkungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 837
6.2 Betriebsverhalten von Gleichstrommaschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 838
6.2.1 Nebenschlussmotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 838
6.2.2 Reihenschlussmotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 840
6.2.3 Doppelschlussmotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 842
6.3 Betriebsverhalten von Gleichstromgeneratoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 842
6.3.1 Fremderregter Generator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 843
6.3.2 Nebenschlussgenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 843
6.3.3 Reihenschlussgenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 843
6.3.4 Doppelschlussgenerator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 844
6.4 Gleichstrommaschine am Wechsel- oder Drehstromnetz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 844
6.4.1 Wechselstrombrücken . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 844
6.4.1.1 Einquadrantenantrieb (1-Q-Betrieb) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 844
6.4.1.2 Zweiquadrantenantrieb (2-Q-Betrieb) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 845
6.4.1.3 Vierquadrantenantrieb (4-Q-Betrieb) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 845
6.4.2 Drehstrombrücken. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 846
6.4.2.1 Zweiquadrantenbetrieb (2-Q-Betrieb) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 846
6.4.2.2 Vierquadrantenbetrieb (4-Q-Betrieb) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 846
6.5 Universalmotor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 846
7 Auswahl von Motoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 847
7.1 Auswahl unter Berücksichtigung der Normen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 847
7.1.1 Bauform und Baugrößen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 847
7.1.2 Schutzart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 847
7.1.3 Kühlart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850
7.1.4 Isolierstoffklassen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0850
7.1.5 Motorschutz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0850
7.1.5.1 Thermischer Auslöser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0851
7.1.5.2 Thermistor-Motorvollschutz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0852
7.1.6 Abstimmung des Motors auf die Arbeitsmaschine . . . . . . . . . . . . . . . . . 0852
7.1.6.1 Wartung von Maschinen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0853
7.1.7 Störungsbeseitigung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0854
7.1.8 Anschlusskennzeichnungen von Maschinen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0856
II Elektrische Anlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0857
1 Struktur der Elektrizitätswirtschaft . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0857
2 Elektrische Energieerzeugung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0857
2.1 Energiebedarf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0858
2.2 Energiereserven . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0859
Inhaltsverzeichnis XXXI

2.3 Wärmekraftwerke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0859

2.3.1 Konventionelle Dampfkraftwerke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0860
2.3.2 Kombikraftwerke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0860
2.3.3 Kernkraftwerke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0860
2.3.3.1 Druckwasserreaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0861
2.3.3.2 Siedewasserreaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0861
2.3.3.3 Hochtemperaturreaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0861
2.3.4 Umweltschutz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0862
2.4 Wasserkraftwerke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0863
2.5 Windkraftwerke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0864
2.6 Solarkraftwerke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0864
2.6.1 Sonnenwärmekraftwerke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0864
2.6.2 Photovoltaische Kraftwerke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0865
2.6.3 Solar-Wasserstoff-Anlage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0865
2.7 Sonstige Kraftwerke. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0865
2.7.1 Biomasse. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0865
2.7.2 Brennstoffzellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0865
2.7.3 Fusionsreaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0866
3 Elektrische Energieverteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0866
3.1.1 Gleichstromnetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0867
3.1.2 Wechselstromnetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0867
3.1.3 Drehstromnetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0867
3.2 Netzstrukturen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0868
3.2.1 Strahlennetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0868
3.2.2 Ringnetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0869
3.2.3 Maschennetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0869
3.2.4 Verbundnetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0869
4 Betriebsmittel der Energietechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0870
4.1 Bemessung und Auswahl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0870
4.2 Kabel, Leitungen und Schienen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0870
4.2.1 Freileitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0870
4.2.2 Kabel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0871
4.2.2.1 Leiterwerkstoffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0871
4.2.2.2 Leiterisolierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0872
4.2.2.3 Aufbau. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0872
4.2.2.4 Erwärmung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0872
4.2.2.5 Verlegung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0874
4.2.2.6 Verlegung in Erde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0874
4.2.2.7 Verlegung in Luft . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0874
4.2.2.8 Überstromschutz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0878
4.2.3 Leitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0880
4.2.3.1 Spannungsfall auf Kabeln und Leitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . 0883
4.2.3.2 Verlegung von Kabeln und Leitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0884
4.2.3.3 Ersatzschaltung von Kabeln und Leitungen . . . . . . . . . . . . . . . . 0884
4.2.4 Sammelschienen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0884
4.2.4.1 Längenausdehnung von Stromschienen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0886
4.2.4.2 Kurzschlussfestigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0887
4.2.4.3 Mechanische Kurzschlussfestigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0887
4.2.4.4 Thermische Kurzschlussfestigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0888
4.3 Schaltanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0888
4.3.1 Hochspannungsschaltanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0889
4.3.2 Mittelspannungsanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0889
4.3.2.1 Bauart von Mittelspannungsschaltanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . 0889
4.3.2.2 Störlichtbogenfestigkeit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0890
4.3.2.3 Schaltgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 891
4.3.2.4 Schutzgeräte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 894
4.3.3 Anlagenräume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 894
4.3.4 Niederspannungsschaltanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 895
4.3.4.1 Niederspannungs-Schaltgerätekombinationen . . . . . . . . . . . . . . . 896

5 Schutzmaßnahmen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 898
5.1 Wirkung des Stroms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 899
5.2 Schutz gegen direktes Berühren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 899
5.3 Schutz gegen indirektes Berühren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 899
5.3.1 Schutzisolierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900
5.3.2 Schutztrennung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900
XXXII Inhaltsverzeichnis

5.3.3 Schutz durch nichtleitende Räume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 901

5.3.4 Schutzkleinspannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 901
5.3.5 Funktionskleinspannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 902
5.3.6 Schutz durch Abschalten und Melden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 902
5.3.6.1 Überstromschutzeinrichtung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 903
5.3.6.2 FI-Schutzeinrichtung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 904
5.3.6.3 Isolationsüberwachung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 904
5.3.6.4 Zusätzlicher Potentialausgleich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 904

6 Arbeiten an elektrischen Anlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 905

7 Überprüfung der Schutzmaßnahme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 906
8 Kurzschlussberechnung (VDE 0102) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 907

III Elektrische Energieanwendung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 909

1 Kompensationsanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 909
2 Beleuchtungsanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 911
2.1 Grundgrößen der Lichttechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 911
2.2 Lichtquellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 912
2.3 Glühlampen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 913
2.4 Leuchtstofflampen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 913
2.5 Entladungslampen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 913
2.6 Leuchten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 913
2.7 Berechnung von Beleuchtungsanlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 914

Nachrichtentechnik
I Grundlagen der Nachrichtenübertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 917
1 Prinzip der elektrischen Nachrichtenübertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 917
2 Aufgaben der Nachrichtentechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 919
3 Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 919
4 Nachricht, Information und Signal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 919
4.1 Informationsgehalt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 919
4.2 Signale in der Nachrichtentechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 919
4.3 Entropie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 920
4.4 Redundanz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 920
4.5 Informationsfluss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 921
4.6 Kanalkapazität, Dynamik. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 921
4.7 Nachrichtenquader . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 921
4.8 Signale im Zeitbereich: Analog, digital, kontinuierlich, diskret . . . . . . . . . . . . . . . . 922
4.9 Signale im Frequenzbereich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 922
4.9.1 Periodische sinusförmige Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 923
4.9.2 Periodische nichtsinusförmige Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 923
4.9.3 Nichtperiodische Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 923
4.10 Abtasttheorem von Shannon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 926
4.11 Zufällige (stochastische) Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 927
4.11.1 Rauschen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 927
4.11.2 Kenngrößen von stochastischen Signalen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 928
4.11.3 Anwendungen der Kenngrößen von stochastischen Signalen . . . . . . . . . . . . . 929
4.12 Verzerrungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 929
4.12.1 Lineare Verzerrungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 930
4.12.2 Nichtlineare Verzerrungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 930
4.12.3 Klirrfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 931
5 Kenngrößen der Übertragungsstrecke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0931
5.1 Dämpfungsfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0931
5.2 Übertragungsfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0931
5.3 Dämpfungsmaß . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0932
Inhaltsverzeichnis XXXIII

5.4 Übertragungsmaß, Verstärkungsmaß. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0932

5.5 Pegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0932
5.5.1 Absoluter Pegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0932
5.5.2 Relativer Pegel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0932
5.5.3 Dämpfungsmaß, Übertragungsmaß . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0933
5.5.4 Pegeldiagramm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0933

II Vierpole, Zweitore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0934

1 Vierpol allgemein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0934
1.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0934
1.2 Vierpolgleichungen, Zusammenschaltung von Vierpolen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0934
1.3 Bestimmung der Vierpolparameter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0936
1.4 Elementarvierpole. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0937
1.5 Betriebskenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0937
2 Spezielle Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0945
2.1 Übertragungssymmetrische (reziproke) Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0945
2.2 Widerstandssymmetrische Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0946
2.3 Längssymmetrische Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0946
2.4 Rückwirkungsfreie Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0946
3 Wellenparameter passiver Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0946
3.1 Allgemeine passive Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0946
3.2 Längssymmetrische passive Vierpole . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0947
3.3 Wellenwiderstand bei passiven längssymmetrischen Vierpolen . . . . . . . . . . . . . . . . 0947
3.4 Übertragungsmaß bei passiven längssymmetrischen Vierpolen . . . . . . . . . . . . . . . . 0948
3.5 Spezielle Vierpole. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0948
3.5.1 Doppel-T-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0948
3.5.2 Kreuzschaltung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0949
3.5.3 Frequenzkompensierter Spannungsteiler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0949

III Leitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0950

1 Leitungsbeläge und Leitungsgleichungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0950
2 Leitung mit sinusförmigen Spannungen und Strömen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0952
2.1 Allgemeine Lösung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0952
2.2 Wellenwiderstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0952
2.3 Ausbreitungskoeffizient . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0953
2.4 Verlustlose Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0953
2.5 Lösung mit Zeigerdarstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0953
2.6 Unendlich lange Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0954
2.7 Anpassung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0954
2.8 Phasengeschwindigkeit, Gruppengeschwindigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0954
3 Leitung mit sinusförmigen Spannungen und Strömen und beliebiger Abschluss-
impedanz Ze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0954
3.1 Reflexionsfaktor, Übertragungsfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0954
3.2 Eingangsimpedanz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0955
3.3 Verzerrungsfreie Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0956
3.4 Leitung als Vierpol . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0956
3.4.1 Allgemeine Ersatzschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0956
3.4.2 Elektrisch kurze Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0957
4 Verlustlose Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0957
4.1 Eigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0957
4.2 Wanderwellen bei Reflexion am Leitungsein- und -ausgang . . . . . . . . . . . . . . . . . 0957
4.3 Elektrisch lange Leitung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0958
4.4 Leitung als Transformator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0959
4.5 Stehende Wellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0959
4.6 Kettenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0959
4.7 Wellenfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0960
5 Daten von Leitungen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0961
6 Hochfrequenzleitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 961
6.1 Hochfrequenz-Koaxialkabel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 961
6.2 Hohlleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 963
6.3 Streifenleitungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 966
XXXIV Inhaltsverzeichnis

7 s-Parameter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 970
7.1 Signalflussdiagramme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 970
7.2 Leistungsverstärkung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 972

8 Kreisdiagramm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 972
8.1 Doppel-Kreisdiagramm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 975
8.2 s-Parameter im Kreisdiagramm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 976

IV Antennen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 978
1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 978
2 Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 980
3 Ausführungsformen von Antennen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 982
3.1 Vertikalantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 982
3.2 Rahmenantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 982
3.3 Ferritantenne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 982
3.4 l/2-Dipol, l/2-Faltdipol . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 983
3.5 Breitbanddipol . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 983
3.6 Gruppenstrahler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 983
3.7 Yagi-Antenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 983
3.8 Langdrahtantenne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 984
3.9 Rohrschlitzstrahler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 984
3.10 Parabolantenne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 984
4 Wellenausbreitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 984
4.1 Boden- und Raumwelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 984
4.2 Erdatmosphäre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 985
4.3 Wellenausbreitung im Plasma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 985
4.4 Wellenausbreitung im Bereich 30 kHz bis 30 GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 986

V Modulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 988
1 Übersicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 988
2 Sinusträger – mit Analogsignal moduliert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 988
2.1 Amplitudenmodulation (AM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 989
2.1.1 Modulation durch Multiplikation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 989
2.1.2 Kenngrößen der Amplitudenmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 989
2.1.3 Modulation an einer quadratischen Kennlinie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 990
2.1.4 Modulation an einer nichtlinearen nichtquadratischen Kennlinie . . . . . . . . . . . 991
2.1.5 Zeigerdiagramm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 991
2.1.6 Modulationstrapez. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 991
2.1.7 Demodulation von AM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 992
2.1.8 Leistung von Träger und Seitenbändern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 992
2.1.9 Störungen bei amplitudenmodulierten Signalen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 992
2.1.10 Kreuzmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 993
2.2 Sonderformen der Amplitudenmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 993
2.2.1 Einseitenbandmodulation (ESB, SSB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 993
2.2.2 Restseitenbandmodulation (RM, VSB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 994
2.2.3 Quadraturmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 995
2.3 Technische Ausführung der Amplitudenmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 995
2.4 Winkelmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 996
2.4.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 996
2.4.2 Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 997
2.4.3 Zeigerdarstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 997
2.4.4 Spektrum und Bandbreitenbedarf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 997
2.4.5 Störungen bei winkelmodulierten Signalen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 998
2.4.6 Preemphase, Deemphase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 999
2.4.7 Erzeugung von Frequenz- und Phasenmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . 999
2.4.8 Demodulation von Frequenz- und Phasenmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . 1001

3 Sinusträger – mit Digitalsignal moduliert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1002

3.1 Amplitudenumtastung (ASK) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1002
3.2 Frequenzumtastung (FSK) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1003
3.3 Phasenumtastung (PSK) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1003
Inhaltsverzeichnis XXXV

3.3.1 Zweiphasenumtastung (2-PSK) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1004

3.3.2 Vierphasenumtastung (4-PSK) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1005
3.3.3 n-Phasen-Umtastung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1006
4 Pulsträger uncodiert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1007
4.1 Pulsamplitudenmodulation (PAM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1007
4.2 Pulsfrequenz- und Pulsphasenmodulation (PFM, PPM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1007
4.3 Pulsdauermodulation (PDM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1009
4.4 Pulscodemodulation (PCM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1009
4.4.1 Prinzip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1009
4.4.2 Aliasing-Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1010
4.4.3 Abtast-Halte-Glied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1010
4.4.4 Quantisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1012
4.4.5 Quantisierungsgeräusch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1012
4.4.6 Kompandierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1012
4.4.7 Kodierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1013
4.4.8 Deltamodulation (DM) und Differenz-Pulscodemodulation (DPCM) . . . . . . . . 1014

VI Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1015
1 Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1015
2 Passive R-C-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1016
2.1 Passive R-C-Tiefpassfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1016
2.2 Passive R-C-Hochpassfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1017
2.3 Bandpass aus R-C-Hoch- und Tiefpassfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1017
2.4 R-L-C-Bandpass und -Bandsperre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1019
2.5 Bandfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1021
2.6 Quarzfilter, keramische Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1022
2.7 Digitale Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1023
2.8 Filter mit geschalteten Kondensatoren, SC-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1024

VII Empfängerschaltungstechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1025

1 Geradeausempfänger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1025
2 Überlagerungsempfänger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1026
3 Automatische Verstärkungsregelung (AVR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1026
4 Weitere Schaltungskonzepte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1026

VIII Ton- und Bildübertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1027

1 Rundfunk-Stereoübertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1027
2 Fernseh-Bildübertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1028
2.1 Grundlagen, Schwarz-Weiß-Empfänger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1028
2.2 Farbfernsehtechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1031

IX Mehrfachübertragung – Multiplexverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1034

1 Zeitmultiplexverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1035
1.1 Analoge Signalübertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1035
1.2 Digital kodierte Signalübertragung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1036
2 Frequenzmultiplexverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1036

X Richtfunktechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1037

XI Nachrichtenübertragung über Satellit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1038

XII Nachrichtenübertragung über Lichtwellenleiter (LWL) . . . . . . . . . . . . . . . 1042

1 Physikalische Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1042
2 Grundmodelle von Lichtwellenleitern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1044
2.1 Mehrmoden-Stufenindex mit Totalreflexion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1044
2.2 Mehrmoden-Gradientenindex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1044
2.3 Einmoden-Stufenindex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1044
XXXVI Inhaltsverzeichnis

3 Technische Ausführung von Lichtwellenleitern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1046

4 Lichtsender . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1047
5 Lichtempfänger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1047
6 Verbinden von Lichtleitern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1048

XIII Funkmesstechnik – Radar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1048

1 Grundlagen, Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1048
2 Daten von Radaranlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1050
3 Funkortungssystem OMEGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1051
4 Satellitengestütztes Ortungssystem GPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1051

XIV Elektroakustische Wandler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1051

1 Definitionen, Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1051
2 Schallempfänger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1053
2.1 Kenngrößen für Mikrofone . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1053
2.2 Mikrofonsysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1054
2.2.1 Kohlemikrofon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1054
2.2.2 Kristallmikrofon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1055
2.2.3 (Elektro-)Magnetisches Mikrofon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1055
2.2.4 (Elektro-)Dynamisches Mikrofon als Tauchspul- oder Bändchenmikrofon. . . . . . 1055
2.2.5 Kondensatormikrofon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1056
2.2.6 Elektret-Kondensatormikrofon. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1057
2.3 Daten und Eigenschaften verschiedener Mikrofonsysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1057
3 Schallsender . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1058
3.1 Lautsprecher- und Hörer-Systeme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1058
3.1.1 Elektrodynamisches System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1058
3.1.2 (Elektro-)Magnetisches System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1058
3.1.3 Dynamisches System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1058
3.1.4 Elektrostatisches System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1058
3.1.5 Piezoelektrisches System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1059
3.2 Kenngrößen, Daten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1059

XV Vermittlungstechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1060
1 Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1060
2 Vermittlung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1061
3 Verkehrstheorie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1061
4 Ortsvermittlungstechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1062
4.1 Endgerät . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1062
4.2 Ortsnetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1063
5 Nationales Fernnetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1064
6 Internationales Fernnetz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1065

XVI Kommunikations- und Datennetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1066

1 Lokale Kommunikations- und Datennetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1066
2 Öffentliche Kommunikations- und Datennetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1068
2.1 Fernsprechnetz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1068
2.1.1 Kommunikationsdienste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1068
2.1.2 Telefax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1068
2.1.3 Temex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1069
2.1.4 Telebox . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1069
2.1.5 Modem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1069
2.2 Integriertes Digitalnetz IDN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1069
2.2.1 Teletex, Telex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1069
2.2.2 Datex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1069
2.3 ISDN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1069
2.4 Mobilfunknetze . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1070
2.4.1 Einweg-Funknetz: Funkrufdienst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1070
2.4.2 Funktelefonsysteme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1071
2.5 Internet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1072
Inhaltsverzeichnis XXXVII

XVII Optimierte Nachrichten- und Datenübertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1073

1 Kodierung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1073
1.1 Quellenkodierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1073
1.1.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1073
1.1.2 Optimalkodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1075
1.1.3 Datenreduktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1076
1.2 Kanalkodierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1076
1.2.1 Grundlagen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1076
1.2.2 Maximum-Likelihood-Verfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1077
1.2.3 Faltungskodierer mit Likelihood-Viterbi-Dekodierer . . . . . . . . . . . . . . . . 1077
2 Optimalfilter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1079
3 Anwendung der Korrelation bei gestörten Signalen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1082
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1083
Literatur allgemein: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1083
Literatur zu Kapitel II: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1083
Literatur zu Kapitel III: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1083
Literatur zu Kapitel IV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1083
Literatur zu Kapitel V: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1083
Literatur zu den Kapiteln XII, XIV und XVII: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1083

Signal- und Systemtheorie

Häufig verwendete Formelzeichen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1085

I Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1086
1 Darstellung in der Zeit- und in der Frequenzebene . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1086
2 Hinweise zur Anwendung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1087
II Grundbegriffe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1088

III Periodische nichtsinusförmige zeitkontinuierliche Signale . . . . . . . . . . . . . . . 1089

1 Reelle und komplexe Fourierreihe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1089
2 Beispiele und Anwendungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1090
IV Nichtperiodische zeitkontinuierliche Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1093
1 Fouriertransformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1093
1.1 Transformationsregeln . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1093
1.2 Eigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1093
1.3 Korrespondenztabelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1095
1.4 Beispiele . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1096
2 Laplacetransformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1096
2.1 Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1096
2.2 Transformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1096
2.3 Sätze zur Laplacetransformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1099
2.4 Anwendung der Laplacetransformation bei bekanntem H(s) . . . . . . . . . . . . . . . . 1100
2.5 Bestimmung von H(s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1100
2.5.1 Bestimmung von H(s) mit Differentialgleichung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1100
2.5.2 Bestimmung von H(s) durch direkte Transformation der Einzelelemente . . . . . . . 1100
2.6 Beispiele . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1102

V Spezielle Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1107

1 Stoßfunktion, d-Funktion, Dirac-Impuls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1107
2 Sprungfunktion s(t) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1107
3 Verknüpfung von s- und d-Funktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1108
4 Harmonische Schwingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1108
XXXVIII Inhaltsverzeichnis

VI Leistung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1109

VII Faltungsintegral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1110

VIII Abtasttheorem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1111

IX Nichtkontinuierliche (zeitdiskrete) Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1112

1 Diskrete Fouriertransformation (DFT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1113
2 Schnelle Fouriertransformation (FFT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1114
3 z-Transformation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1114

X Zufällige Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1118

1 Grundbegriffe und Kenngrößen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1118
2 Verteilungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1121
2.1 Binomialverteilung. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1121
2.2 Poissonverteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1121
2.3 Normalverteilung, Gaußverteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1121
3 Rauschen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1122
4 Signalerkennung bei gestörter Übertragung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1123
4.1 Erkennen versteckter Periodizitäten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1123
4.2 Signalerkennung allgemein. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1123
4.3 Signalangepasste Filter (matched filter) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1123
Literaturverzeichnis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1124
Literatur allgemein: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1124
Literatur zu Kapitel IX: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1124
Literatur zu Kapitel X: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1124

Sachwortverzeichnis
 1

Mathematik

I Arithmetik

1 Mengen Die Vereinigung A [ B zweier Mengen A und B be-

Die in der Mathematik betrachteten Gegenstände
werden oftmals durch Symbole, meistens Buchsta-
ben, bezeichnet. Dabei kennzeichnen manche Sym-
bole feste Dinge, zum Beispiel p das Verhältnis zwi-
schen Umfang und Durchmesser eines beliebigen
Kreises. Andere Symbole sind Veränderliche (auch
Variable oder Platzhalter genannt), das heißt, sie
können jeden Gegenstand einer Klasse von Gegen-
ständen bezeichnen.
In der Mathematik wird jede Zusammenfassung von
bestimmten wohl unterscheidbaren Objekten zu einer
Gesamtheit eine Menge genannt. Eine Menge ist de-
finiert, wenn feststeht, welche Objekte zu dieser
Menge gehören und welche nicht. Die zur Menge
gehörenden Objekte heißen ihre Elemente. Mengen
werden meistens mit großen lateinischen Buchsta-
ben bezeichnet und die Elemente mit kleinen Buch-
staben.
Es gibt zwei Möglichkeiten, Mengen zu definieren:
Durch Aufzählen ihrer Elemente, die in beliebi-
ger Reihenfolge zwischen geschweiften Klammern
(Mengenklammern) gesetzt sind und durch Komma-
ta getrennt werden (Schreibweise: fElement 1, Ele-
ment 2, . . .g).
Durch Angabe einer die Elemente charakterisieren-
den Eigenschaft (Schreibweise: fx j x erfüllt Eigen-
schaftg).
Eine Menge von Punkten heißt Punktmenge.
& Beispiele:
1. A ¼ f1; 2; 3g (die Menge A besteht aus den Elementen 1, 2
und 3)
2. B ¼ fx j x2  1 ¼ 0g (die Menge B besteht aus den Elemen-
ten x, für die x2  1 ¼ 0 gilt)
3. B ¼ f1; 1g (da x2  1 ¼ 0 die Lösungen x ¼ 1 und x ¼ 1
besitzt, kann man die Menge B auch in dieser Form schrei-
ben)
4. C ¼ f1; 0; 1; 2; 3; 4; 5g (die Menge C besteht aus den Ele-
menten 1; 0; 1; 2; 3; 4; 5)
steht aus denjenigen Elementen, die in A oder in B,
also in mindestens einer der beiden Mengen A; B
enthalten sind:
A [ B ¼ fx j x 2 A oder x 2 Bg
Der Durchschnitt A \ B zweier Mengen A und B
besteht aus denjenigen Elementen, die sowohl in A
als auch in B, also gleichzeitig in beiden Mengen
A; B enthalten sind :
A \ B ¼ fx j x 2 A und x 2 Bg
& Beispiel:
A ¼ f1; 2; 3g; B ¼ f1; 1g; A [ B ¼ f1; 1; 2; 3g; A \ B ¼ f1g
Eine Menge heißt endlich, wenn sie nur endlich
viele Elemente besitzt. Die Anzahl der Elemente ei-
ner endlichen Menge M heißt Mächtigkeit der Men-
ge, bezeichnet mit jMj.
& Beispiele:
1. M ¼ f2; 4; 6; 8; 10g ) jMj ¼ 5
2. M ¼ f1; 2; 3; . . . ; 99; 100g ) jMj ¼ 100
2 Aussageformen und logische Zeichen
2.1 Aussageformen
Eine Aussageform ist ein mathematischer Ausdruck,
in dem Variable vorkommen.
Aussageformen erhalten einen Wahrheitswert, wenn
allen in ihnen vorkommenden Variablen ein Wert
zugeordnet wird.
& Beispiele:
1. Die Aussageform „x  3 ¼ 5“ wird zu einer wahren Aussage,
wenn man für x die Zahl 8 einsetzt (x ¼ 8 ist die Lösung der
Gleichung).
2. Die Aussageform „x2 ¼ 1“ wird zu einer wahren Aussage,
wenn man für x die Zahl 1 oder 1 einsetzt (x1; 2 ¼ 1 sind
die Lösungen der quadratischen Gleichung).
3. Die Aussageform „x þ 1 ¼ 3“ wird zu einer falschen Aussage,
wenn man für x die Zahl 1 einsetzt (denn die Lösung der
Gleichung ist x ¼ 2).

Gehört ein Objekt a einer Menge M an, so schreibt

2.2 Logische Zeichen
man a 2 M (gelesen : a ist Element von M). Gehört
a nicht zu M, so schreibt man a 62 M: In der Mathematik ist es häufig sinnvoll, komplizier-
Wenn jedes Element einer Menge M auch Element tere Aussagen mit Hilfe logischer Zeichen zu forma-
einer Menge N ist, so nennt man M Teilmenge von lisieren.
N und schreibt M  N. Nach dieser Definition ist Sind A und B Aussagen, dann bedeutet
offenbar jede Menge Teilmenge von sich selbst. A ^ B, daß A und B gelten,
Die leere Menge ; ¼ fg enthält kein Element. A _ B, daß A oder B gilt,
: A (nicht A), daß das Gegenteil von A gilt,
A ) B, daß B aus A folgt,
& Beispiele: A , B, daß sowohl A ) B als auch
2 2 A; 2 2 C; 4 2 C; 4 62 A; A  C; ; ¼ fx j x 6¼ xg B ) A gelten.
2 Mathematik

Die logischen Zeichen ^ und _ bezeichnet man als Induktionsschluß (von n0 auf n0 þ 1):
Addiert man auf beiden Seiten der Induktionsannahme n0 þ 1, so
Junktoren. Das Symbol _ ist das nicht ausschließen-
folgt
de Oder (also nicht entweder ... oder). n0  ðn0 þ 1Þ
0 þ 1 þ 2 þ 3 þ . . . þ n0 þ ðn0 þ 1Þ ¼ þ ðn0 þ 1Þ
Eine Aussage A ) B heißt eine Implikation, man 2
n  ðn0 þ 1Þ ðn0 þ 2Þ ðn0 þ 1Þ ½ðn0 þ 1Þ þ 1
sagt: A impliziert B. Man nennt A die Prämisse, ¼ ðn0 þ 1Þ 
0
þ1 ¼ ¼
2 2 2
B die Konklusion. Die Prämisse enthält die Voraus-
Aus der Richtigkeit der Annahme für n0 folgt somit auch die
setzungen, unter denen die Aussage B gilt. Richtigkeit für n0 þ 1. Damit gilt die Formel für alle n  0.
Gilt A , B; so sagt man, die beiden Aussagen A
und B sind äquivalent oder gleichwertig.
3 Einteilung der Zahlen
& Beispiele:
1. Für eine natürliche Zahl n  1 ist die Implikation „6 teilt
n ) 2 teilt n“ wahr. Die umgekehrte Implikation gilt nicht.
2. „6 teilt n , 2 teilt n und 3 teilt n“ sind zwei äquiva-
lente Aussagen.

2.3 Vollständige Induktion

Mathematische Aussagen müssen in der Regel be-
wiesen werden. Neben direkten Beweisen und Wi-
derspruchsbeweisen ist eine häufig verwendete Be-
weismethode die vollständige Induktion. Dieses
Beweisverfahren läßt sich bei Aussagen über natür-
liche Zahlen (vgl. Abschnitt I.3) anwenden.
Ein Beweis mit vollständiger Induktion, daß eine
Aussage AðnÞ (eine Eigenschaft oder eine Formel)
für alle natürlichen Zahlen n  m (also von m an)
richtig ist, besteht aus drei Schritten :
1. Induktionsanfang (Induktionsverankerung) :
AðnÞ ist richtig für n ¼ m. Dies muß meistens auf
direktem Weg nachgewiesen werden. Einige der Zahlenbereiche werden häufig in Men-
2. Induktionsannahme (Induktionsvoraussetzung) : genschreibweise dargestellt:
Die Aussage AðnÞ ist für eine beliebige natürli- N ¼ f0; 1; 2; 3; . . .g
che Zahl n0 (n0  m) richtig, es gilt also Aðn0 Þ. Menge der natürlichen Zahlen
3. Induktionsschluß (Induktionsschritt) : Z ¼ f. . . ; 3; 2; 1; 0; 1; 2; 3; . . .g
Unter Benutzung der Induktionsannahme wird Menge der ganzen Zahlen
nm  o
gezeigt, daß die Aussage AðnÞ dann auch für 
Q¼  m; n 2 Z; n 6¼ 0
n0 þ 1 richtig ist, das heißt, aus Aðn0 Þ folgt n
Aðn0 þ 1Þ. Man nennt diesen Schritt auch Schluß Menge der rationalen Zahlen
von n0 auf n0 þ 1. R Menge der reellen Zahlenpffiffiffiffiffiffiffi
C ¼ fz ¼ a þ bj j a; b 2 R; j ¼ 1g
Man beachte, daß sowohl der Induktionsanfang als Menge der komplexen Zahlen
auch der Induktionsschluß durchgeführt werden
müssen. Der Induktionsschluß von n0 auf n0 þ 1 Die natürlichen Zahlen sind die positiven ganzen
macht den Nachweis der Gültigkeit für n ¼ m Zahlen und die Null.
(Induktionsanfang) nicht überflüssig. Der Indukti- Eine Teilmenge der natürlichen Zahlen sind die
onsschluß kann gelingen, auch wenn die Aussage Primzahlen. Eine Primzahl ist eine natürliche Zahl
AðnÞ für alle natürlichen Zahlen falsch ist. größer als 1, die nur durch 1 und durch sich selbst
ohne Rest teilbar ist.
Die Primzahlen sind die Zahlen 2, 3, 5, 7, 11, 13, 17,
& Beispiel:
Behauptung:
19, 23, 29, . . ., die Zahl 1 ist keine Primzahl. Es gibt
Für alle natürlichen Zahlen n  0 gilt unendlich viele Primzahlen, das heißt, es gibt keine
n  ðn þ 1Þ größte Primzahl, zu jeder Primzahl gibt es noch grö-
0 þ 1 þ 2 þ 3 þ ... þ n ¼
2 ßere. 2 ist die einzige gerade Primzahl. Alle Prim-
Beweis der Behauptung mit vollständiger Induktion zahlen zusammen bilden die Menge P der Primzah-
Induktionsanfang :
len, die eine Teilmenge der Menge N der natür-
Für n ¼ 0 ist die Behauptung richtig, denn auf beiden Seiten des
01
lichen Zahlen ist.
Gleichheitszeichens steht Null : 0 ¼ ¼0 Jede natürliche Zahl n  2 läßt sich in ein Produkt
2
Induktionsannahme:
von Primzahlen zerlegen, die Zerlegung ist eindeutig
Für eine beliebige natürliche Zahl n0 ist die Behauptung richtig:
bis auf die Reihenfolge der Faktoren (sogenannte
n0  ðn0 þ 1Þ
0 þ 1 þ 2 þ 3 þ . . . þ n0 ¼ Primfaktorzerlegung).
2
I Arithmetik 3

& Beispiele zur Primfaktorzerlegung: & Beispiele für rationale Zahlen:

100 ¼ 2  2  5  5 ¼ 22  52 ; 546 ¼ 2  3  7  13 2;
3
¼ 1;5;
4 1
¼ 1;3333 . . . ¼ 1;3;  ¼ 0;125;
2 3 8
16
Die ganzen Zahlen setzen sich zusammen aus den  ¼ 1;454 545 . . . ¼ 1;45
11
natürlichen Zahlen und den negativen ganzen Zah- (der periodische Teil wird überstrichen)
len.
& Beispiele für reelle Zahlen:
Die rationalen Zahlen sind alle ganzen und gebro-
3 pffiffiffi
chenen Zahlen. Rationale Zahlen lassen sich als 4; ; 4  p; e3 ; 3; sin 50
4
Brüche aus ganzen Zahlen darstellen. Jede rationale
Zahl kann als endlicher oder unendlicher perio- & Beispiele für irrationale Zahlen:
pffiffiffi p ffiffiffi
discher Dezimalbruch dargestellt werden. 3
3 ¼ 1;732 050 808 . . . ; 4 ¼ 1;587 401 052 . . . ;
pffiffiffi
Der Dezimalbruch einer rationalen Zahl ist die Dar- 5  2 3 ¼ 1;535 898 385 . . . ; p ¼ 3;141 592 654 . . . ;
stellung der rationalen Zahl als Dezimalzahl, also als e ¼ 2;718 281 828 . . .
Zahl „mit Stellen hinter dem Komma“ (siehe auch
& Beispiele für algebraische irrationale Zahlen:
Abschnitt I.8.1). Bei einem endlichen Dezimalbruch pffiffiffi pffiffiffi
ist die Anzahl der Stellen nach dem Komma endlich, p 3ffiffiffi (denn p3ffiffiffi ist Lösung der Gleichung x2  3 ¼ 0);
3
4 (denn 3 4 ist Lösung der Gleichung x3  4 ¼ 0);
bei einem periodischen Dezimalbruch wiederholen pffiffiffi pffiffiffi
5  2 3 (denn 5  2 3 ist Lösung der Gleichung
sich die Stellen nach dem Komma nach einem gewis-
x2  10x þ 13 ¼ 0)
sen Muster (Periode).
Die reellen Zahlen sind alle Zahlen, die auf der re- & Beispiele für transzendente Zahlen:
ellen Achse der Zahlenebene (Gaußsche Zahlen-
p; e
ebene), der sogenannten Zahlengeraden, darstellbar
sind. & Beispiele für komplexe Zahlen:
pffiffiffi
Die reellen Zahlen setzen sich zusammen aus den 3þ
pffiffiffi 2 j; 1 þ 5j; e þ p j; 4j (imaginäre Zahl);
2

rationalen Zahlen und den irrationalen Zahlen. Der 3 2 (reelle Zahl)

Dezimalbruch einer irrationalen Zahl hat unendlich
viele Stellen und keine Periode. Ein hochgestellter Stern bedeutet die entsprechende
Man unterteilt die irrationalen Zahlen in algebrai- Menge ohne die Null:
sche irrationale Zahlen und transzendente Zahlen. N* ¼ f1; 2; 3; . . .g:
Eine algebraische irrationale Zahl ist eine irratio- Menge der natürlichen Zahlen ohne die Null
nale Zahl, die Lösung (Wurzel) einer algebraischen Z* ¼ f. . . ; 3; 2; 1; 1; 2; 3; . . .g
Gleichung (Bestimmungsgleichung) xn þ an  1 xn  1 ¼ fx j x 2 Z; x 6¼ 0g:
þ an  2 xn  2 þ ::: þ a1 x þ a0 ¼ 0 mit rationalen Zah- Menge der ganzen Zahlen ohne die Null
nm  o
len als Koeffizienten an  1 ; an  2 ; . . . ; a1 ; a0 ist, wo- 
Q ¼
*  m; n 2 Z* ¼ fx j x 2 Q; x 6¼ 0g:
bei n für eine natürliche Zahl größer Null steht. n
Es gibt keine reelle Zahl, die Lösung der Gleichung Menge der rationalen Zahlen ohne die Null
x2 þ 1 ¼ 0 ist. Deshalb werden die reellen Zahlen zu R* ¼ fx j x 2 R; x 6¼ 0g:
den komplexen Zahlen erweitert. Menge der reellen Zahlen ohne die Null
Komplexe Zahlen sind Zahlen der Form z ¼ a þ bj; Ein hochgestelltes Plus bedeutet die Menge der ent-
wobei a und b reelle Zahlen sind und j die imagi- sprechenden positiven Zahlen:
näre Einheit, j 2 ¼ 1 (j ist eine Lösung der algebrai- Zþ ¼ N* ¼ f1; 2; 3; . . .g ¼ fx j x 2 Z; x > 0g:
schen Gleichung x2 þ 1 ¼ 0) 1 Þ. Menge der positiven ganzen Zahlen
nm  o
Eine komplexe Zahl z besteht also aus einem reel- þ 
Q ¼  m; n 2 N* ¼ fx j x 2 Q; x > 0g:
len Teil a (Realteil) und einem imaginären Teil b n
(Imaginärteil). Komplexe Zahlen z mit Realteil Menge der positiven rationalen Zahlen
gleich 0 (also a ¼ 0) heißen imaginäre Zahlen, die Rþ ¼ fx j x 2 R; x > 0g:
komplexen Zahlen z mit Imaginärteil gleich 0 (also Menge der positiven reellen Zahlen
b ¼ 0) sind die reellen Zahlen.
Komplexe Zahlen lassen sich in der Zahlenebene 4 Grundrechenarten
darstellen.
Die vier Grundrechenarten sind die Addition, die
& Beispiele für ganze Zahlen: Subtraktion, die Multiplikation und die Division.
38; 700 632; 0; 105
Addition: Summand plus Summand gleich
Summe
Subtraktion: Minuend minus Subtrahend gleich
Differenz
Multiplikation: Faktor mal Faktor gleich Produkt
1
Þ In der Mathematik wird für die imaginäre Einheit der Buchstabe i
verwendet, in der Elektrotechnik nimmt man den Buchstaben j, um Division: Dividend geteilt durch Divisor
Verwechslungen mit der Stromstärke i zu vermeiden. gleich Quotient
4 Mathematik
& Beispiele:
4 þ 5 ¼ 9 (Addition); 7  2 ¼ 5 (Subtraktion);
3  8 ¼ 24 (Multiplikation); 87 : 3 ¼ 29 (Division)
Vereinbarung:
Der Multiplikationspunkt (Malpunkt) kann wegge-
lassen werden zwischen zwei Variablen, zwischen ei-
ner Zahl und einer Variablen, zwischen einer Zahl
und einer Klammer, zwischen einer Variablen und
einer Klammer sowie zwischen zwei Klammern.
& Beispiele:
a  b ¼ ab; 4  a ¼ 4a; 2  ða þ bÞ ¼ 2ða þ bÞ;
a  ð3 þ aÞ ¼ að3 þ aÞ; ða þ bÞ  ðc  dÞ ¼ ða þ bÞ ðc  dÞ
Achtung: Der Multiplikationspunkt zwischen zwei
Zahlen darf nicht weggelassen werden.
& Beispiel: 3  4 6¼ 34
Eine Variable oder Veränderliche oder Platzhalter ist
eine Größe, die in der Regel verschiedene Werte an-
nehmen kann. Variable werden durch Symbole darge-
stellt (meist lateinische Buchstaben). Variable sind
zum Beispiel die Platzhalter für die gesuchten Lösun-
gen von einer oder mehreren gegebenen Gleichungen.
5 Grundlegende Rechenregeln
5.1 Buchstabenrechnen
Buchstabenrechnen ist das Rechnen mit unbestimm-
ten Zahlen. Formuliert man eine mathematische
Aussage, die nicht nur für eine bestimmte Zahl, son-
dern für einen ganzen Zahlbereich oder sogar für
alle Zahlen gilt, dann benutzt man statt einer Zahl
einen Buchstaben. Der Buchstabe heißt unbe-
stimmte Zahl.
& Beispiele:
1. ða þ bÞ2 ¼ a2 þ 2ab þ b2 (binomische Formel, sie gilt für alle
reellen Zahlen a; b)
2. ða  bÞ  c ¼ a  ðb  cÞ ¼ a  b  c (Assoziativgesetz bezüglich der
Multiplikation, gilt für alle reellen Zahlen a; b; c)
pffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi
3. n a  b ¼ n a  n b (gilt für alle positiven reellen Zahlen a; b
und alle natürlichen Zahlen n  2)
5.2 Kehrwert, Quersumme
1 &
Der Kehrwert einer Zahl a 6¼ 0 ist die Zahl . Man
a a : b  c  d ¼ ða : bÞ  c  d; 3 þ 4  5  6 ¼ 3 þ ð4  5Þ  6 ¼ 17
sagt statt Kehrwert auch reziproker Wert.
1 8  5  4  3 þ 36 : 9 þ 6  ð12 þ 2  7Þ ¼ 8  60 þ 4 þ 6  26 ¼ 108
So ist zum Beispiel der Kehrwert von 3 gleich ,
1 3
der Kehrwert von 17 ist  , der Kehrwert von
1 17
ist 4.
4
Die Quersumme einer ganzen Zahl ist die Summe
ihrer Ziffern.
So ist zum Beispiel die Quersumme der Zahl
239 503 618 gleich 2 þ 3 þ 9 þ 5 þ 0 þ 3 þ 6 þ 1 þ 8
¼ 37, die Quersumme von 3 972 611 028 ist 3 þ 9
þ 7 þ 2 þ 6 þ 1 þ 1 þ 0 þ 2 þ 8 ¼ 39, und die Quer-
summe der Zahl 209 334 042 ist 2 þ 0 þ 9 þ 3 þ 3
þ 4 þ 0 þ 4 þ 2 ¼ 27.
5.3 Teilbarkeitsregeln
Die einzelnen Zeichen einer Zahl sind ihre Ziffern.
Aus Eigenschaften der Ziffern lassen sich Teilbar-
keitseigenschaften der Zahlen ableiten.
Eine ganze Zahl ist teilbar durch
2, wenn die letzte Ziffer durch 2 teilbar ist
3, wenn die Quersumme der Zahl (also die Sum-
me der Ziffern) durch 3 teilbar ist
4, wenn die Zahl aus den letzten beiden Ziffern
durch 4 teilbar ist
5, wenn die letzte Ziffer durch 5 teilbar ist (also 0
oder 5 ist)
6, wenn die letzte Ziffer durch 2 und die Quersum-
me der Zahl durch 3 teilbar ist
8, wenn die Zahl aus den letzten drei Ziffern
durch 8 teilbar ist
9, wenn die Quersumme der Zahl durch 9 teilbar
ist
11, wenn die alternierende Quersumme der Zahl
(also die Summe der Ziffern, die abwechselnd
positives und negatives Vorzeichen erhalten)
durch 11 teilbar ist
& Beispiele:
1. 2486 ist teilbar durch 2, denn 6 ist teilbar durch 2
2. 263 451 ist teilbar durch 3, denn die Quersumme 2 þ 6 þ 3
þ 4 þ 5 þ 1 ¼ 21 ist teilbar durch 3
3. 2 563 488 ist teilbar durch 4, denn 88 ist teilbar durch 4
4. 823 620 ist teilbar durch 5, denn 0 ist teilbar durch 5
5. 2 598 018 ist teilbar durch 6, denn 8 ist teilbar durch 2 und
die Quersumme 2 þ 5 þ 9 þ 8 þ 0 þ 1 þ 8 ¼ 33 ist teilbar
durch 3
6. 524 299 168 ist teilbar durch 8, denn 168 ist teilbar durch 8
7. 11 929 545 ist teilbar durch 9, denn die Quersumme 1 þ 1 þ 9
þ 2 þ 9 þ 5 þ 4 þ 5 ¼ 36 ist teilbar durch 9
8. 14 739 296 ist teilbar durch 11, denn die alternierende Quer-
summe 1  4 þ 7  3 þ 9  2 þ 9  6 ¼ 11 ist teilbar durch 11
5.4 Punktrechnung vor Strichrechnung
Die Rechenzeichen  und : binden stärker als þ und
, das heißt, Multiplikation und Division müssen
vor Addition und Subtraktion ausgeführt werden.
a þ b  c ¼ a þ ðb  cÞ
a  b : c ¼ a  ðb : cÞ
Beispiele:
Die Klammern geben an, welcher Teil der Rech-
nung zuerst ausgeführt wird.
5.5 Potenzrechnung vor Punktrechnung
Potenzieren bindet stärker als Multiplizieren und Di-
vidieren.
a  b2 ¼ a  ðb2 Þ
Es gilt also ab2 6¼ ðabÞ2.
I Arithmetik 5

& Beispiele: Beim Weglassen der Klammern nach einem Minus-

a a
a : b2  3  23 ¼  3ð23 Þ ¼ 2  24; zeichen müssen alle zwischen den Klammern vor-
b2 b
4  5  7  4 ¼ 4  125  7  16 ¼ 388
3 2 kommenden Vorzeichen umgedreht werden.

5.6 Grundgesetze der Addition ða þ bÞ ¼ a  b

und Multiplikation ða  bÞ ¼ a þ b
1. Kommutativgesetz (Vertauschungsgesetz)
Für reelle Zahlen gilt bezüglich der Addition Vorzeichenregeln
und bezüglich der Multiplikation das Kommuta- Für die Multiplikation und die Division zweier reeller
tivgesetz: Zahlen a und b (b 6¼ 0) gelten die Vorzeichenregeln.

aþb¼bþa ab¼ba ðþaÞ  ðþbÞ ¼ ðaÞ  ðbÞ ¼ a  b

a  ðbÞ ¼ ðaÞ  b ¼ a  b
Bei der Addition kann man also die Summanden
þa a a
vertauschen, bei der Multiplikation kann man die ¼ ¼
Faktoren vertauschen. þb b b
þa a a
¼ ¼
& Beispiele: 3 þ 4 ¼ 4 þ 3; 3  4 ¼ 4  3 b þb b

2. Assoziativgesetz (Verknüpfungsgesetz) & Beispiele:

Für reelle Zahlen gilt bezüglich der Addition 1. ða þ bÞ þ ðc  d þ eÞ ¼ a þ b þ c  d þ e
und bezüglich der Multiplikation das Assoziativ- 2. ð3 þ 5  2Þ þ ð5 þ 8Þ ¼ 3 þ 5  2 þ 5 þ 8 ¼ 19
3. a þ b  ðc  d  eÞ ¼ a þ b  c þ d þ e
gesetz:
4. ð4 þ 7Þ  ð6 þ 3  8Þ ¼ 4 þ 7 þ 6  3 þ 8 ¼ 22
5. 3a  ð4b þ 2c  8dÞ þ ð3a  5cÞ  ð6a þ 3b  dÞ
ða þ bÞ þ c ¼ a þ ðb þ cÞ ¼ a þ b þ c ¼ 3a  4b  2c þ 8d þ 3a  5c  6a  3b þ d ¼ 7b  7c þ 9d
6. 3að4bÞ ¼ 12ab
4a þ b 1
ða  bÞ  c ¼ a  ðb  cÞ ¼ a  b  c 7. ¼ 2a  b
2 2

Bei der Addition kann man also Summanden 5.8 Multiplikation mit Klammern
beliebig verknüpfen (zusammenfassen), bei der Man multipliziert eine Zahl mit einer Summe (Dif-
Multiplikation kann man Faktoren beliebig ver- ferenz), indem man die Zahl mit jedem Glied multi-
knüpfen. pliziert und die erhaltenen Produkte addiert (sub-
trahiert).
& Beispiele: ð3 þ 4Þ þ 7 ¼ 3 þ ð4 þ 7Þ ¼ 3 þ 4 þ 7;
ð3  4Þ  7 ¼ 3  ð4  7Þ ¼ 3  4  7
aðb þ cÞ ¼ ab þ ac
aðb  cÞ ¼ ab  ac
3. Distributivgesetze (Zerlegungsgesetze)
ða þ bÞ c ¼ ac þ bc
Für reelle Zahlen gelten die Distributivgesetze:
ða  bÞ c ¼ ac  bc
ða þ bÞ  c ¼ a  c þ b  c
Fehlerwarnung: ða  bÞ  c 6¼ ac  bc,
sondern ða  bÞ  c ¼ abc
a  ðb þ cÞ ¼ a  b þ a  c
Enthalten alle Glieder einer Summe oder Differenz
den gleichen Faktor, so kann man diesen ausklam-
& Beispiele: ð3 þ 4Þ  7 ¼ 3  7 þ 4  7; 3  ð4 þ 7Þ ¼ 3  4 þ 3  7
mern.
Aus diesen Grundgesetzen ergeben sich die wichti- ab þ ac ¼ aðb þ cÞ
gen Regeln der Klammerrechnung.
ac  bc ¼ ða  bÞ c

5.7 Grundregeln der Klammerrechnung Man multipliziert zwei Summen miteinander, indem
Klammern gehören immer paarweise zusammen. man jedes Glied der einen Summe mit jedem Glied
Ein durch ein Klammerpaar zusammengefaßter der anderen Summe multipliziert und die erhaltenen
Ausdruck ist eine Einheit. Produkte addiert.
Wichtige Regeln der Klammerrechnung
Ein Klammerpaar nach einem Pluszeichen kann ða þ bÞ ðc þ dÞ ¼ ac þ ad þ bc þ bd
weggelassen werden. ða þ bÞ ðc  dÞ ¼ ac  ad þ bc  bd
ða  bÞ ðc þ dÞ ¼ ac þ ad  bc  bd
þða þ bÞ ¼ a þ b ða  bÞ ðc  dÞ ¼ ac  ad  bc þ bd
6 Mathematik

Q
Fehlerwarnung: ða þ bÞ2 6¼ a2 þ b2 , Das Produktzeichen dient zur vereinfachten Dar-
sondern ða þ bÞ2 ¼ a2 þ 2ab þ b2 stellung von Produkten (gesprochen: Produkt über
(siehe Abschnitt I.5.10) ak von k ¼ 1 bis k ¼ n).
Bei verschachtelten Klammern sind die Klammern
Q
n
immer von innen nach außen aufzulösen. ak ¼ a1  a2  a3  . . .  an
k¼1

aðb þ cðd þ eÞÞ ¼ aðb þ cd þ ceÞ ¼ ab þ acd þ ace

Man erhält alle Faktoren des Produkts, wenn man in
ak für den Index k zunächst 1, dann 2 usw. und
& Beispiele: schließlich n setzt. Der Index k kann durch einen
1. 3ð200 þ 7Þ ¼ 3  200 þ 3  7 beliebigen anderen Buchstaben ersetzt werden. Zum
2. 6x2 ð16x  0;05y þ 7;2zÞ ¼ 96x3  0;3x2 y þ 43;2x2 z Qn Qn Q
n
 p q r p 1 2 1 1 Beispiel gilt ak ¼ ai ¼ aj .
3.  þ   ¼ p  pq þ pr k¼1 i¼1 j¼1
3 4 5 2 6 8 10
4. abc  acd þ ace ¼ acðb  d þ eÞ & Beispiele:
5. 5x2 þ 25xy  35zx ¼ 5xðx  5y þ 7zÞ Q
7
6. ð3x  aÞ ða þ 2bÞ ¼ 3ax þ 6bx  a2  2ab 1. k2 ¼ 12  22  32  42  52  62  72
k¼1
7. ðx þ 5Þ ðx  a þ 3Þ ¼ x2  ax þ 3x þ 5x  5a þ 15
Q
4
¼ x2  ax þ 8x  5a þ 15 2. 3i ¼ 32  33  34 ¼ 32þ3þ4 ¼ 39
i¼2
8. ðx þ 2Þ ðx  5Þ  ðx  3Þ ðx  7Þ
¼ x2  5x þ 2x  10  ðx2  7x  3x þ 21Þ Q
5
3. 4 ¼ 4  4  4  4  4 ¼ 45
¼ x2  3x  10  x2 þ 10x  21 ¼ 7x  31 j¼1
9. ðx  1Þ ða þ 3Þ ð2  cÞ ¼ ðx  1Þ ð2a  ac þ 6  3cÞ
¼ 2ax  acx þ 6x  3cx  2a þ ac  6 þ 3c
10. ð4x  yÞ ð2aðb  4cÞ  3bcÞ ¼ ð4x  yÞ ð2ab þ 8ac  3bcÞ
5.10 Binomische Formeln
¼ 8abx þ 32acx  12bcx þ 2aby  8acy þ 3bcy Ein Binom ist ein zweigliedriger Ausdruck der Form
11. 5ðx  2ðx  y  3y  6x  3yÞ þ 2yÞ ¼ 5ðx  2ð5x  7yÞ þ 2yÞ
¼ 5ðx þ 10x þ 14y þ 2yÞ ¼ 5ð11x þ 16yÞ ¼ 55x þ 80y
a þ b oder a  b. Die Multiplikation von Binomen
führt zu den binomischen Formeln (zwei Faktoren)
und zum binomischen Lehrsatz (n Faktoren, n  1
5.9 Indizes, Summenzeichen, beliebig).
Produktzeichen Die folgenden Rechenregeln heißen binomische For-
meln oder binomische Gleichungen 2. Grades (a und
Ein Index (Plural Indizes) ist ein Zeichen, das an
b sind beliebige reelle Zahlen).
Symbole für Variable, Funktionen oder Operationen
angebracht wird.
Bezeichnet man zum Beispiel Variable mit x, dann ða þ bÞ2 ¼ a2 þ 2ab þ b2
kennzeichnet man verschiedene Variable dadurch, ða  bÞ2 ¼ a2  2ab þ b2
daß man an das x verschiedene tiefgestellte Indizes ða þ bÞ ða  bÞ ¼ a2  b2
anhängt: x1 ; x2 ; x3 ; . . . Ein Index ist meistens eine
Zahl.
P & Beispiele:
Das Summenzeichen (entstanden aus dem grie- 1. 212 ¼ ð20 þ 1Þ2 ¼ 202 þ 2  20  1 þ 12 ¼ 441
chischen Buchstaben für S) dient zur vereinfachten 2. ð2c þ 3Þ2 ¼ ð2cÞ2 þ 2  2c  3 þ 32 ¼ 4c2 þ 12c þ 9
Darstellung von Summen (gesprochen: Summe über 3. 192 ¼ ð20  1Þ2 ¼ 202  2  20  1 þ 12 ¼ 361
ak von k ¼ 1 bis k ¼ n). 4. ð2x  5yÞ2 ¼ ð2xÞ2  2  2x  5y þ ð5yÞ2 ¼ 4x2  20xy þ 25y2
5. 21  19 ¼ ð20 þ 1Þ ð20  1Þ ¼ 202  12 ¼ 399
6. ð3x þ 4yÞ ð3x  4yÞ ¼ ð3xÞ2  ð4yÞ2 ¼ 9x2  16y2
P
n
ak ¼ a1 þ a2 þ a3 þ . . . þ an
k¼1
5.11 Fakultäten, Binomialkoeffizienten
und Pascalsches Dreieck
Man erhält alle Summanden der Summe, wenn man
in ak für den Index k zunächst 1, dann 2 usw. und Für eine natürliche Zahl n 2 N* ist n! (gesprochen:
schließlich n setzt. Dieser Buchstabe k heißt Sum- n Fakultät) definiert als das Produkt der ersten n
mationsindex und kann durch einen beliebigen an- von Null verschiedenen natürlichen Zahlen.
deren Buchstaben ersetzt werden. Es gilt also zum
P
n Pn P
n n! ¼ 1  2  3  . . .  n
Beispiel ak ¼ ai ¼ aj .
k¼1 i¼1 j¼1
Außerdem wird 0! ¼ 1 für n ¼ 0 gesetzt.
& Beispiele: Die Fakultät läßt sich mit der Formel n! ¼ n  ðn  1Þ!;
1.
P6
k2 ¼ 12 þ 22 þ 32 þ 42 þ 52 þ 62
n 2 N* berechnen (Rekursionsformel).
k¼1
P
3
& Beispiele:
2. log ð2iÞ ¼ log 2 þ log 4 þ log 6
i¼1 0! ¼ 1; 1! ¼ 1; 2! ¼ 1  2 ¼ 2; 3! ¼ 1  2  3 ¼ 6;
P
5 4! ¼ 1  2  3  4 ¼ 24; 5! ¼ 1  2  3  4  5 ¼ 120;
3. 6 ¼ 6 þ 6 þ 6 þ 6 þ 6 ¼ 5  6 ¼ 30 6! ¼ 1  2  3  4  5  6 ¼ 720
j¼1
I Arithmetik 7

n n; k mit 1  k  n ist

Für alle natürlichen Zahlen Pascalsches Dreieck:
 
der Binomialkoeffizient (gesprochen: n über k) 0
k 0
definiert durch
   
1 1
n n! 0 1
¼      
k k!ðn  kÞ! 2 2 2
  0 1 2
n 0        
Man setzt außerdem ¼ 1 und ¼ 1: 3 3 3 3
0 0 0 1 2 3
Für die praktische Rechnung eignet sich die Formel          
4 4 4 4 4
0 1 2 3 4
n nðn  1Þ ðn  2Þ  . . .  ðn  k þ 1Þ            
¼ 5 5 5 5 5 5
k 1  2  3  ...  k 0 1 2 3 4 5
             
6 6 6 6 6 6 6
Zähler und Nenner bestehen jeweils aus k Faktoren.
Dabei sind die k Faktoren im Nenner von 1 an um 0 1 2 3 4 5 6
jeweils 1 aufsteigend und im Zähler von n an um .......................................
jeweils 1 fallend. Rechnet man die Binomialkoeffizienten aus, so lau-
Für die Binomialkoeffizienten gibt es eine Reihe ten die ersten Zeilen des Pascalschen Dreiecks:
von Rechenregeln. Für die praktische Berechnung
sind wichtig: 1
1 1
n  n  1 2 1
¼ Symmetrie 1 3 3 1
k nk
      1 4 6 4 1
n1 n1 n 1 5 10 10
1 5
þ ¼ Additionssatz
k1 k k 1 6 15 20 15 6 1
................................
Beweis der Symmetrie: Am Pascalschen Dreieck erkennt man die Symme-
n n! trie der Binomialkoeffizienten.
¼
k k!ðn  kÞ! Oftmals ist es einfacher, die Binomialkoeffizienten
nicht direkt, sondern mit Hilfe des Pascalschen Drei-
 n  n! ecks zu berechnen.
¼
nk ðn  kÞ! ðn  ðn  kÞÞ!
n! n! 5.12 Binomischer Lehrsatz
¼ ¼
ðn  kÞ! k! k!ðn  kÞ! Für beliebige reelle Zahlen a; b 6¼ 0 und jede natür-
liche Zahl n  1 gilt der binomische Lehrsatz (bino-
& Beispiele:
mische Gleichung n-ten Grades)
     
8 8! 876 8 8 n n
¼ ¼ ¼ 56; ¼
3 3! 5! 1  2  3 3 5 ða þ bÞn ¼ an þ an  1 b þ an  2 b 2
n n n n  ðn  1Þ n 1 2  
n nk k
n
¼ 1;
1
¼ n;
2
¼
2 þ an  3 b3 þ . . . þ a b þ ...
3 n  k
þ abn  1 þ bn
Für jede natürliche Zahl n lassen sich die Binomial-
n n1
Pn  
n nk k
koeffizienten ; k ¼ 0; 1; . . . ; n im Pascalschen ¼ a b
k n n k¼0 k
Dreieck darstellen. Wegen ¼ ¼ 1 sind die
0 n Die untere Form ist die abgekürzte 
Summenschreib-
Zahlen der Ränder des Dreiecks gleich Eins. Jede n n  k k
nicht am Rand stehende Zahl des Dreiecks ist we- weise (gesprochen: Summe über a b von
k
gen des Additionssatzes gleich der Summe der bei- k ¼ 0 bis k ¼ n). Man erhält also alle Summanden
den unmittelbar darüberstehenden Zahlen. der Summe, wenn man für den Index k zunächst 0,
dann 1, dann 2 usw. und schließlich n setzt. Die so
erhaltenen Glieder werden
n dann addiert.
n
Man beachte, daß ¼ ¼ 1; a0 ¼ b0 ¼ 1 und
0 n
a1 ¼ a; b1 ¼ b gilt.
Für n ¼ 2 ergeben sich die beiden ersten binomi-
schen Formeln.
8 Mathematik

Spezialfälle: Ein Bruch ist ein Quotient, der Zähler ist der Divi-
n n n n dend, und der Nenner ist der Divisor.
a¼b¼1: þ þ þ ... þ
0 1 2 n
Pn n m
n ¼m:n
¼ ¼ ð1 þ 1Þ ¼ 2 n
n
k¼0 k

Die Summe der Binomialkoeffizienten der n-ten Ganzzahlige Anteile von Brüchen können vorgezo-
Zeile des Pascalschen Dreiecks ist also 2n. gen werden.
n n n n
a ¼ 1; b ¼ 1 :  þ  þ . . . þ ð1Þn & Beispiele:
0 1 2 n
P
n   15 3 25 8
k n n ¼3 ; ¼1
¼ ð1Þ ¼ ð1  1Þ ¼ 0 4 4 17 17
k¼0 k
2 2
Die alternierende Summe (das heißt, abwechselnde Fehlerwarnung: 1 6¼ 1  : Richtig ist
Vorzeichen þ und ) der Binomialkoeffizienten der 3 3
2 2 5
n-ten Zeile des Pascalschen Dreiecks ist also 0. 1 ¼1þ ¼ :
3 3 3
p q
Der Kehrwert eines Bruches ist der Bruch , al-
& Beispiele: q p
       
3 3 3 2 3 3 3 so der Bruch, bei dem Zähler und Nenner ver-
1. ða þ bÞ3 ¼ a þ a bþ ab2 þ b
0 1 2 3 1 q
tauscht sind, denn p ¼ .
¼ a3 þ 3a2 b þ 3ab2 þ b3 p
        q
6 6 6 5 6 4 2 6 3 3
2. ða  bÞ6 ¼ a  a bþ a b  a b
0 1 2 3
& Beispiele:
     
6 2 4 6 6 6 16 19 1
þ a b  ab5 þ b Der Kehrwert von ist ; der Kehrwert von ist 2; der
4 5 6 19 16 2
¼ a  6a b þ 15a b  20a b þ 15a2 b4  6ab5 þ b6
6 5 4 2 3 3 11 3
Kehrwert von  ist  .
3 11
Man vergleiche die Koeffizienten mit der letzten hingeschrie-
benen Zeile des Pascalschen Dreiecks!
      6.2 Erweitern und Kürzen
5 5 5 4 5 3
3. ðx  3Þ5 ¼ x þ x ð3Þ þ x ð3Þ2
0 1 2 2 4 6
      ; ; sind verschiedene Schreibweisen dessel-
þ
5 2
x ð3Þ3 þ
5
xð3Þ4 þ
5
ð3Þ5
3 6 9
3 4 5 ben Bruches. Der bergang von einer Schreibweise
¼ x5  15x4 þ 90x3  270x2 þ 405x  243 zur anderen erfolgt durch Erweitern und Kürzen.
Erweitern heißt, Zähler und Nenner eines Bruches
5.13 Division mit Klammern mit derselben Zahl zu multiplizieren. Der Wert des
Bruches bleibt durch Erweitern unverändert.
Man dividiert eine Summe (Differenz) durch eine
Zahl, indem man jedes Glied durch die Zahl divi- a ac ac
diert und die erhaltenen Quotienten addiert (sub- ¼ ¼ ðc 6¼ 0Þ
b bc bc
trahiert):

ða þ bÞ : c ¼ a : c þ b : c & Beispiele:
ða  bÞ : c ¼ a : c  b : c 2
¼
23
¼
6
;
3
¼
ð3Þ  ð1Þ
¼
3
;
5 53 15 4 ð4Þ  ð1Þ 4
ab2 ab2 e3
& Beispiele: ¼ 3 3
c3 d c de
1. ð10ax  15bxÞ : 5x ¼ 10ax : 5x  15bx : 5x ¼ 2a  3b
2. ð12a2 xy þ 39ax2 y  27axy2 Þ : 3axy
¼ 12a2 xy : 3axy þ 39ax2 y : 3axy  27axy2 : 3axy
Fehlerwarnung: Unterscheide Erweitern und Multi-
¼ 4a þ 13x  9y plizieren!

& Beispiel:
6 Bruchrechnung Erweitern mit 3:
2
¼
23
¼
6
5 53 15
2 23 6
6.1 Definitionen Multiplizieren mit 3: 3 ¼ ¼
5 5 5
Ein Bruch ist eine Zahl, die durch einen Ausdruck
m Kürzen heißt, Zähler und Nenner eines Bruches
(m geteilt durch n) dargestellt wird. Die Zahl m durch dieselbe Zahl zu dividieren. Der Wert des
n
heißt Zähler und die Zahl n Nenner des Bruches. Bruches bleibt durch Kürzen unverändert.
Es gilt dabei n 6¼ 0, denn die Division durch Null ist
a a:c
nicht möglich. Die Division einer von Null verschie- ¼ ðc 6¼ 0Þ
denen Zahl durch Null ergibt keine Zahl. b b:c
I Arithmetik 9

& Beispiele: ab a b aþb

5. þ þ þ
27 27 : 3 9 a2 bc2 a2 bc2 : a2 bc c 2x x 3y 4y
¼ ¼ ; 3 ¼ 3 ¼ ab a b aþb
24 24 : 3 8 a bc a bc : a2 bc a Der Hauptnenner der Brüche ; ; ; ist
2x x 3y 4y
3  4  xy.
Fehlerwarnung: Unterscheide Kürzen und Dividie- Addition der Brüche:
ren! ab a b aþb ða  bÞ  6y a  12y
þ þ þ ¼ þ
2x x 3y 4y 2x  6y x  12y
& Beispiel: b  4x ða þ bÞ  3x
6 6:3 2 þ þ
Kürzen durch 3: ¼ ¼ 3y  4x 4y  3x
15 15 : 3 5
6 6:3 2 ða  bÞ  6y þ a  12y þ b  4x þ ða þ bÞ  3x
Dividieren durch 3: :3¼ ¼ ¼
15 15 15 12xy
3ax þ 18ay þ 7bx  6by
¼
12xy
6.3 Addieren und Subtrahieren
gleichnamiger Brüche
Fehlerwarnungen:
Gleichnamige Brüche (Brüche mit dem gleichen a b aþb
Nenner) werden addiert oder subtrahiert, indem 1. þ ¼ darf nicht verwechselt werden
c c c
man die Zähler addiert oder subtrahiert und den a a a
Nenner beibehält. mit þ 6 ¼ ; wie man zum Beispiel
b c bþc
durch Einsetzen von a ¼ 1; b ¼ 2; c ¼ 3 sofort
a b aþb a a ac ab
þ ¼ bestätigt. Richtig ist þ ¼ þ
c c c b c bc cb
ac þ ab aðb þ cÞ
¼ ¼ :
& Beispiele:
bc bc
a c aþc
3
þ
4
¼
3þ4 7 3x2
¼ ; þ
x2
¼
4x2
¼
x2 2. þ 6¼ ; wie man zum Beispiel durch
5 5 5 5 4yz 4yz 4yz yz b d bþd
Einsetzen von a ¼ 1; b ¼ 2; c ¼ 3; d ¼ 4 bestä-
a c ac
6.4 Addieren und Subtrahieren tigt. Die Verwechslung mit  ¼ ist na-
ungleichnamiger Brüche b d bd
heliegend.
Ungleichnamige Brüche werden addiert oder subtra-
hiert, indem man sie auf den Hauptnenner bringt,
also durch Erweitern gleichnamig macht. Der 6.5 Multiplizieren von Brüchen
Hauptnenner ist das kleinste gemeinschaftliche Viel-
Brüche werden miteinander multipliziert, indem
fache der Nenner.
man Zähler mit Zähler und Nenner mit Nenner
multipliziert. Vor dem Multiplizieren sollte man kür-
a c ad cb ad þ bc
þ ¼ þ ¼ zen.
b d bd db bd
a c ac ac
& Beispiele:  ¼ ¼
b d bd bd
2 4
1. þ
3 5
2 4
Der Hauptnenner der Brüche und ist 3  5. Sonderfall: Ein Bruch wird mit einer Zahl multipli-
3 5
Addition der Brüche: ziert, indem man den Zähler mit der Zahl multipli-
2 4 25 43 10 þ 12 22 ziert.
þ ¼ þ ¼ ¼
3 5 35 53 15 15
3 5
2.  a ac ac
4 6
Der Hauptnenner der Brüche
3
und
5
ist 3  4 ¼ 12.
c ¼ ¼
4 6 b b b
Subtraktion der Brüche:
3 5 9 10 1
 ¼  ¼ & Beispiele:
4 6 12 12 12
2 4 24 8
1
þ
3
þ
5 1.  ¼ ¼
3.
3 5 6 3 5 35 15
1 3 5
Der Hauptnenner der Brüche ; ; ist 5  6. 3 2 7  12 73 21
3 5 6 2. 1 2 ¼ ¼ ¼
Addition der Brüche: 4 5 45 15 5

1 3 5 152 36 55 10 þ 18 þ 25 53 a2  1 12b ða þ 1Þ ða  1Þ  12b 6ða þ 1Þ

þ þ ¼ þ þ ¼ ¼ 3.  ¼ ¼
3 5 6 352 56 65 30 30 2b ac  c 2b  cða  1Þ c
1 1 1 15uv 15uv 12w3 15  12  uvw3 45
4. þ  4.  12w3 ¼  ¼ ¼ uvw
4 6 9 8w2 8w2 1 8w2 2
1 1 1
Der Hauptnenner der Brüche ; ; ist 4  9.
4 6 9
Addition bzw. Subtraktion der Brüche: 3 2 3 2
Fehlerwarnung: 1  2 6¼ 1  2 þ  ; richtig
1 1 1 19 123 14 9þ64 11 4 5 4 5
þ  ¼ þ  ¼ ¼ siehe Beispiel 2.
4 6 9 49 623 94 36 36
10 Mathematik

6.6 Dividieren von Brüchen Für die Exponenten 1 und 0 gilt

Man dividiert durch einen Bruch, indem man mit a1 ¼ a a0 ¼ 1 ða 6¼ 0Þ
seinem Kehrwert multipliziert.
Eine spezielle Potenz für k 2 Z ist
a c a d ad
: ¼  ¼ 
b d b c bc þ1 falls k gerade
ð1Þk ¼
1 falls k ungerade
Sonderfall: Ein Bruch wird durch eine Zahl divi-
diert, indem man den Zähler durch die Zahl divi-
diert oder den Nenner mit der Zahl multipliziert. & Beispiele:
3 3
1. 22 ¼ 2;8284 . . . Potenz mit Basis 2 und Exponent ¼ 1;5
a a a 2
2. 35 ¼ 3  3  3  3  3 ¼ 243
: c¼ ¼
b bc bc 3. ð4Þ3 ¼ ð4Þ  ð4Þ  ð4Þ ¼ 64
1 1
4. 35 ¼ 5 ¼
3 243
& Beispiele: 5. 6 ¼ 1
0
 
1 0
2 4 25 5 6.  ¼1
1. : ¼ ¼ 6
3 5 34 6 4
22ax2 y2 66x2 y 22  18  ax2 y2 r 2 s 1  2  ayr 2ary 7. 83 ¼ c , 84 ¼ c3 , c ¼ 16
2. : ¼ ¼ ¼ 4 1
27brs2 18r2 s 27  66  bx2 yrs2 3  3  bs 9bs 8. 8 3 ¼ c , 84 ¼ c3 , c ¼
16
3 35 5 9. 41 ¼ 4; ð12Þ1 ¼ 12
3. 8 : 7¼ ¼
4 47 4 10. ð1Þ5 ¼ 1; ð1Þ4 ¼ 1; ð1Þ0 ¼ 1; ð1Þ11 ¼ 1
35a2 35a2 14a 35a2  1 5a
4. : 14a ¼ : ¼ ¼
43b2 43b2 1 43b2  14a 86b2
7.2 Regeln der Potenzrechnung
1. Potenzrechnung vor Punktrechnung
7 Potenz- und Wurzelrechnung
ban ¼ b  ðan Þ
7.1 Definition der Potenz
Eine Zahl der Form ax (gesprochen: a hoch x) heißt Soll erst Punktrechnung erfolgen, dann muß ein
Potenz. Dabei ist a die Basis oder die Grundzahl Klammerpaar gesetzt werden.
und x der Exponent oder die Hochzahl der Potenz.
& Beispiele:
ax Potenz 5  34 ¼ 5  3  3  3  3 ¼ 5  ð34 Þ;
a Basis ðGrundzahlÞ ð5  3Þ4 ¼ 5  3  5  3  5  3  5  3 ¼ 154
x Exponent ðHochzahlÞ
Fehlerwarnung:
Ist die Basis a eine beliebige reelle Zahl und der ban 6¼ ðbaÞn für a; b 6¼ 0; b; n 6¼ 1
Exponent x eine natürliche Zahl aus N*, dann steht
ax für die Vorschrift, die Basis a insgesamt x -mal 2. Addieren und Subtrahieren
mit sich selbst zu multiplizieren. Potenzen kann man nur addieren oder subtrahie-
ren, wenn sie in Basis und Exponent überein-
ax ¼ a  a  a  . . .  a ðx Faktoren, x 2 N*Þ stimmen.

Man spricht vom Potenzieren für diese algebraische pan þ qan ¼ ðp þ qÞ an

Operation.
Ist der Exponent x eine natürliche Zahl 6¼ 0, dann & Beispiel: 2  34 þ 5  34 ¼ ð2 þ 5Þ  34 ¼ 7  34
kann die Basis a eine beliebige reelle Zahl sein.
Ist der Exponent x eine beliebige reelle Zahl,
Fehlerwarnungen: 24 þ 34 6¼ 54 ; 32 þ 34 6¼ 36
dann ist die Potenz nur für positive Basen a defi-
niert (a 2 Rþ ). Dabei sind Potenzen mit irrationa-
3. Multiplizieren und Dividieren bei gleicher Basis
len Exponenten mit Hilfe eines Grenzübergangs
Potenzen mit gleicher Basis werden multipliziert,
erklärt.
indem man die Exponenten addiert (genauer: in-
p dem man die gemeinsame Basis mit der Summe
a q ¼ c , ap ¼ cq der Exponenten potenziert).

Für negative Exponenten gilt an  am ¼ an þ m

1
am ¼ Potenzen mit gleicher Basis werden dividiert, in-
am dem man die Exponenten subtrahiert (genauer:
I Arithmetik 11

indem man die gemeinsame Basis mit der Diffe- man die Potenzen von Zähler und Nenner durch-
renz der Exponenten potenziert). einander dividiert).

 a n an
an ¼
¼ an  m
am b bn

Der Wert einer Potenz bleibt erhalten, wenn Fehlerwarnung: Die Berechnung von ða þ bÞn
man gleichzeitig die Basis durch ihren Kehrwert darf nicht verwechselt werden mit der von
und das Vorzeichen des Exponenten durch das ða  bÞn : Es gilt ða  bÞn ¼ an  bn , aber ða þ bÞn
entgegengesetzte ersetzt. 6¼ an þ bn (außer in Sonderfällen).

 a n  n & Beispiele:

b 1. 24  54 ¼ 2  2  2  2  5  5  5  5
¼
b a ¼ ð2  5Þ  ð2  5Þ  ð2  5Þ  ð2  5Þ ¼ ð2  5Þ4 ¼ 104 ¼ 10 000
 4
34 3
2. ¼ ¼ 0;64 ¼ 0;1296
54 5
Fehlerwarnungen: 36  34 6¼ 36  4 ¼ 324 ; 3. 305 ¼ ð3  10Þ5 ¼ 35  105 ¼ 243  100 000
¼ 24 300 000 ¼ 2;43  107
312 : 34 6¼ 312 : 4 ¼ 33 ; a2 6¼ a2  5
3 35 243
4. 0;35 ¼ ¼ 5 ¼ ¼ 0;002 43 ¼ 2;43  103
10 10 100 000
& Beispiele:
1. 36  34 ¼ 3  3  3  3  3  3  3  3  3  3 ¼ 310 ¼ 36 þ 4 5. Potenzieren einer Potenz
36 333333 Eine Potenz wird potenziert, indem man die Expo-
2. ¼ ¼ 3  3 ¼ 32 ¼ 3 6  4
34 3333
nenten multipliziert (genauer: indem man die Ba-
3. 3 :3 ¼3
5 4 54
¼3 ¼31
sis mit dem Produkt der Exponenten potenziert).
4. 34 : 34 ¼ 344 ¼ 30 ¼ 1
 4  6  4  6  2  2
3 3 3 3 2
5.
2
:
2
¼
2
¼
2
¼
3 ðan Þm ¼ an  m

4. Multiplizieren und Dividieren bei gleichem Expo- Bei der Potenz einer Potenz kann man die Expo-
nenten nenten miteinander vertauschen.
Potenzen mit gleichem Exponenten werden mul-
tipliziert, indem man die Basen multipliziert (ge- ðan Þm ¼ ðam Þn
nauer: indem man das Produkt der Basen mit
dem gemeinsamen Exponenten potenziert). Fehlerwarnung: ð23 Þ4 6¼ 27

an  bn ¼ ða  bÞn & Beispiele:

1. ð23 Þ4 ¼ ð2  2  2Þ  ð2  2  2Þ  ð2  2  2Þ  ð2  2  2Þ ¼ 23  4 ¼ 212
2. ð34 Þ2 ¼ 812 ¼ 6561 ¼ 94 ¼ ð32 Þ4
Fehlerwarnung: an  bn 6¼ ðabÞ2n (außer in Sonder-
fällen wie n ¼ 0), zum Beispiel: 23  53 6¼ 106 & Beispiele zur gesamten Potenzrechnung:
Potenzen mit gleichem Exponenten werden divi- 1. arp þ bsp  crp þ dsp ¼ ða  cÞ rp þ ðb þ dÞ sp
diert, indem man die Basen dividiert (genauer: 2. x3m  1 xm þ 1 ¼ x3m  1 þ m þ 1 ¼ x4m
indem man den Quotienten der Basen mit dem 82  5 2 ð4  2Þ2  52 42  ð2  5Þ2
3. ¼ ¼ ¼ 42 ¼ 16
82 þ 6 2 64 þ 36 100
gemeinsamen Exponenten potenziert).
5ax þ y b3u þ v 5c4 5  28  ax þ y ay  x b3u þ v bv  2u
4. : ¼
7c2 28ay  x bv  2u 7  5  c2 c6
an  a n 2y u þ 2v
4a b
n
¼ ¼ ðc 6¼ 0Þ
b b c6
5. ðu2 Þ3 ¼ ð1Þ3 u2  3 ¼ u6 ; ðu3 Þ2 ¼ ð1Þ2 u3  2 ¼ u6 ;
an a ððuÞ2 Þ3 ¼ ðð1Þ2 u2 Þ3 ¼ ðu2 Þ3 ¼ u2  3 ¼ u6
8
Fehlerwarnung: 6¼ (außer in Sonderfällen) >
> 5b3
4  
4a 4 256a4
bn b  4 > >
<  22 a ¼  3 ¼
an a 5a1 5b 625b12
im Gegensatz zu ¼ 6.
22 b3
¼
>
ða; b 6¼ 0Þ
bn b >
>
>
54 a4 28 a4
¼ 4 12 ¼
256a4
: 4 8 12 12
Umkehrungen ð1Þ 2 b 5 b 625b
  
Ein Produkt wird potenziert, indem man die ein- 2 1 1 2 2 4
7. x  3x 3x  x ¼ 2x   9 þ 2x2
zelnen Faktoren potenziert (genauer: indem man 3 3 9
2 4
die Potenzen der einzelnen Faktoren miteinander ¼ 2 9 þ 2x2 ðx 6¼ 0Þ
x 9
multipliziert).

ða  bÞn ¼ an  bn 7.3 Definition der Wurzel

pffiffiffi 1
Eine Zahl der Form n a ¼ an (gesprochen: n-te
Ein Bruch wird potenziert, indem man Zähler Wurzel aus a) heißt Wurzel. Dabei heißt a Radi-
und Nenner einzeln potenziert (genauer: indem kand der Wurzel und ist eine reelle Zahl größer als
12 Mathematik

0, und n heißt Wurzelexponent und ist eine natür- man aus dem in die ðm þ nÞ-te Potenz erhobenen
liche Zahl größer als 1. Radikanden die nm-te Wurzel zieht (denn
p ffiffiffi pffiffiffi mþn pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
 am ¼ an þ m ¼ a n  m ¼ n  m am þ n Þ.
1 1 1 1
p ffiffiffi
na
n a  m a ¼ an
Wurzel
a > 0 Radikand p pffiffiffi
ffiffiffi m nm
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
n > 1 Wurzelexponent
n
a a¼ am þ n
pffiffiffi
Die Wurzel n a ist definiert als die eindeutig be- 
p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 16  8 ¼ 128
& Beispiel: 3
4096  4 4096 ¼ 12 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
stimmte Zahl x  0 mit xn ¼ a. Die n-te Wurzel aus 40967 ¼ 27 ¼ 128
a  0 ist also die nichtnegative reelle Zahl, deren pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffiffiffi
12 2
Fehlerwarnung: 3 a  4 a 6¼ 12 a; 3 a  4 a 6¼ a;
n-te Potenz gleich a ist. p ffiffi
ffi p ffiffi
ffi p ffiffi
ffi
3a 4
 a 6¼ 7 a p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi p ffiffiffiffi
ffi
p ffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi 34 4þ3
n
a ¼ x , xn ¼ a (richtig: 3 a  4 a ¼ a ¼ 12 a7 )

Man spricht vom Radizieren oder Wurzelziehen für Wurzeln mit gleichem Radikanden und den
diese algebraische Operation. Wurzelexponenten n und m werden dividiert,
pffiffiffi pffiffiffi indem man aus dem in die ðm  nÞ-te Potenz
Ist der Wurzelexponent gleich 2, so heißt 2 a ¼ a
(der Wurzelexponent 2 braucht nicht geschrieben zu erhobenen Radikanden die nm-te Wurzel zieht
 p ffiffiffi
werden) Quadratwurzel (oder einfach Wurzel) aus
n
a an
1
1 1 mn pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi pffiffiffi ¼ 1 ¼ an  m ¼ a n  m ¼ n m am  n .
denn m
a; 3 a heißt Kubikwurzel aus a. a am
Bemerkungen: p ffiffiffi
na
nm
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1. Nach der Definition der Wurzel ist die Wurzel pffiffiffi ¼
m am  n
aus einer a
pffiffiffiffiffi positiven Zahl wieder eine positive
Zahl: a2 ¼ jaj für jede reelle Zahl a (zum Ab- p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 
3
solutbetrag jaj einer Zahl a vgl. Abschnitt
pffiffiffi I 11.2). & Beispiel: p
4096 16 : 8 ¼ 2
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼ 3 p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffi
4
4096
4
40964  3 ¼ 12 4096 ¼ 12 212 ¼ 2
Es giltpffiffidaher
ffi zum Beispiel nur 4 ¼ 2, nicht
auch 4 ¼ 2. Dagegen hat p die
ffiffiffi Gleichung 3. Multiplizieren und Dividieren bei gleichem Wur-
x2 ¼ 4 pffiffidie ffi Lösungen x1 ¼ þ 4 ¼ þ2 und zelexponenten
x2 ¼  4 ¼ 2. Wurzeln mit gleichem Wurzelexponenten werden
2. Für ungerade n (zum Beispiel n ¼ 3) kann die multipliziert, indem man die Radikanden multi-
n-te Wurzel auch für negative Zahlen a eindeutig pliziert (genauer: indem man die Wurzel aus
definiert werden, denn die n -te Potenz einer ne- dem Produkt der Radikanden zieht) (denn
gativen p ffiffiffi pffiffiffi pffiffiffiffiffiffi
ffiffiffiffiffiffiffiffiffi Zahl ist selbst negativ. Zum Beispiel gilt 1 1 1
p3
n a  n b ¼ an  bn ¼ ðabÞn ¼ n ab).
27 ¼ 3.
pffiffiffi 1
3. Wegen n a ¼ an ergeben sich die Regeln der p ffiffiffi p
n
ffiffiffi p
n
ffiffiffiffiffiffi
Wurzelrechnung aus den entsprechenden Regeln
n
a  b ¼ ab
der Potenzrechnung. 
p ffiffiffi p ffiffiffiffiffi 23¼6
Wegen der besonderen Bedeutung werden die & Beispiel: 3
8  3 27 ¼ p
3
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffi
8  27 ¼ 3 216 ¼ 6
übertragbaren Regeln hier in Wurzelschreibweise
wiederholt. pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Fehlerwarnung: n a þ n b 6¼ n a þ b (außer in
Sonderfällen); der gegebene Ausdruck läßt sich
7.4 Regeln der Wurzelrechnung nicht vereinfachen.
1. Addieren und Subtrahieren Wurzeln mit gleichem Wurzelexponenten wer-
Wurzeln kann man nur addieren oder subtrahie- den dividiert, indem man die Radikanden
ren, wenn sie in Radikand und Wurzelexponent dividiert (genauer: indem man die Wurzel
übereinstimmen. aus dem Quotienten der Radikanden zieht)
pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi p ffiffiffi rffiffiffiffiffi !
an  a n1 n a
na 1
p n a þ q n a ¼ ðp þ qÞ n a denn p ffiffiffi ¼ 1 ¼ ¼ .
n b b
b bn
p
4
ffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi p ffiffiffi rffiffiffiffiffi
& Beispiel: 2  3 þ 5  4 3 ¼ ð2 þ 5Þ  4 3 ¼ 7  4 3 n
a n a
pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi p
n
ffiffiffi ¼
b b
Fehlerwarnungen: 4 2 þ 4 3 6¼ 4 5;
p3
ffiffi
ffi p ffiffi
ffi p ffiffi
ffi 8
2 þ 4 2 6¼ 7 2 >
> 2
p ffiffiffi p ffiffiffiffiffi < 2 : 3 ¼ 3
(beides läßt sich nicht zusammenfassen) & Beispiel: 8 : 27 ¼ rffiffiffiffiffiffi
3 3
>
> 3 8 2
: ¼
27 3
2. Multiplizieren und Dividieren bei gleichem Radi-
kanden Umkehrungen
Wurzeln mit gleichem Radikanden und den Wur- Man zieht die Wurzel aus einem Produkt, indem
zelexponenten n; m werden multipliziert, indem man die Wurzel aus den einzelnen Faktoren
I Arithmetik 13

zieht (genauer: indem man die Wurzeln aus den Eine Wurzel wird potenziert, indem man den Ra-
einzelnen Faktoren miteinander multipliziert). dikanden potenziert (genauer: indem man die
Wurzel aus der Potenz 1des Radikanden zieht)
p ffiffiffiffiffiffi pffiffiffi p ffiffiffi 1 m
n
ab ¼ n a  b
n (denn ðan Þm ¼ a n ¼ ðam Þn ).
pffiffiffi pffiffiffiffiffiffi
 ð n a Þm ¼ n am
pffiffiffiffiffi 6 ffiffiffi pffiffiffi
& Beispiel: 36 ¼ p
4 9¼23¼6

p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi & Beispiele:

Fehlerwarnung: n
a þ b 6¼ n a þ n b (außer in pffiffiffi

¼ 16
2p4 ffiffiffiffi
1. ð 3 8Þ4 ¼ ffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Sonderfällen) 3 4
8 ¼ 3 4096 ¼ 16
p ffiffi
ffi p ffiffiffiffiffi
Man zieht die Wurzel aus einem Bruch, indem 2. ð 4 4Þ2 ¼ 4 16 ¼ 2
man sie aus Zähler und Nenner einzeln zieht
(genauer: indem man die Wurzeln aus Zähler Umkehrung
und Nenner durcheinander dividiert). Man zieht die Wurzel aus einer Potenz, indem
man die Wurzel aus der Basis in die entsprechen-
rffiffiffiffiffi p
na
ffiffiffi de Potenz erhebt.
n a
¼ p ffiffiffi
b n
b pffiffiffiffiffiffi pffiffiffi
a ¼ ð n aÞm
n m

Spezialfall pffiffiffiffiffi
 pffiffiffiffiffi
64 ¼ 8
& Beispiel: 43 ¼ pffiffiffi
rffiffiffiffiffi ð 4 Þ3 ¼ 23 ¼ 8
n 1 1
¼ p
n
ffiffiffi Spezialfall
a a
pffiffiffi pffiffiffiffiffi
ð n aÞn ¼ n an ¼ a
& Beispiele:
rffiffiffiffiffiffi
3 8 pffiffiffi pffiffiffiffiffi 2
1. ¼ 3 8 : 3 27 ¼ 2 : 3 ¼
27 3 pffiffiffi p ffiffiffiffiffi
rffiffiffiffiffiffiffiffi & 5
Beispiel: ð 5 3Þ5 ¼ 35 ¼ 3
4 1 1 1
2. ¼ p4
ffiffiffiffiffiffiffiffi ¼
625 625 5
Exponenten und Wurzelexponenten kann man
4. Radizieren und Potenzieren einer Wurzel gegeneinander kürzen.
Man zieht die Wurzel aus einer Wurzel, indem
man die Wurzelexponenten multipliziert (ge- pffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffi pffiffiffiffiffi pffiffiffi
np
anq ¼ ð np a Þnq ¼ p aq ¼ ð p a Þq
nauer: indem man aus dem Radikanden die
Wurzel mit dem aus dem Produkt beider Wurzel- pffiffiffiffiffi p ffiffiffiffiffi pffiffiffi
12
exponenten gebildeten neuen Wurzelexponenten & Beispiel: 28 ¼ 3 22 ¼ 3 4
pffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi 1 1 1 pffiffiffi
zieht) (denn n m a ¼ ðam Þn ¼ amn ¼ m  n a ).
5. Rationalmachen des Nenners
qffiffiffiffiffiffiffiffiffi Zum Rationalmachen des Nenners eines Bruches
pffiffiffi
n m pffiffiffi
mn
a ¼ a erweitert man den Bruch so, daß die Wurzel im
Nenner wegfällt.

p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi p ffiffiffiffiffi pffiffiffi

4 p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 4
3 16 ¼ 2 a a b
& Beispiel: 4096 ¼ 12 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
4096 ¼ 2 pffiffiffi ¼
b b
p ffiffiffiffiffiffiffiffi
3 p ffiffiffi pffiffiffi
5
Fehlerwarnung: 7 6¼ 8 7
p ffiffiffiffiffiffiffiffi
p
3 5 ffiffiffi p ffiffiffi & Beispiele:
(richtig: 7 ¼ 15 7 ) pffiffiffi pffiffiffi
a2 a2  a a2  a pffiffiffi
1. pffiffiffi ¼ pffiffiffi pffiffiffi ¼ ¼a a
a a a a
Bei der Wurzel aus einer Wurzel kann man die p ffiffiffiffiffi p ffiffiffiffiffi
a
3
a  a2
3
a  a2 p
3
ffiffiffiffiffi
Wurzelexponenten miteinander vertauschen 2. p ffiffiffi ¼ pffiffiffi p ffiffiffiffiffi ¼ ¼ a2
pffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi ffi 1 1 pffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi ffi
3a 3 a  3 a2 a
(denn n m a ¼ amn ¼ anm ¼ m n a ). xþ y
pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi
ðx þ yÞ ðx þ yÞ ðx þ yÞ2 x2 þ 2x y þ y
pffiffiffi
3. pffiffiffi ¼ pffiffiffi pffiffiffi ¼ ¼
x  y ðx  yÞ ðx þ yÞ x2  y x2  y
qffiffiffiffiffiffiffiffiffi qffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi
n m m p ffiffiffi
a ¼ n
a & Beispiele zur gesamten Wurzelrechnung:
pffiffiffi
1. ð 3 6Þ3 ¼ 6
pffiffiffi p
4
ffiffiffiffiffi 2 1 pffiffiffi
2. ð 4 4Þ2 ¼ 42 ¼ 44 ¼ 42 ¼ 4 ¼ 2
& Beispiele: p ffiffiffiffiffi r ffiffiffiffiffiffi
( pffiffiffiffiffi 3
24 3 24 p ffiffiffi p ffiffiffiffiffi
p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
4 p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 4
16 ¼2 3. p ffiffiffi ¼
3
¼ 8 ¼ 23 ¼ 2
3

1. 3
4096 ¼ p 3 p
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffi 3
3 3
4
4096 ¼ 3 8 ¼ 2 rffiffiffiffiffiffiffiffiffi
p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffiffiffiffiffi ffi q ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 4 1 1 1 1
3 p4 4 p3
ffiffiffiffiffi p4
ffiffiffi 4. ¼ p ffiffiffiffiffiffiffiffi ¼ p ffiffiffiffiffi ¼
2. 27 ¼ 27; ; ¼ 3 256 4
256 4 4
4 4
14 Mathematik
p2 p
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi
5. 3
64 ¼ 2  3 64 ¼ 6 64 ¼ 2 Das Dezimalsystem (auch Zehnersystem genannt)
p3
ffiffiffi p ffiffi
ffi p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
15 3 þ 5
pffiffiffiffiffi
15 8
6. 2 52¼ 2 ¼ 2 ist also ein Positionssystem zur Basis 10. Eine solche
pffiffiffiffiffiffiffi 2 1 ð2Þ 1
7. ð 0; 5 Þ ¼ ð0;5Þ2 ¼ ð0;5Þ1 ¼ ¼ 2 oder Schreibweise wurde erst möglich nach Einführung
0; 5
pffiffiffiffiffiffiffi 2 1 1 der Null (für „nichts“).
ð 0; 5 Þ ¼ pffiffiffiffiffiffiffi 2 ¼ ¼2
ð 0;5 Þ 0;5 Unser Zahlensystem wurde im ersten Jahrtausend
3 3 pffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffi
8. ð24 Þ2 ¼ þ22 ¼ 23 ¼ 22  2 ¼ 2 2 nach der Zeitenwende in Indien entwickelt. Es ge-
pffiffiffiffiffi pffiffiffi 2 pffiffiffiffiffi pffiffiffi 2
9. ð 18 þ p2ffiffiffiffiffi Þ  ð 18  2Þpffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi langte über den arabischen Raum zunächst nach
¼ 18 þ 2 36 þ 2  ð18  2 36 þ 2Þ ¼ 4 36 ¼ 4  6 ¼ 24 Spanien und dann nach Mitteleuropa, wo noch bis
pffiffiffi pffiffiffi 3 pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi
10. ð 5 þ 3Þ ¼ 5 5 þ 15 3 þ 9 5 þ 3 3 ¼ 14 5 þ 18 3 zum 16. Jahrhundert mit dem römischen Zahlensy-
pffiffiffi p ffiffi
ffi p ffiffiffi p ffiffi
ffi
11. ð3 2  2 3 3Þ ð7 3 2 þ 5 3Þ stem gerechnet wurde. Wegen dieses Ursprungs
p6
ffiffiffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi p
6
ffiffiffiffiffi
¼ 21 25 þ 15 6  14 3 6  10 35 nennt man unsere Ziffern auch indisch–arabische
pffiffiffi pffiffiffi
a aða  a Þ aða  a Þ Ziffern.
12. pffiffiffi ¼ pffiffiffi pffiffiffi ¼
aþ a ða þ a Þ ða  a Þ a2  a Im Dezimalsystem lassen sich auch rationale und
pffiffiffi pffiffiffi
aða  a Þ a a
¼ ¼ reelle Zahlen darstellen. Die Darstellung einer reel-
aða  1Þ a1
pffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffi len (rationalen oder irrationalen) Zahl als Dezimal-
x x  3 x2 y x  3 x2 y 1 p ffiffiffiffiffiffiffi
13. p3
ffiffiffiffiffiffiffi ¼ p 3
ffiffiffiffiffiffiffi p ffiffiffiffiffiffiffi ¼ ¼ 3 2
x y zahl nennt man auch Dezimalbruch (vgl. auch Ab-
xy2 xy2 3 x2 y xy y
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi schnitt I.3).
a2 ða  2Þ a  4 2 ða  2Þ a  4 2
14. pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼
a2  4 a2  4 a2  4 a2  4
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ða  2Þ a2  4 a2  4 & Beispiel:
¼ ¼ 486;2545 ¼ 4  102 þ 8  101 þ 6  100 þ 2  101 þ 5  102
ða  2Þ ða þ 2Þ aþ2
p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi p ffiffiffiffiffiffiffi 10 1 pffiffiffi þ 4  103 þ 5  104 ¼ 400 þ 80 þ 6 þ 0;2 þ 0;05 þ 0;004 þ 0;0005
4 5 20 10
15. 1024 ¼ 2 ¼ 2 ¼ 22 ¼ 2 20
8
sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
rffiffiffiffiffiffi rffiffiffiffiffiffi rffiffiffiffiffiffi > >
3
3 6 <p 6
ffiffiffiffiffi Der Wert einer Ziffer innerhalb der Zahl ergibt sich
3 1 6 9 6 3 18
16. 9 ¼ ¼ ¼ rffiffiffiffiffiffi dadurch, daß die n-te Stelle vor dem Komma mit
18 18 18 > > 6 34
: 1 p 6 5
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
¼ 2  34
2 2 10n  1 und die m-te Stelle nach dem Komma mit
10m multipliziert wird.
8 Dezimalzahlen und Dualzahlen Ist a ¼ an an  1 . . . a2 a1 a0 ; a1 a2 . . . am eine Zahl
mit den Ziffern an ; an1 ; . . . ; a2 ; a1 ; a0 vor dem Kom-
Es gibt verschiedene Möglichkeiten zur Darstellung ma und den Ziffern a1 ; a2 ; . . . ; am nach dem
von Zahlen. Die einzelnen Zeichen zur Darstellung Komma, dann gilt also
von Zahlen sind die Zahlzeichen oder Ziffern.
Grundsätzlich unterscheidet man zwischen soge- P
n
nannten Positions- oder Stellenwertsystemen und a¼ ai 10i ð Þ
i ¼ m
Additionssystemen. Bei einem Positionssystem ist
der Wert einer Ziffer abhängig von der Position die- Die Stellen mit i  0 bilden den ganzen Teil, die mit
ser Ziffer innerhalb der Zahl. Bei Additionssyste- i < 0 den gebrochenen Teil der Zahl.
men wird der Wert aller Zahlzeichen einfach ad- Für andere Zahlensysteme, nämlich Positionssy-
diert, um den Wert der Zahl festzulegen. steme zur Basis B, gilt ð Þ ganz analog, wenn man
Ein Beispiel für ein Positionssystem ist unser Dezi- 10 durch die entsprechende Basis B ersetzt (zum
malsystem, ein Beispiel für ein Additionssystem ist Beispiel B ¼ 2 für das Dualsystem).
das römische Zahlensystem.
8.2 Dualsystem
8.1 Dezimalsystem
Das Dualsystem ist ein System zur Darstellung der
Die heute übliche Schreibweise der Zahlen ist die
Zahlen, in dem es nur zwei Ziffern (0 und 1) gibt.
Dezimalschreibweise, das heißt, es gibt 10 verschie-
Das Dualsystem wird deshalb manchmal auch Bi-
dene Ziffern (0, 1, 2, . . ., 9) zur Darstellung der Zah-
närsystem oder Zweiersystem genannt. Es ist ein
len. Jede Ziffer hat den zehnfachen Stellenwert der
Positionssystem zur Basis 2. Der Wert einer Ziffer
ihr rechts folgenden Ziffer. Im Dezimalsystem dar-
ist also abhängig von der Position innerhalb der
gestellte Zahlen nennt man Dezimalzahlen.
Zahl. Jede Ziffer hat den doppelten Stellenwert der
ihr rechts folgenden Ziffer. Im Dualsystem darge-
& Beispiel:
3607 ¼ 3  103 þ 6  102 þ 0  101 þ7  100 ¼ 3000 þ 600 þ 0 þ 7
stellte Zahlen nennt man Dualzahlen.

& Beispiel:
Der Wert einer Ziffer innerhalb der Zahl ergibt sich Der Dualzahl 1 001 101 entspricht die Dezimalzahl
also folgendermaßen: Die Einerstelle bleibt un- 1  26 þ 0  25 þ 0  24 þ 1  23 þ 1  22 þ 0  21 þ 1  20
verändert (Multiplikation mit 100 ¼ 1), die Zehner- ¼ 64 þ 0 þ 0 þ 8 þ 4 þ 0 þ 1 ¼ 77.
stelle wird mit 101 ¼ 10, die Hunderterstelle wird
mit 102 ¼ 100, die Tausenderstelle wird mit Die Umrechnung von einem Zahlensystem in ein
103 ¼ 1000, . . ., die n-te Stelle wird mit 10n  1 multi- anderes wird als Konvertierung bezeichnet. Werden
pliziert. mehrere Zahlensysteme gleichzeitig benutzt, so ist
I Arithmetik 15

es zur Vermeidung von Irrtümern üblich, die Basis 9 Logarithmen

als Index anzuhängen.
9.1 Definition des Logarithmus
& Beispiel:
Eine Zahl der Form loga b (gesprochen: Logarith-
1 001 1012 ¼ 7710
mus b zur Basis a) heißt Logarithmus. Dabei heißt b
Numerus des Logarithmus und ist eine reelle Zahl
Die Darstellung reeller Zahlen im Dualsystem ist
größer als 0, und a heißt Basis des Logarithmus und
analog der Darstellung im Dezimalsystem. Der Wert
ist eine positive reelle Zahl ungleich 1.
einer Ziffer innerhalb der Zahl ergibt sich dadurch,
daß die n-te Stelle vor dem Komma mit 2n  1 und
loga b Logarithmus b zur Basis a
die m-te Stelle nach dem Komma mit 2m multipli-
ziert wird. b>0 Numerus
a > 0; a 6¼ 1 Basis
& Beispiel:
101 100 011;10112 ¼ 1  28 þ 1  26 þ 1  25 þ 1  2 þ 1  1 Der Logarithmus loga b ist definiert als die eindeu-
þ 1  21 þ 1  23 þ 1  24
1 1 1 11 tige Lösung x der Gleichung ax ¼ b.
¼ 256 þ 64 þ 32 þ 2 þ 1 þ þ þ ¼ 355 ¼ 355;687510
2 8 16 16
loga b ¼ x , ax ¼ b
Dualsysteme sind sehr bedeutend in Elektrotech-
nik und Datenverarbeitung. Computer sind zeichen-
verarbeitende Maschinen. Die externen Zeichen Der Logarithmus x ¼ loga b ist also der Exponent zu
(Buchstaben, Ziffern, Sonderzeichen) werden intern der Basis a, für den die Potenz ax gleich dem Nume-
im Binärcode in Form von Bitfolgen dargestellt. Ein rus b ist.
Bit (Abkürzung von Binary Digit) ist die kleinste dar- Aus der Definition folgt (denn a1 ¼ a und a0 ¼ 1)
stellbare Informationseinheit mit den Werten 0 und 1.
loga a ¼ 1 loga 1 ¼ 0
Acht Bit werden zur nächsthöheren Einheit, dem
Byte, zusammengefaßt. Zahlen werden in Computern
in mehreren aufeinanderfolgenden Bytes dargestellt. & Beispiele:
1. log2 8 ¼ x )x¼3 denn 23 ¼ 8
Die interne Durchführung arithmetischer Operatio-
2. log4 16 ¼ x )x¼2 denn 42 ¼ 16
nen erfolgt im Computer also im Dualsystem. 3. log4 4 ¼ x )x¼1 denn 41 ¼ 4
Andere Zahlensysteme, die im Zusammenhang mit 4. log5 1 ¼ x )x¼0 denn 50 ¼ 1
der Nutzung von Computern eine Rolle spielen, sind 5. log3 81 ¼ x )x¼4 denn 34 ¼ 81
das Oktalsystem (Positionssystem zur Basis 8) mit 6. log5 57 ¼ x )x¼7 denn 57 ¼ 57
7. log10 1000 ¼ x )x¼3 denn 103 ¼ 1000
den Ziffern 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 und das Hexadezimal- 1
8. log2 0;5 ¼ x ) x ¼ 1 denn 21 ¼ ¼ 0;5
system (Positionssystem zur Basis 16) mit den Ziffern 2
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F (die Buch- 9. loga 8 ¼ 1 )a¼8 denn 8 ¼8
1

1 1
staben A, . . ., F stehen für die Werte 10, . . ., 15). 10. loga
125
¼ 3 ) a ¼ 5 denn 53 ¼
125
 1
3 5 5 3
11. loga ¼ 1 ) a ¼ denn ¼
8.3 Runden 5 3 3
1
5
12. log10 b ¼ 1 ) b ¼ 0;1 denn 101 ¼ ¼ 0;1
Als Dezimalstellen einer Dezimalzahl bezeichnet 5 5
10
pffiffiffiffiffi
man die Stellen nach dem Komma. Runden ist das 13. log4 b ¼ ) b ¼ 32 denn 42 ¼ 45 ¼ 25 ¼ 32
2
Verkürzen einer Dezimalzahl, also die Darstellung
einer Dezimalzahl mit einer vorgegebenen Anzahl
von Dezimalstellen.
9.2 Spezielle Basen
Logarithmen zur Basis a ¼ 10 heißen Zehnerlog-
Rundungsregel
arithmen oder dekadische Logarithmen oder Briggs-
Ist die erste weggelassene Ziffer 0, 1, 2, 3, 4, dann
sche Logarithmen (nach dem englischen Mathemati-
bleibt die letzte geschriebene Ziffer unverändert. Ist
ker Henry Briggs, 1556––1630). Man schreibt statt
die erste weggelassene Ziffer 5, 6, 7, 8, 9, dann er-
log10 b auch einfach lg b.
höht sich die letzte geschriebene Ziffer um 1.
Ist die gerundete Zahl kleiner als die ursprüngliche
Zahl (die erste weggelassene Ziffer ist dann 0, 1, 2, log10 b ¼ lg b
3 oder 4), spricht man von Abrunden. Ist die gerun-
dete Zahl jedoch größer als die ursprüngliche Zahl Logarithmen mit der Eulerschen Zahl e ¼
(die erste weggelassene Ziffer ist dann 5, 6, 7, 8 2;718 281 82 . . . als Basis werden natürliche Logarith-
oder 9), so spricht man von Aufrunden. men oder Nepersche Logarithmen (nach dem schot-
tischen Mathematiker John Neper (Napier), 1550 bis
& Beispiele: 1617) genannt. Man schreibt ln b für loge b.
3;456 3;46 (aufgerundet); 23;699 23;70 (aufgerundet);
14;3449 14;34 (abgerundet); 17;249 638 9 17;2496 (auf 4 Dezi- loge b ¼ ln b
malstellen gerundet)
16 Mathematik

Die Eulersche Zahl e ist der Grenzwert der Folge 3. Der Logarithmus einer Potenz ist gleich dem mit
 
1 n dem Exponenten multiplizierten Logarithmus der
1þ (vgl. Abschnitt VIII.1.5): Basis. Oder: Multipliziert man den Logarithmus
n  
1 n einer Zahl u mit einer Zahl r, dann erhält man
e ¼ lim 1 þ ¼ 2;718 281 828 4 . . .
n !1 n den Logarithmus der Potenz ur .
Sie hat ihren Namen nach dem schweizerischen
Mathematiker Leonhard Euler (1707––1783). Die loga ður Þ ¼ r  loga u
Eulersche Zahl ist eine irrationale Zahl.
Logarithmen zur Basis a ¼ 2 heißen Zweierlogarith- Beweis:
men oder binäre Logarithmen oder duale Logarith- Setze loga u ¼ x ) ax ¼ u ) ur ¼ ðax Þr ¼ arx
men. Man schreibt statt log2 b manchmal auch ld b. ) rx ¼ loga ður Þ ¼ r loga u

log2 b ¼ ld b & Beispiele:

1. log2 83 ¼ 3 log2 8 ¼ 3 log2 23 ¼ 3  3 ¼ 9
2. lg 10 000 ¼ lg 104 ¼ 4 lg 10 ¼ 4
& Beispiele:
1. log2 32 ¼ ld 32 ¼ x ) x ¼ 35 denn 25 ¼ 32
pffiffiffi 1 1 pffiffiffi 4. Der Logarithmus einer Wurzel ist gleich dem
2. ld 2 ¼ x )x¼ denn 22 ¼ 2 durch den Wurzelexponenten dividierten Log-
2
3. log10 10 000 ¼ lg 10 000 ¼ x ) x ¼ 4 denn 104 ¼ 10 000 arithmus des Radikanden. Oder: Dividiert man
4. lg 0;01 ¼ x ) x ¼ 2 denn 102 ¼ 0;01
den Logarithmus einer Zahl u durch eine Zahl n,
5. loge 5 ¼ ln 5 ¼ x ) x ¼ 1;6094 . . . denn e1;6094 ... ¼ 5 pffiffiffi
dann erhält man den Logarithmus der Wurzel n u.

9.3 Regeln der Logarithmenrechnung p ffiffiffi 1

loga n
u ¼ loga u
1. Der Logarithmus eines Produkts ist gleich der n
Summe der Logarithmen der einzelnen Faktoren.
Oder: Addiert man zum Logarithmus einer Zahl Beweis:
pffiffiffi 1
u den Logarithmus einer Zahl v, dann erhält Wegen n u ¼ un folgt
man als Summe den Logarithmus des Produkts p ffiffiffi 1 1
loga n u ¼ loga un ¼  loga u
uv. n
aus der Potenzregel.
loga ðu  vÞ ¼ loga u þ loga v
& Beispiele:
pffiffiffi 1 1
1. log5 3 5 ¼ log5 5 ¼
Beweis: 3 3
p ffiffiffiffiffi 1 1 1
Setze loga u ¼ x; loga v ¼ y 2. log2 3 64 ¼  log2 64 ¼  log2 26 ¼ 6¼2
3 3 3
) loga u þ loga v¼ x þ y
ax ¼ u; ay ¼ v ) u  v ¼ ax  ay ¼ ax þ y 5. Aus den Regeln ergeben sich die folgenden Spe-
) loga ðu  vÞ ¼ x þ y 1
zialfälle (denn ar ¼ ar und loga ¼ loga 1  loga v
v
¼ 0  loga v).
& Beispiel:
log2 256 ¼ ld 256 ¼ ld ð4  64Þ ¼ ld 4 þ ld 64 ¼ 2 þ 6 ¼ 8
loga ðar Þ ¼ r

2. Der Logarithmus eines Bruches (Quotienten) ist

und
gleich der Differenz der Logarithmen von Zähler
(Dividend) und Nenner (Divisor). Oder: Subtra- 1
hiert man vom Logarithmus einer Zahl u den loga ¼ loga v
v
Logarithmus einer Zahl v, dann erhält man als
Differenz den Logarithmus des Bruches (Quo-
u
tienten) . 9.4 Zusammenhang von Logarithmen
v
mit verschiedenen Basen
u
loga ¼ loga u  loga v Für Logarithmen mit verschiedenen Basen a und c
v
gilt folgende Umrechnungsregel
Beweis:
Setze loga u ¼ x; loga v ¼ y ) loga uloga v ¼ x  y logc u
loga u ¼
u ax logc a
ax ¼ u; ay ¼ v ) ¼ y ¼ ax  y
u v a
) loga ¼xy Beweis:
v
Setze loga u ¼ x. Es folgt ax ¼ u; also auch
9
& Beispiel: log3
243
¼ log3 9  log3 243 ¼ 2  5 ¼ 3 logc ax ¼ logc u. Nach der Potenzregel ergibt sich
I Arithmetik 17

logc u 10 Mittelwerte
x logc a ¼ logc u und nach x aufgelöst x ¼ . We-
logc a
logc u 10.1 Arithmetisches Mittel
gen x ¼ loga u folgt die Behauptung: loga u ¼ . Das arithmetische Mittel xa ¼ x zweier reeller Zah-
logc a
Logarithmen zu verschiedenen Basen (a und c) un- len a und b ist die Hälfte ihrer Summe.
terscheiden
 sich
 also nur durch einen konstanten aþb
1 x ¼
Faktor . 2
logc a
Für c ¼ u ¼ b ergibt sich der Spezialfall Das arithmetische Mittel xa ¼ x von n reellen Zah-
len a1 ; a2 ; . . . ; an ist
1
loga b ¼ a1 þ a2 þ . . . þ an
logb a x ¼
n

& Beispiele: & Beispiele:

1 1 3 þ 17
1. ln u ¼  lg u ¼  lg u 1. Das arithmetische Mittel von 3 und 17 ist ¼ 10.
lg e 0;4342 . . . 2
1 1 2. Das arithmetische Mittel von 6; 4; 3; 12; 5; 2 ist
2. lg u ¼  ln u ¼  ln u 6  4 þ 3 þ 12 þ 5 þ 2
ln 10 2;3025 . . . ¼ 4.
1 1 6
3. log5 u ¼  lg u ¼  lg u
lg 5 0;6989 . . .
1 1 10.2 Geometrisches Mittel
4. ln 1000 ¼  lg 1000 3 6;907 755 279
lg e 0;434 294 481 9 Das geometrische Mittel xg zweier positiver reeller
Zahlen a und b ist die Quadratwurzel aus ihrem
9.5 Dekadische Logarithmen Produkt.
Die dekadischen Logarithmen (auch Briggssche Log- pffiffiffiffiffiffiffiffiffi
arithmen oder Zehnerlogarithmen genannt) haben xg ¼ ab
den Vorteil, daß man mit den Logarithmen der De-
zimalzahlen zwischen 1 und 10 über die Logarith- Das geometrische Mittel xg von n positiven reellen
men aller positiven reellen Zahlen verfügt. Zahlen a1 ; a2 ; . . . ; an ist
Begründung: Jede reelle Zahl x läßt sich durch Ab- p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
spalten einer Zehnerpotenz 10k mit ganzzahligem k xg ¼ n a  a  ...  a
1 2 n

in der Form x ¼ 10k  x mit 1  x < 10 schreiben.

Dabei ist x durch die Ziffernfolge von x bestimmt, & Beispiele: pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
während 10k die Größenordnung von x angibt. Log- 1. Das geometrische Mittel von 3 und 12 ist 3  12p¼ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
6. ffi
arithmieren ergibt lg x ¼ lg ð10k  xÞ ¼ lg ð10k Þ þ lg x 2. Das geometrische Mittel von 3, 5, 9, 15 ist 4 3  5  9  15
p
4
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi p
4
ffiffiffiffiffi
¼ k þ lg x mit 0  lg x < 1 (also lg x ¼ 0; . . .). Man ¼ 2025 ¼ 3 25:

nennt k die Kennzahl und die Ziffernfolge hinter

dem Komma von lg x die Mantisse des Logarithmus
10.3 Harmonisches Mittel
von x. Das harmonische Mittel xh zweier von Null verschie-
Von einer vor dem Komma n-stelligen Zahl ist die dener reeller Zahlen a und b ist Zwei geteilt durch
Kennzahl n  1 (also um 1 kleiner). Für Zahlen klei- die Summe ihrer Kehrwerte.
ner als 1 sind die Kennzahlen negativ.
2
Logarithmentafeln enthalten in der Regel nur die xh ¼
Mantisse. 1 1
þ
Alle Zahlen, die sich nur durch Zehnerpotenzen un- a b
terscheiden, haben die gleiche Mantisse, aber unter-
Das harmonische Mittel xh von n von Null verschie-
schiedliche Kennzahlen.
denen reellen Zahlen a1 ; a2 ; . . . ; an ist
& Beispiele:
n
1. lg 2250 ¼ lg ð1000  2;25Þ ¼ lg ð103  2;25Þ ¼ lg 103 þ lg 2;25 xh ¼
3 þ 0;3522 ¼ 1 1 1
 3;3522 
1
þ þ ... þ
2. lg 0;0315 ¼ lg 3;15  ¼ lg ð3;15  102 Þ a1 a2 an
100
2
¼ lg 3;15 þ lg 10 0;4983  2
3. lg 2000 ¼ lg ð103  2Þ ¼ lg 103 þ lg 2 3 þ 0;3010 ¼ 3;3010; & Beispiele:
lg 200 2;3010; lg 20 1;3010; lg 2 0;3010; 2 2
1. Das harmonische Mittel von 3 und 6 ist ¼ ¼ 4.
lg 0;2 0;3010  1; lg 0;02 0;3010  2; 1 1 1
þ
lg 0;002 0;3010  3 3 6 2
2. Das harmonische Mittel von 3, 4, 6, 12 ist
4 4 24
¼ ¼ ¼ 4;8.
1 1 1 1 10 5
þ þ þ
3 4 6 12 12
18 Mathematik

10.4 Quadratisches Mittel Eigenschaften von Ungleichungen:

Das quadratische Mittel xq zweier reeller Zahlen a 1. a  a (Reflexivität)
und b ist die Quadratwurzel der halben Summe 2. a  b und b  c ) a  c (Transitivität)
ihrer Quadrate. 3. a  b und b  a ) a ¼ b (Antisymmetrie)

rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Rechenregeln für Ungleichungen:

a2 þ b2 Eine Ungleichung kann von beiden Seiten gelesen
xq ¼ werden:
2
a < b , b > a für alle a; b 2 R
Das quadratische Mittel xq von n reellen Zahlen
Auf beiden Seiten einer Ungleichung darf dieselbe
a1 ; a2 ; . . . ; an ist
Zahl addiert werden:
sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi a  b ) a þ c  b þ c für alle a; b; c 2 R
a21 þ a22 þ . . . þ a2n
xq ¼ Zwei gleichgerichtete Ungleichungen dürfen addiert
n
werden:
a  b und c  d ) a þ c  b þ d
& Beispiele: rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
12 þ 7 2 pffiffiffiffiffi für alle a; b; c; d 2 R,
1. Das quadratische Mittel von 1 und 7 ist ¼ 25 ¼ 5:
2 a < b und c  d ) a þ c < b þ d
2. Das quadratische Mittel von 2, 6, 10, 16 ist
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi rffiffiffiffiffiffiffiffiffi für alle a; b; c; d 2 R
22 þ 62 þ 102 þ 162 396 pffiffiffiffiffi
¼ ¼ 99: Eine Ungleichung darf mit einer nichtnegativen
4 4
Zahl multipliziert werden:
11 Ungleichungen a  b und c  0 ) ac  bc für alle a; b 2 R

11.1 Definitionen und Rechenregeln Wird eine Ungleichung mit einer negativen Zahl mul-
tipliziert, so dreht sich das Ungleichheitszeichen um:
Zwischen zwei reellen Zahlen a und b besteht ge-
a  b und c  0 ) ac  bc für alle a; b 2 R
nau eine der drei Beziehungen: a ¼ b (a ist gleich b),
a < b (a ist kleiner als b), a > b (a ist größer als b). Bildet man auf beiden Seiten einer Ungleichung den
Der Winkelhaken ist dabei immer nach der größe- Kehrwert, so dreht sich das Ungleichheitszeichen um:
ren Seite hin geöffnet. 1 1
ab)  für alle a; b 2 R*
a b
a; b 2 R : a ¼ b oder a < b oder a > b Aus der Multiplikationsregel folgt im besonderen
(Multiplikation mit 1), daß das Vertauschen der
Vorzeichen auf beiden Seiten einer Ungleichung das
Wegen dieser Eigenschaft nennt man die Menge R
Ungleichheitszeichen umdreht:
der reellen Zahlen geordnet.
Im Falle a 6¼ b (a ungleich b) gilt genau eine der a < b ) a > b
beiden Ungleichungen a < b oder a > b.
& Beispiele:
1. 3  3; 5  5; 12;2  12;2
a 6¼ b ) a < b oder a > b 2. 3  5; 5  6 ) 3  6; 4  5; 5  7;1 ) 4  7;1
3. 3  3; 3  3 ) 3 ¼ 3
4. 3 < 5 , 5 > 3; 1 > 2 , 2 < 1
Die Ungleichung a  b bedeutet, daß a kleiner oder
5. 5  7 ) 5 þ 2  7 þ 2; 4 > 1 ) 4  3 > 1  3
gleich b ist (a ist also nicht größer als b), und 6. 3 < 4; 7 < 9 ) 3 þ 7 < 4 þ 9; 4  3; 2  5
die Ungleichung a  b bedeutet entsprechend, )42 35
daß a größer oder gleich b ist (b ist also nicht grö- 7. 5  7 ) 5  3  7  3; 3 > 4 ) 3  2 > 4  2
8. 4 > 2 ) 4  ð2Þ < 2  ð2Þ; 6  7 ) 6  ð1Þ  7  ð1Þ
ßer als a).
) 6  7
Ist a < b und b < c, dann kann man die beiden Un- 1 1 1 1
9. 2 < 3 ) > ; 5 > 6 )  < 
gleichungen fortlaufend schreiben: a < b < c. Man 2 3 5 6
nennt dies fortlaufende Ungleichung oder Unglei-
chungskette. 11.2 Absolutbetrag
Der Betrag oder Absolutbetrag jaj einer Zahl a
a < b < c , a < b und b < c stellt auf der Zahlengeraden den Abstand der Zahl
a vom Nullpunkt dar. Da Abstände nicht negativ
Entsprechend schreibt man zum Beispiel a < x und sind, gilt jaj ¼ a für a  0 und jaj ¼ a für a < 0.
x  b zusammenfassend als a < x  b. Fortlaufende 
Ungleichungen werden oft benutzt, um einen Be- a € a0
fur
jaj ¼
reich oder ein Intervall anzugeben, aus dem eine a € a<0
fur
Größe x gewählt werden darf oder gewählt werden
soll. Beträge sind nicht negativ.
I Arithmetik 19

Eigenschaften: Bei einem nicht beschränkten Intervall ist minde-

1. j aj ¼ jaj stens eine der Intervallgrenzen 1 oder 1. Solche
Intervalle können durch eine Ungleichung beschrie-
2. jaj  0; jaj ¼ 0 , a ¼ 0
ben werden.
3. ja  bj ¼ jaj  jbj  
 a  jaj 1
    ¼ 1 für b 6¼ 0
Nicht beschränkte Intervalle
4.   ¼ für b 6¼ 0;
 b  jbj
b jbj   ½a; 1Þ ¼ fx j x 2 R und x  ag (halboffenes Intervall,
1 1 ..
5. ja j ¼ jaj für n 2 N;  n  ¼ n für n 2 N; a 6¼ 0
n n nach rechts unbeschrankt)
a jaj ða; 1Þ ¼ fx j x 2 R und x > ag (offenes Intervall,
..
6. ja þ bj  jaj þ jbj nach rechts unbeschrankt)
ð1; a ¼ fx j x 2 R und x  ag (halboffenes Intervall,
(sogenannte Dreiecksungleichung) ..
nach links unbeschrankt)
ð1; aÞ ¼ fx j x 2 R und x < ag (offenes Intervall,
& Beispiele: ..
nach links unbeschrankt)
1. j4; 3j ¼ 4; 3; j  2j ¼ 2; j pj ¼ p; j0j ¼ 0 ð1; 1Þ ¼ fxjx 2 Rg (offenes Intervall,
2. j3  4j ¼ j3j  j4j ¼ 3  4 ¼ 12; jð3Þ  4j ¼ j3j  j4j ¼ 3  4 ¼ 12 nach links und nach rechts
    ..
2 unbeschrankt)
  j2j 2  1  1 1
3.  3  ¼ j3j ¼ 3 ; 4 ¼ j4j ¼ 4
 
 1 
  1 1 & Beispiele:
4. jð3Þ5 j ¼ j3j5 ¼ 35 ;   ¼ ¼
ð2Þ3  j2j3 23 1. ½3; 4 ¼ fx j x 2 R und 3  x  4 < 4g
5. j4 þ 2j  j4j þ j2j ) 6  4 þ 2 ¼ 6; Alle reellen Zahlen zwischen 3 und 4; sowohl 3 als auch 4
j5  3j  j5j þ j3j ) 2  5 þ 3 ¼ 8 gehören zum Intervall.
2. ½3; 4Þ ¼ fx j x 2 R und 3  x < 4g
11.3 Intervalle Alle reellen Zahlen zwischen 3 und 4; 3 gehört zum Intervall,
4 jedoch nicht.
Es seien a und b zwei reelle Zahlen mit a < b. Die 3. ð3; 4 ¼ fx j x 2 R und 3 < x  4g
Menge aller reellen Zahlen x, die die fortlaufende Alle reellen Zahlen zwischen 3 und 4; 3 gehört nicht zum
Ungleichung a < x < b erfüllen, heißt Intervall Intervall, aber 4.
oder Zahlenintervall mit den Endpunkten oder 4. ð3; 4Þ ¼ fx j x 2 R und 3 < x < 4g
Alle reellen Zahlen zwischen 3 und 4; weder 3 noch 4 gehö-
Randpunkten a und b (genauer: offenes und be- ren zum Intervall.
schränktes Intervall). 5. ½3; 1Þ ¼ fx j x 2 R und x  3g
Gehört der Randpunkt nicht selbst zum Intervall, so Alle reellen Zahlen größer oder gleich 3 gehören zum Inter-
vall (3 gehört dazu).
spricht man von einem offenen Intervallende, im
6. ð3; 1Þ ¼ fx j x 2 R und x > 3g
entgegengesetzten Fall von einem abgeschlossenen Alle reellen Zahlen größer als 3 gehören zum Intervall
Intervallende. (3 gehört nicht dazu).
Die Angabe eines Intervalls erfolgt durch seine 7. ð1; 4 ¼ fx j x 2 R und x  4g
Alle reellen Zahlen kleiner oder gleich 4 gehören zum Inter-
Randpunkte a und b, indem diese in Klammern ge-
vall (4 gehört dazu).
setzt werden. Eine eckige Klammer steht für ein ab- 8. ð1; 4Þ ¼ fx j x 2 R und x < 4g
geschlossenes Intervallende, eine runde für ein offe- Alle reellen Zahlen kleiner als 4 gehören zum Intervall
nes Intervallende. Gehören beide Randpunkte zu (4 gehört nicht dazu).
9. ð1; 1Þ ¼ fx j x 2 Rg
dem Intervall, so heißt es abgeschlossen. Gehört nur
Alle reellen Zahlen gehören zum Intervall.
einer der Randpunkte (also entweder a oder b) zum
Intervall, so heißt es halboffen. Gehört keiner der
Randpunkte zum Intervall, so heißt es offen. 12 Komplexe Zahlen
Intervalle dienen der Beschreibung von Zahlenmen-
gen. Man unterscheidet beschränkte und nicht be-
12.1 Algebraische Form
schränkte Intervalle. Im Bereich der reellen Zahlen besitzt die p Gleichung
ffiffiffiffiffiffiffi
Bei einem beschränkten Intervall sind die Intervall- þ ffi1 ¼ 0 keine Lösung. Ebenso stellen 3 oder
xp2 ffiffiffiffiffiffi
4
grenzen a und b reelle Zahlen. Es besteht aus allen 6 keine reellen Zahlen dar.
reellen Zahlen x, die zwischen diesen beiden Gren- Falls eine quadratische Gleichung keine reelle Lö-
zen liegen. sung besitzt, ist es trotzdem möglich, Lösungen an-
Beschränkte Intervalle zugeben und zwar komplexe Zahlen als Lösungen.
Zur Darstellung dieser komplexen Zahlen wird eine
½a; b ¼ fx j x 2 R und a  x  bg (abgeschlossenes Intervall)
Erweiterung des Bereichs der reellen Zahlen vorge-
ða; bÞ ¼ fx j x 2 R und a < x < bg (offenes Intervall)
½a; bÞ ¼ fx j x 2 R und a  x < bg (halboffenes Intervall)
nommen.
ða; b ¼ fx j x 2 R und a < x  bg (halboffenes Intervall) Ausgangspunkt ist die imaginäre Einheit j, deren
Quadrat gleich 1 ist: j 2 ¼ 1. 2 Þ
Das Symbol mit der Schreibweise 1 heißt unend-
lich und steht für „beliebig groß“. Das Symbol 1 Imaginäre Einheit j j 2 ¼ 1
heißt entsprechend minus unendlich und steht für
„beliebig klein“. Die Symbole 1 und 1 sind 2
Þ In der Mathematik wird für die imaginäre Einheit der Buchstabe i
keine reellen Zahlen; 1 ist kleiner als jede reelle verwendet, in der Elektrotechnik nimmt man statt dessen jedoch den
Zahl, 1 ist größer als jede reelle Zahl. Buchstaben j, um Verwechslungen mit der Stromstärke i zu vermeiden.
20
Für die imaginäre Einheit gilt
j 2 ¼ 1; j 3 ¼ j; j 4 ¼ 1
j 4n  3 ¼ j; j 4n  2 ¼ 1; j 4n  1 ¼ j; j 4n ¼ 1
ðn 2 N*Þ
Die Zahlen j und j sind Lösungen der quadrati-
schen Gleichung x2 þ 1 ¼ 0.
Mit dieser imaginären Einheit j und zwei reellen Zah-
len a und b stellt z ¼ a þ bj eine komplexe Zahl dar.
z ¼ a þ bj; a; b 2 R
Eine komplexe Zahl z besteht also aus einem reel-
len Teil a (Realteil) und einem imaginären Teil b
(Imaginärteil).
Wenn a und b alle möglichen reellen Werte durch-
laufen, dann werden alle möglichen komplexen Zah-
len z erzeugt. Alle komplexen Zahlen bilden zusam-
men die Menge C der komplexen Zahlen.
C ¼ fz ¼ a þ bj j a; b 2 Rg
Komplexe Zahlen z mit Realteil gleich 0 (also
a ¼ 0) heißen imaginäre Zahlen, die komplexen
Zahlen z mit Imaginärteil gleich 0 (also b ¼ 0) sind
die reellen Zahlen. Die komplexen Zahlen umfassen
also die imaginären Zahlen und die reellen Zahlen.
z ¼ a þ bj komplexe Zahlen
..
z ¼ bj ða ¼ 0Þ imaginare Zahlen
z ¼ a ðb ¼ 0Þ reelle Zahlen
Komplexe Zahlen z ¼ a þ bj und z ¼ a  bj, also
mit gleichem Realteil und entgegengesetzt gleichem
Imaginärteil, heißen konjugiert komplex.
Komplexe Zahlen sind nicht mehr auf einer Zahlen-
geraden, sondern nur noch in einer Zahlenebene,
der sogenannten Gaußschen Zahlenebene, darstell-
bar (Name nach dem deutschen Mathematiker Carl
Friedrich Gauß, 1777––1855).
imaginäre Achse
z1 = a1 + b1j
b1j
j
a2 –1
a1 reelle Achse
0 1
–j
b2 j
z2 = a2 + b2j
Bild I-1 Darstellung komplexer Zahlen in der Gauß-
schen Zahlenebene
Mathematik
Dabei wird in einem kartesischen Koordinatensy-
stem der Ebene (siehe Abschnitt VII.1.1) der Real-
teil a von z auf der Abszissenachse und der Imagi-
närteil b von z auf der Ordinatenachse abgetragen.
Jeder komplexen Zahl entspricht ein Punkt der Ebe-
ne und umgekehrt. Die Zuordnung von Zahl und
Punkt ist eineindeutig. Die reellen Zahlen liegen auf
der Abszissenachse, die imaginären Zahlen liegen
auf der Ordinatenachse. Deshalb nennt man die Ab-
szissenachse auch reelle Achse und die Ordinaten-
achse imaginäre Achse.
imaginäre Achse
z = a+bj
bj
j
–1 0 1 a reelle Achse
–j
–bj
z = a–bj
Bild I-2 Konjugiert komplexe Zahlen z und z
in algebraischer Form
Die Darstellung einer komplexen Zahl in der Form
z ¼ a þ bj; bei der kartesische Koordinaten verwen-
det werden, heißt algebraische Form. Daneben gibt
es für die Darstellung der komplexen Zahlen die
trigonometrische Form und die Exponentialform.
12.2 Trigonometrische Form
Neben der Darstellung der komplexen Zahlen in alge-
braischer Form gibt es die Darstellung in trigonometri-
scher Form (vgl. Kapitel VI): z ¼ rðcos j þ j sin jÞ:
Dabei heißt r Modul oder Absolutbetrag (also
r ¼ jzj) und j Argument der komplexen Zahl z.
Der (orientierte) Winkel j wird im Bogenmaß (vgl.
Abschnitt III.10.9) gemessen und ist nur bis auf
Vielfache von 2p bestimmt. Deshalb wählt man
meist für j das halboffene Intervall ½0; 2pÞ, also
0  j < 2p.
z ¼ rðcos j þ j sin jÞ; r 2 R; r  0; 0  j < 2p
Für j ¼ 0 ergeben sich die positiven reellen Zahlen,
p
für j ¼ p die negativen reellen Zahlen, für j ¼
3 2
die positiven imaginären Zahlen und für j ¼ p
2
die negativen imaginären Zahlen.
Statt trigonometrischer Form sagt man mitunter
auch goniometrische Form der komplexen Zahlen.
Für die Darstellung der komplexen Zahlen in der
Ebene werden für die trigonometrische Form Polar-
koordinaten (siehe Abschnitt VII.1.2) verwendet, wo-
I Arithmetik 21

hingegen für die algebraische Form kartesische Koor- Die Summe konjugiert komplexer Zahlen z ¼ a þ bj
dinaten (siehe Abschnitt VII.1.1) benutzt werden. und z ¼ a  bj ist reell, die Differenz konjugiert
komplexer Zahlen ist imaginär.
imaginäre Achse

z z þ z ¼ ða þ bjÞ þ ða  bjÞ ¼ 2a
z  z ¼ ða þ bjÞ  ða  bjÞ ¼ 2bj

(Imaginärteil)
od ul)
r (M

b
f (Argument) & Beispiele:
0 a reelle Achse 1. z1 þ z2 ¼ ð2;66 þ 0;89jÞ þ ð0;81 þ 1;49jÞ ¼ 1;85 þ 2;38j
(Realteil) 2. z1  z2 ¼ ð2;66 þ 0;89jÞ  ð0;81 þ 1;49jÞ ¼ 3;47  0;60j
3. z þ z ¼ ð2;4 þ 0;9jÞ þ ð2;4  0;9jÞ ¼ 4;8
Bild I-3 Algebraische und trigonometrische Form 4. z  z ¼ ð2;4 þ 0;9jÞ  ð2;4  0;9jÞ ¼ 1;8j
einer komplexen Zahl z
12.4 Multiplizieren komplexer Zahlen
Für den Zusammenhang zwischen algebraischer und
trigonometrischer Form gilt Komplexe Zahlen z1 ¼ a1 þ b1 j und z2 ¼ a2 þ b2 j in
algebraischer Form werden wie algebraische Sum-
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi b men multipliziert (denn z1  z2 ¼ ða1 þ b1 jÞ ða2 þ b2 jÞ
r¼ a2 þ b2 ; tan j ¼ ¼ a1 a2 þ a1 b2 j þ b1 a2 j þ b1 b2 j2 ¼ ða1 a2  b1 b2 Þ
a
a ¼ r cos j; b ¼ r sin j þ ða1 b2 þ a2 b1 Þ j wegen j2 ¼ 1).

Derselbe Zusammenhang gilt für die kartesischen z1  z2 ¼ ða1 þ b1 jÞ ða2 þ b2 jÞ

Koordinaten und die Polarkoordinaten eines Punk- ¼ ða1 a2  b1 b2 Þ þ ða1 b2 þ a2 b1 Þ j
tes in der Ebene.
Multiplizieren, Dividieren, Potenzieren und Radizie-
Das Produkt konjugiert komplexer Zahlen ist reell.
ren komplexer Zahlen lassen sich in der trigonome-
trischen Form einfacher durchführen.
z  z ¼ ða þ bjÞ ða  bjÞ ¼ a2 þ b2
12.3 Addieren und Subtrahieren
komplexer Zahlen
& Beispiele:
Komplexe Zahlen z1 ¼ a1 þ b1 j und z2 ¼ a2 þ b2 j
1. z1  z2 ¼ ð3 þ 4jÞ ð5  2jÞ ¼ ð3  5  4  ð2ÞÞ
werden addiert, indem man die Realteile addiert þ ð3  ð2Þ þ 5  4Þ j ¼ 23 þ 14j
und die Imaginärteile addiert. 2. z  z ¼ ð2;4 þ 0;9jÞ ð2;4  0;9jÞ ¼ ð2;4Þ2 þ ð0;9Þ2
¼ 5;76 þ 0;81 ¼ 6;57
z1 þ z2 ¼ ða1 þ b1 jÞ þ ða2 þ b2 jÞ
¼ ða1 þ a2 Þ þ ðb1 þ b2 Þ j Komplexe Zahlen z1 ¼ r1 ðcos j1 þ j sin j1 Þ und z2 ¼
r2 ðcos j2 þ j sin j2 Þ in trigonometrischer Form wer-
den multipliziert, indem man die Moduln (r1 und r2 )
Komplexe Zahlen z1 ¼ a1 þ b1 j und z2 ¼ a2 þ b2 j
multipliziert und die Argumente (j1 und j2 ) ad-
werden voneinander subtrahiert, indem man die Real-
diert.
teile subtrahiert und die Imaginärteile subtrahiert.

z1  z2 ¼ ða1 þ b1 jÞ  ða2 þ b2 jÞ z1  z2 ¼ r1 ðcos j1 þ j sin j1 Þ  r2 ðcos j2 þ j sin j2 Þ

¼ ða1  a2 Þ þ ðb1  b2 Þ j ¼ r1 r2 ½cos ðj1 þ j2 Þ þ j sin ðj1 þ j2 Þ

Beweis:
imaginäre Achse
z1  z2 ¼ r1 ðcos j1 þ j sin j1 Þ  r2 ðcos j2 þ j sin j2 Þ
z1 + z2 ¼ r1 r2 ½ðcos j1 cos j2  sin j1 sin j2 Þ
# þ ðcos j1 sin j2 þ sin j1 cos j2 Þ j
z2
¼ r1 r2 ½cos ðj1 þ j2 Þ þ j sin ðj1 þ j2 Þ;
z1
#
# denn cos j1 cos j2  sin j1 sin j2 ¼ cos ðj1 þ j2 Þ und
0 reelle Achse cos j1 sin j2 þ sin j1 cos j2 ¼ sin ðj1 þ j2 Þ
z1 – z2 (siehe Abschnitt VI.6).

Bild I-4 Addition und Subtraktion komplexer Zah- & Beispiele:

3. z1 ¼ 3ðcos 20 þ j sin 20 Þ; z2 ¼ 7ðcos 65 þ j sin 65 Þ
len z1 und z2 (die mit # gekennzeichneten
) z1  z2 ¼ 3ðcos 20 þ j sin 20 Þ  7ðcos 65 þ j sin 65 Þ
Strecken sind parallel und gleichlang) ¼ 21ðcos 85 þ j sin 85 Þ
22 Mathematik

5 pffiffiffi 5 Beweis:
4. z1 ¼ 5ðcos 30 þ j sin 30 Þ ¼ 3 þ j;
2 2
13 13 pffiffiffi z1 r1 ðcos j1 þ j sin j1 Þ
z2 ¼ 13ðcos 60 þ j sin 60 Þ ¼

þ 3j
 ¼
1
2 2
1 pffiffiffi z2 r2 ðcos j2 þ j sin j2 Þ
denn sin 30 ¼ cos 60 ¼ und sin 60 ¼ cos 30 ¼ 3 .
2 2 r1 ðcos j1 þ j sin j1 Þ ðcos j2  j sin j2 Þ
Es folgt ¼
z1  z2 ¼ 5ðcos 30 þ j sin 30 Þ  13ðcos 60 þ j sin 60 Þ
r2 ðcos j2 þ j sin j2 Þ ðcos j2  j sin j2 Þ
¼ 65ðcos 90 þ j sin 90 Þ ¼ 65j h i
cos j2 þ sin j1 sin j2
oder    r1 cos j1
5 pffiffiffi 5 13 13 pffiffiffi 65 pffiffiffi 65 pffiffiffi ¼ þ ðsin j1 cos j2  cos j1 sin j2 Þ j
z1  z2 ¼ 3þ j þ 3j ¼ 3 3 r2
2 2 2 2 4 4
 
65  3 65 sin2 j2 þ cos 2 j2
þ þ j ¼ 65j
4 4 r1
¼ ½cos ðj1  j2 Þ þ j sin ðj1  j2 Þ
r2
12.5 Dividieren komplexer Zahlen denn cos j1 cos j2 þ sin j1 sin j2 ¼ cosðj1  j2 Þ;
Komplexe Zahlen z1 ¼ a1 þ b1 j und z2 ¼ a2 þ b2 j in sin j1 cos j2  cos j1 sin j2 ¼ sin ðj1  j2 Þ und
algebraischer Form werden dividiert, indem man mit sin2 j þ cos 2 j ¼ 1 (siehe Abschnitt VI.6).
der konjugiert komplexen Zahl des Nenners (Divi-
& Beispiele:
sors) erweitert. 4. z1 ¼ 3ðcos 20 þ j sin 20 Þ; z2 ¼ 7ðcos 65 þ j sin 65 Þ

z2 7ðcos 65 þ j sin 65 Þ 7
z1 a1 þ b1 j a1 a2 þ b1 b2 b1 a2  a1 b2 ) ¼
3ðcos 20 þ j sin 20 Þ
¼ ðcos 45 þ j sin 45 Þ
¼ ¼ þ j z1 3
z2 a2 þ b2 j a22 þ b22 a22 þ b22 5 pffiffiffi 5
5. z1 ¼ 5ðcos 30 þ j sin 30 Þ ¼ 3 þ j;
2 2
ðz2 6¼ 0Þ 13 13 pffiffiffi
z2 ¼ 13ðcos 60 þ j sin 60 Þ ¼ þ 3j
2 2
Es folgt
Beweis: z1 5ðcos 30 þ j sin 30 Þ 5
¼ ¼ ðcos ð30 Þ þ j sin ð30 ÞÞ
z1 a1 þ b1 j ða1 þ b1 jÞ ða2  b2 jÞ z2 13ðcos 60 þ j sin 60 Þ 13
 
¼ ¼ 5 5 1 pffiffiffi 1
z2 a2 þ b2 j ða2 þ b2 jÞ ða2  b2 jÞ ¼ ðcos 30  j sin 30 Þ ¼ 3 j
13 13 2 2
a1 a2 þ b1 b2 þ ðb1 a2  a1 b2 Þ j 5 pffiffiffi 5
¼ ¼ 3 j
a22 þ b22 26 26
oder
a1 a2 þ b1 b2 b1 a2  a1 b2 
5 pffiffiffi 5

13 13 pffiffiffi

¼ þ j 5 pffiffiffi 5 3þ j  3j
a22 þ b22 a22 þ b22 z1 3þ j 2 2 2 2
¼ 2 2 ¼   
z2 13 13 pffiffiffi 13 13 pffiffiffi 13 13 pffiffiffi
Der Quotient konjugiert komplexer Zahlen ist wie- þ 3j þ 3j  3j
2 2 2 2 2 2
der eine komplexe Zahl. 65 pffiffiffi 65 65 65 pffiffiffi
3  3j þ jþ 3 5 pffiffiffi 5
¼ 4 4 4 4 ¼ 3 j
169 26 26
z a þ bj a2  b2 2ab
¼ ¼ 2 þ 2 j ðz 6¼ 0Þ
z a  bj a þ b2 a þ b2
12.6 Potenzieren komplexer Zahlen
& Beispiele: Ist n eine natürliche Zahl, so wird die n-te Potenz zn
1.
z1
¼
3 þ 4j
¼
3  5 þ 4  ð2Þ
þ
4  5  3  ð2Þ
j
von z wie üblich durch z0 ¼ 1; zn ¼ zn  1  z defi-
z2 5  2j 52 þ ð2Þ2 52 þ ð2Þ2 niert.
15  8 20 þ 6 7 26
¼ þ j¼ þ j
25 þ 4 25 þ 4 29 29
& Beispiele:
z 2;4 þ 0;9j ð2;4Þ2  ð0;9Þ2 2  2;4  0;9 1. z3 ¼ ða þ bjÞ2 ða þ bjÞ ¼ a3  3ab2 þ ð3a2 b  b3 Þ j
2. ¼ ¼ þ j
z 2;4  0;9j ð2;4Þ2 þ ð0;9Þ2 ð2;4Þ2 þ ð0;9Þ2 2. z4 ¼ ða þ bjÞ3 ða þ bjÞ ¼ ½a3  3ab2 þ ð3a2 b  b3 Þ j ða þ bjÞ
5;76  0;81 4;32 4;95 4;32 ¼ a4  6a2 b2 þ b4 þ ð4a3 b  4ab3 Þ j
¼ þ j¼ þ j
5;76 þ 0;81 5;76 þ 0;81 6;57 6;57
1 1  ðjÞ Einfacher läßt sich das Potenzieren komplexer Zah-
3. ¼ ¼ j
j j  ðjÞ len in der trigonometrischen Form durchführen. Mit
Komplexe Zahlen z1 ¼ r1 ðcos j1 þ j sin j1 Þ und z2 ¼ Hilfe derAdditionstheoreme für die trigonometri-
schen Funktionen (vgl. Abschnitt VI.6) erhält man
r2 ðcos j2 þ j sin j2 Þ in trigonometrischer Form wer-
den dividiert, indem man die Moduln (r1 und r2 ) die Formel von Moivre.
dividiert und die Argumente (j1 und j2 ) subtra-
hiert. zn ¼ ½rðcos j þ j sin jÞn ¼ rn ðcos nj þ j sin njÞ
ðn 2 N Þ
z1 r1 ðcos j1 þ j sin j1 Þ
¼
z2 r2 ðcos j2 þ j sin j2 Þ
Eine komplexe Zahl in trigonometrischer Form wird
r1
¼ ½cos ðj1  j2 Þ þ j sin ðj1  j2 Þ also in die n-te Potenz erhoben, indem man den
r2
Modul (r) in die entsprechende Potenz rn erhebt
I Arithmetik 23

und das Argument (j) mit dem Exponenten n mul- die Eckpunkte eines regelmäßigen n-Ecks mit dem
tipliziert. Mittelpunkt im Koordinatenursprung. Die Punkte
pffiffi
liegen auf einem Kreis mit dem Radius r ¼ n r. Der
& Beispiel: j
5 pffiffiffi 5 Hauptwert w1 besitzt das Argument . Durch wie-
3. z ¼ 5ðcos 30 þ j sin 30 Þ¼ 3þ j
2 2 2p n
h 5 pffiffiffi 5 i4 derholte Drehung um den Winkel erhält man die
z4 ¼ 3þ j n
2 2 weiteren Lösungen.
   2  2  4
5 pffiffiffi 4 5 pffiffiffi 5 5
¼ 3 6 3 þ
2 2 2 2 & Beispiel:
"  3  3 #
5 pffiffiffi 5 5 pffiffiffi 5 z ¼ 2;985 984ðcos 60 þ j sin 60 Þ ¼ ð1;2Þ6 ðcos 60 þ j sin 60 Þ;
þ 4 3  4 3 j
2 2 2 2 n¼6 qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffi 6 j 60
625  9 6  25  3  25 625 Wegen n r ¼ ð1;2Þ6 ¼ 1;2 und ¼ ¼ 10 lauten die sech-
¼  þ n 6
16 44 16 sten Wurzeln aus z:
" pffiffiffi pffiffiffi #
4  125  3  3  5 4  5  3  125 w1 ¼ 1;2ðcos 10 þ j sin 10 Þ; w2 ¼ 1;2ðcos 70 þ j sin 70 Þ
þ  j w3 ¼ 1;2ðcos 130 þ j sin 130 Þ; w4 ¼ 1;2ðcos 190 þ j sin 190 Þ
82 28
pffiffiffi w5 ¼ 1;2ðcos 250 þ j sin 250 Þ; w6 ¼ 1;2ðcos 310 þ j sin 310 Þ
625 625  3
¼  þ j
2 2 imaginäre Achse
z4 ¼ ½5ðcos 30 þ j sin 30 Þ4 ¼ 54 ðcos 120 þ j sin 120 Þ z
 
1 1 pffiffiffi
¼ 54 ðsin 30 þ j cos 30 Þ ¼ 54  þ 3j r
2 2
pffiffiffi
625 625  3 w2
¼  þ j
2 2

Die Moivresche Formel läßt sich durch vollständige fk

f2
f
w1
Induktion beweisen. Ihre Gültigkeit läßt sich schritt-
weise bis auf reelle Exponenten ausdehnen. wk fn f1 reelle Achse
n
r
12.7 Radizieren komplexer Zahlen wn
pffiffiffi
Die n-te Wurzel n z einer komplexen Zahl z ist defi-
niert als eine komplexe Zahl w, deren n-te Potenz Bild I-5 Die n-ten Wurzeln w1 ; w2 ; . . . ; wk ; . . . ; wn
gleich z ist, also eine Lösung der Gleichung wn ¼ z. einer komplexen Zahl z
Setzt man z ¼ rðcos j þ j sin jÞ und w¼
rðcos w þ j sin wÞ, dann folgt mit der Formel von Die n-ten Wurzeln aus z ¼ 1 sind die sogenannten
Moivre wn ¼ rn ðcos nw þ j sin nwÞ und wegen n-ten Einheitswurzeln.
wn ¼ z ¼ rðcos j þ j sin jÞ weiter rn ¼ r; cos nw ..
n-te Einheitswurzeln Losungen von wn ¼ z ¼ 1
¼ cos j; sin nw ¼ sin j. Aus rn ¼ r ergibt sich
pffiffi
r ¼ n r, während es für cos nw ¼ cos j; sin nw ¼ sin j
&
wegen cos j ¼ cos ðj þ 2kpÞ; sin j ¼ sin ðjþ2kpÞ ge- Beispiele:
1. n ¼ 2 : z ¼ w2 ¼ 1
j þ 2ðk  1Þp
nau n verschiedene Lösungen wk ¼ ; w1 ¼ 1ðcos 0 þ j sin 0 Þ ¼ 1;
n w2 ¼ 1ðcos 180 þ j sin 180 Þ ¼ 1
k ¼ 1; 2; 3; . . . ; n, gibt.
2. n ¼ 3 : z ¼ w3 ¼ 1
Somit gilt: w1 ¼ 1ðcos 0 þ j sin 0 Þ ¼ 1
Für n 2 N* besitzt die Gleichung wn ¼ z ¼ w2 ¼ 1ðcos 120 þ j sin 120 Þ ¼ 1ðcos 60 þ j sin 60 Þ
rðcos j þ j sin jÞ genau n verschiedene Lösungen 1 1 pffiffiffi
¼ þ 3j
2 2
w1 ; w2 ; . . . ; wn (die n-ten Wurzeln aus z). w3 ¼ 1ðcos 240 þ j sin 240 Þ ¼ 1ðcos 60  j sin 60 Þ
1 1 pffiffiffi
¼  3j
2 2
wk ¼ 3. n ¼ 4 : z ¼ w4 ¼ 1
 
p ffiffi j þ 2ðk  1Þ p j þ 2ðk  1Þ p w1 ¼ 1ðcos 0 þ j sin 0 Þ ¼ 1
n
r cos þ j sin ; w2 ¼ 1ðcos 90 þ j sin 90 Þ ¼ j
n n w3 ¼ 1ðcos 180 þ j sin 180 Þ ¼ 1
k ¼ 1; 2; . . . ; n w4 ¼ 1ðcos 270 þ j sin 270 Þ ¼ j

12.8 Eulersche Formel

Die n-te Wurzel aus z ist also nicht eindeutig. Für
Die Eulersche Formel für komplexe Zahlen z ver-
k ¼ 1 ergibt sich der sogenannte Hauptwert w1 der
knüpft die Exponentialfunktion und die trigono-
n-ten Wurzel.
metrischen Funktionen miteinander (nach dem
ffiffi  j
schweizerischen Mathematiker Leonhard Euler,
p j
Hauptwert w1 ¼ n
r cos þ j sin 1707––1783). Dabei ist e die Eulersche Zahl (vgl.
n n
Abschnitt I.8).

Stellt man die n-ten Wurzeln wk ; k ¼ 1; 2; 3; . . . ; n

ejz ¼ cos z þ j sin z ; z2C
in der Gaußschen Zahlenebene dar, so ergeben sich
24 Mathematik

Setzt man x ¼ j, dann erhält man die sogenannte

j
Exponentialform der komplexen Zahlen.
w2 w1
–1 0 1 z ¼ rðcos j þ j sin jÞ ¼ rejj
w2
2 j
w =1
Dabei ist r der Modul und j das Argument der
w1
0
komplexen Zahl z.
w2 1
j w3 = 1
Für das Produkt und den Quotienten zweier komple-
xer Zahlen z1 ¼ r1  e jj1 und z2 ¼ r2  e jj2 ergibt sich
w3
w3 w1
–1 0 1 z1  z2 ¼ r1  e jj1  r2  e jj2 ¼ r1  r2  e jðj1 þ j2 Þ
w4 = 1
w4 z1 r1 e jj1 r1 jðj1  j2 Þ
¼ ¼ e ðz2 6¼ 0Þ
–j z2 r2 e jj2 r2

Bild I-6 Die n-ten Einheitswurzeln für n ¼ 2, n ¼ 3

& Beispiel für eine komplexe Zahl in verschiedenen Formen:
und n ¼ 4 pffiffiffi !
1 3 pffiffiffi
z¼2 þ j ¼ 1 þ 3 j (algebraische Form)
2 2
Für reelle Zahlen x (die reellen Zahlen sind eine  p p
¼ 2 cos þ j sin
Teilmenge der komplexen Zahlen) gilt ejx ¼ cos x 3 3
(trigonometrische Form)

þ j sin x.
p
¼ 2e j 3 (Exponentialform)

II Gleichungen

1 Gleichungsarten Textgleichung: Den Umfang eines Kreises berechnet

man, indem man das Produkt aus dem Verhältnis
Ein Term ist ein mathematischer Ausdruck, der aus von Umfang eines beliebigen
 Kreises zu seinem
Zahlen, Variablen, Rechenzeichen (mathematischen U
Operationen) und möglicherweise noch anderen ma- Durchmesser ¼ p und dem Kreisradius ðrÞ mit
d
thematischen Symbolen (zum Beispiel Funktions- 2 multipliziert (vgl. Abschnitt III.10).
werten) besteht. Termgleichung : UKreis ¼ 2pr
Will man ausdrücken, daß ein Term T1 zu einem Man unterscheidet drei verschiedene Arten von
anderen Term T2 äquivalent (gleichwertig) ist, so Gleichungen:
schreibt man
1. Identische Gleichungen
2. Bestimmungsgleichungen
Gleichung T1 ¼ T2
3. Funktionsgleichungen
Eine solche Darstellung heißt Gleichung. Die linke Eine identische Gleichung oder Identität ist eine
Seite der Gleichung ist T1 , die rechte Seite der Glei- Gleichung zwischen zwei algebraischen Ausdrücken,
chung ist T2 . die bei Einsetzen beliebiger Zahlenwerte anstelle
Mit Hilfe von Gleichungen lassen sich quantitative der darin aufgeführten Buchstabensymbole erhalten
Beziehungen in Natur und Technik beschreiben. bleibt.
Meist liegen jedoch in der Praxis auftretende Aufga-
ben nicht in Form von Gleichungen zwischen Ter- & Beispiele für identische Gleichungen (Identitäten):
1. aðb þ cÞ ¼ ab þ ac
men vor, sondern sie werden als Textgleichungen
2. ða þ bÞ ðc þ dÞ ¼ ac þ ad þ bc þ bd
mit Worten beschrieben. Daraus muß dann durch 3. ða þ bÞ2 ¼ a2 þ 2ab þ b2
eine bersetzung in die formale Sprache der Mathe- a c ad þ bc
4. þ ¼
matik eine mathematische Beziehung hergestellt b d bd
5. an am ffiffiffi¼ a p
nþm
werden. p ffiffi
ffi p
n n
ffiffiffiffiffi
6. n c d ¼ cd
Die berlegenheit der mathematischen Symbolik 7. loga ðxyÞ ¼ loga x þ loga y
zeigt folgendes Beispiel: 8. ejx ¼ cos x þ j sin x
II Gleichungen 25

Eine Bestimmungsgleichung ist eine Gleichung, in Alle Bestimmungsgleichungen, die nicht algebraisch
der Variable (Unbekannte) auftreten, die durch eine sind, heißen transzendent (deutsch: übersteigend).
Rechnung bestimmt werden sollen. Mit Hilfe zulässi- Sie haben ihren Namen daher, daß sie im allgemei-
ger Rechenoperationen sollen alle Werte der Varia- nen schwieriger aufzulösen sind als die algebrai-
blen aus dem zugrunde liegenden Zahlenbereich be- schen Gleichungen. Sie erfordern Auflösungsmetho-
stimmt werden, für die die Gleichung erfüllt ist. den, die die Mittel der Algebra übersteigen.
Man nennt diese Werte Lösungen oder auch Wur- Beispiele für transzendente Gleichungen sind Expo-
zeln der Gleichung. Alle Lösungen zusammen bil- nentialgleichungen, logarithmische Gleichungen und
den die Lösungsmenge L der Bestimmungsglei- trigonometrische Gleichungen.
chung. Eine Gleichung hat keine, eine oder mehrere Bei den ersten fünf Beispielen handelt es sich um
Lösungen. algebraische Bestimmungsgleichungen, bei den letz-
Eine Bestimmungsgleichung ist also nur für einige ten drei Beispielen um transzendente Gleichungen.
spezielle Werte der Variablen erfüllt. Eine Funktionsgleichung dient dazu, eine Funktion
zu definieren. Eine Funktion beschreibt den Zusam-
& Beispiele für Bestimmungsgleichungen : menhang zwischen verschiedenen veränderlichen
1. x þ 2 ¼ 3 Lösung: x ¼ 1 Größen. Eine Funktionsgleichung enthält in der Re-
Lösungsmenge: L ¼ f1g
2. x þ 2 ¼ x þ 3 Keine Lösung
gel zwei oder mehr Variable, die durch die Glei-
Lösungsmenge: L ¼ fg ¼ ; chung einander zugeordnet werden.
3. 2x þ 1 ¼ x2  2 Lösungen: x ¼ 3 und x ¼ 1 Funktionen werden ausführlich im Abschnitt V be-
Lösungsmenge: L ¼ f1; 3g handelt.
4. 5x2  5 ¼ x3  x Lösungen: x ¼ 5; x ¼ 1 und x ¼ 1
Lösungsmenge: L ¼ f1; 1; 5g & Beispiele für Funktionsgleichungen:
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
5. 11  x þ 3 ¼ 6 Lösung: x ¼ 22 1. y ¼ 2x þ 1
Lösungsmenge: L ¼ f22g 2. y ¼ x2 þ x  5
pffiffiffi
6. 3x ¼ 4x  2  2x Lösung: 3. y ¼ 2x2  x  3 x þ 4
4 log 2 4. y ¼ sin x
x¼ 2;826 780 5. y ¼ 2x  5x þ 1
3 log 2  log 3 
4 log 2
Lösungsmenge: L ¼
3 log 2  log3
7. lg ð6x þ 10Þ Lösung: x ¼ 10 2 quivalente Umformungen
 lg ðx  3Þ ¼ 1 Lösungsmenge: L ¼ f10g
8. sin 2 x  1 ¼ 0;5 Lösung: x ¼ 45 þ k  180 ; k 2 Z Oft ist es möglich, eine gegebene Gleichung durch
Lösungsmenge: zulässige Rechenoperationen in eine Gleichung zu
L ¼ fx j x ¼ 45 þ k  180 ; k 2 Zg überführen, die die gleiche Lösungsmenge wie die
Ausgangsgleichung besitzt, aber einfacher zu lösen
Die Bestimmungsgleichungen werden unterteilt in ist. Eine solche Umformung heißt äquivalent. Man
die algebraischen Gleichungen und in die transzen- nennt auch die beiden Gleichungen äquivalent
denten Gleichungen. (gleichwertig).
In einer algebraischen Gleichung werden mit der oder Bei den zulässigen Rechenoperationen ist darauf zu
den Variablen nur algebraische Rechenoperationen achten, daß sie gleichzeitig auf beiden Seiten einer
vorgenommen; sie werden addiert, subtrahiert, multi- Gleichung durchgeführt werden, zum Beispiel die
pliziert, dividiert, potenziert oder radiziert. Sowohl Addition einer Konstanten oder die Multiplikation
die auftretenden Zahlen (Koeffizienten genannt) als mit einer Konstanten.
auch die Lösungen können aber transzendente Zahlen
Grundregeln für äquivalente Umformungen:
sein. Jede algebraische Gleichung mit genau einer
Variablen x läßt sich in der allgemeinen Form Addition einer Zahl (hier a) auf beiden Seiten einer
Gleichung
an xn þ an  1 xn  1 þ an  2 xn2 þ ::: þ a1 x þ a0 ¼ 0
xa¼b jþa
x¼ bþa
schreiben. Die Zahlen an ; an  1 ; an  2 ; . . . ; a1 ; a0 hei-
ßen Koeffizienten (Beizahlen) der Gleichung. Sie Subtraktion einer Zahl (hier a) von beiden Seiten
stehen für beliebige reelle oder komplexe Zahlen. einer Gleichung
Ist xn die höchste auftretende Potenz der Variablen
x, so heißt die Gleichung vom Grad n. xþa¼b ja
Algebraische Gleichungen vom Grad 1 heißen auch x¼ ba
lineare Gleichungen, Gleichungen vom Grad 2 qua-
dratische Gleichungen und Gleichungen vom Grad 3 Multiplikation beider Seiten einer Gleichung mit der
kubische Gleichungen. gleichen Zahl (hier mit a); Bedingung: a 6¼ 0
Der sogenannte Fundamentalsatz der Algebra sagt
x
aus, daß jede algebraische Gleichung n-ten Grades ¼b ja
genau n (reelle oder komplexe) Lösungen (Wur- a
x ¼ba
zeln) besitzt.
26 Mathematik

Division beider Seiten einer Gleichung durch die man die sogenannte Normalform der linearen Glei-
gleiche Zahl (hier durch a); Bedingung: a 6¼ 0 chung.

ax ¼ b j : a b b
xþ ¼ x þ c ¼ 0; c¼
b a a
x¼
a
Die Lösung der linearen Gleichung ist x ¼ c
b
& Beispiele:
¼  . Für die Lösungsmenge gilt also: L ¼ fcg
 a
1. 5x  6 ¼ 29 j þ 6 (Addition auf beiden Seiten) b
5x ¼ 35 j : 5 (Division auf beiden Seiten) ¼  .
a
x¼7
Alle Gleichungen sind äquivalent mit der Lösungsmenge Allgemeines Verfahren zur Bestimmung der Lösung:
L ¼ f7g. Man „beseitigt“ zunächst alle Klammern und Brü-
2. 5x  20 ¼ 60  11x j þ 11x (Addition auf beiden Seiten) che und ordnet dann die Glieder so, daß alle Glie-
16x  20 ¼ 60 j þ 20 (Addition auf beiden Seiten)
der mit der Variablen x links vom Gleichheitszei-
16x ¼ 80 j : 16 (Division auf beiden Seiten)
x¼5 chen und alle anderen rechts davon stehen:
Alle vier Gleichungen sind äquivalent mit der Lösungsmenge aðbx þ cÞ ¼ dðex þ f Þ
L ¼ f5g.
abx þ ac ¼ dex þ df
2 1 1
3.  ¼ ðx 6¼ 0; 1; 2Þ j  xðx  1Þ ðx þ 2Þ abx  dex ¼ df  ac
x x1 xþ2
2ðx  1Þ ðx þ 2Þ  xðx þ 2Þ ¼ xðx  1Þ (Hauptnenner) xðab  deÞ ¼ df  ac
2ðx2 þ x  2Þ  ðx2 þ 2xÞ ¼ x2  x
df  ac
x2  4 ¼ x2  x j  x2 þ x x¼
x4¼ 0 jþ4 ab  de
x¼4 (ab 6¼ de ist Bedingung, denn durch 0 darf nicht di-
Alle Gleichungen sind äquivalent mit der Lösungsmenge
vidiert werden.)
L ¼ f4g.
4. 4x2  x þ 3 ¼ 6x2 þ x  1 j  ð4x2  x þ 3Þ & Beispiel:
0 ¼ 6x2 þ x  1  4x2 þ x  3 3ðx þ 2Þ ¼ 5ð2x þ 9Þ
0 ¼ 2x2 þ 2x  4 j:2 3x þ 6 ¼ 10x þ 45
0 ¼ x2 þ x  2 j Vertauschen der Seiten 3x þ 10x ¼ 45  6
x þx2¼0
2 13x ¼ 39
Berechnen der Lösungen der quadratischen Gleichung: x¼3
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Probe:
1 1 1 3
x1; 2 ¼   þ 2 ¼   ) x1 ¼ 1; x2 ¼ 2 3ð3 þ 2Þ ¼ 5ð6 þ 9Þ
2 4 2 2
35 ¼53
Alle Gleichungen sind äquivalent mit der Lösungsmenge
15 ¼ 15
L ¼ f1; 2g.
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
5. xþ8¼ xþ2 | Quadrieren Grundsätzlich sollte eine Probe durchgeführt wer-
x þ 8 ¼ ðx þ 2Þ2 | Klammer „beseitigen“
den. Dabei ist jede Seite der Gleichung einzeln aus-
x þ 8 ¼ x þ 4x þ 4 j  ðx þ 8Þ
2

0 ¼ x þ 3x  4 | Vertauschen der Seiten

2 zurechnen. Der berechnete Wert für x sollte stets in
x2 þ 3x  4 ¼ 0 die Ausgangsgleichung eingesetzt werden.
Berechnen der Lösungen der quadratischen Gleichung:
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Fehlerwarnung: Nach Einsetzen der Lösung sollen
3 9 3 5 nicht die gleichen Umformungen wie bei der Haupt-
x1; 2 ¼   þ 4 ¼   ) x1 ¼ 1; x2 ¼ 4
2 4 2 2 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
x1 ¼ 1 erfüllt die Ausgangsgleichung wegen 1 þ 8 ¼ 1 þ 2,
rechnung vorgenommen werden, da sonst leicht ein
dagegen ist x2 ¼ 4 keine Lösung der Ausgangsgleichung, möglicher Fehler wiederholt werden kann.
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
denn es ist 4 þ 8 6¼ 4 þ 2:
Somit: Das Quadrieren ist keine äquivalente Umformung! 4 Proportionen
Eine Sonderstellung unter den linearen Gleichungen
mit einer Variablen nehmen die Proportionen wegen
3 Lineare Gleichungen ihrer vielseitigen Anwendbarkeit ein.
Eine lineare Gleichung oder Gleichung ersten Gra- Eine Proportion ist eine Verhältnisgleichung
des ist eine algebraische Gleichung, in der die Va-
a:b¼c:x
riable x in keiner höheren als der ersten Potenz vor-
kommt. oder mit x ¼ d
Jede lineare Gleichung läßt sich durch äquivalente
Umformungen überführen in die äquivalente Glei- a:b¼c:d
chung
und in Bruchschreibweise
ax þ b ¼ 0 ; a 6¼ 0 a c
¼
b d
Diese Gleichung heißt allgemeine Form der linea-
ren Gleichung. Durch Division durch a 6¼ 0 erhält (gesprochen: a verhält sich zu b wie c zu d).
II Gleichungen 27

Treten in einer Proportion gleiche Innenglieder oder 4. 5x : ð4  xÞ ¼ 30 : 9 In Bruchschreibweise:

5x 30 1
gleiche Außenglieder auf, so heißt die Proportion ¼ Addition von des Zählers zum Nen-
4x 9 5
stetig. Im Fall gleicher Innenglieder, also a : b ¼ b : c; ner (korrespondierende Addition) :
nennt man b mittlere Proportionale. 5x
¼
30
Vereinfachen:
Sind von den Gliedern einer Proportion drei be- 5x 30
4xþ 9þ
5 5
kannt, dann läßt sich die vierte Proportionale be- 5x 30 4
¼ ð¼ 2Þ Multiplikation mit :
rechnen. Sind zum Beispiel a; b; c bekannt und d 4 15 5
bc 8
gesucht, so gilt d ¼ : x¼
a 5
8
& Beispiele: Die Lösung ist x ¼ .
5
1. Welche Kraft F dehnt eine Feder um 4 cm, wenn die Kraft
Probe:
3 N (Newton) eine Dehnung um 2 cm bewirkt? 8
Ansatz (Hookesches Gesetz): F : 4 cm ¼ 3 N : 2 cm 5
5 ¼ 30 , 8 ¼ 10 , 8  5 ¼ 10 , 10 ¼ 10
4 cm  3 N 8 9 2 3 12 3 3 3
Auflösung nach F : F ¼ ¼ 6N 4 2
2 cm 5 5
Antwort: Die Kraft 6 N bewirkt die Dehnung um 4 cm.
1
2. Wie weit kommt ein Flugzeug in 2 Stunden, wenn es
2
10 km in 45 s zurücklegt? 5 Quadratische Gleichungen
Ansatz (Bewegung mit konstanter Geschwindigkeit):
x : 9000 s ¼ 10 km : 45 s 5.1 Definitionen
9000 s  10 km
Auflösung nach x: x ¼ ¼ 2000 km Eine quadratische Gleichung oder Gleichung zwei-
45 s
Antwort: Das Flugzeug fliegt 2000 km weit. ten Grades ist eine algebraische Gleichung, in der
die Variable x in keiner höheren als der zweiten Po-
Die Proportion a : b ¼ c : d läßt sich verschieden tenz vorkommt.
umformen. quivalente Formen sind Jede quadratische Gleichung läßt sich durch äquiva-
lente Umformungen überführen in die Gleichung
d:c ¼b:a
a:c ¼b:d
d:b¼c:a Allgemeine Form ax2 þ bx þ c ¼ 0 ; a 6¼ 0
b:a¼d:c
ad ¼bc Diese Gleichung heißt allgemeine Form der quadra-
tischen Gleichung.
Durch Division durch a 6¼ 0 erhält man die soge-
Aus der Proportion a : b ¼ c : d lassen sich weitere
nannte
 Normalform der quadratischen Gleichung
Proportionen ableiten, etwa durch Addition oder b c
Subtraktion von 1 auf beiden Seiten. Man nennt ein mit p ¼ ; q ¼ .
a a
solches Umformen der Proportion korrespondieren-
de Addition oder korrespondierende Subtraktion
Normalform x2 þ px þ q ¼ 0
(Bedingung in allen Fällen: Nenner ungleich 0).

aþb cþd a c
¼ ¼
b d aþb cþd 5.2 Lösungsverfahren
ab cd a c
¼ ¼ 5.2.1 Sonderfälle
b d ab cd
Ist q ¼ 0, also x2 þ px ¼ 0, dann erhält man durch
Dies sind Sonderfälle des allgemeinen Gesetzes der Ausklammern von x die Produktform xðx þ pÞ ¼ 0.
korrespondierenden Addition und Subtraktion. Aus Da ein Produkt genau dann gleich 0 ist, wenn min-
a : b ¼ c : d folgt für beliebige reelle Zahlen p; q; destens einer der Faktoren gleich 0 ist, ergeben sich
r; s (r und s dürfen nicht gleichzeitig 0 sein) daraus die Lösungen x1 ¼ 0; x2 ¼ p.

pa þ qb pc þ qd Gleichung: x2 þ px ¼ 0
¼ Sonderfall q ¼ 0 ::
ra þ sb rc þ sd Losungen : x1 ¼ 0; x2 ¼ p

Fehlerwarnung: Man darf nicht durch x dividieren.

& Beispiele:
Division durch 0 ist verboten. Die Lösung x ¼ 0
5 5þx
3. ¼ Nenner vom Zähler subtrahieren ginge sonst verloren.
4 x
(korrespondierende Subtraktion):
..
& Beispiel: x2  5x ¼ 0 ) Losungen: x1 ¼ 0; x2 ¼ 5
54 5þxx
¼ Vereinfachen:
4 x
1 5 Ist p ¼ 0, also x2 þ q ¼ 0, dann liegt eine soge-
¼ Nach x auflösen (Multiplikation der
4 x nannte rein quadratische Gleichung vor. Durch Sub-
Gleichung mit 4x):
x ¼ 20 traktion von q auf beiden Seiten der Gleichung, also
Die Lösung ist x ¼ 20, wie die Probe bestätigt. x2 ¼ q, und anschließendes Radizieren erhält man
28 Mathematik

pffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffi
die Lösungen x1 ¼ þ q; x2 ¼  q. Daraus ergibt sich
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
p p2 p p2
Gleichung: x2 þ q ¼ 0 x1 ¼  þ  q; x2 ¼   q
:: pffiffiffiffiffiffiffi 2 4 2 4
Sonderfall p ¼ 0 Losungen : x1 ¼ þ q;
pffiffiffiffiffiffiffi
x2 ¼  q
Gleichung:x2 þ px þ q ¼ 0
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Für q < 0 ergeben sich zwei reelle Lösungen, für q ¼ 0 .. p p2
Losungen: x1 ¼  þ  q;
die (doppelt zu zählende) Lösung x ¼ 0, für q > 0 2 4
pffiffiffi Normalform sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
zwei rein imaginäre Lösungen, und zwar x1 ¼ j q;
pffiffiffi p p2
x2 ¼ j q (x1 und x2 sind konjugiert komplex). x2 ¼   q
2 4
& Beispiele:
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1. x2  9 ¼ 0
p p2
q ¼ 9 < 0 ) zwei reelle Lösungen: x1 ¼ 3; x2 ¼ 3 Die Gleichung x1; 2 ¼    q für die Lö-
2. x2 þ 16 ¼ 0 2 4
q ¼ 16 > 0 ) zwei imaginäre Lösungen: x1 ¼ 4j; x2 ¼ 4j sungen nennt man auch ðp; qÞ-Formel.
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Für die Sonderfälle c ¼ 0 und b ¼ 0 der allgemeinen p p2
Form der quadratischen Gleichung ergeben sich die ðp; qÞ-Formel x1; 2 ¼   q
2 4
Lösungen ganz analog.
& Beispiele:
Gleichung: ax2 þ bx ¼ 0
1. (ausführlich)
Sonderfall c ¼ 0 :: b
Losungen : x1 ¼ 0; x2 ¼  x2 þ 12x þ 35 ¼ 0
a x2 þ 12x ¼ 35
x2 þ 12x þ 62 ¼ 35 þ 62
ðx þ 6Þ2 ¼ 1
x þ 6 ¼ 1
Gleichung: ax2 þ c ¼ 0
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi x ¼ 6  1
:: c Lösungen: x1 ¼ 6 þ 1 ¼ 5; x2 ¼ 6  1 ¼ 7
Losungen : x1 ¼ þ  ;
Sonderfall b ¼ 0 a
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Es sind zwei Proben durchzuführen!
2. (mit ðp; qÞ-Formel)
c
x2 ¼   25x2 þ 13 ¼ 70x
a Sortieren und Dividieren durch 25 zum Beschaffen der Nor-
malform:
14 13 14 13
x2  xþ ¼0)p¼ und q ¼ .
5 25 5 25
5.2.2 Normalform Einsetzen in die ðp; qÞ-Formel ergibt die Lösungen:
sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
2 rffiffiffiffiffiffiffi
Die Lösungen der Normalform x2 þ px þ q ¼ 0 der 7 7 13 7 36 7 6 13
x1 ¼ þ  ¼ þ ¼ þ ¼ ,
quadratischen Gleichung bestimmt man mit der Me- 5 5 25 5 25 5 5 5
thode der „quadratischen Ergänzung“. Zunächst x2 ¼
7

6
¼
1
bringt man q auf die rechte Seite der Gleichung, das 5 5 5
Es sind zwei Proben durchzuführen!
heißt, von beiden Seiten der Gleichung wird q subtra-
hiert. Auf beiden Seiten
 p 2addiert man dann die quadra- Den Radikanden in der ðp; qÞ-Formel nennt man
tische Ergänzung des Terms x2 þ px. Damit die Diskriminante D der Normalform der quadrati-
2
wird die linke Seite der Gleichung zu einem „voll- schen Gleichung.
ständigen Quadrat“ (binomische Formel). Durch Ra-
p p2
dizieren und anschließender Subtraktion von erge-
2 Diskriminante der Normalform D¼ q
4
ben sich dann die Lösungen x1 und x2 der Gleichung.
Bestimmung der Lösungen:
Die Lösungen der Normalform lassen sich auch mit
x2 þ px þ q ¼0 Hilfe der Diskriminante schreiben.
x2 þ px ¼ q
 p 2  p 2
x2 þ px þ ¼ q Gleichung: x2 þ px þ q ¼ 0
2 2 .. p pffiffiffiffi
 p 2  p 2 Losungen: x1; 2 ¼   D;
xþ ¼ q Normalform 2
2 2 p2
 p 2 p 2 D¼ q
xþ ¼ q 4
2 4rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
p p2
xþ ¼ q Der Wert der Diskriminante D bestimmt die Anzahl
2 4 sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
der reellen Lösungen der quadratischen Gleichung.
p p2 Für D > 0 existieren zwei reelle Lösungen x1 und
x ¼  q
2 4 x2 , für D ¼ 0 gibt es eine reelle Lösung (Doppel-
II Gleichungen 29

lösung x1 ¼ x2 ), für D < 0 hat die quadratische Glei- Allgemeine Form:

chung keine reelle Lösung, es existieren zwei kom-
plexe Lösungen x1 und x2 (x1 und x2 sind konjugiert Gleichung: ax2 þ bx þ c ¼ 0; a 6¼ 0
komplex zueinander). .. 1  pffiffiffiffi 
 ;
Losungen: x1; 2 ¼ b  D
& Beispiele: 2a
3. 2x2  10x þ 12 ¼ 0 ðallgemeineFormÞ

D ¼ b  4ac
2

x2  5x þ 6 ¼ 0 ðNormalformÞ
p ¼ 5; q ¼ 6 ) D ¼
p2
q ¼
25
6¼
1
Auch hier bestimmt der Wert der Diskriminante D 
4 4 4
D > 0 ) zwei reelle Lösungen die Anzahl der reellen Lösungen der quadratischen
Lösungen: rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi rffiffiffiffiffi Gleichung.
x1; 2 ¼ 
p

p2
q ¼
p pffiffiffiffi
 D¼
5

1 Für D  > 0 gibt es zwei reelle Lösungen x1 und
2 4 2 2 4
x2 , für D ¼ 0 gibt es eine reelle Doppellösung
5 1 5 1 5 1
¼
2
 ) x1 ¼ þ ¼ 3; x2 ¼  ¼ 2
2 2 2 2 2
 < 0 gibt es keine reelle Lösung,
(x1 ¼ x2 ), und für D
4. 9x2 þ 18x  9 ¼ 0 ðallgemeine FormÞ sondern zwei konjugiert komplexe Lösungen x1
x2  2x þ 1 ¼ 0 ðNormalformÞ und x2 .
p2 4
p ¼ 2; q ¼ 1 ) D ¼ q ¼ 1¼ 0
4 4 & Beispiel:
D ¼ 0 ) Doppellösung x1 ¼ x2 2. 3x2  18x þ 42 ¼ 0
2 a ¼ 3; b ¼ 18; c ¼ 42 ) D ¼ ð18Þ2  4  3  42
Lösung: x1 ¼ x2 ¼  ¼1
2 ¼ 324  504 ¼ 180 < 0
5. 3x2  36x þ 120 ¼ 0 (allgemeine Form)  < 0 ) zwei konjugiert komplexe Lösungen
D
x2  12x þ 40 ¼ 0 (Normalform)
p2 ð12Þ2 Lösungen:
p ¼ 12; q ¼ 40 ) D ¼ q¼  40 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffi
4 4 1 1
144 16 x1; 2 ¼ ð18  180 Þ ¼ ð18  36  ð5Þ Þ ¼ 3  5
¼  40 ¼  ¼ 4 6
pffiffiffi
6
pffiffiffi
4 4
D < 0 ) zwei konjugiert komplexe Lösungen ) x1 ¼ 3 þ 5 j; x2 ¼ 3  5 j
12 pffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffi
Lösungen: x1; 2 ¼   4 ¼ 6  4
pffiffiffiffiffiffiffi 2 5.2.4 Zerlegung in Linearfaktoren
¼ 6  2 1 ¼ 6  2j ) x1 ¼ 6 þ 2j; x2 ¼ 6  2j
Sind x1 und x2 die (nicht unbedingt verschiedenen)
Lösungen der quadratischen Gleichung ax2 þ bx
5.2.3 Allgemeine Form
þ c ¼ 0; a 6¼ 0, dann kann der quadratische Aus-
Die Lösungen der allgemeinen Form ax2 þ bx þ c druck in Linearfaktoren zerlegt werden.
b c
¼ 0 erhält man durch Setzen von p ¼ ; q ¼ in
a a ax2 þ bx þ c ¼ aðx  x1 Þ ðx  x2 Þ ¼ 0
der ðp; qÞ-Formel.
Allgemeine Form:
Die Faktoren x  x1 und x  x2 heißen linear, weil
Gleichung: ax2 þ bx þ c ¼ 0; a 6¼ 0 die Variable x nur in erster Potenz, also linear auf-
.. 1 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi tritt.
Losungen: x1 ¼ ðb þ b2  4acÞ; Da ein Produkt genau dann gleich 0 ist, wenn min-
2a
1 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi destens einer der Faktoren gleich 0 ist, ergeben sich
x2 ¼ ðb  b2  4acÞ auch hieraus wieder die Lösungen x1 und x2 .
2a
Man nennt aðx  x1 Þ ðx  x2 Þ ¼ 0 auch Produktform
der quadratischen Gleichung.
& Beispiel:
1. 2x2  10x þ 12 ¼ 0 & Beispiele:
a ¼ 2; b ¼ 10; c ¼ 12 1. 2x2  6x ¼ 0
Lösungen: Zerlegung in Linearfaktoren: 2x2  6x ¼ 2xðx  3Þ ¼ 0
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 
1  Lösungen: x1 ¼ 0; x2 ¼ 3
x1 ¼  ð10Þ þ ð10Þ2  4  2  12 2. x2  x  6 ¼ 0
4 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1 1 Zerlegung in Linearfaktoren: x2  x  6 ¼ ðx  3Þ ðx þ 2Þ ¼ 0
¼ ð10 þ 100  96 Þ ¼ ð10 þ 2Þ ¼ 3;
4 4 Lösungen: x1 ¼ 3 (denn x  3 ¼ 0 für x ¼ 3),
1
x2 ¼ ð10  2Þ ¼ 2 x2 ¼ 2 (denn x þ 2 ¼ 0 für x ¼ 2)
4
..
Den Radikanden in der Lösungsformel nennt man 5.3 Satz von Vieta
die Diskriminante D der allgemeinen Form der qua- für quadratische Gleichungen
dratischen Gleichung. Die Produktform der quadratischen Gleichung
x2 þ px þ q ¼ 0 in Normalform lautet
Diskriminante der allgemeinen Form
ðx  x1 Þ ðx  x2 Þ ¼ 0. Ausmultiplizieren und Vergleich
ergibt
 ¼ b2  4ac
D ðx  x1 Þ ðx  x2 Þ ¼ 0
x2  xx2  x1 x þ x1 x2 ¼ 0
Die Lösungen der allgemeinen Form lassen sich x2  ðx1 þ x2 Þ x þ x1 x2 ¼ 0
auch mit Hilfe der Diskriminante schreiben. x2 þ px þ q ¼ 0
30 Mathematik

also die Beziehungen p ¼ ðx1 þ x2 Þ; q ¼ x1 x2 . Der Man nennt dies Produktform der kubischen Glei-
Koeffizient p von x ist somit gleich der negativen Sum- chung oder Zerlegung in Linearfaktoren.
me der beiden Lösungen, das Absolutglied q der qua- Ist t ¼ 0 in der Normalform (für die allgemeine
dratischen Gleichung ist gleich dem Produkt der Lö- Form ist die Methode ganz analog), also x3 þ rx2
sungen. Diese Beziehungen nennt man den Satz von þ sx ¼ 0, dann erhält man durch Ausklammern von
Vie€ta für quadratische Gleichungen (nach dem franzö- x die Gleichung xðx2 þ rx þ sÞ ¼ 0. Neben der reel-
sischen Mathematiker François Vie€ta, 1540––1603). len Lösung x1 ¼ 0 sind die Wurzeln der quadrati-
schen Gleichung x2 þ rx þ s ¼ 0 die weiteren Lösun-
Satz von Vie€ta p ¼ ðx1 þ x2 Þ ; q ¼ x1 x2 gen.
Sonderfall t ¼ 0:
& Beispiele:
1. Die quadratische Gleichung x2  5x þ 6 ¼ 0 mit p ¼ 5;
q ¼ 6 hat die Lösungen x1 ¼ 3; x2 ¼ 2. Es gilt: Gleichung: x3 þ rx2 þ sx ¼ 0
p ¼ 5 ¼ ð3 þ 2Þ ¼ ðx1 þ x2 Þ; q ¼ 6 ¼ 3  2 ¼ x1 x2 rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
2. Die quadratische Gleichung x2  12x þ 40 ¼ 0 mit p ¼ 12; .. r r2
Losungen: x1 ¼ 0; x2 ¼  þ  s;
q ¼ 40 hat die Lösungen x1 ¼ 6 þ 2j; x2 ¼ 6  2j (siehe 2 4
oben). Es gilt: rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
p ¼ 12 ¼ ð6 þ 2j þ 6  2jÞ ¼ ðx1 þ x2 Þ; r r2
x3 ¼   s
q ¼ 40 ¼ 36 þ 4 ¼ 36  4j2 ¼ ð6 þ 2jÞ ð6  2jÞ ¼ x1 x2 2 4
3. Welche quadratische Gleichung hat die Lösungen x1 ¼ 5 und
x2 ¼ 3?
Nach dem Satz von Vi€eta folgt: Fehlerwarnung: Durch Division durch x geht die Lö-
p ¼ ðx1 þ x2 Þ ¼ ð5  3Þ ¼ 2; q ¼ x1 x2 ¼ 5  ð3Þ ¼ 15 sung x ¼ 0 verloren!
Antwort: Die Normalform der gesuchten quadratischen Glei-
chung ist
x2  2x  15 ¼ 0 & Beispiel:
1. x3  x2  2x ¼ 0
Hinweis: Der Satz von Vie€ta läßt sich auch für die Ausklammern von x: xðx2  x  2Þ ¼ 0
Probe anwenden! Erste Lösung: x1 ¼ 0
Die quadratische Gleichung x2  x  2 ¼ 0 hat die Lösungen
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1 1 1 3
6 Algebraische Gleichungen x2; 3 ¼    ð2Þ ¼  ;
2 4 2 2
höheren Grades also x2 ¼ 2; x3 ¼ 1
Lösungen der kubischen Gleichung x3  x2  2x ¼ 0 somit:
6.1 Kubische Gleichungen x1 ¼ 0; x2 ¼ 2; x3 ¼ 1

Die allgemeine Form einer kubischen Gleichung lautet

Ist eine Lösung x1 von x3 þ rx2 þ sx þ t ¼ 0 be-
Allgemeine Form ax þ bx þ cx þ d ¼ 0 ; a 6¼ 0
3 2 kannt, dann läßt sich die kubische Gleichung durch
Abspalten des Faktors x  x1 reduzieren (auch diese
Die Normalform erhält man aus der allgemeinen Methode läßt sich für die allgemeine Form anwen-
Form durch Division durch a 6¼ 0 und Setzen von den).
b c d
¼ r; ¼ s; ¼ t.
a a a x3 þ rx2 þ sx þ t ¼ ðx  x1 Þ ðx2 þ ux þ vÞ ¼ 0

Normalform x3 þ rx2 þ sx þ t ¼ 0
Dividiert man die linke Seite x3 þ rx2 þ sx þ t der
Dabei sind a; b; c; d und somit auch r; s; t reelle kubischen Gleichung durch x  x1 , so erhält man
(oder komplexe) Koeffizienten. einen quadratischen Term x2 þ ux þ v. Die Wurzeln
„Kubisch“ bedeutet, daß die Variable x in keiner von x2 þ ux þ v ¼ 0 sind auch Lösungen der kubi-
höheren als der dritten Potenz vorkommt. Deshalb schen Gleichung.
nennt man kubische Gleichungen auch Gleichungen Diese Methode heißt Reduktionsmethode, und die
dritten Grades. dabei durchgeführte Division nennt man Polynom-
Mit Hilfe der sogenannten Cardanischen Formel las- division (vgl. auch nächsten Abschnitt).
sen sich die Lösungen exakt berechnen. Es gibt ent- Lösung x1 bekannt:
weder drei reelle Lösungen oder eine reelle Lösung
und zwei konjugiert komplexe Lösungen. Gleichung: x3 þ rx2 þ sx þ t
In Spezialfällen führen oftmals einfachere Methoden ¼ ðx  x1 Þ ðx2 þ ux þ vÞ ¼ 0
zum Ziel. rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Sind x1 ; x2 ; x3 die Lösungen der kubischen Glei- .. u u2
Losungen: x1 ; x2 ¼  þ  v;
chung ax3 þ bx2 þ cx þ d ¼ 0, dann gilt 2 4
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
u u2
ax3 þ bx2 þ cxþ d ¼ aðx x1 Þ ðx x2 Þðx x3 Þ ¼ 0 x3 ¼   v
2 4
II Gleichungen 31

& Beispiele: dieren von Dezimalzahlen. Dabei wird zuerst die

2. x3  6x2  x þ 6 ¼ 0
Eine Lösung dieser kubischen Gleichung ist x1 ¼ 1 (erhält
höchste Potenz von x des Dividenden durch die
man durch Probieren). höchste Potenz von x des Divisors geteilt.
Division von x3  6x2  x þ 6 durch x  1: Ist der Quotient der Polynomdivision wieder ein Po-
ðx3  6x2  x þ 6Þ : ðx  1Þ ¼ x2  5x  6 Pn ðxÞ
 ðx3  x2 Þ
lynom, gilt also ¼ Pk ðxÞ mit einem Polynom
Pm ðxÞ
 5x2  x Pk ðxÞ, dann heißt Pm ðxÞ Faktor des Polynoms Pn ðxÞ
 ð 5x2 þ 5xÞ
 6x þ 6
oder genauer Faktor m-ten Grades (und Pk ðxÞ ist
ð 6x þ 6Þ ein Faktor k-ten Grades von Pn ðxÞ).
0 Für m ¼ 1 heißt Pm ðxÞ linearer Faktor, für m ¼ 2
Die Lösungen der quadratischen Gleichung x2  5x  6 ¼ 0 quadratischer Faktor und für m ¼ 3 kubischer Fak-
sind x2 ¼ 6; x3 ¼ 1.
tor von Pn ðxÞ.
Lösungen der kubischen Gleichung x3  6x2  x þ 6 ¼ 0 so-
mit: & Beispiele zur Polynomdivision:
x1 ¼ 1; x2 ¼ 6; x3 ¼ 1 1. P3 ðxÞ ¼ x3  6x2  x þ 6 ¼ 0; P1 ðxÞ ¼ x  1
3. 4x3  12x2 þ 11x  3 ¼ 0 ðx3  6x2  x þ 6Þ : ðx  1Þ ¼ x2  5x  6
Eine Lösung dieser Gleichung ist x1 ¼ 1 (Probieren!). ðx3  x2 Þ
Division von 4x3  12x2 þ 11x  3 durch x  1:  5x2  x
ð4x3  12x2 þ 11x  3Þ : ðx  1Þ ¼ 4x2  8x þ 3 ð 5x2 þ 5xÞ
ð4x3  4x2 Þ  6x þ 6
 8x2 þ 11x ð 6x þ 6Þ
ð 8x2 þ 8xÞ 0
3x  3 Es gilt somit:
ð 3x  3Þ P3 ðxÞ x3  6x2  x þ 6
¼ ¼ x2  5x  6 ¼ P2 ðxÞ
0 P1 ðxÞ x1
Die Lösungen der quadratischen Gleichung 4x2  8x þ 3 ¼ 0 P1 ðxÞ ¼ x  1 ist also ein linearer Faktor und P2 ðxÞ ¼ x2
3 1 5x  6 ein quadratischer Faktor von P3 ðxÞ ¼ x3  6x2  x þ 6.
sind x2 ¼ ; x3 ¼ .
2 2 2. P3 ðxÞ ¼ 4x3  12x2 þ 11x  3; P1 ðxÞ ¼ x  1
Lösungen der kubischen Gleichung x3  6x2  x þ 6 ¼ 0 so-
mit: ð4x3  12x2 þ 11x  3Þ : ðx  1Þ ¼ 4x2  8x þ 3
3
x1 ¼ 1; x2 ¼ ; x3 ¼
1 ð4x3  4x2 Þ
2 2  8x2 þ 11x
ð 8x2 þ 8xÞ
6.2 Polynomdivision 3x  3
ð 3x  3Þ
Ein Ausdruck der folgenden Form mit a0 ; a1 ; 0
a2 ; . . . ; an  1 ; an 2 R; an 6¼ 0; n 2 N* heißt Polynom Es gilt P3 ðxÞ ¼ 4x3  12x2 þ 11x  3 ¼ ðx  1Þ ð4x2  8x þ 3Þ
in x. ¼ P1 ðxÞ  P2 ðxÞ.
P1 ðxÞ ¼ x  1 ist ein linearer Faktor, P2 ðxÞ ¼ 4x2  8x þ 3 ist
Polynom ein quadratischer Faktor von P3 ðxÞ ¼ 4x3  12x2 þ 11x  3.
3. P4 ðxÞ ¼ 3x4  10x3 þ 22x2  24x þ 10; P2 ðxÞ ¼ x2  2x þ 3
Pn ðxÞ ¼ an xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x þ a0 ð3x4  10x3 þ 22x2  24x þ 10Þ : ðx2  2x þ 3Þ ¼ 3x2  4x þ 5
ð3x4  6x3 þ 9x2 Þ
Pn
¼ ak xk  4x3 þ 13x2  24x
k¼0 ð 4x3 þ 8x2  12xÞ
5x2  12x þ 10
ð 5x2  10x þ 15Þ
Das x in Klammern hinter Pn weist darauf hin, daß  2x  5
x die Variable ist. Die Koeffizienten a0 ; a1 ; a2 ; Es gilt somit:
. . . ; an  1 ; an dürfen dabei beliebige reelle (oder ð3x  10x þ 22x  24x þ 10Þ : ðx2  2x þ 3Þ
4 3 2
2x  5
auch komplexe) Zahlen sein. ¼ 3x2  4x þ 5 þ 2
x  2x þ 3
Ein Polynom ist also die linke Seite der allgemeinen Also ist P2 ðxÞ ¼ x2  2x þ 3 kein Faktor von P4 ðxÞ ¼ 3x4
Form einer algebraischen Gleichung. 10x3 þ 22x2  24x þ 10:

Ist dabei xn die höchste auftretende Potenz der Va- Eine Zahl x0 heißt Nullstelle des Polynoms Pn ðxÞ,
riablen x, so hat das Polynom den Grad n. wenn Pn ðx0 Þ ¼ 0 gilt. Das Polynom Pn ðxÞ läßt sich
Zwei Polynome sind gleich, wenn sie vom gleichen dann durch x  x0 dividieren, x  x0 ist also ein linearer
Grad sind und die entsprechenden Koeffizienten Faktor von Pn ðxÞ. Es gibt dann ein Polynom ðn  1Þ-
übereinstimmen. ten Grades Pn  1 ðxÞ mit Pn ðxÞ ¼ ðx  x0 Þ  Pn  1 ðxÞ.
& Beispiele für Polynome: Findet man eine Zerlegung Pn ðxÞ ¼ ðx  x0 Þm  Pk ðxÞ;
1. x3  6x2  x þ 6 (Polynom vom Grad 3) wobei Pk ðxÞ ein Polynom mit Pk ðx0 Þ ¼ 6 0 ist, dann
2. x  1 (Polynom vom Grad 1) heißt x0 eine m-fache Nullstelle von Pn ðxÞ, oder m
1 4
3. x5  x þ 2x  3 (Polynom vom Grad 5) heißt Vielfachheit der Nullstelle x0.
3
1
4. 0;34x9  24;3x6 þ 22x5  x4 þ 11 (Polynom vom Grad 9)
3
5. x27 þ 3 (Polynom vom Grad 27) Pn ðxÞ ¼ ðx  x0 Þm  Pk ðxÞ

Die Division zweier Polynome Pn ðxÞ und Pm ðxÞ mit Ist x0 eine reelle Zahl, dann nennt man x0 eine re-
n  m verläuft ganz analog dem schriftlichen Divi- elle Nullstelle des Polynoms.
32
& Beispiele:
1. P3 ðxÞ ¼ x3  3x2 þ x  3 ¼ ðx  3Þ ðx2 þ 1Þ ¼ ðx  3Þ P2 ðxÞ
Wegen P2 ð3Þ ¼6 0 ist x0 ¼ 3 eine einfache Nullstelle des Poly-
noms P3 ðxÞ ¼ x3  3x2 þ x  3:
2. P3 ðxÞ ¼ x  3x2 þ 3x  1 ¼ ðx  1Þ3
3
Somit ist x0 ¼ 1 eine dreifache Nullstelle des Polynoms
P3 ðxÞ ¼ x3  3x2 þ 3x  1:
3. P3 ðxÞ ¼ x3  3x þ 2 ¼ ðx  1Þ2 ðx þ 2Þ
Es ist also x0 ¼ 1 eine doppelte Nullstelle und x1 ¼ 2 eine
einfache Nullstelle von P3 ðxÞ ¼ x3  3x þ 2:
6.3 Gleichungen vierten Grades
Die allgemeine Form einer Gleichung vierten Gra-
des lautet
ax4 þ bx3 þ cx2 þ dx þ e ¼ 0 ;
Allgemeine Form
a 6¼ 0
Die Normalform erhält man aus der allgemeinen
Form durch Division durch a 6¼ 0 und Setzen von
b c d e
¼ r; ¼ s; ¼ t; ¼ u.
a a a a
Normalform x4 þ rx3 þ sx2 þ tx þ u ¼ 0
Dabei sind a; b; c; d; e und somit auch r; s; t; u re-
elle (oder komplexe) Koeffizienten.
Auch für die Gleichungen vierten Grades existiert
eine allgemeine Lösungsformel. Diese ist aber noch
wesentlich komplizierter als die für die kubischen
Gleichungen und wird deshalb hier weggelassen.
Eine Gleichung vierten Grades muß nicht unbedingt
eine reelle Lösung besitzen. Im Bereich der komple-
xen Zahlen gibt es jedoch vier Lösungen. Dabei
können Doppellösungen vorkommen. Komplexe Lö-
sungen treten paarweise als konjugiert komplexe
Zahlen auf.
In Spezialfällen führen manchmal einfachere Metho-
den zum Ziel.
Sind x1 ; x2 ; x3 ; x4 die Lösungen der Gleichung vier-
ten Grades ax4 þ bx3 þ cx2 þ dx þ e ¼ 0, dann gilt
ax4 þ bx3 þ cx2 þ dx þ e
¼ aðx  x1 Þ ðx  x2 Þ ðx  x3 Þ ðx  x4 Þ ¼ 0
Man nennt dies wieder Produktform oder Zerlegung
in Linearfaktoren.
Ist u ¼ 0 in der Normalform (für die allgemeine
Form ist die Methode analog), also x4 þ rx3 þ sx2
þ tx ¼ 0, dann erhält man durch Ausklammern von
x die Gleichung xðx3 þ rx2 þ sx þ tÞ ¼ 0. Eine Lö-
sung ist x1 ¼ 0, die weiteren Lösungen sind die
Wurzeln der kubischen Gleichung x3 þ rx2 þ sx þ t
¼ 0.
&
Beispiel:
1. x4  6x3  x2 þ 6x ¼ 0
Ausklammern von x: xðx3  6x2  x þ 6Þ ¼ 0
Erste Lösung: x1 ¼ 0
Die kubische Gleichung x3  6x2  x þ 6 ¼ 0 hat die Lösungen
x2 ¼ 1; x3 ¼ 6; x4 ¼ 1 (vgl. Beispiel 2 im Abschnitt II.6.1).
Lösungen der Gleichung vierten Grades x4  6x3  x2 þ 6x
¼ 0 somit: x1 ¼ 0; x2 ¼ 1; x3 ¼ 6; x4 ¼ 1
Mathematik
Ist eine Lösung x1 von x4 þ rx3 þ sx2 þ tx þ u ¼ 0 be-
kannt, dann läßt sich die Gleichung durch Abspalten
des Faktors x  x1 durch Polynomdivision reduzieren
(diese sogenannte Reduktionsmethode läßt sich auch
wieder für die allgemeine Form anwenden):
x4 þ rx3 þ sx2 þ tx þ u
¼ ðx  x1 Þ ðx3 þ kx2 þ lx þ mÞ ¼ 0
Die Wurzeln der kubischen Gleichung x3 þ kx2 þ lx
þ m ¼ 0 sind auch Lösungen der Gleichung vierten
Grades x4 þ rx3 þ sx2 þ tx þ u ¼ 0.
& Beispiele:
2. x4  7x3 þ 5x2 þ 7x  6 ¼ 0
Durch Probieren findet man die Lösung x1 ¼ 1.
Polynomdivision ergibt:
ðx4  7x3 þ 5x2 þ 7x  6Þ : ðx  1Þ ¼ x3  6x2  x þ 6
ðx4  x3 Þ
 6x3 þ 5x2
ð 6x3 þ 6x2 Þ
 x2 þ 7x
ð x2 þ xÞ
6x  6
ð 6x  6Þ
0
Die kubische Gleichung x3  6x2  x þ 6 ¼ 0 hat die Lösungen
x2 ¼ 1; x3 ¼ 6; x4 ¼ 1 (vgl. Beispiel 2 im Abschnitt II.6.1).
Lösungen der Gleichung vierten Grades x4  7x3 þ 5x2 þ 7x
 6 ¼ 0 somit: x1 ¼ x2 ¼ 1; x3 ¼ 6; x4 ¼ 1
3. 4x4  8x3  x2 þ 8x  3 ¼ 0
Durch Probieren erhält man die Lösung x1 ¼ 1.
Polynomdivision von 4x4  8x3  x2 þ 8x  3 durch x þ 1 er-
gibt:
ð4x4  8x3  x2 þ 8x  3Þ : ðx þ1Þ ¼ 4x3 12x2 þ 11x3
ð4x4 þ 4x3 Þ
12x3  x2
ð12x3  12x2 Þ
11x2 þ 8x
ð11x2 þ 11xÞ
 3x  3
ð 3x  3Þ
0
Die kubische Gleichung 4x3  12x2 þ 11x  3 ¼ 0 hat die Lö-
3 1
sungen x2 ¼ 1; x3 ¼ ; x4 ¼ (vgl. Beispiel 3 im Abschnitt
2 2
II.6.1).
Lösungen der Gleichung vierten Grades 4x4  8x3  x2 þ 8x
3 1
3 ¼ 0 somit: x1 ¼ 1; x2 ¼ 1; x3 ¼ ; x4 ¼
2 2
Sind in einer Gleichung vierten Grades die Koeffizi-
enten von x3 und x gleich Null, dann heißt sie bi-
quadratische Gleichung: ax4 þ cx2 þ e ¼ 0; a 6¼ 0
(allgemeine Form) oder x4 þ sx2 þ u ¼ 0 (Normal-
form).
Eine Substitution ist die Ersetzung eines algebrai-
schen Ausdrucks durch einen anderen. Bei kom-
plizierten Gleichungen können oftmals mit Hilfe
einer geeigneten Substitution Lösungen gefunden
werden.
Mit Hilfe der Substitution x2 ¼ z wird aus einer bi-
quadratischen Gleichung eine quadratische Glei-
chung mit der Variablen z: az2 þ cz þ e ¼ 0 oder
z2 þ sz þ u ¼ 0. Aus deren Lösungen z1 ; z2 erhält
man die Lösungen der biquadratischen Gleichung
II Gleichungen 33

pffiffiffiffiffi
durch Radizieren (Wurzelziehen): x1; 2 ¼  z1 ; x3; 4 sich dann die Lösungen außer in Spezialfällen nicht
pffiffiffiffiffi
¼  z2 . mehr exakt berechnen, man muß sich mit sogenann-
Biquadratische Gleichung ten Näherungslösungen begnügen. Besonders bei
der Behandlung praktischer Probleme werden ver-
schiedene Näherungsverfahren verwendet (wie zum
Gleichung (Normalform): x4 þ sx2 þ u ¼ 0
Beispiel Regula falsi oder Newtonsches Verfahren,
Substitution x2 ¼ z : z2 þ r þu¼0
sz ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
vgl. Abschnitt VIII.4.12).
.. s s2 In Spezialfällen führen die für Gleichungen dritten
Losungen: z1; 2 ¼   u
.. 2 4 und vierten Grades vorgeführten Methoden wie
Losungen der biquadratischen Gleichung:
pffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi zum Beispiel die Reduktionsmethode jedoch zu Lö-
x1; 2 ¼  z1 ; x3; 4 ¼  z2
sungen.
Ist x1 eine Lösung der Gleichung an xn þ an  1 xn  1
& Beispiele:
4. 2x4  6x2 þ 4 ¼ 0
þ an  2 xn  2 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x þ a0 ¼ 0, dann gilt
Division durch 2 ergibt die Normalform: x4  3x2 þ 2 ¼ 0
Substitution x2 ¼ z ergibt eine quadratische Gleichung in z: an xn þ an  1 xn  1 þ an  2 xn  2 þ . . . þ a2 x2
z2  3z þ 2 ¼ 0
Lösungen der quadratischen Gleichung: z1 ¼ 1; z2 ¼ 2 þ a1 x þ a0 ¼ ðx x1 Þ ðcn  1 xn  1 þ cn  2 xn  2
Lösungen der
pffiffiffiffiffi pffiffiffi
biquadratischen Gleichung durch Radizieren:
pffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi pffiffiffi þ . . . þ c2 x2 þ c1 x þ c0 Þ ¼ 0
x1 ¼ z1 ¼ 1 p ffi x2 ¼  z1 ¼ 1; x3 ¼ z2 ¼ 2;
¼ ffiffi1;
pffiffiffiffiffi
x4 ¼  z2 ¼  2
5. x4 þ 2x2  15 ¼ 0 mit cn  1 ¼ an . Die weiteren Lösungen der Glei-
Substitution x2 ¼ z ergibt eine quadratische Gleichung in z: chung n-ten Grades an xn þ an  1 xn  1 þ an  2 xn  2
z2 þ 2z  15 ¼ 0 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x þ a0 ¼ 0 sind die Lösungen der
Lösungen der quadratischen Gleichung: z1 ¼ 3; z2 ¼ 5
Lösungen der biquadratischen Gleichung durch Radizieren:
Gleichung ðn  1Þ-ten Grades cn  1 xn  1 þ cn  2 xn  2
pffiffiffiffiffi pffiffiffi pffiffiffiffiffi pffiffiffi pffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffi
þ . . . þ c2 x2 þ c1 x þ c0 ¼ 0. Der Grad der zu lösen-
x1 ¼ z1 ¼ 3; pxffiffiffiffiffiffi 2 ¼ ffi  zp 1 ffiffi¼
ffi  3; x3 ¼ z2 ¼ 5 ¼ j 5;
pffiffiffiffiffi
x4 ¼  z2 ¼  5 ¼ j 5 den Gleichung wird also um 1 reduziert.
6. x4  4x2  1 ¼ 0
Substitution x2 ¼ z ergibt eine quadratische Gleichung in z: & Beispiel:
z2  4z  1 ¼ 0 x6  6x5 þ 14x4  14x3 þ 5x2 ¼ 0
pffiffiffi
Lösungenpder Gleichung: z1 ¼ 2 þ 5; Sofort zu erkennen: x1 ¼ 0; x2 ¼ 0
ffiffiffi quadratischen
pffiffiffi
z2 ¼ 2  5 ¼ ð 5  2Þ Es folgt:
Lösungen der biquadratischen Gleichung durch Radizieren: x6  6x5 þ 14x4  14x3 þ 5x2 ¼ x2 ðx4  6x3 þ 14x2  14x þ 5Þ ¼ 0
pffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi pffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi Durch Probieren:
x1 ¼ z1 ¼ 2 þ 5 ; x2 ¼  z1 ¼  2 þ 5 ;
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi x3 ¼ 1 ist Lösung von x4  6x3 þ 14x2  14x þ 5 ¼ 0
pffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi
x3 ¼ z2 ¼ ð 5  2Þ ¼ j 5  2; x4 ¼  z2 Polynomdivision:
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi pp ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffiffiffi ðx4  6x3 þ 14x2  14x þ 5Þ : ðx  1Þ ¼ x3  5x2 þ 9x  5
¼  ð 5  2Þ ¼ j 52
Es folgt:
x6  6x5 þ 14x4  14x3 þ 5x2 ¼ x2 ðx  1Þ ðx3  5x2 þ 9x  5Þ ¼ 0
Durch Probieren: x4 ¼ 1 ist Lösung von x3  5x2 þ 9x  5 ¼ 0
6.4 Gleichungen n-ten Grades Polynomdivision: ðx3  5x2 þ 9x  5Þ : ðx  1Þ ¼ x2  4x þ 5
Es folgt:
Die allgemeine Form einer Gleichung n-ten Grades x6  6x5 þ 14x4  14x3 þ 5x2 ¼ x2 ðx  1Þ2 ðx2  4x þ 5Þ ¼ 0
lautet Die quadratische Gleichung x2  4x þ 5 ¼ 0 hat die Lösungen
x5 ¼ 2 þ j; x6 ¼ 2  j
Es folgt:
an xn þ an  1 xn  1 þ an  2 xn  2 þ . . . þ a2 x2 x6  6x5 þ 14x4  14x3 þ 5x2 ¼ x2 ðx  1Þ2 ðx  2  jÞ ðx  2 þ jÞ ¼ 0
þ a1 x þ a0 ¼ 0 ; an 6¼ 0 Alle Lösungen von x6  6x5 þ 14x4  14x3 þ 5x2 ¼ 0 somit:
x1 ¼ x2 ¼ 0; x3 ¼ x4 ¼ 1; x5 ¼ 2 þ j; x6 ¼ 2  j

Die Normalform erhält man aus der allgemeinen 6.5 Satz von Vie€ta für Gleichungen
Form durch Division durch an 6¼ 0 und Setzen von n-ten Grades
ai
¼ bi ; i ¼ 0; 1; 2; . . . ; n  1. Wie für quadratische Gleichungen, so erhält man
an
auch für beliebige Gleichungen n-ten Grades durch
xn þ bn  1 xn  1 þ bn  2 xn  2 þ . . . Vergleich der Normalform und der Produktform
Normalform Beziehungen zwischen den Lösungen und den Ko-
þ b2 x2 þ b1 x þ b0 ¼ 0
effizienten der Potenzen von x in der Normalform.
Dabei sind an ; an  1 ; an  2 ; . . . ; a2 ; a1 ; a0 und bn  1 ; Ausmultiplizieren der Produktform, Gleichsetzen
bn  2 ; . . . ; b2 ; b1 ; b0 reelle (oder komplexe) Koeffi- mit der Normalform und Koeffizientenvergleich
zienten, und n ist eine von Null verschiedene natür- (das heißt, Vergleich der Koeffizienten von
liche Zahl. xn  1 ; xn  2 ; . . . ; x2 ; x1 ¼ x; x0 ¼ 1 auf beiden Seiten
Nur für n  4 (Gleichungen höchstens vierten Gra- der Gleichung) ergibt die folgenden Beziehungen,
des) gibt es allgemeine Lösungsformeln, in denen die als Satz von Vie€ta bezeichnet werden.
nur ineinander geschachtelte Wurzeln stehen. Für Kubische Gleichungen:
Gleichungen fünften und höheren Grades existieren Normalform: x3 þ b2 x2 þ b1 x þ b0 ¼ 0,
solche Lösungsformeln nicht. In der Regel lassen Lösungen: x1 ; x2 ; x3
34 Mathematik

Satz von Vie€ta: 7 Auf algebraische Gleichungen

b2 ¼ ðx1 þ x2 þ x3 Þ; b1 ¼ x1 x2 þ x1 x3 þ x2 x3 ;
zurückführbare Gleichungen
b0 ¼ x1 x2 x3
Gleichungen vierten Grades: 7.1 Bruchgleichungen
Normalform: x4 þ b3 x3 þ b2 x2 þ b1 x þ b0 ¼ 0, Bestimmungsgleichungen mit Bruchtermen, bei de-
Lösungen x1 ; x2 ; x3 ; x4 nen die Variable (auch) im Nenner auftritt, heißen
Satz von Vie€ta: Bruchgleichungen.
b3 ¼ ðx1 þ x2 þ x3 þ x4 Þ PðxÞ
Alle diese Bruchterme sind Quotienten , wo
b2 ¼ x1 x2 þ x1 x3 þ x1 x4 þ x2 x3 þ x2 x4 þ x3 x4 QðxÞ
b1 ¼ ðx1 x2 x3 þ x1 x2 x4 þ x1 x3 x4 þ x2 x3 x4 Þ PðxÞ und QðxÞ Polynome mit der gleichen Variablen x
b0 ¼ x1 x2 x3 x4 sind, also PðxÞ ¼ an xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x
þ a0 und QðxÞ ¼ bm xm þ bm  1 xm  1 þ . . . þ b2 x2
Gleichungen n-ten Grades:
þ b1 x þ b0 mit n  0; m  1 (vgl. Abschnitt II.6.2).
Normalform:
Multipliziert man eine solche Gleichung mit dem
xn þ bn  1 xn  1 þ bn  2 xn  2 þ . . . þ b2 x2 þ b1 x þ b0 ¼ 0
Hauptnenner aller auf beiden Seiten der Gleichung
Lösungen: x1 ; x2 ; x3 ; . . . ; xn
auftretenden Nenner durch, dann entsteht eine alge-
Satz von Vie€ta:
braische Gleichung (oder eine identische Glei-
bn  1 ¼ ðx1 þ x2 þ . . . þ xn Þ;
chung).
bn  2 ¼ x1 x2 þ x1 x3 þ . . . þ x1 xn þ x2 x3
Durch die Multiplikation mit dem Hauptnenner
þ x2 x4 þ . . . þ x2 xn þ . . . þ xn  1 xn ;
können Lösungen hinzukommen, es gehen aber
bn  3 ¼ ðx1 x2 x3 þ x1 x2 x4 þ . . . þ x1 x2 xn þ x1 x3 x4
keine Lösungen verloren. Deshalb ist es unbedingt
þ x1 x3 x5 þ . . . þ x1 x3 xn þ . . . þ x2 x3 x4
erforderlich, die Lösungen der erhaltenen algebrai-
þ x2 x3 x5 þ . . . þ x2 x3 xn þ x2 x4 x5 þ . . .
schen Gleichung in die Ausgangsgleichung einzuset-
þ xn  2 xn  1 xn Þ;
...................................................:: zen. Dadurch werden hinzugekommene Lösungen,
die nicht Lösungen der Ausgangsgleichung sind, aus-
b1 ¼ ð1Þn  1 ðx1 x2 x3 . . . xn  1 þ x1 x2 . . . xn  2 xn
gesondert, insbesondere solche Werte, für die ein
þ x1 x2 . . . xn  3 xn  1 xn þ . . . þ x1 x3 x4 . . . xn
Nenner der Ausgangsgleichung Null ist.
þ x2 x3 . . . xn Þ;
b0 ¼ ð1Þn x1 x2 x3 . . . xn & Beispiele:
xþ2 4x  1
1. ¼
2x  1 x
& Beispiele: Multiplikation mit dem Hauptnenner xð2x  1Þ :
1. Die kubische Gleichung x3  6x2  x þ 6 ¼ 0 (also b2 ¼ 6; ðx þ 2Þ x ¼ ð4x  1Þ ð2x  1Þ
b1 ¼ 1; b0 ¼ 6Þ hat die Lösungen x1 ¼ 1; x2 ¼ 6; x3 ¼ 1 Auflösen der Klammern: x2 þ 2x ¼ 8x2  4x  2x þ 1
(vgl. Beispiel 2 im Abschnitt II.6.1). Es gilt nach dem Satz Sortieren nach Potenzen von x : 7x2  8x þ 1 ¼ 0
von Vie€ta: Quadratische Gleichung in allgemeiner Form mit a ¼ 7;
b2 ¼ ðx1 þ x2 þ x3 Þ ¼ ð1 þ 6  1Þ ¼ 6; b ¼ 8; c ¼ 1 (vgl. Abschnitt II.5.2.3)
b1 ¼ x1 x2 þ x1 x3 þ x2 x3 ¼ 1  6 þ 1  ð1Þ þ 6  ð1Þ Lösungen:
¼ 6  1  6 ¼ 1; 1 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 1 1
b0 ¼ x1 x2 x3 ¼ 1  6  ð1Þ ¼ ð6Þ ¼ 6 x1; 2 ¼ ð8  64  4  7  1Þ ¼ ð8  6Þ ) x1 ¼ 1; x2 ¼
14 14 7
2. Für die Gleichung vierten Grades x4  7x3 þ 5x2 þ 7x  6 ¼ 0 Einsetzen von x1 in die Ausgangsgleichung:
gilt: b3 ¼ 7; b2 ¼ 5; b1 ¼ 7; b0 ¼ 6.
1þ2 411
Die Gleichung hat die Lösungen x1 ¼ x2 ¼ 1; x3 ¼ 6; ¼ )3¼3
211 1
x4 ¼ 1 (vgl. Beispiel 2 im Abschnitt II.6.3).
Einsetzen von x2 in die Ausgangsgleichung:
Nach dem Satz von Vie €ta gilt: 1 1 15 3
b3 ¼ ðx1 þ x2 þ x3 þ x4 Þ ¼ ð1 þ 1 þ 6  1Þ ¼ 7 þ2 4 1 
7 ¼ 7 ) 7 ¼ 7 ) 3 ¼ 3
b2 ¼ x1 x2 þ x1 x3 þ x1 x4 þ x2 x3 þ x2 x4 þ x3 x4 1 1 5 1
2 1 
¼ 1  1 þ 1  6 þ 1  ð1Þ þ 1  6 þ 1  ð1Þ þ 6  ð1Þ 7 7 7 7
¼1þ61þ616¼5 Beide Werte sind also auch Lösungen der Ausgangsglei-
b1 ¼ ðx1 x2 x3 þ x1 x2 x4 þ x1 x3 x4 þ x2 x3 x4 Þ chung. 
¼ ð1  1  6 þ 1  1  ð1Þ þ 1  6  ð1Þ þ 1  6  ð1ÞÞ 1
Lösungsmenge: L ¼ ; 1
¼ ð6  1  6  6Þ ¼ 7 7
b0 ¼ x1 x2 x3 x4 ¼ 1  1  6  ð1Þ ¼ 6 2x þ 1 3x  5 2x þ 2x þ 18
2
2. þ ¼
3. Welche Normalform hat die kubische Gleichung mit den Lö- x3 xþ3 x2  9
1 1 Multiplikation mit dem Hauptnenner ðx  3Þðx þ 3Þ ¼ x2  9:
sungen x1 ¼ 2; x2 ¼  ; x3 ¼ ? ð2x þ 1Þ ðx þ 3Þ þ ð3x  5Þ ðx  3Þ ¼ 2x2 þ 2x þ 18
2 2
Normalform: x þ b2 x þ b1 x þ b0 ¼ 0
3 2 Auflösen der Klammern:
Nach dem Satz von Vie €tagilt: 2x2 þ 6x þ x þ 3 þ 3x2  9x  5x þ 15 ¼ 2x2 þ 2x þ 18

1 1 Sortieren nach Potenzen von x : 3x2  9x ¼ 0
b2 ¼ ðx1 þ x2 þ x3 Þ ¼  2  þ ¼2
2 2 Durch 3 dividieren und x ausklammern: xðx  3Þ ¼ 0
   
1 1 1 1 Die Lösungen dieser quadratischen Gleichung sind x1 ¼ 0;
b1 ¼ x1 x2 þ x1 x3 þ x2 x3 ¼ ð2Þ  þ ð2Þ þ 
2 2 2 2 x2 ¼ 3
1 1 Einsetzen von x1 in die Ausgangsgleichung:
¼11 ¼
4 4    1 5 18
b0 ¼ x1 x2 x3 ¼  ð2Þ 
1 1
¼
1 þ ¼ ) 2 ¼ 2
2 2 2 3 3 9
x2 ¼ 3 ist keine Lösung der Ausgangsgleichung, da für x ¼ 3
Die Normalform der kubischen Gleichung lautet somit
zwei der Nenner gleich 0 sind.
1 1
x3 þ 2x2  x  ¼ 0. Lösungsmenge: L ¼ f0g
4 2
II Gleichungen 35

pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
2x þ 3 4x þ 5 6x2 þ 6x  2 3. 11  x ¼ x þ 1
3. þ ¼
x1 xþ1 x2  1 Quadrieren ergibt 11  x ¼ x2 þ 2x þ 1, also die quadratische
Multiplikation mit dem Hauptnenner ðx  1Þ ðx þ 1Þ ¼ x2  1: 3
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi x þ 3x  10 ¼ 0, die die Lösungen x1; 2 ¼  2
2
Gleichung
ð2x þ 3Þ ðx þ 1Þ þ ð4x þ 5Þ ðx  1Þ ¼ 6x2 þ 6x  2 9
Auflösen der Klammern:  þ 10, also x1 ¼ 2 und x2 ¼ 5 hat.
4
2x2 þ 2x þ 3x þ 3 þ 4x2  4x þ 5x  5 ¼ 6x2 þ 6x  2 Die Probe zeigt, daß x1 die Wurzelgleichung erfüllt, x2 je-
Zusammenfassen: 6x2 þ 6x  2 ¼ 6x2 þ 6x  2 doch nicht.
Dies ist eine identische Gleichung, die für alle reellen x er- Lösungsmenge: L ¼ f2g
füllt ist. pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
4. x þ 5 ¼ 2x þ 3 þ 1
Für x ¼ 1 und x ¼ 1 ist die Ausgangsgleichung nicht er-
Quadrieren der Gleichung ergibt
klärt, da Nenner gleich 0 sind. pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
x þ 5 ¼ 2x þ 3 þ 2 2x þ 3 þ 1:
Lösungsmenge: L ¼ fx j x 2 R und x 6¼ 1; x 6¼ 1g
Durch Zusammenfassen und Isolieren der Wurzel erhält man
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
3 2 2x þ 1 x þ 1 ¼ 2 2x þ 3.
4.  ¼ 2
x1 x3 x  4x þ 3 Erneutes Quadrieren ergibt x2  2x þ 1 ¼ 4ð2x þ 3Þ und so-
Multiplikation mit dem Hauptnenner mit die quadratische Gleichung x2  10x  11 ¼p0.ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ðx  1Þ ðx  3Þ ¼ x2  4x þ 3: 3ðx  3Þ  2ðx  1Þ ¼ ð2x þ 1Þ Diese Gleichung hat die Lösungen x1; 2 ¼ 5  25 þ 11, also
Auflösen der Klammern: 3x  9  2x þ 2 ¼ 2x  1 x1 ¼ 11 und x2 ¼ 1:
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Sortieren nach Potenzen von x : 3x  6 ¼ 0 Einsetzen in die Ausgangsgleichung x þ 5 ¼ 2x þ 3 þ 1
Die Lösung dieser linearen Gleichung ist x ¼ 2. zeigt, daß x2 eine Lösung ist, x1 aber nicht.
Einsetzen in die Ausgangsgleichung: Lösungsmenge: L ¼ f1g
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
3 2 5 5. x þ 2 þ 2x þ 7 ¼ 4
 ¼ )5¼5 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1 1 1 Quadrieren: x þ 2 þ 2x þ 7 ¼ 16
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Lösungsmenge: L ¼ f2g Wurzel isolieren: 2x þ 7 ¼ 14  x
Quadrieren: 2x þ 7 ¼ 196  28x þ x2
Sortieren nach Potenzen von x: x2  30x þ 189 ¼ 0
7.2 Wurzelgleichungen Lösungen dieser quadratischen
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Gleichung:
x1; 2 ¼ 15  225  189 ¼ 15  6 ) x1 p ¼ ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
21; x2 ¼ 9
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Bestimmungsgleichungen, bei denen die Variable Einsetzen pffiffiffiffiffivon x1 in Ausgangsgleichung: 21 þ 2 þ 2  21 þ 7
(auch) unter einer Wurzel vorkommt, heißen Wur- ¼ 4 ) 30 ¼ 4: unwahr! Somit ist x1 keine Lösung der Aus-
gangsgleichung. pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
zelgleichungen. pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Einsetzen von x2 in Ausgangsgleichung: 9 þ 2 þ 2  9 þ 7
ber die Existenz und die Anzahl von Lösungen ¼ 4 ) 4 ¼ 4: wahr, x2 ¼ 9 ist also Lösung.
bei Wurzelgleichungen lassen sich allgemein keine Lösungsmenge: L ¼ f9g
p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Aussagen machen. Ziel für die Bestimmung der Lö- 6. 3
xþ2¼3
sungen ist es, die in der Gleichung auftretenden In die 3. Potenz erheben: x þ 2 ¼ 33 ¼ ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 27 ) x ¼ 25
ffi
p
Einsetzen in die Ausgangsgleichung: 3 25 þ 2 ¼ 3 ) 3 ¼ 3
Wurzeln zu beseitigen und die Gleichung in eine al- Lösungsmenge: L ¼ f25g
gebraische Gleichung zu überführen. p3
ffiffiffiffiffi pffiffiffi
7. x þ 5 x2  22 3 x þ 16 ¼ 0
Oftmals gelingt es, die Wurzeln zu isolieren (das Umformung der Wurzelexponenten: x þ 5x3  22x3 þ 16 ¼ 0
2 1

heißt, die Gleichung so umzuformen, daß die Wur-
zel allein auf einer Seite der Gleichung steht) und
dann beide Seiten der Gleichung in die entspre-
chende Potenz zu erheben. Viele Wurzelgleichungen
können auch schon durch ein- oder mehrmaliges
Quadrieren in eine algebraische Gleichung über-
führt werden.
Durch das Quadrieren oder allgemeiner durch das
Potenzieren können Lösungen hinzukommen, es ge-
hen aber keine Lösungen verloren (Potenzieren ist
keine äquivalente Umformung!). Durch die Probe
mit Einsetzen der gefundenen Lösungen in die Aus-
gangsgleichung lassen sich diese zusätzlichen Werte
aber leicht feststellen und aussortieren.
& Beispiele:
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1. 11  x þ 3 ¼ 6
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Isolieren der Wurzel ergibt x þ 3 ¼ 11  6, also x þ 3 ¼ 5;
woraus man durch Quadrieren der Gleichung x þ 3 ¼ 25;
also x ¼ 22 erhält.
Einsetzen in die Ausgangsgleichung bestätigt x ¼ 22 als Lö-
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
sung: 11  22 þ 3 ¼ 6
Lösungsmenge: L ¼ f22g
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
2. 5 þ 9x2  65 ¼ 3x
Isolieren der Wurzel und Quadrieren der Gleichung ergibt
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
9x2  65 ¼ 3x  5 ) 9x2  65 ¼ ð3x  5Þ2 ¼ 9x2  30x þ 25
) 30x ¼ 90 ) x ¼ 3
Einsetzen in die Ausgangsgleichung ergibt x ¼ 3 als Lösung.
Lösungsmenge: L ¼ f3g
Durch Potenzieren lassen sich die Wurzeln nicht beseitigen,
pffiffiffi 1
statt dessen Substitution: z ¼ 3 x ¼ x 3
Es folgt: z3 þ 5z2  22z þ 16 ¼ 0
Durch Probieren erhält man die Lösung z ¼ 1 dieser kubi-
schen Gleichung.
Polynomdivision:
ðz3 þ 5z2  22z þ 16Þ : ðz  1Þ ¼ z2 þ 6z  16
Lösungen der quadratischen Gleichung z2 þ 6z  16 ¼ 0:
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
z2; 3 ¼ 3  9 þ 16 ¼ 3  5 ) z2 ¼ 2; z3 ¼ 8
Substitutionsgleichung in die dritte Potenz erheben: x ¼ z3
Einsetzen der Lösungen: x1 ¼ z31 ¼ 13 ¼ 1; x2 ¼ z32 ¼ 23 ¼ 8;
x3 ¼ z33 ¼ ð8Þ3 ¼ 512
Einsetzen p ffiffiffiffiffi von p x1ffiffiffi in Ausgangsgleichung:
3
1 þ 5 12  22 3 1 þ 16 ¼ 0 ) 1 þ 5  22 þ 16 ¼ 0 ) 0 ¼ 0
Einsetzen p3
ffiffiffiffiffi von xp2 ffiffiin ffi Ausgangsgleichung:
8 þ 5 82  22 3 8 þ 16 ¼ 0 ) 8 þ 20  44 þ 16 ¼ 0 ) 0 ¼ 0
Einsetzen von x3 in Ausgangsgleichung:
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
3 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
512 þ 5 ð512Þ2  22 3 512 þ 16 ¼ 0 ) 512 þ 5  64
22  ð8Þ þ 16 ¼ 0 ) 512 þ 320 þ176 þ 16 ¼ 0 ) 0 ¼ 0
Lösungsmenge: L ¼ f512; 1; 8g
8 Transzendente Gleichungen
8.1 Exponentialgleichungen
Bestimmungsgleichungen, bei denen die Variable
(auch) im Exponenten einer Potenz steht, heißen
Exponentialgleichungen.
Im allgemeinen lassen sich in Exponentialgleichun-
gen die Lösungen nur durch Näherungsverfahren
(siehe Abschnitt VIII.4.12) bestimmen. Tritt in einer
36 Mathematik

Exponentialgleichung die Variable jedoch nur in den 8.2 Logarithmische Gleichungen

Exponenten auf, so kann man sie oftmals lösen, und Bestimmungsgleichungen, bei denen die Variable
zwar (auch) im Argument eines Logarithmus vorkommt,
durch Umformung mit Hilfe der Potenzgesetze und heißen logarithmische Gleichungen.
anschließendes Logarithmieren zu einer beliebigen Einige dieser Gleichungen lassen sich mit Hilfe
Basis oder der Logarithmenrechnung auf die lösbare Form
durch berführung in eine algebraische Gleichung log a x ¼ b bringen. Die Lösung lautet dann x ¼ ab .
mit Hilfe einer geeigneten Substitution und anschlie- Spezielle logarithmische Gleichungen können mit
ßendem Logarithmieren. Hilfe einer geeigneten Substitution in eine algebrai-
Die Exponentialgleichung a  bx ¼ c geht durch Log- sche Gleichung umgewandelt werden.
arithmieren über in log a þ x  log b ¼ log c; woraus Tritt die Variable nicht nur im Argument von Log-
log c  log a arithmen auf, dann lassen sich die Lösungen von
sich für b 6¼ 1 die Lösung x ¼ ergibt. logarithmischen Gleichungen im allgemeinen nur
log b
durch Näherungsverfahren bestimmen (siehe Ab-
Die Exponentialgleichung an bnx þ an  1 bðn  1Þ x þ . . .
schnitt VIII.4.12).
þ a2 b2x þ a1 bx þ a0 ¼ 0 geht mit Hilfe der Substitu-
tion z ¼ bx über in die algebraische Gleichung & Beispiele:
an zn þ an  1 zn  1 þ . . . þ a2 z2 þ a1 zþ a0 ¼ 0: Ist z > 0 1. log7 ðx2 þ 19Þ ¼ 3
Durch Potenzieren ergibt sich 73 ¼ x2 þ 19, also x2 ¼ 324.
log z
eine reelle Lösung dieser Gleichung, so ist x ¼ Daraus erhält man die Lösungen x1 ¼ 18 und x2 ¼ 18.
log b Lösungsmenge: L ¼ f18; 18g
eine Lösung der Exponentialgleichung.
2. lg ð6x þ 10Þ  lg ðx  3Þ ¼ 1
6x þ 10 6x þ 10
& Beispiele: Es folgt lg ¼ 1 und durch Potenzieren
x3 x3
1. 3x ¼ 4x  2  2x ¼ 10 ¼ 10 und somit 6x þ 10 ¼ 10x  30; also 4x ¼ 40: Dar-
1
Logarithmieren zu einer beliebigen Basis ergibt aus ergibt sich x ¼ 10 als Lösung der logarithmischen Glei-
x log 3 ¼ ðx  2Þ log 4 þ x log 2. chung.
Auflösen nach x gibt die Lösung Lösungsmenge: L ¼ f10g
x¼
2 log 4
¼
4 log 2
2;826 780 3. lg ð11x  10Þ þ ½lg ð11x  10Þ2 ¼ 6
log 4  log 3 þ log 2 3 log 2  log 3 Durch die Substitution z ¼ lg ð11x  10Þ erhält man die qua-
Bei der letzten Umformung wurde log 4 ¼ 2 log 2 gesetzt. dratische Gleichung z2 þ z  6 ¼ 0 mit den Lösungen
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Lösungsmenge: L ¼ f2;826 780 . . .g 1 1
z1; 2 ¼   þ 6; also z1 ¼ 3 und z2 ¼ 2.
2. 5  6x ¼ 2x  7x 
  x
2 4
2 x 1 Durch Einsetzen dieser Werte in die Substitutionsgleichung
Durch Umformung ergibt sich ¼ ¼ 5;
76 21 ergeben sich die Lösungen x1 und x2 der logarithmischen
woraus man durch Logarithmieren die Lösung erhält: Ausgangsgleichung:
10z þ 10
log 5 log 5 z ¼ lg ð11x  10Þ ) 10z ¼ 11x  10 ) x ¼
x¼   ¼ 0; 528 634 3
10 þ 10 11
1  log 21 z1 ¼ 3 ) x1 ¼ ¼ 0;909 18
log 11
21
102 þ 10
z2 ¼ 2 ) x 2 ¼ ¼ 10
Lösungsmenge: L ¼ f0; 528 633 . . .g 11
Lösungsmenge: L ¼ f0;909 18; 10g
3. e2x þ 3 ¼ ex  4
Logarithmieren zur Basis e ergibt die Gleichheit der Expo-
nenten: 2x þ 3 ¼ x  4, woraus sich unmittelbar die Lösung 8.3 Trigonometrische Gleichungen
x ¼ 7 ergibt. Bestimmungsgleichungen, in denen die Variable
Lösungsmenge: L ¼ f7g
(auch) im Argument einer trigonometrischen
5 xþ1
4. 22x  2 þ6¼0 Funktion auftritt, heißen trigonometrische Glei-
2
Durch Umformung erhält man ð2x Þ2  5  2x þ 6 ¼ 0, und mit chungen oder goniometrische Gleichungen (siehe
der Substitution z ¼ 2x ergibt sich die quadratische Glei- Kapitel VI).
5
chung in z: z2  5z þ 6 ¼ 0, die die Lösungen z1; 2 ¼ Trigonometrische Gleichungen sind ebenfalls trans-
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 2
25 zendente Gleichungen. Sie lassen sich nur in Spe-
  6; also z1 ¼ 2 und z2 ¼ 3 hat.
4
Durch Einsetzen dieser Werte in die Substitutionsgleichung er- zialfällen rechnerisch exakt lösen. Es existieren je-
geben sich die Lösungen x1 und x2 der Exponentialgleichung: doch stets Näherungsverfahren, mit deren Hilfe sich
log 3 die Lösungen mit beliebiger Genauigkeit angeben
2x1 ¼ z1 ¼ 2 ) x1 ¼ 1; 2x2 ¼ z2 ¼ 3 ) x2 ¼ 1;584 963
log 2
Lösungsmenge: L ¼ f1; 1;584 962 . . .g lassen (zum Beispiel Newtonsches Verfahren oder
5. 3x ¼ x þ 4 Regula falsi, vgl. Abschnitt VIII.4.12).
In dieser Gleichung steht x nicht nur im Exponenten, die
Gleichung läßt sich deshalb nur mit einem Näherungsverfah-
Tritt in der Gleichung nur eine trigonometrische
ren lösen. Funktion auf, so erhält man mit den Arkusfunktio-
Man setzt y ¼ 3x  x  4 und wendet etwa Regula falsi oder nen die Lösungen (vgl. Abschnitt VI.9). Auch für
das Newtonsche Verfahren an (vgl. Abschnitt VIII.4.12). Mit solche Gleichungen, in denen verschiedene trigono-
den Startwerten x1 ¼ 1;55; x2 ¼ 1;57 () y1 ¼ 0;0604 . . . ;
metrische Funktionen auftreten, die das gleiche Ar-
y2 ¼ 0;0415 . . .) erhält man zum Beispiel mit Regula falsi
(Sekantenverfahren) in zwei Schritten die Näherungslösung: gument haben, kann man oft mit Hilfe der Arkus-
x 1;561 919. funktionen die Lösungen berechnen. Die Lösungen
Lösungsmenge: L ¼ f1;561 918 . . .g können im Gradmaß oder im Bogenmaß angegeben
werden.
II Gleichungen
Die Probe durch Einsetzen der gefundenen Werte
ist wichtig, weil beim Lösen in der Regel auch nicht-
äquivalente Umformungen vorgenommen werden.
Im allgemeinen sind trigonometrische Gleichungen
nicht eindeutig lösbar.
& Beispiele:
1. sin 2 x  1 ¼ 0;5
Man berechnet:
rffiffiffiffiffi
1 1 1 pffiffiffi
sin 2 x ¼ ) sin x ¼  ¼ 2
2   2 2 Im allgemeinen ist die Bestimmung von Lösungen
1 pffiffiffi
) x ¼ arcsin  2 ¼ 45
2
Wegen sin x ¼ sin ð180  xÞ und sin x ¼ sin ðx þ k  360 Þ
ergibt sich als Lösungsmenge der trigonometrischen Glei-
chung (im Gradmaß): L ¼ fx j x ¼ 45 þ k  180 ; k 2 Zg.
Die Probe in der Ausgangsgleichung bestätigt diese Werte.
2. sin 2 x þ 2 cos x ¼ 1;5
Wegen sin 2 x þ cos2 x ¼ 1 ergibt sich 1  cos2 x þ 2 cos x
¼ 1;5 ) cos2 x  2 cos x þ 0;5 ¼ 0.
Dies ist eine quadratische Gleichung in cos x. Mit der Substi-
tution z ¼ cos x ergibt sich die quadratische Gleichung
z2  2z þ 0;5 ¼ 0 mit den Lösungen z ¼ cos x ¼ 1 
1 pffiffiffi
Wegen cos x  1 kommt cos x ¼ 1 þ 2 für eine Lösung
2 mit zwei Variablen
nicht in Betracht. Somit folgt  
1 pffiffiffi 1 pffiffiffi
cos x ¼ 1  2 ) x ¼ arccos 1  2 1;2735.
2 2
Wegen cos x ¼ cos ðxÞ und cos x ¼ cos ðx þ 2kpÞ ergibt sich
als Lösungsmenge der Ausgangsgleichung (im Bogenmaß):
L ¼ fx j x 1;2735 þ 2kp; k 2 Zg.
Die Probe in der Ausgangsgleichung bestätigt diese Werte.
3. sin x þ cos x  0;9x ¼ 0
Diese Gleichung ist nicht geschlossen lösbar. Eine Nähe-
rungslösung erhält man zum Beispiel mit Regula falsi (vgl.
Abschnitt VIII.4.12).
Man setzt y ¼ sin x þ cos x  0;9x und erhält mit den Start-
werten x1 ¼ 77 ; x2 ¼ 76;5 ð) y1 ¼ 0;0101 . . . ; y2 ¼ 0;0041. . .)
im ersten Schritt die Näherungslösung x 1;3378.
9 Lineare Gleichungssysteme
9.1 Definitionen
Die Schwierigkeiten beim Bestimmen der Lösungen
von Gleichungen werden noch größer, wenn nicht
nur eine Variable aus einer Bestimmungsgleichung
errechnet werden soll, sondern wenn mehrere Va-
riable mehrere Gleichungen gleichzeitig erfüllen sol-
len. Zum Beispiel sollen in den Gleichungen
x  2y ¼ 4 und 2x þ 5y ¼ 35 die Variablen x und y
so berechnet werden, daß deren Werte beide Glei-
chungen erfüllen.
Sollen m Gleichungen von n Variablen gleichzeitig
erfüllt sein, so spricht man von einem System von
m Gleichungen mit n Variablen. Ein solches Glei-
chungssystem zu lösen, heißt, die Werte der Varia-
blen zu bestimmen, die alle Gleichungen dieses Sy-
stems erfüllen. Eine Lösung eines Gleichungssystems
mit m Gleichungen und n Variablen besteht also aus
n Werten, einem sogenannten n-Tupel (für jede Va-
riable ein Wert). So besteht eine Lösung eines Glei-
chungssystems mit zwei Variablen aus einem Paar
(2-Tupel) von Werten, ein Gleichungssystem mit
drei Variablen hat ein Lösungstripel (3-Tupel). In
dem Beispiel ist das Paar x ¼ 10; y ¼ 3 Lösung.
Man schreibt auch ðx; yÞ ¼ ð10; 3Þ, oder die Lö-
37
sungsmenge L der beiden Gleichungen ist L ¼
fð10; 3Þg (die Reihenfolge ist zu beachten!).
Eine Gleichung in mehreren Variablen heißt linear,
wenn alle Variablen höchstens in der ersten Potenz
auftreten und nicht miteinander multipliziert wer-
den. Die beiden Gleichungen des Beispiels sind
lineare Gleichungen. Ein Gleichungssystem heißt
linear, wenn alle Gleichungen des Systems lineare
Gleichungen sind.
oder sogar aller Lösungen eines Gleichungssystems
sehr schwierig oder auch nicht möglich. Für lineare
Gleichungssysteme ist jedoch eine Methode entwik-
kelt worden, die alle Lösungen des Systems liefert.
Ein lineares Gleichungssystem ist durch die Koeffizi-
enten der Variablen und durch die Absolutglieder
(die Terme, die die Variablen nicht enthalten) be-
stimmt.
1 pffiffiffi
2:
2
9.2 Zwei lineare Gleichungen
Die allgemeine Form eines linearen Gleichungssy-
stems mit zwei Gleichungen und zwei Variablen x; y
lautet:
a1 x þ b1 y ¼ c1
a2 x þ b2 y ¼ c2
a1 ; a2 sind die Koeffizienten von x, die Koeffizienten
von y sind b1 ; b2 , und c1 ; c2 sind die Absolutglieder
des Gleichungssystems.
Es gibt verschiedene Methoden, solche linearen
Gleichungssysteme zu lösen. bliche Verfahren sind
das Einsetzungsverfahren (Substitutionsverfahren),
das Additionsverfahren und das Gleichsetzungsver-
fahren.
Einsetzungsverfahren
Beim Einsetzungsverfahren wird eine der beiden
Gleichungen nach einer der Variablen aufgelöst, und
der entsprechende Term wird in die andere Glei-
chung eingesetzt. Man erhält so eine lineare Glei-
chung mit einer Variablen, die gelöst werden kann.
Durch Einsetzen dieses Wertes in eine der beiden
Ausgangsgleichungen ergibt sich eine lineare Glei-
chung mit der anderen Variablen, die daraus dann
auch berechnet werden kann.
Führt man das Verfahren mit der allgemeinen Form
des Gleichungssystems durch, so ergibt sich
b2 c 1  b 1 c 2 a1 c2  a2 c1
x¼ ; y¼
a 1 b2  a 2 b1 a1 b2  a2 b1
Fallunterscheidung:
1. Ist der Nenner a1 b2  a2 b1 6¼ 0, so erhält man ge-
nau eine Lösung, und zwar das Zahlenpaar
 
b2 c 1  b 1 c 2 a1 c2  a2 c1
ðx; yÞ ¼ ; :
a1 b2  a2 b1 a1 b2  a2 b1
38 Mathematik

2. Ist der Nenner a1 b2  a2 b1 ¼ 0, aber (mindestens)
einer der Zähler b2 c1  b1 c2 oder a1 c2  a2 c1 un-
gleich 0, so gibt es keine Lösung.
3. Ist der Nenner gleich 0, und sind außerdem bei-
de Zähler gleich 0, so gibt es unendlich viele Lö-
sungen, und zwar jedes Paar ðx; yÞ, das die erste
gegebene Gleichung a1 x þ b1 y ¼ c1 und damit
dann zugleich die zweite gegebene Gleichung
a2 x þ b2 y ¼ c2 erfüllt.
Der Graph (das Schaubild) zu jeder einzelnen ge-
gebenen Gleichung ist eine Gerade (vgl. Abschnitt
V.4.2). Im ersten Fall ist das die Lösung bildende
Zahlenpaar das Koordinatenpaar des eindeutigen
Schnittpunktes der beiden Geraden. Im zweiten Fall
gibt es keine Lösung, die Graphen der beiden gege-
benen Gleichungen sind parallele Geraden (Paral-
lelen haben keinen Schnittpunkt). Im dritten Fall
gibt es unendlich viele Lösungen, die Graphen der
beiden gegebenen Gleichungen sind gleich, es han-
delt sich um ein und dieselbe Gerade.
Wichtiger Hinweis: Man sollte stets die Probe in
den noch nicht umgeformten Ausgangsgleichungen
durchführen!
& Beispiele:
1. (I) x þ y ¼ 1, (II) 2x þ y ¼ 4
(I) ) y ¼ 1 þ x; Einsetzen in (II): 2x þ 1 þ x ¼ 4 ) 3x ¼ 3
)x¼1
Einsetzen in (I) ) y ¼ 2
Lösung: ðx; yÞ ¼ ð1; 2Þ (oder Lösungsmenge: L ¼ fð1; 2Þg)
Berechnung der Lösung durch Einsetzen von a1 ¼ 1;
b1 ¼ 1; c1 ¼ 1; a2 ¼ 2; b2 ¼ 1; c2 ¼ 4 in die Lösungsformel:
1114 3 ð1Þ  4  2  1 6
x¼ ¼ ¼ 1; y¼ ¼ ¼2
ð1Þ  1  2  1 3 ð1Þ  1  2  1 3
Probe: (I) 1 þ 2 ¼ 1 ) 1 ¼ 1, (II) 2  1 þ 2 ¼ 4 ) 4 ¼ 4
2. (I) 2x þ 3y ¼ 8, (II) x þ 4y ¼ 9
(II) ) x ¼ 9  4y; Einsetzen in (I): 2ð9  4yÞ þ 3y ¼ 8
) 18  5y ¼ 8 ) 5y ¼ 10 ) y ¼ 2
Einsetzen in (II) ) x ¼ 9  4  2 ¼ 1
Lösung: ðx; yÞ ¼ ð1; 2Þ (oder Lösungsmenge: L ¼ fð1; 2Þg)
Berechnung der Lösung durch Einsetzen von a1 ¼ 2;
b1 ¼ 3; c1 ¼ 8; a2 ¼ 1; b2 ¼ 4; c2 ¼ 9 in die Lösungsformel:
4839 5 2  9  1  8 10
x¼ ¼ ¼ 1; y¼ ¼ ¼2
2413 5 2413 5
Probe: (I) 2  1 þ 3  2 ¼ 8 ) 8 ¼ 8, (II) 1 þ 4  2 ¼ 9 ) 9 ¼ 9
y sung, die Graphen zu beiden gegebenen Gleichungen sind
3 2x + 3y = 8
2 x + 4y = 9
1 y1
–1 0 x1 1 2 3 4 5 6 x
–1
Bild II-1 Geraden von Beispiel 2
Additionsverfahren
Beim Additionsverfahren werden beide Gleichun-
gen jeweils so mit einem Faktor multipliziert, daß
bei anschließender Addition der Gleichungen eine
der Variablen wegfällt. Man erhält so eine lineare
Gleichung mit einer Variablen, die gelöst werden
kann. Durch Einsetzen dieses Wertes in eine der
beiden Ausgangsgleichungen ergibt sich eine lineare
Gleichung mit der anderen Variablen, die daraus
dann auch berechnet werden kann.
&
Beispiele:
3. (I) x þ y ¼ 1, (II) 2x þ y ¼ 4
Multiplikation von (I) mit 2: (I0 ) 2x þ 2y ¼ 2
Addition von (I0 ) und (II): y þ 2y ¼ 4 þ 2 ) 3y ¼ 6 ) y ¼ 2
Einsetzen in (I) ) x ¼ 1
Lösung: ðx; yÞ ¼ ð1; 2Þ (oder Lösungsmenge: L ¼ fð1; 2Þg)
4. (I) 2x þ 3y ¼ 8, (II) x þ 4y ¼ 9
Multiplikation von (II) mit 2: (II0 ) 2x  8y ¼ 18
Addition von (I) und (II0 ): 3y  8y ¼ 8  18 ) 5y ¼ 10
)y¼2
Einsetzen in (I) ) x ¼ 1
Lösung: ðx; yÞ ¼ ð1; 2Þ
Gleichsetzungsverfahren
Beim Gleichsetzungsverfahren löst man beide Glei-
chungen nach derselben Variablen (oder dem glei-
chen Vielfachen einer Variablen) auf und setzt die
entsprechenden Terme gleich. Man erhält so eine
lineare Gleichung mit einer Variablen, die gelöst
werden kann. Durch Einsetzen dieses Wertes in eine
der beiden Ausgangsgleichungen ergibt sich eine li-
neare Gleichung mit der anderen Variablen, die dar-
aus dann auch berechnet werden kann.
& Beispiele:
5. (I) x þ y ¼ 1, (II) 2x þ y ¼ 4
(I) ) y ¼ 1 þ x, (II) ) y ¼ 4  2x
Gleichsetzen ) 1 þ x ¼ 4  2x ) 3x ¼ 3 ) x ¼ 1
Einsetzen in (I) ) y ¼ 2
Lösung: ðx; yÞ ¼ ð1; 2Þ (oder Lösungsmenge: L ¼ fð1; 2Þg)
6. (I) 2x þ 3y ¼ 8, (II) x þ 4y ¼ 9
(I) ) (I0 ) 2x ¼ 8  3y
Multiplikation von (II) mit 2: (II0 ) 2x þ 8y ¼ 18 )
(II00 ) 2x ¼ 18  8y
Gleichsetzen von (I0 ) und (II00 ) ) 8  3y ¼ 18  8y
) 5y ¼ 10 ) y ¼ 2
Einsetzen in (I0 ): 2x ¼ 2 ) x ¼ 1
Lösung: ðx; yÞ ¼ ð1; 2Þ
& Weitere Beispiele:
7. (I) 2x þ 3y ¼ 8, (II) 4x þ 6y ¼ 13
Nach der Lösungsformel ist der Nenner a1 b2  a2 b1 ¼ 2  6
 4  3 ¼ 0. Der Zähler des x-Terms ist b2 c1  b1 c2
¼ 6  8  3  13 ¼ 9 6¼ 0 (der Zähler des y-Terms ist
a1 c2  a2 c1 ¼ 2  13  4  8 ¼ 6 6¼ 0). Es gibt also keine Lö-
parallele Gleichungen.
Anderer Nachweis, daß es keine Lösung gibt:
Multiplikation von (I) mit 2: (I0 ) 4x  6y ¼ 16
Addition von (I0 ) und (II): 0 ¼ 3
Dies ist ein Widerspruch, also kann das Gleichungssystem
keine Lösung haben.
y
3
2x + 3y = 8
2
4x + 6y = 13
1
–1 0 1 2 3 4 5 6 x
–1
Bild II-2 Geraden von Beispiel 7
II Gleichungen 39

8. (I) 2x þ 3y ¼ 8, (II) 6x þ 9y ¼ 24 Probe:

Nach der Lösungsformel ist der Nenner a1 b2  a2 b1 ¼ 2  9 (I) 3  8  9  2  1 ¼ 5 ) 24  18  1 ¼ 5 ) 5 ¼ 5
6  3 ¼ 0. Der Zähler des x-Terms ist b2 c1  b1 c2 (II) 4  8 þ 10  2  9  1 ¼ 43 ) 32 þ 20  9 ¼ 43 ) 43 ¼ 43
¼ 9  8  3  24 ¼ 0, der Zähler des y-Terms ist a1 c2  a2 c1 (III) 5  8  2  2  1 ¼ 36 ) 40  2  2 ¼ 36 ) 36 ¼ 36
¼ 2  24  6  8 ¼ 0. Es gibt also unendlich viele Lösungen,
die Graphen der beiden gegebenen Gleichungen sind diesel- Wichtiger Hinweis: Die Probe stets in allen noch nicht
be Gerade. umgeformten Ausgangsgleichungen durchführen!
Anderer Nachweis, daß es unendlich viele Lösungen gibt:
Multiplikation von (I) mit 3 ergibt (II). Es handelt sich also
Additionsverfahren
um dieselbe Geradengleichung. Zu jedem x-Wert läßt sich Beim Additionsverfahren wird eine der Gleichungen
ein y-Wert eindeutig berechnen. jeweils so äquivalent umgeformt, daß bei Addition
dieser umgeformten Gleichung mit einer der beiden
y anderen Gleichungen jeweils die gleiche Variable
3
herausfällt. Auch dadurch erhält man wieder zwei
2x + 3y = 8
2 Gleichungen mit zwei Variablen.
6x + 9y = 24
1 & Beispiel:
2. (I) x  2y  3z ¼ 5
–1 0 1 2 3 4 5 6 x (II) 3x þ 3y þ z ¼ 6
–1 (III) 2x þ y  z ¼ 0
Multiplikation von (II) mit 3: (II0 ) 9x þ 9y þ 3z ¼ 18
Bild II-3 Geraden von Beispiel 8 Addition von (I) und (II0 ): (IV) 10x þ 7y ¼ 13
Addition von (II) und (III): (V) 5x þ 4y ¼ 6
Multiplikation von (V) mit 2: (V0 ) 10x  8y ¼ 12
9.3 Drei lineare Gleichungen Addition von (IV) und (V0 ): y ¼ 1 ) y ¼ 1
Einsetzen in (V): 5x  4 ¼ 6 ) x ¼ 2
mit drei Variablen Einsetzen von x ¼ 2 und y ¼ 1 in (III):
Die allgemeine Form eines linearen Gleichungssy- z ¼ 2x þ y ¼ 2  2  1 ¼ 3
stems mit drei Gleichungen und drei Variablen Lösung: ðx; y; zÞ ¼ ð2; 1; 3Þ
(oder Lösungsmenge: L ¼ fð2; 1; 3Þg)
x; y; z lautet:
Weitere Lösungsverfahren wie die Cramersche Re-
a1 x þ b1 y þ c1 z ¼ d1 gel werden mit Hilfe der Determinantenrechnung
a2 x þ b2 y þ c2 z ¼ d2 im Abschnitt II.9.4 formuliert.
a3 x þ b3 y þ c3 z ¼ d3
9.4 Matrizen und Determinanten
a1 ; a2 ; a3 sind die Koeffizienten von x, die Koeffizi- Eine Matrix (Plural Matrizen) ist ein System von m  n
enten von y sind b1 ; b2 ; b3 , die Koeffizienten von z Größen, die in einem rechteckigen Schema von m
sind c1 ; c2 ; c3 , und d1 ; d2 ; d3 sind die Absolutglieder (waagerechten) Zeilen und n (senkrechten) Spalten
des Gleichungssystems. angeordnet sind. Die m  n Größen nennt man die
Auch hier gibt es unterschiedliche Möglichkeiten, Elemente der Matrix, es sind beliebige reelle (oder
die Lösung oder die Lösungen eines solchen linea- komplexe) Zahlen. Die Stellung eines Elementes, et-
ren Gleichungssystems zu bestimmen. wa aij , im Schema wird durch einen Doppelindex ge-
Einsetzungsverfahren kennzeichnet. Dabei gibt der erste Index i die Zeile
Beim Einsetzungsverfahren wird eine der drei Glei- und der zweite Index j die Spalte an, in der das Ele-
chungen nach einer Variablen aufgelöst und dann in ment steht. Die Numerierungen der Zeilen verlaufen
die beiden anderen Gleichungen eingesetzt. Man er- von oben nach unten, die der Spalten von links nach
hält so ein Gleichungssystem mit zwei Gleichungen rechts. Das Element aij befindet sich also im Kreu-
und zwei Variablen, das man entsprechend Ab- zungspunkt der i-ten Zeile und der j-ten Spalte.
schnitt II.9.2 löst. Eine Matrix mit m Zeilen und n Spalten nennt man
ðm; nÞ-Matrix. Meist kürzt man Matrizen durch gro-
& Beispiel: ße lateinische Buchstaben A; B; . . . ab. Man schreibt
1. (I) 3x  9y  z ¼ 5
eine Matrix, indem man das Schema in eckige
(II) 4x þ 10y  9z ¼ 43
(III) 5x  y  2z ¼ 36 Klammern (oder auch in runde Klammern) setzt:
Gleichung (I) nach z auflösen: z ¼ 3x  9y  5 Matrix
Einsetzen in die beiden anderen Gleichungen (II) und (III):
(II) 4x þ 10y  9ð3x  9y  5Þ ¼ 43 2 3
a11 a12 . . . a1n
(III) 5x  y  2ð3x  9y  5Þ ¼ 36
6 a21 a22 . . . a2n 7
Klammern auflösen und zusammenfassen: A ¼ 4 ....................5
(II) 23x þ 91y ¼ 2
(III) x þ 17y ¼ 26 am2 . . . amn
am1
Gleichung (III) nach x auflösen: x ¼ 17y  26
0 1
a11 a12 . . . a1n
Einsetzen in (II): Ba a22 . . . a2n C
23ð17y  26Þ þ 91y ¼ 2 ) 300y ¼ 600 ) y ¼ 2 A ¼ @ 21 A
....................
Einsetzen in (III): x ¼ 8
am1 am2 . . . amn
Einsetzen von x ¼ 8 und y ¼ 2 in (I): z ¼ 3  8  9  2  5 ¼ 1
Lösung: ðx; y; zÞ ¼ ð8; 2; 1Þ
(oder Lösungsmenge: L ¼ fð8; 2; 1Þg) Abkürzend schreibt man dafür auch A ¼ ðaij Þ:
40 Mathematik

& Beispiel: & Beispiel:

2 3
5 2 0 5 1 2 3 2 2 0 1 6
A¼ ; B¼ ; C¼
A ¼ 4 14 0 6 1 5 1 24 0 0 6 1 0 4
1 0 2 5
A und B sind vom gleichen Typ, C ist jedoch nicht vom gleichen
Dies ist eine (3, 4)-Matrix, also eine Matrix mit 3 Zeilen und Typ wie A und B.
4 Spalten. Zum Beispiel ist a12 ¼ 2 das Element, das in der er-
sten Zeile und zweiten Spalte steht.
Gleichheit von Matrizen:
Achtung: Die Doppelindizes sind einzeln zu lesen, Zwei Matrizen A und B heißen gleich, wenn beide
zum Beispiel wird a12 gesprochen: a  eins  zwei. vom gleichen Typ sind und wenn die entsprechen-
Quadratische Matrizen: den Elemente übereinstimmem, wenn also aij ¼ bij
Gilt m ¼ n, also Zeilenanzahl gleich Spaltenanzahl, für alle i ¼ 1; . . . ; m und j ¼ 1; . . . ; n gilt.
dann heißt A eine n-reihige quadratische Matrix oder & Beispiel:
eine quadratische Matrix der Ordnung n. Die Ele- 1 2 3 1 2 3
A¼ ; B¼ : A¼B
mente einer quadratischen Matrix, für die i ¼ j gilt, 1 24 0 1 24 0
bilden die sogenannte Hauptdiagonale der Matrix.
&
Transponierte Matrix:
Beispiel:
2
4 5
3 Die transponierte oder gespiegelte Matrix AT der
6 0  7 Matrix A ist die Matrix, die durch Vertauschung von
6 5 27
A¼6 6 1 1 177 Zeilen und Spalten von A gebildet wird:
4 45
1 10 
3
2 3
A ist eine quadratische 3reihige Matrix. Die Hauptdiagonalele- a11 a12 . . . a1n
4 4
mente sind a11 ¼ ; a22 ¼ 1; a33 ¼  . Alle Elemente der zwei- 6a 7
5 3 6 21 a22 . . . a2n 7
ten Zeile sind gleich 1: a21 ¼ a22 ¼ a23 ¼ 1. A¼6 7
4.................... 5
Nullmatrix 0: am1 am2 . . . amn
Eine Matrix, deren Elemente alle gleich Null sind, 2 3
a11 a21 . . . am1
also aij ¼ 0 für i ¼ 1; . . . ; m und j ¼ 1; . . . ; n, heißt 6a 7
6 12 a22 . . . am2 7
eine Nullmatrix. AT ¼ 6 7
4 ..................: 5
Einheitsmatrix E:
Eine quadratische Matrix heißt Einheitsmatrix, falls a1n a2n ... amn
 ..
1 fur i ¼ j ;
aij ¼ ..
0 fur i 6¼ j : & Beispiel:
2 3
" # 2 5
Diagonalmatrix: 2 3 1 6 7
A¼ ; A ¼4 3
T
05
Eine quadratische Matrix, bei der für alle i 6¼ j die 5 0 4
1 4
Elemente aij gleich Null sind, heißt Diagonalmatrix.
& Beispiel: Symmetrische Matrix:
2 3
2 0 0 Eine quadratische Matrix A heißt symmetrisch,
6 7 wenn A ¼ AT ist, wenn also aij ¼ aji für alle i und j
A ¼ 4 0 3 0 5
0 0 7 gilt.
& Beispiel:
Obere Dreiecksmatrix: 2 3
Eine quadratische Matrix, bei der für alle i > j die 1 2 3
6 7
A ¼ 4 2 6 0 5 ¼ AT
Elemente aij gleich Null sind, heißt obere Dreiecks-
3 0 5
matrix.
& Beispiel: Antisymmetrische Matrix:
2 3
1 6 0 Eine quadratische Matrix A heißt antisymmetrisch
6 7 oder schiefsymmetrisch, wenn AT ¼ A ist.
A¼4 0 4 15
0 0 7 Addition und Subtraktion von Matrizen:
Matrizen können nur dann addiert oder subtrahiert
Untere Dreiecksmatrix: werden, wenn sie vom gleichen Typ sind.
Eine quadratische Matrix, bei der für alle i < j die Zwei Matrizen vom gleichen Typ werden addiert
Elemente aij gleich Null sind, heißt untere Dreiecks- bzw. subtrahiert, indem man ihre korrespondieren-
matrix.
den Elemente addiert bzw. subtrahiert:
Matrizen vom gleichen Typ:
Zwei Matrizen heißen vom gleichen Typ, wenn sie A þ B ¼ ðaij Þ þ ðbij Þ ¼ ðaij þ bij Þ
die gleiche Anzahl von Zeilen und die gleiche An-
zahl von Spalten haben, wenn also beide ðm; nÞ-Ma-
A  B ¼ ðaij Þ  ðbij Þ ¼ ðaij  bij Þ
trizen sind mit dem gleichen m und dem gleichen n.
II Gleichungen 41

& Beispiel:
Eigenschaften der Addition: 2 3
1. A þ B ¼ B þ A (Kommutativgesetz) 1 1 2 1
2 3 4 6 7
A¼ ; B ¼ 40 1 2 1 5
2. ðA þ BÞ þ C ¼ A þ ðB þ CÞ ¼ A þ B þ C 1 4 0
1 1 0 1
(Assoziativgesetz) 2 3
3. ðA þ BÞT ¼ AT þ BT 1 1 2 1
6 7
40 1 2 1 5 ¼ B
& Beispiel: 1 1 0 1
2 2 0 4 1 3 " #
A¼ ; B¼ 6 5 10 3
1 3 2 1 0 2 A¼
2 3 4
¼ AB
6 1 3 1 4 0 1 5 6 5
AþB¼
0 3 0
6 5 10 3
2 3 3 2 3 3 AB ¼
AB¼ ; BA ¼ 1 5 6 5
2 3 4 2 3 4
BA existiert nicht.
Multiplikation einer Matrix mit einer reellen Zahl:
Man multipliziert eine Matrix A mit einer reellen Eigenschaften der Matrizenmultiplikation:
Zahl k, indem man jedes Element der Matrix mit k 1. AðBCÞ ¼ ðABÞ C (Assoziativgesetz)
multipliziert: 2. AðB þ CÞ ¼ AB þ AC (Distributivgesetz)
3. AB 6¼ BA (Kommutativgesetz gilt nicht)
k A ¼ kðaij Þ ¼ ðkaij Þ
4. AE ¼ EA ¼ A (E Einheitsmatrix)
Eigenschaften: 5. AN ¼ NA ¼ N (N Nullmatrix)
Sind k und l zwei reelle Zahlen und A und B zwei 6. ðABÞT ¼ BT AT (Reihenfolge ändert sich)
Matrizen, so gilt: Orthogonale Matrix:
1. kðlAÞ ¼ lðkAÞ ¼ ðklÞ A Eine quadratische Matrix A heißt orthogonal, wenn
2. ðk þ lÞ A ¼ kA þ lA AAT ¼ AT A ¼ E (E Einheitsmatrix) ist.
3. k ðA þ BÞ ¼ kA þ kB
Inverse Matrix:
4. ðkAÞT ¼ kAT
Eine Matrix B heißt Inverse der quadratischen Ma-
& Beispiel: trix A, wenn AB ¼ E (E Einheitsmatrix) gilt. Man
3A ¼ 3
2 2 0
¼
6 6 0 schreibt dann B ¼ A1 . Existiert die Inverse einer
1 3 2 3 9 6 Matrix, dann ist sie eindeutig.
Multiplikation von Matrizen: Eine Matrix A, für die die Inverse A1 existiert,
Das Produkt AB zweier Matrizen A und B kann heißt regulär, andernfalls heißt sie singulär.
nur dann gebildet werden, wenn die Spaltenanzahl & Beispiel:
von A gleich der Zeilenanzahl von B ist. 2 3
Man berechne die Inverse der Matrix A ¼ .
1 2
Ist A ¼ ðaij Þ eine ðm; nÞ-Matrix und B ¼ ðbjk Þ eine a b
¼ A1
ðn; rÞ-Matrix (Anzahl der Spalten von A = Anzahl c d
der Zeilen von B), so ist die Produktmatrix
2 3 1 0
C ¼ AB eine ðm; rÞ-Matrix mit den Elementen A¼
1 2 0 1
¼E
P
n
cik ¼ aij  bjk . Das Element cik von C ¼ AB für
j¼1
Es ergibt sich das lineare Gleichungssystem 2a þ 3c ¼ 1,
ein festes i und ein festes k erhält man also, indem 2b þ 3d ¼ 0; a  2c ¼ 0; b  2d ¼ 1. Die Lösung des Glei-
chungssystems ist a ¼ 2; b ¼ 3; c ¼ 1; d ¼ 2.
man das j-te Element der i-ten Zeile von A mit dem
j-ten Element der k-ten Spalte von B multipliziert 2 3
Es folgt: Inverse A1 ¼
für j ¼ 1; . . . ; n und alle diese Produkte addiert. 1 2

A ¼ ðaij Þ ;
B ¼ ðbjk Þ ) C ¼ AB ¼ ðcik Þ Eine Determinante D ist ein algebraischer Aus-
P
n druck, der jeder n-reihigen quadratischen Matrix A
mit cik ¼ aij  bjk mit reellen (oder komplexen) Elementen aij eindeu-
j¼1
tig zugeordnet wird. Dieser algebraische Ausdruck

Schematische Darstellung:
2 3
b11 b12 ... b1k ... b1r
6 b21 b22 ... b2k ... b2r 7 ¼ B
4 5
bn1 bn2 . . . bnk ... bnr
2 3 2 3
a11 a12 ... a1n ... ... ... ... ... ...
6 a21 a22 ... a2n 7 6 ... ... ... ... ... ... 7
6 7 6 ... ... ... ... ... ... 7
A¼6
6 ai1
7 6
6 ...
7
. . . 7 ¼ AB
4 ai2 ... ain 7
5 4
... . . . cik ...
5
... ... ... ... ... ...
am1 am2 ... amn ... ... ... ... ... ...
42 Mathematik

& Beispiel:
ist eine reelle (oder komplexe) Zahl. Die Determi-
(I) x  2y ¼ 4, (II) 2x þ 5y ¼ 35
nante einer n-reihigen quadratischen Matrix nennt Einsetzen von a1 ¼ 1; a2 ¼ 2; b1 ¼ 2; b2 ¼ 5; c1 ¼ 4; c2 ¼ 35 in
man n-reihige Determinante. die Determinantengleichungen für x und y ergibt:
 
Man schreibt eine Determinante, indem man das  4 2 
 
quadratische Schema der Matrix zwischen senkrechte  35 5 4  5  ð2Þ  35 20 þ 70 90
x ¼   ¼
 ¼ ¼ ¼ 10 ;
Striche setzt, oder in Kurzform D ¼ det ðAÞ ¼ jAj:  1 2  1  5  ð2Þ 2 5þ4 9
2 5
 
Determinante 1 4
 
 2 35  1  35  4  2 35  8 27
y ¼   ¼ ¼ ¼ ¼3
  1 2  1  5  ð2Þ  2 5þ4 9
 a11 a12 . . . a1n  
2 5

 
 a21 a22 . . . a2n 
D ¼ det ðAÞ ¼ jAj ¼  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
  Definition für dreireihige Determinanten (n ¼ 3):
 an1 an2 . . . ann 
 
 a11 a12 a13 
 
 
Definition für zweireihige Determinanten (n ¼ 2): D ¼  a21 a22 a23 
 
 a31 a32 a33 
       
a a12   a22 a23     
D ¼  11 ¼ a11 a22  a12 a21 ¼ a11    a21  a12 a13  þ a31  a12 a13 
a21 a22  a32 a33  a
32 a 33
 a
22 a 23

¼ a11 ða22 a33  a23 a32 Þ  a21 ða12 a33  a13 a32 Þ
Die Elemente a11 ; a22 bilden die Hauptdiagonale, þ a31 ða12 a23  a13 a22 Þ
die Elemente a12 ; a21 die sogenannte Nebendiago- ¼ a11 a22 a33  a11 a23 a32 þ a13 a21 a32
nale.  a12 a21 a33 þ a12 a23 a31  a13 a22 a31
Merkregel zur Berechnung: Produkt der Hauptdiago-
nalelemente minus Produkt der Nebendiagonalele-
& Beispiel:
mente.  
 3 7 2       
  0 6    
& Beispiel: 
D¼ 4 0

6  ¼ 3    4  7 2  þ ð2Þ  7 2 
    4 1   4 1  0 6 
 1 1   2 4 1
D ¼   ¼ ð1Þ  1  1  2 ¼ 3
2 1 ¼ 3ð0  1  6ð4ÞÞ  4ð7  1  ð2Þ ð4ÞÞ  2ð7  6  ð2Þ 0Þ
¼ 3  24  4ð1Þ  2  42 ¼ 8
b 2 c1  b1 c2
Die allgemeine Lösungsformel x ¼ ;
a1 b2  a2 b1 Man nennt dies „Entwickeln“ der dreireihigen De-
a1 c2  a2 c1
y¼ für ein lineares Gleichungssystem terminante nach der ersten Spalte. Dabei wird nach-
a1 b2  a2 b1
einander jedes Element der ersten Spalte mit derje-
a1 x þ b1 y ¼ c1 ; a2 x þ b2 y ¼ c2 (vgl. Abschnitt II.9.2)
nigen zweireihigen Determinante multipliziert, die
läßt sich auch mit Hilfe von zweireihigen Determi-
man erhält, wenn man in der dreireihigen Determi-
nanten schreiben:
nante die Zeile und die Spalte streicht, in der das
    Element steht. Die so gebildeten Produkte werden
 c1 b1   a1 c1 
  mit alternierenden (wechselnden) Vorzeichen ver-
 c2 b2   a2 c2 
x ¼  ; y ¼   sehen, angefangen mit einem þ, und anschließend
 a1 b1   a1 b1  addiert.
 a2 b2   a2 b2  Bezeichnet man die Determinante, die man durch
Streichen der i-ten Zeile und der j-ten Spalte der
Die gemeinsame Nennerdeterminante wird aus den Determinante D erhält, mit Dij , so kann man das
Koeffizienten von x und y der beiden Gleichungen obige Entwickeln auch darstellen als
in der gegebenen Anordnung gebildet. Die Nen-
nerdeterminante heißt deshalb auch Koeffizienten- D ¼ a11  D11  a21  D21 þ a31  D31
determinante. Man erhält die Zählerdeterminante
von x, indem man die Koeffizienten von x durch Die mit dem Faktor ð1Þ i þ j (dieser Faktor ist þ1
die Absolutglieder ersetzt, und die Zählerdetermi- oder 1) multiplizierte Determinante Dij heißt Ad-
nante von y entsprechend durch Ersetzung der Ko- junkte oder algebraisches Komplement Aij des Ele-
effizienten von y durch die Absolutglieder (immer ments aij. Somit kann man für das obige Entwickeln
in der gleichen Reihenfolge, also Ersetzung von b1 auch schreiben
durch c1 usw.).
Man nennt diese Methode Cramersche Regel zur D ¼ a11  A11 þ a21  A21 þ a31  A31
Berechnung der Lösung eines linearen Gleichungs-
systems (nach dem schweizerischen Mathematiker Zur Berechnung kann man die Determinante nach
Gabriel Cramer, 1704––1752). einer beliebigen Zeile oder Spalte entwickeln.
II Gleichungen 43

& Beispiel:
Entwicklung nach einer beliebigen Zeile:  
 3 7 2 

 
 4 0 6  ¼ 3  0  1 þ 7  6  ð2Þ þ ð2Þ  4  ð4Þ
P
3  
 2 4 1
D ¼ ai1  Ai1 þ ai2  Ai2 þ ai3  Ai3 ¼ aij Aij ;
j¼1  ð2Þ  0  ð2Þ  3  6  ð4Þ  7  4  1
¼ 0  84 þ 32  0 þ 72  28 ¼ 8
1i3
Fehlerwarnung: Die Regel von Sarrus gilt nur für
Bei Entwicklung nach der ersten Zeile ist i ¼ 1, bei dreireihige Determinanten!
Entwicklung nach der zweiten Zeile ist i ¼ 2, und Definition für n-reihige Determinanten (n  4):
bei Entwicklung nach der dritten Zeile ist i ¼ 3. Auch für beliebige n-reihige Determinanten läßt
Entwicklung nach einer beliebigen Spalte: sich der Wert mit Hilfe des Entwicklungssatzes defi-
nieren.
P
3 Entwicklung nach einer beliebigen Zeile:
D ¼ a1j  A1j þ a2j  A2j þ a3j  A3j ¼ aij Aij ;
i¼1
P
n
1j3 D ¼ ai1  Ai1 þ ai2  Ai2 þ . . . þ ain  Ain ¼ aij Aij ;
j¼1
1in
Bei Entwicklung nach der ersten Spalte ist j ¼ 1, bei
Entwicklung nach der zweiten Spalte ist j ¼ 2, und Bei Entwicklung nach der ersten Zeile ist i ¼ 1, bei
bei Entwicklung nach der dritten Spalte ist j ¼ 3. Entwicklung nach der zweiten Zeile ist i ¼ 2, usw.,
und bei Entwicklung nach der n-ten Zeile ist i ¼ n:
& Beispiel:
 
 3
 7 2  Entwicklung nach einer beliebigen Spalte:
D ¼  4 0 6 
 2 4 1 P
n
D ¼ a1j  A1j þ a2j  A2j þ . . . þ anj  Anj ¼ aij Aij ;
Entwicklung nach der zweiten Zeile: i¼1
D ¼ a21  A21 þ a22  A22 þ a23  A23 1jn
   
 7 2   7 
¼ 4  ð1Þ2 þ 1   þ 0  A22 þ 6  ð1Þ2 þ 3  3
4   2 4 
1 Bei Entwicklung nach der ersten Spalte ist j ¼ 1, bei
¼ 4½7  1  ð2Þ ð4Þ þ 0  6½3  ð4Þ  7  ð2Þ
Entwicklung nach der zweiten Spalte ist j ¼ 2, usw.,
¼ 4  ð1Þ  6  2 ¼ 4  12 ¼ 8
und bei Entwicklung nach der n-ten Spalte ist j ¼ n:
Dreireihige Determinanten können auch mit der Die Cramersche Regel zur Berechnung der Lösung
Regel von Sarrus berechnet werden (nach dem fran- eines linearen Gleichungssystems ist immer dann an-
zösischen Mathematiker Pierre F. Sarrus, 1798 bis wendbar, wenn bei dem betrachteten linearen Glei-
1861). chungssystem die Anzahl der Gleichungen und die
Man fügt bei der Regel von Sarrus die ersten bei- Anzahl der Variablen übereinstimmen (und die Ko-
den Spalten der Determinante nochmals als 4. und effizientendeterminante von Null verschieden ist).
5. Spalte hinzu. Dann multipliziert man je drei dia- Die Koeffizientendeterminante eines allgemeinen li-
gonal aufeinanderfolgende Elemente und addiert nearen Gleichungssystems mit drei Gleichungen und
(Hauptdiagonalen) bzw. subtrahiert (Nebendiago- drei Variablen lautet
nalen) die so entstehenden sechs Produkte.  
 a1 b1 c1 

D ¼  a2 b2 c2 
 a3 b3 c3 

Ersetzt man die erste Spalte von D, also die Koeffi-

zienten von x, durch die Absolutglieder des linearen
Gleichungssystems, so ergibt sich die Determinante
 
 d1 b1 c1 

Dx ¼  d2 b2 c2 
Die Regel ausgeführt ergibt  d3 b3 c3 
 
 a11 a12 a13  Durch Ersetzen der Koeffizienten von y und z er-

 
det ðAÞ ¼  a21 a22 a23  hält man analog die Matrizen
 
 a31 a32 a33     
 a1 d1 c1   a1 b1 d1 
¼ a11 a22 a33 þ a12 a23 a31 þ a13 a21 a32  
Dy ¼  a2 d2 c2  ; Dz ¼  a2 b2 d2 
 a13 a22 a31  a11 a23 a32  a12 a21 a33  a3 d3 c3   a3 b3 d3 
44 Mathematik

Für D 6¼ 0 ergibt sich dann als eindeutige Lösung 10 Lineare Ungleichungen

des linearen Gleichungssystems
10.1 Definitionen
 
 d1 b1 c1  Eine Ungleichung zwischen Termen, in der eine

  oder mehrere Variable vorkommen, heißt linear,
 d2 b2 c2 
  wenn alle Variablen höchstens in der ersten Potenz
Dx  d 3 b3 c3 
x¼ ¼  ; auftreten und nicht miteinander multipliziert wer-
D  a1 b1 c1  den. Eine Ungleichung zu lösen bedeutet, alle Wer-
 
 a2 b2 c2  te der Variablen aus dem zugrunde liegenden Zah-
 
 a3 b3 c3  lenbereich zu bestimmen, für die die Ungleichung
erfüllt ist. Alle diese Werte heißen Lösungen der
 
 a1 d1 c1  Ungleichung, und alle Lösungen zusammen bilden

  die Lösungsmenge der Ungleichung.
 a2 d2 c2 
  Ein System aus mehreren Ungleichungen heißt line-
D y  a3 d3 c3 
y¼ ¼  ; ar, wenn alle Ungleichungen des Systems lineare
D  a1 b1 c1  Ungleichungen sind. Die Lösungen eines Unglei-
 
 a2 b2 c2  chungssystems sind die Werte der Variablen, die alle
 
 a3 b3 c3  Ungleichungen des Systems erfüllen.
  & Beispiele:
 a1 b1 d1 
 1. Lineare Ungleichung mit einer Variablen:
  7x þ 4 < 2ð3x  4Þ  1
 a2 b2 d2 
  2. Lineare Ungleichung mit zwei Variablen:
D z  a3 b3 d3  2x  y þ 4 < 5ð4  xÞ þ 3
z¼ ¼  
D  a1 b1 c1  3. System linearer Ungleichungen:
  x þ 2y < 3; 3x  y  5
 a2 b2 c2 
 
 a3 b3 c3  Zum Lösen linearer Ungleichungen ist es oftmals
sinnvoll, äquivalente Umformungen durchzuführen
Ist jedoch D ¼ 0, dann gibt es entweder keine oder (vgl. Abschnitt II.2). Dabei sind aber die Rechenre-
unendlich viele Lösungen des linearen Gleichungs- geln für Ungleichungen zu beachten (siehe Ab-
systems. In diesem Fall ist die Cramersche Regel schnitt I.11).
nicht anwendbar.
10.2 Lineare Ungleichungen
& Beispiel: mit einer Variablen
Lineares Gleichungssystem:
Eine lineare Ungleichung mit einer Variablen läßt
3x þ 15y þ 8z ¼ 10
sich durch äquivalente Umformungen stets in eine
5x þ 10y þ 12z ¼ 1
2x þ 7y þ z ¼ 1 der folgenden Ungleichungen überführen.
Nennerdeterminante (Determinante der Koeffizientenmatrix):
  (1) ax þ b < 0 ; a>0
 3 15 8 
 
D ¼  5 10 12  ¼ 30 þ 360  280  160  252 þ 75 ¼ 227
(2) ax þ b  0 ; a>0
 2 7 1 (3) ax þ b > 0 ; a>0
(4) ax þ b  0 ; a>0
Zählerdeterminanten:
  b
 10 15 8 
  Durch Division durch a > 0 und Subtraktion von
Dx ¼  1 10 12  ¼ 100 þ 180  56  80  840 þ 15 ¼ 681 a
 1 7 1 erhält man als Lösungen die Intervalle

 3 10

8 
 
 b
Dy ¼  5 1 12  ¼ 3 þ 240  40 þ 16  36 þ 50 ¼ 227 ð1Þ L ¼ 1; 
 2 1 1 a
 

 3 15 10  b
  ð2Þ L ¼ 1; 
Dz ¼  5 10 1  ¼ 30  30  350  200 þ 21 þ 75 ¼ 454 a
 2 7 1  
b
Somit ergibt sich als Lösung des linearen Gleichungssystems: ð3Þ L ¼  ; 1
a
Dx 681 Dy 227 
x¼ ¼ ¼ 3; y¼ ¼ ¼ 1 ; b
D 227 D 227 ð4Þ L ¼  ; 1
a
Dz 454
z¼ ¼ ¼2
D 227
Eine lineare Ungleichung mit einer Variablen hat
Die Lösung des Gleichungssystems ist also das (geordnete) Zah-
lentripel ðx; y; zÞ ¼ ð3; 1; 2Þ also als Lösung immer ein nicht beschränktes Inter-
(oder Lösungsmenge: L ¼ fð3; 1; 2ÞgÞ: vall.
II Gleichungen 45

& Beispiele: eine echte Ungleichung handelt (das heißt, das

1. 7x þ 4 < 2ð3x  4Þ  1
Auflösung der Klammer: 7x þ 4 < 6x  8  1
Gleichheitszeichen ist nicht zugelassen), gehören die
Zusammenfassen: x þ 13 < 0 Punkte der Geraden selbst nicht dazu.
Auflösen nach x: x < 13
& Beispiele:
Lösungsmenge: L ¼ ð1; 13Þ
2. 5ðx  4Þ  2ð5  4xÞ  6 þ x 1. x  y < 1
Auflösung der Klammern: 5x  20  10  8x  6 þ x Auflösung nach y: y > x þ 1
Zusammenfassen: 5x  20  7x þ 4 ) 12x  24  0 Geradengleichung: y ¼ x þ 1
Auflösen nach x: 12x  24 ) x  2
Lösungsmenge: L ¼ ½2; 1Þ y
3. 9ð2  xÞ < 2ðx þ 4Þ  ðx þ 2Þ 3
Auflösung der Klammern: 18  9x < 2x þ 8  3x  6
Zusammenfassen: 18  9x < x þ 2 ) 8x þ 16 < 0 y=x+1
Auflösen nach x: 8x < 16 ) x > 2
Achtung: Bei Division durch 8 dreht sich das Ungleich- y>x+1
heitszeichen um!
Lösungsmenge: L ¼ ð2; 1Þ
11
–1 –1 x

10.3 Lineare Ungleichungen

mit zwei Variablen Bild II-4
Ungleichung y > x þ 1
Eine lineare Ungleichung mit zwei Variablen x und
y läßt sich immer so äquivalent umformen, daß eine Die Koordinaten der Punkte im schraffierten Bereich bilden
die Lösungsmenge.
der Variablen, etwa y, isoliert auf einer Seite der
Die Koordinaten der Punkte der Begrenzungsgeraden gehö-
Ungleichung steht. So läßt sich zum Beispiel die Un- ren nicht zur Lösungsmenge, deshalb ist die Begrenzungsge-
gleichung ax þ by þ c < 0 für b > 0 umformen in rade gestrichelt gezeichnet.
a c 2x þ 4y þ 4  0
y <  x  . Eine Lösung der Ungleichung ist 2.
1
b b Auflösung nach y: y   x  1
dann ein Paar ðx; yÞ, wo x eine beliebige reelle Zahl 2
1
a c Geradengleichung: y ¼  x  1
ist und y die Ungleichung y <  x  erfüllt. Als 2
b b
Lösungsmenge
n  von ax þ byaþ c < c0oergibt sich dann y Bild II-5
 1
L ¼ ðx; yÞ  x 2 R; y <  x  . Ungleichung y   x  1
b b 2
Ungleichung: ax þ by þ c < 0 ðb > 0Þ 1
–1 1
..
Losungsmenge: x
n  co
–1
 a y <– –
x
–1 y= –
x
–1
L ¼ ðx; yÞ  x 2 R; y <  x  2 2
b b

& Beispiele:
1. x  y < 1
Auflösung nach y: y > x þ 1
Es ist zum Beispiel x ¼ 2; y ¼ 4 ein Lösungspaar oder
x ¼ 1, y ¼ 0;1. Alle Lösungen ergeben die Lösungsmenge:
L ¼ fðx; yÞ j x 2 R; y > x þ 1g.
2. 2x þ 4y þ 4  0
1
Auflösung nach y: y   x  1
2
 
 1
Lösungsmenge: L ¼ ðx; yÞ  x 2 R; y   x  1
2
Für manche Anwendungen ist es sinnvoll, die Lö-
sungsmenge einer solchen Ungleichung graphisch
darzustellen.
Ersetzt man in einer Ungleichung das Ungleichheits-
zeichen durch ein Gleichheitszeichen, dann entsteht
eine Gleichung. So entsteht zum Beispiel aus der
linearen Ungleichung x  y < 1 die lineare Glei-
chung y ¼ x þ 1. Der Graph einer solchen linearen
Gleichung ist in einem kartesischen Koordinatensy-
stem eine Gerade (vgl. Abschnitt V.4.2). Alle Lösun-
gen ðx; yÞ, die die Ungleichung y > x þ 1 erfüllen,
sind in dem kartesischen Koordinatensystem die Ko-
ordinaten der Punkte, die oberhalb der sogenannten
Begrenzungsgeraden y ¼ x þ 1 liegen. Da es sich um
Die Koordinaten der Punkte im schraffierten Bereich bilden
die Lösungsmenge. Die Koordinaten der Punkte der Begren-
zungsgeraden gehören zur Lösungsmenge, deshalb ist die Be-
grenzungsgerade durchgezogen gezeichnet.
10.4 Lineare Ungleichungssysteme
mit zwei Variablen
Für Systeme von linearen Ungleichungen mit zwei
Variablen x und y ist es meist am übersichtlichsten,
die Lösungsmenge graphisch dazustellen.
Man ersetzt dazu in allen Ungleichungen die Un-
gleichheitszeichen durch Gleichheitszeichen. An-
schließend formt man alle diese linearen Gleichun-
gen äquivalent um, so daß jeweils auf der linken
Seite die Variable y isoliert steht (enthält eine Glei-
chung y nicht, so isoliere man x). Dann zeichnet man
die Graphen dieser linearen Gleichungen alle in das-
selbe kartesische Koordinatensystem und erhält so
für jede Gleichung eine Gerade (gestrichelt gezeich-
net, falls die zugehörige Ungleichung echt ist, sonst
durchgezogen). Für jede Gerade schraffiere man den
Bereich, deren Punkte die zugehöre Ungleichung er-
46 Mathematik

füllen (genauer: die Koordinaten der Punkte erfüllen 2. (I) y  x < 1; (II) x  2 < 0, (III) 2y þ x þ 4  0
Aus (I) folgt y < x þ 1, aus (II) x < 2 und aus (III)
die Ungleichung). ber die Menge der reellen Zah-
1
len sind diese Bereiche Halbebenen. Die Koordina- y   x  2.
2
ten aller der Punkte, die in allen schraffierten Berei- Die Punkte, deren Koordinaten die Ungleichung (I) erfüllen,
chen liegen, bilden die Lösungsmenge. liegen unterhalb der Geraden y ¼ x þ 1. Die Punkte, deren
Koordinaten die Ungleichung (II) erfüllen, liegen links der
& Beispiele: Geraden x ¼ 2, und die Punkte, deren Koordinaten die Un-
1. (I) x þ 2y < 5, (II) x  2y < 1 gleichung (III) erfüllen, liegen oberhalb der Geraden
Aus (I) folgt y < 0;5x þ 2;5 und aus (II) y > 0;5x  0;5. 1
Die Punkte, deren Koordinaten die Ungleichung (I) erfüllen, y ¼  x  2.
2
liegen unterhalb der Geraden y ¼ 0;5x þ 2;5, und die
Punkte, deren Koordinaten die Ungleihung (II) erfüllen, lie-
gen oberhalb der Geraden y ¼ 0;5x  0;5. y x=2

x<2
y
y = –0,5x + 2,5
y > 0,5x – 0,5 –1 11
x
–1 y ≥ –0,5x – 2
1 y<x+1
–1 1 x
y=x+1
–1 y = –0,5x – 2
y < –0,5x + 2,5
y = 0,5x – 0,5
Bild II-7 Ungleichungssystem y < x þ 1; x < 2,
1
y x2
2
Bild II-6 Ungleichungssystem
Die Punkte, deren Koordinaten die Lösungsmenge bilden, liegen
y < 0;5x þ 2;5; y > 0;5x  0;5 im dreifach markierten Bereich. Nur die Koordinaten der
1
Die Punkte, deren Koordinaten die Lösungsmenge bilden, liegen Punkte der Begrenzungsgeraden y ¼  x  2, die auf dem
2
im doppelt gestrichelten Bereich. Die Koordinaten der Punkte Rand dieses dreifach markierten Bereiches liegen, gehören zur
beider Begrenzungsgeraden gehören nicht zur Lösungsmenge. Lösungsmenge.

III Planimetrie

Die Planimetrie (griech., Flächenmessung) ist ein
Teilgebiet der Geometrie (griech., Erdmessung) und
befaßt sich mit höchstens zweidimensionalen Objek-
ten. Dabei interessieren zum Beispiel Form, Größe
und gegenseitige Lage solcher Objekte. Die Grund-
elemente dieser Geometrie der Ebene sind Punkte
und Geraden.
1 Geraden und Strecken
Eine Gerade ist eine beidseitig unbegrenzte gerade
Linie. Ein Punkt ist die Schnittstelle zweier Ge-
raden.
Eine Gerade ist durch zwei voneinander verschie-
dene Punkte eindeutig bestimmt. Die kürzeste Ver-
bindung zweier Punkte P1 und P2 liegt auf der Ge-
raden durch P1 und P2 . Zwei verschiedene Geraden
in der Ebene sind parallel zueinander oder haben
einen Punkt, ihren Schnittpunkt, gemeinsam. Die
Gerade durch die Punkte P1 und P2 schreibt man
P1 P2 (gesprochen: Gerade P1 P2 ) oder P2 P1 . Gera-
den kürzt man oft mit g ab, also g ¼ P1 P2 ¼ P2 P1.
A 2 g ist eine abkürzende Schreibweise dafür, daß
der Punkt A ein Punkt der Geraden g ist, also auf
der Geraden g liegt, und B 62 g bedeutet, daß B
außerhalb von g liegt.
AB k CD oder g k h (gesprochen: g parallel h) be-
deutet, daß AB und CD zwei parallele Geraden
sind, also keinen Schnittpunkt haben.
g
a
h
a
Bild III-1 Parallele Geraden g und h
III Planimetrie
Ein Strahl oder eine Halbgerade ist ein Teil einer
Geraden, der von einem Punkt S einer Geraden aus
in einer Richtung läuft. Der Punkt S heißt Anfangs-
punkt des Strahls. Jeder Punkt einer Geraden be-
stimmt zwei verschiedene Strahlen.
S 1
A 360
s und Sekunden.
Bild III-2 Strahl s (A ist ein beliebiger Punkt von s)
Eine Strecke ist ein Abschnitt einer Geraden zwi-
schen zwei Punkten. Eine Strecke ist also eine beid-
seitig begrenzte gerade Linie. Die Strecke zwischen
den Punkten A und B schreibt man AB (gespro-
chen: Strecke AB). Die Punkte A und B heißen die
Endpunkte der Strecke, alle anderen Punkte der
Strecke bilden das Innere. Die Länge der Strecke
wird mit jABj bezeichnet (gesprochen: Länge oder
Betrag der Strecke AB).
B
a
A C
a
D
Bild III-3 Strecken AB und CD
mit derselben Länge a
2 Winkel
Zwei Strahlen, die von demselben Punkt S ausge-
hen, können durch eine Drehung um S ineinander
überführt werden, durch die der Winkel zwischen
ihnen bestimmt wird. Die Strahlen heißen die
Schenkel des Winkels, der Punkt S heißt Scheitel-
punkt.
Sind g und h die beiden Strahlen und A ein Punkt
von g und B ein Punkt von h, so bezeichnet man
den Winkel mit |ðg; hÞ (gesprochen: Winkel zwi-
schen g und h) oder mit |ASB (gesprochen: Win-
kel ASB).
h Bild III-4
B Winkel a ¼ | ðg; hÞ ¼ | ASB
a
S g
A
Winkel werden meist mit kleinen griechischen Buch-
staben bezeichnet:
a; b; g; d; . . . ; j; . . .
Man unterscheidet in der Regel nicht zwischen Win-
kel und Größe (Maß, Betrag) eines Winkels.
47
Zur Winkelmessung unterscheidet man zwei ver-
schiedene Winkelmaße: das Gradma und das Bo-
genmaß (Bogenmaß siehe Abschnitt III.10.9). Beide
beruhen auf Kreisteilungen.
Beim Gradmaß wird ein Vollwinkel in 360 gleiche
Teile eingeteilt (Sexagesimaleinteilung). Die Einheit
des Gradmaßes ist Grad ( ). 1 entspricht des
Vollwinkels. Untereinheiten des Grads sind Minuten
1 ð1 GradÞ ¼ 600 ð60 MinutenÞ;
10 ð1 MinuteÞ ¼ 6000 ð60 SekundenÞ
   0
1 1
10 ¼ ; 100 ¼
60 60
In der Geodäsie wird eine Zentesimaleinteilung ver-
wendet. Dabei wird der Vollwinkel in 400 gleiche
Teile eingeteilt. Die Einheit ist gon (Gon). 1 gon
1
entspricht also des Vollwinkels. ltere, heute
400
nicht mehr gebräuchliche Einheit ist Neugrad.
1 Vollwinkel ¼ 360 ¼ 400 gon
Für bestimmte Winkel gibt es besondere Bezeich-
nungen:
Ein Winkel a mit a ¼ 0 heißt Nullwinkel.
Ein Winkel a mit a ¼ 90 heißt rechter Winkel.
Ein Winkel a mit a ¼ 180 heißt gestreckter Winkel.
Ein Winkel a mit a ¼ 360 heißt Vollwinkel.
Ein Winkel a, der größer als 0 und kleiner als ein
rechter Winkel ist, heißt spitzer Winkel:
0 < a < 90 :
Ein Winkel a, der größer als ein rechter Winkel ist,
heißt stumpfer Winkel: a > 90 :
Ein Winkel a, der größer als ein gestreckter Winkel
ist, heißt überstumpfer Winkel: a > 180 :
In einer Figur kennzeichnet man einen rechten Win-
kel mit einem Punkt zwischen seinen Schenkeln und
einem Winkelbogen.
S S S
spitzer Winkel rechter Winkel stumpfer Winkel
S S S
gestreckter Winkel überstumpfer Vollwinkel
Winkel
Bild III.5 Winkelbezeichnungen
48 Mathematik

Einige Paare von Winkeln haben bestimmte Namen: 6. Wechselwinkel

Entgegengesetzt liegende Winkel an von einer
1. Komplementwinkel Geraden geschnittenen Parallelen. Wechselwin-
Winkel, die sich zu 90 ergänzen. Der Komple- kel sind gleich groß.
mentwinkel zu einem Winkel a ist der Winkel
b ¼ 90  a. A A′

& Beispiel: a ¼ 32 und b ¼ 58 sind Komplementwinkel. a

90° – a B = B′ S S′ a D = D′

a C
b C′

Bild III-11 Wechselwinkel (|ASB und |C 0 S0 D0 )

Bild III-6 Komplementwinkel
7. Halbgleichliegende Winkel
2. Supplementwinkel Winkelpaare an von einer Geraden geschnitte-
Winkel, die sich zu 180 ergänzen. Der Supple- nen Parallelen, die weder Stufenwinkel noch
mentwinkel zu einem Winkel a ist der Winkel Wechselwinkel sind. Halbgleichliegende Winkel
b ¼ 180  a. sind Supplementwinkel, sie ergänzen sich also zu
180 :
& Beispiel: a ¼ 62 und b ¼ 118 sind Supplementwinkel.
A A′
180° – a 180° – a
a
a
B = B′ S S′ D = D′
Bild III-7 Supplementwinkel
C C′

3. Scheitelwinkel Bild III-12 Halbgleichliegende Winkel

Gegenüberliegende Winkel an zwei sich schnei- (|ASB und |D0 S0 A0 )
denden Geraden. Scheitelwinkel sind gleich groß.

C B 3 Grundkonstruktionen mit Zirkel

S und Lineal
a a
A
Eine Senkrechte ist eine Gerade, die eine gegebene
D
Gerade (oder eine Ebene) mit einem Winkel von
Bild III-8 Scheitelwinkel (|ASB und |CSD) 90 schneidet.
Das Lot ist eine Gerade, die durch einen Punkt
4. Nebenwinkel einer anderen Geraden (oder einer Ebene) geht
Benachbarte Winkel an zwei sich schneidenden und auf dieser Geraden (Ebene) senkrecht steht.
Geraden. Nebenwinkel sind Supplementwinkel,
sie ergänzen sich also zu 180 :
180° – a l
B
g
a
C S A P
Bild III-9 Nebenwinkel (|ASB und |BSC)
Bild III-13
5. Stufenwinkel Lot l auf Gerade g
Gleichliegende Winkel an von einer Geraden ge- durch Punkt P
schnittenen Parallelen. Stufenwinkel sind gleich
groß.
A A′ l

a a
B = B′ S S′ D = D′
P
Bild III-14
C C′
E Lot l auf Ebene E
Bild III-10 Stufenwinkel (|ASB und |A0 S0 B0 ) durch Punkt P
III Planimetrie 49

Einige wichtige Grundkonstruktionen lassen sich Parallele durch gegebenen Punkt

ausschließlich mit Benutzung von Zirkel und Lineal Ein Kreisbogen um P 62 g mit Radius r schneidet die
durchführen. gegebene Gerade g in C. Ein Kreisbogen um C mit
dem gleichen Radius r schneidet g in B, ein Kreis-
Strecke halbieren bogen um B mit dem Radius r schneidet den ersten
Kreisbögen mit gleichem Radius um die Endpunkte Kreisbogen um P (mit dem Radius r) in A. Die Ge-
A und B einer Strecke AB schlagen. Die Schnitt- rade PA ist die Parallele zu g durch P (Konstruk-
punkte sind C und C0 . Die Gerade CC0 halbiert AB tion eines Rhombus & ðPCBAÞ).
in E. P
r
A
C p
s s g
2 2
A E B r C
Bild III-15
B
C′ Strecke AB halbieren
Bild III-19 Parallele zu g durch P

Winkel halbieren Parallele in gegebenem Abstand

Ein Kreisbogen um den Scheitelpunkt S des Win- In beliebigen Punkten A 2 g und B 2 g (aber A 6¼ B)
kels schneidet die Schenkel in A und in B. Kreis- einer gegebenen Geraden g werden die Senkrechten
bögen mit gleichem Radius um A und B schneiden errichtet, und auf diesen wird der gegebene Abstand a
sich in C. Die Gerade SC halbiert |BSA. abgetragen: jADj ¼ a und jBCj ¼ a. Die Gerade CD
ist eine der beiden Parallelen zu g im Abstand a
(Konstruktion eines Rechtecks & ðABCDÞ).
A C
g Bild III-20
a D
a Parallele zu g im Abstand a
2 a
Bild III-16
2 A
B
Winkel a halbieren
S
a
C
a
Senkrechte errichten
B p
Ein Halbkreis um P 2 g (Punkt P liegt auf der
Geraden g) schneidet g in A und B. Kreisbögen
mit gleichem Radius um A und B schneiden sich
in C. Die Gerade PC ist die Senkrechte auf g im
4 Projektion
Punkte P.
Man unterscheidet Parallelprojektion und Zentral-
C Bild III-17 projektion.
Senkrechte auf g errichten Eine Parallelprojektion ist die Abbildung eines ebe-
nen Gegenstandes durch parallele Strahlen auf eine
Gerade (in der Stereometrie die Abbildung eines
räumlichen Gegenstandes durch parallele Strahlen
g
A P B auf eine Ebene). Bei senkrechter Parallelprojektion
stehen die projizierenden Strahlen senkrecht auf der
Lot fällen Geraden (Stereometrie: auf der Ebene), bei schiefer
Parallelprojektion nicht.
Ein Kreisbogen um P 62 g (Punkt P liegt nicht auf
der Geraden g) schneidet g in A und B. Kreisbögen B Bild III-21
mit gleichem Radius um A und B schneiden sich in Senkrechte Parallel-
P0 . Die Gerade PP0 ist das Lot von P auf g. projektion einer Strecke
AB
A

Bild III-18 A′ B′
Lot von P auf g fällen s1 s2
50 Mathematik

Eine Zentralprojektion ist die Abbildung eines ebe-
nen Gegenstandes durch Strahlen, die alle durch
einen festen Punkt Z gehen (durch das Zentrum
oder Projektionszentrum), auf eine Gerade (in der
Stereometrie die Abbildung eines räumlichen Ge-
genstandes auf eine Ebene).
A, der Winkel b den Scheitelpunkt B und der Win-
kel g den Scheitelpunkt C hat.
C Bild III-23
g Bezeichnungen im Dreieck
b a

Z Bild III-22
Zentralprojektion von Z a b
einer Strecke AB A c B
B
Abkürzend verwendet man für ein Dreieck den gro-
A ßen griechischen Buchstaben D, und für ein Dreieck
mit den Eckpunkten A; B; C schreibt man DðABCÞ.
Die Winkelsumme in jedem Dreieck beträgt 180 .
A′ B′
a þ b þ g ¼ 180
s1 s2
C
g AB
a g b
5 Geometrische rter
b a
Ein geometrischer Ort ist eine Punktmenge, die
alle Elemente mit einer bestimmten geometrischen
Eigenschaft (oder mit mehreren Eigenschaften) ent- a b
hält. A c B
In der Planimetrie sind die geometrischen rter Li-
Bild III-24 Winkelsumme gleich 180
nien, daher werden sie auch geometrische Ortslinien
genannt. In der Stereometrie sind die geometrischen
rter Flächen. Im Dreieck ist die Summe zweier Seitenlängen stets
größer als die dritte.
& Beispiele für geometrische Ortslinien:
1. Der geometrische Ort aller Punkte, die von einem festen
a þ b > c; a þ c > b; bþc>a
Punkt M die feste Entfernung r haben, ist der Kreis um M
mit dem Radius r.
2. Der geometrische Ort aller Punkte, die von einer gegebenen Diese drei Ungleichungen zusammen heißen Drei-
Geraden g den festen Abstand d haben, ist eine Parallele zu ecksungleichungen.
g im Abstand d.
3. Geometrischer Ort aller Punkte, die von zwei festen Punkten
Die Supplementwinkel der Dreieckswinkel nennt
A und B gleich weit entfernt sind, ist die Mittelsenkrechte man Außenwinkel des Dreiecks. Die Summe der
auf der Strecke AB. Außenwinkel a0 ; b0 ; g0 in jedem Dreieck beträgt
4. Geometrischer Ort aller Punkte, die von zwei festen nicht 360 .
parallelen Geraden g und h den gleichen Abstand haben,
sind die beiden (zueinander senkrechten) Winkelhalbieren-
den zwischen g und h. a0 þ b0 þ g0 ¼ 360

Bild III-25
6 Dreiecke C Außenwinkelsumme
g′
6.1 Allgemeine Dreiecke g gleich 360
Ein Dreieck besteht aus drei nicht auf einer Ge-
raden liegenden Punkten A; B; C und den Strecken
AB; AC; BC: a b b′
A
Die Punkte A; B; C sind die Eckpunkte des Drei- a′ B
ecks, die Strecken AB; AC; BC sind die Seiten des
Dreiecks, und ihre Längen jABj; jACj; jBCj sind die
Seitenlängen des Dreiecks. In einem Dreieck liegt der größeren Seite stets der
Meistens werden die Seitenlängen mit a; b; c und die größere Winkel gegenüber.
Innenwinkel des Dreiecks mit a; b; g bezeichnet,
und zwar in der Weise, daß der Punkt A der Seite a>b>c,a>b>g
mit der Länge a, der Punkt B der Seite mit der Län-
ge b, der Punkt C der Seite mit der Länge c gegen- In einem spitzwinkligen Dreieck sind alle drei In-
überliegt und daß der Winkel a den Scheitelpunkt nenwinkel kleiner als 90 , in einem rechtwinkligen
III Planimetrie 51

Dreieck ist ein Winkel gleich 90 , in einem stumpf- In einem gleichseitigen Dreieck sind auch alle Win-
winkligen Dreieck ist ein Winkel größer als 90 . kel gleich groß, jeder Winkel beträgt also 60 .
Der Umfang u eines Dreiecks ist die Summe der Das gleichseitige Dreieck hat drei Symmetrieachsen.
Seitenlängen.
Bild III-27
u¼aþbþc 60° Gleichseitiges Dreieck
a a
Der Flächeninhalt A eines Dreiecks berechnet sich
nach der Grundformel
60° 60°
1 :: a
A ¼  Grundseite  Ho he
2
Die Höhen, Winkelhalbierenden, Seitenhalbieren-
Daraus ergeben sich folgende Formeln für den Flä-
den und Mittelsenkrechten fallen beim gleichseitigen
cheninhalt A (vgl. Kapitel VI)
Dreieck zusammen (vgl. Abschnitt III.6.5). Folglich
fallen auch die Mittelpunkte des Inkreises und des
1 1 1
A¼ a  ha ¼ b  hb ¼ c  hc Umkreises mit dem Schwerpunkt des Dreiecks zu-
2 2 2 sammen.
1 1
¼ a  b  sin g ¼ a  c  sin b Ein gleichseitiges Dreieck heißt auch reguläres oder
2 2 regelmäßiges Dreieck.
1
¼ b  c  sin a
2 ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
p
¼ sðs  aÞ ðs  bÞ ðs  cÞ ; 6.4 Rechtwinklige Dreiecke
1
s ¼ ða þ b þ cÞ Ein Dreieck mit einem rechten Winkel, also mit
2
einem Winkel von 90 , heißt rechtwinklig.
Die Summe der beiden anderen (spitzen) Winkel in
Die letzte Formel ist die sogenannte Heronische Flä-
einem rechtwinkligen Dreieck ist ebenfalls 90 .
chenformel (nach dem griechischen Mathematiker
Die dem rechten Winkel gegenüberliegende Drei-
Heron von Alexandria, 1. Jahrhundert u. Z.), damit
ecksseite ist die Hypotenuse, die beiden anderen
ist die Berechnung des Flächeninhalts eines Drei-
Seiten (also die Schenkel des rechten Winkels) sind
ecks allein mit den Seitenlängen möglich.
die Katheten des rechtwinkligen Dreiecks.

6.2 Gleichschenklige Dreiecke C

Ein Dreieck mit zwei gleich langen Seiten heißt Ka
te

the
gleichschenklig.
the

te
Ka

Die gleich langen Seiten heißen Schenkel und die

dritte Seite Basis des Dreiecks. Die Winkel an der a b
Basis sind die Basiswinkel. Der der Basis gegen- A B
Hypotenuse
überliegende Punkt heißt Spitze.
Bild III-28 Rechtwinkliges Dreieck (a þ b ¼ 90 )
C Bild III-26
Spitze
Gleichschenkliges Dreieck Für das rechtwinklige Dreieck gelten einige interes-
Sc

sante Flächensätze (vgl. Abschnitt III.6.6).

el
nk

he
n
he

ke
Sc

Basiswinkel
A
a a
B
6.5 Besondere Geraden, Strecken
Basis und Kreise
Symmetrieachse
Der Umkreis eines Dreiecks ist der Kreis durch die
drei Eckpunkte des Dreiecks, der dem Dreieck um-
Die Basiswinkel sind gleich groß. Höhe, Seitenhal-
beschriebene Kreis.
bierende, Mittelsenkrechte und Winkelhalbierende
Der Inkreis eines Dreiecks berührt die drei Drei-
der Basis sind identisch (vgl. Abschnitt III.6.5). Sind
ecksseiten von innen, er hat die Dreiecksseiten also
umgekehrt in einem Dreieck je zwei dieser Strecken
als Tangenten. Der Inkreis ist der dem Dreieck ein-
gleich, dann ist das Dreieck gleichschenklig.
beschriebene Kreis.
Die Mittelsenkrechte einer Strecke ist die Senkrech-
6.3 Gleichseitige Dreiecke te durch den Mittelpunkt der Strecke. Beim Dreieck
Ein Dreieck mit drei gleich langen Dreiecksseiten schneiden sich die drei Mittelsenkrechten in einem
heißt gleichseitig. Punkt M, dem Mittelpunkt des Umkreises. Bei spitz-
52 Mathematik

winkligen Dreiecken liegt M innerhalb des Dreiecks,

bei stumpfwinkligen Dreiecken außerhalb und bei H
rechtwinkligen Dreiecken auf dem Rand (Mittel-
punkt der Hypotenuse) des Dreiecks.
C

C
hb
ha
b a
b M a
ma
A c B
r mc mb

A B Bild III-32 In einem stumpfwinkligen Dreieck liegt

c
H außerhalb des Dreiecks
Sind a; b; c die Dreiecksseiten und a; b; g die Winkel
Bild III-29 Dreieck mit Umkreis des Dreiecks, so gilt (vgl. Kapitel VI)
Eine Höhe in einem Dreieck ist der Teil des Lotes ha ¼ c sin b ¼ b sin g ; hb ¼ c sin a ¼ a sin g ;
von einem Eckpunkt auf die gegenüberliegende Sei-
hc ¼ a sin b ¼ b sin a
te, der von dem Eckpunkt und dieser Seite (bzw.
ihrer Verlängerung) begrenzt wird.
Die Längen der Höhen verhalten sich umgekehrt
C proportional wie die zugehörigen Seitenlängen.
g
1 1 1
ha : hb : hc ¼ : :
hc a b c
b a
Eine Winkelhalbierende ist eine Gerade durch den
ha H hb Scheitelpunkt eines Winkels, so daß die beiden Winkel
zwischen Gerade und je einem Schenkel gleich sind.
a b
Im Dreieck sind die drei Winkelhalbierenden Strek-
A c B
ken PQ, wobei P ein Eckpunkt (Scheitelpunkt des
Bild III-30 Die Höhen eines Dreiecks schneiden entsprechenden Winkels) und Q der Schnittpunkt
sich in einem Punkt H mit der gegenüberliegenden Seite ist. Die drei Win-
kelhalbierenden im Dreieck schneiden sich in einem
Die drei Höhen eines Dreiecks (bzw. ihre Verlän- Punkt, dem Mittelpunkt des Inkreises.
gerungen) schneiden sich in einem Punkt H. Der Die Längen der Winkelhalbierenden im Dreieck
Höhenschnittpunkt des Dreiecks heißt Orthozen- werden mit wa ; wb ; wg bezeichnet.
trum des Dreiecks.
C
Bei spitzwinkligen Dreiecken liegt der Höhen-
schnittpunkt H im Innern des Dreiecks, bei einem g g
rechtwinkligen Dreieck fällt H mit dem Scheitel- 2 2
punkt des rechten Winkels zusammen (zwei Höhen
wg
fallen mit den Katheten zusammen), bei stumpf- r r
b a
winkligen Dreiecken liegt der Höhenschnittpunkt H
außerhalb des Dreiecks. wb
a wa b
Die Längen der Höhen im Dreieck werden mit ha ; r
2a b 2
hb ; hc bezeichnet. 2 2
A c B
C=H
Bild III-33 Dreieck mit Inkreis
b = ha a = hb
Für die Winkelhalbierenden gilt (vgl. Kapitel VI)
hc
a b
2bc cos 2ac cos
A B wa ¼ 2 ; wb ¼ 2 ;
c bþc aþc
Bild III-31 In einem rechtwinkligen Dreieck fällt H g
2ab cos
mit dem Scheitelpunkt des rechten Win- wg ¼ 2
kels zusammen aþb
III Planimetrie 53

Eine Winkelhalbierende teilt die gegenüberliegende Radius r des Umkreises

Seite im Verhältnis der Längen der anliegenden Sei-
ten. a b c
r¼ ¼ ¼
2 sin a 2 sin b 2 sin g
g g bc ac ab
¼ ¼ ¼
b 2 2 a 2ha 2hb 2hc
wg abc
¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
4 sðs  aÞ ðs  bÞ ðs  cÞ
v u

Bild III-34 Winkelhalbierende im Dreieck 6.6 Flächensätze im rechtwinkligen Dreieck

(u : v ¼ a : b)
Eine Seitenhalbierende (auch Median genannt) in
einem Dreieck ist die Verbindungsstrecke einer
Ecke mit dem Mittelpunkt der gegenüberliegenden
Seite.
Die drei Seitenhalbierenden eines Dreiecks schnei-
den sich in einem Punkt S, dem Schwerpunkt des
Dreiecks. Der Schwerpunkt teilt die Seitenhalbieren-
den vom Eckpunkt aus im Verhältnis 2 : 1.
Die Längen der Seitenhalbierenden im Dreieck wer-
den mit sa ; sb ; sc bezeichnet.
C
1. Kathetensatz
In einem rechtwinkligen Dreieck ist das Quadrat
über einer Kathete gleich dem Rechteck aus Hypo-
tenuse und zugehörigem Hypotenusenabschnitt.
Der Hypotenusenabschnitt ist die Projektion
(Parallelprojektion) der entsprechenden Kathete
auf die Hypotenuse.
Sind a; b die Kathetenlängen, c die Hypotenusen-
länge und p; q die zugehörigen Hypotenusenab-
schnitte des Dreiecks, so gilt
a2 ¼ pc ; b2 ¼ qc

sc C
E D
S b a
h
sb D
A q p B
sa
A B
F c c
Bild III-35 Die drei Seitenhalbierenden eines Drei-
ecks schneiden sich im Schwerpunkt S Bild III-36
ðjASj : jSDj ¼ jBSj : jSEj c Kathetensatz
¼ jCSj : jSFj ¼ 2 : 1Þ
Der Kathetensatz heißt auch erster Satz des
Für die Seitenhalbierenden gilt (vgl. Kapitel VI) Euklid (nach dem hellenistischen Mathematiker
Euklid von Alexandria, 365300 v. u. Z.).
1 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 2. Satz des Pythagoras
sa ¼ b2 þ c2 þ 2bc cos a
2 In einem rechtwinkligen Dreieck ist die Summe
1 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi der Quadrate über den Katheten gleich dem
sb ¼ a2 þ c2 þ 2ac cos b Quadrat der Hypotenuse.
2
1 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Sind a und b die Kathetenlängen und c die Hy-
sc ¼ a2 þ b2 þ 2ab cos g potenusenlänge, so gilt
2

Mit Hilfe unterschiedlicher Größen des Dreiecks a2 þ b2 ¼ c2

lassen sich die Radien des Inkreises und des Um-
kreises berechnen. Dabei ist s der halbe Umfang
1
des Dreiecks, s ¼ ða þ b þ cÞ.
2 b2 C
a2
Radius r des Inkreises b a

A c B
ðs  aÞ ð s  bÞ ðs  cÞ
r¼
s Bild III-37
c2
a b g Satz des Pythagoras:
¼ s  tan  tan  tan
2 2 2 a2 þ b2 ¼ c2
54 Mathematik

Einfacher Beweis des Satzes von Pythagoras: überein, alle Bestimmungsstücke wie Längen, Win-
In ein Quadrat Q1 der Seitenlänge a þ b wird ein kel, Fläche und so weiter sind gleich. Kongruente
Quadrat Q2 der Seitenlänge c so gelegt, daß die Figuren unterscheiden sich nur durch ihre Lage in
Eckpunkte von Q2 die Seiten von Q1 im Verhält- der Ebene.
nis a : b teilen. Dann haben die vier innerhalb So sind zum Beispiel zwei Quadrate mit gleicher
von Q1 entstandenen Dreiecke alle den Flächen- Seitenlänge kongruent oder zwei Kreise mit glei-
1 chem Radius (und unterschiedlichen Mittelpunk-
inhalt ab, und deshalb gilt:
2 ten).
1
ða þ bÞ2 ¼ c2 þ 4  ab ) a2 þ 2ab þ b2
2
¼ c2 þ 2ab ) a2 þ b2 ¼ c2

b a
b
c
a
c

c a
c des Satzes
b
a b
3. Höhensatz
In einem rechtwinkligen Dreieck ist das Quadrat
über der Höhe auf der Hypotenuse gleich dem
Rechteck aus den beiden durch die Höhe gebil-
deten Hypotenusenabschnitten.
Bezeichnet man die Höhe mit h und die Hypo-
tenusenabschnitte mit p und q, so gilt
h2 ¼ pq
Beweis des Höhensatzes:
Nach dem Satz des Pythagoras gilt a2 ¼ h2 þ p2
und nach dem Kathetensatz a2 ¼ pc ¼ pðp þ qÞ.
Bild III-38
Zum Beweis
Bild III-40 Kongruente Quadrate
von Pythagoras
Kongruente Figuren lassen sich durch Parallelver-
schiebung, Spiegelung oder Drehung oder mehrere
dieser drei Bewegungen zur Deckung bringen.
Für Dreiecke gibt es vier Kongruenzsätze, die Be-
dingungen für die Kongruenz angeben.
In der folgenden Aufzählung steht W für Winkel
und S für Seite bzw. Seitenlänge.
1. Kongruenzsatz WSW und SWW
Dreiecke sind kongruent, wenn sie in einer Seite
und den beiden anliegenden Winkeln überein-
stimmen (WSW).
Dreiecke sind kongruent, wenn sie in einer Seite
und einem anliegenden sowie dem gegenüberlie-
genden Winkel übereinstimmen (SWW).

a c

C b
h b
a
h a c
a
D c a
A q p B g
p
a
g
c
q
Bild III-39 Bild III-41 Kongruenzsatz WSW und SWW
Höhensatz
p
2. Kongruenzsatz SSW
Subtraktion der beiden Gleichungen ergibt 0 ¼ Dreiecke sind kongruent, wenn sie in zwei Seiten
h2 þ p2  ðp2 þ pqÞ ¼ h2  pq, woraus h2 ¼ pq und dem der längeren Seite gegenüberliegenden
folgt. Winkel übereinstimmen.
Der Höhensatz heißt auch zweiter Satz des Euklid.

6.7 Kongruenz von Dreiecken b a

a b
b
Zwei geometrische Figuren heißen kongruent, wenn b
sie deckungsgleich sind. Kongruente geometrische
Figuren stimmen also in Größe und Gestalt völlig Bild III-42 Kongruenzsatz SSW
III Planimetrie 55

3. Kongruenzsatz SWS c C
Dreiecke sind kongruent, wenn sie in zwei Seiten g
und dem von ihnen eingeschlossenen Winkel C′
übereinstimmen. a g g

a a g b
180°
a =180°– (a+g) a
b b – (a+g)
A B
c c c

Bild III-43 Kongruenzsatz SWS Bild III-46 Grundkonstruktion SWW

4. Kongruenzsatz SSS 2. Grundkonstruktion SSW

Dreiecke sind kongruent, wenn sie in den drei
Seiten übereinstimmen.
c
b a
a von der Anzahl der Schnittpunkte des Kreisbo-
b
c gens mit dem freien Schenkel von b:
Bild III-44 Kongruenzsatz SSS
6.8 Grundkonstruktionen des Dreiecks
Entsprechend den vier Kongruenzsätzen für das
Dreieck gibt es vier Grundkonstruktionen für das
Dreieck.
In der folgenden Aufzählung steht W für Winkel
und S für Seite bzw. Seitenlänge.
1. Grundkonstruktion WSW und SWW
a) Gegeben: a; c; b (Winkel, Seite, Winkel)
Konstruktion: Man zeichnet c ¼ jABj und trägt
an AB in A den Winkel a und in B den Win-
kel b an. Die freien Schenkel von a und b
schneiden sich im Eckpunkt C.
Bedingung: a þ b < 180
C
c c
a
b b
a b
A c B
Bild III-45 Grundkonstruktion WSW
Gegeben: b; c; b < 90 (Seite, Seite, Winkel)
Konstruktion: Man zeichnet c ¼ jABj und trägt an
AB in B den Winkel b an. Dann zeichnet man
um A einen Kreisbogen mit dem Radius b. Die
Lösung der Konstruktionsaufgabe ist abhängig
a) Der Kreis schneidet den freien Schenkel des
gegebenen Winkels b nicht; keine Lösung.
b) Der Kreis berührt den freien Schenkel; ein
rechtwinkliges Dreieck als Lösung (g ¼ 90 ).
c) Der Kreis schneidet den freien Schenkel zwei-
mal, und für den Radius b ¼ bc gilt bc < c;
zwei verschiedene Lösungen DðABC1 Þ und
DðABC2 Þ.
d) Der Kreis schneidet den freien Schenkel zwei-
mal, und für den Radius b ¼ bc gilt bc ¼ c
(der Kreis geht durch den Scheitelpunkt B
des gegebenen Winkels b); ein gleichschenkli-
ges Dreieck als Lösung (b ¼ bd ¼ c; Spitze A).
e) Der Kreis schneidet den freien Schenkel ein-
mal; ein Dreieck als Lösung (b ¼ be > c).
Der Kongruenzsatz SSW gilt für die Fälle b), d)
und e).
ba
bb
bc
bd
be
C

b) Gegeben: c; a; g (Seite, Winkel, Winkel) be C

Erste Konstruktion: Man konstruiert b als Ne-
benwinkel von a þ g und verfährt wie oben. bd = c C 1
Zweite Konstruktion: Man zeichnet c ¼ jABj bc
und trägt an AB in A den Winkel a an. In bb C
einem beliebigen Punkt C0 des freien Schen- ba bc C2
kels von a trägt man an diesen den Winkel g
an. Die Parallele zu dem freien Schenkel von A b B
c
g durch B schneidet den freien Schenkel von
a im Eckpunkt C. Bild III-47 Grundkonstruktion SSW
Bedingung: a þ b < 180 (gegeben: b; c; b < 90 )
56
Gegeben: b; c; b  90 (Seite, Seite, Winkel)
Konstruktion: Nach Konstruktion von AB und
Antragen von b wie oben sind hier folgende
Fälle möglich:
f) Der Kreis um A mit dem Radius bf schneidet
den freien Schenkel des gegebenen Winkels b
nicht; keine Lösung.
g) Der Kreis um A mit dem Radius bg geht
durch den Punkt B; „Lösung‘‘ ist ein zur
Strecke (AB) entartetes Dreieck.
h) Der Kreis um A mit dem Radius bh schneidet
den freien Schenkel des gegebenen Winkels b
in C; eine Lösung.
Der Kongruenzsatz SSW gilt hier nur für den
Fall h).
c
bf
bg b 7.1 Allgemeine Vierecke
bh
C von denen keine drei auf einer Geraden liegen, und
bh
bf
b Die Punkte A; B; C; D sind die Eckpunkte des Vier-
A B
c = bg
Bild III-48 Grundkonstruktion SSW
(gegeben: b; c; b  90 )
3. Grundkonstruktion SWS
Gegeben: b; a; c (Seite, Winkel, Seite)
Konstruktion: Den Schenkeln des Winkels a gibt
man die Längen b ¼ jACj und c ¼ jABj. Man
verbindet B und C.
Bedingung: a < 180
C f
b c
b A
a a
A c B
Bild III-49 Grundkonstruktion SWS
4. Grundkonstruktion SSS
Gegeben: a; b; c (Seite, Seite, Seite).
Konstruktion: Man zeichnet c ¼ jABj und schlägt
um A einen Kreisbogen mit dem Radius b und
um B einen Kreisbogen mit dem Radius a. Der
Eckpunkt C ist der Schnittpunkt der Kreisbögen,
der „oberhalb‘‘ von AB liegt (A; B; C folgen im
mathematisch positiven Drehsinn, also entgegen
dem Uhrzeigersinn aufeinander). Anschließend
wird noch C mit den Eckpunkten A und B ver-
bunden.
Bedingungen: a < b þ c; b < a þ c; c < a þ b
(Dreiecksungleichungen)
Mathematik
C
b a
a b c A B
c
a
b
C′
Bild III-50 Grundkonstruktion SSS
Anmerkung: Wenn sich, wie bei der letzten Kon-
struktion, zwei spiegelbildlich gleiche Lösungen er-
geben (denn die Kreise schneiden sich zweimal, in
C und C 0 , falls die Dreiecksungleichungen erfüllt
sind), wählt man diejenige aus, bei der die Punkte
A; B; C entgegen dem Uhrzeigersinn, also im mathe-
matisch positiven Sinn, aufeinander folgen.
7 Vierecke
Ein Viereck besteht aus vier Punkten A; B; C; D,
den Strecken AB; BC; CD; DA:
ecks, die Strecken AB; BC; CD; DA sind die Seiten
des Vierecks, und ihre Längen jABj; jBCj; jCDj;
jDAj sind die Seitenlängen des Vierecks.
Meistens werden die Seitenlängen mit a; b; c; d und
die Innenwinkel des Vierecks mit a; b; g; d bezeich-
net, und zwar so, daß a ¼ jABj; b ¼ jBCj; c ¼ jCDj;
d ¼ jDAj und daß der Winkel a den Scheitelpunkt
A, der Winkel b den Scheitelpunkt B, der Winkel g
den Scheitelpunkt C und der Winkel d den Scheitel-
punkt D hat.
C
c g
D e b
d d f
a b
B
a
Bild III-51 Bezeichnungen im Viereck
Die Strecken AC und BD heißen Diagonalen des
Vierecks, ihre Längen werden meist mit e und f be-
zeichnet: e ¼ jACj; f ¼ jBDj.
Abkürzend verwendet man für ein Viereck das Sym-
bol &, und für ein Viereck mit den Eckpunkten
A; B; C; D schreibt man &(ABCD).
Die Winkelsumme in einem beliebigen Viereck be-
trägt 360 .
a þ b þ g þ d ¼ 360
Für die Längen der Seiten und der Diagonalen in
einem Viereck gilt folgender Zusammenhang:
In einem Viereck ist das Produkt der Diagonalen-
längen kleiner oder gleich der Summe der Pro-
III Planimetrie 57

dukte der Längen je zwei gegenüberliegender Sei- Das Trapez mit den Grundlinienlängen a und c und
ten. der Höhe h ist flächengleich einem Rechteck mit
den Seitenlängen m und h.
ef  ac þ bd Für den Flächeninhalt A des Trapezes gilt

aþc
Die Gleichheit gilt genau dann, wenn das Viereck A ¼ mh ¼ h
2
ein Sehnenviereck ist (bei einem Sehnenviereck lie-
gen alle vier Punkte auf einem Kreis).
Diese Aussage ist der verallgemeinerte Satz des 7.3 Parallelogramme
Ptolemäus (vgl. Abschnitt III.7.8). Ein Parallelogramm ist ein Viereck, bei dem die bei-
Der Umfang u eines Vierecks ist die Summe der den jeweils einander gegenüberliegenden Seiten par-
Seitenlängen. allel sind.
Einander gegenüberliegende Seiten im Parallelo-
u¼aþbþcþd gramm sind gleich lang; einander gegenüberliegende
Winkel sind gleich groß; benachbarte Winkel ergän-
Für den Flächeninhalt A eines Vierecks gilt (vgl. zen sich zu 180 ; die Diagonalen halbieren sich in
Kapitel VI): ihrem Schnittpunkt.
Das Parallelogramm mit den Seitenlängen a und b
ist flächengleich einem Rechteck mit den Seitenlän-
1 1
A¼ ðad sin a þ bc sin gÞ ¼ ðab sin b þ cd sin dÞ gen a und ha (oder b und hb ).
2 2
1
¼ ef sin j D a C
2
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi a
aþg 180° – a
¼ ðs  aÞ ðs  bÞ ðs  cÞ ðs  dÞ  abcd cos2 e
2 ha
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi b b
b þ d
¼ ðs  aÞ ðs  bÞ ðs  cÞ ðs  dÞ  abcd cos2 f
2 180° – a
a
A a B
Dabei ist j der Winkel zwischen den Diagonalen
und s der halbe Umfang des Vierecks, also Bild III-53 Parallelogramm
1
s ¼ ða þ b þ c þ dÞ. Für den Umfang u und den Flächeninhalt A eines
2
Die beiden letzten Formeln sind Verallgemeinerun- Parallelogramms mit den Seitenlängen a und b gilt
gen der Heronischen Flächenformel für Dreiecke.
Umfang u ¼ 2a þ 2b
::
7.2 Trapeze Flacheninhalt A ¼ aha ¼ bhb ¼ ab sin a
Ein Trapez ist ein Viereck, bei dem zwei Seiten zu-
Für die Längen der Seiten und der Diagonalen in
einander parallel sind.
einem Parallelogramm gilt folgender Zusammen-
Die parallelen Seiten heißen Grundlinien und die
hang:
anderen beiden Seiten Schenkel des Trapezes. Die
In einem Parallelogramm ist die Summe der Qua-
Verbindungsstrecke der Mittelpunkte der Schenkel
drate der Seitenlängen gleich der Summe der Qua-
heißt Mittellinie, sie ist parallel zu den Grundlinien.
drate der Diagonalenlängen, also
Die Höhe eines Trapezes ist der Abstand der paral-
lelen Grundlinien.
Sind die Schenkel gleich lang, so heißt das Trapez 2a2 þ 2b2 ¼ e2 þ f 2
gleichschenklig.
aþc
Ist m die Länge der Mittellinie, so gilt m ¼ . Diese Aussage ist der Satz von Apollonios (nach
2
dem hellenistischen Geometer und Astronom Apol-
D c C lonios von Perge, 262190 v. u. Z.).
d g
7.4 Rhomben
m Ein Rhombus ist ein Parallelogramm mit gleich lan-
d h
b gen Seiten.
Damit gelten für Rhomben alle Eigenschaften von
a b
Parallelogrammen. Darüber hinaus gilt: Die Diago-
A a B
nalen eines Rhombus halbieren sich in ihrem
Bild III-52 Trapez Schnittpunkt, sie halbieren alle Winkel, und sie ste-
58 Mathematik

hen senkrecht aufeinander. Statt Rhombus sagt man Für den Umfang u und den Flächeninhalt A eines
auch Raute. Quadrats der Seitenlänge a gilt

a Umfang u ¼ 4a
:: 1
Flacheninhalt A ¼ a2 ¼ e2
f 2
a a
Ein Quadrat heißt auch reguläres oder regelmäßiges
e Bild III-54 Viereck.
Rhombus
a 7.7 Drachen
Für den Umfang u und den Flächeninhalt A eines Ein Drachen ist ein Viereck mit zwei Paaren gleich
Rhombus der Seitenlänge a gilt (e und f sind die langer benachbarter Seiten.
Längen der Diagonalen) Statt Drachen sagt man auch Drachenviereck.
Die Diagonalen eines Drachens stehen senkrecht
Umfang u ¼ 4a aufeinander.
:: 1
Flacheninhalt A ¼ a2 sin a ¼ ef D
2
d c

7.5 Rechtecke A e C
Ein Rechteck ist ein Parallelogramm mit vier rech-
ten Winkeln. f
a b
Die Diagonalen eines Rechtecks halbieren sich in
ihrem Schnittpunkt und sind gleich lang, es gilt
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Bild III-57
e ¼ f ¼ a2 þ b2 . Drachen
B
a
Ein Drachen mit vier gleich langen Seiten ist ein
e Rhombus (eine Raute).
Sind e und f die Längen der Diagonalen, dann gilt
b b
für den Flächeninhalt A des Drachens
e Bild III-55
Rechteck 1
a A¼ ef
2
Für den Umfang u und den Flächeninhalt A eines
Rechtecks mit den Seitenlängen a und b gilt 7.8 Sehnenvierecke
Ein Sehnenviereck ist ein Viereck, bei dem alle vier
Umfang u ¼ 2a þ 2b Eckpunkte auf einem Kreis liegen.
::
Flacheninhalt A ¼ ab
C
c
7.6 Quadrate D e
d b
Ein Quadrat ist ein Rechteck mit gleich langen Sei- A f
ten. Die Diagonalen eines Quadrats sind gleich lang a
und pstehen
ffiffiffi senkrecht aufeinander. Es gilt e ¼ f B Bild III-58
¼ a 2. Sehnenviereck

a
Der Kreis heißt Umkreis des Vierecks, die Seiten
e sind Sehnen dieses Kreises.
Ein Viereck ist genau dann ein Sehnenviereck,
a a wenn gegenüberliegende Winkel Supplementwinkel
sind, sich also zu 180 ergänzen.
e Bild III-56
Quadrat
a a þ g ¼ b þ d ¼ 180

Ein Quadrat ist auch ein Rhombus (eine Raute) mit In einem Sehnenviereck ist das Produkt der Diago-
vier rechten Winkeln. nalenlängen gleich der Summe der Produkte der
III Planimetrie 59

Längen je zwei gegenüberliegender Seiten (Satz von 8 Reguläre n-Ecke

Ptolemäus).
ef ¼ ac þ bd
Die Formel wurde hergeleitet und bewiesen von
dem hellenistischen Geometer und Astronom Ptole-
maios von Alexandria ( 83161 u. Z.).
In einem Sehnenviereck verhalten sich die Längen
der Diagonalen wie die Summen der Produkte der
Längen jener Seitenpaare, die sich in den Endpunk-
ten der Diagonalen treffen (Satz von Brahmagupta).
e ab þ cd
¼
f ad þ bc
Ein n-Eck besteht aus n Punkten, den Eckpunkten
des n-Ecks, und n Seiten, den Strecken zwischen
den Eckpunkten.
Haben alle Seiten die gleiche Länge und sind alle
Innenwinkel gleich groß, dann heißt das n-Eck regu-
lär oder regelmäßig.
Bei einem regulären n-Eck liegen alle Eckpunkte
auf einem Kreis, dem Umkreis des n-Ecks, und alle
Seiten sind Tangenten eines einbeschriebenen Krei-
ses, dem Inkreis des n-Ecks. Die Seiten sind Sehnen
des Umkreises.
gn

Die Formel wurde von dem Inder Brahmagupta (6./

7. Jahrhundert u. Z.) entdeckt, der erste Beweis rn
stammt von dem deutschen Mathematiker Johannes
Müller, genannt Regiomontanus (1436––1476). an
Durch Multiplikation bzw. Division dieser beiden r
Formeln erhält man Ausdrücke für die Längen der
beiden Diagonalen. bn
an
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ðab þ cdÞ ðac þ bdÞ
e¼ ; Bild III-60 Bezeichnungen im regulären n-Eck
ad þ bc
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ðad þ bcÞ ðac þ bdÞ
f ¼ Ein reguläres Dreieck ist ein gleichseitiges Dreieck,
ab þ cd
ein reguläres Viereck ist ein Quadrat.
Die Summe der Innenwinkel in einem beliebigen
Für den Flächeninhalt A des Sehnenvierecks gilt,
n-Eck ist ðn  2Þ  180 : Da alle n Innenwinkel gn
wenn s der halbe Umfang des Sehnenvierecks ist,
1 gleich groß sind, gilt
also s ¼ ða þ b þ c þ dÞ,
2
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi n2
Innenwinkel gn ¼  180
A ¼ ðs  aÞ ðs  bÞ ðs  cÞ ðs  dÞ n

7.9 Tangentenvierecke Durch die Verbindungsstrecken der Eckpunkte mit

dem Mittelpunkt des Umkreises wird das reguläre
Ein Tangentenviereck ist ein Viereck, bei dem alle
n-Eck in n kongruente Dreiecke zerlegt. Für die Ba-
vier Seiten denselben Kreis berühren.
siswinkel bn und die Zentriwinkel an gilt
D
c 1 n2
Basiswinkel bn ¼
g ¼  90
C 2 n n
360
Zentriwinkel an ¼
n
d
b
Für die Seitenlänge an, den Umkreisradius r und
Bild III-59 den Inkreisradius rn des regulären n-Ecks gilt (vgl.
A a
Tangentenviereck Kapitel VI):
B

Der Kreis heißt Inkreis des Vierecks, die Seiten sind :: pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi an
Seitenlange an ¼ 2r2  r2n ¼ 2r sin
Tangenten dieses Kreises. 2
Ein Viereck ist genau dann ein Tangentenviereck, an
¼ 2rn tan
wenn die Summe der Längen zweier gegenüberlie- 2
an
gender Seiten gleich der Summe der Längen der Umkreisradius r ¼ an
beiden anderen Seiten ist. 2 sin
2
an an
aþc¼bþd Inkreisradius rn ¼ cot
2 2
60 Mathematik

Für den Umfang un und den Flächeninhalt An des In einem konvexen Polygon liegen alle Diagonalen
regulären n-Ecks ergibt sich dann im Innern des Polygons, und alle Innenwinkel sind
kleiner als 180 .
Umfang un ¼ nan Da man das Innere eines n-Ecks durch n  2 sich
:: 1 1 nicht überschneidende Diagonalen in n  2 Drei-
Flacheninhalt An ¼ nan rn ¼ nr2 sin an ecke zerlegen kann und die Winkelsumme im Drei-
2 2
1 2 an eck 180 ist, beträgt die Summe der Innenwinkel in
¼ nan cot einem beliebigen n-Eck ðn  2Þ  180 .
4 2

bersicht über die regulären n-Ecke für kleine n (r ¼ Umkreisradius)

n Innen- Zentri- Seitenlänge an Umfang un Flächeninhalt An

winkel winkel
gn an

pffiffiffi 3 pffiffiffi 2
3 60 120 r 3 2r  2;5980 . . . 3r
4
pffiffiffi
4 90 90 r 2 2r  2;8284 . . . 2r2
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
r pffiffiffi 5 pffiffiffiffi
5 108 72 10  2 5 2r  2;9389 . . . 10 þ 2 5 r2
2 8

3 pffiffiffi 2
6 120 60 r 2r  3 3r
2
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi pffiffiffi
8 135 45 r 2 2 2r  3;0614 . . . 2 2 r2
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
r pffiffiffi 5 pffiffiffi
10 144 36 ð 5  1Þ 2r  3;0901 . . . 10  2 5 r2
2 4
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffiffi
12 150 30 r 2 3 2r  3;1058 . . . 3r2

Mit wachsendem n nähert der Umfang un sich dem In einem regulären (regelmäßigen) Polygon haben
Umfang 2r  p ¼ 2r  3;1415 . . . und der Flächeninhalt alle Seiten die gleiche Länge, und alle Innenwinkel
An sich dem Flächeninhalt pr2 des Kreises mit dem sind gleich groß.
Radius r an.

9 Polygone
Ein Polygon ist ein geschlossener Streckenzug der
Ebene.
Ein Polygon oder Vieleck mit n Eckpunkten ist ein Bild III-61
n-Eck. Die Strecken zwischen den Eckpunkten sind Einfaches Polygon
die Seiten des Polygons.
Ein einfaches Polygon teilt die Ebene in zwei Gebie-
te, das Innere und das ußere, die durch die Seiten
des Polygons getrennt werden.
Die Länge des geschlossenen Streckenzugs ist der
Umfang des Polygons, und die Fläche des Inneren ist Bild III-62
der Flächeninhalt des Polygons. Eine Verbindungs- Konvexes Polygon
strecke zweier nicht benachbarter Eckpunkte ist eine
Diagonale des Polygons. (Zwei Eckpunkte heißen be-
nachbart, wenn es zwischen ihnen eine Seite gibt.) Je-
der Eckpunkt kann also mit n  3 anderen Eckpunk-
ten durch eine Diagonale verbunden werden (denn
jeder der n Eckpunkte hat n  3 andere Eckpunkte
nicht als Nachbarn). Die Innenwinkel des Polygons Bild III-63
haben als Scheitelpunkte die Eckpunkte des Polygons. Reguläres Polygon
III Planimetrie 61

10 Kreise Für den Umfang u und die Fläche A eines Kreises

10.1 Definitionen
Ein Kreis ist der geometrische Ort aller Punkte der
Ebene, die von einem festen Punkt M einen kon-
stanten Abstand r haben.
Der Punkt M ist der Mittelpunkt und r der Radius
des Kreises.
Zur Unterscheidung von der durch einen Kreis in
der Ebene abgegrenzten Fläche, der Kreisfläche,
wird der Kreis selbst auch als Kreisperipherie oder
Kreisrand bezeichnet.
Einen Kreis mit dem Radius r ¼ 0 nennt man entartet.
Ein Kreis mit dem Radius r ¼ 1 heißt Einheitskreis.
Kreise kürzt man oft mit k ab, und für die Periphe-
rie des Kreises mit dem Radius r und dem Mittel-
punkt M schreibt man kðM; rÞ.
Jede Gerade durch zwei Punkte der Kreisperipherie
nennt man Sekante. Der zwischen den Punkten ge-
legene Teil der Sekante heißt Sehne. Eine Sehne
durch den Mittelpunkt heißt Durchmesser des Krei-
ses. Durchmesser sind die größten Sehnen des Krei-
ses. Für die Länge d eines Durchmessers gilt d ¼ 2r.
mit dem Radius r und dem Durchmesser d gilt
Kreisumfang u ¼ 2pr ¼ pd
:: p
Kreisflache A ¼ pr2 ¼ d2
4
Ein Kreis ist festgelegt durch den Mittelpunkt und
einen weiteren Punkt oder durch drei Punkte (die
nicht alle auf einer Geraden liegen).
Kreise, die den gleichen Mittelpunkt haben, heißen
konzentrische Kreise. Zwei Kreise mit verschiede-
nen Mittelpunkten nennt man exzentrisch.
Die von zwei konzentrischen Kreisen begrenzte Flä-
che heißt Kreisring. Ist R der Radius des äußeren
Kreises und r der Radius des inneren Kreises, dann
gilt für den Flächeninhalt A des Kreisrings
A ¼ pðR2  r2 Þ
10.2 Kreissektoren
Ein Kreissektor oder Kreisausschnitt ist der Teil der
Fläche eines Kreises, der von den Schenkeln eines
Zentriwinkels und dem zugehörigen Kreisbogen be-
grenzt wird.

s1
s2
Bild III-64 Kreissegment
s3 Sehnen eines Kreises Sehne
(Sehne s2 ist auch
Durchmesser)

Winkel, deren Scheitelpunkt ein Punkt der Kreisperi-

pherie ist und deren Schenkel Sekanten des Kreises
sind, heißen Peripherie- oder Umfangswinkel. Kreissektor
Winkel, deren Scheitelpunkt der Kreismittelpunkt ist,
nennt man Zentri- oder Mittelpunktswinkel. Der
durch einen Peripherie- oder Zentriwinkel ausge-
schnittene Teil der Kreisperipherie heißt Kreisbogen. Bild III-66 Kreissektor und Kreissegment

Ist a ein Zentriwinkel und hat der Kreis den Radius

r, dann ergibt sich für die Länge la des Kreisbogens

a
Peri- la ¼ pr
180
pherie-
Radius r
winkel
Für die Fläche Aa des Kreissektors gilt

M Durchmesser d a 1
Aa ¼ pr2 ¼ rla
360 2

Zentri-
winkel r

a la

r Bild III-67
Bild III-65 Bezeichnungen am Kreis Bezeichnungen Kreissektor
62 Mathematik

10.3 Kreissegmente 10.5 Winkelsätze am Kreis

Ein Kreissegment oder Kreisabschnitt ist der Teil Die Winkelsätze enthalten Eigenschaften von Peri-
der Fläche eines Kreises, der von einer Sehne AB pherie- und Zentriwinkeln von Kreisen:
_ _
und einem der zugehörigen Kreisbögen AB oder BA Alle Peripheriewinkel über der gleichen Sehne sind
begrenzt wird. gleich groß.
Ein Kreissegment ist also der Teil eines Kreissek- Jeder Peripheriewinkel über dem Durchmesser ist
tors, der zwischen dem Kreisbogen und der zugehö- ein rechter Winkel (Satz von Thales).
rigen Sehne liegt. Ein Kreis wird von einer Sehne in Jeder Peripheriewinkel ist halb so groß wie der Zen-
zwei Segmente zerlegt. triwinkel über dem gleichen Kreisbogen (über der
Ist r der Radius eines Kreises, a ein Zentriwinkel, gleichen Sehne).
s die Länge der zugehörigen Sehne und h die Höhe Jeder Peripheriewinkel ist genauso groß wie der
a Sehnentangentenwinkel (Winkel zwischen Sehne
des Kreissegments, dann berechnet man s ¼ 2r sin
a 2 und Tangente an den Kreis durch einen der End-
und h ¼ 2r sin2 , woraus sich für die Länge la des punkte der Sehne).
4
Kreisbogens ergibt
C1 Bild III-70
a
la ¼ pr g Spitzer Peripheriewinkel
180 C3
g
Für die Fläche Aa des Kreissegments gilt M C2
g
2g
1
Aa ¼ ½rla  sðr  hÞ A g B
2
b
T
Kreis-
r s segment
2 C
h la
Bild III-71
a r–h g
Stumpfer Peripheriewinkel
s A B
2 M g
r 2g

b T
Bild III-68 Bezeichnungen Kreissegment

10.4 Kreise und Geraden
Ein Kreis und eine Gerade können drei grundsätz-
lich verschiedene Lagen zueinander haben:
Die Gerade ist eine Passante p, sie hat mit dem
Kreis keinen Punkt gemeinsam.
Die Gerade ist eine Tangente t, sie hat mit dem
Kreis genau einen Punkt, den Berührungspunkt P,
gemeinsam.
Die Gerade ist eine Sekante s, sie hat mit dem Kreis
zwei Punkte, die Schnittpunkte P1 und P2 , gemeinsam.
Zeichnet man einen Kreis um den Mittelpunkt M
einer Strecke AB mit dem Durchmesser jABj, dann
ist jeder Peripheriewinkel über der Strecke AB ein
rechter Winkel. Ein solcher Kreis heißt Thaleskreis
(nach dem griechischen Philosophen und Mathema-
tiker Thales von Milet, 624546 v. u. Z.). Der
Thaleskreis ist also der geometrische Ort der Schei-
telpunkte aller rechten Winkel, deren Schenkel
durch die Punkte A und B gehen.

p
t

s
P P2 M
A B

P1 k
M
r

Bild III-69 Sekante s, Tangente t, Passante p Bild III-72 Thaleskreis

III Planimetrie 63

10.6 Eigenschaften von Sekanten Gemeinsame Tangenten an zwei Kreise

und Sehnen An zwei Kreise k1 und k2 mit den Radien r1 und r2
Haben zwei Sekanten den gleichen Abstand a vom sowie den Mittelpunkten M1 und M2 sollen gemein-
Mittelpunkt M eines Kreises, dann ist die Länge der same Tangenten konstruiert werden. Ohne Ein-
Sehnen, die der Kreis aus jeder Sekante ausschnei- schränkung der Allgemeinheit sei r1  r2 . Gemein-
det, gleich. same Tangenten gibt es nur dann, wenn ein Kreis
Umkehrung: Gleich lange Sehnen ein und desselben nicht ganz innerhalb des anderen liegt.
Kreises haben den gleichen Abstand vom Mittel-
punkt: jM1 Mj ¼ jM2 Mj ¼ a. 1. ußere Tangenten
Die Mittelsenkrechten von zwei beliebigen Sehnen Im Fall r1 ¼ r2 verbindet man die Mittelpunkte
ein und desselben Kreises schneiden sich im Mittel- M1 und M2 miteinander. Die Parallelen zu
punkt. M1 M2 im Abstand r1 ¼ r2 sind die gemeinsamen
äußeren Tangenten von k1 und k2 .
Im Fall r2 > r1 schlägt man um M2 einen Hilfs-
kreis mit dem Radius r2  r1. An diesen Kreis
e M3 werden von M1 aus die Tangenten mit Hilfe
2a M e des Thaleskreises über M1 M2 konstruiert. Die
M1
e a 2 Bild III-73 (äußeren) Parallelen hierzu im Abstand r1 sind
e
2 M2 Eigenschaften von die gesuchten gemeinsamen äußeren Tangenten
2
Sekanten und Sehnen der Kreise k1 und k2 .

Anwendung: Ist von einem Kreis nur die Peripherie

oder auch nur ein Bogen bekannt, der Mittelpunkt
Thales-
dagegen unbekannt, dann findet man diesen Mittel- kreis Hilfs-
punkt als Schnittpunkt der Mittelsenkrechten von r2–r1 kreis
zwei beliebigen Sehnen.
M2
k1 M1
10.7 Tangentenkonstruktionen k2
r1 r2
Tangenten an einen Kreis
Von jedem Punkt P0 außerhalb eines Kreises (Mit-
telpunkt M) gibt es zwei Tangenten an den Kreis. In Bild III-75 Gemeinsame äußere Tangenten
den Berührungspunkten P1 und P2 stehen die Tan-
genten senkrecht auf den Geraden P1 M und P2 M. 2. Innere Tangenten
Somit erhält man die Berührungspunkte als Schnitt- Die gegebenen Kreise k1 und k2 sollen keinen
punkte des Kreises mit dem Thaleskreis über der Punkt gemeinsam haben. Um den einen Mittel-
Strecke jMP0 j. punkt M2 schlägt man einen Hilfskreis mit dem
& Beispiele:
Radius r1 þ r2. An diesen Kreis werden von dem
1. Gesucht ist die Tangente an den Kreis kðM; rÞ im Kreispunkt anderen Mittelpunkt M1 aus die Tangenten kon-
P1 . struiert. Die (inneren) Parallelen hierzu im Ab-
Konstruktion: Auf P1 M wird in P1 die Senkrechte t1 errichtet. stand r1 sind die gesuchten gemeinsamen inneren
2. Gesucht sind die Tangenten von P0 mit jP0 Mj > r an den
Kreis kðM; rÞ.
Tangenten der beiden gegebenen Kreise k1 und k2 .
Konstruktion: ber P0 M als Durchmesser wird der Thales-
1
kreis k0 ðM0 ; jM0 P0 j ¼ jP0 MjÞ gezeichnet. Der Thaleskreis Thales- Hilfs-
2
schneidet den Kreis kðM; rÞ in den Punkten P1 und P2 . Die
kreis kreis
Geraden P0 P1 und P0 P2 sind die gesuchten Tangenten. k2
k1 r1 r2
M2
M1
k
2
+r

P1 Thales-
r1

kreis k0

r t1
M
M0
Bild III-76 Gemeinsame innere Tangenten
r d/2
d/2 P0 10.8 Sätze über Sehnen, Sekanten,
t2 Tangenten
P2
Sehnensatz
Schneiden sich in einem Kreis zwei Sehnen, so ist
Bild III-74 Tangenten an einen Kreis das Produkt der Längen der Abschnitte der einen
64 Mathematik

Sehne gleich dem Produkt der Längen der Ab- 10.9 Bogenmaß
schnitte der anderen Sehne.
Neben dem Gradmaß gibt es das Bogenmaß zur
Winkelmessung.
jSAj  jSBj ¼ jSCj  jSDj Beim Bogenmaß wird die Größe eines Zentriwin-
kels a in einem beliebigen Kreis durch das Verhält-
D nis des zugehörigen Kreisbogens b zum Radius r
b
des Kreises angegeben. Der Quotient heißt Bo-
r
B genmaß des Winkels a.

A S
Bild III-77
C Sehnensatz
Einheitskreis b
1
x = arca
a
Sekantensatz r
Schneiden sich zwei Sekanten eines Kreises außer-
halb des Kreises, so ist das Produkt der Längen der
Abschnitte vom Sekantenschnittpunkt bis zu den Bild III-80 Zusammenhang zwischen Gradmaß (a)
Schnittpunkten von Kreis und Sekante für beide Se- und Bogenmaß (x ¼ arc a) eines Winkels
kanten gleich.
Die Einheit des Bogenmaßes ist der Radiant (rad),
jSAj  jSBj ¼ jSCj  jSDj also der Zentriwinkel, dessen Bogen gleich dem Ra-
dius ist. Mitunter schreibt man arc a (Arcus a) für
das Bogenmaß des Winkels a.
B
b
Bogenma arc a ¼
A r

Da der Einheitskreis, also der Kreis mit dem Radius

r ¼ 1, den Umfang 2p hat, ist das Bogenmaß des
S D C Vollwinkels 2p.

360
Bild III-78 Sekantensatz 2p rad ¼ 360 oder 1 rad ¼ 57;2958
2p
Sekantentangentensatz
Bezeichnet a den in Grad und x ¼ arc a den in Ra-
Geht eine Sekante eines Kreises durch einen festen
diant gemessenen Winkel, so gilt für die Umrech-
Punkt außerhalb des Kreises, und legt man durch
nung von Gradmaß und Bogenmaß eines Winkels
diesen Punkt die Tangente an den Kreis, dann ist
das Produkt der Längen der Abschnitte von diesem
p 180
Punkt bis zu den Schnittpunkten von Kreis und Se- x¼  a; a¼ x
180 p
kante gleich dem Quadrat der Länge des Abschnitts
der Tangente von diesem Punkt bis zu dem Berühr-
punkt von Kreis und Tangente. & Beispiele zur Umrechnung:

p 10p p
1 ¼ rad ¼ 0; 0174 . . . rad 10 ¼ rad ¼ rad
jSAj  jSBj ¼ jSCj2 180 180 18
p ¼ 0;1745 . . . rad
30 ¼ rad p
6 45 ¼ rad
57;2957 . . . ¼ 1 rad 4
B p
0;5  180 90 ¼ rad
0;5 rad ¼ ¼ 28; 6478 . . . 2
p p p 180
rad ¼  ¼ 60
3 3 p
A

11 Symmetrie
11.1 Punktsymmetrie
S
Eine ebene Figur F heißt punkt- oder zentralsym-
C
metrisch, wenn sich in ihrer Ebene ein Punkt P an-
Bild III-79 Sekantentangentensatz geben läßt, so daß F durch eine Spiegelung an P in
III Planimetrie 65

sich übergeführt wird. Der Punkt P heißt dann Sym- 12.2 Strahlensätze
metriezentrum. Unmittelbare Anwendungen der zentrischen Strek-
& Beispiele: kung sind die Strahlensätze.
Folgende Figuren sind punktsymmetrisch:
1. Strecke mit ihrem Mittelpunkt als Symmetriezentrum Erster Strahlensatz
2. Rechteck mit seinem Mittelpunkt als Symmetriezentrum Werden zwei Strahlen mit gleichem Anfangspunkt
3. Ellipse mit ihrem Mittelpunkt als Symmetriezentrum (vgl.
Abschnitt VII.5.1)
(Zentrum) von Parallelen geschnitten, so verhalten
sich die Längen der Abschnitte eines Strahls wie die
11.2 Achsensymmetrie Längen entsprechender Abschnitte des anderen
Strahls.
Eine ebene Figur F heißt achsen- oder axialsymme-
trisch, wenn sich in ihrer Ebene eine Gerade g ange-
a1 : a2 ¼ b1 : b2
ben läßt, so daß F durch eine Spiegelung an g in
sich übergeführt wird. Die Gerade g heißt dann
Symmetrieachse.
a1 a2
& Beispiele:
b1
Folgende Figuren sind achsensymmetrisch:
1. Gleichseitiges Dreieck mit einer der Winkelhalbierenden als b2
Symmetrieachse
2. Rechteck mit einer Mittellinie als Symmetrieachse
3. Kreis mit einer beliebigen Geraden durch den Mittelpunkt
als Symmetrieachse
Bild III-82 Erster Strahlensatz: a1 : a2 ¼ b1 : b2
12 hnlichkeit
Zweiter Strahlensatz
12.1 Zentrische Streckung Werden zwei Strahlen mit gleichem Anfangspunkt
Die zentrische Streckung ist eine Abbildung, bei der von Parallelen geschnitten, so verhalten sich die
für jedes Element Bild Q und Urbild P auf einem Längen der zwischen den Strahlen liegenden Ab-
Strahl durch einen festen Punkt Z, dem Zentrum, schnitte wie die Längen der zugehörigen vom An-
liegen und für jedes Element das Verhältnis der fangspunkt aus gemessenen Abschnitte auf den
Länge der Strecke vom Bild zum Zentrum zu der Strahlen.
Länge der Strecke vom Urbild zum Zentrum kon-
stant ist. c1 : c3 ¼ a1 : a3

jZQj
¼ k ðk konstantÞ
jZPj a3
a1
c1
c3
D1 C1

k1 = 1,5
A1 B1
D C

A B Bild III-83 Zweiter Strahlensatz: c1 : c3 ¼ a1 : a3

& Beispiel: Welche Länge B ergibt sich für das Bild eines Gegen-
stands der Länge G bei einer Bildweite b und einer Gegenstands-
weite g?
Z
Nach dem zweiten Strahlensatz gilt
B2 A2 k2 = –0,5 g G b
Bild III-81 ¼ ) B¼G
C2 D2 b B g
Zentrische Streckung
Anmerkung: Ist g b (g sehr groß gegenüber b), dann kann man
b f (f Brennweite) setzen und damit die zu erwartende Bild-
Eigenschaften: größe abschätzen.
Die Bilder von Strecke, Strahl, Gerade sind wieder
Strecke, Strahl, Gerade. Bild und Urbild von Strek-
ke, Strahl, Gerade sind zueinander parallel. G
Entsprechende Winkel von Bild und Urbild sind
gleich. B
Die Längen entsprechender Strecken von Bild und g b
Urbild haben das gleiche Verhältnis, und zwar den
Betrag des Streckungsfaktors k, also jkj. Bild III-84 Anwendung des zweiten Strahlensatzes
66 Mathematik

12.3 hnliche Figuren 4. Dreiecke sind ähnlich, wenn sie in den Längen-
Geometrische Figuren heißen ähnlich, wenn sie verhältnissen zweier Seitenpaare übereinstim-
nach geeigneter Parallelverschiebung, Drehung, men.
Spiegelung durch zentrische Streckung zur Deckung
gebracht werden können. c′
So sind zum Beispiel zwei Quadrate ähnlich (mit belie- a
b
bigen Seitenlängen) oder zwei Kreise (mit beliebigen a′ b′
Radien und beliebigen Mittelpunkten) oder zwei c
gleichseitige Dreiecke (mit beliebigen Seitenlängen). a : b = a′: b′
b : c = b′: c′
C1 B2 Bild III-89 hnliche Dreiecke
D1 C2 A2
D2 Bemerkungen:
B1
1. Die Strahlensätze sind Anwendungen der Eigen-
C D
schaften ähnlicher Dreiecke.
A1
B
2. Nur bei Dreiecken folgt aus der Gleichheit der
A Winkel die hnlichkeit.
Bild III-85 hnliche Figuren Zum Beispiel haben ein Rechteck mit den Sei-
tenlängen a und b 6¼ a und ein Quadrat gleich
große Winkel, sind aber nicht ähnlich, denn ihre
Entsprechend den vier Kongruenzsätzen für Drei-
Seitenverhältnisse sind verschieden.
ecke (siehe Abschnitt III.6.7) gelten die folgenden
3. Da ein rechtwinkliges Dreieck durch seine Höhe
Bedingungen für die hnlichkeit von Dreiecken:
in zwei untereinander und dem ganzen Dreieck
1. Dreiecke sind ähnlich, wenn sie in zwei Winkeln ähnliche Teildreiecke geteilt wird (gleiche Win-
übereinstimmen. kel), folgen aus der Proportionalität der Längen
Da im Dreieck die Winkelsumme gleich 180 ist, entsprechender Seiten der Kathetensatz und der
folgt, daß dann auch die jeweils dritten Winkel Höhensatz.
übereinstimmen.
a′ 12.4 Streckenteilungen
b′
a b Liegt zwischen zwei Punkten A und B ein Punkt T,
a = a′ so teilt er die Strecke AB im Verhältnis
b = b′ jATj : jTBj ¼ k:
Das Teilungsverhältnis k ist eine positive reelle
Bild III-86 hnliche Dreiecke
Zahl, wenn T echt zwischen A und B liegt. Halbiert
T die Strecke AB, dann gilt k ¼ 1. Dagegen ist
2. Dreiecke sind ähnlich, wenn sie in dem Längen-
k < 0, wenn T außerhalb der Strecke AB liegt.
verhältnis eines Seitenpaares und dem Gegen-
Mit Hilfe der hnlichkeitsbedingungen für Dreiecke
winkel der längeren Seite übereinstimmen.
ist es möglich, jede gegebene Strecke in einem belie-
bigen rationalen Verhältnis zu teilen.
b′
Man unterscheidet verschiedene Arten von Strek-
b a kenteilungen:
b b′
a′
a : b = a′: b′ Innere Teilung
b = b′ Der Teilungspunkt T ¼ Ti liegt auf der Strecke AB.
Bild III-87 hnliche Dreiecke
jATi j pi
ki ¼ ¼
3. Dreiecke sind ähnlich, wenn sie in dem Längen- jTi Bj qi
verhältnis eines Seitenpaares und dem einge-
schlossenen Winkel übereinstimmen.
ußere Teilung
Der Teilungspunkt T ¼ Ta liegt auf der Geraden
AB, aber außerhalb der Strecke AB. In diesem Fall
g a
b
b′ ist das Teilungsverhältnis k ¼ ka negativ.
a′
g′
a : b = a′: b′
g = g′ jATa j pa
ka ¼  ¼
jTa Bj qa
Bild III-88 hnliche Dreiecke
III Planimetrie 67

qi Stetige Teilung (goldener Schnitt)

pi Eine Strecke heißt stetig oder nach dem goldenen
Ta B Schnitt geteilt, wenn sich ihre Länge zur Länge des
A Ti
pa größeren Teilstücks verhält wie die Länge des grö-
qa
ßeren Teilstücks zur Länge des kleineren Teilstücks.
Ein Punkt T teilt die Strecke AB also nach dem
Bild III-90 Innere und äußere Teilung goldenen Schnitt, wenn gilt

jABj jATj
Harmonische Teilung ¼
Eine Strecke AB heißt durch die Punkte Ti und Ta jATj jTBj
harmonisch geteilt, wenn die Beträge der Teilungs- r s
verhältnisse der inneren Teilung durch Ti und der Setzt man r ¼ jABj; s ¼ jATj; so gilt ¼ :
r s rs
äußeren Teilung durch Ta gleich sind. Mit x ¼ folgt
s
r s þ ðr  sÞ rs 1
jATi j jATa j p x¼ ¼ ¼1þ ¼1þ s
k ¼ jki j ¼ jka j ¼ ¼ ¼ s s s
jTi Bj jTa Bj q 1 1 rs
¼1þ r ¼1þ :
x
Es gilt: Teilen Ti und Ta die Strecke AB harmo- s
nisch, dann teilen auch umgekehrt A und B die Multiplikation mit x ergibt
Strecke Ti Ta harmonisch. x2 ¼ x þ 1 , x2  x  1 ¼ 0.
Sind Ti und Ta die Punkte, die eine Strecke AB har- Die Wurzeln dieser quadratischen Gleichung sind
monisch im Verhältnis p : q teilen, dann ist der 1 pffiffiffi 1 pffiffiffi
x1 ¼ ð1 þ 5Þ und x2 ¼ ð1  5Þ.
Kreis mit dem Durchmesser Ti Ta der geometrische 2 2
Wegen x1 > 0 und x2 < 0 kommt nur die positive
D Wurzel für das Teilungsverhältnis in Frage:
r s 1 pffiffiffi
¼ ¼ ð1 þ 5Þ.
q= s rs 2
7
1 pffiffiffi
Die Zahl ð1 þ 5Þ ¼ 1;618 033 988 7 . . . nennt
C 2
p= 2 man goldene Zahl.
2
Ta A Ti B
Das Bild verdeutlicht eine Konstruktionsmöglichkeit
p= des goldenen Schnitts einer Strecke.
2 C1

r
Bild III-91 Harmonische Teilung 2

r
Ort aller Punkte (C), deren Verbindungsstrecken s 2
mit A und B das Längenverhältnis p : q haben:
jATi j : jTi Bj ¼ jATa j : jTa Bj ¼ jACj : jCBj ¼ p : q. T
A r–s B
Dieser Kreis heißt Kreis des Apollonios (nach dem s
r
hellenistischen Geometer und Astronom Apollonios
von Perge, 262190 v. u. Z.).
Bild III-93 Stetige Teilung (goldener Schnitt)

A Ta
Ti B

Bild III-92 Kreis des Apollonios

68 Mathematik

IV Stereometrie

Das Wort Stereometrie kommt aus dem Griechi-
schen und bedeutet Körpermessung. Man beschäf-
tigt sich in dieser Teildisziplin der Geometrie mit
Form, gegenseitiger Lage, Größe und anderen Be-
ziehungen geometrischer Objekte im Raum.
AG (denn Grund- und Deckfläche sind kongruent,
und damit ist ihr Flächeninhalt gleich).
Oberfläche Prisma AO ¼ AM þ 2AG

1.2 Parallelepiped und Würfel

1 Prismen Ein Prisma mit einem Parallelogramm als Grundflä-
1.1 Allgemeine Prismen che heißt Parallelepiped oder Parallelflach oder
Spat. Ein gerades Prisma mit einem Rechteck als
Gleitet eine Gerade, ohne ihre Richtung zu ändern, Grundfläche heißt Quader.
im Raum an den Begrenzungslinien eines ebenen
n-Ecks (n ¼ 3; 4; . . .) entlang, so beschreibt sie eine
prismatische Fläche. Schneiden zwei parallele Ebe-
nen die prismatische Fläche, dann schließen sie zu- c
sammen mit dem zwischen ihnen liegenden Ab- Bild IV-2
schnitt der prismatischen Fläche einen Teil des b
a Quader
Raums vollständig ein. Ein solcher Körper heißt
Prisma (griech., das Gesägte) oder genauer n-seiti-
Sind a und b die Seitenlängen des Rechtecks und c
ges Prisma.
die Höhe des Quaders, so gilt:
Die Schnitte der Ebenen mit der prismatischen Flä-
che sind kongruente n-Ecke. Diese n-Ecke heißen Quader
Grundfläche und Deckfläche des Prismas. Die Sei-
tenflächen des Prismas heißen Mantelflächen. Die Volumen V ¼ abc
..
Kanten der Seitenflächen heißen Mantellinien. Die Oberflache AO ¼ 2ðab þ ac þ bcÞ
..
Mantelflächen sind Parallelogramme. Gesamtkantenlange l ¼ 4ða þ b þ cÞ
Bei einem Prisma sind alle Schnitte parallel zu
Grund- und Deckfläche kongruent zu diesen Flä- Ein Quader mit einem Quadrat als Grundfläche
chen. Ein Prisma ist also ein Körper mit einem heißt quadratische Säule.
gleichbleibenden Querschnitt.
Gleitet die Gerade senkrecht zur Ebene der Grund-
fläche, dann heißt das Prisma gerade. Bei einem ge-
raden Prisma stehen die Mantellinien senkrecht auf
h
der Grund- und Deckfläche, und die Mantelflächen
sind Rechtecke. Ein nicht gerades Prisma nennt man
auch schiefes Prisma. Bild IV-3
a
Ein physikalisches Prisma ist mathematisch ein ge- a
Quadratische Säule
rades dreiseitiges Prisma.
Ist a die Seitenlänge des Quadrats und h die Höhe
der quadratischen Säule, dann gilt:
AG
Quadratische Säule

h
Volumen V ¼ a2 h
..
Oberflache AO ¼ 2a2 þ 4ah
..
Bild IV-1 Gesamtkantenlange l ¼ 8a þ 4h
AG
Prisma
Ein Quader mit lauter gleich langen Kanten heißt
Das Volumen V eines Prismas ist der Inhalt AG der Würfel.
Grundfläche multipliziert mit der Höhe h.

Volumen Prisma V ¼ AG  h a

Die Oberfläche AO eines Prismas ist die Summe der Bild IV-4
a Würfel
Mantelfläche AM und der doppelten Grundfläche a
 69

Ist a die Kantenlänge des Würfels, so gilt: 2.2 Gerade Kreiszylinder

Würfel Ein Zylinder mit senkrecht auf Grund- und Deckflä-
che stehenden Mantellinien und mit einer Kreisflä-
Volumen V ¼ a3 che als Grundfläche heißt gerader Kreiszylinder
..
Oberflache AO ¼ 6a2 oder Walze.
..
Gesamtkantenlange l ¼ 12a Die Mantelfläche eines geraden Kreiszylinders kann
in ein Rechteck mit den Seitenlängen h und 2pr
Der Würfel ist einer der platonischen Körper (siehe (Kreisumfang) abgewickelt werden, wobei h die Höhe
Abschnitt IV.7). Er wird von sechs Quadraten be- des geraden Kreiszylinders ist und r der Radius des
grenzt. Kreises. Dies kann man sich dadurch veranschauli-
chen, daß man eine Dose ohne Deckel und Boden
längs einer Mantellinie aufschneidet und in eine
2 Zylinder Ebene abwickelt.
2.1 Allgemeine Zylinder
Wird eine Gerade (Erzeugende) im Raum längs r
einer ebenen geschlossenen Kurve (Leitkurve) par- pr 2
allel verschoben (also ohne ihre Richtung zu verän-
dern), so entsteht eine Zylinderfläche. Ein Zylinder h
ist ein Körper, der von einer Zylinderfläche und
zwei parallelen ebenen Flächenstücken begrenzt
Bild IV-6
wird. Die ebenen Begrenzungsflächenstücke müssen
pr 2 Gerader Kreiszylinder
nicht senkrecht auf der erzeugenden Gerade stehen.

Der Kreis als Grund- und Deckfläche (Grund- und

Deckfläche sind kongruent) hat den Flächeninhalt
90° pr2 .
h
l Somit gilt für die Oberfläche insgesamt AO ¼ 2pr2
þ 2prh ¼ 2prðr þ hÞ.
Bild IV-5
Zylinder (l ¼ Mantellinie) Volumen V ¼ pr2 h
..
Oberflache AO ¼ 2prðr þ hÞ
Ein Zylinder ist ein Körper mit gleichbleibendem
Querschnitt.
Der Teil der Zylinderfläche zwischen den parallelen 2.3 Hohlzylinder
Begrenzungsflächenstücken heißt Mantelfläche des Ein Hohlzylinder ist ein gerader Kreiszylinder
Zylinders, die parallelen Flächenstücke sind Grund- (Kreis mit Radius R), aus dem ein kleinerer gerader
und Deckfläche des Zylinders. Grundfläche und Kreiszylinder (konzentrischer Kreis mit Radius r;
Deckfläche sind zueinander kongruent. Die zwischen r < R) ausgeschnitten ist.
den Flächenstücken liegenden Strecken der Erzeu-
genden heißen Mantellinien, sie sind alle parallel und
gleich lang. Der senkrechte Abstand zwischen R
Grund- und Deckfläche ist die Höhe des Zylinders.
Prismen sind spezielle Zylinder, nämlich solche mit
n-Ecken als Grundfläche.
Ein Zylinder heißt gerade, wenn die Mantellinien h
senkrecht auf Grund- und Deckfläche stehen. Ein
nicht gerader Zylinder heißt schiefer Zylinder. r Bild IV-7
Ein Zylinder mit einer Kreisfläche als Grundfläche
Hohlzylinder
heißt Kreiszylinder.
Das Volumen V eines Zylinders ist der Inhalt AG
der Grundfläche multipliziert mit der Höhe h. Die Grundflächen der beiden Zylinder sind also
Die Oberfläche AO eines Zylinders ist die Summe konzentrische Kreise, das heißt, sie haben den glei-
der Mantelfläche AM und der doppelten Grundfläche chen Mittelpunkt.
AG . Das Volumen des Hohlzylinders ist die Differenz
der Volumina der beiden geraden Kreiszylinder. Die
Volumen V ¼ AG  h Oberfläche setzt sich aus der äußeren Mantelfläche
.. AMa ¼ 2pRh (h ist die Höhe des Hohlzylinders), aus
Oberflache AO ¼ AM þ 2AG
der inneren Mantelfläche AMi ¼ 2prh, aus der Grund-
70 Mathematik

fläche und aus der Deckfläche zusammen. Grund-
fläche AG und Deckfläche AD sind gleich, sie erge-
ben sich aus der Differenz zweier Kreisflächen:
AG ¼ AD ¼ pðR2  r2 Þ:
Für das Volumen und die Oberfläche des Hohlzylin-
ders gilt somit
schief. Die Höhe einer geraden Pyramide ist gleich-
zeitig ihre Achse.
Die Seitenflächen von regulären geraden Pyramiden
sind kongruente gleichschenklige Dreiecke.
Für das Volumen V und die Oberfläche AO einer
beliebigen Pyramide gilt

Volumen V ¼ phðR2  r2 Þ 1
.. Volumen V¼ AG  h
Oberflache AO ¼ 2phðR þ rÞ þ 2pðR2  r2 Þ 3
..
¼ 2pðR þ rÞ ðR  r þ hÞ Oberflache AO ¼ AM þ AG

AG ist der Flächeninhalt des n-Ecks, AM der Inhalt

3 Pyramiden
3.1 Allgemeine Pyramiden
Gleitet ein von einem festen Punkt S des Raums
ausgehender Strahl an den Begrenzungslinien eines
ebenen n-Ecks (n ¼ 3; 4; . . .) entlang, in dessen
Ebene der Anfangspunkt S des Strahls nicht liegt,
so beschreibt der gleitende Strahl eine Pyramiden-
fläche. Das n-Eck schließt zusammen mit dem zwi-
schen ihm und dem Punkt S liegenden Abschnitt
der Pyramidenfläche einen Teil des Raums vollstän-
dig ein. Ein solcher Körper heißt Pyramide.
S als Grundfläche, und die Spitze der Pyramide steht
der Mantelfläche, also die Summe der Flächenin-
halte der Seitendreiecke, und h ist die Höhe der Py-
ramide.
Eine gerade reguläre dreiseitige Pyramide, bei der
die Seitendreiecke kongruent zum Grunddreieck
sind, heißt Tetraeder. Ein Tetraeder wird also von
vier gleichseitigen Dreiecken begrenzt. Das Tetra-
eder ist einer der platonischen Körper (siehe Ab-
schnitt IV.7).
3.2 Gerade quadratische Pyramiden
Eine gerade quadratische Pyramide hat ein Quadrat
senkrecht über dem Mittelpunkt des Quadrats, dem
Diagonalenschnittpunkt. Die Mantelfläche besteht
aus vier kongruenten gleichschenkligen Dreiecken.

h
AG
H hs
Bild IV-8
Pyramide
h

Das n-Eck heißt Grundfläche, der Punkt S Spitze, a

Bild IV-9
der zum Körper gehörende Teil der Pyramidenflä- a Gerade quadratische Pyramide
che ist die Mantelfläche der Pyramide. Die Kanten
der Grundfläche heißen Grundkanten, die Kanten Ist a die Kantenlänge des Quadrats der Grundflä-
der Mantelfläche Seitenkanten, und die ebenen Flä- che, h die Höhe der Pyramide und s die Kantenlän-
chen der Mantelfläche sind die Seitenflächen. ge der Seitenkanten, so folgt aus dem Satz des Py-
Alle Seitenflächen einer Pyramide sind Dreiecke. Es 1
gibt bei einem n-Eck als Grundfläche genau n Drei- thagoras s2 ¼ h2 þ a2 :
2
ecke als Seitenflächen. Deshalb nennt man solch Bezeichnet man mit hs die Höhe des gleichschenk-
eine Pyramide auch genauer n-seitige Pyramide. ligen Seitenflächendreiecks Ds, dann folgt ebenfalls
Ist das n-Eck ein reguläres n-Eck, dann heißt die 1
Pyramide reguläre (n-seitige) Pyramide. mit dem Satz von Pythagoras s2 ¼ h2s þ a2 ; denn
4
Der Abstand der Spitze S von der Ebene der die Basis dieses Dreiecks hat die Länge a. Löst man
Grundfläche ist die Höhe der Pyramide. Man erhält
1
die Höhe, indem man von S das Lot auf die Ebene nach hs auf und ersetzt s2ffi durch h2 þ a2 , so er-
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 2
der Grundfläche fällt. Das Lot durchstößt die Ebene 1
gibt sich hs ¼ h2 þ a2 : Daraus berechnet man
der Grundfläche im Höhenfußpunkt H. Dieser kann 4
1
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ADs von Ds zu ADs ¼ 2 a  hs
auch außerhalb der Grundfläche liegen, dann liegt den Flächeninhalt
die Höhe außerhalb der Pyramide. 1 1
Fällt der Höhenfußpunkt mit dem Mittelpunkt der ¼ a h2 þ a2 und den Inhalt der Mantelfläche
2 4 rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Grundfläche zusammen, so heißt die Pyramide ge- 1
zu AM ¼ 4 ADs ¼ 2a h2 þ a2 .
rade. Alle anderen Pyramidenformen nennt man 4
IV Stereometrie 71

Für Volumen und Oberfläche einer geraden quadra-
tischen Pyramide gilt somit
1 2
Volumen V¼ a h
3 rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
.. 1 n-Ecken als Grundfläche.
Oberflache AO ¼ 2a h2 þ a2 þ a2
4
Die Grabstätten altägyptischer Pharaone waren wäh-
rend des Alten und des Mittleren Reichs häufig ge-
rade quadratische Pyramiden. Besonders beeindruk-
kend sind die Pyramiden der Pharaonen Cheops,
Chephren und Mykerinos in Gizeh am südlichen
Rand von Kairo. Sie stammen aus dem Alten Reich
und wurden in der Zeit zwischen 2600 und 2480 v. u. Z.
erbaut, sie sind also rund 4500 Jahre alt. Die größte
Pyramide ist die Cheopspyramide: Das Quadrat der
Grundfläche hat eine Kantenlänge von 227,5 m
(ursprünglich 230,38 m), und die Höhe ist 137 m
(ursprünglich 146,6 m). Nimmt man die ursprüngli-
chen Werte, so berechnet man für das Volumen:
1 4.2 Gerade Kreiskegel
V ¼ ð230;38Þ2  146;6 ¼ 2 593 595;61 . . . ;
3 Ein Kegel mit einer Kreisfläche als Grundfläche und
also mehr als 2; 5 Millionen Kubikmeter! Für die
Oberfläche ergibt sich:
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1
AO ¼ 2  230;38  ð146;6Þ2 þ ð230;38Þ2 þ ð230;38Þ2
4
¼ 138 979;56 . . .
Der Bau der Pyramiden war eine großartige inge-
nieurtechnische und logistische Leistung der Alt-
ägypter!
zwischen Grundfläche und Spitze liegenden Strek-
ken der Erzeugenden heißen Mantellinien. Der
senkrechte Abstand der Spitze zur Ebene der
Grundfläche ist die Höhe des Kegels.
Pyramiden sind spezielle Kegel, nämlich Kegel mit
Hat die Grundfläche einen Mittelpunkt (wie Kreis
oder Ellipse), und liegt die Spitze senkrecht über
diesem Mittelpunkt, so heißt der Kegel gerade, an-
dernfalls schief.
Ein Kegel mit einer Kreisfläche als Grundfläche
heißt Kreiskegel.
Das Volumen V eines Kegels ist ein Drittel des In-
halts AG der Grundfläche multipliziert mit der Höhe
h. Die Oberfläche AO eines Kegels ist die Summe
der Mantelfläche AM und der Grundfläche AG.
1
Volumen V¼ AG  h
.. 3
Oberflache AO ¼ AM þ AG
der Spitze S senkrecht über dem Kreismittelpunkt
heißt gerader Kreiskegel.
s
h

4 Kegel Bild IV-11

4.1 Allgemeine Kegel
Wird eine Gerade (Erzeugende) im Raum längs
einer ebenen geschlossenen Kurve (Leitkurve) so
bewegt, daß sie durch einen festen Punkt, die Spitze
S, geht, so entsteht eine Kegelfläche. Ein Kegel ist
ein Körper, der von einer Kegelfläche und einem
nicht durch deren Spitze gehenden ebenen Flächen-
stück begrenzt wird.
Mantelfläche
h
d = 2r Gerader Kreiskegel
Alle Mantellinien eines geraden Kreiskegels
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffi sind
gleich lang. Ihre Länge ist s ¼ r2 þ h2 , wobei r der
Radius des Kreises und h die Höhe des geraden
Kreiskegels sind.
Die Mantelfläche kann in die Ebene abgewickelt
werden. Dabei entsteht ein Kreissektor mit dem Ra-
dius s (Länge der Mantellinien) und der Kreisbo-
genlänge 2pr (Umfang des Kreises der Grundflä-
che). Der Flächeninhalt AM dieses Kreissektors
(¼ Mantelfläche) verhält sich zur gesamten Kreisflä-
che ps2 wie die Kreisbogenlänge 2pr zum Gesamt-
kreisumfang 2ps, woraus sich für die Mantelfläche
AM ¼ prs ergibt. Der Kreis der Grundfläche, der

Mantellinie Grundkreis, hat den Flächeninhalt pr2 .

Daraus folgt für die Oberfläche
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffi AO ¼ prs þ pr2
¼ prðr þ sÞ ¼ prðr þ r þ h Þ:
2 2

Bild IV-10 Somit gilt für den geraden Kreiskegel

Grundfläche
Kegel
1
Volumen V ¼ pr2 h
.. 3
Der Teil der Kegelfläche zwischen dem ebenen Flä- Oberflache AO ¼ prðr þ sÞ
chenstück und der Spitze heißt Mantelfläche, das .. p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Lange der Mantellinie s ¼ r2 þ h2
ebene Flächenstück Grundfläche des Kegels. Die
72 Mathematik

5 Cavalierisches Prinzip in dieVolumengleichung ergibt:

 pffiffiffiffiffiffi  pffiffiffiffiffiffi
Wesentlich zur Berechnung des Volumens von Pris- 1 h A1 h A1
men, Zylindern, Pyramiden und Kegeln ist das Ca- V¼ A2 h þ pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi  A1 pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi
3 A2  A1 A 2  A1
valierische Prinzip (nach dem italienischen Mathe- pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi
h A2 A2  A2 A1 þ A2 A1  A1 A1
matiker Bonaventura Cavalieri, 1591/98––1647, ein ¼ pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi
Schüler Galileis): 3 A2  A1
pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi
Körper mit inhaltsgleichem Querschnitt in gleichen h A2 A2  A1 A1
¼ pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi
Höhen haben gleiches Volumen. 3 A2  A1
Speziell gilt also: Prismen, Zylinder, Pyramiden und pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
h A2  A1 A2 A1 þ A2 A2 A1  A21
2
Kegel mit gleicher Grundfläche und gleicher Höhe ¼
3 A2  A1
haben gleiches Volumen.
h pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
¼ ðA2 þ A2 A1 þ A1 Þ
3
6 Pyramidenstümpfe und Kegelstümpfe
Bei
p ffiffiffiffiffiffi den letzten beiden Umformungen wurde mit
pffiffiffiffiffiffi
6.1 Pyramidenstümpfe A2 þ A1 erweitert beziehungsweise Polynom-
Schneidet man von einer Pyramide durch einen division durchgeführt.
Schnitt parallel zur Grundfläche den oberen Teil ab,
so ist der Restkörper ein Pyramidenstumpf. Der ab- 6.2 Kegelstümpfe
geschnittene Teil heißt Ergänzungspyramide, sie ist Eine Ebene, die einen Kegel parallel zur Grundflä-
zur ganzen Pyramide ähnlich. che schneidet, zerlegt den Kegel in einen kleineren
Kegel, den Ergänzungskegel, und in einen Kegel-
A1
Bild IV-12 stumpf. Die zur Grundfläche parallele Fläche der
Pyramidenstumpf Oberfläche eines Kegelstumpfes ist seine Deckflä-
che. Der Abstand von Grundfläche und Deckfläche
h ist die Höhe des Kegelstumpfes.
Grundfläche und Deckfläche sind zueinander ähn-
lich.
A2

Die Schnittfläche heißt Deckfläche des Pyramiden-

stumpfes. Der Abstand von Grundfläche und Deck- s2 s1
fläche ist die Höhe des Pyramidenstumpfes. h1
Grundfläche und Deckfläche sind zueinander ähn- r1
h2
lich. Die Seitenflächen eines Pyramidenstumpfes s
sind Trapeze. h
r2
Ist A2 der Flächeninhalt der Grundfläche, A1 der
Flächeninhalt der Deckfläche und h die Höhe, so
gilt für das Volumen V des Pyramidenstumpfes Bild IV-13 Kreiskegelstumpf
Volumen Pyramidenstumpf
Ist r2 der Radius des Kreises der Grundfläche und
h pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi r1 der Radius des Kreises der Deckfläche sowie h
V ¼ ðA2 þ A2 A1 þ A1 Þ die Höhe eines Kreiskegelstumpfes, dann gilt für das
3
Volumen V des Kreiskegelstumpfes:

Herleitung: Volumen Kreiskegelstumpf

Ist h2 die Höhe der Pyramide und h1 die Höhe der
Ergänzungspyramide, dann gilt für das Volumen V ph 2
V¼ ðr þ r2 r1 þ r12 Þ
1 3 2
des Pyramidenstumpfes V ¼ ðA2 h2  A1 h1 Þ.
3
1
Wegen h ¼ h2  h1 folgt V ¼ ½A2 ðh þ h1 Þ  A1 h1 : Herleitung:
3
Ist h2 die Höhe des Kreiskegels und h1 die Höhe
Die Inhalte paralleler Schnittflächen verhalten sich
des Ergänzungskegels, dann gilt für das Volumen V
wie die Quadrate ihrer Abstände von der Spitze:
pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi 1
A2 : A1 ¼ h22 : h21 . Daraus folgt A2 : A1 ¼ ðhþh1 Þ : h1 des Kreiskegelstumpfes V ¼ pðr22 h2  r12 h1 Þ.
pffiffiffiffiffiffi 3
h A1 Wegen h ¼ h2  h1 und r2 : r1 ¼ h2 : h1 folgt durch
und nach h1 aufgelöst h1 ¼ pffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffi : Einsetzen
A2  A1 korrespondierende Subtraktion ðr2  r1 Þ : r1 ¼ h : h1
IV Stereometrie 73

hr1 der Kanten und f die Anzahl der Flächen des kon-
und nach h1 aufgelöst h1 ¼ : Einsetzen in die
r2  r1 vexen Polyeders sind.
Volumengleichung ergibt:
1 eþf ¼kþ2
V ¼ p½r22 ðh þ h1 Þ  r12 h1  Eulerscher Polyedersatz
3  
1 hr1 hr1 Konvexe Polyeder, bei denen in jeder Ecke gleich
¼ p r22 h þ  r12 viele Flächen zusammenstoßen und alle Flächen
3 r2  r1 r2  r1
kongruente reguläre n-Ecke sind, heißen platonische
ph r23  r22 r1 þ r22 r1  r13 ph r23  r13
¼ ¼ Körper (nach dem griechischen Philosophen Platon,
3 r2  r1 3 r2  r 1
427––347 v. u. Z.) oder konvexe reguläre Polyeder.
ph 2
¼ ðr þ r2 r1 þ r1 Þ 2 Es gibt insgesamt genau fünf verschiedene Arten
3 2 platonischer Körper: Tetraeder, Würfel (anderer Na-
Bei der letzten Umformung wurde Polynomdivision me: Hexaeder), Oktaeder, Dodekaeder und Ikosa-
durchgeführt. eder.
Sind s2 und s1 die Längen der Mantellinien eines
geraden Kreiskegels und seines Ergänzungskegels,
dann gilt für den Kreiskegelstumpf s ¼ s2  s1
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
¼ ðr2  r1 Þ2 þ h2 . Bild IV-14
Ist A2 der Flächeninhalt der Grundfläche, A1 der Tetraeder
Flächeninhalt der Deckfläche und AM der Flächen-
inhalt der Mantelfläche, so folgt für die Oberfläche
AO eines geraden Kreiskegelstumpfes:
AO ¼ A2 þ A1 þ AM ¼ pr22 þ pr12 þ psðr2 þ r1 Þ
¼ pr2 ðr2 þ sÞ þ pr1 ðr1 þ sÞ Bild IV-15
Oberfläche gerader Kreiskegelstumpf Würfel (Hexaeder)

AO ¼ pr2 ðr2 þ sÞ þ pr1 ðr1 þ sÞ

Herleitung der Formel für die Mantelfläche AM :

Es gilt s2 : s1 ¼ r2 : r1 und s ¼ s2  s1 ; woraus durch
korrespondierende Subtraktion s : s1 ¼ ðr2  r1 Þ : r1
r1 s Bild IV-16
folgt und nach s1 aufgelöst s1 ¼ : Damit ergibt
r2  r1 Oktaeder
sich:
AM ¼ pr2 s2  pr1 s1 ¼ pr2 ðs þ s1 Þ  pr1 s1
 
r1 s r1 s
¼ pr2 s þ  pr1
r2  r1 r2  r1
r22 s  r2 r1 s þ r2 r1 s  r12 s r2  r12
¼p ¼ ps 2
r2  r1 r2  r 1
¼ ps ðr2 þ r1 Þ Bild IV-17
Dodekaeder
7 Platonische Körper
Ein Körper, der von lauter Ebenen begrenzt wird,
heißt Polyeder.
Die Begrenzungsebenen sind die Flächen des Poly-
eders. Schnittlinien von Flächen heißen Kanten des
Polyeders. Die Kanten schneiden sich in den Ecken
des Polyeders. Bild IV-18
Polyeder sind die dreidimensionale Verallgemeine- Ikosaeder
rung von Polygonen: Ein Polygon wird von lauter
Geraden begrenzt. Die Namen stammen aus dem Griechischen und ge-
Ein Polyeder heißt konvex, wenn mit zwei Punkten ben die Anzahl der Flächen der Körper an. Das Te-
die gesamte Verbindungsstrecke der Punkte zum Po- traeder („Vierflächner“) hat vier gleichseitige Drei-
lyeder gehört. Beispiele für konvexe Polyeder sind ecke als Begrenzungsflächen, der Würfel oder das
Prismen und Pyramiden, deren Grundfläche konvex Hexaeder („Sechsflächner“) wird von sechs Quadra-
ist. ten begrenzt, das Oktaeder („Achtflächner“) von
Für konvexe Polyeder gilt der Eulersche Polyeder- acht gleichseitigen Dreiecken, das Dodekaeder
satz, wobei e die Anzahl der Ecken, k die Anzahl („Zwölfflächner“) von zwölf regulären Fünfecken
74 Mathematik

und das Ikosaeder („Zwanzigflächner“) von zwanzig
gleichseitigen Dreiecken. Weitere konvexe reguläre
Polyeder gibt es nicht.
In der Tabelle sind die wichtigsten Eigenschaften
der platonischen Körper zusammengestellt (mit Kan-
tenlänge a).
sind die größten Sehnen der Kugel, für ihre Länge d
gilt d ¼ 2r.
Eine Tangente t berührt die Kugel in einem Punkt.
Im Berührungspunkt sind beliebig viele Tangenten
möglich: alle Tangenten zusammen spannen die
Tangentialebene auf.

Platonischer Begrenzungs- Anzahl Anzahl Anzahl Volumen Oberfläche

Körper flächen Flächen in Ecken Kanten
jeder Ecke
pffiffiffi pffiffiffi 2
Tetraeder 4 gleichseitige 3 4 6 2 3 3a
a
Dreiecke 12

Würfel 6 Quadrate 3 8 12 a3 6a2

pffiffiffi pffiffiffi
Oktaeder 8 gleichseitige 4 6 12 2 3 2 3 a2
Dreiecke a
3
pffiffiffi qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi ffi
Dodekaeder 12 reguläre 3 20 30 15 þ 7 5 3 3 5ð5 þ 2 5Þ a2
Fünfecke a
4
pffiffiffi pffiffiffi
Ikosaeder 20 gleichseitige 5 12 30 5ð3 þ 5Þ 3 5 3 a2
Dreiecke a
12

8 Kugeln Eine Passante p hat mit der Kugel keinen Punkt ge-
meinsam.
8.1 Definitionen
Eine Kugel ist der geometrische Ort aller Punkte
Tangente
des Raumes, die von einem festen Punkt M einen Passante
konstanten Abstand r haben.
Der Punkt M ist der Mittelpunkt und r der Radius
der Kugel.
Zur Unterscheidung von dem durch eine Kugel ab-
gegrenzten Raum nennt man die Kugel selbst auch
Kugelfläche. Sekante
Durchmesser
Eine Kugel mit dem Radius r ¼ 1 heißt Einheits-
kugel. Radius Sehne
Für das Volumen V und die Oberfläche AO einer Ku-
gel mit dem Radius r und dem Durchmesser d gilt

4 p
Volumen V ¼ pr3 ¼ d3
.. 3 6 Bild IV-19 Bezeichnungen an der Kugel
Oberflache AO ¼ 4pr ¼ pd2
2

8.2 Kugelsegmente
Eine Kugel ist festgelegt durch den Mittelpunkt und
einen weiteren Punkt oder durch vier Punkte (die Ein Kugelsegment oder Kugelabschnitt ist ein durch
nicht alle in einer Ebene liegen). eine Ebene abgeschnittener Teil einer Kugel.
Kugeln mit gleichem Mittelpunkt heißen konzen-
trisch.
Jede die Kugel schneidende Ebene schneidet sie in
einem Kreis.
Geraden haben mit einer Kugelfläche entweder zwei
Punkte, einen Punkt oder keinen Punkt gemeinsam. 2r M
r
Eine Sekante s schneidet die Kugelfläche in zwei
Punkten. Der zwischen den Punkten gelegene Teil
der Sekante heißt Sehne. Eine Sehne durch den Mit- Kugelkappe Bild IV-20
h
telpunkt heißt Durchmesser der Kugel. Durchmesser Kugelsegment
IV Stereometrie 75

Die Mantelfläche des Kugelsegments heißt Kugel- Die Oberfläche AO des Kugelsektors ist die Summe
kappe. der Flächeninhalte von Kugelkappe und Kegelman-
Ist r der Radius der Kugel, r der Radius des von tel: AO ¼ 2prh þ prr ¼ prð2h þ rÞ.
der Ebene ausgeschnittenen Kreises und h die Höhe
des Kugelsegments, dann gilt 2
Volumen Kugelsektor V ¼ pr2 h
3
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ..
Radius Schnittkreis r¼ hð2r  hÞ Oberflache Kugelsektor AO ¼ prð2h þ rÞ
1
Volumen Kugelsegment V ¼ phð3r2 þ h2 Þ
6
1 8.4 Kugelschichten
¼ ph2 ð3r  hÞ
.. 3 Eine Kugelschicht ist der durch zwei zueinander par-
Flacheninhalt Kugelkappe A ¼ 2prh allelen Ebenen ausgeschnittene Teil einer Kugel.
..
Oberflache Kugelsegment AO ¼ 2prh þ pr2 Die durch die beiden Ebenen ausgeschnittene Ku-
¼ pð2rh þ r2 Þ geloberfläche, also die Mantelfläche der Kugel-
schicht, heißt Kugelzone.
8.3 Kugelsektoren
Einem Kugelsegment (Kugelabschnitt) ist ein Kegel
zugeordnet, dessen Grundfläche der Schnittkreis des
Kugelsegments und dessen Spitze der Kugelmittel-
punkt ist. Der Gesamtkörper aus Kugelsegment und
zugeordnetem Kegel heißt Kugelsektor oder Kugel-
ausschnitt.
Bild IV-22 Kugelschicht
M

Ist r der Radius der Kugel, r1 und r2 die Radien

r–h
r der von den parallelen Ebenen ausgeschnittenen
C
Kreise und h die Dicke der Kugelschicht, dann gilt
h Bild IV-21
Kugelsektor
Radien Schnittkreise
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
r1 ¼ h1 ð2r  h1 Þ
Das Volumen V des Kugelsektors setzt sich aus pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
dem Volumen des Kugelabschnitts und dem des r2 ¼ ðh þ h1 Þ ð2r  h  h1 Þ
h2 Volumen Kugelschicht
zugeordneten Kegels zusammen: V ¼ p ð3r  hÞ
3 1
r2 V ¼ phð3r21 þ 3r22 þ h2 Þ
þp ðr  hÞ. 6
3 ..
Dabei ist r der Radius der Kugel, r der Radius des Flacheninhalt Kugelzone
Schnittkreises und h die Höhe des Kugelsegments. A ¼ 2prh
Durch Einsetzen von r2 ¼ hð2r  hÞ erhält man ..
Oberflache Kugelschicht
2 AO ¼ pð2rh þ r21 þ r22 Þ
V ¼ pr2 h:
3
76
V Funktionen
1 Definition und Darstellungen
von Funktionen
1.1 Definitionen
Eine Abbildung oder Funktion f ist eine Zuord-
nung, die jeder Zahl x einer gegebenen Zahlenmen-
ge D eine Zahl y einer Zahlenmenge W zuordnet.
Die Zuordnung ist eindeutig, das heißt, jeder Zahl x
wird genau eine Zahl y zugeordnet. Man schreibt
dafür y ¼ f ðxÞ oder manchmal auch x 7! f ðxÞ. Man
nennt f ðxÞ das Bild von x und umgekehrt x das Ur-
bild von f ðxÞ.
Die Menge D heißt Urbildmenge, Definitionsmenge
oder Definitionsbereich. Die Menge W, aus der die
Bilder stammen, heißt Wertemenge oder Wertebe-
reich. Die Menge der Bilder (also alle y-Werte zu-
sammen) heißt Bildmenge, bezeichnet mit f ðDÞ.
D Definitionsbereich
W Wertebereich
f ðDÞ Bildmenge
Die Elemente der Bildmenge nennt man Funktions-
werte. Die Bildmenge f ðDÞ ist eine Teilmenge des
Wertebereichs W, und W ist eine Teilmenge der
Menge R der reellen Zahlen.
f ðDÞ  W  R
Eine Funktion besteht aus drei Teilen: der Zuord-
nungsvorschrift f , dem Definitionsbereich D und
dem Wertebereich W.
Zwei Funktionen sind genau dann gleich, wenn so-
wohl die Zuordnungsvorschriften als auch die Defi-
nitionsbereiche als auch die Wertebereiche überein-
stimmen.
& Beispiele:
1. y ¼ f ðxÞ ¼ 5x; D ¼ N; W ¼ N
Die Zuordnungsvorschrift ist hier „5 mal“, das heißt, man
muß jeden x-Wert mit 5 multiplizieren, um den zugehörigen
Funktionswert y zu erhalten. Für x ¼ 3 erhält man zum Bei-
spiel y ¼ f ð3Þ ¼ 5  3 ¼ 15.
Sowohl der Definitionsbereich als auch der Wertebereich
sind die natürlichen Zahlen. Für die Bildmenge ergibt sich
f ðDÞ ¼ f0; 5; 10; 15; 20; . . .g.
2. D ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; W ¼ f1; 2; 3; 4; . . . ; 24; 25g;
f ð1Þ ¼ 1; f ð2Þ ¼ 4; f ð3Þ ¼ 9; f ð4Þ ¼ 16; f ð5Þ ¼ 25
3. D ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; W ¼ f1; 2; 3; 4; 5g;
f ð1Þ ¼ 1; f ð2Þ ¼ 2; f ð3Þ ¼ 3; f ð4Þ ¼ 4; f ð5Þ ¼ 5
4. y ¼ f ðxÞ ¼ x þ 2; D ¼ R; W ¼ R
Bemerkung: Man kann Abbildungen (Funktionen)
auch allgemeiner als eine Zuordnung zwischen be-
liebigen Mengen (also nicht eingeschränkt auf Zah-
lenmengen) definieren.
Mathematik
1.2 Funktionsgleichung
Explizite Darstellung der Funktionsgleichung
Die Zuordnungsvorschrift für eine Funktion ist im
Regelfall eine Gleichung, die Funktionsgleichung
y ¼ f ðxÞ (gesprochen: y gleich f von x). Dabei heißt
x unabhängige Variable und y abhängige Variable.
Man nennt x auch das Argument der Funktion.
Die Form y ¼ f ðxÞ heißt explizite Darstellung der
Funktionsgleichung. Darüber hinaus gibt es die im-
plizite Darstellung und die Parameterdarstellung der
Funktionsgleichung (siehe unten).
Funktionen können aber zum Beispiel auch durch
Tabellen, Schaubilder (Graphen), Pfeildiagramme
oder geordnete Wertepaare (Wertetabelle) darge-
stellt werden.
Fehlt bei einer Funktion die Angabe des Defini-
tionsbereichs, so gilt D ¼ R. Fehlt bei einer Funk-
tion die Angabe des Wertebereichs, so gilt ebenfalls
W ¼ R.
Die Schreibweise y ¼ f ðxÞ; f : D ! W für eine
Funktion bedeutet, daß y ¼ f ðxÞ die Funktionsglei-
chung ist, daß die Funktion den Definitionsbereich
D und den Wertebereich W hat.
y ¼ f ðxÞ ; f :D!W
& Beispiele:
1. y ¼ f ðxÞ ¼ x3  4x2  x þ 4; f : R ! R
2. y ¼ f ðxÞ ¼ x2  1; f : R ! R
x3
3. y ¼ f ðxÞ ¼ 2 ; f : ½1; 1 ! R (also D ¼ ½1; 1; W ¼ R)
x ffiffiffi 2
p
4. y ¼ f ðxÞ ¼ x; f : N ! R
8
< 1 falls x < 0
5. y ¼ f ðxÞ ¼ 0 falls x ¼ 0; f : R ! R
:
þ1 falls x > 0
Eine Funktion mit der Funktionsgleichung y ¼ f ðxÞ,
deren Definitions- und Wertemenge nur reelle Zah-
len enthalten, nennt man eine reelle Funktion einer
reellen Variablen.
& Beispiele:
6. y ¼ x2 ; D ¼ ð1; 1Þ; W ¼ ½0; 1Þ
pffiffiffi
7. y ¼ x; D ¼ ½0; 1Þ; W ¼ ½0; 1Þ
Implizite Darstellung der Funktionsgleichung
Die Darstellung einer Funktion in der Form
Fðx; yÞ ¼ 0 heißt implizit, falls sich diese Gleichung
eindeutig nach y auflösen läßt.
Statt impliziter Darstellung der Funktion sagt man
auch einfach nur implizite Funktion.
& Beispiel:
8. Fðx; yÞ ¼ x2 þ y2  1 ¼ 0; D ¼ ½1; 1; y  0
Es handelt sich hierbei um die obere Hälfte des Einheitskrei-
ses mit dem Mittelpunkt im Koordinatenursprung (vgl. Ab-
schnitt VII.3.1).
Man beachte, daß mit x2 þ y2  1 ¼ 0 keine reelle Funktion
definiert wird, denn die Zuordnung ist nicht eindeutig, da
jedem Element des Definitionsbereichs zwei Werte zugeord-
net werden (einer auf dem oberen Halbkreis und einer auf
dem unteren Halbkreis).
 77

Parameterdarstellung der Funktionsgleichung 1.4 Wertetabelle einer Funktion

Die Darstellung einer Funktion in der Form
Auch mittels einer Wertetabelle kann eine Funktion
x ¼ jðtÞ; y ¼ wðtÞ heißt Parameterdarstellung.
dargestellt werden.
Die Werte von x und y werden dabei jeweils als
In einer Wertetabelle werden für einige ausge-
Funktion einer Hilfsvariablen t angegeben, die Para-
wählte Argumente x die geordneten Zahlenpaare
meter genannt wird. Die Funktionen jðtÞ und wðtÞ
ðx; yÞ ¼ ðx; f ðxÞÞ für eine Funktion y ¼ f ðxÞ einge-
müssen denselben Definitionsbereich haben.
tragen. Dabei müssen die ausgewählten Werte für x
& Beispiele: Elemente des Definitionsbereichs D der Funktion
9. x ¼ 2t þ 5; y ¼ 8t þ 4; t 2 R
sein.
Durch Elimination von t erhält man
4x  20 ¼ y  4 ) y ¼ 4x  16,
Man stellt oftmals eine Wertetabelle auf, um den
also eine Geradengleichung (in expliziter Form) (vgl. Ab- Graph einer Funktion zeichnen zu können.
schnitt VII.2.1).
& Beispiel:
10. x ¼ jðtÞ; y ¼ wðtÞ mit x ¼ cos t; y ¼ sin t und 0  t  p
Wertetabelle für die Funktion y ¼ x2  4x þ 3; D ¼ R:
Hierbei handelt es sich um die obere Hälfte des Einheitskrei-
ses mit dem Mittelpunkt im Koordinatenursprung, denn Qua- x 5 4 3 2 1 0 1 2
drieren und Addieren ergibt
x2 þ y2 ¼ cos2 t þ sin2 t ¼ 1; y 2 3 6 7 6 3 2 9
und t durchläuft den ersten und den zweiten Quadranten
(vgl. Abschnitt VI).

1.3 Graph einer Funktion 2 Verhalten von Funktionen

Eine Möglichkeit der Funktionsdarstellung ist, den 2.1 Monotone Funktionen
Graph der Funktion zu zeichnen.
Der Graph einer Funktion f mit dem Definitions- Eine Funktion mit der Gleichung y ¼ f ðxÞ heißt in
bereich D ist das Bild, das man erhält, wenn man einem bestimmten Bereich B (B ist eine Teilmenge
die geordneten Zahlenpaare ðx; yÞ ¼ ðx; f ðxÞÞ mit des Definitionsbereichs D)
x 2 D in ein Koordinatenkreuz einträgt. Geordnet monoton wachsend, wenn aus x1 < x2 stets
bedeutet, daß in ðx; yÞ die Reihenfolge von x und y f ðx1 Þ  f ðx2 Þ folgt,
wichtig ist: ðx; yÞ ist verschieden von ðy; xÞ (außer streng monoton wachsend, wenn aus x1 < x2
möglicherweise in Sonderfällen). stets f ðx1 Þ < f ðx2 Þ folgt,
In einem kartesischen Koordinatensystem (siehe monoton fallend, wenn aus x1 < x2 stets
Abschnitt VII.1) ist die waagerechte Achse die x- f ðx1 Þ  f ðx2 Þ folgt,
Achse oder Abszissenachse, die senkrechte Achse streng monoton fallend, wenn aus x1 < x2 stets
ist die y-Achse oder Ordinatenachse. Die Zahl x ist f ðx1 Þ > f ðx2 Þ folgt.
die Abszisse und y die Ordinate eines Punktes ðx j yÞ Dabei sind x1 ; x2 beliebige Punkte aus diesem Be-
mit den Koordinaten x und y. reich B.
Statt Graph einer Funktion sagt man auch Schaubild
oder Kurve der Funktion. & Beispiele:
1. f ðxÞ ¼ 3x; D ¼ R ist streng monoton wachsend in D.
Bemerkung: Bei einem Zahlenpaar setzt man ein
Komma oder ein Semikolon zwischen die beiden y
Komponenten: ðx; yÞ oder ðx; yÞ. Bei der Darstellung
eines Punktes setzt man einen senkrechten Strich 8
zwischen die beiden Koordinaten: ðx j yÞ. 7
6
& Beispiel:
5
Graph der Funktion mit der Funktionsgleichung y ¼ f ðxÞ ¼
2x þ 1 und dem Definitionsbereich D ¼ R: 4
3
2
y 1
4 0 1 2 3 4 5 6 7 8 x
–8 –7 –6 –5 –4 –3 –2 –1
3
–2
2 –3
1 –4
–5
–3 –2 –1 0 1 2 x –6
–1 –7
–2 –8
–3 Bild V-1
–4 Graph der Funktion mit der Bild V-2 Graph der Funktion mit der Gleichung
–5 Gleichung y ¼ f ðxÞ ¼ 2x þ 1 f ðxÞ ¼ 3x
78 Mathematik

2. f ðxÞ ¼ 3; D ¼ R ist in D monoton wachsend (und monoton y

fallend).
12
y 11
10
7 9
6 8
5 7
4 6
5
2 4
1 3
2
–8 –7 –6 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 x
–2 1
–3 –3 –2 –1 0 1 2 x

Bild V-3 Graph der Funktion mit der Gleichung Bild V-5 Graph der Funktion mit der Gleichung
f ðxÞ ¼ 3 f ðxÞ ¼ 2x4 þ 1

3. f ðxÞ ¼ x2 ; D ¼ R ist in B1 ¼ fx j x 2 D und x  0g streng y

monoton fallend und in B2 ¼ fx j x 2 D und x  0g streng
monoton wachsend. 10
9
y 8
7
5
6
5
4
4
3
3
2
2 1
–3 –2 –1 0 2 x
1
–2
–3
–4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 x –4
–5
–1
–6
–7
–8
Bild V-4 Graph der Funktion mit der Gleichung –9
f ðxÞ ¼ x2 –10
Bild V-6 Graph der Funktion mit der Gleichung
2.2 Symmetrische Funktionen f ðxÞ ¼ 2x3  3x
Der Graph einer Funktion mit der Gleichung
y
y ¼ f ðxÞ ist symmetrisch zur y-Achse, wenn
f ðxÞ ¼ f ðxÞ für alle x 2 D gilt. Eine solche Funk- 6
tion heißt eine gerade Funktion.
Der Graph einer Funktion y ¼ f ðxÞ ist symmetrisch 5
zum Koordinatenursprung, wenn f ðxÞ ¼ f ðxÞ für
alle x 2 D gilt. Eine solche Funktion heißt eine un- 4
gerade Funktion.
3
& Beispiele:
1. f ðxÞ ¼ 2x4 þ 1 2
Wegen f ðxÞ ¼ 2ðxÞ4 þ 1 ¼ 2x4 þ 1 ¼ f ðxÞ ist y ¼ f ðxÞ sym-
metrisch zur y-Achse, also eine gerade Funktion. 1
2. f ðxÞ ¼ 2x3  3x
Wegen f ðxÞ ¼ 2ðxÞ3  3ðxÞ ¼ 2x3 þ 3x ¼ f ðxÞ ist
y ¼ f ðxÞ symmetrisch zum Koordinatenursprung, also eine –3 –2 –1 0 1 2 3 x
ungerade Funktion.
–1
3. f ðxÞ ¼ x2  x
Wegen f ðxÞ ¼ ðxÞ2  ðxÞ ¼ x2 þ x; also f ðxÞ 6¼ f ðxÞ
und f ðxÞ 6¼ f ðxÞ, ist y ¼ f ðxÞ weder eine gerade noch eine Bild V-7 Graph der Funktion mit der Gleichung
ungerade Funktion. f ðxÞ ¼ x2  x
V Funktionen 79

2.3 Beschränkte Funktionen 2.6 Bijektive Funktionen

Eine Funktion heißt nach oben beschränkt, wenn Eine Funktion heißt bijektiv, wenn sie sowohl injek-
ihre Funktionswerte eine bestimmte Zahl nicht tiv als auch surjektiv ist.
übertreffen, und nach unten beschränkt, wenn ihre Bei einer bijektiven Funktion ist also die Bildmenge
Funktionswerte nicht kleiner als eine bestimmte gleich dem Wertebereich, und jedes Bild besitzt ge-
Zahl sind. Eine Funktion, die sowohl nach oben als nau ein Urbild. Ist y ¼ f ðxÞ; f : D ! W eine bijek-
auch nach unten beschränkt ist, heißt beschränkt. tive Funktion, so sind die Mengen D und W gleich
Bei einer beschränkten Funktion y ¼ f ðxÞ existieren mächtig, das heißt, sie besitzen gleich viele Ele-
also reelle Zahlen a und b mit a < b, so daß gilt: mente.
Die bijektiven Funktionen besitzen eine Umkehr-
..
a  f ðxÞ  b fur alle x 2 D funktion.
& Beispiele:
& Beispiele: Folgende Funktionen sind bijektiv:
1. y ¼ 1  x2 ist nach oben beschränkt, denn y  1. 1. D ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; W ¼ f1; 2; 3; 4; 5g;
2. y ¼ ex ist nach unten beschränkt, denn y > 0. f ð1Þ ¼ 1; f ð2Þ ¼ 2; f ð3Þ ¼ 3; f ð4Þ ¼ 4; f ð5Þ ¼ 5
4
3. y ¼ ist beschränkt, denn 0 < y  4. 2. y ¼ f ðxÞ ¼ x þ 2; f : R ! R
1 þ x2
Folgende Funktionen sind nicht bijektiv:
1. D ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; W ¼ f1; 2; 3; 4; . . . ; 24; 25g;
2.4 Injektive Funktionen f ð1Þ ¼ 1; f ð2Þ ¼ 4; f ð3Þ ¼ 9; f ð4Þ ¼ 16; f ð5Þ ¼ 25
2. y ¼ f ðxÞ ¼ x3  4x2  x þ 4; f : R ! R
Eine Funktion heißt injektiv, wenn jedes Bild genau
3. y ¼ f ðxÞ ¼ x2  1; f : R ! R
ein Urbild besitzt. x3
4. y ¼ f ðxÞ ¼ 2 ; f : ½1; 1 ! R
Bei einer injektiven Funktion gehören zu verschie- x ffiffiffi 2
p
5. y ¼ f ðxÞ ¼ x; f : N ! R
denen Argumenten also stets verschiedene Bilder. 8
< 1 falls x < 0
6. y ¼ f ðxÞ ¼ 0 falls x ¼ 0; f : R ! R
x1 6¼ x2 ) f ðx1 Þ ¼
6 f ðx2 Þ :
þ1 falls x > 0

& Beispiele: 2.7 Periodische Funktionen

Folgende Funktionen sind injektiv:
1. D ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; W ¼ f1; 2; 3; 4; . . . ; 24; 25g; Eine Funktion, deren Funktionsgleichung die Bedin-
f ð1Þ ¼ 1; f ð2Þ ¼ 4; f ð3Þ ¼ 9; f ð4Þ ¼ 16; f ð5Þ ¼ 25 gung f ðx þ TÞ ¼ f ðxÞ erfüllt, wobei T eine Kon-
2. D ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; W ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; stante (feste reelle Zahl) ist, heißt periodische Funk-
f ð1Þ ¼ 1; f ð2Þ ¼ 2; f ð3Þ ¼ 3; f ð4Þ ¼ 4; f ð5Þ ¼ 5
3. y ¼ f ðxÞ ¼ x þ 2; f : R ! R (also D ¼ W ¼ R)
tion. Die Gleichung f ðx þ TÞ ¼ f ðxÞ gilt für alle x
pffiffiffi aus dem Definitionsbereich.
4. y ¼ f ðxÞ ¼ x; f : N ! R
Folgende Funktionen sind nicht injektiv:
1. y ¼ f ðxÞ ¼ x3  4x2  x þ 4; f : R ! R f ðx þ TÞ ¼ f ðxÞ
2. y ¼ f ðxÞ ¼ x2  1; f : R ! R
x3
3. y ¼ f ðxÞ ¼ 2 ; f : ½1; 1 ! R (also D ¼ ½1; 1; W ¼ R) Die kleinste positive Zahl T mit dieser Eigenschaft
x 2
8
< 1 falls x < 0 heißt die Periode der Funktion. Den absolut größ-
4. y ¼ f ðxÞ ¼ 0 falls x ¼ 0; f : R ! R ten Funktionswert nennt man Amplitude der peri-
:
þ1 falls x > 0
odischen Funktion.
Beispiele für periodische Funktionen sind die trigo-
2.5 Surjektive Funktionen
nometrischen Funktionen (vgl. Kapitel VI).
Eine Funktion heißt surjektiv, wenn ihre Bildmenge
gleich dem Wertebereich ist. 2.8 Umkehrfunktionen
Die Funktion, die durch Vertauschen von x und y
f ðDÞ ¼ W
aus einer bijektiven Funktion y ¼ f ðxÞ entsteht,
heißt Umkehrfunktion oder inverse Funktion von
& Beispiele:
Folgende Funktionen sind surjektiv: y ¼ f ðxÞ.
1. D ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; W ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; Bei einer bijektiven Funktion y ¼ f ðxÞ; f : D ! W ist
f ð1Þ ¼ 1; f ð2Þ ¼ 2; f ð3Þ ¼ 3; f ð4Þ ¼ 4; f ð5Þ ¼ 5 jedes Element y 2 W Bild von genau einem Ele-
2. y ¼ f ðxÞ ¼ x þ 2; f : R ! R
ment x 2 D. Man kann eine neue Funktion definie-
3. y ¼ f ðxÞ ¼ x3  4x2  x þ 4; f : R ! R
ren, die jedem y 2 W als Bild gerade das x 2 D zu-
Folgende Funktionen sind nicht surjektiv:
1. D ¼ f1; 2; 3; 4; 5g; W ¼ f1; 2; 3; 4; . . . ; 24; 25g;
ordnet, das Urbild von y ist. Diese Funktion leistet
f ð1Þ ¼ 1; f ð2Þ ¼ 4; f ð3Þ ¼ 9; f ð4Þ ¼ 16; f ð5Þ ¼ 25 das Umgekehrte wie f , ihr Definitionsbereich ist W,
2. y ¼ f ðxÞ ¼ x2  1; f : R ! R und ihr Wertebereich ist D. Man nennt diese Funk-
x3
3. y ¼ f ðxÞ ¼ 2 ; f : ½1; 1 ! R tion daher die Umkehrfunktion von f und bezeich-
x ffiffiffi 2
p
4. y ¼ f ðxÞ ¼ x; f : N ! R net sie mit f 1 .
8
< 1 falls x < 0
5. y ¼ f ðxÞ ¼ 0 falls x ¼ 0; f : R ! R 1 1
: y¼f ðxÞ ; f :W!D
þ1 falls x > 0
80 Mathematik

Versteht man unter der Schreibweise gðf ðxÞÞ, daß y

man auf x die Zuordnungsvorschrift f und dann

x
y = e2
6

y = 2x

y=
auf f ðxÞ die Vorschrift g anwendet, so gilt 5
f 1 ðf ðxÞÞ ¼ x und f ðf 1 ðxÞÞ ¼ x.
4
Zu einer streng monoton wachsenden oder streng
x
monoton fallenden Funktion existiert die Umkehr- 3 y = log 2
funktion. 2
1 y = lnx
Bestimmung der Umkehrfunktion:
0
1. Auflösen von y ¼ f ðxÞ nach x: x ¼ f 1 ðyÞ –2 –1 1 2 3 4 5 6 7 x
2. Vertauschen von x und y: y ¼ f 1 ðxÞ
Diesen Operationen entspricht die Spiegelung des
Graphen der Funktion an der Winkelhalbierenden Bild V-10 Graphen der Funktionen von Beispiel 3
y ¼ x. und Beispiel 4
& Beispiele:
1. y ¼ f ðxÞ ¼ 4x  1; D ¼ W ¼ R
1 1
2.9 Reelle und komplexe Funktionen
Umkehrfunktion: y ¼ f 1 ðxÞ ¼ x þ ; D ¼ W ¼ R
4 4 Eine Funktion mit der Funktionsgleichung y ¼ f ðxÞ,
deren Definitions- und Wertebereich nur reelle Zah-
y
len enthalten, nennt man eine reelle Funktion einer
y = 4x – 1
6 reellen Variablen.
5 & Beispiele:
4 1. y ¼ x2 ; D ¼ ð1; 1Þ; W ¼ ½0; 1Þ
pffiffiffi
3 2. y ¼ x; D ¼ ½0; 1Þ; W ¼ ½0; 1Þ
y = 0,25x + 0,25
2
–7 –6 –5 –4 –3 –2 1 Ist dagegen die unabhängige Variable einer Funkti-
1 2 3 4 5 6 x
onsgleichung eine komplexe Zahl z, dann wird
durch w ¼ f ðzÞ eine komplexe Funktion einer kom-
–2
plexen Variablen beschrieben. Komplexe Funktio-
–3
–4
nen werden in dem mathematischen Gebiet Funktio-
–5 nentheorie behandelt.
–6
–7
3 Einteilung der elementaren Funktionen
Bild V-8 Graphen der Funktionen von Beispiel 1
Eine elementare Funktion ist eine Funktion, deren
2. y ¼ f ðxÞ ¼ x2 ; D ¼ W ¼ fx j x 2 R; x  0g Funktionsgleichung durch einen geschlossenen ana-
Umkehrfunktion:
pffiffiffi
lytischen Ausdruck dargestellt werden kann.
y ¼ f 1 ðxÞ ¼ x; D ¼ W ¼ fx j x 2 R; x  0g Elementare Funktionen sind durch Formeln defi-
niert, die nur endlich viele mathematische Operatio-
y nen mit der unabhängigen Variablen x und den Ko-
4 effizienten enthalten.
y= 2

x
x

3 y= x
Man teilt die elementaren Funktionen in algebraische
2 y=+ Funktionen und transzendente Funktionen ein.
Bei elementaren Funktionen lassen sich die Verknüp-
1
–2 –1 1 2 3 4 fung der unabhängigen Variablen x und der abhängi-
0 x gen Variablen y in einer algebraischen Gleichung fol-
–1 gender Form darstellen, wobei p0 ; p1 ; . . . ; pn
Polynome in x beliebigen Grades sind.
–2

p0 ðxÞ þ p1 ðxÞ y þ p2 ðxÞ y2 þ . . . þ pn ðxÞ yn ¼ 0

Bild V-9 Graphen der Funktionen von Beispiel 2
Elementare Funktionen, die nicht algebraisch sind,
3. y ¼ f ðxÞ ¼ ex ; D ¼ R; W ¼ Rþ
Umkehrfunktion: y ¼ f 1 ðxÞ ¼ ln x; D ¼ Rþ ; W ¼ R
heißen transzendent.
4. y ¼ f ðxÞ ¼ 2x ; D ¼ R; W ¼ Rþ
& Beispiele für algebraische Funktionen:
Umkehrfunktion: y ¼ f 1 ðxÞ ¼ log2 x; D ¼ Rþ ; W ¼ R
1. y ¼ 3x2 þ 4
2x
2. y¼ 3
x þ 2x  1
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
3. y ¼ 2x þ 3
4. 3xy3  4xy þ x3  1 ¼ 0 (hier also p0 ðxÞ ¼ x3  1;
p1 ðxÞ ¼ 4x; p2 ðxÞ ¼ 0; p3 ðxÞ ¼ 3x)
V Funktionen 81

Zu den transzendenten Funktionen gehören zum

Beispiel die Exponentialfunktionen, die Logarith- Konstante Funktionen y ¼ a0
Lineare Funktionen y ¼ a1 x þ a0
musfunktionen und die trigonometrischen Funktio-
Quadratische Funktionen y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0
nen.
Kubische Funktionen y ¼ a3 x3 þ a2 x2
& Beispiele für transzendente Funktionen: þ a1 x þ a0
1. y ¼ ex
2. y ¼ sin x & Beispiele für ganze rationale Funktionen:
3 y ¼ ln x pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 1. y ¼ 23x4  12x þ 4
ln x þ sin x 11 23 12
4. y¼ 2. y ¼ x  11x17  12x9  px6  pffiffiffi x  2
x2 þ 5 12 5
3. y ¼ 1  3x þ x6  2x2
Die algebraischen Funktionen untergliedern sich in 4. y ¼ 7 (konstante Funktion)
die rationalen Funktionen und in die irrationalen 5. y ¼ 3x  4p (lineare Funktion)
Funktionen. 6. y ¼ x2  x þ 1 (quadratische Funktion)
7. y ¼ 4x3  2x þ 5 (kubische Funktion)
Eine rationale Funktion ist eine algebraische Funkti-
on, für die die Funktionsgleichung y ¼ f ðxÞ als eine Gebrochene rationale Funktionen sind Funktionen
explizite Formel angegeben werden kann, in der auf mit einer Funktionsgleichung y ¼ f ðxÞ, bei der f ðxÞ
die unabhängige Variable x nur endlich viele ratio- als Quotient zweier Polynome darstellbar ist. Sie
nale Rechenoperationen (Addition, Subtraktion, besitzen also eine Darstellung folgender Form mit
Multiplikation und Division) angewandt werden. a0 ; a1 ; . . . ; an ; b0 ; b1 ; . . . ; bm 2 R; an ; bm 6¼ 0; m 6¼ 0.
Eine algebraische Funktion, die nicht rational ist,
heißt irrational. an xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x þ a0
y¼
& Beispiele für rationale Funktionen:
bm xm þ bm  1 xm  1 þ . . . þ b2 x2 þ b1 x þ b0
1. y ¼ 3x3 
1 P
n
4 ai xi
2x2  3x þ 5 i ¼0
2. y ¼ 3 ¼
x þ 3x2  2 P
m
bk x k
k¼0
Bei irrationalen Funktionen tritt die unabhängige
Variable auch unter einem Wurzelzeichen auf.
Eine gebrochene rationale Funktion kann also immer
& Beispiele für irrationale Funktionen:
als Quotient zweier ganzer rationaler Funktionen dar-
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi gestellt werden. Bei gebrochenen rationalen Funktio-
1. y ¼ 3x2 þ 4
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi ffi nen werden auf die unabhängige Variable x nur die
2. y ¼ 3 ðx2 þ 1Þ x
Grundrechenarten (also die Operationen Addition,
Subtraktion, Multiplikation und Division) angewandt.
Für rationale Funktionen ist f ðxÞ ein Polynom (dann
Die Definitionsmenge einer gebrochenen rationalen
ist y ¼ f ðxÞ eine ganze rationale Funktion) oder ein
Funktion besteht aus denjenigen reellen Zahlen, für
Quotient aus Polynomen (dann heißt y ¼ f ðxÞ eine
die der Nenner nicht Null wird.
gebrochene rationale Funktion).
Für n < m heißt die Funktion echt gebrochene ratio-
nale Funktion, für n  m heißt sie unecht gebro-
Ganze rationale Funktionen lassen sich also darstel- chene rationale Funktion.
len in folgender Form mit Gebrochene rationale Funktionen mit n ¼ 1 und
a0 ; a1 ; a2 ; . . . ; an  1 ; an 2 R; an 6¼ 0; n 2 N. a1 x þ a0
m ¼ 1, also y ¼ , heißen gebrochene lineare
b1 x þ b0
Funktionen.
y ¼ an xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x þ a0
Pn & Beispiele für gebrochene rationale Funktionen:
¼ ak xk 2
k¼0
1. y¼
x
1
x4  22x3 þ x2  12
2. y ¼ 3
x5  11x3 þ x þ 1
Ist n der Grad des Polynoms, so nennt man die 2x
Funktion ganze rationale Funktion n-ten Grades. 3. y ¼ 3
x  5x2  2x þ 1
Bei ganzen rationalen Funktionen werden auf die 2x þ 4
4. y ¼ (gebrochene lineare Funktion)
unabhängige Variable x nur die Operationen Addi- x3
x5  2
tion, Subtraktion und Multiplikation angewandt. 5. y ¼ 2
x þ1
Ganze rationale Funktionen vom Grad 0 (y ¼ a0 ) 1  x3 þ x 2 þ 1 
6. y ¼ x2 þ x þ ¼
nennt man konstante Funktionen, vom Grad 1 x x

(y ¼ a1 x þ a0 ) lineare Funktionen, vom Grad 2 Bei den ersten drei Beispielen handelt es sich um
(y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 ) quadratische Funktionen und echt gebrochene rationale Funktionen, bei den letz-
vom Grad 3 (y ¼ a3 x3 þ a2 x2 þ a1 x þ a0 ) kubische ten drei Beispielen um unecht gebrochene rationale
Funktionen. Funktionen.
82 Mathematik

Zusammenfassende bersicht über die elementaren 4.2 Lineare Funktionen

Funktionen
Funktionen mit einer Funktionsgleichung

y ¼ f ðxÞ ¼ mx þ n ðm; n 2 R; m 6¼ 0Þ

Eine lineare Funktion ist eine ganze rationale Funk-

tion 1. Grades.
Der Graph einer linearen Funktion ist eine Gerade
(daher der Name lineare Funktion), und zwar die
Gerade mit der Steigung m und dem Achsenab-
schnitt n auf der y-Achse (vgl. Abschnitt VII.2.1).
Die Steigung m einer Geraden ist der „Höhenzu-
wachs“ (die Differenz der y-Werte) bei einem
Schritt um 1 nach rechts. Der Achsenabschnitt n ist
der y-Wert, bei dem die Gerade die y-Achse schnei-
det.
Für m > 0 ist die Funktion streng monoton wach-
send, für m < 0 ist sie streng monoton fallend.
Schnittpunkt des  Graphen
! der Funktion mit der
n 
x-Achse: Sx  0 , Schnittpunkt mit der y -Achse:
4 Ganze rationale Funktionen m 
Sy ð0 j nÞ.
4.1 Konstante Funktionen & Beispiel:
Funktionen mit einer Funktionsgleichung 1
Funktionsgleichung: y ¼ f ðxÞ ¼ xþ2
2
Wertetabelle:
y ¼ f ðxÞ ¼ n ðn 2 RÞ
x 6 4 2 0 2 4
Der Graph einer konstanten Funktion ist eine Paral-
y 1 0 1 2 3 4
lele zur x-Achse, und zwar im Abstand n. Im Fall
n ¼ 0 ist die Gerade die x-Achse selbst. Die Ge-
radengleichung der x-Achse ist also y ¼ 0. y
Um den Graph einer Funktion zu zeichnen, ist es
sinnvoll, sich die Koordinaten von Punkten des Gra- 4
phen in einer Wertetabelle aufzuschreiben. Da eine 1
3 y= x+2
1 2
Gerade durch zwei auf ihr liegende Punkte festge- m=
2 2
legt ist, reicht es im Prinzip, bei Geraden die Koor- 1
dinaten von zwei Punkten zu berechnen. 1 n=2
& Beispiel:
Funktionsgleichung: y ¼ f ðxÞ ¼ 2 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 x
Wertetabelle: Bild V-12 Graph der linearen Funktion
x 1 0 1 1
y¼ xþ2
2
y 2 2 2

Ist n ¼ 0, so nennt man die lineare Funktion y ¼ mx

y ðm 2 R; m 6¼ 0Þ auch Proportionalfunktion. Der
Graph einer Proportionalfunktion ist eine Gerade
3 durch den Koordinatenursprung, und zwar mit der
2 Steigung m.
y=2
1
Man nennt m auch den Proportionalitätsfaktor der
y
Gleichung, denn es gilt m ¼ :
–3 –2 –1 0 1 2 3 x x
–1 & Beispiel:
1
Funktionsgleichung: y ¼ f ðxÞ ¼ x
Bild V-11 Graph der konstanten Funktion y ¼ 2 2

Wertetabelle:

x 3 2 1 0 1 2 3

3 1 1 3
y  ¼ 1;5 1  ¼ 0;5 0 ¼ 0;5 1 ¼ 1;5
2 2 2 2
V Funktionen 83

y Δs
in km
3 2400
2 2000 Δs = vΔt
1 1600
y= x
1 2
1200
0 0,5
–3 –2 –1 1 2 3 4 x 800
–1 400
0 v
–2 1 2 3 4 5 6 7 8 910 Δt
in 1000 s

Bild V-13 Graph der Proportionalfunktion Bild V-15 Geschwindigkeit im Weg-Zeit-

1 Diagramm
y¼ x
2
3. Gay-Lussacsches Gesetz
Funktionsgleichung: V ¼ V0 ð1 þ gdÞ oder V ¼ V0 gd þ V0
& Anwendungsbeispiele:
(statt y ¼ mx þ n)
1. Hookesches Gesetz
Dabei bedeuten:
Funktionsgleichung: F ¼ c Dl (statt y ¼ mx)
V variables Gasvolumen, V0 Volumen derselben Gasmenge
Dabei bedeuten: 1
F Federkraft, c Federkonstante (Federrate, Federsteifigkeit), bei 0 C, g ¼ konstanter Volumenausdehnungskoeffi-
273
Dl Längenveränderung der Feder zient, d Maßzahl der in C gemessenen variablen Temperatur
Ein Vergleich mit der linearen Funktion ergibt:
& Beispiel (vgl. Abschnitt II.4):
V0
Welche Kraft F dehnt eine Feder um 4 cm, wenn die V ¼ y; V0 g ¼ ¼ m; d ¼ x; V0 ¼ b
Kraft 3 N (Newton) eine Dehnung um 2 cm bewirkt? 273

3N N Der Definitionsbereich ist gegeben durch die Bedingung

c¼ ¼ 1;5 ; Dl ¼ 4 cm 273  d < 1.
2 cm cm
Einsetzen in die Funktionsgleichung:
& Beispiel:
N
F ¼ 1;5  4 cm ¼ 6 N Im Winderhitzer eines Hochofens werden stündlich
cm
42 000 m3 Luft von 17 C auf 800 C erwärmt. Wie groß
Antwort: Die Kraft 6 N bewirkt die Dehnung um 4 cm.
ist das Volumen der vom Winderhitzer pro Stunde gelie-
ferten erhitzten Luft?
F Lösung: Die Gleichung V ¼ V0 ð1 þ gdÞ wird zweimal be-
in N
nutzt.
6 F = cΔl Zuerst Berechnung von V0 :
5 1 1
V0 ¼ V1 ¼ 42 000 m3
4 1 þ gd1 1
1þ  17
¼ 39 537;9310 . . . m3 273
3
Anschließend Berechnung des gesuchten V2 :
2  
1
V2 ¼ V0 ð1 þ gd2 Þ ¼ 39 537; 9310 . . . m3 1 þ  800
1 c 273
¼ 155 400 m3
0
Antwort: Das Volumen beträgt 155 400 m3 .
–1 1 2 3 4 5 Δl
–1 in cm
Wertetabelle:
Bild V-14 Hookesches Gesetz u V
–273 0
Anmerkung: Es muß sichergestellt sein, daß sich die Werte im 0 V0
materialbedingten Gültigkeitsbereich des Hookeschen Geset- V
373 V 3
100
zes bewegen. 273 0 in m
2. Geschwindigkeit im Weg-Zeit-Diagramm 200 473 V
Funktionsgleichung: Ds ¼ v Dt (statt y ¼ mx) 273 0
100V0g
Dabei bedeuten: 273 2 V0
= 100 V0
Ds zurückgelegter Weg, v Geschwindigkeit, Dt abgelaufene 273
Zeit
100
& Beispiel (vgl. Abschnitt II.4):
1
Wie weit kommt ein Flugzeug in 2 Stunden, wenn es
2 V0
10 km in 45 s zurücklegt?
10 000 m m 3600 s
V=
v¼ ¼ 222;2 ; Dt ¼ 2;5 h  ¼ 9000 s V0(1 + gu)
45 s s h
Einsetzen in die Funktionsgleichung:
–273 0 100 200 u
10 000 m
Ds ¼  9000 s ¼ 2000 km in °C
45 s
Antwort: Das Flugzeug fliegt 2000 km weit. Bild V-16 Gay-Lussacsches Gesetz
84 Mathematik

4.3 Quadratische Funktionen Durch quadratische Ergänzung erhält man y   a0

 a 2 a  2 a21
1 1
Funktionen mit einer Funktionsgleichung þ ¼ x þ a1 x þ
2
, woraus y  a0  ¼
 2a 2 2 4
1
xþ folgt.
y ¼ f ðxÞ ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 2
Die rechte Gleichungsseite und damit auch die linke
ða2 ; a1 ; a0 2 R; a2 6¼ 0Þ
ist  0. Der kleinste y-Wert ergibt sich, wenn beide
a2
Eine quadratische Funktion ist eine ganze rationale Gleichungsseiten gleich 0 sind, also für y ¼ a0  1 .
4
Funktion 2. Grades. Dies ist der Wert der Ordinate des Scheitelpunkts.
Der Graph jeder quadratischen Funktion ist eine a1
Die rechte Gleichungsseite wird für x ¼  gleich
Parabel (vgl. auch Abschnitt VII.5.3). 2
0, dem Wert der Abszisse des Scheitelpunkts. Man
Für spezielle Koeffizienten a2 ; a1 ; a0 in der Funk-
erhält somit als Scheitelpunkt der verschobenen
tionsgleichung erhält man spezielle Parabeln.
Normalparabel
Normalparabel  !
Mit den Koeffizienten a2 ¼ 1; a1 ¼ 0; a0 ¼ 0 in der a1  a2
SðxS j yS Þ ¼ S   a0  1
Gleichung y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 der quadratischen 2 4
Funktion erhält man die Gleichung y ¼ x2 der Nor-
malparabel. Berechnung des Schnittpunkts Sy der verschobenen
Normalparabel mit der y-Achse:
Normalparabel y ¼ x2 Die Ordinate des Schnittpunkts mit der y-Achse er-
gibt sich, wenn man in der Funktionsgleichung x ¼ 0
Der Punkt ð0 j 0Þ, also der Koordinatenursprung, ist setzt: y ¼ 0 þ 0 þ a0 ¼ a0 . Somit ist Sy ¼ Sy ð0 j a0 Þ.
der Scheitelpunkt der Normalparabel. Die Normal- Berechnung der Schnittpunkte Sx1 und Sx2 der ver-
parabel ist symmetrisch zur y-Achse und nach oben schobenen Normalparabel mit der x-Achse:
geöffnet. Die Abszissen der Schnittpunkte mit der x-Achse er-
Der Definitionsbereich ist D ¼ R, der Wertebereich hält man, wenn man in der Funktionsgleichung
ist W ¼ R, und die Bildmenge f ðDÞ ist die Menge y ¼ 0 setzt: 0 ¼ x2 þ a1 x þ a0 . Dies ist eine quadra-
der nichtnegativen reellen Zahlen: f ðDÞ ¼ Rþ 0 ¼ tische Gleichung in x, deren Nullstellen bestimmt
Rþ [ f0g. werden müssen:

y
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
a 2 ffi
a1 1
9 x1; 2 ¼   a0 :
2 2
8
7 Die Schnittpunkte mit der x-Achse lauten also:
6 0 sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi  1
y = x2
a21 
5 a1 
Sx1 ¼ Sx1 @ þ  a0  0A;
4 2 4 
3
0 sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi  1
2 a21 
a1 
Sx2 ¼ Sx2 @   a0  0A
1 Bild V-17 2 4 
–3 –2 –1 0 1 2 3 x Normalparabel

& Beispiele:
Verschobene Normalparabel
1. y ¼ x2  x  1 (also a1 ¼ 1 und a0 ¼ 1)
Mit a2 ¼ 1 und beliebigen Werten für a1 und a0
a21 ð1Þ2 1
(aber nicht beide gleich 0) in y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 er- Wegen
4
¼
4
¼ ergibt sich
4
 !  !
gibt sich die Gleichung y ¼ x2 þ a1 x þ a0 einer ver- 1  1 1  5

schobenen Normalparabel. Scheitelpunkt: S ¼ S  1  ¼S 
2 4 2  4
Schnittpunkt mit der y-Achse: Sy ¼ Sy ð0 j 1Þ
Verschobene Normalparabel y ¼ x2 þ a1 x þ a0 Schnittpunkte mit der x-Achse:
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi  !  !
1 1  1 pffiffiffi 
Eine verschobene Normalparabel hat dieselbe Form Sx1 ¼ Sx1 þ þ 1  0 ¼ Sx1 ð1 þ 5Þ  0
2 4  2 
wie die Normalparabel, der Scheitelpunkt liegt je-
¼ Sx1 ð1;6180 . . . j 0Þ ;
doch nicht im Koordinatenursprung.
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi  !  !
Berechnung des Scheitelpunkts S der verschobenen 1 1  1 pffiffiffi 
Sx2 ¼ Sx2  þ 1  0 ¼ Sx 2 ð1  5Þ  0
Normalparabel mit der Gleichung y ¼ x2 þ a1 x þ a0 : 2 4  2 
Subtraktion von a0 ergibt y  a0 ¼ x2 þ a1 x. ¼ Sx2 ð0; 6180 . . . j 0Þ
V Funktionen 85

y
–3 –2 –1 0 1 2 3
8
x
7 –1
6
–2
5
–3
4
y = x2 – x – 1
–4 y = –x2
3
2 –5
1 –6
S x2 Sx 1
–3 –2 –1 0 S 1 2 3 4 x –7
y
–1
S –8
–2
y
Bild V-18 Verschobene Normalparabel
Bild V-20 Gespiegelte Normalparabel
2. y ¼ x2  4x (also a1 ¼ 4 und a0 ¼ 0)
a2 ð4Þ2 Gespiegelte verschobene Normalparabel
Es ergibt sich 1 ¼ ¼ 4. Damit berechnet man den
Scheitelpunkt:
4 4 Mit a2 ¼ 1 und beliebigen Werten für a1 und a0
 !
4  (aber nicht beide gleich 0) ergibt sich die Gleichung
S¼S    4 ¼ Sð2 j  4Þ y ¼ x2 þ a1 x þ a0 einer gespiegelten verschobenen
2 
Schnittpunkt mit der y-Achse: Sy ¼ Sy ð0 j 0Þ Normalparabel.
Schnittpunktep mit der x-Achse:
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Gespiegelte verschobene Normalparabel
Sx1 ¼ Sx1 ð2 þ 4  0 j 0Þ ¼ Sx1 ð4 j 0Þ;
Sx2 ¼ Sx2 ð2  2 j 0Þ ¼ Sx2 ð0 j 0Þ
Die Parabel geht durch den Koordinatenursprung, deshalb y ¼ x2 þ a1 x þ a0
fällt der Schnittpunkt mit der y-Achse mit dem einen Schnitt-
punkt mit der x-Achse zusammen.
Berechnung des Scheitelpunkts S:
y Subtraktion von a0 : y  a0 ¼ x2 þ a1 x
 a 2
1
6 Subtraktion von :
a 2 2 a  2
1 1
5 y  a0  ¼ x2 þ a1 x 
2 2
4 Zusammenfassen auf der linken Seite des Gleich-
3 2 heitszeichens und Ausklammern von 1 auf der
y = x – 4x
2 rechten Seite:
  a 2   a  2 
1 1
1 y  a0 þ ¼  x2  a1 x þ
S x2 = S y Sx1 2 2
–2 –1 0 1 2 3 4 5 6 x Anwenden der zweiten binomischen Formel auf der
–1 rechten Seite:
  
–2 a2 a1 2
y  a0 þ 1 ¼  x 
–3 4 2
–4 Die rechte Gleichungsseite und damit auch die linke
ist  0. Der größte y-Wert ergibt sich, wenn beide
a2
Bild V-19 Verschobene Normalparabel Gleichungsseiten gleich 0 sind, also für y ¼ a0 þ 1 .
4
Dies ist der Wert der Ordinate des Scheitelpunkts.
Gespiegelte Normalparabel a1
Die rechte Gleichungsseite wird für x ¼ gleich 0,
Mit den Koeffizienten a2 ¼ 1; a1 ¼ 0; a0 ¼ 0 in 2
y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 ergibt sich die Gleichung dem Wert der Abszisse des Scheitelpunkts. Somit er-
y ¼ x2 der gespiegelten Normalparabel. gibt sich für den Scheitelpunkt der gespiegelten ver-
schobenen Normalparabel
 !
Gespiegelte Normalparabel y ¼ x2 a1  a2
SðxS j yS Þ ¼ S  a0 þ 1
2  4
Die gespiegelte Normalparabel entsteht aus der
Normalparabel durch Spiegelung an der x-Achse. Berechnung des Schnittpunkts Sy mit der y-Achse:
Der Punkt ð0 j 0Þ ist der Scheitelpunkt der gespiegel- Durch Einsetzen von x ¼ 0 in die Funktionsglei-
ten Normalparabel. Sie ist symmetrisch zur y-Achse chung erhält man y ¼ a0 als Ordinate des Schnitt-
und nach unten geöffnet. punkts und als Schnittpunkt somit Sy ¼ Sy ð0 j a0 Þ.
86 Mathematik

Berechnung der Schnittpunkte Sx1 und Sx2 mit der Ausklammern  von a2  auf der rechten Seite:
x-Achse: a1
y  a0 ¼ a2 x þ x
2
Durch Einsetzen von y ¼ 0 in die Funktionsglei- a2
chung ergibt sich 0 ¼ x2 þ a1 x þ a0 und nach Quadratische Ergänzung in der Klammer auf der
Multiplikation der Gleichung mit 1 die quadra- a2
rechten Seite, also Addition von 1 auf beiden Sei-
2
 a1 x  ffi a0 ¼ 0, die die Lösun-
tische Gleichungrxffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 4a2
a 2 ten der Gleichung:
 !
a1
gen x1; 2 ¼ 
1
þa0 hat. Die Schnittpunkte 
2 2 a21 a1 a1 2
mit der x-Achse lauten somit: y  a0 þ ¼ a2 x þ x þ
2
4a2 a2 2a2
0 sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi  1
a21 
a1  Anwenden der ersten binomischen Formel auf der
Sx1 ¼ Sx1 @ þ þ a0  0A ;
2 4  rechten Seite:
   
0 sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi  1 a2 a1 2
 y  a0  1 ¼ a2 x þ
a1 a21  4a2 2a2
Sx2 ¼ Sx2 @  þ a0  0A
2 4  Hieraus liest man die Koordinaten des Scheitel-
punkts ab, nämlich diejenigen Werte für x und y, für
& Beispiel: die beide Seiten der Gleichung gleich 0 werden:
3. y ¼ x2  4x þ 3 (also a1 ¼ 4 und a0 ¼ 3)
a2 ð4Þ2 a1 a2
Man berechnet 1 ¼ ¼4 xS ¼  ; yS ¼ a0  1
4 4 2a2 4a2
Scheitelpunkt: S ¼ Sð2 j 3 þ 4Þ ¼ Sð2 j 7Þ
Schnittpunkt mit der y-Achse: Sy ¼ Sy ð0 j 3Þ
Scheitelpunkt S der Parabel:
 !
Schnittpunkte mit der x-Achse:
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffi a1  a21
Sx1 ¼ Sx1ð2 þ 4 þ 3 j 0Þ ¼ Sx1ð2 þ 7 j 0Þ SðxS j yS Þ ¼ S   a0 
¼ Sx1ð0;6457p. ffiffi.ffi. j 0Þ, 2a2  4a2
Sx2 ¼ Sx2ð2  7 j 0Þ ¼ Sx2ð4;6457 . . . j 0Þ
Man nennt die Gleichung y  yS ¼ a2 ðx  xS Þ2
y Scheitelform der quadratischen Funktion, wohinge-
S gen y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 Normalform der quadrati-
7
schen Funktion heißt.
6
Scheitelform der quadratischen Funktion
5
4 y  yS ¼ a2 ðx  xS Þ2
y= 3 Sy
–x2–4x + 3 2 Berechnung des Schnittpunkts Sy mit der y-Achse:
1 Setzt man in der Funktionsgleichung x ¼ 0 ein, so
–5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 erhält man y ¼ a0 als Ordinate des Schnittpunkts Sy
S x2 Sx1 x und als Schnittpunkt somit Sy ¼ Sy ð0 j a0 Þ.
–1 Der Wert D ¼ a21  4a2 a0 heißt Diskriminante der
–2 quadratischen Funktion y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 . Gilt
D > 0, so hat die zugehörige Parabel zwei Schnitt-
Bild V-21 Gespiegelte verschobene punkte mit der x-Achse. Für D ¼ 0 gibt es einen
Normalparabel Schnittpunkt (der Schnittpunkt ist dann ein Berühr-
punkt). Für D < 0 gibt es keinen Schnittpunkt mit
Allgemeiner Fall der x-Achse.
Berechnung des Schnittpunkts (für D ¼ 0) bzw. der
Parabel y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 Schnittpunkte (für D > 0) der Parabel mit der
x-Achse:
Für a2 > 0 ist die Parabel nach oben, für a2 < 0 Durch Einsetzen von y ¼ 0 in die Funktionsglei-
nach unten geöffnet. chung y ¼ a2 x2 þ a1 x þ a0 erhält man die quadrati-
Für ja2 j > 1 ist die Parabel im Vergleich zur Nor- sche Gleichung a2 x2 þ a1 x þ a0 ¼ 0, die die Lösun-
malparabel gestreckt und für ja2 j < 1 gestaucht.  qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1
Man nennt ja2 j deshalb den Streckungsfaktor der gen x1; 2 ¼ a1  a21  4a2 a0 hat. Daraus
2a2
Parabel. ergeben sich die Schnittpunkte mit der x-Achse:
Eine nderung des Koeffizienten a1 bewirkt eine   !
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 
Verschiebung der Parabel in x-Richtung, eine n- 1 
Sx1 a1 þ a1  4a2 a0  0 ;
2
derung von a0 bewirkt eine Verschiebung in y-Rich- 2a2 
tung.
   !
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 
Berechnung des Scheitelpunkts S: 1 
Sx2 a1  a21  4a2 a0  0 :
Subtraktion von a0 : y  a0 ¼ a2 x2 þ a1 x 2a2 
V Funktionen 87

& Beispiele:
4. y ¼ 4x2 (also a2 ¼ 4; a1 ¼ a0 ¼ 0)
4.4 Kubische Funktionen
Wegen ja2 j ¼ j4j ¼ 4 > 1 ist die Parabel im Vergleich zur
Funktionen mit einer Funktionsgleichung
Normalparabel gestreckt, und wegen a2 ¼ 4 > 0 ist die Para-
bel nach oben geöffnet.
Aus a1 ¼ a0 ¼ 0 folgt S ¼ Sð0 j 0Þ und S ¼ Sx ¼ Sy .
y ¼ f ðxÞ ¼ a3 x3 þ a2 x2 þ a1 x þ a0
y ða3 ; a2 ; a1 ; a0 2 R; a3 6¼ 0Þ

8
Eine kubische Funktion ist eine ganze rationale
Funktion 3. Grades.
7 Der Graph einer kubischen Funktion ist eine kubi-
sche Parabel.
6 Das Verhalten der Funktion hängt wesentlich von
dem Koeffizienten a3 und der Diskriminante
5 y =4x2 D ¼ 3a3 a1  a22 ab. Wenn D  0 ist, dann ist die
Funktion für a3 > 0 monoton wachsend und für
4
a3 < 0 monoton fallend (vgl. Abschnitt V.2.1). Für
D < 0 besitzt die Funktion ein Maximum und ein
3
Minimum (siehe Abschnitt VIII.4.10). Für a3 > 0 ist
2 die Funktion dann von 1 bis zum Maximum mo-
noton wachsend, monoton fallend vom Maximum
1 bis zum Minimum und danach bis þ1 wieder mo-
noton wachsend. Für a3 < 0 (und D < 0) ist die
0 x Funktion von 1 bis zum Minimum monoton fal-
–2 –1 1 2
lend, vom Minimum bis zum Maximum monoton
wachsend und danach bis þ1 wieder monoton fal-
Bild V-22 Parabel lend.
Es gibt ein, zwei (dann ist ein Schnittpunkt ein Be-
5. y ¼ 3x2 þ 1;2x  1;5 (also a2 ¼ 3; a1 ¼ 1;2; a0 ¼ 1;5)
rührpunkt) oder drei Schnittpunkte mit der x-Achse
Aus ja2 j ¼ j3j ¼ 3 > 1 folgt, daß die Parabel im Vergleich
zur Normalparabel gestreckt ist. Wegen a2 ¼ 3 < 0 ist die (abhängig von den Koeffizienten a3 ; a2 ; a1 ; a0 ). Der
Parabel nach unten geöffnet. Schnittpunkt mit der y-Achse ist Sy ð0 j a0 Þ.
Berechnung des Scheitelpunkts S:

Spezialfälle:
!
1;2  ð1;2Þ2
SðxS j yS Þ ¼ S   1;5 
2  ð3Þ  4  ð3Þ Kubische Normalparabel
 !
1;2  1;44 Mit den Koeffizienten a3 ¼ 1; a2 ¼ 0; a1 ¼ 0; a0 ¼ 0
¼S  1;5 þ
6  12 ergibt sich die kubische Normalparabel y ¼ x3 . Sie
¼ Sð0;2 j 1;5 þ 0;12Þ ¼ Sð0;2 j  1;38Þ schneidet sowohl die x- als auch die y-Achse im Ur-
Scheitelform der Parabelgleichung: y þ 1;38 ¼ 3ðx  0;2Þ2
sprung.
Berechnung des Schnittpunkts Sy mit der y-Achse:
Sy ¼ Sy ð0 j 1;5Þ
Kubische Normalparabel y ¼ x3
Berechnung der Diskriminante D:
D ¼ a21  4a2 a0 ¼ ð1;2Þ2  4  ð3Þ  ð1;5Þ ¼ 16;56.
Wegen D < 0 gibt es keinen Schnittpunkt mit der x-Achse. Gespiegelte kubische Normalparabel
Mit den Koeffizienten a3 ¼ 1; a2 ¼ 0; a1 ¼ 0;
y a0 ¼ 0 erhält man die gespiegelte kubische Normal-
1 parabel y ¼ x3 .

–2 –1 0 1 2 3 x
Gespiegelte kubische Normalparabel y ¼ x3
–1 S
Sy
–2 & Beispiele:

–3 1. y ¼ x3
y = –3x 2 + 1,2x – 1,5 2. y¼
1 3
x
–4 2
1 3
–5 3. y¼ x x
4
–6

Bild V-23 Parabel

88 Mathematik

y Dabei bedeutet zum Beispiel x ! 1, daß x sich

1 y = x3
1 nähert.
Ist von den Koeffizienten in der Funktionsgleichung
nur an 6¼ 0, gilt also a0 ¼ a1 ¼ a2 ¼ . . . ¼ an  2
¼ an  1 ¼ 0, dann nennt man die Funktion Potenz-
funktion.

Potenzfunktionen
–2 –1 0 1 2 x
y ¼ an xn ðn 2 N*; an 2 R; an 6¼ 0Þ
–1
1
Die Graphen der Potenzfunktionen heißen für n  2
Parabeln n-ter Ordnung.
–2 –1 0 1 2 x Der Definitionsbereich der Potenzfunktionen ist
y = – 1 x3 D ¼ R. Für die Bildmenge gilt f ðDÞ ¼ fz j z 2 R;
2
–1 z  0g für gerade n  2 und an > 0, f ðDÞ ¼
1 fz j z 2 R; z  0g für gerade n  2 und an < 0 und
f ðDÞ ¼ R für ungerade n.
Sx2 Sx 3 Die Kurve der Funktion y ¼ axn ist im Vergleich zur
–2 –1 0 1 2 x Kurve der Funktion y ¼ xn für jaj < 1 gestaucht, für
jaj > 1 gestreckt und für a < 0 an der x-Achse ge-
y = 1x – x
3
–1 4 spiegelt.
Bild V-24 Graphen der kubischen Funktionen
1 1 & Beispiele:
y ¼ x3 , y ¼  x3 und y ¼ x3  x 1. y ¼ x2 und y ¼ x4
2 4
Die Graphen dieser Funktionen sind Parabeln 2. bzw. 4. Ord-
nung.
4.5 Ganze rationale Funktionen
n-ten Grades
y
Funktionen mit einer Funktionsgleichung folgender 6 y = x4
Art, wobei a0 ; a1 ; a2 ; . . . ; an  1 ; an 2 R; an 6¼ 0; n 2 N.
5 y = x2
n1 4
y ¼ an x þ an  1 x
n
þ . . . þ a2 x þ a1 x þ a0
2

Pn 3
¼ ak x k
k¼0
2
1
Die rechte Seite der Gleichung heißt auch Polynom
n-ten Grades. –3 –2 –1 0 1 2 3 x
Der Graph einer ganzen rationalen Funktion n-ten
Grades ist eine zusammenhängende Kurve, die von Bild V-25 Parabeln 2. und 4. Ordnung
links aus dem Unendlichen kommt und nach rechts
im Unendlichen verschwindet. Dabei hängt der Kur- 2. y ¼ x3 und y ¼ x5
Die Graphen dieser Funktionen sind Parabeln 3. bzw. 5. Ord-
venverlauf ganz wesentlich vom Grad n der Funk-
nung.
tion und vom Vorzeichen von an ab. Es gilt:

n gerade ðn ¼ 2; 4; 6; . . .Þ und an > 0 : y

x ! 1 ) y ! þ1 4
x ! þ1 ) y ! þ1 y = x5 y = x3
3
n gerade ðn ¼ 2; 4; 6; . . .Þ und an < 0 : 2
x ! 1 ) y ! 1 1
x ! þ1 ) y ! 1
–2 –1 0 1 2 x
n ungerade ðn ¼ 1; 3; 5; . . .Þ und an > 0 : –1
x ! 1 ) y ! 1 –2
x ! þ1 ) y ! þ1
–3
n ungerade ðn ¼ 1; 3; 5; . . .Þ und an < 0 : –4
x ! 1 ) y ! þ1
x ! þ1 ) y ! 1
Bild V-26 Parabeln 3. und 5. Ordnung
V Funktionen 89

3. y¼
1 6
x þ
1 5
x 
17 4
x 
1 3 16 2
x þ x þ
1
x
12 mittelt. Man berechnet zuerst c1 aus c1 ¼ an x0
100 100 100 20 25 25 25
Das Polynom der rechten Seite läßt sich umformen: þ an  1 , dann c2 aus c2 ¼ c1 x0 þ an  2 und so weiter
1 6
x þ
1 5
x 
17 4
x 
1 3 16 2
x þ x þ
1
x
12 und schließlich cn aus cn ¼ cn  1 x0 þ a0.
100 100 100 20 25 25 25 Dieses Verfahren nennt man Horner-Schema (nach
1
¼ ðx  1Þ ðx  4Þ ðx þ x  12Þ
2 2 2
dem englischen Mathematiker William George Hor-
100
Da ein Produkt genau dann gleich 0 ist, wenn mindestens ner, 1786––1837). Es läßt sich folgendermaßen sche-
einer der Faktoren gleich 0 ist, erhält man als Nullstellen der matisch darstellen:
gegebenen Funktion die Lösungen der drei quadratischen
Gleichungen x2  1 ¼ 0, x2  4 ¼ 0 und x2 þ x  12 ¼ 0:
x1 ¼ 1; x2 ¼ 1; x3 ¼ 2; x4 ¼ 2; x5 ¼ 3; x6 ¼ 4
an an  1 an  2 ... a1 a0
Die Nullstellen sind die Abszissen der Schnittpunkte des þ an x0 c1 x0 ... cn  2 x0 cn  1 x0
Graphen der Funktion mit der x-Achse.
Weil eine algebraische Gleichung n-ten Grades höchstens an c1 c2 ... cn  1 cn
n reelle Wurzeln besitzt, hat die Kurve für den gegebenen
Grad die Höchstzahl an Schnittpunkten mit der x-Achse,
nämlich n ¼ 6. & Beispiel:
1 f ðxÞ ¼ 2x4  8x3 þ 2x2 þ 28x  48
Da an ¼ > 0 und n ¼ 6 geradzahlig ist, kommt die Kurve
100 Gesucht ist f ð3Þ, also der Funktionswert an der Stelle x0 ¼ 3.
von links aus dem Positiv-Unendlichen und geht nach rechts
Horner-Schema:
ins Positiv-Unendliche.
Zur Berechnung des Schnittpunkts Sy mit der y-Achse setzt
12 2 8 2 28 48
man in der Funktionsgleichung x ¼ 0 ein und erhält y ¼  þ 6 42 132 312
25
als Ordinate des Schnittpunkts und damit als Schnittpunkt ð¼ 2  ð3ÞÞ ð¼ ð14Þ  ð3ÞÞ ð¼ 44  ð3ÞÞ ð¼ ð104Þ  ð3ÞÞ
mit der y-Achse:
 ! 2 14 44 104 264
 12

Sy ¼ Sy 0  
 25
Es gilt also f ð3Þ ¼ 264.

y
5 Gebrochene rationale Funktionen
3
2 5.1 Nullstellen, Pole, Asymptoten
1 Funktionen mit einer Funktionsgleichung folgender
S x6 S x4 Sx 2 Sx1 Sx3 Sx5
Art, wobei a0 ; a1 ; . . . ; an ; b0 ; b1 ; . . . ; bm 2 R; an ;
–4 –3 –2 –1 0 1 2 3 x
–1 bm 6¼ 0; m 6¼ 0, heißen gebrochene rationale Funk-
tionen.
–2

Bild V-27 Graph der Funktion zu der Gleichung an xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x þ a0

aus Beispiel 3 y¼
bm xm þ bm  1 xm  1 þ . . . þ b2 x2 þ b1 x þ b0
Pn
ai xi
i¼0
4.6 Horner-Schema ¼
P
m
bk xk
Das Horner-Schema ist ein Verfahren zur Berech- k¼0
nung von Funktionswerten ganzer rationaler Funk-
tionen.
Eine gebrochene rationale Funktion y ¼ f ðxÞ kann
Ist eine Funktion f ðxÞ ¼ an xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a2 x2
Pn immer als Quotient zweier ganzer rationaler Funk-
þ a1 x þ a0 ¼ ak xk gegeben und der Funktions- tionen dargestellt werden (sowohl Zähler als auch
k¼0
Nenner sind Polynome in x).
wert an der Stelle x0 gesucht, so dividiert man das
Pn
Polynom ak xk durch ðx  x0 Þ: Pn ðxÞ
k¼0 Gebrochene rationale Funktionen y¼
ðan x þ an  1 x
n n1
þ . . . þ a2 x þ a1 x þ a0 Þ : ðx  x0 Þ
2 Pm ðxÞ
cn
¼ an xn  1 þ c1 xn  2 þ . . . þ cn  2 x þ cn  1 þ . Eine gebrochene rationale Funktion ist nicht für
x  x0
Für die Koeffizienten ci gilt c1 ¼ an x0 þ an  1 und alle x definiert. Die Nullstellen des Nenners gehören
ci ¼ ci  1 x0 þ an  i für i ¼ 2; 3; . . . ; n. Damit kann nicht zum Definitionsbereich der Funktion.
die Funktion f ðxÞ auch durch die Gleichung f ðxÞ ¼ Ist der Grad des Nennerpolynoms größer als der
ðan xn  1 þ c1 xn  2 þ . . . þ cn  2 x þ cn  1 Þ ðx  x0 Þ þ cn Grad des Zählerpolynoms (n < m), dann heißt die
beschrieben werden. Für x ¼ x0 ergibt sich dann Funktion echt gebrochene rationale Funktion, an-
f ðx0 Þ ¼ cn . Die Berechnung des Funktionswertes dernfalls (also für n  m) heißt sie unecht gebro-
f ðx0 Þ ist somit auf die Berechnung der Konstante cn chene rationale Funktion.
zurückgeführt worden, die man in n Schritten durch Gebrochene rationale Funktionen, bei denen sowohl
einander folgende Berechnung von c1 ; c2 ; . . . ; cn er- das Zählerpolynom als auch das Nennerpolynom
90 Mathematik

den Grad 1 haben (also n ¼ 1 und m ¼ 1), heißen Dabei haben weder PðxÞ noch Q1 ðxÞ in der Nähe
gebrochene lineare Funktionen. von x ¼ xp eine Nullstelle, sie ändern also ihr Vor-
zeichen nicht. Ihr Quotient hat deshalb einen von
a1 x þ a0 Null verschiedenen, beschränkten positiven oder ne-
Gebrochene lineare Funktionen y¼
b1 x þ b0 1
gativen Wert. Die Funktion wächst aber,
ðx  xp Þk
Die Graphen der gebrochenen rationalen Funktio- wenn sich x dem Pol xp nähert, über alle Grenzen.
a
nen y ¼ n ; n 2 N; n  1; a 2 R; a 6¼ 0 heißen Hy- Nähert man sich dem Pol mit wachsenden x-Werten
x
perbeln n-ter Ordnung (zu Hyperbeln vgl. auch Ab- (also x < xp ), so ist x  xp negativ. Für ungerade k
1
schnitt VII.5.2). (k ¼ 1; 3; 5; . . .) geht dann gegen 1, für
Durch Polynomdivision läßt sich jede unecht gebro- ðx  xp Þk
gerade k (k ¼ 2; 4; 6; . . .) dagegen gegen þ1.
chene rationale Funktion y ¼ f ðxÞ darstellen als
Summe einer ganzen rationalen Funktion gðxÞ und Nähert man sich dem Pol mit abnehmenden x-Wer-
1
einer echt gebrochenen rationalen Funktion hðxÞ: ten (also x > xp ), so ist x  xp positiv, geht
y ¼ f ðxÞ ¼ gðxÞ þ hðxÞ. dann also stets gegen þ1. ðx  xp Þk
PðxÞ
& Beispiel: Für negative Werte des Faktors dreht sich das
Q1 ðxÞ
2x4 þ 3x3 þ 5x2  4x þ 1 77x  29
1.
x2  3x þ 1
¼ 2x2 þ 9x þ 30 þ 2
x  3x þ 1
Vorzeichen der Funktion y ¼ f ðxÞ um.

Pn ðxÞ PðxÞ y
x0 ist eine Nullstelle von y ¼ f ðxÞ ¼ ¼ ,
Pm ðxÞ QðxÞ
wenn an der Stelle x ¼ x0 der Zähler Null ist und
der Nenner von Null verschieden, also Pðx0 Þ ¼ 0;
Qðx0 Þ ¼
6 0.
Eine Stelle x ¼ xp heißt ein Pol der Funktion x
PðxÞ
y¼ , wenn xp eine Nullstelle des Nenners QðxÞ
QðxÞ
ist und der Zähler PðxÞ an der Stelle xp von Null
verschieden ist, also Qðxp Þ ¼ 0; Pðxp Þ ¼
6 0. Ist x ¼ xp
eine k-fache Nullstelle des Nenners QðxÞ und gilt
Bild V-28 Funktionsverlauf bei Polen ungerader Ord-
Pðxp Þ ¼
6 0, dann heißt xp ein Pol k-ter Ordnung von nung
PðxÞ
y¼ .
QðxÞ
Zwei Polynome PðxÞ und QðxÞ heißen teilerfremd, y
wenn alle ihre Nullstellen verschieden sind. Gilt also
für eine Stelle x ¼ x1, daß Pðx1 Þ ¼ 0, so folgt
Qðx1 Þ ¼
6 0, und gilt umgekehrt für eine Stelle x ¼ x2,
x
daß Qðx2 Þ ¼ 0, so folgt Pðx2 Þ ¼
6 0.
Jede gebrochene rationale Funktion läßt sich als
Quotient zweier teilerfremder Polynome darstellen.

PðxÞ
y¼ ; PðxÞ und QðxÞ teilerfremd
QðxÞ
Bild V-29 Funktionsverlauf bei Polen gerader Ord-
Eine solche Darstellung heißt Normalform der ge- nung
brochenen rationalen Funktion.
Die Gerade x ¼ xp heißt Asymptote der gebroche-
Die Nullstellen einer gebrochenen rationalen Funk-
nen rationalen Funktion y ¼ f ðxÞ. Asymptoten einer
tion in Normalform sind die Nullstellen des Zähler-
Funktion sind Geraden, denen sich der Graph der
polynoms PðxÞ.
Funktion unbeschränkt nähert, ohne sie je zu errei-
Ist x ¼ xp ein Pol k-ter Ordnung der Funktion
PðxÞ chen (Asymptote ¼ Nichtzusammenlaufende).
y¼ mit teilerfremden PðxÞ und QðxÞ, dann Das Verhalten einer gebrochenen rationalen Funk-
QðxÞ
läßt sich die Funktion in der Nähe des Pols darstel- Pn ðxÞ
tion y ¼ f ðxÞ ¼ im Unendlichen:
Pm ðxÞ
len durch
Ist y ¼ f ðxÞ eine echt gebrochene rationale Funk-
PðxÞ 1 PðxÞ tion, gilt also n < m, dann ist die x-Achse (Gerade
y¼ ¼  :
QðxÞ ðx  xp Þk Q1 ðxÞ mit der Gleichung y ¼ 0) eine Asymptote.
V Funktionen 91

Im Falle n ¼ m ist die zur x-Achse parallele Gerade Die Stelle x ¼ 0 ist ein Pol zweiter Ordnung. Nähert man sich
an dem Pol mit wachsenden x-Werten (also x < 0) oder mit
mit der Gleichung y ¼ eine Asymptote. abnehmenden x-Werten (also x > 0), dann geht y gegen þ1.
bm Die Geraden x ¼ 0 (y-Achse) und y ¼ 0 (x-Achse) sind
Ist n > m, so gilt y ¼ f ðxÞ ¼ gðxÞ þ hðxÞ, wobei gðxÞ Asymptoten der Funktion.
eine ganze rationale Funktion und hðxÞ eine echt
Wertetabelle:

x 4 3 2 1 0,5 0,25 0,1 1 2 3 4

y 0,06 0,11 0,25 1 4 16 100 1 0,25 0,11 0,06

gebrochene rationale Funktion sind. Die Funktion Die y -Werte in der Wertetabelle sind auf zwei Stellen nach
dem Komma gerundet.
y ¼ f ðxÞ verhält sich dann im Unendlichen wie die
rationale Funktion y ¼ gðxÞ.
y
& Beispiele:
1 4
2. y ¼
x
Zum Definitionsbereich gehören alle x außer x ¼ 0. 3
1 1
Wegen f ðxÞ ¼ ¼  ¼ f ðxÞ ist die Funktion ungera-
x x 2
de, der Graph der Funktion ist also symmetrisch zum Null-
punkt (Koordinatenursprung). 1
Die Funktion hat keine Nullstelle, denn der Zähler ist stets
von Null verschieden (PðxÞ ¼ 1).
Die Stelle x ¼ 0 ist ein Pol erster Ordnung der Funktion. –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 x
Nähert man sich diesem Pol mit wachsenden x-Werten (also
x < 0), dann geht y gegen 1. Nähert man sich dem Pol
dagegen mit abnehmenden x-Werten (also x > 0), so geht y Bild V-31 Graph der Funktion mit der Gleichung
gegen þ1. 1
Die Geraden x ¼ 0 (y-Achse) und y ¼ 0 (x-Achse) sind
y¼ 2
x
Asymptoten der Funktion.
Der Graph der Funktion ist eine Hyperbel. 1
4. y¼
x2  1
Wertetabelle (y-Werte auf zwei Stellen nach dem Komma ge-
Die Funktion ist definiert für alle x, für die der Nenner un-
rundet):
gleich 0 ist.

x 4 3 2 1 0;5 0;25 0;1 0;01 1 2 3 4

y 0;25 0;33 0;50 1 2 4 10 100 1 0;50 0;33 0,25

y Die Nullstellen des Nenners berechnet man, indem man den

Nenner (das Nennerpolynom) gleich Null setzt: x2  1 ¼ 0:
3 Diese quadratische Gleichung hat die Lösungen x1 ¼ 1 und
x2 ¼ 1.
1 1
2 Wegen f ðxÞ ¼ ¼ ¼ f ðxÞ ist die Funktion
ðxÞ2  1 x2  1
gerade, der Graph der Funktion ist also symmetrisch zur
1
y-Achse.
–4 –3 –2 –1 Die Funktion hat keine Nullstellen (Schnittpunkte mit der
0 1 2 3 4 x x-Achse), denn der Zähler ist für alle x des Definitionsberei-
–1 ches von Null verschieden.
Die Stellen x1 ¼ 1 und x2 ¼ 1 sind Pole erster Ordnung der
–2 Funktion.
Nähert man sich dem Pol x2 mit wachsenden x-Werten (also
–3 PðxÞ 1
x < 1), dann ist der Faktor ¼ in der Zerlegung
Q1 ðxÞ x1
der Funktion
Bild V-30 Graph der Funktion mit der Gleichung
1 y¼
PðxÞ
¼
1

PðxÞ
¼
1

1
y¼ QðxÞ x  x2 Q1ðxÞ x  ð1Þ x  1
x
negativ, das heißt, y geht gegen þ1.
Nähert man sich entsprechend dem Pol x2 mit abnehmenden
1
3. y¼ 2 x-Werten (also x > 1) oder dem Pol x1 mit wachsenden
x
x-Werten (also x < 1), so geht y gegen 1. Nähert man sich
Die Funktion ist definiert für alle x 6¼ 0.
dagegen x1 mit abnehmenden x-Werten (also x > 1), so geht
1 1 y gegen þ1.
Es gilt f ðxÞ ¼ ¼ ¼ f ðxÞ; die Funktion ist also ge-
ðxÞ2 x2 Die Geraden x1 ¼ 1 und x2 ¼ 1 sowie y ¼ 0 (x-Achse) sind
rade, ihr Graph ist symmetrisch zur y-Achse. Asymptoten der Funktion.
Da der Zähler konstant gleich 1 ist, besitzt die Funktion Funktionswerte für 1 < y  0 gibt es nicht, da der Nenner
keine Nullstellen. nicht kleiner als 1 werden kann.
92 Mathematik

Wertetabelle (y-Werte auf drei Stellen nach dem Komma gerundet):

x 3 2 1,5 1,1 0,9 0,5 0

y 0,125 0,333 0,800 4,762 5,263 1,333 1

y y

–3 –2 –1 0 1 2 3 x
–1 1

–1 1 x
–1

Bild V-32 Graph der Funktion mit der Gleichung

1
y¼ 2
x 1 Bild V-34 Graph der Funktion mit der Gleichung
x2  x  2
y¼ 2
x2  1 y¼
5.
x þ1 2x  6
Die Funktion ist definiert für alle reellen x, denn es gibt
keine Nullstellen des Nenners und damit keine Pole.
Die Nullstellen der Funktion sind x1 ¼ 1 und x2 ¼ 1.
Die zur x-Achse parallele Gerade mit der Gleichung
an 1
y¼ ¼ ¼ 1 ist Asymptote.
bm 1
Der Graph der Funktion verläuft überall unterhalb der
Asymptote.
Wertetabelle:

x 4 3 2 1,5 1 0,5 0,3 0,1 0

y 0,87 0,80 0,60 0,38 0 0,60 0,84 0,98 1

Die y-Werte in der Wertetabelle sind auf zwei Stellen nach

dem Komma gerundet.

y 5.2 Partialbruchzerlegung
1 Eine Partialbruchzerlegung ist die Zerlegung einer
gebrochenen rationalen Funktion y ¼ f ðxÞ mit
–1 0 1 x
an xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x þ a0
f ðxÞ ¼ in
–1 bm xm þ bm  1 xm  1 þ . . . þ b2 x2 þ b1 x þ b0
eine Summe von Brüchen.
Bild V-33 Graph der Funktion mit der Gleichung Durch eine Partialbruchzerlegung von f ðxÞ wird oft-
x2  1 mals die Integration der Funktion einfacher oder
y¼ 2
x þ1 überhaupt erst möglich (vgl. Abschnitt VIII.5.2).
x2  x  2 Jede echt gebrochene rationale Funktion (also
6. y¼
2x  6 n < m) kann eindeutig in eine Summe von Partial-
Die Funktion hat die Nullstellen x1 ¼ 1 und x2 ¼ 2 und
einen Pol bei x ¼ 3. brüchen zerlegt werden.
Die Funktion ist also definiert für alle x 6¼ 3. Praktische Durchführung der Partialbruchzerlegung:
Die Funktion ist weder gerade noch ungerade, eine Symme-
trie des Graphen bezüglich des Nullpunktes oder der y-Achse 1. Im Falle n  m Abspalten des ganzen rationalen
liegt also nicht vor. Anteils mit Polynomdivision.
Durch Polynomdivision erhält man die Darstellung 2. Kürzen des Bruches (also Division des Zählers
x2  x  2 1 4
y¼ ¼ xþ1þ und des Nenners) durch bm , den Koeffizienten
2x  6 2 2x  6
der Funktion als Summe einer ganzen rationalen Funktion der höchsten Potenz des Nenners:
und einer echt gebrochenen rationalen Funktion. Es ist also
1
y ¼ x þ 1 eine Asymptote der Funktion. Die Annäherung cn xn þ cn  1 xn  1 þ . . . þ c2 x2 þ c1 x þ c0
2 f ðxÞ ¼
an die Asymptote erfolgt für x ! 1 von unten und für xm þ dm  1 xm  1 þ . . . þ d2 x2 þ d1 x þ d0
x ! 1 von oben.
Wertetabelle (y-Werte auf zwei Stellen nach dem Komma gerundet):

x 5 3 2 1 0 1 1,5 2 2;5 2,9 3,1 3,5 4 5 7

y 1,75 0,83 0,40 0 0,33 0,50 0,42 0 1,75 17,55 22,55 6,75 5 4,50 5
V Funktionen 93

ai bj & Beispiele:
Es gilt also ¼ ci ð1  i  nÞ und ¼ dj 6x2  4
bm bm 1. f ðxÞ ¼
ð1  j < mÞ: 2x3 þ 4x2 þ 4x þ 2
3x2  2
Division durch b3 ¼ 2: f ðxÞ ¼
3. Bestimmung der Nullstellen x1 ; x2 ; . . . ; xr x3 þ 2x2 þ 2x þ 1
Nullstelle des Nennerpolynoms: x1 ¼ 1
ðr  mÞ des Nennerpolynoms.
Zerlegung des Nennerpolynoms:
4. Zerlegung des Nennerpolynoms in die Form x3 þ 2x2 þ 2x þ 1 ¼ ðx þ 1Þ ðx2 þ x þ 1Þ
Zerlegung von f ðxÞ in eine Summe von Partialbrüchen:
xm þ dm  1 xm  1 þ . . . þ d2 x2 þ d1 x þ d0
3x2  2 A Bx þ C
f ðxÞ ¼ ¼ þ
¼ ðx  x1 Þk1  ðx  x2 Þk2  . . .  ðx  xr Þkr  x3 þ 2x2 þ 2x þ 1 x þ 1 x2 þ x þ 1
Bestimmung der Koeffizienten A; B; C durch Koffizienten-
 ðx2 þ p1 x þ q1 Þl1 ðx2 þ p2 x þ q2 Þl2 
vergleich:
 . . .  ðx2 þ ps x þ qs Þls 3x2  2 Aðx2 þ x þ 1Þ þ ðBx þ CÞ ðx þ 1Þ
f ðxÞ ¼ ¼
ðx þ 1Þ ðx2 þ x þ 1Þ ðx þ 1Þðx2 þ x þ 1Þ
Eine solche Zerlegung ist immer möglich. Dabei ) 3x2  2 ¼ Aðx2 þ x þ 1Þ þ ðBx þ CÞ ðx þ 1Þ
sind x1 ; x2 ; . . . ; xr alle reellen Nullstellen mit den ¼ ðA þ BÞ x2 þ ðA þ B þ CÞ x þ ðA þ CÞ
Vielfachheiten k1 ; k2 ; . . . ; kr . Die restlichen qua- Vergleich der Koeffizienten von x2 , von x und der Absolut-
dratischen Faktoren ergeben die konjugierten glieder links und rechts vom Gleichheitszeichen ergibt:
A þ B ¼ 3; A þ B þ C ¼ 0; A þ C ¼ 2
Paare komplexer Nullstellen (also p2i  4qi < 0). ) A ¼ 1; B ¼ 2; C ¼ 3
5. Zerlegung von f ðxÞ in eine Summe von Brüchen: Lösung somit:
6x2  4 1 2x  3
A11 A12 A1k1 f ðxÞ ¼ ¼ þ
f ðxÞ ¼ þ þ ... þ 2x3 þ 4x2 þ 4x þ 2 x þ 1 x2 þ x þ 1
x  x1 ðx  x1 Þ2 ðx  x1 Þk1 3x2  x þ 1
2. f ðxÞ ¼ 3
x  2x2 þ x
A21 A22 A2k2 Nullstellen des Nennerpolynoms: x1 ¼ 0; x2 ¼ 1 (x2 ist dop-
þ þ þ ... þ
x  x2 ðx  x2 Þ2 ðx  x2 Þk2 pelte Nullstelle)
Zerlegung des Nennerpolynoms: x3  2x2 þ x ¼ xðx  1Þ2
þ .................................... Zerlegung von f ðxÞ in Partialbrüche:
Ar1 Ar2 Arkr 3x2  x þ 1 A B C
þ þ þ ... þ f ðxÞ ¼ ¼ þ þ
x3  2x2 þ x x x  1 ðx  1Þ2
x  xr ðx  xr Þ2 ðx  xr Þkr
Bestimmung der Koeffizienten A; B; C durch Koeffizienten-
B11 þ C11 x B12 þ C12 x
þ þ vergleich:
x2þ p1 x þ q1 ðx2 þ p1 x þ q1 Þ2 f ðxÞ ¼
3x2  x þ 1 Aðx  1Þ2 þ Bxðx  1Þ þ Cx
¼
xðx  1Þ2 xðx  1Þ2
B1l1 þ C1l1 x B21 þ C21 x ) 3x2  x þ 1 ¼ Aðx2  2x þ 1Þ þ Bðx2  xÞ þ Cx
þ ... þ þ
ðx2 þ p1 x þ q1 Þl1 x2 þ p2 x þ q2 ¼ ðA þ BÞ x2 þ ðC  2A  BÞ x þ A

B22 þ C22 x B2l2 þ C2l2 x Vergleich der Koeffizienten von x2 , von x und der Absolut-
þ þ ... þ glieder links und rechts vom Gleichheitszeichen ergibt:
ðx2 þ p2 x þ q2 Þ2 ðx2 þ p2 x þ q2 Þl2 A þ B ¼ 3; C  2A  B ¼ 1; A ¼ 1 ) A ¼ 1; B ¼ 2; C ¼ 3
Lösung somit:
þ .......................................: 3x2  x þ 1 1 2 3
f ðxÞ ¼ 3 ¼ þ þ
Bs1 þ Cs1 x Bs2 þ Cs2 x x  2x2 þ x x x  1 ðx  1Þ2
þ 2 þ
x þ ps x þ qs ðx2 þ ps x þ qs Þ2 3. f ðxÞ ¼
6x2  x þ 1
x3  x
Bsls þ Csls x Nullstellen des Nennerpolynoms: x1 ¼ 0; x2 ¼ 1; x3 ¼ 1
þ ... þ Zerlegung des Nennerpolynoms: x3  x ¼ xðx  1Þ ðx þ 1Þ
ðx2 þ ps x þ qs Þls Zerlegung von f ðxÞ in Partialbrüche:
Dabei sind die Koeffizienten Aij ; Bij ; Cij reelle f ðxÞ ¼
6x2  x þ 1 A
¼ þ
B
þ
C
Zahlen. x3  x x x1 xþ1
Bestimmung der Koeffizienten A; B; C durch Koeffizienten-
6. Bestimmung der Koeffizienten der Partialbrüche vergleich:
zum Beispiel mit der Methode des Koeffizienten- 6x2  x þ 1 Aðx  1Þ ðx þ 1Þ þ Bxðx þ 1Þ þ Cxðx  1Þ
vergleichs. f ðxÞ ¼ ¼
xðx  1Þ ðx þ 1Þ xðx  1Þ ðx þ 1Þ
) 6x  x þ 1 ¼ Aðx  1Þ þ Bðx2 þ xÞ þ Cðx2  xÞ
2 2
Die Brüche im Schritt 5 nennt man die Partialbrü- ¼ ðA þ B þ CÞ x þ ðB  CÞ x  A
2

che der gebrochenen rationalen Funktion f ðxÞ. Vergleich der Koeffizienten von x2 , von x und der Absolut-
glieder links und rechts vom Gleichheitszeichen ergibt:
Spezialfälle:
A þ B þ C ¼ 6; B  C ¼ 1; A ¼ 1
Wenn das Nennerpolynom nur reelle Nullstellen ) A ¼ 1; B ¼ 3; C ¼ 4
besitzt, dann fallen die Partialbrüche mit den nicht Lösung somit:
zerlegbaren quadratischen Funktionen im Nenner 6x2  x þ 1 1 3 4
f ðxÞ ¼ ¼ þ þ
x3  x x x1 xþ1
weg.
Besitzt das Nennerpolynom nur die einfachen reel-
len Nullstellen x1 ; x2 ; . . . ; xm , dann lautet die Par- 6 Irrationale Funktionen
tialbruchzerlegung
Irrationale Funktionen sind algebraische Funktio-
A1 A2 Am nen, die nicht rational sind. In der Funktionsglei-
f ðxÞ ¼ þ þ ... þ
x  x1 x  x2 x  xm chung y ¼ f ðxÞ einer rationalen Funktion werden
94 Mathematik

auf die unabhängige Variable x nur endlich viele ra- de Umkehrfunktionen ist der Definitionsbereich
tionale Rechenoperationen (Addition, Subtraktion, 0  x < þ1 (entspricht 0  y < þ1 der Funktion
Multiplikation und Division) angewandt. Bei irratio- y ¼ x2 ), die Bildmenge ist 0  y < þ1 bzw.
nalen Funktionen tritt die unabhängige Variable x 1 < y  0. Die Graphen der Umkehrfunktionen
auch unter einem Wurzelzeichen auf. ergeben sich aus der Normalparabel durch Spiege-
lung an der Winkelhalbierenden y ¼ x. Die (posi-
& Beispiele: pffiffiffi
1. y ¼ p þ x þffi x
x2ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffi tive) Quadratwurzelfunktion y ¼ x zum Beispiel
2. y ¼ q5x 3 2
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ist also die Umkehrfunktion der Funktion des rech-
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
7
3. y ¼ ðx2  1Þ 3 5x þ 1 ten Normalparabelastes.

Eine besonders wichtige Klasse von irrationalen y

y =x 2
Funktionen sind die sogenannten Wurzelfunktionen.
4
pffiffiffi

x
y=
3
Wurzelfunktionen y ¼ n x ðn 2 N; n  2Þ
y = +√
x
2
Der Definitionsbereich der Wurzelfunktionen ist 1
D ¼ fx j x 2 R; x  0g für gerade n und D ¼ R für
ungerade n, die Bildmenge ist gleich dem Defini- –2 –1 1 2 3 4 x
–1 y=–
tionsbereich, also f ðDÞ ¼ D. √x
Die Wurzelfunktionen sind im ganzen Definitions- –2
bereich streng monoton wachsend. Bild V-37 Graphen von Funktionen und ihren Um-
pffiffiffi
Für ungerade n ist y ¼ n x eine ungerade Funktion, kehrfunktionen
der Graph der Funktion ist also punktsymmetrisch
zum Koordinatenursprung. Die kubische Funktion y ¼ x3 ist in ihrem ganzen De-
Die Graphen der Wurzelfunktionen gehen durch finitionsbereich D ¼ ð1; 1Þ monoton steigend. Ih-
den Koordinatenursprung und durch den Punkt pffiffiffi
re Umkehrfunktion ist y ¼ 3 x. Der Definitions-
Pð1 j 1Þ. bereich der Umkehrfunktion ist 1 < x < 1, die
Für das Verhalten der Wurzelfunktionen im Unend- Bildmenge 1 < y < 1. Der Graph der Umkehr-
lichen gilt: funktion ergibt sich aus der kubischen Normalparabel
durch Spiegelung an der Winkelhalbierenden y ¼ x.
n 2 N; n  2 : x ! þ1 ) y ! þ1
Allgemein gilt:
n ungerade ðn ¼ 3; 5; 7; . . .Þ : x ! 1 ) y ! 1
Für ungerade n ist die Wurzelfunktion y ¼ f ðxÞ
pffiffiffi
¼ n x; f : R ! R die Umkehrfunktion der Potenz-
funktion y ¼ f ðxÞ ¼ xn ; f : R ! R.
y pffiffiffi
3
gerade n Für gerade n ist die Wurzelfunktion y ¼ f ðxÞ ¼ n x;
y = √x f : ½0; 1Þ ! ½0; 1Þ die Umkehrfunktion der Potenz-
2 funktion y ¼ f ðxÞ ¼ xn ; f : ½0; 1Þ ! ½0; 1Þ.
y =4√ x Man bezeichnet allgemeiner auch Funktionen
1 pffiffiffi
y ¼ a n x; a 2 R; a 6¼ 0 als Wurzelfunktionen. Die
pffiffiffi
x Kurve der Funktion y ¼ a n x ist im Vergleich zur
0 1 2 3 4 5 6 7 8 p ffiffiffi
pffiffiffi Kurve der Funktion y ¼ x für jaj < 1 gestaucht,
n
Bild V-35 Graph der Wurzelfunktionen y ¼ x und
pffiffiffi für jaj > 1 gestreckt und für a < 0 an der x-Achse
y¼ 4x
gespiegelt.

y
3
2 y = √x
ungerade n
1 5
y = √x
–6 –5 –4 –3 –2 –1
0 1 2 3 4 5 6 7 x
–1
p ffiffiffi
Bild V-36 Graph der Wurzelfunktionen y ¼ 3
x und
pffiffiffi & Beispiele: qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
y¼ 5x 4. y ¼ b þ r2  ðx  aÞ2 ; D ¼ fx j jx  aj  rg; W ¼ R
Der Graph dieser Funktion ist der obere Halbkreis des Krei-
ses mit dem Mittelpunkt Mða j bÞ und dem Radius r.
Die quadratische Funktion y ¼ x2 ist in den zwei ge-
trennten Intervallen 0  x < þ1 und 1 < x  0 Fehlerwarnung: Die Gleichung ðx  aÞ2 þ ðy  bÞ2 ¼ r 2 des
Kreises mit dem Mittelpunkt Mða j bÞ und dem Radius r (vgl.
jeweils monoton. Sie hat deshalb zwei Umkehrfunk-
pffiffiffi pffiffiffi Abschnitt VII.3.1) ist keine (implizite) Funktion, denn die
tionen, und zwar y ¼ þ x und y ¼  x. Für bei- Zuordnung einer Zahl y zu einer Zahl x ist nicht eindeutig,
V Funktionen 95

wie in der Definition einer Funktion gefordert (zu jedem x

mit jx  aj < r gibt es zwei y)!
7.1 Exponentialfunktionen
Analog zu oben ist der Graph der Funktion
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Bei einer Exponentialfunktion steht die unabhän-
y ¼ b  r2  ðx  aÞ2 ; D ¼ fx j jx  aj  rg; W ¼ R die un- gige Variable x im Exponenten.
tere Hälfte des Kreises mit dem Mittelpunkt Mða j bÞ und
dem Radius r. y ¼ ax ; a 2 Rþ

y 2
y = b + r –(x–a)
2 Dabei ist die Basis a eine beliebige positive reelle
5 Zahl.
4 r P(x|y) Alle Exponentialfunktionen y ¼ ax ; a 2 Rþ haben
b=3
y–b als Definitionsbereich D ¼ R und, falls a 6¼ 1, als
x–a Bildmenge W ¼ f ðDÞ ¼ Rþ. Alle Funktionswerte
2 sind also positiv.
1 Wegen a0 ¼ 1 gehen die Graphen aller Funktionen
y = b – r2–(x–a)2 durch den Punkt Pð0 j 1Þ.
–1 0 1 2 3 4 5 6 x Für a > 1 ist die Funktion y ¼ ax streng monoton
–1 =a
wachsend mit y ! 0 für x ! 1 und y ! 1 für
x ! 1. Die (negative) x-Achse ist also Asym-
Bild V-38 Graphenqder Funktionen
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffi ptote.
y¼bþ r q 2 ðx  aÞ2
 ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffi Für 0 < a < 1 ist die Funktion y ¼ ax streng mono-
und y ¼ b  r2  ðx  aÞ2 ton fallend mit y ! 1 für x ! 1 und y ! 0 für
x ! 1. Die (positive) x-Achse ist somit Asymptote.
mit a ¼ 4 und b ¼ 3 Der Graph der Funktion nähert sich um so schnel-
ler der x-Achse, je größer jln aj ist, für a > 1 also je
5.
2 2 2
Aus der Gleichung der Astroide x3 þ y3 ¼ a3 ða > 0Þ erhält größer a ist und für a < 1 je kleiner a ist.
man durch Auflösen nach y die Funktionen
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
y ¼ þ ða3  x3 Þ3 ; D ¼ fx j jxj  ag; W ¼ R
2 2
y
x = 1x
2

y = 3x
y = 2x

1,5 x
bzw.
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi

y=
y ¼  ða3  x3 Þ3 ; D ¼ f xj jxj  ag; W ¼ R.
2 2
y = 0,5

Die Graphen dieser Funktionen sind der obere Teil (y  0)

5
bzw. der untere Teil (y  0) der Astroide.
4
y 3
2
3 y = 1x =1
2/3 2/3 3
2 y = + (a –x )
–5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 5 x
1
Bild V-40 Graphen von Exponentialfunktionen
–3 –2 –1 0 1 2 3 x
–1 =a
Für a ¼ 1 gilt y ¼ 1, der Graph der Funktion ist also
–2 y = – (a2/3–x2/3)3
eine Parallele zur x-Achse.
–3 Die Exponentialfunktionen y ¼ ax ; a > 0 können
wegen der Regeln der Logarithmen- und der Po-
Bild V-39 Graphen der Funktionen
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi tenzrechnung auch in der Form
y ¼ þ ða3  x3 Þ3 und
2 2

qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
y ¼ ax ¼ eln ða Þ ¼ ex  ln a
x

y ¼  ða3  x3 Þ3 mit a ¼ 3
2 2

dargestellt werden. Dabei ist e ¼ 2;718 281 828 4 . . .

7 Transzendente Funktionen
Elementare Funktionen, die nicht algebraisch sind,
heißen transzendent.
Wichtige Klassen von transzendenten Funktionen
sind die Exponentialfunktionen, die Logarithmus-
funktionen sowie die trigonometrischen Funktionen
und ihre Umkehrfunktionen, die Arkusfunktionen.
Die trigonometrischen Funktionen und die Arkus-
funktionen werden in Kapitel VI behandelt.
die Eulersche Zahl (vgl. Abschnitt VIII.4.5).
Die Funktion y ¼ ex ; D ¼ R; W ¼ f ðDÞ ¼ Rþ , also
die Exponentialfunktion mit der Basis a ¼ e, heißt
natürliche Exponentialfunktion oder e-Funktion.
y ¼ ex ; D ¼ R; W ¼ f ðDÞ ¼ Rþ
Es handelt sich um eine spezielle Exponentialfunk-
tion, die häufig als die Exponentialfunktion bezeich-
net wird. Diese Funktion spielt bei vielen
Wachstumsprozessen eine wichtige Rolle.
96 Mathematik

Noch allgemeiner bezeichnet man manchmal auch
solche Funktionen, die eine algebraische Funktion
des Arguments x im Exponenten haben, als Expo-
nentialfunktionen, zum Beispiel y ¼ 23x  7x .
2
Die Logarithmusfunktionen y ¼ loga x; a > 0; a 6¼ 1
können wegen der Regeln der Logarithmenrech-
nung auch in der Form

Die Umkehrfunktionen der Exponentialfunktionen 1

y ¼ ax sind für a 6¼ 1 die Logarithmusfunktionen
y ¼ loga x. Die Umkehrfunktion der e-Funktion ist
die natürliche Logarithmusfunktion y ¼ ln x.
7.2 Logarithmusfunktionen
Logarithmusfunktionen sind Funktionen der Form
þ
y ¼ loga x ; a 2 R ; a 6¼ 1
Alle Logarithmusfunktionen y ¼ loga x; a 2 Rþ ;
a 6¼ 1 haben als Definitionsbereich D ¼ Rþ und als
Bildmenge W ¼ f ðDÞ ¼ R.
Wegen loga 1 ¼ 0 gehen die Graphen aller Funktio-
nen durch den Punkt Pð1 j 0Þ.
Für a > 1 ist die Funktion y ¼ loga x streng mono-
ton wachsend mit y ! 1 für x ! 1 und y ! 1
für x ! 0; x > 0. Die (negative) y-Achse ist also
Asymptote. Für x > 1 gilt loga x > 0, für x ¼ 1 gilt
loga 1 ¼ 0; und für x mit 0 < x < 1 gilt loga x < 0.
y ¼ loga x ¼  ln x ; a 6¼ 1
ln a
dargestellt werden.
Dabei heißt die Logarithmusfunktion mit der Basis
a ¼ e ¼ 2;718 2 . . . natürliche Logarithmusfunktion.
y ¼ ln x ; D ¼ Rþ ; W ¼ f ðDÞ ¼ R
Allgemeiner noch bezeichnet man auch solche
Funktionen, die eine algebraische Funktion des Ar-
guments x als Numerus haben, als Logarithmusfunk-
tion, zum Beispiel y ¼ log2 ð5x2  4xÞ.
Die Logarithmusfunktion y ¼ loga x ist für a 6¼ 1 die
Umkehrfunktion der Exponentialfunktion y ¼ ax
und umgekehrt. Die natürliche Logarithmusfunktion
y ¼ ln x ist die Umkehrfunktion der e-Funktion
y ¼ ex und umgekehrt.
y

y = 2x
y = ex
Für 0 < a < 1 ist die Funktion y ¼ loga x streng mo- 6
noton fallend mit y ! 1 für x ! 1 und y ! 1

x
5

y=
für x ! 0; x > 0. Die (positive) y-Achse ist somit
4
Asymptote.
Für x > 1 gilt loga x < 0, für x ¼ 1 gilt loga 1 ¼ 0; 3
y = lo
g 2x
und für x mit 0 < x < 1 gilt loga x > 0. 2
Der Graph der Funktion nähert sich für alle a um so 1 y = lnx
schneller der y-Achse, je größer jln aj ist, für a > 1
0
also je größer a ist und für a < 1 je kleiner a ist. –2 –1 1 2 3 4 5 6 7 x

Bild V-42 Graphen der logarithmischen Funktionen

1 y ¼ ln x und y ¼ log2 x und ihrer Umkehr-
y = lg x funktionen y ¼ ex und y ¼ 2x

0 1 y x
= log
1 x
10

Bild V-41 Graphen der logarithmischen Funktionen

y ¼ lg x und y ¼ log 1 x
10
VI Trigonometrie 97

VI Trigonometrie

Das Wort Trigonometrie kommt aus dem Griechi-
schen und bedeutet Dreiecksmessung. Die Trigono-
metrie ist die Lehre von der Dreiecksberechnung
mit Hilfe von Winkelfunktionen (trigonometrischen
Funktionen).
Andere, weniger gebräuchliche Namen für trigono-
metrische Funktionen sind Winkelfunktionen oder
Kreisfunktionen oder goniometrische Funktionen.
In der folgenden Tabelle sind einige spezielle Werte
der trigonometrischen Funktionen angegeben:

Gradmaß j 0 30 45 60 90
1 Definition der trigonometrischen
p p p p
Funktionen Bogenmaß b 0
6 4 3 2
In einem rechtwinkligen Dreieck ist die Hypotenuse pffiffiffi pffiffiffi
die dem rechten Winkel gegenüberliegende Drei- 1 2 3
sin 0 1
ecksseite, die beiden anderen Seiten (also die Schen- 2 2 2
pffiffiffi pffiffiffi
kel des rechten Winkels) sind die Katheten (vgl. Ab- 3 2 1
schnitt III.6.4). cos 1 0
2 2 2
In einem rechtwinkligen Dreieck mit den Winkeln pffiffiffi
a; b und g ¼ 90 gilt a þ b ¼ 90 . 3 pffiffiffi
tan 0 1 3 
Die Ankathete eines Winkels a in einem rechtwink- 3
pffiffiffi
ligen Dreieck ist die Kathete, die auf einem Schen- pffiffiffi 3
kel von a liegt. Die andere Kathete heißt Gegen- cot  3 1 0
3
kathete von a.
Das Verhältnis zweier beliebiger Seiten im recht- Merkregel:
winkligen Dreieck ist abhängig von dem Winkel a
(und wegen b ¼ 90  a natürlich auch vom Winkel Gradmaß j 0 30 45 60 90
b), das heißt, das Verhältnis zweier Seiten ist eine 1 pffiffiffi 1 pffiffiffi 1 pffiffiffi 1 pffiffiffi 1 pffiffiffi
Funktion des Winkels a (bzw. des Winkels b). Die sin j 0 1 2 3 4
2 2 2 2 2
trigonometrischen Funktionen sind definiert als das
Verhältnis zweier Seiten im rechtwinkligen Dreieck. Die meisten dieser Werte lassen sich mit Hilfe des
In einem rechtwinkligen Dreieck ist Satzes von Pythagoras berechnen. Dies soll am Bei-
sin a, der Sinus des Winkels a, das Verhältnis von spiel des Sinus vorgeführt werden.
Gegenkathete zu Hypotenuse, Für die Höhe h in einem gleichseitigen Dreieck
cos a, der Kosinus des Winkels a, das Verhältnis von mit der Seitenlänge a gilt nach dem Satz des Py-
 a 2 a pffiffiffi
Ankathete zu Hypotenuse, thagoras h2 ¼ a2  , also h ¼ 3. Es folgt
tan a, der Tangens des Winkels a, das Verhältnis a 2 2
von Gegenkathete zu Ankathete, 1 h 1 ffiffiffi
p
sin 30 ¼ 2 ¼ und sin 60 ¼ ¼ 3.
cot a, der Kotangens des Winkels a, das Verhältnis a 2 a 2
von Ankathete zu Gegenkathete.
C
30°
b a a
a h=
a
A
a B 2 √3
c Bild VI-2
60°
Zur Berechnung
a a
a b von sin 30 und sin 60
Bild VI-1 sin a ¼ ; cos a ¼ ; 2 2
c c
a b Für den Durchmesser d in einem Quadrat der Sei-
tan a ¼ ; cot a ¼ tenlänge a gilt nach pdem Satz des Pythagoras
b a ffiffiffi
d2 ¼ a2 þ a2 , also
pffiffiffid ¼ a 2. Es folgt
a Gegenkathete a a 2 1 1 pffiffiffi
Sinus : sin a ¼ ¼ sin 45 ¼ ¼ ¼ pffiffiffi ¼ 2.
c Hypotenuse d a 2 2
b Ankathete a
Kosinus: cos a ¼ ¼
c Hypotenuse
2

a Gegenkathete
a√

Tangens: tan a ¼ ¼ a a
=

b Ankathete
d

b Ankathete
Kotangens: cot a ¼ ¼ 45° Bild VI-3
a Gegenkathete
a Zur Berechnung von sin 45
98 Mathematik

Die beiden spitzen Winkel a und b in einem recht- Mit den vorzeichenbehafteten Koordinaten x und y
winkligen Dreieck sind Komplementwinkel, es gilt des Punktes P werden die trigonometrischen Funk-
also b ¼ 90  a. Aus der Definition der trigonome- tionen dann definiert durch
trischen Funktionen folgt
b b Sinus : sin a ¼ y
sin b ¼ und cos a ¼ ) sin b ¼ cos a Kosinus: cos a ¼ x
c c y
a a Tangens: tan a ¼
cos b ¼ und sin a ¼ ) cos b ¼ sin a x
c c x
Kotangens: cot a ¼
b b y
tan b ¼ und cot a ¼ ) tan b ¼ cot a
a a
a a Der Abschnitt des Einheitskreises zwischen der
cot b ¼ und tan a ¼ ) cot b ¼ tan a x -Achse und dem Punkt P ist das Bogenmaß b des
b b
Winkels a.
C Durchläuft P den Einheitskreis im mathematisch po-
b
sitiven Drehsinn, dann sind a und b positiv. Durch-
a
Bild VI-4 läuft P den Einheitskreis jedoch im mathematisch
b=
a 90°– a Komplementwinkel negativen Drehsinn, dann sind a und b negativ.
A B Im Einheitskreis sind damit die trigonometrischen
Funktionen für beliebige Winkel a im Gradmaß
sin ð90  aÞ ¼ cos a oder für beliebige reelle Zahlen b (Bogenmaß von
cos ð90  aÞ ¼ sin a a) definiert, für die die entsprechenden Nenner
Komplementwinkel tan ð90  aÞ ¼ cot a nicht verschwinden.
cot ð90  aÞ ¼ tan a Bei der Berechnung von Funktionswerten muß be-
achtet werden, ob das Argument im Gradmaß oder
im Bogenmaß angegeben ist.
Durch die beiden orientierten Achsen eines kartesi-
2 Trigonometrische Funktionen schen Koordinatensystems wird die Ebene in vier
für beliebige Winkel Teile eingeteilt, die Quadranten.
Die Punkte des ersten Quadranten haben sowohl
Die Definition der trigonometrischen Funktionen positive x- als auch positive y-Koordinaten, die
eines Winkels a im rechtwinkligen Dreieck ist nur Punkte des zweiten Quadranten haben negative x-
für spitze Winkel möglich (also 0 < a < 90 ). Am und positive y-Koordinaten, die Punkte des dritten
Einheitskreis (Kreis mit dem Radius r ¼ 1) lassen Quadranten haben negative x- und negative y-Koor-
sich die trigonometrischen Funktionen für beliebige dinaten und die Punkte des vierten Quadranten ha-
Winkel definieren: ben positive x- und negative y-Koordinaten.
Der Mittelpunkt des Einheitskreises sei der Koordi-
natenursprung O eines kartesischen Koordinatensy- y
stems (vgl. Abschnitt VII.1.1). Ein beliebiger Punkt 4
II I
P ¼ Pðx j yÞ auf dem Einheitskreis legt einen Winkel 3
a fest, nämlich den Winkel zwischen der x-Achse 2
und der Geraden durch O und P. Dabei wird a in
1
mathematisch positiver Richtung, also gegen den
Uhrzeigersinn, gemessen. –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 x
–1
y –2

cota –3
III IV Bild VI-6
–4
P Quadranten
y = sina
1
tana

r= Für die Vorzeichen der trigonometrischen Funktio-

a nen in den einzelnen Quadranten gilt:
0 x
x = cosa Quadrant sin cos tan cot
I þ þ þ þ
II þ   
III   þ þ
Bild VI-5 Definition der trigonometrischen Funktio-
nen für beliebige Winkel IV  þ  
VI Trigonometrie 99

3 Beziehungen für den gleichen Winkel VII.1.1) als Abszissen (x-Werte) die Winkel (im
Gradmaß oder im Bogenmaß) und als Ordinaten (y-
Für beliebige Winkel a gelten folgende Umrech- Werte) die Werte der betreffenden trigonometri-
nungsformeln: 1 Þ schen Funktionen eingetragen werden. Die Funk-
tionswerte ergeben sich als vorzeichenbehaftete
sin a 1 cos a 1 Längen der entsprechenden Strecken am Einheits-
tan a ¼ ¼ cot a ¼ ¼
cos a cot a sin a tan a kreis (Bilder VI-7 und VI-8 siehe S. 100).
sin2 a þ cos2 a ¼ 1 tan a  cot a ¼ 1 Die Graphen der trigonometrischen Funktionen
1 1 nennt man auch Kurven. So ist zum Beispiel die
1 þ tan2 a ¼ 1 þ cot2 a ¼ 2 Sinuskurve der Graph der Sinusfunktion.
cos2 a sin a
In der folgenden Aufzählung sind alle Winkel im
Diese Beziehungen lassen sich im rechtwinkligen Bogenmaß angegeben.
Dreieck leicht nachrechnen.
1. Sinusfunktion
& Beispiel:
 a 2  b 2 a2 þ b2 Die Funktion y ¼ sin x mit dem Definitionsbe-
sin2 a þ cos2 a ¼ þ ¼ ¼ 1, denn nach dem
c c c2 reich D ¼ R und dem Wertebereich W ¼ ½1; 1.
Satz des Pythagoras gilt im rechtwinkligen Dreieck a2 þ b2 ¼ c2 .
Die Sinusfunktion hat die Periode 2p, es gilt also
Alle Beziehungen gelten auch allgemein, das heißt, sin ðx þ 2kpÞ ¼ sin x für k ¼ 0; 1; 2; . . . Die
für beliebige Winkel a. Amplitude der Funktion ist 1, denn es gilt
p
Nach diesen Beziehungen läßt sich jede trigonome- jsin xj  1 und sin ¼ 1.
2
trische Funktion durch jede andere desselben Win- Die Sinusfunktion ist wegen sin ðxÞ ¼ sin x für
kels ausdrücken. alle x eine ungerade Funktion. Die Sinuskurve
Will man zum Beispiel sin a durch cos a ausdrücken,
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ist also symmetrisch zum Koordinatenursprung.
so folgt sin a ¼  1  cos2 a aus sin2 a þ cos2 a ¼ 1. 2. Kosinusfunktion
Für Winkel im ersten Quadranten, also für Winkel Die Funktion y ¼ cos x mit dem Definitionsbe-
a mit 0 < a < 90 gilt: reich D ¼ R und dem Wertebereich W ¼ ½1; 1.

sin a cos a tan a cot a

pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi tan a 1
sin a ¼ sin a 1  cos2 a pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1 þ tan2 a 1 þ cot2 a
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 1 cot a
cos a ¼ 1  sin2 a cos a pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1 þ tan2 a 1 þ cot2 a
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
sin a 1  cos2 a 1
tan a ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi tan a
1  sin2 a cos a cot a
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1  sin2 a cos a 1
cot a ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi cot a
sin a 1  cos2 a tan a

In den übrigen Quadranten sind die Vorzeichen Die Kosinusfunktion hat ebenfalls die Periode
der Wurzeln nach der Vorzeichentabelle (vgl. Ab- 2p, es gilt cos ðx þ 2kpÞ ¼ cos x für k ¼ 0;
schnitt VI.2) oder am Einheitskreis zu bestimmen. 1; 2; . . . Die Amplitude der Funktion ist 1,
&
denn es gilt jcos xj  1 und cos 0 ¼ 1.
Beispiel:
Im dritten Quadranten sind sowohl sin a als auch cos a negativ. Die Kosinusfunktion ist wegen cos ðxÞ ¼ cos x
Deswegen gilt für Winkel a mit 180 < a < 270
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffi zum Beispiel für alle x eine gerade Funktion. Die Kosinus-
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
sin a ¼  1  cos2 a und cos a ¼  1  sin2 a. kurve ist also symmetrisch zur y-Achse.
3. Tangensfunktion
4 Graphen der trigonometrischen Die Funktion y ¼ tan x mit dem Definitionsbe-
p
Funktionen reich D ¼ R; x 6¼ þ kp; k 2 Z und dem Werte-
2
Ein anschauliches Bild von Eigenschaften der trigo- bereich W ¼ R.
p
nometrischen Funktionen erhält man, wenn in einem Die Stellen x ¼ þ kp; k 2 Z sind Pole der
kartesischen Koordinatensystem (vgl. Abschnitt 2
Funktion. Nähert man sich einem Pol x ¼ xp mit
wachsenden x-Werten (also x < xp ), dann geht
1
Þ Für Potenzen ðf ðxÞÞk von Funktionswerten ist die Schreibweise
f k ðxÞ üblich, etwa sin2 a (gesprochen: Sinus Quadrat Alpha) für
tan x gegen þ1. Nähert man sich dagegen ei-
(sin aÞ2 . nem Pol x ¼ xp mit abnehmenden x-Werten (also
100 Mathematik

cosa
sina
Einheitskreis sina cosa
P P
1

cosa

sinb
r=

sina
sinb

ba sina a
M P′ –90° 0 a b 90° 180° 270° Bild VI-7
P′

cosb
360°

(–)
cosb cosa
(–)
Sinuskurve
und Kosinuskurve

tana tana
cota cota

Asymptote zur
Tangenskurve
cotb cota
(–) Kotangente
cot a
tana
tana

b a a
r=1 0 a tanb (–)
cot b(–)
M b 180° 360°
tanb
(–)

Bild VI-8
Tangente

Tangenskurve und
Kotangenskurve

x > xp ), so geht tan x gegen 1. Die Geraden y

1
p
x ¼ þ kp sind Asymptoten der Funktion. 0 π 2π x
2 –1
Periode
Die Tangensfunktion hat die Periode p, es gilt
1
also tan ðx þ kpÞ ¼ tan x für k ¼ 0; 1; 2; . . .
Eine Amplitude besitzt die Funktion nicht 0 π 2π x
–1
(Pole!).
Die Tangensfunktion ist wegen tan ðxÞ ¼ tan x
für alle x eine ungerade Funktion. Die Tangens-
kurve ist also symmetrisch zum Koordinaten- 1
ursprung. 0 π x
–1
4. Kotangensfunktion
Die Funktion y ¼ cot x mit dem Definitionsbe-
reich D ¼ R; x 6¼ kp; k 2 Z und dem Werte- Periode
bereich W ¼ R.
Die Stellen x ¼ kp; k 2 Z sind Pole der Funktion.
Nähert man sich einem Pol x ¼ xp mit wachsen- 1
den x-Werten (also x < xp ), dann geht cot x ge- 0 π x
gen 1. Nähert man sich dagegen einem Pol –1
x ¼ xp mit abnehmenden x-Werten (also x > xp ),
so geht cot x gegen þ1. Die Geraden x ¼ kp
sind Asymptoten der Funktion. Bild VI-9 Die Graphen der trigonometrischen Funk-
Die Kotangensfunktion hat die Periode p, es gilt tionen y ¼ sin x; y ¼ cos x; y ¼ tan x;
also cot ðx þ kpÞ ¼ cot x für k ¼ 0; 1; 2; . . . y ¼ cot x (von oben nach unten)
Eine Amplitude besitzt die Funktion nicht
(Pole!).
Die Kotangensfunktion ist ungerade, denn es gilt beim Tangens und Kotangens auf solche zwischen 0
cot ðxÞ ¼ cot x. Die Kotangenskurve ist also und 180 zurückgeführt werden. Für beliebige ganze
symmetrisch zum Koordinatenursprung. Zahlen k gilt:

sin ð360  k þ aÞ ¼ sin a

5 Reduktionsformeln
cos ð360  k þ aÞ ¼ cos a
Wegen der Periodizität können die trigonometri- tan ð180  k þ aÞ ¼ tan a
schen Funktionen für beliebige Winkel beim Sinus cot ð180  k þ aÞ ¼ cot a
und Kosinus auf solche zwischen 0 und 360 und
VI Trigonometrie 101

Wegen der Symmetrie der trigonometrischen Funk- Trigonometrische Funktionen für Winkelvielfache
tionen gilt für negative Winkel:
2 tan a
sin 2a ¼ 2 sin a cos a ¼
sin ðaÞ ¼ sin a 1 þ tan2 a
cos ðaÞ ¼ cos a sin 3a ¼ 3 sin a  4 sin3 a
tan ðaÞ ¼ tan a
sin 4a ¼ 8 sin a cos3 a  4 sin a cos a
cot ðaÞ ¼ cot a
cos 2a ¼ cos2 a  sin2 a ¼ 1  2 sin2 a ¼ 2 cos2 a  1
Jeder so reduzierte Winkel kann durch eine der fol- cos 3a ¼ 4 cos3 a  3 cos a
genden Beziehungen auf einen Winkel zwischen 0
und 90 zurückgeführt werden: cos 4a ¼ 8 cos4 a  8 cos2 a þ 1
2 tan a 2
tan 2a ¼ ¼
Funktion b¼ b¼ b¼ b¼ 1  tan2 a cot a  tan a
90  a 180  a 270  a 360  a 3 tan a  tan3 a
tan 3a ¼
sin b þcos a sin a cos a sin a 1  3 tan2 a
4 tan a  4 tan3 a
cos b sin a cos a sin a þcos a tan 4a ¼
1  6 tan2 a þ tan4 a
tan b cot a tan a cot a tan a
cot2 a  1 cot a  tan a 1
cot 2a ¼ ¼ ¼
cot b tan a cot a tan a cot a 2 cot a 2 tan 2a
cot3 a  3 cot a
cot 3a ¼
3 cot 2 a  1
6 Additionstheoreme cot4 a  6 cot2 a þ 1
cot 4a ¼
4 cot3 a  4 cot a
Die Additionstheoreme sind Formeln für die trigo-
nometrischen Funktionen von Winkelsummen und
Winkeldifferenzen. Für allgemeine Winkelvielfache erhält man aus der
Die meisten dieser Gleichungen lassen sich mit Hil- Entwicklung der Formel von Moivre (vgl. Abschnitt
fe der Eulerschen Formel ejz ¼ cos z þ j sin z für I.12.6) durch Vergleich des Real- und Imaginärteils
komplexe Zahlen (vgl. Abschnitt I.12.8) zusammen entsprechende Formeln:
mit den Potenzgesetzen herleiten. cos na þ j sin na ¼ ðcos a þ j sin aÞn
Pn n
& Beispiel:
¼ jk   cosnk a  sink a
k¼0 k
cos ða þ bÞ þ j sin ða þ bÞ
¼ ejða þ bÞ ¼ eja  ejb ¼ ðcos a þ j sin aÞ  ðcos b þ j sin bÞ Summen und Differenzen zweier trigonometrischer
¼ ðcos a cos b  sin a sin bÞ þ jðsin a cos b þ cos a sin bÞ
Funktionen
Vergleich von Real- und Imaginärteil ergibt
cos ða þ bÞ ¼ cos a cos b  sin a sin b und sin ða þ bÞ
¼ sin a cos b þ cos a sin b. aþb ab
sin a þ sin b ¼ 2 sin cos
2 2
Trigonometrische Funktionen der Summe und der aþb ab
sin a  sin b ¼ 2 cos sin
Differenz zweier Winkel 2 2
aþb ab
cos a þ cos b ¼ 2 cos cos
sin ða þ bÞ ¼ sin a cos b þ cos a sin b 2 2
sin ða  bÞ ¼ sin a cos b  cos a sin b aþb ab
cos a  cos b ¼ 2 sin sin
cos ða þ bÞ ¼ cos a cos b  sin a sin b 2 2
cos ða  bÞ ¼ cos a cos b þ sin a sin b sin ða þ bÞ
tan a þ tan b ¼
tan a þ tan b cos a cos b
tan ða þ bÞ ¼ sin ða  bÞ
1  tan a tan b tan a  tan b ¼
tan a  tan b cos a cos b
tan ða  bÞ ¼
1 þ tan a tan b sin ða þ bÞ
cot a þ cot b ¼
cot a cot b  1 sin a sin b
cot ða þ bÞ ¼
cot a þ cot b sin ða þ bÞ
cot a  cot b ¼ 
cot a cot b þ 1 sin a sin b
cot ða  bÞ ¼
cot a  cot b
102 Mathematik

Produkte trigonometrischer Funktionen

b a
1
sin a sin b ¼ ½cos ða  bÞ  cos ða þ bÞ h Bild VI-10
2
a b Zur Herleitung des Sinussatzes
1
cos a cos b ¼ ½cos ða  bÞ þ cos ða þ bÞ
2
Die anderen Proportionen lassen sich analog herlei-
1
sin a cos b ¼ ½sin ða þ bÞ þ sin ða  bÞ ten.
2
1
cos a sin b ¼ ½sin ða þ bÞ  sin ða  bÞ Kosinussatz
2
In einem beliebigen Dreieck ist das Quadrat einer
tan a þ tan b tan a  tan b
tan a tan b ¼ ¼ Seitenlänge gleich der Summe der Quadrate der bei-
cot a þ cot b cot a  cot b den anderen Seitenlängen minus dem doppelten
cot a þ cot b cot a  cot b Produkt der Längen dieser beiden anderen Seiten
cot a cot b ¼ ¼
tan a þ tan b tan a  tan b und dem Kosinus des von ihnen eingeschlossenen
tan a þ cot b tan a  cot b Winkels.
tan a cot b ¼ ¼
cot a þ tan b cot a  tan b
a2 ¼ b2 þ c2  2bc cos a
Potenzen trigonometrischer Funktionen Kosinussatz b2 ¼ a2 þ c2  2ac cos b
c2 ¼ a2 þ b2  2ab cos g
1
sin2 a ¼ ð1  cos 2aÞ
2
1 b2 þ c2  a2
sin3 a ¼ ð3 sin a  sin 3aÞ cos a ¼
4 2bc
1 a2 þ c2  b2
sin4 a ¼ ðcos 4a  4 cos 2a þ 3Þ oder cos b ¼
8 2ac
1 a2 þ b2  c2
cos2 a ¼ ð1 þ cos 2aÞ cos g ¼
2 2ab
1
cos a ¼ ð3 cos a þ cos 3aÞ
3
4 Der Kosinussatz ist eine Verallgemeinerung des Sat-
1 zes von Pythagoras, der für rechtwinklige Dreiecke
cos a ¼ ðcos 4a þ 4 cos 2a þ 3Þ
4
8 gilt, auf beliebige Dreiecke. Gilt etwa g ¼ 90 , dann
folgt c2 ¼ a2 þ b2 wegen cos g ¼ cos 90 ¼ 0.
Die Formeln für sinn a und cosn a erhält man, in- Der Kosinussatz läßt sich durch Zerlegung des Drei-
dem man die Formeln für cos na und sin na nach- ecks in zwei rechtwinklige Dreiecke und Anwen-
einander anwendet. dung des Satzes von Pythagoras herleiten:
q
cos a ¼ ; q ¼ c  p
7 Sinussatz und Kosinussatz b
cp
) cos a ¼ ) p ¼ c  b cos a
Sinussatz b
In einem beliebigen Dreieck verhalten sich die Län- h
sin a ¼ ) h ¼ b sin a
gen der Seiten wie die Sinuswerte der gegenüberlie- b
genden Winkel. Durch Einsetzen der Ausdrücke für p und für h er-
gibt sich:
sin a sin b sin g
Sinussatz ¼ ¼ a2 ¼ p2 þ h2 ) a2 ¼ ðc  b cos aÞ2 þ ðb sin aÞ2
a b c
) a2 ¼ c2  2bc cos a þ b2 cos2 a þ b2 sin2 a
) a2 ¼ c2  2bc cos a þ b2 ðcos2 a þ sin2 aÞ
oder sin a : sin b : sin g ¼ a : b : c ) a2 ¼ b2 þ c2  2bc cos a ðdenn sin2 a þ cos2 a ¼ 1Þ

Der Sinussatz läßt sich mit Hilfe der Höhen, also

durch Zerlegung des Dreiecks in zwei rechtwinklige
Dreiecke herleiten: b a
h
h
sin a ¼ ) h ¼ b  sin a; a b Bild VI-11
b q p Zur Herleitung
h c des Kosinussatzes
sin b ¼ ) h ¼ a  sin b
a
Es folgt b  sin a ¼ a  sin b und daraus a:b Die anderen Gleichungen lassen sich ganz entspre-
¼ sin a : sin b. chend herleiten.
VI Trigonometrie 103

& Beispiele:
8 Grundaufgaben 1. Gegeben: a ¼ 55 ; c ¼ 7;34; b ¼ 48 (WSW)
der Dreiecksberechnung
C
Entsprechend den vier Grundkonstruktionen des
Dreiecks (vgl. Abschnitt VII.6.8) gibt es vier Grund- g
b a
aufgaben der Dreiecksberechnung.
a b Bild VI-12
1. Grundaufgabe WSW und SWW A c B Zu Beispiel 1 (WSW)
Gegeben a; c; b (Winkel, Seite, Winkel) oder
c; b; g (Seite, Winkel, Winkel). Berechnung von g: g ¼ 180  ð55 þ 48 Þ ¼ 77
Berechnung der fehlenden Seiten (mit Hilfe des Sinussatzes):
Berechnung der fehlenden Winkel:
sin 55 sin 48
g ¼ 180  ða þ bÞ oder a ¼ 180  ðb þ gÞ. a¼
sin 77
 7;34 6;17; b ¼
sin 77
 7;34 5; 60
Berechnung der fehlenden Seiten (durch Anwen- Ergebnisse: g ¼ 77 ; a 6;17; b 5;60
dung des Sinussatzes): 2. Gegeben: a ¼ 8;45; b ¼ 6;38; a ¼ 68;5 (SSW)
c c
a¼ sin a und b ¼ sin b.
sin g sin g C Bild VI-13
2. Grundaufgabe SSW g Zu Beispiel 2 (SSW)
Gegeben a; b; a (Seite, Seite, Winkel).
b a
sin a
Anwendung des Sinussatzes: sin b ¼ b
a
a b
Der Winkel b läßt sich für b < a ð) b < aÞ ein- A c B
deutig bestimmen. Für b > a ist b nicht in allen
Fällen eindeutig. Die Aufgabe kann zwei Lösun-
gen, b1 und b2 , haben mit sin b1 ¼ sin b2 und
b1 þ b2 ¼ 180 . Da a der größeren der gegebenen Seiten gegenüberliegt, ist
Berechnung des dritten Winkels g aus der Win- die Aufgabe eindeutig.
Berechnung von b (mit dem Sinussatz):
kelsumme im Dreieck. Berechnung der dritten
sin 68;5 sin b 6;38
Seite c oder c1 und c2 durch Anwendung des ¼ ) sin b ¼ sin 68;5 0;7025
8;45 6;38 8;45
Sinussatzes. ) b 44;6
Berechnung von g: g 180  ð68;5 þ 44;6 Þ ¼ 66;9
3. Grundaufgabe SWS
Berechnung von c (mit dem Sinussatz):
Gegeben a; g; b (Seite, Winkel, Seite). sin 66;9
Berechnung von c mit dem Kosinussatz: c 8;45 8;35
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi sin 68;5
c ¼ a2 þ b2  2ab cos g: Ergebnisse: b 44;6 ; g 66;9 ; c 8;35
Bestimmung des Winkels a (oder b) mit dem 3. Gegeben: a ¼ 9;35; b ¼ 14;25; a ¼ 39;2 (SSW)
Kosinussatz (eindeutig, aber umständlicher) oder
C Bild VI-14
mit dem Sinussatz (Entscheidung zwischen den
beiden möglichen Winkeln a1 und a2 mit g2 Zu Beispiel 3 (SSW)
g1
a1 þ a2 ¼ 180 über die Bedingung a > c
ð, a > gÞ oder a < c ð, a < gÞ. b a
a
Berechnung von b (oder a) dann aus der Win-
kelsumme im Dreieck. b2
a b1
Eine Kontrolle ist mit dem Sinussatz möglich. A
c2 B2 B1
4. Grundaufgabe SSS c1
Gegeben a; b; c (Seite, Seite, Seite).
Berechnung der Winkel mit Hilfe des Kosinus- Berechnung von b (mit dem Sinussatz):
und des Sinussatzes. sin 39;2 sin b 14;25
¼ ) sin b ¼ sin 39;2 0;9633
Am besten wird zuerst der der größten Seite ge- 9;35 14;25 9;35
genüberliegende Winkel berechnet. Die beiden ) b1 74;4 und b2 ¼ 180  b1 105;6
anderen Winkel sind dann spitze Winkel und Beide Winkel erfüllen die Bedingung b > a, die aus b > a
folgt.
können deshalb mit dem Sinussatz eindeutig be-
Berechnung von g1 und g2 mit Hilfe der Winkelsumme im
rechnet werden. Dreieck:
Liegt etwa g der größten Seite gegenüber, dann g1 180  ð39;2 þ 74;4 Þ ¼ 66;4 ;
Berechnung mit g2 180  ð39;2 þ 105;6 Þ ¼ 35;2
Berechnung von c1 und c2 mit dem Sinussatz:
a2 þ b2  c2 sin a sin b sin g
cos g ¼ ; ¼ ¼ : sin 66;4 sin 35;2
2ab a b c c1
sin 39;2
9;35 13;56; c2
sin 39;2
9;35 8;53
Eine Kontrolle läßt sich mit der Winkelsumme
Ergebnisse:
im Dreieck durchführen: Die Summe der drei (1) b1 74;4 ; g1 66;4 ; c1 13;56;
berechneten Winkel muß 180 betragen. (2) b2 105;6 ; g2 35;2 ; c2 8;53
104 Mathematik

4. Gegeben: a ¼ 5;62; g ¼ 115 ; b ¼ 8;50 (SWS) Die Arkusfunktionen sind also die Umkehrfunktio-
nen der trigonometrischen Funktionen.
C
g
Die Arkusfunktionen werden auch zyklometrische
b a
Funktionen oder inverse trigonometrische Funktio-
nen genannt.
a b
A B Zu ihrer eindeutigen Definition wird der Defini-
c
tionsbereich der trigonometrischen Funktionen in
Bild VI-15 Zu Beispiel 4 (SWS) Monotonieintervalle zerlegt, so daß für jedes Mono-
tonieintervall eine Umkehrfunktion erhalten wird
Berechnung von c mit dem Kosinussatz:
(vgl. Abschnitt V.2.8: Streng monotone Funktionen
c2 ¼ 5;622 þ 8;502  2  5;62  8;50  cos 115
¼ 5;622 þ 8;502  2  5;62  8;50  cos 65 besitzen Umkehrfunktionen). Diese wird entspre-
144;2113 ) c 12;01 chend dem zugehörigen Monotonieintervall mit dem
Berechnung von a mit dem Sinussatz: Index k gekennzeichnet.
5;62 5;62
sin a sin 115 ¼ sin 65 0;4241 ) a 25;1 Die Vorgehensweise wird am Beispiel des Arkussinus
12;01 12;01
Berechnung von b (mit der Winkelsumme im Dreieck):
gezeigt. Der Definitionsbereich von y ¼ sin x wird in
p p
b 180  ð115 þ 25;1 Þ ¼ 39;9 die Monotonieintervalle kp   x  kp þ mit
Ergebnisse: c 12;01; a 25;1 ; b 39;9 2 2
k ¼ 0; 1; 2; . . . zerlegt. Durch Spiegelung von
5. Gegeben: a ¼ 3;43; b ¼ 5;26; c ¼ 7;95 (SSS)
y ¼ sin x an der Winkelhalbierenden y ¼ x erhält man
die Umkehrfunktionen y ¼ arck sin x mit den Definiti-
C onsbereichen Dk ¼ ½1; 1 und den Wertebereichen
g
h p pi
b a
Wk ¼ kp  ; kp þ , wobei k ¼ 0; 1; 2; . . .
2 2
A
a b
B Die Schreibweise y ¼ arck sin x ist gleichbedeutend
c
mit x ¼ sin y.
Bild VI-16 Zu Beispiel 5 (SSS)
y ¼ arck sin x , x ¼ sin y
Berechnung von g (liegt der größten Seite gegenüber) mit
dem Kosinussatz: Die übrigen Arkusfunktionen ergeben sich analog.
3;432 þ 5;262  7;952 In der Tabelle sind die Definitions- und Werteberei-
cos g ¼ 0;6587 ) g 131;2
2  3;43  5;26
che aller Arkusfunktionen zusammengestellt, die
Berechnung von a mit dem Sinussatz:
Bilder VI.17––VI.20 zeigen die Graphen der Arkus-
3;43
sin a sin 131;2 0;3246 ) a 18;9 funktionen.
7;95
Berechnung von b (mit der Winkelsumme im Dreieck):
b 180  ð131;2 þ 18;9 Þ ¼ 29;9 y
Ergebnisse: a 18;9 ; b 29;9 ; g 131;2

p
9 Arkusfunktionen 2
–1 0 1 x
Kennt man den Funktionswert einer trigonometri- –p
schen Funktion, etwa y ¼ sin x, und will man daraus 2
den zugehörigen Winkel bestimmen, so muß man
die Gleichung nach dem Winkel x auflösen, was mit Bild VI-17
Hilfe der Arkusfunktionen möglich ist: x ¼ arcsin y. Graph der Arkussinusfunktion

Arkusfunktionen

Name Schreibweise Definitions- Wertebereich Gleichbedeutende

bereich trigonometrische
Funktion
p p
Arkussinus y ¼ arck sin x 1  x  1 kp   y  kp þ x ¼ sin y
2 2
Arkuskosinus y ¼ arck cos x 1  x  1 kp  y  ðk þ 1Þ p x ¼ cos y
p p
Arkustangens y ¼ arck tan x 1 < x < 1 kp  < y < kp þ x ¼ tan y
2 2

Arkuskotangens y ¼ arck cot x 1 < x < 1 kp < y < ðk þ 1Þ p x ¼ cot y

VI Trigonometrie 105

y Die Zurückführung von Nebenwerten auf die

Hauptwerte der Arkusfunktionen erfolgt mit Hilfe
p der folgenden Formeln:
p
2
arck sin x ¼ kp þ ð1Þk arcsin x
–1 0 1 x 
–p ðk þ 1Þ p  arccos x falls k ungerade
2 arck cos x ¼
kp þ arccos x falls k gerade
Bild VI-18 arck tan x ¼ kp þ arctan x
Graph der Arkuskosinusfunktion arck cot x ¼ kp þ arccot x

y
Taschenrechner geben immer die Hauptwerte der
Arkusfunktionen an.
p
Beziehungen zwischen den Hauptwerten

0 x p x
arcsin x ¼  arccos x ¼ arctan pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
–p Bild VI-19 2 1  x2
Graph der Arkus- p x
arccos x ¼  arcsin x ¼ arccot pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
tangensfunktion 2 1  x2
p x
arctan x ¼  arccot x ¼ arcsin pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
y 2 1 þ x2
p x
arccot x ¼  arctan x ¼ arccos pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
2 1 þ x2
p
Formeln für negative Argumente

0 x Bild VI-20
arcsin ðxÞ ¼ arcsin x
Graph der Arkus-
arccos ðxÞ ¼ p  arccos x
kotangensfunktion arctan ðxÞ ¼ arctan x
arccot ðxÞ ¼ p  arccot x
Setzt man k ¼ 0, dann erhält man jeweils den soge-
nannten Hauptwert der Arkusfunktion. Den Haupt-
wert schreibt man ohne den Index k, also zum Bei- & Beispiele:
spiel arcsin x ¼ arc0 sin x. Für andere Werte von k 1. arcsin 0 ¼ 0; arck sin 0 ¼ kp
erhält man Nebenwerte der entsprechenden Arkus- 1 p
2. arccos ¼ ;
funktion. Den Hauptwert der Arkusfunktionen zeigt 2 3
Bild VI-21. 8 p
>  þ ðk þ 1Þ p
1 < 3
falls k ungerade
arck cos ¼ p
2 > : þ kp
y falls k gerade
3
p
arc

p p
arccot 3. arccot 1 ¼ ; arck cot 1 ¼ þ kp
co

4 4
p
s

2
arctan
arccot
–1 0 1 x Bild VI-21
sin

arctan Hauptwerte
arc

–p der Arkusfunktionen
2
106
VII Analytische Geometrie
Der Grundgedanke der Analytischen Geometrie be-
steht darin, daß geometrische Untersuchungen mit
rechnerischen Mitteln geführt werden. Geometrische
Objekte werden dabei durch Gleichungen beschrie-
ben und mit algebraischen Methoden untersucht.
1 Koordinatensysteme
Die Verbindung von Geometrie und Algebra wird
dadurch erreicht, daß man die geometrischen Ob-
jekte als Punktmengen auffaßt und jedem Punkt
Zahlenwerte zuordnet, durch die er sich von ande-
ren unterscheidet. Eine Kurve oder eine Gerade ist
dann eine Menge von Punkten, für deren Zahlen-
werte bestimmte Bedingungen gelten, die man Glei-
chungen dieser Objekte nennt, zum Beispiel Glei-
chung eines Kreises oder einer Geraden. Das
geometrische Bild einer linearen Gleichung in zwei
Variablen ist immer eine Gerade, das einer quadrati-
schen Gleichung in zwei Variablen immer ein Kegel-
schnitt.
Die Grundlage für eine solche analytische Darstel-
lung der Geometrie ist die Zuordnung zwischen
Punkt und Zahl, die eindeutig sein muß. Auf einer
Geraden oder allgemeiner auf einer Kurve genügt
eine Zahl, auf einer Ebene oder einer Fläche ein
Zahlenpaar und im Raum ein Zahlentripel (drei
Zahlen), um einen Punkt eindeutig festzulegen. Um-
gekehrt bestimmt ein Punkt auf einer Kurve eindeu-
tig eine Zahl, auf einer Fläche ein Zahlenpaar und
im Raum ein Zahlentripel. Diese Zahlen werden
Koordinaten des entsprechenden Punktes genannt.
Die Koordinaten sind abhängig von dem zugrunde
liegenden Koordinatensystem.
Es gibt verschiedene Möglichkeiten für Koordina-
tensysteme, von denen hier drei wichtige beschrie-
ben werden. Allgemein kann man ein Koordinaten-
system als ein System von geometrischen Objekten,
mit deren Hilfe die Lage anderer geometrischer Ob-
jekte durch Zahlenwerte (Koordinaten) umkehrbar
eindeutig beschrieben werden kann, bezeichnen.
Legt man auf einer Geraden g einen Anfangspunkt
0 (Nullpunkt), eine positive Richtung (Orientierung)
und eine Längeneinheit l (Maßstab) fest, dann ent-
spricht jeder reellen Zahl x ein bestimmter Punkt
dieser Geraden, und umgekehrt entspricht jedem
Punkt der Geraden eine reelle Zahl. Die Gerade g
wird Zahlengerade genannt.
1.1 Kartesisches Koordinatensystem
der Ebene
Um die Lage eines Punktes in der Ebene eindeutig
festzulegen, sind zwei Zahlengeraden notwendig.
Man ordnet die Zahlengeraden stets so an, daß ihre
Nullpunkte zusammenfallen. Die Zahlengeraden
Mathematik
werden Achsen des Koordinatensystems oder Koor-
dinatenachsen genannt und als x- oder Abszissen-
achse und als y- oder Ordinatenachse bezeichnet.
Der gemeinsame Nullpunkt, also der Schnittpunkt
der beiden Geraden, heißt Koordinatenursprung
oder Nullpunkt. Auf jeder der beiden Geraden wird
vom Koordinatenursprung aus eine positive und
eine negative Orientierung sowie ein Maßstab fest-
gelegt.
In einem kartesischen (rechtwinkligen) Koordina-
tensystem stehen die Koordinatenachsen senkrecht
aufeinander, die Achsen haben den gleichen Maß-
stab und bilden ein sogenanntes Rechtssystem: Die
x-Achse geht durch Drehung um einen rechten Win-
kel im mathematisch positiven Sinne (linksdrehend,
entgegen dem Uhrzeigersinn) in die y-Achse über.
Ein beliebiger Punkt P der Ebene kann dann durch
seine kartesischen Koordinaten beschrieben werden:
Pðx j yÞ mit x als Abszisse und y als Ordinate.
Dieses Koordinatensystem ist benannt nach dem
französischen Mathematiker René Descartes, ge-
nannt Cartesius (1596––1650).
y-Achse
(Ordinatenachse)
P 1 (x 1 y 1 )
y1
1
x2
–1 0 1 x1 x-Achse
(Abszissenachse)
–1 y
2
P2(x2 y2 )
Bild VII-1 Kartesisches Koordinatensystem
der Ebene
1.2 Polarkoordinatensystem der Ebene
Ein Polarkoordinatensystem der Ebene ist bestimmt
durch einen festen Punkt, den Pol O, und einer von
ihm ausgehenden fest gewählten Achse, der Polar-
achse, auf der wie bei einem Zahlenstrahl eine
Orientierung und ein Maßstab festgelegt sind.
Ein beliebiger Punkt P der Ebene läßt sich dann
durch seine Polarkoordinaten beschreiben: Pðr j jÞ,
wobei r der Abstand des Punktes P vom Pol O ist
und j der Winkel, den der Strahl vom Pol O durch
den Punkt P mit der Polarachse bildet.
 107

& Beispiele:
Dabei wird der Winkel j in mathematisch positiver
Richtung (linksdrehend, entgegen dem Uhrzeiger- 1. Eine rechteckige Metallplatte soll zwei Bohrungen erhalten.
Für die Mitten der Bohrungen soll gelten: Die erste Bohrung
sinn) gemessen. Dieser Winkel j ist nur bis auf ist von einer Ecke der Platte 120 mm entfernt. Die Verbin-
ganzzahlige Vielfache von 2p bestimmt. Man nennt j dungsstrecke zwischen dieser Ecke und der Bohrung soll mit
auch Polarwinkel des Punktes P. der längeren Seite der Platte einen Winkel von 30 bilden.
Die zweite Bohrung soll dreiviertel so weit von derselben
Ecke entfernt sein: Die Verbindungsstrecke zwischen dieser
Ecke und der zweiten Bohrung soll mit der ersten Verbin-
dungsstrecke einen Winkel von 45 einschließen. Die Boh-
rungsmitten sind anzureißen.
Mathematisch umgesetzt bedeutet die Aufgabe:
Die Polarkoordinaten r1 ¼ 120 mm; j1 ¼ 30 und r2 ¼
90 mm; j2 ¼ 75 zweier Punkte P1 ðr1 j j1 Þ und P2 ðr2 j j2 Þ
sind in kartesische Koordinaten umzurechnen (j2 ¼ j1  45
kommt nicht in Frage, da P2 dann außerhalb der Platte
läge).
Man berechnet:
x1 ¼ r1 cos j1 ¼ 120 mm  cos 30 103;92 mm
y1 ¼ r1 sin j1 ¼ 120 mm  sin 30 ¼ 60;00 mm
x2 ¼ r2 cos j2 ¼ 90 mm  cos 75 23;29 mm
Bild VII-2 Polarkoordinatensystem der Ebene y2 ¼ r2 sin j2 ¼ 90 mm  sin 75 86;93 mm
Ergebnis:
1.3 Zusammenhang zwischen kartesischen x1 130;92 mm; y1 ¼ 60;00 mm; x2 23;29 mm;
y2 86;93 mm
und Polarkoordinaten
Ein beliebiges geometrisches Objekt kann in ver-
P2
schiedenen Koordinatensystemen beschrieben wer-
den, zum Beispiel in einem kartesischen und in
einem Polarkoordinatensystem. Für dieselben geo- P1
r2
metrischen Eigenschaften findet man dann zwei y2
r1
Gleichungen f1 ðx; yÞ ¼ 0 und f2 ðr; jÞ ¼ 0. Durch
Transformation (berführung) des einen Koordina- f2 y1
tensystems in das andere geht die eine Gleichung f1
des geometrischen Objekts in die andere über. x2 x1
0
Die Transformationsgleichungen für den bergang längere Rechteckseite
von Polarkoordinaten zu kartesischen Koordinaten
Bild VII-4 Zu Beispiel 1
und umgekehrt ergeben sich mit Hilfe der tri-
gonometrischen und Arkusfunktionen. Zur Verein- 2. Welche Polarkoordinaten haben die Ecken A; B; C des Drei-
fachung wird dabei vorausgesetzt, daß der Pol des ecks Að2;9 j 2;3Þ; Bð3;0 j 0;7Þ; Cð1;8 j 2;7Þ?
Polarkoordinatensystems mit dem Koordinatenur- Man berechnet:
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
sprung des kartesischen Koordinatensystems und die rA ¼ ð2;9Þ2 þ ð2;3Þ2 3;7
Polarachse mit der x-Achse (Abszisse) zusammenfal-
2;9
len. cos jA ¼ qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 0;7835 ) jA 38;4
ð2;9Þ2 þ ð2;3Þ2
Transformationsgleichungen
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
rB ¼ ð3;0Þ2 þ ð0;7Þ2 3;1
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
x ¼ r cos j r ¼ x2 þ y2 cos jB < 0 und sin jB < 0 ) 180 < jB < 270
x y
y ¼ r sin j cos j ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ; sin j ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi (vgl. Vorzeichentabelle in Abschnitt VI.2)
x2 þ y2 x2 þ y2 3;0
cos a ¼ qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 0;9738;
ð3;0Þ2 þ ð0;7Þ2

cos b ¼ 0;9738 ) b 13;1

Wegen cos ð180 þ aÞ ¼ cos a (vgl. Abschnitt VI.5) folgt
y jB 180 þ 13;1 ¼ 193;1
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
P(x|y) = P(r | f) rC ¼ ð1;8Þ2 þ ð2;7Þ2 3;2
y
cos jC > 0 und sin jC < 0 ) 270 < jC < 360
(vgl. Vorzeichentabelle in Abschnitt VI.2)
r
1 1;8
cos a ¼ qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 0;5547 ) a 56;3
f ð1;8Þ2 þ ð2;7Þ2

0 1 x x Wegen cos ð360  aÞ ¼ cos a (vgl. Abschnitt VI.5) folgt

jC 360  56;3 ¼ 303;7 .
Bild VII-3 Kartesische Koordinaten und Polarkoordi-
Ergebnis: Að3;7 j 38;4 Þ; Bð3;1 j 193;1 Þ; Cð3;2 j 303;7 Þ sind
naten die drei Punkte in Polarkoordinaten.
108 Mathematik

y A 1. Die Gleichung ax þ by þ c ¼ 0 ist die allgemeine

Geradengleichung, wobei die Koeffizienten a und
rA yA b nicht gleichzeitig Null sein dürfen.
fA
xB 0 xC Allgemeine Geradengleichung
fB
yB xA x
rB
B fC yC ax þ by þ c ¼ 0
rC

Die Variablen x und y sind die Koordinaten eines

C beliebigen Punktes der Geraden. Ein Punkt
Bild VII-5 Zu Beispiel 2 P0 ¼ Pðx0 j y0 Þ der Ebene liegt also genau dann
auf der Geraden, wenn seine Koordinaten x0 und
1.4 Kartesisches Koordinatensystem y0 die Gleichung erfüllen, wenn also ax0 þ by0
des Raums þ c ¼ 0 gilt.
Die Koeffizienten a; b; c legen die Gerade ein-
Ein kartesisches Koordinatensystem des Raums be- deutig fest. Für a ¼ 0 ist die Gerade eine Paral-
steht aus drei paarweise aufeinander senkrecht ste- lele zur x-Achse, für b ¼ 0 eine Parallele zur
henden Geraden (Koordinatenachsen), die sich in y-Achse, und für c ¼ 0 verläuft die Gerade durch
einem Punkt, dem Koordinatenursprung, schnei- den Koordinatenursprung (Nullpunkt).
den. Die drei Koordinatenachsen bilden ein 2. Dividiert man die allgemeine Geradengleichung
Rechtssystem: Winkelt man Daumen, Zeigefinger durch b 6¼ 0 (die Gerade ist also nicht parallel
und Mittelfinger der rechten Hand so ab, daß sie a
zur y-Achse), dann ergibt sich mit m ¼  und
aufeinander senkrecht stehen, dann können diese c b
Finger als positive Richtungen eines Rechtssystems n¼ die Hauptform oder Normalform der
b
aufgefaßt werden. Man bezeichnet die Achsen in Geradengleichung.
dieser Reihenfolge meist als x-Achse, y-Achse und Hauptform oder Normalform
z-Achse. Auf allen drei Achsen sind die Maßstäbe
gleich. y ¼ mx þ n
Ein beliebiger Punkt P des Raums kann dann durch
seine kartesischen Koordinaten beschrieben werden:
Geraden, die Parallelen zur y-Achse sind, besit-
Pðx j y j zÞ, wobei x, y und z die senkrechten Projek-
zen also keine Hauptform (Normalform).
tionen des Punktes auf die drei Koordinatenachsen
sind.
y
P(x|y )
z
n
mx+
mx
z0 y=
y
1 m
P0(x0 y0 z 0) x
n n
1 a
0 y 0 x
1 y0
1
Bild VII-7 Hauptform der Geradengleichung
x0

Die Größe m wird Richtungskoeffizient oder

x
Steigung der Geraden genannt. Die Steigung ist
Bild VII-6 Kartesisches Koordinatensystem gleich dem Tangens des Winkels, den die Gerade
des Raums mit der positiven Richtung der x-Achse ein-
schließt. Die Strecke n wird von der Geraden auf
der y-Achse abgeschnitten, deshalb heißt n auch
2 Geraden Achsenabschnitt oder genauer y-Achsenab-
schnitt. Er kann ebenso wie der Tangens je nach
2.1 Geradengleichungen Lage unterschiedliches Vorzeichen besitzen.
Eine Gerade ist die kürzeste Verbindung zweier
Sonderfälle:
Punkte. Eine Gerade ist durch zwei beliebige auf ihr
2.1 n ¼ 0 : Die Gerade verläuft durch den Null-
liegende Punkte eindeutig bestimmt (vgl. Abschnitt
punkt.
III.1).
Für eine Gerade gibt es verschiedene Gleichungsfor-
Gerade durch Nullpunkt y ¼ mx
men.
VII Analytische Geometrie 109

P(x|y) den Katheten m, 1 gilt die Proportion

y y  y1
x
y =m ðy  y1 Þ : ðx  x1 Þ ¼ m : 1 oder ¼ m:
y x  x1
m Auflösung nach y ergibt die Punktsteigungsform.
0 1 x x 4. Die Gleichung einer Geraden durch zwei Punkte
P1 ¼ Pðx1 j y1 Þ und P2 ¼ Pðx2 j y2 Þ mit x1 6¼ x2 er-
Bild VII-8 Gerade mit der Gleichung y ¼ mx gibt die Zweipunkteform der Geradengleichung.
Zweipunkteform
2.2 m ¼ 0 : Die Gerade ist eine Parallele zur
x-Achse im Abstand n. y2  y1
y¼ ðx  x1 Þ þ y1
x2  x1
Parallele zur x-Achse y¼n
oder
y  y1 y2  y1
¼
y x  x1 x2  x1
y=n

n y
P
0 x
P2
Bild VII-9 Gerade mit der Gleichung y ¼ n

P1
2.3 Entsprechend ist x ¼ k die Gleichung einer y
Parallele zur y-Achse im Abstand k. y2
1 m y1
Parallele zur y-Achse x¼k
0 x1 x2 x x

y
Bild VII-12 Zweipunkteform der Geraden-
x=k

gleichung

0 k x Die Proportion ergibt sich aus der hnlichkeit

der rechtwinkligen Dreiecke mit den Hypotenu-
Bild VII-10 Gerade mit der Gleichung x ¼ k
sen P1 P und P1 P2 .
5. Hat eine Gerade den Achsenabschnitt x0 auf der
3. Sind von einer Geraden ein Punkt P1 ¼ Pðx1 j y1 Þ
x-Achse und den Achsenabschnitt y0 auf der y -
und die Steigung m bekannt, dann lautet die
Achse, das heißt, die Gerade geht durch die
Gleichung der Geraden y ¼ mðx  x1 Þ þ y1 . Dies
Punkte P1 ðx0 j 0Þ und P2 ð0 j y0 Þ, und gilt x0 6¼ 0
ist die Punktsteigungsform der Geradengleichung.
und y0 6¼ 0, dann lautet die Gleichung der Ge-
x y
rade þ ¼ 1. Dies ist die Achsenabschnitts-
Punktsteigungsform y ¼ mðx  x1 Þ þ y1 x0 y0
form der Geradengleichung.
y P
x y
Achsenabschnittsform þ ¼1
x0 y0
y – y1
P1 1 m
x – x1
y y Bild VII.13
mx1 Achsenabschnittsform
x1 y1 y1 der Geradengleichung
n
a x1
0 x x

Bild VII-11 Punktsteigungsform der Geraden- y0 P

gleichung
y
Wegen der hnlichkeit der rechtwinkligen Drei- x
ecke mit den Katheten y  y1 , x  x1 und mit 0 x0 x
110 Mathematik

Aus der allgemeinen Geradengleichung ax þ by Man findet die Achsenabschnittsform auch direkt, indem man in der
Hauptform durch Division durch -4 das Absolutglied zu 1 macht.
þ c ¼ 0 ergibt sich die Achsenabschnittsform
Hessesche Normalform :
durch Division durch c 6¼ 0.
Durch Umstellung der Hauptform ergibt sich 1;5x  y  4 ¼ 0:
6. Die Hesse-Form oder Hessesche Normalform Durch Vergleich mit der allgemeinen Geradengleichung
der Geradengleichung (nach dem deutschen Ma- ax þ by þ c ¼ 0 erhält man a ¼ 1;5; b ¼ 1; c ¼ 4. Man er-
thematiker Ludwig Otto Hesse, 1811––1874) lau- hält die Hessesche Normalform, indem man die Gleichung
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ffi
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
tet x cos j þ y sin j  d ¼ 0. Dabei ist d  0 der 1; 5x  y  4 ¼ 0 durch þ a2 þ b2 ¼ þ ð1;5Þ2 þ ð1Þ2 ¼
pffiffiffiffiffiffiffiffiffi
þ 3;25 dividiert:
Abstand des Koordinatenursprungs O von der
1;5 1 4
Geraden g, also die Länge des Lotes von O  pffiffiffiffiffiffiffiffiffi x  pffiffiffiffiffiffiffiffiffi y  pffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼ 0
3;25 3;25 3;25
auf die Gerade g (Fußpunkt F), und j mit
0  j < 2p der Winkel zwischen der positiven y
x-Achse und dem Lot OF.
Hessesche Normalform
P1 4
x cos j þ y sin j  d ¼ 0
2

y Bild VII-14
a f
Hessesche Normalform –4 –2 d 0 2 x
der Geradengleichung
–2
F

–4
P(x|y )
d

inf
f

ys
os

y –6
xc

f a P2
f = a – 90°
0 x x g
g –8

Bild VII-15 Gerade durch die Punkte

Man kann die Hessesche Normalform aus der P1 ð5 j 3;5Þ und P2 ð2 j 7Þ
allgemeinen Geradengleichung ax þ by þ c ¼ 0
durch Multiplikation mit dem Normierungsfak-
1 2.2 Abstände
tor  pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi herleiten. Das Vorzeichen des
a2 þ b2 Mit Hilfe der Hesseschen Normalform der Geraden-
Normierungsfaktors muß entgegengesetzt zu dem gleichung läßt sich der Abstand zwischen einem
von c gewählt werden. Punkt und einer Geraden oder zwischen zwei paral-
& Beispiel:
lelen Geraden berechnen. Zunächst werden jedoch
Gesucht ist die Gerade durch die Punkte P1 ð5 j 3;5Þ und Formeln zur Berechnung des Abstandes zwischen
P2 ð2 j 7Þ. zwei Punkten hergeleitet.
Zweipunkteform:
1. Punkt –– Punkt
y  3;5 7  3;5 Der Abstand zweier Punkte P1 und P2 ist die
¼
xþ5 2þ5
Länge jP1 P2 j der Verbindungsstrecke P1 P2.
Punktsteigungsform :
Sind die Punkte im kartesischen Koordinaten-
Da die rechte Seite der Zweipunkteform die Steigung m angibt,
7  3;5 system dargestellt, also P1 ¼ P1 ðx1 j y1 Þ; P2 ¼
also m ¼ ¼ 1;5 folgt
2þ5 P2 ðx2 j y2 Þ, dann gilt für den Abstand dðP1 ; P2 Þ
y ¼ 1;5ðx þ 5Þ þ 3;5 von P1 und P2 nach dem Satz des Pythagoras
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Hauptform:
Aus der Punktsteigungsform ergibt sich y ¼ 1;5x  7;5 þ 3;5
dðP1 ; P2 Þ ¼ jP1 P2 j ¼ ðx2  x1 Þ2 þ ðy2  y1 Þ2
und somit Sind die Punkte in Polarkoordinaten dargestellt,
y ¼ 1;5x  4 also P1 ¼ P1 ðr1 j j1 Þ; P2 ¼ P2 ðr2 j j2 Þ, dann folgt
Achsenabschnittsform : aus dem Kosinussatz
Aus der Hauptform folgt y ¼ 4 für x ¼ 0, der y-Achsenabschnitt
ist also y0 ¼ 4. Setzt man in die Hauptform y ¼ 0 ein, so ergibt dðP1 ; P2 Þ ¼ jP1 P2 j
8 qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
sich 1;5x ¼ 4, also x ¼  , der x-Achsenabschnitt ist somit
3 ¼ r12 þ r22  2r1 r2  cos ðj1  j2 Þ
8
x0 ¼  . Die Achsenabschnittsform lautet daher
3 2. Gerade –– Gerade
x y
þ ¼1 Sind g1 : y ¼ mx þ n1 und g2 : y ¼ mx þ n2 zwei
8 4
 parallele Geraden (parallele Geraden haben glei-
3
VII Analytische Geometrie 111

che Steigung), so ermittelt man die Hessesche Durch Einsetzen der Koordinaten von P1 erhält man den ge-
suchten Abstand:
Normalform der Geraden:  
 3 4 
g1 : x cos j þ y sin j  d1 ¼ 0; l ¼    5 þ  10  2  ¼ j 3 þ 8  2 j ¼ 3
5 5
g2 : x cos j þ y sin j  d2 ¼ 0
Für den Abstand l der parallelen Geraden g1 3 Kreise
und g2 voneinander gilt dann
l ¼ jd1  d2 j, wenn die Geraden auf der gleichen 3.1 Kreisgleichungen
Seite des Koordinatenursprungs lie- Der Kreis ist der geometrische Ort aller Punkte der
gen, Ebene, die von einem festen Punkt M (Mittelpunkt
l ¼ d1 þ d2 , wenn die Geraden auf verschiede- des Kreises) einen konstanten Abstand r (Radius
nen Seiten des Koordinatenur- des Kreises) haben (vgl. Abschnitt III.10).
sprungs liegen. Für einen Kreis gibt es verschiedene Gleichungsfor-
3. Punkt –– Gerade men.
Ist P1 ðx1 j y1 Þ ein Punkt und g1 : y ¼ mx þ n eine
Gerade, dann ermittelt man zunächst die Hesse- 1. Liegt der Mittelpunkt eines Kreises mit dem Ra-
sche Normalform von g1 : dius r im Koordinatenursprung, dann lautet die
Gleichung des Kreises in kartesischen Koordina-
g1 : x cos j þ y sin j  d1 ¼ 0
ten x2 þ y2 ¼ r2 . Dabei sind x und y die Koordi-
Durch den Punkt P1 legt man eine zu g1 paral- naten eines beliebigen Punktes Pðx j yÞ des Krei-
lele Gerade g2 : ses. Die Gleichung ergibt sich nach dem Satz des
g2 : x cos j þ y sin j  d2 ¼ 0 Pythagoras.
Ist l der Abstand zwischen P1 und g1 , so ist l
auch der Abstand zwischen den Geraden g1 und Mittelpunkt im Ursprung x2 þ y2 ¼ r2
g2 , und es gilt
g2 : x cos j þ y sin j  ðd1  lÞ ¼ 0
y
Da P1 auf g2 liegt, erfüllen seine Koordinaten P
die Geradengleichung
r
x1 cos j þ y1 sin j  ðd1  lÞ ¼ 0 ; y
woraus sich für den Abstand l ergibt 0 x x
l ¼ jx1 cos j þ y1 sin j  d1 j

& Beispiele:
1. Gegeben: Die Punkte P1 ð3 j 4Þ und P2 ð2 j 6Þ
Gesucht: Der Abstand dðP1 ; P2 Þ von P1 und P2 Bild VII-16 Kreisgleichung x2 þ y2 ¼ r2
Es gilt qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
dðP1 ; P2 Þ ¼ ðx2  x1 Þ2 þ ðy2  y1 Þ2 ¼ ð2  3Þ2 þ ð6  4Þ2
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi 2. Hat der Mittelpunkt allgemeiner die Koordinaten
¼ 52 þ 22 ¼ 29 ¼ 5;3851 . . .
2. Gegeben: Die beiden parallelen Geraden
xm und ym , also M ¼ Mðxm j ym Þ, dann ergibt sich
g1 : 2x  4y þ 7 ¼ 0; g2 : 3x þ 6y þ 30 ¼ 0
die Mittelpunktsform oder Hauptform der Kreis-
gleichung.
Gesucht: Der Abstand l der beiden Geraden
2 4 7 Mittelpunktsform oder Hauptform
Hessesche Normalform von g1 :  pffiffiffiffiffi x þ pffiffiffiffiffi y  pffiffiffiffiffi ¼ 0
 20 20 20
durch Multiplikation der allgemeinen Geradengleichung
1 1 ðx  xm Þ2 þ ðy  ym Þ2 ¼ r2
mit dem Normierungsfaktor  pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼  qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1 a2 þ b2 22 þ ð4Þ2
¼  pffiffiffiffiffi
20
2 4 20 y
Hessesche Normalform von g2 : pffiffiffiffiffi x  pffiffiffiffiffi y  pffiffiffiffiffi ¼ 0
20 20 20
P
Entgegengesetzte Vorzeichen der x- und y-Glieder ) die Ge-
raden liegen auf verschiedenen Seiten des Koordinaten-
ursprungs r
Somit gilt für den Abstand l von g1 und g2 : M
pffiffiffi
7 20 27 27 27  5 y
l ¼ d1 þ d2 ¼ pffiffiffiffiffi þ pffiffiffiffiffi ¼ pffiffiffiffiffi ¼ pffiffiffi ¼
20 20 20 2c 5 10 ym
3. Gegeben: Punkt P1 ð5 j 10Þ und Gerade g1 : 3x  4y þ 10 ¼ 0
Gesucht: Der Abstand l des Punktes P1 von der Geraden g1
3 4 0 xm x x
Hessesche Normalform von g1 :  x þ y  2 ¼ 0
 5 5
durch Multiplikation der allgemeinen Geradengleichung mit

1 1
dem Normierungsfaktor  pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼  qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼ 
1 Bild VII-17 Kreisgleichung
a2 þ b2 3 þ ð4Þ
2 2 5 ðx  xm Þ2 þ ðy  ym Þ2 ¼ r2
112 Mathematik

3. Löst man in der Mittelpunktsform die Klammern Lösung:

auf, dann ergibt sich die allgemeine Form der
Kreisgleichung.
Allgemeine Form
x2 þ y2 þ 2ax þ 2by þ c ¼ 0
Hierin bedeuten a ¼ xm ; b ¼ ym ; c ¼ x2m
þ y2m  r2 : Aus der letzten Gleichung folgt
a2 þ b2  c ¼ r2 > 0 als Bedingung dafür, daß es
sich bei einer Gleichung der allgemeinen Form
wirklich um eine Kreisgleichung handelt (für
c > a2 þ b2 liefert die Gleichung keine reelle
Kurve, für c ¼ a2 þ b2 ergibt sich ein einziger
Punkt Mðxm j ym Þ).
4. Werden die beiden Koordinaten x und y jeweils
als Funktion einer Hilfsvariablen t angegeben, so
erhält man die Parameterdarstellung des Krei-
ses mit dem Radius r und dem Mittelpunkt
Mðxm j ym Þ (vgl. Abschnitt V.1.2).
Parameterdarstellung
x ¼ xm þ r cos t ; y ¼ ym þ r sin t ; 0  t < 2p
& Beispiele:
1. Welches geometrische Objekt beschreibt die Gleichung
1;5x2 þ 1;5y2 þ 3x  6y þ 4;5 ¼ 0?
Lösung:
Division durch 1,5 ergibt x2 þ y2 þ 2x  4y þ 3 ¼ 0, eine
Kreisgleichung in allgemeiner Form.
Dabei ist a ¼ xm ¼ 1; b ¼ ym ¼ 2; c ¼ 3. Die Bedingung
a2 þ b2  c > 0 ist erfüllt, denn 1 þ 4  3 ¼ 2 > 0.
Die Koordinaten des Kreismittelpunktes sind xm ¼ 1;
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffi
ym ¼ 2, der Radius ist r ¼ a2 þ b2  c ¼ 2. Die Mittel-
punktsform (Hauptform) dieses Kreises lautet
ðx þ 1Þ2 þ ðy  2Þ2 ¼ 2.
y 2. Gegeben: Punkte P1 ðx1 j y1 Þ; P2 ðx2 j y2 Þ;
3 Gesucht: Kreis durch die Punkte P1 ; P2 ; P3
M
2 punktes:
1
Die entsprechenden Rechnungen wie bei Beispiel 1 ergeben
ðx þ 1Þ2 þ ðy  2Þ2 ¼ 1.
Dies ist eine unerfüllbare Gleichung, denn der Term auf der
linken Seite des Gleichheitszeichens ist als Summe zweier
Quadrate nicht negativ (ein Quadrat ist nicht negativ, also ist
auch eine Summe von Quadraten nicht negativ), während die
rechte Seite gleich 1, also negativ ist. Man bestätigt, daß
die Bedingung a2 þ b2  c > 0 nicht erfüllt ist.
3. Welches geometrische Objekt beschreibt die Gleichung
1;5x2 þ 1;5y2 þ 3x  6y þ 7;5 ¼ 0?
Lösung:
Man berechnet a2 þ b2  c ¼ 1 þ 4  5 ¼ 0 in der durch 1,5
dividierten Gleichung und somit ðx þ 1Þ2 þ ðy  2Þ2 ¼ 0.
Dies ist die Gleichung eines entarteten Kreises, also eines
Kreises mit dem Radius r ¼ 0. Die Gleichung wird nur von
einem Koordinatenpaar, den Koordinaten des Mittelpunktes
Mð1 j 2Þ, erfüllt.
3.2 Berechnung von Kreisen
Ein Kreis ist festgelegt durch den Mittelpunkt und
einen weiteren Punkt oder durch drei Punkte (die
nicht alle auf einer Geraden liegen).
Die Gleichung eines Kreises kann also berechnet
werden, wenn drei Punkte der Kreisperipherie gege-
ben sind oder der Mittelpunkt und ein Punkt der
Peripherie.
Berechnung von Kreisen:
1. Gegeben: Mittelpunkt Mðxm j ym Þ,
Punkt P1 ðx1 j y1 Þ
Gesucht: Kreis mit dem Mittelpunkt M durch
den Punkt P1
Der Radius r des gesuchten Kreises ergibt sich
durch Einsetzen der Koordinaten des Punktes P1
in die Mittelpunktsform der Kreisgleichung:
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
r ¼ ðx1  xm Þ2 þ ðy1  ym Þ2
somit
Kreisgleichung somit:
ðx  xm Þ2 þ ðy  ym Þ2 ¼ ðx1  xm Þ2 þ ðy1  ym Þ2
P3 ðx3 j y3 Þ
Bestimmung der Koordinaten xm ; ym des Mittel-
Einsetzen der Koordinaten der Punkte in die
Mittelpunktsform der Kreisgleichung :

x ðx1  xm Þ2 þ ðy1  ym Þ2 ¼ ðx2  xm Þ2 þ ðy2  ym Þ2

–1 0
¼ ðx3  xm Þ2 þ ðy3  ym Þ2 ¼ r2
Bild VII-18 Kreis mit der Gleichung Daraus erhält man ein lineares Gleichungssystem
ðx þ 1Þ2 þ ðy  2Þ2 ¼ 2 zur Bestimmung von xm und ym :
2ðx2  x1 Þ  xm þ 2ðy2  y1 Þ  ym ¼ x22  x21 þ y22  y21
Die aus der gegebenen Gleichung abgeleitete Gleichung
x2 þ y2 þ 2x  4y þ 3 ¼ 0 läßt sich auch ohne Benutzung der 2ðx3  x1 Þ  xm þ 2ðy3  y1 Þ  ym ¼ x23  x21 þ y23  y21
Formeln für die Mittelpunktskoordinaten und den Radius auf Bestimmung des Radius r :
die Mittelpunktsform bringen, und zwar mit Hilfe von qua-
dratischen Ergänzungen:
Einsetzen von xm ; ym und der Koordinaten eines
x2 þ y2 þ 2x  4y þ 3 ¼0
Punktes in qdie Mittelpunktsform der Kreisglei-
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
ðx2 þ 2xÞ þ ðy2  4yÞ ¼ 3
chung: r ¼ ðx1  xm Þ2 þ ðy1  ym Þ2
ðx2 þ 2x þ 1Þ þ ðy2  4y þ 4Þ ¼ 1þ43
ðx þ 1Þ2 þ ðy  2Þ2 ¼2 Einsetzen von xm ; ym und r in die Mittelpunkts-
2. Welches geometrische Objekt beschreibt die Gleichung form der Kreisgleichung ergibt die Gleichung des
1;5x2 þ 1;5y2 þ 3x  6y þ 9 ¼ 0? gesuchten Kreises.
VII Analytische Geometrie 113

& Beispiele: x2 þ ðmx þ nÞ2 ¼ r2

1. Gegeben: Mittelpunkt Mð2 j 1Þ, Punkt P1 ð4 j 3Þ
Gesucht: Kreis mit dem Mittelpunkt M durch den Punkt P1
x2 þ m2 x2 þ 2mxn þ n2 ¼ r2
Berechnung des Radius: x2 ð1 þ m2 Þ þ 2mnx þ n2  r2 ¼ 0
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi mnx n2  r2
r ¼ ð4  ð2ÞÞ2 þ ð3  ð1ÞÞ2 ¼ 52 x2 þ 2 þ ¼0
1 þ m2 1 þ sm
2
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Der gesuchte Kreis hat die Gleichung
ðx þ 2Þ2 þ ðy þ 1Þ2 ¼ 52. mn  mn 2 n2  r2
2. Gegeben: Punkte P1 ð6j7Þ; P2 ð2j9Þ; P3 ð1j0Þ x1; 2 ¼   
1 þ m2 1 þ m2 1 þ m2
Gesucht: Kreis durch die Punkte P1 ; P2 ; P3
Bestimmung der Koordinaten xm ; ym des Mittelpunktes: mn 1
¼  
2ð2  6Þ xm þ 2ð9  7Þ ym ¼ 22  62 þ 92  72 1 þ m2 1 þ m2
2ð1  6Þ xm þ 2ð0  7Þ ym ¼ ð1Þ2  62 þ 02  72 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
   m2 n2  n2 þ r2  m2 n2 þ m2 r2
 8xm þ 4ym ¼ 0 2xm þ ym ¼ 0 qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
) ) mn 1
14xm  14ym ¼ 84 2xm þ 2ym ¼ 12
¼  ð1 þ m2 Þ r2  n2
) ym ¼ 4 ) xm ¼ 2 1þm 2 1þm 2

Bestimmung des Radius r :

qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi
Der Wert der Diskriminante (Radikand der Glei-
r ¼ ð6  2Þ2 þ ð7  4Þ2 ¼ 25 ¼ 5 chung) bestimmt die Anzahl der reellen Lösungen
Der gesuchte Kreis hat somit die Gleichung dieser Gleichung :
ðx  2Þ2 þ ðy  4Þ2 ¼ 52 .
1. ð1 þ m2 Þ r2 < n2 ) keine reelle Lösung
) Gerade ist Passante
3.3 Kreis und Gerade 2. ð1 þ m2 Þ r2 ¼ n2 ) eine reelle Lösung
Ein Kreis und eine Gerade können drei grundsätz- ) Gerade ist Tangente
lich verschiedene Lagen zueinander haben (vgl. Ab- 3. ð1 þ m2 Þ r2 > n2 ) zwei reelle Lösungen
schnitt III.10.4): ) Gerade ist Sekante
1. Die Gerade ist eine Passante p, sie hat mit dem & Beispiele:
Kreis keinen Punkt gemeinsam. 1. Berechnung der Schnittpunkte des Kreises mit der Gleichung
2. Die Gerade ist eine Tangente t, sie hat mit dem ð1Þ ðx  2Þ2 þ ðy þ 3Þ2 ¼ 52
und der Geraden mit der Gleichung
Kreis genau einen Punkt, den Berührungspunkt P,
ð2Þ 2x  y  9 ¼ 0.
gemeinsam. Aus (2) folgt y ¼ 2x  9, was in (1) eingesetzt wird:
3. Die Gerade ist eine Sekante s, sie hat mit dem ðx  2Þ2 þ ð2x  6Þ2 ¼ 25
Kreis zwei Punkte, die Schnittpunkte P1 und P2 , ) x2  4x þ 4 þ 4x2  24x þ 36 ¼ 25 ) 5x2  28x þ 15 ¼ 0
28
gemeinsam. Division durch 5 ergibt die Normalform x2  xþ3¼0
5
der quadratischen Gleichung, woraus sich mit quadratischer
Haben ein Kreis und eine Gerade Punkte gemein-
Ergänzung
sam (also in den Fällen, daß die Gerade Tangente  2  2
14 14 121
x ¼ 3 þ ¼
oder Sekante des Kreises ist), dann erfüllen die ge- 5 5 25
meinsamen Punkte sowohl die Gleichung des Krei- 14 11
die Lösungen x1; 2 ¼  ; also x1 ¼ 5; x2 ¼
3
ergeben.
ses als auch die Gleichung der Geraden, also das 5 5 5
Aus (2) errechnet man die zugehörigen y-Werte:
(nichtlineare) Gleichungssystem 39
y1 ¼ 1; y2 ¼  .
5
(1) ðx  xm Þ2 þ ðy  ym Þ2 ¼ r2 Schnittpunkte von Kreis und Gerade somit:
  
(2) ax þ by þ c ¼ 0 3  39
P1 ð5 j 1Þ; P2 
5  5
Ist die Gerade eine Passante, dann hat dieses Glei- Die Gerade ist eine Sekante.
chungssystem keine Lösung, ist die Gerade eine 2. Berechnung der Schnittpunkte des Kreises mit der Gleichung
Tangente, dann gibt es genau eine Lösung, und ist ð1Þ ðx þ 2Þ2 þ ðy þ 3Þ2 ¼ 13
die Gerade eine Sekante, dann existieren zwei ver- und der Geraden mit der Gleichung
ð2Þ 3x þ 2y  1 ¼ 0.
schiedene Lösungen. 3 1 3 7
Aus (2) folgt y ¼  x þ ) yþ3¼ xþ .
Man löst dieses Gleichungssystem, indem man in 2 2 2 2
der Geradengleichung (2) eine Variable durch die In (1) eingesetzt ergibt:
 2
andere eliminiert (also Auflösen nach x oder y) und 3 7
ðx þ 2Þ2 þ  x þ ¼ 13
2 2
in (1) einsetzt. Dadurch entsteht eine quadratische
9 2 21 49
Gleichung, die in Abhängigkeit von der Diskrimi- ) x þ 4x þ 4 þ x 
2
x þ ¼ 13
4 2 4
nante keine, eine oder zwei reelle Lösungen hat. 13 2 13 13
) x  xþ ¼0
Hat zum Beispiel der gegebene Kreis seinen Mittel- 4 2 4
4
punkt im Koordinatenursprung, und ist die Geraden- Durch Multiplikation mit erhält man x2  2x þ 1 ¼
13
gleichung in Normalform gegeben, so folgt : ðx  1Þ2 ¼ 0, woraus sich die Lösungen x1 ¼ x2 ¼ 1 ergeben.
In (2) eingesetzt ergibt den zugehörigen y-Wert:
(1) x2 þ y2 ¼ r2 y1 ¼ y2 ¼ 1.
(2) y ¼ mx þ n Die Gerade ist eine Tangente, sie berührt den Kreis im
Punkt Pð1 j 1Þ.
Einsetzen von (2) in (1) ergibt eine quadratische 3. Berechnung der Schnittpunkte des Kreises mit der Gleichung
Gleichung in x, die aufzulösen ist: ð1Þ ðx  1Þ2 þ ðy  2Þ2 ¼ 42
114 Mathematik

und der Geraden mit der Gleichung

ale
ð2Þ x  y þ 10 ¼ 0. y rm
Gleichung (2) nach y aufgelöst: y ¼ x þ 10 ) y  2 ¼ x þ 8 No
In (1) eingesetzt:
ðx  1Þ2 þ ðx þ 8Þ2 ¼ 16
P1(x1|y1)
) x2  2x þ 1 þ x2 þ 16x þ 64 ¼ 16 r

Ta
) 2x2 þ 14x þ 49 ¼ 0

ng
ym M(xm|ym)

en
49
) x2 þ 7x þ ¼0

te
2 rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi P(x|y)
7 49 49 7 49 7 pffiffiffiffiffiffiffi
) x1; 2 ¼    ¼   ¼  ð1  1Þ
2 4 2 2 4 2
Die Diskriminante ist negativ, die quadratische Gleichung hat
also keine reelle Lösung, das heißt, Kreis und Gerade schnei-
den sich nicht. Die Gerade ist eine Passante.
0 xm x
Eine Tangente ist ganz allgemein eine Gerade, die Bild VII-19 Eine Tangente und eine Normale
eine Kurve, also den Graph einer Funktion y ¼ f ðxÞ, des Kreises
in einem Punkt Pða j f ðaÞÞ berührt, aber nicht
schneidet (Tangente = Berührende). Tangenten gibt
es also nicht nur beim Kreis, sondern für beliebige Durch Subtraktion von y und Multiplikation der
Kurven. Gleichung mit ðy1  ym Þ erhält man folgende
Eine Normale ist eine Gerade durch den Punkt äquivalente Form als Gleichung der Tangente im
Pða j f ðaÞÞ einer Funktion y ¼ f ðxÞ, die senkrecht Punkt P1 ðx1 j y1 Þ an den Kreis mit der Gleichung
auf der Tangente an die Kurve der Funktion in die- ðx  xm Þ2 þ ðy  ym Þ2 ¼ r2 .
sem Punkt P steht. Zu jeder Tangente gehört also
eine Normale. ðx1  xm Þ ðx  x1 Þ þ ðy1  ym Þ ðy  y1 Þ ¼ 0
Ist m1 ¼ tan a die Steigung der Tangente, dann ist
also m2 ¼ tan ða  90 Þ die Steigung der zugehö- Durch elementare Umformungen ergibt sich
1 ðx1  xm Þ ðx  x1 Þ þ ðy1  ym Þ ðy  y1 Þ ¼ 0
rigen Normale. Wegen tan ða  90 Þ ¼  (vgl.
tan a ðx1  xm Þ x þ ðy1  ym Þ y ¼ x1 ðx1  xm Þ þ y1 ðy1  ym Þ
Abschnitte VI.3 und VI.5) folgt daraus m1 m2 ¼ 1 ðx1  xm Þ ðx  xm Þ þ ðy1  ym Þ ðy  ym Þ
für das Produkt von Tangenten- und Normalenstei- ¼ ðx1  xm Þ2 þ ðy1  ym Þ2
gung. ðx1  xm Þ ðx  xm Þ þ ðy1  ym Þ ðy  ym Þ ¼ r2
Beim Kreis geht jede Normale durch den Kreismit-
telpunkt. Will man die Gleichung der Normale des Die letzte Gleichung folgt, weil P1 ðx1 j y1 Þ ein Punkt
Kreises mit der Gleichung ðx  xm Þ2 þ ðy  ym Þ2 ¼ r2 des Kreises ist und damit die Kreisgleichung erfüllt.
(also Mittelpunktsform) durch den Punkt P1 ðx1 j y1 Þ Als weitere äquivalente Tangentengleichung erhält
des Kreises berechnen, so setzt man die Koordina- man also
ten der Punkte Mðxm j ym Þ und P1 ðx1 j y1 Þ, die auch
auf der Normale liegen und diese damit eindeutig ðx1  xm Þ ðx  xm Þ þ ðy1  ym Þ ðy  ym Þ ¼ r2
festlegen, in die Zweipunkteform der Geradenglei-
chung ein. & Beispiele:
4. Bestimmung der Gleichungen von Tangente und Normale an
den Kreis mit der Gleichung ðx  2Þ2 þ ðy þ 3Þ2 ¼ 10 im
y1  ym
y¼ ðx  x1 Þ þ y1 Punkt P1 ð1 j 0Þ des Kreises.
x1  xm Tangente:
1 1
ð1  2Þ ðx  1Þ þ ð0 þ 3Þ ðy  0Þ ¼ 0 ) y ¼ x 
3 3
oder Normale:
0þ 3
y¼ ðx  1Þ þ 0 ) y ¼ 3x þ 3
y  y1 y1  ym 12
¼ 5. Welche Geraden mit der Steigung m ¼ 
3
x  x1 x1  xm 2
berühren den
Kreis mit der Gleichung x2 þ y2 ¼ 9?
Lösung:
Dies sind Gleichungen der Normale durch den Für den y-Achsenabschnitt n einer Tangente an einen Kreis,
Punkt P1 ðx1 j y1 Þ des Kreises. dessen Mittelpunkt im Koordinatenursprung liegt, gilt nach
y1  ym dem Satz des Pythagoras n2 ¼ r2 þ z2 ¼ r2 þ r2 m21 ¼
Die Steigung der Normale ist daher m2 ¼ . z
x1  xm ð1 þ m21 Þ r2 , denn tan ð180  aÞ ¼ und tan ð180  aÞ ¼
r
Wegen m1 m2 ¼ 1 folgt für die Steigung m1 der tan a ¼ m1 (siehe Bild VII-20).
x1  x m 3
Einsetzen von m ¼  und r ¼ 3 ergibt
Tangente m1 ¼  . Die Gleichung der Tan-   2
y1  y m 9 13 117 1 pffiffiffiffiffiffiffiffi
gente im Punkt P1 ðx1 j y1 Þ läßt sich dann mit der n2 ¼ 1 þ 9¼ 9¼ )n¼ 117 5;4083.
4 4 4 2
Punktsteigungsform berechnen Die gesuchten Tangentengleichungen sind
3 1 pffiffiffiffiffiffiffiffi 3 1 pffiffiffiffiffiffiffiffi
y¼ þ 117 und y ¼   117.
x1  xm 2 2 2 2
y ¼ m1 ðx  x1 Þ þ y1 ¼  ðx  x1 Þ þ y1 Die erste der beiden Tangenten ist in Bild VII-20 eingezeich-
y1  ym
net.
VII Analytische Geometrie 115

pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi
y Berechnung des Radius: r ¼ 42 þ 32 þ 12 ¼ 26
Die gesuchte Kugel hat die Gleichung x2 þ y2 þ z2 ¼ 26.
n 2. Gegeben: Mittelpunkt Mð2 j 1 j 1Þ, Punkt P1 ð0 j 4 j 3Þ
Gesucht: Kugel mit dem Mittelpunkt M durch den Punkt P1
Berechnung des Radius:
z qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi
r ¼ ð0  2Þ2 þ ð4  ð1ÞÞ2 þ ð3  1Þ2 ¼ 45
ale Die gesuchte Kugel hat die Gleichung
rm
No ðx  2Þ2 þ ðy þ 1Þ2 þ ðz  1Þ2 ¼ 45.
P1

1 r Tangente 5 Kegelschnitte
y1
M a–90° a Ein Kegelschnitt ist die Schnittfigur einer Ebene
=0 1 x1 x und des Mantels eines geraden Doppelkreiskegels.
Ein gerader Kreiskegel entsteht durch Rotation einer
Geraden (die Erzeugende oder Mantellinie) in einem
Bild VII-20 Tangente und Normale des Kreises festen Punkt (der Spitze) um eine vertikale Achse,
mit der Gleichung x2 þ y2 ¼ 9 wobei sich die rotierende Gerade entlang eines
Kreises bewegt (also mit einem Kreis als Leitkurve),
der in einer Ebene senkrecht zur Rotationsachse
4 Kugeln liegt (vgl. Abschnitt IV.4).
Eine Kugel ist der geometrische Ort aller Punkte Ein gerader Doppelkreiskegel besteht aus zwei ge-
des Raumes, die von einem festen Punkt M (Mittel- raden Kreiskegeln, die Spitze auf Spitze stehen und
punkt der Kugel) einen konstanten Abstand r (Ra- die gleiche Rotationsachse haben. Schneidet man
dius der Kugel) haben (vgl. Abschnitt IV.8). einen geraden Doppelkreiskegel mit einer nicht
Für eine Kugel gibt es verschiedene Gleichungsfor- durch die (gemeinsame) Spitze S gehenden Ebene
men. E, dann entsteht als Kurve ein Kegelschnitt. Abhän-
Liegt der Mittelpunkt einer Kugel mit dem Radius r gig von der Lage der Ebene E zum Doppelkegel er-
im Ursprung eines (dreidimensionalen) kartesischen hält man verschiedene Kurven.
Koordinatensystems, dann lautet die Gleichung der
Kugel x2 þ y2 þ z2 ¼ r2 . Dabei sind x, y und z die Kreis
Koordinaten eines beliebigen Punktes Pðx j y j zÞ der Liegt die Ebene senkrecht zur Kegelachse (Rota-
Kugel (Kugeloberfläche). tionsachse), so schneidet sie aus der Mantelfläche
des Kegels einen Kreis heraus.
Mittelpunkt im Ursprung x2 þ y2 þ z2 ¼ r2
Ellipse
Ist die Neigung der Ebene so, daß sie nur eine
z Hälfte des Doppelkegels schneidet und daß sie nicht
parallel zu einer Mantellinie verläuft, so wird eine
Ellipse ausgeschnitten.
r
Parabel
0 y Bild VII-21 Verläuft die Ebene parallel zu einer Mantellinie, so
Kugel mit der Gleichung schneidet sie aus der Mantelfläche eine Parabel her-
x x2 þ y2 þ z2 ¼ r2 aus.
Hat der Mittelpunkt allgemeiner die Koordinaten
Hyperbel
xm , ym und zm , also M ¼ ðxm j ym j zm Þ, dann ergibt
Trifft die Ebene beide Hälften des Doppelkegels
sich die Mittelpunktsform oder Hauptform der Ku-
(zum Beispiel wenn sie parallel zur Kegelachse
gelgleichung.
steht), dann ist die Schnittfigur eine Hyperbel (es
Mittelpunktsform oder Hauptform werden zwei Kurven ausgeschnitten, die beiden
ste einer Hyperbel).
ðx  xm Þ2 þ ðy  ym Þ2 þ ðz  zm Þ2 ¼ r2

Eine Kugel ist festgelegt durch den Mittelpunkt und

einen weiteren Punkt oder durch vier Punkte (die
nicht alle in einer Ebene liegen).

& Beispiele:
1. Gegeben: Mittelpunkt im Koordinatenursprung, also M ¼
Mð0 j 0 j 0Þ, Punkt P1 ð4 j 3 j 1Þ Bild VII-22
Gesucht: Kugel mit dem Mittelpunkt M durch den Punkt P1 Kegelschnitt Ellipse
116 Mathematik

chung eine Gleichung zweiten Grades in x und y

hat. In einer solchen Gleichung kommen x und y
nur linear und quadratisch vor. Die allgemeine Glei-
chung eines Kegelschnitts lautet

Ax2 þ 2Bxy þ Cy2 þ Dx þ Ey þ F ¼ 0

Bild VII-23 Kegel-
schnitt Hyperbel Diese Gleichung enthält als Sonderfälle auch Glei-
chungen von Punkten, Geraden, Geradenpaaren
Die Kegelschnitte lassen sich bezüglich der Lage und imaginären Kurven.
der Ebene E zu den Mantellinien des Doppelkegels & Beispiele:
charakterisieren: 1. A ¼ 1; B ¼ C ¼ D ¼ 0; E ¼ 1; F ¼ 0 ) y ¼ x2
Beim Kreis und bei der Ellipse ist die Ebene zu kei- Gleichung der Normalparabel
2. A ¼ 1; B ¼ 0; C ¼ 1; D ¼ E ¼ 0; F ¼ r2 ) x2 þ y2 ¼ r2
ner der Mantellinien parallel, bei der Parabel ist die Mittelpunktsform der Gleichung eines Kreises mit dem Mit-
Ebene zu einer Mantellinie parallel, und bei der Hy- telpunkt im Koordinatenursprung
perbel ist die Ebene zu zwei Mantellinien des Dop- 1 1 x2 y2
3. A ¼ 2 ; B ¼ 0; C ¼ 2 ; D ¼ E ¼ 0; F ¼ 1 ) 2 þ 2 ¼ 1
a b a b
pelkegels parallel.
Mittelpunktsform der Gleichung einer Ellipse mit dem Mit-
Die Kegelschnitte lassen sich auch durch die Bezie- telpunkt im Koordinatenursprung
hung des ffnungswinkels a des Kegels zum Nei- 1 1 x2 y2
4. A ¼ 2 ; B ¼ 0; C ¼  2 ; D ¼ E ¼ 0; F ¼ 1 ) 2  2 ¼ 1
gungswinkel b der Schnittebene E zur Rotations- a b a b
Mittelpunktsform der Gleichung einer Hyperbel mit dem
achse beschreiben:
Mittelpunkt im Koordinatenursprung
Kreis: b ¼ 90 5. A ¼ B ¼ C ¼ 0; D ¼ 1; E ¼ 1; F ¼ 0 ) y ¼ x
a Gleichung der Winkelhalbierenden (Gerade)
Ellipse: < b < 90
2
a 5.1 Ellipsen
Parabel: b¼
2
a Eine Ellipse ist der geometrische Ort aller Punkte
Hyperbel: 0  b <
2 einer Ebene, für die die Summe der Abstände von
zwei festen Punkten F1 und F2 konstant ist. Die
Kreis Ellipse Punkte F1 und F2 heißen Brennpunkte der Ellypse.
Bezeichnet man den Abstand eines beliebigen Punk-
tes P1 der Ellipse zu F1 mit r1 und den Abstand von
Hyperbel
Parabel P1 zu F2 mit r2 , also jP1 F1 j ¼ r1 ; jP1 F2 j ¼ r2, dann
gilt r1 þ r2 ¼ 2a mit einer Konstanten a.
b Rotations-
a
b b b= achse
90° y
S1′
P1
a a y1

Bild VII-24 Beziehung des ffnungswinkels a des r2 r1

p p
b
Kegels zum Neigungswinkel b der F2 0=M F1 S1
S2 x1 x
Schnittebene zur Rotationsachse e e
a a
p p
Der Kreis ist bezüglich der verschiedenen Lagen b
von Ebene und Doppelkegel ein Spezialfall der El-
S2′
lipse.
Kreis und Ellipse sind beschränkt, nicht jedoch Pa- Bild VII-25 Bezeichnungen für die Ellipse
rabel und Hyperbel. Die Parabel besteht aus einem
einzigen Ast (sie ist also zusammenhängend), wäh- Bezeichnungen
rend die Hyperbel zwei getrennte symmetrische Mð0 j 0Þ Mittelpunkt
ste besitzt. F1 ðe j 0Þ; F2 ðe j 0Þ Brennpunkte
Falls die Ebene E durch die Kegelspitze S geht, S1 ða j 0Þ; S2 ða j 0Þ Hauptscheitelpunkte
dann besteht die Schnittmenge entweder nur aus S01 ð0 j bÞ; S02 ð0 j bÞ Nebenscheitelpunkte
einem Punkt (dem Punkt S) oder aus einer oder
S1 S2 Hauptachse
zwei durch S gehende Geraden (Mantellinien). Sol-
che Schnittmengen heißen entartete Kegelschnitte. S01 S02 Nebenachse
Die nahe Verwandtschaft der Kegelschnitte zeigt jS1 S2 j ¼ 2a Länge der Hauptachse
sich auch in ihren Gleichungen. Jeder Kegelschnitt jS01 S02 j ¼ 2b Länge der Nebenachse
ist der Graph einer Funktion, die als Funktionsglei- (b < a)
VII Analytische Geometrie 117

jMF1 j ¼ jMF2 j ¼ e Abstand der Brennpunkte Gleichung der Tangente im Punkt P1 ðx1 j y1 Þ an die
vom Mittelpunkt ðx  xm Þ2 ðy  ym Þ2
b2 Ellipse mit der Gleichung þ ¼ 1:
p¼ Halbparameter (die halbe a2 b2
a
Länge einer parallel zur
Nebenachse gezogenen x1  x m b 2
y¼   ðx  x1 Þ þ y1
Sehne durch einen Brenn- y1  ym a2
punkt)
P1 ðx1 j y1 Þ beliebiger Punkt der oder
Ellipse
jP1 F1 j ¼ r1 ; jP1 F2 j ¼ r2 Abstand von P1 zu den ðx1  xm Þ ðx  xm Þ ðy1  ym Þ ðy  ym Þ
þ ¼1
Brennpunkten a2 b2
Eigenschaften
Gleichung der Normale (die Normale steht senk-
r1 þ r2 ¼ 2a Summe der Abstände ist recht auf der Tangente) durch den Punkt P1 ðx1 j y1 Þ
konstant der Ellipse:
e2 þ b2 ¼ a2 gilt nach dem Satz des
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Pythagoras y1  ym a2
e¼ a2  b2 > 0 heißt lineare Exzentrizität y¼   ðx  x1 Þ þ y1
x1  xm b2
der Ellipse
e
e¼ <1 heißt numerische Exzen-
a Für die Fläche A und den Umfang u einer Ellipse
trizität der Ellipse
gilt
Bemerkungen ..
Ellipsenflache A ¼ pab pffiffiffiffiffiffi
Eine der drei Größen a; b; e kann wegen
Ellipsenumfang u p½1;5ða þ bÞ  ab 
e2 þ b2 ¼ a2 aus den beiden anderen berechnet
werden.
Der Wert für den Umfang ist nur eine Näherung,
Im Falle a ¼ b entartet die Ellipse zu einem Kreis.
eine exakte Formel gibt es nicht.
Die beiden Brennpunkte F1 ; F2 fallen dann mit dem
Kreismittelpunkt zusammen. & Beispiele:
x2 y2
1. Gegeben: Ellipsengleichung þ ¼1
Ellipsengleichungen 6;25 4
Gesucht: Länge der Achsen, Brennpunkte, numerische Ex-
1. Fallen die Koordinatenachsen mit den Ellipsen- zentrizität
achsen zusammen, dann lautet die Gleichung der Länge der Hauptachse ¼ 2a ¼ 2  2;5 ¼ 5
pffiffiffiffiffiffiffiffiffi
x2 y2 (denn a ¼ 6;25 ¼ 2; 5) pffiffiffi
Ellipse 2 þ 2 ¼ 1. Dies ist die Normalform der Länge der Nebenachse ¼ 2b ¼ 2  2 ¼ 4 (denn b ¼ 4 ¼ 2)
a b Berechnung der Brennpunkte:
Ellipsengleichung. e2 ¼ a2  b2 ¼ 6;25  4 ¼ 2;25 ¼ 1;52
) F1 ð1;5 j 0Þ; F2 ð1;5 j 0Þ
e 1;5
Numerische Exzentrizität: e ¼ ¼ ¼ 0;6
a 2;5
x2 y2 Gegeben: Punkte P1 ð2 j 2Þ; P2 ð4 j 1Þ einer Ellipse, Koordina-
Normalform þ ¼1 2.
a2 b2 tenachsen gleich Ellipsenachsen
Gesucht: Gleichung der Ellipse
Berechnung von a und b (halbe Längen der Achsen):
2. Ist Mðxm j ym Þ der Mittelpunkt der Ellipse, und x2 y2
Koordinaten von P1 in die Normalform 2 þ 2 ¼ 1 der Ellip-
sind die Ellipsenachsen parallel zu den Koordi- sengleichung einsetzen:
a b
natenachsen, dann erhält man die Mittelpunkts- 4 4
þ ¼ 1 ) 4b2 þ 4a2 ¼ a2 b2
form der Ellipsengleichung. a2 b2
Kooordinaten von P2 in die Normalform einsetzen:
16 1
þ ¼ 1 ) 16b2 þ a2 ¼ a2 b2
a2 b2
ðx  xm Þ2 ðy  ym Þ2
Mittelpunktsform þ ¼1 Gleichsetzen der Gleichungen ergibt
a2 b2 4b2 þ 4a2 ¼ 16b2 þ a2 ) 3a2 ¼ 12b2 ) a2 ¼ 4b2
Durch Einsetzen errechnet man
4b2 þ 16b2 ¼ 4b4 ) 20b2 ¼ 4b4 ) b2 ¼ 5
3. Werden die beiden Koordinaten x und y jeweils Daraus ergibt sich schließlich a2 ¼ 4  5 ¼ 20
als Funktion einer Hilfsvariablen t angegeben, so x2 y2
Die Ellipsengleichung lautet also: þ ¼1
erhält man die Parameterdarstellung einer El- 20 5
3. Gegeben: Brennpunkte F1 ð4 j 0Þ; F2 ð4 j 0Þ, halbe Länge der
lipse, deren Achsen mit den Koordinatenachsen Hauptachse a ¼ 5
zusammenfallen (vgl. Abschnitt V.1.2). Gesucht: Ellipsengleichung, numerische Exzentrizität
Berechnung der halben Länge der Nebenachse:
Parameterdarstellung
b2 ¼ a2  e2 ¼ 25  16 ¼ 9 ) b ¼ 3
x2 y2
Ellipsengleichung: þ ¼1
25 9
x ¼ a cos t ; y ¼ b sin t ; 0  t < 2p e
Numerische Exzentrizität: e ¼ ¼ ¼ 0;8
4
a 5
118 Mathematik

4. Im Punkt P1 ð3;1 j 2;7Þ einer Ellipse in Normalform mit der y

halben Länge der Hauptachse a ¼ 4;8 ist die Tangente ge-
sucht. Wie groß ist die lineare Exzentrizität e? Q2 Q1
Lösung: H P1
yp
Koordinaten von P1 und a ¼ 4;8 in die Normalform er
be r2 p
x2 y2 l b r1
þ ¼ 1 der Ellipsengleichung einsetzen, um b zu berech-
a2 b2 e
nen: S2 M a S1
ð3;1Þ2 ð2;7Þ2 ð2;7Þ2  ð4;8Þ2
F2
t o te = 0 Asy e F1 x
þ ¼ 1 ) b2 ¼ ¼ 12;5064 . . . p mp
ð4;8Þ2 b2 ð4;8Þ2  ð3;1Þ2
p ym tot
As e

Hy
) b ¼ 3;5364 . . .

pe
rb
Einsetzen der Koordinaten von P1 , von a und b sowie von

el
xm ¼ ym ¼ 0 in die Tangentengleichung Q2 ′ Q1′
Scheitelkreis
ðx1  xm Þ ðx  xm Þ ðy1  ym Þ ðy  ym Þ
þ ¼ 1:
a2 b2
3;1 x 2;7 y
Bild VII-27 Bezeichnungen für die Hyperbel
þ ¼1
23;04 12;5064 . . .
Die Normalform der Tangentengleichung erhält man durch Bezeichnungen
Auflösen nach y: Mð0 j 0Þ Mittelpunkt
y ¼ 0;6232 . . . x þ 4;6320 . . .
F1 ðe j 0Þ; F2 ðe j 0Þ Brennpunkte
Berechnung von e:
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi S1 ða j 0Þ; S2 ða j 0Þ Scheitelpunkte
e ¼ a2  b2 ¼ 23;04  12;5064 . . . ¼ 3;2455 . . .
S1 S2 Hauptachse
Es gibt etliche Konstruktionsmöglichkeiten für eine (Hyperbelachse)
Ellipse. Eine davon ist die sogenannte Faden- oder jS1 S2 j ¼ 2a Länge der Hauptachse
Gärtnerkonstruktion: jMF1 j ¼ jMF2 j ¼ e Abstand der Brennpunkte
Die Endpunkte eines Fadens der Länge 2a werden vom Mittelpunkt
mit Hilfe zweier Pfähle an zwei Punkten F1 und F2 Q1 ; Q01 ; Q2 ; Q02 Schnittpunkte der Asympto-
fest verankert, und zwar so, daß der Faden nicht ten mit den Senkrechten
straff ist. Ein dritter Pfahl, der den Faden spannt zur Hauptachse durch die
und ringsum geführt wird, bewegt sich dann auf Scheitelpunkte
einer Ellipse. jS1 Q1 j ¼ jS1 Q01 j Abstand der Schnittpunkte
¼ jS2 Q2 j ¼ jS2 Q02 j ¼ b zu den Scheitelpunkten
b2
p¼ Halbparameter (die halbe
a
Länge einer senkrecht zur
Hauptachse gezogenen
Sehne durch einen Brenn-
punkt)
F2 F1 P1 ðx1 j y1 Þ beliebiger Punkt der Hyperbel
jP1 F1 j ¼ r1 ; jP1 F2j ¼ r2 Abstand von P1 zu den
Brennpunkten
Eigenschaften
Bild VII-26 Gärtnerkonstruktion einer Ellipse jr1  r2 j ¼ 2a Betragsdifferenz der
Abstände ist konstant
a2 þ b2 ¼ e2 gilt nach dem Satz des
5.2 Hyperbeln Pythagoras
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Eine Hyperbel ist der geometrische Ort aller Punkte e¼ a2 þ b2 > 0 heißt lineare Exzentrizität
einer Ebene, für die der Betrag der Differenz der der Hyperbel
e
Abstände von zwei festen Punkten F1 und F2 kon- e¼ >1 heißt numerische Exzen-
a
stant ist. Die Punkte F1 und F2 heißen Brennpunkte trizität der Hyperbel
der Hyperbel. Bemerkung
Bezeichnet man den Abstand eines beliebigen Punk-
Eine der drei Größen a; b; e kann wegen a2 þ b2
tes P1 der Hyperbel zu F1 mit r1 und den Abstand
¼ e2 aus den beiden anderen berechnet werden.
von P1 zu F2 mit r2 , also jP1 F1 j ¼ r1 ; jP1 F2 j ¼ r2,
dann gilt jr1  r2 j ¼ 2a mit einer Konstanten a. Hyperbelgleichungen
Die Hyperbel ist nicht zusammenhängend, sie be- 1. Scheitelpunkte auf der x-Achse, Mittelpunkt im
steht aus zwei getrennten symmetrischen sten (die Koordinatenursprung:
Hyperbel hat also auch keinen endlichen Flächen-
inhalt). Sie besitzt zwei Asymptoten. x2 y2
Normalform  ¼1
a2 b2
VII Analytische Geometrie 119

Beide Koordinatenachsen sind Symmetrieachsen ðx  xm Þ2 ðy  ym Þ2

der Hyperbel. Die Hyperbel ist nach rechts  ¼ 1:
a2 b2
und nach links geöffnet. Diese Gleichung nennt
man auch die Normalform der Hyperbelglei- x1  xm b2
y¼   ðx  x1 Þ þ y1
chung. y1  ym a2
b
Gleichungen der Asymptoten y ¼  x
a oder
Nur im Falle a ¼ b stehen die Asymptoten senk-
recht aufeinander. Solche Hyperbeln heißen ðx1  xm Þ ðx  xm Þ ðy1  ym Þ ðy  ym Þ
gleichseitige Hyperbeln.  ¼1
a2 b2
2. Hauptachse parallel zur x-Achse, Mittelpunkt
Mðxm j ym Þ: Gleichung der Normale (die Normale steht senk-
recht auf der Tangente) durch den Punkt P1 ðx1 j y1 Þ
Mittelpunktsform ðx  xm Þ2 ðy  ym Þ2 der Hyperbel mit der Gleichung
 ¼1
a2 b2 ðx  xm Þ2 ðy  ym Þ2
 ¼ 1:
a2 b2
Die Hyperbel ist nach rechts und nach links ge-
öffnet. Diese Gleichung heißt auch Mittelpunkts- y1  ym a2
y¼   ðx  x1 Þ þ y1
form der Hyperbelgleichung. x1  x m b 2
Gleichungen der Asymptoten
b Gleichung der Tangente im Punkt P1 ðx1 j y1 Þ an die
y ¼  ðx  xm Þ þ ym
a Hyperbel mit der Gleichung
3. Scheitelpunkte auf der y-Achse, Mittelpunkt im ðy  ym Þ2 ðx  xm Þ2
Koordinatenursprung:  ¼ 1:
b2 a2

x2 y2 x1  xm b2
 þ ¼1 y¼   ðx  x1 Þ þ y1
a2 b2 y1  ym a2

Beide Koordinatenachsen sind Symmetrieachsen

oder
der Hyperbel. Die Hyperbel ist nach oben und
nach unten geöffnet.
ðy1  ym Þ ðy  ym Þ ðx1  xm Þ ðx  xm Þ
Gleichungen der Asymptoten y ¼  x
b  ¼1
a b2 a2
4. Hauptachse parallel zur y-Achse, Mittelpunkt
Mðxm j ym Þ: Gleichung der Normale (die Normale steht senk-
recht auf der Tangente) durch den Punkt P1 ðx1 j y1 Þ
der Hyperbel mit der Gleichung
ðx  xm Þ2 ðy  ym Þ2
 þ ¼1 ðy  ym Þ2 ðx  xm Þ2
a2 b2  ¼ 1:
b2 a2
Die Hyperbel ist nach oben und nach unten ge-
öffnet. Die Länge der Hauptachse ist 2b. y1  ym a2
y¼   ðx  x1 Þ þ y1
x1  x m b 2
Gleichungen der Asymptoten
b
y ¼  ðx  xm Þ þ ym & Beispiele:
a x2 y2
5. Koordinatenachsen als Asymptoten, Mittelpunkt 1. Gegeben: Hyperbelgleichung  ¼1
16 20
im Koordinatenursprung: Gesucht: Brennpunkte, numerische Exzentrizität
Berechnung der Brennpunkte:
e2 ¼ a2 þ b2 ¼ 16 þ 20 ¼ 36 ¼ 62 ) F1 ð6 j 0Þ; F2 ð6 j 0Þ
c
xy¼c oder y¼ ðc 6¼ 0Þ e
Numerische Exzentrizität: e ¼ ¼ ¼ 1;5
6
x a 4
2. Gegeben: Brennpunkte F1 ð5 j 0Þ; F2 ð5 j 0Þ, halbe Länge der
Hauptachse a ¼ 4
Für c > 0 ist die Winkelhalbierende y ¼ x die
Gesucht: Hyperbelgleichung, numerische Exzentrizität, Glei-
Hauptachse, die Hyperbeläste liegen im ersten chungen der Asymptoten
und im dritten Quadranten. Im Falle c < 0 ist die Berechnung von b2 : b2 ¼ e2  a2 ¼ 25  16 ¼ 9
Winkelhalbierende y ¼ x die Hauptachse, die x2 y2
Hyperbelgleichung:  ¼1
16 9
Hyperbeläste liegen im zweiten und im vierten e 5
Numerische Exzentrizität: e ¼ ¼ ¼ 1;25
Quadranten. a 4
b 3
Gleichungen der Asymptoten x ¼ 0; y ¼ 0 Gleichungen der Asymptoten: y ¼  x ¼  x
a 4
3. Gegeben: Punkte P1 ð2 j 1Þ; P2 ð3 j 2Þ einer Hyperbel
Gleichung der Tangente im Punkt P1 ðx1 j y1 Þ an die Gesucht: Normalform der Hyperbelgleichung durch P1 und
Hyperbel mit der Gleichung P2
120 Mathematik

Berechnung von a und b:

x 2 y2
Koordinaten von P1 in die Normalform 2  2 ¼ 1 der Hy-
5.3 Parabeln
a b
perbelgleichung einsetzen: Eine Parabel ist der geometrische Ort aller Punkte
4 1 einer Ebene, die von einem festen Punkt F (Brenn-
 ¼ 1 ) 4b2  a2 ¼ a2 b2
a2 b2
punkt) und einer festen Geraden l (Leitlinie) den
Kooordinaten von P2 in die Normalform einsetzen:
gleichen Abstand besitzen.
9 4
 ¼ 1 ) 9b2  4a2 ¼ a2 b2 Der Punkt, der in der Mitte zwischen dem Brenn-
a2 b2
Gleichsetzen der Gleichungen ergibt punkt F und der Leitlinie l liegt, ist der Scheitel-
4b2  a2 ¼ 9b2  4a2 ) 3a2 ¼ 5b2 ) a2 ¼
5 2
b
punkt S. Die Gerade durch die Punkte F und S
3 heißt Parabelachse. Sie ist Symmetrieachse für die
Durch Einsetzen errechnet man
5 5 7 5 7 Parabel und steht senkrecht auf der Leitlinie l. Der
4b2  b2 ¼ b4 ) b2 ¼ b4 ) b2 ¼
3 3 3 3 5 Abstand p des Brennpunkts F von der Leitlinie l
5 7
Daraus ergibt sich schließlich a2 ¼  ¼
7 heißt Parameter der Parabel.
3 5 3
2 2
x y
 ¼1

Leitlinie l
Die Hyperbelgleichung lautet
7 7
3 5
4. Im Punkt P1 ð5;6 j 3;4Þ einer Hyperbel in Normalform mit der d P
halben Länge der Hauptachse a ¼ 2;8 ist die Tangente ge-
sucht. Wie groß ist die lineare Exzentrizität e?
Lösung:
d
Koordinaten von P1 und a ¼ 2;8 in die Normalform
p p
x2 y2
 ¼ 1 der Hyperbelgleichung einsetzen, um b zu be- 2 2 Parabelachse
a2 b2
rechnen: S F
ð5;6Þ2 ð3;4Þ2
 ¼1
ð2;8Þ2 b2
ð2;8Þ2  ð3;4Þ2
) b2 ¼ ¼ 3;8533 . . . ) ¼ 1;9629 . . .
ð5;6Þ2  ð2;8Þ2
Einsetzen der Koordinaten von P1 , von a und b sowie von
xm ¼ ym ¼ 0 in die Tangentengleichung
ðx1  xm Þ ðx  xm Þ ðy1  ym Þ ðy  ym Þ
 ¼ 1: Bild VII-29 Parabel mit Brennpunkt F und Scheitel-
a2 b2
5;6 x 3;4 y punkt S
 ¼1
7;84 3;8533 . . .
Die Normalform der Tangentengleichung erhält man durch Der Brennpunkt hat die Eigenschaft, alle innen an
Auflösen nach y:
y ¼ 0;8095 . . . x  1;1333 . . .
der Parabel reflektierten achsenparallelen Strahlen
Berechnung von e: in sich zu vereinigen (Anwendung: Parabolspie-
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
e ¼ a2 þ b2 ¼ 7;84 þ 3;8533 . . . ¼ 3;4195 . . . gel).

Es gibt verschiedene Konstruktionsmöglichkeiten für Parabelgleichungen

eine Hyperbel. Eine davon ist die sogenannte Fa- 1. x-Achse ist Parabelachse, Scheitelpunkt im Koor-
denkonstruktion: dinatenursprung, Parabel nach rechts geöffnet:
In einem der beiden Brennpunkte wird ein Stab der
Länge l > 2a drehbar befestigt. Die Enden eines Fa-
dens der Länge l  2a werden am freien Stabende Normalform y2 ¼ 2px ; p>0
und am anderen Brennpunkt befestigt. Mit einem
p  
Stift wird der Faden am Stab gestrafft. Wird der 
Der Brennpunkt ist F  0 , die Gleichung der
Stab um den Brennpunkt gedreht, dann beschreibt p 2
der Stift einen Teil eines Hyperbelastes. Leitlinie ist x ¼  . Diese Gleichung nennt
2
man auch die Normalform der Parabelgleichung.
2. Parabelachse parallel zur x-Achse, Scheitelpunkt
Sðxs j ys Þ, Parabel nach rechts geöffnet:
l
Scheitelpunktsform
l–2
a
Stab
ðy  ys Þ2 ¼ 2pðx  xs Þ ; p>0

F2 a M a F1 p

Der Brennpunkt ist F þ xs j ys , die Glei-
2
p
chung der Leitlinie ist x ¼ xs  . Diese Glei-
2
chung heißt auch Scheitelpunktsform der Para-
Bild VII-28 Fadenkonstruktion einer Hyperbel belgleichung.
VII Analytische Geometrie 121

  
 p
3. x-Achse ist Parabelachse, Scheitelpunkt im Koor- Der Brennpunkt ist F xs   þ ys , die Glei-
dinatenursprung, Parabel nach links geöffnet: 2
p
chung der Leitlinie ist y ¼ ys þ .
y2 ¼ 2px ; p>0 2
Eine Parabel in dieser Lage ist der Graph einer
 p  quadratischen Funktion.

Der Brennpunkt ist F   0 , die Gleichung
p 2 Gleichung der Tangente im Punkt P1 ðx1 j y1 Þ an die
der Leitlinie ist x ¼ . Parabel mit der Gleichung ðy  ys Þ2 ¼ 2pðx  xs Þ:
2
4. Parabelachse parallel zur x-Achse, Scheitelpunkt
Sðxs j ys Þ, Parabel nach links geöffnet: ðy1  ys Þ ðy  y1 Þ ¼ pðx  x1 Þ
2
ðy  ys Þ ¼ 2pðx  xs Þ ; p>0
oder
 p 
Der Brennpunkt ist F  þ xs j ys , die Glei-
2 ðy1  ys Þ ðy  ys Þ ¼ pðx þ x1  2xs Þ
p
chung der Leitlinie ist x ¼ xs þ .
2
5. y-Achse ist Parabelachse, Scheitelpunkt im Koor- Gleichung der Normale (die Normale steht senk-
dinatenursprung, Parabel nach oben geöffnet: recht auf der Tangente) durch den Punkt P1 ðx1 j y1 Þ
der Parabel mit der Gleichung ðy  ys Þ2 ¼ 2pðx  xs Þ:
1 2
x2 ¼ 2py oder y ¼ x ðp > 0Þ y1  y s
2p y¼ ðx  x1 Þ þ y1
p
  
p
Der Brennpunkt ist F 0  , die Gleichung
2 Gleichung der Tangente im Punkt P1 ðx1 j y1 Þ an die
p
der Leitlinie ist y ¼  . Eine Parabel in dieser Parabel mit der Gleichung
2
ðx  xs Þ2 ¼ 2pðy  ys Þ:
Lage ist der Graph einer quadratischen Funktion
(vgl. Abschnitt V.4.3).
pðy  y1 Þ ¼ ðx1  xs Þ ðx  x1 Þ
6. Parabelachse parallel zur y-Achse, Scheitelpunkt
Sðxs j ys Þ, Parabel nach oben geöffnet:
oder
2 ðx  xs Þ2
ðx  xs Þ ¼ 2pðy  ys Þ oder y ¼ þ ys ðx1  xs Þ ðx  xs Þ ¼ pðy þ y1  2ys Þ
2p
ðp > 0Þ
   Gleichung der Normale (die Normale steht senk-
 p recht auf der Tangente) durch den Punkt P1 ðx1 j y1 Þ
Der Brennpunkt ist F xs  þ ys , die Glei-
2 der Parabel mit der Gleichung ðx  xs Þ2 ¼ 2pðy  ys Þ:
p
chung der Leitlinie ist y ¼ ys  . Eine Parabel
2 p
in dieser Lage ist der Graph einer quadratischen y¼ ðx  x1 Þ þ y1
x1  xs
Funktion.
7. y-Achse ist Parabelachse, Scheitelpunkt im Koor-
dinatenursprung, Parabel nach unten geöffnet: & Beispiele:
1. Gegeben: Parabelgleichung y2 ¼ 6x
1 2 Gesucht: Brennpunkt, Gleichung der Leitlinie
x2 ¼ 2py oder y ¼  x ðp > 0Þ Parameter: p ¼ 3
2p      
p  3 
   Brennpunkt: F
2 
0 ¼F
2 
0
 p
Der Brennpunkt ist F 0   , die Gleichung p 3
2 Gleichung der Leitlinie: x ¼  ¼
p 2 2
der Leitlinie ist y ¼ . Eine Parabel in dieser 2. Gegeben: Scheitelpunkt Sð0 j 0Þ, x-Achse gleich Parabelachse,
2 pffiffiffi
Lage ist der Graph einer quadratischen Funktion. Punkt Pð1 j 3Þ der Parabel
Gesucht: Gleichung der Parabel, Brennpunkt, Gleichung der
8. Parabelachse parallel zur y-Achse, Scheitelpunkt Leitlinie
Sðxs j ys Þ, Parabel nach unten geöffnet: Berechnung des Parameters p der Parabel durch Einsetzen
der Koordinaten von P in die Normalform der Parabelglei-
chung:
ðx  xs Þ2 ¼ 2pðy  ys Þ ðp > 0Þ y2 ¼ 2px ) 3 ¼ 2p ) p ¼
3
2
oder Die Parabelgleichung lautet y2 ¼ 3x:
     
p  3 
Brennpunkt: F  0 ¼F 0
ðx  xs Þ2 2 4
y¼ þ ys ðp > 0Þ p 3
2p Gleichung der Leitlinie: x ¼  ¼
2 4
122 Mathematik

3. Eine nach rechts offene Parabel hat die Gerade x ¼ 2 als thete AC wird mit den Enden in A und dem Brenn-
Tangente im Scheitelpunkt, geht durch den Punkt P1 ð2 j 7Þ
1 punkt F befestigt. Mit einem Stift wird der Faden an
und hat in diesem Punkt die Tangentensteigung m1 ¼ . Wie der Kathete AC gestrafft. Gleitet das Dreieck ent-
2
lautet die Gleichung der Parabel?
Lösung:
lang der Leitlinie, dann beschreibt der Stift ein Para-
Berechnung der Tangentengleichung durch Einsetzen in die belstück.
Punktsteigungsform und Umrechnung auf Normalform:
y7 1 1
¼ )y¼ xþ6 5.4 Anwendungen
x2 2 2
Eine nach rechts geöffnete Parabel mit Scheitelpunkt
Sðxs j ys Þ erfüllt die Gleichung ðy  ys Þ2 ¼ 2pðx  xs Þ und In diesem Abschnitt werden in einigen Beispielen
eine Tangente an diese Parabel auch die Gleichung verschiedene Anwendungen der Kegelschnitte aus
ðy1  ys Þ ðy  ys Þ ¼ pðx þ x1  2xs Þ. Setzt man die Koordina-
Technik und Mathematik angegeben.
ten des Punktes P1 ein und bringt auch diese Tangentenglei-
chung auf Normalform, so ergibt sich
ð7  ys Þ ðy  ys Þ ¼ pðx þ 2  2  ð2ÞÞ & Beispiel 1 :
p 6p Ein parabelförmiger Brückenbogen (Achse vertikal und Parabel
) y¼ xþ þ ys
7  ys 7  ys nach unten geöffnet) hat zwischen den in gleicher Höhe liegen-
Vergleich dieser Gleichung mit der obigen Normalform der den Lagern (Enden) des Bogens L und L0 die Spannweite
Gleichung für dieselbe Tangente ergibt mit der Methode des 2a ¼ jLL0 j ¼ 32 m. Die Scheitelhöhe (Höhe des Scheitelpunktes S
Koeffizientenvergleichs die folgenden Bedingungen für die über LL0 ) beträgt b ¼ 10 m. Die horizontal verlaufende Straße
Koeffizienten: liegt h ¼ 4 m über LL0 und schneidet den Brückenbogen in P1
m1 ¼
p
¼
1
und n ¼
6p
þ ys ¼ 6 und P01 , den Befestigungspunkten des Straßenkörpers. Der Stra-
7  ys 2 7  ys ßenkörper wird außer von einem Vertikalstab im Scheitelpunkt S
Dies ist ein System aus zwei Gleichungen zur Bestimmung (Länge b  h ¼ 6 m) noch von zwei weiteren Vertikalstäben ge-
der beiden Unbekannten p und ys . halten, die in der Mitte des horizontalen Abstandes von S und P1
Setzt man zur Lösung des Systems zum Beispiel die Bedin- sowie von S und P01 in den Punkten P2 und P02 am Brückenbogen
p 1
gung ¼ in die Gleichung für n ein, so folgt angebracht sind.
7  ys 2
1 Wie groß ist die Länge l dieser Vertikalstäbe? Wie groß sind
6  þ ys ¼ 6 ) ys ¼ 3
2 jP1 P01 j und jP2 P02 j?
Durch Einsetzen von ys ¼ 3 in die Gleichung für m1 folgt
p 1
¼ )p¼2
73 2 y
Die gesuchte Parabelgleichung lautet ðy  3Þ2 ¼ 4ðx þ 2Þ. S
4. Eine nach unten offene Parabel hat die y-Achse als Parabel- P2 x
achse, den Koordinatenursprung O als Brennpunkt und den
P2′
Punkt Sð0 j 2;5Þ als Scheitelpunkt. Welche Gleichung hat die l
Parabel? Wo schneidet die Parabel die x-Achse? b P1
Lösung: P1′ Straße
Die Gleichung einer nach unten geöffneten Parabel mit
Scheitelpunkt Sðxs j ys Þ ist ðx  xs Þ2 ¼ 2pðy  ys Þ. h
p
Aus den Bedingungen folgt xs ¼ 0; ys ¼ 2;5 und ¼ 2;5. L′ L
2 a
Die Gleichung der Parabel lautet
x2 ¼ 10ðy  2;5Þ ) x2 ¼ 10 y þ 25
Durch Setzen von y ¼ 0 erhält man die Schnittpunkte mit Bild VII-31 Zu Beispiel 1
der x-Achse:
x2 ¼ 25 ) x1;2 ¼ 5 ) Schnittpunkte S1 ð5 j 0Þ; S2 ð5 j 0Þ Die Skizze veranschaulicht nur eine Hälfte der symmetrischen
Straßenbrücke.
Es gibt einige Konstruktionsmöglichkeiten für eine Zur Lösung der Aufgabe denkt man sich ein Koordinatenkreuz
gelegt, so daß die Parabel des Brückenbogens die Gleichung
Parabel. Eine davon ist die sogenannte Fadenkon-
y ¼ px2 hat.
struktion: Setzt man die Koordinaten des Lagerpunktes L ein, so ergibt sich
Ein rechtwinkliges Dreieck wird entlang der Leit- b ¼ pa2 ) p ¼ 2
b
linie verschoben. Ein Faden mit der Länge der Ka- a
Der Befestigungspunkt P1 hat nach Aufgabenstellung die Ordi-
nate y1 ¼ ðb  hÞ. Mit Hilfe der Parabelgleichung y1 ¼ px21
B erhält man seine Abszisse x1 durch Auflösen nach x1 und Einset-
zen von y1 und p:
rffiffiffiffiffiffiffiffi vffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
u
y1 uðb  hÞ bh
x1 ¼ ¼u
t ¼a
Leitlinie

p b b
 2
A a
C P 1
Der Befestigungspunkt P2 soll die Abszisse x2 ¼ x1 ¼
2
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
a bh
haben, also ist seine Ordinate y2 ¼ px22 ¼
F 2 b
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi!2
b a bh bh
 2 ¼ .
a 2 b 4
3
Die gesuchte Vertikalstablänge l ist l ¼ y2  y1 ¼ ðb  hÞ.
4
0 0
Die Strecken jP1 P1 j und jP2 P2 j haben die Längen
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
bh bh
Bild VII-30 Fadenkonstruktion einer Parabel 2x1 ¼ 2a und 2x2 ¼ a .
b b
VII Analytische Geometrie 123

Mit den gegebenen Abmessungen ergibt sich für die gesuchten Lösung:
Längen Die Gleichung der nach oben geöffneten Parabel mit dem Schei-
3 telpunkt Sðxs j ys Þ lautet ðx  xs Þ2 ¼ 2pðy  ys Þ: Einsetzen der Ko-
l ¼ ð10  4Þ ¼ 4;50 m,
4 rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ordinaten des gegebenen Scheitelpunktes ergibt ðx þ 4Þ2 ¼
10  4
2x1 ¼ 2  16 ¼ 24;78 . . . m; 2pðy þ 1Þ.
4
rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Die zugehörige Tangentengleichung im Punkt P1 ðx1 j y1 Þ der Pa-
10  4 rabel ist
2x2 ¼ 16 ¼ 12;39 . . . m:
4
ðx1  xs Þ ðx  xs Þ ¼ pðy þ y1  2ys Þ
& Beispiel 2 : ) ðx1 þ 4Þ ðx þ 4Þ ¼ pðy þ 1Þ þ pðy1 þ 1Þ
Ein Stab mit den Drehlagern O und M und der Länge jOMj ¼ r Die Gleichung der Tangente ist aber auch y ¼ x. Mit der Metho-
ist um O drehbar. Um M dreht sich ein zweiter Stab der Länge de des Koeffizientenvergleichs ergeben sich die folgenden Bedin-
jMPj ¼ s. In der Ausgangsstellung liegen M und P als M0 und gungen für die Koeffizienten (aus y ¼ x folgt, daß die Koeffizien-
rechts davon P0 auf der Grundrichtungsachse OP0 . Während sich ten von x und von y gleich sind, etwa gleich k; k 6¼ 0):
nun OM um den Winkel j nach links dreht, dreht sich MP rela-
(1) Koeffizienten von x: x1 þ 4 ¼ k
tiv zu OM um 2j nach rechts.
(2) Koeffizienten von y: p ¼ k
Auf welcher Kurve bewegt sich P bei fortgesetzter Drehung?
(3) Absolutglieder: ðx1 þ 4Þ 4  pð1 þ y1 þ 1Þ ¼ 0
Aus (2) folgt k ¼ p. In (1) eingesetzt ergibt x1 þ 4 ¼ p. Setzt man
y A dieses in (3) ein, so folgt 4p  ð2 þ y1 Þ p ¼ ð2  y1 Þ p ¼ 0, also
s y1 ¼ 2 wegen p 6¼ 0. Wegen y1 ¼ x1 für den Berührungspunkt gilt
M auch x1 ¼ 2. Setzt man dies in (1) ein, so folgt schließlich p ¼ 6.
2f Ergebnisse: Die gesuchte Parabel hat die Gleichung ðx þ 4Þ2
s ¼ 12ðy þ 1Þ, der Berührungspunkt mit der Geraden y ¼ x ist
f s R–f P1 ð2 j 2Þ.
B P
& Beispiel 4 :
x2 y2
y y Man bestimme von der Ellipse mit der Gleichung þ ¼1
36 18
die Ecken des größten einbeschriebenen Quadrates!
0 f M0 Welches Verhältnis haben die Flächeninhalte dieses Quadrates
P0 und der Ellipse?
b = r–s x
r Lösung:
x Aus Symmetriegründen liegen die Ecken des gesuchten Quadra-
a = r+s tes auf den Winkelhalbierenden der vier Quadranten des Koordi-
natensystems. Die Winkelhalbierenden sind die Geraden mit den
Bild VII-32 Zu Beispiel 2 Gleichungen y ¼ x und y ¼ x. Für die Eckpunkte Eðxe j ye Þ gilt
also ye ¼ xe . Da die Eckpunkte auch die Ellipsengleichung er-
füllen (denn sie liegen auf der Ellipse), setzt man diese Bezie-
Die Lösung der Aufgabe erfolgt mit Hilfe der Parameterdarstel-
hung in die Gleichung der Ellipse ein:
lung der Ellipse: x ¼ a cos j; y ¼ b sin j
x y x2e ðxe Þ2 x2 x2 pffiffiffi
Man bestätigt: Aus cos j ¼ und sin j ¼ folgt durch Qua- þ ¼ 1 ) e þ e ¼ 1 ) x2e ¼ 12 ) xe ¼ 2 3
a b 36 18 36 18
drieren und Addieren wegen sin j þ cos j ¼ 1 die Normalform
2 2 pffiffiffi
Wegen ye ¼ xe folgt ebenfalls ye ¼ 2 3.
x 2 y2
þ ¼ 1 der Ellipsengleichung. Somit sind die vier Ecken des gesuchten Quadrates:
a2 b2 pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi pffiffiffi
In der vorliegenden Aufgabe ist a ¼ r þ s (halbe Länge der E1 ð2 p 3 jffiffiffi2 3Þ;pEffiffiffi 2 ð2 3pjffiffi2ffi 3Þ;pffiffiffi
Hauptachse) und b ¼ r  s (halbe Länge der Nebenachse). Der E3 ð2 3 j 2 3Þ; E4 ð2 3 j 2 3Þ
pffiffiffi
pffiffiffi dieses Quadrates ist 4 3 ¼ 6;9282 . . ., sein Um-
Punkt P bildet mit A und B, den Schnittpunkten der Geraden Die Seitenlänge
OM mit dem Haupt– und dem Nebenscheitelkreis (Kreise um O fang also 16 3 ¼ 27;7128 . . ., und seine Flächepist
ffiffiffi A2 ¼ 48. Die El-
mit den Radien a und b), ein rechtwinkliges Dreieck. Deshalb folgt lipse hat den Flächeninhalt AEll ¼ pab ¼ 6  3 2  p ¼ 79;9718 . . .
x ¼ ðr þ sÞ cos j; y ¼ ðr  sÞ sin j; die Parameterdarstellung der Für das gesuchte Verhältnis der Flächeninhalte gilt
Ellipse, die als Bahnkurve von P gesucht ist. Ihre Normalform A2 48
x2 y2 ¼ pffiffiffi ¼ 0;6002 . . .
lautet þ ¼ 1. AEll 6  3 2  p
ðr þ sÞ2 ðr  sÞ2

& Beispiel 5 :
& Beispiel 3 :
Welche nach oben geöffnete Parabel mit dem Scheitelpunkt Man bestimme die Schnittpunkte der Geraden mit der Gleichung
1
Sð4 j 1Þ berührt die Gerade y ¼ x? Welche Koordinaten hat y ¼ x þ 4 und der Hyperbel mit der Gleichung 4y2  9x2 ¼ 36!
2
der Berührungspunkt?
Gibt es zu der Gerade parallele Tangenten an die Hyperbel?
Lösung:
y y2 x2
Umformung der Hyperbelgleichung ergibt 2  2 ¼ 1.
3 2
Die y-Achse ist also Hauptachse der Hyperbel, der Mittelpunkt
liegt im Koordinatenursprung. Ersetzt man in dieser Gleichung
2 P1
das y mit Hilfe der Geradengleichung, so folgt
 2
1
xþ4
–4 2 x2 2 4 7
0  ¼ 1 )  x2 þ x þ ¼ 0
2 x 9 4 9 9 9
7
S –1 ) x2  2x  ¼ 0
2
x Diese quadratische Gleichung hat die Lösungen
y= rffiffiffiffiffiffi
9 3 pffiffiffi 3 pffiffiffi
x1; 2 ¼ 1  ¼1 2, also x1 ¼ 1 þ 2 ¼ 3;1213 . . . ;
2 2 2
3 pffiffiffi
Bild VII-33 Zu Beispiel 3 x2 ¼ 1  2 ¼ 1;1213 . . .
2
124 Mathematik

y Bemerkungen:
Tangenten gibt es bei dieser Hyperbel nur für Steigungen
P1 b 3
jmj < ¼ (Asymptotensteigung). So gibt es zum Beispiel par-
a 2
P2 allel zur Geraden mit der Gleichung y ¼ 2x keine Tangente.
x2 y2
Pt1 Für Hyperbeln mit der Gleichung 2  2 ¼ 1 gibt es Tangenten
a b
b
mit Steigungen jmj  nicht, dagegen gibt es zwei parallele Tan-
a
b
genten für jedes jmj > .
a
0 x

6 Graphisches Lösen von Gleichungen

Pt2
In Abschnitt II wurden Methoden zur rechnerischen
Bestimmung der Lösungen von Gleichungen und
von linearen Gleichungssystemen angegeben. Für
eine Reihe von praktischen Anwendungen reicht es
aus, nicht die exakten Lösungen zu kennen, sondern
Bild VII-34 Zu Beispiel 5 sogenannte Näherungslösungen (Lösungen „in der
Nähe‘‘ der exakten Lösungen). Eine Möglichkeit,
solche Näherungslösungen zu finden, ist das graphi-
Setzt man diese Werte in die Geradengleichung ein, so ergeben
sich die Ordinaten der Schnittpunkte:
sche Lösen von Gleichungen (zu Näherungslösun-
1 3 pffiffiffi 9 3 pffiffiffi gen vgl. auch Abschnitt VIII.4.12).
y1; 2 ¼  2 þ 4, also y1 ¼ þ 2 ¼ 5;5606 . . . ;
2 4 2 4 Beim graphischen Lösen von Gleichungen bringt
9 3 pffiffiffi man eine Bestimmungsgleichung mit der Variablen
y2 ¼  2 ¼ 3;4393 . . .
2 4
Schnittpunkte der Geraden mit der Hyperbel sind
x auf die Form f ðxÞ ¼ 0: Die reellen Lösungen der
   Gleichung sind dann die Nullstellen der Funktion
3 pffiffiffi  9 3 pffiffiffi
S1 1 þ 2 þ 2 ¼ S1 ð3;1213 . . . j 5;5606 . . .Þ , mit der Gleichung y ¼ f ðxÞ: Das Aufsuchen der Lö-
2 2 4
   sungen der Bestimmungsgleichung f ðxÞ ¼ 0 ist also
3 pffiffiffi  9 3 pffiffiffi
S2 1  2  2 ¼ S2 ð1;1213 . . . j 3;4393 . . .Þ .
2 2 4 gleichbedeutend mit der Bestimmung der Nullstellen
Die Gleichung der Tangente an die gegebene Hyperbel lautet der Funktion y ¼ f ðxÞ:
9 xt 9 xt 9 x2t Zeichnet man den Graph der Funktion in einem
y¼ ðx  xt Þ þ yt ¼ x þ yt
4 yt 4 yt 4 yt
9 xt 9  y2t x2t  9 xt 9
kartesischen Koordinatensystem, dann sind die Null-
¼ xþ  ¼ xþ stellen der Funktion die Schnittpunkte der Kurve
4 yt yt 9 4 4 yt yt
mit dem noch unbekannten Berührungspunkt Pt ðxt j yt Þ. Der mit der x-Achse.
y2 x2 Man beachte, daß die in der Zeichnung abgelese-
letzte Schritt der Umformung folgt wegen t þ t ¼ 1, denn Pt ist
ein Punkt der Hyperbel.
9 4 nen Werte meist nur Näherungswerte für die Null-
Die gesuchte Tangente soll parallel zur gegebenen Geraden sein, stellen sind. Mit Hilfe von Näherungsverfahren wie
1 dem Newtonschen Verfahren oder Regula falsi
hat also die Steigung . Somit muß gelten:
2
9 xt 1 9 (vgl. Abschnitt VIII.4.12) lassen sich diese Werte
¼ ) yt ¼ xt
4 yt 2 2 verbessern.
Setzt man diese Bedingung in die Hyperbelgleichung ein, so er- Man erzielt oft genauere Ergebnisse, wenn man die
gibt sich
 9 2
gegebene Gleichung f ðxÞ ¼ 0 auf die Form
xt x2 9 2 1 2 1 fI ðxÞ ¼ fII ðxÞ bringt und dabei versucht, für
2  t2 ¼ 1 ) x  xt ¼ 1 ) x2t ¼
32 2 4 t 4 2 yI ¼ fI ðxÞ und yII ¼ fII ðxÞ Funktionen mit einfach
und daraus zu zeichnenden Graphen zu erhalten. Für jeden
1 pffiffiffi 1 pffiffiffi Schnittpunkt Sðxs j ys Þ der Kurven gilt fI ðxs Þ ¼ fII ðxs Þ
x t1 ¼ 2 und xt2 ¼  2:
2
9
2
9 pffiffiffi und deshalb f ðxs Þ ¼ fI ðxs Þ  fII ðxs Þ ¼ 0: Seine Ab-
Wegen yt ¼ xt sind die dazugehörigen Ordinaten yt1 ¼ 2
2 4 szisse xs ist also eine Lösung der Gleichung
9 pffiffiffi
und yt2 ¼  2. f ðxÞ ¼ 0:
4
Es gibt also zwei zu der gegebenen Geraden parallele Tangenten
mit den Berührungspunkten Spezielle Bestimmungsgleichungen:
  
1 pffiffiffi  9 pffiffiffi
Pt1
2
2
4
2 ¼ Pt1 ð0;7071 . . . j 3;1819 . . .Þ , 1. Die Lösung einer linearen Gleichung ax þ b ¼ 0,
   a 6¼ 0; erhält man als Nullstelle der linearen
1 pffiffiffi  9 pffiffiffi
Pt2  2 2 ¼ Pt2 ð0;7071 . . . j  3;1819 . . .Þ .
2 4 Funktion y ¼ ax þ b. Ihr Graph in einem kartesi-
Die zugehörigen Tangentengleichungen lauten schen Koordinatensystem ist eine Gerade mit der
1 pffiffiffi Steigung a und dem y-Achsenabschnitt b.
y1 ¼ x þ 2 2 ¼ 0;5x þ 2;8284 . . . ;
2
1 pffiffiffi
y2 ¼ x  2 2 ¼ 0;5x  2;8284 . . .
2
VII Analytische Geometrie 125

  
& Beispiel: 5x þ 7 ¼ 0 5  13
Der Scheitelpunkt der Parabel ist S   . Wegen
2 4
13
D¼ > 0 hat die Parabel zwei Schnittpunkte mit der x-
y 4
Achse und damit die Gleichung zwei reelle Lösungen.
y = 5x + 7
8 Aus dem Bild liest man die Lösungen x1 4;3 und x2 0;7
ab.
7
6 3. Reelle Lösungen einer quadratischen Gleichung
x2 þ px þ q ¼ 0 erhält man auch aus den
4 Schnittpunkten der Graphen der Funktionen
3 yI ¼ x2 (Normalparabel) und yII ¼ px  q
(Gerade).
2
1 1
& Beispiel: x2  2x þ ¼0
2
–3 –2 –1 0 1 2 3 x
–1
y yI
yII
Bild VII-35 Graphisches Lösen von 5x þ 7 ¼ 0
3
y1
Man setzt y ¼ 5x þ 7; zeichnet die dadurch gegebene Gerade
und liest am Schnittpunkt der Geraden mit der x-Achse das 2
Ergebnis ab: x 1;4:
1
2. Die Lösung oder die Lösungen einer quadrati-
schen Gleichung x2 þ px þ q ¼ 0 erhält man als y2
0 x2 x1 2 x
Nullstelle der quadratischen Funktion y ¼ x2 –1 1
þ px þ q. Ihr Graph ist in einem kartesischen
Koordinatensystem eine verschobene Normalpa- –1
rabel. Bild VII-37 Graphisches Lösen von
Durch quadratische 2Ergänzung
  ergibt sich 1
 p 2 p p 2 x2  2x þ ¼ 0
y¼ xþ  q ¼ xþ D 2
2 4 2
2
p Gleichung der Normalparabel: yI ¼ x2 ,
mit D ¼  q: Der Scheitelpunkt der Parabel 1
 4  Geradengleichung: yII ¼ 2x 
p
2
p2
ist S   q  . Die Anzahl der Schnitt- Für die Abszissen der Schnittpunkte liest man ab: x1 1;7;
2 4 x2 0;3: Dies sind Näherungslösungen der quadratischen
punkte der Parabel mit der x-Achse (also die An- Gleichung.
zahl der Nullstellen der Funktion) und damit die
Anzahl der Lösungen der quadratischen Glei- 4. Näherungen für die reellen Lösungen einer kubi-
chung ist abhängig vom Vorzeichen der Diskrimi- schen Gleichung in Normalform x3 þ ax2 þ bx
nante D : Für D > 0 gibt es zwei Schnittpunkte, þ c ¼ 0 erhält man aus den Schnittpunkten des
für D < 0 keinen Schnittpunkt und für D ¼ 0 Graphen der Funktion y ¼ x3 þ ax2 þ bx þ c mit
einen Berührpunkt (bedeutet eine doppelte re- der x-Achse.
elle Lösung der quadratischen Gleichung). Eine andere Möglichkeit ergibt sich mit Hilfe
einer Reduktion der kubischen Gleichung. Mit
& Beispiel: x2  5x þ 3 ¼ 0 a
der Substitution x ¼ z  wird das quadra-
3
y tische Glied beseitigt. Durch Einsetzen und Ord-
1 nen erhält man
   
a2 2 3 ab
z3 þ b  zþ a  þc
0 x2 1 2 3 4 x1 x 3 27 3
¼ z3 þ pz þ q ¼ 0
–1
Reelle Lösungen dieser kubischen Gleichung er-
–2 y = x 2 – 5x + 3 hält man dann aus den Schnittpunkten der Gra-
phen der Funktionen yI ¼ z3 (kubische Nor-
–3 malparabel) und yII ¼ pz  q (Gerade). Ist zs
(2,5 –3,25) die Abszisse eines solchen Schnittpunktes, dann
a
Bild VII-36 Graphisches Lösen von ist xs ¼ zs  eine Lösung der Ausgangsglei-
3
x2  5x þ 3 ¼ 0 chung.
126 Mathematik

& Beispiel: x3 þ 3x 2  2;11x þ 0;18 ¼ 0 y

8
y
yI
10
yII 6
z1 –1
–3 –2 0 z2 z3 z 4
1
–10
2

–20 y1 2 x
x 1 –2
–4 0
y = 3x + 8 y=– 2 x+ 3
5 10
Bild VII-38 Graphisches Lösen von
Bild VII-40 Graphisches Lösen von
x3 þ 3x2  2;11x þ 0;18 ¼ 0 y 8 4 3
x  ¼  ; x þ 2y ¼
3 3 5 5
Die Substitution x ¼ z  1 ergibt p ¼ 2;11  3 ¼ 5;11
und q ¼ 2 þ 2;11 þ 0;18 ¼ 4;29: Die reduzierte Gleichung Auflösen der beiden Gleichungen nach y: y ¼ 3x þ 8;
lautet also z3  5;11z þ 4;29 ¼ 0: 2 3
y¼ xþ
Gleichung der kubischen Normalparabel: yI ¼ z3 , 5 10
Geradengleichung: yII ¼ 5;11z  4;29 Im Bild sind die durch diese Gleichungen bestimmten Ge-
Für die Abszissen der Schnittpunkte liest man ab: raden gezeichnet, und man liest als Koordinaten des Schnitt-
z1 2;6; z2 1;1; z3 1;5: punkts Sðx j yÞ die Näherungslösung
Daraus ergeben sich x1 3;6; x2 0;1; x3 0;5 als Nähe- ðx; yÞ ¼ ð2;2; 1;2Þ des linearen Gleichungssystems ab.
rungslösungen der kubischen Gleichung x3 þ 3x2  2;11x
þ 0;18 ¼ 0:

5. Auch für transzendente Gleichungen lassen sich 7 Vektoren

mit der Zerlegungsmethode mitunter Näherungs-
lösungen angeben.
7.1 Definitionen
Eine gerichtete und orientierte Strecke bezeichnet
& Beispiel: ex  x ¼ 3 man als Vektor. Ein Vektor ist durch drei Größen
bestimmt: Richtung, Orientierung und Länge. Vek-
y toren, die in diesen drei Größen übereinstimmen,
5 sind gleich, unabhängig von ihrer Lage in der Ebene
4 oder im Raum (vgl. Bild VII-41).

3
yII = x + 3 2
1 yI = e x Bild VII-41
Gleiche Vektoren
–3 –2 –1 0 1 2 x
Eine Größe, die durch einen einzigen reellen Zah-
Bild VII-39 Graphisches Lösen von ex  x ¼ 3 lenwert charakterisiert wird, heißt Skalar. Beispiele
für Skalare sind Temperatur, Arbeit, Masse, Ener-
Zerlegt man die Funktion mit der Gleichung y ¼ f ðxÞ gie.
¼ ex  x  3 in die Funktionen yI ¼ fI ðxÞ ¼ ex und yII ¼ Vektoren dagegen sind Größen, zu deren vollständi-
fII ðxÞ ¼ x þ 3; dann gilt f ðxÞ ¼ fI ðxÞ  fII ðxÞ und somit ger Beschreibung neben einem Zahlenwert, ihrem
f ðxs Þ ¼ fI ðxs Þ  fII ðxs Þ ¼ 0 für die Abszisse xs eines Schnitt-
Betrag (Länge des Vektors), noch die Angabe ihrer
punkts S der Kurven der Funktionen yI ¼ fI ðxÞ ¼ ex und
yII ¼ fII ðxÞ ¼ x þ 3: Richtung und Orientierung erforderlich sind. Bei-
Für die Abszissen der Schnittpunkte liest man ab: spiele für Vektoren sind Kraft, Geschwindigkeit, Be-
x1 2;95; x2 1;51: schleunigung, magnetische Feldstärke.
Vektoren werden meist mit kleinen lateinischen
6. Für Gleichungssysteme lassen sich ebenfalls gra-
Buchstaben, die mit einem Pfeil versehen sind, be-
phisch Näherungslösungen finden. !
zeichnet: ~ a ¼ PQ (gesprochen: Vektor a, Vektor
Die Lösung eines Systems a1 x þ b1 y ¼ c1 ;
PQ). Der Punkt P ist der Anfangspunkt und der
a2 x þ b2 y ¼ c2 von zwei linearen Gleichungen
Punkt Q der Endpunkt des Vektors. Der Betrag
mit zwei Variablen ergibt sich aus den Koordi- !
naten des Schnittpunkts der zugehörigen Ge- j~
aj ¼ jPQj eines Vektors ist die Länge des Vektors,
raden. also die Länge der Verbindungsstrecke PQ. Der Be-
trag ist eine nichtnegative reelle Zahl.
Zwei Vektoren ~ a und b ~ sind gleich, in Zeichen
y 8 4 3
& Beispiel: x  ¼ ; x þ 2y ¼ ~
a¼b ~, wenn sie den gleichen Betrag und gleiche
3 3 5 5
VII Analytische Geometrie 127

Richtung und gleiche Orientierung haben. Vektoren Die Subtraktion zweier Vektoren ~ ~ ist defi-
a und b
dürfen daher parallel verschoben werden. Gleiche niert als Addition von ~ ~:
a und b
Vektoren gehen durch Parallelverschiebung ineinan-
der über. ~ ~¼ ~
ab ~Þ
a þ ðb
Im Unterschied zu diesen sogenannten freien Vek-
!
toren haben Ortsvektoren OP einen festen Anfangs- Legt man die Anfangspunkte von ~ ~ überein-
a und b
punkt O. Ortsvektoren können also nicht verscho- ander, dann ist der Vektor ~
ab~ der Vektor vom
ben werden. Endpunkt von b~ zum Endpunkt von ~
a.

Spezielle Vektoren
Der Nullvektor ~ 0 hat den Betrag 0 und unbe-
stimmte Richtung. a a
Ein Vektor ~
e mit dem Betrag j~
ej ¼ 1 heißt Einheits-
vektor. Man bezeichnet Einheitsvektoren auch als
normierte Vektoren.
a–b

7.2 Multiplikation eines Vektors b

mit einem Skalar b
Multipliziert man einen Vektor ~ a mit einem Skalar
(also einer reellen Zahl) l 2 R, dann erhält man Bild VII-44
einen Vektor l~ a mit dem Betrag jl~ aj ¼ jlj  j~
aj (jlj- Vektorsubtraktion
facher Betrag des Vektors ~ a). Für l > 0 haben l~ a
und ~a gleiche Richtung und Orientierung, für l < 0 Zeichnet man ein Parallelogramm mit den Seiten ~ a
haben l~ a und ~a gleiche Richtung und entgegenge- und b~, so kann man die Diagonale als ~ ~ oder als
aþb
setzte Orientierung. ~þ ~
b a auffassen. Die Addition von Vektoren ist also
kommutativ.
a
Kommutativgesetz ~ ~¼ b
aþb ~þ ~
a
2a
Auch das Assoziativgesetz und das Distributivgesetz
Bild VII-42
sind erfüllt.
Vektoren ~a und 2~
a
Assoziativgesetz
Multiplikation mit l ¼ 1 ergibt den Vektor ~ a.
Dieser Vektor hat den gleichen Betrag und die glei- ~ ~þ ~
a þ ðb cÞ ¼ ð~ ~Þ þ ~
aþb c¼~ ~þ ~
aþb c
che Richtung wie der Vektor ~
a, jedoch die entgegen-
gesetzte Orientierung.
Distributivgesetz

7.3 Addition und Subtraktion l  ð~ ~Þ ¼ l  ~

aþb a þ l  b~ ðl 2 RÞ
zweier Vektoren
Sollen zwei Vektoren ~ a und b~ addiert werden, so
bringt man durch Parallelverschiebung den Anfangs- 7.4 Komponentendarstellung von Vektoren
punkt des Vektors b ~ in den Endpunkt des Vektors ~a. in der Ebene
Die Summe ~ aþb ~ ist dann derjenige Vektor, der
~ Wählt man in einem kartesischen Koordinatensy-
vom Anfangspunkt von ~ a zum Endpunkt von b
stem der Ebene einen Einheitsvektor e~1 mit Rich-
führt (siehe Bild VII-43).
tung und Orientierung wie die positive x-Achse und
einen Einheitsvektor e~2 mit Richtung und Orientie-
rung wie die positive y-Achse, dann läßt sich jeder
a
Vektor ~ a in der Ebene in eindeutiger Weise als Li-
nearkombination der beiden sogenannten Basisvek-
b
toren e~1 und e~2 darstellen (siehe Bild VII-45).
a+b

a ¼ a1 e~1 þ a2 e~2 ;
~ a 1 ; a2 2 R
a
b Die beiden Vektoren a1 e~1 und a2 e~2 werden durch
Bild VII-43 Parallelen zu den Basisvektoren e~1 und e~2 konstru-
Vektoraddition iert.
128 Mathematik

y Basisvektoren e~1 ; e~2 und e~3 darstellen (siehe Bild

VII-46).
a2
a ¼ a1 e~1 þ a2 e~2 þ a3 e~3 ;
~ a1 ; a2 ; a3 2 R

a Die drei Vektoren a1 e~1 ; a2 e~2 und a3 e~3 werden durch

1 Parallelen zu den Basisvektoren e~1 ; e~2 und e~3 kon-
struiert.
e2
e1 1 a1 x z
a3

Bild VII-45 Komponentendarstellung eines Vektors

y
in der Ebene
1 a
e3 1 a2
Der Vektor ~a ¼ a1 e~1 þ a2 e~2 wird identifiziert mit e2
e1
dem sogenannten Spaltenvektor 1
a1
  x
a1
~
a¼
a2 Bild VII-46 Komponentendarstellung eines Vektors
im Raum
Dabei heißen a1 und a2 die beiden Komponenten
oder die kartesischen Koordinaten des Vektors ~ a. Der Vektor ~a ¼ a1 e~1 þ a2 e~2 þ a3 e~3 wird identifiziert
Mit Hilfe der Komponenten lassen sich Addition mit dem Spaltenvektor
und Subtraktion von Vektoren sowie die Multiplika- 01
tion eines Vektors mit einem Skalar folgendermaßen a1
darstellen: a ¼ a2 A
~ @
a3
     
~¼ a1 b1 a1 þ b1
~
aþb þ ¼ Dabei heißen a1 ; a2 ; a3 die Komponenten oder die
a2 b2 a2 þ b2
kartesischen Koordinaten des Vektors ~a.
Mit Hilfe der Komponenten lassen sich auch im
      Raum Addition und Subtraktion von Vektoren so-
~¼ a1 b1 a1  b1
~
ab  ¼ wie die Multiplikation eines Vektors mit einem Ska-
a2 b2 a2  b2
lar darstellen:
0 1 0 1 0 1
    a1 b1 a 1 þ b1
a1 la1 ~ ~
a þ b ¼ a 2 þ b2 ¼ a 2 þ b 2 A
@ A @ A @
l~
a¼l ¼
a2 la2 a3 b3 a3 þ b 3

!
Der Betrag j~ aj ¼ jPQj, also die Länge des Vektors 0
1 0 1 0 1
!
~
a ¼ PQ, ist die Entfernung zwischen den Punkten P a1 b1 a 1  b1
und Q. Nach dem Satz des Pythagoras gilt: ~ ~ ¼ @ a 2 A  @ b2 A ¼ @ a 2  b 2 A
ab
a3 b3 a3  b 3
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
j~
aj ¼ a21 þ a22
0
1 0 1
a1 la1
a ¼ l  @ a2 A ¼ @ la2 A
l~
a3 la3
7.5 Komponentendarstellung von Vektoren !
im Raum Der Betrag j~ aj ¼ jPQj, also die Länge des Vektors
!
~
a ¼ PQ, ist die Entfernung zwischen den Punkten P
Ganz analog wählt man in einem kartesischen Koor-
und Q. Durch zweimalige Anwendung des Satzes
dinatensystem des Raums drei Einheitsvektoren
von Pythagoras errechnet man:
e~1 ; e~2 ; e~3 mit Richtung und Orientierung wie die po-
sitive x-Achse, die positive y-Achse und die positive qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
z-Achse. Dann läßt sich jeder Vektor ~ a im Raum in j~
aj ¼ a21 þ a22 þ a23
eindeutiger Weise als Linearkombination der drei
VII Analytische Geometrie 129

& Beispiele:
7.6 Skalarprodukt 0 1 0 1
0 1 0 1 1. Das Skalarprodukt der Vektoren ~
2
a ¼ @ 3 A und b
4
~ ¼ @5 A
a1 b1
~ ¼ @ b2 A 1
a ¼ @ a2 A und b ist 2
Für die beiden Vektoren ~ 0 1 0 1
2 4
heißt a3 b3 ~
ab ~ ¼ @ 3 A  @ 5 A ¼ 2  4 þ 3  ð5Þ þ ð1Þ  2
1 2
0 1 0 1 ¼ 8  15  2 ¼ 9.
a1 b1
~ ~ ¼ @ a2 A  @ b2 A ¼ a1 b1 þ a2 b2 þ a3 b3
ab
2. Gesucht ist der Winkel j, den die beiden Vektoren
0 1 0 1
1 0
a3 b3 a ¼ @ 1 A und b
~ ~ ¼ @ 1 A miteinander einschließen.
0 1
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Es gilt ~ ~ ¼ 1  0 þ 1  1 þ 0  1 ¼ 1 und j~
ab ~j ¼ 1 þ 1
aj ¼ j b
Skalarprodukt oder inneres Produkt. Das Skalarpro- ~
pffiffiffi ~ab 1 1
dukt zweier Vektoren ist kein Vektor, sondern eine ¼ 2: Somit folgt cos j ¼ ¼ pffiffiffi pffiffiffi ¼ ) j ¼ 60 .
j~ ~j
aj  jb 2 2 2
reelle Zahl, also ein Skalar. Geometrisch ist das
3. Für welchen Wert von c sind die beiden Vektoren
Skalarprodukt das Produkt der Länge des Vektors ~ a 0 1 0 1
2 1
und der Länge der senkrechten Projektion des Vek- a ¼ @ 3 A und b~ ¼ @ 2 A orthogonal?
~
~ auf ~
tors b a, also, falls j ¼ |ð~ ~Þ den Winkel zwi-
a; b 4 c
schen ~ ~ bezeichnet,
a und b Für das Skalarprodukt gilt
0 1 0 1
2 1
~
ab~ ¼ @ 3 A  @ 2 A ¼ 2 þ 6  4c ¼ 8  4c ¼ 0 ) c ¼ 2.
~ ~ ¼ j~
ab ~j  cos j
aj  jb 4 c
Für c ¼ 2 stehen die Vektoren ~ ~ also senkrecht aufein-
a und b
ander.

b
7.7 Vektorprodukt
0 1 0 1
a1 b1
a ~ @
Sind a ¼ a2 A ~
und b ¼ @ b2 A zwei Vektoren im
|b| cos¢(a,b) a3 b3
|a| Raum, so heißt der Vektor
Bild VII-47 Skalarprodukt: ~ ~ ¼ j~
ab ~j  cos j
aj  jb
0 1 0 1 0 1
a1 b1 a2 b3  a3 b2
Für den Winkel j ¼ |ð~ ~Þ gilt somit:
a; b ~ ~
a  b ¼ a2  b2 ¼ a3 b1  a1 b3 A
@ A @ A @
a3 b3 a1 b2  a2 b1

~ab ~ a1 b1 þ a2 b2 þ a3 b3
cos j ¼ ¼ qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Vektorprodukt oder Kreuzprodukt oder äußeres
j~ ~
aj  jbj a1 þ a22 þ a23  b21 þ b22 þ b23
2
Produkt der Vektoren ~a und b ~. Das Vektorprodukt
ist im Unterschied zum Skalarprodukt nur im Raum
definiert.
Die folgenden Rechenregeln lassen sich aus der De-
Das Vektorprodukt besitzt folgende Eigenschaften:
finition ableiten:
~ ~
1. b a ¼ ~ ab ~
1. ~
ab ~¼ b ~ ~a
~¼ ~ ~Þ ¼ l  ð~ ~Þ 2. ~ ~ ~
a  b ¼ 0, falls ~ a ¼~ 0 oder b ~¼ ~ 0 oder ~ a parallel
2. ðl  ~
aÞ  b a  ðl  b ab
~Þ  ~ ~ ~ ~
zu b
3. ð~
aþb c¼~ a ~cþb c
~¼ 0 , ~ ~ (~ ~ stehen senkrecht auf- 3. ðl~
aÞ  b~¼ ~a  ðlb ~Þ ¼ lð~ab ~Þ
4. ~
ab a?b a und b
einander) 4. ð~ ~
a þ bÞ  ~c¼~ a ~ ~
c þ b ~c
pffiffiffiffiffiffiffiffiffi
aj ¼ ~
5. j~ a~ a 5. ~
ab ~ steht senkrecht auf den Vektoren ~ ~
a und b
~¼ 0 6. j~
ab ~j ¼ j~ ~j  sin j ¼ j~
aj  jb ~j  sin |ð~
aj  jb ~Þ
a; b
So folgt zum Beispiel aus 4., nämlich daß ~
ab
7. ~
a, b~, ~ab ~ bilden in dieser Reihenfolge ein
genau für zwei senkrecht aufeinanderstehende (man
sagt auch orthogonale) Vektoren ~ a und b~ gilt, daß Rechtssystem
genau dann der Winkel j gleich 90 ist Der Vektor ~ab ~ steht also senkrecht auf ~a und auf
() cos j ¼ 0). ~. Sein Betrag (seine Länge) ist gleich dem Flächen-
b
Das Skalarprodukt läßt sich entsprechend auch in inhalt des von den beiden Vektoren ~ ~ aufge-
a und b
der Ebene, also für Vektoren mit zwei Komponen- spannten Parallelogramms. Falls ~ a auf dem kürze-
ten, definieren. sten Weg nach b ~ gedreht wird, zeigt ~ ab ~ in
Richtung der Bewegung einer Schraube mit Rechts-
gewinde.
130 Mathematik

a×b a×b

c
b

f b
a

a Bild VII-49 Geometrische Veranschaulichung

des Spatprodukts
Bild VII-48 Vektorprodukt ~ ~ der Vektoren ~
ab a
~
und b
Mit der abkürzenden Schreibweise

& Beispiel: 0 1 0 1 ½~ ~; ~
a; b c ¼ ð~ ~Þ  ~
ab c
1 2
a ¼ @ 2 A und b
Für die Vektoren ~ ~ ¼ @ 1 A ergibt sich für
3 2 für das Spatprodukt können einige Eigenschaften
0 1
1 des Spatprodukts formuliert 0 werden: 1 0 1
a  b~ ¼ @ 8 A.
das Vektorprodukt ~ a2 b3  a3 b2 c1
5
1. ½~ ~;~
a; b c ¼ ð~ ab ~Þ  ~
c ¼ @ a3 b1  a1 b3 A  @ c2 A
Zur Probe kann man etwa Eigenschaft 5. benutzen: Es muß
~Þ  ~ ~Þ  b
~ ¼ 0) gelten:
a1 b2  b1 a2 c3
ð~
ab a ¼ 0 (und auch ð~
ab
0 1 0 1 ¼ c1 ða2 b3  a3 b2 Þ  c2 ða3 b1  a1 b3 Þ
1 1
ð~
ab~Þ  ~
a ¼ @ 8 A  @ 2 A ¼ 1  16 þ 15 ¼ 0.
þ c3 ða1 b2  b1 a2 Þ
5 3 2. Eine zyklische (kreisförmige) Vertauschung der
Vektoren ändert das Spatprodukt nicht:
½~ ~;~
a; b c  ¼ ½b~;~c; ~
a  ¼ ½~c; ~ ~
a; b
7.8 Spatprodukt
3. Das Spatprodukt ändert das Vorzeichen (bei glei-
Sind ~ ~ und ~
a, b c drei Vektoren im Raum, so heißt chem Betrag), falls zwei Vektoren miteinander
der Skalar vertauscht werden:
~; ~
½b a; ~
c  ¼ ½~ ~; ~
c; b a  ¼ ½~a;~ ~ ¼ ½~
c; b ~; ~
a; b c
4. ½~ ~; ~
a; b c ¼ 0 , ~ a; b~; ~
c liegen in einer Ebene
ð~ ~Þ  ~
ab c
(man sagt dann: : ~ ~; ~
a; b c sind linear abhängig)
5. ½~ ~; ~
a; b c > 0 , ~ a; b~; ~
c bilden ein Rechtssystem
Spatprodukt. Aus der geometrischen Interpretation 6. Das Volumen V des von den Vektoren ~ ~; ~
a; b c
des Skalarprodukts folgt, daß ð~ a  b~Þ  ~
c gleich dem gebildeten Tetraeders ist
Produkt aus der Länge von ~ ab ~ und der Länge 1
V ¼ ½~ ~; ~
a; b c
der Projektion von ~ c auf ~
ab ~ ist. Da j~ ab ~j gleich 6
dem Flächeninhalt des von ~ a und b ~ aufgespannten
& 0 1 0 1
Parallelogramms ist, stellt ð~ab ~Þ  ~
c das Volumen
Beispiel:
1 2
~ Das Volumen V des von den Vektoren ~ a ¼ @ 0 A; b ~ ¼ @ 1 A;
~ ~
des von denVektoren a; b; c aufgespannten Spates 0 1
1 1
1
dar, falls die Vektoren eine Lage wie in Bild VII-49 c ¼ @ 1 A aufgespannten Tetraeders beträgt
~
haben. Spat ist ein anderer Name für Parallelepiped 2 0 1 0 1
 1 1 
oder Parallelflach. Zeigt ~c nach unten, so ist das 1 1 1
V ¼ j½~ a; b~;~ a  b~Þ  ~
c j ¼ jð~ c j ¼ @ 3 A  @ 1 A
6 6 6
Spatprodukt negativ, und es ist dem Betrage nach 1 2 
1 1
¼ j 6j ¼ 6 ¼ 1:
das Volumen des Spates. 6 6
VIII Differential- und Integralrechnung
VIII Differential- und Integralrechnung
1 Folgen
1.1 Grundbegriffe
Eine Folge besteht aus Zahlen einer Menge, die in
einer bestimmten Reihenfolge angeordnet sind:
a1 ; a2 ; a3 ; . . . ; an ; . . .
Sind alle diese Zahlen reelle Zahlen, dann nennt
man die Folge auch reelle Zahlenfolge. Die Zahlen
der Folge heißen Glieder der Folge.
Handelt es sich um endlich viele Zahlen, so heißt
die Folge endlich, andernfalls unendliche Folge.
Eine unendliche Folge läßt sich auch als Funktion
(Abbildung) definieren:
f : N* ! R ; n 7! f ðnÞ ¼ an
Unter den Gliedern einer Folge können auch glei-
che Zahlen auftreten.
Eine Folge kann durch direkte Angabe ihrer Glie-
der oder auch durch einen arithmetischen Ausdruck
gegeben sein. Ein solcher arithmetischer Ausdruck
kann entweder eine explizite Formel für das Folgen-
glied an oder eine rekursive Definition sein. Bei
einer Rekursion wird an durch Folgenglieder mit
kleineren Indizes definiert.
Schreibweise von Folgen:
ðan Þ ¼ ða1 ; a2 ; a3 ; . . .Þ
Eine konstante Folge ðan Þ ist eine Folge mit
ðan Þ ¼ ða; a; a; . . .Þ:
& Beispiele:
1. ðan Þ ¼ ð1; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9; 10Þ
2. ðan Þ ¼ ðnÞ ¼ ð1; 2; 3; 4; . . .Þ
  
1
3. ðan Þ ¼ 3  n  2 ¼ 1; 2; ;
5 11 23
; ; ...
2 2 4 8
4. ðan Þ ¼ ð4 þ 3ðn  1ÞÞ ¼ ð4; 7; 10; 13; . . .Þ
5. ðan Þ ¼ ðð1Þn þ 1 Þ ¼ ð1; 1; 1; 1; 1; . . .Þ
   
6. ðan Þ ¼
1 1 1 1
¼ 1; ; ; ;   
n 2 3 4
1 d ist die Folge dann eindeutig bestimmt.
7. ðan Þ mit a1 ¼ 0; an þ 1 ¼ ð1 þ an Þ für n 2 N*, also
 2 
1 3 7 15
ðan Þ ¼ 0; ; ; ;
2 4 8 16
; ...
Die erste Folge ist endlich, alle anderen sind unend-
lich. Die erste Folge ist durch Angabe ihrer Glieder
definiert, die letzte Folge ist rekursiv definiert und
alle anderen durch eine explizite Formel.
Monotone Folgen
Eine Folge ðan Þ heißt
monoton wachsend, wenn
a1  a2  a3  . . .  an  . . . gilt,
streng monoton wachsend, wenn
a1 < a2 < a3 < . . . < an < . . . gilt,
131
monoton fallend, wenn
a1  a2  a3  . . .  an  . . . gilt,
streng monoton fallend, wenn
a1 > a2 > a3 > . . . > an > . . . gilt.
Die Folgen der Beispiele 1 bis 4 und 7 sind streng
monoton wachsend, die Folge aus Beispiel 6 ist
streng monoton fallend.
Alternierende Folgen
Eine alternierende Folge ist eine Folge, deren Glie-
der abwechselnd unterschiedliche Vorzeichen haben.
Von zwei aufeinander folgenden Gliedern ak und
ak þ 1 einer solchen Folge ðan Þ ist also genau ein
Glied positiv und eins negativ.
Die Folge aus Beispiel 5 ist alternierend.
Beschränkte Folgen
Eine Folge ðan Þ heißt
nach oben beschränkt, wenn es eine konstante
Zahl Ko gibt, so daß für alle Glieder an  Ko gilt,
nach unten beschränkt, wenn es eine konstante
Zahl Ku gibt, so daß für alle Glieder an  Ku gilt,
beschränkt, wenn die Folge sowohl nach oben als
auch nach unten beschränkt ist, wenn es also zwei
Zahlen Ku ; Ko gibt mit Ku  an  Ko für alle
n 2 N*.
Gleichwertig damit ist, daß es eine Konstante
K > 0 mit jan j  K für alle n gibt.
Monoton wachsende und streng monoton wachsen-
de Folgen sind nach unten beschränkt, monoton fal-
lende und streng monoton fallende Folgen sind nach
oben beschränkt.
Die Folgen der Beispiele 1, 3, 5, 6 und 7 sind be-
schränkt, die Folgen der Beispiele 2 und 4 sind nach
unten beschränkt.

1.2 Arithmetische Folgen
Bei einer arithmetischen Folge ist die Differenz
je zweier aufeinanderfolgender Glieder konstant.
Durch das Anfangsglied a1 ¼ a und diese Differenz
ðan Þ ¼
ða; a þ d; a þ 2d; a þ 3d; . . . ; a þ ðn  1Þ d; . . .Þ
Das n-te Glied einer arithmetischen Folge lautet
an ¼ a þ ðn  1Þ d; n 2 N*. Das Glied a1 ¼ a nennt
man Anfangsglied der Folge und d ¼ an þ 1  an (für
n ¼ 1; 2; 3; . . .Þ die (konstante) Differenz der Folge.
& Beispiele:
1. ðan Þ ¼ ðnÞ ¼ ð1; 2; 3; 4; . . .Þ (arithmetische Folge mit a ¼ 1
und d ¼ 1)
2. ðan Þ ¼ ð4 þ 3ðn  1ÞÞ ¼ ð4; 7; 10; 13; . . .Þ (arithmetische Folge
mit a ¼ 4 und d ¼ 3)
132 Mathematik

1.3 Geometrische Folgen Konvergente Folgen sind beschränkt. Eine beliebige

Folge kann also nur konvergent sein, wenn sie be-
Bei einer geometrischen Folge ist der Quotient
schränkt ist.
je zweier aufeinanderfolgender Glieder konstant.
Es gilt folgendes Konvergenzkriterium:
Durch das Anfangsglied a1 ¼ a und diesen Quotien-
Eine monotone und beschränkte Folge ist stets kon-
ten q ist die Folge dann eindeutig bestimmt.
vergent.

ðan Þ ¼ ða; aq; aq2 ; aq3 ; . . . ; aqn  1 ; . . .Þ Für konvergente Folgen gelten verschiedene Re-
chenregeln:
Das n-te Glied einer geometrischen Folge lautet
lim ðan þ bn Þ ¼ lim an þ lim bn
an ¼ aqn  1 ; n 2 N*: Das Glied a1 ¼ a nennt n!1 n!1 n!1
an þ 1 lim ðan  bn Þ ¼ lim an  lim bn
man Anfangsglied der Folge und q ¼ (für n!1 n!1 n!1
an
n ¼ 1; 2; 3; . . .Þ den (konstanten) Quotienten der lim ðan  bn Þ ¼ lim an  lim bn
n!1 n!1 n!1
Folge.
an nlim
!1
an
lim ¼ ;
n ! 1 bn lim bn
& Beispiele: n!1
1. ðan Þ ¼ ð3  2n  1 Þ ¼ ð3; 6; 12; 24; . . .Þ (geometrische Folge mit falls bn 6¼ 0 und lim bn 6¼ 0
a ¼ 3 und q ¼ 2) n!1
 
1 1 1 1
2. ðan Þ ¼ ð2n Þ ¼ ; ; ; ; ...
 2 4 8 16 
1 1 & Beispiele:
geometrische Folge mit a ¼ und q ¼
2 2 1
2. lim an ¼ lim ¼0
n!1 n!1 n
n
1.4 Grenzwert einer Folge 3. lim an ¼ lim ¼1
n!1 n!1 n þ 1
 
Man sagt, die Folge ðan Þ besitzt den Grenzwert 4.
1
lim an ¼ lim 3  n  2 ¼ 3
n!1 n!1 2
(oder auch Limes genannt) lim an ¼ a oder  n
n!1 1
5. lim an ¼ lim ¼0
ðan Þ ! a (gesprochen: Limes an gleich a), wenn die n!1 n!1 2
Abweichung ja  an j der Folgenglieder an von die-
sem Wert a für genügend große n beliebig klein Die Folge aus Beispiel 5 ist eine geometrische Folge.
wird. Es gilt:
Jede geometrische Folge mit an ¼ aqn  1 konvergiert
Grenzwert (Limes) lim an ¼ a oder ðan Þ ! a gegen Null, wenn jqj, der Betrag von q, kleiner als 1
n!1
ist.
Exakte Definition:
Die Folge ðan Þ besitzt den Grenzwert lim an ¼ a, 1.5 Tabelle einiger Grenzwerte
n!1
wenn sich nach Vorgabe einer beliebig kleinen posi- Für einige wichtige konvergente Zahlenfolgen sind in
tiven Zahl e ein n0 2 N so finden läßt, daß für alle der folgenden Tabelle ihre Grenzwerte angegeben.
n  n0 gilt pffiffiffi
lim n q ¼ 1 ðq > 0Þ
n!1
ja  an j < e p ffiffiffi
lim n
n¼1
n!1

Das n0 hängt offensichtlich von der Wahl von e ab, cr nr þ cr  1 nr  1 þ . . . þ c1 n þ c0

also n0 ¼ n0 ðeÞ. lim
n!1 ds ns þ ds  1 ns  1 þ . . . þ d1 n þ d0
Besitzt ðan Þ den Grenzwert a, so sagt man, daß ðan Þ 8c
< r fu ..
gegen a konvergiert. Eine Folge, die einen Grenz- rr¼s
¼ dr
wert besitzt, heißt konvergent. Eine Folge, die kei- : ..
0 fur r < s
nen Grenzwert besitzt, heißt dagegen divergent.
Eine Folge besitzt höchstens einen Grenzwert. ðc0 ; c1 ; . . . ; cr ; d0 ; d1 ; . . . ; ds 2 R; cr 6¼ 0; ds 6¼ 0Þ
Eine Nullfolge ist eine Folge, die den Grenzwert 0 loga n
besitzt. lim ¼0 ða > 0; a 6¼ 1Þ
n!1 n
lim qn ¼ 0 ðjqj < 1Þ
& Beispiel: n!1
1
1. Die Folge ðan Þ mit an ¼ n hat den Grenzwert a ¼ 0, denn lim nq ¼ 0 ðjqj < 1Þ
n
10  n!1
 1  1
die Differenz ja  an j ¼ 0  n  ¼ n wird für große n be-
10 10 an
1
liebig klein. Wählt man etwa e ¼ 10 , so gilt ja  an j < e für
lim ¼ 0 ða 2 RÞ
n!1 n!
10
1  
n  11. Es gilt also lim an ¼ lim ¼ 0. 1 n
n!1 n ! 1 10n
lim 1 þ ¼ e ¼ 2;718 281 828 4 . . .
Die Folge ðan Þ ist somit eine Nullfolge. n!1 n
VIII Differential- und Integralrechnung 133

1.6 Divergente Folgen 2 Reihen

Eine Folge, die keinen Grenzwert besitzt, heißt di-
vergent. Bei divergenten Folgen unterscheidet man
2.1 Definitionen
zwischen bestimmter und unbestimmter Divergenz. Eine Reihe ist die Summe der Glieder einer Folge
Eine Folge ðan Þ heißt bestimmt divergent gegen (Zahlenfolge) ðan Þ.
þ1, wenn zu jeder beliebig großen vorgegebenen
Zahl K ein Index n0 existiert, so daß an > K für alle a1 þ a2 þ . . . þ an þ . . .
Indizes n  n0 gilt. Eine solche bestimmt divergente
Folge wächst für n ! 1 über alle Grenzen. Man Ist die Folge endlich, so nennt man auch die Reihe
schreibt dann endlich. Für unendliche Folgen ergeben sich unend-
liche Reihen.
lim an ¼ 1
n!1
P
1
a1 þ a2 þ . . . þ an þ . . . ¼ ak
Eine Folge ðan Þ heißt dagegen bestimmt divergent k¼1
gegen 1, wenn zu jeder noch so kleinen vorgege-
benen Zahl K ðK > 0Þ ein Index n0 existiert, so Das Zeichen 1 bedeutet dabei, daß die Reihe nicht
daß an < K für alle Indizes n  n0 gilt. Eine sol- abbricht. Sie besteht aus unendlich vielen Summan-
che bestimmt divergente Folge fällt für n ! 1 unter den. Die Zahlen an , also die Summanden, heißen
alle Grenzen. Man schreibt dann auch Glieder der Reihe.

lim an ¼ 1 & Beispiele:

n!1 P10
1. 2k ¼ 21 þ 22 þ 23 þ . . . þ 210 ¼ 2 þ 4 þ 8 þ . . . þ 1024
k¼1
(endliche Reihe)
Eine Folge, die nicht konvergent und nicht bestimmt
P
1 3k 32 33 3n
divergent ist, heißt unbestimmt divergent. 2. ¼ 3 þ þ þ . . . þ þ . . . (unendliche Reihe)
k
k¼1 2 3 n
Monoton (streng monoton) wachsende und nicht be-
schränkte Folgen ðan Þ sind bestimmt divergent mit Folgende Summen heißen Teilsummen oder Partial-
lim an ¼ 1. summen der Reihe:
n!1
Monoton (streng monoton) fallende und nicht be-
schränkte Folgen ðan Þ sind bestimmt divergent mit s1 ¼ a1 ; s2 ¼ a1 þ a2 ; . . . ;
lim an ¼ 1. P
n
n!1 sn ¼ a1 þ a2 þ a3 þ . . . þ an ¼ ak
k¼1
& Beispiele:
1. lim n ¼ 1
n!1
(denn ðan Þ ¼ ðnÞ ist streng monoton wachsend und nicht be-
Man spricht von einer konvergenten unendlichen
schränkt) Reihe, wenn die Folge ðsn Þ der Partialsummen kon-
2. lim ðn3 Þ ¼ 1 vergiert, also einen Grenzwert s besitzt.
n!1
(denn ðan Þ ¼ ðn3 Þ ist streng monoton fallend und nicht be-
schränkt) P
1
3. lim 2n þ 2 ¼ 1 s ¼ lim sn ¼ ak
n!1 n!1 k¼1
(denn ðan Þ ¼ ð2n þ 2 Þ ist streng monoton wachsend und nicht
beschränkt)
4. ðan Þ ¼ ðð3Þn Þ ¼ ðð1Þn  3n Þ ist unbestimmt divergent Dieser Grenzwert s heißt die Summe der Reihe.
Eine unendliche Reihe ist also genau dann konver-
Die Folge aus Beispiel 1 ist eine arithmetische Fol- gent, wenn die Folge der Partialsummen konver-
ge. Es gilt: giert.
Jede arithmetische Folge ist divergent, denn die Diffe- Besitzt die Folge der Partialsummen keinen Grenz-
renz zweier aufeinanderfolgender Glieder ist stets d. wert, dann heißt die unendliche Reihe divergent. In
Für positive Werte von d werden die Glieder an der diesem Fall können die Partialsummen unbegrenzt
Folge ab einer Stelle größer als jede beliebig große wachsen oder oszillieren (die Folge der Partialsum-
Zahl. Für negative Werte von d werden die Glieder men ist alternierend).
an dagegen ab einer Stelle kleiner als jede vorgege- Die unendliche Reihe heißt bestimmt divergent,
bene beliebig kleine Zahl. Jede arithmetische Folge wenn die Folge ðsn Þ der Partialsummen bestimmt di-
ist also bestimmt divergent. vergent ist. Ist die Folge der Partialsummen unbe-
Die Folgen aus den Beispielen 3 und 4 sind geome- stimmt divergent, so heißt auch die unendliche Rei-
trische Folgen. Es gilt: he unbestimmt divergent.
Jede geometrische Folge mit an ¼ aqn  1 ist diver- Die Frage nach der Konvergenz einer unendlichen
gent, wenn der Betrag jqj größer als 1 ist, und zwar Reihe wird somit auf die Frage nach der Existenz
für q > 1 bestimmt divergent und für q < 1 unbe- eines Grenzwertes der Folge ðsn Þ der Partialsummen
stimmt divergent. zurückgeführt.
134 Mathematik

 
Die Folge der Glieder ðan Þ einer konvergenten Rei- Wegen lim sn ¼ lim
1
1 ¼ 1  lim
1
¼ 1 ist
n!1 n!1 nþ1 n!1 n þ 1
he muß gegen Null konvergieren, also eine Nullfol- die gegebene Reihe konvergent mit dem Grenzwert 1:
ge sein. Diese Bedingung ist notwendig, sie reicht P
1 1
¼1
jedoch für die Konvergenz einer unendlichen Reihe k ¼ 1 kðk þ 1Þ

nicht aus (vgl. Abschnitt VIII.2.4). P1 kþ1

8. ist nicht konvergent, denn die Glieder
k¼1 3k þ 2
Für konvergente Reihen gelten verschiedene Re- kþ1 nþ1 1
ak ¼ bilden wegen lim an ¼ lim ¼ keine
chenregeln: 3k þ 2 n!1 n ! 1 3n þ 2 3
P1 P1
Nullfolge.
Konvergieren die Reihen ak und bk ; so
k¼1 P1 k ¼1
konvergieren auch die Reihen ðak þ bk Þ und 2.2 Arithmetische Reihen
P
1 k¼1
c  ak ; c 2 R; und es gilt Eine arithmetische Reihe entsteht aus den Gliedern
k¼1
einer arithmetischen Folge. Da schon jede unend-
P
1 P
1 P
1 liche arithmetische Folge divergiert, ist auch jede un-
ðak þ bk Þ ¼ ak þ bk endliche arithmetische Reihe divergent. Da unend-
k¼1 k¼1 k¼1
P1 P
1 liche arithmetische Folgen bestimmt divergent sind
c  ak ¼ c ak (vgl. Abschnitt VIII.1.6), sind auch unendliche arith-
k¼1 k¼1
metische Reihen bestimmt divergent.
Die Summe sn einer endlichen arithmetischen Reihe
& Beispiele:
P
Pn
3.
6
k  2k ¼ 2 þ 2  22 þ 3  23 þ 4  24 þ 5  25 þ 6  26 ða þ ðk  1Þ dÞ läßt sich jedoch allgemein be-
k¼1 k¼1
¼ 2 þ 8 þ 24 þ 64 þ 160 þ 384 ¼ 642 rechnen. Wegen a1 ¼ a folgt sn ¼ a1 þ ða1 þ dÞ
 k
4.
P1 1 1 1 1 1
¼ þ þ þ þ ... ¼ 1
þ ða1 þ 2dÞ þ . . . þ ða1 þ ðn  1Þ dÞ. Dreht man die
k¼1 2 2 4 8 16 Reihenfolge der Summanden um und beachtet, daß
Daß diese unendliche Reihe die Summe 1 hat, kann man die Differenz zweier aufeinanderfolgender Glieder
sich dadurch klarmachen, daß man ein Quadrat mit der Flä-
che 1 fortgesetzt halbiert (s. Bild VIII-1). Die entstehenden
gleich d ist, so folgt andererseits sn ¼ an þ ðan  dÞ
1 1 1 1 þ ðan  2dÞ þ . . . þ ðan  ðn  1Þ dÞ. Schreibt man
Rechtecke haben die Flächeninhalte ; ; ; . . . ; n ; . . .,
2 4 8 2 diese beiden Ausdrücke für sn untereinander und
und ihre Summe ist offensichtlich 1, der Flächeninhalt des
Quadrats (vgl. auch Abschnitt VIII.2.3).
addiert jeweils die beiden übereinanderstehenden
Terme, so folgt
sn ¼ a1 þ ða1 þ dÞ þ ða1 þ 2dÞ þ . . . þ ða1 þ ðn  1Þ dÞ
sn ¼ an þ ðan  dÞ þ ðan  2dÞ þ . . . þ ðan  ðn  1Þ dÞ
und daraus 2sn ¼ nða1 þ an Þ, denn jede dieser Sum-
men ist a1 þ an , und es gibt insgesamt n solcher
1 1 1 Summen. Es folgt:
2 4 8
P
n n
sn ¼ ða þ ðk  1Þ dÞ ¼ ða1 þ an Þ
k¼1 2

Die Summe einer endlichen arithmetischen Reihe

mit n Summanden ist also die Summe des ersten
Bild VIII-1 Zur Konvergenz der Reihe und des letzten Glieds multipliziert mit der halben
Anzahl der Summanden.
2 þ 4 þ 8 þ ...
1 1 1

P
1 & Beispiele:
5. k ¼ 1 þ 2 þ 3 þ ... þ n þ ... P
10 10
k¼1 1. ð3 þ ðk  1Þ 5Þ ¼ ð3 þ 48Þ ¼ 255
Diese unendliche Reihe ist bestimmt divergent, denn die Folge k¼1 2
ðan Þ ¼ ðnÞ ist bestimmt divergent (vgl. Abschnitt VIII.1.6). 1P
00
2. k ¼ 50ð1 þ 100Þ ¼ 5050
P
1
k¼1
6. ð1Þk ¼ 1 þ 1  1 þ 1  1 þ 1  . . .
k¼1 P
100 100
3. ð3 þ 4kÞ ¼ ð7 þ 403Þ ¼ 50  410 ¼ 20 500
Für die Partialsummen gilt k¼1 2

0 falls n gerade ist
sn ¼
1 falls n ungerade ist Die Summe der ersten n natürlichen Zahlen zum
Die unendliche Reihe ist unbestimmt divergent. Beispiel läßt sich hiermit für beliebiges (beliebig
P
1 1 1 1 1 1
7. ¼ þ þ þ þ ... großes) n sehr einfach ausrechnen (vgl. Beispiel 2).
k ¼ 1 kðk þ 1Þ 12 23 34 45
1 1 1
Aus ak ¼ ¼  folgt
kðk þ 1Þ k k þ 1
   
P
n 1 1 1 2.3 Geometrische Reihen
sn ¼ ak ¼ 1  þ 
k¼1 2 2 3
    Eine geometrische Reihe entsteht aus den Gliedern
1 1 1 1 1
þ  þ ... þ  ¼1
3 4 n nþ1 nþ1 einer geometrischen Folge. Die Summe sn einer end-
VIII Differential- und Integralrechnung 135

 
P
n 1
lichen geometrischen Reihe aqk  1 ergibt sich Ist ðan Þ ¼ ð1Þn þ 1 , dann heißt die Reihe alter-
k¼1 n
für q 6¼ 1 aus folgender Rechnung: nierende harmonische Reihe.
sn ¼ a þ aq þ aq2 þ . . . þ aqn  1 Die unendliche harmonische Reihe ist bestimmt di-
qsn ¼ aq þ aq2 þ . . . þ aqn  1 þ aqn vergent, wie folgende Rechnung zeigt:
P1 1
Zieht man die zweite Gleichung von der ersten ab,
k¼1 k
so folgt sn  qsn ¼ a  aqn und somit für die Summe
sn einer endlichen geometrischen Reihe mit q 6¼ 1: 1 1 1 1 1 1 1
¼1þ þ þ þ þ þ þ
2 3 4 5 6 7 8
P
n 1  qn 1 1 1 1 1 1 1 1 1
sn ¼ aqk  1 ¼ a ðq 6¼ 1Þ þ þ þ þ þ þ þ þ þ þ ...
1q  9 10
  11 12  13 14 15 16 17

k¼1
1 1 1 1 1 1 1
¼ 1þ þ þ þ þ þ þ
2 3 4 5 6 7 8
Für q ¼ 1 gilt sn ¼ n  a.  
1 1 1 1 1 1 1 1
& Beispiele: þ þ þ þ þ þ þ þ
P
9 10 11 12 13 14 15 16
5 1  25
1. 2k  1 ¼ ¼ 31 1
12
k¼1
þ þ ...
P
10 1  510 9 765 624 17  
2. 3  5k  1 ¼ 3 ¼3 ¼ 7 324 218    
k¼1 15 4 1 1 1 1 1 1 1
1P
00 13 100
3 100  > þ þ þ þ þ þ
3. 3k ¼ 3 ¼ 3 1 2 4 4 8 8 8 8
k¼1 13 2  
1 1 1 1 1 1 1 1 1
þ þ þ þ þ þ þ þ þ þ...
1  qn 16 16 16 16 16 16 16 16 32
Die Summe sn ¼ a ist für q 6¼ 1 das n-te
1q 1 1 1 1 1
Glied der Folge der Partialsummen. Die Größen a ¼ þ þ þ þ þ ...
2 2 2 2 2
und q sind Konstanten, die Konvergenz der Folge
P
1 1
hängt nur von der Größe 1  qn ab. Für q > 1 und Die unendliche Reihe ist eine arithmetische
2 k¼1
q  1 divergiert die Folge ðqn Þ, die geometrische
Reihe (mit d ¼ 0) und deshalb bestimmt divergent.
Reihe ist dann also ebenfalls divergent. Für q  1 ist
Somit folgt
die unendliche geometrische Reihe bestimmt diver-
gent, für q  1 ist sie unbestimmt divergent.
P1 1
Für jqj < 1 wird jqjn ¼ jqn j beliebig klein, wenn n ¼ þ1
nur groß genug gewählt wird, das heißt, es gilt k¼1 k

lim qn ¼ 0. Für jqj < 1 konvergiert deshalb die Fol-

n!1 Die harmonische Reihe ist bestimmt divergent, ob-
ge ðqn Þ, es gilt dann lim ð1  qn Þ ¼ 1  lim qn
n!1 n!1 wohl die Glieder der Reihe eine Nullfolge bilden.
¼ 1. In diesem Fall konvergiert die unendliche geo- Die unendliche alternierende harmonische Reihe ist
metrische Reihe und hat den Grenzwert dagegen konvergent.
&
P
1 Beispiele:
s ¼ lim sn ¼ aqk  1 P
6 1 1 1 1 1 1
n!1 k¼1 1. ¼1þ þ þ þ þ
k¼1 k 2 3 4 5 6
qn  1 a (endliche harmonische Reihe)
¼ lim a ¼ ðjqj < 1Þ
n!1 q1 1q P
1 1 1 1 1 1
2. ð1Þk þ 1 ¼ 1  þ  þ . . . þ ð1Þn þ 1 þ . . .
k¼1 k 2 3 4 n
¼ ln 2
& Beispiele:
(unendliche alternierende harmonische Reihe)
 k  1  
P
1 11 5 60 11
4. 5  ¼ ¼ a ¼ 5; q ¼ 
k¼1 12
1þ
11 23 12 2.5 Alternierende Reihen
12
P1
 k
1
1 
1
 Ist ðan Þ eine alternierende Folge, also eine Folge, de-
5. ¼ 2 ¼1 a¼q¼ ren Glieder abwechselnd unterschiedliches Vorzei-
2 1 2
k¼1
1 Pn
 k  1 2   chen haben, dann nennt man ak eine endliche
P1
6. 3
4
¼
3
¼ 15 a ¼ 3; q ¼
4
P1 k¼1
k¼1 5
1
4 5 alternierende Reihe und ak eine unendliche alter-
5
nierende Reihe. k¼1

2.4 Harmonische Reihen & Beispiele:

  P
10
1 Pn P
n 1 1. ð1Þk k ¼ 1 þ 2  3 þ 4  5 þ 6  7 þ 8  9 þ 10
Ist ðan Þ ¼ , so nennt man ak ¼ end- k¼1
n k¼1 k¼1 k P1 ð1Þk þ 1
P1 P 1
1 2.
k
liche harmonische Reihe und ak ¼ unend- k¼1
Pn
 ..
¼1 k
0 fur gerades n
liche harmonische Reihe. k ¼ 1 k 3. ð1Þk ¼ ..
k¼1 1 fur ungerades n
136 Mathematik

Für alternierende Reihen gibt es ein einfaches Krite- Besitzt die Funktion y ¼ f ðxÞ an der Stelle x ¼ a
rium, mit dem sich die Konvergenz der Reihe unter- den Grenzwert lim f ðxÞ ¼ A, so sagt man auch, der
x!a
suchen läßt: Grenzwert lim f ðxÞ existiert und ist gleich A.
P
1
x!a
Eine alternierende Reihe ak, bei der ðjan jÞ; also
k¼1 & Beispiele:
die Folge der Beträge der Glieder, eine monoton 1. Die Funktion y ¼ f ðxÞ ¼ x3 hat für x ! 0 den Grenzwert
fallende Nullfolge bildet, ist stets konvergent (Leib- A ¼ 0: lim x3 ¼ 0. Soll etwa jx3  0j, der Unterschied zwi-
x!0
nizsches Konvergenzkriterium). schen y ¼ x3 und A ¼ 0, kleiner als e ¼ 0; 000 001 sein, so ist
dies erfüllt, wenn man für d ¼ dðeÞ < 0; 01 wählt, denn
& Beispiel: ð102 Þ3 ¼ 106 .
pffiffiffi
P1 1 1 1 1 1 Für ein beliebiges positives e erfüllt dðeÞ < 3 e die geforderte
4. ð1Þk þ 1 ¼ 1  þ  þ . . . þ ð1Þn þ 1 þ . . .
k¼1 k 2 3 4 n Bedingung.
2x2 þ 5x
Die alternierende harmonische Reihe ist konvergent nach 2. Die Funktion y ¼ f ðxÞ ¼ ist an der Stelle x ¼ 0
3x
dem Leibnizschen Konvergenzkriterium, denn die Folge der nicht definiert, da für x ¼ 0 der Nenner Null ist. Es gilt
   
 1 1 2x2 þ 5x 2x þ 5
Beträge der Glieder, also ð1Þn þ 1  ¼ ; ist mono- lim f ðxÞ ¼ lim ¼ lim
n n x!0 x!0 3x x!0 3
ton fallend und eine Nullfolge. (Kürzen durch x 6¼ 0) und weiter wegen der Rechenregeln
für Grenzwerte (siehe Abschnitt VIII.3.4)
2 5 5
lim f ðxÞ ¼ lim x þ ¼ .
x!0 3 x!0 3 3
3 Grenzwerte von Funktionen
Die Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt an der Stelle x ¼ 0 den Grenz-
5
3.1 Grenzwert an einer endlichen Stelle wert .
3

Die Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt an der Stelle x ¼ a 3.2 Einseitige Grenzwerte

den Grenzwert lim f ðxÞ ¼ A oder f ðxÞ ! A für Die Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt an der Stelle x ¼ a
x!a
x ! a (gesprochen: Limes f ðxÞ gleich A für x gegen den linksseitigen Grenzwert A, wenn sich die Funk-
a), wenn sich die Funktion f ðxÞ bei unbegrenzter tion f ðxÞ bei unbegrenzter Annäherung von x von
Annäherung von x an a unbegrenzt an A nähert. links an a unbegrenzt an A nähert.
Die Variable x nähert sich a unbegrenzt an, es gilt Linksseitiger Grenzwert
jedoch stets x 6¼ a. Die Funktion f ðxÞ muß an der
Stelle x ¼ a den Wert A nicht annehmen und lim f ðxÞ ¼ lim f ðxÞ ¼ A
x!a x!a0
braucht an dieser Stelle auch nicht definiert zu x<a
sein.
Grenzwert Die Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt an der Stelle x ¼ a
den rechtsseitigen Grenzwert A, wenn sich die
:: Funktion f ðxÞ bei unbegrenzter Annäherung von x
lim f ðxÞ ¼ A oder f ðxÞ ! A fur x ! a
x!a von rechts an a unbegrenzt an A nähert.
Rechtsseitiger Grenzwert
Exakte Definition: Die Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt an
der Stelle x ¼ a den Grenzwert lim f ðxÞ ¼ A, wenn lim f ðxÞ ¼ lim f ðxÞ ¼ A
x!a x!a x!aþ0
sich nach Vorgabe einer beliebig kleinen positiven x>a

Zahl e eine zweite positive Zahl d ¼ dðeÞ so finden

läßt, daß für alle x mit jx  aj < dðeÞ gilt jf ðxÞ  Aj
< e eventuell mit Ausnahme der Stelle a.
Der Unterschied j f ðxÞ  Aj zwischen den Funktions-
werten und dem Grenzwert wird kleiner als jede be-
liebig vorgegebene positive Zahl e, wenn die x-Wer-
te sich um weniger als eine passend gewählte, von e
abhängige Zahl d ¼ dðeÞ vom Wert a unterscheiden,
wenn also 0 < jx  aj < dðeÞ gilt.
Die Variable x nähert sich a unbegrenzt an, es gilt
jedoch stets x 6¼ a. Die Funktion f ðxÞ muß an der
Stelle x ¼ a den Wert A nicht annehmen und
braucht an dieser Stelle auch nicht definiert zu sein.
Die Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt an der Stelle x ¼ a
den Grenzwert A, wenn an dieser Stelle sowohl der
linksseitige als auch der rechtsseitige Grenzwert exi-
stieren und gleich sind.

Grenzwert lim f ðxÞ ¼ A

y x!a

A+e & Beispiel:

 ..
A 1 fur x > 0
f ðxÞ ¼ ..
A–e 0 fur x < 0
f(x) Linksseitiger Grenzwert: lim f ðxÞ ¼ lim f ðxÞ ¼ 0
x!0 x!00
x<0
Rechtsseitiger Grenzwert: lim f ðxÞ ¼ lim f ðxÞ ¼ 1
0 a–d a a+d x x!0 x!0þ0
x>0
Die Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt an der Stelle x ¼ 0 sowohl den links-
Bild VIII-2 Veranschaulichung des Grenzwert- seitigen als auch den rechtsseitigen Grenzwert. Da diese jedoch
begriffes verschieden sind, existiert der Grenzwert an der Stelle x ¼ 0 nicht.
VIII Differential- und Integralrechnung 137

3.3 Grenzwert im Unendlichen Diese Regeln sagen aus, daß man die Operation der
Die Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt für x ! 1 den Grenz- Grenzwertbildung mit der Addition, Subtraktion,
wert A, wenn es zu jedem beliebigen e > 0 ein hin- Multiplikation und Division (falls G 6¼ 0) vertau-
reichend großes w ¼ wðeÞ gibt, so daß j f ðxÞ  Aj < e schen darf.
für alle x > wðeÞ gilt. Man schreibt dafür Die Regeln wurden schon bei den Beispielen der
vorangegangenen Abschnitte angewandt.
lim f ðxÞ ¼ A
x!1
3.5 Unbestimmte Ausdrücke
Analog besitzt die Funktion y ¼ f ðxÞ für x ! 1 Unbestimmte Ausdrücke sind symbolische Ausdrük-
den Grenzwert A, wenn es zu jedem beliebigen ke der Form
e > 0 ein hinreichend großes w ¼ wðeÞ gibt, so daß
j f ðxÞ  Aj < e für alle x < wðeÞ gilt. Man schreibt 0 1
; ; 0  1; 1  0; 1  1; 1 þ 1;
dann 0 1
0 ; 10 ; 11
0
lim f ðxÞ ¼ A
x ! 1
Solche Ausdrücke ergeben sich bei bestimmten
Die Grenzwerte lim f ðxÞ und lim f ðxÞ der Funk- Grenzwertaufgaben. Sind zum Beispiel f ðxÞ und
x!1 x ! 1
tion y ¼ f ðxÞ beschreiben, falls sie existieren, den gðxÞ zwei Funktionen mit f ðaÞ ¼ gðaÞ ¼ 0; so ist ihr
Verlauf der Funktion im Unendlichen, das heißt, das f ðxÞ
Quotient an der Stelle x ¼ a nicht definiert.
Verhalten der Funktion für sehr großes positives gðxÞ
und für sehr kleines negatives Argument x. Formales Einsetzen von x ¼ a führt auf den unbe-
0
& Beispiele:
stimmten Ausdruck „ “. Damit soll ausgedrückt
    0
1 1  1 f ðxÞ
1. Es ist lim ¼ 0, denn es gilt   0 ¼   < e für alle x, werden, daß der Grenzwert lim zu ermitteln
x!1 x x x x ! a gðxÞ
1
die der Bedingung x > wðeÞ ¼ genügen. Ebenso gilt ist, der das Verhalten des Quotienten in der Nähe
1 e
lim ¼ 0. der kritischen Stelle a beschreibt, falls er existiert.
x ! 1 x
5x þ 3
2. Die Funktion y ¼ f ðxÞ ¼ hat für x ! 1 den Grenz-
2x þ 7 & Beispiele:
5 5x þ 3 5x þ 3 5 3x2  x  1
wert , also lim ¼ lim ¼ ; wie folgende 1. lim ¼?
2 x ! 1 2x þ 7 x ! 1 2x þ 7 2 x!1 4x2 þ 3
1
Rechnung unter Anwendung der Rechenregeln für Grenz- Unbestimmter Ausdruck der Form „ “.
werte (siehe Abschnitt VIII.3.4) zeigt: 1
Durch Kürzen des Bruches durch x2 ðx 6¼ 0Þ ergibt sich
3 1
5x þ 3 5þ 5 þ 3 lim 5 1 1
lim ¼ lim x ¼ x!1 x
¼ 3x2  x  1 3  2
x ! 1 2x þ 7 x!1 7 1 2 lim ¼ lim x x ¼ 3
2þ 2 þ 7 lim x!1 4x2 þ 3 x!1 3 4
x x!1 x 4þ 2
5x þ 3 5 x
Die Rechnung für lim ¼ verläuft ganz analog. 3
x ! 1 2x þ 7 2 Der Grenzwert existiert also und ist gleich .
4
3. Der Grenzwert lim sin x existiert nicht. Wie groß man x 2. lim ðx  xÞ ¼ ?
2
x!1 x!1
auch wählt, es lassen sich wegen der Periodizität der Sinus-
Unbestimmter Ausdruck der Form „1  1“.
funktion unendlich viele größere x-Werte angeben, für die die
Durch Umformen ergibt sich
Funktion einen vorgegebenen Wert zwischen 1 und 1 hat.
lim ðx2  xÞ ¼ lim xðx  1Þ ¼ 1  1 ¼ 1
x!1 x!1

3.4 Rechenregeln für Grenzwerte Es existiert kein Grenzwert.

x2  2
Die für Folgen aufgestellten Regeln für das Rech- 3. lim ¼?
x!1 x3
1
nen mit Grenzwerten (vgl. Abschnitt VIII.1.4) las- Unbestimmter Ausdruck der Form „ “.
1
sen sich auf das Rechnen mit Grenzwerten von Durch Kürzen des Bruches durch x ðx 6¼ 0Þ erhält man
3
1 2
Funktionen übertragen. x2  2  3 00
lim ¼ lim x x ¼ ¼0
Gilt lim f ðxÞ ¼ F und lim gðxÞ ¼ G für zwei Funk- x!1 x3 x!1 1 1
x!a x!a
Der Grenzwert existiert und ist gleich 0.
tionen f ðxÞ und gðxÞ, so existieren auch die folgen- x3
4. lim ¼?
den Grenzwerte: x ! 1 x2  2
1
Unbestimmter Ausdruck der Form „ “.
1
lim ½ f ðxÞ þ gðxÞ ¼ lim f ðxÞ þ lim gðxÞ ¼ F þ G Durch Kürzen des Bruches durch x ðx 6¼ 0Þ ergibt sich
2
x!a x!a x!a
x3 x 1
lim ½ f ðxÞ  gðxÞ¼ lim f ðxÞ  lim gðxÞ ¼ F  G lim ¼ lim ¼ ¼1
x!a x!a x!a x!1 x2  2 x ! 1 2 10
1
lim ½c  f ðxÞ ¼ c  lim f ðxÞ ¼ c  F ðc 2 RÞ x2
x!a x!a Es existiert kein Grenzwert.
lim ½ f ðxÞ  gðxÞ ¼ lim f ðxÞ  lim gðxÞ ¼ F  G
x!a x!a x!a

f ðxÞ lim f ðxÞ F

3.6 Stetigkeit einer Funktion
x!a
lim ¼ ¼ Die Stetigkeit einer Funktion y ¼ f ðxÞ an einer Stelle
x!a gðxÞ lim gðxÞ G
x!a
x ¼ a wird mit Hilfe des Grenzwertes der Funktion
ðgðxÞ ¼
6 0; G 6¼ 0Þ
an dieser Stelle definiert.
138 Mathematik

Eine Funktion y ¼ f ðxÞ heißt an der Stelle x ¼ a ste- Ein Pol oder eine Unendlichkeitsstelle x ¼ a einer
tig, wenn f ðxÞ an der Stelle a definiert ist und der gðxÞ
Funktion y ¼ f ðxÞ ¼ ist eine Stelle, für die der
Grenzwert lim f ðxÞ existiert und gleich f ðaÞ ist. hðxÞ
x!a
Das ist genau dann der Fall, wenn es zu jedem vor- Nenner von f ðxÞ den Wert 0 hat und der Zähler von
gegebenen e > 0 ein d ¼ dðeÞ > 0 gibt, so daß 0 verschieden ist, also hðaÞ ¼ 0 und gðaÞ ¼ 6 0 (vgl.
j f ðxÞ  f ðaÞj < e für alle x mit jx  aj < d gilt. Abschnitt V.5). An einer solchen Stelle ist die Funk-
Ist eine Funktion y ¼ f ðxÞ stetig, dann ändert sich tion also nicht definiert. Die Funktion strebt bei An-
bei kleinen nderungen der Variablen x auch der näherung an einen Pol nach (plus oder minus) Un-
Funktionswert f ðxÞ nur geringfügig. Die meisten endlich. Die Kurve der Funktion läuft an einer
Funktionen, die in den Anwendungen vorkommen, solchen Stelle ins Unendliche.
sind stetig. & Beispiele: 
..
Der Graph einer stetigen Funktion ist eine zusam- 1 fu ur x > 0
1. f ðxÞ ¼ ..
menhängende Kurve. Ist dagegen die Kurve an ver- 0 fu ur x < 0
Linksseitiger Grenzwert: lim f ðxÞ ¼ lim f ðxÞ ¼ 0
schiedenen Stellen (mindestens an einer) unterbro- x!0
x<0
x!00

chen, dann heißt die zugehörige Funktion unstetig, Rechtsseitiger Grenzwert: lim f ðxÞ ¼ lim f ðxÞ ¼ 1
x!0 x!0þ0
x>0
und die Werte der unabhängigen Variablen x, an de- Der linksseitige und der rechtsseitige Grenzwert der Funk-
nen die Unterbrechung auftritt, heißen Unstetig- tion y ¼ f ðxÞ sind verschieden, also besitzt die Funktion bei
keitsstellen. x ¼ 0 eine Sprungstelle. Die Funktion springt beim Durchlau-
fen des Punktes x ¼ 0 von 0 auf 1.
Eine an jeder Stelle ihres Definitionsbereichs stetige
Funktion y ¼ f ðxÞ heißt stetig. y
Sind f ðxÞ und gðxÞ zwei Funktionen mit dem Defini-
tionsbereich D und dem Wertebereich W ¼ R, und 1
ist c eine reelle Zahl, so gilt:
Sind f ðxÞ und gðxÞ stetig an der Stelle x ¼ a des De-
finitionsbereichs D, so sind auch f ðxÞ þ gðxÞ, c  f ðxÞ, –1 0 1 x
f ðxÞ
f ðxÞ  gðxÞ, (falls gðxÞ ¼
6 0 für x 2 D) und j f ðxÞj
gðxÞ
stetig an der Stelle x ¼ a. Da die Sinusfunktion Bild VIII-3 Graph der Funktion von Beispiel 1
y ¼ sin x eine stetige Funktion ist, folgt hieraus zum
1
Beispiel, daß eine so kompliziert gebaute Funktion 2. f ðxÞ ¼ ; D ¼ R; x 6¼ 0
x 1 1
x  sin ðx2 þ 1Þ Einseitige Grenzwerte: lim ¼ 1; lim ¼ þ1
wie etwa f : R ! R; f ðxÞ ¼ ebenfalls x!0 x
x<0
x!0 x
x>0
1 þ jsin xj 1
Die Funktion y ¼ besitzt bei x ¼ 0 einen Pol. Bei Annähe-
stetig ist. x
rung von links an den Pol strebt die Funktion nach minus
& Beispiele: Unendlich, bei Annäherung von rechts nach plus Unendlich.
1. Die Funktion f ðxÞ ¼ 5x þ 2 ist an jeder Stelle x ¼ a des Defi-
nitionsbereichs stetig, denn es gilt lim ð5x þ 2Þ ¼ 5a þ 2 y
x!a
¼ f ðaÞ. Die Funktion ist also eine stetige Funktion.
2. Die Funktion f ðxÞ ¼ 3x2 ist für jedes reelle x stetig, die Funk-
tion ist eine stetige Funktion.
 ..
1 fur x  0
3. Die Funktion f ðxÞ ¼ .. besitzt für x ¼ 0 eine
0 fur x < 0
Unstetigkeitsstelle, also ist y ¼ f ðxÞ eine unstetige Funktion. 1
–1
0 1 x
3.7 Unstetigkeitsstellen
–1
Eine Unstetigkeitsstelle ist eine Stelle x ¼ a einer
Funktion y ¼ f ðxÞ, an der die Funktion nicht stetig
ist.
Die Kurve einer Funktion ist an einer Unstetigkeits-
stelle unterbrochen. Eine Funktion, die mindestens
eine Unstetigkeitsstelle besitzt, heißt unstetig.
Die häufigsten Unstetigkeitsstellen sind Sprungstel- Billd VIII-4 Graph der Funktion von Beispiel 2
len und Pole.
An einer Sprungstelle x ¼ a sind der rechtsseitige 4 Ableitung einer Funktion
Grenzwert lim f ðxÞ und der linksseitige Grenz- 4.1 Definitionen
x!aþ0
wert lim f ðxÞ voneinander verschieden. Die Existiert für eine Funktion y ¼ f ðxÞ mit dem Defini-
x!a0
Funktion f ðxÞ springt beim Durchlaufen des Punktes tionsbereich D der Grenzwert
x ¼ a von einem auf einen anderen endlichen Wert.
f ðxÞ  f ðx0 Þ
Die Funktion f ðxÞ braucht für x ¼ a nicht definiert f 0 ðx0 Þ ¼ lim ðx0 2 DÞ
zu sein. x ! x0 x  x0
VIII Differential- und Integralrechnung 139

dann nennt man f 0 ðx0 Þ die Ableitung der Funktion Eine Funktion y ¼ f ðxÞ heißt stetig differenzierbar,
f ðxÞ an der Stelle x ¼ x0 (gesprochen: f Strich von wenn f ðxÞ differenzierbar ist und die Ableitung f 0 ðxÞ
x0 ). Die Funktion f ðxÞ heißt dann differenzierbar eine stetige Funktion ist.
in x0 . &
dy Beispiele:
Statt f 0 ðx0 Þ schreibt man auch y0 ðx0 Þ oder ðx0 Þ 1. Für die konstante Funktion f ðxÞ ¼ c ðc 2 RÞ gilt
df dx
oder ðx0 Þ (gesprochen: y Strich von x0 bzw. dy f 0 ðx0 Þ ¼ lim
f ðxÞ  f ðx0 Þ
¼ lim
cc
¼ lim 0 ¼ 0
dx x ! x0 x  x0 x ! x0 x  x0 x ! x0
nach dx an der Stelle x0 bzw. d f nach dx an der Die Ableitungsfunktion einer konstanten Funktion ist somit
f 0 ðxÞ ¼ 0.
Stelle x0 ).
f ðxÞ  f ðx0 Þ 2. Für die Funktion f ðxÞ ¼ ax þ b; a; b 2 R; D ¼ R gilt
Der Bruch heißt auch Differenzenquo-
x  x0 ax þ b  ðax0 þ bÞ a  ðx  x0 Þ
f 0 ðx0 Þ ¼ lim ¼ lim ¼ lim a ¼ a
tient, da im Zähler die Differenz zweier Funktions- x ! x0 x  x0 x ! x0 x  x0 x ! x0

werte und im Nenner die Differenz zweier x-Werte Die Funktion f ðxÞ ¼ ax þ b ist ebenfalls eine (überall) diffe-
steht. Deshalb nennt man den Grenzwert f 0 ðx0 Þ renzierbare Funktion, und es gilt f 0 ðxÞ ¼ a:
f ðxÞ  f ðx0 Þ 3. Die Funktion f ðxÞ ¼ x2 mit D ¼ R ist in jedem Punkt x0 2 D
¼ lim statt Ableitung auch Differential-
x ! x0 x  x0 differenzierbar. Es ist
quotient. f ðxÞ  f ðx0 Þ x2  x20 ðx þ x0 Þ ðx  x0 Þ
¼ ¼ ¼ x þ x0
Geometrische Deutung: Ist die Funktion y ¼ f ðxÞ x  x0 x  x0 x  x0

als Kurve in einem kartesischen Koordinatensystem und somit

dargestellt, dann ist der Differenzenquotient gleich f ðxÞ  f ðx0 Þ
f 0 ðx0 Þ ¼ lim ¼ lim ðx þ x0 Þ ¼ 2x0
der Steigung (also dem Tangens des Steigungswin- x ! x0 x  x0 x ! x0

kels b) der Sekante durch die Punkte P0 ðx0 j f ðx0 ÞÞ Die Funktion f ðxÞ ¼ x2 ist eine (überall) differenzierbare
und Pðx j f ðxÞÞ: Der Grenzwert f 0 ðx0 Þ ist die Stei- Funktion, und es gilt f 0 ðxÞ ¼ 2x:
 ..
gung der Tangente in x0 an den Graphen von f ðxÞ, 4. Die Funktion f ðxÞ ¼ jxj ¼
x fur x  0
.. ist (überall) ste-
x fur x < 0
also f 0 ðx0 Þ ¼ tan a. Dabei ist a der Winkel zwischen tig.
der x-Achse und der Tangente an den Graphen in Für x0 > 0 ist f 0 ðx0 Þ ¼ 1, für x0 < 0 ist dagegen f 0 ðx0 Þ ¼ 1.
Für x0 ¼ 0 gilt wegen f ð0Þ ¼ 0
x0 , wobei der Winkel von der positiven x-Achse zur
x0
Tangente im entgegengesetzten Drehsinn des Uhr- lim jxj ¼ lim ¼ lim 1 ¼ 1
x!0 x!0 x x!0
x>0 x>0 x>0
zeigers gemessen wird.
und
Anschaulich bedeutet die Existenz der Ableitung an x  0
der Stelle x ¼ x0, daß der Kurvenverlauf in x0 glatt lim jxj ¼ lim ¼ lim ð1Þ ¼ 1
x!0 x!0 x x!0
x<0 x<0 x<0
ist (keine „Knickstelle“ hat). Der Differentialquotient existiert nicht, da der rechtsseitige
Grenzwert und der linksseitige Grenzwert nicht gleich sind.
y Die Funktion f ðxÞ ¼ jxj ist an der Stelle x0 ¼ 0 stetig, aber
y = f(x) nicht differenzierbar.

y P
4

y – y0 3
P0 2
y0
x – x0
1
a b
0 x0 x x x
–4 –3 –2 –1 1 2 3 4
Bild VIII-5 Geometrische Deutungen des Differen-
zen- und des Differentialquotienten Bild VIII-6 Graph der Funktion von Beispiel 4

Eine Funktion y ¼ f ðxÞ heißt (generell) differenzier- 4.2 Differentiationsregeln

bar, wenn sie an jeder Stelle ihres Definitions-
bereichs differenzierbar ist. Dann heißt die durch
gðxÞ ¼ f 0 ðxÞ definierte Funktion y0 ¼ f 0 ðxÞ die Ablei-
tung oder die Ableitungsfunktion von f ðxÞ.
Eine an der Stelle x0 differenzierbare Funktion
y ¼ f ðxÞ ist dort auch stetig. Falls f ðxÞ an der Stelle
x0 nicht stetig ist, kann f ðxÞ dort auch nicht differen-
zierbar sein. Aus der Stetigkeit an der Stelle x0 folgt
jedoch noch nicht die Differenzierbarkeit an dieser
Stelle.
Die folgenden Regeln gelten sowohl für die Ablei-
tungen einer Funktion y ¼ f ðxÞ an einer bestimmten
Stelle x ¼ x0 als auch für die Ableitungsfunktionen
y0 ¼ f 0 ðxÞ.
1. Konstante Funktion
Die Ableitung einer konstanten Funktion ist Null
(vgl. Beispiel 1 im Abschnitt VIII.4.1).
y ¼ f ðxÞ ¼ c ðc 2 R; konstant) ) y0 ¼ 0
140 Mathematik

& Beispiel: Für die Ableitung des Produkts von drei Funk-
y ¼ 3 ) y0 ¼ 0
tionen gilt
2. Faktorregel
Die Ableitung einer Funktion mal konstantem y ¼ f ðxÞ  gðxÞ  hðxÞ ) y0 ¼ f ðxÞ  gðxÞ  h0 ðxÞ
Faktor ist gleich konstanter Faktor mal abgelei- þ f ðxÞ  g0 ðxÞ  hðxÞ
tete Funktion.
þ f 0 ðxÞ  gðxÞ  hðxÞ
y ¼ c  f ðxÞ ðc 2 R; konstantÞ ) y0 ¼ c  f 0 ðxÞ
Mehrfache Anwendung der Produktregel ergibt
Herleitung: die Ableitung der Potenzfunktion.
c  f ðxÞ  c  f ðx0 Þ
ðc  f Þ0 ðx0 Þ ¼ lim
x ! x0 x  x0 Potenzregel y ¼ xn ðn 2 NÞ ) y0 ¼ nxn  1
f ðxÞ  f ðx0 Þ
¼ lim c Mit Hilfe von Polynomdivision läßt sich dieses
x ! x0 x  x0
f ðxÞ  f ðx0 Þ Ergebnis auch direkt herleiten:
¼ c lim ¼ cf 0 ðx0 Þ d n
x ! x0 x  x0 x ðx0 Þ
dx
& Beispiel: xn  xn0
y ¼ 3x2 ) y0 ¼ 3  2x ¼ 6x; denn
d 2
x ¼ 2x ¼ lim
dx x ! x0 x  x0

3. Summenregel ¼ lim ðxn  1 þ x0 xn  2 þ x20 xn  3 þ    þ xn0  1 Þ

x ! x0
Die Ableitung der Summe (Differenz) zweier
Funktionen ist gleich der Summe (Differenz) der ¼ nxn  1
Ableitungen der Funktionen. Durch Anwendung von Quotienten- und Ketten-
regel (siehe unten) kann man dieses Ergebnis
y ¼ f ðxÞ þ gðxÞ ) y0 ¼ f 0 ðxÞ þ g0 ðxÞ auf reelle Exponenten ausweiten.
y ¼ f ðxÞ  gðxÞ ) y0 ¼ f 0 ðxÞ  g0 ðxÞ
y ¼ xr ðr 2 RÞ ) y0 ¼ rxr  1
Herleitung:
f ðxÞ þ gðxÞ  ðf ðx0 Þ þ gðx0 ÞÞ Summen- und Potenzregel zusammen ergeben
ð f þ gÞ0 ðx0 Þ ¼ lim
x ! x0 x  x0 die Ableitung eines Polynoms.
 
f ðxÞ  f ðx0 Þ gðxÞ  gðx0 Þ
¼ lim þ
x ! x0 x  x0 x  x0 P
n
y ¼ ck xk ¼ c0 þ c1 x þ . . . þ cn xn )
f ðxÞ  f ðx0 Þ gðxÞ  gðx0 Þ k¼0
¼ lim þ lim
x ! x0 x  x0 x ! x0 x  x0 P
n
y0 ¼ k  ck xk  1 ¼ c1 þ 2c2 x þ . . . þ ncn xn  1
¼ f 0 ðx0 Þ þ g0 ðx0 Þ k¼1

Die Herleitung für die Ableitung der Differenz

zweier Funktionen verläuft ganz analog.
& Beispiele:
1. y ¼ 3x2  sin x ) y0 ¼ 3x2  cos x þ 6x  sin x
& Beispiel: 2. y ¼ x7 ) y0 ¼ 7x6
d 2 d
y ¼ x2 þ 3x ) y0 ¼ 2x þ 3; denn x ¼ 2x und 3x ¼ 3 7 5
3. y ¼ x3 ) y0 ¼ x3
7
dx dx
3
4. Produktregel 4. y ¼ 3x  5x þ x2 þ 3 ) y0 ¼ 21x6  20x3 þ 2x
7 4

Die Ableitung des Produkts zweier Funktionen

ist gleich der Summe aus der ersten Funktion 5. Quotientenregel
multipliziert mit der Ableitung der zweiten Funk- Die Ableitung des Quotienten zweier Funktio-
tion und der zweiten Funktion multipliziert mit nen ist gleich der Differenz der Ableitung der
der Ableitung der ersten Funktion. Zählerfunktion multipliziert mit der Nennerfunk-
tion und der Zählerfunktion multipliziert mit der
y ¼ f ðxÞ  gðxÞ ) y0 ¼ f 0 ðxÞ  gðxÞ þ f ðxÞ  g0 ðxÞ Ableitung der Nennerfunktion dividiert durch
das Quadrat der Nennerfunktion.
Herleitung:
f ðxÞ
ð f  gÞ0 ðx0 Þ y¼ ðgðxÞ ¼
6 0Þ
gðxÞ
f ðxÞ gðxÞ  f ðx0 Þ gðx0 Þ f 0 ðxÞ  gðxÞ  f ðxÞ  g0 ðxÞ
¼ lim ) y0 ¼
x ! x0 x  x0 g2 ðxÞ
 
f ðxÞ  f ðx0 Þ gðxÞ  gðx0 Þ
¼ lim gðxÞ þ f ðx0 Þ
x ! x0 x  x0 x  x0 Der Zähler von y0 beginnt also mit der Ablei-
¼ f 0 ðx0 Þ  gðx0 Þ þ f ðx0 Þ  g0 ðx0 Þ tung der Zählerfunktion f ðxÞ.
VIII Differential- und Integralrechnung 141

Herleitung: 7. Ableitung der Umkehrfunktion

 0 Ist y ¼ f ðxÞ eine differenzierbare Funktion mit
f
ðx0 Þ f 0 ðxÞ ¼
6 0, die eine Umkehrfunktion y ¼ f 1 ðxÞ
g
besitzt, so ist auch die Umkehrfunktion differen-
f ðxÞ f ðx0 Þ
 zierbar, und es gilt
gðxÞ gðx0 Þ
¼ lim
x ! x0 x  x0
 1
1 f ðxÞ  f ðx0 Þ ð f 1 Þ0 ðxÞ ¼
¼ lim gðx0 Þ f 0 ðf 1 ðxÞÞ
x ! x0 gðxÞ gðx0 Þ x  x0

gðxÞ  gðx0 Þ Herleitung:
f ðx0 Þ
x  x0 Aus f ð f 1 ðxÞÞ ¼ x (vgl. Abschnitt V.2.8) folgt
f 0 ðx0 Þ  gðx0 Þ  f ðx0 Þ  g0 ðx0 Þ durch Differentiation mit Anwendung der Ket-
¼
g2 ðx0 Þ tenregel f 0 ð f 1 ðxÞÞ  ðf 1 Þ0 ðxÞ ¼ 1 und daraus we-
Im Spezialfall, daß f ðxÞ eine konstante Funktion 6 0 durch Auflösen nach ð f 1 Þ0 ðxÞ die
gen f 0 ðxÞ ¼
mit f ðxÞ ¼ 1 ist, gilt behauptete Gleichung für die Ableitung der Um-
kehrfunktion.
1 g0 ðxÞ
y¼ ) y0 ¼  2 4.3 Höhere Ableitungen
gðxÞ g ðxÞ
Ist die Funktion y ¼ f ðxÞ differenzierbar oder zu-
mindest in einem ganzen Intervall ihres Definitions-
& Beispiele: bereichs differenzierbar, so kann dort also an jeder
5x  1 ð2x þ 3Þ  5  ð5x  1Þ  2 17 Stelle die Ableitung f 0 ðxÞ gebildet werden. Dann ist
1. y¼ ) y0 ¼ ¼
2x þ 3 ð2x þ 3Þ2 ð2x þ 3Þ2 y ¼ f 0 ðxÞ wieder eine Funktion von x. Ist diese
x3 3x2 ðx2  1Þ  2x  x3 x2 ðx2  3Þ Funktion wieder differenzierbar, so nennt man diese
2. y¼ ) y0 ¼ ¼
x2  1 ðx2  1Þ2 ðx2  1Þ2
Ableitung der (ersten) Ableitung die zweite Ablei-
1 2x þ 3
3. y¼ 2
x þ 3x
)y ¼0
tung der Ausgangsfunktion y ¼ f ðxÞ, geschrieben
ðx2 þ 3xÞ2
d2 y d2 f
f 00 ðxÞ oder y00 ðxÞ oder ðxÞ oder ðxÞ (gespro-
6. Kettenregel dx2 dx2
Die Kettenregel ist eine Regel zur Differentia- chen: f zwei Strich von x bzw. y zwei Strich von x
tion zusammengesetzter Funktionen. bzw. d zwei y nach dx Quadrat an der Stelle x bzw.
Ist y ¼ FðxÞ eine zusammengesetzte Funktion, also d zwei f nach dx Quadrat an der Stelle x).
FðxÞ ¼ f ðhðxÞÞ, und setzt man z ¼ hðxÞ, dann ist Entsprechend kann es auch eine dritte, vierte, . . .
y ¼ FðxÞ differenzierbar, wenn die Funktionen Ableitung von f ðxÞ geben. Die n-te Ableitung von
y ¼ f ðzÞ und z ¼ hðxÞ differenzierbar sind, und f ðxÞ schreibt man
es gilt
dn y dn f
f ðnÞ ðxÞ ¼ yðnÞ ðxÞ ¼ ðxÞ ¼ n ðxÞ
d f dh dxn dx
y0 ¼ F 0 ðxÞ ¼  ¼ f 0 ðzÞ  h0 ðxÞ
dz dx
¼ f 0 ðhðxÞÞ  h0 ðxÞ & Beispiele:
1. Die Funktion f ðxÞ ¼ x5 hat als (erste) Ableitung f 0 ðxÞ ¼ 5x4 ,
als zweite Ableitung f 00 ðxÞ ¼ 20x3 , als dritte Ableitung
Man nennt f 0 ðhðxÞÞ die äußere Ableitung und f 000 ðxÞ ¼ 60x2 , als vierte Ableitung f ð4Þ ðxÞ ¼ 120x und als
fünfte Ableitung f ð5Þ ðxÞ ¼ 120. Alle höheren Ableitungen
h0 ðxÞ die innere Ableitung der Funktion
sind Null, also f ðkÞ ðxÞ ¼ 0 für k ¼ 6; 7; . . .
y ¼ f ðhðxÞÞ. 2. f ðxÞ ¼ 4x4  12x3 þ 5x  2 ) f 0 ðxÞ ¼ 16x3  36x2 þ 5;
f 00 ðxÞ ¼ 48x2  72x; f 000 ðxÞ ¼ 96x  72; f ð4Þ ðxÞ ¼ 96;
& Beispiele: f ð5Þ ðxÞ ¼ f ð6Þ ðxÞ ¼ . . . ¼ 0
1. y ¼ FðxÞ ¼ ðx3  2x þ 1Þ3 , also z ¼ hðxÞ ¼ x3  2x þ 1 x2 2x 2ð2x þ 1Þ
3. f ðxÞ ¼ ) f 0 ðxÞ ¼  ; f 00 ðxÞ ¼ ;
und y ¼ f ðzÞ ¼ z3 ðx  1Þ2 ðx  1Þ3 ðx  1Þ4
) y0 ¼ F 0 ðxÞ ¼ f 0 ðzÞ  h0 ðxÞ ¼ 3z2  ð3x2  2Þ 12ðx þ 1Þ
f 000 ðxÞ ¼  ; ...
¼ 3ðx3  2x þ 1Þ2  ð3x2  2Þ ðx  1Þ5
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
2. y ¼ FðxÞ ¼ 5x2  7x þ 8, also z ¼ hðxÞ ¼ 5x2  7x þ 8
pffiffiffi
und y ¼ f ðzÞ ¼ z 4.4 Ableitungen einiger algebraischer
1 1
) y0 ¼ F 0 ðxÞ ¼ f 0 ðzÞ  h0 ðxÞ ¼ z2  ð10x  7Þ Funktionen
2
10x  7
¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Mit den Differentiationsregeln aus Abschnitt VIII.4.2
2 5x2  7x þ 8
3. y ¼ FðxÞ ¼ sin ð4x2 þ 1Þ, also z ¼ hðxÞ ¼ 4x2 þ 1 und
lassen sich die Ableitungen von algebraischen Funk-
y ¼ f ðzÞ ¼ sin z tionen berechnen.
) y0 ¼ F 0 ðxÞ ¼ f 0 ðzÞ  h0 ðxÞ ¼ cos z  8x
Rationale Funktionen
¼ 8x  cos ð4x2 þ 1Þ
Die Ableitung von y ¼ sin x ist y0 ¼ cos x (vgl. Abschnitt y ¼ c (c konstant) ) y0 ¼ 0
VIII.4.5.1). y ¼ x ) y0 ¼ 1
142 Mathematik

1  tan x
y ¼ xn ) y0 ¼ nxn  1 tan x ist A3 ¼ . Wegen A1 < A2 < A3 folgt
2
y ¼ cn xn þ cn  1 xn  1 þ . . . þ c2 x2 þ c1 x þ c0 sin x  cos x x 1  tan x
) y0 ¼ ncn xn  1 þ ðn  1Þcn  1 xn  2 þ . . . þ 2c2 x þ c1 < < .
2 2 2
1 1
y ¼ ) y0 ¼  2 Durch Multiplikation mit
2
folgt
x x sin x
1 n x 1 sin x 1
y ¼ n ) y0 ¼  n þ 1 cos x < < ) cos x < <
x x sin x cos x x cos x
xm ðm  nÞ xm
y ¼ n ) y0 ¼ Die Grenzwerte der beiden äußeren Funktionen an
x xn þ 1 der Stelle x ¼ 0 sind 1, also muß auch der Grenz-
Irrationale Funktionen wert der mittleren Funktion an der Stelle x ¼ 0
pffiffiffi 1 gleich 1 sein:
y ¼ x ) y0 ¼ pffiffiffi
2 x sin x
pffiffiffi lim ¼ 1:
1 x!0 x
y ¼ n x ) y0 ¼ p n
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
n xn  1 Die Ableitung der Funktion y ¼ f ðxÞ ¼ sin x ist die
pffiffiffi pffiffiffi
mx
0 nm mx Funktion y0 ¼ f 0 ðxÞ ¼ cos x.
y¼ p ffiffiffi ) y ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
nx mn n xn þ 1
y ¼ sin x ) y0 ¼ cos x
4.5 Ableitungen einiger transzendenter
Funktionen Beweis:
4.5.1 Trigonometrische Funktionen Für die Differenz sin a  sin b zweier trigono-
metrischer Funktionen gilt (vgl. Abschnitt VI.6)
Zur Herleitung der Ableitung der Sinusfunktion wird
aþb ab
sin x sin a  sin b ¼ 2 cos sin . Damit folgt
der Grenzwert von für x ! 0 benötigt. Es gilt 2 2
x ðsin xÞ0 ðx0 Þ
x þ x0 x  x0
sin x sin x  sin x0 2 cos sin
lim ¼1 ¼ lim ¼ lim 2 2
x!0 x x ! x0 x  x0 x ! x0 x  x0
x  x0
x þ x0 sin
Beweis: ¼ lim cos  lim 2 ¼ cos x0 ;
Zeichnet man einen Einheitskreis in einem kartesi- x ! x0 2 x ! x0 x  x0
schen Koordinatensystem mit dem Mittelpunkt im x  x0 2
Koordinatenursprung O, so ist die Länge des Lotes sin
denn lim 2 ¼ 1; wie oben bewiesen wurde.
eines Kreispunktes P auf die x-Achse sin x, wenn x ! x0 x  x0
die Strecke OP mit der x-Achse den Winkel x (im 2
Bogenmaß) bildet. Der zum Winkel gehörige Bogen
y ¼ cos x ) y0 ¼ sin x
hat die Länge x, da der Radius des Kreises 1 ist
(vgl. Abschnitt VI.2). Die Projektion von OP auf
Beweis:
die x-Achse hat die Länge cos x. Der Teil der zur
Aus sin ð90  aÞ ¼ cos a (vgl. Abschnitt VI.1) folgt
x-Achse senkrechten Tangente an den Einheits- p 
kreis, der zwischen der x-Achse und der Verlänge- y ¼ cos x ¼ sin  x . Anwendung der Ketten-
2
rung der Strecke OP liegt, hat die Länge tan x. p
regel mit z ¼ hðxÞ ¼  x und y ¼ f ðzÞ ¼ sin z ergibt
2 p 
P
y0 ¼ f 0 ðzÞ  h0 ðxÞ ¼ cos z  ð1Þ ¼ cos  x . We-
2
gen cos ð90  aÞ ¼ sin a (vgl. Abschnitt VI.1) folgt
1
die Behauptung y0 ¼ sin x.
tanx

x
sinx

1
x y ¼ tan x ) y0 ¼
0
cos2 x
cosx x
1 Beweis:
sin x
sin x Wegen tan x ¼ folgt mit der Quotientenregel
Bild VIII-7 Zur Herleitung von lim ¼1 cos x
x!0 x und den Ableitungen von sin x und cos x:
cos x  cos x  sin x  ðsin xÞ cos2 x þ sin 2 x
Die Fläche A1 des rechtwinkligen Dreiecks mit den y0 ¼ ¼
sin x  cos x cos2 x cos2 x
Kathetenlängen sin x und cos x ist A1 ¼ , 1
2 ¼
cos2 x
die Fläche A2 des Einheitskreissektors mit dem
x 1
Winkel x ist A2 ¼ , und die Fläche A3 des recht- y ¼ cot x ) y0 ¼ 
2 sin2 x
winkligen Dreiecks mit den Kathetenlängen 1 und
VIII Differential- und Integralrechnung 143

Beweis: d x 1
cos x (siehe Abschnitt VIII.4.2) folgt e ¼ ¼ ex we-
dx 1
Wegen cot x ¼ folgt d 1
sin x gen ln x ¼ . ex
dx x
sin x  ðsin xÞ  cos x  cos x ðsin2 x þ cos2 xÞ
y0 ¼ ¼
sin2 x sin2 x y ¼ ex ) y0 ¼ ex
1
¼ 2
sin x Daraus folgt unmittelbar f ðxÞ ¼ f 0 ðxÞ ¼ f 00 ðxÞ ¼
f 000 ðxÞ ¼ . . . ¼ f ðnÞ ðxÞ ¼ . . . ¼ ex für alle n 2 N. Die
4.5.2 Logarithmusfunktionen e-Funktion hat also die bemerkenswerte Eigen-
   schaft, daß sie mit allen ihren Ableitungen überein-
1 n
Der Grenzwert der Zahlenfolge ðan Þ ¼ 1þ stimmt.
n
heißt Eulersche Zahl (Name nach dem schweizeri- Für die allgemeine Exponentialfunktion gilt
schen Mathematiker Leonhard Euler, 1707––1783)
und wird mit dem Buchstaben e bezeichnet. y ¼ ax ) y0 ¼ ax  ln a

 
1 n Beweis:
e ¼ lim 1þ ¼ 2;718 281 828 4 . . . Wegen ax ¼ ex  ln a (vgl. Abschnitt V.7.1) ergibt sich
n!1 n
aus der Ableitung der e-Funktion zusammen mit der
Die Eulersche Zahl ist eine irrationale Zahl; sie ist Kettenregel y0 ¼ ðax Þ0 ¼ ðex  ln a Þ0 ¼ ex  ln a  ln a ¼
ax  ln a.
Basis der natürlichen Logarithmen (vgl. Abschnitt
I.9.2).
4.5.4 Zusammenfassende bersicht
Mit Hilfe dieses Grenzwertes lassen sich die Ablei-
tungen der Logarithmusfunktionen y ¼ loga x be- Trigonometrische Funktionen
rechnen. Es ergibt sich mit den Regeln der Log- y ¼ sin x ) y0 ¼ cos x
arithmenrechnung (siehe Abschnitt I.9.3) y ¼ cos x ) y0 ¼ sin x
1  p 
ðloga xÞ0 ðx0 Þ y ¼ tan x ) y0 ¼ 2
x 6¼ ð2k þ 1Þ ; k 2 Z
cos x 2
loga x  loga x0 1 x 1
¼ lim ¼ lim loga y ¼ cot x ) y0 ¼  2 ðx 6¼ kp; k 2 ZÞ
x ! x0 x  x0 x ! x0 x  x0 x0 sin x
 
1 x0 x  x0 Exponentialfunktionen
¼ lim loga 1 þ
x ! x0 x0 x  x0 x0 y ¼ ex ) y0 ¼ ex ¼ y
0 1x x0x y ¼ ax ) y0 ¼ ax ln a ða 2 R; a > 0 konstantÞ
1 1 0
¼ lim loga @1 þ x0 A
x ! x0 x0
Logarithmusfunktionen
x  x0
0 1x x0x 1
y ¼ ln x ) y0 ¼ ðx > 0Þ
1 1 0 1 x
¼ loga lim @1 þ x A ¼ loga e
x0 x ! x0 0 x0 1 1 1
x  x0 y ¼ loga x ) y0 ¼ loga e ¼ 
x ln a x
ða 2 R; a > 0; a 6¼ 1 konstant; x > 0Þ
Bei der vorletzten Umformung wurde (der hier
nicht hergeleitete) Satz benutzt, daß der Grenzwert 4.6 Sekanten und Tangenten
des Logarithmus gleich dem Logarithmus des
ln e 1 Eine Sekante ist eine Gerade, die eine Kurve, also
Grenzwertes ist. Wegen loga e ¼ ¼ (vgl. Ab- den Graph einer Funktion y ¼ f ðxÞ, in (mindestens)
ln a ln a
schnitt I.9.4) ergibt sich zwei Punkten schneidet (Sekante ¼ Schneidende).
Der Teil zwischen den Schnittpunkten heißt Sehne.
1 1 1
y ¼ loga x ) y0 ¼ loga e  ¼  Die Gleichung der Sekante durch die Punkte
x ln a x P1 ðx1 j f ðx1 ÞÞ und P2 ðx2 j f ðx2 ÞÞ lautet

Für die natürliche Logarithmusfunktion mit der Ba- f ðx2 Þ  f ðx1 Þ

sis a ¼ e folgt y¼ ðx  x1 Þ þ f ðx1 Þ
x2  x1

1
y ¼ ln x ) y0 ¼ & Beispiele:
x 1. f ðxÞ ¼ x2 ; P1 ð0 j 0Þ; P2 ð1 j 1Þ
Die Gleichung der Sekante durch die Punkte P1 und P2 lautet
10
y¼ ðx  0Þ þ 0, also y ¼ x.
4.5.3 Exponentialfunktionen 10

Die e-Funktion ist die Umkehrfunktion der natür- 2. f ðxÞ ¼ x3  2x þ 1; P1 ð1 j 2Þ; P2 ð2 j 5Þ
Die Gleichung der Sekante durch die Punkte P1 und P2 lautet
lichen Logarithmusfunktion. Nach der Regel zur 52
y¼ ðx  ð1ÞÞ þ 2 ¼ x þ 3:
Berechnung der Ableitung der Umkehrfunktion 2  ð1Þ
144
Eine Tangente ist eine Gerade, die den Graph einer
Funktion y ¼ f ðxÞ in einem Punkt berührt, aber
nicht schneidet (Tangente = Berührende) (vgl. auch
Abschnitt VII.3.3).
Die Funktion f ðxÞ hat in dem Punkt Pða j f ðaÞÞ ge-
nau dann eine Tangente, wenn die Funktion in a
differenzierbar ist. Die Ableitung der Funktion an
der Stelle, also f 0 ðaÞ, ist die Steigung der Tangente.
Die Gleichung der Tangente an die Kurve im Punkt
Pða j f ðaÞÞ lautet
y ¼ f 0 ðaÞ ðx  aÞ þ f ðaÞ
& Beispiele:
1. f ðxÞ ¼ x2 ; Pð1 j 1Þ
f 0 ðxÞ ¼ 2x ) f 0 ð1Þ ¼ 2
Die Gleichung der Tangente an die Kurve im Punkt Pð1 j 1Þ
lautet somit y ¼ 2ðx  1Þ þ 1 ¼ 2x  1:
2. f ðxÞ ¼ x3  2x þ 1; Pð1 j 0Þ
f 0 ðxÞ ¼ 3x2  2 ) f 0 ð1Þ ¼ 1
Die Gleichung der Tangente an die Kurve im Punkt Pð1 j 0Þ
lautet somit y ¼ 1  ðx  1Þ þ 0 ¼ x  1:
4.7 Extremwerte von Funktionen
Eine Funktion y ¼ f ðxÞ besitzt an der Stelle x ¼ a
ein relatives Maximum, wenn es eine Umgebung
von a gibt, in der alle Funktionswerte kleiner als an
der Stelle x ¼ a sind. Dieser Funktionswert f ðaÞ
heißt relatives Maximum. Es gilt dann f ðxÞ < f ðaÞ
für alle x 6¼ a aus einer passenden Umgebung von a.
Alle benachbarten Funktionswerte sind also kleiner
als f ðaÞ.
..
Relatives Maximum f ðaÞ f ðxÞ < f ðaÞ ur x 6¼ a
fu
Entsprechend besitzt eine Funktion y ¼ f ðxÞ an der
Stelle x ¼ a ein relatives Minimum, wenn es eine
Umgebung von a gibt, in der alle Funktionswerte
größer als an der Stelle x ¼ a sind. Der Funktions-
wert f ðaÞ heißt dann relatives Minimum. Für ein rela-
tives Minimum gilt analog f ðxÞ > f ðaÞ für alle x 6¼ a
aus einer geeigneten Umgebung von a. Alle benach-
barten Funktionswerte sind also größer als f ðaÞ.
..
Relatives Minimum f ðaÞ f ðxÞ > f ðaÞ ur x 6¼ a
fu
Es handelt sich bei einem relativen Maximum oder
einem relativen Minimum um eine lokale Eigen-
schaft, denn es wird nur eine Umgebung von x ¼ a
betrachtet.
Das absolute oder globale Maximum einer Funktion
y ¼ f ðxÞ, die in einem abgeschlossenen Intervall
½c; d differenzierbar ist, ist entweder ein relatives
Maximum, oder es wird am Rand, also für x ¼ c
oder x ¼ d, angenommen. Entsprechend ist das ab-
solute oder globale Minimum ein relatives Mini-
mum, oder es wird an einem der Intervallränder
x ¼ c oder x ¼ d angenommen.
Ein Extremwert einer Funktion ist ein Funktions-
wert f ðaÞ, der ein relatives Minimum oder ein relati-
Mathematik
ves Maximum ist. Statt Extremwert sagt man auch
Extremum oder relatives Extremum.
Eine notwendige Bedingung dafür, daß die Funktion
y ¼ f ðxÞ an der Stelle x ¼ a ein relatives Extremum
besitzt, ist das Verschwinden der Ableitung an dieser
Stelle, also f 0 ðaÞ ¼ 0 (falls sie existiert). Zur Bestim-
mung der relativen Extrema müssen alle x berech-
net werden, die die Gleichung f 0 ðxÞ ¼ 0 erfüllen.
Eine hinreichende Bedingung für ein relatives Ex-
tremum (das heißt, ist die Bedingung erfüllt, dann
liegt ein relatives Extremum vor) ist, daß die zweite
Ableitung von Null verschieden ist, also f 00 ðaÞ ¼ 6 0.
Gilt jedoch auch f 00 ðaÞ ¼ 0, so ist f ðaÞ ein relatives
Extremum, wenn es ein gerades n gibt, so daß f 0 ðaÞ
¼ f 00 ðaÞ ¼ . . . ¼ f ðn  1Þ ðaÞ ¼ 0; f ðnÞ ðaÞ ¼
6 0 (n gerade).
Ein Extremum liegt vor, wenn die erste an der Stel-
le a nicht verschwindende Ableitung von gerader
Ordnung ist.
Dieses relative Extremum ist ein relatives Minimum,
wenn im ersten Fall f 00 ðaÞ > 0 und im zweiten Fall
f ðnÞ ðaÞ > 0 gilt. Das relative Extremum ist ein relati-
ves Maximum, wenn im ersten Fall f 00 ðaÞ < 0 und im
zweiten Fall f ðnÞ ðaÞ < 0 gilt.
Geometrisch bedeutet f 0 ðaÞ ¼ 0, daß die Tangente
an die Kurve der Funktion im Punkt Pða j f ðaÞÞ waa-
gerecht, also parallel zur x-Achse, verläuft.
& Beispiele:
1. f ðxÞ ¼ x2
f 0 ðxÞ ¼ 2x; f 00 ðxÞ ¼ 2
f 0 ðxÞ ¼ 0 ) x ¼ 0
f 00 ð0Þ ¼ 2 > 0 ) f ð0Þ ¼ 0 ist ein relatives Minimum von
y ¼ f ðxÞ
2. f ðxÞ ¼ x4 þ 1
f 0 ðxÞ ¼ 4x3 ; f 00 ðxÞ ¼ 12x2 ; f 000 ðxÞ ¼ 24x; f ð4Þ ðxÞ ¼ 24
f 0 ðxÞ ¼ 0 ) x ¼ 0
f 00 ð0Þ ¼ f 000 ð0Þ ¼ 0; f ð4Þ ð0Þ ¼ 24 < 0 ) f ð0Þ ¼ 0 ist ein rela-
tives Maximum von y ¼ f ðxÞ
3. f ðxÞ ¼ x3  4x2 þ 4x ¼ xðx  2Þ2
f 0 ðxÞ ¼ 3x2  8x þ 4; f 00 ðxÞ ¼ 6x  8
f 0 ðxÞ ¼ 0 ) 3x2 8x þ 4 ¼ 0 ) x1 ¼ 2; x2 ¼
2
3
00
f ð2Þ ¼ 4 > 0; f 00 2
¼ 4 < 0 ) f ðx1 Þ ¼ f ð2Þ ¼ 0 ist ein re-
3  
2 32
latives Minimum und f ðx2 Þ ¼ f ¼ ist ein relatives
Maximum von y ¼ f ðxÞ
3 27
4. f ðxÞ ¼ x  3x þ 3x
3 2
f 0 ðxÞ ¼ 3x2  6x þ 3 ¼ 3ðx  1Þ2 ; f 00 ðxÞ ¼ 6x  6; f 000 ðxÞ ¼ 6
f 0 ðxÞ ¼ 0 ) x ¼ 1
f 00 ð1Þ ¼ 0; f 000 ð1Þ ¼ 6 ) f ðxÞ besitzt kein relatives Extremum,
bei x ¼ 1 liegt der Sattelpunkt P ¼ ð1 j 1Þ, also ein Wende-
punkt mit waagerechter Tangente (vgl. Abschnitt VIII.4.8).
4.8 Krümmungsverhalten von Funktionen
Das Krümmungsverhalten einer Funktion ist die
Verteilung von konvexen und konkaven Bereichen
der Kurve der Funktion.
Eine Funktion y ¼ f ðxÞ heißt an der Stelle x ¼ a
von unten konvex, wenn alle Punkte der Kurve der
Funktion in einer Umgebung von a oberhalb der
Tangente im Punkt Pða j f ðaÞÞ liegen.
In einem von unten konvexen Bereich ist die Ab-
leitungsfunktion y0 ¼ f 0 ðxÞ monoton wachsend.
Die Funktion y ¼ f ðxÞ hat dort eine Linkskrüm-
VIII Differential- und Integralrechnung 145

mung (der Graph macht in x-Richtung eine Links- y

Δa
kurve). y = f(x)
Entsprechend heißt die Funktion an der Stelle x ¼ a
von unten konkav (oder von oben konvex), wenn
alle Punkte der Kurve der Funktion in einer Um-
gebung von a unterhalb der Tangente im Punkt a1
y1
Pða j f ðaÞÞ liegen. Δs
P1
In einem von unten konkaven Bereich ist die Ablei- y
tungsfunktion y0 ¼ f 0 ðxÞ monoton fallend. Die Funk- a
P
tion y ¼ f ðxÞ hat dort eine Rechtskrümmung (der x x1 x
Graph macht in x-Richtung eine Rechtskurve). Bild VIII-9: Zur Definition der Krümmung
einer Kurve
y
4.9 Wendepunkte von Funktionen
konvex konvex
Ein Wendepunkt einer Funktion y ¼ f ðxÞ ist ein
(f ′′ > 0) (f ′′ > 0)
konkav y = f (x) Punkt Pða j f ðaÞÞ, in dem sich das Krümmungsver-
(f ′′ < 0) halten der Kurve ändert. In einem Wendepunkt fin-
0 x det der bergang von einem konvexen zu einem
konkaven Bereich oder umgekehrt statt. Die Kurve
liegt in der unmittelbaren Nähe eines Wendepunk-
tes nicht auf einer Seite der Tangente, sondern wird
Bild VIII-8 Konkave und konvexe Bereiche
von dieser durchsetzt.
der Funktion y ¼ f ðxÞ
Eine notwendige Bedingung für die Existenz eines
Wendepunktes Pða j f ðaÞÞ einer Funktion y ¼ f ðxÞ ist
Die Krümmung einer Funktion ist die Abweichung das Verschwinden der zweiten Ableitung im Wende-
der Kurve der Funktion von der Geraden. punkt, also f 00 ðaÞ ¼ 0 (falls sie existiert). Zur Bestim-
Die Krümmung der Kurve der Funktion y ¼ f ðxÞ im mung der Wendepunkte müssen alle x berechnet
Punkt Pðx j yÞ ist definiert als der Grenzwert j des werden, die die Gleichung f 00 ðxÞ ¼ 0 erfüllen.
Quotienten aus der Differenz der Steigungswinkel Eine hinreichende Bedingung für einen Wendepunkt
a1 ; a der Tangenten durch einen Punkt P1 und durch ist, daß die dritte Ableitung von Null verschieden ist,
P an die Kurve und der Länge Ds des Kurvenbogens also f 000 ðaÞ ¼
6 0. Gilt jedoch auch f 000 ðaÞ ¼ 0, so hat f ðxÞ
zwischen den Punkten (falls der Grenzwert existiert): an der Stelle a einen Wendepunkt, wenn es ein ungera-
des n gibt, so daß f 00 ðaÞ ¼ f 000 ðaÞ ¼ . . . ¼ f ðn  1Þ ðaÞ
a1  a Da da ¼ 0; f ðnÞ ðaÞ ¼ 6 0 (n ungerade). Ein Wendepunkt liegt
j ¼ lim ¼ lim ¼
P1 ! P Ds P1 ! P Ds ds vor, wenn die erste an der Stelle a nicht verschwinden-
de Ableitung von ungerader Ordnung ist.
Die Krümmung einer Funktion ist in einem konve- Falls in einem Wendepunkt Pða j f ðaÞÞ auch noch die
xen Bereich (Linkskurve) positiv, in einem konka- erste Ableitung verschwindet, wenn also zusätzlich
ven Bereich (Rechtskurve) negativ. Für eine Gerade f 0 ðaÞ ¼ 0 gilt, dann ist dort die Tangente waagerecht.
gilt j ¼ 0. Ein solcher Wendepunkt heißt Sattelpunkt.
Mit Hilfe der Kettenregel berechnet man für die & Beispiele:
Krümmung in einen Punkt Pðx j yÞ der Funktion 1. f ðxÞ ¼ x3  4x2 þ 4x ¼ xðx  2Þ2
y ¼ f ðxÞ: f 0 ðxÞ ¼ 3x2  8x þ 4; f 00 ðxÞ ¼ 6x  8; f 000 ðxÞ ¼ 6
4
f 00 ðxÞ ¼ 0 ) 6x  8 ¼ 0 ) x ¼
  3
f 00 ðxÞ f 00 ðxÞ f 000
4
¼ 6 6¼ 0 ) bei x ¼
4
j¼ ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 3 3 3
liegt der Wendepunkt
3
½ 1 þ f 02 ðxÞ    !  !
½1 þ f 02 ðxÞ2 4  4 4  16
P¼ f ¼ 
3  3 3  27
2. f ðxÞ ¼ x3  3x2 þ 3x
1 f 0 ðxÞ ¼ 3x2  6x þ 3 ¼ 3ðx  1Þ2 ; f 00 ðxÞ ¼ 6x  6; f 000 ðxÞ ¼ 6
Für j 6¼ 0 heißt r ¼ Krümmungsradius und der
jjj f 00 ðxÞ ¼ 0 ) x ¼ 1
Kreis mit diesem Radius Krümmungskreis der Kur- f 000 ð1Þ ¼ 6 6¼ 0 ) f ðxÞ besitzt bei x ¼ 1 einen Wendepunkt
Da auch f 0 ð1Þ ¼ 0 gilt, ist dort die Tangente waagerecht, und
ve im Punkt Pðx j yÞ.
somit ist P ¼ ð1 j 1Þ ein Sattelpunkt.
3. f ðxÞ ¼ x5
& Beispiel: f 0 ðxÞ ¼ 5x4 ; f 00 ðxÞ ¼ 20x3 ; f 000 ðxÞ ¼ 60x2 ;
f ðxÞ ¼ 3x3  1 f ð4Þ ðxÞ ¼ 120x; f ð5Þ ðxÞ ¼ 120
f 0 ðxÞ ¼ 9x2 ; f 00 ðxÞ ¼ 18x f 00 ðxÞ ¼ 0 ) x ¼ 0
Es folgt: j ¼
18x
. f 000 ð0Þ ¼ f ð4Þ ð0Þ ¼ 0; f ð5Þ ð0Þ ¼ 120 6¼ 0
3
ð1 þ 81x4 Þ2 ) f ðxÞ besitzt bei x ¼ 0 einen Wendepunkt
18 Da auch f 0 ð0Þ ¼ 0 gilt, ist dort die Tangente waagerecht, und
Krümmung im Punkt Pð1 j 2Þ zum Beispiel: j ¼ 3 0;0242
822 somit ist P ¼ ð0 j 0Þ ein Sattelpunkt.
146 Mathematik

4.10 Kurvendiskussion 4.11 Anwendungsbeispiele

Eine Kurvendiskussion ist die Untersuchung einer 1. Ein halbrunder Balken soll so besäumt werden,
Funktion y ¼ f ðxÞ bzw. des Graphen der Funktion daß ein rechtwinkliger Balken mit maximalem
auf typische Eigenschaften. Dazu gehören die Un- Widerstandsmoment W entsteht.
tersuchung auf Symmetrie und Monotonie sowie die
Bestimmung von Definitionsbereich, Nullstellen, re- b
lativen Extrema, Wendepunkten, Unstetigkeitsstel-
r h
len und Asymptoten.

& Beispiel: Bild VIII-11 Zu Anwendungsbeispiel 1

1
f ðxÞ ¼ xðx  2Þ3
2 Die Gleichung für das Widerstandsmoment lautet:
Ableitungen:
hb2
1 3
f 0 ðxÞ ¼ ðx  2Þ3 þ xðx  2Þ2 (1) W ¼
2 2 6
1
¼ ðx  2Þ2 ðx  2 þ 3xÞ ¼ ðx  2Þ2 ð2x  1Þ Nach dem Satz des Pythagoras gilt für die Bezie-
2
f 00 ðxÞ ¼ 2ðx  2Þ ð2x  1Þ þ 2ðx  2Þ2
hung zwischen b und h:
 2
¼ ðx  2Þ ð4x  2 þ 2x  4Þ ¼ 6ðx  1Þ ðx  2Þ b
(2) þ h2 ¼ r2
f 000 ðxÞ ¼ 6ðx  1Þ þ 6ðx  2Þ ¼ 6ð2x  3Þ 2
Definitionsbereich: Auflösen von Gleichung (2) nach b2 :
D¼R b2 ¼ 4ðr2  h2 Þ
Nullstellen: Einsetzen in (1):
1 h 2
f ðxÞ ¼ xðx  2Þ3 ¼ 0 ) x1 ¼ 0; x2 ¼ 2
2 W ¼  4ðr2  h2 Þ ¼ ðr2 h  h3 Þ
6 3
Relative Extremwerte: Da r eine feste Größe ist, hängt W nur von h ab,
1 das heißt, W ist eine Funktion von h: W ¼ WðhÞ.
f 0 ðxÞ ¼ ðx  2Þ2 ð2x  1Þ ¼ 0 ) x3 ¼ 2; x4 ¼
2 Notwendige Voraussetzung für ein Maximum von
f 00 ðx3 Þ ¼ f 00 ð2Þ ¼ 0; f 000 ð2Þ ¼ 6 > 0 (n ungerade) ) bei x3 ¼ 2 W ist das Verschwinden der Ableitung: W 0 ¼ 0.
Wendepunkt; wegen f 0 ð2Þ ¼ 0 ist Pð2 j 0Þ ein Sattelpunkt 2
  Berechnung der Ableitung: W 0 ðhÞ ¼ ðr2  3h2 Þ
1 1 3 2 3
f 00 ðx4 Þ ¼ f 00 ¼6   >0
2 2 2 W 0 ðhÞ ¼ 0 ) ðr2  3h2 Þ ¼ 0 ) r 2  3h2 ¼ 0
1 1 pffiffi
ffi3
) Minimum bei x4 ¼
2 )h¼ r 3
Wendepunkte:
3
f 00 ðxÞ ¼ 6ðx  1Þ ðx  2Þ ¼ 0 ) x5 ¼ 1; x6 ¼ x3 ¼ 2 (Da die Höhe h nicht negativ sein kann, kommt
f 000 ðx5 Þ ¼ f 000 ð1Þ ¼
6 0 ) Wendepunkt bei x5 ¼ 1 für das Maximum nur das positive Vorzeichen in
Sattelpunkt bei x6 ¼ x3 ¼ 2 (siehe oben) 1 pffiffiffi
Frage.) Wegen W 00 ðhÞ ¼ 4h ist für h ¼ r 3
Zusammenfassung: 3
1 die zweite Ableitung negativ, es liegt also ein
Die Funktion f ðxÞ ¼ xðx  2Þ3 hat die Nullstellen x1 ¼ 0 und
2     Maximum vor.
1 1 1 3 3 27
x2 ¼ 2, das relative Minimum f ¼    ¼ , Ergebnis:
1 pffiffiffi 2 pffiffiffi
   2 2 2 2 32
 1 1 1
den Wendepunkt P 1   denn f ð1Þ ¼  1  ð1Þ3 ¼  h ¼ r 3 und b ¼ r 6 sind die Abmessun-
2 2 2 3 3
und den Sattelpunkt Pð2 j 0Þ. Die Funktion besitzt keine Unstetig- gen für das maximale  Widerstandsmoment,
 es
keitsstellen und Asymptoten, sie ist weder zur y-Achse noch zum 2 p ffiffi
ffi 1 4 3 pffiffiffi
Koordinatenursprung symmetrisch. Die Funktion ist streng mono- beträgt W ¼ r 3 r2  r2 ¼ r 3.
 9 3 27
1
ton fallend im Intervall 1; und streng monoton wachsend 2. Aus einem kreiskegelförmigen Stück Holz soll
 2
im Intervall
1
;1 .
ein Zylinder größtmöglichen Rauminhalts (Ge-
2 wichts) gedreht werden. Welchen Radius x und
welche Höhe y hat dieser Zylinder, wenn r der
y Radius und h die Höhe des Kegels sind?
Bild VIII-12
Zu Anwendungsbeispiel 2
1
h
x h–y
0 1 2 x

y
Bild VIII-10 Graph der Funktion
1 x
f ðxÞ ¼ xðx  2Þ3 r
2
VIII Differential- und Integralrechnung 147

(1) V ¼ px2 y Zylindervolumen x2  x3 f ðx2 Þ

Das folgt aus ¼ , was sich mit
hy h x2  x1 f ðx2 Þ  f ðx1 Þ
ð2Þ ¼ Beziehung zwischen x und y
x r dem zweiten Strahlensatz ergibt.
Die Beziehung zwischen x und y folgt aus der
hnlichkeit der schraffierten Dreiecke.
 x
y
Auflösen von (2) nach y: y ¼ h 1 
r
Einsetzen in (1):
  
x 1
V ¼ px2 h 1  ¼ ph x2  x3 x 1 x0
r r
x3 x2 x
h ist eine feste Größe, V ist also eine Funktion
der Variablen x: V ¼ VðxÞ.
Berechnung der Ableitung:
  Bild VIII-13 Regula falsi
3
V 0 ðxÞ ¼ ph 2x  x2
r
    Dieses Verfahren läßt sich zur Bestimmung immer
0 3 3
V ðxÞ ¼ 0 ) ph 2x  x2 ¼ phx 2  x ¼ 0 besserer Näherungslösungen für die Nullstelle x0 be-
r r liebig oft wiederholen. Im nächsten Schritt wendet
2 man das Verfahren auf x3 und den Wert x1 oder x2
) x1 ¼ 0 und x2 ¼ r
3
  an, dessen Funktionswert ein von f ðx3 Þ verschiede-
6 nes Vorzeichen hat.
Wegen V 00 ðxÞ ¼ ph 2  x gilt V 00 ðx1 Þ > 0
r Diese Methode zur Bestimmung von Näherungswer-
und V 00 ðx2 Þ < 0, das heißt, bei x1 liegt ein Mini- ten einer Nullstelle einer stetigen Funktion heißt
mum und bei x2 ein Maximum vor. auch Sekantenverfahren.
Ergebnis:
& Beispiel:
2 1
x ¼ r und y ¼ h sind Radius und Höhe des f ðxÞ ¼ x3 þ 2x2 þ 10x  20
3 3 Für x1 ¼ 1 und x2 ¼ 1;5 gilt f ðx1 Þ ¼ f ð1Þ ¼ 7 und
gesuchten Zylinders, das maximale Zylindervolu- f ðx2 Þ ¼ f ð1;5Þ ¼ 2;875. Eine bessere Näherungslösung für die
4 Nullstelle von f ðxÞ, die zwischen 1 und 1,5 liegt, erhält man mit
men beträgt V ¼ pr2 h.
27 Regula falsi:
1;5  1
x3 ¼ 1;5  2;875
2;875  ð7Þ
4.12 Näherungsverfahren zur Nullstellen- ¼ 1;5 
0;5
2;875 ¼ 1;3544 . . .
bestimmung 9;875
Wegen f ðx3 Þ ¼ 0;3020 . . . < 0 läßt sich im nächsten Schritt das
In vielen Fällen ist es nicht möglich oder nicht not- Verfahren auf x3 und x2 anwenden:
wendig, die Nullstellen von Funktionen exakt zu be- x3  x2
x4 ¼ x3  f ðx3 Þ
rechnen. Gerade in vielen praktischen Anwendun- f ðx3 Þ  f ðx2 Þ
1;3544 . . .  1;5
gen genügen oftmals angenäherte Werte. Zur ¼ 1;3544 . . .  ð0;3020 . . .Þ
0;3020 . . .  2;875
Bestimmung solcher sogenannten Näherungslösun- ¼ 1;3682 . . .
gen gibt es eine Reihe von Näherungsverfahren. Es gilt f ðx4 Þ ¼ 0;0113 . . ., das heißt, x4 ist schon eine gute Nähe-
rung für die Nullstelle x0 .
4.12.1 Regula falsi Will man die Näherung weiter verbessern, so wendet man Regula
falsi im nächsten Schritt auf x4 und x2 an ( f ðx4 Þ und f ðx3 Þ haben
Regula falsi ist ein Verfahren zur näherungsweisen dasselbe Vorzeichen, deshalb kann das Verfahren nicht auf x4
Bestimmung einer Nullstelle einer stetigen Funk- und x3 angewandt werden).
tion.
Für eine stetige Funktion y ¼ f ðxÞ wird eine Null- 4.12.2 Newtonsches Verfahren
stelle, also eine Stelle x0 mit f ðx0 Þ ¼ 0, gesucht. Sind Das Newtonsche Verfahren ist eine Methode zur nä-
x1 und x2 zwei Stellen in der Nähe der Nullstelle x0, herungsweisen Bestimmung einer Nullstelle einer
deren Funktionswerte unterschiedliche Vorzeichen stetig differenzierbaren Funktion.
haben (also f ðx1 Þ  f ðx2 Þ < 0), dann erhält man eine Bei diesem Verfahren wird die Funktion in der
bessere Näherung, indem man durch die Punkte Nähe einer Nullstelle nicht durch eine Sekante wie
P1 ðx1 j f ðx1 ÞÞ und P2 ðx2 j f ðx2 ÞÞ die Verbindungs- bei Regula falsi, sondern durch eine Tangente er-
gerade (Sekante) legt. Der Schnittpunkt x3 der Ver- setzt.
bindungsgeraden mit der x-Achse liefert einen ver- Für eine stetig differenzierbare Funktion y ¼ f ðxÞ
besserten Näherungswert für die Nullstelle x0. wird eine Nullstelle, also eine Stelle x0 mit f ðx0 Þ ¼ 0
x2  x1 gesucht. Ist x1 eine Stelle in der Nähe der Nullstelle
x3 ¼ x2  f ðx2 Þ x0 , dann ersetzt man die Funktion durch die Tan-
f ðx2 Þ  f ðx1 Þ
gente in dem Punkt Pðx1 j f ðx1 ÞÞ. Der Schnittpunkt
148 Mathematik

x2 dieser Tangente mit der x-Achse ergibt einen tionsbereich eine Stammfunktion von f ðxÞ, wenn für
neuen Näherungswert für die Nullstelle x0. alle x 2 I gilt

f ðx1 Þ F 0 ðxÞ ¼ f ðxÞ

x2 ¼ x1 
f 0 ðx1 Þ
Die Funktion f ðxÞ heißt dann integrierbar.
Damit x2 tatsächlich ein besserer Näherungswert als Ist FðxÞ eine Stammfunktion von f ðxÞ, so ist auch
x1 für die Nullstelle x0 ist, muß in der Umgebung FðxÞ þ c für eine beliebige Konstante c eine Stamm-
 f ðxÞ  f 00 ðxÞ funktion, denn eine additive Konstante verschwindet
 
von x0 die Bedingung   < 1 erfüllt sein. bei der Differentiation. Somit ist fFðxÞ þ C j C 2 Rg
 ½ f 0 ðxÞ2 
die Menge aller Stammfunktionen von f ðxÞ. Stamm-
y funktionen sind also bis auf eine additive Konstante
eindeutig bestimmt.
& Beispiele:
1. Funktion: f ðxÞ ¼ x2  2x  3
1
Stammfunktion: FðxÞ ¼ x3  x2  3x, aber zum Beispiel
1 3 3
auch F1 ðxÞ ¼ x  x  3x þ 5
2
3
x0 2. Funktion: f ðxÞ ¼ sin x
Stammfunktion: FðxÞ ¼ cos x oder etwa F1 ðxÞ ¼ cos x þ 3
x1 x2 x3 x
3. Funktionen: f ðxÞ ¼ xk ðk 2 R; k 6¼ 1Þ
Bild VIII-14 Newtonsches Verfahren xk þ 1
Stammfunktionen: FðxÞ ¼ þ C ðC 2 RÞ
kþ1
1
4. Funktion: f ðxÞ ¼ x1 ¼
Dasselbe Verfahren läßt sich auch auf x2 anwenden. x
Stammfunktionen: FðxÞ ¼ ln x þ C ðC 2 RÞ
Man erhält als weitere Verbesserung den Wert
f ðx2 Þ 5. Funktion: f ðxÞ ¼ ex
x3 ¼ x2  0 : Allgemein findet man durch folgen- Stammfunktionen: f ðxÞ ¼ ex þ C ðk 2 RÞ
f ðx2 Þ
de Iterationsvorschrift aus x1 eine Folge von verbes-
serten Näherungswerten x2 ; x3 ; x4 ; . . . für die Null- Die Gesamtheit aller Stammfunktionen FðxÞ þ C
stelle x0. heißt unbestimmtes Integral der Funktion y ¼ f ðxÞ,
gesprochen: Integral über f ðxÞ dx und geschrieben
f ðxk Þ Ð
xk þ 1 ¼ xk  ; k ¼ 1; 2; 3; . . . f ðxÞ dx ¼ FðxÞ þ C
f 0 ðxk Þ
Ð
Diese Methode zur Bestimmung von Näherungswer- Das Zeichen heißt Integralzeichen, und f ðxÞ heißt
ten einer Nullstelle einer stetig differenzierbaren Integrand. Die Variable x nennt man Integrations-
Funktion heißt Newtonsches Verfahren (nach dem variable und C Integrationskonstante.
englischen Mathematiker Isaac Newton, 1642––1727) Die Konstante C soll andeuten, daß FðxÞ durch die
oder auch Tangentenverfahren. Funktion f ðxÞ bis auf eine additive Konstante be-
stimmt ist.
& Beispiel:
f ðxÞ ¼ x3 þ 2x2 þ 10x  20 & Beispiele:
ð
1
Wegen f 0 ðxÞ ¼ 3x2 þ 4x þ 10 erhält man die Iterationsvorschrift 6. x3 dx ¼ x4 þ C
4
x3k þ 2x2k þ 10xk  20 Ð
x k þ 1 ¼ xk  7. cos x dx ¼ sin x þ C
3x2k þ 4xk þ 10 ð
1 1 3
8. ðx4  3x2 þ 1Þ dx ¼ x5  3  x þxþC
Für die Anfangsnäherung x1 ¼ 1 gilt f ðx1 Þ ¼ f ð1Þ ¼ 7, und man 5 3
berechnet 1 5
¼ x x þxþC
3
5
x2 ¼ 1;4117 . . . mit f ðx2 Þ ¼ 0;9175 . . . ;
x3 ¼ 1;3693 . . . mit f ðx3 Þ ¼ 0;0111 . . . ;
5.2 Integrationsregeln
x4 ¼ 1;3688 . . . mit f ðx4 Þ ¼ 0;000 001 . . .

Die Zahl x4 ist also schon eine sehr gute Näherung für die Null-
Die folgenden Integrationsregeln zur Berechnung
stelle x0 . der unbestimmten Integrale von Funktionen lassen
sich durch Differentiation der entsprechenden Glei-
chung beweisen.
5 Integralrechnung 1. Faktorregel
5.1 Unbestimmtes Integral Ein konstanter Faktor im Integranden kann vor
das Integralzeichen gezogen werden.
Ist y ¼ f ðxÞ eine Funktion mit einem Intervall I als
Definitionsbereich, dann heißt eine differenzierbare Ð Ð
cf ðxÞ dx ¼ c f ðxÞ dx ðc 2 RÞ
Funktion FðxÞ mit demselben Intervall I als Defini-
VIII Differential- und Integralrechnung 149

& Beispiel:
ð ð woraus mit der Summenregel der Integralrech-
1 2 3
1. 3x dx ¼ 3 x dx ¼ 3  x þ C ¼ x2 þ C nung die Behauptung folgt.
2 2
Mit
Ð dieser Methode wird ein Integral der Form
2. Potenzregel uðxÞ v0 ðxÞ
Ð dx auf das oft leichter berechenbare
ð Integral u0 ðxÞ vðxÞ dx zurückgeführt.
1
xn dx ¼ xn þ 1 þ C
nþ1 & Beispiele:
Ð
5. ln x dx
1
Beweis: Setzt man uðxÞ ¼ ln x und v0 ðxÞ ¼ 1, dann ist u0 ðxÞ ¼
  und vðxÞ ¼ x, und es ergibt sich
x
d 1 ð ð ð
xn þ 1 þ C ¼ xn 1
dx n þ 1 ln x dx ¼ 1  ln x dx ¼ x  ln x  x 
ð x
dx

¼ x  ln x  dx ¼ x  ln x  x þ C
& Beispiel: Ð x
6. xe dx
ð
1 Setzt man uðxÞ ¼ x und v0 ðxÞ ¼ ex , dann ist u0 ðxÞ ¼ 1 und
2. x5 dx ¼ x6 þ C
6 vðxÞ ¼ ex , und es folgt
Ð x Ð
xe dx ¼ xex  1  ex dx ¼ xex  ex þ C ¼ ðx  1Þ ex þC
3. Summenregel Ð
7. x  cos x dx
Das unbestimmte Integral einer Summe ist gleich
Setzt man uðxÞ ¼ x und v0 ðxÞ ¼ cos x, dann ist u0 ðxÞ ¼ 1
der Summe der unbestimmten Integrale (falls und vðxÞ ¼ sin x, und es ergibt sich
Ð Ð
Stammfunktionen existieren). x  cos x dx ¼ x  sin x  1  sin x dx ¼ x  sin x þ cos x þ C
Ð n
x  ln x dx ðn 2 NÞ
Ð Ð Ð 8.
1
ð f ðxÞ þ gðxÞÞ dx ¼ f ðxÞ dx þ gðxÞ dx Setzt man uðxÞ ¼ ln x und v0 ðxÞ ¼ xn , dann ist u0 ðxÞ ¼
x
xnþ1
und vðxÞ ¼ , und es ergibt sich
nþ1
ð ð
& Beispiel: xn þ 1 1 xn þ 1
xn  ln x dx ¼  ln x   dx
ð ð ð ð nþ1 x nþ1
ð
3: ð4x3  3x2 þ 5Þ dx ¼ 4x3 dx  3x2 dx þ 5 dx xn þ 1 1
¼  ln x  n
x dx
ð ð ð nþ1 nþ1
¼ 4 x3 dx  3 x2 dx þ 5 dx xn þ 1 1
¼  ln x  xn þ 1 þ C
1 4 1 3 nþ1 ðn þ 1Þ2
¼4 x 3 x þ 5x þ C
4 3
¼x 4
x3
þ 5x þ C 6. Substitutionsmethode
Durch Substitution x ¼ jðtÞ der unabhängigen
4. Ist der Integrand ein Bruch, in dem der Zähler Variablen einer Funktion y ¼ f ðxÞ, also Einfüh-
die Ableitung des Nenners ist, dann ist das un- rung einer neuen Variablen t, ergibt sich für das
bestimmte Integral gleich dem natürlichen Log- unbestimmte Integral
arithmus des Nenners.
Ð Ð
ð f ðxÞ dx ¼ f ðjðtÞÞ j0 ðtÞ dt
f 0 ðxÞ
dx ¼ ln f ðxÞ þ C
f ðxÞ
Durch geeignete Substitution kann das Integral
Beweis: auf der rechten Seite der Gleichung einfacher zu
Nach der Kettenregel zur Differentiation zusam- Ðberechnen sein als das Ausgangsintegral
mengesetzter Funktionen gilt: f ðxÞ dx. Die Substitution muß so gewählt sein,
d f 0 ðxÞ daß x ¼ jðtÞ nach t differenzierbar ist.
ð ln f ðxÞ þ CÞ ¼
dx f ðxÞ
& Beispiele:
& Beispiel: ð
dx
ð 9.
2x þ 3 ð2 þ 3xÞ2
4. dx ¼ ln ðx2 þ 3x  5Þ þ C
x2 þ 3x  5 t2
Substituiert man 2 þ 3x ¼ t; also x ¼ jðtÞ ¼ , dann
3
5. Partielle Integration dx 1 dt
ist j0 ðtÞ ¼ ¼ oder dx ¼ , und es ergibt sich
Läßt sich die Funktion f ðxÞ als Produkt zweier ð
dt
ð
3 3
Funktionen gðxÞ ¼ uðxÞ und hðxÞ ¼ v0 ðxÞ darstel- dx
¼ 2
1 dt 1
¼ þC ¼ 
1 1
þC
ð2 þ 3xÞ2 t 3 3t 3 2 þ 3x
len, also f ðxÞ ¼ gðxÞ  hðxÞ ¼ uðxÞ  v0 ðxÞ, dann gilt
Ð n
10. ð1 þ xÞ dx ðn 2 NÞ
Ð Ð dx
uðxÞ v0 ðxÞ dx ¼ uðxÞ vðxÞ  u0 ðxÞ vðxÞ dx Substituiert man x ¼ jðtÞ ¼ t  1, dann ist j0 ðtÞ ¼
dt
¼ 1,
also dx ¼ dt, und es ergibt sich
ð ð
tn þ 1 ðx þ 1Þn þ 1
Beweis: ð1 þ xÞn dx ¼ tn dt ¼ þC ¼ þC
nþ1 nþ1
Mit der Produktregel der Differentialrechnung Ð 2
ergibt sich 11. ðx þ 7Þ8  x dx pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Substituiert man x2 þ 7 ¼ t, also x ¼ jðtÞ ¼ t  7, dann
d
ðuðxÞ  vðxÞÞ ¼ u0 ðxÞ  vðxÞ þ uðxÞ  v0 ðxÞ; ist nach der Kettenregel j0 ðtÞ ¼
dx 1 1
¼  pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi  1 oder
dx dt 2 t7
150 Mathematik

ð
dt 1 12x3  27x2  8x þ 37
dx ¼  pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi , und es ergibt sich 15. dx
2 t7 3x2  3x  6
ð ð pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi dt ð
1 1 Polynomdivision ergibt für den Integranden:
ðx2 þ 7Þ8  x dx ¼ t 8  t  7   pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼ t8 dt
2 t7 2
12x3  27x2  8x þ 37 xþ7
¼ 4x  5 þ
1 1 9 1 2 3x2  3x  6 3ðx2  x  2Þ
¼   t þC ¼ ðx þ 7Þ9 þ C
2 9 18 Nullstellen des Nenners: x1 ¼ 2; x2 ¼ 1
Zerlegung des Nennerpolynoms:
Das letzte Integral läßt sich noch einfacher be- x2  x  2 ¼ ðx  2Þ ðx þ 1Þ
rechnen, wenn man die obige Substitutionsglei- Ansatz zur Zerlegung des Bruches in Partialbrüche:
chung von rechts nach links liest (mit der Substi- xþ7 A B
¼ þ
tution u ¼ jðxÞ). 3ðx2  x  2Þ x  2 x þ 1
Multiplikation mit dem Hauptnenner:
Ð Ð x þ 7 ¼ 3Aðx þ 1Þ þ 3Bðx  2Þ
f ðjðxÞÞ j0 ðxÞ dx ¼ f ðuÞ du
¼ ð3A þ 3BÞ x þ ð3A  6BÞ
Vergleich der Koeffizienten von x und der Absolutglieder:
1 ¼ 3A þ 3B; 7 ¼ 3A  6B
& Beispiel:
Lösung dieses Gleichungssystems mit zwei Gleichungen
ð ð und zwei Variablen A und B:
1 1 9
11: ðx2 þ 7Þ8  x dx ¼ u8 du ¼ u þC 2
2 18 A ¼ 1; B ¼ 
1 2 3
¼ ðx þ 7Þ9 þ C Damit ergibt sich für das unbestimmte Integral:
18 ð ð ð ð
mit der Substitution u ¼ x2 þ 7, woraus du ¼ 2x dx folgt. 12x3  27x2  8x þ 37 1
2  3x  6
dx ¼ 4x dx  5 dx þ dx
ð 3x x2
Spezialfall 2 2
 dx ¼ 2x  5x þ ln ðx  2Þ  ln ðx þ 1Þ þ C
2
3ðx þ 1Þ 3
ð
½ f ðxÞn þ 1
½ f ðxÞn  f 0 ðxÞ dx ¼ þ C ðn 6¼ 1Þ
nþ1 5.3 Unbestimmte Integrale
einiger algebraischer Funktionen
& Beispiel: Mit den Integrationsregeln aus Abschnitt VIII.5.2
ð ð
lassen sich die unbestimmten Integrale von algebrai-
12: cos5 x  sin x dx ¼  cos5 x  ðsin xÞ dx
schen Funktionen berechnen.
1
¼ cos6 x þ C
6 Rationale Funktionen
7. Partialbruchzerlegung Ð
a dx ¼ ax þ C
Die Integration gebrochener rationaler Funktio- ð
1
nen y ¼ f ðxÞ mit x dx ¼ x2 þ C
2
an xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a2 x2 þ a1 x þ a0 ð
f ðxÞ ¼ xn þ 1
bm xm þ bm  1 xm  1 þ . . . þ b2 x2 þ b1 x þ b0 x dx ¼
n
þC
ð n þ1
wird oftmals durch eine Partialbruchzerlegung ðan xn þ an  1 xn  1 þ . . . þ a1 x þ a0 Þ dx
von f ðxÞ (siehe Abschnitt V.5.2) einfacher oder
an an  1 n a1
überhaupt erst möglich. ¼ xn þ 1 þ x þ . . . þ x2 þ a0 x þ C
ð nþ1 n 2
&
1
Beispiele: dx ¼ ln x þ C ðx > 0Þ
ð 2
13.
6x  x þ 1
dx
ð x
x3  x 1 1 1
dx ¼  þ C ðn 6¼ 1Þ
Partialbruchzerlegung der Funktion liefert (vgl. Ab- xn n  1 xn  1
schnitt V.5.2, Beispiel 3): ð m mþ1
x 1 x
6x2  x þ 1 1 3 4 dx ¼ þ C ðn 6¼ m þ 1Þ
x3  x
¼ þ þ
x x1 xþ1
xn m  n þ 1 xn
Mit der Summenregel folgt:
ð 2 ð ð ð Irrationale Funktionen
6x  x þ 1
dx ¼
1
dx þ
3
dx þ
4 ð
x3  x x x1 xþ1
dx pffiffiffi 2 3
x dx ¼ x2 þ C
¼ ln x þ 3 ln ðx  1Þ þ 4 ln ðx þ 1Þ þ C ð 3
ð
3x2  x þ 1 p ffiffiffi n p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
n nþ1
14. dx
n
x dx ¼ x þC
x3  2x2 þ x nþ1
ð mpffiffiffi pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
m mþ1
Durch Partialbruchzerlegung erhält man (vgl. Ab- x mn x
schnitt V.5.2, Beispiel 2): p ffiffiffi dx ¼ p ffiffiffi þ C
n
x n  m þ mn n
x
3x2  x þ 1 1 2 3
¼ þ þ
x3  2x2 þ x x x  1 ðx  1Þ2
Daraus errechnet sich das unbestimmte Integral der 5.4 Unbestimmte Integrale
Funktion: einiger transzendenter Funktionen
ð ð ð ð
3x2  x þ 1 1 2 3
dx ¼ dx þ dx þ dx Auch für einige transzendente Funktionen lassen
x3  2x2 þ x x x1 ðx  1Þ2
3
sich die unbestimmten Integrale mit den Integrati-
¼ ln x þ 2 ln ðx  1Þ  þC onsregeln aus Abschnitt VIII.5.2 berechnen.
x1
VIII Differential- und Integralrechnung 151

Trigonometrische Funktionen Diese Integraldefinition geht auf Bernhard Riemann

Ð zurück (deutscher Mathematiker, 1826––1866).
sin x dx ¼ cos x þ C
Ð Ðb
cos x dx ¼ sin x þ C Gilt f ðxÞ  0 für alle x 2 ½a; b, dann ist f ðxÞ dx
Ð a
tan x dx ¼ ln jcos xj þ C gleich dem Inhalt des von der Kurve (Graph der
Ð Funktion y ¼ f ðxÞ) und der x-Achse zwischen x ¼ a
cot x dx ¼ ln jsin xj þ C
ð   und x ¼ b berandeten Fläche. Für f ðxÞ  0 für alle
1 p
dx ¼ tan x þ C x 6¼ ð2k þ 1Þ ; k 2 Z Ðb
ð
2
cos x 2 x 2 ½a; b ist f ðxÞ dx der negative Flächeninhalt.
a
1
dx ¼ cot x þ C ðx 6¼ kp; k 2 ZÞ Ðb
sin2 x Besitzt y ¼ f ðxÞ in ½a; b Nullstellen, so ist f ðxÞ dx
a
Exponentialfunktionen die Differenz der Flächeninhalte oberhalb („þ“)
Ð x und unterhalb („“) der x-Achse.
e dx ¼ ex þ C
ð
1
ax dx ¼  ax þ C ða 2 R; a > 0 konstantÞ y
ln a

Logarithmusfunktionen
Ð + y = f(x) +
ln x dx ¼ x  ðln x  1Þ þ C ðx > 0Þ
b
ð a x
1 0
loga x dx ¼  x  ðln x  1Þ þ C – –
ln a
ða 2 R; a > 0 konstant; x > 0Þ

5.5 Bestimmtes Integral Bild VIII-16 Bestimmtes Integral

Ist y ¼ f ðxÞ eine beschränkte Funktion mit einem
abgeschlossenen Intervall als Definitionsbereich, al-
so D ¼ ½a; b, dann ist das bestimmte Integral von
Ðb Pn
f ðxÞ definiert durch f ðxÞ dx ¼ lim f ðxk Þ Dxk ,
a n!1 k¼1
falls dieser Grenzwert existiert und unabhängig von
der Wahl der Zahlen xk und xk ist (gesprochen: In-
tegral von a bis b über f ðxÞ dx). Dabei ist
a ¼ x0 < x1 < . . . < xn ¼ b eine Einteilung (Zerle-
gung) des Intervalls ½a; b mit Dxk ¼ xk  xk  1 und
xk ; k ¼ 1; 2; . . . ; n, ein beliebiger Zwischenpunkt
mit xk  1  xk  xk .
Existenz des bestimmten Integrals:
Jede in einem Intervall ½a; b stetige Funktion ist
dort auch integrierbar. Auch jede im Intervall ½a; b
beschränkte Funktion, die in ½a; b nur endlich viele
Unstetigkeitsstellen besitzt, ist in diesem Intervall in-
tegrierbar.
& Beispiele:
1. Für die Funktion f ðxÞ ¼ c; c 2 R; D ¼ ½a; b und eine belie-
bige Einteilung a ¼ x0 < x1 < . . . < xn ¼ b des Intervalls
½a; b gilt

P
n P
n P
n
lim f ðxk Þ Dxk ¼ lim c  Dxk ¼ lim c ðxk  xk  1 Þ
ðb n!1 k¼1 n!1 k¼1 n!1 k¼1
P
n
¼ lim c  ðb  aÞ
f ðxÞ dx ¼ lim f ðxk Þ Dxk n!1
n!1 k¼1
a Also ist die Funktion f ðxÞ im Intervall ½a; b integrierbar, und
es gilt
Ðb
y c dx ¼ c  ðb  aÞ
a

f(x) 2. Es sei f ðxÞ ¼ x; D ¼ ½a; b: Da f ðxÞ stetig ist, ist f ðxÞ in ½a; b
integrierbar. Wählt man für eine Intervalleinteilung xk ¼
ba
a þ kD mit D ¼ , also a ¼ x0 < x1 ¼ a þ D < x2 ¼ a þ
n
2D < . . . < xn ¼ a þ nD ¼ b, dann folgt Dxk ¼ xk  xk  1 ¼
0 a = x0 x1 x2 ... xk–1 xk xk xk+1 ... xn–1 xn = b x a þ kD  ða þ ðk  1Þ DÞ ¼ D. Wählt man außerdem xk ¼ xk ,
also xk ¼ a þ kD, dann gilt
Bild VIII-15 Zur Definition des bestimmten P
n P
n P
n

Integrals f ðxk Þ Dxk ¼ xk D ¼ ða þ kDÞ D

k¼1 k¼1 k¼1

P
n P
n P
n P
n
¼ aDþ k  D2 ¼ a  D 1 þ D2 k
Die Funktion f ðxÞ heißtÐ dann im Intervall ½a; b inte- k¼1 k¼1 k¼1 k¼1

grierbar. Das Zeichen heißt Integralzeichen. Man  2

ba ba ðn þ 1Þ n
¼a  nþ 
nennt a die untere Integrationsgrenze, b die obere n n 2
Integrationsgrenze, f ðxÞ den Integranden und x die  
ðb  aÞ2 1
¼ aðb  aÞ þ  1þ ;
Integrationsvariable. 2 n
152 Mathematik

P
n P
n ðn þ 1Þ n
denn 1 ¼ n und k¼ . Für das bestimmte Inte- 5.7 Eigenschaften des bestimmten Integrals
k¼1 k¼1 2
gral ergibt sich dann Die folgenden Eigenschaften zur Berechnung des
ðb  ! bestimmten Integrals einer Funktion lassen sich mit
ðb  aÞ2 1 Hilfe der Definition beweisen.
x dx ¼ lim aðb  aÞ þ  1þ
n!1 2 n
a
  1. Vertauschung der Integrationsgrenzen
ðb  aÞ2 1
¼ aðb  aÞ þ lim 1þ
2 n!1 n
Ða Ðb
ðb  aÞ2 b2 a2
¼ aðb  aÞ þ ¼  ;
f ðxÞ dx ¼  f ðxÞ dx
2 2 2 b a
 
1 1
denn es gilt lim 1 þ ¼ 1 þ lim ¼ 1:
n!1 n n!1 n
& Beispiel:
ð2 2
1  1 1
x dx ¼ x2  ¼ 22  62 ¼ 2  18 ¼ 16
2 2 2
5.6 Hauptsatz der Differential- 6
6

ð6  
und Integralrechnung 1 2 6 1 2 1 2
 x dx ¼  x  ¼  6  2 ¼ ð18  2Þ ¼ 16
2 2 2 2
2
Der Hauptsatz der Differential- und Integralrech-
nung liefert den Zusammenhang zwischen bestimm- 2. Zusammenfassen der Integrationsintervalle
tem und unbestimmtem Integral einer Funktion
y ¼ f ðxÞ. Ðb Ðc Ðc
Ist die Funktion y ¼ f ðxÞ mit D ¼ ½a; b im Intervall f ðxÞ dx þ f ðxÞ dx ¼ f ðxÞ dx
a b a
½a; b integrierbar, und besitzt f ðxÞ eine Stammfunk-
tion FðxÞ, so gilt
f(x)

Ðb
f ðxÞ dx ¼ FðbÞ  FðaÞ
a x
a b c

Das bestimmte Integral ist also Funktionswert von Bild VIII-17 Zusammenfassen
F an der oberen Intervallgrenze minus Funktions- der Integrationsintervalle
wert von F an der unteren Intervallgrenze. Dabei ist
& Beispiel:
FðxÞ eine beliebige Stammfunktion von f ðxÞ. p
Ðp Ð2 Ðp
cos x dx ¼ cos x dx þ cos x dx
Statt FðbÞ  FðaÞ schreibt man auch
x ¼ b b 0 0 p
2
  Einzelberechnung der Integrale:
FðxÞ ¼ FðxÞ . p
x¼a a Ðp 
cos x dx ¼ sin x  ¼ sin p  sin 0 ¼ 0  0 ¼ 0
Mit diesem Satz wird die Berechnung des bestimm- 0 0

ten Integrals einer Funktion auf die Berechnung

p
Ð2 p
2 p
cos x dx ¼ sin x  ¼ sin  sin 0 ¼ 1  0 ¼ 1
einer Stammfunktion der Funktion zurückgeführt. 0 0 2
Ðp p
Der Satz stellt somit den Zusammenhang zwischen  p
cos x dx ¼ sin x p ¼ sin p  sin ¼ 0  1 ¼ 1
dem bestimmten und dem unbestimmten Integral p 2
2
2
einer Funktion y ¼ f ðxÞ her. Er wurde von Gott-
fried Wilhelm Leibniz (deutscher Mathematiker, y
1646––1716) und Isaac Newton (englischer Mathe- 1 f(x) = cosx
matiker, 1642––1727) entdeckt. 1
0 π π
–1 x
& Beispiele: 2
ðb
1 2 b 1  –1
1. x dx ¼ x  ¼ b 2  a2
2 a 2 Ðp
a
Bild VIII-18 cos x dx ¼ 0
ð3 3 0
dx 
2. ¼ ln x  ¼ ln 3
x 1
1 3. Gleiche untere und obere Integrationsgrenze
ð5 5
1  1 1 54  1
3. x dx ¼ x4  ¼ 54  14 ¼
3
¼ 156 Ða
4 1 4 4 4
1 f ðxÞ dx ¼ 0
a
ðp p

4. sin x dx ¼ cos x  ¼ cos p  ðcos 0Þ ¼ 1 þ 1 ¼ 2
0
0
& Beispiel:
2ðp
2p ð3 3
 1  1 1
5. cos x dx ¼ sin x  ¼ sin 2p  sin 0 ¼ 0 x3 dx ¼ x4  ¼ 34  34 ¼ 0
0 4 3 4 4
0 3
VIII Differential- und Integralrechnung 153

Ðb Die geradlinige Verbindung dieser Punkte ergibt

4. Existieren die bestimmten Integrale f ðxÞ dx
Ðb a einen Streckenzug, dessen Länge sZ die Summe der
und gðxÞ dx, so gilt für beliebige c1 ; c2 2 R Längen der Teilstrecken Dsk ist:
qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
a
P
n Pn
sZ ¼ Dsk ¼ ðxk  xk  1 Þ2 þ ðyk  yk  1 Þ2
Ðb k¼1 k¼1
ðc1  f ðxÞ þ c2  gðxÞÞ dx sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
 ffi
a n qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
P P n Dyk 2
¼ Dxk þ Dyk ¼
2 2 1þ Dxk
Ðb Ðb k¼1 k¼1 Dxk
¼ c1 f ðxÞ dx þ c2 gðxÞ dx
a a Der Mittelwertsatz der Differentialrechnung sagt
aus, daß es für eine stetig differenzierbare Funktion
& Beispiel: y ¼ f ðxÞ; f : ½a; b ! W mindestens eine Stelle x mit
Ð4 Ð4 Ð4 f ðbÞ  f ðaÞ
ð2x  4x3 Þ dx ¼ 2 x dx  4 x3 dx a < x < b gibt, so daß ¼ f 0 ðxÞ. Es folgt,
1 1 1 ba
Einzelberechnung der Integrale: daß es in allen Intervallen ðxk1 ; xk Þ Zwischenstellen
4
Ð4  Dyk f ðxk Þ  f ðxk  1 Þ
ð2x  4x3 Þ dx ¼ ðx2  x4 Þ ¼ ð42  44 Þ  ð12  14 Þ xk gibt mit ¼ ¼ f 0 ðxk Þ. Damit
1 1
Dxk xk  xk  1
¼ 240  0 ¼ 240
folgt für die Länge sZ des Streckenzugs Z:
ð4 4 !
1 2 

1 2 1 2
 
1

Pn qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
2 x dx ¼ 2
2
x  ¼2
2
4  1 ¼2 8
2 2
¼ 15 sZ ¼ 1 þ ½ f 0 ðxk Þ2 Dxk
k¼1 pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1
1

ð4 4 !   Mit f 0 ist auch 1 þ f 02 in ½a; b stetig, und somit

1 4  1 4 1 4
4 x3 dx ¼ 4 x  ¼ 4 4  1 folgt für die Bogenlänge s mit der Definition des
4 1 4 4
1
  bestimmten Integrals:
n qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Ðb qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi2ffi
1
¼ 4 64  ¼ 255 P
4
s ¼ lim 1 þ ½ f 0 ðxk Þ2 Dxk ¼ 1 þ ½ f 0 ðxÞ dx
n!1 k¼1 a
5.8 Einige Anwendungen der Integral-
& Beispiel:
rechnung pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
Bogen: y ¼ 1  x2 ; D ¼ ½a; b ¼ ½1; 1 (Halbkreis)
Es gibt sehr viele Anwendungen der Integralrech- Bogenlänge:
nung in der Technik und in den Ingenieurwissen- sffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi 1
ð1  2 ð1
x 1 
schaften. Im folgenden sind exemplarisch einige da- s¼ 1 þ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi dx ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi dx ¼ arcsin x ¼ p
1  x2 1  x2 1
von genannt. 1 1

Bogenlänge Volumen und Mantelfläche von Rotationskörpern

Die Länge eines Kurvenstücks bezeichnet man als Ein Rotationskörper ist ein Körper, der entsteht,
Bogenlänge. wenn die Kurve einer Funktion y ¼ f ðxÞ mit
Läßt sich der Bogen durch eine stetig differenzier- f ðxÞ  0 um die x-Achse (Rotationsachse) zwischen
bare Funktion y ¼ f ðxÞ; f : ½a; b ! W beschreiben, x ¼ a und x ¼ b rotiert (oder die inverse Funktion
dann gilt für die Bogenlänge s um die y-Achse). Rotationskörper sind aus dem All-
tag bekannt: Vasen, Gläser oder gedrechselte Figu-
Ðb qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi2ffi
ren zum Beispiel.
s¼ 1 þ ½ f 0 ðxÞ dx
a

y = f(x)
Beweis: f(x)
Ist a ¼ x0 < x1 < . . . < xn ¼ b eine Zerlegung Z des x
a b x
Intervalls ½a; b mit Dxk ¼ xk  xk  1 ; k ¼ 1; 2; . . . ; n,
dann sind Pk ¼ Pk ðxk j yk Þ mit yk ¼ f ðxk Þ Punkte des
Kurvenstücks.

y Bild VIII-20 Rotationskörper

P1 Pn Ein Rotationskörper ist durch zwei Schnitte senk-
Pk
recht zur Rotationsachse begrenzt. Die von der Kur-
Δs k
ve, der x-Achse und den Geraden x ¼ a und x ¼ b
P0 Pk–1 Δyk begrenzte Fläche heißt die erzeugende Fläche des
Δxk Rotationskörpers.
Die Kugel ist zum Beispiel ein Rotationskörper. Sie
entsteht durch Rotation eines Kreises mit dem Mit-
x 0 = a x1 ... xk–1 xk ... xn = b telpunkt im Koordinatenursprung um eine der bei-
x
den Achsen. Auch gerade Kreiskegel und gerade
Bild VIII-19 Streckenzug zu einer Zerlegung Z Kreiszylinder sind Rotationskörper.
154 Mathematik

Für das Volumen V und für den Inhalt AM der eine Achse drehen, so gilt für die kinetische
Mantelfläche eines Rotationskörpers gilt Energie:
Pn Dm ðwr Þ2
k k w2 P
n
Ðb W¼ ¼ r2  Dmk
Volumen V¼p f 2 ðxÞ dx k¼1 2 2 k¼1 k
a
Ðb qffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi Der Vergleich mit einer geradlinig bewegten
.. Masse zeigt, daß der Geschwindigkeit v die Win-
Mantelfla
ache AM ¼ 2p f ðxÞ 1 þ ½ f 0 ðxÞ2 dx
a kelgeschwindigkeit w entspricht und der Masse
Pn
m bei der Rotation die Summe rk2  Dmk.
& Beispiel: k¼1
Die Gleichung des oberen Halbkreises mit dem Radius r lautet Diese Summe wird Massenträgheitsmoment J ge-
(explizite Form in kartesischen Koordinaten) nannt:
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
y ¼ r2  x2 ; D ¼ ½r; r:
Die Ableitung dieser Funktion ist P
n
1 1 x
y0 ðxÞ ¼ ð2xÞ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ¼ pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
J¼ rk2  Dmk
2 r 2  x2 r2  x2 k¼1
Somit berechnet man nach den obigen Formeln für das Volumen V
und die Oberfläche AO (hier: Mantelfläche = Oberfläche) einer
2. Massenträgheitsmoment eines Vollzylinders
Kugel mit dem Radius r
Der betrachtete Vollzylinder hat die Höhe h und
bð
¼r ðr  r
1  ist homogen, das heißt, er hat konstante Dichte r,
V¼p ðr2  x2 Þ dx ¼ 2p ðr2  x2 Þ dx ¼ 2p r2 x  x3 
3 0 und er rotiert um die Zylinderachse.
a ¼ r 0
2 3 4
¼ 2p  r ¼ pr3
3 3 R
bð
¼r rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi x2
AO ¼ 2p r 2  x2 1 þ 2 dx rk
r  x2 Δrk
a ¼ r
ðr rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi ðr r
pffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi r2  h
¼ 4p r2  x2 dx ¼ 4p r dx ¼ 4p  rx ¼ 4pr2
r 2  x2 0
0 0

Volumen und Mantelfläche von Rotationskörpern

lassen sich auch mit Hilfe der Guldinschen Regeln Bild VIII-21 Zum Massenträgheitsmoment
berechnen (benannt nach dem Mathematiker Paul eines Vollzylinders
Guldin, 1577––1643):
1. Guldinsche Regel Denkt man sich den Zylinder in n Hohlzylinder
Das Volumen eines Rotationskörpers ist gleich dem der Dicke Drk zerlegt, dann gilt für deren Volu-
Produkt aus dem Inhalt der auf einer Seite der Ro- men DVk 2prk  Drk  h. Ist Drk sehr klein,
tationsachse liegenden erzeugenden Fläche und der dann haben alle Massenpunkte eines Hohlzylin-
Länge des Weges, den der Flächenschwerpunkt bei ders nahezu den gleichen Abstand rk von der
der Rotation zurücklegt. Drehachse, und es gilt für das Massenträgheits-
moment JV des Vollzylinders
2. Guldinsche Regel
Pn Pn
Der Inhalt der Mantelfläche eines Rotationskörpers JV rk2 Dmk ¼ rk2  r  DVk
ist gleich dem Produkt aus der Länge des auf einer k¼1 k¼1

Seite der Rotationsachse liegenden erzeugenden P

n P
n
r rk2  2prk  Drk  h ¼ 2prh rk3 Drk
Kurvenstücks und der Länge des Weges, den der k¼1 k¼1
Schwerpunkt des erzeugenden Kurvenstücks bei der Wählt man die Unterteilung immer feiner, also
Rotation zurücklegt. Drk ! 0, so folgt mit der Definition des bestimm-
Massenträgheitsmoment von Zylindern ten Integrals
ðR
1. Definition des Massenträgheitsmoments Pn
JV ¼ 2prh lim rk3 Drk ¼ 2prh r3 dr
Dreht sich ein Massenpunkt der Masse m im Ab- n!1 k¼1
stand r um eine Rotationsachse, so gilt für die 0

Geschwindigkeit v ¼ wr, wobei w die Winkel- R4 1 R2 R2

¼ 2prh  ¼ prhR4 ¼  prhR2 ¼  mV
geschwindigkeit ist. Für die kinetische Energie 4 2 2 2
gilt: mV ¼ prhR ist die Masse des Vollzylinders
2

m 2 m
W¼ v ¼ ðwrÞ2 3. Massenträgheitsmoment eines Hohlzylinders
2 2 Das Massenträgheitsmoment JH eines Hohlzylin-
Betrachtet man ein System von n Massenpunk- ders mit dem Außendurchmesser Ra , dem Innen-
ten der Massen Dmk ; k ¼ 1; 2; . . . ; n, die sich durchmesser Ri , der Höhe h und der konstanten
mit der gleichen Winkelgeschwindigkeit w um Dichte r in bezug auf die Zylinderachse erhält
VIII Differential- und Integralrechnung 155

man als Differenz der Trägheitsmomente zweier x 2 E läßt sich nach Vorgabe einer positiven Zahl e
Vollzylinder. ein n0 2 N (im allgemeinen sowohl von x als auch
ða
R ði
R ða
R von e abhängig, also n0 ¼ n0 ðe; xÞ) so finden, daß
JH ¼ 2prh r3 dr  2prh r3 dr ¼ 2prh r3 dr für alle n  n0 gilt j f ðxÞ  fn ðxÞj < e. Man nennt die-
ses punktweise Konvergenz der Funktionenfolge
0 0 Ri
R ! und schreibt dafür
r4  a 1
¼ 2prh ¼ prhðR4a  R4i Þ ..
4 Ri 2 lim fn ðxÞ ¼ f ðxÞ fu
ur x 2 E
n!1
R2a þ R2i R2 þ R2i
¼  prhðR2a  R2i Þ ¼ a  mH Hängt dagegen die Größe von n0 nur von e ab und
2 2
mH ¼ prhðR2a  R2i Þ ist die Masse des Hohlzylin- nicht auch von x, also n0 ¼ n0 ðeÞ, dann heißt die
ders Funktionenfolge gleichmäßig konvergent in E.
Die Funktion f ðxÞ heißt Grenzfunktion der Funktio-
Ra nenfolge ð fn ðxÞÞ.

& Beispiel:
1
fn ðxÞ ¼ xn ; D ¼ 0;
Ri 2
h 1
Für ein beliebiges e > 0 wählt man n0 so, daß < e ist. Für alle
2n0
n  n0 und für alle x 2 D gilt dann:
1 1
j fn ðxÞ  0j ¼ xn  n  n < e.
2 20
Die Funktionenfolge ist also gleichmäßig konvergent im Definiti-
Bild VIII-22 Zum Massenträgheitsmoment onsbereich D mit der Grenzfunktion f ðxÞ ¼ 0.
eines Hohlzylinders
Eine Funktionenreihe ist die Summe der Glieder
6 Funktionenreihen einer Funktionenfolge ð fn ðxÞÞ.
Funktionenreihe
Zur Untersuchung von Eigenschaften gegebener
Funktionen ist es oftmals sinnvoll, eine Funktion P
1
näherungsweise durch eine unendliche Reihe darzu- f1 ðxÞ þ f2 ðxÞ þ . . . þ fn ðxÞ þ . . . ¼ fk ðxÞ
k¼1
stellen. Eine solche Darstellung heißt Entwicklung
der Funktion in eine unendliche Reihe. Häufig Die folgenden Summen heißen Partialsummen der
wählt man, gerade bei praktischen Anwendungen, Funktionenreihe.
als Darstellung eine Potenzreihe oder, besonders bei
Funktionen, die periodische Vorgänge beschreiben, F1 ðxÞ ¼ f1 ðxÞ; F2 ðxÞ ¼ f1 ðxÞ þ f2 ðxÞ;
Fourier-Reihen. F3 ðxÞ ¼ f1 ðxÞ þ f2 ðxÞ þ f3 ðxÞ; . . .
Fn ðxÞ ¼ f1 ðxÞ þ f2 ðxÞ þ f3 ðxÞ þ . . . þ fn ðxÞ
6.1 Definitionen
Pn
Für jedes n ¼ 1; 2; 3; . . . sei fn ðxÞ eine Funktion mit ¼ fk ðxÞ
k¼1
dem Definitionsbereich D  R. Die Folge dieser
Funktionen heißt Funktionenfolge. In Analogie zu den gewöhnlichen Reihen heißt
eine Funktionenreihe in einem Bereich E  D  R
ð fn ðxÞÞ ¼ ð f1 ðxÞ; f2 ðxÞ; f3 ðxÞ; . . .Þ konvergent, wenn die Folge der Partialsummen
P
n
Fn ðxÞ ¼ fk ðxÞ der Funktionenreihe in E gegen
Wählt man x ¼ x0 2 D fest, so erhält man eine ge- k¼1
wöhnliche Zahlenfolge ðan Þ mit an ¼ fn ðx0 Þ (vgl. Ab- eine Funktion FðxÞ konvergiert. Man schreibt dann
schnitt VIII.1).
P
n P
1
& Beispiel:
FðxÞ ¼ lim fk ðxÞ ¼ fk ðxÞ
n!1 k¼1 k¼1
fn ðxÞ ¼ xn ) Funktionenfolge : ð fn ðxÞÞ ¼ ðxn Þ
¼ ðx; x2 ; x3 ; x4 ; . . .Þ
x ¼ x0 ¼ 2 ) Zahlenfolge : ð2n Þ ¼ ð2; 22 ; 23 ; 24 ; . . .Þ Ist die Konvergenz der Folge der Partialsummen in E
¼ ð2; 4; 8; 16; . . .Þ punktweise, dann heißt auch die Funktionenreihe in E
punktweise konvergent. Ist dagegen die Konvergenz
Die Konvergenz von Funktionenfolgen wird analog der Folge der Partialsummen gleichmäßig, so heißt
zur Konvergenz von Zahlenfolgen definiert: auch die Funktionenreihe gleichmäßig konvergent.
Die Funktionenfolge ð fn ðxÞÞ konvergiert in einem Die Funktion FðxÞ heißt Grenzfunktion der Funk-
Bereich E  D  R gegen die Funktion f ðxÞ, wenn tionenreihe in E. Man nennt FðxÞ auch die durch
für jedes x 2 E die Folge ð fn ðxÞÞ gegen den Funk- die Funktionenreihe dargestellte Funktion (im Kon-
tionswert f ðxÞ konvergiert. Das heißt, zu jedem vergenzbereich E).
156 Mathematik

P
1
beiden Randpunkten x0  r und x0 þ r kann die
Die Funktionenreihe fk ðxÞ heißt in E absolut kon-
P
1 k¼1 Reihe konvergent oder divergent sein.
vergent, wenn j fk ðxÞj < 1 für jedes x 2 E gilt. Bei
k¼1 Die Zahl r heißt Konvergenzradius der Potenzreihe.
absolut konvergenten Funktionenreihen darf die  an 
Sie wird bestimmt durch r ¼ lim   oder
Summationsreihenfolge der Ausgangsreihe beliebig n ! 1 an þ 1 
1
geändert werden, ohne daß sich dadurch der Wert r¼ pffiffiffiffiffiffiffiffi , falls diese Grenzwerte existieren.
der Reihe ändert. lim n jan j
n!1
Die erste Möglichkeit für den Konvergenzbereich
pffiffiffiffiffiffiffiffi
& Beispiel:
P
1 x2 einer Potenzreihe folgt aus lim n jan j ¼ 1, es ist
Funktionenreihe: ; x2R n!1
k¼1 ð1 þ x2 Þk ¼ ffi0. Die zweite Möglichkeit folgt aus
dann prffiffiffiffiffiffiffi
2
x
Für x ¼ 0 gilt fk ðxÞ ¼ ¼ 0. lim n jan j ¼ 0, es ist dann r ¼ 1.
ð1 þ x2 Þk n!1
1 P
1
Für festes x 6¼ 0 ist < 1,
die Reihe fk ðxÞ & Beispiele:
 k 1 þ x2 k¼1
P 2
1 1 P1
¼ x ist also eine konvergente geometrische Reihe 1. kk xk
k¼1 1 þ x2 k¼1
pffiffiffiffiffiffiffiffi pffiffiffiffiffi
(vgl. Abschnitt VIII.2.3) mit der Grenzfunktion lim n jan j ¼ lim n nn ¼ lim n ¼ 1
n!1 n!1 n!1
 k  k Somit ist r ¼ 0, der Konvergenzbereich besteht also nur aus
P
1 1 P1 1
FðxÞ ¼ x2 ¼ x2 dem Entwicklungspunkt x0 .
k¼1 1 þ x 2
k¼1 1 þ x 2
P1 2k  1
1 1 2. xk
¼ x2  ¼ x2  ¼ 1 þ x2 : k¼0 kk þ 1 rffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
1 x2 p ffiffiffiffiffiffiffi
ffi
1 n 2n 1 2
1þx 2
1þx 2 lim n jan j ¼ lim ¼ lim p ffiffiffi pffiffiffi  ¼ 0,
n!1 n!1 2n  nn n!1 n 2  n n n
P
1 x2 pffiffi
ffi p ffiffiffi
Die Funktionenreihe k
ist für alle x 2 R konvergent denn lim n 2 ¼ lim n n ¼ 1.
k ¼ 1 ð1 þ x2 Þ n!1 n!1
 .. Es ist also r ¼ 1, die Reihe konvergiert für alle x 2 R.
1 þ x2 fu ur x 6¼ 0 P1
mit der Grenzfunktion FðxÞ ¼ ..
0 ur x ¼ 0
fu 3. k2 5k ðx  2Þk
k¼0
pffiffiffiffiffiffiffiffi p ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
n 2 n
p
n
ffiffiffiffiffi pffiffiffi
lim n jan j ¼ lim n 5 ¼ lim 5  n2 ¼ 5 lim ð n nÞ2 ¼ 5
n!1 n!1 n!1 n!1
1
6.2 Potenzreihen Der Konvergenzradius ist folglich r ¼ . Um den genauen
5
P
1
Konvergenzbereich zu bestimmen, müssen die Randpunkte
Funktionenreihen fk ðxÞ mit fk ðxÞ ¼ ak ðx  x0 Þk , 1 9 1 11
k¼0 x1 ¼ 2  ¼ und x2 ¼ 2 þ ¼ untersucht werden. Für
wobei ak ; k ¼ 0; 1; 2; . . . ; und x0 reelle Zahlen sind, 5 5 5 5  
P
1 1 k
x1 erhält man die numerische Reihe k2 5k 
heißen Potenzreihen. k¼0
 k
5
P1 P1 1 P1
Potenzreihe ¼ ð1Þk k2 und für x2 die Reihe k2 5k ¼ k2 :
k¼0 k¼0 5 k¼0

Beide numerischen Reihen divergieren, die Potenzreihe kon-

P
1
ak ðx  x0 Þk ¼ a0 þ a1 ðx  x0 Þ þ a2 ðx  x0 Þ2 vergiert somit in keinem der Randpunkte. Der Konvergenz-
 
k¼0 9 11
bereich der Potenzreihe ist das offene Intervall ; .
5 5
þ a3 ðx  x0 Þ3 þ . . .
Im Konvergenzbereich der Potenzreihe wird die
Die reellen Zahlen a0 ; a1 ; a2 ; . . . heißen Koeffi- Grenzfunktion FðxÞ durch die Potenzreihe dargestellt.
zienten der Potenzreihe, x0 heißt ihr Entwicklungs-
P
1
punkt. FðxÞ ¼ ak ðx  x0 Þk
Der Konvergenzbereich einer Potenzreihe ist die k¼0

Menge aller Zahlen, die man für x einsetzen kann, so

daß die entstehende numerische Reihe konvergiert. Eine durch eine Potenzreihe dargestellte Funktion
FðxÞ ist im Innern des Konvergenzbereichs stetig.
& Beispiel: Eine Potenzreihe konvergiert in jedem abgeschlosse-
P1
nen Teilintervall des Konvergenzbereichs gleichmä-
Zum Konvergenzbereich der Potenzreihe xk ¼ 1 þ xþx2
k¼0 ßig. Jede Potenzreihe darf im Innern des Konver-
1
þ x3 þ . . . gehört die Zahl , denn die numerische Reihe
 k 2 genzbereichs gliedweise differenziert und integriert
P1 1
konvergiert, die Zahl 2 aber nicht, da die Reihe
k¼0 2 werden. Die so entstehenden Potenzreihen haben
P1
ð2Þk divergiert. den gleichen Konvergenzradius r wie die Ausgangs-
k¼0
reihe. Für x 2 ðx0  r; x0 þ rÞ gilt somit
Für den Konvergenzbereich einer Potenzreihe gibt
P
1
es drei Möglichkeiten: FðxÞ ¼ ak ðx  x0 Þk
k¼0
1. Die Reihe konvergiert nur im Entwicklungs- P
1
punkt x0 . F 0 ðxÞ ¼ k  ak ðx  x0 Þk  1
k¼0
2. Die Reihe konvergiert für alle x 2 R. ð
P
1 ak
3. Die Reihe konvergiert für alle x aus einem end- FðxÞ dx ¼ ðx  x0 Þk þ 1 þ C
lichen offenen Intervall ðx0  r; x0 þ rÞ. In den k¼0 k þ 1
VIII Differential- und Integralrechnung 157

Die Integrationskonstante ist durch Einsetzen (zum periodische Funktion exakt oder angenähert durch
Beispiel x ¼ x0 ) zu bestimmen. eine Funktionenreihe, deren Summanden bestimmte
&
Summen aus trigonometrischen Funktionen sind,
Beispiel:
P
1 1 darzustellen.
Potenzreihe: FðxÞ ¼ xk ¼ (vgl. Abschnitt VIII.2.3)
k¼0 1x Eine Funktion, deren Funktionsgleichung die Bedin-
 
 an 
Konvergenzradius: r ¼ lim   ¼ lim 1 ¼ 1 gung f ðx þ TÞ ¼ f ðxÞ für alle x aus dem Definitions-
n ! 1 an þ 1  n!1 1
bereich D erfüllt, wobei T 6¼ 0 eine Konstante ist,
In den Randpunkten x1 ¼ 1 und x2 ¼ 1 divergiert die numeri-
heißt periodische Funktion (vgl. Abschnitt V.2.7).
sche Reihe, der Konvergenzbereich der Potenzreihe ist somit das
offene Intervall ð1; 1Þ. Die kleinste positive Zahl T mit dieser Eigenschaft
  heißt Periode der Funktion, man nennt die Funktion
P
1 d 1
Differentiation: F 0 ðxÞ ¼ kxk  1 ¼ y ¼ f ðxÞ auch T-periodisch.
k¼0 dx 1  x
1 Eine T-periodische Funktion y ¼ f ðxÞ ist eindeutig
¼ für x 2 ð1; 1Þ
ð1  xÞ2 bestimmt durch ihr Verhalten auf einem beliebigen
ð
P
1 1 Intervall der Länge T. Diese Tatsache führte zur
Integration: FðxÞ dx ¼ xk þ 1 þ C
k¼0 k þ 1 Einführung von Fourier-Reihen.
ð
¼
dx
¼  ln ð1  xÞ P1 pk
1x Funktionenreihen fk ðxÞ mit fk ðxÞ ¼ ak cos x
k ¼ 0 p
Aus x ¼ 0 folgt C ¼ 0, es gilt daher pk
þ bk sin x für k ¼ 1; 2; 3; . . . (ak und bk sind re-
P
1 1 p
xk þ 1 ¼  ln ð1  xÞ für x 2 ð1; 1Þ a0
k¼0 kþ1 elle Zahlen) und f0 ðxÞ ¼ heißen trigonometrische
2
Reihen.
P1
Für zwei Potenzreihen FðxÞ ¼ ak ðx  x0 Þk und Trigonometrische Reihe
P
1
k k¼0
GðxÞ ¼ bk ðx  x0 Þ mit dem gleichen Entwick-  
k¼0 P
1 a0 P1 pk pk
lungspunkt x0 gelten folgende Rechenregeln fk ðxÞ ¼ þ ak cos x þ bk sin x
(x liegt dabei im Innern des Konvergenzbereichs k¼0 2 k¼1 p p
beider Reihen):
Dabei sind ðak Þ; k ¼ 0; 1; 2; . . . und ðbk Þ; k ¼ 1; 2;
Summe 3; . . . Zahlenfolgen.
P
1
Ist eine trigonometrische Reihe für alle x 2 R kon-
FðxÞ þ GðxÞ ¼ ðak þ bk Þ ðx  x0 Þk
k¼0 vergent, so stellt sie in R eine Funktion FðxÞ dar:
 
Differenz a0 P 1 pk pk
P
1
FðxÞ ¼ þ ak cos x þ bk sin x
FðxÞ  GðxÞ ¼ ðak  bk Þ ðx  x0 Þk 2 k¼1 p p
k¼0
Produkt In diesem Fall ist FðxÞ eine 2p-periodische Funktion,
FðxÞ  GðxÞ ¼ a0 b0 þ ða0 b1 þ a1 b0 Þ ðx  x0 Þ denn es gilt für alle x 2 R:
þ ða0 b2 þ a1 b1 þ a2 b0 Þ ðx  x0 Þ2 þ . . . Fðx þ 2pÞ
P
1  
¼ ða0 bk þ a1 bk  1 þ . . . þ ak b0 Þ ðx  x0 Þk a0 P 1 pk pk
k¼0
¼ þ ak cos ðx þ 2pÞ þ bk sin ðx þ 2pÞ
2 k¼1 p p
Quotient     
a0 P 1 pk pk
FðxÞ P1 ¼ þ ak cos x þ 2pk þ bk sin x þ 2pk
¼ ck ðx  x0 Þk 2 k¼1 p p
GðxÞ k ¼ 0  
a0 P 1 pk pk
¼ þ ak cos x þ bk sin x ¼ FðxÞ
2 k¼1 p p
Die Produktdarstellung nennt man Cauchy-Produkt
P1 P1
(nach dem französischen Mathematiker Augustin Sind die numerischen Reihen ak und bk abso-
Louis Cauchy, 1789––1857). Den Quotienten berech- k¼1 k¼1

net man durch Multiplikation mit dem Nenner lut konvergent (vgl. Abschnitt VIII.6.1), dann gilt:
 1  1 
P
1 P P 1. Die trigonometrische Reihe
ak ðx  x0 Þk ¼ bk ðx x0 Þk ck ðx x0 Þk  
k¼0 k¼0 k¼0
a0 P 1 pk pk
þ ak cos x þ bk sin x
und anschließendem Koeffizientenvergleich der Po- 2 k¼1 p p
ist für alle x 2 R konvergent.
tenzen von ðx  x0 Þk auf beiden Seiten des Gleich-
heitszeichens. 2. Die Funktion FðxÞ  mit 
a0 P
1 pk pk
FðxÞ ¼ þ ak cos x þ bk sin x
6.3 Fourier-Reihen 2 k¼1 p p
ist in R stetig.
In der Praxis treten häufig periodische Vorgänge auf
(zum Beispiel Schwingungen in der Elektrotechnik, Es sei y ¼ f ðxÞ eine 2p-periodische Funktion, die
Akustik oder Optik), die sich am besten durch pe- über dem Intervall ½p; p integrierbar ist. Dann
riodische Funktionen beschreiben lassen. Oftmals ist heißen die Zahlen ak und bk die Fourier-Koeffizien-
es dann notwendig oder vorteilhaft, eine solche ten der Funktion f ðxÞ.
158 Mathematik

Fourier-Koeffizienten von f ðxÞ reichende Bedingungen dafür an, daß eine Funktion
f ðxÞ durch ihre (konvergente) Fourier-Reihe darge-
ðp stellt wird, das heißt dafür, daß in ð Þ Gleichheit für
1 pk
ak ¼ f ðxÞ  cos x dx ðk 2 NÞ alle x gilt.
p p
p Satz von Dirichlet:
ðp (1) Die Funktion f ðxÞ mit der Periode 2p ist im In-
1 pk
bk ¼ f ðxÞ  sin x dx ðk 2 N*Þ tervall ½p; p bis auf endlich viele Sprungstellen
p p
p (vgl. Abschnitt VIII.3.7) stetig.
(2) Das Intervall ½p; p läßt sich so in endlich viele
Die mit Hilfe dieser Fourier-Koeffizienten gebildete Teilintervalle zerlegen, daß f ðxÞ in den einzel-
trigonometrische
 Reihe  nen Teilintervallen monoton (monoton fallend
a0 P
1 pk pk oder monoton wachsend) (vgl. Abschnitt V.2.1)
þ ak cos x þ bk sin x heißt die zur
2 k¼1 p p ist.
Funktion f ðxÞ gehörende oder die durch f ðxÞ er- Gelten (1) und (2) für eine Funktion f ðxÞ, so kon-
zeugte oder die f ðxÞ formal zugeordnete Fourier- vergiert die Fourier-Reihe von f ðxÞ und stellt die
Reihe (Name nach dem französischen Mathematiker Funktion auch dar.
Jean-Baptiste-Joseph Fourier, 1768––1830). Man An den Sprungstellen der Funktion nimmt die Fou-
schreibt: rier-Reihe den Mittelwert an, das heißt, für eine
f ðxÞ formal zugeordnete Fourier-Reihe Sprungstelle x1 gilt
 
1
  f ðx1 Þ ¼ lim f ðxÞ þ lim f ðxÞ
a0 P
1 pk pk 2 x ! x1 þ 0 x ! x1  0
f ðxÞ þ ak cos x þ bk sin x ð Þ
2 k¼1 p p (vgl. Abschnitt VIII.3.2).
Häufig kommt es vor, daß die Funktion f ðxÞ nur in
Das Zeichen soll andeuten, daß die Zuordnung dem Intervall ½p; p definiert, nicht aber periodisch
von f ðxÞ zu ihrer Fourier-Reihe eine formale Zuord- ist. In diesem Fall setzt man die Funktion f ðxÞ ein-
nung ist. Es ist nichts ausgesagt über die Konver- fach nach links und nach rechts periodisch fort und
genz dieser Fourier-Reihe und nichts darüber, ob im bestimmt dann die Fourier-Reihe zu der fortgesetz-
Falle der Konvergenz die Fourier-Reihe die Funk- ten Funktion (siehe Beispiele 2––4).
tion f ðxÞ auch darstellt, das heißt, ob in ð Þ die In den folgenden Beispielen werden die Fourier-Rei-
Gleichheit gilt. hen von Funktionen berechnet, die häufig in der
Da die Integranden der Fourier-Koeffizienten 2p-pe- Praxis auftreten.
riodisch sind, kann dort jedes Intervall der Länge 2p
als Integrationsintervall verwendet werden, zum Bei- & Beispiele:
spiel ½0; 2p. 1. Rechteckpuls
Ist f ðxÞ eine gerade Funktion, das heißt, gilt Es sei f ðxÞ die 2p-periodische Funktion mit
8
f ðxÞ ¼ f ðxÞ (vgl. Abschnitt V.2.2), so folgt >
> A fu
..
ur jxj <
p
>
> 2
>
<
A .. p
f ðxÞ ¼ ur jxj ¼
f ðxÞ gerade Funktion >
>
> 2
fu
2
>
> .. p
ðp : 0 fu ur < jxj  p
2 pk 2
ak ¼ f ðxÞ  cos x dx ðk 2 NÞ
p p (periodisch fortsetzen).
0
bk ¼ 0 ðk 2 N*Þ
f(x)

Für eine ungerade Funktion f ðxÞ, also

A
f ðxÞ ¼ f ðxÞ, folgt

f ðxÞ ungerade Funktion

ak ¼ 0 ðk 2 NÞ
ðp
2 pk
bk ¼ f ðxÞ  sin x dx ðk 2 N*Þ 1
p p
0 −π 0 π x

Bild VIII-23 Rechteckpuls

Die Bestimmung der Fourier-Koeffizienten einer
Funktion heißt harmonische Analyse.
Der Satz von Dirichlet (nach dem Mathematiker Pe-
ter Gustav Lejeune Dirichlet, 1805––1859) gibt hin-
Bestimmung der formalen Fourier-Reihe von f ðxÞ:
Da f ðxÞ eine gerade Funktion ist, gilt bk ¼ 0 für die Fourier-
Koeffizienten bk .
VIII Differential- und Integralrechnung 159

Berechnung der ak : Fourier-Reihe von f ðxÞ:

k ¼ 0: 1 P
1
p
f ðxÞ þ a2n  1 cos pð2n  1Þ x
ðp ð2 2 n¼1
2 2
a0 ¼ f ðxÞ dx ¼ A dx ¼ A 1 P
1 4
p p ¼ þ cos ð2n  1Þ px
0 0 2 n ¼ 1 p2 ð2n  1Þ2

k 2 N* : Darstellbarkeit:
p
ðp ð2 (1) Die Funktion f ðxÞ ¼ 1  jxj ist im Intervall ½1; 1 über-
2 2A 2A kp
ak ¼ f ðxÞ cos kx dx ¼ cos kx dx ¼ sin all stetig.
p p kp 2
8
0 0 (2) Zerlegt man das Periodenintervall ½1; 1 in die zwei
< ð1Þn þ 1  2A .. Teilintervalle ½1; 0 und ½0; 1, so ist f ðxÞ in ½1; 0 mo-
ur k ungerade, k ¼ 2n  1
fu
¼ ð2n  1Þ p noton wachsend und in ½0; 1 monoton fallend.
: ..
0 ur k gerade, k ¼ 2n
fu
Nach dem Satz von Dirichlet wird die Funktion f ðxÞ somit
Fourier-Reihe von f ðxÞ: durch ihre Fourier-Reihe dargestellt:

1 ð1Þn þ 1 1 P
1 4
A 2A P f ðxÞ ¼ þ cos ð2n  1Þ px
f ðxÞ þ  cos ð2n  1Þ x 2 n ¼ 1 p2 ð2n  1Þ2
2 p n ¼ 1 2n  1
 
A 2A cos 3x cos 5x
¼ þ cos x  þ  þ... 3. Man setze die Funktion y ¼ sin x; 0  x  p periodisch fort
2 p 3 5
und entwickle sie in eine Fourier-Reihe.
Darstellbarkeit:  p  p p
Die Funktion ist in den Teilintervallen p;  ,  ; f(x)
p  2 2 2
und ; p stetig und monoton. An den Sprungstellen ist
2
der Funktionswert gleich dem arithmetischen Mittel der ein- 1
seitigen Grenzwerte. Nach dem Satz von Dirichlet wird die
Funktion f ðxÞ somit durch ihre Fourier-Reihe dargestellt:
−2p −p 0 p 2p x
A 2A P 1 ð1Þn þ 1
f ðxÞ ¼ þ  cos ð2n  1Þ x
2 p n ¼ 1 2n  1 Bild VIII-25 Graph der periodisch fortgesetzten
2. Dreieckpuls Funktion von Beispiel 3
Man setze die Funktion f ðxÞ ¼ 1  jxj; 1  x  1 periodisch
fort und entwickle sie in eine Fourier-Reihe. Die fortgesetzte Funktion ist die Funktion f ðxÞ ¼ jsin xj, sie
p
hat die Periode p, es folgt also p ¼ .
f(x) 2
Wegen jsin ðxÞj ¼ j sin xj ¼ jsin xj ist f ðxÞ gerade, es folgt
bk ¼ 0 für alle k.
1
Berechnung der ak :
ðp p
2 2  2 4
–3 –1 0 1 3 x k ¼ 0 : a0 ¼ sin x dx ¼ ðcos xÞ ¼ ð1 þ 1Þ ¼ ;
p p 0 p p
0

Bild VIII-24 Graph der periodisch fortgesetzten denn im Intervall ½0; p gilt jsin xj ¼ sin x.
ðp
Funktion von Beispiel 2 2
k 6¼ 0 : ak ¼ sin x cos 2kx dx
p
0
Die periodisch fortgesetzte Funktion hat die Periode 2, in 0 1
p ðp
den Formeln muß deshalb 2p ¼ 2, also p ¼ 1 gesetzt werden. 2 @1  1
Da f ðxÞ eine gerade Funktion ist, folgt bk ¼ 0 für ¼ sin x sin 2kx  cos x sin 2kx dxA
p 2k 0 2k
k ¼ 1; 2; 3; . . . 0
0 1
p ðp
Berechnung der ak : 2 1  1
¼ @ 2 cos x cos 2kx þ 2 sin x cos 2kx dxA
Ð1 1 p 4k 4k
 0
k ¼ 0 : a0 ¼ 2 ð1  xÞ dx ¼ ð1  xÞ2  ¼ 1, 0
0 0
denn im Intervall ½0; 1 gilt 1  jxj ¼ 1  x. Bei beiden Umformungen wurde die Methode der partiellen
Integration angewandt. Es folgt
ð1  p
k 6¼ 0 : ak ¼ 2 ð1  xÞ cos pkx dx 2 4k2 1 
ak ¼  2 cos x cos 2kx 
0
p 4k  1 4k2 0
01 1
ð ð1 2 4
¼ ð1  1Þ ¼ 
¼ 2 @ cos pkx dx  x cos pkx dxA pð4k2  1Þ pð4k2  1Þ
0 0
1 ! ! Fourier-Reihe von f ðxÞ:
1  x 1 1
¼2 sin pkx  sin pkx þ cos pkx 
 2 4 P
1 cos 2kx
pk 0 pk ðpkÞ2 0 f ðxÞ 
! p p k ¼ 1 4k2  1
1
¼2  ðcos pk  1Þ
ðpkÞ2 Darstellbarkeit:
2 (1) Die Funktion f ðxÞ ¼ jsin xj ist im Intervall ½0; p stetig.
¼ ð1  ð1Þk Þ h pi
ðpkÞ2 (2) Die Funktion f ðxÞ ist in 0; monoton steigend und in
8 hp i 2
< 4 ..
ur k ungerade, k ¼ 2n  1
fu ; p monoton fallend.
¼ ðpkÞ2 2
: ..
0 ur k gerade, k ¼ 2n
fu Nach dem Satz von Dirichlet gilt somit Gleichheit:
Das zweite Integral berechnet man mit zweimaliger partieller 2 4 P
1 cos 2kx
f ðxÞ ¼ 
Integration. p p k ¼ 1 4k2  1
160 Mathematik

4. Man setze die Funktion Berechnung der bk :

 ..
ur 0 < x  1
x fu ð2 ð1 ð2
f ðxÞ ¼ ..
ur 1  x < 2
1 fu bk ¼ f ðxÞ sin pkx dx ¼ x sin pkx dx þ sin pkx dx
periodisch fort und berechne die zugehörige Fourier-Reihe. 0 0 1
 1 2
sin pkx x cos pkx  ðcos pkxÞ 
¼   þ 
k2 p 2 kp kp
f(x) 0 1
cos pk cos p2k cos pk 1
¼  þ ¼
kp kp kp kp
1
Sowohl bei der Berechnung von ak als auch von bk wurde
zur Lösung des ersten Integrals zweimalige partielle Integra-
–4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 x tion durchgeführt.

Bild VIII-26 Graph der periodisch fortgesetzten Fourier-Reihe von f ðxÞ:

!
Funktion von Beispiel 4 3 P
1 ð1Þk  1 1
f ðxÞ þ 2 2
cos pkx  sin pkx
4 k¼1 k p kp
Die fortgesetzte Funktion hat die Periode 2, es folgt p ¼ 1.
Darstellbarkeit:
Die Funktion ist weder gerade noch ungerade, es müssen
Die Funktion ist im Intervall ð0; 2Þ stetig und monoton. Mit
also sowohl die Fourier-Koeffizienten ak als auch bk berech-
1 1
net werden. der Definition f ð0Þ ¼ f ð2Þ ¼ ð1 þ 0Þ ¼ sind die Bedin-
2 2
Berechnung der ak : gungen des Satzes von Dirichlet erfüllt, die Funktion f ðxÞ
ð2 ð1 ð2 2 wird somit durch ihre Fourier-Reihe dargestellt:
1 2 1  3 !
k ¼ 0 : a0 ¼ f ðxÞ dx ¼ x dx þ 1 dx ¼ x  þ x ¼ P
2 0 1 2 3 1 ð1Þk  1 1
0 0 1 f ðxÞ ¼ þ 2 2
cos pkx  sin pkx
4 k¼1 k p kp
ð2 ð1 ð2
k 6¼ 0 : ak ¼ f ðxÞ cos pkx dx ¼ x cos pkx dx þ cos pkx dx
0 0 1
 1 2
cos pkx x sin pkx  sin pkx  cos pk 1
¼ þ  þ kp  ¼ k2 p2  k2 p2
k2 p 2 kp 0 1
8 ..
1 <0 fu
ur k gerade
¼ 2 2 ðð1Þk  1Þ ¼ 2 ..
k p : fu
ur k ungerade
k2 p2
Anhang 161

Anhang

A Symbole und Bezeichnungsweisen ffi kongruent

N ¼ f0; 1; 2; 3; . . .g;
Die folgenden mathematischen Zeichen sind nach
Menge der natürlichen Zahlen
DIN 1302 (April 1994) und DIN 5473 (Juli 1992)
Z ¼ f. . . ; 3; 2; 1; 0; 1; 2; 3; . . .g;
zusammengestellt.
Menge der ganzen Zahlen
 
¼ gleich m 
Q ¼ m; n 2 Z; n 6¼ 0 ;
6¼ ungleich n
ungefähr gleich Menge der rationalen Zahlen
< kleiner als R Menge der reellen Zahlen
pffiffiffiffiffiffiffi
 kleiner oder gleich C ¼ fz ¼ a þ bj j a; b 2 R; j ¼ 1g;
> größer als Menge der komplexen Zahlen
 größer oder gleich N* ¼ f1; 2; 3; . . .g:
 sehr viel kleiner als Menge der natürlichen Zahlen
sehr viel größer als ohne die Null
proportional Z* ¼ f. . . ; 3; 2; 1; 1; 2; 3; . . .g
 plus oder minus ¼ fx j x 2 Z; x 6¼ 0g;
 minus oder plus Menge der ganzen Zahlen ohne die Null
Pn  
ak ¼ a1 þ a2 þ a3 þ . . . þ an ; m 
Q* ¼ m; n 2 Z* ¼ fx j x 2 Q; x 6¼ 0g;
k¼1
Summe über ak von k ¼ 1 bis k ¼ n n
Q
n Menge der rationalen Zahlen ohne die Null
ak ¼ a1  a2  a3  . . .  an ;
k¼1 R* ¼ fx j x 2 R; x 6¼ 0g;
Produkt über ak von k ¼ 1 bis k ¼ n
Menge der reellen Zahlen ohne die Null
fa; b; cg Menge aus den Elementen a; b; c
Zþ ¼ N* ¼ f1; 2; 3; . . .g ¼ fx j x 2 Z; x > 0g;
fx j EðxÞg Menge aller x, die die Eigenschaft EðxÞ
Menge der positiven ganzen Zahlen
haben  
m 
2 Element von Qþ ¼ m; n 2 N* ¼ fx j x 2 Q; x > 0g;
n
62 nicht Element von
Menge der positiven rationalen Zahlen
 Teilmenge
Rþ ¼ fx j x 2 R; x > 0g;
; leere Menge
Menge der positiven reellen Zahlen
[ Vereinigung von Mengen
P ¼ f2; 3; 5; 7; 11; 13; 17; 19; 23; 29; . . .g;
\ Durchschnitt von Mengen
Menge der Primzahlen
jMj Mächtigkeit der Menge M pffiffiffiffiffiffiffi
A^B A und B j ¼ 1; imaginäre Einheit
A_B A oder B 1 unendlich (größer als jede reelle Zahl)
:A nicht A (Negation von A) 1 minus unendlich (kleiner als jede reelle
A)B aus A folgt B Zahl)
A,B A und B sind äquivalent (gleichwertig) n! ¼ 1  2  3  . . .  n; n Fakultät
n n!
ða; bÞ geordnetes Paar ¼
ða; b; cÞ geordnetes Tripel k k!ðn  kÞ!

k nðn  1Þ ðn  2Þ  . . .  ðn  k þ 1Þ
parallel ¼ ;
1  2  3  ...  k
AB Strecke AB
Binomialkoeffizient n über k
jABj Länge (Betrag) der Strecke AB
jaj Betrag oder Absolutbetrag einer Zahl a
~
a Vektor a
! an a hoch n, n-te Potenz von a
PQ Vektor PQ pffiffiffi
a Wurzel aus a
! p ffiffiffi
j~
a j; jPQj Länge des Vektors na n-te Wurzel aus a
ähnlich loga b Logarithmus b zur Basis a
162 Mathematik

lg b dekadischer Logarithmus (Zehner- ð1; 1Þ ¼ fx j x 2 Rg;

logarithmus), Logarithmus zur Basis offenes Intervall, nach links und nach
a ¼ 10 rechts unbeschränkt
ln b natürlicher Logarithmus, Logarithmus ðan Þ ¼ ða1 ; a2 ; a3 ; . . .Þ; Folge, Zahlenfolge
zur Basis a ¼ e ¼ 2;718 281 82 . . .
lim an Limes, Grenzwert der Folge ðan Þ
n!1
ld b binärer Logarithmus (Zweierlogarith-
mus), Logarithmus zur Basis a ¼ 2 lim f ðxÞ Grenzwert (Limes) der Funktion f ðxÞ für
x!a
½a; b ¼ fx j x 2 R und a  x  bg; x gegen a
abgeschlossenes beschränktes Intervall lim f ðxÞ linksseitiger Grenzwert der Funktion
x!a0
ða; bÞ ¼ fx j x 2 R und a < x < bg; y ¼ f ðxÞ an der Stelle x ¼ a
offenes beschränktes Intervall lim f ðxÞ rechtsseitiger Grenzwert der Funktion
x!aþ0
½a; bÞ ¼ fx j x 2 R und a  x < bg; y ¼ f ðxÞ an der Stelle x ¼ a
halboffenes beschränktes Intervall 0
f ðx0 Þ Ableitung von f ðxÞ an der Stelle x ¼ x0
ða; b ¼ fx j x 2 R und a < x  bg;
df
halboffenes beschränktes Intervall ðx0 Þ Ableitung von f ðxÞ an der Stelle x ¼ x0
dx
½a; 1Þ ¼ fx j x 2 R und x  ag;
f 0 ðxÞ Ableitung der Funktion f ðxÞ
halboffenes Intervall, nach rechts unbe- 00
f ðxÞ zweite Ableitung der Funktion f ðxÞ
schränkt
f 000 ðxÞ dritte Ableitung der Funktion f ðxÞ
ða; 1Þ ¼ fx j x 2 R und x > ag;
f ðnÞ ðxÞ n-te Ableitung der Funktion f ðxÞ
offenes Intervall, nach rechts Ð
f ðxÞ dx unbestimmtes Integral der Funktion
unbeschränkt
y ¼ f ðxÞ
ð1; a ¼ fx j x 2 R und x  ag;
Ðb
halboffenes Intervall, nach links f ðxÞ dx bestimmtes Integral der Funktion
a
unbeschränkt y ¼ f ðxÞ von x ¼ a bis x ¼ b
ð1; aÞ ¼ fx j x 2 R und x < ag; ð fn ðxÞÞ ¼ ð f1 ðxÞ; f2 ðxÞ; f3 ðxÞ; . . .Þ;
offenes Intervall, nach links unbeschränkt Funktionenfolge
Anhang 163

B Mathematische Konstanten

pffiffiffi 1
2 ¼ 1;414 213 562 373 095 pffiffiffi ¼ 0;707 106 781 186 543
2
pffiffiffi 1
3 ¼ 1;732 050 807 568 877 pffiffiffi ¼ 0;577 350 269 189 626
3
pffiffiffiffiffi 1
10 ¼ 3;162 277 660 168 379 pffiffiffiffiffi ¼ 0;316 227 766 016 838
10
1
p ¼ 3;141 592 653 589 793 ¼ 0;318 309 886 183 791
p
1
p2 ¼ 9;869 604 401 089 359 ¼ 0;101 321 183 642 338
p2
pffiffiffi 1
p ¼ 1;772 453 850 905 516 pffiffiffi ¼ 0;564 189 583 547 756
p
1
e ¼ 2;718 281 828 459 045 ¼ 0;367 879 441 171 442
e
1
e2 ¼ 7;389 056 098 930 650 ¼ 0;135 335 283 236 613
e2
pffiffiffi 1
e ¼ 1;648 721 270 700 128 pffiffiffi ¼ 0;606 530 659 712 633
e
1
lg e ¼ 0;434 294 481 903 252 ¼ ln 10 ¼ 2;302 585 092 994 046
lg e
1
lg 2 ¼ 0; 301 029 995 663 981 ¼ log2 10 ¼ 3;321 928 094 887 362
lg 2

Ist die letzte Ziffer unterstrichen, dann ist die Konstante aufgerundet, im anderen Fall abgerundet.

C Das griechische Alphabet

Alpha A a Jota I i Rho P r

Beta B b Kappa K k Sigma S s
Gamma G g Lambda L l Tau T t
Delta D d My M m Ypsilon  u
Epsilon E e Ny N n Phi F j
Zeta Z z Xi X x Chi X c
Eta H h Omikron O o Psi Y w
Theta Q J Pi P p Omega W w
164
Literaturverzeichnis
[1] Bronstein, I. N., K. A. Semendjajew, G. Musiol und
H. Mühlig: Taschenbuch der Mathematik. 6. Aufl.
Thun und Frankfurt/Main: Harri Deutsch, 2005.
[2] Kemnitz, A.: Mathematik zum Studienbeginn.
6. Aufl. Braunschweig/Wiesbaden: Vieweg, 2006.
[3] Kemnitz, F. und R. Engelhard: Mathematische
Formelsammlung. Braunschweig/Wiesbaden: Vie-
weg 1977.
Mathematik
[4] Schäfer, W., K. Georgi und G. Trippler: Mathe-
matik-Vorkurs. 4. Aufl. Stuttgart, Leipzig: Teub-
ner 1999.
[5] Scharlau, W.: Schulwissen Mathematik: Ein Über-
blick. 2. Aufl. Braunschweig/Wiesbaden: Vieweg
1995.
[6] Wendeler, J.: Vorkurs der Ingenieurmathematik.
Thun und Frankfurt/Main: Harri Deutsch 2002.
 165

Physik
I Einführung
Die Physik ist ein Teilgebiet der Naturwissenschaften
und beschäftigt sich mit der leblosen Umwelt. In der
Physik wird versucht, die Gesetzmäßigkeiten der
unbelebten Materie durch Beobachtungen und Mes-
sungen zu erfassen und in einer mathematischen Glei-
chung darzustellen. Ist diese bekannt, so kann man
die physikalischen Gesetze für technische Zwecke
ausnutzen. Die Physik wird in folgende Gebiete
unterteilt: Mechanik, Thermodynamik (Wärmelehre),
Elektrizität und Magnetismus, Wellenlehre, Akustik,
Optik, Atom- und Kernphysik, Festkörperphysik,
Relativitätstheorie.
1 Physikalische Größen
Eine physikalische Größe kennzeichnet Eigenschaf-
ten, Zustände oder Größen von meßbaren Objekten.
Sie ist das Produkt einer Maßzahl und einer Einheit.
Größe = Maßzahl ⋅ Einheit
Um Größen und ihre Einheiten deutlich zu unter-
scheiden, werden für sie unterschiedliche Symbole
verwendet.
Spannung = 100 ⋅ 1 Volt ; U = 100 ⋅ 1 V ; U = 100 V
In Gleichungen werden immer physikalische Größen
miteinander verbunden, das heißt, daß sowohl die
Maßzahlen, aber auch die Einheiten auf beiden Seiten
der Gleichung miteinander übereinstimmen müssen.
1.1 Skalare
Viele Größen sind neben ihrer Einheit allein durch
ihre Maßzahlen eindeutig bestimmt, dazu gehören
z.B. Temperatur, Masse, Energie, Leistung, Wider-
stand. Solche Größen werden skalare Größen oder
Skalare genannt.
1.2 Vektoren
Bei anderen Größen reichen diese Angaben alleine
nicht aus, sondern es muß zur vollständigen Be-
schreibung noch eine Richtung angegeben werden.
Zum Beispiel ist es nicht ausreichend zu sagen, ein
Auto habe eine Strecke von 100 km zurückgelegt,
wenn nicht auch die Richtung der Bewegung mit
angegeben wurde.
Solche gerichteten Größen werden Vektoren genannt.
Zur vollständigen Angabe gehört ein Betrag (Maß-
zahl, Einheit) und eine Richtung.
Beispiele für Vektoren: Kraft, Geschwindigkeit,
elektrische und magnetische Feldstärke. Wenn die
Vektoreigenschaft einer Größe hervorgehoben wer-
den soll, so wird dies entweder
 durch einen Pfeil über
dem Größenzeichen F oder durch Fettdruck F des
Zeichens kenntlich gemacht. Für die mathematische
Behandlung von Gleichungen mit Vektoren wird die
Vektorrechnung benötigt.
2 SI-System
Die Einheiten der physikalischen Größen sind seit
1960 im „ Système International d'Unités“, kurz SI-
System, festgelegt und in der Bundesrepublik
Deutschland gesetzlich vorgeschrieben. Das System
besteht aus Basisgrößen und abgeleiteten Größen.
Die Basisgrößen sind in der folgenden Tabelle ange-
geben.
Definitionen der Basisgrößen
1 Sekunde ist das 9 192 631 770fache der Perioden-
dauer der dem Übergang zwischen den beiden Hy-
perfeinstrukturniveaus des Grundzustandes von
Atomen des Nuklids 133Cs entsprechenden Strahlung.
(1967)
1 Meter ist die Länge der Strecke, die Licht im Vaku-
um während der Dauer von 1/299 792 458 Sekunden
durchläuft. (1983)
1 Kilogramm ist die Masse des internationalen Kilo-
grammprototyps. (1889)

Tabelle I-1 Basisgrößen und Basiseinheiten

Gebiet Basisgröße Formelzeichen Basiseinheit Einheitenzeichen

Mechanik Zeit t Sekunde s
Länge l Meter m
Masse m Kilogramm kg
Elektrotechnik Stromstärke I Ampere A
Thermodynamik Temperatur T Kelvin K
Optik Lichtstärke IL Candela cd
Chemie Stoffmenge n Mol mol
166 Physik

1 Ampere ist die Stärke eines zeitlich unveränderli- Zusammenfassung der wichtigsten Größen finden Sie
chen Stroms, der, durch zwei im Vakuum parallel im im Abschnitt VIII.
Abstand von 1 Meter voneinander angeordnete, ge- Durch Vorsätze können dezimale Vielfache oder
radlinige, unendlich lange Leiter von vernachlässig- Teile der Maßeinheiten gebildet und damit umständ-
bar kleinem kreisförmigen Querschnitt fließend, zwi- licher zu benutzende Zehnerpotenzen vermieden
schen diesen Leitern je 1 Meter Leiterlänge die Kraft werden. In Tabelle I-2 sind die Vorsilben und Kurz-
2 ⋅ 10–7 Newton hervorruft. (1948) zeichen für die Vorsätze zusammengestellt. Doppel-
1 Kelvin ist der 273,16te Teil der thermodynamischen vorsätze, wie z.B. nmm sind nicht zulässig.
Temperatur des Tripelpunktes des Wassers. (1967)
1 Candela ist die Lichtstärke in einer bestimmten Tabelle I-2 Vorsätze für dezimale Vielfache
Richtung einer Strahlungsquelle, die monochromati-
sche Strahlung der Frequenz 540 THz aussendet und Wert Vorsatz Zeichen Wert Vorsatz Zeichen
1 W 18 –1
deren Strahlstärke in dieser Richtung beträgt. 10 Exa E 10 Dezi d
683 sr 1015 Peta P 10–2 Zenti c
1 Mol ist die Stoffmenge eines Systems bestimmter 1012 Tera T 10–3 Milli m
Zusammensetzung, das aus ebenso vielen Teilchen 109 Giga G 10–6 Mikro m
besteht, wie Atome in (12/1000) kg des Nuklids 12C 106 Mega M 10–9 Nano n
enthalten sind. (1971) 103 Kilo k 10–12 Piko p
Abgeleitete Größen: Aus den Basisgrößen lassen sich 102 Hekto h 10–15 Femto f
die SI-Einheiten aller anderen Größen ableiten. Eine 101 Deka da 10–18 Atto a

II Mechanik

1 Kinematik des Massenpunktes v Δs Δt

Die Kinematik beschreibt die Bewegung von Körpern
im Raum. Ein Punkt im Raum wird durch seine
Ortskoordinaten festgelegt. Diese ändern sich wäh-
rend der Bewegung des Körpers mit der Zeit. Bei
größeren Systemen können einzelne Teile des Sys-
tems völlig unterschiedliche Bewegungen durchfüh-
ren, so bewegt sich bei einem fahrenden Auto ein
Punkt auf der Karosserie anders als ein Punkt auf
dem Reifen. Da sich aber jeder Körper aus einzelnen
Punkten zusammensetzt, ist die Beschreibung der Be-
wegung eines einzelnen Massenpunktes von grundle-
gender Bedeutung.
1.1 Eindimensionale Bewegungen
Eine Bewegung wird dann eindimensional genannt,
wenn sie nur auf einer vorgeschriebenen Bahn erfol-
gen kann, wie es z.B. bei Schienenfahrzeugen oder
auch Werkzeugschlitten der Fall ist. Zu ihrer Be-
schreibung ist dann neben der Zeitabhängigkeit nur
eine Ortskoordinate ausreichend.
1.1.1 Geschwindigkeit
Eine wichtige Grundgröße der Kinematik ist die
Geschwindigkeit. Sie gibt an, welcher Weg Δs in
der Zeit Δt zurückgelegt wird. Die Geschwindig-
keit ist ein Vektor, denn der Endzustand einer Be-
wegung hängt von der Richtung der Geschwindigkeit
ab.
Δs
v= m (II.1)
Δt m s
s
Δs = s 2 − s 1 , Differenz der Ortskoordinaten.
Δt = t 2 − t 1 , Differenz der entsprechenden Zeiten.
Ist der Betrag der Geschwindigkeit überall gleich, so
spricht man von einer gleichförmigen Bewegung. Die
Geschwindigkeit ist dann unabhängig von der Größe
des Zeitabschnittes. Ändert sich dagegen die Ge-
schwindigkeit während der Beobachtungszeit (Bei-
spiel: anfahrendes Auto), so kann man die Momen-
tangeschwindigkeit oder Augenblicksgeschwindigkeit
nur bestimmen, wenn der Zeitabschnitt Δt, in dem der
zurückgelegte Weg Δs gemessen wird, beliebig klein
gemacht wird, im Grenzfall gegen 0. Ist dies nicht
möglich, erhält man die Durchschnittsgeschwin-
digkeit oder auch mittlere Geschwindigkeit. Die
Geschwindigkeit, mit der sich ein Körper geradlinig
bewegt, nennt man auch Translationsgeschwindig-
keit.
Eine Masse m befindet sich zum Zeitpunkt t = 0 an
einem Ort mit der Ortskoordinate s0. Sie hat eine kon-
stante Geschwindigkeit v0. Der nach Ablauf einer Zeit
t zurückgelegte Weg s errechnet sich nach:
s = s0 + v0 ⋅ t (II.2)
mit s0 und v0 als Anfangswerte der Ortskoordinate
und der Geschwindigkeit.
II Mechanik 167

s a Δ v Δt
Δv
a= m m (II.3)
s = s0 + v0t Δt s
s2 s
s0 Δv = v 2 − v 1 , Differenz der Geschwindigkeiten.

t Δt = t 2 − t 1 , Differenz der entsprechenden Zeiten.

v
Ist die Beschleunigung konstant, so liegt eine gleich-
mäßig beschleunigte Bewegung vor. Hat ein Körper
v0 v = v0
zum Zeitpunkt t = 0 die Anfangsgeschwindigkeit v 0
Δs = v0 Δt und befindet er sich am Ort s0, so ändern sich seine
Geschwindigkeit v und die Ortskoordinate s mit der
t Zeit entsprechend der folgenden Gleichungen:
Δt
v = v 0 + at (II.4)
Bild II-1 s(t) und v(t)-Diagramm einer gleichförmi-
1
gen Bewegung s = s 0 + v 0 t + at 2 (II.5)
2
 Beispiel: Ein Auto fährt mit einer konstanten Geschwindigkeit Ist a = 0, so liegt eine gleichförmige Bewegung vor.
von 50 km/h. Um 9 Uhr ist es 30 km von seinem Startpunkt ent- Mit diesen Gleichungen können auch verzögerte
fernt. Bewegungen berechnet werden; a ist dann negativ
a) Welche Zeit braucht es für einen Weg von 20 km? einzusetzen, der Körper wird langsamer und somit
b) Wo befindet es sich um 11 Uhr?
abgebremst.
Lösung:
Δs Δs 20 km  Beispiel: Ein Eisenbahnzug, der sich 20 km von seinem Start-
a) v = ⇒ Δt = = = 0,4 h = 24 min
Δt v 50 km h −1 bahnhof befindet, fährt 30 min lang mit konstanter Geschwin-
km digkeit v0 = 60 km/h. Dann wird er mit einer Beschleunigung
b) s = 30 km + 2 h ⋅ 50 = 130 km a = – 0,222 m/s2 abgebremst. Wie lang ist sein Bremsweg, und
h
wie weit ist er dann von seinem Startbahnhof entfernt?
1.1.2 Beschleunigung Lösung: Um die Bremszeit zu berechnen, wird in (II.4) die End-
geschwindigkeit v = 0 eingesetzt:
Wenn sich die Geschwindigkeit im Lauf der Zeit Bremszeit (v = 0):
ändert, liegt eine beschleunigte Bewegung vor. Die v0 60 000 m
Beschleunigung a ist der Quotient aus der Änderung tB = − = = 75 s
a 3600 s ⋅ 0,222 m s − 2
der Geschwindigkeit Δv in der Zeit Δt. Wie bei der
Entfernung von Bahnhof zu Beginn des Bremsvorganges nach
Geschwindigkeit sind auch hier eine Momentanbe- (II.2):
schleunigung und eine Durchschnittsbeschleunigung km
s 0 = 20 km + 60 ⋅ 0,5 h = 50 km
zu unterscheiden. h
Entfernung von Bahnhof zu Ende des Bremsvorganges nach
(II.5):
s
60 km ⋅ 75 s 0,222 m ⋅ 75 2 s 2
s = 50 km + −
3600 s 2s 2
s = s0 + v0t + 1/2at 2 s = 50,626 km
s0
Trägt man in einer Grafik den zurückgelegten Weg
t
als Funktion der Zeit auf, so erhält man das s(t)-
v Diagramm, bei Auftragung der momentanen Ge-
v v = v0 + at schwindigkeit als Funktion der Zeit das v(t)-Dia-
gramm. Im s(t)-Diagramm ist die Momentange-
v0
schwindigkeit anschaulich als Steigung der Weg-
Δs = vΔt Zeit-Kurve abzulesen, während der in einer Zeit Δt
t zurückgelegte Weg Δs aus dem v(t)-Diagramm als
Δt Fläche unter der Kurve bestimmt werden kann
a
(Δs = v ⋅ Δt ).
a = const.
1.1.3 Freier Fall
Δv = aΔt
Ein Beispiel für eine Bewegung unter dem Einfluß
Δt t einer konstanten Beschleunigung ist die Bewegung an
der Erdoberfläche allein unter dem Einfluß der Erd-
Bild II-2 s(t)-, v(t)- und a(t)-Diagramm einer gleich- anziehungskraft, d.h. ohne Luftreibung und andere
mäßig beschleunigten Bewegung Kräfte. Die Erdbeschleunigung hat für alle Körper
168 Physik

den mittleren Wert von g = 9,81 m/s2. Startet ein kehrpunkt die momentane Geschwindigkeit v = 0 und
Körper aus der Ruhe, so gelten die Gleichungen (II.4) am Ende des Fluges die Höhe h = 0 sein muß. Aus
und (II.5) mit v0 = 0 und a = – g. Die Höhe h wird von diesen Bedingungen folgen aus den Gleichungen
der Erdoberfläche aus in positiver Richtung nach (II.4) und (II.5) die nachfolgenden Formeln. Bei
oben gemessen und entspricht der Anfangskoordinate negativen Werten der Geschwindigkeit ist die Bewe-
s0. Die Fallzeit bestimmt sich aus der Bedingung gung abwärts gerichtet.
s(tF) = 0. momentane Geschwindigkeit v ( t ) = v 0 − g t (II.11)
Fallzeit: 1
momentane Höhe h ( t ) = s 0 + v 0 t − g t 2 (II.12)
1 2 2
0= h− gtF (II.6)
2 v 0 + v 02 + 2 s 0 g
Flugzeit ( h ( t ) = 0 ) tF = (II.13)
und daraus g

tF =
2h
(II.7) Endgeschwindigkeit v e = − v 02 + 2 s 0 g (II.14)
g
v
Steigzeit ( v ( t ) = 0 ) ts = 0 (II.15)
Die Fallgeschwindigkeit zu einem beliebigen Zeit- g
punkt t berechnet sich nach
v 02
vF (t ) = g ⋅t (II.8) maximale Höhe ( t = t s ) hs = s 0 + (II.16)
2g
daraus folgt für die Aufprallgeschwindigkeit oder Die Formeln (II.11) – (II.15) gelten auch für den
Endgeschwindigkeit ve, die ja nach der Fallzeit tF senkrechten Fall nach unten, während die Formel
erreicht ist: (II.16) hier dann keinen Sinn ergibt.
ve = g ⋅ t F (II.9)
 Beispiel: Von einem 10 m hohen Turm wird ein Stein mit einer
Anfangsgeschwindigkeit von 20 m/s senkrecht nach oben gewor-
2h
ve = g ⋅ = 2h g (II.10) fen. Wie groß sind die maximale Höhe und die gesamte Flugzeit?
g Lösung:
 Beispiel: Ein Körper fällt von einem Turm der Höhe h = 20 m im ( 20 m s)
2

freien Fall. h s = 10 m + = 30,39 m

2 ⋅ 9,81 m s −2
a) Wann kommt er unten an?
b) Wie groß ist dann seine Geschwindigkeit? 20 m s + ( 20 m s ) + 2 ⋅ 10 m ⋅ 9,81 m s −2
2

tf = = 4,528 s
Lösung: 9,81 m s −2

2h 2 ⋅ 20 m
a) t F = =
g 9,81 m s 2
1.2 Zusammengesetzte Bewegungen
40 m
tF = = 2,02 s Im Gegensatz zu eindimensionalen Bewegungen sind
9,81 m s 2
hier bei allen vektoriellen Größen zwei Angaben
m
b) v e = 2 h g = 2 ⋅ 20 m ⋅ 9,81 notwendig. Als Richtungen sollen x- und y-Richtung
s2
festgelegt sein, die entsprechenden Größen werden
m
v e = 19, 8 durch die Indizes x und y unterschieden.
s
Führt ein Körper gleichzeitig Bewegungen in x- und
1.1.4 Senkrechter Wurf y-Richtung aus, sogenannte zusammengesetzte Bewe-
gungen, so überlagern sich diese Bewegungen unab-
Beim Wurf nach oben ist v0 positiv, beim Wurf nach hängig voneinander, und der Endzustand ist derselbe,
unten negativ einzusetzen. Hierbei kann ebenfalls als wenn die einzelnen Bewegungen nacheinander
eine Anfangshöhe s0 = h angenommen werden. Die ausgeführt worden wären.
maximale Steighöhe und die Steigzeit beim Wurf Als Beispiel soll eine Bewegung in einem strömen-
nach oben folgen aus der Bedingung, daß am Um- den Fluß der Breite b betrachtet werden. Der Fluß
fließt in x-Richtung mit einer Geschwindigkeit vF.
Der Geschwindigkeitsvektor kann dann in eine Kom-
h
h = hs ponente parallel zum Ufer und eine senkrecht zum
Ufer aufgeteilt werden, dies sollen die x- und y-
Richtung sein. Eine Schreibweise hierfür ist die
h = s0 Komponentenschreibweise vektorieller Größen:

v = (vx , vy ) (II.17)

und somit
Bild II-3 
h=0 Senkrechter Wurf v F = ( v Fx , 0 ) .
II Mechanik 169

In dem Wasser bewegt sich ein Boot mit einer Eigen- y Bild II-5
geschwindigkeit vB relativ zum Wasser. Ist das Was- Schiefer Wurf
h v vy
ser in Ruhe, so ist dies auch die Geschwindigkeit hmax

relativ zum Grund v G .
 h0 a
v B = ( 0 , v By ) vx

vB vG
y b
xw x
a vF
x Fall eine Parabel (Wurfparabel). Es soll auch zugelas-
sen werden, daß der Stein in einer Höhe h0 abgeworfen
Bild II-4 Geschwindigkeiten im Fluß wird. Aus den Bedingungen, daß am Ende der Bewe-
gung der Wert für y = 0 sein muß und am höchsten

In einem strömenden Fluß ist nun v B unterschiedlich Punkt der Wert für vy = 0 sein muß, folgen die Glei-

von v G . chungen für den schiefen Wurf aus einer Anfangs-
Die Geschwindigkeit des Bootes kann nun entweder höhe h0 und mit einer Anfangsgeschwindigkeit v0:
relativ zum Grund oder relativ zum Wasser angege- v 0 x = v 0 ⋅ cos a (II.25)
ben werden. Der Zusammenhang ist:
   v 0 y = v 0 ⋅ sin a (II.26)
v G = v B + v F = ( v Fx , v By ) (II.18)
v x ( t ) = v 0 ⋅ cos a = const (II.27)
Es gilt also, daß sich die einzelnen Komponenten v y ( t ) = v 0 ⋅ sin a − gt (II.28)
unabhängig addieren.
Hieraus lassen sich die folgenden Größen berechnen: 1
y ( t ) = h 0 + v 0 ⋅ sin a − g t 2 (II.29)
b 2
Zeit zum Überqueren t = (II.19) x ( t ) = v 0 ⋅ t ⋅ cos a (II.30)
v By
Weg in x-Richtung s Gx = v Fx ⋅ t (II.20) v 0 ⋅ sin a + ( v 0 ⋅ sin a ) + 2 g h0
2
Flugzeit t F = (II.31)
Weg in y-Richtung s Gy = v By ⋅ t (II.21) g
v 02 ⋅ sin 2 a
Gesamter Weg s G = 2
s Gx + s Gy
2
(II.22) Flughöhe h max = h 0 + (II.32)
2g
Geschwindigkeit v G = v Fx
2
+ v By
2
(II.23) Flugweite x w = v 0 ⋅ t F ⋅ cosa (II.33)
⎛ v By ⎞ Wenn in den Gleichungen (II.29) bis (II.32) der Wert
Richtung a = arctan ⎜ ⎟ (II.24)
⎝ v Fx ⎠ für h0 auf 0 gesetzt wird, so ergeben sich die Glei-
chungen für den Fall eines schiefen Wurfes mit An-
 Beispiel: In einem Fluß der Breite 500 m fließt Wasser mit einer
Strömungsgeschwindigkeit von 2 m/s. Senkrecht zum Ufer startet fangshöhe 0.
ein Boot mit einer Eigengeschwindigkeit von 10 m/s. Wie lange 2 v ⋅ sina
braucht das Boot für die Überquerung, und wie groß ist die seit- Flugzeit t F = 0 (II.34)
liche Abdrift d? g
Lösung: v 02 ⋅ sin 2 a
500 m Flughöhe h max = (II.35)
Zeit t= = 50 s 2g
10 m s
m 2 ⋅ v 02 ⋅ sin a ⋅ cos a
Abdrift d=2
s
⋅ 50 s = 100 m Flugweite x w = v 0 ⋅ t F ⋅ cos a =
g
1.2.1 Schiefer Wurf v 02 ⋅ sin 2 a
xw = (II.36)
Ein weiteres Beispiel für eine zusammengesetzte g
Bewegung ist die Bewegung eines Steines, der unter  Beispiel: Ein Stein wird unter einem Winkel von 30° mit einer
einem bestimmten Winkel α mit einer Anfangsge- Anfangsgeschwindigkeit von 20 m s–1 geworfen. Wie weit fliegt
er, und wann trifft er auf den Boden?
schwindigkeit v0 geworfen wird (schiefer Wurf). In
diesem Fall handelt es sich um die Überlagerung Lösung:
einer gleichmäßigen Bewegung in x-Richtung mit ( 20 ms −1 ) 2 ⋅ sin 60 °
Flugweite xw = = 35, 31 m
einer gleichförmig beschleunigten Bewegung (freier 9, 81 m s − 2
Fall) in y-Richtung. Die Flugbahn unter dem Einfluß 2 ⋅ 20 m s −1 ⋅ sin 30 °
Flugzeit tF = = 2 , 04 s
einer konstanten Kraft (Erdanziehung) ist in diesem 9, 81 m s −2
170 Physik

1.3 Kreisbewegung 1.3.3 Kreisfrequenz

Bei einer Kreisbewegung bewegt sich eine punktför- Oft werden die Drehzahl n oder auch die Frequenz f
mige Masse auf einer Kreisbahn mit dem Radius r. einer kreisförmigen Bewegung angegeben. Im Ge-
Wenn in gleichen Zeiten Δt gleiche Strecken Δs auf gensatz zur Frequenz f wird die Größe w auch Kreis-
dem Umfang zurückgelegt werden, so überstreicht frequenz genannt.
auch die Verbindungslinie zum Zentrum des Kreises
w = 2π f w x n
in gleichen Zeiten Δt gleiche Winkel Δj.
2π n 1 1 (II.42)
w= Hz
60 s min
vu

1.3.4 Winkelbeschleunigung
r
Δf Δs
Werden in gleichen Zeiten ungleiche Wegstrecken
auf dem Umfang zurückgelegt, ändert sich also die
Umfangsgeschwindigkeit, muß der Körper eine
Tangentialbeschleunigung erfahren. Jetzt werden in
Bild II-6
gleichen Zeiten ungleiche Winkel überstrichen, daher
Kreisbewegung
ändert sich die Winkelgeschwindigkeit ebenfalls. In
diesem Fall liegt eine Winkelbeschleunigung vor.
1.3.1 Bahngeschwindigkeit Analog zur linearen Beschleunigung wird die Win-
kelbeschleunigung definiert:
Unter Bahngeschwindigkeit oder auch Umfangs-
geschwindigkeit versteht man die Geschwindigkeit, a Δw Δt
Δw
mit der sich eine Masse m auf dem Umfang eines a= 1 1 (II.43)
Δt s
Kreises mit dem Radius r bewegt. Wenn sich die s2 s
Masse in der Zeit Δt um die Strecke Δs weiterbewegt
In diesem Fall gelten analoge Gleichungen zu (II.4)
hat, wird von der Verbindungslinie zwischen der
und (II.5).
Masse und dem Zentrum des Kreises der Winkel Δj
überstrichen. Zwischen den Größen r, Δs und Δj gilt w = w 0 + at (II.44)
die Gleichung:
1
j s r j = j0 + w0 t + a t 2 (II.45)
Δs 2
Δj = (II.37)
r rad m m
Hierbei sind w0 und j0 die Anfangswerte zur Zeit
Δs = r ⋅ Δj (II.38) t = 0 der Winkelgeschwindigkeit und des Winkels.
Δs Δj
Umfangsgeschwindigkeit v u = =r (II.39)  Beispiel: Ein Elektromotor läuft mit einer Drehzahl n = 600 min–1.
Δt Δt Nach dem Abschalten wird er mit konstanter Winkelbeschleuni-
gung a abgebremst, bis er nach 50 Umdrehungen zum Stillstand
oder Bahngeschwindigkeit v u = r ⋅ w (II.40) kommt.

mit der Abkürzung a) Wie groß ist die Winkelbeschleunigung?

b) Wie lange ist die Bremszeit tB?
Δj
w= . Lösung:
Δt a) Anfangswerte:
n −1
Die Größe w wird Winkelgeschwindigkeit genannt. j 0 = 0, w0 = 2 π s = 62 , 83 s −1
60
50 Umdrehungen ergeben:
1.3.2 Winkelgeschwindigkeit
j = 50 ⋅ 2 π = 314 ,16 rad
Die Winkelgeschwindigkeit w ist durch
Aus (II.44) folgt:
w Δj Δt w0
Δj a=− .
w= 1 (II.41) tB
Δt rad s 62,83 s
s Winkelbeschleunigung a=− = −6,28 s −2
10 s
definiert, wobei Dj der in der Zeiteinheit Dt überstri- b) In (II.45) eingesetzt:
chene Winkel ist. w 0 t B2 1
Bei einer Kreisbewegung mit konstanter Winkel- j = w0 t B − = w 0 tB
2t B 2
geschwindigkeit w (gleichförmige Kreisbewegung) ist
die Umfangsgeschwindigkeit vom Betrag her kon- 2 j 2 ⋅ 314 ,16 rad
Bremszeit tB = = = 10 s
stant, allerdings ändert sie laufend die Richtung. w0 62 , 83 s −1
II Mechanik 171

2 Dynamik kg m
Die Einheit der Kraft im SI-System ist 1 ,
s2
In der Kinematik wird die Bewegung von Massen
hierfür wird die Abkürzung 1 N (1 Newton) verwendet.
durch geeignete Formeln beschrieben, ohne daß nach
der Ursache für eine Bewegung oder eine Änderung kg m
1N =1 2 (II.49)
eines Bewegungszustandes gefragt wird. In der Dy- s
namik werden diese Ursachen untersucht. An der Erdoberfläche wirkt auf alle Körper die Ge-
wichtskraft oder Schwerkraft
2.1 Newtonsche Axiome FG = m ⋅ g (II.50)
I. Newton (1643 bis 1727) hat drei grundlegende mit der Erdbeschleunigung g
Axiome formuliert, die das Verhalten von Körpern
m
unter dem Einfluß äußerer Kräfte und das Zusam- g = 9 , 81 2 (II.51)
menspiel von Kräften untereinander beschreiben. s
Diese Newtonschen Axiome sind die Grundlagen der Eine nicht mehr zulässige Einheit der Kraft ist 1 kp
klassischen Mechanik und werden in der Tabelle II-1 (1 Kilopond). Dies ist die Gewichtskraft auf die
aufgeführt: Masse von 1 kg. Somit gilt:

Tabelle II-1 Newtonsche Axiome

Newtonsche Axiome Formulierung Gleichung

1. Axiom: Jeder Körper beharrt im Zustand der Ruhe oder der
Trägheitsgesetz gleichförmig geradlinigen Bewegung, solange er nicht
durch äußere Kräfte gezwungen wird, diesen Zustand
zu ändern.

2. Axiom Die zeitliche Änderung der Bewegungsgröße  Δp

 (Impuls) F=
Aktionsgesetz p = mv ist gleich der resultierenden Kraft F. Δt
 
3. Axiom Wirkt ein Körper 1 auf einen Körper 2 mit der F12 = − F21
Wechselwirkungsgesetz Kraft F12, so wirkt der Körper 2 auf den Körper 1 mit
actio = reactio einer gleich großen, entgegengesetzten Kraft F21.

Das Aktionsgesetz läßt eine zeitliche Änderung 1 kp = 9,81 N (II.52)

sowohl der Masse als auch der Geschwindigkeit zu. Hängt eine Masse m an einer Feder, so wird die Feder
In der allgemeinen Form gilt: um eine Strecke x gedehnt und zwar solange, bis die
 Dp D ( m ⋅ v ) 
Dv  Dm Rückstellkraft der Feder und die Gewichtskraft auf
F= = = m⋅ +v⋅ (II.46) die Masse m entgegengesetzt gleich groß sind. Die
Dt Dt Dt Dt
Rückstellkraft der Feder wird durch die Federeigen-
Ist die Masse konstant, so ist Δm = 0, und es gilt mit schaften beeinflußt und in der Federkonstanten c

Δv  festgelegt. Da die Rückstellkraft entgegengesetzt zur
= a: Auslenkung gerichtet ist, gilt
Δt
 
F = m⋅a (II.47) Rückstellkraft Frück = − cx (II.53)
Dieses Gesetz wird auch als Newtonsches Grundge- Frück c Frück x
setz bezeichnet, gilt in dieser Form aber nur für kon- Federkonstante c = − (II.54)
stante Massen. x Nm −1 N m

2.2 Kraft Zerlegung und Zusammensetzung von Kräften


Nach dem Newtonschen Grundgesetz ist die Kraft F Kräfte sind Vektoren und müssen somit vektoriell
bei konstanter Masse proportional zur Beschleuni- addiert werden. Die grafische Lösung für die Addition
 zweier Kräfte und die sich daraus ergebende resul-
gung a. Die Kraft ist eine vektorielle Größe. Kraft
und Beschleunigung haben dieselbe Richtung. tierende Kraft erfolgt so, daß der Anfangspunkt
des zweiten Vektors in den Endpunkt des ersten
  F m a
F = m⋅a (II.48) Vektors verschoben wird. Es entsteht ein Paralle-
kg m s −2 kg m s −2 logramm, das
172 Physik

y eine Komponente senkrecht zur Unterlage, der Nor-

malkraft FN, und eine Komponente parallel zur Unter-
lage, der Hangabtriebskraft FH, zerlegt werden.
F2 F
m Bild II-9
b
F1 FH Schiefe Ebene
g a
x a
FN
Bild II-7 Kräfteparallelogramm
FG
a
Kräfteparallelogramm
Mit Hilfe der trigonometrischen Gleichungen lassen
sich die folgenden Beziehungen für die Addition von Die Beträge dieser Kräfte sind:
Kräften ableiten: FH = m g sina (II.64)
x-Komponente Fx = F1 cos a + F2 cos b (II.55)
FN = m g cosa (II.65)
y-Komponente Fy = F1 sin a + F2 sin b (II.56)
Die Hangabtriebskraft beschleunigt den Körper,
daraus folgt für die resultierende Kraft: während die Normalkraft den Druck auf die Unter-
lage bewirkt. Durch die Normalkraft wird wegen der
F= Fx2 + Fy2 (II.57) immer vorhandenen Reibung eine der Hangabtriebs-
kraft entgegengesetzte Reibungskraft FR verursacht.
F= F12 + F22 + 2 F1 F2 cos ( a − b ) (II.58) Reibungskraft FR = m FN = m m g (II.66)
Nach Umkehrung dieser Gleichungen lassen sich die Die Größe m wird als Reibungszahl bezeichnet und
Teilkräfte aus der Resultierenden und den Winkeln hängt von der Beschaffenheit der beiden an der Rei-
berechnen: bung beteiligten Körper ab und von der Art der Be-
sin ( b − g ) wegung. Sie ist eine dimensionslose Zahl. Bei der
F1 = F (II.59)
sin ( b − a ) Bewegung eines Fahrzeuges ist die Rollreibung zu
berücksichtigen. Einige typische Werte für die Rei-
sin ( g − a ) bungszahl sind in der folgenden Tabelle zusammen-
F2 = F (II.60)
sin ( b − a ) gestellt. Hierbei ist zwischen Haftreibung und Gleit-
Oft ist es notwendig, eine Kraft F in zwei senkrecht reibung zu unterscheiden.
zueinanderstehende Komponenten zu zerlegen. In den
Gleichungen (II.59) und (II.60) ist dann a = 0° und Tabelle II-2 Werte für die Reibungszahl m
b = 90° zu setzen
Stoffpaar Haftreibung Gleitreibung
y
Stahl/Stahl 0,15 0,12
Stahl/Holz 0,5 – 0.6 0,2 – 0,5
F Stahl/Eis 0,027 0,014
F2 Holz/Holz 0,65 0,2 – 0,4
g
Gummi/Asphalt 0,9 0,85
Gummi/Beton 0,65 0,5
F1 x
Gummi/Eis 0,2 0,15
Bild II-8 Zerlegung von Kräften
 Beispiel: Ein Fahrzeug der Masse m = 1000 kg befindet sich auf
F1 = F cos g (II.61) einer Schiefen Ebene mit dem Neigungswinkel a = 10°. Die Rei-
bungszahl sei m = 0.1. Wie groß ist die Beschleunigung des
F2 = F sing (II.62) Wagens?
Lösung:
Der Winkel der Resultierenden mit der Kraft F1 Normalkraft:
errechnet sich zu:
FN = m g cos a = 1000 kg ⋅ 9, 81 m s 2 ⋅ 0 , 984 = 9660 N
⎛F ⎞ Reibungskraft: FR = m FN = 0 ,1⋅ 9660 N = 966 N
g = arctan ⎜ 2 ⎟ (II.63)
⎝ F1 ⎠ Hangabtriebskraft:
FH = m g sin a = 1000 kg ⋅ 9 , 81 m s 2 ⋅ sin10  = 1703 N
Schiefe Ebene
Befindet sich ein Körper auf einer Schiefen Ebene, so Resultierende Kraft: F = FH − FR = 1703 N − 966 N = 737 N
wirkt auf ihn die Schwerkraft in der in Bild II-9 F 737 N
Beschleunigung: a = = = 0 , 737 m s 2
angezeigten Richtung. Diese Schwerkraft kann in m 1000 kg
II Mechanik 173

Kräfte bei Kreisbewegungen geographischen Breite untersucht werden. Dabei wird

Soll sich eine Masse m auf einer Kreisbahn mit kon-
stanter Winkelgeschwindigkeit bewegen, so bleibt
zwar der Betrag der Umfangsgeschwindigkeit kon-
stant, nicht aber die Richtung (siehe Bild II-10).
Die Masse m hat sich in der Zeit Δt vom Punkt P1
nach P2 bewegt. Dabei hat sich der Vektor der Ge-
schwindigkeit von v1 nach v2 verändert, der Betrag ist
aber geblieben. Da sich die Richtung geändert hat,
gilt
v2
v1
angenommen, daß die Erde eine homogene Kugel sei
mit dem Radius rE = 6378 km. Die Fallbeschleu-
nigung ist die Resultierende aus Erdbeschleunigung
und Zentrifugalbeschleunigung. Am Pol ist der Ab-
stand von der Drehachse = 0, somit tritt hier keine
Zentrifugalbeschleunigung auf, und für die Fallbe-
schleunigung gilt aF = g. Am Äquator ist die Zentri-
fugalbeschleunigung maximal, nämlich aZP = w2rE.
Da sich die Erde in 24 Stunden einmal um sich selbst
dreht, gilt am Äquator:
2
⎛ 2π ⎞
a ZP = ⎜ ⎟ ⋅ 6378 ⋅ 10 m
3

Δv
⎝ 24 ⋅ 60 ⋅ 60 s ⎠

v2 v1
P Δf m
Δf 2 a ZP = 0 , 034 .
P1 s2
Fallbeschleunigung
  
a F = g + a ZP (II.73)

Bild II-10 Zentripetal-Beschleunigung und, da Zentrifugalbeschleunigung und Erdbeschleu-

nigung entgegengesetzt wirken
  
Δv = v 2 − v 1 (II.67) a F = ( 9, 81 − 0 , 034 )
m m
= 9,776 2 .
s2 s
Die Geschwindigkeitsänderung läßt sich auch durch
die Winkeländerung ausdrücken:
Δv = v ⋅ Δj (II.68)
g ar
Die Richtung von Dv ist zum Zentrum der Kreisbahn r
gerichtet, die Geschwindigkeit hat sich daher in f
Richtung auf das Zentrum geändert, somit muß auch rE g aZP
f
eine Beschleunigung in Richtung auf das Zentrum der g aZP
Kreisbahn erfolgen
Δv v ⋅ Δj
a Zp = = = v⋅w (II.69)
Δt Δt
und mit (II.40)
Bild II-11 Fallbeschleunigung und geographische
a Zp = w 2 r (II.70)
Breite
a Zp w2 r
a Zp = w 2 r (II.71) Für andere geographische Breiten muß entsprechend
−2
ms s −2 m
Bild II-11 der Abstand von der Drehachse r und die
Diese Beschleunigung ist die Zentripetalbeschleuni- Komponente der Zentrifugalbeschleunigung ar in
gung. Richtung auf den Erdmittelpunkt bestimmt werden,
Wegen des 2. Newtonschen Axioms wirkt daher eine denn nur diese Komponente wirkt der Erdbeschleuni-
Kraft, die Zentripetalkraft gung, die ja zum Erdmittelpunkt gerichtet ist, entge-
gen. Es gelten die folgenden Gleichungen:
FZp = mw 2 r (II.72)
r = r E ⋅ cos j (II.74)
Sie muß aufgewendet werden, um eine Masse m auf
einer Kreisbahn zu halten. Die entgegengesetzt ge- a jZP = w 2 ⋅ r = w 2 ⋅ rE ⋅ cos j (II.75)
richtete gleich große Kraft ist die Zentrifugalkraft.
Die dazugehörende Beschleunigung heißt Zentrifu- ar = a jZP ⋅ cos j (II.76)
galbeschleunigung. Diese Kraft tritt bei allen Rota-
tionsbewegungen auf, dabei ist mit dem Radius r in a r = w 2 ⋅ rE ⋅ cos 2 j (II.77)
Gleichung (II.72) der Abstand von der Drehachse und damit
gemeint. Als Beispiel soll die Abhängigkeit der
Fallbeschleunigung auf der Erdoberfläche von der a F = g − w 2 ⋅ r E ⋅ cos 2 j (II.78)
174 Physik

2.3 Impuls Lösung:

Gesamtimpuls zu Beginn:
Im 2. Newtonschen Axiom wird die zeitliche Ände- p g = ( 200 kg + 80 kg ) ⋅ 2 m / s = 560 Ns
rung der Bewegungsgröße p gleich der resultierenden Impulsänderung durch den Sprung:
Kraft gesetzt. Die Bewegungsgröße ist der Impuls. Δ p = F Δt = 300 N ⋅ 0,2 s = 60 Ns
Bei konstanter Kraft F gilt: Impuls des Bootes nach dem Sprung:
p B′ = 200 kg ⋅ 2 m / s − 60 Ns = 340 Ns
  p m v
p = mv (II.79) Geschwindigkeit des Bootes: v B′ =
340 Ns
= 1,7 m / s
N s kg m s −1 200 kg

 Δ p  
Impuls des Mannes nach dem Sprung:
F= ⇒ Δ p = F ⋅ Δt (II.80) ′ = 80 kg ⋅ 2 m / s + 60 Ns = 220 Ns
pM
Δt 220 Ns
′ =
Geschwindigkeit des Mannes: v M = 2,75 m / s
Die Kraft ist also gleich der zeitlichen Änderung des 80 kg
Impulses. Die Größe Gesamtimpuls am Ende: p g′ = ( 340 + 220 ) Ns = 560 Ns
t2 Die positiven Vorzeichen bei beiden Geschwindigkeiten zeigen
∫ F d t = p 2 − p1 = Δ p (II.81) an, daß sich sowohl der Mann wie auch das Boot weiter in der
ursprünglichen Fahrtrichtung des Bootes bewegen, der Gesamt-
t1
impuls hat sich nicht verändert. Da der Impuls ein Vektor ist, muß
die Impulserhaltung auch für jede Komponente gelten.
wird als Kraftstoß bezeichnet. Ist die Kraft zeitlich
konstant, so vereinfacht sich Gleichung (II.81) zu  Beispiel: Der Mann aus dem voranstehenden Beispiel springt
   nicht in Fahrtrichtung, sondern senkrecht zur Fahrtrichtung in po-
Δ p = F ⋅ Δt = F ( t 2 − t 1 ) (II.82) sitiver y-Richtung vom Boot. Wie groß ist die Geschwindigkeit
des Bootes und des Mannes direkt nach dem Sprung?

Die Impulsänderung Δp , die ja auch ein Vektor ist, Lösung: Die Geschwindigkeit des Bootes und des Mannes in
hat die Richtung der angreifenden resultierenden Fahrtrichtung bleiben unverändert.
Kraft. Δ p = F ⋅ Δt = 300 N ⋅ 0,2 s = 60 Ns

 Beispiel: Eine konstante Kraft von 2 kN wirkt 10 s lang auf ein −60 Ns m
vB = = −0 , 3
ruhendes Fahrzeug der Masse m = 800 kg. Wie groß sind 200 kg s
a) der Kraftstoß, 60 Ns m
b) der Impuls, vM = = −0 , 75
80 kg s
c) die Geschwindigkeit nach 10 s?
Das Boot bewegt sich also in entgegengesetzter Richtung zum
Lösung: Mann.
a) F ⋅ Δt = 2000 N ⋅ 10 s = 20 000 Ns
b) Δ p = p 2 − p 1 = F ⋅ Δt ⇒ p = 20 000 Ns 2.4 Arbeit, Leistung, Wirkungsgrad
Δ p 20 000 Ns m km und Energie
c) v = = = 25 = 90
m 800 kg s h
Arbeit
Wirkt eine Kraft auf eine Masse m und verschiebt sie
Impulserhaltungssatz
dabei die Masse m um den Weg Ds, so hat die Kraft
Wirkt nun auf ein System keine äußere resultierende
den Zustand des Körpers verändert, es wurde Arbeit
Kraft, so ist entsprechend (II.82) die Änderung des
verrichtet. Schließt die Kraft einen Winkel a mit der
Impulses Dp = 0. Daraus folgt, daß in diesem Fall der
Richtung von Ds ein, so gilt für die Teilarbeit DW auf
Impuls konstant sein muß. Dieses gilt für den Ge-
dieser Wegstrecke:
samtimpuls des betrachteten Systems. Besteht das
System aus mehreren Massen mit Einzelimpulsen pi, ΔW = F ⋅ Δ s ⋅ cos a (II.84)
so gilt der Impulserhaltungssatz für den Gesamtim-
Es wirkt nur die Projektion der Kraft in Richtung des
puls
     Weges. Die für den gesamten Weg aufzubringende
p ges = p1 + p 2 + p 3 + ... + p n = const (II.83) Arbeit ist dann aus der Summe der Teilarbeiten zu
berechnen.
Dabei können sich die Einzelimpulse durchaus än-
dern, wenn nur der Gesamtimpuls konstant bleibt. W = ∑ΔW (II.85)
Eine weitergehende Betrachtung wird im Kapitel Ist die Kraft während des gesamten Vorganges kon-
Stoßprozesse durchgeführt. stant und parallel zum Weg, so folgt aus Gleichung
(II.84) und (II.85) für die gesamte Arbeit
 Beispiel: Aus einem Boot der Masse 200 kg, welches sich in
ruhendem Wasser (äußere Kräfte = 0) mit einer Geschwindigkeit
W F s
von 2 m/s bewegt, springt in Fahrtrichtung ein 80 kg schwerer W = F⋅s (II.86)
Mann. Dabei stößt er sich 0,2 s lang mit einer Kraft von 300 N Nm N m
ab.
Wie groß sind die Geschwindigkeiten des Bootes und des Mannes Die Einheit der Arbeit ist 1 Nm, dafür wird die Ab-
direkt nach dem Sprung? kürzung 1 J (Joule) verwendet.
II Mechanik 175

kg m 2 F
1 J = 1 Nm = 1 (II.87)
s2
x
Immer dann, wenn eine Masse m gegen eine Kraft F
bewegt wird, muß Arbeit verrichtet werden. Wird die Fr
Masse in Richtung der Kraft bewegt, wird Arbeit
Wspann
gewonnen. Wird z.B. eine Masse m gegen die Ge-
wichtskraft um eine Höhe Δs = h angehoben, so ist x s
dafür die Hubarbeit Bild II-13 Spannarbeit
Whub = FG ⋅ h = mgh (II.88)
1
gegen die konstante Gewichtskraft zu verrichten. Die Wspann = Fr x (II.91)
Fläche im F-s-Diagramm ist somit gleich der Arbeit. 2
1 2
F Wspann = cx (II.92)
2
Leistung, Wirkungsgrad
h mg
Die Leistung P gibt an, wieviel Zeit Δt zur Verrich-
W = mgh tung einer Arbeit ΔW benötigt wird.
m
h s ΔW P ΔW Δ t
P= (II.93)
Δt Nms −1 Nm s
Bild II-12 Hubarbeit
Hieraus folgt:
Wird ein Körper beschleunigt, so ist Beschleuni-
ΔW F ⋅ Δ s
gungsarbeit zu verrichten. Nach Gleichung (II.5) gilt, P= = (II.94)
daß für den zusätzlich während der Beschleunigungs- Δt Δt
zeit Δt zurückgelegten Weg Δs gilt: P = F⋅v (II.95)
1
Δs = a ( Δ t ) .
2 Die SI-Einheit der Leistung ist das Watt.
2
J Nm
Aus Gleichung (II.3) folgt 1 W =1 =1 (II.96)
s s
Δv
Δt =
a
und somit
1 ⎛ Δv ⎞
2
( Δv ) v 22 − v12
2
Δs = a⎜ ⎟ = = .
2 ⎝ a ⎠ 2a 2a
Damit gilt mit
a
Wbeschl = m a ⋅ Δ s
m2
1
Beschleunigungsarbeit Wbeschl = m ( v 22 − v12 ) (II.89) Bild II-14
2 m1
Antriebsleistung
Hierbei ist vorausgesetzt, daß keine weiteren Arbei-
ten, wie z.B. Reibungsarbeit, zu verrichten sind. Wird Bei allen Maschinen und Antrieben gibt es immer
ein Körper bei vorhandener Reibungskraft auf hori- Verluste durch Reibung, Wärme etc. Die von der
zontalem Weg bewegt, so ist jetzt Reibungsarbeit Maschine geleistete Arbeit ist immer kleiner als die
gegen die Reibungskraft zu verrichten: zugeführte Arbeit. Das Verhältnis von abgegebener
Arbeit zu zugeführter Arbeit wird Wirkungsgrad h
Reibungsarbeit
genannt.
W R = FR ⋅ ( s 2 − s 1 ) = FN ⋅ m ⋅ g ⋅ ( s 2 − s1 ) (II.90)
Wab
h= ≤1 (II.97)
Um eine Feder zusammenzudrücken, muß ebenfalls Wzu
Arbeit gegen die Rückstellkraft der Feder geleistet
werden. Wird eine Feder um die Strecke x zusam- Der Wirkungsgrad ist eine dimensionslose Größe.
mengedrückt, so ist die Rückstellkraft nicht konstant,
sondern gemäß Bild II-13 von der Auslenkung ab-  Beispiel: Ein beladener Förderkorb mit der zulässigen Gesamt-
masse m1 = 1000 kg ist über eine Rolle mit dem Gegengewicht m2
hängig. Auch hier ist die Spannarbeit gleich der = 400 kg verbunden. Der Korb wird zu Beginn mit der Be-
gestrichelten Fläche in Bild II-13. Es gilt schleunigung a = 1 ms–2 aufwärts beschleunigt, bis er dann mit
176 Physik

einer konstanten Geschwindigkeit von 5 ms–1 nach oben fährt. Welche Energie geht durch Verformungsarbeit während des Auf-
Die Reibungskraft FR wird als konstant mit 500 N angenommen. pralles verloren?
Welche Dauerleistung und welche maximale Leistung muß die Lösung:
Antriebsmaschine bei einem Wirkungsgrad von 0,8 leisten? Umwandlungsenergie = Differenz der potentiellen Energien.
Lösung:
Δ E = m g ( h 0 − h1 ) (II.102)
Während der Phase der beschleunigten Bewegung ist die Kraft:
Fa = m 1 ( g + a ) − m 2 ( g − a ) + FR = 7786 N Δ E = 0,981 J

Fa v 2
Pa = = 48, 67 kW
h 2.5 Stoßprozesse
Während der Phase der gleichförmigen Bewegung gilt:
Fv = ( m 1 − m 2 ) g + FR = 6386 N
Stoßen zwei Körper zusammen, so berühren sie sich
kurzzeitig und ändern ihren Bewegungszustand. Je
Fv v 2
Pv = = 39,91 kW nach Art der Energieübertragung unterteilt man
h
mechanische Stöße in elastische und inelastische
Energie Stöße, nach den geometrischen Verhältnissen in ge-
Wird einem Körper Arbeit zugeführt, so erhöht sich rade und schiefe Stöße, zentrale und exzentrische
seine Energie E. Energie und Arbeit werden in der Stöße. Im Rahmen diese Buches werden nur gerade,
gleichen Einheit gemessen (II.87). zentrale Stöße behandelt. Die Stoßpartner bewegen
sich also auf einer Geraden und treffen sich auf der
Δ E = E 2 − E 1 = ΔW (II.98) Verbindungslinie ihrer Mittelpunkte.
Wird einem Körper Hubarbeit zugeführt, so erhöht
sich seine Lageenergie oder auch potentielle Energie Elastischer Stoß
Epot. Durch Beschleunigungsarbeit wird die kinetische Beim elastischen Stoß ist die Bewegungsenergie E
Energie Ekin erhöht. Es gilt für die vor dem Stoß gleich der Bewegungsenergie E' nach
dem Stoß. (Größen nach dem Stoß werden durch ′
potentielle Energie E pot = m g h (II.99)
gekennzeichnet.) Weiterhin gilt der Impulserhal-
 
1 tungssatz (II.83) p = p ′.
und für die kinetische Energie E kin =m v 2 (II.100)
2
Energieerhaltung
Die unterschiedlichen Energieformen können wäh-
rend des Ablaufes eines Vorganges in andere Ener- 1 1 1 1
m v 2 + m v 2 = m v ′ 2 + m 2 v 2′ 2 (II.103)
gieformen umgewandelt werden. Es gilt jedoch der 2 1 1 2 2 2 2 1 1 2
grundlegende Satz von der Erhaltung der Energie in
einem abgeschlossenen System. Impulserhaltung
   
m 1 v 1 + m 2 v 2 = m 1 v 1′ + m 2 v 2′ (II.104)
Energieerhaltungssatz: Geschwindigkeiten
 
In einem abgeschlossenen System ist die Summe  ( m1 − m 2 ) v 1 + 2 m 2 v 2
aller Energien, die Gesamtenergie, zu jedem v1′ = (II.105)
m1 + m 2
Zeitpunkt konstant. Energie kann sich in ver-
schiedene Formen umwandeln und zwischen ver- nach dem Stoß
schiedenen Teilen des Systems austauschen.  
 ( m 2 − m1 ) v 2 + 2 m1 v 1
v 2′ = (II.106)
m1 + m 2
E1 + E 2 + E 3 + ... + E n = const (II.101)
 Beispiel: Eine Kugel der Masse m1 = 2 kg, v1 = 3 m s–1 stößt
 Beispiel: Eine Stahlkugel (m = 1 kg) fällt aus einer Höhe von 2 m
elastisch mit einer ruhenden Kugel m2 = 1 kg, v2 = 0 m s–1 zu-
auf eine Stahlplatte.
sammen. Wie groß sind die Geschwindigkeiten nach dem Stoß?
Wie groß ist ihre Geschwindigkeit kurz vor dem Aufprall?
Lösung: ( 2 − 1) kg ⋅ 3 m s + 2 ⋅ 1 kg ⋅ 0 m s
Lösung: v 1′ = =1 m s
Energien in Höhe h: E pot = m g h , E kin = 0 2 kg + 1 kg
( 1− 2) kg ⋅ 0 m s + 2 ⋅ 2 kg ⋅ 3 m s
vor dem Aufprall: E pot = 0 , E kin =
1
mv2 v 2′ = =4 m s
2 2 kg + 1 kg
 
1 Haben beide Kugeln gleiche Massen, so ergibt sich: v 1′ = v 2 und
mgh = mv2
2  
v 2′ = v 1.
Aufprallgeschwindigkeit ve = 2 g h siehe auch (II.10)

m m Inelastischer Stoß
ve = 2 ⋅ 9, 81 ⋅ 2 m = 6,26
s2 s Beim inelastischen Stoß wird ein Teil der Bewe-
gungsenergie in andere Energiearten, z.B. Verfor-
 Beispiel: Eine Stahlkugel (m = 1 kg) fällt aus einer Höhe von 2 m mungsenergie oder Wärmeenergie ΔE, umgewandelt.
auf eine Stahlplatte und springt dann bis zu einer Höhe von
1,90 m zurück. E1 + E 2 + ... + E n = E1′ + E 2′ + ... + E n′ + Δ E (II.107)
II Mechanik 177

Um ΔE berechnen zu können, sind weitere Angaben Mit dieser Formel wird allerdings nur der Betrag des
notwendig. Haben nach dem Stoß beide Körper Drehmomentes berechnet, die Richtung ergibt sich
dieselbe Geschwindigkeit, so liegt ein vollkommen aus der Rechte-Hand-Regel:
inelastischer oder auch unelastischer Stoß vor. Der Daumen der rechten Hand wird in die Richtung
   
v 1′ = v 2′ = v ′ (II.108) von r gehalten, der Zeigefinger in Richtung
 Fs, der
Mittelfinger zeigt die Richtung von M an.
  
m1 v1 + m 2 v 2 = ( m1 + m 2 ) v ′ (II.109)
Massenmittelpunkt, Schwerpunkt
  Greifen an einem starren Körper, also einem System
 m v + m2 v2
v′ = 1 1 (II.110) von fest miteinander verbundenen Massenpunkten,
m1 + m 2
beliebige äußere Kräfte an, so wird das System eine
 Translation und eine Rotation durchführen. Das
 Beispiel: Ein Auto (m1 = 1000 kg, v 1 = 100 kmh–1) stößt frontal
vollkommen inelastisch mit einem zweiten entgegenkommenden

System ist nur dann im statischen Gleichgewicht,
Wagen (m2 = 1500 kg, v 2 = – 120 km h–1) zusammen. Die Dau- wenn die Summe aller äußeren Kräfte und die Sum-
er des Stoßes sei 0,5 s, beide Fahrer wiegen 100 kg. Das Minus-
   me aller äußeren Drehmomente = 0 ist.
zeichen bei v 2 bedeutet, daß v 2 entgegengesetzt zu v 1 gerichtet
ist. ∑ Fa = 0 (II.113)
a) Wie groß ist die Geschwindigkeit beider Fahrzeuge nach dem 
Aufprall?
∑ Ma = 0 (II.114)
b) Welche Kräfte haben beide Fahrer auszuhalten?
Dieses Gleichgewicht stellt sich dann ein, wenn der
Lösung:
Körper in einem ganz bestimmten Punkt durch eine
a) nach (II.110)
Stützkraft FS unterstützt wird. Diese muß entgegenge-
 1100 kg ⋅ 100 km h −1 − 1600 kg ⋅ 120 km h −1 setzt gleich der Gewichtskraft aller Massenpunkte sein.
v′ =
1100 + 1600 kg
 y
v ′ = −30,37 km h −1
m2
b) nach (II.82)
m3
ys S
 Δ p 1 100 kg ⋅ ( −30,37 − 100 ) km h −1
F1 = = = −2747 N m1
Δt 0,5 s
m4
 Δ p 2 100 kg ⋅ ( −30,37 + 120 ) km h −1 Bild II-16
F2 = = = 1792,6 N Schwerpunkt
Δt 0,5 s xs x

 N

2.6 Rotation FS + ∑ m i g = 0 (II.115)
i =1
Drehmoment
Dadurch ist (II.113) erfüllt. Weiterhin muß bezüglich
einer beliebigen Drehachse das Gesamtdrehmoment
r m gleich der Summe der Einzeldrehmomente sein.
a  N 
Fs M ges + ∑ M i = 0 (II.116)
F i =1

Bild II-15 Aus diesen Gleichungen kann die Koordinate dieses

Drehmoment Punktes bestimmt werden. Dieser Punkt ist der
Schwerpunkt oder Massenmittelpunkt des starren
Um einen Körper in Drehbewegung oder Rotation zu Körpers. Die Lage hängt von der Massenverteilung
versetzen, muß auf diesen Körper eine resultierende ab. Gezeichnet sind vier willkürlich angeordnete
Kraft wirken, die in einem Abstand r von der Dreh- Massen und ein noch zu bestimmender Schwerpunkt
achse angreifen muß. Die Richtung der Kraft darf S. Die Schwerpunkt-Koordinaten berechnen sich bei
aber nicht auf der Verbindungslinie vom Zentrum der einer räumlichen Anordnung zu
Drehbewegung zum Angriffspunkt der Kraft liegen. N N N
Der Winkel a darf also nicht 0° sein. Ist dies der Fall, ∑ mi x i ∑ mi yi ∑ mi z i
so bewirkt nur die Komponente der Kraft Fs senk- i =1 i =1 i =1
xs = ys = N
zs = N
(II.117)
recht zur Verbindungslinie Angriffspunkt – Drehachse N

eine Rotation. Die Größe ∑ mi ∑ mi ∑ mi

i =1 i =1 i =1
M = r ⋅ Fs = r ⋅ F ⋅sina (II.111)
 Beispiel: Berechnung der Schwerpunktkoordinaten folgender An-
heißt Drehmoment. ordnung: m1 = 200 g, m2 = 300 g, m3 = 100 g. Die Massen sitzen
auf den Endpunkten eines gleichseitigen Dreiecks. Die Punkt-
M = r⋅F (II.112) koordinaten sind: P1 = (20, 20), P2 = (20, 80), P3 = (71,962, 50).
178 Physik

y Bild II-17 Lösung:

m2·P2 Beispiel Schwerpunkt a) Drehimpuls: L1 = 2 ⋅ m r12 ⋅ w 1

L 1 = 2 ⋅ 0,1 kg ⋅ ( 0,3 m ) ⋅ 2 s
2
ys S m3·P3 2
kg m
L1 = 0 , 036
s
m1 ·P1 b) Da der Drehimpuls konstant bleibt, gilt:

xs x 2 ⋅ m r12 ⋅ w 1 = 2 ⋅ m r22 ⋅ w 2
r1
mit r2 =
2
200 g ⋅ 20 + 300 g ⋅ 20 + 100 g ⋅ 71,9652
Lösung: xs = = 28,66 2 m r12 w1
200 g + 300 g + 100 g folgt: w 2 = = 4 w1
2 m r12
200 g ⋅ 20 + 300 g ⋅ 80 + 100 g ⋅ 50 4
ys = = 55
200 g + 300 g + 100 g w 2 = 8 s −1
Dieser Punkt ist eingezeichnet.

Drehimpuls Trägheitsmoment
Bei Bewegungen auf einer Kreisbahn kann in Analo- Wird eine Punktmasse m, die sich auf einer Kreis-
gie zur Berechnung des Drehmomentes auch das bahn bewegt, durch die Kraft F beschleunigt, so gilt
Produkt r ⋅ p, mit dem Impuls p, gebildet werden. Die nach (II.3), (II.47) und (II.112):
Δv Δw
hier vereinfacht wiedergegebene Ableitung gilt aller- M = r⋅ma = r⋅m = r⋅m⋅r und mit der Win-
dings nur für Kreisbewegungen in einer Ebene. Mit Δt Δt
kelbeschleunigung a (II.43).
den Gleichungen für Kreisbewegungen gilt:
r⋅ p = r⋅m v (II.118) M = m r 2a (II.128)
r ⋅ p = r ⋅ mwr (II.119) oder auch
r ⋅ p = m r 2w (II.120) M = Ja (II.129)
2
Die Größe mr ist das Trägheitsmoment J eines Mas- J ist das bereits oben eingeführte Massenträgheits-
senpunktes: moment einer punktförmigen Masse m im Abstand r
von der Drehachse.
J m r2 Sind, wie in der nebenstehenden Abbildung, zwei
J = mr2 (II.121)
kg m 2 kg m 2 Massen m1 und m2 in unterschiedlichen Abständen r1
und r2 auf einer massenlosen Stange gelagert, und
Das Produkt r ⋅ p wird Drehimpuls L genannt.
greift an der Masse m1 die Kraft F an, so werden
Drehimpuls L beide Massen wegen des angreifenden Drehmomen-
L = r⋅ p (II.122) tes in Rotation versetzt. Das Gesamtträgheitsmoment
beider Massen kann durch folgende Überlegung be-
L = Jw (II.123) stimmt werden. Die Drehmomenten-Gleichung lautet:
L r p
L = r⋅ p (II.124)
kg m 2 s −1 m kg m s −1
r2 r1
Weiterhin gilt für das Drehmoment m2 m1
Δp
M = r⋅F = r⋅ (II.125) F
Δt
m2 m1
ΔL
M= (II.126)
Δt Bild II-18 Rotation zweier Punktmassen
Wirken keine äußeren Drehmomente, so ist DL = 0
und somit L = const, der Gesamtdrehimpuls bleibt
M = r1 ⋅ F = r1 m1 a1 + r2 m 2 a 2 (II.130)
also konstant.
L ges = L1 + L 2 + L 3 + ... + L n = const (II.127) Da die Winkelbeschleunigung α überall gleich ist, gilt
a a
a= 2 = 1 (II.131)
 Beispiel: Zwei gleiche Massen, m = 100 g, rotieren im Abstand r2 r1
r = 30 cm von der Drehachse mit einer Winkelgeschwindigkeit
2
w = 2 s–1. M = r1 m 1a + r22 m 2 a (II.132)
a) Wie groß ist der Drehimpuls?
b) Wie ändert sich die Winkelgeschwindigkeit, wenn der Abstand
der Massen halbiert wird?
M= ( r1
2
m 1 + r22 m 2 a ) (II.133)
II Mechanik 179

M = J ges ⋅ a (II.134) 1 2 2
E kin = mr w (II.141)
mit 2
2
J ges = r1 m 1 + r22 m 2 (II.135) und mit dem Trägheitsmoment eines Massenpunktes:
1
J ges = J 1 + J 2 (II.136) Rotationsenergie E rot = J A w2 (II.142)
2
Für n einzelne Massenpunkte gilt
Diese Rotationsenergie ist eine weitere mögliche Be-
n
wegungsenergie. Somit gibt es zwei kinetische oder
J ges = ∑ J i (II.137)
i =1
Bewegungsenergien: Translations- und Rotations-
n energie.
J ges = ∑ ri2 m i (II.138) 1 E rot J w2
i =1 E rot = J A w2 (II.143)
2 J kg m s − 2
2
Bei homogenen Körpern wird diese Summe zum
Integral. Das Trägheitsmoment nicht punktförmiger  Beispiel: Eine Kugel mit dem Radius r = 5 cm rollt ohne Reibung
Massen hängt von der Geometrie des Körpers und auf einer schiefen Ebene (Neigungswinkel a = 20°) aus einer Hö-
von der Lage der Drehachse ab he h = 2 m. Wie groß ist ihre Translationsgeschwindigkeit am
Ende der schiefen Ebene?
J ges = ∫ r 2 d m = ∫ r 2 r d V (II.139) Lösung:
Vol
Energien in Höhe h: E pot = m g h
mit der Dichte
E kin = 0 (II.144)
m
r= (II.140)
V am Ende der Ebene: E pot = 0

In der folgenden Tabelle sind einige Beispiele für 1 1

E kin =
mv 2 + Jw 2 (II.145)
unterschiedliche Geometrie gegeben, wobei die 2 2
Aus dem Energieerhaltungssatz folgt, daß die Gesamtenergie in
Drehachse immer parallel zu einer Symmetrieachse
Höhe h gleich der Gesamtenergie am Ende der schiefen Ebene
liegt und durch den Schwerpunkt des Körpers führt. sein muß, daher gilt:
1 1 2 v2
Tabelle II-3 Trägheitsmomente spezieller Körper mgh = mv 2 + ⋅ mr 2 2 (II.146)
2 2 5 r
Punktmasse J = mr 2
v2 v2 7
gh = + = v2 (II.147)
2 5 10
Stab 1
Achse durch Stabende, J = ml 2
3 10
senkrecht zum Stab v= gh (II.148)
7
Stab 1
Achse durch Stabmitte, J= ml 2 v=
10 m
⋅ 9,81 2 ⋅ 2 m = 5,3
m
12 7 s s
senkrecht zum Stab
Die im vorigen Kapitel angegebenen Massenträg-
Vollzylinder 1 2
Drehachse = Längsachse J= mr heitsmomente beziehen sich auf die Rotation um eine
2 Achse durch den Schwerpunkt. Liegt die Drehachse
dünne Scheibe 1 2 nicht durch den Schwerpunkt, ist aber das Trägheits-
Drehachse senkrecht zur J= mr moment JS bezüglich der Schwerpunktachse bekannt,
2
Scheibe so läßt sich das Trägheitsmoment JA bezüglich der
beliebigen Achse durch folgende Überlegung be-
Hohlzylinder 1
Drehachse = Längsachse J= m ( ra2 + ri2 ) stimmen: Eine Rotation um eine beliebige Achse
2 kann ersetzt werden durch eine Rotation um die
dünner Ring J = mr 2 Schwerpunktachse und eine Translation des Schwer-
Drehachse senkrecht zum punktes. Die Kugel in Bild II-19, Seite 180 soll um
Ring eine Viertelumdrehung von links nach rechts rollen.
Der momentane Drehpunkt ist der Auflagepunkt P.
Kugel 2 2 Während dieser Drehung hat sich der Punkt A auf
J= mr
5 dem Umfang des Kreises bewegt. Das Zentrum des
Kreises Z (Schwerpunkt der Kugel) hat sich linear um
Rotationsenergie die Strecke P1 P2 weiterbewegt. Den Endzustand
Rotiert ein Körper um eine beliebige Drehachse A, so kann man auch erreichen, indem die Kugel zunächst
hat jeder Massenpunkt kinetische Energie nach in der Stellung 1 eine Viertelumdrehung macht und
(II.100). Für einen Massenpunkt gilt mit (II.40) und dann ohne Drehung um die Strecke P1 P2 nach rechts
(II.89): verschoben wird.
180 Physik

A Die Erdanziehungskraft an der Oberfläche der Erde

auf eine Masse m kann ebenfalls durch (II.157) be-
A Z Z stimmt werden. Der Abstand r12 ist in diesem Fall
gleich dem Erdradius rE = 6378 km. Die Gewichts-
kraft auf eine Masse m läßt sich ausdrücken durch:
g mE m
P1 P2 = mg (II.159)
rE2
Bild II-19 Steinerscher Satz
g rE2
mE = (II.160)
Die Rotationsenergie für die Drehung um P ist: g
1 m
E rot = J P w 2 (II.149) 9, 81 ⋅ ( 6370 ⋅10 3 m) 2
2 mE = s2 (II.161)
In der zweiten Betrachtungsweise gilt: Nm 2
6 , 67 ⋅ 10 −11
1 1 kg 2
E kin = m v S2 + J S w 2 (II.150)
2 2 m E = 5, 97 ⋅ 10 24 kg (II.162)
1
E kin = ( m r 2 + J S ) w 2 (II.151) Auch die Bewegung der Planeten läßt sich durch
2 (II.157) deuten. Sie ist von Johannes Kepler in den
Somit gilt: JP = mr 2 + JS (II.152) drei Keplerschen Gesetzen beschrieben.
1. Die Planeten bewegen sich auf Ellipsen, in deren
Diese letzte Gleichung ist der Steinersche Satz. Die
gemeinsamen Brennpunkt die Sonne steht.
Drehachse durch P hat von der Drehachse durch den
2. Jeder Strahl von der Sonne zu einem Planeten
Schwerpunkt den Abstand r.
überstreicht in gleichen Zeiten gleiche Flächen.
 Beispiel: Das vorige Beispiel soll mit Hilfe des Steinerschen 3. Die Quadrate der Umlaufzeiten der Planeten
Satzes gelöst werden: verhalten sich wie die dritten Potenzen der großen
Lösung:
2
JP = mr2 + mr2 (II.153)
Halbachsen ihrer Bahnen um die Sonne.
5
1 7
mgh = ⋅ m r 2w2 (II.154) 3 Elastische Verformung fester Körper
2 5
1 7
mgh = ⋅ mv2 (II.155)
2 5 ΔF ΔFn
10
v= gh (II.156)
7
ΔFt
2.7 Gravitation ΔΑ Bild II-21
Spannung
Zwischen zwei Massen m1 und m2 besteht immer eine
Anziehungskraft, die Gravitationskraft FG. Die Rich- Elastische Verformungen sind reversible Vorgänge un-
tung dieser Kraft liegt in der Verbindungslinie beider ter dem Einfluß einer äußeren Kraft, nach Beendigung
Massen, für den Betrag gilt: der Einwirkung geht die Verformung vollständig zu-
rück. Entscheidend für die Größe der Verformung ist,
F12 abgesehen von den Materialeigenschaften des unter-
r12 suchten Festkörpers, die Spannung. Diese ist definiert:
m2
m1 ΔF S ΔF ΔA
Spannung S = (II.163)
ΔA Nm − 2 N m 2
Bild II-20 Gravitationsgesetz
Dabei wird die zur Fläche ΔA senkrechte Komponen-
te von S die Normalspannung s und die zur Fläche
g m1 m 2 parallele Komponente Schubspannung t genannt.
FG = (II.157)
r122 Δ Fn
Normalspannung s = (II.164)
mit der Gravitationskonstanten ΔA
2
g = 6,672 59 ⋅ 10 −11
Nm Δ Ft
(II.158) Schubspannung t = (II.165)
kg 2 ΔA
Der Abstand r12 ist bei einer räumlichen kugelförmi- Unter Einwirkung einer Normalspannung wird sich
gen Ausdehnung der Massen der Abstand der beiden ein Körper dehnen. Die Dehnung e ist die relative
Kugelzentren. Längenänderung bezogen auf die Ausgangslänge l0.
II Mechanik 181

Δl l1 − l 0 Eine weiter außerhalb des SI-Systems, aber nach DIN

Dehnung e = = (II.166) 1301 zulässige Bezeichnung ist
l0 l0
Zwischen Normalspannung und Dehnung gilt im 1 bar = 10 5 Pa (II.174)
Bereich elastischer Verformung das Hooksche Gesetz
4.2 Kompressibilität
s = e⋅ E (II.167)
Flüssigkeiten und Gase werden durch äußeren Druck
E ist eine materialabhängige Größe und heißt: Elasti- komprimiert, ihr Volumen nimmt ab.
zitätsmodul.
V = Va ( 1 − c Δ p) (II.175)
s E e s
E= (II.168)
e Nm − 2 1 Nm − 2 χ ist die Kompressibilität
In der Technik ist für den Elastizitätsmodul E die 1 ΔV
c=− ⋅ (II.176)
Einheit N/mm2 geläufig. Va Δ p
Unter dem Einfluß einer Spannung verändert sich
normalerweise auch das Volumen eines Körpers. Es Da sich das Volumen verkleinert, muß sich die Dich-
gilt für einen Stab der Dicke d unter einseitiger Belas- te vergrößern.
tung: ra
r= (II.177)
ΔV (1 − c Δ p )
= e ⋅ (1 − 2 m ) (II.169)
V ra und Va sind die dabei jeweiligen Anfangswerte.
mit der Poissonzahl Da c von Flüssigkeiten sehr viel kleiner ist als bei
Gasen, werden Flüssigkeiten oft als inkompressibel
Δd
betrachtet. Technische Anwendung: hydraulische
d Presse.
m=− 0 (II.170)
e
Nur wenn m = 0,5 ist, bleibt das Volumen unverän- 4.3 Volumenausdehnung
dert. Durch Temperaturerhöhung wird normalerweise das
Volumen vergrößert. (Ausnahme: Anomalie des
4 Mechanik der ruhenden Flüssigkeiten Wassers zwischen 0 °C und 4 °C, Wasser hat bei 4 °C
sein kleinstes Volumen und damit seine größte Dich-
und Gase te)
Im Gegensatz zu Festkörpern, bei denen die Atome V = V0 (1 + g ΔJ ) (II.178)
auf festen Plätzen sitzen, können in Flüssigkeiten und
Gasen die Atome bzw. Moleküle leicht gegeneinan- g ist der Volumenausdehnungskoeffizient oder kubi-
der verschoben werden. Die Atomabstände in Flüs- sche Ausdehnungskoeffizient, V0 ist das Volumen bei
sigkeiten und Festkörpern sind ähnlich, in Gasen we- 0 °C, ΔJ wird dann ebenfalls auf 0 °C bezogen. Die
sentlich größer. Festkörper und Flüssigkeiten haben Dichte wird bei Temperaturerhöhung kleiner (Aus-
ähnliche Dichten, Gase eine viel geringere Dichte. nahme s.o.)
Für die Dichte r gilt: r0
r= (II.179)
m r m V 1 + g ΔJ
r= (II.171)
V kg m − 3 kg m 3
4.4 Hydrostatischer Druck
4.1 Druck in Flüssigkeiten
Wird nun an einer Stelle der Flüssigkeit oder des Auf jedes Flüssigkeitsmolekül wirkt die Schwerkraft.
Gases auf die Oberfläche eine Kraft ausgeübt, so Auf den Boden eines mit Flüssigkeit gefüllten Gefä-
überträgt sich diese auf das ganze Volumen. Das ßes wirkt dann die Gewichtskraft aller in der Flüssig-
Verhältnis Kraft zu Fläche wird Druck p genannt. keit befindlichen Moleküle unter der Annahme, daß
Wegen der leichten Verschiebbarkeit der Moleküle ist sich die Dichte nicht ändert:
der Druck überall gleich groß und wirkt senkrecht auf FG = m g = r V g (II.180)
die Oberfläche.
FG = r Ah g
ΔF p ΔF ΔA
p= (II.172) FG
ΔA Nm − 2 N m − 2 Damit wird der Druck p= = rg h (II.181)
A
N Dieser durch die Schwerkraft verursachte Druck wird
Die Einheit ist 1 Pascal: 1 Pa = 1 (II.173)
m2 Schweredruck genannt. Herrscht über der Flüssigkeit
182 Physik

noch ein weiterer äußerer Druck pa, z.B. der Luft- FA = A ( p 2 − p1 ) = r Fl gA ( h 2 − h1 )

druck, so ist der Gesamtdruck am Boden
FA = g rFl VFl = gm Fl (II.185)
ph = pa + rg h (II.182)
Die Auftriebskraft ist gleich der Gewichtskraft der
Dieser Gesamtdruck ist der hydrostatische Druck. Er verdrängten Flüssigkeit. Sie ist nach oben gerichtet.
ist neben dem äußeren Druck nur von der Höhe der Der gleiche Sachverhalt gilt auch in Gasen, nur sind
Flüssigkeitssäule über dem Boden abhängig, nicht dort wegen der geringeren Dichten der Gase auch die
aber von der gesamten Masse der Flüssigkeitssäule. Auftriebskräfte wesentlich kleiner.
Er ist damit unabhängig von der Form des Gefäßes
und wirkt auch auf alle Seitenwände.
5 Hydrodynamik
4.5 Schweredruck in Gasen
In der Hydrodynamik wird das Verhalten von strö-
Der Schweredruck von Gasen errechnet sich ebenfalls menden Flüssigkeiten unter dem Einfluß äußerer
durch die Gewichtskraft der über einer Fläche ste- Kräfte untersucht.
henden Gassäule. Im Gegensatz zu Flüssigkeiten
ändert sich die Dichte in der Gassäule merklich. 5.1 Kontinuitätsgleichung
Wendet man diese Überlegung auf den Luftdruck an, Der Massenstrom m gibt an, welche Masse einer
so läßt sich der Luftdruck in einer bestimmten Höhe Flüssigkeit pro Zeiteinheit durch einen Querschnitt A
über der Erdoberfläche berechnen durch strömt.
r0 g h
− Massenstrom
barometrische Höhenformel p = p 0 ⋅ e p0
(II.183) m r v A
m = r v A (II.186)
Nach DIN 5450 gilt: Für eine Lufttemperatur von kg s −1 kg m − 3 m s −1 m 2
kg
0 °C ist p 0 = 1, 013 25 ⋅ 10 5 Pa und r0 = 1, 293 3 . Wenn in der betrachteten Flüssigkeit keine Quellen
m oder Senken vorhanden sind, ist der Massenstrom
Bei der Ableitung von (II.183) ist vorausgesetzt, daß konstant.
die Temperatur konstant bleibt.
r1 v 1 A1 = r2 v 2 A2 = const (II.187)
 Beispiel: In welcher Höhe ist der Luftdruck auf die Hälfte des
Wertes an der Erdoberfläche gesunken? Ist die Flüssigkeit inkompressibel, so ist ihre Dichte r
konstant, und es gilt
p r gh
Lösung: ln = ln 0 , 5 = − 0 m
p0 p0 V = = v A = const (II.188)
p0
r
h=− ln 0 , 5 = 5537 m
r0 g mit dem Volumenstrom V
Volumenstrom
F1 V A v
V = Av (II.189)
m 3 s −1 m 2 m s −1
h1
F4 F3 Gleichung (II.187) oder (II.188) ist die Kontinuitäts-
h gleichung.
h2
FA
5.2 Bernoulli-Gleichung
F2
Bild II-22 Auftrieb Muß gegen einen Druck p ein Flüssigkeitsvolumen
ΔV am Ort 1 in eine Strömung gebracht werden, so ist
hierfür die Arbeit
4.6 Auftrieb W1 = F1 ⋅ Δ s = p1 A1 Δ s = p1 ΔV1 (II.190)
Auf einen Körper wirkt von allen Seiten der hydrosta- aufzubringen. Tritt diese Flüssigkeit am Ort 2 wieder
tische Druck nach (II.182). aus, so wird die Arbeit
Da der Druck in größeren Tiefen zunimmt, entsteht
dadurch eine resultierende Kraft nach oben, die W2 = p 2 ΔV2
Auftriebskraft FA . frei. Da die Flüssigkeiten inkompressibel sein sollen,
      gilt ΔV1 = ΔV2 = ΔV.
FA = ∑ F = F1 + F2 + F3 + F4 (II.184) Für die Differenz der Arbeiten gilt somit:
Da sich die Seitenkräfte paarweise aufheben, ver- Δ W = ( p 2 − p1 ) Δ V (II.191)
bleibt
   Bei einer strömenden Flüssigkeit haben die Teilvolu-
FA = F1 + F2 mina auch kinetische Energie, befinden sie sich auf
III Thermodynamik 183

unterschiedlicher Höhe über der Erdoberfläche, so 5.3 Innere Reibung

kommt noch potentielle Energie hinzu. Der Energie- 2
erhaltungssatz gilt dann in der Form:
1 1 1
p1 ΔV + m v12 + m g h1 = p 2 ΔV + m v 22 + m g h 2
2 2
(II.192) v
oder mit m = r ⋅ ΔV
1 1 Δv
p1 + r v 12 + r g h1 = p 2 + r v 22 + r g h 2 (II.193)
2 2
oder allgemein
1
p ges = p + r v 2 + r g h = const (II.194) Bild II-23
2 Δx Innere Reibung
Gleichung (II.194) ist die Bernoulli-Gleichung in-
kompressibler Flüssigkeiten ohne Reibungsverluste. Zwischen den Molekülen einer Flüssigkeit treten An-
Der Gesamtdruck setzt sich aus dem Betriebsdruck p, ziehungskräfte auf. Der Einfluß dieser Kräfte auf die
1 Strömung wird innere Reibung genannt. Um eine
dem Staudruck oder dynamischen Druck rv 2 und
2 bewegliche Platte 1 der Fläche A mit konstanter Ge-
dem Schweredruck rg h zusammen und ist konstant. schwindigkeit v parallel zu einer festen Wand 2 zu
Treten Reibungsverluste auf, wird (II.193) in der verschieben, ist eine Kraft FR notwendig. In der Flüs-
Form sigkeit wird sich im Idealfall ein lineares Geschwin-
digkeitsgefälle Dv/Dx einstellen. Die kennzeichnende
1 1
p1 + r v12 + r g h1 = p 2 + r v 22 + r g h 2 + p V (II.195) Größe dieser Reibung ist die Viskosität, die durch
2 2 (II.198) definiert ist.
geschrieben, mit dem Druckverlust pV, der in der Δv
Praxis durch eine Verlusthöhe Reibungskraft FR = h A (II.197)
Δx
pV
hV = (II.196) mit der dynamischen Viskosität:
rg
FR ⋅ Δ x h FR Δ x A Δ v
angegeben wird. h= (II.198)
A ⋅ Δv Ns/m 2 N m m 2 m s −1

III Thermodynamik

1 Grundbegriffe peratur haben. Im thermodynamischen Gleichgewicht

haben alle Stoffe gleiche Temperatur.
Die Thermodynamik beschreibt das Verhalten auch
komplizierter Vielteilchensysteme mit Hilfe einiger 2.1 Einheiten
wenigen Größen, den Zustandsgrößen. Alle beteilig-
ten Teilchen werden zu einem thermodynamischen Es gibt im praktischen Gebrauch verschiedene Tem-
System zusammengefaßt. Dieses wird als abgeschlos- peraturskalen. Diese werden durch Fixpunkte festge-
senes System bezeichnet, wenn weder Energie noch legt. Dies sind Temperaturen, bei denen ein wohl-
Masse mit der Umgebung ausgetauscht werden. definierter physikalischer Vorgang abläuft. Fixpunkte
Die Zustandsgrößen werden bei der mathematischen können Gefrierpunkt und Siedepunkt des Wassers
Behandlung des thermodynamischen Systems verwen- sein. Die Temperatureinheiten zwischen den Fix-
det. Meßbare Zustandsgrößen sind Druck (siehe Kapi- punkten sind dann willkürlich festgelegt. Im europäi-
tel II, 4.1), Temperatur und Volumen, davon abgeleitet schen Raum ist die Celsius-Skala (J), der Abstand
sind z.B. die Entropie und die Innere Energie. Als Be- zwischen Gefrier- und Siedepunkt des Wassers ist in
zugsmenge wird oft das Mol (siehe Tabelle I-1) be- 100 Teile unterteilt, im angloamerikanischen Raum
nutzt, in diesem Fall spricht man von molaren Größen. die Fahrenheit-Skala (JF) gebräuchlich. Die SI-Skala
ist die Kelvin-Skala (T).
2 Temperatur
Die Temperatur ist ein Maß für die fühlbare Wärme Skala Gefrierpunkt Siedepunkt
eines Materials. Beim Kontakt zweier Körper mit
Celsius 0 °C 100 °C
verschiedenen Temperaturen kann man beobachten,
Fahrenheit 32 °F 212 °F
daß sich die Temperaturen ausgleichen, und daß nach
Kelvin 273,15 K 373,15 K
einer bestimmten Zeit beide Körper die gleiche Tem-
184 Physik

Eine Temperaturerhöhung von ΔJ = 1 °C entspricht 3.1 Feste Stoffe

auch einer Erhöhung von ΔT = 1 K. Die Umrech-
Betrachtet wird ein Stab der Länge l1 bei der Tempe-
nungsformel lautet:
ratur T1. Wird dieser Stab auf die Temperatur T2
T = ( J + 273,15 ) K
T J
(III.1) erwärmt, so dehnt er sich um die Strecke Dl = l2 – l1
K °C aus. Für die meisten Festkörper gilt:
Sollen Werte der Celsius-Skala in Fahrenheit umge- l 2 = l1 ⋅ ( 1 + a l ( T2 − T1 ) ) (III.3)
rechnet werden, so gilt die Beziehung
oder
5 J JF
J= ( dF − 32 ) ° C (III.2)
Δl
9 °C °F = a l ⋅ ΔT (III.4)
l
 Beispiel: Ein Körper hat eine Temperatur von 300 K. Welche
Celsius- und Fahrenheit-Werte ergeben dies? Die Größe a1 heißt linearer Ausdehnungskoeffizient
Lösung: oder Längenausdehnungskoeffizient. Diese Größe ist
J = T − 273,15 K = 300 K − 273,15 K = 26,85  C
materialabhängig und kann in bestimmten Tempera-
turgrenzen als konstant betrachtet werden. Einige
J F = ⎛⎜ J + 32 ⎞⎟ F = ⎛⎜ ⋅ 26,85 + 32 ⎞⎟ F = 80,33  F
9 9
⎝5 ⎠ ⎝5 ⎠ typische Zahlenwerte sind in Tabelle III-1 dargestellt.
Bei Temperaturerhöhung findet nicht nur eine Ver-
längerung, sondern auch eine Volumenvergrößerung
2.2 Temperaturmessung statt. Für den Volumenausdehnungskoeffizienten av
Die Temperaturmessung ist eine indirekte Messung, gilt:
es werden physikalische Größen gemessen, die tem-
peraturabhängig sind. Aus der gemessenen Größe Tabelle III-1 Linearer Ausdehnungskoeffizient
wird dann die gesuchte Temperatur berechnet. Zu
diesen temperaturabhängigen Effekten gehören z.B.: Material al · 106 in K–1
Ausdehnung fester, flüssiger und gasförmiger Körper, Aluminium 23,8
Änderung des elektrischen Widerstandes von Metal- Messing 19
len und Halbleitern, Thermospannung und Thermo- Kupfer 16,4
elemente, optische Strahlung. V2A-Stahl 16
Glas 9
3 Thermische Ausdehnung
W a v = 3a l (III.5)
und für die Volumenänderung:
ΔV
= a v ⋅ ΔT (III.6)
V
r1 r2 Da die Masse unverändert bleibt, muß sich bei Volu-
0 r menvergrößerung die Dichte verkleinern.
T2 r1
T1 r2 = (III.7)
Bild III-1 1 + a v ΔT
Thermische Ausdehnung
3.2 Flüssigkeiten
Fast alle Stoffe dehnen sich bei Erwärmung aus.
Wenn ein Stoff erwärmt wird, so führen die Atome Bei Flüssigkeiten kann eine Ausdehnung nur in allen
bzw. Moleküle Schwingungen mit größerer Amplitu- Richtungen erfolgen, daher ist hier nur der Volumen-
de aus, die Schwingungsmittelpunkte zweier benach- ausdehnungskoeffizienten av sinnvoll. Im allgemei-
barter Atome rücken auseinander, makroskopisch hat nen gilt auch hier, daß sich bei Temperaturerhöhung
dies eine Ausdehnung des Körpers zur Folge. das Volumen vergrößert und somit die Dichte ver-
Aufgetragen ist die potentielle Energie zwischen zwei kleinert. Eine Ausnahme bildet das Wasser, dessen
Atomen als Funktion des Abstandes. Ein Atom ist am Dichte bei Erwärmung ab 0 °C zunächst zunimmt und
Ort r = 0, das andere Atom hat hiervon den Abstand bei 4 °C seinen größten Wert hat. Anschließend
r. Bei der Temperatur T1 ist der mittlere Abstand nimmt die Dichte ab (Anomalie des Wassers). Auf-
zwischen beiden Atomen gleich r1, bei der Tempera- grund dieses Effektes frieren Seen im Winter von
tur T2 > T1 ist dieser Abstand r2. Um die Strecke oben her zu, und das Wasser bleibt am Boden flüssig.
Dr = r2 – r1 hat sich der mittlere Abstand also vergrö- Einige typische Zahlenwerte sind in Tabelle III-2
ßert. angegeben.
III Thermodynamik 185

Tabelle III-2 Volumen-Ausdehnungskoeffizient bei Bei konstanter Temperatur folgt aus (III.10) und
20 °C (III.12) das Gesetz von Boyle-Mariotte

Material av · 103/K–1 p V = const T = const (III.13)

Wasser 0,208
Quecksilber 0,182 4 Ideale Gase
Dieselkraftstoff 1,0
4.1 Allgemeine Zustandsgleichung
idealer Gase
3.3 Gase
Die Gleichungen (III.10), (III.12) und (III.13) lassen
Bei den tatsächlich vorhandenen realen Gasen haben sich zu einer einzigen Gleichung zusammenfassen,
die Moleküle ein Eigenvolumen und üben unterein- sofern die Stoffmenge des betrachteten Gases in
ander Anziehungskräfte aus. Der Einfluß dieser der Einheit mol angegeben wird. Für eine Stoff-
Größen ist schwer zu erfassen, deshalb geht man menge von n Mol kann man diese Gleichungen in der
zunächst von einer Vereinfachung oder auch Ideali- Form
sierung aus. Unter solchen idealen Gasen versteht
p V p 0 V0
man solche Gase, bei denen gilt: = n (III.14)
T T0

Die Gasmoleküle besitzen kein Eigenvolumen. zusammenfassen, wobei die Größen, die mit 0 indi-
Anziehungskräfte zwischen den Gasmolekülen ziert sind, die Normgrößen eines idealen Gases bei
sind nicht vorhanden. der Temperatur 0 °C sind:
Es finden nur elastische Stöße statt. p 0 = 101 325 Pa
V0 = 22 , 413 83 dm 3 /mol (III.15)
Solche Gase können z.B. nicht verflüssigt werden.
T0 = 273 ,15 K
Für diese idealen Gase gilt bei Erwärmung unter
konstantem Druck folgendes Gesetz, welches von mit der Abkürzung
Gay-Lussac zu Beginn des 19. Jahrhunderts durch
p 0 V0
Experimente festgestellt wurde: R= (III.16)
T0
Vv = V0 ( 1 + a v J ) p = const (III.8)
folgt
Hierbei ist J die Temperatur in °C und V0 das be- pV = n RT (III.17)
trachtete Gasvolumen bei J = 0 °C. Gleichung (III.8)
ergibt eine Gerade, deren Schnittpunkt mit der Tem- Die Größe R ist die universelle Gaskonstante und hat
peraturachse bei – 273,15 °C (= 0 K) liegt. Daraus den Zahlenwert:
folgt für den Ausdehnungskoeffizienten idealer Gase:
101 325 Pa ⋅ 22 , 413 83 dm 3 J
1 R= = 8, 314 41
av = = 0 , 003 661 K −1 (III.9) 273,15 K ⋅ mol mol K
273,15 K
(III.18)
Aus (III.8) folgt weiter: Da in einem Mol eines Gases stets die gleiche Anzahl
von Molekülen vorhanden ist, nämlich die
VT = V0 ⎛⎜ 1 + ( T − 273,15 ) ⎞⎟⎠
1
⎝ 273,15 Avogadro-Konstante

Mit T0 = 273,15 K ergibt dies VT = T

V0 N A = 6 , 022 045 ⋅ 10 23 mol −1 , (III.19)
T0
kann die universelle Gaskonstante R auch durch
V molekulare Größen bestimmt werden:
= const p = const (III.10)
T
R = k⋅ NA (III.20)
Wird das Volumen jedoch konstant gehalten und die
Temperatur erhöht, so steigt auch der Druck des mit der Boltzmann-Konstante
Gases. Hierfür gilt: J
k = 1, 380 66 ⋅ 10 − 23 (III.21)
p J = p 0 ( 1 + a v J ) V = const (III.11) K
und analog zu (III.10): Wird die Menge des zu betrachtenden Gases nicht in
der Einheit mol, sondern in kg angegeben, so muß für
p jede Gassorte eine spezielle Gaskonstante Rs angege-
= const V = const (III.12)
T ben werden. Zur Umrechnung muß die Dichte r0 des
186 Physik

Gases bei 0 °C und die betrachtete Gasmasse m in kg oder

bekannt sein. Es gilt: 3
p E kin = kT (III.30)
Rs = 0 (III.22) 2
r 0 T0
und 4.3 Wärmeenergie
p V = m Rs T (III.23) Die Temperatur eines Gases hängt nach (III.30) mit
der Bewegungsenergie der Moleküle zusammen.
4.2 Kinetische Gastheorie Erhöht man diese Energie z.B. durch Zuführung von
Wärmeenergie ΔQ, so muß sich die Temperatur um
Die makroskopischen Zustandsgrößen p und T eines ΔT erhöhen, solange keine Phasenänderungen ablau-
Gases hängen mit der Teilchenbewegung, den Stößen fen.
der Moleküle mit der Wand und der kinetischen ΔQ C ΔT
Energie der Moleküle zusammen. Die Moleküle und ΔQ = C ⋅ ΔT (III.31)
J J/K K
ihre Bewegung werden durch ihre Masse mM, die
Dichte r und ihre mittlere Geschwindigkeit vm defi- Der Faktor C ist die Wärmekapazität.
niert. Die Zusammenhänge zwischen diesen Größen ΔQ
werden in der kinetischen Gastheorie abgeleitet. Die C= (III.32)
ΔT
Geschwindigkeitsverteilung wird durch die Maxwell-
sche Geschwindigkeitsverteilung beschrieben. Diese Je nach Bezugsmenge wird die spezifische (bezogen
Verteilungsfunktion gibt die Wahrscheinlichkeit da- auf 1 kg) oder molare (bezogen auf 1 Mol) Wärme-
für an, daß eine Geschwindigkeit im Intervall zwi- kapazität benutzt.
schen v und v + Δv liegt. C
3 mM v2
spezifische Wärmekapazität c = (III.33)
⎛ mM ⎞ 2 − m
f ( v ) ⋅ Δv = 4 π v 2 ⎜ ⎟ ⋅e
2k T
⋅ Δv (III.24) C
⎝ 2π k T ⎠ molare Wärmekapazität C m = (III.34)
n
In Bild III-2 mit willkürlichen Einheiten ist
Die spezifische Wärmekapazität von Wasser beträgt
T 2 = 3 ⋅ T 1.
kJ
z.B. 4 ,182 .
f (v) Bild III-2 kg K
T1 Maxwellsche Geschwindig-
keitsverteilung
p,V F
T2

Bild III-3
0 ds Volumenarbeit
v

Die Verteilungskurve hat das Maximum bei der Wird einem System von außen Wärmeenergie ΔQ
wahrscheinlichsten Geschwindigkeit vw, die mittlere zugeführt, so wird nicht die gesamte Energie zur
Geschwindigkeit vm liegt bei Erhöhung der Temperatur aufgebraucht, ein Teil
kann in der Regel in Arbeit ΔW umgewandelt und
3 nach außen abgegeben werden. Wird die abgegebene
vm = v2 = vw (III.25)
2 Arbeit negativ gezählt, so gilt
vm ist von der Temperatur T abhängig ΔQ = ΔU − ΔW (III.35)
3k T Die Größe ΔU ist die innere Energie des Systems und
vM = (III.26)
mM wird durch die innere Bewegung der Teilchen be-
stimmt. Im folgenden soll als abgegebene Arbeit nur
Für den Druck gilt:
mechanische Arbeit betrachtet werden, die durch
1 N Volumenänderung, d.h. Bewegung eines Kolbens,
p= ⋅ mM v2 (III.27)
3 V verrichtet werden kann. Dehnt sich ein Gas aus und
oder bewegt dabei einen Kolben um die Strecke Δs, so
1 2 wird dabei die Arbeit ΔW verrichtet.
p= rv (III.28)
3 F ⋅ A⋅ Δs
ΔW = − F ⋅ Δ s = − (III.36)
und für die mittlere kinetische Energie: A
1 oder
E kin = mM v2 (III.29) ΔW = − p ⋅ ΔV (III.37)
2
III Thermodynamik 187

4.4 Zustandsänderungen idealer Gase ßerung der inneren Energie ΔU und somit zur Tempe-
raturerhöhung zur Verfügung. Für 1 Mol gilt:
Bei der Diskussion von Zustandsänderungen wird
eine Zustandsgröße konstant gehalten und dann ΔQ = C mv ΔT (III.41)
die Variation der anderen untersucht. Hier sollen und somit
nur die Zustandsgrößen T, V und p und deren Varia-
tion in den folgenden Prozessen untersucht wer- ΔU = C mv ΔT (III.42)
den. Die betrachtete Stoffmenge ist 1 Mol. Die
Ausgangsgleichung ist das allgemeine Gasgesetz Isobare Zustandsänderungen
(III.17). Bei isobaren Zustandsänderungen wird der Druck
konstant gehalten. Diese Änderung wird im p-V-
Isotherme Zustandsänderungen Diagramm durch eine waagerechte Strecke zwischen
Isotherme Zustandsänderungen sind solche bei kon- Ausgangs- und Endpunkt dargestellt (Bild III-4).
stanter Temperatur T. Gleichung (III.17) wird dann Bei einer isobaren Änderung muß dem System
zu Wärme zugeführt werden, da sich die Temperatur
erhöht und außerdem Volumenarbeit, deren Größe
pV = const (III.38) dem schraffierten Rechteck entspricht, abgegeben
Zur grafischen Darstellung wird das p-V-Diagramm wird.
benutzt. In dieser Darstellung sind die Isotherme W12 = − p ⋅ ( V2 − V1 ) (III.43)
idealer Gase Hyperbeln.
Dargestellt sind zwei Isotherme T2 und T1, mit Da die Volumenarbeit ≠ 0 ist, wird die Temperaturer-
T 2 > T 1. höhung bei zugeführter Wärmeenergie anders sein als
Ändert ein Gas seinen Zustand von 1 nach 2, so folgt bei isochoren Prozessen. Auch hier werde 1 Mol
für die Volumenarbeit durch Integration von (III.37) betrachtet:
V2 ΔQ = C mp ΔT (III.44)
W12 = − R T ln (III.39)
V1 mit (III.35) und (III.37) gilt:
Ist V2 Ɑ V1, expandiert das Gas also, so ist W12 nega- ΔQ = C mv ΔT + p ΔV (III.45)
tiv und wird vom Gas geleistet. Anschaulich ent-
spricht die Volumenarbeit der schraffierten Fläche im p ΔV = R ΔT (III.46)
p-V-Diagramm.
C mp ΔT = C mv ΔT + R ΔT (III.47)
Isochore Zustandsänderungen C mp − C mv = R (III.48)

p
isobare Änderung Isentrope Zustandsänderung
Isentrope oder auch adiabatische Zustandsänderungen
laufen ohne Wärmeaustausch mit der Umgebung ab.
isotherme Änderung Für diese Zustandsänderungen gelten die Poisson-
T2 schen Gleichungen:
isochore Änderung
T1 pV c = const (III.49)
W12
V1 V2 V T V c−1 = const (III.50)
Tc
Bild III-4 p-V-Diagramm = const (III.51)
p c−1
Bei isochoren Zustandsänderungen wird das Volu-
men konstant gehalten. Diese Änderung wird im p-V- Tabelle III-3 Isentropenexponenten
Diagramm durch eine senkrechte Strecke zwischen
Ausgangs- und Endpunkt dargestellt (gestrichelte Gas c
Linie in Bild III-4). Bei einer isochoren Änderung
muß dem System Wärme zugeführt werden, da sich Helium 1,67
die Temperatur erhöht. Wegen des konstanten Volu- Argon 1,67
mens wird keine Volumenarbeit abgegeben. Wasserstoff 1,41
Sauerstoff 1,40
W12 = 0 (III.40) Luft 1,40
Kohlendioxid 1,30
Führt man von außen Wärmeenergie zu, wird nach
Methan 1,32
Gleichung (III.35) die Temperatur erhöht, und die
Ammoniak 1,31
gesamte zugeführte Wärmeenergie steht zur Vergrö-
188 Physik

Die Größe c heißt Isentropenexponent, hängt von der Die Nutzarbeit des Kreisprozesses für einen Umlauf
Gasart ab, und ist immer >1 entspricht der im p-V-Diagramm eingeschlossenen
Fläche. Um unterschiedliche Kreisprozesse verglei-
C mp
c= (III.52) chen zu können, wird der thermische Wirkungsgrad h
C mv verwendet. Dieser ist definiert durch
In der Tabelle III-3 ist für einige Gase der Isentrope- W
nexponent aufgeführt. h= (III.53)
Q zu
Im p-V-Diagramm verlaufen Isentrope steiler als Iso-
therme und schneiden daher die Isotherme (siehe Bild Für den Carnot-Prozeß gilt:
III-5). T2 − T1
hC = (III.54)
T2
4.5 Kreisprozesse
Es läßt sich zeigen, daß der Carnot-Prozeß den theo-
Unter Kreisprozessen wird eine Abfolge von Zu- retisch höchsten thermischen Wirkungsgrad aller
standsänderungen verstanden, die nach beliebigen denkbaren Kreisprozesse besitzt. Er ist immer klei-
Zwischenzuständen wieder zum Ausgangszustand ner als 1 und nur abhängig von den Temperaturen T2
zurückkehrt. Als Beispiel soll hier der Carnot-Prozeß und T1.
vorgestellt werden.
 Beispiel: Welchen Wirkungsgrad besitzt eine Maschine, die einen
Carnot-Prozeß zwischen den Temperaturen 100 °C und
p3·V3 Isentrope 0 °C durchführt?
Lösung:

p4·V4 obere Temperatur T2 = ( 100 + 273,15 ) K = 373,15 K

T2
Isotherme untere Temperatur T1 = ( 0 + 273,15 ) K = 273,15 K
373,15 − 273,15
Wirkungsgrad h= ⋅ 100% = 26 , 8%
373,15
p2·V2
p1·V1 Bild III-5
T1 Carnot-Prozeß 5 Wärmeübertragung
Wärme kann grundsätzlich nur vom System höherer
Carnotscher Kreisprozeß
Temperatur zum System mit niedrigerer Temperatur
Beim Carnot-Prozeß wird Wärme in mechanische
übertragen werden. Wärme kann durch Wärmelei-
Arbeit umgewandelt.
tung, Wärmeströmung oder Wärmestrahlung trans-
Der Beginn sei im Punkt 1 auf der Isothermen T1 bei
portiert werden.
V1 und p1. Es werden nacheinander die folgenden
Schritte durchgeführt: 5.1 Wärmeleitung
1. Schritt isotherme Kompression auf p2, V2
Wärmeleitung findet durch Energieübertragung ohne
2. Schritt isentrope Kompression auf T2, p3, V3 Materietransport statt. Damit dieser Energietransport
3. Schritt isotherme Expansion auf p4, V4 geschehen kann, muß eine Koppelung zwischen
4. Schritt isentrope Expansion auf T1, p1, V1, also benachbarten Atomen vorhanden sein. Beispiel:
zum Ausgangspunkt. Wärmetransport durch eine feste Wand. Hier können
Bei den einzelnen Schritten werden in unterschied- benachbarte Atome durch Schwingung Energie wei-
licher Weise Wärme zu- oder abgeführt und Arbeit tergeben. Als Maß dient die Wärmestromdichte qth
geleistet oder ins System gesteckt. Hier soll nur die ΔQ q th ΔQ A Δ t
gesamte Bilanz angegeben werden: q th = (III.55)
A Δt W/ m 2 Ws m 2 s
Tabelle III-4 Wärmeleitfähigkeit

Material W Material W Material W

l in l in l in
(feste Stoffe) mK (Flüssigkeiten) mK (Gase) mK

Aluminium 221 Wasser 0,6 Luft 0,026

Eisen 67 Benzin 0,14 Kohlendioxid 0,015
Kupfer 393 Transformatorenöl 0,13 Wasserdampf 0,031
Normalbeton 2,1 Xylol 0,13 Argon 0,016
Eis 2,2 Glyzerin 0,28
Glas 0,8 Quecksilber 9,2
Mineralfaser 0,04 Aceton 0,17
IV Schwingungen
Wenn angenommen wird, daß der Wärmetransport nur
in einer Richtung, die als x-Richtung bezeichnet wird,
stattfinden kann, so gilt für die Wärmestromdichte:
ΔJ
q th = − l (III.56)
Δx
Die Größe l ist die Wärmeleitfähigkeit des Kontaktes
W hängt. Dies wird durch den Emissionsgrad e angege-
in der Einheit , ΔJ die Temperaturdifferenz. Die
mK
Wärmeleitfähigkeit ist temperaturabhängig. In der
Tabelle III-4 sind einige Werte bei 20 °C angegeben.
5.2 Wärmeströmung
Wärmeströmung oder auch Konvektion ist stets mit
einem Materietransport verbunden und findet in
Flüssigkeiten oder Gasen statt. Beispiel: Zentralhei-
zung. Die mathematische Behandlung ist sehr kom-
pliziert und kann hier nicht behandelt werden.
IV Schwingungen
Schwingungen sind periodische Vorgänge sowohl
mechanischer (z.B. Masse an einer Feder) als auch
elektromagnetischer Systeme (z.B. Schwingkreis).
Kennzeichnend ist, daß Energie periodisch umge-
wandelt wird. Die Zeit für eine Periode wird durch
die Schwingungszeit T angegeben. Die Anzahl der
Perioden pro Zeiteinheit wird Frequenz f genannt:
1
f = (IV.1)
T
Oft wird auch die Kreisfrequenz w verwendet.
2π
Kreisfrequenz w = 2π f = (IV.2)
T
Wird die Auslenkung eines schwingenden Systems
mit y bezeichnet, so gilt, daß sich nach einer Periode
ein bestimmter Schwingungszustand wiederholt. Bei
einer ungedämpften Schwingung gilt:
y(t ) = y(t + T ) (IV.3)
1 Freie ungedämpfte
harmonische Schwingungen
Es gibt eine Vielzahl von möglichen Schwingungen,
deren Auslenkung sich durch eine Sinus-Funktion
beschreiben läßt. Diese Schwingungen werden har-
monische Schwingungen genannt. Da eine Sinus-
Funktion sich als Projektion einer gleichmäßigen
Kreisbewegung darstellen läßt (siehe Abschnitt
Geometrie), kann der Winkel j durch w0 ⋅ t ersetzt
werden:
y ( t ) = y sin ( w0 t ) (IV.4)
y(t) ist die momentane Auslenkung oder Augenblicks-
wert, y die Amplitude oder maximale Auslenkung, w0
189
5.3 Wärmestrahlung
Unter Wärmestrahlung wird die Wärmeübertragung
durch elektromagnetische Strahlung verstanden.
Jeder Körper sendet und empfängt Wärme durch
Strahlung, wobei die Absorption und Emission
vom Material und der Oberflächenbeschaffenheit ab-
ben. e ist eine Zahl < 1. Die gesamte Leistungsbi-
lanz eines Körpers der ebenen Fläche A und der
Temperatur T1 in einer Umgebung der Temperatur
T2 wird durch das Stefan-Boltzmann-Gesetz beschrie-
ben:
S = Ae s ( T24 − T14 ) (III.57)
W
mit der Konstanten s = 5, 67 ⋅ 10 − 8 (III.58)
m2 K 4
(siehe auch Abschnitt VII.4).
ist die Kreisfrequenz der ungedämpften Schwingung.
Diese wird auch Eigenfrequenz genannt. Bei (IV.4)
ist die Auslenkung y zur Zeit t = 0 ebenfalls = 0
v0 y
f
v0t
Bild IV-1 Harmonische Schwingung
y( 0) = 0
Ist jedoch der Nulldurchgang der Schwingung nicht
zur Zeit t = 0, so liegt eine Phasenverschiebung um
einen Phasenwinkel ϕ vor, und die Schwingung läßt
sich durch
y ( t ) = y sin ( w0 t + j ) (IV.5)
darstellen. Der Phasenwinkel kann positiv oder nega-
tiv sein. Bei positivem Phasenwinkel wird die Sinus-
kurve nach links verschoben.
Die Schwingungszeit T bzw. die Frequenz f hängt je
nach schwingungsfähigem System von den unter-
schiedlichsten Systemgrößen ab. Wird z.B. eine
Masse m an einer Feder mit der Federkonstanten c
angehängt, so gilt bei diesem Federpendel für die
Schwingungszeit:
m T m c
Federpendel T = 2π (IV.6)
c s kg N/m
Wird eine Masse m an einem Faden der Länge l
angehängt und zu Schwingungen mit kleiner Auslen-
190 Physik

kung angeregt, so gilt für dieses Fadenpendel oder Wird einem schwingungsfähigen System während der
auch mathematisches Pendel: Schwingung Energie entzogen, so verringert sich die
Amplitude im Lauf der Zeit. Dieser Energieverlust
l T l g
Fadenpendel T = 2π (IV.7) kann in der Mechanik z.B. durch Reibung, bei elekt-
g s m m s −2 romagnetischen Schwingungen durch ohmsche Ver-
g ist dabei die Erdbeschleunigung, die Schwin- luste oder Ummagnetisierungsverluste verursacht
gungszeit ist bei diesem Pendel unabhängig von der werden. Wegen dieser Verluste nimmt die Amplitude
Masse m. ab und die Ausschläge werden immer kleiner. Sind
die Verluste proportional zur Geschwindigkeit (oder
 Beispiel: Eine Pendeluhr geht in 24 Stunden um 1 Stunde nach. zum elektrischen Strom), so läßt sich die Schwingung
Die Pendellänge ist l1 = 50 cm. Welche Länge l2 muß das Pendel durch folgende Gleichung wiedergeben:
haben, damit die Uhr richtig geht? Das Pendel wird als mathema-
t
tisches Pendel angenommen. −
y = y e t sin ( wt + j ) (IV.9)
T1 2 π l 1 l1
Lösung: = =
T2 2 π l 2 l2 oder
2
T 22
= 50 cm ⋅ ⎛⎜ y = y e − d t sin ( wt + j )
23 h ⎞
l 2 = l1 ⎟ = 45,9 cm (IV.10)
T12 ⎝ 24 h ⎠

Frequenzen elektromagnetischer Schwingungen wer- mit

den durch L und C festgelegt. So gilt für einen 1
Schwingkreis: d= (IV.11)
t
Die für die Abnahme der Amplitude maßgebende
e-Funktion enthält eine für die Dämpfung charakteri-
stische Größe t, die auch als Zeitkonstante des Sys-
tems bezeichnet wird und angibt, zu welchem Zeit-
l
1
punkt die Amplitude auf den Wert = 0,3678 ≈ 37%
e
m Bild IV-2 der Ausgangsamplitude gefallen ist.
m Feder- und Die Frequenz w der gedämpften Schwingung ist klei-
Fadenpendel ner als die Frequenz w0 der freien Schwingung.

w= w02 − d 2 (IV.12)
elektrischer Schwingkreis T = 2π LC (IV.8)
Allen diesen Beispielen gemeinsam ist aber, daß die Diese Abweichungen sind aber für kleine Dämpfun-
mathematische Beschreibung der Schwingung durch gen vernachlässigbar.
(IV.5) gegeben ist. Kennzeichnung jeder ungedämpf-
ten Schwingung ist, daß die Amplitude y zeitlich  Beispiel: Ein Federpendel mit einer Federkonstanten c = 30 N/m,
an dem eine Masse m von 2 kg hängt, führt gedämpfte Schwin-
konstant bleibt, dem System wird keine Energie ent- gungen mit einer Anfangsamplitude y = 10 cm aus. Die Zeitkon-
zogen. stante t ist 2 s, der Phasenwinkel j ist 0°. Welche Auslenkung
liegt nach einer Zeit von t = 5 s vor?
 Beispiel: Eine Masse m = 500 g hängt an einem Faden der Länge Lösung:
l = 2 m. Mit welcher Frequenz f schwingt die Masse?
c 30 N / m
Kreisfrequenz w= = = 3,87 s −1 (IV.13)
2m m 2 kg
Lösung: T = 2π = 2,84 s
9,81 m s −2
Auslenkung y = 5 cm ⋅ e − 5 2 ⋅ sin ( 3, 87 ⋅ 5 ) = 0,169 cm (IV.14)
1 1
f= = = 0,35 Hz
T 2,84 s

3 Erzwungene Schwingungen
2 Gedämpfte Schwingungen
Bei einer erzwungenen Schwingung greift von außen
über eine Koppelung eine periodische Kraft mit einer
Frequenz W an. Das schwingungsfähige System,
e –t/t welches aufgrund seiner Bauart im ungedämpften
Fall mit der Eigenfrequenz w0 schwingen würde, wird
dann zu erzwungenen Schwingungen mit der Fre-
quenz der angreifenden Kraft angeregt. Dabei ist auch
mit einer Phasenverschiebung zwischen angreifender
Kraft und System zu rechnen. Für das System gilt
Bild IV-3 Gedämpfte Schwingung dann:
IV Schwingungen 191

y^ Bild IV-4 y y
Resonanzkurve y1
10
y2
0

–10

–20
0 2 4 6 t
1 2 Vv
/ 0 Bild IV-5 Addition von Sinusschwingungen

y = y sin ( W t + j ) (IV.15) y 2 ( t ) = y 2 sin ( wt + j2 ) (IV.19)

Die Amplitude y und die Phasenverschiebung hängen beschrieben.
von der Frequenz der angreifenden Kraft ab. Für ein Die grafische Darstellung kann entweder im y(t)-
Federpendel der Masse m, an der eine Kraft F an- Diagramm oder im Zeigerdiagramm erfolgen. Letz-
greift, gilt für die Amplitude:Resonanzkurve tere wird in der Elektrotechnik oft verwendet. Unter
F einem Zeiger wird ein zweidimensionaler Pfeil ver-
standen, dessen Länge der Amplitude und dessen
y = m (IV.16) Winkel dem Phasenwinkel entspricht. Dieser Zeiger
( w02 − W 2 ) + ( 2 d W)
2 2
rotiert mit der Frequenz w um den Koordinaten-
ursprung. Durch die Überlagerung (Addition) zweier
und den Phasenwinkel Schwingungen entsteht wieder eine harmonische
2 dw0 Schwingung gleicher Frequenz.
tanj = (IV.17) Die Berechnung der Amplitude und der Phasenlage
( 02 − W 2 )
w erfolgt anhand des Zeigerdiagramms.
Die Amplitudenfunktion hat bei kleiner Dämpfung Mit dem Kosinussatz (siehe Mathematik) gilt für die
dann ein Maximum, wenn die Erregerfrequenz und Amplitude:
die Eigenfrequenz übereinstimmen (W/w0 = 1). Die- y = y 12 + 2 y 1 y 2 cos ( j2 − j1 ) + y 22 (IV.20)
ses Verhalten wird als Resonanz bezeichnet. Der
und für den Phasenwinkel:
Kurvenverlauf für verschiedene Dämpfungen ist in
Bild IV-4 gezeigt. Aufgetragen ist die Amplitude als y sin j1 + y 2 sin j2
tan j = 1 (IV.21)
Funktion von W/w0. Allerdings verschiebt sich bei y 1 cos j1 + y 2 cos j2
größeren Dämpfungen die Lage des Maximums zu Aus diesen Gleichungen lassen sich einige Spezialfäl-
kleineren Erregerfrequenzen. le ableiten:
1) gleiche Amplitude, Phasendifferenz = π, 3π
4 Überlagerung harmonischer y = y 12 − 2 y 1 y 2 + y 22 (IV.22)
Schwingungen
y = ( y 1 − y 2 ) = 0
2
(IV.23)
Werden Schwingungen überlagert, so müssen ver-
schiedene Möglichkeiten betrachtet werden: Die also Auslöschung der resultierenden Schwingung.
Schwingungen können gleiche oder unterschiedliche 2) Phasendifferenz = 0:
Frequenz und gleiche oder senkrecht zueinander y = y 12 + 2 y 1 y 2 + y 22 (IV.24)
liegende Schwingungsrichtungen haben. Diese Fälle
y = ( y 1 + y 2 ) = y 1 + y 2
2
sollen für sinusförmige (harmonische) Schwingungen (IV.25)
untersucht werden. also Addition der Amplituden.

4.1 Schwingungsrichtung parallel Bild IV-6

zueinander Zeigerdiagramm
Gleiche Frequenz
Betrachtet werden zwei Schwingungen, die unter-
schiedliche Phasenwinkel haben können, aber mit
gleicher Frequenz und gleicher Schwingungsrichtung y2 y
schwingen. Die Schwingungen werden durch die
Formeln f2 f
y1
y1 ( t ) = y 1 sin ( wt + j1 ) (IV.18) f1
192 Physik

Geringer Frequenzunterschied 4.2 Schwingungsrichtung senkrecht

Sind die Frequenzen zweier sich überlagernder zueinander
Schwingungen fast gleich, treten Schwebungen auf.
Hierbei verändert sich die Amplitude der resultieren- Werden zwei Schwingungen mit ganzzahligem Fre-
den Schwingung periodisch. Im folgenden wird quenzverhältnis, die senkrecht zueinander schwingen,
angenommen, daß beide Ausgangsamplituden gleich überlagert, so entstehen geschlossene Figuren:
sind.
1 1
2
y1 ( t ) = yˆ sin (ω1t ) (IV.26) 2
3
3
y2 ( t ) = yˆ sin (ω 2 t ) (IV.27)
4
y res ( t ) = y1 ( t ) + y 2 ( t ) (IV.28) 4

1
yres = yˆ ⎡⎣sin (ω1t ) + sin (ω 2 t ) ⎤⎦ (IV.29)
2
3
Mit
4
a+ b a− b
sin a + sin b = 2 sin ⋅ cos (IV.30)
2 2
folgt aus Gleichung (IV.29) Bild IV-8 Verfahren zur punktweisen Konstruktion
⎛ ω + ω2 ⎞ ⎛ ω − ω2 ⎞ von Lissajous-Figuren (j = 90°)
yres ( t ) = 2 yˆ sin ⎜ 1 t ⎟ ⋅ cos ⎜ 1 t⎟ (IV.31)
⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠
Lissajous-Figuren. Die beiden Schwingungsrichtun-
Bei geringen Frequenzdifferenzen können die Ar- gen seien x- und y-Richtung. Die Schwingungen sind
gumente der trigonometrischen Funktionen mit durch
Dw = w1 – w2 umgeschrieben werden: Schwebung
x ( t ) = xˆ ⋅ sin (ω x t )
y y
und
y ( t ) = yˆ ⋅ sin (ω y t + ϕ ) (IV.35)
0 0
t t
gegeben. Die Lissajous-Figuren können im Prinzip
punktweise konstruiert werden. Für den Fall gleicher
Frequenzen und Phasendifferenz j = 90° ist das
Bild IV-7 Schwebung Verfahren in Bild IV-8 dargestellt.
Auf der x- und auf der y-Kurve werden die Auslen-
kungen zu gleichen Zeitpunkten, hier mit 1 ... 4 be-
⎛ Δω ⎞
yres = 2 yˆ sin ω res t ⋅ cos ⎜ t⎟ (IV.32) zeichnet, abgemessen und in einem rechtwinkligen
⎝ 2 ⎠ Koordinatensystem aufgetragen. Für die vorgegebene
Phasendifferenz ergibt sich als Lissajous-Figur ein
Die resultierende Schwingung ist ebenfalls eine
Kreis. Sind die Amplituden nicht gleich, ist aber die
harmonische Schwingung mit der Frequenz
Phasendifferenz 90°, so ergeben sich Ellipsen, deren
w1 + w2 Hauptachsen parallel zu den Koordinatenachsen
wres = , (IV.33)
2 liegen. Ist die Phasendifferenz nicht 90°, so ergeben
sich ebenfalls Ellipsen, allerdings liegen deren
aber die Amplitude ändert sich periodisch zwischen 0 Hauptachsen nicht mehr parallel zu den Koordinaten-
und 2 yˆ. Während einer Periode der Kosinus-Funktion achsen. Diese Lissajous-Figuren lassen sich in der
ändert sich die Amplitude zweimal von 0 auf 2 yˆ , Elektrotechnik mit Hilfe eines Oszilloskops darstel-
somit ist die Schwebungsfrequenz len; sie dienen zur Messung des Phasenwinkels zwi-
w1 − w2 schen zwei Spannungen. Werden bei einer gemesse-
wS = 2 = Δw (IV.34) nen Ellipse nach Bild IV-9 die beiden Werte y1 und
2
y2, also einmal das Maximum in y-Richtung, zum
Dieses Verhalten ist in Bild IV-7 wiedergegeben, anderen der Schnittpunkt mit der y-Achse, gemessen,
hierbei sind zwei Schwingungen überlagert, deren so läßt sich hieraus der Phasenwinkel j bestimmen
Frequenzen sich um 15% unterscheiden. zu:
V Wellen 193

vx:vy f = 0° f = 45° f = 90°

y1 1:1 0 0 0
y2
0 0 0

1:2 0 0 0
Bild IV-9 0 0 0
Bestimmung des Phasenwinkels
y2 1:3 0 0 0
j = arcsin (IV.36)
y1
0 0 0
In Bild IV-10 sind für die Frequenzverhältnisse 1 : 1,
1 : 2 und 1 : 3 für verschiedene Phasenwinkel die Lis- Bild IV-10 Lissajous-Figuren
sajous-Figuren angegeben.

V Wellen
Wenn schwingungsfähige Systeme miteinander so der schwingungsfähigen Systeme. In Bild V-1 ist nur
verbunden sind, daß sich die Schwingung von einem eine einzige Reihe von schwingungsfähigen Massen
System zum nächsten System übertragen kann, so gezeichnet. Werden allerdings viele Reihen gleich-
setzt sich eine an einem System angeregte Schwin- zeitig angeregt, liegt eine räumliche Wellenaus-
gung im Raum fort, und man spricht von einer Welle. breitung vor.
Dies soll im Bild V-1 veranschaulicht werden. Dabei
ist es zur Ausbreitung von Wellen notwendig, daß die
einzelnen Systeme durch gegenseitige Rückstellkräfte
gekoppelt sind.
Dargestellt sind zwei Momentaufnahmen einer Reihe r x
von Massen, die durch Federn verbunden sind. Die
Masse m1 wird angestoßen und schwingt mit der Fre-
quenz f um ihre Ruhelage. Wegen der Koppelung
durch die Federn setzt sich diese Schwingung fort, Bild V-2 Wellentypen
und es entsteht eine Welle, die sich hier nach rechts
ausbreitet. Die einzelnen Massen schwingen um ihre
Werden gleiche Schwingungszustände in benachbar-
Ruhelage, bewegen sich also nicht in Ausbreitungs-
ten Ketten miteinander verbunden, so erhält man eine
richtung der Welle. Es findet kein Materietransport,
zusammenhängende Fläche, die Wellenfront genannt
sondern nur Energietransport statt. Wenn die Schwin-
wird. Die Form der Wellenfront hängt von der Form
gungsrichtung der Massen senkrecht zur Ausbrei-
des Wellenerregers ab. In Bild V-2 sind zwei ver-
tungsrichtung der Welle ist, so wird dieser Wellen-
schiedene Wellenfronten gezeichnet, links die Fron-
typ Transversalwelle genannt. Im Bild V-1 ist mit
ten einer Kugelwelle, rechts die Fronten einer ebenen
der Größe l der Abstand zwischen zwei gleichen
Welle. Da die Wassermoleküle in beiden Typen nur
Schwingungszuständen eingetragen. Dieser Abstand
vertikal schwingen, liegt hier in beiden Fällen eine
ist die Wellenlänge l. Ist dagegen die Schwingungs-
Transversalwelle vor.
richtung der einzelnen Massen parallel zur Aus-
breitungsrichtung der Welle, so liegt eine Longitu-
dinalwelle vor. Bei einer Longitudinalwelle ändert 1 Harmonische Wellen
sich in Ausbreitungsrichtung der Welle die Dichte
1.1 Ausbreitung
l Wie bei den harmonischen Schwingungen werden die
m1
Wellen harmonisch genannt, deren mathematische
Beschreibung durch eine Sinus-Funktion möglich ist.
Im Gegensatz zu den Schwingungen, bei denen ja nur
eine zeitliche Änderung der Auslenkung y zu be-
trachten war, ist bei Wellen auch eine räumliche
Bild V-1 Wellenausbreitung in einer linearen Kette Abhängigkeit der Auslenkung zu berücksichtigen.
194 Physik

Die Welle in Bild V-1 hat sich nach der Schwin- Die Ausbreitungsgeschwindigkeit c, besser als Pha-
1 sengeschwindigkeit bezeichnet, da zur Bildung der
gungszeit T = der einzelnen Systeme um die
f Wellenfronten Orte gleicher Phase miteinander ver-
bunden werden, hängt vom Wellentyp und vom
Wellenlänge l nach rechts fortbewegt. Hiermit läßt
Medium, in dem sich die Welle bewegt, ab. In der
sich die Ausbreitungsgeschwindigkeit c definieren:
folgenden Tabelle sind einige Beispiele angegeben.
l
Ausbreitungsgeschwindigkeit c = (V.1)
T Tabelle V-1 Phasengeschwindigkeit
c = l⋅ f (V.2)
Wird die Masse m1 zu einer Sinusschwingung Wellentyp Phasengeschwindigkeit
y = yˆ ⋅ sin (ω t ) angeregt, so werden auch alle anderen Longitudinalwellen in cp
Massen sinusförmig schwingen, allerdings zeitver- Gasen, Schallwellen in c= (V.11)
r
setzt gegen m1. Eine Masse, die um x von m1 entfernt Gasen
x Longitudinalwellen in K
ist, wird um die Zeit t 1 = später denselben Schwin- Flüssigkeiten c= (V.12)
c r
gungszustand erreichen. Es gilt: Longitudinalwellen in E
c= (V.13)
y = yˆ ⋅ sin ⎡⎣ω ( t − t1 ) ⎤⎦ (V.3) Festkörpern
r
⎡ 2π ⎛ x ⎞ ⎤ Elektromagnetische
c=
1
y = yˆ ⋅ sin ⎢ ⎜ t − ⎟ ⎥ (V.4) Wellen in Materie (V.14)
⎣ T ⎝ c ⎠⎦ e r e 0 mr m0
⎡ ⎛ t x ⎞⎤
y = yˆ ⋅ sin ⎢2π ⎜ − ⎟ ⎥ (V.5) c Isentropenexponent, p Druck, r Massendichte, K Kompressions-
⎣ ⎝ T λ ⎠⎦ modul, E Elastizitätsmodul, e0 Elektrische Feldkonstante, er Permitti-
vitätszahl, m0 Permeabilität, mr relative Permeabilität
Gleichung (V.5) beschreibt die zeitliche und räumli-
che Ausbreitung einer ebenen harmonischen Welle.
Die Amplitude ŷ bleibt konstant. Die Schwingungs- 1.2 Interferenz
gleichung kann durch Einführung der Wellenzahl k Unter Interferenz wird die Überlagerung von Wellen
umgeschrieben werden: verstanden. Dabei gilt, daß bei nicht zu großen
2π Amplituden der beteiligten Wellen sich jede Welle
Wellenzahl k = (V.6)
l ungestört ausbreiten kann und die momentanen Aus-
y = yˆ ⋅ sin (ω t − k x ) (V.7) lenkungen addiert werden können. Dies wird das
Verfahren der ungestörten Superposition genannt.
In Gleichung (V.5) und (V.7) bedeutet ein negatives
Zeichen in der Klammer eine Ausbreitung der Welle Interferenz von Wellen gleicher Frequenz
in positiver x-Richtung. Zwei Wellen gleicher Frequenz, die sich in gleicher
Bei einer Kugelwelle ändert sich die Amplitude mit Richtung ausbreiten, können sich im allgemeinen
dem Abstand vom Erregerort. Dieser Wellentyp wird durch ihre Amplitude und durch eine Verschiebung
durch folgende Gleichungen beschrieben. gleicher Schwingungszustände unterscheiden. Diese
yˆ ⎡ ⎛ t x ⎞⎤ räumliche Verschiebung ist der Gangunterschied D.
y = 1 ⋅ sin ⎢2π ⎜ − ⎟ ⎥ (V.8)
Die beiden Wellen sind nach Gleichung (V.7) durch
r ⎣ ⎝ T λ ⎠⎦
yˆ y1 = yˆ1 ⋅ sin (ω t − k x )
y = 1 ⋅ sin (ω t − k x )
(V.15)
(V.9)
r
und
ŷ1 ist die Amplitude für den Abstand r = 1.
⎛ 2π Δ ⎞
y2 = yˆ 2 ⋅ sin ⎜ ω t − k x + (V.16)
 Beispiel: Eine harmonische Welle habe eine Phasengeschwindig- ⎝ λ ⎟⎠
keit c = 300 m/s und eine Frequenz von 100 Hz. Zur Zeit t = 0
wird sie mit einer Amplitude ^y = 10 cm angeregt. gegeben. Die resultierende Welle läßt sich durch
a) Wie groß ist die Wellenlänge l?
Addition der Teilwellen bestimmen. Sie hat dieselbe
b) Wie groß ist die Auslenkung am Ort x = 9 m nach einer Zeit Frequenz und dieselbe Wellenlänge, damit auch die-
von 0,15 s? selbe Phasengeschwindigkeit wie die beiden Ur-
Lösung:
sprungswellen, aber eine andere Amplitude. Haben
c 300 m s beide Wellen die gleiche Amplitude yˆ1 = yˆ2 = yˆ0, so gilt:
a) nach (V.1) l= = =3m (V.10)
f 100 s
⎡ ⎛ 0,15 s 9 m ⎞ ⎤
resultierende Welle
b) y = 10 cm ⋅ sin ⎢ 2π ⎜ − ⎟⎥
⎣ ⎝ 0,01 s 3 m ⎠ ⎦ ⎛ πΔ ⎞ ⎛ πΔ ⎞
yres = 2 yˆ 0 cos ⎜ ⎟ sin ⎜ ω t − k x + λ ⎟ (V.17)
y = 10 cm ⋅ sin [ 2 π ( 15 − 3 ) ] = 10 cm ⋅ sin ( 24 π ) = 0 cm ⎝ λ ⎠ ⎝ ⎠
V Wellen 195

π D⎞ beschrieben werden. Auch hier ergibt sich die resul-

y res = y res sin ⎛⎜ wt − k x + ⎟ (V.18) tierende Welle durch Addition der Teilwellen. Unter
⎝ l ⎠
Anwendung des Additionstheorems folgt:
Amplitude
y res = 2 y sin ( wt ) cos ( k x ) (V.24)
π D⎞
y res = 2 y 0 cos ⎛⎜ ⎟ (V.19)
⎝ l ⎠ An den Stellen, an denen der Kosinusterm in (V.24)
verschwindet, hat auch die resultierende Welle zu
Sonderfälle: allen Zeiten keine Auslenkung. Dies ist der Fall für
a) D = nl, mit n = 0, 1, 2, … (V.20) solche Orte, die um l/2 voneinander entfernt sind.
Der erste Nullpunkt hängt von der Art der Reflexion
Die Phasenlage der resultierenden Welle ist gegen- ab, an einem dichteren Medium liegt er in der Grenz-
über den Ausgangswellen unverändert, die Amplitude fläche, sonst um l/4 vor der Grenzfläche.
ist doppelt so groß wie die Ausgangsamplituden. Für In den Punkten dazwischen ergibt sich je nach Lauf-
gerade Werte von n hat die Kosinusfunktion den Wert zeit eine Auslenkung, die maximal den doppelten
1, für ungerade Werte den Wert –1. In diesem Fall Wert der Ursprungsamplitude haben kann. In Bild
πD V-3 ist oben die Reflexion an einem dichteren Medi-
wird aber die Welle wegen des Summanden in um, unten an einem dünneren Medium dargestellt.
l
der Sinusfunktion um l / 2 verschoben, so daß die Dabei muß noch berücksichtigt werden, daß bei
Reflexion an einem dichteren Medium ein Pha-
ursprüngliche Phasenlage beibehalten wird (konstruk-
sensprung von l/2 eintritt.
tive Interferenz).
l
b) D = ( 2 n + 1) , mit n = 0, 1, 2, … (V.21) 2 Huygensches Prinzip
2
In diesen Fällen wird y res = 0, die Wellen löschen
ankommende Welle

sich aus (destruktive Interferenz).

neue Wellenfront
Stehende Wellen

Bild V-4 Huygenssches Prinzip

x
y
x welle (siehe Kap. V.1). Die neue Wellenfront entsteht
Bild V-3 Stehende Wellen
Laufen die Wellen, die zur Interferenz gelangen,
nicht in gleicher Richtung, sondern einander entge-
gen, so entstehen stehende Wellen. Dies kann z.B.
durch Reflexion an einem Spiegel geschehen. Die
beiden Wellen können bei gleicher Amplitude nach
Gleichung (V.7) durch
y1 = y ⋅ sin ( wt − k x )
und
y 2 = y ⋅ sin ( wt + k x )
Die Wellenausbreitung kann nach dem Huygensschen
Prinzip (nach Christian Huygens) dadurch erklärt
werden, daß jeder Punkt, der von einer Wellenfront
getroffen wird, wiederum Ausgangspunkt einer
sogenannten Elementarwelle wird. Diese ist, da es
sich um punktförmige Erreger handelt, eine Kugel-
als Einhüllende aller dieser Teilwellen. Dieses Prin-
zip gilt nicht nur für eine Wellenausbreitung in Me-
dien, sondern ganz allgemein, auch für elektromagne-
tische Wellen, wie z.B. Licht. Mit Hilfe dieses Prin-
zips lassen sich Vorgänge wie Reflexion, Brechung
und Beugung erklären.
2.1 Reflexion
Eine ebene Wellenfront W, die sich mit der Ge-
schwindigkeit c bewegt, erreicht zu einem bestimm-
(V.22)
ten Zeitpunkt den Punkt A eines Spiegels. Für die
Strecke DB braucht die Wellenfront die Zeit t1.
Vom Punkt A geht eine Elementarwelle aus, die
(V.23) dann, wenn der Punkt B erreicht ist, den Radius
196 Physik

a1
E
D Grenzfläche

A C B
a2
Bild V-5 Reflexion
Bild V-8 Brechungsgesetz

Welle die Geschwindigkeit c1 und laufe unter einem

Winkel a1 ein, im Medium 2 sei die Geschwindigkeit
c2 und der Winkel a2. Beim Erreichen des Punktes A
a b wird hier eine Elementarwelle ausgesendet, die dann,
wenn die Welle im Medium 1 nach der Zeit t1 den
Punkt B erreicht hat, den Radius AE hat. Die Einhül-
Spiegel
lende im Medium 2 ist BD . Im Dreieck ABD gilt:
Bild V-6 Reflexionsgesetz
DB
sina1 =
AB
AE = c ⋅ t 1 hat. In der Zeit t1/2 ist der Punkt C in der und im Dreieck AEB:
Mitte zwischen A und B erreicht. Die Elementarwelle, AE
die in C angeregt wird, hat den Radius AE / 2, wenn sina 2 = .
AB
die Wellenfront nach der Zeit t1 den Punkt B erreicht
hat. Die Einhüllende dieser Elementarwellen ist mit Weiter gilt
W' bezeichnet. Da die Dreiecke AEB und ADB kon- DB = c 1 ⋅ t 1 , AE = c 2 ⋅ t 2 .
gruent sind, folgt, daß beide Wellenfronten mit dem
Spiegel denselben Winkel bilden. Üblicherweise wer- Hieraus folgt
den nicht die Wellenfronten, sondern die darauf sin a1 DB c 1 ⋅ t 1
senkrecht stehenden Wellennormalen gezeichnet, um = =
die Richtung einer Welle darzustellen. Auch werden sin a 2 AE c 2 ⋅ t 1
die Winkel nicht zur Spiegelfläche, sondern zur Senk- das Brechungsgesetz
rechten auf der Spiegelfläche gemessen, wie in Bild
V-6 zu ersehen ist. Es gilt das Reflexionsgesetz: sin a1 c1
= (V.26)
Einfallswinkel = Ausfallswinkel sin a 2 c 2
a= b (V.25) Dies Gesetz ist ebenfalls für alle Wellenarten gültig.

2.2 Brechung
D

c1
a1 Bild V-9
Grenzfläche Beugung an einer Öffnung
A C B
F 2.3 Beugung
E c2
Trifft eine Welle auf eine Wand, in der sich eine
a2 kleine Öffnung befindet, so breitet sich die Welle
hinter der Öffnung nicht geradlinig aus, sondern auch
Bild V-7 Brechung in dem Teil des Raumes, der durch die Wand abge-
deckt ist, ist die Welle bemerkbar. Dieses Phänomen
Wenn sich die Welle in Gebieten mit unterschied- wird als Beugung bezeichnet. Die Beugung läßt sich
lichen Phasengeschwindigkeiten ausbreitet, so ändert mit Hilfe des Huygensschen Prinzips so verstehen,
sich beim Durchgang durch die Grenzfläche die daß von der Öffnung Elementarwellen ausgehen.
Richtung der Wellenfronten. Im Medium 1 habe die Sind mehrere Öffnungen vorhanden, so entsteht das
V Wellen 197

Beugungsfeld durch Interferenz der einzelnen Ele-
mentarwellen. Dies ist in Bild V-10 für den Fall eines
Doppelspaltes aufgezeigt. Die Kreise stellen die
Maxima der Elementarwellen dar. An den Punkten,
an denen sich die Elementarwellen schneiden, erfolgt
Verstärkung. Die Verbindungslinien dieser Schnitt-
punkte liegen auf Hyperbeln, deren Asymptoten zur
Ausbreitungsrichtung unter den Winkeln a verlaufen.
Für diese Winkel gilt mit ganzen Zahlen n die Bedin-
gung
n=3
n=2
Kugelwellen nicht mehr in einem Punkt. Der Beob-
achter im Punkt B erkennt eine kürzere Wellenlänge.
Im Bild V-11 ist links eine ruhende Quelle, die eine
Welle der Wellenlänge l aussendet, rechts eine be-
wegte Quelle dargestellt. Die Quelle bewegt sich
nach rechts mit der Geschwindigkeit vq. Der Beob-
achter sieht nun eine kleinere Wellenlänge lB. In der
Zeit Tq = 1 hat sich die Quelle um die Strecke
fq
v q Tq nach rechts bewegt, somit ist die Wellenlänge
l B = l − v q Tq verkleinert, die Frequenz hat sich jedoch
c
vergrößert: l B = l − v q Tq . Mit l = wird daraus:
f

n=1 c c vq
= − (V.28)
fb fq fq
d n=0
c c ⎛ vq ⎞
= ⎜1− ⎟ (V.29)
fb fq ⎝ c ⎠

fq c
fB = = fQ (V.30)
l vq c − vQ
1−
c
Bild V-10 Beugung am Doppelspalt

l Quelle Beobachter Formel

sin a n = n , n = 0, 1, 2, … (V.27)
d
c − vB
erfüllt ist. → → f B = fQ (V.31)
c − vQ
c + vB
3 Dopplereffekt → ← f B = fQ (V.32)
c − vQ
vq = 0 vq c − vB
← → f B = fQ (V.33)
c + vQ
c + vB
← ← f B = fQ (V.34)
c + vQ
lB
l

Bild V-11 Dopplereffekt
Wenn sich der Erreger einer Welle, die Quelle, und
der Beobachter relativ zum Medium, in dem die
Welle übertragen wird, bewegen, so treten Frequenz-
verschiebungen auf, die Dopplereffekt genannt wer-
den. Dabei ist es für die Berechnung wichtig, ob sich
die Quelle oder der Beobachter bewegen. Beobachten
kann man den Dopplereffekt beim Herannahen eines
hupenden Autos: Bei Annäherung erhöht sich zu-
nächst die Frequenz, der Ton wird höher, beim Ent-
fernen erniedrigt sich die Frequenz und der Ton wird
niedriger. Zunächst soll der Fall des ruhenden Beob-
achters und der sich auf den Beobachter zu bewegen-
den Quelle untersucht werden. Von einer punktför-
migen Quelle werden Kugelwellen ausgesendet. Da
sich die Quelle bewegt, liegen die Zentren der zu
verschiedenen Zeiten nacheinander ausgesendeten
Zu unterscheiden ist, ob und wie sich Quelle und
Beobachter relativ zueinander bewegen. In den Glei-
chungen V.31 bis V.34 sind die möglichen Fälle
angegeben.
Wenn Quelle oder Beobachter ruhen, so ist in der
entsprechenden Gleichung diese Geschwindigkeit = 0
zu setzen.
 Beispiel: Eine Schallquelle sendet einen Ton von 440 Hz aus. Die
Quelle bewegt sich mit 100 km/h an einem ruhenden Beobachter
vorbei.
Frage: Welche Frequenz nimmt der Beobachter
a) bei Annäherung
b) bei Entfernung der Quelle wahr?
Die Schallgeschwindigkeit beträgt 330 m/s.
Lösung: Da die Geschwindigkeit vB = 0 ist, folgt:
a) v Q = 100
km 100 m
= = 27,78
m
h 3,6 s s
198 Physik

c 440 ⋅ 330
f B = fQ = = 480,44 Hz
c − v Q 330 − 27 , 78 a
P
c 440 ⋅ 330
b) f B = f Q = = 405,8 Hz
c + v Q 330 + 27 , 78

Ein Sonderfall tritt dann ein, wenn sich die Quelle mit
derselben Geschwindigkeit bewegt wie die ausgesen-
dete Welle, z.B. eine Schallwelle. Es entsteht das
Wellenbild nach Bild V-12 links. Alle Kugelwellen
addieren sich im Punkt P, es entsteht die sogenannte
Schallmauer, die mit der Quelle mitläuft. Wird die
Geschwindigkeit der Quelle größer als die Schallge-
schwindigkeit, so sind die Verhältnisse entsprechend
Bild V-1 rechts. Für den Öffnungswinkel des entste-
henden Machschen Kegels gilt:
c
Öffnungswinkel sina = (V.35)
vQ
Auf dem Kegelmantel bildet sich eine einheitliche
Wellenfront, die von einem Beobachter als Knall
wahrgenommen wird. Diese Wellenfront bewegt sich
mit der Quelle. In Vorwärtsrichtung ist die Quelle
nicht zu hören.
Die Gleichungen (V.31) bis (V.34) gelten nur für den
Fall, daß sich die Welle in einem Medium als Träger
vQ
Bild V-12 Schallmauer und Machscher Kegel
der Welle ausbreitet. Eine Sonderstellung nehmen
hier die elektromagnetischen Wellen ein (z.B. Licht),
denn diese benötigen kein Medium, um sich aus-
zubreiten. In diesem Fall gibt es bei bewegten Quel-
len und Beobachtern auch eine Frequenzverschie-
bung, diese ist aber nur von der Relativgeschwindig-
keit zwischen Quelle und Beobachter abhängig.
Bei Annäherung von Quelle und Beobachter gilt:
c+v
f B = fQ (V.36)
c−v
Entfernen sich Quelle und Beobachter, so muß v
durch –v ersetzt werden.
c−v
f B = fQ (V.37)
c+v

VI Akustik

In der Akustik wird die Ausbreitung von Schallwel- Die Lösungsfunktion als Funktion von Ort und Zeit
len in festen, flüssigen und gasförmigen Medien hängt unter anderem vom Erregertyp ab. Für den
untersucht. In festen Stoffen können diese Wellen einfachsten Fall einer eindimensionalen sinusförmi-
Longitudinalwellen und Transversalwellen sein, in gen Erregung lautet sie für den Schalldruck:
Flüssigkeiten und Gasen gibt es nur Longitudinalwel- p ( x , t ) = p 0 + p sin ( wt − k x ) (VI.4)
len, weil dort die zur Ausbreitung von Transversal-
wellen notwendigen rückstellenden Querkräfte feh- und für die Schallschnelle:
len. Im folgenden werden vorzugsweise Schallwellen v w ( x , t ) = v sin ( wt − k x ) (VI.5)
in Gasen behandelt, weil diese im täglichen Leben
eine übergeordnete Rolle spielen. mit
p
v = (VI.6)
1 Schallausbreitung r0 c
Schall breitet sich in Gasen und Flüssigkeiten durch
Druckänderungen als Longitudinalwelle aus. Hiermit Tabelle VI-1 Schallgeschwindigkeit und Schallkenn-
verbunden ist eine Dichteschwankung, eine Druck- impedanz
schwankung und eine Schwankung der Geschwindig-
keit der einzelnen Moleküle um die jeweiligen kon- Dichte c/ms–1 Z/Ns m–3
stanten Mittelwerte (Index 0), die auch ohne Schall r/kg m–3
vorhanden sind.
Luft –20 °C 1,396 319 445
Dichte r = r0 + r w (VI.1) Luft 0 °C 1,293 331 427
Druck p = p0 + pw (VI.2) Luft 20 °C 1,21 344 416
Eis 920 3200 2,94 ⋅ 106
Geschwindigkeit v = v 0 + v w (VI.3) Holz 600 4500 2,7 ⋅ 106
mit den Bezeichnungen: Glas 2500 5300 13 ⋅ 106
Beton 2100 4000 8,4 ⋅ 106
rw : Wechseldichte, pw: Schallwechseldruck oder
Stahl 7700 5050 39 ⋅ 106
Schalldruck, vw: Schallschnelle
VI Akustik 199

Hierbei ist c die Schallgeschwindigkeit. Die Größe ⎛ Z − Z1 ⎞

2

r0 ⋅ c wird als Schallkennimpedanz Z, früher auch als rs = ⎜ 2 ⎟ (VI.13)

⎝ Z 2 + Z1 ⎠
Schallwellenwiderstand, bezeichnet.
Z r0 c Ein großer Reflexionsgrad r tritt immer dann auf,
Z = r0 ⋅ c (VI.7) wenn die Schallkennimpedanzen der beteiligten
Nm −1 kg/m 3 m/s
Medien sehr unterschiedlich sind. Dabei ist es gleich-
Die Schallkennimpedanz ist eine charakteristische gültig, welches der beiden Medien die größere
Größe für das jeweilige Ausbreitungsmedium und ist Schallkennimpedanz besitzt.
bei ebenen Wellen konstant. Wird die Schallwelle im Medium 2 gedämpft, so wird
Für die Schallgeschwindigkeit in Gasen gilt (siehe die Welle bei genügend dickem Medium 2 vollstän-
Abschnitt 1): dig absorbiert. Der Schallabsorptionsgrad as wird
definiert durch:
cp
c= (VI.8)
r Ie − Ir I
Schallabsorptionsgrad a s = = 1 − r (VI.14)
oder Ie Ie

c= c Ri T . (VI.9) a s = 1 − rs = 1 − r 2 (VI.15)
In Festkörpern gilt: Wird nun der Schall im Medium 2 nicht vollständig
E absorbiert, weil z.B. die Wand zu dünn ist, so tritt ein
Schallgeschwindigkeit c= (VI.10) Teil It der einfallenden Schallintensität Ie durch das
r
Medium 2 durch. Dieser Anteil wird als Schalltrans-
missionsgrad ts bezeichnet. Auch an der zweiten
2 Reflexion, Transmission, Absorption Grenzfläche wird dann ein Teil der dort ankommen-
den Intensität reflektiert.
Jedes Medium wird durch seine Schallkennimpedanz
beschrieben. Treffen nun Schallwellen auf eine It
Schalltransmissionsgrad t s = (VI.16)
Grenzfläche zwischen zwei Medien mit unterschied- Ie
licher Schallkennimpedanz, so wird ein Teil reflek-
tiert, ein Teil tritt ins Medium ein. Der Reflexionsfak- Der Absorptionsgrad gibt an, welcher Teil der einfal-
tor r ist definiert als das Verhältnis des Schalldruckes lenden Welle nicht reflektiert wurde, der Transmissi-
pr der reflektierten Welle zu dem Schalldruck pe der onsgrad gibt den Anteil an, der durch eine Wand
einfallenden Welle. hindurch gelangt ist. Die in der Wand tatsächlich
verlorengegangene Schallintensität wird durch den
Z1 Z2 Z1
Schalldissipationsgrad ds angegeben. Somit gilt der
Ie Zusammenhang:
It r s + t s + ds = 1 (VI.17)
Ir
Bild VI-1 rs + a s = 1 (VI.18)
Reflexion und
Transmission
3 Ultraschall
pr
Reflexionsfaktor r = (VI.11) Unter Ultraschall wird der Schall verstanden, dessen
pe
Frequenz jenseits (= ultra) der menschlichen Hör-
Werden die Intensitäten Ir und Ie ins Verhältnis ge- schwelle von ca. 20 kHz liegt. Die obere Grenze liegt
setzt, so erhält man den bei etwa 1 GHz. Die zugehörigen Wellenlängen
Ir p2 liegen in Luft zwischen etwa 2 cm und 0,34 mm. Für
Reflexionsgrad r s = = r2 = r 2 (VI.12) den Ultraschall gibt es in der Praxis eine Vielfalt von
Ie pe
Einsatzmöglichkeiten. Dazu nachfolgend einige Bei-
Werden die Schallkennimpedanzen für senkrechten spiele: Ultraschall-Echolot, Ultraschall-Blindenleitge-
Einfall mit Z1 bzw. Z2 bezeichnet, so gilt für senk- rät, Ultraschall-Alarmanlagen, Werkstoffprüfung,
rechten Einfall: Materialprüfverfahren, Medizin.
200
VII Optik
Die Optik ist die Lehre vom Licht, seiner Ausbrei-
tung, dem Aufbau optischer Instrumente und allen
den Erscheinungen, die mit dem Auge wahrgenom-
men werden können. Heute wird zwischen der klassi-
schen Optik und der Quantenoptik unterschieden. In
der klassischen Optik wird das Licht als Welle ver-
standen. Seit Beginn dieses Jahrhunderts sind aller-
dings viele Experimente durchgeführt worden, deren
Deutung nicht im Rahmen der Wellentheorie möglich
ist. Zur Erklärung muß angenommen werden, daß das
Licht sich wie ein Teilchen, als Korpuskel, dem
sogenannten Lichtquant, verhält. Dieses Bild ist
immer dann anzuwenden, wenn Licht mit Materie in
Wechselwirkung tritt, also zum Beispiel bei der
Absorption und Emission, aber auch bei der Streuung
von Licht.
1 Eigenschaften des Lichtes
Röntgenstrahlung
sichtbares Licht
UV-Strahlung
Mikrowellen
g Strahlung
Infrarot
Radar
–12 –10 –8 –6 –4 –2
Bild VII-1 Spektrum der elektromagnetischen Wellen
Die Ansichten über die Natur des Lichtes haben sich
im Laufe der Jahrhunderte grundlegend gewandelt.
Newton stellte im 17. Jahrhundert eine Korpuskular-
theorie auf, eine Lichtquelle sendet kleine Korpus-
keln aus, die sich geradlinig mit großer Geschwindig-
keit fortbewegen, bis sie im menschlichen Auge
durch Nervenanregung wahrgenommen werden.
Reflexion und Brechung von Licht konnten hiermit
erklärt werden, Beugung und Interferenz jedoch
nicht. Dies gelang Huygens im Jahr 1678 mit der von
ihm entwickelten Wellentheorie, die von Young
(1802) durch Experimente untermauert wurde. Nach
der Entdeckung der Polarisation durch Malus (1808)
hat Fresnel (1815) das Licht als transversale Welle
beschrieben, und daß das Licht eine elektromagneti-
sche Transversalwelle ist, wurde von Maxwell (1865)
entdeckt. Die physikalischen Größen, die sich bei
elektromagnetischen Wellen zeitlich und räumlich
periodisch ändern, sind die elektrische Feldstärke und
damit verbunden auch die magnetische Feldstärke.
Beide stehen senkrecht aufeinander und senkrecht
zur Ausbreitungsrichtung. Das Licht breitet sich mit
der Naturkonstanten Lichtgeschwindigkeit aus. Die
Lichtgeschwindigkeit im Vakuum hängt mit der
Physik
elektrischen Feldkonstante e0 und der magnetischen
Feldkonstante m0 durch die Gleichung
1
Lichtgeschwindigkeit c = (VII.1)
e 0 m0
zusammen.
Die Lichtgeschwindigkeit im Vakuum hat den Wert
m
c = 2 , 997 924 58 ⋅10 8 (VII.2)
s
Auch hier gilt, wie bei allen Wellen, der Zusammen-
hang c = l ⋅ f zwischen der Wellenlänge l und der
Frequenz f. Das sichtbare Licht nimmt nur einen
kleinen Teil des Spektrums der elektromagnetischen
Wellen ein (siehe Bild VII-1). Alle die dort auf-
geführten Wellen sind elektromagnetische Wellen
und breiten sich im Vakuum mit der Lichtge-
schwindigkeit c aus. Die Frequenzen erstrecken sich
von 104 bis 1020 s–1.
Ultrakurzwellen
2 Geometrische Optik
Mittelwellen
Langwellen
Wird nun die Ausbreitung des Lichtes durch Öffnun-
gen, durch Blenden oder an Gegenständen vorbei
betrachtet, und sind diese Gegenstände groß gegen-
über der Wellenlänge des Lichtes, so kann die Aus-
breitung des Lichtes nach den Gesetzen der geometri-
schen Optik bestimmt werden, im anderen Fall muß
0 2 4 l/m die Wellenoptik herangezogen werden. Die Lichtwel-
len werden in ihren Ausbreitungsrichtungen durch die
Strahlen gekennzeichnet, die senkrecht auf den Wel-
lenfronten stehen (siehe Kapitel V). Bei ebenen
Wellen sind die Strahlen parallel. Kreuzen sich zwei
Lichtstrahlen, so beeinflussen sie sich gegenseitig
nicht.
2.1 Reflexion des Lichtes
Spiegel
Lot b
a
Bild VII-2
Reflexionsgesetz
Wird ein einfallender Lichtstrahl an einer ebenen
Fläche reflektiert, so gilt das Reflexionsgesetz:
Einfallender Strahl, reflektierter Strahl und Einfalls-
lot liegen in einer Ebene.
Der Einfallswinkel a und der Reflexionswinkel b sind
gleich.
Das Einfallslot ist hier das Lot auf der Spiegelfläche.
Dies Gesetz wurde bereits in Kapitel V mit der Wel-
lentheorie abgeleitet.
VII Optik 201

zustellen sind, werden für einfache Anwendungen

Spiegel genommen, deren Oberfläche aus einer Kugel
L2 L1 geschnitten wurde. Diese haben zwar Abbildungsfeh-
ler, beschränkt man sich jedoch auf Strahlen, die nahe
der optischen Achse einfallen, so können diese Fehler
Auge
vernachlässigt werden. Der Brennpunkt hat im Rah-
men dieser Näherung den Abstand
r
f = (VII.3)
Bild VII-3 Bildentstehung 2
Diese Größe f ist die Brennweite. Zur Bildkon-
Ein Beobachter, der vor einem ebenen Spiegel steht, struktion werden mindestens zwei Strahlen benötigt.
sieht sein Bild hinter dem Spiegel. Das menschliche Es werden die Strahlen verwendet, deren Verlauf sich
Auge in Zusammenarbeit mit dem Gehirn kann keine einfach konstruieren läßt, nämlich ein achsenparalle-
Richtungsumkehrung oder Abweichungen von der ler Strahl 1 und ein Brennpunktstrahl 2. Strahl 1
geradlinigen Ausbreitung des Lichtstrahles wahrneh- verläuft nach der Reflexion durch den Brennpunkt,
men. Eine Lichtquelle L1, die vor einem Spiegel steht Strahl 2 wird achsenparallel reflektiert. Hier können
und deren Licht in das Auge fällt, erscheint dem je nach Lage des Gegenstandes G virtuelle oder reelle
Beobachter hinter dem Spiegel, dabei wird der tat- Bilder entstehen (siehe Bild VII-5).
sächlich vorhandene Strahlenverlauf durch das Wird der Abstand des Gegenstandes vom Spiegel mit
menschliche Gehirn in den nicht vorhandenen, gestri- der Gegenstandsweite g, der Abstand des Bildes mit
chelt gezeichneten Verlauf umgedacht. Das Bild L2 der Bildweite b bezeichnet, so gilt die
der Lichtquelle erscheint dort, wo sich die gedachten
Strahlen kreuzen. Bilder, die durch einen nicht wirk- Abbildungsgleichung
1 1 1
lich vorhandenen Schnittpunkt, sondern einen ge- = + (VII.4)
dachten Schnittpunkt entstehen, heißen virtuelle Bil- f g b
der. Schneiden sich zwei Lichtstrahlen tatsächlich, so Die Gegenstandsgröße G und die Bildgröße B lassen
entsteht ein reelles Bild. sich aus einfachen geometrischen Überlegungen be-
stimmen, und es gilt:
Abbildungsmaßstab
B b
b= =− (VII.5)
optische Achse G g
F
In diesem System sind die einzelnen Größen mit
Vorzeichen behaftet, die positiven Richtungen weisen
nach oben und vom Spiegel zum Brennpunkt, in
Bild VII-4
diesem Fall nach links.
Parabolspiegel
Ob das Bild reell oder virtuell, verkleinert oder ver-
größert wird, hängt von der Gegenstandsweite ab. Es
Im folgenden soll die Reflexion an nicht ebenen
gilt:
Spiegeln untersucht werden. Dabei hat der Spiegel im
Querschnitt eine Parabelform; das räumliche Gebilde
wird Paraboloid genannt. Diese Parabolspiegel g<f virtuell aufrecht vergrößert
haben die Eigenschaft, alle Strahlen, die parallel zur
f < g < 2f reell höhenverkehrt vergrößert
Symmetrielinie, der optischen Achse, einfallen, so zu
reflektieren, daß sie sich in einem Punkt, dem Brenn- g > 2f reell höhenverkehrt verkleinert
punkt F, schneiden. Da Parabolspiegel schwer her-

1 2
1 1 1
2 1 2
2 1
B B
G M M G M F G B
F F

2 2

Bild VII-6 Bildkonstruktion am Hohlspiegel

M: Mittelpunkt des Hohlspiegels; F: Brennpunkt; G: Gegenstand; B: Bild
202 Physik

 Beispiel: Vor einem Hohlspiegel mit dem Krümmungsradius Es gelten folgende Beziehungen zwischen den Win-
r = 10 cm steht in 3 cm Abstand ein 2 cm großer Gegenstand. Wie
keln in der Abbildung VII-6:
groß sind Bildweite und Bildgröße?

Lösung: f =
r
= 5 cm Reflexionsgesetz a1 = b (VII.6)
2
1 1 1 1 1
= − = −
sin a1 c1
b f g 5 3 Brechungsgesetz = (VII.7)
sin a 2 c 2
b = −7,5 cm
b −7,5 cm Jedem Medium wird eine Zahl zugeordnet, die durch
B = −G = −2 cm ⋅ = 5 cm
g 3 cm das Verhältnis der Lichtgeschwindigkeit im Medium
Da b negativ ist, ist das Bild ein virtuelles Bild, B ist zu der im Vakuum definiert ist.
positiv, somit ist das Bild aufrecht, was dem Bild
VII-5 c entspricht. c Vac
Brechungsindex n= (VII.8)
c
2.2 Brechungsgesetz
Der Brechungsindex des betreffenden Materials hängt
Trifft ein Lichtstrahl schräg auf die Grenzfläche allerdings von der Wellenlänge des Lichtes ab. Die
zwischen zwei nicht absorbierenden Stoffen, in denen Tatsache, daß der Brechungsindex von der Wellen-
das Licht unterschiedliche Lichtgeschwindigkeit hat, länge des Lichtes abhängt, heißt Dispersion. Im
so wird ein Teil des einfallenden Lichtes reflektiert, optischen Bereich ist die Abhängigkeit normaler-
ein anderer Teil tritt in das zweite Medium ein. Dabei weise so, daß mit steigender Wellenlänge der Bre-
ändert sich die Ausbreitungsrichtung an der Grenzflä- chungsindex kleiner wird. Mit Hilfe der Bre-
che. Dies wird als Brechung bezeichnet. chungsindizes läßt sich das Brechungsgesetz auch
schreiben:
Medium 1 Medium 2
sin a1 n 2
Brechungsgesetz = (VII.9)
b a2 sin a 2 n1
a1
Stoffe mit kleinerem Brechungsindex sind op-
Bild VII-6 tisch dünner, solche mit größerem Index optisch
Brechungsgesetz dichter.

Tabelle VII-1 Brechungsindizes für l = 589 nm, 20 °C und 1013 hPa

Feste Stoffe n Flüssigkeiten und Gase n

Eis 1,31 Wasser 1,333
Flußspat 1,4338 Äthylalkohol 1,3618
Steinsalz 1,5443 Leinöl 1,486
Optische Gläser Benzol 1,5012
Borkron BK1 1,51
Flint F3 1,6128 Luft 1,000 292
Schwerflint SF4 1,7550 Sauerstoff 1,000 271
Quarzglas 1,4588 Stickstoff 1,000 298
Plexiglas 1,50 . . . 1,52 Kohlendioxid 1,000 449
Diamant 2,4173

Tabelle VII-2 Dispersion einiger Stoffe

Farbe und Wellenlänge l

Brechungsindex

Stoff violett blau blaugrün grün gelb rot dunkelrot

396,8 nm 430,7 nm 486,1 nm 527 nm 589 nm 656,2 nm 760,8 nm
Wasser 1,3435 1,3406 1,3371 1,3352 1,333 1,3312 1,3289
Flint F3 1,6542 1,6355 1,6246 1,6190 1,6128 1,6081 1,6029
VII Optik
Totalreflexion
1 2 3 4
5 Basis des Prismas. Im Bild VII-9 ist ein sym-
n2 = 1
6 halbierende von e steht senkrecht auf dem Lichtstrahl.
n1 = 1,5
7 das Prisma von Luft umgeben und hat den Bre-
Bild VII-7
P Totalreflexion
Das Brechungsgesetz (VII.9) gilt unabhängig davon,
ob das Licht aus einem optisch dichteren oder optisch
dünnerem Medium austritt. Tritt das Licht aus einem
optisch dichteren Medium in ein optisch dünneres
Medium, so verläuft der Strahl wie in Bild VII-7
dargestellt, er wird vom Einfallslot weggebrochen.
Wenn der Lichtstrahl aus einem optisch dichteren
Medium in z.B. Luft tritt, so ist n2 Ɱ n1, und es folgt
für den Ausfallswinkel nach (VII.9) Totalreflexion
n1
sin a 2 = ⋅ sin a1
n2
Da n1 Ɑ n2, kann der Fall eintreten, daß bei einem
bestimmten Einfallswinkel a1 der Wert für sin a2 Ɑ 1
wird. Ab diesem Grenzwinkel kann dann der Licht-
strahl nicht mehr ins Medium 2 eintreten, er wird
vollständig reflektiert. Dies Phänomen heißt Total-
reflexion. In Bild VII-7 sind einige Strahlenverläufe,
ausgehend vom Punkt P, gezeichnet. Der Grenz-
winkel ergibt sich in diesem Beispiel zu
n2 1 des Prismas bestimmt werden.
sin a1 = =
n1 1, 5
a1 = 41, 81
und liegt zwischen den Strahlen 6 und 7.
Technische Anwendung findet dieses Phänomen bei
der Nachrichtenübertragung in Lichtleitern. Ein
Lichtleiter ist im Prinzip so aufgebaut, daß ein op-
tisch dichteres Material, der Kern, von einem optisch
dünneren Material, dem Mantel, umgeben ist. Auf die
Stirnfläche eintretendes Licht wird an der Grenz-
fläche Kern – Mantel totalreflektiert.
Kern n1
Mantel n2
Luft
Bild VII-8
Lichtleiter
Prisma
Ein Prisma ist ein von geraden, gegeneinander ge-
neigten Flächen begrenzter Körper aus einem durch-
203
sichtigen Material, normalerweise aus Glas. Die
Kante CF ist die brechende Kante K und der Winkel
e der brechende Winkel. Die Fläche ABDE heißt die
metrischer Strahlengang gezeichnet, die Winkel-
In diesem Fall des symmetrischen Strahlengangs gilt
für den Ablenkwinkel d, daß dieser minimal wird. Ist
chungsindex n, so gilt die Gleichung:
F
K K
C e
E D a d
b
A B
Bild VII-9 Prisma
K
a rot
(VII.10) weiß
b
blau
Bild VII-10 Spektrale Zerlegung
d+e e
sin = n ⋅ sin (VII.11)
2 2
Aus einer Messung des Ablenkwinkels d kann, bei
bekanntem brechenden Winkel e, der Brechungsindex
d+e
sin
2
n= (VII.12)
e
sin
2
Dies Verfahren kann auch bei Flüssigkeiten ange-
wendet werden. Die zu untersuchende Flüssigkeit
wird dann in ein Hohlprisma gefüllt und der Ablenk-
winkel bestimmt.
Da der Brechungsindex von der Wellenlänge ab-
hängt, kann mit einem Prisma Licht spektral zerlegt
werden. Einfallendes weißes Licht, in dem alle Wel-
lenlängen bzw. Farben vertreten sind, wird durch ein
Prisma nach Farben zerlegt. Für rotes Licht ist der
Brechungsindex kleiner als für blaues Licht, daher ist
der Ablenkwinkel für rotes Licht kleiner als für
blaues Licht (siehe Tabelle VII-2).
Linsen
In allen optischen Systemen und Geräten werden Lin-
sen verwendet. Dieses sind Glaskörper, die durch
zwei Kugelflächen begrenzt sind. In der technischen
Optik (nach DIN 1335) werden für die Brechung an
einer Kugelfläche Vorzeichen festgelegt. Es gilt: Die
204 Physik

y Bild VII-11
Vorzeichenkonvention

F′
S C z

f′
+r

F′
n1 n2
1 +∞
1
F S C F′ f′
r
–∞ 2 2 Bild VII-13 Sammel- und Zerstreuungslinse

chen zwischen der Linse und dem umgebenden

f f′ Medium, im allgemeinen Luft, werden die Lichtstrah-
len gebrochen. Bei dünnen Linsen kann man den
Bild VII-12 Brennpunkte einer konvexen Kugelfläche
Strahlengang konstruieren, indem beide Brechungen
durch eine Brechung an der Mittellinie ersetzt wer-
Achse durch den Kugelmittelpunkt ist die optische den. Es gibt Sammellinsen, oder konvexe Linsen, und
Achse, zugleich z-Achse des Koordinatensystems. Zerstreuungslinsen, oder konkave Linsen. Der Strah-
Die positive z-Richtung wird durch die Laufrichtung lenverlauf ist in Bild VII-13 dargestellt. Die tatsäch-
des Lichtes festgelegt. Die y-Achse steht senkrecht lichen Strahlen sind durchgezogen gezeichnet, bei der
auf der z-Achse und weist von unten nach oben. Der Zerstreuungslinse wird der Brennpunkt durch die
Radius der Kugel ist positiv, wenn das Zentrum C der gestrichelt gezeichnete gedachte rückwärtige Verlän-
Kugel in positiver z-Richtung vom Scheitelpunkt S gerung konstruiert. Da der Brennpunkt auf der linken
liegt, hier also nach rechts. Sämtliche Strecken, die Seite liegt, hat die Zerstreuungslinse eine negative
von S in negativer z-Richtung gemessen werden, Brennweite. Die Linse sei nun in Luft und besitze den
erhalten ein negatives Vorzeichen. Da durch eine Brechungsindex nL. Es gilt für die Brennweite f ':
Kugelfläche Medien mit unterschiedlichen Bre-
1 ⎛1 1⎞
chungsindizes n1 und n2 getrennt werden, ist der = ( n L − 1) ⎜ − ⎟ (VII.16)
Strahlenverlauf auf beiden Seiten der Fläche unter- f′ ⎝ r1 r2 ⎠
schiedlich. Die Brennpunkte F und F' sind so defi- r1 Radius der linken Kugelfläche, r2 Radius der rech-
niert, daß Strahlen, die von ihnen ausgehen, so gebro- ten Fläche. Sind beide Brennweiten gleich, so wird
chen werden, daß sie achsenparallel weiter verlaufen. (VII.15) zur
Für die Brennweiten f und f ' gilt:
1 1 1
n1 r Linsenformel = − (VII.17)
Brennweite f = (VII.13) f b g
n 2 − n1
Den Kehrwert der Brennweite f nennt man die Brech-
n2 r kraft oder Dioptrie D.
f′= (VII.14)
n 2 − n1 1 D f
D= (VII.18)
Kommen die Strahlen nicht aus dem Brennpunkt, f m −1 m
sondern aus einem weiter entfernten Punkt im Ab- Der Abbildungsmaßstab ist:
stand g, so schneiden sich alle Strahlen im Abstand b. B b
Für diese Abstände gilt die b′ = = (VII.19)
G g
f′ f
Abbildungsgleichung − =1 (VII.15) Zur Konstruktion der Abbildung durch Linsen ver-
b g
wendet man zweckmäßigerweise folgende Strahlen:
Dabei ist g gemäß der Definition negativ einzuset- 1. Strahl parallel zur optischen Achse: durch den
zen. Brennpunkt,
Der Einfachheit halber soll angenommen werden, daß 2. Strahl durch die Linsenmitte: keine Ablenkung,
die Linsendicke vernachlässigbar klein ist, es sich 3. Strahl durch den Brennpunkt: parallel zur opti-
also um dünne Linsen handelt. An beiden Grenzflä- schen Achse.
VII Optik 205

1
2
3 F B F F
G F B G

–g Bild VII-14
+b
Abbildung durch eine Sammellinse

G F B F GB
–b
Bild VII-15
–g
Abbildung durch Zerstreuungslinsen

In Bild VII-14 sind für zwei Fälle die Bildkonstruk- c) Bildgröße B = b ⋅ G = 2 , 5 ⋅ 4 cm = 10 cm

tionen durchgeführt. Links: Gegenstand außerhalb der b ist jetzt < 0, B > 0, somit liegt ein virtuelles, vergrößertes Bild
doppelten Brennweite: Es ergibt sich ein reelles, vor.
höhenverkehrtes und verkleinertes Bild. Rechts: Bei der Abbildung durch Zerstreuungslinsen werden im
Gegenstand innerhalb der Brennweite: Es ergibt sich Prinzip die gleichen Strahlen verwendet wie bei Sam-
ein virtuelles, aufrechtes und vergrößertes Bild. mellinsen, nur entstehen hier grundsätzlich virtuelle
 Beispiel: Ein Gegenstand der Größe 4 cm steht 25 cm entfernt
Bilder, da sich die Strahlen ja nie schneiden können.
von einer Sammellinse der Brennweite f = 5 cm. Wie groß sind Werden zwei Linsen kombiniert, und zwar so, daß sie
a) Bildweite, b) Abbildungsmaßstab und c) Bildgröße? in einem Abstand e voneinander stehen, so ergibt sich
Lösung: für das System eine Gesamtbrennweite nach folgen-
a) Bildweite
1 1 1
= + =
1
+
1 der Formel:
b f g 5 cm − 25 cm
Brennweite einer Linsenkombination
b = 6,25 cm
1 1 1 e
b) Abbildungsmaßstab b=
b 6,25 cm
= = −0 , 25 = + − (VII.20)
g − 25 cm f ges f 1 f 2 f1 ⋅ f 2
c) Bildgröße B = b ⋅ G = −0 , 25 ⋅ 4 cm = −1 cm
 Beispiel: Ein Linsensystem besteht aus einer Sammellinse der
Da b positiv ist, liegt das Bild rechts von der Linse, B ist negativ, so- Brennweite f1 = 10 cm und einer Zerstreuungslinse der Brenn-
mit ist das Bild höhenverkehrt, dies entspricht dem Bild VII-14 a. weite f2 = –6 cm. Beide haben einen Abstand von e = 5 cm. Wie
 Beispiel: Ein Gegenstand der Größe 4 cm steht 3 cm entfernt von groß ist die Brennweite des Systems?
einer Sammellinse der Brennweite f = 5 cm. Wie groß sind Lösung:
a) Bildweite, b) Abbildungsmaßstab und c) Bildgröße?
1 1 1 5 cm
Lösung: = + − = 0,0167 cm −1
f ges 10 cm − 6 cm − 6 ⋅ 10 cm 2
1 1 1 1 1
a) Bildweite = + = + f ges = 60 cm
b f g 5 cm − 3 cm
b = −7,5 cm In Linsensystemen werden die verschiedensten For-
b −7,5 cm men verwendet, die gängigsten Bauformen von
b) Abbildungsmaßstab b= = = 2,5
g − 3 cm Linsen sind in Tabelle VII-3 aufgeführt.

Tabelle VII-3 Bauformen von Linsen

bi-konvex plan-konvex bi-konkav plan-konkav

Radien r1 > 0 r1 = ∞ r1 < 0 r1 = ∞

r2 < 0 r2 < 0 r2 > 0 r2 > 0

Brennweite f >0 f >0 f <0 f <0

206 Physik

2.3 Optische Geräte Nahpunkt. Eine weitere Vergrößerung ist nur mit
Hilfe optischer Instrumente erreichbar. Wird der
In optischen Geräten werden je nach Anwendung
Sehwinkel mit Instrument als s′ bezeichnet, so ist die
Linsen unterschiedlichster Bauformen zu Linsen-
Vergrößerung G definiert zu
systemen zusammengesetzt. Sie dienen dazu, den
Sehwinkel zu vergrößern.

I Le a
H A
N

K Li G
b
B

Bild VII-16 Das menschliche Auge Bild VII-17

c
Augenfehler
Das menschliche Auge
Da jede optische Erscheinung mit dem Auge wahrge-
nommen wird, soll hier kurz die Wirkungsweise des
menschlichen Auges dargestellt werden. Das Prinzip s
ist in Bild VII-16 dargestellt. Das Auge wird von der G B Bild VII-18
Lederhaut Le eingehüllt, darunter liegt die Aderhaut Sehwinkel
A und die lichtempfindliche Netzhaut N. Das Licht
fällt durch die Hornhaut H und die Augenkammer K, tan s ′
tritt durch die Linse Li und dann auf die Netzhaut N. Vergrößerung G= (VII.21)
tan s
Der Augennerv tritt am Blinden Fleck B durch das
Auge. Durch die variable Krümmung und damit
variable Brennweite der Linse kann das Auge Ge-
genstände in verschiedenen Entfernungen scharf auf
G s′
die Netzhaut abbilden. Die Iris I regelt als Blende die s
eintretende Lichtmenge. Der Abstand, in dem man s′
noch eben scharf sehen kann, ist der Nahpunkt, er F f
liegt beim jungen Menschen bei ca. 10 cm, beim
älteren Menschen weiter entfernt. Als deutliche
Sehweite ist ein Abstand von s0 = 25 cm definiert.
Der Fernpunkt liegt beim normalsichtigen Menschen
im Unendlichen. Fehlsichtigkeit tritt dann auf, wenn Bild VII-19 Lupe
parallel einfallende Strahlen nicht auf der Netzhaut
(Bild VII-17 a), sondern beim kurzsichtigen Auge vor Lupe
der Netzhaut (Bild VII-17 b), beim weitsichtigen Eine Lupe als einfachstes optisches Instrument ist
Auge hinter der Netzhaut (Bild VII-17 c) fokussiert eine Sammellinse hoher Brechkraft. Die Vergröße-
werden. Die lichtempfindlichen Sinneszellen sind die rung hängt von der Brennweite der Linse, aber auch
in der Netzhaut eingebetteten Stäbchen und Zäpfchen. vom Abstand des Gegenstandes von der Linse ab.
Die Zäpfchen sind farbempfindlich, während die Um eine vergleichbare Angabe zu erzielen, wird
Stäbchen nur Grautöne unterscheiden können, dafür festgelegt, daß sich der Gegenstand in der Brenn-
sind sie aber wesentlich lichtempfindlicher. Von ebene der Lupe befindet und sich das Auge auf un-
einem reellen Gegenstand wird durch das optische endlich eingestellt, akkomodiert, hat. Diese Ver-
System des Auges ein umgedrehtes, reelles Bild auf größerung bezeichnet man als Normalvergrößerung.
der Netzhaut erzeugt. Das menschliche Gehirn dreht Verglichen wird der sich dann ergebende Sehwinkel
auf Grund seiner Erfahrung dieses Bild um, so daß mit dem, bei dem sich der Gegenstand ohne Lupe in
wir von einem aufrechten Gegenstand auch ein auf- der deutlichen Sehweite s0 befindet.
rechtes Bild „sehen“. Der Gegenstand erscheint dem G G
Mit tan s ' = und tans = folgt für die
Auge unter dem Sehwinkel s. Soll der Gegenstand f − s0
vergrößert betrachtet werden, so muß der Sehwinkel
s0
vergrößert werden, man muß näher an den Ge- Vergrößerung einer Lupe G = − (VII.22)
genstand herangehen. Dies geht aber nur bis zum f
VII Optik 207

Wird der Gegenstand näher an die Lupe herange- solche, bei denen das Bild höhenverkehrt erscheint,
bracht, so entsteht ein virtuelles, aufrechtes vergrö- diese werden in der Astronomie verwendet (Kep-
ßertes Bild. lersches Fernrohr), und solche mit aufrechten Bildern
(Galileisches Fernrohr). Der grundsätzliche Strahlen-
Mikroskop verlauf ist in Bild VII-21 gezeichnet. Die Brennpunk-
Noch bessere Vergrößerungen erzielt man mit einem te von Objektiv F1 und Okular F2 fallen zusammen.
Mikroskop. Dies ist im Prinzip eine Kombination aus Die parallel austretenden Strahlen werden auch hier
zwei Sammellinsen, dem Objektiv Obj mit den im Auge auf der Netzhaut fokussiert. Die Gesamtver-
Brennpunkten F1 und dem Okular Ok mit den Brenn- größerung berechnet sich zu
punkten F2. Das Objektiv entwirft vom Gegenstand G f1
ein reelles Zwischenbild ZB fast im Brennpunkt F2. Vergrößerung eines Fernrohrs GF = − (VII.24)
Dieses Zwischenbild wird mit dem Okular, das wie f2
eine Lupe wirkt, betrachtet. Die nahezu parallel Werden die Brennweiten mit richtigem Vorzeichen
austretenden Strahlen werden durch die Augenlinse eingesetzt, so ergibt sich beim Keplerschen Fernrohr
auf der Netzhaut gebündelt. Eingezeichnet ist die eine negative Vergrößerung, also eine Bildumkehr,
sogenannte Tubuslänge t, der Abstand zwischen beim Galileischen Fernrohr eine positive Vergröße-
beiden Brennpunkten der Linsen. Die Gesamtver- rung, also ein aufrechtes Bild. Durch den Einbau
größerung ergibt sich zu: einer weiteren Linse kann allerdings auch im Kepler-
Ok
schen Fernrohr ein aufrechtes Bild erzielt werden;
das Fernrohr wird dadurch nur länger. Eine Verlänge-
rung des Fernrohres kann vermieden werden, indem
ge der Strahl durch geeignete Prismen umgelenkt wird.
Obj Au
F2 Technische Angaben eines Fernglases sind die Ver-
F1 ZB F2 größerung und der Durchmesser DE der Eintrittsöff-
G nung, normalerweise des Objektivs. Die Angabe
7 × 50 besagt, daß die Vergrößerung GF = 7 ist und die
Eintrittsöffnung einen Durchmesser von 50 mm hat.
t
Für den Durchmesser DA der Austrittsöffnung gilt:
DE
Bild VII-20 Mikroskop GF = (VII.25)
DA
Vergrößerung eines Mikroskops Die Leistungsfähigkeit bei Dämmerung wird nach
t ⋅ s0 DIN 58386 durch die Dämmerungszahl Z gekenn-
GM = (VII.23)
f1 ⋅ f 2 zeichnet.
Z= GF ⋅ D E (VII.26)
Obj Ok
Bei dem Fernglas 7 × 50 ist
ZB
50 mm
DA = = 7,14 mm
s s′ 7
F1
F2 und
Z= 7 ⋅ 50 = 18, 7
Auge hingegen bei 8 × 30 gilt:
Obj Ok s′ 30 mm
DA = = 3,75 mm
8
Z = 8 ⋅ 30 = 15, 5
s
F1
F2 somit ist das Glas 7 × 50 in der Dämmerung besser
geeignet.
Die Augenpupille ist maximal 8 mm im Durchmes-
ser, es hat also keinen Sinn, ein Fernrohr zu benutzen,
Bild VII-21 Fernglas bei dem DA > 8 mm ist.

Fernglas Photoapparat
Beim Fernrohr liegt der zu betrachtende Gegenstand Ein Photoapparat bildet – wie das Auge – den Ge-
sehr weit entfernt, es treten parallele Strahlen in das genstand auf einer lichtempfindlichen Schicht, dem
Linsensystem. Es gibt verschiedene Anordnungen, Film, ab. Das Objektiv besteht, um Linsenfehler zu
208
vermeiden, aus Vielfach-Linsensystemen. Im Gegen-
satz zum Auge muß für unterschiedliche Entfernun-
gen des Gegenstandes vom Objektiv der Abstand
Film– Objektiv variiert werden, um eine scharfe
Abbildung zu erreichen. Wie beim Auge kann die
einfallende Lichtmenge durch eine variable Blende
geregelt werden. Als technische Angabe für Objekti-
ve dient nach DIN 4521 das Verhältnis vom Durch-
messer der Eintrittsöffnung zur Brennweite
DE
relative Öffnung = (VII.27)
f
Steht z.B. auf einem Objektiv 1 : 2,8, f = 50 mm, so
bedeutet dies bei einer Brennweite von 50 mm eine
maximale Eintrittsöffnung von 17,85 mm. Der Kehr-
wert der relativen Öffnung ist die Blendenzahl k oder
kurz Blende.
f che von Lichtquellen das Licht ohne feste Phasenbe-
Blende k = (VII.28)
DE
Die nach DIN 4522 genormten Blendenzahlen sind:
1; 1,4; 2; 2,8; 4; 5,6; 8; 11; 16; 22. Sie sind so ge-
wählt, daß sich bei Vergrößerung der Blendenzahl um
einen Wert die Lichtintensität halbiert, daher ist der
Faktor zwischen benachbarten Blendenwerten 2.
3 Wellenoptik
Die Eigenschaften der Wellen sind bereits im Ab-
schnitt V besprochen worden, hier sollen spezielle
Eigenschaften der Lichtwellen dargestellt werden.
3.1 Interferenz
Bei Überlagerung von Wellen gleicher Frequenz
können sich die Wellen je nach Gangunterschied
auslöschen oder verstärken. Da Licht eine sehr kleine
Wellenlänge hat, ist dieser Effekt nicht so leicht zu
sehen. Außerdem braucht man zur Interferenz Licht
gleicher Wellenlänge und fester Phasenbeziehung j.
Normale Temperaturstrahler senden Licht nicht
kontinuierlich aus, sondern in räumlich begrenzten
Wellenpaketen. Zwei Wellenpakete, die von unter-
schiedlichen Orten einer Lichtquelle emittiert wur-
den, können nur dann interferieren, wenn sie zu
gleicher Zeit am Interferenzort eintreffen. Entschei-
dend für die Interferenzfähigkeit ist, daß die Wegdif-
G
L ren Medium ein Phasensprung von l/2 auftritt, kann
1 und 2 abgeleitet werden:
a 2
3
F l
A B C 2
n d
Bild VII-22
D E Interferenz
Physik
ferenz nicht länger als die Wellenzüge ist. Der größte
Gangunterschied, bei dem noch Interferenz möglich
ist, ist die Kohärenzlänge l. In Tabelle VII-4 sind
Kohärenzlängen einiger typischer Lichtquellen aufge-
listet.
Tabelle VII-4 Kohärenzlängen
Lichtquelle Kohärenzlänge
weißes Licht 1 – 2 mm
Spektrallampe 20 cm
Halbleiter-Laser 150 m
He-Ne-Laser 2 km
Da aber bei normaler Lichtemission einzelne Berei-
ziehung abstrahlen, müssen bei Interferenzversuchen
einige experimentelle Tricks angewendet werden.
Licht gleicher Frequenz und fester Phasenbeziehung
wird kohärentes Licht genannt. Sehr gut geeignete
Lichtquellen für Interferenzversuche stehen heutzuta-
ge durch die Laser zur Verfügung. Diese liefern
besonders scharf gebündelte Lichtstrahlen mit sehr
guter Kohärenz. Interferenzerscheinungen können in
speziellen Fällen auch im normalen Tageslicht beo-
bachtet werden, z.B. rühren die schillernden Oberflä-
chen von mit Öl bedecktem Wasser von Interferenz
her. Dies soll an einer dünnen Schicht erläutert wer-
den. In einer solch dünnen Schicht wird einfallendes
Licht an den Grenzflächen vielfach reflektiert, ein
Teil auch immer transmittiert. Die vom Beobachter
aufgenommenen Lichtstrahlen haben dann unter-
schiedliche Wegstrecken zurückgelegt. Da weißes
Licht einfällt, sind alle Wellenlängen vorhanden. Die
Interferenzbedingung für Auslöschung kann unter
einem festen Winkel nur für eine Wellenlänge erfüllt
sein, daher wird, wenn diese Farbe ausgelöscht wird,
aus dem weißen Licht farbiges Licht. Der Strahlen-
gang ist in Bild VII-22 dargestellt. Der von der Licht-
quelle L ausgehende Lichtstrahl wird im Punkt A teil-
reflektiert und trifft als Strahl 1 im Punkt G auf.
Ein Teil wird zum Punkt D gebrochen, dort teilreflek-
tiert und vom Punkt B als Strahl 2 ebenfalls nach G
gelenkt. Im Punkt G interferieren die Strahlen 1, 2,
3 . . . Der geometrische Gangunterschied zwischen
Strahl 1 und 2 beträgt AD + DB − AF , der optische
n ( AD + DB ) − AF . Mit Hilfe des Brechungsgesetzes
und der Tatsache, daß bei Reflexion an einem dichte-
für den Gangunterschied Δ zwischen den Strahlen 1
Δ = 2 d n 2 − sin 2 a − (VII.29)
Auslöschung tritt dann ein, wenn die Bedingung
VII Optik 209

2 d n 2 − sin 2 a = ( m + 1) l , m = 0, 1, 2, … (VII.30) und in dieser bestimmten Richtung herrscht Dunkel-

heit. Auslöschung tritt immer dann auf, wenn die
erfüllt ist. Beugung am Spalt Bedingung

3.2 Beugung ml
sin a min = , m = 1, 2, 3, … (VII.31)
b
Fällt auf eine Öffnung ein Bündel aus parallelem
monochromatischem Licht, so ist hinter der Öffnung erfüllt ist. Es kann gezeigt werden, daß die Intensität
auch in den Bereichen, die im geometrischen Schat- in einer bestimmten Richtung hinter einem Spalt nach
tenbereich liegen, Lichtintensität zu beobachten. der Formel
Diese Lichtbeugung läßt sich ebenfalls nur mit Hilfe
πb
der Wellennatur des Lichtes erklären. Bei Lichtwel- sin 2 ⎛⎜ sin a ⎞⎟
len ist in der Regel die Öffnung größer als die Wel- ⎝ l ⎠
I a Spalt = I 0 2
(VII.32)
lenlänge des eingestrahlten Lichtes. ⎛ π b sin a ⎞
⎜ ⎟
⎝ l ⎠
Spalt
berechnet werden kann. Im Bild VII-24 ist diese
Intensitätsverteilung aufgetragen.
1 Die Maxima liegen näherungsweise in der Mitte
2 zwischen zwei Nullstellen, für sie gilt
Maxima Beugungsbild
b 5 a
6
sin a max ≈ ⎛⎜ m + ⎞⎟ ,
1 l
m = 1, 2, 3, … (VII.33)
a ⎝ 2⎠ b
Δ Die Beugung am Spalt liefert keine sehr scharfen
Bild VII-23 Intensitätsmaxima.
Beugung am Spalt
Gitter
I Ein optisches Gitter ist eine Anordnung von vielen
gleichen Spalten. Zur Interferenz gelangen jetzt
Ia einmal die Strahlen aus einem Spalt, aber auch Strah-
I0 len aus benachbarten Spalten (s. Bild VII-25). Das
Beugungsbild hat jetzt ebenfalls Maxima und Mini-
0,5 ma, die Schärfe hängt von den Größen b und g ab,
aber auch davon, wieviele Strahlen p zur Interferenz
gelangen, d.h., wieviele Spalte beleuchtet werden.
Die Hauptmaxima, das sind die Maxima, die durch
Interferenz aus benachbarten Spalten entstehen,
0
–10 –5 0 5 10 liegen so, daß die Bedingung
p b sina
l ml
sin a max = , m = 0, 1, 2, … (VII.34)
Bild VII-24 Intensitätsverteilung hinter einem Spalt g

Als Öffnung wird ein Spalt der Breite b betrachtet. erfüllt ist. Die gesamte Intensitätsverteilung ist eine
Jeder Punkt des Spaltes, der von dem einfallenden Funktion, die aus Überlagerung von Interferenz am
Licht getroffen wird, ist nach dem Huygensschen einzelnen Spalt und aus benachbarten Spalten ent-
Prinzip (siehe Abschnitt 1) Ausgangspunkt einer steht. Sie lautet: Beugung am Gitter
Elementarwelle. Die von den einzelnen Punkten
ausgehenden Strahlen haben gegeneinander unter-
schiedliche Gangunterschiede. Wenn der Gangunter-
schied zwischen den beiden Randstrahlen genau l
beträgt, ist der Gangunterschied zwischen einem
Randstrahl und dem Mittenstrahl, also z.B. Strahl 1
b
und Strahl 5, l/2, und diese beiden Strahlen löschen g
sich aus. Aber auch zwischen 2 und 6 besteht dann
der Gangunterschied l/2, und diese beiden löschen
sich ebenfalls aus. So läßt sich in diesem Fall zu a
jedem Strahl immer ein anderer mit dem Gangunter- Bild VII-25
schied l/2 finden, somit löschen sich alle Strahlen aus Δ Beugung am Gitter
210 Physik

pg π Ist die Ausbreitungsrichtung des Lichtes die z-Rich-

sin 2 ⎛⎜ sin a ⎞⎟ 
die x-
⎝ l ⎠ tung, die Schwingungsrichtung des E -Vektors
I a Gitter = I a Spalt ⋅ (VII.35) Richtung, dann schwingt der H -Vektor in y-Richtung.
π
sin 2 ⎛⎜ sin a ⎞⎟
g
Die in Bild VII-26 eingezeichneten Linien im Polari-
⎝ l ⎠
sator geben die Durchlaßrichtung an; diese steht
Die Lage der Maxima ist von der Wellenlänge ab- senkrecht auf den Molekülketten.
hängig, somit können Gitter zur Trennung von ver-
schiedenen Wellenlängen bzw. Farben verwendet
werden, indem hinter dem Gitter durch geeignet
angebrachte Blenden bis auf einen Wellenlängenbe- ap
reich Δl das Licht ausgeblendet wird. Dies wird in Luft
Gittermonochromatoren angewendet.
90°C
Glas n
Polarisation Bild VII-27
Da Licht eine elektromagnetische Transversalwelle Polarisation
ist, ist es möglich, die Schwingungsrichtung so zu be-
 durch Reflexion
einflussen, daß der elektromagnetische Feldvektor E
nur in einer Ebene schwingt. Da der  magnetische
Feldvektor H immer senkrecht zum E -Vektor steht, Auch durch Reflexion an einer Glasplatte kann Licht
schwingt auch dieser in einer Ebene. Solch ein Licht linear polarisiert werden. Durch den einfallenden und
wird linear polarisiertes Licht genannt. Erzeugen reflektierten Strahl wird eine Ebene festgelegt, die
kann man linear polarisiertes Licht u.a. durch Polari- Einfallsebene. Fällt natürliches Licht unter einem
sationsfilter. Dies sind Filter, in denen lange organi- bestimmten Winkel, dem Brewsterscher Winkel oder
sche Molekülketten liegen. In Richtung der Ketten auch Polarisationswinkel ap, auf die Glasplatte, so
kann dem einfallenden natürlichen Licht durch Ener- fehlt dann im reflektierten Strahl eine Schwingungs-
gieübertragung an die Elektronen in den Molekül- ebene, und zwar die Ebene parallel zur Einfallsebene.
ketten Energie entzogen werden, diese Schwingungs- Dies ist dann der Fall, wenn reflektierter und gebro-
richtung fehlt dann im Licht hinter dem Filter. Da chener Strahl senkrecht zueinander stehen. Für den
jede Schwingungsrichtung als vektorielle Summe von Polarisationswinkel gilt:
sin a p = n ⋅ sin ( 90  − a p )
zwei ausgezeichneten senkrecht zueinander stehenden
(VII.38)
Richtungen zusammengesetzt werden kann, liegt bei
Fehlen einer dieser beiden Richtungen nur noch eine sin a p = n ⋅ cos a p (VII.39)
Schwingungsrichtung in einer Ebene vor. Trifft Licht
der Intensität I0 auf einen solchen Polarisator P, so Polarisationswinkel n = tana p (VII.40)
wird die Intensität nach dem Polarisator IP halbiert,
da ja eine Schwingungsrichtung fehlt. Das reflektierte Licht ist dann senkrecht zur Einfalls-
I ebene linear polarisiert. Dieser Effekt wird z.B. in der
IP = 0 (VII.36) Fotografie benutzt, um störende Reflexionen zu
2
unterdrücken: Durch ein Polarisationsfilter vor dem
Wird dieses linear polarisierte Licht durch ein zweites Kameraobjektiv (Analysator) kann die linear polari-
Polarisationsfilter A (Analysator) geschickt, so ist die sierte reflektierte Intensität durch richtige Drehung
Intensität hinter dem Analysator abhängig von der des Analysators beeinflußt werden.
Verdrehung des Analysators gegen den Polarisator.

f 4 Photometrie
z
In der geometrischen Optik wird allein die Frage nach
Abbildungen und Strahlengängen untersucht, nicht
y
aber Größen wie Lichtintensität, Helligkeit oder
Strahlleistung. Diese Begriffe werden in der Photo-
A metrie definiert und angewendet. Dabei interessiert
die gesamte Strahlungsleistung sowie deren räumli-
x che und spektrale Verteilung. In der objektiven Pho-
P tometrie wird die Strahlungsleistung mit einem Me-
ßinstrument gemessen, die Größen erhalten den Index
Bild VII-26 Linear polarisiertes Licht „e“ (energetisch). Wird die Strahlungsleistung mit
Intensität hinter dem Analysator dem Auge bewertet, spricht man von subjektiver
Photometrie, und die Größen erhalten den Index „v“
I A = I P ⋅ cos 2 j (VII.37) (visuell).
VII Optik 211

4.1 Strahlungsphysikalische Größen Sender – Empfänger groß und ist die Empfängerfläche
klein, so kann der Empfänger als ebene Fläche aufge-
Unter Licht wird die elektromagnetische Strahlung im
faßt werden. Die in den folgenden Formeln benötig-
Wellenlängenbereich von 380 nm bis 780 nm ver-
ten Winkel sind die zwischen der Flächennormalen
standen. Die Begriffe sind in der DIN 5031 fest-
und der Strahlrichtung. Der Sender hat die Fläche A1,
gelegt. Es gibt verschiedene Effekte, Strahlungsener-
der Empfänger A2. Der schraffiert eingetragene
gie in andere Energieformen umzuwandeln und so
Raumwinkel ist
der Messung zugänglich zu machen, z.B. Erwärmung,
Änderung des Widerstandes von Halbleitern oder A2 ⋅ cos e 2
W= ⋅ W0 (VII.45)
Entstehung eines Photostromes in Photodioden. Die r2
auf einen Detektor treffende Strahlungsleistung Qe,
auch Strahlungsfluß oder Lichtstrom genannt, ist die Der Faktor A2 ⋅ cos e2 gibt die wirksame senkrecht zur
pro Zeiteinheit Δt auftreffende Strahlungsenergie Strahlrichtung stehende Fläche an. Ein Sender strahlt
ΔQe die Strahlstärke Ie ab. Die Einheit der Strahlstärke Ie
W
Strahlungsleistung ist 1 . Für die gesamte vom Empfänger aufge-
sr
Δ Qe Fe ΔQe Δ t nommene Strahlungsleistung gilt dann:
Fe = (VII.41)
Δt W J s
Strahlungsleistung
Fe I e W
e2 Fe = I e ⋅ W (VII.46)
W W/sr sr
A2
Die gesamte vom Sender in einen bestimmten
Raumwinkel ausgesendete Strahlstärke und somit der
e1 Strahlungsfluß hängt von der wirksamen Fläche von
r
A1 und von der pro Flächeneinheit ausgesendeten
A1
Strahlleistung, der Strahldichte Le, ab.
Strahldichte
Bild VII-28 Raumwinkel Le Fe A W
Fe
Le = (VII.47)
Die Strahlungsleistung, die auf einen Empfänger AW W/(m 2 sr) W m 2 sr
trifft, hängt bei konstantem Sender von der Fläche Strahlstärke
des Empfängers, von der Richtung der Empfängerflä-
Ie Le A
che und vom Abstand vom Sender ab. Da die Strah- I e ( e1 ) = L e A1 cos e1 (VII.48)
lung sich räumlich ausbreitet, ist der Raumwinkel ein W/sr W/(m 2 sr) m 2
Maß für den erfaßten Bereich. Zur Definition des
Raumwinkels kann man sich eine punktförmige Die Strahlstärke als Funktion des Abstrahlungswin-
Lichtquelle im Zentrum einer Kugel vorstellen. Die kels wird oft in Datenblättern angegeben. In Bild
gesamte Strahlungsleistung verteilt sich auf die ge- VII-29 sind im Polardiagramm für zwei unterschied-
samte Kugeloberfläche. Wird eine Teilfläche A be- liche Strahlertypen die Strahlcharakteristik darge-
strahlt, so ist der zugehörige Raumwinkel W nach der stellt, Kurve b ist die einer Leuchtdiode mit starker
Gleichung Vorwärtsstrahlung, Kurve a gehört zu einem Strahler
mit konstanter Strahldichte Le, einem sogenannten
A W A r2 Lambert-Strahler. Für diesen gilt
Raumwinkel W= (VII.42)
r2 sr m 2 m 2 Lambertsches Gesetz
definiert. I e ( e1 ) = I e ( e 0 ) ⋅ cos e1 (VII.49)
Der Raumwinkel ist dimensionslos, aber der Deut-
lichkeit halber wird er in der Einheit 1 sr, 1 Steradi- Zu diesem Strahlertyp gehören alle Körper mit rau-
ant, angegeben. hen, diffus reflektierenden Flächen. Sie erscheinen
aus allen Richtungen gleich hell.
A Für die auf den Empfänger treffende Strahlungs-
W= ⋅ W0 (VII.43)
r2 leistung gilt dann unter Zusammenfassung aller
bisherigen Gleichungen:
mit W0 = 1 sr. Da die Kugeloberfläche O = 4pr2 ist,
gilt für den gesamten Raumwinkel: A1 cos e1 A2 cos e 2
Fe = L e W0 (VII.50)
4 πr 2 r2
gesamter Raumwinkel Wmax = 2 = 4 π sr (VII.44)
r Unter der spezifischen Ausstrahlung wird die pro
Streng genommen gilt diese Definition für eine ku- Flächeneinheit emittierte Strahlungsleistung defi-
gelförmige Empfängerfläche. Ist jedoch der Abstand niert:
212 Physik

a Boltzmann-Konstante
0° b k = 1, 381 ⋅ 10 −23 J K (VII.58)
45° Ein typischer Verlauf ist in Bild VII-30 dargestellt.
100%
Es sind hier die prinzipiellen Kurvenverläufe für drei
Temperaturen dargestellt, wobei T1 > T2 > T3 ist. Das
90° Maximum der spektralen Strahldichte lmax verschiebt
60% sich mit höheren Temperaturen zu kleineren Wellen-
längen entlang der gestrichelt gezeichneten Hyperbel.
Bild VII-29 Strahlcharakteristik
Es gilt das
Wiensche Verschiebungsgesetz:

Me =
Fe
= L e cose1W (VII.51) lmax ⋅ T = const = 2898 mmK (VII.59)
A1
Betrachtet man nicht die spektrale Strahldichte,
Auf der Empfängerseite ist die Bestrahlungsstärke Ee, sondern die insgesamt von einem schwarzen Strahler
der auf die Empfängerfläche bezogene Strah- ausgesendete Leistung, so gilt das Stefan-Boltzmann-
lungsfluß, wichtig. sche Gesetz:
Fe
Ee = (VII.52) Le,λ
A2
T1
Ist die Strahlung über einem größeren Wellenlängen-
bereich vorhanden, so werden spektrale Größen zur
Beschreibung nötig sein. Dies wird durch den Index l
gekennzeichnet, so ist z.B. die spektrale Strahlungs- T2
dichte durch Le, l gekennzeichnet und definiert durch
T3
spektrale Strahldichte
ΔL e L e, l ΔL e Δl l
L e, l = (VII.53)
Δl W/(m 2 sr nm) W/(m 2 sr) nm Bild VII-30 Schwarzer Strahler
Le, l ist also die im Wellenlängenintervall Δl emittier-
te Strahldichte ΔLe. Besonderes Interesse hat die Me (T ) = s ⋅T 4 (VII.60)
spektrale Verteilung der Wärmestrahlung von Kör-
pern. Jeder Körper sendet Wärmestrahlung aus, deren mit der Konstanten
spektrale Verteilung (also deren Farbe) von der W
Temperatur abhängt. Für einen idealisierten Körper, s = 5 , 670 ⋅ 10 −8 (VII.61)
m2 K 4
nämlich einen solchen, der alle auftreffende Strah-
lung vollständig absorbiert, kann die spektrale Strahl-
dichte berechnet werden. Diese Körper werden 4.2 Lichttechnische Größen
schwarze Körper genannt. Für diese Körper gilt die Werden Strahlungen nicht mit objektiven Instrumen-
Plancksche Strahlungsformel für die Temperaturab- ten, sondern mit dem Auge beurteilt, so muß die
hängigkeit der Strahldichte: spektrale Lichtempfindlichkeit des Auges berück-
Plancksche Strahlungsformel sichtigt werden. Strahlen z.B. eine rote und eine
c1 1 1 grüne Lichtquelle mit gleicher Strahlungsleistung, so
L e, l ( l , T ) = ⋅ ⋅ (VII.54) empfindet das Auge die grüne Quelle ca. 16mal
l5 e c 2 l T − 1 W0 heller. Das Auge hat sich im Lauf der Entwicklung
Die Konstanten c1 und c2 hängen mit der Lichtge- dem Sonnenlicht angepaßt, und somit für Grün die
schwindigkeit c und einer weiteren Naturkonstanten, größte Empfindlichkeit entwickelt. Die Augenemp-
dem Planckschen Wirkungsquant h und der Boltz- findlichkeit ist bei Tageslicht eine andere als bei
mann-Konstante k zusammen: Nacht, hier ist sie zu kleineren Wellenlängen, also zu
Blau hin, verschoben. Die Augenempfindlichkeit für
c 1 = 2 h c 2 = 1,191 ⋅ 10 −16 Wm 2 (VII.55) Tageslicht wird mit dem Hellempfindlichkeitsgrad
2
V(l) und die für Nachtlicht mit V ′(l) bezeichnet. Bei
hc Tageslicht sind die Zäpfchen (photopische Anpas-
c2 = = 1, 439 ⋅ 10 − 2 mK (VII.56)
k sung), bei Nachtsehen die Stäbchen (skoptopische
Plancksches Wirkungsquant Anpassung) angesprochen. Wird mit dem Lichtstrom
Fv der Helligkeitseindruck bezeichnet, so gilt bei
h = 6 , 626 ⋅ 10 −34 Js (VII.57) einfarbigen Lichtquellen:
VII Optik 213

Fv = K m Fe V ( l ) (VII.62) schaften des Lichtes verstanden waren. Nach der

Wellentheorie ist es zwar ebenfalls möglich, daß eine
Die Konstante Km wird als Maximalwert des photo- Lichtwelle aus einem Metall Elektronen herausschla-
metrischen Strahlungsäquivalents bezeichnet. Sie ist gen kann, nur muß dann die Bewegungsenergie der
in einer noch zu definierenden Einheit: Elektronen im Vakuum von der Intensität des einge-
lm strahlten Lichtes abhängen. Gemessen wurde aber,
K m = 683 (1 lm = 1 Lumen) (VII.63)
W daß die Energie der Elektronen von der Frequenz des
Diese Größe ist mit der SI-Einheit Candela (s. Ab- Lichtes abhängt. Die Aussage der Quantenphysik ist,
schnitt I) verknüpft. Licht mit der Frequenz daß jedem Materie-Teilchen eine Welle und jeder
f = 540 ⋅ 1012 Hz hat eine Wellenlänge von 555 nm. Welle ein Materie-Teilchen zugeordnet werden kann.
Der Hellempfindlichkeitsgrad V(555) = 1, somit gilt Diese Lichtquanten heißen Photonen. Die Photonen
für die Lichtstärke 1 Candela: haben die Eigenschaft, daß sie sich im Vakuum mit
1 W Lichtgeschwindigkeit bewegen, eine Bewegungs-
I v = 1 cd = K m I e = K m (VII.64) energie und eine Bewegungsgröße oder auch Impuls
683 sr haben. Der Zusammenhang zwischen beiden Betrach-
und damit der o.a. Wert für Km. Als abgeleitete Ein- tungsweisen erfolgt über die Grundgleichungen
heiten sind für den Lichtstrom das Lumen
1 lm = 1 cd sr und für die Beleuchtungsstärke Ev das Energie W = h⋅ f (VII.65)
Lux 1 lx = 1 lm/m2 erlaubt. hc
W= (VII.66)
 Beispiel: Welchen Lichtstrom empfängt eine 20 cm × 30 cm große
l
Fläche, auf die das Licht einer 2,40 m entfernten punktförmigen h
Lichtquelle von 80 cd senkrecht auftrifft?
Impuls p= (VII.67)
l
Lösung:
A 0,2 m ⋅ 0,3 m h ist das Plancksche Wirkungsquant, W und p sind
Raumwinkel W= = = 0,0104 sr
r2 ( 2,4 m ) 2 Energie und Impuls, die Teilchengrößen f und l sind
Fv = I e ⋅ W = 80 cd ⋅ 0,0104 sr = 0,833 lm
Frequenz und Wellenlänge des Lichtes, also die
Wellengrößen. Trifft nun eine Lichtwelle der Fre-
 Beispiel: Welche Lichtstärke Iv muß eine Lichtquelle haben, quenz f auf eine geladene Metallplatte, so kann das
damit an einem r = 1,5 m entfernten Arbeitsplatz die Beleuch- entsprechende Photon die Energie W an die Elektro-
tungsstärke Ev = 500 lx beträgt?
nen des Metalls abgeben. Ist die Energie groß genug,
E v r 2 500 lx ⋅ ( 1,5 m )
2
um ein Metallelektron aus der Metalloberfläche
Lösung: Iv = = = 1125 cd
W0 1 sr herauszuschlagen, so wird das Metall entladen. Dazu

Tabelle VII-5 Photometrische Größen

Strahlungsphysikalische Größen Lichttechnische Größen

Größe Zeichen Einheit Größe Zeichen Einheit
Strahlungsenergie Qe Ws Lichtmenge Qv lm s
Strahlungsleistung Fe W Lichtstrom Fv lm
2
spez. Ausstrahlung Me W/m spez. Lichtausstrahlung Mv lm/m2
Strahlstärke Ie W/sr Lichtstärke Iv cd = lm/sr
Strahldichte Le W/(m2 sr) Leuchtdichte Lv cd/m2
Bestrahlungsstärke Ee W/m2 Beleuchtungsstärke Ev lx = lm/m2
Bestrahlung He Ws/m2 Belichtung Hv lx s

5 Licht als Korpuskel
Trifft Licht auf eine negativ geladene Metallplatte, so
können unter geeigneten Bedingungen Elektronen
ausgelöst werden. Dieser Effekt ist der Photoeffekt
oder auch lichtelektrische Effekt. Entdeckt wurde
dieser Effekt bereits 1887, richtig erklärt konnte er
aber erst werden, nachdem die Korpuskel-Eigen-
ist es notwendig, daß das Photon eine Mindestenergie
hat, nämlich die Energie, die benötigt wird, um ein
Elektron aus dem betreffenden Material austreten zu
lassen. Diese Energie heißt Austrittsenergie oder
Austrittsarbeit. Die Bewegungsenergie des Elek-
trons im Vakuum ist dann gleich der Energie des
eingestrahlten Lichtes, vermindert um die Austritts-
arbeit.
214 Physik

Wkin = h ⋅ f − WA (VII.68) Tabelle VII-6 Austrittsarbeit

Der Photoeffekt ist erst dann bemerkbar, wenn das Metall WA in eV λGr in nm
Licht eine Grenzenergie oder Grenzfrequenz fGr bzw.
Grenzwellenlänge lGR hat. Die hier gebräuchliche W 5,0 248
Einheit der Energie ist das Elektronenvolt. Ni 4,6 270
Aus der Definition der Energie in der Elektrotechnik Ag 4,5 275
Au 5,4 229
elektrische Energie Wel = Q ⋅ U (VII.69) Cu 4,6 270
ist die Energie einer Ladung abhängig von der Span- Cs 2,0 620
nung, mit der sie beschleunigt wurde. Die Ladung Cs auf W 1,35 920
eines Elektrons ist die Elementarladung:
e 0 = 1,602 ⋅ 10 −19 As (VII.70) Dabei ist die Austrittsarbeit in eV anzugeben, die
Wellenlänge wird in nm berechnet. Da die Ladungs-
Wird dieses Elektron mit der Spannung 1 V be-
träger ins Vakuum austreten, nennt man diesen Effekt
schleunigt, so hat es die Energie:
auch den äußeren Photoeffekt. Daneben gibt es noch
Wkin = e 0 ⋅ U (VII.71) den inneren Photoeffekt. Hierbei wird ebenfalls die
Wkin = 1, 602 ⋅ 10 −19
Ws (VII.72) Energie der einfallenden Photonen an Elektronen ab-
gegeben, nur treten diese z.B. bei Phototransistoren,
1 eV = 1,602 ⋅ 10 −19 Ws (VII.73) Photodioden oder Photowiderständen nicht ins Va-
Die Austrittsarbeit hängt vom Material und von der kuum, sondern werden im Festkörper auf andere
kristallographischen Orientierung der Oberfläche ab. Energiezustände gehoben und verändern somit die
Typische angenäherte Werte sind in Tabelle VII-6 Leitfähigkeit des Bauteils.
angegeben.
Die Grenzwellenlänge errechnet sich nach (VII.66) Literaturhinweise
zu
Grenzwellenlänge [1] Hering, E.; Martin, R.; Stohrer, M.: Physik für
Ingenieure: Springer, 2007
hc
lGr = (VII.74) [2] Meschede, D. (Hrsg.): Gerthsen Physik: Sprin-
WA ger, 2006
6 , 627 ⋅ 10 −34 Js ⋅ 3 ⋅ 10 8 m s 1 [3] Böge, A.; Eichler, J.: Physik: Vieweg, 2005
lGr = ⋅ (VII.75) [4] Lindner, H.: Physik für Ingenieure: Fachbuchver-
1, 602 ⋅ 10 −19 J eV WA
lag Leipzig im Carl-Hanser-Verlag, 2006
1 [5] Dobrinski, P.; Krakau, G.; Vogel, A.: Physik für
lGr = 1241 ⋅ ( lGr in nm, WA in eV ) (VII.76)
WA Ingenieure: Teubner, 2007
VIII Anhang 215

VIII Anhang

A Physikalische Größen und Einheiten

Tabelle VIII-1 Abgeleitete Größen

Bezeichnung Symbol Einheit

kg m 2
Arbeit, Energie W 1 J = 1 Nm = 1 Ws = 1
s2
Beleuchtungsstärke E 1 Lux = 1 lx
m
Beschleunigung a 1
s2
Bewegungsgröße kg m
Impuls p 1
s

Massendichte r kg
1
m3

Drehimpuls L kg m 2
1
s
kg m 2
Drehmoment M 1 Nm = 1
s2
N kg
Druck p 1 Pa = 1 =1
m2 m s2
N kg
Elastizitätsmodul E 1 2
=1
m m s2
1
Frequenz f = 1 Hz
s
m
Geschwindigkeit v 1
s
kg m
Kraft F 1 N =1
s2
kg m 2
Leistung P 1 W =1
s3
Lichtstrom F 1 Lumen = 1 lm = 1 cd sr
Raumwinkel W 1 Steradiant = 1 sr
J m2
spez. Wärmekapazität c 1 =1 2
kg K s K
Trägheitsmoment J 1 kg m 2

w 1
Winkelgeschwindigkeit
s
216 Physik

B Zahlenwerte physikalischer Größen

Tabelle VIII-2 Naturkonstanten

Avogadro-Konstante NA 6,022 136 7 ⋅ 1023 mol–1

Boltzmann-Konstante
elektrische Feldkonstante
Elementarladung
Gravitationskonstante
Lichtgeschwindigkeit im Vakuum
magnetische Feldkonstante
Plancksches Wirkungsquantum
Ruhemasse des Elektrons
Ruhemasse des Protons
Stefan-Boltzmann-Konstante
universelle Gaskonstante
k 1,380 658 ⋅ 10–23 J/K
e0 8,854 187 8 ⋅ 10–12 As/(Vm)
e 1,602 18 ⋅ 10–19 As
g 6,672 59 ⋅ 10–11 Nm2/kg2
c 2,997 924 58 ⋅ 108 m/s
m0 4p ⋅ 10–7 (Vs)/(Am)
h 6,626 07 ⋅ 10–34 Js
m0e 9,109 389 7 ⋅ 10–31 kg
m0P 1,672 623 1 ⋅ 10–27 kg
s 5,670 51 ⋅ 10–8 W/(m2 K4)
R 8,314 41 J/(mol K)

Nach dem von K. von Klitzing 1980 entdeckten h

quantisierten Halleffekt (Nobelpreis 1985) läßt sich R= , i = 1, 2, 3, … (VIII.1)
auch für den elektrischen Widerstand R aus Natur- i e2
konstanten eine exakte Basisgröße bestimmen. R = 25 812 , 8 W (VIII.2)

Tabelle VIII-3 Zahlenwerte

m3
Molvolumen idealer Gase 22 , 413 83 ⋅ 10 − 3
mol
Radius der Erde, Äquators rE = 6378 km
Radius der Erde, Pole rP = 6356 km

Masse der Erde m E = 5, 977 ⋅10 24 kg

Masse des Mondes m M = 7 , 35 ⋅ 10 22 kg
Entfernung Erde – Mond 384,4 ⋅ 10 3 km
Entfernung Erde – Sonne 149, 6 ⋅ 10 6 km
m
Erdbeschleunigung g = 9, 806 65
s2
Tripelpunkt des Wassers TTr = 273,16 K

kg
Dichte der Luft rLuft = 1, 2928
m3
Absolute Temperatur −273,15 °C
Normaldruck p 0 = 1, 013 25 ⋅ 10 5 Pa
 217

Werkstoffkunde
I Stoffe
1 Eigenschaften der Stoffe
Der Begriff des Stoffes entstammt der Chemie, ist aber
für den technischen Gebrauch als Werkstoff auf die
praktisch nutzbaren Stoffe begrenzt. Die Anforderun-
gen an die Eigenschaften eines Werkstoffes und ihre
praktische Erfüllung bestimmen dann seine Nutzbar-
keit. In der Elektrotechnik erscheint die Antwort hierzu
recht einfach: Da „nur“ elektrische und magnetische
Felder auftreten können, müßten elektrische und magne-
tische Eigenschaften ausreichen. Elektrische und be-
sonders auch magnetische Vorgänge führen aber dazu,
daß ein zusätzliches Anforderungsprofil entsteht, wie
es in der Mechanik üblich ist (Tabelle I-1).

Tabelle I-1 Beanspruchung von Werkstoffen (prinzipielle Übersicht)

Bereich Beanspruchungen
Mechanik Kräfte z.B. Zug, Druck, Torsion
Korrosion z.B. Feuchtigkeit, (elektro-)chemische Prozesse
Temperatur z.B. Hoch- und Tieftemperatur-Prozesse
Elektrik Felder z.B. Stromfluß, Magnetisierung, dielektrische Verschiebung
Kräfte z.B. Zug, Druck, Torsion
Korrosion z.B. Feuchtigkeit, (elektro-)chemische Prozesse
Temperatur z.B. Hoch- und Tieftemperatur-Prozesse

Dem Anforderungskatalog stehen die Eigenschaften
der, vorzugsweise festen, Werkstoffe gegenüber
(Tabelle I-2). Für die Praxis müssen diese Eigen-
schaften durch meßbare Größen charakterisiert wer-
den, um die richtige Auswahl treffen zu können.
Wegen ihrer Grundeigenschaften elektrische Leitfä-
higkeit und hohe Festigkeit bei guter Verformbarkeit
nehmen die Metalle eine Sonderstellung unter den
Werkstoffen ein. Darüber hinaus sind von den z.Z.
bekannten 104 Elementen die meisten Metalle. Nur
15 Elemente zählen zu den Nichtmetallen, und unge-
fähr 8 Elemente fallen unter die heute besonders
interessanten Halbmetalle oder Übergangselemente.
Andererseits soll nicht verkannt werden, daß die
Chemie eine Vielzahl von „maßgeschneiderten“
Sonderwerkstoffen geschaffen hat.

Tabelle I-2 Eigenschaftsanforderungen an Materialien bei verschiedenen Einsatzgebieten (Auswahl)

Gebiet Eigenschaften
Physik Dichte, Schmelzpunkt, Siedepunkt, Wärmedehnzahl, Wärmeleitfähigkeit usw.
Chemie Atomgewicht, Wertigkeit, Affinität, Korrosionsbeständigkeit usw.
Mechanik Härte-, Zug-, Druck-, Biege-, Torsions-, Dauerfestigkeit usw.
Elektrik Elektrische und magnetische Leitfähigkeit, Permittivität, Permeabilität, Remanenz usw.
Technologie Biege-, Härte-, Schweiß-, Löt-, Gieß-, Platifizier-, Tiefziehbarkeit usw.

2 Atombau und Periodensystem
Stoffe, die sich auf chemischem Wege nicht weiter in
andere Stoffe zerlegen lassen, nennt man Elemente.
Die kleinsten, noch mit den charakteristischen Eigen-
schaften eines Elementes ausgestatteten Teilchen hei-
ßen Atome. Sie bestehen aus dem Atomkern mit Pro-
tonen und (Ausnahme Wasserstoff) Neutronen und
der Atomhülle mit Elektronen, daher auch Elektro-
nenhülle. Die Massen der Atome liegen im Bereich
von 10–22 ... 10–24 g, die Durchmesser bei 10–9 ...
10–10 m (Lichtwellenlänge ungefähr 500 ⋅ 10–9 m).
Protonen und Neutronen haben fast die gleiche Masse
von 1,67 ⋅ 10–24 g. Das Neutron hat keine elektrische
Ladung. Das Proton hat mit 1,6 ⋅ 10–19 As (Ampere-
sekunden) die gleiche Ladung wie das negative Elek-
tron, jedoch mit positivem Vorzeichen. Die Ruhe-
masse des Elektrons ist mit 9,1 ⋅ 10–28 g ver-
schwindend gegenüber der Protonen- oder Neutro-
nenmasse.
Die Anordnung dieser Materieteilchen wird im Bohr-
schen Atommodell als kugelförmiger Kern mit Proto-
nen, Neutronen und Kugelschalen für die Elektronen
beschrieben. Nach dem genaueren Orbitalmodell be-
wegen sich die Elektronen auf komplizierten Bahnen,
wie sie durch räumliche Schwingungen vorgegeben
218
werden (dreidimensionaler Oszillator). Daraus resul-
tieren Aufenthaltsräume mit hoher Besetzungswahr-
scheinlichkeit und bestimmter Orientierung (Bild I-
1a ... c). Die Orbitale entstehen bei der räumlichen
Schwingung durch Knotenflächen in Form konzentri-
scher Kugeln (Bild I-1a und b) und räumlicher Kno-
tenflächen, die durch (gedachte) Schnittflächen (Bild
I-1c) die Schwingungsbereiche in räumliche Bezirke,
Orbitale (engl.: orbit = Planetenbahn) aufteilen. In
jedem Orbital können dann wieder 2 Elektronen
schwingen, die sich nach Pauli durch ihre Eigenrota-
tion (Spin) voneinander unterscheiden.
z z
x x
y 1s y 2s
a) b)
z (gemessen in Elektronenvolt = eV mit 1 eV =
z z
x x x
2p
y y y Atome – von den Edelgasen abgesehen – zu chemi-
c)
1s 2s 2p
K- L-Schale
d)
Bild I-1 Orbitalmodell
a) 1s-Zelle (K-Schale). Besetzung mit 2 Elektronen
möglich
b) 2s-Zelle (L-Schale, teilw.). Die Kugel ist innen
von einer Knotenfläche begrenzt (Hohlkugel),
2 Elektronen möglich
c) 2p-Zelle (L-Schale, forts.) mit den möglichen
3 × 2 Elektronen und jeweils einer (gedachten)
Trennwand in den 3 Ebenen
d) Neon als Beispiel 1s, 2s und 2p, d.h. K- und L-
Schale sind voll besetzt
Das dynamische Verhalten des gesamten Systems
rechtfertigt dann wieder die einfachere Betrachtung
als kugelförmige Atomhüllen (Bild I-1d) mit der
klassischen Bezeichnung der 7 möglichen „Schalen“
von K bis Q oder mit den sogenannten Hauptquan-
tenzahlen 1 bis 7. Ihnen werden auch die Haupt-
energieniveaus zugeordnet. Die weitere Unterteilung
in Unterenergieniveaus oder „Zellengruppen“ erfolgt
durch die Nebenquantenzahlen, die mit den Buchsta-
ben s, p, d und f bezeichnet werden.
Werkstoffkunde
Den Spin, d.h. den Eigendrehimpuls der Elektronen,
kann man sich mechanisch als entgegengesetzte
Rotation, magnetisch als entgegengesetzte magneti-
sche Momente vorstellen. Für die bildhafte Darstel-
lung, wie z.B. in Bild I-1, benutzt man dazu gegen-
einander gerichtete Halbpfeile ( ). Ordnet man die
Elemente, repräsentiert durch die in der Chemie
üblichen Kurzzeichen, nach der Zahl der Protonen im
Kern und damit auch nach der Zahl der Elektronen in
der Außenhülle an, so gelangt man zum Periodensys-
tem der Elemente (PSE Bild I-2). Die Anordnung ist
so getroffen, daß nicht nur die Ordnungszahl (unter-
halb der Symbole) von oben nach unten zunimmt,
sondern auch die Energie. Ungefähr gleiche Energie-
stufen sind auf gleiche Höhe gesetzt. Durch Energie-
zufuhr können Elektronen auf höhere Energieniveaus
gebracht werden, die sie dann unter Energieabgabe,
z.B. Lichtemission, wieder verlassen. Werden ein
oder mehrere Elektronen durch Energiezufuhr voll-
ständig vom Atom entfernt, entstehen ionisierte
Atome oder Atomionen. Die Ionisierungsenergie
1,6 ⋅ 10–19 Ws), nimmt durch die Abschirmwirkung
der Schalen mit der Annäherung an den Atomkern
zu.
Durch den Austausch von Hüllelektronen sind die
schen Reaktionen fähig. Die hieran beteiligten Elekt-
ronen heißen Valenzelektronen. Aus einer Hülle
können bis zu 8 Elektronen abgegeben werden, das
verbleibende positive Atomion heißt Kation. Es
können aber auch bis zu 4 Valenzelektronen aufge-
nommen werden; das so entstandene Atomion heißt
Anion.
Die Ladung der Atomionen wird rechts oben am
Elementsymbol gekennzeichnet, z.B. H+, Al3+, Cl–,
S2– oder S– –. Die Metalle bilden nur positive Atom-
ionen, die Nichtmetalle vorzugsweise negative Atom-
ionen.
Unten rechts am Elementsymbol erscheint die Anzahl
der Atome (oder Ionen), z.B. H2O, H2SO4. In der
Isotopentechnik erscheinen auf der linken Seite der
Elementsymbole noch unten die Ordnungszahl (=
Protonenzahl) und oben die Massenzahl (= Nukleo-
nenzahl). So hat z.B. das Kohlenstoff(bezugs)isotop
für die Massenbestimmung mit der Ordnungszahl 6
und der Massenzahl 12 die Schreibweise 126C.
Das Periodensystem (Bild I-2) wird in Perioden
1 ... 7 entsprechend den 7 Schalen K ... Q senkrecht
und 8 Hauptgruppen, welche der Auffüllung der
jeweils äußersten Elektronenschale entsprechen,
waagerecht aufgeteilt (xa in der untersten Zeile von
Bild I-2) In den Nebengruppen werden jeweils die
zweit- und drittäußerste Schale aufgefüllt (xb in der
untersten Zeile von Bild I-2). Die Metalle, als Mehr-
zahl der Elemente, sind links und unten im PSE und
die Nichtmetalle rechts oben zu finden. Die Halbme-
talle wie etwa B, Si, As, Te usw., auch Übergangs-
elemente genannt, bilden die „Grenze“ (Bild I-3)
I Stoffe 219

Schalen-Bez.
Schalen-Nr.n
Periode-Nr.

s-Zelle

H He
I K 1 1 2
Li Be
L 2 p-Zellen (3)
3 4
II
B C N O F Ne
2 5 6 7 8 9 10
Na Mg
M 3 11 12
II
Al Si P S Cl Ar
3 13 14 15 16 17 18 d-Zellen (5)
K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn
N 4 19 20 3 21 22 23 24 25 26 27 28 39 30
IV
Ga Ge As Se Br Kr
4 31 32 33 34 35 36
Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd
O 5 37 38 4 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48
V
In Sn Sb Te I Xe
5 49 50 51 52 53 54 f-Zellen (7)
Cs Ba La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu
P 6
55 56 5 57 4 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71
Ht Ta W Re Os Ir Pt Au Hg
VI
72 73 74 75 76 77 78 79 80
Ti Pb Bi Po Al Rn
6 81 82 83 84 85 86
VII Q 7 Fr Ra Ac Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md Nb Lw
87 88 6 89 5 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103
1a 2a 3a 4a 5a 6a 7a 8a 3b 4b 5b 6b 7b 8b 1b 2b Lanthaniden und Actiniden

Bild I-2 Periodensystem der Elemente (PSE) mit Perioden Nr. I ... VII, Schalenbezeichnungen K ... Q, Schalen
Nr. n = 1 ...7, Hauptgruppen Nr. 1a ... 8a und Nebengruppen Nr. 1b ... 8b sowie den Lanthaniden und
Actiniden

1H 2 He
Wasser- Helium
I stoff

3 Li 4 Be 5B 6C 7N 8O 9F 10 Ne
II Lithium Beryl- Bor Kohlen- Stick- Sauer- Fluor Neon
lium stoff stoff stoff

11 Na 12 Mg 13 Al 14 Si 15 P 16 S 17 Cl 18 Ar
III Natrium Magne- Alumini- Silizium Phospor Schwefel Chlor Argon
sium um
PERIODEN

19 K 20 Ca 31 Ga 32 Ge 33 As 34 Se 35 Br 36 Kr
IV Kalium Calcium Gallium Germa- Arsen Selen Brom Krypton
nium

37 Rb 38 Sr 49 In 50 Sn 51 Sb 52 Te 53 I 54 X
V Rubi- Stronti- Indium Zinn Antimon Tellur Iod Xenon
dium um

55 Cs 58 Ba 81 Tl 82 Pb 83 Bi 84 Po 85 At 86 Rn
VI Caesium Barium Thallium Blei Wismut Polo- Astatin Radon
nium

1a 2a 3a 4a 5a 6a 7a 8a

HAUPTGRUPPEN

Bild I-3 Kurzform des Periodensystems der Elemente (nur Hauptgruppen)

Metalle Übergangselemente
Nichtmetalle Edelgase
220
In der Richtung von unten links nach oben rechts, d.h.
Metalle – Nichtmetalle steigt auch die Elektronegati-
vität. Es ist dies die (relative) Fähigkeit der Atome,
bei der Bindung Elektronen aufzunehmen.
3 Aufbau der festen Körper
Die in der Praxis besonders wichtigen festen Stoffe
basieren auf den Bindungskräften der Atomhüllen.
Die Ionenbindung, auch heteropolare Bindung ge-
nannt (Bild I-4a), kommt durch Ladungsaustausch
(Elektronen) zustande. Die Atomionen aus chemi-
schen Reaktionen führen zu starken Anziehungskräf-
ten und stabilen Konfigurationen. Typische Vertreter
sind demnach die anorganischen Verbindungen. Bei
der Atombindung, auch homöopolare Bindung oder
kovalente Bindung (Bild I-4b) genannt, haben be-
nachbarte Atome gemeinsame Elektronen(paare).
Diese Bindungsart ist typisch für nichtmetallische
Elemente und organische Verbindungen. Liegt eine
metallische Bindung vor (Bild I-4c), haben die Atome
ein Elektron abgegeben und stellen positive (Atom)-
Ionen dar. Die abgegebenen Elektronen sind als
bewegliche Leitungselektronen (Elektronengas) allen
Atomrümpfen gemeinsam zugeordnet. Diese Bin-
dungsart ist die Grundlage der elektrischen Leitfähig-
keit und typisch für alle Metalle. Die Van der Waals-
oder zwischenmolekulare Bindung wird durch die
Dipolbildung benachbarter Teilchen (Atome oder
Moleküle) bewirkt. Es ergeben sich daraus schwache
anziehende Kräfte (Bild I-4d).
– – – –
– – – –
– –
– – – –
– –
– – – –
a) b)
c) d)
Bild I-4 Bindungsarten
a) Ionenbindung oder heteropolare Bindung, z.B.
Na+Cl–
b) Atombindung, homöopolare oder kovalente Bin-
dung, z.B. Ge
c) metallische Bindung, z.B. Cu
d) Van der Waals- oder Molekülbindung, z.B. Ar
(kristallisiert)
Im allgemeinen überwiegt zwar die eine oder andere
Bindungsart, in der Praxis liegt jedoch immer eine
Werkstoffkunde
Kombination vor. Im Regelfall führen die Bindungs-
kräfte zu regelmäßigen, räumlich periodischen Struk-
turen der kleinsten Teile (Atome, Ionen oder Mole-
küle), den Kristallen. Stoffe, die nicht regelmäßig,
also nicht kristallin, aufgebaut sind, bezeichnet man
als amorph, das heißt gestaltlos.
Ein Kristall kann sehr klein, z.B. nur mikroskopisch
sichtbar, sein, dann spricht man von Kristallit oder
Korn. Die Zusammenlagerung vieler Kristallite liefert
dann erst ein größeres Gebilde, den Polykristall.
Kann ein Kristallit in den makroskopischen Bereich
wachsen, entsteht ein Einkristall. Die kleinste Ein-
heit, die bereits die Kristallstruktur aufweist und im
Kristall periodisch wiederkehrt, ist die Elementarzel-
le. Die räumlich regelmäßige Anordnung einer gro-
ßen Anzahl von Elementarzellen führt zum Raum-
oder Kristallgitter.
Mit der Kugelform der Atome wird der Aufbau der
Kristallgitter aus Elementarzellen eine Frage der
Anordnung von Kugeln im Raum. Die einfachste
Form ist die kubisch-primitive (kp) Elementarzelle,
ein Würfel, dessen Ecken mit sich berührenden „Ku-
geln“ besetzt ist (Bild I-5). Der Abstand längs einer
Würfelkante ist die Gitterkonstante a. Die vereinfach-
te Darstellung zeigt Bild I-6a. Ein zusätzliches Atom
in der Raummitte (Bild I-6b) führt zum kubisch-
raumzentrierten Gitter (krz). Wird auf jeder Flä-
chenmitte ein Atom eingefügt, entsteht das kubisch-
flächenzentrierte Gitter (kfz) (Bild I-6c). Die beiden
letztgenannten sind die häufigsten metallografischen
Gittertypen. Als hexagonale Struktur ist noch die
Elementarzelle mit der hexagonal dichtesten Packung
(hdp) (Bild I-6d) bedeutsam. Die Halbleiterwerk-
stoffe Germanium und Silizium kristallisieren in
Form eines Diamantgitters (dia) (Bild I-7). Die Ele-
mentarzelle des Diamantgitters ist kubisch-flächen-
zentriert mit einer tetraedrischen Unterstruktur.
a
Bild I-5 Kubisch primitive Elementarzelle (kp) als
Anordnung von Kugeln im Raum, a = Gitter-
konstante, d = Atom(kugel)durchmesser
Die idealisiert dargestellten Gitter sind in Wirklich-
keit durch Gitterfehler und Fremdatome verzerrt. Die
in reinen Stoffen möglichen Gitterfehler sind in der
Tabelle I-3 zusammengestellt. Die von einzelnen
Atomen herrührenden nulldimensionale Fehler wer-
den auch Punktdefekte genannt. Die möglichen Fehler
I Stoffe 221

Würfel zeigt Bild I-8. Eine Leerstelle oder ein Zwischengit-

teratom haben jeweils einen Fehler zur Folge. Aus
kp der Kombination von beiden, dem Frenkel-Defekt,
folgen zwei Fehler.
a)
+ 1 Atom in + 1 Atom in jeder
Raummitte Flächenmitte

a kfz
krz a Oberfläche Oberfläche

b) c) a) b) c)

Bild I-8 Nulldimensionale Fehlstellen

a) Leerstelle
c hdp b) Zwischengitteratom (Atom falsch eingebaut)
c) Frenkel-Defekt, Atom wandert im Gitter und er-
zeugt zwei Fehler
d)
a
Bei eindimensionalen Fehlern, auch Versetzungen
Bild I-6 Elementarzellen genannt, haben die Fehler eine linienförmige Aus-
a) kp = kubisch-primitiv dehnung. Bild I-9a zeigt eine Stufenversetzung, die
b) krz = kubisch-raumzentriert das Ende einer zusätzlichen (Halb-)Ebene darstellt. In
c) kfz = kubisch-flächenzentriert Bild I-9b sind Teilbereiche gegeneinander geglitten
d) hdp = hexagonal dichteste Packung und haben eine Schraubenversetzung bewirkt. Als
a, b, c = Gitterkonstanten Maßzahl wird die Anzahl der „Durchstoßpunkte pro
Flächeneinheit“ in 1/cm2 angegeben. Bei normalen
Fertigungswerkstoffen liegen die Zahlenwerte für
Versetzungen im Bereich von 106 ... 1012 cm–2, wo-
hingegen Halbleiter-Einkristalle Werte von weniger
als 10 cm–2 aufweisen.
Treffen Kristallgitter verschiedener Orientierung auf-
einander, so können sie (Bild I-10) gegeneinander
gekippt, gedreht oder beides zusammen sein. Als
Folge davon müssen sich Übergänge bilden, die zu
sog. Korngrenzen führen. Die Kristalle bilden dabei
regellose Korngrenzflächen gegeneinander aus. Me-
a chanische Beanspruchungen können dazu führen, daß
eine gewisse Ordnung in die Orientierung hinein-
Bild I-7 Diamantgitter kommt. Es ergeben sich Kornorientierungen, Vor-
Entstehung des Diamantgitters aus zwei ineinander zugsrichtungen oder Texturen. So liegen z.B. die
gestellten kfz-Gittern. Der Versatz der kfz-Gitter Kanten der Elementarzellen nach dem Walzen von
beträgt 1/4 Raumdiagonale Blechen weitgehend in der Walzrichtung.

Tabelle I-3 Gitterfehler

Ausdehnung Nulldimensional Eindimensional Zweidimensional

(atomar)
Bezeichnung 1. Leerstelle Versetzungen Korngrenzen
2. Zwischengitteratom
(Schottky-Fehlordnung)
3. Frenkel-Fehlordnung
(Kombination von 1 und 2)
Konzentration Leerstellenkonzentration Versetzungdichte = f Korngrenzenflächen = f
(in Metallen) = f (Temp.) (Verformung, Wärme- (Korngröße)
≈ 10–7 ... 10–11 behandlung) ≈ 102 cm2/cm3
≈ 106 ... 1012 cm/cm3
222 Werkstoffkunde

Zusatz(halb)ebene

kippen drehen

a) b)
Versetzungslinie Bild I-10 Zweidimensionale Fehler
a) a) Kippung
b) Drehung

b) Versetzungslinie
Bild I-9 Eindimensionale Fehler
a) Stufenversetzung
b) Schraubenversetzung
Werden in einen Kristall Fremdatome eingelagert, ist
er nicht mehr rein. Man spricht von Mischkristallen,
festen Lösungen oder Legierungen. Die Einlagerung
kann auf Gitterplätzen der Wirtsatome erfolgen, dann
entsteht ein Substitutions-Mischkristall (Bild I-11).
Werden Fremdatome auf Zwischengitterplätzen ein-
gelagert, ergeben sich Einlagerungs- oder interstitiel-
le Mischkristalle.
4 Chemische Grundzusammenhänge
Wie bei den Bindungsarten kurz angedeutet, vermö-
gen die Atome – über ihre Valenzelektronen – mit-
einander zu reagieren. Es entstehen dann neue Stoffe,
die dem Bereich anorganische Chemie zugeordnet
werden, wenn es sich beim Stoffaufbau weitgehend
um Ionenbindungen handelt. Bei der organischen
Chemie steht das Kohlenstoffatom mit überwiegend
kovalenten Bindungen im Mittelpunkt. Das, wie das
Kohlenstoffatom, gleichfalls vierwertige Silicium ist
Basis einer eigenständigen Reihe von Kunststoffen,
den Siliconen.
Für den Aufbau von Stoffen benutzt die Chemie
die Synthese, während die Untersuchung des Aufbaues
mit Hilfe der Analyse erfolgt. Zur Beschreibung dieser
Vorgänge dienen Formelsprache und Reaktionsglei-
chung unter Benutzung der Elementsymbole.
So ist mit H2SO4 Schwefelsäure gemeint, und
C2H5OH kennzeichnet eindeutig Alkohol als Ethyl-
alkohol (Ethanol). Reagieren Stoffe miteinander, so
beschreibt die Reaktionsgleichung die Ausgangsstoffe
und Endprodukte nach Art und relativer Menge. Die
Darstellung entspricht einer mathematischen (Addi-
tions-)Gleichung, bei der an die Stelle des Gleich-
heitszeichens ein Pfeil die Reaktionsrichtung kenn-
zeichnet. Ist der Reaktionsablauf nicht umkehrbar
(irreversibel), zeigt dies ein einfacher Pfeil an.

Ort des Fremdatoms Gitterplatz Zwischengitterplatz

Art des Mischkristalls Substitions-Mischkristall Einlagerungs-Mischkristall
(substitutioneller Mkr.) (interstitieller Mkr.)
Durchmesser Fremdatom ≈ Wirtsatom Fremdatom < Wirtsatom
Mischkristallbildung
bei ebenem Gitter
(schematisch) Bild I-11
• Wirtsatome
Mischkristalle in ebener
• Fremdatome
Darstellung (schematisch)
I Stoffe
 Beispiel: Die Verbrennung von Ethanol
C2H5OH + 3 O2 2 CO2
1 Mol 3 Mol 2 Mol
+ +
Ethanol Sauerstoff Kohlendioxid
Mol steht hierbei für die Stoffmenge, die aus genau
sovielen Teilchen besteht wie 12 g des Kohlenstoff-
isotops 12C, nämlich 6,023 ⋅ 1023 Teilchen/mol (Avo-
gadrosche Konstante NA oder Loschmidtzahl NL).
Bei umkehrbaren (reversiblen) Reaktionen kenn-
zeichnet ein Doppelpfeil die beiden möglichen Reak-
tionsrichtungen, z.B.
N2 + 3 H2
1 Mol Stickstoff + 3 Mol Wasserstoff 2 Mol Ammoniak
Die Verbindungen des Sauerstoffs mit anderen Ele-
menten, die Oxide, sind von besonderer Bedeutung,
die Schwermetalloxide als Erze zur Gewinnung von
Metallen, die Leichtmetalloxide wegen ihrer hohen
Schmelzpunkte als (oxid)keramische Werkstoffe.
Die zur Oxidbildung gehörige chemische Reaktion
ist die Oxidation, allgemeiner als Elektronenabgabe
eines Moleküls oder Ions definiert. Die damit ver-
bundene Aufnahme eines Elektrons durch ein anderes
Molekül oder Ion ist die Reduktion. Die zwangsweise
miteinander verkoppelten Oxidations- und Reduk-
tions-Prozesse führen die Bezeichnung Redox-Reak-
tionen. pH-Skala
Metalloxide können ihrerseits wieder mit Wasser
reagieren und bilden Hydroxide, sie enthalten die ein-
wertige OH-Gruppe (Hydroxyl-Gruppe) und bilden
bei den Metallen der 1. und 2. Hauptgruppe (Alkali-
und Erdalkalimetalle) Basen oder Laugen. Sie sind in
Metall- und OH-Ionen gespalten und stellen sich als
seifige, die Haut ätzende Flüssigkeiten dar.
 Beispiel:
CaO + H2O Ca(OH)2
Metalloxid + Wasser Hydroxid
Die Oxide dreiwertiger Metalle sind amphoter, d.h.
sie können sowohl schwache Basen als auch schwa-
che Säuren bilden. Oxide von Nebengruppenelemen-
ten in höheren Wertigkeiten bilden – mit Wasser –
Säuren.
Nichtmetalloxide bilden mit Wasser Säuren.
 Beispiel:
SO2 + H2O H2SO3
Nichtmetalloxid + Wasser Säure
Tabelle I-4 pH-Skala
←⎯ Zunahme der Säurewirkung ––
–
0 1 2 3 4 5 6 7
223
Ihre Moleküle bauen sich aus dem Säurewasserstoff
+ 3 H2O und dem Säurerest auf. Der Säurerest ist eine nicht
3 Mol
selbständig existenzfähige Atomgruppe aus Nichtme-
tall und Sauerstoff. Da allein nicht beständig, sind es
Wasser
auch keine Moleküle. Derartige Atomgruppen werden
Radikale genannt, im Beispiel SO3. Die Säuren sind
gegenüber den meisten Metallen aggressiv, da in
vielen Fällen die Wasserstoffatome gegen Metallato-
me, die dann als Ionen in Lösung gehen, ausgetauscht
werden können. Säuren schmecken – verdünnt (!) –
sauer, ätzen die Haut und verfärben, ähnlich wie
Basen, Farbstoffe. Dieser Effekt wird für Indikatoren
2 NH3 benutzt.
Nach „Brönsted“1) lautet die umfassendere Defini-
tion: Säuren sind Protonenspender (Moleküle oder
Ionen), Basen sind Protonenfänger (Moleküle oder
Ionen). Die Protonenübergangsreaktion nennt man
Protolyse. Dieser Vorgang findet auch in geringem
Umfang im Wasser statt und wird dann Autoprotolyse
genannt. Nach „Brönsted“ liegt dem folgende Reak-
tion zugrunde:
H2O + H2O H3O+ + OH−
Wasser Hydroniumion + Hydroxidion
In dieser Gleichgewichtsreaktion ist die Konzentra-
tion der beiden Ionenarten vom Prinzip her gleich
groß, aber mit 10–7 Mol pro Liter sehr gering. Ande-
rerseits muß das Produkt dieser beiden Ionenkon-
zentrationen als Ionenprodukt des Wassers mit Kw =
10–14 mol2/l2 als Gleichgewichtsbedingung bei Zuga-
be von Säuren oder Basen konstant bleiben. Es ver-
schieben sich lediglich die Konzentrationverhältnisse
von H3O+ zu OH–. „Drehpunkt“ dieses Geschehens ist
der Zahlenwert 10–7 der Hydroniumionenkonzen-
tration. Der negative Exponent dieser Konzentra-
tionsangabe (lt. Definition der negative dekadische
Logarithmus der Hydroniumionenkonzentration) ist
der pH-Wert. Er hat große Bedeutung, da mit diesem
Zahlenwert die Angaben „sauer“, pH < 7, „neutral“,
pH = 7 und „basisch“, pH > 7 präzise beurteilt wer-
den können. Zwangsweise liegen die Grenzen für
sehr starke Säuren dann bei pH = 0 und für sehr
starke Basen bei pH = 14 (s. Tabelle I-4). Die Be-
stimmung ist elektrisch oder mit Indikatoren sehr
genau möglich.
1) Brönsted, Johannes Nicolaus, Dänischer Chemiker, lebte von 1879
bis 1947.
––––Zunahme der Basenwirkung
8 9 10 11 12 13 14
224 Werkstoffkunde

Tabelle I-5 Elektronegativitätsskala nach „Pauling“ (Zahlenwert relativ mit Maximum 4 bei Fluor)
K Na, Ba Li, Ca Mg Al Zn Si H P C S N Cl O F
0,8 0,9 1,0 1,2 1,5 1,7 1,8 2,1 2,1 2,5 2,5 3,0 3,0 3,5 4,0
← elektropositiver elektronegativer →

Treffen Säuren und Basen in solchen Konzentratio- Tabelle I-6 Elektrochemische Spannungsreihe nach
nen zusammen, daß pH = 7 erreicht wird, so spricht „Pauling“
man von Neutralisation. Das Ergebnis ist Wasser und a) Metalle (Normalpotentiale bezogen auf die Nor-
ein Salz. mal-Wasserstoffelektrode)
b) einige Nichtmetalle
 Beispiel:

HCl + NaOH NaCl + H2O Met. Ox. + e– Volt

Säure + Base Salz + Wasser 1. Cs = Cs+ + e– – 3,02
Salze im klassischen Sinne bestehen aus positiven 2. Li = Li+ + e– – 3,02
Metallionen und negativen Säurerestionen. Nach 3. Rb = Rb+ + e– – 2,99
„Brönsted“ sind alle Stoffe Salze, die im festen Zu- 4. K = K+ + e– – 2,92
stand Ionengitter bilden. 5. Ba = Ba++ + 2e– – 2,90
++
Bei der Namensbildung steht an erster Stelle das 6. Sr = Sr + 2e– – 2,89
elektropositivere Element (Metall siehe auch Tabelle 7. Ca = Ca++ + 2e– – 2,87
+
I-5) meist unverändert. Dann folgt der Name des 8. Na = Na + e– – 2,71
elektronegativeren Bestandteiles mit einer entspre- 9. La = La+++ + 3e– – 2,37
++
chenden Endung (z.B. NaCl = Natriumchlorid). Die 10. Mg = Mg + 2e– – 2,34
Endung -id weist darauf hin, daß es sich um ein Salz 11. Be = Be++ + 2e– – 1,70
+++
mit einem Säurerest (Cl–) aus einer sauerstofffreien 12. Al = Al + 3e– – 1,67
Säure handelt. Bei Säureresten aus stabilen Säuren 13. Mn = Mn++ + 2e– –1,05
++
mit normalem Sauerstoffgehalt lautet die Endung -at 14. Zn = Zn + 2e– – 0,76
(z.B. Na2SO4 = Natriumsulfat). Entstammt der Säure- 15. Cr = Cr+++ + 3e– – 0,71
++
rest einer sauerstoffärmeren Säure, ist die Endung -it 16. Fe = Fe + 2e– – 0,44
(z.B. Na2SO3 = Natriumsulfit). Rührt der Säurerest 17. Cd = Cd++ + 2e– – 0,40
++
von einer besonders sauerstoffarmen Säure her, kom- 18. Co = Co + 2e– – 0,28
men der Zusatz -hypo- und die Endung -it dazu (z.B. 19. Ni = Ni++ + 2e– – 0,25
NaClO = Natriumhypochlorit). Bei Säureresten von 20. Sn = Sn++ + 2e– – 0,14
besonders sauerstoffreichen Säuren lautet der Zusatz - 21. Pb = Pb++ + 2e– – 0,13
per- und die Endung -at (z.B. NaClO4 = Natrium- 22. H2 = 2 H+ + 2e– 0,00
perchlorat). Wurden die Säure-Wasserstoffatome 23. Cu = Cu++ + 2e– + 0,34
nicht vollständig durch Metallatome ersetzt, ergeben 24. 2 J– = J2 + 2e + 0,53
sich saure oder hydrogene Salze (z.B. NaHCO3 = 25. Ag = Ag+ + e– + 0,80
Natriumhydrogencarbonat, früher Natriumbicarbonat 26. Pd = Pd++ + 2e– + 0,83
++
oder – trivial – Natron). 27. Hg = Hg + 2e– + 0,85
28. 2 Br– = Br2 (fl) + 2e– + 1,06
29. Pt = Pt++ + 2e– + 1,2
5 Elektrochemie
30. 2 H2O = O2 + 4 H+ + 4e– + 1,23
Innerhalb eines Moleküles ziehen sich die Kationen 31. 2 Cl– = Cl2 + 2e– + 1,36
und Anionen an. In wässeriger Lösung gehen diese 32. Au = Au+ + e– + 1,68
–
Kräfte durch die Permittivität des Wassers (er = 80) 33. 2 F = F2 + 2e– + 2,85
auf 1/80 zurück. Die Moleküle sind in Ionen dissozi-
a)
iert, die eine elektrische Stromleitung als Leiter
2. Ordnung ermöglichen. Die Lösung wird zum
Red. →
← Ox. + e
–
Volt
Elektrolyten, in dem unter der Einwirkung einer
elektrischen Spannung ein Materietransport erfolgt.
Te– – →
← Te + 2e– – 0,92
Die positiven Kationen wandern zur Katode, die
Se– – →
← Se + 2e– – 0,78
negativen Anionen zur Anode. Nach Ladungsaus-
S– – →←S + 2e– – 0,51
gleich, Elektronenabgabe bzw -aufnahme, ist der zum
2 J– →← J2 + 2e– + 0,53
Ion gehörige Stoff elementar verfügbar. Der Vorgang –→
2 Br ← Br2 + 2e– + 1,07
heißt Elektrolyse und ermöglicht die Zerlegung eines
2 Cl– →
← Cl2 + 2e– + 1,36
Stoffes durch den elektrischen Strom. Wasserfrei ist
2 F– →← F2 + 2e– + 2,85
der gleiche Vorgang in Schmelzen von Ionenkristal-
len als Schmelzfluß-Elektrolyse möglich. b)
II Elektrische Leitfähigkeit
Die Neigung der Metalle zur Abgabe von Elektronen
(Oxidation) ist verschieden stark und durch die unter-
schiedliche Bindung der Valenzelektronen an den
Atomkern bedingt. Das Bestreben eines Metalles,
Elektronen abzugeben und als Ion in Lösung zu gehen,
nennt man Lösungsdruck. Er kann als elektrische
Spannung in Volt gemessen werden und liefert die
elektrochemische Spannungsreihe (Tabelle I-6). Der
Nullpunkt ist dabei (willkürlich) für Wasserstoff ange-
setzt. Die unedlen, leicht reagierenden Elemente haben
ein zunehmend negatives Potential gegenüber Wasser-
stoff; umgekehrt werden die Elemente mit wachsen-
dem positiven Potential edler und reaktionsträger. Die
negativeren, d.h. weiter oben stehenden (Tabelle I-6)
Metalle haben den größeren Lösungsdruck gegenüber
den positiveren, also weiter unten stehenden Metallen.
Als Folge davon reduzieren die „oberen“ die „unteren“
Metalle und gehen selbst in Lösung.
Nutzt man den Lösungsdruck zwischen unterschiedli-
chen Elementen durch Einbringen in einen Elektroly-
ten aus, so entstehen Galvanische Elemente oder
Primärelemente.
Der Stoffumsatz bei der Elektrolyse transportiert
je Ladung 1,6 ⋅ 10–19 As, d.h. bei einem Mol
mit 6 ⋅ 1023 Teilchen = 96 500 As = F = Faraday-Kon-
II Elektrische Leitfähigkeit
1 Leitungsmechanismus
Metallische Leiter sind Leiter 1. Ordnung, denn mit
dem Stromfluß ist kein Materietransport verbunden.
Die elektrische Leitfähigkeit ist dabei an die Existenz
freier Elektronen, dem sogenannten Elektronengas,
gebunden. Für die Leitfähigkeit eines Stoffes ist die
Anzahl der verfügbaren Teilchen (n), ihre Beweg-
lichkeit (m) und die Teilchenladung (e) maßgebend.
Da der Leitungsmechanismus sowohl auf negative
(Index n) als auch positive (Index p) Ladungsträger
zurückgehen kann, gilt für die Leitfähigkeit g:
g e n m
g = e ( n n ⋅ mn + n p ⋅ m p )
S/cm As cm −3 cm/Vs
(II.1)
Für den normalen elektrischen Leiter liegen nur die
negativen Elektronen als Ladungsträger vor; damit
entfällt der Term mit den p-Indizes. Die Beweglich-
keit m der Ladungsträger ist die pro Einheit der elekt-
rischen Feldstärke E (meist in V/cm) bewirkte Drift-
geschwindigkeit, d.h. die der allgemeinen Teilchen-
bewegung in einer bestimmten Richtung überlagerte
Geschwindigkeit. Die in der Praxis auftretenden
Werte von Leitfähigkeit, Teilchenzahl und Beweg-
lichkeit sind für einige charakteristische Materialien
in der Tabelle II-1 zusammengestellt.
225
stante. Bezieht man die transportierte und abgeschie-
dene Masse auf 1 As, so ergibt sich das für jeden
Stoff charakteristische elektrochemische Äquivalent
(c). Diese Größe mit 1,118 mg/As bei Silber diente
früher zur Festlegung von 1 A.
Da die meisten technisch genutzten Metalle unedler
als Wasserstoff sind, müßten sie sich unter H2-
Entwicklung lösen. In der Praxis unterliegen diese
Metalle in großem Umfang dieser chemischen Korro-
sion. In gewissen Grenzen wird dieser Prozeß durch
die Bildung passiver Deckschichten (meist Oxid-
schichten) eingeschränkt. Eine Korrosion besteht aus
einem anodischen Teilprozeß Me → Me++ + 2e, d.h.
Me gibt als Metall 2 Elektronen e ab, und einem
katodischen Teilprozeß 2 H+ + 2e → H2, bei dem
2 Wasserstoffionen unter Aufnahme von 2 Elektronen
freien Wasserstoff liefern. Man erkennt, daß eine
passive Deckschicht den anodischen Teilprozeß
verhindern kann und eine hohe H2-Überspannung den
katodischen Prozeß zu hemmen vermag. Man kann
ein Metall dadurch elektrochemisch vor Korrosion
schützen, daß man es mit Hilfe einer äußeren Strom-
quelle oder durch leitende Verbindung mit einem
unedleren Metall zur Katode macht (katodischer
Korrosionsschutz).
Tabelle II-1 Elektrische Leitfähigkeit g, Elektronen-
konzentration nn und Elektronenbeweglichkeit mn
einiger Werkstoffe bei Raumtemperatur
g nn mn
Material
S/cm cm −3 cm 2/Vs
Cu 58 ⋅ 104 8,45 ⋅ 1022 43
Al 34,5 ⋅ 104 6,0 ⋅ 1022 36
Ag 61,4 ⋅ 104 5,87 ⋅ 1022 65
Ge 2,3 ⋅ 10–2 2,4 ⋅ 1013 3 600
Si 4,35 ⋅ 10–6 1,5 ⋅ 1010 1 400
InSb 3,5 ⋅ 102 2,8 ⋅ 1016 78 000
Im Festkörper mit seinem Kristallgitter haben die
Atome eine periodische Anordnung mit definierten
Abständen. Zwischen den Atomen machen sich
Austauschkräfte bemerkbar, die die Besetzung der
einzelnen Energieniveaus beeinflussen. Gemäß dem
Pauli-Prinzip, nach dem in einem Atom keine zwei
Elektronen in bezug auf ihren Zustand völlig über-
einstimmen können, dürfen in einem gegebenen
System die Energieniveaus und Spinorientierungen
nur einmal belegt sein. Da die Beeinflussung über
den ganzen Kristall reicht, gilt das Pauli-Prinzip
entsprechend weiträumig. Die bei Einzelatomen
226 Werkstoffkunde

diskreten Energieniveaus der Elektronen spreizen
sich zu Energiebändern auf (Bild II-1). Neben den
mit Ladungsträgern besetzten Bändern treten energe-
tisch unbesetzte oder verbotene Zonen auf. Für den
Leitungsmechanismus sind das letzte noch mit Elekt-
ronen besetzte Band, das Valenzband, und das nächs-
te für eine Besetzung mögliche Band, das Leitungs-
band, bedeutsam. Nur im letzteren verfügen Elektro-
nen über die für einen Stromtransport nötige Beweg-
lichkeit. Aus der Ähnlichkeit der statistischen Ener-
gieverteilung im Valenzband mit der bei Gasen rührt
auch die Bezeichnung Elektronengas her.
W Bild II-3a zeigt ein Bandschema mit einer breiten
W3 Leitungsband
verbotene Zone
W2 Valenzband
W1
0, 100 und 300 K dargestellt. Das Fermi-Niveau WF
ist dabei willkürlich auf den (Bezugs-)Wert 0 gelegt,
und die Energie ist als Differenz DW gegenüber
diesem Wert in eV aufgetragen. Der tatsächliche
Wert des Fermi-Niveaus gibt die Energie an, über
welche die Teilchen auch noch beim absoluten Null-
punkt verfügen. Es ist offensichtlich, daß die Lage
des Fermi-Niveaus in der verbotenen Zone entschei-
denden Einfluß auf die Leitfähigkeit eines Stoffes
hat.
2 Isolator
verbotenen Zone von DWB = 2 eV und daneben die
Energieverteilung bei 300 bzw. 600 K für ein mittig
liegendes Fermi-Niveau. Offensichtlich verfügt kein
Teilchen über eine ausreichende Energie, um in das
Leitungsband zu gelangen. Im vollbesetzten Valenz-
band ist auch keine Beweglichkeit der Teilchen und
damit keine Leitfähigkeit vorhanden. Es liegt das
typische Bandschema eines Isolators vor.

W
Bild II-1 Energiebänder durch Aufspaltung der eV Leitungsband
Energieniveaus +2
䊞 䊞 durch Elektronen besetzte Niveaus
+1
Wegen der statistischen Energieverteilung können ΔWB = WF
a)
Teilchen die verbotene Zone überwinden und aus 2 eV
dem Valenzband in das Leitungsband gelangen und –1
dort Leitfähigkeit bewirken. Die Wahrscheinlichkeit,
–2
mit der die Energie eines Elektrons einen gewissen
Valenzband
vorgegebenen Wert über- oder unterschreitet, wird F(W)
durch den Verlauf der Fermi-Funktion F(W) be-
0 50 100 %
schrieben. In Bild II-2 ist sie für die 3 Temperaturen
W
ΔW eV
Leitungsband
eV
0.4 +0,5
0.3 ΔWB = WF
b)
0,5 eV
0.2 –0,5
300 K
0.1 0K
Valenzband
WF 0
100 K F(W)
–0.1
0 50 100 %
–0.2
Bild II-3 Bandschemata (Prinzip-Beispiele)
–0.3 a) Isolator, Bandabstand DWB = 2 eV
–0.4 b) Halbleiter, Bandabstand DWB = 0,5 eV
WF = Fermi-Niveau, –––– Ⳏ 300 K und . . . . . Ⳏ 600 K
–0.5
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Die punktierte Linie für 600 K zeigt aber auch eine
F(W)
andere Tendenz auf. Mit steigender Temperatur
% wächst die Wahrscheinlichkeit, daß Ladungsträger im
Bild II-2 Fermi-Funktion F(W) für die Temperaturen Leitungsband verfügbar werden. Der Isolator wird
0 K (––––), 300 K (– – –) und 100 K (– . – . – ) leitend, d.h. er schlägt durch!
II Elektrische Leitfähigkeit 227

3 Halbleiter einem unvollständig besetzten 3s-Band (Bild II-4a)

Wird der Bandabstand merklich kleiner als 1 eV, so
tritt eine ausreichende Anzahl von Teilchen auf, die
in das Leitungsband gelangen können (Bild II-3b). Es
ist dies der typische Fall des Halbleiters, bei dem im
reinen Zustand das Fermi-Niveau genau mittig liegt.
Leitfähigkeit ist jetzt sowohl über das Leitungsband
mit seinen thermisch gewonnenen Elektronen (n) als
auch im teilweise leergewordenen Valenzband über
Defektelektronen oder Löcher (p) möglich. Es ist
sofort ersichtlich, daß die Leitfähigkeit einerseits
durch Temperaturerhöhung (z.B. beim Stromdurch-
gang) oder durch Verschiebung des Fermi-Niveaus
zum Leitungs- bzw. Valenzband (durch Dotierung)
erhöht werden kann. Trotz zunehmender Beweglich-
keit der Teilchen mit sinkender Temperatur ver-
schwindet beim absoluten Nullpunkt die Leitfähigkeit
von Halbleitern.
4 Normalleiter
Sind andererseits Bänder unvollständig besetzt oder
überlappen Valenz- und Leitungsband (die verbotene
Zone ist dann negativ), so liegt der Fall des metalli-
schen Leiters vor. Das Fermi-Niveau liegt jetzt in-
nerhalb des Leitungsbandes. In Bild II-4 sind die
beiden Fälle dargestellt, einmal für Natrium mit
und für Kupfer mit überlappendem 3d- und 4s-Band
(Bild II-4c). (Siehe auch I.2 Atombau und Perioden-
system.)
Mit sinkender Temperatur und damit steigender
Beweglichkeit der Teilchen nimmt die Leitfähigkeit
der metallischen Leiter bis zum absoluten Nullpunkt
um etwa 4 Zehnerpotenzen zu.
5 Supraleiter
Eine größere Zahl von Metallen und Legierungen
zeigt bei sehr tiefen Temperaturen ein schlagartiges
Ansteigen der Leitfähigkeit um mehr als 20 Zehner-
potenzen. Der Effekt heißt Supraleitung und die
Temperatur, bei der er eintritt, Sprungtemperatur Tc.
Die Höhe der Sprungtemperatur ist materialabhängig
und liegt für reine Metalle unter 10 K (Helium-
kühlung), während Legierungen Werte um 20 K er-
reichen und damit bereits in den Bereich der Wasser-
stoffkühlung (Siedepunkt von Wasserstoff: 20 K bzw.
– 253 °C) gelangen. Ein entscheidender Schritt gelang
in den letzten Jahren mit Mischoxiden auf der Basis
Seltene Erden – Barium – Kupfer (SE – Ba – Cu – O),
mit denen Sprungtemperaturen bei Stickstoffkühlung
(Siedepunkt Stickstoff: 77 K bzw – 196 °C) möglich
sind (Tabelle II-2).

W W W

4p-Band leer

3p-Band
leer WF 4s-Band
3s-Band halbvoll
halbvoll
3d-Band
voll

3p-Band voll

0 50 100 F(W)
%
a) b) c)

Bild II-4 Bandschemata von Leitern

a) Unvollständig besetztes Band, als Beispiel Natrium. Das 3s-Band ist nur zur Hälfte besetzt
b) Fermi-Funktion für 300 K mit Lage zu a) und c)
c) Überlappende Bänder, als Beispiel Kupfer. Das voll besetzte 3d-Band liegt innerhalb des nur zur Hälfte be-
setzten 4s-Bandes

Tabelle II-2 Sprungtemperaturen einiger Basismaterialien für Supraleiter

Material Ga Al Sn Pb Nb NbTi Nb3Sn Nb3Ga Nb – Al – Ge SE – Ba – Cu – O

Tc /K 1,1 1,1 3,7 7,3 9,2 10 18 20,3 21 > 35 ... 90
228 Werkstoffkunde

Da die Supraleitung durch magnetische Felder – auch B U B d I RH

durch das eigene Feld eines im Supraleiter fließenden U H = RH I (II.2)
d V T mm A cm 3 / As
Stromes – aufgehoben werden kann, unterscheidet
man weiche Supraleiter oder Supraleiter 1. Art, die mit B = Flußdichte, I = Strom, d = Leiterdicke (Bild
gegen magnetische Felder bis zu einer kritischen II-5) und RH = Hallkonstante = A/e ⋅ n = A ⋅ m/g. Die
Feldstärke Hc = 0,1 MA/m beständig sind, und harte Hallkonstante ist damit von der Beweglichkeit m und
Supraleiter oder Supraleiter 2. Art, die noch sehr der Leitfähigkeit g bzw. Teilchenkonzentration n und
starke magnetische Felder (Hc > 10 MA/m) vertragen. Elementarladung e abhängig. Bei normalen Leitern
Für den praktischen Gebrauch ist die Angabe der ist die Konstante A = 1, bei Halbleitern A = 3p/8.
kritischen Stromdichte Sc, bei der die Supraleitfähig- Die Ablenkung der Strombahnen durch das Magnet-
keit durch das eigene Magnetfeld des fließenden feld führt zu einem Winkel gegenüber der ur-
Stromes aufgehoben wird, geeigneter. sprünglichen (Längs-)Richtung, dem Hallwinkel QH
Nach dem derzeitigen Kenntnisstand wird die Supra-
leitung von paarweise spinkompensierten Elektronen,
die nicht mehr dem Pauli-Prinzip gehorchen, den sog. UH/I
Cooper-Paaren, mit einer sehr hohen Beweglichkeit V/A R∞
bewirkt. Die Cooper-Paare verursachen durch Ring- 0.8 Rlin
ströme an der Leiteroberfläche ein magnetisches
Kompensationsfeld für das Leiterinnere, was zu
einem magnetfeldfreien Raum, d.h. mr = 0 (!) führt. 0.4
In den harten Supraleitern bestehen bei Stromfluß im
Inneren normal- und supraleitende Bereiche in Form
sogenannter Flußschläuche nebeneinander, die aller- –1 –0.8 –0.4 0 B
dings durch den fließenden Strom in Bewegung 0.2 0.6 T
geraten und damit Instabilitäten bewirken. Durch
Inhomogenitäten (Gitterfehler) im Aufbau des Supra- –0.4
leiters lassen sich sogenannte Pinning-Zentren schaf- a)
fen, die eine Stabilisierung herbeiführen. Derart stabi-
lisierte Systeme führen die Bezeichnung Hochfeld- Rlin
–0.8
Supraleiter oder Supraleiter 3. Art.
Die Leitfähigkeit eines Supraleiters ist gegenüber R∞ –1
Kupfer ungefähr um soviel größer wie die Leitfähig-
keit von Kupfer gegenüber einem Isolator (etwa R
20 Zehnerpotenzen)! R0
D
20
6 Halleffekt
Die Driftgeschwindigkeit bewegter Ladungsträger
15
führt zu deren Ablenkung in einem Magnetfeld (Bild b)
II-5). Die quer zum Stromfluß auftretende Hallspan- L
nung UH ist 10
N
B 5

+++++
I UH
e Fq UH, b
– –F–l – –
Ul, l
Bild II-5 Halleffekt (Prinzip)
Stromdurchflossener Leiter (Länge l, Breite b und
Dicke d) im Magnetfeld. I = Strom (Betriebsstrom),
B = Magnetfeld, Fl, Fq = Längs- bzw. Querkraft,
Ul = Längsspannung (Betriebsspannung), UH = Hall-
spannung und QH = Hallwinkel
d +
–B
0 0.4 0.8 1.2 T
Bild II-6
a) Normierte Hallspannung in Abhängigkeit vom
anliegenden Magnetfeld. Im Leerlauf (R∞) und mit
Abschlußwiderstand Rlin für optimal lineare Kenn-
linien
b) Relativer Widerstand in Abhängigkeit vom an-
liegenden Magnetfeld für InSb-NiSb-Feldplatten
mit verschiedenen Dotierungen (n. Siemens AG).
D: g = 200 S/cm, L: g = 550 S/cm und N: g =
880 S/cm)
II Elektrische Leitfähigkeit
Q m B U 20
tan QH = m ⋅ B
° cm 2 /Vs T
d.h. der Hallwinkel ist nur von der Beweglichkeit der
Ladungsträger (mn oder mp) und der magnetischen
Flußdichte abhängig.
Weil bei vorgegebenen Abmessungen die Hallspan-
nung außer von einem eingeprägten Strom I nur noch
vom einwirkenden Magnetfeld B abhängt, steht damit
als Hallgenerator ein einfacher Meßsensor für mag-
netische Felder zur Verfügung.
In Bild II-6a ist die auf den Ruhestrom normierte
Ausgangsspannung eines Hallgenerators über der
magnetischen Flußdichte B leerlaufend (R∞) und mit
einem für beste Linearisierung der Kennlinie (Rlin)
ermittelten Abschlußwiderstand dargestellt. Wie so-
fort ersichtlich und wie es auch dem Prizip der Ent-
stehung der Hallspannung entspricht, ist ihr Vorzei-
chen von der Polarität des Magnetfeldes abhängig.
Magnetische Wechselfelder erzeugen dementsprechend
eine – vorzeichenrichtige – Wechselspannung.
Die Ruheströme für Hallgeneratoren liegen zwischen
einigen und einigen hundert mA. Bei Flußdichten von
1 T erreichen die Hallspannungen im Leerlauf Werte
von 0,1 bis 1 V. Zur leichteren Berechnung wird oft
die sog. Leerlaufempfindlichkeit KB0 in V/AT bei
Nennstrom I1n und (meist) B = 1 T für die Leerlauf-
hallspannung U20 angegeben. KB0 ist definiert zu
Leiter Leiter
a)
ohne
Magnetfeld
Halbleiter Halbleiter
Elektrisches System
FA24
1.2 1
9 6
13 3 0.4 max
19
1 (Siemens FA 24)
c)
229
K B0 U I B
(II.3) K B0 = (II.4)
I1n ⋅ B V/ AT V A T
Der Hallwinkel hat eine Verlängerung der Strombah-
nen im Leiter zur Folge, woraus ein erhöhter Wider-
stand resultiert. Dieser Effekt wird in der Feldplatte
ausgenutzt. Im Prinzip wechseln dazu ein Material
mit großer Hallkonstante (z.B. InSb oder InAs) mit
einem guten Leiter, d.h. Material mit verschwinden-
der Hallkonstante, ab (Bild II-7a und b). Die Pfeile
symbolisieren in den Abbildungen die Strombahnen.
Unter dem Einfluß eines Magnetfeldes weisen sie
einen längeren Weg auf. Die entstehenden Hallspan-
nungen werden durch die querliegenden – Äqui-
potentialflächen erzwingenden – Leiter kurzgeschlos-
sen. Damit liegt ein magnetfeldabhängiger Wider-
stand vor. Wie aus dem Diagramm der relativen
Widerstandsänderungen in Bild II-6b hervorgeht, sind
die Zusammenhänge nur stark nichtlinear. Auch ist
die Polarität des Magnetfeldes nicht erkennbar,
da nur die Stärke des Feldes in die Widerstandsände-
rung eingeht. Wenn nicht mit einer Vormagnetisie-
rung gearbeitet wird, bewirkt ein magnetisches
Wechselfeld eine Ausgangspannung doppelter Fre-
quenz am „Arbeitswiderstand“ Feldplatte. Die grund-
sätzlichen Abmessungen von Hallgeneratoren
und Feldplatten sind in Bild II-7 unter c und d aufge-
führt.
b)
mit
Magnetfeld
FP30
1.9
1.2
Bild II-7 Feldplatte
a) und b) prinzipieller Aufbau (Er-
d) läuterungen im Text)
c) Abmessungen eines Hallgenerators
d) Abmessungen einer Feldplatte
(Siemens FP 30)
230 Werkstoffkunde

III Elektrische Leiter

1 Normalleiter r
10–6 Ωm
Die Daten der wichtigsten Leitermaterialien sind in
der Tabelle III-1 zusammengestellt. Für Leitkupfer 1.6
ist der Mindestwert der elektrischen Leitfähigkeit a
(DIN EN 13604) 57 ⋅ 106 S/m bzw. der spezifische 1.4
b c
Widerstand 0,0175 ⋅ 10–6 Ω ⋅ m. Je nach Vorbehand-
lung und Reinheit kann die elektrische Leitfähigkeit 1.2
d
des Kupfers zwischen 60 ⋅ 106 S/m bei extremer
1.0
Reinheit und 55 ⋅ 106 S/m bei gerinfügigen Verunrei- e
nigungen schwanken. Aus diesem Grunde kommt in 0.8
der Elektrotechnik (DIN 40500) ausschließlich elek-
trolytisch raffiniertes E-Kupfer (Werkstoffnummer 0.6
2.0060) oder das sauerstofffreie SE-Kupfer (Werk-
stoffnummer 2.0070) in Betracht (DIN 17007). Mit 0.4
zunehmender Temperatur sinkt die Leitfähigkeit bzw.
T
steigt der Widerstand der Leiterwerkstoffe. Generell 0.2
sind metallische Leiter als Kaltleiter oder PTC (engl. 0 200 400 600 800 1000 1200 °C
positive temperature coefficient) zu klassifizieren. Eine
Bild III-1 Spezifischer Widerstand von Heizleiter-
geringe Temperaturabhängigkeit weisen die wegen
materialien in Abhängigkeit von der Tem-
ihrer guten Langzeitkonstanz zunehmend an
peratur (nach Vacuumschmelze GmbH)
Bedeutung gewinnenden Metallfilmwiderstände auf.
Preiswert galvanisch hergestellt, erreichen sie Tem- a) Megapyr I (FeCr25Al5)
peraturkoeffizienten a ⯝ 0,02 ... 0,005%/°C (Tabelle b) Megapyr II (FeCr20Al5)
III-1). c) Vacromium (FeNi30Cr20)
Für heiztechnische Zwecke sind die Anforderungen d) Vacromium C (NiCr20)
an den Temperaturgang der Heizleiter wesentlich e) Nickeleisen 701 (NiFe29Cr1)
geringer, dafür ist der Temperaturbereich wesentlich
größer. Bild III-1 zeigt den spezifischen Widerstand
2 Halbleiter
für einige Heizleitermaterialien in Abhängigkeit
von der Temperatur. Auffällig ist hierbei das Ver- Beim reinen Halbleiter ist, wegen des mittig in der
halten der NiFe-Legierung e) mit zunächst Kalt- verbotenen Zone liegenden Fermi-Niveaus, die An-
leitercharakteristik, die beim Erreichen der Curie- zahl der ins Leitungsband übergehenden Elektronen
Temperatur (siehe IV.2 Verhalten von Materie im nn gleich der Anzahl der im Valenzband frei wer-
Magnetfeld) in einen praktisch konstanten Wider- denden Defektelektronen np. Die so rein thermisch
stand übergeht. erzeugte Teilchendichte heißt Intrinsicdichte oder

Tabelle III-1 Daten einiger Leiterwerkstoffe

Der spezifische Widerstand r in 10–6 Ω ⋅ m ist zahlenmäßig gleich mit der gebräuchlichen Angabe in Ω ⋅ mm2/m

Metall Leitfähigkeit elektrische spezifischer Temperatur-

gegenüber Leitfähigkeit Widerstand koeffizient
Silber = 100% g r a
10 6 S/ m 10 −6 Wm %/ ° C

Silber 100 61 0,0163 0,41

Kupfer 96 58 0,0173 0,43
Gold 73 41 0,025 0,39
Aluminium 62 38 0,026 0,43
Zink 31 17 0,059 0,42
Nickel 25 15 0,067 0,69
Eisen 18 10 0,098 0,56
Zinn 15 9 0,115 0,46
Blei 8 4,5 0,222 0,42
III Elektrische Leiter 231

auch Intrinsiczahl ni. Allgemein gilt der Zusammen- rungen durch fremde Atome mit einem anderen
hang Fermi-Niveau als dem des Halbleiters. Liegt das
n eingebrachte Fermi-Niveau nahe dem Leitungsband,
n n ⋅ n p = n i2 (III.1) stehen zusätzliche Elektronen für den Leitungs-
cm − 3
mechanismus zur Verfügung, sog. n-Dotierung
Aus der Intrinsiczahl folgt die Intrinsic- oder Eigen- (Bild III-2a). Wegen der vom Donator im Übermaß
leitfähigkeit vorhandenen Elektronen auch Überschuß- oder n-Lei-
g e n m tung genannt. Liegt andererseits das Fermi-Niveau
gi = en i ( m n + m p ) (III.2) des störenden Gitters nahe dem Valenzband, sog. p-
S/cm As cm −3 cm 2 /Vs
Dotierung, werden durch den Akzeptor vermehrt
Die Grunddaten für Germanium (Ge) und Silizium Elektronen aus dem Valenzband abgezogen, und es
(Si) sind in der Tabelle III-2 zusammengestellt. entsteht die p-Leitung oder Defekt(elektronen)leitung
Daraus ist sofort ersichtlich, daß zum Erreichen der (Bild III-2b). Die Dotierung erfolgt durch Diffusion
Eigenleitfähigkeit die Konzentration von Fremdteil- oder Ionenimplantation.
chen kleiner als ca. 1013 cm–3 bei Ge und kleiner als Da Gl. III.1 unverändert gültig ist, wird mit der Zu-
ca. 1010 cm–3 bei Si sein muß. Bei ca. 1020 Teilchen nahme einer Ladungsträgerart die andere automatisch
pro cm3 für Metalle bedeutet dieses eine Reinheit von vermindert und führt damit zu einem bipolaren Lei-
besser 10–9 (= 1 ppb = 1 part per billion = 1 Fremd- tungsmechanismus.
teilchen auf 1 Milliarde {amerik. billion!} Teilchen) Halbleiter finden sich vorzugsweise in der 4. Haupt-
bei Ge und besser 10–12 bei Si. Wegen der Abhängig- gruppe (IVa) des Periodensystems. Die Tabelle III-3
keit der Leitfähigkeit vom Reinheitsgrad kann umge- zeigt einen Ausschnitt daraus. Darin sind die als
kehrt über die Messung der Leitfähigkeit eines Halb- Akzeptoren (A) geeigneten Elemente der 3. Haupt-
leitermaterials dessen Reinheit bestimmt werden. gruppe und die Donatoren (D) der 5. Hauptgruppe
entsprechend gekennzeichnet. Der Bandabstand gibt
Tabelle III-2 Intrinsiczahlen und Ladungsträgerbe- die Breite der verbotenen Zone in eV an.
weglichkeiten von Germanium und Silicium Verbindungshalbleiter gewinnen neben den Ele-
menthalbleitern zunehmend an Bedeutung. Bringt
ni mn mp
Material man Elemente der III. und V. Hauptgruppe des Pe-
−3 2
cm cm /Vs cm 2 /Vs riodensystems im stöchiometrischen Verhältnis zu-
sammen, so ist bei derartigen III – V-Verbindungen
Ge 2,4 ⋅ 1013 3900 1900 wieder eine ähnliche Konfiguration der Valenzelek-
Si 1,5 ⋅ 1010 1350 850 tronen wie bei Elementhalbleitern möglich. Bei
geeigneten Bandstrukturen kann der Leitungsmecha-
Dotieren ist die Änderung der Leitfähigkeit eines nismus ähnlich wie bei Elementhalbleitern durch
hochreinen Halbleiters durch Verschieben des Fermi- Dotieren gesteuert werden. In der Tabelle III-4 sind
Niveaus. Es erfolgt über das Einbringen von Stö- an einigen ausgewählten Beispielen die wesentlichen

W Leitungsband W Leitungsband
Wirtsatome
Leitungsband
WL WL Fremdatome
WF ΔWD WF
WD ΔWB
ΔWB WA
ΔWA
WV WV

Valenzband Valenzbänder
a) b)

Bild III-2 Dotierung (schematisch)

a) Bandschema eines Überschußleiters, n-Leitung
b) Bandschema eines Defektelektronenleiters, p-Leitung
Leitungsband, Valenzband Wirtsatome, Valenzband Fremdatome, • Elektronen, WL, WV Lei-
tungs- bzw. Valenzbandkanten der Wirtsatome, WF Fermi-Niveau, DWB Bandabstand der Wirtsatome, WD Dona-
torniveau, DWD Donatorabstand, WA Akzeptorniveau und DWA Akzeptorabstand
232 Werkstoffkunde

Tabelle III-3 Ausschnitt aus dem Periodensystem der Elemente

Halbleiter, (A) Akzeptoren und (D) Donatoren (gegenüber IV),
a Hauptgruppenelemente und b Nebengruppenelemente

Gruppe 3 Valenz- 4 Valenz- 5 Valenz- 6 Valenz- 7 Valenz-

elektronen elektronen elektronen elektronen elektronen
III IV V VI VII
a b a b a b a b a b
Symbol B C N O F
Ordn.-Zahl 5 (A) 6 7 8 9
B-abst. eV 1,1 6

Symbol Al Si P S Cl
Ordn.-Zahl 13 (A) 14 15 (D) 16 17
B-abst. eV 1,09 0,33

Symbol Ga Ge As Se Br
Ordn.-Zahl 31 (A) 32 33 (D) 34 35
B-abst. eV 0,67 2,05
1,1

Symbol In Sn Sb Te J
Ordn.-Zahl 49 (A) 50 51 (D) 52 53
B-abst. eV 0,09 0,34 1,3

Tabelle III-4 Daten einiger Verbindungshalbleiter.

Zum Vergleich sind die Elementhalbleiter Ge und Si mit aufgeführt. BA Bandabstand, ri Intrinsicwiderstand,
Smp Schmelzpunkt, mn Elektronenbeweglichkeit und mp Löcherbeweglichkeit

Name Formel Element- BA ri Smp mn mp Bemerkungen

gruppen eV W⋅cm °C cm 2 /Vs cm 2 /Vs
Silizium Si 1,106 2,3 ⋅ 105 1 420 1 350 480
Germanium Ge 0,67 46 936 3 900 1 900
Tetradymit Bi2Te3 V –VI 0,15 0,03 573 800 400 Elektr. Kühlmat.
In-Antimonid InSb III –V 0,17 0,0045 523 75 000 780 Hallgeneratoren,
RH = 400 cm3/As
Altait PbTe IV –VI 0,28 0,01 910 2 100 840 Infrarotdet.
In-Arsenid InAs III –V 0,37 0,1 940 22 600 200 RH = 100 cm3/As
Bleiglanz PbS IV –VI 0,4 3,1 1 117 650 250 lichtempf.
Widerstand,
Infrarotdet.
Ga-Antimonid GaSb III –V 0,69 0,06 702 4 000 750
In-Selenid InSe III –VI 0,96 12 500 660 – 5 IR- und UV-emp-
findlich
In-Phosphid InP III –V 1,25 10 1 060 3 500 650 Gunn-Elemente
Ga-Arsenid GaAs III –V 1,38 5 ⋅ 107 1 260 4 000 450 Elektrolumineszens,
LED, IR-Dioden,
FET
Ga-Phosphid GaP III –V 2,29 – – 1 000 – IR-Dioden, grüne
Lichtstrahlung, LED
Si-Karbid SiC IV –IV 3,5 60 8 blaue Lichtstrahlung
IV Magnetische Leitfähigkeit
Daten verschiedener Verbindungs-Halbleiter aufge-
zeigt, wobei nicht nur III – V-Verbindungen berück-
sichtigt wurden. Vergleichsweise sind auch Germani-
um und Silizium noch mit aufgeführt.
Zur Herstellung der für Halbleiterbauelemente not-
wendigen Sperrschichten, d.h. Übergänge zwischen
p- und n-leitenden Materialien, ist noch die Umdotie-
rung wichtig. Durch eine stärkere als die vorher
eingebrachte Dotierung kann die p- oder n-Leitung
umgekehrt werden. Mit Hilfe dieser Umdotierung
können auch Mehrfachfolgen von p- und n-Schichten
erzeugt werden. Nur so ist die heute übliche Planar-
technologie zur Herstellung integrierter Schaltungen
möglich.
3 Supraleiter
Das grundsätzlich bereits über eine recht hohe
Sprungtemperatur verfügende Niob (9,2 K, siehe Ta-
belle II-2 Nb) liefert als NbTi bzw. Nb3Sn z.Z. die
gebräuchlichsten Supraleitermaterialien. NbTi liegt
als leicht zu fertigender Legierungswerkstoff vor,
wohingegen Nb3Sn als Verbindungssupraleiter einen
IV Magnetische Leitfähigkeit
1 Modellvorstellung
Die zur elektrischen Elementarladung äquivalente
magnetische Größe ist das Bohrsche Magneton
m B = 9, 27 ⋅ 10 −24 Am 2 (1 A ⋅ m 2 = 1 J /T)
Im Gegensatz zur „einpoligen“ Elementarladung ist das
Bohrsche Magneton zweipolig und damit ein magneti-
scher Dipol mit Nord- und Südpol. Die gleichfalls
benutzte Bezeichung magnetisches Moment geht auf
die Tatsache zurück, daß die magnetischen Dipole nur
verdreht, aber nicht verschoben werden können.
Zur Modellvorstellung des magnetischen Dipols ist in
Bild IV-1 die Magnetpolbildung eines Ringstromes
dargestellt (die unvollständig gezeichneten Feldlinien
sollen die Vorstellung erleichtern). Gelangt die An-
ordnung in ein magnetisches Feld (gestrichelt in Bild
IV-1), so wird der Dipol eine Drehbewegung ausfüh-
ren, ohne den Platz zu verlassen. Die Größe des für
die Drehbewegung notwendigen Drehmomentes M
folgt aus
M m B B sin a
M = m B ⋅ B ⋅sin a (IV.1)
J J/T T 1
Hierbei ist B die Flußdichte, mB das magnetische
(Dipol-)Moment und a der (kleinste) Winkel zwi-
schen „Magnet“ und Feld. Wichtig ist das magneti-
sche Moment mB des Modells, dessen Betrag sich als
Strom multipliziert mit der umrandeten Fläche ergibt.
Betrachtet man den Stromring als Elektronenbahn
233
bestimmten Formierungsprozeß erfordert. NbTi er-
möglicht bei einer Temperatur von 2 K (Helium-
kühlung) Flußdichten von 10 T und Nb3Sn solche bis
16 T.
Supraleitendes Material wird zur Stabilisierung in
einen normalleitenden Träger (Substrat) auf Cu-Basis
(Cu – Sn- oder Cu – Ni-Matrix je nach Herstellprozeß)
eingebracht. Die dadurch bedingte Aufteilung des
Leiters in Normal- und Supraleiter wird durch das
Querschnittsverhältnis a = qCu/qSL beschrieben, mit
qCu = Kupferquerschnitt und qSL = Supraleiterquer-
schnitt. Selbst wenn die zulässigen Stromdichten für
Normalleiter mit 103 A/cm2 angesetzt werden, ist die
Stromtragfähigkeit von Supraleitern immer noch um
mehr als 102 größer als die von Normalleitern. Eine
praktisch brauchbare Form von Hochtemperatur-
Supraleitern (Stickstoffkühlung) würde den bislang
weitgehend auf Hochfeldmagnete in Forschungsein-
richtungen und kleinen Sonderanwendungen im
Mikrowellenbereich beschränkten Einsatz von Supra-
leitern auch für die Anwendung in Energieübertra-
gungssystemen, Motoren und Generatoren interessant
machen.
N
I
S
Magnetfeld
von einem Nordpol kommend
Bild IV-1 Kreisstrom (stromdurchflossener Ring) als
magnetischer Dipol
und die Fläche als zum Bahnradius gehörig, so ist das
damit verkoppelte magnetische Moment als Bahn-
moment zu deuten. Der mechanisch als Eigenrotation
gedeutet Spin der Elektronen führt dementsprechend
zum Spinmoment. Alle magnetischen Erscheinungen
der Materie, die für den praktischen Gebrauch be-
deutsam sind, gehen damit auf die Überlagerung von
Spin- und Bahnmomenten zurück.
2 Verhalten von Materie im Magnetfeld
Meßzahl für die Reaktion eines Werkstoffes auf ein
Magnetfeld, d.h. seine magnetische Leitfähigkeit ist
entweder die Permeabilität m oder die (magnetische)
234
Suszeptibilität km. Für den freien Raum gilt – unter
Verzicht auf die Kennzeichnung des Vektorcha-
rakters von Flußdichte B und magnetischer Feld-
stärke H –
B H m0
B = m0 ⋅ H (IV.2)
T A / m Vs/ Am
mit m0 = 1,26 ⋅ 10–6 Vs/Am (bzw. H/m). Für den
materieerfüllten Raum ist eine multiplikative oder
additive Beschreibung möglich:
B = m0 ⋅ mr ⋅ H bzw. B = m0 ⋅ H + J (IV.3a und b)
2
B ist die erreichte Flußdichte in Vs/m oder T und H
das erregende magnetische Feld in A/m. J ist die mit
B dimensionsgleiche magnetische Polarisation. Die
relative Permeabilitätszahl mr ist der Multiplikations-
faktor für die Flußdichte im materieerfüllten Raum
gegenüber dem Vakuum. Die Polarisation J gibt den
auf die Materie entfallenden Flußdichteanteil an, der
zusätzlich zum Anteil m0H des Vakuums auftritt. Aus
Gl. IV.3 folgt:
J M
mr = 1 + = 1+ = 1 + km
m0 H H
J, M H m0 mr , k m
(IV.4)
T A/ m Vs/ Am 1 magnetisch
Mit km = Suszeptibilität(szahl) und M = J/m0 = Ma-
gnetisierung. M ist der Feldsstärkeanteil, der für die
zusätzliche Flußdichte in der Materie aufzubringen
ist. Der für die Praxis wichtige Zusammenhang zwi-
schen J und B folgt aus Gl. IV.3 zu
J B H m0
J = B − m0 H (IV.5)
T T A/ m Vs/ Am
Diamagnetismus: Trifft ein äußeres Magnetfeld auf
die Kreisströme der Elektronenbahnen, so wird –
gemäß Lenz’scher Regel (siehe Grundlagen der
Elektrotechnik) – ein Feld induziert, das dem erzeu-
genden entgegengerichtet ist. Es entsteht ein sog.
induziertes magnetisches Moment. Dies ist die ein-
fachste Form des Magnetismus, die grundsätzlich in
allen Stoffen vorkommt. Das resultierende Feld ist
schwächer als das erregende. Materialien, die aus-
schließlich diesen Effekt zeigen, heißen diamagne-
tisch. Die Suszeptibilität km ist negativ, etwa – 10–6.
Die Permeabiltät mr ist dann praktisch gleich 1 (Bild
IV-2).
Zu den diamagnetischen Stoffen gehören die Edelga-
se, die nichtmetallischen Elemente – außer O2 und S2
– sowie die Metalle Ag, Au, Cd, Cu, Hg, Pb und Zn,
ferner die Halbleitermaterialien Ge, Si und Se. Nor-
malerweise ist die Suszeptibilität temperaturunabhän-
gig. Ausnahmen hiervon machen Sb, Bi, Ga, Tl und
C (als Graphit).
Paramagnetismus liegt vor, wenn sich die magneti-
schen Momente im atomaren Bereich unvollständig
kompensieren. Die resultierenden magnetischen Mo-
Werkstoffkunde
Magnetische Momente vereinfachte
im kubischen Gitter Darstellung Bezeichnung mr km
dia- <1 <0
(≈ 1) (≈ 0)
magnetisch
para- >1 >0
magnetisch (≈ 1) (≈ 0)
ferro-
magnetisch 1 0
antiferro- >1 >0
magnetisch (≈ 1) (≈ 0)
ferri-
1 0
Bild IV-2 Ordnungszustände magnetischer Momente
(schematische Übersicht)
↑ magnetisches Moment mit relativer Größe und
Richtung
mente mit ihren willkürlichen Orientierungen werden
durch ein äußeres Magnetfeld ausgerichtet. Die
resultierende Flußdichte ist etwas größer als im
Vakuum. Die Suszeptibilität ist positiv mit Werten
von etwa km = 10–5 ... 10–3. Die Permeabilitätszahl mr
ist damit praktisch nur unwesentlich größer als 1.
Da die Wärmebewegung der Teilchen der ausrichten-
den Wirkung des Magnetfeldes entgegenwirkt, ist der
Paramagnetismus temperaturabhängig.
Ferromagnetismus: Kompensieren sich im atomaren
Bereich erst magnetische Momente größerer, gleich
ausgerichteter Gebiete, den sog. Weiss’schen Bezir-
ken, Elementarbereichen oder Domänen, so liegt
Ferromagnetismus vor. Die Suszeptibilität km und
Permeabilität mr erreichen sehr hohe Werte. Dieser
Ausnahmezustand in der Ordnung der Spinmomente
wird durch Austauschkräfte hervorgerufen, denen mit
steigender Temperatur die Wärmebewegung der
Atome (-rümpfe) entgegenwirkt, so daß ab einer
bestimmten Temperatur – der Curie-Temperatur –
wieder der ungeordnete, d.h. paramagnetische Zu-
stand, vorherrscht.
Antiferromagnetismus: Die Austauschkräfte können
im Gitter auch zu einer paarweise antiparallelen
Ordnung der magnetischen Momente führen. Dieser
IV Magnetische Leitfähigkeit
Ordnungszustand heißt antiferromagnetisch. Nach
außen hin ist ein solches System durchweg un-
magnetisch und verhält sich bei den üblichen Unter-
suchungen wie ein paramagnetischer Stoff. Auch
dieser Ordnungszustand wird thermisch aufgeho-
ben. Die zugehörige Temperatur heißt Néel-Tempe-
ratur.
Ferrimagnetismus: Sind bei antiparalleler Ausrich-
tung die magnetischen Momente ungleich groß, so
verbleibt in einer Richtung ein resultierendes magne-
tisches Moment, mit ähnlicher Wirkung wie bei
ferromagnetischen Materialien. Dieser unvollständig
kompensierte Antiferromagnetismus wird Ferri-
magnetismus genannt. In Bild IV-2 sind die mögli-
chen Ordnungszustände der magnetischen Momente
schematisiert zusammengestellt.
3 Magnetisierung
Die Weiss’schen Bezirke sind durch Austausch-
kopplungen bis zur Sättigung magnetisiert. Diese
spontane Magnetisierung erfolgt im Kristallgitter
immer nur in den Richtungen der leichten Magneti-
sierbarkeit, den (magnetisch) leichten Richtungen.
Beim kubischen Gitter des Eisens sind dies z.B. die
Würfelkanten. Die Diagonalen dazu sind schwerer zu
magnetisiern, d.h. es liegen (magnetisch) schwere
Richtungen vor.
Die Ausrichtung der magnetischen Momente erfolgt
wegen der Weiss’schen Bezirke durch Wandver-
schiebungen und Drehprozesse. (Bloch-)Wandver-
schiebungen (Bild IV-3b) sind für Magnetisierungen
mit kleinen Feldstärken wichtig. Mit zunehmender
Feldstärke müssen auch Bezirke magnetisiert werden,
die mit dem aufmagnetisierenden Feld Winkel > 90°
einschließen. Hierbei treten irreversible Drehungen
auf, wobei die spontan magnetisierten Bezirke ihre
Magnetisierungsrichtung um 180° ändern (Bild
IV-3c). Die weitere Ausrichtung bis zur Sättigung
erfolgt über einfache reversible Drehungen (Bild
IV-3d). Die plötzlichen Richtungswechsel der Mag-
netisierung durch die irreversiblen Drehungen
sind auch unter dem Namen Barkhausensprünge
bekannt.
H H H Zur Entmagnetisierung muß von einer Sättigungs-
a) b) c) d)
Bild IV-3 Stufen der Magnetisierung
a) ungestörter Zustand
b) (Bloch-)Wandverschiebung
c) irreversible Drehungen
d) reversible Drehung
H magnetisierendes Feld zunehmender Stärke
235
4 Magnetisierungskurve
Der Zusammenhang zwischen der erregenden Feld-
stärke H und der daraus im Inneren des Werkstoffes
resultierenden Flußdichte B, d.h. der Addition von J
und m0H ist bei Werkstoffen mit hoher Permeabilität
im allgemeinen nicht linear. Der nur experimentell zu
ermittelnde Zusammenhang zwischen H und B wird
durch die Magnetisierungs- oder Hysteresekurve (-
schleife) beschrieben (Bild IV-4). Für einen noch nie
magnetisierten (oder einwandfrei entmagnetisierten)
Werkstoff beginnt die Neu- oder Kommutierungskur-
ve im Koordinatenursprung und wird im Anfangsbe-
reich durch Wandverschiebungen (Bild IV-4 a), im
Hauptteil durch irreversible Drehungen (Bild IV-4 b)
und, im Bereich bis zur Sättigungsflußdichte Bs (Bild
IV-4 c), durch reversible Drehungen bestimmt. Bei
gegen Null absinkender Feldstärke sinkt die Fluß-
dichte auf einem höher liegenden Kurvenast (Bild IV-
4 d) gegen die Remanenzflußdichte (Remanenzinduk-
tion) Br ab. Dies ist die Auswirkung der irreversiblen
Drehungen, die erst durch eine entgegengerichtete
Koerzitivfeldstärke – Hc wieder bis auf B = 0 gebracht
werden können. Eine weitere Steigerung von H in
negativer Richtung führt zu einer negativen Sätti-
gungsflußdichte, die ihrerseits erst wieder durch eine
positive Koerzitivfeldstärke auf Null gebracht werden
kann. Eine Rückkehr zum Koordinatenursprung ist
auf diese Weise nicht möglich. Der Werkstoff verfügt
über eine Hysterese.
B
Br d reversible
Bs c Drehungen
b irreversible
Drehungen
–Hc a Wandverschiebungen
Hc H
–Br
–Bs
Bild IV-4 Grundsätzlicher Verlauf und Entstehung
einer Magnetisierungskurve oder Hystere-
seschleife (Erläuterungen im Text)
feldstärke, Punkt 1 oder 2 in Bild IV-5 mit allmählich
absinkenden Feldstärkewerten ständig ummagneti-
siert werden. Die gleichfalls mögliche thermische
Entmagnetisierung durch Überschreiten der Curie-
Temperatur dürfte nur in Sonderfällen anwendbar
sein.
Verluste: Die Fläche der Hystereseschleife, d.h. das
Integral der Funktion B von H, stellt eine „Ver-
lustfläche“ A dar. Diese Verluste treten bei jedem
Durchlauf der Kurve auf und sind damit der Frequenz
f proportional. Ist die Fläche der Hystereseschleife
236 Werkstoffkunde

B
1
B = Scheitelwert der sinusförmigen Flußdichte und
r = Dichte des Werkstoffes. Damit werden die im
3 allgemeinen zusammengefaßten Verluste p
5 p
B1 p = ph + pw (IV.8)
W/ kg
Bei konstanter Netzfrequenz f = 50 Hz sind die Ver-
luste nur noch von der Blechdicke d und der Aussteu-
H erung B abhängig. Da die Blechdicke für den allge-
meinen Fall variabel bleiben muß, die Aussteuerung
aber bis in den nichtlinearen Bereich durchgeführt
wird, ist die Flußdichte mit B = 1,0 T
6 und B = 1,5 T genormt. Daraus folgen die Verlust-
kennziffern p1,0 und p1,5, meist in W/kg angegeben.
4
2
5 Permeabilität
H
Eine der wichtigsten Kenngrößen magnetischer
Werkstoffe ist die Permeabilität m. Sie gibt den zah-
1 lenmäßigen Zusammenhang zwischen Flußdichte B
2 H~ und Feldstärke H an:
3
DB
4 m= (IV.9)
5 DH
6
D ist die zur jeweiligen Definition gehörige Diffe-
renz. Die Permeabilität m ist in die absolute Permea-
bilität m0 mit der Einheit H/m und eine weiter zu
definierende unbenannte Zahl mr aufzuspalten.
m = m0 ⋅ mr (IV.10)
mit
Bild IV-5 Entmagnetisierung (schematisch) m0 = 4 p ⋅10 −7 Vs / Am = 1,256 ⋅10 −6 H / m
B1 (Rest-)Vormagnetisierung, H∼ abklingendes, ent- Anfangspermeabilität = Steigung im Nullpunkt. Die
magnetisierendes Wechselfeld, 1, 2, 3, ... Umkehr- Anfangspermeabilität mA oder mi (engl.: i = initial)
punkte auf der Kommutierungskurve, d.h. abklingen- entspricht der Steigung der Neukurve im Ursprung
de Scheitelwerte von H∼, – . – . – Kommutierungs- (Bild IV-6a). Die formale Definition lautet:
kurve und – – – Ergänzung der (äußersten) Hystere-
seschleife. 1 B
m A = mi = ⋅ (IV.11)
m 0 H H → 0

B B
gleich den Verlusten A in Ws/m3 und das Materialvo- ^
B m~
lumen gleich V, so ergibt sich die, auf die Masse
mA
bezogene, Hysterese-Verlustleistung ph zu
m~
A⋅ f ph A f r
ph = (IV.6) mA
r W/ kg Ws/ m 3 s −1 kg/ m 3 ^
H H H
3
mit r = Dichte (kg/m ). Die elektrische Leitfähig-
a) b)
keit g der meisten magnetischen Werkstoffe führt zu
Wirbelstromverlusten pw, die sich, bei der Verwen- Bild IV-6 Wechselfeldpermeabilität
dung von dünnen Blechen der Dicke d und sinusför- a) Definition der Anfangs- (mA) und Wechselfeld-
miger Flußdichte B, nach der klassischen Wirbel- permeabilität (m∼) an der Kommutierungskurve
stromtheorie ergeben zu b) Wechselfeldpermeabilität m∼ in Abhängigkeit von
g  2 der magnetischen Feldstärke
p w = 1, 64 ( Bfd )
r
Da mit H = 0 keine Messungen mehr durchführbar
pw g r B f d
(IV.7) sind, ist hierfür ein sehr kleiner Wert (einige mA/cm)
W/ kg S/ m kg/ m 3 T s −1 m festgelegt. Ältere Angaben benennen m5, d.h. H =
V Magnetika 237

5 mOe = 4 mA/cm. In Anlehnung daran findet man B

oft auch als Angabe m4.
a)
Wechselfeldpermeabilität = Steigung bei großer Aus-
steuerung. Die Wechselfeldpermeabilität m∼ entspricht ΔB
der üblichen Permeabilitätszahl mr, mit der Definition ΔH
(Bild IV-6a):
1 B
m~ = ⋅ (IV.12)
m0 H H groß H
B
H wird zweckmäßig von H = 0 bis zu einem maxima-
Br
len Wert bei dem Bs erreicht wird geführt und das
Ergebnis als Diagramm über H aufgetragen (Bild b)
IV-6b). Für H = 0 geht m∼ dann in mA über. Ist zusätz-
lich zur Wechselfeldaussteuerung noch ein magneti- F
sierendes Gleichfeld H= vorhanden, so ergibt sich die
Überlagerungspermeabilität (s.a. mrev). ΔB
Reversible Permeabilität = Steigung innerhalb der mperm
Hystereseschleife. Wird ein magnetischer Werkstoff
mit einem Gleichfeld H= vormagnetisiert und mit
kleinen Wechselfeldstärken ausgesteuert, so ergeben
sich die in Bild IV-7a dargestellten Verhältnisse. H ΔH
Einer inneren Magnetisierungskennlinie folgend, ver-
läuft die Aussteuerung flacher gemäß: Bild IV-7 Permeabilitäten innerhalb der Hysterese-
kurve
1 DB
m rev = ⋅ (IV.13) a) Reversible Permeabilität
m 0 DH DH → 0, H = ≠ 0 b) Permanente Permeabilität
DB und DH liegen dabei immer innerhalb der Hyste-
reseschleife. mrev sollte meist groß sein, damit trotz magnetik wichtig ist. Der Arbeitspunkt liegt im 2.
Gleichstromvormagnetisierung der magnetische Kreis (oder 4.) Quadranten (Bild IV-7b). Da bei Dauer-
noch einen genügend großen induktiven Widerstand magneten die Flußdichte – und deren Konstanz – die
aufweist. entscheidende Größe ist, sollte mperm ⯝ 1 sein, um bei
Ein Sonderfall der reversiblen Permeabilität ist einem störenden Wechselfeld keine Änderungen des
die permanente Permeabilität mperm, die in der Dauer- magnetischen Arbeitspunktes zu verursachen.

V Magnetika
Tabelle V-1 Übersicht über Magnetika
(Ohne Anspruch auf Vollständigkeit, Metalloxide ohne Fe2O3)

Metalle Metalloxide
(Ferrite)
reine Metalle Legierungen
weich hart weich hart weich hart
Fe – Fe – Si Fe – Al – Ni Mn – Zn – O Ba – O
Ni Fe – Ni Fe – Al – Ni – Co Ni – Zn – O Sr – O
Co Fe – Co Fe – Ni – Cu Mg – Mn – O
(Gd) Fe – Al Fe – Co – V Y – O (Gra-
nat)
Cu – Mn – Al Pt – Co
Co – Sm
238
Bei den Magnetika werden vom Werkstoff her Me-
talle und deren Legierungen sowie Metalloxide (Fer-
rite) und, nach den Anwendungseigenschaften,
Weich- und Hartmagnetika (Dauermagnete) unter-
schieden. In Tabelle V-1 ist eine grundsätzliche, aber
nicht vollständige, Übersicht der magnetischen Werk-
stoffe zusammengestellt.
1 Metalloxide (Ferrite)
Ferrite der Elektrotechnik sind chemische Verbin-
dungen des Eisen(III)-oxids Fe2O3 mit zweiwertigen
Metalloxiden (M″O) vom allgemeinen Typus
M″O ⋅ Fe2O3
Die Gitterstruktur der am meisten verbreiteten kubi-
schen Ferrite entspricht der des Halbedelsteins Spi-
nell. In der normalen kubischen Spinellstruktur mit
ihrem flächenzentrierten Sauerstoffionen-Gitter (Bild
V-1) befinden sich die zweiwertigen Metallionen
(Punkte in Bild V-1) auf Tetraederplätzen und die
dreiwertigen (Dreiecke in Bild V-1) auf Oktaeder-
plätzen. Vertauschen die zwei- und dreiwertigen
Ionen ihre Plätze, entstehen die inversen Spinelltypen.
Nur diese und die aus beiden bestehenden Mischty-
pen liefern magnetische Ferrite. Sie sind vom Prinzip
her ferrimagnetisch. Als Metalloxide sind die Ferrite
keramische Werkstoffe und daher elektrische Nicht-
leiter.
Bild V-1 Kristallgitter eines Spinells
䊊 Sauerstoffion, 䊉 zweiwertiges Metallion und 䉭 drei-
wertiges Metallion (zur besseren Übersicht sind die
Gitterplätze nur teilweise besetzt)
Tabelle V-2 Bezeichnung von Elektroblechen
1. Kennbuchstabe V kalt oder warmgewalzt, nicht kornorientiert
VH kaltgewalzt, nicht schlußgeglüht
VM kornorientiert
2. Verluste Hundertfaches der Verlustkennziffer p1,0
3. Blechdicke Hundertfaches der Blechdicke in mm
4. Kennbuchstabe bei Kennbuchstabe V zusätzlich:
A kaltgewalzt oder
B warmgewalzt und geglüht
Werkstoffkunde
2 Weichmagnetika
Weichmagnetische Werkstoffe sind durch eine Koer-
zitivfeldstärke von Hc < 1 kA/m gekennzeichnet.
Unter den Elementen kommen nur weichmagnetische
Stoffe vor, und zwar die Ferromagnetika Eisen,
Nickel, Kobalt sowie das für die Praxis bedeutungslo-
se Gadolinium (Curietemperatur 16 °C).
Metalle: Eisen wird als Weicheisen für Relais und als
Karbonyl-Eisen(pulver) in geringem Umfang für
Hochfrequenzkerne und zur Abbildung von Magnet-
feldern (Bittersche Methode) benutzt. Nickel findet
rein gelegentlich (im Sättigungsbereich) Anwendung
als magnetostriktiver Ultraschallgeber, ansonsten
dient es, ähnlich wie Kobalt, als Legierungsbestand-
teil für verschiedene magnetische Werkstoffe. Von
den übrigen Metallen gilt in erster Näherung, daß die
Schwermetalle (z.B. Cu, Ag, Bi, Au usw.) diamagne-
tisch und die Leichtmetalle (z.B. Al, Mg, Na, Ca
usw.) paramagnetisch sind.
Legierungen: Eisen ist mit verschiedenen Legie-
rungszusätzen wie Si, Ni, Co, Mo u.a. der wichtigste
magnetische Werkstoff. Neben den Zusätzen haben
auch die Art der Behandlung z.B. warm- oder kalt-
gewalzt, nachgeglüht usw. erheblichen Einfluß auf
die Verluste (p1,0 bzw. p1,5) eines Elektrobleches.
Höherwertige Bleche sind durchweg kornorientiert.
Für die Unterscheidung von Elektroblechen ist häufig
noch die veraltete Bezeichnung Dynamoblech mit den
Abstufungen Dyn.-Bl. I ... IV zu finden. Die heutigen
enger tolerierten Anforderungen bedienen sich gemäß
DIN 46400 einer Viererkombination aus Buchstaben
und Zahlen, Tabelle V-2.
In der Tabelle V-3 sind für einige nach dem genann-
ten Schema bezeichnete Werkstoffe, neben der Werk-
stoffnummer, die Grunddaten zusammengestellt.
Bevorzugtes Anwendungsgebiet sind Transformato-
ren, Motoren und Generatoren.
Werkstoffe für Übertrager behandelt DIN 41301
und 41302 sowie IEC 404-8-6. Der Kurzname be-
steht hierbei aus einem Buchstaben und einer
Ziffer, wobei, mit im Alphabet fortschreitenden
Buchstaben, die Legierungsanteile wachsen. A be-
deutet gar nicht oder schwach Si legiert, C definiert
V Magnetika 239

Tabelle V-3 Grunddaten einiger Elektrobleche nach DIN 46400

(B25 = Flußdichte bei H = 25 A/cm)

Kurzname Werkstoff- d p 1, 0 p1, 5 B 25 Hc

mmax
nummer mm W/kg W/ kg T A/ m

V110-35A 1.0899 0,35 1,1 2,7 1,49

V130-35A 1.0898 0,35 1,3 3,3 1,49
V135-50A 1.0897 0,50 1,35 3,3 1,49
V230-50A 1.0893 0,50 2,3 5,3 1,54
V360-50A 1.0890 0,50 3,6 8,1 1,58
V90-35B 1.0883 0,35 0,9 2,3 1,47
V130-35B 1.0880 0,35 1,3 3,3 1,47 ≈ 100
V110-50B 1.0879 0,50 1,1 2,7 1,47 ≈ 5 000
... 300
V170-50B 1.0875 0,50 1,7 4,1 1,48
V230-50B 1.0873 0,50 2,3 5,4 1,51
VH280-50 1.0361 0,50 2,80 6,60 1,62
VH430-50 1.0363 0,50 4,30 10,50 1,58
VH330-65 1.0364 0,65 3,30 8,00 1,62
VH500-65 1.0366 0,65 5,00 12,00 1,58
VM89-27 1.0865 0,27 0,89 1,40
VM97-30 1.0861 0,30 0,97 1,50 ≈1 ≈ 30 000
VM111-35 1.0856 0,35 1,11 1,65

mit Si legiert, D sind Ni-Legierungen, E und F sind alle Magnetwerkstoffe noch Eigennamen der Herstel-
hoch nickelhaltig und noch weiter legiert. Die Tabelle ler, z.B. Vacofer für Werkstoffe der Klasse A, Mume-
V-4 gibt eine Übersicht über einige Werkstoffe dieser tall aus Klasse E oder Vacuflux bei Klasse F von der
Klasse. Zusätzlich zu den DIN-Bezeichnungen haben Firma Vacuumschmelze GmbH.

Tabelle V-4 Grunddaten einiger Übertragerwerkstoffe nach DIN 41301

Werkstoffsorte Chemische d Hc Bs Tc m16 m4 p Kennzeichnende
Zusammen- Eigenschaften,
setzung
mm A/m T °C W/ kg Verwendung
Kurzname Werkstoff-
nummer
A0 1.3850 Stahl mit 0,5 100 2,03 750 450 – – Permeabilität
≈ 2,5 ... 4,5% Si 0,35 bei kleinen
Feldstärken
A2 1.3852 0,35 60 2,0 750 900 –
A3 1.3853 0,35 35 1,92 750 900 –
0,20 750 –
C2 1.3856 Stahl mit 0,35 30 2,0 750 1300 – p1,5 ≈ 1
≈ 3,5 ... 4,5% Si
C5 1.3859 0,35 15 2,0 750 abhängig von
Walzrichtung
D1a 1.3915 Stahl mit 0,35 50 1,3 250 2400 – p1,0 ≈ 0,5 ... 1 Herstellung von
≈ 36 ... 40% Ni 0,05 2300 – Übertragern in
der Nachrich-
0,35 2200 – tentechnik
0,1
D3 1.3916 0,35 15 1,3 250 2900 –
0,05 2500 –
E3 2.4591 Ni – Fe-Legierung 0,35 2 0,7 – 0,8 400 – 20 000 p0,5 ≈ 0,03
mit ≈ 75% Ni, 0,05 – 16 000
weitere Zusätze
E4 2.4592 0,35 1 0,6 – 0,8 270 – 35 000
0,05 400 – 30 000
F3 1.3922 Ni – Fe-Legierung 0,35 10 1,5 470 – 4 000 p1,0 ≈ 0,03
mit ≈ 50% Ni 0,05
240
Nickel ist, wie schon Tabelle V-3 zeigt, von größtem
Einfluß auf die magnetischen Eigenschaften von
Eisen. Während ca. 75% Ni einen hochpermeablen
Werkstoff mit mA > 104 liefert, sinkt bei ca. 25 ... 30%
Ni die Curie-Temperatur unter die Raumtemperatur,
so daß unmagnetische Stähle entstehen. Für die
Technologie ist die gute Auswalzbarkeit von Fe – Ni-
Legierungen bis in den Bereich von d ⯝ 50 mm
wichtig. Für extrem dünne Schichten im mm-Bereich
der Halbleitertechnologie sind hochpermeable Legie-
rungen mit 78% Ni aufdampfbar.
Amorphe Metalle: Unter dieser Bezeichnung oder auch
unter dem Namen Metallgläser werden weichmagne-
tische Werksttoffe mit extremen Eigenschaften ge-
liefert. Es handelt sich dabei um Legierungen auf
Fe – Ni- bzw. Co – Ni – Fe-Basis, die nicht kristallin
sind! Diese Eigenschaft wird durch eine außerordent-
lich hohe Abkühlgeschwindigkeit von ca. 106 K/s,
d.h. 1000 K/ms, beim Erstarren aus der Schmelze und
bis zu 25% kristallisationsverzögernde Zusätze er-
reicht. So ist z.B. die Co-Ni-Fe-Legierung der Fa. Va-
cuumschmelze GmbH als O50Ni20Fe6Si12B12 aufge-
baut. Die bestechendste Eigenschaft derartiger Werk-
stoffe ist die in Bild V-2 erkennbare hohe Permeabi-
lität. Im Gegensatz zu anderen Weichmagnetika
weisen diese Werkstoffe aber erhebliche Härte- (⯝
1000 HV02) und Zugfestigkeitswerte (Rm ⯝ 2 kN/
mm2) auf. Die thermische Belastbarkeit ist nicht
durch die Curie-Temperatur, sondern durch die Kris-
tallisationstemperatur von ca. 400 ... 500 °C begrenzt.
Die bei anderen hochpermeablen Materialien ge-
fürchtete Empfindlichkeit gegen mechanische Be-
anspruchungen tritt bei amorphen Metallen nicht auf.
106
m~ Co-Ni-Fe
105
Fe-Ni
104
^
103 H
0,1 1 10 A/m
Bild V-2 Wechselfeldpermeabilität amorpher Metal-
le (Metallgläser)
Beispiel: Vitrovac der Fa. Vacuumschmel-
ze GmbH (f = 50 Hz)
Werkstoffkunde
Kernbleche: Während für Großtransformatoren die
Kernbleche aus Plattenmaterial dem jeweiligen Be-
darf entsprechend zugeschnitten werden, ist für
Kleintransformatoren die Anwendung vorgefertigter
Kerne bzw. Kernbleche zweckmäßiger. Material- und
fertigungsmäßig sind die abfallosen EI- (Bild V-3a)
bzw. UI-Schnitte (Bild V-3c) besonders günstig. In
Varianten zu diesen Schnitten werden die „I’s“ durch
ein mehr oder weniger vollständiges E (Bild V-3f)
bzw. U ersetzt. Es entstehen dann EE- bzw. UU-
Formen, bei denen die Luftspalte der Kerne innerhalb
der Wicklungen liegen. Eine spezielle Variante der E-
Kernform ist der Drehstrom-E-Kern, mit drei gleich
breiten Stegen. Eine verarbeitungsmäßig aufwendige,
für geringe Luftspalte aber beste Kernblechform ist
der M-Schnitt (Bild V-3b). Der Luftspalt d kann von
„klemmender Zunge“, d.h. verschwindendem Luft-
spalt, bis zu einer Breite von mehreren Millimetern
variiert werden. Um die Lage der Bleche auch im
fertigen Transformator kontrollieren zu können, sind
die Bleche an einer Ecke (oben rechts in Bild V-3b)
abgeschrägt. Philbertschnitte in PU- (Bild V-3d) oder
in PL-Form (Bild V-3e), mit den verbreiterten Quer-
stegen in den magnetisch schweren Richtungen,
nutzen bei Gosstexturen (leichte Richtungen längs,
schwere Richtungen quer und in Dickenrichtung der
Bleche) das Material besser aus. Die beste Ausnut-
zung der Gosstextur liefert der herstellungs- und
verarbeitungsmäßig aufwendige Schnittbandkern
(Bild V-3h und k). Der für das Einbringen in die
Wicklungen geteilte Kern ist an den Trennflächen
sorgfältig geschliffen und muß in der Fertigung
immer wieder mit den einander zugehörigen Flächen
zusammengebracht werden.
Für rationelle Fertigungen sind fertig geklebte Blech-
pakete in EE-Form oder als Steckkerne, die über
Kerben (K) und Vorsprünge (N) einrastend zusam-
menhalten (Bild V-3g und i), trotz magnetisch un-
günstigerer Eigenschaften (Luftspalt) vorteilhaft.
Um die durch dünne Bleche niedrig gehaltenen Wir-
belströme auch in einem Blechpaket klein zu halten,
sind die einzelnen Bleche elektrisch voneinander zu
isolieren. Diese Maßnahme hat einen Verlust an
Eisenquerschnitt zur Folge, der durch den Eisenfüll-
faktor gekennzeichnet wird. Er gibt den relativen
Anteil des Eisens an der gesamten magnetischen
Querschnittsfläche an. Mit sinkender Blechdicke
sinkt auch der Füllfaktor, da die Isolation nicht belie-
big dünn gemacht werden kann. Für die üblichen
Blechdicken von 0,25 ... 0,5 mm liegt der Eisenfüll-
faktor bei 95%. Er kann bei sehr dünnen Blechen bis
etwa 35% absinken.
Weichmagnetische Ferrite: Wegen der Nichtleiter-
eigenschaften der Ferrite, und den damit fehlenden
Wirbelstromverlusten, sind sie besonders für hohe
Frequenzen und die Nachrichtentechnik interessant.
Die praktisch genutzten Werkstoffe sind alle sog.
Mischferrite. Dementsprechend auch die Bezeich-
V Magnetika 241

Pv
c
c mW/g
d 200 mT
102 100 mT
c c 2c c c c 2c c
4c
50 mT
c 10 1
6c
a) b) 25 mT

100

c c c 3c c c c 6c c c c
10–1

c) d) e)
f
10–2 –1
10 100 101 102 kHz
c 2c c c c c a)

20 MHz
N Pv
K

0.5
0.2
mW/mm3

10
f) g) h)

5
2
1
1

10–1

10–2

10–3
i) k)
10–4
Bild V-3 Blechschnitte für Kleintransformatoren
a) EI-Kernblech (abfallarm)
b) M-Kernblech oder Mantelkernblech mit oder 10–5
(fast) ohne Luftspalt d
c) UI-Kernblech (abfallarm) 10–6
d) Philbertkernblech PU
e) Philbertkernblech PL 10–7 B
^

f) EE-Kernblech 10–1 100 101 102

g) und i) Steckkern(blechpaket)
h) und k) Schnittbandkern
nungen wie Mn – Zn-Ferrit o.ä. Für Ferrite typisch
sind die geringen Sättigungsflußdichten von ca.
0,3 ... 0,5 T. Als keramische Werkstoffe sind sie mit
r = 3 ... 5 g/cm3 von geringer Dichte, absolut korro-
sionsbeständig und schlechte Wärmeleiter. Die bei
hohen Aussteuerungen auftretende Verlustwärme ist
demgemäß nur schwierig abzuführen. Wegen der
Fequenzabhängigkeit werden die Verluste in Dia-
grammen über der Frequenz (Bild V-4a) mit der
Aussteuerung als Parameter oder über der Austeue-
rung (Bild V-4b) mit der Frequenz als Parameter
dargestellt. Zu beachten ist noch die für tiefe Fre-
quenzen oft sehr hohe Permittivitätszahl der Ferrite,
die bei hohen Frequenzen stark absinkt.
mT
b)
Bild V-4 Darstellung der Kernverlustleistung pv bei
Ferriten
a) Verlustleistung in mW/g in Abhängigkeit von der
Frequenz mit der Spitzenflußdichte als Parameter
(Sifferit N22 von Siemens AG)
b) Verlustleistung in mW/mm3 in Abhängigkeit von
der Spitzenflußdichte mit der Frequenz als Para-
meter (Ferroxcube 4B1 von Valvo)
Mn – Zn-Ferrite sind hochpermeabel mit mi-Werten
von 1000 bis gegen 10 000. Ihre elektrische Leit-
fähigkeit ist mit g ⯝ 1 S/m für Ferrite hoch, ebenso
die Sättigungsflußdichte mit 0,5 T. Sie sind aus
diesen Gründen in geringem Maße auch für Leistungs-
übertrager geeignet.
242 Werkstoffkunde

Ni – Zn-Ferrite sind die verbreitetsten Ferrite über-
haupt. Die Anfangspermeabilität liegt bei mi ⯝
100 ... 1000. Der nutzbare Frequenzbereich reicht bis
oberhalb 100 MHz. Wegen der geringen elektrischen
Leitfähigkeit von g ⯝ 10–5 S/m kann in vielen Fällen
die Wicklung direkt ohne Zwischenisolation auf den
Ferritkörper aufgebracht werden.
Ba – Co-Ferrite können noch, allerdings mit erhebli-
chen Verlusten, bis zu sehr hohen Frequenzen genutzt
werden. Sie finden daher bevorzugt für Entstördros-
seln Verwendung.
Kernformen: Die Bauformen der ferritischen E-Kerne
(Bild V-5a) schließen an die entsprechenden Blech-
schnitte an und sind so ausgelegt, daß sie in die
Wickelkörper der Blechkerne passen. Für höhere
Frequenzen kommen dann die Spulenkörper in Form
von Schalen-, X- und RM-Kernen in Frage (Bild
V-5b, c und d). X- und RM-Kerne sind Bauformen,
die dem geringen Platzangebot in gedruckten Schal-
tungen besser entsprechen als die Rundformen. Dar-
über hinaus gibt es noch eine große Anzahl verschie-
dener Kernformen wie Stäbe, Schraubkerne, Ein- und
Mehrlochkerne usw.
30 7,7
11
5,4
kommt, sollte diese und damit Br und Hc groß sein.
Die Energiedichte, das Produkt aus korrespondieren-
den B- und H-Werten, weist ein Maximum, das
Energieprodukt (B ⋅ H)max auf (Bild V-6b). Es ist ein
für einen Magnetwerkstoff charakteristischer Wert.
B
I
II Ba
III
H BH (BH)max
a) b)
Bild V-6 Entmagnetisierungskurve und Energiedichte
a) Entmagnetisierungskurve im 2. Quadranten, I re-
versibler Bereich, II Knickbereich, III irreversibler
Bereich, Ba und Ha Flußdichte bzw. Feldstärke im
Arbeitspunkt
b) Energiedichte B ⋅ H in Abhängigkeit von der Fluß-
dichte B, mit höchster Energiedichte (B ⋅ H)max

21,2
26

Luftspalt
30,4

16,3
Luftspalt
a) b)
24,5

45° 10,8
Luftspalt

19
,7
4,4
2,5

4,4
17
23,2
24,5

11,2
,6

9,6 Luftspalt 16,5

23

15,6

c) d)
Bild V-5 Einige Ferritkerne mit ihren Hauptabmessungen
a) E-Kern: E30
b) Schalenkern: S26 × 16
c) X-Kern: X26
d) RM-Kern: RM8

3 Hartmagnetika (Dauermagnete) Entmagnetisierungskurve (Bild V-6a): Sie ist mit dem

(DIN 17410)
Hartmagnetisch ist ein Werkstoff mit Hc > 1 kA/m
(10 A/cm).
Da die in einem Dauermagneten gespeicherte Energie
über die Fläche der Hystereseschleife zum Ausdruck
reversiblen Bereich I, dem Knickbereich II und dem
irreversibler Bereich III in unterschiedliche Nut-
zungsbereiche aufgeteilt. Im reversiblen Bereich, mit
seinem linearen Teil, erfolgen Arbeitspunktänderun-
gen – z.B. durch äußere Felder – auf dieser Kenn-
linie. Im Knickbereich und auch im irreversiblen
V Magnetika
Bereich verlagern äußere Felder den Arbeitspunkt auf
innere Kennlinien der Entmagnetisierungskurve.
Diese ist bei Dauermagnetwerkstoffen häufig als
Polarisationskurve, d.h. J = f(H) dargestellt. Bild V-7
zeigt die Zusammenhänge hierzu, indem von der
bekannten B = f(H)-Kurve (dick ausgezogen) die
Vakuumflußdichte m0H abgezogen ist. Während der
Remanenzpunkt für beide Kurven gleich bleibt, ist
die Koerzitivfeldstärke unterschiedlich. Bei der
Koerzitivfeldstärke BHc wird die Flußdichte B, d.h.
die Flußdichte des Systems auf Null gebracht. Bei der
Koerzitivfeldstärke JHc wird die dem Werkstoff
zugehörige Polarisation auf Null gebracht. Aus die-
sem Grunde ist für die Werkstoffcharakterisierung bei
Dauermagneten die Kurve J = f(H) wichtig. Im Ideal-
fall würde JHc → ∞ und die Sättigungspolarisation Js
gleich der Remanenzflußdichte Br werden, die einem
äußeren Feld m0H entgegenwirkt. Die Flußdichte B
des (idealen) Gesamtsystems wird dann:
B = Br – m0H (V.1)
B
J B = f(H)
Bsat
B = μ0 H
J = f(H)
Br
–H JHC BHC Hsat H
–B
Bild V-7 Zusammenhang zwischen Flußdichte B und
Polarisation J (Erläuterungen im Text)
Damit fällt die „ideale Entmagnetisierungskennlinie“
linear von Br bis BHc = Br/m0H mit der Steigung der
idealen permanenten Permeabilität mperm = 1 ab.
Die Entmagnetisierungskurve als B = f(H) stellt die
im allgemeinen nichtlineare Innenleitwertkennlinie
des Werkstoffes dar. Der jeweilige Innenleitwert Li
folgt dann zu
Li = m0 ⋅ mp (V.2)
mp = Permeabilität des Magnetwerkstoffes im Arbeits-
punkt. Für ein Dauermagnetfeld in Luft gilt aber
mr = 1, d.h. bei Anpassung eines Dauermagnetwerk-
stoffes an Luft muß ein Arbeitspunkt gefunden wer-
den, bei dem mp = mr = 1 ist! Ein guter Dauermagnet-
werkstoff muß also eine Entmagnetisierungskennlinie
aufweisen, die möglichst weit oberhalb und gut
parallel zur Geraden B = m0H (in Bild V-8 gestrichelt
und zum besseren Vergleich aus dem Nullpunkt
verschoben) verläuft.
243
FeAlNi- und FeAlNiCo-Legierungen (Bild V-8b und
c) mit Energieprodukten von 10 ... 30 kJ/m3 sind auch
heute noch die wichtigsten Magnetwerkstoffe. Es
handelt sich hierbei um Ausscheidungslegierungen,
die erst durch eine Wärmebehandlung (Tempern),
gegebenenfalls unter Einwirkung eines Magnetfeldes
(Formanisotropie), die gewünschten Eigenschaften
erhalten. Diese Legierungen sind sehr hart und nur
durch Schleifen zu bearbeiten.
B
T
c 1.2
1.0
0.8
e 0.6
d
b 0.4
g
0.2
f a
H 600 500 400 300 200 100 0
kA/m
Bild V-8 Entmagnetisierungskurven einiger Hart-
magnetika
a) Kobaltstahl (FeCo15)
b) AlNi120 (FeNi26Al13Cu3Ti, z.B. Reco 120 von
Valvo)
c) AlNiCo500 (FeCo24Ni15Al9, z.B. Ticonal 750
von Valvo)
d) Platin – Kobalt (PtCo23)
e) SE-Co (im wesentlichen SmCo5, z.B. Vaco-
max 155 der Vacuumschmelze GmbH)
f) betonter Ba-Ferrit (z.B. Koerox 330 der Krupp
Widia-Fabrik)
g) normaler Ba-Ferrit (z.B. Koerox 300 der Krupp
Widia-Fabrik)
FeNiCu- und FeNiCuCo-Legierungen mit Energie-
produkten um 10 kJ/m3 zeichnen sich durch leichte
Bearbeitbarkeit aus.
Selten-Erd-Magnete oder SECo-Magnete (Bild
V-8e), mit Energieprodukten von 200 kJ/m3 und
mehr, ist eine Kurzbezeichnung für Magnetwerkstoffe
auf der Basis Seltene Erdmetalle–Kobalt. Wichtigster
Vertreter der Seltenen Erden ist dabei Samarium
(Sm). Die permanente Permeabilität erreicht bei
diesen Materialien sehr genau den Wert 1.
Hartmagnetische Metalloxide (Ferrite): Die hart-
magnetischen Ferrite haben, genau wie die weich-
magnetischen, eine geringe Dichte, hohe Korrosions-
beständigkeit, geringe Remanenzflußdichte und
niedrige Curie-Temperatur. Bild V-8 zeigt in f und g
Entmagnetisierungskurven von Ba-Ferriten. Neben
244 Werkstoffkunde

der geringen Remanenzflußdichte fallen die hohe
Koerzitivfeldstärke und die Steigung mit mperm ⯝ 1
auf. Als keramische Werkstoffe sind Ferritmagnete
nicht nur mechanisch hart, sondern auch bruchemp-
findlich. Der spezifische Widerstand aller Ferrit-
magnete ist mit r > 10 Ωm sehr hoch, wodurch sie
selbst in hochfrequenten Feldern eingesetzt werden
können.
Ba-Ferrit: Hier kommt eigentlich nur der hexagonale
Ba-Ferrit vom Typus BaO ⋅ 6 Fe2O3 mit einem Ener-
gieprodukt von 25 kJ/m3 für die technische Anwen-
dung in Betracht. Er liegt sowohl isotrop als auch
anisotrop, meist noch mit geringen Zusätzen von Sr,
Pb und/oder Co vor. In der Tabelle V-5 sind die
Daten einiger typischer Dauermagnetwerkstoffe zu-
sammengestellt.

Tabelle V-5 Daten einiger typischer Dauermagnetwerkstoffe

Werkstoff- ( BH ) max mperm Herstellung,
Werkstoff Dichte Br B Hc J Hc Tc
nummer r kJ / m 3 T kA/ m kA/ m K Bearbeitung
g/ cm 3
Kurzname DIN IEC

Legierungen Herstellung:
Gießen oder
Isotrop Sintern. Bei
AlNiCo9/5 1.3728 R 1-0-3 6,8 9,0 0,550 44 47 4,0 ... 5,0 1030 Magneten
AlNiCo18/9 1.3756 – 7,2 18,0 0,600 80 86 3,0 ... 4,0 ... mit Binder
AlNiCo7/8p 1.3715 R 1-2-3 5,5 7,0 0,340 72 84 2,0 ... 3,0 1180 Pressen oder
Spritzen.
Anositrop Bearbeitung:
Schleifen.
AlNiCo35/5 1.3761 – 7,2 35,0 1,120 47 48 3,0 ... 4,5 1030
Verwendung:
AlNiCo44/5 1.3757 R 1-1-2 7,2 44,0 1,200 52 53 2,5 ... 4,0 ... max.
AlNiCo52/6 1.3759 – 7,2 52,0 1,250 55 56 1,5 ... 3,0 1180 400 ... 500 °C
AlNiCo60/11 1.3763 R 1-1-6 7,2 60,0 0,900 110 112 1,5 ... 2,5
AlNiCo30/14 1.3765 – 7,2 30,0 0,680 136 144 1,5 ... 2,5

FeCoVCr11/2 2.4570 R 3-1-3 – 11,0 0,800 24 24 2,0 ... 8,0 1000

FeCoVCr4/1 2.4571 – – 4,0 1,000 5 5 9,0 ... 25,0

ReCo80/80 – R 5-1-1 8,1 80 0,650 500 800 1,05 1000

ReCo120/96 – R 5-1-2 8,1 120 0,770 590 960
ReCo160/80 – R 5-1-3 8,1 160 0,900 640 800
ReCo48/60p – R 5-3-1 5,2 48 0,500 360 600

Metalloxide Herstellung:
Sintern.
Isotrop
Kunststoff-
Hartferrit 7/21 1.3641 S 1-0-1 4,9 6,5 0,190 125 210 1,2 723 gebundene
Hartferrit 3/18p 1.3614 S 1-2-2 3,9 3,2 0,135 85 175 1,1 Magnete
durch Pres-
Anisotrop sen, Spritzen,
Hartferrit 20/19 1.3643 S 1-1-1 4,8 20,0 0,320 170 190 1,1 723 Walzen,
Hartferrit 20/28 1.3645 S 1-1-2 4,6 20,0 0,320 220 280 1,1 Extrudieren.
Bearbeitung:
Hartferrit 24/23 1.3647 S 1-1-3 4,8 24,0 0,350 215 230 1,1
Schleifen
Hartferrit 25/25 1.3651 S 1-1-5 4,8 25,0 0,370 230 250 1,1
Hartferrit 9/19p 1.3616 S 1-3-1 3,4 9,0 0,220 145 190 1,1
Hartferrit 10/22p – S 1-3-2 3,5 10,0 0,230 165 225 1,1
VI Dielektrische Eigenschaften
VI Dielektrische Eigenschaften
1 Modellvorstellungen
zur dielektrischen Polarisation
U+
A
E d
U–
Bild VI-1 Plattenkondensator
Ladung bei Spannung U bzw. Feldstärke E ohne und
mit Dielektrikum (schematisch)
Ladung ohne Dielektrikum (freie Ladungen)
zusätzliche Ladungen (durch das Dielektrikum
gebunde Ladungen)
+
– Dipole des Dielektrikums
In einem elektrischen Feld sammeln sich auf jeder
Platte (freie) Ladungen an (nicht schraffierte Kreise
in Bild VI-1). Wird der Raum zwischen den Platten
mit einem Dielektrikum gefüllt, so wirken auch darin
die Kräfte des elektrischen Feldes. Sie verursachen
im atomaren bzw. molekularen Bereich eine Polari-
sation, d.h. eine Verschiebung positiver bzw. negati-
ver Teilchen, die als Beeinflussung vorhandener oder
durch Ladungsverschiebungen infolge der Wirkung
des elektrischen Feldes gebildeter Dipole verstanden
werden kann (Bild VI-1). Die Folge davon sind
zusätzliche Ladungen auf den Kondensatorbelägen,
sogenannte gebundene Ladungen oder auch influen-
zierte Ladungen. Die Ladung Q auf dem Kondensator
mit Dielektrikum ergibt sich zu
Q e0 A E
Q = e 0 e r AE (VI.1)
As F/ m m 2 V/ m
A = (Kondensator-)Plattenfläche, E = Feldstärke, e0 =
elektrische Feldkonstante oder absolute Dielektrizi-
tätskonstante = 8,85 ⋅ 10–12 F/m und er = Permittivi-
tätszahl oder relative Dielektrizitätszahl. Die Größe
ke = er − 1 (VI.2)
heißt elektrische Suszeptibilität. Sie gibt, ähnlich wie
beim Magnetfeld, die durch die Materie zusätzlich
mögliche Feld(linien)dichte an.
Elektronenpolarisation ist die Verschiebung der
Ladungsschwerpunkte von Atomkern und Elektro-
245
nenhülle. Wegen der geringen Trägheit der Elektro-
nen folgt die Elektronenpolarisation Wechselfeldern
bis zu den Frequenzen der UV-Strahlung. In Materia-
lien mit instabilem Charakter der Elektronenvertei-
lung ist die Elektronenpolarisierbarkeit besonders
groß.
Ionenpolarisation verschiebt die Ionen unter dem
Einfluß des elektrischen Feldes und bewirkt eine
Deformation des Gitters. Der Stoff ist polar. Ionenpo-
larisation ist bis zu Frequenzen der IR-Strahlung
möglich. Ionen- und Elektronenpolarisation sind von
ähnlicher Größenordnung, kaum temperaturabhängig
und können unter dem Oberbegriff Deformations-
polarisation zusammengefaßt werden.
Ordnungspolarisation setzt Dipolmomente im mole-
kularen Aufbau voraus. Die einzelnen Dipole ordnen
sich weitgehend in Feldrichtung (Bild VI-2), daher
Ordnungs- oder Orientierungspolarisation. Der Stoff
ist (di)polar. Der ordnenden Kraft des elektrischen
Feldes wirken thermische Kräfte entgegen. Die Ord-
nungspolarisation und Grenzfrequenz (bis etwa
109 Hz) sind stark temperaturabhängig.
E=0 E=0
E a) E b)
Bild VI-2 Ordnungspolarisation (schematisch)
Die zunächst regellos orientierten Dipole ordnen sich
unter dem Einfluß eines elektrischen Feldes E
a) Dipol-Darstellung
b) Schema-Darstellung
Grenzflächenpolarisation tritt bei Dielektrika mit
Einschlüssen guter Leitfähigkeit auf. Frei bewegliche
Ladungsträger der Einschlüsse können zu den Gren-
zen wandern und wie gebundene Ladungen wirken.
Diese Grenzflächenpolarisation führt zu einer höhe-
ren Polarisation als dem homogenen Material ent-
spräche und bewirkt ein er über dem des eigentlichen
Dielektrikums. Der Grenzfall tritt auf, wenn das
Dielektrikum eine gewisse Leitfähigkeit zeigt. Eine
Unterscheidung zwischen Ladungsbewegung zur
Grenzflächenpolarisation und Leitfähigkeit ist dann
nicht mehr möglich.
246
Bild VI-3 zeigt schematisch den aus den verschiede-
nen Mechanismen resultierenden Frequenzgang der
Polarisation. Die Endbereiche der verschiedenen
Polarisationsarten sind durch Steilabfälle der Permit-
tivitäten und wegen der dabei auftretenden Resonanz-
erscheinungen durch starke Verluste gekennzeichnet
(Bild VI-3b).
er
Ordnungs-
polarisation
Ionenpolarisation
Elektronenpolarisation
a)
UHF IR UV f tors ist der Isolationswiderstand mit spezifischen
tand
UHF IR UV
b) f
Bild VI-3 Frequenzabhängigkeit der Polarisation und
der Verluste (prinzipieller Verlauf)
a) Beiträge der verschiedenen Polarisationsmecha-
nismen zur Permittivität
b) Bereiche ausgeprägter Verluste durch Resonanz-
erscheinungen
tan d = Verlustfaktor, f = Frequenz, UHF = Ultrahoch-
frequenz, IR = Infrarot(strahlung) und UV = Ultravio-
lett(strahlung)
2 Dielektrische Materialeinteilung
Die Elektronenpolarisation, mit der Verschiebung der
Elektronen gegenüber dem Atomkern, ist in allen
Stoffen von Null verschieden. Daraus folgt grund-
sätzlich für alle Dielektrika eine Permittivität er > 1
bzw. eine positive elektrische Suszeptibilität.
Ferroelektrika sind Materialien mit einer sehr großen
Permittivität (er ⯝ 104) und einer Hystereseschleife
mit Verschiebungsdichte D = f(E) bei der Aussteue-
rung. Das Auftreten einer Koerzitivfeldstärke Ec führt
– in Anlehnung an den Begriff Magneten – zum
Elektreten. (Mit Piezoelektrika ist dieser Effekt noch
stärker realisierbar.)
Piezoelektrika reagieren mit einer Polarisation(sän-
derung) auf eine mechanische Deformation und
umgekehrt. Deformationsrichtung und Polarisations-
richtung – meist senkrecht zueinander – sind dabei
einander fest zugeordnet.
Bei einer Reihe von Materialien mit in kleinen Berei-
chen geordneten Dipolen (auch hier Weiss’sche
Bezirke genannt) kann eine bei erhöhter Temperatur
erfolgte Ausrichtung der Dipolmomente über einen
größeren Bereich durch Abkühlung „eingefroren“
und eine starke remanente Polarisation erzeugt wer-
Werkstoffkunde
den. Derartige künstliche Piezoelektrika zeigen stär-
kere Effekte als die natürlichen.
Die bekanntesten natürlichen Piezoelektrika sind der
Quarz und der Turmalin. Künstliche Piezoelektrika
basieren auf Mischoxiden von Ba, Ti, Pb, Nb u.a.
Pyroelektrika sind polare piezoelektrische Materia-
lien mit einer spontanen Polarisation, die ihre Ursa-
che in getrennten Schwerpunkten der positiven und
negativen Ladungen in der Kristallstruktur hat. Weil
die Polarisation zwar mit der Temperatur veränder-
lich, aber selbst bis zum Schmelzpunkt des Materials
nicht aufhebbar ist, heißt dieser Effekt pyroelektrisch.
3 Elektrische Materialeinteilung
Isolatoren: Die wesentlichste Kenngröße eines Isola-
Widerständen von r = 1010 ... 1020 Ωm. In der tech-
nischen Anwendung ist dabei noch zwischen
Durchgangs- und Oberflächenwiderstand zu unter-
scheiden.
Durchgangswiderstand ist eine von den inneren
Eigenschaften des Stoffes abhängige und für ihn cha-
rakteristische Größe. Er wird aus dem Querstrom I
bestimmt, den eine angelegte Spannung U
(Bild VI-4a) durch den Werkstoff treibt. Wegen einer
stets vorhandenen Anzahl freier Ladungsträger wird
dieser Querstrom niemals absolut zu Null. Unmittel-
bar nach dem Anlegen einer Gleichspannung tritt
noch ein Polarisationsstrom auf, der u.U. durch die
Trägheit der Dipolmomente eine merkliche Abkling-
zeit (Relaxationszeit) aufweist. Wird der Querstrom
durch Ionen verursacht (Materialtransport), so ist
über längere Zeit mit einer Zerstörung des Isolators
zu rechnen.
Prüfling
I
I U U
U U
Prüfling
a) b)
Bild VI-4 Isolationswiderstand
a) Durchgangswiderstand
b) Oberflächenwiderstand
U = Spannung und I = Strom
Der Durchgangswiderstand nimmt mit steigender
Temperatur ab. Der daraus folgende erhöhte Quer-
strom trägt seinerseits zu einem Temperaturanstieg
bei. Falls sich kein Gleichgewicht durch Ausgleich
mit der Umgebungstemperatur einstellt, kommt es
zum Wärmedurchschlag.
Oberflächenwiderstand (Bild VI-4b) ist im strengen
Sinne keine Materialeigenschaft, da Oberflächenbe-
VI Dielektrische Eigenschaften 247

schaffenheit und -verunreinigungen die entscheiden- tor tan d für die Beschreibung der Verluste maß-
den Faktoren sind. Verunreinigungen auf der Ober- gebend. In der Ersatzschaltung (Bild VI-5) liegt der
fläche eines Isolators ermöglichen Kriechströme. Die Kapazität C der Leitwert G parallel. Definitionsge-
dadurch verursachten Kriechspuren können die Ober- mäß ist der dielektrische Verlustfaktor das Verhältnis
fläche des Materials angreifen und die Leitfähigkeit von Wirk- zu Blindleistung, daraus folgt:
weiter erhöhen. Der Widerstand gegen die Kriech- G 1 G R C w
spurbildung, die Kriechstromfestigkeit, ist in der tan d = = (VI.4)
wC wRC S W F s −1
Praxis meist wichtiger als der Oberflächenwiderstand
selbst.
Durchschlagfestigkeit ist die beim Spannungsdurch- jvC
schlag eines Isolierstoffes wirksame elektrische YC
Feldstärke E0, in kV/cm oder kV/mm angegeben. Die
Durchschlagfestigkeit ist nur unter gleichen Bedin- C G d
gungen vergleichbar, da sie sowohl von der Elektro-
denform als auch Materialdicke abhängt (DIN 53481
bzw. VDE 0303). Im allgemeinen sinkt die Durch- G
schlagfestigkeit mit zunehmender Materialdicke. Die a) b)
Durchschlagfeldstärke ist auch noch von der An- Bild VI-5 Verlustbehafteter Kondensator
stiegsgeschwindigkeit der angelegten Spannung ab- a) (Parallel-)Ersatzschaltung, C = idealer Kondensa-
hängig. tor, G = Verlustleitwert
Wegen der Zeitabhängigkeit des thermischen oder b) Kapazitiver Leitwert Yc in der komplexen Ebene,
Wärmedurchschlages muß die Prüfung über Zeit d = Verlustwinkel
(> 40 s) erfolgen.
Für die Zuverlässigkeit elektrischer Geräte ist die mit w = Kreisfrequenz und R = 1/G. Das Produkt des
Isolationseigenschaft der Werkstoffe auch bei lang- Verlustfaktors tan d mit der Permittivität er liefert die,
zeitiger Temperaturbelastung wichtig. Man unter- besonders in der Kabeltechnik wichtige, (dielektri-
scheidet daher nach VDE bzw. IEC Wärmebestän- sche) Verlustzahl oder Verlustziffer
digkeitsklassen, wie sie in der Tabelle VI-1 aufge-
führt sind. e ′′ = e r ⋅ tan d (VI.5)

Tabelle VI-1 Wärmebeständigkeitsklassen nach DIN/IEC

Klasse Grenztemperatur °C Isolierstoffcharakteristika

Y 90 Organische Stoffe, ungetränkt
A 105 Organische Stoffe mit organischen Bindemitteln
E 120 Lackdrähte
B 130 Anorganische Stoffe mit organischen Bindemitteln
F 155 Anorganische Stoffe mit besonderen organischen Bindemitteln
H 180 Anorganische Stoffe z.B. mit Silikon
C > 180 Anorganische Stoffe ohne Bindemittel

Erfahrungsgemäß genügt für die Halbierung/Verdop-
pelung der Lebensdauererwartung bei einer Isolation
nach:
Klasse A eine um 8 °C erhöhte/verminderte Betriebstemperatur
Klasse B eine um 10 °C erhöhte/verminderte Betriebstemperatur
Klasse H eine um 12 °C erhöhte/verminderte Betriebstemperatur
Kondensatoren: Mit C = Q/U folgt für Kondensato-
ren die Kapazität C aus Gl. VI.1 zu
A C e0 A d
C = e0 er (VI.3)
d F F/ m m 2 m
Als Werkstoffgröße ist die Permittivitätszahl er des
Dielektrikums und der damit verbundene Verlustfak-
Eine weitere für Gleichstrom und niedrige Frequen-
zen angewandte Verlustdefinition ist über das Pro-
dukt R ⋅ C (Gl. VI.4) als Isolationszeitkonstante oder
Isolationsgüte möglich. Sie wird in MΩ ⋅ mF oder
zahlen- und dimensionsgleich in s angegeben.
Aus den verschiedenen Arten der Polarisation folgen
für die Dielektrika unterschiedliche Größenordnun-
gen der Permittivität, die in der Tabelle VI-2 einmal
prinzipiell zusammengestellt sind.
Bei den keramischen Materialien wird in der Praxis
noch zwischen niederdielektrischer Keramik, NDK-
Materialien, und hochdielektrischer Keramik, HDK-
Materialien, unterschieden.
248 Werkstoffkunde

Tabelle VI-2 Eigenschaften dielektrischer Werkstoffe

Stoff unpolar polar ferroelektrisch

er < 10 10 ... 100 > 100
Temperaturgang gering gering stark
Verluste gering gering stark frequenzabhängig

NDK-Materialien basieren auf nicht-ferroelektrischen Tabelle VI-3 Permittivitätszahlen einiger Werkstoffe

Titanaten. Temperaturgang, Verlustfaktor (10–4 bis
10–5) und Spannungsabhängigkeit von er sind gering. Material er
Die elektrische Langzeitstabilität ist gut.
Al2O3-Keramik 9,8
HDK-Materialien basieren auf ferroelektrischem
TiO2-Keramik 85
Bariumtitanat mit stark temperatur- und spannungs-
Quarzglas 3,8
abhängiger Permittivität. Der Verlustfaktor ist mit
Bor-Silikat-Glas 4–6
10–2 ... 10–3 recht hoch.
Kalk-Alkali-Glas 6–8
In der Tabelle VI-3 sind abschließend die Permittivi-
Porzellan 4–8
tätszahlen einiger ausgewählter Materialien zusam-
Glimmer 5–6
mengestellt.
Diamant (C) 5,6
Silizium (Si) 11,9
Germanium (Ge) 16,2
Steatit (SiO2/Al2O3/MgO) 6–7
Papier 4 – 5,6
Polyvinylchlorid (PVC) ≈3
Polyäthylen (PE) 2,3
Polypropylen (PP) 2,2
Polystyrol (PS) 3
Polycarbonat (PC) 2,8
Polytetrafluoräthylen (PTFE) 2,1

VII Dielektrika
Die Dielektrika lassen sich nach ihrem Vorkommen
in natürliche und künstliche und nach ihrem chemi-
schen Aufbau in anorganische und organische unter-
teilen.
1 Natürliche anorganische Dielektrika
Glimmer ist ein leicht spaltbares, schneid- und stanz-
bares Naturprodukt mit hervorragenden elektrischen
Eigenschaften. Glimmerreste werden mit Kunsthar-
zen verpreßt (Mikanit) oder nach einem Spezialver-
fahren zu einem glimmerähnlich nutzbaren Vlies
verarbeitet. E0 bis zu 1000 kV/cm, er ⯝ 6 ... 8,
tan d ⯝ 2 ⋅ 10–4.
Quarz ist reines Siliziumdioxid, hochtemperaturfest,
mit geringer Wärmedehnung und guter UV-
Durchlässigkeit bis 185 nm. Abgeleitete Produkte
sind Quarzglas, Quarzgut, gezüchtete Quarzkristalle
und Quarzmehl (Füllstoff). E0 = 300 ... 400 kV/cm,
er = 3 ... 4, tan d = 10–2 ... 10–6 (stark von der Reinheit
abhängig).
Wegen seines Piezoeffektes hat Quarz besondere
Bedeutung als elektromechanischer Wandler und
Resonator zur Frequenzstabilisierung in der Nach-
richtentechnik.
Gase: Hierbei ist Luft mit einer Durchschlagfestig-
keit von 20 ... 30 kV/cm der am häufigsten ange-
wandte Isolator. Technisch sind außerdem noch
Stickstoff (N, E0 ⯝ 20 kV/cm), Kohlendioxid (CO2,
E0 ⯝ 24 kV/cm) und Schwefelhexafluorid (SF6,
E0 ⯝ 100 kV/cm) bedeutsam. Wegen der durch
erhöhten Druck verminderten Teilchenbeweglichkeit
steigt die Ionisierungsfeldstärke für den Durchbruch
und damit auch die Durchschlagfestigkeit mit einer
Druckerhöhung. Erschwert ionisierbar sind auch
elektronegative Gase, die bevorzugt als Halogenver-
bindungen – z.B. CCl4, CCl2F2, CF4, SF6 u.a. – mit
großer Ionenmasse und dementsprechend niedriger
Wanderungsgeschwindigkeit genutzt werden. So hat
das technisch bedeutsame Schwefelhexafluorid (SF6)
eine um etwa den Faktor 2,5 höhere Durchschlag-
festigkeit als Luft.
VII Dielektrika
2 Natürliche organische Dielektrika
Papier weist als Isolierpapier je nach Behandlung
und Tränkung sehr unterschiedliche Eigenschaften
auf. Durch Tränkung entstehen die Öl-, Öllack-,
Schellackpapiere- und Kunstharzpapiere mit E0 etwa
25 ... 50 kV/mm gegenüber ca. 10 kV/mm bei einfa-
chen Papieren. Vorteilhaft ist die geringe Dicke von
Papierisolationen, nachteilig sind die hohen Verluste
mit tan d = 0,5 ... 10–2. er liegt bei 2 ... 8.
Textilstoffe werden meist getränkt verarbeitet, wobei
besonders Lackseide (Ölseide) wegen der geringen
Dicke und der guten elektrischen und mechanischen
Eigenschaften wichtig ist. Baumwolle und Seide
werden als Fäden und Bänder getränkt und unge-
tränkt als Umhüllungen für blanke und lackierte
Drähte benutzt.
Öle sind als Isolieröle (DIN 5107) hochsiedende
Destillationsprodukte des Erdöls. Isolationswider-
stand und Durchschlagfestigkeit (5 ... 30 kV/mm)
sind besonders in dünnen Schichten günstig.
tan d ⯝ 10–3 und er = 2 ... 3 sind niedrig. Nachteilig
sind die starke Wärmedehnung, Temperaturabhän-
gigkeit der Viskosität, Entflammbarkeit, Feuchtig-
keitsaufnahme aus der Luft und Alterung durch den
Luftsauerstoff. Die Alterungsprodukte (Säuren,
Metallseifen, Schlamm u.ä.) erhöhen die Verluste und
mindern die Wärmeleitfähigkeit des Öls. Eine Rege-
neration ist möglich.
3 Künstliche anorganische Dielektrika
Vorzugsweise Metalloxide, die als keramische Mas-
sen teigig geformt, getrocknet und gebrannt ihre
endgültigen Eigenschaften erhalten. Nachbearbeitung
ist wegen der Härte durchweg nur (naß-)schleifend
möglich. Für die praktische Handhabung sind noch
verschiedene Oberflächenbehandlungen notwendig:
Metallisieren ist für die Kontaktierung bei Dielektrika
oder als Basismaterial für Hochfrequenzschaltungen
notwendig.
Glasieren und Lackieren dient zum Schutz der meist
rauhen oder porösen Oberfläche gegen Verschmut-
zung und Feuchtigkeitsaufnahme.
Hydrophobieren ist eine besondere Art des Feuchtig-
keitsschutzes durch Aufbringen dünnster (bis mono-
molekularer) Silikonschichten, die durch ihre niedri-
gen Oberflächenspannungen wasserabweisend sind.
Metalloxide von Aluminium (Al2O3) und Titan (TiO2)
werden hochrein wegen ihrer geringen Verluste
besonders bei hohen Frequenzen als Trägermaterial
eingesetzt. E0 ⯝ 10 kV/mm, Aluminiumoxid: er = 9,8
und tan d = 10–4 (... 10–3), Titandioxid: er = 85 und
tan d = 4 ⋅ 10–3.
Porzellan hat als Ausgangsmaterialien Kaolin (Alu-
miniumsilikat Al2O3 ⋅ SiO2 ⋅ H2O, Porzellanerde),
Feldspat (Al2O3 ⋅ CaO2 ⋅ SiO2) und Quarz (SiO2). Das
249
Endprodukt ist durch die Zusammensetzung und
geringe weitere Zusätze in weiten Grenzen beein-
flußbar. Porzellane gehören zu den dichten kerami-
schen Massen. Sie sind bei Raumtemperatur bestän-
dig gegen Basen und Säuren (Ausnahme: Flußsäure)
und hochwiderstandsfähig gegen elektrische Funken.
Für das bei Isolatoren wichtige Hartporzellan betra-
gen E0 = 30 ... 35 kV/mm, er = 4 ... 8 und tan d =
0,02 ... 0,1.
Titanate mit Barium (BaTiO3), Kalzium (CaTiO3)
und Strontium (SrTiO3) erreichen als HDK-
Materialien sehr hohe Permittivitäten (er bis 104 bei
Bariumtitanat, das auch piezoelektrisch ist). Für
NDK-Materialien auf Titandioxid-Basis (Rutil) kann
der Temperaturkoeffitzient TK in weiten Grenzen
zwischen positiven und negativen Werten eingestellt
werden. er = 102 ... 104 und tan d = 10–3 ... 10–5.
4 Künstliche organische Dielektrika
Zellulosekunststoffe sind durch chemische Behand-
lung von Zellulose erhaltene Fasern und Folien. Für
Isolationen sind die blau eingefärbten Triazetat-
(Tmax = 115 °C) und Azetobutyratfolien (Tmax =
120 °C) wichtig. E0 ⯝ 20 ... 50 kV/mm, er = 4 und
tan d ⯝ 0,01 ... 0,02.
Chlophene sind thermisch und chemisch gut bestän-
dige chlorierte Diphenyle, die jedoch bei Bränden
durch die Bildung von polychlorierten Biphenylen
(PCB) umweltgefährlich sind. Kunststoffe, z.B.
phenolhaltige, können von Chlophenen angegriffen
werden! Bei der Entsorgung sind die Sondermüllvor-
schriften zu beachten. E0 ⯝ 200 kV/cm, er = 4,5 ... 6
und tan d ⯝ 10–3. Als biologisch ungefährliche syn-
thetische Isolierflüssigkeit kann Pentaerythrit-Tetra-
ester eingesetzt werden. E0 ⯝ 200 kV/cm, er = 3,3
und tan d = 10–3.
Polykondensationsprodukte treten vorwiegend als
Duroplaste auf, d.h. als Kunststoffe, die beim Erhit-
zen vorübergehend schmelzen oder erweichen und
dann in einen harten, unlöslichen und unschmelzen-
den Endzustand übergehen. Es gibt sie rein, modifi-
ziert und plastifiziert. Die wichtigsten sind:
Phenoplaste (PF) in selbst- oder nichtselbsthärten-
der Ausführung. Sie finden Anwendung bei Lacken,
Preßmassen und Schichtstoffen (Hartpapiere und
-gewebe). E0 ⯝ 5 ... 20 kV/mm, er = 4 ... 9, tan d =
0,05 ... 0,3 und Tmax ⯝ 160 °C.
Aminoplaste (HF) ähneln den Phenoplasten, sind im
Gegensatz dazu jedoch farbecht und lichtbeständig.
Sie haben glatte Oberflächen mit geringer Haftfähig-
keit und werden für Lacke, Schichtstoffe und Preß-
massen verwandt. E0 = 10 ... 20 kV/mm, er = 5 ... 7,
tan d ⯝ 0,1 und Tmax ⯝ 150 °C.
Polyester(-harze) (PETP) sind flüssige bis elastische
oder auch splitterharte Kunstharze. E0 ⯝ 30 kV/mm,
er ⯝ 3, tan d ⯝ 0,03 und Tmax = 110 °C.
250
Ungesättigte Polyesterharze (UP) nehmen eine
Mittelstellung zwischen Kondensations- und Polyme-
risationsharzen ein, da die über Katalysatoren erfol-
gende Aushärtung bereits eine Polymerisation dar-
stellt. Thermisch nicht härtbare Typen von Polyestern
dienen zur Herstellung mechanisch und elektrisch
hochwertiger Folien und Fasern. Mit Glasfasern als
Füllstoff ergeben die Polyesterharze die glasfaserver-
stärkten Kunststoffe (GFK).
Epoxidharze (EP) werden wie Polyesterharze einge-
setzt, haben ihnen gegenüber jedoch eine höhere
mechanische Festigkeit und ein sehr hohes Haftver-
mögen auf beinahe allen Untergründen (Klebstoff).
E0 ⯝ 40 kV/mm, er = 3 ... 5, tan d ⯝ 0,02 und Tmax =
130 °C.
Polyurethane (PU) sind lackartig als Lötlacke inte-
ressant. Tmax = 120 °C. Thermisch höher belastbar ist
Polyesterimidlack. Die Durchschlagspannung derartig
isolierter Drähte liegt bei etwa 4 ... 6 kV,
tan d ⯝ 0,01 (stark temperaturabhängig).
Polymerisationsprodukte
Vorwiegend Thermoplaste, d.h. in der Wärme weich
und in der Kälte zähhart bis spröde.
Polystyrol (PS) ist glasklar und spröde, hat niedrige
Verlustfaktoren noch bis zu sehr hohen Frequenzen
und eine geringe Wasseraufnahmefähigkeit. Nachtei-
lig sind die geringe Wärmefestigkeit (Tmax = 75 °C),
schlechte Licht- und Wetterbeständigkeit sowie die
Gefahr von Spannungskorrosionen bei Kontakt mit
Lösungsmitteln. Anwendung findet Polystyrol für
Spritzgussmassen (meist schlagfestes PS), elektrisch
hochwertige Formteile und Folien für Kondensatoren
und HF-Kabel. E0 ⯝ 100 kV/mm, er ⯝ 3 und tan d =
3 ⋅ 10–4.
Polyethylen (PE) hat Ähnlichkeit mit Paraffinen, eine
wachsartige Oberfläche, sehr geringe Wasseraufnah-
mefähigkeit, ist trüb und quillt wenig in polaren, aber
stark in unpolaren Lösungsmitteln und in der Hitze.
Durch Vernetzung (VPE = Vernetztes PE), d.h.
Bildung von Riesenmolekülen aus den durch Polyme-
risation entstandenen langen PE-Fadenmolekülen,
lassen sich die mechanischen und thermischen Eigen-
schaften weiter verbessern. Der Isolationswiderstand
ist mit 1017 Ω cm sehr hoch. PE findet Anwendung
für Spritzgußmassen, Folien, elastische, sehr korro-
sionsbeständige Formteile und Hochspannungskabel.
E0 ⯝ 100 kV/mm, er = 2,3, tan d ⯝ 10–4 und Tmax =
70 °C (unvernetzt) bzw. 90 °C (vernetzt, erhöhte
Kurzschlußbelastbarkeit bei Kabeln).
Polyvinylchlorid (PVC) ist ein weitverbreiteter,
abriebfester und zäher Kunststoff mit guten Isola-
tionseigenschaften. Achtung, beim Verbrennen oder
Verschwelen wird HCl abgespalten! PVC findet für
Formteile, Folien und Isolationen vielfältige Anwen-
dungen. E0 ⯝ 40 kV/mm, er = 3, tan d = 0,02 ... 0,1
und Tmax = 70 °C.
Werkstoffkunde
Polytetrafluorethylen (PTFE) (Teflon) ist das gegen
Chemikalien beständigste synthetische Material. Es
ist außerordentlich korrosions-, feuchtigkeits- und tem-
peraturbeständig (Betriebstemperaturen von –200 ...
260 °C). E0 ⯝ 30 kV/mm, er ⯝ 2, tan d = 2 ⋅ 10–4 und
Tmax = 280 °C.
5 Silikone
Silikone sind Kunststoffe, bei denen die Kettenbil-
dung über das vierwertige Silizium erfolgt. Hervor-
stechend sind die hohe Temperaturbeständigkeit und
die geringen Temperaturbeiwerte der mechanischen
und elektrischen Daten. Silikone sind absolut tropen-
fest und neigen nicht zu Schimmelansatz. Sie zeigen
gutes Kriechstrom- und Lichtbogenverhalten. Durch
elektrische Funken entsteht isolierendes Silizium-
dioxid und kein leitender Kohlerückstand wie bei
organischen Stoffen. Nachteilig ist der grundsätzlich
höhere Preis gegenüber anderen Werkstoffen.
Silikonöle weisen nur eine geringe Änderung der Vis-
kosität zwischen – 60 ... 300 °C auf. Anwendung
(teuer) als Imprägniermittel und flüssiges Dielektri-
kum. E0 ⯝ 10 kV/mm, er ⯝ 3, tan d ⯝ 10–3 und
Tmax ⯝ 300 °C.
Silikonharze dienen zur Herstellung von warm- und
lichtbogenfesten, unbrennbaren Preßstücken. E0 =
10 ... 30 kV/mm, er ⯝ 3, tan d = 2 ... 5 ⋅ 10–3 und Tmax
= 100 ... 200 (u.U ... 300) °C.
Silikonelastomere (Silikonkautschuke) sind gummi-
elastische Massen mit Temperaturbeständigkeit und
Biegsamkeit zwischen ca. – 80 ... 250 °C. Sie finden
Anwendung als Isolierungen und dauerelastische,
hochwarmfeste Verbindungen zwischen praktisch
beliebigen Werkstoffen. E0 = 10 ... 30 kV/mm, er =
3 ... 9, tan d = 0,01 ... 0,1 und Tmax ⯝ 180 °C.
Literaturhinweise
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PUBLICIS MCD, 1990
[2] Cassing, Wilhelm; Hübner, Klaus-Dieter; Stank,
Wolfram: Praxislexikon Magnettechnik. Rennin-
gen: Expert Verlag GmbH, 2004
[3] Fischer, Hans: Werkstoffe der Elektrotechnik.
München: Hanser Fachbuchverlag, 2003
[4] Gundlach, F.-W.; Meinke, Hans H.; Lange, K.;
Löcherer, K.-H. (Hrsg.): Taschenbuch der Hoch-
frequenztechnik, 3 Bd. Berlin Heidelberg New
York, Springer Verlag, 1992
[5] Michalowski, Lothar: Magnettechnik, Grundla-
gen und Anwendungen, Fachbuchverlag Leipzig,
1995
[6] Siemens AG, Ferrite und Zubehör. EPCOS Bst.
Nr. EPC 61002, 2002
[7] Spickermann, Diethart: Werkstoffe der Elektro-
technik und Elektronik. Würzburg: Vogel Verlag,
2002
VII Dielektrika 251

[8] Münch, Waldemar von: Werkstoffe der Elektro- Diagramme und Daten wurden aus Veröffentlichun-
technik. Stuttgart: Teubner Verlag, 2004 gen folgender Unternehmen übernommen:

BASF Ludwigshafen
Normenblätter (Hinweise) DKI Deutsches Kupferinstitut, Berlin
Elektrobleche DIN 46400, DIN EN 10107, EBG Gesellschaft für elektromagnetische Werkstoffe
IEC 60404 mbH, Bochum
Werkstoffnummern DIN 17007, DIN EN 10027 Heusler KG, Dillenburg
Übertragerbleche DIN 41301 und 41302, Krupp Widia-Fabrik, Essen
IEC 404-8-6 Maurer Magnetic AG, Grüningen, Schweiz
Hartmagnetika DIN 17410, IEC 68(CO)85 Neosid Pemetzrieder KG, Halver
Weichmagnetika DIN IEC 68(212)CD Siemens AG, München
E-Kupfer DIN 40500 Vacuumschmelze, Hanau
Leitkupfer DIN EN 13604, ISO/TR 4745 Valvo, Hamburg
Isolation DIN IEC 60085, VDE 0390 Vogt electronic AG, Obernzell
Supraleitfähigkeit VDE 390, DIN EN IEC 61788

Grundlagen der Elektrotechnik
I Grundbegriffe
1 Aufbau der Atome
Die Eigenschaften aller Elemente lassen sich durch
den Aufbau der Atome erklären. Die Atome bestehen
aus einem Kern und einer Hülle. Der Atomkern
besitzt einen Durchmesser von ca. 10–14 m, die Aus-
dehnung der Atomhülle hängt von der Ordnungszahl
im Periodensystem ab und beträgt einige 10–10 m. Im
positiv geladenen Atomkern befindet sich nahezu die
gesamte Masse des Atoms. Er besteht aus Neutronen
und Protonen. Die Hülle ist negativ geladen und wird
durch Elektronen gebildet. Im neutralen Atom sind
die Anzahl der Elektronen in der Hülle und die Pro-
tonenanzahl im Kern gleich. Die Elektronen in der
Hülle können sich nur in bestimmten Schalen, die
durch ihre Energie unterschieden sind, bewegen. In
jeder Schale ist nur eine bestimmte Anzahl von Elekt-
ronen maximal möglich. Die Elektronen der in der
Regel nicht vollständig besetzten äußeren Schalen
sind die Valenzelektronen. Jedes Elektron besitzt die
negative Elementarladung
e 0 = 1,60218 ⋅ 10 -19 As (I.1)
Die Masse eines Elektrons ist wesentlich kleiner als
die eines Protons oder Neutrons. Das Verhältnis von
Elektronenmasse zu Protonenmasse ergibt sich durch
m el 1 verteilt unregelmäßige Bewegungen durch. Aus
≈ (I.2)
m p 1836
Wird von einem Atom ein Elektron entfernt, ist der
Rest positiv geladen. Dieses geladene Atom wird Ion
genannt. Bei Entfernung eines Elektrons entsteht ein
einfach positiv geladenes Ion. Wird ein Elektron
hinzugefügt, liegt ein einfach negativ geladenes Ion
vor.
2 Ladungsträger
Ein Stoff ist nur dann elektrisch leitfähig, wenn er
bewegliche Ladungsträger besitzt. Die Ladungsträger
können negativ oder positiv sein. In Metallen liegen
immer negative Ladungsträger, also Elektronen vor.
Hier können sich die Valenzelektronen sehr leicht
vom Atom trennen, sie werden dann freie Elektronen
genannt. Auf den festen Plätzen im Kristallgitter
bleiben positive Ionen. Da sie nicht beweglich sind,
liefern sie keinen Beitrag zum Ladungstransport. In
Halbleitern können aber auch Defektelektronen oder
Löcher als Ladungsträger vorkommen. In Gasen und
Flüssigkeiten sind auch die Ionen am Ladungstrans-
port beteiligt. Hier ist dann mit dem Ladungstransport
auch ein Massentransport verbunden.
253
3 Spannung
Werden elektrische Ladungen getrennt, muß hierzu
Arbeit verrichtet werden. Die Größe der Arbeit ist
proportional zur Ladungsmenge und kann durch die
Gleichung
W = U ⋅Q (I.3)
beschrieben werden. Die Größe U wird als Spannung
bezeichnet.
U
W Q
W
Spannung U = J (I.4)
Q V= J As
As
Die Einheit 1 J/As wird als 1 V (Volt) bezeichnet.
Durch diese Spannung wird auf eine Ladung eine
Kraft ausgeübt. Die Spannung ist somit Ursache für
eine Bewegung von Ladungsträgern.
4 Strom
4.1 Bewegung von Ladungsträgern
Da man in der Elektrotechnik hauptsächlich metalli-
sche Leiter einsetzt, wird die Bewegung der Ladungs-
träger in Metallen untersucht. Die Ladungsträger
führen bei Temperaturen > 0 K ständig statistisch
dieser Bewegung ergibt sich eine mittlere Geschwin-
digkeit.
m
mittlere Geschwindigkeit v m = 0 (I.5)
s
Wird dieser statistischen Bewegung eine einseitig
gerichtete Bewegung überlagert, bewegen sich alle
Elektronen zusätzlich mit einer Strömungsgeschwin-
digkeit oder auch Driftgeschwindigkeit vd.
vd
A
l
Bild I-1 Driftgeschwindigkeit
Mit dieser Bewegung ist ein Ladungstransport ver-
bunden. An einer bestimmten Stelle des Leiters
können in der Zeiteinheit Dt alle die Elektronen
durch den Querschnitt fließen und somit zum La-
dungstransport beitragen, deren Abstand kleiner als l
ist. Im Volumen lA befinden sich nellA Elektronen,
wobei nel die Dichte der Elektronen (Anzahl pro
Volumeneinheit) ist. Da jedes Elektron die Elemen-
254 Grundlagen der Elektrotechnik

tarladung besitzt, ist die in diesem Volumen vorhan- Ohmsches Gesetz U = R ⋅ I (I.11)
dene Ladung DQ. Die materialabhängige Größe R bezeichnet man als
DQ = nellAe0 (I.6) elektrischen
R U I
und mit l = v0 ⋅ Dt . U
Widerstand R = V (I.12)
I W= V A
Ladung pro Volumeneinheit DQ = n el Ae 0 v d D t (I.7) A
Die Einheit ist 1 Ohm = 1 Ω.
Die Elektronendichte ist eine Materialkonstante und
beträgt z.B. für Kupfer nel = 8,47 ⋅ 1019 mm–3. Der Kehrwert des elektrischen Widerstandes ist der
Leitwert.
4.2 Stromstärke 1 G R
Leitwert G = 1 (I.13)
Die Ladungsmenge DQ, die pro Zeiteinheit Dt durch R S= W
W
einen Leiterquerschnitt tritt, ist die Stromstärke I.
Seine Einheit ist 1 Siemens = 1 S.
DQ I DQ Dt
Stromstärke I = (I.8)
Dt A As s 6 Spezifischer Widerstand, Leitfähigkeit
I = n el Ae 0 v d (I.9) Der elektrische Widerstand eines metallischen Leiters
hängt vom Material, der Länge l und dem Querschnitt
Im Internationalen Einheitensystem (SI-System) ist A ab. Er wird dadurch verursacht, daß die Ladungs-
die Stromstärke als Basisgröße durch die Kraft zwi- träger im Leiter durch Stöße mit den auf festen Plät-
schen zwei stromdurchflossenen Leitern definiert:
zen sitzenden Ionen in ihrer Bewegung gehemmt
1 Ampere ist die Stärke eines zeitlich unveränderli- werden.
chen Stromes, der, durch zwei im Vakuum parallel im rl l
Abstand von 1 Meter voneinander angeordnete, ge- Widerstand eines Drahtes R = = (I.14)
A kA
radlinige, unendlich lange Leiter von vernachlässig-
bar kleinem kreisförmigen Querschnitt fließend, zwi- Die Größe r ist der spezifische Widerstand.
schen diesen Leitern je 1 Meter Leiterlänge die Kraft spezifischer Widerstand
2 ⋅ 10–7Newton hervorruft. r R A l
RA
r= W mm 2 (I.15)
 Beispiel: Ein Kupferleiter von A = 1,5 mm2 wird von einem l W mm 2 m
Strom I = 15 A durchflossen. Wie groß ist die Driftgeschwindig- m
keit der Elektronen?
Die Einheit von r kann umgerechnet werden in
I 15 A
vd = = W mm 2
n el Ae 0 8, 47 ⋅ 10 19 mm −3 ⋅ 1, 5 mm 2 ⋅ 1, 602 ⋅ 10 −19 As [ r] = 1 = 10 −6 W m (I.16)
mm m
= 0 , 74
s Analog zum Leitwert ist der Kehrwert des spezifi-
Diese Driftgeschwindigkeit ist relativ gering. Dagegen breitet sich
schen Widerstandes die Leitfähigkeit k
ein elektrisches Signal mit Lichtgeschwindigkeit aus.
k r
4.3 Stromdichte 1
Leitfähigkeit k = 1 (I.17)
r Wm
In der Technik wichtig für die Belastbarkeit von Wm
Leitungen ist die Stromdichte S, also die auf den In Tabelle I-1 sind Zahlenwerte des spezifischen
Querschnitt bezogene Stromstärke. Widerstandes und der Leitfähigkeit aufgeführt. Der
S I A Wert für Kupfer kann je nach Reinheit schwanken.
I
Stromdichte S = A (I.10) Der hier angegebene Wert ist der internationale
A A mm 2 Standardwert.
mm 2
Da die Querschnittsfläche in der Regel in mm2 ange-
geben wird, ist die in der Technik gebräuchliche Tabelle I-1 Spezifischer Widerstand und Leitfähigkeit
A
Einheit der Stromdichte [ S ] = 1 . Leiterwerkstoff r/W mm2/m k/S/m
mm 2
Silber 0,0163 61 ⋅ 106
5 Das Ohmsche Gesetz Kupfer 0,0173 58 ⋅ 106
Wird an einen Leiter in einem geschlossenen Strom-
Aluminium 0,0263 38 ⋅ 106
kreis eine Spannung U angelegt, fließt in dem Leiter
ein Strom I. Strom und Spannung sind einander pro- Messing 0,0752 13,3 ⋅ 106
portional. Die Abhängigkeit läßt sich beschreiben
durch: Manganin 0,435 2,3 ⋅ 106
I Grundbegriffe 255

 Beispiel: Der Widerstand eines Kupferdrahtes der Länge 160 m chung (I.18) eine Näherung ist, hängt der Wert für a
bei einem Querschnitt von 1,5 mm2 soll berechnet werden. von der Bezugstemperatur ab. Als Bezugstemperatur
R=
rl
=
0 , 0173 W mm 2 ⋅ 160 m
= 1, 845 W
wird meistens 20 °C genommen.
A m ⋅ 1,5 mm 2
 Beispiel: Bei 10 °C ist der Widerstand eines Kupferdrahtes
 Beispiel: Aus Manganindraht von A = 1 mm2 soll ein Widerstand 200 W. Wie groß ist er bei 100 °C?
von 60 Ω gewickelt werden. Wie lang muß der Draht sein? Zunächst muß der Widerstand RJ bestimmt werden.
0

l = RAk = 60 W ⋅ 10 −6 m 2 ⋅ 2 , 3 ⋅ 10 6
S
= 138 m
RJ 200 W
RJ0 = = = 208,1 W
m 1 + a ( J − 20  ) 1 + 3 , 9 ⋅ 10 − 3 K −1 (10 − 20 ) K

Dann kann hiermit RJ berechnet werden.

7 Temperaturabhängigkeit R J = R J 0 [1 + a ( J − J 0 )] = 208,1 W [1 + 3, 9 ⋅ 10 −3 (100 − 20 ) ]
des elektrischen Widerstandes = 273 W
von Metallen Die lineare Näherung ist recht grob. Genauer kann die Tempera-
turabhängigkeit durch eine quadratische Näherung angepaßt wer-
Die elektrische Leitung in Festkörpern ist mit der den.
Bewegung von Ladungsträgern verbunden. Diese Quadratische Näherung
stoßen mit den auf festen Plätzen sitzenden Atomen
oder Ionen zusammen. Die Schwingung der Atome RJ = R0 ( 1 + A ( J − J 0 ) + B ( J − J 0 ) 2 ) (I.19)
und Ionen um ihren Platz ist temperaturabhängig.
A und B sind Materialkonstanten. Als Bezugstempe-
Deshalb ist auch der elektrische Widerstand tempera-
ratur wird J0 = 0 °C angenommen. R0 ist dann der
turabhängig. Bei höheren Temperaturen ist die freie
Widerstand bei 0 °C. Ein oft benutzter Metallwider-
Weglänge und die Beweglichkeit der Ladungsträger
stand zur Temperaturmessung ist der Platinwiderstand
kleiner und somit der Widerstand größer. In Metallen
Pt100, der 100 W bei 0 °C hat. Für Pt sind die Konstan-
ist die Anzahl der freien Ladungsträger temperatur-
ten A = 3.90802 ⋅ 10–3 K–1, B = – 0.5802 ⋅ 10–6 K–2.
unabhängig, in Halbleitern nicht. Daher haben Metal-
Bei Halbleitern fällt der spezifische Widerstand mit
le und Halbleiter unterschiedliche Temperaturabhän-
steigender Temperatur zunächst, da hier mehr La-
gigkeiten.
dungsträger frei gesetzt werden. Anschließend steigt
Der spezifische elektrische Widerstand von Metallen
der Widerstand wie bei Metallen, da die Beweglich-
und damit auch der Widerstand steigt mit zunehmen-
keit verringert wird. Supraleiter zeigen unterhalb
der Temperatur. Im Temperaturbereich von ca. 200 K
einer charakteristischen Temperatur, der Sprungtem-
bis 400 K läßt sich diese Abhängigkeit bei Metallen
peratur Tc, überhaupt keinen meßbaren Widerstand
in linearer Näherung durch eine Gerade darstellen.
mehr. Werkstoffe, bei denen der Widerstand mit
steigender Temperatur zunimmt, haben einen positi-
Tabelle I-2 Temperaturkoeffizient a20
ven Temperaturkoeffizienten (PTC). Nimmt der Wi-
Leiterwerkstoff a20/K–1 derstand ab, besitzen sie einen negativen Tempera-
turkoeffizienten (NTC).
Silber 3,7 ⋅ 10–3
Kupfer 3,9 ⋅ 10–3 metallischer Halbleiter Supraleiter
Aluminium 3,7 ⋅ 10–3 Leiter
Messing 1,6 ⋅ 10–3
Manganin 0,01 ⋅ 10–3

lineare Näherung RJ = RJ 0 [ 1 + a ( J − J 0 ) ] (I.18)

T T Tc T
Dabei ist RJ der Widerstand bei der Temperatur J
und RJ0 der Widerstand bei der Bezugstemperatur J0. Bild I-2 Prinzipieller Verlauf des spezifischen Wi-
Die Größe a ist der Temperaturkoeffizient. Da Glei- derstandes
256 Grundlagen der Elektrotechnik

II Der Gleichstromkreis

1 Zählpfeilsysteme 2.1 Knotenregel

I R1 R3
I1 A I3

U I2
R U R2 I4 R4
Bild II-1
Zählpfeilsystem
B
Damit in einem Leiter ein elektrischer Strom fließen Bild II-3 Knotenregel
kann, muß ein geschlossener Stromkreis vorliegen. In
elektrischen Schaltungen werden die Spannungs- und Knotenpunkte sind Punkte, an denen sich der Strom-
Stromrichtungen allgemein durch Pfeile gekenn- kreis verzweigt. Das 1. Kirchhoffsche Gesetz bezieht
zeichnet. Die Richtung der Spannung wird in Schalt- sich auf diese Punkte, z.B. im Bild II-3 auf die Punkte
bildern durch einen Pfeil dargestellt, der von + nach – A und B. In diesen Knotenpunkten muß die Summe
verläuft. Die Stromrichtung wird ebenfalls durch der zufließenden Ströme gleich der Summe der ab-
einen Pfeil angegeben, der beim Verbraucher von + fließenden Ströme sein. Im Punkt A gilt
nach – gezeichnet wird. Diese Stromrichtung wird als
technische Stromrichtung bezeichnet; die tatsächliche I1 = I 2 + I 3 (II.1)
Bewegung der Elektronen ist dieser Richtung entge-
I1 − I 2 − I 3 = 0 (II.2)
gengesetzt. In der linken Seite von Bild II-1 sind
Spannungs- und Strompfeil entgegengesetzt, man Werden alle in einen Knoten hineinfließenden Ströme
spricht hier vom Erzeuger-Zählpfeilsystem. Auf der mit positivem, alle abfließenden Ströme mit negati-
Verbraucherseite sind Spannungs- und Strompfeil vem Vorzeichen versehen, läßt sich die Knotenregel
gleichgerichtet; hier liegt das Verbraucher-Zählpfeil- aufstellen.
system vor. In den meisten Fällen wird die Pfeilzu- n
ordnung im Verbraucher- Zählpfeilsystem vorgenom- Knotenregel ∑ Ik = 0 (II.3)
men. k =1
Diese Regel wird auch das 1. Kirchhoffsche Gesetz
I genannt.

U1 U2
Bild II-2
Schaltung
R U3
Liegt nun eine Schaltung nach Bild II-2 vor, so hängt
die tatsächliche Stromrichtung von der Höhe der
Spannungen U1 und U2 ab. In diesem Fall gibt man
für den Strom willkürlich eine Richtung vor und
bezeichnet diese als Bezugsrichtung oder Zählrich-
tung. Fließt der technische Strom tatsächlich in der
willkürlich gewählten Richtung, wird er positiv
gezählt, im anderen Fall negativ.
2 Kirchhoffsche Gesetze
Eine elektrische Schaltung besteht in der Regel aus
mehreren Spannungsquellen und Widerständen, die
sehr unterschiedlich miteinander verbunden sein
können. Das gesamte System wird auch als Netzwerk
bezeichnet. Für die Berechnung von Strömen und
Spannungen in einem solchen Netzwerk sind die
beiden Kirchhoffschen Gesetze, die auch als Knoten-
regel und Maschenregel bezeichnet werden, von
großer Bedeutung.
2.2 Maschenregel
R1 R3
U1
U U2 R2 U4 R4
I II
III
Bild II-4 Maschenregel
Das 2. Kirchhoffsche Gesetz bezieht sich auf Maschen
von Netzwerken. Maschen sind geschlossene Teile
von Netzwerken. In der Schaltung nach Bild II-4 gibt
es drei Maschen. Masche I wird durch die Span-
nungsquelle, R1 und R2 gebildet, Masche II durch R3,
R4 und R2 und Masche III durch die Spannungsquelle,
R1, R3 und R4. Die Maschenregel ist eine Gleichung
für die Spannungen innerhalb einer Masche. Bei
einem frei wählbaren Umlaufsinn, hier gegen den
Uhrzeigersinn, werden die Spannungen, die dem Um-
laufpfeil entgegen gerichtet sind, negativ gezählt. Die
Richtungen der Spannungspfeile an den Spannungs-
quellen ist von + nach –, an den einzelnen Widerstän-
den werden die Spannungspfeile in den entsprechen-
den Stromrichtungen gezeichnet.
II Der Gleichstromkreis 257

In der dargestellten Schaltung lassen sich z.B. fol-  Beispiel: In der Schaltung nach Bild II-6 soll die Teilspannung
U1 berechnet werden. Die Spannung U ist 300 V.
gende Maschenregeln aufstellen:
U1 R 1
I) U − U 2 − U 1 = 0 (II.4) = = ; U 1 = 100 V
U 3R 3

II) U 2 − U 4 − U 3 = 0 (II.5) 3.2 Parallelschaltung

III) U − U 4 − U 3 − U 1 = 0 (II.6)
I1 I2 I3
Innerhalb einer Masche gilt immer – unter Berück- U
R1 R2 R3
sichtigung der Vorzeichen – die Maschenregel.
n
Maschenregel ∑U k = 0 (II.7) Bild II-7 Parallelschaltung
k =1

In einer Parallelschaltung von Widerständen liegt an

3 Schaltung von Widerständen jedem Widerstand die gleiche Spannung U. Somit gilt
mit
Für die Kombination von Widerständen gibt es im n
U U U
Prinzip zwei Möglichkeiten, Reihen- oder Serien- Ik = und (II.3); =∑
schaltung und Parallelschaltung. Rk R k =1 R k
n
1 1
3.1 Reihenschaltung Parallel- Ersatzwiderstand =∑ (II.13)
R k =1 R k
R1 R2 R3
Der gesamte Leitwert errechnet sich als Summe der
einzelnen Leitwerte.
U U1 U2 U3 n
Leitwert G = ∑ G k (II.14)
k =1

Bild II-5 Reihenschaltung Oft besteht eine Parallelschaltung nur aus zwei Wi-
derständen. Dann errechnet sich der Ersatzwiderstand
In einer Reihenschaltung fließt durch jeden Wider- aus
stand derselbe Strom I. Für die Spannungsfälle an den R ⋅R
einzelnen Widerständen gilt nach dem Ohmschen Parallelwiderstand R = 1 2 (II.15)
R1 + R2
Gesetz U k = I ⋅ Rk . Mit Gleichung (II.7) gilt somit
 Beispiel: Berechnung des Ersatzwiderstandes der Schaltung nach
U − I ⋅ R1 − I ⋅ R2 − I ⋅ R3 = 0 (II.8) Bild II-8.
Die Widerstände werden zu Gruppen zusammengefaßt.
U = I ⋅ ( R1 + R 2 + R 3 ) = I ⋅ R ges (II.9)
150 W ⋅ 250 W 1 1 1 1
n RI = = 93,75 W ; = + +
150 W + 250 W RII 120 Ω 240 Ω 360 Ω
Reihen-Ersatzwiderstand R ges = ∑ R k (II.10)
k =1 R II = 65 , 45 W R = ( 100 + 93 , 75 + 65 , 45 ) W = 259 , 2 W
Weiterhin folgt für die Spannungsfälle an den einzel-
120
nen Widerständen
150
U 1 : U 2 : U 3 = R1 : R 2 : R 3 (II.11) 100 240
250
Hieraus resultiert die Spannungsteilerregel. Sie be- 360
sagt, daß sich die Teilspannungen zur Gesamtspan-
nung verhalten, wie die Teilwiderstände zum Ge-
samtwiderstand. Bild II-8 Beispiel Ersatzwiderstand

Uk R 3.3 Stern-Dreieck Umwandlung

Spannungsteiler = k (II.12)
U R ges
R1 R2
R
A R5 B
U R

R U1 Bild II-6 Bild II-9

R3 R4
Beispiel Spannungsteiler Brückenschaltung
258 Grundlagen der Elektrotechnik

Nicht immer lassen sich Widerstände zu Gruppen Die Ersatzschaltung ergibt dann die in Bild II-9 dargestellte
Schaltung. Der Gesamtwiderstand berechnet sich aus
zusammenfassen. Als Beispiel wird die Schaltung
18 ⋅ 12.5 ⎞
nach Bild II-9 betrachtet. Zu einer Lösung gelangt R AB = ⎛⎜ 5 + ⎟ W = 12. 38 W (II.19)
⎝ 18 + 12.5 ⎠
man, wenn eine Stern-Dreieckumwandlung oder eine
Dreieck-Sternumwandlung durchgeführt wird. Hier- C 15
unter versteht man eine rechnerische Umwandlung
einer Schaltung in eine elektrisch gleichwertige 3
Schaltung. Die Schaltungen sind dann gleichwertig, A 5 I2 B
wenn zwischen entsprechenden Punkten in den bei- N
den Schaltungen gleiche Widerstände oder Leitwerte I3
I1
vorhanden sind. Wenn zwischen den Punkten 1 und 2 7.5 5
im Stern und im Dreieck derselbe Widerstand liegen
soll, muß gelten: D
R12 ( R23 + R31 ) Bild II-12 Beispiel Stern-Dreieck-Umwandlung
R1 + R2 = (II.16)
R12 + R23 + R31
3.4 Meßbereichserweiterung
R ( R + R12 ) Durch geeignet gewählte Widerstände lassen sich die
R2 + R3 = 23 31 (II.17)
R12 + R23 + R31 Meßbereiche von Strom- und Spannungsgeräten an-
passen. RM ist jeweils der Innenwiderstand des ver-
R31 ( R12 + R23 ) wendeten Meßgerätes.
R3 + R1 = (II.18)
R12 + R23 + R31
3.4.1 Voltmeter
Aus diesen drei Gleichungen lassen sich Bestim-
mungsgleichungen für die Umwandlungen ableiten. Um den Meßbereich eines Voltmeters zu erweitern,
Sie lauten ist nach Bild II-13 ein Vorwiderstand zu schalten.

Tabelle II-1 Dreieck-Stern- und Stern-Dreieck-Umwandlung

Dreieck in Stern Stern in Dreieck
R12 ⋅ R 31 R1 ⋅ R 2
R1 = (II.19) R12 = R1 + R2 + (II.22)
R12 + R23 + R 31 R3
R 23 ⋅ R12 R2 ⋅ R3
R2 = (II.20) R23 = R2 + R3 + (II.23)
R12 + R 23 + R 31 R1
R 31 ⋅ R 23 R 3 ⋅ R1
R3 = (II.21) R31 = R3 + R1 + (II.24)
R12 + R 23 + R 31 R2
2
2

R2
R1
1
R12 R23
R3
R31
1 3
3
Bild II-10 Stern Bild II-11 Dreieck

 Beispiel: In der Schaltung Bild II-9 soll der Gesamtwiderstand Wenn mit U1 der neu einzustellende Meßbereich
zwischen den Punkten A und B berechnet werden. R1 = 10 W, und mit UM der vorhandene Meßbereich des Gerä-
R2 = 15 W, R3 = 25 W, R4 = 5 W, R5 = 15 W.
tes bezeichnet wird, kann mit Hilfe der Maschen-
Das Dreieck aus R1, R3 und R5 wird in einen Stern umgerechnet.
regel der erforderliche Vorwiderstand berechnet
R1 R 3 10 ⋅ 25
RA = = W = 5W ; werden.
R1 + R 3 + R 5 10 + 25 + 15
R1 R 5 10 ⋅ 15 U1 = U M + U V (II.20)
RC = = W = 3W
R1 + R 3 + R 5 10 + 25 + 15
U1 U R
RD =
R3 R5
=
25 ⋅ 15
W = 7, 5 W = 1+ V = 1+ V (II.21)
R1 + R 3 + R 5 10 + 25 + 15 UM UM RM
II Der Gleichstromkreis 259

UM UV
4 Reale Spannungsquelle
RV I
V
Ri
Uk Ra
Ra
Uq
U1

Bild II-13 Erweiterung des Spannungs-Meßbereichs

Bild II-15 Reale Spannungsquelle

Wird eine reale Spannungsquelle durch einen Wider-

U1
Meßbereichsverhältnis n = (II.22) stand belastet, sinkt die zwischen den Polen (Klem-
UM men) vorhandene Spannung UK, die als Klemmspan-
nung bezeichnet wird. Ursache hierfür ist der immer
Vorwiderstand RV = R M ( n − 1) (II.23)
vorhandene innere Widerstand einer Spannungsquelle.
Die Spannung Uq wird als Quellspannung oder Leer-
3.4.2 Amperemeter laufspannung bezeichnet. Im Ersatzschaltbild Bild II-
RN 15 läßt sich ablesen
IRi + IR a − U q = 0 (II.28)
IN
A U K = IRa (II.29)
I1 IM
Klemmspannung U K = U q − IRi (II.30)
Bild II-14 Erweiterung des Strom-Meßbereichs
Uk

Für die Meßbereichserweiterung eines Strommeßge- Uq

rätes nach Bild II-14 wird ein Widerstand parallel ΔU
R i = – ΔI
zum Meßgerät geschaltet. Um die Größe dieses
Nebenwiderstandes zu berechnen, muß man von der
Knotenregel ausgehen.
I1 = I M + I N (II.24) Ik I

I1 I R Bild II-16 Kennlinie einer Spannungsquelle

= 1+ N = 1+ M (II.25)
IM IM RN
Sind Ri und Uq unabhängig vom Belastungsstrom,
I liegt eine lineare Quelle vor, deren Kennlinie in
Meßbereichsverhältnis n = 1 (II.26) Bild II-16 dargestellt ist. Wenn I = 0 ist, folgt aus
IM
Gleichung (II.30) UK = Uq. Ist dagegen der Wider-
RM stand Ra = 0 (Quelle kurzgeschlossen), nimmt der
Nebenwiderstand RN = (II.27)
n −1 Strom seinen Maximalwert an.
U
I1 ist der zu messende Strom, also der neue Meßbe- Kurzschlußstrom I K = 0 (II.31)
Ri
reich, IM der vorhandene Meßbereich.
Aus der Kennlinie läßt sich auch der Innenwiderstand
Ri bestimmen.
 Beispiel: Ein Strommeßgerät mit einem Innenwiderstand von
0,45 W, welches den Skalenendwert von 2 A hat, soll für einen
DU
Innenwiderstand Ri = − (II.32)
Verbraucherstrom von 20 A eingesetzt werden. DI
a) Welcher Nebenwiderstand ist zu schalten?
b) Welche Stellung nimmt der Zeiger an, wenn statt des unter a) Eine Spannungsquelle mit einem Innenwiderstand
errechneten Nebenwiderstandes ein Widerstand von 0,025 W Ri = 0 wird als ideale Spannungsquelle oder Kon-
genommen wird. stantspannungsquelle bezeichnet.
20 A 0 , 45 W
a) n = = 10 ; RN = = 0 , 05 W 4.1 Kombination von Spannungsquellen
2A 9
RM 0 , 45 W Spannungsquellen können in Reihe oder parallel
b) n = 1 + = 1+ = 19 ; I 1 = 19 ⋅ 2 A = 38 A
RN 0 , 025 W geschaltet werden. Von Interesse ist auch hier der
20 A resultierende Innenwiderstand und die Quellspannung
⋅ 100% = 52 , 6% des Skalenendwertes
38 A der gesamten Anordnung.
260 Grundlagen der Elektrotechnik

4.1.1 Reihenschaltung 5 Ersatzstromquelle

Die Kombination kann durch eine einzelne Quelle Jede Quelle kann auch entsprechend Bild II-18 durch
ersetzt werden, die durch Quellspannung und Innen- eine Ersatzstromquelle mit einem Quellstrom Iq und
widerstand charakterisiert wird. Um diese Größen zu einem parallel dazu liegenden Innenwiderstand be-
berechnen, nimmt man zunächst an, daß die Quelle trachtet werden. Es gelten die Beziehungen
nicht belastet ist. Die Klemmspannung ist dann gleich
der Quellspannung. Kurzschluß I = Iq (II.47)
U=0 (II.48)
Quellspannung U q = U 1 + U 2 (II.33)
Ii = 0 (II.49)
U + U2 Uq
Kurzschlußstrom Ik = 1 = (II.34) Leerlauf I i = I q (II.50)
R1 + R2 Ri
I=0 (II.51)
Innenwiderstand Ri = R1 + R2 (II.35)
U = I q Ri (II.52)
I1 I Iq I
I2
R1 Ii
R1 R2 U
U1 K
UK U2 U R1 R
U1
R2
Bild II-18
U2 Ersatzstromquelle

Im folgenden Beispiel Bild II-19 soll der aktive

Bild II-17 Kombination von Spannungsquellen Zweipol einmal durch eine Ersatzspannungsquelle
und einmal durch eine Ersatzstromquelle dargestellt
4.1.2 Parallelschaltung werden.
Um die Quellspannung und den Innenwiderstand zu
bestimmen, wird zunächst die Quelle nicht belastet. R1
(UK = Uq)
U1 − U 2
Ausgleichsstrom I1 = I 2 = (II.36)
R1 + R2 U R2

Quellspannung U q = U 2 + I 2 R2 (II.37) Bild II-19

Beispiel Ersatzquelle
U1 − U 2
U q = U 2 + R2 (II.38)
R1 + R2 R2
Ersatzspannungsquelle U q = U (II.53)
U R + U 2 R1 R1 + R2
Uq = 1 2 (II.39)
R1 + R2 R1 R2
Ri = (II.54)
Aus dem Kurzschlußstrom (I = IK) läßt sich der In- R1 + R2
nenwiderstand berechnen. U
IK = (II.55)
Knoten I1 = I 2 + I K (II.40) R1
rechte Masche I 2 R2 + U 2 = 0 (II.41) Ersatzstromquelle Iq =
U
= IK (II.56)
R1
linke Masche I 1 R1 + I 2 R2 + U 2 − U 1 = 0 (II.42)
R1 R2
Ri = (II.57)
U U R1 + R2
Kurzschlußstrom IK = 1 + 2 (II.43)
R1 R2
U 1 R2 + U 2 R1 6 Netzwerkberechnung
IK = (II.44)
R1 ⋅ R2 Die Berechnung von Strömen, Spannungen oder Lei-
Uq RR stungen in einer beliebigen elektrischen Schaltung
Innenwiderstand Ri = = 1 2 (II.45) bezeichnet man als Netzwerkberechnung. Zur Be-
IK R1 + R2
rechnung der Ströme und Spannungen kann man im
Ri = R1 parallel R2 (II.46) Prinzip immer Knoten- und Maschenregeln anwen-
II Der Gleichstromkreis 261

den. Dies kann allerdings in komplizierten Netzwer- 6.2 Überlagerungsverfahren

ken zu einer großen Zahl von Unbekannten und damit
Ein weiteres Verfahren ist die Berechnung mit Hilfe
Gleichungen führen. Hier führen manchmal andere
des Helmholtzschen Überlagerungsverfahrens. Bei
Verfahren schneller zum Ziel.
der Berechnung von Zweigströmen in einem Netz-
6.1 Gemischte Schaltungen werk mit mehreren Spannungsquellen werden zu-
nächst alle Spannungsquellen bis auf eine kurzge-
I1 I3 schlossen. Für diesen Fall werden die Teilströme
berechnet. Dann wird dasselbe Verfahren für eine
I2
weitere Spannungsquelle durchgeführt und wieder die
U1 U2 Teilströme berechnet. Der gesamte Zweigstrom ergibt
R3 sich als Summe der Teilströme.
R1 R2
I1 I2
I II
I3
U1 U2
Bild II-20 Beispiel Netzwerk R3
R1 R2
Zunächst soll an Hand eines Beispiels die Berech-
nung mit Hilfe der Kirchhoffschen Gesetze erfolgen.
Die Spannungspfeile werden von + nach – gezeich-
net. Die Strompfeile werden willkürlich ange- I11 I21
nommen. Sollte für einen der Ströme ein negativer
Wert berechnet werden, ist der Pfeil falsch gewählt I31
worden. Die Werte in der Schaltung Bild II-20 sind: U1
U1 = 20 V, U2 = 30 V, R1 = R2 = 100 W, R3 = 50 W. R3
Knotenregel I1 − I 2 − I 3 = 0 ; R1 R2

Masche I U 1 − I 1 R1 − I 2 R2 − U 2 = 0 ;
Masche II U 2 + I 2 R2 − I 3 R3 = 0
I12 I22
Mit Zahlenwerten und nach Umstellung
Knotenregel I1 − I 2 − I 3 = 0 ; I32
Masche I 100 W ⋅ I 1 + 100 W ⋅ I 2 = −10 V ; U2
R3
Masche II 100 W ⋅ I 2 − 50 W ⋅ I 3 = −30 V R1 R2
Durch Einsetzen kann dieses Gleichungssystem
gelöst werden.
I 1 = 75 mA ; I 2 = −175 mA ; I 3 = 250 mA Bild II-21a, b, c Überlagerungsverfahren
Aus dem negativen Wert für I2 ist zu erkennen, daß
die tatsächliche Stromrichtung der eingezeichneten Das Verfahren soll an Hand der Schaltung in Bild II-
Pfeilrichtung entgegengesetzt ist. 21a dargestellt werden. Zunächst werden alle Span-
nungen bis auf U1 kurzgeschlossen. Es entsteht die
 Beispiel: In der Schaltung nach Bild II-9 soll der Strom durch Ersatzschaltung nach Bild II-21b. Der Teilstrom I11
den Widerstand R5 berechnet werden. Die angelegte Spannung ist
errechnet sich zu
100 V.
Ausgehend vom Ergebnis in Gleichung (II.19) ist der Gesamt- U1 R2 + R3
I 11 = = U1 (II.58)
strom R2 ⋅ R3 R1 R2 + R2 R3 + R3 R1
R1 +
I ges =
100 V
= 8, 08 A ; U AN = 8, 08 A ⋅ 5 W = 40 , 4 V ; R2 + R3
12 , 38 W
U NB = 100 V − 40 , 4 V = 59,6 V Werden im nächsten Schritt alle Spannungen bis auf
U2 kurzgeschlossen, entsteht die Ersatzschaltung
59, 6 V 59, 6 V
I2 = = 3, 31 A ; I3 = = 4 , 77 A Bild II-21c. Jetzt läßt sich der Teilstrom I22 berech-
18 W 12 , 5 W
nen.
Die Spannung über R5 ist gleich der Spannung zwischen den
Punkten C und D in Bild II-12: R1 + R3
I 22 = U 2 (II.59)
U CD = 4 , 77 A ⋅ 7 , 5 W − 3, 31 A ⋅ 3 W = 25,85 V . R1 R2 + R2 R3 + R3 R1
262 Grundlagen der Elektrotechnik

U AB 0 = 10 V ⎜⎛
und daraus weiter: 100 100 ⎞
− ⎟ = 1, 67 V ;
⎝ 200 300 ⎠
R3 100 ⋅ 200 100 ⋅ 100
I 12 = U 2 (II.60) Ri = W+ W = 116 , 67 W
R1 R2 + R2 R3 + R3 R1 100 + 200 100 + 100
1000
I 1 = I 11 + I 12 (II.61) U AB = 1, 67 V = 1, 49 V
116.67 +1000

Haben die Spannungsquellen einen nicht vernachläs-

sigbaren Innenwiderstand, darf dieser nicht kurzge- A
schlossen werden.
I2
I3
6.3 Ersatzspannnungsquelle Uq1 Uq2
R3 R4
Oft ist in Netzwerken nur nach einer Teilspannung R1 R2
oder einem Teilstrom gefragt. In diesem Fall läßt sich
die Methode der Ersatzspannungsquelle anwenden.
Als Beispiel wird die in Bild II-22 dargestellte Brük-
B
kenschaltung mit einer Last R5 betrachtet. In der
Meßtechnik interessiert als Meßgröße die Spannung
Bild II-23 Beispiel Methode der Ersatzspannungs-
UAB zwischen den Punkten A und B bei einer Bela-
quelle
stung durch ein Meßgerät.
 Beispiel: Berechnung des Stromes I3 durch den Widerstand R3
(Bild II-23).
U q1 = 6 V , Uq2 = 4 V , R1 = 0 , 5 W ,

U1 R 2 = 0,8 W , R3 = R4 = 6 W
R1 R3 U3
R5 Die im gestrichelten Rechteck liegenden Bauteile werden zu einer
U Ersatzspannungsquelle zusammengefaßt. Die Quellspannung kann
A B
aus dem unbelasteten Fall bestimmt werden.

R2 UAB R4 U q1 − U q 2 6V−4V
I2 = = = 1, 54 A ;
R1 + R 2 0,5 W + 0,8 W

Bild II-22 U q = U q 2 + I 2 R 2 = 4 V +1,54 A ⋅ 0,8 W = 1,23 V

Brücke
0,8 ⋅ 0,5
Ri = W = 0 , 307 W
0 ,8 + 0 ,5
Bei nicht belasteter Brücke besteht zwischen den
Die Klemmspannung sinkt bei Belastung mit
Punkten A und B die Spannung UAB0. Diese Span-
nung wird als Quellspannung einer Ersatzspannungs- R3 R4
Ra = = 3W auf
quelle gesehen. R3 + R4

3W
U AB 0 = U 3 − U 1 (II.62) U AB = U q
Ra
= 1, 23 V = 1,11 V ;
R a + Ri 3 W + 0,307 W
⎛ R3 R1 ⎞
U AB 0 = U ⎜ − ⎟ (II.63) I3 =
1,11 V
= 0 , 37 A
⎝ R3 + R 4 R1 + R2 ⎠ 3W

Die Spannung UAB ist dann als Klemmspannung einer

Spannungsquelle mit der Quellspannung UAB0 anzu- 6.4 Nichtlineare Gleichstromkreise
sehen. Der Innenwiderstand dieser Ersatzspannungs- Bisher wurde vorausgesetzt, daß die Widerstände in
quelle ist durch die Brückenwiderstände festgelegt. den Netzwerken nicht stromabhängig sind. Derartige
Er wird dadurch bestimmt, daß die äußere Span- Netzwerke werden als lineare Netzwerke bezeichnet.
nungsquelle U kurzgeschlossen wird. Ist der Widerstand eines Bauteils stromabhängig,
wird diese Abhängigkeit normalerweise durch eine
R1 R2 R R
Innenwiderstand Ri = + 3 4 (II.64) Kennlinie dargestellt. Die Bestimmung von Spannun-
R1 + R2 R3 + R 4 gen und Strömen im Kreis erfolgt meistens grafisch.
R5 Zur Erläuterung wird die Schaltung nach Bild II-24
Brückenspannung U AB = U AB 0 (II.65) betrachtet. In Bild II-25 sind auf der Ordinate der
Ri + R5
Strom und auf der Abszisse die Spannung UD an der
 Beispiel: In der Schaltung nach Bild II-22 gelten folgende Werte: Diode aufgetragen. Die Kennlinie der Diode ist als
Kurve 1 eingetragen. Weiter ist als Gerade 2 die
R1 , R3 , R 4 = 100 W, R2 = 200 W , R5 = 1 k W , U = 10 V .
Kennlinie des Ohmschen Widerstandes eingetragen.
Wie groß ist die Spannung UAB? Diese Gerade errechnet sich durch
II Der Gleichstromkreis 263

UR U −UD 7 Energie, Leistung, Wirkungsgrad

I= = (II.66)
R R Fließt durch einen Widerstand R eine Ladung Q, wird
Da durch Widerstand und Diode der gleiche Strom die Arbeit W nach Gleichung (I.3) bestimmt.
fließt, stellt sich als Arbeitspunkt A der Schnittpunkt
W U I t
beider Kennlinien ein. Es fließt der Strom IA und an Arbeit W = U ⋅ I ⋅ t (II.67)
J = Ws = VAs V A s
der Diode liegt die Spannung UDA.
UR UD Hieraus bestimmt sich die Leistung P.
W P U I
Leistung P = =U⋅I (II.68)
t W = VA V A
Die Einheit der Leistung ist das Watt. Die Rückfüh-
Bild II-24 rung auf die SI-Grundeinheiten ergibt
U Nichtlineare Kreise
J Nm kg m 2
1 W = 1 VA = 1 =1 =1 (II.69)
I s s s3
U/R Für die Leistung lassen sich mit Hilfe des Ohmschen
2 1 Gesetzes nach Gleichung (I.11) die folgenden Bezie-
hungen ableiten:
IA A
U2
P= (II.70)
R
P = R⋅ I2 (II.71)
UDA URA UD
7.1 Leistungsanpassung
U
Wird in einem Gleichstromkreis ein Ohmscher Ver-
Bild II-25 Bestimmung des Arbeitspunktes
braucher an eine reale Spannungsquelle angeschlos-
 Beispiel: Die Diode in der Schaltung nach Bild II-24 hat eine sen, ist die vom Verbraucher aufgenommene Leis-
Kennlinie gemäß Bild II-26. Der Widerstand R1 ist 6 W, die Span- tung abhängig von dessen Widerstand. Betrachtet
nung U ist 1,8 V. Um wieviel Prozent ändert sich die Spannung UR, wird die Schaltung nach Bild II-15. Uq und Ri der
wenn zu R1 ein Widerstand R2 von 4 W parallel geschaltet wird?
Spannungsquelle sind bekannt. Die vom Verbraucher
Die Kennlinie von R1 ist die Gerade 2. Der Schnittpunkt mit der
aufgenommene Leistung ist dann
Spannungsachse liegt bei 1,8 V, der mit der Stromachse bei
U 1, 8 V Ra Uq
I= = = 0 , 3 A . Schnittpunkt mit Kennlinie 1: UD = o,9 V; PV = U K ⋅ I = U q ⋅ (II.72)
R1 6W R i + R a Ri + R a
U R = U − U D = 1, 8 V − 0 , 9 V = 0,9 V .
Ra
Der Widerstand R ändert sich durch die Parallelschaltung auf den PV = U q2 (II.73)
Wert R =
6⋅4
W = 2 , 4 W . Die zugehörige Kennlinie ist die Ge-
( Ri + R a ) 2
6+4
Für die Extremfälle Ra = 0 W und Ra = ∞ verschwin-
1, 8 V
rade 3, die bei I = = 0 , 75 A die Ordinate schneidet. Der det die aufgenommene Leistung. Dazwischen muß
2,4 W
Schnittpunkt mit der Kurve 1 liegt bei 1,0 V. Die Spannung am
ein Maximum liegen. Die Lage dieses Maximums
Widerstand ist jetzt U R′ = 1, 8 V − 1, 0 V = 0 , 8 V .
läßt sich mit Hilfe der Differentialrechnung bestim-
men.
U R′ − U R 0 , 8 − 0 , 9
= V = − 0,11 . Die Spannung hat sich um
dPV ( R i + R a ) − 2 R a ( R i + R a )
2
UR 0,9
= (II.74)
11% verringert. dR a ( Ri + R a ) 4
I
0.9 P

1
0.5 3

Ri Ra
2
Bild II-27 Leistungsanpassung
0.l

0.2 1.0 1.8 UD Zur Bestimmung der Lage des Maximums muß dieser
Ausdruck = 0 werden. Das ist dann der Fall, wenn der
Bild II-26 Beispiel Nichtlinearer Kreis Zähler = 0 wird. Man erhält die Gleichung
264 Grundlagen der Elektrotechnik

( Ri + R a ) 2 − 2 R a ( Ri + R a ) = 0 (II.75) 7.3 Wirkungsgrad

Der Wirkungsgrad h ist definiert als Verhältnis von
mit der Lösung Ra = Ri (II.76)
zugeführter Energie WZu oder Leistung PZu zur Nutz-
In diesem Fall ist der Leistungsverlust am Innenwi- energie WN oder Nutzleistung PN. Da es bei allen
derstand gleich der vom Verbraucher aufgenomme- Maschinen und Antrieben Verluste gibt, ist der Wir-
nen Leistung. Bei großen Leistungen kann man keine kungsgrad immer kleiner als 1 oder 100%.
Leistungsanpassung vornehmen; verwendet wird sie WN P
allerdings häufig in der Nachrichtentechnik. Wirkungsgrad h = = N ≤1 (II.80)
WZu PZu
I Die Differenz zwischen zugeführter Leistung und
Nutzleistung ist die Verlustleistung.
Ri
Ra Verlustleistung PV = PZu − PN (II.81)

Uq
7.4 Umwandlung elektrischer Energie
Elektrische Energie kann in andere Energieformen
Bild II-28 Beispiel Leistungsanpassung
umgewandelt werden. Beispiele sind Umwandlung in
 Beispiel: In der Schaltung Bild II-28 sind Uq = 10 V und Ri = Wärmeenergie (Kochplatte, Tauchsieder) oder me-
0,5 W. chanische Energie (Antriebe, Pumpen).
a) Welchen Wert muß Ra haben, damit er eine Leistung von
10 W verbraucht? 7.4.1 Wärme
b) Welche Leistung kann Ra maximal umsetzen?
2 Die für eine Temperaturerhöhung von DT oder DJ
⎛ Uq ⎞
a) Pa = I 2 ⋅ R a = ⎜ ⎟ ⋅ Ra (II.77) notwendige Wärmeenergie DQ ist gegeben durch
⎝ Ri + R a ⎠
DQ = mc D T = mc D J (II.82)
Pa ( R i + R a ) = U q2 ⋅ R a
2
(II.78)
⎛ U q2 ⎞ Da die Kelvin-Skala und die Celsius-Skala dieselben
R a2 + ⎜⎜ 2 R i − ⎟ R a + R i2 = 0 (II.79)
⎝ Pa ⎟⎠ Temperaturschritte haben, kann die Temperaturdiffe-
renz sowohl in K als auch in °C angegeben werden. m
R a2 − 9 W R a + 0 , 25 W 2 = 0 ;
ist die Masse und c die spezifische Wärmekapazität
( )
R a 1 = 4 , 5 + 4 , 5 2 − 0 , 25 W = 8, 97 W ;
des zu erwärmenden Materials. Sie beträgt für
kJ
Ra 2 = ( 4,5 − 4,5 2
− 0 , 25 ) W = 0 , 28 W Wasser cWasser = 4,19 .
kg K
2
⎛ Uq ⎞ ⎛ 10 ⎞
2
 Beispiel: Wieviel Liter Wasser lassen sich mit einer elektrischen
b) Pa max = ⎜ ⎟ ⋅ R i = ⎜ ⎟ ⋅ 0 , 5 W = 50 W
⎝ Ri + Ri ⎠ ⎝ 1⎠ Energie von 15 kWh von J1 = 15 °C auf J2 = 80 °C erwärmen
(1 Liter Wasser hat die Masse 1 kg)?
7.2 Leistungsverlust auf Leitungen 1 kWh = 3600 kWs

Da jede Zuleitung zu einem Verbraucher einen Ohm- DQ 15 ⋅ 3600 kJ

m= = = 198, 3 kg
c ⋅ ( J 2 − J1 ) kJ
schen Widerstand RL besitzt, wird immer elektrische 4 ,19 ⋅ ( 80 − 15 ) K
kg K
Energie verbraucht. Der Widerstand der Zuleitung
berechnet sich nach Gleichung (I.14). Hierbei ist für l  Beispiel: Wie lange dauert es, um 5 l Wasser von J1 = 15 °C mit
die gesamte Leiterlänge, also der doppelte Abstand einer Kochplatte, die eine Leistungsaufnahme von 800 W hat,
zwischen Verbraucher und Spannungsquelle einzu- zum Sieden zu bringen (J2 = 100 °C)? Der Wirkungsgrad beträgt
setzen. 75%.

DQ m ⋅ c ⋅ ( J 2 − J 1 )
 Beispiel: Ein Verbraucher ist 2,4 km von der Spannungsquelle PN = h ⋅ PZu ; PN = = ;
entfernt. Die Leitung besteht aus Kupfer und hat einen Durchmesser t t
von 8 mm. Wieviel Prozent der am Verbrauchsort zur Verfügung m ⋅ c ⋅ ( J 2 − J1 )
stehenden Leistung von 20 kW gehen verloren, wenn die Spannung t=
PZu ⋅ h
⎛ W mm 2 ⎞
beim Verbraucher 440 V beträgt ⎜ r Cu = 0 , 0173 ⎟? kJ
⎝ m ⎠ 5 kg ⋅ 4,19 ⋅ ( 100 − 15 ) K
kg K
t= = 2986 s = 49, 5 min
r ⋅ 2 l 0 , 0173 ⋅ 4800 ⋅ 4 kJ
Leitungswiderstand R L = = W = 1, 65 W; 0,8 ⋅ 0 , 75
A p ⋅82 s
20 kW
Strom I = = 45, 45 A ; 7.4.2 Mechanische Energie
440 V
Verlust auf der Leitung PL = RL ⋅ I 2 = 1,65 ⋅ 45,452 W = 3408 W Elektrische Energie kann auch in potentielle oder
100 ⋅ 3408 kinetische Energie umgewandelt werden. Für diese
prozentualer Anteil % = 17%
20 000 Energieformen gelten die Gleichungen:
III Das Elektrische Feld 265

1 1
E pot = mgh und E kin = mv 2 (siehe Physik II.2.4). W kin
mv 2
2 PZu ⋅ h = = 2 ;
t t
Hierbei gilt natürlich ebenfalls der Energieerhal- 2
500 ⋅ 10 3 kg ⋅ ⎛⎜
100 m ⎞
tungssatz. ⎟
mv 2 ⎝ 3,6 s ⎠
t= = = 241 s = 4 min
2 ⋅ h ⋅ PZu kgm 2

 Beispiel: Aus einer Grube sollen bei täglich 6 h Arbeitszeit 2 ⋅ 0,4 ⋅ 2000 ⋅ 10 3 3
s
innerhalb von 3 Tagen 12 000 m3 Wasser über eine Förderhöhe
von 10 m gepumpt werden. Welche Leistung muß der Motor auf-  Beispiel: Ein Gleichstrommotor wird mit dem Drehmoment M =
nehmen, wenn ein Wirkungsgrad h = 70% vorhanden ist? 1
35 Nm belastet und hat dabei die Drehzahl n = 1500 . Die
m min
12 ⋅ 10 6 kg ⋅ 9,81 ⋅ 10 m am Motor liegende Spannung beträgt U = 400 V, der aufgenom-
mgh s2
WPot = mgh ; PZu = = = 25, 9 kW mene Strom I = 17 A. Wie groß ist der Wirkungsgrad des Mo-
t⋅h 0,7 ⋅ ( 3 ⋅ 6 ⋅ 3600 ) s tors?
1500 1
PN = 2p nM ; PN = 2 p ⋅ 35 Nm = 5497 W ;
 Beispiel: Eine Güterzuglokomotive soll einen Güterzug von 500 t 60 s
auf eine Geschwindigkeit von 100 km/h bringen. Die Lokomotive PZu = UI = 400 ⋅ 17 W = 6800 W
nimmt eine konstante Leistung von 2000 kW bei einem Wir-
PN 5497 W
kungsgrad von 40% auf. Wie lange braucht der Zug bis zum Er- h= = = 0 , 81 oder 81%.
reichen der Endgeschwindigkeit? PZu 6800 W

III Das Elektrische Feld

Wenn in jedem Punkt des Raumes eine physikalische
oder technische Größe definiert ist, so bezeichnet
man dies als Feld. So kann man z.B. in jedem Punkt
eines Zimmers eine Temperatur messen; es ist ein
Temperaturfeld definiert. An jedem Punkt über der
Erdoberfläche herrscht eine Anziehungskraft, dies
ergibt ein Kraftfeld, in diesem Fall das Gravitations-
feld. Im ersten Fall liegt, da die Temperatur eine
skalare Größe ist, ein Skalarfeld, im zweiten Fall ein
Vektorfeld vor.
1 Grundgrößen
1.1 Kräfte zwischen Ladungen
Zwischen elektrischen Ladungen bestehen immer
Kräfte. Haben zwei Ladungen das gleiche Vorzei-
chen, stoßen sie sich ab, bei ungleichem Vorzeichen
ziehen sie sich an. Die Größe der Kraft hängt von der
Größe der Ladungen und von deren Abstand ab und
wird durch das Coulombsche Gesetz beschrieben.
Der Abstand zwischen den beiden Ladungen ist r12.
Die Richtung der Kraft ist durch die Verbindungslinie
zwischen beiden Ladungen gegeben. Die Ladung Q1
übt auf die Ladung Q2 die Kraft F12 aus. Im Bild III-1
oben haben die Ladungen unterschiedliches Vorzei-
chen, die Kraftpfeile sind aufeinander zu gerichtet.
Im unteren Teil haben die Ladungen gleiches Vorzei-
chen. Die Ladung Q2 übt auf Q1 eine entgegengesetzt
gleich große Kraft aus. Sind mehr als 2 Ladungen
vorhanden, werden zunächst die Kräfte zwischen
zwei Ladungen berechnet und dann aus allen Kräften
die resultierende Kraft bestimmt.
Fres
F31 F21

Q1 F F12 Q2
21
ungleich Q1
F21 Q1 Q2 F
12
r12 gleich Bild III-2
Q2
Beispiel Kräfte
Q3
Bild III-1 Coulombsches Gesetz zwischen Ladungen

1 Q1Q2
Coulombsches Gesetz F12 = ⋅ (III.1)
4πε 0 r122  Beispiel: Drei Ladungen (Q1 = –3 As, Q2 = Q3 = 3 As, Bild III-2)
befinden sich an den Eckpunkten eines gleichseitigen Dreiecks
Die Größe e0 heißt elektrische Feldkonstante (a = 5 cm). Wie groß ist die Kraft auf die Ladung Q1?
Da die Ladungen vom Betrag her gleich sind und gleiche Abstän-
As
e 0 = 8.854 ⋅ 10 −12 (III.2) de haben, gilt für die Beträge F21 = F31. Die Richtungen sind un-
Vm terschiedlich und verlaufen in Verlängerung der Dreieckseiten.
266 Grundlagen der Elektrotechnik


1 3 ⋅ 10 −6 As ⋅ 3 ⋅ 10 −6 As Feldstärke E 2 . Hieraus ergibt sich die resultierende
F21 = ⋅ = 32 , 35 N
4 pe 0 ( 0,05 m )
2

Feldstärke E res .
Die Größe der resultierenden Kraft kann entweder aus der Zeich-
nung abgelesen werden oder mit Hilfe der Trigonometrie berech-
net werden: 1.3 Feldlinien

Fres = 2 ⋅ 32 , 35 N ⋅ cos 30 = 56 N Die Konstruktion nach Βild III-3 kann in beliebigen
Punkten durchgeführt werden, somit kann in jedem
Punkt der Vektorpfeil der resultierenden elektrischen
1.2 Feldstärke Feldstärke konstruiert werden. Werden die Anfangs-
Kräfte zwischen Ladungen sind im ganzen Raum punkte der Pfeile durch tangentiale Linien verbunden,
vorhanden, deshalb liegt ein Feld vor. Werden zwei erhält man für diesen Dipol Linien wie in Bild III-4.
Ladungen Q und q im Abstand r betrachtet, kann man Diese Linien sind die elektrischen Feldlinien.
willkürlich eine der beiden Ladungen als felderzeu-
gende Ladung Q, die andere als Probeladung q an-
nehmen. Das Coulombsche Gesetz lautet dann
1 Qq
F= ⋅ (III.3)
4 pe 0 r 2
Wird nun, um eine Definition unabhängig von der
F Bild III-4
Probeladung q zu erhalten, der Quotient betrach- Dipol
q
tet, erhält man eine Größe, die allein von der felder- Eigenschaften elektrischer Feldlinien: Sie verlaufen
zeugenden Ladung Q und dem Abstand r abhängig
von der positiven zur negativen Ladung. Die Tangen-
ist. Diese Größe nennt man die
ten geben die Richtung der Kraft auf eine positive
elektrische Feldstärke Probeladung an. An den Orten größerer Feldlinien-
 E F q dichte ist die Kraftwirkung größer. Elektrische Feld-
 F
E= N V (III.4) linien schneiden sich nie. Da in elektrischen Leitern
q = N As die Ladungen frei beweglich sind, werden sie solange
As m
verschoben, bis keine tangentiale Kraft mehr vorhan-
Da die Kraft ein Vektor ist, muß auch die elektrische
 den ist. Daher stehen Feldlinien immer senkrecht auf
Feldstärke ein Vektor sein.  Die Richtung von E ist elektrischen Leitern.
gleich der Richtung von F auf eine positive Probela- Im Bild III-5 sind einige Feldlinienbilder angegeben.
dung. Die Feldstärke ist von der felderzeugenden La- Links für eine positive Punktladung, in der Mitte für
dung und deren geometrischer Anordnung abhängig. zwei entgegengesetzt geladene Platten, rechts für eine
Ist Q eine Punktladung, kann die elektrische Feldstär- positiv geladene Spitze vor einer ebenen Leiterfläche.
ke nach (III.3) und (III.4) angegeben werden.
1 Q
Feld einer Punktladung E = ⋅ (III.5)
4 pe 0 r 2

E1

A Eres
a) b) c)
E2 Bild III-5 Feldlinienbilder
Q1 Q2
1.4 Potential, Spannung
Bild III-3 Elektrisches Feld Wenn in einem elektrischen Feld eine positive La-
dung von einem Punkt A nach einem Punkt B ver-
Sind mehrere Ladungen beteiligt, können auch hier schoben wird, muß gegen die herrschende Kraft
wieder die einzelnen Beiträge vektoriell addiert wer- Verschiebungsarbeit verrichtet werden.
den. Dies soll am Beispiel eines Dipols nach Bild Verschiebungsarbeit
III-3 dargestellt werden. Ein Dipol besteht aus zwei
gleich großen, entgegengesetzten Ladungen. Die po-
B
  B
 
WAB = − ∫ F ⋅ ds = − ∫ qE ⋅ ds (III.6)
sitive Ladung Q1 erzeugt im Punkt A die Feldstärke
  A A
E1 . Da Q1 positiv ist, zeigt E1 von Q1 weg. Die ne- Es kann gezeigt werden, daß diese Arbeit unabhängig
gative Ladung Q2 erzeugt die zur Ladung gerichtete vom Weg ist. Sie hängt nur von der Lage der beiden
III Das Elektrische Feld 267

Punkte im elektrischen Feld ab. Das Vorzeichen in (durchgezogen) und die elektrischen Feldlinien (ge-
Gleichung (III.6) ist so gewählt, daß zu leistende strichelt) dargestellt.
Arbeit positiv gezählt wird.
B
 
1.6 Elektrischer Fluß
WAB = − q ∫ Eds = qU AB (III.7)
A
Die elektrischen Ladungen sind Ausgangspunkt der
elektrischen Feldlinien. Je größer die Ladung, desto
WAB
B
  mehr Feldlinien gehen von ihr aus. Denkt man sich
Spannung U AB = = − ∫ E ⋅ ds (III.8)
q A eine Kugel mit dem Radius r um eine Ladung, so be-
zeichnet man alle durch die Kugeloberfläche durch-
Wird der Ausgangspunkt A sehr weit (im Grenzfall
tretenden Feldlinien als den elektrischen Fluß y. La-
ins Unendliche) entfernt, ist der Quotient aus der jetzt dung Q und Fluß y sind direkt proportional zueinan-
aufzubringenden Arbeit und der Probeladung q das der. Die Konstante wird zu 1 festgelegt und es gilt
W∞B
B
  y=Q (III.13)
Potential jB = = − ∫ E ⋅ ds (III.9)
q ∞ Für eine Punktladung gilt nach Gleichung (III.5)
Die Spannung zwischen zwei Punkten A und B ist die
Potentialdifferenz zwischen diesen Punkten. Q = 4 pe 0 r 2 E (III.14)
Spannung U AB = j B − j A = Dj (III.10) Oberfläche einer Kugel A Kugel = 4 pr 2 (III.15)
DWAB = q ⋅ Dj (III.11) elektrischer Fluß y = Q = A Kugel ⋅ e 0 E (III.16)
Ist das elektrische Feld nach Betrag und Richtung Der Fluß, dividiert durch die gesamte Oberfläche der
konstant, spricht man von einem homogenen Feld. Kugel, wird als Flußdichte D bezeichnet.
Wird der Abstand zwischen den Punkten A und B mit
d bezeichnet, folgt aus Gleichung (III.8) im homoge- D y A
y
nen Feld Flußdichte D = As (III.17)
A As m 2
homogenes Feld: U = E ⋅ d (III.12) m2
D e0 E
1.5 Äquipotentiallinien Flußdichte D = e 0 E As As V (III.18)
Werden in einem elektrischen Feld Punkte mit glei- m 2 Vm m
chem Potential durch Linien verbunden, entstehen die Allgemeiner formuliert lautet Gleichung (III.17) in
Äquipotentiallinien. Zwischen zwei Punkten auf einer Verbindung mit Gleichung (III.13):
Äquipotentiallinie besteht keine Potentialdifferenz Der durch eine geschlossene, beliebig geformte
und auch keine Spannung. Hieraus folgt, daß bei Oberfläche A gehende elektrische Fluß y ist gleich
Verschiebung einer Ladung auf einer Äquipotential- der Summe der von dieser Fläche eingeschlossenen
linie keine Verschiebungsarbeit zu verrichten ist. Ladungen.
Weiterhin folgt aus der Vektorrechnung, daß Äquipo-
tentiallinien und Feldlinien immer senkrecht aufein-   n
y = ∫ DdA = ∑ Qi (III.19)
ander stehen müssen. Da Feldlinien auch immer i =1
senkrecht auf Leiteroberflächen stehen, sind alle Lei-
teroberflächen auch Äquipotentiallinien. Meßtech- Daraus folgt für die elektrische Feldstärke eine der
nisch einfacher ist es, Potentiallinien auszumessen. vier grundlegenden Maxwellschen Gleichungen
Sind sie bekannt, können die für die Kraftwirkungen   1
n

wichtigen Feldlinien konstruiert werden. Im Bild ∫ EdA = e e ∑ Qi (III.20)

0 r i =1
III-6 sind für eine metallische Spitze und eine ebene
metallische Gegenelektrode die Äquipotentiallinien Steht das elektrische Feld überall senkrecht zu A und
ist es konstant, so ist
Q
D= (III.21)
A

1.7 Energie geladener Teilchen

im elektrischen Feld
Da auf geladene Teilchen im elektrischen Feld immer
eine Kraft wirkt, werden sie nach den Gesetzen der
Mechanik immer beschleunigt.
Bild III-6
Äquipotentiallinien Fel = qE = ma (III.22)
268 Grundlagen der Elektrotechnik

Ist das elektrische Feld konstant, so ist auch die Be-
schleunigung konstant. Nach Durchlaufen einer Po-
tentialdifferenz Dj sind die erreichte Bewegungs-
energie und die elektrische Energie nach Gleichung
(III.11) gleich.
1 2
mv = q ⋅ Dj = qU (III.23)
2 Ei = E 0 − E p
Wenn ein Elektron die Potentialdifferenz von 1V
durchläuft, hat es die Energie von 1,602 ⋅ 10–19 As ⋅
1 V = 1,602 ⋅ 10–19 J. Hieraus leitet sich eine Energie-
einheit ab:
1 Elektronenvolt 1 eV = 1,602 ⋅ 10 -19 J (III.24)
positiven Kern verschieben kann. Es entsteht ein
elektrischer Dipol. Auch können eventuell schon vor-
handene Dipole im Feld gedreht werden. Es entsteht
ein Polarisationsfeld Ep, das dem äußeren Feld E0
entgegengesetzt gerichtet ist. Im Inneren ist das
resultierende Feld
(III.26)
E0
EP

2 Materie im elektrischen Feld Bild III-8 Polarisation

Befindet sich Materie in einem elektrischen Feld,
wirkt auf alle Ladungen in dieser Materie eine elekt- Das Feld im Inneren ist gegenüber dem ursprüngli-
rische Kraft. Da in Leitern und Nichtleitern unter- chen Feld E0 geschwächt worden. Zahlenmäßig wird
schiedliche Beweglichkeit der Ladungsträger vor- dies durch
liegt, sind auch die beobachteten Effekte von den E0
Leitereigenschaften der Materialien abhängig. Ei = (III.27)
er
2.1 Leiter erfaßt. er ist die Permittivitätszahl des Materials. Sind
In einem Leiter sind die Ladungsträger (in Metallen die äußeren Platten mit einer konstanten Spannungs-
sind das die Elektronen) frei beweglich. Bringt man quelle verbunden, fließen nach Einbringen eines
zwei aufeinander liegende Metallplatten in ein elekt- Dielektrikums so viele Ladungen nach, bis sich das
risches Feld, werden die Ladungen so verschoben ursprüngliche Feld E0 wieder eingestellt hat. Damit
(Bild III-7), daß sich eine gleiche Anzahl von Ladun- wird aber nach Gleichung (III.13) der elektrische
gen auf den entsprechenden Oberflächen gegenüber Fluß y und auch die Flußdichte D ebenfalls größer
liegen. Im Leiter wird durch diese Ladungsverschie- und es gilt
bung ein Feld Einfl erzeugt, das denselben Betrag wie D = er e0 E (III.28)
das äußere Feld, aber entgegengesetzte Richtung hat.
Das resultierende elektrische Feld im Inneren eines Tabelle III-1 Permittivitätszahlen bei 20 °C
Leiters verschwindet daher immer.
E i = E a − E infl = 0 (III.25) Werkstoff er

Diese Ladungsverschiebung heißt Influenz. Werden Glas 4 ... 12

die Platten im elektrischen Feld getrennt und dann Glimmer 5 ... 8
aus dem Feld genommen, bleiben die Platten geladen.
Porzellan 6
Transformatorenöl 2,3
Wasser 81
Luft 1,0006
Bild III-7
Influenz 3 Kondensatoren
Wenn zwischen zwei isolierten Leiteroberflächen
eine Spannung liegt, laden sich die Leiteroberflächen
2.2 Nichtleiter auf. Ein solches Bauelement ist ein Kondensator. Er
In Nichtleitern gibt es keine frei beweglichen Ladun- dient zur Speicherung elektrischer Ladungen und
gen. Deshalb ist auch das Innere eines Nichtleiters im Energie. Die Ladungsmenge Q, die bei vorgegebener
elektrischen Feld nicht feldfrei. Diese Stoffe werden Spannung U gespeichert werden kann, hängt von der
Dielektrika genannt. Hier kann durch das äußere Feld Geometrie und vom Material zwischen den Konden-
ein inneres Feld erzeugt werden, indem die negative satorplatten ab. Der Quotient aus Q und U wird als
Elektronenhülle eines Atoms sich gegenüber dem Kapazität bezeichnet.
III Das Elektrische Feld 269

3.1 Kapazität Ein Kugelkondensator besteht aus zwei konzentrisch

angebrachten Kugeln. Die Vorteile eines Kugelkon-
Die Kapazität eines Kondensators ist definiert durch
densators liegen darin, daß keine Streufelder auftre-
C Q U ten, da keine Ecken vorhanden sind. Die elektrischen
Q
Kapazität C= As (III.29) Feldlinien verlaufen radial-symmetrisch und ändern
U F= As V
V ihren Abstand von innen nach außen. Das Feld ist
also nicht homogen. Für die Kapazität eines Kugel-
Die Einheit der Kapazität ist 1 F (1 Farad). kondensators ergibt sich mit der in Bild III-10 darge-
3.1.1 Plattenkondensator stellten Geometrie:
r1 r2
Ein Plattenkondensator besteht aus zwei parallelen Kugelkondensator C Kugel = 4 pe 0 e r (III.34)
Platten im Abstand d. Bis auf den Randbereich ist das r2 − r1
elektrische Feld E homogen. Befindet sich zwischen
den Platten Vakuum oder Luft, gilt Der Zylinderkondensator besteht aus zwei ineinander
liegenden konzentrischen Zylindern. Wird der Radius
Q U des äußeren Zylinders mit r2 und der des inneren
D= = e0 E = e0 (III.30)
A d Zylinders mit r1 bezeichnet, gilt bei einer Länge L des
Q A Kondensators für die Kapazität:
C Pl = = e0 (III.31)
U d L
Zylinderkondensator C Zyl = 2 pe 0 e r (III.35)
Befindet sich zwischen den Platten ein Material mit ⎛r ⎞
der Permittivitätszahl er, dann gilt ln ⎜ 2 ⎟
⎝ r1 ⎠
A
C Pl = e 0 e r (III.32) Jedes Koaxialkabel ist von seiner Bauform her ein
d
Zylinderkondensator. In der Hochfrequenztechnik ist
3.1.2 Spezielle Kondensatoren diese Kapazität daher zu berücksichtigen. Für die
Kapazität einer einzelnen zylindrischen Leitung mit
dem Radius r, die in einer Höhe h über der Erde liegt,
1
gilt
2 Kapazität einer Leitung
3
L
Bild III-9 Block- C L = 2 pe 0 e r (III.36)
4 ⎛h 2 ⎞
ln ⎜ + ⎛⎜ ⎞⎟ − 1 ⎟
kondensator h
⎜r ⎝ r ⎠ ⎟
⎝ ⎠

L
für h >> r C L = 2 pe 0 e r (III.37)
⎛
ln ⎜
2h ⎞
⎟
⎝ r ⎠

Auch zwei im Abstand d verlaufende Leitungen mit

dem Radius r und der Länge L besitzen eine Kapazi-
tät.

r1 h
r2

Bild III-10 Kugelkondensator

L
r
Ein Blockkondensator besteht aus n Platten eines
Kondensators, die wie in Bild III-9 verbunden sind.
Es ist eine Parallelschaltung mit (n – 1) wirksamen
Kondensatoren. d
r
Bild III-11
A
Blockkondensator C Block = ( n − 1) e 0 e r (III.33) Kapazität von
d Leitungen
270 Grundlagen der Elektrotechnik

Kapazität einer Doppelleitung Mit Gleichung (III.20) wird

L Q Q
C DL = pe 0 e r (III.38) E1 =
2 pe 0 e r 1 rl
; E2 =
2 pe 0 e r 2 rl
;
⎛ d 2 ⎞
+ ⎛⎜ ⎞⎟ − 1 ⎟⎟
d
ln ⎜⎜ r2 r3

⎝ 2r ⎝ 2r ⎠ ⎠ U = ∫ E 1 dr + ∫ E 2 dr (III.40)
r1 r2

L Q ⎛ 1 r r ⎞
für d >> r C DL = pe 0 e r (III.39) U= ⎜ ln 2 +
1
ln 3 ⎟ (III.41)
ln ⎛⎜ ⎞⎟
d 2 pe 0 l ⎝ e r 1 r1 e r 2 r2 ⎠
⎝ r⎠ Q 2 pe 0
Die Kapazität pro Länge l C ′ = = (III.42)
Ul 1 r 1 r
 Beispiel: In einem Plattenkondensator nach Bild III-12 sind ln 2 + ln 3
e r 1 r1 e r 2 r2
d1 = 0,3 mm, d2 = 0,5 mm starke Isolierplatten untergebracht. Ihre
Permittivitätszahlen sind e1r = 3,8 und e2r = 4,7. Die Fläche A ei- F
2 p 8, 85 ⋅ 10 −12
ner Platte beträgt 900 cm2. Die obere Platte trägt die positive La- m = 115, 5 ⋅ 10 −12 F = 115 nF
C′ =
dung Q = 2,5 · 10–6, die untere die negative Ladung – Q. Wie groß 1 7 , 5 1 15 m km
sind die Flußdichten und die elektrischen Feldstärken in den bei- ln + ln
3 5 2 7,5
den Dielektrika und die Spannungen, mit denen die Isolierplatten
beansprucht werden?
3.2 Schaltungen mit Kondensatoren
Q
d1 3.2.1 Reihenschaltung
d2
Medium 1 Werden zwei in Reihe geschaltete ungeladene Kon-
Medium 2 densatoren aufgeladen, muß auf jeden Kondensator
dieselbe Ladungsmenge DQ geflossen sein.
Q U
U1 U2
Bild III-12 Beispiel Plattenkondensator
Die Flußdichte muß in beiden Materialien gleich sein, da beide C1 C2
Platten des Kondensators die gleiche Ladung tragen.
Q 2 , 5 ⋅ 10 −6 As As
D1 = D2 = = = 27 , 8 ⋅ 10 −6 2
A 900 ⋅ 10 − 4 m 2 m U U
As
27 , 8 ⋅ 10 −6 2 Bild III-14 Kondensatorschaltungen
D1 m V V
E1 = = = 826 ⋅ 10 3 = 826
e0 er 1 As m mm
8, 854 ⋅ 10 −12 ⋅ 3, 8
Vm
DQ1 = DQ2 = Q (III.43)
As
27 , 8 ⋅ 10 −6 2
E2 =
D2
= m = 668 ⋅ 10 3
V
= 668
V U = U1 + U 2 (III.44)
e0 er 2 As m mm
8, 854 ⋅ 10 −12 ⋅ 4, 7
Vm 1 U 1 U
V = 1 , = 2 (III.45)
U 1 = E 1 ⋅ d 1 = 826 ⋅ 0 , 3 mm = 248 V ; C1 Q C2 Q
mm

U 2 = 668
V
⋅ 0 , 5 mm = 334 V U U1 + U 2 U1 U 2
mm = = + (III.46)
Q Q Q Q
 Beispiel: Ein Koaxialkabel enthält nach Bild III-13 zwei Isola-
tionsschichten mit er1 = 3 und er2 = 2, einen Innenleiter mit dem 1 1 1
= + (III.47)
Radius r1 = 5 mm, einen Außenleiter mit r3 = 15 mm. Der Radius C ges C 1 C 2
r2 ist 7,5 mm. Wie groß ist die Kapazität des Kabels je km Lei-
tungslänge? n
1 1
Reihenschaltung =∑ (III.48)
C ges i =1 Ci

3.2.2 Parallelschaltung

er1 er2 Sind zwei Kondensatoren parallel geschaltet, liegt an

beiden die Spannung U. Für die während des Ladens
aus der Spannungsquelle entnommene Ladung DQ
gilt jetzt
DQ = DQ1 + DQ2 (III.49)
r1
Da die Kondensatoren zu Beginn nicht geladen waren
r2 (Qv = 0), gilt
Bild III-13
r3 Beispiel Koaxialkabel DQ1 = Qn − Q v = Q (III.50)
III Das Elektrische Feld 271

Q Q1 + Q2 Q1 Q2 werden die Kondensatoren in geladenem Zustand von den Span-

= = + (III.51) nungsquellen getrennt und der Schalter S geschlossen (C2 = 3 nF
U U U U und C3 = 6 nF). Auf welche Spannungen werden die einzelnen
Kondensatoren aufgeladen?
C ges = C 1 + C 2 (III.52) Die Spannungen an den einzelnen Kondensatoren vor Schließen
n des Schalters werden mit U* bezeichnet, nach Umladen werden
die Spannungen mit U benannt. Für die einzelnen Spannungen
Parallelschaltung C ges = ∑ C i (III.53) gilt DUi = Ui – U*i . Die Ladungsmenge, die vom Kondensator C1
i =1
fließt, muß sowohl C2 als auch C3 aufladen. Außerdem gilt die
Maschenregel.
3.2.3 Gemischte Schaltungen
 Beispiel: Die Gesamtkapazität der Schaltung nach Bild III-15 mit
den Werten C1 = 80 pF, C2 = 20 pF, C3 = 200 pF, C4 = 100 pF soll
S
U1* C1 C2 U2*
berechnet werden.

C3
C1 C3

A B Bild III-17 Beispiel Umladungsvorgänge ohne Span-

nungsquelle
C2 C4
DU i = U i − U *i ; D Q 1 = D Q 2 = DQ 3 ;
Bild III-15 Beispiel Berechnung der Gesamtkapazität
− C 1 ⋅ DU 1 = C 2 ⋅ DU 2 ; − C 1 ⋅ DU 1 = C 3 ⋅ DU 3
Die linke Gruppe ergibt 100 pF, die rechte Gruppe 300 pF. Die
100 ⋅ 300 Hieraus lassen sich für die drei gesuchten Spannungen für den
Gesamtkapazität ist dann C ges = pF = 75 pF . allgemeinen Fall, daß die Kondensatoren 2 und 3 vor dem Umla-
100 + 300
dungsprozess schon aufgeladen sind, die drei Gleichungen ablei-
ten:
 Beispiel: Die in der Schaltung nach Bild III-16 vorhandenen
Kondensatoren sind zunächst nicht aufgeladen. Welche Ladungen U1 − U 2 − U 3 = 0 ; C 1 ⋅ U 1 + C 2 ⋅ U 2 = C 1 ⋅ U *1 + C 2 ⋅ U *2 ;
und welche Teilspannungen haben die Kondensatoren nach Schlie-
ßen des Schalters S (C1 = 300 nF, C2 = 200 nF, C3 = 400 nF, U = C 1 ⋅ U 1 + C 3 ⋅ U 3 = C 1 ⋅ U 1* + C 3 ⋅ U 3*
120 V)? Zahlenwerte:
Die Ladungsmenge, die durch C1 fließt, muß auch durch die Pa-
U1 − U 2 − U 3 = 0 ; 8U 1 + 3U 2 = 8 ⋅ 150 V + 3 ⋅ 50 V ;
rallelkombination fließen. Es lassen sich folgende Gleichungen
aufstellen 8U 1 + 6U 3 = 8 ⋅ 150 V

C2 Dieses Gleichungssystem hat die Lösungen

C1 U 1 = 130 V ; U 2 = 103, 33 V ; U 3 = 26 , 67 V .

3.3 Energie des elektrostatischen Feldes

C3 Bild III-16
Beispiel Umladungsvor- In einem aufgeladenen Kondensator ist eine bestimmte
S Energie gespeichert. Die Größe der gespeicherte Ener-
gänge mit Spannungsquelle
U gie kann durch die Formel
DW = u Dq (III.54)
U = U 1 + U 23 ; DQ1 = DQ 2 + DQ 3 ;
bestimmt werden.
C1U 1 = C 2 U 23 + C 3 U 23 = U 23 ( C 2 + C 3 ) ;
Q
C1 C1 ⎛ C1 ⎞
U 23 = U 1 ; U = U1 + U1 = U1 ⎜ 1 + ⎟;
C2 + C3 C2 + C3 ⎝ C2 + C3 ⎠

U 120 V W Bild III-18

U1 = = = 80 V
C1 300 Energie im
1+ 1+
C2 + C3 200 + 400 elektrischen Feld
U
U 2 = U − U 1 = 120 V − 80 V = 40 V ;
Mit u ist die zeitlich veränderliche Spannung am
Q1 = C 1U 1 = 300 ⋅ 10 −9 F ⋅ 80 V = 24 ⋅ 10 −6 As ;
Kondensator gemeint. Die Ladung q und die Span-
Q 2 = C 2 U 23 = 200 ⋅ 10 −9 F ⋅ 40 V = 8 ⋅ 10 −6 As ; nung u sind aber nicht unabhängig voneinander,
sondern über Gleichung (III.29) verbunden.
Q 3 = C 3 U 23 = 400 ⋅ 10 −9 F ⋅ 40 V = 16 ⋅ 10 −6 As
Energie eines Kondensators
 Beispiel: Der Kondensator C1 = 8 nF ist zunächst mit einer Q Q
q 1 Q2 1
Spannungsquelle von U = 150 V verbunden, C2 ist in gleicher W = ∫ udq = ∫ dq = = CU 2 (III.55)
Richtung auf 50 V aufgeladen, C3 ist ungeladen. Anschließend 0 0C 2 C 2
272 Grundlagen der Elektrotechnik

Grafisch ist die Energie, die bei einer Spannung U damit die Kondensatorspannung uC als Funktion der
und der damit im Kondensator vorhandenen Ladung Zeit. Aus der
Q gespeichert ist, durch die schraffierte Dreiecksflä- Maschenregel U = u C + iR (III.63)
che in Bild III-18 gegeben.
1 1 folgt, daß der Strom dann kleiner werden muß. We-
W= QU = CU 2 (III.56) gen
2 2
dQ du
Die im Kondensator gespeicherte Energie befindet i= =C C (III.64)
sich nicht auf den Elektroden, sondern ist im elektri- dt dt
schen Feld zwischen den Kondensatorplatten gespei- wird die zeitliche Änderung von uC ebenfalls kleiner.
chert. Ein wichtiger Begriff ist die Energie pro Vo-
du
lumen, die Energiedichte. Zur Berechnung wird die U = u c + RC (III.65)
in einem bestimmten Volumen vorhandene Energie dt
durch das Volumenelement dividiert. Wird zum Zeitpunkt t = 0 der Schalter S geschlossen,
DW hat diese Differentialgleichung die Lösungsfunktion
Energiedichte w = (III.57) −t
DV ⎛ ⎞
Laden eines Kondensators u C = U ⎜ 1 − e RC ⎟ (III.66)
Für einen Plattenkondensator läßt sich diese Größe ⎝ ⎠
unter Verwendung oben abgeleiteter Formeln einfach
berechnen. Der Kondensator lädt sich auf die Endspannung U
auf. Der Strom nimmt ab.
1 1 e0 er A
W= CU 2 = ( Ed ) 2 (III.58) −t
2 2 d Ladestrom i = I 0 ⋅ e RC (III.67)
1 1
W = e 0 e r E 2 Ad = e 0 e r E 2 V (III.59) uC
2 2
U
Das Volumen des elektrischen Feldes im Kondensa-
tor ist V = Ad. Mit D = e0erE gilt 63%
1
Energiedichte w = ED (III.60)
2
Gleichung (III.60) gilt in dieser Form nicht nur im
homogenen Feld, sondern für konstantes er allge- 0
t t
mein.
Energiedichte Bild III-20 Spannung am Kondensator

1 1 i
w = ∫ EdD = ∫ e 0 e r EdE = e 0 e r E 2 = ED (III.61)
2 2 I0
Soll in einem beliebigen inhomogenem Feld die
Energiedichte berechnet werden, muß das Integral
bestimmt werden.
37%
1
W = ∫ wdV = ∫ EDdV (III.62)
V 2V
0
t t
3.4 Laden und Entladen
eines Kondensators Bild III-21 Ladestrom
C1
R i Der Strom I0 ist der Strom zu Beginn des Ladevor-
ganges, also zur Zeit t = 0. Er ist bestimmt durch
uC U
I0 = (III.68)
R
S Bild III-19 Das Produkt RC hat die Dimension einer Zeit und
Laden eines Konden- wird Zeitkonstante genannt.
U sators
Zeitkonstante
Wenn ein Kondensator nach Bild III-19 über einen t R C
Widerstand aufgeladen wird, vergrößert sich die t = RC V As (III.69)
s =WF W= F=
Ladungsmenge auf den Kondensatorplatten und A V
III Das Elektrische Feld 273

Diese Größe gibt an, nach welcher Zeit die Spannung 3.5 RC-Reihenschaltung
auf den Wert 1 – e–1 = 63% angestiegen ist, bzw. nach
welcher Zeit der Strom auf den Wert e –1 = 37% u
gefallen ist. Der Wert für t kann aus der grafischen
Darstellung der Kondensatorspannung ermittelt wer-
den. Er ergibt sich als Schnittpunkt der Tangente an t0 t
i
die Spannungskurve zur Zeit t = 0 mit der gestrichelt
uR
gezeichneten horizontalen Geraden U (Bild III-20).
Beim Entladen eines Kondensators über einen ohm- t
schen Widerstand R nimmt die Kondensatorspannung
im Lauf der Zeit ab; der fließende Strom ebenfalls. Ist
der Kondensator zu Beginn auf die Spannung U
aufgeladen, nimmt diese Spannung ab. i
uR
Entladen eines Kondensators
−t −t t
u C = U e RC = U e t (III.70)
−t
Strom i = I 0 ⋅ e RC (III.71) i
Die in Bild III-21 dargestellte Kurve gilt in dieser uR
Form für den Strom beim Laden und Entladen und
für die Kondensatorspannung beim Entladen eines t
Kondensators.

 Beispiel: In der Schaltung nach Bild III-22 wird der Kondensator Bild III-23 Differenzieren
C = 100 mF über den Widerstand R1 = 2 kW aufgeladen (R2 =
1 kW, UA = 100 V). Legt man an eine RC-Reihenschaltung einen Recht-
a) Auf welche Endspannung lädt sich der Kondensator auf? eck-Impuls an, wird der Kondensator im gleichen
b) Wie groß ist die Spannung am Kondensator nach einer Zeit Takt aufgeladen und entladen. Ist die Zeitkonstante t
von 30 ms?
ungefähr so groß wie die Impulsdauer t0, kann der
Die Spannungsquelle und die beiden Widerstände können als Er-
Kondensator nicht vollständig aufgeladen werden.
satzspannungsquelle mit Innenwiderstand aufgefaßt werden. Die
Spannung, die den Kondensator auflädt, ergibt sich aus Der Ladestrom, und damit auch die Spannung am
ohmschen Widerstand, hat einen Verlauf wie in
R2
U = UA . (III.72) Bild III-23 oben. Die Zeitkonstante nimmt von oben
R1 + R2
nach unten ab. Je kleiner die Zeitkonstante τ gegen-
über der Impulsdauer t0 wird, desto schneller fällt die
R1
Spannung uR auf 0 ab. Im Grenzfall entstehen Nadel-
impulse. Wird das Rechtecksignal mathematisch
UA R2 C differenziert, entsteht das gleiche Funktionsbild.
Bild III-22 Deshalb spricht man in diesem Fall auch von einem
Beispiel Aufladen Differenzierglied.
S eines Kondensators
u
Der Innenwiderstand der Ersatzspannungsquelle ist
R1 R 2 t
Ri = . (III.73) t0
R1 + R 2 uC
Mit Gleichung (III.66) gilt
−t
R2 ⎛ ⎞
uC = U A ⎜1− e t ⎟ (III.74) t
R1 + R 2 ⎝ ⎠ uC
mit t = Ri C (III.75)

1 kW
a) Endspannung U = 100 V = 33 , 33 V t
3 kW
uC
1⋅ 2 2 2
b) R i = kW = kW ; t = ⋅ 10 3 W ⋅ 100 ⋅ 10 −6 F = 66,7 ms;
1+ 2 3 3
⎛ −30ms
⎞ t
u30ms = 33,33 ⎜ 1 − e 66,7ms ⎟ = 12,07 V
⎜ ⎟
⎝ ⎠ Bild III-24 Integrieren
274
Die Spannung uC am Kondensator ist im Bild III-24
aufgetragen. Die Zeitkonstante t wird hier von oben
nach unten immer größer. Bei sehr großem Wert von t
IV Das Magnetische Feld
Neben den elektrischen Kräften und Feldern gibt es in
der Natur auch magnetische Kräfte und Felder.
Jede sich bewegende elektrische Ladung erzeugt ein
magnetisches Feld.
Jedes magnetische Feld wird durch bewegte Ladun-
gen erzeugt.
Diese Aussage gilt für Elektromagnete und Dauer-
magnete. Fließt durch Elektromagnete ein Strom, ist
damit eine Bewegung von Ladungen verbunden. In
Dauermagneten sind die bewegten Ladungen die
Elektronen, die immer um die Atomkerne kreisen und
somit Kreisströme hervorrufen. Außerdem rotieren
alle Elektronen um die eigene Achse. Diese Bewe-
gung wird Spin genannt und erzeugt ebenfalls magne-
tische Felder. In vielen Stoffen heben sich die von
den einzelnen Elektronen erzeugten Magnetfelder
gegenseitig auf; in Dauermagneten nicht.
1 Feldlinien
1.1 Dauermagnet
Wie beim elektrischen Feld wird auch das Magnet-
feld durch Feldlinien dargestellt. Wenn eine drehbar
gelagerte Magnetnadel um einen Dauermagneten
herumgeführt wird, stellt sie sich parallel zu den
Feldlinien ein. Verbindet man alle Stellungen tangen-
tial, erhält man das Feldlinienbild eines Dauermagne-
ten (Bild IV-1).
N S
Bild IV-1
Dauermagnet
Wird ein Dauermagnet geteilt, haben beide Teile
dieselben magnetischen Eigenschaften wie der Aus-
gangsmagnet. Es gibt also, im Gegensatz zu den
elektrischen Ladungen, keine einzelne magnetische
Pole, sondern nur Dipole. Magnetische Feldlinien
sind daher grundsätzlich geschlossene Linien. Die
magnetischen Pole werden aus historischen Gründen
Nord- und Südpol genannt. Auch die Erde besitzt ein
Magnetfeld. Eine Magnetnadel wird sich auch hier
parallel zu den Feldlinien einstellen. Der Pol der
Nadel, der in die geographische Nordrichtung zeigt,
heißt Nordpol.
Grundlagen der Elektrotechnik
wird der Kondensator nahezu linear aufgeladen. Dies
entspricht dem mathematischen Vorgang des Integrie-
rens. Die Schaltung stellt jetzt ein Integrierglied dar.
Sind zwei Magnete vorhanden, ziehen sich ungleiche
Pole an. Die magnetischen Feldlinien werden mit
Richtungspfeilen versehen. Ihre Richtung ist willkür-
lich festgelegt. Im Außenraum eines Dauermagneten
verlaufen sie vom Nordpol zum Südpol. Da die
Feldlinien immer geschlossen sind, verlaufen sie im
Inneren eines Dauermagneten vom Südpol zum
Nordpol.
1.2 Stromdurchflossene Leiter
S N
I
Leiter
Bild IV-2
Magnetfeld um
einen Leiter
Bringt man eine Magnetnadel in die Nähe eines
stromdurchflossenen Leiters und führt sie um den
Leiter herum, dann ergibt die tangentiale Verbindung
aller Einstellungen Kreise, in deren Zentrum der
Leiter liegt. Die technische Stromrichtung ist durch
das Kreuz angegeben, sie zeigt in die Zeichenebene
hinein. Die Richtung der Feldlinien kann durch die
Rechtsschrauben-Regel beschrieben werden.
Dreht man eine rechtsgängige Schraube so, daß sie
sich in der technischen Stromrichtung weiterbewegt,
ist die Richtung der magnetischen Feldlinien durch
die Drehrichtung gegeben.
Diese Richtung läßt sich auch mit Hilfe der rechten
Hand bestimmen.
Der Daumen der rechten Hand wird in Richtung der
technischen Stromrichtung gehalten. Die gekrümm-
ten Finger zeigen dann die Richtung der Magnetfeld-
linien an.
1.3 Stromdurchflossene Spule
Wenn stärkere Magnetfelder erzeugt werden sollen,
werden Spulen verwendet. Wird ein Leiter auf einen
zylindrischen Spulenkörper gewickelt, erhält man
eine Zylinderspule. Jeder Leiter erzeugt ein Magnet-
feld. Zwischen den Leitern heben sich die von den
IV Das Magnetische Feld
N S
Bild IV-3 Zylinderspule
einzelnen Leitern erzeugten Felder gegenseitig auf.
Im Außenraum und im Inneren der Spule addieren
sich die einzelnen Beiträge zum Gesamtfeld. Das in
der Mitte der Spule entstehende Feld ist dann die
Vektorsumme aller einzelnen Felder. In der Mitte der
Zylinderspule kann das Feld bei großer Spulenlänge
als homogen angesehen werden. Im Außenraum ist
das Feldlinienbild gleich dem eines Dauermagneten.
Man kann einer Zylinderspule somit auch einen
Nordpol und einen Südpol zuordnen.
r
Bild IV-4
A Ringspule
Wird der zylindrische Spulenkörper zu einem Kreis
gebogen, entsteht eine Ringspule. Das hier aus der
Überlagerung aller einzelnen Magnetfelder entste-
hende resultierende Feld hat die Eigenschaft, nur im
Inneren des Spulenkerns vorhanden zu sein. Es gibt
keine Stelle, an der die Feldlinien, die ja geschlossene
Linien darstellen, austreten können.
1.4 Magnetfeld der Erde
Die Erde besitzt ein Magnetfeld. Eine Magnetnadel
zeigt in die Richtung zum magnetischen Pol. Da der
Nordpol der Magnetnadel in die geographische Nord-
richtung zeigt, andererseits aber zum magnetischen
Südpol weist, liegt der magnetische Südpol auf der
Nordhalbkugel. Er befindet sich bei ungefähr 74°
nördlicher Breite und 100° westlicher Länge nord-
westlich von Nordgrönland. Der magnetische Nord-
pol auf der Südhalbkugel liegt nicht genau gegenüber.
Er liegt bei ungefähr 72° südlicher Breite und 155°
275
östlicher Länge in der Antarktis (Bild IV-5). Die
Abweichung des Erdmagnetfeldes von der geographi-
schen Nord-Süd-Richtung ist die Deklination; sie ist
abhängig vom Ort auf der Erde. In Deutschland
beträgt diese Abweichung etwa 2° in westlicher Rich-
tung. Die Feldlinien verlaufen – bis auf die Äquator-
gegend – nicht parallel zur Erdoberfläche. Die Nei-
gung zur Horizontalen wird Inklination genannt.
Äquator
S
Bild IV-5 Magnetfeld der Erde
Das Magnetfeld der Erde ist nicht so symmetrisch,
wie in Bild IV-5 dargestellt. Durch Satellitenmessun-
gen ist bekannt, daß das Magnetfeld durch den Son-
nenwind stark deformiert wird. Der Sonnenwind
besteht aus Wasserstoff- und Heliumionen sowie aus
Elektronen. Diese Teilchen treffen mit einigen
100 km/s die Erde. Dadurch wird das Magnetfeld auf
der Tagseite stark zusammengedrückt, auf der Nacht-
seite der Erde wird das Magnetfeld zu einem langen
Schweif deformiert, der bis über die Mondbahn
hinaus geht.
Die Ursache für das Erdmagnetfeld ist nicht genau
bekannt. Wahrscheinlich rührt es von der Bewegung
des ionisierten flüssigen Erdkerns her. Das Erdmag-
netfeld ist in seiner Stärke und seiner Richtung nicht
konstant. Vor etwa 4 Millionen Jahren war die Polari-
tät entgegengesetzt. Dies kann aus der Richtung der
Magnetisierung in alten Gesteinen festgestellt wer-
den.
2 Magnetische Grundgrößen
2.1 Feldstärke
Bringt man in die Nähe eines stromdurchflossenen
Leiters eine Magnetnadel und stellt sie senkrecht zur
Richtung der Feldlinien, die wie konzentrische Kreise
um den Leiter liegen, so wird die Nadel durch die
Wechselwirkung mit dem Magnetfeld in Richtung der
Magnetlinien gedreht. Es wird also ein Drehmoment
M ausgeübt. Die Größe von M ist ein Maß für die
Stärke des Magnetfeldes. Dieses wird mit H bezeich-
net
M∼H (IV.1)
276 Grundlagen der Elektrotechnik

H ⋅ 2p r = I (IV.9)
I
Feld um einen Leiter H = (IV.10)
2p r
 Beispiel: Ein massiver Kupferleiter ist nach Bild IV-7 von einem
r Kupferrohr umschlossen. Diese Anordnung dient als Hin- und
Rückleitung. In beiden Leitern fließt der gleiche Strom I = 100 A.
Wie groß ist die Feldstärke als Funktion des Abstandes vom Mit-
H telpunkt?
Bild IV-6
I Magnetfeld um einen
Leiter
r2
Erhöht man den Strom I im Leiter, erhöht sich auch r1 r3
das Drehmoment und somit die Feldstärke
H∼I (IV.2)
Werden n Leiter verwendet, hängt die Stärke des
Drehmomentes von allen Strömen ab:
n
H ∼ ∑ Ii (IV.3)
i =1 H
Die Summe aller Ströme, die von einer geschlossenen
Feldlinie umgeben sind, ist die Durchflutung.
n
Q I
Durchflutung Q = ∑ I i (IV.4)
i =1
A A
Zur Berechnung von Feldstärken kann das Durchflu-
tungsgesetz benutzt werden. r1 r2 r3 r
Ist die Feldstärke nicht konstant, gilt für die Durch-
flutung: Bild IV-7 Beispiel Magnetfeld um konzentrische Dop-
  pelleiter
Θ = Ú Hds (IV.5)
  n
Durchflutungsgesetz Ú Hds = Â I
i =1
i (IV.6) Zunächst wird der Bereich 0 < r < r1 betrachtet. Die Stromdichte
S ist überall konstant.
I
Für den Sonderfall einer konstanten Feldstärke ist Stromdichte S1 = ;
p ⋅ r12
n
∑ Ii = H ⋅l . (IV.7) Durchflutung Q = S 1 ⋅ pr 2
i =1
Das Feld in einem beliebigen Abstand r wird mit dem Durchflu-
Der Weg l muß dabei geschlossen sein. tungsgesetz berechnet.
Zur Berechnung des Feldes in einer Ringspule nach
Q S ⋅ pr 2 I ⋅ pr 2 Ir
Bild IV-4 wird der mittlere Radius r gewählt. Der H= = 1 = = (IV.11)
2 pr 2 pr pr12 2 pr 2 pr12
geschlossene Weg ist dann l = 2pr und es gilt:
H nimmt linear mit r zu. Für r = r1 ist die Grenze dieses Bereiches
IN
Feld in einer Ringspule H = (IV.8) erreicht.
2p r
I 100 A A
H1 = = = 1591
Dieses Feld ist nicht konstant, sondern fällt nach 2 pr1 2 p ⋅ 0,01 m m
außen mit 1/r ab. Ist jedoch der mittlere Radius groß Im Bereich r1 < r < r2 kommt kein weiterer Strom hinzu, die
gegenüber dem Windungsdurchmesser d, kann H Durchflutung bleibt konstant (Q = I). H nimmt nach Gleichung
innerhalb des Ringquerschnittes als konstant ange- (IV.10) mit 1/r ab bis zum Wert
nommen werden. I 100 A A
H2 = = = 795 .
Ein weiteres Beispiel für die Anwendung von Glei- 2 pr2 2 p ⋅ 0 , 02 m m
chung (IV.6) ist die Berechnung des Magnetfeldes Im Bereich r2 < r < r3 nimmt die Durchflutung wieder ab.
um einen geraden stromdurchflossenen Leiter. Das
p ( r 2 − r22 )
Magnetfeld ist auf Kreisbahnen um den Leiter kon- Q = Q1 − I (IV.12)
stant. Der nach dem Durchflutungsgesetz geforderte p ( r32 − r22 )
geschlossene Weg mit konstanter Feldstärke muß
gleich dem Umfang eines Kreises sein. Es fließt nur H=
1 Ê
◊ÁI - I 2 2
(
r 2 - r22 ) ˆ˜ (IV.13)
ein Strom I. Nach Gleichung (IV.6) gilt 2π r ÁË (
r3 - r2 ) ˜¯
IV Das Magnetische Feld 277

Für Abstände r > r3 ist die Feldstärke H = 0. Die Abhängig- Das Gesetz, nach dem Magnetfelder bei beliebiger
keit der Feldstärke vom Abstand ist in Bild IV-7 unten aufge-
Leitergeometrie zu berechnen sind, ist das Biot-
tragen.
Soll das Feld in einer Zylinderspule berechnet werden, ist kein Savartsche Gesetz. Jedes Teilstück ds eines strom-
geschlossener Weg zu finden, auf dem die Feldstärke konstant ist. durchflossenen Leiters, durch den der Strom I fließt,
Der für die Berechnung notwendige geschlossene Weg wird in trägt zum Feld in einem beliebigen Punkt P bei. Der
einzelne Stücke aufgeteilt. Auf diesen ist entweder H konstant,
oder Beiträge von verschiedenen Wegelementen kompensieren
Beitrag eines Teilstückes ds im Punkt Q ist
sich. Wird der Umlaufweg nach Bild IV-8 gelegt, gilt für die ein- I ⋅ ds
zelnen Wegabschnitte: Biot-Savartsche Gesetz dH = sin a (IV.19)
4 pr 2
Bild IV-9
4 I Biot Savartsches Gesetz
∞
a Q
l2 2 3
P r

1 Um das gesamte Feld im Punkt P zu bestimmen,

müssen alle einzelnen Beiträge zusammengefaßt
werden. Ist ein Leiter zum Beispiel zu einem Kreis
l1
gebogen, läßt sich das Magnetfeld genau im Mittel-
punkt mit Gleichung (IV.19) berechnen. Für jedes
Bild IV-8 Feld in einer Spule Leiterelement ds gilt a = 90° und sin a = 1. Der
Abstand zum Punkt P (Zentrum) ist überall gleich.
Auf dem Teilstück 1 ist das Feld konstant und gleich Die Gesamtlänge der Strombahn ist 2pr.
dem gesuchten Feld, H = const. Zentrum eines Kreisstromes
Alle Beiträge, die auf dem Teilstück 2 entstehen, I ◊ 2π r I
werden durch entgegengesetzte Beiträge auf dem H=
Ú dH = = (IV.20)
4π r 2 2r
Teilstück 3 kompensiert. Das Teilstück 4 ist soweit
entfernt gedacht, daß dort H = 0 gilt. Das Wegintegral Für einen Punkt P auf der Mittelpunktsachse ist die
aus Gleichung (IV.6) ergibt dann Berechnung etwas komplizierter.
I
H 1 ⋅ l1 + H 2 ⋅ l 2 + H 3 ⋅ l 3 + H 4 ⋅ l 4 = H 1 ⋅ l1 (IV.14) H= sin 3 b (IV.21)
2R
Wird die Windungszahl mit N bezeichnet, so ist die R
Durchflutung mit sin b = ,r = R2 + l 2
r
Q = NI (IV.15) Achse eines Kreisstromes
Q NI IR 2
Feld in einer Zylinderspule H= = (IV.16) H= (IV.22)
l l
( )
3
2 R2 + l 2
In den Randbereichen der Spule ist allerdings das
Feld H1 nicht konstant. Damit Gleichung (IV.16) I
trotzdem angewendet werden kann, muß die Spu-
lenlänge groß sein gegenüber dem Durchmesser
der Spule. Ist diese Bedingung nicht erfüllt, liegt H
also eine kurze Spule vor, ist das Feld nicht homo-
gen und muß auf andere Weise ausgerechnet werden.
Der Durchmesser der Spulenwicklung ist d, die r Bild IV-10
ds
Länge l. Feld im Zentrum eines
Kreisstromes
NI
kurze Zylinderspule H Mitte = (IV.17)
l +d2
2
r
NI
H Rand = (IV.18) R b
2 l2 + d2
P
l
Wenn l >> d ist, kann d im Nenner von Gleichung
(IV.17) vernachlässigt werden und es folgt Gleichung
(IV.16). Bild IV-11 Feld auf der Achse eines Kreisstromes
278 Grundlagen der Elektrotechnik

 Beispiel: Zwei parallel stromdurchflossene Leiter mit einem

Abstand von a = 45 mm führen nach Bild IV-12 die Ströme
I1 = 90 A, I2 = 70 A. Der angegebene Punkt P ist von den Leitern
b = 50 mm, c = 30 mm entfernt. Wie groß ist die Feldstärke im
Punkt P? Welche Richtung hat sie zur Verbindungslinie der bei-
den Leiter?

A B
I1 I2
a
g

b a U
P
e
H1 H2
H
Bild IV-13
Spannungsstoß
t
Bild IV-12 Beispiel Magnetfeld von 2 Leitern
Wird der Fluß auf eine Flächeneinheit bezogen, ergibt
sich die Flußdichte B.
Die von den einzelnen Strömen erzeugten Magnetfelder stehen
senkrecht auf den jeweiligen Verbindungslinien zum Punkt P. Die B f A
f
Beträge berechnen sich nach Gleichung (IV.10). Flußdichte B = Vs (IV.24)
An T = 2 Vs m 2
90 A A 70 A A m
H1 = = 286 , 5 ; H2 = = 371, 4
2 p ⋅ 0 , 05 m m 2 p ⋅ 0 , 03 m m
Die Einheit ist 1 Tesla.
Diese Komponenten können im entsprechenden Maßstab unter
dem richtigen Winkel gezeichnet werden. Das resultierende Feld A An
A
kann aus der Zeichnung abgelesen werden zu H = 350 . Der B
m
gesuchte Winkel kann ebenfalls abgelesen werden: e = 56°.
Soll die Lösung rechnerisch gefunden werden, müssen zunächst a
die Winkel im Dreieck PI1I2 berechnet werden. Dies kann durch
die Anwendung von Sinus- und Kosinussatz erfolgen.
Bild IV-14
a2 + b2 − c2 Magnetischer Fluß
cos g = = 0 , 805 ;
2 ab
g = 36 , 37  ; a = 62 , 73  , b = 80 , 9 
Die Fläche An ist dabei die vom Magnetfeld durch-
Der Winkel zwischen H1 und H2 ist 180 – a = 117,3°, für die re-
sultierende Feldstärke H gilt
setzte Fläche. Steht das Magnetfeld nicht senkrecht
auf der Fläche, gilt nach Bild IV-14
A A
H = 286 , 5 2 + 371, 4 2 − 2 ⋅ 286 , 5 ⋅ 371, 4 ⋅ cos 62 , 73  = 350
m m A n = A ⋅ cos a (IV.25)
Für den Winkel zwischen H und H2 gilt Zwischen der magnetischen Flußdichte und der mag-
sin j =
286 , 5
⋅ sin 62 , 73  ; j = 46 , 7  . netischen Feldstärke gilt im Vakuum die Beziehung
350  
B = m0 ⋅ H (IV.26)
e = ( 90  − 80 , 94  ) + 46 , 7  = 55, 76 
Die Konstante m0 ist die magnetische Feldkonstante
2.2 Fluß, Flußdichte oder auch Permeabilität des Vakuums.
magnetische Feldkonstante
Die Gesamtheit aller Feldlinien nennt man den mag-
netischen Fluß F. Diese Größe kann gemessen wer- Vs
m 0 = 4 p ⋅ 10 − 7 (IV.27)
den, indem eine geschlossene Leiterschleife aus dem Am
Magnetfeld herausgezogen wird. Während der Bewe-
 Beispiel: Eine lange Zylinderspule wird von einem Strom I
gung der Leiterschleife entsteht zwischen den Punk- durchflossen. Wie groß sind das magnetische Feld und die Fluß-
ten A und B eine zeitlich veränderliche Spannung. dichte im Inneren der Spule (N = 1000, I = 5 A, l = 1 m)?
Die Fläche unter der Spannungskurve wird als Span- NI 1000 ⋅ 5 A A
nungsstoß bezeichnet (Bild IV-13). H= = = 5000 ;
l 1m m
Dieser Spannungsstoß wird proportional zur Flußän- Vs A
B = m 0 H = 4 p ⋅ 10 −7 ⋅ 5000 = 6 , 28 ⋅ 10 −3 T
derung Df durch die Leiterschleife gesetzt. Der Am m
magnetische Fluß wird in Weber (Wb) gemessen.
Die elektrische Feldkonstante und die magnetische
f U t Feldkonstante bestimmen die Ausbreitung von elekt-
Fluß f = ∫ udt (IV.23)
Wb = Vs V s romagnetischen Wellen im Vakuum.
IV Das Magnetische Feld 279

  
1 Die drei Vektoren v , B und F stehen alle senkrecht
Ausbreitungsgeschwindigkeit c = (IV.28) aufeinander. Bewegt sich ein Elektron (negative
e0 m0
Ladung) in einem Magnetfeld nach Bild IV-16,
Für die Lichtgeschwindigkeit im Vakuum gilt stehen die Feldlinien immer senkrecht auf dem Vek-
entsprechend der SI Definition (s. Physik I.2) tor der Geschwindigkeit des Elektrons. Damit muß
m auch die Kraft immer senkrecht auf der Geschwin-
c = 299792458 . Somit läßt sich hieraus die Elekt-
s digkeit stehen. Der Kraftvektor liegt immer in der
rische Feldkonstante bestimmen zu Zeichenebene. Die Bewegung des Elektrons unter
dem Einfluß einer zu jedem Zeitpunkt senkrecht
1 As
ε0 = 2 = 8,8541878 ⋅ 10 −12 (IV.29) stehenden Kraft ist eine Kreisbahn. Die Kraft ist dann
c ⋅ μ0 Vm zum Mittelpunkt gerichtet, die Richtung der momen-
tanen Geschwindigkeit ist die Tangente an den Kreis.
3 Kräfte im Magnetfeld Der Radius der Kreisbahn ergibt sich aus der Überle-
gung, daß die Zentrifugalkraft gleich der Lorentzkraft
3.1 Kräfte auf bewegliche Ladungsträger ist.
Im Gegensatz zu elektrischen Feldern, in denen auf mv 2
Ladungen immer eine Kraft ausgeübt wird, werden = e 0 vB (IV.31)
r
im Magnetfeld Kräfte nur auf bewegte Ladungen
mv
ausgeübt. Sie dürfen sich dabei nicht parallel zu den r= (IV.32)
magnetischen Feldlinien bewegen. e0 B
Lorentzkraft FL = qvB ⋅sin j (IV.30)
3.2 Stromdurchflossener Leiter
v
f
S F
B B

Bild IV-15
F Lorentzkraft
Der Winkel j ergibt sich aus der Richtung der Ge-
schwindigkeit v und der Richtung des Magnetfeldes
B. Mit dieser Gleichung läßt sich nur der Betrag der
Lorentzkraft berechnen. Die Richtung kann mit Hilfe
der Drei-Finger-Regel der rechten Hand bestimmt
werden. Die drei Finger werden rechtwinklig zuein-
ander gestellt.
Der Daumen zeigt in Richtung der Geschwindigkeit,
der Zeigefinger in Richtung des Magnetfeldes und der
Mittelfinger bei positiver Ladung in Richtung der
Kraft; bei negativer Ladung entgegengesetzt zur
Kraft.
B Zeigt der Daumen in Stromrichtung und der Zeige-
v Mittelfinger die Kraftrichtung an.
F
r Die Ermittlung der Kraftrichtung ist auch unter dem
Bild IV-16 Kreisbahn unter dem Einfluß der Lo-
rentzkraft
N
I
B I
Bild IV-17
F Kraft auf Leiter im Magnetfeld
Auch in einem stromdurchflossenen Leiter werden
Ladungen bewegt. Bringt man diesen Leiter in ein
äußeres Magnetfeld, wird auch hier eine Kraft auf die
Ladungen und damit auf den Leiter ausgeübt. Da die
Ladungen negativ sind und die technische Stromrich-
tung der tatsächlichen Richtung der Elektronenbewe-
gung entgegengesetzt ist, heben sich beide negativen
Vorzeichen auf. Die Richtung der Kraft kann mit der
Drei-Finger-Regel bestimmt werden.
finger in Richtung des Magnetfeldes, dann gibt der
Namen Motorregel bekannt. Hier wird allerdings die
linke Hand benutzt. Sie wird so in das Magnetfeld
gehalten, daß die magnetischen Feldlinien in die
Innenfläche der linken Hand eintreten und die Finger-
spitzen in Stromrichtung zeigen. Der abgespreizte
Daumen zeigt dann die Kraftrichtung an.
Das Magnetfeld des Dauermagneten und das durch
den Strom im Leiter erzeugte Magnetfeld überlagern
280 Grundlagen der Elektrotechnik

S ment, das versucht, die Schleifenfläche senkrecht zu

den Magnetfeldlinien zu stellen. Die rechteckige
Leiterschleife und das Magnetfeld sind in Bild IV-19
dargestellt. Die Kantenlänge b liegt parallel zum Feld
F B, daher wird auf diesen Teil des Leiters keine Kraft
ausgeübt. Auf die Rechteckseiten der Länge a wirken
gleichgroße, entgegengesetzte Kräfte F = IBa. Die
N Schleife dreht sich um die Achse bei b/2.
Bild IV-18 Resultierendes Feld um einen Leiter Drehmoment
b
M = 2⋅ I ⋅ B⋅ a⋅ = I ⋅ B⋅ a⋅ b = I ⋅ B⋅ A (IV.36)
sich. Auf der linken Seite von Bild IV-18 sind das 2
durch den stromführenden Leiter und das durch den
M
Dauermagneten erzeugte Feld gezeichnet, rechts das magnetisches Moment m = = I⋅A (IV.37)
daraus entstehende resultierende Feld. Die Richtung B
der Kraft auf den Leiter ist aus diesem Feldlinienbild
zu entnehmen. Die Kraft ist immer zu kleineren 3.4 Kräfte zwischen
Feldstärken, also zu weiter auseinander liegenden zwei parallelen Leitern
Feldlinien, gerichtet. Die Größe der Kraft hängt Befindet sich ein stromführender Leiter in einem Ma-
neben der Flußdichte B und der Stromstärke I auch gnetfeld, welches durch einen anderen Leiter hervor-
noch von der Länge des Leiters l im Magnetfeld und gerufen wird, muß auf den Leiter ebenfalls eine Kraft
vom Winkel, den der Leiter mit den Magnetfeldlinien ausgeübt werden. Das Magnetfeld am Ort von Leiter
einschließt, ab. Dies folgt direkt aus Gleichung 2 ist nach Gleichung (IV.10) und Bild IV-20:
(IV.30).
I1
Kraft im Magnetfeld F = lIB sin j (IV.33) H1 = (IV.38)
2p d
Die Kraft wirkt immer senkrecht zu der Fläche, die
d
durch das Magnetfeld und die Stromrichtung definiert
wird. Sind Leiter und Magnetfeld senkrecht zueinan- F21 F12
der, dann ist die Kraft
H2 H1
F = lIB (IV.34)

3.3 Magnetisches Moment I1 I2

In einem äußeren Magnetfeld wird auf einen weiteren Bild IV-20 Kräfte zwischen zwei Leitern
Magneten ein Drehmoment ausgeübt. Eine Magnet-
nadel wird sich in Richtung der Feldlinien einstellen. Mit Gleichung (IV.34) gilt für die Kraft auf den
Der Quotient aus Drehmoment und Flußdichte wird Leiter 2, die durch das Magnetfeld des Leiters 1
magnetisches Moment genannt. hervorgerufen wird:
magnetisches Moment
m0 I1 I 2 l
m M B F12 = m 0 H1 I 2 l = (IV.39)
M 2p d
m = Vs (IV.35)
B Am Nm = VAs
2
m2 Die Richtung dieser Kraft kann nach der Rechte-
Hand-Regel bestimmt werden und ist in Bild IV-20
a eingezeichnet. Durch das Magnetfeld des Leiter 2
wird am Ort des Leiters 1 ein Magnetfeld
I2
I H2 = (IV.40)
b 2p d
erzeugt. Hierdurch wird nach der gleichen Überle-
gung die Kraft
B m0 I 2 I 1l
F21 = m 0 H 2 I 1l = (IV.41)
2p d
Bild IV-19 Leiterschleife im Magnetfeld ausgeübt.
Die Beträge sind gleich, die Richtungen entgegenge-
Das magnetische Moment ist ein Vektor, der vom setzt. Es gilt die Aussage:
Süd- zum Nordpol zeigt. Eine vom Strom durchflos- Zwei parallele vom Strom in gleichen Richtungen
sene Spule erfährt in einem Magnetfeld ein Drehmo- durchflossene Leiter ziehen sich an.
IV Das Magnetische Feld 281

Die von beiden Strömen hervorgerufenen Magnetfel- I I

der überlagern sich. vx = = (IV.45)
neA nebd
F F 1 dIB IB
Hallspannung U H = ⋅ = RH ⋅ (IV.46)
ne bd b
RH n e
1
Hall-Koeffizient R H = m3 1 (IV.47)
ne As
As m3

F F y
z
x
b
UH
d
B
Bild IV-21 Feldlinien um zwei Leiter I

Zwischen den beiden Leitern sind die Richtungen der Bild IV-22 Hall-Effekt
Feldlinien entgegengesetzt, das resultierende Feld
wird hier geschwächt. Sind beide Ströme gleich groß, Tabelle IV-1 Hall-Koeffizienten
verschwindet das Feld genau in der Mitte. Die Kraft
wirkt in Richtung des schwächeren Magnetfeldes. m3
Die beiden Leiter ziehen sich also an. Sind die Strom- Werkstoff R H /10 −11
As
richtungen in beiden Leitern entgegengesetzt, wird
das resultierende Feld zwischen den Leitern verstärkt. Cu –5.5
Die Kräfte sind jetzt so gerichtet, daß sich beide
Leiter abstoßen. Al –3.6
Zwei parallele vom Strom in entgegengesetzten Rich- Ag –9.0
tungen durchflossene Leiter stoßen sich ab.
Au –7.5
3.5 Hall-Effekt
Cd + 6.0
Wird ein leitendes Plättchen in ein senkrecht zu
seiner Oberfläche stehendes Magnetfeld gebracht und Sn + 14.0
eine Spannungsquelle nach Bild IV-22 angeschlos-
sen, fließt im Plättchen ein Strom in der angegebenen InAs –10–7
Richtung. Auf diese bewegten Ladungsträger wird
durch das senkrecht zur Bewegungsrichtung stehende Durch Messung dieser Größe können die Ladungsträ-
Magnetfeld die Lorentzkraft nach Gleichung (IV.30) gerdichte und die Art des Leitungsmechanismus
ausgeübt. Bei der angegebenen Anordnung wird auf (Elektronen oder Löcherleitung) bestimmt werden.
die Ladungsträger eine solche Kraft ausgeübt, daß die Sind die Ladungsträger Elektronen, ist der Hall-
negativen Ladungsträger zur Oberseite des Plättchens Koeffizient negativ; bei Löcherleitung ist er positiv.
abgelenkt werden und somit an der Unterseite ein Da die Hallspannung direkt proportional zur Fluß-
Überschuß an positiven Ladungen entsteht. Durch die dichte B ist, werden Hall-Sonden zur Messung von
Ladungstrennung wird ein elektrisches Feld zwischen Magnetfeldern verwendet. Bei bekannter Geometrie
Ober- und Unterseite aufgebaut. Es entsteht die und bekanntem und konstantem Strom durch die
Hallspannung UH. Im Gleichgewicht sind die Lo- Hallsonde ist die Hallspannung proportional zum
rentzkraft und die durch das elektrische Feld auf die Magnetfeld.
Ladungen wirkende Kraft entgegengesetzt gleich Eine weitere Anwendung findet der Hallgenerator in
groß. der Meßtechnik. Er wird dann eingesetzt, wenn das
FLy = − ev x Bz (IV.42) Produkt zweier Größen gemessen werden soll. In
Bild IV-23 ist die Prinzip-Schaltung angegeben. Der
UH Strom IH wird durch die Verbraucherspannung U
Fel = − eE = − e (IV.43)
d festgelegt. Dabei muß dieser Strom klein gegen den
U H = d v x Bz (IV.44) Strom durch den Verbraucher gehalten werden. Dies
wird durch den geeigneten Vorwiderstand RV erreicht.
Mit Gleichung (I.9) ist Der Strom durch den Verbraucher wird durch
282 Grundlagen der Elektrotechnik

RV dia
IH
UH

U R N S

I
B
Bild IV-23
Hallgenerator
eine in Reihe geschaltete Spule geschickt, die das für
den Halleffekt erforderliche Magnetfeld erzeugt. Die
Hallspannung ist proportional zum Produkt aus Strom
und Spannung des Verbrauchers, also auch zu seiner
Leistung
UH ∼ IH ⋅ B ∼ U ⋅ I ∼ P .
Der Hallgenerator ist im Prinzip eine Multiplizier-
schaltung für zwei Ströme. Zur Leistungsmessung
muß ein Strom als Meßgröße an Stelle der Verbrau-
cherspannung genommen werden.
para
Bild IV-24 Messung der Suszeptibilität
Die magnetische Suszeptibilität kann gemessen wer-
den, indem der zu untersuchende Stoff in ein inho-
mogenes Magnetfeld gebracht wird. Stoffe mit nega-
tiver Suszeptibilität werden zu Orten geringerer
Feldstärke herausgedrückt, Stoffe mit positiver Sus-
zeptibilität zu Orten größerer Feldstärke gezogen.
Die magnetische Polarisation gibt die Änderung der
magnetischen Flußdichte an. Die Änderung der
magnetischen Feldstärke wird durch die Magnetisie-
rung M beschrieben.
(IV.48) Magnetisierung M = H M − H 0 (IV.56)
B
M = M − H0 (IV.57)
m0
M = m r H 0 − H 0 = ( m r − 1) H 0 (IV.58)
M = cM H0 (IV.59)

4 Energie des Magnetfeldes Polarisation J = m 0 M (IV.60)

Analog zu Gleichung (III.61) gilt im Falle eines
Magnetfeldes für die Energiedichte
Energiedichte w = ∫ HdB
Wenn der Zusammenhang zwischen Flußdichte B und
Feldstärke H nicht linear ist, kann dieses Integral
nicht in einfacher Weise berechnet werden.
Die Magnetisierung ist bei vielen Stoffen proportio-
nal zur magnetischen Feldstärke H und somit ist für
diese Stoffe cM konstant. Ausnahme hiervon bilden
(IV.49) die nichtlinearen magnetischen Werkstoffe, wie z.B.
die ferromagnetischen Werkstoffe. Nach ihrem Ver-
halten in Magnetfeldern werden Werkstoffe in die in
der Tabelle IV-2 aufgeführten Hauptklassen einge-
teilt.

Tabelle IV-2 Einteilung magnetischer Werkstoffe

5 Materie im Magnetfeld
Wird Materie in ein magnetisches Feld gebracht, dia- mr < 1 , c M < 0 −10 −4 < c M < −10 −9
ändert sich, analog zur Materie im elektrischen Feld, magnetisch
die Flußdichte B. Diese Änderung wird relativ zur
Flußdichte im Vakuum angegeben. para- mr > 1, c M > 0 10 −6 < c M < 10 −2
magnetisch
BM BM
relative Permeabilität mr = = (IV.50)
B0 m0 H 0 ferro- mr >> 1, c M >> 1 mr > 500
magnetisch
Induktionsflußdichte B M = mr B0 = mr m0 H 0 (IV.51)
Die dimensionslose Zahl mr ist die relative magneti- Das unterschiedliche Verhalten der Materie im Mag-
sche Feldkonstante oder relative Permeabilität. Die netfeld ist auf die Elektronenstruktur und die damit
durch die Materie zusätzlich hervorgerufene Fluß- verbundenen magnetischen Momente zurückzufüh-
dichte ist die ren. Jedes Elektron erzeugt durch seine Bewegung
magnetische Momente. Es gibt zwei unterschiedliche
magnetische Polarisation J = B M − B0 (IV.52) Bewegungen der Elektronen, die magnetische Mo-
J = ( m r − 1 ) B 0 = ( m r − 1) m 0 H 0 (IV.53) mente erzeugen. Zum einen ist es die Bewegung um
den Atomkern. Hierdurch wird das magnetische
magnetische Suszeptibilität c M = ( m r − 1) (IV.54) Bahnmoment erzeugt. Zum anderen rotiert das Elekt-
ron um seine eigene Achse. Diese Rotation wird
J = c M B0 = c M m 0 H 0 (IV.55) Spin genannt. Durch diese Rotation entsteht das
IV Das Magnetische Feld 283

magnetische Spinmoment. In jedem Stoff liegt eine

B
Überlagerung von Bahnmoment und Spinmoment
vor. Die Magnetisierung M ergibt sich als Summe
aller magnetischen Momente.
Ein auf einer Kreisbahn um den Atomkern kreisendes
Elektron kann als kreisförmiger Strom betrachtet
werden, da Ladung transportiert wird. Bei einer
Umlaufzeit T ist dieser
e0 w e0 Bild IV-25
Kreisstrom I = = (IV.61) m Ursache des Diamagnetismus
T 2p
Das magnetische Moment dieses Kreisstromes ist Tabelle IV-3 Suszeptibilität von diamagnetischen
nach Gleichung (IV.37): Stoffen
magnetisches Moment
Material cM
w e0 p r 2 e0 w r 2
m B = IA = = (IV.62) N2 (gasförmig) −6. 75 ⋅ 10 −9
2p 2
In der Quantenmechanik der Physik wird gezeigt, daß
Bi −1.5 ⋅ 10 −4
die Beziehung Au −2. 9 ⋅ 10 −5
h
m el w r 2 = (IV.63) Cu −1 ⋅ 10 −5
2p
gilt, mit der Naturkonstanten h, dem Planckschen
Wasser −7 ⋅ 10 −6
Wirkungsquant und der Elektronenmasse mel. Glei-
chung (IV.62) kann hiermit umgeformt werden zu 5.2 Paramagnetismus
e0 h Diese Stoffe haben normalerweise eine ungerade
Bohrsches Magneton m B = (IV.64) Anzahl von Elektronen, oder die Elektronenschalen
4 p m el
sind nicht gefüllt. Somit verbleibt für jedes Atom ein
m B = 9, 274 ⋅ 10 −24 Am 2 (IV.65) resultierendes magnetisches Moment. Ohne äußeres
Magnetfeld sind alle diese einzelnen Momente statis-
Je nach Anordnung und Eigenschaften der magneti- tisch in alle Richtungen verteilt und das resultierende
schen Momente in der Materie reagiert diese in unter- Moment verschwindet. Unter dem Einfluß eines
schiedlicher Weise auf äußere Magnetfelder. äußeren Magnetfeldes richten sich die atomaren
Momente in Feldrichtung aus und verstärken das
5.1 Diamagnetismus Magnetfeld. Die Suszeptibilität ist daher positiv. Da
Der Diamagnetismus ist bei allen Stoffen vorhanden, die thermische Bewegung der Atome, und damit auch
aber bei bestimmten Konfigurationen der magneti- die der atomaren Momente, mit steigender Tempera-
schen Momente der einzelnen Atome wird er von tur zunimmt, wird dieser Ordnungszustand der Mo-
anderen magnetischen Eigenschaften überdeckt. Zu mente im äußeren Feld bei höherer Temperatur
beobachten ist der Diamagnetismus bei allen Stoffen schlechter. Daher muß die Suszeptibilität von der
mit abgeschlossenen Elektronenschalen. Ohne äuße- Temperatur abhängig sein.
res Magnetfeld kompensieren sich die magnetischen C
Momente aller Elektronen eines Atoms. Unter dem Curie-Gesetz c M = (IV.66)
T
Einfluß eines äußeren Feldes führen die Momente,
Die Größe C heißt Curie-Konstante und ist material-
analog zur Bewegung eines Kreisels, Präzessionsbe-
abhängig.
wegungen aus. Dies ist eine Bewegung, die ein rotie-
render Körper durchführt, an dem eine äußere Kraft Tabelle IV-4 Suszeptibilität von paramagnetischen
angreift. Der Körper weicht senkrecht zur Kraftrich- Stoffen
tung aus. Unter dem Einfluß des Magnetfeldes B
laufen die Spitzen der einzelnen magnetischen Mo- Material cM
mente auf Kreisbahnen um die Richtung von B.
Hierdurch entsteht ein zusätzliches Moment, welches O2 (flüssig) 3.6 ⋅ 10 −3
der Richtung des äußeren Feldes entgegengesetzt ist O2 (gasförmig) 1.5 ⋅ 10 −6
und es schwächt. Somit muß die Suszeptibilität nega-
tiv sein. Der Diamagnetismus wird also durch das Pt 2.5 ⋅ 10 −4
äußere Feld induziert. Die Suszeptibilität diamagneti-
scher Stoffe ist nicht temperaturabhängig. Al 2. 4 ⋅ 10 −5
284
5.3 Ferromagnetismus
Ferromagnetische Stoffe haben, wie paramagnetische
Materialien, ein resultierendes magnetisches Moment
pro Atom. Durch gegenseitige Kräfte stellt sich ein
Zustand ein, bei dem in größeren Bereichen ohne
äußeres Magnetfeld alle Momente in einer Richtung
ausgerichtet sind. Diese Bereiche, die nach ihrem
Entdecker benannten Weißschen Bezirke, können
Durchmesser bis zu 1 mm haben. Die Wände, die
diese Bezirke trennen, sind die Bloch-Wände. Ohne
äußeres Feld sind die Momente der einzelnen Bezirke
statistisch verteilt, der Werkstoff ist dann nach außen
unmagnetisch.
H Wird die Feldstärke nach Erreichen der Sättigungs-
H Größen ablesen:
H Hc bezeichnet.
Bild IV-26 Weißsche Bezirke
Wird ein solches Material in ein Magnetfeld gebracht
und dieses langsam vergrößert, geschieht die Magne-
tisierung des Materials in mehreren Schritten. Zu-
nächst werden sich die Bezirke, deren Momente in
etwa in Richtung des Magnetfeldes liegen, vergrö-
ßern. Es werden also die Wände zwischen den Weiß-
schen Bezirken verschoben. Bei kleinen Feldstärken
ist dieser Vorgang reversibel (Bereich I in Bild IV-
27), bei Abschalten des Feldes werden die Verschie-
bungen rückgängig gemacht. Wird die Feldstärke
weiter vergrößert, werden diese Wandverschiebungen
irreversibel (Bereich II). Werden die Feldstärken
noch größer, so werden schließlich alle Momente der
einzelnen Bezirke gedreht, bis sie in der Endstellung
parallel zum angelegten Magnetfeld liegen (Bereich
III). Die Magnetisierung hat jetzt ihren Sättigungs-
wert Ms erreicht.
Grundlagen der Elektrotechnik
5.3.1 Magnetisierungskurve Hysterese
J, E
BS
BR III
Neukurve II
I
HC H
Bild IV-27
Hysterese
Diese komplizierten Vorgänge verlaufen nicht linear
mit steigender Feldstärke, daher ist auch die Magneti-
sierungskurve keine Gerade. Üblicherweise wird
nicht die Magnetisierung M aufgetragen, sondern die
Polarisation J oder die Flußdichte B. Da für diese
Stoffe
m r >> 1 ist: c M ≈ m r und J ≈ B (IV.67)
magnetisierung verringert, verläuft die Magnetisie-
rungskurve auf einem anderen Weg, da die Vorgänge
teilweise irreversibel sind. Wird das Magnetfeld
umgepolt und dann wieder bis zur Sättigung magneti-
siert, erhält man die in Bild IV-27 aufgezeigte Kurve.
Aus dieser Hysteresekurve lassen sich folgende
Die verbleibende Flußdichte bei abgeschaltetem
Magnetfeld wird als Remanenzflußdichte oder Rema-
nenz Br bezeichnet. Sie ist ein Maß für die Stärke von
Dauermagneten. Die magnetische Feldstärke, die
notwendig ist, um den Stoff zu entmagnetisieren
(Wert B = 0 einzustellen), wird als Koerzitivfeldstärke
Wird ein Stoff magnetisiert, muß hierzu Energie
aufgewendet werden. Diese Energie wird für die
Verschiebung der Wände und die Drehung der Mo-
mente aufgewendet.
w = ∫ HdB = ∫ Hm 0 m r ( H ) dH (IV.68)
Da die relative Permeabilität keine Konstante und der
mathematische Zusammenhang nicht genau bekannt
ist, kann dieses Integral normalerweise nicht berech-
net werden. Die Bestimmung der aufzuwendenden
Energie pro Volumeneinheit bis zu einer bestimmten
Magnetisierung kann grafisch geschehen, indem die
schraffierte Fläche in Bild IV-28 bestimmt wird.
J, B
Bild IV-28
Magnetisierungs-
energie
H
IV Das Magnetische Feld 285

Da bei einem vollen Durchlauf der Hysteresekurve in J, B

Bereichen, in denen der Werkstoff entmagnetisiert
wird, Energie frei wird, ist die gesamte pro Volumen-
einheit benötigte Energie bei einem vollen Durchlauf
der Kurve aus der Fläche der Hysteresekurve zu
entnehmen (Bild IV-29).
H
J, B
J, B
P ΔB2
BP
ΔH2
ΔB1
H
HP H
ΔH1

Bild IV-31 Bestimmung der Permeabilität

Bild IV-29 Ummagnetisierungsverluste
w = °冮 HdB = AHysterese (IV.69)
Magnetische Werkstoffe werden in magnetisch harte
und magnetisch weiche Materialien unterteilt. Magne-
tisch harte Werkstoffe besitzen eine große Fläche,
und damit bei gleicher Remanenz eine große Koerzi-
tivfeldstärke, magnetisch weiche Stoffe eine kleine
Hysteresefläche (siehe Bild IV-30).
J, B
weich hart
31 unten), erhält man für jede Feldstärke nur einen
Wert. Dieser Wert ist nicht konstant, sondern von H
abhängig. Bestimmt wird mr für die Feldstärke HP,
indem vom Nullpunkt eine Gerade zum Punkt P auf
der Neukurve gezeichnet wird und dann DB1 und
DH1 abgelesen werden. Hieraus wird mr berechnet.
1 DB1
relative Permeabilität m r = (IV.70)
m 0 DH1
mr
ma

H
H
Bild IV-32 Verlauf der Permeabilität

Der prinzipielle Verlauf ist in Bild IV-32 dargestellt.

Bild IV-30 harte und weiche Werkstoffe
5.3.2 Verlauf der Permeabilität
Die relative Permeabilität mr ist durch Gleichung
(IV.50) definiert. Ihr Wert kann aus der Hysterese-
kurve bestimmt werden. Hierzu wird der 1. Quadrant
der Magnetisierungskurve betrachtet. Bei vorgegebe-
ner Feldstärke H wird die zugehörige Flußdichte B
abgelesen und dann mit Gleichung (IV.50) mr berech-
net.
Wie aus Bild IV-31 oben zu entnehmen ist, sind bei
einer Feldstärke bis zu drei verschiedene Flußdichten
möglich. Daher kann es auch drei verschiedene
Werte für die relative Permeabilität geben. Die relati-
ve Permeabilität ist von der magnetischen Vorge-
schichte des Werkstoffes abhängig. Wird die Be-
stimmung an der Neukurve vorgenommen (Bild IV-
Ausgehend von einem Anfangswert ma durchläuft die
Kurve ein Maximum. Die Werte für ma liegen im
Bereich von einigen Hundert bis zu einigen Tausend.
Für manche Überlegungen ist es notwendig, nicht die
relative Permeabilität, sondern eine Größe zu ver-
wenden, die aus der Steigung der Kurve bestimmt
wird. Dies wird differentielle Permeabilität md ge-
nannt. Im Punkt P wird die Tangente an die Hystere-
sekurve gezeichnet und deren Steigung nach Bild IV-
31 unten durch DB2 und DH2 bestimmt.
1 DB2
differentielle Permeabilität md = (IV.71)
m 0 DH 2
5.3.3 Temperaturabhängigkeit
Grundlage für die ferromagnetischen Eigenschaften
ist die Ausrichtung der magnetischen Momente in
den Weißschen Bezirken. Diese Ausrichtung wird als
spontane Magnetisierung bezeichnet. Eine solche
286 Grundlagen der Elektrotechnik

Ausrichtung wird durch die thermische Energie 5.4 Antiferromagnetismus

beeinflußt. Je höher die Temperatur, desto größer ist
die thermische Bewegung, und desto geringer wird
der Ordnungsgrad sein. Bei Überschreitung einer
kritischen Temperatur werden die Weißschen Bezirke
a b c
zerstört und der Werkstoff wird paramagnetisch. Als
Maß für diesen Ordnungsgrad dient der Sättigungs- Bild IV-34 Magnetische Stoffe
wert der Magnetisierung oder der Polarisation. Die a) ferro
Temperaturabhängigkeit von Js ist in Bild IV-33 ge- b) antiferro
zeigt. c) ferri
Js(T)/Js(0)
Voraussetzung für die ferromagnetischen Eigenschaf-
1
ten sind die Weißschen Bezirke mit den parallel
eingestellten magnetischen Momenten (Bild IV-34a).
Unter bestimmten Bedingungen stellen sich in eini-
gen Werkstoffen die Momente nicht parallel, sondern
Bild IV-33 antiparallel ein (Bild IV-34b). Für diese Stoffe gilt
Sättigungs- wie für die Ferromagnetika, daß sie sich oberhalb
T/Tc magnetisierung einer kritischen Temperatur, der Néel-Temperatur TN,
0 1 paramagnetisch verhalten, da die Ordnung der Mo-
mente durch die höhere Temperatur zerstört wird.
Aufgetragen sind relative Sättigungswerte, bezogen Unterhalb der Néel-Temperatur sind diese Stoffe
auf den Wert bei 0 K als Funktion der Temperatur, schwach magnetisch, da sich die Momente gegensei-
bezogen auf die kritische Temperatur TC. Diese tig kompensieren. Typische Substanzen sind MnO,
kritische Temperatur ist die Curie-Temperatur. Für NiO, CoO, CrF3, FeO.
Temperaturen oberhalb der Curie-Temperatur gilt für
die Suszeptibilität das 5.5 Ferrimagnetismus
C In ferrimagnetischen Stoffen sind die Momente
Curie-Weißsche Gesetz c M = (IV.72) ebenfalls antiparallel eingestellt. Im Gegensatz zu den
T − TC
antiferromagnetischen Stoffen sind sie hier
Die Curie-Temperaturen einiger Stoffe sind in Tabel- nicht gleich groß (Bild IV-34c). Die Ferrite haben
le IV-5 aufgeführt. große technische Bedeutung, sowohl als weichmag-
netische, als auch als dauermagnetische Werkstoffe.
Tabelle IV-5 Curie-Temperatur und Sättigungspola- Sie sind keine Metalle, sondern Ionenkristalle. Im
risation Vergleich zu Metallen (r ≈ 10–7 W m) haben sie
einen wesentlich größeren spezifischen Widerstand
Vs (1 < r < 103 W m). Daher treten kaum Wirbelströme
Werkstoff TC/K J s (0) auf. Ferrite werden als Spulenkerne für Anwendun-
m2
gen bei hohen Frequenzen eingesetzt. Die Abhängig-
Gd 289 2.54 keit der spontanen Magnetisierung von der Tempera-
tur ist sehr kompliziert und kann durchaus für die
Ni 631 0.64
einzelnen Werkstoffe unterschiedlich sein. Auch
Fe 1042 2.18 diese Stoffe werden oberhalb der ferrimagnetischen
Curie-Temperatur paramagnetisch. Typische Werk-
Co 1400 1.81 stoffe sind MeO ⋅ Fe2O3, (Me = Fe, Co, Ni).

5.3.4 Magnetostriktion 6 Magnetische Kreise

Durch die Verschiebung der Bloch-Wände bei der
Magnetisierung von ferromagnetischen Stoffen kann
eine Längenänderung des Werkstückes auftreten. Es
kommen sowohl Verlängerungen, positive Magne-
tostriktion, als auch Verkürzungen, negative Magne-
tostriktion, vor. Die relativen Längenänderungen sind
Dl
sehr klein ⎛⎜ ≈ 4 ⋅10 − 5 ⎞⎟ . Technische Anwendung
⎝ l ⎠ In Analogie zur elektrischen Spannung nach Glei-
findet dieser Effekt bei der Erzeugung von Ultra-
schall bis zu einer Frequenz bis zu ungefähr 60 kHz.
Manchmal ist es zur Berechnung der Kombinationen
von magnetischen Bauteilen hilfreich, formale Ana-
logien zu elektrischen Schaltungen herzustellen. Dazu
werden eine magnetische Spannung und ein magneti-
scher Widerstand eingeführt.
6.1 Magnetische Spannung
chung (III.8) kann man auch in magnetischen Kreisen
eine magnetische Spannung definieren. Sie hat dann
IV Das Magnetische Feld 287

die gleiche formale Struktur wie die elektrische A

Spannung. Die Spannung zwischen den Punkten 1
und 2 ist die magnetische Spannung.
I
 
2 l
magnetische Spannung V12 = ∫ Hds (IV.73) N
1

Die Addition aller Teilspannungen ergibt die

magnetische Umlaufspannung
 
V = °冮 H ⋅ dl = NI (IV.74) o

Dieser Ausdruck ist aber im Durchflutungsgesetz

nach Gleichung (IV.6) aufgetreten. Bild IV-35 Spule mit Eisenkern
Q=V (IV.75)
B
6.2 Magnetischer Widerstand T
1.5
Der magnetische Fluß in einem konstanten Magnet-
feld einer Ringspule ist
IN BE
f = BA = m0 mr HA = m0 mr A (IV.76) 1.0
l
l
NI = V = f (IV.77)
m0 mr A
0.5
In Analogie zu Gleichung (I.14) wird ein magneti-
scher Widerstand definiert.
Magnetischer Widerstand 0.1
Rm l m0 A HE 500 1000 1500 H
l
Rm = A Vs (IV.78) A/m
m0 mr A m m2
Vs Am Bild IV-36 Magnetisierungskurve von Eisen
1 m m A
magnetischer Leitwert L= = 0 r (IV.79) (mr Fe ≈ 2000), verläuft der in der Spule erzeugte
Rm l
magnetische Fluß fast vollständig im Eisenkern,
Das Produkt m0mr kann als magnetische Leitfähigkeit obwohl die felderzeugende Spule nur an einer Stelle
gedeutet werden. Die relative Permeabilität ist ein um den Eisenkern liegt. Der Fluß im Eisenkern ist
Maß dafür, magnetische Feldlinien zu leiten. Der daher überall gleich groß. Der Strom I durch die
formal gleiche Aufbau der Formeln für elektrische IN
Spule erzeugt das Magnetfeld H E = . Zu diesem
und magnetische Größen hat aber nur den Zweck, den l
Umgang mit magnetischen Größen zu vereinfachen. Magnetfeld kann aus der Magnetisierungskurve die
Es werden völlig andere Größen miteinander vergli- zugehörige Flußdichte BE abgelesen werden.
chen.
A
6.3 Unverzweigte Kreise
Ein unverzweigter magnetischer Kreis kann formal I
lE
behandelt werden wie eine elektrische Masche
N
∑ V = Q = NI (IV.80) d
lL
Ein oft benutzter magnetischer Kreis ist der geschlos-
senen Eisenkern ohne Luftspalt, wie er in Bild IV-35
gezeichnet ist. o
Der Eisenkern hat längs des Umlaufweges l überall
den gleichen Querschnitt A. Abweichungen in den
Ecken werden vernachlässigt. Die Neukurve ist in Bild IV-37 Spule mit Luftspalt
Bild IV-36 gegeben. Die Windungszahl der verwen-
deten Spule ist N. Da die relative Permeabilität von Wird nun in den Eisenkern ein Luftspalt der Breite d
Eisen sehr viel größer ist als die von Luft geschnitten (Bild IV-37), sind analog zur Maschenre-
288 Grundlagen der Elektrotechnik

gel zwei magnetische Spannungen zu addieren. Der B

T
magnetische Gesamtwiderstand ist gleich der Summe
der Einzelwiderstände. Da der Luftspalt als sehr klein 1.5
angenommen wird, ist der magnetische Fluß im Eisen
und im Spalt gleich. BS
Nach Gleichung (IV.77) ist 1.0
f ⎛ lE lL ⎞ BE
NI = ⎜ + ⎟ (IV.81)
m0 A ⎝ mr 1⎠
NI = H E l E + H L l L (IV.82)
0.5
BE
HL = (IV.83)
m0
BE 0.1
NI = H E l E + lL (IV.84)
m0 HE 500 1000 HS 1500 H
A/m
 Beispiel: Ein Ringkern mit der in Bild IV-36 angegebenen
Magnetisierungskurve hat eine mittlere Länge von l = 35 cm und Bild IV-38 Einfluß des Luftspaltes
eine Querschnittsfläche von A = 4 cm2. Die verwendete Spule hat
eine Windungszahl von N = 200.
 Beispiel: Wie groß ist die Feldstärke und die Flußdichte in einem
a) Welche Stromstärke I wird benötigt, um einen Fluß von
f = 4.4 ⋅ 10–4 Wb zu erzeugen? Eisenkern mit 0.3 mm Luftspalt und einer mittleren Länge von
b) in den Kern wird ein Luftspalt von 0.3 mm geschnitten. Wel- 24 cm, wenn durch eine Spule mit 150 Windungen ein Strom von
che Stromstärke wird jetzt benötigt? 2 A fließt?
f 4. 4 ⋅ 10 −4 Wb 2 A ⋅ 150 A
a) B E = = = 1.1 T HS = = 1250
A 4 ⋅ 10 -4 m 2 0 , 24 m m
Aus der Magnetisierungskurve wird zu diesem B-Wert ein Feld
Vs
A 4 p ⋅ 10 −7 ⋅ 2 A ⋅ 150
H E = 400 abgelesen. Hierzu wird ein Strom von Am
m BS = = 1, 256 T
−4
3 ⋅ 10 m
A
400 ⋅ 0 , 35 m Diese Werte und die Gerade werden in Bild IV-38 eingetragen.
H l m
I= E = = 0 , 7 A benötigt. Die Koordinaten des Schnittpunktes mit der Magnetisierungskur-
N 200
A
ve sind H E = 280 und B E = 0 , 97 T.
b) BE und HE werden wie unter a) bestimmt. Das Feld im Luft- m
spalt ist
BE 1,1 T A
HL = = = 8 , 75 ⋅ 10 5 . 6.4 Verzweigte Kreise
m0 Vs m
4 p ⋅ 10 −7
Am Die Berechnung kann analog zu den Überlegungen in
HE lE + H LlL elektrischen Kreisen durchgeführt werden.
Nach Gleichung (IV.82) ist I L = ;
N n
Knotenregel ∑ fi = 0 (IV.88)
IL =
( 400 ⋅ 0 , 35 + 8,75 ⋅ 10 5 ⋅ 3 ⋅ 10 −4 ) A = 2 , 01 A i =1
200 n
Ist hingegen bei einer Spule mit Luftspalt die Durchflu- Maschenregel Q = ∑ H i l i (IV.89)
tung gegeben und nach dem magnetischen Feld ge- i =1

fragt, kann dies Problem nur grafisch gelöst werden, da

 Beispiel: Im mittleren Steg II des Transformatorkernes nach
die mathematische Form der Magnetisierungskurve Bild IV-39 soll ein Fluß von f2 = 1,6 ⋅ 10–3 Wb erzeugt werden.
nicht bekannt ist. Ausgehend von Gleichung (IV.84) ist Auf Steg I befindet sich eine Spule mit 150 Windungen. Welcher
zu sehen, daß das Feld im Eisen linear mit zunehmen- Strom muß durch die Spule fließen? Die Magnetisierungskurve ist
der Breite des Luftspaltes abnimmt. durch Bild IV-38 gegeben.
B
H E l E = NI − E l L (IV.85) l1 l2 l3
m0
40

Die Schnittpunkte dieser Geraden mit den Koordina-

tenachsen berechnen sich nach
I II III
NI
Schnittpunkte H S =
200

(IV.86)
lE
m 0 NI 40 80 160 40
BS = (IV.87)
lL
Die Schnittpunkte dieser „Luftspaltgeraden“ mit der 360
Magnetisierungskurve ergeben die gesuchten Werte
für HE und BE. Bild IV-39 verzweigter Kreis
V Induktion 289

Aus der Zeichnung lassen sich folgende geometrische Größen Hierzu gehört nach Bild IV-38
bestimmen: A H2l2 A
H 2 = 300 ; H3 = = 85, 7 ; B3 = 0, 4 T ;
l1 = 40 cm, l 2 = 16 cm, l 3 = 56 cm, A = 1, 6 ⋅ 10 −3 m 2 . m l3 m
−4
Da sich die Spule nur auf dem Steg I befindet, sind die magneti- f3 = B 3 A = 6 , 4 ⋅ 10 Wb ; f1 = f2 + f 3 = 2 , 24 ⋅ 10 −3 Wb ;
schen Spannungen der beiden Zweige II und III gleich f1 A
B1 = = 1, 4 T ; H 1 = 1100 ;
A m
f 1, 6 ⋅ 10 −3 Wb
H 2l2 = H 3l3 ; B2 = 2 = = 1T . NI = H 1 l 1 + H 2 l 2 = 488 A ; I 1 = 3, 25 A
A 1, 6 ⋅ 10 − 3 m 2

Tabelle IV-6 Analogie elektrischer-magnetischer Kreis

elektrischer Kreis magnetischer Kreis

Ursache elektrische Spannung magnetische Spannung

U; [U] = 1 V Q = 冖 Hds = NI ; [ Q ] = 1A

Wirkung Strom I; [I] = 1 A Fluß f ; [ f ] = 1Wb = 1Vs

U Q
Ohmsches Gesetz R= Rm =
I f

l l A
Widerstand R= ; [ R] = 1 W Rm = ; [ Rm ] = 1
cA m0 mr A Wb

A Wb Vs
Leitfähigkeit χ; [ c ] = 1 m 0 m r ; [ m 0 mr ] = 1 =1
Vm Am Am

V Induktion
Eine der wichtigsten Erscheinungen für die Elektro- B
technik ist die Induktion. Faraday erkannte im Jahr
1831, daß jede zeitliche Änderung des magnetischen
Flusses in einer Leiterschleife eine Spannung hervor- l FL
ruft, die Spannung induziert. Ursache der Induktion v
U Find
ist die Lorentzkraft.

1 Induktion bei Änderung der Fläche

Bei der Bewegung eines Leiters in einem Magnetfeld
senkrecht zu der Richtung der Feldlinien wird auf die
Elektronen eine Kraft ausgeübt. Die Kraft ist bei den
in Bild V-1 angegebenen Richtungen der Geschwin-
digkeit v und des Magnetfeldes B so, daß die Elektro-
nen zum hinteren Teil des Leiters bewegt werden.
Bild V-1 Änderung der Fläche durch Bewegung des
Leiters
Im Bild V-1 ist die Lorentzkraft auf negative Ladun-
gen eingezeichnet. Diese Trennung erfolgt solange,
bis das elektrostatische Gegenfeld und die da-
290 Grundlagen der Elektrotechnik

durch erzeugte Kraft Find sich aufheben. Für die Die durch Bewegung von Magneten oder Leitern
Beträge gilt erzeugten Induktionsströme haben eine solche Rich-
tung, daß ihr Magnetfeld der Bewegung entgegenge-
Find = FL (V.1) setzt wirkt.
u ind B
e 0 vB = e 0 E ind = (V.2) Hind
l 1
vB = E ind (V.3) I
uind v
I
u ind = vBl (V.4) Find
Wenn auf die Größen uind, v, B die rechte Handregel
Bild V-4
angewendet wird, (v in Daumen, B in Zeigefinger und 2 Lenzsche Regel
uind in Mittelfingerrichtung nach Bild V-2), ist:
Induzierte Spannung u ind = − vBl (V.5)
Es muß also bei der Bewegung Arbeit geleistet wer-
Δs den.
B ZF Das Magnetfeld stand bei der bisherigen Betrachtung
1 senkrecht zur Fläche. Ist dies nicht der Fall, wird der
Fluß durch den Flächenanteil, der senkrecht zum
MF D
v Magnetfeld steht, bestimmt. Eine Flußänderung kann
uind l auch durch Rotation einer Leiterschleife nach Bild
ZF V-5 bewirkt werden. Die Schleife dreht sich mit der
D Winkelgeschwindigkeit w.
2
MF l
ΔA
v
Bild V-2 Bewegter Leiter im Magnetfeld
vt b
Bei der betrachteten Bewegung des Leiters wird die b
Fläche um das Stück vergrößert
DA = l ⋅ Ds = l ⋅ v ⋅ D t (V.6)
B B
Flußänderung Df = B ⋅ DA = B ⋅ l ⋅ v ⋅ Dt (V.7)
Df Bild V-5 Rotation einer Leiterschleife
induzierte Spannung u ind = − (V.8)
Dt
Wird die Leiterschleife in Bild V-2 zwischen den Momentaner Fluß t f = B ⋅ A ⋅ cos w t (V.9)
Punkten 1 und 2 durch einen Widerstand verbunden, Daraus resultiert eine induzierte Spannung
fließt ein Strom. Hierfür kann das in Bild V-3 darge-
stellte Ersatzschaltbild verwendet werden. df
u ind = − = B ⋅ A ⋅ w ⋅ sin w t (V.10)
dt
1 Wechselspannung u = u ⋅ sin wt (V.11)
Scheitelspannung u = B ⋅ A ⋅ w (V.12)
Wird nicht nur eine Schleife, sondern eine Spule mit
I uq
N Windungen gedreht, ist die
Scheitelspannung u = N ⋅ B ⋅ A ⋅ w (V.13)

2  Beispiel: Ein in Richtung Ost-West liegender Metallstab von 2 m

Länge fällt aus 15 m Höhe zu Boden. Welche Spannung wird
Bild V-3 Induktion als Ersatzspannungsquelle durch das Erdmagnetfeld induziert, wenn der Stab den Boden er-
reicht (BErde = 20 mT)?

Der Strom, der in Bild V-2 durch den Leiter fließt, m m

v= 2 gh = 2 ⋅ 9, 81 ⋅ 15 = 17 ,16 ;
erzeugt selbst wieder ein Magnetfeld. Die Richtung s s
dieses induzierten Feldes ist so, daß auf den Leiter m
u ind = vBl = 17 ,16 ⋅ 20 ⋅ 10 −6 T ⋅ 2 m = 0 , 68 mV
eine Kraft ausgeübt wird, die die Bewegung des s

Leiters hemmt (Bild V-4). Das wird als Lenzsche  Beispiel: Eine quadratische Spule mit der Kantenlänge a = 5 cm
Regel bezeichnet. und N1 = 50 Windungen rotiert mit n = 250 min–1 um ihre Sym-
V Induktion 291

metrieachse im Inneren einer langen Zylinderspule, die je cm Wird eine Schleife im inhomogenen Feld bewegt,
8 Windungen hat und von 6 A durchflossen wird. Welchen Schei-
entsteht eine Induktionsspannung, da sich bei der
telwert erreicht die induzierte Spannung?
Bewegung der Fluß ändert und in den gegenüberlie-
N Sp I Vs 8 ⋅ 6 A genden Teilen der Schleife unterschiedliche Span-
B Sp = m 0 ; B Sp = 4 p ⋅ 10 −7 = 6 mT ;
l Sp Am 10 −2 m nungen induziert werden. In den in Bild V-6 parallel
u = N 1 ⋅ B ⋅ A ⋅ 2p ⋅ n ; zur Bewegungsrichtung liegenden Teilen der Schleife
Vs 250 1 werden keine Spannungen induziert.
u = 50 ⋅ 6 ⋅ 10 −3 ⋅ ( 5 ⋅ 10 −2 m) 2 ⋅ 2 p ⋅ = 20 mV
m2 60 s
o/10–4Wb
5
2 Induktion bei Änderung 4
des Magnetfeldes 3
Bei konstanter Fläche einer Leiterschleife oder einer 2
Spule kann durch Magnetfeldänderungen eine Fluß- 1
änderung hervorgerufen werden. Dies kann z.B. 0
durch Stromänderung in einer Erregerspule erreicht 10 20 30 40 50 t/ms
werden. Die Flußänderung ist dann
df m 0 N err dI err
Flußänderung = (V.14)
dt l err dt U/B
5
Dieser Effekt wird bei Transformatoren verwendet. 4
Das Induktionsgesetz lautet bei N Windungen einer
3
Feldspule
2
df
Induktionsgesetz u ind = − N (V.15) 1
dt 30 40 50
0
⎛ dB dA ⎞ 10 20 t/ms
u ind = − N ⎜ An +B n ⎟ (V.16) –1
⎝ dt dt ⎠
–2
An ist der Flächenanteil, der senkrecht zu den Feldli- –3
nien steht.
–4
Aus Gleichung (V.16) geht hervor, daß es gleichgül-
tig ist, ob sich die magnetische Flußdichte bei gleich- Bild V-7
bleibender Fläche (Transformatorenprinzip) oder die Beispiel Induktion
Fläche bei gleichbleibender Flußdichte (Generato-
renprinzip) ändert.  Beispiel: Eine Spule mit N = 100 Windungen wird von einem
Fluß Φ durchsetzt, der den in Bild V-7 oben dargestellten Verlauf
Entscheidend ist, daß sich der Fluß in einer Leiter- hat. Welchen zeitlichen Verlauf hat die induzierte Spannung?
schleife ändert. Wird eine Leiterschleife in einem In den Zeitintervallen 0 ... 10 ms, 20 ... 30 ms, > 40 ms ändert sich
homogenen Magnetfeld bewegt, ändert sich der Fluß der Fluß nicht, somit ist in diesen Bereichen uind = 0 V.
nicht. Die durch die auch hier vorhandene Lorentz- Im Intervall 10 ... 20 ms gilt
kraft verursachte Verschiebung der Elektronen hebt df 4 ⋅ 10 −4 Vs
=− = −40 mV ;
sich in gegenüberliegenden Teilen der Schleife ge- dt 10 ⋅ 10 − 3 s
genseitig auf. df
u ind = − N = −100 ⋅ ( − 40 mV ) = 4 V
dt
Im Intervall 30 ... 40 ms hat die induzierte Spannung denselben
Wert mit umgekehrtem Vorzeichen. Die induzierte Spannung ist
in Bild V-7 unten aufgetragen.

3 Die Induktivität einer Spule

3.1 Selbstinduktion
In der Ringspule in Bild IV.4 mit der Windungszahl
N soll der Strom i beliebig veränderbar sein. Wird der
eingespeiste Strom geändert, so ändert sich auch der
V u = 0V V u = 0V von diesem Strom erzeugte magnetische Fluß f.
Wegen dieser Flußänderung wird eine Spannung in
Bild V-6 Bewegung einer Schleife im homogenen der Spule induziert. Dieser Vorgang wird Selbstin-
und inhomogenen Feld duktion genannt. Die induzierte Spannung ist nach
292 Grundlagen der Elektrotechnik

der Lenzschen-Regel dem erzeugenden Strom entge- Bei koaxialen Leitern ist die Gesamtinduktivität nach
gen gesetzt. folgenden Gleichungen zu berechnen:
df m0 mr l
u ind = − N (V.17) Innenleiter Li = (V.29)
dt 8p
Da die Flußänderung durch eine Stromänderung m 0 mr l r1
verursacht wird, gilt auch Zwischenraum L ZW = ln (V.30)
2p r
di Außenleiter
u ind = − L (V.18)
dt m 0 mr l r24 ⎛ r2 ( 3 r22 − r12 )( r22 − r12 ) ⎞
La = ⎜ ln − ⎟
dt L u i t 2 p ( r22 − r12 ) ⎝ r1 4 r24 ⎠
Induktivität L = u ind Vs (V.19)
di H= V A s (V.31)
A
gesamte Induktivität L ges = Li + L ZW + L a (V.32)
Die Einheit ist 1 Henry, 1 H.
Aus Gleichung (V.17) und (V.18) folgt
df A ⋅ dB r2 r1
L = N⋅ = N⋅ (V.20)
di di r
dB dH
L = NA ⋅ (V.21)
dH di
Befindet sich kein ferromagnetischer Stoff in der
Spule, so ist l
dB Bild V-9 Koaxialleiter
= m0 (V.22)
dH
3.2 Gegeninduktion
dH N
= (V.23) Befindet sich in der Nähe einer stromdurchflossenen
di l
A Spule Sp1 eine zweite Spule Sp2, so verläuft ein Teil
Induktivität L = m 0 N 2 (V.24) des von der Spule 1 erzeugten Magnetfeldes auch
l
durch die Spule 2. Die Spulen sind magnetisch ge-
Ist der Spulenkörper ferromagnetisch, gilt koppelt. Der vom Strom I1 in der Spule 1 erzeugte
dB magnetische Fluß durchsetzt die Spule 2 nur zum
= m0 md (V.25) Teil. Dieser Anteil ist f12. Der Gesamtfluß in der
dH
A Spule 2 ist dann
L = m0 md N 2 (V.26)
l fG 12 = N 2 f12 (V.33)
md ist die differentielle Permeabilität. N 2 f12 ∼ I 1 (V.34)
Die Induktivität spielt in Wechselstromkreisen eine N 2 f12 = M 12 I 1 (V.35)
große Rolle. Sie ist für beliebige Leiteranordnungen
und Leitergeometrien schwierig zu berechnen, läßt Sp1 Sp2
sich aber in Wechselstromkreisen gut durch Messun- N1 N2
gen bestimmen.
m ml o12
Einfachleitung L = 0 r ⎛⎜ ln ⎛⎜ ⎞⎟ − ⎞⎟
2l 3
(V.27)
2p ⎝ ⎝ r ⎠ 4 ⎠ I1 Bild V-10
Gegeninduktion
m 0 mr l ⎛ ⎛ a ⎞ 1 ⎞
Doppelleitung L= ⎜ ln ⎜ ⎟ + ⎟ (V.28)
p ⎝ ⎝ r ⎠ 4⎠ Der Faktor M12 wird als Gegeninduktivität bezeich-
l net. Bei Abwesenheit von ferromagnetischen Mate-
r rialien ist die Gegeninduktivität eine Konstante. Wird
der Strom in der Spule 1 geändert, wird in der Spule 2
eine Spannung induziert.
df12 di
a u2 = − N 2 = − M12 1 = (V.36)
r dt dt
Wird die Spule 2 vom Strom durchflossen, so wird in
der Spule 1 eine Spannung
di 2
u1 = − M 21 (V.37)
Bild V-8 Doppel-Leitung dt
V Induktion 293

induziert. Die Gegeninduktivitäten sind gleich, wenn ⎛ 10 mm ⎞

2
s1 = 1 − ⎜ ⎟ = 0 , 691
die Permeabilitäten nicht vom Magnetfeld abhängen, ⎝ 18 mm ⎠
wenn also keine ferromagnetischen Stoffe beteiligt
sind. Wie aus Bild V-10 ersichtlich, wird Spule 2
nicht vom gesamten in Spule 1 erzeugten Fluß durch-
3.3 Energie im Magnetfeld einer Spule
setzt. Zum Aufbau des Magnetfeldes in einer Spule ist
f1 = f12 + fs 1 (V.38) Energie erforderlich. Ist die Induktivität L bekannt,
kann die benötigte Energie berechnet werden.
f2 = f21 + fs 2 (V.39)
di
u=L (V.46)
f12 wird als Hauptfluß, fs1als Streufluß bezeichnet. dt
Es lassen ich folgende Ausdrücke definieren: dW = u ⋅ i ⋅ dt (V.47)
fs 1 fs 2 di
Streufaktoren s1 = ; s2 = (V.40) dW = L ⋅ i ⋅ dt = L ⋅ i ⋅ di (V.48)
f1 f2 dt
Streuinduktivitäten L s 1 = s1 L1 ; L s 2 = s 2 L 2 (V.41) Wird die Spule nach Bild V-12 geschaltet, steigt der
Koppelungsfaktoren k1 = 1 − s1 ; k 2 = 1 − s 2 (V.42) Strom vom Wert i = 0 A bis zum Maximalwert
U
totaler Koppelungsfaktor k = k1 k 2 (V.43) i = = I an. Damit beträgt die der Spule zugeführte
R
Hauptflüsse f12 = k1F1 ; f21 = k 2 f2 (V.44) und im Magnetfeld gespeicherte Energie:
Gegeninduktivität M = k 1 k 2 L1 L 2 = k L1 L 2 (V.45) I
Energie des Magnetfeldes W = ∫ Li ⋅ di (V.49)
 Beispiel: Wie groß sind die Streufaktoren für die in Bild V-11 0
dargestellte Anordnung zweier konzentrisch ineinander liegender
Zylinderspulen? Die Abmessungen der beiden Spulen sind Ist die Induktivität konstant, enthält die Spule kein
d 1 = 18 mm, l1 = 60 mm, N 1 = 250 ,
ferromagnetisches Material, kann dieses Integral
berechnet werden.
d 2 = 10 mm, l 2 = 30 mm, N 2 = 24 .
1 2
Energie in einer Spule W = LI (V.50)
N1 N2 2
Bei Anwesenheit von ferromagnetischen Materialien
ist zur Bestimmung der Energie das grafische Verfah-
d1 ren nach Bild IV.28 anzuwenden.
d2

3.4 Ein- und Ausschaltvorgänge

l1 R
i
Bild V-11 Beispiel Gegeninduktion
u uind
U L
i1 N 1 p d 12
Fluß f1 = m 0 H 1 A1 = m 0 ; Bild V-12
l1 4
Spule
i1 N 1 p d 22 S
f12 = m 0 H 1 A 2 = m 0
l1 4
Wird im Stromkreis von Bild V-12 zur Zeit t = 0 der
df12 N N p d 2 di
induzierte Spannung u2 = − N 2 = − m0 1 2 2 1 Schalter S geschlossen, ändert sich der Strom i. Damit
dt 4 l1 dt
wird in der Spule eine Spannung induziert. Es gilt
di1 nach der Maschenregel
Der Faktor vor ist die Gegeninduktivität M.
dt
u + u ind − iR = 0 (V.51)
N 1 N 2 p d 22
Gegeninduktivität M = m0 ;
4l1 di
u− L = iR (V.52)
dt
⋅ 250 ⋅ 24 ⋅ p ⋅ ( 10 ⋅ 10 −3 m )
−7 Vs 2
4 p ⋅ 10
M= Am = 9 , 87 ⋅ 10 −6 H
4 ⋅ 60 ⋅ 10 − 3 m
Zu Beginn des Vorganges ist der Strom i = 0, am
U
Streufaktor fs1 = f1 − f12 ; Ende hat der Strom seinen Maximalwert I = er-
R
i1 N 1 p d 22 reicht. Die mathematische Form dieser Differential-
m0
fs 1 f l1 4 ⎛d ⎞
2
gleichung ist wie die beim Aufladen eines Konden-
s1 = = 1 − 12 ; s1 = 1 − = 1− ⎜ 2 ⎟ ;
f1 f1 i N p d 12 ⎝ d1 ⎠ sators. Die Lösungsfunktion ist wie in Gleichung
m0 1 1
l1 4 (III.67) durch eine e-Funktion darzustellen.
294 Grundlagen der Elektrotechnik

⎛ − ⋅t ⎞
R I
Einschalten i = I ⎜ 1 − e L ⎟ (V.53)
⎝ ⎠
R
⎛ − ⎞
t
i = I ⎜1− e t ⎟ (V.54) S
⎝ ⎠ Bild V-14
L Beispiel Kurzschließen
L
Zeitkonstante t = (V.55) einer Spule
R
i
Vs
U/R 0,2 H
0,2
A = 4 ms
t= =
50 W V
50
63% A
t 2 ms
− −
a) i = Ie t = 2A ⋅ e 4 ms = 1, 21A ;

b) u R = i ⋅ R = 1, 21A ⋅ 50 W = 60,65 V
0 t t Rt
= L ⋅ I ⋅ ⎛⎜ − ⎞⎟ ⋅ e
di R −
c) u L = L ⋅ L ;
dt ⎝ L⎠
Bild V-13 Einschaltvorgang einer Spule
⎛ 50 W ⎞
2 ms
−
u L = 0,2 H ⋅ 2 A ⋅ ⎜ − ⎟ e 4 ms = −60 , 65 V ;
⎝ 0, 2 H ⎠
Wird eine Spule, durch die ein konstanter Strom I
fließt und in der ein konstantes Magnetfeld besteht, uR + uL = 0
kurzgeschlossen, wird eine Spannung induziert, die
nach der Lenzschen Regel versucht, das Magnetfeld 3.5 Zusammenschalten von Induktivitäten
aufrecht zu halten. Der Strom wird seinen Endwert
ebenfalls nach einer e-Funktion erreichen. Für die Zusammenschaltung von Induktivitäten gel-
R ten dieselben Gesetze wie bei Ohmschen Widerstän-
− ⋅t
Kurzschließen i = Ie L (V.56) den.
n
 Beispiel: Eine Konstantstromquelle nach Bild V-14 speist die
Reihenschaltung aus R = 50 W und L = 200 mH mit einem Strom
Reihenschaltung L ges = ∑ L i (V.57)
i =1
I = 2 A. Zum Zeitpunkt t = 0 wird der Schalter geschlossen.
a) Welcher Strom fließt durch den Widerstand nach 2 ms? n
1 1
b) Welche Spannung liegt dann am Widerstand? Parallelschaltung =∑ (V.58)
c) Welche Spannung liegt dann an der Spule? L ges i =1 Li

VI Wechselstrom

1 Grundbegriffe des Wechselstroms

Wechselstrom oder Wechselspannung sind Größen,
bei denen sich die Werte zeitabhängig periodisch U
wiederholen. Der arithmetische Mittelwert der sich
periodisch mit der Zeit ändernden Augenblickswerte 90° 180° 270° 360°
ist gleich Null. Die Zeitspanne, nach der sich der
periodische Verlauf gleichartig wiederholt, ist die a = vt
Periodendauer T. Die Zahl der Perioden pro Zeit
nennt man die Frequenz f.
f T T
1
Frequenz f = 1 (VI.1)
T s Bild VI-1 Verlauf einer Sinusgröße
s
Die Einheit der Frequenz ist [f ] = s = Hz (Hertz).
–1

Nach DIN 5488 unterscheidet man periodische Vor-

gänge, deren Mittelwert nicht Null wird und solche,
deren Mittelwert Null wird. Ist der Mittelwert Null,
spricht man von einer Wechselgröße. Bei den Wech-
selgrößen unterscheidet man die nichtsinusförmigen
und die sinusförmigen Vorgänge (Sinusgrößen). Im
Bild VI-1 ist der Verlauf einer Sinusgröße dargestellt.
1.1 Erzeugung einer sinusförmigen
Wechselspannung
Wird eine Leiterschleife mit konstanter Winkelge-
schwindigkeit ω in einem homogenen Magnetfeld
gedreht (Bild VI-2), so hängt die Größe der indu-
VI Wechselstrom 295

zierten Spannung von der Winkelgeschwindigkeit Mit f = 100 s–1 folgt für die Kreisfrequenz w = 2pf = 2 ⋅ 3,14 ⋅
100 s–1 = 6,28 ⋅ 102 s–1.
und der vom Magnetfeld durchsetzten Fläche ab.
Die Leiterschleife hat also einen Bogen von 2p ⋅ 100 in einer Se-
induzierte Spannung kunde zurückgelegt.
Für die Periodendauer ergibt sich
u ind B A w
dF 2p 2 ⋅ 3,14
u ind = − = B ⋅ A ⋅ w ⋅ sin wt Vs 1 T= = = 10 −2 s −1 .
dt V m2 w 6 , 28 ⋅ 100 s -1
m2 s
(VI.2) 1.2 Phasenverschiebung
Maximalwert der Spannung (Scheitelwert û):
Werden in einem Magnetfeld zwei Leiterschleifen,
Scheitelwert u = B ⋅ A ⋅ w (VI.3) die in einem Winkel ϕ zueinander versetzt sind, mit
gleicher Winkelgeschwindigkeit gedreht, so werden
in ihnen zwei sinusförmige Spannungen induziert, die
sich nicht decken. Nach Bild VI-3 erreichen beide
N Spannungen ihr Maximum um den Phasenwinkel ϕ
verschoben.
v
U
u1 u2

f 90° 180° 270° 360°

S
Bild VI-2 Induktionsvorgang
Bild VI-3 Liniendiagramm zweier phasenverschobe-
Rotiert die Leiterschleife einmal im Magnetfeld, hat ner Spannungen
sie einen Winkel von 360° überstrichen. Dabei wurde
in die Leiterschleife eine Wechselspannung induziert, Die Spannungen sind phasenverschoben. Nach
deren zeitlicher Verlauf einer Sinusschwingung ent- Bild VI-3 erreicht die Spannung u2 den Maximalwert
spricht. Die Leiterschleife hat mit der Winkelge- später als die Spannung u1. Die Spannung u2 eilt der
schwindigkeit ω in der Periodendauer T einen Winkel Spannung u1 nach.
α = 2π (Bogenmaß) überstrichen.
In Anlehnung an die gleichförmige Rotation mit der 1.3 Effektivwert
Winkelgeschwindigkeit ω hat man für Wechselgrö-
Mit dem Scheitelwert i ergibt sich der Effektivwert
ßen die Kreisfrequenz definiert.
Ieff eines sinusförmigen Wechselstroms:
w f
w=2p f i
Kreisfrequenz
s −1 s −1
(VI.4) Effektivwert I eff = = 0 , 707 ⋅ i (VI.6)
2
Die Kreisfrequenz ω gibt an, welcher Bogen in einer Der Effektivwert Ieff eines sinusförmigen Stroms
Sekunde überstrichen wird. Hieraus ergibt sich die verrichtet an einem Widerstand R die gleiche elektri-
Periodendauer T. sche Arbeit wie ein gleich großer Gleichstrom.
2p Gleiche Überlegungen für die Spannung ergeben den
Periodendauer T = (VI.5) Effektivwert Ueff einer sinusförmigen Wechselspan-
w nung:
 Beispiel: Eine Leiterschleife dreht sich mit einer Umdrehung pro
u
Sekunde. Welchen Wert hat die Kreisfrequenz und die Perioden- Effektivwert U eff = = 0 , 707 ⋅ u (VI.7)
dauer? 2
Mit f = 1 s–1 folgt für die Kreisfrequenz w = 2pf = 2 ⋅ 3,14 ⋅ 1 s–1
= 6,28 s–1.
Die Leiterschleife hat also einen Bogen von 2π in einer Sekunde Effektivwerte werden wie Gleichstromwerte durch
zurückgelegt.
Großbuchstaben bezeichnet, eventuell zusätzlich
Für die Periodendauer ergibt sich
durch den Index „eff“.
2p 2 ⋅ 3,14
T= = = 1 s −1 .
w 6 , 28 s -1  Beispiel: Welchen Effektivwert weist ein sinusförmiger Wech-
selstrom mit Scheitelwert i = 32 A auf?
 Beispiel: Eine Leiterschleife dreht sich mit 100 Umdrehungen pro
i
Sekunde. Welchen Wert hat die Kreisfrequenz und die Perioden- I= = 0 , 707 ⋅ i = 0 , 707 ⋅ 32 A = 22 , 624 A
dauer? 2
296
 Beispiel: Welchen Scheitelwert weist eine sinusförmige Span-
nung mit dem Effektivwert U = 220 V auf?
u = 2 ⋅ U = 1, 414 ⋅ 220 V = 311, 08 V
1.4 Darstellungsarten
Eine Sinusgröße ist eindeutig bestimmt durch die
Angabe von Amplitude, Frequenz und Phasenlage.
Handelt es sich um Sinusgrößen mit gleicher Fre-
quenz, genügen zwei Angaben, um die Sinusgröße
eindeutig zu bestimmen. Aus diesem Grund kann bei
der Berechnung von sinusförmigen Vorgängen auf
die Darstellung in Abhängigkeit von der Zeit (Fre-
quenz) verzichtet werden. Für die Berechnung von
Sinusgrößen in der Elektrotechnik haben sich zwei
Verfahren durchgesetzt: die Zeigerdarstellung und die
Darstellung der Größen in der komplexen Zahlen-
ebene.
1.4.1 Zeigerdarstellung von Sinusgrößen
Der zeitliche Verlauf einer sinusförmigen Wechsel-
größe kann über ein Linien- oder ein Zeigerdiagramm
dargestellt werden.
Aus der Geometrie ist bekannt, daß sich eine Sinus-
kurve aus der Drehung eines Zeigers im Einheitskreis
konstruieren läßt. Umgekehrt kann jede Sinuskurve
durch einen Zeiger, der nach Bild VI-4 rotiert, darge-
stellt werden.
x
f x
f 90° 180° 270° 360°
Bild VI-4 Konstruktion eines Zeigers aus einer
Sinusgröße
Wird die Länge des Zeigers als Maximalwert der
Sinusgröße festgelegt, kann der Augenblickswert in
Abhängigkeit vom zurückgelegten Winkel bestimmt
werden.
Augenblickswert x = x ⋅ sinj
Zeichnerisch läßt sich der Augenblickswert ermitteln,
indem von der Zeigerspitze das Lot auf die durch den
Kreismittelpunkt gehende Gerade gefällt wird. Das
Zeigerdiagramm stellt eine „Momentaufnahme“ der
sich drehenden Zeiger dar.
Die Addition zweier sinusförmiger Wechselgrößen in
der Zeigerdarstellung ergibt sich, wenn ein Zeiger
parallelverschoben wird, bis sein Ursprung auf der
Spitze des zweiten Zeigers liegt (Bild VI-5).
Die Subtraktion zweier Zeiger ergibt sich, wenn ein
Zeiger parallelverschoben wird, bis seine Spitze auf
der Spitze des zweiten Zeigers liegt (Bild VI-6).
Grundlagen der Elektrotechnik
U2
U
f
U1
Bild VI-5 Addition zweier Zeiger
U
U2
f U1
Bild VI-6 Subtraktion zweier Zeiger
1.4.2 Darstellung von Sinusgrößen
in der komplexen Zahlenebene
Eine Sinusgröße läßt sich durch die Zeigerdarstellung
relativ einfach darstellen. Durch das graphische
Verfahren dieser Darstellungsart ist eine genaue
Auswertung oft unmöglich oder sehr zeitaufwendig.
Aus diesem Grund wurden die Zeiger in der Gauß-
schen Zahlenebene als komplexe Größen dargestellt
und können somit berechnet werden.
In der Gaußschen Zahlenebene wird jeder Punkt
dieser Ebene durch eine komplexe Zahl beschrieben.
komplexe Zahl Z = a + jb (VI.9)
Faktor a stellt den reellen Anteil dar und Faktor jb
den imaginären Anteil. Beschreibt man den Endpunkt
eines Zeigers Z , der vom Nullpunkt der Gaußschen
Zahlenebene ausgeht, durch eine komplexe Zahl
(Bild VI-7), so ist damit auch der komplexe Zeiger
eindeutig bestimmt.
+ Im
a = (Z · cos a)
Z (Z · sin a)
(VI.8) a
Re
– Im
Bild VI-7 Zeiger in der komplexen Zahlenebene
kartesische Form Z = a + jb = Z 1 + Z 2
(mit Z 1 = a und Z 2 = jb) (VI.10)
Der Zeiger Z kann also durch die Addition der bei-
den Zeiger Z 1 und Z 2 gebildet werden.
VI Wechselstrom 297

Vereinbarungsgemäß wird für die komplexe Darstel- i;u

lung von Zeigern das gleiche Symbol und die gleiche A V
Definition benutzt wie für den Zeiger selbst. Der u
komplexe Zeiger wird mit dem unterstrichenen latei-
i
nischen Buchstaben der Größe bezeichnet. Der Be-
trag wird nur durch den lateinischen Buchstaben
angegeben. 90° 180° 270° 360° vt
Betrag des Zeigers Z =Z= Z 12 + Z 22 (VI.11)
Der Winkel mit der reellen Achse kann folgenderma-
ßen berechnet werden:
Z2 Bild VI-8 Verlauf von Strom und Spannung am
Winkel des Zeigers a = arctan (VI.12)
Z1 Ohmschen Widerstand
Der Betrag des Zeigers läßt sich über die Phasenlage
in den Realteil und den Imaginärteil zerlegen. u
i= (VI.19)
R
Realteil Z 1 = Z ⋅ cos a (VI.13)
Der Wechselstrom hat also zu jeder Zeit einen Wert
Imaginärteil Z 2 = Z ⋅sin a (VI.14) abhängig von u und R. Zwischen Strom und Span-
nung tritt keine Phasenverschiebung auf (Bild VI-8).
Mit Hilfe dieser Zerlegung kann der Zeiger in der
Der Scheitelwert des Stroms und der ohmsche Wech-
polaren Form beschrieben werden.
selstromwiderstand berechnet sich zu
polare Form Z = Z ⋅ ( cos a + j sin a ) (VI.15)
u
Scheitelwert i = (VI.20)
Mit Hilfe der Eulerschen Gleichung ist die Exponen- R
tialform des Zeigers möglich: ohmscher Wechselstromwiderstand
Eulersche Gleichung cos a + j sin a = e j a (VI.16) u U
R= = (VI.21)
ja ja
i I
Exponentialform Z = Z ⋅e = Z ⋅e (VI.17)
1 i I
Wechselstromleitwert G = = = (VI.22)
Die bisher aufgeführten Möglichkeiten der Darstel- R u U
lung eines Zeigers in der komplexen Ebene gelten
allgemein, also unabhängig davon, ob der Winkel α Die Darstellung in der komplexen Schreibweise er-
konstant oder eine Funktion der Zeit ist. Bei der gibt folgende Gleichungen:
Behandlung von Wechselstromaufgaben muß jedoch U
ohmsches Gesetz I = (VI.23)
zwischen den Operatoren und den Zeigern unter- Z
schieden werden. U
Operatoren sind zeitlich konstante Größen. Sie sym- Widerstandsoperator Z = R = (VI.24)
bolisieren meistens Widerstände. Ihr Winkel α zu der I
reellen Achse ist zeitlich konstant. 1
Leitwertoperator Y = =G (VI.25)
Zeiger symbolisieren sinusförmige Wechselgrößen. Z
Ihr Winkel α ist eine Funktion der Zeit (Summe aus
w ⋅ t + j), obwohl diese Tatsache bei der Darstellung 2.2 Kapazität
nicht berücksichtigt wird.
Berücksichtig wird der Unterschied zwischen Opera- i;u
toren und Zeigern bei der mathematischen Behand- A V
lung dieser Größen und zwar beim Integrieren und u
Differenzieren.
i
2 Grundschaltelemente
im Wechselstromkreis 90° 180° 270° 360° t

2.1 Ohmscher Widerstand

Wird ein ohmscher Widerstand an eine Wechsel-
spannung angeschlossen, ergibt der 2. Kirchhoffsche
Satz:
Bild VI-9 Verlauf von Strom und Spannung an einer
2. Kirchhoffsche Satz u − i ⋅ R = 0 (VI.18) Kapazität
298 Grundlagen der Elektrotechnik

Wird eine Kapazität an eine Wechselspannung ange- di

schlossen, so ergibt der 2. Kirchhoffsche Satz u=L (VI.34)
dt
1 1 1
2. Kirchhoffsche Satz u − ∫ idt = 0 (VI.26) i= ⋅ ∫ udt = − ⋅ u ⋅ cos w ⋅ t
C L w⋅ L
du (mit u = u ⋅ sin( w ⋅ t )) (VI.35)
i = C⋅ = C ⋅ u ⋅ w ⋅ cos( w ⋅ t )
dt
(mit u = u ⋅ sin( w ⋅ t ) ) (VI.27) Zwischen dem Strom i und der Spannung u besteht
eine Phasenverschiebung von ϕ = –90° ( Bild VI-10).
Zwischen dem Strom i und der Spannung u besteht Teilt man die Spannung durch den Strom, ergibt sich
eine Phasenverschiebung von ϕ = 90° (Bild VI-9). der induktive Blindwiderstand XL.
Teilt man die Spannung durch den Strom, ergibt sich induktiver Blindwiderstand
der kapazitive Blindwiderstand XC w L
u U
kapazitiver Blindwiderstand XL = = = w ⋅ L 1 Vs (VI.36)
i I
u U 1 w C s A
XC = = = 1 As (VI.28) 1
i I w ⋅ C induktiver Leitwert B L = (VI.37)
s V w⋅ L
kapazitiver Leitwert BC = w ⋅ C (VI.29) Die Spule im Wechselstromkreis ist also nicht wider-
standslos, obwohl der ohmsche Anteil vernachlässigt
Der Kondensator im Wechselstromkreis ist also für wird. Der induktive Blindwiderstand der Spule ist
den Wechselstrom kein unüberwindliches Hindernis, durch die auftretende Selbstinduktionsspannung an
er wirkt aber trotzdem wie ein Widerstand. Dieses ist der Spule zu erklären. Diese Spannung der Spule
leicht zu verstehen, wenn man sich vorstellt, daß bei bewirkt, daß der Spulenstrom der Wechselspannung
jeder Periode Ladungsträger zwischen den Kondensa- um 90° nacheilt.
torplatten und der Spannungsquelle bewegt werden. Die Darstellung in der komplexen Schreibweise
Die Darstellung in der komplexen Schreibweise ergibt die Gleichungen VI.38 bis VI.40.
ergibt die Gleichungen VI.30 bis VI.32.
U
U ohmsches Gesetz I = (VI.38)
ohmsches Gesetz I = (VI.30) Z
Z
U
Widerstandsoperator Widerstandsoperator Z = j w ⋅ L = j X L = (VI.39)
1 U I
Z= = − j XC = (VI.31)
j w⋅C I Leitwertoperator Y =
1
=
1
= − j BL (VI.40)
1 Z j w⋅ L
Leitwertoperator Y = = j w ⋅ C = j BC (VI.32)
Z  Beispiel: Ein Widerstand von R = 100 W wird an einem Wech-
selstromnetz mit U = 220 V und f = 50 Hz betrieben. Welchen
2.3 Spule Wert hat der sich einstellende Strom? Darstellung des Zeigerbil-
des.
i;u u U 220 V
Zeigerdarstellung: i = I = = = = 2 , 2 A ; Winkel ist
A V R R 100 W
nicht darstellbar.
u
U U 220 V ⋅ e j 0
i Komplexe Darstellung: I = = = = 2,2 A ⋅ e j 0
Z R 100 W ⋅ e j 0

I
90° 180° 270° 360° vt
U
Zeigerbild
i

+Im
u R
Bild VI-10 Verlauf von Strom und Spannung an I, R U
einer Induktivität Re
komplexe Darstellung
Wird eine Spule an eine Wechselspannung ange- –Im
schlossen, so ergibt der 2. Kirchhoffsche Satz:
Bild VI-11 Darstellung von Strom und Spannung am
di ohmschem Widerstand in der Zeiger- und
2. Kirchhoffsche Satz u − L = 0 (VI.33)
dt komplexen Form
VI Wechselstrom 299

Vs Zeigerdarstellung:
 Beispiel: Eine Induktivität von L = 100 m wird an einem
A du
i = C⋅ = w ⋅ C ⋅ u ⋅ cos w ⋅ t
Wechselstromnetz mit U = 220 V und f = 50 Hz betrieben. Wel- ut
chen Wert hat der sich einstellende Strom? Darstellung des Zei- As
gerbildes. ⇒ I = w ⋅ C ⋅ U = 2 ⋅ p ⋅ 50s -1 ⋅ 100 ⋅ 10 −6 ⋅ 220 V = 6 , 9 A
V
Zeigerdarstellung:
Komplexe Darstellung:
1 1
i= ⋅ ∫ udt = − ⋅ u ⋅ cos w ⋅ t U As
L w⋅ L I= = j ⋅ w ⋅ C ⋅ U ⋅ e j 0 = j ⋅ 2 ⋅ p ⋅ 50s -1 ⋅ 100 ⋅ 10 −6 ⋅ 220 ⋅ Ve j 0
Z V
U 220 V
⇒I= = =7 A As j 90
w⋅ L Vs = 0 , 03142 ⋅ e ⋅ 220 ⋅ e j 0 V = 6 , 9 ⋅ Ae j 90
2 ⋅ p ⋅ 50s -1 ⋅ 100 ⋅ 10 −3 V
A
Komplexe Darstellung:
3 Schaltungen
U U ⋅e j0 220 V ⋅ e j 0
I=
Z
=
jw ⋅ L
=
Vs
von Wechselstromwiderständen
j ⋅ 2 ⋅ p ⋅ 50s -1 ⋅ 100 ⋅ 10 −3
A Bei der weiteren Betrachtung von Wechselstromwi-
220 V ⋅ e j 0 derständen werden nur noch die Effektivwerte der
= = 7 ⋅ Ae − j 90
Vs
31, 42 ⋅ e j 90 Wechselstromgrößen verwendet. Es wird nicht mehr
A
ausdrücklich darauf hingewiesen, ob es sich bei dem
benutzten Wert um einen Operator oder um einen
Zeiger handelt.
U
i 3.1 Reihenschaltung
I
Zeigerdarstellung
von Wechselstromwiderständen
u L Im Zeigerbild für die Reihenschaltung drehen sich die
Zeiger der Spannungen gleichmäßig um einen ge-
+Im jvL meinsamen Drehpunkt. Die Lage der Spannungen
zueinander bleibt immer erhalten. Die Zeiger der
U Spannungen können also addiert oder subtrahiert
Re werden. Da Wirk- und Blindanteil immer senkrecht
I komplexe Darstellung aufeinander stehen, ist das Spannungsdreieck stets
–Im rechtwinklig.
Für die Größen im rechtwinkligen Dreieck gilt:
Bild VI-12 Darstellung von Strom und Spannung am
induktiven Widerstand in der Zeiger- und Gesamtspannung U 2 = U R2 + U B2 (VI.41)
komplexen Form
U = U R2 + U B2 (VI.42)

 Beispiel: Eine Kapazität von

As
C = 100 μ
wird an einem
Wirkanteil der Spannung
V
Wechselstromnetz mit U = 220 V und f = 50 Hz betrieben. Wel- U R = U 2 − U B2 = U ⋅ cos j (VI.43)
chen Wert hat der sich einstellende Strom? Darstellung des Zei-
gerbildes.
Blindanteil der Spannung

U B = U 2 − U R2 = U ⋅ sin j (VI.44)
I
i
3.1.1 Wirkwiderstand und Induktivität
u C U Im allgemeinen enthält jede Induktionsspule neben
dem induktiven Widerstand XL auch einen ohmschen
Widerstand R. Im Ersatzschaltbild werden beide
+Im I Größen in Reihe geschaltet, da sie vom selben Strom
durchflossen werden (Bild VI-14).
U
Der Strom erzeugt am Widerstand den Spannungsfall
Re UR = I ⋅ R und an der Induktivität den Spannungsfall
jvC –1 UL = w ⋅ L ⋅ I. Beide Spannungen haben im Zeiger-
–Im
bild verschiedene Richtungen. Addiert ergeben die
beiden Spannungszeiger den Zeiger der Gesamtspan-
Bild VI-13 Darstellung von Strom und Spannung am nung U. Nach Bild VI-15 liegt der Zeiger UR in
kapazitiven Widerstand in der Zeiger- Richtung des Stroms I, der Zeiger UL eilt dem Strom
und komplexen Form um 90° vor.
300 Grundlagen der Elektrotechnik

i Scheinwiderstand Z = R + jX L (VI.51)
Z= R +2
X L2 (VI.52)
uR R
XL
Phasenwinkel j = arctan (VI.53)
R
u
uL
 Beispiel: Eine Spule mit einem ohmschen Widerstand von R =
L 100 W und einem induktiven Blindwiderstand von XL = 200 W
wird an eine Spannung von U = 200 V angeschlossen.
Wie groß sind Scheinwiderstand und Stromstärke? Welche Span-
nungsfälle treten an den Bauelementen des Ersatzschaltbildes
Bild VI-14 Induktivität und ohmscher Widerstand auf? Welcher Phasenwinkel herrscht zwischen Spannung und
im Wechselstromkreis Strom?
Zeigerdarstellung:

Z= R 2 + X L2 = 100 2 W 2 + 200 2 W 2 = 223 , 6 W

U 200 V
I= = = 0 , 89 A
U Z 223, 6 W
UL
U R = I ⋅ R = 0.89 A ⋅ 100 W = 89 V ;
f UR U L = I ⋅ X L = 0 , 89 A ⋅ 200 W = 178 V

XL 200
I j = arctan = arctan = 63, 4 °
R 100
Bild VI-15 Zeigerbild der Reihenschaltung von Komplexe Darstellung:
ohmschen Widerstand und Induktivität
XL 200
j = arctan = arctan = 63, 4 °
R 100
Das durch die Zeigeraddition entstehende Span- Z = R + jX L = 100 W + j 200 W = 223, 6 W ⋅ e j 63 , 4
nungsdreieck kann nach dem Lehrsatz von Pythago- U 220 V ⋅ e j 0
I= = = 0 , 89 A ⋅ e − j 63 , 4
ras berechnet werden. Z 223, 6 W ⋅ e j 63 , 4
Gesamtspannung U R = I ⋅ R = 0 , 89 A ⋅ e − j 63,4 ⋅ 100 W ⋅ e j 0 = 89 V ⋅ e − j 63 , 4

U 2 = U R2 + U L2 = I 2 ⋅ R 2 + I 2 ⋅ X L2 = I 2 ( R 2 + X L2 ) U L = I ⋅ X L = 0 , 89 A ⋅ e − j 63,4 ⋅ 200 W ⋅ e j 90 = 178 V ⋅ e j 26 , 6

(VI.45)
Hieraus folgt das ohmsche Gesetz für Wirkwider- UL
UR
stand und Induktivität im Wechselstromkreis.
Gesamtspannung U = I ⋅ R 2 + X L2 (VI.46) f U

Scheinwiderstand Z = R +2
X L2 (VI.47) I

Der Scheinwiderstand entspricht der Hypotenuse

eines rechtwinkligen Dreiecks, dessen Katheten dem Bild VI-16 Beispiel: Reihenschaltung von ohmschem
Wirkwiderstand R und dem induktiven Blindwider- Widerstand und Induktivität
stand XL entsprechen.
Die Phasenverschiebung zwischen der Gesamtspan- 3.1.2 Wirkwiderstand und Kapazität
nung U und dem Strom I erhält man nach Bild VI-15.
Sind in einem Wechselstromkreis ein ohmscher
Phasenverschiebung Widerstand R und eine Kapazität mit dem kapazitiven
UR I⋅R R Blindwiderstand XC nach Ersatzschaltbild (Bild VI-
j = arccos = arccos = arccos (VI.48) 17) in Reihe geschaltet, erzeugt der Strom am Wider-
U I⋅Z Z
stand den Spannungsfall UR = I ⋅ R und an der Kapa-
UL I ⋅ XL X
j = arctan = arctan = arctan L (VI.49) 1
UR I⋅R R zität den Spannungsfall U C = ⋅I.
w⋅C
In der komplexen Darstellung ergeben sich folgende Beide Spannungen haben im Zeigerbild verschiede-
Zusammenhänge: nen Richtungen. Addiert ergeben die beiden Span-
Gesamtspannung nungszeiger den Zeiger der Gesamtspannung U. Nach
Bild VI-18 liegt der Zeiger UR in Richtung des
U = U R + U L = I ⋅ R + I ⋅ jX L = I ⋅ ( R + jX L ) = I ⋅ Z Stroms I, der Zeiger UC eilt dem Strom um 90°
(VI.50) nach.
VI Wechselstrom 301

i  Beispiel: Ein ohmscher Widerstand von R = 100 W und eine

Kapazität mit einem kapazitiven Blindwiderstand von XC = 200 W
werden an eine Spannung von U = 200 V angeschlossen.
uR R Wie groß sind Scheinwiderstand und Stromstärke? Welche Span-
nungsfälle treten an den Bauelementen auf? Welcher Phasenwin-
u Bild VI-17 kel herrscht zwischen Spannung und Strom?
uC C Kapazität und ohmscher Zeigerdarstellung:
Widerstand im Wechsel-
Z= R 2 + X C2 = 100 2 W 2 + 200 2 W 2 = 223, 6 W
stromkreis
U 200 V
I= = = 0 , 89 A
Z 223, 6 W
I
U R = I ⋅ R = 0 , 89 A ⋅ 100 W = 89 V ;
f UR U C = I ⋅ X C = 0 , 89 A ⋅ 200 W = 178 V
UC XC 200
U j = arctan = arctan = 63, 4 °
R 100
Komplexe Darstellung:

Bild VI-18 Zeigerbild der Reihenschaltung von XC 200

j = arctan = arctan = 63, 4 °
ohmschem Widerstand und Kapazität R 100

Z = R − jX C = 100 W − j 200 W = 223, 6 W ⋅ e − j 63 , 4

Das durch die Zeigeraddition entstehende Span- U 220 V ⋅ e j 0

I= = = 0 , 89 A ⋅ e j 63 , 4
Z 223, 6 W ⋅ e − j 63 , 4
nungsdreieck kann nach dem Lehrsatz von Pythago-
ras berechnet werden. U R = I ⋅ R = 0 , 89 A ⋅ e j 63 , 4 ⋅ 100 W ⋅ e j 0 = 89 V ⋅ e j 63 , 4
Gesamtspannung
U C = I ⋅ X C = 0,89 A ⋅ e j 63, 4 ⋅ 200 Ω ⋅ e− j 90 = 178 V ⋅ e − j 26, 6
U 2 = U R2 + U L2 = I 2 ⋅ R 2 + I 2 ⋅ X C2 = I 2 ( R 2 + X C2 )
(VI.54)
I
Hieraus folgt das ohmsche Gesetz für Wirkwider-
stand und Induktivität im Wechselstromkreis. f U
Gesamtspannung U = I ⋅ R + 2
X C2 (VI.55)
UC UR
Scheinwiderstand Z = R 2 + X C2 (VI.56)
Der Scheinwiderstand entspricht der Hypotenuse Bild VI-19 Beispiel: Reihenschaltung von ohmschem
eines rechtwinkligen Dreiecks, dessen Katheten dem Widerstand und Kapazität
Wirkwiderstand R und dem kapazitiven Blindwider-
stand XC entsprechen. 3.1.3 Wirkwiderstand, Induktivität und Kapazität
Die Phasenverschiebung zwischen der Gesamtspan-
nung U und dem Strom I erhält man nach Bild VI-18. Sind in einem Wechselstromkreis ein ohmscher
Widerstand R, eine Induktivität mit dem induktiven
Phasenverschiebung Blindwiderstand XL und eine Kapazität mit dem
UR I⋅R R kapazitiven Blindwiderstand XC nach Bild VI-20 in
j = arccos = arccos = arccos (VI.57) Reihe geschaltet, erzeugt der Strom am Widerstand
U I⋅Z Z
den Spannungsfall UR = I ⋅ R, an der Induktivität den
UC I ⋅ XC X Spannungsfall UL = w ⋅ L ⋅ I und an der Kapazität den
j = arctan = arctan = arctan C (VI.58)
UR I⋅R R 1
In der komplexen Darstellung ergeben sich folgende Spannungsfall U C = ⋅I.
w⋅ C
Zusammenhänge.
i R C L
Gesamtspannung
U = U R + U C = I ⋅ R + I ⋅ jX C == I ⋅ ( R + jX C ) = I ⋅ Z
(VI.59) uR uC uL
u
Scheinwiderstand Z = R + jX C (VI.60)

Z= R 2 + X C2 (VI.61)
XC Bild VI-20 Kapazität, Induktivität und ohmscher
Phasenwinkel j = arctan (VI.62)
R Widerstand im Wechselstromkreis
302 Grundlagen der Elektrotechnik

Die Spannungen haben im Zeigerbild verschiedenen Gesamtspannung

Richtungen. Addiert ergeben die Spannungszeiger
U = U R + U ′ = I ⋅ R + I ⋅ j ⋅( X L − XC ) = (VI.68)
den Zeiger der Gesamtspannung U. Nach Bild VI-21
liegt der Zeiger UR in Richtung des Stroms I, der = I ⋅ ( R + j ⋅ ( X L − X C )) = I ⋅ Z
Zeiger UC eilt dem Strom um 90° nach und der Zeiger
UL eilt dem Strom um 90° vor. Scheinwiderstand Z = R + j ⋅ ( X L − X C ) (VI.69)

Z= R2 + ( X L − XC )2 (VI.70)
( X L − XC )
Phasenwinkel j = arctan (VI.71)
UL R
I Bei der Reihenschaltung von R, L und C stellt der
f ohmsche Widerstand den Realteil dar, während der
UR Imaginärteil eine Zusammensetzung aus induktiven
UC
und kapazitiven Blindwiderstand ist. Der Imaginärteil
kann verschiedene elektrische Eigenschaften aufwei-
U
sen. Ist der induktive Anteil größer als der kapazitive,
ergibt die Zusammenfassung einen induktiv wirken-
UL< UC
den Blindwiderstand.
Bild VI-21 Zeigerbild der Reihenschaltung vom X L > X C ⇒ X ′ = X Lers = X L − X C (VI.72)
ohmschem Widerstand, Induktivität und
Kapazität Ist der kapazitive Anteil größer als der induktive,
ergibt die Zusammenfassung einen kapazitiv wirken-
den Blindwiderstand.
Das durch die Zeigeraddition entstehende Zeigerbild
kann nach dem Lehrsatz von Pythagoras berechnet X C > X L ⇒ X ′ = X Cers = X C − X L (VI.73)
werden.
Sind kapazitiver und induktiver Anteil gleich groß,
Gesamtspannung wird der Imaginärteil Null; die Schaltung hat einen
U 2 = U R2 + U ′ 2 = U R2 + ( U L − U C ) 2 rein ohmschen Charakter. In diesem Fall spricht man
von einer Reihenresonanz.
= I 2 ⋅ R2 + I 2 ⋅ X ′ 2 = I 2 ( R2 + ( X L − XC )2 )
Reihenresonanz
(VI.63)
1
X L = XC ⇒ X ′ = 0 = w⋅ L − (VI.74)
Hieraus folgt das ohmsche Gesetz für die Reihen- w⋅C
schaltung von Wirkwiderstand, Induktivität und
Kapazität im Wechselstromkreis. Über die Resonanzbedingung der Gleichung VI.74
kann die Resonanzfrequenz f0 bzw. ω0 berechnet
Gesamtspannung U = I ⋅ R 2 + ( X L − X C ) 2 (VI.64) werden.
Resonanzbedingung
Scheinwiderstand Z = R2 + ( X L − XC )2 (VI.65)
1 1 1
w0 ⋅ L = ⇒ w02 = ⇒ w0 = (VI.75)
Der Scheinwiderstand entspricht der Hypotenuse w0 ⋅ C L⋅C L⋅C
eines rechtwinkligen Dreiecks, dessen Katheten dem
Wirkwiderstand R und der Differenz des induktiven w0 1
Resonanzfrequenz f 0 = = (VI.76)
Blindwiderstandes XL und des kapazitiven Blindwi- 2⋅p 2⋅p ⋅ L⋅C
derstand XC entsprechen.
Die Phasenverschiebung zwischen der Gesamtspan-  Beispiel: Ein ohmscher Widerstand von R = 100 W, eine Indukti-
nung U und dem Strom I erhält man nach Bild VI-21. vität mit einem induktiven Blindwiderstand von XL = 300 W und
eine Kapazität mit einem kapazitiven Blindwiderstand von
Phasenverschiebung XC = 200 W werden an eine Spannung von U = 200 V angeschlos-
sen. Die Netzfrequenz beträgt f = 50 Hz.
UR I⋅R R Wie groß sind Scheinwiderstand und Stromstärke? Welche Span-
j = arccos = arccos = arccos (VI.66)
U I⋅Z Z nungsfälle treten an den Bauelementen auf? Welcher Phasenwin-
kel herrscht zwischen Spannung und Strom? Welche Resonanz-
U′ I⋅X′ frequenz hat diese Schaltung?
j = arctan = arctan
UR I⋅R Zeigerdarstellung:
(VI.67)
X L − XC Z= R2 + ( X L − XC )
2

= arctan
R = 100 W + ( 300 W − 200 W )
2
2 2
= 141, 4 W

In der komplexen Darstellung ergeben sich folgende U 200 V

I= = = 1, 71 A
Zusammenhänge. Z 141,4 A
VI Wechselstrom 303

U R = I ⋅ R = 1, 71 A ⋅ 100 W = 171 V ; Für die Größen im rechtwinkligen Dreieck gilt:

U L = I ⋅ X L = 1, 71 A ⋅ 300 W = 513 V ; Gesamtstrom I 2 = I R2 + I B2 (VI.77)
U C = I ⋅ X C = 1, 71 A ⋅ 200 W = 342 V
I= I R2 + I B2 (VI.78)
(XL − XC ) ( 300 W − 200 W)
j = arctan = arctan = 45 °
R 100 W Wirkstrom IR = I 2 − I B2 = I ⋅ cosj (VI.79)
V
300
X
L= L = A = 0 , 955 Vs ; Blindstrom IB = I 2 − I R2 = I ⋅ sin j (VI.80)
w 1 A
2 ⋅ p ⋅ 50
s

C=
1
=
1
= 15, 9 ⋅ 10 −6
As 3.2.1 Wirkwiderstand und Induktivität
w⋅ XC 1 V V
2 ⋅ p ⋅ 50 ⋅ 200 Für jede Parallelschaltung gilt, daß der Gesamtstrom
s A
die Summe der Teilströme in den Parallelzweigen ist.
w0 1
f0 = = In der Parallelschaltung gilt als wesentlicher Grund-
2⋅p 2⋅p⋅ L⋅C
satz, daß Leitwerte addiert werden können.
1 1
= = 40 , 84 Sind ein Wirkwiderstand R und ein induktiver Blind-
Vs As s
2 ⋅ p ⋅ 0 , 955 ⋅ 15, 9 ⋅ 10 −6 widerstand XL parallelgeschaltet, treibt die anliegende
A V
Wechselspannung nach Bild VI-23 einen Wirkstrom
Komplexe Darstellung: U
I W = = U ⋅ G durch den Wirkwiderstand und einen
(XL − XC ) 300 Ω − 200 Ω R
j = arctan = arctan = 45 °
R 100 Ω U
Blindstrom I B = = U ⋅ B L durch den Blindwider-
Z = R − j ( X L − X C ) = 100 Ω − j ( 300 − 200 ) Ω = 141, 4 Ω ⋅ e j 45 XL
U 220 V ⋅ e j 0 stand.
I= = = 1, 71 A ⋅ e − j 45
Z 141, 4 Ω ⋅ e j 45

U R = I ⋅ R = 1, 71 A ⋅ e − j 45 ⋅ 100 Ω ⋅ e j 0 = 171 V ⋅ e − j 45 i
− j 45
U L = I ⋅ X L = 1, 71 A ⋅ e ⋅ 300 Ω ⋅ e j 90
= 513 V ⋅ e j 45
iR iB
U C = I ⋅ X C = 1, 71 A ⋅ e − j 45 ⋅ 200 Ω ⋅ e − j 90 = 342 V ⋅ e − j 135

u R L

UC Bild VI-23 Parallelschaltung von Induktivität und

UL > UC
ohmschem Widerstand im Wechsel-
stromkreis
U
f Der Wirkstrom zeigt in Richtung der Spannung U
UR (Bild VI-24), der Blindstrom eilt um 90° nach.
I UL
U IR
f
Bild VI-22 Beispiel: Reihenschaltung von ohmschen
Widerstand, Induktivität und Kapazität
IB
I
3.2 Parallelschaltung
von Wechselstromwiderständen
Im Zeigerbild für die Parallelschaltung drehen sich
Bild VI-24 Zeigerbild der Parallelschaltung von
die Zeiger der Ströme gleichmäßig um einen gemein-
ohmschem Widerstand und Induktivität
samen Drehpunkt. Die Lage der Ströme zueinander
bleibt immer erhalten. Die Zeiger der Ströme können
also addiert oder subtrahiert werden. Da Wirk- und Das durch die Zeigeraddition entstehende Zeigerbild
Blindanteil immer senkrecht aufeinander stehen, ist kann nach dem Lehrsatz von Pythagoras berechnet
das Stromdreieck stets rechtwinklig. werden.
304 Grundlagen der Elektrotechnik

Gesamtstrom i

I =
2
I R2 + I B2 = U ⋅G +U
2 2 2
⋅ B L2 = U ⋅ (G +
2 2
B L2
) iR iC
Bild VI-25
(VI.81)
u R C Parallelschaltung von
Hieraus folgt das ohmsche Gesetz für die Parallel- Kapazität und ohmschen
schaltung von Wirkwiderstand und Induktivität im Widerstand im Wechsel-
Wechselstromkreis. stromkreis
Gesamtstrom I = U ⋅ G 2 + B L2 (VI.82)

Scheinleitwert Y = G 2 + B L2 (VI.83)
1 1 I
Scheinwiderstand Z = = (VI.84)
Y G 2 + B L2 IC

Der Scheinleitwert entspricht der Hypotenuse eines f IR

rechtwinkligen Dreiecks, dessen Katheten dem Leit-
wert des Wirkwiderstandes R und dem Leitwert des U
induktiven Blindwiderstandes XL entsprechen.
Bild VI-26 Zeigerbild der Parallelschaltung von
Die Phasenverschiebung zwischen der Gesamtspan-
ohmschem Widerstand und Kapazität
nung U und dem Strom I erhält man nach Bild VI-24.
Phasenverschiebung Gesamtstrom
I U ⋅G G I 2 = I R2 + I C2 = U 2 ⋅ G 2 + U 2 ⋅ BC2 = U 2 ( G 2 + BC2 )
j = arccos R = arccos = arccos (VI.85)
I U ⋅Y Y
(VI.92)
IL U ⋅ BL B Hieraus folgt das ohmsche Gesetz für die Parallel-
j = arctan = arctan = arctan L (VI.86)
IR U ⋅G G schaltung von Wirkwiderstand und Kapazität im
Wechselstromkreis.
In der komplexen Darstellung ergeben sich folgende
Zusammenhänge:
Gesamtstrom I = U ⋅ G 2 + BC2 (VI.93)
Gesamtstrom
I = I R + I L = U ⋅ G + U ⋅ ( − jB L ) = U ⋅ ( G − jB L ) = U ⋅ Y Scheinleitwert Y = G 2 + BC2 (VI.94)
(VI.87) Der Scheinleitwert entspricht der Hypotenuse eines
Scheinleitwert Y = G − jB L (VI.88) rechtwinkligen Dreiecks, dessen Katheten dem Leit-
wert des Wirkwiderstandes R und dem Leitwert des
Y = G 2 + B L2 (VI.89) kapazitiven Blindwiderstandes XC entsprechen.
Die Phasenverschiebung zwischen der Gesamtspan-
1 1
Scheinwiderstand Z= = (VI.90) nung U und dem Strom I erhält man nach Bild VI-26.
Y G − jBl
Phasenverschiebung
BL
Phasenwinkel j = arctan (VI.91) IR U ⋅G G
G j = arccos = arccos = arccos (VI.95)
I U ⋅Y Y
3.2.2 Wirkwiderstand und Kapazität IC U ⋅ BC B
j = arctan = arctan = arctan C (VI.96)
Sind in einem Wechselstromkreis ein ohmscher IR U ⋅G G
Widerstand R und eine Kapazität mit dem kapazitiven
Blindwiderstand XC nach Ersatzschaltbild (Bild VI- In der komplexen Darstellung ergeben sich folgende
25) parallel geschaltet, erzeugt die Spannung U durch Zusammenhänge.
den Widerstand den Strom IR = U ⋅ G und durch die Gesamtstrom
Kapazität den Strom IC = BC ⋅ U. Beide Ströme haben
I = I R + I C = U ⋅ G + U ⋅ jBC = U ⋅ ( G + jBC ) = U ⋅ Y
im Zeigerbild verschiedene Richtungen. Addiert
ergeben die beiden Stromzeiger den Zeiger des Ge- (VI.97)
samtstromes I. Nach Bild VI-26 liegt der Zeiger IR in Scheinleitwert Y = G + jBC (VI.98)
Richtung der Spannung U; der Zeiger IC eilt der
Spannung um 90° vor. Y = G 2 + BC2 (VI.99)
Das durch die Zeigeraddition entstehende Stromdrei-
eck kann nach dem Lehrsatz von Pythagoras berech- BC
Phasenwinkel ϕ = arctan (VI.100)
net werden. G
VI Wechselstrom 305

3.2.3 Wirkwiderstand, Induktivität und Kapazität Scheinleitwert Y = G 2 + ( BC − B L ) 2 (VI.103)

Sind in einem Wechselstromkreis ein ohmscher
Widerstand R, eine Induktivität mit dem induktiven Der Scheinleitwert entspricht der Hypotenuse eines
Blindwiderstand XL und eine Kapazität mit dem rechtwinkligen Dreiecks, dessen Katheten dem Leit-
kapazitiven Blindwiderstand XC nach Ersatzschaltbild wert des Wirkwiderstand R und der Differenz des
(Bild VI-27) parallel geschaltet, erzeugt die Span- Leitwertes des kapazitiven Blindwiderstand XC und
nung durch den Widerstand den Strom IR = U ⋅ G, des Leitwertes des induktiven Blindwiderstandes XL
durch die Induktivität den Strom IL = BL ⋅ U und entsprechen.
durch die Kapazität den Strom IC = BC ⋅ U. Die Phasenverschiebung zwischen der Gesamtspan-
Die Ströme haben im Zeigerbild verschiedene Rich- nung U und dem Strom I erhält man nach Bild VI-28.
tungen. Addiert ergeben die Stromzeiger den Zeiger Phasenverschiebung
des Gesamtstroms I. Nach Bild VI-28 liegt der Zeiger
IR U ⋅G G
IR in Richtung der Spannung U, der Zeiger IC eilt der j = arccos = arccos = arccos (VI.104)
Spannung um 90° vor und der Zeiger IL eilt der Span- I U ⋅Y Y
nung um 90° nach. I′ U ⋅ B′ B − BL
j = arctan = arctan = arctan C
i IR U ⋅G G
(VI.105)
iR iL iC
In der komplexen Darstellung ergeben sich folgende
u R L C Zusammenhänge:
Gesamtstrom
I = I R + I ′ = U ⋅ G + U ⋅ j ⋅ ( BC − B L )
(VI.106)
Bild VI-27 Parallelschaltung von Induktivität, Kapa- = U ⋅ ( G + j ⋅ ( BC − B L )) = U ⋅ Y
zität und ohmschen Widerstand im Scheinleitwert Y = G + j ⋅ ( BC − B L ) (VI.107)
Wechselstromkreis
Y= G 2 + ( BC − B L ) 2 (VI.108)

( BC − B L )
Phasenwinkel j = arctan (VI.109)
G
IC
Bei der Parallelschaltung von R, L und C stellt der
U IR ohmsche Widerstand den Realteil dar, während der
f Imaginärteil eine Zusammensetzung aus induktivem
IL und kapazitivem Blindwiderstand ist. Der Imaginär-
teil kann verschiedene elektrische Eigenschaften
I aufweisen. Ist der induktive Anteil größer als der
IC < I L kapazitive, ergibt die Zusammenfassung einen induk-
tiv wirkenden Leitwert.
BL > BC ⇒ B′ = BLers = BL − BC (VI.110)
Bild VI-28 Zeigerbild der Parallelschaltung von
ohmschem Widerstand, Induktivität und Ist der kapazitive Anteil größer als der induktive,
Kapazität ergibt die Zusammenfassung einen kapazitiv wirken-
den Leitwert.
Das durch die Zeigeraddition entstehende Zeigerbild BC > BL ⇒ B′ = BCers = BC − BL (VI.111)
kann nach dem Lehrsatz von Pythagoras berechnet
werden. Sind der kapazitive und der induktive Anteil gleich
Gesamtstrom groß, wird der Imaginärteil Null; die Schaltung hat
einen rein ohmschen Charakter. In diesem Fall spricht
I 2 = I R2 + I ′ 2 = I R2 + ( I C − I L ) 2 man von einer Parallelresonanz.
= U 2 ⋅ G 2 + U 2 ⋅ B ′ 2 = U 2 ( G 2 + ( BC − B L ) 2 )
Parallelresonanz
(VI.101)
1
Hieraus folgt das ohmsche Gesetz für die Parallel- BL = BC ⇒ B′ = 0 = ω ⋅ C − (VI.112)
ω ⋅L
schaltung von Wirkwiderstand, Induktivität und
Kapazität im Wechselstromkreis. Über die Resonanzbedingung der Gleichung (VI.112)
kann die Resonanzfrequenz f0 bzw. ω0 berechnet
Gesamtstrom I = U ◊ G + ( BC - BL )2 2
(VI.102) werden.
306 Grundlagen der Elektrotechnik

Resonanzbedingung I
1 1 1 f
w0 ⋅ C = ⇒ w02 = ⇒ w0 = (VI.113)
w0 ⋅ L L⋅C L⋅C U IR IC
IL
w0 1
Resonanzfrequenz f 0 = = (VI.114)
2⋅p 2⋅p ⋅ L⋅C

Bild VI-29 Beispiel: Parallelschaltung von ohmschem

 Beispiel: Ein ohmscher Widerstand von R = 100 W, eine Indukti- Widerstand, Induktivität und Kapazität
vität mit einem induktiven Blindwiderstand von XL = 300 W und
eine Kapazität mit einem kapazitiven Blindwiderstand von
XC = 200 W werden an eine Spannung von U = 200 V angeschlos- 3.3 Gemischte Schaltungen
sen. Die Netzfrequenz beträgt f = 50 Hz.
Wie groß sind Scheinleitwert und Gesamtstromstärke? Welche Die Lösung von gemischten Schaltungen im Wech-
Ströme fließen durch die Bauelemente, welcher Phasenwinkel
selstromkreis kann ebenfalls mit Hilfe der Zeigerdar-
herrscht zwischen Spannung und Strom? Welche Resonanzfre-
quenz hat diese Schaltung? stellung und der komplexen Rechnung erfolgen. Der
Lösungsweg soll an einem Beispiel (Bild VI-30)
Zeigerdarstellung:
dargestellt werden.
1 1
G= = = 10 ⋅ 10 −3 S ;
R 100 W i
1 1
BL = = = 3, 33 ⋅ 10 −3 S ; i1 i2 i3
X L 300 W
1 1
BC = = = 5 ⋅ 10 −3 S
X C 200 W
u
Y = G + ( BC − B L )
2 2
Bild VI-30
= (10 ⋅ 10 −3 ) 2 S 2 + ( 5 ⋅ 10 −3 S − 3, 3 ⋅ 10 −3 S ) 2 Gemischte Schaltung
= 10 ,14 ⋅ 10 −3 S im Wechselstromkreis

I = U ⋅ Y = 200 V ⋅ 10 ,14 ⋅ 10 −3 S = 2 , 03 A
 Beispiel: Lösung mit Hilfe der Zeigerdarstellung:
I R = U ⋅ G = 200 V ⋅ 10 ⋅ 10 −3 S = 2 A ; U = 200 V ; f = 50 Hz

Parallelzweig 1 mit Widerstand R1 = 100 W und Spule XL = 200 W

I L = U ⋅ B L = 200 V ⋅ 3, 3 ⋅ 10 −3 S = 0 , 66 A ;

I C = U ⋅ B C = 200 V ⋅ 5 ⋅ 10 −3 S = 1 A Z1 = R12 + X L2 = 1002 Ω 2 + 2002 Ω 2 = 223,6 Ω

U 200 V
G 10 ⋅ 10 −3 S I1 = = = 0 , 89 A
j = arccos = arccos = 9, 5 ° Z 1 223, 6 W
Y 10,14 ⋅ 10 -3 S
XL 200
V j1 = arctan = arctan = 63 , 4 °
300 R1 100
XL A = 0 , 955 Vs ;
L= =
w 1 A Strom eilt der Spannung nach!
2 ⋅ p ⋅ 50 Parallelzweig 2 mit Widerstand R2 = 100 W und Kapazität XC =
s
200 W
1 1 As
C= = = 15, 9 ⋅ 10 −6
w⋅ XC 1 V V
2 ⋅ p ⋅ 50 ⋅ 200 Z 2 = R22 + XC2 = 1002 Ω 2 + 2002 Ω 2 = 223,6 Ω
s A
U 200 V
w0 1 I2 = = = 0 , 89 A
f0 = = Z 2 223, 6 W
2⋅p 2⋅p ⋅ L⋅C
XC 200
1 1 j 2 = arctan = arctan = 63, 4 °
= = 40 , 84 R2 100
Vs As s
2 ⋅ p ⋅ 0 , 955 ⋅ 15, 9 ⋅ 10 −6 Strom eilt der Spannung vor!
A V
Parallelzweig 3 mit Widerstand R3 = 200 W
Komplexe Darstellung:
U 200 V
Y = G − j ( B C − B L ) = 10 ⋅ 10 −3 S − j ( 5 ⋅ 10 −3 − 3, 3 ⋅ 10 −3 ) S I3 = = =1A
R3 200 Ω
= 10 ,14 ⋅ 10 −3 S ⋅ e j 9 , 6
0
j3 = arctan = 0°
I = U ⋅ Y = 200 V ⋅ e j 0 ⋅ 10 ,14 ⋅ 10 −3 S ⋅ e j 9 , 6 = 2 , 03 A ⋅ e j 9 , 6 R3
Die rechnerische Addition der Ströme kann erfolgen, wenn die
I R = U ⋅ G = 200 V ⋅ e j 0 ⋅ 10 ⋅ 10 −3 S ⋅ e j 0 = 2 A ⋅ e j 0
Zweigströme in ihre Real- und Blindstromanteile aufgelöst wer-
den.
I L = U ⋅ B L = 200 V ⋅ e j 0 ⋅ 3, 3 ⋅ 10 −3 S ⋅ e − j 90 = 0 , 66 AV ⋅ e − j 90
I 1 R = I 1 ⋅ cos j1 = 0 , 89 A ⋅ cos ( −63, 4 ° )
I C = U ⋅ BC = 200 V ⋅ e j 0 ⋅ 5 ⋅ 10 −3 S ⋅ e j 90 = 1 A ⋅ e j 90 = 0 , 89 A ⋅ 0 , 448 = 0 , 399 A
VI Wechselstrom 307

I 1 B = I 1 ⋅ sin j1 = 0 , 89 A ⋅ sin ( −63, 4 ° ) Zusammenschaltung von ohmschen Widerständen R,

= 0 , 89 A ⋅ ( − 0 , 894 ) = −0 , 796 A Kapazitäten C und Induktivitäten L zu komplexen
I 2 R = I 2 ⋅ cos j 2 = 0 , 89 A ⋅ cos ( 63, 4 ° ) Netzwerken.
= 0 , 89 A ⋅ 0 , 448 = 0 , 399 A Ein Filter ist ein Netzwerk, das aus einem Frequenz-
I 2 B = I 2 ⋅ sin j 2 = 0 , 89 A ⋅ sin ( 63, 4 ° ) gemisch einen bestimmten Frequenzbereich hervor-
= 0 , 89 A ⋅ 0 , 894 = 0 , 796 A
hebt und einen anderen unterdrückt.
Im Durchlaßbereich der Filter werden die zu übertra-
I 3 R = I 3 ⋅ cos j 3 = 0 , 89 A ⋅ cos ( 0 ° ) = 1 A ⋅ 1 = 1 A
genden Größen kaum, im Sperrbereich dagegen stark
I 3 B = I 3 ⋅ sin j 3 = 0 , 89 A ⋅ sin ( 0 ° ) = 1 A ⋅ 0 = 0 A gedämpft. Der Übergang von Sperr- in den Durchlaß-
bereich wird durch die Grenzfrequenz fG festge-
I gesR = I 1 R + I 2 R + I 3 R = 0 , 399 A + 0 , 399 A +1 A = 1, 798 A
legt.
I gesB = I 1 B + I 2 B + I 3 B = −0 , 796 A + 0 ,796 A + 0 A = 0 A Nach der Lage der Sperr- bzw. Durchlaßbereiche
unterscheidet man zwischen Tief-, Hoch- und Band-
I ges = 2
I ges R + I gesB = 1, 798 + 0 A = 1, 798 A
2 2 2
paßschaltungen.
Die zeichnerische Lösung erfolgt durch Addition der Stromzeiger
nach Bild VI-31 4.1 Hochpaßschaltung
mit RC- und RL-Glied
f1
Das in Bild VI-32 dargestellte RC-Glied stellt einen
Hochpaß dar.
I2 I1
C

f2
I3 I ges Bild VI-32
uE R uA Hochpaßschaltung mit
U
Kapazität und ohmschem
Bild VI-31 Beispiel: Gemischte Schaltung im Wech- Widerstand
selstromkreis in der Zeigerdarstellung

Lösung in der komplexen Darstellung: Für die Filter sind Grenzfrequenz und Phasengang
In der komplexen Darstellung wird zuerst die Gesamtimpedanz von besonderem Interesse. Die Grenzfrequenz ist die
Zges ermittelt. Frequenz, bei der das Verhältnis Ausgangsspannung
Z 1 = R1 + jX L = 100 W + j 200 W = 223, 6 W ⋅ e j 63 , 43 1
UA zu Eingangsspannung UE den Wert beträgt.
Z 2 = R 2 − jX C = 100 W − j 200 W = 223, 6 W ⋅ e − j 63 , 43 2
Z 3 = R 3 + j 0 = 200 W + j 0 = 200 W ⋅ e j 0 Das Verhältnis von Ausgangsspannung zu Eingangs-
In der Parallelschaltung können Leitwerte addiert werden, die Im-
spannung wird Amplitudengang genannt.
pedanzen müssen also in Leitwerte umgerechnet werden. Amplitudengang (RC)
1 1 UA R 1
Y1 = = = 4 , 47 ⋅ 10 −3 S ⋅ e − j 63 , 4
Z 1 223, 6 W ⋅ e j 63 , 4 = = (VI.115)
UE R + 2
X C2 1
= ( 2 , 0 − j 4 , 0 ) ⋅ 10 −3 S 1+
(w⋅ C ⋅ R)2
1 1
Y2 = = = 4 , 47 ⋅ 10 −3 S ⋅ e j 63 , 4 1
Z 2 223, 6 W ⋅ e − j 63 , 4 Der Amplitudengang hat für den Fall R = den
= ( 2 , 0 + j 4 , 0 ) ⋅ 10 − 3 S w⋅C
Wert
1 1
Y3 = = = 5 ⋅ 10 −3 S ⋅ e j 0 = ( 5, 0 − j 0 ) ⋅ 10 −3 S
Z 3 200 W ⋅ e j 0 UA 1 1
= = . (VI.116)
Y ges = Y 1 + Y 2 + Y 3 UE 1 2
1+ 2
= ( 2 , 0 + j 4 , 0 ) ⋅ 10 −3 S + ( 2 , 0 − j 4 , 0 ) ⋅ 10 −3 S + ( 5, 0 − j 0 ) ⋅ 10 −3 S ⎛⎜ w ⋅ C ⋅ 1 ⎞⎟
= ( 9, 0 + j 0 ) ⋅ 10 −3 S = 9, 0 ⋅ 10 −3 S ⋅ e j 0 ⎝ w⋅C ⎠
I ges = U ⋅ Y ges = ( 200 V ⋅ e j 0 ) ⋅ ( 9 ⋅ 10 −3 S ⋅ e j 0 ) = 1, 8 A ⋅ e j 0
Aus (VI.116) ergibt sich die Grenzfrequenz:
1
4 Passive Filter Grenzfrequenz (RC) f g = (VI.117)
2⋅p ⋅ R⋅C
Passive Filter sind Schaltungen mit einem frequenz- Der Phasengang, die Abhängigkeit des Winkels ϕ
abhängigen Übertragungsverhältnis der Eingangs- zwischen Ausgangs- und Eingangsspannung, ist stark
größe zur Ausgangsgröße. Sie bestehen aus einer von der Frequenz abhängig.
308 Grundlagen der Elektrotechnik

Phasengang arctan ϕ = f (ω ) (VI.118)

R
Der Winkel ϕ nimmt für verschiedene Frequenzen
unterschiedliche Werte an. Häufig gebrauchte Grenz-
werte: uE C uA
Bild VI-35
1
w=0 j = arctan = arctan( ∞ ) = 90 ° Tiefpaßschaltung mit
w⋅C ⋅ R Kapazität und ohm-
1 schem Widerstand
w=
R⋅C
1 C⋅R Für einen RC-Tiefpaß ergeben sich die charakterisie-
j = arctan = arctan = arctan(1) = 45°
w⋅C ⋅ R C⋅R renden Gleichungen (VI.121 bis VI.123):
(Grenzfrequenz) Amplitudengang (RC)
1
w=∞ j = arctan = arctan( 0 ) = 0 ° UA XC 1
w⋅ C ⋅ R = = (VI.121)
UE R + 2
X C2 1+ (w⋅ C ⋅ R)2
Im Bild VI-33 sind Amplituden- und Phasengang
einer Hochpaßschaltung dargestellt. 1
Der Amplitudengang hat für den Fall R = den
w⋅C
Sperrbereich Durchlaßbereich
1,0 Wert
85°
UA 0,8 UA 1 1
65° = = . (VI.122)
UE 0,6 f UE
45° 1 2
1+
0,4 UA 2
f 25° ⎛⎜ w ⋅ C ⋅ 1 ⎞⎟
UE
0,2 ⎝ w⋅ C ⎠
5°

0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 Daraus folgt die Grenzfrequenz

v
vg 1
Grenzfrequenz (RC) fg = (VI.123)
Bild VI-33 Amplituden- und Phasengang der Hoch- 2⋅p ⋅ R⋅C
paßschaltung mit Kapazität und ohm- Häufig gebrauchte Grenzwerte:
schem Widerstand
1
w=0 j = arctan = arctan( 0 ) = 0 °
Wird anstatt des RC-Gliedes ein RL-Glied (Bild VI- w⋅ C ⋅ R
34) als Hochpaß eingesetzt, ergeben sich die Glei- 1
w=
chungen (VI.119 und VI.120): R⋅C
C⋅R
j = arctan w ⋅ C ⋅ R = arctan = arctan (1) = 45°
R C⋅R
(Grenzfrequenz)
w=∞ j = arctan w ⋅ C ⋅ R = arctan( ∞ ) = 90 °
uE L uA Bild VI-34
Hochpaßschaltung mit Im Bild VI-36 sind Amplituden- und Phasengang
Induktivität und ohm- einer Tiefpaßschaltung dargestellt.
schem Widerstand

Sperrbereich Durchlaßbereich
Amplitudengang (RL) 1,0
85°
UA XL 1 UA 0,8
= = (VI.119) 65°
f
UE UE 0,6
R 2 + X L2 2
1 + ⎛⎜
R ⎞ UA 45°
⎟
⎝ w⋅ L ⎠ 0,4 UE
f 25°
R 0,2
Grenzfrequenz (RL) fg = (VI.120) 5°
2⋅p ⋅ L
0,1 0,2 0,5 1 2 5 10
v
4.2 Tiefpaßschaltung vg
mit RC- und RL-Glied Bild VI-36 Amplituden- und Phasengang der Tief-
Das in Bild VI-35 dargestellte RC-Glied stellt einen paßschaltung mit Kapazität und ohm-
Tiefpaß dar. schem Widerstand
VI Wechselstrom 309

Wird anstatt des RC-Gliedes ein RL-Glied (Bild Amplitudengang (BP)

VI-37) als Tiefpaß eingesetzt, ergeben sich die Glei-
UA 1
chungen (VI.124 und VI.125): = (VI.129)
UE [( wRC ) 2 − 1] 2
9+
L ( wRC ) 2
Die Ausgangsspannung für den Bandpaß wird maxi-
uE R uA mal, wenn der Faktor wRC = 1 wird.
Bild VI-37 maximale Ausgangsspannung
Tiefpaßschaltung mit
1
Induktivität und ohm- UA max
= ⋅ UE (VI.130)
schem Widerstand 3
Die Grenzfrequenzen stellen sich bei einem Bandpaß
Amplitudengang (RL) für folgende Frequenz ein:
UA XL 1 untere Grenzfrequenz
= = (VI.124)
UE R +
2
X L2 2 1
1 + ⎛⎜
R ⎞ f gu = 0. 303 ⋅
⎟ (VI.131)
⎝ w⋅ L ⎠ 2⋅p ⋅ R⋅C
R obere Grenzfrequenz
Grenzfrequenz (RL) fg = (VI.125)
2⋅p ⋅ L 1
f go = 3. 303 ⋅ (VI.132)
4.3 Bandpaßschaltung 2⋅p ⋅ R⋅C

Bei einem Bandpaß sind zwei verschiedene Filter Häufig gebrauchte Grenzwerte:
(Hoch- und Tiefpaß) hintereinander geschaltet (Bild 1− (w⋅ R ⋅ C )2
VI-38). w=0 j = arctan = arctan( ∞ ) = 90 °
3⋅ w⋅ C ⋅ R
C R 1
w=
R⋅C
1 − ( w⋅ R ⋅ C)2 1−1
j = arctan = arctan = arctan( 0 ) = 0 °
uE R C uA 3⋅ w⋅ C ⋅ R 3
w=∞
1 − ( w ⋅ R ⋅ C ) 2 −∞ 2
j = arctan = = arctan( −∞ ) = −90 °
3⋅ w⋅ C ⋅ R 3⋅ ∞
Bild VI-38 Bandpaßschaltung mit Kapazität und
ohmschem Widerstand
Im Bild VI-39 sind Amplituden- und Phasengang
einer Bandpaßschaltung dargestellt.
Ein Bandpaß überträgt zwischen zwei Grenzfrequen-
zen eine Eingangsspannung an einen Ausgang mit Sperrbereich Durchlaßbereich
UA 1 U A max 0,3 80°
einem Verhältnis ≥ ⋅ .
UE 2 UE UA Bandbreite
40°
Die Differenz der beiden Grenzfrequenzen wird als UE 0,2 f
0°
Bandbreite B bezeichnet. UA f
0,1 –40°
Bandbreite B = f go − f gu (VI.126) UE
–80°
Für den Bandpaß nach Bild VI-38 folgt für die Aus- 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10
gangsspannung: v
vg
Ausgangsspannung Bandpaß
1 Bild VI-39 Amplituden- und Phasengang der Band-
paßschaltung mit Kapazität und ohm-
1
+ jwC schem Widerstand
UA = R ⋅U E (VI.127)
1 1
+ R+
1 jwC 5 Schwingkreise
+ jwC
R Anstelle der Bandpaßschaltungen können bestimmte
jω RC Frequenzbereiche auch durch eine Zusammenschal-
UA = ◊U E (VI.128)
( jω RC + 1)2 + jω RC tung von ohmschem Widerstand, Induktivität und
310 Grundlagen der Elektrotechnik

Kapazität hervorgehoben oder bedämpft werden. U

Diese Schaltungen werden als Schwingkreise be- Resonanzfrequenz fr der minimale Strom I r =
R
zeichnet. ein, da sich die Blindwiderstände gegenseitig kom-
5.1 Reihenresonanz pensieren.
Resonanzfrequenz
Bei der Reihenschaltung stellt sich für die Resonanz-
U wr 1
frequenz fr der maximale Strom I r = ein, da sich fr = = (VI.140)
R 2⋅p 2⋅p ⋅ L⋅C
die Blindwiderstände gegenseitig kompensieren. Die Parallelschaltung verhält sich nach außen wie ein
w 1 rein ohmscher Widerstand mit dem Phasenwinkel
Resonanzfrequenz f r = r = (VI.133) j = 0°. Innerhalb der Parallelschaltung erreichen die
2⋅p 2⋅p ⋅ L⋅C
Ströme durch die Induktivität und die Kapazität
Die Reihenschaltung verhält sich nach außen wie ein wesentlich höhere Werte als der Strom in der Zulei-
rein ohmscher Widerstand mit dem Phasenwinkel tung.
j = 0°. Innerhalb der Reihenschaltung erreichen die Resonanzstrom durch die Induktivität
Spannungen an Induktivität und Kapazität wesentlich
U
höhere Werte als die Klemmenspannung. I rL = (VI.141)
wr ⋅ L
Resonanzspannung an der Induktivität
U rL = I r ⋅ wr ⋅ L (VI.134) Resonanzstrom durch die Kapazität
I rC = U ⋅ ω r ⋅ C (VI.142)
Resonanzspannung an der Kapazität
Ir Die beiden Resonanzströme sind gleich groß, haben
U rC = (VI.135) ihr Maximum jedoch um 180° verschoben.
wr ⋅ C
Die im Kreis auftretenden Verluste werden wie bei
Die beiden Resonanzspannungen sind gleich groß, der Reihenresonanz über den Dämpfungsfaktor d
haben ihr Maximum jedoch um 180° verschoben. angegeben.
Die im Kreis auftretenden Verluste werden über den wr ⋅ L
Dämpfungsfaktor d angegeben. Der Dämpfungsfaktor Dämpfungsfaktor d = (VI.143)
R
beinhaltet die an der Spule, am Kondensator und am
Widerstand auftretenden ohmschen Verluste im 1 R C
Kreisgüte Q = = = R⋅ (VI.144)
Verhältnis zum Blindwiderstand. d ωr ⋅ L L
R
Dämpfungsfaktor d = (VI.136) Die Güte des Reihenschwingkreises wird größer,
wr ⋅ L wenn die Induktivität kleiner und die Kapazität grö-
Der Kehrwert des Dämpfungsfaktors wird als Güte Q ßer wird.
des Schwingkreises bezeichnet. fr
Bandbreite Δ f = f go − f gu = = fr ⋅ d (VI.145)
1 wr ⋅ L 1 L Q
Kreisgüte Q = = = ⋅ (VI.137)
d R R C Bei den Grenzfrequenzen erreicht die Gesamtimpe-
Die Güte des Reihenschwingkreises wird größer, 1
danz Z des Kreises den -fachen Wert der Reso-
wenn die Induktivität größer und die Kapazität klei- 2
ner wird. Mit Hilfe der Güte kann die Bandbreite des nanzimpedanz.
Reihenschwingkreises bestimmt werden.
1
f Z go = Z gu = ⋅ Zr (VI.146)
Bandbreite D f = f go − f gu = r = fr ⋅ d (VI.138) 2
Q
Bei den Grenzfrequenzen erreicht die Gesamtimpe- 6 Leistung und Arbeit
danz Z des Kreises den 2 -fachen Wert der Reso- im Wechselstromkreis
nanzimpedanz.
Z go = Z gu = 2 ⋅ Z r (VI.139)
6.1 Leistung und Arbeit
bei Phasengleichheit
von Spannung und Strom
5.2 Parallelresonanz
Die Berechnung der Leistung im Gleichstromkreis
Ein Parallelschwingkreis ist die Zusammenschaltung
erfolgt nach der Gleichung VI.147.
von ohmschem Widerstand, Induktivität und Kapa-
zität. Bei der Parallelschaltung stellt sich für die Leistung im Gleichstromkreis P = U ⋅ I (VI.147)
VI Wechselstrom 311

Die Leistung im Wechselstromkreis kann analog zur mum, wenn die Phasenverschiebung zwischen Span-
Berechnung der Leistung im Gleichstromkreis für nung und Strom 90° beträgt (Bild VI-42).
Werte erfolgen, die zeitlich zusammenfallen. Die
Augenblicks- (Momentan-) Leistung ergibt sich zu:
Momentanleistung p = u ⋅ i (VI.148)
Da am Wirkwiderstand Spannung und Strom gleiche
Phasenlage haben, folgt
 
p = u ⋅ i ⋅ sin 2 w ⋅ t . (VI.149)
Das Liniendiagramm (Bild VI-40) zeigt, daß die
Leistung mit doppelter Frequenz oberhalb der Null-

p
achse um den Wert p m = schwingt.
2
p
VA

p Bild VI-41 Liniendiagramm der Leistung bei einer

2 Phasenverschiebung zwischen Strom und
Spannung

t
0 p 2p 1
s
Bild VI-40 Liniendiagramm der Leistung

Der Mittelwert der Leistung berechnet sich zu:

Mittelwert der Leistung
  2p    
u ⋅i u ⋅i u⋅i
pm = ∫ sin 2
wt d ( t ) = == =U⋅I
2⋅p 0 2 2⋅ 2
(VI.150)
Aus Gleichung (VI.150) ergibt sich, daß die Wirkleis-
tung eines Wechselstroms in einem Stromkreis, der
nur mit einem Wirkwiderstand belastet ist, gleich Bild VI-42 Liniendiagramm der Leistung bei einer
dem Produkt aus den Effektivwerten von Spannung Phasenverschiebung von 90 Grad zwi-
und Stromstärke ist schen Strom und Spannung
P U I
Wirkleistung P = U ⋅ I (VI.151) Der Mittelwert der Leistung liegt im Bild VI-42 auf
VA = W V A
der Zeitachse und hat den Wert Null. Die Leistungs-
Die Stromarbeit ist das Produkt der Wirkleistung P kurve besteht aus positiven und negativen Halbwel-
und der Zeit t. len gleicher Größe, die Wirkleistung hat den Wert
W P t P = 0.
Stromarbeit W = P ⋅ t (VI.152)
Wh W h Beträgt die Phasenverschiebung zwischen Strom und
Spannung 90°, hat der Stromkreis eine rein induktive
6.2 Leistung und Arbeit oder kapazitive Last. Der Effektivwert der Leistungs-
bei Phasenverschiebung kurve kann wiederum durch die Effektivwerte von
von Spannung und Strom Strom und Spannung bestimmt werden. Es handelt
sich bei dieser Leistung jedoch um keine Wirkleis-
Sind die Spannungs- und Stromwellen phasenver- tung, sondern um Blindleistung Q.
schoben (Bild VI-41), wird die Augenblicksleistung
in den Bereichen negativ, in denen Spannung und Blindleistung ( j = 90 ° ) Q = U ⋅ I (VI.153)
Strom entgegengesetzte Vorzeichen haben. Der Mit- Von Wirkleistung spricht man, wenn Strom und
telwert der Leistung verschiebt sich in Richtung Spannung keine Phasenverschiebung (j = 0°) auf-
Zeitachse. Die Wirkleistung wird also durch die weisen, die Zeiger beider Größen also gleiche Rich-
Phasenverschiebung kleiner und erreicht ein Mini- tung haben.
312 Grundlagen der Elektrotechnik

Von Blindleistung spricht man, wenn Strom und Span-
nung eine Phasenverschiebung von 90° haben, die
Zeiger beider Größen einen rechten Winkel bilden.
Liegt der Phasenwinkel zwischen 0° und 90°, kann
die Wirkleistung ermittelt werden, indem eine Zei-
gergröße in den Winkel 0° gelegt und die andere
Zeigergröße in ihre Komponenten zerlegt wird, die in
Richtung 0° und 90° zeigen (Bild VI-43).
leistung. Der andere Teil pendelt als Blindleistung
zwischen der Spannungsquelle und dem Verbraucher
hin und her.
Zur Unterscheidung der verschiedenen Leistungs-
arten, hat man unterschiedliche Maßbezeichnungen
eingeführt, und zwar mißt man die Wirkleistung in
[P] = W, die Scheinleistung in [S] = VA und die
Blindleistung in [Q] = var.

6.3 Leistung in komplexer Schreibweise

I Die Leistung ist definiert als S = U ⋅ I. Hieraus ergibt
IB sich für die komplexe Schreibweise in der Expo-
nentialform:
f IW komplexe Leistung
U S = U ⋅ I * = U ⋅ I ⋅ e jjU ⋅ e − jj I = U ⋅ I ⋅ e j ( jU −j I )
Bild VI-43 Zeigerdiagramm von Strom und Span- (VI.162)
nung bei beliebigem Winkel Die komplexe Leistung ist das Produkt aus der kom-
plexen Spannung U und dem konjugiert komplexen
Im Bild VI-43 wird die Spannung nicht verschoben
und der Strom in den Wirkstrom IW und den Blind- Strom I * .
strom IB aufgeteilt. Da ϕ = ϕU – ϕI die Verschiebung zwischen Spannung
Wirkstrom I W = I ⋅ cosj (VI.154) U und Strom I darstellt, gilt:
U ⋅ I * = U ⋅ I ⋅ ( cos j + j sin j ) (VI.163)
Blindstrom I B = I ⋅ sinj (VI.155)
Aus der vorhergehenden Definition ergeben sich die
Für die entsprechenden Leistungen folgt: Gleichungen (VI.164) bis (VI.166).
Wirkleistung P = U ⋅ I ⋅ cosj (VI.156)
Wirkleistung P Re ( U ⋅ I * ) = U ⋅ I ⋅ cosj (VI.164)
Blindleistung Q = U ⋅ I ⋅sinj (VI.157)
Wirkleistung und Blindleistung haben ihre Maxima Blindleistung Q Im ( U ⋅ I * ) = U ⋅ I ⋅ sinj (VI.165)
im Liniendiagramm um 90° verschoben, das heißt,
man kann die beiden Leistungsanteile als Zeiger Scheinleistung S U ⋅ I* = U ⋅ I (VI.166)
darstellen, die einen Winkel von 90° einschließen.
Zwischen resultierendem Zeiger und Wirkleistung ist  Beispiel: Ein induktiver Verbraucher nimmt bei Un = 220 V
der Winkel ϕ (Bild VI-44). einen Strom I = 2 A auf. Der Winkel zwischen Strom und Span-
nung beträgt j = 40°.
Welchen Wert haben a) die Scheinleistung, b) die Wirkleistung
und c) die Blindleistung?
S a) S = U ⋅ I = 220 V ⋅ 2 A = 440 VA
Q b) P = S ⋅ cos j = 440 VA ⋅ 0 , 766 = 337 W
c) Q = S ⋅ sin j = 440 VA ⋅ 0 , 643 = 283 var
f
P
6.4 Leistungsfaktor
Bild VI-44 Zeigerdiagramm der Leistung bei belie-
bigem Winkel (Operatoren) Die von einem Verbraucher aufgenommene Wirkleis-
tung ist über den Faktor cos ϕ mit der Scheinleistung
verknüpft. Der Faktor cos ϕ wird daher als Leistungs-
Der resultierende Zeiger stellt die Scheinleistung S
faktor bezeichnet.
dar.
P
Scheinleistung S = P2 + Q2 (VI.158) Leistungsfaktor cosj = (VI.167)
S
S = P ⋅ cosj (VI.159) Der Leistungsfaktor gibt an, wieviel Prozent der
S = Q ⋅sinj (VI.160) Scheinleistung S als Wirkleistung P im Verbraucher
umgesetzt werden.
S = P ⋅ cos j = U ⋅ I ⋅ cos j ⋅ cos j = U ⋅ I (VI.161) In der Praxis soll der Leistungsfaktor möglichst nahe
Die bei effektiver Spannung U und Stromstärke I bei Eins liegen, damit die Zuleitungen nicht unnötig
abgegebene nutzbare Leistung beträgt also nur den mit Blindstrom belastet werden, da dieser Blindstrom
durch den Faktor cos ϕ gegebenen Teil der Schein- auf der Zuleitung Verluste erzeugt.
VII Drehstrom 313

VII Drehstrom

1 Erzeugung verwendet, da sie einen hohen Aufwand an Lei-

von mehrphasigem Wechselstrom
Dreht man in einem homogenen Magnetfeld drei in
einem Winkel von 120º versetzte gleiche Spulen
(Bild VII-1) mit der Winkelgeschwindigkeit ω, so
werden folgende Spannungen in den Spulen indu-
ziert:
120.000° 120.000°
S
v u1 = −0 , 866 ⋅ u ; u 2 = 0 ; u 3 = 0 , 866 ⋅ u
N
120.000°
Bild VII-1 Erzeugen eines Dreiphasensystems
 Verkettung. Man unterscheidet zwei Arten der Verket-
Spannung Spule 1 u1 = u ⋅ sin( w ⋅ t )

Spannung Spule 2 u 2 = u ⋅ sin( w ⋅ t + 120 ° )

Spannung Spule 3 u 3 = u ⋅ sin( w ⋅ t + 240 ° )
Das Zeigerdiagramm der erzeugten Spannung ist in
Bild VII-2 dargestellt.
U1
tungsmaterial erfordern und keinen Vorteil gegenüber
Wechselstromsystemen bieten.
2 Phasenverkettung
Betrachtet man die im Dreiphasensystem erzeugten
Spannungen in einem beliebigen Zeitpunkt, so erge-
ben sich beispielsweise folgende Werte:
Zeitpunkt ϕ = 0º
 
u1 = 0 ; u 2 = 0 , 866 ⋅ u ; u 3 = −0 , 866 ⋅ u
Zeitpunkt ϕ = 90º
  
u1 = u ; u 2 = −0 , 5 ⋅ u ; u 3 = −0 , 5 ⋅ u
Zeitpunkt ϕ = 240º
 
Bei der Bildung der Summen der Augenblickswerte
erkennt man, daß zu jedem beliebigem Zeitpunkt die
Gesamtspannung der drei Stromkreise den Wert Null
ergibt. Da die induzierten Spannungen stets in ihrer
Addition den Wert Null ergeben, können die Spulen
an einem Spulenende zusammengefaßt werden, ohne
daß ein Kurzschluß entsteht (Bild VII-3). Werden die
Spulen derart zusammengefaßt, spricht man von einer
(VII.1) tung: die Sternschaltung und die Dreieckschaltung.
(VII.2) U1
(VII.3)
S

U3

N
120° 120°

U2
Bild VII-3 Verkettung eines Dreiphasensystems

U3 U2
120°
Bild VII-2 Zeigerdiagramm der Spannungen gemäß
Bild VII-1
Schließt man an jede der Spulen einen ohmschen
Verbraucher mit gleichen Werten an, so treiben die
Spannungen einen Strom durch die Verbraucher, der
gleiche Amplitude hat, aber jeweils um den Winkel
von 120º versetzt ist. Solche voneinander unabhän-
gigen Dreiphasensysteme werden in der Praxis nicht
2.1 Sternschaltung
Eine Sternschaltung erhält man, wenn die Enden der
drei Generatorspulen in einem Punkt, dem Stern-
punkt, zusammengeschaltet werden (Bild VII-4). Die
in den Spulen induzierte Spannung wird Strangspan-
nung UStr genannt; die zwischen den Abgangsklem-
men des Generators gemessene Spannung ist die
Leiterspannung UL.
Ein Zusammenhang zwischen den Strangwerten und
den Leiterwerten des symmetrischen Drehstromsy-
stems in Sternschaltung ist im Bild VII-5 zu erken-
nen.
314 Grundlagen der Elektrotechnik

W1 zwischen den Abgangsklemmen des Generators

gemessene Spannung.
V1
W2 W2 U1
V2

U2
Bild VII-4
Spulenanordnung bei
einer Verkettung im W1
U1 Stern U2
V2 V1
I1
Bild VII-6 Spulenanordnung bei einer Verkettung
im Dreieck
UL1N UL1L2
UL3L1 UL1L2
UL1N Ein Zusammenhang zwischen den Strangwerten und
UL2N UL3L2
den Leiterwerten des symmetrischen Drehstromsys-
I2
UL3N UL3N UL2N tems in Dreieckschaltung ist im Bild VII-7 darge-
I3 UL2L3 stellt.
UL2L3

Bild VII-5 Sternschaltung mit Zeigerbild der Span- I12

nungen
UL3L2
UL1L2
Nach Bild VII-5 ergeben sich folgende mathemati- UL3L2 UL1L2
schen Zusammenhänge.
I31
Strangspannung U Str = U 1 N = U 2 N = U 3 N (VII.4) I23

Leiterspannung 1-2: UL2L3 UL2L3

U L1L2 = U 1 N − U 2 N = U 1 N ⋅ e − j 90 − U 2 N ⋅ e j 150 Bild VII-7 Dreieckschaltung mit Zeigerbild der

= U Str ⋅ ( 0 , 866 − j 1, 5 ) = 1, 732 ⋅ e − j 60 ⋅ U Str Spannungen
(VII.5)
Leiterspannung 2-3: Nach Bild VII-7 ergeben sich folgende mathemati-
schen Zusammenhänge:
U L2L3 = U 2 N − U 3 N = U 2 N ⋅ e j 150 − U 3 N ⋅ e j 30
Strangstrom I Str = I 12 = I 23 = I 31 (VII.9)
= U Str ⋅ (1, 732 − j 0 ) = 1, 732 ⋅ e − j 180 ⋅ U Str
(VII.6) Leiterstrom 1:
Leiterspannung 3-1: I 1 = I 12 − I 31 = I 12 ⋅ e − j 60 − I 31 ⋅ e j 60
(VII.10)
U L3L1 = U 3 N − U 1 N = U 3 N ⋅ e j 30 − U 1 N ⋅ e − j 90 = I Str ⋅ ( 0 − j 1, 732 ) = 1, 732 ⋅ e − j 90 ⋅ I Str
= U Str ⋅ ( 0 , 866 + j 1, 5 ) = 1, 732 ⋅ e + j 60 ⋅ U Str Leiterstrom 2:
(VII.7) I 2 = I 23 − I 12 = I 23 ⋅ e − j 90 − I 12 ⋅ e − j 60
Strangstrom (VII.11)
I Str = I 1 N = I 2 N = I 3 N = I L1 = I L2 = I L3 (VII.8) = I Str ⋅ ( −1, 5 + j 0 , 866 ) = 1, 732 ⋅ e j 150 ⋅ I Str

Die Leiterströme entsprechen in der symmetrischen Leiterstrom 3:

Sternschaltung den Strangströmen, die Leiterspan-
nungen einer symmetrischen Sternschaltung betragen
das 1, 732 = 3 -fache der Strangspannungen.
Für einen symmetrischen Drehstromverbraucher in
Sternschaltung gelten gleiche Bedingungen.
2.2 Dreieckschaltung
Eine Dreiecksschaltung erhält man, wenn die drei
Generatorspulen in Reihe geschaltet werden (Bild
VII-6). Die in den Spulen induzierte Spannung ist die
I 3 = I 31 − I 23 = I 31 ⋅ e j 60 − I 23 ⋅ e j 180
(VII.12)
= I Str ⋅ (1, 5 + j 0 , 866 ) = 1, 732 ⋅ e j 30 ⋅ I Str
Strangspannung U Str = U 12 = U 23 = U 31 (VII.13)
Die Leiterspannungen entsprechen in der symmetri-
schen Dreieckschaltung den Strangspannungen; die
Leiterströme einer symmetrischen Dreieckschaltung
betragen das 1, 732 = 3 -fache der Strangströme.
Für einen symmetrischen Drehstromverbraucher in
Dreieckschaltung gelten gleiche Bedingungen.
VII Drehstrom 315

 Beispiel: Gegeben ist ein symmetrischer Verbraucher mit

3 Leistung des Dreiphasenstroms induktiver Last in Dreieckschaltung mit folgenden Werten:
U = 100 V; Z = 300 W ej20. Welchen Wert und Phasenlage haben
In symmetrisch belasteten Dreiphasensystemen sind
die Ströme in den Zuleitungen? Welchen Wert hat die Scheinleis-
die Werte für U, I und ϕ für die drei Stromkreise tung?
(Phasen) gleich. Die Leistung in jedem Strang ist Strangströme:
somit identisch und kann nach den Gleichungen
(VI-156) bis (VI-161) berechnet werden. U L1L2 100 V ⋅ e − j 60
I 12 = = = 0 , 33 A ⋅ e − j 80 = ( 0 , 057 − j 0 , 325 ) A
Z 12 300 W ⋅ e j 20
Strangscheinleistung S Str = U Str ⋅ I Str (VII.14)
U L2L3 100 V ⋅ e j 180
I 23 = = = 0 , 33 A ⋅ e j 160 = ( −0 , 31 + j 0 ,113) A
Strangwirkleistung PStr = U Str ⋅ I Str ⋅ cosj (VII.15) Z 23 300 W ⋅ e j 20

U L3L1 100 V ⋅ e j 60
Strangblindleistung QStr = U Str ⋅ I Str ⋅sinj (VII.16) I 31 = = = 0 , 33 A ⋅ e j 40 = ( 0 , 25 + j 0 , 212 ) A
Z 31 300 W ⋅ e j 20
Die Gesamtleistung des Dreiphasensystems ist die Ströme in der Zuleitung:
Summe der Strangleistungen. I 1 = I 12 − I 31 = 0 , 057 A - j 0,325 A − ( 0 , 25 A + j 0,212 A ) =

Scheinleistung S = 3 ⋅ SStr (VII.17) = −0 ,193 A - j 0 , 537 A = 0 , 57 A e − j 110

I 2 = I 23 − I 12 = −0 , 31 A + j 0,113 A − ( 0 , 057 A - j 0,325 A ) =
Wirkleistung P = 3 ⋅ PStr (VII.18) = −0 , 367 A + j 0 , 438 A = 0 , 57 A e j 130
I 3 = I 31 − I 23 = 0 , 25 A + j 0,212 A − ( − 0 , 31 A + j 0,113 A ) =
Blindleistung Q = 3 ⋅ QStr (VII.19)
= 0 , 56 A + j 0 ,1 A = 0,57 A e j 10
Berechnung der Leistung über die Leiterspannung
Scheinleistung:
und den Leiterstrom:
S = 3 ⋅ U ⋅ I = 3 ⋅ 100 V ⋅ 0 , 57 A = 98, 7 VA ≈ 100 VA
Sternschaltung
UL
S = 3 ⋅ U Str ⋅ I Str = 3 ⋅ ⋅ IL = 3 ⋅U L ⋅ I L (VII.20) 4 Das unsymmetrische Dreiphasen-
3
system
Dreieckschaltung:
IL Nicht bei jedem Verbraucher oder bei jedem Belas-
S = 3 ⋅ U Str ⋅ I Str = 3 ⋅ U L ⋅ = 3 ⋅U L ⋅ I L (VII.21) tungsfall kann gewährleistet werden, daß die Impe-
3 danzen der drei Stränge gleichen Wert oder gleiche
Aus der Übereinstimmung der beiden Gleichungen Phasenlage haben. Tritt ein Ungleichgewicht im Drei-
ergibt sich, daß die Leistung eines Dreiphasensystems phasensystem auf, hat das Verschiebungen im Netz
unabhängig davon berechnet wird, ob eine Stern- zur Folge. Damit diese Verschiebungen, besonders im
oder Dreieckschaltung vorliegt. Niederspannungsnetz, nicht zu große Auswirkungen
Die Wirk- und Blindleistungen im Dreiphasensystem auf die Phasenlage haben, wird das Netz, wenn un-
bei symmetrischer Belastung werden entsprechend gleichmäßige Belastungen zu erwarten sind, nicht als
berechnet. Dreileiternetz, sondern als Vierleiternetz ausgeführt.
Aus Gründen der Vereinfachung werden bei Berech-
nungen die Leiterwerte des Dreiphasensystems ohne 4.1 Das unsymmetrische Dreileiternetz
Indizes geschrieben. Im Dreiphasennetz sind die Leiterspannungen in
Größe und Phasenlage vorgegeben. Treten am Ver-
 Beispiel: Ein symmetrischer Drehstromverbraucher ist im Stern
geschaltet. Bekannt sind U = 100 V und R = 100 W. braucher Unsymmetrien auf, so verschieben sich die
Wie groß sind die Strangströme und die Strangspannungen und
Ströme in den Zuleitungen, ergeben als Summe aber
welche Phasenlage haben sie? Welchen Wert hat die Scheinleis- immer noch Null!
tung? Beim Verbraucher in der Sternschaltung nehmen die
U Str =
U
=
100 V U
= 57 , 7 V ; I = Str =
57 , 7 V
= 0 , 577 A
Strangspannungen einen anderen Winkel und eine
3 3 R 100 Ω andere Größe ein.
Mit den Vorgaben im symmetrischen Drehstromnetz folgt für die
 Beispiel: Gegeben ist ein unsymmetrischer, im Stern geschalteter
Ströme und Spannungen:
Drehstromverbraucher mit folgenden Werten: U = 100 V; R1 =
I 1 = 0 , 577 A e − j 90
; U 1 N = 57 , 7 V e − j 90
; 100 W; R2 = 50 W; R3 = 100 W.
I 2 = 0 , 577 A e j 150 ; U 2 N = 57 , 7 V e j 150 ; Für die Berechnung muß eine Stern-Dreieck-Umwandlung durch-
I 3 = 0 , 577 A e j 60 ; U 3 N = 57 , 7 V e j 60 ; geführt werden.

Scheinleistung: R1 ◊ R 3 + R 3 ◊ R 2 + R 2 ◊ R1
R12 =
R3
S = 3 ⋅ U ⋅ I = 3 ⋅ 100 V ⋅ 0 , 577 A = 100 VA
R1 ◊ R 3 + R 3 ◊ R 2 + R 2 ◊ R1
oder in der komplexen Form R 23 =
R1
S = 3 ⋅ ( U Str ⋅ I * ) = 3 ⋅ 57 , 7 V ⋅ 0 , 577 A ⋅ e j ( ( -90 )−( −90 ) ) R1 ◊ R 3 + R 3 ◊ R 2 + R 2 ◊ R1
Str
R 31 =
= 100 VA ⋅ e j0 R2
316 Grundlagen der Elektrotechnik

Mit Hilfe der Umwandlung können die Dreieckwiderstände be- Ströme in der Dreieckschaltung:
stimmt werden, die den gleichen Leiterstrom erzeugen, wie die
U L1L2 100 V e − j 60
Strangwiderstände der Sternschaltung. I 12 = = = 0, 5 A e − j 60 = 0, 25 A − j 0,433 A
R12 V
200 e j 0
100 W ⋅ 100 W + 100 W ⋅ 50 W + 100 W ⋅ 50 W ⋅ A
R12 = = 200 W
100 W U 100 V e j 180
I 23 = L2L3 = = 0, 5 A e j 180 = −0, 5 A + j 0 A
100 W ⋅ 100 W + 100 W ⋅ 50 W + 100 W ⋅ 50 W ⋅ R23 V
R 23 = = 200 W 200 e j 0
100 W A
100 W ⋅ 100 W + 100 W ⋅ 50 W + 100 W ⋅ 50 W ⋅ U L3L1 100 V e j 60
R 31 = = 400 W I 31 = = = 0, 25 A e j 60 = 0,125 A + j 0,216 A
50 W R31 V
400 e j 0
A
Nun können die Ströme in der Dreieckschaltung berechnet wer-
Ströme in der Zuleitung:
den.
I 1 = I 12 − I 31 = 0 , 25 A - j 0,433 A − ( 0 ,125 A + j 0,216 A ) =
U L1L2 100 V e − j 60
I 12 = = = 0, 5 A e − j 60 = 0, 25 A − j 0,433 A = 0 ,125 A + j 0 , 649 A = 0 , 66 A e j 79
R12 V
200 e j 0
A I 2 = I 23 − I 12 = −0 , 5 A + j 0 A − ( 0 , 25 A − j 0,433 A ) =
U 100 V e j 180 = −0 , 75 A − j 0 , 433 A = 0 , 866 A e j 150
I 23 = L2L3 = = 0, 5 A e j 180 = −0, 5 A + j 0 A
R23 V
200 e j 0 I 3 = I 31 − I 23 = 0 ,125 A + j 0,216 A − ( − 0 , 5 A + j 0 A ) =
A = 0 , 625 A + j 0 , 216 A = 0,66 A e j 19
U 100 V e j 60
I 31 = L3L1 = = 0, 25 A e j 60 = +0,125 A + j 0,216 A
R31 V Scheinleistung:
400 e j 0
A S ges = S 1 + S 2 + S 3 = U L 1 L 2 ⋅ I 12 + U L 2 L 3 ⋅ I 23 + U L 3 L 1 ⋅ I 31 =
Ströme in der Zuleitung: = 100 V ⋅ 0,5 A + 100 V ⋅ 0,5 A + 100 V ⋅ 0,25 A =
= 50 VA + 50 VA + 25 VA = 125 VA
I 1 = I 12 − I 31 = 0 , 25 A - j 0,433 A − ( 0 ,125 A + j 0,216 A ) =
= 0 ,125 A + j 0 , 649 A = 0 , 66 A e j 79

I 2 = I 23 − I 12 = −0 , 5 A + j 0 A − ( 0 , 25 A − j 0,433 A ) =
4.2 Das unsymmetrische Vierleiternetz
= −0 , 75 A − j 0 , 433 A = 0 , 866 A e j 150 Muß in einem Dreiphasensystem mit starken Un-
I 3 = I 31 − I 23 = 0 ,125 A + j 0,216 A − ( − 0 , 5 A + j 0 A ) = symmetrieen gerechnet werden, wird das Vierleiter-
= 0 , 625 A + j 0 , 216 A = 0,66 A e j 19 netz eingesetzt. Beim Vierleiternetz ist der Stern-
punkt des Verbrauchers mit dem Sternpunkt der
Spannungsquelle über einen separaten Leiter (Neu-
tralleiter) verbunden (Bild VII-9). Treten am Ver-
I2 braucher ungleiche Belastungen in den verschiedenen
I12
Phasen auf, wird der Differenzstrom des Systems
I1 I23 über den Neutralleiter zur Spannungsquelle zurückge-
Bild VII-8
leitet.
Zeigerdiagramm der
I31 Neutralleiterstrom I N = I1 + I 2 + I 3 (VII.22)
I3 Ströme gemäß Beispiel

I1
Sind die Ströme in den Zuleitungen bekannt, können die Span-
nungen an den Widerständen der Sternschaltung berechnet wer-
den. UL1N UL1L2
UL3L1 UL1L2
U 1 N = I 1 ⋅ R1 = 0 , 66 A ⋅ e j 79 ⋅ 100 W = 66 V ⋅ e j 79 IN UL1N
UL2N UL3L2
U 2 N = I 2 ⋅ R 2 = 0 , 866 A ⋅ e − j 150 ⋅ 50 W = 43 , 3 V⋅ e − j 150 I2
UL3N UL3N UL2N
U 3 N = I 3 ⋅ R 3 = 0 , 66 A ⋅ e j 19
⋅ 100 W = 66 V ⋅ e j 19 I3 UL2L3
UL2L3
Die Strangspannungen haben bei einer unsymmetrischen Belas-
U 100 V Bild VII-9 Sternschaltung mit Zeigerbild der Span-
tung also nicht mehr den Wert U Str = = = 57 , 7 V, den
3 3 nungen im Vierleiternetz
sie bei einer symmetrischen Belastung aufweisen. Der Sternpunkt
verschiebt sich um einen Wert U0 aus der Ursprungs-
Ist der Widerstand des Neutalleiters sehr klein gegen-
lage.
über dem Widerstand des Verbrauchers, verschiebt
Scheinleistung:
sich beim Vierleiternetz die Sternpunktspannung
S ges = S 1 + S 2 + S 3 = U 1 N ⋅ I 1 + U 2 N ⋅ I 2 + U 3 N ⋅ I 3 nicht; die Strangspannungen bleiben in Phasenlage
= 66 V ⋅ 0 , 66 A + 43, 3 V ⋅ 0 , 866 A + 66 V ⋅ 0 , 66 A und Größe erhalten.
= 43,56 VA + 37 , 5 VA + 43,56 VA = 124,62 VA
 Beispiel: Gegeben ist ein unsymmetrischer, im Stern geschalteter
Drehstromverbraucher mit folgenden Werten: U = 100 V; R1 =
 Beispiel: Gegeben ist ein unsymmetrischer, im Dreieck geschal- 100 W; R2 = 50 W; R3 = 100 W.
teter Drehstromverbraucher mit folgenden Werten: U = 100 V; Unter der Voraussetzung, daß der Widerstand des Neutralleiters
R12 = 200 W; R23 = 200 W; R31 = 400 W. gegen Null geht, folgt:
VII Drehstrom 317

U 100 V Literaturhinweise
U Str = = = 57 , 7 V ;
3 3
Strangströme: [1] Hagmann, G.: Grundlagen der Elektrotechnik:
Aula-Verlag, 2006
U 57 , 7 V ⋅ e − j 90
I 1 = 1N = = 0 , 577 A ⋅ e − j 90 [2] Hering, E.; Martin, R.; Stohrer, M.: Physik für
R 100 W
Ingenieure: Springer, 2002
U 2 N 57 , 7 V ⋅ e j 150 [3] Frohne, H.: Moeller Grundlagen der Elektro-
I2 = = = 1,154 A ⋅ e j 150
R 50 W technik: Teubner, 2005
U 3 N 57 , 7 V ⋅ e j 30 [4] Zastrow, D.: Elektrotechnik: Vieweg, 2006
I3 = = = 0 , 577 A ⋅ e j 30
R 100 W [5] Lindner, H.: Physik für Ingenieure: Fachbuchver-
Der über den Neutralleiter abfließende Strom ergibt sich zu: lag Leipzig im Carl-Hanser-Verlag, 2006
I N = I 1 + I 2 + I 3 = 0 , 577 A ⋅ e − j 90 + 1,154 A ⋅ e j 150 + 0 , 577 A ⋅ e j 30
= ( 0 − j 0 , 577 ) A + ( − 1, 0 + j 0 , 577 ) A + ( 0 , 5 + j 0 , 289 ) A =
= ( − 0 , 5 + j 0 , 289 ) A = 0,577 A ⋅ e j 150

SEITE 318 VAKAT


Elektronik
I Leitungsmechanismen bei Halbleitern, pn-Übergang
1 Einführung in die Halbleiterphysik
Im Periodischen System der Elemente findet man zwi-
schen den Metallen und den Nichtmetallen Elemente,
die als Halbleiter bezeichnet werden. Es handelt sich
hierbei um Materialien mit einer spezifischen Leit-
fähigkeit, die in dem Bereich zwischen der spezifi-
schen Leitfähigkeit von metallischen Leitern und der
von Isolatoren liegt.
Die wichtigsten Halbleiterwerkstoffe sind das Sili-
zium (Si) und das Germanium (Ge). Selen (Se) wird
dagegen nur noch zur Herstellung kleinerer Netz-
gleichrichter verwendet.
Hinzu kommen jedoch noch die intermetallischen
Verbindungen wie Gallium-Arsenid (GaAs), Gal-
lium-Phosphid (GaP) und Indium-Arsenid (InAs). Sie
werden hauptsächlich zur Herstellung von Fotohalb-
leitern und Hallgeneratoren verwendet.
Silizium und Germanium sind 4wertige Elemente;
also bilden Atome mit vier Valenzelektronen das
Kristallgitter (Tetraeder-Gefüge) von reinem Silizium
und Germanium.
4+
4+
4+
4+
Silizium-Kristall
4+
Bild I-1 Elektronenpaarbindung bei Silizium
Bei diesen Elementen werden die Atome durch die
Elektronenpaarbindung zusammengehalten. In den
Atomkoordinationsgittern lagern sich die Atome mit
ihren äußeren Elektronenschalen so aneinander, daß
ihre Bindung über zwei Elektronen erfolgt. Die Ato-
me teilen sich die Elektronen der äußersten Schale.
Diese erhält so nach Bild I-1 den Bau einer Edelgas-
schale (Abschnitt Werkstoffkunde).
Bei einem störungsfreien Kristallgitteraufbau und
absolutem Temperaturnullpunkt (J0 = – 273 °C =
0 K(elvin) befinden sich alle Atome im Ruhezustand.
Die Leitfähigkeit des Halbleitermaterials ist unter den
genannten Bedingungen gleich Null, und damit ist
das Material ein absoluter Nichtleiter.
319
In reinem Silizium gibt nun jedes Si-Atom an vier
Nachbaratome je ein Elektron ab oder nimmt von
jedem der vier ein Elektron zur Aufrechterhaltung der
Elektronenpaarbindung an. In einem reinen Silizium-
kristall sind alle Valenzelektronen fest gebunden, so
daß keine freien Elektronen zur Verfügung stehen.
Wird ein solcher Kristall der Einwirkung von Energie
in Form von Licht und/oder Wärme ausgesetzt, so be-
ginnen die Atome zu schwingen (thermische Eigen-
bewegung). Unter diesen Bedingungen können Va-
lenzelektronen aus ihren Bindungen herausspringen
und werden damit zu freien Elektronen, so daß die
Leitfähigkeit des Materials größer wird.
An der Stelle, an der ein Valenzelektron aus seiner Bin-
dung gerissen wurde, fehlt nun jedoch eine negative
Ladung. Infolge der positiven Ladung der Protonen
im Atom verbleibt dem Atom eine positive Ladung,
die als „Defektelektron“ oder „Loch“ bezeichnet
wird.
4+
4+
freies Elektron
4+
4+
Loch
Silizium-Kristall
4+
Bild I-2 Thermische Paarbildung beziehungsweise
Generation im Teilchen-Modell
Das Entstehen eines freien Elektrons und eines Lo-
ches nach Bild I-2 wird als „thermische Paarbildung“
oder „Generation“ bezeichnet. Bei andauernder Ener-
giezuführung werden fortlaufend Elektronen frei, die
scheinbar ziellos durch den Kristall wandern, bis sie
auf ein Loch treffen und dort wieder in einen festen
Atomverband zurückspringen. Dieser Vorgang wird
„Rekombination“ genannt. Paarbildung und Rekombi-
nation sind stets im Gleichgewicht. Die Anzahl der
verfügbaren Ladungsträger hängt aber von der Tempe-
ratur ab und wird mit steigender Temperatur größer.
Im Bereich der Raumtemperatur verdoppelt sich in
etwa die Anzahl der Ladungsträgerpaare, wenn eine
Temperaturerhöhung um 10 K vorgenommen wird.
Diese Erhöhung der Leitfähigkeit mit steigender
Temperatur wird allgemein „Eigenleitung“ genannt.
320
Beim Anlegen einer Spannung entsteht im Kristall ein
elektrisches Feld, daß die frei gewordenen Elektronen
vom Minuspol zum Pluspol der Spannungsquelle
zieht. Sie springen auf ihrem Weg dahin immer von
einem Loch zum anderen und „fallen hinein“ (rekom-
binieren). Damit wandern die Löcher aber scheinbar
vom Pluspol zum Minuspol der Spannungsquelle.
In jedem Halbleitermaterial stehen also zum Ladungs-
transport sowohl Elektronen als auch Löcher zur
Verfügung. Diesen bipolaren Leitungsmechanismus
gilt es zu nutzen.
Neben dem Teilchen-Modell gibt es noch das Bän-
dermodell, das auf Überlegungen der Quantentheo-
rie zurückgeführt wird (siehe Abschnitt Werkstoff-
kunde).
Danach kann Ladung (Energie) nur in Portionen, also
bestimmten ganzzahligen Vielfachen der Grundla-
dung e (Elektronenenergie) existieren. In einem Kri-
stall können nach Pauli nur zwei Elektronen dasselbe
Energieniveau haben. Dadurch liegen die Energie-
niveaulinien der Elektronen des Kristalls sehr dicht in
Form von Bändern beieinander. Bei Festkörpern
geben also Bänder die möglichen Energiezustände
der Elektronen an:
1. Die Elektronen können keine beliebigen Energie-
werte im Kristall einnehmen, sondern nur solche,
die innerhalb eines Bandes liegen.
2. Die Elektronen können im Kristall keine Energie-
zustände einnehmen, deren Werte zwischen den
Bändern, daß heißt, in der verbotenen Zone, lie-
gen.
3. Eine Energiezufuhr kann ein Anheben der Elekt-
ronen auf höhere Energiebänder bewirken, daß
heißt, die verbotene Zone kann von den Elektro-
nen übersprungen werden.
4. Nur in teilweise besetzten Bändern kann eine
Elektronenleitung vonstatten gehen. In absolut
leeren Bändern sind keine Elektronen vorhanden,
und in völlig besetzten sind keine erlaubten Ener-
gieniveaus mehr vorhanden.
5. Bei Energieabgabe springen alle vorher angereg-
ten Elektronen auf noch freie Plätze in den niede-
ren Energiebändern zurück.
Werden Elektronen aus dem Valenzband VB in das
Leitungsband LB angehoben, so ist die Elektronen-
besetzung des VB nicht mehr komplett. Dieses VB
mit relativ wenig unbesetzten Elektronenzuständen
verhält sich nun hinsichtlich der Leitfähigkeit so, als
wären die entstandenen Lücken positiv geladene
Teilchen in einem sonst leeren Band.
Bei den Halbleitern ist deshalb eine n-Leitung durch
die negativ geladenen Elektronen im Leitungsband
und eine p-Leitung durch die positiv geladenen De-
fektelektronen des Valenzbandes zu unterscheiden.
Der „thermischen Paarbildung“ im Teilchenmodell
steht also hier nach Bild I-3 die Anhebung eines Va-
lenzelektrons durch Temperaturanstieg vom oberen
Rand des Valenzbandes zum unteren Rand des Lei-
Elektronik
LB
ΔW = 1,1 eV
VB
Bild I-3 Generation im Bändermodell
tungsbandes adäquat gegenüber. Die zur Paarbildung
notwendige Energie wird Bindungsenergie genannt
und entspricht der Breite der verbotenen Zone.
Bei der bisher besprochenen „Eigenleitung“ hängt die
Leitfähigkeit, also die Anzahl der freien Ladungs-
träger (Elektronen und Löcher) nur von der Tempera-
tur ab.
Wie macht man die Leitfähigkeit möglichst tempera-
turunabhängig?
4+
4+
5+
4+
Silizium-Kristall
4+
Bild I-4 n-Dotierung von Silizium
Die Leitfähigkeit wird fast temperaturunabhängig,
wenn man Störstellen im Gitter (Bild I-4) durch das
gezielte Einbringen von Fremdatomen in das Kri-
stallgitter des reinen Halbleitermaterials einbaut.
Ein derartiger Einbau von Fremdatomen wird als
Dotieren bezeichet. Zum Dotieren sind Stoffe geeig-
net, die entweder ein Valenzelektron mehr oder ein
Valenzelektron weniger besitzen als zum Beispiel
Silizium.
Die Elemente Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon
(Sb) haben fünf Valenzelektronen und damit ein
Elektron mehr als Silizium hat.
Bringt man Atome dieser Elemente in das Kristall-
gitter der Halbleiter, so wird ein Elektron für die
Elektronenpaarbindung im Kristall nicht gebraucht.
Es entsteht ein Elektronenüberschuß im Kristallgitter
(Elektronenspender = Donatoren).
Wird dagegen mit Bor (B), Aluminium (Al), Gallium
(Ga) oder Indium (In) dotiert, entsteht im Kristall ein
Elektronenmangel, weil diese Atome nur über drei
Valenzelektronen verfügen. Eine Paarbindung ist
nicht komplett, daß heißt es fehlt eine negative La-
dung, was bedeutet, daß wir nun nach Bild I-5 Löcher
(Defektelektronen) eingebracht haben (Elektronen-
empfänger = Akzeptoren).
I Leitungsmechanismen bei Halbleitern, pn-Übergang
4+
4+
3+
4+
Silizium-Kristall
4+
Bild I-5 p-Dotierung von Silizium
Diese durch gezielte Verunreinigung bewirkte Leit-
fähigkeit wird Störstellenleitung genannt. Sie ist maß-
gebend für die Leitfähigkeit aller dotierten Halb-
leitermaterialien und ist fast unabhängig von Tempe-
raturänderungen.
Mit Hilfe des Bändermodells läßt sich dieses Phäno-
men auch erklären: Durch die Dotierung entstehen
zusätzliche Energieniveaus, so daß ein Ladungsträ-
gertransport bei äußerst kleiner Energiezufuhr mög-
lich ist. Die Lage der neuen Energieniveaus ist im
Bild I-6 für n-dotiertes Material und Bild I-7 für
p-dotiertes Material erkennbar.
LB
+ Diffusion unterbindet und somit die Breite der Sperr-
Donatorniveau
Donatorion
VB
n-dotiert
Bild I-6 Energieniveau bei n-dotiertem Silizium
LB
Akzeptorion
Akzeptorniveau
+ VB
p-dotiert
Bild I-7 Energieniveau bei p-dotiertem Silizium
Wir haben nun n-dotiertes und p-dotiertes Halblei-
termaterial zur Verfügung und kennen zwei Leitungs-
mechanismen, nämlich n-Leitung und p-Leitung.
2 Der pn-Übergang
Fügt man n- und p-dotiertes Halbleitermaterial anein-
ander, liegt ein pn-Übergang nach Bild I-8 vor.
Infolge Diffusion (Verschieben von Ladungsträgern
321
zwischen den beiden unterschiedlich dotierten Sili-
ziumschichten infolge ihrer Wärmebewegung) ver-
lagern sich Elektronen aus dem n-Bereich, in dem
sie die Majoritätsträger (Mehrheit) darstellen, in den
p-Bereich und rekombinieren mit den Löchern.
Ebenso diffundieren Defektelektronen (Löcher) aus
dem p-Bereich in den n-Bereich und rekombinieren
mit den Elektronen.
p-dotiert n-dotiert
Antidiffusionsspannung
Bild I-8 pn-Übergang mit Antidiffusionsspannung
Diese Ladungsträger sind nunmehr für den Strom-
transport verloren. Es bildet sich eine Grenzschicht
aus, die keine oder nur sehr wenige freie Ladungsträ-
ger enthält, die sogenannte Sperrschicht. Infolge der
fehlenden Ladungsträger ist die Leitfähigkeit dieser
Zone sehr gering.
Da im p-Bereich aufgrund der Dotierung negative
Atomrümpfe (Ionen) und im n-Bereich positive
Atomrümpfe im Kristallgitter eingebunden sind, ent-
steht eine Raumladung, also eine Potentialdifferenz
und damit ein elektrisches Feld, die eine weitere
schicht begrenzt. Diese Antidiffusionsspannung ist
von der Dotierung, vom Grundmaterial und der Tem-
peraturspannung abhängig. Weil diese Spannung, die
manchmal auch als Diffusionsspannung bezeichnet
wird, nur unmittelbar an der Sperrschicht auftritt,
kann sie von außen nicht gemessen werden.
p-dotiert n-dotiert
Antidiffusionsspannung
+
U
Bild I-9 pn-Übergang in Sperrichtung
Legt man nun nach Bild I-9 von außen an den pn-
Übergang eine größere Spannung an, die dieselbe
Polarität wie die Antidiffusionsspannung aufweist,
also eine Spannungsquelle mit dem Minus-Pol an den
p-Bereich und dem Plus-Pol an den n-Bereich, so
werden Elektronen in den p-Bereich gepumpt, die
dann ihrerseits mit den Löchern rekombinieren.
322 Elektronik

In den n-Bereich werden zusätzliche Löcher gepumpt p-dotiert n-dotiert

(Elektronen abgesaugt). Die Folge ist eine Auswei-
tung der Sperrschicht, da diese Grenzschicht weiter
an Ladungsträgern verarmt. Der Widerstand der
Sperrschicht wird nahezu unendlich groß.
Polt man nun die Spannungsquelle nach Bild I-10 um
(Plus-Pol an den p-Bereich und den Minus-Pol an den Antidiffusionsspannung
n-Bereich), werden Elektronen in den n-Bereich ein-
gebracht, während Defektelektronen in den p-Bereich
+
verbracht werden. Die Folge ist, daß rekombinierte
Teilchen sofort durch neue ersetzt, die Sperrschicht U
abgebaut und bei genügend großer angelegter Span- Bild I-10 pn-Übergang in Durchlaßrichtung
nung zum Verschwinden gebracht wird. Damit fließt
ein größer werdender Strom durch den pn-Übergang. Ein pn-Übergang ist also ein Bauelement, dessen
Überschreitet die Spannung den Wert der Antidiffu- Widerstand von der Richtung der angelegten Span-
sionsspannung, wird der Durchlaßstrom schnell sehr nung abhängig ist. Man unterscheidet eine Sperrich-
groß. tung und eine Durchlaßrichtung.

II Dioden

1 Kennlinien Legt man an die Kennlinie in Durchlaßrichtung eine

Tangente, wenn die Kennlinie in eine Gerade über-
Aus den Diodenkennlinien nach Bild II-1 lassen sich geht, so schneidet diese Tangente die Spannungs-
Daten für den Einsatz und das Verhalten der einzel- achse bei der Schleusenspannung U(TO).
nen Diodentypen ermitteln. Es gelten folgende Werte:
IF Ge ⇒ U(TO) = 0,2 ... 0,4 V
Si ⇒ U(TO) = 0,5 ... 0,8 V
a b
Der Sperrbereich wird von den Größen Sperrspan-
nung UR und Sperrstrom IR beschrieben (R steht für
Durchlaßbereich
reverse direction, engl.: Rückwärtsrichtung).
UR(BR) Es gelten folgende Werte:
UR U(TO) UF Ge ⇒ IR = 10 ... 500 mA
Si ⇒ IR = 5 ... 500 nA
Im Koordinatenursprung scheint in der Kennlinie ein
a) Silizium Knick zu sein. Bei genauerem Hinsehen findet man als
b) Germanium
Sperrbereich IR Ursache einen Wechsel der Einheitengröße bei Strom
und Spannung. Die Spannung UR(BR) ist hier nach
Bild II-1 Vierquadrantenkennlinie für Silizium- und Bild II-1 die rückwärtige Durchbruchspannung.
Germanium-Dioden Die Durchbruchspannung ist als die Spannung defi-
niert, für die die maximale Feldstärke im pn-Über-
Der Durchlaßbereich wird von den Größen Durch- gang einen kritischen Wert erreicht und der Sperr-
laßspannung UF und Durchlaßstrom IF beschrieben strom sehr plötzlich große Werte annimmt.
(F steht für forward direction, engl.: Vorwärtsrich- Der Strom am pn-Übergang setzt sich aus einem
tung). Löcherinjektionsstrom ins n-Gebiet, einem Elektro-
II Dioden 323

neninjektionsstrom ins p-Gebiet und einem Rekom- Sperr- und Durchlaßverhalten einer Diode sind tem-
binations-Generationsstrom in der Raumladungszone peraturabhängig. Bei einem Anstieg der Sperrschicht-
zusammen. Dieser Strom ist temperaturabhängig. Je temperatur JJ um ca. 10 K bei einer Ge-Diode und ca.
höher die Temperatur wird, um so größer ist die 7 K bei einer Si-Diode verdoppelt sich der Sperr-
Wahrscheinlichkeit, daß die Elektronen große Ge- strom. Die Schleusenspannung verringert sich mit
schwindigkeiten annehmen. zunehmender Sperrschichttemperatur JJ um ca.
Die Temperaturspannung UT ist eine Funktion der 2 mV/K.
Temperatur und läßt sich über den Energieerhaltungs-
satz aus der Wärmelehre ermitteln. Setzt man voraus,
daß die Elektronen, bedingt durch die Temperatur T, Durchlaßkennlinien IF = f (UF)
o o
TU = 25 C ; TU = 100 C
eine bestimmte Energie besitzen, ohne daß eine
BAY 44, BAY 45, BAY 46
elektrische Spannung vorhanden ist, so ist die Tempe- 10
3
raturspannung als eine Spannung erklärbar. IF
mA
k ⋅T
Temperaturspannung U T = (II.1) 10
2
e Mittelwerte
Streuwerte
mit k = 1,3804 ⋅ 10–23
Ws/K (Boltzmannkonstante) und e = 1,602
· 10–19 As (Elementarladung) (für T = 300 K ist UT ≈ 26 mV) 1
10
Tritt nun eine elektrische Feldstärke infolge einer
angelegten Spannung auf, so wird die Bewegung der 0
Elektronen zum positiven Potential gerichtet sein. 10
o
Insgesamt kann der Strom mathematisch wie folgt als TU = 100 C
die Kennlinie einer Diode in Durchlaßrichtung so
–1
beschrieben werden: 10

I = I S ⎧⎨ e U T − 1⎫⎬
U

Diodenkennlinie (II.2) o
⎩ ⎭ 10
–2 25 C

Hierbei ist IS eine Konstante (Sättigungsstrom), die

von der Konstruktion der Diode und verschiedenen –3
Materialparametern abhängt. 10
0 0,2 0,4 0,6 0,8 V 1,0
UF
Sperrkennlinien IR = f (UR)
TU = 25oC ; TU = 100oC BAY 45 Bild II-3 Durchlaßkennlinien einer Diode als f(T)
IR
nA Die Diagramme in Bild II-2 und II-3 zeigen die
Temperaturabhängigkeit der Sperr- beziehungsweise
104 Durchlaßkennlinien für 25 °C und 100 °C.

TU = 100 C
o

103
2 Kenndaten und Grenzwerte
Diodenhersteller geben in den Datenblättern eine
Reihe von Kennwerten an. Diese Kennwerte sind
102 25oC
getrennt nach Grenzdaten und Kenndaten zu bewer-
ten.
Grenzwerte sind solche Werte, die auf keinen Fall
101 überschritten werden dürfen, weil das Bauelement
sonst zerstört werden könnte. Ein einzelner Grenz-
wert darf auch dann nicht überschritten werden, wenn
Mittelwerte andere Grenzwerte nicht voll ausgenutzt sind.
100 Streuwerte Dioden können auf verschiedene Arten elektrisch
überlastet werden; durch einen zu großen Durch-
laßstrom IF, eine zu hohe Sperrspannung UR, eine zu
10–1 große, in ihr umgesetzte Verlustleistung PV oder
0 50 100 150 V
UR durch eine zu hohe Sperrschichttemperatur JJ max.
Die Datenblätter enthalten nach DIN 41782 Strom-
Bild II-2 Sperrkennlinien einer Diode als f(T) und Spannungswerte mit folgenden Bedeutungen:
324
Stoßspitzenspannung URSM, Periodische Spitzensperr-
spannung URRM, Dauergrenzstrom IFAV, Durchlaß-
strom-Effektivwert IFRMS und Stoßstrom-Grenzwert
IFSM.
Beim Betrieb einer Diode entsteht sowohl in Durch-
laßrichtung als auch in Sperrichtung eine Verlustleis-
tung PV in der Diode, wobei bei niedrigen Frequenzen
die Sperrverluste gegenüber den Durchlaßverlusten
vernachlässigbar klein sind.
Verlustleistung PV = UF ⋅ IF
Zur Berechnung dieser Verlustleistung muß UF näher
bestimmt werden. Es gilt:
UF = U(TO) + rF ⋅ IF
Eingesetzt in Gleichung II.3 ergibt sich:
PV = (U(TO) + rF ⋅ IF) ⋅ IF = U(TO) ⋅ IF + rF ⋅ IF2
Sowohl Spannung als auch Strom sind hier abhängig
von der Zeit f(t). Der 1. Teil der Summe in Gleichung
II.4 beschreibt den DC-Anteil der Leistung, während
der 2. Teil der Summe den AC-Anteil darstellt.
Damit ergibt sich PV = U(TO) ⋅ IFAV + rF ⋅ I2RMS und
wegen IRMS = F ⋅ IFAV mit F ≡ Formfaktor ergibt sich
die
totale Verlustleistung
Ptot ≥ PV = U(TO) ⋅ IFAV + rF (F ⋅ IFAV)2
Diese Verlustleistung führt zur Erwärmung des Halb-
leiterkristalls. Die größte zulässige Verlustleistung
wird als totale Verlustleistung Ptot vom Hersteller für
bestimmte Temperaturbedingungen angegeben.
In diesem Zusammenhang muß auch die zulässige
Impulsbelastbarkeit von Dioden gesehen werden.
Wird die Diode mit einer rechteckförmigen Span-
nung betrieben, kann mit dem Diagramm nach
Bild II-4 gearbeitet werden. Hier ist die Abhängigkeit
des zulässigen Stroms IF von der Impulsdauer ti
aufgetragen. Als Parameter wird hier n = ti /T angege-
Zulässige Impulsbelastbarkeit
IF = f (t i);n = Parameter, TU = 25 °C
IF 102
A n=0
0,005
n=
101 0,01
0,02
100
0,05 0,1 0,2
10 –1
10–5 10–4 10–3 10–2
Elektronik
ben. Je größer der Parameter n wird, um so geringer
wird der zulässige Strom in Durchlaßrichtung.
Hauptsächlich durch die Verlustleistung bei Durch-
laßbetrieb entsteht in der Sperrschicht Wärme, durch
die sich die Sperrschichttemperatur erhöht. Diese
darf die maximale Sperrschichttemperatur JJ max nicht
überschreiten, weil der Kristall seine Halbleitereigen-
schaften ansonsten stark verändert und die Diode
zerstört wird.
Die höchste zulässige Sperrschichttemperatur hängt
(II.3)
vom Material ab: JJ max ≈ 70° bis 90 °C bei Germani-
umdioden und JJ max ≈ 150° bis 200 °C bei Silizium-
dioden.
Besteht die Gefahr, daß die höchstzulässige Sperr-
schichttemperatur infolge der Verlustleistung und der
Umgebungstemperatur überschritten werden kann, so
muß die Diode „gekühlt“ werden.
(II.4)
Als Kenndaten werden Eigenschaften der Dioden
angegeben, die das Verhalten in bestimmten Arbeits-
punkten kennzeichnen. Die Kenndaten werden in
dynamische und statische Daten unterteilt.
Statische Kenndaten beschreiben das Gleichstrom-
verhalten während dynamische Kenndaten über das
Verhalten bei Wechselstrom- und Impulsbetrieb in-
formieren.
Der statische Durchlaßwiderstand RF ist der Gleich-
stromwiderstand einer Diode. Er ist nicht konstant,
(II.5) sondern hängt vom gewählten Arbeitspunkt ab.
Oberhalb der Schleusenspannung ist RF sehr klein,
unterhalb aber bereits relativ groß.
Der dynamische Durchlaßwiderstand rF ist der Wech-
selstromwiderstand der Diode. Er läßt sich aus der
Stromänderung DIF infolge einer Spannungsänderung
DUF für einen bestimmten Arbeitspunkt aus dem
Kennlinienbild ermitteln. Der dynamische Durchlaß-
widerstand wird mit steigendem Durchlaßstrom
kleiner. Sein Wert wird vom Hersteller in den ent-
sprechenden Datenblättern in doppelt-logarithmi-
schen Diagrammen, zum Beispiel im Diagramm nach
Bild II-5 dargestellt.
BAY 44, BAY 45, BAY 46
ti
ti
IF
T
T
Bild II-4
Zulässige Impulsbelastbarkeit
10–1 100 101 s
ti
II Dioden 325

Dynamischer Durchlaßwiderstand rF Diodenkapazität

rF = f (IF); Meßfrequenz f = 1 MHz C = f (UR) BAY 44, BAY 45, BAY 46
BAY 44, BAY 45, BAY 46
104 10
C
rF Ω
pF

103

102
5 BAY 44
BAY 45
BAY 46

101

100
10–2 10–1 100 101 mA 102
IF

Bild II-5 Dynamischer Durchlaßwiderstand rF 0

10–1 100 101 V 102
einer Diode
UR

dynamischer Durchlaßwiderstand Bild II-6 Dioden-Kapazität als Funktion

der Sperrspannung
DU F
rF = (II.6)
DI F Die Sperrschicht ist abgebaut, wenn eine Diode in
Durchlaßrichtung betrieben wird. Nun befinden sich
Der statische Sperrwiderstand RR ist im gesamten
zahlreiche Ladungsträger im Bereich der Grenz-
zulässigen Sperrbereich sehr groß. Er ändert sich
schicht zwischen dem p- und n-Material. Bei schlag-
auch nur relativ wenig in Abhängigkeit von der
artigem Umpolen der äußeren Spannung (Übergang
Sperrspannung. Wird jedoch die höchstzulässige
vom Durchlaß- in den Sperrbetrieb) kann eine Sperr-
Spitzensperrspannung URSM überschritten, so wird der
wirkung des pn-Überganges erst dann entstehen,
Sperrwiderstand plötzlich sehr klein. Eine normale
wenn alle Ladungsträger aus der Grenzschicht abge-
Diode ist dann nicht mehr funktionsfähig.
flossen sind (Träger-Staueffekt, TSE).
Die Sperrschicht, die sich zwischen dem p-dotierten
und dem n-dotierten Material ausbildet, wirkt als IF
Isolator wie ein Dielektrikum, an das sich auf beiden
Seiten ein gut leitendes Material anschließt. Jede tr r
Diode besitzt daher auch ohne angelegte Spannung
eine Sperrschichtkapazität. Sie wird nach Bild II-6
mit zunehmender Sperrspannung kleiner, weil die
Breite der Sperrschicht größer wird. Aus der Sperr- IR t
schichtkapazität und der zwischen den Anschlüssen
der Diode und dem Gehäuse auftretenden Kapazität
ergibt sich die Diodenkapazität CD. I RM
Obwohl diese Diodenkapazität einen relativ kleinen Bild II-7
Wert hat, kann sie beim Diodeneinsatz sehr störend IR Sperrverzögerungszeit trr
wirken. So bildet eine Diode mit einem Vorwider-
stand ein RC-Glied, das eine bestimmte Zeitkonstante Die Zeit, die das Ausräumen der Ladungsträger aus
hat. Bei Betrieb mit einer Wechselspannung sehr der Grenzschicht erfordert, wird Sperrverzögerungs-
hoher Frequenz wirkt das RC-Glied als Tiefpaß, bei zeit trr (reverse recovery time) oder Rückwärtserhol-
Impulsbetrieb als Integrierglied, durch das eine Im- zeit trr genannt. Bild II-7 zeigt den Zusammenhang
pulsverformung auftritt. zwischen dem maximal auftretenden Sperrstrom IRM
Beim Einsatz in der Digitaltechnik müssen also Di- und der Dauer des fließenden Sperrstroms, bis dieser
oden mit sehr kleiner Diodenkapazität ausgewählt auf ca. 10% von IRM abgesunken ist, bei der die
werden. Sperrverzögerungszeit endet.
326
Die Sperrverzögerungszeit soll aus mehreren Grün-
den möglichst klein sein. So kann unmittelbar nach
dem Umschalten vom Durchlaß- in den Sperrbereich
bereits eine hohe Sperrspannung UR anliegen, wäh-
rend noch für eine gewisse Zeit ein relativ großer
Ausräumstrom IR fließt. Kurzzeitig ergibt sich da-
durch eine hohe Verlustleistung, durch die die Diode
zerstört werden kann. Eine TSE-Beschaltung (RC-
Reihenglied parallel zur Diode) mindert diesen
Effekt.
Weiterhin bestimmt die Sperrverzögerungszeit aber
auch die höchste Frequenz, die mit der betreffenden
Diode noch gleichgerichtet werden kann. Eine
Gleichrichtung ist nur möglich, wenn die Dauer der
zu sperrenden Halbwelle größer als die Sperrverzöge-
rungszeit ist.
Bei Betrieb einer Diode (aber auch aller anderen
Halbleiterbauelemente) wird die in der (oder den)
Sperrschicht(en) auftretende Verlustleistung PV in
Wärme umgewandelt. Diese Wärme muß über das
den Kristall umschließende Gehäuse aus Metall,
Kunststoff oder Glas an die Umgebungsluft abgeführt
werden.
Aufgrund der thermischen Gesetze geschieht dieses
in dem Maße, je größer die Temperaturdifferenz zwi-
schen Sperrschicht und Umgebungsluft ist und je
besser die Ableitung der erzeugten Wärme erfolgen
kann.
Wie gut die Wärme von der Sperrschicht (J = junc-
tion) durch das Material an die Luft (U = Umgebung,
auch A für engl. = ambient) abgeführt werden kann,
wird durch den Wärmewiderstand Rth JU beschrieben,
wobei der Index „th“ den thermischen Widerstand
beschreibt.
Den mathematischen Zusammenhang beziehungswei-
se die Definition des Wärmewiderstandes kann man
leicht formulieren.
JJ − JU
Wärmewiderstand Rth JU = (II.7)
PV
Bei Dioden mit Verlustleistungen PV < 1 W genügt
meist die Wärmeableitung über die Oberfläche des
Gehäuses. Der Wärmewiderstand umfaßt den Weg
von der Sperrschicht über das Gehäuse an die Umge-
bungsluft. Bei Verlustleistungen PV > 1 W reicht die
Wärmeableitung über das Gehäuse allein nicht mehr
aus, weil die Oberfläche des Gehäuses zu klein ist.
Um die abstrahlende Oberfläche zu vergrößern, wird
die Diode auf einen zusätzlichen Kühlkörper gesetzt.
Hierfür eignen sich Metalle, die eine gute Wärmeleit-
fähigkeit bei gleichzeitig geringem Gewicht haben.
Werden Dioden mit einem zusätzlichen Kühlkörper
betrieben, so setzt sich der Wärmewiderstand Rth JU
aus einer Reihenschaltung der drei Teilwiderstände
→ Rth JG (Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse),
Rth GK (Wärmewiderstand Gehäuse – Kühlkörper) und
Rth K (Wärmewiderstand des Kühlkörpers) zusammen.
→ Rth JU = Rth JG + Rth GK + Rth K
Elektronik
Der gesamte Wärmerwidestand Rth JU zwischen Sperr-
schicht und Umgebungsluft ist nun wegen der großen
Oberfläche kleiner als der Wärmewiderstand Rth JU,
der für das Halbleiterbauelement ohne Kühlkörper
gilt. Je kleiner der Wärmewiderstand ist, um so grö-
ßere Wärmemengen können von der Sperrschicht
abgeführt werden. Die Wärmespeicherung kann
durch entsprechende Ersatzschaltbilder (zum Beispiel
„Kondensator“) dargestellt und berechnet werden.
Zulässige Verlustleistung
JJ − JU
PV = (II.8)
Rth JG + Rth GK + Rth K
Der Wärmewiderstand Rth K eines Kühlkörpers ist
aber nicht nur von der Größe der Oberfläche, sondern
auch vom Material abhängig. Diese Materialabhän-
gigkeit wird meistens in einem Diagramm angegeben.
Heute werden in zunehmendem Umfang Rippenkühl-
körper verwendet. Sie werden hauptsächlich aus einer
Aluminiumlegierung gefertigt.
Zwischen dem Gehäuse des Bauelementes und dem
Kühlkörper soll ein sehr enger Kontakt bestehen,
damit der Wärmewiderstand Rth GK möglichst klein
wird. Dies läßt sich mit einer Wärmeleitpaste, zum
Beispiel Siliconfett erreichen.
3 Kennzeichnung
von Halbleiter-Bauelementen
Die Typenbezeichnung setzt sich nach „Pro Electron“
aus zwei (für Typen, die vorwiegend in Rundfunk-,
Fernseh- und Magnettongeräten verwendet werden)
oder drei (Typen für kommerzielle Zwecke, bezie-
hungsweise Industrietypen) Buchstaben und einer
Zahlenkombination zusammen. Bei amerikanischen
Herstellern ist die Bezeichnung 1N... für Dioden und
2N ... für Transistoren üblich, wobei die Zahl vor
dem „N“ die Anzahl der internen pn-Übergänge
kennzeichnet. Hier ist das Ausgangsmaterial der
Bauelemente nicht erkennbar. Die nachfolgende drei-
oder vierstellige Zahl ist eine Registriernummer ohne
besondere technische Aussage.
Das folgende Schema zeigt die Kennzeichnung von
Halbleiter-Bauelementen der Firma Siemens und
anderer Firmen. Darin bedeuten:
1. Buchstabe (Ausgangsmaterial):
A Germanium; B Silizium; C Material mit einem
Energieabstand von mehr als 1,3 eV, zum Beispiel
Gallium – Arsenid; D Material mit einem Energieab-
stand von weniger als 0,6 eV, zum Beispiel Indium-
Antimonid; R Halbleiter-Material für Photoleiter und
Hallgeneratoren
2. Buchstabe (Verwendungszweck):
A Allgemeine Kleinsignalgleichrichtung, Schaltdio-
de; B Kapazitätsdiode; C NF-Transistor; D NF-
Leistungstransistor; E Tunneldiode; F HF-Transistor;
G Oszillatordiode für HF-Anwendung, auch Multi-
II Dioden 327

chips; H Diode, die auf ein Magnetfeld anspricht,
Hall-Feldsonde; L HF-Leistungstransistor; N Opto-
koppler; P Fotodiode, Fotoelement (strahlungsemp-
findliches Bauelement); Q Leuchtdiode (strahlungs-
erzeugendes Bauelement); R Elektrisch ausgelöste
Steuer- oder Schaltbauteile mit Durchbruchcharakte-
ristik; S Schalttransistor; T Elektrisch oder mittels
Licht ausgelöste Steuer- oder Schaltbauteile mit
Durchbruchcharakteristik; U Leistungs-Schalttransi-
stor; X Verfielfacherdiode; Y Leistungsdiode; Z
Z-Diode, Referenzdiode
Der 3. Buchstabe (nur X, Y und Z) kennzeichnet
kommerzielle Typen.
4 Diodenarten
Dioden unterscheidet man zweckmäßigerweise nach
ihrer Anwendung voneinander. Die bisher beschrie-
benen Grenz- und Kenndaten werden hierbei je nach
Ausprägung der Dioden und der beabsichtigten An-
wendung als Vor- oder Nachteile angesehen und
zielgerichtet verwendet. Die folgenden Diodenarten
stellen nur eine willkürliche Auswahl dar.
Alle mit den Vorgängen im Halbleitermaterial zu-
sammenhängenden elektrischen Eigenschaften sind
durch geeignete Wahl der Konzentration der Fremd-
atome (Donatoren beziehungsweise Akzeptoren)
beiderseits des pn-Überganges, durch Wahl der Dicke
von p- und n-Bereich, durch Wahl der Kristallfläche
und durch das Herstellungsverfahren in weiten Gren-
zen beeinflußbar. In der Art, wie die gewünschten
Konzentrationen von Donatoren und Akzeptoren in
das Grundmaterial Silizium eingebracht werden,
unterscheiden sich die möglichen grundsätzlichen
Herstellungsverfahren.
Beim Legierungsverfahren nach Bild II-8 wird eine
kleine Aluminium- oder Indiumkugel (-draht) auf
eine n-dotierte Siliziumscheibe gebracht. Beides zu-
sammen wird soweit erhitzt, bis sich ein kleiner
geschmolzener Al-Si-Bereich bildet, der nach dem
Abkühlen eine p-leitende Zone bildet. Das Restalu-
minium bildet den Kontakt der p-Zone. Die genaue
Lage, die Fläche und die Eindringtiefe des entstande-
nen pn-Überganges sind nur schwer exakt zu steuern.
Das Legierungsverfahren wird deshalb nur noch in
Sonderfällen eingesetzt.

Tabelle II-1 Diodenarten und Anwendungsbereiche

Art Schaltzeichen Anwendungsbereich

Silizium- Universaldiode zur Gleichrichtung von Spannungen und

Flächendiode Strömen in der Elektrotechnik, Elektronik und Meßtechnik

Silizium- Gleichrichten von Strömen und Spannungen in der Leistungs-

Gleichrichterzelle elektronik

Germanium- Gleichrichten von kleinen Wechselspannungen und -strömen

Spitzendiode bis zu hoher Frequenz.
Anwendung als schnelle Schaltdiode in der Digitalelektronik

Schottky-Diode Gleichrichten von kleinen Wechselspannungen und -strömen

bis zu extrem hoher Frequenz. Anwendung als sehr schnelle
Schaltdiode. Bestandteil monolithischer integrierter Schal-
tungen in der Digitalelektronik

Backwarddiode Gleichrichten extrem kleiner Wechselspannungen bei hoher

Frequenz

Tunneldiode Schwingungserzeugung im Mikrowellenbereich. Schnelle

Schaltdiode in der Digitalelektronik

Kapazitätsdiode Abstimmung von Schwingkreisen, automatische Nachstimm-

schaltungen, Modulationsschaltungen, Mischer und Frequenz-
vervielfacher

Z-Diode Begrenzen von Spannungen, Spannungs-Referenzelement in

der Meßtechnik, Schaltungen zur Spannungsneubildung

Magnetdiode Magnetfeldabhängige Steuerungen

M

Suppressor-Diode Begrenzen von Überspannungsspitzen im gesamten Bereich

der Elektronik
328 Elektronik

Al (flüssig) tierte Si-Scheibe durch chemische Reaktion bei der

p-Si
Al Al Entstehung abgeschieden. Die weiteren Schritte ent-
n-Si n-Si n-Si sprechen dem oben beschriebenen Planar-Diffu-
Legierung sionsverfahren.
bei T = 600 °C ohmscher Kontakt
3-wertiges
Bild II-8 Prinzip des Legierungsverfahrens Epitaxie- Material ohmscher Al
schicht SiO2 SiO2
Kontakt
Das Festkörper-Diffusionsverfahren erlaubt eine we- n-Si n-Si n-Si
sentlich bessere Kontrolle der Eindringtiefe des pn- n-Si+ n-Si+ n-Si+
Überganges. Bei diesem Verfahren werden nach Bild
Substrat Diffusion bei p-Si ohmscher
II-9 einkristalline n-dotierte Si-Scheiben bei hohen T = 900 ... 1200 °C Kontakt
Temperaturen einer Dotierstoff enthaltenen Atmo-
sphäre ausgesetzt. Die Fremdatome diffundieren in Bild II-11 Epitaxie-Planar-Diffusionsverfahren
das n-Silizium, wobei sich durch geeignete Wahl von
Temperatur und Zeit die Eindringtiefe sehr genau Diese grundsätzlichen Herstellungsverfahren können
einstellen läßt. Die Fläche des für eine einzelne Diode natürlich auch für die Fertigung von Transistoren und
benutzten pn-Überganges wird hierdurch jedoch nicht anderen HL-Bauelementen angewendet werden. Zur
bestimmt. Diese muß durch Zerkleinern in Einzelkris- Herstellung von Feldeffekttransistoren und integrier-
talle gewünschter Größe erfolgen. Der dann seitlich ten Schaltkreisen wird neuerdings die Ionenimplanta-
freiliegende pn-Übergang muß zusätzlich geätzt und tion angewendet. Bei diesem Verfahren werden die
abgedeckt werden. Dotierungsatome in einem elektrischen Feld ionisiert
und mit hoher Geschwindigkeit in das Grundmaterial
3-wertiges Material p-Si ohmscher
p-Si Al „geschossen“. Da sich hierbei die Eindringtiefe sehr
Kontakt
genau steuern läßt, sind die pn-Übergänge sehr scharf
n-Si n-Si n-Si abgegrenzt, so daß unerwünschte Kapazitäten klein
Diffusion bei ohmscher gehalten werden können. Auch die Größe des einzel-
T = 900 ... 1300 °C Kontakt nen Transistorsystems kann verringert werden, was
Bild II-9 Prinzip des Diffusionsverfahrens die Integrationsdichte von ICs erhöht.

Durch das Planarverfahren ist eine wesentlich bessere 4.1 Kapazitätsdioden

Kontrolle der Geometrie von pn-Übergängen mög-
lich. Bei diesem Verfahren wird nach Bild II-10 auf
der einkristallinen n-dotierten Si-Scheibe bei hohen
Temperaturen durch Sauerstoffzufuhr eine SiO2-
Schicht aufgebracht, durch die quasi keine Fremd-
atome eindringen können. Durch einen photolitho-
graphischen Prozeß wird in diese SiO2-Schicht ein
Fenster eingefügt, das einer Dotierstoff enthaltenen
Atmosphäre ausgesetzt wird. Die Fremdatome dif-
fundieren an dieser Stelle in das n-Silizium. So läßt
sich durch geeignete Wahl von Temperatur und Zeit
die Eindringtiefe und die Fläche des für eine einzelne
Diode benutzten pn-Überganges sehr genau einstel-
len.
3-wertiges ohmscher
O2 Material Kontakt
SiO2 SiO2 Al
n-Si n-Si n-Si n-Si
p-Si
Oxydation bei Diffusion bei ohmscher
T = 900 ... 1200 °C T = 900 ... 1200 °C Al Kontakt
Bild II-10 Planar-Diffusionsverfahren
Hinsichtlich der inneren Verluste bringt das Epitaxie-
Verfahren nach Bild II-11 eine weitere Verbesserung
gegenüber dem einfachen Planar-Diffussionsverfah-
ren mit sich. Hierbei wird auf der niederohmigen
einkristallinen n-dotierten Si-Scheibe epitaktisch eine
ebenfalls, allerdings hochohmige, einkristalline n-do-
Bei den Kapazitätsdioden wird die Sperrschichtka-
pazität und die Abhängigkeit ihrer Größe von der
anliegenden Sperrspannung als gewünschte spezielle
Eigenschaft benutzt. Die in Sperrichtung betriebene
Kapazitätsdiode kann mit einem Plattenkondensator
verglichen werden. Die Breite der Sperrschicht, daß
heißt hier der Plattenabstand, kann durch die Größe
der Sperrspannung variiert werden. So wird mit zu-
nehmender Sperrspannung die Breite der Sperrschicht
größer und damit die Sperrschichtkapazität Cj kleiner.
Um eine starke Spannungsabhängigkeit der Sperr-
schichtkapazität zu erreichen, bildet man hyper-
abrupte pn-Übergänge. Die Diffusionstechnik macht
es möglich, Siliziumdioden mit eng tolerierter und
recht verlustfreier Sperrschichtkapazität herzustellen.
rs
rs
Cs
Ls
Ls Bild II-12
Cj rj
Cj Ersatzschaltungen von
Kapazitätsdioden
Bei den Kenndaten ist die Nennkapazität von wesent-
licher Bedeutung. Sie wird in den Datenblättern stets
für bestimmte Sperrspannungen angegeben und wird
nicht nur durch die Sperrschichtkapazität Cj gebildet.
Die Sperrschicht bildet keinen idealen kapazitiven
II Dioden 329

Blindwiderstand, sondern ist im Zusammenhang mit Bild II-14 a

den anderen Anteilen der Diode in den Ersatzzschal- Diode als
RL URL
tungen nach Bild II-12 zu betrachten. Neben der elektronischer
Kapazität Cj ist auch die Güte Q einer Kapazitäts- Schalter
UB
diode beim praktischen Einsatz von Bedeutung, da
Kapazitätsdioden für den Einsatz in HF-Schwing-
kreisen vorgesehen sind. Unter Vernachlässigung V1 UF
der Serieninduktivität LS läßt sich die Güte nach
Bild II-12 definieren.
1
Güte Q = (II.9)
1 Bild II-14 b
wC j ⋅ rs +
wC j ⋅ r j RL –URL
Gleichung II.9 läßt erkennen, daß die Güte frequenz-
abhängig ist. Die Serieninduktivität (bedingt durch –U B
die Anschlußdrähte) ist bei hohen Frequenzen nicht
vernachlässigbar. Die meisten Anwendungen ermög- V1 –UR
lichen die Verwendung eines Ersatzschaltbildes nach
Bild II-12b. Hierbei kann der Sperrschichtwiderstand
rj und die Anschlußkapazität Cs vernachlässigt wer-
den. In den Datenblättern der Hersteller wird die nutzt werden. Der Schaltzustand der Diode als Schal-
Abhängigkeit der Güte von der Frequenz in Dia- ter hängt also von der Polarität der angelegten Be-
grammen dargestellt, desgleichen die Temperatur- triebsspannung UB in der Schaltung nach Bild II-14a
und Sperrspannungsabhängigkeit der ausnutzbaren und II-14b ab. Wird der Lastwiderstand RL als Wider-
Kapazität. standsgerade in das Kennlinienfeld einer Diode nach
Wegen ihrer relativ kleinen Kapazitäten werden Kapa- Bild II-15 eingetragen und eine Rechteckspannung
zitätsdioden überwiegend als Schwingkreiskapazitä- UB mit positiven und negativen Amplituden verwen-
ten in der Hochfrequenztechnik eingesetzt. Sie haben det, so können die jeweils auftretenden Spannungen
in Radio- und Fernsehgeräten den früher üblichen und Ströme in den beiden sich einstellenden Arbeits-
mechanischen Drehkondensator weitgehend ver- punkten AP abgelesen und die zugehörigen Leistun-
drängt. gen ermittelt werden.
CS IF
RV Bild II-13 UB mA
L
Prinzipschal- UB Durchlaßbereich
CP tung einer t R
CD USt
Nachstimm- IF AP
schaltung

Die Kapazität der Kapazitätsdiode ist in den Nach- UR UBR

UB
stimmschaltungen nach Bild II-13 meistens nur eine UB U
UR AP IR UF UR F
Teilkapazität. Durch Ansteuern mit einer verän-
derbaren Gleichspannung Ust wird die Sperrschicht- UB
kapazität und damit auch die Resonanzfrequenz des R Bild II-15
Schwingkreises verändert (siehe Abschnitt Nachrich- Kennlinienfeld
tentechnik). Sperrbereich einer Diode mit
Arbeitsgerade und
4.2 Schalterdioden IR Arbeitspunkten
mA
In einem Stromkreis muß ein Schalter in der Stellung
„Geschlossen“ einen möglichst kleinen Widerstand
(idealer Wert R = 0 W) und in der Stellung „Offen“ Die Schnittpunkte der Durchlaß- und Sperrkennlinien
einen möglichst großen Widerstand (idealer Wert R = mit den Widerstandsgeraden ergeben die sich einstel-
∞ W) haben. Mit mechanischen Schaltern lassen sich lenden Arbeitspunkte bei leitender Diode (Schalter
die idealen Werte weitgehend erreichen, bei elektro- geschlossen) und gesperrter Diode (Schalter offen).
nischen Schaltern jedoch nur näherungsweise. Diodenschalter
Die Diode stellt einen elektronischen Schalter dar, UB = IF ⋅ RL + UF (Schalter geschlossen)
wenn ihr kleiner Durchlaßwiderstand RF und ihr
großer Sperrwiderstand RR als Schalterzustand be- UB = IR ⋅ RL + UR (Schalter offen)
330
Beim Arbeitspunkt in Durchlaßrichtung fällt an der
Diode die Durchlaßspannung UFA ab, während am
Widerstand die Spannung (UB – UFA) abfällt. Durch
beide Bauelemente fließt der Strom IFA (Durchlaß-
strom im Arbeitspunkt). Da auch in Sperrichtung ein
geringer Strom (Sättigungsstrom, Reststrom) fließt,
fällt auch am Widerstand in Sperrichtung eine mini-
male Spannung ab.
Wichtige Grenzdaten: maximale Sperrspannung
URRM; maximaler Durchlaßstrom IFAVM; maximale
Sperrschichttemperatur JJ max; maximale Verlustleis-
tung Ptot; minimale Sperrverzögerungszeit trr min
Schaltleistung PS = I F2 ⋅ R L ≤ I FAVM
2
⋅ RL (II.10)
Die Schaltleistung PS, die mit einer Diode geschaltet
werden kann, ist wesentlich größer als die zulässige
Verlustleistung der Diode. Sie hängt praktisch nur
von der Betriebsspannung ab.
4.3 Schottky-Dioden
Unter bestimmten Bedingungen stellt sich eine
Gleichrichterwirkung auch zwischen einer n-dotierten
Siliziumschicht und einer aufliegenden Metallelekt-
rode ein. Dieser Effekt wurde nach seinem Entdecker
„Schottky-Effekt“ benannt. Weil die Elektronen im n-
Silizium einen höheren Energiezustand haben als die
Elektronen im Metall, wandern Elektronen aus dem
n-Silizium in das Metall. Dadurch entsteht in der
Grenzschicht eine Raumladungszone.
In Durchlaßrichtung erreichen die frei beweglichen
Elektronen des Siliziums eine so hohe Energie, daß
sie aus der n-Zone in das Metall hineinwandern. Die
frei beweglichen Elektronen des Metalls können da-
gegen bei Raumtemperatur das Metall nicht verlassen.
Daher kann auch nach Umpolen der angelegten Span-
nung kein Elektronenfluß in dem Silizium-Kristall zu-
standekommen. Der Übergang vom Sperr- in den
Durchlaßzustand und umgekehrt erfolgt sehr schnell,
da es praktisch keine Sperrschichtkapazität gibt, die
von Ladungsträgern geräumt werden muß. Die Schalt-
zeiten von Schottky-Dioden sind daher sehr klein.
Darum werden Schottky-Dioden als integrierte Bau-
elemente in integrierten Schaltkreisen der Digital-
elektronik (zum Beispiel Schottky-TTL in 74LSxx-
Bausteinen) verwendet.
Schottky-Dioden werden auch als „Hot-Carrier-
Dioden“ (engl. = heiße Ladungsträger-Diode) be-
zeichnet aufgrund des höheren Energiezustandes der
Elektronen im Silizium im Vergleich zum Metall.
Wichtige Kennwerte: Einschaltverzögerungszeit ttr ≈
50 ps; Ausschaltverzögerungszeit trr ≈ 100 ps; Dioden-
kapazität CD ≈ 10 pF; Sperrstrom IR ≈ 5 mA
4.4 Gleichrichter-Dioden
Gleichrichterdioden lassen sich in Klein- und Lei-
stungsgleichrichterdioden unterteilen. Als Kleingleich-
richterdioden werden in der Regel Dioden mit höchst-
zulässigen Durchlaßströmen von einigen mA bis zu
Elektronik
etwa 5 A bezeichnet. Der Bereich der Leistungsgleich-
richterdioden erstreckt sich von etwa 5 A bis 2000 A.
Die Durchbruchspannung UR(BR) eines normalen pn-
Überganges liegt für sinnvolle Störstellenkonzen-
tration von ca. 1016 cm–3 in der Größenordnung von
einigen 10 V. Das reicht für Netzgleichrichter (mög-
liche Sperrspannungen bei einem 230 V-Netz liegen
bei 650 V) nicht aus.
Deshalb sind für solche Gleichrichterdioden andere
Konstruktionen notwendig und zwar die pin-Struktur
nach Bild II-16. Hierbei befindet sich zwischen zwei
hochdotierten p- und n-Gebieten noch eine eigenlei-
tende Schicht (i-Gebiet) oder eine schwach n- bezie-
hungsweise p-leitende Schicht. Diese Zwischen-
schicht nimmt nun die gesamte Sperrspannung auf.
p+ n+
i
Bild II-16 Schematische Darstellung einer pin-Diode
Bei einer pin-Diode ist die Feldstärke über die gesam-
te i-Schicht konstant. Damit ist die Sperrspannung UR
proportional zur Dicke di der i-Schicht. Reine i-
Schichten sind in der Praxis nicht erreichbar, denn
hier dürften absolut keine Störstellen enthalten sein.
Leistungsgleichrichter werden deshalb als p+nn+-
Diode oder p+pn+-Diode realisiert.
Die Durchbruchspannung UR(BR) von p+nn+-Dioden in
Abhängigkeit von der Dotierung und der Dicke dn des
n-dotierten Mittelgebietes zeigt das Diagramm nach
Bild II-17. Heute werden Leistungsgleichrichter
dioden mit Durchbruchspannung in der Größe von
4800 V hergestellt.
UBR
V
3000
dn = 100 μm
1000
dn = 30 μm
300
dn = 10 μm
100
1
30 N
cm3
10
10–17 10–16 10–15 10–14
Bild II-17 Durchbruchspannung in Abhängigkeit
von der Dotierung und der Dicke des Mit-
telgebietes
II Dioden
4.5 Z-Dioden
Wird bei einer Si-Diode die Sperrspannung über den
Wert URRM hinaus erhöht, steigt der Strom nach dem
Überschreiten der Durchbruchspannung UR(BR) plötz-
lich sehr stark an. Dioden, die in Sperrichtung einen
sehr scharf einsetzenden, steilen Stromanstieg nach
Bild II-18 besitzen, werden Z-Dioden genannt. We-
gen ihrer charakteristischen Kennlinie im Sperr-
bereich (Bereich der Durchbruchspannung) kann
die Z-Diode zur Stabilisierung oder Begrenzung von
Gleichspannungen benutzt werden. Bei den Z-Dioden
überlagern sich im Bereich der Durchbruchspannun-
gen zwei unterschiedliche physikalische Effekte.
So tritt bei Z-Dioden mit einer Z-Spannung von UZ
< 5 V eine innere Feldemission auf, die als Zener-
Effekt bezeichnet wird. Ein Durchbruch aufgrund des
UR UZ0
IZ0
Ptot
IZmax
IR
Bild II-18 Charakteristische Kennlinie einer
Z-Diode mit Arbeitsbereich
Zener-Effektes erfolgt, weil beim Überschreiten einer
bestimmten Feldstärke beim Silizium Elektronen aus
dem Gitterverband herausgelöst werden. Die dabei
freiwerdenden Elektronen und Löcher erhöhen die
Anzahl der freien Ladungsträger und damit die Leit-
fähigkeit der Diode. Dadurch steigt der Sperrstrom IZ
stark an.
Bei Z-Dioden mit etwa UZ > 6 V erfolgt dagegen der
Durchbruch aufgrund des Lawineneffektes (engl.:
avalanche breakdown) und führt zu einem scharfen
Abknicken der Kennlinie. Beim Lawinen-Effekt ist
die Geschwindigkeit der vorhandenen beweglichen
Ladungsträger infolge der hohen Feldstärke so groß,
daß sie beim Aufprall auf Atome Elektronen und
Löcher herauslösen, die als frei bewegliche Ladungs-
träger nun ihrerseits weitere Ladungsträger aus dem
Atomverband herausschlagen. Weil der Sperrstrom IZ
dadurch sehr schnell anwächst, wird dieser Vorgang
als Lawinendurchbruch bezeichnet.
Zwischen etwa 5 V < UZ < 6 V liegt ein Gebiet, in
dem sich Zener-Effekt und Lawinen-Effekt über-
lagern.
Z-Dioden mit einer Durchbruchspannung UZ < 5 V
haben für die Durchbruchspannung einen negativen
Temperaturkoeffizienten, weil eine Temperaturer-
331
höhung eine verstärkte Feldemission bewirkt. Bei
Z-Dioden mit UZ > 6 V wird mit zunehmender Tem-
peratur die freie Weglänge der Ladungsträger kleiner.
Um den gleichen Durchbruchstrom aufgrund des
Lawineneffekts zu erzielen, sind bei größeren Tempe-
raturen größere Sperrspannungen notwendig. Diese
Z-Dioden haben einen positiven Temperaturkoeffi-
zienten a. Bei positiven Temperaturkoeffizienten ver-
schiebt sich die Kennlinie zu höheren Z-Spannungen.
Der höchstzulässige Sperrstrom IZ max ergibt sich nach
Bild II-18 als Schnittpunkt der Leistungshyperbel Ptot
mit der Sperrkennlinie der Z-Diode. Z-Dioden wer-
den in einem Arbeitsbereich betrieben, der zwischen
dem Stromwert IZ max und einem Wert IZ liegt, der
unmittelbar hinter dem scharfen Kennlinienbereich
ist. Lieferbar sind Z-Dioden mit Z-Spannungen UZO
zwischen 2,4 V und einigen 100 V. Da ihr Arbeits-
punkt immer im Bereich der Durchbruchspannung
liegt, muß zur Strombegrenzung unbedingt ein Vor-
widerstand RV nach Bild II-19 verwendet werden.
RV IV
IZ
UE V1 UA Bild II-19
Z-Diode mit
Vorwiderstand
Wichtig ist der differentielle Widerstand rZ der Diode,
der die Steilheit der Arbeitskennlinie beschreibt. Je
kleiner dieser Widerstand ist, um so geringer ist die
Spannungsänderung bei einer bestimmten Stromände-
rung. Der differentielle Widerstand rZ liefert also eine
Aussage über den Stabilisierungsgrad der
Z-Diode. Er ist nicht völlig konstant, sondern hängt
von der Temperatur, dem Z-Strom und der Z-Span-
nung nach Bild II-20 ab.
Differentieller Widerstand
rZ = f (UZ)
1000
rZ
Ω Tj = 25 °C
IZ = 1mA
100
5mA
10mA
10
1
0 5 10 15 20 UZ
V
Bild II-20 Differentieller Widerstand rZ
Die für eine Z-Diode in den Datenblättern angege-
bene Z-Spannung gilt oft für einen Strom IZ = 5 mA.
Die Abstufung zwischen den Spannungen entspricht
häufig der E-24-Reihe. Um die Toleranzen der an-
332
gegebenen Z-Spannungen zu kennzeichnen, wird an
die Typenbezeichnung des Grundtyps der Kennbuch-
stabe der Güteklasse angehängt.
Wichtige Grenzdaten: max. Sperrschichttemperatur
JJ max; maximale Verlustleistung Ptot; maximaler
Durchlaßstrom IFAVM; Wärmewiderstand Rth JU
Wichtige Kenndaten: Nennspannung UZO bei IZ =
5 mA; differentieller Widerstand rZ bei IZ = 5 mA,
1 mA
5 Anwendungsschaltungen
Dioden sind in vielen Funktionen und Leistungskate-
gorien einsetzbar. Ihre Anwendung in der Nachrich-
tentechnik unterliegt anderen Gesichtspunkten als in
der Leistungselektronik oder Digitaltechnik.
5.1 Begrenzerschaltungen
Ein Einsatzgebiet der Diode als Schalter sind Be-
grenzerschaltungen. Das sind Schaltungen, die Span-
nungsamplituden oberhalb oder unterhalb eines
bestimmten positiven oder negativen Pegels durchlas-
sen oder unterdrücken.
Im Bereich der Digitaltechnik müssen sowohl Stör-
spannungsspitzen unterdrückt wie auch das Rauschen
bei Signalen herausgefiltert werden. Diodenschalter
wie Differenzier- und Integrierglieder lassen sich
auch zur Impulsformung einsetzen.
Begrenzerschaltungen werden auch zur Unter-
drückung von Störspannungsspitzen in der Signal-
technik eingesetzt, aber auch zur Trennung der einzel-
nen Amplitudenhöhen eines Fernseh-BAS-Signals
benutzt.
ua
R
UD
ue G V1 ua
ue
V1
U
ue G R ua
ua
Elektronik
Die sinusförmige Eingangsspannung ue ist so klein,
daß die Diodenschwellspannung UD nicht vernachläs-
sigbar klein ist. Bild II-21 zeigt eine Begrenzerschal-
tung, bei der die Ausgangsspannung ua in Durchlaß-
richtung auf die Schwellspannung beschränkt ist. In
Sperrichtung liegt allerdings die Spannung ue in voller
Größe, also mit dem Scheitelwert, an. Die Schaltung
dient zum Begrenzen positiver Spannungswerte auf
den Wert der Diodenschwellspannung UD, bei Reihen-
schaltung mehrerer Dioden auf die entsprechende
höhere Spannungssumme.
In der Schaltung nach Bild II-22 sind Diode V1 und
Widerstand R gegenüber Bild II-21 getauscht. Die
Ausgangsspannung ua ist gleich Null, solange die
Diode noch gesperrt ist, so daß kein Strom fließt.
Überschreitet die Eingangsspannung ue den Wert der
Diodenschwellspannung UD, so fließt ein sinusförmi-
ger Strom durch den Widerstand R und läßt eine
proportionale Spannung abfallen. Bei kleinen Ampli-
tuden von ue setzt der Stromfluß und damit die Aus-
gangsspannung ua deutlich später als die Eingangs-
spannung ein. Da bei negativer Eingangsspannung ue
die Diode sperrt, ist die Ausgangsspannung ua in der
Zeit gleich Null.
Statt einer Diode sind in der Schaltung nach Bild
II-23 mehrere in Reihe geschaltete Dioden V1 bis V4
eingesetzt, so daß außer der negativen Amplitude
auch ein erheblicher Anteil (hier 4 ⋅ 0,7 V) der positi-
ven Spannungswerte unterdrückt wird.
Bild II-24 zeigt eine Schaltung, die sowohl positive
als auch negative Eingangssignale ue am Ausgang
begrenzt. Die Ausgangsspannung ua wird hier durch
die antiparallele Reihenschaltung von jeweils 2 Di-
oden (V1, V2 und V3, V4) auf die doppelte Dioden-
schwellspannung UD begrenzt.
Bild II-21
t Spannungsbegrenzung auf die
Diodenschwellspannung UD und
zugehöriges Liniendiagramm
t
Bild II-22
Schaltung zur Restspannungs-
unterdrückung und zugehöriges
Liniendiagramm
t
II Dioden 333

ue Bild II-23
M × UD Begrenzerschaltung mit
zugehörigem Liniendiagramm
V1 V2 V3 V4
t
ue G R ua

ua

ua Bild II-24
R
Schaltung zur Begrenzung
2·UD positiver und negativer
V1 V3
ue G ua Eingangssignale
V2 V4 t
2·UD

ua Bild II-25
R Schaltung mit einstell-
UB
V1 V2 ( + UD ) barem Begrenzungspegel
2
ue G ua der positiven und negati-
UB t ven Ausgangsspannung
R1 UB R2 –( + UD )
2 mit zugehörigem
Liniendiagramm

Mit Hilfe der Schaltung nach Bild II-25 wird der
Begrenzungspegel der Ausgangsspannung einstellbar
gemacht. Die Spannung UB wird durch die Wider-
stände R1 in zwei gleiche Teile aufgeteilt. Diese
Teilspannungen spannen die Dioden V1 und V2 in
Sperrichtung vor, so daß immer dann eine der beiden
Dioden durchlässig wird, wenn die Eingangsspan-
nung ue in positiver oder negativer Richtung den
Wert UB /2 + UD überschreitet. Ist die Spannung UB
einstellbar, kann der Begrenzungspegel variiert wer-
den.
Bild II-26 zeigt eine Begrenzerschaltung, bei der die
Diode V1 durch die Gleichspannungsquelle UB in
Sperrichtung vorgespannt ist. Solange sie gesperrt ist,
hat sie den größten Widerstand im Generator- und
Batteriestromkreis. Die Diode wird leitend, sobald
ihre Anode um den Betrag der Schwellspannung
positiver ist als die Kathode. Dies ist der Fall, wenn
die Eingangsspannung ue mindestens einen positiven
Wert von UB + UD hat. Steigt ue weiter an, bleibt die
Ausgangsspannung ua auf diesen Wert begrenzt.
5.2 Gleichrichter
Haupteinsatzgebiet der Klein- und Leistungsgleich-
richterdioden ist die Gleichrichtung niederfrequenter
Wechselspannungen, insbesondere von Netzspannun-
gen.
Im allgemeinen benötigen elektronische Schaltungen
als Energieversorgung eine oder mehrere Gleichspan-
nungsquellen. Bei höherem Energiebedarf ist die
Verwendung von Batterien unwirtschaftlich. Darum
erfolgt eine Speisung aus dem Wechselspannungsnetz
(AC). Hierbei ist neben einer Abwärtstransformation
auch eine Gleichrichtung der Wechselspannung zu
Gleichspannung (DC) erforderlich. Halbleiterdioden
sind hierfür wegen ihrer kleinen Durchlaßspannung,
ihrer hohen Belastbarkeit und ihres großen Verhält-
nisses zwischen Sperrwiderstand und Durchlaßwider-
stand sehr gut geeignet.
5.2.1 Einweggleichrichter (M1)
Bei der in Bild II-27 dargestellten Schaltung ist die
Diode nur während der positiven Halbwellen der AC
leitend. Die Schwellspannung UD der Diode V1 sei
vernachlässigbar klein gegenüber der Spitzenspan-
nung US1 der vom Transformator gelieferten Span-
nung U1 (= URMS).
Daher fließt auch nur während dieser Zeitdauer ein
Strom ID durch den Lastwiderstand RL. An diesem
Widerstand kann aber nur dann eine Spannung auftre-
ten, wenn ein Strom fließt. Der Spannungsverlauf am
Lastwiderstand entspricht also einer pulsierenden DC,
die nur aus positiven sinusförmigen Halbwellen
besteht.
334 Elektronik

ua Bild II-26
R Schaltung mit einstellbarem
UB + UD Begrenzungspegel der positiven
V1 Ausgangsspannung und zugehö-
ue G ua t rigem Liniendiagramm
UB

Während der negativen Halbwelle liegt die Diode UD

in Sperrichtung an dem Spitzenwert US1 der AC, daß
heißt, die Diode muß für US1 = URRM = ( 2 ⋅ U1) ge-
eignet sein. t
UD ID

V1 UL IL = ID
UN U1 RL UL IL
UAV
IFAV
T1 t

Bild II-27 Einweggleichrichterschaltung (M1) mit UD

ohmscher Last USchleuse
t
Die am Lastwiderstand RL auftretende Spannung UL
ist nach Bild II-28 eine pulsierende Gleichspannung
(DC). Wird sie mit einem Gleichspannungs-Meß-
instrument (Drehspulinstrument) gemessen, bildet Bild II-28 Ausgangsspannung der Einweggleich-
dieses den arithmetischen Mittelwert UAVL bezie- richterschaltung nach Bild II-27
hungsweise den arithmetischen Mittelwert IAVL aus
der pulsierenden DC. Wird sie dagegen mit einem
Dreheiseninstrument gemessen, bildet dieses den UD
ID IL
quadratischer Mittelwert (Effektivwert) URMSL aus der
pulsierenden DC. V1 IC
UN U1 UL
Während der positiven Halbwelle der Trafospannung RL
CL
ist die Diode jeweils leitend, und es fließt durch die
Diode ein periodischer Spitzendurchlaßstrom T1

IFRM = ( 2 ⋅ ID). Bild II-29 Einweggleichrichterschaltung (M1)

Auswahlkriterien:
URRM periodische Spitzensperrspannung
IFRM periodischer Spitzendurchlaßstrom
Die Ausgangsspannung UL einer Einweggleichrich-
terschaltung pulsiert so stark, daß sie zur Ener-
gieversorgung von elektronischen Geräten nicht
geeignet ist. Teilweise Abhilfe schafft die Schaltung
nach Bild II-29.
Der Ladekondensator CL wirkt in dieser Schaltung als
Speicher, der jeweils in der positiven Halbwelle
aufgeladen wird. Durch die Diode V1 fließt dann
gleichzeitig der Ladestrom IC für den Kondensator CL
und der Laststrom IL. In den negativen Halbwellen, in
denen die Diode sperrt, entlädt sich der Kondensator
über den Lastwiderstand, so daß dieser auch in den
Sperrzeiten der Diode von einem Strom durchflossen
wird. Auf diese Art wird die pulsierende DC ge-
glättet.
Im Bild II-30 sind die Strom- und Spannungsverläufe
für verschiedene Fälle dargestellt.
mit ohmscher Last und Ladekondensator
Wie gut der Ladekondensator CL diese Glättung be-
wirkt, hängt hauptsächlich von zwei Bedingungen ab:
1. Kapazität des Ladekondensators: Je kleiner seine
Kapazität CL ist, desto stärker entlädt er sich in der
negativen Halbwelle. Damit wird die Welligkeit
größer und der arithmetische Mittelwert UAVL
kleiner.
2. Größe des Lastwiderstandes RL: Je hochohmiger
der Lastwiderstand RL ist, umso geringer ist der
Strom, den er in den negativen Halbwellen aus
dem Ladekondensator CL zieht, daß heißt, desto
weniger wird der Ladekondensator entladen.
Die Größe der mittleren Ausgangsgleichspannung
UAVL, aber auch die ihr überlagerte Brummspannung
UBr, ist sehr stark abhängig von der Kapazität des
Ladekondensators und vom Laststrom. Die folgende
Tabelle II-2 gilt unter der Voraussetzung, daß der
Kondensator eine Kapazität von 1 mF je 1 mA Last-
strom hat.
II Dioden 335

Tabelle II-2 Charakteristische Werte und Faktoren für einfache Gleichrichterschaltungen

Schaltungsart M1 M2 B2

Leerlaufspannung UAVL ( 2 ⋅ U1) ( 2 ⋅ U1) ( 2 ⋅ U1)

Ausgangsgleichspannung UAV2 1,2 ⋅ U1 1,3 ⋅ U1 1,3 ⋅ U1

Durchlaßstrom IFAVM IL 0,5 ⋅ IL 0,5 ⋅ IL

max. Sperrspannung URRM 2 ⋅ ( 2 ⋅ U1) 2 ⋅ ( 2 ⋅ U1) ( 2 ⋅ U1)

Faktor k (UBr) 4,8 ⋅ 10 s

–3
1,8 ⋅ 10 s –3
1,8 ⋅ 10–3 s
Faktor k (UBr ss) 14 ⋅ 10–3 s 5 ⋅ 10–3 s 5 ⋅ 10–3 s
Frequenz fBr 50 Hz 100 Hz 100 Hz

Unter der oben genannten Bedingung kann für die
Ausgangsgleichspannung UAVL mit hinreichender Ge-
nauigkeit nach Tabelle II-2 UAVL ≈ 1,2 ⋅ U1 ange-
nommen werden.
Bei RL = ∞ W wird während der negativen Halbwel-
len kein Strom aus dem Kondensator gezogen, so daß
für die Leerlauf-Ausgangsgleichspannung gilt
UAVL = 2 ⋅ U1 – UD = US1 – UD
Für große Werte von U1 kann die Spannung UD
vernachlässigt werden.
In einer Einweggleichrichterschaltung mit Ladekon-
densator ist die Diode nicht mehr während einer ge-
samten Halbwelle, sondern nach Bild II-30 nur noch
während eines kurzen Zeitabschnittes leitend. Dieser
Zeitabschnitt hängt von den Augenblickswerten der
Spannungsdifferenz zwischen Kathode und Anode
ab.
Die Nachladung des Ladekondensators beginnt je-
weils während der positiven Halbwelle der Trafo-
spannung zu dem Zeitpunkt, in dem die Spannung an
der Anode um etwa 0,6 V größer wird als die Span-
nung an der Kathode. Die Nachladung wird beendet,
sobald die Spannung an der Anode wieder unter die
Spannung an der Kathode, also unter die Kondensa-
torspannung, abgesunken ist.
Da hier in sehr kurzer Zeit eine große Energie nach-
geladen werden muß, ist der Ladestrom erheblich
größer als der entnommene Gleichstrom. Darum
geben die Hersteller in den Datenblättern oft einen
Höchstwert für den Ladekondensator an.
Die maximal mögliche Sperrspannung im Leerlauf ist
URRM = 2 ⋅ ( 2 ⋅ U1) nach Tabelle II-2, da der Lade-
kondensator dann auf + US1 aufgeladen ist, jedoch der
negative Spitzenwert der Eingangsspannung U1 den
Wert – US1 hat. Bild II-30 zeigt diesen Umstand im
unteren Teil auf.
Wegen der fortlaufenden Auf- und Entladung des
Kondensators ist der mittleren Ausgangsgleichspan-
nung UAV2 immer noch eine Wechselspannung (Rest-
welligkeit) überlagert, die nichtsinusförmig ist, aber
eine Frequenz f = 50 Hz hat, wenn die Gleichrichter-
schaltung mit Netzfrequenz betrieben wird. Diese
überlagerte Wechselspannung wird als Brummspan-
nung UBr bezeichnet, da sie zum Beispiel in einem
Lautsprecher als tiefes Brummen gut hörbar ist.
Die am Ladekondensator abfallende Brummspannung
läßt sich mit den in Tabelle II-2 angegebenen K-Fak-
toren hinreichend genau berechnen.
IL
Brummspannung U Br = K ⋅ (II.11)
CL
U AVL
periodischer Spitzenstrom I FRM ≤ (II.12)
Ri ⋅ R L
Der Wert der Brummspannung hängt also im wesent-
lichen von der Kapazität des Ladekondensators, der
Größe des Laststroms und einer schaltungsspezifi-
schen Konstanten ab.
U S1
Einschaltspitzenstrom I FRME ≤ (II.13)
Ri
Der periodische Spitzenstrom IFRM läßt sich nach
Gleichung II.12 berechnen, der Einschaltspitzenstrom
IFRME nach Gleichung II.13.
5.2.2 Mittelpunktschaltung (M2)
Um die Höhe der Brummspannung grundsätzlich zu
verkleinern, werden nach Bild II-31 zwei Einweg-
gleichrichter zu einer Mittelpunktgleichrichterschal-
tung zusammengefaßt. Für einen solchen Zweiweg-
gleichrichter wird ein Transformator mit einer
Mittelanzapfung benötigt, die auf Masse gelegt wird
und als Bezugspunkt dient.
Eine Analyse der Schaltung ergibt, daß die Diode D1
für die Dauer der positiven Halbwelle der Spannung
U1 leitend ist, während die Diode D2 gesperrt ist. In
der negativen Halbwelle verhalten sich die Dioden
umgekehrt. Jede Diode wird aber nur noch mit einem
Diodenstrom ID belastet, der dem halben Laststrom IL
entspricht.
336 Elektronik

UD UD

t t

UL UL
2 · U1 IL=I1
UAV
UAZ
t t
tAufl. tEntladung a)
IDiode IDiode
IL IL
UL
IFAV
IDiode=IL
IFAV UAV UBrSS
t
UDiode t
b)
USchleuse
t
Bild II-32 Ausgangsspannung einer M2-Schaltung
mit/ohne Ladekondensator
2 · 2 · U1 Die Mittelpunktschaltung wird nur noch in Aus-
nahmefällen eingesetzt. Ein Transformator mit Mit-
mit RL ohne CL telanzapfung ist teurer und hat wegen der zweiten
mit RL und mit CL Sekundärwicklung ein größeres Gewicht.
ohne RL, mit CL
5.2.3 Brückengleichrichterschaltung (B2)
Bild II-30 Strom- und Spannungsverlauf für
verschiedene Werte von RL und CL Die am häufigsten verwendete Gleichrichterschaltung
ist die Brückenschaltung. Sie kommt mit einem nor-
malen Transformator aus, benötigt aber vier Dioden.
Dies führt dazu, daß sowohl in der positiven als auch
in der negativen Halbwelle ein Strom durch den V1
ID IL
Lastwiderstand RL fließt. Da das in derselben Rich-
tung geschieht, muß von DC gesprochen werden. IC
U1 UD RL UL
CL
UN
ID V1 IL
U1 UD
U1 UD T1
RL UL
UN V2
U1 U Bild II-33 Mittelpunktgleichrichterschaltung
D mit ohmscher Last und Ladekondensator
T1

V2 In der Schaltung nach Bild II-34 kann man bei ange-

Bild II-31 Mittelpunktgleichrichterschaltung (M2) nommener Polarität der Spannung U1 den Strom IL in
mit ohmscher Last seinem Flußverlauf verfolgen und so erkennen, daß
der Laststrom IL, der sich aus der Summe der beiden
Die am RL abfallende Spannung U2 besteht nach ID IL
Bild II-32 nur aus positiven sinusförmigen Halbwel-
Bild II-34
len mit einer Frequenz f = 100 Hz, daß heißt, die ne- UD V1 V2 Brücken-
gativen sinusförmigen Halbwellen werden einfach
gleichrichter-
„nach oben“ geklappt.
UN U1 RL UL schaltung (B2)
Genau wie bei einem Einweggleichrichter kann auch
mit ohmscher
hier nach der Schaltung in Bild II-33 ein Lade-
T1
Last
kondensator parallel zum Lastwiderstand geschaltet V3 V4 UD
werden, der die pulsierende DC entsprechend Bild II-
32 weiter glättet.
II Dioden 337

Tabelle II-3 Technische Daten der Baureihe B40C... Blockgleichrichter

Typ U1 IFRM Strombegrenzungs- CL max

widerstand Ri
B40C800 40 V 0,8 A 1W 2 500 mF
B40C1000 40 V 1,0 A 1W 2 500 mF
B40C1500/1000 40 V 1,5 A 1W 2 500 mF
B40C3200/2200 40 V 3,2 A/2,2 A 0,6 W 5 000 mF
B40C5000/3300 40 V 5,0 A/3,3 A 0,5 W 10 000 mF

Diodenströme ID bildet, stets in der gleichen Richtung an den Ausgang der Schaltung nach Bild II-35 einen
durch den Lastwiderstand RL fließt. Der Spannungs- Filter.
abfall am Lastwiderstand ist also eine pulsierende Der in die Schaltung nach Bild II-36 integrierte RC-
DC, die nur aus positiven sinusförmigen Halbwellen Tiefpaß reduziert die Brummspannung um den Glät-
besteht und eine Frequenz f = 100 Hz hat. Die Aus- tungsfaktor g.
gangsgrößen dieser Schaltung sind identisch mit
denen der Mittelpunktschaltung. RS
Die pulsierende DC wird nach Bild II-35 durch die V1 V2
Parallelschaltung eines Ladekondensators CL zum Last-
UN U1 RL UL
widerstand RL geglättet. Bezüglich der Auflade- und CL CS
Entladevorgänge ergeben sich ähnliche Verhältnisse
T1V3 V4
wie bei der Mittelpunktschaltung. Die Auf- und Ent-
ladung des Kondensators erfolgt bei der Brückenschal-
tung in jeder Halbwelle. Auch bei der Brückengleich-
richterschaltung mit Ladekondensator hat die Aus- Bild II-36 B2-Schaltung mit RC-Siebglied
gangsspannung noch eine Restwelligkeit. Entsprechen-
de Werte können der Tabelle II-2 entnommen werden. Der Kondensator in der RC-Tiefpaß-Filterschaltung
Um den Aufbau von Gleichrichterschaltungen zu ver- nach Bild II-37 stellt für höhere Frequenzen einen
einfachen, bieten die Hersteller komplette Gleich- Kurzschluß beziehungsweise einen sehr geringen
richtersätze in einem Kunststoff- oder Metallgehäuse kapazitiven Blindwiderstand dar. Die Schaltung kann
an. Lieferbar sind verschiedene Baureihen. Der Ein- als Spannungsteiler mit UBr2 als Ausgangsspannung
satzbereich kann bei diesen Baureihen von Brücken- betrachtet werden.
gleichrichtern direkt aus der Typenbezeichnung abge- Glättungsfaktor
lesen werden. U Br1
So bedeutet B = Brückenschaltung. Der Buchstabe C g= = wBr
2
⋅ RS2 ⋅ C S2 + 1 (II.14)
U Br2
bedeutet, daß der Gleichrichter für eine kapazitive
Last, daß heißt, für den Betrieb mit einem Ladekon-
densator vorgesehen ist. Bei Doppelwerten des Last-
RS
stroms gilt der erste Wert für eine Chassismontage
des Gleichrichters, der zweite Wert für eine freiste- CS
hende Montage. UBr1 UBr2
Um die Brummspannung am Ausgang der oben Bild II-37
beschriebenen Schaltungen zu senken, schaltet man Schaltung eines
RC-Siebgliedes
ID IL

V1 V2 Der RC-Filter nach Bild II-37 kann auch durch einen

IC LC-Filter nach Bild II-38 ersetzt werden mit dem
ID Vorteil einer effektiveren Filterung und geringen
UN U1 CL RL UL
ohmschen Verlusten.
T1 Glättungsfaktor g = wBr
4
⋅ L2S ⋅ C S2 + 1 (II.15)
V3 V4
Ein Filter mit der Schaltung nach Bild II-19 hat
Bild II-35 Brückengleichrichterschaltung (B2) mit zusätzlich den Vorteil, daß auch eine Stabilisierung
ohmscher Last und Ladekondensator der Ausgangsspannung vorgenommen wird, wenn
338 Elektronik

vorausgesetzt werden kann, daß die Brummspannung 20.00

kleine Amplituden aufweist. 10.00
u1 0.00
RV –10.00
Glättungsfaktor g = 1 + (II.16) –20.00
rZ 8.00 u C2
Wird mit einem Zwei-Kanal-Oszilloskop die Wech- 6.00
4.00
selspannung über dem Ladekondensator CL und dem 2.00
Siebkondensator CS (Bild II-36) gemessen, also die 0.00
Spannung UL am Ausgang der Schaltung, so zeigen –2.00
0 10 20 30 40 t 50
nach Bild II-39 beide Spannungen deutliches Ein- ms
schwingverhalten.
25.00
10.00
LS 5.00
uC2
0.00
U Br1 UBr2 –5.00
CS 8.00 u1
Bild II-38 6.00
Schaltung eines 4.00
LC-Siebgliedes 2.00
0.00
–2.00
Schaltungsdaten: Spannung US1 = 12 V, Ladekonden- 0 20 40 60 80 t 100
sator CL = 10 mF, Siebwiderstand RS = 160 W, Sieb- ms
kondensator CS = 50 mF, Lastwiderstand RL = 1 kW
Bild II-39 Einschwingverhalten einer B2-Gleichrich-
Nach ungefähr 100 ms befindet sich die Schaltung im terschaltung mit Ladekondensator und
„stationären Zustand“, die Schaltung ist einge- RC-Siebglied
schwungen, und es zeigt sich am Ausgang eine
Gleichspannung UAVL = 8 V, die von einer geringen
V1
Brummspannung überlagert ist. UN U1 C1
5.3 Spannungsvervielfacher U2
T1
Zum Betrieb von Oszilloskopen und Bildröhren oder C2
Geiger-Müller-Zählrohren werden Gleichspannungen V2
benötigt, die erheblich größer als die Netzspannungen
sind und damit bereits im Bereich der Hochspannung Bild II-40 Spannungsverdopplerschaltung
liegen. (Delon-Schaltung)
Da diese Spannungsquellen nur sehr kleine Lastströ-
me liefern müssen, ist es meist günstiger, keine spe- UC1 = US1. In der nächsten Halbwelle liegt die Diode
ziellen Hochspannungstransformatoren einzusetzen, V1 in Sperrichtung. An V1 liegt dann die Summe aus
sondern die hohen Gleichspannungen mit Hilfe von US1 + UC1 = 2 ⋅ US1 als Sperrspannung an. Diese
Spannungsverdoppler- oder Spannungsvervielfacher- Spannung ist jetzt die Speisespannung für die zweite
schaltungen zu erzeugen. Gleichrichterstufe. Über V2 wird der Kondensator C2
Die Delon-Schaltung besteht aus zwei Einwegschal- dann auf die Spannung 2 ⋅ US1 aufgeladen.
tungen, die nach Bild II-40 zuammengeschaltet sind. Die Dioden müssen eine periodische Spitzensperr-
Je nach Polarität der Spannung U1 ist entweder die spannung URRM = 2 ⋅ US1 in beiden Schaltungen
Diode V1 oder die Diode V2 in Durchlaßrichtung ge- ermöglichen, während der Strom IFM = IL beträgt.
schaltet. Infolgedessen werden die Kondensatoren C1 Beiden Schaltungen können nur kleine Lastströme
und C2 mit der angegebenen Polarität geladen. Die entnommen werden. Die Belastung der Schaltungen
Ladespannungen beider Kondensatoren liegen in erfolgt in der Praxis so, daß die Ausgangsspannung
Reihe, so daß sie sich zur Gesamtspannung U2 = UAV2 minimal sinkt.
(im unbelasteten Zustand) addieren. maximale Ausgangsgleichspannung
Gesamtspannung UAV2 = UC1 + UC2 = 2 ⋅ US1 (II.17) UAV2 ~ 0,8 ... 0,9 ⋅ (2 ⋅ US1) (II.18)
Diese Schaltung ist also eine Spannungsverdoppler- Die Villard-Schaltung läßt sich zur Vervielfacher-
schaltung im Leerlaufbetrieb. schaltung erweitern. Werden nach Bild II-42 zwei
Bild II-41 stellt eine Villard-Schaltung dar. Bei ent- oder mehr Villard-Schaltungen hintereinander ge-
sprechender Polarität der Spannung U1 liegt die schaltet (hier drei Villard-Schaltungen), so entsteht
Diode V1 in Durchlaßrichtung und lädt den Konden- eine Hochspannungskaskadenschaltung. Für die Aus-
sator C1 in der eingezeichneten Polarität auf den Wert gangsspannung U2 einer unbelasteten Kaskadenschal-
II Dioden 339

C1 V2 so verschiebt sich der Arbeitspunkt A0 aufgrund der

Parallelverschiebung der Arbeitsgeraden nach A1
UN U1 V1 C2 U2 oder A2, je nachdem, ob es sich um eine Spannungs-
erhöhung oder -minderung handelt. Aufgrund der
steilen Kennlinie ändert sich UZ deutlich weniger als
T1
UE, so daß die Ausgangsspannung UA = UZ nahezu
gleich bleibt (UE ≈ 2 ... 4 ⋅ UA, UE min ≈ 1,2 ... 2 ⋅ UA).
Bild II-41 Spannungsverdopplerschaltung
RV IV IA
(Villard-Schaltung)
IZ
tung gilt Gleichung II.17, wobei n die Anzahl der UE RA UA
V1
aneinandergereihten Villard-Schaltungen bedeutet.
maximale Ausgangsgleichspannung
UAV2 ≈ n ⋅ 2 ⋅ US1 (II.19) Bild II-43 Grundschaltung einer
Die Dioden müssen eine periodische Spitzensperr- Spannungsstabilisierung mit Z-Diode
spannung URRM = 2 ⋅ US1 ermöglichen, während der
Strom IFM = n ⋅ IL beträgt. Es sind nur geringe Last- Beim praktischen Einsatz der Stabilisierungsschal-
ströme möglich. Kaskadenschaltungen mit vielen tung nach Bild II-43 überlagern sich beide Fälle, so
Stufen zeigen deutlich ein Hochlaufen der Ausgangs- daß eine exakte Trennung kaum noch möglich ist.
spannung, weil die einzelnen Kondensatoren nach- Der gewählte Vorwiderstand RV muß beiden Erwar-
einander aufgeladen und die Ladungen von einem tungen gerecht werden. Er läßt sich näherungsweise
Kondensator auf den nächsten verschoben werden. mit der Gleichung II.18 berechnen. Zu verwenden ist
dann ein Widerstandswert nach der E-Reihe, der
C1 C1 ′ C1′′ zwischen den beiden Werten, aber näher an RV max
liegt.
UN U1 V1 V2 V1′ V2′ V1′′ V2′′ Vorwiderstand
T2 U −UZ U −UZ
C2 C2′ C2′′ U2 RV min ≈ E max RV max ≈ E min
I Z max + I A min I Z min + I A max
(II.20)
Bild II-42 Spannungsvervielfacherschaltung Die Stabilisierung wird bei einer vorgegebenen Z-Di-
nach Villard ode um so besser, je größer die Eingangsspannung
gewählt wird. Die Verlustleistung am Vorwiderstand
RV nimmt allerdings schneller zu als der relative
5.4 Diode als Konstantspannungsquelle Stabilisierungsfaktor S.
(Z-Diode)
Bild II-43 zeigt die Grundschaltung für die Spannungs- ΔUZ
UZ UE
stabilisierung mit Hilfe einer Z-Diode. Als stabilisierte
Ausgangsspannung UA tritt die an der Z-Diode IZmin I
Z
liegende Spannung UZ auf. Im zulässigen Arbeitsbe- A2
RV
reich bleibt sie sowohl bei einer Änderung der Ein-
gangsspannung UE als auch bei einer Änderung des
Laststroms IA nahezu konstant (IV = IZ + IA = const). Ptot IL
Dieses kann aber nur eintreten, wenn der Dioden-
strom IZ jeweils um den gleichen Betrag kleiner wird A1
wie der Laststrom IA größer. Der Arbeitspunkt der
Z-Diode wandert daher nach Bild II-44a auf der IZmax
Kennlinie in Richtung auf A2.
Infolge der steilen Kennlinie der Z-Diode ändert sich
die Ausgangsspannung UA nur um einen kleinen Be- UE
trag, daß heißt, UZ bleibt nahezu konstant, wenn sich RV
der Laststrom IA ändert. Wird dabei jedoch IZ < IZ min, IZ
so wandert der Arbeitspunkt in den waagerechten Be-
reich der Kennlinie, so daß sich UA sehr stark ändert, Bild II-44 Ermittlung der Arbeitspunktverschiebung
daß heißt, die stabilisierende Wirkung der Z-Diode ist a) konstante Eingangsspannung und
beendet (IZ min ≈ 0,1 ⋅ IZ max, IA max ≈ 0,9 ⋅ IZ max). variable Last
Ändert sich die Eingangsspannung UE um den Betrag b) konstante Last und schwankende
± DUE bei konstantem Laststrom IA nach Bild II-44b, Eingangsspannung
340
Es hat sich als zweckmäßig erwiesen, das Verhältnis
der Relativwerte der Schwankungen von Eingangs-
und Ausgangsspannung als Stabilisierungsfaktor S
einzuführen.
Stabilisierungsfaktor
DU E
UE ⎛ R ⎞ U
S= = ⎜1+ V ⎟ ⋅ A (II.21)
DU A ⎝ rZ ⎠ U E
UA
Der differentielle Widerstand rZ einer Z-Diode wird
für bestimmte Stromwerte in den Datenblättern der
Hersteller genannt. Auch die Z-Spannung UZO wird
für konkrete Werte des Z-Stroms IZ angegeben.
Damit ergibt sich die Möglichkeit, eine Ersatzschal-
tung für die Z-Diode in der Schaltung nach Bild II-43
III Mehrschichtdioden und -trioden
Silizium-Gleichrichterdioden mit „pin“-Übergang
werden wegen ihrer hohen Durchlaßströme und ver-
hältnismäßig hohen Sperrspannungen überwiegend in
industriellen Anlagen zur Gleichrichtung der Netz-
wechselspannung eingesetzt. Für zahlreiche Anwen-
dungen werden aber regelbare, steuerbare Gleich-
spannungen gefordert.
Bereits im Jahre 1958 wurde ein steuerbarer Silizium-
Gleichrichter (SCR = Silicon-controlled-rectifier) ent-
wickelt, der ähnliche Eigenschaften zeigte wie die
erwähnte Gleichrichterzelle. Dieses elektronische
Bauelement erhielt die Bezeichnung „Thyristor“.
Au(Sb) S Al S verkleinerte
n+ (anlegiert) (anlegiert) Draufsicht
~ 14cm–3) p
n(~10
K S
p stand wird als „Zünden“ und das Umschalten vom
Al(anlegiert) p+ Au(Sb)-Folie
MD-Träger Si-Tablette
Bild III-1 Realer Aufbau des Thyristors
Heute geht man bei der Herstellung von Thyristoren
von einem hochohmigen n-dotierten Siliziumplätt-
chen aus, in das von beiden Seiten Akzeptoren (B,
Al, Ga) eindiffundiert werden. Anschließend wird als
Kathode eine Sb-dotierte Au-Folie an der Oberseite
einlegiert, wodurch dort ein stark dotiertes n-Gebiet
Elektronik
zu finden. Die Schaltung nach Bild II-45 zeigt eine
solche Ersatzschaltung, in der die Z-Diode als Span-
nungsquelle mit der Quellenspannung UZO und dem
Innenwiderstand Ri = rZ verwendet wird. Mit ihrer
Hilfe läßt sich der Ausgangswiderstand einer solchen
Stabilisierungsschaltung bestimmen.
RV IV IA
IZ
V1 rZ
UE RA UA
UZ0
Bild II-45 Ersatzschaltung einer Z-Diode mit
Vorwiderstand und ohmscher Last
(n+) entsteht. Auch die Al-Kontakte für die Steuer-
elektrode und die Anode werden anlegiert. Die ent-
standene „Silizium-Tablette“ nach Bild III-1 wird
anodenseitig auf einen Molybdänträger aufgebracht.
Die Tablette ist meist rund, da so das elektrische Feld
an den Rändern besser zu handhaben ist.
Unter dem Sammelbegriff „Thyristoren“ werden
häufig die Mehrschicht-Halbleiter zusammengefaßt,
die einfach Mehrschichtdioden und -trioden genannt
werden. Sie sind jeweils aus drei oder mehr pn-
Übergängen aufgebaut und haben ein ausgeprägtes
Schalt- beziehungsweise Kippverhalten. Diese Mehr-
schicht-Halbleiter besitzen zwei Schaltzustände, und
zwar den Schaltzustand „Ein“ = leitend und den
Schaltzustand „Aus“ = gesperrt.
Das Umschalten vom gesperrten in den leitenden Zu-
leitenden in den gesperrten Zustand als „Löschen“
bezeichnet. Sowohl der Zündvorgang als auch der
Löschvorgang laufen in sehr kurzer Zeit ab.
Bei den Bauelementen mit Einrichtungs-Betrieb
(Vierschichtdiode, Thyristor) werden die beiden
Hauptanschlüsse wie bei der Diode mit Anode und
Kathode bezeichnet. Ein Stromfluß ist nur möglich,
wenn die Anode positiv gegenüber der Kathode ist.
Bei den Bauelementen mit Zweirichtungs-Betrieb
(Diac, Triac) werden die Hauptanschlüsse dagegen
Anode 1 (A1) und Anode 2 (A2) genannt.
III Mehrschichtdioden und -trioden 341

Thyristor und Triac haben einen Steueranschluß, der IF

als Gate (G) bezeichnet wird. Die Zündung erfolgt mA
mit einem Steuerstrom über das Gate und löst einen
wesentlich größeren Hauptstrom durch das Bauele- Durchlaßbereich
ment aus.
Von großer Bedeutung ist ihr Einsatz als Leistungs-
schalter. Durch die gezielte und vermehrte Anwen- UR(BR) IH U(BR)F
dung von Thyristoren hat sich inzwischen ein eigenes
Fachgebiet der Elektronik, die Leistungselektronik, UR UH UF
entwickelt. Triacs haben wegen ihres Zweirichtungs- V V
Blockierbereich
Betriebes (aber relativ geringem Durchlaßstrom) und Sperrbereich
ihrer recht einfachen Ansteuermöglichkeit zum Bei-
spiel über Diacs eine weite Verbreitung in Phasenan- Bild III-3
schnittschaltungen zur Leistungssteuerung von Lam- IR Kennlinie einer
pen (Helligkeit) und zur Drehzahlsteuerung von μA Vierschichtdiode
Kleinmotoren gefunden.
Die Vierschichtdiode kippt in den Blockierbereich
1 Vierschichtdioden zurück, wenn der Strom IT durch die Diode den Halte-
strom IH unterschreitet. Dieser Zusammenhang wird
Vierschichtdioden haben nach Bild III-2 eine pnpn- als „Löschen“ bezeichnet.
Zonenfolge in einem Silizium-Kristall. An den beiden Im Sperrbereich der Vierschichtdiode, also im
äußeren Zonen sind die Anschlüsse sperrschichtfrei 3. Quadranten der Kennlinie nach Bild III-3, kann
angebracht. man erkennen, daß erst bei einer sehr hohen Durch-
bruchspannung U(BR) R der Durchbruchstrom zum
Fließen gelangt. Bei dieser Polarität sind die Sperr-
p schichten I und III in Sperrichtung gepolt.
I A Eine Vierschichtdiode „zündet“ also nur, wenn sie in
n Vorwärtsrichtung betrieben wird und die anliegende
II
p Spannung UD größer als die Kippspannung U(BO) O
III K wird. Auch bei einer Verringerung der Spannung UD
n Bild III-2 bleibt die Diode leitend, sie „löscht“ erst wieder,
Zonenfolge in einem wenn der Haltestrom IH unterschritten wird.
Silizium-Kristall
Kennwerte: Schaltspannung U(BO) O ((≈ 20 ... 200 V),
Haltestrom IH (≈ 1 ... 45 mA), Schaltzeit (100 bis
Beim Anlegen einer kleinen Spannung UD in der
600 ns)
eingezeichneten Polarität (Anode positiver als die
Kathode) liegen die Sperrschichten I und III in
Durchlaßrichtung, während die Sperrschicht II in
56k R1
Sperrrichtung gepolt ist. An dieser Schicht fällt dem-
entsprechend die gesamte anliegende Spannung UD ab. UB
Die Vierschichtdiode befindet sich im Blockierbereich C1
(hochohmiger Bereich), so daß lediglich ein sehr 50V 100nF
ua Bild III-4
kleiner Sperrstrom ID durch das Bauelement fließt. V1 Sägezahn-
1k R2
Wird die Spannung UD weiter erhöht, so steigt die generator mit
Feldstärke in der Sperrschicht II an. Bei einem be- Vierschichtdiode
stimmten Spannungswert, der Nullkippspannung 4E20–8
U(BO) O, wird die Feldstärke jedoch so groß, daß ein
Durchbruch an Sperrschicht II auftritt und plötzlich Die Schaltung in Bild III-4 zeigt einen Sägezahn-
ein stark ansteigender Strom IT durch die Vierschicht- generator mit Vierschichtdiode. Der Kondensator C
diode fließt. Dieser Vorgang wird als „Zünden“ wird über die Widerstände R1 und R2 aufgeladen, bis
bezeichnet. Der Strom IT muß durch einen Vorwider- dieser den Wert U(BO) O der Vierschichtdiode erreicht.
stand RV begrenzt werden. Nach der erfolgten Zündung entlädt sich C sehr
Die Vierschichtdiode geht in den Durchlaßbereich schnell über die Diode und den Widerstand R2, der
(niederohmiger Bereich) über, und die Spannung UD den Entladestrom begrenzt. Sobald bei der Entladung
an der Diode sinkt plötzlich auf einen kleinen der Haltestrom IH unterschritten wird, kippt die Diode
Wert ab. Diese Durchlaßspannung UT beträgt etwa in den Sperrzustand zurück, und es beginnt ein neuer
0,5 ... 1,2 V. Der Durchlaßbereich einer Vierschicht- Ladevorgang.
diode, also ihr weiterer Kennlinienverlauf nach dem Die sägezahnförmige Ausgangsspannung nach
Zünden, ähnelt dem der normalen Silizium-Diode. Bild III-5 kann linearer gemacht werden, indem man
342 Elektronik

ua ist zwar technisch zulässig, aber im Sinne einer

20V Steuerung nicht erwünscht.
2
maximale Betriebsspannung U DRM ≤ U (BO) O (III.2)
3
Um ein Überkopfzünden zu vermeiden, darf die ma-
t ximale Betriebsspannung des Thyristors die Null-
kippspannung nicht erreichen. Für ausreichende Si-
Bild III-5 Liniendiagramm der sägezahnförmigen
cherheit kann gesorgt werden, indem ein Thyristortyp
Ausgangsspannung
mit höherer Nullkippspannung verwendet wird.
das Verhältnis von UB zu U(BO) O größer macht. In ID
dem Falle wird nur der nahezu lineare Beginn der ITAV UT
nach der e-Funktion verlaufenden Ausgangsspannung Durchlaßbereich
benutzt. Der gleiche Effekt wird erzielt, wenn die
Spannungsquelle durch eine Konstantstromquelle
URRM IH Blockierbereich
ersetzt wird. ID
UB UB IR UDRM U
Lastwiderstand ≥ R1 ≥ (III.1) Sperrbereich D
IH I T max
Ist der Lastwiderstand der Vierschichtdiode zu hoch- Bild III-7 Charakteristische Kennlinie eines
ohmig, kann nicht der erforderliche Haltestrom IH Thyristors
fließen. Es kommt nicht zum dauerhaften Zünden der
Diode. Eine rechnerische Einschätzung ermöglicht In Rückwärtsrichtung verhält sich ein Thyristor wie
Gleichung III.1. eine gesperrte Diode. Solange die maximal zulässige
Sperrspannung U(BR) R nicht überschritten wird, fließt
nur ein sehr kleiner Sperrstrom IR. Wird dieser Span-
2 Thyristoren nungswert überschritten, so steigt der Sperrstrom
Die Einrichtungs-Thyristortrioden werden allgemein lawinenartig an, und der Thyristor wird zerstört. Die
als Thyristoren bezeichnet und sind generell aufge- charakteristische Kennlinie eines Thyristors nach
baut wie Vierschichtdioden. Das einzig neue ist das Bild III-7 ähnelt also stark der Kennlinie einer Vier-
als Steueranschluß zusätzlich herausgeführte Gate schichtdiode.
(G). Thyristoren können durch Ansteuerung des Gates ge-
zündet werden, wenn die Anode positiver ist als die
A A A Kathode. Bei den kathodenseitig gesteuerten Thy-
p p p ristoren ist eine positive Gatespannung UG erforder-
n n n Bild III-6
G G2
G p p G1 p Anschlüsse lich, die einen Gatestrom IG in den Thyristor hinein-
n n n der Ein- fließen
K K K richtungs-
Thyristor-
trioden
2000
Der Anschluß ist nach Bild III-6 sowohl an der innen- 1000
liegenden p-Schicht (kathodenseitig gesteuerter
Thyristor) als auch an der innenliegenden n-Schicht V
(anodenseitig gesteuerter Thyristor) möglich. Auch
zwei Gateanschlüsse sind möglich, jedoch wird die 100
Kippspannung u(BO)

Thyristortetrode selten verwendet. Die wichtigste

Bauart ist der kathodenseitig gesteuerte, rückwärts-
sperrende Thyristor.
Unabhängig von der Polarität der zwischen Anode 10
und Kathode liegenden Spannung ist bei kleinen
Spannungswerten mindestens ein pn-Übergang in
Sperrichtung. Der Thyristor ist daher sowohl im
Vorwärtsbetrieb (Anode positiv gegenüber Kathode) 1
als auch im Rückwärtsbetrieb (Anode negativ gegen- 0 40 80 120 160 mA 200
über Kathode) zunächst gesperrt. Wird im Vor- Zündstrom IGT
wärtsbetrieb die Spannung weiter erhöht, kippt der
Thyristor genau wie die Vierschichtdiode bei U(BO) O Bild III-8 Zündkennlinie eines Thyristors
schlagartig in den leitenden Zustand. Dieser Vorgang zur Vertikalsteuerung
III Mehrschichtdioden und -trioden
läßt. Der Zündvorgang hängt wesentlich von der
Größe des jeweiligen Gatestroms IG ab. Durch ihn
gelangen Ladungsträger in die Halbleiterzonen, und
infolge der gegenseitigen Beeinflussung der pn-Über-
gänge kippt der Thyristor bei niedrigeren Werten von
UD in den leitenden Zustand. Den Zusammenhang
zwischen Kippspannung U(BO) O und Zündstrom IGT
zeigt das Diagramm nach Bild III-8. Diese Art der
Zündung bezeichnet man als Vertikalsteuerung. Sie
wird selten angewendet, da sich der Zündzeitpunkt
nur ungenau einstellen läßt.
Um den Zündzeitpunkt genauer einstellen zu können,
geben die Hersteller Zünddiagramme für Thyristoren
an, die den Zusammenhang zwischen der Gatespan-
nung und dem Gatestrom beschreiben. Diese weisen
nach Bild III-9 drei wichtige Zonen auf:
• Unterhalb der Zündspannung UGD ist eine Zün-
dung nicht möglich, weil die erforderliche Zünd-
energie nicht zur Verfügung steht.
• Oberhalb der Zündspannung UGD liegt der Be-
reich, in dem zwar eine Zündung erfolgen kann,
die aber von mehreren zusätzlichen Faktoren ab-
hängt, wie zum Beispiel der anliegenden Durch-
laßspannung, der Sperrschichttemperatur, u.a.
• Sichere Zündung ist gewährleistet, wenn die
Gatespannung größer als UGT und der Gatestrom
größer als IGT sind. Begrenzt wird dieser Bereich
durch die Grenzwerte UGTM, IGTM und die maximal
zulässige Gate-Verlustleistung PG tot.
UG
UGTmax
UGT
PGtot
IGT IGTmax IG
Bild III-9 Eingangskennlinie und Zünddiagramm
eines Thyristors
Das Zündverhalten hängt relativ stark von der Sperr-
schichttemperatur des Thyristors ab. Je höher die
Temperatur, desto kleiner werden die zur sicheren
Zündung erforderliche obere Zündspannung UGT und
der obere Zündstrom IGT. Nach dem Zünden kippt der
Thyristor sehr schnell vom Blockierbereich in den
Durchlaßbereich. Die Durchlaßkennlinie ähnelt der
von Silizium-Dioden, jedoch ist die Durchlaßspan-
nung etwas größer. In den Datenblättern werden die
Strom- und Spannungswerte bei gezündeten Thyristo-
343
ren (Durchlaßzustand) als IT und UT anstelle von ID
und UD bezeichnet. Die wichtigsten Kenndaten von
Thyristoren werden im Kennlinienfeld nach Bild III-
10 dargestellt.
ID
ITAV UT
Vorwärts-
Durchlaßbereich
ILAT
IH Blockierbereich
URRM ID
IR UDRM UD
Rückwärts- Vorwärts-
Sperrbereich Sperrbereich
Bild III-10 Darstellung der wichtigsten Kenndaten
eines Thyristors
Der hohe Durchlaßstrom stellt genügend Ladungs-
träger zur Verfügung, um die pn-Übergänge im
leitfähigen Zustand zu halten, wenn der Einraststrom
ILAT kurzzeitig überschritten wird. Um den Thyristor
wieder in den Sperrzustand zu bringen, muß der
Durchlaßstrom kleiner als der Haltestrom IH werden.
Dieser Strom hängt vom jeweiligen Thyristortyp ab
und liegt zwischen einigen mA und etwa 100 mA.
Auch der Haltestrom ist stark temperaturabhängig.
IT
RL UL
U
V1 UT
Bild III-11
Thyristor mit
Lastwiderstand an
Wechselspannung
Wird ein Thyristor nach Bild III-11 mit sinusförmiger
Wechselspannung betrieben, so erfolgt ein Löschen
bei jedem Nulldurchgang der Betriebsspannung, weil
dadurch zwangsläufig der Haltestrom unterschritten
wird. Der Thyristor muß also nach jedem positiven
Nulldurchgang erneut gezündet werden.
Beim Betrieb mit Gleichspannung wird üblicherweise
der Thyristor gelöscht, indem man einen kurzen
negativen Spannungsimpuls an die Anode gibt. Da-
durch wird der Thyristor kurzzeitig im Rückwärts-
Sperrbereich betrieben und somit gelöscht.
Das Löschen über das Gate ist bei den meisten Thy-
ristoren nicht möglich (Ausnahme: GTO-Thyristor).
Bei Wechselspannungsbetrieb ist der Thyristor in der
negativen Halbwelle stets gesperrt, und eine Zündung
ist nur in der positiven Halbwelle möglich. Der
Zündvorgang kann jeweils bei einem bestimmten
Phasenwinkel a der anliegenden Wechselspannung
erfolgen. Bild III-12 zeigt hier die entsprechenden
Zusammenhänge auf.
344 Elektronik

U destwartezeit liegen, die Freiwerdezeit oder Erholzeit

tq genannt wird.
Aber auch ein zu schneller Strom- oder Spannungsan-
2p stieg im Zünd- beziehungsweise Löschzeitpunkt kann
zu unkalkulierbaren Zuständen einschließlich der
p t,f Zerstörung des Thyristors führen (Strom- und Span-
nungssteilheit).
Durch entsprechende Schutzbeschaltungen des Thy-
ristors (siehe Abschnitt 3.5) kann dem entgegenge-
UL
wirkt werden.
Thyristoren werden in großem Umfang als Leistungs-
schalter und zur Leistungssteuerung in Gleich-,
2p Wechsel- und Drehstromkreisen eingesetzt.
a Θ p Mit einem Thyristor als Steuerelement nach Bild
t,f III-11 ist nur Halbwellenbetrieb möglich, daß heißt,
nur die positiven Halbwellen (max. Stromflußwinkel
Q = 180°) gelangen an die Last und erbringen maxi-
mal eine Halbierung der wirksamen Leistungsauf-
UD
nahme. Eine Verringerung des Stromflußwinkels
bedeutet eine weitere Verringerung der Leistung.

I RL
2p Bild III-13
a p t,f
Antiparallel-
UR
schaltung
a Zündverzögerungswinkel U1 V1 V2 zweier
Θ Stromflußwinkel Thyristoren für
Vollwellen-
Bild III-12 Liniendiagramm einer sinusförmigen betrieb
Spannung am Thyristor
Der Thyristor wird jeweils bei a = 90° gezündet und U
automatisch bei wt = 180°, also beim nächsten Null-
durchgang, gelöscht.
Ein Strom fließt also nur während 180° ≥ wt ≥ 90°
durch den Thyristor. Diese Zeitspanne wird auch als 2p
p
Stromflußwinkel Q bezeichnet. Der Stromflußwinkel t, f
Q wird zur Berechnung des arithmetischen Mittel-
wertes des Stroms ITAV benötigt, aber natürlich auch
zur Berechnung des quadratischen Mittelwertes. Um
diese Berechnung zu vermeiden, wird der Zusam- UL
menhang zwischen Verlustleistung, Stromflußwinkel
Q und Strom ITAV in Diagrammen angegeben.
Die hier gezeigte Leistungssteuerung wird als Pha-
senanschnittsteuerung bezeichnet und ermöglicht 2p
a Θ p t, f
eine stufenlose Leistungssteuerung.
Grenzdaten: periodische Spitzensperrspannung UDRM
und URRM; maximale Stoßspitzenspannung UDSM und
URSM; Dauergrenzstrom ITAV; maximaler periodischer
Spitzenstrom ITRM; maximaler Durchlaßstrom ITRMS UD
Kenndaten: Nullkippspannung U(BO) O; Sperrströme
ID, IR; Durchlaßspannung UT, Haltestrom IH; Einrast-
strom ILAT; Zündstrom IGT; Zündspannung UGT
2p
Beim Betrieb des Thyristors sind dynamische Kenn- a p t, f
werte zu beachten. Der zum Zünden erforderliche
Gatestrom muß mindestens so lange fließen, bis die a Zündverzögerungswinkel
Zündung erfolgt ist. Diese Zeit wird als Zündzeit tgt Θ Stromflußwinkel
bezeichnet. Zwischen dem Löschzeitpunkt im Null-
durchgang des Durchlaßstroms und der Wiederkehr Bild III-14 Liniendiagramm einer sinusförmigen
einer Spannung in Vorwärtsrichtung muß eine Min- Spannung bei Vollwellenbetrieb
III Mehrschichtdioden und -trioden 345

Eine Grundschaltung für den Vollwellenbetrieb nach Diacs mit drei Schichten erfolgt der Spannungs-
Bild III-13 ist die Antiparallelschaltung zweier Thyri- einbruch nach dem Zünden nur um einen bestimmten
storen. Hier ist zu beachten, daß die Gatespannungen Spannungsbetrag DU.
UG1 und UG2 jeweils potentialfrei zugeführt werden
müssen. Dies erfolgt in modernen Steuerungen mit IF
Hilfe von Optokopplern, aber auch mit Übertragern.
Die Synchronisation muß so erfolgen, daß jeweils mit positiver
Durchlaßbereich
dem gleichen Phasenanschnittwinkel α der V1 in der
positiven und der V2 in der negativen Halbwelle der
Betriebsspannung gezündet wird. Im Liniendiagramm IHF positiver
nach Bild III-14 wird ein Zündwinkel a = 90° ange- UR U(BR)R UHR
Blockierbereich
nommen. Bei Vollwellenbetrieb ist eine Leistungs-
negativer UHF U(BR)F UF
steuerung zwischen P = 0 W und P = Pmax möglich.
Blockierbereich IHR
Der Zusammenhang zwischen der gesteuerten Leis-
tung P und dem Phasenanschnittwinkel a ist nichtli-
near aufgrund der Nichtlinearität der sinusförmigen negativer
Durchlaßbereich Bild III-16
Versorgungsspannung.
Kennlinie einer Zwei-
Bei kleineren Leistungen werden wegen des Schal-
richtungs-Thyristordiode
tungsaufwandes statt dieser Antiparallelschaltung von
Thyristoren Triacs und Diacs verwendet.
Diacs lassen sich als elektronische Wechselstrom-
schalter verwenden. Sie werden überwiegend für
3 Diac relativ kleine Ströme gefertigt und hauptsächlich zur
Ansteuerung von Triacs eingesetzt.
Schaltet man zwei Vierschichtdioden antiparallel Kennwerte: Durchbruchspannungen U(BR) F, U(BR) R;
zueinander intern in einen Silizium-Kristall, so erhält Durchbruchströme I(BR) F, I(BR) R; Halteströme IHF, IHF;
man eine Zweirichtungs-Thyristordiode, die sowohl maximaler Spitzenstrom Imax
in Vorwärts- wie auch in Rückwärtsrichtung gezündet
werden kann. Die übliche Bezeichnung ist „Diac“ (= Wegen seines Kippverhaltens in Vorwärts- und Rück-
diode alternating current switch = Diodenwechsel- wärtsrichtung werden Diacs hauptsächlich in Zünd-
stromschalter), aber auch die Bezeichnung Trigger- schaltungen für Triacs eingesetzt. Die Zündschaltung
diode ist üblich. Prinzipieller Aufbau und Schaltzei- nach Bild III-17 zeigt das Prinzip eines Dimmers,
chen sind in Bild III-15 zu sehen. Während dieser wobei der Widerstand RL für den Gate-Widerstand
Diac insgesamt 5 Schichten hat, gibt es auch solche eines Triacs steht.
mit 3 Schichten (pnp). 230V/50Hz Bild III-17
Prinzip der Zündschaltung
R1 eines Dimmers
n 10k
p
500k
n R2
Bild III-15 U
V1
p Aufbau und Schalt-
n zeichen eines Diacs

Aufgrund der Antiparallelschaltung ergibt sich für
den Rückwärtsbereich (3. Quadrant) ein spiegelbildli-
cher Verlauf der Kennlinie im Vorwärtsbereich
(1. Quadrant). Nach Überschreiten der Durchbruch-
spannungen U(BR) R und U(BR) F kommt ein Strom in
der jeweiligen Richtung schlagartig zum Fließen, der
durch einen Vorwiderstand begrenzt werden muß.
Die charakteristische Kennlinie eines Diacs mit Blok-
kier- und Durchlaßbereich zeigt Bild III-16. Sowohl
bei Betrieb im Vorwärts- als auch im Rückwärts-
bereich kann der gezündete und damit niederohmige
Diac nur durch Unterschreiten seines Haltestroms
wieder in den Blockierzustand gebracht werden. Bei
BR100 UL RL
C
100nF 20
Der Kondensator C wird in dieser Schaltung über R1
und R2 durch die anliegende AC jeweils auf- und
umgeladen. Die RC-Schaltung muß so ausgelegt wer-
den, daß die Spannung UC in jeder Halbwelle U(BR) F
beziehungsweise U(BR) R erreicht, da der Diac sonst
nicht zündet. Wenn der Diac zündet, entlädt sich der
Kondensator C schlagartig über den Diac und den
Widerstand RL. Dadurch entsteht an RL ein kurzer
positiver beziehungsweise negativer Stromimpuls.
Durch Verstellen des Ladewiderstandes R2 kann der
Zündzeitpunkt des Diacs während der Halbwellen
346 Elektronik

verändert werden. Die Spannungshöhe und die Im-
pulsdauer hängen im wesentlichen von der Kapazität
des Kondensators, dem Durchlaßwiderstand des
Diacs und der Spannungsdifferenz DU des Diacs ab.
Der Diac bleibt gezündet, bis sein Haltestrom unter-
schritten wird, was beim nächsten Nulldurchgang der
Wechselspannung eintritt.
4 Triac
Ein Triac (= triode alternating current switch) kann
von seinem technologischen Aufbau her, aber auch
aufgrund seiner Funktion nach Bild III-18 als eine
Antiparallelschaltung zweier Thyristoren aufgefaßt
werden.
A2
n magnetischer und thermischer Schnellauslösung.
p
A2
n RL
p G A1
n n Bild III-18
Aufbau und Schaltzeichen
A1 G eines Triacs
Der Triac hat zwei Vorwärtsrichtungen und kann am
Gate mit einem Zündstrom beziehungsweise einer
Zündspannung beliebiger Polarität gezündet werden.
Die Kennlinie eines Triacs nach Bild III-19 zeigt
einen spiegelbildlichen Verlauf im I. und III. Quad-
ranten des Kennlinienfeldes auf der Basis der Kennli-
nie eines Thyristors. Ein gezündeter Triac kippt
genau wie ein Thyristor nur dann wieder in den
Sperrzustand zurück, wenn sein Haltestrom unter-
schritten wird.
ID
UT
positiver
Durchlaßbereich
rant) übereinstimmt. Eine entsprechende Zündung
kann auch in den anderen Quadranten erfolgen,
erfordert aber größere Steuerleistungen. Wegen der
vier möglichen Steuerungsarten werden für die Gate-
ströme vier zugehörige Werte angegeben.
Mit Triacs lassen sich in recht einfacher Weise Pha-
senanschnittsteuerungen für Vollwellenbetrieb auf-
bauen. Wegen der niedrigen zulässigen kritischen
Spannungssteilheit ist der Einsatz bei Lasten mit stark
induktivem Anteil nicht gut möglich.
5 Schutz der Dioden und Trioden
Dioden, Triacs und Thyristoren müssen, wie alle
Bauelemente in der Elektronik, gegen Überlastung
geschützt werden. Den Überstromschutz übernehmen
superflinke Sicherungen und Sicherungsautomaten mit
Bild III-20
Schutzbeschal-
R
tung gegen hohe
V1 UN
Spannungs-
anstiegs-
C geschwindigkeit
(du/dt)
Zum Schutz der Bauelemente gegen hohe Span-
nungsanstiegsgeschwindigkeit (du/dt) werden RC-
Glieder eingesetzt und den Ventilen nach Bild III-20
parallel geschaltet. Die Hersteller geben hier Dimen-
sionierungshilfen in Tabellen- oder Diagrammform.
Die RC-Beschaltung dient gleichzeitig dem Schutz
vor den Folgen des Trägerstaueffektes.
Zum Schutz der Bauelemente gegen hohe Stroman-
stiegsgeschwindigkeit (di/dt) werden kleine Schutz-
induktivitäten LS nach Bild III-21 in Reihe zu den
Ventilen geschaltet. Hier reicht unter Umständen
bereits die Induktivität des Netztransformators oder
die Anschlußdrähte der Bauelemente aus.

RL Bild III-21
Schutz-
IH positiver U R
–UA2A1 Blockierbereich (BR) beschaltung
V1 UN
gegen hohe
U(BR) negativer UA2A1
IH Stromanstiegs-
Blockierbereich C geschwindigkeit
LS
(di/dt)
negativer
Durchlaßbereich Um einen gewissen Schutz gegen Überspannungen
Bild III-19 sicherzustellen, werden von den Herstellern fertig
–UT
Kennlinie zugeschnittene Baugruppen geliefert, die zusätzlich
–ID
eines Triacs einen Varistor parallel zum RC-Glied enthalten. Auch
andere Schutzorgane finden hier Verwendung. Solche
Triacs werden meistens mit einem Impuls gezündet, Baugruppen können natürlich auch in Gleichrichter-
dessen Polarität mit der Polarität der an Anschlüssen schaltungen wie hier nach Bild III-22 integriert wer-
A1 und A2 anliegenden Spannung (I. und III. Quad- den.
III Mehrschichtdioden und -trioden 347

Steuerstrom durch die zulässige Steuerverlustleistung

PG, die in Datenblättern für definierte Impulsdauern
R nach Bild III-24 angegeben wird. Die Einschaltzeit
U des Thyristors muß beendet sein, bevor der Impuls
C seinen Scheitelwert erreicht hat.
V1 V2 Die Vertikalsteuerung (Bild III-8) wird nur selten
angewendet, weil eine genaue Bestimmung der Zünd-
winkel nicht erreicht werden kann und nur Steuerwin-
UN kel bis a = 90° möglich sind. Die Horizontalsteuerung
weist diese Mängel nicht auf. Die Ansteuerung erfolgt
häufig durch Zündimpulse und ermöglicht das Zünden
T1 V3 V4 auch bei kleiner Spannung und niedriger Temperatur.
Die Steuerung kann mit Einzelbauelementen oder mit
Ansteuer-IC’s verwirklicht werden.
Bild III-22 Fertige Baugruppen zum Schutz gegen Bei Betrieb der Schaltung nach Bild III-25 an Wech-
Überspannungen selspannung zündet der Triac bei geschlossenem
Da Triacs und Thyristoren in wenigen Mikrosekun- Schalter S mit dem Anstieg der sinusförmigen Be-
den zünden, muß auch der Strom in sehr kurzer Zeit triebsspannung. Der Zündzeitpunkt kann durch die
auf den Wert ansteigen, den die Last aufgrund der Wahl des Gatevorwiderstandes RG und damit der
zum Zündzeitpunkt anliegenden Spannung „zieht“. Einstellung des Gatestroms für Steuerwinkel bis
a = 90° bestimmt werden. Er löscht wieder, wenn
RL 0,1mH beim nächsten Nulldurchgang der Wechselspannung
sein Haltestrom zwangsläufig unterschritten wird.
Solange Schalter S geschlossen ist, fließt ein Wech-
100nF Dimmer selstrom durch den Lastwiderstand.

230V/50Hz 0,1mH Bild III-25

Zünden eines Triacs durch
R
Bild III-23 Entstörmaßnahme für DC am Wechselstromnetz L
Dimmerschaltungen
A1
V1 UN
S RG
Derartig kurze Stromanstiege verursachen jedoch A2
Hochfrequenzstörungen, die sich beim Rundfunk- U
und Fernsehempfang störend bemerkbar machen. Da-
her sind Entstörmaßnahmen für Dimmer zum Bei-
spiel nach Bild III-23 vorzunehmen (Entstörfilter).
Die Schaltung ermöglicht das Einschalten von Wech-
selstromlasten. Ersetzt man die Spannungsquelle und
6 Zündmethoden den Schalter S durch ein Digitalgatter, kann eine Last
Bei Thyristoren und Triacs muß zwischen der Ver- kontaktlos und fast leistungslos eingeschaltet werden.
tikal- und der Horizontalsteuerung unterschieden Wird die Stromzufuhr ins Gate unterbrochen, so wird
werden. In der Praxis wird der Steuerstrom größer als der Triac mit dem nächstfolgenden Nulldurchgang
der obere Zündstrom gewählt. Begrenzt wird der des Laststroms löschen (Vertikalsteuerung).
Die Schaltung nach Bild III-26 zeigt ein Grundprinzip
einer Phasenanschnittsteuerung mit Kondensatorla-
UG dung. In der positiven Halbwelle der Betriebsspan-
V 70W nung wird der Kondensator C über den veränderbaren
15 Vorwiderstand RG aufgeladen. Je nach Widerstands-
20W
wert von R2 steigt die Spannung am Kondensator
schnell oder langsam an. Dadurch wird die zum Zün-
10 7W den des Thyristors erforderliche Gatespannung erst
10μs
mit einer einstellbaren Verzögerung gegenüber dem
2W
5
Beginn der positiven Halbwelle der Betriebsspannung
erreicht. Auf diese Weise kann der Zündzeitpunkt
100μs
t=1ms „beliebig“ eingestellt werden. Sobald der Thyristor
DC gezündet hat, wird der Kondensator über die Gate-
0 1 2 3 4 5 6 7 8 IG Kathodenstrecke des Thyristors teilweise wieder
A entladen. Der Widerstand R1 begrenzt den maxima-
Bild III-24 Gate-Eingangskennlinie len Gatestrom.
348 Elektronik

U
V2 RL
R1
t, f

RG
R2 UN
UR1
V1

t, f
C

Bild III-26 Grundprinzip einer UL

Phasenanschnittsteuerung
a U a U t, f
Der Lastwiderstand ist vor das RC-Glied gezogen
worden und bietet den Vorteil, daß die Ladespannung
des Kondensators nach dem Zünden auf die geringe
Durchlaßspannung des Thyristors begrenzt wird. UD
Mit dieser Schaltung lassen sich Stromflußwinkel
20° < Q < 160° erreichen.
a a t, f
Bei der Horizontalsteuerung erfolgt die Ansteuerung
zweckmäßigerweise durch Zündimpulse und ermög-
licht präzises Zünden zu jedem gewünschten Zeit-
punkt innerhalb der Halbwellen. Dies läßt sich durch Bild III-28 Liniendiagramm einer Vollwellen-
eine Synchronisierung des Impulsgenerators mit der schaltung mit Thyristor
Netzspannung erreichen. Im Liniendiagramm nach Bild III-28 ist ein Phasen-
Die Schaltung nach Bild III-27 läßt den Vollwellen- anschnittwinkel a = 90° angenommen, so daß hier IL
betrieb mit einem Thyristor zu. Der B2-Gleichrichter und UL jeweils mit halbierten positiven Halbwellen
läßt eine Spannung am Widerstand R1 abfallen. Mit wirksam sind, also die Hälfte der maximalen Leistung
Hilfe des RC-Gliedes (R5 und C1) kann nun der an die Last (Lampe) gelangt.
Zeitpunkt eingestellt werden, an dem der Unijunc-
tion-Transistor (UJT) durchsteuert und Spannungs- 100
impulse an R3 hervorgerufen werden, die den Thy- P
90
ristor am Gate ansteuern. Der Widerstand R4 dient %
zur Begrenzung des Gatestroms. 80

RL 70

UL 60
V1 V2 R2 R5
50
u UR1 UD V5
UN R4 V6 40
R1
uC C1 30
V3 V4 UR3
T1 R3
20
Bild III-27 Schaltung zum Vollwellenbetrieb 10
mit einem Thyristor
0
a0
Aufgrund der Spannung UR1 ist der Thyristor immer 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 165 180
180 165 150135 120 105 90 75 60 45 30 15 0
im Vorwärtsbetrieb und kann darum in jeder Halb- U0
welle gezündet werden. Die Leistung ist theoretisch
Bild III-29 Zusammenhang zwischen Anschnitt-
zwischen 0 ≤ P ≤ Pmax steuerbar, zum Beispiel kann
winkel, Stromflußwinkel und Leistung
die Helligkeit einer Lampe von 0% bis 100% ge-
steuert werden. Die Grenzbereiche (a < 15° und Der Zusammenhang zwischen Pmax und dem jewei-
a > 165°) lassen sich mit dieser Schaltung nicht reali- ligen Winkel ist im Bild III-29 dargestellt. Hier ist
sieren. erkennbar, daß der Zusammenhang nichtlinear ist.
IV Transistoren
IV Transistoren
Der Prototyp des Transistors wurde im Jahre 1948 ge-
funden, als die US-Amerikaner John Bardeen
und Walter H. Brattain bei der Untersuchung von
Diodenübergängen eine Metallprüfspitze auf die
n-Schicht aufsetzten und so unbeabsichtigt eine pnp-
Schichtfolge entstand. Zu ihrer Überraschung stellten
sie bei weiteren Messungen fest, daß bei Widerstands-
änderungen in der einen Grenzschicht auch der
Widerstand der anderen Grenzschicht beeinflußt
wird. Damit war das Grundprinzip des Transistors
entdeckt. Das Kunstwort „Transistor“ entstand aus
der Bezeichnung „transfer resistor“, was soviel wie
„Widerstandsänderungen von einer Grenzschicht zur
anderen übertragen“ bedeutet.
1 Bipolare Transistoren
Ergänzt man die pn-Schichtenfolge einer Diode um
eine weitere n- oder p-Schicht, so erhält man die
Schichtenfolge eines Transistors. Entsprechend der
Schichtenfolge unterscheidet man npn- oder pnp-
Transistoren.
Am Ladungstransport sind aufgrund der verschiede-
nen Dotierungsarten sowohl Löcher als auch Elek-
tronen beteiligt. Darum spricht man hier von „bi-
polaren“ Transistoren im Gegensatz zu den „uni-
polaren“ Transistoren, die im Kapitel 4.2 beschrieben
werden.
Die mittlere Schicht bezeichnet man als Basis. Sie
dient zum Steuern des Transistors. Die beiden äuße-
ren Schichten heißen Emitter (sendet Ladungsträger
aus) und Kollektor (sammelt Ladungsträger ein). Der
Pfeil am Emitter gibt die technische Stromrichtung
des Emitterstroms an.
C C
N C
B P B B
N E
E E
C C
Bild IV-1
P C Schichtenfolge,
B N B B Ersatzschaltbild
P und Schaltzeichen
E Basis gebliebenen Elektronen würden die Basis
von npn- und
E E pnp-Transistoren
Als Ersatzschaltbild nach Bild IV-1 kann man die
Reihenschaltung zweier Dioden verwenden, die eine
gemeinsame Kathode beziehungsweise Anode haben.
Die eine Diode ist die Basis-Emitter-Diode, die
andere die Basis-Kollektor-Diode.
349
Anhand dieses Ersatzschaltbildes nach Bild IV-1 soll
die grundsätzliche Polung eines als Verstärker betrie-
benen Transistors nach folgenden Bedingungen be-
schrieben werden:
1. Die Basis-Emitter-Diode ist grundsätzlich in
Durchlaßrichtung zu betreiben.
2. Die Basis-Kollektor-Diode ist grundsätzlich in
Sperrichtung geschaltet.
Um den Transistor als Verstärker betreiben zu kön-
nen, müssen für die Basis zwei Voraussetzungen
erfüllt sein:
1. Sie muß sehr gering dotiert sein; Dotierungsgrad
1/100 des Emitters!
2. Sie muß sehr dünn sein gegenüber der mittleren
freien Weglänge der Majoritätsträger (1 bis
100 μm).
Sind diese beiden Voraussetzungen erfüllt, kann
mit einem kleinen Eingangsstrom (Basisstrom) ein
großer Ausgangsstrom (Kollektorstrom) gesteuert
werden.
1.1 Transistoreffekt
Durch die in Durchlaßrichtung betriebene Basis-
Emitter-Diode eines npn-Transistors fließt ein großer
Durchlaßstrom (Emitterstrom), der so gerichtet ist,
daß die durch Dotierung vorhandenen Elektronen zur
Basis wandern. In der Basis findet diese große Menge
an Elektronen wegen des geringen Dotierungsgrades
der Basis nur wenig Löcher als Rekombinie-
rungspartner vor. Es kommt deshalb nur zu einer ge-
ringen Anzahl von Rekombinationen. Der größte Teil
der vom Emitter kommenden Elektronen über-
schwemmt die Basis als freie Ladungsträger. Da die
Basis sehr dünn ist, werden die Elektronen auf-
grund ihrer Eigengeschwindigkeit zum Kollektor hin
abgedrängt. Das Überschreiten der Kollektor-Basis-
Sperrschicht bildet für die Elektronen kein Problem,
da sie in der Basis Minoritätsträger sind. Die Sperr-
schicht eines pn-Überganges stellt jedoch nur für die
Majoritätsträger ein Hindernis dar.
Wegen der geringen Anzahl von Rekombinationen
in der Basis gelangen also fast alle vom Emitter
ausgesandten Elektronen zum Kollektor. Es fließt
ein Kollektorstrom, der etwas kleiner ist als der
Emitterstrom, denn die durch Rekombination in der
negativer machen, wenn sie nicht nach außen
abgeführt würden. Dieser Elektronenstrom, der aus
der Basis herausfließen muß, damit Basispotential
und Emitterstrom konstant bleiben, stellt den Basis-
strom dar. Er bestimmt den Arbeitspunkt des Tran-
sistors.
Wird der Basisstrom größer, werden mehr Elektronen
aus der Basis entnommen, als zur Erhaltung eines
350
stabilen Zustandes notwendig wäre. Die Basis wird
positiver und die Basis-Emitter-Spannung und der
Emitterstrom werden größer. Werden weniger Elekt-
ronen entnommen, so wird der Emitterstrom kleiner.
Durch diesen kleinen Basisstrom, der zum Emitter-
strom im gleichen Verhältnis steht wie der Dotie-
rungsgrad der Basis zum Dotierungsgrad des Emit-
ters, kann der große Emitter- beziehungsweise Kol-
lektorstrom gesteuert werden.
Beim npn-Transistor sind vorwiegend Elektronen
am Ladungstransport beteiligt, während beim pnp-
Transistor vornehmlich Löcher am Ladungstransport
beteiligt sind.
Deren Bewegungsrichtung ist wegen der umgekehr-
ten Polung des pnp-Transistors jedoch die gleiche wie
die der Elektronen beim npn-Transistor, nämlich vom
Kollektor zum Emitter. Somit erübrigt sich die Be-
schreibung der physikalischen Wirkungsweise des
pnp-Transistors. Letztlich ist ja auch der Löcherstrom
ein Elektronenstrom, der auf der indirekten Elektro-
nenbewegung beruht (darum sind Elektronen beweg-
licher als Löcher).
Wegen der unterschiedlichen Beweglichkeit von
Elektronen und Löchern sind npn-Transistoren für
hohe Frequenzen besser geeignet als pnp-Transi-
storen. Viele elegante und einfache Schaltungen
lassen sich mit „Komplementärpärchen“ (je ein npn-
und pnp-Transistor mit identischen Daten) realisie-
ren.
–IC IC
–IB IB UCE
–UCE
–UBE UBE
–IE IE
Bild IV-2 Spannungs- und Strompfeile an
Transistoren (a + b)
Die Spannungen am Transistor werden nach Bild
IV-2 durch zwei Indices gekennzeichnet, nämlich
durch die Indices der Elektroden, zwischen denen die
Spannung gemessen wird. Die Reihenfolge der Indices
beziehungsweise die Richtung der Spannungspfeile
gibt die Meßrichtung an: Kollektor-Basisspannung
UCB, Basis-Emitterspannung UBE und Kollektor-
Emitterspannung UCE.
Die Ströme am Transistor werden durch einen Index
gekennzeichnet, und zwar durch den Index der Elek-
trode, durch die sie fließen.
Die Festlegung der Richtungspfeile kann man nach
verschiedenen Gesichtspunkten vornehmen: Entweder
nach der tatsächlichen Bewegungsrichtung der La-
dungsträger im Kristall und in den Zuleitungen (zur
physikalischen Deutung) oder nach der allgemein
üblichen technischen Stromrichtung, vom Pluspol
zum Minuspol. Transistoren sind in zahlreichen
Gehäuseformen (Bauformen) lieferbar, die nur zum
Teil genormt sind.
Elektronik
1.2 Transistorkennlinien
Um das Betriebsverhalten eines Transistors im
Normal- und Grenzfall beschreiben zu können, ist
die Kenntnis der Ein- und Ausgangsgrößen erforder-
lich.
Eingangsgrößen: Basis-Emitter-Spannung UBE
Basisstrom IB
Ausgangsgrößen: Kollektor-Emitter-Spannung UCE
Kollektorstrom IC
Die Eingangskennlinie IB = f(UBE) eines Transistors
ist in Bild IV-3 dargestellt. Mit dem Basisstrom
verändert sich zwangsläufig auch der Kollektorstrom.
Darum müssen Kollektorspannung und Sperrschicht-
temperatur konstant gehalten werden.
UCE
IB
mA 5V
3V 8V
1000
800
600
400
200
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 UBE
V
Bild IV-3 Eingangskennlinie eines Transistors
Da die Basis-Emitter-Strecke eines Transistors eine
Diode in Durchlaßrichtung ist, hat die Eingangs-
kennlinie die Form einer Diodenkennlinie in Durch-
laßrichtung. Der Basisstrom steigt stark an, sobald die
Basis-Emitter-Spannung einen bestimmten Wert (die
Diffusionsspannung) überschritten hat. Für andere
Werte von UCE ergeben sich andere Eingangskennli-
nien, wie Bild IV-3 zeigt.
UBE ≈ 0,2 V bis 0,3 V bei Ge-Transistoren
UBE ≈ 0,6 V bis 0,7 V bei Si-Transistoren
Hieraus läßt sich der Ersatzwiderstand rBE zwischen
Basis- und Emitteranschluß des Transistors berech-
nen, durch den die Steuerspannungsquelle belastet
wird.
U BEA
DC-Eingangswiderstand RBE = (IV.1)
I BA
Dieser Gleichstromwiderstand RBE darf nicht mit
dem differentiellen Eingangswiderstand rBE (Klein-
signal-Eingangswiderstand) des Transistors verwech-
selt werden. Er stellt die Steigung der Eingangs-
kennlinie im jeweiligen Kennlinienpunkt, sprich
Arbeitspunkt, dar.
Für eine Diodenkennlinie gilt Gleichung II.2, die
dementsprechend auch für eine Transistor-Eingangs-
IV Transistoren 351

kennlinie gilt. Berechnet man mathematisch die IC

1. Ableitung der Kurve, so gilt: mA
dI B 1 I BS ⋅ e UUBE I 100
= = T
≈ BA für UBE >> UT UCE = 5V
dU BE rBE UT UT 80

UT 60
differentieller Widerstand rBE ≈ (IV.2)
I BA 40
Der differentielle Widerstand rBE ist bedeutend klei- 20
ner als der Basis-Emitter-Ersatzwiderstand RBE.
Bei der Aufnahme der Stromsteuerkennlinie IC = f(IB) 0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 U
nach Bild IV-4 wird der Basisstrom IB verändert, BE
während UCE jeweils konstant gehalten wird. Bereits V
Bild IV-5 Spannungssteuerkennlinie
bei der Untersuchung der Funktionsweise des Tran-
sistors ist erkennbar, daß der Kollektorstrom mit dem dI C I mA
Basisstrom verknüpft ist. Steilheit S = ª C [S] = (IV.5)
dU BE UT V
IC Eine Sperrschichttemperatur von 45 °C ergibt
mA UT = 24,4 mV. Die theoretisch mögliche Steilheit
5 eines Transistors für Überschlagsrechnungen beträgt
UCE = 5V
bei dieser Temperatur
4
1
Steilheit S = 36 ⋅ ⋅ I C (IV.6)
3 V
ΔIC

IC UCE = 3V
2 Für Kleinsignal-Transistoren stimmt diese Gleichung
recht gut, bei Leistungs-Transistoren weichen die errech-
1 neten Werte von den tatsächlichen Größen erheblich ab.
Die Ausgangskennlinien beschreiben den Zusam-
0
5 10 15 20 25 I menhang zwischen den beiden Ausgangsgrößen, dem
B
ΔIB mA Kollektorstrom IC und der Kollektor-Emitter-Span-
nung UCE. Bei konstanter Sperrschichttemperatur
Bild IV-4 Stromsteuerkennlinie muß entweder der Basisstrom oder die Basis-Emitter-
Spannung konstant gehalten werden, wenn die Kenn-
Die Stromverstärkung B wird durch den Dotierungs-
linien eindeutig sein sollen.
grad der einzelnen Schichten des Transistors einge-
stellt, ist also in erster Linie hiervon abhängig und Ausgangskennlinien IC = f (UCE)
weniger von anderen Einflußgrößen. Tatsächlich ist IB = Parameter (Emitterschaltung)
zwischen IC und IB über einen weiten Bereich eine BC 237, BC 238, BC 239
Proportionalität vorhanden, der Graph ergibt annä- 1000
IC 4mA
hernd eine Gerade. Für verschiedene Werte von UCE 3,5mA
ergeben sich unterschiedliche Stromverstärkungs- mA
kennlinien, wie Bild IV-4 zeigt. 800 3mA
I
Gleichstromverstärkung B = C (IV.3)
IB
2,5mA
DI 600
Kleinsignalverstärkung b= C (IV.4) 2mA
DI B
Die Spannungssteuerkennlinie IC = f(UBE) ergibt an- 400 1,5mA
nähernd den exponentiellen Verlauf einer Dioden-
kennlinie (siehe Eingangskennlinie). Die Steigung S
der Kennlinie nach Bild IV-5 wird in Anlehnung an 1mA
die Röhrentechnik als Steilheit S bezeichnet. Beim 200
„idealen Transistor“, bei dem der Kollektorstrom IB = 0,5mA
exponentiell mit der Basis-Emitter-Spannung steigt,
ist das Verhältnis von Steilheit zu Kollektorstrom 0
konstant. 1 2 3 4 5V
Die Gleichung ergibt sich aus der 1. Ableitung der
UCE
Diodenkennlinie unter Berücksichtigung der Tempe- Bild IV-6 Ausgangskennlinienfeld mit IB
raturspannung UT. als Parameter
352 Elektronik

Ausgangskennlinien IC = f (UCE) flachen Verlauf. Wenn der Arbeitspunkt eingangs-

UBE = Parameter (Emitterschaltung) seitig festgehalten wird (UBE, IB), ändert sich der
BC 237, BC 238, BC 239 Kollektorstrom kaum. Die Stromverstärkung wird
1000 durch die Dotierung eingestellt, kann also durch UCE
IC UBE = 0,61V
kaum beeinflußt werden.
mA
Um zu untersuchen, welche Rückwirkung die Aus-
800 gangsspannung UCE des Transistors auf die Eingangs-
spannung UBE ausübt, wird UBE in Abhängigkeit von
0,60V UCE dargestellt. Damit die Kennlinien eindeutig sind,
600 wird der Basisstrom IB konstant gehalten. Bild IV-8
zeigt für verschiedene Werte von IB das Kenn-
0,59V linienfeld der Spannungsrückwirkung Du. Es ist er-
kennbar, daß die Spannungsrückwirkung sehr gering
400 0,58V ist. Das Verhältnis von DUBE/DUCE liegt bei etwa
0,57V 10–4 bis 10–6.
Eine Darstellungsweise, die die Zusammenhänge
0,56V
200 zwischen den einzelnen Kennlinien besonders deut-
0,55V lich macht, ist das Vierquadranten-Kennlinienfeld.
0,54V Hier werden alle vier Quadranten eines Koordinaten-
0,53V
0,52V kreuzes zur Darstellung der verschiedenen Kenn-
0,51V
0
1 2 3 4 5V linien ausgenutzt, wobei die gegenseitige Abhängig-
UCE keit in Bild IV-9 deutlich wird.
Im I. Quadranten wird das Ausgangskennlinienfeld
Bild IV-7 Ausgangskennlinienfeld mit UBE
mit IB als Parameter dargestellt, im II. Quadranten die
als Parameter
Stromsteuerkennlinie, im III. Quadranten die Ein-
gangskennlinie und im IV. Quadranten die Rückwir-
Man unterscheidet deshalb zwei Ausgangskennlinien-
kungskennlinien.
felder:
1. das Ausgangskennlinienfeld, bei dem IB konstant
gehalten wird (IB als Parameter, Bild IV-6) IC
II I
2. das Ausgangskennlinienfeld, bei dem UBE kon-
stant gehalten wird (UBE als Parameter, Bild IV-7)
IB
Der Verlauf der beiden Ausgangskennlinienfelder ist B=f(UCE)
grundsätzlich gleich. Bei beiden Kennlinienfeldern
steigt der Kollektorstrom schon bei kleinen Werten
der Kollektor-Emitter-Spannung stark an, um dann ab
Erreichen eines bestimmten Wertes von UCE in die
Sättigung überzugehen. IB UCE
Dieser Wert von UCE, der vom jeweiligen Basisstrom
abhängig ist, heißt Sättigungsspannung UCE sat. Wird
UCE größer als UCE sat, steigt der Kollektorstrom nur rBE = f (UCE) Du= f (IB)
noch sehr gering an.
Die Kennlinien beider Kennlinienfelder zeigen nach III UBE IV
Überschreiten der Sättigungsspannung einen sehr
Bild IV-9 Vier-Quadranten-Kennlinienfeld
UBE eines Transistors
V
Je flacher die Ausgangskennlinien verlaufen, desto
weniger hängt die Stromsteuerkennlinie vom Parame-
0,8 IB
ter UCE ab.
0,6 3 mA
1.3 Kenn- und Grenzwerte des Transistors
0,4 2 mA
IB = const. Um den Arbeitsbereich eines Transistors nach
0,2 1 mA Bild IV-10 einzugrenzen, sind Grenzwerte und Kenn-
daten zu ermitteln und zuzuordnen.
0
2 4 6 8 10 UCE Grenzwerte: zu hohe Kollektor-Emitter-Spannung
V UCE > UCE max, zu großer Kollektorstrom IC > IC max,
Bild IV-8 Spannungsrückwirkungskennlinie zu große Verlustleistung PV > Ptot, zu hohe Sperr-
IV Transistoren 353

gilt
IC
Ptot PV ≈ U CE ⋅ I C ≤ Ptot (IV.8)
IB = const Durch die Verlustleistung bei Dauerbetrieb entsteht in
ICmax
der Sperrschicht Wärme; die Sperrschichttemperatur
erhöht sich. Sie darf bestimmte Werte nicht über-
schreiten, weil der Kristall ansonsten seine Halblei-
tereigenschaften stark verändert und der Transistor
zerstört wird. Die zulässige Sperrschichttemperatur TJ
hängt vom Halbleitermaterial ab.
UCE0 UCE Sperrschichttemperatur JJ ≈ 90 ⴗC bei Germanium-
Transistoren und JJ ≈ 150 ⴗC bis 200 ⴗC bei Silizium-
Bild IV-10 Zulässiger Arbeitsbereich eines Transistoren.
Transistors Oberhalb einer bestimmten, vom Basisstrom abhängi-
gen Kollektor-Emitter-Spannung wächst der Kollek-
Temperaturabhängigkeit der torstrom plötzlich sehr stark mit UCE an. Dieses
zulässigen Gesamtverlustleistung
Ptot = f (TU); Rth = Parameter Verhalten wird als „2. Durchbruch“ bezeichnet. Hier
BC 237, BC 238, BC 239 darf ein Transistor nicht mehr betrieben werden.
Ptot
W IC UCB=0V RBE
IB=0
Übersteuerungsbereich RBE=0
0,4 IE=0
normaler

Emitter offen
Emitterdiode
Basis offen
Kennlinienverlauf

gesperrt
0,3
aktiver Bereich
RthJU RthJG
Durchbruchbereich
0,2

0,1 Sperrbereich U U UCB0 UCE

UCE0 CER CES
UCEV

0 Bild IV-12 Durchbruchspannungen und Restströme

100 TU 200
°C
Bild IV-11 Verlustleistung in Abhängigkeit von der
Umgebungstemperatur
schichttemperatur JJ > JJ max, zu große Basis-Emitter-
Spannung UBE > UBE max, zu großer Basisstrom
IB > IB max können zur Zerstörung des Transistors
führen.
Das Diagramm nach Bild IV-11 zeigt, wie hoch die
Verlustleistung bei einer bestimmten Umgebungs-
temperatur sein darf. Wird jedoch die im Transistor
erzeugte Wärme durch einen Kühlkörper Rth JG oder
durch eine Montage auf ein Chassis besser abgeführt,
so ist die Gesamtverlustleistung auch noch bei höhe-
ren Umgebungstemperaturen zulässig.
Gesamtverlustleistung
PV = U CE ⋅ I C + U BE ⋅ I B ≤ Ptot (IV.7)
Wegen
U CE ⋅ I C >> U BE ⋅ I B
eines Transistors
Bild IV-12 zeigt die wichtigsten Durchbruchspan-
nungen und die zugehörigen Restströme.
Es gilt folgende Beziehung:
UCEO < UCER < UCES < UCEV
Statische Kenndaten: Gleichstromverstärkung B,
Sättigungsspannung UCE sat, Restströme ICEO
Die Sättigungsspannung ist vor allem dann von
Interesse, wenn ein Transistor im Schalterbetrieb
arbeitet. Sie ist die Spannung, die zwischen Kollektor
und Emitter abfällt, wenn der Transistor voll durch-
gesteuert ist. Sie wird auch Restspannung genannt.
Gerade bei kleinen Kollektorstromwerten macht sich
in den pn-Übergängen der Reststrom störend bemerk-
bar. Wenn der Basisstrom noch Null ist, fließt zum
Beispiel schon ein geringer Kollektorstrom. Dies ist
der Kollektor-Emitter-„Reststrom“ ICEO. Das ist der
auf der Eigenleitung beruhende Sperrstrom der Kol-
lektor-Emitter-Strecke; er ist stark temperaturabhän-
gig.
354 Elektronik

Die oben beschriebenen Kennlinien liefern die Daten i1 i2

für die Gleichstromsteuerung und den Großsignalbe-
trieb. Infolge der Krümmung der meisten Kennlinien u1 u2
muß man zur Beschreibung des Kleinsignalverhaltens
des Transistors die Steigung der Kennlinien im Ar-
beitspunkt verwenden (Tangente an die Kennlinie im
AP). Bild IV-13 Transistor als Vierpol
Die grafische Ermittlung dieser Kennwerte ist
meist ungenau. Sie werden darum in den Daten- Auf Transistoren angewendet:
blättern der Hersteller als Zahlenwert genannt. Die u BE = h11 ⋅ i B + h12 ⋅ u CE , i C = h 21 ⋅ i B + h 22 ⋅ u CE
Datenblätter geben die dynamischen Kenngrößen
in Form der h-Parameter oder y-Parameter an, (IV.9)
die nur für einen bestimmten Arbeitspunkt, eine Die in den Datenblättern angegebenen Parameter
bestimmte Temperatur und eine bestimmte Frequenz gelten immer nur für einen ganz genau definierten
gelten. Sie stellen die Wechselstrom-(Signal-)kenn- Arbeitspunkt. Soll der Transistor in einem anderen
werte dar. Arbeitspunkt betrieben werden, müssen die h-Para-
Während diese Transistor-Kenndaten im NF-Bereich meter für den neuen Arbeitspunkt umgerechnet wer-
meist als h-Parameter angegeben sind, werden sie im den.
HF-Bereich und bei den Feldeffekttransistoren als Aus den Diagrammen nach Bild IV-14 läßt sich
y-Parameter dargestellt. Diese Parameter sind Ver- jeweils der Faktor He für den neugewählten Kollek-
hältnisgrößen und beschreiben wegen der Vierpol- torstrom oder für die neugewählte Kollektorspannung
theorie das Gesamtverhalten eines Transistors als ablesen. Daraus lassen sich die h-Parameter für den
Kleinsignalverstärker, wenn man ihn als Vierpol nach neuen Arbeitspunkt berechnen.
Bild IV-13 betrachtet. umgerechnete h-Parameter
u 1 = h 11 ⋅ i 1 + h 12 ⋅ u 2 , i 2 = h 21 ⋅ i 1 + h 22 ⋅ u 2 hneu = halt ⋅ H ei
Die Begriffe kurzgeschlossener und offener Ein- hneu = halt ⋅ H eu (IV.10)
gang oder Ausgang beziehen sich immer auf den hneu = halt ⋅ H ei ⋅ H eu
Wechselspannungsanteil eines Signals. Ein solcher
Kurzschluß läßt sich zum Beispiel leicht mit Mit den h-Parametern läßt sich das für alle Grund-
Hilfe eines ausreichend großen Kondensators herstel- schaltungen des Transistors gültige Wechselstrom-
len. Ersatzschaltbild nach Bild IV-15 beschreiben.

Tabelle IV-1 Bedeutung der h-Parameter

Bedeutung der h-Parameter

Ermittlung aus Kennlinien/Meßgrößen:
DU BE u BE
h11 = rBE = = Kurzschluß-Eingangswiderstand (Einheit W)
DI B iB

für UCE = const und uCE = 0

DU BE u BE
h12 = Du = = Leerlauf-Spannungsrückwirkung (dimensionslos)
DU CE u CE

für IB = const und iB = 0

DI C i C
h21 = b = = Kurzschluß-Stromverstärkung (dimensionslos)
DI B iB

für UCE = const und uCE = 0

1 DI C i
h22 = = = C Leerlauf-Ausgangsleitwert (Einheit eines Leitwertes)
rCE DU CE u CE

für IB = const und iB = 0

IV Transistoren 355

Stromabhängigkeit der h-Parameter Spannungsabhängigkeit der h-Parameter

He = f (IC); UCE = 5V He = f (UCE); IC = 2mA
BC 107, BC 108, BC 109 BC 107, BC 108, BC 109
102 He Bild IV-14
UCE = 5V IC = 2mA
5 Diagramme zur
Umrechnung
He 2,0 der h-Parameter für
h11e
andere Arbeitspunkte
101 h21e
1,5 h11e
5
h12e
1,0 h12e
100 h21e

5 0,5 h22e
h22e

10–1 0
10–1 5 100 1 10 20 UCE
IC 5 10
mA V

iB iC Zusätzlich macht sich bei höheren Frequenzen auch

die Laufzeit der Ladungsträger durch den Transistor
h11 h 21 iB bemerkbar.
1
ue h22 ua Aus diesen Gründen wird die Stromverstärkung b des
Transistors mit zunehmender Frequenz kleiner. Bei
h 12 ua der Grenzfrequenz fg ist die Verstärkung um 3 dB ge-
sunken.
Die Frequenzabhängigkeit der Stromverstärkung
Bild IV-15 Wechselstrom-Ersatzschaltbild eines Transistors ist in Bild IV-16 im Prinzip darge-
eines Transistors stellt.
Die Frequenz, bei der b = 1 ist, wird als Transit-
In den Datenblättern werden häufig die für die Emit- frequenz fT bezeichnet. Die Transitfrequenz fT hängt
terschaltung gültigen h-Parameter (h-Parameter mit sowohl vom Kollektorstrom als auch von der Span-
dem Index „e“ gekennzeichnet) angegeben, die sich nung ab.
mit Hilfe der Gleichungen in Tabelle IV-2 leicht in Bei Kleinsignalverstärkern mit geringen Eingangs-
die h-Parameter für die anderen Grundschaltungen leistungen ist das Rauschen von Transistoren im NF-
umrechnen lassen. und HF-Bereich von Bedeutung.

Tabelle IV-2 Umrechnungsfaktoren

Basisschaltung Kollektorschaltung

h11 e h12 e − Dh e
h11 b = h12 b = − h 11 c = h 11 e h 12 c = − h12 e + 1
Sh e Sh e
h 21 e + Dh e h 22 e h 21 c = − h 21 e − 1 h 22 c = h 22 e
h 21 b = − h 22 b =
Sh e Sh e
Dhe = h11 e ⋅ h 22 e − h12 e ⋅ h 21 e Sh e = 1 − h12 e + h 21 e + Dh e

Wichtig für das Wechselstromverhalten sind die
Sperrschichtkapazitäten des Transistors; ihr Wert
hängt von der anliegenden Sperrspannung ab. Die
Kollektor-Basis-Kapazität CCB liegt zwischen Emit-
ter- und Basis-Anschluß im Gegenkopplungskreis
und bildet mit dem Ausgangswiderstand des Tran-
sistors einen Hochpaß für die Signalfrequenzen.
Das Stromrauschen ist dabei auf Unregelmäßigkeiten
im Ladungsträgerfluß zurückzuführen. Solche Effekte
treten in Halbleitern durch Generation und Rekom-
bination von Ladungsträgern auf, aber auch an Me-
tall-Halbleiterübergängen.
Thermisches Rauschen dagegen beruht auf der regel-
losen Bewegung thermisch angeregter Ladungsträger.
356
b Grundsätzlich muß zwischen zwei FET-Gruppen
100
70
10
f In der heutigen Technologie verwendet man als
MHz
1 Isolierschicht fast ausschließlich Siliziumdioxyd.
0,001 0,01 0,1 1 10 fT 100
fgo
Bild IV-16 Stromverstärkung in Abhängigkeit von
der Frequenz
Mit der Zunahme der Temperatur steigt auch das
thermische Rauschen an.
Ein Maß für das in einem Transistor erzeugte Rau-
schen ist die Rauschzahl F, die in den Datenblättern
meistens im logarithmischen Wert in dB angegeben
ist. Hiermit kann nun bei einer gegebenen Verstärker-
schaltung die Mindestnutzspannung berechnet wer-
den, die am Eingang anliegen muß, damit am Aus-
gang des Verstärkers das Nutzsignal um einen be-
stimmten Faktor größer als das Rauschen ist.
Die so erzeugte Rauschspannung deckt unter Um-
ständen ein weites Frequenzband ab und führt bei
sehr geringen Signalspannungen in der Nachrichten-
technik zu erheblichen Problemen.
2 Feldeffekttransistoren (FET)
Neben den bipolaren Transistoren gibt es die „uni-
polaren“ Transistoren, bei denen am Ladungsträger-
transport nur eine Ladungsträgerart, also entweder
Löcher oder Elektronen, beteiligt sind. Die Steuerung
des Stromflusses erfolgt bei ihnen durch ein elektri-
sches Feld. Deshalb wird bei den unipolaren Transis-
toren auch von „Feld-Effekt-Transistoren“ (FET)
gesprochen.
Feldeffekt-Transistoren (FET)
Sperrschicht-FET Insulated-Gate-FET
(PN-FET) (u.a. MOS-FET)
N-Kanal- P-Kanal- Selbstsperrende Selbstleitende Sonder-
Sperrschicht Sperrschicht MOS-FET MOS-FET Bauarten
FET FET
N-Kanal N-Kanal P-Kanal P-Kanal
Dual-Gate- V-MOS-FET
MOS-FET SIPMOS-FET
Elektronik
unterschieden werden, und zwar zwischen den Sperr-
schicht-FET (auch J-FET genannt) und den IG-FET
(IG = isoliertes Gate). Bei den IG-FET unterscheidet
man zwischen den Typen je nach technischer Aus-
führung der Isolierschicht und dem verwendeten
dotierten Halbleitermaterial. Eine Übersicht bietet
Bild IV-17.
Daher kommen MOS-FET (metal-oxide-semiconduc-
tor) am häufigsten vor.
Da die Steuerung des Stroms im FET über ein elektri-
sches Feld erfolgt, fließt in den Steuereingang des
FET (Gate G) quasi kein Strom. Folglich hat der FET
einen sehr hohen Eingangswiderstand und wird
nahezu leistungslos angesteuert.
Der Einsatz als Wechselspannungsverstärker be-
schränkt sich dabei fast nur auf die Vorverstärker-
stufe im HF- und NF-Bereich. Das Hauptanwen-
dungsgebiet der FET liegt jedoch bei den integrierten
Schaltungen der Analogtechnik und insbesondere der
Digitaltechnik, also Verwendung als Schalter.
Die Weiterentwicklung der FET hat zu Typen wie
VMOSFET, SIPMOSFET und IGBT geführt, die die
Einsatzgebiete ausgedehnt haben.
2.1 Aufbau und Wirkungsweise
des Sperrschicht-FET
Sperrschicht-FET werden als P-Kanal- oder N-Kanal-
Typ hergestellt. Ihre Schaltzeichen sind in Bild IV-18
dargestellt. Im folgenden wird ein N-Kanal-Typ be-
schrieben.
Bei einem P-Kanal-Typ sind lediglich die Kanal- und
Gatedotierung sowie die Polaritäten der Spannungen
zu vertauschen.
Bild IV-19 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines N-
Kanal-Sperrschicht-FET mit den drei Anschlüssen
Gate G, Drain D und Source S. Er besteht im wesent-
lichen aus einem länglichen Stück n-dotierten
Bild IV-17
Übersicht zu den Transistoren
IV Transistoren 357

ID D Bild IV-19
D Prinzipieller Aufbau eines
UDS N-Kanal-JFET N-Kanal-Sperrschicht-FET
S
–UGS G

–ID
D
–UDS P-Kanal-JFET
S D
UGS G S
Bild IV-18 Schaltzeichen eines Sperrschicht-FET
vom N-Kanal-Typ oder P-Kanal-Typ
Halbleitermaterial, dessen Anschlüsse an den Enden
Drain (engl.: Abfluß, Senke) und Source (engl.:
Quelle) genannt werden. In die Seiten wird p-do-
tiertes Halbleitermaterial eindiffundiert, so daß pn-
Übergänge entstehen. Diese sind miteinander verbun-
den und bilden den Gate-Anschluß. Durch eine ent-
sprechende Steuerspannung UGS zwischen dem Gate-
und Source-Anschluß wird der pn-Übergang in Sperr-
richtung betrieben, so daß in den Steueranschluß
lediglich ein geringer Sperrstrom fließt.
Der pn-Übergang darf nicht in Durchlaßrichtung
betrieben werden! Verbindet man nun das Gate mit
dem Source und legt zwischen Drain und Source eine
Spannung UDS nach Bild IV-20a, so bildet sich an
beiden pn-Übergängen eine Sperrschicht. Dadurch
reduziert sich die für die Leitfähigkeit wirksame
Kanalbreite, so daß der Kanalwiderstand erhöht wird.
N-
P Kanal P G
G
S
Wird die Spannung UDS fortwährend erhöht, so wird
der Kanal nach Bild IV-20b schmaler, bis die beiden
Sperrschichten aneinander stoßen und den Kanal
abschnüren. Am Drain-Anschluß ist die Abschnürung
deutlicher.
Dieser Wert der Spannung UDS wird maximale Sätti-
gungsspannung UDSS genannt. Den zugehörigen Wert
des Stroms ID nennt man maximaler Sättigungsstrom
IDS. Für Werte UDS > UDSS bleibt der Stromfluß erhal-
ten.
Durch eine negative Steuerspannung UGS nach
Bild IV-21a wird die Breite der Sperrschicht an den
pn-Übergängen beeinflußt. Im Betrieb überlagern
sich die Wirkungen der beiden Spannungen und
zeigen die in Bild IV-21b beschriebene Eingrenzung
des Kanals.

D ID D ID

UDS UDS

P N- P G G
Kanal

Bild IV-20
Abhängigkeit der Kanalbreite von der
S S
Drain-Source-Spannung UDS

D ID D ID

UDS

G G

–UGS –UGS
Bild IV-21
Abhängigkeit der Kanalbreite von UDS
S S
und der Steuerspannung UGS
358 Elektronik

Die Steuerspannung UGS darf bei einem N-Kanal-PN- S UDS D Bild IV-23
FET nicht positiv werden, da dieses zur Zerstörung UGS G Prinzipieller Aufbau
des Bauelementes führen kann. eines selbstleitenden
N-Kanal-MOS-FET
2.2 Aufbau und Wirkungsweise N N-Kanal N
des MOSFET
P
Beim Sperrschicht-FET wird die Veränderung des
wirksamen Kanalquerschnittes zur Einstellung des
Widerstandes der Drain-Source-Strecke benutzt. Beim
FET mit isoliertem Gate hingegen wird die Variation UBS B
des Kanalwiderstandes mit Hilfe der Ladungsträger-
dichte betrieben, wobei die Anzahl der geeigneten Die Funktion eines selbstleitenden P-Kanal-MOS-
Ladungsträger zwischen Drain und Source durch ein FET entspricht der des selbstleitenden N-Kanal-
elektrisches Feld gesteuert wird. Hierbei unter- MOS-FET.
scheidet man generell zwei Versionen. Der IG-FET vom Normally-Off-Typ (auch Anreiche-
Der IG-FET vom Normally-On-Typ (auch Verar- rungs-, Enhancement- oder selbstsperrender Typ
mungstyp, Depletion-Typ genannt) nach Bild IV-22 genannt) nach Bild IV-24 besitzt bei einer Steuer-
ist genau wie der Sperrschicht-FET ein selbstleitender spannung UGS = 0 V keinen leitfähigen Kanal zwi-
Typ. Bei einer Steuerspannung UGS = 0 V existiert schen Drain und Source. Er bildet sich erst, wenn die
bereits ein leitender Kanal zwischen Drain und Sour- angelegte Steuerspannung einen Schwellenwert
ce, dessen Ladungsträgerdichte je nach Kanalart (N- UGS(TO) überschreitet.
Kanal oder P-Kanal) und der Polarität der Steuer-
spannung weiter erhöht oder verringert werden kann. ID

ID D
G UDS N-Kanal-MOSFET
D UDS S
G UGS
±UGS S N-Kanal-MOSFET

–ID
–ID D
–UDS P-Kanal-MOSFET
G
D –UDS –UGS S
G Bild IV-24
±UGS S P-Kanal-MOSFET
Schaltzeichen selbstsperrender
Normally-Off-Typ IG-FET
Normally-On-Typ
Der prinzipielle Aufbau eines selbstsperrenden N-Ka-
Bild IV-22 Schaltzeichen selbstleitender IG-FET nal-MOS-FET ist in Bild IV-25 dargestellt. Bei einer
Der prinzipielle Aufbau eines selbstleitenden N-Kanal- Steuerspannung UGS = 0 V fließt kein Drainstrom, da
MOS-FET ist in Bild IV-23 dargestellt. Der Gate-An- ein Kanal nicht durch entsprechende Dotierung ein-
schluß ist vom Halbleitermaterial durch eine Isolier- gebaut wurde.
schicht getrennt. Bei einer Steuerspannung UGS = 0 V Legt man eine positive Steuerspannung an das Gate,
fließt durch den N-Kanal bereits ein Drainstrom. Durch so werden Elektronen aus dem p-dotierten Substrat in
eine negative Steuerspannung UGS nimmt die Elektro- Richtung Gate gezogen und führen dort zur Ausbil-
nendichte im Kanal ab, da die Elektronen durch das dung eines N-Kanals. Der zum Fließen kommende
elektrische Feld abgedrängt werden. Damit nimmt aber Drainstrom wird um so größer, je größer die positive
der Widerstand zwischen Drain und Source zu. Bei Steuerspannung wird.
UGS = UP existiert kein N-Kanal mehr zwischen Drain
S UDS D
und Source, daß heißt, der Drainstrom ID wird zu Null.
Legt man eine positive Steuerspannung an das Gate, so UGS G
wird die Ladungsträgerdichte im Kanal größer; die
Leitfähigkeit des Kanals wird vergrößert.
Der IG-FET kann sowohl über die Gate-Source- N N
Spannung als auch über eine Spannung zwischen P Bild IV-25
Bulk B und Source S gesteuert werden. Der Einfluß Prinzipieller Aufbau
dieser Spannung ist aber geringer, und diese Steue- eines selbstsperren-
rungsmöglichkeit wird seltener genutzt. Meist sind den N-Kanal-MOS-
Bulk und Source miteinander intern verbunden. UBS B FET
IV Transistoren
Die Funktion eines selbstsperrenden P-Kanal-MOS-
FET entspricht der des selbstsperrenden N-Kanal-
MOS-FET.
2.3 Kennlinien von FET
Bei einem J-FET fließt in das Gate nur der Sperr-
strom des pn-Übergangs, so daß eine Eingangskenn-
linie für den PN-FET nicht existiert. Interessant sind
die Steuer- und Ausgangskennlinie eines J-FET nach
Bild 4-26.
ID ID UGS
0V
IDS
–1 V
D
G S –2 V
–3 V
–4 V
UP UGS UDS
Bild IV-26 Steuer- und Ausgangskennlinie eines
J-FET
Diesen Kennlinien können alle relevanten Gleich-
spannungs- und -stromwerte entnommen werden.
Bild IV-27 zeigt die Steuerkennlinie ID = f(UGS) eines
J-FET. Die Steuerkennlinie gilt für UDS = const. Bei
UGS = 0 V hat der Drainstrom ID eines J-FET seinen
höchsten Wert IDS und verringert sich mit negativer
werdender Steuerspannung. Die Spannung UGS, bei
der der Drainstrom auf Null reduziert ist, wird Ab-
schnürspannung UP (engl. pinch-off-voltage) genannt
und liegt je nach Typ bei Werten zwischen 2 V und
10 V.
ID
IDS
Bild IV-27
Steuerkennlinie ID = f(UGS)
–UGS UP eines J-FET
Während bei den bipolaren Transistoren der Kollek-
torstrom mit steigender Temperatur ebenfalls an-
steigt, wird der Drainstrom beim J-FET mit steigen-
der Temperatur kleiner.
Dies hat seine Ursache darin, daß die frei beweg-
lichen und durch Dotierung entstandenen Ladungs-
träger durch die thermische Eigenbewegung der
Atome in ihrer Beweglichkeit gemindert werden. Mit
steigender Temperatur wird aber auch die Abschnür-
spannung größer. Beide Effekte zusammen haben zur
Folge, daß es einen Drainstromwert gibt, der tempe-
359
raturunabhängig ist, daß heißt, der Temperaturkoeffi-
zient wird Null. Bild IV-28 zeigt den Temperaturein-
fluß auf die Übertragungskennlinie.
ID Bild IV-28
Temperatur-
IDS einfluß auf die
TU1 Übertragungs-
TU2 kennlinie
TU3
TK=0
–UGS UP3 UP2 UP1
Die Gate-Source-Spannung UGSK für den tempera-
turunabhängigen Kompensationspunkt läßt sich in
Näherung berechnen.
Gate-Source-Spannung U GSK ≈ U P + 0 , 7 V
Soweit möglich sollte dieser Wert mit der Steuer-
spannung eingestellt werden, um eine thermische
Arbeitspunktstabilisierung unnötig zu machen. Von
Nachteil ist hier, daß die Kennlinie keine Gerade ist
und somit das Ausgangssignal verzerrt sein kann.
Das Ausgangskennlinienfeld (ID-UDS-Kennlinie mit
UGS als Parameter) nach Bild IV-29 läßt sich mit
Unterstützung durch Bild IV-26 qualitativ erklären.
Steigert man die Spannung UDS von Null an, so steigt
der Strom ID bei UGS = const zunächst linear mit der
Spannung, der Kanalwiderstand bleibt in etwa kon-
stant (ohmscher Bereich). Mit wachsendem Strom
beginnt sich der Kanal merklich zu verengen, der
Kanalwiderstand nimmt zu, und der Anstieg von ID
mit UDS wird immer geringer, bis beide Sperrschich-
ten sich nahezu berühren. Man sagt, der Kanal ist ab-
geschnürt.
ID Abschnürgrenze 3 Bild IV-29
2 Ausgangskennlinien-
1 feld mit UGSals
UGS = 0V
Parameter
UGS = –1V
UGS = –2V
UGS = –3V
UGS = –4V
UDSP UDSS UDS
Die Drain-Source-Spannung UDSP, bei der diese Ab-
schnürung (pinch off) eintritt, ist in Bild IV-29 einge-
zeichnet. UDSP wird auch Kniespannung genannt.
Abschnürspannung UDSP ≡ UDSS + UGS (IV.11)
Mit wachsender Steuerspannung UGS wird die Ab-
schnürgrenze früher, daß heißt bei kleinerem Strom
ID und kleineren Werten von UDSP erreicht. Die ID-
UDS-Kennlinien verschieben sich daher mit zuneh-
360
mender Gate-Source-Sperrspannung zu kleineren
Drainstromwerten.
Verbindet man alle Abschnürpunkte nach Bild IV-29
miteinander, so erhält man die Abschnürgrenze, die
den ohmschen Bereich (Bereich 1) vom aktiven
Bereich (Bereich 2) – auch Sättigungsbereich genannt
– trennt. Oberhalb von UDSP steigt der Drainstrom nur
noch wenig an.
Wird die Spannung UDS zu weit erhöht, so kommt es
zu einem Durchbruch (Bereich 3) zwischen Drain
und Source, wobei der Drainstrom so stark ansteigt,
daß die Gefahr der Zerstörung des FET eintritt.
Da der J-FET eine quadratische Abhängigkeit des
Drainstroms von der Steuerspannung hat, sind seine
nichtlinearen Verzerrungen bei einer Spannungsaus-
steuerung wesentlich geringer als beim bipolaren
Transistor.
Für das Betreiben des J-FET im aktiven Bereich,
sprich Verstärkerbereich, läßt sich somit die Steil-
heit S errechnen. Praktische Werte für die maximale
Steilheit liegen zwischen 1 mA/V und 50 mA/V. Die
Steilheit S ist ein direktes Maß für die Spannungsver-
stärkung einer J-FET-Verstärkerstufe. Je größer S,
umso größer ist auch die zu erwartende Spannungs-
verstärkung Vu.
Im ohmschen Bereich kann der J-FET als spannungs-
gesteuerter Widerstand eingesetzt werden.
Bei den IG-FET fließt kein Strom in das Gate, da es
durch eine Isolationsschicht vom übrigen Halbleiter
getrennt ist, so daß auch hier keine Eingangs-
kennlinie existiert.
Die Steuer- und Ausgangskennlinie eines selbst-
leitenden N-Kanal-MOS-FET, also vom Normally-
On-Typ, zeigt Bild IV-30.
Diesen Kennlinien können alle relevanten Gleich-
spannungs- und Stromwerte entnommen werden. Da
auch der PN-FET ein selbstleitender FET ist, ergeben
sich hier generell zahlreiche Übereinstimmungen im
Verhalten.
ID ID
2V
D 1V
G
S 0V
–1V
–2V
UP UGS UDS
Bild IV-30 Steuer- und Ausgangskennlinie eines
selbstleitenden N-Kanal-MOS-FET
Für die Ausgangskennlinie (ID-UDS-Kennlinie) gelten
im Prinzip die Aussagen zum J-FET. Hier wird die
Spannung UGS als Parameter verwendet, während die
Drain-Source-Spannung verändert wird.
Deutlich erkennbar ist die Abhängigkeit des Drain-
stroms ID vom Wert der negativen und positiven
Elektronik
Steuerspannung UGS. Der Normally-On-Typ kann
also sowohl als Verarmungs-FET als auch wie ein
Anreichherungs-FET betrieben werden.
Der Drainstrom kann durch eine positive Gatespan-
nung UGS nicht weiter beliebig erhöht werden, weil
ab einem bestimmten Spannungswert eine Vergröße-
rung der Leitfähigkeit des Kanals nicht mehr möglich
ist.
Die Steuerkennlinie (ID-UDS-Kennlinie) des selbstlei-
tenden N-Kanal-MOS-FET zeigt, daß bereits bei
UGS = 0 V ein Drainstrom fließt. Selbstleitende MOS-
FET haben wie die J-FET einen geringen positiven
Temperaturkoeffizienten. Der Drainstrom wird also
mit steigender Temperatur kleiner. Die Gate-Source-
Spannung UGSK für den temperaturunabhängigen
Kompensationspunkt läßt sich in Näherung berech-
nen.
Gate-Source-Spannung U GSK ≈ U P + 2 , 5 V (IV.12)
Die Steuer- und Ausgangskennlinie eines selbst-
sperrenden N-Kanal-MOS-FET, also vom Normally-
Off-Typ, zeigt Bild IV-31. Diesen Kennlinien können
alle relevanten Gleichspannungs- und Stromwerte
entnommen werden.
Die Schwellenspannung UGS (TO) kann als die Span-
nung an der Gateelektrode verstanden werden, die die
Störstellenladung und die Raumladung kompensiert.
ID ID
UGS
5V
D 4V
G
S 3V
2V
1V
UGS UDS
Bild IV-31 Steuer- und Ausgangskennlinie eines
selbstsperrenden N-Kanal-MOS-FET
Sie ist nur geringfügig von der Temperatur abhängig.
Darum läßt sich die Steuerspannung UGSK für einen
temperaturkompensierten Arbeitspunkt gut nähe-
rungsweise berechnen.
Steuerspannung U GSK ≈ U GS (TO) + 2 , 5 V (IV.13)
Je größer die Steuerspannung UGS ist, um so größer
wird der Drainstrom. Ein maximaler Sättigungsstrom
läßt sich daher nicht angeben.
2.4 Kennwerte von FET
Wie bei den bipolaren Transistoren und Dioden
unterscheidet man auch hier Kenn- und Grenzwerte.
Für die Kenngrößen werden in den Datenblättern je
nach Bedarf Mittelwerte und/oder obere und/oder
untere Streuwerte angegeben. Die Kennliniendarstel-
lungen sind, falls nicht anders vermerkt, Mittelwert-
Darstellungen und gelten nur für die jeweils angege-
IV Transistoren 361

bene Temperatur. J-FET können auf verschiedene totale Verlustleistung

Weise elektrisch überlastet werden:
Drain-Source-Spannung UDS > UDS max
Drain-Gate-Spannung UDG > UDG max
Gate-Source-Spannung UGS > UGS max
Drain-Strom ID > ID max = IDSS
Gate-Strom IG > IG max
Verlustleistung PV > Ptot
Sperrschichttemperatur JJ > JJ max
Liegt zwischen dem Kanal- und dem Gate-Anschluß
eine zu hohe Spannung, kann der in Sperrichtung
betriebene pn-Übergang zerstört werden. Die Span-
nungswerte UDS max, UDG max und UGS max dürfen nicht
überschritten werden und liegen bei den heute ver-
wendeten N-Kanal-J-FET etwa zwischen 20 V und
30 V.
Der durch das Gate fließende Sperrstrom ist norma-
lerweise vernachlässigbar klein. Bei kurzzeitigem
Betrieb des pn-Überganges in Durchlaßrichtung darf
der dann fließende Strom IG den Wert IG max nicht
überschreiten. IG liegt meistens in der Größenordnung
von 10 mA.
Beim Betrieb eines FET liegt zwischen Drain und
Source die Spannung UDS, und es fließt der Strom ID.
Daraus ergibt sich eine Verlustleistung, die im FET
zur Erwärmung des Kristalls führt. Diese Verlustleis-
tung PV muß kleiner als die größte zulässige Verlust-
leistung Ptot sein.
PV = U DS ⋅ I D ≤ Ptot (IV.14)
Hauptsächlich durch die Verlustleistung im Dauerbe-
trieb entsteht in der Sperrzone und im Kanal Wärme,
durch die sich die Temperatur im Bauelement erhöht.
Die in den Datenblättern angegebene Sperrschicht-
temperatur JJ bezieht sich auf die höchste im Kanal
auftretende Kanaltemperatur JJ max. Bei den üblichen
FET beträgt Jk max etwa 150 bis 200 °C.
In den Datenblättern einiger Hersteller wird ein
Diagramm für die Temperaturabhängigkeit der zuläs-
sigen Verlustleistung angegeben. In Bild IV-32 kann
direkt abgelesen werden, wie groß Ptot bei einer
bestimmten Umgebungstemperatur ist.
Mit den statischen Kenndaten wird das Gleichstromver-
halten eines FET beschrieben. Die Transistoren werden
nach dem Drain-Source-Kurzschlußstrom IDSS ausge-
sucht und eventuell in Gruppen A, B und C eingeteilt.
Der Strom IDSS ist der Drainstrom, der bei einem selbst-
leitenden FET mit Drain-Source-Kurzschluß fließt.
Der pn-Übergang wird zwischen Gate und Kanal in
Sperrichtung betrieben. Trotzdem fließt hier ein Gate-
Reststrom – IGSS. Wie Bild IV-33 zeigt, hängt die
Größe dieses Sperrstroms von der Temperatur ab.
Temperaturabhängigkeit
des Sperrstromes
IGSS = f (TJ)
–IGSS
nA
101

Temperaturabhängigkeit der
zulässigen Gesamtverlustleistung
100
Ptot = f (TU)
Ptot
W 10–1

0,4
10–2

0,3
10–3
0 50 100 150 TJ
°C
0,2
Bild IV-33 Temperaturabhängigkeit des Sperrstroms
Um einen FET zu sperren, ist die Gate-Source-
0,1 Abschnürspannung – UP erforderlich. Diese Span-
nung ist arbeitspunktabhängig und unterliegt einer
großen Streuung.
Den statischen Eingangswiderstand RGS des gesperr-
0
50 100 160 TU ten pn-Übergangs kann man in Abhängigkeit von der
o
C
Spannung UGS aus dem entsprechenden Diagramm in
den Datenblättern herauslesen. Er liegt in der Größen-
Bild IV-32 Temperaturabhängigkeit der zulässigen ordnung von 109 bis 1011 W und kann in vielen
Verlustleistung Anwendungsfällen vernachlässigt werden.
362 Elektronik

Für den N-Kanal-J-FET ergeben sich etwa die fol- Die y-Parameter haben komplexe Werte, daß heißt,
genden praktischen Richtwerte: die Ein- und Ausgangsspannungen u1 und u2 bezie-
Drain-Source-Spannung UDS max ≈ 25 V bis 30 V hungsweise die Ein- und Ausgangsströme i1 und i2
sind ebenfalls komplexe Größen.
Gate-Source-Spannung UGS max ≈ – 8 V
Vierpolgleichungen
Drain-Strom ID max ≈ 25 mA i1 = y11 ⋅ u e + y12 ⋅ u a
Gate-Strom IG max ≈ 10 mA (IV.15)
i 2 = y 21 ⋅ u e + y 22 ⋅ u a
Verlustleistung Ptot ≈ 200 mW
Übertragungskennlinie
Sperrschichttemperatur JJ max ≈ 125 °C
ID ID = f (–UGS)
Aufgrund des vorhandenen pn-Übergangs zwischen 10
Bulk und den anderen Anschlüssen müssen die mA
Grenzwerte für diese Spannungen beachtet werden. 9
Drain-Bulk-Spannung UDB > UDB max 8
Gate-Bulk-Spannung UGB > UGB max
7
Infolge des isolierten Gate ergibt sich für den MOS-
6
FET ein sehr hoher Eingangswiderstand rGS in der ΔID
Größenordnung von etwa 1015 W. Statische Aufla- 5
dungen können dementsprechend nicht entladen
werden, was zu sehr hohen Feldstärken führt, die bei 4
Überschreitung einer bestimmten Feldstärke zu einem
Durchschlag und damit zur Zerstörung des MOS-FET 3
führen.
2
Für den N-Kanal-MOS-FET ergeben sich etwa die
folgenden praktischen Richtwerte: 1
Drain-Source-Spannung UDS max ≈ 22 V bis 35 V
0 1 2 3 –UGS
Drain-Strom ID max ≈ 20 mA bis 50 mA
ΔUGS V
Verlustleistung Ptot ≈ 150 mW bis 200 mW
Bild IV-35 Übertragungskennlinie
Sperrschichttemperatur JJ max ≈ bis 200 °C
Drain-Bulk-Spannung UDB max ≈ 30 V bis 35 V Aus der Steuerkennlinie nach Bild IV-35 kann gra-
fisch die Vorwärtssteilheit y21 ermittelt werden.
Bei der Kleinsignalaussteuerung eines FET können Hierbei wird die Steilheit der Kennlinie im Arbeits-
die Kennlinien in einem Bereich um den Arbeits- punkt bei UDS = const ermittelt.
punkt durch Geraden angenähert werden. Der FET
verhält sich dann wie ein linearer, aktiver Vierpol. DI D
Vorwärtssteilheit y 21 = (IV.16)
DU GS
i1 –y12 i2
Da eine Annäherung durch eine Gerade im AP häufig
zu ungenau ist, steht meistens ein entsprechendes
Yg ue (y21 – y12)ue ua YL Diagramm nach Bild IV-36 zur Verfügung, aus dem
ig
die Steilheit für jeden Drainstrom und die A-, B- oder
C-Typen ablesbar ist.
y11 + y12 y12+ y 22 Wichtig ist in diesem Zusammenhang der differen-
tielle Ausgangswiderstand rds. Er ist der Kehrwert des
Bild IV-34 AC-Ersatzschaltbild eines FET Ausgangsleitwertes y22.
Für diesen Vierpol kann das AC-Ersatzschaltbild bei DI D
niedrigen, aber auch bei hohen Frequenzen bestimmt Ausgangsleitwert y 22 = (IV.17)
DU DS
werden. Um das Wechselstromverhalten eines FET
zu beschreiben, werden seine dynamischen Kennwer- Der Ausgangsleitwert beschreibt die Steilheit der
te nach Bild IV-34 angegeben. Ausgangskennlinie im Arbeitspunkt für UGS = const.
Üblich ist es, an Stelle der Hybrid-Koeffizienten Seine Bestimmung wird im Diagramm nach Bild
(h-Parameter) die y-Leitwertparameter anzugeben. IV-37 dargestellt.
Sie sind bei FET sinnvoller, da die Stromverstärkung Da eine Annäherung durch eine Gerade im AP häufig
für FET’s nicht angegeben werden kann. zu ungenau ist, steht i.d.R. ein entsprechendes Dia-
IV Transistoren 363

Vorwärtssteilheit y21 = f (ID) auch, die die y-Parameter komplex werden lassen.
UDS = 15V ; f = 1 kHz ; TU = 25 °C Wir haben Ein- und Ausgangskapazität sowie die
Rückwirkungskapazität nach Bild IV-39 zu berück-
sichtigen.
7,5 Dynamischer
Drain-Source-Widerstand
y21
BF B BF C rDS = f (–UGS); UDS = 0; f = 1kHz; TU = 25 °C
mS
BF A rDS
kΩ
5
102

BF A BF B BF C
101
2,5

100

0 10 ID 20 10-1
mA
Bild IV-36 Vorwärtssteilheit -2
10
0 1 2 3 4 –U 5
GS
Ausgangskennlinie V
ID = f (UDS) ; UGS = Parameter Bild IV-38 Dynamischer Drain-Source-Widerstand
ID
10
mA UGS = 0V In den Datenblättern der Hersteller werden arbeits-
9 punktbezogen die Werte für die Kurzschluß-Eingangs-
kapazität Ciss, die Kurzschluß-Ausgangskapazität Coss
8 und die Rückwirkungskapazität Crss angegeben.
–0,5V Analog zum bipolaren Transistor lassen sich auch für
7 den FET die Betriebsgrößen des Vierpols, nämlich
6 die Wechselspannungsverstärkung sowie die Ein- und
–1V Ausgangsleitwerte anhand des AC-Ersatzschaltbildes
ΔID 5 nach Bild IV-34 wie folgt berechnen.
Die betriebliche Spannungsverstärkung des Vierpols
4 ist das Verhältnis von Ausgangsspannung zur Ein-
–1,5V
3
gangsspannung.
Spannungsverstärkung
2 –2V ua y 21
Vu = =− (IV.18)
1 ue y 22 + YL
–2,5V
Der Eingangsleitwert des Vierpols ist das Verhältnis
0 5 10 15 UDS von Eingangsstrom zur Eingangsspannung.
ΔUDS V Eingangsleitwert
y12 ⋅ y 21
y i = y11 + = y11 + y12 ⋅ Vu (IV.19)
Bild IV-37 Ausgangskennlinien y 22 + YL

gramm nach Bild IV-38 zur Verfügung, aus dem der Der Ausgangsleitwert des Vierpols ist das Verhältnis
dynamische Drain-Source-Widerstand für jede Gate- von Ausgangsstrom zur Ausgangsspannung. Um ihn
Source-Spannung und die A-, B- oder C-Typen bestimmen zu können, wird an den Ausgang eine
ablesbar ist. Spannung ua angelegt, während die Stromquelle eine
Erheblichen Einfluß haben im HF-Bereich die dort Unterbrechung darstellt.
wirksam werdenden Kapazitäten, die beim J-FET i2 y12 ◊ y21
durch den pn-Übergang und bei den IG-FET durch die Ausgangsleitwert y0 = = y22 - (IV.20)
ua y11 + Yg
Isolierschichten entstehen. Die Kapazitäten sind es
364 Elektronik

Eingangskapazität Rückwirkungskapazität
C11 = f (–UGS) C12 = f (–UGS)
UDS = 10V ; f = 1 MHz ; TU = 25 °C UDS = 20V ; f = 1 MHz ; TU = 25 °C
10 Bild IV-39
C11 Kennlinien der
1,5
pF Eingangs- und
8 C12 Rückwirkungskapazität
pF
7
6 1,0
5
4
3 0,5
2
1

0 5 –UGS 10 0 5 –UGS 10
V V

cgd
ggd
g d ggd
g d

cgs cds
ue ggs S *ue gds ua ue ggs S *ue gds ua

s s
s s

Bild IV-40 AC-Ersatzschaltbilder für den NF- und HF-Bereich von J-FET

g d g cgd
d

cgs cgs
ue S *ue gds ua ue S *ue gds ua

s s s s
Bild IV-41 AC-Ersatzschaltbilder für den NF- und HF-Bereich von MOS-FET

Aufgrund der spezifischen Kennwerte von J-FET läßt
sich das Wechselstromersatzschaltbild stark verein-
fachen und für die NF- und HF-Bereiche getrennt
darstellen im Bild IV-40.
Die Daten von FET mit isoliertem Gate unterschei-
den sich nur unwesentlich von J-FET. Die Steuer-
kennlinien unterscheiden sich in der Lage zum Null-
punkt, der Kennlinienverlauf ist ähnlich. Auch für
MOS-FET läßt sich das Wechselstromersatzschaltbild
stark vereinfachen und für die NF- und HF-Bereiche
getrennt darstellen im Bild IV-41.
Aufgrund der Isolierschicht zwischen Kanal und Gate
sind beim MOS-FET die Leitwerte ggs und ggd zwi-
schen Gate und Source beziehungsweise Gate und
Drain so gering, daß sie vernachlässigt werden kön-
nen. Damit ergibt sich dieses AC-Ersatzschaltbild.
Bei höheren Frequenzen wird die Gate-Kanal-Kapa-
zität durch die Kondensatoren cgs und cgd berücksich-
tigt. Der Kanal wird in diesem Ersatzschaltbild durch
den Ausgangsleitwert gds, die Kapazität cds und die
Stromquelle S ⋅ ue elektrisch dargestellt.
Vergleicht man diese AC-Ersatzschaltbilder mit dem
aktiven Vierpol nach Bild IV-34, so lassen sich
die y-Parameter, also die Leitwertparameter, ermit-
teln. Für die Sourceschaltung von FETs werden diese
y-Parameter mit einem zusätzlichen Index s gekenn-
zeichnet, wie wir es schon von den Bipolaren Tran-
sistoren her kennen.
V Besondere Halbleiter-Bauelemente
V Besondere Halbleiter-Bauelemente
1 Unijunction-Transistor
(Doppelbasisdiode)
Unijunction-Transistoren (UJTs) werden aus einem
homogenen, n-dotierten Si-Kristall als Planartyp oder
Legierungstyp nach Bild V-1 hergestellt. An zwei
gegenüberliegenden Seiten sind sperrschichtfreie An-
schlüsse angebracht, die als Basis 1 (B1) und Basis 2
(B2) bezeichnet werden. Unsymmetrisch zu diesen
Basisanschlüssen ist als Emitter (E) eine p-Zone
angeordnet. Dadurch entsteht ein pn-Übergang, der
die Funktion einer Diode hat.
B2
Sperrschicht
B1 E B2
E
P Bereich des
P UP
N-Silizium
N-Silizium
Bild V-1
Schichtfolge beim UJT als
Planartyp oder Legierungstyp B1
Aus der physikalischen Wirkungsweise läßt sich das
Ersatzschaltbild des UJT nach Bild V-2 herleiten,
wobei sich zwei interne Vorgänge überlagern.
B2
rB2
UF
UBB E B2
A
IE
UEB1 rB1 h*UBB
B1
Bild V-2 Ersatzschaltbild und Schaltzeichen
eines UJT
Legt man zwischen B2 und B1 eine positive Span-
nung UBB bei offenem Emitteranschluß, so fließt ein
relativ kleiner Elektronenstrom von B1 nach B2, der
von der Größe der Spannung UBB und der des stati-
schen Interbasiswiderstandes RBB abhängt. Wird
dagegen eine Spannung UEB1 zwischen E und B1 ge-
legt ohne eine Spannung UBB, so zeigt diese Strecke
das Verhalten einer Diode.
In einer Schaltung liegen aber beide Spannungen am
UJT. Für die Betriebsspannung wirkt der UJT wie ein
Spannungsteiler, der die Spannung UBB im Verhältnis
der Teilwiderstände aufteilt. Der mit „A“ gekenn-
zeichnete Punkt in der Schaltung liegt also auf einem
Ruhepotential UA.
365
Solange die Eingangsspannung UEB1 kleiner ist als UA,
wird die Diode in Sperrichtung betrieben und es fließt
ein sehr kleiner Sperrstrom. Wird die Eingangsspan-
nung UEB1 aber um die Schwellenspannung der Ersatz-
diode größer als UA, so wird die Diode in Durchlaß-
richtung betrieben und es fließt ein Emitterstrom IE.
Höckerspannung
U EB1 ≥ 0 , 7 V + U A = U EP (V.1)
Wird UEB1 > UEP, so fließt ein Emitterstrom und es
werden Löcher in das n-dotierte Silizium injiziert.
Damit vergrößert sich die Leitfähigkeit der Strecke
zwischen E und B1. Daher fließt jetzt bei einer gerin-
geren Spannung UEB1 ein größerer Strom IE als vorher
bei einer größeren Spannung UEB1.
UEB1 Bild V-3
Kennlinie eines
abnehmenden UJT
Widerstandes
UV
IP IV IE
Mit dem Talpunkt („Valley“) beginnt der Sättigungs-
bereich, weil eine weitere Verkleinerung von rB1
durch Ladungsträgerinjektion nicht mehr möglich ist.
Die UJT-Kennlinie nach Bild V-3 geht daher in die
Kennlinie einer normalen Si-Dioden-Kennlinie über,
und der Strom IE steigt mit steigender Spannung UEB1
wieder an.
B1 Sowohl das Umschalten vom hochohmigen Zustand
in den niederohmigen Zustand als auch das Umschal-
ten vom niederohmigen in den hochohmigen Zustand
erfolgt sehr schnell, wenn die Spannung UEB1 die
Höckerspannung UEP überschreitet beziehungsweise
unter den Wert der Talspannung UEV absinkt, also
UEB1 < UEV wird.
Die Hersteller geben eine charakteristische Kennlinie
nach Bild V-3 an, in der die Definitionen der ein-
zelnen Kennwerte angegeben sind.
Grenzwerte: Zu hohe Spannung UBB; zu hohe Span-
nung – UEB1; zu hoher Emitterstoßstrom IE; zu hohe
Gesamtverlustleistung PV; zu hohe Sperrschichttem-
peratur JJ
Statische Kenndaten: Interbasiswiderstand rBB; Tem-
peraturbeiwert a
Aus dem Kennlinienfeld nach Bild V-4 ist zu erken-
nen, daß sowohl Höckerspannung und Talspannung
als auch der Talstrom von der Spannung UBB abhän-
gig sind.
366 Elektronik

Bild V-4 Kondensators als auch der Transistorstrom über den

IE
Kennlinienfeld eines UJT ab. Aus diesem Grunde treten an RB2 Spannungs-
mA
UBB = 0V handelsüblichen UJT impulse auf. Wird nun uC kleiner als die Talspannung
16 UEV, so sperrt der UJT wieder und ein neuer Auflade-
vorgang des Kondensators beginnt.
12

8 2 Darlington-Transistor
4 UB
UBB= 5 10 15 20 30V
0 R1
2 4 6 8 10 12 14 16 18 UEB1 CK1 C
V B
C
E B
Anwendungen: Wegen ihres Schaltverhaltens werden CK2
E
UJTs hauptsächlich in Sägezahn- oder Zündgene- R2
ratoren in der Schaltung nach Bild V-5 für Thyri- RE
storen beziehungsweise Triacs eingesetzt. Die Span-
nung uC wirkt in dieser Schaltung als Steuerspannung
des UJT.
Bild V-7 Verstärker in Kollektorschaltung für
höhere Gleichstrom- und Wechselstrom-
UB
Verstärkung
R1 RB1
Eine Möglichkeit, höhere Gleichstrom-Verstärkung
zu erhalten, bietet der Darlington-Transistor, der in
Bild V-5
der Schaltung in Bild V-7 zu sehen ist. Der zweite
Sägezahnspannungs-
Transistor arbeitet hier als Lastwiderstand für den
uC generator
C1 ersten Transistor, der als Emitterfolger (Kollektor-
UB1 beziehungsweise
RB2 schaltung, siehe Abschnitt VI) geschaltet ist. Durch
Zündgenerator
eine derartige Kopplung zweier Transistoren mit glei-
mit UJT
cher Schichtfolge ergeben sich für den Darlington-
Transistor interessante Werte für den Eingangswider-
Der Kondensator C wird über R1 geladen, und die
stand und den Ausgangswiderstand der Schaltung.
Spannung uC steigt entsprechend einer e-Funktion
nach Bild V-6 an. Sobald uC > UEP wird, zündet Eingangswiderstand
der UJT, und es fließt sowohl der Entladestrom des Rein = rBE + ( b + 1) ( R E / / R A ) (V.2)
r + Rg
UC Ausgangswiderstand Raus = BE (V.3)
β +1
UEP
mit h#11 = rBE = rBE1 + b1 ⋅ rBE2 und b = b1 ⋅ b2
Schleusenspannung UBE = UBE1 + UBE2
Interessant wird der Darlington-Transistor neben
hohem Eingangswiderstand und kleinem Aus-
UEV
gangswiderstand nach Bild V-8 durch seine hohe
Stromverstärkung, die i.d.R. bei B > 2000 liegt.
t Dieser Transistor gilt aus diesem Grunde als DC-Ver-
UB1 stärker und wird insbesondere in Leistungsver-
IE RB1 stärkern (siehe Abschnitt VII) eingesetzt.
Werden zwei Transistoren mit unterschiedlicher
Schichtfolge zusammengeschaltet, so entsteht ein
Komplementär-Darlington-Transistor. Das Verhalten
eines Darlington-Transistors wird im wesentlichen
durch die Eigenschaften des ersten Transistors be-
UEV stimmt. Komplementär-Darlington-Transistoren ha-
ben den Vorteil, daß sie nur eine sehr kleine Schleu-
t senspannung UBE haben.
Bild V-6 Ein- und Ausgangsspannungen der Darlington-Transistoren beziehungsweise Komple-
Schaltung nach Bild V-5 mentär-Darlington-Transistoren können durch zu-
V Besondere Halbleiter – Bauelemente
iB
h # *i
21 B
Rg
# P
h11
u1 iC
ug u2
RE RA
Bild V-8 AC-Ersatzschaltbild eines
Darlington-Transistors
sammengeschaltete Einzeltransistoren realisiert wer-
den, in den meisten Fällen empfiehlt sich jedoch die
Benutzung eines fertig konfektionierten Typs, wie er
von zahlreichen Herstellern (zum Beispiel Siemens)
angeboten wird.
3 VMOS-Transistoren
Die Grenzwerte des Drainstroms IDM und der Drain-
Source-Spannung UDSS begrenzen die mit einem
Feldeffekt-Transistor zu steuernde Leistung. Die
höchste mit einem FET zu steuernde Leistung ergibt
sich also als Pmax = IDM ⋅ UDSS.
Höhere Grenzwerte des Drainstroms IDM erfordern
eine höhere Steilheit. Die läßt sich aber nur durch
eine Verkürzung des Kanals erreichen. Eine Verkür-
zung des Kanals geht aber zu Lasten der Drain-
Source-Spannung UDSS. In der Konsequenz bedeutet
dies aber, daß die maximal zu steuernde Leistung
gleich bleibt. Offensichtlich läßt sich mit der bisher
beschriebenen Technologie ein FET zur Steuerung
höherer Leistungen nicht verwirklichen.
Bild V-9 beschreibt den grundsätzlichen Schichtauf-
bau eines VMOS-FET (vertical-metal-oxide-semi-
conductor-field-effekt-transistor). In eine Vier-Lagen-
Struktur ist ein V-förmiger Graben eingeätzt. Hier
fließt der Drainstrom ID senkrecht, also vertikal durch
durch den Kristall. Bei positiver Ansteuerung des
Gate bildet sich ein durchgehender Strompfad beider-
seits des Grabens mit einem sehr niedrigen Bahn-
widerstand aus, so daß der Drainstrom, durch den
V-förmigen Einschnitt geteilt, zu beiden Source-An-
Tabelle V-1 Unterschied zwischen Standard-MOS-FET und Leistungs-MOS-FET
MOS-FET
Drainstrom ID mA
Einschaltwiderstand RDS (On) 100 W ... 500 W
Gate-Source-Spannung UGS 0 V ... 5 V
367
S S
G
N
N
N
D
Bild V-9 Grundsätzlicher Schichtaufbau
eines VMOS-FET
schlüssen fließt. Somit ist der Kanalquerschnitt groß
und die Kanallänge kurz.
Im Ergebnis bedeutet dies ein Bauteil mit hoher zu-
lässiger Verlustleistung bei hoher Spannungsfestig-
keit und großem Verstärkungsfaktor. Der selbstsper-
rende N-Kanal-VMOS-FET weist praktisch keine
Schaltverzögerung auf.
Die Source-Elektrode überbrückt die obere N- und
P-Schicht, was eine parasitäre Diode zwischen Gate
und Source ergibt. Bei Anwendungen mit induktiver
Last funktioniert die Diode als Freilaufdiode, so daß
eine zusätzliche Schutzbeschaltung der Drain-Source-
Strecke i.d.R. unnötig ist.
Kennlinien und Grenzwerte von VMOS-FET sind
identisch mit denen der MOS-FET. Der Unterschied
besteht lediglich in den Werten.
Die Parallelschaltung von VMOS-FET ist fast prob-
lemlos möglich, da der positive Temperatur-
koeffizient des Kanals für thermische Stabilität
sorgt.
Aufgrund des hohen Eingangswiderstandes, der
hohen Spannungsfestigkeit und der hohen Strom-
verstärkung ist der VMOS-FET ein sehr gut ge-
eignetes Bauteil für Pegelumsetzer und Treiberschal-
tungen (zum Beispiel TTL-, TTL-LS- und CMOS-
Familie).
Für höhere Betriebsspannungen ist die VMOS-
Technik nicht gut geeignet, da die Isolierschicht in
der Spitze der V-Rinne nicht die erforderliche
gleichmäßige Dicke besitzt, so daß es dort zu Durch-
schlägen kommt.
VMOS-FET
A
0,1 W ... 10 W
0 V ... 10 V
368 Elektronik

4 SIPMOS-Transistoren ID
Eine wesentlich andere Konstruktion kommt bei A
den SIPMOS-Leistungstransistoren (Siemens-Power- 18
MOS; eingetragenes Warenzeichen der Siemens AG) 16 18
nach Bild V-10 zur Anwendung. 14 100
12
Scource Al Bild V-10 10 470
SiO2
Gate n+Poly-Si Aufbau eines 8 1k
SIPMOS-FET 6
(Siemens-Bild) 4
n+ 2
Elec
tron
flow 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 t
n– Epi layer μs
Substrate
Drain Bild V-12 Schaltverhalten des Drainstroms für
Metal
n+ verschiedene Gatewiderstände

Diese sind vertikal in Planartechnik aufgebaut und
haben eine doppelt implantierte Kanalstruktur. Bei
einem N-Kanal-FET dient das niederohmige n+-Sub-
strat mit der darunter liegenden Metallschicht als
Träger und Drainanschluß. Über dem niederohmigen
n+-Substrat liegt eine n–-Epitaxieschicht, die je nach
zu realisierender Sperrspannung verschieden dick und
entsprechend dotiert ist. Darüber liegt das Gate aus
n+-polykristallinem Silizium mit hoher Dotierung,
eingebettet in isolierendes Siliziumdioxid.
Das Gate bildet eine Gitterstruktur. In die Gitter-
öffnungen sind die Sourcezellen hineindotiert. Diese
werden durch eine abdeckende Metallisierung (hier
mit Aluminium) parallel geschaltet. Also kann man
sagen, daß ein SIPMOS-FET aus der Parallelschal-
tung einiger tausend einzelner MOS-Systeme in
einem Chip besteht. Die Gateschicht wird in einer
Ecke des Chips unbedeckt gelassen und kann dort
kontaktiert werden.
SIPMOS-FET haben sehr hohe Eingangswiderstände,
aber Durchlaßwiderstände RD (on) von nur wenigen
Ohm. Ihre Schaltzeit liegt in der Größenordnung von
einigen hundert Nanosekunden und ist mit einer
Ansteuerschaltung nach Bild V-11 variabel machbar,
um zu große Stromsteilheiten beim Einschalten nach
Bild V-12 zu vermeiden beziehungsweise zu variie-
ren. SIPMOS-FET benötigen nur beim Einschalten
Energie und zwar hauptsächlich zum Aufladen der
Gate-Drain-Kapazität. Wie der VMOS-FET hat auch
100V
4mH V1
5A
D FET schnell zu steuern. Die Treiberschaltung nach
RG G V2
10V Bild V-11
S
Ansteuerschaltung
für SIPMOS-FET
dieser FET einen positiven Temperaturbeiwert und
kann sich somit gegen thermische Überlastung selber
schützen.
SIPMOS-FET sind selbstsperrende FET und können
auch aus diesem Grunde als schneller Leistungsschal-
ter in der Leistungselektronik Verwendung finden.
Reicht der Drainstrom eines SIPMOS-FET nicht aus,
so können nahezu beliebig viele nach Bild V-13
parallel zueinander geschaltet werden und gleichzei-
tig angesteuert werden. Zum Ausgleich von Unsym-
metrien werden Gate-Widerstände (R = 4,7 W bis
200 W) empfohlen.
UB
RL
V1 D V2 D V3 D V4 D
G G G G
S S S S
R R R R
UE
Bild V-13 Parallel geschaltete SIPMOS-FET für
höhere Stromleistungen
Gleichzeitig wird eine Drainstromreduzierung um
den Faktor 0,8 empfohlen.
→ ID ges = 0,8 ⋅ ID ⋅ n (n = Anzahl der FET)
Schnelles Ein- und Ausschalten, aber auch sicherer
Schutz gegen unbeabsichtigtes Einschalten müssen
gewährleistet werden. Die komplementären SIPMOS-
Kleinsignaltransistoren BSS100 und BSS110 sind gut
geeignet, um auch SIPMOS-FET mit großer Ein-
gangskapazität oder parallel geschaltete SIPMOS-
Bild V-14 (Fa. Siemens) bietet auch im spannungs-
losen Zustand einen sicheren Schutz gegen unbeab-
sichtigtes Einschalten.
V Besondere Halbleiter – Bauelemente 369

US Al Gate Scource Al Gate Emitter

SiO2 SiO2
C
UT
T1 –
N-
R N
– polysilicion
P N
+ –
N -polysilicion
+
R1
TDA 47xx BSS110 P
D N
G V2 –
BC550
D
N
Q S
V4 G V1
V5 S +
BSS100 D N Drain P Collector
IN4148 C1
R2
G
S
V3 RG Bild V-15 Aufbau eines SIPMOS-FET und
eines IGBT
Bild V-14 Treiberschaltung für schnelles Ein- und an dieser Seite. Deshalb wird dieser Anschluß auch
Ausschalten von SIPMOS-FET Kollektor genannt. In eingeschaltetem Zustand bewirkt
(Fa. Siemens) der pn-Übergang die Reduzierung des Einschaltwider-
standes RD (on) durch Ladungsträgerinjektion.
Die Versorgungsspannung für die Ansteuerschaltung C
kann hier UT = 10 V bis 15 V betragen. Der Wider-
standswert von RG liegt ungefähr bei 10 kW, während C Bild V-16
R1 = 2,2 kW und R2 = 1 kW betragen. Der Kondensa- G G
Schaltzeichen und
tor C1 hat einen Wert von 0,47 mF. Die Werte für R E Ersatzschaltbild
und C bemessen sich nach der Größe des Transforma- E
eines IGBT
tors T1 beziehungsweise seiner Leistungsbeanspru-
chung.
Der IGBT ist eine Kombination aus MOS-FET und
Bipolarem Transistor. Entsprechend verhält sich der
IGBT am Eingang wie ein selbstsperrender MOS-
5 IGBT
FET und kann nahezu leistungslos gesteuert werden.
Ein IGBT (insulated-gate-bipolar-transistor) beruht Ausgangsseitig ist der IGBT einem bipolaren Leis-
grundsätzlich auf der Technologie der SIPMOS- tungstransistor ähnlich. Deshalb kann er relativ hohe
Transistoren. Spannungen (zur Zeit bis 1700 V) und Ströme (zur
Bild V-15 macht hier die Unterschiede deutlich. Wäh- Zeit ungefähr 600 A) pro Chip schalten mit zuneh-
rend der SIPMOS-FET auf einem n+n–-Substrat am mender Tendenz. Aus diesem Zusammenhang resul-
Drain aufgebaut ist, hat der IGBT ein homogenes tiert das Schaltzeichen und Ersatzschaltbild eines
Substrat mit einem speziell ausgebildeten pn-Übergang IGBT nach Bild V-16.

Tabelle V-2 Typenübersicht und Kenndaten (Fa. Siemens)

SIPMOS-FET
Typ UDS/V RDS (on)/W ID (on)/A Gehäuse
BUZ 10 50 0,1 12 TO-220
BUZ 20 100 0,2 8 TO-220
BUZ 31 200 0,2 12,5 TO-220
BUZ 45 500 0,8 7,5 TO-3
BUZ 84 800 2,0 4,7 TO-3
BUZ 54 1000 2,0 4,7 TO-3

IGBT
Typ UCE/V IC /A Gehäuse
BUP 304 1000 25 TO-218

IGBT-Module
Typ UCE/V IC/A UCE (sat)/V Bemerkungen
BSM50GB100D 1000 2 × 50 5 Halbbrücke
BSM15GD100D 1000 6 × 15 5 Vollbrücke
370 Elektronik

100 20 Bild V-17

IDS UGS=15V Ausgangskennlinienfeld
IDS eines SIPMOS-FET
A
A (obere Reihe) und eines
80 IGBT (untere Reihe)
15

60 11V

10
40
8V
UGS=15V
5
20 5V
5V
4V
0 200 400 600 800 1000 0 2 4 6 8 10
VDS VDS
V V

200 20
UGS=15V 10V
ICE
ICE
A
A
150 15

18V
9V
100 10

UGS=15V

50 12V 5

10V
6V 7V

0 200 400 600 800 1000 0 2 4 6 8 10

VCE VCE
V V

Die Ausgangskennlinien nach Bild V-17 zeigen einen
SIPMOS BUZ 54 und einen IGBT BUP 304 bei
gleicher Chipgröße. Das Schaltverhalten der beiden
Bauelemente unterscheidet sich hauptsächlich durch
den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand. So
hat der BUZ 54 bereits bei 5 A einen Spannungsabfall
von 8 V, während der BUP 304 bei 10 A auf weniger
als 3 V Spannungsabfall kommt. Erkennbar ist außer-
dem, daß der Einschaltwiderstand RD (on) weniger span-
nungsabhängig ist als der der SIPMOS-FET.
Im Schaltbetrieb ist die Gesamtverlustleistung quasi
identisch mit der temperaturabhängigen Durchlaß
verlustleistung. Der Einschaltwiderstand RD (on) wird
in den Datenblättern für 25 °C angegeben.
IGBT haben im Gegensatz zu SIPMOS-FET auf-
grund der unterschiedlichen Herstellungstechnolo-
gie keine integrierte Inversdiode. Deshalb muß bei
Verwendung des IGBT als Schalter mit induk-
tiven Lasten eine separate Freilaufdiode geschaltet
werden.
In „Modulen“ sind IGBT, Inversdioden und andere
erforderliche Schutzbausteine zusammengefaßt. Sie
sind rationelle Bausteine im Leistungsteil von selbst-
geführten Stromrichtern (siehe Abschnitt 15), vor
allem bei Zweipuls- (B2) und Sechspuls-Brücken-
schaltungen (B6).
Grundsätzlich kann man einen IGBT dadurch ab-
schalten, indem man die Gate-Emitter-Spannung auf
„Null“ setzt. Um das Abschaltverhalten zu verbessern
und auch Notabschaltungen leichter zu ermöglichen,
wird der IGBT nach Bild V-18 auch mit negativen
Spannungen an der Gate-Emitter-Strecke angesteuert.
VI Analoge Verstärker
U Ein Aus
ULF
UGE UGE
t RG
UEG UEG
ULR
IG
t
Bild V-18 Liniendiagramm von Steuerstrom
und -spannung
VI Analoge Verstärker
Der Transistor ist ein aktives Bauelement im Gegen-
satz zu passiven Bauelementen wie zum Beispiel
Dioden oder Widerstände. Einer Transistorschaltung
kann am Ausgang mehr Signalleistung entnommen
werden als ihr am Eingang zur Verfügung steht.
In den meisten Anwendungsfällen werden Transisto-
ren verwendet, um kleine Eingangsspannungen und
-ströme zu großen Ausgangsspannungen und -strö-
men zu verstärken. Der Signalverlauf, also die Form
der Signale, bleibt erhalten, während sich der Am-
plitudenwert der Signale vergrößert. Da Eingangs-
und Ausgangssignale einander ähnlich sind, arbeitet
der Transistor als Analogverstärker.
Die zur Umformung (Verstärkung) eines anliegenden
Signals erforderliche Hilfsenergie liefert die Betriebs-
spannung. Unter Signal versteht man eine bestimmte
Eingangsspannung, einen bestimmten Eingangsstrom
oder eine bestimmte Eingangsleistung mit den ent-
sprechenden Ausgangsgrößen.
Zu verstärkende Signale liefern Mikrophone, Ton-
abnehmersysteme von Plattenspielern, CD-Playern,
Tonköpfen in Recordern, Antennen, Vorverstärker.
Die verstärkten Signale (Ausgangssignale) können
über entsprechende Wandler (Lautsprecher, Bildröh-
ren, Motoren und andere Ausgabeeinheiten) hörbar
beziehungsweise sichtbar gemacht werden.
1 Bipolarer Transistor als Verstärker
Der bipolare Transistor muß als gleichstromsteu-
erndes Bauelement verstanden werden.
Wechselspannungen, also Signale mit positiven und
negativen Amplituden, können nur mit Hilfe von
Schaltungskniffen verstärkt werden. Bildet man zum
371
V2
ULR
V3
V5 V6
UE V1
0
V4
ULF
Bild V-19 Prinzipschaltung einer Treiberstufe
mit komplementären Transistoren
Der Gatevorwiderstand RG begrenzt (wie beim SIP-
MOS) die entstehenden Steuerstromimpulse.
Um die Steuerspannungen zu erzeugen, verwendet
man Treiberstufen mit komplementären Transistoren,
wobei die Schaltung nach Bild V-19 nur eine mög-
liche Prinzipschaltung darstellt.
Beispiel eine Mischspannung aus einer Gleich- und
einer Wechselspannung, indem man einem Gleich-
strom die Sinalspannung entsprechend der Schaltung
nach Bild VI-1 überlagert, so verstärkt der Transistor
diese pulsierende Gleichspannung.
+12V
vom Siebkondensator
R1 RC
CK2
3 4
CK1 2 C
1 B
E
G RL
R2
zum Siebkondensator
Bild VI-1 Transistor als AC-Verstärker
Bild VI-2a stellt die sinusförmigen Ein- und Aus-
gangsspannungen an den Punkten 1 und 4 dar. Die
Phasenverschiebung zwischen den beiden Kurven
ergibt sich aus der generellen Phasenverschiebung bei
der Emitterschaltung und der Phasenverschiebung
aufgrund der beiden RC-Glieder.
Bild VI-2b zeigt die Mischspannungen an der Basis
(Punkt 2) und am Kollektor (Punkt 3) des Transistors.
Der Gleichanteil muß so groß bemessen sein, daß die
Mischspannung keine negativen Anteile hat. Ohne
diese Maßnahme würden nur die positiven Amplitu-
den verstärkt werden. Durch einen Kondensator kann
der Gleichstromanteil am Ausgang der Verstärker-
schaltung unterdrückt werden.
372 Elektronik

USig/V UL/V
1,0 1,0
0,6 4 0,6
0,2 1 0,2
0 0
-0,2 -0,2
-0,6 -0,6
-1,0 -1,0
0 100 200 300 400 t/ms 500

UBE/mV UCE /V
700 2 uBE
670
640 6,4
uCE Bild VI-2
5,8 Sinusförmige Ein- und
3 5,2 Ausgangsspannungen
sowie Misch-
4,6 spannungen an Basis
4,0 und Kollektor
0 100 200 300 400 t/ms 500

Der besondere Vorteil des Vierquadranten-Kenn- auf der X-Achse bei

linienfeldes eines bipolaren Transistors liegt darin, U CE = U B (10 V gewählt) (VI.1)
daß bestimmte Daten von einem Quadranten direkt in
einen anderen Quadranten, also von einem Kenn- auf der Y-Achse bei
linienfeld in ein anderes, übertragen werden können. UB
Daher läßt sich die Verstärkerwirkung eines bipolaren IC = (2 mA errechnet) (VI.2)
RC
Transistors im Vierquadranten-Kennlinienfeld beson-
ders gut darstellen und erläutern. Der Arbeitspunkt AP1 sollte liegen bei
In Bild VI-3 sind die Zusammenhänge für eine prin- UB
zipiell zu erstellende Verstärkerschaltung dargestellt U CEA = (5 V errechnet) (VI.3)
2
und graphisch erläutert.
Zunächst muß die Arbeitsgerade des Kollektorwider- Diese Wahlen ergeben im I. Quadranten einen IC =
standes RC (5 kW gewählt) in das Ausgangskenn- 1 mA, im II. Quadranten einen IB ≈ 5 mA und weiter-
linienfeld eingezeichnet werden. Sie verläuft von geführt in den III. Quadranten ein UBE = 0,5 V.
links oben nach rechts unten und endet Der Arbeitspunkt AP liegt nun fest bei ICA = 1 mA
und UCEA = 5 V.
IC Legt man nun an die Basis des Transistors eine Ein-
II I
mA gangswechselspannung (AC) Uess = 0,1 V, so wird
IB=
RC=5kW
UCE=5V 2,0 10μA die Gleichspannung von ihr überlagert.
8μA Für die AC wandert nun der AP im III. Quadranten
1,5 6μA an der Kennlinie entlang zwischen IB = 2 mA und
1,0 Arbeitspunkt 8 mA. Somit ändert sich auch der IC und wandert nun
4μA
zwischen IC = 0,5 mA und 1,25 mA.
IB 0,5 2μA
Die Änderung des Kollektorstroms ruft am Arbeits-
μA 8 6 4 2 widerstand RC eine Spannungsänderung hervor, so
2 4 6 8 10 UCE daß sich auch UCE zwischen UCE = 7,25 V und 1,25 V
0,5 UB V
um DUCE = 6 V ändert.
DUCE=5,25V
1,0 Bei einer Änderung der Eingangsspannung Ue um
0,1V UCE=5V
einen bestimmten Wert ergibt sich bei diesem Tran-
1,5 UBE=1,25V
UCE=5V sistor eine Änderung der Ausgangsspannung Ua um
2,0 einen entsprechend vergrößerten Betrag.
Es ist erkennbar, daß die Ausgangsspannung gegen-
UBE über der Eingangsspannung verzerrt ist. Es handelt
III IV
V
sich demnach um eine Spannungssteuerung des
Bild VI-3 Verstärkerwirkung eines bipolaren Transistors.
Transistors im Vier-Quadranten- Im Falle einer Stromsteuerung des Transistors (der
Kennlinienfeld Basisstrom entstammt einer „Stromquelle“) kann
VI Analoge Verstärker 373

Ic Die betriebliche Stromverstärkung ist also stets klei-

Ic IB =
mA const.
ner als die Kurzschlußstromverstärkung b des Tran-
6 Rc 27μA
5 sistors als Bauelement.

ΔIC=4mA
4 18μA Auch für die Berechnung der betrieblichen Span-
Ic 3
2 9μA nungsverstärkung Vu werden die Vierpolgleichungen
1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 benutzt. Durch geschicktes Einsetzen ergibt sich dann
IB 27 18 9 0 U
μA ΔIB=18mA UCEmin ΔICE=6V UB CE Spannungsverstärkung
V
URCmax
ua h21 ⋅ R L
Vu = = (VI.5)
t
u e Dh ⋅ R L + h11
UCEmax t URCmin
mit Dh = h11 ⋅ h22 – h12 ⋅ h21
Bild VI-4 Stromsteuerung
Strom- und Spannungsverstärkung sind ebenso wie
man von einer Betrachtung nach Bild VI-4 ausgehen, der Eingangswiderstand re lastabhängige Größen.
bei der die Ausgangsspannung nahezu unverzerrt am Dh ⋅ R L + h11
Kollektorwiderstand abfällt. Eingangswiderstand re = (VI.6)
1 + h 22 ⋅ R L
1.1 Grundschaltungen Der Ausgangswiderstand ra ist vor allem vom Innen-
Ein Verstärker hat stets zwei Anschlüsse für den Ein- widerstand Rg der Signalquelle abhängig. Er läßt sich
gang und zwei Anschlüsse für den Ausgang. Transi- nach dem Ohmschen Gesetz vom Ausgang her be-
storen haben aber nur drei Elektroden (Beinchen). rechnen.
Wird ein Transistor als Verstärker eingesetzt, muß eine Ausgangswiderstand
dieser Elektroden sowohl zu den Eingangsanschlüssen h11 + Rg
ua
als auch zu den Ausgangsanschlüssen gehören. ra = = (VI.7)
Damit ergeben sich drei Möglichkeiten, Transistoren i C Dh + h 22 ⋅ Rg
als Verstärker zu betreiben. Diese drei Schaltungen Unter Leistungsverstärkung versteht man das Ver-
werden als Transistor-Grundschaltungen bezeichnet. hältnis von Ausgangs- zur Eingangsleistung.
Die jeweilige Bezeichnung der Transistor-Grund-
Leistungsverstärkung
schaltung ist von derjenigen Elektrode abgeleitet, die
gemeinsamer Bezugspunkt für das Eingangs- und h212
⋅ RL
VP = (VI.8)
Ausgangssignal ist. (1 + h22 ⋅ R L ) ( h11 + Dh ⋅ R L )
Jede der drei Grundschaltungen hat besondere Eigen-
schaften. Sie werden durch eine Reihe von Kenngrö- Mit Hilfe der Gleichungen VI.4 bis VI.8 lassen sich
ßen näher beschrieben. die betrieblichen Übertragungseigenschaften eines
Wichtige Kenngrößen sind: Wechselstromeingangs- Transistorverstärkers berechnen. Dabei muß berück-
widerstand re, Wechselstromausgangswiderstand ra, sichtigt werden, daß die h-Parameter nur für den
Spannungsverstärkung Vu, Stromverstärkung Vi, Kleinsignalbetrieb im NF-Bereich gelten.
Leistungsverstärkung Vp, Phasendrehung des Signals Die Spannungsrückwirkung des Transistors ist in den
j und Grenzfrequenz der Schaltung fg. meisten Fällen so gering, daß man sie vernachlässi-
Das Vierpol-Ersatzschaltbild nach Bild VI-5 in An- gen kann und die Ersatzschaltungen nach Bild VI-6
lehnung an Bild IV-15 gilt ebenso wie die folgenden gültig sind. Aufgrund dieser Tatsache lassen sich
Betriebsgrößen für alle Grundschaltungen. Vereinfachungen vornehmen.
iB iC
iB iC
h21*iB
h21i B 1 ua
Rg h11 ue h 11
1 h22
ue ua RL
h22
ug
h12i a

b iB iC c
Bild VI-5 Vierpol-Ersatzschaltbild mit Last und
Signalquelle h21*iB
Rg
ue h 11 1 ua RL
Für einen beliebigen Abschlußwiderstand RL kann mit h22
ug
Hilfe der Vierpolgleichungen (Tabelle IV-1) die Strom-
verstärkung Vi des Transistors bestimmt werden. e e
iC h21 Bild VI-6 Ersatzschaltungen bei Vernachlässigung
Stromverstärkung Vi = = (VI.4)
i B 1 + h22 ⋅ R L der Spannungsrückwirkung
374 Elektronik

So beschreiben folgende sechs Werte das Verhalten Bild VI-8

des Transistors selber. Ein Wechsel-
Stromverstärkung strom-Ersatz-
rCE RC schaltbild der
I DI Emitter-Grund-
B= C und b = C = h 21
IB DI B rBE schaltung
Eingangswiderstand
U BE DU BE
R BE = und rBE = = h11
IB DI B Spannungsverstärkung
Ausgangswiderstand −β β ⋅ RC ⋅ rCE
|VuE | = ⋅ rCE RC = (VI.11)
U CE DU CE 1 rBE rBE (RC + rCE )
BCE = und rCE = =
IC DI C h 22 Stromverstärkung
Um die Betriebsgrößen der Grundschaltungen be- rCE
stimmen zu können, müssen die Grundbedingungen ViE = b ⋅ (VI.12)
RC + rCE
für den Betrieb der Schaltungen definiert werden. Der
Arbeitspunkt wird generell durch eine Gleichspan- Leistungsverstärkung
nungsquelle am Eingang eingestellt. Er wird jeweils 2
rCE ⋅ RC
so eingestellt, daß die Schaltung im linearen Teil der V pE = b 2 ⋅ (VI.13)
( RC + rCE ) 2 ⋅ rBE
Eingangskennlinie arbeitet und Kleinsignalbetrieb
vorliegt, also der Arbeitspunkt nicht in den Sättigungs- maximale Leistungsverstärkung Vp max bei Leistungs-
beziehungsweise Sperrbereich gelangen kann. anpassung, also wenn RC = rCE · Phasendrehung des
Zu der Emitter-Grundschaltung nach Bild VI-7 Signals 180°.
zählt auch der Kollektorwiderstand RC. Dieser ist Die Emitterschaltung liefert sowohl eine Strom- und
unbedingt erforderlich, damit eine Wechselspannung, als auch eine Spannungsverstärkung, die beide > 1
also ein Ausgangssignal am Kollektor entstehen sind. Somit liefert diese Schaltung die größtmögliche
kann. Ohne den Arbeitswiderstand RC liegt der Kol- Leistungsverstärkung und wird deshalb häufig ange-
lektor des Transistors über die Gleichspannungsquel- wendet.
le wechselstrommäßig auf Masse, was einen wech- In der Kollektor-Grundschaltung nach Bild VI-9
selstrommäßigen Kurzschluß bedeuten würde. liegt der Kollektor wechselstrommäßig auf Masse.

UCC UCC

RC

ua ue
Bild VI-7
ue ua
Emitter- RE
Bild VI-9
Grundschaltung
Kollektor-
Grundschaltung

Die Eigenschaften der Emitter-Grundschaltung hän-
gen nicht nur von den Kennwerten des Transistors
selbst, sondern auch von der Größe des Kollektor-
widerstandes ab. Die Kennwerte dieser gesamten
Grundschaltung bezeichnet man als Betriebsgrößen.
Ein mögliches Wechselstrom-Ersatzschaltbild, basie-
rend auf Bild VI-6 (Emitter-Grundschaltung) zeigt
Bild VI-8.
Wechselstromeingangswiderstand
reE = rBE = h11 e
Wechselstromausgangswiderstand
raE = rCE RC (VI.10)
Wird der Basisstrom erhöht, so erhöhen sich auch der
Kollektorstrom und der Spannungsabfall am Emitter-
widerstand RE. Die Phasenverschiebung zwischen
Ausgangs- und Eingangsspannung beträgt also 0°.
Die Eigenschaften der Kollektor-Grundschaltung
hängen nicht nur von den Kennwerten des Transistors
selbst, sondern auch von der Größe des Emitter-
widerstandes ab. Ein Wechselstrom-Ersatzschaltbild
der Kollektor-Grundschaltung zeigt Bild VI-10.
Da in den Datenblättern der Hersteller die Kenndaten
(VI.9)
des Transistors nur für die Emitter-Grundschaltung an-
gegeben werden, ist es sinnvoll, die Betriebsgrößen der
Kollektor- und Basis-Grundschaltung auf die Kenn-
werte der Emitter-Grundschaltung zurückzuführen.
VI Analoge Verstärker 375

Bild VI-10 Bild VI-12

Wechselstrom- Wechselstrom-
Ersatzschaltbild rCE RC Ersatzschaltbild
der Kollektor- der Basis-
Grundschaltung Grundschaltung
rBE
RE rBE

Wechselstromeingangswiderstand Die Eigenschaften der Basis-Grundschaltung hängen

nicht nur von den Kennwerten des Transistors selbst,
reC = reE + b ⋅ R E (VI.14) sondern auch von der Größe des Kollektorwider-
standes ab. Ein Wechselstrom-Ersatzschaltbild der
Wechselstromausgangswiderstand Basis-Grundschaltung zeigt Bild VI-12.
rBE + Rg Wechselstromeingangswiderstand
raC = R E (VI.15)
b r
reB = eE (VI.19)
b
Spannungsverstärkung
Wechselstromausgangswiderstand
VuC ≈ 1 (VI.16)
⎛ Rg ⎞
raB = RC rCE ⋅ ⎜ 1 + b ⋅ ⎟ (VI.20)
Stromverstärkung ⎝ rBE ⎠
rCE und für Rg ⇒ 0 W:
ViC = ( b + 1) ⋅ (VI.17)
( RE + rCE )
raB ≈ RC rCE (VI.21)
Leistungsverstärkung Spannungsverstärkung
V pC ≈ ViE (VI.18) VuB = VuE − 1 (VI.22)

Die Kollektorschaltung hat bei hohem Eingangs- Stromverstärkung

widerstand einen niedrigen Ausgangswiderstand. Sie
findet also häufig Anwendung als Impedanzwandler,
zum Beispiel zur Anpassung hochohmiger Generato-
ren an niederohmige Verbraucher.
Auch in Endstufen von Leistungsverstärkern findet
sie Anwendung, da ihre Stromverstärkung etwa so
groß ist wie die der Emitterschaltung.
In der Basis-Grundschaltung nach Bild VI-11 liegt
die Basis wechselstrommäßig auf Masse. Wird die
Eingangsspannung (Spannung zwischen Emitter und
Basis) größer, der Emitter also negativer, so wird der
Transistor niederohmiger. Es fließt daher ein erhöhter
Kollektorstrom, der am Kollektorwiderstand RC einen
erhöhten Spannungsabfall bewirkt. Die Phasenver-
schiebung zwischen Ausgangs- und Eingangsspan-
nung beträgt dann 0°.
UCC
ViB ≈ 1 (VI.23)
Leistungsverstärkung
V pB ≈ VuB (VI.24)
Die Stromverstärkung ist quasi gleich eins und der
Ausgangsstrom praktisch identisch mit dem Ein-
gangsstrom. Damit erfolgt eine schnellere Steuerung
des Ausgangsstroms durch den Eingangsstrom als bei
den anderen Grundschaltungen.
Die obere Grenzfrequenz der Basisschaltung hängt
von der Stromverstärkung des Transistors ab.
obere Grenzfrequenz fa ≈ b ⋅ f g (VI.25)
Wegen ihrer hohen Grenzfrequenz fa wird die Basis-
schaltung vorzugsweise in der Hochfrequenztechnik
eingesetzt. Sie hat bei einem niedrigen Eingangs-
widerstand einen verhältnismäßig hohen Ausgangs-
widerstand.

RC 1.2 Arbeitspunktstabilisierung
Zum Betrieb eines Transistors ist nach Bild VI-1 und
Bild VI.3 neben der Spannungsversorgung UB auch
ue ua ein Widerstand RC in der Kollektorzuleitung erfor-
Bild VI-11 derlich.
Basis-Grundschaltung Der Kollektorwiderstand RC hat zwei verschiedene
Aufgaben zu erfüllen. Er muß den Kollektorstrom IC
376
begrenzen und die im Transistor auftretende Strom-
verstärkung b in eine Spannungsverstärkung Vu um-
wandeln.
Der Transistor muß mit genau festgelegten Werten
für IC und UCE betrieben werden. Das Bestimmen und
Einstellen dieser Werte bezeichnet man als „in den
Arbeitspunkt bringen“ oder „den Arbeitspunkt ein-
stellen“.
Der Arbeitspunkt AP (siehe Kap. 6.1) wird durch
UCEA und ICA festgelegt und durch IBA eingestellt und
gehalten. Bei einer vorgegebenen Betriebsspannung
UB läßt sich der erforderliche RC errechnen.
U B − U CEA
RC = (VI.26)
I CA
I CA
I BA = (VI.27)
B
Der Arbeitspunkt eines Transistors im Kleinsignalbe-
trieb als NF-Verstärker sollte möglichst in der Mitte
der Widerstandsgeraden liegen (Gleichung VI.3). Da-
durch wird verhindert, daß ein Signal infolge der Kenn-
linienkrümmungen unsymmetrisch verstärkt wird.
Bei Ansteuerung des Transistors mit einem sinus-
förmigen Signal an der Basis ändert sich der Kollek-
torstrom um einen bestimmten Wert nach oben und
unten. Man kann sagen, daß sich der AP an der
Widerstandsgeraden entlang um den AP herum hin
und her bewegt.
Der Arbeitspunkt des Transistors kann durch Einstel-
lung des Basisstroms und durch Einstellung der
Basis-Emitter-Spannung festgelegt werden.
Die Basis-Emitter-Strecke muß in Durchlaßrichtung
betrieben werden, damit ein Kollektorstrom fließen
kann. Das wird durch eine Basisvorspannung UBE
erreicht, die doppelt so groß sein muß wie die Schleu-
senspannung der Basis-Emitter-Diode.
Die einfachste Schaltung zur Erzeugung dieser Ba-
sisvorspannung und zur Einstellung des Basisstroms
mit Hilfe des Basisvorwiderstandes R1 ist in Bild
VI-13 dargestellt.
UB Bild VI-13
R1 RC Einstellung des
CK2
Arbeitspunktes
mit Basis-
CK1 C vorwiderstand
B aus:
E
Der Spannungsabfall an R1 muß so groß sein, daß
von der Spannung UB gerade noch die Basisvor-
spannung übrig bleibt, die die Basis-Emitter-Diode in
Durchlaßrichtung betreibt.
U B − U BEA
Basisvorwiderstand R1 = (VI.28)
I BA
mit IBA nach Gleichung VI.27.
Elektronik
Durch diese Schaltungsmaßnahme (Konstantstrom)
wird der Arbeitspunkt des Transistors eingestellt.
Die Basisvorspannung bleibt sowohl bei Schwankun-
gen von UB als auch bei Temperaturschwankungen
nahezu konstant, weil der Spannungsabfall bei einem
Ansteigen von IBA an R1 höher wird. Dadurch wird
UBE wieder kleiner, verbunden mit einem Rückgang
von IBA auf seinen ursprünglichen Wert.
Von Vorteil ist auch der stets sehr hochohmige Wider-
stand R1, weil dadurch die Spannungs- und die Signal-
quelle nur gering belastet werden.
Nachteilig ist dagegen, daß aufgrund der Exemplar-
streuungen der Transistoren jede einzelne Transistor-
stufe abgeglichen werden muß, was nach einem
möglichen Auswechseln eines Transistors wiederholt
werden muß.
Die Kondensatoren CK1 und CK2 verhindern, daß eine
Gleichspannung an den Signalgenerator oder eine
davor liegende Verstärkerstufe gelangt.
Eine weitere Möglichkeit, einen Transistor in den AP
zu bringen, ist die Erzeugung der Basisvorspannung
durch einen Basisspannungsteiler nach Bild VI-14.
Der Strom durch R1 teilt sich an der Basis auf in den
Basisstrom IBA und den Querstrom Iq, so daß durch
R1 die Summe aus Iq und IBA fließt, durch R2 jedoch
nur der Iq.
UB
R1 RC
CK2
CK1 C Bild VI-14
B
Einstellung des
E Arbeitspunktes
R2
mit Basis-
spannungsteiler
Der Querstrom Iq sollte verhältnismäßig groß ge-
genüber dem Basisstrom gewählt werden. Dies er-
reicht man, indem der Spannungsteiler entsprechend
niederohmig gemacht wird, so daß er als unbelastet
gelten kann und somit eine von Belastungsschwan-
kungen weitgehend unabhängige UBE liefern kann.
Richtwert I q = ( 2 ... 10 ) ⋅ I B
Die Berechnung der Teilerwiderstände ergibt sich
U B − U BEA
R1 = (VI.29)
I q + I BA
U BEA
R2 = (VI.30)
Iq
Da die Eingangskennlinie sehr steil verläuft, ergibt
schon eine kleine Änderung von UBEA eine große
Änderung des Basisstroms. Deshalb erfolgt die ge-
naue Einstellung des Arbeitspunktes bei dieser Schal-
tung durch ein Potentiometer anstelle von R2.
VI Analoge Verstärker 377

Die Lage des Arbeitspunktes ist nicht temperaturstabil.
Eine einfache Möglichkeit zur thermischen Arbeits-
punkt-Stabilisierung läßt sich realisieren, indem man
parallel zum Widerstand R2 einen NTC-Widerstand
schaltet, der unmittelbar an dem Transistorgehäuse
oder an dem Kühlkörper des Transistors installiert
wird. Mit steigender Temperatur wird der Wider-
standswert des NTC aufgrund des negativen Tempe-
raturkoeffizienten kleiner.
Da der Ersatzwiderstand einer Parallelschaltung immer
kleiner ist als der kleinste Teilwiderstand, wird auch
der Spannungsabfall an dieser Parallelschaltung klei-
ner, so daß IB heruntergeregelt wird und damit auch IC
nicht weiter ansteigt.
Mit dem Widerstand R2 läßt sich die Wirksamkeit des
NTC einstellen. Je niederohmiger R2 ist, um so gerin-
ger ist der Einfluß des NTC auf den Widerstandswert
der Parallelschaltung.
Diese Art der Arbeitspunkt-Stabilisierung wird be-
trieben, wenn es sich um eine Verstärkerstufe mit
hoher Ausgangsleistung handelt, man also auf den
Emitterwiderstand RE verzichten möchte (wegen zu
großer Leistungsverluste in ihm) und die infolge der
Verlustleistung des Transistors abgegebene Wärme-
menge groß genug ist, um eine ausreichend große
Wirkung auf den NTC-Widerstand auszuüben.
In den meisten Emitterschaltungen wird eine Arbeits-
punktstabilisierung durch Gegenkopplung angestrebt.
Man spricht von einer Rückkopplung, wenn ein Teil
der Ausgangsenergie eines Verstärkers auf seinen Ein-
gang zurückgeführt wird. Liegt das rückgekoppelte Si-
gnal mit dem Eingangssignal in Phase, wirkt es also
gleichsinnig mit dem Eingangssignal, spricht man von
Mitkopplung (Schalter- und Trigger-Anwendungen).
Wirkt das rückgekoppelte Signal jedoch dem Eingangs-
signal entgegen, so spricht man von Gegenkopplung.
Bild VI-15 soll den Signalfluß bei einem gegenge-
koppelten Verstärker verdeutlichen. Der strichpunk-
tierte Kasten stellt den gegengekoppelten Verstärker
dar, während der mit „Verstärker“ gekennzeichnete
Kasten den rückkopplungsfreien Verstärker darstellt.
Das mit „Rückführung“ gekennzeichnete Übertra-
gungsglied koppelt nun eine Ausgangsgröße –ent-
weder dem Ausgangsstrom oder der Ausgangsspan-
nung proportional – aus und führt diese Größe mit
umgekehrtem Vorzeichen dem Verstärkereingang zu.
i1 u1 u1v u2v u2 i2
Eingang i1v i2v Ausgang
Verstärker
ik
uk
Rückführung
i1v = i1 – ik
u1v = u1 – uk
Bild VI-15 Blockschaltbild des Signalflusses bei
einem gegengekoppelten Verstärker
Vorteile der Gegenkopplung sind: Die Verstärker-
kennwerte werden gegenüber Temperatureinflüssen
und Exemplarstreuung stabilisiert. Die Ein- und Aus-
gangswiderstände und die Verstärkung lassen sich in
ihrer Größe beeinflussen. Die nichtlinearen Verzerrun-
gen (Klirrfaktor) werden verringert. Der Übertragungs-
bereich (Bandbreite) eines Verstärkers kann erhöht
werden (Verringerung der linearen Verzerrungen).
Eine Gegenkopplung hat immer eine Verringerung
der Verstärkung zur Folge. Gegenkopplung kann
durch das Einfügen eines Emitterwiderstandes RE in
die Schaltung nach Bild VI-14 erreicht werden.
UB
RC
R1
CK2
CK1 C
B Bild VI-16
E Transistor-
verstärker mit
Emitterwiderstand
R2 RE
CE und Emitter-
kondensator
Der Emitterstrom IE läßt am Widerstand RE in der
Schaltung nach Bild VI-16 eine Spannung URE abfal-
len. Ändert sich der Strom IE im Transistor aufgrund
einer Temperaturänderung, so regelt sich die Transis-
torschaltung selber aus.
Beschreibung der Regelung:
Aufgrund einer Temperaturerhöhung erhöht sich der
Strom IC. Daraufhin wird die Spannung URE bei-
spielsweise von 1 V auf 1,1 V ansteigen. Da UR2
durch den Basisspannungsteiler konstant gehalten
wird, muß die Basisvorspannung UBE um 0,1 V auf
0,6 V sinken. Das wiederum führt zu einem Absinken
des Basisstroms IB.
Durch die Gleichstromverstärkung B sinkt der Kol-
lektorstrom IC um einen entsprechenden Betrag ab.
Das führt zu einer Senkung der Spannung an RE; der
ursprüngliche Zustand ist wieder erreicht.
Da sich UBE bei jeder kleinsten Emitterstromände-
rung sofort mit verändert, wird die thermische Ar-
beitspunktstabilisierung mit Hilfe eines Emitterwi-
derstandes in fast allen Verstärkerschaltungen an-
gewandt.
V1
u2v
u1v ik
u1 u2
RC
Bild VI-17
uk RE Strom-Spannungs-
Gegenkopplung
(Regelkreis)
378 Elektronik

Diesen Effekt bezeichnet man als Strom-Spannungs-
Gegenkopplung, da eine Stromänderung am Ausgang
(IE = ik) in eine Spannungsänderung am Eingang
(UBE = u1 – uk) umgewandelt wird (Bild VI-17).
Die Güte der Stabilisierung des eingestellten Arbeits-
punktes hängt von der Spannung am Widerstand RE
und damit vom Widerstandswert ab. Die Änderung
des Kollektorstroms infolge einer Erwärmung des
Transistors kann als Störgröße im Gegenkopplungs-
kreis aufgefaßt werden.
Richtwert URE ≈ (0,1 ... 0,2) ⋅ UB
Der Widerstand R2 muß so berechnet werden, daß an
ihm die Summe der Spannungen aus URE und UBE
abfällt.
U B − ( U BEA + U RE )
R1 =
I q + I BA
U BEA + U RE
R2 =
Iq
nicht an die konstante Betriebsspannung angeschlos-
sen, sondern an das veränderliche Kollektorpotential.
Da der Widerstand R1 gleich- und wechselspan-
nungsmäßig wirksam ist, spricht man von einer
Gleich- und Wechselspannungsgegenkopplung.
Ändert sich in dieser Schaltung die Temperatur, so
ändert sich auch der eingestellte Kollektorstrom,
damit auch die Spannung UCE und als Folge davon
die Basisvorspannung UBE.
U B − U CEA
RC = (VI.33)
I CA + I BA
U CEA − U BEA
R1 = (VI.34)
I BA
Zur Berechnung von RC kann IBA wegen B > 100
(VI.31)
vernachlässigt werden. In der Schaltung nach
Bild VI-19 wird die Arbeitspunkteinstellung wieder
durch einen Basisspannungsteiler unter Ausnutzung
(VI.32)
der Gegenkopplung vorgenommen.

Im Bild VI-16 ist der Emitterwiderstand nur dann UB

gleichstrommäßig wirksam, wenn er mit einem Kon- RC
densator CE überbrückt ist, der auch bei der unteren CK2
Grenzfrequenz der Verstärkerstufe noch sehr nieder- Bild VI-19
ohmig gegen RE ist und deshalb jede Wechsel- Arbeitspunkt-
spannung (= Signal), die am Emitter auftritt, nach R1
CK1 C einstellung durch
Masse kurzschließt. B
Basisspannungsteiler
Befindet sich in der Schaltung nach Bild VI-16 der E bei Spannungs-
Kondensator CE, so ist wechselstrommäßig nur der R2
Strom-
Kollektorwiderstand RC wirksam. Diese Schaltung Gegenkopplung
verhält sich wechselstrommäßig wie eine Emitter-
schaltung ohne RE, bei der die Batteriespannung um
den Betrag UREA kleiner ist als im vorliegenden Fall. Die Wechselspannungsgegenkopplung läßt sich hier
Eine weitere Möglichkeit zur thermischen Arbeits- nur schwer unwirksam machen, so daß diese Schal-
punktstabilisierung zeigt die Schaltung nach Bild tung nicht häufig Verwendung findet.
VI-18. Im Gegensatz zur Stromgegenkopplung, bei U B − U CEA
Kollektorwiderstand RC = (VI.35)
I CA + I BA + I q
UB
Basisspannungsteilerwiderstände
RC
U CEA − U BEA
CK2 R1 = (VI.36)
Bild VI-18 I BA + I q
Thermische Arbeits-
R1 punktstabilisierung U BEA
CK1 C R2 = (VI.37)
mit Spannungs- Iq
B
Strom-Gegenkopp-
E lung RN

ik
der eine dem Ausgangsstrom proportionale Spannung i1 i1v
zum Eingang zurückgekoppelt wird, koppelt man hier
R1
einen Teil der gegenphasigen Ausgangsspannung
zum Eingang zurück (Spannungs-Strom-Gegenkopp- u1 uv
1
u1n u2
lung).
Die Stabilisierung wird um so besser, je größer das
Verhältnis RC/R1 wird. Die Gegenkopplung geschieht
durch den Widerstand R1, der den Basisstrom IBA zur Bild VI-20 Spannungs-Strom-Gegenkopplung
Arbeitspunkteinstellung liefert. Dieser ist jedoch (Regelkreis)
VI Analoge Verstärker 379

Die Wirkung der Spannungs-Strom-Gegenkopplung als Parallelschaltung des Kollektorwiderstandes RC

läßt sich nach Bild VI-20 mit Unterstützung von mit dem Ausgangswiderstand r0 (Bild VI-21) des
Bild VI-15 nachvollziehen. Der Widerstand RN ist der Transistors nach Bild VI-22.
Gegenkopplungswiderstand R1 nach Bild VI-19.
Eingangswiderstand
1.3 Emitterschaltungen Rein = R1 储 R2 储 ri = RB 储 rBE (VI.38)
Die Emitterschaltung nach Bild VI-16 ist die am häu- Ausgangswiderstand
figsten eingesetzte Grundschaltung. Der Emitter ist
bei dieser Schaltung wechselstrommäßig der gemein- Raus = RC 储 r0 = RC 储 rCE (VI.39)
same Anschluß für den Eingang und Ausgang des Der Wechselstrom-Ausgangswiderstand bei der Emit-
Transistors. terschaltung wird also wegen raE >> RC durch den
Kollektorwiderstand RC bestimmt.
1 iB iC 2
RS h21*iB
b iB iC c
ue R1 1 ua RA
R2 h11 h22 RC
uS h21*iB
Rg
ue h11 1 ua RL
h22
1 iB iC 2 ug
RS h21*iB
ue 1 ua RA e e
RB h11 RC
uS h22
Bild VI-23 AC-Ersatzschaltung mit umgerechneter
Signalquelle
Bild VI-21 AC-Ersatzschaltbild der Emitter-
schaltung mit Emitterkondensator Nunmehr läßt sich die AC-Ersatzschaltung nach
Bild VI-22 vollständig umrechnen nach Bild VI-23
Diese Schaltung wird mit dem Abschlußwiderstand mit den gegebenen Werten.
RA belastet und von einer Signalquelle uS mit dem Mit
Innenwiderstand RS gespeist.
Bild VI-21a zeigt das AC-Ersatzschaltbild der Emit- RL = RC 储 RA ; Rg = R1 储 R2 储 RS
terschaltung mit dem integrierten Emitterkondensator und
CE, wobei das AC-Ersatzschaltbild des Transistors
R1 R2
nach Bild VI-6 verwendet wird. Der Emitterwider- ug = uS ⋅
stand RE erscheint nicht in diesem Ersatzschaltbild, da R S + R1 R2
er durch CE kurzgeschlossen wird. gilt für die Spannungsverstärkung
Die Spannungsrückwirkung wird hier vernachlässigt.
Der Innenwiderstand der Gleichspannungsquelle kann b
Vu = ⋅ rCE R L (VI.40)
für Wechselspannungen zu Null genommen werden, rBE
so daß der Kollektorwiderstand und der Widerstand und die Stromverstärkung
R1 gegen Masse liegen.
Faßt man die Parallelschaltung der Widerstände rCE
Vi = b ⋅ (VI.41)
R1 und R2 zum Ersatzwiderstand RB zusammen, so R L + rCE
erhält man Bild VI-21b. Somit ergibt sich für
diese Transistorstufe die Ersatzschaltung nach Die Leistungsverstärkung der Stufe, also von Klem-
Bild VI-22. me 1 nach Klemme 2 gemäß Bild VI-22, ist geringer
als die Multiplikation der errechneten Spannungs-
1 2 und Stromverstärkungswerte.
io
Rs Rein Raus Leistungsverstärkung
RB ri ro RC RA R B ⋅ reE
us VStufe = Vu2 ⋅ (VI.42)
R A ⋅ ( R B + reE )

Bild VI-22 Vollständige AC-Ersatzschaltung
Der Wechselstrom-Eingangswiderstand Rein wird bei
der Emitterschaltung hauptsächlich durch den dyna-
mischen Eingangswiderstand rBE des Transistors
bestimmt. Der Ausgangswiderstand Raus ergibt sich
Hier sind jetzt auch die Wechselstromverluste in den
Widerständen RC, R1 und R2, die zur Arbeitspunkt-
einstellung erforderlich sind, berücksichtigt.
Bei der Emitterschaltung wird das Ausgangssignal
gegenüber dem Eingangssignal um 180° phasenver-
schoben verstärkt wiedergegeben.
380 Elektronik

Die Koppelkondensatoren CK1 und CK2 stellen im 1 iB iC 2

Idealfall für die Signalspannung einen Kurzschluß h21*iB
Rs 1
dar. Sie bestimmen die untere Übertragungsfrequenz h11
h22
des Verstärkers ebenso wie der Emitterkondensator, us R1 R2 RC RA
denn je größer ihre Wechselstromwiderstände mit ue ua
abnehmender Frequenz werden, um so geringer wird RE
die Spannungsverstärkung der Schaltung. Darum muß
für die Koppelkondensatoren CK1 und CK2 eine untere
Grenzfrequenz fu angegeben werden, für die diese zu Bild VI-25 AC-Ersatzschaltung für Emitter-
berechnen sind. Als Grenzfrequenz ist die Frequenz schaltung ohne Emitterkondensator
festgelegt, bei der die Spannungsverstärkung Vu auf Diese AC-Gegenkopplung hat Auswirkungen auf die
0,707 der Verstärkung bei mittleren Frequenzen Spannungsverstärkung.
abgesunken ist. Das entspricht einer Dämpfung von Vereinfacht gilt:
3 dB. mit
Koppelkondensatoren RL = RC 储 RA: u a ≈ − ( i B ⋅ h21 e ) ⋅ R L
1
CK 1 = CK 2 = (VI.43) und
2 pf u ⋅ ( Raus + Rein )
u e = i B ⋅ [ h11 e + ( h21 e + 1) ⋅ R E ]
In Gleichung VI.43 beschreibt Raus den Aus-
gangswiderstand der signalgebenden Schaltung und Spannungsverstärkung
Rein den Eingangswiderstand der aufnehmenden h21 e ⋅ R L
Vu′ = − (VI.45)
Schaltung beziehungsweise des Lastwiderstandes.
Die Kapazität des Emitterkondensators ergibt sich für
[ h11 e + ( h21 e + 1) ⋅ R E ]
eine vorgegebene untere Grenzfrequenz fu mit fol- Durch die AC-Gegenkopplung wird die AC-Ver-
gender Überlegung nach Bild VI-24. stärkung der Transistorstufe herabgesetzt. Daraus
folgt, daß die Spannungsverstärkung V′u einer Transis-
ig torstufe mit RE ohne CE kleiner ist als bei einer Stufe
h21*ig mit CE 储 RE.
Rg RL
h11 Näherung Vu′ ≈ − (VI.46)
RE
u1 u2 RL rBE
wenn RE >>
ug b
RE CE Die Wechselstromgegenkopplung macht zwar die
Spannungsverstärkung kleiner, ergibt jedoch zwei
erhebliche Vorteile:
Bild VI-24 AC-Ersatzschaltung für Emitterschal- Die Spannungsverstärkung läßt sich auf einen ge-
tung mit Emitterkondensator wünschten Wert mit Hilfe der beiden Widerstände RC
und RE einstellen! Die Spannungsverstärkung wird
Faktisch liegt der Kondensator CE parallel zum Wi- praktisch unabhängig von den Daten des Transistors
derstand RE und muß somit bei der Berechnung der und hängt nur von den beiden Widerständen ab
Spannungsverstärkung berücksichtigt werden. Bei der (wichtig beim Bau von Seriengeräten und bei Repara-
Grenzfrequenz ist die Verstärkung um 3 dB abge- turen)!
sunken. Bei Frequenzen unterhalb der Grenzfrequenz Es ist erkennbar, daß der AC-Eingangswiderstand der
ist der Emitterkondensator nicht mehr wirksam. Schaltung nach Bild VI-26 andere Werte hat als in
der Schaltung nach Bild VI-22. Der Eingangswider-
Emitterkondensator stand des Transistors als solcher ist durch die AC-
Rg + rBE + b ⋅ R E Wirkung des RE größer geworden.
CE = (VI.44)
2 pf u ⋅ R E ⋅ ( Rg + rBE ) Eingangswiderstand

Wird der Emitterwiderstand RE nicht durch den Kon-
densator CE nach Bild VI-16 überbrückt, so ist er
nach Bild VI-25 auch wechselstrommäßig wirksam.
In diesem Fall liegt eine Gleich- und Wechselstrom-
gegenkopplung vor. Ein Teil der AC-Ausgangs-
spannung ua, der Signalspannungsabfall an RE, wird
auf den Eingang zurückgekoppelt.
Rein = RB 储 [h11 e + (h21 e + 1) ⋅ RE] (VI.47)
Der Eingangswiderstand der gegengekoppelten Schal-
tung wird aber weiterhin im wesentlichen durch die
Größe der Spannungsteiler-Widerstände bestimmt.
Der Ausgangswiderstand der Schaltung ohne Beach-
tung von RC und RA wird durch den RE erhöht. Es gilt
vereinfacht:
VI Analoge Verstärker 381

Ausgangswiderstand UB
⎡ h 21 e ⋅ R E ⎤
Raus ≈ rCE ⋅ ⎢1 + ⎥ (VI.48) R1
⎣ ( h11 e + R E + RS ) ⎦
C
CK1 B
Dieser „widerstandsbehaftete“ Transistor läßt sich
E CK2
nutzen. Die Transistorschaltung mit RE hat das Ver-
halten einer Stromquelle, da der Widerstand RE die
Eigenschaft hat, den Signalstrom zu stabilisieren
beziehungsweise bei konstanter Eingangsspannung R2 RE
konstant zu halten. Konstantstromquellen nach Bild
VI-26 haben einen sehr großen, theoretisch unendlich
hohen Innenwiderstand.
Bild VI-27 Kollektorschaltung mit Basisspannungs-
teiler
UCC UCC
RL C
iB
R1 R1
h21*iB
IL IL Rg
h11
V1 V1
u1 iC
R2 V2 ug
RE RE u2 RE RL

Bild VI-26 Konstantstromquellen Bild VI-28 AC-Ersatzschaltung der Kollektor-

schaltung
Der Kondensator als Lastwiderstand in der Schaltung
nach Bild VI-26b wird linear und nicht nach einer Nun läßt sich die AC-Ersatzschaltung nach Bild VI-28
Exponentialfunktion geladen. Die Z-Diode V2 stabi- mit den gegebenen Werten vollständig berechnen.
lisiert die Versorgungsspannung VCC.
Der differentielle Innenwiderstand dieser Konstant- R1 R2
Rg = R1 R2 RS , ug = uS ⋅
stromquelle läßt sich leicht berechnen. RS + R1 R2
Innenwiderstand Die Kennwerte der vollständigen Schaltung lassen
dU L ⎡ h ⋅R ⎤ sich aus dem AC-Ersatzschaltbild nach Bild VI-28
ri = = rCE ⋅ ⎢1 + 21 e E ⎥ (VI.49) herleiten und erklären.
dI L ⎣ ( h11 e + RE ) ⎦
Unter Berücksichtigung des Lastwiderstandes und
Wegen IL ≈ IE läßt sich der Strom dieser Konstant- rCE Ⰷ RE 储 RL gilt dann:
stromquelle berechnen.
Laststrom AC-Eingangswiderstand
U RE U R2 − U BEA ⎡ RE ⋅ RL ⎤
IL ≈ = Rein ≈ ⎢ rBE + b ⋅ (VI.51)
( R E + R L ) ⎥⎦
(VI.50)
RE RE ⎣
Der Wechselstrom-Eingangswiderstand der Kollek-
1.4 Kollektorschaltungen torschaltung ist folglich größer als der einer Emitter-
schaltung, wird jedoch durch die Parallelschaltung
Eine Kollektorschaltung mit Basisspannungsteiler ist des Basisspannungsteilers RB deutlich harabgesetzt.
in Bild VI-27 dargestellt. Bei der gezeigten Schaltung Der Wechselstrom-Ausgangswiderstand der Kollek-
wird die Basisvorspannung durch den Vorwiderstand torschaltung ist laut Ersatzschaltbild in seinem Wert
R2 erzeugt und der AP durch den Emitterwiderstand RE kleiner als bei der Emitterschaltung.
stabilisiert. Der Emitterwiderstand darf nicht durch
AC-Ausgangswiderstand
einen Kondensator gebrückt werden, weil an RE das
Ausgangssignal abgegriffen wird. Die Kondensatoren rBE + Rg
Ck1 und Ck2 trennen den Generator und den Lastwider- Raus = R E (VI.52)
b
stand gleichstrommäßig von der Schaltung.
Diese Schaltung wird nun (vgl. 6.1.3) mit dem Last- Für die Spannungsverstärkung gilt grundsätzlich:
widerstand RL belastet und von einer Signalquelle uS Spannungsverstärkung
mit dem Innenwiderstand RS gespeist. Die Parallel-
ua DU RE
schaltung der Widerstände R1 und R2 faßt man zum Vu = = ≈1 (VI.53)
Ersatzwiderstand RB zusammen. u e DU RE + DU BE
382 Elektronik

Da die Summe der Spannungen unter dem Bruch- die Batterie (Netzteil) kurzgeschlossen wird. Somit
strich größer ist als der Wert oberhalb, gilt Vu < 1! ist der Basisspannungsteiler im AC-Ersatzschaltbild
Für die Stromverstärkung gilt grundsätzlich: nicht vorhanden.
i a DI C + DI B
Vi = = = b +1 (VI.54) iB iC
ie DI B
h21*iB
Rs
Näherungsweise kann mit Vi ≈ b gerechnet werden. u1 R h11 1 RC u2 RA
E h22
Da die Leistungsverstärkung Vp das Produkt aus Vu
und Vi ist, gilt bei Vu ≈ 1 und Vi ≈ b eine Leistungs- us
verstärkung
Vp ≈ Vi ≈ b (VI.55) Bild VI-30 AC-Ersatzschaltbild der Basisschaltung

Da ein größerer Basisstrom bei der Kollektorschal- Die Kennwerte lassen sich aus dem AC-Ersatz-
tung auch einen höheren Kollektorstrom und damit schaltbild nach Bild VI-30 herleiten und erklären.
Emitterstrom bewirkt, wird auch bei steigendem
AC-Eingangswiderstand
Basisstrom der Spannungsabfall an RE größer. Bei der
Kollektorschaltung entsteht somit keine Phasenver- u1 R E ⋅ rBE
Rein = = (VI.56)
schiebung zwischen dem Ein- und Ausgangssignal. i1 rBE + ( b + 1) ⋅ R E
Die Grenzfrequenz unterscheidet sich hier kaum von
der der Emitterschaltung. Aufgrund des hohen Ein- Der Wechselstrom-Eingangswiderstand der Basis-
gangswiderstandes und des niedrigen Ausgangswider- schaltung ist wesentlich niedriger als der der beiden
standes wird die Kollektorschaltung als Impedanz- anderen Grundschaltungen.
wandler verwendet; sie ermöglicht die Anpassung Generell gilt für den Wechselstrom-Ausgangswider-
hochohmiger Signalquellen an kleine Verbraucherwi- stand der Basisschaltung
derstände. Durch die geringe Belastung des Signal- AC-Ausgangswiderstand
generators ist sie gut verwendbar als Eingangsstufe
rBE + ( b + 1) ⋅ RS
für mehrstufige Verstärkerschaltungen. Raus ≈ RC ≈ RC (VI.57)
rCE ⋅ RS
1.5 Basisschaltung
Die Spannungsverstärkung einer Basisschaltung er-
Bei der Basisschaltung ist die Basis gemeinsamer gibt sich aus zur Emitterschaltung ähnlichen Zusam-
Bezugspunkt (Elektrode) für das Ein- und Ausgangs- menhängen. Da bei der Basisschaltung rCE >> RC ist,
signal. gilt
Bild VI-29 zeigt eine vollständige Verstärkerstufe,
b ⋅ RC
die mit einem Basisspannungsteiler (R1 und R2) zur Spannungsverstärkung Vu ≈ (VI.58)
Basisvorspannungserzeugung versehen ist. Beach- rBE
tenswert ist hier der Anschlußpunkt für die Versor- Ist ein Lastwiderstand vorhanden, so liegt dieser
gungsspannung UB. parallel zu RC und muß entsprechend berücksichtigt
werden.
UB b
Stromverstärkung Vi = ≈1 (VI.59)
RC b +1
R1
CK1 E C CK2 Da die Leistungsverstärkung das Produkt aus Span-
nungs- und Stromverstärkung ist, gilt näherungs-
B weise:
RE b ⋅ RC
CB Leistungsverstärkung V p ≈ Vu ≈ (VI.60)
R2 rBE
Aus der Art der Ansteuerung ist erkennbar, daß es
keine Phasendrehung zwischen Eingangs- und Aus-
Bild VI-29 Verstärkerstufe in Basisschaltung gangssignal geben kann.
mit Basisspannungsteiler Die höchste übertragbare Frequenz fgo liegt bei der
Basisschaltung in der Nähe der Transitfrequenz, aber
Der Arbeitspunkt wird durch den Widerstand RE auf jeden Fall oberhalb der Grenzfrequenz der Emit-
stabilisiert. Der Kondensator CB sorgt dafür, daß die terschaltung. Den Grund dafür findet man im Wech-
Basis des Transistors wechselspannungsmäßig auf selstrom-Ersatzschaltbild. Da die Basis direkt an
Masse gelegt wird. Für Wechselspannungen schließt Masse liegt, kann über die interne Kapazität CCB des
der Kondensator CB den Widerstand R2 des Span- Transistors das Ausgangssignal nicht auf den Eingang
nungsteilers kurz, während der Widerstand R1 durch zurückgeführt werden.
VI Analoge Verstärker 383

Die Grenzfrequenz der Basisschaltung errechnet sich ID

mA R =2,25kΩ
daher zu 10 10 D
Abschnürgrenze
fgo = b ⋅ fgo Emitter (VI.61) 9 9 –UGS=0V
8 8
Aufgrund der hohen Grenzfrequenz wird diese Schal- 7 7 –0,5V
tung fast ausschließlich in Hoch- und Höchstfre- UDS +15V 6 6 –1,0V
quenzschaltungen eingesetzt (Eingangsstufe für 5 5
A A –1,5V
Signalfrequenzen größer 100 MHz). 4 4
Ein weiterer Vorteil ist der niedrige Eingangswider- 3 3 –2,0V
stand der Basisschaltung, der eine sehr gute und ein- 2 2
–2,5V
1 1
fache Anpassung an die niedrige Antennenimpedanz 0 0
von Z = 75 W ermöglicht. –UGS 5 V 4 3 2 1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 UDS
UDS V
UB

2 Feldeffekt-Transistor als Verstärker

Feldeffekt-Transistoren haben im Vergleich zu den
bipolaren Transistoren für die Anwendung als AC-
Verstärker zwei erhebliche Vorteile. Auf die geringe-
ren nichtlinearen Signalverzerrungen beim FET ist
bereits hingewiesen worden. Die große Eingangsim-
pedanz der FET ist ein weiterer Vorteil, denn sie
ermöglicht eine große Spannungsverstärkung.
Der Verstärkungsvorgang bei den FET ist im Prinzip
identisch mit dem der bipolaren Transistoren (Bild
VI-31).
ID UB
RD URD
D und -stabilisierung
t t
ΔUGS=1V ΔUDS=6,75V
Bild VI-32 Verstärkungsvorgang beim J-FET
Eine nahezu verzerrungsfreie Verstärkung des Signals
DUGS ist nur zu erwarten, wenn der Arbeitspunkt im
Ausgangskennlinienfeld auch bei maximaler Ampli-
tude des Signals nicht über die Abschnürgrenze
hinaus in den ohmschen Bereich wandert. Bild VI-32
veranschaulicht den beschriebenen Vorgang. Die
Analogie zu den bipolaren Transistoren ist unüber-
sehbar.
2.1 Arbeitspunkteinstellung

–UGS G S
UDS
Bild VI-31
ΔU GS Prinzipschaltung
eines Verstärkers
mit J-FET
Durch eine negative Gate-Source-Spannung –UGS wird
bei diesem N-Kanal-J-FET der Arbeitspunkt einge-
stellt, der damit sowohl für die Übertragungskenn-
linie wie auch für das Ausgangskennlinienfeld be-
stimmt ist. Dort liegt der Arbeitspunkt im Schnittpunkt
der Arbeitsgeraden mit der ID-UDS-Kennlinie mit UGS
als Parameter. Die Arbeitsgerade gehorcht den gleichen
Bedingungen wie bei den bipolaren Transistoren.
Das zu verstärkende Signal DUGS wird der Gate-
Source-Spannung überlagert und läßt nunmehr in der
Summe den Arbeitspunkt auf der Arbeitsgeraden
wandern. Die positive Amplitude des Signals läßt die
Gate-Source-Spannung UGS positiver werden und
somit den Drainstrom ID ansteigen. Dadurch erhöht
sich der Spannungsabfall am Drainwiderstand RD.
Infolge dieser Spannungserhöhung muß die Drain-
Source-Spannung UDS kleiner werden. Ein- und
Ausgangsspannung haben hier also entgegengesetzte
Polarität, was von der Emitterschaltung bei den
bipolaren Transistoren her bekannt ist.
Bei der Verwendung des FET als Verstärker wird nur
der Abschnürbereich des Ausgangskennlinienfeldes
benutzt. Der Arbeitsbereich, also der Bereich, in dem
der Arbeitspunkt liegen darf, ist durch folgende Kur-
ven beziehungsweise Werte begrenzt: die Verlust-
hyperbel, die Abschnürgrenze und die Kennlinien für
die maximale und minimale Gate-Source-Spannung.
Bei Kleinsignal-Aussteuerung legt man den Arbeits-
punkt in den oberen Bereich der Übertragungskenn-
linie bei einem großen Ruhestrom IDA, da hier die
Kennlinie nahezu linear verläuft. Muß ein temperatur-
unabhängiger Arbeitspunkt gewählt werden, kann der
Kompensationspunkt genommen werden.
Für diesen Arbeitspunkt wird in Kapitel 4.2 die Gate-
Source-Spannung UGSK ermittelt. Größere Nichtlinea-
rität ist hier allerdings die Folge.
Bei der Aussteuerung muß gewährleistet werden, daß
die Drainspannung die im Datenblatt angegebene
Durchbruchspannung U(BR) DS nicht übersteigt.
In Bild VI-32 ist der Arbeitspunkt so gewählt, daß
UDS = UB /2 ist. Wie bei einem Verstärker mit bipola-
rem Transistor ist das ein guter Arbeitspunkt.
Dieser Arbeitspunkt muß nun mit der Gate-Source-
Spannung UGS eingestellt werden. Bild VI-33 zeigt
die Steuerkennlinien der drei möglichen N-Kanal-
Typen mit günstigen Arbeitspunkten für den Betrieb
in AC-Verstärkern.
384 Elektronik

ID ID ID sinkender Drainstrom führt zu einem entgegenge-

IDS
D D
G G
S S
setzten Effekt. Es handelt sich also bei diesem Source-
D
G widerstand RS um eine Gleichstrom-Gegenkopplung,
S wie sie beim bipolaren Transistor zur thermischen Ar-
beitspunktstabilisierung bereits behandelt worden ist.

UP UGS UP UGS UGS IDA UB

Bild VI-33 Steuerkennlinien der drei RD

N-Kanal-Typen CA

Beim J-FET und beim MOS-FET vom Normally-On- CE D

Typ ist die Steuerspannung UGS negativ, beim MOS- UDSA
G S
FET vom Normally-Off-Typ dagegen positiv zu ua Bild VI-35
machen. CS
Vollständige
ue
Eine Arbeitspunktstabilisierung ist nur bei der Source RV URS RS Verstärker-
Schaltung, die der Emitterschaltung entspricht, vorzu- stufe mit
sehen. Die beiden anderen Grundschaltungen sind in- J-FET
folge der internen Gegenkopplung thermisch stabil.
J-FET sind selbstleitende Typen, bei denen auch ohne Wird der FET mit einer Wechselspannung ange-
Gate-Source-Spannung ein großer Drainstrom fließt. steuert, fällt an RS eine Wechselspannung ab, die eine
Dies ist auch bei den MOS-FET vom Normally-On- gegenkoppelnde Wirkung hat. Wie in der Emitter-
Typ der Fall. schaltung (bipolare Transistoren) wird auch hier die
Dieser Umstand ermöglicht die Arbeitspunkteinstel- AC-Verstärkung gemindert. Will man eine AC-
lung und -stabilisierung mit Hilfe der automatischen Gegenkopplung vermeiden, kann durch einen genü-
Gate-Source-Spannung. Die automatische Erzeugung gend großen Kondensator CS der Widerstand RS
wechselspannungsmäßig kurzgeschlossen werden.
IDA UB Die Kondensatoren CE und CA nach Bild VI-35 die-
nen zur Ein- und Auskopplung des Signals.
RD Je größer der Widerstand RS gewählt wird, um so
geringer wird eine mögliche Arbeitspunktverschiebung
aufgrund von Exemplarstreuungen des FET sein.
D Nachteilig ist dann jedoch die sich ergebende Lage des
G UDSA
S Arbeitspunktes im unteren Teil der Übertragungskenn-
–UGS
linie.
RV Bild VI-34 Bei den selbstsperrenden MOS-FET ist die automa-
U RS RS Arbeitspunktstabili- tische Vorspannungserzeugung nicht möglich. Aus
sierung mit automatischer diesem Grunde werden die Normally-Off-Typen
Gate-Source-Spannung immer und die anderen FET bei bestimmten Gele-
genheiten mit Hilfe eines Gate-Spannungsteilers nach
Bild VI-36 „in den Arbeitspunkt gebracht“ und mit
dieser Spannung mit Hilfe eines Widerstandes RS in dem Sourcewiderstand RS gegen Arbeitspunkt-
der Sourceleitung zeigt die Schaltung nach Bild schwankungen stabilisiert.
VI-34. Der durch die Widerstände RD und RS fließen-
de Drainstrom IDA läßt am Sourcewiderstand RS eine UB
Spannung URS abfallen. Die Source-Elektrode ist IDA
daher um den Wert dieser Spannung positiver als das
über den Widerstand RV auf Masse gelegte Gate, R1 RD
wobei daran erinnert sei, daß die Gate-Source-Strecke CA
quasi einen unendlich hohen Widerstand darstellt und
D
somit kein Gatestrom fließt. Damit wird deutlich, daß CE G
mit Hilfe des Sourcewiderstandes RS die Gate- S
Source-Spannung eingestellt werden kann. ua
Gate-Source-Spannung ue CS
R2 RS
U RS = − U GS = I DA ⋅ RS (VI.62)
Ein steigender Drainstrom führt zu einer negativer
werdenden Gate-Source-Spannung, die ihrerseits den Bild VI-36 Verstärkerschaltung mit
Drainstrom begrenzt beziehungsweise verkleinert. Ein selbstsperrenden MOS-FET
VI Analoge Verstärker 385

Für direkt gekoppelte Verstärkerschaltungen können Weitere Schaltungen zur Arbeitspunkteinstellung und
nur FET verwendet werden, deren Drain-Source- und -stabilisierung haben zusätzlich zum Ziel, einen
Gate-Source-Spannung gleiche Polarität haben. Je hohen Eingangswiderstand des Verstärkers zu reali-
nach Verhältnis der Widerstände R1, R2 und RS lassen sieren. Die Bootstrap-Schaltung nach Bild VI-37 läßt
sich mit dem Spannungsteiler entsprechende Vor- sich genauso wie die Spannungs-Gegenkopplung
spannungen am Gate einstellen. nach Bild VI-38 mit selbstsperrenden FET anwenden.
Jetzt lassen sich auch Arbeitspunkte im oberen Teil Die Spannungsverstärkung wird durch die Gegen-
der Übertragungskennlinie einstellen. Unter Vernach- kopplung herabgesetzt, was bereits von den bipolaren
lässigung des Gatestroms IG läßt sich der Drainstrom Transistoren her bekannt ist.
ID berechnen.
Drainstrom UB
R2 RD
⋅ U B − U GS
R1 + R2 U − U GS CA
ID = = 0 (VI.63) R1
RS RS
Je größer der Spannungsabfall an den Widerständen D Bild VI-38
R2 und RS gewählt wird, um so besser lassen sich CE Verstärkerstufe
G
Änderungen des Arbeitspunktes durch Exemplar- S mit selbst-
streuungen des FET oder Temperaturschwankungen sperrenden FET
reduzieren. Der Spannungsteiler sollte aber nicht zu und Spannungs-
hoch gewählt werden, da sonst die exponentionelle gegenkopplung
Temperaturabhängigkeit des Gatestroms wirksam
wird. Wird der Spannungsteiler zu niederohmig, wird
der Wechselstrom-Eingangswiderstand der Verstär- UB
kerschaltung wesentlich reduziert.
RD
Bei vorgegebenen Werten für den Bereich des ge- CA
wünschten Arbeitspunktes (Wandern des AP auf der R2 R1
Arbeitsgeraden) läßt sich der Sourcewiderstand durch
Vorgabe des maximalen und minimalen Ruhestroms
D
(IDA+, IDA–) berechnen. CE
G
U + − U GSA− S
Sourcewiderstand R S = GSA (VI.64)
I DA + − I DA− CN
Der Spannungsteiler kann als unbelastetet angenom-
men werden.
R1 UB
Teilerverhältnis = −1 (VI.65) Bild VI-39 Spannungsgegenkopplung
R2 I DA ⋅ R S + U GSA ohne Signalgegenkopplung
Häufig wird die Spannung URS in der Größenordnung
um 1 V gewählt, während der Querstrom Iq durch den Die Spannungs-Gegenkopplung kann für Signalspan-
Teiler im Mikroampere-Bereich liegt. nungen mit höherer Frequenz aufgehoben werden.
Da sich der Drainstrom bei Temperaturerhöhung nur Hierzu wird der Gegenkopplungswiderstand in der
geringfügig verringert, können FET ohne zusätzliche Schaltung nach Bild VI-38 in zwei Widerstände mit
Sicherheitsmaßnahmen parallelgeschaltet werden. gleichem Widerstandswert aufgeteilt und ein Kon-
densator vom Mittelpunkt des Teilers gegen Masse
UB
geschaltet, wie in Bild VI-39 zu sehen ist. Für die
Signalspannung bestimmt der Widerstand R2 den
R1 RD Eingangswiderstand der Schaltung.
CA Der Arbeitspunkt bei Drainschaltungen, die den
Kollektorschaltungen entsprechen, läßt sich auf die
D gleiche Weise wie zuvor beschrieben einstellen.
CE G
S 2.2 Grundschaltungen von FET
R3 Das Betriebsverhalten von FET wird durch die vier
Bild VI-37
Bootstrap- typischen Eigenschaften dieser Transistoren be-
C3 Schaltung mit stimmt:
R2 RS – hoher Eingangswiderstand im NF-Bereich
selbstsperrenden
FET – verhältnismäßig geringe Vorwärts-Steilheit
386 Elektronik

– hoher Ausgangswiderstand (da spannungsgesteuer- I DA UB

te Stromquelle)
– vernachlässigbar kleine Spannungsrückwirkung im R1 RD
NF-Bereich. CA
Entsprechend der Emitter-, Kollektor- und Baisschal- CE D
tung des bipolaren Transistors läßt sich der FET als G
S
Verstärker in der Source-, Drain- und Gateschaltung ua Za
betreiben. Jede dieser Grundschaltungen weist hin- Zs
sichtlich der Betriebsgrößen typische Eigenschaften ue
auf. CS
us
Die wichtigsten Kenngrößen dieser Grundschaltun- R2 RS
gen sind: Wechselstrom-Eingangswiderstand Rein,
Wechselstrom-Ausgangswiderstand Raus, Spannungs-
verstärkung Vu, Stromverstärkung Vi, Phasenverschie- Bild VI-41 Source-Schaltung mit
bung j. In den fogenden Abschnitten werden die Gatespannungsteiler
Betriebsgrößen (Kenngrößen) der drei Grundschal-
tungen mit N-Kanal-J-FET beschrieben beziehungs-
weise berechnet. cgd
ggd
g i1 i2 d
2.2.1 Sourceschaltung
ZS ue cgs S*ue RD
Die Source-Schaltungen nach Bild VI-35 und ua ZA
us R1 R 2 ggs c
gds ds
Bild VI-41 sind die am meisten verwendeten Verstär-
kerschaltungen des FET. s s
cgd
Mit Hilfe der Widerstände RV, RS und RD oder R1, R2,
g i1 ggd i2 d
RS und RD wird der Arbeitspunkt des FET eingestellt
und stabilisiert. Um eine AC-Gegenkopplung zu ver- ZS cgs S*ue
RB ue ua ZL
hindern, ist der Sourcewiderstand in beiden Schaltun- us g g cds
gs ds
gen durch einen genügend großen Kondensator CS s s
kurzgeschlossen. Die Kondensatoren CE und CA
dienen in beiden Schaltungen zur gleichstrommäßi- Bild VI-42 AC-Ersatzschaltbilder
gen Entkopplung des FET-Verstärkers von der Sig- zur Source-Schaltung nach Bild VI-41
nalquelle und vom Lastwiderstand.
Aufgrund der komplexen y-Parameter der Vierpol-
Als Vereinfachung findet man RB für R1 储 R2 und ZL
Ersatzschaltung soll hier für die vorläufige Betrach-
als Ersatzwiderstand für ZA 储 RD in Bild VI-42b.
tung ein komplexer Innenwiderstand ZS der Signal-
Nimmt man Gleichung IV.28 in Verbindung mit dem
quelle und ein komplexer Lastwiderstand ZA als
Ersatzschaltbild, so erhält man die betriebliche Span-
Abschlußwiderstand angenommen werden.
nungsverstärkung der Source-Schaltung.
Zur Source-Schaltung nach Bild VI-35 gehört das
AC-Ersatzschaltbild nach Bild VI-40. Der Wider- Spannungsverstärkung
stand ZL steht hier als Ersatzwiderstand für die Paral- S + g gs
lelschaltung von ZA und RD. Vu = (VI.66)
S + g ds + g gs + G L
cgd
Bei niedrigen Frequenzen können die kapazitiven
g i1 ggd i2 d Elemente des Ersatzschaltbildes ebenso vernachläs-
gds sigt werden wie der sehr geringe Rückwirkungsleit-
ZS cgs cds
ue S*ue ua ZL wert ggd, so daß sich die Gleichung mit einer rein
ggs gds
us ohmschen Last RL vereinfachen läßt.
s s Spannungsverstärkung (NF)
Bild VI-40 AC-Ersatzschaltbild zur Source- S
Vu = − (VI.67)
Schaltung nach Bild VI-35 g ds + G L
In der Schaltung nach Bild VI-41 wird der Arbeits- Das negative Vorzeichen in der Gleichung weist auf
punkt durch den Gatespannungsteiler eingestellt. die Phasenverschiebung j zwischen Ein- und Aus-
Zur Source-Schaltung nach Bild VI-41 gehört das gangssignal hin.
AC-Ersatzschaltbild nach Bild VI-42a. Am Eingang Der Kanalwiderstand rds = 1/gds ist sehr hochohmig,
des J-FET liegt die Parallelschaltung von R1 und R2, so daß gilt: rds >> RL
am Ausgang liegt wieder die Parallelschaltung von ZA
und RD. Spannungsverstärkung (NF) Vu ≈ − S ⋅ R L (VI.68)
VI Analoge Verstärker 387

Die betriebliche Stromverstärkung der Source-Schal- Bei niedrigen Frequenzen ergibt sich näherungs-
tung läßt sich mit Gleichung IV.29 für niedrige Fre- weise:
quenzen bei rein ohmscher Last berechnen.
Ausgangsleitwert ya ≈ gds (VI.76)
S ⋅ GL
Stromverstärkung (NF) Vi = (VI.69) Der Ausgangsleitwert läßt sich aus den Kennlinien
g gs ( g ds + G L ) zum Beispiel nach Bild VI-33 ermitteln.
Mit gds << GL gilt dann: Die wesentlichen Merkmale der Source-Schaltung im
NF-Betrieb sind der geringe Eingangsleitwert, die
S große Spannungsverstärkung bei hochohmigem Last-
Stromverstärkung (NF) Vi ≈ (VI.70)
g gs widerstand, die große Stromverstärkung und mittlere
Werte für den Ausgangsleitwert.
Da der Leitwert ggs sehr klein ist, ergibt sich rein
rechnerisch eine große Stromverstärkung bei tiefen AC-Eingangswiderstand
Frequenzen. Bei hohen Frequenzen bewirken die Rein ≈ RV 储 rgs oder Rein ≈ RB 储 rgs
kapazitiven Elemente des Ersatzschaltbildes eine
Reduzierung der Stromverstärkung. da
Der AC-Eingangswiderstand Rein ist derjenige Wider- rgs >> RV oder rgs >> RB
stand, mit dem die Verstärkerschaltung die Signal- gilt folgende Näherung:
quelle belastet. Der komplexe Eingangsleitwert yi der
Rein ≈ RV oder Rein ≈ RB
Source-Schaltung läßt sich nach Gleichung IV.30
berechnen. Es ergibt sich folgende Vereinfachung: AC-Ausgangswiderstand
Eingangsleitwert yi Raus ≈ RD 储 rds
y i = g gs + g gd + jwC iss − ( g gd + jwC rss ) ⋅ Vu (VI.71) da
rds >> RD
Es ist erkennbar, daß sich der kapazitive Anteil des
Eingangsleitwertes bei größeren Werten für die gilt folgende Näherung:
Spannungsverstärkung beträchtlich erhöht, wodurch Raus ≈ RD
die obere Grenzfrequenz erheblich reduziert wird. Bei
Annahme eines rein ohmschen Generatorleitwertes Obwohl eine AC-Gegenkopplung die Spannungsver-
Gg ergibt sich folgender Zusammenhang: stärkung mindert, wird sie häufig angewendet, da
obere Grenzfrequenz sie die Source-Schaltung positiv beeinflußt. Die
AC-Gegenkopplung bewirkt eine Verbesserung des
g gs + G g + g gd ( 1 − Vu ) Frequenzganges und der Stabilität. Außerdem erge-
fo = (VI.72)
2 p [ C gs + C gd ( 1 − Vu ) ] ben sich geringere nichtlineare Verzerrungen des
Signals.
Die kapazitive Rückwirkung über den Kondensator Um nicht die volle Gleichstrom-Gegenkopplung für
Cgd bewirkt also die niedrige Grenzfrequenz der Wechselsignale wirksam werden zu lassen, benutzt
Source-Schaltung. Der komplexe Generatorleitwert man häufig eine Schaltung nach Bild VI-43. Hier
Yg läßt sich als Parallelschaltung ZS 储 RB berechnen. wird eine Strom-Spannungs-Gegenkopplung durch
Bei niedrigen Frequenzen ist der Eingangsleitwert
rein reell und sehr klein
UB
Eingangsleitwert R1 RD
⎛ S − g gd ⎞ CA
y i = g gs + g gd ⎜ 1 + ⎟ (VI.73) D
⎝ g ds + g gd + G L ⎠ CE G
S
und kann in vielen Fällen näherungsweise gelten als
R S′ Bild VI-43
Eingangsleitwert yi ≈ ggs (VI.74) ua
ue Verstärker-
Der AC-Ausgangswiderstand Raus ist derjenige Wider- R2 schaltung mit
CS einstellbarer
stand, der als Innenwiderstand der Verstärkerstufe für RS
einen Lastwiderstand wirksam ist. Der komplexe Wechselstrom-
Ausgangsleitwert ya der Source-Schaltung läßt sich Gegenkopplung
nach Gleichung IV.31 berechnen.
Ausgangsleitwert einen Sourcewiderstand R′S bewirkt. Die kapazitiven
Elemente des Ersatzschaltbildes können bei niedrigen
jwC rss ( S − jwC rss )
y a = g ds +jwC oss + (VI.75) Frequenzen vernachlässigt werden. Bei ohmscher
g gs + jwC iss + Yg Last ergibt sich dann folgende Gleichung:
388 Elektronik

Spannungsverstärkung (NF) Da das Sourcepotential dem Gatepotential folgt (ua =

−S ue – ugs), wird die Drainschaltung auch Sourcefolger
Vu′ ≈ (VI.77) genannt.
G L + g ds + RS′ G L ( S + g ds )
Bei großer Steilheit S und einem großen Source- UB
IDA
widerstand R′S wird die Verstärkung nur durch das
R1
Verhältnis der Widerstände RL und R′S bestimmt. D
CE
Spannungsverstärkung (NF) CA
Bild VI-44
G S
J-FET als
R
Vu′ ≈ − L (VI.78) ue Verstärker-
RS′ ua bauelement
R2 RS
Der Ausgangswiderstand des Transistors wird durch in Drain-
die „stabilisierende Wirkung“ des Gegenkopplungs- Schaltung
widerstandes erhöht. Angenähert ergibt sich für den
Ausgangswiderstand des Transistors folgender Wert: Nimmt man nun Gleichung IV.28 in Verbindung mit
Ausgangswiderstand dem Grundersatzschaltbild, so ergibt sich die betrieb-
liche Spannungsverstärkung der Drain-Schaltung.
1
= ra′ ≈ rds (1 + S ⋅ RS′ ) Spannungsverstärkung
y a′
S + g gs + jw ( C iss − C rss )
Der Wert in der Klammer ist die Kreisverstärkung in Vu =
S + g gs + g ds + jw ( C iss + C oss − 2 C rss ) + YL
der Gegenkopplungsschleife.
Wie in Verstärkerschaltungen mit bipolaren Tran- (VI.79)
sistoren wird die untere Grenzfrequenz durch die Die Spannungsverstärkung der Drain-Schaltung ist
Widerstände und Kapazitäten (Hochpässe) in den immer kleiner als Eins. Da die Kapazitäten im NF-
Ein- und Ausgangskreisen bestimmt. FETs sind Bereich vernachlässigt werden können, vereinfacht
gleichstromsteuernde Bauelemente und haben keinen sich die Gleichung VI.79 bei rein ohmscher Last
Einfluß auf die untere Grenzfrequenz fu. erheblich.
Die Kapazitätwerte für CE und CA lassen sich berech- Spannungsverstärkung (NF)
nen nach folgenden Gleichungen.
S + g gs
Koppelkondensatoren Vu = (VI.80)
S + g ds + g gs + G L
1
CE = Das AC-Ersatzschaltbild zur Drain-Schaltung nach
2 p ⋅ fu ( RB + Z S )
Bild VI-44 zeigt Bild VI-45. Der Leitwert GL ist hier
1 der Ersatzleitwert für RA 储 RS . Sind S und GL sehr viel
CA =
2 p ⋅ fu ( RD + Z A ) größer als ggs und gds, kann die Gleichung VI.93
Jeder Hochpaß in der Verstärkerschaltung bewirkt bei weiter vereinfacht werden. Analog zur Source-
der unteren Grenzfrequenz eine Absenkung der Schaltung läßt sich auch die Stromverstärkung der
Verstärkung um 3 dB. Soll in jeder Verstärkerstufe Drain-Schaltung ermitteln.
insgesamt nur eine Absenkung von 3 dB zugelassen
sein, müssen die Kondensatoren 1,7mal so groß wie cgs
berechnet gewählt werden. g i1 ggs i2 d
Der Sourcekondensator, der die Gegenkopplung für ZS ue cgd (ue-ua) ua
die Signale aufheben soll, kann nach folgender Glei- ggd cds ZA
uS R1 R2 g
S(ue-ua) ds
RS
chung berechnet werden:
s s
S
CS = Bild VI-45 AC-Ersatzschaltbild zur Drain-Schaltung
2p ⋅ fu

2.2.2 Drainschaltung Wie bei der Source-Schaltung läßt sich auch der
Die Schaltung nach Bild VI-44 zeigt einen J-FET als komplexe Eingangsleitwert der Drain-Schaltung
Verstärker in einer Drain-Schaltung. Hier darf der ermitteln. Für den NF-Bereich und bei rein ohmscher
Sourcewiderstand nicht durch einen Kondensator Last vereinfacht sich die Gleichung.
gebrückt werden, weil in dieser Schaltung das Aus- Eingangsleitwert (NF)
gangssignal am Sourcewiderstand abgegriffen wird.
g gs ( S + g gs )
Der Koppelkondensator CE verhindert eine Gleich- y i = g i = g gs + g gd − (VI.81)
stromkopplung mit dem Generator. S + g gs + g ds + G L
VI Analoge Verstärker 389

Sind S und GL sehr viel größer als ggs und gds, ergibt UB
sich mit ggd ≈ 0 eine weitere zulässige Vereinfa-
R1 RD
chung.
CA
Eingangsleitwert (NF)
D
g gs ⋅ G L G
yi = gi = (VI.82) S
S + GL
CE
Wiederum analog zur Source-Schaltung läßt sich ua
auch der komplexe Ausgangsleitwert der Drain-
Schaltung ermitteln. Für den NF-Bereich ergibt sich ue Bild VI-46
R2 RS
mit ggd ≈ 0 und bei rein ohmschem Generatorleitwert Gate-
CG
Gg diese Gleichung. Schaltung
Ausgangsleitwert (NF)
g gs ( G g − S ) Berechnung der Betriebsgrößen im Vergleich mit der
y a = g a = S + g ds + (VI.83) Vierpol-Ersatzschaltung möglich.
g gs + G g
Nimmt man nun Gleichung IV.28 in Verbindung mit
Der AC-Eingangswiderstand Rein ist derjenige Wider- dem Ersatzschaltbild, so ergibt sich die betriebliche
stand, mit dem die Verstärkerschaltung die Signal- Spannungsverstärkung der Gate-Schaltung.
quelle belastet.
AC-Eingangswiderstand cds
Rein ≈ RV 储 (1 + S ⋅ RS) rgs s i1 g ds i2 d
ue ggd
oder ZS cgs ua
RS ggs ZA
Rein ≈ RB 储 (1 + S ⋅ RS) rgs uS S*ue c
gd
RD

also: Rein ≈ RV oder Rein ≈ RB g g

Der AC-Ausgangswiderstand Raus ist derjenige Wider-
stand, der als Innenwiderstand der Verstärkerstufe für
einen Lastwiderstand wirksam ist.
AC-Ausgangswiderstand
Raus ≈ RS 储 1/S also: Raus ≈ 1/S
Die Drain-Schaltung ist vergleichbar mit der Kollek-
torschaltung von bipolaren Transistoren. Während der
Eingangswiderstand sehr groß ist, wird der Aus-
gangswiderstand klein. Im Gegensatz zur Kollektor-
schaltung ist der Ausgangswiderstand unabhängig
von Widerständen im Eingang.
Der Vorteil der Drain-Schaltung gegenüber der Sour-
ce-Schaltung ist der geringere Ausgangswiderstand.
Deshalb wird die Drain-Schaltung als Impedanz-
wandler und bei Verwendung eines Leistungs-FET
auch als Leistungsverstärker benutzt.
2.2.3 Gateschaltung
Bei der Gate-Schaltung nach Bild VI-46 liegt das
Eingangssignal zwischen Source und Gate, während
das Ausgangssignal zwischen Drain und Gate ab-
gegriffen wird.
Das Eingangssignal soll wieder von einer Signalquel-
le US mit dem komplexen Innenwiderstand ZS gelie-
fert werden. Belastet wird die Verstärkerstufe mit
dem komplexen Abschlußwiderstand ZA.
Das AC-Ersatzschaltbild nach Bild VI-47 zeigt
die Besonderheiten dieser Schaltung und macht die
Bild VI-47 AC-Ersatzschaltbild zur Gate-Schaltung
nach Bild VI-46
Spannungsverstärkung
S + g ds + jwC ds
Vu = (VI.84)
g gd + g ds + jw( C gd + C ds ) + YL
Im NF-Bereich können wiederum die kapazitiven
Leitwerte vernachlässigt werden, so daß sich bei rein
ohmscher Last und RL = RD 储 RA folgende Gleichung
ergibt.
Spannungsverstärkung (NF)
S + g ds
Vu = (VI.85)
g gd + g ds + G L
Sehr stark vereinfacht ergibt sich dann:
Vu(NF) ≈ S ⋅ RL
Bei niedrigen Frequenzen liegt die Stromverstärkung
bei ungefähr Vi ≈ – 1.
Der AC-Eingangswiderstand Rein ist derjenige Wider-
stand, mit dem die Verstärkerschaltung die Signal-
quelle belastet. In der Schaltung nach Bild VI-46
ist erkennbar, daß der Kondensator CG die Wider-
stände R1 und R2 des Gatespannungsteilers für Si-
gnale kurzschließt, so daß diese Widerstände im
AC-Ersatzschaltbild nach Bild VI-47 nicht mehr
erscheinen.
390 Elektronik

Eingangsleitwert reich des Ausgangskennlinienfeldes liegen, daß heißt,

y i = S + g gs + g ds + jw( C gs + C ds ) die Drain-Source-Spannung UDS darf nicht kleiner
sein als UDSP.
( g ds + jwC ds ) ( S + g ds + jwC ds ) Unter Vernachlässigung des Gatestroms ergibt sich
− (VI.86)
g gd + g ds + jw ( C gd + C ds ) + YL eine einfache Gleichung.
U B = U DS − U GS + R L ⋅ I L
Für den NF-Bereich sind die Kapazitäten wieder
vernachlässigbar. Die Gatespannung wird meistens in der Weise ge-
Eingangsleitwert (NF) wählt, daß der Arbeitspunkt in der Mitte der Steuer-
kennlinie liegt. Hier läßt sich auch ermitteln, welche
g ds ( G L − S + g gd ) Gate-Source-Spannung für einen bestimmten Last-
y i = g i = S + g gs + (VI.87)
g gd + g ds + G L strom IL bei vorgegebenem Sourcewiderstand er-
forderlich ist.
Analog dazu erhalten wir nun nach Gleichung IV.31
− U GS
den Ausgangsleitwert des FET. Laststrom I L = I D = (VI.90)
RS
Ausgangsleitwert
Bei vorgegebenem Ausgangsstrom darf der Last-
y a = g gd + g ds + jw( C gd + C ds ) widerstand einen bestimmten maximalen Wert nicht
( g ds + jwC ds ) ( S + g ds + jwC ds ) übersteigen.
− (VI.88)
S + g gs + g ds + jw( C gs + C ds ) + Yg maximaler Lastwiderstand
UB +UP
Für den NF-Bereich sind die Kapazitäten wieder R L max = (VI.91)
vernachlässigbar. IL
Ausgangsleitwert (NF) Bei konstanter Betriebsspannung der Schaltung läßt
g ds ( g ds + G g ) sich der Innenwiderstand dieser Konstantstromquelle
y a = g a = g gd + (VI.89) berechnen.
S + g gs + g ds + G g
Innenwiderstand ri = R S + rDS ( S ⋅ R S + 1) (VI.92)
Die wesentlichen Merkmale der Gate-Schaltung sind
ein großer Eingangs- und ein kleiner Ausgangsleit- Der Arbeitspunkt eines IG-FET wird nun in den
wert. Mit der Gate-Schaltung ist die höchste Grenz- ohmschen Bereich der Ausgangskennlinie gelegt und
frequenz aller Grundschaltungen zu erreichen. Sie so die Drain-Source-Strecke als spannungsgesteuer-
wird darum fast ausschließlich bei hohen Frequenzen ter Widerstand betrieben. Mit Hilfe der Gate-Source-
verwendet. Spannung läßt sich dieser Widerstand zwischen
Werten von einigen Ohm bis in den Megaohm-
Bereich hinein nahezu leistungslos variieren. Da die
2.3 Weitere Anwendungen
ID-UDS-Kennlinien des FET aber nur für kleine Werte
Konstantstromquellen sind Schaltungen mit einem von UDS annähernd linear verlaufen, sind die Anwen-
sehr hochohmigen Innenwiderstand, die in einem dungsmöglichkeiten sehr eingeschränkt.
größeren Spannungsbereich nahezu gleichbleibende Wird ein Festwiderstand RV nach Bild VI-49 in Reihe
Ströme zur Verfügung stellen. Mit selbstleitenden zum Drain-Source-Widerstand eines J-FET geschal-
Feldeffekt-Transistoren lassen sich solche Konstant- tet, entsteht ein Spannungsteiler, der sich leicht be-
stromquellen besonders einfach realisieren. rechnen läßt.
Bei der Spannung UGS = 0 V fließt durch einen J-FET
der maximale Drainstrom. In der Schaltung nach UB
Bild VI-48 läßt sich die Gate-Source-Spannung mit
Hilfe des Sourcewiderstandes RS variieren und damit RV
wiederum der Ausgangsstrom IL veränderbar gestal-
ten. Der Arbeitspunkt des FET muß im Abschnürbe-
rDS Bild VI-49
UDS ≥ UDSP U DS J-FET als
RS IL –UGS
spannungsgesteuerter
Widerstand
UGS rDS
UC UL RL Spannungsteiler U DS = U GS ⋅ (VI.93)
RV + rDS

Der geringste Widerstand der Drain-Source-Strecke

ergibt sich, wenn die Steuerspannung UGS = 0 V ist.
Bild VI-48 Konstantstromquelle mit J-FET Damit ergibt sich eine interessante Kenngröße (mit b
VI Analoge Verstärker 391

als Materialkonstante), der minimale Drain-Source- Im Vergleich zum bipolaren Transistor weist der FET
Widerstand. beim Einsatz als Schalter einige Vorteile auf:
minimaler Drain-Source-Widerstand – nahezu leistungslose Steuerung aufgrund des
1 hohen Eingangswiderstandes
rDS (on) = − (VI.94) – Drainstrom sehr gering im gesperrten Zustand
b ⋅ UP
– für integrierte Schaltungstechnik aufgrund der
Der Widerstand der Drain-Source-Strecke läßt sich einfachen Herstellung und geringen Abmessungen
auch in der folgenden Form angeben: gut geeignet
– selbstsperrende IG-FET für digitale Logikschal-
Drain-Source-Widerstand
tungen besonders geeignet, da die einzelnen Schal-
rDS (on)
rDS = (VI.95) terstufen direkt gleichstrommäßig gekoppelt wer-
U den können
1 − GS
UP – gutes dynamisches Schaltverhalten, da nur Majori-
tätsträger am Strom beteiligt sind.
Durch eine Rückkopplung zwischen Drain und Source
wird die vorhandene Nichtlinearität weitgehend auf- Die Schaltung nach Bild VI-51 zeigt einen selbstsper-
gehoben, wenn eine Spannung UGS gewählt wird, die renden N-Kanal-IG-FET als Schalter im Serienbe-
sich zur Hälfte aus der Steuerspannung USt am Ein- trieb. Solange die Eingangs- oder Steuerspannung UE
gang und der Spannung UDS zusammensetzt. kleiner ist als die Schwellenspannung UGS (TO), befin-
det sich der FET im gesperrten Zustand und auf der
I Arbeitsgeraden im Arbeitspunkt AP1. In diesem
Zustand fließt nur der sehr geringe Drainstrom ID (Off),
ID wobei der Gleichstromwiderstand RDS (Off) und der
Bild VI-50
R differentielle Widerstand rDS (Off) etwa den gleichen
Selbstleitender
R UDS IG-FET als Wert (109 – 1011 W) haben.
spannungs-
USt UGS ID Bild VI-52
gesteuerter
Widerstand mA Ausgangskennlinienfeld
Abschnürgrenze eines IG-FET
Eine entsprechende Schaltung mit einem selbstleiten- mit Arbeitsgerade
den IG-FET zeigt Bild VI-50. AP2
UB
Für die Drain-Source-Strecke ergibt sich RDS als RL
rDS (on) ID(On)
RDS = rDS =
U St
1− UGS
2 ⋅ UP
AP1
Damit errechnet sich der gesteuerte Widerstand RSt. UGS = 0V
gesteuerter Widerstand ID(Off) UB UDS
UDS(On)
1 V
RSt = ≈ rDS (VI.96)
U St
1− Überschreitet die Eingangsspannung die Schwellen-
⎛U ⎞ U DS
b ⎜ St − UP ⎟ + spannung, so verschiebt sich der Arbeitspunkt an der
⎝ 2 ⎠ 2R Arbeitsgeraden entlang zu größeren Drainstromwer-
ten. Bei einer ausreichenden Eingangsspannung stellt
Wählt man die Widerstände R sehr hochohmig, kann sich der Arbeitspunkt AP2 im ohmschen Bereich des
der Strom I vernachlässigt werden und der Nähe- Kennlinienfeldes nach Bild VI-52 ein. Es fließt nun
rungswert aus Gleichung VI.96 wird gültig. ein Drainstrom ID (On), da die Drain-Source-Strecke
relativ niederohmig ist, wobei auch hier der Gleich-
UB stromwiderstand RDS (Off) und der differentielle Wider-
stand rDS (Off) etwa den gleichen Wert (10 bis einige
RL 100 W) haben.
Schalterstufen erhalten für die Integration besonders
günstige Eigenschaften, wenn man als Lastwider-
D Bild VI-51 stand ebenfalls einen IG-FET verwendet, der gegen-
G Selbstsperrende
S UA sinnig zum eigentlichen Schalttransistor besteuert
N-Kanal-IG-FET wird. Das wird sehr einfach, wenn man für Steuer-
UE
als Schalter und Last-FET komplementäre Systeme verwendet
im Serienbetrieb (C-MOS-Technik). Wird der eigentliche Schalttran-
392
UB
V1
V2
UE UA Bild VI-53
Schalttransistor in
C-MOS-Technik
sistor V2 nach Bild VI-53 leitend, so wird der Last-
transistor V1 gesperrt. Der Lasttransistor V1 ist also
bei Einschaltung sehr hochohmig, was im Hinblick
auf einen geringen Leistungsverbrauch in integrierten
Schaltkreisen vorteilhaft ist. Die Schaltung nach
Bild VI-53 stellt einen Inverter mit komplementären
IG-FET dar.
3 Mehrstufige Verstärker
Obwohl integrierte Schaltkreise (IC = integrated cir-
cuits) die bisherigen diskreten Schaltungen und
Transistoren immer mehr verdrängen, werden die
Transistoren auch in Zukunft noch in vielen elektro-
nischen Schaltungen eine erhebliche Bedeutung
behalten.
Dieses gilt insbesondere auch für die Lösung von
Anpassungsproblemen an Ein- und Ausgängen von
integrierten Schaltkreisen sowie für die Leistungsver-
stärker.
Ein Verstärker besteht einerseits aus einer oder meh-
reren Vorstufen, die hauptsächlich zur Spannungsver-
stärkung und eventuell zur Signalbeeinflussung (zum
Beispiel Klangregelung) dienen. Andererseits besteht
er aus einem Leistungsverstärker, der mit einem
Eingangssignal hoher Spannungsamplitude angesteu-
ert wird und dessen Aufgabe es ist, vor allem eine
Leistungs- oder Stromverstärkung vorzunehmen.
Der Leistungsverstärker selbst kann aus einer oder
mehreren Treiberstufen und einer Endstufe bestehen.
Treiberstufen haben die Aufgabe, die zum Ansteuern
der Endstufe notwendige Steuerleistung zur Verfü-
gung zu stellen. Um eine optimale Leistungsübertra-
gung zu gewährleisten, sollte zwischen Treiber- und
Endstufe eine Leistungsanpassung vorliegen. Das be-
deutet, daß der Eingangswiderstand der Endstufe gleich
dem Ausgangswiderstand der Treiberstufe sein sollte.
Es nicht ohne weiteres möglich, zwei Verstärkerstu-
fen miteinander zu koppeln, da die Gleichspannungs-
potentiale der miteinander zu koppelnden Schal-
tungspunkte nicht übereinstimmen.
Die Kopplung hat die Aufgabe, Signalspannungen
vom Ausgang der einen Stufe möglichst unverfälscht
auf den Eingang der nachfolgenden Stufe zu übertra-
gen.
Dabei ist grundsätzlich zwischen drei Kopplungs-
arten zu unterscheiden: Übertragerkopplung, kapazi-
tive Kopplung (RC-Kopplung) und galvanische Kopp-
lung (Gleichstromkopplung).
Elektronik
Die Übertragerkopplung, also die Signalübertragung
von einer Stufe zur nächsten mit Hilfe eines „Trans-
formators“, hat in der modernen Elektronik kaum
noch eine Bedeutung. Das gilt auch für die Gleich-
stromkopplung in der diskreten Schaltungstechnik.
Eine Gegenkopplung über zwei Stufen hinweg läßt
sich jedoch nur bei der galvanischen Kopplung reali-
sieren.
In Operationsverstärkern (OpAmp) ist die galvani-
sche Kopplung wichtigstes Prinzip.
Die kapazitive Kopplung nach Bild VI-54 ist wohl die
problemloseste Kopplungsart. Aber während bei einer
galvanischen Kopplung zwischen zwei Verstärkerstu-
fen sowohl Gleichspannungs- als auch Wechselspan-
nungssignale übertragen werden, können hier nur
Wechselspannungen übertragen werden.
UB
R1 RC1 R3 RC2
CK3
CK2
CK1 V2
V1
ua
ue CE CE
R2 R4
RE RE
Bild VI-54 Kapazitive Kopplung zweier
Transistorstufen
Die Kopplung der einzelnen Stufen erfolgt mit Hilfe
eines Koppelkondensators CK2, während die Stufen
des Verstärkers gleichstrommäßig voneinander unab-
hängig sind. Daher können die Arbeitspunkte jeder
Stufe getrennt voneinander eingestellt werden.
Die untere Grenzfrequenz des Verstärkers hängt we-
sentlich von dem RC-Glied (Hochpaß) ab, das durch
den Koppelkondensator und den Eingangswiderstand
Rein der nachfolgenden Stufe sowie den Ausgangs-
widerstand Raus der vorausgehenden Stufe nach
Bild VI-55 gebildet wird.
CK
ue r R C1 rBE2
CE1 R3 R4
Raus Rein
Bild VI-55 Koppelkondensator in Wechselwirkung
zwischen Ein- und Ausgangswiderstand
Der Koppelkondensator CK muß so bemessen sein,
daß Wechselspannungen bei der unteren Grenzfre-
quenz noch ungehindert auf die nächste Stufe über-
tragen werden. Die Grenzfrequenz des Hochpasses ist
gleich der unteren Grenzfrequenz fgu des Verstärkers,
wenn CK die einzige beeinflussende Kapazität dar-
VI Analoge Verstärker 393

stellt. Damit läßt sich die Kapazität des Koppelkon- UB

densators berechnen.
R1 RC1 RC2
Koppelkondensator
R3
1
CK = (VI.97)
2p f gu ( Raus + Rein ) V1 V1

Die wirksamen Widerstände lassen sich nach ue ua

Bild VI-63 als Parallschaltung berechnen. Die Nenn- R2 R4
spannung dieses Koppelkondensators ergibt sich aus
der Differenz der Ruhepotentiale des Kollektors von
V1 und der Basis von V2. Bild VI-57 Potentialanpassung durch
Je niedriger die untere Grenzfrequenz sein soll, um so Spannungsteiler
größer muß die Kapazität des Koppelkondensators
sein. Wenn die Potentiale des Kollektors von V1 und der
Die untere Grenzfrequenz f ′gu eines mehrstufigen Basis von V2 jedoch nicht gleich sind, so kann
Verstärkers ist nicht identisch mit der unteren Grenz- man das Basisruhepotential von V2 über einen von
frequenz fgu der gleichartigen Teilverstärkerstufe. Für der Kollektor-Emitter-Spannung von V1 versorgten
einen vielstufigen Verstärker mit n identischen Stufen Spannungsteiler gewinnen.
gilt dann:
U BE2 R4
Grenzfrequenz f gu′ = f gu ( 2 ) ( n − 1 ) (VI.98) ≈
U CE1 R3 + R4
Es findet auch eine Minderung der Verstärkung bei Nachteilig ist jedoch, daß auch die Signalspannung
der oberen Grenzfrequenz f ′go statt, da sich die jewei- im Verhältnis der Spannungsteilerwiderstände R3
ligen Querkapazitäten summieren. Das bedeutet, daß und R4 nach Bild VI-57 herabgesetzt wird.
die Bandbreite B′ des Gesamtverstärkers kleiner ist Damit läßt sich die Gesamtverstärkung näherungs-
als die Bandbreite B der Teilverstärkerstufen. weise berechnen.
Bei der RC-Kopplung mehrerer Stufen kann für be-
stimmte Frequenzen eine große Phasenverschiebung Gesamtverstärkung
zwischen Ausgangs- und Eingangsspannung auf- DU BE2 R 4 rBE2
treten. Eine Gegenkopplung kann unter Umständen in Vu ges ≈ Vu 1 ⋅ = Vu 1 ⋅ (VI.99)
DU CE1 R3 + R 4 rBE2
eine Mitkopplung verkehrt werden. Wesentlich gün-
stiger ist es, mehrere Transistoren galvanisch zu Der Arbeitspunkt der 1. Stufe nach Bild VI-58 wird
koppeln und alle Arbeitspunkte der Schaltung durch mit Hilfe des Widerstandes R2 für den A-Betrieb
eine einzige Gleichspannungs-Gegenkopplung zu eingestellt. Der Emitterwiderstand R4 sorgt für die
stabilisieren. thermische Arbeitspunktstabilisierung infolge der
Diese direkte Kopplung nach Bild VI-56 ist jedoch Stromgegenkopplung. Da der R4 nicht durch einen
nur möglich, wenn die Potentiale des Kollektors von Emitterkondensator gebrückt ist, wirkt sich die
V1 und der Basis von V2 gleich sind. Stromgegenkopplung verstärkungsmindernd auf die
Der Nachteil mehrstufiger Verstärker mit direkter Wechselspannung aus. Arbeitspunktverschiebungen
Kopplung liegt darin, daß sich geringe Arbeitspunkt- infolge Temperaturänderung werden an die 2. Stufe
verschiebungen der ersten Stufe verstärkt auf die weitergegeben.
nachfolgende(n) Stufe(n) auswirken. Temperaturän- Zur Verbesserung der Aussteuerbarkeit der 2. Stufe
derungen oder Bauteiltolerenzen bei Ersatzbestü- wird deren Arbeitspunkt durch den Spannungsteiler
ckung können dafür verantwortlich sein. aus R3 und R5 auf den gleichen Arbeitspunkt wie die
1. Stufe eingestellt. Der Verlust von Signalspannung
UB
RC2 UB
R1 RC1 R1 R C1 RC2
CK2
CK2 R3 CK2
CK1
V2
V1 V1 V2
ua
ue CE ue CE ua
RE R2 R4 R5 R6

Bild VI-56 Direkte Kopplung zweier Bild VI-58 Optimierung der Arbeitspunkte durch
Transistorstufen Potentiometer
394 Elektronik

am Widerstand R5 ist in dieser Variante nicht zu Es gilt

vermeiden.
Die Gesamtverstärkung ist relativ klein, weil die am
Ausgang der 1. Stufe liegende Signalspannung u.a.
durch den Spannungsteiler und den kleinen Eingangs-
widerstand der 2. Stufe stark herabgesetzt wird.
Die Herabsetzung der Signalspannung durch das
Koppelglied kann vermieden werden, wenn man
einen der beiden Spannungsteilerwiderstände R3 und
R4 durch ein Bauelement ersetzt, dessen Wechsel-
stromwiderstand (differentieller Widerstand) sich von
seinem Gleichstromwiderstand wesentlich unter-
scheidet.
DU CE1 ≈ DU BE2
In beiden Fällen wird also die Signalspannung durch
das Koppelglied nur unwesentlich herabgesetzt.
Allerdings sind diese Schaltungen aufwendiger. Sie
sollten wegen des besonders hohen Aufwandes für
das Koppelglied nur bei hohen Anforderungen an
geringes Rauschen verwendet werden.
Die genannten Nachteile lassen sich weitgehend ver-
meiden, wenn man den zweistufigen Verstärker mit
komplementären Transistoren aufbaut, wie die Schal-
tung nach Bild VI-61 zeigt.

UB
UB C1
R1 RC1 R4
R1 RC1 R C2
V3
CK1 V2
V1 V2 V1 CK2
ua
ue ue ua
R2 R4 R2 R3 R5

Bild VI-59 Potentialanpassung durch Bild VI-61 Zweistufiger Verstärker mit

Spannungsteiler mit Z-Diode komplementären Transistoren

Es erfolgt wie gewünscht eine Herabsetzung des Beide Transistoren arbeiten auch hier in Emitter-
Gleichspannungspotentials, jedoch keine Herabset- schaltung. Mit den Widerständen R2 und R4 werden
zung der Signalspannung. die Arbeitspunkte so eingestellt, daß beide Stufen im
Nun bestehen zwei Möglichkeiten: A-Betrieb arbeiten, so daß jeweils ein größtmöglicher
Aussteuerbereich vorhanden ist. Mit dieser Schaltung
– man ersetzt R3 durch ein Bauelement mit niedri-
läßt sich eine höhere Verstärkung erreichen.
gem differentiellen Widerstand oder
Bei mehrstufigen Verstärkern wird neben der gleich-
– man ersetzt R4 durch ein Bauelement mit hohem
strommäßigen Gegenkopplung auch eine zusätzliche
differentiellen Widerstand.
wechselstrommäßige Gegenkopplung über mehrere
In beiden Fällen ist das Spannungsteilerverhältnis Stufen verwendet.
wechselstrommäßig wesentlich günstiger als bei einer Eine Gegenkopplung liegt vor, wenn ein Teil der
Kopplung mit ohmschem Spannungsteiler. Für die Signalspannung am Ausgang des Verstärkers ge-
erste Möglichkeit bieten sich Dioden und Z-Dioden genphasig, daß heißt mit einer Phasenverschiebung
an, die nach Bild VI-59 integriert werden. von 180° auf den Eingang des Verstärkers zurückge-
Bei der zweiten Möglichkeit wird der Widerstand R4 führt wird. Solange diese Phasenbedingung eingehal-
durch eine Transistorkonstantstromquelle in Bild ten wird, kann die Rückkopplung über eine Stufe
VI-60 ersetzt. oder auch über mehrere Stufen erfolgen. Die Verstär-
kerkennlinie wird linearisiert. Dadurch werden die
sonst auftretenden Verzerrungen verringert.
UB
Bei der Schaltung nach Bild VI-62 handelt es sich um
R1 RC1 R5 RC2 einen zweistufigen NF-Verstärker mit galvanischer
R3 Kopplung beider Stufen. Für Wechselspannungen
V2 arbeiten die Transistoren V1 und V2 in Emitterschal-
V1 V3 tung ohne Gegenkopplung. Die Widerstände R1 und
ua RE dienen der Arbeitspunkteinstellung und -stabili-
ue sierung. RE bewirkt eine Gleichstromgegenkopplung
R2 R4 RE für den Transistor V2. Für Gleichspannungen arbeitet
V2 bezüglich seines Emitterpotentials als Emitterfol-
ger. Bei Vernachlässigung von UBE2 ist damit sein
Bild VI-60 Potentialanpassung durch Emitter-DC-Potential gleich dem Kollektor-DC-
Transistorkonstantstromquelle Potential von V1.
VI Analoge Verstärker 395

UB
RC1 RC2
CK2
u1
CK1 V2 Bild VI-62 R1 u2
V1 Zweistufiger u1
R1 ua NF-Verstärker uk R2
ue mit
CE galvanischer
RE
Kopplung und
Gegenkopplung
Bild VI-64 Prinzip der Spannungs-Spannungs-
Über den Widerstand R1 ist der Transistor V1 für DC Gegenkopplung
voll gegengekoppelt. Aufgrund des Kondensators CE
ist der Verstärker für Wechselgrößen nicht gekop-
UB
pelt.
R C1 RC2
CK2

i1 R1
u2
V2
ik V1
RK ua
u1 RN u2 ue
u1 R E1 RE2
R2

Bild VI-65 Schaltung mit Anwendung der

Bild VI-63 Prinzip der Strom-Strom- Spannungs-Spannungs-Gegenkopplung
Gegenkopplung
Die Ausgangswechselspannung u2 wird über den
Widerstand R1 auf den Emitter von V1 zurückgekop-
Das Prinzip der Strom-Strom-Gegenkopplung läßt
pelt. Das zur Emitterwechselspannung uk phasenglei-
sich anhand des in Bild VI-63 dargestellten Regel-
che Signal u2 vergrößert uk, so daß auch die Ein-
kreises unter Beachtung der Schaltung nach Bild
gangswechselspannung u1 größer werden muß. Die
VI-62 nachvollziehen. Eine Erhöhung des Emitter-
Gesamtverstärkung wird allerdings kleiner. Die
stroms von V2 bewirkt eine Erhöhung des Span-
Schaltung nach Bild VI-65 gibt dieses Prinzip der
nungsabfalles an RE, wodurch das Basisruhepotential
Spannungs-Spannungs-Gegenkopplung wieder.
von V1 größer wird. Dadurch wird der Basisstrom
Kombiniert man beide Gegenkopplungsverfahren mit-
von V1 erhöht, was zu einer Erhöhung des Kollek-
einander, ergibt sich die Schaltung nach Bild VI-66.
torstroms von V1 führt. Damit senkt sich das Basis-
Der Emitter von V1 liegt nun nicht mehr auf Null-
ruhepotential von V2; der Transistor V1 wird weni-
potential. Die Gleichspannung an RE1 ist jedoch
ger leitend und der Emitterstrom von V2 verringert
vernachlässigbar klein, wenn man diesen Widerstand
sich.
genügend klein und RK genügend groß wählt.
Bei galvanisch gekoppelten Verstärkerstufen sind die
Transistoren direkt oder über ohmsche Widerstände
miteinander verbunden. Alle Arbeitspunkte werden UB
durch eine einzige Gleichspannungsgegenkopplung RC1 RC2
stabilisiert. CK2
Durch eine wechselstrommäßige Gegenkopplung Bild VI-66
können die Eigenschaften des Verstärkers weiter V2 Zweistufiger
verbessert werden. Bei geeigneter Dimensionierung V1 NF-Verstärker
kann zum Beispiel die Spannungsverstärkung weit- RK mit galvani-
gehend unabhängig von den Transistordaten und ua scher Kopp-
deren Streuung gemacht werden. Hierbei wird häufig ue R1
lung und
eine Spannungs-Spannungs-Gegenkopplung verwen- CE doppelter
det. In Bild VI-64 wird das Grundprinzip der Span- R E1 R E2
Gegenkopp-
nungs-Spannungs-Gegenkopplung dargestellt. lung
396 Elektronik

Diese beiden Widerstände sind für die AC-Gegen- NF-Verstärker werden häufig in integrierter Schal-
kopplung zuständig, während R1 und RE2 für die tungstechnik (IC) hergestellt. Es handelt sich dabei
DC-Gegenkopplung über beide Stufen hinweg sor- um galvanisch gekoppelte Verstärkerstufen, wobei
gen. die Gesamtverstärkung und der Frequenzgang häufig
Die Gegenkopplung hat aber auch einen wesentlichen nur durch eine äußere Beschaltung beeinflußt werden.
Einfluß auf die Bandbreite des Verstärkers. So wird Ein Beispiel für einen solchen NF-Verstärker ist der
die Bandbreite um so größer, je stärker die Verstär- IC TAA 370 in Bild VI-68.
kung Vu durch die Gegenkopplung auf V u′ verkleinert
wird. Dies ist besonders bei Breitbandverstärkern von 10 1
Bedeutung. 6
8 +UB
Macht man nun die AC-Gegenkopplung sehr stark
b2 ⋅ RC2/RK >> 1, so vereinfacht sich die Gleichung
weiter. 4
A
RK 9 3
Spannungsverstärkung Vu′ ≈ (VI.100) E
RE1 2
TAA 370 0V
In Anlehnung an die Schaltung nach Bild VI-61 kann
auch eine Schaltung nach Bild VI-67 verwendet 7 5
werden, in der Komplementärtransistoren miteinan-
der verschaltet sind. Der Spannungsabfall am Bild VI-68 Innenbeschaltung des IC TAA 370
Widerstand RC1 stellt die Basis-Emitter-Spannung
UBE2 für V2. Der Widerstand R3 stellt die DC- Als Schaltungsbeispiel (application) ist in Bild VI-69
Gegenkopplung dar. Die Reihenschaltung aus R4 und ein Hörgeräteverstärker dargestellt. Die Ausgangslei-
C4 verringert die Gegenkopplung für Wechselspan- stung der Schaltung beträgt P = 1,5 mW, wobei sich
nungen. die Verstärkung und damit die Lautstärke mit dem
Potentiometer R1 einstellen läßt.
UB UB
R1 RC1 R2
RL
CK1 C5
V2 ZL
8 10 6 4
V1 CK2 TAA 370
R3 9 5 7 2 1 3
ue R2 R4 R C2
ua R4

C1 C2 C3 Bild VI-69
C4 C4 Hörgeräteverstärker
R3 als Application
des TAA 370
Bild VI-67 Zweistufiger NF-Verstärker mit
Komplementärtransistoren
UB = + 1,3 V, R1 = 25 kW, R2 = 5 kW, R3 = 1,5 kW,
Diese Schaltungskombination ermöglicht oft eine R4 = 120 kW, C1 = 0,47 mF, C2 = 22 nF, C3 = C4 =
einfachere Potentialanpassung. 1 mF; C5 = 2,2 mF, RL = 100 W, ZL = 300 W
VII Endstufen
VII Endstufen
1 Betriebsarten
Um möglichst große Leistungen an einen Verbrau-
cher, wie zum Beispiel einen Lautsprecher, abgeben
zu können, braucht man Endstufen. Das sind Ver-
stärkerschaltungen, bei denen eine möglichst große
Signalleistung im Vordergrund steht, während die
Spannungsverstärkung nur eine Nebenrolle spielt.
Da große Leistungen selbstverständlich auch große
Spannungen und Ströme bedeuten, werden die Tran-
sistorkennlinien in den Endstufen voll durchgesteuert.
Eine nicht völlig lineare Kennlinie führt dabei zu
Verzerrungen des Ausgangssignales.
Bei Leistungsverstärkern können verschiedene Arbeits-
punkte auf der Arbeitsgeraden gewählt werden. Man
unterscheidet dann Verstärker im A-Betrieb, Verstärker
im B-Betrieb und Verstärker im AB-Betrieb.
Bisher wurde der Arbeitspunkt immer in die Mitte
des geradlinigen Kennlinienfeldes gelegt. Diese Be-
triebsart nennt man A-Betrieb. Für die Arbeitspunkt-
einstellung ist die Vorspannung UBEA erforderlich,
aus der ein Basis-Ruhestrom IBA beziehungsweise ein
Kollektor-Ruhestrom ICA folgt. Der Transistor wird
dabei durch beide Halbwellen des Steuersignals
ausgesteuert. Die Ruheströme fließen aber auch,
wenn die Signalspannung Null ist.
Bei diesen im A-Betrieb arbeitenden Verstärkern
werden beide Halbwellen einer sinusförmigen Signal-
spannung mit einem einzigen Transistor verstärkt.
Man spricht deshalb auch von einem Eintakt-Betrieb.
Beim B-Betrieb wird der Transistor ohne Vorspan-
nung UBE betrieben. Der Basisstrom und der Kollek-
torstrom sind Null, wenn die Signalspannung Null ist.
Daraus folgt, daß der Transistor nur eine Halbwelle
einer Wechselspannung verstärken kann. Hierbei liegt
der Arbeitspunkt im unteren Kennlinienknick der
Steuerkennlinie. Die andere Halbwelle muß von
einem zweiten Transistor verstärkt werden. Man
spricht dann von einem Gegentakt-Betrieb, weil die
zwei Transistoren abwechselnd, nämlich im Takt der
positiven und negativen Halbwellen, im aktiven
Bereich arbeiten. Nach der Verstärkung werden die
beiden Halbwellen wieder zusammengefügt.
Da im B-Betrieb keine Ruheströme fließen, ist die
Verlustleistung des Verstärkers wesentlich geringer
als beim A-Betrieb, was kleinere Kühlkörper zur
Folge hat und Energie sparen hilft.
Um nichtlineare Verzerrungen zu mildern, bildet man
eine Synthese zwischen A- und B-Betrieb zum AB-Be-
trieb. Hierbei wird wie beim A-Betrieb durch eine
Basis-Vorspannung UBE ein Ruhestrom eingestellt, der
aber wesentlich geringer ist als beim A-Betrieb.
Die Vorspannung UBEA ist gerade so groß, daß sie die
Schleusenspannung der Basis-Emitter-Diode kom-
pensiert. Auch hier ist nur ein Gegentakt-Betrieb
sinnvoll.
397
IC
Bild VII-1
AB Lage der
B
Arbeitspunkte bei
AB-Betrieb B- beziehungsweise
t AB-Betrieb im Kenn-
B-Betrieb linienfeld
t
Sowohl Vorverstärker als auch Treiberstufen werden
hauptsächlich als A-Verstärker in Emitter- oder
Kollektorschaltung betrieben.
Bei großen Leistungen spielt der Wirkungsgrad eine
erhebliche Rolle. Gute Endstufen erreichen einen Wir-
kungsgrad von nahezu 70%. Die Verlustleistung der
Transistoren wird im Transistor in Wärme umgewan-
delt und muß an die Umgebungsluft abgegeben wer-
den. Wegen der relativ hohen Verlustleistung sind die
Endtransistoren meistens auf Kühlkörper montiert.
2 Schaltungen
Durch den ständig fließenden großen Ruhestrom tritt
bei A-Betrieb eines Leistungsverstärkers die größte
Verlustleistung auf, wenn der Verstärker nicht aus-
gesteuert wird. Der Wirkungsgrad einer solchen
Schaltung kann nicht größer als 50% werden.
Für Leistungsverstärker werden im allgemeinen Ver-
stärkerstufen in Kollektorschaltung (Emitterfolger)
verwendet, da sie einen hohen Eingangswiderstand
bei niedrigem Ausgangswiderstand aufweist. Eine
solche Kombination ist zur Speisung niederohmiger
Verbraucher wie Lautsprecher notwendig.
Die Schaltung nach Bild VII-2 zeigt einen Emitter-
folger mit gleich großen positiven und negativen
Betriebsspannungen, wie er überwiegend bei Audio-
Verstärkern verwendet wird.
Von Vorteil ist die einfache Arbeitspunkteinstellung
(keine zusätzlichen Widerstände erforderlich) und der
Fortfall der Koppelkapazitäten am Ein- und Ausgang.
Der Lastwiderstand RL steht symbolisch für den Laut-
sprecher.
+UB
V1
ue
ua RL
RE
–UB
Bild VII-2 Emitterfolger mit positiven und
negativen Betriebsspannungen
398 Elektronik

Infolge der Arbeitspunkteinstellung für A-Betrieb, Die Nachteile des A-Betriebes sind: kleiner linearer
also im linearen Teil der Eingangskennlinie, ergibt Aussteuerbereich, geringe Ausgangsleistung, kleiner
sich ein Basis-Ruhestrom IBA, ein Kollektor-Ruhe- Wirkungsgrad.
strom ICA und somit eine Kollektor-Emitter-Ruhe- Endstufen in A-Betrieb finden in der Praxis Verwen-
spannung UCEA ≈ UB. Damit läßt sich die Verlustleis- dung als Gegentakt-A-Endstufen bei sehr hochwerti-
tung im Transistor berechnen. gen Endstufen.
Transistorverlustleistung Im Ausgangskennlinienfeld nach Bild VII-1 ist er-
kennbar, daß die Amplitude des Ausgangssignals
U B2 bei B-Betrieb etwa die Größe der Betriebsspannung
PT = U CEA ⋅ I CA ≈ (VII.1)
RE UCE max = UB erreichen kann. Bei einer entsprechen-
den Ansteuerung kann jedoch nur eine Halbwelle des
Bei ue = 0 V ist die auftretende Verlustleistung Signals verstärkt werden.
gleichzeitig die maximale Transistorverlustleistung.
Die bei ue ≠ 0 V auftretende Verlustleistung ist stets
+U B Bild VII-4
kleiner. Die von den Betriebsspannungsquellen ge-
lieferte Gesamtleistung läßt sich ebenfalls nähe- Serien-Gegentakt-
rungsweise berechnen. Verstärker
V1
2U B2
Gesamtleistung Pges ≈ (VII.2)
RE
Diese Leistung ist völlig unabhängig von der Aus- ue ua
V2 RL
steuerung des Transistors. Die an den Lastwiderstand
abgegebene Ausgangsleistung hängt vom Wider-
standsverhältnis RE/RL ab.
–UB
U B2 RL
Ausgangsleistung PL = ⋅ (VII.3)
2 2( R L + R E ) 2
Dazu bedarf es eines neuen Schaltungskonzeptes.
Die Ausgangsleistung ist bei Leistungsanpassung Man schaltet nach Bild VII-4 zwei Transistoren
(RE = RL) maximal. gleichstrommäßig in Reihe (Serien-Gegentakt-Ver-
U2 stärker), wobei der eine ein npn- und der andere ein
maximale Ausgangsleistung PL max = B (VII.4) pnp-Transistor mit sonst identischen Daten (Kom-
8 RL
plementärtransistoren) ist. In dieser Schaltung wird
Die Transistorverlustleistung PT ist also 8mal so groß während der positiven Halbwelle des Eingangssignals
wie die maximale Ausgangsleistung. Die von den nur der npn-Transistor (V1) der Gegentakt-Endstufe
Betriebsspannungsquellen aufzubringende Leistung leitend. Es fließt ein Kollektorstrom durch den Last-
ist sogar 16mal so groß wie die maximale Ausgangs- widerstand mit der eingezeichneten Spannungsrich-
leistung. tung. Während der negativen Halbwelle der Ein-
Damit kann der Wirkungsgrad h dieser Schaltung gangswechselspannung wird der pnp-Transistor (V2)
berechnet werden. leitend, und es fließt ein Strom in entgegengesetzter
PL max Richtung durch den Lastwiderstand. Die beiden
Wirkungsgrad h = ≈ 6 , 25% (VII.5) einzeln verstärkten Halbwellen werden im Lastwider-
Pges
stand wieder zu einem Gesamtsignal zusammenge-
Bild VII-3 zeigt die Schaltung nach Bild VII-2 in der fügt.
üblichen vereinfachten Form. Durch die Krümmung Es fließt jedoch erst dann ein Kollektorstrom, wenn
der Kennlinien bei größeren Aussteuerungen entste- die Amplitude des Ansteuersignals größer ist als der
hen Verzerrungen. Schwellwert der Basis-Emitterdiode der Transistoren.
Das Ausgangssignal ist daher bei einem Gegentakt-B-
Verstärker im Bereich des Nulldurchganges, kleine
+UB
Eingangsspannungen vorausgesetzt, zwangsläufig
verzerrt. Bei größeren Eingangswechselspannungen
sind diese Übernahmeverzerrungen jedoch von unter-
V1
geordneter Bedeutung.
Beim AB-Betrieb wird der Arbeitspunkt nach Bild
ue VII-1 etwas in Richtung des A-Arbeitspunktes ver-
ua schoben. Um diesen Arbeitspunkt einzustellen, muß
RE RL an die Basis-Emitterdioden eine Basis-Vorspannung
Bild VII-3 UBE gelegt werden, so daß beide Transistoren schon
Emitterfolger in der ohne Ansteuerung geringfügig leitend sind. Die
–UB vereinfachten Form Schaltung nach Bild VII-5 zeigt die Prinzipschaltung
VII Endstufen 399

+U B Bild VII-5 Nachteile sind: Transistoren-Pärchen (Komplementär-

Prinzipschaltung eines Transistoren) erforderlich, gegenüber A-Betrieb grö-
V1 Gegentaktverstärkers ßere Verzerrungen bei kleiner Aussteuerung. Will
in AB-Betrieb man ohne Komplementär-Transistoren arbeiten, wird
UBE1
am Eingang für einen Transistor eine Phasenumkehr-
stufe benötigt.

UBE2 RL +U B
ue ua
R1
V2
V1
UBE1
–U B

eines Gegentaktverstärkers in AB-Betrieb mit den
beiden Gleichspannungsquellen UBE, die für die
Basisvorspannung erforderlich sind.
Da der Ruhestrom nicht gleich Null ist, verschlechtert
sich der Wirkungsgrad der Schaltung geringfügig.
Liegt bei dieser Variante eine Ansteuerung mit einer
kleinen Signalspannung vor, so ist die Verzerrung
deutlich kleiner. Der Verstärkungsvorgang erfolgt in
der gleichen Weise wie beim B-Betrieb.
Die maximale Ausgangswechselleistung, die mit
einem Gegentakt-B-Verstärker erreicht werden kann,
läßt sich mit folgender Überlegung bestimmen. Zwei
Emitterfolger im Gegentakt-B-Betrieb haben eine
doppelt so hohe Aussteuerbarkeit (± UB statt ± UB /2)
und damit eine 4mal so große Ausgangsleistung wie
ein Emitterfolger im A-Betrieb.
Die Ausgangsleistung ist bei Leistungsanpassung
(RE = RL) maximal.
U B2
max. Ausgangsleistung PL max = (VII.6)
2 RL
U B2
Transistorverlustleistung PT = 0 ,1 ⋅ (VII.7)
RL
Bei gleicher Ausgangsleistung ist die Verlustleistung
eines Transistors bei Gegentakt-B-Betrieb ungefähr
40mal kleiner als bei A-Betrieb.
Die von den Betriebsspannungsquellen gelieferte
Gesamtleistung läßt sich bei sinusförmiger Vollaus-
steuerung näherungsweise berechnen.
2U B2
Gesamtleistung Pges = (VII.8)
p ⋅ RL
Damit kann der Wirkungsgrad h dieser Schaltung
berechnet werden.
PL max
Wirkungsgrad h = = 78, 5% (VII.9)
Pges
Vorteile von Leistungsverstärkern im AB- und B-
Betrieb sind: kleiner Ruhestrom und kleine Verlust-
leistung, großer Wirkungsgrad (≈ 70%), großer
Aussteuerbereich (≈ ± UB), große Ausgangswechsel-
leistung.
UBE2 RL ua
ue
V2 Bild VII-6
Spannungsteiler
R2 mit integrierten
–UB
Dioden
Die Vorspannung nach Bild VII-5 läßt sich relativ
einfach über einen Spannungsteiler aus den Betriebs-
spannungen UB gewinnen. Die Schaltung nach Bild
VII-6 zeigt einen Spannungsteiler mit integrierten
Dioden.
Da die Durchlaßkennlinie einer Diode praktisch die-
selbe Temperaturabhängigkeit wie die Eingangskenn-
linie eines Transistors aufweist, kann man mit dieser
Variante auch die Temperaturdrift der Transistoren
auffangen. Wenn die beiden Dioden sich in der glei-
chen Weise erwärmen wie die Transistoren (gemein-
same Montage auf einen Kühlkörper), nehmen die
Spannungen UBE1 und UBE2 im selben Maße ab wie
die Basis-Emitter-Spannungen der Transistoren. Die
Folge ist, daß der Ruhestrom nahezu konstant bleibt.
Das eigentliche Problem beim Gegentakt-AB-Ver-
stärker besteht in der Stabilisierung des Ruhestroms.
Der Ruhestrom kann sich wegen der kleinen Last-
widerstände durch thermische Rückkopplung leicht
aufschaukeln und zur Zerstörung des Transistors
führen.
Die beiden Emitterwiderstände RE1 und RE2 in der
Schaltung nach Bild VII-7 bewirken eine Stromge-
genkopplung, also eine Arbeitspunktstabilisierung.
Die Widerstände sind durch die Dioden V5 und V6
gebrückt, die schon bei geringen Eingangssignalen
leitend werden. Wäre dieses nicht der Fall, so würde
die Wechselstromverlustleistung in den Emitterwi-
derständen unvertretbar groß werden. Der Kollektor-
ruhestrom sollte an den Emitterwiderständen einen
Spannungsabfall von ungefähr 0,2 V bis 0,3 V her-
vorrufen (wenn Si-Dioden verwendet werden); die
Spannungsabfälle sollen bei ue = 0 V kleiner sein als
die Schleusenspannungen der Dioden.
Wird die Eingangsspannung so groß, daß aufgrund
des erhöhten Emitterstroms der Spannungsabfall an
RE den Wert von 0,7 V übersteigt, wird die entspre-
chende Diode leitend. Infolge des sehr niedrigen
400 Elektronik

+UB Bild VII-7 Um eine höhere Stromverstärkung zu erreichen,

R1 Gegentakt-AB-Ver- verwendet man eine Darlington-Schaltung oder als
stärker mit Emitter- Endtransistoren Darlington-Transistoren.
V1 widerständen zur Die Transistoren V1′-V1 beziehungsweise V2′-V2
V3 Arbeitspunkt- benötigen in der Schaltung nach Bild VII-9 eine
RE1 V5 stabilisierung Basis-Emitter-Spannung, die doppelt so groß ist wie
die in der Schaltung nach Bild VII-8. Deshalb benutzt
ua man hier jeweils zwei in Reihe geschaltete Dioden.
ue RE2 V6 RL
V4
V2 +UB Bild VII-9
V9 R1 Gegentakt-AB-Ver-
R2 stärker mit Darling-
–UB V7
V1′ ton-Transistoren
R3 V1
V3
differentiellen Widerstandes der Diode fließt prak- RE1 V5
tisch die gesamte Wechselleistung über die Diode, so R5
RE2 V6 ua
daß an RE kein wesentlicher Leistungsverlust entsteht ue RL
V4
und die Spannungsabfälle auf die Durchlaßspannun-
R4 V2
gen der Dioden begrenzt werden. V2′
Diese Schaltung hat allerdings einen erheblichen V8
Nachteil, da nur ein Teil des Signaleingangswechsel- V10 R2
stroms in die Basis der Transistoren gelangt, während –UB
der andere Teil über die Widerstände R1 und R2
ungenutzt abfließt. Die Folge ist eine relativ geringe
Gesamtstromverstärkung der Stufe und damit eine Durch den Widerstand R5 werden die Ruheströme
geringe Leistungsverstärkung. von V1′ und V2′ stabilisiert. Auf diese Weise kann
Ersetzt man die Widerstände R1 und R2 in der Schal- erreicht werden, daß die Basis-Ruheströme von V1
tung nach Bild VII-7 durch Konstantstromquellen, so und V2 gleich sind, da ansonsten die Übernahmever-
erhöht man deutlich den Eingangswiderstand der zerrungen nicht vernachlässigbar klein wären.
Schaltung. Der differentielle Innenwiderstand der Manchmal ist es schwierig, für Verstärker mit höhe-
Quellen ist sehr hoch. ren Ausgangsleistungen geeignete pnp/npn-Transi-
Die Schaltung nach Bild VII-8 hat nun den hohen storpaare zu finden. Daraus folgt die Absicht, für
Eingangswiderstand eines Emitterfolgers ohne Ein- bestimmte Anwendungen Transistoren vom gleichen
gangsspannungsteiler. Praktisch haben diese Kon- Leitungstyp für V1 und V2 zu verwenden.
stantstromquellen einen unendlich hohen Innenwider- Dann wird eine Darlington-Schaltung mit komple-
stand. Somit muß der Vorverstärker (Signalquelle) mentären Transistoren, wie die Schaltung nach
nur noch den für die Aussteuerung der Transisitoren Bild VII-10 zeigt, ausgeführt. Die Transistoren V1
erforderlichen Basisstrom liefern. Die Z-Dioden und V2 sind vom gleichen Leitungstyp (npn). Der
werden häufig durch die Reihenschaltung aus zwei Darlington-Transistor V1′-V1 wirkt wie der Transis-
bis drei in Durchlaßrichtung betriebene Siliziumdio- tor V1 nach Bild VII-8 als npn-Transistor und der
den ersetzt. Darlington-Transistor V2′-V2 ebenfalls als npn-
Die mit den bisher besprochenen Schaltungen erziel- Transistor in der gleichen Funktion wie der Transistor
baren Ausgangsströme werden von den Transistoren V2 nach Bild VII-8.
V1 und V2 oder deren Stromverstärkungen bestimmt.

+UB Bild VII-10

+UB Bild VII-8 R1
R1 V9 Gegentakt-AB-Ver-
V9 Gegentakt-AB-
V7 stärker mit
V7 Verstärker mit hohem V1′ Endtransistoren
V1 Eingangswiderstand R3 V1
R3 vom gleichen
V3 V3 R5
V5 R E1 V5 Leitungstyp
RE1
RE2 ua ua
ue V6 ue V4 R E2 V6
V4 RL RL
R4 R4
V2 V2′
V8 V8 V2
V10 R2 V10 R2 R6
–UB –UB
VII Endstufen 401

Die Schaltung nach Bild VII-10 wird als Quasi- +U B

Komplementär-Endstufe bezeichnet. Der Darlington- V9 R1
V11
Transistor V2′-V2 benötigt zur Vorspannungserzeu- R6 ue′ V7
gung lediglich die Diode V4. Die Widerstände R5 ue′′ V1
R3
dienen der Ruhestromeinstellung der Transistoren V3 RE1 V5
V1′ und V2′.
ue
Diese Gegentakt-Endstufen bilden die Grundlage für V6 ua
zahlreiche weitere Schaltungen. Die vorgestellten RE2
V4 RL
Endstufen arbeiten mit Emitterfolgern, die eine Span- R4
V2
nungsverstärkung Vu ≈ 1 aufweisen. Ziel ist, die V8
Spannungsverstärkung zu erhöhen.
V10 R2
Die Endtransistoren in der Schaltung nach Bild –UB
VII-11 sind Darlington-Schaltungen entsprechend
den Schaltungen nach Bild VII-9 und Bild VII-10. Bild VII-12 Möglichkeit einer Ruhepotential-
Der Übersichtlichkeit wegen sind sie als einfache anpassung mit OP am Eingang
Transistoren dargestellt. Legt man die Signalspan-
nung ue zwischen die Dioden V3 und V4, so ist die Gegentakt-Verstärker können auch mit unsymmetri-
Schaltung identisch mit Bild VII-8. Legt man jedoch scher Spannungsversorgung betrieben werden. Aller-
die Signalspannung u′e an den Emitter des Transistors dings ist dann ein Koppelkondensator einzufügen.
V7, arbeitet dieser bezüglich der Signalspannung als Um einen gleichstrommäßigen Kurzschluß zu ver-
Transistor in Basisschaltung und betrachtet die meiden, muß der Lastwiderstand mittels des Konden-
Stromquelle mit Transistor V8 als Arbeitswiderstand. sators mit der Endstufe verbunden sein.
Da eine Basisschaltung ein Vu > 1 hat, tritt am Kol- Die Schaltung nach Bild VII-13 zeigt eine quasi-
lektor von V7 nun eine Wechselspannung ue auf, die komplementäre Endstufe mit unsymmetrischer Span-
größer ist als die Signalspannung u′e. nungsversorgung. Die Transistoren V1 und V2 sind
Bild VII-11 npn-Transistoren und werden durch das komplemen-
+UB
V9 R1 Gegentakt-AB-Ver- täre Transistorenpaar V1′ und V2′ angesteuert. Der
stärker mit erhöhter Transistor V3 arbeitet in Emitterschaltung und bewirkt
V7 eine Spannungsverstärkung. Mit dem Trimmer R5 wird
ue′ V1 Spannungsverstärkung
R3 der Ruhestrom der Transistoren V1 und V2 eingestellt.
V3 R E1 V5 Um eine zu starke wechselstrommäßige Belastung von
V3 zu vermeiden und um die Spannungsverstärkung
R E2 V6 ua von V3 möglichst groß zu machen, ist ein Wech-
ue V4 RL
R4 selspannungsbootstrap (C2) vorhanden. Der Konden-
V2 sator C4 und der Widerstand R12 sind für eine Wech-
V8
selspannungsgegenkopplung zur Einstellung einer
V10 R2 definierten Spannungsverstärkung erforderlich.
–UB
Der Lastwiderstand RL kann bei unsymmetrischer
Spannungsversorgung einseitig am Plus- oder Minus-
Durch den Wechsel des Signaleinganges ist also eine pol der Versorgungsspannung liegen. Ist der Lastwi-
Spannungsverstärkung erreicht worden. Zu beachten ist derstand RL zum Beispiel am Minuspol angeschlossen,
jedoch, daß bei Ansteuerung zwischen V3 und wird der Kondensator bei leitendem npn-Transistor
V4 das Eingangs-Ruhepotential Null ist. Bei Ansteue- etwa auf die halbe Betriebsspannung UB aufgeladen.
rung der Schaltung am Emitter des Transistors V7 liegt Während der Sperrphase des npn-Transistor wirkt der
jedoch das Eingangs-Ruhepotential in der Nähe der
Betriebsspannung +UB (genauer: auf UB – UR).
Ein Vorverstärker kann also nicht wahlweise ange- +U B Bild VII-13
R6
schlossen werden, sondern sein Ausgangs-Ruhepo- Quasikom-
tential muß angepaßt werden. Die Schaltung nach R7 plementäre
V1′ Endstufe mit
Bild VII-12 zeigt die Möglichkeit einer Ruhepotenti- C2 V1
V4 R5 RE3 unsymme-
alanpassung. V5 y RE4
Der Vorverstärker liefert die Signalspannung ue″ an trischer
V6 RE2 Spannungs-
die Basisverstärkerstufe mit V11, wobei die Wider- R
stände R1 und R6 eine Strom-Spannungs-Gegen- C3 R 8 V7 C1 versorgung
11 V2′
kopplung darstellen. Die Wechselspannung u′e ist ent- V3 V2
R9
sprechend dem Widerstandsverhältnis R1/R2 größer ue RC4
als die vom Vorverstärkers gelieferte Signalspannung R10 ua
RL
u″.
e Am Ausgang des Vorverstärker ist das Eingangs- C4 R12
Ruhepotential wieder Null.
402 Elektronik

Kondensator als Spannungsquelle für den pnp- +UB

Transistor und treibt einen Strom durch ihn. Dadurch V14 R3
wird der Kondensator wieder etwas entladen. V5
V7 R4 V3
Die Änderung der Kondensatorspannung muß durch V10 V1
die Wahl eines genügend großen Kondensators klein ue R8 OP
R5 V11 R1 V8
gehalten werden. Der Kondensator wird im Takt des
Signals auf- und entladen. Der Kondensator erspart R6
R7 V12 R2R1 V9 ue
eine Spannungsquelle mit Mittelanzapfung, weil sich C RL
R4 V13 V2
an ihm eine Spannung UB /2 aufbaut, die als Speise- V4
V6
spannung für den Transistor V2 wirkt. Von Nachteil
ist, daß der Kondensator und der Lastwiderstand V15 R3 –UB
einen Hochpaß bilden. Soll dessen untere Grenzfre-
quenz sehr niedrig sein, muß die Kapazität des Kon- Bild VII-14 Gegentakt-AB-Verstärker großer
densators sehr groß sein. Leistung mit sehr hohem Eingangs-
Gegentakt-AB-Verstärker größerer Leistung und widerstand
höherer Ansprüche bezüglich möglichst kleiner
Verzerrungen sind bereits sehr aufwendig. Die Schal-
tung nach Bild VII-14 realisiert einen hohen Ein- eingestellt. Da das Ausgangspotential des OP gleich
gangswiderstand durch einen Operationsverstärker in Null ist, dient V7 zur Potentialverschiebung.
Elektrometerschaltung. Aufgrund der Aufwendigkeit solcher Schaltungen
Die Spannungsverstärkung der Gesamtschaltung wird haben sich inzwischen Gegentaktverstärker in integ-
durch das Verhältnis der Widerstände R6 und R7 rierter Schaltungstechnik durchgesetzt.

VIII Operationsverstärker

1 Einführung Differenzverstärker sind dadurch gekennzeichnet,

Eine wichtige lineare, integrierte Schaltung ist der
Operationsverstärker, der in Kurzform mit OpAmp
(operations-amplifier) oder OP bezeichnet wird. Diese
Art von Verstärkern wurde fast ausschließlich als
Rechenverstärker, also für Rechen-Operationen in
Analog-Rechnern eingesetzt. Obwohl er aus einer
Vielzahl von Transistoren, Dioden und Widerständen
aufgebaut ist, kann er vom Anwender als ein einziges,
kompaktes Verstärker-Bauelement betrachtet werden.
Der besondere Vorteil der OPs liegt darin, daß sich
seine Eigenschaften durch einfache äußere Beschal-
tungen stark variieren lassen. OPs sind daher in
immer größer werdendem Umfang in analogen Schal-
tungen, aber auch in Schaltungen der Digitaltechnik
anwendbar und integrierbar.
2 Differenzverstärker
Operationsverstärker (OP) haben einen Differenz-
verstärker mit Transistoren als Eingangsschaltung.
daß bei gleicher Ansteuerung der beiden Eingänge
die Ausgangsspannung UA (nahezu) Null ist; die
Gleichtaktverstärkung ist also sehr klein. Das
Gleichtaktsignal bewirkt jedoch in beiden Transisto-
ren eine Verschiebung des Gleichstrom-Arbeitspunk-
tes.
Die Kollektorströme ändern sich. In der Realität
sind die Transistoren nicht völlig identisch, so
daß das Gleichtaktsignal eine geringe Änderung
des Ausgangssignals zur Folge hat. Differenzver-
stärker sind sehr unempfindlich gegenüber Tem-
peratureinflüssen. Bild VIII-1 zeigt einen voll-
ständigen Differenzverstärker. Bezogen auf den
Ausgang A heißt der Eingang E– invertierender Ein-
gang und der Eingang E+ nichtinvertierender Ein-
gang.
Betrachtet man die Steuerspannung an beiden Ein-
gängen der Schaltung, können unabhängig vom Auf-
bau und der Form dieser Signalspannungen bezogen
auf die Wirkung im Differenzverstärker zwei Aus-
sagen getroffen werden:
VIII Operationsverstärker 403

Tabelle VIII-1 Operationsverstärker (Auswahl)

Kenndaten bei UB = ± 15 V und TU = 25 °C

Bipolare Eingänge FET-Eingänge

Typ TBA 221 TAA 521 TAA 761 LF 355 LF 357
mA 741 709

Leerlaufverstärkung V0 100 dB 93 dB 85 dB 80 dB 80 dB
(open loop gain)
Gleichtaktunter- G 90 dB 90 dB 79 dB 100 dB 100 dB
drückung (CMRR)
Offsetspannung Uo ± 6 mV ± 2 mV ± 6 mV ± 3 mV ± 3 mV
(offset voltage)
Eingangsruhestrom IE 80 nA 300 nA 500 nA 30 pA 30 pA
(bias current)
Eingangswiderstand re 2 MW 250 kW 200 kW 1012 W 1012 W
Ausgangswiderstand ra 75 W 150 W o. K. 50 W –
Ausgangsstrom (max.) IA 20 mA 10 mA 70 mA 25 mA –
Ausgangsspannung UA max ± 13 V ± 13 V ± 13 V ± 13 V ± 13V
(max.)
Transitfrequenz fT 500 kHz 5 MHz 200 kHz 2,5 MHz 25 MHz

UCC Meist wird die Gleichtaktunterdrückung G in dB an-

RC1 RC2 gegeben.
A
uAB Gleichtaktunterdrückung G in dB
C C
B B B
E– V1 V2
E E
C MRR ( dB) = 20 ⋅ log G (VIII.4)
E+
us1 C MMR rBE R E b
us2
R1 IE dB W W 1
B
C Ersetzt man die Transistoren im Differenzverstärker
V3 durch Darlington-Transistoren, läßt sich der Dif-
E
UD V4 ferenz-Eingangswiderstand mindestens verdoppeln.
RS Soll er noch größer werden, verwendet man als Ein-
UD V5
–UCC gangstransistoren FETs.
Die Endstufen in OPs bestehen im wesentlichen aus
Bild VIII-1 Vollständiger Differenzverstärker Gegentakt-Endstufen oder Eintakt-Endstufen mit
„open collector“.
Jede Eingangsspannung an den Eingängen eines
Differenzverstärkers läßt sich immer in zwei Kompo-
nenten zerlegen, nämlich in eine Gleichtaktspannung 3 Grundlagen des OP
UGl, die sich als arithmetisches Mittel aus den beiden Bei OPs mit Differenzeingang reagiert der Verstärker
Eingangsspannungen ergibt und in eine Differenz- nur auf die Differenz der beiden Eingangssignale. Die
spannung UD. Differenzeingangsspannung UD ist die Spannung, die
u + us 2
Gleichtaktspannung U Gl = s 1 (VIII.1) als resultierende Spannung am Eingang des Ver-
2 stärkers liegt.
Differenzspannung U D = u s 2 − u s 1 (VIII.2) Differenzeingangsspannung
Die Eingangsspannungsdifferenzen werden mit der U D = U E+ − U E− (VIII.5)
hohen Differenzverstärkung vd, gleiche Eingangs- Diese Spannung UD wird nun mit der Leerlaufver-
spannungen dagegen mit der wesentlich kleineren stärkung V0 (open loop gain) verstärkt an den Aus-
Gleichtaktverstärkung vGl verstärkt. Das Verhältnis gang gebracht und ist als Ausgangsspannung UA meß-
der beiden zueinander wird als Gleichtaktunterdrü- bar.
ckung G bezeichnet und beschreibt die Güte eines
Differenzverstärkers. Ausgangsspannung U A = V0 ⋅ U D (VIII.6)
Gleichtaktunterdrückung Die Gleichungen geben den mathematischen Zusam-
menhang der elektrischen Größen unter der Voraus-
Vd r + 2 R E ⋅ ( b + 1) b ⋅ R E
G= = BE ≈ (VIII.3) setzung wieder, daß in die Eingänge des OPs kein
VGl 2 rBE rBE Eingangsstrom fließt.
404 Elektronik

Tabelle VIII-2 Gegenüberstellung von idealem und realem OP

charakteristische Eigenschaften idealer OP realer OP

Leerlaufverstärkung V0 ∞ 103 bis 107
Eingangswiderstand re ∞W 106 bis 1014 W
Ausgangswiderstand ra 0W 30 bis 100 W
Temperaturdrift nicht vorhanden von – 50 °C bis + 75 °C vernachlässigbar
Übertragungsbandbreite B ∞ Hz 104 bis 107 Hz
Aussteuerbereich UA = f (UE) – ∞ V bis + ∞ V – UB bis + UB

Das Ersatzschaltbild eines OPs nach Bild VIII-2 UA Bild VIII-3

„beschreibt“ elektrisch einen „realen OP“ mit den V Übertragungskennlinie
entsprechenden Ein- und Ausgangsgrößen. eines OP
Sollen die Eingangsströme Null sein, muß der Ein- UA max 15
gangswiderstand re des OPs unendlich groß sein. Die 10
Ausgangsspannung UA muß in der Folge ebenfalls
unendlich groß sein können. Da diese Spannung an 5
einem Lastwiderstand einen entsprechenden Strom
zieht, muß der Ausgangsstrom bei konstanter Aus- –UD 15 10 5 5 10 15 UD
gangsspannung ebenfalls konstant sein. Das kann μV 5 μV
aber nur der Fall sein, wenn der Ausgangswiderstand
10
ra des OPs Null ist.
15 –UA max

Bild VIII-2 –UA

E– Ersatzschaltbild
eines Operations-
verstärkers
ra A Bei der Rückkopplung unterscheidet man zwischen
UD re
V0*UD
G
UE–
E+
UA
UE+
Deshalb muß die Leerlaufverstärkung V0 ebenfalls
unendlich groß sein. Nach Bild VIII-3 sind Aus-
gangsspannung UA und Eingangsdifferenzspannung
UD nur proportional bis zu dem Wert ± UA max, bei
dem der OP in die Sättigung geht. Wegen der hohen
Leerlaufverstärkung wird ein unbeschalteter OP
bereits bei kleinen Eingangsspannungen in die Sätti-
gung gesteuert.
So würde zum Beispiel bei V0 = 30 000 eine Stör-
spannung von nur 0,1 mV bereits eine Änderung der
Ausgangsspannung von 3 V bewirken.
Die Daten eines „realen OPs“ können den Datenblät-
tern der Hersteller entnommen werden. Die Daten
eines „idealen“ und „realen“ OPs sind einander in der
Tendenz gegenübergestellt.
Die meisten Operationsverstärker werden in einer
Rückkopplungsschaltung betrieben, daß heißt, ein Teil
der Ausgangsgröße (in der Regel ein Teil der Aus-
V
gangsspannung) wird auf den Eingang zurückgeführt.
einer Mitkopplung und einer Gegenkopplung.
Bei der Mitkopplung wird die Ausgangsgröße gleich-
phasig auf den Eingang zurückgeführt, daß heißt, das
Eingangssignal wird in seiner Wirkung verstärkt. Für
den Fall der reinen Mitkopplung der Schaltung nimmt
die Amplitude der Ausgangsspannung so lange zu, bis
die Sättigung des Verstärkers erreicht ist.
Bei der Gegenkopplung wird ein Teil der Ausgangs-
größe gegenphasig auf den Eingang zurückgeführt
und somit das Eingangssignal in seiner Wirkung
geschwächt. Die Gesamtverstärkung nimmt ab.
Die Grundschaltung des Inverters (invertierender OP)
wird dargestellt in Bild VIII-4.
Wegen V0 = ∞ gilt ⇒ UD = 0 V. Deshalb liegt der
Punkt A auf Masse. Punkt A ist „virtueller Null-
punkt“, und es gilt:
U2 R
Spannungsverstärkung Vu = − =− 2 (VIII.7)
U1 R1
Diese Gleichung gilt für den „idealen“ OP.
Die Verstärkung wird also nur durch das Wider-
standsverhältnis und damit unabhängig von den
spezifischen Kenngrößen des OP festgelegt.
Der Fehler bei Annahme eines „idealen“ OPs gegen-
über korrekter Rechnung beträgt nur ungefähr 1%.
Unter Beachtung der Widerstandstoleranzen kann in
VIII Operationsverstärker 405

R1 I1 A I2 R2 Eingangswiderstand des beschalteten OP

IN = 0A re′ ≈ rGl (VIII.11)

UD = UN = 0V
Ausgangswiderstand des beschalteten OP
U1
Vu
U2 ra′ = ra ⋅ (VIII.12)
V0
Die beiden Eingänge E+ und E– sind eigentlich die
Basisanschlüsse der Eingangstransistoren der Diffe-
Idealer OP renzverstärkerstufe. Es fließt daher ein Basisstrom,
Bild VIII-4 Grundschaltung des idealen daß heißt, in den OP fließen die Eingangsruheströme
invertierenden OP IN und IP. Obwohl diese Ströme sehr klein sind, kön-
nen sie infolge der unterschiedlichen Spannungs-
der Praxis mit der Gleichung für den „idealen“ OP abfälle an den äußeren Widerständen eine Span-
bei V0 ≥ 60 dB gearbeitet werden. nungsdifferenz an den Eingängen des OPs bewirken.
Bezogen auf einen an den Ausgang geschalteten Ver- Diese Spannungsdifferenz wird verstärkt und würde
braucher wird der endliche Ausgangswiderstand r′a ohne geeignete Maßnahmen als Störgröße am Aus-
des realen OP um den Faktor der Schleifenver- gang des OPs auftreten.
stärkung g niederohmiger.
R2 Bild VIII-6
Ausgangswiderstand des beschalteten OP Kompensation der
ra V R1 IN Eingangsruheströme
ra′ = + ra ⋅ u (VIII.8)
V0 V0
Der Eingangswiderstand eines „realen“ OPs ist nicht, IP
wie beim „idealen“ OP angenommen, unendlich groß. U1 U2
Darum gilt: R3
Eingangswiderstand des beschalteten OP
r′e = R1 (VIII.9)
Beschaltet man einen OP gemäß Schaltung nach Die Kompensation der Eingangsruheströme läßt sich
Bild VIII-5, so entsteht ein nichtinvertierender Ver- durch den Widerstand R3 in der Schaltung nach
stärker. Bild VIII-6 erreichen.
Dabei gilt:
R3 = R1 储 R2 (VIII.13)
UD
Die identischen Spannungsabfälle an den beiden
Bild VIII-5 Eingängen verhindern eine Differenzspannung an den
R2 Grund-
U1 U2 Eingängen.
schaltung Soll ein nichtinvertierender OP zur Anwendung
des idealen kommen, umgeht man diese Schwierigkeit generell
UN R1 nichtinver- durch Verwendung eines OPs mit FET-Eingang. Bei
tierenden OP diesen Typen können die Eingangsruheströme ganz
vernachlässigt werden.
Beim realen OP sind die Transistoren der Differenz-
Die Verstärkung des nichtinvertierenden OPs hängt verstärkerstufe am Eingang natürlich nicht absolut
nur von der äußeren Beschaltung ab und kann in identisch. Die interne Differenzspannung zwischen
weiten Grenzen unabhängig von der Leerlaufver- UBE1 und UBE2 wird als Offset-Spannung UO bezeich-
stärkung frei festgelegt beziehungsweise eingestellt net. Diese Spannung ist die Ursache dafür, daß die
werden. Ausgangsspannung UA am Ausgang ungleich Null ist,
Gleichung VIII.10 läßt erkennen, daß die Verstärkung auch wenn die Spannung UD am Eingang durch
Vu nicht kleiner als 1 werden kann, was beim invertie- Kurzschließen und auf Masse legen der beiden Ein-
renden OP möglich ist. gänge zu Null gemacht wurde .
R2 Je nach OP-Typ gibt es verschiedene, vom Hersteller
Spannungsverstärkung Vu = 1 + (VIII.10) empfohlene Schaltungsmöglichkeiten zur Kompensa-
R1
tion der Offset-Spannung UO.
Bei niedrigen Frequenzen (f < 100 Hz) tritt als Ein- Besonders einfach ist die äußere Beschaltung für die
gangswiderstand r′e der Schaltung der sehr hohe Offset-Spannungskompensation beim Typ 741. Nach
Gleichtaktwiderstand rGl des OPs auf. Bild VIII-7 ist lediglich ein 10 kΩ-Widerstand zwi-
406 Elektronik

R2 Bild VIII-7 Wird R2 < R1, so wird auch Vu < 1. Die Ein-
+UB Kompensation der gangsspannung UE wird nicht verstärkt, sondern
R1 2 7 Offset-Spannung gedämpft.
6 Einen Umkehrverstärker mit kontinuierlich einstell-
3 741 1
5 barer Verstärkung (Abgleich von Reglerschaltungen)
4 zeigt die Schaltung nach Bild VIII-8. Die Verstärkung
U1 U2
R3 kung wird mit R1, R2 und R3 eingestellt. Offsetspan-
nung und Offsetstrom werden mit R7, R8 und R9
–UB 10k sowie R5 eingestellt. Die Dioden D1 und D2 bilden
mit R6 und R10 einen Massepunkt. Hier wird ein OP
761 mit open-collector-Ausgang eingesetzt.
schen Pin 1 und Pin 5 anzuschließen und abzuglei- R6
+15V
chen. Dieser Abgleich ist in der Weise vorzunehmen, 6k8
daß bei an Masse gelegtem Eingang des OP die R7 R2 R3 R4
D1 1k2
Ausgangsspannung gleich Null wird. 1N4148 82k 1M 330
Die Kompensation der Eingangsruheströme erfolgt in R1
UE
Bild VIII-7 durch Widerstand R3 nach Gleichung 10k R5 761 UA
VIII.13. R8 C1
220 10k
Unerwünschte und unvermeidbare interne Schalt- und 47pF
Transistorkapazitäten ergeben zusammen mit den
Widerständen in den OPs Tiefpässe. Ähnlich wie bei R9
D2
den Transistorverstärkerstufen führt das zu fre- 1N4148 1k2 R10
–15V
quenzabhängigen Verstärkungsfaktoren, daß heißt, Vu 6k8
bleibt nicht konstant bis zu höchsten Frequenzen. Der
Frequenzgang ist also nicht linear. Bild VIII-8 Umkehrverstärker mit kontinuierlich
Auch die Phasendrehung zwischen Ein- und Ausgang einstellbarer Verstärkung
ändert sich und kann aus einer Gegenkopplung eine
Mitkopplung machen, so daß die OP-Schaltung R2
„schwingt“. Der OP geht in den Oszillatorbetrieb 82k
über, er arbeitet als „Signalgenerator“. Diese unange- 7
nehme Nebenwirkung kann mit Hilfe eines RC-Glie- 2
6 UA
des, das nach Herstellerangaben zu dimensionieren ist,
UE 3 741 1
durch Frequenzkompensation vermieden werden. In 4
5
zahlreichen OP-Typen wird die Frequenzkompensa- R1
tion bereits im Innern des OP vorgenommen. 33k
Bild VIII-9
10k Regelverstärker
4 Operationsverstärker als Verstärker R3 BF 245
mit kontinuierlicher
USt Einstellung der
1M
In elektronischen Schaltungen werden Verstärker mit Verstärkung
unterschiedlichen Verstärkungsfaktoren und mit
bestimmtem dynamischen Übertragungsverhalten be-
nötigt. Eine kontinuierliche Einstellung der Verstärkung
Außerdem sind zusätzlich Schaltungen erforderlich, kann mit Hilfe des Feldeffekttransistors in der Schal-
die diverse Rechenoperationen, wie zum Beispiel tung nach Bild VIII-9 vorgenommen werden. In
Addieren, Subtrahieren, Multiplizieren, Dividieren, diesem Regelverstärker wird der Vorteil ausgenutzt,
Integrieren, Differenzieren ausführen können. Das daß beim Elektrometerverstärker eine Änderung der
gewünschte Verhalten kann man durch eine entspre- Rückkopplungswiderstände keinen Einfluß auf den
chende Beschaltung eines OP erreichen. Eingangswiderstand der Schaltung hat.
Der Eingangswiderstand beträgt hier R1 = 33 kW.
4.1 Verstärker mit frequenzunabhängiger Der normalerweise hohe Eingangswiderstand eines
Gegenkopplung Elektrometerverstärkers wird in dieser Schaltung also
nicht genutzt.
Wenn bei OP-Verstärkern im Gegenkopplungszweig Die Verstärkungseinstellung erfolgt durch Änderung
ausschließlich ohmsche Widerstände benutzt werden, des Drain-Source-Widerstandes RDS des FET, der in
ist die Gegenkopplung frequenzunabhängig. bestimmten Grenzen durch eine gesteuerte Gleich-
Dadurch ist die Verstärkung Vu im zulässigen Ar- spannung variiert werden kann. Die Verstärkung
beitsbereich des Verstärkers konstant und unabhängig dieses Regelverstärkers ist etwa im Bereich von
von der Frequenz des Signals. Vu = 1 bis Vu = 150 veränderbar.
VIII Operationsverstärker 407

Die Elektrometerschaltung ist in Bild VIII-10 tragen- 20V

des Element in dem sehr hochohmigen Spannungs-
meßgerät. Der Eingang dieser Meßschaltung wird R1
durch einen Spannungsteiler aus Meßwiderständen 1k8 2 7
6 Bild VIII-12
gebildet. Er ist so dimensioniert, daß sich die Meß- 3 741 1
bereiche 100 mV, 1 V, 10 V und 100 V ergeben. 5 OP als
4 Spannungs-
UA quelle
0,1V
R3 ZTK 9 mit sehr
R6 1%
99k 10k kleinem Innen-
9M widerstand
+15V
R7 1V 7
2 LH 0042
Um 900k 1% R1 3
6
Die Schaltung nach Bild VIII-12 realisiert eine Span-
1
R8 10V 1M 4 5 R5 nungsquelle mit sehr kleinem Innenwiderstand bei
90k 1% 100nF R2 100k unsymmetrischer Spannungsversorgung des OP.
C1 1k
R9 100V Die Referenzspannung liefert eine Z-Diode. Am Aus-
10k 1% –15V 10k 0,1mA gang des OP steht diese Spannung nun mit dem sehr
kleinen Ausgangswiderstand des Spannungsfolgers
Bild VIII-10 Spannungsmeßgerät mit OP in zur Verfügung, während der dynamische Innen-
Elektrometerschaltung widerstand der Z-Diode Werte von ca. 10 W bis
100 W haben kann.
Der Widerstand R1 dient zur Strombegrenzung in Deshalb kann der Ausgang der Schaltung erheblich
dem OP. Zusammen mit C1 bildet er einen Tief- stärker belastet werden als bei einer Stabilisierungs-
paß, dessen Aufgabe es ist, Oberschwingungen und schaltung ausschließlich mit Z-Diode.
Spannungsspitzen wegzufiltern. Die antiparallelen
Dioden zwischen den OP-Eingängen begrenzen die UB Bild VIII-13
Eingangs-Differenz-Spannung des OP. Der Trim- R2 Konstantspannungs-
mer R5 ermöglicht einen Abgleich des Meßin- R quelle mit einstellbarer
strumentes. Ausgangsspannung
7
2
6
R3 3 741 1
5
7 4
2
6 Uz UA
741 R1
3 1
5 10k
4

UE UA
Bild VIII-11 Um die Ausgangsspannung regel- oder einstell-
10k Impedanzwandler bar zu machen, kann auch die Prinzipschaltung in
mit OP Bild VIII-13 einer Konstantspannungsquelle ver-
wendet werden.
⎛ R ⎞
Die Verstärkung Vu eines nicht-invertierenden OP- Ausgangsspannung U A = ⎜ 1 + 2 ⎟ ⋅ U Z (VIII.15)
Verstärkers berechnet sich nach Gleichung VIII.10. ⎝ R1 ⎠
Läßt man den Wert des Widerstandes R1 gegen ∞
gehen, so wird der Bruchwert zu Null. Das gleiche R2 R Bild VIII-14
geschieht, wenn man R2 = 0 W setzt. Die Ver-
OP als Addierer
stärkung der Schaltung nach Bild VIII-11 wird damit
zu Vu = 1, daß heißt, UE = UA. Es gelten die Glei- R1 7
2
chungen VIII.11 und VIII.12. 6
741
Ausgangswiderstand 3 1
U2 5
r 4
ra′ = a mit Vu = 1 (VIII.14)
V0 U1 UA
Diese Schaltung bewirkt also eine Impedanzwand-
lung, da sie einen hohen Eingangswiderstand und 10k
einen sehr niedrigen Ausgangswiderstand hat.
408 Elektronik

Auch hier ist der Ausgangswiderstand durch die hohe gleichen Verstärkungsfaktor verstärkt und dann sub-
Verstärkung des OP sehr klein und kann durch einen trahiert werden. Unsymmetrien in der Brücke können
nachgeschalteten Spannungsfolger noch gemindert mit dem Potentiometer abgeglichen werden.
werden. Im Zusammenhang mit Meßbrücken (Brückenschal-
Der Operationsverstärker in der Schaltung nach tung) nach Bild VIII-16 bietet der Subtrahierer die
Bild VIII-14 ist so beschaltet, daß die zwei Eingangs- Möglichkeit, die massefreie Brückenspannung in eine
spannungen U1 und U2 elektrisch addiert und ver- massebezogene Spannung umzuwandeln, die dann
stärkt werden. weiterverarbeitet werden kann.
Ausgangsspannung +UB Bild VIII-16
R R Subtrahierer als Verstärker
−UA = ⋅ U1 + ⋅U2 (VIII.16)
R1 R2 in Meßbrücken
1k 1k
Setzt man R1 = R2 = R3, so vereinfacht sich die
Gleichung zu B
10k +UB15k
Ausgangsspannung 2 7
6
R 820 C 3 741 1
−UA = ⋅ (U1 + U 2 ) (VIII.17) 10k 4
5
R3 UA
1k 15k
Das Minuszeichen in der Gleichung weist lediglich 500 10k
–U B
auf die Phasendrehung des invertierenden OP hin.
Der Addierer kann auf eine beliebige Anzahl n von
Eingängen erweitert und nach folgender Gleichung Sollen Wechselspannungen mit kleiner Amplitude in
berechnet werden : einer normalen Brückengleichrichterschaltung B2
gleichgerichtet werden, ergibt sich wegen der
Ausgangsspannung
Schwellenspannungen der Dioden der Nachteil, daß
R R R zwischen den positiven Halbwellen am Ausgang je
−UA = ⋅ U1 + ⋅ U 2 + ... + ⋅U n (VIII.18)
R1 R2 Rn nach Wert der Amplitude mehr oder weniger deutlich
Lücken erkennbar sind.
Bei der Dimensionierung eines Addierer muß beach- Besonders in der Meßtechnik sind Gleichrichter-
tet werden, daß die maximale Ausgangsspannung schaltungen erforderlich, die auch kleine Spannungen
eines OP knapp 1 V unter der Versorgungsspannung linear verarbeiten.
des OP liegt.

R1 R2 Bild VIII-15 V1 V2 I2
OP als Subtrahierer
7 R1 R2 U2
2
6
R1 3 741 1
5 U1 V3 V4
UE1 4 OP1

R2 UA
UE2
10k
Die Schaltung nach Bild VIII-15 ist ein Subtrahierer.
Sie entspricht im Prinzip der Schaltung des Diffe-
renzverstärkers. Mit ihr wird die zwischen den beiden
Eingängen wirksame Spannung verstärkt. Zur Verein-
fachung, aber auch um eine Offset-Stromkompen-
sation realisieren zu können, werden die Widerstände
nach Bild VIII-15 gewählt. Werden beide Eingänge
gleichzeitig angesteuert, so gilt:
Ausgangsspannung
R I AV =
U A = 2 ⋅ ( U E2 − U E1 ) (VIII.19)
R1
Mit den gewählten Widerständen arbeitet der Subtra-
hierer korrekt, da die Eingangsspannungen mit dem
Bild VIII-17 OP als Gleichrichter mit massefreier
Gleichspannung
In der Schaltung nach Bild VIII-17, die einen OP mit
Brückengleichrichter im Rückkopplungszweig zeigt,
muß der Gegenkopplungsstrom wegen des Gleich-
richters stets in gleicher Richtung durch den Last-
widerstand in der Brücke fließen.
Ein Drehspulinstrument als Lastwiderstand R2 im
Querzweig der Brücke zeigt den arithmetischen
Mittelwert dieses nichtlückenden Stroms an.
arithmetischer Mittelwert
2 ⋅ I S 2 ⋅U S
= (VIII.20)
p R1 ⋅ p
Diese Gleichrichterschaltung B2 ist zur Spannungs-
versorgung potentialfreier Lastwiderstände, wie zum
Beispiel Anzeigeinstrumente geeignet.
VIII Operationsverstärker 409

Soll das gleichgerichtete Meßsignal jedoch einen Frequenzgang der Amplitudenverstärkung

Lastwiderstand speisen, der einpolig an Masse liegt, ua
so ist die obige Schaltung ungeeignet. Die Schaltung F= = f ( w) (VIII.23)
ue
nach Bild VIII-18 besteht aus einem Einweggleich-
richter mit OP und einem Addierer. Die Amplitudenverstärkung wird meistens in Dezibel
Wenn R1 = R2 = R3 = 2 ⋅ R4 = R6 = R gewählt wird, (dB) umgerechnet. Dezibel ist eine logarithmische
dann ist US3 = US1. Maßeinheit und wurde ursprünglich als Maß für die
Dämpfung eingeführt. Sie kennzeichnete ein Leis-
R3 R6 tungsverhältnis.
R2 Es gilt:
R4 2 7
V1 V2 3 741 1
6 Leistungsverhältnis
5
R1 2 7 4 OP 2 Pa P
6 in dB = 10 ⋅ lg a (dB)
3 741 1 Pe Pe
5 U2
4 OP 1 U3
10k 10 dB = 1B (Bel) (VIII.24)
U1
10k Oft drückt man auch das Verhältnis zweier Spannun-
gen oder Ströme in dB aus.
Zweiweggleichrichter-Schalter mitOPs
Zweiweggleichrichter-Schalter mit OPs Spannungsverhältnis

Bild VIII-18 Gleichrichter für kleine Spannungen Ua U

in dB = 20 ⋅ lg a (dB) (VIII.25)
mit OP (Zweiweggleichrichter) Ue Ue
Die Schaltung nach Bild VIII-19 zeigt einen Integra-
Wird jedoch der Widerstand R6 anders gewählt, so tor mit invertierendem OP. Beim Integrator wird ein
gilt: Teil der Ausgangsspannung über einen Kondensator
R auf den invertierenden Eingang des OPs zurückge-
Ausgangsspannung U S3 = 6 ⋅ U S1 (VIII.21) koppelt.
R
Der Zweiweggleichrichter nach Bild VIII-18 liefert uC Bild VIII-19
eine pulsierende Gleichspannung wie eine normale Integrierer
B2-Schaltung. iC C mit inver-
Ein Drehspulinstrument am Ausgang zeigt wegen tierendem OP
seiner mechanischen Trägheit einen konstanten iR
(arithmetischen) Mittelwert an. R1
ue ua
4.2 Verstärker mit frequenzabhängiger
Gegenkopplung
Werden die ohmschen Widerstände, die bisher in den
Schaltungen ausschließlich verwendet wurden, durch
Das Bodediagramm eines Integrators zeigt Bild
Kapazitäten oder Induktivitäten ersetzt, ist die Ver-
VIII-20, wobei die linke Achse die Verstärkung
stärkung Vu für Frequenzen unterhalb f0 nicht mehr
(gain) in dB und die rechte Achse die Phasenver-
konstant.
schiebung (phase range) in Grad (deg) anzeigt (hier
Mit Wechselstromwiderständen ist der Frequenzgang
für R1 = 100 kW und C = 1 nF).
des beschalteten OP definierbar als
Frequenzgang Vu/dB f/Deg
Rückführimpedanz 40 –250
F ( jw ) = (VIII.22)
Eingangsimpedanz 20 –258

Die Darstellung des frequenzabhängigen Übertra- 0 –266

gungsverhaltens, aufgeteilt in den Frequenzgang der –20 –274
Amplitudenverstärkung in doppeltlogarithmischer
–40 –282
Darstellung und den Frequenzgang der Phasenver-
schiebung linearer Darstellung, wird Bode-Diagramm –60 –290
10 100 1k 10 k 100 k
genannt. Ein BodeDiagramm zeigt, wie ein Baustein Frequenz in Hz
ein sinusförmiges Eingangssignal frequenzabhängig
an den Ausgang bringt. Bild VIII-20 Bodediagramm eines Integrierers
410 Elektronik

Eine RC-Schaltung verursacht eine Phasenverschie-

iR R1
bung der Ausgangsspannung um – 90°. Zusammen uC
mit der Phasenverschiebung des invertierenden OP
von – 180° ergibt das die dargestellte Phasenver- iC
schiebung von – 270°. Diese ist jedoch identisch mit
einer Verschiebung von + 90°. ue ua
Unter der Voraussetzung, daß der OP ideale Eigen-
schaften aufweist, gilt die Gleichung:
Ausgangsspannung
t Bild VIII-22 Prinzipschaltung eines Differentiators
1
ua = − ∫ u e dt + U a 0 (VIII.26)
R1 ⋅ C 0
heißt, die Leerlaufverstärkung V0 geht gegen Unend-
Ua0 ist die Spannung, die zu Beginn der Integration lich, so gilt
am Ausgang der Schaltung vorhanden ist. Das Pro-
du e
dukt R1 ⋅ C = TI wird Integrierzeit genannt. Ausgangsspannung − u a = R1 ⋅ C (VIII.28)
Ist die Eingangsspannung ue(t) = UE = const (also dt
eine Gleichspannung), so ist auch der Strom IR = – IC Die Ausgangsgröße ua des Differentiator hängt also
= const. Damit vereinfacht sich die Integralgleichung von der zeitlichen Änderung der Eingangsspannung
zur folgenden linearen Gleichung ue ab. Eine konstante Eingangsspannung verursacht
U ⋅t beim Differentiator also keine Ausgangsgröße.
Ausgangsspannung U A = − E (VIII.27) Die Schaltung eines Differentiators nach Bild VIII-22
R1 ⋅ C
ist kaum zu verwenden, da Signale höherer Fre-
Somit ist die Ausgangsspannung UA eine lineare quenzen mit der Leerlaufverstärkung V0 verstärkt
Größe und verläuft nicht, wie am Kondensator erwar- werden. Mit dem Kondensator C2 (R1 ⋅ C2 ≈ R4 ⋅ C
tet, nach einer e-Funktion. Sie kann je nach Polarität gewählt) in der Schaltung nach Bild VIII-23 kann das
der Eingangsspannung nur noch linear ansteigen oder durch Störfrequenzen verursachte Rauschen des Dif-
abfallen. ferentiators herabgesetzt werden.
C Bild VIII-21 Bild VIII-23
Realer Integrierer C2
Reale Schaltung
mit invertierendem OP eines Differentiators
R4
7 R1
R1 2
R4 7
6 2
741 6
3 1 741
5 C 3 1
4 5
ue ua ue 4
R3 ua
R3
10k
10k

In der Praxis erweist sich eine Schaltung nach

Bild VIII-19 als wenig zweckmäßig. Die endliche
Gleichtaktunterdrückung, der Eingangsruhestrom und
die Drift werden aufsummiert. Der Integrator würde
immer in eine Endlage „laufen“.
Der Widerstand R3 in der Schaltung nach Bild VIII-
21 dient zur Kompensation des Eingangsruhestroms.
Der Widerstand R4 bestimmt die Gleichspannungs-
verstärkung Vu beziehungsweise stabilisiert den Gleich-
spannungsbetriebspunkt.
Elektrolytkondensatoren sollten wegen der relativ
hohen Leckströme nicht verwendet werden. Durch
den theoretisch unendlich großen Eingangswiderstand
des OP entlädt sich der Kondensator fast nie.
Die Schaltung nach Bild VIII-22 zeigt die Prinzip-
schaltung eines Differentiators mit invertierendem
OP. Betrachten wir den OP wieder als ideal, daß
Die Kreisfrequenz w sollte wegen R4 ⋅ C (Eingangs-
zeitkonstante) geschickt gewählt werden (w << 1/
R4 ⋅ C).
Im Bode-Diagramm eines Differentiators ist der
Amplitudengang eine Gerade, die mit 20 dB/Dekade
ansteigt.
In der Schaltung nach Bild VIII-24 wird ein OP als
Wechselspannungsverstärker verwendet. Aufgrund
der vorhandenen Kondensatoren muß man hin-
sichtlich AC- und DC-Verstärkung/-Verhalten unter-
scheiden.
So trennt der Kondensator C3 den OP gleichspan-
nungsmäßig von der Signalquelle, während der Wi-
derstand R3 dafür sorgt, daß ein Ruhestrom fließen
kann. Der Kondensator C1 macht die Gegenkopplung
für DC voll wirksam.
VIII Operationsverstärker 411

ue 70 mA. Lieferbar sind von verschiedenen Herstellern

C3 ua
R3
R2
R1
Z1
Bild VIII-24
OP als Wechselspannungs- C1
verstärker
Das bedeutet aber, daß Aus- und Eingang unter Be-
rücksichtigung der Offset-Spannung auf dem gleichen
Gleichspannungspotential liegen.
Eine Korrektur der Eingangsruheströme und ihrer
Spannungsabfälle an R2 und R3 läßt sich leicht
vornehmen, indem man R2 ≈ R3 wählt.
Die Schaltung stellt insgesamt einen AC-Verstärker
mit Hochpaß-Verhalten dar. Die untere Grenzfrequenz
fu läßt sich analog zu CR-Gliedern berechnen als
1
untere Grenzfrequenz f u = (VIII.29)
2 p ⋅ R1 ⋅ C1
Der Eingangswiderstand der Schaltung ist praktisch
gleich R3.
ue
C3 ua
R3
R2
C1
A E
R1
Bild VIII-25
NF-Bootstrap-Verstärker mit OP
Hier ist nun eine Variante des Elektrometer-NF-
Verstärkers hilfreich. Der NF-Bootstrap-Verstärker in
der Schaltung nach Bild VIII-25 hat einen besonders
hohen Eingangswiderstand.
Der Widerstand R3 liegt nicht an Masse, sondern am
Punkt A, der eine Wechselspannung führt, die wegen
UD_ ≈ 0 V fast genau den gleichen Wert hat wie die
Eingangswechselspannung ue. Deshalb fließt durch
den Widerstand R3 praktisch kein Wechselstrom. Der
Widerstand R3 und damit der Eingangswiderstand
dieser Schaltung werden dynamisch (also wechsel-
strommäßig) hochtransformiert. Die Ausgangs-Off-
setspannung ist kleiner als in der oben erwähnten
Schaltung.
4.3 OP als Leistungsverstärker
Bei Operationsverstärkern vom Typ 741 (Gegentakt-
ausgang) liegt der zulässige Ausgangsstrom bei
20 mA, beim Typ 761 (open collector) liegt er bei
auch Operationsverstärker, die Ausgangsleistungen
von 25 W bei einem Ausgangsstrom von 3,5 A be-
reitstellen. Zu ihrer Realisierung geben Datenblätter
die häufig recht einfache externe Beschaltung an.
Bei zahlreichen Anwendungen sind noch höhere
Leistungen erforderlich, die sich erreichen lassen,
wenn dem OP eine Gegentakt-Leistungsendstufe nach-
geschaltet wird. Diese Endstufen sind dann meistens
mit externen Leistungstransistoren aufgebaut.
+UB
R2
V1
R1
E
A
V1
–UB
Bild VIII-26 OP-Verstärker mit Leistungsendstufe
Bei der Schaltung eines OP-Verstärkers nach Bild
VIII-26 ist als Leistungsendstufe ein komplementärer
Emitterfolger für B-Betrieb angefügt. Der Gegen-
kopplungswiderstand R2 des invertierenden OP muß
am Ausgang der Endstufe angeschlossen werden.
+12V
R2
100k
7
R1 BC 140
2
6 R5
10k 3 741 1 A
5 68
4 BC 160
R3
10k
–12V
Bild VIII-27 OP mit Gegentakt-Emitterfolger
im AB-Betrieb
Die Übernahmeverzerrungen in der obigen Schaltung
lassen sich mit der Schaltung nach Bild VIII-27 er-
heblich reduzieren. Dieser nachgeschaltete Gegen-
takt-Emitterfolger ermöglicht immerhin schon einen
zulässigen Laststrom von ungefähr 200 mA.
Müssen die Übernahmeverzerrungen auf fast Null
reduziert werden, erhöht sich der Schaltungsaufwand
erheblich. Hier muß unter Umständen der Gegentakt-
Emitterfolger im AB-Betrieb betrieben werden.
Um den Schaltungsaufwand zu reduzieren, wurden
Ansteuerschaltungen in integrierter Schaltungstech-
nik entwickelt. Eine Möglichkeit ist der ICL 8063
nach Bild VIII-28, der für eine Ansteuerung mit dem
412 Elektronik

2N3055
Die Frequenz-Achse ist normiert, so daß der Durch-
30V laßbereich des TP bei f /fg = 1 endet und Spannungen
R2 R3 mit Frequenzen f > fg hier mit 60 dB/Dekade oder
9k 1M
C3 18 dB/Oktave bedämpft werden.
R1 7 1nF
E 2
6 15 14 13 11 10 9
R5 Das normierte Bode-Diagramm eines aktiven Hoch-
1k 3 741 1 16
4
5 0,4/5W paß-Filters zeigt, daß der Durchlaßbereich des HP bei
ICL 8063 8 A
C1 C2 1 f /fg = 1 beginnt und Spannungen mit Frequenzen
1nF 1nF 12 R6
2 4 5 6 7 f < fg mit 60 dB/Dekade oder 18 dB/Oktave bedämpft
C4 0,4/5W
werden. Bei der Grenzfrequenz fg tritt eine Dämp-
R4 fung/Verstärkung von 3 dB/Dekade/– 3 dB/Dekade
1M C5
auf.
–30V
2N2955
ue
Bild VIII-28 Leistungs-OP ICL 8063 (Intersil) R ua
R
C R
C
OP-Typ 741 ausgelegt ist. Der Kurzschlußschutz für C
die beiden angesteuerten Leistungstransistoren ist im
Gauss-Filter 3. Ordnung
IC enthalten. Dem Ausgang der nebenstehenden
Schaltung können Ströme bis ca. 3 A entnommen 1
f0 = 2pRC als Grenzfrequenzeiner Filterstufe
werden.
Bild VIII-30 Tiefpaß-Filter 3. Ordnung mit OPs
4.4 Aktive Filterschaltungen
Netzwerke aus ohmschen, induktiven und kapazitiven In der Schaltung nach Bild VIII-30 sind RC-Glieder
Widerständen, die eingesetzt werden, um den Fre- mit OPs als Impedanzwandler zu einem Tiefpaß
quenzgang gezielt zu beeinflussen, nennt man Filter. 3. Ordnung zusammengeschaltet. Durch die direkte
Ideale Tiefpaß-Filter sollen Nutzsignale mit f < fg Gegenkopplung der OPs ist die DC-Verstärkung der
unverfälscht übertragen und alle Störsignale mit f > fg Gesamtschaltung gleich eins. Jede der n Filterstufen
unterdrücken. Dieses Ziel kann mit konstantem Über- hat bei der Frequenz f0 eine Dämpfung von 3 dB/
tragungsfaktor im Durchlaßbereich (f < fg) und mit Dekade. Die gesamte Schaltung hat aber bei der
starkem Amplitudenabfall oberhalb der Grenzfre- Frequenz f0 eine Dämpfung von n ⋅ 3 dB/Dekade.
quenz erreicht werden. Der Übergang vom Durch- Der Tiefpaß 3. Ordnung nach Bild VIII-30 hat eine
laßbereich zum Sperrbereich (f > fg) sollte sehr steil Dämpfung von 3 dB/Dekade bei der Grenzfrequenz
erfolgen. fg < f0. Oberhalb der Frequenz f0 wird die Ausgangs-
Durch das Einbringen eines Verstärkerelementes in spannung mit 60 dB/Dekade bedämpft. Diese Schal-
den Filter erreicht man, daß aus der generellen tung realisiert ein Gauß-Filter, da das Bode-
Dämpfung des Signals eine Verstärkung mit Vu ≥ 1 Diagramm nach Bild VIII-31 die Gaußfunktion eines
wird. Tiefpaß-Filters zeigt.

v Vu/dB
dB 0,01 0,1 1 10 100 1000 20
–3 v
vg 0
–10
60 dB/Dekade –20
–20 bzw. 18 dB/Oktave –40
–30 –60
Bild VIII-29
–40 –80
Normiertes 10 100 1k 10 k 100 k
Bode-Diagramm Frequenz in Hz
–50
eines aktiven
Bild VIII-31 Bode-Diagramm eines Gauß-Filters
Tiefpaß-Filters
Es gibt sehr viele Schaltungsvarianten zu Aufbau und Charakteristikum eines Gauß-Filters ist der relativ
Ausführung von aktiven Filtern. flache Einsatz des Amplitudenganges oberhalb der
Man unterscheidet aktive Tief- und Hochpässe so- Grenzfrequenz fg. Der flache Einsatz ist aber ge-
wie selektive Filter wie aktive Bandsperren und messen am idealen Filter ein erheblicher Nachteil.
Bandpässe. Dem gegenüber steht der Vorteil dieses Filtertyps,
Bild VIII-29 zeigt das normierte Bode-Diagramm daß bei sprungförmiger Änderung der Eingangs-
eines aktiven Tiefpaß-Filters 3.Ordnung. spannung die Ausgangsspannung nicht überschwingt.
IX Elektronische Schalter, Kippstufen 413

Durch Vertauschen von R und C erhält man einen v

Hochpaß 3. Ordnung. Gauß-Filter höherer Ordnung dB 0,01 0,1 rg1 1 rg2 10 100 1000
–3 v
lassen sich so aufbauen. vg
Es gibt viele Methoden zum Aufbau aktiver Tief- und –10
BS
Hochpaßfilter höherer Ordnung. Bei den meisten TP
–20 HP
Filtern ist ihre Berechnung und Dimensionierung
äußerst aufwendig. –30

Bild VIII-32 –40 Bild VIII-33

C1 C2 Aktive Bandsperre Normiertes
R3 mit OP –50
Bode-Diagramm
einer Bandsperre
C3
R1 R2
ue
ua R1 R2
C3

C1 C2
Um nur bestimmte Frequenzen zu verstärken oder zu
R3
unterdrücken, benötigt man selektive Filter. Mit einer
Kombination von Hoch- und Tiefpaß kann man ue
selektive Filter aufbauen.
Die Schaltung nach Bild VIII-32 zeigt eine leicht C4 R4 ua
berechenbare Bandsperre.
Wählt man R1 = R2 = 2 ⋅ R3 und C1 = C2 = C3/2, R5
so gilt für die Mittenfrequenz dieser Bandsperre fol- Bild VIII-34
gende Gleichung: Aktiver Bandpaß
1
Mittenfrequenz f = (VIII.30)
2 p ⋅ R1 ⋅ C1
Dieses Filter überträgt Signale hoher und tiefer Fre- Zur Verstärkung bestimmter Frequenzen kann das
quenzen unverändert. In einem bestimmten Frequenz- Doppel-T-Filter in die Rückkopplung als Gegen-
bereich werden jedoch die Signale stark unterdrückt. kopplung des OP geschaltet werden.
Bei der Grenzfrequenz (Resonanzfrequenz) hat das Die Schaltung nach Bild VIII-34 zeigt einen aktiven
Filter einen hohen Übertragungswiderstand. Bandpaß. Beim Bandpaß werden Spannungen unter-
Das Bode-Diagramm nach Bild VIII-33 zeigt das nor- halb und oberhalb bestimmter Frequenzen bedämpft
mierte Bode-Diagramm einer Bandsperre. Es ist und das Frequenzband dazwischen unverändert
erkennbar. daß die obere Grenzfrequenz des Tiefpas- übertragen.
ses unterhalb der unteren Grenzfrequenz des Hoch- In der Regel wird man versuchen, die Signale mit der
passes liegt. favorisierten Frequenz zu verstärken.

IX Elektronische Schalter, Kippstufen

1 Transistor als Schalter UB

Wird ein Transistor als Schalter betrieben, so hat er
zwei Arbeitspunkte, zwischen denen er im Betriebs- RLast
fall je nach Betriebszustand wechselt. Der Übergang
von einem Arbeitspunkt zum anderen wird durch ein
entsprechendes Steuersignal am Eingang des Transis- RV
tors erreicht. E
Damit dieser Übergang möglichst schnell ablaufen Bild IX-1
kann, muß das Steuersignal einen sprungartigen Ver- Transistorschalter
lauf im Schaltzeitpunkt haben (Rechteckimpuls). mit ohmscher Last
414 Elektronik

Bild IX-1 zeigt einen Transistorschalter mit ohm- IB Bild IX-3

schem Lastwiderstand im Serienbetrieb. Das Kenn- Ein- und Ausschaltverhalten
linienfeld nach Bild IX-2 zeigt die Anordnung der des Transistors
Arbeitspunkte A1 und A2 auf der Arbeitsgeraden.
Die Arbeitsgerade ist die Kennlinie des Kollektor-
widerstandes RC, der in diesem Betriebsfall der Last-
widerstand RLast ist. –IB t
Bei IB = 0 A fließt der sehr geringe Kollektor-Emit- IC Ausräumstrom
ter-Reststrom ICEO. Damit ist UCE ≈ UB. Der Arbeits-
90%
punkt A1 kann weiter nach unten verschoben werden,
indem die Basis beispielsweise auf negatives Potenti-
al gelegt wird.
10%
td tr ts t f t
IC Bild IX-2 tein taus
Ausgangskenn-
ICmax A2 linienfeld mit Nachteilig ist jedoch, daß damit die Ausschaltzeit taus
Arbeitsgerade und des Transistors größer wird. Die Basis-Emitter-
Arbeitspunkten Strecke wird durch den großen Basisstrom mit La-
dungsträgern überschwemmt und muß beim Aus-
IB schalten erst von ihnen geräumt werden, um zu sper-
ren. Diese Speicherzeit ts (storage time) ergibt sich
aus der Sperrschichtkapazität CCB. Hinzu kommt die
Abfallzeit tf (fall time) als definierte Zeitgröße. Den
Zusammenhang macht Bild IX-3 deutlich.
A1 I = 0A
B Die Einschaltzeit läßt sich durch kleine Werte für RB
UB UCE und große Übersteuerung verkürzen. Eine Schaltung
zur Realisierung solcher Zustände zeigt Bild IX-4.
Steuert man den Transistor mit einem großen Basis- Der Basisvorwiderstand RB wird durch die Teil-
strom IB an, fließt ein großer Kollektorstrom (Arbeits- widerstände RB1 und RB2 ersetzt.
punkt A2). Die Spannung UCE nimmt einen mini-
malen Wert UCE min = UCE sat bei UCB = 0 V an. Bild IX-4 UCC
Der Idealzustand eines Schalters mit R = ∞ W (Ar- Schaltung zur Verbesserung
beitspunkt A1) und R = 0 W (Arbeitspunkt A2) wird des Schaltverhaltens RC
von einem Transistorschalter nicht realisiert. Der
C1
Transistor erreicht seine Arbeitspunkte jeweils ent-
lang der Arbeitsgeraden.
Je mehr ein Transistor übersteuert wird, um so siche- RB1
rer wird der Arbeitspunkt A2 erreicht und gehalten. ua
Als Folge des überhöhten Basisstroms ergibt sich ein ue R B2
weiter reduziertes UCE sat. Den Grad der Übersteue-
rung gibt man als den Übersteuerungsfaktor ü an. Er
ist das Verhältnis zwischen dem tatsächlich fließen-
den Basisstrom IB ist und dem Basisstrom IB soll, der
eigentlich nur erforderlich wäre, um UCB = 0 V zu Im Einschaltmoment schließt der Kondensator C1
erreichen. den Widerstand RB2 kurz, so daß der Basisstrom nur
Im Schalterbetrieb wird ein Transistor meistens über- durch RB1 begrenzt wird und somit zur schnellen
steuert. Je stärker die Übersteuerung, desto kürzer Übersteuerung führt. Ist der Kondensator geladen,
wird die Einschaltzeit tein des Transistors. begrenzt der Basisvorwiderstand RB wieder den
Die Einschaltzeit ergibt sich als Summe aus Verzöge- Basisstrom. Im Ausschaltmoment läuft der gleiche
rungszeit td und Anstiegszeit tr. Die Verzögerungszeit Prozeß mit umgekehrtem Vorzeichen.
td (delay time) ergibt sich aus der Tatsache, daß die I B ist
Sperrschichtkapazität CEB am Anfang ungeladen ist Übersteuerungsfaktor ü = (IX.1)
und die Emitterdiode in Durchlaßrichtung gepolt I B soll
werden muß. Die Anstiegszeit tr (rise time) ist eine mit
definierte Größe, d.h., sie ist die Zeit, während der IC
der Ausgangsstrom vom 0,1 auf den 0,9 fachen End- I B soll = (IX.2)
wert ansteigt. Die Einschaltzeit tein wird mit zuneh- B
mendem Basisstrom kleiner. gewählt: ü ≈ 2 ... 10
IX Elektronische Schalter, Kippstufen 415

mit RC = Rlast:
UB − U CE sat UE − U BE
RC = RB =
IC IB
Überschlägig kann RB ≈ 10 ⋅ RC gewählt werden.
Die Sperrverluste sind sehr klein gegenüber den
Durchlaßverlusten und können daher meistens ver-
nachlässigt werden.
Verlustleistung im Sperrzustand
PSperr = UCE ⋅ ICBO
Die Durchlaßverluste lassen sich meßtechnisch und
rechnerisch recht einfach bestimmen.
Verlustleistung im Durchlaßzustand
PD = UCE sat ⋅ ICA2 = PV
Die Umschaltverluste lassen sich nicht so leicht be-
stimmen, weil die Strom- und Spannungswerte sich
während des Umschaltens ständig ändern. Bei einem
Schalter mit ohmscher Last sind Ein- und Ausschalt-
verluste beim Umschalten gleich groß, was bei kapa-
zitiven und induktiven Lasten nicht der Fall ist. In der
Praxis sind die wesentlich größeren Ausschaltverluste
bei induktiven Lasten besonders zu beachten.
Die Berechnung der Umschaltverluste kann allenfalls
überschlägig erfolgen.
Umschaltverluste
( t ein + t aus )
PSch ≈ UB ⋅ I Cmax ⋅
T
Bei Transistoren im Schalterbetrieb ergibt sich die
gesamte Verlustleistung Pges als die Summe der Teil-
verluste.
Verlustleistung Pges = PSperr + PD + PSch
Bei Leistungstransistoren liegen die Werte für die
Ein- und Ausschaltzeiten im Bereich von 1 ... 3 ms.
Wenn die Lasten zudem noch in größeren Zeitab-
ständen geschaltet werden, gilt folgende Vereinfa-
chung
In der Praxis werden Transistoren für den Betrieb als
Leistungsschalter bezüglich ihrer Verlustleistung
meistens recht großzügig ausgewählt. Es muß auf die
korrekte Bemessung der Kühlkörper geachtet werden.
Auch die Einhaltung der Grenzwerte UCE max und
IC max des ausgewählten Transistors muß gewährleistet
sein. Das ist besonders wichtig im Hinblick auf den
kleinen Kaltwiderstand einer Glühlampe im Ein-
schaltmoment oder auch wegen des hohen Anlauf-
stroms von Gleichstrommotoren.
(IX.3) Relais, Hubmagnete oder Motore haben einen über-
wiegend induktiven Anteil und können insgesamt
durch die Ersatzschaltung einer Spule (Induktivität
und ohmscher Spulenwiderstand in Reihe) elektrisch
beschrieben werden.
In der Schaltung nach Bild IX-5 ist der RLast so ge-
(IX.4) wählt, daß er mit dem in Bild IX-1 übereinstimmt. Die
Arbeitsgerade, die sich aus diesem Widerstand ergibt,
ist im Kennlinienfeld gestrichelt eingetragen. Auf ihr
liegen die statischen Arbeitspunkte A1 und A2.
Aufgrund der Selbstinduktionsspannung kann der
Kollektorstrom zunächst nur gering ansteigen, was
zur Folge hat, daß sich der dynamische Arbeitspunkt
dem Arbeitspunkt A2 von unten nähert. Diesen Vor-
gang zeigt das Kennlinienfeld nach Bild IX-6.
Im Moment des Ausschaltens wird die in der Induk-
tivität gespeicherte Energie frei und bewirkt eine
hohe Selbstinduktionsspannung, die so gepolt ist, daß
UB
(IX.5)
LLast
RLast
(IX.6)
RV
E
Bild IX-5
Transistorschalter mit
induktiv-ohmscher Last

für T >> ( t ein + t aus ) IC

gilt ICmax
Pges ≈ PD = U CE sat ⋅ I CA2 = PV (IX.7)

Für den Impulsbetrieb (im Gegensatz zum Dauerbe-

trieb) kann eine mittlere Verlustleistung definiert und IB
berechnet werden.
mittlere Verlustleistung
U2
Pm = PV ⋅ n = ⋅n (IX.8) IB = 0 A
R
UB UCE
Periodendauer T = t i + t p
Bild IX-6 Ausgangskennlinienfeld mit
ti eingezeichnetem Verlauf des
Tastverhältnis ν = (IX.9)
T Arbeitspunktwechsels
416
sie als positive Kollektorspannung wirkt. Die Selbst-
induktionsspannung erhöht die Kollektor-Emitter-
Spannung UCE soweit, daß sie größer als die Betriebs-
spannung UB werden kann. Sie kann Werte erreichen,
durch die der Transistor zerstört wird (UCE > UCEO).
Der Umschaltvorgang verläuft entlang der dynami-
schen Umschaltkurve nach Bild IX-6 und macht die
Spannungsüberhöhung deutlich. Aus diesem Grund
muß ein Transistorschalter im Serienbetrieb mit
induktiven Lasten (Relais) vor Überspannungen im
Ausschaltmoment geschützt werden.
UB
LLast RS
RLast
DS
RV
E
Bild IX-7
Transistorschalter mit
Freilaufdiode
Ein einfacher, aber wirksamer Schutz ist eine Frei-
laufdiode, wie sie in der Schaltung nach Bild IX-7 zu
sehen ist. Die Freilaufdiode liegt für die Betriebs-
spannung UB in Sperrichtung und ist somit un-
wirksam. Erst im Ausschaltmoment, also dann, wenn
infolge der Induktionsspannung die Kollektorspan-
nung größer als UB wird, liegt die Diode in Durch-
laßrichtung. Der dann fließende Strom IF baut die
Energie des Magnetfeldes so rasch ab, daß eine
gefährliche Überspannung nicht auftreten kann. Der
Widerstand RS begrenzt den Strom durch die Diode
auf zulässige Werte und wandelt die magnetische
Energie in Wärme um. Die Wirkung dieser Schutz-
maßnahme ist im Kennlinienfeld nach Bild IX-6
eingezeichnet.
Die Arbeitsgerade kann beim Schalterbetrieb des
Transistors nach Bild IX-8 durch die Verlustleis-
tungshyperbel verlaufen, jedoch müssen die stati-
schen Arbeitspunkte außerhalb liegen. Bei induktiver
beziehungsweise kapazitiver Last muß darauf ge-
IC Ptot Bild IX-8
Ausgangs-
A2
ICmax kennlinienfeld
mit Arbeits-
gerade und
Verlusthyperbel
IB
A1 IB = 0 A
UB UCE
Elektronik
achtet werden, daß der dynamische Arbeitspunkt
nicht zu lange in der Hyperbel verweilt.
In der Schaltung nach Bild IX-9 ist die Prinzip-
schaltung eines Transistorschalters mit einem Kon-
densator als Lastwiderstand dargestellt. Der Konden-
sator ist als „reale“ Kapazität dargestellt.
UB
CLast RLast
RV
E
Bild IX-9
Transistor mit
Kondensator als Last
IC
ICmax
IB
IB = 0 A
UB UCE
Bild IX-10 Ausgangskennlinienfeld mit
eingezeichnetem Verlauf des
Arbeitspunktwechsels
Ohne diesen Parallelwiderstand, der im Kennlinien-
feld nach Bild IX-10 als gestrichelte Arbeitsgerade
dargestellt ist, wäre ein statischer Betrieb im Arbeits-
punkt A2 nicht möglich.
Der Wert dieses RLast ist mit dem Widerstandswert
nach Bild IX-1 identisch gewählt, um die Wirkung
von CLast anschaulicher darstellen zu können.
Qualitativer Verlauf und Richtung des Arbeitspunkt-
verlaufs beim Ein- und Ausschalten sind im Kenn-
linienfeld nach Bild IX-10 eingezeichnet. Je niedriger
der Kapazitätswert ist, desto mehr nähert sich die
Übergangskennlinie der gestrichelten Arbeitsgeraden.
In der Schaltung nach Bild IX-11 wird ein Transistor
als Schalter verwendet, um ein Leistungsrelais an
den Ausgang eines Digitalgatters (hier NOT-Glied)
anzupassen. Liegt der Ausgang des Gatters auf
L-Potential, so ist der Transistor gesperrt; bei
H-Potential hingegen ist der Transistor leitend und
damit das Relais im erregten Zustand.
IX Elektronische Schalter, Kippstufen 417

+5V Je nachdem, wie ein Kippvorgang ausgelöst oder

eingeleitet wird, aber auch nach der Anzahl der
V2 K1 stabilen Zustände einer Kippschaltung, unterscheidet
R1 man folgende Arten: bistabile Kippstufen, monosta-
bile Kippstufen, astabile Kippstufen und Trigger-
R2 schaltungen.
E 1 V1
Die Art der Kippstufen hängt nach Bild IX-13 von der
technischen Ausführung der Koppelelemente Z1 und
Z2 ab. Sind die Koppelelemente Z1 und Z2, wie hier
Bild IX-11 Transistorschalter als „Interface“ im Bild dargestellt, ohmsche Widerstände R1 und R2,
so ist diese Kippschaltung eine „bistabile Kippstufe“.
Ist das Koppelelement Z1 ein ohmscher Widerstand
Bild IX-12 UCC R1, jedoch das Koppelelement Z2 durch das Koppel-
Transistorschalter mit element Z4 (C2 und R2) ersetzt, so ist diese Kipp-
Unterstützung zum RC schaltung eine „monostabile Kippstufe“.
sicheren Sperren Ist das Koppelelement Z2 weiterhin ein ohmscher
Widerstand R2, wird jedoch das Koppelelement Z1
durch das Koppelelement Z3 (C1 und R1) ersetzt, so
RB1
handelt es sich bei der Kippschaltung ebenfalls um
ua
eine „monostabile Kippstufe“.
Werden in der Kippschaltung sowohl Koppelelement
ue RB2 Z1 durch Koppelelement Z3 wie auch Koppelelement
Z2 durch Koppelelement Z4 ersetzt, so handelt es sich
bei dieser Kippschaltung um eine „astabile Kippstufe“.

2.1 Bistabile Kippstufe

Um zu verhindern, daß auch bei L-Potential der Eine bistabile Kippstufe nach Bild IX-14, auch „Flip-
Transistor leitend wird, verwendet man häufig eine Flop“ (FF) genannt, besitzt zwei stabile Schaltzustän-
Schaltung nach Bild IX-12. Hier reicht das L-Poten- de. Hier sind beide Transistorschalter identisch di-
tial häufig nicht aus, um eine Basisvorspannung zu mensioniert. Es ist erkennbar, daß der Kollektor von
bewirken, die den Transistor leitend werden läßt. In V1 direkt auf die Basis des Transistors V2 einwirkt
der Signalverarbeitung wird der Transistorschalter wie auch der Kollektor von V2 direkt auf die Basis
meistens an seinem Ausgang durch die Eingangs- des Transistors V1 einwirkt.
widerstände nachfolgender Transistorschalter bela-
stet. Diese Belastung kann sowohl gegen Masse als
UB
auch gegen die Betriebsspannung UB auftreten.
R C1 RC2
R1 R2
2 Kippschaltungen mit Transistoren
Kippschaltungen bestehen hauptsächlich aus zwei
UA1 V1 V2
Transistor-Schaltstufen, bei denen gleichzeitig eine
Stufe leitend und die andere Stufe gesperrt ist. RB1 RB2

UB E2 E1
Z1 Z2
Bild IX-14 Bistabile Kippstufe, auch „Flip-Flop“
RC1 RC2
R1 R2 (FF)
Ist der Transistor V2 im Sperrzustand, so ist V1
V1 V2
UA1 UA2 leitend und damit UA1 ≈ UCE sat. Die Basis des Transi-
RB1 R B2 stor V1 liegt über den Widerstand R2 und RC2 an UB.
Somit liegt die Basis von V2 über R1 und RC1 an
E1 E2 UCE sat1 von V1 und ist sicher gesperrt. Je nachdem,
welcher der beiden Transistoren als erster durchsteu-
Z3 Z4 ert, stellt sich ein bestimmter, aber dann nicht von
R1 R2 selbst veränderbarer Zustand an den Ausgängen ein.
C1 C2 An die Basisanschlüsse der Transistoren V1 und V2
nach Bild IX-14 sind die Eingänge E1 und E2 an-
Bild IX-13 Gemeinsame Kriterien und Synthese gebunden. Geht man von obiger Darstellung aus, daß
von Kippstufen heißt, V1 leitend und V2 gesperrt, und bringt man
418 Elektronik

nun auf den Eingang E1 einen positiven Span- Parallelkondensatoren

nungsimpuls UE1, so wird V2 leitend und V1 gesperrt RC + R B
und damit UA1 ≈ UB. Dies hat zur Folge, daß die Basis CK ≤ (IX.12)
von V2 über R1 auf UB gehalten wird und der Transi- 4 , 6 ⋅ f ⋅ RC ⋅ R B
stor V2 leitend bleibt. f ein
Bringt man nun auf den Eingang E2 einen positiven mit der Frequenz der Eingangssignale f =
2
Spannungsimpuls UE2, so wird V1 leitend. Die beiden
positiven Spannungsimpulse auf E1 und E2 haben 2.2 Monostabile Kippstufe
also den ursprünglichen Zustand wiederhergestellt.
Die Werte für UA1 und UA2 sind einander entgegen- Es gibt zwei Versionen der monostabilen Kippstufe
gesetzt. Zum Umschalten in den jeweils entgegenge- (Bild IX-13). Sie werden mit Kennzeichnung der
setzten Zustand ist nur ein kurzzeitiger Eingangs- Eingänge E1 und E2 vorgestellt. Ein positives Signal
impuls am jeweiligen Steuereingang erforderlich. Der auf den Eingang E2 läßt das Monoflop nach Bild
dann eingenommene Zustand wird solange gespei- IX-16 vom stabilen Zustand in den nichtstabilen Zu-
chert, bis ein entsprechender Impuls am anderen Ein- stand kippen. Nach einer von der Schaltungsdimen-
gang einen neuen Zustand herbeiführt. sionierung abhängigen Zeit ti kippt er von selbst in
Aus diesem Grund können Flip-Flops (bistabile die stabile Schaltstellung zurück und kann nach einer
Kippstufen) in der Digitaltechnik als Informations- bestimmten Zeit trec erneut gesetzt werden.
speicher eingesetzt werden.
Beim Anlegen der Spannung UB an ein FF tritt ein UB
beliebiger, aber stabiler Ausgangszustand ein, der nur RC1 R2 RC2
von den Parameterstreuungen der Transistoren ab-
hängt. R1 C2

UB UA1 V1 V2 UA2
RC1 RC2
R B2
R1 V3 R2
E2
UA1 V1 V3 UA2 Bild IX-16 Prinzipschaltung einer monostabilen
RB1 RB2 Kippstufe

E1 E2 Beim Anlegen der Versorgungsspannung UB wird der

Transistor V1 leitend, weil sein Basisstrom über RC2
Bild IX-15 Bistabile Kippstufe mit definiertem
und R2 größer ist als derjenige nach V2. Der Kon-
Grundzustand
densator C2 wird über RC2 geladen, daß heißt, die
Spannung UC2 am Kondensator ist am Ende des
Soll nach dem Anlegen der Spannung UB ein definier-
Ladevorganges gleich der Spannung UB.
ter Ausgangszustand festliegen, so muß die Schaltung
Es fließt kein Strom mehr über C2 in die Basis des
nach Bild IX-14 entsprechend Bild IX-15 modifiziert
Transistors. Lediglich der normale Basisstrom IB
werden.
fließt über R2 zu. Die Spannung UBE am Transistor
Die Diode V3 bewirkt in dieser Schaltung, daß der
V1 beträgt ca. 0,7 V.
Transistor V1 immer vor dem Transistor V2 leitend
Ein positives Signal auf den Eingang E2 läßt den
wird und nach dem Einschalten der Versorgungs-
Transistor V2 leitend werden, wodurch die Spannung
spannung somit UA1 ≈ UCE sat ist.
an der Basis von V1 auf einen Wert von UBE = – UB
Berechnet werden kann eine solche Schaltung prin-
heruntergezogen wird, da der positive Anschluß von
zipiell nach folgenden Gleichungen (UBE und UV3
C2 auf Masse gelegt wird. Der Transistor V1 sperrt
vernachlässigt):
infolgedessen. Der Kondensator C2 beginnt nun
Kollektorwiderstand damit, sich über den Widerstand R2 auf die Batterie-
spannung + UB umzuladen. Wenn sich der Kondensa-
U B − U CE sat UB
RC1 = RC2 = ≈ (IX.10) tor auf UBE = + 0,7 V umgeladen hat, wird der Tran-
IC IC sistor V1 wieder leitend und damit UA1 ≈ 0 V.

Vorwiderstand
1
R1 = R2 =⋅ RC ⋅ B (IX.11) Schaltzeit t i = R2 ⋅ C 2 ⋅ ln 2 (IX.13)
ü
Der Kondensator C2 muß sich wieder in den nor-
Durch weitere Maßnahmen, wie zum Beispiel Paral- malen Zustand umladen, also von ca. 0 V auf
lelschaltung von Kondensatoren zu den Widerständen UC2 = + UB. Man spricht hier von der
R1 und R2, kann die Flankensteilheit der Ausgangs-
spannungen verbessert werden. Erholzeit t rec = 5 ⋅ RC2 ⋅ C 2 (IX.14)
IX Elektronische Schalter, Kippstufen 419

Die nächste Triggerung (positives Signal an E2) des
Monoflops sollte nicht vor Ablauf der Erholzeit erfol-
gen, da sonst C2 nicht voll aufgeladen wird und die
Schaltzeit „unkalkulierbar“ verkürzt wird. Mit han-
delsüblichen Bauteilen lassen sich Impulszeiten von
ca. 10 ms bis maximal 10 s erreichen. Bei Verwendung
von FET können längere Zeiten erreicht werden.
Gleichstrommäßig sind die beiden Transistorschalter
so ausgelegt, daß sie bei fehlenden Kondensatoren
voll leiten würden. Die Frequenz der Ausgangs-
spannung sowie das Impuls-Pausen-Verhältnis hän-
gen von den Zeitkonstanten der beiden RC-Glieder
R2 ⋅ C2 beziehungsweise R1 ⋅ C1 ab.
Periodendauer T = ( R1 ⋅ C1 + R2 ⋅ C 2 ) ⋅ ln 2 (IX.15)

UB > 6V 12V
RC1 RC2 CQY 26 CQY 26
R1
390 33k 33k 390
C1 R2

0,047m 0,047m
V1 V2 UA2 BC 107 BC 107
RB1 V3
BA 170 BA 170
E1 Blinkschaltung mit LEDs (f = 0,5Hz)
Bild IX-17 Verbesserte monostabile Kippstufe Bild IX-19 Blinkschaltung mit LEDs
Wegen ti ≈ trec ist für ti durch C2 eine untere Grenze
T Die Blinkschaltung in Bild IX-19 ist in dieser Form
gegeben, die praktisch bei t i ≈ liegt. verwendbar. Die Dioden vor der Basis der Transisto-
10 ren haben die gleiche Funktion wie in Bild IX-17
Im Moment der Triggerung liegt die volle negative beschrieben.
Batteriespannung UB an der Basis-Emitter-Strecke des
Transistors und beansprucht sie in Sperrichtung. Diese 2.4 Triggerschaltungen
BE-Strecken haben aber schon bei Spannungen um 6 V
ihre Durchbruchspannungen, wodurch dieser pn- Als Schmitt-Trigger wird eine Kippschaltung bezeich-
Übergang stark gefährdet ist. Die Zeit ti wird durch die net, die beim Überschreiten einer bestimmten Ein-
schnelle Entladung des Kondensators stark verkürzt. gangsspannung UE1 vom Ruhezustand in den Arbeits-
Abhilfe schafft hier die Diode V3 nach Bild IX-17. zustand kippt und erst beim Unterschreiten einer be-
stimmten Eingangsspannung UE2 wieder in den Ruhe-
2.3 Astabile Kippstufe zustand zurückkippt. Schmitt-Trigger nach Bild IX-20
Im Prinzip ist eine astabile Kippstufe nach Bild werden häufig als Schwellenwertschalter eingesetzt.
IX-18 eine geschickte Kombination zweier Mono- Wie bei jeder Kippschaltung erfolgt das Kippen stets
flops ohne Eingänge. Beide Monoflops sind so ge- sprunghaft, so daß auch bei einem beliebigen Verlauf
schaltet, daß sie sich jeweils nach Ablauf der durch der Eingangsspannung die Ausgangsspannung eines
die Zeitglieder bestimmten Schaltzeiten gegenseitig Schmitt-Triggers rechteckförmig ist und nur die
triggern (schalten). Da beide Schalter nur noch über beiden Spannungswerte UA min und UA max erscheinen,
Kondensatoren wechselstrommäßig miteinander ge- also ein digitales Signal vorliegt. Da das Kippen
koppelt sind, hat die Schaltung zwei instabile meistens schnell erfolgt, ergeben sich steile Flanken.
Zustände. Sie kippt daher fortlaufend von einem in- Das Eingangssignal ist ein analoges Signal; der
stabilen Zustand in den anderen und erzeugt dabei Schmitt-Trigger kann also als Analog-Digital-Wand-
eine Ausgangsspannung mit einem kontinuierlichen, ler gelten.
rechteckförmigen Verlauf (Rechteckgenerator).
UB Bild IX-20
R C1 RC2 Schmitt-
UB
Trigger als
RC1 R1 R2 RC2 Schwellen-
C1 C2 R1 wertschalter

V1 V2
UA1 V1 V2 UA2 RL
R2 UA
UE

RE URE
Bild IX-18 Prinzipschaltung einer astabilen
Kippstufe
420 Elektronik

Über den gemeinsamen Emitter-Widerstand RE liegt UB

eine gleichstrommäßige Mitkopplung zwischen den R C1 K
beiden Transistoren vor. Der Spannungsteiler aus R1 R3 V3
und R2 muß so dimensioniert sein, daß V2 mit der
sich einstellenden Emitterspannung URE voll durch- C1 R1
gesteuert ist. Die Ausgangsspannung UA min ist die
V1 V2
Summe aus URE + UCE sat. Der Schmitt-Trigger befin-
det sich jetzt im Ruhezustand. R2
Bild IX-22
Er bleibt im Ruhezustand, solange die Eingangsspan-
V4 Lichtabhängiger
nung UE < UE1 ist, wobei UE1 die obere Schwellspan-
RE URE Schwellenwert-
nung des Schmitt-Triggers darstellt. Die Mitkopplung
schalter
bewirkt, daß der Schmitt-Trigger bei einer Erhöhung
von UE über UE1 hinaus sehr schnell vom Ruhezu- Dämmerungsschalter
Dämmerungsschalter
stand in den Arbeitszustand kippt, wobei V1 leitend
und V2 gesperrt (UA max = UB) ist. Dieser Arbeitszu-
stand bleibt solange erhalten, wie UE > UE2 ist. Wird
Ruhelage 2:
die Eingangsspannung UE < UE2, kippt der Schmitt-
Trigger in den Ruhezustand zurück. V1 leitend, V2 gesperrt mit UE > UE2
Ausschaltspannung
UA Bild IX-21 U E2 = U RE1 + U BE1 = I C1 ⋅ R E + U BE1 (IX.19)
Übertragungskennlinie des
Schmitt-Triggers U B − U CE sat1
Kollektorstrom I C1 = (IX.20)
RC1 + R E
Ausgangsspannung U A = U B (Leerlauf) (IX.21)
Hilfreich zur Berechnung ist die Überlegung, daß
beim Ausschalten für den Ausschaltmoment IC1 = IC2
sein muß!
–UE UE2 UE1 UE
Hysteresespannung DUE = UE1 – UE2 (IX.22)
Die Spannungsdifferenz zwischen UE1 und UE2 wird als
Schalthysterese des Schmitt-Triggers bezeichnet. Der 3 Operationsverstärker als Schalter
Zusammenhang zwischen Ein- und Ausgangsspannung Wird ein OP ohne Gegenkopplung betrieben, so ist
wird in Bild IX-21 in Form der Übertragungskennlinie seine Leerlaufverstärkung V0 voll wirksam. Legt man
dargestellt. Die Flankensteilheit kann durch Parallel- den OP nach Bild IX-23 mit dem invertierenden
schalten eines Kondensators zu R1 verbessert werden. Eingang auf Masse und an den nichtinvertierenden
Sprunghafte Änderungen des Kollektorpotentials von Eingang eine variable Spannung, so ist diese Ein-
Transistor V1 wirken sich so schneller auf V2 aus. gangsspannung UE auch gleichzeitig die Differenz-
Bei dem lichtabhängigen Schwellenwertschalter nach spannung UD, die mit V0 verstärkt als Ausgangsspan-
Bild IX-22 wird der Schaltvorgang bei einer be- nung UA an den Ausgang des OP gelangt.
stimmten Beleuchtungsstärke ausgelöst. Durch die sehr hohe Leerlaufverstärkung (beim
Solange auf die Fotodiode V4 kein Licht fällt, ist idealen OP ist V0 = ∞) gelangt der OP schnell in die
diese hochohmig, V1 leitend und damit V2 gesperrt. Sättigung, daß heißt die Ausgangsspannung erreicht
Fällt ausreichend Licht auf V4, kippt der Trigger und schnell die positive oder negative Aussteuergrenze
das Relais K zieht an. des jeweiligen OP nach Bild IX-24.
Als Hilfe zur Berechnung eines Schmitt-Triggers
können folgende Überlegungen dienen: R1
Ruhelage 1:
V1 gesperrt, V2 leitend mit UE < UE1
UE UA
Einschaltspannung
U E1 = U RE2 + U BE1 = I C2 ⋅ R E + U BE1 (IX.16)

U B − U CE sat Bild IX-23 Nichtinvertierender OP als Schalter

Kollektorstrom I C2 = (IX.17)
RC2 + R E  Beispiel: Die Aussteuergrenze eines OP soll UA = ±12 V und die
Leerlaufverstärkung V0 = 105 betragen.
Ausgangsspannung U A = U RE2 + U CE sat2 (IX.18) Es gilt: UA = UD ⋅ V0 ⇒ UD = UA/V0 = ±12 V/105 = ±0,12 mV
IX Elektronische Schalter, Kippstufen 421

UA so kehren sich die oben dargestellten Überlegungen

um (siehe Bild IX-26).
Der Schaltpunkt dieser Schwellwertschalter liegt also
bei einer Spannung UE nahe 0 V.

4 Kippschaltungen
–UE UE
mit Operationsverstärker
4.1 Triggerschaltungen
Bild IX-24 mit Operationsverstärker
Übertragungskennlinie
eines Komparators nach Ein Schwellwertschalter ohne Hysterese ist in der
–UA Bild IX-23 Praxis kaum verwendbar, denn die dem eigentlichen
Signal überlagerten Störspannungen führen zum
Demnach reicht eine Eingangsspannung von mehrfachen Umschalten.
± 0,12 mV aus, um den OP an die jeweilige Aussteu-
ergrenze zu bringen. Der Signalwechsel am Ausgang R3
Bild IX-27
findet also theoretisch immer beim Polaritätswechsel Schwellwertschalter
der Eingangsspannung statt. Der OP realisiert einen R1 mit Hysterese
Komparator ohne Hysterese (Komparator = Span-
nungs-Vergleicher; to compare: engl. = vergleichen).
UE UA
R1
R2

UE
UA
Bild IX-25 Schaltung eines invertierenden
Komparators
UA Bild IX-26
Übertragungskennlinie
eines invertierenden
Komparators
–UE UE
–UA
Natürlich ändert sich die Ausgangsspannung nicht in
unendlich kurzer Zeit. Die Anstiegsgeschwindigkeit
(slew rate) der Ausgangsspannung des OP 741 liegt
zum Beispiel bei 1 V/ms, daß heißt, der Wechsel der
Ausgangsspannung von der positiven zur negativen
Aussteuergrenze (und umgekehrt) dauert im obigen
Beispiel ca. 24 ms. Außerdem muß eine zusätzliche
„Erholzeit“ infolge der Übersteuerung des OP be-
rücksichtigt werden.
Legt man nach Bild IX-25 den nichtinvertierten Ein-
gang auf Masse und an den invertierten Eingang die
Eingangsspannung nach nebenstehender Schaltung,
Durch Mitkopplung lassen sich Schaltungen realisie-
ren, die diese Hysterese aufweisen. In der Schaltung
nach Bild IX-27 wird die Spannung am Widerstand
R2 mitgekoppelt. Weil die Eingangsspannung auf den
invertierenden Eingang geführt wird, heißt diese
Schaltung „Invertierender Komparator mit Hyste-
rese“.
Die Ausgangsspannung kann nur zwei definierte
Werte annehmen, nämlich UA ≈ ± UB.
R2
Mitkopplungsspannung U R2 = U B ⋅ (IX.23)
R 2 + R3
Wenn das Eingangssignal UE den Wert von UR2 er-
reicht, kippt die Ausgangsspannung von + UB nach
– UB um. Der Grund liegt darin, daß die Differenz-
spannung UD ihren Nullpunkt durchläuft. Nun liegt
der nichtinvertierende Eingang wegen des Span-
nungsteilers aus R2 und R3 auf einem negativen
Potential, nämlich auf – UR2.
UA Bild IX-28
Übertragungsverhalten
eines Komparators mit
Hysterese
–UE UE2 UE1 UE
–UA
422 Elektronik

Wenn das Eingangssignal den Wert von – UR2 er-  Beispiel: Ein invertierender Komparator (mit idealem OP) soll
für die Schaltpunkte UE1 = 10 V und UE2 = 8 V berechnet werden.
reicht, kippt die Ausgangsspannung von – UB nach Die Aussteuergrenzen des OP liegen bei UA = ± 12 V. R3 = R4 =
+ UB um. Die rückgekoppelte Spannung UR2 des 100 kW und R2 = 33 kW.
Spannungsteilers stellt also die Ein- und die Aus- Zu bestimmen sind die Referenzspannung, die Mitkopplungsspan-
schaltschwelle des Komparators dar. nung U2 und der Wert von R2.
Das Übertragungsverhalten des Komparators ist in Lösung:
Bild IX-28 dargestellt. Die Schaltpunkte liegen sym- In zwei Schaltbilder sind die Potentiale unmittelbar vor dem Signal-
metrisch um das Nullpotential. Der Betrag der wechsel von UA einzutragen. Daraus kann man erkennen:
Die Hysterese beträgt 2 V. Die Spannung am Punkt A verändert
Schalthysterese ist also die Summe aus UE1 und UE2 sich nur um 1 V infolge der Spannungsteilung durch R3 und R4,
und läßt sich berechnen als wenn sich die Eingangsspannung von 10 V auf 8 V ändert.
Dieselbe Spannungsänderung muß durch die Mitkopplungsspan-
R2
Hysteresespannung UHy = 2 ⋅ UB ⋅ (IX.24) nung U2 erfolgen; somit muß U2 = 0,5 V sein.
R2 + R3 Damit kann R2 als Teilerwiderstand berechnet werden. Wegen R3
= R4 und theoretisch unendlich großem OP-Eingangswiderstand
Sollen die Schaltpunkte nicht symmetrisch um das ist UR3 = UR4.
Mit UD = 0 V gilt im Schaltaugenblick: UR3 = 10 V – 0,5 V =
Nullpotential liegen, muß der jeweils benutzte Ein- 9,5 V. Damit ergibt sich als Referenzspannung URef = – 9 V!
gang auf den gewünschten Spannungswert (Referenz-
spannung) mit umgekehrtem Vorzeichen gelegt (vor- UB
gespannt) werden.
R5 R3
UA Bild IX-29
Übertragungs- R1 R4
kennlinie eines I
Komparators mit Q
einstellbarer UE
Schaltschwelle UA
R2
–UE UE2 UE1 UE
Bild IX-31 Komparator mit einstellbarer Schalt-
schwelle und einstellbarer Hysterese

UA Bild IX-32
–UA
Übertragungskennlinie zum
Komparator nach Bild IX-31
–URef Bild IX-30
R4 Komparator mit frei
wählbaren Schaltpunkten

R3 A

R1 –UE UE2 UE1 UE

UE
UA
U2 R2
Die Ausgangsspannung UA ist wiederum die positive
oder negative Aussteuergrenze des OP.
Die Übertragungskennlinie nach Bild IX-29 zeigt das
prinzipielle Schaltverhalten. Der OP in der Schaltung
nach Bild IX-30 schaltet um, wenn das Potential am
Punkt A den Wert Null durchläuft. Mit den Wider-
ständen R1 und R2 sind die Ein- und Ausschaltpunkte
im Zusammenhang mit R3 und R4 einstellbar. In
dieser Schaltung sind die Schaltpunkte völlig frei
wählbar.
Die Schaltung nach Bild IX-31 zeigt einen in-
vertierenden Komparator, bei dem Schaltschwelle
und Hysterese mit Hilfe der Potentiometer R5 und R3
eingestellt werden. Der OP liegt an einer unsym-
metrischen Versorgungsspannung, so daß die Aus-
gangsspannung UA entsprechend der Übertragungs-
kennlinie nach Bild IX-32 maximal zwischen 0 V und
UB springen kann.
4.2 Astabile Kippstufe
mit Operationsverstärker
Beschaltet man den Eingang eines invertierenden
Komparators (mit Hysterese) nach Bild IX-33 mit
einem RC-Glied, das seine Spannung vom Ausgang
des OP bezieht, so erhält man eine astabile Kipp-
stufe.
IX Elektronische Schalter, Kippstufen 423

Die Mitkopplungsspannung U2 hat dieselbe Polarität Die Ausgangsspannung wird für eine bestimmte Zeit
wie die Ausgangsspannung und wird durch den ti auf einem bestimmten Pegel gehalten. (Timer, Zeit-
Spannungsteiler erstellt. glied).
Die Polarität der Ausgangsspannung wird von der
Bild IX-33 Richtungslage der Diode V1 bestimmt.
R3
Astabile Kippstufe
U A + 0, 7 V
OP1 mit OP Impulsdauer t i = R3 ⋅ C1 ⋅ ln (IX.27)
U A − U2
Abgerufen wird hier die Zeit ti, indem man für einen
R1 Moment den nichtinvertierenden Eingang des OP
negativer als den invertierenden Eingang macht. Da-
UA durch kippt der OP am Ausgang auf – UA, der nicht-
invertierende Eingang wird somit auf – U2 gelegt, und
uC U2 R2 der Kondensator lädt sich nach Bild IX-35 um. Wird
C uC = – U2, so kippt der OP erneut.

Der Kondensator lädt sich über den Widerstand R3 UE

auf die Spannung UA auf. Erreicht die Kondensator-
spannung uc den Wert von U2, so kippt der Ausgang, t
und der Kondensator lädt sich in die andere Richtung
um. Dieser Vorgang wiederholt sich kontinuierlich. UA
U + U2 U2 > 0,7V
Impulsdauer t i = R3 ⋅ C1 ⋅ ln A (IX.25) U2
ue
U A − U2
0,7V
Da ti = tp ist und somit T = 2 ⋅ t und außerdem U2 t
ersetzbar ist, erhält man für die –U2
uc
Periodendauer –UA
ti trec (umladen über R3)
⎛ R ⎞
T = 2 ⋅ R3 ⋅ C1 ⋅ ln ⎜ 1+ 2 ⋅ 2 ⎟ (IX.26)
⎝ R1 ⎠
Bild IX-35 Liniendiagramm einer monostabilen
Mit f = 1/T läßt sich die Taktfrequenz der astabilen Kippstufe
Kippstufe berechnen. Die Ausgangsspannung ist eine
Rechteckspannung mit positiver und negativer Am- Der Kondensator lädt sich aber jetzt nur auf die
plitude (Rechteckgenerator). Schleusenspannung US der Diode, so daß ein weiterer
Kippvorgang nicht ausgelöst wird. Wird die Diode
4.3 Monostabile Kippstufe umgepolt, so ist der Ablauf genau umgekehrt zu
mit Operationsverstärker verfolgen. Die Zeit trec, die der Kondensator benötigt,
um sich von – U2 auf US aufzuladen, sollte bis zum
Schaltet man parallel zum Kondensator C1 nach nächsten Abrufen des Zeitgliedes verstreichen, da
Bild IX-34 eine Diode V1, dann sorgt die Schleusen- sonst ti nicht immer gleich ist.
spannung US der Diode dafür, daß der Kondensator
sich nur in einer Richtung bis zur Mitkopplungsspan-
nung U2 laden kann (Voraussetzung: U2 > US gewählt). 4.4 Bistabile Kippstufe
Die Schaltung kann nur nach einem der beiden Lade- mit Operationsverstärker
vorgänge kippen. Es handelt sich also um eine mono-
stabile Kippstufe. Eine bistabile Kippstufe mit OP stellt die Schaltung
nach Bild IX-36 dar.
R3 Bild IX-34
Monostabile +U Bild IX-36
Kippstufe Bistabile Kippstufe
R2 mit OP
mit OP Reset
UC R1
R1
A
UA

UE V1 C1
R2 Set R3
R4
424 Elektronik

Die Wirkungsweise der Schaltung ergibt sich aus UB

dem Aufbau. Der Schaltungsaufwand ist sehr gering
1
gegenüber dem Aufwand, der betrieben werden muß R1
bei der Realisierung einer solchen Schaltung mit V2
555
Transistoren. Auch die Schaltschnelligkeit des OP ist
UTr uc
deutlich höher.
UA C
22
CB
100k
5 Zeitgeber 555
V1
Monostabile und astabile Kippschaltungen lassen sich
für zahlreiche Anwendungen mit einer integrierten Bild IX-39 Nachtriggerbarer Timer mit dem IC 555
Standardschaltung realisieren, die als Zeitgeber mit
der Typenbezeichnung IC 555 (Bild IX-37) bekannt Das „Nachtriggern“ wird solange fortgesetzt, bis eine
ist. ausreichend lange Impulslücke auftritt. Die Verweil-
zeit t′i nach dem letzten Impuls hängt allerdings auch
1 von VCC ab.
VCC
Der IC 555 ist auch als astabile Kippstufe einsetzbar.
Trigger/Set Discharge Während der Impulsdauer ti ist die Ausgangsspan-
Output Threshold
nung Ua ≈ VCC. Impulsdauer ti und Pausendauer tp
sind unabhängig voneinander einstellbar.
Reset Control
Voltage
Bild IX-37
IC 555 Belegungsplan UB
CMOS-Version 7555 eines IC 555
1 R1
Der Timer-IC 555 ist in der Schaltung nach Bild
IX-38 als monostabile Kippstufe beschaltet. Die 555
Verweilzeit ti hängt nur von dem zeitbestimmenden
RC-Glied und nicht von der Betriebsspannung des IC R2
ab. Pin 2 ist der „Set“-Eingang, der auf die negative Ua
Flanke des Set-Signals reagiert.
CB C
UB
1
R1 Bild IX-40 Astabile Schaltung mit dem IC 555
555
UB
C uC
UTr UA R1 1

CB 555
A

Bild IX-38 Timer-IC 555 als monostabile Kippstufe

An Pin 5 ist stets ein Kondensator CB = 10 nF gegen
Masse zu schalten. Bei einer Versorgungsspannung
von VCC = + 5 V ist der Ausgang TTL-kompatibel;
während der Verweilzeit ti ist Ua ≈ VCC. Die Zeit kann
zwischen 1 ms und ca. 15 min liegen.
Verweilzeit ti = R1 ⋅ C ⋅ ln 3 (IX.28)
Die einfache monostabile Kippstufe ist in der Schal-
tung nach Bild IX-39 zu einer nachtriggerbaren mo-
nostabilen Kippstufe erweitert worden. Gibt man
innerhalb der Verweilzeit ti einen erneuten Impuls mit
negativer Flanke auf den Trigger (Pin 2), so wird
dadurch das Rückkippen der KS verzögert. Bei einer
schnellen Folge von Impulsen kann dadurch das
Rückkippen der KS beliebig verzögert werden.
CB
Bild IX-41 Lichtabhängiger Trigger mit dem IC 555
Für die astabile Schaltung nach Bild IX-40 gelten
folgende Regeln:
Impulsdauer t i = ( R1 + R2 ) ⋅ C ⋅ ln 2 (IX.29)
Pausendauer t p = R2 ⋅ C ⋅ ln 2 (IX.30)
Als Trigger wird der IC 555 in der Schaltung nach
Bild IX-41 verwendet. Fällt Licht auf den Fototransi-
stor, wird er niederohmig, und die abfallende Flanke
triggert den IC 555, der aufgrund der Ausgangs-
spannung Ua ≈ VCC und des Ausgangsstroms (max.
200 mA) unmittelbar ein Relais schalten könnte.
X Oszillatoren
6 Trigger TCA 345 A
Neben einer Vielzahl an Triggern, z.B. aus der
TTL-Typenreihe 74xx und der CMOS-Typenreihe
40xx, gibt es auch andere Trigger-IC-Typen. Der
TCA 345 A nach Bild IX-42 ist einfach in eine
Schaltung zu integrieren und durch die Auswahl der
Versorgungsspannung UB leicht entsprechend dem
UI
V
1 7
I TCA Q 6
Hysterese
UEin
UCC 345 A 5 und zugehörige Hysteresespannungen einzustellen.
4 Die Schaltung nach Bild IX-43 zeigt einen Dämme-
3 UAus
2 345 A.
1 Die Schaltung wird mit dem Poti R2 so abgeglichen,
2 4 6 8 10 12 14 16 UB
V spannung des TCA größer als UEin ist, so daß der
Schaltzeichen,
allgemein
Bild IX-42 TCA 345 mit Belegungsplan und
Übertragungskennlinie
X Oszillatoren
1 Allgemeines
Oszillatoren sind elektronische Schwingungserzeuger.
Sie dienen zur Erzeugung von ungedämpften sinus-
förmigen Schwingungen. Einsatzgebiete liegen vor in
Sendern (Erzeugung der Hochfrequenz), Empfängern
(Bildung der Zwischenfrequenz), Meßgeräten (Sinus-
, Rechteckgeneratoren) und elektronischen Musikin-
strumenten (Synthesyser).
Oszillatoren bestehen aus einem Verstärker und
einem Rückkopplungsnetzwerk, das meistens eine
Mitkopplung darstellt. Diese Rückkopplung muß be-
stimmte Bedingungen erfüllen, damit Sinusschwin-
gungen entstehen.
Das Rückkopplungsnetzwerk besteht aus einem Re-
sonator und einer Anpassungsschaltung. Unter einem
Resonator ist ein schwingungsfähiges Netzwerk, zum
Beispiel ein Schwingkreis oder ein Schwingquarz, zu
verstehen, das mit seiner Eigenfrequenz die Schwing-
frequenz des Oszillators bestimmt. Da ein Resonator
normalerweise verlustbehaftet ist, würde nach dem
Anschwingen die Ausgangsamplitude exponentiell
abnehmen, so daß eine gedämpfte Schwingung statt
der gewünschten ungedämpften Schwingung zustan-
de käme. Die Verluste der Schaltung müssen also
durch einen Verstärker kompensiert werden.
425
10V
RPY63
R1
2
1
Bild IX-43
4
TCA 345-
3 Applikation
5k6 R2 TCA 345A
als Dämme-
R3 rungsschalter
2k
zugehörigen Diagramm auf bestimmte Schwellwerte
rungsschalter mit dem LDR RPY 63 und dem TCA
daß bei Tageslicht (LDR niederohmig) die Eingangs-
Ausgang (Pin 4) auf 10 V liegt. Dadurch wird ein
Schalten des Relais verhindert. Nach Einbruch der
Dunkelheit unterschreitet die Eingangsspannung den
Wert von UAus und das Relais zieht an.
Deshalb wird ein Teil der Ausgangsgröße (Spannung
oder Strom) auf den Resonator zurückgeführt, so daß
die Schwingung des Resonators erneut angestoßen
wird (Selbsterregung).
Eine Selbsterregung kann nur bei einer Phasengleich-
heit von Eingangs- und Ausgangsgröße entstehen,
daß heißt, es muß eine Mitkopplung vorliegen (Pha-
senbedingung).
Eine Mitkopplung hat als generelle Tendenz die Über-
steuerung des Verstärkers zur Folge und liefert keine
sinusförmige Ausgangsspannung mehr. Es muß also
eine Amplitudenbegrenzung vorgenommen werden.
Bildet man das Verhältnis von Ausgangsspannung ua
zur Eingangsspannung ue und nennt diese Verstärkung
v, so kann man auch das Verhältnis von rückge-
koppelter Spannung ur zur Ausgangsspannung ua bil-
den und nennt dieses Verhältnis Kopplungsfaktor K.
u
Grundbedingung v = a ur = K ⋅ ua (X.1)
ue
Das Produkt K ⋅ v bezeichnet man als Ringverstär-
kung. Die Ringverstärkung muß mindestens gleich
eins sein (K ⋅ v = 1), damit die Selbsterregung einset-
zen kann (Amplitudenbedingung). Dieser Mindest-
wert reicht aus, um eine bestehende Schwingung zu
erhalten (ungedämpfte Schwingung).
426 Elektronik

Ist die Ringverstärkung K ⋅ v < 1, kommt keine Der Oszillator schwingt mit der Frequenz f0, für die
Schwingung zustande oder eine vorhandene Schwin- diese Phasenschieberkette insgesamt genau eine
gung „reißt“ ab. Phasenverschiebung von 180° bewirkt. Die Phasen-
Ist die Ringverstärkung K ⋅ v > 1, schaukelt sich die verschiebung der einzelnen RC-Glieder ist nicht
Amplitude der Schwingung auf, und es treten durch gleich groß, da jeweils das folgende Glied das vor-
Übersteuerung Verzerrungen auf. ausgehende belastet.
Soll ein Oszillator anschwingen, muß die Ringver- Frequenz der Ausgangsspannung
stärkung K ⋅ v > 1 sein; nach dem Anschwingen je-
1
doch muß sich der Verstärkungs- oder Kopplungsfak- f0 = (X.2)
tor mit wachsender Amplitude „automatisch“ auf 6 ⋅ 2p ⋅ R ⋅ C
K ⋅ v = 1 verringern. Die Widerstände R1, R2 und rBE ergeben sich durch
Sind die Schwingungsbedingungen nur für eine Fre- den Verstärker. Deshalb sind die Widerstände R
quenz erfüllt, schwingt der Verstärker nur auf dieser danach zu dimensionieren.
einen Frequenz; die Schwingung ist sinusförmig.
Widerstandsbestimmung R = R1 R2 rBE (X.3)
2 Sinusgeneratoren (RC-Oszillatoren) 1
Rückkopplungsfaktor K = (X.4)
Bei sehr hohen Ansprüchen an die Genauigkeit der 29
erzeugten Frequenz wird als frequenzbestimmendes Um die Amplitudenbedingung zu erfüllen, muß der
Bauteil anstelle des Schwingkreises ein Schwing- Verstärkungsfaktor des Verstärkers generell → v ≥ 29
quarz eingesetzt. Die maximale Abweichung seiner sein.
Eigenschwingungen beträgt etwa 0,0001%.
RC-Oszillatoren werden vorzugsweise für den Fre- Bild X-2 +UB
quenzbereich von 0,01 Hz bis 500 kHz verwendet, da Phasenschieberoszillator RB
LC-Oszillatoren in diesem Bereich nur durch „un-
handlich“ große Induktivitäten (schlechte Güte, rela-
tiv hohes Gewicht) und Kapazitäten realisiert werden
RC
können.
Man unterscheidet zwei Arten von RC-Oszillatoren: R R R
V1
Phasenschieber- und Wien-Brücken-Oszillatoren. CB ua
C C C
+U B
R1
RC Die Kondensatoren und Widerstände der Phasen-
schieberkette können auch gemäß der Schaltung nach
V1 Bild X-2 vertauscht werden, ohne daß sich die Wir-
C C C kungsweise grundsätzlich ändert. Die Amplitudenbe-
ua
R R R2 RE grenzung erfolgt hier durch eine Verstärkungsrege-
CE lung. Bei großer Amplitude lädt sich der Kondensator
CB aufgrund der Gleichrichterwirkung der Basis-
Bild X-1 Prinzip des Phasenschieberoszillators Emitter-Strecke auf. Dadurch kommt es zu einer
Arbeitspunktverschiebung des Transistors, wodurch
Das Prinzip des Phasenschieberoszillators läßt sich die Verstärkung geringer wird, bis die Ringverstär-
nach Bild X-1 erläutern. Die Ausgangsspannung ua kung K ⋅ v = 1 (v = 29) ist.
einer Emitterschaltung ist gegenüber der Eingangs- Bei Phasenschieberoszillatoren ist die Amplituden-
spannung um 180° phasenverschoben. Um die Pha- stabilisierung sehr kritisch, da die Abstimmelemente
senbedingung (Mitkopplung) zu erfüllen, muß das
Rückkopplungsnetzwerk ebenfalls eine Phasenver-
schiebung von 180° zwischen der Ausgangsspannung
R
des Verstärkers und der rückgekoppelten Teilspan-
nung erzeugen.
Mindestens drei in Reihe geschaltete RC-Glieder sind ue
C
erforderlich, um diese Phasenverschiebung zu erzeu-
gen, da jedes Glied eine Phasenverschiebung von
weniger als 90° bewirkt. Im allgemeinen werden alle
Kondensatoren und Widerstände der Phasenschieber- R C ua
kette gleich groß gemacht. Eine Selbsterregung tritt Bild X-3
ein, wenn die am Poti RC abgegriffene Rückkopp- Wien-Brücke als Rück-
lungsspannung groß genug ist. kopplungsnetzwerk
X Oszillatoren 427

R oder C synchron veränderbar sein müssen. Die Fre- Mit R2 = 22 kW und R1 = 10 kW ergibt sich eine
quenzkonstanz dieser Schaltung genügt selten den Verstärkung Vu = 3,2, die zum Anschwingen aus-
Ansprüchen moderner Schaltungen. Aus diesen Grün- reicht. Die gegeneinander geschalteten Z-Dioden
den werden Phasenschieberoszillatoren in der Praxis parallel zum Widerstand R2 dienen hier zur Ampli-
wenig angewendet. tudenbegrenzung, führen also die Verstärkung auf
Eine wesentliche Verbesserung ergibt sich bei Ver- Vu = 3 zurück.
wendung einer Wien-Brücke als Rückkopplungsnetz-
werk. Die Wien-Brücke nach Bild X-3 ist ein fre- ue
quenzabhängiger Spannungsteiler. Die Schaltung
R R1=2R2
besteht aus der Reihenschaltung eines RC-Tiefpasses
mit einem RC-Hochpaß, wobei die Ausgangsspan-
nung ua am Hochpaß abgegriffen wird.
Bildet man mathematisch das Verhältnis von Aus- C ua
gangsspannung ua zur Eingangsspannung ue, ergibt
sich für eine bestimmte Frequenz eine maximale Aus-
gangsspannung und ein Phasenverschiebungswinkel
von 0° zwischen Aus- und Eingangsspannung. R C R2
u ( wRC ) 2 − 1
Daraus ergibt sich bei e = 3 + j und
ua wRC
Trennung von Real- und Imaginärteil die
Bild X-5 Wien-Robinson-Brücke als
1
Resonanzfrequenz f0 = (X.5) Rückkopplungsnetzwerk
2 p ⋅ RC
und die maximale Bessere Eigenschaften als die Wien-Brücke zeigt ihre
Weiterentwicklung zur Wien-Robinson-Brücke als
1 Rückkopplungsnetzwerk nach Bild X-5. Der Wien-
Ausgangsspannung bei f0 U amax = Ue (X.6)
3 Brücke ist ein fester, frequenzunabhängiger ohmscher
Wird ein Oszillator mit der Wien-Brücke aufgebaut, Spannungsteiler parallel geschaltet, dessen Widerstän-
darf der Verstärker zwischen Aus- und Eingangs- de R1 und R2 im Verhältnis 2:1 stehen. Im Resonanz-
spannung keine Phasenverschiebung haben. Es müs- falle ist die Ausgangsspannung dieser Brücke ua = 0 V.
sen also zwei Emitterschaltungen in Reihe verwendet Das Verhalten der Wien-Robinson-Brücke kommt dem
werden. Bei Verwendung eines Operationsverstärkers eines idealen Schwingkreises wesentlich näher.
muß die Rückkopplung auf den nichtinvertierenden
Bild X-6
Eingang erfolgen. Die Schaltung nach Bild X-4 zeigt C
Wien-Robinson-
einen Wien-Brücken-Oszillator mit OP, bei dem die
Oszillator mit OP
rückgekoppelte Spannung ur auf den nichtinvertie- R1
R
renden Eingang gelegt ist. Die Ausgangsspannung ua
der Schaltung ist hier die Eingangsspannung der
Wien-Brücke. ua
C R R4
R2
V2
V1
R2 C1
R1 R3

R Die Wien-Robinson-Brücke muß etwas verstimmt

betrieben werden, da ihre Ausgangsspannung im
C ua Resonanzfall gleich Null ist, also auch die Rückkopp-
lungsspannung gleich Null wäre. Die Verstärkerstufe
ur Bild X-4
R C muß eine relativ große Verstärkung haben. Die Schal-
Wien-Brücken-
tung nach Bild X-6 zeigt einen einfachen Wien-
Oszillator mit OP
Robinson-Oszillator.
Der Widerstand R2 nach Bild X-5 ist hier ersetzt
Die Verstärkung Vu des OP kann mit den Widerstän- durch die Reihenschaltung des Widerstandes R2 mit
den R1 und R2 eingestellt werden und muß, da der dem FET V1. Das Netzwerk aus Diode V2, Konden-
Kopplungsfaktor nach Gleichung X.6 bekannt ist, sator C1 und Poti R3 bewirkt eine Stabilisierung der
zum Anschwingen größer als 3 sein. Ausgangsamplitude.
428 Elektronik

Die Frequenz des Oszillators läßt sich durch Verstel- Die Frequenz f0 der Schwingungen hängt von dem
len der beiden Widerstände R verändern, die aller- Kondensator CT zwischen den Pins 5 und 6 und dem
dings Doppelpotentiometer mit guten Gleichlauf- Widerstand RT an Pin 7 beziehungsweise Pin 8 ab. Für
eigenschaften sein müssen. Widerstandswerte von 4 kW bis 200 kW ist die Tem-
peraturstabilität optimal; für den Kondensator werden
Werte zwischen 1 nF und 100 mF empfohlen.
3 Funktionsgeneratoren
Amplitude
Als Funktionsgeneratoren werden Signalgeneratoren
Ausg.
bezeichnet, die mindestens zwei verschiedene Aus- Sinus/Dreieck
100K RB
gangsspannungen mit jeweils unterschiedlichem Ver-
lauf erzeugen. Kompakte Geräte dieser Art werden in 33K 1 16 25K
breit gefächerten Qualitäts- und Ausstattungskategorien 25K 47K 2 15
S1
hergestellt. Die Signale können in den verschiedensten Offset 3 14
RA V+
4 13
Frequenzbereichen, mit unterschiedlichen Amplituden V+ 10K
CT 5 12 500Ω
und in variablen Anstiegs- oder Abfallzeiten bei den RT 6 11

Sägezahn- und Dreiecksignalen Verwendung finden. 7 10 Ausg.

Eine Dreieckspannung kann mit Hilfe eines Opera- 2μ 1K 8 9 1μF Rechteck
tionsverstärkers erzeugt werden, der als Integrierer
geschaltet ist und eine Rechteckspannung als Ein- Bild X-8 Schaltung zur Erzeugung von
gangsspannung hat. Sinussignalen
Sägezahngeneratoren erzeugen eine sägezahnförmige
Ausgangsspannung. Sie kann auf vielfältige Art er- Die Schaltung nach Bild X-8 zeigt die Standardbe-
zeugt werden. Die Ladekurve von Kondensatoren, schaltung zur Erzeugung von Sinussignalen, wobei
die mit einer Stromquelle, mit einem Unijunction- der Schalter S1 geschlossen sein muß. Das Poti an
Transistor UJT oder mit einem OP geladen werden, Pin 7 dient der Frequenzeinstellung. Wird der Schal-
können zu diesem Zweck benutzt werden. ter S1 geöffnet, werden dreieckförmige Signale
Rechteckgeneratoren können mit monostabilen Kipp- erzeugt. Ihre Amplitude ist etwa doppelt so groß wie
stufen, mit Schmitt-Triggern oder mit Operationsver- die der sinusförmigen Spannung.
stärkern hergestellt werden.
1 16 Bild X-9
Wird ein Funktionsgenerator gesucht, der alle diese 2 15 Widerstands-
Signalspannungen erzeugen soll, können integrierte 3 14
auswahl durch
Bauelemente wie zum Beispiel der IC 8038 oder der 4 13
Pegel-
XR 2206 verwendet werden. 5 12

R1 6 11
beschaltung
Multiplizierer 7 10
und Sinusformer 8 9
> 2V
R2 < 1V
Eing.-AM 1 16
Ausg. Symmetrie
2 15
Sinus/Dreieck Der XR 2206 kann nach Bild X-9 mit zwei verschie-
Ausg. Multipl. 3 14
Kurvenform denen Widerständen an den Pins 7 und 8 betrieben
V+ 4 13
werden. Je nach dem Pegel des logischen Signals an
Frequenz- 5 VCO 12 DV Pin 9 ist entweder der Widerstand R1 oder der Wi-
bestimmender
Kondensator 6 11 Synchronis.-Ausgang derstand R2 wirksam.
Frequenz- 7 10 Referenz.-
bestimmender Filterkondens. 16 Bild X-10
1
Widerstand 8 9 FSK-Eingang 2 15 V+ Impuls- und
3 14
Sägezahn-
Stromschalter 4 13
spannungs-
5 12
4,7K
Bild X-7 Pin-Belegung des integrierten R1 6 11
erzeugung
Funktionsgenerators XR 2206 7 10

8 9

Der XR 2206 ist ein monolithisch integrierter Funkti- R2

onsgenerator, der Sinus-, Rechteck-, Dreieck-, Rampen-
und Pulsfrequenzen von hoher Stabilität liefert. Die
Ausgangssignale können durch eine externe Spannung
sowohl amplituden- als auch frequenzmoduliert werden.
Allein durch die äußere Beschaltung kann die Arbeits-
frequenz im Bereich von 0,01 Hz bis über 1 MHz
gewählt werden. Die Pin-Belegung zeigt Bild X-7.
Die Schaltung nach Bild X-10 erzeugt Impuls- und
Sägezahnspannungen. Impulsbreite und Tastverhält-
nis beziehungsweise Anstiegs- und Abfallzeit können
durch Wahl der Widerstände R1 und R2 zwischen
1% und 99% gewählt werden. Ihre Werte sollten
zwischen 1 kW und 2 MW liegen.
XI Schaltungstechniken
XI Schaltungstechniken
1 Integrierte Schaltungen
Integrierte Schaltungen (IC = integrated circuit) werden
in weiter zunehmender Zahl auf den Markt gebracht.
Niedrige Herstellungskosten bei großen Stückzahlen,
hohe Zuverlässigkeit, geringer Platzbedarf und hohe
Arbeitsgeschwindigkeiten sind die wesentlichen Vor-
teile der integrierten Schaltungen im Vergleich zu
Schaltungen mit diskreten Bauelementen.
Die Bauelemente eines IC und ihre Verdrahtung
werden in einem gemeinsamen Fertigungsprozeß auf
einem einkristallinen Halbleiterplättchen aus Sili-
zium (Chip) hergestellt. Diese Chips nach Bild XI-1
sind nur wenige Quadratmillimeter groß und werden
in ein Gehäuse eingebaut, wobei die Chipanschluß-
kontakte durch sehr dünne Drähte mit den „Pins“ des
Gehäuses verbunden werden. Aus Kostengründen
werden möglichst viele Chips auf einer Silizium-
scheibe (wafer) untergebracht.
Die Komplexität der Schaltungen auf den Chips steigt
stetig mit weiter voranschreitender Integrationsdichte,
Dual-Line-Gehäuse
14 Pin (DTP 14)
Wafer Chips
Bild XI-1 Wafer, Chip und Bauform eines IC
Anode Kathode
SiO2
SiO2
n+ p n
n n
R p-Silizium D p-Silizium
Ermittler Basis Kollektor
SiO2 SiO2
n+
n p
n n
p-Silizium p-Silizium
C
Bild XI-2 Schichtenfolge der Bauelemente
429
also der Anzahl der Transistorfunktionen je Chip.
Möglich wird das durch die bereits in Abschnitt II.4
beschriebene Planartechnik.
Bei den monolythisch integrierten Schaltungen sind
alle zum Funktionieren erforderlichen Bauelemente
der Schaltung, die auf einem konventionellen Vorbild
mit diskreten Bauelementen beruht, in einen Halblei-
terkristall hineindotiert, auch Bauelemente wie Kon-
densatoren, Dioden, Transistoren oder Widerstände
nach Bild XI-2. Neben bipolaren Transistoren werden
auch MOS-FET in Planartechnik (Abschnitt IV.2) in
monolythisch integrierten Schaltungen eingebracht.
Im Kristall müssen die Einzelbauelemente durch
Isolierschichten voneinander getrennt sein.
Überwiegend werden npn-Transistoren in den IC
realisiert, da sie bessere elektrische Eigenschaften
haben und einfacher herstellbar sind als pnp-Tran-
sistoren. Die besondere Anordnung der einzelnen
dotierten Bereiche ergibt sich aus technologischen
Notwendigkeiten. Die Kontakte können nur auf der
Siliziumoberfläche angebracht werden, und die Tran-
sistoren sind von p-dotierten Gebieten zur gegenseiti-
gen Isolierung umgeben, so daß sich immer in Sperr-
richtung liegende pn-Übergänge ergeben.
Bild XI-3
Monolythischer IC
1 und konventionelles
Vorbild
Metall- 1
bahnen
p p
n+ n n+ n n+ n SiO2
Kondensator Widerstand
Transistor
p-Si
Bild XI-3 zeigt eine einfache Schaltung mit diskreten
Bauelementen und ihre Realisierung in monolythisch
integrierter Technik.
Als Isolationsschicht zwischen der Siliziumober-
fläche und den Leiterbahnen dient eine SiO2-Schicht,
die durch thermische Oxydation der Siliziumoberflä-
che erzeugt wird. Weitere Leiterbahnschichten kön-
nen auf ähnliche Weise darübergelegt werden, wäh-
rend Löcher in der SiO2-Schicht zum Anschluß von
Kontakten eingebracht werden. Die Leiterbahnen
bestehen im wesentlichen aus Aluminium.
Auch bei den integrierten Schaltungen unterscheidet
man zwischen Bipolarschaltungen und MOS-
Schaltungen und ferner zwischen integrierten Ana-
log- und Digitalschaltungen. Die Herstellungsverfah-
ren sind zwar weitgehend identisch, aber während
man bei Analogschaltungen mit einigen hundert
Einzelbauelementen auf einem Chip auskommt,
werden bei Digitalschaltungen einige hunderttausend
430 Elektronik

Tabelle XI-1 Integrationsgrade ( Fa. Siemens)

Integrationgrad Anzahl der Mittlere Anzahl System Mittlerer

Funktionen der Transistoren Flächenbedarf
in mm2
SSI 2 – 20 100 bipolar digital + analog 3
(small scale integration)
MSI 20 – 100 500 bipolar digital + analog 8
(medium scale integration) unipolar digital MOS-IC
LSI 100 – 50 000 < 100 000 bipolar digital + analog 20
(large scale integration) unipolar digital MOS-IC
VLSI > 100 000 unipolar digital
(very large scale integration) > 50 000 CMOS-IC > 30

Einzelbauelemente benötigt. Die Frage, ob bipo-
lare oder unipolare Systeme günstiger sind, läßt sich
nur über Nebenbedingungen klären, wie zum Beispiel
die Integrationsdichte und die beabsichtigte Anwen-
dung.
Integrierte Schaltkreise in Bipolar-Technik kommen
als Analog- und Digitalschaltungen zur Anwendung,
im ersten Fall als Verstärker (siehe Abschnitt VI) und
im zweiten Fall als Schalter (siehe Abschnitt IX). Als
Vorteile gegenüber der MOS-Technik ist hier die Fä-
higkeit zu nennen, große Ströme zu treiben und die
kurze Schaltzeit beziehungsweise die hohe Grenzfre-
quenz der bipolaren Transistoren.
7 T3
schaltbilder beschrieben. Die Komplexität der Innen-
beschaltung eines einfachen Operationsverstärkers
(Abschnitt VIII) zeigt die Schaltung nach Bild XI-4.
Andere integrierte Analogschaltungen dienen Rege-
lungszwecken, in der Energieelektronik zum Zünden
von Thyristoren und Triacs oder sind für zahlreiche
Anwendungen in Rundfunk- und Fernsehgeräten
entworfen worden.
Spannungsregler (TDB 78xx), Zeitgeberschaltungen
(TDB 555), Drehzahlregler (TCA 955) und viele
mehr sind in der verfügbaren Bestellpalette enthalten.
Eingänge zum
+UD +UD
Widerstand
p
Ausgang

n n n n p p
Eingänge

T1 n
T3 T2 n n
3 T1 T2 T4
2 Transistor T1 Transistor T2 Widerstand
0 (Multiemitter-
6 eingänge)

Bild XI-5 NAND-Gatter in TTL-Technik

T4
(Fa. Siemens)
1 Die integrierten Digitalschaltungen unterscheidet man
5 nach der Ausführungsform der Grundgatter und
4 spricht von Logikfamilien. Von den wichtigsten bipo-
Innenschaltungeines TL x741x
laren Familien (TTL = transistor transistor logic; ECL
= emitter coupled logic; I2L = integrated injection
Bild XI-4 Innenbeschaltung eines logic) werden zwei kurz behandelt (siehe Kapitel
Operationsverstärkers Datentechnik).
Bild XI-5 stellt ein NAND-Gatter in TTL-Ausfüh-
Integrierte monolythische Schaltungen für analoge rung dar. Die Eingänge des Gatters sind als mehrere
Anwendungen enthalten überwiegend widerstandsge- Emitter eines Transistors in der integrierten Schaltung
koppelte Verstärker ohne Koppelkondensatoren. erkennbar. Die einzelnen Bauelemente sind durch p-
Analogschaltungen setzen sich meist aus verhältnis- dotiertes Silizium voneinander getrennt.
mäßig einfachen Grundschaltungen zusammen, wie Eine Weiterentwicklung dieser TTL-Technik zu
sie in Abschnitt VI besprochen werden. Differenzver- höherer Integrationsdichte und verbesserten Schalt-
stärker werden aufgrund der Temperaturkompen- zeiten erbrachte die I2L-Technik. Über die zusätzlich
sation häufig verwendet. Die tatsächliche Innenbe- integrierten Komplementärtransistoren nach Bild XI-
schaltung ist für den Anwender nicht bedeutsam, 6 bekommen die eigentlichen Transistoren einen kon-
jedoch wird der innere Funktionsablauf und die stanten Strom, so daß die Schaltung frei von größeren
Wirkungsweise der Gesamtschaltung durch Block- Stromschwankungen bleibt. Die rasche Änderung des
XI Schaltungstechniken
+UD
Rext
C1.1 C1.2 B1 C1.3 C2.1
+V Rext
Gatter 1 Gatter 2 p p
PNP PNP n
C2.1
C1.1
C1.2 C2.2 n+
C1.3 C2.3
NPN B1 B2 NPN Gatter 1
Bild XI-6 NAND-Gatter in I2L-Technik
(Fa. Siemens)
differentiellen Innenwiderstandes der Konstantstrom-
quelle ergibt höhere Arbeitsgeschwindigkeiten. We-
sentlichster Vorteil der I2L-Technik ist jedoch, daß
ungefähr 11mal soviele Gatter auf einer bestimmten
Fläche integriert werden können als bei der TTL-
Technik.
+UD Ausgang
Tp
Eingang
E Dp A
Dn
Tn
Sn p-Wanne
Sn n-Si-Substrat
Bild XI-7 Inverter in CMOS-Technik (Fa. Siemens)
Integrierte Schaltkreise in MOS-Technik bringen den
großen Vorteil mit, daß ein MOS-Transistor fast
leistungslos gesteuert wird (siehe Abschnitt IV.2).
Der Stromkanal mit den Source- und Drain-Gebieten
ist von den umgebenden p-Gebieten elektrisch iso-
liert. Da dieses auch beim Gate der Fall ist, stellt ein
MOS-FET ein selbstisolierendes Bauelement dar, das
nicht durch zusätzliche Maßnahmen im Chip von
anderen Bauelementen isoliert werden muß. Dieser
und weitere Effekte sorgen dafür, das MOS-Schaltun-
gen erheblich weniger Platz beanspruchen als gleich-
artige bipolare Schaltkreise. Die CMOS-Technik
(C = complementary) ist heute die dominierende
Technik bei den integrierten digitalen Schaltkreisen,
weil sie leistungsarm ist und sehr hohe Integra-
tionsdichten ermöglicht. Im Bild XI-7 ist erkennbar,
daß eine Aluminiumschicht den gesamten Chip
überzieht. Da direkte Kontaktierungen in den meisten
Fällen nicht notwendig sind (isoliertes Gate), kann
auf ausgeprägte Leiterbahnen verzichtet werden. Die
Schaltung in Bild XI-7 zeigt einen Inverter in CMOS-
Technik.
Die Aufteilung von integrierten Schaltungen in Stan-
dard-Schaltungen und in kundenspezifische Schaltun-
gen ist fließend. Als Standard-Schaltungen werden IC
bezeichnet, die jedem Anwender zugänglich sind und
ohne weitere Abänderung verwendet werden können.
Kundenspezifische Schaltungen sind IC, die im Auf-
trag von Anwendern auf der Grundlage spezieller
technischer Vorgaben und Konzepte realisiert werden.
431
Kondensator Transistor
+UCC
Masse
C2.2 C2.3 B.2
Eingang
p Ausgang
+UCC Glasträger
Masse
Gatter 2 Basisvorwiderstand Leitung Kollektorwiderstand
Bild XI-8 Hybrid-Dünnschicht-Schaltkreis und
realisierte Schaltung
Integrierte Schaltkreise in Hybrid-Technik (hybrid =
gemischt) werden bei geringen Stückzahlen für kun-
denspezifische Schaltungen eingesetzt. Wenn eine
Schaltung zu viele passive Schaltelemente (Konden-
satoren) enthält, so daß eine monolythisch integrierte
Schaltung nicht angezeigt erscheint, setzt man diese
Technologie ebenfalls ein. Dabei werden die passiven
Bauelemente auf eine isolierende Trägerplatte aus
+UD Glas oder Keramik aufgebracht. Sie existieren als
Si-Oxid Schicht auf der Oberfläche, Widerstände, zum Bei-
spiel in Mäanderform. Transistoren und integrierte
Halbleiterschaltkreise werden in Form von Chips auf
Tp die Trägerplatte gebracht und durch dünne Gold- und
Isol.-Zonen
Silberdrähte mit den anderen Teilen der Schaltung
Tn verbunden. Bei der Gesamtherstellung ist zwischen
der Dickschicht- und Dünnschichttechnologie zu un-
terscheiden. Erstere benutzt man für kleinere Serien,
deren Schaltungsfunktionen flexibel sein sollen,
letztere für große Stückzahlen mit festen Schaltungs-
funktionenen. Dünnschichtschaltungen lassen sich für
fast alle Anwendungsbereiche bis hin zur Höchstfre-
quenztechnik herstellen. Bild XI-8 zeigt als Beispiel
einen Hybrid-Dünnschicht-Schaltkreis, der die darge-
stellte konventionelle Schaltung nachbildet.
2 SMD-Technik
Auch bei den Schaltkreisen mit diskreten Bauelemen-
ten geht der Trend zu kleineren Schaltungsaufbauten
mit höherer Bestückungsdichte und zur Automati-
sierung der Fertigung. In gedanklicher Fortentwick-
lung der Hybrid-Technologie kommt man von der
Einsteck- zur Oberflächenmontage. Dazu mußten
neue Gehäuseformen entwickelt werden.
Oberflächenmontierbare Bauelemente nennt man
SMD (surface mounted devices). Die Fertigungstech-
niken zur Verarbeitung solcher Bauelemente nennt
man SMT (surface mounted technology).
Bedrahtete Bauelemente Bild XI-9
Einsteck- und
Oberflächen-
montage
Einsteckmontage Leiterplatte
SMD
Leiterplatte
Klebepunkt
SMD
Oberflächenmontage
432
Die oberflächenmontierbaren Bauelemente werden
auf der gleichen Seite der Platine aufgebracht, auf der
sich die Leiterbahnen befinden. Deshalb lassen sie
sich auf beiden Platinenseiten montieren (Bild XI-9),
was bei der Einsteckmontage nur mit großem Auf-
wand zu bewerkstelligen ist. Die Bauelemente haben
keine oder nur sehr kurze Anschlußdrähte und sind in
ihren Abmessungen relativ klein. Die Platine muß
nicht mit Bohrlöchern für die Bestückung versehen
werden. Es sind alle Leiterplattenmaterialien geeig-
net; sowohl Keramiksubstrate als auch flexible Träger
werden eingesetzt. Die Leiterplatten können verklei-
nert werden, und es ergeben sich verbesserte Hoch-
frequenzeigenschaften.
Als Gesamtvorteile werden genannt: Miniaturisierung
und Rationalisierung bei höherer und gleichmäßigerer
Qualität sowie Zuverlässigkeit.
Allerdings werden sehr hohe Anforderungen an die
Positioniergenauigkeit und Zuverlässigkeit der Bestü-
ckungsautomaten und die Löt-(Klebe-)verfahren
gestellt.
Kerko
Heißleiter Tantal-Ko MKT-Ko Simit 01
Kaltleiter Varisto
Varisto
Trafo
Optokoppler CEREC SMD SOD 80 SOD 123
SOT 23 SOT 123
SO 6 ... SO 20 L PLCC MIKROPACK
Bild XI-10 Gebräuchliche SMD-Gehäuse
Die neuentwickelten Gehäuseformen müssen den
Anforderungen hinsichtlich geringer Abmessungen,
geeigneter Lötanschlüsse, hoher Lötwärmebeständig-
keit, automatengerechter Verpackung und automa-
tischer Bestückbarkeit gerecht werden. Bild XI-10
zeigt einige bei der Fa. Siemens gefertigte SMD-
Gehäuseformen. Nahezu alle diskreten aktiven und
passiven Bauelemente sowie zahlreiche integrierte
Schaltungen gibt es mittlerweile in SMD-Gehäusen.
Als Verpackungsart setzt sich zunehmend der Gurt
gegenüber dem Magazin durch. Einige Magazinfor-
men zeigt Bild XI-11.
Für die SMD-Technik mußten neue Layoutregeln
entwickelt werden, in denen berücksichtigt wird, wie
die Platine gefertigt, geprüft, repariert und gewartet
werden soll.
Elektronik
Bild XI-11
Gebräuchliche
Magazintypen
Flächenmagazin
Stapelmagazin
Stangenmagazin
Linearmagazin
Bei den geringen Abmessungen der Bauteile und der
großen Packungsdichte wirken sich Löt- und Klebe-
fehler oder Unregelmäßigkeiten im Lötvorgang
besonders gravierend aus. Hier müssen Lötverfahren
und Klebeverfahren sorgfältig ausgesucht werden.
Da zum Beispiel beim Wellenlöten die Platine mit
dem Bauteil kopfunter liegt, muß der Klebepunkt das
Bauteil sicher fixieren. Liegt zuviel Kleber unter dem
Bauteil, verschiebt es sich eventuell. Liegt zuwenig
Klebemittel an, hält das Bauteil beim Lötvorgang die
Position nicht ein, zumal die SMD-Bauteile vom
Lötmittel voll umflutet werden und der hohen Tem-
peratur des Bades ausgesetzt sind. Es muß also nach
dem Grundsatz „so wenig wie möglich, aber so viel
wie nötig“ verfahren werden.
Bei Verwendung von Keramiksubstraten mit einem
Reflow-Lötvorgang kann auf Kleber ganz verzichtet
werden. Hier wird zunächst Lötpaste auf die Löt-
flächen aufgebracht, anschließend werden die Lötan-
schlüsse der Bauelemente in die Paste gedrückt und
schließlich die Paste durch Wärmeeinwirkung aufge-
schmolzen.
Bestückungsautomaten haben die Probleme der Kle-
berdosierung und der Lötungen praktisch gelöst.
Zusätzliche Anforderungen an den Bestückungs-
automaten müssen von Fall zu Fall entschieden und
gelöst werden. So sollten möglichst alle Bauelemente
mit einem Bestückkopf bestückbar und eine genaue
Plazierung der Bauelemente gewährleistet sein. Auch
sollte der Bestückungsautomat keine Auswirkung auf
das Layout haben.
Welche Bestückungsautomaten eingesetzt werden,
hängt vor allem von der Zahl der zu bestückenden Pla-
tinen und der Häufigkeit des Platinenwechsels ab. Bei
der Pick-and-Place-Methode wird ein Bauelement nach
dem anderen aufgesetzt, bei der Simultan-Methode da-
gegen werden mehrere Bauelemente gleichzeitig erfaßt
und auf der Platine gleichzeitig abgesetzt, was hohe
Stückzahlen ermöglicht. Bei einem Platinenwechsel
werden dann aber hohe Rüstzeiten erforderlich.
XII Optoelektronik 433

XII Optoelektronik

1 Grundsätzliche Überlegungen 2.1 Fotowiderstand

Alle Halbleitermaterialien werden bei Energiezufuhr
von außen in Form von Wärme oder Licht niederoh-
miger, da neue Ladungsträgerpaare gebildet werden,
die die Eigenleitfähigkeit erhöhen. Die Zahl der durch
das auftreffende Licht freigesetzten Elektronen wird
um so größer, je größer die Beleuchtungsstärke ist,
weil erhöhte Lichteinstrahlung eine Energiezufuhr
bedeutet. Dieser Vorgang wird als „Innerer foto-
elektrischer Effekt“ bezeichnet.
Trifft Licht auf eine pn-Sperrschicht, werden infolge
der Energiezufuhr Kristallbindungen aufgerissen. Es
entstehen bewegliche Ladungsträger-Paare, die in-
folge des vorhandenen elektrischen Feldes sofort ab-
fließen. Dabei wandern die Löcher in die p-Schicht
und die Elektronen in die n-Schicht. Ohne angelegte
äußere Spannung wird die p-Schicht zum Pluspol und
die n-Schicht zum Minuspol einer Spannungsquelle.
Licht ist physikalisch gesehen eine elektromagne-
tische Strahlung in einem bestimmten Frequenz-
bereich. Dabei wird sichtbares Licht von nichtsicht-
(LDR – light dependent resistor)
Fotowiderstände bestehen aus Halbleiter-Mischkri-
stallen als Basismaterial. LDR können sowohl an
Gleichspannung wie auch an Wechselspannung be-
trieben werden, da sie ohne pn-Sperrschicht sind. Der
Widerstandswert von Fotowiderständen wird mit
zunehmender Beleuchtungsstärke kleiner. Ein LDR
hat bei einer bestimmten Lichtwellenlänge seine
größte Empfindlichkeit.
Für die Herstellung von LDR, deren spektrale Emp-
findlichkeit im Bereich des sichtbaren Lichtes liegt,
werden als Halbleitermaterialien Cadmiumsulfid
(CdS) und Cadmiumselenid (CdSe) verwendet.
Die spektrale Empfindlichkeit von LDR aus Bleisul-
fid (PbS) und Indiumantimonid (InSb) liegt dagegen
im Infrarotbereich; die spektrale Empfindlichkeit von
Germanium und Silizium liegt zwischen 800 nm und
1600 nm.
–1,5
9 +0,5
ca.6 14

0,6
barem Licht unterschieden. Das natürliche weiße
Sonnenlicht ist eine Mischung von elektromagne-

–9,6
tischen Schwingungen der verschiedensten Wellen-
längen. Wellenlänge und Frequenz sind zueinander
umgekehrt proportional. Die Energie der Lichtstrah- 15
lung ist der Frequenz proportional. Typischer Aufbau LDR 03
Die Farbanteile des Lichtes werden als Spektralfarben
Bild XII-1 Typischer Aufbau und Bauform
bezeichnet. Das unsichtbare Infrarotlicht (IR) hat eine
eines LDR
Wellenlänge l von 780 nm bis etwa 1000 nm. Rotes,
sichtbares Licht (780 nm bis 630 nm) schließt sich an,
Fotowiderstände haben die höchste Lichtempfind-
geht in orangefarbenes Licht (630 nm bis 590 nm)
lichkeit unter den fotoelektronischen Halbleiterbau-
über, während gelbes Licht (590 nm bis 560 nm) den
elementen. Bild XII-1 zeigt den typischen mäander-
farblichen Übergang zum Grünbereich (560 nm bis
förmigen Aufbau eines LDR.
490 nm) bildet. Über den Anteil an blauem Licht
Die wichtigsten Kennwerte von LDR sind der Dun-
(490 nm bis 440 nm) und violetter Spektralfarbe
kelwiderstand und der Hellwiderstand, der in den Da-
(440 nm bis 380 nm) endet der sichtbare Teil und
tenblättern meistens für eine Beleuchtungsstärke von
geht in den nichtsichtbaren Teil (380 nm bis 10 nm),
100 Lux angegeben wird.
dem ultravioletten Licht (UV) über.
10000
R
2 Optoelektronische Bauelemente Ω
Bauelemente zur Umwandlung elektrischer Größen in 1000
optische Strahlung und umgekehrt werden als opto-
elektronische Bauelemente bezeichnet. Man unter-
scheidet dabei zwischen lichtemittierenden (licht-
abstrahlenden) und lichtabsorbierenden (lichtaufneh- 100
menden) Bauelementen.
Bei einigen, im sichtbaren Licht arbeitenden Foto-
halbleitern führt auch die vom Auge nicht wahrge-
nommene infrarote Strahlung zu einer Änderung der 10
Leitfähigkeit. Hier werden für bestimmte Anwendun- 10 100 1000 10000 Ev
gen optische Filter verwendet, um deren Einflüsse lx
gering zu halten. Bild XII-2 Kennlinie des LDR 03
434 Elektronik

Die Kennlinie des LDR 03 zeigt Bild XII-2. Seine
maximale Versorgungsspannung beträgt UB = 150 V
und seine maximale Verlustleistung Ptot = 100 mW.
Dunkelwiderstand R0 = Widerstandswert nach 1 Mi-
Ohne Beleuchtung fließt durch die pn-Sperrschicht
einer Fotodiode wie bei jeder normalen Diode ein
Sperrstrom, der bei den Fotodioden meistens als
Dunkelstrom IR bezeichnet wird. Als Folge der Be-
0

nute völliger Abdunkelung; R0 > 10 MW leuchtung tritt ein zusätzlicher Fotostrom IFot auf, der
Hellwiderstand RH = Widerstandswert bei 100 Lux
oder 1000 Lux; RH100 = 500 W ... 50 kW 101
Beim praktischen Einsatz von Fotowiderständen muß
beachtet werden, daß der Widerstandswert einer
Änderung der Beleuchtungsstärke mit einer relativ lFot
hohen Trägheit folgt. Bild XII-3 zeigt prinzipiell die 100
μA
Einstellträgheit eines Silizium-LDR.
Dunkelwiderstand
20sec nach Lichtsperre
1000M
nach 5min Beleuchtung 10–1
RF mit E =
100M RF = f(t), E = Por.
(Ω) 500Lx
5Lx 5000Lx
10M 50Lx
10–2
1M

100k
5Lx
10–3
10k Hellwiderstand
50Lx
nach Einschalten
1k der Beleuchtung
500 500Lx mit E =
200 10–4
100
50 5000Lx 10–2 10–1 100 101 102 103
20 Ev
10
1 2 5 10 20 50 100 100(msec) lx
0,1 1 10 100 1000
(sec)
Bild XII-5 Zusammenhang zwischen Fotostrom
t und Beleuchtungsstärke
Bild XII-3 Einstellträgheit eines Silizium-LDR
104
Fotowiderstände sind daher nicht besonders gut für
IRo
einen Einsatz geeignet, bei dem schnelle Änderungen
pA
der Beleuchtungsstärke erfaßt werden müssen. Bei
E = 50 Lx benötigt dieser LDR eine Zeit von 100 ms,
um seinen Widerstandswert RF von 100 MW auf 103
10 kW zu mindern; bei E = 500 Lx noch eine Zeit von
15 ms.
Fotodioden werden in Sperrichtung an einer äußeren
Spannung betrieben; damit ist zu ihrem Betrieb nach
Bild XII-4 ein Vorwiderstand und eine Betriebsspan-
nung erforderlich. 102

2.2 Fotodiode und Fotoelement

UB

101
RV

UF 100
D1 0 20 40 60 80 100
Bild XII-4 TU
Fotodiode °C
mit Vorwiderstand Bild XII-6 Temperaturabhängigkeit einer Fotodiode
XII Optoelektronik 435

1,2 %
IFot 100
IFot(25°C)
Srel
1,0
80

0,8

60
0,6

40
0,4

0,2 20

0
–30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80°C
TU
Bild XII-7 Normierte Darstellung der Temperatur-
abhängigkeit einer Fotodiode
linear mit der Beleuchtungsstärke ansteigt. Bild XII-5
zeigt den Zusammenhang zwischen Fotostrom und
Beleuchtungsstärke.
Wie jedes Halbleiter-Bauelement hat auch die
Fotodiode eine deutliche Temperaturabhängigkeit
(Bild XII-6). Besser zu erkennen ist diese Abhän-
gigkeit im Bild XII-7, deren Kennlinie das Verhältnis
normiert darstellt. Bei einer Änderung der Tempera-
tur kann der Korrekturfaktor abgelesen werden, mit
dem der bezogene Fotostrom multipliziert wird.
Wie alle lichtempfindlichen Bauelemente haben auch
die Fotodioden eine spektrale Empfindlichkeit. Für
die Fotodiode BPW 32 ist die relative spektrale
Empfindlichkeit in Bild XII-8 dargestellt. Die größte
Empfindlichkeit dieser Fotodiode liegt bei einer
Wellenlänge von l ~ 800 nm, was etwa einer Farbe
zwischen Dunkelrot und Infrarot entspricht.
Dies ist auch bei den meisten anderen Typen von
Silizium-Fotodioden der Fall. Zu unterscheiden ist zwi-
schen den pn-Fotodioden und den pin-Fotodioden.
Der großflächige pn-Übergang bei den Fotodioden
hat eine große Sperrschichtkapazität zur Folge. Daher
liegen die Schaltzeiten von pn-Fotodioden im Bereich
von Mikrosekunden.
Um die Sperrschichtkapazität zu verkleinern, wurden
die pin-Fotodioden entwickelt, deren Schaltzeiten im
Nanosekunden-Bereich liegen (Abschnitt II.4.4).
Bild XII-9 zeigt den technologischen Aufbau von
pin-Fotodioden, bei denen sich zwischen den sehr
dünnen p- und n-Schichten eine breite Intrinsic-
Schicht befindet. Wegen der daraus resultierenden
hohen Feldstärke in dieser Schicht werden die bei
0
400 600 800 1000 1200 nm
λ
Bild XII-8 Relative spektrale Empfindlichkeit der
Fotodiode BPW 32
Lichteinfall
–
SiO2-Abdeckung
p-Gebiet
Instrinsic-Zone
Metallkontakt n-Gebiet
+
Bild XII-9 Technologischer Aufbau einer
pin-Fotodiode
Beleuchtung erzeugten Ladungsträger-Paare viel
schneller als bei den pn-Fotodioden in die p- bezie-
hungsweise n-Schicht abgesaugt. Diese größere Be-
weglichkeit der Ladungsträger verbessert das Schalt-
verhalten. Infolge der relativ breiten i-Schicht haben
pin-Fotodioden wesentlich höhere Sperrspannungen.
Sie liegen bei UR ~ 50 V bis 100 V. Die Fotoströme
sind bei den pin-Fotodioden nur etwa halb so groß
wie bei den pn-Fotodioden.
In den letzten Jahren haben pin-Fotodioden eine
steigende Bedeutung erlangt. Sie werden zum Bei-
spiel aufgrund ihrer hohen Empfindlichkeit im Infra-
rotbereich und wegen ihrer kurzen Schaltzeiten bei
der Fernsteuerung mit moduliertem Infrarotlicht ein-
gesetzt.
Fotodioden können wegen des gleichartigen techno-
logischen Aufbaues und des gleichen Funktions-
prinzips auch als Fotoelemente betrieben werden.
Sie arbeiten dann im IV. statt im III. Quadranten des
436 Elektronik

II IF I reflex-Schicht“ (schwarzblaue Oberfläche) versehen,

damit möglichst viel Licht eindringen kann. Zur
Erzeugung höherer Leistungen werden solche Zellen
parallel und in Reihe zusammengeschaltet.
Hundert solcher Solarzellen erbringen eine elektri-
–UF/V UF/V
sche Leistung von 100 W unter der Bedingung, daß
0,3
E = 0Lx
5 0,1 0,2 0,4 die Strahlungsleistung der Sonne 1000 W/m2 beträgt.
200Lx Der Wirkungsgrad liegt folglich bei 10%. Zur Ener-
10
400Lx gieumwandlung trägt bei Verwendung von Silizium
15
nicht nur das sichtbare Licht bei, sondern nach
600Lx 20 Bild XII-12 auch Licht mit höherer Wellenlänge.
800Lx 25 Die Kennwerte von Fotoelementen, wie Leerlauf-
1000Lx 30 spannung U0 und Kurzschlußstrom IK lassen sich mit
den Meßschaltungen nach Bild XII-13 ermitteln.
III IR/pA IV
Bild XII-10 Vier-Quadranten-Kennlinienfeld mV
700 70
einer Fotodiode

Leerlaufspannung U0
600 60

μA
Kurzschlußstrom IK
IK U0
Kennlinienfeldes (Bild XII-10). Infolge der Ladungs- 500 50
trennung in der pn-Schicht durch das einfallende Licht
400 40
und mit Unterstützung der Diffusionsspannung bildet U0
sich eine Spannung in Durchlaßrichtung, daß heißt, es 300 30
ist keine äußere Betriebsspannung notwendig. 200 20
Legt man einen Widerstand an die Kontaktierung der IK
100 10
p- und n-Schichten, fließt ein Strom, der in bezug auf
die Spannung negativ zu sehen ist. Damit hat man 0 0
eine Spannungsquelle, die Licht direkt in elektrische E
Energie umwandelt (Fotoelement, Solarzelle). Foto- Kennlinien eines Fotoelements Meßschaltungen
element und Solarzelle unterscheiden sich nur da-
durch, daß eine Solarzelle zur Erzeugung höherer Bild XII-13 Kennlinie und Meßschaltung
Leistungen vorgesehen ist. eines Fotoelementes

Licht n-Schicht Solarzellen werden in zunehmendem Maße für die

Energieversorung ortsfester Verbraucher mit niedri-
Metallelektroden
gem Verbrauch, wie zum Beispiel Leuchtbojen,
UA Sendeanlagen, Parkscheinautomaten in Großstädten,
pn-Übergang –
+
kleinere Wochenendhäuser, verwendet.

2.3 Fototransistoren
p-Schicht
C
Bild XII-11 Schnitt durch ein Fotoelement

Eine typische Solarzelle ist 10 cm × 10 cm groß und

E
besteht aus kristallinem Silizium. Der interne Aufbau
und die Kontaktierung der Anschlüsse ist in Bild C
XII-11 erkennbar. Die Oberfläche ist mit einer „Anti- B
C
% B
100 E
80 CdSe Si
60 Sonnen- E
40 spektrum
Bild XII-14 Ersatzschaltbild und Schaltzeichen von
20
0 Fototransistoren
400 500 600 700 800 900 1000 1100
sichtbares Wie jeder Transistor enthält auch der Fototransistor
Licht zwei pn-Übergänge, die lichtempfindlich sind, wes-
Wellenlänge λ
halb normale Transistoren in lichtundurchlässige
Bild XII-12 Strahlungsspektrum des Sonnenlichtes Gehäuse gegossen werden. Hier wird die Kollektor-
und Spektralempfindlichkeit von Basis-Sperrschicht als lichtempfindliche Schicht
Solarelementen benutzt. Die Wirkungsweise und damit das Ersatz-
XII Optoelektronik 437

schaltbild nach Bild XII-14 entspricht einer Fotodi-
ode parallel zur CB-Strecke. Der durch die freigesetz-
ten Ladungsträger hervorgerufene Strom wirkt wie
ein Basisstrom. Die Lichtempfindlichkeit ist um den
Verstärkungsfaktor B des Transistors größer als die
der Fotodiode. Der Basisanschluß kann herausgeführt
sein, was die Einstellung eines Arbeitspunktes er-
leichtert und die Steuermöglichkeiten vergrößert.
Technisch benutzt wird dieser Effekt in der Leucht-
diode, die auch als Lumineszenzdiode (LED = light
emitting diode) bezeichnet wird. LED’s werden
grundsätzlich in Durchlaßrichtung betrieben.
100
% Vλ
Irel 80

60
100
IC

red
hyper-red
pure-gree

super-red
orange
0lx
E=300 40

yellow
green
blue
20
10 1000lx
0
300lx 400 450 500 550 600 650 700
λ
1 100lx
Bild XII-16 Spektralkennlinien und
30lx
Strahlungsmaxima einiger LED’s

0,1 Grundmaterial für Leuchtdioden sind Gallium-Ver-

Bild XII-15
0lxKennlinien-
0,01
0 5 10 15 20 25 feld eines
UCE Fototransistors
Das Ausgangskennlinienfeld des Transistors nach
Bild XII-15 hat nicht mehr den Basisstrom IB als
Parameter, sondern die Beleuchtungsstärke E. Bei
E = 0 Lx fließt praktisch kein Kollektorstrom IC. Mit
größer werdender Beleuchtungsstärke steigt der
Strom an. Die IC-Achse im Kennlinienfeld ist mei-
stens logarithmisch eingeteilt, da sich der Kollek-
torstrom um mehrere Zehnerpotenzen ändert.
Die Schaltgeschwindigkeiten von Fototransistoren
liegen zwischen 2 ms bis 100 ms und sind damit klei-
ner als die der Fotodioden. Die Schaltgeschwindig-
keit ist um so niedriger, je kleiner der Lastwiderstand
und je größer die Amplitude des Lichtimpulses ist.
Um die Lichtempfindlichkeit weiter zu erhöhen, kann
der Transistor auch als Darlington-Fototransistor
ausgeführt werden.
2.4 Lumineszenzdioden
und Flüssigkristalle
In den lichtemittierenden Fotohalbleitern wird elekt-
rische Energie in Strahlungsenergie umgewandelt.
Das geschieht im Bereich einer dünnen pn-Sperr-
schicht. Hierbei wandern etwa gleich viele Elektro-
nen von der n-Schicht in die p-Schicht wie Löcher
von der p-Schicht in die n-Schicht. Die n-Schicht ist
jedoch deutlich stärker dotiert als die p-Schicht. Dies
führt dazu, daß der Strom durch die Sperrschicht
fast vollständig ein Elektronenstrom ist. Die in die
p-Schicht gelangenden Elektronen rekombinieren mit
den dort vorhandenen Löchern. Dabei wird Energie
frei, die je nach Ausgangsmaterial der Diode als sicht-
bares Licht oder als Infrarotstrahlung nach außen tritt.
bindungen mit unterschiedlichen Dotierungen. Für
den Bereich des sichtbaren Lichtes werden grün-,
gelb-, orange-, rot- und blauleuchtende LED’s gelie-
fert. Für den nichtsichtbaren Infrarotbereich werden
verschiedene IRED (infrared emitting diode) angebo-
ten. In allen Fällen erstreckt sich das erzeugte
Lichtspektrum jeweils nur über einen schmalen
Bereich (monochromatische Leuchtquellen). Bild
XII-16 zeigt die Strahlungsmaxima und die Spek-
tralkennlinien einiger LED’s. Tabelle XII-1 gibt eine
Übersicht über die Zusammensetzung einiger LED’s
mit den zugehörigen Gallium-Verbindungen und
Dotierungsstoffen. Als Fremdatome dienen Zink-
dampf (Zn + O), Stickstoff (N), Phosphor (P) oder
Silizium (Si).
In der Prinzipschaltung nach Bild XII-17 ist der zur
Strombegrenzung und Spannungseinstellung erfor-
derliche Widerstand RV enthalten. Die erzeugte Licht-
stärke IV wird bei LED’s für den sichtbaren Licht-
bereich meistens in Millicandela (mcd) angegeben.
Sie hängt nahezu linear von der Größe des Durch-
laßstroms IF ab. Für den praktischen Betrieb von
LED’s ist der Zusammenhang zwischen IF und
UF von Bedeutung. Kennwerte einer Leuchtdiode
sind die Leuchtfläche, die Strahlungsleistung (Licht-
UB
RV
UF
D1
Bild XII-17
LED mit Vorwiderstand
438 Elektronik

Tabelle XII-1 Übliche Zusammensetzung von LED’s und IRED’s

Werkstoff SiC GaP GaP GaAsP GaAs GaAsP GaAs GaAs

Schleusenspannung 2,7 V 2,4 V 2,2 V 1,6 V 1,4 V
Dotierung SiC stark schwach schwach mit P Zn + O Zn Si
mit N mit N mit N
Wellenlänge λ (nm) 480 565 590 625 650 700 900 930
Farbe blau grün gelb orange hellrot rot infrarot infrarot

20° 10° 0° 10° 20° 0° 10° teilreflektierender

reflektierende Belag
60° Rückfläche

1,0
1,0 30°
0,9
0,8
0,8 40°
0,7 50° 0,6
0,6 60°
70° 0,4
0,5
80°
0,4 0,2 0 0,2 0,4 0,2
Richtcharakteristiken von LEDs
Bild XII-18 Richtcharakteristiken von LED’s
strom) und die Lichtstärke (Helligkeit). Die Schleu-
senspannung ist aufgrund anderer Ausgangsmateria-
lien höher als bei Silizium-Dioden.
Grenzwerte:
UR max = 5 V , IF max = 50 mA ,
Ptot = 100 mW , JJ max = 100 °C
Durch entsprechende Form der aufgesetzten Kunst-
stoffkörper ist es möglich, den LED’s unterschiedli-
che Richtcharakteristiken zu geben. In den Bildern
XII.18a und XII.18b sind die Richtcharakteristiken
für zwei Standardausführungen mit Öffnungswinkeln
von 60° (breit) und 25° (gebündelt) angegeben.
Die Lebensdauer von LED’s und IRED’s liegt bei
normalen Betriebsbedingungen bei 100 000 h. Gerin-
ger Spannungs- und Strombedarf (je nach Typ 5 mA,
10 mA oder 20 mA), kleine Abmessungen, einfache
Montage und hohe Packungsdichte geben ihnen einen
sehr breiten Anwendungsbereich.
Da LED’s Schaltzeiten von 5 ns bis 20 ns haben,
können sie auch zur Abstrahlung von sich sehr
schnell ändernden Lichtsignalen verwendet werden,
zum Beispiel in Optokopplern (siehe Abschnitt
XII.4).
Bei den Laser-Dioden (engl.: light amplification by
stimulated emission of radiation) wird das im pn-
Übergang erzeugte monochrome Licht im Inneren des
Kristalls an den inneren Flächen verspiegelt und tritt
an der Stirnfläche mit relativ schmalem Aus-
trittswinkel, aber großer Lichtstärke aus. Bild XII-19
P
15...30°
N
1...2μm
50° austretender
Laserstrahl
40°
Bild XII-19 Prinzipieller Aufbau einer Laserdiode
30°
zeigt den grundsätzlichen Aufbau einer Laserdiode
0 als Kantenstrahler. Wird das Licht impulsartig abge-
strahlt, sind mit diesen Bauelementen Leistungen bis
ungefähr 100 W möglich. Sie eignen sich zur Nach-
richten- und Datenübermittlung in Lichtwellenleitern.
Zur Abtastung von CD-Plattenspielern und als Lesestift
in Scannergeräten werden sie ebenfalls benutzt. Laser
höherer Leistung sind zum Beispiel aus der Medizin
(optisches Skalpell) nicht mehr wegzudenken.
Eine interessante und zukunftsträchtige Variante zur
Anzeige von Informationen stellen die Flüssigkristal-
le (engl.: liquid crystal) dar. Flüssigkristalle sind
glasklare Flüssigkeiten, deren Moleküle einen regel-
mäßigen einkristallinen Aufbau aufweisen. Sie befin-
den sich in einem speziellen Aggregatzustand, in dem
Stoffe aus dem flüssigen in den festen Zustand über-
gehen. Flüssigkristallwerkstoffe zeigen bei Einwir-
kung eines elektrischen Feldes Veränderungen ihrer
Kristallstruktur.
Glassubstrat
Abstandshalter
Flüssig-
kristall-
schicht
transparente
elektrisch
leitende
SnO2-Elektrode
Bild XII-20 Prinzipaufbau einer LCD-Anzeige
XII Optoelektronik 439

Je nach Grundsubstanz gehen sie entweder vom RV D1 ... D3=1N4148

durchsichtigen in den weitgehend undurchsichtigen 150
Zustand über (wird meist verwendet) oder umgekehrt. D4
Dieses geschieht dadurch, daß ihre Moleküle sich in D1
bestimmter Weise ausrichten. D5 D6 D7
Nach Abschalten des elektrischen Feldes stellt sich +12V
der ursprüngliche Zustand wieder ein. Flüssigkristalle
leuchten nicht. Einfallendes Fremdlicht wird an den D8
undurchsichtigen Bereichen reflektiert und macht D2
damit die flächenmäßige Form der Elektroden des D3
elektrischen Feldes sichtbar. Mit Unterstützung von
Polarisationsfiltern und geschickt angebrachten Licht- D4 ... D8 = CQY 85
quellen kann der Prinzipaufbau nach Bild XII-20 Bild XII-23 Polaritätsanzeige mit Symbolen
vollendet werden. LCD-Anzeigen (liquid crystal dis-
play) werden in Uhren, Taschenrechnern und zahl-
reichen anderen Geräten verwendet. Bei wirksamen haben unterschiedliche Farbabstrahlungen, überneh-
Spannungen von 1,5 V bis 3 V und einem Strom in men den gegenseitigen Schutz und zeigen die jewei-
der Größenordnung von 1 mA werden Anzeigen mit lige Polarität farblich verschieden an.
sehr geringen elektrischen Leistungsanforderungen Bild XII-23 zeigt eine Schaltung, bei der LED’s so
erreicht. geschaltet sind, daß sie die Polarität in Symbolen
anzeigt. Ist zum Beispiel die Betriebsspannung posi-
tiv, so sind die Dioden D1 und D3 in Sperrichtung
3 Anzeigeeinheiten geschaltet. Auf diese Weise kann der Strom nur den
Weg über alle LED’s und die Diode D2 nehmen.
Bild XII-21 zeigt eine einfache Schaltung zur Kon- Ist dagegen die Betriebsspannung negativ, so fließt
trollanzeige der Betriebsspannung mit einer LED. der Strom über die dann in Durchlaßrichtung liegen-
Eine Umpolung der LED macht die Schaltung zur den Dioden D1 und D3 sowie über die LED’s D5
Anzeige einer negativen Betriebsspannung fähig. Soll bis D7.
eine solche Anzeige für Wechselspannung installiert
werden, muß die LED vor der hohen Sperrspannung
geschützt werden. a Bild XII-24
Eine antiparallel geschaltete normale Diode über- 7-Segment-Anzeige
nimmt diesen Schutz, da sie eine Schleusenspannung mit Leuchtdioden
b
von 0,7 V hat und darum die Sperrspannung an der f
LED unter 5 V hält. Die beiden LED’s in Bild XII-22
g
24V/50Hz
c
e
1k2

Kathode
CQY87 1N4148 Bild XII-21 d
Betriebs-
spannungs- Zur Darstellung einer beliebigen Dezimalziffer kann
anzeige man 7-Segment-Anzeigen nach Bild XII-24 verwen-
den. Für jedes Segment ist ein Anschluß (a bis g) nach
außen geführt, im vorliegenden Bild zusätzlich der
+10V Anschluß für die gemeinsame Kathode. Bei manchen
7-Segment-Anzeigen wird die gemeinsame Anode
herausgeführt, so daß die Anzeige mit negativen Span-
390 nungen angesteuert werden kann. In den Segmenten
sind LED’s angeordnet, deren Licht über Lichtleiter
Bild XII-22 nach außen geführt wird. Bild XII-25 zeigt eine 7-Seg-
CQY85 CQY87 Farbige ment-Anzeige in ihrer mechanischen Ausführung.
Polaritäts- Erhöht man die Anzahl der Segmente auf sechzehn,
anzeige können außer Ziffern auch Buchstaben und Sonder-
mit LED’s zeichen dargestellt werden. Diese Sechzehnsegment-
Anzeigen nach Bild XII-26 bezeichnet man als alpha-
440 Elektronik

Bild XII-25 IE IA IE IA
C C
7-Segment-Anzeige mit C
U U
Dezimalpunkt und LED’s
E
E E
LED Fototransistor LED Fotodiode

IE IA IE IA
C C
C C
U U
=LEDs B E
E
E E
1 2 LED B LED Darlington-
Fototransistor Fototransistor

8 9 10 11 3 Bild XII-27 Prinzipschaltbilder einiger Optokoppler

Die wichtigsten Kenngrößen sind das Stromübertra-

16 12
gungsverhältnis CTR (current transfer ratio), daß das
Verhältnis von Ausgangsstrom zu Eingangsstrom
7 15 14 13 4 Bild XII-26
beschreibt, und die Grenzfrequenz fg, bei der der
Darstellung der Segmente
AC-CTR-Wert auf 50% des DC-CTR-Wertes abge-
einer alphanumerischen
6 5 sunken ist. Bild XII-28 zeigt einige Optokoppler der
Anzeigeeinheit
Fa. Siemens mit Pin-Belegung, Bauform und innerer
Schaltung.
numerische Anzeigeeinheit. Diese Anzeigen werden
auch mehrstellig angeboten und können zu langen 7.62 5.7
Zeilen erweitert werden. 6.5 5.5 1min
6.3 0,8min
Bei der Realisierung solcher Anzeigen mit LED’s 3.5 3.3
stößt man auf ein gewichtiges Problem. Diese Dioden 0.35 0.9
0.25 18 0.6 3.3 2.9
haben eine Stromaufnahme von ca. 20 mA und ver- 7.62 0.55
vielfachen sich mit der Anzahl der verwendeten 8.82 0.45 2.54 typ
spacing
LED’s. Mehrstellige Anzeigen lassen die Stromver-
sorgung für kleine Geräte nahezu unlösbar werden. 1 6 Anode-1 6-Base
Baut man sowohl die 7-Segment-Anzeigen wie auch 2 5 Cathode-2 5-Collector
die alpha-numerischen Anzeigen mit Flüssigkristallen 3 4 N.C.-3 4-Emitter
auf, lassen sich sehr komplexe Anzeigeeinheiten mit CNF 17F
zahlreichen Zeilen und Stellen aufbauen, die infolge 1 6 Anode-1 6-
2 5 Cathode-2 5-Collector
ihrer geringen Leistungsaufnahme direkt an digitalen 3 4 N.C.-3 4-Emitter
IC mit hoher Integrationsdichte betrieben werden BRT 11H/M input circuit output circuit
können. BRT 23H/M 6-Anode 2
1 6 An.(+)-1
2 5 Cat.(–)-2 not definet
4 Signalübertragung mit Optokoppler 3 4 N.C.-3 5-Potential A1/A2
4-Anode 1
Optokoppler sind optoelektronische Koppelelemente
zur Signalübertragung bei galvanischer Trennung von Bild XII-28 Optokopplertypen (Fa. Siemens)
Ein- und Ausgang. Als Sender dient eine IR-Diode,
die über einen Lichtleiter direkt auf einen Empfänger Bei Optokopplern mit Fotodioden ergibt sich ein
strahlt. Als Empfänger dienen überwiegend Foto- CTR-Wert von ca. 1%, bei Fototransistoren kann der
dioden, Fototransistoren mit und ohne herausgezo- CTR-Wert 100% betragen. Werden im Optokoppler
gene Basis und Fototriacs. Die Schaltungen nach Darlington-Transistoren verwendet, steigt der CTR-
Bild XII-27 zeigen den prinzipiellen Aufbau einiger Wert auf bis zu 500%. Manche Optokoppler verfügen
Optokoppler. Zwischen Eingangs- und Ausgangsseite über eine Grenzfrequenz nahe bei 10 MHz. Bei Opto-
dürfen, je nach Bauform, Potentialdifferenzen bis zu kopplern mit einem Fototransistor als Empfänger
einigen kV bestehen. ergeben sich Schaltzeiten von ungefähr 3 ms.
In Optokopplern werden elektrische Signale in opti- Bei LED’s als Sender macht sich eine alterungsbe-
sche Signale umgewandelt und über eine Isolations- dingte Abnahme ihrer Strahlungsleistung über einen
strecke übertragen. Im Anschluß daran wird das längeren Zeitraum durch eine Verringerung des CTR-
optische Signal wieder in ein elektrisches Signal Wertes bemerkbar. Hohe Ströme und/oder hohe
umgewandelt. Der Optokoppler ist durch das System Umgebungstemperaturen sind der Grund dafür und
der Signalübertragung absolut rückwirkungsfrei. sollten vermieden werden.
XIII Analog-Digital-Wandler 441

Optokoppler lassen sich sehr günstig in Verbindung
mit Digitalschaltungen verwenden. Sie werden in Inter-
face-Schaltungen verwendet, um zum Beispiel eine Po-
tentialtrennung zwischen der Zentraleinheit eines Com-
puters und seinen Peripheriegeräten herbeizuführen.
Wird die optische Kopplung zwischen Lichtsender und
Lichtempfänger nicht im Inneren des Bauelementes,
sondern über äußere Reflexstellen vorgenommen,
spricht man von Lichtschranken. Nur wenn das Licht
an einer geeigneten, dafür vorgesehenen Stelle reflek-
tiert wird, gelangt es an den Empfänger. Derartige
Bauelemente werden auch Reflexsensoren genannt.
In die Gruppe der Lichtschranken gehören auch die Ga-
bellichtschranken, bei denen Lichtsender und -empfän-
ger in getrennten Holmen eines U-förmigen Gehäuses
integriert sind. Der Lichtstrahl kann durch einen dazwi-
schengeschobenen Gegenstand unterbrochen werden.
Gabellichtschranken werden zur Prozeßüberwachung
verwendet, aber auch in Alarmanlagen, Positions-
meldern, zur Drehzahlüberwachung oder zur Infor-
mationsübernahme in Beleglesern (Scanner).
gnetischen Störungen und in der eindeutigen galva-
nischen Trennung zwischen Sender und Empfänger.
Bild XII-29 zeigt das Schema eines optischen Über-
tragungssystems für den lokalen Bereich, hier eine
Schnittstelle zwischen einer TTL-Technologie und
einer ECL-Technologie.
Die Anbindung der LWL an die LWL-Bauteile und
die optomechanische Verbindung der LWL miteinan-
der sind die eigentlichen Probleme dieser Technolo-
gie, die sich aber durch hohe Präzision bei der Mon-
tage bewältigen lassen.
Bild XII-30 zeigt das Prinzip der Montagetechnik für
eine Plastik-LWL. Der LWL wird im Gehäuse durch
Klebeband oder einen Klebepunkt fixiert. Sende-
oder Empfangsdiode sind im Gehäuse integriert.
Elektrische
Schnittstelle (z.B.
TTL-ECL)
Optische
Schnittstelle
Sender (z.B.DIN-,SMA- Empfänger
Steckverbin.)
Eingang Ausgang

5 Faseroptische Übertragungsmittel
Treiber, Sende- Empfangs- Verstärker
Die optische Nachrichtenübertragung über Licht- Signalver- diode diode Signalauf-
wellenleiter (LWL) gewinnt ständig an Bedeutung. arbeitung bereitung
Um hohe Frequenzen realisieren zu können, wird als
Strahlungsquelle eine IR- oder eine Laserdiode und Bild XII-29 LWL-Übertragungsstrecke
als Empfänger eine Fotodiode verwendet. (Fa. Siemens)
Medien für die optische Übertragung sind Glas oder
Plastik. Zur Nachrichtenübertragung mit hohen Über- Gehäuse Reflektor
Faserum-
tragungsraten bei großen Entfernungen werden be- Faserkern mantelung
vorzugt Glasfasern verwendet. Plastikfasern dagegen
sind für niedrige Übertragungsraten im lokalen Be-
reich und zur Lösung vielfältiger Anwendungen in
der Steuer- und Regelungstechnik verwendbar. Bohrung Trägerband
Bedingt durch die gegenwärtige Fasertechnologie (Faser- Linse Chip (elektrische
aufnahme) Anschlüsse)
werden die aktiven LWL-Bauteile für die Wellenlän-
gen um 850 nm ausgelegt. Vorteile dieser Technik Bild XII-30 Sende- und Empfangsdioden für
liegen in der Unempfindlichkeit gegenüber elektroma- Plastik-LWL (Fa. Siemens)

XIII Analog-Digital-Wandler

1 Grundlagen ten Verfahren der Nachrichten- und Datentechnik

Häufig werden physikalische Größen (Temperatur,
Druck, Längen, Drehzahl, u.a.) dezentral erfaßt und
zentral ausgewertet, dargestellt und bearbeitet. Mit
Hilfe entsprechender Sensoren erhält man die Meß-
größe meist in analoger Form als Stromstärke oder
als Spannung. Ein digitales Signal läßt sich aber
besser über größere Entfernungen ohne Signalwert-
fälschung übertragen. Außerdem kann mit bestimm-
(Multiplexverfahren) eine Übertragungsleitung mehr-
fach ausgenutzt werden.
Um vorhandene analoge Signale in verwertbare
digitale Signale umzuwandeln, benötigt man Analog-
Digital-Wandler.
Eine digitale Messung läßt sich als Zählvorgang begrei-
fen. Also kann man die analoge Größe in eine Impuls-
reihe mit bestimmter Frequenz umformen und diese Im-
pulse dann in einer bestimmten Zeiteinheit zählen.
442
2 Spannungs-Frequenz-Wandler
Zur Umformung einer Signalspannung in eine der
Spannung proportionale Frequenz verwendet man
einen Spannungs-Frequenz-Umsetzer (-Wandler)
nach Bild XIII-1. Der Operationsverstärker N1 ist
hier als Integrator geschaltet, der die Spannung ue
über die Zeit integriert und damit eine negative Säge-
zahnspannung ua bewirkt. Je größer die Eingangs-
spannung ist, desto steiler ist der Anstieg der Aus-
gangsspannung.
Die Spannung Ue vergleicht der Operationsverstärker
N2 (Komparator) mit der negativen Spannung UV des
Spannungsteilers aus R2 und R3. Sobald ua den Wert
UV erreicht, kippt der Komparator N2 und steuert den
Transistor V1 durch. Der leitende Transistor hebt die
Vergleichsspannung auf nahezu 0 V an. Gleichzeitig
entlädt sich der Kondensator C1 über den Transistor,
bis die Ausgangsspannung ua = 0 V wird.
Dieser Vorgang führt dazu, daß der Komparator
erneut seine Ausgangsspannung umkehrt und nun den
Transistor sperrt. Damit beginnt der Integrationsvor-
gang der Meßgröße ue erneut.
C1 0V
R1
N1 N2
R4
ue ua V1
R3 UV
f ~ ue
0V
R2
–UB
Bild XIII-1 Spannungs-Frequenz-Umsetzer
Am Ausgang der Schaltung erhält man Impulse, deren
Frequenz vom Wert der Eingangsspannung abhängt.
Die Frequenz f ist proportional zur Spannung ue.
Da sich der Kondensator nur in einer endlichen Zeit
entlädt, kommt hier ein systematischer Meßfehler
zum Tragen.
ue
Erzeugte Frequenz f ≈ (XIII.1)
U V ⋅ R1 ⋅ C1
unter der Bedingung für die Rückstellzeit
Du a ⋅ R 2 ⋅ C1
tR ⇒ << R1 ⋅ C1
UB
Schaltet man hinter diesen Umsetzer einen digitalen
Frequenzmesser, so wird die Gesamtschaltung zu
einem digitalen Spannungsmesser.
Für R1 = 100 kW, R2 = 700 W, R3 = 800 W, C1 =
1,25 nF, UB = – 15 V und ue = 10 V ergibt sich nach
Gleichung XIII.1 eine Frequenz von 10 kHz. Da die
Rückstellzeit nicht berücksicht ist, liegt der tatsäch-
liche Wert niedriger. Der Spitzenwert von ua und UV
liegt bei – 8 V.
Elektronik
3 Sägezahnverfahren
Beim Sägezahnverfahren wird die analoge Spannung
ue mit einer linear ansteigenden Sägezahnspannung
nach Bild XIII-2 verglichen. Die Komparatoren N1
und N2 vergleichen die Meßgröße und die Sägezahn-
spannung miteinander. Sobald die Sägezahnspannung
≥ 0 V wird, beginnt der Vergleich, denn nun liegt der
eine Eingang des EXCLUSIV-ODER-Gatters (N3)
auf „H“, das UND-Gatter (N4) ist vorbereitet, und die
Impulse des Rechteckgenerators (Oszillators) gelan-
gen an den Ausgang A der Schaltung.
Wenn die Sägezahnspannung den Wert der Meß-
größe ue erreicht, kippt der Komparator N1 am Aus-
gang von „L“ auf „H“. Der Ausgang des EXCLUSIV-
ODER-Gatters (N3) verändert sich auf „L“, und das
UND-Gatter (N4) sperrt weiteren Impulsen des Recht-
eckgenerators den Durchgang zum Ausgang.
R1 N1 N3
N4
ue =1 A
&
C1
N2
G
G
Bild XIII-2 Schaltung zum Sägezahnverfahren
Die beiden Schaltpunkte der Komparatoren N1 und
N2 begrenzen also die Zeitdauer Dt, während der die
Impulse gezählt werden. Bei linearer Sägezahnspan-
nung ist Dt der Meßgröße ue direkt proportional, und
die Anzahl der Impulse entspricht der Höhe der
Eingangsspannung. Nach jeder Messung muß der
Zähler auf Null zurückgesetzt werden. Das letzte
Zählergebnis kann mit einem Anzeigespeicher bis zur
Vorlage des nächsten Zählergebnisses festgehalten
werden, um eine ruhende Anzeige zu ermöglichen.
Es lassen sich Meßgenauigkeiten von etwa 0,1% des
Endwertes erreichen. Um Oberwellen der Meßgröße
aus dem Meßergebnis herauszuhalten, ist ein Tiefpaß-
filter am Eingang vorteilhaft.
4 Dual-Slope-Verfahren
Beim „Doppelintegrationsverfahren“ (dual-slope-con-
verter) erfolgt die Umwandlung in zwei aufeinander
folgenden Schritten.
Die Meßgröße ue wird während der konstanten vor-
gegebenen Zeit T1 integriert. Die Ausgangsspannung
ua (Sägezahnspannung) ändert sich entsprechend der
Gleichung XIII.2.
Ausgangsspannung
1
ua (t ) = − ⋅ u e ⋅ T1 (XIII.2)
R1⋅ C1
Bei konstanter Integrationszeit wird der Höchstwert
der Ausgangsspannung ua durch den Wert der Ein-
gangsspannung ue bestimmt.
XIII Analog-Digital-Wandler
ue
D Umsetzer macht 7 Komparatoren und ebensoviele
G V1 C1
SR1 N1 u
a N2
D legte Meßspannung UE kleiner ist als die über R8
G V2
S T1 N3
T2
URef &
Steuerlogik N4
G
T2
N5 Oszillator
Bild XIII-3 Dual-Slope-Verfahren
Im zweiten Schritt wird der Kondensator C1 über die
Konstantspannungsquelle entladen. Die Ausgangs-
spannung ua des Integrators N1 in der Schaltung nach
Bild XIII-3 ändert sich linear, bis der Komparator N2
den Spannungswert Null feststellt. Die Entladezeit T2
richtet sich ausschließlich nach der vorher im
1. Schritt aufgenommenen Ladungsmenge, also nach
dem Höchstwert von ua.
Diese Entladezeit wird genutzt, um die Digitalisie-
rung der Meßgröße ue zu bewirken, indem der Oszil-
lator N4 während der Entladezeit T2 seine Impulse
auf den Ausgang gibt.
Die Zählzeit T2 und die konstante Oszillatorfrequenz
bestimmen die Anzahl der Impulse.
ue
Zählzeit T 2 = ⋅ T1
U ref
Der Steuerlogik-Baustein bildet die Integrationszeit
durch Frequenzteilung aus dem Oszillator N4, hält
den FET-Transistor V1 für die Integrationszeit T1
leitend und den FET-Transistor V2 gesperrt. Nach
Ablauf der Integrationszeit T1 gibt die Steuerlogik
ein „H“-Signal auf das UND-Gatter N3 und schaltet
die Transistoren um, so daß sich der Kondensator
über die Konstantspannungsquelle Uref entlädt. Wäh-
rend dieser Zeit T2 gibt auch der Komparator N2 ein
„H“-Signal an das UND-Gatter N3, so daß die Im-
pulse des Oszillators an den Ausgang gelangen.
Der Zählvorgang beziehungsweise die Zeit T2 ist
beendet, sobald sich der Kondensator auf ua = 0 V
entladen hat und der Komparator N2 ein „L“-Signal
an das UND-Gatter N3 gibt, womit er weitere Im-
pulse unterdrückt.
Es lassen sich Meßgenauigkeiten von etwa 0,01% des
Endwertes erreichen, wenn die Integrierzeit T1 durch
Frequenzteilung von der Oszillatorfrequenz bestimmt
wird. Die mittlere Umsetzungszeit liegt bei etwa
5 ms. AD-Wandler nach diesem Prinzip haben eine
große Verbreitung gefunden.
5 Flash-Wandler
Beim Verfahren mit parallelen Komparatoren nach
Bild XIII-4 wird die angelegte Meßspannung UE mit
genau festgelegten Referenz- und Teilreferenzspan-
443
nungen verglichen. Der hier dargestellte 3-Bit-AD-
Vergleichsspannungen erforderlich, die über einen
Spannungsteiler erzeugt werden. Solange die ange-
abfallende Vergleichsspannung, zeigt der Ausgang
A des Komparators N7 eine logische „0“ an, die in eine
logische „1“ übergeht, sobald die angelegte Meß-
spannung UE größer wird als die über R8 abfallende
Vergleichsspannung. Dieser Trend setzt sich mit
größeren Meßspannungen UE entsprechend fort.
Ist die angelegte Meßspannung UE größer als die
Spannungssumme über den Widerständen R5 bis R8,
aber kleiner als die Spannungssumme über den Wi-
derständen R4 bis R8, zeigt der Ausgang des Kompa-
rators N4 eine logische „1“ an, während der Ausgang
des Komparators N3 eine logische „0“ verzeichnet.
Bild XIII-4 QA Q B QC
Prinzipschaltung
eines X/Y-Decoder
Flash-Wandlers
N7
N6
N5
N4
N3
N2
N1
UE
(XIII.3)
R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8
URef
Der X/Y-Dekoder ermittelt zunächst den Komparator,
bei dem die Vergleichsspannung erstmalig größer ist
als die Meßspannung. Das wird durch eine UND-
Verknüpfung eines jeden Komparators mit dem
nächsten erfolgen. Mit weiteren Codierstufen erhält
man hier das 3-Bit-Ausgangssignal an den Ausgän-
gen QA bis QC. Für einen 8-Bit-AD-Wandler sind
255 Komparatoren mit den entsprechenden Ver-
gleichsspannungen aufzuwenden.
AD-Umsetzer nach diesem Verfahren mit parallelen
Komparatoren ermöglichen Umsetzfrequenzen von
mehr als 100 MHz. Diese Umsetzer werden als Flash-
Wandler bezeichnet. Es gibt sie als IC-Bausteine
(8- und 12-Bit-Umsetzer).
6 Wandler nach dem Wägeverfahren
Das Wägeverfahren ist ein Vergleichsverfahren, bei
dem die digitale Aussage an die gegebene analoge
Eingangsgröße durch schrittweise Annäherung (suk-
zessive Approximation) ermittelt wird.
Die digitale Ausgangsgröße wird über einen Opera-
tionsverstärker, der als bewerteter Addierer geschaltet
ist, in die analoge Form (Treppenspannung) zurück-
versetzt und dann über einen Komparator mit der
analogen Meßgröße verglichen. Dabei wird zunächst
das höchste Bit des Speichers auf „1“ gesetzt.
444 Elektronik

Tabelle XIII-1 Zahlenbeispiel zur schrittweisen Um- codierten Ausgängen, parallelen BCD-Ausgängen oder
setzung n-Digit-BCD-Multiplexausgängen unterschieden.
BCD-Ausgänge werden für die Ansteuerung von
1. Schritt 128 < 165 Q7 = 1 128 digitalen Anzeigeeinheiten verwendet, während dual
codierte Parallelausgänge für die digitale Datenverar-
2. Schritt 165 – 128 = 37 Q6 = 0 0 beitung mit Computern benötigt werden.
64 > 37 Alle Wandler sind durch zwei wesentliche Kenngrö-
ßen charakterisiert: die Auflösung und die Umsetz-
3. Schritt 32 < 37 Q5 = 1 32
zeit. Die Auflösung sagt aus, wie fein ein Analogwert
4. Schritt 37 – 32 = 5 Q4 = 0 0 von dem Wandler in einen Digitalwert umgesetzt
16 > 5 wird. Sie wird in Bit angegeben. 4 Bit entsprechen
einer Genauigkeit von ca. 7%, während 8 Bit eine
5. Schritt 8>5 Q3 = 0 0 Genauigkeit von 0,4% bieten und dem Standard
entsprechen. Die Umsetzzeit gibt an, wieviel Zeit der
6. Schritt 4<5 Q2 = 1 4 Wandler benötigt, um den Wert der anliegenden
5–4=1 Spannung in ein Digitalwort umzusetzen. Bei der
digitalen Bildverarbeitung werden extrem kurze
7. Schritt 2>1 Q1 = 0 0 Zeiten verlangt, während sie bei anderen Gelegenhei-
8. Schritt 1=1 Q0 = 1 1 ten eher von untergeordneter Bedeutung sind. Je nach
gewünschter Umsetzzeit werden die verschiedenen
Σ 165 Verfahren eingesetzt.
Mit sukzessiver Approximation arbeiten die AD-
Das Zahlenbeispiel (Tabelle XIII-1) soll die schritt- Wandler der ADC-08xx-Familie. Sie haben eine
weise Umsetzung des Wertes 165 bei einem 8-Bit- Auflösung von 8 Bit, eine Umsetzzeit von 100 ms und
AD-Wandler verdeutlichen. eine Zugriffszeit von 135 ns bei einer einfachen
Das Umsetzungsverfahren benötigt zwar viele Schritte, Versorgungsspannung von 5 V. Die Referenzspan-
arbeitet aber insgesamt wesentlich schneller als ein nung ist wählbar. Der Wandler ist für den direkten
Wandler nach dem Integrationsverfahren. Die mitt- Anschluß an den Mikroprozessor 8080 und seine
lere Umsetzungszeit beträgt für einen 10-Bit-AD- Verwandten konzipiert worden.
Wandler etwa 10 ms. Der von der Fa. Datel hergestellte ADC 847 hat bei
einer Auflösung von 8 Bit eine Umsetzzeit von 9 ms.
Der MAX132 der Fa. Maxim ist ein relativ langsamer
7 Integrierte Wandler 18-Bit-AD-Wandler mit seriellem Ausgang, der nach
Analog-Digital-Umsetzer sind als integrierte CMOS- dem Multi-Slope-Verfahren arbeitet. Es können bis
Schaltungen für vielfältige Anwendungen verfügbar. Je zu 100 Wandlungen pro Sekunde erfolgen. Er eignet
nach der vorgesehenen weiteren Verwendung der sich besonders für den Einsatz in Datenerfassungs-
digitalen Ausgangsgrößen werden diese ICs mit dual- systemen, Waagen und Schalttafel-Instrumenten.

XIV Digital-Analog-Wandler

1 Grundlagen
Um vorhandene digitale Signale in verwertbare ana-
loge Signale umzuwandeln, benötigt man Digital-
Analog-Wandler. Diese Wandler stellen das unver-
fälschte analoge Signal wieder her und ermöglichen
seine analoge Weiterverarbeitung (zum Beispiel Ver-
stärkung).
Voraussetzung ist in den meisten Anwendungsfällen,
daß das digitale Signal ein parallel anstehendes Daten-
wort ist, das eine mehrstellige Binärzahl darstellt.
2 D/A-Wandler-Varianten
Eine einfache Schaltung eines 3-Bit-DA-Wandlers
mit Operationsverstärker zeigt Bild XIV-1. Es han-
delt sich hierbei um einen invertierenden OP, bei dem
die Eingangswiderstände entsprechend der Wertigkeit
der digitalen Stelle mit nachgeschalteter Umkehrstufe
gewählt werden müssen.
Das 3-Bit-Eingangssignal QA bis QC liegt an den
Eingängen E1 bis E3, so daß R1 = R, R2 = R/2 und
R3 = R/4 gewählt werden müssen. Ein weiterer Ein-
XIII Digital-Analog-Wandler 445

R3 URef QD
E3
R2 R5 R8 2R Rg
E2
R QC
R1
E1 R7
2R
R QB
UE UA1 UA2 Ua
R6
R9 2R
R QA
Bild XIV-1 Schaltung eines 3-Bit-DA-Wandlers
mit OP 2R Bild XIV-3
2R R-2R-Netzwerk für einen
gang E4 mit einem Eingangswiderstand R4 = R/8 4-Bit-Wandler
erweitert diesen Wandler zu einem 4-Bit-DA-Wandler.
Dieser 3-Bit-DA-Wandler wandelt ein 3-Bit-Daten- Die Schaltung nach Bild XIV-4 soll die Grundlage
wort in eine analoge Treppenspannung UA2 nach für den Einstieg in eine knappe Netzwerkberechnung
Bild XIV-2 am Ausgang um. bieten. Die Widerstände R7 und R8 liegen zueinander
parallel, haben also insgesamt den Widerstand R. Als
UE/V UA2/V Reihenschaltung mit R6 ergibt sich wieder der Wert
6
3 2R. Der Widerstand R5 mit 2R liegt nun parallel zum
0 Ersatzwiderstand der bisher berechneten Widerstände
12
10 R6, R7 und R8.
8
6 R2 R4 R6
4
2
0 URef R1 R3 R5 R7 R8
–2
0 4 8 12 16 t/ms 20

Bild XIV-2 Liniendiagramm zur Schaltung

nach Bild XIV-1 R2 = R4 = R6 = R
R1 = R3 = R5 = R7 = R8 = R2
Der 4-Bit-DA-Wandler läßt sich für weitere Dekaden
nach dem 8-4-2-1-BCD-Code erweitern. Für jede Bild XIV-4 Schaltung zur Netzwerkberechnung
weitere Dekade sind vier Widerstände erforderlich,
deren Widerstandswerte um den Faktor 0,1 je Dekade Das Netzwerk hat einen Gesamtersatzwiderstand von
kleiner werden. Diese Art der Erweiterung kann R. Die Referenzspannungsquelle Uref wird also mit R
theoretisch beliebig erweitert werden. belastet. Der ihr entnommene Strom teilt sich auf R1
Die Anforderungen an die Genauigkeit der Widerstän- und R2 zu gleichen Teilen auf, was sich an allen
de werden bei den Stellen höchster Wertigkeit sehr Knoten wiederholt.
groß und lassen sich kaum noch erfüllen. Darum be- Durch die senkrecht gezeichneten Widerstände des
nutzt man ein Schaltungsprinzip, bei dem die verwen- Netzwerkes nach Bild XIV-4 fließen Ströme, deren
deten Widerstände in derselben Größenordnung liegen. Werte sich jeweils halbieren (von der Spannungsquel-
Im Prinzip wird in der Schaltung nach Bild XIV-1 le aus betrachtet), aber in allen Schaltumständen
eine Summation der bewerteten Einzelströme durch- konstant bleiben.
geführt. Das läßt sich auch mit einem Kettenleiter
oder R-2R-Netzwerk für einen 4-Bit-Wandler nach 3 Integrierte Wandler
Bild XIV-3 bewerkstelligen.
Entsprechend dem logischen Zustand der digitalen VCC = 5V Bild XIV-5
Eingänge QA bis QD werden die Umschalter entweder 13 Digital/Analog-
auf Masse gelegt oder auf den invertierenden Eingang A1 5 14 5M Umsetzer mit dem
des OP geschaltet, so daß der bewertete Strom im A2 6 VRef IC DAC 0808
15 5k
Addierer summiert wird (oder gegen 0-Potential ab- A3 7
DAC 0808

fließt) und als Ausgangsspannung Ua erscheint. A4 8 2

5M
Die Umschalter werden durch elektronische Schal- A5 9
ter realisiert. Der Gegenkopplungswiderstand Rg läßt A610 4
sich je nach gewünschter analoger Ausgangsspannung A711
Ua berechnen, da durch ihn der Summenstrom fließt. 16 Ua
A 12
8 C1
Integrierte Schaltkreise der Industrie enthalten zusätz-
lich oft einen Speicher für das digitale Datenwort. 3
Üblich sind sind 8-Bit-DA-Wandler. VEE = –15V
446 Elektronik

Der DAC 0808 ist ein monolithischintegrierter Digi- Ausgangsspannung

tal/Analog-Wandler mit einer Einstellzeit von 150 ns
U a = 10 V ⋅ ⎛⎜ 1 + 2 + ... + 8 ⎞⎟
A A A
für Vollaussteuerung des Ausgangsstroms. Die digita- (XIV.1)
⎝ 2 4 256 ⎠
len Eingänge sind TTL- und CMOS-kompatibel. Bei
einer Versorgungsspannung von ± 5 V werden maxi- Als Operationsverstärker läßt sich der LM741 ver-
mal 33 mW aufgenommen. Einen Digital/Analog- wenden. Für den Kondensator C1 reichen 0,1 mF aus.
Umsetzer für eine Ausgangsspannung von 10 V zeigt Als digitale Eingänge stehen die Anschlüsse A1 bis A8
die Schaltung nach Bild XIV-5. zur Verfügung.

XV Leistungselektronik
Aufgabe der Leistungselektronik ist das kontaktlose
Steuern, Schalten, Regeln und Umformen elektrischer
Energie. Im Rahmen dieses Abschnittes werden nur
die Grundfunktionen der Stromrichter im Bereich des
Schaltens, Steuerns und Umformens elektrischer
Energie behandelt.
Als Stromrichtergrundfunktionen werden Gleichrich-
ter, Wechselrichter und Umrichter beschrieben, wobei
Bild XV-2
Wechselstromumrichter und Gleichstromumrichter
Blockschaltbild eines
(Gleichstromsteller) voneinander unterschieden wer-
Wechselrichters
den müssen. Für den Aufbau solcher Schaltungen
benötigt man Dioden, Thyristoren und zunehmend
Transistoren (Bipolare Transistoren, SIPMOS, IGBT). Wechselrichter formen eine Gleichspannung in eine
Diese Bauelemente werden als ideale Schalter (Strom- beliebige Wechselspannung, auch Drehstrom um. Die
ventile) betrachtet, daß heißt, im gesperrten Zu- Energie fließt dabei hauptsächlich von der Gleich-
stand wird der Sperrstrom und im leitenden Zustand strom- zur Wechselstromseite. Bild XV-2 zeigt das
der Spannungsabfall vernachlässigt. Es wird von Blockschaltbild eines Wechselrichters.
einer Stromglättung ausgegangen, daß heißt, ein Die Schaltung nach Bild XV-3 zeigt die Hauptstrom-
Gleichstrom geht ungewollt nicht auf den Wert 0 A kreise eines selbstgeführten Wechselrichters. Die ein-
zurück. zeichneten IGBTs können durch Thyristoren oder
SIPMOS-FET ersetzt werden. Hilfsstromkreise zur
Löschung der Thyristoren, Freilaufdioden oder RC-
Glieder zum Schutz der Transistoren sind nicht einge-
zeichnet.
Durch geschicktes Ansteuern der IGBTs kann für die
RL-Last ein Dreiphasennetz mit beliebiger Frequenz aus
der anliegenden Gleichspannung Ud erzeugt werden.

Bild XV-1
Blockschaltbild eines V1 V2 V3
L1 R1
Gleichrichters
Ud L2 R2
Gleichrichter formen eine beliebige Einphasen- oder L3 R3
Dreiphasenwechselspannung (Drehstrom) in eine V4 V5 V6
Gleichspannung um. Die Energie fließt dabei haupt-
sächlich von der Wechselstrom- zur Gleichstrom-
seite. Bild XV-1 zeigt das Blockschaltbild eines Bild XV-3 Hauptstromkreise eines selbstgeführten
Gleichrichters. Wechselrichters
XV Leistungselektronik
U1, f1 Bild XV-4
Blockschaltbild eines
Wechselstromumrichters
U2 , f2
Die Ströme sind zwar nicht sinusförmig, man kann
mit ihnen aber Drehstromasynchronmotore betreiben.
Wechselstromumrichter formen eine Wechselspan-
nung in eine andere beliebige Wechselspannung
(andere Frequenz, aber auch anderer Spannungswert
möglich) um. Bild XV-4 zeigt das Blockschaltbild
eines Wechselstromumrichters.
DC-Spannungs- DC-Strom-
zwischenkreis zwischenkreis
Bild XV-5 Wechselstromumrichter mit Gleichstrom-
oder Gleichspannungs-Zwischenkreis
Fast unabhängig von der Eingangs-Wechselspannung
werden Wechselstromumrichter mit einem Gleich-
strom-Zwischenkreis oder einem Gleichspannungs-
Zwischenkreis betrieben. Hier liegen nach Bild XV-5
ein Gleichrichter und ein Wechselrichter in Reihe,
wobei die beiden Stromrichter über einen Zwischen-
kreis verbunden sind.
Bild XV-6
Blockschaltbild eines
Gleichstromumrichters
Gleichstromumrichter formen eine Gleichspannung in
eine beliebige Gleichspannung um. Bild XV-6 zeigt
das Blockschaltbild eines Gleichstromumrichters.
Auch hier liegen ein Wechselrichter und ein Gleich-
richter in Reihe, wobei die beiden Stromrichter nach
Bild XV-7 über einen Zwischenkreis verbunden sind,
447
jedoch in anderer Reihenfolge als beim Wechselstro-
mumrichter. Innerhalb der Gleichstromumrichter hat
der Gleichstromsteller eine relativ hohe Bedeutung.
Er hat keinen Zwischenkreis.
AC-Zwischenkreis
Bild XV-7
Stromrichter mit Zwischenkreis
Dioden werden für den ungesteuerten Betrieb ver-
wendet, Thyristoren für den gesteuerten Betrieb,
Transistoren für Schalterzwecke bei Gleichstroman-
wendungen, z.B. in Wechselrichtern.
1 Gleichrichterschaltungen/
Stromversorgung
Die Benennung und Kennzeichnung von Stromrich-
tern wird nach Tabelle XV-1 vorgenommen.
 Beispiel: B2HAF ⇒ B → Kennbuchstabe
2 → Kennzahl (Pulszahl)
HA → Steuerbarkeit
F → Hilfszweige
Man unterscheidet ungesteuerte und gesteuerte
Gleichrichter. Ungesteuerte Gleichrichter werden in
Elektrolyseanlagen und zur Speisung von Gleich-
stromnetzen, vor allem für Straßen-, U- und Vollbah-
nen eingesetzt. Gesteuerte Gleichrichter haben ihre
größte Bedeutung in der Antriebstechnik mit Gleich-
strommaschinen, wo die Drehzahl mit Hilfe der
Veränderung der Ankerspannung stufenlos eingestellt
werden kann. Sie ermöglichen aber auch die Energie-
umkehr. Bei kontrollierter Absenkung einer Last mit
Hilfe einer Gleichstrommaschine arbeitet diese als
Generator, wobei die erzeugte Energie als Nutzbrem-
sung über den Gleichrichter als netzgeführten Wech-
selrichter in das treibende Netz eingespeist werden
kann.
In Verbindung mit selbstgeführten Wechselrichtern
können auch Drehstromantriebe mit Hilfe der Verän-
derung der Spannung und der Frequenz in ihrer
Drehzahl stufenlos eingestellt werden.
Ungesteuerte Gleichrichter können wie gesteuerte
Gleichrichter mit dem Zündwinkel a = 0° betrachtet
und berechnet werden. Die maximal erreichbaren
und zu verarbeitenden Werte stimmen hier überein.
Auch die Trafoleistungen werden identisch berech-
net.
448 Elektronik

In der Leistungselektronik herrschen meist ohmsch- U, Ie

U
induktive Lasten mit sehr hohen Strömen vor. Die
Nachteile einer Spannungsglättung mit Kondensato- Ie
ren werden hier deutlich: unrealistisch hohe Kapazitä-
ten, stoßstromartige Belastung der Halbleiter und
größere Welligkeit bei größerer Belastung. 30° vt
In der Leistungselektronik wird deshalb das Prinzip
der Stromglättung mit Hilfe von Glättungsdrosseln fe
angewendet. Glättungsdrosseln werden stets in Reihe
mit dem Verbraucher geschaltet und haben das
Bestreben, den einmal fließenden Strom aufrechtzu- Bild XV-8 Liniendiagramm von Strom und
erhalten („Lenzsche Regel“). Sie widersetzen sich der Spannung
Änderung des Stroms, indem sie eine Selbstindukti-
onsspannung erzeugen oder gespeicherte magnetische V1 Id L
Energie abgeben. Der Laststrom setzt sich bei idealer
UL
Glättung aus Stromblöcken zusammen. U1 U2 Ud UR RL
Für die Reihenschaltung einer idealen Induktivität L
mit einem ohmschen Widerstand R als Last an einer
sinusförmigen Wechselspannung ergibt sich das Bild XV-9 Gesteuerte Einweggleichrichterschaltung
Liniendiagramm von Strom und Spannung nach (M1C)
Bild XV-8 im eingeschwungenen Zustand. Der Pha-
senverschiebungswinkel je läßt sich mit den bekann- Betreibt man eine solche Last in der Schaltung nach
ten Gleichungen bestimmen. Man erkennt, daß der Bild XV-9 (M1C) und mit einem Phasenanschnitt-
Strom Ie nicht Null ist, wenn die anliegende Span- winkel a = 0°, so ergibt sich das Liniendiagramm
nung U bereits Null geworden ist. nach Bild XV-10. Der Thyristor V1 führt also noch

Tabelle XV-1 Benennung und Kennzeichnung von Stromrichtern

Schaltungsart Bezeichnung
Einwegschaltung Mittelpunktschaltung M
Zweiwegschaltung Brückenschaltung B
Verdopplerschaltung D
Vervielfacherschaltung V
Wechselwegschaltung W
Polygonschaltung P
Ergänzende Kennzeichen
Steuerbarkeit
Kurzzeichen Bedeutung
U ungesteuert
C vollgesteuert (controlled)
H halbgesteuert
HA (HK) halbgesteuert mit anodenseitiger (katodenseitiger)
Zusammenfassung der Ventile
HZ Zweigpaar gesteuert
Haupt- und Hilfszweige
Kurzzeichen Bedeutung
A (K) anodenseitige (katodenseitige) Zusammenfassung
der Hauptzweige
Q Löschzweig
R Rücklaufzweig
F Freilaufzweig
FC Freilaufzweig gesteuert
n Vervielfachungsfaktor
XV Leistungselektronik 449

U,I L

U a = 0° UL Id
V1 V4

Id
U1 U2 UR RL
Ud
180° 360° vt
V3 V2

Bild XV-13 Vollgesteuerte Brücken-Gleichrichter-

Bild XV-10 Liniendiagramm von Strom und
Spannung bei a = 0°
Strom, obwohl seine Anoden-Katoden-Spannung ne-
gativ gepolt ist. Der Gleichstrom Id fließt also länger
als 180°.
Das Liniendiagramm nach Bild XV-11 zeigt die Zu-
sammenhänge zwischen dem Strom und den Span-
nungen UL und UR. Während UR dem Stromverlauf
folgt, kann man erkennen, daß die positiven und
negativen Spannungs-Zeit-Flächen der (Induktions-)-
Spannung UL gleich groß sind. An der Induktivität L
kann keine Gleichspannung abfallen.
Betreibt man die Schaltung nach Bild XV-9 mit
einem Phasenanschnittwinkel a = 120°, so ergibt sich
das Liniendiagramm nach Bild XV-12. Der Stromver-
lauf Id ist angenähert sinusförmig, abgesehen von den
Ladevorgängen. Die positive Spannungs-Zeit-Fläche
Ud ist größer als die negative und macht als Differenz
die aufgenommene Wirkleistung deutlich.
U,I
U2 a = 0°
UR
Id
schaltung (B2C) mit RL-Last
Die Schaltung nach Bild XV-13 zeigt eine vollgesteu-
erte Zweipuls-Brücken-Gleichrichterschaltung B2C
mit RL-Last. Betreibt man diese Schaltung mit einem
Phasenanschnittwinkel a = 120°, so ergibt sich das
Liniendiagramm nach Bild XV-14. Der Gleichstrom
Id erreicht nicht die Stromkurve des eingeschwunge-
nen Stroms Ie. Damit ist der Strom im ersten Strom-
weg bereits erloschen, wenn der zweite Stromweg
zündet. Als Folge treten Stromlücken auf, deren
Breite von den Werten der Last und dem Phasen-
anschnittwinkel abhängen.
Wird der Phasenanschnittwinkel a gleich dem Pha-
senverschiebungswinkel j, ergibt sich ein Linien-
diagramm nach Bild XV-15. Der Gleichstrom Id be-
steht aus Sinusbögen, während die Stromlücken auf
Null geschrumpft sind. Verkleinert man den Phasen-
anschnittwinkel weiter, kommt es zur Überschnei-
dung der Stromverläufe, und man spricht von nicht-
lückendem (kommutierendem) Betrieb.
U,I
U U
Id Id

180° 360° vt vt
UL
Ie Ie

Bild XV-11 Liniendiagramm von Strom und Bild XV-14 Liniendiagramm einer B2C-Schaltung
Spannungen bei a = 0° mit a = 120°

U,I Bild XV-12 U,I

U Liniendiagramm
bei einem Phasen- US US
Ud anschnittwinkel a = 120°
Id = Ie
Id

90° 360° vt vt
a = fe
Bild XV-15
Liniendiagramm einer
B2C-Schaltung mit a = j
450 Elektronik

Geht der Laststrom von einem Stromweg auf einen werden die M3C-Gleichrichterschaltung (gesteuerte
anderen Stromweg über, ohne daß vorher der Strom Dreipulsmittelpunktschaltung) und die vollgesteuerte
im abgebenden Ventil Null geworden ist, so bezeich- Sechspulsbrückengleichrichterschaltung (B6C) erläu-
net man diesen Vorgang als Kommutierung. Je nach tert.
Ursache spricht man von netzgeführten oder last- Bild XV-17 zeigt eine M3C-Schaltung mit ohmsch-
geführten Stromrichtern; zusammen bilden sie die induktiver Last an einem Dy-Transformator mit
Gruppe der fremdgeführten Stromrichter. herausgezogenem Sternpunkt. Bei einem Phasen-
anschnittwinkel α = 0° arbeitet diese Schaltung als
Udα ungesteuerter Gleichrichter M3 (Thyristoren durch
Udo Dioden ersetzt). Es ist immer das Stromventil leitend,
dessen Anoden-Katoden-Spannung das positivste
1,0 Potential besitzt. Bei idealer Stromglättung ergeben

Wechselrichterbetrieb Gleichrichterbetrieb
sich Stromblöcke mit einer Länge von 120°, während
die Gleichspannung Ud nur eine sehr geringe Wellig-
0,5 Widerstandslast keit aufweist (Tabelle XV-2).
Bei rein ohmscher Last können die Thyristoren V1
bis V3 erst 30° nach dem Nulldurchgang der Stern-
Induktive Last spannungen gezündet werden, da erst dann die Ven-
0
Induktive Last tilspannungen positiv werden. Ein Impulssteuergerät
muß je Periode drei um 120° phasenverschobene
Impulse an die Gates liefern. Bei einem Phasenan-
–0,5 Aktive Last schnittwinkel α ≤ 30° arbeitet diese Schaltung bei
ohmscher Last nach Bild XV-18 im nichtlückenden
Betrieb, bei einem Phasenanschnittwinkel 30° ≤ α
–1,0 ≤ 150° dagegen im lückenden Betrieb.
0 30 60 90 120 150 a 180
grd Ist die Induktivität L nach Bild XV-17 ausreichend
groß, wird Id vollständig geglättet, und es treten keine
Bild XV-16 Lastabhängige Steuerkennlinien einer Lücken auf. Bild XV-19 zeigt den Verlauf von Ud
B2C-Schaltung (ω t) und Id (ω t) bei α1 = 0°, α2 = 30°, α3 = 60° und
α4 = 90° im Gleichrichterbetrieb. Die Spannung Udα
Die Ausgangsspannung Ud des vollgesteuerten B2- wird bei α4 = 90° zu Null.
Stromrichters (B2C) hängt nicht nur vom Phasenan-
schnittwinkel a, sondern auch von der Lastart ab. Bei Ue
der Last unterscheiden wir zwischen Widerstandslast,
induktiver Last und aktiver Last. Unter aktiver Last
ist das Betreiben eines Stromrichters auf eine Gegen-
spannung, zum Beispiel Akkumulator oder induzierte
Spannung U0 eines Gleichstrommotors, zu verste-
hen. Die lastabhängigen Steuerkennlinien nach Bild a)
180° 360° vt
XV-16 beschreiben das Verhältnis von gesteuerter a 150°
Gleichspannung Uda zu ungesteuerter Gleichspannung 30°
Ud0 bei verschiedenen Lastarten. Man erkennt, daß
die Ausgangsspannung Uda bei idealer induktiver Last
bei einem Phasenanschnittwinkel α = 90° zu Null
wird. Wird der Phasenanschnittwinkel bei aktiver
Last α > 90°, geht der B2-Stromrichter (B2C) in den Ue
lastgeführten Wechselrichterbetrieb über.
Bei großen Gleichstromleistungen wird der Gleich-
strom dem Drehstromnetz entnommen. Beispielhaft

L1 V1
L1 b)
a 180° 360° vt
L2 V2 Id L
L2
UL U 30°
L3 V3 R RL
L3 Ud
N
Bild XV-18 M3C-Schaltung mit ohmscher Last bei
Bild XV-17 M3C-Schaltung mit ohmsch-induktiver a) nichtlückendem und,
Last b) lückendem Betrieb
XV Leistungselektronik 451

Gleichrichterbetrieb Wechselrichterbetrieb
a=0° a=30° a=60° a=90° a=120° a=150° Id
1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 V1 V2 V3
L1 UL
L1 L
Udia
L2 Ud
Udia Udia
Udia L2
L3 RL UR
L3
V4 V5 V6
1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3
Bild XV-21 Vollgesteuerte Sechspulsbrücken-
Bild XV-19 Verlauf der Verbraucherspannung bei schaltung (B6C)
verschiedenen Phasenanschnittwinkeln
und Übergang vom Gleichrichter- Transformatortypenleistung vorteilhafter als die M3-
in den Wechselrichterbetrieb Schaltung. Da hier ein Sternpunkt nicht erforderlich
Wird der Phasenanschnittwinkel α > 90°, so wird die ist (in der Schaltung nach Bild XV-17 führt er den
Spannung Udα negativ. Nun kann sich zwar die Span- gesamten Strom Id), wird diese Schaltung fast immer
nung Udα umpolen, wegen der Stromventile jedoch bei höheren Leistungen verwendet. Für den Vergleich
nicht der Strom Id. Die Schaltung geht in den Wech- einzelner Werte siehe Tabelle XV-2.
selrichterbetrieb über. Die bestehenden Strom- und Die lastabhängige Steuerkennlinie eines B6C-Strom-
Spannungsverhältnisse sind nur möglich, wenn die richters zeigt Bild XV-22. Die Steuerkurven bei rein
angeschlossene Last eine aktive Last, also eine induktiver oder ohmscher Last liegen in weiten Berei-
Gleichstrommaschine im Generatorbetrieb ist. Die chen übereinander. Für den Betrieb an aktiver Last
von der Maschine im Bremsbetrieb erzeugte Energie gelten die Aussagen zur M3C-Schaltung sinngemäß.
wird ins Netz zurückgespeist (Nutzbremsung). Die Halbgesteuerte Stromrichter nach den Schaltungen in
Schaltung funktioniert nur in dieser Weise, wenn Bild XV-23 (B2HK) und in Bild XV-24 (B2HZ)
weiterhin das Dreistromnetz angeschlossen ist, da können nur als Gleichrichter eingesetzt werden, da
durch dieses Netz das periodische Schalten der Thy- Wechselrichterbetrieb nicht möglich ist. Die Dioden
ristoren mitbestimmt wird. Es handelt sich hier um wirken zu bestimmten Zeiten wie Freilaufdioden und
einen netzgeführten Wechselrichter. reduzieren die Blindleistung um die Hälfte. Diese
Aufgrund der nicht unendlich kurzen Kommutie-
Uda
rungszeit und der Freiwerdezeit der Stromventile
Udo
kann der Phasenanschnittwinkel nicht auf α = 180°
ausgedehnt werden. Bei Erreichen der Wechselrich- 1,0
tergrenze erlangen die Thyristoren ihre Sperrfähigkeit Gleichrichterbetrieb
nicht rechtzeitig wieder, so daß mehrere Thyristoren
gleichzeitig noch leitend sind. 0,5 Widerstandslast

Uda Induktive Last

UL1N UL2N UL3N 0
UStrang
Wechselrichterbetrieb

Induktive Last

t –0,5 Aktive Last

–UStrang
a=120°a=120° a=135° a=150° a=165°
–1,0 a
Bild XV-20 Fremdgeführter Wechselrichterbetrieb 0 30 60 90 120 150 180
grd
mit Kippvorgang bei α = 165°
Bild XV-22 Lastabhängige Steuerkennlinie der
Dieser Umstand führt zu einem sprungartigen Verän- B6C-Schaltung
dern der Ausgangsspannung, wie in Bild XV-20 für
α = 165° dargestellt ist. Man nennt diesen Vorgang
Wechselrichterkippen. Der maximale Anschnittwin- Ld
kel wird häufig durch den Betreiber auf αmax = 150° V1 V4 Id
eingestellt.
U1 U2 Ud
Auch für die M3C-Schaltung läßt sich die lastabhän-
gige Steuerkennlinie berechnen und konstruieren. Sie Uo M
LFeld
weist große Ähnlichkeit mit der Kennlinie nach
V2 V3
Bild XV-16 auf.
Die vollgesteuerte Sechspulsbrückenschaltung B6C
nach Bild XV-21 ist auch hinsichtlich Welligkeit und Bild XV-23 Halbgesteuerte Stromrichter (B2HK)
Tabelle XV-2 Stromrichterschaltungen
452

Stromrichterschaltung Einpuls-Mittelpunktschaltung Dreipuls-Mittelpunktschaltung Zweipuls-Brückenschaltung Sechspuls-Brückenschaltung

vollgesteuert halbgesteuert vollgesteuert halbgesteuert

Kennzeichen M1 M3 B2C B2HK B2HZ B6C B6H

Prinzipschaltung nach Bild XV-9 Bild XV-17 Bild XV-13 Bild XV-23 Bild XV-24 Bild XV-21

Gleichspannung/ungesteuerte Stromrichterschaltung mit a = 0°

arithm. Mittelwert Ud0/U2 0,45 1,17 (U2 = UStr) 0,9 2,34 (U2 = UStr)
1,35 (U2 = ULeiter)

Effektivwert Udeff/U2 0,707 1,189

Welligkeit w UBr/Ud 1,21 0,183 0,483 0,042

Ventilsperrspannung/Ventilstrom

Spitzenwert UR max/U2 2 = 1,414 2⋅ 3 = 2,449 2 = 1,414 2⋅ 3 = 2,449

ITAV/Id 1,0 0,333 0,5 0,333

ITRMS/Id 1,571 0,5777 (Ld) 0,588 (RL) 0,707 (Ld) 0,785 (RL) 0,577 (Ld) 0,58 (RL)

Transformator

ventilseitiger Leiterstrom I2/Id 1,571 0,5777 (Ld) 0,588 (RL) 1,000 (Ld) 1,11 (RL) 0,816 (Ld) 0,820 (RL)

netzseitiger Leiterstrom I1/Id 1,211/ü 0,472/ü (Ld) 0,478/ü (RL) 1,0/ü (Ld) 1,11 (RL) 0,816/ü (Ld) 0,82/ü (RL)

primärseitige Scheinleistung S1/Ud0 ⋅ Id 2,619 1,209 (Ld) 1,209 (RL) 1,111 (Ld) 1,23 (RL) 1,05 (Ld) 1,06 (RL)

Typenleistung STr/Ud0 ⋅ Id 3,090 1,460 Dz, Yz 1,345 Dy 1,111 (Ld) 1,23 (RL) 1,05 (Ld) 1,05 (RL)

gesteuerte Gleichspannung mit a ≠ 0°

Udα Udα Udα Udα
Steuerkennlinie Uda/Ud0 Udo Udo Udo Udo
1,0 1,0 1,0 1,0

0,8
0,5 0,5 Widerstandslast 0,5
0,6 Widerstandslast Widerstandslast
Induktive Last Induktive Last Induktive Last
0 0 0
0,4 Induktive Last Induktive Last Induktive Last

0,2 –0,5 Aktive Last –0,5 Aktive Last –0,5 Aktive Last
Wechselrichterbetrieb Gleichrichterbetrieb

0
Wechselrichterbetrieb Gleichrichterbetrieb
Wechselrichterbetrieb Gleichrichterbetrieb

0 30 60 90 120 150 180 a –1,0 –1,0 –1,0

grd 0 30 60 90 120 150 180 a 0 30 60 90 120 150 180 a 0 30 60 90 120 150 180 a
grd grd grd
Elektronik
XV Leistungselektronik
Ld
V1 V4 Id
Ud
U1 U2
Uo M Id = 99 V/8 Ω = 12,375 A
LFeld
V3 V2
Bild XV-24 Halbgesteuerte Stromrichter (B2HZ)
Schaltungen können für die Drehzahlsteuerung von
Gleichstrommotoren geringer Leistung ohne Nutz-
bremsung verwendet werden. Die Induktivitäten Ld
glätten den Strom Id und verhindern lückenden Strom.
Berechnung der Trafotypenleistung:
Bei der Berechnung von Transformatoren wird die
Scheinleistung S = U ⋅ I zugrundegelegt. Für den
idealen Transformator ist in der herkömmlichen
Elektrotechnik die Gleichheit von Primär- und Se-
kundärscheinleistung unter der Voraussetzung von
sinusförmigen Spannungen und Strömen gültig.
In der Leistungselektronik sind Ströme und auch
Spannungen jedoch nicht sinusförmig und zudem auf
der Primär- und Sekundärseite verschieden.
Um diese Ungleichungen und die auf der Sekundär-
seite auftretenden Gleichstromanteile zu berücksich-
tigen, führt man die Transformatorentypenleistung
PTR ein, die dem Mittelwert von Primär- und Sekun-
därleistung entspricht.
Tabelle XV-2 stellt die entsprechenden Faktoren zur
Berechnung bei verschiedenen Schaltungen zur Ver-
fügung.
Auch ohmsche Widerstände belasten ein Wechsel-
stromnetz mit Blindleistung, wenn sie mit gesteuerten
Gleichrichtern betrieben werden. Die fließenden
Ströme sind nicht-sinusförmig. Der Grund für das
Vorhandensein der Blindleistung ist darin zu finden,
daß sich solche nicht-sinusförmigen Größen in eine
unendliche Zahl sinusförmiger Teilschwingungen und
einen Gleichanteil zerlegen lassen, die als Summe die
nicht-sinusförmige Größe ergeben. Amplitude und
Frequenz der Teilschwingungen lassen sich mit
mathematischen Verfahren nach Fourier berechnen.
Eine genaue Analyse ergibt, daß die Wirkleistung der
Last nur durch die Grundwelle (Grundschwingung
nach Fourier) des Stroms erzeugt wird. Diese Grund-
welle erzeugt aufgrund ihrer Phasenverschiebung
gegenüber der Spannung auch eine Blindleistung. Da
diese durch die Anschnittsteuerung zustande kommt,
heißt diese Blindleistung auch Steuerblindleistung.
Die Oberschwingungen des Stroms tragen zur
Scheinleistung bei, erzeugen aber nur Blindleistung.
 Beispiel: Zu berechnen ist die Trafotypenleistung des Transfor-
mators in der Schaltung nach Bild XV-9 mit U2 = 220 V, ü = 1
und R = 8 Ω und das Verhältnis von STr zu Pdi.
Lösung:
Der Trafo muß für die maximale Belastung, also bei α = 0° be-
rechnet werden.
453
Str = 3,09 ⋅ Udi ⋅ Id ; Udi = 0,45 ⋅ U2 ;
Id = Udi/R (nach Tab. XV-2)
Udi = 0,45 ⋅ 220 V = 99 V
Str = 3,09 ⋅ 99 V ⋅ 12,375 A = 3785,6 VA
In dieser Schaltung muß der Trafo eine wesentlich höhere Bau-
leistung als die Gleichstromleistung haben.
2 Anwendungsschaltungen
Bei der Dimensionierung eines Netzteiles beginnt
man stets mit den Spannungs-, Strom- und Leistungs-
bedingungen am Ausgang. Die Frage nach der Stabi-
lität, Genauigkeit und Einstellbarkeit der Ausgangs-
größen steht dabei im Vordergrund.
Im Abschnitt II.5.4 wird die Stabilisierung der Aus-
gangsspanung mit Hilfe einer Z-Diode erläutert. Dort
fließt jedoch der Laststrom durch den Vorwiderstand,
so daß an ihm eine hohe Verlustleistung in Wärme
umgesetzt wird, was zumindest bei größeren Strömen
unangemessenen Aufwand bedeutet.
Die Schaltung nach Bild XV-25 zeigt ein Netzteil mit
Längstransistor V6 als 2N3055. Hier ist der Last-
strom identisch mit dem Kollektor-Emitter-Strom des
Transistors.
4 x 1N4006 2N3055
V6
RV
V1 V3
RL
CL
V5
V2 V4
Bild XV-25 Netzteil mit Längstransistor
An der Z-Diode fällt die konstante Referenzspannung
UZ ab, die ständig mit der Ausgangsspannung am
Lastwiderstand RL verglichen wird. Aus diesem
Vergleich wird die Steuerspannung UBE für den
Transistor V6 abgeleitet, so daß als Ausgangsspan-
nung des Netzteiles die Differenz der beiden Span-
nungen besteht. Eine Änderung der Ausgangsspan-
nung hat eine gegenläufige Änderung der Basis-
Emitter-Spannung zur Folge. Ob diese Änderung von
der Eingangsspannung oder vom Ausgangsstrom
(Änderung der Last) herrührt, ist für diesen Reg-
lungsvorgang bedeutungslos.
Ausgangsspannung UA = UZ – UBE (XV.1)
In der Schaltung nach Bild XV-25 ist die Ausgangs-
spannung konstant und auch von außen her nicht ver-
änderbar. Soll die Ausgangsspannung regelbar sein,
kann eine Schaltung nach Bild XV-26 verwendet
werden, in der der Transistor V3 als Regler wirkt.
454 Elektronik

V5 Widerstand R3 wird hier vom Laststrom IA durchflos-

V1 RE R2 R3 sen, der eine Spannung abfallen läßt. Diese Spannung
V4 bildet die Basis-Emitter-Spannung des Transistors
V2 V9. Wird diese Spannung größer 0,7 V, so wird der
R4 RL Transistor V9 leitend und legt die Basis von V7
UE V3
annähernd auf Kollektorpotential. Dadurch wird der
UA
Basisstrom von V7 kleiner, so daß der Laststrom
R1 UB nicht weiter ansteigen kann.
V6 UZ R5
Will man den maximalen Laststrom größer machen,
kann in die Basisstrecke von V9 ein zusätzlicher
Widerstand eingebaut werden.
Bild XV-26 Netzteil mit Längstransistor und
regelbarer Ausgangsspannung V6
V1 R5
R2
Zur Erhöhung des zulässigen Laststroms werden die V5
Transistoren V4 und V5 als Darlington-Transistoren V3 V7
betrieben. UE R6 U
A
Die Spannung UB ist eine mit Hilfe des Potentiome- R3
ters R4 einstellbare Teilspannung der Ausgangsspan- R1 V4
V2 R7
nung UA. R4
Teilspannung UB = UZ – UBE3 (XV.2)
Bild XV-28 Operationsverstärker als Regelverstärker
Wird die Eingangsspannung UE größer, nimmt auch
zuerst die Ausgangsspannung UA zu. Damit wird die Anstelle des einstufigen Regelverstärkers kann auch
Basis-Emitter-Spannung von V3 größer, somit auch ein Operationsverstärker eingesetzt werden. Erwünscht
IB3 und in der Folge auch IC3. Die Schaltung aus R1, sind hierbei OP mit einer sehr hohen Leerlaufverstär-
V1, RE und Transistor V2 bildet eine Konstant- kung. Die Ausgangsspannung der Schaltung nach
stromquelle. Somit wird IB4 beziehungsweise IB5 Bild XV-28 wird praktisch nur noch von der Kon-
kleiner, die beiden Transistoren steuern zu und damit stanz der Referenzspannungsquelle, hier der Z-Diode,
wird die Ausgangsspannung UA kleiner. bestimmt. Den Kurzschlußschutz übernehmen in
Die Stabilisierung gegen Schwankungen der Ein- dieser Schaltung V7 und R5.
gangsspannung UE wird durch die Konstantstrom- Integrierte Festspannungsregler, aber auch integrierte
quelle verbessert, da die Verstärkung von V3 dadurch einstellbare Spannungsregler, sind in großer Zahl auf
insgesamt vergrößert wird. dem Markt. Die integrierte Strombegrenzung ein-
Die Ausgangsspannung läßt sich also allein durch das schließlich des thermischen Überlastungsschutzes
Teilerverhältnis des Spannungsteilers R3, R4 und R5 machen diese Bauelemente praktisch unempfindlich ge-
einstellen. Die kleinste Ausgangsspannung wird genüber Kurzschluß und Überlastung. Integrierte Fest-
durch die Z-Diode V6 festgelegt. Der Maximalwert spannungsregler sind für den Fall konzeptioniert, daß
der Ausgangsspannung ist die Differenz zwischen der nur eine konstante Ausgangsspannung gebraucht wird.
maximalen Eingangsspannung und der Sättigungs- Bei den integrierten Festspannungsreglern der 78xx-
spannung UCE sat des Transistors V5. und 79xx-Serie, die von zahlreichen Herstellern
Die Berechnung des Widerstandes R2 richtet sich (Siemens, Texas, Signetics) produziert werden, geben
nach dem IZ max der Diode. Er sorgt dafür, das selbst die letzten beiden Ziffern (xx) die posititive oder
bei völlig gesperrtem Transistor V3 die Referenz- negative Ausgangsspannung in Volt an. Im Normal-
spannung UZ ansteht. fall kann das Bauteil mit seinen drei Anschlüssen in
Beide angesprochenen Schaltungen haben den Nach- sehr einfachen Grundschaltungen mit einem Sieb-
teil, daß sie nicht kurzschlußfest sind. Eine sichere kondensator CE im Eingangskreis (0,22 mF bis 1 mF)
Methode zur Messung und Feststellung eines hohen und einem Ausgangskondensator CA zur Verbesse-
Stroms zeigt die Schaltung nach Bild XV-27. Der rung der Brummspannung im Ausgangskreis nach
Bild XV-29a und XV-29b verwendet werden.
V8 Die Tabelle XV-3 gibt einen Überblick über die
R3 wichtigsten Kenndaten der Serie 78xx, wobei die
R1 V7 R5
V1 V3 maximalen Lastströme von der Gehäuseform und
T1 R4
C1 R2 V9 dem verwendeten Kühlkörper abhängig sind.
V5 R6 UA
In der digitalen Steuerungstechnik wird für die Span-
R7 nungsversorgung von TTL-Gattern eine konstante Be-
V2 V4 V6 C2
triebsspannung von +5 V benötigt. Die Schaltung nach
Bild XV-30 zeigt dafür ein geregeltes Netzgerät. Es
Bild XV-27 Kurzschlußfestes Netzteil kann mit Strömen bis zu 1,5 A belastet werden.
XV Leistungselektronik 455

Tabelle XV-3 Kenndaten der 78xx-Serie (Auswahl)

Typ UA UA min; UA max IL max UE min; UE max

7805 +5 V 4,8 V ... 5,2 V 0,1 A; 0,5 A; 1,5 A 7V ... 25 V
7806 +6 V 5,75 V ... 6,25 V 0,1 A; 0,5 A; 1,5 A 8V ... 25 V
7808 +8 V 7,7 V ... 8,3 V 0,1 A; 0,5 A; 1,5 A 10,5 V ... 25 V
7812 +12 V 11,5 V ... 12,5 V 0,1 A; 0,5 A; 1,5 A 14,5 V ... 30 V
7815 + 15 V 14,4 V ... 15,6 V 0,1 A; 0,5 A; 1,5 A 17,5 V ... 30 V
7818 + 18 V 17,3 V ... 18,7 V 0,1 A; 0,5 A; 1,5 A 21 V ... 33 V
7824 + 24 V 23 V ... 25 V 0,1 A; 0,5 A; 1,5 A 27 V ... 33 V

Reichen die Ausgangsleistungen des Spannungsreg-

78xx
lers für den Verwendungszweck nicht aus, kann die
Ausgangsleistung mit der Schaltung nach Bild XV-31
UE UA fast beliebig heraufgesetzt werden. Der Wider-
CE CA standswert von R2 bestimmt den Einsatzwert des
Transistors V2, von dem an der Laststrom am Regler
vorbeizuführen ist. Transistor V1 in Verbindung mit
dem Widerstand R1 sorgen für den Kurzschlußschutz
a) des Längstransistors V2. Hierbei ist R1 so zu bemes-
sen, daß beim Erreichen des maximalen Kollek-
79xx torstroms von V2 der Transistor V1 leitend wird und
somit die Basis-Emitter-Strecke von V1 kurzge-
schlossen wird.
–UE –UA
CE CA R1 V2

V1
b) R2
78xx
Bild XV-29 Integrierte Festspannungsregler
a) 78xx-Serie UE UA
b) 79xx-Serie mit Siebkondensatoren CE CA

V5

1N4006 Bild XV-31 Schaltung zur Erhöhung der

4 x 1N4006 +5V
7805 C Ausgangsleistung
V1 V2
Als integrierte einstellbare Spannungsregler stehen
230V zahlreiche Typen zur Verfügung, so zum Beispiel der
CE CA LM 317 (für positive Ausgangsspannungen) und der
50Hz
LM 337 (für negative Ausgangsspannungen), aber auch
das vielfältig verwendbare Spannungsregler-IC μA 723.
V3 V4

Bild XV-30 Netzgerät zur Spannungsversorgung 3 Schaltnetzteile

von TTL-Gattern
Der Siebkondensator CE im Eingangskreis hat
2,2 mF, während der Ausgangskondensator CA mit
47 mF hoch gewählt wird, um die in der digitalen
Steuerungstechnik auftretenden stoßartigen Lastströ-
me besser auffangen zu können.
Die Forderung, für den Einsatz in Computern und
elektronischen Geräten der Unterhaltungselektronik
mit kleinen Gehäusen geeignete Netzteile zu bauen,
die geringe Wärmeverlustleistungen aufweisen und
geringes Gewicht haben, führte zur Entwicklung von
Schaltnetzteilen.
456 Elektronik

Das Prinzip der Schaltnetzteile beruht darauf, daß
man den arithmetischen Mittelwert der Ausgangs-
spannung durch periodisches Öffnen und Schließen
eines Schalters (Schalttransistor) beeinflußt und
durch Variation der Ein- und Ausschaltzeiten die
Höhe der Ausgangsspannung einstellt und auch bei
Lastwechseln stabilisiert.
Je nach Anordnung der Schalttransistoren wird nach
Bild XV-32 zwischen Sekundär- und Primär-Schalt-
netzteilen unterschieden.
L1
N RL U A
CL
Modulator
Sekundär-
Schaltnetzteil Oszillator
Steuer-IC URef
L1
N RL U A
CL
Potential- Modulator
trennung
Primär- Oszillator
Schaltnetzteil
Steuer-IC URef
Bild XV-32 Blockschaltbilder von Sekundär-
und Primär-Schaltnetzteilen
Beim Sekundär-Schaltnetzteil liegt der Schalttransis-
tor auf der Sekundärseite, beim Primär-Schaltnetzteil
auf der Primärseite. Um die Verluste in den Netz-
transformatoren klein zu halten, wird die Schaltfre-
quenz in den kHz-Bereich gelegt. So werden Wir-
kungsgrade von 80% bei stark reduziertem Gewicht,
kleinen Bauvolumen und geringer Wärmeentwick-
lung erreicht.
Ein Nachteil der Sekundär-Schaltnetzteile ist, daß ein
Standardnetztransformator eingesetzt werden muß.
Die Querschnittsfläche, damit das Volumen und somit
auch das Gewicht des Eisenkerns hängen aber auch
von der Frequenz des Netzes ab. Beim Primär-
Schaltnetzteil wird zuerst die Netzspannung gleichge-
richtet, dann geschaltet (getaktet) und erst jetzt zur
Potentialtrennung auf den Transformator gebracht.
Durch die gegenüber der Netzfrequenz wesentlich
höhere Taktfrequenz können nun bei gleicher Leistung
Transformatoren mit wesentlich kleineren Abmessun-
gen und kleinerem Gewicht verwendet werden. Das
Kernmaterial muß allerdings in seinen magnetischen
Werten besser sein. In der Praxis werden primärgetak-
tete Netzteile wesentlich häufiger verwendet.
Als Schalttransistor werden Transistoren benötigt, die
für höhere Ströme und Sperrspannungen geeignet
sind. SIPMOS-FET, aber auch IBGT kommen hier
zunehmend zum Einsatz und ermöglichen Schaltnetz-
teile (SNT) mit immer höheren Leistungen.
Der Steuerblock für den Schalttransistor besteht aus
einem PI-Regler mit vorgeschaltetem Soll-Ist-Ver-
gleicher, einem Modulator zur Veränderung des
Tastverhältnisses und einem Oszillator (Rechteck-
generator) mit konstanter Frequenz. Die Steuerung
wird von integrierten Steuerschaltungen (Steuer-IC)
übernommen, die es mittlerweile zahlreich auf dem
Markt gibt (z.B. TDA 4918, TDA 4919 der Fa. Sie-
mens).
IE IL
T
V2
C UA RL
UE
D
G V1
S
Bild XV-33 Sperrwandler mit selbstsperrendem
MOS-FET
Je nach Verwendungszweck und Aufwand werden
entweder Sperr- oder Durchflußwandler in verschie-
denen Varianten angewendet. Im Sperrwandler nach
Bild XV-33 ist der Schalttransistor V1 ein selbst-
sperrender MOS-FET. Der Transformator T hat
gegensinnige Wickelrichtung auf der Primär- und
Sekundärseite. Während der Einschaltdauer t1 des
Transistors V1 wird vom Transformator Energie
aufgenommen, die in der Sperrphase t2 des Tran-
sistors V1 an die Sekundärseite abgegeben wird. In
der Leitphase des Transistors ist die Diode V2 ge-
sperrt, in der Sperrphase dagegen leitend, so daß der
Kondensator in der Zeit t2 geladen wird.
Mit der Periodendauer T = t1 + t2 und dem Tastver-
hältnis v = t1/T erhält man bei einer Transformator-
übersetzung ü = 1 die Ausgangsspannung UA.
v
Ausgangsspannung U A = ⋅U E (XV.3)
1− v
Die Ausgangsspanunng ist ausschließlich vom Tast-
verhältnis abhängig und kann bei schwankender Ein-
gangsspannung konstant gehalten werden. Das Tast-
verhältnis wird vom Steuer-IC in geeigneter Weise
verändert.
Der Durchflußwandler nach Bild XV-34 verfügt über
einen Transformator T mit gleichem Wicklungssinn
auf der Primär- und Sekundärseite und einer zusätz-
lichen Wicklung, die es ermöglicht, ohne Gleichstrom-
IE V3 L IL
T
UA
V4 C
RL
UE
D
G V1
S V2
Bild XV-34 Durchflußwandler mit
Entmagnetisierungspfad
XV Leistungselektronik 457

stromvormagnetisierung zu arbeiten. Während der
Einschaltdauer t1 des Transistors V1 ist die Diode V3
leitend; und es fließt ein Strom durch die Induktivität
L und somit ein Laststrom IL in den Lastwiderstand
RL.
In der Sperrphase des Transistors V1 ist die Diode V3
dagegen gesperrt, die Diode V4 aber leitend und
wirkt hier wie eine Freilaufdiode für die Induktivität,
so daß der Kondensator C und die Induktivität in
der Zeit t2 ihre gespeicherte Energie an die Last ab-
geben.
In dieser Zeit wird die im Transformator gespeicherte
Energie über die jetzt leitende Diode V2 wieder an
die Quelle zurückgegeben.
t1 U E
Ausgangsspannung U A = ⋅ (XV.4)
T ü
Die Gleichung XV.4 gilt unter der Annahme eines
nichtlückenden Betriebes, daß heißt, der Strom durch
die Induktivität L wird niemals Null.
Das Prinzip des Sperrwandlers und des Durchfluß-
wandlers gibt es in zahlreichen Varianten, die aber
hier nicht weiter vertieft werden sollen.
4 Elektronische Schalter
Bild XV-35
Zündung eines Thyristors V2
mit Gleichspannung RL
Strom durch den Lastwiderstand. Die Diode V2
unterstützt den Thyristor in Sperrichtung.
Ein Phasenanschnittwinkel α = 0° entspricht einem
einfachen Einschaltvorgang im Nulldurchgang der
Versorgungsspannung. Einen „Nullspannungsschal-
ter“ zeigt die Schaltung nach Bild XV-36, wobei der
Lastwiderstand RL aufgrund der B2-Gleichrichter-
brücke nur Gleichstromleistung aufnimmt.
Nullspannungsschalter lassen sich schaltungstech-
nisch mit Ansteuer-ICs (z.B. TCA 785, Siemens)
realisieren und vermeiden im Netz die bei Phasen-
anschnittsteuerungen auftretenden höherfrequenten
Oberschwingungen.
Gleichspannung kann auch mit einem Thyristor
geschaltet werden. Das Problem ergibt sich erst mit
dem Löschen des Thyristors. Der Gleichstrom unter-
schreitet nicht von allein den Haltestrom, wie das
bei Wechselstrom im Nulldurchgang der Fall ist.
Es existieren zahlreiche „Gleichstromschalter“ mit
Thyristoren. Als einfaches Beispiel dient die Schal-
tung nach Bild XV-37.
Im Grundzustand sind die Thyristoren V1 und V2 im
gesperrten Zustand. Wird der Einschalt-Thyristor V1
gezündet, fließt ein Gleichstrom durch den Lastwi-
derstand RL und das RC-Glied aus RA und C. Nach
einer Zeit 5 ⋅ τ ist der Kondensator auf eine Spannung
von (UN – UT) geladen, und es fließt in diesem Kreis
kein Strom mehr.

UN
S RG V1
RA RL
U C
UN

Bei Betrieb der Schaltung nach Bild XV-35 an Wech-

selspannung zündet der Thyristor bei geschlossenem V2 V1
Schalter S kurz nach dem Beginn der positiven Halb-
welle der Betriebsspannung durch geeignete Wahl
des Gatevorwiderstandes RG. Er löscht wieder, wenn
sein Haltestrom kurz vor dem nächsten Null- Bild XV-37 Gleichstromschalter mit Thyristoren
durchgang der Wechselspannung zwangsläufig unter- für ohmsche Last
schritten wird. Solange S geschlossen ist, fließt
in jeder positiven Halbwelle der Spannung UN ein Wird nun der Ausschalt-Thyristor V2 gezündet, so
wird die Anode von V1 für einen Moment auf ein
RL Potential von [– (UN – UT) ≈ – UN] gelegt, so daß der
UL
Thyristor V1 gelöscht wird. Der Kondensator C lädt
V1 sich über den Lastwiderstand RL sehr schnell um, so
V2 R2 daß in diesem Kreis kein Strom mehr fließt. Der
UD V5 R1 Widerstand RA ist so hochohmig zu wählen, daß sein
UN T1 Strom unter dem Haltestrom des Ausschalt-Thyristors
V6
USt V2 liegt und somit von allein löscht.
V3 V4 R3 Nun sind die Thyristoren V1 und V2 im gesperrten,
also im Grundzustand.
Zuverlässig funktioniert diese Schaltung nur bei
ohmscher Last. Bei ohmsch-induktiver Last wird der
Bild XV-36 Einfacher Nullspannungsschalter Gleichstromschalter nach Bild XV-38 benutzt. Das
458 Elektronik

Bild XV-38
I
Gleichstromschalter für
ohmsch-induktiver Last
V1 V2 V3
L1 L2
C XV-41 grundsätzlich für Wechselstromnetze die Pha-
Löschen erfolgt nun mit dem Löschthyristor V2 mit
Unterstützung der Induktivitäten L1 und L2 sowie
des Kondensators, die hier als Reihenschwingkreis
wirken.
Antiparallel geschaltete Thyristoren (für hohe Ströme),
Thyristor mit antiparalleler Diode oder Triacs werden
von der Industrie als fertige Baugruppen unter der
Bezeichnung „Elektronische Lastrelais“ (ELR) an-
geboten. Sie ermöglichen das kontaktlose Schalten
hoher Ströme mit hoher Schalthäufigkeit ohne den
bei Lastschützen auftretenden Lichtbogen mit den
negativen Folgen für die Kontakte. Auch phasenrich-
tiges Einschalten bei gemischt ohmsch-induktiven
Verbrauchern ist leicht machbar.
L1
Die Schaltung nach Bild XV-39 zeigt eine Prinzip-
schaltung mit Thyristoren als Schalter bei Anschluß
an ein Wechselstromnetz, während Bild XV-40 den
Anschluß an ein Drehstromnetz zeigt.
5 Elektronische Steller
Um einen Verbraucher durch ein Halbleiterbauele-
ment nicht nur ein- und auszuschalten, sondern auch
in seiner Leistung zu steuern, gibt es nach Bild
senanschnittsteuerung und die Periodengruppensteue-
rung, auch Schwingungspaketsteuerung genannt.
Dem gleichen Zweck dient im Gleichstromnetz der
Gleichstromsteller (Chopper).
Das Grundprinzip einer Phasenanschnittsteuerung mit
Impulszündung ist im Bild XV-42 dargestellt. Bei
jeder Halbwelle wird der Kondensator C1 über R1
und R2 aufgeladen. Sobald die Kondensatorspannung
die Durchbruchspannung des Diacs erreicht, zündet
der Diac, und der Kondensator entlädt sich über den
Diac und die Gatestrecke des Triacs. Dadurch wird
der Triac gezündet. Der Phasenanschnittwinkel α
kann durch eine Veränderung der Ladezeit des Kon-
densators verändert werden.
Anschnittsteuerung
U

N
vt

Last U
Periodengruppensteuerung

vt
Bild XV-39 Thyristoren als Schalter am
Wechselstromnetz
L1
Bild XV-41 Prinzip der Phasenanschnittsteuerung
L2
und Periodengruppensteuerung
L3
Die Impulsdauer dieser Schaltung ist gering und für
stark induktive Lasten nicht verwendbar. Darum
werden Zündschaltungen heute mit integrierten
Schaltungen (z.B. TCA 785, Siemens) zusammen mit
Impulsverstärkern, Zündübertragern und gekoppelten
Reglern realisiert.
Die Phasenanschnittsteuerung dient zum Steuern von
Last Wechselstrommotoren und Lampen. Weiter oben
wurde bereits gezeigt, daß auch bei ohmschen Lasten
Bild XV-40 Thyristoren als Schalter am unter diesen Umständen Blindleistung auftritt. Es
Drehstromnetz treten nichtsinusförmige Ströme auch in den Lampen-
XV Leistungselektronik 459

I ID
RL S
R1
IV R
RG
U Ud
V1
R2 A1 UN
V1 L
A2

V2
C
Bild XV-43 Prinzipschaltung eines
Gleichstromstellers
Bild XV-42 Grundprinzip einer Phasenanschnitt-
id
steuerung mit Impulszündung

kreisen auf, die das Netz belasten und vorgeschaltete ud

Filter erfordern.
Bei der Periodengruppensteuerung schaltet ein Null-
spannungsschalter die Last periodisch jeweils für eine
bestimmte Anzahl an Perioden der Wechselspannung
ein oder aus. Durch Variation der Ein- oder Aus-
schaltdauer kann man die mittlere Leistung eines
Verbrauchers in weiten Grenzen einstellen. Diese
Steuerungsart eignet sich nicht für Wechselstrom-
motore und Lampen, wohl aber zum Steuern von
Widerstandsheizungen. Es treten keine Oberwellen
auf, was diese Steuerungsart netzrückwirkungsarm
gestaltet.
Gleichstromschalter nach Bild XV-38 werden nicht
nur für sporadische Ein- und Ausschaltvorgänge von
Gleichstromverbrauchern in größeren Zeitabständen
verwendet. Im Austausch mit IGBT und SIPMOS-
FET können sie in der Schaltung nach Bild XV-43 als
Schalter verwendet werden. Betätigt man den Schalter
S mit variablen Ein- und Ausschaltzeiten (wobei die
Summe der Zeiten konstant bleibt), kann man damit
die Leistungsaufnahme eines Gleichstromverbrau-
chers steuern beziehungsweise „stellen“.
i
iv
t
Bild XV-44 Liniendiagramme zur Schaltung
nach Bild XV-43
Ist der Schalter geschlossen (also U = Ud), fließt
aufgrund der Induktivität L ein linear ansteigender
Strom I in die Last R. Ist der Schalter dagegen offen,
wirkt die Diode V1 als Freilaufdiode für die Induk-
tivität, und es fließt der Strom IV in die Last. Somit
wird die Last sowohl in den Ein- wie auch in den
Ausschaltzeiten vom Strom durchflossen. Das Dia-
gramm nach Bild XV-44 zeigt die Liniendiagramme
der wirkenden Spannungen und Ströme im Zusam-
menhang mit der Zeit t. Der Strom Id ist hier die
Summe aus den beiden anteiligen Strömen.
 461

Technische Kommunikation/Technisches Zeichnen

I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung

1 Zeichengeräte Buchstaben kennzeichnen die Härtegrade von Minen:

B = schwarz (weich)
Eine Technische Zeichnung muß nach DIN 6774 Teil 1
H = hart
in der Weise angefertigt werden, daß sie übersichtlich,
HB = hart, schwarz (mittelhart)
unmißverständlich, auch in verkleinertem Maßstab
F = fest.
lesbar bleibt, kostengünstig reproduzierbar und dauer-
haft archivierbar ist. Zu dem Zweck benötigt man Ziffern verweisen auf feinere Abstufungen der Härte-
entsprechendes Papier und angepaßtes Zeichengerät. grade.
Für die Entwurfzeichnung verwendet man Bleistifte, Zirkel, Lineale und Schablonen erleichtern und be-
heute in der Form nachfüllbarer Feinminenhalter mit schleunigen die Zeichenarbeit. Zur Erstellung der end-
Minen definierter Härte und Linienbreite. gültigen Zeichnung werden Tuschefüller und Schrift-

Tabelle I-1 Auswahl wichtiger Normen für das technische Zeichnen

DIN EN ISO 128 Linien
DIN EN ISO 3098 Normschrift
DIN EN ISO 5455 Blattgröße, Maßstäbe
DIN EN ISO 5457 Faltungen von Technischen Zeichnungen
DIN 6771 Schriftfelder und Stücklisten
DIN 6774 Ausführungsrichtlinien
DIN ISO 5455 Maßstäbe
DIN 6789 Zeichnungssystematik
DIN ISO 286 Allgemeine Toleranzen
DIN ISO 1302 Oberflächenangaben
DIN ISO 5456 Dreidimensionale Projektion
DIN ISO 128 Ansichten, Schnittdarstellung
DIN 406 Arten und Regeln der Maßeintragung
DIN ISO 6410 Darstellung von Gewinde
DIN 461 Graphische Darstellungen
DIN EN 61082 Schaltungsunterlagen, graf. Symbole für Schaltpläne
DIN EN 61082 T. 1 Schaltungsunterlagen, Begriffe, Einteilung
DIN EN 61082 T. 2 Regeln für Stromlaufpläne, Funktions- und Schaltpläne
DIN EN 61082 T. 3 Verbindungspläne und -listen, Geräteverdrahtungspläne
DIN 40719 T. 2 Kennzeichnung von Betriebsmitteln
DIN IEC 60971 Stromrichterbenennungen und -kennzeichen
DIN VDE 0281/0293 Leitungen
DIN EN 60617 Schaltzeichen für Schaltungsunterlagen
DIN EN 60617-6 Elektrische Maschinen
DIN EN 60617-11 Meßgeräte, Zähler, Anzeigen, Meßgrößenumformer
DIN VDE 0530 Anschlußbezeichnungen und Drehsinn
DIN 40717 Schaltpläne, Installationspläne
DIN 40712 Veränderbarkeit, Einstellbarkeit, Widerstände
DIN 40713 Schaltglieder, Antriebe, Auslöser
DIN 40714 Transformatoren, Drosselspulen, Wandler
DIN 40719 T9 Ausführung von Anschlußplänen
DIN 40719 T10 Ausführung von Anordnungsplänen
DIN 40719 T11 Zeitablaufdiagramme – Schaltfolgediagramme
DIN 66001 Informationsverarbeitung
IEC 617-12 Computertechnik
DIN 46199 Anschlußbezeichnungen
462 Technische Kommunikation

sowie Schreibschablonen verwendet, die der Prüf-
norm DIN 6775 entsprechen. Sie können für das
normgerechte Zeichnen und Beschriften nach DIN 15
Teil 1 und 2 verwendet werden.
Auf die Geräte und Maschinen, die beim computer-
gestützen Zeichnen (CAD = computer aided design)
Verwendung finden, soll in Abschn. 4 eingegangen
werden.
Zeichenpapier ist meist dicker als normales Schreib-
papier und für die Verwendung von Tuschefüllern
geeignet. Häufig wird festes, durchscheinendes
Transparentpapier verwendet, das für das Lichtpaus-
verfahren geeignet ist.
Die Blattgröße, sprich das Papier-Format, ist nach DIN
6771 T6 festgelegt. Diese Normreihe ist so gestaltet,
daß durch fortgesetztes Falten bzw. Schneiden des
Blattes in der Mitte jeweils das nächst kleinere Format
entsteht. Das Ausgangsformat ist gleich der metrischen
Flächeneinheit, d.h., A0 entspricht der Größe 1 m2.
Alle Zeichenblattgrößen können in der Hoch- oder
Querlage verwendet werden. Bevorzugt sind die
Formate A4 bis A0 zu verwenden. Bei A4-Format
wird die Hochlage bevorzugt.
2 Normen für Technische Zeichnungen
Die moderne Produktion ist gekennzeichnet durch
eine extreme Arbeitsteilung. Die Technische Zeich-
nung ist hierbei als Informationsträger über Pla-
nungsvorgaben, die Vorbereitung und Ausführung
von Anlagen und Geräten zu betrachten. Es handelt
sich um Beschreibungen, die vollständig alle Fakten
wiedergeben, aber keine unnötigen Angaben enthal-
ten. Die Darstellung ist weitestgehend symbolhaft mit
einem Minimum an Textangaben, was die internatio-
nale Kooperation vereinfacht.
Die Übersichtlichkeit und Eindeutigkeit von Techni-
schen Zeichnungen wird durch das strikte Einhalten
von vereinbarten Regeln erreicht. Diese Regeln
werden als Zeichnungsnormen vom Deutschen Insti-
tut für Normung (DIN) herausgegeben, wobei diese
die Normen und Empfehlungen der Internationalen
Normenorganisation (ISO = International Organiza-
tion for Standardization) zur weltweiten Vereinheitli-
chung berücksichtigen.
Eine Auswahl wichtiger Normen für das technische
Zeichnen, hier besonders für die Elektrotechnik, sind
in Tabelle I-1 zusammengefaßt.
3 Darstellung und Bemaßung
von Körpern
Eine Technische Zeichnung ist in vervielfältigter
Form oder als Verkleinerung nur dann einwandfrei zu
lesen, wenn die Strichstärken nach DIN 15 ausgeführt
sind. Zur Unterscheidung von Werkstück und Hilfsli-
nien sowie der Bemaßung benötigt man grundsätzlich
zwei verschiedene Linienbreiten. Zusätzlich ist noch
eine Linienbreite für die Schrift und die graphischen
Symbole vorgesehen. Für die zeichnerische Darstel-
lung ist vorzugsweise die Liniengruppe 0,5 und für
die größeren Formate A1 und A0 die Liniengruppe
0,7 nach Bild I-1 anzuwenden.
In der Liniengruppe 0,5 ist für die Schrift und die
graphischen Symbole die Linienbreite 0,35 und in der
Liniengruppe 0,7 die Linienbreite 0,5 zu verwenden.
Eine Übersicht über die verwendeten Linienarten und
ihre Verwendung in Technischen Zeichnungen gibt
Bild I-1.
Technische Zeichnungen werden beschriftet mit
Buchstaben und Zeichen nach DIN 6776 ISO 3098.
Bild I-2 zeigt die Normschrift des deutschen Alpha-
bets in der vertikalen Form und die griechische
Schrift in der schrägen Form. Aufgrund der Forde-
rung nach guter Lesbarkeit auch bei Verkleinerung
der Vorlage besteht ein enger Zusammenhang zwi-
schen Linienbreite, Schrifthöhe und Zeichenabstand,
wie in Bild I-2 dargestellt.

Linienart Benennung Linienbreite in mm Verwendung

Volllinie (breit) 0,25 0,35 0,5 0,7 1,0 1,4 2 sichtbare Kanten u. Umrisse
Volllinie (schmal) Maß- u. Maßhilfslinien
0,13 0,18 0,25 0,35 0,5 0,7 1 Schraffuren
Freihand- oder Begrenzungen von
Zickzacklinie (sm) abgebrochenen Ansichten
Strichlinie 0,25 0,35 0,5 0,7 1,0 1,4 2 verdeckte Kanten
(breit)
Strichpunktlinie 0,13 0,18 0,25 0,35 0,5 0,7 1 Mittel-, Symmetrielinien
(schmal)
Strichpunktlinie 0,25 0,35 0,5 0,7 1,0 1,4 2 Kennzeichnung von
(breit) Behandlungsarten
Strich-Zweipunkt- 0,13 0,18 0,25 0,35 0,5 0,7 1 Umrisse von angrenzenden
linie (schmal) Teilen
Bild I-1 Benennung und Verwendung von Linien nach DIN EN ISO 128
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 463

Kenngröße Form A (d = h/14) Form B (d = h/10)

h 2,5 3,5 5 7 10 14 20 2,5 3,5 5 7 10 14 20

a 0,35 0,5 0,7 1 1,4 2 2,8 0,5 0,7 1 11,4 12 2,8 14

b 3,5 5 7 10 14 20 28 3,5 5 7 10 14 20 28
c – 2,5 3,5 5 7 10 14 – 2,5 3,5 15 17 10 14
d 0,18 0,25 0,35 0,5 0,7 1 1,4 0,25 0,35 0,5 10,7 11 11,4 12
e 1,05 1,5 2,1 3 4,2 6 8,4 1,5 2,1 3 14,2 16 18,4 12

Bedeutung der Kenngrößen:

h
h Höhe der Großbuchstaben

c
a Abstand zwischen zwei Buchstaben bei einem Wort
b Zeilenabstand
c Höhe der Kleinbuchstaben d a e
d Schriftdicke

b
e Abstand zwischen zwei Wörtern

h
Die Schrift darf vertikale oder unter einem
Winkel von 15° nach rechts geneigt sein.

Alpha Beta Gamma Delta Epsilon Zeta Eta Theta Jata Kappa Lambda My

Ny Ksi Omikron Pi Rho Sigma Tau Ypsilon Phi Chi Psi Omega

Alpha Beta Gamma Delta Epsilon Zeta Eta Theta Jata Kappa Lambda My
h

Ny Ksi Omikron Pi Rho Sigma Tau Ypsilon Phi Chi Psi Omega

Bild I-2 Normschrift nach DIN 6776 ISO 3098

In den meisten Fällen kann das Werkstück nicht in Form, Inhalt und Anordnung des Schriftfeldes für A4
seiner natürlichen Größe dargestellt werden. Nach Formate nach DIN 6771 T1 zeigt Bild I-4, während
DIN ISO 5455 werden in Technischen Zeichnungen die Gestaltung Technischer Zeichnungen für A3
die in Bild I-3 empfohlenen Maßstäbe verwendet. Die Formate nach DIN 6771 T5 in Bild I-5 dargestellt
vollständige Angabe eines Maßstabes besteht aus dem wird mit Beschreibung der wichtigsten Angaben im
Wort „Scale“, in der Bundesrepublik Deutschland Schriftfeld. Das Blatt ist mit der Rahmeneinteilung
„Maßstab“ und der Angabe des Maßstabsverhältnis. für elektrotechnische Darstellungen als Grobraster
vorbereitet.
Maßstäbe DIN ISO 5455 12/79 Bei Zeichnungen für die Arbeitsvorbereitung umfaßt
Art Empfohlene Maßstäbe das Schriftfeld noch eine Stückliste, die jedoch auch
Verkleinerungen 1 : 2 1:5 1 : 10 als Beiblatt angefügt werden kann. Die Stückliste
1 : 20 1 : 50 1 : 100 kann für die Kalkulation, die Bestellung von Bau-
1 : 200 1 : 500 1 : 1000
1 : 2000 1 : 5000 1 : 10000 oder Ersatzteilen uvm. verwendet werden.
Vergrößerungen 50 : 1 20 : 1 10 : 1 Die Leserichtung der Zeichnung entspricht grund-
5:1 2:1 sätzlich der Leserichtung des Schriftfeldes. Alle
Natürliche Größe 1:1 Maße, Symbole und Wortangaben sind so ein-
Der in der Zeichnung verwendete Maßstab ist im
Schriftfeld der Zeichnung einzutragen. zutragen, daß sie von unten oder von rechts lesbar
sind, wenn die Zeichnung in Leserichtung gehalten
Bild I-3 Empfohlene Maßstäbe nach DIN ISO 5455 wird.
464 Technische Kommunikation

5
20

Blattrand
43 87
25 18 36

6,5
Heftrand

(Zul.Abw.) (Ober- Maßstab (Gewicht)

fläche)
10 (Werkstoff)

11
Datum Name (Benennung)
Bearb
21

Gepr.

55
Norm

(Firma) (Zeichnungsnummer) Blatt

4,2

4,2
13

Blätter
Urspr. Ers. für: Ers. durch:
4,2

13
Alle Maße sind Ungefährmaße 43
130

Schriftfeld

Bild I-4 Anordnung des Schriftfeldes für A4 Format nach DIN 6771
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 465

1 2 3 4 5 6 7 8

A A

B Heftrand B

C C

D 61 38,1 81,3 43,2 68,6 71,1 (45,7) D

4a
a
10

30,5 71,1
E E
14 17 15a 15c 11 18 9 12 1 13

F F
Schriftfeld
1 2 3 4 5 6 7 8

Feld Eintragung
1 Kennzeichnungsblöcke von Anlage
und Ort
(z.B. nach DIN 40 719, Teil 2)
7 Änderungsvermerke
8a Datum
9 Sondervermerke des Zeichnungs-Erstellers
9a Bearbeitungs- und Prüfvermerke
10 Benennung
11 Firma (Zeichnungs-Ersteller)
12 Unterlagen-Nummer,
Zeichnungs-Nummer
13 Blatt-Nummer und gegebenenfalls
Anzahl der Blätter
14 Ursprung
15a Ersatzvermerke:
Ersatz für . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15b Ersetzt durch . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17 Auftraggeber, Auftragsbezeichnung
Bild I-5
18 Zeichnungsnummer des Auftraggebers Anordnung des Schriftfeldes für A3 Format
nach DIN 6771
466
Die Norm DIN 406/ISO 129 gilt für das Eintragen
von Maßen in Technischen Zeichnungen, nicht je-
doch für die Maßeintragung durch Koordinaten und
für die maschinelle Programmierung von numerisch
gesteuerten Arbeitsmaschinen.
Die Bemaßung kann auf drei Arten erfolgen: funkti-
onsbezogen nach Bild I-6a, fertigungsbezogen nach
Bild I-6b oder prüfbezogen nach Bild I-6c. Alle drei
Bemaßungsarten können auch gleichzeitig angewen-
det werden und sind häufig gleich. 4 +0,1
6 +– 0,3 15 +– 0,3
a)
Bild I-6 Bemaßungsarten nach DIN 406/ISO 129
a) funktionsbezogen
b) fertigungsbezogen und
c) prüfbezogen
Eine funktionsbezogene Bemaßung liegt vor, wenn
bestimmten Maßen im Hinblick auf die Funktion des
Teiles eine maximale Toleranz zugeordnet ist und
deren Überschreiten zur funktionellen Unbrauchbar-
keit führt.
Eine fertigungsbezogene Bemaßung liegt vor, wenn
sich die Maße ohne Umrechnung direkt für die Ferti-
gung verwenden lassen.
Eine prüfbezogene Bemaßung liegt vor, wenn sich
die Maße ohne Umrechnung direkt für die Prüfung
verwenden lassen.
Nach DIN 7182 T1 besteht ein Maß aus einer Maß-
zahl und einer Maßeinheit. In Technischen Zeichnun-
gen wird bei Millimetermaßen auf die Maßeinheit
verzichtet.
Bei der Maßeintragung sind die Linienbreiten nach
DIN 15 (siehe Bild I-1) anzuwenden.
Bild I-7
Blechbemaßung
25
50
15
t= 4
10
40
Maßlinie
Maßzahl
Maßpfeil
Maßhilfslinie
Technische Kommunikation
Maßlinien werden im allgemeinen nach Bild I-7
rechtwinklig zu den Körperkanten gezeichnet, wobei
die erste Maßlinie einen Abstand von etwa 10 mm
zur Körperkante hat und weitere Maßlinien im Ab-
stand von 7 mm gezeichnet werden. Als Maßlinien-
begrenzung dienen Pfeile und Punkte nach Bild I-8a.
Es können auch Schrägstriche nach Bild I-8b ver-
wendet werden, die stets von links unten nach rechts
oben verlaufen bezogen auf die jeweilige Maßlinie
und unter einem Winkel von 45°. Innerhalb einer
4 +0,1
4 +0,1
6+– 0,3 4 +0,25
–0,3 19 +0,1
0
21 +– 0,3 b) c)
1,5d
5d
15o
2,5d
40
40
Bild I-8 Maßlinienbegrenzung
a) mit Pfeilen und Punkten
b) mit Schrägstrichen
technischen Zeichnung ist grundsätzlich nur eine Art
der Maßlinienbegrenzung anzuwenden. Winkelanga-
ben werden bei Blechen im allgemeinen nach Bild
I-9a durch Längenangaben vorgenommen. Bei fla-
chen Werkstücken, z.B. Blechen, wird die Werk-
stückdicke in der (Bild I-7) oder neben der Darstel-
lung (Bild I-9b) mit dem Buchstaben t angegeben.
Bei Platzmangel wird der Punkt in Kombination mit
dem geschlossenen Pfeil nach Bild I-10 verwendet,
bei nicht ausgefüllten Pfeilen wird der Schrägstrich
verwendet.
Maßlinien werden vorzugsweise durchgezogen,
wobei die Maßzahl stets über der Maßlinie steht. Bei
Platzmangel dürfen die Maße nach Bild I-11 einge-
tragen werden. Maßlinien werden parallel zu dem
anzugebenden Maß oder als Bogen zwischen den
Schenkeln eines Winkels nach Bild I-12 eingetragen.
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 467

15 Bild I-9
Bemaßung von Blechen
mit Durchbrüchen

40
40

20
30
15
15

t=2
5
10 10 20 t=2
40 40

2 2 Winkelmaße werden in der Art nach Bild I-13 einge-

a) 20 4 4 4 8
tragen. Eintragungen sollten in den schraffierten
Bereichen vermieden werden; ist dieses nicht mög-
lich, so ist die Schraffur an der Stelle zu unterbre-
2 2 chen. Mittellinien und Körperkanten dürfen nicht als
20 4 4 4 8
b) Maßlinien benutzt werden. Maßzahlen dürfen nicht
durch Linien geschnitten werden.
Bild I-10 Bemaßung in Ausnahmefällen
Radien bzw. Halbmesser dienen zum Bemaßen von
Rundungen an Werkstücken. Bei der Wahl der Ra-
dien sind die Rundungshalbmesser nach DIN 250 zu
8 benutzen. Maßzahlen für Radien werden nach Bild I-
14 stets durch ein vorgestelltes großes „R“ gekenn-
zeichnet. Die Maßlinien für Radien erhalten nur einen
Maßpfeil am Kreisbogen. Der Mittelpunkt des Radius
muß nur gekennzeichnet werden, wenn seine Lage
aus Funktions- oder Fertigungsgründen festgelegt
sein muß. Daraus ergibt sich die Notwendigkeit, bei
Bild I-11 großen Radien die Lage des Mittelpunktes in der Art
3,5
Bemaßung bei Platzmangel nach Bild I-15 festzulegen. Einfaches Anreißen eines
Langloches wird bei Verwendung der Maßeintragung
nach Bild I-16 unterstützt.
20 60o
20
R1

0
R1

t=2
Bild I-12 Eintragen von Maßlinien
40

43°
R6
90
°

R4
90

Bild I-14
58

40
°

Blech mit Radien

65

40
0°

R4
11
5°

8°
21°

°
83

15
25°

°
75

t=2
R60
°

50°
90

15°
90
°
Bild I-15
5 Blech mit
Bild I-13 Eintragen von Winkelmaßen großen Radien
468 Technische Kommunikation

40 Bild I-16 Da bei der Herstellung von Werkstücken die Nenn-

Blech mit Langloch maße nicht genau eingehalten werden können, erhal-
t=2 ten unter Berücksichtigung der Funktion und einer
wirtschaftlichen Fertigung die Nennmaße maximal

25
10
zugelassene Abweichungen, Toleranzen. Bei Maßen
R5

ohne Toleranzangaben sind die Freimaßtoleranzen

7,5
5
30
Ist aus der Zeichnung nicht eindeutig erkennbar, daß
das dargestellte Teil eine kreisrunde Form hat, so ist
vor die Maßzahl ein Durchmesserzeichen ∅ nach
Bild I-17 zu setzen. Hier ist eine fertigungsbezogene
Bemaßung zu erkennen, was durch die Eintragung
der Maßbezugsebene gefördert wird.
Bei quadratischen Formen ist vor die Maßzahl das
Quadratzeichen ⵧ zu setzen. Ein eingetragenes Dia-
gonalkreuz weist zusätzlich auf eine ebene Fläche
hin.
Durch Bruchkanten nach DIN 6 werden Werkstücke
verkürzt dargestellt, um Platz zu sparen. Bei der
Eintragung nach Bild I-18 sind die Linienbreiten nach
DIN 15 (siehe Bild I-1) anzuwenden.
nach DIN 7168 zu beachten. Die Maßeintragung in
Technischen Zeichnungen ist nach DIN 406 festge-
legt. Grenzabmaße sind nach Bild I-20 hinter der
Maßzahl des Nennmaßes einzutragen; das obere
Grenzabmaß steht hierbei höher, das untere Grenz-
abmaß tiefer als das Nennmaß.
Das ISO-Toleranzsystem nach DIN 7150 gilt für
Längenmaße von 1 bis 500 mm, die in 13 Nennmaß-
bereiche eingeteilt sind. Nach DIN 7152 werden sog.
ISO-Toleranzfelder nach Bild I-21 festgelegt. Hierbei
haben die A(a)-Felder bzw. die Z(z)-Felder den größ-
ten Abstand zur „Nullinie“, wobei für Bohrungen das
A-Feld oberhalb und das Z-Feld unterhalb der Nulli-
nie liegt. Die H(h)-Felder liegen an der Nullinie.
Ein ISO-Toleranzfeld wird durch ein ISO-Toleranz-
kurzzeichen gekennzeichnet, das aus einem Buchsta-
ben zur Lagebestimmung und einer Zahl zur Tole-
ranzgrößenbestimmung nach DIN 7151 besteht. Alle

Bild I-17 R2 Maßbezugsebene

Fertigungsbezogene Bemaßung R2 1,5x45o
R1
eines Stufenbolzens
30

20

15
12,5

12,5

18
40 3,2
55

o
50 45
5 50
3,2 3,2 3x45o
42
42

58

38

56

38
38

18 o 18
30 12,5
65 105,5
240

Voraussetzung für große Serien- und Massenferti-
gung ist, daß die gefertigten Teile ohne Nacharbeit
eingebaut und wahllos untereinander ausgetauscht
werden können. Die Maße der ineinanderzufügenden
Teile müssen so festgelegt werden, daß entsprechend
ihrer Funktion Spiel oder Übermaß nach Bild I-19
entsteht, also z.B. Welle in Bohrung mit Lagerspiel,
Bolzen in Bohrung mit Preßsitz.
ISO-Toleranzfelder lassen sich „beliebig“ kombinie-
ren.
Aus Kostengründen werden die Toleranzfeldkombi-
nationen nach dem Paßsystem der Einheitsbohrung
(DIN 7154) oder der Einheitswelle (DIN 7155) aus-
gewählt. In beiden Systemen erhält der Innen-
bzw. Außenpaßteil die Toleranzfeldlage H bzw. h
nach Bild I-22. Aus der Lage der ISO-Toleranzfelder
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 469

Übermaß
20
800

Spiel
Vollzylinder

2,5
Paarung mit Spiel oder Übermaß

20

pu
p0
Übermaß

p0
pu
650 Spiel

Hohlzylinde
Hohlzylinder
1:20

Grenzpaarungen
30

Bild I-19 Paarung mit Spiel oder Übermaß,

Grenzpassungen
3o

600
+ 0,1
Kegelstumpf 32 – 0,2
Bild I-18 Darstellung von Bruchkanten nach DIN 6 32,198 –0,020
a) Vollzylinder 32 +– 0,1 32,195 30f7 –0,041
b) Hohlzylinder
c) Kegelstumpf a) b) c)

gefügter Paßteile entstehen somit Spieltolerenzen,

Übergangstoleranzen oder Übermaßtoleranzen. 2
Jede für den jeweiligen Betriebszweck zu klein ge- 1
wählte Toleranz verteuert unnötig das Produkt. Daher
12H7/h6
werden, wenn es die Betriebssicherheit erlaubt, weite
+0,3
Maßtoleranzen angewendet. 1 30+0,1
Eine Passungsauswahl, die den meisten Anforderun- –0,1
gen der Fertigung genügt, ist in DIN 7157 T2 festge- 2 30–0,2
legt als Reihe I.
Bei ISO-Toleranzfeldkurzzeichen nach DIN 7150 H7
stehen nach Bild I-23 gemäß DIN 406 die Innenmaß- 12h6
bezeichnungen über denen für die Außenmaße. d) e)
Die Oberflächenrauheit eines Werkstückes wird nach
DIN 4760 beschrieben und im Hinblick auf seine Bild I-20 Maßeintragung nach DIN 406 und
Funktion und wirtschaftliche Fertigung gewählt. Freimaßtoleranzen nach DIN 7168

z
j
A h
0
H J a
Nennmaß

a) b)
Bild I-21 ISO-Toleranzfelder nach DIN 7152 bei
a) Bohrungen
b) bei Wellen
470 Technische Kommunikation

A Die Oberflächengüte wird nach DIN ISO 1302 durch

B
C Bohrungen Rauheitsmaße und ihre Darstellung in Technischen
D E
F G
H J K Zeichnungen festgelegt. Bild I-24 zeigt die Lage der
M N
0 P 0 Oberflächenangaben am Symbol. Darin bedeutet:
R
h S
Z
a = Mittenrauhwert in mm oder mit dem Rauheitsgrad
Einheitswelle b = Fertigungsverfahren, Behandlung oder Überzug
c = Bezugsstrecke
d = Rillenrichtung
Spiel Spiel od. Übermaß e = Bearbeitungszugabe
Übermaß
f = andere Rauheitsmeßgrößen

Nähere Erläuterung in Auswahl gibt die Tabelle I-2

nach DIN ISO 1302. Symbole mit Zusatzangaben
Einheitsbohrung nach Bild I-24 sind so anzuordnen, daß sie von unten
H s-z oder von rechts zu lesen sind, ausgenommen an
r
0 0 Rundungen.
m n p
g h j k Bei einheitlicher Oberflächenbeschaffenheit eines
e f
c d Wellen Teiles genügt nach Bild I-25 eine Oberflächenangabe
b in der Nähe des Teiles, während bei Drehkörpern
a
nach Bild I-26 die Oberflächenangaben an einer der
Spiel Spiel od. Übermaß beiden symmetrischen Mantellinien einzutragen sind.
Übermaß Oberflächenangaben für Innenrundungen wie Hohl-
kehlen, Bohrungen, Außenrundungen und Schrägen
Bild I-22 Paßsystem der Einheitsbohrung oder
sind nach Bild I-27 auf die Maßlinie des Radius
der Einheitswelle

8 67 Bild I-23
Bemaßung von
Toleranzen gemäß
16h9

DIN 406
48d11
H7
50 r6

40e8

37,5
60

H8
16

+0,2
50 1,85
H11
48

DIN 4761 enthält die Grundlagen zur qualitativen RZ 40

Beschreibung, Einteilung und Klassierung techni-
scher Oberflächen. Prüfung der Rauheit erfolgt nach
DIN 4775 mit einer Anzahl von Einzelmessungen in
Bild I-25
folgender Reihenfolge:
Oberflächenangabe bei
• Sichtprüfung auf Fehler wie Risse, Rillen, Poren, einheitlicher Oberflächen-
usw. beschaffenheit
• Sicht- und/oder Tastvergleich mit Oberflächenver-
gleichsmustern nach DIN 4769 T1
RZ 25
• Messung mit elektrischen Tastschnittgeräten nach RZ 16
DIN 4772

b Bild I-26
a c(f) RZ 10
Bild I-24 Oberflächen-
e d Lage der Oberflächenangaben angabe bei
am Symbol Drehkörpern
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 471

Tabelle I-2 Symbole ohne/mit Angaben nach DIN ISO 1302

1. Symbole ohne Angaben

Symbol Bedeutung
1.1 Grundsymbol. Es soll nur allein benutzt werden, wenn seine Bedeutung
durch eine zusätzliche Wortangabe erläutert wird.

1.2 Kennzeichnung für eine materialabtrennend zu bearbeitende Oberfläche

ohne nähere Angaben.

1.3 Kennzeichnung für eine Oberfläche, für die eine materialabtrennende Bear-
beitung nicht zugelassen ist.
Dieses Symbol ist auch in Zeichnungen anzuwenden, um festzulegen, daß
die Oberfläche in dem Zustand eines vorhergehenden Arbeitsganges zu be-
lassen ist, unabhängig davon, ob dieser Zustand durch materialabtrennende
Bearbeitung oder auf andere Weise erreicht wurde.

2. Symbole mit Angaben über prinzipielle Oberflächen-Kriterien

Symbol Bedeutung
Entfernung von Material ist
freigestellt gefordert unzulässig
2.1 3,2 3,2 3,2 Eine Oberfläche mit
Angabe der größten
zulässigen Rauheit
Ra von 3,2 mm

2.2 6,3 6,3 6,3 Eine Oberfläche mit

1,6 1,6 1,6 Angabe der größten
Ra = 3,2 mm und kleinsten
Ra = 1,6 mm zulässigen
Rauheit

3. Symbole mit zusätzlichen Angaben

Die Symbole dürfen einzeln oder mit einem Symbol zusammen verwendet werden.

Symbol Bedeutung
3.1 gefräst Herstellungs-Verfahren: gefräst

3.2 2,5 Bezugsstrecke: 2,5 mm

3.3 Rillenrichtung: Senkrecht zur Projektionsebene der Ansicht

3.4 Bearbeitungszugabe: 2 mm
2

3.5 (R1= 0,4) Angabe einer anderen Rauheitsmeßgröße als Ra in Klammern, z.B.
Rt = 0,4 mm
472 Technische Kommunikation

Bild I-27 Die isometrische Darstellung nach Bild I-28 findet

3,
2
Oberflächenangabe Anwendung, wenn an einem Körper Wesentliches in

6
R3

1,
bei Innen- und drei Ansichten gezeigt werden soll. Alle Abmessun-

6,
Außenrundungen, gen werden im gleichen (= iso) Maßstab gezeichnet.

3
R3
Schrägen Bild I-29 zeigt ein Beispiel für isometrische Darstel-
lung mit Maßeintragung.

(Durchmessers) bzw. auf eine besondere Linie an die

1:1
Schräge zu setzen.
Mit Hilfe der Projektion lassen sich u.a. Körper auf

42°
19° 1:1

2
1:
einer Ebene darstellen. Man benutzt zu dem Zweck
die Zentral- und Parallelprojektion. 7°
Bei der allgemeinen Parallelprojektion verlaufen die
Projektionsstrahlen parallel zueinander und treffen
schräg, also unter einem bestimmten Winkel, auf die
Projektionsebene. Diese Methode liefert sehr an-
schauliche Abbildungen mit nur begrenzter Maßge-
nauigkeit. Sie wird angewendet bei den axonometri-
schen Projektionen, zu denen nach DIN 5 T1 die
isometrische Projektion und nach DIN 5 T2 die
dimetrische Projektion zählen. Bild I-30 Dimetrische Darstellung nach DIN 5

4
5

18
5
32

11,5
30°
35°

30°

10
Bild I-31
15 22 Beispiel für dime-
32 trische Darstellung
mit Maßeintragung

Man wählt die dimetrische Darstellung nach Bild I-

Bild I-28 Isometrische Darstellung nach DIN 5
Bild I-29
5 parallel zueinander und treffen senkrecht auf die
Beispiel für isometrische
Darstellung mit Maßeintragung
32
30, wenn vorwiegend in der Vorderansicht Wesentli-
ches gezeigt werden soll. Es werden hier zwei (= di)
Maßstäbe verwendet. Bild I-31 zeigt ein Beispiel für
dimetrische Darstellung mit Maßeintragung, wobei
der Körper nach Bild I-29 erneut Verwendung findet.
Bei der senkrechten Parallelprojektion (Normalpro-
jektion), auch orthogonale oder rechtwinkelige Pro-
jektion genannt, verlaufen die Projektionsstrahlen
Projektionsebene. Diese Darstellung wird nach DIN 6
für Technische Zeichnungen verwendet und liefert

maßgerechte Ansichten des Werkstückes nach Bild

I-32.
18

4
11,5

Meist wird der Körper in drei senkrecht zueinander

4 stehende Ebenen projiziert und zwar in die Vorderan-
10 sicht, die Draufsicht und die Seitenansicht von Links.
5
32 Durch Klappen der Vorderansicht um 90° nach vorn
15 22 entsteht die Draufsicht und durch Klappen der Vorder-
ansicht um 90° nach rechts entsteht nach Bild I-33
die Seitenansicht. Zwischen Seitenansicht und Drauf-
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 473

Bild I-32 Bild I-35 zeigt ein vollständig bemaßtes Beispiel mit
Normalprojektion verdeckten Kanten. Die Linienbreite ist gemäß Bild I-
nach DIN 6 1 zu verwenden.

Untersicht 8 10
15
Hüllform

10

15

40
Seiten- Vorder- Seiten- Rück-
ansicht ansicht ansicht ansicht

10
Draufsicht
10
25
(6) (2)
(6)
(5) 8 10
2 1
1 5
Seitenansicht

10

Vorder-

15
ansicht

40
(7) (7) (3)
(8) 3

10
4
um 90 o

4 8 10
(7)
25
(8) o verdeckte
(3) um 90 Körperkanten
(4) 5 6
15

Draufsicht
2
1 Bild I-35 Vollständig bemaßtes Beispiel mit
verdeckten Kanten
Bild I-33 Entstehung von Draufsicht, Vorderansicht
und Seitenansicht Um Werkstücke und Bauelemente in ihrer inneren
Form besser darstellen zu können, schneidet man den
sicht werden die Körperkanten mittels einer Geraden Körper auf und stellt die Schnittfläche dar. Ein
unter 45° zur Projektionsachse (siehe Bild I-28 und Schnitt ist die gedachte Zerlegung eines Werkstückes
I-30) übertragen. durch eine Ebene senkrecht zur Zeichenebene.
Es können auch beliebige Ansichten dargestellt Schnittflächen werden nach DIN 6 durch schmale
werden. Ausgehend von der Vorderansicht wird dann Vollinien in gleichmäßigem Abstand unter einem
nach Bild I-34 für jede Ansicht die Betrachtungsrich- Winkel von 45° zu den Hauptumrissen oder einer
tung durch einen Pfeil mit einem Großbuchstaben Achse schraffiert.
gekennzeichnet. Treffen Schnittflächen mehrerer Teile zusammen, so
sind die Schraffurlinien der verschiedenen Schnitt-
A flächen nach Bild I-36 entgegengesetzt zueinander zu
C

A B
C

Bild I-36
Zusammentreffen
B mehrerer
Schnittflächen
Bild I-34 Festlegung der Betrachtungsrichtung
474 Technische Kommunikation

Bild I-37
Schmale, voll
geschwärzte
Schnittflächen

zeichnen, wobei auch der Abstand der Linien enger

oder weiter gesetzt werden kann. Schmale Schnittflä-
chen werden nach Bild I-37 voll geschwärzt. Stoßen
mehrere schmale Schnittflächen aneinander, so ist
zwischen diesen nach Bild I-38 ein geringerer Ab-
stand zu lassen, damit Fugen entstehen. Für Beschrif-
tungen innerhalb von Schnittflächen ist die Schraffur
zu unterbrechen.
Bild I-40 Halbschnitt

Werkstücken wird der Halbschnitt bevorzugt rechts

angeordnet. Die Trennlinie wird durch die Mittellinie
Bild I-38 (Symmetrieachse als strichpunktierte Linie) gebildet.
Schmale Profilquerschnitte

Bild I-39
Vollschnitt

Bild I-41 Teilschnitt (Ausbruch )

Beim Teilschnitt nach Bild I-41 (Ausbruch) wird nur

Beim Vollschnitt nach Bild I-39 denkt man sich die
vordere Werkstückhälfte ganz herausgeschnitten.
Beim Halbschnitt nach Bild I-40 ist ein Viertel des
Körpers herausgeschnitten gedacht. Er wird ange-
wendet als vereinfachte Darstellung von spiegelbild-
gleichen Hohlkörpern, um durch die Schnitthälfte
die innere Form und durch die Ansichtshälfte die
äußere Form zu verdeutlichen. Bei symmetrischen
ein Teil des Werkstückes geschnitten gezeichnet und
hat als Begrenzungslinie die Freihandlinie nach
DIN 15 oder eine Zickzacklinie auf Plotterzeichnun-
gen.
Verläuft ein Schnitt nicht in einer Ebene, sondern
versetzt oder unter verschiedenen Winkeln nach
Bild I-42, so wird er mit einer breiten Strichpunktli-
nie in einer Ansicht gekennzeichnet. Die Blickrich-
tung auf die Schnittfläche wird mit Pfeilen verdeut-
licht. Sind mehrere Schnitte vorhanden, so sind die

Bild I-42
B Schnitt A - B Schnitt unter verschiedenen Winkeln
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 475

A Wichtigstes Gewinde ist Metrisches ISO-Gewinde

B C
D Schnitt A - D
Bild I-43 Schnitt in mehreren Ebenen
betreffenden Strichpunktlinien am Anfang und Ende
durch Großbuchstaben näher zu kennzeichnen. Das
jeweilige Schnittbild ist mit derselben Buchstaben-
kombination zu versehen.
Bei Schnitten in mehreren Ebenen ist die Kenn-
zeichnung und Darstellung nach Bild I-43 vorzuneh-
men.
3°
und Metrisches ISO-Feingewinde nach DIN 13 neben
dem Metrischen ISO-Trapezgewinde nach DIN 103,
Metrischen Sägengewinde nach DIN 513, Whitworth-
Rohrgewinde nach DIN 259 und DIN 2999 und
Rundgewinde nach DIN 405 (z.B. Elektrogewinde
E 14).
Nach DIN ISO 6410 wird in der Schnittdarstellung
der Gewindedurchmesser als schmale und der Kern-
durchmesser als breite Vollinie nach Bild I-45 und
Bild I-46 dargestellt. Bei der Gewindedarstellung in
der Draufsicht finden die Darstellungen des 3/4-
Kreises nach Bild I-47a und b Anwendung. Bei
Innengewinde in Ansichtdarstellung nach Bild I-48a
und Bild I-49a werden 2 Strichlinien zur Darstel-
lung verwendet. Gewindebegrenzung ist auch in
Schnittdarstellung nach Bild I-48b mit breiter Voll-
linie zu zeichnen. Der Gewindeauslauf in Kern-
löchern bei Innengewinde nach Bild I-49b wird i.d.R.
nicht gezeichnet. Die vollständige Darstellung des
Gewindes in einem Kernloch ist in Bild I-49c voll-
zogen.
Eine vollständig bemaßte Montageplatte ist in Bild I-
50 gezeichnet mit der Darstellung und Kennzeich-

nung der Innengewinde (M10).

60°
60°

30°
55°

DIN 199 T1 listet in alphabetischer Reihenfolge die

30°
30°

wichtigsten Zeichnungsbegriffe auf, definiert Form

und Inhalt knapp und dient somit der Vereinheitli-
chung der Terminologie für Zeichnungen. Eine Ge-
a) b) c) d) e) f) samtzeichnung enthält z.B. eine Maschine, eine
Bild I-44 Grundformen der gebräuchlichsten Anlage oder ein Gerät im zusammengebauten Zu-
Gewinde stand.
a) metrisches Regelgewinde Eine Gruppenzeichnung nach Bild I-51 zeigt auch das
b) metrisches Feingewinde zusammengebaute Gerät maßstabsgetreu und korrekt
c) Whitworth-Rohrgewinde in der räumlichen Lage, jedoch sind nur die Einzel-
d) Trapezgewinde heiten dargestellt, die von Bedeutung sind. So sind
e) Sägengewinde hier verdeckte Kanten nur enthalten, als sie zusätzlich
f) Rundgewinde erforderliche Informationen liefern. Die Bemaßung
ist hier in den Teilzeichnungen vorgenommen wor-
Sämtliche Gewindearten werden nach DIN ISO 6410 den. Schriftfeld und Stückliste liefern die restlichen
vereinfacht dargestellt. Genormte Gewinde werden erforderlichen Angaben für die Fertigung.
mit ihren Kurzzeichen nach DIN 202 benannt. Die Das Lesen einer Technischen Zeichnung beginnt mit
Gewinde werden durch ihr Profil, die Steigung, die der Entnahme der wichtigsten Grundinformationen
Gangzahl und den Windungssinn bestimmt. Die aus dem Schriftfeld, z.B. Maßstab. Die Analyse
Grundformen der gebräuchlichsten Profile sind in der Aufgabe und Funktion des Gerätes schließt sich
Bild I-44 dargestellt. an.

Außendurchmesser & Gewindebegrenzung

als breite Vollinie
o
Kegelkuppe 45 3/4 Kreis
d

b
l
Gewindekernlinie Bild I-45
als schmale Vollinie Außengewindedarstellung nach DIN ISO 6410
476 Technische Kommunikation

Bild I-46 100

Schrauben- 60

14,4
M8

darstellung, 20
22
35 13 hier nach DIN 931 A
5,5
Sechskantschraube DIN 931
M 8 x 35 - 8.8

20
30

20
M10

a) b)

150
Bild I-47 Darstellungen des 3/4-Kreises
M10

60
Außen- als schmale Vollinie 80

40
45

Kern- als breite Vollinie B

Bild I-48 Innengewinde in Ansichtdarstellung Bild I-50 Vollständig bemaßte und gekennzeichnete
Montageplatte
M8
diesem Moment durch eine zentrale Explosion zer-
legt. Es handelt sich um eine isometrische Darstel-
lung, bei der alle Einzelteile auseinander gezogen
20

gezeichnet und numeriert werden. In der Stückliste

25

sind diese Nummern mit den entsprechenden Namen,

Bezeichnungen und evtl. Bestellnummern für die
30 o

6,5
Gewindeauslauf
Bild I-49 Gewindedarstellung in Kernlöchern
Allgemeine Formerfassung mit speziellen Angaben
zu Größen und Abmessungen folgt; Formelemente
begreifen und auseinandernehmen, zerlegen in räum-
liche Grundkörperformen. Ihnen sind die entspre-
chenden Wortangaben, Symbole, Kurzzeichen und
Maße zuzuordnnen. Die Kenntnis der entsprechenden
Normen ist hierbei unabdingbar notwendig. Die
Zuordnung der Werkstoffe aus dem Schriftfeld ist z.B.
für die Auswahl der Werkzeuge zur Bearbeitung und
Herstellung der Werkstücke erforderlich. Die Ober-
flächenangaben sind zur endgültigen Bearbeitung der
Oberflächen in der Endphase der Fertigung der
Zeichnung zu entnehmen.
Explosionszeichnungen nach Bild I-52 führen diesen
Namen aufgrund der Besonderheit der Darstellung,
bei der man den Eindruck hat, das Gerät wird in
Ersatzteilbeschaffung versehen.
Diese Art der Darstellung eignet sich gut für das
Verständnis technisch-konstruktiver Zusammenhänge
und für die Ersatzteilbeschaffung.
4 Normteile und Konstruktionselemente
Nach DIN 57100/IEC 364-4-41/VDE 0100 Teil 410
sind Schutzmaßnahmen gegen gefährliche Körper-
ströme zu treffen. Zum Schutz gegen direktes Berüh-
ren von aktiven Teilen elektrischer Betriebsmittel
können die aktiven Teile als solche isoliert werden
oder der Schutz kann durch Abdeckungen oder Um-
hüllungen, sprich Gehäuse, bewirkt werden. Es han-
delt sich also um konstruktive Maßnahmen.
Im Zusammenhang mit dem Schutz gegen gefähr-
liche Körperströme werden die elektrischen Be-
triebsmittel (Geräte und Anlagen) nach VDE 0100 in
Schutzklassen, z.B. Schutzklasse II (Schutzisolie-
rung) eingeteilt. Bei der Schutzisolierung werden
elektrisch nichtleitende Materialien zur Herstellung
der Gehäuse verwendet, so daß aktive Teile räumlich
und elektrisch vom Benutzer bzw. Anwender völlig
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 477

Bild I-51
Platinenhalter als Gruppenzeichnung

6 2 4 9 10 5 7 3

92

67
80
8 1
210

10 2 Stck Gewindestift DIN 553-M3 × 8 5.8

9 2 Stck Klemmschiene Polyamid
8 4 Stck Zylinderschraube DIN 912-M4 × 25 8.8
7 1 Stck Rändelschraube St50-1
6 2 Stck Sechskantmutter DIN 555-M10 4.6
5 1 Stck Drehgriff St50 K
4 1 Stck Drehachse St50 K
3 1 Stck Stehlager St37 K
2 1 Stck Stehlager St37 K
1 1 Stck Grundplatte St37 K
Pos Men Einh Benennung Norm-Kurzbez. Werkstoff

Allgemein- Maßstab 1.2

toleranzen
DIN 7168-m
Datum Name Platinenhalter
bearb 1.2.88
gepr
Norm

Blatt

Bl
Zust Änderung Datum Name
478 Technische Kommunikation

8
7

10 9
1
2 6
1 Festschaltstück (Hauptkontakt)
2 Schaltbrücke (Hauptkontakt)
3 Hilfsschalter HS 107
4 Lichtbogenkammer
5 5 Schaltstückträgerplatte
4
6 Schaltkopf mit beweglichen
Magneten (Anker)
3 7 Rückstellfeder
8 Spule
9 Festmagnet
10 Sockel

Bild I-52 Explosionszeichnung als Serviceplan

getrennt sind. Gehäuse aus elektrisch leitfähigen
Materialien werden mit einem Anschluß für den
Schutzleiter PE/PEN versehen.
Die Einteilung der Betriebsmittel in Schutzarten hat
eine andere Bedeutung. Nach IEC 529 (1976)/
DIN 40050 (1980) werden mechanische Eigenschaf-
ten eines Betriebsmittels festgelegt, nämlich die
Abdichtung, sprich Kapselung, gegen feste Fremd-
körper und gegen Wasser. Die jeweils gültige Schutz-
art wird durch ein Kurzzeichen angegeben, das aus
den Buchstaben IP (engl.: international protection)
und zwei Kennziffern nach Tabelle I-3 besteht. Die
erste Kennziffer gibt den Berührungs- und Fremdkör-
perschutz und die zweite Kennziffer den Wasser-
schutz an.
Aus Betriebsgründen notwendige Gehäuseöffnungen
(z.B. Steckverbindungen oder zur Kühlung erforder-
liche Öffnungen) müssen so beschaffen sein, daß mit
dem „IEC-Prüffinger“ nach DIN 57470/VDE 0470
keine aktiven Teile berührt werden können.

Tabelle I-3 Schutzarten nach IEC 529/DIN 40050

Kenn- Schutzumfang IP xx
ziffer
Berührungs- und Fremdkörperschutz Wasserschutz

0 kein Schutz gegeben kein Schutz gegeben

1 Schutz gegen Fremdkörper d > 50 mm Schutz gegen senkrecht fallendes Tropfwasser

2 Schutz gegen Fremdkörper d > 12 mm Schutz gegen schräg fallendes Tropfwasser

3 Schutz gegen Fremdkörper d > 2,5 mm Schutz gegen Sprühwasser

4 Schutz gegen Fremdkörper d > 1 mm Schutz gegen Spritzwasser

5 Schutz gegen Staubablagerung Schutz gegen Strahlwasser

6 Schutz gegen Staubeintritt Schutz bei Überflutung

7 – Schutz beim Eintauchen

8 – Schutz beim Untertauchen

I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung
Kunststoff-Leergehäuse für die Aufnahme von Schal-
tern und Schützen werden nach IP 54, IP 55 oder
IP 65 ausgefertigt. Aus Kostengründen ist die Schutz-
art nicht zu hoch anzusetzen.
Zusätzliche Schutzarten nach VDE 0170/171 betref-
fen den Schlagwetter- und Explosionsschutz.
Die Leitungseinführung in die Gehäuse erfolgt
über Kabeltüllen bzw. Kabelverschraubungen nach
DIN 43620 mit normierten Bohrungen mit Pg-
Gewinde oder Vorprägungen im Gehäuse.
Für die Errichtung von Verteileranlagen in Schalt-
anlagen gilt die Norm DIN VDE 0660/IEC 947,
EN 60947, für die Errichtung von Installationsvertei-
lern und Zählerplätze gilt DIN VDE 0603.
Die Gehäuse können Schnellbefestigungsschienen
(Hutschiene u.ä.) für Kleinschütze, Schmelzsiche-
rungen, Zeitrelais, LS-Automaten und weitere Klein-
geräte nach DIN 46277/EN 50022 enthalten. Für
Gehäuseabmessungen sollte das 25 mm Raster-
grundmaß nach DIN 43660 verwendet werden, also
z.B 150 mm, 175 mm, 187,5 mm, 225 mm, ...
750 mm.
Schalter sind Betriebsmittel, die elektrische Geräte
oder Anlagen von anderen Anlagen oder Geräten in
der Weise trennen, daß sie Strompfade verbinden,
unterbrechen oder trennen. Schalter werden nach
VDE 0660 unterschieden hinsichtlich ihrer Bauform,
ihrem mechanischen Verhalten in den Schaltstellun-
gen, nach der Betätigungsart, nach dem Schalt-
vermögen, nach dem Verwendungszweck und nach
der Art der Lichtbogenlöschung.
Tabelle I-4 gibt die wichtigsten grundlegenden
Schaltzeichen nach DIN 40900/IEC 617 für die
Darstellung von Schaltern und Schaltgeräten wieder.
Nicht alle Schaltereigenschaften sind durch Schalt-
zeichen darstellbar.
Die Schaltglieder nach Tabelle I-4 können einzeln
oder in Gruppen beliebig kombiniert werden. Der
Antrieb der Schaltglieder kann per Hand, durch
Motor, elektromagnetisch oder elektromechanisch
erfolgen. Die Antriebssymbole können je nach Funk-
tionsabsicht den Schaltgliedern zugeordnet werden.
Während bei Rastschaltern das Schaltglied in der
jeweiligen Schaltstellung bleibt, kehrt das Schaltglied
von Tastschaltern bei Aufhebung des Tastdruckes
selbsttätig in die Ausgangsstellung zurück. Schloß-
schalter nach Bild I-53 sind Schalter mit Rückstell-
a) b)
Bild I-54 Schaltgeräte (VDE 0660)
a) dreipoliger Leistungstrenner
b) Trennschalter, Lastschalter, Leistungsschalter
479
a) b) c)
Bild I-53 Schaltglieder mit verschiedenen Antrieben
a) Schließer als Rastschalter mit
Handantrieb
b) Öffner als Tastschalter, Betätigung
durch Drücken
c) einpoliger Schloßschalter mit
elektrothermischer und -magnetischer
Auslösung
kraft und mechanischer Sperre, wobei eine Freiauslö-
sung integriert ist. Die Freigabe der Sperre kann per
Hand erfolgen, aber auch, wie hier dargestellt, durch
elektrothermische und elektromagnetische Über-
stromauslösung.
Die gestrichelte Wirklinie wird häufig weggelassen,
wenn die Funktion eindeutig zugeordnet ist. Mehrpo-
lige Schloßschalter nach Bild I-54 werden nach
DIN 40900/IEC 617 auch als Schaltgeräte bezeich-
net.
Die Einteilung der Schalter nach ihrem Schaltvermö-
gen erfolgt nach VDE 0660. Leerschalter bzw.
Trennschalter dienen ausschließlich zum fast strom-
losen Schalten von Stromkreisen. Sie sollten nur als
NH-Sicherungstrenner vor einem Leistungsschalter
verwendet werden.
Leistungschalter haben ein Einschalt- und Ausschalt-
vermögen in Höhe der möglichen Kurzschlußströme,
während Motorschalter zum Schalten von Motoren
geeignet sind und für den Anlaufstrom der Motore
bemessen sind. Leistungschalter werden vornehmlich
an Netzschaltstellen mit Dauereinschaltung oder
geringer Schalthäufigkeit verwendet. Sie können nach
VDE 0113 auch als Hauptschalter verwendet werden,
die für Be- und Verarbeitungsmaschinen vorge-
schrieben sind und im Reparaturfall eine Maschine
gänzlich vom Netz trennt. Es werden häufig Nocken-
schalter mit abschließbarem Antrieb nach Bild I-55
verwendet. Ein einfaches Einhängebügelschloß bringt
hier Sicherheit.
c) d)
Tabelle I-4 Schaltglieder, Antriebe und Schaltgeräte nach DIN 40900/IEC 617
480

Benennung DIN 40900/IEC 617

Schaltglieder Antriebe Steuergeräte
Steuergeräte
Schließer Handantrieb, allgemein Druckschalter (nicht rastend)

Öffner Betätigung durch Drücken Tastschalter mit Schließer und Öffner,

handbetätigt durch Drücken

Wechsler mit Unterbrechung Betätigung durch Ziehen Tastschalter mit Raststellung und
1 Schließer, handbetätigt durch Drücken

Voreilender Schließer eines Betätigung durch Drehen Tastschalter mit Raststellung und
Kontaktsatzes 1 Öffner, handbetätigt durch Schlagen
(z.B. Pilzdrucktaster)
Nacheilender Öffner eines Betätigung durch Schlüssel
Grenz-/Endschalter
Kontaktsatzes

Schließer, schließt verzögert bei Betätigung durch Rolle, Fühler 0 Schließer

Betätigung
Öffner
Öffner, schließt verzögert Kraftantrieb allgemein
bei Rückfall
Näherungsschalter induktiv, Schließer- Fe

Antriebe elektromechanisch, elektromagnetisch Schaltschloß mit mechanischer verhalten

Freigabe
Elektromechanischer Antrieb, Druckwächter, öffnend P
M
allgemein, Relaisspule, allgemein Betätigung durch Motor

Antrieb mit besonderen Eigen- Schwimmerschalter, schließend

schaften, allgemein Notschalter

Elektromechanischer Antrieb mit

Ansprechverzögerung Betätigung durch elektromagnetischen
Überstromschutz
Elektromechanischer Antrieb mit
Rückfallverzögerung
Technische Kommunikation
Elektromechanischer Antrieb mit
Ansprech- und Rückfallverzögerung
Elektromechanischer Antrieb eines
Thermorelais
Betätigung durch thermischen Schaltgeräte
Überstromschutz
Schütz (Schließer)
Betätigung durch elektromagnetischen
Antrieb
3poliges Schütz mit drei elektrother-
mischen Überstromauslösern
Betätigung durch Flüssigkeitspegel
3poliger Trennschalter
3poliger Leistungsschalter
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung
3poliger Schalter mit Schaltschloß mit
drei elektrothermischen Überstromaus-
lösern, drei elektromagnetischen Über-
stromauslösern, Motorschutzschalter I> I> I>
481
482 Technische Kommunikation

Bild I-55 nung für die Wechsler an thermischen Überstromaus-

„Abschließbarer“ Haupt-
schalter als Reparaturschalter
Lastschalter haben ein Schaltvermögen bis etwa zum
doppelten Nennstrom.
VDE 0660 beschreibt auch Hilfsstromschalter, die
vornehmlich in Steuerstromkreisen als Taster, Steuer-
kontakte an Schützen und Hilfsschalter verwendet
werden. An die Kontakte werden nur geringe Leis-
tungsanforderungen gestellt.
Haupt- oder Leistungsschütze verfügen über Kontak-
te für große Leistungen und zusätzliche sogenannte
Hilfskontakte, während Hilfsschütze ohne Leistungs-
kontakte gebaut werden, da sie ausschließlich zu
Steuerungszwecken gebaut werden.
lösern (z.B. Motorschutzrelais) nach Bild I-58 er-
folgt.
Steckvorrichtungen sind zweiteilige Schaltgeräte zum
Verbinden von ortsfesten Betriebsmitteln mit beweg-
lichen Geräten oder Leitungen. Sie bestehen aus
Stecker und Steckdose bzw. Kupplung innerhalb
eines Leitungszuges. Es werden Steckvorrichtungen
mit und ohne Schutzleiter verwendet sowie zweipoli-
ge und vielpolige Steckvorrichtungen für vielfältige
Aufgaben zum Einsatz gebracht.
Steckverbinder (Messer- und Federleisten), Steck-
verbinderleisten nach DIN 41612 und andere (z.B.
HF- und NF-Steckverbinder nach DIN 47284) wer-
den als Steckerbuchse(n) und Steckerstift(e) nach
DIN 40713 gemäß Bild I-59 gezeichnet.
Damit die elektrischen Geräte Geräte verschiedener
Hersteller von der Konstrukion her kompatibel sind,
wurde mit DIN 41494 eine einheitliche „Bauweise
für elektronische Einrichtungen“ erstellt. Diese Norm
entspricht der sog. „19-Zoll“-Bauweise. Das hierbei
bevorzugte Leiterplattenformat für die Messerleisten
ist die sog. „Europakarte“. Normal ist, daß die Fe-

Schließeranschlüsse: Öffneranschlüsse: Wechsleranschlüsse:

2.Ziffer 3-4 2.Ziffer 1-2 2.Ziffer 1-2-4

1 3 5 13 23 33 41 51 61 72 74
A1
Bild I-56
Anschlußkennzeichnung
2 4 6 A2 14 24 34 42 52 62 71 von Schützen und
Hilfsschützen nach
Hauptkontakte: Schützspule: Steuerkontakte: DIN EN 50005 und
Einerziffer A1-A2 Doppelziffer DIN EN 50011/50012

Nach DIN EN 50005 und DIN EN 50011/50012 95 Bild I-58

erfolgt die Anschlußkennzeichnung von Schützen Kennzeichnung von thermischen
und Hilfsschützen gemäß Bild I-56. Die Schützspule Überstromauslösern
hat die Anschlußkennung A1-A2, die Hauptkontakte
haben die Einerziffern 1 – 2/3 – 4/5 – 6 während die 96 98
Steuerkontakte mit Doppelziffern gekennzeichnet
sind. Mit der 1. Ziffer werden die Kontakte fort-
laufend nummeriert (Ordnungszahl) während die DIN 40713
Steckerbuchse Steckerstift
2. Ziffer einen Öffner, Schließer oder Wechsler
(Funktionsziffer) kennzeichnet.
Zeitrelais haben eine Kontaktkennung nach DIN
EN 50042 gemäß Bild I-57, während die Kontaktken- DIN 40717
Einfach-Steckdose
17 15 15 ohne Schutzkontakt
Einfach-Schutzkontakt-
Steckdose
Schutzkontaktstecker
18 16 16 18
Bild I-59 Einfache Steckverbindungen
Bild I-57 Kennzeichnung von zeitverzögerten nach DIN 40713 und
Steuerkontakten DIN 40717
Tabelle I-5 Anwendungsklassen und Zuverlässigkeitsangaben nach DIN 40040

Kenn- 1. Stelle 2. Stelle 3. Stelle 4. Stelle 5. Stelle 6. Stelle 7. Stelle

buch- Feuchtebeanspruchung Ausfallrate Beanspru- Mechanische Beanspruchung Luftdruck
stabe chungs-
Jmin/°C Jmax/°C Jahres- 30 60 übri- Bemerkungen zu dauer in h Beispiele des Bauelementeeinsatzes untere max.
mittel Tage Tage ge Bauelementen Druck- Höhe
im im Tage grenze über
Jahr Jahr in NN
mbar in m
A 400 ≤ 100 BE dauernd naß
B 350
C 300 ≤ 95 100 100 BE betaut
D 250 ≤ 80 100 90 BE betaut 0,1
E – 65 200 ≤ 75 95 85 BE leicht betaut 0,3
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung

F – 55 180 ≤ 75 95 85 BE nicht betaut 1

G – 40 170 ≤ 65 85 75 BE nicht betaut 3
H – 25 155 ≤ 50 75 65 BE nicht betaut 10
I – 10 140 ≤ 50 ≤ 50 ≤ 50 ≤ 50 30
K 0 125 100
L +5 110 300
M 100 1 000
N 90 3 000 840 1 000
P 85 10 000
Q 80 30 000 300 000 an Verbrennungsmotoren angebaut
R 75 ≤ 90 100 95 BE betaut 100 000 100 000 für Bordelektronik 700 2 200
S 70 300 000 30 000 für Bordelektronik 600 3 500
T 65 1 000 000 10 000 in tragbaren Geräten 530 4 300
U 60 3 000 000 3 000 in Schiffsanlagen & Autoradios 300 8 500
V 55 10 000 000 1 000 in ortsfesten Stromerzeugern & nicht erschütte- 85 16 000
rungsfreien Anlagen
W 50 30 000 000 300 in erschütterungsfreien Geräten & Anlagen 44 20 000
Y 40 20 26 000
Z
483
484 Technische Kommunikation

derleiste beim Einbau dem Gestell, sprich Gehäuse,
zugeordnet ist.
Als zweipolige Steckvorrichtung mit Schutzleiter
wird in Deutschland das sog. „Schuko®-System“ mit
Steckgeräten gemäß DIN 49440 verwendet. Die
zeichnerische Darstellung erfolgt nach DIN 40717
gemäß Bild I-59. Dreipolige Steckverbinder mit
Schutzkontakt werden nach Bild I-60 gezeichnet.
4 4
Bild I-60 Dreipoliger Steckverbinder mit
Schutzkontakt
Sogenannte Pilotkontakte nach Bild I-61b sorgen bei
Bedarf dafür, daß die Steckverbindung nur im span-
nungslosen Zustand betätigt werden kann. Diese
Kontakte schließen beim Einstecken nach den übri-
gen Kontakten bzw. öffnen beim Herausziehen vor
den übrigen Kontakten, so daß z.B. nach Bild I-62
eine Schützschaltung die Leitung spannungslos schal-
ten kann.
Elektronische Bauelemente werden nach ihrer techni-
schen Funktion und Leistung unter Berücksichtigung
ihrer individuellen Grenz- und Kennwerte ausge-
wählt. Zusätzlich werden sie aber auch nach dem
Grad ihrer klimatischen und mechanischen Beanspru-
chung und hinsichtlich ihrer Zuverlässigkeit, sprich
ihrer Ausfallrate bestimmt.

Pos. l Strom- Netzspannung C L

L2 L3
und Bild in A art in V L
L1 N
a 16 E 220 bis 240 6h
b 32 380 bis 415 9h a b c
h Pilotbuchse
c D 220/380 bis 240/415 6 L
d E 220 bis 240 6h
L
e 63 380 bis 415 9h
f 125 D 3× 380 bis 415 6h
d e
g 220/38ß bis 240/415 6h
L2 Pilotbuchse
C Code für die Lage der Schutzleiterbuchse als Uhrzeigerstellung L2 L3
(„Uhrzeit“);
L1 L3
E Einphasen-Wechselstrom; N
L1
D Drehstrom

f g

Bild I-61 Beispiele von Steckdosen für die genormten Netzspannungen nach DIN IEC 38

Für die Herstellung von mehrpoligen Industriesteck-

vorrichtungen, bekannt unter der nicht mehr gültigen
Norm CEE 17, gelten VDE 0623 Teil 1 und Teil 20,
die den Normen IEC 309-1 und IEC 309-2 (ab 1995
allein gültig) entsprechen. Industriesteckvorrichtun-
gen haben ein rundes Profil gemäß Bild I-61b mit
Pilotkontakt
einer Unverwechselbarkeitsnut bzw. -nase, die der
Sicherstellung der richtigen Einstecklage des Steckers Bild I-62 Steckverbinder mit Pilotkontakt
dient. Die Buchsen bzw. Stifte sind auf einem Kreis
(Teilkreis) angeordnet. Die Schutzkontakte müssen Nach DIN 40040 werden die „Anwendungsklassen
beim Einführen des Steckers früher Kontakt geben und Zuverlässigkeitsangaben für Bauelemente der
und sich später trennen als die den Betriebsstrom Nachrichtentechnik und Elektronik“ bestimmt und
führenden Kontakte. Die Lage der Buchsen und Stifte gekennzeichnet. Tabelle I-5 bietet eine Übersicht.
für die genormten Netzspannungen nach DIN IEC 38 Zur Kennzeichnung der Anwendungsklassen werden
stellt Bild I-61a dar. Hier wird die Unverwechselbar- drei bis achtstellige Buchstabenkombinationen ver-
keit zusätzlich durch die Lage der Kontakte gewähr- wendet, die entsprechend dem Schlüssel nach
leistet. Tabelle I-6 zusammengefügt werden:
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 485

Tabelle I-6 Buchstabenkombination und ihre Bedeutung

1. Stelle Untere Grenztemperatur Klimatische Anwendungsklasse

2. Stelle Obere Grenztemperatur
3. Stelle Feuchtebeanspruchung
4. Stelle Ausfallquotient Zuverlässigkeitsangabe
5. Stelle Beanspruchungsdauer
6. Stelle Mechan. Beanspruchung Mechan. Anwendungsklasse
7. Stelle Luftdruck
8. Stelle Sonderbeanspruchung

Über Stellen, die den Kennbuchstaben X tragen,
werden keine Angaben gemacht. Der Kennbuchstabe
Z weist auf Einzelbestimmungen hin, die den Herstel-
lerangaben direkt zugeordnet werden müssen.
Widerstände und Kondensatoren werden als einstell-
bare (im Wert variierbare) Bauteile hergestellt, aber
auch als Festwiderstände bzw. Festkondensatoren.
Die Kennzeichnung erfolgt durch Farbcode nach
DIN 41429 oder durch Zahlen und Buchstaben nach
DIN 40825. Bei DIN 41429 kann die Codierung mit
zwei oder drei zählenden Ziffern erfolgen. In Bild
I-63 ist die Kennzeichnung von Widerständen in der
ersten Version hinsichtlich der Leserichtung und der
Codierung gemäß Farbauswahl dargestellt.
Da bei der Herstellung von Widerständen und Kon-
densatoren bei großer Serien- und Massenfertigung

1.Ring
ohne Angabe
des Temperatur-
beiwertes Der erste Ringe liegt
näher am Ende
des Widerstandes
Widerstände
mit zwei
zählenden Ziffern
Der Abstand zwischen
Temperaturbeiwert
mit Angabe
(umlaufend, unterbrochen
des Temperatur-
oder Punkt) und Toleranzring
beiwertes
ist größer als zwischen den
Wertringe Multiplikator Toleranz TK anderen Ringen.

Kenn- Wert- Multiplikator Toleranz Temperatur- Bemerkungen

farbe ziffer beiwert aR
10–6 K–1
keine – – ±20 – Die Farben gold und silber
silber – × 10–2 Ω = 1110,01 Ω ±10 – sind leitend
gold – × 10–1 Ω = 1110,1 Ω ±15 – und deshalb nicht
schwarz 0 × 100 Ω = 1111,0 Ω – ±200 immer verwendbar.
braun 1 × 101 Ω = 1110 Ω ±1 ±100 Ausweichmöglichkeiten:
rot 2 × 102 Ω = 1100 Ω ±2 ±150 statt gold: für 10–1 weiß
orange 3 × 103 Ω = 1111 kΩ – ±115 für ±5% grün
gelb 4 × 104 Ω = 1110 kΩ – ±125 statt silber: für 10–2 grau
grün 5 × 105 Ω = 1100 kΩ ±10,5% – für ±10% weiß
blau 6 × 106 Ω = 1111 MΩ ±10,25% –
violett 7 × 107 Ω = 1110 MΩ ±10,1% –
grau 8 × 108 Ω = 1100 MΩ – –
weiß 9 × 109 Ω = 1000 MΩ – –

Bild I-63 Kennzeichnung von Widerständen durch Farbcode (Auszug)

486 Technische Kommunikation

die ausgewiesenen Nennwerte ohne erhöhte Kosten Abweichungen, Toleranzen. Von festgelegten Tole-
nicht genau eingehalten werden können, erhalten ranzen ausgehend werden nach DIN 41426 Staffel-
diese unter Berücksichtigung ihrer Funktion und der werte für sogenannte E-Reihen (Internationale Norm-
erforderlichen Genauigkeit maximal zugelassene reihen) berechnet als geometrische Reihen.

E-Reihen (Auszug) Nach DIN 41426

E6 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8
E12 1,0 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2
E24 1,0 1,1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,7 3,0 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1
1,00 1,21 1,47 1,78 2,15 2,61 3,16 3,83 4,64 5,62 6,81 8,25
E48 1,05 1,27 1,54 1,87 2,26 2,74 3,32 4,02 4,87 5,90 7,15 8,66
1,10 1,33 1,62 1,96 2,37 2,87 3,48 4,22 5,11 6,19 7,50 9,09
1,15 1,40 1,69 2,05 2,49 3,01 3,65 4,42 5,36 6,49 7,87 9,53
DIN-Reihe Nach DIN 323
R5 1,00 1,60 2,50 4,00 6,30
R10 1,00 1,25 1,60 2,00 2,50 3,15 4,00 5,00 6,30 8,00
R20 1,00 1,12 1,25 1,40 1,60 1,80 2,00 2,24 2,50 2,80 3,15 3,55 4,00 4,50 5,00 5,60 6,30 7,10 8,00 9,00
R40 1,00 1,12 1,25 1,40 1,60 1,80 2,00 2,24 2,50 2,80 3,15 3,55 4,00 4,50 5,00 5,60 6,30 7,10 8,00 9,00
1,06 1,18 1,32 1,50 1,70 1,90 2,12 2,36 2,65 3,00 3,35 3,75 4,25 4,75 5,30 6,00 6,70 7,50 8,50 9,50
Bei jeder Reihe können die üblichen Toleranzen gewählt werden.

Bild I-64 E-Reihen und DIN-Reihen (Auszüge)

Schicht-Festwiderstände
Schichtmaterial Kohle Kohle- Metall Metall- Metall-
gemisch oxid glasur
Anforderungen allgemein erhöht erhöht allgemein erhöht erhöht erhöht
DIN 44051 (983) 44052 (9.83) 44055 (9.83) 44054 (9.83) 44061 (9.83) 44063 (9.83) 44064 (9.83)
Anwendungsklasse FKF (FHF) FKF FKF FKF FKF FHF FHF
FZF
Widerstandswertereihe E24 E24 E24 E24 E24 E24 E24
Widerstands- ±2% ±2% ±1% ±12% ±0,5% ±2% ±0,5%
abweichung ±5% ±5% ±2% ±10% ±1% ±5% ±1%
bei Anlieferung ±2% ±2%
Temperatur- –150 bis –1500 ±1300 B1): 0 ± 100 ±250 B1): 0 ± 100
koeffizient in C: 0 ± 150 C: 0 ± 150
10–6/K (zwischen D: 0 ± 125
20 °C und 70 °C) E: 0 ± 115
DRzul nach 1000 h ⱕ ±(5% · R ⱕ ±(2% · R ⱕ ±(1% · R ⱕ ±4% · R ⱕ +1% · R ⱕ ±2% · R ⱕ ±1% · R
Dauerprüfung bei P70 + 0,1 W) + 0,05 W) + 0,05 W) –2% · R –0,5% · R +0,1 W +0,1 W
bis 1 M W bis 1 M W bis 1 M W +0,1 W +0,05 W
+10% · R +4% · R +2% · R
–5% · R –2% · R –1% · R
über 1 M W über 1 M W über 1 M W
DRzul nach 8000 h ⱕ (+10% · R ⱕ (+4% · R ⱕ (+2% · R ⱕ (+4% · R ⱕ (+2% · R ⱕ (+4% · R ⱕ (+2% · R
Dauerprüfung bei P70 –1% · R –2% · R –1% · R –15% · R –0,5% · R –3% · R +0,1 W)
+ 0,1 W) + 0,05 W) + 0,05 W) +0,1 W) +0,05 W) +0,1 W)
bis 1 M W bis 1 M W bis 1 M W
+20% · R +8% · R +4% · R
–5% · R –2% · R –1% · R
über 1 M W über 1 M W über 1 M W
1
) Diese Buchstaben sind der 2. Kennbuchstabe der Baugrößebeziehung.

Bild I-65 Übersicht über Schicht-Festwiderstände

I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 487

0,5 33,5–1,5 4,06–0,5 33,5–1,5 1,8–0,2

Bild I-66
Bauformen von
Widerständen
6 (teilweise genormt)
lackiert
0,65

34,5–1,5 7,1–0,5 34,5–1,5 3,3–0,2

Farbringe für Widerstandswerte

Farbring für Toleranz
0,8

Cu-Draht verzinnt

30+5 17 max 30+5 5,4 max

3 max 3 max
Abmessungsangaben nach
mit Lack bedeckt DIN 41099 (Entw.)

3 oder 4 Farbringe für Widerstandswerte

Farbring für Toleranz
d

38+3
– l 38+3
– 0

a)a)

b)b)
Bild I-67
Auswahl an Kondensator-Bauformen
(teilweise genormt)
488 Technische Kommunikation

E 4,1+0,1 B
CB E

13,1–+0,4
23+0,1
0,13,2–0,1

16,9–+0,4

–
14,2–0,15
20,2–0,15
14,45–0,3

31,4–0,8
39,55–0,8
0,85 1,1

30,1–+0,1
1,1 B
E

10,9–+15 2 6+1,5
–
10+1 8,2–0,6 71+4
– 2 10+0,5
–
26,2–0,2 18,6–0,2
12+0,5
– 8–0,8 8–0,6
B A 3 DIN 41878(TO-8) 3 A 2 DIN 41472(TO-3)
6+0,1
–
0,5 25+0,2
–
5+0,2
–
E B C 5+0,5
0,45

1,1
5,5–0,15
4,75–0,15

9+0,5

5+0,5
13,5–+1
5,2–0,3 B
2,54–+0,3 +0,02
0,9 x 0,16–
18 A 3 DIN 41876 (TO-18) 50 B 3 DIN 418676 (TO-50)

a)
Maßbild
SOT-54 12,7min.

4,8max.
4,8max.
E

2,54
.9,8max. B
0,8 C
4,8max.

1,5

4,5
7,6min.
1,3 4,2max.
6,7max.

7 5,2max.
1,5
3,0

Kühlblech
6

10,0max.
3,

4,6max.
15,0

1,5 15,2max.
3,2

2
12,7

45° 14
2
3,

4,25
1,5

4,15

21max.
12,7max.
7,6

12,7min

Maßbild
0,75
8,3
3,0

SOT-93
10,7min.

13,6min.

1,3 45° 0,4

1,15
0,55 0,95
5,1
0,9 2,5
2,55 11,5max. 5,5 5,5 1,6
TO 202 5,1 TO 220

b)
1,5max.
15,25–+0,25 7,6–+0,2
0,5min.

0,5min.
3,2min. 5,1max.

3,6–0,5 4max.

0,46x0,28 0,45x0,25 6,4–0,2

14+0,25
–

2,54 1,5max. 2,4max. 1,6 2,54

15,9+0,6
– 7,6+0,6
24 13
4 3
Kunststoff-Steckgehäuse Kunststoff-Steckgehäuse
ähnl. 20A 24 DIN 41866 20A 24 DIN 41866
24 Anschlüsse 4 Anschlüsse
1 2
Gewicht etwa 3g
12 6–0,3
33,4–0,2
5 6
0,45 9,5+0,5 4
8,4–0,2

3 7
5,84

2 8

c) 11,5+0,5 1 9

9,2–0,2
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 489

62,5

0,54:0,05
0,56–0,1 Kathode 9,5 26,5

5
Kathode
25,4min. 7,62max. 25,4min. 2,71max.
Glasgehäuse DO-7 Kunststoffgehäuse DO-13

100+5
–
90
42,5min. 52,5min.
13,5max.
40 29 max.

0,8+0,05
3,3 8,5max. 9 3 8

0,8+05

–
8,5 7

–
6,3

8max.
max.

M5
Kathode
Anode

SW 11
22min.
26 4,5 26

Sinterglasgehäuse DOM 22 Metallgehäuse DO-13 Metallgehäuse 101 A 2

d)

Bild I-68 Bauformen von Dioden, Transistoren und ICs (teilweise genormt)

Muttergewinde

60o
H1

h3

60o
d=D
d2 = D2

Bolzengewinde
d3
D1

Bild I-69
P Maßbild des Metrischen
ISO-Gewindes DIN 13

Es sind folgende E-Reihen genormt:
E6 = ± 20%; E12 = ± 10%; E24 = ± 5%;
E48 = ± 2%; E96 = ± 1%; E192 = ± 0,5%;
Außer nach E-Reihen sind Widerstandswerte eben-
falls nach sog. (DIN-)R-Reihen gemäß DIN 323
genormt. Bild I-64 stellt Auszüge aus E- und DIN-
Reihen dar.
Eine Übersicht über Schicht-Festwiderstände auf der
Basis des bisher gesagten liefert Bild I-65. Die Bau-
formen von Widerständen nach Bild I-66 sind nur
teilweise genormt. Dies gilt auch für Kondensatoren
nach Bild I-67, wobei hier die Anzahl aufgrund der
verwendeten Materialien größer ist.
Halbleiter-Bauelemente wie Dioden, Transistoren
und ICs sind ebenfalls nur z.T. genormt. Bei den ICs
und den Bausteinen aus dem Computerbau ist die
Normung der Bauformen am weitesten fortgeschrit-
ten, was die Kompatibilität von Mikrochips erheblich
erhöht. Die Übersicht nach Bild I-68 zeigt nur eine
Auswahl an genormten und nicht genormten Baufor-
men, wobei zu beachten ist, daß zahlreiche Baufor-
men das Rastermaß von 2,54 mm einhalten, was die
Layouterstellung vereinfacht.
5 Wichtige Normteile
des Maschinenbaues
Maschinenteile können fest, z.B. durch Schweißen,
oder lösbar, z.B. durch Schrauben verbunden werden.
Für Schraubverbindungen wird überwiegend das
„Metrische ISO-Gewinde“ nach DIN 13 T1 verwen-
det, das nach DIN 202 mit dem Großbuchstaben „M“
und dem Außen- bzw. Nenndurchmesser bezeichnet
wird (siehe Bild I-46: M8 × 35). Bild I-69 zeigt ein
Maßbild (Auswahl der wichtigsten Werte) des Metri-
schen ISO-Gewindes nach DIN 13 und Tabelle I-7
die wichtigsten Kennwerte und Kenndaten für dieses
Gewinde.
Schraubverbindungen können durch Schraube und
Mutter, oder nur durch eine Schraube erfolgen, wenn
Tabelle I-7 Metrisches ISO-Gewinde nach DIN 13 Teil 1 (12.86), Regelgewinde-Nennmaße
490

Gewinde-Nenn- Stei- Flanken- Kerndurchmesser Gewindetiefe Kern- Scheibe nach DIN 125 Schlüssel- Spitzkant
durchmesser gung durch- Loch- weite
d=D messer bohr ∅
Reihe 1 Reihe 2 P d2 = D2 Bolzen d3 Mutter D1 Bolzen h3 Mutter H1 mm Loch-∅ Außen-∅ Dicke Gewicht s e
kg/1000 St.
M1 0,25 0,838 0,693 0,729 0,153 0,135 0,75 – – – – 2,5 2,9
M1,1 0,25 0,938 0,793 0,829 0,153 0,135 0,85 – – – – 3 3,5
M1,2 0,25 1,038 0,893 0,929 0,153 0,135 0,95 – – – – 3 3,5
M1,4 0,3 1,205 1,032 1,075 0,184 0,162 1,1 – – – – 3 3,5
M1,6 0,35 1,373 1,171 1,221 0,215 0,189 1,25 1,7 4 0,3 0,024 3,2 3,7
M1,8 0,35 1,573 1,371 1,421 0,215 0,189 1,45 – – – – 3,5 4
M2 0,4 1,740 1,509 1,567 0,245 0,217 1,6 2,2 5 0,3 0,037 4 4,6
M2,2 0,45 1,908 1,648 1,713 0,276 0,244 1,75 – – – – 4,5 –
M2,5 0,45 2,208 1,948 2,013 0,276 0,244 2,05 2,7 6,5 0,5 0,108 5 5,8
M3 0,5 2,675 2,387 2,459 0,307 0,271 2,5 3,2 7 0,5 0,12 5,5 6,4
M3,5 0,6 3,110 2,764 2,850 0,368 0,325 2,9 3,7 8 0,5 0,156 6 6,9
M4 0,7 3,545 3,141 3,242 0,429 0,379 3,3 4,3 9 0,8 0,308 7 8,1
M4,5 0,75 4,013 3,580 3,688 0,460 0,406 3,7 – – – – – –
M5 0,8 4,480 4,019 4,134 0,491 0,433 4,2 5,3 10 1 0,443 8 9,2
M6 1 5,350 4,773 4,917 0,613 0,541 5 6,4 12,5 1,6 1,14 10 11,5
M8 1,25 7,188 6,466 6,647 0,767 0,677 6,8 8,4 17 1,6 2,14 13 15
M10 1,5 9,026 8,160 8,376 0,920 0,812 8,5 10,5 21 2 4,08 17 19,6
M12 1,75 10,863 9,853 10,106 1,074 0,947 10,2 13 24 2,5 6,27 19 21,9
M14 2 12,701 11,546 11,835 1,227 1,083 12 15 28 2,5 8,6 22 25,4
M16 2 14,701 13,546 13,835 1,227 1,083 14 17 30 3 11,3 24 27,7
M18 2,5 16,376 14,933 15,294 1,534 1,353 15,5 19 34 3 14,7 27 31,2
M20 2,5 18,376 16,933 17,294 1,534 1,353 17,5 21 37 3 17,2 30 34,6
M22 2,5 20,376 18,933 19,294 1,534 1,353 19,5 23 39 3 18,4 32 36,9
M24 3 22,051 20,319 20,752 1,840 1,624 21 25 44 4 32,3 36 41,6
M27 3 25,051 23,319 23,752 1,840 1,624 24 28 50 4 42,3 41 47,3
M30 3,5 27,727 25,706 26,211 2,147 1,894 26,5 31 56 4 53,6 46 53,1
M33 3,5 30,727 28,706 29,211 2,147 1,894 29,5 34 60 5 75,4 50 57,7
M36 4 33,402 31,093 31,670 2,454 2,165 32 37 66 5 92,0 55 63,5
M39 4 36,402 34,093 34,670 2,454 2,165 35 40 72 6 133 60 69,3
M42 4,5 39,077 36,479 37,129 2,760 2,436 37,5 43 78 7 183 65 75
M45 4,5 42,077 39,479 40,129 2,760 2,436 40,5 46 85 7 220 70 80,8
M48 5 44,752 41,866 42,587 3,067 2,706 43 50 92 8 294 75 86,5
M52 5 48,752 45,866 46,587 3,067 2,706 47 54 98 8 330 80 92,4
M56 5,5 52,428 49,252 50,046 3,374 2,977 50,5 58 105 9 425 85 98
M60 5,5 56,428 53,252 54,046 3,374 2,977 55 62 110 9 458 90 104
M64 6 60,103 56,639 57,505 3,681 3,248 58 66 115 9 492 95 110
M68 6 64,103 60,639 61,505 3,681 3,248 62 70 120 10 586 100 116
Technische Kommunikation
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 491

das Muttergewinde in den Maschinenteil geschnit- des Kopfes konstruiert, meist jedoch mit Hilfe von
ten ist. Bei Schraubverbindungen mit Mutter und Schablonen in der ausführlichen Darstellung erstellt.
Schraube muß das Durchgangsloch größer als der Bei der vereinfachten Darstellung werden die Fasen-
Nenndurchmesser der Schraube gebohrt werden, kanten weggelassen.
damit die Schraube durchgeführt werden kann. Produktklassen nach DIN 267 kennzeichnen bei
Unterlegscheiben, Mutter und Schraube, wie auch Schrauben und Muttern verschiedene Ausführungen
andere Normteile, zeichnet man nicht im Schnitt. hinsichtlich der Gewinde- und Maßtoleranzen sowie
Schraubenköpfe werden häufig als Sechskantköpfe der Oberflächen. Die Festigkeitsklassen werden nach
ausgeführt. Daneben gibt es nach Bild I-70 zahlreiche DIN ISO 898 durch zwei Zahlen angegeben, die durch
andere Formen, wie z.B. Zylinderkopf-, Innensechs- einen Punkt getrennt sind. Die erste Zahl beschreibt die
kant-(Inbus-), Senkkopf-, Schlitz-, Kreuzschlitz- Nennzugfestigkeit, während die zweite das Streckgren-
schraube u.v.a. zenverhältnis (Zähigkeit einer Schraube) festlegt.
Tabelle I-8 ordnet den Maßbildern dreier Normschrau-
d ben die entsprechenden Normwerte zu. Bei Sechs-
kantschrauben nach DIN 931 ist die Schraube nicht in
der gesamten Länge l1 mit Gewinde versehen, son-
b1 dern nur der Teil b1. Sechskantschrauben nach
DIN 933 verfügen über ein Gewinde bis Kopf.
a) b) c) d) e) f) g)
Die Bezeichnung einer Zylinderschraube mit Innen-
h)
sechskant, mit Gewinde M12 und Nennlänge
Bild I-70 Schraubenarten l = 60 mm, mit der Festigkeitsklasse 10.9 ist also:
a) Sechskantschraube
b) Innensechskantschraube Zylinderschraube DIN 912 – M12 × 60 – 10.9
c) Halbrundschraube Die Bezeichnung einer Sechskantschraube, mit
d) Senkschraube Durchmesser d = 10 mm und Nennlänge l1 = 80 mm,
e) Zylinderschraube mit der Festigkeitsklasse 8.8 ist also:
f) Linsensenkholzschraube mit Sechskantschraube DIN 931 – M10 × 80 – 8.8
Kreuzschlitz
g) Gewindestift mit Kegelkuppe Die Gewindelänge beträgt lt. Tabelle I-4 b1 = 26 mm
h) Stiftschraube (l1 ≤ 125 mm), während der Schaft demzufolge
54 mm lang ist.
Der Sechskantkopf einer Schraube, aber auch ent- Die gebräuchlichsten Mutterarten zeigt Bild I-72.
sprechende Mutter, hat „abgerundete“ Kanten, soge- Eine Auswahl mit Maßbildern zeigt Tabelle I-9 mit
nannte Fasenkanten. Diese Fasenkanten werden nach entsprechender DIN-Bezeichnung.
Bild I-71 aus dem Eckmaß und der Schlüsselweite
Eckmaß e
e

3e
d

Schlüsselmaß s
35
M10
M10

Bild I-71
Ausführliche und vereinfachte Darstellung
einer Sechskantschraube

Bild I-72 Muttern

a) Sechskantmutter
b) Vierkantmutter
c) Hutmutter
d) Nutmutter
e) Kronenmuttern
f) Schlizmutter
g) Zweilochmutter
492 Technische Kommunikation

Tabelle I-8 Normwerte einiger ausgewählter Schrauben

ausgesenkt auf e2

∅ s1

∅ s1
30° 30°
r r1

r
s2

e1
d

d1

d
c b1 a r2 t b2
k1 l1 s1 c
k1 l1 k2 l3

Sechskantschrauben Sechskantschrauben Zylinderschrauben

DIN 931 DIN 933 mit Innensechskant
Produktklassen A und B Produktklassen A und B DIN 912
t I1 I2 I3
d a b1 b2 d1 e1 e2 k1 k2 s1 s2 min von bis von bis von bis
M4 2,1 14 20 7 7,74 3,6 2,8 4 7 3 2 22 70 5 70 6 40
M5 2,4 16 22 8,5 8,87 4,7 3,5 5 8 4 2,5 30 80 6 80 8 50
22
M6 3 18 24 10 11,05 5,9 4 6 10 5 3 30 90 6 80 10 60
24
M8 3,8 22 28 13 14,38 7 5,3 8 13 6 4 35 110 8 110 12 80
28
M10 4,5 26 32 16 18,90 9,4 6,4 10 17 8 5 40 150 8 150 16 100
32
M12 5,3 30 36 18 21,10 11,7 7,5 12 19 10 6 45 180 10 150 20 120
36
M16 6 38 44 24 26,75 16,3 10 16 24 14 8 55 200 12 150 25 160
44
M20 7,5 46 52 30 33,53 19,8 12,5 20 30 17 10 65 220 16 200 30 200
52
M24 9 54 60 36 39,98 22,1 15 24 36 19 12 75 220 16 200 40 200
60

Bild I-73
Schraubensicherungen
d)
b) a) Federring
h) b) Flächenscheibe
c) Zahnscheibe
e)
d) Federscheibe
a) g) e) Schnoor-Sicherung
c) f) i) f) selbstsichernde
Sechskantmutter
g) Sicherungsmutter
h) Spring-Stopp Sechskantmutter
i) TENSILOCK
Sicherungsschraube
k) Kronenmutter mit Splint
l) Sicherungsbleche
m) Drahtsicherung
k) l) m) n) n) Kunststoffsicherungsring
I Grundlagen der zeichnerischen Darstellung 493

Tabelle I-9 Normwerte einiger ausgewählter Muttern

30° 15°

30 °
m4
30°

120°
d1

d
n
°
d

30 °
120

r
120°
d

120°
d

120°
m1 s m5
m3 m5
h1 h2 h2
m2

Sechskantmuttern Flache Sechskantmuttern Sechskantmuttern für s = 7 ... 17

DIN 934 Produkt- DIN 439 Produktklassen selbstsichernd für s = 19 ... 145
klassen A und B A und B DIN 985 Kronenmuttern DIN 935
Produktklassen A und B
d d1 e h1 h2 m1 m2 m3 m4 m5 n s Splint DIN 94
M4 8,1 5 5 3,2 2,2 2,9 3,2 3,2 1,2 7 1 × 10
M5 10,4 5 6 4 2,7 3,2 3,5 4 1,4 8 1,2 × 12
M6 11,5 6 7,5 5 3,2 4 4,5 5 2 10 1,6 × 12
M8 16,2 8 9,5 6,5 4 5,5 6 6,5 2,5 13 2 × 16
M10 19,6 10 12 8 5 6,5 7 8 2,8 17 2,5 × 20
M12 17 21,9 12 15 10 6 8 9 10 3,5 19 3,2 × 22
M16 22 27,7 16 19 13 8 10,5 11 13 4,5 24 4 × 28
M20 28 34,6 20 22 16 10 14 15 16 4,5 30 4 × 36
M24 34 41,6 24 27 19 12 15 16 19 5,5 36 5 × 40

Unterlegscheiben sollen nur verwendet werden, wenn 6 Nutzen der Normung

die Oberfläche der verschraubten Teile weich oder
uneben ist oder aber einfach nicht beschädigt werden
soll.
Damit Schraubverbindungen sich nicht selbst lösen
können, sind geeignete Vorkehrungen zu treffen.
Gebräuchliche Sicherungen gegen das Lösen der
Mutter sind nach Bild I-73 Federringe (DIN 127 und
7980), Fächerscheiben (DIN 6798), Zahnscheiben
(DIN 6797) und Federscheiben (DIN 137). Um die
Schraubverbindung zu sichern, verwendet man Ge-
genmuttern oder Sicherungsmuttern (DIN 7967).
Auch selbstsichernde Muttern nach DIN 985 und 986,
mit einem sich in das Schraubengewinde einpressen-
den Kunststoffring, kommen zur Anwendung.
Die Technische Zeichnung als Informationsträger
dient bei einem Fertigungs- bzw. Erstellungsauftrag
als Verständigungsmittel zwischen der Planungs-
bzw. Projektierungsstelle und der Werkstatt bzw. der
Montagestelle. Durch das durchgängige Verwenden
der Zeichnungsnormen wird die Zeichenarbeit er-
leichtert und eine klare Darstellung des Werkstückes
bzw. der Anlage erreicht.
Die Normung stellt durch Vereinheitlichung eine
zweckdienliche Ordnung von Erzeugnissen und
Verfahren her. Sie legt die Form, Größe und Ausfüh-
rung gleichartiger Erzeugnisse fest, so daß eine belie-
bige Austauschbarkeit von Teilen herbeigeführt wird.
Dieser Umstand ermöglicht die Serien- und Massen-
fertigung und die damit verbundene Automatisierung.
Normen sind bewährte Lösungen für häufig wieder-
kehrende Aufgaben.
Technische Fortschritte können immer nur mit zeit-
lichem Verzug eingearbeitet werden, so daß die
Normen eher konservativ denn innovativ sind.
494 Technische Kommunikation

II Schaltungsunterlagen
Beim Zeichnen von Schaltplänen werden alle zugehö-
rigen Maschinen, Geräte, Schaltteile und Leitungen
nicht maßstabsgetreu und der tatsächlichen Ausfüh-
rung ähnlich gezeichnet, sondern durch genormte
graphische Symbole dargestellt.
Bei der Erstellung von Schaltungsunterlagen für die
Elektrotechnik sind zusätzlich zur rein zeichnerischen
Darstellung die einschlägigen elektrotechnischen
Vorschriften und Normen, insbesondere DIN 57100/
VDE 0100, zu beachten.
Normen werden erstellt und publiziert von der Inter-
nationalen Elektrotechnischen Kommission (IEC) in
IEC-Publikationen und vom Europäischen Komitee
für elektrotechnische Normung (CENELEG) in Eu-
ropäischen Normen (EN) für nahezu alle europäische
Länder, z.B. in DIN EN 50005 „Industrielle Nieder-
spannungsgeräte, Anschlußbezeichnungen und Kenn-
zahlen“ oder in sog. Harmonisierungsdokumenten,
z.B. HD 21 als DIN 57281/VDE 0281 „VDE-Bestim-
mungen für Starkstromleitungen“.
Für nationale Normung ist die Deutsche Elektrotech-
nische Kommission im DIN und VDE (Verband
Deutscher Elektrotechniker) zuständig, wobei mög-
lichst IEC-Publikationen mit eingearbeitet oder
übernommen werden bzw. auch umgekehrt.

Tabelle II-1 Wichtige VDE-Bestimmungen

Wichtige VDE-Bestimmungen

VDE 0100 Bestimmungen für das Errichten von Starkstromanlagen bis 1000 V
VDE 0101 Bestimmungen für das Errichten von Starkstromanlagen über 1 kV
VDE 0102 Leitsätze für die Berechnung der Kurzschlußströme
VDE 0105 VDE-Bestimmungen für den Betrieb von Starkstromanlagen
VDE 0107 Bestimmungen für elektrische Anlagen in medizinisch genutzten Räumen
VDE 0108 Bestimmungen für das Errichten und den Betrieb von Starkstromanlagen in Versammlungsstät-
ten, Waren- und Geschäftshäusern, Hochhäusern, Beherbergungsstätten und Krankenhäusern
VDE 0128 Vorschriften für Leuchtröhrenanlagen mit Spannungen von 1000 V und darüber Merkblatt für
den Betrieb elektrischer Anlagen in landwirtschaftlichen Betrieben
VDE 0132 Merkblatt für die Bekämpfung von Bränden in elektrischen Anlagen
VDE 0134 Anleitungen zur Ersten Hilfe bei Unfällen (VDE-Druckschrift)
VDE 0141 Bestimmungen und Richtlinien für Erdungen in Wechselstromanlagen für Nennspannungen
über 1 kV
VDE 0160 Bestimmungen für die Ausrüstung von Starkstromanlagen mit elektronischen Betriebsmitteln
VDE 0165 Bestimmungen für die Errichtung elektroscher Anlagen in explosionsgefährdeten Betriebsstätten
VDE 0168 Bestimmungen für das Errichten und den Betrieb elektrischer Anlagen in Tagebauen, Steinbrü-
chen und ähnlichen Betrieben
VDE 0190 Bestimmungen für das Einbeziehen von Rohrleitungen in Schutzmaßnahmen von Starkstrom-
anlagen mit Nennspannungen bis 1000 V
VDE 0193 Richtlinien für den Anschluß und die Anbringung von Elektroden-Durchlauferhitzern

VDE 0210 Bestimmungen für den Bau von Starkstrom-Freileitungen über 1 kV

VDE 0211 Bestimmungen für den Bau von Starkstrom-Freileitungen mit Nennspannungen bis 1000 V
VDE 0228 VDE-Bestimmungen für Maßnahmen bei Beeinflussung von Fernmeldeanlagen durch Stark-
stromanlagen

VDE 0410 Regeln für elektrische Meßgeräte

VDE 0411 VDE-Bestimmungen für elektronische Meßgeräte und Regler
VDE 0413 Bestimmungen für Geräte zum Prüfen der Schutzmaßnahmen in elektrischen Anlagen
VDE 0414 Bestimmungen für Meßwandler
VDE 0426 Bestimmungen für einpolige Spannungssucher bis 250 V Wechselspannung gegen Erde

VDE 0510 Bestimmungen für Akkumulatoren und Akkumulatoren-Anlagen

VDE 0530 Bestimmungen für umlaufende elektrische Maschinen
VDE 0532 Bestimmungen für Transformatoren und Drosselspulen
VDE 0541 Bestimmungen für Stromquellen zum Lichtbogenschweißen mit Wechselstrom
VDE 0550 Bestimmungen für Kleintransformatoren
II Schaltungsunterlagen 495

Tabelle II-1 Fortsetzung

Wichtige VDE-Bestimmungen

VDE 0612 BDE-Bestimmungen für Baustromverteiler für Nennspannungen bis 380 V Wechselspannung
und für Ströme bis 630 A
VDE 0620 Vorschriften für Steckvorrichtungen bis 750 V 100 A
VDE 0660 Bestimmungen für Niederspannungsschaltgeräte
VDE 0675 Leitsätze für den Schutz elektrischer Anlagen gegen Überspannungen
VDE 0680 Bestimmungen für Schutzbekleidung, Schutzvorrichtungen und Werkzeuge zum Arbeiten an
unter Spannung stehenden Betriebsmitteln

VDE 0701 Bestimmungen für die Instandsetzung, Änderung und Prüfung gebrauchter elektrischer Ver-
brauchsmittel (Geräte)
VDE 0710 Vorschriften für Leuchten mit Betriebsspannungen unter 1000 V
VDE 0712 Bestimmungen für Entladungslampenzubehör mit Nennspannungen bis 1000 V

VDE 0800 Bestimmungen für Errichtung und Betrieb von Fernmeldeanlagen einschließlich Informations-
verarbeitungsanlagen
VDE 0855 Bestimmungen für Antennenanlagen
VDE 0860 Bestimmungen für netzbetriebene Rundfunk- und verwandte elektronische Geräte
VDE 0871 Bestimmungen für die Funk-Entstörung von Hochfrequenzgeräten und -anlagen
VDE 0874 VDE-Leitsätze für Maßnahmen zur Funk-Entstörung
VDE 0875 Bestimmungen für die Funk-Entstörung von Geräten, Maschinen und Anlagen für Netzfrequen-
zen von 0 bis 10 kHz
VDE 0877 Leitsätze für das Messen von Funkstörungen

Eine Auswahl der wichtigsten VDE-Bestimmungen

zeigt Tabelle II-1.
Benennung

Schaltungsunterlagen sind Schaltpläne, Tabellen,

Diagramme und Beschreibungen, die Angaben für
das Fertigen, Errichten und die Erhaltung elektri-
scher Anlagen vermitteln.
Die Norm DIN 40719 legt die Einteilung von Schal-
tungsunterlagen und die entsprechenden Begriffe,
wie sie in der Elektrotechnik üblich sind, fest. Schal-
tungsunterlagen werden in zwei Gruppen eingeteilt
und zwar nach dem Zweck und der Art der Darstel-
lung.
Ein Schaltplan (engl.: diagram) zeigt die Art, in der
die verschiedenen elektrischen Betriebsmittel zuein-
ander in Beziehung stehen und miteinander verbun-
den sind.
Ein Diagramm (engl.: chart) ist die graphische Dar-
stellung errechneter oder gemessener Werte und
sollte nach DIN 461 dargestellt werden. Die Linien-
breiten werden nach DIN 15 etwa im Verhältnis Netz
zu Achsen zu Kurve wie 1:2:4 gewählt in der Dar-
stellung nach Bild II-1.
Prinzipiell unterscheidet man Diagramme im karte-
sischen Koordinatensystem (Bilder II-2, II-3 und II-
4), Diagramme im Polarkoordinatensystem nach
Bild II-5, Flächendiagramme nach Bild II-6 und
Nomogramme nach Bild II-7.
Das Übersichtsdiagramm (z.B. charakteristische Dar-
stellung) nach Bild II-2 wird ohne Achseneinteilung
gezeichnet; auf eine nichtlineare Teilung ist hinzu-
weisen.
3
Ein-
heit
2
1
0
0 1 Einheit 3 Benennung
(Formelzeichen)
Bild II-1 Diagrammdarstellung nach DIN 461 und
DIN 40719
Diagramme zur quantitativen Darstellung erhalten an
den Achsen eine bezifferte Teilung, wobei jeder
negative Wert mit dem entsprechenden Vorzeichen
zu versehen ist. Mindestens der erste und der letzte
Teilstrich ist mit dem Wert der Einteilung zu verse-
hen. Die Einteilung kann linear nach Bild II-3, dop-
pelt-logarithmisch nach Bild II-4 erfolgen oder auch
in linear-logarithmischer Einteilung. Die Einheit darf
nicht in Klammern gesetzt werden.
Bei mehreren Kurven nach Bild II-4 werden an jede
Kennlinie der Parameter oder andere Hinweise mit
evtl. näherer Erläuterung in der Bildunterschrift ver-
wendet.
496 Technische Kommunikation

I 1
Widerstand R

–1

–2
–200 –100 0 100 V 200
Frequenz f U
Bild II-2 Diagramm im kartesischen Bild II-3 Diagramm mit linearer Einteilung
Koordinatensystem

20
o
10o 0o 10o 20
o

1,0

105
R 0,8
W 30
o
30
o

104

0,6
LDR 07 o
40 40o
103

LDR 02 50o 0,4 50o

102
60o 60o
70o 0,2
70o
101
101 102 103 104 EV 105 80o 80o
lx
Bild II-4 Diagramm mit Bild II-5 Diagramm im Polarkoordinatensystem
doppelt-logarithmischer Einteilung

1 Schaltzeichen nach DIN
In DIN 40700 bis DIN 40717, letztere teilweise
ersetzt durch DIN 40900, sind die Schaltzeichen als
„Graphische Symbole für Schaltungsunterlagen“ der
Elektrotechnik mit ihrer Benennung und Bedeutung
festgelegt.
DIN 40900 Teil 1 bis Teil 13, „Graphische Symbole
für die Elektrotechnik“, liegt in der harmonisierten
Fassung IEC 617 Teil 1 bis Teil 13 der Internationa-
len Elektrotechnischen Kommission (IEC) als Norm
vor.
Betriebsmittel einer Schaltung werden durch genorm-
te Schaltzeichen dargestellt. Es muß das Schaltzei-
chen gewählt werden, das für eine beabsichtigte
Aussage gerade ausreichend ist, also ist das Schalt-
zeichen so einfach wie möglich zu halten. Ein ge-
wähltes Schaltzeichen sollte durchgängig in der
Zeichnung verwendet werden.
Schaltzeichen setzen sich aus Symbolelementen und
Grundelementen wie in Bild II-8 zusammen. Block-
symbole nach Bild II-9 sind vereinfachte Darstellun-
gen von Funktionseinheiten oder Baueinheiten durch
ein einzelnes Schaltzeichen. Wenn für ein konkretes
Betriebsmittel kein genormtes Schaltzeichen existiert,
so kann durch die Kombination von Grundsymbolen,
Symbolelementen, Kennzeichen oder Schaltzeichen
eine neues Schaltzeichen entworfen werden.
II Schaltungsunterlagen 497

90
80
70
60
50
40 2
30 1
20 3
10 6
0
1 2 3 4 5 6 5
4

nutzbare
30% Energie

100%

30% 40%
Bild II-6
Verluste Flächendiagramm

5 o chen dürfen nach Bild II-10 gedreht oder gespiegelt

–10 –5 0 10 C 15
werden, wenn ihre Bedeutung dadurch nicht verän-
o dert wird. Werden Schaltzeichen verkleinert oder
10 20 30 40 50 F 60
vergrößert, so sollen ihre Proportionen wie in Bild II-
Bild II-7 Nomogramm 11 erhalten bleiben.

Wh Wh Wattstunden f1 3

f2 =

Bild II-9 Blocksymbol als Funktionseinheit

Meßgerät,
integrierend
U U

U U
Wattstundenzähler
Wh
U U

U U
Wattstundenzähler
Wh mit Drucker, Bild II-10 Variable Lage von Schaltzeichen im
fernbetätigt Schaltplan

Bild II-8 Schaltzeichen aus Symbol- und

Grundelementen

Die Lage, in der Schaltzeichen in den Normblättern

dargestellt sind, ist nicht die einzig gültige. Schaltzei- Bild II-11 Darstellungsgrößen von Schaltzeichen
498 Technische Kommunikation

Tabelle II-2 Schaltzeichen nach DIN 40900 (Auszug)

Schaltzeichen (Auszug)
Passive Bauelemente DIN 40900 Teil 4
Widerstand, allgemein
Widerstand, veränderbar, allgemein

Widerstand mit Schleifkontakt

Widerstand, spannungsabhängig
Varistor
U

Widerstand, temperaturabhängig
Heißleiter
u

Kondensator, allgemein

Kondensator, gepolt, z.B. Elektrolyt-Kondensator

Kondensator, veränderbar

Spule, Wicklung, Induktivität

Spule mit Magnetkern
Piezoelektrischer Kristall, Schwingquarz

Halbleiter-Bauelemente DIN 40900 Teil 5

Halbleiterdiode, allgemein

Z Diode,
Esaki-Diode
Kapazitätsdiode

Tunneldiode

Zweirichtungsdiode, Diac

Thyristortriode, Kathode gesteuert

Thyristortriode, bidirektional
Triac

NPN-Transistor
II Schaltungsunterlagen 499

Tabelle II-2 (Fortsetzung)

Schaltzeichen (Auszug)
Halbleiter-Bauelemente DIN 40900 Teil 5
Unijunction Transistor,
Basis N-Typ

Sperrschicht-FET mit N-Kanal (JFET)

Isolierschicht-FET, Anreicherungstyp mit N-Kanal

(IGFET, MOS-FET)

Isolierschicht-FET, Verarmungstyp mit N-Kanal

(IGFET, MOS-FET)

Hall-Generator

Fotoelektrische Bauelemente DIN 40900 Teil 5

Fotowiderstand

Fotodiode

Fotoelement Fotozelle

Fototransistor NPN-Typ

Leuchtdiode

Optokoppler

2 Elektrische Betriebsmittel 13 Bild II-12

Anlage = 2K Lage der
Die Kennzeichnung von Betriebsmitteln erfolgt nach Art, Zählnummer –K8 Betriebsmittel-
IEC 750 (1983)/DIN 40719 Teil 2 (1978) und stellt Ort +M4 kennzeichnung
die Beziehung her zwischen dem Betriebsmittel in 14
im Plan
der Anlage und den verschiedenen Schaltungsunter-
lagen, wie z.B. Schaltplänen, Stücklisten, Stromlauf- Kann auf die Kennzeichnung der Anlage und des
plänen und Anweisungen. Sie erfolgt in Kennzeich- Ortes verzichtet werden, so kann die Kennzeichnung
nungsblöcken mit Vorzeichen zur sicheren Unter- der Betriebsmittel und der Anschlüsse nach Bild II-13
scheidung der Blöcke. erfolgen. In den meisten Fällen reicht der Kennzeich-
Bei senkrechtem Leitungsverlauf nach Bild II-12 nungsblock 3 aus.
steht die Betriebsmittelkennzeichnung links und die Die Kennzeichnung der Funktion in Kennzeich-
Anschlußkennzeichnung rechts; bei waagerechtem nungsblock 3 kann entfallen, wird sie jedoch vor-
Verlauf dagegen steht die Betriebsmittelkennzeich- genommen, so sind die Kennbuchstaben nach Ta-
nung unten. belle II-5 entsprechend DIN 40719 zu verwenden.
500 Technische Kommunikation

Tabelle II-3 Kennzeichnungsblöcke nach DIN 40719

Kennzeichnung elektrischer Betriebsmittel (DIN 40719)

Kennzeichnungsblock Vorzeichen Beispiel Erklärung zum Beispiel

1 Anlage = = B3 Anlage B3

2 Ort + + D4 Stockwerk D, Raum 4

3 Art Zählnummer Funktion – – K2T Schütz, Nr. 2, Zeitrelais

4 Anschluß : : 12 Anschluß Nr. 12

• Nur zur Kennzeichnung erforderliche Blöcke angeben

• Vorzeichen kann entfallen, wenn Verwechselung des Blockes ausgeschlossen ist
• Mindestangabe in Block 3 ist die Zählnummer

Tabelle II-4 Kennbuchstaben für die Art der Betriebsmittel

Kennbuchstaben für die Art der Betriebsmittel

Kenn- Art des Betriebsmittels Beispiele

buch-
stabe

A Baugruppen, Teilbaugruppen Verstärker, Magnetverstärker

B Umsetzer von nichtelektrischen auf Meßumformer, thermoelektrische Fühler, Thermozellen,

elektrische Größen und umgekehrt Mikrofon, u.ä.

C Kondensatoren

D Verzögerungseinrichtungen, Spei- Plattenspeicher, Magnetbandgeräte, Verzögerungsleitungen

chereinrichtungen, binäre Elemente

E Verschiedenes Beleuchtungseinrichtungen, Heizeinrichtungen; Einrichtungen,

die ansonsten hier nicht benannt werden

F Schutzeinrichtungen Sicherungen, Schutzrelais, Trennsicherungen, Überspannungs-

ableiter

G Generatoren, Stromversorgungen Rotierende Generatoren, Batterie

H Meldeeinrichtungen Optische und akustische Meldegeräte

K Relais, Schütze Leistungsschütze, Hilfsschütze, Zeitrelais

L Induktivitäten Drosselspulen

M Motoren

N Verstärker, Regler Operationsverstärker

P Meßgeräte, Prüfeinrichtungen Anzeigende, schreibende und zählende Meßeinrichtungen,

Uhren

Q Starkstrom-Schaltgeräte Leistungsschalter, Schutzschalter, Motorschutzschalter

R Widerstände Einstellbare Widerstände, Heißleiter

II Schaltungsunterlagen 501

Tabelle II-4 Fortsetzung

Kennbuchstaben für die Art der Betriebsmittel
Kenn- Art des Betriebsmittels
buch-
stabe
S Schalter, Wähler
T Transformatoren
U Modulatoren, Umsetzer
V Röhren, Halbleiter
W Übertragungswege, Hohlleiter,
Antennen
X Klemmen, Stecker, Steckdosen
Y Elektrisch betätigte mechanische
Einrichtungen
Z Abschluß, Ausgleichseinrichtungen,
Filter, Begrenzer, Gabelanschlüsse
Beispiele
Taster, Endschalter, Steuerschalter
Spannungswandler, Stromwandler
Diskriminator, Frequenzwandler, Umformer, Wechselrichter
Elektronenröhren, Dioden, Transistoren, Thyristoren
Schaltdrähte, Sammelschienen, Dipole
Trennstecker und -steckdosen, Prüfstecker, Lötleisten,
Klemmenleisten
Bremsen, Kupplungen, Ventile
Kabelnachbildungen

U V W
7 8 9

1 2 K
M L
R8 M1
3 M
X3
W
V
U

R7 X1 7 M
M4
3 Bild II-13
2 Vereinfachte Betriebsmittelkennzeichnung

Tabelle II-5 Kennbuchstaben für die allgemeine Funktion

Kennbuchstaben für die allgemeine Funktion
Kenn- Allgemeine Funktion Kenn- Allgemeine Funktion
buch- buch-
stabe stabe
A Hilfsfunktion N Messung
B Bewegungsrichtung P Proportional
C Zählung O Zustand (Stop, Start, Begrenzung)
D Differenzierung R Rückstellen, Löschen
F Schutz S Speichern, aufzeichnen
G Prüfung T Zeitmessung, verzögern
H Meldung V Geschwindigkeit (beschleunigen, bremsen)
J Integration W Addieren
K Tastbetrieb X Multiplizieren
L Leiterkennzeichnung Y Analog
M Hauptfunktion Z Digital
502 Technische Kommunikation

Für die Kennzeichnung der Anlage und des Ortes 1U 1V 1W 1N 1U 1V 1W 1N

benennt DIN 40719 weitere Kennbuchstaben, die hier 1U1 1V1 1W1
aber nicht aufgeführt werden sollen.
1U2 1V2 1W2
T4 T4
3 Schaltungsunterlagen 2U2 2V2 2W2

der Energietechnik
2U1 2V1 2W1
Bei der Ausfertigung elektrischer Schalt- und Ver- 2U 2V 2W 2N 2U 2V 2W 2N
drahtungspläne genügt oft eine einzige Linienbreite a b
nach DIN 15. Für A4 und A3 Formate ist die Linien-
breite 0,5 günstig. Bild II-17 Anschlußkennzeichnung von
Stromwege werden geradlinig und möglichst kreu- Drehstromtransformatoren
zungsfrei dargestellt. Die Verbindungslinien ver- Leitungsverbindungen ohne Klemmpunkt nach
laufen parallel zu den Rändern der Zeichnung. Die Bild II-18 sind für zu plottende Zeichnungen vorge-
Anschlußstellen an Betriebsmittel werden nicht sehen; sie werden auch mit ausgefülltem Punkt dar-
besonders dargestellt, sie werden aber gemäß gestellt. Leitungskreuzungen haben keine elektrische
DIN 42400 mit einer Anschlußkennzeichnung ver- Verbindung.
sehen nach Bild II-14. Zusammengehörende An-
schlüsse werden mit 1 und 2 gekennzeichnet. Von der
Energieseite her gesehen gilt 1 = Eingang und 2 =
Ausgang.

1 1
A1 1
Leitungsverbindungen keine Leitungsverbindung

Bild II-18 Leitungsverbindungen mit/ohne

A2 2
2 2
Klemmpunkt

Bild II-14 Kennzeichnung der Anschlußstellen von Bei der Art der Darstellung von Schaltungsunterlagen
Betriebsmitteln unterscheidet DIN 40719 zwischen ein- oder mehrpo-
liger Darstellung. Bei der einpoligen Darstellung
(engl.: single-line representation) werden zwei oder
Hat ein Betriebsmittel nach Bild II-15 mehrere An- mehr Leiter durch eine einzige Linie mit entspre-
schlüsse, so wird fortlaufend numeriert. Die An- chender symbolhafter Ergänzung dargestellt. Meh-
schlüsse von Drehstrommotoren werden nach Bild rere gleiche Geräte oder Bauelemente können durch
II-16 gekennzeichnet, während die Anschlüsse von ein einziges Schaltzeichen dargestellt werden.
Drehstromtransformatoren gemäß Bild II-17a ge- Bei mehrpoliger Darstellung (engl.: multiline repre-
kennzeichnet werden, wobei unter Umständen auch sentation) wird jedes Betriebsmittel durch ein Schalt-
die Innenanschlüsse nach Bild II-17b zu kennzeich- zeichen dargestellt.
nen sind. Bezüglich der Darstellung der Schaltzeichen kann
eine weitere Unterscheidung vorgenommen werden.
Bei der zusammenhängenden Darstellung (engl.:
Bild II-15 assembled representation) werden alle Schaltzeichen
1.1 2.1 3.1 1 3 5 Anschluß- eines Betriebsmittels (z.B. Relais mit Schaltkontak-
numerierung ten) zusammenhängend gezeichnet. Bei der aufgelös-
mehrpoliger ten Darstellung (engl.: detached representation)
Betriebsmittel werden Schaltzeichen für elektrische Betriebsmittel
1.2 2.2 3.2 2 4 6 (allgemein) (z.B. Relais mit Schaltkontakten) getrennt gezeichnet
und so angeordnet, daß jeder Stromweg (Strompfad)
U1 V1 W1 U V W U V W geradlinig verläuft und somit gut zu verfolgen ist.
Ein Übersichtsschaltplan (engl.: block diagram) nach
DIN 40719 ist die vereinfachte Darstellung einer
Schaltung, wobei nur die wesentlichen Teile zur
U2 V2 W2 Gliederung elektrischer Einrichtungen und ihrer
Systembeschreibung berücksichtigt werden. Im
offene Schaltung Sternschaltung Dreieckschaltung
Beispiel nach Bild II-19 ist der einpolige Übersichts-
Bild II-16 Anschlußkennzeichnung von schaltplan einer Wendeschützschaltung ohne Steuer-
Drehstrommotoren leitungen dargestellt.
II Schaltungsunterlagen 503

400V 3/PE ~ 50Hz gelöster Darstellung für den Hauptstromkreis und die
4 Steuerung einer Wendeschützschaltung. Die Kon-
taktbelegungspläne der Schütze fehlen im Steuer-
3 stromkreis, aber die Anschlußbezeichnungen für die
–F1
Klemmleisten sind integriert. Diese Form der Strom-
4 3
laufpläne ist die meist verwendete Darstellungsform.
Aus ihm wird der Verdrahtungsplan entwickelt.
–K1 3 –K2 3 Verdrahtungspläne (engl.: wiring diagrams) zeigen
3 die inneren und/oder äußeren Verbindungen zwischen
3 elektrischen Betriebsmitteln, ohne Aufschluß über die
–F2 Wirkungsweise zu geben. Verdrahtungspläne können
4 durch entsprechende Tabellen ersetzt werden. Der
Bild II-19 Verdrahtungsplan nach Bild II-21 gibt die Schaltun-
M Übersichtsschaltplan einer gen nach Bild II-19 und II-20 wieder. Die Schütze K1
–M1
3~ Wendeschützschaltung und K2 werden wie auch das Motorschutzrelais F2
durch ein Rechteck dargestellt.
Ein Stromlaufplan (engl.: circuit diagram) ist die Die Verbindungsleitungen können einzeln oder
ausführliche Darstellung einer Schaltung mit ihren zusammengefaßt gezeichnet werden. Die Anschluß-
Einzelteilen. Er zeigt die Arbeitsweise einer elektri- stellen werden nach Bild II-22 mit Leitungsnummern
schen Einrichtung. Er kann in aufgelöster und zu- oder mit den Zielbezeichnungen versehen, d.h., am
sammenhängender Darstellung zur Anwendung Ende einer Verbindungsleitung wird angegeben, mit
kommen. Bild II-20 zeigt die Stromlaufpläne in auf- welcher Anschlußklemme das andere Leitungsende

Hauptstromkreis Hilfsstromkreis Bild II-20

Stromlaufpläne
X1:14 400 V 3/PE ~50 Hz in aufgelöster
L1
L2 X1:15
L1
X1:13 Darstellung für
L3 X1:16 1 Haupt- und Hilfs-
PE
X1:11 stromkreis
~F3
2
95
–F1 –F2
96
X1:5
11
–S0
12
1 3 5 1 3 5
11 11
–K1 –K2
2 4 6
–S2 S1
2 4 6
12 X1:6 12 X1:8

13 14 13 14
–S1 K1 S2 K2
14 13 14 13
1 3 5 96
–F2 X1:7 X1:9
2 4 6 95
21 21
K2 K1
22 22
X1:1
X1:2
X1:3
X1:4

A1 A1
–K1 –K2
U1

W1
V1

PE

A2 A2
N
–M1
M X1:12
3
504 Technische Kommunikation

Bild II-21
Verdrahtungsplan einer L1 L2 L3
Wendeschützschaltung

M A1 1 3 5 13 21 A1 1 3 5 13 21
–M1
3
K1 K2

W1
U1
V1

PE
A2 2 4 6 14 22 A2 2 4 6 14 22

X1:8
X1:7

11 13 1 3 5 95
–S1 F2
12 14 F3 F1
2 4 6 96
X1:5

11 13

–S0
–X1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
12 14

S1:13
S2:12

S1:11
S2:14
S0:11
W1
V1
U1

PE

L3
PE

L1
L2
N
11 13

–S2 Netz
12 14
X1:9
X1:6

verbunden ist. Der Verdrahtungsplan dient als Unter- 41 ~48V 41

lage für die Fertigung und Montage und wird bei 42 ~48V 42
43 –24V 43
umfangreichen Anlagen unterteilt in Geräteverdrah- 44 +24V 44
tungspläne, Verbindungspläne und Anschlußpläne.
Die Verbindungen innerhalb eines Gerätes stellt der Leitungsnummern
Geräteverdrahtungsplan (engl.: unit wiring diagram)
dar, während der Verbindungsplan (engl.: intercon- –X1 –X2
nection diagram) die Verbindungen zwischen den X2:16 X1:22
21 15
verschiedenen Geräten einer Anlage darstellt. 22 X2:15 X1:21 16
23 X2:17 X1:23 17
Ein Anschlußplan (engl.: terminal diagram) zeigt die
Anschlußpunkte einer elektrischen Einrichtung und
die daran angeschlossenen inneren und äußeren lei- Zielbezeichnungen
tenden Verbindungen. Der Anschlußplan nach Bild Bild II-22 Kennzeichnung von
II-23 zeigt die Belegung der Klemmenleiste X1. Die Verbindungsleitungen mit
zum Motor M1 am Planort T4 abgehende Leitung W2 a) Leitungsnummern oder
ist vom Typ NYY 4 × 2,5. b) Zielbezeichnungen
Ein Ersatzschaltplan (engl.: equivalent circuit dia- –X1
gram) ist eine besondere Ausführung eines erläutern-
den Schaltplanes für die Analyse und Berechnung –M1:U1 –F2:2
von Stromkreiseigenschaften. 1 –F2:4
–M1:V1 2
Ein Ablaufdiagramm oder eine Ablauftabelle (engl.: –M1:W1 3 –F2:6
NYY 4x2,5 –M1:PE
sequence chart or table) zeigt Arbeitsvorgänge in 4
einer festgelegten Reihenfolge, während Zeitablauf-
diagramme (engl.: time sequence chart or table)
zusätzlich die Zeitabstände zwischen aufeinanderfol- Anschlußplan
genden Arbeitsvorgängen zeigen. Bild II-23 Anschlußplan der Klemmenleiste X1
II Schaltungsunterlagen 505

Bild II-24
Balkon Elektro-Installationsplan einer Wohnung
Kind Wohnraum

Eßraum

Bad
Flur 1
Flur 2

E
Diele

Eltern Küche

E WC

16A Balkon/Kind
FI1 Bild II-25
16A Bad/Eltern
IN= 25A Übersichtsplan zum
vierpolig 16A Eßraum/Wohnraum Installationsplan
IDN=30mA

16A Küche/Kühlgerät
FI2 16A Küche
IN= 25A
vierpolig 16A Flur 1,2/Diele/WC
IDN=30mA

hWh 20A Elektroherd

16A Heißwassergerät
16A Waschmaschine

FI3 16A Geschirrspülmaschine

IN= 40A 16A Wäschetrockner
vierpolig
IDN=300mA 16A Elektrogerät, allgemein
E

Gerätelisten schlüsseln die für eine Fertigung erfor-
derlichen Konstruktionselemente, Geräte, elektri-
schen Einrichtungen und Leitungen auf nach Anzahl,
Typ und auch Bestellnummern der Hersteller.
Im Installationsplan nach DIN 40719 Teil 5 werden
die Betriebsmittel mit Schaltzeichen in einpoliger
Darstellung annähernd lagerichtig in den Gebäude-
grundriß eingezeichnet. Bild II-24 zeigt den Elektro-
Installationsplan für eine Wohnung mit mehreren
Installationsbereichen nach VDE 0100. DIN 18015
Teil 1 legt sowohl Installationszonen als auch die
Leitungsführung und die rämliche Lage der meisten
Betriebsmittel fest.
Im Übersichtsplan nach Bild II-25 werden die Strom-
kreise festgelegt und die Nennwerte der Betriebsmit-
tel eingetragen. Nach DIN 57100/VDE 0100 ergibt
sich auch die Verwendung entsprechender Leitungen
und Schutzmaßnahmen, z.B. FI-Schutzschalter.
506 Technische Kommunikation

4 Schaltungsunterlagen der Elektronik als Isolationswiderstand des Dielektrikums zu verste-

Ersatzschaltpläne, bzw. Ersatzschaltbilder sind nach
DIN 40719 besondere Ausführungen eines erläutern-
den Schaltplanes für die Analyse und Berechnung
von Schaltkreisen und realen Bauteileigenschaften im
Vergleich zu „idealen“ Bauelementen.
So hat z.B. jeder Kondensator außer der gewünschten
Kapazität noch weitere elektrische Eigenschaften, die
sich als Komponenten in einem Ersatzschaltbild nach
Bild II-26 darstellen und analysieren lassen. Die Se-
rieninduktivität L ergibt sich als Folge der Wirkung der
Anschlußdrähte bei höheren Frequenzen und der Se-
rienwiderstand RS als Kontaktwiderstand an den An-
schlüssen. Die Kondensator-Kapazität C ist die ge-
wünschte Größe, während der Parallelwiderstand Ris
C Schaltzeichen nach DIN 40900 setzt sich aber immer
L RS
Ris
Bild II-26 Ersatzschaltbild eines Kondensators
(reales Verhalten)
hen ist, der bei bestimmten Kondensatoren für die
Selbstentladung des Kondensators verantwortlich ist.
Die Frequenzabhängigkeit eines realen Kondensators
läßt sich mit entsprechenden Ortskurve nach Bild II-
27 darstellen, während sich z.B. die Temperaturab-
hängigkeit mit einem doppeltlogarithmischen Dia-
gramm (Z = f(f) mit der Temperatur J als Parameter)
nach Bild II-28 darstellen läßt.
4.1 Allgemeines
Die Darstellung logischer Elemente und Verknüpfun-
gen wird in Katalogen und Datenbüchern unter-
schiedlich gehandhabt. Bild II-29 zeigt daher eine
Gegenüberstellung der logischen Grundfunktionen,
die noch häufig anzutreffen sind. Die Darstellung der
weiter durch.
DIN 40900 DIN alt USA
NICHT 1
UND &

Bild II-27 ODER >1

=
j X
Ortskurve eines Kondensators, NAND & &
d.h., Beschreibung des
Frequenzverhaltens NOR >1
= >1
=
v
Bild II-29 Schaltsymbolvergleich
RS Z R
4.2 Schaltzeichen nach DIN 40900 Teil 12
Binäre Elemente
Symbolaufbau:
Ein Symbol besteht aus einer Kontur, dem Block,
oder aus Kombinationen von Konturen und den
103 Funktionskennzeichen. Das Seitenverhältnis der
Ω Konturen ist ohne Bedeutung. Die Eingangsleitungen
Z werden nach Bild II-30 links und die Ausgangslei-
102 tungen rechts angeordnet. Die Funktionskennzeichen
nach Bild II-31 beschreiben die logische Funktion der
Schaltung.
o
101 –60 C
–30 C
o
Kontur Funktions-
0oC kennzeichen
o
40 C

100

* * * *
Eingangs- Ausgangs-
10–1 linien linien
101 102 103 104 105 106 107 108 Hz
f * * * *

Bild II-28 Scheinwiderstand eines Kondensators

in Abhängigkeit von der Temperatur Bild II-30 Kontur
II Schaltungsunterlagen 507

Besitzt eine Schaltung einen oder mehrere Eingänge, Symbol Beschreibung

die zu mehr als einem Element der Schaltung führen, Negierter Eingang
kann ein Steuerblock nach Bild II-32 benutzt werden Negierter Ausgang
(siehe auch Anwendungsbeispiele). Negierter Eingang
Negierter Ausgang
Zeichen Bedeutung
Eingang mit Hysterese
& UND-Verknüpfung
>1 ODER-Verknüpfung Ausgang mit offenem Kollektor
=
=1 Exclusiv-ODER-Verknüpfung 3-state-Ausgang
∑ Summierer Freigabeeingang
COMP Komparator Schiebeeingang rechts
CTR Zähler Schiebeeingang links
DIV Teiler
MUX
P–Q
Multiplexer
Subtrahierer
}
aktiv bei ansteigender Flanke Dynamischer
aktiv bei abfallender Flanke Eingang
SRG Schieberegister
X/Y Codierer oder Codeumsetzer Bild II-33 Kennzeichnung von Ein- und Ausgängen
Schmitt-Trigger
Monostabile Kippstufe (allgemein) einige Beipiele hierzu. Die Adressen-Abhängigkeit
1 Monostabile Kippstufe (nicht nachtriggerbar) (A) kennzeichnet Adresseneingänge eines Speichers.
G Die Steuer-Abhängigkeit (C) kennzeichnet Zeitsteu-
Astabile Kippstufe (allgemein)
er- oder Takteingänge. Das Kennzeichen ist häufig
bei Flipflops zu sehen.
Bild II-31 Funktionskennzeichen
Anwendungsbeispiele:
Bei Anwahl eines Eingangs über die Abhängigkeits-
Symbol Beschreibung
notation G nimmt der interne Logikzustand des
Ausgangs den internen Zustand des Eingangs an.
Element-Kontur Liegt an den drei Eingängen beispielsweise „1“, „1“,
„1“ wird der Eingang 7 zum Ausgang geschaltet. Mit
dem Eingang EN kann der Multiplexer aktiviert
Steuerblock-Kontur werden (low-aktiv).
Die gesteuerten Eingänge des Richtungstreiber sind
UND-verknüpft. Die freigewählte Zahl (hier 3) wird
Beispiel: a neben dem Buchstaben G geschrieben und an jedem
weiteren UND-verknüpften Eingang (EN). 1 und 2
b a des Freigabeeingangs geben jeweils in Verbindung
mit dem Verstärker die Richtung an, wie sie die
b
c Zahlenfolge am 3-state-Ausgang zuordnet.
c Über die Steuereingänge M wird die Betriebsart wie
d links schieben, rechts schieben oder paralleles Laden
d
dargestellt. Den Einfluß des Takteingangs C wird
Bild II-32 Steuerblock-Kontur durch die entsprechende Zahl und die Schieberich-
tung durch zusätzliche Pfeile gekennzeichnet. Über
Ein- und Ausgänge: die Eingänge 4,5D werden anstehende Daten mit der
Die Symbole der Ein- und Ausgänge nach Bild II-33 ansteigenden Flanke an C5 parallel geladen.
legen die Beziehungen zwischen den internen und Über den Steuereingang C3 kann der BCD-Zähler die
externen Logikzuständen fest. Die Negation am Ein- 3D-Eingänge parallel laden. Die Betriebsart: Zähl-
und Ausgang kann unterschiedlich dargestellt wer- richtung (vorwärts „+“, rückwärts „–“) erfolgt über
den. DIN 40900 empfiehlt auf nationaler Ebene den den Eingang M2 und mit G1 erfolgt die Zählfrei-
Negationskreis zu verwenden. In Datenbüchern findet gabe. Mit dem Rücksetzeingang R wird der Zähler
man häufig die zweite Darstellungsweise. rückgesetzt. Nach jeder erneuten Zählung liefert der
Abhängigkeitsnotation: Ausgang PIN 7 einen negativen Impuls.
Mit Hilfe der Abhängigkeitsnotation werden Zusam- Bei Speichern können die Speicherstellen durch
menhänge zwischen Eingängen, Ausgängen oder Ein- Adreßeingänge (Kennzeichen A) angewählt werden.
und Ausgängen angegeben, ohne interne Elemente Der dargestellte Speicher besitzt 1024 Speicherstellen
und Zwischenverbindungen im einzelnen genau (1 k) mit den Adressen 0 bis 1023. Die Daten können
darzustellen. Somit lassen sich kompakte und aussa- am Ausgang ((0)A ... (7) A, 8 Bit) mit „H“ am Steu-
gekräftige Symbole herstellen. Bild II-34 gibt eine ereingang gelesen und mit „L“ über die mit 2D ge-
Übersicht über Arten der Abhängigkeit und zeigt kennzeichneten Leitungen eingeschrieben werden.
508 Technische Kommunikation

Kennbuchstabe und Wirkung bei „1“ am Eingang Wirkung bei „0“ am Eingang
Abhängigkeitsform
A Adresse
C Steuerung Erlaubt die Funktion Verhindert die Funktion
EN Freigabe Erlaubt die Funktion Verhindert Zugriff der Eingänge
∇ Ausgänge hochohmig
G UND Erlaubt die Funktion Ausgang „0“
M Modus Erlaubt die Funktion
bei gewählter Betriebsart Verhindert die Funktion
N Exclusiv-ODER
R Rücksetzen
S Setzen

Beispiele: UND, G
a a 1 a > a G1
& b =1
b b G1 & b G2
& c
c c 1 c 1

ODER, V N, Exclusiv-ODER

b
a V1 1 b b a N1
a >
=1 b a =1 c 1 c

C, STEUERUNG

& S C1 & S a C1
a a & b C2
& R b & R
b 1D c c 1,2D

Bild II-34 Abhängigkeitsnotation

SRG4
7 MUX 11
11 0
10 0 9 0 C5/2 /3
9 G7 10 M14
1 1
4 2
3 2 2,5D
2 6 3 15
1 7 4,5D
15 4 4,5D 14
14 5 13
13 Bild II-35 6
4,5D
12 4,5D 12
Multiplexer 7
3,5D

Betriebsart (MODE)
M
00 Halt
01 rechts schieben
10 links schieben Bild II-37
19
11 paralleles Laden Schieberegister
G3
1 3EN1
3EN2
CTRDIV10
1 15 1,2+/1,2–
10 M2
2 18 5 G1
2 1 C3
3 17 9 R
4 16
4 6
5 15 3D
12 11
6 14
13 14
7 13
3 2
8 12
9 11 Bild II-36 1,2CT=0 7 Bild II-38
Richtungstreiber 1,2CT=0
Zählerbaustein
II Schaltungsunterlagen 509

RAM 1k x 8 Wird eine Platine mit vorhandenen Leiterbahnen

0 (0)
(1)
A,2D
A,2D
eingesetzt, sollte der Entwurf die notwendigen Unter-
0
A 1023
(2)
(3)
A,2D
A,2D brechungen und Brücken aufweisen.
(4) A,2D
(5) A,2D
(6) A,2D
9 (7) A,2D 4.3.2 Entwurf und Herstellung
Bild II-39 gedruckter Schaltungen
1C2(Write)
1EN(Read)
G1
RAM Gedruckte Schaltungen sind heute Bestandteil der
(random acces memory) meisten elektronischen Geräte. Ihr Vorteil liegt in der
computergesteuerten Fertigung und der schnellen
Austauschbarkeit im Servicefall.
4.3 Entwurf von Schaltungen Zur Herstellung gedruckter Schaltungen verwendet
man heute vorwiegend fotobeschichtete Platinen aus
4.3.1 Verdrahtungsplan mit Universalplatinen
Hartpapier oder Epoxyd-Hartgewebe als Träger-
Kleinere elektronische Einzelschaltungen lassen sich material. Sie können einseitig oder beidseitig foto-
mit geringem Aufwand durch Universalplatinen beschichtet sein. Ihre Kupferauflage ist meist 35 mm
realisieren. Solche Platinen sind Lochrasterplatten aus und die Platinengröße unterschiedlich (Beispiele:
einem meist 1,5 mm starkem Isoliermaterial (Hartpa- 60 ⋅ 100 mm, 250 ⋅ 250 mm). Die Bauelemente wer-
pier oder Pertinax) mit Bohrungen im 1/10″-Raster den abschließend über Verbindungsleitungen aus
(2,54 mm) und 1 mm Durchmesser oder sie bestehen Kupfer miteinander verbunden. Das folgende Bild II-
aus einem Isolierstoff mit Längsleiterbahnen oder 40 zeigt die notwendigen Schritte bei der Herstellung
Lötaugen aus Kupfer (Auflage 35 mm) mit einem eines Labormusters bis zur fertigen Platine und Bild
Rastermaß 1/10″ und einem gleichmäßigen Raster- II-41 wählt als Beispiel die Schaltung eines Recht-
maß mit Löchern von ebenfalls 1 mm Durchmesser. eckgenerators zur Erläuterung der Arbeitsabläufe.
Außer Streifen- und Punktrasterplatien sind Printplat-
ten mit zusätzlich verschiedenen Steckerleistenan-
Schaltplan
schlüssen nach DIN 41612 im Angebot der Herstel-
lerfirmen. Die gebräuchliche Europlatine hat die Lageskizze
Abmessungen 160 ⋅ 100 mm. Tabelle II-6 führt gän-
gige Maße von Printplatinen auf. Layoutentwurf

Tabelle II-6 Maße von Printplatinen Layoutvorlage

Plattenstärke 1 mm, 1,5 mm, 2 mm Belichten

Lochdurchmesser 0,8 mm, 1 mm Entwickeln

Rastermaße 2,54 mm, 5,08 mm Ätzen

Leiterbreite > 0,8 mm Bohre Bild II-40

Leiterabstand > 0,8 mm
Kupferauflage 35 mm, 70 mm
Ausgangslage zur Schaltungsrealisierung ist in allen
Fällen der Schaltplan und die Stückliste aller benötig-
ten Bauelemente. Die Bauelemente sollten steckbar
sein und müssen in das 1/10″-Raster passen. Nach
Festlegung der Platinengröße wird eine Lageskizze
(Entwurf) mit der Lage der Bauelemente und den
notwendigen Verbindungen erstellt. Bei der Bauele-
mentepositionierung kann für einen übersichtlichen
Aufbau der Eingang links und der Ausgang rechts
vorgesehen werden oder alle Anschlüsse werden auf
eine Leiterplattenseite gelegt. Die Verbindungen
sollte kurze Wege aufweisen und Kreuzungen nach
Möglichkeit nicht vorhanden sein.
Bei Verwendung einer Lochrasterplatine werden die
Bauelemente lagerichtig auf die Platine gesteckt und
auf der Unterseite mit Silberdraht verlötet.
Arbeitsschritte zur Herstellung
Bestücken
eines Labormusters
Die Anordnung der Leiterbahnen auf der Platine
nennt man Layout. Zur Layouterstellung benötigt
man transparentes 1/10″-Rasterspapier, eine Folie,
Klebesymbole, Leiterstreifen und Lötaugen. Von der
Lageskizze werden auf einem ersten Blatt entspre-
chend der Größe die Lage der Bauelemente und ihre
Anschlüsse übertragen. Anschließend wird ein zwei-
tes Blatt über das erste gelegt und die Verbindungs-
leitungen eingezeichnet. Dieses Blatt dient als Vor-
lage für alle Klebematerialien. Zunächst werden alle
Lötaugen aufgebracht, danach die Leiterbahnen.
Das völlig lichtundurchlässige Layout wird unter die
fotobeschichete Platine nach Bild II-42 gelegt und
von unten ca. 2 Min. mit ultraviolettem Licht (UV-
Licht) bestrahlt, um die Leiterbahnen auf die Foto-
schicht zu übertragen. Die Platine wird daraufhin in
ein Entwicklerbad gegeben, wo die belichteten Stel-
510 Technische Kommunikation

Schaltung Stückliste

Name Bezeichnung Type/Wert

R1
R1 Trimmwiderstand 100k
+
R2 Kohleschichtwiderstand 10k
V1 V2 R2 R3 Kohleschichtwiderstand 100k
2 –7 LM741
6 R4 Trimmwiderstand 100k
3+
5
R5 Kohleschichtwiderstand 10k
4 1 R3 R6 Trimmwiderstand 4,7k
–
R4 R6 C1 Kunststoffkondensator 0,01μF
A V1 Siliziumdiode 1N4001
KOND v
R5 V2 Siliziumdiode 1N4001
IC Operationsverstärker uA741

Anordnung der Aufbringen der Herstellen der

Bauelemente Lageskizze Lötaugen Verbindungen Lageplan
R1
V2 V1 R2
R4R5 Brücke +
–
C1 R4 A
R6 ⊥
R3

Bild II-41 Arbeitsschritte am Beispiel eines Rechteckgenerators

len von einer Schutzschicht (Fotolack) entfernt wer-
den. Beim anschließenden Ätzen werden alle Kupfer-
flächen, die nicht zum Layout gehören, entfernt.
Fotoschicht
Kupferschicht
Basismaterial
Leiterbahn
Bild II-42
Vor- und nach dem
Basismaterial
Ätzvorgang
Der Ätzvorgang dauert bei Verwenden von Eisen-III-
Chlorid und einer Temperatur von 40 °C etwa 10 bis
20 Minuten. Die Platine wird gewässert, um Ätzmit-
telreste abzuspülen und mit einem Lösungsmittel
(Azeton) kann der Abdecklack entfernt werden.
Als Ätzmittel wird häufig Eisen-III-Chlorid (FECl3),
Ätznatron (NaOH) oder Ammoniumpersulfat
(NH4)2S2O8 verwendet. Aus Sicherheitsgründen soll-
ten bei Umgang mit allen Chemikalien Handschuhe
und Schutzbrille getragen werden. Desweiteren ist
eine sachgerechte Entsorgung zu gewährleisten. Der
Ätzvorgang selbst hängt von der Konzentration des
Ätzmittel, der Temperatur und der Ätzzeit ab. Bei zu
langer Ätzzeit oder zu hoher Ätzkonzentration kommt
es zu Unterätzungen.
Leiterbahnen werden vor Oxidation geschützt, wenn
sie mit Zinn, Silber oder Gold überzogen oder mit
Lötlack eingesprüht werden.
Die Breite der Leiterbahnen sollte in Abhängigkeit
der durchfließenden Ströme gewählt werden, damit
keine unzulässigen Erwärmungen (i.d.R max. 65 °C)
auftreten. Ein Leiter von 35 mm Dicke kann bei 1 bis
2 mm Breite mit etwa 1,5 bis 2 A belastet werden.
Hierbei tritt eine Temperaturerhöhung von 10 K auf.
Um Spannungsüberschläge zu vermeiden dürfen
Leiterbahnen nicht beliebig eng zueinander verlegt
werden.
Nach der Platinenherstellung werden die Löcher in
den Lötaugen mit einer Ständerbohrmaschine mit
Hartmetallbohrern gebohrt. Anschließend kann die
Bestückung erfolgen. Diese so von Hand erstellten
Layouts haben den Nachteil, daß Fehler nie ganz
ausgeschlossen werden können.
5 Projektierung
Werden technische Geräte oder Schaltungen entwi-
ckelt und konstruiert ist eine umfangreiche Planung
erforderlich. Zunächst muß das Problem definiert
werden mit den jeweiligen Forderungen an die Schal-
tung und ihren Eigenschaften. Bei komplexen Aufga-
ben empfielt es sich im Team zu arbeiten und nach
Lösungsmöglichkeiten mit den auftretenden Vor-
und Nachteilen zu suchen. Ist eine Entscheidung
getroffen, werden Aufgaben und Prioritäten aufgelis-
tet und Verantwortlichkeiten zugewiesen. Ein festge-
legter Zeitplan ist genau so einzuhalten wie die Ober-
grenze der zugestandenen Geldmittel. Nach Durch-
führung der Arbeit erfolgt eine Auswertung.
 Beispiel: Universal-Eingabeplatine für einen Einplatinencomputer
Definition: Platine mit Stromversorung, Eingangsbuchsen für
den Analog-Digitalteil und Ausgangsbuchsen für den Digital-
Analogteil.
II Schaltungsunterlagen
Ziel: Die Schaltung soll innerhalb einer Woche erstellt und getes-
tet sein. Die Einzelteile sollen weniger als 50,00 DM kosten. Vor-
handen ist eine veränderbare Gleichspannungsquelle 2 bis
15 V/2 A.
Die konstruierte Schaltung muß zur Verfügung stellen:
– + 5 V stabil für die Computerplatine
– + 12 V für externe Versuchsschaltungen
– 2 DA-Ausgänge
– 4 AD-Eingänge
III Schaltungssynthese und -analyse
1 Beispiele aus der Elektrotechnik
Für die Schaltungssynthese wie auch die -analyse ist
die Kenntnis der Schaltzeichen, der Kennzeichnung
von Betriebsmitteln und der Anschlußkennzeichnung
notwendig. Auch die umfangreichsten und kom-
plexesten Schaltungsaufgaben setzen sich aus der
Kombination bzw. Verknüpfung einiger Grundschal-
tungen zusammen. Weil das Problem einer zu pla-
nenden Steuerung in der Regel durch die Darstellung
einer Schaltung in einem Stromlaufplan gelöst wird,
ist dieser besonders wichtig und darum im Beispiel
nach Bild III-1 dargestellt.
Im Schriftfeld der Zeichnung werden unten rechts die
Blattnummer und die Anzahl der Blätter für eine
Anlage angegeben, hier also Blatt 5 von 7 Blättern.
Darüber im Schriftfeld angeordnet steht mit einem
Gleichheitszeichen als Vorzeichen der Kennzeich-
nungsblock „Anlage“ (hier = 2B4.D3) und mit einem
Pluszeichen als Vorzeichen der Kennzeichnungsblock
„Einbauort“ (hier Schaltschrank + 2E4). Diese Kenn-
zeichnung gilt für alle auf diesem Blatt dargestellten
Betriebsmittel und müssen auf diesem Blatt folglich
nicht mehr angegebenen werden.
511
Durchführungsplan:
– Entwurf der Schaltung
– Beschaffung der Materialien
– Aufbau des Prototyps auf einer Steckplatine
– Herstellung der Platine
– Erprobung der Platine
Die Schaltung (Bild III-3) wird unter III-2 beschrie-
ben und unter Kapitel IV die Realisierung der Platine.
Der Motor ist am Aufstellungsort + T4 installiert,
während die Tasterkombination im Schaltpult + 3P4
integriert ist. Der Hinweis auf ein anderes Blatt wird
nach einem Schrägstrich, der Planabschnitt nach
einem Punkt geschrieben; die Hauptstromversorgung
kommt also von Blatt 4 (= .D3/4..; 2B4-Anlage mit
Funktionsgruppe D = Leistungskreis) und geht nach
Blatt 6 (= .D4/6..), um dort in Planquadrat 1 (= .D4/
... 1) fortgeführt zu werden. Die Steuerspannung
kommt von Blatt 2 aus Planquadrat 3.
Für die Wartung und Instandhaltung sind zusätzliche
Informationen einzufügen, wie z.B. die Nennstrom-
werte für Sicherungen und Auslösebereich der Mo-
torschutzschalter bzw. -relais. Die Reihenklemmen-
anschlüsse für den Motor (X1: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7) und
die Tasterkombination (X1: 11, 12, 13) sind ebenfalls
angegeben.
2 Beispiele aus der Elektronik
Schaltungen in der Elektronik werden so dargestellt,
daß sich der Signalfluß von links nach rechts ergibt.
Dies bezieht sich auch auf die Nummerierung der
Bauelemente.
512 Technische Kommunikation

1 2 3 4 5 6 7 8

L1 400V 3/PE 50Hz 30 x 5 Cu L1

L2 L2
A =. D3/4.8 L3 L3 = .D4/6.1 A
PE PE
25 x 3 Cu
2L1 230V 50Hz 1 1 1
=. M1/2.3
F1...F3 25A
2L2 2 2 2
1 3
Q1
B 10A B
1 3 5
1 3 5 1 3 5
I I 2 –K1
–K3 –K2 2,5
2 4 2 4 6 2 4 6 +T4 7-12A 2 4 6

–X1:8
95 –M1 –F4
F4 98 W2 U1
96
X1 11 U2 M V1
1 3
C S2 V2 W1 C
2 2
+3P4
2,5 7,5kW
400V
X1 12

3 X1:7
S1 4
+3P4 13
X1 5
D 13 13 D
K4 6 K3 K1
14 14

Leitungen ohne Querschnittsangabe

21 21 H07V-U1,5
K2 22
K3
22
A1 A1 A1 A1
E –K3 –K2 –K4 –K1 E
A2 A2 A2 A2

X1:9,10 4 14 13 14 13 0...30s 5 14 13
4 22 21 3 22 21
6 D3
22 21
3 2 1 4 2 1 5 6 2 1
3 4 3 4 4 3 6 4 3
3 6 5 4 6 5 6 6 5

F F
Datum Zeichnungsnr. d Auftraggebers =2B4.D3
Bearb. Auftraggeber Firma +2E4
Gepr. Blatt 5
Zeichnungsnummer
Zust. Änderung Datum Name Norm Urspr. Ers. f. Ers. d. 7 Bl
1 2 3 4 5 6 7 8

Bild III-1 Stern-Dreieck-Schützschaltung

1 2 3 4 5 6 7 8

A A

B B
R3 R6
V3
R5

C V1 C3 C
+
C1 C2 V2
+ +
R8
+
–
D
V4 D

R1 R2 R4 R7

E E

F F
Datum Zeichnungsnr. d Auftraggebers
Bearb. Auftraggeber Firma
Gepr. Blatt 2
Zeichnungsnummer
Zust. Änderung Datum Name Norm Urspr. Ers. f. Ers. d. 4 Bl
1 2 3 4 5 6 7 8

Bild III-2 Kopfhörerverstärker

III Schaltungssynthese und -analyse 513

1 2 3 4 5 6 7 8

A A
+12V

V2
V1
UI 7805 U0 +5V a1
Uin a2
a3
B 1N4007 GND a4
a5 B
R1 R4 a6
C1 C2 V5 V6
a7
39k 33k a8
a9
a10
V3 a11
a12
R2 R5 R7 R8 a13
a14
a15
1,5k 4,7k 560 560 a16

C
+ + a17
a18
C
a19
– a20
a21
a22
a23
TLC272 a24
a25
a26
V4 a27
a28
a29
a30
a31
D a32 D
+ +
–
R3 R6
27k 27k
E E

F F
Datum Zeichnungsnr. d Auftraggebers
Bearb. Auftraggeber Firma
Gepr. Blatt 2
Zeichnungsnummer
Zust. Änderung Datum Name Norm Urspr. Ers. f. Ers. d. 4 Bl
1 2 3 4 5 6 7 8

Bild III-3 Stromversorgung für einen Einplatinencomputer

 Beispiel 1: Bild III-2 zeigt beispielhaft die Schaltung eines
Kopfhörerverstärkers.
Die Eingangsspannung wird über R1 eingespeist. Dieser Wider-
stand dient auch zur Lautstärkeeinstellung. Über den Operations-
verstärker wird das Signal verstärkt und gelangt über C2 zur
Komplementärendstufe. Diese besteht aus einem npn- und pnp-
Transistor der jeweils die negative oder positive Signalhalbwelle
über C3 dem Kopfhöreranschluß zuführt. Beide Transistoren ar-
beiten in Kollektorgrundschaltung. Ihre Basisspannung und damit
ihr Ruhestrom wird über zwei in Durchlaßrichtung betriebene Di-
oden V1 und V2 eingestellt. Ohne V1 und V2 würden Übernah-
meverzerrungen entstehen.
Die Schaltung ist für eine unsymmetrische Spannung ausgelegt.
Sie benötigt daher R3 und R4, um den invertierenden Eingang auf
die halbe Betriebsspannung zu legen.
 Beispiel 2: Bild III-1 zeigt die Stromversorgung für einen Ein-
platinencomputer. Die Schaltung selbst wird mit einer Gleich-
spannung betrieben. V1 dient zur Vermeidung einer falschen Po-
lung. Die notwendigen 5 V für den Computer werden mit dem
Stabilisierungs-IC 7805 erreicht. Die 12 V-Spannung dient zur
Spannungsversorgung zusätzlicher Versuchsschaltungen. Um oh-
ne Meßgerät auszukommen wurden zwei Komparatoren einge-
setzt, die über Leuchtdioden die gewünschte Spannung anzeigen
(LED grün) oder bei zu hoher Spannung warnen (LED rot)
514
IV CAD-Technik
1 Allgemeines
Unter CAD (Computer Aided Design) versteht man
ganz allgemein computergestütztes konstruieren.
Hierbei steht die Erstellung technischer Unterlagen
im Vordergrund. Für die Elektrotechnik und Elektro-
nik sind dies einmal Stromlauf- und Funktionspläne,
Verdrahtungspläne, Lagepläne oder Layouts zur
Herstellung gedruckter Schaltungen und zum Ande-
ren Simulationsprogramme, die Entwicklungsarbeiten
erheblich verkürzen.
Vorteile beim Einsatz dieser Technik liegen in der
schnellen Korrigierbarkeit von Fehlern.
2 Hardware und Software
Unter Hardware versteht man alle Geräte die zu einer
Computeranlage gehören. Hierbei unterscheidet man
Eingabegeräte wie Tastatur, Maus, Grafiktablett mit
Lupe und Scanner. Ausgabegeräte sind Bildschirm,
Drucker und Plotter.
Die Zeichnungen werden häufig mit Hilfe der Maus
durchgeführt. Hierbei werden die Bewegungen der
Rollkugel in Signale umgewandelt und von einem
Maustreiber (spezielles Programm) ausgewertet. Der
Scanner wird eingesetzt, um über eine Optik Punkt
für Punkt ganze Bilder einzulesen. Neben dem Dru-
cker wird als Pheripheriegerät zur Ausgabe von Gra-
fiken der Plotter eingesetzt. Mit seinem Schreibstift
kann direkt auf Papier oder Folie geschrieben wer-
den. Beim Fotoplotter belichtet ein Lichtstrahl das
Papier.
Oft arbeiten CAD-Systeme mit zwei Bildschirmen,
wobei der eine als Grafik- und der andere als Text-
bildschirm genutzt wird. Grundvoraussetzung vieler
CAD-Programme sind Rechner ab 486 mit 16 MB-
RAM. Beispiele für Zeichenprogramme sind AUTO-
CAD, AUTOSKETCH und besonders auf die Bedürf-
nisse in der Elektrotechnik und Elektronik abgestellt
ORCAD und WSCAD. Zur Layouterstellung wird
häufig EAGLE eingesetzt und im Bereich der Simu-
lationsprogramme sind PSPICE und MICROCAP
und für den Ausbildungsbereich ELECTRONIC
WORKBENCH zu nennen.
Um CAD-Systeme richtig und effektiv einzusetzen
bedarf es einer gründlichen Einarbeitung.
3 Erstellen von Schaltplänen
Bei der Erstellung technischer Zeichnungen am
Bildschirm können Fehler schnell korrigiert werden.
Häufig verwendete Symbole sind in Bibliotheken
gesammelt und können dort abgerufen werden.
Sie lassen sich beim Laden beliebig plazieren und
können gedreht oder gespiegelt werden. Nachträg-
liches Verschieben von Baugruppen, Bauteilen,
Technische Kommunikation
Leitungen oder Schriften ermöglichen eine optimale
Darstellung. Mit Hilfe von Bauteileeditoren können
Bauteilebibliotheken selbst erweitert werden. Eigene
Symbole lassen sich somit herstellen und Vergöße-
rungen und Verkleinerungen sind problemlos durch-
zuführen. Da Zeichnungen reproduziert werden kön-
nen sind auch nachträgliche Änderungen möglich.
Die Zeichnungsausgabe erfolgt auf einem Drucker
oder Plotter. CAD-Zeichnungen lassen sich abspei-
chern und in andere Programme wie beispielsweise
Textverarbeitungsprogramme einfügen. Der Einsatz
von CAD bedeutet eine erhebliche Zeitersparnis
gegenüber Arbeiten am konventionellen Zeichen-
brett.
4 Erstellen von Layouts
EAGLE ist ein bekanntes und weitverbreitetes CAD-
Programm und für den Entwurf von Platinenlayouts
optimiert. Die Ausgabe der Layouts kann über Mat-
rixdrucker, Plotter, Fotoplotter, Laserdrucker und
Bohrmaschinen erfolgen. Mit dem Layout-Editor
lassen sich beliebige Leiterbahnbreiten, Lötaugenfor-
men und -durchmesser herstellen. Er kann für konven-
tionelle und SMD-Technik eingesetzt werden.
Schaltpläne können auch mit anderen CAD-Pro-
grammen beispielsweise mit ORCAD gezeichnet
werden. Die im Anschluß an die Zeichenarbeit er-
stellte Netzliste kann in EAGLE-Script-Dateien kon-
vertiert werden. In der Netzliste (Netlist) befinden
sich alle verwendeten Bauelemente und ihre Verbin-
dung untereinander.
 Beispiel: Entwurf einer gedruckten Schaltung mit dem Programm
EAGLE
Mit dem EDIT-Befehl wird der Schaltpan (Schematic) und mit
USE-Befehl die gewünschte Bibliothek (Library) geöffnet. Aus
dieser kann das entsprechende Bauteil gewählt und in einem zu-
vor gewählten Rahmen (Frames) plaziert werden. Der Schaltplan
nach Bild IV-1 kann mit den Befehlen „Schieben (MOVE), Lö-
schen (DELETE) und Drehen (ROTATE)“ korrigiert und geän-
dert werden. Bauelemente werden mit Namen (NAME) und Wert
(VALUE) eindeutig gekennzeichnet. Mit dem NET-Befehl lassen
sich die entsprechenden Verbindungen zeichnen und Verbin-
dungspunkte mit einem Lötpunkt (JUNCTION) versehen.
Der Befehl ERC (Electrical Rule Check) ermöglicht
eine Überprüfung der Verbindungen auf Kurzschlüs-
se. Mit dem Speicherbefehl (WRITE) wird die Schal-
tung abgespeichert.
Der BOARD-Befehl läßt auf dem Bildschirm eine
Leerplatine erscheinen mit allen Bauelementen des
Schaltplans nach Bild IV-2. Die dem Bauelement im
Schaltplan zugeordnete Bauform erscheint automa-
tisch. Man braucht sich beispielsweise keine Gedanken
mehr zu machen, ob das IC TLC272 mit 8 oder 14
PINs (Anschlüsse) versehen ist. Die Bauelemente sind
durch Luftlinien (Gummileitungen) miteinander so
verbunden, wie der Schaltplan dies vorgegeben hat.
IV CAD-Technik 515

U1
D1 7805
1 VI 3
+BATT V0
GND LED LED

10μF

10μF
1N4007

D3

D2
33k
39k
R4
R1

C2
C1
rt grn

4.7k
1.5k
R5
R2

560R

560R
R7

R8
8
3
1
U2A
2 TLC272P

4
VG64FMIR

5
7
6 U2B
TLC272P
27k

27k
R6
R3

+5V
+5V CC1
CC2
1
2
CC3
3
CC4
4
CC5
5
CC6
6
CC7
7
CC8
8
CC9
9
CC10
10
CC11
11
CC12
+12V CC13
12
+12V CC14
13
14
CC15
15
CC16
16
CC17
17
CC18
18
CC19
19
CC20
A0_0 CC21
20
A0_1 CC22
21
22
CC23
23
CC24
24
CC25
25
CC26
26
CC27
AI_3 CC28
27
AI_2 CC29
28
AI_1 CC30
29
AI_0 CC31
30
31
CC32
GND 32

U$2C

Bild IV-1
Schaltplan
Document: REV:
Anschluß für BASIC-EMUF
Date: 15.10.1994 09:09:16 Sheet: 1/1

Die Elemente können nach den Wünschen des Ent-
wicklers verschoben und auf die vorgegebene Leer-
platine plaziert werden (Bild IV-3).
Mit dem Befehl AUTO erfolgt ein automatisches
Routen (Herstellen des Layouts, Leiterplattenent-
flechtung) oder mit dem Befehl ROUTE ein manuel-
les. Am BOARD lassen sich anschließend auch noch
Korrekturen durchführen. Dies ist in der Praxis not-
wendig, nicht weil Verbindungen falsch gelegt oder
vergessen worden sind, sondern weil beispielsweise
Versorgungsspannungsleitungen breiter ausgelegt
werden sollen. Nach Abschluß der Designarbeit
erzeugt das Programm die verschiedenen Daten zur
Platinenherstellung. Hierzu gehören Layout, Lötmas-
ke, Lageplan und Stücklisten. Bild IV-4 zeigt den
Lagenplan und Bild IV-5 das entsprechende Layout.
516 Technische Kommunikation

TLC272
U$2C

7805
VG64FMIR

560R

U1
1.5k
U2
R2
32 1

R8

D1
D2

27k

39k
R1
R3
D3

560R
4.7k

33k
27k
R4
R5

R7

R6

10μF
10μF

C2
C1

Bild IV-2
Leerplatine und Bauelemente
IV CAD-Technik 517

U$2
VG64FMIR Bild IV-3
32 1 Anordnung der Bauelemente
auf der Platine

560R
R8
560R D2
R7
D3
TLC272
27k
R3
27k

R6

U2
4.7k
1.5k
R2

R5
R1
39k

33k
R4

10μF
10μF
C1

C2

7805
D1

U1

Von Hand erstellte Layouts haben den Nachteil, daß 6 Auswahl von CAD-Systemen
Fehler nie ganz ausgeschlossen werden können. Bei
CAD-Systemen treten keine Fehler mehr auf, wenn Entwurf gedruckter Schaltungen
das Programm richtig bedient wird. – Richtlinien zum Entwurf
– Herstellung gedruckter Schaltungen
– Stromlaufplan
5 Anwendungen in der Elektronik – Layouterstellung (Freihand, CAD)
– Elektronische Schaltungen – Bestückungsliste
– Schaltungsentwurf – Stückliste
– Entwurf gedruckter Schaltungen – Maske für Lötstoplack
– Layout – Bearbeitungszeichnung
– Leiterplattenentflechtung
– Stücklistenerstellung
– Bestückungsplan
 518

D1 32

D3

D2
560R 560R
R8 R7

E$11 U2

10μF TLC272
C2
U$2

U1
7805
10μF
VG64FMIR

C1 33k
R4
4.7k 27k
5.3 K/W R5 R6
1.5k 27k
SK-07 R2 R3
39k
R1
1

E$12
Lageplan
Bild IV-4
Technische Kommunikation
IV CAD-Technik 519

Bild IV-5
Layout

drb.2508RWP
 521

Datentechnik
I Digitaltechnik

1 Grundbegiffe der Digitaltechnik Die Wertetabelle drückt in übersichtlicher Weise aus,

welche Ausgangszustände sich bei allen möglichen
Als Teilgebiet der Elektronik, Automatisierungs-, Eingangszuständen ergeben. Der Impulszeitplan stellt
Nachrichten- und Datenverarbeitungstechnik kann den Zusammenhang zwischen Eingangs- und Aus-
mit Hilfe der Digitaltechnik eine große Zahl techni- gangssignalen dar und erlaubt damit den Zugang zu
scher Probleme gelöst und das Verständnis komple- den Meßtechniken. Informationseinheiten
xer Systeme gefördert werden. Im Gegensatz zu
analogen Schaltungen, wo Werte über einen Bereich
positive Logik negative Logik
kontinuierlich ausgegeben werden, können Ein- und
Ausgangssignale digitaler Schaltungen nur zwei
mögliche stabile Zustände annehmen. Man spricht 1 H-Pegel 0 H-Pegel
daher von einem binären System, das aufgrund der
Zweiwertigkeit logische Entscheidungen ermöglicht. 0 L-Pegel 1 L-Pegel
Die Schaltungen selber nennt man logische Schaltun-
gen. Hierbei sind die binären Zustände zwei Span- Bild I-1 Pegelzuordnung
nungswertbereichen (Pegeln) zugeordnet. Der niedri-
gere Spannungsbereich (näher an minus unendlich)
wird mit LOW und der positivere Spannungsbereich Informationseinheiten
(näher an plus unendlich) wird mit HIGH bezeichnet.
Die genauen Werte sind von der schaltungstechni- 1 Bit ("0" oder "1")
schen Realisierung abhängig. Soll technologieunab- 1 Byte = 2 = 8 Bit
10
hängig gearbeitet werden, also ohne auf die besonde- 1 kByte = 2 = 1024 Bit
20
ren Bedingungen zu achten, mit denen die Schaltung 1 MByte = 2 = 1048576 Bit
später vielleicht realisiert werden soll, werden die
binären Zustände mit den Zeichen „0“ und „1“ be- Begriffe
schrieben. Je nach gewähltem Bezugspunkt wird
zwischen positiver und negativer Logik unterschie- 1 0 1 1 0 1 1 0
den. Dabei entspricht bei positiver Logik die „1“ dem
H- und die „0“ dem L-Pegel; bei negativer Logik Bit Bit Bit Bit Bit Bit Bit Bit
dagegen die „0“ dem H- und die „1“ dem L-Pegel Tetrade Tetrade
(Bild I-1). Die Zeichen „0“ und „1“ heißen Bits. Das
Bit (Binary Digit = Binärzeichen) ist die kleinste Byte
Informationseinheit. Vier Bits ergeben eine Tetrade
oder Nibble, und 2 Tetraden ergeben ein Byte. Die Bild I-2 Informationseinheiten und Begriffe
nachfolgend größeren Informationseinheiten sind mit
Potenzen zur Basis 2 festgelegt (Bild I-2). Ein Byte Gleichungen sind Hilfsmittel, um mit dem Einsatz
nennt man in 8-Bit-Systemen auch „Wort“. Allge- der Schaltalgebra vereinfachte Schaltungen zu fin-
mein kann aber ein „Wort“ auch aus mehreren Bytes den. Die Aussage jeder dieser genannten Darstel-
zusammengesetzt sein. Die höchste und niederwer- lungsformen ist dabei dieselbe. Alle logischen Zu-
tigste Stelle eines Wortes wird besonders gekenn- sammenhänge in der Digitaltechnik lassen sich
zeichnet. Man spricht vom MSB (Most Significant durch die drei Grundverknüpfungen beziehungsweise
Bit) und vom LSB (Least Significant Bit). Grundfunktionen NICHT (Negation), UND (Kon-
Die Grundelemente digitaler Schaltungen sind logi- junktion) und ODER (Disjunktion) beschreiben.
sche Grundbausteine. Sie besitzen voneinander unab- Weitere abgeleitete Verknüpfungen vereinfachen die
hängige Eingänge und einen Ausgang, dessen Aus- Realisierung digitaler Schaltungen. Es handelt sich
gangsvariable jeweils von Eingangsvariablen ab- dabei um die Funktionen: NAND, NOR, Exclusiv
hängt. Bausteine mit solchen Grundverknüpfungen ODER (Antivalenz) und Exclusiv NOR (Äquiva-
nennt man Gatter. Jede Verknüpfung kann durch ein lenz).
Schaltzeichen, eine Wertetabelle (Wahrheitstabelle, Als Übersicht zeigt Bild I-3 die Schaltzeichen aller
Funktionstabelle), eine Gleichung oder einen Impuls- Grundverknüpfungen mit einer Funktionsbeschrei-
zeitplan (Funktionszeitplan) dargestellt werden. Die bung in Form einer Wertetabelle, eines Impulszeit-
grafische Darstellung mit Schaltzeichen wird ver- plans und einer Funktionsgleichung. Besitzt eine
wendet, um größere Zusammenhänge aufzuzeigen. Verknüpfung nur einen Eingang, sind zwei Eingangs-
522 Datentechnik

Schaltzeichen Wertetabelle Impulszeitplan Funktionsgleichung

UND B A Q A
0 0 0 t
A 0 1 0 B
& Q t
B 1 0 0
1 1 1 Q
t Q=A B

ODER B A Q A
0 0 0 t
A 0 1 1 B
>
=1 Q t
B 1 0 1
1 1 1 Q
t Q=A B

NICHT A Q A
0 1 t
1 0
A 1 Q
Q
t Q=A

NAND B A Q A
0 0 1 t
A 0 1 1 B
& Q t
B 1 0 1
1 1 0 Q
t Q=A B

NOR B A Q A
0 0 1 t
A 0 1 0 B
=
>1 Q t
B 1 0 0
1 1 0 Q
t Q=A B

Exclusiv B A Q A
ODER 0 0 0 t
A 0 1 1 B
=1 Q t
B 1 0 1
1 1 0 Q
t Q=A B

Exclusiv B A Q A
NOR 0 0 1 t
A 0 1 0 B
= Q
B 1 0 0 t
Q Bild I-3
1 1 1 Q=A B
t Logische Verknüpfungen

kombinationen, bei zwei Eingängen vier verschie- 2.1.1 NICHT-Verknüpfung

dene Eingangskombinationen möglich. Bei n-Ein-
gängen gibt es 2n verschiedene Eingangskombinatio-
nen.
2 Logische Grundschaltungen
2.1 Grundverknüpfungen
Einfache Schaltungen aus Leuchtdiode und Schalter,
bei der die Eingangsgröße der Schalter mit den Zu-
ordnungen: Schalter offen = „0“ und Schalter ge-
schlossen = „1“, und die Ausgangsgröße die Leucht-
diode mit den Zuordnungen: LED leuchtet nicht =
„0“ und LED leuchtet = „1“ ist, verdeutlichen die
jeweilige Funktion (Bild I-4).
Die NICHT-Verknüpfung (NOT) hat nur eine Ein-
gangsvariable. Da die Ausgangsvariable immer den
entgegengesetzten Wert der Eingangsvariablen an-
nimmt, spricht man auch von einem Inverter. Ist der
Schalter geöffnet („0“), kann Strom durch die
Leuchtdiode fließen und sie leuchtet („1“). Bei ge-
schlossenem Schalter („1“) ist die Diode kurzge-
schlossen. Damit fließt durch die Leuchtdiode kein
Strom und sie leuchtet nicht („0“).
2.1.2 UND-Verknüpfung
Eine UND-Verknüpfung (AND) besitzt mindestens
zwei Eingangsvariable. Der Ausgang wird nur „1“,
wenn alle Eingänge „1“ sind, wenn also A UND B
I Digitaltechnik 523

R sieren. In der Elektronik werden Schalter durch

Bild I-4
Grundverknüpfungen Dioden und Transistoren ersetzt. Bild I-5 zeigt
+ Grundverknüpfungen solcher Bauelemente. Man
S spricht auch von Dioden-Widerstandslogik oder
NICHT
– Transistor-Diodenlogik. Ihr Einsatz ist so heute nicht
mehr üblich. Die Schaltungen dienen lediglich zum
Grundverständnis logischer Schaltungen.
S1 S2 Der Eingang ist jeweils mit A beziehungsweise B und
R
der Ausgang mit Q gekennzeichnet. Bei der UND-
Schaltung stellt sich beispielsweise nur die Spannung
+ +5 V („1“) am Ausgang ein, wenn A und B an +5 V
UND („1“) liegen, weil dann beide Dioden gesperrt sind. In
– den drei möglichen anderen Fällen ergibt sich eine
Spannung von ca. 0,7 V („0“) am Ausgang.
Bei der ODER-Schaltung reicht es, wenn A oder B
auf +5 V liegt, um am Ausgang ungefähr 5 V („1“)
R S1 zu erzeugen.
S2
Liegt bei der NICHT-Schaltung A auf Masse („0“),
+ ist der Transistor gesperrt, und die Ausgangsspan-
ODER nung nimmt den Betriebsspannungswert +5 V („1“)
– an. Der Transistor schaltet nur durch, wenn der Ein-
gang A mit +5 V („1“) verbunden wird. Die Aus-
gangsspannung beträgt in diesem Fall etwa 0,2 V
UND n gleichzeitig 1 ist. Die Schaltung zeigt, daß die („0“).
Diode nur leuchten kann („1“ ergibt), wenn der eine Heute setzt man integrierte Standardbausteine ein.
UND der andere Schalter geschlossen ist (also „1“ Die angebotenen Logikfamilien unterscheiden sich
aufweist). durch unterschiedliche Pegel, durch Verlustleistungen
und Laufzeiten. Die Bausteine selbst besitzen oft
2.1.3 ODER-Verknüpfung mehrere Gatter (Bild I-6).
Eine ODER-Verknüpfung (OR) erhält am Ausgang Ihre PIN- oder Anschlußbelegung können aus den
dann eine „1“, sobald eine Eingangsvariable „1“ ist, entsprechenden Datenbüchern entnommen werden.
wenn also ein ODER zwei ODER n-Eingänge „1“ Bei Betrachtung des IC’s von oben (On Top) ist die
sind. In der Schaltung leuchtet die Diode („1“), so- Zählrichtung immer von links oben nach rechts oben.
bald einer der Schalter geschlossen („1“) ist. Bei der Darstellung von Funktionsplänen werden die
Betriebsspannungsanschlüsse nicht mit gezeichnet.
2.2 Realisierungsmöglichkeiten Als Beispiel dient ein Baustein mit vier NAND-
logischer Verknüpfungen Gattern. Weitere Beispiele sind in den Kapiteln
Logische Verknüpfungen lassen sich durch Mechanik „Integrierte Schaltungen“ und „Programmierbare Lo-
(Schalter, Schütze), Elektronik oder Software reali- gikbausteine“ zu finden.

5V 5V 5V 5V

R R1 R2 R1 R2
A V1 Q Q
A V1 Q V1 V2 V1 V2
B V2 Q A V3 A V3
B V2
B
R
V3

UND ODER NICHT NAND

UA UB UQ UA UB UQ UA UQ UA UB UQ
0V 0V 0,7V 0V 0V 0,7V 0V 5,0V 0V 0V 5,0V
0V 5V 0,7V 0V 5V 5,0V 5V 0,2V 0V 5V 5,0V
5V 0V 0,7V 5V 0V 5,0V 5V 0V 5,0V
5V 5V 5,0V 5V 5V 5,0V 5V 5V 0,7V
Bild I-5 Dioden- und Transistorlogik
524 Datentechnik

Zählrichtung Betriebsspannung PIN-Belegung

+5V
1 14 1 14
2 13 2 13 & &
3 12 3 12

7400
4 IC 11 4 11
5 10 5 10 & &
6 9 6 9
7 8 7 8
Zählrichtung
von oben gesehen!

Bild I-6 Standardbaustein mit NAND-Gattern

Schaltalgebra

Symbole für Vorrangregel Verknüpfung mit

Verknüpfungszeichen einer Konstanten
Q= A B C
UND A B A B Q = A (B C) A
& Q=A
ODER + A B A +B A 1
NICHT A A B & Q A
C & & Q =0
XOR + A B A +B 0
A >
Erweiterung 1 =1 Q = 1
Q =A A Q =A A A >
A A > A 0 =1 Q = A
A & Q & Q >
A
A
A A =1 Q A
A =1 Q

Kommutativgesetz Verknüpfung mit

A B=B A A B= B A dem Komplement
A & Q B & Q A > B > A
B A B =1 Q A =1 Q
A & Q=0

Assoziativgesetz A >
A =1 Q = 1
(A B) C = A (B C) (A B) C = A (B C)
A A >
& B =1 > Doppelnegation
B & Q =1 Q
C A C A
B & Q B =>1 Q A=A
A C A C
& B >1 > A
B & Q =1 Q A 1 1 A
C C =

Distributivgesetz Abgeleitete Regeln

A (B C) = (A B) (A C) A (B C) = (A B) (A C) A (A B)= A B
A A A (A B)= A
B >1 & Q >
B & =1 Q
C = C A B A B =A B
A (A B) = A B
B B > A (A B) = A
& =1
A >
=1 Q A & Q
>
C &
C =1

De Morgansche Gesetz
A B=A B A B=A B
A & Q A > A >1 Q A & Q Bild I-7
B B =1 Q B = B Regeln und Gesetze der Schaltalgebra
I Digitaltechnik 525

3 Schaltalgebra Das De Morgansche Gesetz hilft bei der Umsetzung

3.1 Allgemeines
Die Schaltalgebra ist ein Hilfsmittel zur mathemati-
schen Beschreibung logischer Funktionen. Mit ihren
Regeln und Gesetzen können Gleichungen umge-
formt, vereinfacht und so Schaltungen optimal reali-
siert werden (Synthese von Schaltungen). Für die
Verknüpfungszeichen von Variablen existieren unter-
schiedliche Darstellungen. Die beiden in der Digital-
technik häufig angewandten Formen sind in der
Übersicht (Bild I-7) mit aufgeführt.
In der Schaltalgebra muß eine bestimmte Rangfolge
der Operationen eingehalten werden. Sie besagt, daß
NICHT-Verknüpfungen vor UND- und ODER-Ver-
knüpfungen durchzuführen sind (Vorrangregel). Das
Kommutativgesetz wird auch Vertauschungsgesetz
genannt. Danach können die einzelnen Eingangsvari-
ablen vertauscht werden. So darf beispielsweise nach
Bild I-4 bei der UND-Verknüpfung zuerst S1 und
dann S2 oder umgekehrt geschaltet werden. Die
Reihenfolge der Schalter hat keinen Einfluß auf die
Funktion der Gesamtschaltung. Dasselbe gilt auch für
die Parallelschaltung der Schalter bei der ODER-
Verknüpfung.
Mit dem Assoziativgesetz werden Variable einer
UND- oder einer ODER-Verknüpfung zusammen-
gefaßt. Weil das Assoziativgesetz Variable durch
Klammern verbindet, heißt das Gesetz auch Verbin-
dungsgesetz. Klammern können hierbei gesetzt oder
fortgelassen werden. Wird für eine Schaltung eine
festgelegte Anzahl von Eingängen benötigt, läßt sich
die Aufgabe mit diesem Gesetz lösen.
Das Distributiv- oder Verteilungsgesetz ist aus der
Algebra bekannt. Hiermit kann eine gemeinsame
Variable ausgeklammert werden.
der Grundfunktionen in NOR- und NAND-Technik.
Eine NAND-Verknüpfung der Variablen A und B
kann durch Negierung dieser Variablen in eine O-
DER-Verknüpfung umgewandelt werden, und bei
einer NOR-Verknüpfung ist durch Negieren der
Variablen ein Ersatz durch UND möglich (siehe auch
Bild I-11). Da alle Grundfunktionen durch NAND
oder NOR nachgebildet werden können (Bild I-12),
läßt sich die Lagerhaltung durch den Einsatz dieser
Techniken verkleinern.
Im Bild I-7 sind die Verknüpfungen mit einer Kon-
stanten und wichtige abgeleitete Regeln zusammen-
gefaßt. Sind beispielsweise Doppelnegierungen bei
einer Variablen vorhanden, so heben sich diese prak-
tisch auf. Eine Erweiterung mit einer einmal vorhan-
denen Variablen darf immer durchgeführt werden,
weil hiermit das Resultat nicht beeinflußt wird.
Vom Absorptionsgesetz spricht man, wenn eine der
Variablen keine Auswirkung auf das Ergebnis hat.
Bei der Analyse logischer Schaltungen können mit
Hilfe der Schaltalgebra Schaltfunktionen in die ent-
sprechende Wertetabelle umgesetzt werden. Erfolgt
die Programmierung in der SPS mit nicht grafikfähi-
gen Programmiergeräten, sind ebenfalls Kenntnisse
der Schaltalgebra zur richtigen Programmierung not-
wendig.
3.2 Normalform einer binären Funktion
3.2.1 Disjunktive Normalform
Geht man von der Wertetabelle im Bild I-8 aus, kann
für jede Zeile dieser Tabelle ein Funktionsterm ge-
schrieben werden. Für Zeile 1 zum Beispiel: /A /B /C
(sprich: A nicht UND B nicht UND C nicht). Die so
durch UND verknüpften Funktionsterme nennt

Wertetabelle Minterme Maxterme

C B A Q
0 0 0 1 A B C A B C A B C
0 0 1 1 A B C A B C A B C
0 1 0 0 A B C A B C A B C
0 1 1 0 A B C A B C A B C
1 0 0 1 A B C A B C A B C
1 0 1 0 A B C A B C A B C
1 1 0 1 A B C A B C A B C
1 1 1 0 A B C A B C A B C

Gleichungen

Konjunktive Normalform
Q=A B C A B C A B C A B C (I-1)
Q=A B C A B C A B C A B C (I-2)
Q=Q (I-3)
Bild I-8
Disjunktive Normalform
Disjunktive und konjunk-
Q = (A B C) (A B C) ( A B C) (A B C) (I-4) tive Normalform
526 Datentechnik

man Minterme. Von Interesse ist, wann die Funktion
„1“ ist. Sie soll nach der Wertetabelle den Wert „1“
erhalten in der Zeile 0, ODER in Zeile 1, ODER in
Zeile 4, ODER in Zeile 6. Damit läßt sich die Glei-
chung (I.1) für Q aufstellen. Man spricht von der
disjunktiven (ODER-) Normalform (DNF). Sind in
einer Wertetabelle die Anzahl der „0“-Funktionen für
Q geringer, ist es günstiger, die Gleichung für /Q
aufzustellen und anschließend das Ergebnis zu inver-
tieren.
3.2.2 Konjunktive Normalform
Die konjunktive (UND-) Normalform (KNF) erhält
man, wenn die Maxterme, also alle ODER-Verknüp-
fungen, die Q = „0“ ergeben, UND-verknüpft werden
(I.4). Jede Schaltung läßt sich durch eine Gleichung
in disjunktiver oder konjunktiver Normalform be-
schreiben.
3.2.3 Umwandeln der Gleichung in Schaltzeichen
A B C A B C A B C A B C
& & & &
Q
Bild I-9 Umsetzung einer Gleichung in eine Schal-
tung
Gleichungen lassen sich in die genormte Darstellung
umwandeln, indem die entsprechenden Schaltzeichen
der Verknüpfungen gezeichnet werden, wie das
beispielhaft für die Gleichung (I.1) im Bild I-9 ge-
zeigt wird.
Oft sind keine negierten Eingänge wie /A, /B, /C
vorhanden. Dann heißen die Eingänge A, B und C,
und die notwendige Invertierung wird durch ein
NICHT-Gatter realisiert. Bild I-10 verdeutlicht dies
an der Umsetzung der Gleichungen (I.1) und (I.4),
wobei die Eingangsinverter durch die Invertierungs-
zeichen dargestellt sind.
3.2.4 Schaltungsminimierung
mit Hilfe der Schaltalgebra
Mit Hilfe der Schaltalgebra lassen sich die Gleichun-
gen vereinfachen und in eine digitale Schaltung
umsetzen. Bild I-11 zeigt die Vereinfachung der
Gleichung (I.1).
Mit dem Distributivgesetz erhält man eine ODER-
Verknüpfung mit dem Komplement der Variablen.
Da dies „1“ ergibt, kann die entsprechende Variable
aufgrund der UND-Verknüpfung mit dieser Konstan-
te entfallen. Das Ergebnis bildet die Gleichung (I.5).
Zur besseren Übersicht werden bei den Gleichungen
die UND-Zeichen fortgelassen.
3.2.5 Umsetzung in NAND- oder NOR-Technik
Jede Grundfunktion läßt sich nach Bild I-12 durch
NAND- oder NOR-Funktionen ersetzen.
Besteht nun der Wunsch, die Schaltung nach Glei-
chung (I.4) nur aus NAND- oder NOR-Bausteinen
aufzubauen, werden die Bausteine entsprechend
eingesetzt, und man erhält eine funktionsfähige
Schaltung. Treten hierbei Doppelnegierungen auf,

nach (I-1) nach (I-4)

C B A C B A

&

&
Q & Q
&

Bild I-10
& Schaltungen aus den
Gleichungen (I.1) und (I.4)

Q=A B C A B C A B C A B C C B A
1
Q= ABC ABC ABC AB C
&
Q = AB (C C) AC (B B) 1 Q
Q = AB 1 AC 1
&
Q = AB AC 1 Bild I-11
Schaltungsminimierung
I Digitaltechnik 527

Grundfunktion Ersatz durch NAND Ersatz durch NOR

A & Q &

A
& Q
B

&
A
Q & &
B
&

A
& Q & &
B

Bild I-12
& Ersatz der Grundfunk-
A
B
& Q & tionen durch
& NAND- und
NOR-Technik

C B A
3 x NICHT 2 x UND 1 x ODER
&
& & &
&
& Q
& & &
&

C B A
3 x NICHT 2 x UND 1 x ODER

Bild I-13
Umsetzung einer Schaltung
in NAND- und NOR-Technik

dürfen Gatter entfallen, wie dies im Bild I-13 am
Beispiel der Umsetzung in NAND- und NOR-
Technik gezeigt wird. NAND-Technik
Die Gesamtschaltung benötigt dann eine geringere
Anzahl an Gattern. NOR-Technik
Das umständliche Verfahren, andere Grundfunktio-
nen so durch NAND zu ersetzen, kann umgangen
werden, wenn die Ausgangsgleichung sofort nach
de Morgan umgewandelt wird. Hierbei wird bei Ände-
rung des Verknüpfungszeichens (aus UND wird
ODER und umgekehrt) eine Negierung über beide
Variable aufgetrennt.
Bild I-14 weist dies in Form einer Tabelle nach. Die
eigentliche Umwandlung kann ganz formal erfolgen
(Bild I-15). Gleichung (I.5) wird zweimal negiert.
Dadurch ändert sich die Gleichung nicht. Nun wird,
unter Ersatz des ODER-Zeichens durch das UND-
Zeichen, die untere Invertierung überall dort, wo sich
das ODER-Zeichen befindet, unterbrochen. Jede
Invertierung wird dann zu einem NAND erweitert.
528 Datentechnik

A B A B A B A B A B A B A B A B
0 0 1 0 1 1 1 1 1 0
0 1 1 1 0 1 0 1 0 1
1 0 1 1 0 0 1 1 0 1
1 1 0 1 0 0 0 0 0 1
Bild I-14
Umwandlung
nach de Morgan

&
Q= AB AC (I-5)

& &
Q= AB AC

& & &

A B A C A B A C Q= AB AC (I-6) Bild I-15

Umsetzung
nach NAND

Der Vorteil in diesem Verfahren liegt darin, daß man werden, wie das in Bild I-17 aus der Entwicklung der
in der Gleichung (I.6) schon die Schaltung „sehen“ Gleichung I.7 dargestellt ist. Man spricht dann von
kann. De Morgan einer Vermaschung.
Tritt die Forderung nach NAND mit nur zwei Ein-
gängen auf, werden die entsprechenden Doppelne- ABCD ABCD ABCD (I-7)
gierungen in eine Gleichung eingefügt. Die Umset-
zung der Gleichung (I.7) in NAND-Technik zur
NAND-Form Gleichung (I.8) und der Ergebnisbil- ABCD ABCD ABCD (I-8)
dung Gleichung (I.9) werden im Bild I-16 verdeut-
licht.
Eine aus dieser Gleichung erstellte Schaltung ist recht ABCD ABCD ABCD (I-9)
aufwendig. Sie kann rationeller hergestellt werden,
wenn vorhandene Verknüpfungen mehrmals genutzt Bild I-16 NAND-Umwandlung für zwei Eingänge

A B C D

&
&
&

& &
& &
&
& Q
&

& & &

& &
& &

& Bild I-17

Vermaschung
I Digitaltechnik 529

Wertetabelle Aufteilung der Variablen

Zeile B A A A A A
0 0 0 B B
1 0 1
2 1 0 B B
3 1 1

Zuordnung der Zeilen

Zeile B A A A A A
0 0 0 A B
B A B A B B 3 2
1 0 1 A B
2 1 0 A B
B A B A B B 1 0
3 1 1 A B

Vereinfachung

Zeile B A Q A A A A
0 0 0 1 B 1 Q= A B B 1
1 0 1 0
2 1 0 1 B 1 Q= A B B 1
3 1 1 0

Q= A B A B=A Q=A
Bild I-18 Entwicklung der KV-Tabelle

3.2.6 KV-Tabelle UND verbunden. Für die Ergebnisbildung muß jede

Das von Karnaugh und Veitch entwickelte Verfahren
ist praktisch eine besondere Art, eine Wertetabelle zu
schreiben. Jedem Kästchen des Diagramms ist eine
Zeile der Wertetabelle zugeordnet. Damit ergibt sich
die Anzahl der Felder aus der Zahl der Eingangskom-
binationen. Die Anordnung erfolgt so, daß sich je-
weils von Feld zu Feld nur eine Variable ändern darf
(Bild I-18).
Im Bild sind die entsprechenden Felder schraffiert und
die Zuordnung der Zeilen zu den Feldern gekenn-
zeichnet. Vergleicht man zwei benachbarte Felder und
verknüpfen die dafür stehenden konjunktiven (UND-)
Verknüpfungen disjunktiv (ODER), wie in der Glei-
chung dargestellt, dann läßt sich erkennen, daß nach
einer Vereinfachung nur eine Variable das Ergebnis
bildet. Damit sind Vereinfachungen durch Schleifen-
bildung möglich. Bild I-19 zeigt verschiedene Dar-
stellungen von KV-Tafeln für 2 bis 5 Variable.
Verknüpft, d.h. zu Schleifen zusammengefaßt, wer-
den dürfen immer nur 2, 4, 8 . . ., also 2n Variable in
senkrecht oder waagerecht nebeneinander liegenden
benachbarten Feldern. Die Randfelder gelten eben-
falls als benachbart.
Bild I-20 zeigt hierzu Beispiele mit den sich hieraus
ergebenden Gleichungen. Alle Schleifen sind durch
dieser Schleifen durch ODER verknüpft werden. Eine
teilweise gegenseitige Überdeckung der Schleifen ist
hierbei zulässig. Es sollten möglichst viele Variable
in die Schleifenbildung einbezogen werden, um so
den Gesamtausdruck der Gleichung zu verkleinern.
Damit reduzieren sich die benötigten Bauelemente
einer Schaltung unter Umständen erheblich. Können
bestimmte Eingangskombinationen nicht auftreten,
dann darf dies in der KV-Tafel gekennzeichnet wer-
den (z.B. durch ein x). Für eine optimale Lösung
werden diese Felder mit in die Schleifenbildung
einbezogen.
3.2.7 Analyse logischer Schaltungen
Soll eine Übersicht über alle möglichen Ausgangs-
zustände in Abhängigkeit der jeweiligen Eingänge
erstellt werden, ist die Wertetabelle eine geeignete
Darstellungsform. Wird sie aus einer Schaltung
ermittelt, spricht man von der Analyse einer digitalen
Schaltung.
Bild I-21 zeigt beispielhaft einen Lösungsweg auf.
An die Ausgänge der Gatter werden die entsprechen-
den Verknüpfungsgleichungen (hier Q0 bis Q4)
geschrieben und mit ihren jeweiligen Zuständen „1“
beziehungsweise „0“ in eine Tabelle eingeordnet. Der
530 Datentechnik

für 2 Variable
Wertetabelle
Zeile BA A
A A B 1 0
0 0 0 B 3 2 1
1 0 1
2 1 0 B 1 0 0
3 1 1

für 3 Variable
A
Zeile CB A A A BC 1 0
0 0 0 0 3 2 C 11
1 0 0 1 B
2 0 1 0 7 6 10
3 0 1 1 C
4 1 0 0 5 4 00
5 1 0 1 B
6 1 1 0 1 0 C 01
7 1 1 1

für 4 Variable
BA
Zeile D C B A A A DC 11 10 00 01
0 0 0 0 0 3 7 6 2 D 11
1 0 0 0 1 B
2 0 0 1 0 11 15 14 10 10
3 0 0 1 1 D
4 0 1 0 0 9 13 12 8 00
5 0 1 0 1 B
6 0 1 1 0 1 5 4 0 D 01
7 0 1 1 1
8 1 0 0 0 C C C
9 1 0 0 1
10 1 0 1 0
11 1 0 1 1
12 1 1 0 0
13 1 1 0 1
14 1 1 1 0
15 1 1 1 1

für 5 Variable
CBA
A A ED 111 110 100 101 001 000 010 011
D 11
B
10
D
00 Bild I-19
B KV-Diagramme
D 01
für 2 bis 5 Variable
C C C C C
E E E

Ausgang Q = Q2 v Q3 v Q4 beinhaltet dann die
eigentliche Lösung. Es kann eine Überprüfung der
gefundenen Gleichung vorgenommen werden, wenn
die Lösungsgleichung mit den Regeln der Schalt-
algebra vereinfacht wird.
3.2.8 Synthese logischer Schaltungen
Soll eine Schaltung entworfen werden, spricht man
von der Synthese einer Schaltung. Das meist in ver-
baler Form vorliegende Problem wird skizziert, und
Variable und Ausgänge werden entsprechend zuge-
ordnet. Über eine Wertetabelle werden bei allen
möglichen Eingangskombinationen die gewünschten
oder geforderten Ausgangskombinationen beschrie-
ben. Anschließend erfolgt die Umsetzung der Werte-
tabelle in eine Gleichung, die dann gegebenenfalls
vereinfacht wird. Über diese Gleichung wird die
Schaltung gezeichnet. Anschließend wählt man die
entsprechenden Standardbausteine zur Realisierung
der Schaltung aus.
 Beispiel 1: Eine Anlage soll von drei Temperatursensoren über-
wacht werden. Überschreitet die Temperatur einen vorgegebenen
Wert, soll eine Meldung durch eine Anzeige erfolgen. Dies ist
immer dann der Fall, wenn mindestens zwei der Sensoren „1“
melden. Die Schaltung soll mit dem Standardbaustein 7400 reali-
siert werden. Bild I-22 zeigt das Technologieschema, die Werte-
tabelle und eine mögliche Lösung.
 Beispiel 2: Konzeption eines Dual-Gray-Codierers. Ziel der
Schaltung ist es, eine anliegende 4-Bit-Dualzahl in den Graycode
umzuwandeln. Die Schaltung besitzt jeweils 4 Ein- und Aus-
gänge. Zur Lösung der Aufgabe empfiehlt es sich, zunächst wie-
der die Wertetabelle aufzustellen (Bild I-23).
I Digitaltechnik 531

A A A A A A A A

1 C 1 C C
B B B B
1 1 1
C C C
1 1 1
Q2 = AB
B B B B
C 1 C 1 1 C
Q1 = BC
Q = AB Q=C Q = AC Q = BC AB

A A A A A A

1 1 D 1 1 D 1 1 1 D
B B B
x x x x
D D D
x x x
B B B
1 1 1 1 D 1 1 D 1 1 D

C C C C C C C C C
Q1= CD Q2 = BD Q1= A Q2 = BC

Q = CD BD Q = CD Q=A BC

Bild I-20 Beispiele für Schleifenbildung Analyse

Schaltung Gleichungen
C B A
Q0 = A Q =Q4 Q3 Q2
1 Q4 = AB
& Q =AB AC BC
Q =AB AC BC
Q3 = AC
& = Q

Q1= BC Q2 = BC
& 1

Tabelle:
C B A Q0 = A Q1= BC Q2 = BC Q3 = AC Q4 = AB Q = Q2 Q3 Q4

0 0 0 1 1 0 0 0 0
0 0 1 0 1 0 0 0 0
0 1 0 1 1 0 0 1 1
0 1 1 0 1 0 0 0 0
1 0 0 1 1 0 1 0 1
1 0 1 0 1 0 0 0 0
1 1 0 1 0 1 1 1 1
1 1 1 0 0 1 0 0 1

Nachweis:

C B A Q
Q = ABC ABC ABC ABC
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 0
1 0 0 1 Q= AB AC BC
1 0 1 0
1 1 0 1 Bild I-21
1 1 1 1 Analyse einer Schaltung
532 Datentechnik

Technologieschema

T1

Anlage T2 Schaltung Meldung M

T3

Wertetabelle Gleichung
T3 T2 T1 M M = T1 T2 T3 T1 T2 T3 T1 T2 T3 T1 T2 T3
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 1 M = T1 T2 T1 T3 T2 T3

Schaltung aus der Gleichung Umwandlung nach NAND

T3 T2 T1
M = T1 T2 T1 T3 T2 T3
&

& >1 M M = T1 T2 T1 T3 T2 T3
=

&

Zuordnung der PIN-Belegung

T3 T2 T1
IC 1 IC 2
1 3 4
2 & 5 & 6M
4
6
5 & 12 1
& 11 & 3
9
8 13 2
10 &
Bild I-22
IC = 7400 Synthese einer Schaltung

4 Zahlensysteme in der Digital- 4.1 Dualsystem Synthese

und Datenverarbeitung
Zahlen in der Digitaltechnik werden in binärer Form
dargestellt. In der Datenverarbeitung sind das Dual-
system und das Hexadezimalsystem von Bedeutung.
Jedes Zahlensystem besteht aus einer Anzahl von
Ziffern zu einer Basis. Der Exponent bestimmt den
Stellenwert, also die Wertigkeit der Ziffer. Die Zif-
fern selbst sind die Faktoren der Stellenwerte. Beim
Dualsystem liegt die Basis 2 mit den Zeichen „0“ und
„1“ und beim Hexadezimalsystem die Basis 16 mit
den Zeichen „0“ bis „F“ zugrunde. Das Dezimalsys-
tem mit der Basis 10 besitzt einen Ziffernvorrat von
„0“ bis „9“, also 10 Zeichen oder Ziffern. Bild I-24
zeigt die drei Zahlensysteme im Vergleich.
4.1.1 Bildung der Dualzahlen
und Umwandlung in Dezimalzahlen
Im Dualsystem (Zweiersystem) werden nur die Zif-
fern „0“ und „1“ verwendet. Die Dualzahlen werden
vom Prinzip her wie die Dezimalzahlen gebildet. Der
Wert der Dualzahl ist die Summe der Produkte von
Ziffer und Stellenwert. An zwei Beispielen wird dies
durch Umwandlung einer Dual- in eine Dezimalzahl
verdeutlicht (Bild I-25).
4.1.2 Umwandlung dezimal nach dual
Die Dualzahl aus der Dezimalzahl erhält man, indem
die Dezimalzahl jeweils durch zwei dividiert wird.
Treten Restbeträge auf, wird dies durch „1“, sonst
I Digitaltechnik 533

Wertetabelle Q0 Q1
A A
Dual Gray 1 1 1 1
B B
D C B A Q3 Q2 Q1 Q0 1 1 1 1
D D
0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1
0 0 0 1 0 0 0 1
0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1
0 0 1 1 0 0 1 0
0 1 0 0 0 1 1 0 C C
0 1 0 1 0 1 1 1
0 1 1 0 0 1 0 1 Q2 Q3
0 1 1 1 0 1 0 0 A A
1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
1 0 0 1 1 1 0 1 B B
1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
1 0 1 1 1 1 1 0
1 1 0 0 1 0 1 0 D D
1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1
1 1 1 0 1 0 0 1
1 1 1 1 1 0 0 0 1 1
C C

Gleichung 1 Schaltung 1 Gleichung 2 Schaltung 2

Q0 = AB AB DCB A Q0 = A B DCBA
Q1 = BC BC Q1 = B C
Q2 = CD CD & Q2 = C D =1 Q0
Q3 = D 1 Q3 = D
>1 Q0 =1 Q1
=

1 =1 Q2
&
Q3
&
>1 Q1
=
1 &

1 &
>1 Q2
=

&
Bild I-23
Q3 Synthese einer Schaltung
Synthese Zahlensystem

Dezimalsystem Dualsystem Hexadezimalsystem

101 100 23 22 21 20 161 160

Basis
Ziffernvorrat
0 0 0
1 1 1
2 1 0 2
3 1 1 3
4 1 0 0 4
5 1 0 1 5
6 1 1 0 6
7 1 1 1 7
8 1 0 0 0 8
9 1 0 0 1 9
1 0 1 0 1 0 A
1 1 1 0 1 1 B
1 2 1 1 0 0 C
1 3 1 1 0 1 D
1 4 1 1 1 0 E
1 5 1 1 1 1 F
1 6 0 0 0 0 1 0
1 7 0 0 0 1 1 1
1 8 0 0 1 0 1 2
1 9 0 0 1 1 1 3
Bild I-24
2 0 0 1 0 0 1 4 Zahlensysteme
534 Datentechnik

4 3 2 1 0 –1 –2 –3 –4
2 2 2 2 2 0 2 2 2 2 Bild I-25
Umwandlung von Dual-
in Dezimalzahlen
Beispiel 1 Beispiel 2
1 0 1 0 1 0 1 0 (2) 1 0 1 0 ,1 0 1 (2)
0 –3
0*2 = 0 (10) 1*2 = 0,125 (10)
1 –2
1*2 = 2 (10) 0*2 = 0 (10)
2 –1
0*2 = 0 (10) 1*2 = 0,5 (10)
3 0
1*2 = 8 (10) 0*2 = 0 (10)
4 1
0*2 = 0 (10) 1*2 = 2 (10)
5 2
1*2 = 32 (10) 0*2 = 0 (10)
6 3
0*2 = 0 (10) 1*2 = 8 (10)
7
1*2 = 128 (10)
10,625 (10)
170 (10)

135 (10) 10,625 (10)

135 : 2 = 67 Rest 1 10 : 2 = 5 Rest 0
67 : 2 = 33 Rest 1 5 : 2 = 2 Rest 1
33 : 2 = 16 Rest 1 2 : 2 = 1 Rest 0
16 : 2 = 8 Rest 0 1 : 2 = 0 Rest 1
8 : 2 = 4 Rest 0
4 : 2 = 2 Rest 0
1 0 1 0, 1 0 1
2 : 2 = 1 Rest 0
1 : 2 = 0 Rest 1
1,25 Bild I-26
: 2 0,625*2 =
0,25 *2 = 0,5 Umwandlung von
1 0 0 0 0 1 1 1 (2) 0,5 *2 = 1 Dezimal- in Dualzahlen

durch „0“ gekennzeichnet. Die Folge der sich erge- 4.3 Rechnen mit Dualzahlen
benden 0- und 1-Werte entspricht dann der Dualzahl.
Bild I-28 zeigt die Grundregeln für zweistellige
Man sucht also die in der Dezimalzahl enthaltenen
Dualzahlen und Beispiele für mehrstellige Dual-
Zweierpotenzen. Zahlen hinter dem Komma werden
zahlen, wo die jeweilige Dezimalzahl im Vergleich
mit 2 multipliziert und das Vorkommaergebnis je-
mit angegeben ist. Bei der Addition entsteht bei der
weils hinter das Komma der Dualzahl übertragen
Summenbildung 1 + 1 ein Übertrag, der zur nächst-
(Bild I-26).
höheren Stelle addiert werden muß. Bei der Subtrak-
4.2 Hexadezimalsystem tion 0 – 1 muß eine Zahl von der nächsthöheren Stelle
geholt (geborgt) werden. Die Multiplikation erfolgt
Für die Darstellung der dezimalen Zahlen 10 bis 15 wie bei den Dezimalzahlen durch Teilproduktbildung
werden im Hexadezimalsystem die zusätzlichen Zei- mit anschließender Addition. Bei der Division wird
chen A, B, C, D, E und F verwendet. Bei großen festgestellt, wie oft der Dividend im Divisor enthalten
Zahlenwerten benötigen Dualzahlen sehr viele Zif- ist. Dies geschieht wie bei dem Dezimalsystem durch
fern. Sie werden unübersichtlich lang und damit un- Subtraktion.
handlich. Man verwendet daher Hexadezimalzahlen,
die sich auf einfache Weise aus Dualzahlen bilden 4.4 Zahlen in Rechenanlagen
lassen. Jeder Tetrade wird eine Hexadezimalzahl zu-
4.4.1 Darstellung von Zahlen
geordnet. Die Umwandlung einer Hexadezimalzahl in
eine Dezimalzahl und umgekehrt erfolgt vom Prinzip In Rechenanlagen unterscheidet man die Darstellung
her wie die Umwandlung beim Dualsystem. Bild I-27 als Festpunkt- oder Gleitpunktzahl. Bei den Fest-
führt ein Beispiel auf. punktzahlen erfolgt die Kennzeichnung einer positi-
1 1 11 0 0 0 0 10 10 0 10 1 (2)
ven Zahl mit dem MSB = „0“ (MSB = Most Signifi-
cant Bit = Höchstwertigstes Bit), und die negative
F 0 A 5
Zahl besitzt „1“ als MSB (Bild I-29). Da die negative
F0A 5 (16)
0
5 * 161 = 5
Zahl im Zweierkomplement dargestellt ist, setzt dies
10* 162 = 160 voraus, daß eine bestimmte Wortbreite n festliegt.
0 * 163 = 0 Damit ist auch der Zahlenbereich bei nur positiven
15* 16 = 61440
Zahlen (Z) mit Zmin = 0 und Zmax = 2n und bei positi-
61605(10)
ver und negativer Zahlendarstellung mit Zmin = – 2(n–1)
Bild I-27 Bildung und Umwandlung von Hexadezi- und Zmax = 2(n–1) – 1 begrenzt. Das Beispiel führt bei
malzahlen unterschiedlichen Wortbreiten die kleinste und größte
I Digitaltechnik 535

Addition von Dualzahlen

Addition zweier Dualzahlen Addition mehrstelliger Dualzahlen

A 0 1 0 1 A = 67 = 1000011
+B 0 0 1 1 + B = 33 = 100001
S 0 1 1 +1 0 + 1 Übertrag
S = 100 = 1100100
Übertrag

Subtraktion von Dualzahlen

Subtraktion zweier Dualzahlen Subtraktion mehrstelliger Dualzahlen

A 0 1 0 1 A = 67 = 1000011
–B 0 0 1 1 – B = 33 = 100001
D 0 1 –1 1 1 0 –1 Übertrag
D= = 0100010
Übertrag

Multiplikation von Dualzahlen

Multiplikation zweier Dualzahlen Multiplikation mehrstelliger Dualzahlen

A 0 1 0 1
*B 0 0 1 1 A = 13 1 1 0 1* 0 0 1 1
P 0 0 0 1 0 0 00
B= 3 0 00 0
11 0 1
1 1 01
A * B = 39 = 1 0 0 1 11

Division von Dualzahlen

Division zweier Dualzahlen Division mehrstelliger Dualzahlen

A 0 1 0 1 A =44 10 110 0 : 10 0 = 1 0 1 1
:B 0 0 1 1 – 10 0
B= 4
Q 0 0 0 1 110
– 100
10 0
–10 0
A : B =11 00 0 Bild I-28
Rechnen mit Dualzahlen

Format Beispiel n Zmin Zmax

15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 4 –8 7

8 – 128 127
0 positive Zahl Bit
16 – 32768 32767
1 negative Zahl

Vorzeichen-Bit (MSB)

dual dezimal Zahlenkreis

MSB
0100
0011 4 0101
0 1 1 1 7 3 5
0 1 1 0 6 0010 0110
2 6
0 1 0 1 5
0 1 0 0 4 0001 1 7 0111
0 0 1 1 3
0 0 1 0 2
0000 0 – 8 1000
0 0 0 1 1
0 0 0 0 0
1 1 1 1 –1 1111 –1 –7 1001
1 1 1 0 –2
1 1 0 1 –3 1110 –2 –6 1010
1 1 0 0 –4 –3 –4 –5
1101 1011
1 0 1 1 –5
1 0 1 0 –6 1100
1 0 0 1 –7 Bild I-29
1 0 0 0 –8 Festpunktzahlen
536 Datentechnik

darstellbare Zahl auf und zeigt in Form einer Tabelle  Beispiele:

und am Zahlenkreis die Zahlen – 8 bis +7 bei einer Dualzahl: 01010101
Wortbreite von n = 4. EK: 10101010 EK 10101010
+1
Bei der Gleitpunktzahlendarstellung ist das MSB wie
bei den Festpunktzahlen dem Vorzeichen vorbehal- ZK 10101011
ten, es folgen Binärstellen für den Exponent und für
4.4.3 Subtraktion mit Hilfe des Komplements
die Mantisse. Der darstellbare Zahlenbereich hängt
vom Exponenten ab. Häufig werden Doppelworte, Mit Hilfe des Zweierkomplements lassen sich Sub-
wie z.B. zwei 16-Bit-Worte benutzt. Bild I-30 be- traktionen durchführen. Der Rechner führt diese
schreibt das Format dualer Gleitpunktzahlen auch Subtraktion praktisch auf eine Addition zurück. Er
anhand eines Beispiels. bildet zunächst das Zweierkomplement der zu sub-
Format
Exponent Mantisse

MSB Mantisse

Beispiel:

Festpunktzahl Gleitpunktzahl Dualzahl

2
10,625 0,10625 * 10 1010,101

Mantisse Exponent

Dualzahl duale Gleitpunktzahl

1010,101 01010101 * 24

0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 . . . 0
Bild I-30
Gleitpunktzahlen

4.4.2 Einer- und Zweierkomplement

Das Zweierkomplement ZK einer Zahl Z ist deren
Ergänzung zur nächsthöheren Wertigkeit Bn, wobei n
die Stellenanzahl und B Basis des Zahlensystems ist.
Dagegen ist das Einerkomplement EK die Ergänzung
der Zahl Z zur nächsthöheren Wertigkeit Bn – 1. Dies
sollen die in Bild I-31 aufgeführten Beispiele in Form
einer Tabelle an Dezimal- und an Dualzahlen ver-
deutlichen.
trahierenden Zahl durch Invertieren der Zahl (EK)
und führt anschließend eine Addition mit „1“ durch.
Werden Festpunktzahlen mit beliebigen Vorzeichen
addiert, muß der Rechner das Ergebnis auf seine
Korrektheit überprüfen. Das Ergebnis ist falsch, wenn
die Operanden gleiches Vorzeichen besitzen und das
Ergebnis ein davon verschiedenes Vorzeichen.

n n
Z ZK B n B Z EK B –1
22 78 100 10 2 100 22 77 99 99

635 365 1000 10 3 1000 635 364 999 999

101 011 1000 2 3 1000 101 101 111 111

Bild I-31
1010 0110 10000 2 4 10000 1010 1010 1111 1111 Bildung des Komplements

Bei den Dualzahlen erhält man das Einerkomplement Beispiele:

 n Beispiele:
der Zahl Z durch Invertierung aller Stellen der Zahl AA = 10
= 10 = 00001010
= 00001010 A = 2 = 00000010
und das Zweierkomplement einer Zahl Z durch die BB = –2
= –2 = 11111110
= 11111110 B = –10 = 11110110
Addition des Einerkomplements mit „1“. A (–B)
A+ + (–B)
= = 00001000
00001000 = 8= 8 A + (–B) = 11111000 = – 8
I Digitaltechnik 537

Vorgehensweise des Rechners: sechzehn Kombinationen bilden kann, werden sechs

A = 00001010 B = 00000010 → EK = 11111101
ZK(B) = 11111110 ←⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 11111110
A + (–B) = 00001000
5 Codes
5.1 Allgemeines
Nach DIN 43300 sind Codes eindeutige Zuordnungen
von Zeichen eines Zeichenvorrates zu den Zeichen des
anderen Zeichenvorrates. Codierung ist die Zuordnung
eines Zeichens aus dem Zeichenvorrat X zu einem Zei-
chen des Zeichenvorrats Y, und Decodierung ist die
Rückführung des Zeichens aus dem Zeichenvorrat Y
zum Zeichen des Zeichenvorrats X. Ist die codierte In-
formation eine Zahl, spricht man von einem numeri-
schen Code. Sind zusätzlich Buchstaben und Zeichen
codiert, ist es ein alphanumerischer Code. Kommt in
einem Code die Wertigkeit der Stellen zum Ausdruck,
ist es ein bewerteter (z.B. BCD) oder gewichteter Code.
Ist die Anordnung im Code ohne Wertigkeit der einzel-
nen Stelle, spricht man von einem unbewertetetem oder
ungewichtetem Code (z.B. 3-Excess-Code). Ändert sich
das vorherige Zeichen zum nachfolgenden immer nur
um 1 Bit, ist es ein einschrittiger (z.B. Gray-Code), an-
sonsten ein mehrschrittiger Code. Die Zuordnungsvor-
schrift wird in Codetabellen festgelegt. Bild I-32 zeigt
eine Übersicht gängiger 4-Bit-Codes (tetradische Co-
des).
Dual–Code BCD–Code
dieser Bit-Kombinationen, die nicht benötigt werden,
+ 1 Pseudotetraden (Pseudo griech. scheinbar) genannt.
Allgemein werden diese überschüssigen Elemente als
Redundanz (siehe auch 1.5.6) bezeichnet. Die einzel-
nen BCD-Codes unterscheiden sich durch die Lage
der Pseudotetraden. Beim BCD-Dual-Code sind dies
beispielsweise die Codewörter 1010 bis 1111 und
beim Aikencode die Codewörter von 0101 bis 1010.
Durch Reihenbildung der jeweiligen Codewörter
können beliebig lange Dezimalzahlen codiert werden.
5.3.1 BCD-Dual-Code
Dieser Code wird allgemein BCD-Code oder auch
8-4-2-1-Code genannt. Da die Stellenbewertung im
Dualsystem angegeben ist, ist dieser Code ein bewer-
teter Code.
 Beispiel:
Wertigkeit: 8 4 2 1
Dualzahl: 1 0 0 1 = 1 ⋅ 8 + 0 ⋅ 4 + 0 ⋅ 2 + 1 ⋅ 1 = 8 + 1 = 9
Treten bei der Addition Pseudotetraden auf, ist eine
Korrektur mit +6 dual nötig.
 Beispiel:
A = 15 = 0001 0101 A = 11 = 0001 0001
B = 17 = 0001 0111 B = 12 = 0001 0010
0010 1100 Pseudotetrade A + B = 23 = 0010 0011
0000 0110 Korrektur
A + B = 32 = 0011 0010
3–Excess–Code Aiken–Code Gray–Code

8421 8421 2421

Dezimalzahl

Dezimalzahl

Dezimalzahl

Dezimalzahl

Dezimalzahl

8 4 2 1 8 4 2 1 2 4 2 1

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Pseudo–
1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1
2 0 0 1 0 2 0 0 1 0 Tetraden 2 0 0 1 0 2 0 0 1 1
3 0 0 1 1 3 0 0 1 1 0 0 0 1 1 3 0 0 1 1 3 0 0 1 0
4 0 1 0 0 4 0 1 0 0 1 0 1 0 0 4 0 1 0 0 4 0 1 1 0
5 0 1 0 1 5 0 1 0 1 2 0 1 0 1 5 0 1 1 1
6 0 1 1 0 6 0 1 1 0 3 0 1 1 0 6 0 1 0 1
7 0 1 1 1 7 0 1 1 1 4 0 1 1 1 Pseudo– 7 0 1 0 0
8 1 0 0 0 8 1 0 0 0 5 1 0 0 0 Tetraden 8 1 1 0 0
9 1 0 0 1 9 1 0 0 1 6 1 0 0 1 9 1 1 0 1
10 1 0 1 0 7 1 0 1 0 10 1 1 1 1
11 1 0 1 1 8 1 0 1 1 5 1 0 1 1 11 1 1 1 0
12 1 1 0 0 Pseudo– 9 1 1 0 0 6 1 1 0 0 12 1 0 1 0
13 1 1 0 1 Tetraden 7 1 1 0 1 13 1 0 1 1 Bild I-32
Pseudo–
14 1 1 1 0 8 1 1 1 0 14 1 0 0 1
15 1 1 1 1 Tetraden 9 1 1 1 1 15 1 0 0 0 Codes

5.2 Binär-Code Bild I-33 zeigt eine häufige Anwendung des BCD-Codes, wie
dieser Code auch allgemein genannt wird. Er steuert dort über
einen Decoder 7-Segmentanzeigen (Bild I-34). Handelsübliche
Als Binärcode bezeichnet man Wörter aus Binärzei- Anzeigen gibt es mit einer gemeinsamen Anode oder einer ge-
chen. Die Darstellung erfolgt wie bei den Dualzahlen. meinsamen Katode. Bei einem Segment mit einer gemeinsamen
Anode leuchtet beispielsweise die „0“ auf, wenn die Segmente a,
5.3 BCD-CodeDual-Code b, c, d, e und f Spannung erhalten („1“ sind).

Im BCD-Code (BCD = Binary Coded Decimal) wird 5.3.2 3-Excess-Code Aiken-Code Gray-Code
jede Stelle einer Dezimalzahl durch ein binäres 4-Bit- Der 3-Excess-Code ist ein nicht bewerteter, sym-
Muster (Tetrade) dargestellt. Da man mit vier Stellen metrischer Code. Seine „Spiegelachse“ liegt zwi-
538 Datentechnik

0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 Bild I-33
Ansteuerung mit BCD-Code
BCD–7– BCD–7– BCD–7–
Segment– Segment– Segment–
Decoder Decoder Decoder

BCD–Code 7–Segment–Code
23 22 2 1 2 0 g f e d c b a
0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 a a
0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0
b b
0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 a a
0 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 c c
f b f g b
0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0
d d
0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 e c e c
0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1 e e
0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 d d
f f
1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 g g

Bild I-34 7-Segmentanzeigen und Ansteuerung

schen 410 und 510. Beim Rechnen sind Korrekturen stimmung einer Position auf einer Wegstrecke. Bild
notwendig. I-35 veranschaulicht dies an einem Codelineal, das
von Sensoren abgetastet wird. Mögliche Fehljustie-
 Beispiel
rungen beschränken bei diesem Code den Fehler auf
A = 15 = 0100 1000
B = 17 = 0100 1010
ein Bit. Bei Einsatz des Dual-Codes würden sich
beim Übergang von der Zahl 3 nach 4 drei Stellen
1000 0010
1101 0011 Korrektur
verändern und bei Fehljustierung der Sensoren einen
erheblichen Fehler erzeugen.
A + B = 32 = 0110 0101
Bei diesem Code können gerade und ungerade Zahlen durch die BCD-Code Gray-Code
letzte Stelle leicht unterschieden werden und eine Komplement-
bildung ist durch Vertauschen von „0“ und „1“ ebenfalls einfach
auszuführen.

5.3.3 Aiken-Code
Der Aiken-Code ist ein symmetrischer Code mit der
Bewertung 2421.
 Beispiel: BCD-Code
Wertigkeit: 2 4 2 1
Dualzahl: 1 1 0 1 = 1 ⋅ 2 + 1 ⋅ 4 + 0 ⋅ 2 + 1 ⋅ 1 = 2 + 4 + 1 = 7 0111 0100
Ungerade und gerade Zahlen sind wie beim 3-Excess-Code durch 1000 1100
die letzte Stelle leicht erkennbar. Dieser Code benötigt beim
Rechnen keine Korrekturen.

5.4 Gray-Code
Der Gray-Code läßt sich für jede Wortbreite realisie-
ren. Er ist ein unbewerteter oder ungewichteter Code
und unterscheidet sich von dem vorherigen und
nachfolgenden Bitmuster jeweils nur um ein Bit. Man
spricht auch von einem einschrittigen Code. Er wird Fehlabtastung
oft zur Umwandlung analoger Größen in eine digitale
Information umgesetzt, wie beispielsweise die Be- Bild I-35 Abtastung und Fehljustierung
I Digitaltechnik 539

5.5 Codierung alphanumerischer Zeichen Tabelle I-1 Zahlen und Buchstaben im ASCII-Code
Der ASCII-Code (ASCII = American Standart Code 0 30 A 41 a 61
of Information Interchange = Amerikanischer Stan- 1 31 B 42 b 62
dardcode zum Datenaustausch) (Bild I-36, Tabelle
I-2) ist genormt nach DIN 6603. 2 32 C 43 c 63
3 33 D 44 d 64
00 00 01 10 01 10 11 11
0 1 0 0 1 1 0 1
4 34 E 45 e 65
0 0 0 0 NUL DLE 0 @ P p
0 0 0 1 SOH DC1 1 A Q a q 5 35 F 46 f 66
0 0 1 0 STX DC2 " 2 B R b r
0 0 1 1 ETX DC3 # 3 C S c s 6 36 G 47 g 67
0 1 0 0 EOT DC4 $ 4 D T d t
0 1 0 1 ENQ NAK % 5 E U e u 7 37 H 48 h 68
0 1 1 0 ACK SYN & 6 F V f v
0 1 1 1 BEL ETB 7 G W g w 8 38 I 49 i 69
1 0 0 0 BS CAN ( 8 H X h x
1 0 0 1 HT EM ) 9 I Y i y
1 0 1 0 LF SUB * : J Z j z
9 39 J 4A j 6A
1 0 1 1 VT ESC + ; K k
1 1 0 0 FF FS < L l
K 4B k 6B
1 1 0 1 CR GS = M m
1 1 1 0 SO RS > N n
L 4C l 6C
1 1 1 1 SI US / ? O – o DEL
M 4D m 6D
Bit 7 6 5 4 3 2 1 ASCII-CODE
N 4E n 6E
Bild I-36 ASCII-Code
O 4F o 6F
Er ist ein 7-Bit-Code, mit dem man 27 = 128 Zeichen P 50 p 70
codieren kann. Außer den Ziffern 0 bis 9 und den Q 51 q 71
Buchstaben a bis z beinhaltet dieser Code Sonder-
und Steuerzeichen. Bild I-36 beschreibt die Möglich- R 52 r 72
keit der Zeichenzuordnung zu den jeweiligen Binär- S 53 s 73
zeichen. Benötigt man beispielsweise den Code für
A, dann läßt sich der über die Bitfolge Bit7, Bit6, T 54 t 74
Bit5 mit 100 und Bit4, Bit3, Bit2 und Bit1 mit 0001 U 55 u 75
finden (A = 1000001). Die häufig benötigten Zahlen
V 56 v 76
und Buchstaben sind in Hex-Darstellung unter der
Tabelle I-1 zusammengefaßt. Bei Übertragungen wird W 57 w 77
ein 8. Bit (Parity-Bit = Paritäts-Bit) zur Fehler- X 58 x 78
erkennung mit übertragen.
Y 59 y 79
 Beispiel für die Codierung: R O M
1010010 1001111 1001101
Z 5A z 7A

Tabelle I-2 Bedeutung der Abkürzungen im ASCII-Code

NUL NULL Null
SOH START OF HEADING Beginn der Kopfzeile
STX START OF TEXT Textbeginn
ETX END OF TEXT Textende
EOT END OF TRANSMISSION Übertragungsende
ENQ ENQUIRE Anfrage für Übertragung
ACK ACKNOWLEDGE Antwort bejahend
BEL BELL Klingelzeichen
BS BACK SPACE Rückschritt
HT HORIZONTAL TABULATION Tabellierung (horizontal)
VT VERTICAL TABULATION Tabellierung (vertikal)
LF LINE FEED Zeilenvorsprung
FF FORM FEED Seitenvorschub
540 Datentechnik

Tabelle I-2 (Fortsetzung)

CR CARRIAGE RETURN Wagenrücklauf
SO SHIFT OUT Dauerumschaltung
SI SHIFT IN Rückschaltung
DLE DATA LINK ESCAPE Datenumschaltung
DC1...4 DEVICE CONTROL Steuersignale
NAK NEGATIVE ACKNOWLEDGE Antwort verneinend
SYN SYNCHRON Synchronisation
ETB END OF TRANSMISSION BLOCK Übertragungsblockende
EM END OF MEDIUM Aufzeichnungsende
ESC ESCAPE Umschaltung
FS FILE SEPARATOR Trennzeichen
GS GROUP SEPARATORS Gruppentrennzeichen
RS RECORD SEPARATOR Untergruppenkennzeichen
US UNIT SEPARATOR Teilgruppentrennzeichen
DEL DELETE Löschen

5.6 Fehlererkennung und Redundanz Erzeugt werden kann das Paritätsbit (gerade Parität)
mit Hilfe von EXOR-Verknüpfungen. Bild I-38 zeigt
Um einen Fehler bei der Übertragung digitaler Infor-
eine mögliche Schaltung zu Erzeugung gerader Pari-
mationen zu erkennen, müssen außer den eigentlichen
tät und die Überprüfung eines Datenwortes. Soll eine
Daten weitere Zeichen übertragen werden. Ein Maß
ungerade Parität erzeugt werden, ist ein zusätzlicher
für diese zusätzlichen Zeichen ist die Redundanz
Inverter nötig. Eine nicht korrekte Datenübertragung
(Weitschweifigkeit).
wird durch Paritätsprüfung im Empfänger erkannt.
 Beispiel: Wird ein 4-Bit-Wort übertragen, ergeben sich 24 = 16 Die genaue Ortung des Fehlers ist allerdings so nicht
Kombinationsmöglichkeiten. Daraus folgt, daß mit n-Bits 2n = Z
Kombinationen möglich sind. Um beispielsweise die Ziffern 0 bis
möglich.
9 darzustellen, sind nur 10 Zeichen notwendig. Die gesuchte An-
zahl n, die zur Darstellung dieser Zeichen notwendig ist, läßt sich Erzeugung des Paritätsbit
über den Logarithmus zur Basis 2 (Log. dualis) finden (Glei- P
chung I.1). 1 1 0 1 0 0 0 1
ln Z ln 10
ld Z = = = 3, 3219 (I.1) =1
ln 2 ln 2
=1
Dies bedeutet, daß 3,2.. Bit eigentlich nur notwendig sind. Da zur
Darstellung dieser Zeichen aber 4 Bit benutzt werden, ist die Re- =1
dundanz R nach der Gleichung (I.2) 0,68 Bit. =1
R = n – ld Z = 4 Bit – 3,32 = 0,68 Bit (I.2) =1
Beim ASCII-Code beträgt demnach die Redundanz mit n = 8: =1
R = 8 Bit – 7 = 1 Bit. Der Dual- und Gray-Code enthält keine Re-
dundanz, da hier alle Codewörter benutzt werden.

5.6.1 Einfache Prüfung auf Parität Überprüfung des Paritätsbit

Wird ein Bit der eigentlichen Information zur Fehler- korrekte Daten
1 1 0 1 0 0 0 1
erkennung zugefügt, spricht man von einem Paritäts-
bit. Es kann das Wort auf eine gerade Anzahl von =1
„1“sen (even parity check) oder ungerade Anzahl von =1
„1“sen (odd parity check) ergänzen (Bild I-37). =1
=1 "1" "0"
P D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
=1
gerade 0 1 0 1 0 1 0 1
=1
Paritätsbit Daten
fehlerhafte Daten
ungerade 1 1 0 1 0 1 0 1
Bild I-38 Erzeugung und Überprüfung des Paritäts-
Bild I-37 Paritätsbit bits
I Digitaltechnik 541

5.6.2 Kreuzsicherungsprüfung 4-Bit-Worten bestehende Datenblock mit zusätz-

Eine weitere Möglichkeit, Fehler zu erkennen und
eine Korrektur vorzunehmen, ist die Kreuzsiche-
rungs- oder Kreuzparitätsprüfung. Hierbei wird ein
Datenblock mit Paritätsbits für die Reihen und mit
einem Paritätswort für die Spalten des Übertragungs-
blockes versehen. Im Bild I-39 wurde der aus sieben
lichen Paritätsbits übertragen. Im Empfänger erfolgt
anschließend eine Prüfung auf Parität. Fehlerhafte
Daten werden erkannt, da die Ortung durch den Kreu-
zungspunkt (im Bild gekennzeichnet) erfolgt. Durch
Invertierung kann eine Korrektur erfolgen. Mehrfach-
fehler können auf diese Weise allerdings nicht korri-
giert werden. Paritätsbit

Übertragungs–
fehler

Parity-Bit 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0
Parity-Bit 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0
Parity-Bit 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0
Übertragungsblock

Parity-Bit 1 1 0 0 0 1 1 0 0 0
Parity-Bit 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0
Parity-Bit 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1
Parity-Bit 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1

Parity-Wort 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 Bild I-39

1 Kreuzparitätsprüfung
5.6.3 Hamming-Code

Daten Daten + Redundanz Daten korrekt

D3 D2 D1 D0 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0
0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1
0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 0
=1
0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1
=1 0
0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0
=1
0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1
1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0
=1
1 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1
=1 0
1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0
=1
1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 Bild I-40
1 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0
1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 1
=1 Bildung des Übertragungswortes
=1 0 beim Hamming-Code
1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 0
=1
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

P0 P1 D3 P2 D2 D1 D0

Paritätsbit fehlerhaft Datenbit fehlerhaft

D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 0

=1 =1
=1 0 =1 1
=1 =1

=1 =1
=1 0 =1 1
=1 =1

=1 =1
Bild I-41 =1 1 =1 0
=1 =1
Fehlerermittlung
542 Datentechnik

Mit Hilfe des Hamming-Codes ist es möglich, fehler-
hafte Bits genau zu bestimmen und danach zu korri-
gieren. Hierzu werden mehrere Prüfbits übertragen,
wobei die Anzahl der Prüfbits von der Informations-
wortbreite abhängt. Den Zusammenhang zwischen
Informationswortbreite und Anzahl der Redundanz-
bits nennt man auch Hamming-Distanz. Nachfolgend
sind in Tabelle I-3 für übliche Wortbreiten die Anzahl
der Datenbits und Prüfbits angegeben.
Tabelle I-3 Daten- und Prüfbits
Wortbreite 8 16 32 64
Datenbits 4 11 26 57
Prüfbits 4 5 6 7
 Beispiel zur Bildung des Übertragungswortes (Bild I-40): P1
wird aus D3, D2 und D0 gebildet. Für die gerade Parität steht „0“
und für ungerade Parität „1“. Die Quersumme der „1“sen aus a, b
und c ergibt mit dem Prüfbit immer eine gerade Parität. Für eine
4-Bit-Information werden 3 Prüfbits benötigt. Damit wird das Da-
tenwort 7 Bit breit. Nach dem Beispiel werden die Daten mit D2,
D4, D5 und D6 ohne Änderung übertragen. Die entsprechenden
Prüfbits P0(D0), P1(D1) und P2(D3) werden jeweils in Abhän-
gigkeit der durch Pfeile gekennzeichneten Daten gebildet: a = P0,
D0, D2 und D3; b = P1, D0, D1 und D3; c = P2, D0, D1 und D2
und nach Zusammensetzung des zu übertragenden Datenwortes:
a = D0, D6, D4 und D2; b = D1, D6, D5 und D2; c = D3, D6, D5
und D4.
Die Prüfung der Daten erfolgt so, daß ein Prüfbit mit mindestens
zwei Datenbits in Verbindung gebracht wird. Je nach 3-Bit-
Ausgangswort ist das fehlerhafte Bit, Datenbit oder Paritätsbit, er-
kannt und kann durch Invertierung korrigiert werden. Die Prüfung
nach der Datenübertragung zeigt an, daß alle Daten korrekt über-
tragen wurden, weil das Prüfausgangswort 0 0 02 ergibt. Bei feh-
lerhafter Datenübertragung wird dies durch das Prüfausgangswort
in der Weise angezeigt, daß es mindestens zwei „1“sen beinhaltet.
Wurde das Paritätsbit selber fehlerhaft übertragen, wird dies nur
durch eine „1“ mitgeteilt. Da die Bitkombinationen den entspre-
chenden Daten- beziehungsweise Paritätsbits zugeordnet sind, kann
der Fehler erkannt und behoben werden. Bild I-41 veranschaulicht
mögliche Fehlerkombinationen. Im ersten Fall ist D0 (Paritätsbit)
fehlerhaft und im zweiten Fall das Datenbit D6.
6 Digitale Grundschaltungen
6.1 Allgemeines
Digitale Schaltungen können nach Schaltnetzen und
Schaltwerken unterschieden werden. Schaltnetze sind
Schaltungen, deren Ausgänge eindeutig von den
Eingangsvariablen bestimmt werden (kombinatorische
Schaltungen). Schaltwerke sind Schaltnetze, die ein
zusätzliches Speicherverhalten aufweisen können (se-
quentielle Schaltungen). Die meisten Grundschaltun-
gen brauchen nicht aus einzelnen Gattern aufgebaut
werden, sondern werden von den Herstellern als kom-
plexe digitale Schaltung für universelle Einsätze ange-
boten oder können durch zusätzliche äußere Beschal-
tung den individuellen Wünschen angepaßt werden.
In diesem Zusammenhang spielen programmierbare
Digitalbausteine wie PAL’s und Gal’s eine immer
größere Rolle. Sie werden in der Automatisierungs-,
Meß- und Datentechnik eingesetzt oder sind Teilbau-
steine größerer hochintegrierter Schaltungen.
6.2 Schaltnetze
Logische (kombinatorische) Schaltungen, deren Aus-
gänge eindeutig von den Eingangsvariablen bestimmt
werden, bezeichnet man als Schaltnetze. In diesen
Schaltungen befinden sich keine Speicherelemente.
6.2.1 Rechennetze
Eine der wesentlichen Rechenschaltungen ist der
Addierer, weil die Recheneinheit des Prozessors viele
Rechenoperationen auf Additionen zurückführt.
6.2.1.1 Halbaddierer
Halbaddierer addieren zwei binäre Werte und zeigen
die Summe und den Übertrag an (Bild I-42).
6.2.1.2 Volladdierer
Sollen n-stellige Zahlen addiert werden, wird für jede
Binärstelle ein Addierwerk benötigt. Ein Halbaddie-
rer ist mit seinen zwei Eingängen hierzu nicht geeig-
net, weil eventuelle Überträge der niederwertigeren
Stelle auch verarbeitet werden müssen. Schaltungen,
die den Eingangsübertrag mit verarbeiten können,
nennt man Volladdierer. Bild I-43 zeigt dies beispiel-
haft.
Ein Volladdierer läßt sich aus Halbaddierern auf-
bauen, wenn die Summe A + B eines Halbaddierers
einem zweiten Halbaddierer zugeführt und dort mit
dem Übertrag der niederwertigen Stelle addiert wird.
Der Übertragsausgang muß über ein ODER-Gatter
gesondert herausgeführt werden (Bild I-44). Der

Beispiel Wertetabelle Schaltung Schaltzeichen

B A CO B A
X = 0 1 0
Y = 1 1 0 0 0 0 A P
0 1 1 0
X+Y = 1 0 1 =1
1 0 1 0
1 1 0 1 B Q CO
A = 1
B = 1 & CO

A+B = 1 0
Summe Bild I-42
Übertrag CO Addition einer Binärstelle und Halbaddierer
I Digitaltechnik 543

Beispiel Schaltzeichen I-45 zeigt. Die Gleichung für den Übertrag läßt sich
vereinfachen.
X = 0 1 0
Y = 1 1 A P 6.2.1.3 Serieller n-Bit-Addierer

X+Y = 1 0 1 B Q Führt man dem Addierer nacheinander taktweise die

Cl Cl
Zahlen A und B zu und verarbeitet eventuell auf-
CO
1 Übertrag Cl tretende Überträge, die beim nachfolgenden Takt
A = 1 addiert werden müssen, dann ergibt sich aus den
B = 1 Einzelsummen die Gesamtsumme nach n-Takten.
A+B = 1 0 Das Beispiel Bild I-46 zeigt das Prinzip für zwei
Summe Bild I-43 4-Bit-Zahlen. Für die Ein- und Ausgabe werden hier
Übertrag Volladdierer Schieberegister benötigt, die taktsynchron gesteuert
werden müssen. Im dargestellten Beispiel steht die
Eingang für den Eingangsübertrag wird mit CI = Summe nach dem vierten Takt in einem Speicher zur
Carry In und der Übertragsausgang mit CO = Carry Verfügung.
Out abgekürzt. Bit
Die Realisierung eines Volladdierers kann auch über Bit
3 2 1 0 3 2 1 0
die Wertetabelle vorgenommen werden, wie Bild A P

B Q Carry
Schaltung CI CO
3 2 1 0

A P P C
A = 1001 P 1 0 0 1
B Q Q B = 0101 Q 0 1 0 1
CI 0 0 1 0
CI CO 0 0 0 1
>1
= CO 1 1 1 0
Bild I-44 Volladdierer aus zwei Halbaddierern Bild I-46 Serielle Addition

Wertetabelle Schaltung

CI B A CO CI B A
0 0 0 0 0
0 0 1 1 0
0 1 0 1 0 &
0 1 1 0 1
1 0 0 1 0
1 0 1 0 1
&
1 1 0 0 1
1 1 1 1 1

KV-Diagramme &

A A
1 1 &
B B
1 1 1
CI CI
1 1 &

1 & CO

CO = AB BC AC
&

Bild I-45 Volladdierer aus Grundgattern

544 Datentechnik

6.2.1.4 Paralleler n-Bit-Addierer Stellenzahl erhöht sich der Schaltungsaufwand erheb-

Da der Aufbau eines parallelen n-Bit-Addierers über
die Wertetabelle zu aufwendig ist, wird er aus Voll-
addierern hergestellt. Für jede zu addierende Bitstelle
ist hierbei ein Volladdierer vorzusehen. Da bei der
niedrigsten Stelle kein Eingangsübertrag anfällt,
würde hier ein Halbaddierer ausreichen. In der Praxis
baut man Addierer nur aus Volladdierern auf und legt
den Eingangsübertragseingang der niederwertigsten
Stelle auf „0“ (Masse). Das Prinzip eines 4-Bit-Voll-
addierers und ein Standardbaustein sind im Bild I-47
dargestellt.
lich, aber die Zeit bleibt auf zwei Gatterlaufzeiten
begrenzt. Als Standardbaustein bietet sich Look
ahead Carry Generator 74182 an.
6.2.1.5 Subtrahierer
Subtrahierer können mit Hilfe von Volladdierern
realisiert werden, indem der Eingangsübertragsan-
schluß CI auf „1“ (+U) gelegt wird und der Subtra-
hend invertiert wird. Diese Vorgehensweise ent-
spricht der Addition mit dem Zweierkomplement
(Bild I-49).

B3 B2 B1 B0 74LS83

A3 A2 A1 A0 10 0
8
CI CI CI CI 3 0 9
1 3 6
11 0 2
CO CO CO CO 7 3 15
4
CO3 CO2 CO1 CO0 16 3
3 2 1 0 13 CI CO 14

Bild I-47 Paralleler 4-Bit-Volladdierer und Standardbaustein

Die Rechenzeit der Schaltung ist gegenüber der eines B B B B A A A A

einzelnen Volladdierers größer, da die Summe bei 3 2 1 0 3 2 1 0
diesem erst gebildet werden kann, wenn die Über- 74LS83
träge den nachfolgenden Stufen zugeführt wurden. 0
Ergibt sich bespielsweise bei der niederwertigsten 0
Stufe ein Übertrag, wirkt sich dies auf alle folgenden 1 3
0
Stufen aus. Die benötigte Zeit wird auch als Mindest- 1 3
additionszeit (Add Time) bezeichnet. Kürzere Re- 1 3
chenzeiten erhält man mit speziellen Rechenbaustei- 1 CI CO
nen (Carry Look Ahead). Hier wird der Übertrag
durch Verknüpfungsschaltungen „vorausschauend“ + 5V
direkt aus den Eingangswerten ermittelt. In Bild I-48 Bild I-49 4-Bit-Subtrahierer
ist noch einmal die Wertetabelle und die Gleichung
für den Übertrag angegeben. Setzt man die Gleichung Ändert man die Schaltung nach Bild I-50, erhält man
für beliebige Stellen um, so ergibt sich die Gleichung ein universelles Additions-Subtraktionsnetz. Die Ein-
für ci + 1. Diese Gleichung teilt man auf in die Vari- gänge S0 bis S4 sind Steuereingänge, mit denen
able gi (Carry Generate), die angibt, ob ein Übertrag entsprechende Operationen durchgeführt werden
auftreten wird und pi (Carry Propagate), die in Ver- können. S0 und S1 dienen zum Durchschalten der
bindung mit c0 den Übertrag weiterleiten muß. Zahlen A und B, und mit S2 und S3 kann jeweils eine
Das Bild zeigt die Entwicklung einer Stelle und die Invertierung vorgenommen werden, um das Einer-
Gleichungen für einen 4-Bit-Addierer. Mit steigender Komplement zu bilden. Mit S4 wird nach Wunsch

A pi
A B ci ci + 1 ci + 1 = ABC ABC ABC ABC =1
0 0 0 0 B &
= C(AB AB) AB(C C) ci
0 0 1 0 gi
0 1 0 0 = C(A B) AB ci + 1
&
0 1 1 1
ci + 1 = ci pi gi
1 0 0 0
1 0 1 1
1 1 0 1 Gleichungen für einen 4-Bit-Addierer
1 1 1 1
c1= g0 p0c0
ci = C
c2= g1 p1c1= g1 p1 (g0 p0c0)=g1 p1g0 p1p0c0
c3 = g2 p2c2 Bild I-48
c4 = g3 p3c3 Carry-Look-Prinzip
I Digitaltechnik 545

zusätzlich „1“ addiert, um in Verbindung mit S2 6.2.1.6 Addierer für BCD-Dualzahlen

beziehungsweise S3 das Zweier-Komplement zu
Vom Prinzip lassen sich zwei 4-Bit-Volladdierer zur
erhalten. Soll die Operation A – B durchgeführt
Addition zweier BCD-Dualzahlen verwenden (Bild
werden, muß S0 und S1 auf „1“, S2 auf „1“, S3 auf
I-51). Hierbei muß nur berücksichtigt werden, daß
„0“ und S4 auf „1“ liegen
eine Summe > 910 einen Übertrag für die nächste De-
A0
cade anzeigen und eine Ergebniskorrektur erfolgen
& muß. Die Korrekturschaltung addiert mit Hilfe des
=1
A1
2. Addierers zu jeder Summe des 1. Addierers bei Auf-
& treten einer Pseudotetrade oder eines Übertrages 62.
=1 0
1 P 0
B0 0 Q 1 6.2.2 Komparatoren
& 1
=1
CI CO 6.2.2.1 Einfacher Komparator
B1
&
=1 Bild I-50 Einfache Komparatoren (Bild I-52) prüfen zwei Zah-
Einfaches len A und B auf Gleichheit. Nur wenn beide Ein-
S0 S1 S2 S3 S4 Rechenwerk gangsvariablen „0“ oder beide Eingangsvariablen „1“

Beispiel Schaltung

A = 9 = 1001 0 0 0 0
B = 4 = 0100
A P P
A+B = 13 = 1101 3 3 3 3
0 0
Korrektur + 0110 B Q Q
&
3 3
Übertrag 1 0011 = 3 CI CO CI CO
&

Bild I-51 Addierer für BCD-Zahlen CO

Einfache Komparatoren

Wertetabelle Schaltzeichen Standartbaustein

B A Q0 COMP COMP
1 G1
0 0 1 P 2 0
0 1 0 P=Q 4
6
1 0 0 Q 8 P
1 1 1 11
13
Schaltung 16
17 7
P=Q
1-Bit-Komparator 4-Bit-Komparator 3 0
5
7
B A 9
A0 Q
12
B0 14
16
A1 18 7
Q
B1
B A & Q
A2
B2
&
& Q A3
B3 Bild I-52
&
Einfache Komparatoren
546 Datentechnik

sind, wird der Ausgang Q = „1“ (Wertetabelle). Diese
Aufgabe erfüllen die dargestellten Schaltungen.
Für n-Bit bietet sich eine einfache Erweiterung durch
eine Äquivalenzschaltung für jede Bitstelle und an-
schließender UND-Verknüpfung an, wie das Beispiel
für den 4-Bit-Komparator zeigt. Als Standardbaustein
bietet sich der 8-Bit-Komparator 74HC688 an.
6.2.2.2 Komparator mit Größer-
und Kleiner-Vergleich
Weitergehende Komparatoren vergleichen zusätzlich
nach den Gesichtspunkten A < B und A > B. Bild
I-53 zeigt die entsprechende Wertetabelle für den
1-Bit-Vergleich, die Schaltung und das Schaltzeichen.

Wertetabelle Schaltung Schaltzeichen

B A A=B A<B A>B B A COMP

0 0 1 0 0 P P<Q
0 1 0 0 1 P=Q
1 0 0 1 0 & A<B
1 1 1 0 0 Q P>Q
A=B

& A>B Bild I-53

1-Bit-Komparator

A=B

B B
A A

& & & &

& & & &

A<B A=B A>B A<B A=B A>B

a) b)

A=B A<B A=B A>B

B B
A A

& & & &

& & & &

A<B A=B A>B A<B A=B A>B

c) d)

Bild I-54 Universalkomparator

I Digitaltechnik 547

Ein Komparator für n-Bitstellen wird durch Zusam-
menschalten mehrerer Universalkomparatoren er-
stellt. Die Bilder a) bis d) im Bild I-54 zeigen die
Entwicklung dieses Komparators auf.
Außer den Eingängen für die Vergleichbits besitzt der
Universalkomparator drei zusätzliche Eingänge, um
bei einem Vergleich mehrerer Binärstellen die ein-
zelnen Stufen miteinander zu verbinden. Der Eingang
A = B = „1“ hat die Aufgabe, die Schaltung so zu
B3 B2
A3 A2
aktivieren, daß ein Bitvergleich möglich wird. Bei
A > B wird mit dem Ausgang A = B die nächstnie-
derwertige Stelle gesperrt und die Meldung A > B
über die nachfolgende ODER-Verknüpfung sofort
dem Ausgang gemeldet. Weil der Vergleich bei der
Stelle mit der höchsten Wertigkeit beginnt, wird die
dafür zuständige Stufe nach Bild I-55 beschaltet. Die
Eingänge A > B und A < B liegen auf „0“ (Masse)
und der Eingang A = B auf „1“ (+U).
B1 B0
A1 A0

A>B A>B A>B A>B A>B A>B A>B A>B A>B

A=B A=B A=B A=B A=B A=B A=B A=B A=B
A<B A<B A<B A<B A<B A<B A<B A<B A<B

Bild I-55 Komparator für 4 Bit

6.2.3 Codewandler und Decoder

6.2.3.1 Codewandler

Quell-Code Ziel-Code Gleichungen

X/Y Gray BCD ABCD = AD ABC ABCD ABC ABC

GRAY/BCD DC B A DC B A
1 1 0 0000 0000 BBCD = BCD CB
2 2 1 0001 0001
2 0011 0010 CBCD = CD
4 4
3 0010 0011
8 8 4 0110 0100 DBCD = D
5 0111 0101
6 0101 0110
7 0100 0111
8 1100 1000
9 1101 1001

KV-Tafeln Schaltung

A A A B CD
1 1 1 1
B B &
x x x x x x x x
D D
x 1 x x x &

1 1 1 1
& A
C C
ABCD BBCD
&
A A
1 1 &
B B
x x x x x x x x
D D &
x x x 1 1 x
B
1 1
&
C C
CBCD DBCD
& C

Bild I-56 Gray-BCD-Codewandler D

548 Datentechnik

Ein Codewandler (Codierer) ordnet einen Code einem
anderen Code zu. Er setzt einen Quellcode in einen
Zielcode um, er ist praktisch ein „Übersetzer“.
 Beispiel: Um einen Gray/BCD-Codierer zu entwerfen, wird
Quell- und Zielcode in einer Wertetabelle gegenübergestellt. Für
jede Stelle muß dann ein KV-Diagramm benutzt und die Glei-
chung ermittelt werden. Anschließend ist aus der Gleichnung die
Schaltung zu zeichnen (Bild I-56).
6.2.4 Multiplexer und Demultiplexer
Multiplexer und Demultiplexer sind „elektronische
Schalter“, die Eingangsinformationen verschiedener
Datenleitungen auf einen Ausgang (Multiplexer) oder
eine Eingangsinformation auf verschiedene Aus-
gangsdatenleitungen (Demultiplexer) schalten. Wel-
che Leitungen durchgeschaltet werden, bestimmt die
Steuerung des „Schalters“ (Bild I-58).
Multiplexer Demultiplexer

6.2.3.2 1-aus-n-Decoder
Wie aus der Wertetabelle (Bild I-57) hervorgeht,
erhält jeweils ein zugewiesener Ausgang „1“ in
Abhängigkeit einer dualen Eingangsinformation. Q1
Steuerung
schaltet beispielsweise bei der Eingangskombination
A = „1“ und „B“ = 0 auf „1“. Hierbei kann die Schal- Bild I-58 Prinzip
tung um einen zusätzlichen Freigabeeingang erweitert
werden. Ein Steuersignal kann dann den Baustein Aufgabe dieser Bausteine kann es sein, die parallel
aktivieren. Ist der Freigabeeingang F = „0“, sind auch anliegenden Daten eines Sendebausteins über eine
alle Ausgänge „0“. Mit Decodern lassen sich z.B. Leitung zu übertragen und im Empfängerbaustein die
verschiedene Speicherbausteine oder Baugruppen Daten wieder parallel anliegen zu lassen. Dies ge-
anwählen. schieht mittels Zeitmultiplexverfahren, wobei die ent-

B A Funktion B A
Speicher 1
0 0 Speicher 1 angewählt
& Speicher 2
0 1 Speicher 2 angewählt
1 0 Speicher 3 angewählt Speicher 3
1 1 Speicher 4 angewählt & CE Speicher 4

CE
&
CE

& CE

Decoder

Wertetabelle Schaltungen

B A Q0 Q1 Q2 Q3 B A B A

0 0 1 0 0 0 F
& Q0 & Q0
0 1 0 1 0 0
1 0 0 0 1 0
1 1 0 0 0 1 & Q1 & Q1

Schaltzeichen & Q2 & Q2

DEC
& Q3 & Q3
0
0 0 1
G 2
3 3 ohne Freigabe- mit Freigabe-Eingang
1

Bild I-57 1-aus-4-Decoder und Anwendungsbeispiel

I Digitaltechnik 549

sprechenden Datenleitungen zeitlich nacheinander
und synchron durchgeschaltet werden.
6.2.4.1 Multiplexer
Multiplexer verteilen die Daten D verschiedener
Eingänge, die durch Adressen angewählt werden, auf
einen Ausgang Q (Bild I-59). Soll beispielsweise das
Datenbit von D0 zum Ausgang Q gelangen, muß A0
mit „0“ und A1 mit „0“ angewählt werden. Dies wird
auch aus der Gleichung deutlich. Die Anzahl der
notwendigen Adreßleitungen ist von der Anzahl der
gewünschten Dateneingänge abhängig.
Nach Bild I-60 kann die Schaltung zusätzlich mit
einem Freigabeeingang versehen werden. Bei FE = „1“
gelangt das angewählte Datenbit zum Ausgang Q.
Standardbausteine besitzen häufig einen 3-state-
Ausgang.
Ein Anwendungsbeispiel für Multiplexer zeigt das
Prinzip des gemultiplexten Adreß-Datenbusses (Bild
I-61) auf. Einige Prozessoren und Controller besitzen,
um Anschlußleitungen einzusparen, so einen Bus.
Hierbei werden Adressen und Daten zeitlich nachein-
ander auf das Bussystem geschaltet. Die Steuerung
nimmt die CPU vor.

Schaltung Schaltzeichen
A1 A0

&
& MUX
A0 0 0
& G
& A1 1 3
D D0 0 D
& D1 1
&
D2 2
D3 3
&
&
D0
D1
D2 Gleichung: Bild I-59
D3 A0 A1 D0 A0 A1 D1 A0 A1 D2 A0 A1 D3 Multiplexer

Schaltung

A1 A0 74LS251
MUX
& EN
& 7
11 0
& 10 G0 5
& 7
9 2 6
Q 4 0
& 3 1
&
2 2
& 1 3
& 15 4
D0 14 5
D1 13 6
D2 12 7
Bild I-60
D3
Multiplexer mit Freigabeeingang und
FE Standardbaustein

MUX
"1" = Adressen EN
G1
"0" = Daten
A0
D0 A0
A1
Adressen A2
D1 A1
A3

D2 A2

D0 D3 A3
D1
Daten D2 Bild I-61
t
D3 Gemultiplexter Adreß-Datenbus
550 Datentechnik

Schaltung Schaltzeichen Gleichungen Bild I-62

Demultiplexer
A1A0

& D0 DX D0 =A0 A1 D
A0 0 0
G D1 =A0 A1 D
& D1 A1 1 3
0 D0 D2 =A0 A1 D
1 D1
& D2 D3 =A0 A1 D
D 2 D2
3 D3
D & D3

6.2.4.2 Demultiplexer 6.3.1 Speicherbausteine

Mit Hilfe von Demultiplexern kann eine Eingangs-
information auf verschiedene Ausgänge verteilt wer-
den (Bild I-62). Die erforderlichen Auswahlleitungen
(Adressen) sind abhängig von der Anzahl der Aus-
gangs-Datenleitungen.
6.3 Schaltwerke
Schaltwerke (Sequentielle Logik) sind Schaltnetze
mit einem Speicherverhalten. Die wichtigste Grund-
schaltung ist das Flipflop (bistabile Kippstufe).
6.3.1.1 Allgemeines Flipflop
Unter Flipflops versteht man Schaltungen, deren zwei
Ausgänge immer komplementäre stabile Zustände
aufweisen. Das Ausgangsverhalten selbst wird über
zwei Eingänge beeinflußt. Damit ist die Speicherung
einer binären Information möglich. Bei den, durch
einen Takt gesteuerten Flipflops, wird nach taktzu-
standsgesteuerten und taktflankengesteuerten Flip-
flops unterschieden. Flipflops lassen sich mit NAND-
und NOR-Gattern realisieren.

a b c d
A A A A
0 Q 0 Q 1 Q 1 Q
& 1 & 1 & 0 & 0

Q Q Q Q
B & 1 B & 0 B & 1 B & 1
0 1 0
0 1

Wertetabelle

A B Q Q Bemerkungen
0 0 1 1 irregulär
0 1 1 0
1 0 0 1 Bild I-63
1 1 0 1 Speicherung Funktion eines Flipflops mit NAND-Gattern

+ + +
Q
&
A
Q Q Q
B
Q
&

Q Q
1 1

Bild I-64
0 t 0 t
Prinzip des Prellens
prellen A Speicherung B
und entprellter Schalter
I Digitaltechnik 551

 Beispiel: Flipflop aus NAND-Gattern
Ein NAND erzeugt am Ausgang immer eine „1“, wenn mindes-
tens ein Eingang mit „0“ belegt ist. Damit ergeben sich die Aus-
gangszustände Bild I-63 a bis c.
Die Wertetabelle faßt alle Schaltzustände zusammen. Q1 = „1“
und Q2 = „1“ entspricht nicht der Funktion eines Flipflops. Diese
Eingangskombination, die diesen Ausgangszustand hervorruft, ist
daher logisch „verboten“, sie ist irregulär. Sind die Eingangspegel
komplementär (ein Eingang „0“ und der andere „1“ oder umge-
kehrt), schaltet das Flipflop. Bei „1“ an beiden Eingängen bleibt
der vorherige Zustand erhalten; man spricht dann vom Speicher-
zustand. Oft werden Schalter oder Taster als Eingabe von digita-
len Systemen eingesetzt. Hierbei kann es zu Prellen kommen. Der
Kontakt öffnet sich kurzzeitig wieder, und die konkrete Schaltung
erkennt mehrere Impulse. Durch Pull-up-Widerstände an den Ein-
gängen ist die Eingangskombination A = „0“ und B = „0“ nicht
möglich. Sobald der Taster gedrückt ist, wird der Zustand gespei-
chert. Bild I-64 zeigt das Prinzip des Prellens und Abhilfe durch
ein Flipflop.
6.3.1.2 RS-Flipflop
Beim RS-Flipflop (R = Reset = Rücksetzen, S = Set =
Setzen) folgt der Ausgang Q immer dem Eingang S.
Die Eingangszustände S = R = „1“ sind „verboten“,
und die Speicherung erfolgt bei S = R = „0“. RS-FF’s
lassen sich aus NAND- oder NOR-Gattern aufbauen
(Bild I-65).
6.3.1.3 Flipflops mit dominierenden Eingängen
Bei Flipflops mit dominierenden Eingängen (Bild
I-66) können aufgrund der Eingangsbeschaltung irre-
guläre Zustände an den Ausgängen nicht auftreten.
Das R-Flipflop ist ein RS-FF mit dominierendem
R-Eingang, weil ein Rücksetzen immer bei R = „1“
erfolgt, unabhängig vom Zustand an S. Das S-
Flipflop ist ein RS-FF mit dominierendem Setzein-
gang. Unabhängig vom Zustand am R-Eingang wird
das Flipflop bei S = „1“ gesetzt. Das E-Flipflop spei-
chert bei gleichen Eingangszuständen R = S immer.
6.3.1.4 D-Flipflop
Mit dem D-Flipflop (Data Latch) läßt sich eine binäre
Information speichern, solange C = „1“ ist. Irregu-
läre Zustände treten nicht auf. Bild I-67 zeigt ein
D-Flipflop aus NAND-Gattern mit der zugehörenden
Wertetabelle und dem Schaltzeichen.

Schaltungen Wertetabelle Schaltzeichen

S R Q Q Q
S & Q R Q S
& 0 0 1 1 Bild I-65
0 1 1 0 RS-Flipflop aus NAND-
1 0 0 1
1 1 0 1 R und NOR-Gattern mit
Q Q Wertetabelle und
&
R & S Schaltzeichen

R-Flipflop S-Flipflop E-Flipflop

S S
S Q & Q & Q

Q Q Q
& R &
R R

S R Q Q Q S R Q Q Q S R Q Q Q
S S1 S1 Bild I-66
0 0 Q Q 0 0 Q Q 0 0 Q Q
0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 Flipflop mit
1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 dominierenden
1 1 0 1 1R 1 1 1 0 R 1 1 Q Q R1
Eingängen

Schaltung Wertetabelle Schaltzeichen

D
& Q C D Q Q
& Q
0 0 Q Q 1D
0 1 Q Q
1 0 0 1
Q 1 1 1 1 C1
C &
&

& Bild I-67

D-Flipflop
552 Datentechnik

Impulszeitdiagramm steigenden oder abfallenden Flanke des Clock- bezie-

hungsweise Taktsignals übernommen werden. Von
Übernahme der "1"
Übernahme der "0"
einem taktzustandsgesteuertem Flipflop spricht man,
D 1 wenn die Daten nur bei C = „1“ oder C = „0“ über-
nommen werden. D-Flipflops werden für kurzzeitige
0 t Speicheroperationen eingesetzt. Hierbei werden die
C 1 an den D-Eingängen anliegenden Informationen mit
dem Takt übernommen. Der Takt bestimmt damit den
0 t Zeitpunkt der Datenübernahme (Bild I-69).
Q1
6.3.1.5 JK-Flipflop
0 t
t
Erweitert man das RS-FF nach Bild I-70 durch zwei
d UND-Gatter und entsprechender Rückkopplung, wer-
Bild I-68 Impulsdiagramm den unzulässige Eingangskombinationen verhindert.
Die entgegengesetzten Zustände an den Eingängen J
Da das Flipflop das Eingangssignal verzögert, spricht und K werden beim nächsten Takt übernommen. Ist J
man auch von einem Delay-Flipflop (siehe Impuls- = K = „0“, ändert sich der Ausgang nicht, und bei J =
diagramm Bild I-68). Soll der Zustand vom Daten- K = „1“ schaltet das Flipflop mit jedem Takt um.
eingang in Abhängigkeit einer Flanke übernom- Hierbei wirkt das Flipflop dann wie ein T-Flipflop.
men werden, spricht man vom einflankengesteuerten 6.3.1.6 Master-Slave-JK-Flipflop
D-Flipflop. Der Eingangswert kann mit der an-
Das Master-Slave-JK-Flipflop (Bild I-71) ist ein
taktzustandsgesteuert taktflankengesteuert zweiflankengesteuertes Flipflop, weil es bei anstei-
gender oder abfallender Flanke die Eingangsinfor-
mation aufnimmt und speichert und mit der zur Ein-
Q Q 1D Q gangsübernahme komplementären Flanke die Infor-
1D 1D
mation zum Ausgang weiter schaltet. Es besteht
immer aus zwei JK-Flipflops, dem Master (Herr) und
C1 C1 C1 dem Slave (Diener). Das Zeichen an den Ausgängen
deutet einen retardierenden Ausgang an. Dies bedeu-
tet nach DIN 40700, daß der Zustandswechsel des
Flipflops an den Ausgängen erst dann wirksam wird,
wenn die Eingangsvariable zu ihrem ursprünglichen
Bild I-69 Taktgesteuerte Flipflops Wert zurückgekehrt ist.

RS-Flip-Flop JK-Flip-Flop

S Q Q Q Q
& S 1S & S 1J
J
C C1 C C1
K
& R 1R & R 1K
R

Bild I-70 JK-Flipflop

Prinzip Schaltzeichen Wertetabelle

Q Q J K Q
1J 1J 1J 0 0 Q
0 1 0
C1 C1 C1
1 0 1
1K 1K 1K 1 1 Q

1 Bild I-71
Master-Slave-Prinzip
I Digitaltechnik 553

Bild I-72 beschreibt die Funktion und zeigt die Aus- C C

wirkung der Eingangsbeschaltung auf den Ausgang
Q. Das Master-Slave-Flipflop übernimmt bei der t t
ansteigenden Flanke die Eingangsinformation. Wäh- J J
rend dieser Zeit ist der Slave gesperrt und gibt bei ab-
fallender Flanke die Information – hier sperrt das
t t
Master-FF – an den Slave weiter. K K

1
t t
Q Q
Schwelle 2

t t

Schwelle 1 Bild I-73 Impulsdiagramm

0 t
Slave wird gesperrt Slave öffnet
Master öffnet Master sperrt
Bild I-72 Zeitverhalten des Master-Slave-JK-Flipflop
Betrachtet man die Auswirkung des Clock-Signals in
einer zeitlichen Reihenfolge, so ergeben sich die
dargestellten Zustände im Master-Slave-JK-FF. Jeweils
beim Überschreiten der Schwelle 1 und 2 laufen die
dargestellten Reaktionen ab. Mit der ansteigenden
Flanke wird der Slave gesperrt, und der Master kann
die Eingangsinformation übernehmen, um sie mit der
abfallenden Flanke zum Slave zu bringen. Während
dieser Zeit ist der Master gesperrt. Bild I-73 verdeut-
licht diesen Zusammenhang mit dem Impulszeitdia-
gramm, und Bild I-74 zeigt die Anschlußbelegung
von drei gängigen Standardbausteinen.
6.3.1.7 T-Flipflop
Das T-Flipflop (Trigger-Flipflop, Toggle-Flipflop) ist
flankengesteuert und besitzt nur den Takteingang. Es
schaltet wie das JK-Flipflop bei der Eingangskombi-
nation J = „1“ und K = „1“ jeweils mit der Taktflanke
die Ausgangszustände um (Bild I-75). T-Flipflops
werden in Zähler- und Teilerschaltungen eingesetzt.
6.3.2 Grundschaltungen aus Speicherbausteinen
6.3.2.1 Register
Register sind aus Speicherbausteinen zusammenge-
setzte Einheiten. Man unterscheidet hierbei allgemei-
ne Register, die zur kurzzeitigen Speicherung kleiner
Datenmengen wie 8-, 16- oder 32-Bit-Datenworte
dienen, und Schieberegister, die die gespeicherte
Information jeweils mit einem Takt weitergeben. Mit

74LS74 74LS73 74LS109

4 S 5 14 1J 12 5 S 6
2 1J
3 C1 1 C1 4 C1
2 1D 6 3 1K 13 3 1K 7
1 R 2 R 1 R
11 S
10 S 9 7 1J 9 10
14 1J
11 C1 5 C1 12 C1
12 1D 8 10 1K 8 13 1K 9
13 R 6 R 15 R
7 GND 11 GND 8 GND Bild I-74
14 VCC 4 VCC 16 VCC Standardbausteine

T-Flipflop Impulszeitdiagramm Bausteine mit gleichen Eigenschaften

C +

Q 1J Q 1D Q
t
C T Q C C1 C C1
1K
t

Bild I-75 T-Flipflop mit Impulsdiagramm und funktionsgleiche Bausteine

554 Datentechnik

dem Taktsignal (C = Clock) werden die Daten in
das Register eingegeben, und mit OE (Output En-
able) können die gespeicherten Daten freigegeben
werden.
6.3.2.2 Schieberegister
Schieberegister bestehen aus hintereinander geschal-
teten D-Flipflops oder JK-Flipflops mit untereinander
verbundenen Takteingängen. Sie geben die gespei-
cherte Information jeweils mit einem Takt von Flip-
flop zu Flipflop weiter. Bild I-76 zeigt eine mögliche
Schaltung und beschreibt die Funktion mit dem
Impulszeitdiagramm.
Zur Verdeutlichung sind die Pegel-Ausgänge Q0 bis
Q3 gesondert herausgeführt. Das Datenbit liegt am
Eingang D an und wird mit dem 1.Takt übernommen.
Damit wird Q0 „1“. Mit dem nächsten Takt wird „0“
von D übernommen, und die „1“ von Q0 gelangt nach
Q2. Nach dem 5. Takt ist das Schieberegister „leer“.
Man unterscheidet Schieberegister nach ihrer Länge
und ihrer Betriebsart. Je nach Datenein- und ausgabe
(seriell, parallel) und Schieberichtung (links, rechts)
parallele Ausgabe
Q0 Q1
serielle Eingabe
Q Q
D 1J 1J
C1 C1
Q Q
& 1K 1K
unterscheiden sich die Betriebsarten der Schieberegi-
ster. Ist ein Ausgang mit dem Eingang verbunden,
spricht man vom Ringschieberegister. Im Bild I-77 ist
ein Schieberegister für die parallele Eingabe darge-
stellt. S und R sind zusätzliche Vorbereitungsein-
gänge. Die Ansteuerung verhindert das gleichzeitige
Anstehen von Setz- und Rücksetzsignal und läßt die
parallelen Daten nur mit dem Freigabeeingang zu.
Register mit seriellem Dateneingang und parallelen
Datenausgängen bezeichnet man auch als Serien-
Parallel-Umsetzer und Register mit parallelen Ein-
gängen und seriellem Datenausgang als Parallel-
Serienumsetzer.
Im Bild I-78 sind zwei Standardbausteine für eine
serielle Übertragung zusammengeschaltet. Die anlie-
genden parallelen Daten werden geladen und mit
jedem Takt über eine Leitung dem Baustein 74164
zugeführt. Dieser Baustein stellt nach 8 Takten das
eingegebene Datenwort wieder zur Verfügung. In der
Mikroprozessortechnik sind solche parallel/seriell-
und seriell/parallel-Wandler Bestandteile von Inter-
faceschaltungen.
Q2 Q3
Q Q
1J 1J
C1 C1
Q Q
1K 1K

C
Serien-Parallel-Umsetzer

C Q0 Q1 Q2 Q3

t t+1
D

t t+2
Q0
1
t t+3
Q1
1
t t+4
Q2
1
t
Q3
1
t Bild I-76
Impulszeitdiagramm Schieberegister

parallele Ausgabe
D0 D1 D2 D3
EN
& & & &
serielle
Ausgabe
S S S S
1J 1J 1J 1J Q
C1 C1 C1 C1
1 1K 1K 1K 1K
R R R R
T
Bild I-77
R Parallel-Serien-Register
I Digitaltechnik 555

parallel/seriell seriell/parallel

SRG8 SRG8
G1(Shift) C1/
G2(Load) R
serielle
C3/ Übertragung
+ 0 1 1
1D 1

0 3D 1 0 0 0 0 0 1 1
Parallele Eingabe

Parallele Ausgabe
1 2D 1 1 0 0 0 0 1 1

1 2D 1 1 0 0 0 0 1 1

1 1 1 0 0 0 0 1 1

1 1 1 0 0 0 0 1 1

1 1 1 0 0 0 0 1 1

1 1 1 0 0 0 0 0 1

1 1 1 1 0

Laden

nach 1. Schieben
°
°
°
nach 7. Schieben
nach 8. Schieben
Bild I-78 Schieberegisteranwendung

6.3.2.3 Frequenzteiler Schaltung

+
Frequenzteiler erzeugen nach z Impulsen an ihrem &
Eingang einen Ausgangsimpuls und teilen somit die
Eingangsfrequenz durch z. Sie bestehen aus Flipflops, 1J 1J 1J D
die hintereinander geschaltet sind und deren Ausgang C C1 C1 C1
1K 1K 1K
Q jeweils das nachfolgende Flipflop ansteuert. Jedes R R R
Flipflop teilt im Verhältnis 2:1. Mit vier Flipflops läßt
sich ein Teilerverhältnis von 24 = 16 realisieren. Zäh-
ler und Teiler bestehen aus gleicher Hardware mit
Impulsdiagramm
unterschiedlicher Signalauswertung. Der Teiler besitzt
immer einen Eingang und einen seriellen Ausgang, C 1 2 3 4 5
während der Zähler seine Information als paralleles
Wort ausgibt. Durch entsprechende Verknüpfungen t
lassen sich ungeradzahlige Teilerverhältnisse realisie- QA
ren. Daher wird auch nach geradzahligen und unge-
radzahligen Teilern unterschieden. Bild I-79 gibt die
t
Schaltung eines 5 zu 1-Teilers wieder.
Nach dem 5. Impuls erfolgt eine Rücksetzung über QB
das NAND-Gatter, um mit Rückstellung aller Flip-
flops neu zu beginnen. Will man das Impulspausen- t
verhältnis gleich machen, dann muß am Ausgang D D 1
ein zusätzliches Flipflop eingesetzt werden. Ein
Anwendungsbeispiel ist in Bild I-80 dargestellt. Aus t
einem Rechteckgenerator gewinnt man durch zwei
Teilerbausteine unterschiedliche Frequenzen. Bild I-79 Frequenzteiler 5:1
556 Datentechnik

Bild I-80
74LS90 74LS90 Zählerbausteine als Frequenzteiler
CTR CTR
& 7CT0 & 7CT0

G7 G7

G + DIV2 + DIV2

0 0
+ CT + CT
2 2
DIV5 DIV5

1000Hz 500Hz 100Hz 20Hz 10Hz

6.3.2.4 Zähler Frequenzteiler
Zähler gehören zu den Grundbausteinen der Digital-
technik. Sie werden z.B. zum Zählen von Stückzah-
len, Zählen von Umdrehungen eines Motors oder
Zählen einer Zeiteinheit eingesetzt. Die Impulse zur
Ansteuerung des Zählers liefert eine Zeitbasis oder
unterschiedliche Sensoren. Die Eigenschaft des
Zählers, zu addieren oder zu subtrahieren (immer 1)
und zu speichern, läßt sich mit Flipflops erreichen.
Die gezählten Impulse erscheinen an einem Parallel-
ausgang. Die Zählerkapazität ist von der Anzahl n der
Flipflops abhängig. Dabei gilt als maximale Zähler-
kapazität Kmax = 2n. Ein Zähler aus 4 Flipflops hat
somit Kmax = 16. Er erreicht nach 16 Zählimpulsen
wieder Null. Man spricht von einem „Modulo-16-
Zähler“. Ist nach dem n-Zählimpuls der Zustand Null
erreicht, bezeichnet man den Zähler allgemein als
„Modulo-n-Zähler“. Zähler lassen sich nach der Zähl-
richtung als Vorwärts- oder Rückwärtszähler, nach
der Zahlendarstellung, z.B. als BCD- oder Dualzähler
und nach Art der Taktansteuerung als Asynchron-
oder Synchronzähler einteilen. Bild I-81 zeigt einen
universellen Standardbaustein.
6.3.2.4.1 Asynchroner Zähler
Bei einem Asynchronzähler wird der Takt nur dem
ersten Flipflop zugeführt. Die nachfolgenden Stufen
werden jeweils von der Vorstufe gesteuert. Im Bild
I-82 wurden zum Aufbau eines Vorwärtszählers JK-
Flipflops eingesetzt. Die Arbeitsweise der Flipflops

4510B 4510B
CTRDIV10 TC 7
15 1,2 + / 1,2 –
40 0 6
10 M2
5 G1 12 1 Lade- Vor- 1 11
1 C3 Rückwärts-
9 R 13 2 schaltung Zähler
2 14

4 3D 6 33 3 2

12 11 1PL CP CE Reset
15
10 UP/DN
13 14 5 Bild I-81
3 2
9 Universalzähler
1,2CT = 9 7
1,2CT = 0

Schaltung Schaltbild

Q0 Q1 Q2 Q3 CTR DIV16
+ + + + C

1J 1J 1J 1J + Q0
C C1 C1 C1 C1
+ Q1
1K 1K 1K 1K
+ Q2
Bild I-82
+ Q3
Asynchronzähler
I Digitaltechnik 557

Impulsdiagramm

C 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1 2 3 4

t
QA

t
QB

t
QC

QD
Bild I-83
Impulsdiagramm
t des Asynchronzählers
Asynchronzähler Rückwärtszähler
Schaltung Schaltbild

CTR DIV16
Q0 Q1 Q2 Q3 C

– Q0
1J 1J 1J 1J
C C1 C1 C1 C1 – Q1
1K 1K 1K 1K – Q2
– Q3

Impulsdiagramm

C 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213 14 15 16 1 2 3 4

t
QA

t
QB

t
QC

t
QD

Bild I-84
t Rückwärtszähler und Impulsdiagramm
558 Datentechnik

entspricht der von T-Flipflops, da J = K = „1“ an-
liegt.
Geht man davon aus, daß vor Einsetzen des ersten
Taktes an den Ausgängen Q0 bis Q3 „0“ anliegt (Bild
I-83), wird mit der abfallenden Flanke des 1. Taktes
Q0 auf „1“ und mit der abfallenden Flanke des nach-
folgenden Taktes Q0 auf „0“ gesetzt. Da der Ausgang
Q0 als Takt für das nachfolgende Flipflop wirkt,
schaltet Q1 mit der abfallenden Flanke von Q0 auf
„1“. Nach dem 7. Impuls liegt am parallelen Ausgang
der Schaltung die Binärfolge 0111 unter Berücksich-
tigung der Wertigkeiten Q0 mit 20 = „1“, Q1 mit 21 =
„1“, Q2 mit 22 = „1“ und Q3 mit 23 = „0“ an. Nach
dem 16. Impuls sind alle Ausgänge „0“, und der
Vorgang wiederholt sich. Damit handelt es sich um
einen Modulo-16-Zähler.
Der Rückwärtszähler unterscheidet sich vom Vor-
wärtszähler schaltungstechnisch durch die Steuerung
der einzelnen Flipflops, wie dies in Bild I-84 darge-
stellt ist. Im Gegensatz zum Vorwärtszähler erhält
das jeweils nachfolgende Flipflop seinen Zustand von
/Q. Damit kehrt sich die Zählrichtung entsprechend
um.
Bild I-85 zeigt eine mögliche Umschaltung für die
Zählrichtung.
Die asynchrone Schaltung hat den Nachteil, daß
falsche Ausgangszustände bei höheren Frequenzen
auftreten, weil hier Verzögerungszeiten eine Rolle
spielen. Beispielsweise können beim Übergang von 3
nach 4 noch die Zustände 2 und 0 (Bild I-86) oder
beim Übergang von 7 nach 8 die Zustände 6, 4 und 0
auftreten.
6.3.2.4.2 Asynchroner BCD-Vorwärtszähler
Der asynchrone Dualzähler (Bild I-87) kann als
BCD-Zähler arbeiten, wenn nach der 9 die Rückstel-
lung auf 0 erfolgt.
Dies erreicht man durch eine Auswertschaltung. Der
Zählerstand 10 wird zum Rückstellen benutzt (Bild I-
88). Da die RESET-Schaltung (hiermit werden alle
Flipflop-Ausgänge auf „0“ gesetzt) Low-aktiv ist,
genügt ein NAND mit Anschluß an die Ausgangs-
wertigkeiten 23 = Q3 und 21 = Q1. Um ein korrektes
Rücksetzen zu erreichen, ist in der Praxis eine Verzö-
gerung notwendig. Hier wird das durch die Laufzeit
zweier Gatter realisiert.

Umschaltlogik Schaltbild

CTR DIV16
+ + C1+/2-
M1
1J M2
& 1J
C C1 & C1 +– Q0
1K 1K
& +– Q1
+– Q2 Bild I-85
S & +– Q3
Schaltung zur
Zählerumkehr

0011 = 3
C
1 2 3 4 5 6
t
QA

t
QB

t
QC

t
QD

0010 = 2
0000 = 0 Bild I-86
0100 = 4 Fehler durch Signallaufzeiten
I Digitaltechnik 559

Q0 Q1 Q2 Q3
+ + + + &

1J 1J 1J 1J
C C1 C1 C1 C1
1K 1K 1K 1K
Bild I-87
& & Asynchroner
BCD-Vorwärtszähler

Impulsdiagramm

C 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1 2 3 4

t
QA

1 0
t
QB

0 0
t
QC

0 0
t
QD
Bild I-88
Impulsdiagramm des BCD-
1 0 Zählers
t

6.3.2.4.3 Synchroner Dual-Vorwärts-1-Zähler schaltet. Hilfreich ist es hierzu, die Zustände der
Flipflops vor und nach dem Taktimpuls zu betrachten
Bei den synchronen Zählern werden die Takteingän-
und jeweils das Flipflop an der Stelle zu kennzeich-
ge aller FFs gleichzeitig (synchron) angesteuert, und
nen, wo eine Umschaltung erfolgen muß. Mit dieser
alle Ausgangszustände ändern sich ebenfalls gleich-
Überlegung kann dann durch Verknüpfung entschie-
zeitig. Sie sind daher gegenüber Asynchronzählern
den werden, ob J = K = „1“, das heißt das Flipflop
schneller. Bei der Realisierung mit JK-Flipflops
durch den Eingangstakt schalten soll. Bild I-89 zeigt
werden die Vorbereitungseingänge entsprechend ge-
eine Tabelle mit der entsprechenden Kennzeichnung
durch Pfeile.
Q3 Q3+1 Q2 Q2+1 Q1 Q1+1 Q0 Q0+1
Da das FF1 hiernach mit jedem Takt umschalten
0 0 0 0 0 0 0 1 muß, wird J = K auf „1“ gelegt. Das FF2 muß jedes-
0 0 0 0 0 1 1 0 mal schalten, wenn auch Q0 schaltet. Alle Gleichun-
0 0 0 0 1 1 0 1
0 0 0 1 1 0 1 0
gen sind nachfolgend aufgeführt. Das schaltungstech-
0 0 1 1 0 0 0 1 nische Umsetzen der nachfolgenden Gleichungen
0 0 1 1 0 1 1 0 führt zur Schaltung Bild I-90.
0 0 1 1 1 1 0 1
0 0 1 0 1 0 1 0 Gleichungen:
1 1 0 0 0 0 0 1
für FF1: J=K=1
1 1 0 0 0 1 1 0
1 1 0 0 1 1 0 1 für FF2: J = K = Q0
1 1 0 1 1 0 1 0 für FF3: J = K = Q0 Q1
1 1 1 1 0 0 0 1 für FF4: J = K = Q0 Q1 Q2
1 1 1 1 0 1 1 0
1 1 1 1 1 1 0 1 6.3.2.4.4 Zähler für mehrere Decaden
1 1 1 0 1 0 1 0 Sollen mehrere BCD-Zähler zusammengeschaltet
Bild I-89 Tabelle zur Realisierung des Synchronzäh- werden, kann das asynchron oder synchron vorge-
lers BCD-Zähler nommen werden. In der Praxis bevorzugt man die
560 Datentechnik

Schaltung

Q0 Q1 Q2 Q3

& &
1J 1J 1J 1J
C C1 C1 C1 C1
1K 1K 1K 1K
R R R R
Bild I-90
Synchronzähler

Stelle 101 Stelle 100 Stelle 101 Stelle 100

CTR DIV10 CTR DIV10 CTR DIV10 CTR DIV10

G1 G1 G1 G1
0 0 0 0
1+ 1+ 1+ 1+
CT CT CT CT
3 3 3 3 Bild I-91
CT = 0 CT = 0 CT = 0 CT = 0
Asynchroner und
C C
synchroner Zähler für
asynchron synchron zwei Stellen

synchrone Zusammenschaltung, weil hier keine
Zwischenzustände auftreten können. Im Beispiel Bild
I-91 ist einmal die asynchrone und die synchrone
Zusammenschaltung dargestellt. Bei der synchronen
Zusammenschaltung werden beide Zählerbausteine
gleichzeitig vom Takt angesteuert. Mit G1 = „0“ ist
der Zähler jeweils gesperrt.
6.4 Sonderschaltungen
6.4.1 Monoflops
Monostabile Kippstufen oder Monoflops besitzen
eine stabile Lage und können durch einen Steuerim-
puls für eine bestimmte Zeit ti in eine instabile Lage
versetzt werden und an einem Ausgang einen Impuls
liefern. Hierbei kann je nach Schaltungsdimensionie-
rung eine Impulsverlängerung oder Impulskürzung
erfolgen (Bild I-92). Der Ausgangsimpuls ist nur von
den Daten des Monoflops und nicht von der Dauer
des Steuerimpulses abhängig.
Im Bild I-93 sind zwei Monoflops als Beispiel mit un-
terschiedlichen Grundgattern aufgeführt. Das NAND-
Monoflop verläßt seine stabile Lage bei einer kurzen
Ansteuerung mit einem L-Pegel. Dieser erzeugt einen
H-Impuls am Ausgang G1 und – weil C zunächst als
Kurzschluß wirkt (der Kondensator ist nicht geladen) –
damit einen L-Pegel am Ausgang G2. Nach Öffnen des
Tasters wird dieser Zustand solange beibehalten, bis
der Kondensator C sich aufgeladen und am Eingang
von G2 L-Pegel anliegt. Damit erhält der Ausgang G2
H-Pegel und der Ausgang G1 wieder L-Pegel. Die
stabile Lage ist wieder erreicht. Die Zeitdauer des L-
Pegels am Ausgang G2 entspricht der Zeit ti und hängt
von der Zeitkonstanten R ⋅ C ab. Die stabile Lage des
NOR-Monoflops wird durch einen kurzen H-Impuls
unterbrochen. Da der Kondensator C zuvor nicht gela-
den war (der Ausgang G1 führte H-Pegel und der Ein-
gang G2 über R1 ebenfalls), ergibt der H-Impuls am
Eingang ein L am Ausgang G1 und damit ebenfalls am
Eingang G2. Der H-Impuls im Rückkopplungszweig
hält diesen Zustand solange aufrecht, bis der Konden-
sator C über R1 aufgeladen die Schaltspannung erreicht
hat und am Ausgang wieder einen L-Pegel erzeugt. Die
Ansteuerung von Monoflops erfolgt über Differenzier-
glieder. Das Bild I-93 zeigt zwei Beispiele, die je nach
gewünschter Steuerflanke gewählt werden können.

Schaltzeichen Impulsverlängerung Impulskürzung

A A
Q
A 1 t t
ti
Q Q Q

t t
ti ti ti ti
Bild I-92 Monoflop und Betriebsarten
I Digitaltechnik 561

+ +

G1 C G2 G1 C G2
& &

R R

Ansteuerungsmöglichkeiten
+

& &
Bild I-93
Monoflops aus Grund-
gattern und Ansteuer-
möglichkeiten

In der Praxis setzt man integrierte Bausteine ein (Bild
I-94). Die entsprechende Zeit ti wird durch externe
Beschaltung mit einem Widerstand R und einem
Kondensator C festgelegt, wobei die Werte den
Datenbüchern der Hersteller entnommen werden
können. Durch die vorhandenen Eingänge sind unter-
schiedliche Triggermöglichkeiten vorhanden. Man
unterscheidet nichtretriggerbare und retriggerbare
Monoflops. Bei der nichtretriggerbaren Stufe ergeben
sich bei erneuter Ansteuerung durch einen Impuls
während der aktiven Zeit ti keine Ausgangsänderun-
gen. Der Baustein 4528B besitzt zwei retriggerbare
und rücksetzbare Monoflops.
11 74121
10
3 6
&
4 1
5 1
6.4.2 Astabile Kippstufen Monoflop
Astabile Kippstufen sind Rechteckgeneratoren und
Bestandteil vieler digitaler Schaltungen. Sie dienen
als Zeitbasis digitaler Meßgeräte, als Taktoszillator
für ein Controller- oder Prozessorsystem oder werden
als Baudratengenerator eingesetzt. Sie können mit
Hilfe von Gatterschaltungen aufgebaut werden. Bild
I-95 zeigt eine Schaltung mit einem Schmitt-Trigger,
dem zugehörenden Impulsdiagramm und zwei weite-
re mögliche Schaltungen. Liegt am Ausgang L-Pegel,
kann sich der Kondensator über R entladen. Bei
Unterschreiten der Einschaltschwelle am Eingang des
Schmitt-Trigger nimmt der Ausgang Q H-Pegel an,
+
R

&
1

4528B
2 +
1
6 R
5
1
4 C
7

3
14
15 1
10
11
1
12
9

13 Bild I-94 Integrierte Monoflops

562 Datentechnik

UC
R V
1,6
0,8
t
UQ
Q V
5,0
C
t

R R1
& Q1
G1 G2 C2
1 1
C R2 C1
Bild I-95
& Q2
Generatorschaltungen

und C kann über R wieder aufgeladen werden, bis die
Ausschaltschwelle erreicht ist, um an Q wieder einen
L-Pegel zu erzeugen. Die Frequenz der Ausgangs-
spannung ist von der Zeitkonstante tau = R ⋅ C ab-
hängig.
Zum Einsatz kommen auch hier integrierte Schaltun-
gen. Als Beispiel dient der Baustein 4060B. Er be-
steht aus einem Generator und einem sich anschlie-
ßenden Teiler. Zu seiner Funktion brauchen nur
wenige externe Bauelemente zugefügt werden (Bild
I-96). Seine Oszillatorfrequenz läßt sich bis 214
teilen. Dies hängt vom gewählten Ausgang ab.

MR MR 4060B
4060B 4060B CTR14
9 Cx
11 & & 11 & & 10 Rx +
11 3 7
10 9 10 9 &
12 5
100k CT = 0 4
R
C 6
14
CT
2,2k 13
9 15
1 11 1
f= 2
100pF 2,3 * R * C
13 3
22..37pF
nach Datenbuch der Firma Philips
Bild I-96 Standardbaustein mit Taktgenerator

II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik

1 Allgemeines kostengünstiger. IC’s lassen sich nach Kriterien wie

Integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC) beste-
hen aus einer großen Anzahl von Transistorfunktio-
nen, die auf einem Halbleiterkristall (Chip) integriert
sind. Der Chip ist in einem Kunststoff- oder Kera-
mikgehäuse eingebaut. Über Anschlüsse (Pin’s)
erfolgt die Verbindung zur Schaltung. Mit Hilfe
moderner Herstellungsverfahren wird die Integra-
tionsdichte dieser Schaltungen immer größer und die
entsprechenden Chips kleiner, leistungsfähiger und
Integrationsdichte, Funktion und Technologie einord-
nen. Bei der Integrationsdichte wird beispielsweise
nach SSI (Small Scale Integration), MSI (Medium
Scale Integration), LSI (Large Scale Integration) und
VLSI (Very Large Scale Integration) unterschieden.
Die Grenzen zwischen den Gruppen sind fließend
und nicht einheitlich festgelegt.
Digitalschaltungen (Logik- und Speicherschaltungen)
werden in bipolarer oder unipolarer Technik herge-
stellt. Bei den bipolaren Logikschaltungen wird nach
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik
Digitale integrierte Schaltungen
Standard Logik
PLD
TTL ECL CMOS BiCMOS PROM
Bild II-1 Übersicht: Integrierte digitale Schaltungen
TTL (Transistor-Transistor-Logic) und ECL (Emitter
Coupled Logic) unterschieden, bei den unipolaren
Logikschaltungen nach MOS (Metal Oxide Silicon)
und CMOS-Typen (Complementary MOS). Sind
beide Technologien auf einem Chip realisiert, spricht
man von BiCMOS-Technik.
Außer den zuvorgenannten Standardschaltungen bie-
ten die Hersteller anwendungsspezifische Schaltun-
gen (ASIC = Application Specific IC) an, die sich
nach vollkundenspezifischen (full custom) und halb-
kundenspezifischen (semi custom) Schaltungen unter-
scheiden. Hierunter versteht man vor allem Gate
Arrays, Cell Arrays und PLD’s (PLD = Programma-
ble Logic Device). Unter einem Array versteht man
allgemein eine Matrix, die verknüpft werden kann.
Bild II-1 zeigt eine Übersicht digitaler integrierter
Schaltkreise. Speicher und Prozessoren sind in ge-
sonderten Kapiteln aufgeführt.
2 Umgang mit integrierten Schaltungen
IC’s sind elektrostatisch gefährdete Bauelemente
(EGB). Sie müssen daher geschützt werden. Der
Hersteller versieht diese Bauteile mit einem beson-
deren Kennzeichen (Hand als Piktogramm). Bei
MOS-Schaltungen ist eine Schutzschaltung häufig
integriert. Trotzdem kann es zur Zerstörung der
Bauteile bei Berührung der Bausteinanschlüsse durch
elektrostatische Entladungen kommen, wenn nicht
besondere Regeln beim Umgang mit diesen Bau-
elementen beachtet werden. Hierzu zählen Schutz-
maßnahmen am Arbeitsplatz wie hochohmig leitende
563
ASIC Prozessoren Speicher
Gate Array Cell Array
PLA FPGA PAL GAL
Fußbodenbeläge und ein Handgelenkband mit Erdung
über einen Ableitwiderstand. Die Werkzeuge müssen
ebenfalls aus einem antistatischen Material bestehen
bzw. leitend sein. Alle Geräte für Reparaturzwecke
sind zu erden. Dies gilt beispielsweise auch für einen
Lötkolben, dessen Erdung über einen Widerstand
durchgeführt wird. Bei hoher Arbeitsfrequenz der
Bauelemente gelangen beim Umschalten Stromspit-
zen auf die Betriebsspannungsleitung. Bei der Schal-
tungsentwicklung muß daher gesorgt werden, daß alle
Spannungsversorgungen direkt am Versorgungsan-
schluß des IC’s durch einen Kondensator abgeblockt
sind. Um die Einkopplung von Fremdsignalen zu
vermeiden, ist es weiterhin notwendig, daß keine
langen Leiterbahnen bei der Entwicklung eines Lay-
outs verlegt werden.
3 Daten und Begriffe
der Logikschaltungen
3.1 Grenz- und Kenndaten
Grenzdaten sind absolute Grenzwerte. Bei Über-
schreitung dieser Werte kann die integrierte Schal-
tung zerstört werden. Kenndaten sind Mittelwerte, die
durch Angabe eines garantierten Streubereiches
(worst case) ergänzt wurden.
3.2 Pegel
H- und L-Pegel sind bestimmten Spannungsbereichen
zugeordnet, die eingehalten werden müssen, um die
logische Funktion zu gewährleisten. Für Ein- und
Bild II-2
Pegelwerte und
Störabstand
564 Datentechnik

Ausgang einer Schaltung gelten unterschiedliche
Pegelwerte. Bild II-2 veranschaulicht dies am Bei-
spiel eines Standard-TTL-Bausteins. Die Schaltung
erkennt „L“ von 0 ... 0,8 V (UIL) und „H“ von
2 V ... 5 V (UIH). Liefern muß die Schaltung für „L“
0 ... 0,4 V (UOL) und für „H“ 2,4 V ... 5 V (UQH)
(siehe auch Tabelle II-1). Der Bereich zwischen „L“
und „H“ ist nicht definiert. Man spricht hier auch von
dem „verbotenen Bereich“.
In Datenbüchern wird häufig die Übergangskennlinie,
also die Abhängigkeit der Spannung UO (U Output)
von UI (U Input), angegeben (Bild II-3). Die Schraf-
fierung kennzeichnet hier den verbotenen Bereich.
Mit der angegebenen Meßschaltung kann diese Kenn-
linie statisch aufgenommen werden.
tung zwischen zwei Gattern bei unterschiedli-
chen Pegeln ist in Bild II-4 deutlich hervorgehoben.
Häufig liegen die gemessenen Stromwerte weit un-
ter den maximal zulässigen Werten. Da IQL max
16 mA beträgt, dürfen unter worse case-Bedingun-
gen höchstens 10 Gattereingänge einen Ausgang
belasten. Die Ausgangsbelastung (Ausgangslast-
faktor) nennt man Fan Out. Hiermit wird ausgesagt,
mit wieviel Lasteinheiten ein Ausgang belastet wer-
den darf. Für Standard-TTL gilt ein Fan out von 10
und für CMOS ein Fan out von 50. Sollen mehr als
10 Eingänge an einen Standard-TTL-Ausgang ange-
schlossen werden, müssen Treiberstufen eingesetzt
werden.

Übertragungskennlinie Meßschaltung
UO TTL
V
5

4
& &
3
2,4 V UI V UO
2

1
0,4
UI
0
V
0 1 2 3 4 5 Bild II-3
0,8 2 Übertragungskennlinie und Meßschaltung

3.3 Störsicherheit +U +U

Unter statischer Störsicherheit versteht man die IOH

Sicherheit gegen eingekoppelte Störspannungen,
deren Einwirkung zeitlich größer als die Gatterlauf-
zeit ist. Man spricht hier auch vom Störabstand.
Störspannungen bis zur Größe des Störspannungs- IIH
abstandes haben keinen Einfluß auf die logische
Funktion der Schaltung. Bei Standard-TTL beträgt IIL
der statische Störspannungsabstand 1,2 V (siehe Bild IOL
II-2).Unter dynamischer Störsicherheit versteht man
die Sicherheit gegen Störspannungen mit kürzeren
Zeiten als die Gatterlaufzeit. Die Werte des dynami-
schen Störabstandes sind von der Dauer des Störim- H L H
pulses, der Temperatur und der jeweiligen Schaltung & A &
abhängig. IIL
L H L
3.4 Lasteinheit & A &
IIH
Um die Pegelwerte einhalten zu können, darf das
Gatter nur vorgegebenen Belastungen ausgesetzt sein. Bild II-4 Stromrichtung zwischen den Gattern und
Jeder Eingang eines Gatters belastet das vorherige Kennzeichnung der Ströme
Gatter. Bei Standard-TTL fließt bei L ein maximaler
Strom von 1,6 mA aus dem Gatter (IIL = – 1,6 mA). 3.5 Temperaturbereich
Diese Stromgröße wird mit Fan IN = 1 (Eingangs- Bei der Angabe des Temperaturbereichs wird zwi-
lastfaktor FI) bezeichnet. Bei H fließt ein max. Strom schen Lagerungstemperatur und zulässiger Umge-
von 40 uA in das Gatter (IIH = 40 uA). Die Stromrich- bungstemperatur im Betrieb unterschieden. So liegt
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 565

beispielsweise die Lagerungstemperatur bei IC’s mit
Kunststoffgehäusen zwischen 55 °C bis 125 °C, die
zulässige Umgebungstemperatur im Standardbereich
bei der 74LS-Serie von 0 °C bis 70 °C und bei den
MOS-Typen der 4000B-Serie von – 40 °C bis 85 °C.
3.6 Gatterlaufzeit
Ändert man den Eingangspegel einer Gatterschaltung,
z.B. eines Inverter, von L nach H, so dauert es eine
gewisse Zeit, bis der Ausgang auf die Eingangsände-
rung reagiert. Das Zeitverhalten gibt die Gat-
terlaufzeit (tpd = propagation delay time) wieder,
wobei die Angabe sich auf die Differenz der Ein- und
Ausgangsflanke in 50%iger Höhe bezieht. Bei Auf-
bau von Schaltungen mit Mehrebenen können durch
unterschiedliche Laufzeiten fehlerhafte und unge-
wünschte Verhaltensweisen wie kurzzeitige Impulse
(Glitches) am Ausgang auftreten. Im Bild II-5 durch-
laufen die Signale A und B drei Gatter, während C
zwei und D nur ein Gatter durchläuft. Durch Umor-
ganisation der Schaltung kann erreicht werden, daß
die Eingangssignale gleiche Zeiten durchlaufen. Oft
wird auch statt der Signallaufzeit die maximale
Schaltfrequenz angegeben.
Für kurze Impulse kann die Gatterlaufzeit, wie darge-
stellt ist, ausgenutzt werden. Das Zeitliniendiagramm
beschreibt die Pegel an den einzelnen Gattern. Der
Ausgang B ist zunächst „H“, da der Eingang A
L-Pegel führt. Nimmt A H-Pegel an, schaltet B nach
der Verzögerungszeit auf L. C schaltet nach L und
der nachfolgende Inverter G3 gibt den Impuls mit der
Impulszeit einer Verzögerungszeit heraus. Wünscht
man Impulszeiten mehrerer Gatterlaufzeiten, sind
zusätzlich jeweils zwei Inverter zwischen G1 und G2
einzusetzen.
3.7 Verlustleistung
Bei digitalen Schaltungen wird häufig die Verlustleis-
tung pro Gatter angegeben. Hierbei handelt es sich
um einen Mittelwert, der davon ausgeht, daß der
Gatterausgang abwechselnd L- und H-Pegel führt.
Bei den einzelnen Familien gibt es erhebliche Un-
terschiede, wie auch dem Bild II-6 entnommen wer-
den kann. Vergleicht man ferner die Stromaufnahme
eines Standard-TTL-Bausteins, sind auch deutliche
Unterschiede der Stromwerte zu erkennen, wenn alle
Ausgänge einmal L- und einmal H-Pegel führen. Die
größte Verlustleistung tritt im dynamischen Betrieb

Laufzeit Laufzeitunterschiede
100%
Ebene 1 Ebene 2 Ebene 3
50%
A
&
t B &
tpHL tpLH & Q
C
100% D

50%

A
t
B
& Q
Ausnutzung von Laufzeiten C
G1 D
B G2 G3
A & C
& & Q

A A
&
B
& Q
t C
B &
D

t
C

t
Q

t
tpd Bild II-5 Gatterlaufzeiten
566 Datentechnik

bei hohen Frequenzen auf. Der Schaltungsentwickler Tabelle II-1 Kennwerte ausgewählter TTL-Serien
sollte beim Einsatz digitaler Schaltungen darauf
achten, daß die Verlustleistung der eingesetzten Kennwerte 74 74S 74LS 74ALS 74F
Bausteine möglichst gering ist. Hierdurch können die Betriebs- 5 5 5 5 5
Netzteile klein und kompakt dimensioniert werden, spannung (V)
und die geringere Wärmeentwicklung der Bauele- ± 5%
mente erspart aufwendige Kühlmaßnahmen. Ein
UIL (V) < 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8
Beispiel hierfür ist die 3,3 V-Technologie. In diesem
Zusammenhang ist auch der Begriff Speed-Power- UIH (V) > 2 2 2 2 2
Product zu nennen, der das Produkt aus Geschwin- UOL (V) < 0,4 0,5 0,5 0,5 0,5
digkeit und Leistungsaufnahme eines Gatters in
Verbindung mit Energiebilanzen angibt. UOH (V) > 2,4 2,7 2,7 U-2V 2,7
IOL (mA) max 16 8 20 30 24
4 TTL-Familie tp (ns) 10 9 3 5 3

4.1 Eigenschaften und Kenndaten P (mW) 10 2 20 1,2 4

nach Unterlagen der Firma Philips
Bild II-6 zeigt die Mitglieder-TTL-Familie im Ver- Abkürzungen: UIL Eingangsspannung für L-Pegel; UIH Ein-
gleich von Gatterlaufzeit und Verlustleistung. In gangsspannung für H-Pegel; UOL Ausgangsspannung für L-Pegel;
Tabelle II-1 sind ihre Kenndaten aufgelistet. UOH Ausgangsspannung für H-Pegel; IOL Ausgangsstrom bei L-Pegel

P tp
mWns

25

20

15

10

5
Bild II-6
Verlustleistung und
74 74H 74L 74S 74LS 74ALS 74AS 74F Gatterlaufzeit

Die Bausteine der einzelnen Untergruppen sind PIN- 4.2 Standard-TTL

kompatibel (gleiche Funktion und Anschlußbelegung)
und besitzen als gemeinsame Kenndaten die Be-
triebsspannung, Pegelwerte und den Temperatur-
bereich. Unterschiede bestehen vor allem in der Gat-
terlaufzeit und der Verlustleistung. Bei der Low-
Power- und High-Speed-Untergruppe sind die inter-
nen Widerstandswerte gegenüber Standard verändert,
um die Leistungsaufnahme geringer zu machen
(Low) und die Geschwindigkeit zu erhöhen (High).
Die beiden Eigenschaften verlaufen allerdings ge-
gensätzlich.
Weitverbreitet sind die Low-Power-Schottky-Typen
mit ihrer gegenüber Standard-TTL geringeren Leis-
tungsaufnahme und etwa gleicher Geschwindigkeit.
Bild II-7 zeigt einige LS-Bausteine aus dem umfang-
reichen Herstellerangebot mit ihren Anschlußbele-
gungen. Advanced-Schottky und Advanced-Low-
Power-Schottky sind verbesserte Nachfolgetypen
sowie die FAST-Serie, die gegenüber der LS-Serie
ihre Gatterdurchlaufzeit erhöhen konnte.
Bei den Standardbausteinen der TTL-Familien haben
sich folgende Funktionseinheiten herausgebildet:
Grundgatter wie z.B. NICHT (Inverter), UND, ODER, NOR
und XOR
Flipflops wie z.B. RS-Flipflop, D-Flipflop und JK-Flipflop
Multiplexer und Datenselektoren
Demultiplexer und Decoder
Rechenschaltungen wie z.B. Addierer
Komparatoren
Zähler und Frequenzteiler
Schieberegister
Treiber
Sonderschaltungen wie z.B. Schmitt-Trigger und Zeitglieder
Schaltungen der Standardserie (Bezeichnung 74xx)
bestehen aus bipolaren Transistoren, die als Schalter
arbeiten. Sie sind so dimensioniert, daß sie beim
Durchschalten übersteuert werden und so voll in den
Sättigungsbereich gelangen (gesättigte Logik). Die
TTL-Familie ist die Weiterentwicklung der DTL
(Dioden-Transistor-Logik) und RTL (Widerstands-
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 567

74LS00 74LS02 74LS32 74LS86 74LS10

1 & 2 1 1 1
2 3 3 1 2 3 2 3
2 & 12
4 5 4 4 13
5 & 6 6 4 5 6 5 6 3
& 4 & 6
9 8 9 9
10 8 9 10 10 8 10 8 5
9
12 & 11 12 12 & 8
13 11 12 13 13 11 13 11 10
11

74LS16 74LS73 74LS75 74LS393

1 1 2 14 12 13 C1 CTRDIV10
1J
4 C2
3 1 4 1 C1 CT= 0 0
3 2 16
1K 1D 1 +
5 1 6 2 R 13 CT
3 15
1D 14 3
9 1 8
7 9 7 9
1J 2D 8
11 1 10
5 C1 6 2D 10
13 1 12 10 1K 11
6 R 8

74LS85 74LS151
74LS138
10 0 COMP 7 EN MUX
DX
12 P 11 0 0 15
13 10 G 1
15 3 P<Q 7 9 2 7 2 14
9 0 4 6 3 13
11 Q P=Q 6 3 12
14 2 5 11
1 3 P>Q 5 1
15 10
2 < 14 4 9
3 = 13 5 & 7
4 > 12 6

74LS244
1 19 2 18
EN

2 18 11 9 4 16
4 16 13 7
6 14 15 5 6 14
8 12 17 3
8 12
Bild II-7
Digitalbausteine mit
1
Anschlußbelegung

Transistor-Logik). Drei typische Vertreter der Stan-
dardserie dienen als Beispiel. Digitalbausteine
 Beispiel 1: Baustein IC 7400
Bild II-8 zeigt die Innenschaltung des 14poligen IC’s und den
Aufbau eines NAND-Gatters. Hier erkennt man die Merkmale der
weitverbreiteten Logik mit einem Multiemitter-Transistor im
Eingang (V1) und einer Gegentaktendstufe (Totem-Pol-Stufe) am
Ausgang (V3, V4). Von der Funktion her läßt sich diese Schal-
tung als Weiterentwicklung der RTL (Widerstands-Transistor-
Logik) und der DTL (Dioden-Transistor-Logik) ansehen.
Wenn jetzt ein oder beide Eingänge der Schaltung auf Masse lie-
gen (L-Pegel), kann der Transistor V2 nicht durchschalten. Damit
ist auch V4 gesperrt, und V3 schaltet durch und erzeugt einen H-
Pegel am Ausgang. Liegen beide Eingänge auf +5 V (H-Pegel),
schaltet V2 durch, und am Ausgang entsteht ein L-Pegel, da auch
V3 durchschaltet. Transistor V4 ist dann gesperrt.
An dieser Schaltung erkennt man auch die Auswirkung offener
Eingänge auf den Ausgang der Schaltung. Werden beide Eingän-
ge offen gelassen, fließt über die Basis-Kollektor-Diode des Multi-
emitter-Transistors Strom in den Transistor V2 und schaltet die-
sen und auch V4 durch. Offene Eingänge wirken wie anliegende
H-Pegel. Man legt daher bei NAND- und UND-Gattern die nicht -
benötigten Eingänge auf +5 V und bei ODER- und NOR-Gattern
auf 0 V.
Müssen Ausgänge verschiedener Gatter logisch miteinander ver-
knüpft werden, ist dies mit Totem-pole-Schaltungen nicht mög-
lich. Gatter mit solchen Gegentaktendstufen dürfen an ihren Aus-
gängen nicht parallel geschaltet werden, da ein Kurzschluß ent-
stehen kann, wenn ein Gatterausgang „L“ und der andere „H“ lie-
fert. Abhilfe schaffen Gatter mit offenem Kollektor (Open Collec-
tor, o. C., siehe Beispiel 2).
 Beispiel 2: Baustein IC 7401
Im Bild II-9 sind die Innenschaltung des Baustein 7401 und der
Aufbau eines Gatters dargestellt. Ein Lastwiderstand RL muß ex-
tern eingebaut werden, da der Ausgang ohne Lastwiderstand kei-
nen Pegel ausgeben kann.
Stufen mit offenem Collektor (o. C.) lassen am RL Be-
triebsspannungen von 15 V oder 30 V zu. TTL-Treiber können
damit Kleinverbraucher direkt ansteuern. Gatter mit o. C dürfen
mit ihren Ausgängen parallel geschaltet werden. Der Ausgang
erreicht nur dann H-Pegel, wenn alle Eingänge auf H-Pegel lie-
568 Datentechnik

14
1 14 R1 R2 R3
&
2 13
& V3
3 12
10 V2 V7
4 11 V1
9 8
& V4
5 10 V5 V6
&
6 9 R4

7 8 Bild II-8
7 Baustein 7400

verdrahtete UND-Schaltung verdrahtete ODER-Schaltung

14
1 14 R1 R2
2 13
&
3 12
& V2
9 V1
4 11 10
8
V4 V5 V3
5 10
&
6 9 R3
&
7 8
Bild II-9
7 Baustein 7401

+ +
RL RL
UND ODER
Schaltung Schaltung

A & Q A & & Q

B & B &

Wertetabelle Gleichung Wertetabelle Gleichung

A B Q A B Q
L L L L L L
Q=A∧B Q=A∨B
L H L L H H Bild II-10
H L L H L H Verdrahtete UND- und
H H H Q=A∨B H H H Q=A∨B
ODER-Schaltung

+ +
RL RL

IRL IRL

H IQL IIL H L IOH IIH L

& IIL & & IIH &

L IIL H L IOH IIH L

& IIL & & IIH &

n=2 N=4 n=2 N=4

Bild II-11 Stromrichtung und -größe bei unterschiedlichen Ansteuerungen
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 569

gen; ansonsten liegt L-Pegel am Ausgang an. Man spricht von 5,25 V − 0,4 V 4 ,75 V − 2,4 V
einer verdrahteten UND-Schaltung (Wired AND). Wird der Aus- RL > RL <
16 mA − 4 ⋅ 1,6 mA 2 ⋅ 250 uA + 4 ⋅ 40 uA
gang mit einem nachfolgenden Inverter verbunden, ergibt sich
eine verdrahtete ODER-Verknüpfung (Wired OR). Bild II-10
RL > 505 Ohm RL < 3560 Ohm
zeigt die beiden genannten Schaltungen und verdeutlicht die
Funktion anhand der Wertetabelle und der Gleichungen.
Der Wert des Kollektorwiderstandes läßt sich für eigene Bedürf-  Beispiel 3: Baustein IC 7402
nisse berechnen oder man nutzt für Standardanwendungen die Ta- Liegt an beiden Eingängen der Schaltung Bild II-12 ein L-Pegel,
bellen der Hersteller (Tabelle II-3). Das Berechnungsbeispiel be- wird V3 und V4 gesperrt und damit auch V6. V5 schaltet durch
zieht sich auf die Schaltung Bild II-11. und erzeugt einen H-Pegel am Ausgang. Bei Anliegen eines H-
U max − UOL Pegels an nur einem der Eingänge entsteht am Ausgang ein L-
U min − UOH
RL > RL < (II.1) Pegel. Die Schaltung erfüllt damit die NOR-Funktion.
IOL max − N ⋅ IIL n ⋅ IOH + N ⋅ IIH

Tabelle II-3 Ermittlung des Kollektorwiderstandes

RLmax RLmin
N
n 1 2 3 4 5 6 7
1 8100 4350 2970 2260 1820 1520 1310 337
2 7120 4050 2830 2170 1760 1480 1280 379
3 6350 3790 2700 2100 1710 1450 1250 433
4 5730 3560 2580 2020 1660 1410 1230 505
5 5220 3350 2470 1950 1620 1380 1200 607
6 4790 3170 2370 1890 1570 1350 1180 758
7 4430 3010 2280 1830 1530 1320 1150 1110
8 4120 2860 2190 1780 – – – 1515
9 3850 – – – – – – 3030
nach Datenbuch der Firma ITT

14
1 14 R1 R2 R3 R5
2 13
™1 V3 V4 V5
3 12
™1 8 V1 V2
4 11 V9
9
5 10
™1 10
6 9 V6
™1 V7 V8
7 8 R4
Bild II-12
7 Baustein IC 7402

4.3 Schaltungen mit 3-state

Schaltung Schaltzeichen
+
1
R1 R2 R3 EN Q

V3
E E Q
V1 V2 V5 EN
Q
Prinzip
V4
R5 V6 V7
EN R4
R6
Bild II-13
3-state-Gatter
570
Tristate-Schaltungen besitzen außer den Pegelausga-
ben L und H noch eine dritte Möglichkeit. Sie sind in
der Lage, mit einem Steuereingang (EN Enable =
Freigabe) einen Ausgang hochohmig zu schalten.
Damit können diese Schaltungen in parallelen Bus-
systemen eingesetzt werden. In der Hauptsache
handelt es sich bei Einsatz dieser Schaltungen um
Leistungstreiber, Richtungstreiber, Zwischenspeicher
und Speicherschaltungen. In der Prinzipdarstellung
(Bild II-13) schaltet ein H-Pegel am Eingang EN die
Transistoren V6 und V7 durch und sperrt damit die
beiden Endstufentransistoren V3 und V4. Der Aus-
gang Q besitzt damit keinen definierten H- oder L-
Pegel mehr. Er ist praktisch abgeschaltet; man spricht
auch davon, daß der Ausgang hochohmig ist.
4.4 Schottky-TTL und Low-Power-Schotky
Schottky-Dioden besitzen einen Metall-Halbleiter-
übergang und Schwellspannungen, die zwischen
denen von Germanium- und Silizium-Dioden bei ca.
0,4 V liegen. Ein Schottky-TTL-Gatter besitzt we-
sentlich kürzere Schaltzeiten als ein Standardgatter;
es hat aber den Nachteil, daß die Leistungsaufnahme
sehr hoch (20 mW) ist. Weitverbreitet sind heute die
Bausteine der LS-Serie (Low-Power-Schottky) wegen
der geringeren Leistungsaufnahme von etwa
2 mW pro Gatter und des höheren Fan out gegenüber
Standard Typen. Die Schaltzeiten dieser Serie liegen
bei 9 ns. Bild II-14 zeigt ein Gatter der Schottky-
TTL-Serie.
+ UEE
R1 R2 R6
V8
V2 V10
A 10K-Reihe
V7 R7
V1
Q Low-Pegel (V) <
V4 V6
B
V5
V11
V3
R3
R4 R5
V9
Bild II-14 Low-Power-Schottky-Gatter
5 Emittergekoppelte Logik
Kennzeichen der emittergekoppelten Logik (Emitter
Coupled Logic) ist der Differenzverstärker im Ein-
gang und die Auskopplung über den Emitter (Bild
II-15). Aufgrund des technologischen Aufbaus kön-
nen ECL-Schaltungen auch zwei Ausgänge führen,
deren Pegel invers zueinander sind. Man spricht dann
Datentechnik
von einem AND/NAND-Gatter oder OR/NOR-
Gatter. Bausteine der ECL-Familie sind bedeutend
schneller als andere Bausteinfamilien. Sie erreicht
Schaltzeiten von kleiner 1 ns. Der Grund ist die
Konstantstromquelle des Differenzverstärkers, der die
Transistoren nicht in die Sättigung kommen läßt
(ungesättigte Logik). Ein weiterer Vorteil ist der
relativ hohe Ausgangslastfaktor von 25. Nachteil
dieser Technik sind hohe Verlustleistungen bis
40 mW. Auffallend sind die drei Betriebsspannungen
UEE, UCC1 und UCC2. UCC1 dient als Hilfsspan-
nung für Abschlußwiderstände. Häufig werden aber
die beiden Anschlüsse UCC1 und UCC2 gemeinsam
auf Masse zusammengelegt. Tabelle II-4 faßt die
Kenndaten dieser Baugruppe zusammen.
UCC1 UCC2
A∧B
A∧B
A
B
Bild II-15 ECL-Gatter mit zwei Ausgängen
Tabelle II-4 Kenndaten
100k-Reihe
Betriebsspannung (V) – 5,2 – 4,5
– 0,81 – 0,88
High-Pegel (V) > – 1,85 – 1,81
Ausgangsstrom (mA) – 50 – 55
tp (ns) 2 0,80
P (mW) 25 40
6 Integrierte MOS-Schaltungen
Der Vorteil gegenüber Schaltungen in bipolarer
Technik ist der geringere Leistungsbedarf, der aller-
dings mit zunehmender Frequenz steigt. MOS-
Schaltungen (MOS = Metal Oxide Semiconductor)
sind sehr hochohmig und nehmen praktisch nur im
dynamischen Betrieb Leistung auf. Weiter lassen sich
hohe Packungsdichten erreichen, und es werden
weniger Einzelschritte bei der Herstellung benötigt.
Der Nachteil liegt in der Verarbeitungsgeschwindig-
keit durch stets vorhandene Streukapazitäten. MOS-
Schaltungen sind somit viel langsamer als Standard-
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 571

TTL-Schaltungen. Auch hier haben sich unterschied- Die Betriebsspannung kann zwischen 2 und 15 V
liche Familien ausgebildet. liegen.
+
6.1 NMOS- und PMOS-Technik
Kennzeichen dieser Schaltungstechnik ist, daß sie
entweder nur mit NMOS- oder nur mit PMOS-Typen V1
aufgebaut sind. Das Einsatzgebiet der MOS-Technik
liegt bei hochintegrierten Schaltungen wie z.B. der
Speichertechnologie. Bild II-16 zeigt das Prinzip V2
eines P- und NMOS-Schalters als Inverter mit der
jeweiligen Wertetabelle. Der n-Kanal-Type leitet bei Eingang Ausgang
Ansteuerung mit einem H-Pegel und der p-Kanal- Bild II-17
Type bei Ansteuerung mit einem L-Pegel. CMOS-Inverter

n-Kanal-Inverter p-Kanal-Inverter
Gegenüber MOS-Schaltkreisen ist die Leistungsauf-
nahme bei verbesserten Schaltzeiten und größerem
+ +
Störspannungsabstand wesentlich kleiner. Gegenüber
bipolarer Technik ist die höhere Intergrationsfähigkeit
Q hervorzuheben. Die Pegeländerungen von H nach L
D D
und umgekehrt liegen genau bei halber Betriebsspan-
A G B A G B Q nung. Aufgrund des sehr hohen Eingangswiderstandes
S S werden CMOS-Schaltungen gegen statische Aufladun-
gen mit Schutzschaltungen versehen (Dioden im Ein-
und Ausgang). Da die FET’s direkt zwischen Betriebs-
spannung und Masse liegen, wirkt der durchgeschaltete
A Q Bemerkung A Q Bemerkung Transistor immer als Lastwiderstand. CMOS-Schal-
0 1 n-Kanal sperrt 0 1 p-Kanal leitet tungen besitzen einen großen Spannungsversorgungs-
1 0 n-Kanal leitet 1 0 p-Kanal sperrt bereich (2 V bis 15 V) und damit je nach Betriebsspan-
nung einen großen Störabstand. Aufgrund der niedri-
Bild II-16 n-Kanal- und p-Kanal-Schalter gen Leistungsaufnahme sind CMOS-Schaltungen auch
für den Batteriebetrieb gut einsetzbar. CMOS-NOR
6.2 CMOS CMOS-Inverter
Die CMOS-(Complementary MOS-)Logikfamilie be- 6.2.1 4000-Serie
steht aus N- und P-Kanal-MOS-Transistoren. Bild Bei den CMOS-Typen der 4000-Familie unterscheidet
II-17 verdeutlicht die Funktion am Beispiel eines man die ungepufferte Serie A (ältere Serie) und die
Inverters. Je nach Ansteuerung ist immer einer gepufferte Serie B. Die Ausgänge der B-Serie sind mit
der beiden Transistoren leitend. Bei Ansteuerung Puffern, die aus Doppelinverter bestehen, versehen.
mit „L“ leitet der p-Kanal V1 und bei Ansteuerung Bild II-18 zeigt ein NOR-Gatter beider Typen. Sobald
mit „H“ der n-Kanal V2. CMOS-Gatter nehmen ein Eingang H-Pegel besitzt, wird V1 oder V2 gesperrt
praktisch nur im dynamischen Betrieb Leistung auf. und ergibt für den Ausgang Q einen L-Pegel. Nur wenn
Die statische Verlustleistung ist nahezu Null, weil beide Eingänge mit einem L-Pegel angesteuert werden,
stets einer der beiden Transistoren gesperrt ist und leitet V1 und V2, während V3 und V4 gesperrt sind. In
damit kein Strom mehr durch die Schaltung fließt. diesem Fall führt der Ausgang H-Pegel.

Type A Type B
+ +
A A
V1
B B
V2
Q
Q

V3 V4 V3

A A Bild II-18
1 Q 1 1 1 Q
B B CMOS-NOR
572 Datentechnik

UO UO
V V
15
A B
CMOS
5

4 10
TTL

2 5

UI UI
0 0
V V
0 1 2 3 4 5 0 5 10 15

Bild II-19 Übertragungskennlinie

Bild II-19 vergleicht die Übertragungskennlinien P

eines Inverters beider Serien bei unterschiedlichen mW
Betriebsspannungen. Das steile Schaltverhalten der 100,0
B-Serie ist deutlich zu erkennen.
Die Leistungsaufnahme bei unterschiedlichen Fre- 10,0
quenzen beschreibt Bild II-20. Erst ab etwa 1 MHz LSTTL
erreichen diese Bauelemente die Verlustleistung von 1,0
LS-Typen.
Tabelle II-5 gibt die Kenndaten der CMOS-Familie 0,1
wieder. Bei positiver Logik liegt die Betriebsspannung CMOS
zwischen +3 V und +15 V. Die Spannung für den H- 0,01
Pegel muß mindestens 70% und für den L-Pegel min-
destens 30% der Betriebsspannung betragen. Offene 0,001
Eingänge sind nicht zulässig, und unbenutzte Eingänge
müssen auf Masse (0) oder Betriebsspannung (1) lie- f
0,0001
gen. CMOS-Gatter dürfen mit ihren Ausgängen nicht Hz
100 1k 10k 100k 1M 10M
parallel geschaltet werden, weil sich je nach Ansteue-
rung ein undefinierter Ausgangszustand ergibt. Bild II-20 Leistungsaufnahme

Serie A Serie B
+ +
V1 V2 V6 V8 V1 V2 V7 V10 V12
V4 V5

V3 V5 V7 V3 V4 V6 V8 V9 V11

Bild II-21 Schaltung mit Schutzdioden

OUT

IN
Bild II-22
Enable Schaltung mit 3-state
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 573

Tabelle II-5 Daten der CMOS-Familie

4000B LSTTL HC HCT
Betriebsspannung 3 – 15 V 5 V ± 5% 2–6 V 5 V ± 10%
Verlustleistung (statisch) 1 μW 2 mW 2,5 nW 2,5 nW
Verlustleistung (100 kHz) 100 μW 2 mW 75 μ W 75 μW
Gatterlaufzeit 94 ns 10 ns 8 ns 8 ns
max. Taktfrequenz 4 MHz 33 MHz 55 MHz 55 MHz
Ausgangstreiberstrom 0,5 mA 8 mA 4 mA 4 mA

Die Ein- und Ausgänge dieser Schaltungen sind mit
Schutzdioden gegen statische Überspannungen gesi-
chert (Bild II-21).
Sollen mehrere Bausteine trotzdem eine gemeinsame
Signalleitung bekommen, müssen, wie bei den TTL-
Bausteinen, 3-state-Schaltungen benutzt werden.
Nach Bild II-22 wird die Schaltung bei EN = L in den
hochohmigen Zustand versetzt. Ist EN = H, wird der
anliegende Eingangspegel (L oder H) zum Ausgang
Q übertragen.
6.2.2 CMOS-Schalter CMOS-Bausteine
Der bilaterale CMOS-Schalter besteht aus einem
p- und n-Kanal-MOS. Durch einen L-Pegel am
Steueranschluß E0 werden beide Transistoren mit
den Anschlüssen Y0 und Z0 leitend. Durch einen
anliegenden H-Pegel sperren beide Transistoren.
Der Schalter kann für analoge und digitale Signale
eingesetzt werden. Eingang und Ausgang können
beliebig zugeordnet werden. Eine Signalverstär-
kung erfolgt allerdings nicht. Bild II-23 zeigt als
Beispiel den Baustein IC 4016 mit seiner An-
schlußbelegung und den Aufbau eines der vier Schal-
ter.
CMOS-Schaltungen müssen aufgrund der extrem
hohen Eingangswiderstände (>100 MOhm) gegen
statische Aufladungen geschützt werden. Sie besitzen
daher im Eingang Schutzschaltungen, die je nach Typ
und Hersteller unterschiedlich sind. Wie schon bei
der TTL-Familie, bieten auch hier die Hersteller
unterschiedliche Bausteine an. Bild II-24 zeigt eine
kleine Auswahl gebräuchlicher IC’s.

4016 B Y0
+
Y0 Z0
1 2
# E0
13
V1 V2
4 3
#
5 E0
8 9
#
6
11 10 Bild II-23
#
12 CMOS-Schalter
Z0

4001B 4011B 4030B 4073B 4555B

1 2 1 X/Y 0 4
1 ™1 3 1 & 3 1 =1 3 3 2 1 5
2 2 2 2 & 9
5 5 5 8 2 6
™1 4 & 4 =1 4 3 1 EN 3 7
6 6 6 4 & 6
8 ™1 10 8 & 10 8 =1 10 5 14 1 X/Y 0 12
9 9 9 11 13 1
12 12 12 10 2 11
™1 11 & 11 =1 11 12 & 2 10
13 13 13 13
15 EN 3 9
VDD 16
GND 8

4068B 40106B 4518B 4502B 4015B

0 3 4 EN SRG4
1 1 2 1 2 1 +
4 12 G1 9 C1/ 5
™1CT 6 R 4
3 1 4 3 4 2 5 3 1 5
7 3 6 6 7 3
5 1 6 5 6 10
7 10
9 1 8 9 8 0 11 1 2 SRG4
10 10 9 + 10 9 1 C1/ 13
11 1 11 ™1CT 12 12
13 1 12 13 12 10 13 13 11 13 R
11
15 3 14 15 14 15 10 2
VDD 16
Bild II-24 CMOS-Bausteine GND 8
574 Datentechnik

6.2.3 High-Speed-CMOS
Die HC/HCT-Logikreihe (High-Speed-CMOS/HC-
TTL kompatibel) verbindet die Vorteile der bipolaren
Technik mit ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und
die geringere Leistungsaufnahme der Standard-
CMOS-Serie (Tabelle II-3). Dadurch sind diese
Bausteine den 74LS- und 4000-Typen überlegen. Die
74HCT-Serie ist TTL-kompatibel und kann bei einer
Betriebsspannung von 5 V jeden LS-Typ ersetzen, da
eine zusätzliche Kompatibilität der Spannungspegel
vorliegt (Tabelle II-6). Zu beachten ist aber, daß der
Ausgangstreiberstrom nur die Hälfte des LSTTL
beträgt. Die 40xxHC/HCT-Serie ist pinkompatibel
zur 4000-Serie. Bild II-25 zeigt die Eingangsschal-
tung einer HCT-Version und die Übertragungskenn-
linien bei einer Betriebsspannung von 5 V.
reich (4 V bis 6 V). Für die Übergänge von „L“ nach
„H“ und umgekehrt liegen die Schaltspannungen bei
30% bzw. 70% der Betriebsspannung. Bild II-26
vergleicht die Betriebsspannung und die Pegelberei-
che der gängigsten Typen.
6.2.4 BICMOS
BICMOS (Bipolar CMOS) vereinigen bipolare mit
CMOS-Technik. Durch die CMOS-Technik wird die
Leistungsaufnahme wesentlich gesenkt und durch die
bipolare Technik die Geschwindigkeit erhöht. Zu
dieser Serie zählen die Bausteine 74BCxx und
74ABTxx. Während bei den BC-Typen die Gatter-
laufzeiten bei einer Betriebsspannung von 5 V bei
3,8 ns liegen, bewegen sich die Gatterlaufzeiten bei
ABT unter 3 ns. Die Bauelemente sind funktions-

UO
V

V3
5
V1
4
100 170 V4
3
HCT HC
V2
V5 2

1
UI
Bild II-25 HC-Eingangsschaltung und Übertra- 0
V
gungskennlinie 0 1 2 3 4 5

Die beiden Widerstände im Eingang und V1 und V2 und pinkompatibel zu LS-TTL oder FAST
dienen als Schutzschaltung bei elektrostatischen (74F/74S/74HC). Relativ neu ist die Entwicklung und
Entladungen. Im Gegensatz zu LS-Typen besitzen das Angebot von Niederspannungsschaltkreisen;
HC-Typen einen größeren Versorgungsspannungsbe- sogenannte 3,3 V-Logikschaltkreise (Low Voltage).

LSTTL HC HCT Betriebsspannung

Ue Ua Ue Ua Ue Ua UCC
LS HCT HC
V V V V V V V
6 6 6 6
H H
5 5 5 5

4 4 4 4
H
3 H 3 3 3

2 H 2 2 H 2
L
1 L 1 1 1
L
L
L L
0 0 0 0
UCC UCC UCC
4,5V 5,5V 4,5V 5,5V 4,5V 5,5V
Bild II-26 Betriebsspannungen und Pegelbereiche
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 575

Die Verlustleistung dieser Bausteine gegenüber der
5 V-Technik ist etwa um 1/3 niedriger.
7 Interfaceschaltungen
Interfaceschaltungen passen die Logikfamilien unter-
einander an. Das ist bei unterschiedlichen Pegelwer-
ten notwendig. Sie verbinden auch Logikschaltungen
mit weiteren elektronischen Systemen. Die Verbin-
dung von CMOS zu TTL läßt sich über Puffer reali-
sieren und von TTL nach CMOS über einen Pull-up-
Widerstand realisieren. Bei 5 V Betriebsspannung ist
auch eine direkte Kopplung möglich (Tabelle II-6).
Bild II-27 zeigt Beispiele, bei denen die Logik-
Familien mit unterschiedlichen Betriebsspannungen
betrieben werden.
Der Pull-up-Widerstand Rp beträgt 2 bis 10 kOhm
bei der Umsetzung von TTL nach Standard-CMOS.
Für die Umsetzung von Standard-CMOS mit einer
Betriebsspannung von 6 V bis 15 V nach 74HC ist
ein zusätzlicher Umsetzer (4049/50B) beispielhaft ein-
gesetzt. Das 74HC-Standard-CMOS-Interface wurde
zum einen mit einem Transistor und zum anderen mit
einem Umsetzer (TC5020BP) erreicht.
8 Anwendungsspezifische integrierte
Schaltungen
8.1 Allgemeines
Um eine gewünschte Schaltung zu realisieren, kann
bei der Entwicklung digitaler Systeme auf Standard-

UCC UCC UCC

4049
Rp

TTL Standart Standart 74HC

CMOS CMOS

UCC UCC UCC TC5020BP UCC

U1 U2
IN OUT

74HC Standart 74HC Standart

CMOS CMOS

Bild II-27 Interface-Schaltungen Nach Datenblatt der Firma Toshiba

Tabelle II-6 Anpassung unterschiedlicher Familien bei 5V Betriebsspannung

von zu 74HC/5 V 74HCT 4000B/5 V 4000B/6 – 15 V TTL
74HC/5 V direkt direkt direkt Puffer direkt
74HCT direkt direkt direkt Puffer direkt
4000B/5 V direkt direkt direkt Puffer direkt
4000B/6 – 15 V Puffer Puffer Puffer direkt Puffer
TTL Pull-up- direkt Pull-up- Puffer direkt
Widerstand Widerstand
576
bausteine der unterschiedlichen Logikfamilien zu-
rückgegriffen werden. Mit ihnen werden Baugruppen
geschaffen, deren Bausteine durch Signalverbindun-
gen jeweils miteinander verbunden sind. Jeder Bau-
stein benötigt eine eigene Spannungsversorgung. Die
Größe der Baugruppe ist jeweils von der Komplexität
ihrer Aufgabe abhängig. Soll der Platzbedarf redu-
ziert werden, werden anwendungsspezifische integ-
rierte Schaltungen (ASIC’s = Application Specific
IC) gewählt. Sie besitzen eine höhere Integra-
tionsdichte und bei Reduzierung der Systemverlust-
leistung eine geringere Ausfallrate in Verbindung mit
hoher Flexibilität. Anwendungsspezifische integrierte
Schaltungen können in zwei Hauptgruppen unterteilt
werden, zum einen in die Gruppe der kundenspezifi-
schen IC’s (Custom IC) mit den Bereichen der halb-
kundenspezifischen (Semi Custom) und den vollkun-
denspezifischen (full custom) Schaltungen und zum
anderen in die Gruppe der programmierbaren Logik-
bausteine (PLD = Programmable Logic Device).
Das für den Anwendungsfall notwendige Systemwis-
sen wird vom Anwender selbst eingebracht oder er
nutzt Hersteller-Design-Zentren, die durch Beratung
und gezielte Unterstützung eine optimale Lösung
anstreben.
8.2 Kundenspezifische IC’s
Bei den kundenspezifischen IC’s wird nach Full-
custom- und Semi-custom-Bausteinen unterschieden.
Der Full-custom-Baustein wird vom Hersteller nach
den Kundenanforderungen entwickelt und hergestellt.
Gate Array
Basic cell
I/O cell
Standart cells
ROM RAM
RAM
Bild II-28
Gate-Array und
Standard Cells
Datentechnik
Bei einer relativ langen Entwicklungszeit von über
einem Jahr und dem hohen Fertigungsaufwand sind
solche Bausteine nur für Großkunden mit großen Pro-
duktionsmengen wirtschaftlich. Semi-custom-Bau-
steine umfassen die Typen Gate-Arrays und Cell-
Arrays oder Standard Cells (Bild II-28). Sie sind von
den Herstellern als Gruppen von Gatterbausteinen
und Logikzellen aufgebaut. Array
Ausgangsbasis der Gate-Arrays sind vorgefertigte
Grundbausteine aus vielen P- und N-Kanal-MOS-
Transistoren, die als Gatter aufgefaßt werden können.
Nach Wünschen des Kunden werden die Basiszellen
zu einer Logikschaltung entsprechend verdrahtet.
Erste Muster für den Kunden sind schon nach we-
nigen Wochen verfügbar, so daß die Entwicklungs-
kosten gegenüber den vollkundenspezifischen Schal-
tungen deutlich niedriger liegen. Der Silizium-
Ausnutzungsgrad bei einem beliebigen Layout liegt
bei etwa 40%. Bei den Cell-Arrays bedient sich der
Entwickler beim Schaltungsentwurf der Zellbiblio-
theken, die gewünschte Funktionen wie Zähler,
Schaltungsentwurf
Umsetzung
in einen
Logikplan
Logiksimulation
Layouterstellung
Logiksimulation
mit Einfluß der
Verdrahtung
Masken-
herstellung
Prototyp-
herstellung
Muster-
untersuchung
Serienfertigung
Bild II-29
Array-Entwicklung
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik
Multiplexer oder Speicher beinhalten. Im Gegensatz
zu den Gate-Arrays, wo Grundfunktionen erstellt
werden, sind diese „Basiszellen“ mit größeren Teil-
aufgaben vorgefertigt. Der Entwicklungsaufwand
dieser Bausteine ist größer als bei den Gate-Arrays.
Da jedoch die Anordnung der Zellen und auch die
Zellbreite vom Entwickler gewählt werden, ergibt
sich eine optimal genutzte Chipfläche, die bei hohen
Stückzahlen Kostenvorteile mit sich bringen kann.
Bild II-29 zeigt den Ablaufplan einer Cell-Array-
Entwicklung.
8.3 Programmierbare Logikbausteine
Programmierbare Logikbausteine (PLD = Program-
mable Logic Device) sind Standardbausteine, deren
Funktion erst durch Software hergestellt wird. Ihre
innere Struktur besteht je nach Type aus einer pro-
grammierbaren UND- und ODER-Matrixschaltung
für Ein- und Ausgänge unter Einbeziehung weiterer
Logikbausteine wie beispielsweise Flipflops, Register
und Treiberstufen. Der universelle Einsatz derselben
Bausteine für unterschiedliche Funktionen ist mög-
lich. Hinzu kommt, daß die Gesamtschaltung in
einem IC-Baustein untergebracht werden kann, wozu
sonst mehrere TTL- oder CMOS-Standardbausteine
nötig wären. Hieran erkennt man den Vorteil pro-
grammierbarer Bausteine gegenüber diskreten Logik-
bausteinen. Ihre Integration ist höher, sie sind flexib-
ler zu handhaben, und die Schaltungsentwicklung
erfolgt durch Software. Damit ergeben sich kurze
Entwicklungszeiten bei niedrigen Kosten. Je nach
Hersteller existieren unterschiedliche Bezeichnungen
programmierbarer Schaltkreise. FPGA (Field pro-
grammable Gate Array) sind für Logikschaltungen
mit bis zu 10 000 Gattern pro Array universell ein-
setzbar und schnell umzuprogrammieren. Ihre Ver-
sorgungsspannung beträgt 5 V. PLA (Programmable
Logic Array) eignen sich für Logikschaltungen bis zu
300 Gattern pro Array. Ihr Betriebsspannungsbereich
geht von 2 V bis 6 V und ihr Stromverbrauch liegt bei
8 mA. EPLD (Erasable PLD) und EEPLD (Electric-
ally EPLD) sind weitere Bezeichnungen für pro-
grammierbare Schaltkreise.
Bekannte Vertreter dieser Bausteine sind PAL’s und
GAL’s. Im Gegensatz zu den Gate-Arrays kann der
Anwender ihre Funktion durch Programmierung mit
PROM PLA
Matrix Matrix
& &
1 1
Bild II-30 Strukturen unterschiedlicher PLD’s
577
entsprechenden Programmiergeräten selbst bestim-
men. Hierzu muß die Information in einer JEDEC-
Datei vorliegen. Während GAL’s mehrmals pro-
grammiert werden können, kann dies bei PAL’s nur
einmal durchgeführt werden. Die Grundstruktur und
die Programmierung der unterschiedlichen PLD-
Typen sind einander sehr ähnlich.
8.3.1 PROM
PROM-Bausteine (Programmable Read Only Memo-
ry) werden unter dem Kapitel Speicherbausteine
beschrieben. An dieser Stelle soll nur auf die von
anderen PLD’s verschiedene Grundstruktur hinge-
wiesen werden. Das AND-Array (UND-Matrix) ist
bei diesen Bausteinen festverdrahtet, während das
OR-Array (ODER-Matrix) einmal programmiert
werden kann. PLA’s besitzen eine programmierbare
UND- und ODER-Matrix und PAL’s nur eine pro-
grammierbare UND-Matrix (Bild II-30).
8.3.2 PAL
PAL (Programmable Array Logik) sind Bauelemente,
die eine Logikmatrix enthalten und vom Anwender
programmiert werden können. Mit ihnen können
mehrere kleinere Logikschaltungen in einem Gehäuse
untergebracht werden. PAL’s enthalten eine Matrix
(Verbindungen aus Zeilen und Spalten) und logische
Funktionsbausteine wie NICHT, UND, ODER und
Flipflops. Während sich im Eingang eine program-
mierbare Matrix befindet, ist die nachfolgende O-
DER-Matrix fest verdrahtet. Bild II-31 zeigt eine
UND-Matrix mit intakten Sicherungen.
Da der UND-Baustein das invertierte und nichtinver-
tierte Signal erhält, ist Q = „0“. Dies wird auch durch
die angegebene Gleichung deutlich. Eine program-
mierte Matrix erkennt man an den defekten Sicherun-
gen. Nicht programmierte (intakte) Brücken (Fuse =
Sicherung) sind an dem Kreuz im Schnittpunkt zu
erkennen. Im nichtprogrammierten Zustand ist der
Ausgang der UND-Verknüpfung immer „0“. Die
Verknüpfungsausgänge der UND-Matrix (Produkt-
linien) werden dann der ODER-Matrix zugeführt und
bei einigen PAL-Bausteinen mit dem Ausgang ver-
bunden. Bild II-32 zeigt hierzu Beispiele.
Die Bausteine 10L8 und 14L8 zeigen, daß die Aus-
gänge auch invertiert sein können. Bei den PAL-
PAL
Matrix Matrix
&
1
578 Datentechnik

nicht programmierte UND-Matrix

A B A B

Q= A *A *B*B

Fuse

& Q & Q

programmierte UND-Matrix
A B A B

Q= A* B

Fuse

& Q & Q

Bild II-31 Prinzip und vereinfachte Darstellung der Matrix PAL

10H8 10L8 14H4

1 20 1 20 1 20

2 ™1 19 2 ™1 19 2 19

3 ™1 18 3 ™1 18 3 18

4 ™1 17 4 ™1 17 4 ™1 17
UND-Matrix
UND-Matrix

UND-Matrix

5 ™1 16 5 ™1 16 5 ™1 16

6 ™1 15 6 ™1 15 6 ™1 15

7 ™1 14 7 ™1 14 7 ™1 14

8 ™1 13 8 ™1 13 8 13

9 ™1 12 9 ™1 12 9 12
Bild II-32
10 11 10 11 10 11 Einfache PAL-
Bausteine

Ausgangskonfigurationen
L-Typen R-Type

& ™1 &
& & ™1 & ™1
& & &
1D
& & &
& & C1
Bild II-33
Ausgangs-
konfigurationen
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 579

Typen können verschiedene Ausgangskonfiguratio- Bild II-34 zeigt am Beispiel des Bausteins 16L8 die
nen bei einer allen gemeinsamen UND-Matrix im Grundstruktur von PAL-Bausteinen. Die UND-
Eingang unterschieden werden (Bild II-33). Man Matrix besteht aus einunddreißig Spalten. Sieben
findet die gewünschten Bauteile anhand der Typen- Zeilen werden jeweils der ODER-Verknüpfung zuge-
bezeichung (Tabelle II-7). Der Typenname beschreibt führt und eine Zeile dem Ausgangs-3-state-Treiber.
die Anzahl der Ein- und Ausgänge durch jeweils eine Um die Programmierung durchzuführen, wird eine
Zahl, während der Buchstabe die interne Funktion JEDEC-Datei (JEDEC = Joint Device Engineering
und Struktur des PAL angibt. Die Zahl nach dem Council, Komitee für Standards in der Datentechnik)
Buchstaben gibt die Anzahl der Ausgänge an. erzeugt und einem Programmiergerät zugeführt. Die
jeweiligen Verbindungen werden durch die Pro-
Tabelle II-7 PAL-Typen und Bezeichnungen grammierung aufgetrennt. Eine Zerstörung der soge-
nannten „Security Fuse“ verhindert das Auslesen des
H: UND-ODER (High aktiv) PAL’s. Die Schaltungsbeschreibung selbst erfolgt mit
L: UND-NOR (Low aktiv) Booleschen Gleichungen, Wahrheitstabellen, Status-
C: UND-ODER (State-)Diagrammen, Grafiken oder in einer höheren
R: UND-ODER-Inverter-Register Programmiersprache. Normalerweise kann jeder
X: UND-ODER-EXODER-Register übliche Editor eingesetzt werden. Bei der Schreib-
1
0123456789012345678901 weise gibt es je nach Anwendungsprogramm unter-
01234567891111111111222222222233
0 schiedliche Darstellungsformen. Darstellungsformen
1
2
™1
für Verknüpfungen:
3 19
4
5
6
7 Funktion Darstellung
2
8 NICHT / !
9 ™1
10
11
UND * &
18
12
13 ODER + | #
14
15

3
Viele Hersteller bieten hierzu Entwicklungskits an,
16
17
18
™1 die außer Programmierungsmöglichkeiten zusätzliche
19
20
17 Simulationsprogramme beinhalten. Damit läßt sich
21
22 bereits statisch feststellen, ob der Baustein die ge-
23
wünschten Funktionen auch tatsächlich, wie geplant,
4
24
durchführt.
25
26
™1 Zwei Beispiele sollen das Programmieren von PAL’s
27
28 16 veranschaulichen.
29
30
31
 Beispiel 1: Ein Decoder soll zur Auswahl dreier Speicher so
5 konzipiert werden, wie das die Schaltskizze Bild II-35 zeigt. Zur
32 Verfügung steht ein PAL 12L6. Die Zuordnung der Eingänge und
33 ™1
34 der Ausgänge mit frei wählbaren Namen zu den Anschlüssen des
35 15
36 PAL-Bausteins ist beliebig. Damit kann das Platinenlayout je
37
38 nach Wunsch und Notwendigkeit angepaßt werden. Hier wurde
39 die Zuordnung festgelegt.
6 Zuordnung der Eingangssignale zu den PAL-Anschlüssen:
40 Programm: Adreßdecoder
41 ™1
42 CS = pin 1; Freigabeanschluß des Decoders
43 14
44 A11 = pin 2; Anschlüsse an den Adreßbus
45
46 A12 = pin 3
47
A13 = pin 4
7 A14 = pin 5
48 A15 = pin 6
49 ™1
50
51 13
3-state-Ausgang:
52
53 CE1.OE = CS
54
55 CE2.OE = CS
8 CE3.OE = CS
56 Gleichungen:
57 ™1
58
59 12
!CE1 = A15 &A14 & A13 & A12 & !A11
60
61 !CE2 = A15 & A14 & !A13 & A12 & A11
62
63 !CE3 = A15 & A14 & !A13 & !A12 & !A11
9 11
Mit einem Compiler wird eine JEDEC-Datei erzeugt,
Bild II-34 PAL 16L8 aus der ersichtlich ist, an welcher Stelle jeweils eine
580 Datentechnik

Schaltskizze PAL-Baustein
12L6

CS 1 20

A11 2 19 CE1
Decoder CE1 ROM
4Kx8Bit
A12 3 18 CE2
CE2 CS
A13 4 17 CE3
CS CE3
RAM1 A14 5 16
2Kx8Bit
CS A15 6 15

7 14
RAM2
16Kx8Bit 8 13
CS
9 12

Bild II-35 PAL-Baustein als Decoder 10 11

Sicherung des PAL-Bausteins zerstört bzw. nicht PIN

zerstört wurde. Die „0“ gibt die intakte und die „1“ CS 1
die unterbrochenen Fuse an. Man kann sich auch A11
vorstellen, es sei nur noch dort, wo sich die „0“
A11 2
befindet, eine Verbindung mit einem Eingang.
Bild II-36 zeigt einen Auszug aus der JEDEC-Datei
ab Adresse 0000. Die Adressen 0032 bis 0063 sind A12 3 A12
gesondert herausgezogen. Hier sind auch die intakten
Sicherungen in den Spalten 1, 4, 8, 12 und 16 ge- A13 4 A13
&
kennzeichnet. Sie stellen die jeweiligen Verbindun-
gen zu den Eingängen dar und sind UND-verknüpft. A14 5 A14
Mit dem CS-Anschluß wird der Decoder freigegeben
(Steuerung der 3-state-Ausgänge). A15 6 A15
Bild II-37 zeigt dies im Zusammenhang mit den
Eingängen für einen Ausgang. Bild II-37 Umsetzung der Gleichung für CE1

Spalte 0 1 4 8 12 16 31

L0032 10110111011101110111111111111111

&
PIN
A11 2

A12 3

A13 4

A14 5
Bild II-36
A15 6
Auszug aus der JEDEC-Datei und
Darstellung der UND-Verknüpfung

Die Funktionsbeschreibung einer Schaltung kann auch einem Compiler erzeugte JEDEC-Datei wird darauf-
mit einer Wertetabelle erfolgen (Beispiel 2). Zur Über- hin softwaremäßig mit einem Simulator getestet. Allen
prüfung können Testvektoren zugefügt werden. Die mit programmierten Zeilen ist eine Adresse zugeordnet.
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 581

 Beispiel 2: Mit dem PAL 16L8 soll eine 7-Segmentanzeige zur *L0000
Darstellung in hexadezimaler Form genutzt werden. Im Gegen- *L0032
satz zum Beispiel 1 erfolgt die Eingabe hier mit einer Wertetabel- *L0064
le. *L0096
Programm: HEX-Decoder mit 7-Segmentanzeige *L0128
Zuordnung der Eingangssignale zu den PAL-Anschlüssen: *L0160
A = pin 2 *L0256
B = pin 3 *L0288
C = pin 4 *L0320
D = pin 5 *L0352
*L0384
Ausgangssignale des Decoders:
*L0512
a = pin 19
*L0544
b = pin 18
*L0576
c = pin 17
d = pin 16
*L0608
e = pin 15
*L0640
f = pin 14
*L0672
g = pin 13
*L0768
*L0800
Wertetabelle: *L0832
D C B A : a b c d e f g *L0864
0 0 0 0 : 1 1 1 1 1 1 0 *L0896
0 0 0 1 : 0 1 1 0 0 0 0 *L0928
0 0 1 0 : 1 1 0 1 1 0 1 *L1024
0 0 1 1 : 1 1 1 1 0 0 1 *L1056
0 1 0 0 : 1 0 1 1 0 1 1 *L1088
0 1 0 1 : 1 0 1 1 0 1 1 *L1120
0 1 1 0 : 1 0 1 1 1 1 1 *L1152
0 1 1 1 : 1 1 1 0 0 0 0
*L1280
1 0 0 0 : 1 1 1 1 1 1 1
*L1312
1 0 0 1 : 1 1 1 1 0 1 1
*L1344
1 0 1 0 : 1 1 1 0 1 1 1
1 0 1 1 : 0 0 1 1 1 1 1
*L1376
1 1 0 0 : 1 0 0 1 1 1 0
*L1408
1 1 0 1 : 0 1 1 1 1 0 1
*L1440
1 1 1 0 : 1 0 0 1 1 1 1
*L1536
1 1 1 1 : 1 0 0 0 1 1 1
*L1568
*L1600
*L1632
Bild II-38 zeigt einen Auszug aus der JEDEC-Datei *L1664
und Bild II-39 einen Auszug aus der Fuse-Map. Die *L1696
Fuse-Map oder Fuse-Matrix, die ebenfalls vom Com- *C9B81
piler erzeugt wird, dient zur Dokumentation und zur *V1
*V2
Kontrolle. Sie beschreibt das logische Verhalten des *V3
Bausteins. Die Reihen und Spalten sind wie bei der *V4
Bausteinbeschreibung durchnumeriert. 8 Reihen
führen jeweils über das ODER-Gatter zum Ausgang. Bild II-38 Auszug aus der JEDEC-Datei (Beispiel 2)
Die Eingänge steuern die Spalten von 0 bis 31.
Die Kreuze in der Fuse-Map kennzeichnen hierbei ware setzt damit nicht nur die Wertetabelle um, sie
die Verbindungen zwischen Reihen und Spalten. vereinfacht auch gleichzeitig.
Nimmt man beispielsweise den Bereich der Reihen 0
bis 7 für den Ausgangsanschluß des Segments „a“, 8.3.3 GAL
PIN 19, kommt man zu folgender Gleichung: GAL’s (Generic Array Logic) sind von der Firma
a = /B ⋅ /C ⋅ D + B ⋅ C + /D ⋅ C + /D ⋅ B + /A Lattice Semiconductor entwickelt worden. Sie kön-
Hierbei gilt folgende Zuordnung: nen als eine Weiterentwicklung der PAL’s aufgefaßt
werden. Diese Bausteine können PAL’s ersetzen und
A = Spalte 0
bis zu 100mal elektrisch gelöscht und neu program-
/A = Spalte 1
miert werden. Nach Lattice wird ein Datenerhalt von
B = Spalte 4
20 Jahren garantiert. Die CMOS-Bausteine besitzen
/B = Spalte 5
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge, und die Verzö-
C = Spalte 8
gerungszeiten liegen je nach Type zwischen 10 und
/C = Spalte 9
35 ns. Unbenutzte Eingänge sind wie bei allen MOS-
D = Spalte 12
Bausteinen mit +UCC oder GND zu verbinden. Die
/D = Spalte 13
Programmierung erfolgt mittels geeigneter Program-
Zum gleichen Ergebnis für das Segment „a“ kommt miergeräte. Das Auslesen der GAL-Funktion kann
man, wenn die Gleichung aus der Wertetabelle mit mit Hilfe einer programmierten Sicherheitszelle ver-
Hilfe einer KV-Tabelle vereinfacht wird. Die Soft- hindert werden (Kopierschutz). GAL’s besitzen ge-
582 Datentechnik

0 OE
1 +
2 + 8 OLMC 19
3 + !pin19
4 +
+ 2
5
6 +
7 +
8 OE 8 OLMC 18
9 +
10 +
+ !pin18 3
11
12 +
13 +
14 +
+ 8 OLMC
15 17
16 OE
17 + 4
18 +
19 + !pin17
20 +
21 + 8 OLMC 16
22 +
23 +
5
24 OE
25 +
26 +
27 + !pin16 8 OLMC 15
28 +
29 +
30 + 6
31 +
32 OE
33 + 8 OLMC 14
34 +
35 + !pin15
36 + 7
37 +
38 +
39 +
8 OLMC
OE 13
40
41 +
42 + 8
43 + !pin14
44 +
45 +
46 + 8 OLMC 12
47 +
48 OE 9
49 +
50 +
51 + !pin13
52 + 11
53 +
54 +
55 + Bild II-40 GAL 16V8
56 OE
57 +
58 + Zur Programmierung von GAL-Bausteinen sind
59 + !pin12
60 + Programmiergeräte erforderlich. Ihre Handhabung ist
61 + einfach, da sie nur an einem Computer angeschlossen
62 +
63 + werden. Der Schaltungsentwurf hängt vor allem von
den Möglichkeiten der zugehörigen Software ab. Die
pin2 3 4 5 6 7 8 9
eigentliche Programmierung erfolgt wie bei den PAL-
pin1 18 17 16 15 14 13 11 Bausteinen. Nach der Eingabe von Boole’schen
Bild II-39 Auszug aus der Fuse-Map (Beispiel 2) Gleichungen oder von Wertetabellen mit einem
Editor erzeugt ein GAL-Assembler die erforderliche
genüber PAL’s eine programmierbare Ausgangszelle JEDEC-Datei. Die Anschlußbelegung für den Pro-
(OLMC = Output Logic Macro Cell). grammierbetrieb unterscheidet sich vom Arbeitsbe-
Bild II-40 zeigt die innere Struktur dieses Bausteins trieb nach Bild II-42. An den Anschlüssen RAG0 bis
mit seiner Anschlußbelegung. Die programmierbare RAG5 erfolgt die Adressierung der 64 Zeilen des
UND-Matrix ist wie bei den PAL-Bausteinen aufge- Bausteins. Die Daten werden seriell mit dem An-
baut. Für jeden Ausgang ist eine programmierbare schluß CLK dem Dateneingang SDIN zugeführt und
Ausgangszelle vorgesehen. zu Kontrollzwecken (verify) dem Datenausgang
Bild II-41 zeigt eine der OLMC’s im Zusammenhang SDOUT entnommen.
und ihre Programmiermöglichkeiten. Je nach zuge- Bild II-43 zeigt das Prinzip mit der Zuordnung der
führtem Kontrollwort ergibt sich eine der aufgeführ- Adressen. Am Anschluß P, /V wird dem Baustein
ten Ausgangskonfigurationen. mitgeteilt, ob programmiert oder ob Daten ausgelesen
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 583

OLMC als Ausgang OLMC als Eingang

VCC
UND-Matrix

UND-Matrix
™1

=1

XOR(n)

OLMC als Ein-/Ausgang OLMC als Registerausgang

UND-Matrix

UND-Matrix
™1 ™1

=1 =1 1D

C1

Bild II-41
OLMC und ihre
Programmier-
XOR(n) XOR(n) CLK OE
möglichkeiten

Normalbetrieb Programmierbetrieb

GAL16V8 GAL16V8

1 I/CLK VCC 20 1 VIL VCC 20

2 I I/O/Q 19 2 EDIT P/V 19

3 I I/O/Q 18 3 RAG1 RAG0 18

4 I I/O/Q 17 4 RAG2 VIL 17

5 I I/O/Q 16 5 RAG3 VIL 16

6 I I/O/Q 15 6 RAG4 VIL 15

7 I I/O/Q 14 7 RAG5 VIL 14

8 I I/O/Q 13 8 SCLK VIL 13

9 I I/O/Q 12 9 SDIN SDOUT 12

Bild II-42
10 GND I/OE 11 10 GND STR 11 Anschlußbelegung im Arbeits- und
Programmierbetrieb
GAL OLMC

CLK
SDIN Schieberegister SDOUT
63 32 31 0
0

Matrix Matrix

31
32 Elektr. Signatur Elektr. Signatur

33
Reservierter Adreßbereich
59

60 Architektur-Kontrollwort 82 Bits
61 SECURITY CELL
62 RESERVED Bild II-43
63 BULK ERASE Interne Struktur des GAL 16V8
584 Datentechnik

werden sollen. Im Programmierbetrieb muß dem grammierdaten werden dem Baustein über ein Inter-
Anschluß EDIT eine Spannung von 16,5 V zugeführt face von der Druckerschnittstelle des PC zugeführt.
werden. pLSI- und ispLSI-Familie:
8.3.4 pLSI, ispLSI
Type 1016 1024 1032 1048
pLSI- (programmable Large Scale Integration-)Bau- fmax 80 80 80 70
steine und ispLSI (in-system pLSI)-Bausteine der (MHz)
Firma Lattice gehören zu den PLD’s, mit denen auch tpd (ns) 15 15 15 20
komplexere Schaltungen realisiert werden können. Im GLB’s 16 24 32 48
Bild II-44 ist die Struktur dieser Bausteine bei- Register 96 144 192 288
spielhaft dargestellt. Tabelle II-6 gibt eine Übersicht I/O 36 54 72 106
über die Familienmitglieder. Pin/Ge- 44/PLCC 68/PLCC 84/PLCC 120/PQFP
Im GRP (Global Routing Pool) liegen die Verbin- häuse
dungen zu den GLB’s (Generic Logic Blocks) und zu
den Ein- und Ausgängen. Das Prinzip eines GLB
 Beispiel: Schalter ispGDS22
beschreibt Bild II-45. Über 18 Eingänge können Es handelt sich hierbei um programmierbare Schalter (GDS =
20 Produktterme gebildet und den Ausgängen kombi- General Digital Switch) der Firma Lattice Semiconductor. Sie
natorisch über AND, OR oder XOR oder über Regis- ersetzen die bekannten mechanischen DIP-Schalter. Die Be-
ter zugeführt werden. Bei den Registern kann man zeichnung isp (in-system programmable) bedeutet, daß es sich um
einen im System programmierbaren Baustein handelt. Weitere
zwischen D-, T- und JK-Registern wählen. Bausteine dieser Serie sind die IC’s ipsGD18 und ipsGD14. Sie
Zur Programmierung der ispLSI-Bausteine ist kein unterscheiden sich nur in der Zahl der Anschlüsse und damit der
externes Programmiergerät erforderlich. Die Pro- Anzahl der programmierbaren Schalter.

I/O I/O I/O I/O IN

RESET
Output Routing Pool

Generic Logic Block D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 IN

A0 C7
I/O I/O
A1 C6
Output Routing Pool

Output Routing Pool

A2 C5
I/O I/O
A3 C4

A4 C3
I/O I/O
A5 C2
Global Routing Pool
A6 C1
I/O I/O
A7 C0

SDI/IN B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7
MODE/IN 1 Clock
Output Routing Pool Network

ispEN
I/O I/O I/O I/O

Bild II-44 Baustein 1032

Product
Term Ausgänge zu
von GRP Logic Array OLMC
18 20 Sharing 4 4 GRP, ORP oder I/O
Array

Bild II-45 Prinzip GLB

II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 585

Schaltermatrix
A0 I/O Cell

A1 I/O Cell ispGDS22

1 A0 B0 28
A2 I/O Cell
2 A1 B1 27
A3 I/O Cell 3 A2 B2 26
4 SDIN SDOUT 25
A4 I/O Cell 5 A3 B3 24
6 A4 B4 23
A5 I/O Cell 7 VCC B5 22
8 A5 GND 21
A6 I/O Cell
9 A6 B6 20
A7 I/O Cell 10 A7 B7 19
11 MODE SCLK 18
A8 I/O Cell 12 A8 B8 17
13 A9 B9 16
A9 I/O Cell 14 A10 B10 15
A10 I/O Cell

Bild II-46 Schaltermatrix

und Bausteinanschlüsse
B10 B9 B8 B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 des ipsGDS22

Über eine programmierbare Schaltermatrix (Bild II- und C1 L-Pegel besitzt. Durch C0 = „0“ wird der
46) können jeweils Schalterverbindungen von Ax 3-state-Treiber, der das Signal vom Multiplexer er-
nach Bx hergestellt werden. Hierbei ergeben sind hält, gesperrt.
nach Bild II-47 verschiedene Konfigurationsmöglich- Die Programmierung des Bausteins kann beispiels-
keiten. Der Baustein erlaubt Signallaufzeiten von weise über eine parallele Schnittstelle eines Mikro-
7,5 ns und benötigt einen Strom im Stand-by-Betrieb controllersystems oder über den PC und ein Interface
von 25 mA. direkt erfolgen. Hierbei sind jeweils nur 4 Zuleitungen
In der Funktionstabelle sind die verschiedenen Pro- nötig (Bild II-48). Die Programmierdaten müssen mit
grammiermöglichkeiten aufgeführt. Beispielsweise Hilfe eines Taktes (CLK) seriell am Bausteinanschluß
ist der Schalter S nur geschlossen, wenn C0 H-Pegel SDIN eingelesen werden. Die Betriebsart wird am
Anschluß MODE durchgeführt, und die Kontrolle
erfolgt durch Lesen der Daten am PIN SDOUT.
I/O Macrocell Konfiguration
Bild II-49 beschreibt über das State-Diagramm die
notwendigen Programmierzustände. Die Pegelzu-
S
stände sind für die Signale MODE und SDIN be-
MUX
C1 0 0 schrieben. Um beispielsweise die Identifikations-
C2 1 G nummer des Bausteins lesen zu können, wird der
3
Q

Schalter
Matrix VCC
MC-System ispGDS
C0

Funktionstabelle
SDIN
C2 C1 C0 Q Bemerkung
SCLK
0 0 0 0 (TTL Low)
MODE
0 1 0 1 (TTL High) SDOUT
1 0 0 0 (Aktiv Low) I/O-Port
1 1 0 1 (Aktiv High)
1 0 1 X (Eingangspegel)

Bild II-47 Konfigurationsmöglichkeiten Bild II-48 Anschluß an ein MC-System

586 Datentechnik

State Diagramm

Load Shift Load Execute

ID ID Command Command

HL LX LX LX
Idle State Shift State Execute State
HH HH
(Normal (Load (Execute
Operation) Commands) Command)

HL

nach Datenblatt der Firma Lattice

Bild II-49 State-Diagramm

Baustein mit MODE = „H“ und „SDIN“ = „L“ unter L0121

Zuführung eines Taktes am Anschluß SCLK in den 00000000000000000000000000000000*
Ausgangszustand (Normal Operation) gebracht. An- L0153
schließend wird mit 7 Takten die 8-Bit-Information 0001110000011111100111*
am Anschluß SDOUT ausgegeben. L0175
Die einfache Programmierung dieses Bausteins zeigt 1110011011111100011000
das nachfolgende Programm: Die Schalterfunktion ist L0197
aus der Zuweisung der PIN’s ersichtlich. PIN 20 soll 1111110011111111111111*
aktiv „H“ und PIN 19 aktiv „L“ sein. C1464*

title = ‘Stupid cross connect test’ Für viele Logik-Compiler besteht die Schaltungsbe-
„device = ispgds22 schreibung aus einem Deklarationsteil und einer Be-
„Network schreibung der gewünschten Logik. Im Deklarations-
pin 27 = pin 2 teil wird der gewählte Baustein eingetragen und in
pin 26 = pin 3 einem weiteren Teil erfolgt für die Anschlußbelegung
pin 5 = pin 24 eine gewünschte sinnvolle Namenszuordnung (Defi-
pin 6 = pin 23 nition der Signale). Bei einigen Compilern sind
pin 20 = h Kenntnisse über die Innenschaltung des Bausteins
pin 19 = l (Datenbuch) zur Beschreibung erforderlich, um Ein-
pin 17 = pin 8 und Ausgänge nicht zu vertauschen. Andere Compi-
pin 16 = pin 9 ler geben eine Maske mit der Anschlußbelegung des
pin 15 = pin 10 Bausteins aus. Das nachfolgende Programm dient als
Beispiel.
JEDEC file for ispGDS22, created by GASM v1.0 title = ‘Schalter Test1’
* „
F0* device = ispgds18
QP28*QF219 „Network
L0000 pin 24 = pin 1
11111111110 pin 24 = pin 1
11111111101 pin 24 = pin 1
11111111011 pin 24 = pin 1
11111110111 pin 24 = pin 1
11111101111 pin 24 = pin 1
11011111111 pin 24 = pin 1
1011111111 pin 24 = pin 1
0111111111 pin 24 = pin 1
1111111111
1111111111
1111111111*
II Integrierte Schaltkreise der Digitaltechnik 587

Nach Aufruf des Assemblers erscheint die nachfol- 9 Gehäuse

gende Meldung:
GASM: ispGDS Assembler
copyright © 1992 Lattice Semiconductor, written by
Guy Townsend
Reading Source File
Fuse Checksum =
JEDEC file successfully written to disk
DOC file successfully written to disk
Der JEDEC file gibt Aufschluß über die jeweiligen
Verbindungen, die an der „0“ zu erkennen sind.
JEDEC file for ispGDS18, created on 1/4/1994
Created by GASM v1.0
Die Hersteller bieten digitale Schaltungen in unter-
schiedlichen Gehäusen an. Bei den Standardbaustei-
nen verwendet man hauptsächlich das DIL-(Dual-In-
Line-)Gehäuse. Der PIN-Abstand beträgt hierbei 1/10
Inch (2,54 mm). Bei Prozessoren und Controllern
werden PLCC-(Plastic Leadless Chip Carrier-) Ge-
häuse eingesetzt. Das nachfolgende Bild II-50 gibt
eine Übersicht gängiger Gehäuseformen mit ihren
Bezeichnungen.

P-LCC44

P-DIP 14 1-40

14

1
Plastic package
(Plastic dual inline package)

40-LEAD TSOP
C-QFP-24
24
1

Ceramic package

1
P-ZIP-20/19 C-PGA 68

68

Plastic zigzag inline package Bild II-50

Ceramic pin grid array Gehäuseformen
588
III Mikrocomputertechnik
1 Komponenten eines Mikrocomputers
Mikrocomputer (Bild III-1) bestehen aus hochinte-
grierten Funktionseinheiten wie der Zentraleinheit
(CPU = Central-Process-Unit), dem eigentlichen Mi-
kroprozessor, Speichereinheiten, wie ROM (Read
Only Memory = Nur-Lese-Speicher) und RAM (Ran-
dom-Access Memory = Schreib-Lese-Speicher), die
das auszuführende Programm in Maschinensprache
enthalten sowie Ein- beziehungsweise Ausgabeeinhei-
ten, die die Verbindung mit peripheren Geräten wie
Steuer- und Meßeinrichtungen oder Bildschirm,
herstellen.
MP
Zentraleinheit
Speichereinheit
Ein/Ausgabe
Peripherie
Bild III-1 Mikrocomputersystem
Ein- und Ausgabeeinheiten werden auch als Schnitt-
stellen (Interfaces) bezeichnet. CPU, Speicher und
E/A-Einheit ergeben die Hardware des Mikrocompu-
ters. Untereinander verbunden sind die Hardware-
komponenten durch Leitungen, denen unterschiedli-
che Aufgaben zugeordnet sind. Die jeweils parallel
liegenden Leitungen werden auch Bussystem genannt.
Man unterscheidet daher nach Daten-, Adreß- und
Steuerbus. Damit der Mikroprozessor Funktionen
ausführen kann, ist außerdem Software erforder-
lich, wie beispielsweise das Betriebs- oder Startpro-
gramm.
Datentechnik
2 Mikroprozessoren
2.1 Allgemeines
Man unterscheidet nach der Architektur der CPU
CISC-Prozessoren (Complex Instruction Set Compu-
ter), RISC-Prozessoren (Reduced Instruction Set
Computer) und Signalprozessoren. Das RISC-
Konzept unterscheidet sich von der in PC’s (Personal
Computer) eingesetzten CISC-CPU, die viele Befehle
mit komplexen Funktionen und damit mehreren Ma-
schinenzyklen besitzt, im wesentlichen durch einen
gekürzten, einfacheren Befehlssatz und durch eine
schnellere Befehlsabarbeitung, da die meisten Befeh-
le nur einen Maschinenzyklus benötigen. Während
RISC- und CISC-Prozessoren nach dem Prinzip der
Rechnerarchitektur arbeiten, wie sie von Von Neu-
mann entwickelt wurde, besitzen digitale Signalpro-
zessoren eine Architektur, bei der die Bussysteme für
Daten und Programme getrennt sind. Alle Befehle,
die von der CPU ausgeführt werden können, stellen
den Befehlssatz (Instruction Set) des Prozessors dar.
Der Mikroprozessor kann nur Befehle ausführen, die
in binärer Form vorliegen (Maschinensprache). Der
von den Prozessoren angesprochene mögliche Adreß-
raum ist von der Anzahl seiner Adreßleitungen ab-
hängig. Hieraus ergibt sich die mögliche Informa-
tionsmenge (Speicherkapazität), die der Prozessor
verarbeiten kann. Der Adreßbus ist unidirektional
ausgelegt, da die Adressen nur von der CPU aus
übertragen werden, während der Datenbus, über den
der gesamte Datenverkehr abgewickelt wird, bidirek-
tional ausgelegt ist, weil Daten von der CPU und zur
CPU gelangen müssen. Eine wichtige Kenngröße ist
die Breite des Datenbusses. Man unterscheidet je
nach Datenverarbeitungsbreite 8-Bit-, 16-Bit-, 32-Bit-
und 64-Bit-Prozessoren. Die Leistungsfähigkeit von
Prozessoren wird durch die Zahl möglicher Befehle
pro Sekunde (MIPS = Million Instructions Per Se-
cond) bestimmt. Dies hängt wesentlich von der Takt-
frequenz ab, mit der das System arbeitet. Mit dem
Steuerbus bestimmt die CPU, mit welchen Baugrup-
pen (z.B. Speicher oder E/A-Bausteine) eine Kom-
munikation stattfinden soll.
2.2 Architektur
Mikroprozessoren besitzen weitgehend gleiche
Grundfunktionseinheiten wie Steuerwerk, Rechen-
werk und Speicher- oder Registerwerk. Über ein in-
ternes Bussystem (Adressen-, Daten- und Steuerbus)
erhält der Prozessor Zugang zu den Einheiten des
Mikrocomputers. Das Steuerwerk holt einen Befehl
von einer externen Speicherstelle zur CPU und deco-
diert ihn im Befehlsregister. Unter eventueller Einbe-
ziehung von Rechen- und Registerwerk veranlaßt das
Steuerwerk dann die Ausführung des Befehls. Der
III Mikrocomputertechnik
Steuerwerk
Befehls-
Decodierung Rechenwerk
Befehls-
Ausführung
Bild III-2 Operationsprinzip
Steuerwerk Rechenwerk
Interner Datenbus
Befehls-
Register
Befehls-
Decoder
Akkumulator
Steuerung
Zwischen-
Register
Steuer- und Meldeleitungen
Bild III-3 Blockbild einer CPU
Mikroprozessor arbeitet dabei in zyklischen Zeit-
abläufen. Er liest einen Befehl (Fetch), führt die Ope-
ration durch (Execute) und holt den nächsten Befehl
(Von Neumann Architektur und Operationsprinzip)
(Bild III-2).
Die Aufgabe des Steuerwerkes besteht in der Befehls-
annahme durch ein Befehlsregister (Instruction-
Register), der anschließenden Decodierung und der
Steuerung zur Durchführung des Befehls. Bei der
Decodierung wird die eingehende Bit-Folge in ein
Mikroprogramm umgewandelt. Ferner muß das
Steuerwerk auf externe Signale reagieren. Beispiels-
weise muß nach einem RESET der Anfangszustand
der CPU erreicht werden. Bild III-3 zeigt schematisch
die wesentlichen Bestandteile eines Prozessors, die
nachfolgend beschrieben und am Beispiel der 8-Bit-
Prozessoren 8085 und Z80 konkretisiert werden.
Das Rechenwerk mit dem Akkumulator und dem
Zwischenregister, in denen sich die Operanden befin-
den, kann arithmetische und logische Operationen mit
Hilfe der ALU (Arithmetic-Logic-Unit) durchführen.
Die ALU besteht im Prinzip aus einem Parallelad-
dierwerk und einer logischen Einheit, mit der die
Verknüpfungen NICHT, UND, ODER und XOR
589
Befehl
aus dem Speicher
holen
Befehl
Speicherwerk dekodieren
Befehl
ausführen
Flag- Arbeits-
Register Register
Stapel-
ALU zeiger
Befehls-
zähler
Adreßbus
durchgeführt werden können. Das Kennzeichen-,
Status- oder Flagregister gibt Aufschluß über die Er-
gebnisse der Operationen, beispielsweise ob das
Ergebnis Null (Zero) war oder ob ein Übertrag (Car-
ry) aufgetreten ist. Es wird so möglich, in Abhängig-
keit der Zustandsbits Sprünge zu programmieren
(siehe auch Abschnitt Maschinensprache). Dem
Rechenwerk ist ein Speicherwerk angeschlossen. Dort
befinden sich allgemeine Register (Arbeitsregister),
in denen vorübergehend Zwischenergebnisse abge-
speichert werden können. Ein Register besitzt meist
eine auf ein Datenwort beschränkte Kapazität (8-, 16-
oder 32-Bit).
Register mit bestimmten Aufgaben sind der Befehls-
zähler (Program-Counter) und der Stapelzeiger
(Stackpointer). Der Befehlszähler zeigt immer auf die
nächstfolgende Adresse, die der Prozessor abarbeiten
soll. Er erhöht sich nach jedem Adressenaufruf auto-
matisch jeweils um 1 und legt damit die Reihenfolge
der Operationen fest. Speicherstelle für Speicherstelle
wird somit nacheinander abgearbeitet (Bild III-4).
Nur bei Sprungbefehlen, Unterprogrammaufrufen
oder Unterbrechungsanforderungen wird der Befehls-
zähler auf einen neuen Wert gesetzt.
590 Datentechnik

Speicher chungsanforderungen) oder Unterprogrammaufrufen

Adresse Inhalt die Hauptprogrammadresse zu speichern, um nach
0000 Befehl 1 Rückkehr in das Hauptprogramm bei richtiger Adres-
0001 Befehl 2 se mit dem Programm fortfahren zu können (siehe
Befehlszähler 0002 Befehl 3 auch Abschnitt Maschinensprache). Außerdem dient
er zur Datensicherung der Arbeitsregister des Haupt-
0000 programms, wenn einzelne Register im Unterpro-
0001 gramm benötigt werden.
0002
+1
Um die genaue zeitliche Folge der Vorgänge (Tim-
ing) durchführen zu können, benötigt der Prozessor
einen quarzgesteuerten Taktgenerator. Dieser liefert
Bild III-4 Prinzip Befehlszähler Lifo-Prinzip das Bezugssignal für alle Abläufe in einem Mikro-
prozessorsystem und bestimmt damit die Arbeits-
Der Stapelzeiger (siehe auch Abschnitt Maschinen- geschwindigkeit des Mikrocomputers. Bei einigen
sprache) ist ein besonderer Adressenzeiger, der im- Prozessoren ist der Generator integriert, so daß
mer auf die Adresse des Stapelspeichers zeigt, in der nur noch ein externer Quarz angeschlossen werden
die letzte Eingabe erfolgte (Ende des Stack). Als muß.
Stapelspeicher (Stack oder Kellerspeicher) kann jeder
beliebige Teil des Arbeitsspeichers (RAM) verwendet
2.3 Übersicht gängiger Mikroprozessoren
werden. Bei jeder Dateneingabe wird der Stapelzeiger Tabelle III-1 zeigt Beispiele gängiger Mikroprozesso-
decrementiert (erniedrigt), so daß sich der „Stapel“ ren mit möglichem Adreßraum, Daten- und Adreß-
von einer vorgegebenen Adresse zu immer niedrige- busbreite und Taktfrequenz. Die Mikroprozessoren
ren Adressen aufbaut. Die Daten werden in der Rei- einer Familie mit weitergehenden Eigenschaften
henfolge, in der sie eintreffen, auf den Stack gebracht können Maschinenprogramme ihrer Vorgängertypen
und müssen in umgekehrter Reihenfolge zurückge- ausführen, sie sind also aufwärtskompatibel.)
holt werden (Bild III-5). Man bezeichnet ihn daher
auch als LIFO-Speicher (Last In, First Out). 2.4 8-Bit-Mikroprozessoren
Aufgabe des Stack ist es, bei Interrups (Unterbre-
2.4.1 8085-CPU
Last in Bild III-6 zeigt die Pinbelegung (Anschlußbelegung)
First out und den Registerplan, Bild III-7 die Architektur des
Prozessors. Tabelle III-2 gibt die Bedeutung der
Anschlüsse wieder. Der Prozessor 8085 ist mit den
Daten 8-Bit-Arbeitsregistern B, C, D, E, H und L und den
Daten 16-Bit-Registern Stapelspeicher, Befehlszähler und
Adressenzwischenspeicher ausgestattet. Die Arbeits-
Daten register B/C, D/E und H/L stehen für die Daten-
Bild III-5 speicherung und bei der Durchführung von Befehls-
Arbeitsspeicher Lifo-Prinzip operationen zur Verfügung.

Tabelle III-1 Übersicht gängiger Mikroprozessoren

Typ Adreßraum Datenbus Adreßbus Taktfrequenz

Adreß-/Datenbus

6502 64 kByte D0 ... D7 A0 ... A15 4 MHz

Z80 64 kByte D0 ... D7 A0 ... A15 4 MHz
8080 64 kByte AD0 ... AD7 A8 ... A15 4 MHz
8085 64 kByte AD0 ... AD7 A8 ... A15 4 MHz
8086 1 MByte AD0 ... AD15 A16 ... A19 10 MHz
68000 16 MByte D0 ... D15 A0 ... A23 16 MHz
80286 16 MByte D0 ... D15 A0 ... A23 16 MHz
68020 4 GByte D0 ... D31 A0 ... A31 16 MHz
80386 4 GByte D0 ... D31 A0 ... A31 16 MHz
80486 4 GByte D0 ... D31 A0 ... A31 25 MHz

1
) Die Entwicklung führt zu immer schnelleren Prozessoren. Der z.Zt. in PC’s eingesetzte Pentium besitzt eine Busbreite von 64 Bit und arbeitet mit
über 200 MHz (66 MHz extern).
III Mikrocomputertechnik 591

8085
1 12
X1 AD0
13
AD1
14
AD2
15
AD3
2 16
X2 AD4
17
AD5
18
AD6
9 19
RST5 AD7
8 21
RST6 A8
7 22
RST7 A9
23 Akkumulator Flag-Register
A10
10 24
INTR A11
6 25
TRAP A12 B-Register C-Register
36 26
RESIN A13
27
A14 D-Register E-Register
39 28
HOLD A15
35 READY
32 H-Register L-Register
RD
5 31
SID WR
37
CLKO
30 Stapelzeiger
ALE
29
S0
33
S1
34 Befehlszähler
IO/M
38
HLDA
3
RESO
4
SOD Bild III-6
11
INTA
PIN-Belegung und Registerplan der 8085 CPU

SOD SID INTA INTR RST5.5 RST6.5 RST7.5 TRAP

Steuerung für
serielle Unterbrechungssteuerung
Ein- und Ausgabe

Befehls- Akkumulator Zwischen- Flag-

B-Register C-Register
Register Register Register

D-Register E-Register

Decoder H-Register L-Register

ALU
Stapelzeiger

Befehlszähler
X1
X2 Adressen-
CLK zwischenspeicher
Zeit- und Ablaufsteuerung
READY
RESET IN
Adressenpuffer Daten/Adressen-
RESET OUT
HLDA HOLD IO/M SI SOWR RD ALE puffer
A8..A15 AD0..AD7
Adreßbus Adreß/Datenbus
Bild III-7 8085-Prozessor CPU
592 Datentechnik

Tabelle III-2 Bedeutung der Anschlüsse

AD0 ... AD7 Adreß-/Datenbus

A8 ... A15 Adreßbus
/RD Ausgangssignal zum Lesen einer Speicherstelle oder eines Portbausteins
/WR Ausgangssignal zum Schreiben einer Speicherstelle oder eines Portbausteins
ALE Steuersignal zur Adressenzwischenspeicherung des L-Adreßbytes
X1, X2 Quarzanschluß
IO//M E/A-Bausteine und Speicherunterscheidung
S0, S1 Kontrollsignale und Statussignale
Trap Interrupteingänge mit festen Verzweigungsadressen
RST7.5, RST6.5, RST5.5 Interrupteingänge mit festen Verzweigungsadressen
INTR Interrupteingang mit vereinbarter Verzweigungsadresse
/INTA Interruptbestätigung von INTR
SID Serieller Eingang
SOD Serieller Ausgang
HOLD Eingang zur Abkopplung der CPU (Aufruf externer Geräte)
HLDA Bestätigung von HOLD durch die CPU
/RESET IN Rücksetzen (ADR 0000)
RESET OUT Quittung auf RESET IN
READY Wartezustand der CPU

Akkumulator, Zwischenregister und ALU mit Flag- = 16 kByte groß. Da der zeitliche Verlauf der Daten
register und Befehlsregister sind ebenfalls für die und Adressen bei Darstellung jeder Bit-Position un-
Aufnahme von 8 Bit konstruiert. Die Arbeitsregister übersichtlich wird, werden hier Daten- und Adressen-
B/C, D/E und H/L können als Registerpaare (RP) inhalte schematisch in einem Liniendiagramm zusam-
zusammengefaßt werden, um 16 Bit aufnehmen zu mengefaßt. Bild III-10 verdeutlicht dies an einem
können. Beispiel.
Die Funktionen innerhalb des Prozessors werden
durch die Zeit- und Ablaufsteuerung bestimmt. Der 8085
Baustein besitzt hierzu einen internen Generator, der AD0/AD7 D0..D7
nur von einem zusätzlichen Quarz beschaltet werden
muß. Eine Taktgeberschaltung erzeugt die entspre-
chenden Taktsignale. Der Ausgang CLK gibt die
1D A0..A7
halbe Quarzfrequenz aus (Bild III-8).
EN
CPU + ALE C

1 A8..A15 A8..A15
1D
X1
C1

X2 Bild III-9 Adressenzwischenspeicher

Während die Adressen A8 bis A15 konstant bleiben,

CLK OUT
Bild III-8 Takterzeugung
Der Adreßbus ist 16 Bit breit. A0 bis A7 (nieder-
wertiges Adreßbyte) wird über den Daten-/Adreßbus
AD0 bis AD7 im Zeitmultiplexbetrieb übertragen.
Mit Hilfe der Steuerleitung ALE (Address Latch
Enable) können die Adressen zwischengespeichert
werden (Bild III-9).
Die Anschlüsse A8 bis A15 entsprechen dem höher-
wertigen Adreßbyte des Adreßbusses. Mit 16 Adreß-
leitungen wird der mögliche Adreßraum 216 = 65 536
werden die Adressen A0 ... A7 und Daten D0 bis D7
umgeschaltet. Adressen und Dateninhalte werden
immer in hexadezimaler Form angegeben. Die Dar-
stellung des Zusammenwirkens aller Signale auf dem
Bussystem bezeichnet man als Bustiming. Bild III-11
zeigt die beteiligten Signale während eines Speicher-
schreib- und Lesezugriffs.
In Datenbüchern findet man häufig zusätzlich Pfeile
im Zeitliniendiagramm, die gegenseitige Abhängig-
keiten kennzeichnen. Sind weder Daten noch Adres-
sen vorhanden, ist der Bus im Ruhezustand; er ist
hochohmig. Dies ist durch die gestrichelte Linie bei
den Signalen AD0 ... AD7 im Lesezyklus dargestellt.
Beim Lesezyklus gibt die CPU zunächst die 16-Bit-
III Mikrocomputertechnik 593

Adresse Daten Darstellung im Liniendiagramm

0 1
AD0
0 1 A0..A7 D0..D7
AD1
0 0 10 EB
AD2
0 1
AD3
0
AD4 1
0 1
AD5
0 1
AD6
0 1
AD7

A8 1

A9 1 A8..A15

A10 1 EF
A11 1
0
A12

A13 1 Adresse: 10EF

Daten: EB
A14 1

A15 1 Bild III-10

t Darstellung der Daten und Adressen

T1 T2 T3 T1 T2 T3

CLK CLK

A8..A15 A8..A15

IO/M IO/M
A0.A7 D0..D7 A0.A7 D0.D7
AD0..AD7 AD0..AD7

ALE ALE

WR RD

Speicher schreiben Speicher lesen

Bild III-11 Bustiming Daten Adressen

594 Datentechnik

Adresse auf den Adreßbus. Mit dem Taktsignal ALE
wird eine Adressenspeicherung A0 bis A7 ermög-
licht, und die Leseaufforderung an /RD geht danach
auf „L“-Pegel. Der Datenbus wird kurz hochohmig
und gibt dann dem angewählten Speicherplatz die
Möglichkeit, Daten auf den Datenbus zu bringen. Die
Daten stabilisieren sich auf dem Bus und werden
gelesen. Mit der ansteigenden Flanke des RD-Signals
ist der Vorgang beendet. Beim Schreibzyklus werden
die Daten sofort nach dem L-Byte der Adresse von
der CPU ausgegeben. Für den Schreib- oder Lese-
zyklus sind jeweils drei Taktzyklen erforderlich.
Der Steuerbus kann mit seinen Anschlüssen in unter-
schiedliche Aufgabenbereiche gegliedert werden. Die
System-Kontrollsignale steuern die Baugruppen wie
z.B. RD, WR, IO/M, die an das Mikrocomputer-
system unmittelbar angeschlossen sind. Mit Low am
Ausgang /RD oder /WR (Low-aktive Ausgänge) teilt
die CPU mit, ob sie lesen oder schreiben will. Hierbei
ist eine Verknüpfung mit den Adreßsignalen notwen-
dig, damit ein bestimmter E/A-Baustein adressiert
oder eine bestimmte Speicherzelle beschrieben oder
ausgelesen werden kann. Die Unterscheidung zwi-
schen Speicher und I/O-Baustein wird mit der Steuer-
leitung IO, /M durchgeführt. Bei „L“ an diesem Aus-
gang wird lesend oder schreibend auf den Speicher
und bei „H“ auf einen I/O-Baustein zugegriffen.
Zur Unterscheidung zwischen Speicher und I/O-
Baustein kann auch ein Decoder eingesetzt werden.
Wird der Decoder entsprechend Bild III-12 ange-
schlossen, erhält man an den gekennzeichneten Aus-
gängen das Signal für „Speicher lesen (/MR)“, „Spei-
cher schreiben (/MW)“, „Ein-Ausgabebaustein lesen
(/IOR)“ und „Ein- und Ausgabebaustein schreiben
(/IOW)“. Dies läßt sich über die Funktionstabelle
(Tabelle III-3) des 74LS138 leicht nachvollziehen.

8085
X1 AD0
AD1
AD2
AD3
X2 AD4 IO/M RD WR MR MW IOR IOW
AD5
AD6
RST5 AD7 74LS138 0 0 1 0 1 1 1
RST6 A8
RST7 A9 0 1 0 1 0 1 1
A10 DEC
INTR A11 0 1 0 1 1 1 0 1
TRAP A12 0 0 1 1 0 1 1 1 0
RESIN A13
G 1 MR
A14
HOLD A15 3 7 2 MW
READY
RD 3 IOR
SID WR
CLKO + 4 IOW
ALE
S0 5
S1
IO/M 6 Bild III-12 Steuerung der Schreib- und
HLDA &
RESO 7 Lesesignale mit Decoder
SOD
INTA

Tabelle III-3 Funktionstabelle 74LS138

E1 E2 E3 A0 A1 A2 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
1 x x x x x 1 1 1 1 1 1 1 1
x 1 x x x x 1 1 1 1 1 1 1 1
x x 0 x x x 1 1 1 1 1 1 1 1
0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1
0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1
0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1
0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1
0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1
0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1
0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0
III Mikrocomputertechnik
Die CPU unterscheidet zwischen folgenden Zeit-
abläufen: Operationsholzyklus, Speicherlese- und
-schreibzyklus, E/A-Lese- und Schreibzyklus, In-
terruptquittung und Bus-Ruhezustand. Allgemein
spricht man von Maschinenzyklen, die in unter-
schiedlichen Verbindungen einen Befehlszyklus be-
schreiben. Der Maschinenzyklus selbst besteht wieder
je nach Aufgabe aus einer unterschiedlichen Anzahl
von Taktzyklen. In Bild III-13 ist der Zusammenhang
zwischen Takt-, Maschinen- und Befehlszyklus an
einem Beispiel aufgezeichnet.
Taktzyklus
Operationscode-
holzyklus
Maschinenzyklus 1 Maschinenzyklus 2
Befehlszyklus
1. Speicherstelle lesen 2. Speicherstelle lesen
Bild III-13 Takt-, Maschinen- und Befehlszyklus
Der erste Maschinenzyklus ist immer ein Operations-
codeholzyklus. In ihm ist der Operationscode (OP-
Code), und damit alle Steuerungsvorgänge für den
Prozessor, enthalten. Ob weitere Maschinenzyklen
folgen, hängt von dem entsprechenden Befehl ab.
Obwohl der Operationscodeholzyklus auch vom Prin-
zip her ein Speicherlesezyklus ist, besitzt er im Gegen-
satz hierzu einen Taktzyklus mehr, weil während dieser
Zeit die Decodierung im Befehlsregister erfolgen muß.
Im aufgeführten Beispiel bekommt der Prozessor mit
dem OP-Code (Maschinenzyklus 1), der aus dem
Speicher geholt und zur Decodierung dem Befehlsregi-
ster zugeführt wird, gesagt, daß er den Inhalt der nach-
folgenden Speicherstelle in den Akkumulator laden
soll. Folglich befördert der nächste Maschinenzyklus
(Maschinenzyklus 2) die Daten zum Akkumulator.
Die Prozessor-Kontrollsignale geben Aufschluß über
bestimmte Zustände des Prozessors oder geben eine
bestimmte Meldung an die CPU. Hierzu gehören
die Anschlüsse: S0, S1, RESET IN, RESET OUT,
READY. S0 und S1 geben Aufschluß über den Zu-
stand der CPU bei der Befehlsbearbeitung (Ta-
belle III-4).
Tabelle III-4 Statussignale
S0 S1 Funktion
0 0 Bus-Ruhezustand
0 1 CPU liest (Speicher, E/A)
1 0 CPU schreibt (Speicher, E/A)
1 1 CPU liest Operationscode
595
Mit RESET IN wird der Programmzähler auf die
Adresse 0000 gesetzt, und die Interrupteingänge
werden gesperrt. Eine Bestätigung wird an RESET
OUT durchgeführt. Damit können weitere Bausteine
zurückgesetzt werden. In Bild III-21 ist eine übliche
RESET-Schaltung mit dargestellt. Beim Einschalten
wirkt der Kondensator C als Kurzschluß und ermög-
licht durch „L“ einen RESET. Die Diode V sorgt für
ein schnelles Entladen des Kondensators, so daß bei
kurzzeitigem Aus- und Einschalten des Systems
RESET wieder wirksam wird.
Speicher
00111110
Speicher- Befehl
lesezyklus 11111111
Daten
Operationscode
Bei READY „L“ geht die CPU in den Wartezustand,
bis READY wieder „H“ wird. Dieser Anschluß dient
zur Steuerung externer Geräte, die langsamer als die
CPU sind. Der READY-Eingang kann auch zur
schrittweisen Überprüfung von Programmen genutzt
werden.
Bus-Kontrollsignale ermöglichen einem anderen Pro-
zessor oder auch Massenspeichern Zugriff auf das
CPU-eigene Bussystem (DMA, Direct Memory Ac-
cess = direkter Speicherzugriff). Das Bussystem wird
von der CPU abgekoppelt. Hierzu zählen die An-
schlüsse HOLD und HLDA. Bild III-14 zeigt das
Prinzip.
Wünscht der MP2 (Mikroprozessor) einen Speicher-
zugriff, so gibt er eine Meldung „H“ an den Anschluß
HOLD des MP1. Dadurch wird das interne Bus-
system des Prozessors vom externen Bussystem
getrennt (hochohmig). Der MP2 erhält gleichzeitig
eine Quittung über die Leitung HLDA mit „H“, um
sein internes Bussystem an den externen Bus anzu-
schließen. In der Praxis werden hier DMA-Kontroller
eingesetzt, die externen Geräten das direkte Arbeiten
mit dem CPU-eigenen Arbeitsspeicher ermöglichen.
Ein Prozessor muß auf äußere Ereignisse (Impulse,
Pegel), wie auf die Meldung von Sensoren, Tastern
oder externer Geräte reagieren können. Bei deren
Ansprache muß ein Programm eine gewünschte
Reaktion auslösen. Eine Möglichkeit besteht darin,
alle Sensoren und Geräte softwaremäßig nacheinan-
der abzufragen. Man spricht dann von der Polling-
Methode. Dies ist allerdings sehr zeitintensiv. Ef-
fektiver ist der Aufruf eines Unterprogramms bei der
596 Datentechnik

Speicher

S0 S1 Funktion
0 0 Bus-Ruhezustand
0 1 CPU liest (Speicher,E/A)
1 0 CPU schreibt (Speicher,E/A
1 1 CPU liest Operationscode

HOLD
1
HLDA
1 Bild III-14 Prinzip DMA
MP1 MP2

Reaktion eines Sensors. Erreichen kann man das
durch eine Programmunterbrechung (Interrupt). Hier-
unter versteht man den direkten Zugriff externer
Geräte auf die CPU. Wird ein Interrupteingang akti-
viert, bearbeitet der Prozessor noch den gerade be-
gonnenen Befehl und verzweigt dann in die Interrupt-
routine, zum Interrupt-Programm, um auf die An-
forderung des Interrupts einzugehen. Der 8085 besitzt
fünf Interrupteingänge. Zu den Unterbrechungs-Kon-
trolleitungen gehören die Unterbrechungseingänge
(Interrupteingänge) TRAP, RST7.5, RST6.5, RST 5.5
mit unterschiedlicher Priorität, um bei gleichzeitiger
Aktivierung aller Eingänge eindeutige Zuordnungen
zu gewährleisten, und der Eingang INTR mit dem
Quittungssignal INTA.
Da gleichzeitige Anforderungen mehrerer Geräte
vermieden werden müssen, ist bei vielen Prozessoren
ein Prioritätsdecoder oder Interruptcontroller er-
forderlich, weil sie nur einen Interrupteingang besit-
zen. Bild III-15 zeigt für den 8085 beide Möglichkei-
ten auf. DMA
Beim 8085 ist die Priorität hardwaremäßig festgelegt.
Tabelle III-5 führt die Hardwareeinsprungadressen
und die Prioritäten auf.

CPU CPU

RST7.5 RST7.5
RST6.5 RST6.5
RST5.5 Speicher RST5.5 Speicher

INT

E/A 1 E/A 1
Prioritäts-
Decoder

E/A 2 E/A 2

E/A 3 E/A 3

Name Priorität Adresse Eigenschaft Triggerung

TRAP 1 24 nicht maskierbar und H bis Abfrage
RST7.5 2 3C maskierbar H bis Abfrage (Speicherung)
RST6.5 3 34 maskierbar H bis Abfrage
RST5.5 4 2C maskierbar H bis Abfrage
INTR 5

Bild III-15 Interruptmöglichkeiten

III Mikrocomputertechnik 597

Tabelle III-5 Interrupt Akkumulator

Name Prioritätenfolge Einsprungadresse Eigenschaft Triggerung
TRAP 1 24 nicht maskierbar „L“ → „H“
RST7.5 2 3C maskierbar „H“
RST6.5 3 34 maskierbar „H“
RST5.5 4 2C maskierbar „H“

Desweiteren ist der Tabelle zu entnehmen, mit wel-
chem Pegel der Interrupteingang angesprochen wer-
den muß (Triggerung) und welche Interrupteingänge
softwaremäßig abgeschaltet werden können. Die
Eingänge RST6.5, RST5.5 und INTR müssen mit
Pegeln angesprochen werden. Bis zur Annahme
durch die CPU muß der Pegel bei den genannten
Eingängen anliegen. Der Eingang RST7.5 reagiert auf
die ansteigende Flanke und speichert die Anforderung
in einem Flipflop.
Von der Softwareseite besteht für einige Interrupts
die Möglichkeit, diese zu maskieren. Hierunter ver-
steht man, Interrupts zu sperren oder zuzulassen. Die
Programmierung läuft über den Inhalt des Akkumula-
tors in Verbindung mit dem Befehl SIM (Set Interrupt
Mask) ab. Bild III-16 zeigt die vom Hersteller ange-
gebenen Bitpositionen.
Mit den Befehlen EI (Enable Interrupt) können alle
Interrupts zugelassen und mit DI (Disable Interrupt)
alle gesperrt werden (Ausnahme: TRAP). Das Prinzip
verdeutlicht Bild III-17 am Beispiel des RST7.5-
Eingangs. Nur wenn durch den Befehl SIM die Mas-
ke für RST7.5 gesetzt und durch den Befehl EI die
Zulassung der Interrupts ermöglicht wurde, kann bei
anliegendem Signal an RST7.7 eine Interruptannah-
me durch die CPU erfolgen, und der Programmzähler
ruft die Adresse 3C auf.
Der Interruptvorgang wird in Bild III-18 erläutert.
Tritt im laufenden Hauptprogramm ein Interrupt auf,
wird der gerade begonnene Befehl noch bearbeitet.
Der Programmzählerinhalt wird zum Stack gebracht,
und der Programmzähler zeigt auf die festgelegte
Einsprungadresse, um das Interrupt-Programm aus-
führen zu können. Das Interrupt-Programm selbst
befindet sich im Arbeitsspeicher, da sich zwischen
den Interrupteinsprungadressen – hier steht in der
Regel nur ein Sprungbefehl zum Arbeitsspeicher –
nur wenige freie Speicherplätze befinden (siehe auch

Akkumulator Akkumulator
Bit 7 6 5 4 3 2 1 0 Bit 7 6 5 4 3 2 1 0

7.5 MSE 7.5 6.5 5.5 7.5 6.5 5.5 IE 7.5 6.5 5.5

Flipflop
rücksetzen "1" Interruptmasken
Freigabe für
Maske setzen "1" Interruptfreigabe
Interruptmasken
"1" Sperren Anstehende Interrupt
"0" Freigabe

Maskierung Lesen

Bild III-16 Interruptmaske setzen und lesen

RST7.5 S
Akkumulator Interrupt-
1D &
Annahme
RESET IN R 0 0 0 0 1 0 1 1
SIM C1 3C
Programmzähler
EI S

DI R
Bild III-17
RST7.5
598 Datentechnik

Hauptprogramm

(Befehlszähler)
--> Stack
Befehl
Weitere Interrupts
Befehl
sperren
Befehl

Interruptadresse
Interrupt-
--> Befehlszähler
Anforderung

Interrupt-
Programm ausführen

Alle Interrupts
wieder zulassen

(Stack) -->
Befehlszähler
Bild III-18
Interruptvorgang

Tabelle III-7). Ein Interrupt-Programm ist wie ein
Unterprogramm zu behandeln. Registerinhalte sind zu
„retten“ und auf den Stack zu bringen. Den Abschluß
bildet der Befehl RET (Return). (Programmbeispiele
siehe Abschnitt Maschinensprache.)
Für die serielle Datenübertragung besitzt der Prozes-
sor 8085 einen eigenen Ein- und Ausgang (SID =
Seriell In Data, SOD = Seriell Out Data). Hierbei
wird die Information Bit für Bit zeitlich nacheinander
übertragen. Die Steuerung erfolgt über ein Programm
und der serielle Datenfluß über den Akkumulator.
SID
SOD
1D
C1
1
Bild III-19 Bitposition im Akkumulator für den
seriellen Ein- und Ausgang
Mit dem Befehl RIM gelangt das Bit am SID-
Anschluß nach Bit 7 des Akkumulators. Von dort ist
eine weitere Verarbeitung möglich. Zur Datenaus-
gabe wird ebenfalls Bit 7 des Akkumulators benutzt.
Hierzu muß der Ausgang SOD mit dem Befehl SIM
freigegeben worden sein (Bild III-19).
Um das Zusammenwirken mit Peripheriebausteinen
darzustellen, ist in Bild III-20 ein 8085-Minimal-
system mit einem RAM (256 Bytes), EPROM
(2 kByte), Zeitgeber und E/A-Ports abgebildet.
Die Speicherkapazität der Bausteine läßt sich aus der
Anzahl der Adreßleitungen ermitteln. Die Auswahl
der Bausteine erfolgt mit den Adreßleitungen A11
und A12, so daß ein Speicherplan aufgestellt werden
kann (Bild III-21). Die Portadressen können mit Hilfe
der Beschreibung der Bausteine 8755 und 8156 (siehe
Peripheriebausteine) gefunden werden.
2.4.2 Beispiel Z80 CPU Interrupt
Der Z80 besitzt die 6 Arbeitsregister B, C, D, E, H, L,
die jeweils 8-Bit-Operationen oder als Registerpaare
BC, DE und HL 16-Bit-Operationen ermöglichen,
einen Akkumulator und das Flagregister als Hauptre-
gister-Block. Die gleiche Anzahl Register sind als
Zweitregister-Block vorhanden (Bild III-22). Außer
Befehlszähler und Stapelzeiger sind die Spe-
zialregister IX und IY als Indexregister, das I-
Register (Interrupt-Vektor) und R-Register (Refresh-
Speicher), der ein direktes Arbeiten mit dynamischen
Speichern ohne zusätzlichen Bausteinaufwand er-
möglicht, vorhanden. Die 16-Bit-Index-Register die-
nen zur Bearbeitung von Tabellen und Datenver-
schiebungen im Arbeitsspeicher.
III Mikrocomputertechnik 599

8755

8085
+ RESET
X1 AD0
AD1 CE
AD2
AD3 AD0..AD7
X2 AD4
+ AD5
+ CLK
AD6
RST5 AD7 IOR
RST6 A8
RST7 A9 A8..A10 Port A
A10
INTR A11 PROG/CE
TRAP A12
RESIN A13 IO/M
A14
HOLD A15 READY
READY Port B
RD RD
SID WR
CLKO WR
ALE
S0 ALE
S1
IO/M
HLDA
RESO 8156
SOD
INTA

Port A
RD
WR
ALE Port B
CE
IO/M
Port C
RESET
Bild III-20
Minimalsystem nach Datenbuch
AD0..AD7
der Fa. Siemens

Speicherplan Portadressen

Port A: 19
18FF
8156 Port B: 1A
RAM
1800 Port C: 1B

07FF Port A: 00

ROM 8755
Port B: 01 Bild III-21
0000 Adressen der Bausteine 8156 und 8755

Hauptregister Zweitregister

Akkumulator Flags A′ F′
B C B′ C′
D E D′ E′
H L H′ L′

Interrupt I Refresh R
Indexregister IX
Indexregister IY Spezialregister
Stackpointer SP
Befehlsz„hler PC
Bild III-22
Registerplan der Z80 CPU
600 Datentechnik

2x74LS244
EN
Z80CPU

EN

EN Adreßbus

EN

74LS245
G3
INT 3EN1
3EN2
NMI
1
HALT 2

RFSH
M1
Datenbus
RESET
BUSRQ
BUSAK
WAIT
RD
WR
MREQ
IORQ
Bild III-23 Z80-System

Tabelle III-6 Bedeutung der Anschlüsse CPU

A0 ... A15 Adreßbus
D0 ... D7 Datenbus
/RD Lesen
/WR Schreiben
/RFSH A0 ... A7 führen Refreshadresse (für dynamische Speicher)
/HLT Software-Halt, die CPU wartet auf ein Interruptsignal
/WAIT Wartesignal (CPU beginnt mit Wartezyklen)
/INT Interrupteingang
/NMI Nicht maskierbarer Interrupt (ADR 0066)
/MREQ Speicheranforderung. Bei „L“ an diesem Anschluß steht auf
dem Adreßbus eine Adresse für einen Speicherzugriff an.
/IOREQ E/A-Bausteinanforderung
/BUSRQ Busanforderung externer Geräte. Das interne Bussystem wird in
den hochohmigen Zustand gebracht, damit externe Geräte
Adreß-, Daten- und Steuerbus nutzen können.
/BUSAK Busanforderungsbestätigung. Hiermit wird externen Geräten be-
stätigt, daß Adreß-, Daten- und Steuerbus benutzt werden darf.
/RESET Rücksetzen
/M1 Statusleitung (Maschinenzyklus 1)
III Mikrocomputertechnik 601

Als Taktgenerator wird ein externer Oszillator ein-
gesetzt. Bild III-23 zeigt die Z80 CPU und deren
Anschlußbelegung mit Taktgenerator und Treiber-
stufen. Im Gegensatz zur 8085 CPU sind 16 Adreß-
leitungen und 8 Datenleitungen herausgeführt. In
Tabelle III-6 werden die Funktionen der jeweiligen
Anschlüsse des Prozessors beschrieben.
Der Z80 verfügt über den Befehlssatz des 8085
hinaus über weitere Befehle und zusätzliche Adres-
sierungsarten wie indizierte und relative Adressierung
(siehe auch Abschnitt Maschinensprache). Der
Operationscode ist mit dem Code der 8085 CPU
identisch. Unterschiede bestehen in der Mnemonik
(Assembler).
Tabelle III-7 Peripheriebausteine für ein Z80-System
Z80-PIO Parallel-E/A-Baustein
Z80 CTC Zähler und Zeitgeberbaustein
Z80 DMA Baustein für direkten Speicherzugriff
Z80 SIO Serieller E/A-Baustein
2.5 16-Bit-Prozessoren CPU
In Personalcomputern ist die 8086-Familie sehr ver-
breitet (8086, 80286, 80386, 80486).
2.5.1 8086/80286
Die Prozessoren besitzen einen gemultiplexten Da-
ten-Adreßbus (AD0 ... AD15) und die Adreßleitun-
gen A16 ... A19. Damit steht ein Adreßbereich von
1 MByte (220 = 1 048 576) zur Verfügung. Der 8086
kann in den Betriebsarten MIN- und MAX-Mode
eingesetzt werden. Die Auswahl erfolgt mit dem
Anschluß MN/MX. Im MIN-Mode werden die Steu-
ersignale für Speicher und E/A-Bausteine vom Pro-
zessor erzeugt, und im MAX-Mode werden komple-
xere Systeme mit einem zusätzlichen Steuerbaustein
zur Systemsteuerung (Buscontroller) betrieben.
Bild III-24 zeigt die Pinbelegung beider Prozessoren
und Tabelle III-8 die Bedeutung der Anschlüsse.
Tabelle III-9 und III.10 beschreiben Steuerfunktio-
nen.
Das Prinzip des Prozessors beschreibt Bild III-25,
und der Registersatz ist im Bild III-26 wiedergege-
ben.

8086 80286
16 36 34
AD0 15 D0 A0 33
19 38
CLK AD1 14 D1 A1 22
40
AD2 13 D2 A2 28
22 42
21 READY AD3 12 44
D3 A3 27
RESET AD4 11 46
D4 A4 26
AD5 10 48 D5 A5 25
31 AD6 D6 A6
30 HOLD 9 50 24
HLDA AD7 8 37 D7 A7 23
AD8 7 39 D8 A8 22
18 AD9 D9 A9
INTR 6 41 21
AD10 5 D10 A10 20
17 43
NMI AD11 4 D11 A11 19
45
AD12 3 D12 A12 18
23 47
TEST AD13 2 D13 A13 17
49
AD14 39 51 D14 A14 16
33
MN/MX AD15 38 D15 A15 15
AD16 37 A16 14
AD17 36 A17 13
AD18 35 A18 12
AD19 A19 11
26 A20 10
DEN 27 A21 8
DT/R 28 A22 7
31
M/IO CLK A23
63
25 READY 1
64
ALE 24 HOLD BHE 5
57
INTA INTR S0 4
59
34 NMI S1 67
61
BHE 32 PREQM/IO* 66
54
RO 29 BUSC/INTA* 68
53
WR 29 ERROR LOCK 65
RESET HLDA 6 Bild III-24
52
CAP PEACK CPU 8086 und 80286
602 Datentechnik

Tabelle III-8 Bedeutung der Anschlüsse

AD0 ... AD15 Adreß-/Datenbus

RD Read Lesen
WR Write Schreiben
ALE Adress Latch Enable Adreßzwischenspeicherung
INTR Interrupt Request Interruptabfrage
INTA Interrupt Acknowledge Interruptbestätigung
NMI Non Mascable Interrupt Nicht maskierbarer Interrupt
TEST Test Überprüfung des Wartezyklus
RESET Reset Rücksetzen
CLK Clock Takt
MN/MX Min/Max Minimum-/Maximum-Mode
BHE/S7 Bus High Enable/Status Freigabe von L- oder H-Adreßteil
DEN Data Enable Busfreigabe (Datenübertragung)
DT/R Data Transmit/Receive Datenübertragung/-empfang
M/IO Memory/IO Speicher und E/A-Zugriff
HOLD Aufruf externer Geräte
(DMA)
HLDA Bestätigung auf HOLD
(DMA)
LOCK Angabe über Sperrung der
CPU

S0, S1, S2 Statusinformation

Tabelle III-9 Steuerfunktionen Memory Interface

BHE A0 Funktion
0 0 Gesamtes Wort
0 1 Oberes Byte von/zu Adresse
1 0 Unteres Byte von/zu Adresse
1 1 keine Funktion Instruktion 6
Stream 5
4
Tabelle III-10 Statusinformation Byte 3
ES Queue 2
S2 S1 S0 Funktion CS 1
SS
0 0 0 Interruptbestätigung
0 0 1 E/A-Lesen DS Control
0 1 0 E/A-Schreiben IP System
0 1 1 Halt BIU
1 0 0 Codezugriff
1 0 1 Speicher lesen EU
1 1 0 Speicher schreiben
1 1 1 Passiv

die Steuerung der Busschnittstelle. In der Befehls- AH AL

einheit werden die von der Befehlswarteschlange BH BL
(Instruction Queue) gelieferten Befehle decodiert. Bei CH CL
Befehlsausführung kann die Befehlswarteschlange
DH DL Operands
parallel mit dem nachfolgenden Maschinencode
geladen werden. SP
Flags
Damit steuert diese Einheit alle Vorgänge des Sys- BP
tems. Hauptbestandteil der Ausführungseinheit ist die SI
aus 8-Bit-Systemen bekannte ALU.
DI
Die vier Hauptregister der Execution Unit A, B, C
und D sind aus je zwei 8-Bit-Registern (L = Low und Bild III-25 Blockbild der 8086 CPU
III Mikrocomputertechnik 603

Allgemeine Registerkarte Segment Register

AH AL Multiplikation CS Code Segment

Division
DH DL E/A-Befehle DS Data Segment
CH CL — Schiebebefehle SS Stack Segment
BH BL ES Extra Segment
Basis-Register
BP
SI Index-Register F Flags
DI I Befehlszeiger
SP — Stackpointer WSW Status Word
Bild III-26
15 Bit 0 15 Bit 0 Registersatz und Funktion

H = High) zusammengesetzte 16-Bit-Register. Sie 2.5.2 Adressenbildung

dienen zur Aufnahme von arithmetischen und logi-
schen Operanden. Die Breite der übrigen Register In der BIU befinden sich die Segmentregister ES
beträgt 16 Bit. Das SP-Register (Stack Pointer) und (Extra-Segment), CS (Code-Segment), SS (Stack
BP-Register (Base Pointer) können für Stack- und 16- Segment) und DS (Daten-Segment). Ihre Aufgabe ist
Bit-Operationen verwendet werden. SI- und DI- es, den Speicherbereich über Segmente in vier Berei-
Register sind Indexregister (Source Index = Quelle, che bis zu 64 KByte zu verwalten (Real Mode). Die
Destination = Ziel). Anfangsadressen stehen jeweils in den Segmentregi-

Arbeitsspeicher
FFFFF
Segment Offset
31 16 15 0
64kB

gewählter
Operand
64kB

64kB

CS
SS
DS 64kB
ES
00000

0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 Offset

0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 Segment

Addierer

0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1
0 2 0 F F
Bild III-27
physikalische Adresse Bildung der physikalischen Adresse
604 Datentechnik

stern. Mit ihrer Hilfe und dem Befehlszeiger IP Adressbus

(Offset) wird die physikalische Adresse (absolute
Adresse) nach Bild III-27 gebildet. Hierbei wird die Datenbus
16-Bit Offsetadresse als L- und die 16-Bit-Segment-
adresse als H-Teil einer fiktiven 20-Bit-Adresse ange-
sehen. Das gewählte Segment gibt die Anfangsadres- A0 1
se des Segments an, und der Offset zeigt auf den A1 D0
A2 D1
gewählten Operanden. Ihre Addition ergibt somit die D2
A3
physikalische 20-Bit-Adresse. A4 D3
0
Ein Mikroprozessorsystem mit 16-Bit-Prozessoren A5 A
1023 D4
besitzt außer den bekannten Speicher- und Ein- und A6 D5
A7 D6
Ausgabeeinheiten spezielle Peripheriebausteine, die D7
A8
jeweils eine besondere Aufgabe übernehmen, wie A9
bespielsweise der Buscontroller (siehe auch Periphe- 10
WE
riebausteine). Bild III-28 zeigt schematisch ein 8086- CS
System. Der Transceiver ist vergleichbar mit dem
Zweirichtungstreiber in 8-Bit-Systemen. Über den Aktivierungsleitung
Schreib-Lese-Leitung
Eingang T wird die Datenrichtung festgelegt, und mit
/OE kann der BUS hochohmig geschaltet werden. Bild III-29 Anschlüsse an einem Speicherbaustein

Clock-Generator BUS-Controller
8086 CPU

RES

Latch Speicher

ADR

Daten

Bild III-28 8086-System Transceiver

3 Halbleiterspeicher 3.2 Kenndaten und Technologie

3.1 Allgemeines
Speicher dienen zur Speicherung und Sicherung von
Daten und Programmen. Der Speicherbaustein muß
den Prozessor mit Daten beliefern, und der Prozessor
muß Daten darin ablegen können. Zur Auswahl eines
bestimmten Speicherplatzes, einer Adresse, werden
dem Baustein Adreßleitungen zugeführt. Die Daten
gelangen über den Datenbus zum und vom Speicher,
wenn der Prozessor die Schreib-Lese-Leitung akti-
viert und die Speicherzelle ausgewählt wurde. Um
eine Unterscheidung verschiedener Speicher durch-
führen zu können, besitzt der Baustein Aktivierungs-
oder Auswahleingänge. Bild III-29 zeigt die An-
schlüsse eines 1 K × 8 Bit-Schreib-Lese-Speichers.
Wichtige Kenndaten eines Speichers sind die Spei-
cherkapazität (Capacity) in Verbindung mit der
Angabe über die Speicherorganisation, die Zugriffs-
zeit (Access Time), die von der Ansprache des Spei-
chers vergeht bis zur Verfügbarkeit der Daten und die
Leistungsaufnahme im aktiven und Ruhe-Betrieb
(Standby). Die Speicherkapazität gibt die Informati-
onsmenge an, die der Speicher aufnehmen kann. Sie
wird üblicherweise in Kbit, KByte oder MByte ange-
geben. Die Kenndaten selbst sind von der Technolo-
gie, also dem Herstellungsverfahren des Speichers,
abhängig. Hier unterscheidet man bipolare Speicher,
deren Grundelemente der TTL- oder ECL-Techno-
logie entsprechen, von unipolaren Speichern, deren
Grundelemente in MOS-Technologie gefertigt sind.
III Mikrocomputertechnik 605

Speicher-Technologien

Bipolare Speicher MOS-Speicher

TTL ECL NMOS CMOS

Eigenschaften
Bild III-30
50 ns 15 ns Zugriffszeit 100 ns 150 ns Speichertechnologien und
600 mW 700 mW Verlustleistung 200 nW 20nW Eigenschaften

Bipolare Speicher besitzen zwar eine geringere
Zugriffszeit, haben aber eine höhere Leistungsauf-
nahme sowie eine geringere Integrationsdichte als
unipolare Speicher, (siehe Bild III-30).
Die heutigen großen Speicherkapazitäten werden mit
CMOS-Speichern erreicht. Für den Entwickler spielt
das Preis-Leistungsverhältnis und notwendige zusätz-
liche Steuerbausteine noch eine bedeutende Rolle.
3.3 Bedeutung der Anschlüsse
Tabelle III-11 faßt die Anschlußbedeutungen, die bei
Speichern auftreten, zusammen.
 Beispiel: Für einen 16-Bit Speicher (siehe Bild III-31) sind
normalerweise 16 Auswahlleitungen erforderlich. Durch den ma-
trixförmigen Aufbau reduzieren sich die Auswahlleitungen auf 8,
da 4 Zeilen- und 4 Spaltenleitungen benötig werden. Mit Hilfe
jeweils eines 4-aus-1-Decoders können die 4 Leitungen von zwei
Adressen angesprochen werden. Damit ergeben sich für den 16-
Bit Speicher insgesamt 4 Adreßleitungen.
Um n-Speicherstellen zu adressieren, benötigt man 2n Adreßlei-
tungen. Speichertechnologie
 Beispiel: Ein Speicher mit der Organisation 4 K × 8 Bit besitzt
4096 Speicherstellen mit einer Wortbreite von 8 Bit. Damit sind
12 Adreßleitungen nötig.
ln Speicherkapazität ln 4096
Adreßleitungen = = = 12 (III.1)
ln 2 ln 2

Tabelle III-11 Anschlußbedeutungen

A0 ... An Adreßleitungen; über diese Leitungen wird der Speicherplatz angewählt.

D0 ... Dn Datenleitungen; über diese Leitungen gelangen Daten vom oder zum Speicher.
CE, CE1, CE2, CS Chip Enable, Chip Select; über diese Leitung(en) kann der Speicherbaustein angewählt
werden.
WE, WR Write Enable, Write; diese Leitung wird von der CPU aktiviert, wenn Daten in den
Speicher geschrieben werden sollen.
RD Read; diese Leitung wird von der CPU aktiviert, wenn Daten vom Speicher gelesen
werden sollen.
O0 ... On Output, Datenausgänge
OE Output Enable; mit dieser Leitung werden die Ausgänge eines Speichers freigegeben.
ALE Adress Latch Enable; an diesem Anschluß kann die CPU bei einem gemultiplexten
Adreß-/Datenbus die Adresse zwischenspeichern.
RAS Row Adress Select, Zeilenauswahlleitung
CAS Column Adress Select, Spaltenauswahlleitung
Vpp Programming Voltage; an diesem Anschluß wird die Programmierspannung angelegt.
VCC Betriebsspannungsanschluß
GND Ground, Masseanschluß

3.4 Organisation und Aufbau

Die Speicherzellen in einem Speicherbaustein sind
X-Decodierer

matrixförmig angeordnet, um die Anzahl der Aus- 1 2 3 4

wahlleitungen möglichst gering zu halten. Die An- A0
sprache der Speicherzelle ist nur möglich, wenn 5 6 7 8
jeweils gleichzeitig eine Zeilenleitung und eine
Spaltenleitung, oder auch X- und Y-Leitung, aktiv 9 10 11 12
A1
sind. Durch die Anordnung innerhab der Matrix ist 13 14 15 16
jede Speicherstelle eindeutig bestimmt. Die Auswahl
der Speicherstelle in der Matrix erfolgt über einen
Y-Decodierer
Zeilen- und Spaltendecoder, der jeweils über Adreß-
leitungen angesteuert wird. Die Anzahl der Adreßlei- A2 A3
tungen ist von der Anzahl der Speicherstellen ab-
hängig. Bild III-31 Speichermatrix
606 Datentechnik

3.4.1 Bitorganisierter und wortorganisierter RAM 1k x 1

Speicher D3

Adressbus
RAM 1k x 1
Der bitorganisierte Speicher speichert pro Adresse D2
nur ein Bit. Er ist somit unabhängig von der Daten- RAM 1k x 1
wortbreite. Beim wortorganisierten Speicher steht in D1
jeder Adresse ein Datenwort. Damit sind n-Bitstellen RAM 1k x 1
gemeint, die gleichzeitig von einer Adresse angespro- 0 D0
chen werden. Wortorganisierte Speicher, deren Wort-
WE 0
breite der Datenbreite des Mikroprozessors ent- A
sprechen, werden häufig für Arbeitsspeicher bei 1023
kleineren Mikroprozessor- oder Mikrocontrollersyste- 9
men eingesetzt (z.B. 8-Bit-Systemen).
Ein Speicher mit der Kapazität von 4096 Bit kann als
bitorganisierter Speicher (4 K × 1 Bit) (Bild III-32)
oder als wortorganisierter Speicher (1 K × 4 Bit) CS
(Bild III-33) aufgebaut sein (1 K Bit = 210 Bit). Beim
bitorganisierten Speicher ist jeder Speicherzelle eine Bild III-34 Vom bit- zum wortorganisierten Speicher

RAM 4k x 1
Adesse A0 0
1 D0

2 0
A
4095
D0

A11 11 Bild III-32

WE Prinzip und Schalt-
4096 bild eines bitorgani-
CS
sierten Speichers

Adresse zugeordnet, während der wortorganisierte
Speicher pro Wort eine Adresse besitzt. Legt man die
Anzahl der Speicherstellen zugrunde, dann besitzen
beide dargestellten Speicher die gleiche Speicher-
kapazität.
eingänge WE (Write Enable = Schreibfreigabe) und
CS (Chip Select = Bausteinauswahl) und ist häufig
„Low“-aktiv (Bild III-35).
Mit /CS oder /CE wird der einzelne Speicherbaustein
ausgewählt. Beschrieben und ausgelesen wird er

RAM 1k x 4
Adresse
A0 0
1 D0
0 D1
2 D3 A D2
D2 1023 D3
D1
D0
A9 9
Bild III-33
Prinzip eines
WE
wortorganisierten
1024
CS Speichers und
4-Bit-Wort Schaltbild
Ist beim bitorganisierten Speicher eine bestimmte durch Pegelumschaltung am WE- oder RD- und
Wortbreite erforderlich, müssen verschiedene Spei- /WR-Eingang.
cher mit der gleichen Adresse angesprochen werden.
Für ein 4-Bit-Datenwort müssen 4 Speicherbausteine 3.4.2 Speicher mit Adressenzwischenspeicher
adressenmäßig parallel geschaltet und mit /CS und Außer Schreib-Leseeingang und Bausteinauswahl
/WE gleichzeitig angesprochen werden (Bild III-34). gibt es Speicher, die einen weiteren Steuereingang
Zur Aus- und Eingabe von Daten ist eine interne ALE (Adress-Latch-Enable) besitzen und damit ein
Steuerschaltung notwendig, die je nach Speicher internes Adressenzwischenregister. Sie können direkt
unterschiedlich sein kann. Sie erfolgt über die Steuer- an den gemultiplexten Daten-Adreßbus eines Mikro-
III Mikrocomputertechnik 607

DO controllers oder Mikroprozessors angeschlossen wer-

den. Speicher und Prozessor sparen so Anschlußlei-
tungen. Die Adressen und Daten werden hier zeitlich
nacheinander auf gleichen Leitungen übertragen. Mit
ALE übergibt der Prozessor seine Adresse einem
CS & Adressenzwischenspeicher im Speicherbaustein und
liefert oder holt anschließend die Daten. Speicher
ohne Adressenzwischenregister können von einem
& Prozessor mit gemultiplextem Daten-Adreßbus nur
WE über ein externes Zwischenregister angesteuert wer-
den. Im Bild III-36 ist ein Speicher mit und ohne
Steuereingang ALE an einem Mikroprozessor ange-
Zeilendecoder

schlossen.

Speichermatrix 3.5 Zeitverhalten Speicher

Damit der Speicher seine Funktion durchführt, muß
der Prozessor über den Steuerbus zeitliche Bedin-
gungen einhalten (Bild III-37). Beispielsweise muß
Spaltendecoder zunächst die gewünschte Adresse auf dem Adreßbus
Adressen anliegen, dann muß der Baustein, der diese Adresse
besitzt, mit dem Auswahlsignal /CS angewählt wer-
den. Desweiteren müssen Daten vom Datenbus ange-
boten werden, um sie danach mit dem Schreibsignal
CS WE Funktion
in den Speicher zu bringen.
Damit die gewünschten Daten den Speicher oder die
0 0 Einschreiben der Daten Daten des Speichers den Prozessor erreichen, müssen
0 1 Auslesen der Daten bestimmte zeitliche Bedingungen eingehalten wer-
1 x Baustein hochohmig den. Zwischen dem Anliegen der Adresse (tWC =
Write Cycle Time) und dem Einschreiben der Daten
Bild III-35 Prinzip der Datensteuerung ist eine Zeitspanne tAS (Adress Setup Time) erforder-

AD0..AD7 Speicher
MP
256 x 8
Adreß-
Latch

ALE

RD/WR
CS

AD0..AD7 D0..D7 Speicher

MP 256 x 8
Adreß-
Latch

A0..A7
ALE
RD/WR
CS

AD-Bus A0..A7 D0..D7

Bild III-36
Speicher mit und ohne
ALE
Adressenzwischenspeicher
608 Datentechnik

tWC

Adress

CS
tAS tWP

WE
tDW tDH

DATA IN DATA VALID

tRC

Adress

tAA

CS
tOH Bild III-37
DATA OUT DATA VALID Zeitverhalten auf den Bus- und
Steuerleitungen

lich, weil sonst die Daten eine falsche Speicherstelle 3.6 Speichertypen
erreichen. Die Zeit, die benötigt wird, um das Ein-
Es werden zwei Hauptgruppen von Speichertypen
schreiben der Daten in den Speicher zu gewährleis-
unterschieden: Schreib-Lesespeicher und Festwert-
ten, ist die Mindestdauer des Schreibimpulses (/WE)
speicher. Während Schreib-Lesespeicher als Arbeits-
und wird tWP (Write Pulse Width) genannt. Zur kor-
speicher dienen, liegen in Festwertspeichern häufig
rekten Datenübertragung müssen die Daten auf dem
benötigte konstante Daten vor, wie beispielsweise
Datenbus stabil sein. Diese Zeit, in der sich die Daten
Tabellen oder Teile eines Betriebssystems (Firm-
auf dem Datenbus (Data Valid = Daten gültig) einge-
ware).
pendelt haben, nennt man tDW (Data Valid Time). Mit
tDH (Data Hold Time) wird die Zeit nach Ablauf des
3.6.1 Festwertspeicher
Schreibimpulses bezeichnet, solange noch Daten und
Adressen anliegen. Beim Lesezyklus tRC (Read Cycle ROM (Read Only Memory = Nur-Lese-Speicher)
Time) stabilisieren sich die Adressen auf dem Bus in sind Speicher, die im Normalbetrieb nicht beschrie-
der Zugriffszeit tAA (Adress Access Time). Anschlie- ben, sondern nur ausgelesen werden. Es sind Fest-
ßend können die Daten gelesen werden. wertspeicher (Nonvolatile Read-Only-Memory = nicht

Festwertspeicher
ROM

Type Programmierung Löschverfahren

Wird vom Hersteller nicht löschbar

ROM mit Hilfe einer
Read only Memory Maske gefertigt
Durch Einsatz von nicht löschbar
PROM Programmiergeräten
Programmable ROM (elektrisch)
Durch Einsatz von Durch UV_Licht
EEPROM
Programmiergeräten nur völlig löschbar
ELectrically PROM (elektrisch)
elektrisch in der Durch elektrische
EEPROM Schaltung Impulse gezielt
Electrically Erasable programmierbar löschbar
PROM
elektrisch in der elektrisch in der
Flash-EPROM Schaltung Schaltung Bild III-38
programmierbar nur völlig löschbar Festwertspeicher
III Mikrocomputertechnik 609

flüchtige Speicher), da sie ihre Information ohne 3.6.1.2 PROM

anliegende Betriebsspannung beibehalten. Daten und
Programme gehen bei Ausfall der Spannungsversor-
gung nicht verloren. Bild III-38 gibt eine Übersicht
über Festwertspeicher.
3.6.1.1 Masken-ROM
Für Standardanwendungen kann der Hersteller ROM-
Bausteine mit Hilfe einer Maske fertigen. Man spricht
dann von einem Masken-ROM. Der Inhalt des Spei-
chers ist nicht mehr veränderbar. Bild III-39 zeigt das
Schaltbild eines ROM und die vereinfachte Darstel-
lung. Speicher
ROM 1K x 4 ROM 1K x 4
0 0
0 0
A A
1023
ROM, die mit Hilfe von Programmiergeräten pro-
grammiert werden können, sind PROM (Program-
mable Read Only Memory) oder fusible PROM
(Sicherungs-PROM). Der Hersteller oder Anwender
kann diese Bausteine nach eigenem Wunsch pro-
grammieren. Aufgebaut sind solche Festwertspeicher
in Form einer Dioden- oder Transistormatrix
(Bild III-40). Beim Programmiervorgang werden
durch einen Stromstoß leitende Verbindungen abge-
schmolzen. Einmal programmierte PROM behalten
ihre Daten und sind nicht mehr löschbar.
Die Ausgänge D0 ... D4 können in Abhängigkeit der
Adresse die einprogrammierten Daten ausgeben. Die
Leitungen X0 ... X3 nennt man Wortleitungen, die
Leitungen Y0 ... Y3 werden Bit-Leitungen genannt.
(0) A Mit 2 Adreßleitungen lassen sich 4 Wortleitungen an-
(1) A sprechen. Der Eingang CS (Chip Select) dient zur
(2) A Anwahl des Speichers, und mit OE (Output Enable)
(3) A werden die Ausgangstreiber aktiviert.
1023
3.6.1.3 EPROM

Ein EPROM (Erasable PROM) ist ein programmier-

9 9 barer und löschbarer Festwertspeicher. Der Speicher-
EN EN inhalt kann durch Löschen und erneutes Beschreiben
geändert werden. Beim Abschalten der Betriebsspan-
A nung gehen die Daten nicht verloren. Die Funktion
einer Speicherzelle beruht auf Veränderung der
Leitfähigkeit eines MOS-Transistors mit einem
schwebenden (nicht angeschlossenen) Gate (FAMOS
= Floating Gate Avalanche Injection MOS). Im nicht
programmierten Zustand sperrt der Transistor. Lei-
tend wird der Transistor durch den Programmiervor-
Bild III-39 Schaltbild eines ROM und vereinfachte gang, bei dem dem Gate mit Hilfe des Lawinen-
Darstellung effekts (Avalance-) eine Ladung aufgeprägt wird.

Prinzip Speicherinhalt
+
0 0 1 0 Adresse D3 D2 D1 D0

X0 00 0 0 1 0
Adreß-Decodierer

01 0 1 0 0
X1
A0
10 0 0 0 0
X2
A1
11 1 1 0 0
X3
CS
Y0 Y1 Y2 Y3
Ausgangstreiber

OE
D3 D2 D1 D0 Bild III-40 Speicher mit Diodenmatrix
610 Datentechnik

PIN-Belegung Funktionsbild 00000000 Daten

01234567

Programmier- Kapazität 18K

2716 CE/PGM
8 9 Logik und Ausgabe-
A0 D0 OE Organisation 2K x 8
7
A1 D1
10 Bausteinauswahl Treiber
6 11 Zugriffszeit 350 ns
5 A2 D2 13
4 A3 D3 14
A4 D4 A0 Programmier-
3
A5 D5 15
A1 Y-Decodierer Y-Gatter 25V
2
A6 D6 16
A2
spannung
1 17
A7 D7
23
A8 A3 Verlustleistung
22
A9 A4 aktiv 525 mW
19 Speicher-
A10 A5
18 A6 X-Decodierer Matrix Verlustleistung
CE/PG A7 132 mW
20 OE A8 16384 Bit standby
21
A9
VPP A10 Programmierzeit 100 s

Bild III-41 EPROM

EPROM-Bausteine besitzen auf ihrer Oberseite ein • Standby

Glasfenster, um ein Löschen zu ermöglichen. Dies
geschieht durch Bestrahlung mit UV-Licht mit defi-
nierter Wellenlänge und Strahlungsdichte. Die Dauer
der Bestrahung ist vom Bausteintyp abhängig (ca.
30 Min.). Der Löschvorgang löscht den gesamten
Speicherinhalt. Eine unprogrammierte oder gelöschte
Speicherstelle besitzt immer „1“ als Information.
Zur Programmierung werden entsprechende Pro-
grammiergeräte benötigt. Die notwendige Program-
mierspannung ist vom Bausteintyp abhängig und
höher als die Betriebsspannung (Tabelle III-12).
Nach dem Programmiervorgang ist das Löschfenster
zuzukleben, um kein Außenlicht eindringen zu las-
sen.
Im nicht aktiven Zustand (standby) werden interne
Stufen des Bausteins abgeschaltet. Dadurch ver-
mindert sich die Verlustleistung. Der Wartezu-
stand wird durch eine „1“ am Eingang CE er-
reicht. Die Ausgänge sind in dieser Betriebsart
hochohmig, unabhängig vom Eingang OE.
• Löschen
Das Löschen geschieht mit ultraviolettem Licht.
Nach dem Löschen liegt in jeder Speicherzelle die
Information „1“.
• Programmieren
Die Adresse der Speicherstelle, die programmiert
werden soll, muß anliegen. Mit OE (Output En-

Tabelle III-12 EPROM-Beispiele

Type Kapazität Organisation Zugriffszeit Leistungsaufnahme

Programmierspannung
2716 16 K 2K×8 350 ns 500/125 mW 25 V
2732 32 K 4K×8 250 ns 625/175 mW 21 V
2764 64 K 8K×8 250 ns 500/200 mW 21 V
27C256 256 K 32 K × 8 120 ns 150/0,5 mW 12,5 V
27C512 512 K 64 K × 8 120 ns 150/0,5 mW 12,5 V
27C100 1M 128 K × 8 120 ns 150/0,5 mW 12,5 V
(Nach Datenblatt der Firma INTEL)

Nachteil: Es ist nur möglich, den Gesamtbaustein zu
löschen. Dazu muß er aus der Schaltung herausge-
nommen werden.
Beschreibung der Beriebsarten:
• Lesezyklus
Nach dem Anlegen einer gültigen Adresse wird
der Baustein mit CE = „0“ aktiviert. Anschließend
kann mit OE = „0“ der Dateninhalt der Adresse
auf die Datenleitungen geschaltet werden. Danach
wird mit OE = „1“ und CE = „1“ der Datenaus-
gang hochohmig.
able) werden dann die Ausgangstreiber gesperrt
und die Programmierspannung von 25 V angelegt.
Während sich die Daten auf dem Datenbus be-
finden, wird über den Eingang CE/PGM (Chip
Enable) der Programmierimpuls zugeleitet. Die
Einhaltung der Adressenreihenfolge ist nicht not-
wendig. Allerdings müssen gewisse zeitliche Be-
dingungen wie die Impulslänge am Eingang CE
eingehalten werden.
Bild III-42 zeigt das Impulsdiagramm der Program-
mierung mit anschließender Lesekontrolle. Nach der
III Mikrocomputertechnik 611

Programmieren Lesekontrolle

Adressen Adresse N

Daten Daten für ADR n Daten

OE 45 ms
Bild III-42
CE/PGM Programmierzyklus

27512 27128 2754 2732 2716 2716 2732 2754 27128 27512
A15 Vpp Vpp VCC VCC VCC
A12 A12 A12 PGM PGM A14
A7 A7 A7 A7 A7 VCC VCC NC A13 A13
A6 A6 A6 A6 A6 A8 A8 A8 A8 A8
A5 A5 A5 A5 A5 A9 A9 A9 A9 A9
A4 A4 A4 A4 A4 A11 A11 A11 A11 A11
A3 A3 A3 A3 A3 OE OEVpp OE OE OEVpp
A2 A2 A2 A2 A2 A10 A10 A10 A10 A10
A1 A1 A1 A1 A1 CE CE CE CE CE
A0 A0 A0 A0 A0 07 07 07 07 07
00 00 00 00 00 06 06 06 06 06
01 01 01 01 01 05 05 05 05 05
02 02 02 02 02 04 04 04 04 04
GND GND GND GND GND 03 03 03 03 03

Bild III-43 Anschlüsse verschiedener EPROM-Typen

Programmierung eines Datenwortes sollte immer eine 3.6.1.4 EEPROM

Kontrolle der programmierten Bits erfolgen, um
festzustellen, ob die gewünschten Daten im Speicher
vorhanden sind (Verify Check). Hierbei darf bei
diesem Baustein die Spannung am Anschluß Vpp =
25 V angeschaltet bleiben.
EPROM-Programmiergeräte können, da die Spei-
cherbausteine standardisiert sind, sowohl 24polige als
auch 28polige EPROMs aufnehmen (Bild III-43).
EEPROM (Electrically Erasable PROM), oft auch als
E2PROM bezeichnet, haben eine geringere Speicher-
dichte als EPROM’s. Ihr Speicherprinzip beruht, wie
bei den EPROM-Typen, auf dem „Floating Gate“
eines MOS-Transistors. EEPROM’s können Wort für
Wort elektrisch gelöscht und neu programmiert
werden. Allerdings ist die Zahl der möglichen Lösch-

CAT28C64B Funktionsbild 64K-Bit EEPROM

A5..A12 Buffer Row

Latches Decoder 8192 x 8Bit

CE
OE Control High Voltage Array
WE
Logic Generator
VCC

DATA Polling 32 Byte Page

Timer
Toggle Bit Register

Buffer
A0..A4 ColumnDecoder I/O-Buffers
Latches

I/O0 I/O7
Nach Datenblatt der Firma CATALYST
Bild III-44 Funktionsbild eines EEPROM
612 Datentechnik

und Programmiervorgänge (ca. 10 000 Programmier- 3.6.1.5 Flash-EPROM

zyklen) begrenzt. War der Datenerhalt vor einiger
Zeit noch mit bis zu 10 Jahren angegeben, so liegen
heutige Angaben bei bis zu 100 Jahren. EEPROM’s
verlieren ihre Daten bei Betriebsspannungsausfall
nicht. Der Vorteil gegenüber EPROM’s liegt darin,
daß die Daten der einzelnen Speicherstellen gezielt in
der Schaltung verändert werden können, ohne den
Baustein zu entnehmen. Der schnelle Löschvorgang
innerhalb weniger Millisekunden ist ein weiterer
Vorteil. Ein EEPROM benötigt eine Programmier-
spannung von 5 V. Dies stimmt allerdings nur für die
externe Zuführung. Im Inneren des Bausteins befindet
sich ein Spannungsgenerator, der die Programmier-
spannung erheblich erhöht.
EEPROM’s werden als parallele oder serielle Spei-
cher mit verschiedenen Betriebsspannungen wie
1,8 V, 2,5 V, 2,7 V und 5 V angeboten. Tabelle III-13
führt einige Typen mit unterschiedlichen Kapazitä-
ten auf. Bild III-44 zeigt das Funktionsbild eines
EEPROM.
Flash-EPROM (Flash-Memory) verbinden die Eigen-
schaften eines RAM, EPROM und EEPROM.
Im Gegensatz zur EPROM’s, die nur durch UV-Licht
gelöscht werden können, sind Flash-EPROM’s elekt-
risch und in der Schaltung löschbar. Der Baustein
kann insgesamt oder sektorweise gelöscht werden.
Alle Bits müssen – abgesehen von neueren Typen –
vor dem Löschen zuerst auf „0“ gesetzt werden. Die
gelöschten Speicherstellen besitzen „1“ als Informa-
tion. Bei der Programmierung verhalten sich Flash-
EPROM’s wie EEPROM’s. Sie können in der Schal-
tung Byte für Byte beschrieben werden. Allerdings
erlauben diese Bausteine eine höhere Zahl von Pro-
grammierzyklen (bis zu 100 000 Zyklen). Die Pro-
grammierzeit liegt etwa bei 1/10 der Zeit eines
EPROM. Die längste Programmierzeit benötigen
EEPROM’s. Adressen und Daten werden zwischen-
gespeichert (Adress Latch, Data Latch). Die ge-
wünschten Betriebsarten wie Löschen und Program-

Tabelle III-13 EEPROM-Beispiele

Type Kapazität Organisation Zugriffszeit

HN58064 64 K 8K × 8 250 ns
HN58C256 256 K 32K × 8 200 ns
HN58C1001 1M 28K × 8 200 ns
(Nach Datenblatt der Firma Hitachi)

I/O

Funktionsbild
Lösch-
Spannungs I/O-Puffer
Schalter

WE Programmier- LATCH
Kommando-
register Spannungs CE,OE-Logik
Schalter
CE
OE
Y-Decoder Speicher-
A0..A15 Latch Matrix
X-Decoder

Verify-
Schalter

TSOP (Standard Pinout) CAT28F512 TSOP (Reverse Pinout)

A11 OE OE A11
A9 A10 A10 A9
A8 CE CE A8
A13 I/O7 I/O7 A13
A14 I/O6 I/O6 A14
NC I/O5 I/O5 NC
WE I/O4 I/O4 WE
VCC I/O3 I/O3 VCC
Vpp Vss Vss Vpp
NC I/O2 I/O2 NC
A15 I/O1 I/O1 A15 Bild III-45
A12 I/O0 I/O0 A12
A7 A0 A0 A7 Pin-Belegung und Funk-
A6 A1 A1 A6 tionsbild eines Flash-
A5 A2 A2 A5
A4 A3 A3 A4 Bausteins
III Mikrocomputertechnik 613

mieren realisiert man über ein Kommandoregister. Im
Signature Mode (Hersteller-Kennzeichnung) befindet
sich unter der Adresse 000016 der Hersteller-Code
und unter Adresse 000116 der Baustein-Code. Die
Hersteller geben in der Regel den Lösch- und Pro-
grammier-Algorithmus in den entsprechenden Daten-
büchern mit an. Flash-EPROM lassen sich kosten-
günstiger als EEPROM herstellen. Bild III-45 zeigt
als Beispiel das Funktionsbild und die Anschlußbele-
gung eines 512 K × 1 Bit-CMOS-Flash-Speichers.
Mit den beiden TSOP-Gehäusevarianten lassen sich
Platinenlayouts vereinfachen.
3.6.2 Schreib-Lesespeicher
Die Daten dieses Speichers können über eine Adresse
beliebig oft gelesen oder eingeschrieben werden.
Beim Ausfall der Betriebsspannung sind die Daten
des Speichers allerdings verloren. Man spricht daher
auch von flüchtigen Speichern (Volatile RAM). Eine
Übersicht verschiedener Schreib-Lese-Speicher zeigt
Bild III-46.
3.6.2.1 SRAM
Statische RAM werden in bipolarer oder MOS-
Technik ausgeführt. Sie arbeiten nach dem Prinzip
einer bistabilen Kippstufe (Bild III-47). SRAM wer-
den mit unterschiedlicher Kapazität und Organisation
angeboten (Tabelle III-14). Aus der Tabelle ist zu
erkennen, daß diese Speicher mit ihrer kurzen
Zugriffszeit recht schnell sind.
Bild III-48 zeigt das Funktionsbild eines Schreib-
Lese-Speichers. Die Auswahl der 4-Bit-Speicher-

Schreib-Lesespeicher
RAM

Type Speicherprinzip

SRAM Flipflop als Speicherzelle

Static RAM

NVRAM Statistische RAM mit Hintergrund EEPROM

Nonvolatile SRAM

DRAM Transistor mit Kapazität

Refresh notwendig
Dynamic RAM

PSRAM SRAM mit internem Refresh

Bild III-46
Pseudo RAM
Schreib-Lesespeicher

Prinzip Funktion

CS RD/WR Bemerkung
a D0
1D 0 0 D0 einschreiben
CS 0 1 Q lesen
& & C1 1 0 hochohmig
1 1 hochohmig
&
RD/WR

Bild III-47 Prinzip einer Speicherzelle

Tabelle III-14 SRAM-Beispiele

Type Kapazität Organisation Zugriffszeit
HM6287P 64 K 64 K × 1 70 ns
HM6264 64 K 8K×8 150 ns
HM6207 256 K 256 K × 1 45 ns
HM6208 256 K 64 K × 4 45 ns
HM62256 256 K 32 K × 8 150 ns
HM621100 1M 1M×1 35 ns
HM628128 1M 128 K × 8 120 ns
HM621664 1M 64 K × 16 25 ns
HM621400 4M 1M×4 35 ns
614 Datentechnik

I/O1

A0 A1 A2 A9 I/O2

RD/WR I/O3
& E/A Schaltung
Spaltendecodierer I/O4
&
CS

A3 Zeilendecodierer Speicher-Matrix
A4
A5
64 Zeilen
A6 Bild III-48
A7 64 Spalten
Funktionsbild eines SRAM-
Bausteins

stelle erfolgt über die Matrix. Bei einer 64 × 64- 3.6.2.2 NVRAM
Speichermatrix wird die Spaltenmatrix in 16 × 4 Spal-
Das NVRAM (Nonvolatile SRAM) ist ein stati-
ten zur Ansteuerung unterteilt. Damit ergeben sich für
sches RAM mit der Fähigkeit, über die Steuerleitung
den Spaltendecoder 4 Adreßleitungen. Die Verbin-
STORE seine Daten in ein spiegelbildgleiches
dung zum Datenbus erfolgt über die Ein- und Ausga-
EEPROM zu kopieren. Damit sind die Daten nicht
beschaltung. Die Steuerung der Bausteinauswahl
mehr flüchtig. Sie bleiben bei Ausfall der Betriebs-
geschieht hier über den Steuereingang /CS. Mit RD,
spannung erhalten. Die EEPROM-Daten können jeder-
/WR kann die Steuerung für Lesen oder Schreiben
zeit über die Steuerleitung RECALL in das SRAM
erfolgen. Datenein- und Datenausgabe erfolgt über
zurückgeholt werden. Bild III-49 zeigt das Funktions-
Tristate-Treiber, über die es möglich ist, den Aus-
bild eines NVRAM, und Bild III-50 erläutert die
gang hochohmig zu schalten.
Steuerung der beiden unterschiedlichen Betriebsarten.
Steuerung

CS
WE Schreib- und
STORE Leseschaltung
RECALL
Zeilendecodierer

Speicher-Matrix Speicher-Matrix
Adressen

STORE

SRAM EEPROM
RECALL

Spaltendecodierer
Bild III-49 Prinzip eines NVRAM

CAT22C10 Betriebsarten
NC VCC
A4 NC CS WE RECALL STORE
A3 A5 Standby 1 x 1 1
A2 I/O3 Speicher lesen 0 1 1 1
A1 I/O2 Speicher schreiben 0 0 1 1
A0 I/O1 EEPROM nach RAM x 1 0 1
CS I/O0 EEPROM nach RAM 1 x 0 1
VSS WE RAM nach EEPROM x 1 1 0 Bild III-50
STORE RECALL RAM nach EEPROM 1 x 1 0 NVRAM und
Betriebsarten
III Mikrocomputertechnik 615

Prinzip PIN-Belegung

Zeilendecodierer
2117

Row-Adreß-
RAS

Latch
Speicher-Matrix VBB VSS
DIN CAS
WE OUT
RAS A6
Adresse
A0 A3
Spaltendecodierer
A2 A4
A1 A5
Column-Adreß- Bild III-51
CAS VDD VCC
Latch Prinzip eines DRAM

3.6.2.3 DRAM Der Speicher 2117 besitzt eine Speicherkapazität von

Dynamische RAM-Speicherzellen (Dynamic RAM’s)
bestehen im Prinzip aus einem Transistor und
einer Kapazität. Dadurch ergeben sich kleine Ver-
lustleistungen bei großen Integrationsdichten. Der
Transistor ist der Schalter, der die Kapazität auf-
lädt oder entlädt, um den Informationszustand „1“
oder „0“ zu erhalten. Da sich die Kapazitäten in
kurzer Zeit über Sperrschichten und Dielektrikum
entladen, verliert der Speicher seine Information,
und in bestimmten Zeitabständen muß ein Auf-
frischzyklus erfolgen. Beispielsweise kann nach 2 ms
der gesamte Speicher aufgefrischt werden (Block-
refresh). Ein zusätzlicher Takt leitet den Zyklus ein.
Während dieser Zeit kann die CPU nicht auf den
Speicher zugreifen. Die Refreshzeiten (refresh =
auffrischen) der einzelnen Speicher sind un-
terschiedlich. Der Betrieb dynamischer RAM’s hat
eine besondere Adressierung, wie das folgende Bei-
spiel zeigt.
16 K × 1 Bit. Die Speichermatrix selbst ist in Reihen
und Spalten angeordnet. Um alle Speicherplätze
anzusprechen, werden 14 Adreßleitungen benötigt.
Damit man dennoch mit einem 14-DIL-Gehäuse
auskommt, werden die Adressen in zwei Gruppen
aufgeteilt (Zeilenadresse = Row-Adress und Spalten-
adresse = Column-Adress), die zeitlich nacheinander
mit den jeweiligen Steuerleitungen RAS (Row Ad-
dress Strob = Reihenadressenzugriff) und CAS (Co-
lumn Adress Strobe = Spaltenadressenzugriff) den
Baustein ansprechen. Zunächst wird dem Baustein
über den Adreßbus die Zeilenadresse zugeführt und
im Latch gespeichert. Anschließend gelangt die Spal-
tenadresse zum Column-Latch. Den zeitlichen Zu-
sammenhang eines Lese- und Schreibzyklus beschreibt
Bild III-52. DRAM-Speicher sind deulich langsamer
als SRAM-Speicher, wie aus der nachfolgenden
Tabelle III-15 hervorgeht. Überlegen sind sie stati-
schen Speichern allerdings durch eine höhere Integra-
tionsdichte und geringerer Verlustleistung.

Lesezyklus

RAS

CAS

Adresse Zeilenadresse Spaltenadresse

Dout Ausgangsdaten

WE

Schreibzyklus

RAS

CAS

Adresse Zeilenadresse Spaltenadresse

Dout Daten
Bild III-52
WE Lese- und Schreibzyklus eines DRAM
616 Datentechnik

Tabelle III-15 DRAM-Beispiele

Type Kapazität Organisation Zugriffszeit
21256 256 K 256 K × 1 150 ns
21464 256 K 64 K × 4 150 ns
21010 1M 1M×1 130 ns
21044 4M 1M×4 130 ns
(Nach Datenblatt der Firma INTEL)

Tabelle III-16 PSRAM-Beispiele

Type Kapazität Organisation Zugriffszeit
HM65256 256 K 32 K × 8 150 ns
HM658128 1M 128 K × 8 120 ns
HM658512 4M 512 K × 8 120 ns
(Nach Datenblatt der Firma Hitachi)

3.6.2.4 PSRAM 3.7 Speichererweiterung

PSRAM (Pseudo SRAM) sind nach außen hin wir- Der Zentralspeicher oder Hauptspeicher eines Mikro-
kende statische RAM-Bausteine mit einer inneren computers besteht aus mehreren Speicherbausteinen
Struktur und notwendigen Hilfsschaltungen eines (RAM, ROM). Die Erweiterung des Speicherraumes
dynamischen RAM. Die Refreshschaltung ist in wird durch Parallelschalten aller Daten- und Adreß-
diesem Baustein integriert. leitungen erreicht. Um das gleichzeitige Ansprechen
mehrerer Bausteine zu verhindern, sind Auswahlbe-
dingungen erforderlich.
Adresse
A0 Speicher 1
4FFF
Speicher 2 Speicher 4
4800
Speicher 3
Adreßbus

2FFF
A10 Speicher 4 Speicher 3
2800
A11 1 CS 1FFF
A12 CS
Speicher 2
1800
A13 CS
2K x 8Bit Bild III-53
07FF
A14 CS Speicher 1 Unvollständige Decodierung
0000
A15 und Speicherplan

Tabelle III-17
Adreßleitung
A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
Speicher 1 0 7 F F
0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
Speicher 2
0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
Speicher 3
0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
Speicher 4
0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

Grundbereich

Codierung Speicher 1 bis 4

Deaktivierung des Zentralsspeichers bei Adressen > 1FFF

III Mikrocomputertechnik
 Beispiel 1 (siehe Bild III-53): An einem 8-Bit-Prozessor sollen
4 Speicher mit einer Kapazität von 2 K × 8 Bit angeschlossen
werden. Da alle Speicher mit ihren Adreßleitungen A0 bis A10 an
dem Adreßbus liegen, würden alle Speicher bei Ausgabe einer
Adresse im Bereich bis 07FFH gleichzeitig angesprochen werden.
Um dies zu verhindern, wird mit Hilfe der Auswahleingänge CS
jedem Speicher ein bestimmter Speicherbereich zugeordnet. Es
werden dazu die Adreßleitungen benutzt, die nicht zu den Adres-
senleitungen gehören, die an den Speichern angeschlossen sind.
Da bei diesem Verfahren nicht alle Adreßleitungen des Systems
in Gebrauch sind, können Speicher mit mehreren Adressen ange-
sprochen werden. Beispielsweise wird mit der ADR 8000H die-
selbe Speicherstelle wie mit der ADR 0000H angesprochen. Man
spricht auch von unvollständiger Decodierung.
Häufig werden Decodierer zur Unterscheidung der Speicher einge-
setzt (Bild III-54). Der Decodierer wird dann von Adreßleitungen,
die nicht an die einzelnen Speicher angeschlossen sind, gesteuert.
Um eine Mehrfachansprache von Speicherstellen zu vermeiden,
sollte ein Decodierer gewählt werden, der einen Auswahleingang
besitzt. Mit Hilfe einer einfachen Logik können alle Adressen in die
Decodierung mit einbezogen werden. Man spricht dann von voll-
ständiger Decodierung (Tabelle III-17). Die Anfangs- und Endad-
ressen der einzelnen Speicher werden jeweils aufgeführt. Da die
Speicher eine Speicherkapazität von 2 K × 8 Bit besitzen, sind je-
weils 11 Adreßleitungen (A0 ... A10) vorhanden (211 = 2048 = 2 K).
Zur Unterscheidung der Speicher (Decodierung) werden die zwei
nachfolgenden Adreßleitungen A12 und A13 benutzt. Alle übrigen
Adreßleitungen werden über eine ODER-Verknüpfung zur Deakti-
vierung bzw. Aktivierung des Decoders eingesetzt. Damit sind die
Speicherplätze eindeutig bestimmt und ergeben den in Bild III-54
dargestellten Speicherplan.
A15 A14 A13 A12 A11 A10..A0
Speicher 1
Speicher 2
Speicher 3
Speicher 4
DEC 0 CS
1 CS 2K x 8Bit
2 CS
1 CE 3 CS
3.8 Zentralspeicher
Der Zentralspeicher eines Mikroprozessorsystems ist
sein Hauptspeicher. Soll ein solcher Zentralspeicher
für ein Mikroprozessorsystem entworfen werden,
muß die Größe des gewünschten Speichers bekannt
sein. Anschließend können gängige Speicherbaustei-
ne ausgewählt, ein Speicherplan aufgestellt und der
Adreßdecodierer geplant werden.
ALE
8086 CPU Latch
AD0..AD15 Adreßbus
A16..A19
BHE
BHE
FFFFF FFFFE
3 2
1 0
Bank1 Bank 0
617
 Beispiel: Ein Zentralspeicher für einen 8-Bit-Prozessor soll mit
seinem 64 K-Speicherraum voll ausgenutzt werden. Als Spei-
cherbausteine stehen 16 K × 8-Bit-Speicher zur Verfügung. Zu
jedem Speicher gehen somit 14 Adreßleitungen (A0 ... A13). Die
Adreßleitungen A14 und A15 können dann zur Decodierung der
vier Speicherbausteine herangezogen werden.
Der Zentralspeicher eines PC mit 8086/80286 CPU und seinem
1 MB-Adreßbereich ist physikalisch in zwei Speicherblöcke
mit je 512 kB aufgeteilt (Bild III-55). Die Auswahl wird über die
Adresse A0 (Bank 0) und die Steuerleitung/BHE (Bank 1)
vorgenommen. Die Datenleitungen sind so aufgeteilt, daß D0 bis
D7 Bank 0 und D8 bis D15 Bank 1 verbinden, während
die Adreßleitungen A1 bis A19 an beiden Speicherblöcken anlie-
gen.
Der Adreßbereich ist in einen RAM- und ROM-Bereich unter-
teilt. Dem eigentlichen Arbeitsspeicher sind max. 640 KByte zu-
geordnet und dem Bildschirmspeicher die nachfolgenden
128 Kbyte. Das BIOS (Basic Input/Output Services) liegt mit e-
benfalls 128Kbyte bis zur Adresse FFFFF. Der zwischen Bild-
schirmspeicher (Video-RAM) und BIOS liegende Bereich ist für
ROM-Erweiterungen wie beispielsweise das BIOS des Festplat-
tenkontrollers reserviert. Aus diesem Speicherbereich werden
ebenfalls 64 KByte als Expansionsspeicher (EMS) verwendet, um
über Bank-Switching die Adressierung eines größeren Speicher-
bereiches zuzulassen. Prozessoren ab 80286 können mehr als
1 MByte adressieren. Der Speicher oberhalb 1 Mbyte wird Ex-
tendet Memory genannt und kann durch zusätzliche Speicherkar-
ten realisiert werden (Erweiterungsspeicher). Mit Hilfe initiali-
sierbarer Steuerprogramme kann dieser Speicherbereich zum
Speichern von Daten oder zur Verwendung von Programmen ge-
nutzt werden.
Adresse
1FFF
Speicher 4
1800
17FF
Speicher 3
1000
0FFF
Speicher 2
0800
07FF
Speicher 1 Bild III-54
0000 Vollständige Decodierung
Bei der Speicherverwaltung der 80 × 86 unterscheidet man die
Betriebsarten Real Mode und Protected Mode. Im Real Mode
wird ein Speicherbereich von 1 MB verwaltet, da nur die Adreß-
leitungen A0 bis A19 verwendet werden. Damit sind in dieser Be-
triebsart die Prozessoren mit dem 8086 kompatibel. Im Protected
Mode werden alle Adreßleitungen und damit der Speicherbereich
oberhalb von 1 MB (Extended Memory = Erweiterungsspeicher)
ausgenutzt. Der 80286 kann somit einen Speicherbereich von
16 MB adressieren.
FFFFF
System-ROM
A0 ROM-Erweiterungen
C0000
Bildschirmspeicher
A0000 Bild III-55
Blockbild eines
Arbeitsspeicher
1 MByte-Speichers
00000
und Speicherorga-
nisation
618
4 Peripheriebausteine
4.1 Allgemeines
Peripheriebausteine sind Schnittstellenbausteine, die
periphere Geräte wie Monitor, Tastatur, Drucker oder
Disketten-Laufwerke mit dem Bussystem des Prozes-
sors verbinden. Man unterscheidet einfache (nicht-
programmierbare) Bausteine, die ihre Funktion durch
die hardwaremäßige Beschaltung in Verbindung mit
den Ein- und Ausgabebefehlen des Prozessors durch-
führen und programmierbare Bausteine, die zunächst
durch Software initialisiert werden müssen. Bausteine
mit besonderen Aufgaben sind Treiberstufen, Taktge-
neratoren, Zeitgeberbausteine (TIMER) und Steuer-
bausteine für den direkten Speicherzugriff (DMA =
Direct Memory Access).
Die Schnittstelle wird Interface genannt. Sie paßt die
Signale der Schnittstellenbausteine an die Signale, die
der Prozessor liefern oder empfangen kann, an. Damit
ergibt sich für jeden Baustein eine Bus- und eine
Geräte-Schnittstelle.
Generell kann die Datenein- und -ausgabe mit dem
Lesen und Beschreiben eines Speicherbausteins ver-
glichen werden. Hat die Adresse den gleichen Aufbau
wie die Speicheradresse, spricht man von „Memory-
mapped-Adressierung“. Der E-/A-Baustein wird hier-
bei als Teil des Speichers angesehen. Um Speicher
und E-/A-Baustein zu unterscheiden, schafft man mit
Adreßdecodern unterschiedliche Adreßbereiche. Bei
einem 16 Bit breiten Adreßbus liegen dann E-/A-
Baustein und Speicher in einem Adreßbereich von
0000 bis FFFF.
Wird die Unterscheidung zu den Speichern mit Sig-
nalen wie IO/M oder IORQ des Steuerbusses durch-
geführt, spricht man von „I/O-mapped-Adres-
sierung“. Hierbei wird bei IN-Befehlen oder OUT-
Befehlen eine 8-Bit-Adresse auf dem Low-Adreßbus
übertragen. Unter Ausnutzung aller Adressen er-
gibt sich hierbei ein Adreßbereich von 00 bis FF.
Bild III-56 stellt die beiden Adressierungen gegen-
über.
Memory-mapped I/O-mapped
Adresse Adresse
FFFF FFFF
RAM-Bereich
RAM-Bereich
I/O-Bereich
0000 0000
FF
I/O-Bereich
00
Bild III-56
Adressierungsarten und Adressenaufteilung
Datentechnik
4.2 BUS-Treiber
Jeder Bausteineingang, der an die CPU angeschlossen
ist, belastet die CPU-Ausgänge. Dabei wird zwischen
statischem und dynamischem Lastverhalten unter-
schieden. Beim dynamischen Lastverhalten spielen
die parasitären Kapazitäten, also die Eigenkapazität
der Bauteile und Kapazitäten, die durch den Schal-
tungsaufbau bedingt sind, eine große Rolle, weil
hierdurch Signale verformt werden. Da auch die
statische Belastbarkeit der CPU gering ist, dürfen
nicht beliebig viele Bauelemente an den Prozessor
angeschlossen werden. Um ein Fehlverhalten der
CPU auszuschließen, werden BUS-Treiber zur Last-
erweiterung und Signalformung eingesetzt. Han-
delsüblich sind Einrichtungs- (unidirektional) und
Zweirichtungstreiber (bidirektional). Ihr Einsatz ist
abhängig von der Datenflußrichtung. Während Ein-
richtungstreiber beispielsweise als Adressenbustrei-
ber eingesetzt werden, dienen Zweirichtungstreiber
zur Datenübertragung. Mit einem Eingang (OE =
Output Enable) können die Treiber in einen hochoh-
migen Zustand (Tristate, siehe auch Abschnitt Inte-
grierte Schaltungen) versetzt werden. Der Zweirich-
tungstreiber besitzt neben diesem Freigabeeingang
einen weiteren Eingang zur Umschaltung der Da-
tenflußrichtung (DIR = Direction). Bild III-57 zeigt
einen Mikroprozessor mit Treiberstufen und erläutert
über eine Funktionstabelle das Prinzip der Umschal-
tung des Zweirichtungstreibers. Mit dem Eingang OE
= „0“ wird der Baustein aktiviert. Bei DIR = „1“
gelangen die Daten von A0 nach B0; bei DIR = „0“
von B0 nach A0. Eine „1“ am Steuereingang des
Tristatetreibers veranlaßt diesen durchzuschalten,
ansonsten ist der Ausgang hochohmig.
4.3 Einfache E-/A-Bausteine
für den parallelen Betrieb
E-/A-Bausteine nennt man auch Portbausteine, da sie
das „Tor“ zur Außenwelt sind. Sie werden direkt an
den Datenbus angeschlossen und können als Ein-
oder Ausgabebaustein funktionieren. Zur Auswahl
der Bausteine ist ein Adreßdecoder nötig, der aus
einer simplen Logik aufgebaut sein kann. Bringt man
die Steuersignale WR und RD mit in die Decodie-
rung des Adreßdecoders ein, kann die gleiche Adres-
se für Ein- und Ausgabeport benutzt werden, weil ein
Zugriff mit RD nur lesend und mit WR nur schrei-
bend erfolgt. Mit dem Eingabebefehl gelangen die
Daten vom Eingabeport zum Akkumulator und mit
dem Ausgabebefehl vom Akkumulator zum Aus-
gabeport. Der Datenfluß läuft immer über den Akku-
mulator. Da die Eingabedaten für den Portbaustein
nur kurzzeitig anliegen brauchen, um von der CPU
angenommen zu werden, lassen sich auch Tristate-
Treiber als Eingabebausteine benutzen. Anwendun-
gen für die Eingabe sind von Hand oder durch Ma-
schinen betätigte Schalter, Taster oder Optokoppler.
Mechanische Taster prellen oft. Der Prozessor er-
III Mikrocomputertechnik 619

Prozessor mit Treiberstufen Zweirichtungstreiber

Zweirichtungstreiber
D0.D7
DIR
& &
OE

A1

2 B1
1

WR 3EN2 zu den anderen

3EN1 Kanälen
G3
Einrichtungstreiber 74LS245
A0..A15
OE G3
DIR 3EN1 (BA)
a 3EN2 (AB)

A1 B1

EN
A2 B2
A3 B3
A4 B4
A5 B5
A6 B6
EN A7 B7
A8 B8

OE DIR Datenrichtung
0 0 B -> A
EN
0 1 A -> B
1 X hochohmig

Z80 CPU EN Bild III-57

Prozessor mit Treiberstufen und Zweirichtungstreiber
Zweirichtungstreiber Eingabeport Decoder

Adreßbus Eingabeport
A7..A0 +
& & EN

D0
IOR D1
& D2
D3
D4
Decoder D5
D6
D7
Datenbus Bild III-58
Einfaches Eingabeport
mit Decoder
620 Datentechnik

Adreßbus
A7..A0
& EN Ausgabeport
& C1
D0
1D
IOW D1
& D2
D3
Decoder D4
D5
D6
D7
Datenbus

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7

1D 1D 1D 1D 1D 1D 1D 1D
C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1 C1

LE

OE

D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
Bild III-59 Ausgabeport mit Decodierer und Portbaustein

kennt dann unter Umständen mehrere Impulse. Dies
muß durch Software oder Hardware ausgeschlossen
werden.
Um einen eindeutigen H-Pegel bei geöffneten Schal-
tern zu erhalten, sind jeweils Widerstände gegen
+UCC gelegt (Pull-up-Widerstände). Ihre Werte lie-
gen üblicherweise zwischen 1 kOhm und 10 kOhm.
Die Ausgabedaten stehen nur kurzzeitig während des
Ausgabe-Befehls an der Peripherie an. Da die Daten
bis zur nächsten Ausgabe anstehen sollen, müssen
sie gespeichert werden. Dies erreicht man mit D-Flip-
flops. Bild III-58 zeigt als Beispiel einen Eingabe-
baustein mit Decoder. Mit dem Befehl „IN FF“ ge-
langen die anliegenden Daten zum Akkumulator.
Bild III-59 zeigt die Innenschaltung des Aus-
gabebausteins mit dem entsprechenden Adreßdeco-
dierer. Mit dem Befehl „OUT FF“ werden die Daten
des Akkumulator zum Ausgangsport kopiert.
4.4 Programmierbare Schnittstellen-
bausteine
Ein Kennzeichen dieser Bausteine (Bild III-60) sind
16 bzw. 24 programmierbare Ein-/Ausgabeleitungen,
wobei 8 Leitungen jeweils zusammengefaßt ein Port
darstellen.
Die Funktion dieser Bausteine ist nicht allein hard-
waremäßig festgelegt. Über ein Kommando- oder

Interner Datenbus

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Port-Register Port A
Steuerwort-Register

Port A
Port-Register Port B
Funktion Port B
Port C

A0 Adreßdecodierer Port-Register Port C

A1 3 2 1 0

Bild III-60 Prinzip eines programmierbaren Portbausteins

III Mikrocomputertechnik 621

Steuerwortregister kann die gewünschte Funktion A0 A0

und Betriebsart softwaremäßig eingegeben werden. A1 A1
Damit können Ports als Eingabe- oder Ausgabeports 0
COMP 8255
+5V
arbeiten. Desweiteren können Betriebsarten gewählt A2 P
3 P<0
werden, bei denen Portleitungen als Steuer- oder Mel- A3
P=0 & CS
0
deleitungen definiert sind. Die einmal gewählte Funk- Q
P>0
tion bleibt solange erhalten, bis der Inhalt des Steu- 3
erwortregisters überschrieben wird oder eine Rück- <
=
stellung erfolgt. 8255 >
Ports und Steuerwortregister können über Adressen
angesprochen werden. Besitzt ein Baustein ein zu- A4 COMP
0
A5
sätzliches Zustands- oder Statusregister, über das A6 P
P<0
A7 3
Zustände der Ports abgefragt werden, kann seine 0 P=0
Adresse mit der Adresse des Kommandoregisters P>0
Q
übereinstimmen. Die Unterscheidung der beiden 3
<
Register erfolgt dann über die Steuerleitungen /RD +5V =
>
und /WR. Um den Baustein zu initialisieren und die
gewünschte Funktion zu speichern, muß zunächst das Bild III-61 Adreßdecoder für I/O-Bausteine
Steuerwort in das Steuerwortregister gebracht wer-
den. Komplexere Bausteine, wie der 8156, besitzen
zusätzlich einen Zeitgeber und Speicher. Sie benöti- 8255
gen dann mehr als zwei Adreßleitungen.
PA3 PA4
Häufig eingesetzte Bausteine sind der 8255 von PA2 PA5
INTEL und Z80-PIO von ZILOG. Die Adressierung PA1 PA6
dieser Bausteine erfolgt wie bei den Speichern über PA0 PA7
RD WR
einen Auswahleingang /CS (Chip Select). Das Signal CS RESET
für CS kann im einfachsten Fall aus dem Signal IO/M GND D0
bzw. IORQ und einem Adreßsignal gebildet werden. A1 D1
A0 D2
Häufiger findet man Adreßdecoder aus Vergleicher- PC7 D3
stufen. Der Ausgang dieser Stufen wird nur dann „1“, PC6 D4
PC5 D5
wenn die Bitmuster am Eingang A mit denen an PC4 D6
Eingang B übereinstimmen. Mit Hilfe von Jumpern PC0 D7
(Steckbrücken) oder DIL-Schaltern ist dann jede PC1 Vcc
PC2 PB7
Adresse von 00 bis FF wählbar. Bild III-61 stellt ein PC3 PB6
Beispiel für einen Adreßdecoder dar. Die Anschluß- PB0 PB5
PB1 PB4 Bild III-62
belegung des Portbausteins erkennt man im Bild III- PB2 PB3
62. Bild III-63 zeigt das Funktionsbild des 8255. PIN-Belegung des 8255

Funktionsbild

PA0..PA7
Daten Steuerung
Puffer Kanal A
Gruppe A
PC4..PC7
Kanal C
höher-
wertig
RD Steuer-
PC0..PC3
WR Logik Kanal C
A1 nieder-
wertig
A0
CS PB0..PB7
Steuerung
RESET Kanal B
Gruppe B

Bild III-63 Funktionsbild des 8255

622 Datentechnik

Tabelle III-18 Bedeutung der Anschlüsse Der Baustein besitzt 3 TTL-kompatible Ports mit je
8 Leitungen oder Kanälen. Port C kann in 2 Gruppen
Anschlüsse Funktion
zu je 4 Leitungen unterteilt werden. Hierbei gibt es
D0 ... D7 Datenbus allerdings nur die Möglichkeit, die L-Bits, das sind
RESET Rücksetzeingang die Leitungen PC0 bis PC3, und die H-Bits mit den
CS Bausteinauswahl Leitungen PC4 bis PC7 zusammenzufassen. Die
RD Leseeingang Steuerlogik bestimmt mit dem Kommando- oder
WR Schreibeingang Steuerwort, ob ein Port als Eingabe- oder Ausgabe-
A0, A1 Adreßleitungen port arbeitet. Das Format dieses Steuerwortes sehen
PA0 ... PA7 Port A Sie im Bild III-64. Hierbei kommt jeder Bitstelle eine
PB0 ... PB7 Port B bestimmte Bedeutung zu. D1 entscheidet beispiels-
PC0 ... PC7 Port C weise über Ein- oder Ausgabe von Port B, und D4
VCC +5 V Betriebsspannung ordnet die Eigenschaften dem Port A zu.

Beispiele
Kommandowort
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
Kanal C (L-Bits) 8255 Port A
1 = Eingabe
0 = Ausgabe 10011011 Port C
Kanal B Port B
1 = Eingabe
0 = Ausgabe
Betriebsart 8255
Port A
0 = Betriebsart 0
1 = Betriebsart 1 10000000 Port C
Kanal C (H-Bits)
Port B
1 = Eingabe
0 = Ausgabe
Kanal A 8255
Port A
1 = Eingabe
0 = Ausgabe 10001001 Port C
Betriebsart
00 = Betriebsart 0 Port B
01 = Betriebsart 1
1x = Betriebsart 2 8255 Port A
Kennzeichenbit H-Bits
1 = aktiv 10010001
Betriebsart L-Bits
Port B

Bild III-64 Format des Steuerwortes und Beispiele

Eingabe Ausgabe

RD WR

Eingang D7..D0

A1,A0 A1,A0

CS CS
D7..D0
Ausgang

Bild III-65 Impulsdiagramm für die Betriebsart 0

III Mikrocomputertechnik 623

Der 8255 unterscheidet die Betriebsarten 0, 1 und 2.
In der Betriebsart 0 können die Ports jeweils als Ein-
oder Ausgabe programmiert werden, wobei das Port
C noch in zwei 4-Bit-Leitungsgruppen unterteilt ist.
Die Eingabedaten gelangen ohne Zwischenspeiche-
rung zum Datenbus, während bei der Ausgabe der
Daten eine Zwischenspeicherung erfolgt. Die im
Bild III-64 aufgeführten Beispiele gelten für diese
Betriebsart. Das zeitliche Zusammenwirken der
Signale für die Ein- und Ausgabe gibt Bild III-65
wieder. Mit einem L-Pegel am Eingang /WR können
Daten oder Steuerworte in den Baustein geschrieben
und mit einem L-Pegel am Eingang RD können
Daten vom Baustein gelesen werden. Während dieser
Zeit muß die gültige Adresse an A0 und A1 anliegen.
Angewählt wird der Baustein mit der Bausteinaus-
wahlleitung /CS. Ein H-Pegel am Eingang RESET
setzt alle internen Register zurück.
Bei der Betriebsart 1 (getastete Ein-Ausgabe) kann
Port A oder Port B als Eingabe oder Ausgabe benutzt
8255
PA0..PA7
OBF
ACK
INTR
PC4
PC5
PB0..PB7
STB
IBF
INTR
Bild III-66 Steuerleitungen für die getastete Ein-
Ausgabe
werden. Das Port C dient mit je drei Leitungen zur
Steuerung (Bild III-66). In dieser Betriebsart ist
Handshake-Betrieb möglich (Bild III-67). Diese
Betriebsart wird verwendet, wenn Geräte, die nicht
synchronisiert sind, Daten austauschen sollen. Sobald
die Eingabedaten den Portbaustein erreicht haben,
kann über ein Interrupt der CPU eine Meldung ge-
macht werden. Über eine Interruptroutine werden die
Daten eingelesen.Die genaue Funktion verdeutlicht
das Prinzip im Bild III-68 in Verbindung mit dem
gleichzeitig dargestellten Impulsdiagramm.
Input Buffer Full (IBF) ist zunächst „0“. Damit wird
dem Eingabegerät ein Zugang zu dem Eingabe-
baustein ermöglicht. Der Baustein 8255 zeigt an, daß
er Daten aufnehmen kann. Stellt das Eingabegerät
nun Daten zur Verfügung, wird dies dem Baustein
durch STB = „0“ mitgeteilt, und die Daten werden
übernommen. Gleichzeitig wird IBF = „1“ gesetzt
und dem Eingabegerät signalisiert, daß keine weite-
ren Daten übertragen werden. Über INTRB = „1“
wird die Meldung von der Ankunft der Daten an die
CPU übermittelt und kann über eine Interruptroutine
von ihr bearbeitet werden. Beim Lesen der Daten
werden INTRB und IBF wieder auf „0“ gesetzt.
Sind die Ausgabedaten vom Ausgabegerät übernom-
men worden, kann dies wiederum über ein Interrupt
der CPU mitgeteilt werden. Die CPU sendet Daten
zum Baustein und gibt eine Meldung über OBF = „0“
zum Ausgabegerät, um die Ankunft neuer Daten
mitzuteilen. Das Ausgabegerät kann die Daten über-
nehmen und mit ACKA = „0“ bestätigen und an-
schließend über INTRA neue Daten von der CPU
anfordern. 8255
Bei der Betriebsart 2 erfolgt der Datenaustausch nur
über einen gemeinsamen Datenbus. Die Adressen
steuern in Verbindung mit /WR und /RD die Auswahl
der Ports oder des Steuerwortregisters.

8085 CPU 8255

Daten Daten
Eingabe
IBF
STB
INTR
RD ACK
OBF Ausgabe
WR
RST 6.5 Daten
RST 5.5 Bild III-67
8255 in der Betriebsart 1

Tabelle III-19 Definition der Steuersignale in der Betriebsart 1 und 2

STB Strobe „0“ ermöglicht es, Daten in den Eingangszwischenspeicher zu laden.

IBF Input Buffer Full „1“ zeigt an, daß Daten geladen wurden.
OBF Output Buffer Full wird „0“, wenn Daten geschrieben wurden
ACK Acknowledge Quittungseingang
INTR Interrupt Unterbrechungsanforderung
624 Datentechnik

1D 1D
1D 1D
1D 1D
1D 1D
1D Daten 1D Daten
1D 1D
1D 1D
1D 1D

WR C1 C1
ACK STB
IBF
S S
OBF
RD INTR
R R
& S & S
INTE
INTR
INTE & R R

Impulsdiagramm für die Betriebsart 1

Eingabe Ausgabe

STB WR
Daten
OBF

IBF INTR

INTR
ACK
RD Ausgang Daten

Bild III-68 Funktionsprinzip der Betriebsart 1

Tabelle III-20 Voraussetzung für die Programmierung des Bausteins

sind Kenntnisse der Registeradressen und der Steuer-
/CS /RD /WR A1 A0 Funktion logik. Tabelle III-20 zeigt die Zusammenarbeit der
Steuersignale und Adressen mit ihrer Auswirkung auf
0 0 0 0 0 Kanal A → Datenbus die Datenrichtung. Zur Verdeutlichung sind die
Adressen der Register zusätzlich extra aufgeführt.
0 0 0 0 1 Kanal B → Datenbus Die Initialisierung erfolgt immer so, daß zunächst das
entsprechende Kommandowort in den Akkumulator
0 0 0 1 0 Kanal C → Datenbus geladen und anschließend der Inhalt des Akkumula-
tors über einen OUT-Befehl mit Angabe der Steuer-
0 1 1 0 0 Datenbus → Kanal A
wortadresse zum Kommandoregister kopiert wird.
0 1 1 0 1 Datenbus → Kanal B Danach können die Ports mit ihren Adressen ange-
sprochen werden. Arbeitsregister für Ein- und Aus-
0 1 1 1 0 Datenbus → Kanal C gabe ist immer der Akkumulator. Das nachfolgende
Programm zeigt beispielhaft eine einfache Byteein-
0 1 1 1 1 Datenbus → Steuerlogik gabe in der Betriebsart 0 (siehe auch Abschnitt Ma-
schinensprache). 8255
1 0 × × hochohmig
 Beispiel: Im Hauptprogramm wird über das C-Register bestimmt,
0 × × 1 1 ungültige Bedingung von welchem Port die Daten geholt werden sollen. Die eingelese-
nen Daten sollen dann zu der Adresse gebracht werden, auf die
0 1 1 × × hochohmig das HL-Register zeigt. Das nachfolgende Listing zeigt eine mög-
liche Lösung:
III Mikrocomputertechnik 625

; Unterprogramm DATIN für 8255 und 8085 CPU

; Byte-Eingabe über ein Port in Abhängikeit des C-Registers
4.5 Zeitgeberbausteine
; Das gewünschte Port wird im Hauptprogramm über das Register C angewählt:
; Ist der Inhalt des Registers C = 00, dann wird Port A gewählt
Zeitgeberbausteine (TIMER) dienen zur Anpassung
; Ist der Inhalt des Registers C = 01, dann wird Port B gewählt zeitbedingter Programmabläufe zwischen dem Pro-
; Ist der Inhalt des Registers C = 02, dann wird Port C gewählt
; Die Eingabedaten werden zu der Adresse gebracht, auf die das HL-Register zeigt
zessor und peripheren Geräten. Sie enthalten meist
; voneinander unabhängige Zähler und können wie ein
;Programmbeginn ist die Adresse 8100 programmierbarer E/A-Baustein über ein Steuerwort-
;
;***************************************************************** register für verschiedene Betriebsarten programmiert
werden. 8085
ORG 8100
ADRPA EQU 00 ;Adresse Port A
ADRPB EQU 01 ;Adresse Port B  Beispiel: Der 8253 besitzt zur Steuerung die Siganaleingänge
ADRPC EQU 02 ;Adresse Port C /WR, /RD und /CS. Als Adreßleitungen sind A0 und A1 zuge-
ADRKR EQU 03 ;Adresse Kommandoregister führt. Der Datenbus D0 bis D7 ist 8 Bit breit. Der Baustein ver-
KW EQU 9B ;Kommandowort fügt über drei voneinander unabhängige Zähler mit jeweils drei
;alle Port auf Eingabe externen Anschlüssen: Signalausgang OUT, Takteingang CLK
8100 F5 DATIN: PUSH PSW ;(AF) zum Stack und Steuereingang GATE (Bild III-69).
8101 C5 PUSH B ;(BC) zum Stack Die Adreßleitungen A0 und A1 sind häufig direkt mit dem
8102 3E 9B MVI A,KW ;8255 initialisieren
Adreßbus des MP-Systems verbunden. Mit ihrer Hilfe erfolgt die
8104 D3 03 OUT ADRKR ;
Auswahl eines der Zähler und die Adressierung des Steuerwort-
8106 79 MOV C,A ;Wahl zum Akkumulator
8107 FE 01 CPI 01 ;(A) – 1, Flag setzen Registers zur Betriebsart-Auswahl (MODE). Angewählt wird der
8109 FA 15 81 JM PORTA ; → Port A Baustein über die Auswahlleitung /CS. Dieser Anschluß wird zur
810C CA 1A 81 JZ PORTB ; → Port B Adressenbildung über einen Adreßdecodierer gesteuert (Bild III-
810F DB 02 IN ADRPC ;Port C Eingabe 70). Tabelle III-21 beschreibt die Datenrichtung in Abhängigkeit
8111 C3 1C 81 JMP RUECK ; von Adreß- und Steuersignalen.
8114 DB 00 PORTA: IN ADRPA ;Port A Eingabe
8116 C3 1C 81 JMP RUECK ; Die einzelnen Zähler sind voreinstellbare Abwärts-
8119 DB 01 PORTB: IN ADRPB ;Port B Eingabe zähler für eine 16-Bit-Wortbreite, die mit dem Signal
811B 77 RUECK: MOVE M,A ;(A) → (@HL)
811C C1 POP B: ;Stack → BC
des CLK-Eingangs getaktet werden. Die Taktfre-
811D F1 POP PSW ;Stack → AF quenz darf max. 2 MHz betragen. Bild III-71 zeigt
811E C9 RET ;zum Hauptprogramm zurück das Prinzip eines der Zähler.

Funktionsbild PIN-Belegung
8253
CLK 0
D7 VCC
Datenbus Puffer Zähler 0 GATE 0 D6 WR
OUT 0 D5 RD
CLK 1 D4 CS
RD
WR Steuer- D3 A1
A0 logik Zähler 1 GATE 1
A1 D2 A0
CS OUT 1 D1 CLK2
CLK 2 D0 OUT2
Steuer-
wort- Zähler 2 GATE 2 CLK0 GATE2
Register OUT0 CLK1
OUT 2
GATE0 GATE1
GND OUT1
Bild III-69 Funktionsbild und Anschlußbelegung des 8253

8085 8253

AD0..AD7 Adreß/Datenbus Daten

OUT
A0 GATE
A1 CLK

Latch Decodierer CS
OUT
GATE
ALE A0..A7 CLK

A8..A15 Adreßbus A9..A15

OUT
IO/M GATE
RD CLK Bild III-70
WR Baustein mit 8085 CPU
626 Datentechnik

Tabelle III-21 Steuerwortes und die Adressen der Zähler an. Mit
Bit 7 und Bit 6 kann einer der Zähler gewählt werden,
/CS /RD /WR A1 A0 Funktion mit Bit 1, 2 und 3 wird die Betriebsart festgelegt. Bit
0 legt den Zählmodus fest und Bit 4 und 5 haben
0 1 0 0 0 Zähler 0 laden
Einfluß auf das L- und H-Byte beim Lesen oder
0 1 0 0 1 Zähler 1 laden Beschreiben des Bausteins. Die Betriebsarten unter-
scheiden sich durch verschiedene Ausgangsim-
0 1 0 1 1 Zähler 2 laden pulse.
In der Betriebsart Mode 0 wird der Zähler über das
0 1 0 1 1 Steuerwort laden
Zählregister mit einem Anfangswert geladen, wäh-
0 0 1 0 0 Zähler 0 lesen rend der Ausgang OUT zu Beginn der Zählung „0“
ist. Mit jedem Takt wird der Zähler decrementiert und
0 0 1 0 1 Zähler 1 lesen gibt bei Erreichen des Wertes Null eine „1“ am Aus-
gang aus. Man spricht bei dieser Betriebsart auch von
0 0 1 1 0 Zähler 2 lesen
Interrupt bei Zählernulldurchgang, weil sich die
0 0 1 1 1 Datenbus hochohmig positive Flanke am OUT-Ausgang zum Auslösen von
Unterbrechungsanforderungen gut eignet. Bild III-73
1 × × × × Baustein nicht zeigt die beteiligten Signale beispielhaft für einen
angesprochen Zähleranfangswert = 4.
Der Ausgangspegel bleibt so lange erhalten, bis der
0 1 1 × × Datenbus hochohmig Zähler neu geladen wird. Der Zählvorgang selbst
Zählregister

8 Bit 8 Bit
Interner Datenbus

Ausgabe-
16 Bit Zähler und Triggerschaltung OUT

CLK
Zwischenregister GATE Bild III-71
Prinzip eines Zählers

Das Zählregister kann über den Datenbus mit einem
Wert geladen werden, der bei Zählbeginn in den
eigentlichen Zähler gelangt. Der Zählerzwischenspei-
cher enthält den jeweiligen Zählerstand und kann
softwaremäßig abgefragt werden. Mit Hilfe des
Steuerwortregisters kann die Zählart (dual oder
dezimal) und die Betriebsart (Betriebsart 0 bis 5)
festgelegt werden. Bild III-72 gibt das Format des
kann am Anschluß GATE mit „0“ unterbrochen
werden und mit „1“ fortgeführt werden (Bild III-74,
Bild III-73).
In der Betriebsart Mode 1 kann eine monostabile
Kippstufe nachgebildet werden. Nach dem Laden des
Zählers wird er durch „1“ am Anschluß Gate gestar-
tet. Der Ausgang wird dann „0“, bis der Zählerstand
Null erreicht ist.

Zähler Lesen/Laden Betriebsart Zählweise

SC1 SC0 RL1 RL0 M2 M1 M0 BCD

0 = dual
1 = dezimal Adressierung
0 0 0 0
0 0 1 1 Adresse Register
x 1 0 2
Betriebsarten A1 A0
x 1 1 3
1 0 0 4 0 0 Zähler 0
1 0 1 5 0 1 Zähler 1
1 0 Zähler 2
0 0 Zählerinhalt zwischenspeichern 1 1 Steuerwort
0 1 höherwertiges Byte
Zähler 0 0 1 0 niederwertiges Byte
Zähler 0 1 1 1 1. L-Byte, 2. H-Byte
Zähler 1 0
Steuerwort 1 1

Bild III-72 Format des Steuerwortes und Adressen der Register

III Mikrocomputertechnik
CLK
WR
4 3
(n = 4)
OUT
bzw.
WR
GATE
5 4
OUT
(m = 5)
Bild III-73 Signalverlauf in der Betriebsart 0
BUS
Trigger-
Schaltung
Abwärts- Ausgangs-
CLK Zähler Logik
& OUT
GATE
Bild III-74 Blockbild eines Zählers
In der Betriebsart Mode 2 kann ein Zähler als Teiler
oder Generator arbeiten. Nach dem Erreichen des
Nullwertes beginnt sofort ein erneuter Zählvorgang.
In der Betriebsart Mode 3 arbeitet der TIMER als
Rechteckgenerator.
In der Betriebsart Mode 4 spricht man auch vom
softwaregesteuerten Signal, weil der Ausgang beim
Erreichen des Nullwertes für die Dauer einer Takt-
periode von „1“ auf „0“ geht.
In der Betriebsart Mode 5 spricht man von einem
hardwaregesteuerten Signal, weil der Zähler erst mit
der ansteigenden Flanke des GATE-Signals startet.
Wie in der Betriebsart Mode 4 geht der Ausgang
beim Erreichen des Nullwertes für die Dauer einer
Taktperiode von „1“ auf „0“.
Eine mögliche Anwendung ist die, den TIMER für
Ereigniszählungen einzusetzen. Man versteht darun-
ter, daß der Zähler kontinuierlich bis zum Eintreffen
einer Bedingung (eines Ereignisses) zählt. Hierbei ist
es notwendig, den Zählerstand abzufragen und in
Abhängigkeit von diesem Wert den Prozessor Ent-
scheidungen treffen zu lassen. Der Zählerinhalt aller
drei Zähler kann ausgelesen werden. Es gibt zwei
Möglichkeiten, den Zählerstand zu erfahren. Einmal
kann der gewünschte Zähler über A0 und A1 addres-
siert werden und mit /RD zur CPU gelangen. Wenn
RL0 und RL1 auf „1“ gesetzt sind, handelt es sich um
627
2 1 0
n
3 2 1 0
einen 16-Bit-Wert. Der Lesebefehl muß dann zwei-
mal erfolgen. Mit dem ersten Befehl wird das LSB
(niederwertiges Byte) und mit dem zweiten das MSB
(höherwertiges Byte) eingelesen. Während dieser Zeit
muß aber das CLK-Signal abgeschaltet sein, bei-
spielsweise durch den GATE-Anschluß, um einen
gültigen Zählerinhalt zu bekommen.
Eine zweite Möglichkeit besteht darin, den Zählerin-
halt in den Zwischenspeicher zu bringen und zu le-
sen, ohne den eigentlichen Zählvorgang zu unterbre-
chen. Hierbei wird der entsprechende Zähler über das
Steuerwort mit SC0 und SC1 ausgewählt, und RL0
und RL1 werden auf „0“ gesetzt. Die übrigen Bits sind
hierbei ohne Bedeutung. Eine einfache Programm-
sequenz zeigt dies beispielhaft für den Zähler 1.
 Beispiel: Lesen des Zählerzustands
MVI A, 40 ;Zähler 1 und Zählerinhalt zwischenspeichern
OUT 03 ;Steuerwort-Register, Wert zwischenspeichern
IN 01 ;(Zähler 1, L-Byte) → Akkumulator
MOV L,A ;(Akkumulator) → L-Register „retten“
IN 01 ;(Zähler 1, H-Byte) → Akkumulator
MOV H,A ;(Akkumulator) → H-Register „retten“
;Der Zählerstand liegt jetzt im Registerpaar H vor
Damit der Zähler seine Tätigkeit aufnimmt, muß er mit einem
Zähleranfangswert geladen werden. Hierzu ist es notwendig, das
entsprechende Steuerwort ins Steuerwort-Register zu schreiben
und anschließend den gewünschten Zählwert einzubringen. Von
Bedeutung ist nur die zuvor festgelegte Reihenfolge durch das
Steuerwort mit RL0 und RL1.
4.6 Programmierbarer E/A-Baustein
mit Speicher und Zeitgeber
Neben programmierbaren E/A-Bausteinen werden
solche mit zusätzlichen integrierten Baustufen wie
TIMER und/oder Speicher angeboten. Beispiele
hierfür sind der 8155 und 8755. Der 8755 besitzt ein
internes ROM von 2 K × 8 Bit und ein 8-Bit-Port PA
und PB, wobei im Gegensatz zum 8255 die einzelnen
Bitleitungen als Aus- oder Eingang programmiert
werden können.
628 Datentechnik

Blockbild PIN-Belegung
8155

PC3 VCC
Zustands-
PC4 PC2
Register
Tin PC1
RESET PC0
Kommando- PA0..PA7
PC5 PB7
Register
A Port A Tout PB6
IO/M PB5
CE PB4
PB0..PB7 RD PB3
statisches RAM
AD-Bus WR PB2
256 x 8 Bit B Port B ALE PB1
AD0 PB0
AD1 PA7
PC0..PC5
AD2 PA6
ALE Adreß-Latch
C Port C AD3 PA5
IO/M AD4 PA4
RESET AD5 PA3
WR Zeitgeber AD6 PA2
RD AD7 PA1
VSS PA0
Tin
Tout
Bild III-75 Blockbild und Anschlußbelegung des 8155

 Beispiel: 8155/8156 durch das Kommando-Register so programmiert werden, daß an

Der Unterschied zwischen dem 8155 und dem 8156 besteht le-
diglich im Bausteinauswahlanschluß CE. An diesem Eingang
wird der 8155 mit „0“, der 8156 mit „1“ angesteuert. Der Bau-
stein besitzt 2 TTL-kompatible Ports (A und B) mit je 8 Leitun-
gen und ein Port C mit 6 Leitungen. Die Speicherkapazität des
RAM beträgt 256 × 8 Bit. Ferner ist ein 14-Bit-Zähler integriert.
Der direkte Anschluß an den AD-Bus der 8085 CPU oder eines
Mikrocontrollers ist wegen des vorhandenen Adressenregisters
(Adreß-Latch) möglich (Bild III-75). Die Bedeutung der An-
schlüsse werden in der Tabelle III-22 erklärt. Alle weiteren tech-
nischen Daten zeigt Bild III-77 (siehe Seite 110).
Für parallele Ein- und Ausgaben besitzt der Baustein drei Ports:
Port A und Port B mit 8 und Port C mit 6 Leitungen. Port C kann
den Anschlüssen Steuersignale für die parallele Ein- und Ausgabe
mit Quittungsbetrieb zur Verfügung stehen. In der Betriebsart
ALT4 arbeiten dann die beiden anderen Ports im Handshake-
Betrieb, während drei Leitungen von Port C dem Port A und
3 Leitungen dem Port B zugeordnet sind. Ein Beispiel für den
Anschluß peripherer Geräte im Quittungsbetrieb (Handshaking)
zeigt Bild III-76. Die Steuerleitungen können in der Betriebsar-
tentabelle mit ALT4 verglichen werden. In den Betriebsarten
ALT1 und ALT2 arbeiten alle Ports als einfache Ein- und Aus-
gabeports. Für die Adressierung der Ports, des Kommando-
Registers und des Zeitgebers kommt der Baustein mit zwei
Adreßleitungen nicht mehr aus, daher dienen A0, A1 und A2 zur
Adressierung.

Tabelle III-22 Bedeutung der Anschlüsse:

PIN Funktion Anmerkungen
D0 ... D7 Datenbus
AD0, AD7 Adressen-/Datenbus Die Adresse wird mit der abfallenden Flanke des Signals ALE ge-
speichert.
ALE Adress Latch Enable Adressenspeicher-Freigabe
RESET Rücksetzeingang Eingang High-aktiv; ein H-Pegel an diesem Eingang setzt alle Re-
gister zurück und bringt die Ports in die Betriebsart 0 auf Eingabe.
IO, /M E/A-Speicherwahl
CE Baustein-Auswahl Eingang High-aktiv
/RD Lese-Eingang Eingang Low-aktiv
/WR Schreib-Eingang Eingang Low-aktiv
PA0 ... PA7 Port A Bit 0 ... Bit 7
PB0 ... PB7 Port B Bit 0 ... Bit 7
PC0 ... PC5 Port C Bit 0 ... Bit 6
TIMER IN Zeitgebereingang
TIMER OUT Zeitgeberausgang
VCC Betriebsspannung +5 V
GND Masse 0 V
III Mikrocomputertechnik 629

8155
Peripherie-Schnittstelle
Port A Ausgabe-Daten

A INTR (Daten empfangen) Ausgabegerät

A BF (Daten bereit)
(Quittung der empfangenen Daten)
A STB
Port C
B STB
(Lädt den Datenspeicher Port B)
B BF (Puffer voll)
Eingabegerät
B INTR (Puffer zum Lesen bereit)

Port B Eingabe-Daten

RST-Eingang (8085)

Impulsdiagramm für die Eingabe

BF

STROBE
INTR

RD
Bild III-76
Eingabedaten
Baustein im Quittungsbetrieb

Die Programmierung erfolgt über das Kommando-Register. Eine
einfache Programmsequenz zeigt den Programmiervorgang zur
Ausgabe über das Port A.
 Beispiel:
MVI A,01 ;Portbaustein initialisieren
;PA = Ausgang
OUT 00 ;Adresse des Kommando-Registers
MVI A,FF ;Daten → Akkumulator
OUT 01 ;Datenausgabe an Port A
;am Port A liegen jetzt alle Ausgänge auf „1“
Neben dem Kommando-Register besitzt der 8155 ein Zustandsre-
gister, wo der Zustand des Zeitgebers und der Zustand der Steuer-
leitungen abgefragt werden können. Die Adresse ist die des
Kommando-Registers. Das ist möglich, weil in das Kommando-
Register nur eingeschrieben werden kann und das Zustands-
Register nur gelesen wird. Der Zeitgeber des Bausteins ist ein 14-
Bit-Abwärtszähler, der die Impulse am Eingang Tin zählt und
sich nach Ende der Zählung betriebsartenabhängig verhält, d.h.
am Ausgang TIMER OUT einen Rechteckimpuls ausgibt, wenn
das Ende der Zählung erreicht ist. Die Bedeutung der Bits für den
Zeitgeber sind ebenfalls im Bild dargestellt.
 Beispiel: Der Portbaustein 8755 besitzt als Speicher ein EPROM
(elektrisch programmierbarer und UV-löschbarer Speicher) mit
einer Speicherkapazität von 2 K × 8 Bit. Zur Bausteinauswahl
sind die beiden Anschlüsse /CE1 (low-aktiv) und CE2 (high-
aktiv) anzusprechen. Als Ports besitzt der Baustein das Port A und
das Port B mit jeweils 8 Leitungen oder Kanälen (Bild III-78,
siehe Seite 631). Im Gegensatz zu vielen anderen Portbausteinen
kann hier jeder Kanal als Eingabe- oder Ausgabekanal arbeiten.
Die Funktion wird durch die entsprechende Adressierung vorge-
nommen. Der Ein- oder Ausgabezustand jeden Kanals bestimmt
das Datenrichtungs-Register (DDR). Die Funktion eines Kanals
beschreibt Bild III-79 siehe Seite 631. 8155
4.7 Eingabe-Ausgabe-Bausteine
für den seriellen Betrieb
4.7.1 Allgemeines
Bausteine für den seriellen Betrieb übernehmen die
Daten wortweise vom Prozessor und wandeln sie in
eine kontinuierliche Folge serieller Informationen
um. Des weiteren können Daten seriell empfangen
werden und für den Prozessor in ein Datenwort
parallel umgewandelt werden. Wesentlicher Be-
standteil sind Parallel-Serienwandler und Serien-
Parallelwandler. Bild III-80 zeigt das Prinzip der
seriellen Übertragung mit einem E/A-Baustein. Der
Aufwand, die Realisierung dieser Wandler mit logi-
schen Schaltungen vorzunehmen, ist unwirtschaftlich.
Man bedient sich daher USART’s (universell asyn-
chron receiver/transmitter = Universeller Asynchron-
Empfänger Sender) oder SIO’s (serial input/output =
Serieller E/A-Baustein).
630 Datentechnik

Format des Steuerwortes

TM2 TM1 IEB IEA PC2 PC1 PB PA

0 = Eingang
1 = Ausgang

00 = ALT1
11 = ALT2 Betriebs-
01 = ALT3 arten
10 = ALT4
Unterbrechungfreigabe
1 = freigeben
0 = sperren
Zeitgeber
00 = NOP
01 = STOP
10 = STOP nach TC
11 = START

Betriebsarten Adressierung

ALT1 ALT2 ALT 3 ALT4

A2 A1 A0
PC0 Eingabe Ausgabe A INTR A INTR
0 0 0 Kommando-Register
PC1 Eingabe Ausgabe A BF A BF
0 0 1 Port A
PC2 Eingabe Ausgabe A STB A STB
0 1 0 Port B
PC3 Eingabe Ausgabe Ausgabe B INTR 0 1 1 Port C
PC4 Eingabe Ausgabe Ausgabe B BF 1 0 0 Zähler (L-Byte)
PC5 Eingabe Ausgabe Ausgabe B STB 1 0 1 Zähler

Zeitgeber-Format

M2 M1 T13 T12 T11 T10 T9 T8 T7 T6 T5 T4 T3 T2 T1 T0

Betriebsart Höherwertige Bits Zählwert Niederwertige Bits

Betriebsarten des Zeitgebers

Betriebsarten-Bit (MODE) Impulsdiagramm an Tout

Beginn der Ende der

Funktion
M2 M1 Zählung Zählung

0 0 Ein Rechteckimpuls
Rechteck-
0 1 Generator
Ein Impuls am
1 0 Ende der Z„hlung

1 1 Fortlaufende
Impulse

Bild III-77 Technische Daten des 8155

III Mikrocomputertechnik 631

Blockbild PIN-Belegung
CLK 8755
READY PROG/CE1 VCC
PA0..PA7 CE2 PB7
CLK PB6
AD0..AD7 RESET
A Port A PB5
EPROM VDD PB4
READY PB3
A8..A10 2K x 8 Bit IO/M PB2
PB0..PB7 IOR PB1
CE2 RD PB0
IOW PA7
IO/M B Port B ALE
ALE PA6
Adreß-Latch AD0 PA5
/ RD AD1
/ IOW PA4
AD2 PA3
RESET AD3
/ IOR PA2
AD4 PA1
AD5 PA0
PROG/CE VDD GND VCC AD6 A10
AD7 A9
GND A8
Adressierung

A1 A0

0 0 Kanal A
0 1 Kanal B
1 0 DDR A
1 1 DDR B Bild III-78
E/A-Baustein

D0
1D

C1

PA0
D0 1D

C1
R

&

PA DDR A RESET PA Bild III-79

schreiben schreiben lesen Datenrichtungs-Register mit Datenleitung

CPU
Sendeleitung
Adreßbus
E-/A-Baustein Peripherie
Datenbus Empfangsleitung Bild III-80
Prinzip der seriellen
Steuerbus
Übertragung mit
E/A-Baustein
632 Datentechnik

4.7.2 USART
Beim Senden gelangen die parallel gelieferten Daten
vom Prozessor über Zwischenregister (Latch) und
Parallel-Serienwandler auf die Sendeausgangsleitung.
Beim Empfang müssen die seriellen Daten wieder in
parallele Worte rückgeführt werden. Damit der Pro-
zessor hinsichtlich des Zeitpunktes, wann Daten von
ihm gesendet bzw. empfangen werden sollen, flexi-
bler ist, wird ein zusätzliches Sende- und Empfangs-
register eingebaut. Der Sender fügt noch zusätzliche
Bits in den Datenstrom ein, damit der Prozessor sich
nicht mit den Besonderheiten der speziellen Über-
tragungsverfahren wie beispielsweise Start- und Stop-
bits beschäftigen muß. Ähnlich muß der Empfänger
Zeichen, die nicht zum Dateninhalt gehören, entfer-
nen. Hierzu dient eine Steuerung des Taktstromes
(Bild III-81). Die eigentliche Bausteinfunktion wird
durch die Software festgelegt.
 Beispiel: Der USART 8251 ist ein universeller Synchron/Asyn-
chron-Sender/Empfänger-Baustein und kann durch den Prozessor
für die gebräuchlichen Datenübertragungsverfahren programmiert
werden. Bild III-82 gibt die Anschlußbelegung wieder und zeigt
das Blockbild des Bausteins. Tabelle III-23 beschreibt die Bedeu-
tung der Anschlüsse.
Der Baustein kann im Synchron- oder Asynchronbetrieb einge-
setzt werden. Die Betriebsarten unterscheiden sich im Aufbau des
Übertragungszeichens und der Synchronisation. Beim Synchron-
betrieb bestimmt das periphere Gerät die Übertragungsrate. Beim
Asynchronbetrieb werden die Daten mit vorgegebener Taktfre-
quenz übertragen. Ein interner Frequenzteiler kann mit dem
Mode-Wort auf die Teilverhältnisse 1, 16 oder 24 eingestellt wer-
den. Mit zugeführtem Sendetakt und programmiertem Teilerver-
hältnis wird die Übertragungsgeschwindigkeit (Baudrate 1 Bd = 1
Bit/Sekunde) bestimmt. Der Baustein läßt Übertragungsgeschwin-
digkeiten bis zu 64 KBaud zu. Jede Übertragung beginnt mit ei-
nem Start-Bit und endet je nach Programmierung mit dem Parity-
bit und mit bis zu 2 Stop-Bits. Die Wortübertragung beginnt stets
mit D0. Die Länge der zu übertragenden Worte ist zwischen 5
und 8 Bit programmmierbar. Der Sendevorgang über die Leitung
TxD wird durch den Sendetakt TxC ausgelöst. Steht kein Sende-
zeichen an, hat der TxD-Ausgang H-Pegel. Der Baustein 8251
empfängt die seriellen Daten über die Leitung RxD. RxD liegt

Parallel-
Sende-
Serien-
Latch Senden
Wandler

Daten- Steuerung
Datenbus Steuerung des Taktstroms
Latch

Serien- Empfangen
Empfangs-
Parallel-
Latch
Wandler
Bild III-81 Prinzip eines USART

Datenbus- Hilfs/Ein- OSR

Puffer Ausgabe DTR
RTS
8251
D2 D1
RESET Sender D3 D0
CLK TxC
RxD VCC
CS Schreib-
GND RxC
C/D Lese-
TxC D4 DTR
WR Steuerung
Sende- CTS D5 RTS
RD
Steuerung TxEMPTY D6 DSR
D7 RESET
TxRDY TxC CLK
WR TxD
CS TxEMPTY
Empfänger RxD C/D CTS
RD SYN/BD
RxRDY TxRDY
RxC
Empfangs- SYNCFT/BO
steuerung

RxRDY

Bild III-82 Blockbild des 8251 und Anschlußbelegung

III Mikrocomputertechnik 633

Tabelle III-23 Bedeutung der Anschlüsse

PIN Funktion
D0 ... D7 Datenbus
RESET Rücksetzen
CLK Systemtakt Clock
CS Bausteinauswahl Chip Select
C/D Kennzeichnung der Daten als Steuer- bzw. Statuswort/Zeichen Control/Data
RD Daten oder Zustand lesen Read
WR Daten oder Steuerinformation scheiben Write
DSR Betriebsbereitschaft Data Set Ready
DTR DE-Einrichtung betriebsbereit Data Terminal Ready
RTS Sender einschalten Request to Send
TxD serielle Sendedaten Transmit Data
TxC Sendetakt Transmitter Clock
CTS Senderfreigabe Clear to Send
TxEMPTY Senderegister leer Transmitter Empty
TxRDY Sender kann Daten annehmen Transmitter Ready
RxD Serielle Empfangsdaten Receive Data
RxC Empfangstakt Receiver Clock
RxREADY Empfänger kann Daten liefern Receiver Ready
VCC Betriebsspannung 5 V
GND Masse 0 V

normalerweise auf H-Pegel. Bei fallender Flanke an diesem Ein- für MODE werden die allgemeinen Betriebseigen-
gang und Startbits erfolgt der Empfangsvorgang. Die Daten ge-
schaften wie Synchron- oder Asynchronbetrieb, Zei-
langen zum Datenbus-Puffer und können vom Prozessor abgeholt
werden. Der Datenempfang wird durch den Anschluß RxRDY mit chenlänge und Paritätsart festgelegt. Mit dem Kom-
einem H-Pegel gemeldet. mandowort wird die Sende- und Empfangssteuerung
Zum Handshaking ist bei Empfangssteuerung der Ausgang beeinflußt. Die Reihenfolge „Betriebsart festlegen“ und
RxRDY zuständig. SYNDET/BD hat unterschiedliche Funktio-
nen, je nach programmierter Betriebsart. Die Anschlüsse DSR,
anschließend „Kommandowort eingeben“ muß ein-
DTR und RTS dienen zur Modemsteuerung. gehalten werden, da beide Codes mit der gleichen
Adresse Anschluß C/D = „1“ übergeben werden. Das
Treten Fehler bei der Übertragung auf, wird dies im Statusregister kann bei C/D = „1“ gelesen werden (Ta-
Statusregister (Tabelle III-24) gekennzeichnet. belle III-25). Dadurch kann der Prozessor den Zustand
des Bausteins zu jeder Zeit abfragen (Bild III-84, 85).
Tabelle III-24 Übertragungsfehler
Tabelle III-25 Register-Adressierung
Parity-Error (Paritätsfehler)
Overrun-Error (Überlauffehler) C/D RD WR
Framing-Error (Sperrschrittfehler)
1 0 1 Statuswort-Register
Break-Detection (Break-Erkennung)
1 1 0 Kommandowort-Register
Die Programmierung erfolgt wie bei den anderen
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
E-/A-Bausteinen durch Laden des Kommandoregisters
vom Prozessor über den Datenbus. Mit dem Steuerwort Sende-Parallelregister frei
0 nein
1 ja
Statuswort- Kommandowort- Zeichen im Empfangsregister bereit
0 nein
Register Register 1 ja
Senderegister leer
0
nein
Betriebs- 1
ja
artenwort- Paritätsfehler bei Empfang
Register 0 nein
1 ja
Überlauffehler bei Empfang
0 nein
& & Sender 1 ja
Stopbit nicht erkannt
0 nein
& & 1 ja
Break Zustand
0 nein
Empfänger 1 ja
Pegel an DSR
0 nein
1 ja

Bild III-83 Prinzip der Adressierung Bild III-84 Statuswort

634 Datentechnik

Mode-Wort Kommando-Wort

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

Betriebsart Sender freigeben

0 0 Synchron 0 nein
0 1 Asynchron 1 ja
1 0 Asynchron DTR setzen
1 1 Asynchron 0 H
1 L
Zeichenlänge Empfänger freigeben
0 0 8 Bit 0 nein
0 1 6 Bit 1 ja
1 0 7 Bit BREAK-Zustand (L_Pegel) senden
1 1 8 Bit 0 nein
1 ja
Paritätsbit Fehlerbits rücksetzen
0 0 nein
ohne
1 1 ja
mit
Paritätsart Ausgang RTS setzen
0 0 H
ungerade 1
1 gerade L
Anzahl der Stopbits nächstes Steuerwort ist Mode-Wort
0 nein
0 0 nicht zulässig
1 ja
0 1 1
1 0 Bei Asynchronbetrieb ohne Auswirkung
1.5 0
1 1 2 1

Bild III-85 MODE- und Kommandowort

Bus-Controller

AEN MRDC Speicher lesen

MWTC Speicher Schreiben
MB
IORC E/A-lesen
CMDLY
Taktgenerator IOWC E/A-schreiben
INTA Interrupt-Bestätigung
ALE
82288
MCE
X2 X1 DEN
RES S0 S0 DT/R
S1 S1
READY READY
CLK CLK M/IO

RESET

C
RESET M/IO
OE
CLK Adreß- AB
BHE
Latch
82284 READY A0..A23
S1

S0 CAS A0
INTR INT CS
INTA
Prozessor
WR
80286 RD

D0..D15 SP/EN
Interrupt-
Controller
IR0..IR7
D0..D7
8259

Trans-
DB
Ceiver
DIR

& OE

Bild III-86 Mikroprozessorsystem mit 80286 CPU

III Mikrocomputertechnik 635

4.8 Bausteine mit Sonderfunktionen
Einige Mikroprozessorsysteme besitzen außer den
bekannten Speicher- und Ein- und Ausgabeeinheiten
spezielle Peripheriebausteine, die jeweils eine beson-
dere Aufgabe übernehmen. Als Beispiel wurde ein
80286-System gewählt (Bild III-86, bereits auf Seite
634). Außer dem bekannten Adreß-Latch und dem
Transceiver, einem Zweirichtungstreiber und dem
Prozessor gehören als weitere Bausteine ein Taktge-
nerator, ein Bus-Controller und ein Interrupt-
Controller zum System.
Der Taktgenerator 82284 (Bild III-87) besteht aus
einem Oszillator (Osz. 9), der für den Systemtakt ver-
antwortlich ist, einer Synchronisationseinheit, einer
RESET-Schaltung und dem PCLK-Generator. Der
Taktgenerator selbst kann durch einen externen Gene-
rator gesteuert werden, oder der interne Oszillator wird
nur noch mit einem Quarz versehen (Anschluß X1
und X2), der dann die Frequenz bestimmt. Der
Anschluß F/C (Frequency/Crystal select) dient zur
Auswahl der Takterzeugung. Das PCLK-Signal
(Peripheral Clock), das über ein Flipflop (PCLK-
Generator) vom CLK-Signal erzeugt wird, ist für die
Synchronisation peripherer Geräte verantwortlich.
Die Erzeugung des /READY-Signals ist von der
entsprechenden Steuerung abhängig (/ARDYEN,
/ARDY, /SRDYEN, /SRDY). Das Signal dient zur
Steuerung langsamerer Peripheriegeräte und fügt
Wartezustände (Wait States) in einen Schreib- oder
Lesezyklus ein. Am /RES (Reset in) kann das Reset-
Signal erzeugt werden.
Der Buscontroller 82288 (Bild III-88) decodiert die
Statussignale (S0, S1 und M/IO) des Prozessors und
erzeugt mit dem CLK-Signal die Kommando- und
Kontrollsignale (Tabelle III-26).

82284

RES RESET
1 1 Synchronisation

X1 MUX
Osz.
X2
CLK
EFI
F/C

ARDYEN
& Synchronisation
ARDY
SRDEN
& Ready-Logik
READY
SRDY
S1
™1 PCLK-Generator PCLK Bild III-87
S0
Taktgenerator 82284

82288

INTA
S0 Control IORC
Status
S1 Output IOWC
Decoder
Logic MRDC
M/IO State MWTC
CLK Machine

DT/R
CEN/AEN Control Control DEN
CENL Input Output ALE
CMDLY Logic Logic MCE
READY

Bild III-88
MB Bus-Controller
636 Datentechnik

Tabelle III-26 Kommando- und Kontrollsignale

Pro- Schnitt-
Takt- Daten-
Kommandosignale Kontrollsignale gramm- stelle
generator speicher
speicher seriell
INTA DT/R
IORC DEN
Schnitt-
IOWC ALE Watchdog stelle
MRDC MCE Timer parallel
MWTC
CPU
Unter-
Interrupt-Controller sollen bei einer Unterbrechungsan- System-
brechungs-
forderung eines externen Gerätes am Prozessor einen steuerung
steuerung Mikrocontroller
Interrupt auslösen. Der Baustein 8259 im Bild III-86
besitzt 8 Eingänge für Interruptquellen (IR0 ... IR7).
Der Prioritätsdecoder hat die Aufgabe, bei gleichzeiti- A/D- D/A Zeit-
Zähler geber
ger Anforderung mehrerer Quellen eine Reihenfolge Wandler Wandler
der Bearbeitungssequenzen festzulegen.

5 Mikrocontroller Bild III-89 Komponenten eines Mikrocontrollers

5.1 Allgemeines
Mikrocontroller (MC) sind Bauelemente, bei denen auf
einem Chip alle erforderlichen Bausteine eines Mikro-
prozessorsystems integriert sind. Hierzu gehören je
nach Type der eigentliche Rechenkern mit Multiplika-
tions- und Divisionseinheit und Taktoszillator, die Sy-
stemsteuerung und die Interrupteinheit. Die Kommu-
nikation mit externen Baugruppen wird über parallele
und serielle Schnittstellen ermöglicht. Für Meß-, Steue-
rungs- und Regelzwecke sind Analog-Digital-Wandler
(AD-Wandler), Digital-Analog-Wandler (DA-Wandler)
und Zähler integriert. Ein Watchdog-Timer („Wach-
hund“) kontrolliert den gesamten Arbeitsablauf. MC’s
besitzen eigene Programmspeicher, die als ROM oder
EPROM ausgeführt sein können und als Arbeitsspei-
cher ein internes RAM (siehe auch Abschnitt Halblei-
terspeicher). Weiter besteht die Möglichkeit, das MC-
System mit externen Speichern zu erweitern. Bild III-
89 zeigt in einer Übersicht Komponenten eines Mikro-
controllers. Je nach Verwendungszweck sind bei den
unterschiedlichen Typen nicht alle Funktionsstufen ent-
halten, dafür sind andere Stufen mehrfach vorhanden.
Um die Gehäusegröße und damit PIN-Zahl in Abhän-
gigkeit der Funktionsaufgaben möglichst gering zu
halten, sind viele Anschlüsse für Doppelfunktionen
vorgesehen.
Aus der Vielzahl der Einsatzgebiete sind die Schwer-
punkte Datenverarbeitung, Industrieelektronik, Meß-,
Steuerungs- und Regelungstechnik, Unterhaltungs-
elektronik und Kraftfahrzeugtechnik zu nennen. Weit-
verbreitet sind 4-Bit- und 8-Bit-Versionen. Mikro-
controller verdrängen den klassischen Prozessor aus
einigen Anwendungsbereichen, weil „Ein-Chip-
Systeme“ dort wirtschaftlicher zum Einsatz kommen.
Einige Anwendungen, wie beispielsweise in der
Automobilindustrie, werden erst durch MC’s ermög-
licht. Bei größeren Stückzahlen sind MC’s mit ihrer
integrierten Peripherie kostengünstiger als Prozessoren
mit externen Peripheriebausteinen. Der Platzbedarf
verringert sich erheblich, und die Betriebssicherheit
steigt auf Grund der kleineren Anzahl von Fehler-
quellen. Die Leistungsfähigkeit der MC’s liegt einmal
in der relativ hohen Verarbeitungsgeschwindigkeit, da
die meisten Befehle mit nur einem Befehlszyklus (z.B.
1 ms) auskommen, der flexiblen Adressierungsarten
und den zahlreichen Bitverarbeitungsmöglichkeiten.
Beispielsweise können logische Befehle mit einzelnen
Bits durchgeführt oder einzelne Portbits gesetzt oder
rückgesetzt werden, ohne andere Bits zu beeinflussen
(siehe auch Abschnitt Maschinensprache).
Werden in einem System mehrere Mikrocontroller
eingesetzt, spricht man von einem Multi-Controller-

Tabelle III-27 Mikrocontroller

Type ROM RAM E/A ADC/E Clock TIMER

kByte Byte 8-Bit-Port 8-Bit (MHz)
8031 – 128 4 – 12 2
8051 14 128 4 – 12, 16 2
8052 18 256 4 – 12, 16, 20 3
80C52 18 256 4 – 12 3
80512 14 128 6+1E 18 12 2
80513 12 256 4 – 12, 16 3
80515 12 256 6+1E 18 12, 16 3
80C517 12 256 7+1,5E 12 12, 16 4
III Mikrocomputertechnik 637

System, bei dem aus Verwaltungsgründen MC’s als 5.2 8-Bit-Mikrocontroller

Master oder Slave arbeiten. Der Master übernimmt
hierbei die Organisation der Datenübertragung. Der
entsprechende Einsatz wird den Bausteinen durch
Software mitgeteilt. Die Kommunikation untereinan-
der erfolgt über eine serielle Schnittstelle.
Tabelle III-27 führt beispielhaft Mikrocontroller der
80x1x-Familie auf, die sich weltweit als Standard
durchgesetzt hat. Bei den Mikrocontrollern dieser
Serie werden zwei Versionen unterschieden. Man
spricht von ROM-Versionen, wenn der Anwender
über das interne ROM verfügen kann und von ROM-
losen Versionen, wenn das interne ROM abgeschaltet
ist. Der bis dahin interne Bereich ist dann als externer
Bereich ansprechbar. Weitere Unterschiede liegen in
der Anzahl der E/A-Ports und der Anzahl der Zeit-
geber.
5.2.1 Funktionsbeschreibung des MC 8051
Der MC 8051 besitzt einen Daten- und Programm-
speicher. Eine Kommunikation mit peripheren Gerä-
ten ist über die serielle Schnittstelle (UART) und über
parallele Schnittstellen (Port 0 bis 3) möglich. Um
auf externe Geräte zu reagieren, sind Interrupteingän-
ge vorhanden. Der TIMER ist als Zähler oder Zeitge-
ber programmierbar. Hauptbestandteil ist die 8051
CPU, der eigentliche Prozessor (Bild III-90). Bei dem
Mikrocontroller 8051 können eine Reihe von
Anschlußleitungen für unterschiedliche Verwendun-
gen genutzt werden. Erkennbar sind die Doppelbele-
gungen anhand der PIN-Zuordnung, wie in Bild III-
91 dargestellt. In der Tabelle III-28 ist die Bedeutung
der jeweiligen Anschlüsse aufgeführt.

Daten- T0
Zähler
Speicher T1

Programm- RxD
UART
Speicher TxD

Port
8051
CPU PIO 0..3
Bild III-90
INT0 Vereinfachtes
INT1 Blockbild

8051
P1.0 VCC
XTAL1 AD0 P1.1 P0.0 AD0
AD1
AD2 P1.2 P0.1 AD1
XTAL2 AD3 PORT 0 P1.3 P0.2 AD2
AD4 P1.4 P0.3 AD3
Ad5
AD6 P1.5 P0.4 AD4
AD7 P1.6 P0.5 AD5
EA P1.7 P0.6 AD6
RST RST P0.7 AD7
PSEN RxD P3.0 EA
PORT 1 TxD P3.1 ALE
ALE
INT0 P3.2 PSEN
RxD INT1 P3.3 P2.7 A15
TxD T0 P3.4 P2.6 A14
A8
INT0 A9 T1 P3.5 P2.5 A13
PORT 3 INT1 A10 WR P3.6 P2.4 A12
T0 A11 RD P3.7 P2.3 A11
A12 PORT 2
T1 A13 XAL2 P2.2 A10
WR A14 XAL1 P2.1 A9
RD A15 GND P2.0 A8

nach Datenblatt der Firma Siemens

Bild III-91 Anschlußbelung beim MC 8051
638 Datentechnik

Tabelle III-28 Bedeutung der Anschlüsse 8051

Bezeichnung Funktion
AD0 ... AD7 Adreß-Datenbus
RST Rücksetzen bei H-Pegel
VPD Bei Anschluß Ruhestrom für internes RAM
RxD Serielle Schnittstelle
TxD Serielle Schnittstelle
/INT0 (Interrupt)/Unterbrechungseingang
/INT1 (Interrupt)/Unterbrechungseingang
T0 (Timer 0)/Zähler/Zeitgeber 0
T1 (Timer 1)/Zähler/Zeitgeber 1
/WR (Write)/Schreiben
/RD (Read)/Lesen
XAL2 Quarzanschluß, Externe Taktmöglichkeit
XAL1 Quarzanschluß
/E/A External Access/Externer Programmspeicherzugriff
(bei L-Pegel); bei H-Pegel: 4 K intern, ab 4 K extern
/PSEN Program Store Enable/Externe Programmspeicherfreigabe
ALE Adress Latch Enable/Signal zur Adressenzwischenspeicherung
PX.0 ... PX.7 Port (0, 1, 2, 3) digitale E/A, 8 Bit

P0.0-P0.7 P2.0-P2.7

Port 0 Port 2
Treiber Treiber

ADR RAM Latch Latch ROM

Programm-
B-Register Akkumulator Adreß-
Register

Stapel- Buffer
TMP2 TMP1
zeiger

Programm-
zähler
ALU SRF
und Zähler PC
Incremen-
tierer
PSW

Befehls- DPTR
Register

Latch Latch
Steuerung

Port 1 Port 3
Osz. Treiber Treiber

P1.0-P1.7 P3.0-P3.7 Bild III-92

nach Datenblatt der Firma Intel Funktionsbild
III Mikrocomputertechnik 639

Das Funktionsbild des Bausteins gibt Bild III-92
wieder. Die CPU besteht aus dem Befehlszähler (PC),
dem Befehlsdecoder der ALU (Rechen- und Logik-
einheit) und der Steuerlogik. Der Progammzähler
steuert den Programmablauf, und der Befehlsdecoder
sorgt für die Befehlsausführung (siehe auch Abschnitt
Mikroprozessortechnik). Die ALU des 8051 kann
folgende Operationen durchführen: Addition, Sub-
traktion, Multiplikation, Division, Vergleichen,
Rotieren. Außerdem können die logischen Ope-
rationen UND, ODER, Exclusiv ODER und Bitma-
nipulationen durchgeführt werden. Als Arbeitsregis-
ter dienen Akkumulator, die Register R0 bis R7 mit
ihren vier Bänken (siehe auch Bild III-102) und das
B-Register. Die Bänke können mit dem Alternativ-
Registersatz der Z80 CPU verglichen werden und die
Register R0 bis R1 mit den von den 8-Bit-
Prozessoren bekannten Registern B, C, D, E, H und
L. Im Gegensatz zu den genannten Registern wird
beim 8051 eine Adresse angesprochen, und die
jeweiligen Registersätze werden durch Umschaltung
aktiviert. Wie bei der Standard-CPU sind Stapel-
zeiger (Stack-Pointer), der hier bei einem RESET auf
Adresse 07 gesetzt wird, der Programmzähler (PC =
Program Counter) und das vom Mikroprozesser
bekannte Kennzeichen oder Flagregister (hier: PSW =
Programm Status Word) vorhanden. Die von einem
herkömmlichen 8-Bit-Prozessor abweichenden zu-
sätzlichen Baustufen sind im Blockbild III-92 beson-
ders gekennzeichnet. Der Datenzeiger (DPTR = Data
Pointer) zeigt auf die als nächstes zu bearbeitende
Adresse des Datenspeichers.
Zur Steuerung interner Funktionen dienen Spezial-
Funktions-Register (SFR = Special-Function-Regi-
ster). Im Funktionsbild sind sie mit dem Block SFR
und Zähler gekennzeichnet. Die genaue Aufteilung
dieses Blockes zeigt Bild III-93. Tabelle III-29 erläu-
tert die entsprechenden Kürzel der Registernamen.

Tabelle III-29 Special-Function-Register

Bezeichnung Funktion
P0 Port 0
SP (Stack-Pointer)/Stapelzeiger
DPL (Data-Pointer)/Datenzeiger L-Byte
DPH (Data-Pointer)/Datenzeiger H-Byte
TCON (Timer/Counter) Zeitgeber/Zähler Control
TMOD (Timer/Counter) Zeitgeber/Zähler Betriebsart
TL0 (Timer/Counter) Zeitgeber/Zähler 0 L-Byte
TL1 (Timer/Counter) Zeitgeber/Zähler 1 L-Byte
TH0 (Timer/Counter) Zeitgeber/Zähler 0 H-Byte
TH1 (Timer/Counter) Zeitgeber/Zähler 1 H-Byte
P1 Port 1
SCON (Serial Interface Control) Status/Kontroll-Register
SBUF (Serial Data Buffer)/Serielles Pufferregister
P2 Port 2
IE (Interrupt Enable)/Interruptmaske/-freigabe
P3 Port 3
IP (Interrupt Priority)/Interruptpriorität
PSW Program Status Word
ACC Accumulator B B-Register

SFR und Zähler

Zähler/Zeitgeber-
Steuerung
Port 3
TCON
TMOD
TL0 Serielles Port
Unterbrechungs-
TH0 SCON Steuerung
TL1 SBUF (Senden) IE

TH1 SBUF (Empfang) IP

Bild III-93
Special-Function-Register
interner Bus und Zähler
640 Datentechnik

5.2.2 Ein-/Ausgabeeinheit einbezogen. Hier wird die Bausteinauswahl mit P2.0

Die 4 E/A-Ports mit einer 8-Bit-Breite arbeiten bidi-
rektional (in beiden Richtungen) und können jeweils
einzeln unabhängig voneinander als Eingabe- oder
Ausgabekanal arbeiten. Bild III-94 verdeutlicht dies
an Hand der Portstruktur eines Kanals. Die Ausgabe-
information („0“ oder „1“) wird mit dem Schreib-
signal dem D-Flipflop übergeben und steht somit
dem Portausgang zur Verfügung. Der Zustand des
D-Flipflops kann über Lesen des D-Flipflops (Latch
lesen) jederzeit abgefragt werden. Soll eine Informa-
tion eingelesen werden, wird das D-Flipflop gesperrt.
Mit dem Lesesignal (PIN lesen) gelangt das anlie-
gende Bit zum Datenbus. Bei einem RESET wird der
Portanschluß auf Eingang geschaltet.
1D
C1
PIN
durchgeführt. Port 3 kann neben Ein- und Ausgabe
von Daten die im Anschlußplan angegebenen Funkti-
onen durchführen.
5.2.3 RESET-Schaltung
Damit die CPU nach dem Einschalten in einen defi-
nierten Anfangszustand gebracht wird, ist eine RE-
SET-Schaltung notwendig (Bild III-96). Die CPU
arbeitet dann immer ab Adresse 0000 des Speichers.
Der Baustein wird durch einen „H“-Pegel am An-
schluß RST zurückgesetzt. Beim Einschalten der
Betriebsspannung muß der Anschluß mindestens für
die Zeit von 1 ms H-Pegel besitzen. Bei der darge-
stellten Schaltung wirkt der Kondensator bei Anlegen
der Versorgungsspannung wie ein Kurzschluß und
legt zunächst „H“-Pegel an den RESET-Eingang.
Nach Aufladung des Kondensators liegt „L“-Pegel
an. Der MC 80(C)515 benötigt nur einen Kondensa-
tor am RESET-Anschluß, weil ein interner Wider-
stand vorhanden ist.

80(C)515 +5V 8051

+
C
RESET
Latch PIN Latch + RESET
schreiben lesen lesen R

Bild III-94 Portstruktur eines Kanals Bild III-96 RESET-Schaltungen

Port 0, 2 und 3 besitzen Doppelfunktionen. Bei- 5.2.4 Taktgenerator

spielsweise wird das Port 0 zur Adressierung externer Der interne Taktgenerator des MC 8051 braucht nur
Speicher mit verwendet. Port 0 arbeitet dann als noch mit dem Quarz ergänzt zu werden, um seine
Adreß-/Datenbus. Bild III-95 zeigt den Anschluß Funktion ausführen zu können. Die Quarzfrequenz
eines externen Speichers an den Baustein. liegt in einem Bereich bis zu 12 MHz. Der Baustein
kann auch über einen externen Taktgenerator gesteu-
8051 RAM ert werden. Es wird dann XTAL1 auf Masse gelegt
P0.0
256 x 8 Bit und XTAL2 über einen Treiber angeschlossen
XTAL1 P0.1
P0.2 (Bild III-97). Der Taktgenerator erzeugt alle benötig-
XTAL2 P0.3 ten Taktsignale des Systems.
Adreß/Datenbus
P0.4
P0.5 +5V
P0.6 8051 8051
P0.7
+ C1 R
EA P2.0 CS XTAL1 XTAL1

RST ALE ALE XTAL2 1 XTAL2

RD RD C2
WR WR

Bild III-95 Anschluß an einen externen Speicher Bild III-97 Taktgenerator

Da der dargestellte Speicher einen internen Adressen-
zwischenspeicher besitzt (Eingang ALE), ist kein
zusätzlicher Zwischenspeicher erforderlich. Besitzt
der externe Speicher eine größere Kapazität als
0,25 k, wird Port 2 ebenfalls in die Adressierung mit
5.2.5 Stromaufnahme
Um die Stromaufnahme zu reduzieren, besitzt die
CMOS-Version, beispielsweise der MC 80C51, zwei
Betriebsarten. Im Power-down-Mode wird der interne
Taktgenerator abgeschaltet und der MC damit in
III Mikrocomputertechnik 641

einen inaktiven Zustand gebracht. Die im internen auch von der Betriebsart „Auto Reload“. Ein gerade
RAM gespeicherten Daten bleiben erhalten. Mit vorhandener Zählerstand läßt sich aus den SFR T1
einem Hardware-Reset kann diese Betriebsart been- bzw. T2 ablesen. Die Zähler/Zeitgeber sind Auf-
det werden. Im Idle-Mode wird der Taktgenerator nur wärtszähler, die ein Überlauf-Kennzeichen erzeugen,
von der CPU getrennt und versorgt alle anderen beispielsweise beim 16-Bit-Zähler von FFFF nach
Komponenten wie Zähler und serielle Schnittstelle 0000. Die Überlaufkennzeichen sind Bestandteil des
weiterhin mit Taktsignalen. Diese Betriebsart kann TCON-Registers (Bit 7: TF1, Bit 5: TF0). Diese
über ein Reset oder aber auch über ein Interrupt Kennzeichen dienen auch als Unterbrechungs-
beendet werden. Die unterschiedliche Stromaufnahme kennzeichen (Timer Interrut Flags) und werden durch
wird in Tabelle III-30 dargestellt. ein Programm abgefragt. Bild III-98 zeigt das Prinzip
eines 13-Bit-Zählers/Zeitgebers in der Betriebsart
Tabelle III-30 (Mode) 0.
Über TR0, INT0(PIN) und Gate wird der Zeitgeber
Active Mode Idle Mode über eine TOR-Schaltung (das UND-Gatter wirkt als
Schalter) aktiviert. Die Frequenz des Zeitgebers ist
Frequenz VCC 4 V 5 V 6 V 4 V 5 V 6 V vom Quarz abhängig. Da jeder Maschinenzyklus den
TIMER incrementiert und jeder Maschinenzyklus aus
0,5 MHz 1,6 2,2 3 0,6 0,9 1,2 12 Taktperioden besteht, erfolgt die im Bild darge-
stellte Teilung durch 12. Im Bild III-99 sind die Bit-
3,5 MHz 4,3 5,7 7,5 1,1 1,6 2,2
anordnung der zuständigen Register und die ver-
8,0 MHz 8,3 11 14 1,8 2,7 3,7 schiedenen Betriebsarten aufgeführt.

12 MHz 12 16 20 2,5 3,7 5

TCON-Register
I (mA)
TF1 TTR1 TF0 TR0 IE1 IT1 IE0 IT0
5.2.6 TIMER TMOD-Register
Der MC 8051 verfügt über 2 interne 16-Bit-Zähler T0
und T1, die als Zähler (Counter) oder Zeitgeber GATE C/T M1 M0 GATE C/T M1 M0
(Timer) programmiert werden können. Man spricht TIMER 1 TIMER 2
von einem Zeitgeber, wenn der interne Takt benutzt
wird. Mit Zähler/Zeitgeber können Ereignisse ge- Betriebsarten
zählt, Zeitintervalle oder Pulszeiten gemessen und
M1 M2 Funktion
Baudraten für die serielle Schnittstelle erzeugt wer-
den. Die jeweilige Arbeitsweise wird in den entspre- 0 0 13-Bit-Zähler/Zeitgeber
0 1 16-Bit-Zähler/Zeitgeber
chenden SFR’s, dem TMOD-Register (Timer Modus)
1 0 8-Bit-Zähler/Zeitgeber
und TCON-Register (Timer Control) festgelegt. 1 1 Timer 0 TL0 ist 8-Bit Zähler
Hiermit kann beispielsweise der Zähler gestartet oder oder Zeitgeber
angehalten werden. Auch können in der Betriebsart 2 TH0 ist 8-Bit Zeitgeber
beide Zähler als 16-Bit-Zähler verwendet werden. In 1 1 Timer 1 Zähler stoppt
der Betriebsart 3 wird der Timer automatisch bei
einem Überlaufen nachgeladen. Man spricht hier Bild III-99 Zähler-Betriebsarten und Register

OSC :12
5 Bits 8 Bits
C/T=0
C/T=1 & TL0 TH0 TF0 Interrupt
T0 PIN
TR0
INT0 PIN
Control
1
Gate

Bild III-98 TIMER in der Betriebsart 0

642 Datentechnik

5.2.7 Unterbrechungssystem einer Interruptanforderung wird das gerade laufende

Dem MC 8051 stehen 5 Interruptquellen (Interrupt =
Unterbrechung) mit 2 Prioritätsebenen zur Verfü-
gung. Nach Bild III-101 sind dies die beiden Eingän-
ge INT0 und INT1, die beiden Zähler und eine inter-
ne serielle Schnittstelle. Nur das Interrupt der seriel-
len Schnittstelle wird durch Software ausgelöst, alle
übrigen sind Hardware-Interrupts. Die Interruptein-
gänge INT0 und INT1 können je nach Program-
mierung flanken- oder pegelgesteuert sein. Nach
Programm unterbrochen, und es erfolgt ein Sprung
zum Interruptprogramm. Über eine Maske können
Interrupts einzeln zugelassen oder gesperrt oder
über die Interruptfreigabe alle Quellen freigegeben
oder alle gesperrt werden. Liegen mehrere Interrup-
tanforderungen gleichzeitig an, gilt die Prioritäten-
reihenfolge. Bei gewünschten Interrupts werden die
entsprechenden Einsprungadressen des internen
Programmspeichers angewählt (siehe auch Bild
III-102).

Unterbrechungssystem

Programmspeicher
INT0 Externe
03
Unterbrechung

Zähler 0 0B

INT1
Externe Einsprungadresse 13
Unterbrechung

Zähler 1 1B

Serielle
23
Schnittstelle

Interrupt- Interrupt-
Maske Freigabe
=0 Sperren EA = 0 Sperren aller Interrups
EX0..ES Freigabe aller gesetzten
=1 Setzen EA = 1
Interrups

EA ES ET1 EX1 ET0 EX0

Externer Interrupt 0
Zähler 0
Externer Interrupt 1
Zähler 1
Serieller Port
Bild III-100 Unterbrechungssystem
III Mikrocomputertechnik 643

5.2.8 Speicher (Bild III-102). Eine Gesamtübersicht verschafft Ta-

Als Speicher sind ein 128 bzw. 256 Byte RAM und
4 oder 8 KByte ROM integriert. Der 8052AH-BASIC
besitzt zusätzlich intern einen Basicinterpreter mit
8 KByte EPROM. Mikrocontroller unterscheiden
nach Daten- und Programmspeicher (Bild III-101).
Befehle stehen daher nur im Programmspeicher. Der
MC 8051 kann als 8-Bit-Mikrocontroller höchstens
jeweils 64 KByte addressieren.
Der MC besitzt als Programmspeicher ein internes
4KB ROM. Liegt der /EA-Anschluß auf „1“, wird
von dort aus gelesen. Bei /EA „0“ wird der externe
Programmspeicher angesprochen. Im internen Pro-
grammspeicher sind Einsprungadressen reserviert,
wie der internen Speicheraufteilung zu entnehmen ist
belle III-31. Der interne Datenspeicherbereich liegt
von 00 bis FF, wobei sich bis Adresse 1F vier Regis-
terbänke mit jeweils acht Registern R0 ... R7 befin-
den. Dieser Speicherbereich ist direkt und indirekt
addressierbar (siehe Abschnit Maschinensprache).
Der sich anschließende bitadressierbare Bereich
(jedes Bit ist einzeln ansprechbar) ist direkt nur bis
Adresse 2F addressierbar. Der weitere Datenspei-
cherbereich ist von einer Anzahl Registern, die teil-
weise ebenfalls bitadressierbar sind, belegt. Es sind
Register mit speziellen Funktionen, wie der Stack-
pointer SP mit der Adresse 81. Die entsprechende
Adressenaufteilung von 80 bis 7F sind in der Tabel-
le III-34 zu finden. Der 64 K externe Datenspeicher
ist nur indirekt adressierbar.

Programmspeicher Datenspeicher

FFFF FFFF
64K
extern
60K

64K nur indirekt

adressierbar
FF
extern
SFR
1FFF 80
0FFF 4K 7F 128
intern intern
0000 00 0000
Bild III-101 Speicherplan

Interner Programmspeicher Interner Datenspeicher

0FFF B FF
ACC SFR
PSW 80
IP 7F
P3
IE 30
0023 Interrupt S P2 2F
SBUF bitadessierbar
001B Interrupt T1 SCON 20
P1 R7 Bank 3 1F
0013 Interrupt 1 TH1 R0 18
TH0 R7 Bank 2 17
000B Interrupt T0 TL1 R0 10
TL0 R7 Bank 1 0F
0003 Interrupt 0 TMOD R0 08
TCON R7 Bank 0 07
0000 Reset DPH R0 00
DPL
SP
P0
Bild III-102 Speicheraufteilung
644 Datentechnik

Tabelle III-31 Register- und Adressenübersicht

Bit-Adressen Byte-
SFR Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 Adresse
B F7 F6 F5 F4 F3 F2 F1 F0 F0
ACC E7 E6 E5 E4 E3 E2 E1 E0 E0
PSW D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D0
IP BF BE BD BC BB BA B9 B8 B8
P3 B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 B0
IE AF AE AD AC AB AA A9 A8 A8
P2 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A0
SBUF 99
SCON 9F 9E 9D 9C 9B 9A 99 98 98
P1 97 96 95 94 93 92 91 90 90
TH1 8D
TH0 8C
TL1 8B
TL0 8A
TMOD 89
TCON 8F 8E 8D 8C 8B 8A 89 88 88
DPH 83
DPL 82
SP 81
P0 87 86 85 84 83 82 81 80 80
MSB LSB

5.2.9 Serielle Schnittstelle Serielle Schnittstelle (UART)

Alle Mikrocontroller der 8051-Familie verfügen über
mindestens eine serielle Schnittstelle, mit der im
Asynchron- oder Synchronbetrieb eine serielle Da- SCON
tenübertragung durchgeführt werden kann. Nach Kontroll-/Status- TxD
Bild III-103 besteht die chipinterne Schnittstelle aus register
dem Datenregister SBUF und dem Kontroll- oder
Statusregister SCON. Das Datenregister SBUF besitzt
ein Sende- und Empfangsregister, auf das lesend oder
schreibend zugegriffen wird. Die Eingangsdaten SBUF
gelangen über den Anschluß RxD in ein Schiebere-
Senderegister
gister, wo eine Umwandlung des seriellen Daten-
stroms in eine parallele Information erfolgt. Nach
Ausmaskierung der nicht zur Information gehörenden SBUF
Bits wie Start- und Stopbit gelangen die Daten ins
Empfangsregister. Die Ausgangsdaten gelangen über Empfangsregister
das Senderegister und über das SCON-Register zum
Ausgang TxD. Mit dem Kontroll-/Statusregister
SCON kann die gewünschte Betriebsart (Mode 0, 1,
2, 3) gewählt werden. Weiter enthält es die Steuerbits
für Empfänger- und Senderinterrupt. In der Betriebs-
art 0 werden die Daten über RxD (P3.0) gesendet Schieberegister RxD
oder empfangen, und an TxD (P3.1) wird ein Sende- Takt
takt mit dem Tastverhältnis 1:1 bei einer festen Fre-
quenz von fosz/12 ausgegeben. Bild III-103 Serielle Schnittstelle
III Mikrocomputertechnik
Übertragungsrahmen
7 6 5 4
SCON SM0 SM1 SM2 REN TB8 RB8
SM0 SM1 MODE
0 0 0 fosz/12
0 1 1 variabel
1 0 2 fest
1 1 3 variabel
Betriebsart 0
Daten
Betriebsart 1
Startbit Daten
Betriebsart 2,3
Bild III-104 zeigt die Bedeutung der Bitanordnung im
SCON-Register und die Bitzuordnung zur Einstellung
der einzelnen Betriebsarten.
5.3 16-Bit-Mikrocontroller
Bild III-105 zeigt die Architektur des MC
SAB80C515/535 als vereinfachtes Blockbild. Der
Baustein besitzt außer den 6 Ports (= 48 Kanäle) zur
digitalen Ein- und Ausgabe einen 8-Bit gemultiplex-
ten A/D-Wandler-Eingang. Das 256 Byte interne
RAM kann extern bis zu 64 KByte erweitert werden
und ist bei Betriebsspannungsausfall über einen
Anschluß ruhestromversorgt. Im Gegensatz zum
...515 hat der ...535 keinen internen Programmspei-
cher. Seine Programme müssen in einem externen
ROM untergebracht werden. Außerdem ist im ...535
ein Watchdog-Timer integriert. Seine Aufgabe ist es,
bei Störungen einen Reset auszulösen. Es handelt sich
hierbei im Prinzip um einen 16-Bit-Zähler, der mit
jedem Maschinenzyklus inkrementiert wird. Bei
Überlauf erfolgt ein interner Reset, und ein Statusbit
wird gesetzt, das durch eine Abfrage die Resetursache
kennzeichnet. Im Programmablauf wird der Watch-
dog-Timer jedesmal vor dem Überlauf zurückgesetzt.
Weitere Besonderheiten dieses Bausteins sind Captu-
re-, Compare- und Reload-Funktionen des Zäh-
lers/Zeitgebers 2. Bei der Capture-Funktion (capture
645
3 2 1 0
TI Ri
Übertragungs-
rate
Stopbit
Bild III-104
Bitzuordnung im SCON-Register
und Betriebsarten
= einfangen) sind Zeitmessungen realisierbar, weil
durch ein externes Signal ein Zwischenspeichern des
Zählerstandes in ein entsprechendes SFR ausge-
löst wird. Bei der Compare-Funktion (compare =
vergleichen) kann eine Meldung (z.B. Interrupt)
erfolgen, wenn der Inhalt des laufenden Timers 2 mit
dem des Compare-Registers übereinstimmt. Mit der
Reload-Funktion wird die Zykluszeit der Timer
variiert. Hiermit läßt sich dann eine PWM (Puls-
weitenmodulation) durchführen. Solche Signale kön-
nen verwendet werden, um beispielsweise Schritt-
oder Gleichstrommotore steuern zu können.
Die Port-Kanäle können digital oder analog über die
gemultiplexten Eingänge genutzt werden. Der Bau-
stein verfügt über eine programmierbare Referenz-
spannungsquelle. Der Vorteil in der Programmierbar-
keit der Referenzspannung liegt einmal in der eventu-
ell gewünschten unterschiedlichen Referenzspannung
pro Kanal und in der veränderbaren Wandlerauflö-
sung.
Der Wandler selbst arbeitet nach dem Prinzip der
sukzessiven Approximation mit einer Wandlungszeit
von 15 ms. Bild III-106 zeigt das Blockbild des A/D-
Wandlers mit dem SFR DAPR (D/A-Program-
Register). Im L-Nibble ist die untere Grenze der
Referenzspannung und im H-Nibble die obere Grenze
definiert. Die Wahl des Analogeingangs ist im SFR
646 Datentechnik

Oszillator Baud-
RAM ROM TIMER 0 TIMER 2
raten
Watchdog Generator
256 x 8 8k x 8
CPU USART
TIMER 1
8 Bit

Interner Bus

U A/D P6 P5 P4 P3 P2 P1 P0
Ref.

URef AGND

nach Datenblatt der Firma Siemens

Bild III-105 Blockbild des SAB 80C515/C535

ADCON

BD CLK BSY ADM MX2 MX1 MX0

AN0..AN7
MUX S&H A/D ADDAT

AGND IREF

AREF Interne Referenzspannung

AGND D/A

DAPR

Obere Grenze Untere Grenze

der der
Referenzspannung Referenzspannung

Bild III-106 AD/DA-Wandler

III Mikrocomputertechnik 647

ADCON festgelegt (A/D-Controll-Register), in dem Program Status Word PSW

auch festgelegt ist, ob nur eine oder fortlaufende
Wandlungen stattfinden sollen.
6 Maschinensprache
6.1 Allgemeines
Soll ein Mikrocomputer Anweisungen ausführen,
müssen die dazu erforderlichen Befehle in binärco-
dierter Form im Speicher vorliegen. Jeder in dieser
Form zum Mikroprozessor gebrachte Befehl gelangt
zum Befehlsregister, wird dort interpretiert und
veranlaßt die CPU, die dazugehörende Operation
auszuführen. Da der Mikroprozessor diese Anwei-
sungen direkt in Operationen umsetzen kann, spricht
man von Maschinensprache. Der Maschinencode
(Mikrocode, Operationscode), nach denen der Mikro-
prozessor seine Operationen durchführt, ist hard-
waremäßig festgelegt und bei den Prozessoren unter-
schiedlich.
Alle Befehle, die der Mikroprozessor ausführen kann,
stellen seinen Befehlssatz (Instructions Set) dar. Er
wird in den Datenbüchern der Hersteller ausführlich
beschrieben. Um in Maschinensprache zu program-
mieren, muß der Programmierer den Prozessor ken-
nen. Hierbei ist vor allem die Kenntnis des Register-
plans und des Befehlssatzes der CPU wesentlich. Als
Beispiel dient der Prozessor 8085. Ein Auszug des
Befehlssatzes befindet sich in Tabelle III-31 und
Tabelle III-32. Bild III-107 zeigt den Registerplan der
8085 CPU.
Hier sind alle Register zusammengefaßt, auf die man
als Programmierer Einfluß üben kann. Die Register
Akkumulator bis L-Register sind 8-Bit-Register. Der
Stapelzeiger und der Befehlszähler sind 16-Bit Regis-
ter. Damit ist die Bit-Zahl gemeint, die das jeweilige
Register aufnehmen kann. Die Register B, C, D, E
und H, L können zusammengefaßt werden. Sie ar-
beiten dann als Registerpaare B, D und H. Der Name
des Registerpaares gibt an, wo sich jeweils die hö-
herwertigen Bits befinden. Akkumulator und Flag-
Register (Kennzeichen-Register) faßt man unter dem
Namen PSW (Progamm Status Word) zusammen.
Akkumulator Flag-Register
Registerpaar B
B C
Registerpaar D
D E
Registerpaar H
H L
Stapelzeiger SP
Befehlszähler PC
Bild III-107 Registerplan der 8085 CPU
6.2 Maschinencode
Für alle Befehle eines Mikroprozessors existiert eine
Struktur unterschiedlicher Bits, die eine bestimmte
Systematik beinhaltet. Daher lassen sich aus dem
Format des Maschinencodes und aus der Kenntnis der
Registertabelle weitere Befehle herleiten. Der Regis-
tername oder die Registerkennung und der Ope-
rationscode sind hardwaremäßig festgelegt.
 Beispiel: Der Befehl „INR D“ (Increment D) bedeutet, daß sich
der Registerinhalt nach Befehlsausführung um 1 erhöht. Der Ope-
rationscode lautet 00sss1002 (Bild III-108). Für die Platzhalter sss
kann jetzt die Registerkennung 0102 = D-Register eingefügt wer-
den, und man erhält den Maschinencode 000101002.
 Beispiel: Die Bitfolge 10110sss2 bedeutet, daß der Akkumulator
mit einem Register eine Oder-Verknüpfung durchführen soll. Mit
welchem Register dies zu geschehen hat, ist wieder durch die
Platzhalter sss (Quellenregister) symbolisiert. Damit lautet der
Befehl ORA B: 101100002 und ORA C: 101100012.
Die Z80 CPU besitzt bei gleichen Befehlen den gleichen Maschi-
nencode. Die MC’s 8085 und Z80 arbeiten mit Informationsein-
heiten von 8 Bit (1 Byte).

Beispiel

0 0 0 B-Register 0 0 0
Register-Kennung
0 0 1 C-Register 0 0 1
0 1 0 D-Register 0 0 s s s 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0
0 1 1 E-Register 0 1 1 INR D
Operationscode
1 0 0 H-Register für den Befehl 1 0 0
INR 1 0 1
1 0 1 L-Register
1 1 1 A-Register 1 1 1

Bild III-108 Registertabelle und Herleitung von Befehlen

648 Datentechnik

6.3 Befehlsaufbau genden Bytes wird dann die Adresse angegeben.

Ein Befehl besteht aus einem Operationsteil und
einem Operanden (Bild III-109). Das erste Byte des
Befehls ist immer der Befehlscode (Operationscode).
Befehl
Operationsteil Operand
MOV Transport
JMP Sprung
ADD Addition
Bild III-109 Aufbau eines Befehls
Hiermit wird dem Prozessor mitgeteilt, welche Ope-
ration ausgeführt werden soll. In weiteren Bytes
können sich Daten oder Adressen befinden. Soll der
Prozessor Daten vom Akkumulator zu einer Spei-
cherstelle bringen, dann ist dies mit einem Byte nicht
mehr zu codieren, da die Adresse des Speichers
schon 16 Bit ausmacht. Folglich wird dem Prozessor
im ersten Byte mitgeteilt, daß er Daten zu einer
Speicherstelle zu kopieren hat; in den beiden fol-
Unterschieden werden dem Aufbau nach 1-Byte-,
2-Byte- und 3-Byte-Befehle (Bild III-110).
Der 1-Byte-Befehl bedeutet, daß vom Akkumulator-
inhalt der Inhalt des Registers B subtrahiert wird. Das
Ergebnis wird wieder zum Akkumulator geschrieben.
Im 2-Byte-Befehl werden die Daten 111111112 zum
Akkumulator gebracht, und im 3-Byte-Befehl gelan-
gen die Daten des Akkumulator zur Speicherstelle
1000 0010 0000 00002. Bei Angabe der Adresse ist
wesentlich, daß die Reihenfolge genau eingehalten
ist. Zunächst muß dem Befehlsregister das L-Byte
(niederwertigsten 8 Bit) und dann das H-Byte
(höherwertigsten 8 Bit) zugeführt werden.
6.4 Befehlsdarstellung
Heute ist es nicht mehr üblich, in binärcodierter Form
zu programmieren. Wenn von Maschinenprogram-
men gesprochen wird, meint man die Assemblerdar-
stellung der Befehle. Die Mnemoniks (Symbole) der
Operationscodes (Assembler) lassen sich mit einiger
Übung leicht merken, da sie sich aus den Befehls-
funktionen ableiten lassen. Die Darstellung der Daten
und Adressen erfolgt hierbei in hexadezimaler Form.

1-Byte-Befehl 2-Byte-Befehl 3-Byte-Befehl

11111111 ->A (A) -> 1000001000000000
(A) - (B) ->A Daten
H-Byte L-Byte
1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0
Adresse
Operationscode Operationscode

1 1 1 1 1 1 1 1
0 0 1 1 0 0 1 0
Daten
Operationscode
Bild III-110 Befehlsformate
0 0 0 0 0 0 0 0
L-Byte der Adresse
1 0 0 0 0 0 1 0
H-Byte der Adresse
 Beispiel:

Mnemonik/Assembler Kommentar

MVI A,FF ; Kopiere die Daten 111111112 zum Akkumulator (8085)

LD A,FF ; Kopiere die Daten 111111112 zum Akkumulator (Z80)
STA 8200 ; Kopiere den Inhalt des Akkumulators zur Adresse (8085)
; 1000 0010 0000 00002

Um Schreibarbeit zu sparen und Programme übersichtlich zu hal- 6.5 Befehle

ten, verwendet man bei Kommentaren häufig eine Kurzschreib-
weise. Alles, was in der Klammer steht, bedeutet dann den Inhalt Die Befehle eines Mikroprozessors lassen sich unter
eines Registers oder einer Adresse. Ein Pfeil gibt die Datenrich-
tung an.
dem Gesichtspunkt der Befehlsfunktionen oder nach
Adressierungsarten ordnen.
Beispiel: (A) → B bedeutet: Akkumulatorinhalt nach B
bringen
(8200) → A bedeutet: Inhalt der Adresse 8200 6.5.1 Befehlsfunktionen
zum Akkumulator bringen.
Bei den Datentransport-Befehlen (Kopierbefehlen)
Die Umsetzung der Mnemonik und der Hexform in die Binärform
des Maschinencodes erfolgt mit einem Übersetzerprogramm (As- werden Daten unmittelbar in ein Register eingegeben
sembler). oder Daten werden zwischen den Registern oder
III Mikrocomputertechnik 649

zwischen Speicher und Registern kopiert. Bei den Mit den Schiebe-Befehlen (Rotations-Befehle) kann der Inhalt
vom Akkumulator links oder rechts jeweils um eine Bitstelle ver-
Transportbefehlen wird zwischen verschiedenen
schoben werden. Dadurch gelangt Bitstelle 7 bei Links-Rotation
Adressierungsarten unterschieden. In der Assembler- zur Bitstelle 0 und Bitstelle 0 bei Rechts-Rotation zur Bitstelle 7.
schreibweise ist es üblich, zunächst das Ziel und dann Hierbei wird auch gleichzeitig das Carrybit verändert. Eine wei-
die Quelle anzugeben. MOV A,B bedeutet, daß Daten tere Befehlsart läßt die Rotation nur über das Carrybit zu. Bild III-
112 führt die verschiedenen Befehle auf.
von B nach A transportiert werden sollen (Bild III- Mit Hilfe der logischen Befehle können zwischen dem Akkumula-
111). tor und den Registern oder mit Konstanten logische Verknüpfun-
gen wie UND, ODER und EXKLUSIV-ODER durchgeführt wer-
MOV A,B den. Durch diese Befehle wird das Flag-Register beeinflußt.
Mit den Sprungbefehlen wird der Ablauf eines Programms ge-
ändert. Der Prozessor arbeitet normalerweise Adresse für Adresse
Ziel Quelle nacheinander ab. Es können unbedingte oder bedingte Sprünge
programmiert werden. Ein unbedingter Sprung enthält im Befehl
selbst eine Adresse und wird immer ausgeführt.
B Daten A  Beispiel:
JMP 8200 ;Springe zur Adresse 8200
Bild III-111 Assemblerschreibweise Der bedingte Sprung ist von einer Bedingung abhängig. Hierbei ist
zwischen bejahenden und verneinenden Sprüngen zu unterscheiden.

Mit Hilfe der arithmetischen-Befehle werden Daten  Beispiel:

oder Registerinhalte miteinander addiert, subtrahiert,
inkrementiert (um 1 erhöht) oder dekrementiert (um 1
vermindert).
 Beispiel: Die Inhalte der Speicherstellen A000 (Inhalt = 03H) und
A001 (Inhalt = 11H) werden addiert und das Ergebnis zur Spei-
cherstelle A002 gebracht. Nach dem Programmablauf befindet
sich in der Speicherstelle A002 der Inhalt 14H bzw. 0001 01002.
Programm:
JNZ Springe, wenn Z nicht „1“ gesetzt ist.
JZ Springe, wenn Z „1“ gesetzt ist.
Die Bedingung überprüft der Mikroprozessor im
Flagregister (Kennzeichen-Register). In Bild III-113
befindet sich die Anordnung der Bits. Die Bitstellen
(Flags) werden bei bestimmten Operationen wie
arithmetischen und logischen Befehlen gesetzt.

Adresse Operationscode Assembler Kommentar

0000 3A 00 A0 LDA A000 ;(A000) →A

0003 47 MOV B,A ;(A) → B „retten“

0004 3A 01 A0 LDA A001 ;(A001) →A

0007 80 ADD B ;(A) + (B) → A

0008 32 02 A0 STA A002 ;(A) → A002

000B 76 HLT ;Halt

Beispiel
vor der Befehlsausführung nach der Befehlsausführung
Akkumulator
CY D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0

RAL

0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1

RAR

0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1

RLC

0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1

RRC
Bild III-112 Rotationsbefehle
650 Datentechnik

8085 Z80 Bild III-113

S Z AC P CY S Z AC PV N CY Bitanordnung im Flagregister

 Beispiele: Das Carry-Flag wird bei arithmetischen Operation  Beispiel: Abfrage des Zero-Flag
gesetzt oder zurückgesetzt. Flagregister Bei einfachen Zählschleifen wird der Inhalt eines Registers so
(A) = 1010 11112 lange dekrementiert, bis der Registerinhalt Null ist.
(B) = 0110 00002
_________________________ Adresse Operationscode Assembler Bemerkung
(A) + (B) = 1 0000 11112 Cy wird auf „1“ gesetzt
0000 3E FF MVI A,FF ;FF →A
Ist das Ergebnis bestimmter Operationen „0“, dann wird das Zero-
Flag gesetzt. Stack 0002 3D DCR A ;(A) – 1 → A
(A) = 1011 11112
(B) = 1011 11112 0003 C2 02 00 JNZ 0002 ;Null?
_________________________
(A) – (B) = 0000 00002 Z wird auf „1“ gesetzt 0006 76 HLT ;Halt

(A) = 1010 00012

(B) = 0101 11112 Unterprogramm- und Stapelspeicherbefehle: Pro-
_________________________
grammteile oder Programme, die innerhalb eines
(A) + (B) = 1 0000 00002 Z und Cy wird auf „1“ gesetzt
Hauptprogramms häufiger benötigt werden, brauchen
Das Sign-Flag (Vorzeichen) bezieht sich auf das MSB (Most Sig- nur einmal programmiert werden. Solche Programme
nificant Bit = höchstwertigstes Bit) des Akkumulators bei Inter-
pretation des Datenwortes in Zweierkomplementdarstellung. nennt man Unterprogramme. Wie bei Sprungbefehlen
(A) = 0011 11112 S = „0“
gibt es bedingte und unbedingte Unterprogrammbe-
(A) = 1000 11012 S = „1“ fehle. Ein unbedingter Unterprogrammaufruf wird
Das Hilfscarry-Flag wird durch arithmetische und logische Ver- mit dem Befehl CALL erreicht. Der Rücksprung zum
knüpfungen bei Entstehen eines Übertrags von Bit 3 nach Bit 4 Hauptprogramm erfolgt mit dem Befehl RET. Mit
gesetzt. Aufruf des Unterprogramms wird die nachfolgende
Das Parity-Flag gibt eine „1“-Meldung, bei gerader Parität der 1- Hauptprogrammadresse zum Stack gebracht, um
Bit-Stellen im Akkumulator und eine „0“-Meldung bei ungerader
Parität beim Rücksprung aus dem Unterprogramm das
(A) = 1010 11112 P = „1“
Hauptprogramm dort fortsetzen zu können. Oft wer-
(A) = 1010 11012 P = „0“ den im Unterprogramm Register benötigt, die im

Hauptprogramm Unterprogramm

UP
PUSH PSW
1
PUSH
.. B
CALL UP .
POP B
2
3 POP PSW
RET

CALL UP 4
HLT

Adresse Speicher
LAST IN FIRST OUT
Nach dem Befehl 27F8
3
PUSH B Stapelzeiger 27F9 (C) Nach dem Befehl

27FA (B)
2 1
PUSH PSW Stapelzeiger 27FB (F) Stapelzeiger POP B
27FC (A)
1 2
CALL ADR Stapelzeiger 27FD Rücksprung- Stapelzeiger POP PSW
27FE Adresse
3
Stapelzeiger 27FF Stapelzeiger RET

Bild III-114 Stack-Prinzip

III Mikrocomputertechnik
Hauptprogramm schon Daten übertragen bekommen
haben und deren Inhalte sich nicht während des
Unterprogrammablaufs ändern dürfen. Zur „Rettung“
dieser Daten wird dann ebenfalls der Stapelspeicher
eingesetzt.
Der Stapelspeicher (Stack) selbst ist Teil des Arbeits-
speichers. Er ist bei Programmierung von Unterpro-
grammen im Hauptprogramm stets zu initialisieren.
Hiermit ist gemeint, daß der Stapelzeiger mit einer
Adresse geladen wird. Dabei kann jeder beliebige
Teil des Speichers als Stack verwendet werden.
Da der Stapelspeicher mit der Adresse des Stackpoin-
ter beginnend bei jedem Aufruf je die zwei nieder-
wertigeren Adressen mit Daten füllt, ist es zweck-
mäßig, ihn an die höchste Adresse des Ar-
beitsspeichers zu legen. Aus Bild III-114 geht das
Prinzip hervor. Hier wird der Stackpointer auf die
Adresse 27FF gebracht. Nach Aufruf des Unterpro-
gramms mit CALL steht der Stackpointer auf der
Adresse 27FD. Mit den Befehlen PUSH PSW und
PUSH B im Unterprogramm werden die Inhalte der
Register auf den Stack gebracht, sie werden für das
Hauptprogramm „gerettet“. Der Stackpointer zeigt
auf die Adresse 27F9. Im Unterprogramm kann jetzt
mit den Registern A, B und C gearbeitet werden, weil
am Ende des Unterprogramms durch POP B und POP
PSW der Originalzustand der Register B und A
wieder hergestellt wird. Mit POP B wird beispiels-
weise der Inhalt der Adresse 27F9 zum C-Register
und der Inhalt der Adresse 27FA zum B-Register
gebracht. Bei der Programmierung ist, wie auch das
Beispiel zeigt, darauf zu achten, daß der zuletzt zum
Stack gebrachte Registerinhalt als erstes vom Stack
zurückgerufen wird (Last In-First Out), weil sonst
Registerinhalte vertauscht werden.
Ein- und Ausgabe-Befehle: Sollen Daten von einer
E/A-Einheit zur CPU oder von der CPU zur E/A-
Einheit geleitet werden, wird das mit IN (Eingabe-
befehl) und OUT (Ausgabebefehl) durchgeführt.
Hierbei muß hinter dem IN- und OUT-Befehl die
jeweilige Adresse der E/A-Einheit (des Ports) ange-
geben werden.
 Beispiel:
IN FF: Die Daten gelangen von der Portadresse FF zum Akku-
mulator
OUT FF: Die Daten werden vom Akkumulator zur Portadresse
FF gebracht.
Bei Einsatz eines programmierbaren Portbausteins ist dieser zu-
nächst zu initialisieren.
Interrupt-Befehle dienen zur Unterbrechungssteue-
rung (siehe auch Abschnitt Mikroprozessortechnik).
Durch einen Impuls oder einen Pegel an einem Inter-
rupteingang des Prozessors wird das laufende Pro-
gramm nach Abarbeitung des gerade in Arbeit be-
findlichen Befehls unterbrochen. Es erfolgt ein
Sprung zu einer vom Hersteller hardwaremäßig
festgelegten Adresse, zur Interrupt-Routine. Der Be-
fehlszählerstand wird auf dem Stack gespeichert, um
651
nach dem Rücksprung aus der Routine mit dem Pro-
gramm fortfahren zu können.
Die Anzahl der Interrupteingänge sind bei den Pro-
zessoren unterschiedlich. Der MC 8085 besitzt die
fünf Interrupteingänge TRAP, RST 7.5, RST 6.5,
RST 5.5 und INTR. Hierbei wird zwischen maskier-
baren und nichtmaskierbaren Interrupteingängen
unterschieden. Mit dem Befehl SIM (Set Interrupt
Mask) und Verwendung des Akkumulatorinhalts
können die maskierbaren Interrupts gesperrt oder
freigegeben werden, wenn allgemein Interrupts mit
dem Befehl EI (Enable Interrupt) zugelassen werden.
Mit DI (Disable Interrupt) kann die Zulassung der
Interrupts verweigert werden. Aus Bild III-115 wird
die Wirkung der Befehle sichtbar. Eine Interrupt-
annahme erfolgt nur, wenn mit SIM die entsprechen-
de Maske gesetzt wurde und mit EI die Freigabe
erfolgt. Nicht von diesen Befehlen betroffen ist der
TRAP-Interrupt (nicht maskierbar). Er wird bei einer
Anforderung immer wirksam und besitzt Vorrang vor
allen anderen Interruptzugriffen.
TRAP
+ +
EI
SIM DI
&
&
RST7.5
+
&
&
RST6.5
+
&
&
RST5.5
&
INTR
Maske
Bild III-115 Interruptannahme
Ermöglicht die Interrupt-Maske Zugang verschie-
dener Geräte zur CPU und erfolgen Interruptanfor-
derungen gleichzeitig, tritt die vom Hersteller festge-
legte Priorität ein. In Bild III-116 ist die Priorität und
die Lage der Hardware-Verzweigungen dargestellt.
An der jeweiligen Adresse kann nur eine kleine Rou-
tine geschrieben werden, oder es steht dort ein
Sprungbefehl zum Arbeitsspeicher. Wie ein Unter-
programm wird die Routine mit RET abgeschlossen.
Mit dem Befehl RIM (Read Interrupt Mask) wird der
Akkumulator geladen. Damit können die Maske und
tatsächliche Unterbrechungen abgefragt werden, wie
die Anordnung der Bits Bild III-117 zeigt. Der INTR-
652 Datentechnik

Speicher
00 RST 0
08 RST 1
10 RST 2
Priorität 18 RST 3
INTR
20 RST 4
1 TRAP 24
28 RST 5
4 RST5.5 2C
30 RST 6
3 RST6.5 34
38 RST 7
2 RST7.5 3C
40
Bild III-116
Interruptadressen und Priorität

SIM Interrupteingang dient als Vektorinterrupt. Bei seiner

Auslösung zeigt er nach Abfrage INTA (Interrupt
7.5 MS 7.5 6.5 5.5
Acknowledge) des Datenbusses auf eine der 8 Hard-
wareadressen (Bild III-117). Interrupt
6.5.2 Adressierungsarten Adressierung
Flipflop setzen
Maske "1" setzen
"1" Bei den Transportbefehlen lassen sich verschiedene
"1" freigeben "0" rücksetzen Adressierungsarten (Bild III-118) unterscheiden. Die
"0" sperren
implizite Adressierung enthät keine Operanden-
Adresse, wie das beispielsweise bei dem Kopieren
RIM
der Daten von einem zum anderen Register der Fall
7.5 6.5 5.5 IE 7.5 6.5 5.5 ist. Hier ist im Befehl implizit (inbegriffen) die
Funktion gegeben. Man bezeichnet diese Adressie-
rungsart auch als Registeradressierung. Bei der un-
mittelbaren (immediate) Adressierung enthält der
Zustände Maske Befehl die zu verarbeitende Konstante. Hierbei kann
es sich um eine 8-Bit- oder 16-Bit-Konstante handeln.
Bild III-117 Bit-Anordnung für SIM- und RIM- Man spricht von direkter Adressierung, wenn die
Befehl Speicherstelle im Befehl benannt wird. Die 16-

implizite Adressierung
Register Register
Kopiere Daten von Register zu Register

unmittelbare Adressierung Konstante Register

Bringe eine Konstante in ein Register
oder ein Registerpaar Konstante RP

direkte Adressierung Register Speicher

Kopiere Daten von und zu einer
Speicherstelle Register Speicher

indirekte Adressierung Register Speicher

Bringe Daten von einem Register in
die Speicherstelle, auf die ein Registerpaar zeigt . RP

Bringe Daten von der Speicherstelle, die Register Speicher

in einem Registerpaar steht, zum Register

RP

Bild III-118 Übersicht: Adressierungsarten

III Mikrocomputertechnik 653

Befehl Vor dem Befehl Nach der Befehlsausführung

Implizite MOV B, C C C
Adressierung 03 FF
B B
FF FF

Unmittelbare MVI D, FF D D
Adressierung 03 FF

Indirekte MOV A, M A A
Adressierung 03 FF
Speicher Speicher
ADR 8200 FF ADR 8200 FF
RP H RP H
8200 8200

Bild III-119 Beispiele

Bit-Adresse folgt direkt hinter dem Operationscode.
Bei der indirekten Adressierung wird die Adresse, die
angesprochen werden soll, zuvor in einem Register-
paar abgelegt (siehe Beispiele Bild III-119).
Der MC Z80 kennt außerdem noch die relative und
indizierte Adressierung. Bei der relativen Adressie-
rung erhält der Sprungbefehl eine durch eine Kon-
stante festgelegte Distanzadresse, um von einer
absoluten Adresse unabhängig zu sein. Die indizierte
Adressierung legt das Indexregister und die Adressen
fest. Beispiel: LD A,(IX + 0009) Sprung um (IX) + 9
Adressen.
6.6 Befehlszyklus und Befehlszeiten
6.6.1 Befehlszyklus
Alle Befehle, die ein Mikroprozessor durchführen
soll, stehen im Speicher. Das Zusammenwirken von
CPU und Speicher zeigt Bild III-120 an einem 2-
Byte-Befehl. Beim Einschalten wird der Programm-
zähler immer auf die Adresse (ADR) 0000 gestellt,
die Steuerung der CPU wird mit RD (Read) aktiviert,
und der Inhalt der ADR 0000 wird zur CPU gebracht.
Dort erfolgt die Decodierung. Der Programmzähler

Adreßbus Programmzähler
auf ADR 0000
Datenbus
CPU Steuerung RD
ADR 0000 lesen
Daten Adresse
(ADR 0000 = 3E)
CPU 3E 0000
über Datenbus
FF 0001 zur CPU
00 0002
CPU decodiert
76 0003 3E
RD Programmzähler
Speicher + 1 = ADR 0001
WR
Steuerung
CPU Steuerung RD
ADR 0001 lesen

(ADR 0001 = FF)

über Datenbus
zum Akkumulator
Programmzähler Bild III-120
+ 1 = ADR 0002 Zusammenwirken von
Speicher und CPU
654 Datentechnik

Befehlszeit
Befehlszyklus
Befehls-
abruf

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

Takt-
zyklus
Operations- Operations- Operations- Operations-
Schritt Schritt Schritt Schritt
1 2 3 4
OP-Code lesen Adresse lesen Adresse lesen Akkumulator
L-Byte H-Byte zum Speicher
32 00 82 schreiben

Vor dem Befehl STA 8200 Nach Befehlsausführung

Adresse Seicher Adresse Seicher
Akkumulator Akkumulator
8100 32 8100 32
FF FF
8101 00 8101 00
PC 8102 82 PC 8102 82
8100 8103 8103 8103

8200 03 8200 FF

Bild III-121 Befehlszyklus Befehlszeit

Zeit

Anzahl der Takte

05 -->A
Zeit: MVI A,05 7 Takte
NEXT: DCR A 5 Takte
JNZ NEXT 10 Takte bei Rücksprung
(A) - 1 ->A RET sonst 7 Takte

nein
Null?

ja

RET
Bild III-122 Zählschleife
III Mikrocomputertechnik 655

erhöht sich automatisch um 1 und legt die ADR 0001
auf den Adreßbus. Der Inhalt dieser Adresse wird
von der CPU wieder über den Datenbus gelesen. Mit
der Information 3E erhält die CPU den Befehl, das
nächste Byte zum Akkumulator zu bringen. Diese
Befehlsbearbeitung erfordert eine gewisse Zeit. Das
Einlesen und Ausführen eines Befehls bezeichnet
man als Befehlszyklus (instruction cycle). Er wird in
bestimmte Zeiteinheiten mit definierten Vorgängen,
den Operationsschritten (states), aufgeteilt; jeder
Operationsschritt wiederum in mehreren Taktzyklen.
Der erste Operationszyklus ruft immer einen Befehl
auf und wird daher Befehlsabrufzyklus (Opcode
Fetch) genannt. Weitere Operationszyklen können der
Speicher-Lesevorgang (Memory Read) und der Spei-
cher-Einschreibvorgang (Memory Write) oder Ein-
/Ausgabeschnittstelle lesen oder schreiben sein.
Die Operationszyklen werden auch als Maschinenzyk-
len bezeichnet. Bild III-121 führt dies beispielhaft für
den Befehl STA 8200 an. Mit diesem Befehl wird der
Inhalt des Akkumulators zur Adresse 8200 kopiert.
6.6.2 Befehlszeiten
Die Befehlszeit (Dauer eines Befehls) ist zum einen
von der Taktdauer und zum anderen von der Anzahl
der Takte pro Befehl abhängig. Hieraus läßt sich die
Zeit, die ein Programm benötigt, berechnen.
 Beispiel: Bei einem Taktzyklus von 0,5 ms ergibt sich mit 7 +
(15 ⋅ 5) – 3 = 79 Takte eine Zeitdauer von 39,5 ms für die in
Bild III-122 (siehe Seite 134) dargestellte Zeitschleife. Soll die
Zeitschleife genau 40 ms dauern, kann ein NOP-Befehl eingefügt
werden.
7 Befehlsvorrat
Der Befehlsvorrat eines Prozessors enthält alle Befeh-
le, die er ausführen kann. Die nachfolgende Tabel-
le III-31 gibt einen Auszug aus dem Befehlsvorrat des
MC 8085 und die Anzahl der Operationszyklen an.
Tabelle III-32 informiert über den Operationscode
einiger Befehle. Assembler Flags

Tabelle III-31 Befehlsvorrat

Assembler Bedeutung Operations- Takt- Flags

zyklen zyklen
Transport-
befehle:
MOV D,S Move Data; Übertrage Daten 1 4 –
MVI K Load Data Immediate Into Register; 2 7 –
Lade Daten unmittelbar in das Register
LDA ADR Load Akku From Memory; 4 13 –
Bringe den Inhalt einer Adresse zum Akku
STA ADR Store Akkumulator From Memory;
Speichere Akkuinhalt direkt zum Speicher
LXI KK Load 16 Bit Into Register Pair;
Lade 16 Bit in ein Registerpaar
Arithmetische
und logische
Befehle:
INR D Increment Register; Inkrementiere Registerinhalt 1 4 Z,S,P,HC
DCR D Decrement Register; Dekrementiere Registerinhalt 1 4 Z,S,P,HC
ADD S Add Register; Addiere Registerinhalt zum Akku- 1 4 Z,S,P,HC
mulator
ADC S Add Register With Carry; Addiere mit Übertrag 1 4 Z,S,P,HC
SUB S Subtract Register; Subtrahiere Registerinhalt vom 1 4 Z,S,P,HC
Akkumulator
CMP Compare Register; Vergleiche Register mit Akkumula- 1 4 Z,S,P,HC
tor (der Akkumulatorinhalt ändert sich hierbei nicht)
ADI K Add Immediate; Addiere direkt zum Akkumulator 2 7 Z,S,P,Cy
656 Datentechnik

Tabelle III-31 (Fortsetzung) Assembler Operationszyklen Flags

Assembler Bedeutung Operations- Takt- Flags

zyklen zyklen
ACI K Add With Carry; Addiere mit Carry zum Akkumulator 2 7 Z,S,P,Cy
SUI K Subtract Immediate; Subtrahiere direkt zum Akkumu- 2 7 Z,S,P,Cy
lator
SBI K Subtract With Borrow; Subtrahiere direkt vom Akku- 2 7 Z,S,P,Cy
mulator mit Borger
CPI K Compare With Immediate Data; Vergleiche direkt 2 7 Z,S,P,Cy
CMA Complement With Akkumulator; Komplementbildung 1 4 -STC
STC Set Carry; Carryflag setzen 1 4 Cy
INX RP Increment; Inkrementiere Registerpaar 1 6 –
DCX RP Decrement; Dekrementiere Registerpaar 1 6 –
ANA S AND Register; UND-Verknüpfung mit Akkumulator 1 4 Z,S,P,Cy
XRA S EXCLUSIV-OR; XOR-Verknüpfung 1 4 Z,S,P,Cy
mit Akkumulator
ORA S ÔR Register; ODER-Verknüpfung mit Akkumulator 1 4 Z,S,P,Cy
ANI K UND-Verknüpfung mit Konstante 2 7 Z,S,P,Cy
XRI K XOR-Verknüpfung mit Konstante 2 7 Z,S,P,Cy
ORI K ODER-Verknüpfung mit Konstante 2 7 Z,S,P,Cy
Rotations-
befehle:
RLC Rotate Akku Left 1 4 Cy
RAL Rotate Akku Left Through Carry 1 4 Cy
RRC Rotate Akku Right 1 4 Cy
RAR Rotate Akku Right Through Carry 1 4 Cy
Sprungbefehle:
JMP ADR JUMP; direkter Sprung 3 10 –
JZ ADR Jump On Zero; Springe, wenn Z-Flag gesetzt 3 10 –
JNZ ADR Jump If Not Zero 3 10 –
JM ADR Jump On Minus; Springe, wenn S-Flag gesetzt 3 10 –
JC ADR Jump On Carry 3 10 –
JPO ADR Jump On Parity Odd; Springe bei ungerader Parität 3 10 –
JPE ADR Jump On Parity Even; Springe bei gerader Parität 3 10 –
Unterpro-
grammaufruf
und Stapel-
speicher:
CALL ADR Unterprogrammaufruf 5 18 –
RET Return, Rücksprung zum Hauptprogramm 3 10 –
III Mikrocomputertechnik 657

Tabelle III-31 (Fortsetzung) Assembler Operationszyklen Flags

Assembler Bedeutung Operations- Takt- Flags
zyklen zyklen
PUSH B BC zum Stack schreiben 3 12 –
PUSH D DE zum Stack schreiben 3 12 –
PUSH H HL zum Stack schreiben 3 12 –
PUSH PSW AF zum Stack schreiben 3 12 –
POP B BC vom Stack holen 3 10 –
POP D DE vom Stack holen 3 10 –
POP H HL vom Stack holen 3 10 –
POP PSW AF vom Stack holen 3 10 –
E/A-Befehle:
IN Eingabe zum Akkumulator 3 10 –
OUT Ausgabe vom Akkumulator 3 10 –
Interrupt-
befehle:
EI Enable Interrupts; Interrupts freigeben 1 4 –
DI Disable Interrupts; Interrupts sperren 1 4 –
SIM Set Interrupt Mask; Interruptmaske setzen 1 4 –
RIM Read Interrupt Mask; Interruptmaske lesen 1 4 –
Sonstige
Befehle:
HLT Halt 1 5 –
NOP No Operation 1 4 –

Tabelle III-32 Befehle und Operationscode (Auswahl)

A B C D E H L M
MOV A, 7F 78 79 7a 7B 7C 7D 7E
MOV B, 47 40 41 42 43 44 45 46
MOV C, 4F 48 49 4A 4B 4C 4D 7E
MOV D; 57 50 51 52 53 54 55 56
MOV E 5F 58 59 5A 5B 5C 5D 5E
MOV H; 67 60 61 62 63 64 65 66
MOV L, 6F 68 69 6A 6B 6C 6D 6E
MOV M, 77 70 71 72 73 74 75
658 Datentechnik

Tabelle III-32 (Fortsetzung)

A B C D E H L M
MVI A,K 3E XX INR A 3C DCR A 3D
MVI B,K 06 XX INR B 04 DCR B 05
MVI C,K 0E XX INR C 0C DCR C 0D
MVI D,K 16 XX INR D 15 DCR D 15
MVI E,K 1E XX INR E 1C DCR E 1D
MVI H,K 26 XX INR H 24 DCR H 25
MVI L,K 2E XX INR L 2C DCR L 2D

STA ADR 32 LDA 3A

XX XX ADR XX XX

JMP ADR C3 CALL CD

XX XX ADR XX XX
JZ ADR CA RET C9
XX XX
JNZ ADR C2
XX XX
JM ADR FA PUSH F5 POP PSW F1
XX XX PSW
PUSH B C5 POP B C1
PUSH D D5 POP D D1
PUSH H E5 POP H E1

8 Hinweise zur Programmierung Marke einen Operanden zu, und mit ORG wird die
Anfangsadresse des Programms festgelegt.
und Progammbeispiele
Größere Programme werden in überschaubare Blöcke  Beispiel 1: Für eine langsame Ausgabeeinheit wird eine Zeit-
zerlegt und in Bibliotheken als Module gespeichert. schleife benötigt. Daher soll ein Unterprogramm mit dem Namen
TIME programmiert werden. Im Hauptprogramm wird die Zeit-
Sie lassen sich dann für andere Programme nutzen. dauer in das Registerpaar BC gebracht.
Beispiele für immer wieder benötigte Module sind
Unterprogamm: TIME
Zählschleifen, Tabellenverarbeitung, Rechenpro- ORG 0100
gramme, Interruptverarbeitung und Ein- und Ausga- TIME PUSH PSW AF zum Stack „retten“
ben. PUSH B BC zum Stack „retten“
LOOP: DCX B Registerpaar BC – 1 → BC
Programme werden mit einem Textverarbeitungspro-
MOV A,B Flagbeeinflussung
gramm (Editor) geschrieben und anschließend as-
ORA C
sembliert. Der Assembler übersetzt die Mnemonik in JNZ LOOP Springe, wenn nicht Null, nach LOOP
den Maschinencode und überprüft das Programm auf POP B vom Stack zurückholen
Syntaxfehler. Weiterhin stellt das Assemblerpro- POP PSW AF vom Stack zurückholen
gramm Hilfen zur Programmierung bereit. Dazu RET Zurück zum Hauptprogramm
gehören z.B. Zuweisungen von Marken (Labels) und Eine Flagbeeinflussung muß hier vorgenommen werden, weil
Anweisungen wie ORG (Origin = Anfang) und EQU beim Inkrementieren eines Registerpaares keine Flags gesetzt
(Equate = gleichsetzen). EQU weist dem Namen der werden, also auch nicht bei Null.
IV Computertechnik 659

matisch die nächste Speicherstelle im Registerpaar. Damit zeigt

Adresse OP-Code Marke Assembler Bemerkung
das HL-Register immer auf die gewünschte Speicherstelle. Nach
0100 F5 PUSH PSW ;(AF) → Stack jedem Löschvorgang wird der Zähler um 1 vermindert und ein
0101 C5 PUSH B ;(BC) → Stack erneuter Löschvorgang durchgeführt, bis der Zähler auf Null
0102 0B LOOP: DCX B ;(BC) – 1 → BC steht.
0103 78 MOV A,B ;(B) → A
Marke Assembler Bemerkung
0104 B1 ORA C ;(C) OR (A) → A
0105 C2 02 01 JNZ LOOP ;(BC) = 0? PUSH PSW ;(AF) → Stack
0108 C1 POP B ;(Stack) → BC PUSH H ;(HL) → Stack
0109 F1 POP PSW ;(Stack) → AF SUB A ;A = 0
010A C9 RET ;zum Haupt- CLEAR: MOV M,A ;1. Stelle löschen
programm INX H ;Zeiger + 1
DCR B ;Zähler – 1
 Beispiel 2: Löschen eines Speicherbereiches JNZ CLEAR ;Ende?
Die Anzahl der zu löschenden Speicherstellen steht im Register POP H ;(Stack) → HL
B (Anzahl) und die erste zu löschende Speicherstelle im HL- POP PSW ;(Stack) → AF
Register (Zeiger). Erhöht sich das HL-Register um 1, steht auto- HLT

IV Computertechnik

1 Komponenten eines Computers
Ein Computer besteht immer aus der Hard- und der
Software. Die Software läßt sich aufteilen in Pro-
gramme, die die Zentraleinheit ausführt, und Daten,
mit denen sie arbeitet. Zur Hardware gehört die
Zentraleinheit und eine Anzahl peripherer Geräte.
Von ihrer Leistungsfähigkeit in Verbindung mit dem
Prozessortyp und der Größe des Arbeitsspeichers
hängt die Leistungsfähigkeit des gesamten Computer-
systems ab. Periphere Geräte können nach ihrer
Aufgabe eingeteilt werden in Ein- und Ausgabegeräte
wie Tastatur, Monitor, Drucker und Plotter und in
periphere Speicher wie Magnetplattenspeicher und
optische Speicher. Die Anzahl und Art der Periphe-
riegeräte hängt von der Aufgabe und vom Einsatzge-
biet des Computers ab.
In einem Personalcomputer (PC) (Bild IV-1) ist die
Zentraleinheit mit der Speichereinheit in einem
Tisch- oder Towergehäuse untergebracht. Als
Speicher für das Betriebssystem und für An-
wenderprogramme dient eine Festplatte oder ein CD-
ROM-Laufwerk. Zur Datensicherung und Datenver-
waltung werden 3,5′- und 5,25′-Laufwerke einge-
setzt. Der angeschlossene Drucker wird für die Text-
oder Grafikausgaben benutzt. Tastatur und Monitor
ermöglichen die Kommunikation zwischen Mensch
und Maschine. Die heute überwiegend grafisch orien-
tierten Anwenderprogramme vereinfachen ihre Be-
dienung mit einer Maus.
Prozeßrechner besitzen eine zusätzliche Prozeßperi-
pherie für digitale und analoge Eingangs- und Aus-
gangssignale.
2 Massenspeicher
Massenspeicher lassen sich nach ihrer Funktion in
Magnetplatten, optische Speichermedien und Halblei-
terspeicher einordnen.
2.1 Magnetplatten
2.1.1 Diskette und Diskettenlaufwerk
Die Diskette (Floppy-Disk) ist ein Speichermedium,
auf der Daten gespeichert, gelöscht und wieder über-
schrieben werden können. Sie besteht aus einer etwa
2 mm dicken Kunststoffträgerfolie, auf der beidseitig

CD-Rom-Laufwerk
Drucker Monitor
3' Disketten-Laufwerk
5 1/4'Disk-Laufwerk

Mikroprozessor und
Arbeitsspeicher

Tastatur
Mouse
Bild IV-1
Hardwarekomponenten eines Computers
660 Datentechnik

eine magnetisierbare Schicht (z.B. Eisenoxidschicht)
aufgebracht ist. Man unterscheidet Maxi-(8′), Mini-
(5,25′) und Mikro-Disketten (3,5′), wobei die beiden
letzten sich bei PC’s durchgesetzt haben. Die Grö-
ßenangabe bezieht sich auf den Durchmesser der
Diskettenscheibe, die fest in einer rechteckförmigen
Kunststoffhülle mit ausgekleideten Vliesinnenseiten
eingeschlossen ist. Dort ist sie gegen kleinste Ver-
schmutzungen (Staub, Fingerabdrücke), die zum
Datenverlust führen können, geschützt. Da Disketten
unter dem Einfluß magnetischer Felder ebenfalls ihre
Daten verlieren, dürfen sie solchen Feldern nicht
ausgesetzt werden. Einmal beschriebene Disketten
können vor einem erneuten Beschreiben, und damit
vor einem eventuellen Datenverlust, dadurch ge-
schützt werden, daß die Schreibschutzkerbe bei
den 5,25′-Disketten mit einem lichtundurchlässigen
Klebestreifen versehen wird. Die 3,5′-Disketten
besitzen einen Schieber, mit dem man die Schreib-
schutzöffnung schließen kann (Bild IV-2).
Disketten erhalten erst ihre Funktion, wenn sie vom
Rechner durch ein Programm formatiert wurden.
Beschriftungsfeld-
feld
Vlies
Schreibschutz
Diskette
Bild IV-2 3,5′- Diskette
Bild IV-3
Spur 0 Sektor Diskettenscheibe
Durch die Formatierung wird die Diskette in konzen-
trische Spuren (Traks) und radiale Sektoren aufgeteilt
(Bild IV-3). Beispielsweise kann eine Diskettenseite
80 Spuren mit 18 Sektoren besitzen.
Auf den Spuren der einzelnen Sektoren befinden sich
nach einem Speichervorgang die entsprechenden
Daten, die dort in Datenblöcken zusammengefaßt
werden. Außer dem Datenblock enthält ein Sektor
eine Sektorerkennung, eine Erkennungs- und eine
Datenblocklücke. In der Sektorerkennung befinden
sich Sektor- und Spurnummer (Bild IV-4). Liegt in
Spur 0 ein Verzeichnis der Datennamen mit Zuord-
nung von Sektoradresse und Spurnummer, kann die
gewünschte Information schnell ausgelesen werden.
Die Speicherkapazität einer Diskette ist von der
Formatierung abhängig. Beispielsweise ergibt sich
bei der oben genannten Diskette bei 512 Byte/Sektor
und zwei Aufzeichnungsseiten eine Kapazität von
1440 kByte.
Zur Kennzeichnung des Sektors 0 dient ein Indexloch
oder ein Erkennungsbyte. Die sich ergebenen Daten-
blöcke sind fortlaufend nummeriert. Auf jeder Spur
innerhalb eines Sektors kann eine bestimmte Anzahl
Daten, z. B. 256 oder 512 Byte gespeichert werden.
Dies ist jeweils abhängig von der Spurdichte. Je mehr
Spuren sich auf der Diskette befinden, desto mehr
Daten kann sie aufnehmen. Die Spurdichte wird mit
TPI (Tracks Per Inch = Spuren pro Zoll) angegeben
und die Aufzeichnungsdichte in BPI (Bits per Inch).
Man spricht auch von FCI (Flux Changes per Inch =
Flußwechsel pro Zoll). Da die inneren Spuren einen
geringeren Umfang besitzen, sind sie die Basis für
die Anzahl der Daten. Die mittleren Zugriffszeiten
bei Disketten betragen 100 bis 200 ms. Die übliche
Speicherkapazität beträgt heute 1,44 MByte. Stand-
artlaufwerke verwenden beide Seiten der Diskette
und besitzen daher zwei Schreib- und Leseköpfe
(Kombiköpfe). Ist ein PC mit mehreren Laufwerken
ausgestattet, hat das Erstlaufwerk den Namen A und
das Zweitlaufwerk den Namen B. Der Name C ist in
der Regel der Festplatte vorbehalten. Das Prinzip der
Aufzeichnung und das Lesen von Daten zeigt
Bild IV-5. Beim Speichern der Daten erzeugt ein
Schreibstrom im Schreib- und Lesemagnetkopf ein
Magnetfeld, das im Luftspaltbereich des Kopfes auf
der Diskette eine Magnetisierung bewirkt. Beim
Lesen entsteht in der Kopfwicklung durch magneti-
sche Induktion eine Spannung, die von der Magneti-
sierung (Ausrichtung der Molekularmagnete) der
Diskette abhängt.

Sektorerkennung
Spur Spur Sektor Kopf Erkennungs- Datenfeld Datenblock-
Nr. Nr. Nr. Lücke Lücke
Sektor

Bild IV-4 Spurformat

IV Computertechnik 661

Schreibstrom Lesespannung

Magnetschicht
Trägermaterial
Bewegung

Kombikopf
Schreibstrom

oder

Luftspalt Lesespannung

Magnetschicht Bewegung
Bild IV-5
Diskettenscheibe
Schreib-Lesekopf

Bild IV-6 verdeutlicht den Zusammenhang zwischen
Daten, Schreibstrom und Magnetisierung und zeigt
mögliche Codierungsverfahren auf. Beim FM-
Verfahren (Frequency Modulation = Frequenzmodu-
lationsverfahren) werden den Datenbits Synchronisa-
tionsbits zugefügt. Ein Datenbit „1“ erhält hierbei die
Codierung „1,1“ und ein Datenbit „0“ die Codierung
„1,0“. Bei MFM-Verfahren (Modified FM) wird nur
ein Synchronisationsbit auf die Diskette gebracht,
wenn eine „0“ als Datenbit vorausging. Weil dieses
Verfahren weniger Flußwechsel benötigt, erhöht sich
die mögliche Speicherkapazität.

Prinzip

Daten 1 1 0 0 1 0 1 1

Schreibstrom 1 1 0 0 1 0 1 1

Magnetisierung
Flußwechsel

FM-Verfahren

Takt

Daten 1 1 0 0 1 0 1 1
Synchronisation

Schreibstrom

Magnetisierung

MFM-Verfahren

Takt

Daten 1 1 0 0 1 0 1 1
Synchronisation

Schreibstrom

Magnetisierung
Bild IV-6
Codierungsverfahren
662 Datentechnik

Das Diskettenlaufwerk wird über den Floppy-Disk-
Controler von der CPU angesteuert. Der Antriebsmotor
läßt die Diskette 300 mal in der Sekunde rotieren und
die Schrittmotorsteuerung bringt die Köpfe in die rich-
tige Positon auf der Diskette. Ferner erhält der FDC
Signale für die Spur 0- und Schreibschutzerkennung.
Beim Schreibvorgang wandelt der Controler die
eingehenden zu speichernden parallelen Daten in
einen seriellen Datenstrom um und steuert über einen
Schreibverstärker den Schreib-Lesemagnetkopf an.
Bild IV-7 zeigt das Prinzip eines Diskettenlaufwerks
mit Controler.
Beim Lesen von der Diskette wird jeder Flußwechsel
vom Lesekopf aufgenommen und als Wechselpannung
einem nachfolgenden Schreibverstärker zugeführt.
Hochfrequente Störspannungen werden vorher über ein
Filter (Tiefpaß) ausgesiebt. Über eine Differenzierstufe
und nachfolgenden Komparator wird das Lesesignal in
eine gewünschte digitale Form gebracht, um hier je
nach Codierungsverfahren dem FDC die decodierten
Daten zur Verfügung zu stellen (Bild IV-8). Dort wird
der serielle Datenstrom dann wieder in das parallele
Format gebracht. Die entsprechenden Signale der
einzelnen Blöcke sind mit dargestellt.
Bild IV-9 zeigt beispielhaft einen Floppy-Disk-
Controler, in dem sich alle notwendigen Funktions-
einheiten befinden, mit seiner 34poligen Steckerleiste
und dem Anschluß an das Bussystem.

Schreib/Lesekopf
Diskette
Adresse
Schrittmotor
Motor

Schreibschutz Spur 0
Floppy-
Daten Disk-

Controller Motorsteuerung

Leseverstärker
Steuerung
Schreibverstärker Bild IV-7
Diskettenlaufwerk mit Controler

Diskette
Schreib/Lesekopf

Daten-
Daten regene- Komparator Differenzierer Verstärker Filter
rierung

Magnetisierung

Lesespannung t

Differenzierer t

Komparator t

Digitalspannung
t Bild IV-8
Daten
Aufbereitung der
1 1 0 0 1 0 1 1
Diskettendaten
IV Computertechnik 663

A0..A15
82077AA
A0 DENSL 2 1
A1 no 4 3
A2 no 6 5
INDEX 8 7
D0..D7 MEA 10 9
OSB 12 11
TC OSA 14 13
DACK MEB 16 15
DRQ DIR 18 17 GND
INT STEP 20 19
WR WDATA 22 21
RD WE 24 23
RESET WAK00 26 25
13 WP 28 27
RDATA 30 29
HDSEL 32 31
CS 34 33
Adreß- DSKCD Bild IV-9
A9..A15
Decoder
Floppy-Disk-Controler
mit Anschlüssen

Der Baustein selbst wird wie ein E/A-Baustein über
eine Adresse angesprochen. Vorgänger des 82077AA
sind die Controler 8272 und NEC765A.
2.1.2 Festplatte und Festplattenlaufwerk
Die Funktion der Festplatte beruht wie bei den Dis-
ketten auf der Magnetisierung einer Oberfäche. Das
Trägermaterial von Festplatten ist Aluminium, auf
der eine sehr dünne magnetisierbare Schicht (z.B.
Eisenoxid) aufgebracht ist. Um die Speicherkapazität
zu erhöhen, sind mehrere Platten übereinander (Bild
IV-10) auf einer gemeinsamen Achse angebracht. Die
Platte selbst ist – wie bei den Disketten auch – in kon-
zentrische Spuren und radiale Sektoren aufgeteilt.
Die Platten rotieren im Gegensatz zu den Disketten
ständig mit Geschwindigkeiten ab 5200 Umdrehun-
gen pro Minute. Da sich bei den hohen Rotations-
geschwindigkeiten zwischen Plattenoberfläche und
Kopf ein Luftpolster bildet, können sich Kopf und
Platte nie berühren. Der Kopf „fliegt“ somit über die
Platte. Zum Starten und Landen des Kopfes dient eine
nicht zum Speicherbereich gehörende Randzone, die
sogenannte landing zone. Beim Ausschalten des
Rechners erfolgt das korrekte Landen („Parken“)
automatisch. Floppy-Disk-Computer
Festplatten sind stoßempfindlich. Ein Berühren der
Platte durch die Köpfe (Headcrash) führt zu deren
Zerstörung.

Achse

Platten
mit Magnetschicht

Linearmotor
Motor
Daten Bild IV-10
Schreib/leseköpfe Prinzip des Festplattenlaufwerks

Sektor

Interleave 1
Interleave 2

1 7 13 2 8 14 3 9 15 4 10 16 5 11 17 6 12
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17

Bild IV-11 Interleave-Faktor

664
Der Vorteil der Festplatten gegenüber Diskettenlauf-
werken liegt in der Geschwindigkeit (mittlere Zugriffs-
zeit 10 ms) und in der wesentlich höheren Speicher-
kapazität (2 GByte und mehr). Unter Zugriffszeit
versteht man die Zeit, die der Schreib-Lesekopf benö-
tigt, um zur gewünschten Spur (Einstellzeit) und dem
gewünschten Sektor (Latenzzeit) zu kommen.
Durch die Formatierung werden Datenspuren in
konzentrischen Kreisen eingerichtet und festgelegt,
wo Sektoren und Zylinder auf der Platte liegen. Je
dichter die Spuren nebeneinander verlaufen, desto
größer ist die mögliche Speicherkapazität. Die genau
übereinander liegenden Spuren eines Plattenstapels
nennt man Zylinder. Die Zylinder sind jeweils wieder
in kleinere Speichereinheiten (Sektoren) aufgeteilt.
Die Anzahl der Sektoren ist auf allen Spuren gleich.
Die größte Datendichte liegt somit auf der innersten
Spur. Da auf der äußeren Spur die gleiche Datenin-
formation liegt, ist die Datendichte hier geringer.
Ausnahmen bilden Platten mit Zone-Bit-Recording,
wo die inneren Spuren weniger Sektoren als die
äußeren enthalten und somit die Platzverschwendung
auf den äußeren Sektoren entfällt. Der Controler
speichert zusätzlich Kontrolldaten, um die Position
der Magnetköpfe zu bestimmen.
Bei den Vorgängertypen war die Geschwindigkeit der
Festplatten größer als der mögliche Rechnerzugriff.
Die Spur eines Sektors konnte nicht bei jeder Umdre-
hung der Festplatte, sondern erst bei der zweiten oder
dritten Umdrehung gelesen werden. Ein Interleave-
Faktor paßte die Umdrehungsgeschwindigkeit der
Festplatte an die Geschwindigkeit des Prozessors
bzw. an die Geschwindigkeit an, mit welcher der
Controler Daten von oder zur Festplatte übertragen
kann. Bild IV-11 vergleicht die Sektorenfolge der
Festplatte mit einem Interleave-Faktor 3 und eine mit
dem Interleave-Faktor 1.
Die Festplatte selbst kann in mehrere logische Lauf-
werke unterteilt (partioniert) werden, die dann vom
Betriebssystem jeweils als eigenständige physikali-
sche Laufwerke behandelt werden. Wechselplatten
sind nicht fest installiert. Sie können problemlos
ausgewechselt und transportiert werden.
2.1.3 Magnetbandgeräte
Magnetbandgeräte (Streamer) dienen zur Aufnahme
und Sicherung großer Datenmengen. Die Aufzeich-
nung der Daten erfolgt durch die Magnetisierung
einer dünnen Eisenoxidschicht, die sich auf einer
Trägefolie befindet. Ein unmittelbarer freier Zugriff
auf bestimmte Daten ist nicht möglich.
2.2 CD-ROM- und CD-Laufwerk
Das CD-Laufwerk (CD = Compact Disc) gehört heute
zur Grundausstattung eines PC-Systems. Die CD zählt
zu den optischen Speichern, bei denen zwischen CD-
WROM (Write Once Read Multiple, kann einmal
beschrieben werden) und CD-ROM unterschieden
wird. Ihr Vorteil gegenüber Festplatten liegt in der
Datentechnik
sehr hohen Speicherkapazität (über 500 MByte) und
den relativ kurzen Zugriffszeiten (unter 1ms). Die
Datenspur liegt spiralförmig auf der CD vor und wird
von innen nach außen gelesen. Die Daten der Stand-
art CD sind in Tabelle IV-1 zusammengefaßt.
Tabelle IV-1 Standart CD
Durchmesser: 120 mm
Drehzahl: 200 – 530 min–1
Abtastrichtung: von innen nach außen
Abtastgeschwindigkeit: konstant
Spurbreite: 0,6 mm
Abstand benachbarter 1 mm
Spurabschnitte:
CD
Lasereinheit
Motor Daten-
verarbeitung
Servo-
Steuerung
Bild IV-12 Prinzip eines CD-Laufwerkes
Bild IV-12 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines CD-
Laufwerkes. Die Motordrehzahl ist zwischen der
Innenabtastung und der Außenabtastung variabel,
weil beim Lesen der CD ein konstanter Datenstrom
erzeugt werden muß. Gegenüber Single-Speed-Lauf-
werken mit Datenübertragungsraten von 150 KByte
pro Secunde ist der Faktor heutiger Laufwerke 20 und
mehr. Die Servosteuerung sorgt für eine gezielte
Führung der Abtasteinheit (Focus und Spurhaltung)
über die Datenspur.
Die digitalen Informationen auf der CD sind durch
Vertiefungen auf der spiralförmig angeordneten Spur
eingeprägt. Die Vertiefungen heißen Pits und die
Stege dazwischen bezeichnet man mit Land. Der
Wechsel zwischen Land und Pit wird beim Lesen der
Daten von innen nach außen als „1“ interpretiert
(Bild IV-13). Hierbei wird die Spur durch den gebün-
delten Laserstrahl abgetastet. Trifft der Laserstrahl auf
ein Pit, erfolgt eine Reflektion, die im Idealfall zur
Absorbtion des Lichtes führt. Trifft er auf keine Ver-
tiefung, dann wird der Strahl voll reflektiert.
Bild IV-14 verdeutlicht das Leseprinzip. Eine Laser-
diode sendet das Laserlicht durch einen halbdurchläs-
sigen Spiegel, einen Strahlteiler und eine Focussier-
linse auf die Reflexionsschicht der CD. Das reflek-
tierte Licht gelangt über den Strahlteiler auf den
Lesedetektor. Der Lesedetektor besteht aus Foto-
dioden, die aus dem gewonnenen elektrischen Signal
die Daten zur Verarbeitung weitergeben und Signale
für die Servosteuerung gewinnen.
IV Computertechnik 665

CD und Digitalsignal Reflektion des Laserlichtes

Reflexionsschicht

Schutzschicht

Land Pit

1001 01 0001 001

Information

Bild IV-13 Signale und Reflexion des Laserlichtes

CD 3 Eingabegeräte
3.1 Tastatur
Focussierlinse Zur Eingabe von Zeichen und Befehlen wird in PC-
Systemen die Tastatur (Keyboard) verwendet. Bei
den Tastenelementen selbst sind unterschiedliche
Strahlteiler
Tastenarten und Anordnungen gebräuchlich. Die
deutsche Tastatur hat die sogenannte QWERTZ-
Lesedetektor Anordnung mit Funktions- und Cursortasten und
Objektiv
Nummernblock. Bei der internationalen Anordnung
sind Z mit Y vertauscht (QWERTY-Anordnung).
Die Tastatur besteht aus einer Tastaturmatrix, einem
Laser Mikrokontroller und einem Puffer-Speicher für die
seriellen Daten, die der Tastaturschnittstelle (Tasta-
Bild IV-14 Leseprinzip tur-Interface) auf dem Motherboard zur Verfügung
gestellt werden. Bild IV-15 zeigt das Blockschaltbild.

Tastaturkomponenten

Tastatur-Puffer
Tastatur- Tastatur-
Matrix Controller
Takt
Reset
3 1
5 4
–5V

2
Tastatur- Serielle Daten
Decoder

Tastatur-Interface

Mikro- Datenbus
zur Tastatur
D0..D7
Controller
Reset RC
Takt A20
Serielle Daten INT
Bild IV-15
Tastaturinterface
Schlüsselschalter und -komponenten
666
Erzeugung des
Paritätsbit
Taste
Q
W
E
R
Z
7 6 5 4 3 2
2 2 2 2 2 2
Strobe Daten
Die Funktion der Tastenmatrix ist aus Bild IV-16
ersichtlich. Die Tastatur erzeugt aus einem Tasten-
druck ein Bitmuster (Scan-Code = Zuordnung zur
Tastennummer). Tastaturmatrix
Der Tastatur-Controler (Beispiel 8048) wertet hierbei
die Eingabe der Tastatur aus. Unterschieden wird
zwischen dem Drücken der Taste („Make“-Codes)
und dem Loslassen der Taste („Break“-Codes). Die
beiden Codes unterscheiden sich nur durch das
höchstwertigte Bit. Wird eine Taste gedrückt und
nach bestimmter Zeit (z.B. 0,5 s) nicht losgelassen,
sendet der Tastatur-Controler fortlaufend den glei-
chen Tastencode (Autorepeat-Funktion). Mit Hilfe
des erzeugten Taktes durch den Mikrocontroler
werden die Daten seriell zum Tastatatur-Interface ge-
schrieben. Dort werden die seriellen Daten von einem
weiteren Mikrocontroler (z.B. 8042) empfangen und
in parallele Daten umgesetzt, die dann der CPU zur
Verfügung gestellt werden. Die Zuordnung der Scan-
Codes zu den ASCII-Werten kann mit Hilfe eines
Tastaturtreibers, z.B. KEYBGR.COM, selbst defi-
niert werden. Die Übertragung zur CPU wird durch
INT (Interrupt 1) ausgelöst.
3.2 Maus
Text- und Grafik-Software verwenden einen Cursor
(z.B. kurze blinkende Linie oder Lichtmarke ver-
schiedener Form), um an die Stelle des Bildschirms
zu zeigen, an der das nachfolgende Zeichen entsteht.
Der Cursor kann sowohl mit Hilfe der Cursortasten
als auch mit der Maus bewegt werden. Die Mause-
Software bewegt den Cursor auf dem Bildschirm
genau in die Richtung, in der die Maus bewegt wird.
Hierbei wird die Maus zu einer wichtigen Eingabe-
einheit. Installiert wird sie durch die entsprechenden
Maustreiber. Auf dem Markt existieren unterschiedli-
che Maustypen, z.B. mit zwei oder drei Tasten. Bei
beiden ist wesentliches Element die Rollkugel. X-
und Y-Richtung und Status der Maustasten wird an
die serielle Schnittstelle weitergegeben.
Datentechnik
1 0
2 2
Bild IV-16
Prinzip: Tastaturmatrix
4 Ausgabegeräte
4.1 Datensichtgeräte
Datensichtgeräte dienen zur Wiedergabe alphanume-
rischer und grafischer Informationen.
4.1.1 Monitor
Nach Bild IV-17 besteht der Monitor aus einer Bild-
röhre und aus Schaltungen für die Hochspannungs-
erzeugung, Strahlstromablenkung (Ablenkeinheit),
Synchronisierung und Signalverstärkung (Videover-
stärker). Angesteuert wird der Monitor vom Videoin-
terface (Grafikkarte) mit dem Videosignal und der Syn-
chronisation. Das Videosignal ist das eigentliche Bild-
signal und die Synchronisationssignale dienen dazu,
ein stehendes Bild auf dem Monitor zu erzeugen.
Würde der Einsetzpunkt des Bildes nicht immer an
derselben Stelle liegen, hat man den Eindruck, das
Bild würde „durchlaufen“. Die zur Monitoransteue-
rung notwendigen Daten befinden sich im Bild-
schirmspeicher, der Teil des Arbeitsspeichers ist oder
im Video-RAM auf der Grafikkarte. Die Bildröhre
selbst (Kathodenstrahlröhre) besteht aus einem
Strahlerzeugersystem (Katode) und dem Bildschirm.
Die von der Kathode austretenden Elektronen tref-
fen durch Hochspannung beschleunigt auf dem
Bildschirm auf und erzeugen hier einen sichtbaren
Punkt, dessen Farbe bei monochromen (einfarbigen)
Bildschirmen von der Leuchtschicht (weiß, grün,
bernstein) des Bildschirmes abhängt. Zur Hellig-
keitseinstellung dient ein Einsteller, der von außen
zugänglich ist und den Strahlstrom durch Potential-
änderung zwischen Kathode und Steuergitter (Weh-
neltzylinder) beeinflußt. Das Steuergitter ist die
Elektrode in der Bildröhre, die sich unmittelbar hinter
der Katode befindet. Um ein einwandfrei scharfes
Bild zu erhalten, muß der Elektronenstrahl gebündelt
den Bildschirm erreichen. Dies wird durch ein elekt-
rostatisches Feld erreicht, das wie eine Elektro-
nenoptik wirkt. Eine Einstellmöglichkeit bietet der
FOCUS-(Schärfe-) Einsteller.
IV Computertechnik
Eingangs-
Schaltung
Kontrast
Bildhöhe
Bildkipp-Endstufe
Bildkipposzillator
Vertikal- Bildfrequenz
Synchronisation
Horizontal-
Synchronisation
Zeilenoszillator
Zeilenendstufe
Zeilenfrequenz
Bild IV-17 Blockbild eines Monitors
Da der Elektronenstrahl das Bild zeilenweise erstellt,
wird eine Ablenkschaltung benötigt, die den Elektro-
nenstrahl durch Magnetfelder entsprechend ablenkt.
Hierzu dienen die Horizontal- und Vertikalablenkspu-
lenpaare (Ablenkeinheit).
Um eine gleichmäßige Ablenkung von links nach
rechts zu erhalten, wird den Horizontalablenkspulen
ein sägezahnförmiger Strom zugeführt. Während des
Rücklaufs (von rechts nach links) wird der Elektro-
nenstrahl dunkel getastet. Die Anzahl der hori-
zontalen Abtastungen pro Sekunde ergibt die Zei-
len- oder Horizontalfrequenz, die bei den einzelnen
Herstellern unterschiedlich ist (z.B. 30 ... 80 kHz bei
14′ Monitoren). Die lineare Ablenkung des Elektro-
nenstrahls von oben nach unten bewirken die Verti-
kalablenkspulen. Bild IV-18 zeigt den Zusammen-
hang zwischen vertikaler und horizontaler Ab-
lenkung. Die Amplitude der Bildablenkspannung ist
für die Bildhöhe verantwortlich. Häufig ist hierfür ein
Einsteller von außen zugänglich.
IV
Vertikalablenkung
Zeilenhinlauf
Zeilenrücklauf
Bild IV-18 Vertikale und horizontale Ablenkung
667
Ablenkeinheit
Bildröhre
Video-
Verstärker
und
Helligkeit
Schärfe
und
Hochspannungs-
Erzeugung
Zur Darstellung eines flimmerfreien Bildes müssen
bei der Negativdarstellung (helle Zeichen auf dunk-
lem Grund) mindestens 50 Bilder pro Sekunde ge-
schrieben werden. Dies ergibt eine Bildwiederholfre-
quenz von 50 Hz. Die Positivdarstellung (dunkle
Zeichen auf hellem Grund) erfordert mindestens
70 Hz. Die meisten Monitore arbeiten heute mit
Bildfrequenzen zwischen 60 und 120 Hz. Eine Mög-
lichkeit, Flimmern zu reduzieren, ist das Verschach-
teln zweier Halbbilder nach dem Zeilensprungverfah-
ren (interlaced), wie das bei Fernsehgeräten der Fall
ist. Hierbei werden zunächst die ungeraden und dann
die geraden Zeilen geschrieben (Bild IV-19). Der
Rücklauf ist immer unsichtbar. Bei 25 Halbbildern in
der Sekunde wird beispielsweise eine Bildfrequenz
von 50 Hz vorgetäuscht (Trägheit der Augen).
1
2
3
4
6
5
7
8
Vorlauf
Rücklauf
Bild IV-19 Zeilensprungverfahren
Der Farbmonitor besitzt eine in-line-Röhre mit drei
t Elektronenerzeugungssystemen jeweils für die
Grundfarben Rot (R), Grün (G) und Blau (B), mit der
die entsprechenden Farbstreifen angeregt werden
(Bild IV-20).
Um eine gute Farbwiedergabe zu erhalten, müssen
die Elektronenstrahlen ihre zugeordneten Farbstreifen
668 Datentechnik

Röntgenverordnung existiert, gibt es für elektrostati-

Ablenkeinheit
sche und magnetische Felder nur die allgemeinen
Farbreinheitmagnet Vorschriften VDE 0848. Die heutigen Monitore
Konvergenzmagnete genügen alle der schwedischen MPR-Norm (Statens
mät-och prorad), die jeweils Höchstwerte an der
Bildschirmoberfläche vorschreiben. Sie können als
strahlungsarm eingestuft werden.
Monitor und Grafikarte müssen aufeinander abge-
stimmt sein, da die Karten mit unterschiedlichen
Zeilen- und Bildfrequenzen angeboten werden. Der
Elektronenstrahl Multiscan-Monitor dagegen ist in der Lage, die
Signale aller gängigen Grafikkarten zu verarbeiten,
Fixierungsringe
weil er das Bild automatisch nach den angebotenen
Frequenzen einstellt (Bildfrequenzen 50 ... 90 Hz,
Zeilenfrequenzen 15 ... 45 kHz).
Lochmaske
Das Videointerface (Bild IV-21) überträgt Daten zum
Monitor. Die Grafikkarte besteht im Prinzip aus
R G B einem Zeichengenerator, der alle Zeichen, die auf
Elektronenstrahlsysteme dem Bildschirm dargestellt werden können, enthält,
und aus einem Bildspeicher, in dem der gesamte
Bildschirminhalt abgelegt ist. Der Bildspeicher wird
dann z.B. 60 mal in der Sekunde abgefragt und zur
Anzeige gebracht. In kürzester Zeit haben sich immer
bessere Grafikstandarts herausgebildet. Tabelle IV-2
Lochmaske
gibt einen Überblick über die Entwicklung von
Grafikkarten. EGA-Karten können beispielsweise
maximal 16 aus 64 Farben darstellen, während im
VGA-Standart 256 Farben dargestellt werden kön-
nen. Weitere Unterschiede liegen in der Signal-
BGR übergabe zum Monitor. Während EGA mit digitalen
Farbstreifen Signalen arbeitet, werden bei den heute üblichen
Bild IV-20 Farbbildröhre und Inlineprinzip VGA- oder SVGA-Karten analoge Signale über-
tragen.

durch den gemeinsamen Schnittpunkt der Schlitzmaske

Tabelle IV-2 Grafikkarten (Entwicklung)
treffen (Konvergenz). Mit Hilfe von Dauermagneten,
die um den Röhrenhals angeordnet sind, kann eine
eventuell notwendige Nachjustierung erfolgen. Karte Format/Bildpunkte Anzahl Bild-/
Bei der Trinitron-Farbbildröhre besteht die Gittermas- der Zeilen-
ke aus senkrecht angeordneten Metallstreifen. Zur Sta- Farben frequenz
bilität können zusätzlich zwei Streifen waagerecht ein-
Hercules 768 ⋅ 320 – 50/18430
gezogen sein. Das Elektronenerzeugersystem besteht
aus drei Kathoden. Im Gegensatz zur In-line-Röhre CGA 320 ⋅ 200 4 60/15750
sind alle anderen Elektroden nur einmal vorhanden.
Das Verhältnis von Breite zur Höhe ist bei allen EGA 640 ⋅ 350 16 60/21850
Standartmonitoren 4 : 3. Damit reicht die Bildschirm-
diagonale zur Angabe über die Monitorgröße aus. VGA 640 ⋅ 480 (800 ⋅ 600) 256 70/18750
Die Zahl der vertikal und horizontal ansprechbaren
Bildpunkte (Pixel) gibt die Auflösung an. Eine Anga-
be von 1024 × 768 bedeutet, daß horizontal 1024 und Bei Grafikkarten wird nach zwei grundsätzlichen
vertikal 786 Pixel dargestellt werden. Den Abstand Betriebsarten, dem Text- und dem Grafikmodus,
benachbarter Bildmittelpunkte bezeichnet man als unterschieden. Im Text- oder Alphamodus liegt die
Dot Pitch. Bildinformation zeichenorientiert im ASCII-Code mit
Die vom Videointerface gelieferten Signale (wenige einem zusätzlichen Attributbyte vor. Das Attribut
Volt) müssen noch verstärkt werden, um die Bildröh- bestimmt z.B. die Farbe des ASCII-Zeichens. Aufge-
re aussteuern zu können. Die Amplitude des Signals teilt wird der Bildschirm nach Textzeilen und Text-
ist mit dem Kontrasteinsteller veränderbar. spalten (Bild IV-22), z.B. in 80 Zeichen pro Zeile und
Monitore erzeugen Röntgenstrahlen und elektromag- 25 Zeilen. Hierzu ist eine relativ große Videoband-
netische Felder. Während für Röntgenstrahlen eine breite erforderlich.
IV Computertechnik
Prozessor Video-Controller
Adreßbus
Datenbus
ASCII
Bildschirm-
Zeichen-Generator
speicher
1 80
1 Zeilen
25
Spalten
Bild IV-22 Darstellung im Textmodus
4.1.2 LCD-Bildschirm
Neben dem Monitor, der mit einer Bildröhre bestückt
ist, sind LCD-Bildschirme im Einsatz. Sie sind als
Flachbildschirme aufgebaut und benötigen weniger
Platz. Ein weiterer Vorteil ist der geringere Strom-
verbrauch. Als Nachteile sind Kontrastarmut, vor
allem bei Fremdlichteinwirkung, Temperaturabhän-
gigkeit und Trägheit zu nennen.
4.2 Drucker
Drucker (Printer) ermöglichen die Ausgabe alphanu-
merischer Zeichen für die Textverarbeitung und sind
in der Lage, Diagramme und Zeichnungen zu erstel-
len. Im wesentlichen unterscheidet man heute Typen-
rad-, Nadel-, Tintenstrahl- und Laserdrucker.
4.2.1 Typenraddrucker Videointerface
Typenraddrucker waren die ersten eingesetzten
Drucker in Verbindung mit Computersystemen. Sie
arbeiten nach dem Prinzip der Typenradschreibma-
669
Videosignal
Zeilen-Synchronisation
Monitor
Bild-Synchronisation
Matrixcode
Bild IV-21
Videointerface
schine und erzeugen ein ausgezeichnetes Schriftbild.
Nachteile sind die geringe Druckergeschwindigkeit
und die Unfähigkeit, Grafiken zu drucken. Ein weite-
rer Nachteil ist die Notwendigkeit, das Typenrad zu
wechseln, wenn unterschiedliche Schriftarten in
einem Schreiben verwendet werden sollen.
4.2.2 Matrixdrucker
Sehr weite Verbreitung haben die Nadel- oder Mat-
rixdrucker gefunden, weil sie relativ preiswert sind.
Die Zeichen werden durch ein Punktraster dargestellt.
Die Steuerung erfolgt über Nadeln des Druckkopfes.
Üblich sind 9- bzw. 24-Nadeldrucker. Matrixdrucker
sind relativ schnell, grafik- und farbfähig. Als Nach-
teil kann das etwas höhere Arbeitsgeräusch empfun-
den werden
4.2.3 Tintenstrahlrucker
Durch sehr kleine Düsen wird Tinte auf das Blatt
gebracht. Bei den Vorgängertypen trockneten häufig
diese Düsen ein, wenn der Drucker wenig im Ge-
bauch war. Tintenstrahldrucker wurden in letzter Zeit
durch unterschiedliche technische Verfahren wesent-
lich verbessert. Sie arbeiten sehr leise und sind farb-
und grafikfähig.
4.2.4 Laserdrucker
Das Drucksystem eines Laserdruckers kann mit dem
Prinzip eines Fotokopierers verglichen werden. Die
Druckgeschwindigkeit ist sehr groß und das Druck-
bild hervorragend.
670
V Programmiertechnik
Aufgabe der Programmiertechnik ist es, Verfahren
bereitzustellen oder zu entwickeln, mit deren Hilfe
die Eigenschaften programmierbarer Geräte verändert
werden können. Voraussetzung dafür ist, daß diese
Geräte über einen Befehlsvorrat sowie über die Frei-
heit verfügen, die Auswahl und die Reihenfolge der
auszuführenden Befehle zu variieren. Die genannten
„Geräte“ beinhalten in der Regel mindestens einen
Prozessor oder Controler.
Während eine SPS eindeutig programmierbar ist, er-
scheint eine Waschmaschine, obwohl sie einen Con-
troler enthält, nur auf den ersten Blick programmier-
bar: über den Programmwahlschalter wählt der Be-
nutzer aus fertigen, von ihm nicht veränderbaren
Abläufen einen aus. Seine „Programmierung“ bezieht
sich auf die Auswahl der berücksichtigten Daten (Art
der Wäsche, Temperatur ...). Da diese Daten (oder
Parameter) dem Gerät keine grundsätzlich neuen
Eigenschaften verleihen, nennt man diese Vorgang
nicht Programmieren sondern Parametrieren.
1 Programmiersprachen
Der Begriff Programmiersprache entstammt der
Analogie mit der menschlichen Sprache. Hier wie
dort gibt es die Vokabeln (Befehle) und die Gramma-
tik (Regeln).
Dem Programmierstil der Pionierzeit lag keine „Spra-
che“ in diesem Sinne zugrunde, denn es fehlten die
„Vokabeln“, die Begriffe, die synonym für bestimmte
Inhalte (Befehle) standen. So war die Programmie-
rung dadurch gekennzeichnet, daß jedes einzelne Bit
im Speicher per Hand (Schalter) gesetzt bzw. ge-
löscht werden mußte. Unter einer höheren Program-
miersprache ist im Folgenden zu verstehen, daß ein
Befehl in eben dieser Sprache mehrere Maschinenbe-
fehle zu seiner Umsetzung benötigt.
In PASCAL lautet z.B. die Anweisung zur Addition
zweier Variablen-Werte :
U_Gesamt := U_R1 + U_R2 ;
In Z80-Assembler sind für den (prinzipiell) gleichen
Vorgang die folgenden Anweisungen nötig:
Vorplanung der Registerbelegung:
HL = Adresse des 1. Operanden
(HL + 1) = Adresse des 2. Operanden
(HL + 3) = Adresse des Ergebnisses
A = Rechenregister
B = Hilfsregister
LD HL, 8000 ; Adresse des 1. Operanden in das
HL-Register
LD A, (HL); Lade das A-Register mit
dem 1. Operanden
INC HL ; erhöhe den Inhalt des HL-Registers
um 1
Datentechnik
LD B, (HL) ; Lade das B-Register mit dem 2.
Operanden
ADD B ; Addiere den Inhalt des B-Registers
zum Inhalt des A-Registers (das Er-
gebnis verbleibt im A-Register)
INC HL ; erhöhe den Inhalt des HL-Registers
um 1
LD (HL), A ; lade die Speicheradresse, auf die
das HL-Register zeigt,
; mit dem Ergebnis
Aus der Verwendung einer höheren Programmier-
sprache resultiert daher eine bessere Übertragbarkeit
(Portierung) auf andere Rechnersysteme sowie eine
effizientere Programmierung; allerdings steigt der
Speicherbedarf teilweise drastisch an.
Guter Programmierstil ist nur sehr bedingt von der
verwendeten Programmiersprache abhängig. Mit der
nötigen Disziplin und Sorgfalt läßt sich auch mit
Sprachen, die nicht modular angelegt sind, sauber
arbeiten. Es folgt daher eine unvollständige, alphabe-
tisch sortierte Liste einiger Programmiersprachen, um
die babylonische Vielfalt wenigstens zu benennen.
Aufgrund der enormen Innovationsgeschwindigkeit
können viele der bei einer Sprache genannten Eigen-
schaften z.Zt. bereits in eine andere Sprache über-
nommen worden sein.
1.1 Assembler
Der Begriff Assembler ist doppeldeutig. Zum einen
wird damit die (hier gemeinte) Assemblersprache und
zum anderen das Programm, das aus einem Quelltext
(siehe Beispiel) die Maschinenbefehle übersetzt,
bezeichnet. Diese Dualität der Bezeichnungen findet
sich auch bei anderen Programmiersprachen.
„Assembler“ ist eine Programmiersprache, weil der
einzelne, vom Zielprozessor verstehbare Befehl durch
ein sinnvolles Synonym dargestellt wird. Diese Syn-
onyme werden Mnemonics (Mneme: Gedächtnis,
Erinnerung) genannt, da sie die Aktion des betreffen-
den Befehls in kürzester Form beschreiben.
 Beispiel: LD B,3E; Lade das B-Register mit dem Wert 3E16
Hier steht die Abkürzung (Mnemonic) LD für „lade“!
Obwohl die Programmierung in Assembler hohe Anforderungen
an den Programmierer stellt, weil er den Zielprozessor sehr gut
kennen muß, gehört diese Sprache zu den niederen: jeder benutzte
Maschinenbefehl wird durch eine Assembler-Anweisung darge-
stellt. Daher liefert diese Sprache keine Strukturierungshilfen
(Wiederhol-Schleifen, Datentypen etc.) mit. Wer diese Sprache
beherrscht, wird durch keine Sprachkonventionen reglementiert;
man muß allerdings die volle Verantwortung selbst für einfachste
Programmelemente (z.B. Ende einer Zählschleife) tragen. Der
Vorteil dieser Sprache liegt in dem sehr schnellen Ablauf der er-
zeugten Programme sowie dem geringen Speicherplatzbedarf.
1.2 ADA
Sowohl für den kommerziellen, den industriellen
und den militärischen Bereich geeignet, ist ADA
(Augusta Ada Byron, 1816 – 1862) eine universelle
V Programmiertechnik
Sprache. Sie wurde mit den Schwerpunkten leichte
Wartung/Prüfung sowie Portierbarkeit entwickelt.
Ähnlich PASCAL dokumentiert sie sich weitgehend
selbstständig und erlaubt aufgrund des modularen
Konzeptes das arbeitsteilige Vorgehen bei großen
Softwareprojekten.
Eine geringe Innovationsgeschwindigkeit dieser
Sprache ist der Preis für ein stabiles, an feste Spezifi-
kationen gebundenes Konzept.
1.3 ALGOL
Die technisch-wissenschaftlich orientierte Sprache
ALGOL (Algorithmic Language) ist seit ca. 1960
verfügbar. Sie ist der „Urahn“ der modernen, block-
orientierten und prozeduralen Sprachen (Klammerung
durch BEGIN .. END). Hier wird erstmalig zwischen
der Zuweisung := und dem Vergleich = schon bei
den verwendeten Operatoren unterschieden. Dazu
wird die Prozedur als Statement und die Funktion als
Variable einsetzbar. Die geschriebenen Prozeduren
und Funktionen können sich selber aufrufen (echte
Rekursion) und die Bool’sche Algebra wird im Be-
fehlsvorrat berücksichtigt.
1.4 BASIC
Die leichte Erlernbarkeit stand im Vordergrund, als
die Sprache BASIC (Beginner’s all pupose symbolic
instruction code) anfang der sechziger Jahre am
Dartmouth College/USA aus dem Vorbild FORT-
RAN als „verdünnter Aufguß“ entstand. Da BASIC
ein Interpreter ist, ergeben sich kurze Testzeiten für
die Programme. Allerdings werden diese recht lang-
sam, wenn das Programm lang ist und viele Erklä-
rungen (REM) sowie umfangreiche Kontrollstruktu-
ren enthält.
Die Sprache BASIC ist einfach, beansprucht wenig
Speicherplatz und kann auf (fast) jedem Mikropro-
zessorsystem installiert werden.
Da jeder Hersteller „sein“ BASIC weiterentwickelte
und/oder an sein Mikroprozessorsystem anpaßte,
entstanden im Laufe der Zeit unzählige, nichtkompatib-
le aber immer leistungsfähigere BASIC-Dialekte. Die
modernen BASIC-Versionen sind zu vollwertigen Kon-
kurrenten der Sprachen C oder PASCAL geworden.
Der große Bekanntheitsgrad sowie die Leistungs-
fähigkeit haben dazu geführt, daß professionelle
Anwenderprogramme (Textverarbeitung, Tabellen-
kalkulation, Datenbanken) BASIC-Dialekte als Ma-
krosprache zur Parametrierung benutzen.
1.5 C
Die Eigenschaften von C stellen eine Mittlerfunktion
zwischen den Assembler-Sprachen und höheren
Sprachen dar. So besitzt C von Assembler die extrem
hohe Abarbeitungsgeschwindigkeit mit einem sehr
kompakten Code und von den (blockorientierten)
höheren Sprachen deren Modularität und damit die
gute Dokumentation und Wartungsfähigkeit.
671
Mit der größeren Nähe zur Prozessorebene obliegt
dem Programmierer, ähnlich wie bei den Asembler-
Sprachen, eine größere Verantwortung bei der Kon-
trolle des Programmes. Beispielsweise müssen Typ-
überprüfungen von Objekten veranlaßt werden,
während diese in PASCAL automatisch durchgeführt
werden.
Aus diesen Gründen wird C gern als Programmier-
sprache für systemnahe Probleme verwendet. Be-
schränken sich die Programmierer auf den Kernig-
han-Ritchie- oder den ANSI-Standard, so ist eine
leichte Portierung auf die verschiedensten Rechner-
systeme möglich.
1.6 FORTRAN
Seit ca. 1955 verfügbar, ist FORTRAN (Formular
Translator) eine der ersten Hochsprachen für den tech-
nisch-wissenschaftlichen Bereich. Ermöglicht wurde
die (teilweise) Ablösung von den Assemblersprachen
zu diesem Zeitpunkt durch größere, zur Verfügung
stehende Arbeitsspeicher (4 bis 16 kByte).
Durch die Hochsprachen-Eigenschaften sind die mit
FORTRAN geschriebenen Programme austauschbar
(portabel). So entstanden rasch große Programm-
sammlungen, die dieser Programmiersprache auch
heute noch ihr Dasein sichern, obwohl es zu dieser
Programmiersprache mittlerweile Alternativen gibt.
1.7 PASCAL
Die modernen PASCAL-Sprachen lehnen sich alle an
das von Niklaus Wirth Anfang der 70iger Jahre in
Zürich entwickelte PASCAL (Blaise Pascal, 1623 –
1662) an.
PASCAL, das ebenso wie ALGOL eine blockorien-
tierte, prozedurale Sprache ist, wurde von Wirth
ursprünglich für seine Studenten entwickelt, damit
diese sich einen sauberen, strukturierten Program-
mierstil erwerben konnten. Hält sich der Programmie-
rer an wenige Regeln, entsteht ein sich selbst doku-
mentierender Quelltext, so daß Wartung und Pflege
der Programme vereinfacht werden. Zudem ermög-
licht die Modularisierung sowie die Unterscheidung
in lokale und globale Objekte eine Entwicklung
großer Projekte in arbeitsteiligen Gruppen.
Diese Eigenschaften, sowie wesentlich verbesserte
PASCAL-Dialekte, tragen dazu bei, daß diese Spra-
che zunehmend als (semi-) professionelle Program-
miersprache gilt. Die Verbesserungen der einzelnen
Dialekte ohne Normung bzw Standard führt aller-
dings dazu, daß die erzeugten Programme kaum
portabel sind.
1.8 PL/M
Für die Mikroprozessoren 8080/85 und 8088/8086
sowie für die Controler-Familie 8051 wurde die
Sprache PL/M (Programming Language for Micro-
prozessors) aus der älteren Sprache PL/1 entwickelt.
Diese erlaubt eine strukturierte Programmierung in
672
Modulen, die separat übersetzt und später gebunden
werden können. Für zeitkritische Aufgaben können
auch Programmteile in Assembler eingefügt werden.
Die Nutzung dieser Sprache setzt allerdings gute
Kenntnisse des Zielprozessor-Systems voraus, so daß
die Anwender im professionellen Bereich zu finden
sind.
2 Grundlagen der Programmierung
Die Aufgabe beim Programmieren besteht darin, eine
Befehlsfolge (Programm) für ein bestimmtes Prozes-
sorsystem in dessen Speicher zu schreiben, so daß es
vom Prozessor ausgeführt werden kann.
Da der Prozessor nur binäre Befehle verstehen und
verarbeiten kann, der Mensch wiederum lieber mit
einer ihm vertrauten Sprache umgeht, wird das Pro-
gramm möglichst in einer höheren Programmierspra-
che verfaßt und dann in die maschinenübliche, binäre
Form übersetzt. Die lästige, syntaktische Strenge der
meisten Programmiersprachen wird nun zu einem
Vorteil, weil diese Arbeit des Übersetzens durch
einen Computer mit einem entsprechenden Überset-
zungsprogramm ausgeführt werden kann.
2.1 Interpreter
Wie der Name ausdrückt, deutet (übersetzt) ein Inter-
preter das ihm zur Verfügung stehende Quellpro-
gramm Anweisung für Anweisung, während das zu
übersetzende Programm abläuft. Dieses Verfahren
bedingt, daß sich der Interpreter und das zu über-
setzende Programm immer gleichzeitig im Speicher
befinden müssen, wenn das Programm ablaufen soll.
Weiterhin wird jede Anweisung bei jedem Pro-
grammdurchlauf erneut gedeutet (übersetzt), wodurch
sich zu den Programmablaufzeiten auch noch die
Übersetzungszeiten addieren.
Der größte Nachteil liegt somit in der großen Ausfüh-
rungszeit der damit laufenden Programme. Da auch
Leerstellen, lange Bezeichner und (teilweise) erklä-
rende Kommentare die Laufzeit verlängern, verzich-
ten viele Programmierer auf eine übersichtliche
Programmierung zugunsten der Geschwindigkeit. Die
Folge sind komplizierte, weil optimierte Programme,
die kaum gewartet werden können.
Ein Vorteil liegt in der Möglichkeit, relativ kleine
und damit begrenzt leistungsfähige Interpreter einzu-
setzen. Diese Interpreter liefern aufgrund ihrer engen
Zweckbestimmung (z. B. Meß-, Steuer- und Regel-
aufgaben) einen beachtlichen Befehlsvorrat und sind
so klein, daß sie im Masken-ROM eines Controlers
Platz finden.
2.2 Compiler
Ein Compiler (Übersetzer) ist ein Programm, das ein
Quellprogramm komplett übersetzt und dann an-
schließend bei Bedarf ablaufen läßt. Bei der Überset-
zung werden die Kommentare zwar gelesen, aber
Datentechnik
nicht bearbeitet; ebenso erzeugt ein langer Variablen-
name (oder ein beliebiger Bezeichner) genau den
gleichen Verweis auf einen Speicherplatz wie ein
kurzer Name, so daß die Übersetzungszeit zwar
ansteigt, nicht aber die Laufzeit.
Als weiterer Vorteil verbleibt die gute Selbstdoku-
mentation eines solchen, mit aussagefähigen Vari-
ablennamen geschriebenen Quellprogrammes, das
auch durch die reichliche Verwendung von Leerzei-
len und Zeichen zur Verbesserung der Übersicht nicht
langsamer ausgeführt wird.
Das so erzeugte, lauffähige Programm kann später
ohne Anwesenheit des Compilers gestartet werden.
Diese Eigenschaft macht die erzeugten Programme
kommerziell nutzbar, weil das erzeugte Programm
(im Gegensatz zum Compiler oder Interpreter) geisti-
ges Eigentum des Programmierers ist und somit nicht
unter den Urheberrechtsschutz des Compiler-Liefe-
ranten fällt.
2.3 Editor
Der Editor ist ein Programm, das dem Schreiben des
Quellprogrammes dient. Im Grunde ist dazu jedes
Textverarbeitungsprogramm, das den geschriebenen
Text (Quellprogramm oder Quelltext) in unformatier-
ter Form abspeichern kann, geeignet. Unformatiert
bedeutet hier ohne Textmerkmale wie fett, unter-
strichen oder ähnlichen, z.B. für die Korrespondenz
wichtigen Eigenschaften.
Der Quelltext muß im reinen ASCII-Format vorlie-
gen, damit der Interpreter, Compiler oder Assembler
ihn verarbeiten können. Gleichzeitig bieten die Edito-
ren großer, kommerzieller Textverarbeitungen viel-
fältige Annehmlichkeiten:
– Blockbefehle (suchen, verschieben, kopieren, lö-
schen ...)
– komfortable Dateiverwaltung
– Arbeit mit mehreren Dateien gleichzeitig (Fenster-
Technik)
2.4 Integrierte Entwicklungsumgebung
Unter einer integrierten Entwicklungsumgebung ver-
steht man ein Programmpaket, das alle Hilfspro-
gramme enthält, die zur Programmerstellung ge-
braucht werden: Editor, Interpreter oder Compiler,
Linker und Debugger. Diese Hilfsprogramme werden
dann je nach geforderter Aktivität menügesteuert
aufgerufen.
Häufig gehört auch ein umfassendes Hilfesystem
dazu, das Syntaxfehler erkennt und Abhilfe vor-
schlägt. Diese Entwicklungsumgebungen, die für die
meisten höheren Programmiersprachen verfügbar
sind, beschleunigen die Programmerstellung enorm,
weil die Zeit für einen Durchlauf – Quelltext erstellen
und Programm testen – (Turn-Around-Time) dras-
tisch verkürzt wird.
V Programmiertechnik
2.5 Methoden der Programmentwicklung
Obwohl es theoretisch unendlich viele Wege zum
Programm gibt, haben sich die Top-Down- und die
Bottom-Up-Methoden etabliert, die es erlauben, den
Weg nach ausgesuchten Kriterien zu optimieren. Eine
exakte Problembeschreibung setzen allerdings beide
Methoden voraus. Die Bearbeitung sehr großer Soft-
ware-Projekte setzt weitergehende Verfahren voraus
(Software-Engineering). Dazu gehört vor allem die
Planung der zeitlichen Abhängigkeiten verschiedener
Arbeitsteams (Netzplantechnik).
2.6 Problembeschreibung
Der Abnehmer eines Programmes sollte vom Pro-
grammierer (-team) dazu gedrängt werden, eine
schriftliche Beschreibung der erwarteten Leistungen
des Programmes anzufertigen. Diese Beschreibung
kann oder sollte gemeinsam mit dem Fachmann
(Programmierer) erstellt werden, um überzogene,
vom System nicht erfüllbare Anforderungen sofort
auszuschließen oder ein anderes Zielsystem einzupla-
nen. Diese Beschreibung, auch Pflichtenheft genannt,
sollte u.a. enthalten:
– erwartete Ausgangsinformationen des Systems
(eventuell grafisch; Farbdarstellung/Monochrom?)
– benötigte Eingangsinformationen (Datei-Formate;
Tastatur; Maus; Sensoren ... )
– Vorkenntnisse der Benutzergruppe (Online-Hilfe-
System; Handbuch für Benutzer?)
– gemeinsamer Datenzugriff mehrer Benutzer? (Kon-
sistenz des Datenbestandes, Vermeidung unvoll-
ständiger Transaktionen)
Eine große Sorgfalt im frühen Planungsstadium zahlt
sich durch eine geringe Änderungswahrscheinlichkeit
im Laufe der Arbeit aus.
2.7 Top-Down-Methode
Unter Anwendung der Top-Down-Methode wird das
Problem zu Beginn global, also in seiner Gesamtheit
Ebene 1 Gesamtproblem
Berechnung und Beschreibung
eines
Eines Verstärkers mit Tiefpaß-Eigenschaften
Ebene 2 Teilproblem 1
Berechnung
Ebene 3 Aufgabe 1 Aufgabe 2
Bereitstellung Auswahl
der möglicher
Rechenverfahren Bauelemente
Bild V-1 TOP-DOWN-Methode
673
beschrieben. Dieses Gesamtproblem wird dann hie-
rarchisch immer weiter aufgeteilt in Teilprobleme, bis
diese zu lösbaren Aufgaben werden.
Nach Bearbeitung der ersten, globalen Ebene stehen
die beiden Teilprobleme exakt beschrieben fest. Je
nach Umfang sollte auch hier die Problembeschrei-
bung, jetzt für die zweite Ebene, detailliert und
schriftlich erfolgen. Wird die Arbeit an den Teilprob-
lemen verschiedenen Arbeitsgruppen übertragen, sind
diese Beschreibungen verbindliche Abgrenzungen zu
den anderen Teilproblemen.
Auf der niedrigsten Stufe der Hierarchisierung wer-
den sämtliche Aufgaben bearbeitet und die Ergebnis-
se entsprechend zu den höheren Ebenen zurückge-
reicht. Bis auf die unvermeidbare Fehlersuche ist das
Programm damit fertig, denn der obige Hierarchisie-
rungsplan liefert gleichzeitig das Rahmen- oder
Hauptprogramm nebst Dokumentation.
2.8 Bottom-Up-Methode
Auch bei der Bottom-Up-Methode wird das Gesamt-
problem in einem Pflichtenheft beschrieben. Der
daran anschließende Lösungsweg beginnt nun aber
auf der niedrigsten, der Aufgabenebene. Zu dem
Beispiel in Abbildung würde das bedeuten, je nach
Interessenlage oder Vorkenntnissen des Programmie-
rers stehen etliche, mögliche Aufgaben zur Bearbei-
tung an. Er könnte mit einer Sammlung in Frage
kommender Formeln der komplexen Rechnung be-
ginnen bzw. bei mangelnden Kenntnissen, sich in
diese einarbeiten. Nachdem alle für notwendig erach-
teten Aufgaben erledigt sind, werden sie in einem
übergeordneten Rahmen (-Programm) zusammenge-
faßt, bis das Gesamtproblem gelöst ist.
2.9 Bewertung der Methoden
Die Top-Down-Methode entspricht in ihrer Struktur
am ehesten der Struktur effizienter, menschlicher
Handlungsweise und verspricht daher ein zielgerich-
tetes, von unnötigen Seitenwegen freies Vorgehen.
Teilproblem 2
Darstellung
Aufgabe 3 Aufgabe 4
Konstruktion des Zeichnen
Koordinaten- der Graphen
Systems
674
Damit wird gleichzeitig eine geringe Fehlerwahr-
scheinlichkeit sowie eine gute Selbstdokumentation
erzielt.
Die Gefahr dieser Methode liegt darin, „das Rad
ständig neu“ zu erfinden: auf der letzten, der Aufga-
ben-Ebene werden Programmteile (Module) geschrie-
ben, die die geforderte Aufgabe möglichst genau
erledigen. Das führt zwangsläufig zu einer geringen
Wiederverwertbarkeit der Module und schließt zu-
dem die Verwendung bereits vorhandener, ähnlicher
Module aus.
Die Bottom-Up-Methode empfiehlt sich ausschließ-
lich für kleinste Programmiervorhaben, denn die
Gefahr, sich in Detaillösungen zu verirren, ist sehr
groß. Zusätzlich besteht die Wahrscheinlichkeit, daß
ergänzende Anforderungen einer der höheren Hierar-
chisierungsebenen an die (fertigen) Module von die-
sen dann nicht erfüllt werden können; dies führt
häufig zur völligen Neukonzeption einiger Module.
Erschwerend kommt die nachträgliche Dokumentation
des Vorhabens hinzu. Da diese erst am Ende des dann
fertigen Programmes erfolgen kann, steht die Doku-
mentation zwangsläufig nicht als Strukturierungshilfe
während der Arbeit zur Verfügung; strukturelle
Schwächen des Programmes sind so unvermeidbar.
Als „Königsweg“ bietet sich die Top-Down-Methode
unter Beachtung folgender Bedingungen an:
1) frühzeitig, auf höchstmöglicher Ebene, wird bereits
geprüft, ob es für die zu lösenden Teilprobleme/
Aufgaben Standard-Lösungen (Module) gibt, bzw.
ob es sich lohnt ein vorhandenes anzupassen
2) muß ein Modul vollständig neu geschrieben wer-
den, ist auf gute Wiederverwertbarkeit zu achten;
daraus folgt, daß Module, die nicht wiederver-
wertbar sind, so klein wie möglich sein sollten
(Verweis auf Modularisierung/Bibliotheken)
2.10 Programm-Test
Hiermit ist die Prüfung eines Programmes auf logi-
sche Fehler gemeint, denn die syntaktischen Fehler
(Fehler in der Schreibweise, Verletzung von Konven-
tionen) werden bereits vom Interpreter oder Compiler
erkannt.
Fehrlerfreie Programme gibt es nicht! Denn Fehler-
freiheit bedeutet nicht nur, daß aus der Anweisung
A := 12 / B das Ergebnis „3“ resultiert, wenn die
VI Datenkommunikation
1 Einführung
Die derzeit zu beobachtende rasante Entwicklung im
Kommunikationsbereich hat ihre Ursache in der
Digitalisierung aller Kommunikationsbelange, die ein
Zusammenwachsen von Datenverarbeitung (besser
Informationsverarbeitung) und Telekommunikation
bewirkt. Man spricht von Informationstechnik (IT),
Datentechnik
Variable B augenblicklich den Wert 4 besitzt. Darin
eingeschlossen ist die Erwartung, daß das Programm
nicht einfach die Bearbeitung abbricht, falls „B“ den
Wert Null annehmen sollte, sondern den Benutzer
darüber informiert, daß dieser Fall eingetreten ist.
Noch besser wäre es, wenn der Benutzer dann unter
Alternativen wählen könnte, wie das Programm damit
umgehen soll.
Ein Instrument zur Fehlererkennung ist der Bleistift-
test: alle vorkommenden Variablen werden in einer
Tabelle aufgeführt und das Modul mit extremen
Werten für die Eingangswerte „auf dem Papier“
gestartet. Alle Änderungen der Variablen werden in
der Tabelle festgehalten und geben so ein Bild über
die Zulässigkeit und den Erfolg der einzelnen Befehle
des Programmes.
Weiterhin existiert bei der Top-Down-Methode
bereits ein Rahmenprogramm (Hauptprogramm),
wenn die Module getestet werden sollen. Diesem
Rahmenprogramm werden die oben genannten ex-
tremen Eingangswerte für die zu testenden Module
übergeben und das Hauptprogramm mit den Modulen
gestartet. Noch nicht fertige Module können in ihrem
Ein-und Ausgabeverhalten durch kleine Simulati-
onsmodule ersetzt werden, um das Hauptprogramm
lauffähig zu machen.
Zeigen sich dabei Unregelmäßigkeiten, bieten die
Entwicklungsumgebungen die Möglichkeit, den
vorliegenen Quelltext des Modules schrittweise
abzuarbeiten und dabei die aktuellen Werte der Vari-
ablen in einer Tabelle auf dem Bildschirm zu verfol-
gen.
Die Simulation von Programmen ist ein Verfahren,
das bei der Software-Entwicklung für Microprozesso-
ren und Controlern angewandt wird. Hier wird das
Programm ja nicht auf dem Zielsystem (z.B. Contro-
ler), sondern auf einem PC entwickelt. Um die so
erstellten Programme dennoch auf dem PC testen zu
können, bieten viele derartige Entwicklungsumge-
bungen eine Simulation auf dem Entwicklungsrech-
ner an.
Ungefähr die Hälfte der vorhandenen Fehler können
so vom Programmierer selbst entdeckt und behoben
werden. Weitere Fehler können durch andere (objek-
tivere) Mitglieder des Entwicklungsteams gefunden
werden und ca. 10% der Fehler bleiben unerkannt.
deren Ziel die Bereitstellung jeder gewünschten
Information in geeignet aufbereiteter, d.h. aussage-
kräftiger Form zum richtigen Zeitpunkt am richtigen
Ort ist. Die sich daraus ergebenden Möglichkeiten
sind so umfassend, daß sie als prägend für die kom-
menden Jahrzehnte angesehen werden: Man spricht
vom Informationszeitalter, an dessen Anfang wir uns
befinden.
VI Datenkommunikation
Die Digitalisierung der Telekommunikation umfaßt
die Digitalisierung der Informationsdarstellung, die
Digitalisierung der Übertragungstechnik und die
Digitalisierung der Vermittlungstechnik.
Neue Konzepte und neue Technologien können sich
aber nur dann gegen bereits etablierte Lösungen
(und im Kommunikationsbereich gab es bereits eine
voll ausgebaute und hochentwickelte Analogtechnik)
durchsetzen, wenn sie gravierende Vorteile aufwei-
sen; geringfügige Vorteile reichen nicht aus, um
einen Verdrängungsprozeß in Gang zu setzen.
Die Vorteile der Digitaltechnik gegenüber der Ana-
logtechnik sind:
Generell geringere Störanfälligkeit, größere Sicher-
heit gegen unbefugten Zugriff, niedrigere Kosten und
neue Leistungsmerkmale.
Die geringere Störanfälligkeit im Vergleich zur Ana-
logtechnik resultiert aus der endlichen (meist sehr
kleinen) Zahl diskreter Signalzustände, die eine
verlustfreie (identisch dem Originalzustand) Regene-
rierung auch stark verrauschter Signale gestattet.
Digitale Informationen können deshalb beliebig oft
in Folge übertragen, regeneriert, aber auch kopiert
werden.
Es ist vielleicht weniger bekannt, daß Informationen
in digitaler Form besser gegen unbefugten Zugriff
geschützt werden können. Tatsächlich kann die
Digitalisierung geradezu als Voraussetzung für eine
wirksame Verschlüsselung angesehen werden. Es ist
bezeichnend, daß im militärischen Bereich aus die-
sem Grunde, lange bevor die Digitaltechnik reif für
eine allgemeine Einführung war (nämlich im zweiten
Weltkrieg), bereits mit digitalen Signaldarstellungen
(auch von Sprache) experimentiert wurde.
Die Preisvorteile liegen in der möglichen hohen
Integrationsdichte, die zu kleinen und bei großen
Stückzahlen billig herzustellenden Einheiten hoher
Funktionalität führt. Logisch komplexe Funktionen
können in Digitaltechnik weitaus billiger als in Ana-
logtechnik realisiert werden. Es sind aber nicht nur
die direkten Auswirkungen (geringe Material- und
Herstellungskosten), sondern auch die indirekten
Auswirkungen wie kleine Abmessungen, geringes
Gewicht und niedriger Stromverbrauch, sowie gerin-
ger Wartungsbedarf kostensenkend wirksam. So
machen z.B. bei digitalen Vermittlungseinrichtungen
Raumbedarf, Gewicht und Stromverbrauch nur einen
Bruchteil entsprechender analoger Einrichtungen aus,
was zu enormen Einsparungen bei Gebäuden und der
Versorgungsinfrastruktur führt.
Die bisher aufgezählten Vorteile liefern bereits hin-
reichende Argumente für die Einführung der Digital-
technik.
Wenn die Telekommunikation einen so rasanten Auf-
schwung genommen hat und sich anschickt, in Ver-
bindung mit der Informationsverarbeitung sowohl die
kommerzielle wie die private Umwelt prägend zu
verändern, so ist dies nicht wegen der bisher erwähn-
ten Vorteile der Digitaltechnik geschehen, sondern
675
wegen der möglichen neuen Leistungsmerkmale und
den daraus resultierenden neuen Kommunikations-
konzepten und -diensten.
Ausgangspunkt für die neuen Leistungsmerkmale ist
die Digitalisierung der Informationen. Alle Arten von
Information, nämlich numerische Werte, Texte,
Sprache, Musik und Bilder, werden in einheitlicher
Weise als Bitketten dargestellt.
Operationen, die auf binäre Informationen angewen-
det werden können, sind z.B. Rechnen, Vermitteln,
Senden, Empfangen, Speichern, Suchen und Darstel-
len.
Für einige dieser Operationen (z.B. Vermitteln,
Senden, Empfangen, Speichern und Suchen) ist es
unerheblich, welche Art von Information die Bitket-
ten repräsentieren. Ein bestimmter Kommunikations-
dienst (und darauf abgestimmte dienstspezifische
Endgeräte) sind darauf angewiesen, daß die Bitketten
in vorgeschriebener Weise binär verschlüsselte In-
formationen einer bestimmten Art enthalten; es ist
beispielsweise nicht sinnvoll, ein Fax über ein Tele-
fon auszugeben. Für den Transport der Bitketten und
manche Aspekte des Speicherns und Suchens dage-
gen ist die Kenntnis der Bedeutung dieser Bitketten
nicht erforderlich.
Was sich hier abzeichnet, ist die Diensteintegration
auf der Netzebene: Die logische Konsequenz der
Digitalisierung ist das ISDN (Integrated Services
Digital Network), also ein Netz, das binär verschlüs-
selte Daten unterschiedlicher Bedeutung für ver-
schiedene Zwecke (Dienste) transportieren kann. Ein
solches Netz ist bezüglich der darüber abzuwickeln-
den Dienste offen: beliebige, auch später neu zu
definierende Dienste können darüber abgewickelt
werden, solange bestimmte Randbedingungen (bei-
spielsweise eine erforderliche Mindestdatenrate) er-
füllt sind.
Digitale Vermittlungseinrichtungen sind heute pro-
grammgesteuerte Datenverarbeitungsanlagen mit spe-
ziellen, vergleichsweise aufwendigen Ein-/Ausgabe-
einrichtungen. Kommunikation ist damit ein compu-
tergesteuerter Vorgang. Gleichzeitig ergeben sich aus
der Diensteintegration auf der Netzebene und der
Tatsache, daß die kommunizierte Information in
binärer Darstellung einer direkten Verarbeitung durch
Computer zugänglich ist, vielfältige Möglichkeiten
der Verknüpfung, die den Kern der Informations-
technik bilden.
2 Grundlagen
2.1 Verkehrsarten
Grundsätzlich unterscheidet man zwei Arten von
Netzwerkverkehr: Isochroner Verkehr und asynchro-
ner Verkehr.
Isochroner Verkehr ist dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen den Informationseinheiten eines Informa-
tionsstroms zeitliche Beziehungen bestehen, die beim
676
Transport nicht verloren gehen dürfen. Beispiele sind
Sprache und Video.
Bei asynchronem Verkehr bestehen zwischen den
Informationseinheiten eines Informationsstroms keine
zeitlichen Beziehungen. Beispiele hierfür sind inter-
aktiver Terminalverkehr, File Transfer oder transak-
tionsorientierte Anwendungen.
Ein universelles Netz muß sowohl isochronen Ver-
kehr wie auch asynchronen Verkehr effizient trans-
portieren können.
2.2 Vermittlungsprinzipien
Es gibt zwei wichtige Vermittlungsprinzipien, die
Leitungsvermittlung (circuit switching) und die
Paketvermittlung (packet switching).
Bei der Leitungsvermittlung wird zwischen den
Kommunikationsendpunkten ein Kommunikations-
kanal (in den Anfängen der Telekommunikation
wurde tatsächlich eine Leitung gestöpselt, daher die
Bezeichnung) geschaltet, der den Kommunikations-
partnern exklusiv zur Verfügung steht.
Vorteile:
Die Verbindung hat eine garantierte Dienstgüte
bezüglich Datenrate und Verzögerung, die nicht von
äußeren Umständen, wie der augenblicklichen Netz-
belastung, abhängt.
Nach dem Verbindungsaufbau steht den Kommu-
nikationspartnern eine transparente Ende-zu-Ende-
Verbindung zur Verfügung.
Nur beim Verbindungsaufbau entsteht Bearbeitungs-
aufwand in Zwischenknoten.
Es gibt keine netzseitigen Vorgaben bezüglich der zu
verwendenden Protokolle.
Nachteile:
Es werden Netzwerkressourcen reserviert, was eine
schlechte Netzauslastung zur Folge hat, wenn die
Partner die Verbindung nicht permanent auslasten
können.
Bereits beim Verbindungsaufbau werden Ressourcen
reserviert, auch wenn die Verbindung schließlich
nicht zustande kommt.
Bei normaler Netzauslegung ist die Zahl der schalt-
baren Verbindungen deutlich kleiner als die Zahl der
Netzteilnehmer, so daß in Überlastsituationen kein
Zugriff zum Netz besteht.
Bei der Paketvermittlung wird die Nutzinformation in
Informationsblöcke (Pakete) fester Maximallänge
zerlegt, die voneinander unabhängig vom Sender zum
Empfänger transportiert werden und deshalb alle
Informationen enthalten müssen, die den Zwischen-
knoten eine korrekte Weiterleitung ermöglichen (ins-
besondere die Empfängeradresse).
Vorteile:
Keine Reservierung von Ressourcen.
Auch bei unregelmäßiger und insgesamt geringer
Nutzung durch einzelne Teilnehmer ist eine gute
Auslastung der Verbindungswege möglich, da über
Datentechnik
einen physikalischen Übertragungskanal mehrere
Kommunikationsverbindungen geführt werden.
Jeder Teilnehmer hat jederzeit Zugriff zum Netz.
Jeder Netzteilnehmer kann über einen einzigen Netz-
zugang gleichzeitig mehrere Kommunikationsverbin-
dungen zu anderen Netzteilnehmern unterhalten.
Nachteile:
Keine garantierte Dienstgüte.
Zusätzlicher Overhead und Betriebsmittelverbrauch
durch die Zerlegung der Originalinformation in
Pakete und Hinzufügen zusätzlicher Steuerinfor-
mationen, die in jedem Paket enthalten sein und
mittransportiert werden müssen (und die Umkehrope-
ration auf Empfängerseite), durch Bearbeitungsauf-
wand in jedem Zwischenknoten für die korrekte
Weiterleitung der Pakete sowie u.U. für die Sicher-
stellung von Sequenz, Eindeutigkeit und Vollständig-
keit einer Folge von Paketen.
Es ist offensichtlich, daß ein leitungsvermittelndes
Netz gut geeignet ist, um isochronen Verkehr zu
transportieren, aber weniger gut geeignet ist, um
asynchronen Verkehr effizient transportieren zu
können. Im Gegensatz dazu ist ein paketvermittelndes
Netz gut für den Transport asynchroner Information,
aber im Prinzip nicht für den Transport isochroner
Information geeignet. Infolgedessen sind die klassi-
schen Telekommunikationsnetze, insbesondere das
Fernsprechnetz (das ja speziell für die Sprachkom-
munikation konzipiert wurde) und auch das daraus
entwickelte ISDN leitungsvermittelnde Netze, wo-
hingegen die klassischen Rechner- bzw. Datennetze
(auch das Internet) paketvermittelnde Netze sind.
2.3 Vermittlungseinrichtungen
Eine Vermittlungseinrichtung (switch) ist eine Vor-
richtung, die über eine Reihe von Eingängen und
Ausgängen verfügt und in der Lage ist, adreßgesteu-
ert dynamisch Verbindungen zwischen beliebigen
Ein- und Ausgängen herzustellen. Funktional kann
man sich eine solche Vermittlungseinrichtung als eine
zweidimensionale Anordnung von Schaltern vorstel-
len (Bild VI-1). Wie die Abbildung zeigt, können in
einem Switch gleichzeitig mehrere Verbindungen
zwischen disjunkten Paaren von Ein- und Ausgängen
bestehen. Eine Switching-Anordnung, bei der ein
freier Ausgang jederzeit von jedem Eingang aus
erreichbar ist, wird als blockierungsfrei bezeichnet.
Dies ist für eine einfache Schaltmatrix wie in der
Abbildung trivial. Große Vermittlungseinrichtungen
(mit sehr vielen Ein-/Ausgängen) können aber aus
Aufwandsgründen nicht als einstufige Schaltmatrizen
realisiert werden, da die Zahl der Schaltelemente
quadratisch mit der Zahl der Ein-/Ausgänge wächst.
Die Vermittlungstechnik ist ein altes und gut etablier-
tes Teilgebiet der Nachrichtentechnik, und es gibt
eine Reihe von systematischen Anordnungen mit dem
Ziel, mäßigen Aufwand mit guten betrieblichen
Eigenschaften zu verbinden. Nicht alle arbeiten
VI Datenkommunikation
Eingänge
E1
E2
EM
Ausgänge A1 A2 A3 A4
blockierungsfrei. d.h. es kann vorkommen, daß ein
freier Ausgang aufgrund einer internen Blockierung
zeitweilig nicht erreichbar ist.
2.4 Klassifizierung von Netzen
Die Klassifizierung von (Daten-)Netzen kann nach
unterschiedlichen Kriterien erfolgen. Eine wichtige
und auch häufig verwendete Möglichkeit ist die
Unterscheidung nach Vermittlungsprizipien wie im
vorigen Kapitel beschrieben. Eine andere Klassifika-
tion basiert auf dem Ausdehnungsbereich. Man
unterscheidet lokale Netze (Local Area Network
= LAN) und Weitverkehrsnetze (Wide Area Network
= WAN).
Es sind zwei Besonderheiten, die zur Ausbildung
spezieller lokaler Netze geführt haben, nämlich zum
einen die begrenzte geographische Ausdehnung, zum
anderen die Tatsache, daß der Begriff ,lokales Netz‘
immer auch einschließt, daß es sich um ein privates
Netz handelt, das in seiner technischen Ausprägung
wie in der Kostenstruktur unabhängig vom Angebot
öffentlicher Netzbetreiber ist.
Beim Überschreiten der Grundstücksgrenzen ist man
in der Regel auf das Angebot eines öffentlichen
Telekom-Anbieters angewiesen, das sowohl hinsicht-
lich der Dienstart wie auch der Dienstgüte (z.B.
Datenrate) unter Umständen nicht den wirklichen
Anforderungen entspricht. Darüber hinaus werden die
Dienste öffentlicher Anbieter typischerweise (und
auch richtigerweise) nutzungsabhängig tarifiert, d.h.
intensive Nutzung verursacht entsprechend hohe
Kosten. Im privaten/lokalen Bereich ist die Kosten-
struktur eine andere: Hier dominieren die Investi-
tionskosten und die Betriebskosten, die nicht oder
kaum nutzungsabhängig sind, d.h. wenn ein priva-
tes/lokales Netz erst einmal etabliert ist, können
durch zurückhaltende Nutzung kaum Kosten gespart
werden. Dies ermöglicht in privaten/lokalen Netzen
Betriebsweisen, bei denen ein permanenter Verkehr
erzeugt wird (beispielsweise Polling-Verfahren, bei
denen eine ausgezeichnete Station nachgeordnete
Stationen im Wechsel permanent fragt, ob sie Daten
zu übertragen haben).
677
Bild VI-1
Funktionsprinzip einer
Vermittlungseinrichtung
A5 AN (Koppelmatrix)
Spezifische technische Lösungen werden auch durch
die begrenzte geographische Ausdehnung (typischer-
weise deutlich unter 10 km) möglich. Die Ursache
dafür liegt in der physikalisch bedingten endlichen
Signalausbreitungsgeschwindigkeit (≤ Lichtgeschwin-
digkeit), die bei gegebenem Übertragungsmedium zu
Signallaufzeiten führt, die nur von der Entfernung
abhängen. Im Extrem – etwa bei Satellitenverbindun-
gen – führt dies zu speziellen Vorgaben für einen
effizienten Netzbetrieb. Laufzeiteffekte wirken sich
um so gravierender aus, je größer die Übertragungs-
geschwindigkeit ist. Für normale Datenraten in loka-
len Netzen sind Laufzeiteffekte aber gering. Dies
bedeutet, daß Verfahren zur Anwendung kommen
können, deren Funktion (Effizienz) laufzeitabhängig
ist. Dies ist z.B. beim Ethernet und beim Token-Ring
der Fall. Koppelmatrix
Die aufgeführten Besonderheiten haben dazu geführt,
daß in der zweiten Hälfte der siebziger Jahre spezielle
lokale Netze (LANs) entworfen wurden, die in den
achtziger Jahren weite Verbreitung gefunden haben.
Allen gemeinsam war, daß es sich um paketvermit-
telnde ,Shared-Medium-Broadcast-Netze‘ handelte.
,Shared-Medium‘ bedeutet, daß alle Stationen eines
LAN-Segments an ein gemeinsames Übertragungs-
medium (typischerweise in Bus- oder Ringtopologie)
angeschlossen sind und sich die verfügbare Bandbrei-
te teilen. Der Betrieb ist so organisiert, daß die von
einer sendenden Station ausgehende Information alle
Stationen erreicht (Broadcast) und diejenige Station,
die ihre eigene Adresse als Zieladresse im Kopf des
Datenpakets angegeben findet, das vollständige Paket
übernimmt. Die unterschiedlichen LANs unterschei-
den sich charakteristisch in der Art und Weise, wie
der Zugriff zum gemeinsam genutzten Medium
organisiert ist.
2.5 Standardisierung
Standards sind in allen technischen Bereichen von
großer Bedeutung, besonders aber im Bereich der
Kommunikation, wo ja per Definition immer mindes-
tens zwei Partner beteiligt sind, die sich ansonsten in
jedem einzelnen Fall über die zu verwendenden
678
Techniken verständigen müßten, was bei einer Viel-
zahl möglicher Kommunikationsbeziehungen unmög-
lich wäre.
Standards können offizielle Standards (im Sinne von
Norm) sein, die von den jeweils zuständigen nationa-
len oder internationalen Gremien festgeschrieben
werden. Es können aber auch sogenannte De-facto-
oder Industriestandards sein. Dabei handelt es sich
um Produkte/Methoden, die sich am Markt durchge-
setzt haben und dadurch marktbestimmend geworden
sind. Solche Industriestandards sind in sehr schnelle-
bigen Bereichen, wozu die Datenverarbeitung und die
Datenkommunikation gehören, überproportional häu-
fig anzutreffen. Im PC-Bereich sind beispielsweise die
Betriebssysteme der Fa. Microsoft marktbestimmend,
im Bereich der Datenkommunikation ist es das Inter-
net, das auf den Internet-Protokollen basiert, die mit
Förderung durch das amerikanische Verteidigungs-
ministerium anfangs überwiegend im akademischen
Bereich entwickelt und verbreitet wurden.
2.5.1 Standardisierungsgremien
ISO (International Organization for Standardiza-
tion)
ISO ist der weltweite Zusammenschluß nationaler
Normierungsgremien (für Deutschland ist das DIN
(Deutsches Institut für Normung) Mitglied), dessen
Aufgabe die Schaffung internationaler Standards (im
Sinne von Normen) ist und dessen Festlegungen als
einzige die Bezeichnung ,Internationaler Standard‘
(IS) tragen. ISO besitzt eine umfassende Zuständig-
keit, die alle einer Normierung bedürfenden Bereiche
einschließt mit Ausnahme der Elektrotechnik, für die
die IEC (International Electrotechnical Commission)
zuständig ist. Für Standardisierungen im Kommuni-
kationsbereich, wo sich die Zuständigkeiten von ISO
und IEC überschneiden, wurde 1987 ein gemein-
sames Komitee, das Joint Technical Committee 1
(JTC 1) gegründet.
ITU (International Telecommunications Union)
Die ITU ist eine Unterorganisation der UNO und
hatte 1995 Mitglieder aus 184 Staaten. ITU-T (-T
steht für Telecommunication Standardization Sector),
bis zu einer Neuorganisation 1994 CCITT (Comité
International Télégraphique et Téléphonique), ist für
die weltweite Abstimmung zwischen den öffentlichen
Telekom-Anbietern zuständig.
Die Standards – hier als Empfehlungen bezeichnet –
werden in Study Groups erarbeitet und in einem
vierjährigen Turnus verabschiedet. Die Empfehlun-
gen werden – nach Sachgebieten geordnet – in Serien
herausgegeben; sie bestehen aus einem Buchstaben,
der die Serie kennzeichnet, gefolgt von einer durch
einen Punkt abgetrennten Zahl für das Dokument
(z.B. X.25).
Folgende Serien sind für die Datenkommunikation
von Bedeutung:
Datentechnik
G-Serie: Fernsprechübertragung über drahtgebunde-
ne Verbindungen, Satelliten- und Funkver-
bindungen (auch allgemeine Übertragungs-
und Netzfragen)
I-Serie: ISDN (aus Benutzersicht)
Q-Serie: Fernsprech-Zeichengabe, Fernsprechver-
mittlung (auch allgemeine Zeichengabe
und digitale Vermittlungseinrichtungen)
T-Serie: Telematik-Endgeräte (Telefax, Teletex,
Bildschirmtext)
V-Serie: Datenübertragung über das Fernsprech-
und Telex-Netz
X-Serie: Datenübertragung über öffentliche Daten-
netze.
Da die ITU-T-Empfehlungen weltweit bei den Fern-
meldeverwaltungen zum Einsatz kommen, erlangen
sie automatisch große Verbreitung und Bedeutung.
Die faktische Bedeutung ist so groß, daß ISO ITU-
Empfehlungen berücksichtigen muß, falls diese für
vergleichbare Funktionen vorher festgeschrieben
wurden, was in der Vergangenheit des öfteren vorge-
kommen ist, da die ITU bei vorhandenem Regelungs-
bedarf bei den Telekomgesellschaften unter Zeitdruck
arbeiten muß.
ETSI (European Telecommunications Standards
Institute)
ETSI wurde 1988 als unabhängige europäische In-
stitution ins Leben gerufen. Die Standards (ETS =
European Telecommunications Standards) dienen
dem Ziel, durch einheitliche Vorgaben eine europa-
weit ungehinderte Kommunikation sicherzustellen.
Dies ist ein besonderes Anliegen der EU.
Das ISO-Referenzmodell für Offene Systeme
Der Hintergrund für diese Modellbildung ist eine bei
der Softwareentwicklung weit verbreitete Vorge-
hensweise: Man zerlegt einen komplexen Gesamt-
vorgang in mehrere logisch schlüssige und möglichst
unabhängig behandelbare Teile, die miteinander über
wohldefinierte Schnittstellen verbunden sind. Für den
Kommunikationsvorgang ist dies durch das OSI –
Basic Reference Model geschehen (OSI steht für
Open Systems Interconnection). Darin wird der
Kommunikationsvorgang in sieben Schichten oder
Ebenen (layers) unterteilt. Die in diesem Modell
gewählte Aufteilung und die Zuordnung funktionaler
Einheiten zu diesen Schichten ist nicht zwingend, wie
ähnliche, aber keineswegs deckungsgleiche Struktu-
rierungen in Firmenarchitekturen wie z.B. SNA
(IBM) beweisen; sie hat sich aber als sinnvoll und
stabil erwiesen und ist seit 1984 als ISO-Standard
(IS 7498) festgeschrieben. Diese Fixierung ist die
Voraussetzung für die Erarbeitung von Standards für
die einzelnen Schichten.
In jeder der sieben Schichten existieren Instanzen
(entities), die die schichtspezifischen Dienste erbrin-
gen. Eine solche Instanz kommuniziert logisch mit
VI Datenkommunikation
einer Partnerinstanz (peer-to-peer), also einer Instanz
gleicher Ebene in einem entfernten System. Dies
geschieht durch den Austausch von Protocol Data
Units (PDUs). Die Kommunikation zwischen Partner-
instanzen wird durch Protokolle geregelt. Unter
einem Protokoll versteht man einen Satz von Rege-
lungen für den Austausch von Informationen, d.h.
konkret die Beschreibung der PDUs und ihrer Wir-
kungen im entfernten System.
Die Anordnung ist streng hierarchisch. Eine Instanz
der Schicht N kann nur das Dienstangebot einer
Instanz der direkt darunterliegenden Schicht N – 1 in
Anspruch nehmen und ihre eigenen Dienste nur einer
Instanz der direkt darüberliegenden Schicht N + 1
anbieten. Dies geschieht über Dienstzugangspunkte
(Service Access Points, SAPs).
Der Transport von PDUs erfolgt in der Weise, daß
eine Instanz eine von der übergeordneten Instanz
übernommene PDU um eigene, für die Partnerinstanz
bestimmte Kontrollinformationen (Protocol Control
Information) ergänzt und zur weiteren Bearbeitung an
die nachfolgende Instanz übergibt. Im entfernten
System wertet jede Instanz die für sie bestimmte Kon-
trollinformation aus (und entfernt sie) und übergibt
den Rest der PDU an die nächst höhere Instanz.
Während die vertikale Kommunikation, d.h. die
Kommunikation zwischen in der Hierarchie benach-
barten Instanzen im gleichen System (konkret, wie
SAPs realisiert und angesprochen werden) nicht der
Standardisierung unterliegt, ist die horizontale Kom-
munikation zwischen Partnerinstanzen (d.h. die
Kommunikationsprotokolle einer Ebene) Gegenstand
der Standardisierung, ebenso wie die Beschreibung
der Funktionen einer Ebene, d.h. der Leistungen, die
der darüberliegenden Ebene angeboten werden.
Application Process
7 APPLICATION peer-to-peer
6 PRESENTATION peer-to-peer
5 SESSION peer-to-peer
4 TRANSPORT peer-to-peer
3 NETWORK NETWORK
2 DATA LINK DATA LINK
1 PHYSICAL PHYSICAL
Bild VI-2 Die Schichten des ISO-Referenzmodells
679
Die Funktionen der sieben Schichten des Referenz-
modells (Bild VI-2) werden nachfolgend kurz be-
schrieben.
Schicht 1 (Bitübertragungsschicht, Physical Layer)
Die Schicht 1 beschreibt die Übertragungshardware;
dazu gehören die elektrischen Verbindungen, die
elektrische Darstellung der Bits (Leitungscodes), aber
auch die Spezifikation von Kabeln und Steckern. Das
Übertragungsmedium selbst gehört nicht dazu.
Schicht 2 (Sicherungsschicht, Data Link Layer)
Durch die Schicht 2 wird der Verkehr zwischen zwei
direkt benachbarten Stationen (über eine Teilstrecke)
geregelt; Fehlerbehandlung und Flußkontrolle für die
Teilstrecke gehören dazu. Die Information wird in
Blöcke geeigneter Länge unterteilt, die auf dieser
Ebene als Rahmen (frames) bezeichnet werden und
mit einem Fehlercode versehen werden, der eine
Fehlererkennung und -behebung (meist durch Wie-
derholung) ermöglicht.
Bei lokalen Netzen ist die Schicht 2 nochmals unter-
teilt in die Teilschicht 2a (Medium Access Control,
MAC), die den Zugriff zum gemeinsamen Übertra-
gungsmedium regelt, und die darüberliegende Teil-
schicht 2b (Logical Link Control, LLC), die die vom
Medienzugriff unabhängigen Funktionen der Schicht
2 wahrnimmt.
Schicht 3 (Vermittlungsschicht, Network Layer)
Diese Schicht ist zuständig für die Wegwahl (rou-
ting), für das Multiplexen mehrerer Verbindungen
über einzelne Teilstrecken und für Aspekte der
Fehlerbehandlung und Flußkontrolle zwischen den
Endsystemen einer Verbindung (nicht zwischen den
Anwenderprozessen). Auf dieser Ebene werden die
zu übertragenden Datenblöcke als Pakete bezeichnet.
Anwendungsprozeß
ANWENDUNG 7
DARSTELLUNG 6
KOMMUNIKATIONS-
STEUERUNG
5
TRANSPORT 4
VERMITTLUNG 3
SICHERUNG 2
BITÜBERTRAGUNG 1
Physical Medium
680
Schicht 4 (Transportschicht, Transport Layer)
Die Transportschicht unterstützt die Verbindungen
zwischen Prozessen in den Endsystemen; sie beschäf-
tigt sich mit den Ende-zu-Ende-Aspekten einer Ver-
bindung zwischen Prozessen (im Gegensatz zur
Vermittlungsschicht, die Ende-zu-Ende-Aspekte der
physikalischen Verbindung zwischen den Endknoten
der Verbindung behandelt). Die Transportschicht
verbirgt die Charakteristika des Netzes (lokales Netz,
Weitverkehrsnetz, gar kein Netz) vor den darüberlie-
genden Schichten.
Der Aufwand, der auf der Transportebene getrieben
werden muß, hängt von den geforderten Leistungen
ab, die über die Leistungen der Vermittlungsschicht
hinausgehen.
Schicht 5 (Kommunikationssteuerungsschicht,
Session Layer)
Die Kommunikationssteuerungsschicht dient vor
allem der Synchronisation der Kommunikation zwi-
schen den involvierten Prozessen. Jede Kommunika-
tion kann logisch in die Phasen Verbindungsaufbau,
Datentransfer und Verbindungsabbau gegliedert
werden.
Auf- und Abbau einer S-Verbindung (session) sind
bestätigte Dienste, nach deren Ablauf die beiden
Partner sich in einem gegenseitig genau definierten
Zustand befinden.
Die Funktionalität einer S-Verbindung ist zwischen
den Partnerinstanzen der Kommunikationssteuerungs-
schicht aushandelbar in Abhängigkeit von den Erfor-
dernissen der anfordernden Anwendung.
Schicht 6 (Darstellungsschicht, Presentation Layer)
Aufgabe der Darstellungsschicht ist es, Unterschiede
in der Informationsdarstellung in den kommunizie-
renden Systemen zu überbrücken. Durch die Funk-
tionen dieser Schicht wird sichergestellt, daß die
ausgetauschten Informationen wechselseitig richtig
interpretiert werden. Ein sehr einfaches Beispiel
ist die gegebenenfalls erforderliche Abbildung un-
terschiedlicher Zeichencodes (wie ASCII oder EBC-
DIC) aufeinander.
Schicht 7 (Anwendungsschicht, Application Layer)
Anwendungen im Sinne der Schicht 7 sind nicht
benutzerspezifische Anwendungen, die sich der
Standardisierung generell oder doch im Rahmen des
Kommunikationsvorgangs entziehen. Es gibt aber
eine Reihe von grundsätzlichen Anwendungen von
Kommunikationssystemen, die vielfach benötigt
werden; die wichtigsten sind:
File Transfer (FT): Austausch von Dateien
Remote Job Entry (RJE): Absetzen von Rechenauf-
trägen in entfernten Sys-
temen
Virtual Terminal (VT): Nutzung der interaktiven
Terminal-Dienste eines
entfernten Rechners vom
lokalen System aus
Datentechnik
Message Handling Austausch und Verwaltung
Systems (MHS): von Mitteilungen an Be-
nutzer anderer Systeme
Neben diesen Anwendungen, die auch als spezielle
Dienstelemente (Special Application Service Ele-
ments, SASE) bezeichnet werden, gibt es auch allge-
meine Dienstelemente (Common Application Service
Elements, CASE); diese bezeichnen Grundfunktio-
nen, die vielen Anwendungen gemeinsam sind und
deshalb sinnvollerweise nicht speziell für jede einzel-
ne Anwendung definiert werden. Dazu gehört das
Auf- und Abbauen einer Verbindung auf der Anwen-
dungsschicht, die Spezifikation der Anforderungen
des betreffenden Dienstes an die Darstellungsschicht
und die Kommunikationssteuerungsschicht sowie die
Authentifikation der Benutzer eines Dienstes. Ein wei-
terer Komplex betrifft die zuverlässige Ausführung
der Dienste, wodurch z.B. der korrekte Wiederanlauf
nach einer Störung sichergestellt werden soll.
Das Unterteilen des komplexen Kommunikationsvor-
gangs in Teilaspekte (Schichten) ist eine Maßnahme
der Zweckmäßigkeit, die eine präzise Beschreibung
und damit die Standardisierung erleichtert. Ein Be-
nutzer interessiert sich jedoch nicht für Schichten und
Strukturen, die ohnedies nicht explizit sichtbar sind,
sondern für Anwendungen in ihrer Gesamtheit. Es ist
deshalb wichtig, daß eine Anwendung als Ganzes
durch einen vollständigen Satz von Standards für die
einzelnen Ebenen beschrieben und realisiert wird.
3 Lokale Netze
Neben Varianten lokaler Netze, die nur als Prototy-
pen im akademischen Bereich realisiert worden sind
und solchen, die als firmenspezifische Entwicklungen
Marktbedeutung gehabt haben (wie z.B. HYPER-
channel der Fa. Network Systems Corp.), sind es vor
allem zwei Varianten, die weltweite Verbreitung
gefunden haben, nämlich Ethernet (CSMA/CD =
Carrier Sense Multiple Access with Collision Detec-
tion) und Token-Ring. Beide wurden durch IEEE
(Institute of Electrical and Electronics Engineers)
standardisiert und die Standards später von ISO
übernommen.
Ethernet wurde vom Forschungslabor der Fa. Xerox
im Rahmen eines Konzeptes für ein papierloses Büro
entworfen und später von der DIX-Firmengruppe
(DEC, Intel, Xerox) weiterentwickelt und in die
Standardisierung (IEEE 802.3) getragen. Der Token-
Ring ist von IBM entwickelt und als Standard bei
IEEE (IEEE 802.5) durchgesetzt worden. Insgesamt
ist Ethernet das weiter verbreitete LAN, der Token-
Ring hat aber insbesondere in durch IBM-Rechner
geprägten Umgebungen Bedeutung gehabt.
3.1 Ethernet (CSMA/CD)
Beim Ethernet gemäß IEEE-Standard handelt es sich
um einen Koaxialkabel-Bus, an den die Teilnehmer-
VI Datenkommunikation
Higher Teil- LLC
Endgerät
Layers neh- MAC
mer- PLS
Data Link LLC Ethernet MAU
Layer sta-
MAC Controller tion AUI
PLS
Transceiver
Physical
Cable
Layer
AUI
Transceiver
MAU Tap
Trunk
stationen angeschlossen werden. Durch Repeater
können mehrere Kabelsegmente zu einem größeren
Netz zusammengeschlossen werden. Die Maximal-
länge eines Kabelsegments beträgt 500 m, und es
können maximal 100 Stationen daran angeschlossen
werden; die Übertragungsgeschwindigkeit beträgt
10 Mbps (Megabit/sec).
Die Komponenten eines Teilnehmeranschlusses sind
Transceiver, Transceiver-Kabel und Ethernet Cont-
roller (Bild VI-3).
Der Transceiver (Medium Attachment Unit = MAU)
besteht aus dem eigentlichen Transceiver (trans-
mitter/receiver), einer Sende-/Empfangseinheit, und
einem als Tap bezeichneten Konnektor, durch den
der physische Anschluß an das Kabel hergestellt
wird.
Das Transceiver-Kabel verbindet den am Bus (trunk)
montierten Transceiver und den zur Teilnehmersta-
tion gehörenden Ethernet Controller. Das Transcei-
ver-Kabel ist dünner und flexibler als das Bus-Kabel
und erlaubt das Aufstellen von Teilnehmerstationen
in bis zu 50 m Abstand vom Bus. Dem Ethernet
Controller steht durch diesen Aufbau netzseitig eine
Schnittstelle (AUI = Attachment Unit Interface ge-
nannt) zur Verfügung, die von den spezifischen
Eigenschaften des Übertragungsmediums und der
Übertragungstechnik unabhängig ist, so daß ohne
Auswirkungen auf den Ethernet Controller andere
Medien und Übertragungsverfahren zum Einsatz
kommen können.
Der Ethernet Controller realisiert die MAC- und
LLC-Funktionen. Zur Netzseite enthält der Controller
noch die als PLS (Physical Signaling) bezeichnete
Unterschicht, deren Aufgabe die Signalaufbereitung
ist.
Das Medienzugriffsverfahren CSMA/CD gehört zu
den Random-Access-Verfahren, bei denen eine Sta-
tion im Prinzip jederzeit Zugriff zum Medium hat.
Das Verfahren funktioniert wie folgt:
Eine sendewillige Station hört zunächst das Medium
ab. Wenn das Medium frei ist, beginnt sie mit der
Übertragung, ansonsten wartet sie, bis das Medium
frei wird.
681
- Logical Link Control
- Medium Access Control
- Physical Signaling
- Medium Attachment Unit
- Attachment Unit Interface
Bild VI-3
Komponenten eines
Ethernet-Anschlusses
Station sendebereit
Kanal abhören
nein
Kanal frei?
Daten senden Warten gemäß
Kanal abhören Backoff-Strategie
nein
Kollision?
JAM-Signal senden Ende
Bild VI-4 Das CSMA/CD-Verfahren Ethernet
Während des Sendens hört sie weiterhin das Medium
ab. Wenn eine Kollision eintritt (dies kann gesche-
hen, wenn zwei Stationen quasi gleichzeitig (d.h. in
einem zeitlichen Abstand, der kleiner ist als die
Signallaufzeit zwischen den Stationen) zu senden
beginnen), dann bricht sie die Übertragung ab und
sendet ein sogenanntes JAM-Signal aus, durch das
sichergestellt werden soll, daß alle Stationen am Bus
registrieren, daß eine Kollision aufgetreten ist.
Nach einer durch die Backoff-Strategie festgelegten
Wartezeit wird ein erneuter Übertragungsversuch
gestartet. Durch die Backoff-Strategie muß sicherge-
stellt werden, daß bei der Wiederholung eine erneute
Kollision unwahrscheinlich ist. Das im Standard
festgeschriebene Backoff-Verfahren wird als Trun-
cated Binary Exponential Backoff bezeichnet und
besagt, daß eine zufällige Anzahl von Zeiteinheiten
gewartet wird, deren Mittelwert exponentiell mit der
Zahl der erlittenen Kollisionen (für den gleichen
Datenblock) steigt.
Die vorgenannte Zeiteinheit, Slot Time genannt, spielt
eine wichtige Rolle und manifestiert die Laufzeitab-
hängigkeit des CSMA/CD-Verfahrens:
682
Damit eine sendende Station eine auftretende Kolli-
sion sicher erkennen kann, darf die Übertragung nicht
beendet sein, bevor das JAM-Signal die Station errei-
chen kann, d.h. die Dauer einer Übertragung muß min-
destens das Doppelte der Signallaufzeit zwischen den
an der Kollision beteiligten Stationen betragen. Dies
muß auch für die Stationen maximaler Entfernung
gelten, so daß dieser Wert (die Slot Time) bei gegebe-
ner Spezifikation der Kabel und des maximalen Netz-
ausbaus eine Konstante ist; der durch den Standard
festgelegte Wert beträgt 51,2 ms. Bei einer Übertra-
gungsgeschwindigkeit von 10 Mbps ergibt sich daraus
eine Mindestlänge von 512 Bits (= 64 Bytes) für einen
zu übertragenden Datenblock (ethernet frame).
Aufgrund dieser Gegebenheiten besteht beim Ether-
net ein kritischer Zusammenhang zwischen den
Netzparametern Netzausdehnung, Blockgröße und
Übertragungsgeschwindigkeit, so daß – wenn z.B. die
Übertragungsgeschwindigkeit erhöht wird – entweder
die minimale Blockgröße um den gleichen Faktor
erhöht oder die maximale Netzausdehnung um den
gleichen Faktor verkleinert werden muß.
Eine weitere negative Eigenschaft des CSMA-CD-
Verfahrens ist die Instabilität. Diese bewirkt, daß bei
hoher Last (hervorgerufen durch viele Übertragungs-
anforderungen, allg. vom Typ Poisson) die Zahl der
Kollisionen steigt und damit der Durchsatz abnimmt,
so daß in der Konsequenz die Nutzdatenrate eines
Ethernets nur etwa 40 – 50% der Nenndatenrate von
10 Mbps beträgt.
Seit der Festlegung des ursprünglichen Standards hat
es eine Reihe von Fortschreibungen gegeben. Dies
betrifft zunächst die Anpassung an eine andere Infra-
struktur. Entsprechend dem allgemeinen Trend (in-
zwischen ein internationaler Standard für die Gebäu-
deverkabelung) hin zur Sterntopologie, basierend auf
Kupferdoppeladern (twisted pair) oder Glasfasern
(optical fiber), wurden neue Varianten spezifiziert,
die die Kurzbezeichnungen 10Base-T (10 steht für
10 Mbps Übertragungsgeschwindigkeit, Base für
Basisbandtechnik und T für Twisted Pair) und
10Base-F (F für Fiber) tragen.
Neuere Entwicklungen, die unter der Bezeichnung
,Fast Ethernet‘ laufen, haben die Erhöhung der Über-
tragungsgeschwindigkeit auf 100 Mbps zum Inhalt.
Hiervon gibt es – völlig überflüssigerweise – gleich
zwei Varianten. Die eine basiert auf dem CSMA/CD-
Verfahren (weshalb sie auch unter der Bezeichnung
IEEE 802.3 läuft) und trägt die Bezeichnung
100Base-TX bzw. 100Base-FX für Twisted Pair bzw.
Fiber. Nach den oben dargelegten Zusammenhängen
ist mit der Erhöhung der Übertragungsgeschwindig-
keit um den Faktor 10 eine Verkleinerung der Netz-
ausdehnung um den gleichen Faktor (auf etwas über
200 m) verbunden.
Die zweite Variante (IEEE 802.12) basiert auf einem
neuen, als Demand Priority bezeichneten Zugriffsver-
fahren. Die Kurzbezeichnung ist 100Base-VG oder
auch 100VG-AnyLAN. ,VG‘ steht für Voice Grade
Datentechnik
und deutet an, daß die Übertragungsgeschwindigkeit
von 100 Mbps auf relativ einfachen (Fernsprech-)Ka-
beln, wie sie für 10Base-T erforderlich sind, realisiert
wird. Die Bezeichnung ,AnyLAN‘ weist darauf hin,
daß diese Variante von den möglichen Netzstrukturen
und von den unterstützten Frame-Formaten her als
Aufstiegspfad sowohl für Ethernet- wie auch für
Token-Ring-Installationen geeignet ist (allerdings
nicht gleichzeitig, d.h. es können in einem Netz ent-
weder Ethernet-Frames oder Token-Ring-Frames
transportiert werden).
Da man sich bei IEEE nicht auf einen der beiden
Vorschläge einigen konnte, wurden 1995 beide stan-
dardisiert (ein Armutszeugnis für ein Stan-
dardisierungsgremium!). Die (technisch überlegene)
Variante 100Base-VG konnte sich am Markt aber
nicht durchsetzten.
1998/1999 wurde in einem weiteren Entwicklungs-
schritt Gigabit-Ethernet in mehreren Varianten (Be-
zeichnung: 1000Base-xx) standardisiert. 2002 wurden
dann als bisher letzte Entwicklungsstufe erste Stan-
dards für ein 10-Gbps-Ethernet (10GBase-xx) in
mehreren Varianten für unterschiedliche Entfer-
nungen und LWL-Typen verabschiedet. Während für
Gigabit-Ethernet noch eine Shared-Medium-Variante
entwickelt wurde, die größere strukturelle Ergänzun-
gen erforderte, um die im Standard für Gebäudever-
kabelung geforderte Entfernung von 100 m überbrü-
cken zu können, wird es eine solche für 10G-Ethernet
nicht mehr geben. Generell geht die Entwicklung zum
Ethernet-Switching (auch als Vollduplex-Variante
bezeichnet), bei dem im zentralen Punkt des Verkabe-
lungssterns ein Switch die Ethernet-Frames vermit-
telt. Hierbei wirken sich die Nachteile des Ethernet-
Zugriffsverfahrens nicht aus, weil es kein gemeinsam
genutztes Medium mehr gibt und deshalb überhaupt
kein spezielles Zugriffsverfahren benötigt wird.
Voraussetzung für die Anwendbarkeit von Switching
im allgemeinen und Ethernet-Switching im besonde-
ren ist die Existenz einer Sternverkabelung, wie sie der
Standard für die Gebäudeverkabelung vorschreibt.
3.2 Token-Ring
Wie alle Ringe kann der Token-Ring als eine ge-
schlossene Kette von gerichteten Punkt-zu-Punkt-
Verbindungen betrachtet werden; die Stationen sind
über einen Datenweg verbunden, der in Basisband-
technik unidirektional betrieben wird. Jede Station
empfängt die auf dem Ring befindliche Information,
interpretiert die Kontrollinformation, regeneriert die
Signale und leitet sie zur nächsten Station weiter. Die
Auslegung der Netzstationen als aktive Elemente hat
den Vorteil, daß sowohl hinsichtlich der Zahl der
angeschlossenen Stationen wie auch der geographi-
schen Ausdehnung große Netze aufgebaut werden
können; sie hat den Nachteil, daß – wenn nicht andere
Vorkehrungen getroffen werden – der Ausfall einer
einzigen Station die Funktionsunfähigkeit des gesam-
ten Rings zur Folge hat.
VI Datenkommunikation
Empfänger
Ringleitungsverteiler
Adapter Adapter
Endgerät Endgerät
Der Token (die Sendeberechtigung) kreist im Nor-
malfall im Ring. Eine sendewillige Station muß
warten, bis sie den Token (free token) erhält; dessen
Status wandelt sie in ,besetzt‘ (busy token) und über-
trägt den anstehenden Datenblock. Die adressierte
Station übernimmt die Daten, leitet sie aber gleichzei-
tig weiter durch den Ring (Bild VI-5). Es ist die
Aufgabe der sendenden Station, den Informations-
rahmen wieder vom Ring zu entfernen, wenn dieser
den Ring umrundet hat. Anschließend generiert die
Absenderstation einen neuen (freien) Token und
sendet ihn zur Nachbarstation.
Da es im Token-Ring eine natürliche Reihenfolge der
Stationen gibt, brauchen die Stationen, wenn sie
einen Informationsrahmen senden oder weiterleiten,
die Nachbarstation nicht explizit zu adressieren.
Dadurch ist die minimale Länge eines Rahmens sehr
kurz; dies trifft insbesondere zu für den Token Frame
(das ist der Rahmen, der im Ring kreist, wenn keine
Nutzinformation zu übertragen ist); seine Länge
beträgt gemäß Token-Ring-Standard 24 Bits.
Die Laufzeitabhängigkeit des Token-Verfahrens re-
sultiert daraus, daß eine sendewillige Station in jedem
Falle – also auch, wenn keine andere Station sendet
oder senden will – warten muß, bis sie in Besitz des
Token gelangt, was um so länger dauert, je größer der
Ring ist. Nach der Übertragung eines Datenblocks
muß sie den Token wieder freigeben und warten bis
der Token den Ring umrundet hat und wieder zu ihr
gelangt, bevor sie einen weiteren Datenblock übertra-
gen darf.
683
Sender
Bild VI-5
Datenfluß im Token-Ring
Adapter
Bild VI-6
Stern-Ring-Verbindung über
Endgerät Ringleitungsverteiler
(schematische Darst.)
Der Token-Ring ist ein Ring, der auf einer physikali-
schen Sterntopologie realisiert wird, indem benach-
barte Ringstationen über eine zentrale Einheit, den
Ringleitungsverteiler, miteinander verbunden werden.
Eine Token-Ring-Installation besteht aus ringförmig
verbundenen Ringleitungsverteilern, an die die Teil-
nehmerstationen, bestehend aus Token-Ring-Adapter
plus Endgerät (typischerweise ein Rechner) über
Anschlußkabel (drop cable, lobe) angeschlossen sind
(Bild VI-6). An einen Token-Ring können maximal
200 Stationen angeschlossen werden; die Übertra-
gungsgeschwindigkeit beträgt 4 Mbps oder 16 Mbps
(aber nicht gemischt). Die zulässige Entfernung
zwischen einer Station und dem Ringleitungsverteiler
ist abhängig von der Datenrate und der Kabelqualität;
sie beträgt aber mindestens die im Verkabelungsstan-
dard geforderten 100 m. Die Verbindung der Teil-
nehmerstationen über ein zentrales Element hat den
Vorteil, daß bei Ausfall einer Station oder Unterbre-
chung der Verbindungsleitung dieser Anschluß im
Ringleitungsverteiler kurzgeschlossen werden kann,
so daß die Kommunikation zwischen den verbleiben-
den Stationen ungestört stattfinden kann. Die Über-
brückung an zentraler Stelle hat überdies den Vorteil,
daß selbst bei Ausfall mehrerer benachbarter Statio-
nen die Entfernung zwischen den verbleibenden Ring-
stationen praktisch unverändert bleibt, was andernfalls
übertragungstechnische Probleme bereiten könnte.
Es gibt keine Weiterentwicklung des Token-Ring-
Standards und damit keine Zukunft für den Token-
Ring.
684
FDDI (Fiber Distributed Data Interface, ISO 9314)
ist im Grunde genommen ein an die höhere Übertra-
gungsgeschwindigkeit (100 Mbps) und die größere
Ringausdehnung (max. 200 km) angepaßte Variante
des Token-Rings. FDDI war das erste der sogenann-
ten High-speed-LANs, das standardisiert wurde.
Hinsichtlich der Zukunftsperspektiven gilt die gleiche
Aussage wie für den Token-Ring: FDDI hat keine
Chance gegen die modernen Ethernet-Varianten.
3.3 ISDN
Analoge Endst. Dig. OVSt Digitale Fernvermittlungsstellen
A D
A A
NT DIVO DIVF
D D
S0
NT
D D
S0
Digitale Endstellen
Zentraler Signalisierungskanal
Bild VI-7 Prinzipdarstellung des diensteintegrierenden digitalen Fernmeldenetzes
Das ISDN (Integrated Services Digital Network)
entsteht aus dem digitalen Fernsprechnetz. Die Digi-
talisierung des Fernsprechnetzes (in Deutschland
Ende 1997 abgeschlossen) beinhaltet die Digitalisie-
rung der Vermittlungseinrichtungen und der Verbin-
dungen zwischen diesen. Beim Teilnehmer gibt es
keine Veränderung, d.h. die Endgeräte (Fernsprech-
apparate, Faxgeräte) bleiben analog, so daß auch die
Teilnehmeranschlußleitung weiter in analoger Tech-
nik betrieben werden muß. Dazu ist an der digitalen
Ortsvermittlungsstelle (DIVO) eine Digital-/Analog-
wandlung erforderlich. Beim ISDN wird auch der
Teilnehmeranschluß (Endgerät + Leitung) digitali-
siert, so daß durchgehende digitale Verbindungen von
Teilnehmer zu Teilnehmer möglich sind. Das ISDN
ist vollständig durch ITU-T standardisiert, und die
Empfehlungen werden, die Bedeutung des ISDN
unterstreichend, in einer eigenen Serie, der I-Serie,
herausgegeben.
Neu im digitalen Fernsprechnetz und notwendige
Voraussetzung vieler fortschrittlicher Funktionen im
ISDN ist der zentrale Signalisierungskanal, über den
unabhängig von den Nutzkanälen Kontrollnachrich-
ten zwischen den Vermittlungseinrichtungen ausge-
tauscht werden. Im Gegensatz zu den Nutzkanälen,
die leitungsvermittelt sind, ist der Signalisierungska-
nal als Verbindung zwischen DV-Anlagen (was die
Vermittlungseinrichtungen de facto sind) paketver-
mittelt. Einen unabhängigen Signalisierungskanal
(Outband-Signalisierung) gibt es mit dem D-Kanal
Datentechnik
im ISDN auch zwischen Endteilnehmer und Ortsver-
mittlungsstelle. Der unabhängige Signalisierungska-
nal erlaubt Leistungsmerkmale, die im Fernsprech-
netz nicht möglich sind, etwa die Anzeige eines
weiteren Verbindungswunsches (mit Anzeige der
Rufnummer des rufenden Teilnehmers) während
einer bestehenden Verbindung.
Die leitungsvermittelten Nutzkanäle im ISDN (als B
(Basis)-Kanäle bezeichnet) sind – abgesehen davon,
daß ihre Datenrate aufgrund der Erfordernisse PCM-
Dig. OVSt Analoge Endst.
A A
D A
DIVF DIVO NT
S0
NT
S0
Digitale Endstellen
codierter Sprache (8 kHz Sampling Rate, 8-Bit-
Auflösung) 64 kbps beträgt – nicht dienstspezifisch.
Für den Teilnehmeranschluß sind zwei Kanalstruktu-
ren spezifiziert:
B + B + D16 Basisanschluß (Basic Access, BA)
30 × B + D64 Primärmultiplexanschluß
(Primary Rate Access, PRA)
D16 beziehungsweise D64 bezeichnen einen paketver-
mittelten 16- bzw. 64-kbps-Signalisierungskanal.
Beim Basisanschluß stehen dem Teilnehmer somit
zwei unabhängig vermittelbare 64-kbps-Basiskanäle
und ein 16-kbps-Signalisierungskanal, also eine
Nettobitrate von 144 kbps, zur Verfügung. Beim
Primärmultiplexanschluß (geeignet für größere Unter-
nehmen) steht eine Nettobitrate von 1,984 Mbps zur
Verfügung. Es können auch mehrere Basiskanäle
zwischen den gleichen Endstellen vermittelt werden
und so Verbindungen höherer Leistung (N × 64 kbps,
N > 1) realisiert werden.
Die D-Kanäle dienen vorrangig der Signalisierung,
können aber auch für niederratige paketorientierte
Datenübertragungen genutzt werden.
Die physikalischen Schnittstellen eines Basisan-
schlusses sind in Bild VI-8 dargestellt.
Von besonderer Bedeutung ist der Netzabschluß NT
(Network Termination), der die Schnittstelle zwi-
schen Teilnehmer und Telekom bildet und dem
Teilnehmer die bus-fähige S0-Schnittstelle zur Verfü-
VI Datenkommunikation 685

R S0 U V

TE 1 NT LT ET

ISDN-DIVO
TE 2 TA

ET - Exchange Termination (Vermittlungsabschluß)

LT - Line Termination (Leitungsabschluß)
NT - Network Termination (Netzabschluß)
TA - Terminal Adapter (Endgeräteanpassung)
TE 1 - Terminal Equipment Type 1 (ISDN-fähiges Endgerät)
TE 2 - Terminal Equipment Type 2 (herkömmliches Endgerät)
U - Leitungsschnittstelle der Teilnehmeranschlußleitung
S0 - Teilnehmer schnittstelle zum Anschluß ISDN-fähiger Endgeräte

Bild VI-8 Physikalische Schnittstellen des ISDN-Basisanschlusses

gung stellt. Der S0-Bus kann 200 m lang sein, und bis
zu acht unterschiedliche Endgeräte können daran
angeschlossen werden. Der Netzabschluß NT besitzt
keine Vermittlungsfunktion, d.h., wenn zwischen
zwei Fernsprechapparaten an einem S0-Bus eine Ver-
bindung hergestellt wird, so geschieht dies (gebüh-
renpflichtig!) über die Ortsvermittlungsstelle.
S0-fähige digitale Endgeräte können direkt ange-
schlossen werden. Wenn Geräte mit anderen Schnitt-
stellen (etwa herkömmliche analoge Fernsprechappa-
rate) angeschlossen werden sollen, so kann dies über
einen Terminal Adapter (TA) geschehen, der netzsei-
tig über eine S0-Schnittstelle verfügt und benutzersei-
tig (R-Bezugspunkt) die für das anzuschließende
Gerät erforderliche Schnittstelle besitzt. Der TA muß
gegebenenfalls eine Datenratenanpassung vornehmen
und – was aufwendig sein kann – die jeweiligen
Signalisierungen aufeinander abbilden.
Das heute angebotene ISDN ist das sogenannte EU-
RO-ISDN. Im Gegensatz zu den ersten ISDN-
Realisierungen (auch der Deutschen Telekom), die
auf den noch unvollständigen ITU-T-Standards von
1984 aufbauten, basiert das EURO-ISDN auf den
ITU-T-Empfehlungen von 1988. Beim EURO-ISDN
haben sich die europäischen Telekom-Verwaltungen
auf ein einheitliches (Mindest-)Angebot an Diensten
und Leistungsmerkmalen verpflichtet, die somit grenz-
überschreitend europaweit genutzt werden können.
3.4 Breitband-ISDN (ATM-Technik)
Das ISDN ist insofern noch kein wirklich universelles
Netz als es durch die Beschränkung auf 64 kbps bzw.
geringe Vielfache davon als Trägersystem für breit-
bandige Kommunikationsdienste nicht geeignet ist.
Bei ITU wie auch bei der Deutschen Telekom und
anderen Fernmeldeverwaltungen ist deshalb die
Weiterentwicklung des ISDN zum Breitband-ISDN
(B-ISDN) von Anfang an geplant gewesen. Das
Breitband-ISDN ist eine Weiterentwicklung des
heutigen (Schmalband-)ISDN, d.h. grundsätzliche
konzeptionelle Unterschiede gibt es nicht, insbeson-
dere nicht, was den Stationsaufbau und die Prinzipien
des Teilnehmerzugangs und der Signalisierung an-
geht. Als Netztechnik des B-ISDN wurde ATM
(Asynchronous Transfer Mode) durch ITU-T festge-
schrieben.
Ein ATM-Netz ist universell einsetzbar, da es sowohl
isochronen als auch asynchronen Verkehr tragen
kann und eine dynamische Zuordnung von Band-
breiten gestattet. Insbesondere diese letzte Eigen-
schaft war für die Entscheidung zugunsten von ATM
bedeutsam, da sich die Mitglieder der Standardisie-
rungsgremien gleich zu Anfang nicht auf die Festle-
gung einer Kanalstruktur und der Bandbreiten (was
für ein leitungsvermittelndes Netz unabdingbar
ist) für das Breitband-ISDN einigen konnten. Dies
war nicht die Folge eines mangelnden Einigungs-
willens, sondern unterstreicht die objektive Unmög-
lichkeit, eine derartige Festlegung (und damit Fest-
schreibung auf Dauer) in sachgerechter Weise treffen
zu können, da niemand in der Lage ist, eine ernstzu-
nehmende Prognose zu stellen, welche Datenraten
für welche Dienste in 15 oder 20 Jahren benötigt
werden.
Zunächst einige charakterisierende Merkmale des
ATM-Verfahrens in Stichworten:
ATM ist ein sogenanntes Fast Packet Switching-
Verfahren, auch als Cell Switching (Zellvermittlung)
bezeichnet. Hierbei wird der Informationsstrom in
kleine Pakete fester Länge und Struktur (Zellen) von
53 Bytes (5 Bytes Header (Zellkopf) und 48 Bytes
Payload (Nutzinformation)) unterteilt.
ATM basiert somit auf Vermittlungstechnik, und die
Basistopologie eines ATM-Netzes ist der Stern.
686 Datentechnik

Die Zellen sind für alle Kommunikationsdienste einem UNI kann sich auch ein (privates) ATM-Netz,
gleich, d.h. beliebige Verkehrsströme werden voll- bestehend aus privaten ATM-Vermittlungseinrich-
kommen transparent übertragen. tungen mit daran angeschlossenen Endeinrichtungen
Die einfache Zellstruktur erlaubt eine hardware-gesteu- (CPE = Customer Premises Equipment), verbergen.
erte Zellvermittlung, was bei den hohen Geschwin-
digkeiten in ATM-Netzen auch notwendig ist.
Die ATM-Spezifikationen beziehen sich auf die
Schichten 1 und 2 des OSI-Referenzmodells. Die Über- P
l
tragungstechnik selbst ist nicht Bestandteil der ATM- L a
a n
Spezifikation durch ITU-T, d.h. ATM kann auf jedem y e
e
ausreichend fehlerfreien Übertragungsweg betrieben r M
Higher Higher a
werden. Im öffentlichen Bereich ist dies vor allem M n
Layers Layers a a
die synchrone Übertragungshierarchie SDH (Syn- n g
a e
chronous Digital Hierarchy) mit den Übertragungs- ATM Adaption Layer (AAL) g m
e e
geschwindigkeiten 155,52 Mbps und 622,08 Mbps. m n
e t
Im Teilnehmerzugangsbereich werden auch niedri- n
ATM Layer t
gere Geschwindigkeiten angeboten (ab 2 Mbps).
Wenn die ATM-Technik ihren Ursprung auch im
öffentlichen Bereich hat (als Vermittlungs- und Physical Layer (PL)
Multiplextechnik des Breitband-ISDN), so ist sie
doch auch in privaten und lokalen Netzen einsetzbar, Bild VI-10 Protokoll-Referenzmodell des
so daß sich erstmals die Perspektive einer einheit- Breitband-ISDN
lichen Technik für alle Bereiche abzeichnet.
Für den Einsatz im lokalen Bereich sind weitere
Übertragungssysteme und -geschwindigkeiten defi- Das Protokoll-Referenzmodell des Breitband-ISDN
niert, teilweise von ITU-T, zum größeren Teil vom (Bild VI-10) zeigt die bei ITU-T übliche (und vom
ATM-Forum (eine Vereinigung der wichtigsten OSI-Referenzmodell abweichende) Zweiteilung in
Computer- und Telekommunikationsfirmen sowie eine User Plane und eine Control Plane, wobei die in
von Netzbetreibern mit dem Ziel, die Standardisie- der Control Plane verwendeten Protokolle Erweite-
rung und Verbreitung von ATM voranzutreiben). Im rungen der für das Schmalband-ISDN spezifizierten
lokalen Bereich sind 155-Mbps-Anschlüsse verbrei- Protokolle sind.
tet, und es zeichnet sich ab, daß 622 Mbps im Back- Die ATM-Spezifikation umfaßt drei Schichten. Kern
bone-Bereich genutzt werden wird. ist die mittlere Schicht (ATM Layer), die für das
Grundsätzlich hat ein ATM-Netz die in Bild VI-9 Vermitteln und Multiplexen von ATM-Zellen, d.h.
gezeigte Struktur. für den Transport der Zellen durch das Netz, zustän-

NNI - Network Node Interface

UNI - User Network Interface
ATM ATM
UNI NNI UNI
ATM ATM
Switch Switch

ATM
NNI Switch NNI

UNI
NNI

Customer Premises Equipment Bild VI-9

(CPE) Struktur eines ATM-Netzes

Die ATM-Vermittlungseinrichtungen (Switches) bil-
den ein vermaschtes Netz; sie kommunizieren über
eine Network Node Interface (NNI) genannte Schnitt-
stelle miteinander. Über die UNI-Schnittstelle (User
Network Interface) können ATM-fähige Endgeräte an
die Vermittlungen angeschlossen werden. Hinter
dig ist. Der darüber angesiedelten AAL-Schicht
(ATM Adaption Layer) obliegt die Anpassung an
die höheren Schichten (Anpassung der verschie-
denartigen Informationsströme an die Gegebenhei-
ten des ATM-Netzes), während die darunterliegende
PL-Schicht (Physical Layer) die Anpassung an das
VI Datenkommunikation 687

eigentliche Übertragungssystem übernimmt, das daten (Payload) gibt es auf der ATM-Ebene keinen
selbst nicht Bestandteil der ATM-Spezifikation ist. Fehlerschutz; für diese Daten ist der Fehlerschutz
Neben der Benutzerebene, die für den Transport der dienstabhängig auf den höheren Schichten zu organi-
Nutzdaten zuständig ist, sind noch die Steuerebene sieren.
(Control Plane) und die Managementebene (Manage- ATM arbeitet verbindungsorientiert, d.h. zwischen
ment Plane) definiert. Alle Ebenen benutzen für die den Kommunikationspartnern muß eine virtuelle
Durchführung ihrer Funktionen das darunterliegende Verbindung (VCC = Virtual Channel Connection)
ATM-Netz. aufgebaut werden, bevor Daten ausgetauscht werden
Die Steuerebene ist für Aufbau und Abbau von Ver- können.
bindungen sowie deren Überwachung während ihres Eine virtuelle Verbindung ist nicht nur durch ihre
Bestehens zuständig. Da ATM verbindungsorientiert Endpunkte (Sender- und Empfängeradresse) charak-
arbeitet, muß durch einen Signalisierungsvorgang auf terisiert, sondern auch durch Eigenschaften und
der Steuerebene zunächst eine Verbindung aufgebaut Leistungsmerkmale, die als Dienstgüte (Quality of
werden, bevor Benutzerdaten fließen können. Service, QoS) bezeichnet und beim Verbindungsauf-
Die Managementebene umfaßt zwei Funktionen: Ebe- bau zwischen dem Teilnehmer und dem Netz ausge-
nenmanagement (Plane Management) und Schich- handelt werden und deren Einhaltung durch das Netz
tenmanagement (Layer Management). garantiert wird. ATM-Zelle Network Interface
Physical Layer ATM Adaption Layer (AAL)
Die Aufgabe der physikalischen Schicht ist es, ATM-
Zellen an die Gegebenheiten des Übertragungssy- Packet CBR VBR
stems anzupassen und zu übertragen. Die Dienste, die
die physikalische Schicht der darüberliegenden
ATM-Schicht bietet, nämlich den Transport gültiger
Zellen und die Bereitstellung von Timing-Information
(wird unter Umständen von Diensten höherer Schich-
ten benötigt), sind unabhängig vom Übertragungs-
system, d.h. die Eigenschaften des Übertragungs-
systems bleiben der ATM-Schicht verborgen, die
ausschließlich auf der Basis von ATM-Zellen arbei-
tet.
ATM-Layer
Die ATM-Schicht erbringt die Kernfunktionen eines
ATM-Netzes: das Vermitteln und Multiplexen von
AAL
Zellen. Dies geschieht auf der Basis der im Zellkopf
enthaltenen Informationen (Bild VI-11). Auf zwei der
Felder soll hier kurz eingegangen werden:
Virtual Channel Identifier (VCI), Virtual Path Identi-
fier (VPI) ATM-
Z ellen
Die in Vermittlungseinrichtungen (Switches) für das
Vermitteln von ATM-Zellen benötigte Information ist
in den VCI- und VPI-Feldern enthalten. Die VCI-
und VPI-Werte sind keine Adressen, sondern Ken-
nungen (Labels), die für das Routing benutzt werden
und nur innerhalb des ATM-Netzes von Bedeutung Bild VI-12 Funktionsprinzip der AAL-Schicht
sind.
Die Aufgaben der Anpassungsschicht sind die dienst-
Header Error Control (HEC) gerechte Aufbereitung der Nutzinformation sowie die
Schützt nur die Header-Information. Einbit-Fehler Zerlegung in Zellen auf Senderseite, die Extraktion
können korrigiert werden, Mehrbit-Fehler werden der Nutzinformation und deren (zeitgerechte) Weiter-
erkannt, fehlerhafte Zellen verworfen. Für die Nutz- gabe auf Empfängerseite und die Bereitstellung

5 Octets 48 Octets

Header Payload

Bild VI-11
GFC VPI VCI PT CLP HEC Struktur der ATM-Zelle am User
4 8 16 3 1 8 Bits Network Interface
688
und Auswertung der erforderlichen Steuer- und
Management-Funktionen.
Die AAL-Schicht regelt den Netzzugang. Die Festle-
gung von Dienstgüteparametern und deren Überwa-
chung sowie Flußkontrollfunktionen sind Aufgaben
des Netzzugangs.
Es ist die AAL-Schicht, die einem ATM-Netz die
Flexibilität verleiht, die unterschiedlichsten Dienste
zu transportieren.
Die AAL-Schicht stellt folgende Verbindungsklassen
zur Verfügung:
CBR (Constant Bitrate) für isochronen Verkehr
fester Bitrate. Dieser ist optimal geeignet für Anwen-
dungen, die einen permanenten Informationsstrom
fester Rate erzeugen. Dazu zählen klassische Audio-
oder Videoanwendungen.
Für eine CBR-Verbindung ist die maximale Bitrate
(peak cell rate) frei wählbar.
Realtime VBR (Variable Bitrate) für isochronen
Verkehr variabler Bitrate. Solcher Verkehr entsteht
bei der Anwendung von Kompressionsalgorithmen
auf Video- und Audiosignale. Diese Klasse ist ohne
Vorbild, da bisher kein Netz in der Lage war, solchen
Verkehr adäquat (effizient) zu übertragen.
UBR (Unspecified Bitrate) für asynchronen Verkehr
variabler Bitrate. Hierüber kann asynchroner (paket-
orientierter) Verkehr ohne Service-Garantien übertra-
gen werden. UBR-Verkehr soll die durch die vorher
beschriebenen Verbindungsklassen (CBR und Real-
time-VBR) nicht belegte Bandbreite im freien Spiel
der Kräfte nutzen. Dabei baut ein Sender eine UBR-
Verbindung ohne QoS-Angaben auf und sendet dann
Bandwidth cell loss
1 [1] Conrads, D.: Telekommunikation. 5., überarbei-
ABR
VBR
CBR
Time
Bild VI-13 ATM-Verbindungsklassen
Datentechnik
mit maximaler Rate. Wenn in der Folge Überlast-
probleme in Netzknoten auftreten, werden die Zellen
solcher UBR-Verbindungen verworfen. Diese Vor-
gehensweise funktioniert nur unter der Prämisse, dass
aufgrund der Gesamtkonstellation Überlastsituationen
in Netzknoten seltene Ereignisse sind.
ABR (Available Bitrate) für asynchronen Verkehr
variabler Bitrate.
Im Grundsatz hat ABR die gleiche Zielsetzung wie
UBR, nämlich die für isochronen Verkehr nicht
benötigte Bandbreite für asynchronen Verkehr zu
nutzen. Dies geschieht hierbei jedoch nicht im freien
Spiel der Kräfte, wobei jeder Teilnehmer maximalen
Durchsatz anstrebt und die Begrenzung durch Über-
lastreaktionen des Netzes realisiert wird, sondern
durch Hinzufügen eines Flusskontrollmechanismus
(flow control, congestion control). Dies ist ein Regel-
kreis, über den die Zugangsrate beim Sender so
gesteuert werden soll, dass weder der Empfänger
noch Zwischenknoten (das Netz) überlastet werden,
also Zellverluste vermieden werden.
Im öffentlichen Bereich ist die ATM-Technik im
Breitband-ISDN etabliert, das in Deutschland von der
Deutschen Telekom nach einer Pilotphase seit 1997
als regulärer Dienst angeboten wird. Für den priva-
ten/lokalen Bereich ist die Technik ebenfalls verfüg-
bar, konkurriert hier aber mit den modernen Ether-
net-Varianten, die funktional unterlegen, dafür aber
deutlich billiger sind. Aus diesem Grunde kommt die
ATM-Technik hier zur Zeit überwiegend im Back-
bone-Bereich und bei Anwendungen mit besonders
hohen Anforderungen an die Isochronität (z.B. Multi-
media) zum Einsatz.
Literatur
tete und erweiterte Auflage, Vieweg, 2004.
[2] Kanbach, A., Körber, A.: ISDN. Die Technik.
Schnittstellen, Protokolle, Dienste, Endsysteme.
3., neubarbeitete und stark erweiterte Auflage.
Hüthig, 1998.
[3] Kauffels, F.-J.: Lokale Netze. 2 Bde., mitp,
2003.
[4] Siegmund, G.: ATM – Die Technik. 4., völlig
neu bearbeitete Auflage, Hüthig, 2003.
[5] Siegmund, G.: Technik der Netze. 5., völlig neu
bearbeitete und erweiterte Auflage, Hüthig,
2002.
 689

Automatisierungstechnik

1 Einführung de Wirkungsablauf findet in einem geschlossenen

Automatisierung: Reale Aufgaben der Automatisie-
rungstechnik sind im Allgemeinen sehr komplex. Als
umfassender Ausdruck für Steuerungs-, Regelungs-
und Visualisierungs-Vorgänge hat sich der Begriff
der Automatisierung durchgesetzt. Er beinhaltet, dass
Automatisierungsgeräte selbsttätig Programme befol-
gen und dabei Entscheidungen auf Grund vorgegebe-
ner Führungsgrößen und rückgeführter Prozessgrößen
aus der Anlage sowie erforderlicher Daten aus inter-
nen Speichern des Systems treffen, um daraus not-
wendige Ausgangsgrößen für den Betriebsprozess zu
bilden.
Steuerung: Steuern oder Steuerung wird als Ablauf
in einem System definiert, bei dem eine oder mehrere
Eingangsgrößen andere Größen als Ausgangsgrößen
aufgrund der dem System eigentümlichen Gesetzmä-
ßigkeiten beeinflussen. Kennzeichen für das Steuern
ist der offene Wirkungsablauf über der Steuerstrecke.
Eine Steuerung liegt also vor, wenn Eingangsgrößen
nach einer festgelegten Gesetzmäßigkeit Ausgangs-
größen beeinflussen. Die Auswirkung einer nicht
vorhersehbaren Störgröße wird nicht ausgeglichen.
Regelung: Immer dann, wenn Störgrößenänderungen
das System nicht hinnehmbar beeinflussen können,
werden Regelungen erforderlich. Die Regelgröße
(Aufgabengröße) muss sich messtechnisch erfassen
lassen, denn eine Regelung ist ein Vorgang, bei dem
die Regelgröße fortlaufend erfasst, mit der Führungs-
größe verglichen und abhängig vom Ergebnis dieses
Vergleichs im Sinne einer Angleichung an die Füh-
rungsgröße beeinflusst wird. Der sich dabei ergeben-
Kreis, dem Regelkreis, statt. Programmierbare Auto-
matisierungsgeräte können die Aufgaben des Steu-
erns und Regelns ausführen, denn beide Funktionen
beruhen auf Programmen unter Verwendung dessel-
ben Operationsvorrates.
2 Automatisierungsgeräte
Die derzeit am weitesten verbreitete Hardware-
Plattform der Steuerungstechnik ist die Speicherpro-
grammierbare Steuerung SPS, wie sie in Bild 1
abgebildet ist, dort jedoch ohne den heute schon
üblichen Anschluss an ein Feldbussystem zur Vernet-
zung mit anderen Steuerungskomponenten.
Eine Speicherprogrammierbare Steuerung hat die
Struktur eines Rechners, deren Funktion als Pro-
gramm gespeichert ist. Sie besteht im einfachsten Fall
aus einer Stromversorgung PS, einem Steuerungspro-
zessor CPU, einigen zentralen digitalen Eingabe- und
Ausgabebaugruppen sowie einem internen Bussys-
tem. Bei Bedarf können auch Baugruppen zur Ana-
logwertverarbeitung oder für besondere Funktionen
wie Regler, schnelle Zähler und Positionierungen
hinzukommen. Die Peripheriebaugruppen und die
Programmiersprachen sind auf die Belange der Steue-
rungstechnik ausgerichtet. Speicherprogrammierbare
Steuerungen gibt es als modulare und kompakte
Systeme für unterschiedliche Anforderungsniveaus.
Ein typisches Merkmal von SPS-Steuerungen ist die
zyklische Programmbearbeitung, wie in Bild 2 ange-
deutet.

Strom- Zentraleinheit Signalbaugruppen (SM)

versorgung SF (CPU)
(PS)
DC5V 16DE 16DA 16DE 16DA 2 AE 2 AA
FRCE E 0.0 A 4.0 EW 8 AW 12 PEW PAW
DC24V RUN
320 336
STOP
PUSH .. .. 322 338
EIN
AUS E 0.7 A 4.7
RUN
STOP
MRES
230 V~ E 1.0 A 5.0

.. PG/PC- .. ..
24 V= .. Anschluss
E 1.7 A 5.7

Bild 1 Aufbau einer Speicherprogrammierbaren Steuerung ohne Feldbusanschluss

DE = Digitale Eingänge, DA = Digitale Ausgänge, AE = Analoge Eingänge, AA = Analoge Ausgänge
690
Eingänge Zentralbaugruppe (CPU)
Steuerwerk und Taktsystem
E0.0
Speicher
Anpassung
Akku Zeiten
Merker Zähler
E.0.7 Prozess- Prozess-
abbild abbild
Eingänge Ausgänge
Schnittstelle zu PG/PC
Bild 2 SPS-Struktur und zyklische Programmbearbeitung
In der Praxis werden nicht mehr ausschließlich SPS-
basierte Automatisierungssysteme eingesetzt, sondern
vernetzte Steuerungssysteme bestehend aus SPSen
und PCs mit unterschiedlichen Aufgaben, wobei die
SPS mehr prozessnah und der PC mehr übergeordnet
und datenverarbeitend genutzt wird. Soll die Steue-
rungsfunktionalität nicht mehr von einer modernen
SPS, sondern von einem PC ausgeführt werden, so
gibt es diese Lösung als Industrie-PC mit eingebauter
SPS-Karte und zusätzlicher Feldbus-Schnittstelle. In
Sonderfällen kommt auch eine sog. Soft-SPS-Lösung
in Frage, bei der in einem PC die Funktion einer SPS
softwaremäßig nachgebildet und Steuerungsaufgaben
„nebenher“ miterledigt werden. Für die Programmer-
stellung macht es keinen Unterschied, ob die Hard-
ware-Plattform ein PC oder eine SPS ist.
3 Grundzüge der SPS-Norm
IEC 61131-3
Auch wenn das Programmieren von Steuerungen und
Regelungen noch immer ein sehr individueller Pro-
zess ist, muss seit Jahren der Standard der SPS-
Programmier-Norm IEC 61131-3 zu Grunde gelegt
werden, der eine rationellere Programmerstellung und
größere Herstellerunabhängigkeit zum Ziel hat. Den
Anwendungsprogrammierern müssen wirksame Mit-
tel an die Hand gegeben werden, um wiederverwend-
bare und damit kostensparende Programme entwi-
ckeln zu können. Die Norm IEC 61131-3 bzw. DIN
EN 61131-3 richtet sich daher in erster Linie an SPS-
Hersteller. Für Anwendungsprogrammierer ist die
SPS-Norm eher ein Dokument im Hintergrund, denn
sie sind für ihre Arbeit auf ein reales IEC 61131-3
kompatibles Programmier- und SPS-System angewie-
sen.
Automatisierungstechnik
Ausgänge
Signalzustände
der Eingänge E
übernehmen
A4.0
Zyklische Bearbeitung
Programm
abarbeiten
Anpassung
1. Anweisung
2. Anweisung
Letzte Anweisung
A4.7
Signalzustände
der Ausgänge A
ausgeben
Die Grundzüge dieser SPS-Norm werden in den fol-
genden Abschnitten dargelegt und bilden die Voraus-
setzungen dafür, mit einem der SPS-Norm entspre-
chenden Programmiersystem richtig umgehen zu
können.
3.1 Programmorganisationskonzept
Es ist ein hierarchisch gegliedertes System von so
genannten Programmorganisationseinheiten (POE)
eingeführt worden, bestehend aus einem Hauptpro-
grammtyp (Schlüsselwort: PROGRAM) mit Zugriffs-
möglichkeit auf SPS-Eingänge/-Ausgänge und zwei
Unterprogrammtypen davon einen Typ mit Gedächt-
nisfunktion (Schlüsselwort: FUNCTION_BLOCK)
und einen Typ ohne Gedächtnisfunktion (Schlüssel-
wort: FUNCTION). Durch dieses Programmorganisa-
tionskonzept in Verbindung mit dem Datentyp- und
Variablenkonzept zur Entwicklung strukturierter Pro-
gramme wird die Wiederverwendbarkeit von Bau-
steinen bei späteren Anwendungen ermöglicht. Da-
durch ist die neue Anwendungsprogrammierung sehr
viel anspruchsvoller als die herkömmliche SPS-
Programmierung geworden.
Ein Steuerungsprogramm (Anwenderprogramm) ist
eine in Programm-Organisations-Einheiten (POE) ge-
gliederte Einheit. Anstelle der unhandlichen Be-
zeichnung Programmorganisationseinheit wird ver-
einfacht auch nur von Bausteinen gesprochen.
Programm-Organisationseinheiten
Programm Funktionsbaustein Funktion
(P) (FB) (FC)
Automatisierungstechnik
Jeder Baustein besteht aus einem
• Deklarationsteil für die Definition aller lokal ver-
wendeten Variablen und einem
• Rumpf für die Anweisungen (Befehle) des aus-
führbaren Programms.
Funktion: Dieser POE-Typ ist geeignet, wenn ein
Funktionsergebnis ausschließlich aus den Eingangs-
variablen des Bausteins zu ermitteln ist und unter
dem Funktionsnamen des Bausteins zur Verfügung
gestellt werden soll. Der Aufruf einer Funktion mit
denselben Werten der Eingangsvariablen liefert des-
halb immer denselben Ausgangswert zurück. Die
SPS-Norm enthält einen Katalog von Standardfunk-
tionen, die in SPS-Systemen zur Verfügung stehen
sollten. Falls eine spezielle Funktion benötigt wird,
kann diese vom Anwender selbst erzeugt werden,
dabei muss jedoch beachtet werden, dass keine inter-
nen Zustandsvariablen deklarierbar sind, da der
Bausteintyp Funktion dafür keine Speicherfähigkeit
(Gedächtnis) besitzt. Eine Funktion stellt das Funk-
tionsergebnis unter dem deklarierten Funktionsnamen
zur Verfügung, sodass keine Ausgangsvariable dekla-
riert werden muss. Es ist jedoch zulässig, Funktionen
mit mehreren Ausgangsvariablen zu bilden. Funktio-
nen können innerhalb eines Programmzyklus mehr-
fach aufgerufen werden, um mit unterschiedlichen
Werten der Eingangsvariablen entsprechende Funk-
tionsergebnisse zu ermitteln.
Funktionsbaustein: Dieser POE-Typ ist geeignet,
wenn aus den Werten von Eingangs- und Ausgangs-
variablen sowie bausteininterner Zustandsvariablen
neue Ergebnisse für eine oder mehrere Ausgangsvari-
ablen ermittelt werden sollen. Alle Werte der Aus-
gangs- und Zustandsvariablen bleiben von einer
Bearbeitung des Funktionsbausteins bis zur folgenden
erhalten. Das bedeutet, dass es bei einer erneuten
Bearbeitung des Funktionsbausteins mit den gleichen
Werten der Eingangsvariablen zu anderen Ausgangs-
ergebnissen kommen kann. Anschaulich spricht man
hier von einem Bausteintyp mit Gedächtnis. Um die
Fähigkeiten eines Funktionsbausteins in einem Pro-
gramm auch mehrfach nutzen zu können, ist die sog.
Instanziierung der Funktionsbausteine erforderlich,
worunter man das Erzeugen einer Kopie (Instanz) des
Bausteines versteht. Jede Instanz muss mit einem
eigenen Namen versehen werden. Unter dem Instanz-
namen werden die jeweils letztgültigen Variablen-
werte auf entsprechenden Speicherplätzen verwaltet,
während das Bausteinprogramm im Original verbleibt
und dort den Instanzen bei deren Ausführung zur
Verfügung steht. Die SPS-Norm schlägt viele Stan-
dardfunktionsbausteine vor, die in SPS-Systemen
verfügbar sein sollten. Spezielle Funktionsbausteine
können vom Anwender selbst erzeugt werden. Auch
sie unterliegen bei ihrer Anwendung der Instanzen-
bildung.
691
Programm: Dieser POE-Typ bildet die oberste
Hierarchieebene der Programmorganisationseinhei-
ten. Die SPS-Norm sieht vor, dass Programme (P) in
Ressourcen (SPS-Systeme) auch instanziiert werden
können. Einige SPS-Systeme verwenden den Bau-
steintyp Programm (P) als alleiniges Hauptprogramm
zur Organisation des Anwenderprogramms, dass
aus Funktionen (FC) und Funktionsbausteinen (FB)
besteht. Der Programminhalt eines solchen (Haupt)-
Programms besteht dann nur aus Aufrufen der Funk-
tionen und Funktionsbausteine und um deren Ein-
gangs-/Ausgangs-Variablen mit realen SPS-Ein-/Aus-
gängen zu verbinden.
3.2 Deklaration von FB-
und FC-Bausteinen
Anwenderprogramme bestehen immer auch aus sog.
abgeleiteten Funktionen (FC) und/oder Funktionsbau-
steinen (FB), die erst durch Deklaration und Pro-
grammierung erzeugt werden müssen. Dabei sind
Vorschriften zu beachten. Die Deklaration bezieht
sich auf die Festlegung des Bausteintyps und auf die
Bildung der Außenschnittstelle mit ihren Eingangs-
und Ausgangsvariablen (-parametern) sowie der
außen nicht erkennbaren bausteininternen Zustands-
variablen bei Funktionsbausteinen. Die Programmie-
rung bezieht sich auf den Bausteinrumpf, der die
Steuerungslogik enthalten muss. Deklaration und
Programmierung kann in Textform oder in Grafik
erfolgen.
• Deklaration einer Funktion
mit dem Funktionsnamen FC 1
Bei der Deklaration in Textform sind folgende Ele-
mente zu verwenden:
– das einleitende Schlüsselwort FUNCTION ge-
folgt vom Funktionsnamen, einem Doppelpunkt
und dem Datentyp des Funktionswertes,
– das Konstrukt VAR_INPUT...END VAR, mit
dem die Namen und Datentypen der Eingangsva-
riablen der Funktion festlegt werden,
– das Konstrukt VAR_OUT...END VAR für die
Namen und Datentypen von Ausgangsvariablen,
– das Konstrukt VAR_IN_OUT...END VAR, das
die Namen und Datentypen von Durchgangsvari-
ablen der Funktion festlegt,
– falls erforderlich das Konstrukt VAR...END
VAR, mit dem die Namen und Datentypen von
internen temporären Hilfsvariablen festlegt wer-
den können, deren Daten jedoch bei Beendigung
der Funktion verloren gehen,
– einem Funktionsrumpf mit dem auszuführenden
Programm,
– das abschließende Schlüsselwort END_FUNC-
TION.
692 Automatisierungstechnik

 Beispiel 1: Deklaration einer Funktion FC

Allgemein Ausführung in Textform Ausführung in Grafik

FUNCTION FC1 : BOOL ; FUNCTION FC1 : BOOL ; FUNCTION FC1 : BOOL ;
(*Außenschnittstelle*) (*Außenschnittstelle*) (*Außenschnittstelle*)
VAR_INPUT VAR_INPUT
Bezeichner1 : Datentyp ; Start : BOOL ; FC 1
BOOL BOOL
Bezeichner2 : Datentyp ; Ventil : BOOL ; Start
END_VAR END_VAR BOOL
Ventil
(*Funktionsrumpf*) (*Funktionsrumpf*)
Programm (*Funktionsrumpf*)
END_FUNCTION AND
Start FC1 AND
Ventil Start FC1
Ventil
END_FUNCTION
END_FUNCTION

• Deklaration eines Funktionsbausteins – das Konstrukt VAR_IN_OUT...END VAR, das

mit dem Namen FB 1:
Die Deklaration eines Anwender-Funktionsbausteins
in Textform erfolgt in ähnlicher Weise wie bei der
Anwender-Funktion, dabei sind folgende Elemente zu
verwenden:
– das einleitende Schlüsselwort FUNCTION_
BLOCK gefolgt vom Funktionsbausteinnamen
ohne einen Datentyp,
– das Konstrukt VAR_INPUT...END VAR, mit
dem die Namen und Datentypen der Eingangsva-
riablen des Funktionsbausteins festlegt werden,
– das Konstrukt VAR_OUTPUT...END VAR, mit
dem die Namen und Datentypen der Ausgangsva-
riablen des Funktionsbausteins deklariert werden
(mehrere Ausgangsvariablen sind zulässig),
die Namen und Datentypen von Durchgangsvari-
ablen des Funktionsbausteins festlegt, deren Werte
innerhalb des Bausteins durch das Programm ver-
ändert werden dürfen,
– das Konstrukt VAR...END VAR, das die Namen
und Datentypen der bausteininternen Zustands-
variablen des Funktionsbausteins festlegt. Dieses
Konstrukt wird auch verwendet, um im Funk-
tionsbaustein eine Instanz eines Standardfunk-
tionsbausteins zu erzeugen,
– einen Funktionsbausteinrumpf mit dem auszufüh-
renden Programm,
– das abschließende Schlüsselwort END_FUNC-
TION_BLOCK.

 Beispiel 2: Deklaration eines Funktionsbausteins FB

Allgemein Ausführung in Textform Ausführung in Grafik

FUNCTION_BLOCK FB 1 FUNCTION_BLOCK FB 1 FU NCTION_BLOCK FB 1
(*Außenschnittstelle*) (*Außenschnittstelle*) (*Außenschnittstelle*)
VAR_INPUT VAR
Bezeichner_1 : Datentyp ; Start : BOOL ; FB 1
BOOL BOOL
Bezeichner_2 : Datentyp ; Reset : BOOL ; Start Ausg
END_VAR END_VAR BOOL
Reset
VAR_OUTPUT VAR_OUTPUT
Bezeichner_3 : Datentyp ; Ausg : BOOL ;
END_VAR END_VAR
VAR VAR
Bezeichner_4 : Datentyp ; SRO_1 : RS ;
END_VAR END_VAR
(*Funktionsbausteinrumpf*) (*Funktionsbausteinrumpf*) (*Funktionsbausteinrumpf*)
SRO_1 SRO_1
Programm RS RS
Start S Q1 Ausg Start S Q1 Ausg
END_FUNCTION_BLOCK Reset R1 Reset R1
END_FUNCTION_BLOCK END_FUNCTION_BLOCK

3.3 Variablen wendung realer SPS-Eingänge/Ausgänge oder Mer-

ker enthalten. Erst auf der Ebene der Programme (P)
In Funktionen (FC) und Funktionsbausteinen (FB)
sollte die Zuordnung der SPS-Eingänge/Ausgänge/
sollte nur mit symbolischen Variablen programmiert
Zähler/Zeitglieder zu den direkten (realen) Eingangs-
werden, um damit bibliotheksfähige Programme zu
und Ausgangsvariablen erfolgen.
erhalten, die keine Festlegungen bezüglich der Ver-
Automatisierungstechnik 693

Eine Variable ist ein mit einem Namen (Bezeichner)
versehener Speicherplatz, der im Anwenderpro-
gramm als Platzhalter für Daten fungiert, die sich zur
Laufzeit des Programms ändern können. Diese Va-
riablen können symbolisch oder direkt adressiert
sein.
Unter Daten sollen hier Informationen aus techni-
schen Anlagen verstanden werden, wie z.B. Messda-
ten über Temperaturen, Füllstände, Durchflussmen-
gen, die verarbeitet und gespeichert werden müssen.
Die Variablen sind die Mittel, um die Daten zu erfas-
sen. Dabei wird für die Variablen ein bestimmter
Datentyp festgelegt. Dieser Datentyp hängt direkt
zusammen mit den auf ihn zulässigen Operationen.
Einzelelement-Variablen enthalten einzelne Daten-
elemente mit einfachem Datentyp, die in der Tabel-
le 1 auszugsweise dargestellt und bei der Deklaration
der Variablen zu berücksichtigen sind.
Die Deklaration symbolischer Variablen erfolgt im
dafür vorgesehenen Deklarationsteil der Bausteine
unter einem Namen (Bezeichner) durch Verwendung
von Schlüsselwörtern wie VAR, VAR_INPUT,
VAR_OUTPUT, VAR_IN_OUT und Angabe eines
Datentyps wie bei der Deklaration der Bausteine FC
und FB bereits gezeigt. Der Speicherort wird durch
das Betriebssystem automatisch festgelegt. Der Gül-
tigkeitsbereich einer symbolischen Variablen ist lokal
auf den Baustein beschränkt, in dem sie deklariert
wurde, d.h. die Variable ist nur in diesem Baustein
bekannt. Eine Ausnahme von dieser Regel bilden
symbolisch adressierte Globalvariablen, die in allen
Bausteinen der SPS bekannt sind aber nur sparsam
verwendet werden sollten. Bei der Deklaration von
Variablen in Textform sind die in Tabelle 2 angege-
benen Schlüsselwörter zu verwenden. Bei grafischer
Deklaration führt das Programmiersystem die An-
wendung dieser Regeln im Hintergrund aus.
Multielement-Variablen enthalten mehrere Daten-
elemente die in Feldern (Arrays) oder Strukturen
zusammengefasst sind
• Feld (Array):
Ein Feld ist eine Sammlung von Datenelementen des
gleichen Datentyps, die durch in eckigen Klammern
[ ] angegebene Feldindizes angesprochen werden. Als
Datentyp für Indizes sind z.B. INT, WORD, BYTE,
BOOL zulässig. Es gibt eindimensionale und mehr-
dimensionale Felder.
 Beispiel 3: Eindimensionales Feld
(*Deklaration*)
VAR
Tabelle : ARRAY [0...3] OF BYTE :=
16#00, 16#0F, 16#80, 16#FF
END_VAR
VAR_OUTPUT
Wert : BYTE ;
END_VAR
(*Abfrage*)
Wert := Tabelle [2]

Tabelle 1 Elementare Datentypen

Schlüsselwort Datentyp Größe Schreibweise und Wertebereiche
Bit-Datentypen
BOOL Boolesche Variablen 1 Bit FALSE, TRUE
BYTE Bit-Folge und 8 Bit 16# 0...FF
8 Bit-Hex-Zahlen
WORD Bit-Folge und 16 Bit 16# 0000...FFFF
16 Bit-Hex-Zahlen
DWORD Bit-Folge und 32 Bit 16# 0000_0000...FFFF_FFFF
32 Bit-Hex-Zahlen
CHAR ASCII-Zeichen 8Bit ‘A’
Arithmetiktypen
INT Ganze Zahlen 16 Bit –32768 bis +32767
(Festpunktzahlen)
DINT Ganze Zahlen 32 Bit L# –2147483648 bis +2147483647
(Festpunktzahlen)
REAL Reelle Zahlen 32 Bit Dezimalzahl mit Punkt: 341.7 oder
(Gleitpunktzahlen) Exponentialdarstellung: 3.417 E+02
Zeittypen
TIME Zeitdauer 32 Bit TIME# –24d20h31m bis +24d20h31m
(IEC-Format)
TIME OF DAY Uhrzeit 32 Bit TIME_OF_DAY#23:59:59,9
(Tageszeit)
DATE Datum 16 Bit DATE#1990-01-01
Hinweis: Es existiert kein besonderer Datentyp für BCD-Zahlen (Binär Codierte Dezimalzahlen), diese sind
eine Teilmenge der Hexadezimalzahlen, für die es die Datentypen BYTE, WORD und DWORD gibt.
694 Automatisierungstechnik

Tabelle 2 Schlüsselwörter zur Deklaration von Variablen

Schlüsselwort Bezeichnung und Gebrauch der Variablen

VAR_INPUT ... END_VAR Eingangsvariable: Von außerhalb kommend, nicht innerhalb des
Bausteins änderbar.
VAR_OUTPUT ... END_VAR Ausgangsvariable: Nach außen lieferbar.
VAR_IN_OUT … END_VAR Durchgangsvariable: Von außen kommend, innerhalb des Bausteins
änderbar, nach außen lieferbar.
VAR ... END_VAR Zustandsvariable: Gebrauch nur innerhalb des Bausteines
VAR_GLOBAL ... END_VAR Globalvariable: Globaler Geltungsbereich in SPS
VAR RETAIN Zustandsvariable gepuffert (Remanenzverhalten).
CONSTANT „Konstante Variable“, nicht veränderbar.
AT Zuweisung eines direkten Speicherortes.

• Struktur: Datenelements verwendet, also ein SPS-Eingang/

Eine Struktur ist eine Sammlung von Datenelementen
unterschiedlicher Datentypen. Die Datenelemente
sind in einer Hierarchie geordnet, z.B. Produkt,
Version, Seriennummer, Datum.
Direkte Variablen
In der obersten Hierarchieebene der Programmorga-
nisationseinheiten steht der Bausteintyp Programm
(P). In diesem Baustein müssen nicht nur die zum
Anwenderprogramm gehörenden Funktionsbausteine
(FB) und Funktionen (FC) aufgerufen, sondern auch
die Verbindungen zu den SPS-Eingängen/Ausgängen
hergestellt werden. Nach den Vorschriften der Norm
IEC 61131-3 sind diese Adressen dem Programm (P)
jedoch nicht automatisch bekannt, d.h. sie müssen
erst durch Deklaration bekannt gemacht werden, dazu
dienen die sog. direkten Variablen.
Bei der direkten Adressierung von Variablen wird als
Variablenname der physikalische Speicherort des
Ausgang oder auch Merker. Zur Unterscheidung der
direkten Variablen von ihrem Speicherort wird ein
vorgesetztes Prozentzeichen (%) gefolgt von einem
Präfix zur Kennzeichnung des Speicherortes und ein
Präfix für die Speichergröße verwendet, wie in der
Tabelle 3 angegeben.
 Beispiel 4: Deklaration einer direkten Variablen
Allgemein Ausführung in Textform
VAR VAR
AT %Operand : Datentyp ; AT %IX4.7 : BOOL ;
END_VAR END_VAR
In einer zweiten Variante können zur Erzielung einer
besseren Programmlesbarkeit Variablennamen einge-
führt werden, die jedoch im Unterschied zu den
richtigen symbolischen Variablen direkt mit dem
physikalischen Speicherort (SPS-Eingang/Ausgang,
Merker) verbunden sind (Beispiel 5).

Tabelle 3 Präfix für Speicherort und Größe der Operanden

Präfix Bedeutung Beispiele für direkte Variablen

I Speicherort Eingang Einzel-Eingänge %IX0.7... %IX0.0
Q Speicherort Ausgang Einzel-Ausgänge %QX0.7..%QX0.0
M Speicherort Merker Eingangsbyte %IB0 = %IX0.7...%IX0.0
Ausgangsbyte %QB0 = %QX0.7...%QX0.0
X (Einzel)-Bit-Größe Eingangswort %IW0 = %IB0+%IB1
B Byte-(8 Bit) Größe Ausgangswort %QW0 = %QB0+%QB1
W Wort-(16 Bit) Größe Eingangsdoppelwort %ID0 = %IW0+%IW1
D Doppelwort-(32 Bit)

 Beispiel 5: Deklaration einer direkten Variablen mit symbolischen Namen

Allgemein Beispiel
VAR VAR
Bezeichner AT %Operand : Datentyp ; Endschalter AT %IX4.7 : BOOL ;
END_VAR END_VAR
Automatisierungstechnik
Anm.: Direkte Variablen sollten nicht in den Bau-
steintypen FB und FC verwendet werden, weil diese
Programmteile dadurch hardwarespezifische Festle-
gungen enthalten würden wie beispielsweise, an
welchen SPS-Eingang ein bestimmter Sensor ange-
schlossen wird. Das aber widerspricht der Forderung
nach einer bibliotheksfähigen Gestaltung von FB-
und FC-Bausteinen.
Globale Variablen
Globale Variablen sind solche, die durch eine ent-
sprechende Deklaration in allen Bausteintypen inner-
halb einer SPS bekannt gemacht wurden, also einen
globalen Geltungsbereich haben. Der Deklarationsort
ist der Baustein Programm (P).
Globale Variablen werden verwendet, um auf einfa-
che Art einen bausteinübergreifenden Datenaustausch
zu erreichen. Das kann jedoch unerwünschte Neben-
wirkungen haben und die Verwendbarkeit eines
Bausteins einschränken. Eine bessere Lösung besteht
in der Deklaration von Übergabevariablen im Bau-
stein Programm (P), um die entsprechenden Eingänge
und Ausgänge der dort aufgerufenen Bausteine mit-
einander zu verbinden.
 Beispiel 6: Deklaration einer Globalvariablen
PROGRAM PRG
(*Deklaration*)
VAR_GLOBAL
Bezeichner : Datentyp ;
END_VAR
(*Programmrumpf*)
Programm
END_PROGRAM
3.4 Programmiersprachen
Zur Erstellung der Steuerungsprogramme mit Hilfe
einer Programmiersoftware stehen gemäß DIN EN
61131-3 fünf Programmiersprachen zur Verfügung
stehen: Zwei textuelle Fachsprachen (AWL, ST) und
zwei grafische Fachsprachen (KOP, FBS) sowie die
übergeordnete Ablaufsprache (AS) mit grafischen
und textuellen Elementen.
Programmiersprachen
Textsprachen
Ablaufsprache
AS
Anweisungsliste Strukturierter Text
AWL ST
LD E0
ANDN E1 A4 := S0 AND NOT S1
ST A4
Bild 3 Übersicht zu genormten SPS-Programmiersprachen
695
Der Programmierer kann auswählen, ob er das Bau-
steinprogramm in einer grafischen Sprache oder in
einer Textsprache programmieren will.
– Für die grafischen Sprachen stehen in Standard-
bibliotheken grafische Symbole für Standardfunk-
tionen (FC) und Standardfunktionsbausteine (FB)
zur Verfügung. Diese Bausteinsymbole müssen in
das Anwenderprogramm je nach Bedarf eingefügt
werden, um die bezeichneten Aktionen dort aus-
führen zu lassen.
– Die Textsprachen benutzen anstelle von Standard-
bausteinen sog. Standardoperatoren, die der Pro-
grammiersprache implizit bekannt sind. Ein Ope-
rator ist ein textliches Symbol, das eine Aktion
darstellt, die an einem Operanden, d.h. einer sym-
bolischen oder direkten Variable, ausgeführt wird.
Bei der Textsprache AWL stehen die einzelnen
Anweisungen in Listenform untereinander. Jede
Anweisung besteht aus einem Operator, der ggf. mit
einem Modifizierer ergänzt wird {N für eine Nega-
tion, C für eine Bedingung, ( für Klammer auf, ) für
Klammer zu}, gefolgt von einem oder mehreren
durch Kommas getrennten Operanden. Eine Anwei-
sung kann auch durch eine Sprungmarke gekenn-
zeichnet sein. Die Verarbeitung der Anweisungen
erfolgt in einem Ergebnisregister, dieses enthält das
sog. Aktuelle Ergebnis (AE), das auf folgende Weise
für das Beispiel in Bild 3 ermittelt wird:
LD E0 Lade den Wert des 1. Operanden (E0) in
das Ergebnisregister
ANDN E1 Verknüpfe das Aktuelle Ergebnis mit
dem negierten Wert des 2. Operanden
(E1)
ST A4 Speichere das veränderte Aktuelle Er-
gebnis im Zieloperanden (A4)
Die Tabelle 4 zeigt die Standardoperatoren der
Anweisungsliste (AWL) mit kurzen Erläuterungen,
auf die nicht mehr weiter eingegangen wird. Die
den Standardoperatoren entsprechenden Standardbau-
steine werden weiter unten jedoch noch näher darge-
stellt.
Grafische Sprachen
Funktionsbaustein- Kontaktplan
sprache FBS KOP
AND S0 S1 A4
S0 A4
((
S1
696 Automatisierungstechnik

Tabelle 4 Operatoren der Anweisungsliste (AWL)

Operator Modifizierer Operand/Typ Bedeutung

LD (Load) N Variable/Bool Setzt das aktuelle Ergebnis (AE) dem Operanden gleich.
Speichert das aktuelle Ergebnis (boolesche 1 oder 0)
ST (Store) N auf die Operandenadresse.
S (Set) Setzt booleschen Operator auf 1
R (Reset) Setzt booleschen Operator auf 0 zurück
AND N, ( Boolesches UND
OR N, ( Boolesches ODER
XOR N, ( Boolesches Exklusiv-ODER
) Bearbeitet die eingeklammerte Operation
CAL (Call) C, N Instanzname Aufruf eines Funktionsbausteins
JMP C, N Marke Sprung zur Marke
GT ( Vergleich auf größer als, >
GE ( Vergleich auf größer gleich, >=
EQ ( Vergleich auf ist gleich, =
NE ( Vergleich auf ungleich, <>
LE ( Vergleich auf kleiner gleich,<=
LT ( Vergleich auf kleiner als, <
ADD ( Addition
SUB ( Subtraktion
MUL ( Multiplikation
DIV ( Division

4 Programmstrukturen aufgabe enthält. Die Programmorganisationseinheit

Unter einer Programmstruktur versteht man den Auf-
bau eines Anwenderprogramms aus Codebausteinen.
Es können drei Strukturen unterschieden werden.
4.1 Lineares Programm
Das gesamte Programm befindet sich in dem zyklisch
bearbeiteten Programm (P). Die CPU arbeitet die
Anweisungen der Reihe nach ab und beginnt dann
wieder von vorne, wie in Bild 4 gezeigt.
Programm (P)
Programm (P) enthält die Aufruf-Anweisungen, nach
deren Reihenfolge die einzelnen Bausteine bearbeitet
werden. Gegenüber dem linearen Programm besteht
der Vorteil in den besser überschaubaren kleinen Ein-
heiten. Bild 5 lässt die Gliederungsstruktur und den
Aufruf der beiden Funktionen mit der erforder-
lichen Parameterübergabe erkennen.
Programm (P)
LD Var1
FC 10 Var2, Var3 FC 10

LD Var1
FC 20 Var2, Var3 FC 20
Programm-
Zyklisch bearbeitung

Bild 5 Das Steuerungsprogramm besteht aus zwei

Bild 4 Lineares Programm
4.2 Gegliedertes Programm
Das Programm ist in mehrere Bausteine aufgeteilt,
wobei jeder Baustein nur das Programm einer Teil-
unterschiedlichen Programmteilen
4.3 Parametrierbares Programm
Ein Unterprogramm ist parametrierbar, wenn es seine
Eingangs- und Ausgangsvariablen dem Hauptpro-
gramm bei jedem Aufruf erneut zur Verfügung stellt
und sein Programm für jeden Aufruf erneut ausführt,
Automatisierungstechnik 697

Programm (P) anliegende Signale erkennen, d.h. die unterschiedli-

FB 10 che Wirkung von Öffner- und Schließerkontakten in
Anlagen muss bei der Programmerstellung bedacht
CAL Instanz1
werden.
Var1= Instanz1
Offene (unbeschaltete) Steuerungseingänge erzeugen
Var2=
Signalzustand „0“.
CAL Instanz2
Var1= Instanz2 5.2 Digitale Signale
Var2= Ein digitales Signal ist eine mehrstellige Bitkette, die
durch Codierung eine festgelegte Bedeutung erhält,
z.B. als Zahlenwert. Ein typischer Digitalsignal-
Bild 6 Das Steuerungsprogramm besteht aus zwei Geber ist ein Zifferneinsteller. Um z.B. die Zahlen 0
Instanzen eines Programmteils bis 9 darstellen zu können, sind vier Binärstellen
erforderlich.
um so aufrufspezifische Ergebnisse zu erzielen. Im
Bild 6 ist die Parametrierbarkeit am Beispiel eines Dezimalzahl Dualzahl
Funktionsbausteins (FB) dargestellt. Grundsätzlich ist 8 4 2 1 Wert
dies auch bei Funktion (FC) möglich, jedoch mit der
Einschränkung der nicht gegebenen Gedächtnisfähig- 0 0 0 0 0
keit dieses Bausteintyps. 1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
5 Eingabe- und Ausgabesignale 3 0 0 1 1
4 0 1 0 0
In den technischen Prozessen treten physikalische 5 0 1 0 1
Größen wie Temperaturen, Drucke, Durchflüsse etc. 6 0 1 1 0
auf. Automatisierungsgeräte können in der Regel nur 7 0 1 1 1
elektrische Signale erkennen und ausgeben. Wo er- 8 1 0 0 0
forderlich, muss also eine Signalumwandlung erfol- 9 1 0 0 1
gen. Man unterscheidet verschiedene Signalarten.
1 Binärstelle = 1 Bit
5.1 Binäre Signale 1 Byte = 8 Bit
1 Wort = 2 Byte = 16 Bit
Ein binäres Signal ist ein 1 Bit-Signal, das nur einen 1 Doppelwort = 32 Bit
von zwei möglichen Signalzuständen annehmen
kann. Ein typischer Binärsignal-Geber ist ein Schal- 5.3 Analoge Signale
ter.
Ein Signal heißt binär, wenn es nur zweier Werte Für ein analoges Signal ist charakteristisch, dass der
fähig ist: (TRUE = 1, FALSE = 0). Die SPS-Her- Signalparameter (z.B. die Spannung) innerhalb be-
stimmter Grenzen jeden beliebigen Wert annehmen
steller haben für ihre Steuerungskomponenten ein
kann. Automatisierungsgeräte können intern keine
Toleranzschema festgelegt, das den Wertebereich
konkreter Spannungen den binären Signalzuständen analogen Signale verarbeiten. So genannte Analog-
zuordnet, die von den Geräten verarbeitet werden. baugruppen nehmen eine Signalumsetzung vor und
wandeln ein analoges Signal in ein digitales Signal
Die Automatisierungsgeräte können nicht den Schalt-
um bzw. auch umgekehrt.
zustand von angeschlossenen Schaltern, sondern nur

u 6 Eingabe-/Ausgabebaugruppen
30 V Die im Bild 1 angedeuteten Eingabe- und Ausgabe-
baugruppen der SPS werden üblicherweise als zentra-
Signalzustand “TRUE (1)” le digitale Eingabe- und Ausgabebaugruppen be-
zeichnet im Gegensatz zu den dezentralen Baugrup-
pen (Slaves), die über ein Feldbussystem angeschlos-
15 V sen sind. Die digitalen Eingabe- und Ausgabebau-
gruppen umfassen meistens 1 Byte = 8 Bit; 2 Byte =
5V 16 Bit; 4 Byte = 32 Bit Eingänge bzw. Ausgänge. Im
Signalzustand “FALSE (0)” Steuerungsprogramm können Bits, Bytes, Worte oder
0
t Doppelworte abgefragt oder angesteuert werden. Bei
Analogbaugruppen sind entsprechend die Anzahl der
Bild 7 Signalzustände und Spannungspegel Eingänge bzw. Ausgänge angegeben.
698
10 V 255
Signal
Auflösung
8 Bit
4V 51
0 0
Zeit
Umsetzer Register
Analog 0 MSB
0
1 Stromausgang
1 Die Baugruppen haben eine Auflösung von 12 bis
0 15 Bit. Es sind unterschiedliche Messbereiche je
0 Kanal einstellbar.
1
Digital
1 LSB
Bild 8 Ein Spannungswert wird in eine Zahl umge-
setzt (vereinfacht)
Digitaleingabebaugruppen gibt es für DC 24 V und
AC 120/230 V mit Potenzialtrennung über Opto-
koppler sowie Anzeige des aktuellen Signalzustandes
durch Leuchtdioden. Aufgrund von Filtermaßnahmen
gegen Störsignale liegt die Frequenzobergrenze für
Eingangssignale bei etwa 50 Hz. Die Digitaleingabe-
baugruppen formen die Pegel der externen digitalen
Signale aus dem Prozess in den internen Signalpegel
des SPS-Systems um. Die Baugruppen sind z.B. ge-
eignet für den Anschluss von Schaltern und 2-Draht-
Näherungsschaltern (BERO).
Digitalausgabebaugruppen gibt es für Lastspannungen
DC 24 V oder AC 120/230 V bei spezifizierter Strom-
belastbarkeit und Potenzialtrennung mittels Opto-
koppler. Die Schaltfrequenz der Ausgänge wird nach
ohmscher Last, induktiver Last und Lampenlast unter-
schieden und liegt im Bereich bis 100 Hz. Die Digital-
ausgabebaugruppen formen den internen Signalpegel
des SPS-Systems in die externen, für den Prozess
benötigten Signalpegel um. Die Baugruppen sind z.B.
geeignet für den Anschluss von Magnetventilen,
Schützen, Kleinmotoren, Lampen und Motorstartern.
Analogeingabebaugruppen wandeln analoge Signale
aus dem Prozess in digitale Signale für die interne
Verarbeitung innerhalb der SPS um. Es können
Spannungs- und Stromgeber, Thermoelemente, Wi-
derstände und Widerstandsthermometer angeschlos-
sen werden:
Automatisierungstechnik
Spannung z.B. ± 10 V
Strom z.B. 4 bis 20 mA
Widerstand z.B. 0 ... 300 Ohm
Thermoelement z.B. Typ E, N, K mit
Kennlinien – Linearisie-
rung
Widerstandsthermometer z.B. Pt 100-Standard mit
Kennlinien-Linearisierung
Die Baugruppen verfügen über eine parametrierbare
Auflösung von z.B. 9 bis 15 Bit + Vorzeichen, unter-
schiedliche Messbereiche (einstellbar durch Messbe-
reichsmodule und Software) sowie Alarmfähigkeit
(Diagnose und Grenzwertalarme an die CPU).
Analogausgabebaugruppen wandeln digitale Signale
aus der SPS in analoge Signale für den Prozess um
und sind für den Anschluss analoger Aktoren geeig-
net. Als Ausgangsbereiche werden angeboten:
Spannungsausgang z.B. ±10 V
z.B. 0 bis 20 mA
7 Verknüpfungssteuerungen
SPS-Programme werden mit einem IEC 61131-3
orientierten Projektierungssystem (z.B. CoDeSys) als
Projekte angelegt, in Bausteine programmiert und
unter einem Dateinamen abgespeichert.
Als Verknüpfungssteuerungen bezeichnet man solche
Programme, die Ausgangssignale überwiegend unter
Verwendung einfacher Logikbeziehungen, Speicher-
funktionen, Zeitglieder, Zähler u.a. in zyklischer
Bearbeitungsweise erzeugen. Damit stellen Verknüp-
fungssteuerungen den größten Teil der SPS-Pro-
gramme dar. Neben den Verknüpfungssteuerungen
gibt es noch die Programmart der Ablaufsteuerun-
gen.
7.1 Logische Grundverknüpfungen
in verschiedenen Darstellungen
Nachfolgend wird eine Auswahl wichtiger Program-
mierfunktionen zur Realisierung von Verknüpfungs-
steuerungen gezeigt. In Bild 9 werden die logischen
Grundverknüpfungen UND, ODER, NEGATION
gezeigt. Die in diesen Beispielen vorkommenden
Eingangs-/Ausgangsbezeichnungen wie E1, E2, A4
oder auch S1 usw. sind als kurze Namen von dekla-
rierter Variablen mit zutreffenden Datentyp in ent-
sprechenden Bausteinen zu betrachten und nicht zu
verwechseln mit bekannten SPS-Operanden.
7.2 Zusammengesetzte
logische Grundverknüpfungen
Zu den logischen Grundverknüpfungen zählen auch
die beiden häufig vorkommenden Strukturen UND-
Automatisierungstechnik 699

Funktion Zeitdiagramm FBS KOP AWL

UND E1 & E1 E2 A4
E1
A4 = E1 ∧ E2 ( ) LD E1
A4 = E 1 & E 2 E2 A4 AND E2
E2
A4 = E1 E2 ST A4
A4

ODER E1 E1 >= 1
E1
A4 = E1 ∨ E2 A4 LD E1
E2 A4 OR E2
E2
E2 ( ) ST A4
A4

NICHT E1 E1 A4 LDN E1
E1 1 A4
A4 = E1 ( ) ST A4
A4
Ausgangs- E1 E2 A4 LD E1
E1 E1 &
NEGATION ( ) AND E2
A4 = E1 ∧ E2 E2 A4 STN A4
E2

A4

Bild 9 Logischen Grundverknüpfungen nach IEC 61131-3

vor-ODER sowie ODER-vor-UND, die in Bild 10 in Disjunktive Normalform für die UND-vor-ODER-
grafischer Form (FBS) und Textform (AWL) darge- Struktur und Konjunktive Normalform für die
stellt sind. Die zugehörigen Schaltfunktionen heißen ODER-vor-UND-Struktur.

UND-vor-ODER-Verknüpfung E1 & LD E1
1) Allgemeiner Fall AND E2
siehe nachfolgend bei DNF E2 ANDN E3
A = E1 E2 E3 ∨ E1 E2 ∨ E3 E3 >= 1 OR(
AND E1
ANDN E2
E1 &
)
E2 OR E3
ST A4
E3 A4
2) Spezieller Fall: LD E1
Antivalenz (Exclusiv-ODER) XOR E2
E1 & >= 1 ST A5
A = E1 E2
E2

E1 &
E2 A5

ODER-vor-UND-Verknüpfung E1 >= 1
LD E1
A = (E1 ∨ E2) ∧ (E1 ∨ E2) ∧ E3 OR E2
E2 & AND(
ORN E1
E1 >= 1 ORN E2
)
E2
AND E3
ST A4
E3 A4

Bild 10 Zusammengesetzten logischen Grundverknüpfungen nach IEC 61131-3

700 Automatisierungstechnik

7.3 Schließer- und Öffnerkontakte, 7.4 Speicherfunktionen

Drahtbruchsicherheit,
Erdschlussgefahr
Befehlsgeber können auf einer Schließer- oder Öffner-
Funktion beruhen, d.h. bei Betätigung ein 1-Signal
oder ein 0-Signal an den Steuerungseingang liefern.
Ein Startbefehl für eine Steuerung ist mit einem
1-Signal, ein Haltbefehl mit einem 0-Signal auszu-
führen. Bei Gleichzeitigkeit muss der Haltbefehl
Vorrang haben.
Das Einschalten einer Steuerung durch einen Schlie-
ßerkontakt (Arbeitsstromprinzip) und das Ausschalten
mit einem Öffnerkontakt (Ruhestromprinzip) macht die
Steuerung drahtbruchsicher. Bei Auftreten eines
Drahtbruchs erfolgt kein unbeabsichtigtes Einschalten
der Steuerung, jedoch wird eine eingeschaltete Steue-
rung abgeschaltet. Die Erdschlussgefahr erfordert ge-
erdete Steuerkreise oder Isolationsüberwachung.
Viele Steuerungsaufgabe erfordern die Verwendung
von Speicherfunktionen. Eine Speicherfunktion liegt
dann vor, wenn ein kurzzeitig auftretender Signalzu-
stand über den Programmzyklus hinaus festgehalten,
d.h. gespeichert und erst zu einem späteren Zeitpunkt
wieder gelöscht werden muss. Die Ausführung einer
Speicherfunktion umfasst das Setzen und Rücksetzen
des Speichers. Für die Speicherfunktionen stehen
bistabile Standardfunktionsbausteine zur Verfügung,
aus denen sich Instanzen zur Verwendung im An-
wenderprogramm bilden lassen. Zu unterscheiden
sind zwei Speicherbausteintypen, die unterschiedlich
auf gleichzeitiges Eintreffen von Setz- und Rücksetz-
signalen reagieren.
Speichern mit vorrangigem Rücksetzen

Funktionsplan Anweisungsliste
1 3 +
24 V Speicher LD E1
2 4
ST Speicher.S
RS LDN E0
0 1 2 3 4 5 6 7 M E1 S Q1 A4 ST Speicher.R1
Eingänge
CAL Speicher
E0 R1 LD Speicher.Q1
SPS
Ausgänge ST A4
0 1 2 3 4 5 6 7 24V
Zeitdiagramm
1 oder 2 3 oder 4 E1
bleibt ohne bleibt ohne
Auswirkung Auswirkung
E0
1 und 2 3 und 4
bewirken verhindern A4
ungewolltes gewolltes
Einschalten Ausschalten
Bild 11 Auswirkungen von Erdschlüssen im nicht
geerdeten Steuerkreis
Speichern mit vorrangigem Setzen

Funktionsplan Anweisungsliste
1 3 + Speicher LD E1
24 V
2 4 ST Speicher.S1
SR LDN E0
E1 S1 Q1 A4 ST Speicher.R
0 1 2 3 4 5 6 7 M CAL Speicher
Eingänge E0 R LD Speicher.Q1
SPS ST A4
Ausgänge
0 1 2 3 4 5 6 7 24V Zeitdiagramm
E1
Erdschlüsse lösen
Kurzschlüsse aus,
die zurAbschaltung E0
derAnlage führen.
Bild 12 Auswirkung von Erdschlüssen im geerdeten A4
Steuerkreis
Automatisierungstechnik 701

 Gegenseitiges Verriegeln Verriegeln über den Setzeingang

Zwei Arten von Verriegelungen lassen sich unter- Sp1
scheiden, Bei dem gegenseitigen Verriegeln dürfen
RS
die Speicher nicht gleichzeitig gesetzt sein, z.B. für
Motor-Rechtslauf und Linkslauf. Für die Ausführung E1 S Q1 A4
von Speicherverriegelungen gibt es zwei Varianten.
E2 R1
Verriegeln über die Rücksetzeingänge
Sp1 Sp2
RS E3 & RS
E1 S Q1 A4 A4 S Q1 A5

E2 R1 E4 R1

Sp2
7.5 Flankenauswertung
RS
Die Flankenauswertung eines Signals ist dann erfor-
E3 S Q1 A5 derlich, wenn aus einem Signalwechsel von FALSE
nach TRUE oder umgekehrt ein kurzer Impuls der
E4 >= 1 R1
Zeitdauer von einer Programmzykluszeit herzuleiten
A4 ist, unabhängig von der Betätigungsdauer des Signal-
gebers. Das ist z.B. wichtig, wenn bei einer Sicher-
Verriegeln über die Setzeingänge heitsschaltung überprüft werden muss, ob ein Taster
Sp1 wirklich betätigt wurde oder nur dauerhaft durch
RS
Manipulation niedergehalten wird.
E1 & Im Bild 13 werden Beispiele gezeigt, wie die Impuls-
A5 S Q1 A4 gewinnung unter Verwendung von Standardfunk-
tionsbausteinen für Flankenerkennung gelöst werden
E2 R1
kann. P-Flanke und N-Flanke sind die Namen der
Instanzen der Funktionsbausteine. Der Zykluszeit-
Sp2
impuls steht als Impulsoperand IO zur Verfügung.
E4 & RS
A4 S Q1 A5 7.6 Darstellung und Eigenschaften
E3 R1 elektropneumatischer Stellglieder
Elektropneumatische Stellglieder können mit Aus-
 Reihenfolgeverriegelung gangssignalen einer SPS angesteuert werden. Ihre
Bei einer Reihenfolgenverriegelung darf ein Speicher Hilfsenergie ist Druckluft, mit der pneumatische
nur gesetzt werden, wenn zuvor ein oder mehrere an- Zylinder betätigt werden. Bild 14 zeigt drei häufig
dere Speicher gesetzt sind. Ein Beispiel sind hinterei- verwendete elektropneumatische Stellgliedtypen.
nander geschaltete Förderbänder. Auch bei der Reihen- 3/2-Wegeventil: Elektromagnetisches Ventil mit
folgeverriegelung gibt es zwei Ausführungsvarianten. Rückstellfeder hat nur einen elektrischen Steuerein-
Verriegeln über den Rücksetzeingang gang Y1 und kann durch ein Stellsignal aus der
Schaltstellung b in die Schaltstellung a geschaltet
Sp1 werden. Nach Beendigung des Stellsignals erfolgt
RS eine federmechanische Rückstellung des Ventils,
dessen Vorteil die definierte Schaltstellung im unbe-
E1 S Q1 A4
tätigten Zustand ist.
E2 R1 5/2-Wegeventil: Elektromagnetische Impulsventile
haben zwei elektrische Steuereingänge Y1 und Y2,
Sp2 sie können durch kurze Ansteuerimpulse aus einer
Schaltstellung in die andere umgeschaltet werden.
RS Die Ventile übernehmen die RS-Speicherfunktion der
E3 S Q1 A5 Steuerung. Nachteil des Speicherverhaltens ist die
nicht definierte Schaltstellung im unbetätigten Zu-
E4 >= 1 R1 stand, daher erfolgt meistens eine Ansteuerung von
A4 Y1 und Y2 mit inversen Signalen.
702 Automatisierungstechnik

FUP AWL Zeitdiagramm

Positive (steigende) Flanke 0 → 1 LD S1 S1
P_Flanke ST P_Flanke.CLK
CAL P_Flanke P_Flanke
R_TRIG LD P_Flanke.Q
ST IO IO
S1 CLK Q IO
Zyklen 1 2 3 .. n n+1
Negative (fallende) Flanke 1 → 0 LD S1 S1
N_Flanke ST F_Flanke.CLK
CAL F_Flanke F_Flanke
F_TRIG LD F_Flanke.Q
ST IO IO
S1 CLK Q IO
Zyklen 1 2 3 .. n n+1
P_Flanke Speicher LD E1 Der Impulsoperanden IO kann
ST P_Flanke.CLK entfallen, wenn die Flankenaus-
R_TRIG RS CAL P_Flanke wertung nur an einer Stelle des
E1 CLK Q S LD P_Flanke.Q Programms benötigt wird, im
ST Speicher.S Beispiel zum Setzen des RS-
E0 R1 Q A4 LDN E0 Speichers.
ST Speicher.R1

Bild 13 Flankenauswertung nach IEC 61131-3

5/3-Wegeventil: Bei elektromagnetischen Impulsventi- unter sinngemäßer Anwendung der nachfolgenden

len mit Federzentrierung geht das Ventil im unbetätig-
ten Zustand in die Mittelstellung. Daher kann neben
der Vorwärts- und Rückwärtsbewegung des Zylinder-
kolbens auch eine Halteposition veranlasst werden.
Funktionsdiagramme zeigen den Bewegungsverlauf
von Zylindern. In der Ordinate wird der zurückgeleg-
te Weg und in der Abszisse werden Schritte oder
Zeiten aufgetragen. Zusätzlich können die Zustände
von Magnetspulen der Ventile dargestellt werden.
7.7 Regeln für das Umsetzen
von Schützschaltungen
in SPS-Programme
Eine gegebene Schützsteuerung, die z.B. zur Ansteu-
erung von Elektromotoren oder Elektropneumatik
eingesetzt wurde, kann durch eine SPS-Steuerung
Umsetzungsregeln ersetzt werden.
1. Der Hauptstromkreis wird unverändert außerhalb
der SPS beibehalten.
2. Hauptschütze werden von den SPS-Ausgängen
angesteuert und werden als OUT- oder IN-OUT-
Variable deklariert. Der Schaltzustand des Haupt-
schützes wird somit außerhalb des Bausteins in
einem SPS-Ausgang gespeichert. Wird ein Kon-
takt K1 des Hauptschützes K1 am Bausteinein-
gang abgefragt, ist K1 als Durchgangsvariable
(IN_OUT) zu deklarieren.
3. Hilfsschütze werden durch temporäre oder stati-
sche Variablen innerhalb des Bausteins ersetzt.
Wenn Hilfsschütze interne Speicherfunktionen
ausüben, muss für jedes Hilfsschütz eine statische
Speichervariable (VAR) deklariert werden.

Einfachwirkender Zylinder Doppeltwirkender Zylinder Doppeltwirkender Zylinder

mit Ansteuerung durch ein mit Ansteuerung durch ein mit Ansteuerung durch ein
3/2-Wegeventil 5/2-Wegeventil 5/3-Wegeventil

a b
1Y1 2Y1 2Y2
3Y1 3Y2

Bild 14 Beispiele elektropneumatischer Stellglieder

Automatisierungstechnik
 Beispiel 7: Umsetzung einer Schützschaltung in ein SPS-Programm
Hauptstromkreis Steuerstromkreis
bleibt erhalten wird ersetzt
L1
L2 L1
L3
PE
F1 F2
K1
F2
S1
M
M1
3~
N und schreibend zugegriffen werden.
4. Parallelschaltungen von Schützkontakten werden
durch ODER-Verknüpfungen und Reihenschal-
tungen durch UND-Verknüpfungen der Variablen
ersetzt.
5. Öffner von Schützkontakten werden negiert und
Schließer bejaht abgefragt.
6. Öffner- und Schließerkontakte von Signalgebern
wie Taster und Schalter werden im Programm be-
jaht abgefragt und als Eingabevariablen deklariert,
wenn derselbe Kontakttyp beibehalten wird.
7. Die bejahte Abfrage von Signalgebern in Regel 6
gilt nicht bei Verwendung der Speicherfunktion
anstelle der Selbsthaltung.
8. Die Umsetzungsregeln 1 bis 6 verändern nicht die
vorgegebene Steuerungsstruktur, wenn die Schüt-
ze keine Zeitverzögerungen oder Wischerkontakte
enthalten. Einschalt- und Ausschaltverzögerungen
müssen mit Zeitgliedern und Wischerkontakten
mit Flankenauswertung nachgebildet werden. Im-
pulse von Wischerkontakten beim Einschalten
(Ausschalten) entsprechen steigenden (fallenden)
Flanken.
7.8 Zeitfunktionen
Die Zeitbildung ist eine Grundfunktion der Steue-
rungstechnik. Es können zeitliche Abläufe, wie War-
te- und Überwachungszeiten, Zeitmessungen oder
Taktimpulse programmiert werden. In der Norm DIN
EN 61131-3 sind neben einer Echtzeituhr drei Stan-
703
Ersatz-Funktionsplan
F2 &
F3
S1 >= 1 S0
K1 K1
Aufruf FC 10 im Programm (P)
Die Signalspeicherung für das Hauptschütz K1 erfolgt
im SPS-Ausgang A 4.0, daher genügt der Bausteintyp
Funktion. Die direkten Variablen müssen in Baustein
(P) deklariert werden.
FC 10
S0 EN
%IX 0.2 F2
%IX 0.0 S0
%IX 0.1 S1
K1
1) %QX4.0 K1 ENO
K1 1)K1 ist als Durchgangsvariable (IN_OUT) deklariert.
Auf die SPS-Ausgangsadresse %QX4.0 kann lesend
dardfunktionsbausteine für die Zeitbildung aufge-
führt, die in Bild 15 gezeigt werden.
7.9 Zählerfunktionen
Zählerfunktionen werden in Steuerungsaufgaben
benötigt, um bestimmte Mengen oder Positionen
durch Aufzählen von Impulsen zu erfassen, Frequen-
zen zu ermitteln oder die Funktion von Steuerwerken
zu übernehmen.
Grundsätzlich lassen sich Zähler in Automatisierungs-
systemen auf drei verschiedene Arten realisieren.
• Zähler werden als Funktionsbausteine oder Funk-
tionen im Steuerungsprogramm aufgerufen und
parametriert. Diese Zähler können je Zykluszeit
nur einen Vorwärts- und einen Rückwärtszählim-
puls verarbeiten. Die Verarbeitung von externen
Zählimpulsen ist von der Zykluszeit und der
Schaltfrequenz der Signaleingänge abhängig. In-
nerhalb dieses Kapitels wird ausschließlich diese
Zählerart verwendet.
• Zähler werden durch eine Variable vom Datentyp
Integer oder Doppelinteger realisiert. Das Auf- bzw.
Abwärtszählen erfolgt bei diesen Zählern mit Addi-
tions- bzw. Subtraktionsbefehlen. Diese Zähler
können je Zykluszeit mehrere interne Vorwärts-
bzw. Rückwärtszählimpulse verarbeiten. Die Ver-
arbeitung von externen Zählimpulsen ist jedoch
wieder von der Zykluszeit abhängig.
704 Automatisierungstechnik

Name Funktion Zeitdiagramm

Grafische Darstellung
TP Erzeugen eines Impulses 1
IN
0
TP t
1
BOOL IN Q BOOL Q PT PT PT
0
TIME PT ET TIME t
ET
PT

TON Einschaltverzögerung 1
IN
0
TON t
1
BOOL IN Q BOOL Q PT PT
0
TIME PT ET TIME t
ET
PT

TOF Ausschaltverzögerung 1
IN
0
TOF t
1
BOOL IN Q BOOL Q PT PT
0
TIME PT ET TIME t
ET
PT

t
Operandenbedeutung:
IN = Startbedingung; PT = Zeitvorgabe; Q = Status der Zeit; ET = Aktueller Zeitwert
Bild 15 Zeitglieder nach IEC 61131-3

• Zähler sind auf einer speziellen Baugruppe unter-
gebracht oder sind als „Schnelle Zähler“ mit sepa-
raten Signaleingängen Teil des Betriebssystems
der Zentralbaugruppe CPU. Mit diesen Zählern ist
es möglich, externe Zählimpulse zu erfassen, die
schneller als die Zykluszeit sind. Innerhalb des
Steuerungsprogramms können Zählerstände mit
Übergabevariablen abgerufen werden.
Bei der Realisierung von Zählern unterscheidet man
Vorwärts- bzw. Aufwärts-Zähler, Rückwärts- bzw.
Abwärts-Zähler und Vor-Rückwärts- bzw Auf-
Abwärts-Zähler. Der Zählerstand ergibt sich aus der
Anzahl der positiven Signalflanken an den Eingängen
für Vorwärts- und Rückwärtszählen.
In der Norm DIN EN 61131-3 sind für die drei Zähler
die grafische Darstellung und die Arbeitsweise der
Standardfunktionsbausteine festgelegt wie in Bild 16
abgebildet.
7.10 Vergleichsfunktionen
Mit Vergleichsfunktionen werden die Werte zweier
digitaler Operanden des gleichen Datentyps vergli-
chen. Das sind in den meisten Fällen Variablen mit
Datentypen für Zahlenwerte wie REAL (Dezimalzah-
len mit Komma), INT (Ganzzahlen mit Vorzeichen)
und WORD (vorzeichenlose Zahlen).
Zur Durchführung von Vergleichen stehen Standard-
funktionen (FC) zur Verfügung, die beliebig oft mit
Automatisierungstechnik 705

Name Grafische Darstellung Arbeitsweise in ST-Sprache

Aufwärts-Zähler CTU IF R THEN CV := 0;
ELSIF CU AND (CV < Pvmax)
BOOL CU Q BOOL Then CV := CV+1;
BOOL R END_IF;
Q := (CV >= PV)
INT PV CV INT

Abwärts-Zähler CTD IF LD THEN CV := PV;

ELSIF CD AND (CV < Pvmin)
BOOL CD Q BOOL Then CV := CV-1;
BOOL LD END_IF;
Q := (CV <= 0)
INT PV CV INT

Auf-Abwärts-Zähler CTUD IF R THEN CV := 0;

ELSIF LD THEN CV := PV;
BOOL CU QU BOOL ELSIF CU AND (CV < Pvmax)
BOOL CD QD BOOL THEN CV := CV+1;
ELSIF CD AND (CV < Pvmin)
BOOL R
THEN CV := CV-1;
BOOL LD END_IF;
INT PV CV INT QU := (CV >= PV)
QD := (CV <= 0)
Bedeutung der Eingänge und Ausgänge: CU = Vorwärtszähleingang steigende Flanke; CD = Rückwärtszählein-
gang steigende Flanke; R = Rücksetzeingang; LD = Ladeeingang; PV = Ladewert; QU = Status Zählerstand
(CV größer gleich Ladewert); QD = Status Zählerstand (CV kleiner gleich 0); CV = Zählerstand.
Hinweis: Die numerischen Werte der Grenzvariablen Pvmax und Pvmin sind implementierungsabhängig. Mög-
liche Werte sind Pvmax = 32767 und Pvmin = –32768.
Bild 16 Zählfunktionen nach IEC 61131-3

verschiedenen Eingangsparametern aufgerufen werden Die Eingangsvariable „Wert“ vom Datentyp Integer
können. Das Vergleichsergebnis steht als binärer wird mit der Integerkonstanten „20“ auf „größer als“
Signalzustand im aktuellen Ergebnis (AE) zur Ver- verglichen, siehe Bild 17. Am Ausgang des Verglei-
fügung, und zwar mit TRUE, wenn der Vergleich chers ist das Sprungsymbol durch eine Signallinie mit
zutrifft und mit FALSE, wenn er nicht zutrifft. Die Doppelpfeil am Ende angegeben. Der Sprung ist
Tabelle 5 zeigt die Vergleichsmöglichkeiten für den bedingt, weil er vom Ausgang des Vergleichs abhän-
einfachsten Fall von zwei Vergleichseingängen IN1 gig ist. Ist die Vergleichsbedingung erfüllt, wird das
und IN2. Programm an der Stelle von Marke1 fortgeführt. Ist
die Vergleichsbedingung nicht erfüllt, läuft das Pro-
Tabelle 5 Vergleichsfunktionen gramm linear weiter. Im Vergleichsbaustein ist der
Name der Vergleichsfunktion angegeben (GT).
Name Symbol Beschreibung
7.11 MOVE-Funktion
GT > IN1 größer IN2
Die MOVE-Funktion zählt zu den arithmetischen
GE >= IN1 größer gleich IN2
Standardfunktionen. Sie hat genau einen Eingang und
EQ = IN1 gleich IN2
einen Ausgang und bewirkt das „Durchreichen“ von
LE <= IN1 kleiner gleich IN2
Daten der Eingangsvariablen an die Ausgangsvariab-
LT < IN1 kleiner IN2
le in Abhängigkeit von einem booleschen Freigabe-
NE <> IN1 ungleich IN2
signal EN, dabei darf der Datentyp auf der Ausgangs-
und Eingangsseite sogar verschieden sein. Die Nut-
 Beispie 8: Vergleich auf „größer“ zung der MOVE-Funktion zur Datentypumwandlung
hat enge Grenzen. Sinnvoll ist z.B. die Umwandlung
GT von BYTE in WORD. Mit der Datentypangabe ANY
INT BOOL in Bild 18 ist kein neuer Datentyp gemeint. ANY ist
Wert IN1 >> Marke1
INT Sprung- der ranghöchste der sog. allgemeinen Datentypen der
20 IN1 symbol Bild 17 SPS-Norm, die sich nur an Hersteller wendet und
706 Automatisierungstechnik

mitteilt, dass jeder nachgeordnete Datentyp verwen- 8.2 Aufruf von Funktionsbausteinen
det werden darf. Die Ausgestaltung der MOVE- in FBS
Funktion ist herstellerabhängig.
Am einfachsten gestalten sich Bausteinaufrufe und
die damit verbundenen Werteübergaben in grafischer
MOVE Bild 18 Programmiersprache, z.B. FBS. Die Einbindung eines
BOOL ANY MOVE-Funktion
EN OUT Funktionsbausteins (FB) in ein Programm (P) ge-
ANY BOOL mit Ausführungs- schieht in der logischen Reihenfolge: Deklarieren
IN ENO steuerung EN/ENO einer Instanz des Funktionsbausteins, Einfügen des
Bausteinsymbols aus der Bausteinbibliothek und
Zuordnung des Instanznamens, Anbindung der In-
7.12 EN /ENO-Mechanismus stanz-Eingänge/Ausgänge an Variablen des aufrufen-
den Bausteins, z.B. auch an direkte Variablen, welche
EN steht für Enable IN (boolescher Freigabe-Ein- die Verbindung zu den realen SPS-Eingängen/Aus-
gang) und ENO für Enable OUT (boolescher Frei- gängen halten.
gabeausgang). Die SPS-Norm sieht vor, dass Funk- Instanzen werden deklariert wie Variablen durch
tionen (FC) in den Programmiersprachen FBS und Angabe eines Namens und eines Typs. Als Typ wird
KOP über diese Möglichkeit der Ausführungssteue- der Name des Funktionsbausteins verwendet.
rung verfügen müssen. Der Freigabe-Eingang EN
kann mit einer Logikverknüpfung beschaltet sein  Beispiel 9: Programm P ruft Funktionsbaustein FB auf
(z.B. UND-Glied, Vergleicher). Der boolesche Aus-
PROGRAM PRG
gang ENO kann zur Ansteuerung nachfolgender (*Deklaration*)
Funktionen benutzt werden, weil er anzeigt, ob die VAR_INPUT
Bausteinfunktion ordnungsgemäß ausgeführt wurde Wert1 AT %IX0.0 : BOOL ;
oder nicht. Wert2 AT %IX1.0 : BOOL ;
Wert3 AT %IX1.7 : BOOL ;
Die Variablen EN/ENO müssen nicht benutzt wer- END_VAR
den, wenn die Ausführung der Funktion in jedem Fall VAR
erfolgen soll. Instanz1 : FB 10 ;
Ist bei Funktionsaufruf EN = 0, wird die Funktion END_VAR
VAR_OUTPUT
nicht ausgeführt und ENO = 0 ausgegeben. Wert4 AT %QX4.0 : BOOL ;
Ist bei Funktionsaufruf EN = 1, wird die Funktion END_VAR
ausgeführt und der Ausgang meldet mit ENO = 1 die (*Bausteinrumpf*)
Fehlerfreiheit der Ausführung oder mit ENO = 0 Instanz1
einen Ausführungsfehler.
FB 10
(*Deklarationsteil*)

Wert1 E0 A4 Wert4
8 Aufruf und Wertübergaben zwischen
Wert2 E1
Bausteinen nach IEC 61131-3
Wert3 E2
8.1 Aufrufhierarchie der Bausteine P, FB (*Bausteinrumpf*)
und FC Programmteil
(unsichtbar)
• Das Anwenderprogramm einer SPS hat einen
hierarchischen Aufbau: END_PROGRAM

An oberster Stelle steht ein Baustein des Typs Pro-

gramm (P), dessen Deklaration und Gebrauch iden-
tisch ist mit denen der bereits beschriebenen Funk-
tionsbausteine, jedoch mit den begrenzenden Schlüs-
selwörtern PROGRAM ... END_PROGRAM. In
diesem Baustein können Instanzen von Funktions-
bausteine (FB) sowie Funktionen (FC) aufgerufen
werden.
An mittlerer Stelle stehen die Bausteine des Typs
Funktionsbaustein (FB). Innerhalb eines Funktions-
bausteins können Instanzen anderer Funktionsbau-
steine oder auch Funktionen (FC) aufgerufen werden
An unterster Stelle stehen die Bausteine vom Typ
Funktionen (FC). Innerhalb einer Funktion können
andere Funktionen (FC) aufgerufen werden.
8.3 Aufruf von Funktionsbausteinen
in AWL
Gleicher Deklarationsteil wie in der Grafiksprache
FBS. Etwas schwieriger gestaltet sich der Baustein-
aufruf und die damit verbundenen Werteübergaben in
Textsprache, z.B. AWL. Es stehen mehrere Methoden
zur Verfügung, deren einfachste ist die mit der forma-
len Argumentenliste, die auch vom Hersteller fest
vorgegeben sein kann. Bei dieser Methode muss ein
Funktionsbaustein mit dem Befehl CAL (unbedingt)
oder CALC (bedingt) aufgerufen werden, gefolgt
vom Instanznamen und der offenen Klammer. Darun-
ter erscheint die auszufüllende Liste mit den Parame-
Automatisierungstechnik 707

tern des aufgerufenen Instanzbausteins, die mit der Beim „nichtformalen Aufruf“ muss zuerst der erste
geschlossenen Klammer beendet wird. Eingangsparameter in das Ergebnisregister geladen
werden. Dann kommt die Anweisung mit dem Namen
 Beispiel 10: Programm P ruft Funktionsbaustein FB auf der Funktion als Operator, gefolgt von den restlichen
PROGRAM PRG Eingangsparametern in richtiger Reihenfolge und
(*Deklaration*) durch Kommas getrennt im Operandenteil. Mit dem
VAR_INPUT Abschluss dieser Anweisung berechnet die Funktion
Wert1 AT %IX0.0 : BOOL ;
Wert2 AT %IX1.0 : BOOL ; das Ergebnis und stellt es in das Ergebnisregister. In
Wert3 AT %IX1.7 : BOOL ; der letzten Anweisung wird das Aktuelle Ergebnis
END_VAR (AE) des Ergebnisregisters in der Zielvariablen ge-
VAR speichert.
Instanz1 : FB 10 ;
END_VAR
VAR_OUTPUT  Beispiel 12: Nichtformaler Aufruf einer Funktion
Wert4 AT %QX4.0 : BOOL ;
PROGRAM PRG
END_VAR
(*Deklaration*)
(*Bausteinrumpf*)
VAR_INPUT
CAL Instanz1 (
Wert1 AT %IX0.0 : BOOL ;
E0 := Wert1,
Wert2 AT %IX1.0 : BOOL ;
E1 := Wert2,
Wert3 AT %IX1.7 : BOOL ;
E2 := Wer3,
END_VAR
A4 => Wert4 );
VAR_OUTPUT
END_PROGRAM
Wert4 AT %QX4.0 : BOOL ;
END_VAR
8.4 Aufruf von Funktionen in AWL (*Bausteinrumpf*)
LD Wert1
Gegenüber dem Aufruf von Funktionsbausteinen FC 10 Wert 2, Wert 3
ST Wert4
entfällt die Instanzbildung. Der Aufruf in der Grafik-
END_PROGRAM
sprache FBS ist sonst der gleiche wie bei Funktions-
bausteinen. Unterschiede bestehen beim Aufruf in der
Textsprache AWL, da nicht der Operator CAL ver-
wendet werden darf. Der Funktionsname ist als Ope- 9 Ablaufsteuerung
rator in der Anweisung anzugeben. Es sind zwei
Aufrufmethoden zu unterscheiden. Steuerungsprogramme, die einen schrittweisen Pro-
Beim „formalen Aufruf“ wird als erste Anweisung zessablauf nach den Vorgaben von Ablauf-Funktions-
einfach der Name der aufzurufenden Funktion ge- plänen ausführen, werden Ablaufsteuerungen ge-
schrieben, gefolgt von der offenen Klammer. Danach nannt.
wird je Anweisungszeile ein Eingangsparameter
übergeben, wie bei der obigen formalen Argumenten-
9.1 Ablauf-Funktionsplan
liste, jedoch nur für die Funktionseingänge. Dann
folgt die geschlossene Klammer, mit der die Funktion Der Ablauf-Funktionsplan ist eine eigenständige
bearbeitet und das Ergebnis im Ergebnisregister Planart zur prozessorientierten Darstellung von Steu-
gespeichert wird. Die letzte Anweisung speichert das erungsaufgaben. Eine verbale Aufgabenstellung soll
Aktuelle Ergebnis (AE) des Ergebnisregisters in der aus Gründen der Klarheit und Vollständigkeit durch
Zielvariablen. eine grafische Darstellung ersetzt werden, die bei der
Planung, Inbetriebnahme und Störungssuche hilfreich
 Beispiel 11: Formaler Funktionsaufruf einer Funktion sein soll. Ein richtig entworfener Ablauf-Funktions-
PROGRAM PRG plan muss bereits die Lösung einer entsprechenden
(*Deklaration*) Steuerungsaufgabe darstellen.
VAR_INPUT Geeignete Steuerungsaufgaben sind solche, bei denen
Wert1 AT %IX0.0 : BOOL ;
Wert2 AT %IX1.0 : BOOL ;
unterscheidbare Aktionen in einer ereignis- oder zeit-
Wert3 AT %IX1.7 : BOOL ; gesteuerten Reihen- oder auch Parallelfolge ablaufen
END_VAR und die auf Wiederholung gerichtet sind. Anschau-
VAR_OUTPUT liche Beispiele dafür sind Produktionsanlagen.
Wert4 AT %QX4.0 : BOOL ;
END_VAR
Der Ablauf-Funktionsplan stellt nur die grafischen
(*Bausteinrumpf*) Elemente für eine Ablaufbeschreibung zur Verfü-
FC 10 ( gung. Die Entwurfsmethode besteht darin, dass Steu-
E0 := Wert1, erungszustände eingeführt und mit Aktionen ver-
E1 := Wert2,
E2 := Wert3,
knüpft sowie Übergangsstellen zur Berücksichtung
); von Steuersignalen vorgesehen werden.
ST Wert4 Die Darstellung von Ablauf-Funktionsplänen kann
END_PROGRAM auf zwei verschiedenen Normen beruhen:
708 Automatisierungstechnik

• DIN EN 60848 GRAFCET, Spezifikationssprache
für Funktionspläne der Ablaufsteuerung. (Nach-
folger der DIN 40719-6). Diese Norm definiert
eine grafische Entwurfssprache für die funktionale
Beschreibung des Verhaltens des Ablaufteils eines
Steuerungssystems. Die Entwurfssprache wird
„GRAFCET“ genannt.
• DIN EN 61131, Speicherprogrammierbare Steue-
rungen, Teil 3: Programmiersprachen, hierin Ele-
mente der Ablaufsprache (AS). Der Zweck der
Ablaufsprache ist die Darstellung von Ablauf-
funktionen in SPS-Programm-Organisationsein-
heiten des Typs Funktionsbaustein oder Pro-
gramm. Dazu gibt die Norm zwei Darstellungs-
varianten für ihre Elemente an, eine ausführlich
behandelte grafische Variante und eine textuelle
Variante.
DIN EN 60848 und DIN EN 61131-3 haben jeweils
ihren eigenen spezifischen Anwendungsbereich.
Während die Entwurfssprache GRAFCET für die
Beschreibung des Verhaltens unabhängig von einer
speziellen Realisierung (elektronisch, elektromecha-
nisch, pneumatisch oder gemischt) ist, legt IEC
61131-3 die Beschreibungsmittel der Ablaufsprache
AS zwecks Programmrealisierung fest. Bei der Dar-
stellung der Aktionsblöcke wird auf die Unterschiede
eingegangen.
als einziger Schritt aktiv sein. Die Schritte sind durch
gerichtete Verbindungen in Form von vertikalen
Linien miteinander verbunden. Die Eigenschaft eines
Schrittes, aktiv oder inaktiv sein zu können, setzt ein
Speicherverhalten im Steuerungsprogramm voraus.
Jedem Schritt ist normalerweise eine Aktion zuge-
ordnet, die in einem Aktionsblock angegeben und mit
dem Schritt verknüpft werden kann. Die Aktion ist
nicht Bestandteil des Schrittes. Die Ablaufkette
besteht aus einer Folge von Schritten und Transitio-
nen, die einfach oder verzweigt sein kann.
Einfache Ablaufkette:
Der Wechsel von Schritt und Transition wird als
Folge wiederholt. Es wird eine Kettenschleife gebil-
det, um wieder zum Anfang zurückzukehren. Die
zurückführende Wirkungslinie kann durch eine Pfeil-
darstellungen mit Angabe von Schrittnummern er-
setzt werden.
S_1
%IX1.0 &
%IX1.1 TRAN12

9.2 Grafische Darstellung S_2 Aktion

von Ablaufsteuerungsfunktionen %IX2.0 &
Zur Darstellung von Ablaufstrukturen werden Ab- %IX2.1 TRAN23
lauf-Funktionspläne verwendet, die auch als SFC
(Sequential Function Chart) bezeichnet werden.
S_3 Aktion
Darstellung von Schritten und Transitionen
&
Jeder mögliche Zustand einer Steuerung wird im %IX3.0
Ablauf-Funktionsplan durch einen Schritt dargestellt. TRAN31
Ein Schritt ist entweder aktiv oder inaktiv und stellt
einen Zustand der Steuerung dar. Ein Schritt muss
Bild 20 Einfache (lineare) Ablaufkette
grafisch durch einen Block dargestellt werden, der
einen Schrittnamen in Form eines Bezeichners ent-
Verzweigte Ablaufkette:
hält, siehe Bild 19.
Eine Sonderstellung nimmt der Anfangsschritt ein, Man unterscheidet je nach Art der Verzweigung
der durch eine doppelte Umrahmung gekennzeichnet zwischen der Alternativ-Verzweigung und der Simul-
ist. Der Anfangsschritt muss beim Start des Ablaufs tan-Verzweigung.

Anfangsschritt
S_1
(Initialschritt)

Transition gerichtete Verbindungen

(Übergang) (Wirkungslinien)

Schritt
(Zustand) S_2
Bild 19
Aktion Darstellung von Ablaufschritten
Automatisierungstechnik
• Alternativ-Verzweigung (1- aus n-Verzweigung,
ODER-Verzweigung); es erfolgt die Auswahl und
Bearbeitung nur eines Kettenstranges aus mehre-
ren Kettensträngen. Am Verzweigungsanfang darf
zur gleichen Zeit nur eine Transitionsbedingung
wahr sein (Verriegelung) oder es muss eine Priori-
tät vorgegeben werden, indem der Strang mit der
niedersten Nummer die höchste Priorität hat. Zu-
sätzlich wird mit einem Stern ( ) angegeben, dass
die Transitionen von links nach rechts bearbeitet
werden. Jedes Strang-Ende muss eine eigene
Transitionsbedingungen zum Verlassen des Ket-
tenstranges aufweisen. Anfang und Ende von Al-
ternativ-Verzweigungen werden durch waagerech-
te Einfachlinien dargestellt.
• Simultan-Verzweigung (Parallelbearbeitung meh-
rerer Kettenstränge, UND-Verzweigung); es er-
folgt die gleichzeitige Aktivierung der Anfangs-
schritte mehrerer Kettenstränge, die dann aber un-
abhängig voneinander bearbeitet werden. Alle
Kettenstränge unterliegen auf der Anfangsseite
nur einer vorgelagerten gemeinsamen Transitions-
bedingung. Bei der Zusammenführung der Ketten-
stränge (Endeseite) darf nur eine gemeinsame
Transitionsbedingung vorhanden sein. Anfang und
Ende von Simultan-Verzweigungen werden durch
waagerechte Doppellinien dargestellt.
TRAN41 Alternativ-Verzweigung
(Anfang)
S_1 Simultan-Verzweigung
(Anfang)
Stern
Priorität 1 2
TRAN12 TRAN17
S_2 S_5 S_7
TRAN23 TRAN56 TRAN78
S_3 S_6 S_8
TRAN34 TRAN84
S_4
Simultan-Verzweigung
(Ende)
TRAN41 Alternativ-Verzweigung
S_1 (Ende)
Bild 21 Verzweigte Ablaufkette
Wenn zum Beispiel der Anfangsschritt S_1 aktiv ist
und die Transitionsbedingung von TRAN_17 den
booleschen Wert TRUE liefert während die Transiti-
709
onsbedingung von TRAN_12 den booleschen Wert
FALSE hat, wird der Schritt S_7 aktiviert und Schritt
1 deaktiviert. Damit kann es in dieser Phase des
Ablaufs nicht mehr zu einer Aktivierung der Schritte
S_2 und S_5 kommen. Der Übergang von Schritt S_8
zu Schritt S_4 erfolgt erst, wenn die Transitionsbe-
dingung von TRAN_84 den booleschen Wert TRUE
annimmt. Schritt S_8 wird dann von S_4 zurückge-
setzt.
Für den Fall, dass der Anfangsschritt S_1 aktiv ist
und die Transitionsbedingungen von TRAN_12 und
TRAN_17 den booleschen Wert TRUE haben, wird
wegen der festgelegten Priorität die Simultan-
Verzweigung bearbeitet. Es werden die Schritte S_2
und S_5 aktiviert und der Vorgängerschritt S_1
deaktiviert. Der Schritt S_4 wird erst erreicht, wenn
die Vorgängerschritte S_3 und S_6 aktiv sind und die
Transitionsbedingung von TRAN_34 den booleschen
Wert TRUE annimmt. Die Schritte S_3 und S_6
werden dann von S_4 zurückgesetzt.
Schleifen und Sprünge
Ein Sprung führt unter Steuerung durch eine Transi-
tionsbedingung von einem Schritt zu einem entfern-
ten anderen Schritt, wobei der durch den Sprung
gebildete Zweig keine Schritte enthält.
Eine Schleife kann die Folge eines Sprunges sein,
indem unter Steuerung durch eine Transitionsbedin-
gung auf einen Vorgängerschritt zurückgesprungen
wird. Dabei muss verhindert werden, dass sich das
Programm in einer Endlosschleife verfängt.
Schleife
S_1
TRAN12 TRAN14
Sprung Endlos-
schleife
S_2 S_4
TRAN23 TRAN45
S_3 S_5
TRAN31 TRAN54 TRAN52
Bild 22 Sprung und Schleife
Aktionen, Aktionsblock
Mit einem Schritt ist in der Regel eine Aktion ver-
bunden. Ein Schritt ohne zugehörige Aktion übt eine
Warte-Funktion aus bis die nachfolgende Transi-
tionsbedingung erfüllt ist. Da der Ablauf-Funktions-
710 Automatisierungstechnik

plan beschreiben soll, was in der gesteuerten Anlage
zu geschehen hat, wird in der Norm der Begriff
Aktion anstelle von Befehl verwendet.
Der Aktionsblock ist ein grafisches Element zur
Darstellung von Aktionen. Der Aktionsblock ist nicht
Teil eines Schrittes und damit auch nicht Teil der
Ablaufkette. Der Aktionsblock kann mit einem
Schritt verknüpft oder als grafisches Element in einer
Kontaktplan- bzw. Funktionsplandarstellung verwen-
det werden. Nachfolgend wird jedoch die Verknüp-
fung von Schritt und Aktionsblock bevorzugt.
In vollständiger Darstellung besteht der Aktionsblock
aus vier Teilflächen, die nicht alle genutzt werden
müssen:
S_2 “a” “b” “c”
“d”
• Feld “a”: Bestimmungszeichen
• Feld “b”: Aktionsname
• Feld “c”: Anzeigevariable
• Feld “d”: Beschreibung der Aktion in AWL; ST;
KOP, FBS
Im einfachsten Fall wird in Feld “b” der Name einer
booleschen Variablen und in Feld “a” ein zutreffen-
des Bestimmungszeichen eingetragen.
D Heizung Ein
S_2 t #10s
Die Aktion wird ausgeführt, wenn der zugehörige
Schritt gesetzt ist und eine Aktionssteuerung die
Freigabe erteilt. Die Aktionssteuerung sorgt für die
richtige Umsetzung der im Feld “a” eingetragenen
Bestimmungszeichen. Im Beispiel lautet die Aktion
„Heizung EIN“ und es ist das Bestimmungszeichen D
zusammen mit einer Zeitangabe im Feld “a” einge-
tragen. Ergebnis: Die Heizung wird verzögert einge-
schaltet.
Es ist zulässig, mehrere Aktionen mit einem Schritt
zu verbinden. Dies wird grafisch dargestellt durch
aneinander gereihte Aktionsblöcke.
L Pumpe Ein
S_3 t # 20s
N Zylinder_vor Pos_1
Pos_1

N-Befehl (nichtgespeichert) 1
Schritt 2
0
S_2 N Motor Ein
1
Motor
0

S-Befehl (Setzen, gespeichert)

1
S_3 S Motor Ein Schritt 3
0
1
Motor
R-Befehl (Rücksetzen) 0
1
S_5 R Motor Aus Schritt 5
0

1 Ist Schritt 6 kürzer als T#20s, verkürzt

L-Befehl (zeitbegrenzt) Schritt 6 sich auch die Einschaltzeit der Pumpe.
0
S_6 L 20s
Zeitg1:Pumpe Ein
t # 20s 1
Pumpe
0

D-Befehl (zeitverzögert) 1
Schritt 8
0
S_8 D 10s
Zeitg2:Heizung Ein
t #10s
1
Heizung
0

Bild 23 Bestimmungszeichen N, S, R, L und D für Aktionen nach IEC 61131-3

Automatisierungstechnik 711

Tabelle 6 Symbole für Aktionen nach GRAFCET

Speichernde Aktion
Aktion wird bei Aktivierung des Schrittes gespeichert.
S_6 Aktion A:=1 Beispiel: Setze den Wert der booleschen Variablen A auf TRUE

Zeitverzögerte Aktion
3s/S_7 Die verzögerte Aktion ist eine kontinuierlich wirkende Aktion, bei der die
S_7 Aktion B Zuweisungsbedingung erst nach 3s erfüllt ist.
Beispiel: Ausgang B nimmt den Wert TRUE an, nachdem drei Sekunden seit
der Aktivierung von Schritt S_7 vergangen sind.
Zeitbegrenzte Aktion
3s/S_8 Die begrenzte Aktion ist eine kontinuierlich wirkende Aktion, bei der die
S_8 Aktion C Zuweisungsbedingung während der Dauer von 3s erfüllt ist.
Beispiel: Ausgang C erhält den Wert TRUE für drei Sekunden nach Aktivie-
rung von Schritt S_8.
Bedingte Aktion
S3 Die Zuweisungsbedingung S3 beeinflusst die kontinuierlich wirkende Aktion.
S_9 Aktion V Beispiel: Ausgang V erhält den Wert TRUE, wenn in Schritt 9 Bedingung S3
erfüllt ist.
Als boolesche Gleichung: V = S_9 & S3

Im Aktionsfeld “c” kann eine boolesche Anzeige- Bedienfeld

Variable eingetragen werden, die durch die Aktion
gesetzt werden kann, um die Erledigung oder einen
Signale
Fehlerfall (z.B. Zeitüberschreitung) anzuzeigen oder
als Weiterschaltbedingung verwendbar ist.
Betriebsartenteil
Bestimmungszeichen für Aktionen (IEC 61131-3)
Die Verknüpfung einer Aktion mit einem Schritt Signale Betriebsartensignale
der Anlage Schrittnummer B0 B1 B2 B3
erfolgt formal durch ein sog. Bestimmungszeichen.
Für jedes Bestimmungszeichen (N, S, R, L, D u.a.)
muss in der Ablaufsteuerung eine Programmteil mit Ablaufkette
einer entsprechenden Ansteuerlogik für die im Feld Verriegelg.
Zeiten, Schrittnummer
“b” angegebene boolesche Ausgangsvariable vorhan-
Zähler
den sein. Im Bild 23 ist für einzelne Bestimmungs-
Aktionsausgabe
zeichen die Art der Ansteuerlogik mit Liniendia-
grammen beschrieben.
Die DIN EN 60848 unterteilt den Aktionsblock nicht. Signale an Stellgeräte
Die Art der Aktionsausgabe wird dort durch Symbole
am Aktionsblock festgelegt, siehe Tabelle 6. Bild 24 Struktur einer Ablaufsteuerung
Welche der Darstellungen verwendet wird, bestim-
men in der Praxis die Vorteile für den jeweiligen Betriebsartensignale
Anwendungszweck. Ablaufsteuerungen werden mit
Betriebsartensignale sind die vom Betriebsartenpro-
speziellen Software-Tools der Automatisierungsfir-
gramm erzeugten Steuersignale für das Weiterschal-
men entwickelt, die viel Detailarbeit übernehmen.
ten und Rücksetzen der Ablaufkette sowie für die
Freigabe von Aktionen.
9.3 Betriebsartenteil und Bedienfeld
Ablaufsteuerungen in der Praxis bestehen aus Ablauf- • Rücksetzen RESET (B0)
ketten und verfügen über einen übergeordneten Be- RESET wirkt durch die Übergabevariable B0 auf
triebsartenteil für die Inbetriebnahme, Anlagenbetrieb einen Eingangsparameter RUECKSETZ des Ablauf-
und Störungsbeseitigung. Ablaufsteuerungen bestehen kettenbausteins und versetzt die Schrittkette in die
im Prinzip immer aus folgenden Komponenten: Grundstellung oder wirkt über den RESET-Eingang
712
Steuerung A4 Betriebsarten
AUS EIN
E0 E1
E2
0 Autom. Betr.
Schrittanzeige
A0
A1 Start / Quittierung
A2
E3
A3
Bild 25 Beispiel eines Bedienfeldes für Ablaufsteuerung
des Aktionsbausteins und setzt dort Speicher, Zeit-
glieder und Zähler zurück.
• Freigabe der Kette mit Bedingungen
FREI_K_mB (B1)
FREI_K_mB wirkt durch die Übergabevariable B1
auf einen Eingangsparameter WEITER_mB im
Ablaufkettenbaustein. Nur wenn B1 = 1 ist, wird bei
erfüllten Weiterschaltbedingungen der nächste Schritt
gesetzt. Das B1-Signal kann ein Impuls bei Hand-
Einzelschrittbetrieb oder ein Dauersignal bei Auto-
matikbetrieb sein.
• Freigabe der Kette ohne Bedingungen
FREI_K_oB (B2)
FREI_K_oB wirkt durch die Übergabevariable B2
auf einen Eingangsparameter WEITER_oB im Ab-
laufkettenbaustein. Nur wenn B2 = 1 ist, wird im
Hand-Einzelschrittbetrieb der nächste Schrittspeicher
gesetzt, ohne dass die Weiterschaltbedingung erfüllt
sein muss. Das B2-Signal muss immer ein Impulssig-
nal mit der Länge von einer Zykluszeit sein.
• Freigabe Aktion FR_AKTION (B3)
FR_AKTION wirkt durch die Übergabevariable B3
auf einen Eingangsparameter FREIGABE des Ak-
tionsbausteins und kann dort einen Aktionsausgang
freischalten bzw. sperren.
Funktionen eines Bedienfeldes
Eingriffe in Steuerungen sollen von einem Bedienfeld
aus erfolgen, dessen Bedienoberfläche auf die Erfor-
dernisse von Ablaufsteuerungen mit Betriebsartenteil
abgestimmt ist.
Die Kenntnisnahme der Einzelfunktionen der Be-
fehlsgeber und Anzeigen des beispielhaften Bedien-
feldes verdeutlicht die Komplexität und Praxisnähe
von Ablaufsteuerungen.
Automatisierungstechnik
Automatik
A5
Beenden
E4
Hand / Einzelschritt
Weiter_oB
E5
0
Weiter_mB
Aktion_Freigabe
E6
Taster E0: Steuerung: AUS
Taster E1: Steuerung: EIN
Hinweis: Statt der beiden Taster kann
auch ein EIN-AUS-Schalter bzw. ein
Schlüsselschalter verwendet werden.
Schalter E2: Betriebsart
Wahl der Betriebsart: E2 = 1 für Auto-
matik, E2 = 0 für Handbetrieb.
Während eines Bearbeitungsprozesses
kann zwischen Automatik und Hand-
betrieb umgeschaltet werden.
Taster E3: Start/Einzelschritt
Bei E2 = 1 (Automatik) werden durch
Betätigung von E3 der Automatikbetrieb
für das Weiterschalten der Ablaufkette
mit Bedingungen sowie die Freigabe der
Aktionen eingeschaltet und somit der
automatische Ablauf der Kette gestartet.
Bei E2 = 0 (Hand-/Einzelschrittbetrieb)
erfolgt bei Betätigung von E3 eine Ein-
zelschritt-Weiterschaltung der Schritt-
kette.
Bei ausgeschalteter Steuerung kann
durch Betätigen der Start/Quittierungs-
Taste ein RESET zum Rücksetzen der
Schrittkette und der gespeicherten Akti-
onen ausgelöst werden, wenn sich die
Anlage in der Grundstellung befindet.
Taster E4: Beenden Automatikbetrieb
Vorwahl zum Beenden der Betriebsart
Automatik bei Erreichen der Grundstel-
lung der Ablaufkette (vollständig been-
deter Bearbeitungsprozess).
Schalter E5: Weiterschaltbedingung für Hand-/
Einzelschrittbetrieb
Bei E2 = 0 (Hand-/Einzelschrittbetrieb)
muss die Art der Ablaufketten-Weiter-
schaltung festgelegt werden. Zur Aus-
wahl stehen E5 = 1 (Weiterschalten
Automatisierungstechnik
ohne Bedingungen) und E5 = 0 (Weiter-
schalten mit Bedingungen).
Taster E6: Aktions-Freigabe
In der Betriebsart Handbetrieb wird
durch Taster E6 die Aktion des aktiven
Schrittes solange ausgeführt, wie E6 be-
tätigt ist.
10 Kommunikation
in Automatisierungssystemen
Die Automatisierungstechnik befindet sich im
Umbruch. Durch Anwendung moderner Kommuni-
kationstechnik erhofft man sich entscheidende Ver-
besserungen bei Effizienz und Flexibilität der
Automatisierungsprozesse. Der Begriff der Automa-
tisierungstechnik umfasst heute mehr als nur das
Automatisieren im Sinne von Steuern, Regeln und
Visualisieren, eingeschlossen ist auch das Kommuni-
zieren.
Zwischen den Anlagenkomponenten eines Automati-
sierungssystems müssen in der Regel Informationen
ausgetauscht werden. Das sind im einfachsten Fall
Signale von Sensoren und Aktoren, die zum überge-
ordneten Automatisierungsgerät gelangen müssen
oder von dort herkommen. In anderen Fällen handelt
es sich um Messwerte, Statusmeldungen und Diagno-
seinformationen, die schon kompliziertere Daten
darstellen. Realität ist auch, dass Auftragsdaten der
Produktion zwischen Büro und Fertigungsanlage
übertragen werden müssen. Es liegen also umfangrei-
che Kommunikationsbeziehungen in der Automatisie-
rungstechnik vor, zu deren Bewältigung moderne
Kommunikationssysteme verwendet werden.
10.1 Bussysteme
Die klassische Informationsübertragung von Prozess-
signalen mittels analoger Spannungs- oder Stromwer-
te passt nicht zur digitalen Datenverarbeitung in den
Automatisierungsgeräten. Es ist deshalb naheliegend,
auch die Informationsübertragung auf eine digitale
Grundlage zu stellen. Um gleichzeitig den Verkabe-
lungsaufwand so gering wie möglich zu halten, über-
trägt man Daten über Bussysteme in Form serieller
Zweidrahtverbindungen, an die alle Teilnehmer
angeschlossen sind. Für den Informationsaustausch
werden Telegramme mit entsprechenden Sende- und
Empfangsadressen sowie den Nutzdaten gebildet. Ein
solches digitales Kommunikationssystem ist leichter
erweiterbar durch Anschluss weiterer Teilnehmersta-
tionen und Änderungen erfordern zum großen Teil
nur softwaremäßige Eingriffe. Digitale Kommunika-
tionssysteme vereinfachen nicht nur den sonst erfor-
derlichen Verdrahtungsaufwand radikal, sondern
bringen für den Anlagenbetreiber auch noch einen
Zusatznutzen, indem außer den eigentlichen Mess-
werten nützliche Anlageninformationen wie z.B.
Fehlermeldungen ohne großen Mehraufwand zusätz-
713
lich zur Verfügung stehen und Fernparametrierungen
intelligenter Sensoren möglich sind.
Je nach Anwendungsbereich werden in der Automati-
sierungstechnik unterschiedliche Bussysteme einge-
setzt, deren wichtigste Merkmale ihre sog. Echtzeitfä-
higkeit und Störsicherheit sind. Echtzeit bedeutet, dass
die neuen Daten immer „rechtzeitig“ eintreffen. Zu
spät eintreffende Daten können sonst zu gefährlichen
Anlagenzuständen führen. Verwendet werden nur noch
standardisierte, offene Bussysteme. Standardisiert be-
deutet international genormt in der IEC 61158 und
Offenheit gewährt den Zugang zu Spezifikationen und
Technologien, damit sich neue Anbieter mit eigenen
Produkten am System beteiligen können. Für die
Nutzer ergibt sich so der Vorteil einer größeren Unab-
hängigkeit von Herstellern bei der Auswahl der zu
vernetzenden Anlagenkomponenten.
Im prozessnahen Bereich der Anlage, der Feldebene,
findet man überwiegend sogenannte Feldbussysteme
mit Master-Slave-Kommunikation vor. Die Slaves
sind die Buskomponenten, über die alle Eingangs-
und Ausgangssignale der Anlage erfasst bzw. ausge-
geben werden. Die Master-Station ist ein Kommuni-
kationsprozessor, der für die zyklische Bedienung der
zugeordneten Slave-Stationen sorgt, indem er die
Daten von Eingängen der Slaves abholt bzw. an
Ausgänge von Slaves ausliefert. Bekannte Master-
Slave-Systeme für den Feldbereich sind der AS-i-Bus
(Aktor-Sensor-Interface), der PROFIBUS-DP (Pro-
cess Field BUS-Dezentrale Peripherie), der INTER-
BUS-S und andere Systeme. In der Feldebene zählen
Bussysteme seit vielen Jahren zum Stand der Tech-
nik. In komplexeren Anlagen mit mehrerer SPSen
kann jedoch auch ein Datenaustausch zwischen
Steuerungsstationen (SPSen) erforderlich sein. Das
erfordert bereits die höherwertige Master-Master-
Kommunikation, die aber auch noch dem Produkti-
onsbereich der Fabrik zuzurechnen ist. Muss ein noch
weitergehender Datenaustausch unter Einbeziehung
von Bürobereichen, z.B. der Fertigungssteuerung,
verwirklicht werden, so wird eine zweite Netzinfra-
struktur neben dem vorhandenen Feldbussystem
erforderlich. Hierfür bietet sich dann das im Bürobe-
reich bereits etablierte Ethernet-TCP/IP-Netz an.
Schon lange wurde gefordert, das TCP/IP-Netz in die
Fertigungsebene zu verlängern bei gleichzeitiger
Erfüllung der Echtzeitbedingung. Ein Beispiel hierfür
ist PROFINET als neues Kommunikationssystem.
Bild 26 gibt eine Übersicht zu Bussystemen in der
industriellen Kommunikation.
10.2 PROFINET – Offener Industrial
Ethernet Standard
PROFINET bietet sich als ein offenes und durchgän-
giges Konzept für Automatisierungslösungen auf
Ethernetbasis an, im Bereich von Einzelmaschinen
bis hin zu modular aufgebauten Anlagen mit verteil-
ter Steuerungsintelligenz und gewährleistet dabei
714 Automatisierungstechnik

Produktionssteuerung und Wirtschaftlichkeit

Bussysteme: Kommunikations-
Verfügbarkeit und Qualität protokolle:
Aufträge Unternehmes- Ethernet- HTTP
IT-
Instandhaltung ERP TCP/IP OPC
leitebene Kommunikation

Anlagenvisualisierung (S)RT
Betriebsleit- Daten- PROFINET
Programmierung IRT
ebene MES Kommunikation auf Switched
Diagnose UDP/IP
Fast Ethernet TCP/IP

SPS Steuerungs-- Feld- PROFIBUS DP, PA

Aktoren, Sensoren Control
ebene Kommunikation AS-Interface
Bedienen/Beobachten Fertigung-, Prozess-, Gebäude- EIB
Automatisierung

Produktion

Bild 26 Industrielle Kommunikation

ERP = Enterprise Ressource Planning, MES = Manufacturing Execution Systems

1
2
GSD
GSDML
L

7
5

Bild 27 Bussystem PROFINET IO

Ziffer PROFINET IO
1 IO-System
2 IO-Controller
3 IO-Device
4 Industrial Ethernet
5 IO-Supervisor
6 HMI = Human
Machine Interface
7 GSD
(XML-Datei)
PROFIBUS DP Bemerkung
DP-Mastersystem Alle Geräte (IO-Controller, IO-Devices) und
Kommunikationsverbindungen
DP-Master Gerät, über das angeschlossene Feldgeräte
angesprochen werden
DP-Slave Dezentrale Feldgeräte z.T. mit eigener CPU
Profibus Netzwerkinfrastruktur mit Switches (im
Bild 27 nicht dargestellt)
PG/PC Programmieren, Inbetriebnahme/Diagnose
DP-Master Klasse 2
HMI Gerät zum Bedienen und Beobachten mit
Zugriff auch auf IO-Devices über Ethernet!
GSD Gerätebeschreibungsdatei für die
(ASCII-Datei) IO-Devices und DP-Slaves
Automatisierungstechnik
durch Einbinden von PROFIBUS DP einen Investi-
tionsschutz.
Das Grundkonzept besteht aus
• PROFINET IO (dezentrale Feldgeräte) und
• PROFINET CBA (verteilte Automatisierung)
und schließt folgenden Leistungsumfang ein:
• Industrial Ethernet-Netzwerke mit aktiven Netz-
komponenten (Switches, Router)
• Integration bestehender Feldbussysteme (PROFI-
BUS DP, INTERBUS,...)
• Kommunikationskanäle für anforderungsabhängi-
ge Übertragungsleistung
• Herstellerübergreifendes Engineeringkonzept (Pro-
jektierung, Programmierung)
• Einsatz von IT-Technologien (Netzwerkadminist-
ration, Webserver, E-Mail, OPC)
• Sicherheitsgerichtete Kommunikation
PROFINET IO
PROFINET IO ist die Kurzbezeichnung für das
Steuerungskonzept „Dezentrale Feldgeräte“, dass mit
einem Industrial Ethernet Netzwerk ein zentrales
Steuerungsgerät (IO-Controller) mit dem dezentralen
Feldgerätebereich (IO-Devices) verbindet und somit
eine Ähnlichkeit mit dem weitverbreiteten Feldbus-
system PROFIBUS-DP besitzt. Die Nutzdaten der
Feldgeräte werden auch wieder zyklisch in Echtzeit
in das Prozessabbild des IO-Controllers übertragen
oder in umgekehrter Richtung an die IO-Devices
ausgegeben. Das verwendete Kommunikationsmodell
heißt Provider-Consumer-Verfahren und nicht mehr
Master-Slave-Verfahren, obwohl der Datenverkehr
mit den Feldgeräten in beiden Systemen nach dem
gleichen Prinzip abläuft. PROFIBUS regelt den
Buszugriff über die Token-Weitergabe, von der die
DP-Slaves ausgeschlossen sind. Im Ethernet-Sys-
tem ist das nicht möglich, weil alle Teilnehmer am
Netz beim Buszugriff gleichberechtigt sind. Der
Provider sendet seine Daten ohne Aufforderung des
Kommunikationspartners. Den IO-Devices wird
deshalb beim System-Hochlauf mitgeteilt, dass sie
mit einem Buszyklus von z.B. 10 ms mit aktuel-
len Daten versorgt werden. Die Eigenschaften der
IO-Devices werden durch deren GSD-Datei (Gen-
eral Station Description auf XML-Basis) beschrie-
ben, wie dieses auch von PROFIBUS DP her bekannt
ist.
Die Steuerungsintelligenz in Form eines Anwender-
programms befindet sich bei PROFINET IO oftmals
nur im IO-Controller, kann aber auch teilweise in
intelligenten IO-Devices (Feldgeräte mit eigener
CPU) untergebracht sein, auch wieder vergleichbar
mit dem PROFIBUS DP-System.
Das Bild 27 zeigt zusammen mit der anschließenden
Gegenüberstellung der Grundbegriffe die Ähnlichkeit
beider Systeme auf.
715
PROFINET-Kommunikationskanäle
Die PROFINET-Kommunikation findet über Indus-
trial Ethernet statt. Dabei werden die folgenden
Übertragungsarten unterstützt:
1. Zyklische Übertragung von zeitkritischen Daten
(Nutzdaten)
2. Azyklische Übertragung von Engineering-Daten
und zeitunkritische Parametrierungs-, Konfigurie-
rungs- und Diagnose-Daten.
Für die genannten Übertragungsarten werden unter-
schiedliche Transportprotokolle verwendet, die man
sich vereinfacht als Transportkanäle unterschiedlicher
Leistungsstufen vorstellen kann. Bild 28 gibt eine
Übersicht:
• TCP/UDP-IP-Kanal (Standard-Transportproto-
koll der IT-Welt) für die Übertragung zeitunkrit-
scher PROFINET-Daten. Dieser Transportkanal
steht auch zur generellen Anbindung der Automa-
tisierungssysteme an die übergeordneten Ethernet-
Netze wie den Firmen-eigenen Intranets und dem
öffentlichen Internet zur Verfügung.
• SRT-Kanal (Soft Real Time) für zeitkritische
PROFINET-Daten. Hierbei handelt es sich um ein
spezielles Transportprotokoll von PROFINET, um
die im Feldbusbereich geforderte Echtzeitkommu-
nikation zu ermöglichen. Werden Aktualisierungs-
zeiten von ca. 10 ms bei zyklischer Datenübertra-
gung gefordert, wird von „weicher“ Echtzeitbe-
dingung gesprochen. Das SRT-Transportprotokoll
wird als Software auf Basis vorhandner Control-
ler realisiert.
• IRT-Kanal (Isochrone Real Time) für ganz beson-
ders anspruchsvolle Anforderungen an die Übertra-
gung von PROFINET-Daten wie beispielsweise für
Antriebssteuerungen. Hier sind „harte“ Echtzeitbe-
dingungen einzuhalten, d.h. Aktualisierungszeiten
von ca. 1 ms bei einer garantierten Taktgenauigkeit
bis auf 1 μs. Die IRT-Kommunikation ist zeit-
schlitzgesteuert und setzt eine entsprechende Kon-
figurierung mit IRT-fähigen Geräten einschließlich
der Switches voraus. IRT-fähige Switches schalten
die Verbindungen zeitsynchronisiert (nicht adress-
gesteuert) bereits vor dem Eintreffen der Ethernet-
Telegramme durch. Die Realisierung des IRT-
Transportprotokolls erfolgt auf Hardware-Basis
durch einen ASIC. PROFINET nutzt auch das Prin-
zip der „Telegramm-Priorisierung“, um die Über-
tragung der Daten durch das Ethernet-Netzwerk zu
verbessern. Vordringlichere Telegramme sollen die
weniger eiligen Telegramme überholen können.
Netzwerkkomponenten wie Switches können den
Datenfluss priorisierter Telegramme steuern, dazu
verwenden sie Zwischenspeicher.
10.3 OPC-Technologie
Die OPC-Technologie (OLE for Process Control)
bildet eine Datenbrücke zwischen einer Applikation,
716 Automatisierungstechnik

IT-Applikationen PROFINET-Anwendungen 1 TCP/IP-Kanal

HTTP Parametrieren und Konfigurieren
FTP Standard Echtzeit Lesen von Diagnosedaten
SNMP Kanal Kanal Aushandeln des Nutzdatenkanals
DHCP
OPC 1 2 3

2 SRT-Kanal
TCP/UDP
Zyklische Nutzdatenübertragung
Ereignisgesteuerte Meldungen
undAlarme
IP

SRT IRT 3 IRT-Kanal

Ethernet Taktsynchrone
Nutzdatenübertragung

Bild 28 Kommunikationskanäle bei PROFINET

die Prozessdaten übergeordnet zu verarbeiten hat und 11 Steuerungssicherheit

einer Steuerungs-Hardware, die als gerätespezifischer
Datenlieferant angesehen werden kann. OPC ist ein
Client-Server-System.
Ein OPC-Server ist eine Software-Komponente, die
der Hersteller einer SPS-Hardware für diese zur
Verfügung stellt, damit von übergeordneten Anwen-
derprogrammen (z.B. MS Excel) aus auf die spezifi-
sche Hardware zugegriffen werden kann. Für den
OPC-Server, der auf einem PC läuft, muss eine unter-
lagerte Kommunikationsverbindung zur Hardware
des Herstellers eingerichtet werden, z.B. PROFIBUS
oder Industrial Ethernet-TCP/IP.
Im Anwenderprogramm muss ein OPC-Client ange-
legt und konfiguriert werden, um auf einen OPC-
Server und somit auf die Prozessdaten beispielsweise
einer SPS lokal oder entfernt zugreifen zu können.
Die Entwicklung eines OPC-Client-Programms kann
beispielsweise mit Excel-VBA oder durch Einbin-
dung eines fertigen ActiveX-Elements gelöst werden.
Jede Maschinensteuerung ist mit einem Fehlerrisiko
behaftet, dass sich durch besondere Maßnahmen bei
der Entwicklung, Fertigung, Inbetriebnahme und
Bedienung verringern aber nicht völlig ausschließen
lässt. Fehlerursachen sind technisches oder menschli-
ches Versagen.
Sicherheitsrelevante Maßnahmen sind nicht allein
unter dem Aspekt der technischen Funktion (Wie
funktioniert die Sicherheitsmaßnahme?) sondern be-
sonders auch unter rechtlichen Gesichtspunkten
(Welche Sicherheitsvorschriften gelten?) zu sehen.
Hinter allem aber steht eine soziale Verantwortung
des Geräteherstellers und Betreibers, der sich bewusst
sein sollte, dass der Werker an einer Maschine davon
ausgeht, dass diese sicher ist.

Sicherheits- Typ
grundnormen A-Normen
Gestaltungsleitsätze,
Grundbegriffe für Maschinen
Typ
Sicherheits-
B-Normen
gruppennormen
B1-Normen B2-Normen
Allgemeine Bezug auf spezielle
Sicherheitsaspekte Sicherheitseinrichtungen
Bild 29:
Fach- Typ C-Normen Hierarchie des
normen europäischen
Spezifische Sicherheitsmerkmale
einzelner Maschinengattungen
Normenwerkes für
Sicherheit von
Maschinen
Automatisierungstechnik 717

11.1 Europäische Richtlinien • Safety Integrity Level in IEC 61508: SIL 1 bis
und Sicherheitsnormen SIL 4 (Höchststufe)
• Kategorien in der DIN EN 954-1: KAT 1 bis
Drei für die Steuerungstechnik wichtige EG-Richt- KAT 4 (Höchststufe)
linien seien hier besonders erwähnt:
• Niederspannungsrichtlinie 73/23/EWG: Schutz Startfunktion
vor Gefahren durch elektrischen Strom bei • Start-Funktionen müssen durch Erregen des ent-
Niederspannungsgeräten im Spannungsbereich sprechenden Kreises erfolgen.
50 ... 1000 VAC, 75 ... 1500 VDC, CE-Kenn-
zeichnungspflicht seit 1997. Stoppfunktionen
• Maschinenrichtlinie 89/392/EG, letzte Fassung • Stopp-Funktionen müssen durch Entregen des
98/37 EG: Grundlegende Anforderungen an die entsprechenden Kreises erfolgen und haben Vor-
Sicherheit der Maschinen zum Schutz der Ge- rang vor zugeordneten Start-Funktionen. Das
sundheit des Betreibers. Inzwischen gilt diese Rücksetzen der Stopp-Funktion darf keinen Ge-
Richtlinie auch für Sicherheitsbauteile, CE- fahr bringenden Zustand einleiten. Bei den Stopp-
Kennzeichnungspflicht seit 1995. Funktionen werden die Kategorien 0, 1 und 2 un-
• EMV-Richtlinie 89/336/EWG (Elektromagneti- terschieden.
sche Verträglichkeit): Zwei grundlegende Anfor-
Anforderungen der Stopp-Kategorien:
derungen an die Geräte sind die sehr allgemein
gehaltenen Grenzen für Störaussendung und Stör- 1. Kategorie 0 ist ein Stillsetzen durch sofortiges
festigkeit bei Einstrahlung, CE-Kennzeichnungs- Abschalten der Energiezufuhr zu den Antrieben,
pflicht seit 1996. d.h. ein ungesteuertes Stillsetzen, z.B. durch Be-
tätigung des Motor Leistungsschalters und aller
Die europäischen Normen zur Sicherheit von Ma-
Bremsen (mechanischer Stillsetzeinrichtungen).
schinen weisen eine dreigeteilte hierarchische Struk-
tur auf:
• Typ A-Normen: Enthalten Gestaltungsleitsätze, Stopp-
die für alle Maschinen gültig sind. Befehl
• Typ B-Normen: Sind Sicherheits-Gruppennormen, EIN
die auf unterschiedliche Maschinengruppen an-
wendbar sind, wie z.B. DIN EN 60204-1: Elektri-
sche Ausrüstung von Maschinen. B2-Normen be- AUS M
t
handeln spezielle Sicherheitseinrichtungen, wie 3~
z.B. DIN EN 418: NOT-AUS-Einrichtungen. Bild 30 Stopp-Kategorie 0
• Typ C-Normen: Sind Sicherheits-Fachnormen und
beschreiben konkrete Anforderungen an einzelne 2. Kategorie 1 ist ein gesteuertes Stillsetzen, bei
Maschinenarten. dem die Energiezufuhr zu den Maschinenantrie-
Für Normen von Typ C gilt das „Vermutungsprin- ben beibehalten wird, um das gesteuerte Stillset-
zip“, d.h. bei Einhaltung dieser Normen darf vermutet zen ausführen zu können. Die Energiezufuhr wird
werden, dass die Anforderungen der betreffenden erst dann unterbrochen, wenn der Stillstand er-
EG-Richtlinien erfüllt sind. reicht ist, z.B. Gegenstrombremsung von Dreh-
strommotoren.
11.2 Sicherheitsbegriff
Der Begriff Sicherheit eines Steuerungssystems ist
auf die möglichen Folgen von auftretenden Fehlern Stopp- Still-
bezogen, die Personen und Sachen betreffen. Davon Befehl stand
zu unterscheiden ist der Begriff der Verfügbarkeit n=0
eines technischen Systems, die zwischen 0 und 100 % EIN
Antreiben Bremsen
liegen kann, unabhängig von der Bedeutung der Stillsetzen
möglichen Folgen eines Ausfalls.
AUS
Um funktionale Sicherheit einer Maschine zu errei-
chen, ist es erforderlich, dass die sicherheitsbezoge- t
nen Teile der Schutz- und Steuereinrichtungen kor-
M
rekt funktionieren und sich im Fehlerfall so verhalten, 3~
dass die Maschine in einem sicheren Zustand bleibt
oder dorthin gebracht wird. Bild 31 Stopp-Kategorie 1
Das Maß für die erreichte funktionale Sicherheit wird
in den Normen mit unterschiedlichen Wertigkeitsstu- 3. Kategorie 2 ist ein gesteuertes Stillsetzen, bei
fen ausgedrückt, und zwar mit: dem die Energiezufuhr zu den Maschinen-
718
Tabelle 7 Beschreibung der Anforderungen für Sicherheitskategorien
Kategorie Kurzfassung der Anforderungen
B • Sicherheitsbezogene Teile von Steue-
rungen nach dem Stand der Technik.
• Bauteile müssen den zu erwartenden
Einflüssen standhalten.
1 • Anforderungen von „B“ müssen erfüllt Das Auftreten eines Feh- zusätzlich z.B.:
sein.
• Einsatz bewährter Bauteile und Si-
cherheitsprinzipien.
2 • Anforderungen von „B“ müssen erfüllt Das Auftreten eines Feh- zusätzlich z.B.:
sein. Einsatz bewährter Bauteile und
Sicherheitsprinzipien.
• Testung der Sicherheitsfunktion in
angemessenen Zeitabständen durch
die Steuerung.
3 • Anforderungen von „B“ sind zu erfül-
len, Einsatz bewährter Bauteile und
Sicherheitsprinzipien.
• Einfehler-Sicherheit: Ein einzelner
Fehler führt nicht zum Verlust der
Sicherheitsfunktion.
• Der einzelne Fehler wird erkannt mit
der Einschränkung „wann immer und
in angemessener Weise durchführbar“.
4 • Anforderungen von „B“ sind zu erfül-
len, Anwendung bewährter Prinzipien.
• 1-Fehlersicherheit ist gewährleistet.
• Erkennung des einzelnen Fehlers vor
oder bei nächster Anforderung an die
Sicherheitsfunktion (Selbstüberwa-
chung).
• Falls die Erkennung des einzelnen
Fehlers nicht möglich ist, darf eine
Anhäufung von Fehlern nicht zum
Verlust der Sicherheitsfunktion füh-
ren.
antrieben erhalten bleibt, z.B. Anhalten durch
Vorgabe von Sollwert „0“.
Stopp- Stopp
EIN Befehl Energie
Sollwert auf
Null setzen
Bewegung
M
AUS
t
G zessablauf oder eine Bewegung)
Bild 32 Stopp-Kategorie 2
Automatisierungstechnik
Systemverhalten Maßnahmen
Das Auftreten eines Feh- z.B. 1-kanaliger Sicher-
lers kann zum Verlust heitskreis, Erdung des
der Sicherheitsfunktion Steuerstromkreises
führen.
lers kann zum Verlust zwangsöffnende und
der Sicherheitsfunktion zwangsgeführte Kon-
führen, aber höhere Zu- takte
verlässigkeit als in Kate-
gorie B.
lers kann zum Verlust Funktions-/Anlauftes-
der Sicherheitsfunktion tung
zwischen den Prüfungs-
abständen führen. Der
Verlust der Sicherheits-
funktion wird durch die
Prüfung erkannt.
Wenn der einzelne Feh- zusätzlich z.B.:
ler auftritt, bleibt die Si- 2-kanalige Ausführung
cherheitsfunktion immer von Sicherheitskreisen
erhalten. Einige aber
nicht alle Fehler werden
erkannt. Eine Anhäufung
unerkannter Fehler kann
zum Verlust der Sicher-
heitsfunktion führen.
Wenn Fehler auftreten, zusätzlich z.B.:
bleibt die Sicherheits- Selbstüberwachung der
funktion immer erhalten. Sicherheitskreise,
Die Fehler werden recht- Querschlusserkennung
zeitig erkannt, um einen
Verlust der Sicherheits-
funktion zu verhindern.
Handlungen im Notfall (NOT_AUS)
Der neue Begriff Handlungen im Notfall ist Teil eines
neuen Sicherheitskonzepts und steht für eine diffe-
renzierte Betrachtung der Handlungen, die im Notfall
auszuführen sind. Im informativen Anhang der Norm
DIN EN 60204-1 wird das noch in der Beratung
befindliche Konzept erläutert. Eine Handlung im
Notfall schließt einzeln oder in Kombination ein:
1. Stillsetzen im Notfall (Risiko durch einen Pro-
2. Ingangsetzen im Notfall!
Automatisierungstechnik
3. Ausschalten im Notfall (Risiko durch elektrische
Gefährdung)
4. Einschalten im Notfall!
Die Norm macht nur Aussagen über Stillsetzen im
Notfall sowie Ausschalten im Notfall und bestimmt,
dass beide durch eine einzige menschliche Handlung
auszulösen sind.
Es besteht eine enge Anbindung der Notfallsignale an
die Stoppkategorien:
• Stillsetzen im Notfall muss entweder als Stopp der
Kategorie 0 oder 1 wirken und über die Risikoana-
lyse bestimmt werden.
Für das Stillsetzen im Notfall der Kategorie 0 dür-
fen nur festverdrahtete, elektromechanische Be-
triebsmittel verwendet werden. Zusätzlich darf die
Funktion nicht von einer elektronischen Schaltlo-
gik (Hardware oder Software) oder von der Über-
tragung von Befehlen über ein Kommunikations-
netzwerk oder eine Datenverbindung abhängen.
Bei der Stopp-Funktion der Kategorie 1 für die
Stillsetz-Funktion im Notfall muss die endgültige
Abschaltung der Energie der Maschinen-An-
triebselemente sichergestellt sein und muss durch
Verwendung von elektromechanischen Betriebs-
mitteln erfolgen.
Anmerkung der Norm: Die Norm weist in ihrem
deutschen Vorwort daraufhin, dass in Fällen, in
denen andere Normen andere technische Lösun-
gen zulassen als in DIN EN 60204-1 festgelegt ist,
diese anderen technischen Lösungen zur Anwen-
dung gelangen dürfen! Damit ist auch klargestellt,
dass elektronische Betriebsmittel doch für NOT-
AUS-Einrichtungen unabhängig von der Stopp-
Kategorie eingesetzt werden dürfen, wenn diese
unter Anwendung der Normen DIN EN 954-1
(Risikoanalyse) und/oder IEC 61508 die gleiche
Sicherheit erfüllen, wie nach DIN EN 60204-1 ge-
fordert.
• Ausschalten im Notfall sollte vorgesehen werden,
wo ein Schutz gegen direktes Berühren aktiver
Stromkreisteile (z.B. Schaltgeräte in elektrischen
Betriebsräumen) nur durch Abstand oder Hinder-
nisse erreicht wird oder wo es die Möglichkeit
einer anderen Gefährdung durch elektrische Ener-
gie gibt.
Ein Ausschalten im Notfall wird durch Abschalten
der Maschine von der Versorgung erreicht mit der
Folge eines ungesteuerten Stillsetzens (Stopp-0-
Kategorie) der Maschine. Ist das nicht zulässig,
kann es notwendig sein, einen anderen Schutz z.B.
gegen direktes Berühren vorzusehen, sodass ein
Ausschalten im Notfall nicht notwendig ist.
12 Regelungstechnische Grundbegriffe
der Automatisierungstechnik
Die folgenden Kapitel über regelungstechnische
Grundbegriffe, Regelstrecken und Regler sind nur
719
eine enge Ausschnittsbetrachtung einer umfassenden
Wissenschaft, die sich mit der gezielten Beeinflus-
sung dynamischer Prozesse während des Prozessab-
laufs beschäftigt und dafür mathematische Methoden
zur Systembeschreibung und -untersuchung entwi-
ckelt hat. Es geht hier nicht um die mathematische
Behandlung von Regelkreisen, sondern im Kern nur
darum, für eine bestimmte Regelungsaufgabe einen
geeigneten Reglertyp auszuwählen und den Einfluss
seiner Regelparameter auf das Verhalten im Regel-
kreis kennenzulernen.
12.1 Unterschied zwischen Steuern und
Regeln, regelungstechnische Größen
Kennzeichen einer reinen Steuerung ist der sog.
offene Wirkungsablauf, d.h. die Eingangssignale ent-
halten keine Rückmeldungen über ihre aktuelle Aus-
wirkung auf den Prozess. Dieser Fall ist z.B. bei einer
einfachen Drehzahlsteuerung eines Motors gegeben,
wie in Bild 33 dargestellt. Mit dem einstellbaren
Widerstand kann die Motordrehzahl gesteuert wer-
den. Eine unterschiedlich schwere Last tritt als Stör-
größe auf und beeinflusst die tatsächliche Motordreh-
zahl. Eine solche Wirkungsstruktur bezeichnet man
als Steuerung, im Sinne von Vorwärtssteuerung.
+U
Auf w Y
x
Ab
M
-U z
Bild 33 Drehzahl-Steuerung
Um die Darstellung unabhängig von einer bestimm-
ten Anwendung zu machen, führt man allgemein-
gültige Symbole und steuerungstechnische Größen
ein, wie Bild 34 zeigt, die man sich für den jewei-
ligen Anwendungsfall anschaulich übersetzen muss,
z.B.:
w = Führungsgröße ⇒ die Ausgangsspannung des
Potenziometers (Sollwertvor-
gabe)
y = Stellgröße ⇒ die Motorspannung;
x = Steuergröße ⇒ die Drehzahl, bei der man
einen gewünschten Sollwert
und einen tatsächlichen Ist-
wert zu unterscheiden hat;
z = Störgröße ⇒ die unterschiedlichen Las-
ten.
720
w y
Steuer- Steuerstrecke
einrichtung (Prozess)
z Die SPS als Regler führt dabei einen Vergleich zwi-
Bild 34 Struktur einer Steuerung
Im Gegensatz zum Typ der Vorwärtssteuerung hat
eine Regelung einen Informationsrückfluss, sodass
ein geschlossener Wirkungsablauf entsteht, den man
als Regelkreis bezeichnet. Beim Motor in Bild 35
wird die tatsächliche Drehzahl zu einem Regler
zurückgeführt. Hat sich die Drehzahl durch eine
stärkere Belastung verringert, kann dies erkannt und
nachgeregelt werden. Steuerungen mit Rückführung
werden als Regelungen bezeichnet.
+U
Regler Regelstrecke
Auf
w y
y x
R
Ab
r M
Rückführung
-U
Bild 35 Drehzahlregelung
Regeln ist ein Vorgang, bei dem eine Größe, die man
die Regelgröße nennt, fortlaufend erfasst und mit
einer anderen Größe, die man als Führungsgröße
bezeichnet, fortlaufend verglichen wird. Abhängig
vom Ergebnis des Vergleichs muss das Regelungs-
programm eine Ausgangsgröße bilden, welche die
Regelgröße im Sinne einer Angleichung an die Füh-
rungsgröße beeinflusst. Der sich dabei ergebende
Wirkungsablauf findet in einem geschlossenen Kreis,
dem Regelkreis, statt.
Das Erfassen der Regelgröße erfolgt durch Messen
ihres aktuellen Wertes (Istwert). Die fortlaufende
Erfassung bedeutet für eine SPS als Regler soviel wie
Vergleicher
y y
w + e = w-x R Stell-
Regelfunktion
x Regler
(r)
Regeleinrichtung
Bild 36 Ausführlich dargestellte Struktur eines Regelkreises
Automatisierungstechnik
x eine hinreichend häufige Abtastung des Messwertes.
Die Angleichung der Regelgröße an die Führungs-
größe wird durch das ablaufende Regelungspro-
gramm erreicht.
schen Führungsgröße w und Regelgröße x (genauer:
Rückführgröße r) durch und ermittelt dabei die Re-
geldifferenz e. Aus der Regeldifferenz wird über die
Reglerfunktion das Reglerausgangssignal yR ermit-
telt. Dieses ist eine leistungsarme Signalgröße, die
einem Stellgerät zugeführt wird, das den passenden
Anschluss an die Regelstrecke herstellt. Das Stellge-
rät besteht oft aus einem Stellantrieb und einem
Stellglied. Der Stellantrieb bildet aus dem Regleraus-
gangssignal yR die Stellgröße y und betätigt das
Stellglied, welches den Massen- oder Energiestrom
für die geregelte Anlage dosiert. Die Regelstrecke ist
derjenige Teil des Regelkreises, in dem die Regelgrö-
ße geregelt wird. Sie beginnt am Stellort, also dort,
wo die Stellgröße y in den Massen- oder Energie-
strom eingreift und endet am Messort, wo sich der
Messfühler zur Erfassung der Regelgröße x befindet.
Der Stellantrieb wird zur Regeleinrichtung gezählt,
weil er ein eigenes Zeitverhalten besitzt und damit
das Gesamtzeitverhalten der Regeleinrichtung beein-
flusst. Das Stellglied dagegen wird zur Regelstrecke
gerechnet, weil es sich um deren Ventile, Schieber,
Klappen oder elektronische Schalter (Transistoren,
z Thyristoren) handelt. Der Messfühler gehört ebenfalls
zur Regelstrecke, denn er arbeitet nicht trägheitslos
und beeinflusst damit das Zeitverhalten der Regel-
strecke. Bild 36 zeigt die Struktur einer Regelung in
ausführlicher Darstellung. Gebräuchlich sind aber
auch vereinfachte Darstellungen, wenn sie ihren
Zweck erfüllen.
In den Lösungen von Automatisierungsaufgaben
kommen Steuerungen und Regelungen zusammen
vor. Geregelt werden muss immer dann, wenn Grö-
ßen auf genaue Werte geführt oder gegen den Ein-
fluss veränderlicher Störgrößen z konstant gehalten
werden müssen. So ist z.B. eine Ablaufsteuerung vom
Prinzip her eine Steuerung. Wenn aber während der
Zeitdauer eines Schrittes z.B. die Temperatur eines
Mischgutes bei unterschiedlichen Füllmengen im
Behälter konstant gehalten werden muss, kann dies
z
Stellort Messort
x
Stellantrieb glied Strecke
Stellgerät
Mess- Mess-
umformer fühler
Regelstrecke
Automatisierungstechnik
nur mit einer unterlagerten Regelung erreicht werden.
Die SPS kann eine Vielzahl zeitgleich ablaufender
Vorgänge steuern und regeln.
12.2 Regler-Technologien
In späteren Abschnitten werden Reglertypen nur noch
im Sinne von ausführbaren Regelfunktionen, also
recht abstrakt, beschrieben. Die technologische Aus-
führung von Reglern dagegen unterliegt der techni-
schen Entwicklung.
Die ersten Regler waren schaltende Regler, die rein
elektromechanische realisiert wurden und deren
bekanntester Vertreter der noch heute verwendete
Bimetallkontaktregler ist, wie er in einfachen Geräte,
z.B. Toastern, vorkommt.
Es wurden dann Regler für anspruchsvollere Regel-
funktionen benötigt, um sowohl analoge Eingangs-
signale verarbeiten als auch analoge Ausgangssignale
ausgeben zu können. Analoge Signale sind solche,
die innerhalb bestimmter Grenzen wie z.B. ±10 V
jeden beliebigen Wert annehmen können. Diese sog.
Analogregler bestehen technologisch betrachtet aus
einem Verstärker und benötigen eine Energiequelle.
Verstärken ist dabei ein Vorgang, bei dem mit mög-
lichst kleinem Energieaufwand am Verstärkereingang
eine möglichst kräftige Energieabgabe der Energie-
quelle an den Verstärkerausgang signalgesteuert
erfolgt. Als Verstärker für analoge Regler kommen
elektronische aber auch pneumatische und hydrauli-
sche Elemente in Frage. Bei den elektronischen
Operationsverstärkern werden die typischen Regler-
funktionen, die man mit den Kennbuchstaben P für
proportional, I für integral und D für differenzial
bezeichnet, durch spezielle Beschaltungsmaßnahmen
erreicht, die den Anwender jedoch nicht interessieren
müssen. Den Schlusspunkt dieser Entwicklung bildet
der Universalregler in der Ausführung als analoger
PID-Regler, der alle Funktionen ausführen kann, wie
in Bild 37 schematisch dargestellt.
1 zur Verfügung, sodass sich bei einem Analogsignal-
w yR
+ e + +
P
Kp I Auf Grund der wert- und zeitdiskreten Signalverar-
- +
x hinsichtlich der Verarbeitung höherer Signalfrequen-
D zen. Dafür können digitale Regler aber nicht nur die
Bild 37 PID-Regelfunktion
Mit der Verfügbarkeit von preiswerten Mikrocontrol-
lern lassen sich heute sog. digitale Regler mit ent-
sprechender Software für den Regelalgorithmus
sowie AD- und DA-Umsetzern für die Signalum-
wandlungen realisieren. Die Signale außerhalb des
digitalen Reglers können nach wie vor analog sein,
im Innern des Reglers werden nur digitale (zahlen-
mäßige) Signale verarbeitet. Bild 38 zeigt den prinzi-
721
piellen Aufbau eines digitalen Reglers, der auch für
die SPS zutrifft.
Takt TA
w# + e# y#
Regel- D
- algorithmus A y
x#
A
D x
Bild 38 Vereinfacht dargestellter Aufbau eines
Digitalreglers. Mit # gekennzeichnete
Größen sind die zu Regelungssignalen
proportionalen Zahlenwerte
Der digitale Regler führt eine taktgesteuerte Abtastre-
gelung aus, weil er neue Eingangswerte erst entgegen-
nehmen kann, wenn er einen Berechnungszyklus
abgeschlossen hat, für den er eine gewisse Rechenzeit
benötigt. Das hat zur Folge, dass neue Eingangsgrößen
nur zu diskreten Zeitpunkten eingelesen und die Stell-
größe nur zur diskreten Zeitpunkten ausgegeben wer-
den können. Im Regelungsprogramm, dass in gleichen
Zeitabständen bearbeitet werden muss, wird aus dem
Momentanwert der digitalisierten Regelgröße x# und
einer Führungsgröße w# die Regeldifferenz e# berech-
net und daraus nach programmierten Funktionen die
Stellgröße y# gebildet. Die genau einzuhaltenden Zeit-
abstände werden als Abtastzeit TA bezeichnet.
Da auch der Analog-Digital-Umsetzer zur Umwand-
lung eines Momentanwertes der Regelgröße eine
gewisse Zeit benötigt, muss dieser Wert für den
Wandlungszeitraum mit einem Halteglied konstant
gehalten werden, um Umwandlungsfehler zu vermei-
den. Bei der Digitalisierung der Regelgröße x im
Analog-Digital-Umsetzer kann je nach seiner Stellen-
zahl nur eine bestimmte Unterscheidungsfähigkeit für
Signalwerte erreicht werden. Bei einer Stellenzahl
von 8 Bit stehen nur 28 = 256 mögliche Zahlenwerte
bereich von 0 bis 10 V nur Spannungsstufen von ca.
40 mV unterscheiden lassen.
beitung der digitalen Regler ergeben sich Grenzen
PID-Regelfunktion nachbilden, sondern ermöglichen
auch die Realisierung neuartiger Reglertypen.
13 Regelstrecken
13.1 Bespiele für Regelstrecken
Das nachfolgend beschriebene Ordnungsschema soll
helfen, um sich besser in der unübersehbaren Vielfalt
möglicher Regelstrecken zurecht zu finden.
722
Erstes Ordnungskriterium: Regelstrecken mit und
ohne Ausgleich
Regelstrecken
mit Ausgleich ohne Ausgleich
Als Beispiel für eine Regelstrecke mit Ausgleich sei
die Temperaturregelung einer Heizungsanlage ge-
nannt. Bei Veränderung der Mischventilstellung
erreicht die Raumtemperatur auf verändertem Niveau
wieder einen stabilen Wert.
Ausgleich bedeutet, dass die Regelgröße x der Strecke
nach einer sprungartigen Änderung der Stellgröße y
innerhalb einer abzuwartenden Übergangszeit wieder
einen stabilen Zustand, den sog. Beharrungszustand
erreicht.
Regelstrecken mit Ausgleich und konstantem Über-
tragungsbeiwert KPS haben einen proportionalen
Charakter und werden deshalb auch P-Strecken ge-
nannt.
Bei einer Regelstrecke ohne Ausgleich würde die
Regelgröße x nach einer sprungartigen Änderung der
Stellgröße y keinen neuen Beharrungszustand finden.
Dies ist z.B. der Fall bei einem Behälter mit dem
Füllstand als Regelgröße x, wenn die Ablaufmenge
in m3/h durch eine Pumpe konstant gehalten wird.
Jede Änderung der Zulaufmenge in m3/h führt dann
entweder zum Überlaufen oder Leerlaufen des Be-
hälters.
Regelstrecken ohne Ausgleich haben einen integra-
len Charakter und werden daher als I-Strecken
bezeichnet.
Zweites Ordnungskriterium: Regelstrecken mit und ohne Verzögerung.
Regelstrecken
ohne Verzögerung mit einer Verzögerung
(0. Ordnung) (1. Ordnung)
Verzögerung bedeutet, dass die Regelgröße x einer
sprungartigen Änderung der Stellgröße y nicht sprung-
haft folgen kann, sondern erst nach einer bestimmten
Zeit einen neuen stabilen Wert erreicht. Verzögerungen
treten bei technischen Prozessen immer auf, wenn
Energie zu- oder abgeführt oder Massen beschleunigt
oder abgebremst werden müssen.
Automatisierungstechnik
Drittes Ordnungskriterium: Regelstrecken mit und
ohne Totzeit.
Regelstrecken
ohne Totzeit mit Totzeit
Ein bekanntes Beispiel für eine Regelstrecke mit
Totzeit ist das Förderband. Durch eine Schieberöff-
nung (Stellgrößenänderung Δy) gelang mehr Förder-
gut auf das Band. Die höhere Ausschüttmenge (Re-
gelgrößenänderung Δx) wirkt sich am Ende des
Förderbandes jedoch nicht sofort aus, sondern erst
nach einer Totzeit, die von der Geschwindigkeit und
der Länge des Bandes abhängt.
In der Praxis vorkommende Regelstrecken weisen
zumeist Kombinationen von Eigenschaften auf. Die
Kriterien Ausgleich, Verzögerung und Totzeit treten
dann gemeinsam auf. Die nachfolgende Tabelle 8
zeigt Beispiele für Regelstrecken mit den genannten
Ordnungskriterien. Die definierten Streckenparameter
und typischen Sprungantworten werden im Anschluss
erläutert.
13.2 Beschreibungsmittel zur Darstellung
von Regelstreckeneigenschaften
Für die Auswahl eines geeigneten Reglers muss das
Verhalten der Regelstrecke bekannt sein. Man versucht
das Verhalten der Regelstrecken durch die Angabe von
Kennlinien und Zeitfunktionen zu beschreiben, um
daraus die Regelstreckenparameter abzuleiten.
Kennlinien von Strecken mit
Ausgleich,
Übertragungsbeiwert KPS
Die Kennlinie einer Regelstre-
cke ist die grafische Darstel-
lung des Zusammenhangs
zwischen Stellgröße y und
Regelgröße x. Eine Kennlinie
mit n Verzögerungen ist somit ein Diagramm, bei
(n. Ordnung) dem die Abhängigkeit einer
physikalischen Größe von
einer anderen physikalischen
Größe (nicht der Zeit) darge-
stellt ist. Auf der senkrechten Achse können z.B. die
Raumtemperatur und auf der waagrechten Achse die
Stellung des Mischventils aufgetragen sein: T = f (α).
Der Übertragungsbeiwert Ks der Regelstrecke ist
durch den Quotienten der Änderung der Regelgröße x
und der Änderung der Stellgröße y bestimmt. Im
Signalflussplan entspricht dies dem Verhältnis der
Automatisierungstechnik 723

Ausgangsgröße bezogen auf die Eingangsgröße.
Damit kann bei bekanntem Übertragungsbeiwert der
Regelstrecke bei einer Änderung der Stellgröße Δy
die zu erwartende Änderung der Regelgröße Δx
bestimmt werden. Die Zeit für die Änderung spielt
dabei insofern keine Rolle, weil die zu jeder Stellgrö-
ßenänderung sich ergebende Regelgrößenänderung
abgewartet werden muss (Erreichen des Beharrungs-
zustandes). Man spricht deshalb auch von der sta-
tischen Kennlinie der Regelstrecke.
Die Kennlinie zeigt den Zusammenhang zwischen
Regelgröße x und Stellgröße y innerhalb des Laufbe-
reichs beider Größen bei konstantem Störgrößenein-
fluss. Zu jedem Stellgrößenwert y ist der zugehörige
Regelgrößenwert x im Beharrungszustand aufgetra-
gen, siehe Bild 39.
Ist diese statische Kennlinie eine Gerade aus dem
Achsenursprung, spricht man von einer P-Regel-
strecke mit konstantem Übertragungsbeiwert KPS
(Index P für proportional, Index S für Strecke). Zur
Berechnung von KPS darf man deshalb auch den
ganzen Regelbereich einsetzen:
ΔX h
K PS = mit
ΔYh
Xh = Stellwirkung (Regelbereich der Strecke)
Yh = Stellbereich des Reglers
Häufig haben Regelstrecken jedoch nichtlinearer
Kennlinien, d.h. sie sind gekrümmt, sodass der Über-
tragungsbeiwert KPS keine Konstante ist. Das möchte
man vermeiden, weil solche Strecken viel schwieriger

Tabelle 8 Regelstrecken
Art der Strecke Sprungantwort Strecken- Signalflussplan-
Beispiel parameter darstellung
P-Strecke x KPS

y x x
Druck und Durchfluss in Flüssig- y x
keitsrohrnetzen t

PT1-Strecke x KPS,
Ts
TS
x=n e-Funktion
y M
y x
Drehzahl t

PT2-Strecke KPS,
x Tg Tu,
Tg
y x
x
y Ks Tu Tg
Tu t
Ofentemperatur
P-Strecke mit Totzeit KPS
x Tt Tt

y y x
Ks Tt
x
t
Fördermenge
I-Strecke KIS
x

y
x Δx = Kis Δ y Δt y x
Kis
t
Füllstand
724 Automatisierungstechnik

P-Regelstrecke mit linearer Kennlinie aber immer mehr verzögert und erst nach längerer
Zeit den neuen Beharrungszustand erreicht. In der
x
Tabelle 8 ist als Beispiel für eine PT1-Strecke die
Drehzahländerung eines Motors angegeben. Der
Regelgröße

Motor hat auch ohne angeflanschte Arbeitsmaschine

x
x K PS = = konstant eine eigene Schwungmasse, die sich einer sofortigen
y
Drehzahländerung widersetzt. Abstrakt ausgedrückt:
y Die PT1-Strecke ist eine Strecke mit Ausgleich und
einen Energiespeicher, der die Verzögerung bewirkt.
Stellgröße y Die PT1-Strecke ist durch die Streckenparameter KPS
(Übertragungsbeiwert) und TS (Verzögerungskons-
tante) gekennzeichnet. Die Verzögerungskonstante
P-Regelstrecke mit nichtlinearer Kennlinie lässt sich durch Anlegen einer Tangente an die
x Sprungantwort ermitteln.
x
y 3. Regelstrecke mit Ausgleich 2. Ordnung:
Regelgröße

x PT2-Strecke
K PS = = konstant
x y
y langsamer Anstieg der Regelgröße x, der sich dann
Stellgröße y der neue Beharrungszustand erreicht wird. Als Bei-
Bild 39 Kennlinien von Regelstrecken mit Ausgleich
zu regeln sind. Abhilfe kann durch eine umgekehrt
nichtlineare Kennlinie des Stellgliedes geschaffen
werden. Dieser mögliche „Trick“ zeigt auch, warum
das Stellglied zur Regelstrecke gehört.
Zeitverhalten von Regelstrecken mit Ausgleich
Ausgangspunkt der Betrachtung sei eine Regelstrecke
mit Ausgleich und linearer Kennlinie. Damit ist die
Regelstrecke noch nicht eindeutig beschrieben, denn
es fehlt noch die Kenntnis über das Zeitverhalten der
Strecke. Die zusätzliche Fragestellung lautet: Wie
reagiert die Regelgröße x der Strecke auf eine plötzli-
che Änderung der Stellgröße um Δy dargestellt im
zeitlichen Verlauf?
1. Regelstrecke mit Ausgleich 0. Ordnung: P-Strecke
Kennzeichen einer P-Strecke ist die proportionale
Reaktion der Regelgröße x auf die Änderung der
Stellgröße y. Wird die Stellgröße sprungartig verän-
dert, reagiert die Regelgröße ebenfalls sprungartig. In
der Tabelle 8 ist als Beispiel für eine P-Strecke ein
Durchfluss in einer Rohrleitung angegeben. Wird
durch stärkeres Öffnen eines Ventils am Anfang der
Rohrleitung der Durchfluss erhöht, ist dies auch am
Ende der Rohrleitung sofort in gleicher Weise der
Fall, da die Flüssigkeit nicht komprimierbar ist.
Die P-Strecke ist allein durch den Streckenparameter
KPS (Übertragungsbeiwert) gekennzeichnet.
2. Regelstrecke mit Ausgleich 1. Ordnung:
PT1-Strecke
Kennzeichen einer PT1-Strecke ist ein anfänglich
schneller Anstieg der Regelgröße x, der sich dann
Kennzeichen einer PT2-Strecke ist ein anfänglich
aber beschleunigt und danach wieder verzögert bis
spiel für eine PT2-Strecke wird in Tabelle 8 eine
Heizung angegeben. Es sind zwei Speicher vorhan-
den. Wird der Heißwasserdurchfluss sprungartig
erhöht, muss sich erst der Heizkörper auf die neue
Temperatur einstellen und dann erst wird mit dem
Aufheizen der Raumluft begonnen.
Die Streckenparameter aus der Sprungantwort der
PT2-Strecke sind KPS (Übertragungsbeiwert) und die
durch die eingetragene Wendetangente gebildeten
Zeitkonstanten Tu (Verzugszeit) und Tg (Ausgleichs-
zeit).
Das Ordnungszahlschema lässt sich entsprechend der
Anzahl der in einer Regelstrecke vorkommenden
Speicher noch weiter erhöhen.
4. Regelstrecke mit Ausgleich und Totzeit: PTt
Kennzeichen eines Totzeitverhaltens ist, dass sich die
Regelgröße x zwar in gleicher Weise sprunghaft
ändert wie die Stellgröße, jedoch erst um die Totzeit
Tt zeitverzögert. In der Tabelle 8 ist als Beispiel ein
Förderband angegeben, bei dem eine gewisse Zeit
vergeht, bis eine veränderte Schüttmenge am Ende
des Förderbandes ankommt.
Die Streckenparameter der PTt-Strecke sind KPS
(Übertragungsbeiwert) und Tt (Totzeit).
5. Regelstrecke ohne Ausgleich 0. Ordnung: I-Strecke
Bei den I-Strecken bildet sich die Regelgröße x durch
Aufsummieren einer Stellgrößenänderung Δy über
fortlaufende Zeitabschnitte Δt. Kennzeichen einer
I-Strecke ist der zeitproportionale Anstieg oder Rück-
gang der Regelgröße, verbunden mit Überlauf oder
Leerlauf, wenn nicht genau Abfluss gleich Zu-
fluss ist. Als Beispiel für eine I-Strecke ist in der
Tabelle 8 ein offener Behälter mit freiem Zulauf
angegeben.
Automatisierungstechnik 725

1. Aufzeichnung der Übertragungsfunktion, Der Ablauf des Experimentes gliedert sich in folgen-
Eintrag der Wendetangente, de Schritte:
Bestimmung der Verzugszeit Tu,
Ausgleichszeit T und 1. Das Stellglied wird zum Zeitpunkt t0 um den Wert
Änderung der Regelgröße Δ x ∆y verstellt. Da es sich um eine Strecke mit Aus-
gleich handeln soll, wird die Regelgröße x einen
x um ∆x verschobenen Beharrungszustand ein-
nehmen. Die Antwort der Regelgröße x wird mit
einem y-t-Schreiber aufgezeichnet und liegt dann
Δx

als Liniendiagramm vor. An den Kurvenverlauf

nte
n ge der Sprungantwort wird die Wendetangente ein-
d eta gezeichnet und aus den Achsenabschnitte die Ver-
en zugszeit Tu und die Ausgleichszeit Tg bestimmt.
W
t
2. Daraus kann eine Ersatzfunktion, bestehend aus
Tu Tg
einem Totzeitglied mit der Totzeit Tt und einem
PT1-Glied mit der Verzögerungszeit TS gebildet
werden.
2. Ersatzfunktion mit Tu als Totzeit und Tg 3. Die Übertragungsbeiwerte beider Glieder können
als Verzögerungszeit Ts eines als ein Übertragungsbeiwert KPS in einem P-Glied
PT1-Gliedes bilden.
zusammengefasst werden. Da es sich im einfachs-
ten Fall um eine Regelstrecke mit Ausgleich und
x linearer Kennlinie handeln soll, lässt sich der
Übertragungsbeiwert aus
37%
Δx
K PS =
Δx

Δy
63%
berechnen. Das nebenstehende Bild 40 zeigt das
Vorgehen anschaulich.
Tu TS = Tg t
Erfahrungen haben ergeben, dass das Verhältnis von
Verzugszeit Tu zu Ausgleichszeit Tg Auskunft über
3. Die Regelstrecke kann näherungsweise
die Regelbarkeit der Strecke ergeben:
durch ein P-Glied, ein Totzeitglied und
ein PT1-Glied mit deren Strecken-
parametern Kps, Tt, Tu ,Tg beschrieben gut noch schlecht
werden. regelbar regelbar regelbar

Tu 1 Tu 1 Tu 1
y
< = >
x Tg 10 Tg 5 Tg 3

x
K PS = T t = Tu
y
Bild 40 Bestimmung der Regelparameter einer
unbekannten Regelstrecke
Bestimmung der Regelstreckenparameter
Damit ein zur Regelstrecke passender Regler gefun-
den und günstig dimensioniert werden kann, müssen
zuerst einmal die Streckenparameter der Regelstrecke
bekannt sein. Dazu muss ein Signalflussplan mit dem
zugehörigen Übertragungsbeiwert KPS und den Zeit-
konstanten ermittelt werden, der die zunächst noch
unbekannte Regelstrecke möglichst gut beschreibt.
Das kann auf experimentelle Art durch Aufnahme der
Sprungantwort auf einen Stellgrößen- oder Störgrö-
ßensprung geschehen.
TS = Tg
14 Regler
Aufgabe der Regler ist es, bei Abweichung der Re-
gelgröße x von der Führungsgröße w die Regleraus-
gangsgröße yR so zu verändern, dass die Regelgröße x
in möglichst kurzer Zeit optimal an die Führungsgrö-
ße w angeglichen wird. Ursache für die Abweichung
kann eine aufgetretene Störgröße z oder die verän-
derte Führungsgröße w sein.
In traditioneller Einteilung der Regler unterscheidet
man
• stetige und unstetige Regler
oder
• schaltende Regler (Zweipunkt-, Dreipunktregler),
• analoge Regler und
• digitale Regler.
726 Automatisierungstechnik

Aus Gründen der Umfangsbeschränkung soll hier auf Das Zahlenbeispiel zeigt, dass bei einem P-Regler die
die Darstellung der schaltungs- und gerätetechnischen Eingangsgröße x und Ausgangsgröße yR einander
Ausführungen von Reglern verzichtet werden. Es starr zugeordnet sind, solange sie sich im Proportio-
werden nur die typischen Eigenschaften bekannter nalbereich befinden. Wird in Folge einer Störeinwir-
Reglertypen anhand ihrer Regelfunktion und durch kung z auf die Regelstrecke eine Änderung der Regler-
ihre sog. Sprungantworten beschrieben, siehe Über- ausgangssgröße ΔyR erforderlich, dann ist dies nur bei
sicht in Bild 42. Danach wird übergeleitet zum PID- einer gleichzeitigen Änderung der Regelgröße Δx
Regelalgorithmus für den digitalen Abtastregler, der möglich. Der P-Regler kann also eine Störung nicht
als Softwareregler in einer SPS realisiert werden völlig ausregeln. Der neue Beharrungszustand ist ein
kann. anderer Punkt auf der yR-x-Kennlinie des P-Reglers,
in deren fallenden Verlauf die Umkehrung des Wir-
kungssinns der Regelung zum Ausdruck kommt.
14.1 P-Regler, P-Regelfunktion Die Änderung der Regelgröße Δx bei einer erforderli-
Der P-Regler ist ein proportional wirkender Regler, chen gleich großen Änderung der Reglerausgangs-
der in seinem Arbeitsbereich, den man als Proportio- größe ΔyR lässt sich verringern, wenn der Proportio-
nalbereich bezeichnet, durch die Regelfunktion nalbereich XP verkleinert wird, indem man KP vergrö-
ßert. Dieser Verbesserung des P-Reglers sind aber
yR = K PR ⋅ e mit KPR = Proportionalbeiwert Grenzen gesetzt, weil der Regelkreis instabil wird.
Der P-Regler mit einem großen KP-Wert reagiert
beschrieben ist. Eine sprunghafte Änderung der Re- überempfindlich auf kleinste Regelgrößenänderungen
geldifferenz e am Eingang führt ohne Zeitverzöge- mit zu starken Ausschlägen bei der Stellgröße, die
rung zu einer proportionalen sprunghaften Änderung dann in extremer Weise ständig zwischen yR = 0 und
der Reglerausgangsgröße yR am Ausgang, solange yR = Yh umschaltet.
sich die Regeldifferenz e innerhalb des Proportional-
bereichs bewegt.
Setzt man die Regeldifferenz e = w – x in den Regel- Yh
w + e=w-x
funktion ein, so erhält man: KPR yR
-
yR = K PR ⋅ (w − x )
x
Diese Beziehung lässt erkennen, dass der P-Regler
nicht das leisten kann, was von Reglern allgemein
yR
erwartet wird, nämlich die genaue Heranführung der
Regelgröße x an die Führungsgröße w. Bei x = w wird
die Reglerausgangsgröße yR = 0 und damit erhält die Yh
Regelstrecke kein Stellsignal y, um die Regelgröße x
bilden zu können: Eine Heizung, der kein Wärmeträ-
ger zugeführt wird, kann keinen Temperaturwert
bilden.
Andererseits kennzeichnet den P-Regler eine direkte XP
Zuordnung von Regelgröße x zu Stellgröße yR bei fest 0 x
eingestelltem Proportionalbeiwert KPR und vorgege- 0 w
bener Führungsgröße w, solange sich die Regelgröße
x noch innerhalb des Proportionalbereich XP befindet. Zahlenbeispiel:
Der Proportionalbereich XP lässt sich aus dem Stell- w = 3,75 V, K PR = 4, Y h = 10 V
bereich Yh und dem Proportionalbeiwert KPR berech-
nen: x e yR
Yh 1,25 V 2,5 V 10 V
XP = 1,75 V 2,0 V 8V
K PR
2,25 V 1,5 V 6V
X -Bereich

Die feste Zuordnung von x und yR kann anschaulich 2,50 V 1,25 V 5V

2,75 V 1,0 V 4V
als statische Kennlinie des P-Reglers dargestellt 3,25 V 0,5 V 2V
P

werden, deren Achsenabschnitte sich aus 3,75 V 0,0 V 0V

yR = K PR ⋅ (w − x )
berechnen lassen: Yh 10 V
XP = = = 2,5 V
Für yR = 0 ⇒x= w K PR 4
Für yR = Yh = XP · KPR ⇒ x = w – XP Bild 41 Kennlinie des P-Reglers
Automatisierungstechnik
Der P-Regler als einfachster kontinuierlicher Regler
mit sehr schnellem Reglereingriff kann überall dort
gut verwendet werden, wo die Strecke einen kleinen
Regler-Proportionalbereich erlaubt. Das ist der Fall,
wenn entweder nur geringe Störgrößen z auftreten
oder das Verhältnis der Streckenzeitkonstanten Tg/Tu
groß ist und geringe bleibende Regeldifferenzen Δx
hinnehmbar sind.
14.2 I-Regler, I-Regelfunktion
Der I-Regler ist ein integral wirkender Regler, der die
Reglerausgangsgröße yR in vielen kleinen Stellschrit-
ten solange ändert, bis eine aufgetretene Regeldiffe-
renz e = w – x vollständig beseitigt ist. Dabei ist die
Änderungsgeschwindigkeit der Stellgröße direkt pro-
portional zur noch vorhandenen Regeldifferenz e und
einem Übertragungsbeiwert KIR:
d yR
= K IR ⋅ e
dt
In der Arbeitsweise gleicht der I-Regler einem Boten,
dessen Laufgeschwindigkeit von der Dringlichkeit
des Auftrags abhängig ist, wenn man die Regeldiffe-
renz e als Dringlichkeitsmaß deutet. Solange noch
eine Regeldifferenz besteht, ist der I-Regler damit
beschäftigt, sie zu beseitigen.
Summiert man die unendlich vielen kleinen Stell-
schritte zur erzeugten Reglerausgangsgröße yR, so
erhält man die I-Regelfunktion:
yR = K IR ⋅ ∫ e ⋅ dt
mit KIR = Integrierbeiwert (Übertragungsbeiwert)
In der Regelfunktion ist KIR als Integrierbeiwert nicht
ganz leicht verständlich zu deuten KIR beinhaltet eine
Zeit TI, die man als Integrierzeit bezeichnet, und die
angibt, wie lange es dauert, bis der I-Regler den vol-
len Stellbereich Yh durchlaufen hat, wenn als Ein-
gangsgröße die Regelgröße x um den vollen Bereich
Xh geändert wird:
Yh
K IR =
TI ⋅ X h
Die beiden Bereiche Yh und Xh sind konstruktiv
festliegende Werte, sodass als Einstellparameter des
I-Reglers die Integrierzeit TI in Frage kommt. Je
kleiner die Integrierzeit TI gewählt wird, umso
schneller ändert sich die Reglerausgangsgröße yR in
Abhängigkeit von der Regeldifferenz e.
I-Regler arbeiten langsamer als P-Regler, lassen dafür
aber keine bleibende Regeldifferenz bestehen. I-Reg-
ler sind ungeeignet für Regelstrecken mit großen
Zeitkonstanten oder bei Strecken ohne Ausgleich. Für
Regelstrecken, die nur durch eine Totzeit charakteri-
siert sind, ist der I-Regler von allen Reglertypen der
am besten geeignete.
727
14.3 PI-Regler, PI-Regelfunktion
Die Eigenschaften von P-Reglern und I-Reglern er-
gänzen sich gut, weil P-Regler dynamisch besser sind
als I-Regler und I-Regler statisch besser sind als
P-Regler. Also ist es naheliegend, die beiden Regel-
verhalten zum PI-Regler zu kombinieren.
Die Regelfunktion des PI-Reglers ergibt sich aus der
Addition der P-Regelfunktion und I-Regelfunktion:
yR = K PR ⋅ e + K IR ⋅ ∫ e ⋅ dt
Die Regelfunktion lässt erkennen, dass die Änderung
der Reglerausgangsgröße yR zum einen proportional
zur Regeldifferenz e und zum anderen proportional
zum Produkt aus Regeldifferenz und Zeit ist. Der
erste Anteil sorgt für den schnellen und stabilen
Reglereingriff und der zweite Anteil für die Beseiti-
gung der bleibenden Regeldifferenz.
Eine bekanntere Darstellungsform der PI-Regel-
funktion ersetzt den Integrierbeiwert KIR durch einen
Quotienten
K PR
K IR =
Tn
mit dem Vorteil, den Proportionalbeiwert KPR aus-
klammern zu können, sodass die PI-Regelfunktion
nun in der Form
⎛ 1 ⎞
yR = K PR ⋅ ⎜ e + ⋅ ∫ e ⋅ dt ⎟
⎝ Tn ⎠
entsteht. Die darin neu erscheinende Größe Tn wird
Nachstellzeit genannt. Ausdrücken möchte man, dass
der PI-Regler im Prinzip ein I-Regler ist, dessen
Wirkungsbeginn aber um die Nachstellzeit Tn vorver-
legt erscheint, also schneller eingreift. Tatsächlich
beruht der schnellere Eingriff aber auf dem P-Anteil.
KPR und Tn sind die Regelparameter (Einstellgrößen)
mit denen der PI-Regler an die Regelstrecke optimal
angepasst werden kann. Beide Parameter können
einzeln oder gleichzeitig verstellt werden:
Lässt man zunächst KPR konstant und verändert nur
Tn, bleibt der P-Anteil in der Reglerausgangsgröße
gleich hoch, es lässt sich aber die Stellgeschwindig-
keit beeinflussen. Vergrößert man Tn, verringert sich
die Stellgeschwindigkeit bei der Reglerausgangsgrö-
ße yR. Wird die Nachstellzeit Tn soweit vergrößert,
dass sie gegen unendlich geht, erhält man das Verhal-
ten eines P-Reglers. Umgekehrt erhöht sich die Stell-
geschwindigkeit, wenn man die Nachstellzeit verrin-
gert. Dieses darf nicht zu weit getrieben werden, weil
es die Schwingneigung und Instabilität des PI-Reglers
erhöht.
Was geschieht, wenn die Nachstellzeit Tn fest einge-
stellt bleibt und die Proportionalverstärkung KPR
verändert wird? Durch die Änderung von KPR ändern
sich beide Anteile der Reglerausgangsgröße im glei-
chen Verhältnis. Bei einer Vergrößerung von KPR
728 Automatisierungstechnik

e Einheitssprung

e
t

Symbol Signalflussplan Sprungantworten Bemerkung

P-Regler Vorteil:
w y Günstiges
R
+ e Zeitverhalten
w
P y K PR K PR . e
x R - yR Nachteil:
t
x Lastabhängige
Yh bleibende
XP = P-Bereich Regeldifferenz
K PR

I-Regler T I = Integrierzeit Vorteil:

Keine bleibende
w y Regeldifferenz
R
w + e
I y K IR yR K IR . e .Δ t Nachteil:
x R - Ungünstiges
t Zeitverhalten
x Δ t
Yh
K IR =
T I .X h

PI-Regler K PR = Propotional-
verstärkung Vorteile:
w y Günstiges
K PR R Zeitverhalten,
w + e +
PI y yR K PR . e Keine bleibende
x R - + t Regeldifferenz
x K IR
Tn

Tn = Nachstellzeit

Vorteile:
PID-Regler Schnelleres
Ausregeln einer
K PR
D-Anteil Regeldifferenz
w
y gegenüber dem
e R PI-Regler
w +
K IR
+
PID y yR I-Anteil
x R - + K PR . e Keine bleibende
+
t Regeldifferenz
x P-Anteil
K DR Tn Geeigent für
(Idealisierte Sprungantwort) schwierige
Regelstrecken

Bild 42 Signalflusspläne und Sprungantworten der wichtigsten Reglertypen

Automatisierungstechnik 729

erhöht sich der P-Anteil an der Gesamtverstellung
und die Stellgeschwindigkeit.
Der PI-Regler ist für den Einsatz in allen Streckenty-
pen gut geeignet.
Tu und Tg verhalten, wenn die Auswirkung einer
aufgetretenen Störgröße z auf die Regelgröße x aus-
geregelt werden soll.
x

14.4 PID-Regler, PID-Regelfunktion

ohne Regler
Der PID-Regler ist ein PI-Regler mit einem zusätz-
lichen D-Anteil (D = Differenzial). Die Vorstellung
von der Wirkung eines D-Anteils in einem Regler I-Regler
entspricht einem kurz geschlagenen Konterschlag
gegen eine sehr starke Änderung der Regelgröße x,
die sich infolge einer Störgröße z einstellen würde. PI-Regler
P-Regler
Der D-Anteil bewirkt eine sehr kräftige aber nur kurz
wirkende Veränderung der Reglerausgangsgröße, die
sich aus t
PID-Regler
de Bild 43 Unterschiedliches Ausregeln einer Störung
ΔyR = K DR ⋅ mit KDR = Differenzierbeiwert
dt bei verschiedenen Reglertypen an einer
Regelstrecke mit Ausgleich
berechnet und dabei der zeitlichen Änderung der
Regeldifferenz e proportional ist. In der Regelungs- 14.6 PID-Reglerbaustein
technik wird die Eigenschaft eines Reglers, auf eine für digitale Abtastregelung
sich abzeichnende Entwicklung bereits im Voraus zu
reagieren, als Vorhalt bezeichnet. Im Voraus bedeu- Eine Faustformel besagt, dass digitale Abtastregler
tet, der Regler beobachtet die Veränderung der Re- gute Regelergebnisse liefern, wenn die größte Stre-
geldifferenz bereits im aller ersten Ansatz bei ihrer cken-Zeitkonstante TS etwa 10 mal größer als die
Entstehung. Abtastzeit TA sein kann. Der Abtastzeitwert be-
Die PID-Regelfunktion bildet sich aus der PI-Regel- stimmt sich aus der Programmbearbeitungszeit des
funktion erweitert mit dem Vorhaltglied: Rechners einschließlich der Wandlungszeit des A/D-
Umsetzers. Ein gut zu erreichender Abtastzeitwert bei
⎛ 1 de ⎞ einer SPS liegt bei 100 ms. Systembedingt kann sich
yR = K PR ⋅ ⎜ e + ⋅ ∫ e ⋅ dt + Tv ⋅ ⎟ bei Abtastreglern das Reglerausgangssignal yR nur
⎝ Tn dt ⎠
wertdiskret, also bestenfalls feinstufig, und zeitdis-
Die Vorhaltzeit Tv ist vergleichbar der Nachstellzeit kret, nämlich im Takt der Abtastzeit TA, ändern, wie
Tn eine eingesparte Zeit. Damit ist der PID-Regler im Bild 44 zeigt.
Prinzip ein PI-Regler, dessen Wirkungsbeginn um die
x
Vorhaltzeit Tv vorverlegt erscheint, allerdings kann TS
dies nicht in der Sprungantwort dargestellt werden.
w
Der Vorteil des PID-Reglers gegenüber dem PI-
Regler ist die etwas schnellere Beseitigung einer
aufgetretenen Regeldifferenz.
Weil der PID-Regler alle bisher besprochenen Regel-
parameter, nämlich die Proportionalverstärkung KPR
für den P-Anteil, die Integrierzeit TI bzw. die Nach-
stellzeit Tn für den I-Anteil und die Vorhaltzeit Tv für
den D-Anteil enthält, wird er auch als Universalregler t
bezeichnet. Der PID-Regler ist wegen der Vielzahl
TA
der möglichen Einstellkombinationen zur Anpassung
an alle Regelstreckentypen geeignet, aber etwas y
R
schwierig in der Handhabung.

14.5 Vergleich der

verschiedenen Reglertypen
Als Abschluss der Betrachtung verschiedener Regler-
typen soll in Bild 43 vergleichend gezeigt werden, t
wie sich die Regler bei optimaler Einstellung an einer Bild 44 Istwertabtastung und Regelspannungs-
Regelstrecke mit Ausgleich und den Kenngrößen KPS, ausgabe
730 Automatisierungstechnik

Zusätzlich muss die PID-Regelfunktion an die arith- ⎛ T e(k ) − e(k − 1) ⎞

metischen Möglichkeiten eines digitalen Rechners
angepasst werden. Die originale PID-Regelfunktion
muss ersetzt werden durch einen wirkungsähnlichen
PID-Regelalgorithmus, bei dem das Integral des
I-Anteils durch eine Summe und das Differenzial des
D-Anteils durch einen Differenzenquotienten ersetzt
wird. Die differenziell kleine Zeitspanne dt in der
Regelfunktion wird durch die Abtastzeit TA ersetzt.
Eine SPS als Softwareregler verfügt dann mit ihren
Additions-, Subtraktions, Multiplikations- und Divi-
sions-Befehlen über die notwendigen Rechenopera-
tionen zur Durchführung des PID-Regelprogramms,
der die Stellgröße yR für jeden Abtastzeitpunkt k neu
berechnet:
yR (k ) =
⎛ 1 k e(k ) − e(k − 1) ⎞
K PR ⋅ ⎜ e(k ) + ⋅ ∑ e(i ) ⋅ TA + Tv ⋅
⎝ Tn i=1 TA
Die in der Formel noch vorhandene fortlaufende
Summenbildung kann mit einem rekursiven Algo-
rithmus ausgeführt werden, sodass eine Speicherung
aller Regeldifferenzen e nicht erforderlich ist. Es
ergibt sich eine Formel zur Berechnung der Regler-
ausgangsgröße yR(k) zu den bestimmten Zeitpunkten
k und bezeichnet sie als Stellungsalgorithmus. Die
analoge Wertausgabe dieser Reglerausgangsgröße am
Abtastreglerausgang der SPS, also nach der Digital-
Analog-Umsetzung, muss auf ein P-Stellglied geführt
werden, das die richtige Stellgröße y an die Regel-
strecke abgibt:
yR (k ) = K PR ⋅ ⎜ e(k ) + A ⋅ eSUM(k) + Tv ⎟
⎝ T n TA ⎠
PID-Stellungsalgorithmus
Digitale Abtastregler steuern häufig auch sog. I-Stell-
glieder an. Das sind motorische Stellantriebe, die erst
durch ihren Vorschub die Stellgröße y bilden. Da
solchen I-Stellgliedern nicht der Stellgrößenwert,
sondern nur die Stellengrößenänderung zu geführt
werden darf, gibt es auch noch einen zweiten PID-
Algorithmus, der nur die Änderung der Regleraus-
gangsgröße ΔyR pro Abtastzeit TA berechnet und als
Geschwindigkeitsalgorithmus bezeichnet wird. Dieses
Signal kann zur Bildung von entsprechend langen
oder kurzen Schritt-Stellsignalen für die sog. Schritt-
regler verwendet werden.
⎟ ⎛ TA ⎞
⎠ ⎜ e(k ) − e(k − 1) + T ⋅ e(k ) ⎟
Δy = K PR ⋅ ⎜ n ⎟
⎜ Tv ⎟
⎜ + T ( e(k ) − 2e(k − 1) + e(k − 2) ) ⎟
⎝ A ⎠
PID-Geschwindigkeitsalgorithmus
Nachfolgend wird die Umsetzung des beschriebenen
Stellungsalgorithmus in ein universelles PID-Regler-
programm gezeigt, dessen P-Anteil, I-Anteil bzw.
D-Anteil einzeln zu und abschaltbar sind, um quasi-
kontinuierliche P-, PI- oder PID-Regelfunktionen
ausführen zu lassen. Bild 45 zeigt zunächst das Funk-
tionsschema des zu realisierenden PID-Reglerbau-
steins.

P_SEL Legende:
w = Sollwert
TRUE
x = Istwert
0.0 e = Regeldifferenz
FALSE KPR = Proportional-
verstärkung
w K PR TA Tn
TA = Abtastzeit
I_SEL Tn = Nachstellzeit
I 100.0 Tv = Vorhaltzeit
+ e +
x TRUE
+ y y = Stellgröße
P_SEL = P-Anteil
- 0.0
x FALSE + I_SEL = I-Anteil
0.0
D_SEL = D-Anteil
TA Tv

D_SEL
D
TRUE

0.0
FALSE

Bild 45 Funktionsschema eines PID-Reglerbausteins für Stellungsalgorithmus

Automatisierungstechnik 731

Da die PID-Reglerfunktion über Speichereigenschaf-
ten verfügt, wird das Programm mit einem Funk-
tionsbaustein realisiert. Über den Eingangsparameter
EIN kann die Regelfunktion ein- oder ausgeschaltet
werden. Im ausgeschalteten Zustand werden alle
gespeicherten Werte zurückgesetzt. Weitere Ein-
gangsparameter des Funktionsbausteins sind die
Führungsgröße w (SW), die Regelgröße x (IW) sowie
die Einstellwerte Proportionalbeiwert KPR (KP),
Nachstellzeit Tn (TN), Vorhaltzeit Tv (TV) und die
Abtastzeit TA (TA).
Es wird angenommen, dass die Führungsgröße w und
die Regelgröße x als Gleitpunktzahlen im Bereich
von 0.0 bis 100.0 vorliegen. Die Proportionalverstär-
kung KP und die Zeitwerte TN, TV und TA sind
ebenfalls als Gleitpunktzahlen anzugeben. Bei den
Zeitwerten TN, TV und TA entspricht dabei der
Zahlenwert einem Zeitwert in Sekunden.
Mit den binären Eingangsparametern P_SEL, I_SEL
und D_SEL können die einzelnen Anteile mit einem
„1“-Signal zugeschaltet und mit einem „0“-Signal
abgeschaltet werden.
Die Ausgangsgröße STG des PID-Reglerbausteins ist
die kontinuierliche Stellgröße yR in einem Gleit-
punktzahlenbereich von 0.0 ... 100.0.
Der PID-Reglerbaustein muss entsprechend der ge-
wählten Abtastzeit TA in gleichen zeitlichen Abstän-
den zur Bearbeitung aufgerufen werden.

Struktogramm des PID-Reglerbausteins mit Stellungsalgorithmus:

EIN = FALSE Lokale stationäre Variablen des Funk-

JA NEIN tionsbausteins:

STG:= 0
EK1 = Regeldifferenz des vorhergehenden
STG:= 0
ESUM:=0 EK:= KP (SW - IW) Abtastzeitpunktes mit dem Proportional-
EK1:=0 ESUM:= ESUM + EK beiwert KP multipliziert.
STGI:= (ESUM TA)/TN ESUM = Summe aller Regeldifferenzen,
STGD:= TV ( EK - EK1)/TA die mit dem Proportionalbeiwert KP
EK1:= EK
multipliziert sind.
P_SEL = TRUE
Lokale temporäre Variablen des Funk-
STG:= STG + EK tionsbausteins:
I_SEL = TRUE EK = Regeldifferenz mit dem Proportio-
nalbeiwert KP multipliziert. Der Wert
entspricht dem P-Anteil.
STG:= STG + STGI
STGI = Berechneter I-Anteil der Stell-
D_SEL = TRUE größe STG.
STGD = Berechneter D-Anteil der Stell-
STG:= STG + STGD größe STG.
STG < 0.0
JA NEIN
STG:= 0.0 STG < 100.0
JA NEIN
STG:= 100.0

14.7 SPS als kontinuierlicher ausgabebaugruppe verfügen. Programmmäßig ist

PID-Abtastregler
Der in 14.6 beschriebene PID-Reglerbaustein für den
Stellungsalgorithmus ist noch kein gebrauchsfertiger
digitaler SPS-Regler. Bild 46 zeigt in vereinfachter
Form, was noch alles benötigt wird. Die SPS muss
neben der CPU-Baugruppe selbstverständlich auch
über eine Analogeingabebaugruppe und eine Analog-
nicht nur der Regelalgorithmus, sondern auch das
Einlesen der analogen Regelgröße x und die Ausgabe
der analogen Stellgröße y auszuführen, d.h. die An-
bindung der SPS an den Messaufnehmer und das
Stellglied der realen oder simulierten Regelstrecke zu
realisieren. Praktisch umsetzen lässt sich eine solche
SPS-Reglerlösung nur mit fertigen Programmierbau-
steinen aus der SPS-Bibliothek.
732 Automatisierungstechnik

Takt

Zahlenformat-
umwandlung
Sollwert PID-Stellungs-
algorithmus Analogwert
0 0 0 0 BCD ausgeben
EIN
w REAL SW
IW STG
KP REAL
TN Stell-
TV AA größe
Regel- TA
größe AE y
P_SEL
x REAL I_SEL
D_SEL
Analogwert
einlesen

Bild 46 SPS-Regelstruktur (vereinfacht)

14.8 Digitaler Schrittregler position innerhalb des Stellbereichs erreichbar ist,

mit PI-Verhalten
In der klassischen Analogregeltechnik wurde dieser
Reglertyp mit einem Dreipunktregler und verzögerter
Rückführung über dem Schaltverstärker realisiert,
weshalb er dort auch als Dreipunkt-Schrittregler be-
zeichnet wurde. Die digitale Nachbildung dieses
Reglertyps beruht nicht mehr auf dem Dreipunktreg-
ler, sondern auf dem PID-Geschwindigkeitsalgorith-
mus mit einer nachgesetzten Impulsausgabe zur
Ansteuerung eines motorischen Stellantriebs, der
einen Schieber oder ein Ventil mit einer Folge von
Stellschritten öffnet oder schließt. Die so gebildete
Stellgröße ist quasi-kontinuierlich, da jede Stellglied-
wenn auch in kleinen Schritten. Werden keine Impul-
se ausgegeben, bleibt die Stellgröße unverändert. Mit
den beiden binär wirkenden Impulsausgängen können
die erforderlichen drei Schaltzustände „Rechtslauf“,
„Linkslauf“ und „Aus“ für den Stellantrieb realisiert
werden.
Auf eine sprungförmige Änderung der Regeldifferenz
e reagiert der PI-Schrittregler sofort mit einem „lan-
gen“ Schritt. Das Stellsignal y1 gibt dazu einen langen
Impuls aus, der durch den P-Anteil des Regelalgo-
rithmus verursacht wird. Die darauffolgenden kürze-
ren Impulse werden durch den I-Anteil des Regel-
algorithmus gebildet, siehe Bild 47. Der PI-Schritt-
regler wirkt solange, bis keine Regeldifferenz mehr
besteht.

e 14.9 Zweipunktregler,
x<w x=w Zweipunkt-Regelfunktion
x<w t Bei der Zweipunkt-Regelfunktion wird ein binäres
Stellgrößensignal mit den Zuständen „EIN“ und
„AUS“ erzeugt. Bei „EIN“ erfolgt 100 % Leistungs-
y1,y2 zufuhr für die Regelstrecke und bei „AUS“ dagegen
y1 0 %.
y2 Die Kennlinie des Zweipunktreglers zeigt die Posi-
t
tion der beiden Schaltpunkte auf der Regelgrößen-
achse x, deren Mittenlage durch die eingestellte
y Führungsgröße w festgelegt ist. Die Zuschaltung der
YI Leistungszufuhr erfolgt, wenn die Regelgröße x den
unteren Grenzwert unterschreitet. Die Leistungszu-
yP = KPR e fuhr wird abgeschaltet, sobald die Regelgröße x den
oberen Grenzwert überschreitet.
Es ist charakteristisch für Zweipunktregler, dass es
Tn Tn t
für die Regelgröße x keinen Beharrungszustand gibt,
Bild 47 Impulsverhalten eines PI-Schrittreglers dem sie zustreben kann. Die Stellgröße schaltet
Automatisierungstechnik 733

x
AUS
x2
x1

EIN

t
y

EIN Bild 48
Zweipunkt-Regelfunktion mit Verlauf
der Regelgröße
AUS
t

ständig um und die Regelgröße verändert sich fort-
während im Rahmen einer noch zulässigen Schwan-
kungsbreite, die durch die Differenz der beiden
Schaltpunkte x2 und x1 festgelegt ist. Diese sog.
Schalthysterese trägt zur Beruhigung des Regelvor-
gangs bei. Den Einfluss einer Störgröße z korrigiert
der Zweipunktregler durch Änderung seines EIN-
AUS-Schaltverhältnisses.
Grafisch lässt sich der Zweipunkt-Regelungsvorgang
anschaulich darstellen, wie Bild 48 zeigt.
noch zulässigem Überschwingen abgeschlossen wird.
Diese Forderungen lassen sich nicht alle erfüllen, da
einzelne Bedingungen sich auch widersprechen.
Dämpft man beispielsweise die Überschwingweite,
vergrößert sich die Ausregelzeit. Es ist daher nur
möglich für eine vorliegende Regelungsaufgabe die
günstigsten Reglereinstellungen im Sinne eines
Kompromisses zu finden.
Beurteilungsmaßstäbe für die Regelgüte sind die An-
und Ausregelzeit sowie die Überschwingweite, wie in
Bild 49 dargestellt.

14.10 Regelgüte
Ein Regler hat die Aufgabe, die Regelgröße x mög-
lichst genau auf den durch die Führungsgröße w
vorgegebenen Sollwert zu bringen und auch dort
gegen den Einfluss einer Störgröße z zu halten. Au-
ßerdem wird gefordert, dass der Regelungsvorgang in
möglichst kurzer Zeit und nur unter vorübergehenden
1. Die Anregelzeit Tan ist die Zeit, die bis zum erst-
maligen Erreichen des Sollwertes der Regelgröße
vergeht.
2. Die Ausregelzeit Taus ist die Zeit, die vergeht bis
die Regelgröße x endgültig in den Toleranzbereich
einmündet und darin verbleibt.
3. Die Überschwingweite xü wird in Prozent des
Sollwertes der Regelgröße x festgelegt.

x Literaturverzeichnis
+ 5%
xü DIN EN 61131-3, Speicherprogrammierbare Steue-
w rungen, Teil 3: Programmiersprachen, Dezember
-5% 2003, Beuth Verlag Berlin
DIN 19226 Teil 4, Leittechnik; Regelungstechnik und
Steuerungstechnik; Begriffe für Regelungs- und
Steuerungssysteme, Februar 1994, Beuth Verlag
Berlin
T an t Lepers, H.: SPS-Programmierung nach IEC 61131-3,
Franzis Verlag Poing, 2005
Taus
Mann, H., Schiffelgen, H., Froriep, R.: Einführung in
die Regelungstechnik, Hanser Verlag München,
Bild 49 Kriterien zur Regelgüte 8. Auflage 1997
734
Reuter, M., Zacher, S.: Regelungstechnik für Inge-
nieure, Vieweg Verlag, 11. Auflage 2004
Seitz, M.: Speicherprogrammierbare Steuerungen,
Fachbuchverlag Leipzig, 2003
Automatisierungstechnik
Wellenreuther, G., Zastrow, D.: Automatisieren mit
SPS, Theorie und Praxis, Verlag Vieweg Wiesba-
den, 3. Auflage 2005
Wellenreuther, G., Zastrow, D.: Automatisieren mit
SPS, Übersichten und Übungsaufgaben, Verlag
Vieweg Wiesbaden, 3. Auflage 2007

Meßtechnik
I Grundlagen und Grundbegriffe der Meßtechnik
1 Begriffe
Es ist eine wesentliche Aufgabe der Meßtechnik,
technische Vorgänge quantitativ zu erfassen und
anhand der gemessenen Größen Funktionsabläufe zu
steuern. Als Beispiel sei ein Kraftwerk zur Energie-
erzeugung genannt, bei dem nur über die Messung
von Temperaturen, Leistungen, Drücken und anderen
Größen Aussagen über den momentanen Zustand
möglich sind und bei Abweichungen vom Sollwert
geeignete Eingriffe in das System erfolgen können.
Damit eine eindeutige Kommunikation möglich wird,
sind die in der Meßtechnik verwendeten Begriffe,
Meßverfahren und Maßeinheiten in entsprechenden
Normen oder Vorschriften festgelegt:
DIN 1301 Einheiten; DIN 1304 Allgemeine Formel-
zeichen; DIN 1313 Physikalische Größen und Glei-
chungen; DIN 1319 Grundbegriffe der Meßtechnik,
VDI/VDE 2600 Metrologie (Meßtechnik)
Einige häufig verwendete Begriffe aus der Meßtechnik
sind im folgenden auszugsweise und zum Teil gekürzt
nach DIN 1319 oder VDI/VDE 2600 wiedergegeben:
Messen ist der experimentelle Vorgang, durch den ein
spezieller Wert einer physikalischen Größe als Viel-
faches einer Einheit oder eines Bezugswerts ermittelt
wird.
Meßwert: Gemessener spezieller Wert einer Meß-
größe.
Meßergebnis ist ein aus mehreren Meßwerten einer
physikalischen Größe oder aus Meßwerten für ver-
schiedene Größen nach einer festgelegten Beziehung
ermittelter Wert oder Werteverlauf.
Meßprinzip: Charakteristische physikalische Erschei-
nung, die bei der Messung benutzt wird.
Beispiele: Temperaturmessung; Änderung des elekt-
rischen Widerstandes eines metallischen Leiters
durch Temperaturänderung.
Meßverfahren: Spezielle Art der Anwendung eines
Meßprinzips.
Beispiel: Abgleich einer Instrumentenanzeige auf
Null. Wird z.B. bei Brückenschaltungen als Nullab-
gleichverfahren bezeichnet.
Meßgerät: Liefert oder verkörpert Meßwerte.
Meßbereich: Bereich von Werten des Eingangssig-
nals eines Meßgerätes, der entsprechend der Kennli-
nie dieses Meßgerätes eindeutig und innerhalb vorge-
gebener Fehlergrenzen durch Werte des Ausgangs-
signals abgebildet wird.
Empfindlichkeit: Verhältnis einer Änderung der Aus-
gangsgröße zu der sie verursachenden Eingangsgröße.
735
Kalibrieren: Ermitteln des gültigen Zusammenhanges
zwischen dem Meßwert oder dem Wert des Aus-
gangssignals und dem konventionell richtigen Wert
der Meßgröße.
Justieren: Einstellen oder Abgleichen eines Meßgerä-
tes mit dem Ziel, die Anzeige des Meßgerätes mög-
lichst nahe an den richtigen Wert der Meßgröße
anzugleichen.
Eichen: Von einer Eichbehörde nach den gesetzlichen
Vorschriften und Anforderungen vorzunehmende
Prüfung und Stempelung von Meßgeräten.
Beispiele: Elektrizitätszähler, Waagen, Zapfsäulen.
Meßumformer: Meßgerät, das ein analoges Eingangs-
signal in ein eindeutig damit zusammenhängendes
analoges Ausgangssignal umformt.
Beispiel: Temperaturmessung; eine Temperaturände-
rung wird in eine Widerstandsänderung umgeformt.
Meßwandler: Am Ein- und Ausgang tritt die gleiche
physikalische Größe auf; es wird keine Hilfsenergie
benötigt.
Beispiele: Spannungswandler, Stromwandler.
Meßumsetzer: Die Signalstruktur von Ein- und Aus-
gang ist entweder unterschiedlich (analog-digital oder
digital-analog) oder nur digital.
Analoge Meßverfahren: Der Meßgröße wird ein
Signal zugeordnet, das mindestens im Idealfall eine
eindeutig umkehrbare Abbildung der Meßgröße ist
(häufig Skalenanzeige).
Digitale Meßverfahren: Der Meßgröße wird ein
Signal zugeordnet, das eine mit fest gegebenen
Schritten quantisierte Abbildung der Meßgröße ist
(häufig Ziffernanzeige).
2 Einheiten
Messen heißt „Vergleichen“. Die zu messende Größe
wird damit als Vielfaches einer Einheit dargestellt. Hat
eine Messung eine Spannung von 5 V ergeben (Grö-
ßenwert), so heißt das, daß die gemessene Spannung
das Fünffache der Einheit der Spannung 1 Volt beträgt.
Größenwert = Zahlenwert ⋅ Einheit
Wird in Gleichungen grundsätzlich das Produkt aus
Zahlenwert und Einheit eingesetzt, spricht man von
Größengleichungen. Sie gelten unabhängig von der
Wahl der Einheiten und sind bevorzugt gegenüber
Zahlenwertgleichungen anzuwenden, bei denen man
die Einheiten vereinbart und nur noch Zahlenwerte in
die Gleichungen einsetzt.
Für die in der Physik verwendeten Einheiten hat man
die folgenden sieben SI-Basiseinheiten (Système
International d’Unités) nach Tabelle I-1 eingeführt:
736 Meßtechnik

Tabelle I-1 SI-Basiseinheiten als „richtig“ angenommener oder vereinbarter Wert

für die Messung zugrunde gelegt, der konventionell
Basisgröße Basiseinheit richtige Wert. Sofern dies möglich ist, kann man ihn
Name Einheiten- in der Praxis dadurch erhalten, daß man die zu mes-
zeichen sende Größe mit einem Meßgerät mit sehr viel kleine-
rer Abweichung (1/10 oder kleiner, d.h. Präzisions-
Länge Meter m meßgerät) mißt.
Masse Kilogramm kg Die absolute Meßabweichung F ist der Unterschied
Zeit Sekunde s zwischen dem erhaltenen Meßwert xa und dem kon-
elektrische Stromstärke Ampere A ventionell richtigen Wert xr:
thermodynamische Kelvin K
 absolute Meßabweichung F = xa – xr (I.1)
Temperatur
Lichtstärke Candela cd Die relative Meßabweichung f ergibt sich zu:
Stoffmenge Mol mol  relative Meßabweichung

Aus diesen Basiseinheiten werden weitere SI-Ein- F xa − xr

f = = (I.2)
heiten abgeleitet, von denen einige in Tabelle I-2 xr xr
aufgeführt sind.

Tabelle I-2 Abgeleitete SI-Einheiten (Auswahl)

Abgeleitete Größe Name Zeichen Zusammenhang zu

anderen SI-Einheiten
Kraft Newton N 1 N = 1 kg ⋅ m/s2
Energie Joule J 1J=1N⋅m
Leistung Watt W 1 W = 1 J/s
Elektrische Spannung Volt V 1 V = 1 W/A
Elektrischer Widerstand Ohm Ω 1 Ω = 1 V/A
Elektrische Kapazität Farad F 1 F = 1 A ⋅ s/V
Induktivität Henry H 1 H = 1 V ⋅ s/A
Magnetischer Fluß Weber Wb 1 Wb = 1 V ⋅ s

Die Darstellung, die Bewahrung und die Weitergabe  relative Meßabweichung in %

der SI-Basiseinheiten und wichtiger abgeleiteter
SI-Einheiten werden wegen des beträchtlichen appa-
rativen Aufwandes national von Staatsinstituten
wahrgenommen; in der Bundesrepublik von der
Physikalisch-Technischen Bundesanstalt in Braun-
schweig.
3 Meßabweichung, Meßfehler
Eine Meßabweichung ist der Unterschied zwischen
dem erhaltenen und dem wahren Wert, oder, wenn
der wahre Wert nicht bekannt ist, einem als richtig
geltenden Wert, dem konventionell richtigen Wert.
Der früher durchgehend gebrauchte Begriff Fehler
sollte der Beschreibung von Meßgeräten vorbehalten
bleiben, die festgestellte systematische Abweichun-
gen aufweisen (DIN 1319).
Das Ziel eines Meßvorganges ist es, den Wert der
Meßgröße so genau wie möglich zu bestimmen. Bei
einem Meßvorgang wird aber im allgemeinen nicht
der gesuchte „wahre“ Wert gemessen, sondern ein
Wert, der von diesem abweicht. Soll eine Aussage
über diese Abweichung gemacht werden, muß der
wahre Wert bekannt sein. Da dieser wahre Wert in
der Regel aber nicht gefunden werden kann, wird ein
F xa − xr
f = = ⋅100% (I.3)
xr xr
Die Ursachen für die Meßabweichungen lassen sich
nach der Art ihrer Entstehung einteilen.
3.1 Systematische Abweichungen
Sie entstehen beispielsweise durch das Meßinstru-
ment selbst, das den Meßkreis beeinflußt (Spannungs-
fall am Strommesser) und sind in der Regel nach
Betrag und Vorzeichen bekannt und somit korrigier-
bar. Diese Abweichungen machen, wenn sie nicht
korrigiert werden, ein Meßergebnis unrichtig.
Bekannte systematische Abweichungen Aa werden
durch die Korrektion K erfaßt. Man erhält damit den
berichtigten Meßwert xr:
 Korrektion K = –Aa
 berichtigter Meßwert xr = xa + K (I.4)
3.2 Zufällige Abweichungen
Sie entstehen durch Einflüsse, die dem Zufall unter-
liegen, wie zum Beispiel Rauschen, Störungen, Ab-
nutzung und Bauteiländerungen. Sie sind prinzipiell
I Grundlagen und Grundbegriffe der Meßtechnik
nicht bekannt und können deshalb auch nicht korri-
giert werden. Diese Abweichungen machen ein Meß-
ergebnis unsicher.
Häufig kann man für die zufälligen Abweichungen
die Abweichungsgrenzen G angeben, innerhalb derer
der Meßwert x „mit großer Wahrscheinlichkeit“ liegt:
 Meßwert mit Abweichungsgrenzen xr ± G (I.5)
Das bedeutet, daß der Meßwert x im Bereich
xr – G ≤ x ≤ xr + G liegt.
Beispiel I.1 zeigt die unterschiedlichen Arten der
Darstellung von Abweichungsgrenzen.
 Beispiel I.1: 5 V ± 0,2 V; 16,2 (1 ± 0,02) A; (1 ± 10%) kW. Die
Abweichungsgrenzen werden hier, den Erfahrungen aus der
Praxis entsprechend, symmetrisch zum konventionell richtigen
Wert angegeben.
Mit der maximal auftretenden Abweichung läßt sich
auch die maximale relative Meßabweichung (Glei-
chung I.2) berechnen (der Begriff „maximal“ entfällt
meist):
 (Maximale) relative Meßabweichung
x ± G − x r ±G
f = r = (I.6)
xr xr
Die (maximale) relative Meßabweichung wird in der
Meßtechnik bevorzugt angegeben.
 Beispiel I.2: Zwei unterschiedliche Spannungen werden gemes-
sen: U1 = 8 V ± 0,1 V; U2 = 80 V ± 0,1 V. Die Abweichungsgren-
zen sind für beide Messungen gleich. Erst die (maximale) relative
Meßabweichung zeigt, daß die Messung von U2 genauer ist als
die von U1:
f1 = ± 0,1 V/8 V = ±0,0125 = ±1,25%;
f2 = ± 0,1 V/80 V = ±0,00125 = ±0,125%.
Zur Festlegung der Abweichungsgrenzen G werden
praktische Erfahrungen, umfangreiche Messungen
gleicher oder ähnlicher Art und die Statistik herange-
zogen. Überhaupt spielt die Statistik bei der Angabe
von Abweichungen eine entscheidende Rolle. Da
man den „wahren“ Wert niemals messen kann, läßt
sich von einem Meßwert nur angeben, mit welcher
Wahrscheinlichkeit er innerhalb eines bestimmten
Wertebereiches liegt. Dazu werden die zwei Begriffe
arithmetischer Mittelwert und (empirische) Standard-
abweichung verwendet.
3.3 Arithmetischer Mittelwert,
Erwartungswert
Der Einfluß von zufälligen Abweichungen auf das
Meßergebnis läßt sich in der Regel dadurch verrin-
gern, daß zunächst die Messung häufig wiederholt
wird, eventuell sogar mit unterschiedlichen Meßgerä-
ten, und anschließend aus den n Einzelmessungen xi
der arithmetische Mittelwert gebildet wird:
1 n
 arithmetischer Mittelwert x = ⋅ ∑ xi (I.7a)
n i =1
n Anzahl der Messungen; xi die einzelnen Meßwerte
Läßt man die Zahl der Messungen gegen unendlich
gehen, geht der arithmetische Mittelwert x in den
737
Erwartungswert m über, von dem man annimmt, daß
er den konventionell richtigen Wert mit großer Wahr-
scheinlichkeit repräsentiert.
n
x in
 Erwartungswert m = lim ∑ (1.7b)
n →∞ i =1 n
n Anzahl der Messungen; xin die einzelnen Meßwerte
Der arithmetische Mittelwert kommt dem konventio-
nell richtigen Wert meist schon sehr nahe, da in der
Praxis die Abweichungen der Einzelmessungen so-
wohl positives als auch negatives Vorzeichen haben
und sich damit teilweise aufheben. Trotzdem darf
man nicht annehmen, daß der arithmetische Mittel-
wert gleich dem wahren Wert ist.
 Beispiel I.3: Eine wiederholt durchgeführte Spannungsmessung
liefert die Einzelwerte: 5,0 V; 5,1 V; 4,9 V; 5,2 V; 5,0 V; 5,1 V.
Der nach Gleichung (I.7a) berechnete arithmetische Mittelwert
ergibt 5,05 V. Eine zweite Meßreihe ergibt die Einzelwerte:
5,0 V; 5,3 V; 4,8 V; 5,2 V; 5,2 V; 4,8 V. Der arithmetische Mit-
telwert ist wiederum 5,05 V.
3.4 Standardabweichung
Die Erfahrung zeigt, daß trotz des zahlenmäßig glei-
chen arithmetischen Mittelwertes der Meßreihen aus
Beispiel I.3 dem Mittelwert der ersten Meßreihe eher
der konventionell richtige Wert zugeordnet werden
kann als dem zweiten, weil bei ihr die Einzelmessun-
gen weniger voneinander abweichen. Deshalb wird
die (empirische) Standardabweichung s (meist nur
kurz als Standardabweichung bezeichnet) als Beurtei-
lungskriterium für eine Meßreihe gebildet, die die
Differenzen zwischen den Einzelmessungen und dem
arithmetischen Mittelwert erfaßt und diese Dif-
ferenzen vor der Summation quadriert, damit sie sich
bei entgegengesetztem Vorzeichen nicht teilweise
aufheben:
 Standardabweichung
1 n
∑( xi − x )
2
s=+ (I.8a)
n − 1 i =1
Das Quadrat der Standardabweichung wird mit Vari-
anz bezeichnet:
 Varianz s2 oder auch s2 (I.8b)
Der Ausdruck (n – 1) im Nenner anstatt n weist
darauf hin, daß die Bildung der Standardabweichung
erst für mehr als einen Meßwert sinnvoll ist.
 Beispiel I.4: Die Standardabweichung s errechnet sich nach
Gleichung (I.8a) für die erste Meßreihe von Beispiel I.3 zu
s1 = 0,105 V; für die zweite Meßreihe ergibt sich s2 = 0,217 V.
Je größer die Standardabweichung s ist, desto mehr
„streuen“ die Meßwerte, und um so weniger wird
man vom arithmetischen Mittelwert auf den konven-
tionell richtigen Wert schließen können.
Die Behandlung von Meßabweichungen oder Meß-
fehlern geschieht nach Gesetzen der Wahrscheinlich-
keitstheorie. Danach werden Meßwerte als Werte
aufgefaßt, die mit einer bestimmten Wahrscheinlich-
738 Meßtechnik

keit in einem gegebenen Wertebereich auftreten
(Kapitel 7 unten). Einzelheiten dazu sind z.B. in
DIN 1319 aufgeführt.
Die Gesamtspannung aus diesen zwei Meßwerten ergibt sich zu:
(12 + 16) V + DF = 28 V ± (0,2 + 0,1) V = 28 V ± 0,3 V.
Die relative Meßabweichung beträgt: [(28 ± 0,3) V) – 28 V]/28 V
= ± 0,011 = ± 1,1%.

 Beispiel I.6: Die Differenz zweier Ströme soll aus den zwei
4 Abweichungsfortpflanzung, gemessenen Strömen I1 = 290 mA ± 5 mA und I2 = 265 mA
Fehlerfortpflanzung ± 5 mA berechnet werden.
Mit den Zuordnungen entsprechend Beispiel I.5 und Glei-
Werden mehrere unterschiedliche abweichungsbehaf- chung (I.11) erhält man: x ↔ I1; y ↔ I2. ⇒ F = f (I1, I2) = I1 – I2;
tete Größen gemessen (z.B. Spannung U und Strom Dx = DI1 = ±5 mA; Dy = DI2 = ±5 mA.
I), um daraus eine weitere Größe rechnerisch zu ∂( I 1 − I 2 ) ∂( I 1 − I 2 )
ΔF = ⋅ ΔI 1 + ⋅ ΔI 2 = 1 ⋅ ΔI 1 + 1 ⋅ Δ I 2
bestimmen (z.B. den Widerstand R), gehen die Me- ∂I 1 ∂I 2
ßabweichungen der Einzelgrößen in die rechnerisch Daraus folgt:
bestimmte Größe in der nachfolgend dargestellten
I1 – I2 = (290 – 265) mA ± (5 + 5) mA = 25 mA ± 10 mA.
Weise ein. Gegeben ist F = f (x, y, z, ...). Darin steht F
für den Gesamtfehler (z.B. von R), der durch die Die relative Meßabweichung beträgt f = ± 10 mA/25 mA
= ± 0,4 = ± 40%. Das Vorzeichen der Meßabweichungen wurde
Einzelfehler der Größen x, y, z, ... (z.B. entsprechend der Anmerkung zu Gleichung (I.11) eingesetzt.
U, I) bestimmt wird. Die Einzelfehler erhält man Die Meßabweichung wird um so größer, je geringer die Differenz
durch partielles Differenzieren: der Einzel-Meßwerte ist.
Nach Beispiel I.6 soll die rechnerische Differenzbildung vermie-
∂F ∂f ( x , y , z , ... ) ∂F ∂f ( x , y , z , ... ) den werden, wenn sich zwei abweichungsbehaftete Meßwerte nur
= ; = ;
∂x ∂x ∂y ∂y wenig voneinander unterscheiden.

∂F ∂f ( x , y , z , ... )  Beispiel I.7: Spannung und Strom an einem Widerstand werden

= ; ... (I.9) gemessen: U = 100 V ± 0,5 V; I = 2,0 A ± 20 mA. Zu bestimmen
∂z ∂z sind die relativen Abweichungen für die Leistung an R und für
Bei den Abweichungen bzw. Fehlern handelt es sich den Widerstand R, wenn beide rechnerisch bestimmt werden. Die
systematischen Fehler durch die Innenwiderstände der Me-
um endliche Differenzen, so daß aus Gleichung (I.9) ßinstrumente werden vernachlässigt.
folgt: Wie in den Beispielen I.5 und I.6 ausführlich gezeigt, ergibt sich
∂f ( x , y , z ,... ) für P folgende Formel:
ΔFx = ⋅ Δx ;
∂x ∂( U ⋅ I ) ∂( U ⋅ I )
ΔF = ⋅ ΔU + ⋅ Δ I = I ⋅ ΔU + U ⋅ ΔI
∂U ∂I
∂f ( x , y , z ,... )
ΔFy = ⋅ Δy ; Daraus folgt die Leistung:
∂y
P = U · I ± (I · DU + U · DI)
∂f ( x , y , z , ... ) = 100 V · 2 A ± (2 A · 0,5 V + 100 V · 20 mA)
ΔFz = ⋅ Δz ; ... (I.10)
∂z = 200 W ± (1 W + 2 W)
= 200 W ± 3 W
Der Gesamtfehler DF berechnet sich aus der Summe
Die relative Meßabweichung errechnet sich zu ±3 W/200 W
der Einzelfehler:
= ± 1,5%. Für den Widerstand gilt:
∂f ( x , y , z , ... ) ∂f ( x , y , z , ... ) ∂ ( UII ) ∂ ( UII )
ΔF = ⋅ Δx + ΔF = ⋅ ΔU + ⋅ ΔI = ΔUII − ( UII 2 ) ⋅ ΔI . (I.12)
∂x ∂y ∂U ∂I
(I.11)
∂f ( x , y , z , ... )
× Δy + ⋅ Δz + ... R = 100 V/2 A ± ((0,5 V/2 A) + (100 V/4 A2) · 20 mA)
∂z = 50 Ω ± 0,75 Ω.
Dieser Ausdruck wird in der Mathematik als totales Die relative Meßabweichung beträgt ± 0,75 Ω/50 Ω = ± 1,5%.
Differential bezeichnet. Das bei der mathematischen Berechnung in Formel (I.12) auftre-
tende Minuszeichen wird mit den Vorzeichen der Einzelmeßab-
Für Dx, Dy, Dz, ... werden die zugeordneten Abwei- weichungen so verknüpft, daß sich wieder die größtmögliche Ge-
chungsgrenzen ± Gx, ± Gy, ± Gz, ... eingesetzt. Wichtig samtmeßabweichung ergibt.
ist, daß die Vorzeichen der einzelnen Abweichungs-
 Beispiel I.8: Aus zwei parallel geschalteten Widerständen soll
grenzen (Dx, Dy, Dz, ...) so gewählt werden, daß sich der Gesamtwiderstand Rp bestimmt werden.
die größtmögliche Gesamtabweichungsgrenze (DF) er- Gegeben: R1 = 1000 Ω ± 10 Ω; R2 = 200 Ω ± 2 Ω
gibt. Die tatsächlich auftretende Gesamtabweichungs-
⎛ R R ⎞ ⎛ R R ⎞
grenze kann damit niemals größer werden als die ∂⎜ 1 2 ⎟ ∂⎜ 1 2 ⎟
⎝ R1 + R 2 ⎠ ⎝ R1 + R 2 ⎠
berechnete. ΔF = ⋅ ΔR 1 + ⋅ ΔR 2
∂R1 ∂R 2
 Beispiel I.5: An einem Spannungsteiler werden die zwei Teil-
R 22 R12
spannungen U1 = 12 V ± 0,2 V und U2 = 16 V ± 0,1 V gemes- = ⋅ ΔR 1 + ⋅ ΔR 2
sen. Daraus sollen die Gesamtspannung und der Gesamt- ( R1 + R 2 ) 2 ( R1 + R 2 ) 2
fehler bestimmt werden. Bezogen auf Gleichung (I.11) gilt:
x ↔ U1; y ↔ U2. ⇒ F = f (U1, U2) = U1 + U2; Dx = DU1 = ± 0,2 V; 4 ⋅ 10 4 ⋅ 10 + 10 6 ⋅ 2
ΔF = Ω = 1,67 Ω
Dy = DU2 = ± 0,1 V. Mit Gleichung (I.11) folgt: (1,44 ⋅ 10 6 )
∂( U 1 + U 2 ) ∂( U 1 + U 2 ) Damit ergibt sich: Rp = 167 Ω ± 1,67 Ω. Der relative Fehler be-
ΔF = ⋅ ΔU 1 + ⋅ ΔU 2 = 1 ⋅ ΔU 1 + 1 ⋅ Δ U 2
∂U 1 ∂U 2 trägt ± 1,67 Ω/167 Ω = ± 1%.
I Grundlagen und Grundbegriffe der Meßtechnik 739

5 Fehlerangaben von Meßgeräten 6 Arithmetischer Mittelwert

Bei Meßgeräten wird in der Regel die Fehlergrenze
angegeben. Sie ist der maximal zugelassene prozen-
tuale Fehler, der häufig auf den Meßbereichsendwert
bezogen wird (DIN 43780). Sie gilt außerdem nur bei
Einhaltung gewisser Referenzbedingungen (z.B.
Referenzfrequenz 45 Hz bis 65 Hz ± 5 Hz).
5.1 Analog anzeigende Meßgeräte
und Effektivwert von Wechselgrößen
Der Effektivwert einer periodischen Wechselspan-
nung (eines periodischen Wechselstromes) gibt die
gleiche Leistung ab wie eine gleichgroße Gleichspan-
nung (Gleichstrom). Deshalb soll auch in der Regel
der Effektivwert gemessen werden. Er berechnet sich
nach der Formel:
 Effektivwert einer Wechselspannung u(t):

Bei analog (direkt wirkenden) anzeigenden Meß- T

1
∫ { u ( t )} d t
2
geräten sind Genauigkeitsklassen nach DIN 43780 U= (I.14a)
T0
festgelegt. Die dort angegebenen Klassenzeichen sind
gleich dem Betrag der Fehlergrenzen in Prozent.  Effektivwert eines Wechselstromes i(t):
Dabei ist der absolute Fehler auf einen Bezugswert T
1
∫ { i ( t )} d t
2
bezogen, in der Regel auf den Meßbereichsendwert. I= (I.14b)
Wird dagegen ein Meßwert abgelesen, so ist dieser T0
Meßwert der Bezugswert. Da der Bezugswert aber Der arithmetische Mittelwert oder Gleichanteil einer
stets kleiner oder höchstens gleich dem Meßbereichs- periodischen Wechselspannung oder eines periodi-
endwert ist, wird der Fehler um so größer, je kleiner schen Wechselstromes ergibt sich aus:
der gemessene Wert ist. Deshalb gilt:  Arithmetischer Mittelwert einer Wechselspannung
Meßwerte möglichst im oberen Drittel der Skala u(t):
ablesen! T
1
Folgende Genauigkeitsklassen sind nach DIN 43780 u=
T0
∫ {u ( t )} dt (I.15a)
festgelegt:
0,05; 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2,5; 5.  Arithmetischer Mittelwert eines Wechselstromes
i(t):
 Beispiel I.9: Ein Meßgerät gehört der Klasse 1 an und hat den
T
Meßbereichsendwert 100 V. Dann ist die Fehlergrenze ± 1% vom 1
Meßbereichsendwert 100 V, also ± 1 V. Diese Fehlergrenze gilt i=
T0
∫ { i ( t )} dt (I.15b)
für jeden angezeigten Meßwert. Beträgt der Meßwert 20 V, so ist
der relative Fehler f = [(20 ± 1) V − 20 V]/20 V = ± 5%. In der Meßtechnik hat er eine gewisse Bedeutung,
weil Drehspulmeßinstrumente diesen Wert anzeigen.
5.2 Digital anzeigende Meßgeräte
Durch die Elektronik im Instrument setzt sich der 7 Häufigkeitsverteilung,
Gesamtfehler aus mehreren Anteilen zusammen. In Vertrauensbereich
der Praxis findet man häufig die folgende Fehleran-
gabe für den maximal auftretenden (absoluten) Fehler Trägt man die einzelnen Meßwerte einer gemessenen
Fmax, der hier an einem Beispiel gezeigt werden soll: Größe, der zufällige Fehler überlagert sind, in Form
einer Häufigkeitsverteilung (Histogramm) auf, erhält
absoluter Fehler man in der Regel einen charakteristischen Verlauf,
Fmax = ± (0,1% v.A. + 0,1% v.E. + 1 LSB) (I.13) der sich für eine gegen unendlich gehende Anzahl
v.A. von der Anzeige, also abgelesener Wert (of reading); v.E. vom von Meßwerten der Normal- oder Gauß-Verteilung
Endwert, Anzeigebereichsendwert (of range); LSB Bit mit der gering- („Gaußsche Glockenkurve“) annähert. Sie ist wie
sten Wertigkeit, in der Regel die Stelle ganz rechts, Quantisierungs- folgt definiert:
fehler (least significant bit)
 Normalverteilung
 Beispiel I.10: Angezeigter Meßwert: U = 7,50 V; Skalenendwert: ( x−x ) 2
−
Usk = 9,99 V; 3stellige Anzeige. Absoluter Fehler Fmax (mit den 1
Angaben aus Gleichung (I.13)):
p( x ) = ⋅e 2σ 2 (I.16)
2π ⋅ σ 2
Fmax = ± (0,001 ⋅ 7,50 V + 0,001 ⋅ 9,99 V + 0,01 V) = ± 0,0275 V
x siehe Gleichung (I.7a), s2 siehe Gleichung (I.8b)
Relativer Anzeigefehler:
fmax = ±0,0275 V/7,50 V = ± 0,003 67 = ± 0,367%
Die Erfahrung hat gezeigt, daß die Meßwerte für
x = x mit zunehmender Wahrscheinlichkeit dem kon-
Der Bezugswert für den relativen Anzeigefehler ist
ventionell richtigen Wert entsprechen, je mehr sich
auch hier der angezeigte Meßwert; der Fehler steigt
die gemessene Verteilung der Normalverteilung an-
mit kleiner werdendem Anzeigewert. Deshalb gilt
nähert.
auch hier:
Meßwerte möglichst im oberen Drittel der Anzeige Obwohl der Mittelwert x nicht zwangsläufig gleich
ablesen! dem wahren Wert ist, kann man ein Intervall um x
740 Meßtechnik

Tabelle I-3 Werte für t und t / n für verschiedene Werte des Vertrauensniveaus (1 – a)

Anzahl n der (1 – a) = 68,26% (1 – a) = 95% (1 – a) = 99,5%

Einzelmessungen

t t/ n t t/ n t t/ n

112 1,84 1,30 12,71 8,98 127,32 90,03

115 1,15 0,51 12,78 1,24 115,60 12,50
110 1,06 0,34 12,26 0,71 113,69 11,17
130 1,02 0,19 12,05 0,37 113,04 10,56
100 1,00 0,10 11,98 0,20 112,87 10,29

Tabelle I-4 Zu Beispiel I.11

Messung Nr. Spannung Ui (xi − x ) ( xi − x )2 t für t / n für

in V in V in V (1 – a) = 95% (1 – a) = 95%
1 100,2 – 0,4 0,16 aus Tabelle I-3 aus Tabelle I-3
2 100,4 – 0,6 0,36
3 199,3 – 0,5 0,25
4 199,0 – 0,8 0,64
5 100,1 – 0,3 0,09
x = 99,8 V S=0 S = 1,50 2,78 1,24
s = 0,612 V

herum angeben, in dem der wahre Wert mit einer vor- 0,759 V. Das Meßergebnis für die Spannung lautet:
99,8 V ± 0,759 V.
gegebenen Wahrscheinlichkeit (1 – a) liegt. Die
Grenzen dieses Intervalls heißen Vertrauensgrenzen.
Das Intervall ist der Vertrauensbereich, der sich aus
dem Vertrauensniveau (1 – a) (Angabe in %, siehe 8 Bearbeitung und Auswertung
Tabelle I-3) ergibt. von Meßwerten
t
 Obere Vertrauensgrenze x + ⋅s (I.17a) Die Bearbeitung und Auswertung von Meßwerten ist
n in der Regel rechenintensiv und wurde deshalb erst
t durch den Einsatz von Rechnern in größerem
 Untere Vertrauensgrenze x − ⋅s (I.17b)
n Umfang möglich. In diesem Zusammenhang haben
x siehe Gleichung (I.7a), n Anzahl der Messungen, s Standardabwei- Begriffe wie
chung (Gleichung (I.8a)), t / n siehe Tabelle I-3  Chi-Quadrat-Test,
Tabelle I-3 zeigt Auszüge für t und t / n nach  Quantile, Median,
DIN 1319 Teil 3.  Regression,
 Splines und
 Beispiel I.11: Eine Spannung wird fünfmal gemessen. Zu
bestimmen sind die Vertrauensgrenzen für ein Vertrauensniveau
 Klassierung
von 95%. Das Meßergebnis ist anzugeben. Meßwerte siehe Ta- an Bedeutung gewonnen. Sie werden im Kapitel XI,
belle I-4.
Daraus ergibt sich die obere Vertrauensgrenze zu:
PC-gestützte Meßverfahren und Meßsignalanalyse,
99,8 V + 1,24 ⋅ 0,612 V = 99,8 V + 0,759 V; die untere zu 99,8 V – dargestellt.
Meßtechnik
II Analog anzeigende Meßgeräte
1 Grundlagen
Die analog anzeigenden Meßgeräte sind zum großen
Teil von den digital anzeigenden abgelöst worden,
weil letztere i.a. einen kleineren Meßfehler und einen
geringeren Eigenverbrauch besitzen und häufig
Funktionen wie automatische Meßbereichswahl,
Speicherung von Meßdaten und eine Schnittstelle zur
Meßdatenerfassung und -verarbeitung bieten. Die
Analogmeßgeräte sollen hier deshalb nur auszugs-
weise und kurz behandelt werden.
Die Wirkungsweise der im folgenden vorgestellten
Meßgeräte beruht auf der Kraftwirkung auf einen
stromdurchflossenen elektrischen Leiter im Magnet-
feld:
  
Kraft F = Q ⋅ (v × B) bzw. F = Q ⋅ v ⋅ B
    
für v ⊥ B; F ⊥ B, v (II.1)
F Kraft in N, Q Ladung der den Leiter durchfließenden Elektronen in
A ⋅ s, v Geschwindigkeit der Elektronen in m/s, B magnetische Fluß-
dichte in V ⋅ s/m2
Es wird vorausgesetzt, daß v und B senkrecht zuein-
ander auftreten. F steht senkrecht auf v und B, die
Richtung ergibt sich aus der „Rechten-Hand-Regel“.
Benutzt man die zwei Beziehungen Q = I · t und
v = I/t für den Stromfluß in einem elektrischen Leiter
und setzt beides in Gleichung (II.1) ein, folgt daraus
eine Darstellung für die Kraft, die auch unter dem
Namen Lorentz-Kraft bekannt ist:
Lorentz-Kraft F = B · I · l (II.2)
l Spulenlänge, I Leiter- bzw. Spulenstrom in A, B magnetische
Flußdichte in V ⋅ s/m2
Auch hier gilt für die Richtungsbeziehung der Größen
B, I und F die „Rechte-Hand-Regel“. Die magneti-
sche Flußdichte B kann durch einen Dauermagneten
(Drehspulmeßwerk), durch die stromdurchflossene
Spule selbst (Dreheisenmeßwerk) oder durch eine
zweite Spule (Prinzip des Elektromagneten wie beim
Elektrodynamischen Meßwerk) zur Verfügung ge-
stellt werden.
Im folgenden werden nur die Meßwerke, also die den
Ausschlag direkt erzeugenden Elemente, betrachtet.
Gehäuse, Anschlußklemmen, Bereichsumschalter,
Vor- und Nebenwiderstände zur Meßbereichserweite-
rung und andere Bauteile, die das Meßwerk zum
Meßgerät ergänzen, bleiben unberücksichtigt.
2 Drehspul-Meßwerk
Den prinzipiellen Aufbau zeigt Bild II-1a. Eine
drehbar gelagerte Spule befindet sich im Feld eines
Dauermagneten. Abhängig von der Richtung des
durchfließenden Stromes dreht sie sich gemäß der
Lorentz-Kraft nach Gleichung (II.2) rechts oder links
herum. Die Länge l ist die Spulenlänge „nach hin-
741
ten“. Durch eine Rückstellfeder (Spiralfeder), die
gleichzeitig als Stromzuführung dient, wird eine
Gegenkraft erzeugt. Der Zeiger kommt zum Still-
stand, wenn das elektrische Moment und das mecha-
nische Moment der Feder im Gleichgewicht sind. Die
Skalenteilung ist linear, da das elektrische Moment
linear vom Strom I und das mechanische Moment
linear vom Drehwinkel a abhängt. Die Ausschlag-
richtung hängt von der Stromrichtung ab (Gleichung
II.2). Die für einen Zeigerausschlag erforderliche
Leistung (Eigenverbrauch) ist sehr gering. So benö-
tigt das Meßwerk des Meßinstrumentes „UM“ (AEG)
für Vollausschlag einen Strom von 10 mA bei einer
Spannung von 60 mV. Das entspricht einer Leistung
von 0,6 mW.
Das Meßwerk zeigt den arithmetischen Mittelwert
(Gleichanteil) des fließenden Stromes an. Bei der
Messung von Wechselströmen führt das bei den
häufig vorkommenden sinusförmigen Stromverläu-
fen zu der Anzeige Null (Voraussetzung: Frequenz
f Ⰷ 1 Hz, d.h., das Instrument kann wegen seiner
Trägheit dem Momentanwert des Stroms nicht mehr
folgen). Damit das Meßwerk überhaupt einen Aus-
schlag zeigt, wird der Strom durch das Instrument
(nicht der zu messende Laststrom) durch einen Ein-
weg- oder Zweiweggleicher so in der Form geändert,
daß der arithmetische Mittelwert nicht mehr Null ist.
Bei Wechselströmen soll in der Regel der Effek-
tivwert des Stromes gemessen werden, der im all-
gemeinen nicht mit dem arithmetischen Mittelwert
übereinstimmt. Damit die Anzeige des Stromes
wenigstens für sinusförmigen Stromverlauf richtig ist,
wird die Skala des Instrumentes entsprechend korri-
giert. Für sinusförmigen Stromverlauf ist der Effek-
tivwert I = iˆ / 2 , der arithmetische Mittelwert bei
Einweggleichrichtung i = iˆ / π bzw. bei Zweiweg-
ew
gleichrichtung izw = 2 ⋅ iˆ / π . Also wird die Skalen-
beschriftung mit dem Wert I / i multipliziert. Dieser
Wert heißt Kurvenformfaktor oder kurz Formfaktor
und beträgt für Sinusform bei Einweggleichrichtung
p/1,41 = 2,22 bzw. bei Zweiweggleichrichtung
p/(2 ⋅ 1,41) = 1,11. Bei nicht sinusförmigem Strom-
verlauf ist das Verhältnis von Effektivwert zu arith-
metischem Mittelwert nicht mehr gleich dem in die
Skala eingearbeiteten Wert und damit der vom In-
strument angezeigte Wert falsch!
Die Messung von Gleich- und Wechselspannungen
geschieht über das Ohmsche Gesetz. Eine angelegte
Spannung verursacht bei bekanntem Meßwerkwi-
derstand einen ihr proportionalen Strom.
Eine vor allem in der Präzisionsmeßtechnik ver-
wendete Sonderbauform ist das Galvanometer. Die
Drehspule ist an einem dünnen Metallfaden mit
rechteckigem Querschnitt befestigt, der einseitig fest
742 Meßtechnik

1 Bild II-1
a) Drehspulmeßwerk (H & B)
b) Spiegelgalvanometer

N 1
S 2
7
3
N S

6 4
5

5 4
6 3 2
7

1 Permanentmagnet 1 Spannband
2 Weicheisenkern 2 Spiegel
3 Polschuhe 3 Dauermagnet
4 Drehspule 4 Spule mit Rahmen
5 Spiralfeder und Stromzuführung 6,
5, 67 Stromzuführung
6 Nullpunkteinstellung 6, 75 Spannfeder
7 Äquilibrierarm
a) b)

eingespannt ist und am anderen Ende durch eine quadrierten Momentanwerte, so daß der in Gleichung
Feder gespannt wird, Bild II-1b. Damit tritt so gut (I.14b) unter der Wurzel stehende Ausdruck gebildet
wie keine Lagerreibung auf. Die Spule befindet sich und damit das Quadrat des Effektivwertes angezeigt
auch hier im Feld eines Dauermagneten. Fließt ein wird. Durch eine entsprechende Formgebung der
Strom durch sie hindurch, dreht sie sich und tordiert Bleche kann man erreichen, daß sich eine nähe-
(verdrillt) den Metallfaden. Dadurch entsteht die rungsweise lineare Skalenteilung für die Ablesung
Rückstellkraft. An dem Metallfaden ist ein Spiegel des Effektivwertes ergibt.
angebracht (Spiegelgalvanometer), der sich mitdreht
und dessen Drehwinkel proportional zum Spulen- Bild II-2
strom ist. Über einen Lichtstrahl und Umlenkspiegel Dreheisenmeßwerk
können so kleinste Ströme im nA-Bereich durch Skala (H & B)
kleinste Winkelauslenkungen des Spiegels in großen
Entfernungen (1 m bis 10 m) als bequem ablesbare
Lichtmarkenauslenkungen gemessen werden. Zeiger
Daten des Spiegelgalvanometers BSGe (Ruhstrat): Spiralfeder
Ein Strom von 40 nA ergibt auf einer Skala in 25 cm
Entfernung vom Spiegel eine Lichtstrahlauslenkung Festeisen
von 1 mm.
Nullsteller Dreheissen

3 Dreheisen-Meßwerk
Beim Dreheisen-Meßwerk befinden sich nach Bild
II-2 ein festes und ein drehbar gelagertes
Metallblech im Feld einer vom Meßstrom durchflos-
senen Spule. Die beiden Bleche werden magnetisiert
und stoßen sich um so mehr ab, je größer der Strom
ist. Die Kraft F ist proportional zu I2 (Prinzip „Elek-
tromagnet“: F ∼ B2 ∼ I2). Damit ist die Ausschlagrich-
tung des Zeigers nicht mehr von der Stromrichtung
abhängig. Bei der Messung von Wechselströmen
bildet das Instrument bei Frequenzen des Stromes
Ⰷ1 Hz wegen seiner Trägheit den Mittelwert aller
Rundspule
Dämpferflügel
Theoretisch zeigt das Instrument den Effektivwert des
Wechselstromes unabhängig von der Kurvenform an.
In der Praxis dagegen wird der Meßfehler bei der
Messung von sinusförmigen Strömen mit Frequenzen
oberhalb etwa (400 ... 1000) Hz durch die Indukti-
vität der Spule und das Verhalten des Eisens mit
steigender Frequenz größer. Deshalb ist bereits das
Messen nichtsinusförmiger Ströme mit Frequenzen
weit unterhalb (400 ... 1000) Hz mit erhöhten Meß-
II Analog anzeigende Meßgeräte
fehlern behaftet, weil die Oberschwingungsanteile
oberhalb (400 ... 1000) Hz zunehmend unberücksich-
tigt bleiben und damit der gemessene Stromverlauf
vom tatsächlichen Stromverlauf abweicht (Fourier-
zerlegung des nichtsinusförmigen Stromverlaufes).
Da das magnetische Feld durch eine Spule und nicht
durch einen Dauermagneten erzeugt wird und vor-
wiegend in Luft verläuft, ist die Flußdichte und damit
die Kraft für die Zeigerauslenkung relativ klein.
Daraus folgt, daß die für Vollausschlag erforderliche
Leistung größer ist als bei Drehspulmeßwerken.
Daten eines Dreheisen-Meßwerkes (A-V-Multizet):
Strom für Vollausschlag 60 mA; Innenwiderstand
100 Ω. Daraus errechnet sich die Leistung für Voll-
ausschlag zu (60 mA)2 · (100 Ω) = 360 mW.
4 Elektrodynamisches Meßwerk
Nach Bild II-3 besteht das elektrodynamische Meß-
werk aus einer feststehenden, vom Strom I1 durch-
flossenen Spule S1, die die Flußdichte B1 erzeugt, und
einer zweiten, drehbar gelagerten Spule S2, die vom
Strom I2 durchflossen wird. Es gilt: B1 = k1 · I1;
F = k2 · B1 · I2 (mit Gleichung II.2); F = k1 · k2 · I1 · I2
bzw. F = k3 · I1 · U2 mit U2 = k4 · I2 (ki Konstante).
Die Kraft oder das Moment des Zeigers ist proportio-
nal dem Produkt zweier Ströme, oder, wenn man
einen der beiden Ströme proportional zu einer Span-
nung macht, dem Produkt aus Spannung und Strom.
Darin liegt die große Bedeutung dieses Meßwerkes.
Es wird hauptsächlich zur Leistungsmessung einge-
setzt.
Die Wirkleistung P eines Verbrauchers berechnet
sich bei sinusförmigen Spannungen und Strömen aus
Tabelle II-1 Beschriftungen auf Meßinstrumenten (Auszug aus DIN 43780)
Elektrodynamisches Meßwerk
Eisengeschlossenes, elektrodynamisches
Meßwerk
Elektrodynamisches Quotientenmeßwerk
Eisengeschlossenes, elektrodynamisches
Quotientenmeßwerk
Induktions-Meßwerk
Bimetall-Meßwerk
Elektrostatisches Meßwerk
Vibrations-Meßwerk
Thermoumformer allgemein
Drehspul-Meßwerk mit
Thermoumformer
Isolierter Thermoumformer
Gleichrichter
Drehspul-Meßwerk
mit Gleichrichter
743
Bild II-3
Elektrodynamisches
Meßwerk (H & B)
S1
S2
P = U · I · cos j. Schickt man den Strom des Ver-
brauchers durch die feststehende Spule (größerer
Querschnitt, I1 im Bereich 1 ... 10 A) und macht den
Strom I2 proportional zur angelegten Spannung am
Verbraucher, so zeigt das elektrodynamische Meß-
werk die Wirkleistung des Verbrauchers an. Das
Meßwerk muß aus den zugeführten Größen U und I
das Moment für den Zeigerausschlag bilden. Damit
wird der cos j automatisch berücksichtigt.
Die feststehende Spule bildet den Strompfad, die
bewegliche den Spannungspfad. Die Ausschlagrich-
tung des Zeigers hängt von dem Anschluß der beiden
Pfade zueinander ab; beim Ausschlag des Zeigers in
die falsche Richtung (an den Anschlag links) müssen
die zwei Anschlüsse eines der beiden Pfade ver-
tauscht werden. Auch aus diesem Grund kennzeich-
nen die Hersteller je einen Anschluß beider Pfade mit
Wechselstrominstrument
Gleich- und Wechselstrominstrument
Drehstrominstrument mit einem Meßwerk
Drehstrominstrument mit zwei Meßwerken
Drehstrominstrument mit drei Meßwerken
Senkrechte Gebrauchslage
Waagrechte Gebrauchslage
Schräge Gebrauchslage mit
Angabe des Neigungswinkels
Zeigernullstellvorrichtung
Prüfspannungszeichen:
die Ziffer im Stern bedeutet die Prüfspannung in kV
(Stern ohne Ziffer 500 V Prüfspannung)
Achtung
(Gebrauchsanweisung beachten)
Instrument entspricht bezüglich
Prüfspannung nicht den Regeln
744
einem Stern oder einem Pfeil. Weitere Einzelheiten
hierzu sind bei der Leistungsmessung aufgeführt.
Die Messung der Wirkleistung bei nichtsinusförmi-
gem Spannungs- und Stromverlauf ist nur bedingt
möglich. Hier gelten ähnliche Einschränkungen wie
beim Dreheisenmeßwerk.
Viele Hersteller haben für den Spannungspfad u.a.
die Meßbereiche 120 V, 240 V und 480 V vorgese-
hen; für den Strompfad die Meßbereiche 5 A, 1 A.
Für eine Meßbereichserweiterung mit Spannungs-
und Stromwandler sind in der Regel die Meßbereiche
100 V und 5 A erforderlich. Weitere Einzelheiten
hierzu folgen im Kapitel VI.7.4 „Meßbereichserwei-
terung bei der Leistungsmessung“.
III Oszilloskop
Das Oszilloskop wird eingesetzt, um den zeitlichen
Verlauf von Spannungen sichtbar zu machen. In der
Standardausführung können periodische Signale mit
einem Frequenzbereich von einigen Hz bis in den
MHz-Bereich verarbeitet werden.
Darüber hinaus gibt es Sonderausführungen für fol-
gende Darstellungen:
− Periodische Signale mit Frequenzen bis zu einigen
GHz (Sampling-Oszilloskope).
− Periodische Signale mit Frequenzen unterhalb
einiger Hz (Speicheroszilloskope).
− Einmalige Signalverläufe (Speicheroszilloskope).
− Mehrere Signalverläufe gleichzeitig in zeitlich
korrekter Zuordnung zueinander (Mehrkanal-Os-
zilloskope).
Zwar stellt das Oszilloskop nur Spannungsverläufe
dar, aber Stromverläufe lassen sich über einen be-
kannten ohmschen Widerstand in Spannungsverläufe
überführen, ohne daß sich der zeitliche Verlauf än-
dert.
1 Aufbau eines Standard-Oszilloskopes
Das Prinzipschaltbild eines Standard-Einkanal-Oszil-
loskopes wird in Bild III-1 gezeigt. Es gliedert sich in
die vier Funktionseinheiten: Y-Ablenkung (Vertikal-
ablenkung), X-Ablenkung (Horizontalablenkung),
Oszilloskopröhre und Netzteil. Die im folgenden
verwendeten Bezeichnungen und Größen sind aus der
Praxis entnommen. Sie werden meist in englischer
Sprache angegeben und sind bei den meisten Oszil-
loskopen in dieser Form zu finden.
Meßtechnik
5 Symbole und Instrumenten-
beschriftungen
In Tabelle II-1 ist ein Auszug aus DIN 43780 der auf
Instrumenten aufgedruckten Symbole und Beschrif-
tungen enthalten. Besonders wird auf das Symbol
„Dreieck mit innenliegendem Ausrufungszeichen“
hingewiesen. Es bedeutet, daß in der Betriebsanlei-
tung wichtige Hinweise zum Betrieb des Meßgeräts
enthalten sind!
So kann ein Meßgerät zwar einen Meßbereich 5000 V
haben, aber die Prüfspannung zwischen den An-
schlußklemmen und dem Gehäuse ist geringer.
1.1 Oszilloskopröhre
Den Aufbau zeigt Bild III-2. Die von der Kathode
emittierten Elektronen werden durch das positive
Potential der Anode von ungefähr (1 ... 4) kV be-
schleunigt, im Wehnelt-Zylinder gebündelt und beim
Durchlaufen des elektrischen Feldes der X- und
Y-Ablenkplatten abgelenkt. Anschließend werden sie
durch eine Nachbeschleunigungsanode in Schirmnähe
mit einer Spannung von bis zu 20 kV weiter be-
schleunigt. Beim Auftreffen auf den Schirm wird eine
spezielle Leuchtschicht durch die kinetische Energie
der Elektronen zum Leuchten angeregt. Die Zahl der
pro Zeiteinheit auf den Schirm auftreffenden Elektro-
nen läßt sich durch die Spannung am Steuergitter
über das Potentiometer INTENSITY (Helligkeit)
einstellen. Die Bündelung des Elektronenstrahles
wird durch die Spannung am Wehnelt-Zylinder
über das Potentiometer mit der Aufschrift FOCUS
(Schärfe) verändert.
Die Ablenkung der Elektronen in y-Richtung (in
x-Richtung entsprechend) läßt sich wie folgt berech-
nen: Beim Passieren der Anode ist ihre kinetische
Energie gleich der aufgenommenen elektrischen
Enegie m ⋅ v z2 / 2 = e ⋅ UAK . Für die Elektronenge-
schwindigkeit vz ergibt sich daraus:
2 ⋅ e ⋅ U AK
 Elektronengeschwindigkeit v z =
m
m Masse eines Elektrons, m = 9,1 ⋅ 10 kg; vz Geschwindigkeit der
–31
Elektronen an der Anode und damit an den Ablenkplatten in
z-Richtung in m/s; UAK Spannung zwischen Anode und Kathode in V;
–19
e Ladung eines Elektrons, e = 1,6 · 10 A · s.
III Oszilloskop 745

DC Abschwächer Y-POS Y-Verstärker

AC
K
V
Y-Eingang Div
GND
WF A
Steuerung NA
Zeit- Sägezahn-
DC INT Trigger ablenkung generator X-Verstärker
AC Y-t
EXT
LINE s/DIV
X-Y
Triggereingang

DC
AC
V Kathode
X-Eingang Div Stromversorgung K
GND Wehneltzylinder W
Netz Oszilloskop- Fokussierung F
röhre Anode
Nachbeschleunigung A
NA

Bild III-1 Prinzipschaltbild eines Standard-Einkanal-Oszilloskopes

Die Auslenkung yp in y-Richtung nach Durchlaufen

der Platten berechnet sich gemäß yp = ay · t2/2 (a Be- 1
schleunigung) mit Fy = m · ay = e · Ey und daraus
ay = e · Ey /m sowie t = l/vz zu:
2 3 4 5 6
Ey ⋅ l 2 –1000V 7
8
 Auslenkung y p = (III.1)
4 ⋅ U AK INTEN- FOCUS
9
(5...20)kV
UAK Spannung zwischen Anode und Kathode in V; Ey Feldstärke SITY 1 Heizung
zwischen den Ablenkplatten in V/m; l Länge der Ablenkplatten in m, 2 Kathode
siehe Bild III-2. 3 Wehneltzylinder
Für die Verweildauer t der Elektronen zwischen 4 Fokussierelektrode
den Platten wurde l/vz eingesetzt. Die Auslenkung 5 Anode
6 X-Ablenkplatten
ys = yp(L + l/2)/(l/2) auf dem Schirm ergibt sich nach 7 Y-Ablenkplatten
dem Strahlensatz, siehe Bild III-2. Man kann mathe- 8 Nachbeschleunigungsanode
matisch zeigen, daß die untere Seite des Dreiecks 9 Fluoreszenzschicht
genau L + l/2 lang ist. Setzt man für yp den Aus-
druck aus Gleichung (III.1) ein und setzt weiterhin
L + l/2 = Lg, so folgt ys = (Ey /Lg)/(2 · UAK). Uy
Setzt man schließlich Ey = Uy /d und teilt beide Seiten Anode
durch Uy, erhält man die Ablenkempfindlichkeit der y yS
Oszilloskopröhre: Kathode yP
ys Lg ⋅ l z d
 Ablenkempfindlichkeit =
U y 2 ⋅ U AK ⋅ d l L
m cm UAK l/2
in bzw. anschaulicher in (III.2) Lg
V V
Bild III-2 Prinzip der Oszilloskopröhre
Lg, l, d in m, siehe Bild III-2; UAK Spannung zwischen Anode und
Kathode in V
Für eine große Ablenkempfindlichkeit ist demnach 1.2 Y-Ablenkung
eine große Röhrenlänge Lg, eine große Ablenkplatten-
länge l, eine große Feldstärke Uy /d zwischen den Die darzustellende Wechselspannung gelangt zu-
Ablenkplatten und eine kleine Beschleunigungs- nächst über eine umschaltbare Eingangskopplung,
spannung UAK (kleine Elektronengeschwindigkeit meist mit AC/DC/GND bezeichnet, auf einen Span-
und damit längere Kraftwirkung auf die Elektronen in nungsteiler, der die Amplitude des Eingangssignals
y-Richtung) erforderlich. an den nachfolgenden Verstärker anpaßt und die Zu-
746
ordnung zwischen der Amplitude der Eingangsspan-
nung (in Volt) und der auf dem Schirm der Oszil-
loskopröhre dargestellten Amplitude (in cm) festlegt.
Dieser Y-Ablenkkoeffizient wird in V/cm oder in
V/DIV (division, Teilstrich) angegeben; er läßt sich
häufig in den Stufungen 1-2-5 von 10 mV/DIV bis
50 V/DIV fest einstellen. Über ein Potentiometer
kann er im Bereich zweier benachbarter Stufen ver-
ändert werden. Allerdings läßt sich diese Verände-
rung nicht an der Stellung des Potentiometers ab-
lesen, es ist lediglich die Aufschrift VAR (variabel,
also nicht kalibriert) angebracht. Deshalb hat das
Potentiometer entweder einen Schalter, oder eine der
beiden Endstellungen ist mit CAL (kalibriert) ge-
kennzeichnet und bedeutet, daß der am Stufenschalter
angegebene Ablenkkoeffizient nur in dieser Schalter-
oder Potentiometerstellung gilt. Über ein weiteres
Potentiometer mit der Aufschrift Y-POS (Y-Position)
kann dem darzustellenden Eingangssignal eine Gleich-
spannung einstellbarer Amplitude hinzuaddiert wer-
den und damit das Bild auf dem Schirm nach oben
oder unten verschoben werden. Die Ausgangsspan-
nung des Y-Verstärkers wird den Y-Ablenkplatten
der Oszilloskopröhre zugeführt.
In der Schalterstellung AC der Eingangskopplung
wird in Reihe zum Eingangssignal ein Kondensator
geschaltet, der den Gleichanteil unterdrückt. Diese
Betriebsart wird angewendet, wenn einer Spannung mit
großem Gleichanteil (z.B. 25 V) eine Wechselspan-
nung mit kleiner Amplitude (z.B. 20 mV) überlagert ist
und nur die Wechselspannung dargestellt werden soll
(Beispiel: „Brummspannung“ bei einer Spannungssta-
bilisierungsschaltung). Für die Schalterstellung DC
wird dieser Kondensator überbrückt, d.h., das Ein-
gangssignal wird amplitudengetreu auf dem Schirm
dargestellt. Die Stellung GND trennt das Eingangssig-
nal ab und legt den internen Eingang auf die Spannung
0 V. Damit läßt sich bestimmen, welche Strahl-
lage der Spannung 0 V entspricht. Das ist erforderlich,
weil diese Lage durch Verändern der Stellung des
POS-Potentiometers beliebig gewählt werden kann.
1.3 X-Ablenkung
Bei der X-Ablenkung unterscheidet man zwei Be-
triebsarten: X-Y- und Y-t-Betriebsart.
 X-Y-Betriebsart: Die Funktionseinheit vom Ein-
gang bis zu den Ablenkplatten ist im Prinzip die
gleiche wie beim Y-Verstärker. Da diese Betriebs-
art aber nur wenig angewendet wird, hat man sie
meist als „Sparversion“ ausgelegt. So ist die um-
schaltbare Eingangskopplung häufig nicht vor-
handen; der umschaltbare X-Ablenkkoeffizient ist
entweder fest vorgegeben (z.B. 1 V/DIV) oder nur
in wenigen Stufen einstellbar. Diese Betriebsart
dient dazu, die Spannung in Y-Richtung in Ab-
hängigkeit von der Spannung in X-Richtung zu
zeigen. Auf diese Weise können z.B. Kennlinien
von Dioden und Transistoren dargestellt werden.
Meßtechnik
 Y-t-Betriebsart: In dieser Betriebsart wird die an
den Y-Eingang angeschlossene Spannung in Ab-
hängigkeit von der Zeit dargestellt. Dazu ist eine
Zeitbasiseinheit erforderlich, die eine sägezahn-
förmige Spannung erzeugt. Diese Spannung lenkt
den Strahl in horizontaler Richtung vom linken bis
zum rechten Bildrand mit gleichbleibender Ge-
schwindigkeit ab und bildet damit die Zeitachse
des darzustellenden Signals. Die Frequenz des Sä-
gezahnes kann in einer 1-2-5-Stufung eingestellt
werden und wird als X-Ablenkkoeffizient im Be-
reich ns/DIV bis s/DIV angegeben. Auch hier gibt
es die Möglichkeit, den X-Ablenkkoeffizienten
stufenlos über ein Potentiometer zu verändern.
Die Beschriftung ist, wie beim Y-Ablenkko-
effizienten, VAR, mit besonderer Stellung CAL.
Damit dem Auge bei Signalfrequenzen oberhalb
etwa 25 Hz ein stehendes Bild erscheint, müssen
die Signalverläufe von der Oszilloskopröhre immer
wieder genau übereinander geschrieben werden.
Dazu dient die Triggereinheit, die den Zeitpunkt
des Schreibeinsatzes am linken Bildschirmrand in
Abhängigkeit vom Momentanwert des Signals
festlegt. Zunächst wird mit einem Schalter, der oft
mit TRIGGER bezeichnet wird und die drei
Stellungen INT/EXT/LINE hat, festgelegt, ob das
Triggersignal intern gebildet werden soll (Stellung
INT), extern über eine an die Eingangsbuchse
TRIG EXT angeschlossene Spannung (Stellung
EXT) oder mit der 50-Hz-Netzfrequenz (Stellung
LINE, Bedeutung vor allem für die Energietechnik)
erfolgen soll. Weiterhin kann über einen Schalter
mit der Bezeichnung SLOPE (Flanke) und den
Stellungen POS/NEG oder +/– bestimmt werden,
ob zur Triggerung die positive oder negative Flanke
des Signals benutzt werden soll. Mit dem Potentio-
meter LEVEL wird eingestellt, bei welchem Span-
nungswert des Signals die Ablenkung des Strahles
in X-Richtung beginnen soll, sofern über einen wei-
teren Schalter mit der Bezeichnung MODE (Be-
triebsart) und den Stellungen AUTO/NORM die
Betriebsart NORM eingestellt wurde. In der Stel-
lung AUTO wird der Trigger-Spannungswert intern
fest auf meist 0 V eingestellt, das Potentiometer
LEVEL ist dann wirkungslos.
Dem Signal des X-Verstärkers kann mit dem Poten-
tiometer X-POS eine Gleichspannung einstellbarer
Amplitude überlagert werden. Damit wird das Bild
auf dem Schirm in X-Richtung verschoben.
1.4 Netzteil
Das Netzteil stellt die Betriebsspannungen für die
elektronischen Verstärker oder Funktionseinheiten
und die Oszilloskopröhre zur Verfügung. Letztere
benötigt spezielle Spannungen für die Heizung, den
Wehnelt-Zylinder (ca. 300 V), die Anodenspannung
(1 kV ... 2 kV) und die Leuchtschirmspannung (Nach-
beschleunigungsspannung, 2 kV bis 20 kV).
III Oszilloskop
2 Oszilloskope
mit speziellen Eigenschaften
Im Zuge des technischen Fortschrittes wurde die oben
beschriebene Standardausführung des Oszilloskopes
den Forderungen der Anwender entsprechend erweitert.
2.1 Zwei- oder Mehrkanal-Oszilloskope
Mehrkanal-Oszilloskope können mehrere verschiede-
ne Signalverläufe gleichzeitig auf dem Schirm abbil-
den. Bei den Zweikanal-Oszilloskopen kann das auf
zwei unterschiedliche Arten geschehen:
 1. Es sind zwei identische Y-Ablenk-Einheiten
vorhanden, CHANNEL 1 und CHANNEL 2 (Ka-
nal 1, 2). Jeder Kanal ist mit den Bedienelementen
nach Kapitel III.1.2 ausgestattet, und die Oszil-
loskopröhre besitzt zwei Paare Y-Ablenkplatten.
Die Triggerung der X-Ablenkung erhält einen zu-
sätzlichen Wahlschalter, mit dem CHANNEL 1
oder CHANNEL 2 zur Triggerung ausgewählt
werden kann. Beide Elektronenstrahlen laufen
nach der Triggerung streng parallel über den
Schirm. Damit bleibt die zeitliche Zuordnung
(Phasenbeziehung) zwischen beiden Signalen ge-
wahrt. Diese Ausführung wird manchmal auch als
„echtes Zweistrahl-Oszilloskop“ bezeichnet.
 2. Die Oszilloskopröhre enthält nur ein Paar
Y-Ablenkplatten (Bild III-3). Die Y-Ablenk-Ver-
stärker beider Kanäle sind zunächst getrennt und
identisch und besitzen jeder die in Kapitel III.1.2
genannten Bedienelemente. Der Gesamtverstärker
ist in zwei Vorverstärker (für jeden Kanal einen)
und einen Endverstärker aufgeteilt. Dem Endver-
stärker werden die Signale beider Kanäle über
einen Umschalter zugeführt. Um beide Signalver-
läufe darstellen zu können, kann man zwischen
zwei Betriebsarten wählen:
Y-Eingang
Bild III-3
CHANNEL 1 Zweikanaloszilloskop
AC
V Endver-
DC
GND Div
stärker
Eingangs- Vorver-
kopplung Teiler stärker
AC
V
DC
GND Div
Y-Ablenk-
Y-Eingang platten
CHANNEL 2
Steuerung für
ALT/CHOPPED
 a) Betriebsart ALTERNATE oder kurz ALT
(alternierend):
Zunächst wird das Signal von CHANNEL 1 voll-
ständig auf dem Schirm abgebildet. Der Strahl
läuft zum linken Schirmrand zurück und schreibt
747
das Signal von CHANNEL 2. Je nach Triggerung
kann hier die zeitliche Zuordnung beider Signale
verlorengehen, da in der Regel nur auf einen
Kanal getriggert werden kann und der Strahl nach
Abbildung des ersten Signals sofort mit der Ab-
bildung des zweiten ohne erneute Triggerung
beginnt. Ist die Signalfrequenz größer als etwa
50 Hz, erscheint dem Auge ein stehendes Bild
beider Signale.
 b) Betriebsart CHOPPED oder kurz CHOP (zer-
hackt):
Während der Strahl des Oszilloskopes über den
Schirm läuft, wird dem Endverstärker abwech-
selnd das Signal des einen und dann des anderen
Kanals zugeführt. Die Umschaltung erfolgt mit
Frequenzen im Bereich von etwa 500 kHz bis
10 MHz. Geschieht die Umschaltung zwischen
beiden Kanälen nicht immer an der gleichen Stelle
des Schirmes, sondern ist statistisch verteilt, er-
scheinen beide Signale als stehendes, zusammen-
hängendes Bild. Die zeitliche Zuordnung zwi-
schen beiden Signalen ist in dieser Betriebsart au-
tomatisch erfüllt.
Die X-Ablenkung erhält dann einen weiteren Um-
schalter mit den Stellungen ALT/CHOPPED. Mit dem
für jeden Kanal vorhandenen Einstellknopf Y-POS
können bei Mehrkanal-Oszilloskopen die einzelnen
Signalverläufe so in vertikaler Richtung verschoben
werden, daß sie sich nicht überlappen.
Die Ausführung mit der ALT/CHOPPED-Betriebsart
ist billiger als diejenige mit einer Zweikanal-Oszillos-
kopröhre und hat sich durchgesetzt, zumal das Prinzip
auf mehr als zwei Kanäle erweiterbar ist. Diese
Mehrkanal-Oszilloskope werden mit zwei, drei oder
vier Kanälen, in Spezialausführungen auch acht oder
mehr, gefertigt.
2.2 Speicheroszilloskope
Bei dieser Ausführung wird bei den neuen Geräten
fast ausschließlich die digitale Signalspeicherung
angewendet. Das an den Eingang der Y-Ablenkung
angeschlossene Signal wird einem Analog-Digital-
Umsetzer zugeführt, in einen digital kodierten Wert
umgesetzt und in einem Speicher abgelegt. Gleichzei-
tig wird der Amplituden- und der Zeitmaßstab mit
abgespeichert. Anschließend kann das Signal ausge-
lesen und auf dem Schirm dargestellt werden. Häufig
geschieht die Speicherung eines Signalverlaufes mit
8-Bit-Worten und 512 oder 1024 Abtastwerten pro
Bildschirm. Dies setzt bei Signalfrequenzen von
1 MHz oder mehr sehr schnelle Analog-Digital-
Umsetzer voraus.
Dieses Verfahren hat folgende Vorteile:
− Auch Vorgänge mit Frequenzen unterhalb etwa
20 Hz können als stehendes Bild wiedergegeben
werden, da die Frequenz der Darstellung des
Bildes auf dem Schirm mit der Frequenz des
748
gespeicherten Bildes in keinem Zusammenhang
steht. Der korrekte abgespeicherte Zeitmaßstab
wird deshalb eingeblendet.
− Einmalige Vorgänge werden abgespeichert und an-
schließend periodisch mit einer Frequenz > 25 Hz
auf dem Schirm wiedergegeben.
− Speicheroszilloskope sind mit integriertem Schrei-
ber erhältlich, so daß sich Vorgänge beliebiger
Frequenz, periodisch oder einmalig, zu Dokumen-
tationszwecken aufzeichnen lassen. Mit Vielfarb-
schreibern können bei Mehrkanal-Oszilloskopen
mehrere Kanäle gleichzeitig, voneinander einfach
unterscheidbar, aufgeschrieben werden.
2.3 Oszilloskope mit Differenzverstärker-
Eingang
Beim Einsatz von Mehrkanal-Oszilloskopen haben
alle Eingangsspannungen das Gehäuse des Oszillo-
skopes als gemeinsames Bezugspotential. Ein Oszil-
loskop mit Differenzverstärker-Eingang besitzt beim
Y-Ablenkverstärker zwei Kanäle, CHANNEL 1 und
CHANNEL 2, und ähnelt damit einem Zweikanal-
Oszilloskop. Ein weiterer Wahlschalter hat die Stel-
lungen SINGLE/ADD. In der ersten Stellung werden
beide Kanäle unabhängig voneinander benutzt (Zwei-
kanal-Oszilloskop), in der zweiten Stellung wird die
Summe beider Eingangssignale dargestellt. Zusätz-
lich hat der zweite Kanal noch einen Umschalter
NORM/INV. In der Stellung INV wird das Signal
von CHANNEL 2 invertiert und in Stellung ADD
vom Signal des CHANNELS 1 abgezogen. Damit
lassen sich auch Signalverläufe darstellen, die keinen
gemeinsamen Bezugspunkt, also eine gemeinsame
Gleichtaktspannung, haben. Wichtig bei Messungen
mit Differenzverstärker-Eingang ist die vom Her-
steller angegebene maximal zulässige Gleichtakt-
spannung (COMMON-MODE-VOLTAGE).
Bild III-4
Anwendung eines
Differenzverstärkers
L R
uR Y1
G entnommen werden. Häufig handelt es sich um ein
u1 u2 Y1 + Y2
C Y2 Y2 INVERT.
Oszilloskop
In Bild III-4 soll die Spannung am Widerstand R
oszilloskopiert werden, wobei die Spannungsquelle
und das Oszilloskop ein gemeinsames Bezugspotenti-
al (Masse, Gehäuse) haben, das nicht am Widerstand
liegt. Die beiden Anschlüsse des Widerstandes wer-
den mit den Eingängen CHANNEL 1 und CHAN-
NEL 2 verbunden, die Betriebsweise wird auf ADD
Meßtechnik
eingestellt und CHANNEL 2 invertiert. Dann bildet
das Oszilloskop intern
u1 + (– u2) = uR (III.3)
und stellt damit die Spannung am Widerstand R dar.
2.4 Sampling-Oszilloskope
Sampling-Oszilloskope werden dort eingesetzt, wo
die Darstellung des Signals nicht mehr in Echtzeit
erfolgen kann, also bei Signalfrequenzen oberhalb
etwa 350 MHz. Das Prinzip ist in Bild III-5 gezeigt.
Das Signal wird abgetastet, und zwar mit Abtast-
impulsen, deren Dauer tp möglichst klein und deren
zeitlicher Abstand ta nur wenig größer (Dt) als
die Periodendauer ts des darzustellenden Signals ist
(ta = ts + Dt). Die Momentanwerte der Spannungen
gelangen auf ein Abtast-Halte-Glied, an dem ein
formtreues Abbild des Originalsignals mit geringerer
Frequenz steht und das dann auf dem Schirm ange-
zeigt wird.
2 3 7 periodisches
4
1 5 6 Meßsignal
tS tp Abtastimpulse
Schirmbild
tS+Δt
realer Verlauf
idealer Verlauf
Bild III-5 Prinzip des Sampling-Oszilloskopes
In der Praxis kann der zeitliche Abstand zweier
Abtastimpulse auch so gewählt werden, daß die
Periodendauer ts zwischen zwei Abtastzeitpunk-
ten mehrmals vergangen ist: ta = n · ts + Dt mit
n = 1, 2, 3, ... Diese Betriebsart erfordert eine weniger
kurze Abtastdauer tp, dafür dauert ein Bildaufbau
entsprechend länger.
2.5 Zusatzeinrichtungen bei Oszilloskopen
 Kalibrier-Spannungsquelle: An einer zusätzlichen
Anschlußbuchse mit der Bezeichnung CAL OUT
kann in der Regel ein Rechtecksignal mit kalib-
rierter Amplitude, Tastgrad und Periodendauer
symmetrisch zur Nullinie gelegenes Rechtecksig-
nal mit der Amplitude ± 1 V, einem Tastgrad 1 : 2
und der Frequenz 1 kHz. Damit kann, wenigstens
teilweise, die Funktionstüchtigkeit des Y- und
X-Verstärkers kontrolliert werden. Daneben dient
dieses Signal auch zur Kalibrierung von Tast-
köpfen.
 Tastköpfe: Der Eingang eines Oszilloskopes stellt
für die ihn speisende Quelle eine Last von etwa
1 MΩ (Re) parallel zu etwa 50 pF (Ce) dar
(Bild III-6a). Aus Gründen der Störunterdrückung
III Oszilloskop 749

werden die darzustellenden Signale dem Oszil- Re wird mit 1 MΩ und Ri mit 50 Ω angenommen;
loskopeingang über abgeschirmte Kabel, meist damit ist der Summand Ri /Re im Nenner vernach-
Koaxialkabel mit einem Wellenwiderstand von lässigbar. Die Grenzfrequenz fg ergibt sich, wenn
(50 ... 75) Ω, zugeführt. Diese haben eine Kapa- Imaginär- und Realteil im Nenner von Gleichung
zität von etwa (50 ... 100) pF pro Meter (CL/m). (III.4) gleich sind: 1 = wg · C · Ri und daraus
Selbst wenn man die Induktivität und die ohm- fg = 1/(2 · p · C · Ri) mit C = CL + Ce (III.5)
schen Widerstände des Kabels vernachlässigt, bil-
den Leitungskapazität CL und Eingangskapazität  Beispiel III.1: Ein Koaxialkabel von 2 m Länge und einer Kapa-
zität von 50 pF/m (CL = 2 m ⋅ 50 pF/m = 100 pF), eine Oszillo-
Ce mit dem Innenwiderstand Ri der Signalquelle skop-Eingangskapazität von 50 pF und ein Signalquellen-
einen Tiefpaß. Innenwiderstand von 50 Ω führen zu einer Grenzfrequenz nach
Gleichung (III.5) von etwa 21,2 MHz. Nimmt man an, daß bei
Das Verhältnis der Spannungen U e / U s berechnet sich nichtsinusförmigen Signalen mindestens noch die 10. Harmoni-
für sinusförmige Spannungen mit C = Ce + CL zu: sche gemäß Fourierzerlegung erfaßt werden muß, werden Signale
mit Frequenzen oberhalb etwa 2,2 MHz bereits mehr oder weni-
1 ger verfälscht dargestellt.
⋅ Re
jω C
Um diese Probleme zu umgehen, hat man die Tast-
1
+ Re köpfe entwickelt, deren interner Aufbau in Bild III-6b
Ue jω C 1
= = dargestellt ist. Der Kondensator CTK ist von außen
Us 1 1 einstellbar und liegt parallel zu RTK . RTK mit CTK und
⋅ Re + Re
jω C jω C C = CL + Ce mit Re bilden einen Spannungsteiler.
+ Ri 1 + Ri ⋅
1 Re Damit ist das Spannungsverhältnis:
+ Re
jω C jω C 1
⋅ Re
1 1 jwC
= =
1 + Re jω C Ri 1
1 + Ri ⋅ 1 + + Ri ⋅ jω C + Re
Re Re Ue jwC
=
Ue 1 U1 1 1
≈ (III.4) ⋅ Re R TK ⋅
Us 1 + Ri ⋅ jwC jwC jwC TK
+
1 1
+ R e R TK +
jwC jwC TK
1
G
Ri = (III.6)
Us U1 Ue 1 + jwR e C
u (t ) CL Re Ce 1+
1 + jwR TK C TK

Meßobjekt Koaxial- Eingang Dieses Verhältnis wird frequenzunabhängig, wenn

a) kabel Oszilloskop gilt:
RTK · CTK = Re · C (III.7)
RTK
Damit wird die Signalform eines beliebigen Eingangs-
Ri signals nicht verändert, denn gemäß Fourierzerlegung
Us G Ue
u (t ) CTK CL Ce dieses Signals werden alle vorkommenden Frequenz-
U1 Re
anteile um den gleichen Faktor herabgesetzt.
Da C in der Regel größer als 100 pF ist und CTK als
Meßobjekt Tastkopf Koaxial- Eingang einstellbare Kapazität maximal etwa 30 pF gemacht
b) kabel Oszilloskop werden kann, wird RTK größer als Re gewählt. Es
werden Tastköpfe mit Teilerverhältnissen 10 : 1 und
100 : 1 angeboten.
 Hinweise:
Korrekterweise müßte für die Teiler der Wert
1 : 10 oder 1 : 100 angegeben werden, es wird aber
c) CTK zu klein CTK zu groß
der Kehrwert genommen.
Bild III-6 Tastkopf Der am Oszilloskop eingestellte Y-Ablenkkoeffi-
a) Oszilloskop mit Signalquelle zient ist durch die Teilung mit dem Tastkopf nicht
und Kabel mehr gültig. Einige Oszilloskope erkennen den An-
b) zusätzlich mit Tastkopf schluß eines Tastkopfes und geben eine entspre-
c) dargestelltes Signal bei chende Mitteilung aus oder blenden den korrigier-
Tastkopfabgleich ten Wert in die Anzeige oder den Schirm ein.
750
Beim Einsatz von Tastköpfen erhöht sich der Ein-
gangswiderstand auf den Wert Re + RTK, während
sich die Kapazität durch die Reihenschaltung von CTK
und (CL + Ce) verringert (CTK < CL, Ce).
Damit die Bedingung aus Gleichung (III.7) für unter-
schiedliche Werte Re und Ce von Oszilloskop-Ein-
gängen mit dem jeweiligen Tastkopf erfüllt werden
IV Schreibende Meßgeräte
Beim Oszilloskop sind die beiden Betriebsarten X-Y-
Betrieb und Y-t-Betrieb erläutert worden. Will man
die dort auf dem Oszilloskopschirm dargestellten
funktionalen Abhängigkeiten zu Dokumentations-
zwecken aufschreiben, benutzt man Schreibende
Meßgeräte (Schreiber). Sie haben mit dem Aufbau
eines Oszilloskopes einiges gemeinsam, deshalb
werden auch die entsprechenden Beschreibungen aus
Kapitel III.1 und das zugeordnete Bild III-1 verwen-
det. Ein wesentlicher Unterschied besteht darin, daß
die zu messende Spannung keine Elektronen auf ihrer
Flugbahn ablenkt, sondern einen Schreibstift propor-
tional auslenkt, der eine Schreibspur auf Papier hin-
terläßt.
1 Y-t-Schreiber
 Y-Ablenkung: Die darzustellende Wechselspannung
gelangt zunächst über eine umschaltbare Ein-
gangskopplung, meist mit AC/DC/GND bezeich-
net, auf einen Spannungsteiler, der die Amplitude
des Eingangssignals an den nachfolgenden Ver-
stärker anpaßt und die Zuordnung zwischen der
Amplitude der Eingangsspannung (in Volt) und
der auf dem Papier dargestellten Amplitude (in cm)
festlegt (Bild III-1). Dieser Y-Ablenkkoeffizient
wird in V/cm angegeben; er läßt sich häufig in den
Stufungen 1-2-5 von 10 mV/DIV bis 50 V/DIV
fest einstellen. Über ein Potentiometer kann er im
Bereich zweier benachbarter Stufen verändert
werden. Allerdings läßt sich diese Veränderung
nicht an der Stellung des Potentiometers ablesen,
es ist lediglich die Aufschrift VAR (variabel, also
nicht kalibriert) angebracht. Deshalb hat das Po-
Meßtechnik
kann, schließt man an den Eingang des Tastkopfes
die oben beschriebene Kalibrier-Spannungsquelle an
und gleicht mit dem einstellbaren Kondensator das
Bild auf dem Oszilloskopschirm auf ein Rechteck ab.
Ist die Bedingung nach Gleichung (III.7) nicht erfüllt,
ergeben sich Signalverläufe, wie sie in Bild III-6c
dargestellt sind.
tentiometer entweder einen Schalter oder eine der
beiden Endstellungen ist mit CAL (kalibriert) ge-
kennzeichnet und bedeutet, daß nur in dieser
Schalter- oder Potentiometerstellung der am Stu-
fenschalter angegebene Ablenkkoeffizient gilt.
Über ein weiteres Potentiometer mit der Auf-
schrift Y-POS (Y-Position) kann dem darzustel-
lenden Eingangssignal eine Gleichspannung ein-
stellbarer Amplitude hinzuaddiert und damit
das Bild auf dem Papier seitlich verschoben wer-
den. Die Ausgangsspannung des Y-Verstärkers
bewirkt eine proportionale Auslenkung des
Schreibstiftes.
 t-Ablenkung: Die an den Y-Eingang angeschlos-
sene Spannung soll in Abhängigkeit von der Zeit
dargestellt werden. Dazu ist eine Zeitbasiseinheit
erforderlich, die über einen Elektromotor für einen
gleichmäßigen Papiervorschub sorgt. Die Ge-
schwindigkeit dieses Vorschubes kann wiederum
eingestellt werden in einer 1-2-5-Stufung und wird
als X-Ablenkkoeffizient in ms/cm bis s/cm angege-
ben. Auch hier gibt es die Möglichkeit, den
X-Ablenkkoeffizienten stufenlos über ein Poten-
tiometer zu verändern. Die Beschriftung ist VAR,
mit besonderer Stellung CAL.
Das Papier befindet sich häufig auf Rollen mit Län-
gen Lp zwischen 20 m und 100 m (in X- bzw.
t-Achsrichtung) und Breiten zwischen 20 cm und
30 cm (in Y-Achsrichtung). Die maximale Aufzeich-
nungszeit tmax ist gegeben durch die Papierlänge und
den gewählten Ablenkkoeffizienten (tmax = Lp · (X-
Ablenkkoeffizient)). Infolge der Massenträgheit der
Schreibeinrichtung liegt die Grenzfrequenz relativ
niedrig bei etwa 10 Hz.
V Digital anzeigende Meßgeräte
2 X-Y-Schreiber
Der Papiervorschub wird abgeschaltet und der
Schreibstift in X-Richtung über eine an einen zweiten
Verstärker anzuschließende Spannung ausgelenkt.
Dieser zweite Verstärker ist meist gleich aufgebaut
wie der Y-Verstärker. Macht man die Spannung am
X-Verstärker proportional zu einem Strom, lassen
sich, wie beim Oszilloskop, beispielsweise Kenn-
linien von Dioden, Transistoren und spannungsab-
hängigen Widerständen aufschreiben.
3 Auslenkung des Schreibstiftes
Die Umsetzung der Ausgangsspannung des Y-Ver-
stärkers allgemein und des X-Verstärkers in der X-Y-
Betriebsart in eine Schreibstiftauslenkung erfolgt im
wesentlichen auf zwei Arten:
 Direkte Auslenkung: Das Prinzip läßt sich an
einem Drehspulmeßwerk zeigen (Bild II-1, Kapi-
tel II.2). Die Verstärker-Ausgangsspannung wird
an die Drehspule angeschlossen, verursacht einen
proportionalen Strom und damit eine proportio-
nale Zeigerauslenkung. An der Spitze des Zeigers
ist der Schreibstift befestigt, der auf dem darunter
vorbeilaufenden Papier den Momentanwert der
Spannung markiert. Diese Art der Auslenkung
läßt sich technisch nur für die Y-t-Betriebsart an-
wenden.
V Digital anzeigende Meßgeräte
Die im Kapitel II behandelten analog anzeigenden
Meßgeräte werden zunehmend durch digital anzei-
gende Geräte ergänzt oder ersetzt. In der Tabelle V-1
sind einige Vorteile beider Verfahren einander ge-
genübergestellt.
Tabelle V-1 Vorteile von analog und digital anzeigenden Meßgeräten
Analog anzeigende Meßgeräte
Meist keine Hilfsenergie (Batterie) erforderlich
Tendenzen/Änderungen leicht erkennbar
(einfacher Abgleich auf Extremwert)
Erfassen mehrerer Meßwerte gleichzeitig
(Flugzeugkanzel)
Um die Vorteile beider Verfahren zu kombinieren,
werden digital anzeigende Meßgeräte mit einer zu-
sätzlichen Balkenanzeige mit bis zu 100 Einzelele-
menten gefertigt. Auf diese Weise wird eine quasi-
analoge Anzeige nachgebildet.
751
 Kompensationsverfahren: Der Schreibstift kann
durch eine Schlittenführung über einen Elektro-
motor und einen Seilzug in Y-Richtung über das
Papier geführt werden. An der Schlittenführung ist
in voller Papierbreite eine Potentiometerbahn be-
festigt. Am Schreibstift sitzt der Schleifer dieses
Potentiometers, so daß der abgegriffene Span-
nungswert der Stellung des Schreibstiftes propor-
tional ist. Das Ausgangssignal des Y-Verstärkers
und der am Potentiometer abgegriffene Span-
nungswert werden einem Differenzverstärker zu-
geführt. Ist die Differenz nicht Null, wird der
Schreibstift über den Elektromotor entsprechend
verstellt, bis die Differenz zu Null geworden ist.
Dann hat der Schreibstift seine Sollstellung er-
reicht.
Der Vorteil dieses Verfahrens gegenüber dem der
direkten Auslenkung liegt zum einen in einer höheren
Grenzfrequenz, da das Erreichen der Sollstellung des
Schreibstiftes mit relativ großer Leistung über den
Elektromotor erfolgen kann. Zum anderen ist es mit
einem kleineren Fehler behaftet, weil kleine Abwei-
chungen von der Sollstellung, z.B. durch Reibung des
Stiftes auf dem Papier, vom Kompensationsverfahren
erkannt und korrigiert werden; bei der direkten Aus-
lenkung fehlt diese Rückmeldung.
Die Auslenkung des Schreibstiftes zusätzlich in
X-Richtung nach dem Kompensationsverfahren ist
ohne weiteres möglich, so daß dieses Verfahren für
X-Y-Schreiber eingesetzt wird.
1 Digitalvoltmeter
Digital anzeigende Meßgeräte haben in der Regel
einen Analog-Digital-Umsetzer für Gleichspannun-
gen eingebaut. Für diese Umsetzer werden, je nach
Digital anzeigende Meßgeräte
Geringer Meßfehler, vor allem bei Gleichspannungs-
messung (< 10–3)
Hoher Instrumenten-Innenwiderstand bei Spannungs-
messung (10 MΩ bis 100 GΩ)
Einfache Meßwert-Speicherung und -Weiterverarbeitung
Mehrere Messungen (10 bis 1000) pro Sekunde möglich
meßtechnischer Anforderung, unterschiedliche Ver-
fahren verwendet. So sind diejenigen nach dem
Prinzip des Mehrrampenverfahrens besonders für die
Präzisionsmeßtechnik geeignet, da sie mit maximalen
relativen Meßfehlern im Bereich ± 10–3 bis ± 10–6
752
behaftet sind. Allerdings benötigen sie für einen Meß-
zyklus Zeiten zwischen 0,1 s (Fehler ca. ± 10–3) und
10 s (Fehler ca. ± 10–6). Für Fehler ≥⏐± 10–5⏐werden
diese Umsetzer als Integrierte Bausteine gefertigt und
haben häufig einen Eingangs-Spannungsbereich von
0 bis ± 200 mV oder 0 bis ± 2 V. Maximale Fehler
und Stellenzahl der Anzeige werden in der Regel
einander angepaßt, so daß die Anzeige dann den
Wertebereich von 0 bis ± 1999 (Fehler ca. ± 10–3),
0 bis ± 19 999 (Fehler ca. ± 10–4) oder 0 bis ± 199 999
(Fehler ca. ± 10–5) erfaßt. Im ersten Fall spricht man
von einer 3½-stelligen Anzeige, und entsprechend für
die anderen Fälle von 4½- oder 5½-stelliger Anzeige.
In die Anzeige muß ein Komma eingefügt werden,
wenn der angezeigte Zahlenwert der Spannung in
Volt entsprechen soll. Daneben gibt es auch Digital-
voltmeterbausteine mit 3¾-, 4¾- oder 5¾-stelliger
Anzeige mit einem Wertebereich von 0 bis ± 3999,
0 bis ± 39 999 oder 0 bis ± 399 999.
Zur Messung von Wechselspannungen werden zwei
Verfahren eingesetzt:
a) Die zu messende Spannung wird gleichgerichtet
und dann deren Scheitelwert gemessen. An-
schließend wird dieser Wert durch 1,41 geteilt
und angezeigt. Da aber nur für sinusförmigen
Spannungsverlauf der Faktor 1,41 zwischen
Effektivwert und Scheitelwert besteht, ist die
Messung von Wechselspannungen auf diesen
Signalverlauf beschränkt. Man findet dieses Ver-
fahren häufig bei den Digitalvoltmetern mit 3½-
oder 3¾-stelliger Anzeige, seltener bei denen mit
4½- oder 4¾-stelliger Anzeige.
b) Der Effektivwert wird tatsächlich gemessen. Das
geschieht wiederum nach zwei Verfahren:
b1) Der analoge Spannungsverlauf wird quadriert,
dann über eine Periode integriert, auf diese Pe-
riode bezogen, aus dem so erhaltenen Wert die
Wurzel gezogen und dann angezeigt. Damit wird
die mathematische Darstellung des Effektivwer-
tes schaltungstechnisch realisiert:
T von 2 V ergibt. Das ist vorteilhaft, wenn der
1
∫ {u ( t )} d t
2
Effektivwert U = (V.1)
T0
b2) Der analoge Spannungsverlauf wird pro Periode
100mal oder mehr abgetastet und über einen
Analog-Digital-Umsetzer in Digitalwerte umge-
setzt. Diese digital kodierten Spannungswerte
werden dann, um Gleichung (V.1) zu erfüllen,
quadriert, die Werte einer Periode summiert,
durch die Anzahl der Werte geteilt, aus dem so
erhaltenen Wert die Wurzel gezogen und ange-
zeigt. Da hier Umsetzer mit einer Umsetzzeit
verwendet werden müssen, die sich aus der Pe-
riodendauer der Wechselspannung, geteilt durch
die Zahl der Abtastwerte pro Periode, ergibt,
kommen nur Umsetzer nach dem Flash-Ver-
fahren in Frage. Diese haben Umsetzzeiten im
Bereich von wenigen Mikrosekunden, allerdings
Meßtechnik
sind die erreichten Fehler meist >⏐± 10–3⏐, da der
Spannungswert innerhalb dieser kurzen Zeit-
räume nur mit 8 bit kodiert dargestellt werden
kann. Das ist auch der Grund dafür, warum
Digitalvoltmeter in den Gleichspannungsmeß-
bereichen kleinere Fehler aufweisen als in den
Wechselspannungsmeßbereichen.
Die Meßbereiche Integrierter Digitalvoltmeterbausteine
können zur Messung größerer Spannungen durch
ohmsche Widerstandsteiler (Bild VI-1) erweitert
werden. Der Eingangswiderstand dieser Digitalvolt-
meterbausteine liegt in der Größenordnung 100 MΩ
bis 1 GΩ; beim Einsatz von Widerstandsteilern
zur Meßbereichserweiterung wird der resultierende
Eingangswiderstand des Digitalvoltmeters durch den
Widerstand dieses Teilers bestimmt. Er liegt für
Gleich- und Wechselspannungen häufig bei 10 MΩ.
2 Digitalmultimeter
In Anlehnung an die analogen Multimeter wird auch
bei Digitalvoltmetern durch Zusatzeinrichtungen die
Messung von Strömen und Widerständen möglich
und damit das Instrument zum Digitalmultimeter er-
weitert.
 Messung von Widerständen: In das Instrument
wird eine Konstantstromquelle eingebaut, deren
Strom den unbekannten Widerstand durchfließt.
Die an dem Widerstand entstehende Spannung ist
dem Strom proportional und wird gemessen. Der
Strom der Stromquelle und der Meßbereichsend-
wert für den jeweiligen Widerstandsmeßbereich
werden so gewählt, daß sich beispielsweise ein
Spannungswert von 200 mV ergibt: Im 200-Ω-
Meßbereich wird ein Strom für die Stromquelle
von 1 mA eingestellt; im Meßbereich 2 kΩ ent-
sprechend 0,1 mA. Bei einigen Meßgeräten kann
der Strom um den Faktor 10 höher gewählt wer-
den (Bezeichnung „HIGH“ im Gegensatz zu
„LOW“), so daß sich eine maximale Spannung
Widerstand von Dioden oder Transistoren in
Durchlaßrichtung gemessen werden soll, da dann
auch die Schwellspannung von Siliziumhalbleitern
überschritten wird.
Die Meßbereiche sind meist dekadisch gestuft und
reichen von 200 Ω bis 20 MΩ. Der Fehler des Meß-
gerätes bei Widerstandsmessungen liegt deutlich
höher als bei Gleichspannungsmessungen, da die
Stromquelle mit einem entsprechend höheren Fehler
behaftet ist.
Bei der Messung von Widerständen < 10 Ω gehen
sowohl die Zuleitungswiderstände zum Meßinstru-
ment als auch die Art des Anschlusses am zu mes-
senden Widerstand in das Meßergebnis ein. Um
dieses Problem zu umgehen, bieten Digitalmultimeter
für Widerstands-Präzisionsmessungen die Vierpol-
messung an. Dazu muß der Widerstand Potentialan-
V Digital anzeigende Meßgeräte
schlüsse haben, an denen die Spannung über dem
Widerstand unabhängig von der Art des Anschlusses
und der Länge der Meßleitungen gemessen wird. Der
Strom wird in die Stromanschlüsse eingespeist. Damit
ist die Länge der Zuleitungen ohne Bedeutung. Besitzt
der Widerstand keine Potentialanschlüsse, kann man
versuchen, sie durch Anklemmen oder Anlöten zweier
zusätzlicher Anschlüsse nachzubilden.
 Messung von Strömen: Sie wird auf eine Span-
nungsmessung zurückgeführt, indem der zu mes-
sende Strom I einen in das Instrument eingebauten
bekannten Widerstand R0 durchfließt. Damit ist
die gemessene Spannung U dem Strom I proporti-
onal (U = I · R0). Die Meßbereiche sind in der Re-
gel mit dem Faktor 100 gestuft und ergeben sich
damit zu 2 mA, 200 mA und 20 A. Die Wider-
stände haben die Werte 100 Ω, 1 Ω und 0,01 Ω,
damit sich beim Meßbereichsendwert eine Span-
nung von 200 mV einstellt. Der 20 A-Meßbereich
ist in der Regel über getrennte Buchsen erreichbar
und über eine Feinsicherung abgesichert. Da Siche-
rungen in den anderen niedrigeren Strommeß-
bereichen nicht vorgesehen sind, besteht die Ge-
fahr einer Überlastung der Widerstände durch zu
hohe Ströme, was entweder zu ihrer Zerstörung
oder aber zur Änderung ihres Wertes und damit
zur Erhöhung des Meßfehlers führen kann.
Es können sowohl Gleich- als auch Wechselströme
gemessen werden. Da die Strommessung auf eine
Spannungsmessung zurückgeführt wird, gelten bei
der Messung von Wechselströmen die im Kapitel
„Messung von Wechselspannungen“ aufgeführten Ver-
fahren und Probleme hier gleichermaßen. Der Meß-
fehler ist bei Gleichstrommessungen um ein bis zwei
Größenordnungen größer als bei Gleichspannungs-
messungen, weil die Widerstände einen entsprechend
höheren Fehler aufweisen, der sich durch Überlastung
noch vergrößern kann. Bei der Wechselstrommessung
kommen noch zusätzlich die bereits bei der Messung
von Wechselspannungen gegenüber Gleichspannun-
gen vorhandenen höheren Meßfehler hinzu.
3 Messung von Kapazitäten,
Frequenzen und Stromverstärkungen
Viele Digitalmultimeter sind noch zusätzlich mit
einer oder mehreren der folgenden Meßmöglichkeiten
ausgestattet.
753
 Frequenzmessung: Für die Frequenzmessung wird
der für die Analog-Digital-Umsetzung erforder-
liche interne Taktgeber, meist ein Quarzoszillator,
zur Bereitstellung der Torzeit des Zählers herange-
zogen. Der Zähler selbst ist wegen des Mehrram-
penverfahrens bei der Analog-Digital-Umsetzung
ebenfalls schon im Baustein vorhanden. Als Meß-
bereiche stehen häufig 20 kHz und 200 kHz zur
Verfügung; der Fehler liegt bei ca. ± 1%.
 Kapazitätsmessung: Zur Messung der Kapazität
eines Kondensators wird die für die Widerstands-
messung erforderliche Stromquelle benutzt. Bei
Konstantstromladung eines Kondensators C mit
dem Strom I0 über eine festgelegte Zeit Dt ergibt
sich eine Spannungszunahme DU am Kondensa-
tor. Den Zusammenhang zwischen diesen Größen
erhält man über die dem Kondensator zugeführte
Ladung Q (Q = C · DU = I0 · Dt). Daraus folgt für
C: C = I0 · Dt/DU. Die Meßbereiche sind häufig
zu 2 nF, 200 nF und 2 mF gewählt. Der Fehler
liegt in der Größenordnung (± 1 ... ± 5)%.
 Stromverstärkung: Für die Messung der Stromver-
stärkung h21 von Transistoren wird in die Basis
des Transistors ein Strom aus der für Wider-
standsmessungen erforderlichen Stromquelle ein-
gespeist und der Kollektorstrom gemessen. Wählt
man den Strom der Stromquelle zu 0,01 mA und
wird der Kollektorstrom zu 1,53 mA gemessen,
muß nur das Komma in der Anzeige unterdrückt
werden, damit die Stromverstärkung 153 ange-
zeigt wird.
Für die hier angesprochenen Messungen von Kapazi-
täten, Frequenzen und Stromverstärkungen gilt, daß
der Fehler meist im Bereich von ± 1% bis ± 5% liegt,
und zwar relativ unabhängig von der Anzahl der
Stellen des Digitalmultimeters.
4 Messung von Temperaturen
Manchmal ist einem Digitalmultimeter eine Tempera-
turmeßeinrichtung in Form eines Widerstandsthermo-
meters mit Platin-Widerstandselement (Nennwert
meist 1000 Ω) beigefügt. Zur Messung der Tempera-
tur wird entweder die bereits mehrfach erwähnte
Stromquelle oder eine Brückenschaltung eingesetzt.
Einzelheiten dazu im Kapitel VII-1.6, „Thermische
Aufnehmer“.
754 Meßtechnik

VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen

Schalterstellung Meßbereich
1 Messung von Gleichspannungen 1 400V
2 40V
Die Messung von Gleichspannungen kann mit analog 3 4V
oder digital anzeigenden Meßgeräten erfolgen. 4 0,4V
9,0MΩ 5 0,04V
1.1 Analog anzeigende 5
Spannungsmeßgeräte 900kΩ 4 Digitalvoltmeter
Je nach maximal zulässigem Fehler werden entweder 3
90kΩ
Dreheisen-Meßinstrumente der Klassen 1, 2,5 und 5 2
Meßbereich:
oder Drehspul-Meßinstrumente der Klassen 0,2, 0,5 1 R1 40mV
9kΩ
und 1, für Präzisionsmessungen der Klassen 0,05 und Uein
0,1 eingesetzt (Definition des Begriffs „Klasse“ in C1 Re>100MΩ
1kΩ
Kapitel I.5). Die Meßinstrumente sind entweder für
nur einen Meßbereich ausgelegt oder verfügen durch
den Einbau einer Meßbereichserweiterung über meh- Schutzbeschaltung
rere Meßbereiche. Die am häufigsten anzutreffenden gegen Überspannung
Stufungen bei mehreren Meßbereichen sind 1-3-10- R1 ca. 100kΩ bis 1MΩ
30 ... und 2-5-20-50 ... C1 ca. 10nF bis 100nF
Bei der Spannungsmessung wird das Meßinstrument Bild VI-1 Typischer Eingangsspannungsteiler eines
von einem der Spannung proportionalen Strom durch- Digitalvoltmeters
flossen, der wiederum den proportionalen Zeigeraus-
schlag bewirkt. Dieser Strom wird dem Meßkreis 1.3 Meßabweichung
entnommen und verändert den Wert der zu messen-
den Spannung. Um die Belastung durch das Meß-
durch den Innenwiderstand
instrument erfassen zu können, wird häufig dessen des Spannungsmessers
Kennwiderstand rK in Ω/V angegeben. Er muß Ist der Innenwiderstand des Spannungsmessers (analog
mit dem Meßbereichsendwert multipliziert werden, oder digital anzeigend) nicht unendlich groß, wird die
um den Widerstand des Instrumentes (Innenwider- zu messende Spannung durch das Meßinstrument ver-
stand) zu erhalten. Bei Drehspulmeßinstrumenten ändert. In der Schaltung Bild VI-2 soll die Spannung
liegt der Kennwiderstand im Bereich von 20 kΩ/V über dem Widerstand R2 gemessen werden. Das In-
bis 200 kΩ/V, bei Dreheisenmeßinstrumenten da- strument hat den Innenwiderstand Ri. Ohne angeschlos-
gegen nur bei etwa 200 Ω/V (siehe auch Beispiel senes Meßinstrument beträgt die Spannung U2 an R2:
VI.1).
U2 = U0 · R2/(R1 + R2)
1.2 Digital anzeigende mit angeschlossenem Meßinstrument:
Spannungsmeßgeräte U'2 = U0 · (R2 冩 Ri)/(R1 + (R2 冩 Ri))
Digital anzeigende Spannungsmesser (Digitalvoltme- R1
ter) besitzen in der Regel mehrere Meßbereiche, die
dekadisch gestuft sind: 0,2 V, 2 V, 20 V, 200 V und V
U0 R2 U2 U′2 Bild VI-2
1000 V oder 0,4 V, 4 V, 40 V, 400 V und 1000 V. Ri Meßabweichung
Als höchster Meßbereich wird 1000 V gewählt, weil bei der Span-
es sich bei Spannungen größer 1000 V um Hoch- Meßinstrument nungsmessung
spannung handelt und damit besondere Isolations-
maßnahmen erforderlich werden. Die gemessene Spannung ist damit kleiner als der
Der Innenwiderstand ist unabhängig vom gewählten tatsächliche Wert ohne Instrument. Die daraus resul-
Meßbereich und wird vom Eingangsspannungsteiler tierende systematische Meßabweichung läßt sich
zur Meßbereichserweiterung gebildet (Bild VI-1). Er berechnen, indem U2 und U'2 in die Formel für den
liegt häufig bei 10 MΩ, bei Präzisionsmeßgeräten ist relativen Fehler eingesetzt werden:
er ausnahmsweise im kleinsten Meßbereich durch U 2′
Abtrennen des Eingangsspannungsteilers erheblich f = ( x a − x r ) / x r = ( U 2′ − U 2 ) / U 2 = −1
U2
größer, z.B. 10 GΩ. Der Eingangswiderstand des
Ri ⋅ R 2
Analog-Digital-Umsetzers ist ≥ 10 GΩ und beeinflußt U0 ⋅
damit nicht das Teilerverhältnis des Widerstandstei- Ri + R2 R1 + R2
= ⋅ −1
lers beim Umschalten des Meßbereiches. Der Meß- R i ⋅ R2 U 0 ⋅ R2
+ R1
fehler liegt bei ≤⏐± 5 · 10–3⏐. Ri + R2
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen
Nach Gleichungsumformung folgt daraus:
Systematische Meßabweichung
1 findlich der Nullindikator ist. Mit Präzisionskompen-
f =− (VI.1)
Ri
1+
Ri R2
Die durch das Meßinstrument verursachte Meßab-
weichung wird um so kleiner, je größer dessen In-
nenwiderstand Ri im Verhältnis zur Parallelschaltung
der Widerstände Ri und R2 ist. Deshalb gilt allge-
mein:
Der Innenwiderstand von Spannungsmessern sollte
so groß wie möglich sein!
 Beispiel VI.1: Ein analog anzeigendes Meßinstrument mit dem
Kennwiderstand rK = 100 kΩ/V hat im Meßbereich 0,3 V einen
Innenwiderstand von 100 kΩ/V ⋅ 0,3 V = 30 kΩ; im Meßbereich
300 V einen Innenwiderstand von 100 kΩ/V ⋅ 300 V = 30 MΩ.
Ein Digitalvoltmeter hat den meßbereichsunabhängigen Innen-
widerstand 10 MΩ. Dann ist der Innenwiderstand des analog an-
zeigenden Meßgerätes in den Meßbereichen > 100 V größer als
der des Digitalvoltmeters.
1.4 Spannungsmessung
mit dem Kompensator
Die Meßabweichung durch den endlichen Innen-
widerstand des Spannungsmessers läßt sich vermeiden,
wenn der für die Messung notwendige Strom von
einer Hilfsenergiequelle geliefert wird. In Bild VI-3
ist das Prinzip gezeigt. Die Spannung UN ist bekannt,
sie wird z.B. von einem Normalelement geliefert.
Ihr Innenwiderstand RiN ist ebenfalls bekannt. Der
Widerstandsteiler ist ein Präzisionsteiler mit dem
Gesamtwiderstand RN und dem einstellbaren Teil-
widerstand RK. Er wird häufig als einstellbarer Stufen-
widerstand mit mehreren Dekaden ausgeführt. Die zu
messende Spannung ist Ux, der Innenwiderstand ist
Ri. Zur Messung wird der Abgriff am Widerstand RN
solange verändert, bis der Nullindikator den Strom
Null anzeigt. Dann gilt:
Ux = Ua = UK = UN · RK/(RiN + RN) (VI.2)
Mit diesem Verfahren ist es möglich, auch die Leer-
laufspannung von Spannungsquellen mit sehr großem
Innenwiderstand zu messen. Für die zu messende
Spannung gilt: Ux < UN.
RiN
Ri
UN RN
Rk U U
k a Ux
Nullindikator Meßobjekt
Bild VI-3 Prinzip des Kompensators
755
Der Fehler des Verfahrens hängt davon ab, wie genau
die Spannung UN, deren Innenwiderstand RiN und die
Widerstände RK und RN bekannt sind und wie emp-
satoren lassen sich Spannungen mit einem Fehler
f <⏐±10–4⏐ messen.
Allerdings verliert dieses Meßverfahren an Bedeu-
tung, weil Präzisions-Digitalvoltmeter im 0,2-V- und
2-V-Meßbereich Fehler in der gleichen Größenord-
nung aufweisen und häufig Innenwiderstände im
Bereich 1 GΩ bis 10 GΩ besitzen. Damit kann die
Meßabweichung nach Gleichung VI.1 meist vernach-
lässigt werden.
2 Messung von Gleichströmen
2.1 Analog anzeigende Strommeßgeräte
Drehspulmeßwerke benötigen einen Strom von etwa
10 mA bis 100 mA für Vollausschlag. Der Innen-
widerstand liegt bei 1 kΩ bis 10 kΩ, so daß sich im
kleinsten Strommeßbereich ein Spannungsfall über
dem Meßwerk von 10 mV bis 100 mV ergibt. Für
größere Ströme wird dem Meßwerk ein entsprechend
kleinerer Widerstand parallelgeschaltet (Prinzip
Stromteiler). Strommesser mit mehreren Strommeß-
bereichen sind häufig Bestandteil eines Multimeters,
das zusätzlich noch Spannungs- und Widerstands-
messungen erlaubt. Dann wird die Stufung der Meß-
bereiche entsprechend der von den Spannungsmeßbe-
reichen gewählt: 100 mA, 300 mA, 1 mA, 3 mA ... bis
1 A, seltener auch bis 10 A. Der Innenwiderstand
oder der Spannungsfall wird für jeden Meßbereich
angegeben und ist auf der Unterseite des Instrumentes
ablesbar.
Für das Meßinstrument UNIGOR A 43 beträgt der
Spannungsfall unabhängig vom Strommeßbereich
ungefähr 100 mV. Der Fehler der Strommessung ist
durch die Klasse des Instrumentes gegeben und
entspricht dem Fehler bei der Spannungsmessung.
2.2 Digital anzeigende Strommeßgeräte
Der zu messende Strom durchfließt einen bekannten
Widerstand und verursacht an ihm einen Spannungs-
fall. Besitzt der Widerstand dekadische Werte (1 Ω,
10 Ω, 100 Ω ...), ist der Zahlenwert der gemessenen
Spannung durch entsprechendes Setzen eines Kom-
mas in der Anzeige als Stromwert in mA, mA oder A
ablesbar. Meist wird eine Stufung in Anlehnung an
die Spannungsmeßbereiche, aber mit dem Multiplika-
tor 100, verwendet (200 mA, 20 mA, 2 A). Der Fehler
der Strommessung ist mit f ≥⏐±10–2⏐deutlich höher
als bei der Spannungsmessung.
Für ein 4½-stelliges Digitalmultimeter beträgt der
Spannungsfall beim Maximalstrom unabhängig vom
Meßbereich typisch 200 mV, der Fehler liegt bei
± (0,4% of reading + 3 LSB), siehe dazu auch Kapi-
tel V.
756 Meßtechnik

2.3 Meßabweichung 3.2 Strommessung

durch den Innenwiderstand Hier wird zum Instrument ein Widerstand Rp parallel
des Strommessers geschaltet (Bild VI-5b), sofern ein größerer Strom als
In Bild VI-4 soll der Strom durch den Widerstand R1 dem Meßbereich entsprechend gemessen werden soll.
gemessen werden. Strommessung RiI ist der Innenwiderstand des Strommessers in
einem Meßbereich (Wahl siehe unten), der zu mes-
R1 I′ sende Strom ist Ix. Ist II der am Strommesser abge-
A Bild VI-4 lesene Strom, folgt mit dem Stromteiler:
U0 I Meßabweichung Ix R iI
Ri bei der =
II R iI R p
Strommessung
In der Praxis wird man für Rp einen Stufenwiderstand
Ohne Strommesser ergibt sich der Strom durch den mit mehreren Dekaden wählen, den kleinsten Wert
Widerstand R1 zu: I = U0/R1, mit Strommesser da- einstellen und diesen solange erhöhen, bis sich ein
gegen zu I ⬘ = U0/(R1 + Ri). Eingesetzt in die Fehler- Ausschlag oder eine Anzeige im oberen Drittel des
formel folgt daraus: Meßbereichs ergibt. Achtung: Für den Dekaden-
widerstand muß eine Ausführung mit nichtunter-
f = ( x a − x r ) / x r = ( I ′− I ) / I brechendem Schalter verwendet werden, da der
U0 U Strommesser sonst im Umschaltmoment durch den
− 0 fehlenden Parallelwiderstand überlastet wird!
R + R1 R1 1
= i =− (VI.3)
U0 R Rv RiI II
1+ 1
R1 Ri A
UX UU
V IX
Die Meßabweichung durch den endlichen Innen-
widerstand des Strommessers ist um so kleiner, je RiU
kleiner er im Verhältnis zum Widerstand R1 ist. Rp
Der Innenwiderstand von Strommessern sollte mög- a) b)
lichst klein sein!
Bild VI-5 Meßbereichserweiterung
a) Spannungsmessung
3 Meßbereichserweiterung b) Strommessung

3.1 Spannungsmessung
4 Messung von Wechselspannungen
Soll mit einem analog oder digital anzeigenden Span-
nungsmesser, dessen Innenwiderstand in einem Meß- 4.1 Analog anzeigende
bereich (Wahl des Meßbereichs siehe unten) mit RiU Wechselspannungsmeßgeräte
gegeben ist, eine höhere Spannung Ux gemessen Zur Messung von Wechselspannungen werden Meß-
werden, schaltet man einen Widerstand Rv in Reihe geräte mit Dreheisenmeßwerk, Drehspulmeßwerk und
zu dem Spannungsmesser (Bild VI-5a). Dieser Span- Thermoumformermeßwerk eingesetzt.
nungsteiler liefert die Beziehung:
4.1.1 Spannungsmesser mit Dreheisenmeßwerk
Ux/UU = (RiU + Rv)/RiU
Die den Zeigerausschlag verursachende Kraft läßt
Darin ist UU die am Instrument abgelesene Spannung.
sich durch die Lorentzkraft darstellen (F = B · I · I).
Da man Ux im allgemeinen nicht kennt, sind Rv und
Die Flußdichte B wird ebenfalls durch den Strom I
der Meßbereich des Spannungsmessers so einzu-
erzeugt, so daß F = k1 · I 2 = k2 · U2 gesetzt werden
stellen, daß sich ein Ausschlag oder eine Anzeige
kann. Durch die mechanische Trägheit des Zeigers
möglichst im oberen Drittel des Meßbereichs ergibt,
wird daraus der Mittelwert der Spannung bei Frequen-
da dann der Fehler klein ist. In der Praxis wird
zen >>1 Hz gebildet. Berücksichtigt man die Wurzel-
man für Rv einen Stufenwiderstand mit mehreren
beziehung beim Aufbringen der Skalenteilung, wird
Dekaden wählen, den höchsten Wert einstellen und
theoretisch der Effektivwert U angezeigt:
dann den Widerstand stufenweise verringern, bis der
genannte Ausschlag erreicht ist. Achtung: Für den 1
T

∫ {u ( t )} d t
2
Dekadenwiderstand muß eine Ausführung mit un-  Effektivwert U = (VI.4)
terbrechendem Schalter verwendet werden, da der T0
Spannungsmesser sonst im Umschaltmoment durch In der Praxis gilt das aber nur für sinusförmige Span-
den kurzgeschlossenen Reihenwiderstand überlastet nungen mit Frequenzen bis etwa (400 ... 1000) Hz.
wird! Oberhalb dieser Frequenzen nimmt der Zeigeraus-
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen
schlag ab. Ein Grund dafür ist die mit steigender
Frequenz zunehmende Impedanz (jwL) der Spule. Bei
nichtsinusförmigen Spannungen wird der Signal-
verlauf nach Fourier zerlegt. Dabei muß die höchste
noch zu berücksichtigende Signalfrequenz, das ist in
der Regel die 10. bis 20. Harmonische, an der oberen
Grenze des genannten Frequenzbereiches liegen. Auf
diese Weise können bereits nichtsinusförmig verlau-
fende Spannungen mit einer Frequenz von 50 Hz mit
einem erhöhten Meßfehler durch Verfälschung der
Kurvenform behaftet sein.
4.1.2 Spannungsmesser mit Drehspulmeßwerk
Das Drehspulmeßwerk zeigt den arithmetischen
Mittelwert der Wechselspannung an. In der Praxis
interessiert aber der Effektivwert, weil er für die
Leistung maßgebend ist. Da aber arithmetischer
Mittelwert und Effektivwert zahlenmäßig nicht über-
einstimmen und der Umrechnungsfaktor zwischen
beiden von der Kurvenform abhängt, ist dieses In-
strument nicht zur Messung von Wechselspannungen
geeignet. Es besitzt jedoch besondere Vorteile, näm-
lich geringen Eigenverbrauch und lineare Skalentei-
lung. Deshalb hat man, allerdings nur für sinusför-
mige Spannungen, die Skala so beschriftet, daß der
korrekte Wert abgelesen wird. Da der arithmetische
Mittelwert eines sinusförmigen Signals Null ist, wird
der Spannungsverlauf mit einem Einweg- oder einem
Brückengleichrichter so verändert, daß der arithme-
tische Mittelwert ungleich Null ist und damit ein
Ausschlag erfolgt. Der Kurvenformfaktor oder kurz
Formfaktor ist das Verhältnis von Effektivwert zu
arithmetischem Mittelwert bei Einweg- bzw. Brücken-
gleichrichtung. Er beträgt bei sinusförmigem Verlauf
und Einweggleichrichtung 2,22 und bei Brücken-
gleichrichtung 1,11. Mit diesen Faktoren werden die
Werte auf der Skala multipliziert. Es sind Spannun-
gen mit Frequenzen bis zu einigen 10 kHz meßbar.
Meßinstrumente mit Drehspulmeßwerk und Gleich-
richter zeigen nur bei sinusförmigen Wechselspan-
nungen den Effektivwert richtig an!
4.1.3 Spannungsmesser
mit Thermoumformermeßwerk
Bei diesem Meßwerk durchfließt ein der Spannung
proportionaler Strom einen sehr dünnen (einige mm)
Widerstandsdraht. Der Draht erwärmt sich; seine
Temperaturdifferenz zur Umgebungstemperatur ist
dem Effektivwert des Stromes proportional. Die
Temperatur wird mit einem Thermoelement gemes-
sen (Kapitel VII.1.6).
Der Vorteil dieses Verfahrens liegt darin, daß der
Frequenzbereich für sinusförmige Spannungen von
etwa 0,2 Hz bis 65 MHz reicht, bei Sonderausführun-
gen bis 300 MHz. Die untere Frequenzgrenze ist
dadurch gegeben, daß die Temperatur des Wider-
standsdrahtes unterhalb 0,2 Hz dem Momentanwert
des Stromes folgt. Gleichspannungen sind wieder
757
meßbar. Ein Nachteil ist, daß der Strom durch den
Widerstandsdraht einige mA betragen muß, um
Drahttemperaturen oberhalb 100 ºC und damit ausrei-
chend große Spannungen am Thermoelement zu
bewirken. Damit der Meßkreis nicht unzulässig hoch
belastet wird, hat man elektronische Lösungen gefun-
den, die den Strom durch den Widerstandsdraht einer
Hilfsspannungsquelle entnehmen, die durch die zu
messende Spannung gesteuert wird.
4.2 Digital anzeigende
Wechselspannungsmeßgeräte
Zur Messung des Effektivwertes einer Spannung
werden unterschiedliche Meßverfahren eingesetzt.
1. Verfahren: Vor allem bei Digitalmultimetern der
unteren Preisklasse wird bei der Spannungsmessung
der Scheitelwert gemessen, durch 1,41 geteilt und
angezeigt. Diese Umrechnung zwischen Scheitel- und
Effektivwert gilt aber nicht allgemein für beliebige
Spannungsverläufe, so daß der Effektivwert nur bei
sinusförmigem Spannungsverlauf richtig angezeigt
wird. Die Scheitelwertmessung ist wegen des hohen
Eingangswiderstandes des Analog-Digital-Umsetzers
einfach möglich. Verglichen mit der Gleichspan-
nungsmessung ist der Eingangswiderstand gleich, der
Fehler ist um den Faktor 5 bis 10 größer.
2. Verfahren: Der Effektivwert wird tatsächlich ge-
messen; deshalb spricht man auch von einer „echten“
Effektivwertmessung. Verwendet werden elektro-
nische Schaltkreise, die nach Gleichung VI.4 den
analogen Spannungswert am Eingang zunächst quad-
rieren, diesen dann integrieren und anschließend die
Wurzel ziehen. Der Fehler dieses Verfahrens ist
>⏐± 10–3⏐, weil die erforderlichen mathematischen
Operationen u.a. durch Logarithmieren und Potenzie-
ren verwirklicht werden.
Vor allem bei Geräten der Präzisionsmeßtechnik wird
die zu messende Spannung pro Periode 100mal oder
mehr abgetastet und in Digitalwerte umgesetzt. An-
schließend werden diese digital kodierten Werte den
erforderlichen Rechenoperationen nach Gleichung
VI.4 zur Bildung des Effektivwertes unterzogen. Der
so bestimmte Effektivwert ist mit einem kleineren
Fehler behaftet als beim rein analogen Verfahren,
erfordert aber einigen Aufwand. Es ist ein Analog-
Digital-Umsetzer mit 8 bis 12 bit und einer Umsetz-
zeit erforderlich, die nur ein Bruchteil der Perioden-
dauer der zu messenden Spannung ist (Umsetzzeit =
Periodendauer/Abtastwerte pro Periode).
Bei Meßgeräten mit „Echt-Effektivwertmessung“ gibt
es Ausführungen, die zwar den Effektivwert tatsäch-
lich messen, an das zu messende Signal aber die
Bedingung knüpfen, daß der arithmetische Mittelwert
Null ist. Das liegt daran, daß im Eingangskreis des
Meßgerätes ein Kondensator in Reihe zu den Meß-
anschlüssen angeordnet ist. Dadurch vereinfacht
sich zwar der elektronische Aufwand innerhalb des
758 Meßtechnik

Meßgerätes, schränkt aber seinen Einsatz wesentlich 6.1 Gleichstrom-Meßbrücken

ein. Nicht immer weist die Betriebsanleitung eindeu-
tig auf diese Tatsache hin.
Eine wichtige Kenngröße bei der Messung von
Wechselspannungen und -strömen ist der Crestfaktor
als Verhältnis von Scheitelwert zu Effektivwert. Er
darf einen bestimmten Wert nicht überschreiten und
liegt in der Größenordnung 4 bis 10. Bei einem
Crestfaktor von 4 kann demnach eine rechteckför-
mige Spannung mit einem Tastgrad 5 nur noch mit
erhöhtem Fehler gemessen werden.
zur Widerstandsmessung
Eine Meßbrücke besteht nach Bild VI-6a aus vier
Impedanzen oder Widerständen Z1 oder R1 bis Z4 oder
R4 und wird von einer Spannungsquelle mit der
Spannung usp gespeist. Zur Messung von Widerstän-
den kann usp sowohl eine Gleich- als auch eine Wech-
selspannung sein, zur Impedanzmessung wird in der
Regel eine sinusförmige Spannung verwendet. Man
spricht dann von Gleich- oder Wechselstrommeß-
brücken.

5 Messung von Wechselströmen

Z1 ud0 Z3 R1 Ud0 R3
5.1 Analog anzeigende usp Usp
Wechselstrommeßgeräte Z2 Z4 U2 R2 R4 U4
Hier werden die gleichen Meßwerke verwendet wie a) b)
bei der Wechselspannungsmessung. Da bei ihnen der
Ausschlag stromproportional ist, können die Aus- Bild VI-6 Meßbrücke
sagen über die Wechselspannungsmessung entspre- a) allgemein
chend übernommen werden. b) Wheatstone-Meßbrücke für
Strommesser mit Dreheisenmeßwerk: Theoretisch ohmsche Widerstände
wird der Effektivwert unabhängig von der Kurven-
form angezeigt, in der Praxis dagegen wird der Zei- 6.1.1 Grundlagen
gerausschlag bei Frequenzen oberhalb 400 Hz bis Mit der Gleichstrom-Meßbrücke lassen sich nur
1000 Hz geringer. Die Innenwiderstände sind gleich ohmsche Widerstände messen. Eventuell vorhandene
denen bei der Gleichstrommessung. induktive Anteile ergeben den Wert Null, kapazitive
Strommesser mit Drehspulmeßwerk: Die Anzeige ist Anteile den Wert unendlich.
ebenfalls nur für sinusförmige Ströme richtig, die Die Spannung Ud0 in der Brückendiagonalen
Frequenzgrenze für sinusförmige Ströme liegt auch (Bild VI-6b) ergibt sich zu:
bei einigen 10 kHz. Die Innenwiderstände entspre-
chen denen bei der Gleichstrommessung, sofern die Ud0 = U2 – U4 (VI.5)
Instrumente einen elektronischen Präzisionsgleich- R1 und R2 sowie R3 und R4 bilden einen Spannungs-
richter eingebaut haben. teiler. Der Strom in der Brückendiagonalen ist Null
Strommesser mit Thermoumformermeßwerk: Die (Index „0“ für Ud0), und es werden folgende Teil-
Innenwiderstände entsprechen denen bei der Gleich- spannungen abgegriffen:
strommessung, der Frequenzbereich reicht von 0,2 Hz
bis ca. 65 MHz oder 300 MHz. R2 R4
U 2 = U sp ⋅ ; U 4 = U sp ⋅ (VI.6)
R1 + R2 R3 + R 4
5.2 Digital anzeigende
Wechselstrommeßgeräte Für Ud0 folgt daraus:

Die Wechselstrommessung wird, wie bei der Gleich- ⎛ R2 R4 ⎞

U d 0 = U sp ⋅ ⎜ − ⎟
strommessung, auf eine Spannungsmessung zurück- ⎝ R1 + R 2 R3 + R4 ⎠
geführt. Deshalb sind die Innenwiderstände in beiden R 2 R 3 + R 2 R 4 − R1 R 4 − R 2 R 4
Fällen gleich. Entsprechend gilt analog zur Wechsel- = U sp ⋅
spannungsmessung: ( R1 + R 2 ) ( R 3 + R 4 )
Der Fehler ist größer als bei der Wechselspannungs- R2 R3 − R1 R4
messung, weil der Fehler des Strommeßwiderstandes Ud 0 = U sp ⋅ (VI.7)
in das Meßergebnis eingeht.
( 1 + R2 ) ( R3 + R 4 )
R

Für die Anwendung der Brückenschaltung zur

6 Widerstands- und Impedanzmessung
Für die Widerstands- und Impedanzmessung werden
hauptsächlich die Brückenschaltung, der Vergleich
mit einem bekannten Widerstand und die kombinierte
Messung aus Strom und Spannung eingesetzt.
Widerstandsmessung gibt es zwei Verfahren: 1.
Abgleichverfahren: Die Spannung Ud0 wird durch
Abgleich zu Null gemacht. 2. Ausschlagverfahren:
Die Spannung Ud0 ist ein Maß für die Abweichung
eines zu messenden Widerstandes von einem Soll-
wert.
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen 759

6.1.2 Wheatstone-Meßbrücke Die dann verwendete Thomson-Meßbrücke ist nach

im Abgleichverfahren Bild VI-8 aufgebaut. Rx ist der zu messende Wider-
stand, RN ein bekannter Widerstand. R1 bis R4 sind im
Der unbekannte Widerstand ist R1. Mindestens einer
Vergleich zu Rx hochohmig. Für die Parallelschaltung
der Widerstände R2 bis R4 wird solange verändert, bis
aus den Zuleitungswiderständen Rzu und (R1 + R2)
Ud0 Null ist. Dann gilt nach Gleichung (VI.7):
wird Rp eingeführt:
R3
R1 = R 2 (VI.8) ( R1 + R 2 ) ⋅ R zu
R4 Rp = (VI.11)
R1 + R 2 + R zu
Die Brücke ist abgeglichen. In der Praxis ist R2 stetig
Damit erhält man für die Brückendiagonalspannung
veränderbar, während das Verhältnis R3/R4 in deka-
Ud0:
dischen Stufen eingestellt werden kann und damit der
Meßbereich für den zu messenden Widerstand ge- R3
wählt wird. Die Meßunsicherheit dieser Meßbrücken U d 0 = U 3 − U x − U 1 = I ( Rx + R p + RN ) ⋅
R3 + R4
ist <⏐±10–3⏐. Sie läßt sich auf <⏐±10–4⏐ verringern,
R1
wenn auch für den Widerstand R2 Stufenwiderstände − I ⋅ Rx − I ⋅ R p ⋅
eingesetzt werden, die mehrere Dekaden überstrei- R1 + R2
chen und deren kleinste Stufung bei 1 Ω oder 0,1 Ω ⎛ R x ⋅ R3 R p ⋅ R3 R ⋅R ⎞
(VI.12)
liegt. Es können Widerstände im Bereich von etwa ⎜ + + N 3⎟
10 Ω bis 10 MΩ gemessen werden. ⎜ R3 + R4  R3 + R4 R3 + R4 ⎟
 
Bei der Schleifdraht-Meßbrücke nach Bild VI-7 wer- ⎜ ⎟
=I ⎜
A
Ud 0 ⎟
den die Widerstände R1 und R2 durch einen homo- ⎜ − R − R p ⋅ R1 ⎟
genen Widerstandsdraht mit konstantem Querschnitt ⎜ x
R1 + R2 ⎟
gebildet. Damit sind die Widerstände den jeweiligen ⎜   ⎟
⎝ B ⎠
Drahtlängen l proportional.
Die Thomson-Brücke ist für Ud0 = 0 abgeglichen.
r ⋅ l1 r⋅ l2
R1 = ; R2 = (VI.9) Diese Bedingung wird unabhängig von Rp und damit
A A von Rzu, wenn sich die beiden oben gekennzeichneten
r spezifischer elektrischer Widerstand in Ω · m, l Drahtlänge in m, Summanden A und B aufheben:
A Drahtquerschnittsfläche in m2
R3 R1
Daraus folgt die Abgleichbedingung: = (VI.13)
R3 + R4 R1 + R 2
R1 l
Rx = R4 = R4 ⋅ 1 (VI.10) Das läßt sich z.B. durch eine entsprechende mechani-
R2 l2 sche Kopplung der Widerstände R1 und R3 sowie R2
und R4 erreichen.
Der Schleifdraht wird häufig entweder als ausge-
streckter Draht von 1 m Länge oder als Schleifdraht- I
wendel auf einem walzenförmigen Körper ausge-
führt.

Usp
Rx Ux
R4 Rx R1 R3
U1 U3
Ud0
Rzu

Usp R2 R4
R2 R1 RN

Bild VI-7 Bild VI-8

Schleifdraht- Thomson-
l2 l1 Meßbrücke Meßbrücke

6.1.3 Thomson-Meßbrücke im Abgleichverfahren Setzt man die Abgleichbedingung aus Gleichung

(VI.13) in Gleichung (VI.12) ein, so folgt durch
Die Messung von Widerständen kleiner 10 Ω erfor- Auflösen des Ausdruckes nach dem unbekannten
dert die Anwendung von Potentialanschlüssen, um Widerstand Rx:
den Einfluß von Übergangswiderständen an den An-
R3
schlußklemmen zu verringern, da diese in der Grö- Rx = RN (VI.14)
ßenordnung der zu messenden Widerstände liegen. R4
760 Meßtechnik

Es können Widerstände bis herab zu etwa 10–5 Ω
gemessen werden.
6.1.4 Wheatstone-Meßbrücke
im Ausschlagverfahren
Bei der Meßbrücke im Ausschlagverfahren wird die
Spannung Ud0 gemessen. Dann läßt sich der Wider-
stand R1 nach Gleichung (VI.7) bestimmen, wenn R2
bis R4 bekannt sind. Im Gegensatz zum Abgleichver-
fahren ist jetzt aber der Widerstand R1 veränderlich.
Als Beispiel dient ein temperaturabhängiger Wider-
stand, bei dem die Temperatur über den Wider-
standswert erfaßt wird. In der Praxis ergibt sich
häufig die Forderung, daß eine Widerstandsänderung
gegenüber einem Arbeitspunkt (Sollwert) gemessen
werden soll. Für diesen Fall wird die Brücke so
ausgelegt, daß die vier Widerstände im Arbeitspunkt
gleich sind, die Brücke also abgeglichen ist (tempera-
turabhängiger Widerstand bei 0 ºC). Die Abweichun-
gen des Widerstandes vom Arbeitspunkt (Sollwert)
werden dann zweckmäßigerweise mit DR bezeich-
net.

Tabelle VI-1 Viertel-, Halb- und Vollbrücken mit +DR oder ± DR

Brückenanordnung exakt Näherung

R +ΔR R ΔR ΔR
Usp Ud0 = –Usp 4R + 2ΔR ≈ –Usp 4R
R Ud0 R

ΔR ΔR
Ud0 = Usp
4 R + 2Δ R ≈ Usp 4R
+ΔR

+ΔR ΔR ΔR
Ud0 = –Usp 2R + ΔR ≈ –Usp 2R
+ΔR

+ΔR ΔR
Ud0 = –Usp
2R
−ΔR

+ΔR −ΔR 2R · ΔR ΔR
Ud0 = –Usp ≈ –Usp 2R
4R2 – (ΔR)2

+ΔR ΔR(2R – ΔR) ΔR

Ud0 = –Usp ≈ –Usp 2R
4R2 – (ΔR)2
−ΔR

+ΔR −ΔR ΔR
Ud0 = –Usp R
−ΔR +ΔR
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen
Setzt man in Gleichung (VI.7) R2 = R3 = R4 = R und
R1 = R + DR ein, so folgt für Ud0:
⎛ R 2 − ( R + DR ) ⋅ R ⎞
U d 0 = U sp ⋅ ⎜ ⎟
⎝ ( R + DR + R ) ⋅ 2 R ⎠
− DR ⋅ R + R 2 − R 2
= U sp ⋅ (VI.15)
( 2 R + DR ) ⋅ 2 ⋅ R
− DR
U d 0 = U sp ⋅
( 4 R + 2 ⋅ DR )
DR ist mit Vorzeichen einzusetzen! Das bedeutet, daß
bei einer Widerstandsabnahme von R1, d. h. R1 – DR,
die Spannung Ud0 positiv ist (Bild VI-6b).
Zwischen der Spannung Ud0 und der Widerstands-
änderung DR besteht kein linearer Zusammenhang. Je
nach Anwendungsfall und zulässiger Meßabweichung
kann unter Umständen mit einem linearen Zusam-
menhang gerechnet werden:
− DR
U d 0 ≈ U sp für DR << R (VI.16)
4R
Die beschriebene Brücke wird auch als Viertelbrücke
bezeichnet, weil nur ein Widerstand veränderlich ist.
In der Praxis werden Brückenschaltungen häufig so
eingesetzt, daß zwei oder vier Widerstände veränder-
lich sind und Widerstandsänderungen mit positivem
und negativem Vorzeichen gleichzeitig auftreten. Für
diese Halb- oder Vollbrücken sind die Änderungen in
positiver und negativer Richtung in der Regel gleich
groß (⏐– DR ⏐= ⏐+ DR⏐). In Tabelle VI-1 sind die
verschiedenen Brückenanordnungen zusammenge-
stellt. Ist der Zusammenhang zwischen Ud0 und DR
nichtlinear, kann er häufig durch eine lineare Abhän-
gigkeit angenähert werden.
6.1.5 Wheatstone-Meßbrücke
im Ausschlagverfahren mit Widerstand
in der Brückendiagonalen
Bei der Berechnung der Spannung Ud0 wurde der
Strom in der Brückendiagonalen bisher zu Null
angenommen. Ist dagegen ein Widerstand Rd vorhan-
den (Bild VI-9a), empfiehlt sich zur Berechnung der
Spannung in der Brückendiagonalen das Verfahren
mit Ersatzspannungsquelle und Ersatzinnenwider-
stand, bezogen auf die Anschlußpunkte A und B
(Bild VI-9b). Die Ersatzspannung UE ist die Leerlauf-
spannung und damit die Spannung Ud0, die für einen
unendlich großen Widerstand Rd berechnet worden
ist (Gleichung VI.15). Der Ersatzinnenwiderstand
RiE ergibt sich, wenn die Spannungsquelle „kurzge-
schlossen“ und der Gesamtwiderstand zwischen A
und B bestimmt wird. Er läßt sich direkt ablesen.
R iE = ( R1 R 2 ) + ( R 3 R 4 ) (VI.17)
Für den Fall, daß alle 4 Widerstände gleich groß sind
(R) und daß eventuelle Widerstandsänderungen ± DR
unberücksichtigt bleiben, was wegen der kleinen
Werte zulässig ist, folgt für RiE:
761
R iE = ( R R ) + ( R R ) = R (VI.18)
Wird jetzt ein Widerstand Rd in die Brückendiagonale
zwischen die Anschlüsse A und B eingefügt, berech-
nen sich der Strom Id in Rd und die Spannung Ud zu:
Ud 0
Id = ; U d = I d ⋅ Rd (VI.19)
RiE + Rd
RiE A Id
R1 Ud R3
Usp
Id
Ud0 Ud Rd
A Rd B
R2 R4
B
Bild VI-9 Brückenersatzschaltung mit Widerstand
in der Brückendiagonalen
a) Schaltbild
b) Ersatzschaltbild
Diese Art der Berechnung ist dann von Vorteil, wenn
bei der Messung im Ausschlagverfahren in der
Brückendiagonalen empfindliche Strommesser, z.B.
Galvanometer, eingesetzt werden.
6.2 Wechselstrom-Meßbrücken zur
Widerstands- und Impedanzmessung
Wechselstrommeßbrücken dienen dazu, entweder
ohmsche Widerstände oder Impedanzen zu messen.
Die die Brücke speisende Spannung hat zweck-
mäßigerweise sinusförmigen Verlauf.
6.2.1 Messung von ohmschen Widerständen
Die Brückenschaltung kann sowohl im Abgleich- als
auch im Ausschlagverfahren eingesetzt werden. Es
wird vorausgesetzt, daß die Widerstände keinen
Blindanteil enthalten. Dann können die Gleichungen
(VI.5) bis (VI.8) und (VI.14) mit dem Zusatz über-
nommen werden, daß alle Spannungen sinusförmigen
Verlauf haben, also auch Ud0. Besonders bei der
Verwendung der Brückenschaltung im Ausschlagver-
fahren liegen die auszuwertenden Spannungen in der
Brückendiagonalen häufig im Bereich mV... mV und
sind aufgrund von Störspannungen, die in der gesam-
ten Meßeinrichtung auftreten, schwierig zu messen.
Ist dagegen ud0 sinusförmig mit der Frequenz f0, wird
eine Meßeinrichtung verwendet, die nur Signale der
Frequenz f0 auswertet und damit die Wirksamkeit von
Störspannungen und Rauschen auf einen sehr be-
grenzten Frequenzbereich um f0 herum einschränkt.
Driftvorgänge beispielsweise durch Temperaturände-
rungen oder Alterung besitzen Frequenzen im Be-
reich unterhalb 1 Hz und treten damit nicht mehr
störend in Erscheinung. Die Frequenz f0 wird in der
Regel zu 420 Hz, 5 kHz oder 10 kHz gewählt. Die
Frequenz von 420 Hz wird eingesetzt, damit man
etwa in der Mitte zwischen der 7. und 8. Oberschwin-
gung der Netzfrequenz von 50 Hz liegt (Fourier-
zerlegung z.B. von nichtsinusförmigen Verbraucher-
strömen am 50-Hz-Netz).
762 Meßtechnik

6.2.2 Messung von Impedanzen (VI.23) einsetzen. Dazu wird der Ausdruck der Paral-
lelschaltung konjugiert komplex erweitert und in die
Mit der Wechselstrommeßbrücke lassen sich Impe- Summe aus Real- und Imaginärteil zerlegt:
danzen messen, die aus einer Induktivität L oder einer
1
Kapazität C mit oder ohne ohmschen Anteil R beste- Rp ⋅
hen. Dabei kann R parallel oder in Reihe zu L oder C jwC p Rp R p ( 1 − jwR p C p )
Z= = =
angeordnet sein. Die Spannung Ud0 in der Brücken- 1 R p jwC p + 1 R p2 w 2 C p2 + 1
diagonalen ist nur dann Null, wenn sie nach Betrag Rp +
jwC p
und Phase Null ist. Damit muß sowohl ein Betrags-
als auch ein Phasenabgleich durchgeführt werden. Rp R p2 wC p
Meßbrücken dieser Art besitzen also immer zwei Z= −j
R p2 w 2 C p2 + 1 R p2 w 2 C p2 + 1
Abgleichelemente, die wechselseitig solange einzu-
1 ⎡ Rp w C p ⎤
2 2
stellen sind, bis die Spannung Ud0 Null ist. Da zwei Rp
Abgleichbedingungen vorhanden sind, können auch = + ⋅⎢ 2 2 2 ⎥
R p2 w 2 C p2 + 1 jw ⎢⎣ R p w C p + 1 ⎥⎦
zwei unbekannte Größen für die zu messende Impe- 
1
danz bestimmt werden.
Cr
Angewendet wird dieses Verfahren zur Bestimmung
der Elemente von realen Induktivitäten und Kapazi- Rp R p2 w 2 C p2 + 1
⇒ Rr = ; Cr =
täten. Das Ersatzschaltbild einer realen Induktivität R p2 w 2 C p2 + 1 R p2 w 2 C p
besteht aus der Reihenschaltung der Induktivität mit
einem ohmschen Widerstand, der im wesentlichen (VI.24)
durch den Widerstand der Wicklung verursacht wird. Die Abgleichbedingungen können auch in der Expo-
Ein realer Kondensator wird durch den Kondensator nentialform dargestellt werden.
mit einem parallelgeschalteten Widerstand dargestellt, (VI.25)
Z = R + jX = Z ⋅ e jj = Z ⋅ e jj ⇒
wobei der Widerstand den Isolationswiderstand erfaßt.
Neben diesen anschaulichen Ersatzschaltbildern wer- Z1 · Z4 = Z2 · Z3 und j1 + j4 = j2 + j3 (VI.26)
den noch zwei weitere, weniger anschauliche, ver- Die Anwendungen von Meßbrücken zur Wider-
wendet: In Reihe zu C wird ein Widerstand Rr bzw. stands- und Impedanzmessung werden in den Kapi-
parallel zu L ein Widerstand Rp geschaltet. Beide teln VII.1 und VII.2 gezeigt.
Darstellungsarten lassen sich ineinander umrechnen.
Für den Abgleichfall gilt prinzipiell die gleiche Ab- 6.3 Vergleich mit bekanntem Widerstand
leitung wie bei der Gleichstrom-Meßbrücke mit dem – Spannungsvergleich
Unterschied, daß an die Stelle der Widerstände teil-
Das vor allem in der Präzisionsmeßtechnik angewen-
weise oder insgesamt Impedanzen treten. Zur Be-
dete Verfahren ist in Bild VI-10 dargestellt. Ein be-
rechnung setzt man für die Impedanzen die Summe
kannter Widerstand RN und der unbekannte Wider-
aus einem Wirk- und einem Blindanteil ein:
stand Rx sind in Reihe geschaltet und werden vom
Z 1 = R1 + jX 1 ; Z 2 = R2 + jX 2 ; gleichen Strom durchflossen. Dann ergeben sich die
(VI.20) folgenden Beziehungen:
Z 3 = R3 + jX 3 ; Z 4 = R4 + jX 4
U N = I · RN ; Ux = I · Rx
Die Abgleichbedingung lautet: ineinander eingesetzt folgt:
Z 1 ⋅ Z 4 = Z 2 ⋅ Z 3 ⇒ ( R1 + jX 1 ) ⋅ ( R4 + jX 4 ) Rx = RN x
U
(VI.27)
= ( R2 + jX 2 ) ⋅ ( R3 + jX 3 ) (VI.21) UN
I
R1 ⋅ R 4 − X 1 ⋅ X 4 + j ( R1 ⋅ X 4 + R 4 ⋅ X 1 )
= R2 ⋅ R3 − X 2 ⋅ X 3 + j ( R3 ⋅ X 2 + R2 ⋅ X 3 ) (VI.22)
RN UN
Real- und Imaginärteil müssen jeweils Null sein.
Realteil = 0: R1 · R4 – X1 · X4 = R2 · R3 – X2 · X3
U . . V Bild VI-10
Widerstands-
Imaginärteil = 0: R1 · X4 + R4 · X1 Rx Ux messung durch
= R3 · X2 + R2 · X3 (VI.23) Spannungsvergleich
Damit können beispielsweise Realteil R1 und Imagi-
närteil X1 von Z1 aus den bekannten Größen R2 bis R4 Voraussetzung bei dieser Ableitung ist, daß der
und X2 bis X4 bestimmt werden. Innenwiderstand des Spannungsmessers groß gegen-
Ist der reale Kondensator als Parallelschaltung aus Rp über den Widerständen RN und Rx ist. Kann er nicht
und 1/jwCp gegeben, läßt sie sich in eine äquivalente vernachlässigt werden, ist die hierdurch verursachte
Reihenschaltung aus Rr (Realteil) und Cr (Imaginär- Meßabweichung um so kleiner, je mehr die zwei
teil) umrechnen und in die Gleichungen (VI.20) bis Widerstände in ihrem Wert übereinstimmen.
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen 763

6.4 Messung von Strom und Spannung unbekannte Widerstand Rx im Verhältnis zum Innen-
widerstand Ri des Strommessers ist. Deshalb ist
Werden an einem unbekannten Widerstand Strom
dieses Verfahren bevorzugt zur Messung großer
und Spannung gleichzeitig gemessen, kann der Wider-
Widerstände einsetzbar.
standswert mit dem Ohmschen Gesetz berechnet wer-
den. Bild VI-11 zeigt das Verfahren. Zur Erfassung 6.5 Widerstandsmessung
von U und I sind zwei Meßschaltungen möglich. mit analogen Multimetern
In der spannungsrichtigen Schaltung (Bild VI-11a)
wird die am Widerstand anliegende Spannung U Analoge Multimeter bieten die Möglichkeit, den Wert
richtig gemessen, der Strommesser erfaßt zusätzlich von Widerständen wenigstens überschlägig zu mes-
den Strom DI durch den Spannungsmesser mit dem sen. Dazu werden zwei Verfahren benutzt.
Innenwiderstand RU. Die hierdurch verursachte syste- Spannungsvergleich oder Parallelverfahren: Zu-
matische relative Meßabweichung berechnet sich wie nächst wird, siehe Bild VI-12, bei Leerlauf an den
folgt: Meßklemmen A und B (Rx → ∞) mit dem Potentio-
Angezeigter (gemessener) Wert xa = Rx 储 RU; richtiger meter Rv Vollausschlag am Meßinstrument einge-
Wert xr = Rx; eingesetzt folgt: stellt. RU ist der Innenwiderstand des Meßinstrumen-
R x RU R x ⋅ RU 1 R − R x − RU tes, Usp wird von einer eingebauten Batterie geliefert.
f = −1= ⋅ −1= U Dann gilt für U0:
Rx R x + RU Rx R x + RU
RU
systematische relative Meßabweichung U 0 = U sp ⋅ (VI.30)
RU + R v
1
f = (VI.28)
R Wird der unbekannte Widerstand Rx angeschlossen,
1+ U ergibt sich für die Spannung Ux:
Rx
RU R x
Ri Ri I U x = U sp ⋅ (VI.31)
A A RU R x + R v
ΔI
ΔU Löst man die Gleichung (VI.31) nach Rx auf und setzt
U0 V U U0 V
Rx Rx für Usp den entsprechend umgeformten Ausdruck aus
RU RU Gleichung (VI.30) ein, so folgt
Ux
a) b)
RU ⋅ R v U0
Bild VI-11 Widerstandsbestimmung durch Rx = ⋅ (VI.32)
RU + R v U
Strom- und Spannungsmessung 1− x
U0
a) spannungsrichtige Schaltung
b) stromrichtige Schaltung Mit den Abkürzungen b = Ux /U0 und RU 储 Rv = RiU
ergibt sich die Gleichung (VI.33)
Die Meßabweichung ist als systematische Meßabwei- b
R x = R iU ⋅ (VI.33)
chung korrigierbar und um so kleiner, je größer der 1− b
Innenwiderstand RU des Meßgerätes im Verhältnis zu
A
dem zu messenden Widerstand Rx ist. Damit eignet
sich dieses Verfahren besonders zum Messen kleiner Rv
Usp V U0 Ux
Widerstände. Rx
In der stromrichtigen Schaltung (Bild VI-11b) wird RU
der Strom richtig gemessen, der Spannungsmesser B
mißt zusätzlich den Spannungsfall DU am Innen- Meßschaltung
widerstand Ri des Strommessers. Die relative syste-
matische Meßabweichung berechnet sich zu:
Angezeigter (gemessener) Wert xa = Ri + Rx; richtiger Skala
Wert xr = Rx. Ω
Setzt man diese Ausdrücke in die Formel für die Bild VI-12 Widerstandsmessung nach dem Prinzip
relative Meßabweichung ein, folgt: des Spannungsvergleiches
relative Meßabweichung
Ri + R x R In Bild VI-12 ist auch der daraus folgende Skalenver-
f = −1= i (VI.29) lauf dargestellt. Für Ux = U0 (Vollausschlag) geht
Rx Rx
Rx → ∞; für Ux = 0 ist Rx = 0. Eine überschlägige
Die Meßabweichung ist als systematische Meßabwei- Messung von Rx ist im Bereich 0,1 · RiU < Rx
chung korrigierbar und um so kleiner, je größer der < 10 · RiU möglich.
764 Meßtechnik

Durch entsprechende Wahl von Rv und RiU (z.B. 7 Leistungsmessung

Vorwiderstände) lassen sich mehrere „Meßbereiche“
einstellen. Nach dem Abtrennen des zu messenden Neben der Wirkleistung P sind vor allem in der
Widerstandes ist das Instrument auszuschalten, weil Energietechnik noch die Blindleistung Q und die
sonst ein ständiger Strom durch das Instrument fließt Scheinleistung S von Bedeutung. Zwischen ihnen
und die Lebensdauer der Batterie herabsetzt. besteht die Beziehung
Stromvergleich oder Reihenverfahren: Bei diesem S2 = P2 + Q2 (VI.38)
Verfahren (Bild VI-13) wird der Strommesser bei
Meßbeginn und bei Kurzschluß zwischen den Meß- 7.1 Wirkleistungsmessung
klemmen A und B durch Verändern des Widerstandes
Die Wirkleistung P ist für beliebige Spannungs- und
Rv auf Vollausschlag eingestellt. Dann ergibt sich für
Stromverläufe definiert über
I0: T
1
u (t ) ◊ i (t ) d t
T Ú0
U sp  Wirkleistung P = (VI.39)
I0 = (VI.34)
Rv + R I
Für den Fall, daß Spannung und Strom sinusförmigen
RI ist der Innenwiderstand des Strommessers und Usp Verlauf haben, ergibt sich
die Spannung einer eingebauten Batterie. Mit dem
 P = U · I · cos j (VI.40)
unbekannen Widerstand Rx zwischen den Anschlüs-
sen A und B fließt dann der Strom U, I Effektivwerte von Spannung und Strom in V bzw. A, cos j
Phasenwinkel zwischen U und I
U sp
Ix = (VI.35) Ein positiver Winkel bedeutet, daß die Spannung dem
Rv + R I + R x Strom voreilt. Damit besitzen ideale Induktivitäten
einen Phasenwinkel j = +90º, ideale Kapazitäten
Gleichung (VI.35) wird nach Rx aufgelöst, und mit
j = –90º.
Gleichung (VI.34) folgt:
Die Leistungsmessung erfolgt entweder analog mit
I einem elektrodynamischen Meßwerk oder durch
1− x
I0 Auswertung der Beziehung nach Gleichung (VI.39)
R x = ( Rv + R I ) (VI.36)
Ix durch elektronische Baugruppen. Die Klemmen-
bezeichnungen sind DIN 43807 entnommen und in
I0
Bild VI-14 eingetragen. Die vom Strom durchflos-
Mit den Abkürzungen Ix /I0 = b und (Rv + RI) = RiI sene Spule wird im Schaltzeichen als waagerechter,
ergibt sich: durchgehender, dicker Leiter eingezeichnet und als
Strompfad bezeichnet, der senkrechte dünnere Strich
1− b
R x = R iI (VI.37) entspricht der Spannungsspule und heißt Spannungs-
b pfad.
Der sich daraus ergebende Skalenverlauf ist ebenfalls
in Bild VI-13 dargestellt. 7.1.1 Wirkleistungsmessung bei Wechselstrom
Strom und Spannung werden nach Bild VI-14 gleich-
RI A Ix
zeitig gemessen, so daß sich, wie bei der Wider-
A
Rv standsmessung im Kapitel VI.6.4, Bild VI-11, zwei
Usp I0 Rx mögliche Schaltungen ergeben: Stromrichtige Schal-
tung (Bild VI-14a) und spannungsrichtige Schal-
tung (Bild VI-14b). Die durch die Meßschaltung
B
Meßschaltung entstehenden systematischen Meßabweichungen nach
Gleichung (VI.28) und (VI.29) sind auch hier gültig.
Die Lastimpedanzen ZL sind in der Regel vergleichs-
Skala weise klein, so daß man nach Kapitel VI.6.4 die
spannungsrichtige Schaltung verwenden sollte. In der
Ω
Praxis dagegen wird vorwiegend die stromrichtige
Bild VI-13 Widerstandsmessung nach dem Prinzip Schaltung eingesetzt, weil je ein Spannungs- und ein
des Stromvergleiches Strompfadanschluß am Leistungsmesser gekenn-
zeichnet sind (Stern, Pfeil, ...) und die Vereinbarung
Der unbekannte Widerstand Rx läßt sich überschlägig gilt, daß die gekennzeichneten Anschlüsse zu verbin-
im Bereich 0,1 · RiI < Rx < 10 · RiI messen. Nach Ab- den und an einen der Außenleiter L1, L2 oder L3
trennen des zu messenden Widerstandes ist der Strom anzuschließen sind. Diese Regelung ist erforderlich,
durch das Instrument Null, so daß die Lebensdauer um bei der Aron-Schaltung eine Aussage über das
der Batterie nicht dadurch verkürzt wird, daß das Vorzeichen der gemessenen Leistung zu bekommen
Instrument nicht ausgeschaltet wurde. (Kapitel VI.7.1.4).
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen
 Beispiel VI.2: Ein Leistungsmesser mit den Meßbereichen 100 V
und 5 A wird im Spannungspfad mit 50 V und im Strompfad mit
10 A betrieben. Damit wird der Strompfad überlastet, obwohl der
Leistungsmesser gerade Vollausschlag zeigt.
Um die Überlastung eines Leistungsmessers ohne
eingebauten Überlastschutz erkennen zu können, wird
die vollständige Meßschaltung nach Bild VI-14c
eingesetzt. Dazu schaltet man einen Strommesser in
Reihe zum Strompfad und einen Spannungsmesser
parallel zum Spannungspfad. Diese Kontrollinstru-
mente können die Klasse 2,5 oder 5 besitzen, da sie
nur zum Erkennen der ungefähren Größe von Span-
nung und Strom dienen und gegebenenfalls eine
Überlastung anzeigen. Da die Netzspannung relativ
konstant ist, wird oft auf den zusätzlichen Span-
nungsmesser verzichtet. Leistungsmesser mit elektro-
dynamischem Meßwerk besitzen in der Regel keinen
Überlastschutz, so daß hier häufig die vollständige
Meßschaltung zum Einsatz kommt. Wird die Leis-
tung auf elektronischem Wege gemessen, erübrigt
sich der Einsatz der Kontrollinstrumente dann, wenn
diese Geräte eine eingebaute Überlasterkennung be-
sitzen.
Hinweis: Die Begriffe „spannungsrichtig“ und
„stromrichtig“ beziehen sich durchgehend auf die
Verbraucherseite.
1 2 3 5 1 2 3
L1 L1
N N
a) b)
7.1.2 Wirkleistungsmessung
in Drehstromsystemen
Drehstromsystem ist die übliche Bezeichnung für ein
dreiphasiges Wechselstromsystem. Die drei Spannun-
gen haben untereinander einen Phasenwinkel von 120º
bzw. 240º. Hier ist zu unterscheiden, ob das Dreh-
stromsystem symmetrisch belastet ist (gleiche Impe-
danz der drei im Stern und/oder im Dreieck geschalte-
ten Verbraucher), oder aber unsymmetrisch belastet ist
(die drei an die Außenleiter angeschlossenen Lastim-
pedanzen sind nicht gleich). Bei symmetrischer Last
kann der Null- oder Neutralleiter entfallen!
7.1.3 Symmetrisch belastetes Drehstromsystem
Ist die Last im Stern geschaltet und der Sternpunkt
zugänglich, wird der nicht gekennzeichnete Anschluß
765
des Spannungspfades an den Sternpunkt angeschlos-
sen. Andernfalls wird eine Meßschaltung nach
Bild VI-15 eingesetzt. Die zwei externen Widerstände
RU sind gleich dem Widerstand des Spannungspfades
und bilden einen künstlichen Sternpunkt (Bild VI-15).
Der Null- oder Neutralleiter kann entfallen.
Auch hier wird in kritischen Fällen die vollständige
Meßschaltung eingesetzt, wobei die Kontrollinstru-
mente grundsätzlich so eingeschaltet werden, daß ein
Strommesser in Reihe zu jedem Strompfad eines
Leistungsmessers und ein Spannungsmesser parallel zu
jedem Spannungspfad in die Schaltung eingefügt wird.
Da in der Regel die gesamte Wirkleistung Pges gemes-
sen werden soll, muß der vom Leistungsmesser gemes-
sene Wert P1 mit 3 multipliziert werden. Es gibt
Leistungsmesser, die diese Multiplikation intern vor-
nehmen und damit die Gesamtwirkleistung anzeigen.
7.1.4 Beliebig belastetes Dreileiter-
Drehstromsystem
Hier wird vorwiegend das Zwei-Leistungsmesser-Ver-
fahren nach Aron eingesetzt. Die in Bild VI-16 darge-
stellte Anordnung der zwei Leistungsmesser in der
Meßschaltung kann man anhand der Momentanwerte
von Strom und Spannung ableiten. Die Last ist im Stern
geschaltet, der Index „*“ kennzeichnet den Sternpunkt.
5 1 2 3 5
L1 A Bild VI-14
V Leistungsmesserschaltungen
N a) stromrichtig
b) spannungsrichtig
c) c) vollständige Meßschaltung
P1 Bild VI-15
Leistungsmesserschaltung
bei symmetrischer Last
RU
1 2 3 5
L1
L2
L3 Pges = 3 · P1
2 x RU
künstlicher Sternpunkt
766 Meßtechnik

P1 P2 Bild VI-16
I1 Zwei-Leistungsmesser-Verfahren
nach Aron
fL a) Anordnung der Leistungsmesser
U1N U12
U31 U b) Zeigerdiagramm für den
3N
Sonderfall der symmetrischen
U2N Last in Sternschaltung
1 2 3 5 1 2 3 5 fL U23
* * * * I3
L1
L2 fL Winkel der Last
L3
Pges = P1 + P2
a) b)

p = u1* · i1 + u2* · i2 + u3* · i3 Hinweis: U32 hat die entgegengesetzte Zeigerrichtung

i1 + i2 + i3 = 0 ⇒ i2 = – i1 – i3
p = i1 · (u1* – u2*) + i3 · (u3* – u2*) ; (VI.41)
u1* – u2* = u12 ; u3* – u2* = u32
p = i1 · u12 + i3 · u32
Aus Gleichung (VI.41) folgt, daß kein Null- oder
Neutralleiter angeschlossen sein darf, weil sonst die
verwendete Beziehung i1 + i2 + i3 = 0 nicht mehr gilt.
Der Übergang von den Momentanwerten zu den
Effektivwerten wird z.B. beim elektrodynamischen
Meßwerk durch die Trägheit des mechanischen
Systems, bestehend aus Drehspule mit Zeiger, be-
wirkt.
Ausgedrückt durch U, I und cos j ergibt sich die
gesamte umgesetzte Wirkleistung Pges für den allge-
meinen Lastfall zu:
Pges = U12 · I1 · cos j1 + U32 · I3 · cos j3 (VI.42a)
Formelgrößen siehe Text
Darin ist j1 der Winkel zwischen U12 und I1 und ent-
sprechend j3 der zwischen U32 und I3. Die Aus-
schläge der zwei Leistungsmesser sind vorzeichen-
richtig zu addieren, da auch negative Ausschläge
möglich sind (siehe unten). In der Praxis ist der
Fall der unsymmetrischen Last in Sternschaltung
kritisch, da die Höhe der Spannungen an den Last-
impedanzen vom Wert der einzelnen Lastimpedanzen
abhängt.
In Bild VI-16 ist das Zeigerdiagramm für symmetri-
sche Last in Sternschaltung dargestellt. Die Phasen-
winkel der drei Lastimpedanzen sind gleich. Be-
zeichnet man sie mit jL und zerlegt die zwei Winkel
aus Gleichung (VI.42a) in die Summe oder Differenz
aus dem Phasenwinkel jL der Last und dem Winkel
von 30o (zwischen Leiterstrom und Mittelpunktspan-
nung), so erhält man
Pges = U12 · I1 · cos (jL + 30º) + U32 · I3
× cos (jL – 30º);
symmetrische Last (VI.42b)
jL Winkel der Last
von U23.
Anhand des Lastfalles „Symmetrische Last“ wird auf
einige Besonderheiten bei der Leistungsmessung
nach Aron hingewiesen:
1. Nach Gleichung (VI.42b) hat ein Leistungsmesser
einen negativen Ausschlag bei jL > 60º oder
jL < – 60º. Bei Zeigerinstrumenten muß dann der
Spannungspfad umgepolt werden. Eine Umpolung
des Strompfades ist möglich, aber ungünstig, da
Ströme im Ampere-Bereich geschaltet werden
müssen und die Unterbrechung von induktiven
Verbrauchern wegen möglicher Spannungsüber-
höhungen problematisch sein kann. Viele Leis-
tungsmesser besitzen deshalb einen entsprechen-
den Umschalter im Spannungspfad. Die so
abgelesene Leistung ist bei der Berechnung der
Gesamtwirkleistung negativ einzusetzen.
2. Auch der Ausschlag Null ist bei einem Leis-
tungsmesser möglich, wenn gilt: jL = 60º oder
jL = – 60º.
3. Beim Anschluß von idealen Blindwiderständen
sind die Anzeigen der zwei Leistungsmesser nicht
Null, da sie nicht den Winkel der Last mit + 90º
oder – 90º erhalten, sondern einen um + 30º oder
– 30º veränderten Winkel. Allerdings sind die
Ausschläge der zwei Leistungsmesser entgegen-
gesetzt gleich groß, so daß sich als Gesamtwirk-
leistung nach vorzeichenrichtiger Addition der
korrekte Wert Null ergibt.
7.1.5 Beliebig belastetes Vierleiter-
Drehstromsystem
Die Leistungsmessung geschieht durch drei Leis-
tungsmesser, die nach Bild VI-17 angeschlossen
werden. Dabei kann die Last aus einer beliebigen
Kombination von Verbrauchern bestehen (Verbrau-
cher im Dreieck und/oder im Stern geschaltet
und/oder Wechselstromverbraucher). Die gesamte
umgesetzte Wirkleistung Pges ergibt sich aus der
Summe der drei von den Leistungsmessern angezeig-
ten Einzelwirkleistungen: Pges = P1 + P2 + P3.
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen
P1 P2
1 2 3 5 1 2 3 5 1 2 3
L1
L2
L3
N
Pges = P1 + P2 + P3
7.2 Blindleistungsmessung
Für sinusförmigen Spannungs- und Stromverlauf be-
rechnet sich die Blindleistung Q zu
 Blindleistung Q = U · I · sin jL (VI.43)
jL Winkel der Last; U, I Effektivwerte von Spannung und Strom in V
bzw. A
In größeren Firmen muß die meist durch Motoren verur-
sachte induktive Blindleistung kompensiert werden, weil
die zugehörigen Ströme das Netz zusätzlich belasten.
7.2.1 Blindleistungsmessung bei Wechselstrom
Sie wird in der Praxis selten angewendet. Bei den
analog anzeigenden Blindleistungsmessern wird ein
Phasenschieber eingebaut, der im Spannungspfad
eine Phasenverschiebung von 90º erzeugt (sin j =
cos (90º – j)). Bei den digital anzeigenden Leistungs-
messern wird der Phasenwinkel elektronisch gemes-
sen und die Blindleistung nach Gleichung (VI.43)
rechnerisch ermittelt.
7.2.2 Blindleistungsmessung in symmetrisch
belasteten Dreileiter-Drehstromsystemen
Q1
1 2 3 5 I1
L1
U23
L2
L3 Qges = 3 · Q1
Bild VI-18 Blindleistungsmessung im symmetrisch
belasteten Dreileiter-Drehstromsystem;
Zeigerbild für ohmsche Last
Im Zeigerbild sind Spannung und Strom für einen
ohmschen Verbraucher RL eingetragen (Bild VI-18).
Damit ist der Phasenwinkel der Last Null. Der Leis-
767
P3 Bild VI-17
Leistungsmesserschaltung
im beliebig belasteten Vierleitersystem
5
tungsmesser erhält aber die Spannung U23 und den
Strom I1, die den Winkel 90º zueinander haben. Er
zeigt damit die Blindleistung für diesen Fall korrekt
zu Null an. Andere Phasenwinkel der Last werden für
die Blindleistungsmessung ebenfalls richtig erfaßt.
Wegen der symmetrischen Last kann der Nulleiter
entfallen.
Die gesamte Blindleistung erhält man mit folgender
Beziehung:
Q ges = 3 ⋅ Q1 ; symmetrische Last (VI.44)
Q1 vom Leistungsmesser angezeigte Blindleistung in Var; Qges
gesamte Blindleistung in Var
Da die Spannung am Spannungspfad um den Faktor
U 23 / U 1N = 3 zu groß ist, muß zur Berechnung der
gesamten Blindleistung Qges zunächst durch 3 ge-
teilt und anschließend die gemessene Blindleistung
Q1 mit 3 multipliziert werden. Das ergibt den Faktor
3/ 3 = 3 in Gleichung (VI.44).
7.2.3 Blindleistungsmessung in beliebig belasteten
Vierleiter-Drehstromsystemen
Die Meßschaltung nach Bild VI-19 entspricht der
Aron-Schaltung bei der Wirkleistungsmessung. Die
Gesamt-Blindleistung wird unabhängig von der Art
der angeschlossenen Last richtig gemessen, wenn
folgende Grundsätze beachtet werden:
1. Die angezeigten Blindleistungen Q1 und Q2 der
zwei Leistungsmesser sind vorzeichenrichtig zu
addieren und anschließend mit dem Faktor 3 zu
multiplizieren.
2. Beim Anschluß der zwei Leistungsmesser ist auf
richtige Polung zu achten (Bild VI-19).
Der Faktor 3 entsteht auf die gleiche Weise wie im
symmetrisch belasteten Drehstromsystem, jetzt aber
über den zu groß gemessenen Strom.
Q ges = 3 ⋅ ( Q1 + Q 2 ) , beliebige Last (VI.45)
Q1, Q2 von den Leistungsmessern angezeigte Blindleistung in Var;
Qges gesamte Blindleistung in Var
768 Meßtechnik

Q1 Q2 kreis bewirken. Bild VI-20 zeigt eine Leistungsmes-

serschaltung mit Spannungs- und Stromwandler.
Eine Kenngröße für den Spannungswandler ist die
Nennübersetzung kNU.
 Nennübersetzung des Spannungswandlers
U Np
k NU = (VI.47)
1 2 3 5 1 2 3 5 U Ns
UNp primärseitige Nennspannung in V; UNs sekundärseitige Nenn-
L1 spannung in V
L2 Die sekundärseitige Nennspannung ist in der Regel
L3 zu 100 V festgelegt, wenn die primärseitige Nenn-
N spannung anliegt.
Qges = 3(Q1 + Q2)  Nennübersetzung des Stromwandlers
Bild VI-19 Blindleistungsmessung im beliebig I Np
k NI = (VI.48)
belasteten Drehstromsystem I Ns
INp primärseitiger Nennstrom in A; INs sekundärseitiger Nennstrom
7.3 Scheinleistungsmessung in A
Der sekundärseitige Nennstrom beträgt in der Regel
Die Scheinleistung S ist das Produkt aus Spannung
5 A bei primärseitigem Nennstrom.
und Strom für jL = 0º:
Bei der Leistungsmessung mit Spannungs- und
 Scheinleistung S = U · I (VI.46)
Stromwandlern ergibt sich die Beziehung zwischen
Sie wird gemessen, indem entweder U und I getrennt der mit dem Leistungsmesser gemessenen Leistung
gemessen und dann multipliziert werden, oder aber P1 und der tatsächlich in der Lastimpedanz Z umge-
Spannungs- und Strompfad erhalten je einen Gleich- setzten Wirkleistung PZ aus
richter mit anschließender Glättung im Spannungs-
PZ = kNU · kNI · P1 (VI.49)
pfad. Dann werden beide Größen multipliziert, ent-
PZ Wirkleistung in der Impedanz Z in W; kNU, kNI siehe Gleichungen
weder analog im elektrodynamischen Meßwerk oder (VI.47, 48); P1 vom Leistungsmesser angezeigte Wirkleistung in W
analog oder digital auf elektronischem Wege im
digital anzeigenden Leistungsmesser. Wichtig beim Einsatz von Stromwandlern ist, daß sie
niemals sekundärseitig im Leerlauf betrieben werden
7.4 Meßbereichserweiterung dürfen, weil sonst sehr hohe lebensgefährliche Span-
bei der Leistungsmessung nungen anliegen. Pro Spannungswandler können
sekundärseitig mindestens drei Instrumente (Span-
Für die Meßbereichserweiterung von Spannungs- und
nungspfade, Spannungsmesser) parallelgeschaltet wer-
Strompfad sind grundsätzlich die im Kapitel VI.3
den; pro Stromwandler ebenfalls mindestens drei
aufgeführten Maßnahmen mit Vor- und Parallel-
(Strompfade, Strommesser) in Reihe. Beide Wandler
widerstand möglich. Allerdings wird der Einsatz von
sind sekundärseitig zu erden, damit bei Fehlern im
P1
Wandler (Verbindung zwischen Primär- und Sekun-
Bild VI-20
därwicklung) sekundärseitig keine unzulässig hohen
Leistungsmesser-
Spannungen auftreten.
schaltung mit
Spannungs- und
Stromwandler 7.5 Leistungsfaktormessung
Der Leistungsfaktor cos j ist bei sinusförmigen Span-
nungen und Strömen gleich dem Kosinus des Winkels
1 2 3 5 j zwischen U und I. Er wird entweder rechnerisch
über zwei der drei gemessenen Größen P, Q und S
über die Beziehungen j = arctan (Q/P) oder j =
k l
L1 U u
arccos (P/S) bestimmt, oder er wird mit einem entspre-
K L chend konstruierten cos-j-Meßgerät mit Kreuzspul-
meßwerk gemessen. Digital anzeigende Leistungs-
V v messer setzen häufig das rechnerische Verfahren ein.
L2

Spannungs- und Stromwandlern bevorzugt, weil diese

8 Messung der Arbeit
neben einer günstigeren Leistungsbilanz (keine Ver-
luste an Vor- und Nebenwiderständen) eine galva- Die elektrische Arbeit W berechnet sich bei konstan-
nische Trennung zwischen Leistungskreis und Meß- ter Leistung P zu:
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen
SP1
i1 ( t )
J1 o1(t)
o1
SP2
J2
i 2 ( t)
o2(t)
A B
o1(t) o1(t)
J1 AS
Zählwerk
 Arbeit W = P · t für P = const
W elektrische Arbeit in Ws bzw. kWh, P Leistung in W bzw. kW,
t Zeit in s bzw. h
Ändert sich die Leistung mit der Zeit, müssen die
Momentanwerte addiert und auf die Zeit bezogen
werden. Mathematisch ausgedrückt heißt das, daß
über die Momentanwerte p(t) der Leistung integriert
werden muß:
T stromsystemen, nach Bild VI-14 oder Bild VI-17.
 Arbeit W = ∫ p ( t ) d t
0 Meßschaltung verdrahtet.
Momentanwert der Leistung zeitabhängig
W elektrische Arbeit in Ws bzw. kWh, p(t) Momentanwert der
Leistung in W bzw. kW (zeitabhängig), T Dauer der Erfassung in s
bzw. h
Die Messung der elektrischen Arbeit geschieht in
jedem Haushalt zum Zweck der Gebührenerfassung
mit einem Elektrizitätszähler, der nach dem Prinzip
des Induktionszählers nach Bild VI-21 aufgebaut ist.
Der von der Stromspule SP1 hervorgerufene sinus-
förmige magnetische Fluß F1 und der von der Span-
nungsspule SP2 verursachte magnetische Fluß F2
bewirken ein resultierendes Drehmoment für die
Aluminiumscheibe, das dem Momentanwert der
Wirkleistung proportional ist. Der Bremsmagnet BM
erzeugt in der Scheibe Wirbelströme, die ein Ge-
gendrehmoment proportional zur Drehzahl bewirken.
Sind beide Drehmomente im Gleichgewichtszustand,
ist der Momentanwert der Drehzahl der Scheibe dem
Momentanwert der Wirkleistung proportional. Über
ein Zählwerk werden die Momentanwerte addiert und
damit die vom Elektrizitäts-Versorgungsunternehmen
(EVU) gelieferte Arbeit gemessen. Sie wird aus prak-
tischen Erwägungen nicht in Wattsekunden, sondern
in Kilowattstunden angegeben.
769
Schnitt A–B
o2
o1
iw iw
N BM
AS Aluminiumscheibe
SP1 Stromspule
SP2 Spannungsspule
BM Bremsmagnet
J1 Joch Stromspule
J2 Joch Spannungsspule Bild VI-21
Prinzip eines Induktionszählers
für Wechselstrom
(VI.50a) Der dargestellte Induktionszähler ist für die Messung
in Wechselstromkreisen ausgelegt, kann aber auf die
Erfassung der Arbeit in Drehstromsystemen dadurch
erweitert werden, daß die Spulenanordnung dreimal
(für jeden Außenleiter getrennt) angebracht wird.
Damit sind dann drei Spannungs- und drei Stromspu-
len vorhanden. Der Anschluß geschieht, wie bei der
Leistungsmessung in Wechselstromkreisen oder Dreh-
(VI.50b) Intern ist der Elektrizitätszähler für die stromrichtige
Die Proportionalitätskonstante zwischen der Anzahl
der Umdrehungen der Aluminiumscheibe und der
Arbeit heißt Zählerkonstante und wird auf dem Typen-
schild des Zählers in Umdrehungen/kWh angegeben.
9 Messung von L, C,
Gütefaktor und Verlustfaktor
Industriell gefertigte Induktivitäten und Kapazitäten
sind keine idealen Bauelemente in dem Sinne, daß sie
einen Phasenwinkel von genau + 90º oder – 90º zwi-
schen U und I besitzen. Vielmehr treten Verluste auf,
die in einem einfachen Ersatzschaltbild durch ohm-
sche Widerstände dargestellt werden (Bild VI-22). In
Reihe zu der als ideal angenommenen Induktivität L
liegt der Wirkwiderstand RL, der im wesentlichen
den Wicklungswiderstand der Spule erfaßt. Es wird
vorausgesetzt, daß die Spule keinen Eisenkern besitzt,
weil dann durch die nichtlineare Beziehung zwischen
der magnetischen Feldstärke H des Eisens und der
Flußdichte B die Induktivität L vom Strom abhängt.
Parallel zum Kondensator C liegt der Widerstand RC,
der den Isolationswiderstand darstellt. Damit ergeben
sich die Zeigerdiagramme in Bild VI-22.
770 Meßtechnik

U L = I ⋅ R L2 + ( wL ) = I ⋅ Z L
L 2
C
I RL L I Ic C 1
UC = I ⋅ = I ⋅ ZC (VI.52)
IRc Rc 2
⎛ 1 ⎞
⎟ + ( wC )
URL UL 2
⎜
U U ⎝ RC ⎠

Reihenersatzschaltung Parallelersatzschaltung Die gemessenen Impedanzen stimmen mit denen von

Spule bzw. Kondensator um so mehr überein, je klei-
im im ner RL und je größer RC ist. Da bei Kondensatoren
häufig RC >> 1/(w · C) ist, ergeben sich dann relativ
U I genaue Werte für C. Bei Induktivitäten sind in vielen
d d Fällen Überschlagsmessungen für L möglich.
UL Ic
9.2 Messung von ZL, ZC,
f f
Gütefaktor und Verlustfaktor
URL I re IRc U re
Die verwendeten Meßverfahren messen in der Regel
L und RL bzw. C und RC. Daraus wird Q oder tan d
Komplexer Komplexer entweder manuell errechnet oder durch ein in das
Widerstand: Leitwert: Meßgerät eingebautes Rechenprogramm bestimmt.
ZL = RL + jωL YC = (1/RC) + jωC
Grundlage für die Meßverfahren ist die Brücken-
Verlustwinkel: Verlustwinkel: schaltung, die nach Kapitel VI.6.2.2 und Gleichung
d ≠ π – | f| d ≠ π – |f| (VI.23) die Möglichkeit bietet, zwei Größen einer
2 2
Verlustfaktor: Verlustfaktor: Impedanz zu messen:
P P
tand = tand = Realteil = 0: R1 · R4 – X1 · X4 = R2 · R3 – X2 · X3
|Q| |Q|
Imaginärteil = 0: R1 · X4 + R4 · X1
Bild VI-22 Ersatzschaltbild und Zeigerdiagramm
= R3 · X2 + R2 · X3 (VI.53)
realer Spulen und Kondensatoren
In Bild VI-23 sind drei Brückenanordnungen darge-
stellt. Allgemein gilt, daß die zu messende Größe mit
Eine reale Spule kommt der idealen Spule um so dem Index „x“ versehen ist und an der Stelle von Z1
näher, je kleiner RL im Verhältnis zur Impedanz angeordnet wurde. Die jeweils zwei Abgleichele-
XL = w · L ist. Für dieses Verhältnis gilt (w · L)/RL = mente sind wechselseitig solange zu verstellen, bis
tan ϕ. Damit könnte man durch die Angabe von ϕ die Spannung in der Brückendiagonalen Null ist.
oder tan ϕ die Eigenschaft einer Spule charakterisie- Dann lassen sich mit den Gleichungen (VI.53) die
ren mit der Tendenz, daß eine reale Spule der idealen zwei unbekannten Elemente bestimmen.
umso näher kommt, je mehr sich ϕ dem Wert 90º Bei der Kapazitätsmeßbrücke ist das Reihenersatz-
oder tan ϕ dem Wert ∞ nähert. Aus praktischen Er- schaltbild für den Kondensator angegeben, das sich
wägungen heraus hat man nicht den Winkel ϕ, son- aber in das anschaulichere Parallelersatzschaltbild um-
dern den Ergänzungswinkel zu 90º, d, gewählt. tan d rechnen läßt. Dieses Ersatzschaltbild hat den Vorteil,
wird als Verlustfaktor bezeichnet, der Kehrwert daß die folgende einfache Zuordnung der Elemente
1/tan d als Gütefaktor Q. Für reales L und C ergibt von Gleichung (VI.53) nach den Elementen des
sich Bildes VI.23a gilt:
 Gütefaktor einer Spule Q = 1/tan d = w · L/RL R1 → Rx ; X1 → – 1/(w · Cx ); R2 → R2 ;
 Gütefaktor eines Kondensators X2 → – 1/(w · C2 ); R3 → R3 ; R4 → R4 ;
Q = 1/tan d = w · C · RC (VI.51) X3 = X4 = 0
Zur Messung der Induktivität oder der Kapazität gibt
 Beispiel VI.3: Umrechnung eines Reihen-Ersatzschaltbildes in
es zwei prinzipiell unterschiedliche Meßverfahren.
ein Parallel-Ersatzschaltbild.

9.1 Messung von ⏐ZL⏐oder ⏐ZC⏐ 1 R ⋅ w⋅ Cr − j

Z = Rr − j = r
wCr wCr
Dieses Meßverfahren wird hauptsächlich in Vielfach-
1 wCr wC ( R ⋅ w⋅ Cr + j )
Meßinstrumenten oder L- und C-Meßgeräten der = = r r
Z Rr ⋅ w⋅ Cr − j ( Rr ⋅ w⋅ Cr ) 2 +1
unteren Preisklasse eingesetzt. In den zu messenden
Kondensator oder in die Spule wird ein sinusförmiger Rr ⋅ w2 ⋅ Cr2 wCr 1
= +j = + jwCp
Strom bekannter Frequenz (z.B. 1 kHz) eingespeist. ( Rr ⋅ w⋅ Cr ) 2 +1 ( Rr ⋅ w⋅ Cr ) 2 +1 Rp
Die sich einstellende Spannung wird gemessen und ( R ⋅ w⋅ Cr ) 2 +1 Cr
⇒ Rp = r ; Cp =
ist dem Betrag der Impedanz proportional. Rr ⋅ w2 ⋅ Cr2 ( Rr ⋅ w⋅ Cr ) 2 +1
VI Meßverfahren zur Messung elektrischer Größen
Rx Rx
R3 R3
Lx
Usp Cx Usp
R2
R4 R2 R4 C4
C2
R4 R R3
Cx = C2 · ; R = R2 · 3 Lx = R2·R3·C4 ; Rx = R2·
R3 x R4
a) b)
Bild VI-23 Beispiele für L- und C-Meßbrücken
a) Kapazitätsmeßbrücke
b) Induktivitätsmeßbrücke nach Maxwell-Wien
c) Schering-Meßbrücke
Die Schering-Meßbrücke dient zum Messen von
Hochspannungskondensatoren für die Energietechnik.
Damit ist die Frequenz zu 50 Hz festgelegt, die Brü-
ckenspeisespannung kann mehrere kV betragen.
Durch die angegebene Dimensionierung von R4 läßt
sich der Verlustfaktor direkt messen. Dieser darf bei
Hochspannungskondensatoren bestimmte Werte nicht
überschreiten, da sie sich sonst zu stark erwärmen
und damit selbst zerstören.
Moderne Meßgeräte verwenden intern häufig die
Brückenschaltungen zur Bestimmung von Real- und
Imaginärteil des zu messenden Bauelementes. Der
Nullabgleich geschieht vollautomatisch. Güte- und
Verlustfaktor werden berechnet, das Ersatzschaltbild
des Kondensators oder der Spule kann sowohl in
der Paralleldarstellung (Cp und RCp oder Lp und RLp
parallel) als auch in der Reihendarstellung (Cr und
RCr oder Lr und RLr in Reihe) auf einem LCD-
Bildschirm dargestellt werden. Die einzelnen Größen
einschließlich Meßfrequenz und Meßstrom (wichtig
für Spulen mit Eisenkern) werden ebenfalls zahlen-
mäßig eingeblendet.
Ein anderes Verfahren speist einen konstanten sinus-
förmigen Wechselstrom vorgegebener Frequenz in das
zu messende Bauelement ein. Zwei Spannungsmesser
mit phasenempfindlichem Gleichrichter messen die
Spannung über dem Bauelement und filtern jeweils die
Inphase-Komponente der Spannung mit dem Strom
(entspricht dem Wirkanteil) und die ±90º-Komponente
(entspricht dem induktiven oder kapazitiven Blindan-
teil) heraus. Daraus lassen sich dann die zu messenden
Größen berechnen und anzeigen.
10 Messung magnetischer Größen
Die am häufigsten gemessenen magnetischen Größen
sind der magnetischer Fluß F in Weber (1 Wb =
1 Vs), die magnetische Flußdichte B in Tesla (1 T =
1 Vs/m2 = 1 Wb/m2), die magnetische Feldstärke H in
A/m und die Permeabilität (m = m0 · mr = B/H).
771
Rx
CN
Cx
Usp
R3 R4 C4
Dim.: R4 = 1000
π Ω tand = R4ωC4
R4
R C
Cx = CN · 4 ; Rx = R3 · 4
R3 CN
5 C4
tand = 10 ·
F
1
mit ω = 2 · π · 50 s
10.1 Magnetischer Fluß
Zeitlich veränderlicher Fluß: Handelt es sich um
einen sinusförmig veränderlichen Fluß, der in seiner
Gesamtheit durch eine bestimmte Fläche hindurchtritt
(kein Streufluß), legt man um diese Fläche eine Spule
mit N Windungen. In der Spule wird dann eine Span-
nung u(t) induziert:
d F( t )
u(t ) = − N ⋅ (VI.54)
dt
Mit F(t) = Fm · sin wt und d(F(t))/dt = w · Fm · cos wt
folgt für die Beziehung der Scheitelwerte um und Fm
um = –N · w · Fm (VI.55)
Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß an Form und
Größe der Fläche, durch die der Gesamtfluß hin-
durchtritt, keine Bedingungen gestellt werden, da die
Spule nur diese Fläche voll umfassen muß.
Zeitlich konstanter Fluß: Ist der zu messende magne-
tische Fluß zeitlich konstant, kann man den Strom,
der den Fluß verursacht, ein- oder ausschalten. Durch
diese Flußänderung wird eine Spannung in der be-
nutzten Spule induziert. Der Momentanwert der indu-
zierten Spannung hängt natürlich von dem zeitlichen
Verlauf des Schaltvorgangs und damit vom zeitlichen
Verlauf des Flusses F(t) ab. Integriert man aber die
Momentanwerte der Spannung mit einem elektroni-
schen Integrierer, so ist der erhaltene Spannungswert
uges dem Gesamtfluß Fges proportional.
Eine weitere Möglichkeit zur Flußmessung unab-
hängig vom zeitlichen Verlauf ist mit der bei der
Messung der magnetischen Flußdichte B beschriebe-
nen Hall-Sonde möglich. Diese mißt zwar die magne-
tische Flußdichte B, wenn aber B auf der Fläche A
konstant ist, erhält man F durch Multiplikation mit
der Fläche A (F = B · A). Ist B nicht konstant auf A,
teilt man die Fläche in kleine Teilflächen auf, mißt
die jeweilige Flußdichte B und summiert die erhalte-
nen Werte zum Gesamtfluß auf.
772
10.2 Magnetische Flußdichte
Die magnetische Flußdichte B wird zunehmend mit
der Hallsonde gemessen (Bild VI-24). Der Strom I
durchfließt ein Plättchen der Dicke d, wobei d klein
ist gegenüber der Länge und der Breite. Das Plättchen
wird senkrecht in der eingezeichneten Weise von
einem Magnetfeld mit der Flußdichte B durchsetzt.
Dann kann nach Bild VI-24 eine Spannung, die
sogenannte Hallspannung, abgegriffen werden. Sie
entsteht durch die Lorentzkraft, die auf die in einem
Magnetfeld bewegten Elektronen eine Kraft ausübt
und eine Ladungstrennung bewirkt.
Hallspannung UH = (kH · I · B)/d (VI.56)
UH Hallspannung in V; kH Hallkonstante in m3/As; I Strom in A;
B magnetische Flußdichte in Vs/m2; d Plattendicke in m
Die Hallkonstante kH ist besonders groß bei den
technologisch gut beherrschten Materialien Indium-
antimonid und Galliumarsenid. Sie liegt in der Grö-
ßenordnung (102 ... 103) cm3/A · s.
Schaltsymbol
d UH
I –1,0
B –1,0
Die Hallsonde vom Typ RHY 10 (Siemens) hat einen
Gehäusedurchmesser von 2,5 mm. Der Nennstrom ist
100 mA. Bei einer Flußdichte von 1 T ergibt sich eine
Leerlauf-Hallspannung von etwa 100 mV. Der In-
nenwiderstand der Hallspannungsquelle und der
Stromeinspeisungsseite betragen jeweils etwa 2 Ω.
Häufig wird die Leerlauf-Empfindlichkeit angegeben:
Ausgangsspannungsänderung zu Stromänderung ×
Flußdichteänderung in der Einheit V/AT. Damit
können unterschiedliche Hallsonden miteinander
verglichen werden. Für die Sonde RHY 10 ergibt sich
ein Wert von 0,1 V/(0,1 A × 1 T) = 1 V/AT. Das Vor-
zeichen der Hallspannung hängt von der Richtung des
Magnetfeldes ab.
Weiterhin lassen sich zur Messung magnetisch steuer-
bare Widerstände (Feldplatten) verwenden. Werden
sie von einem Magnetfeld durchsetzt, nimmt ihr
Widerstand R mit zunehmender Flußdichte B zu. Die
Abhängigkeit ist nichtlinear.
Die Feldplatte FP 30 N 60 E (Siemens) hat die äuße-
ren Maße 3,2 mm × 1,2 mm. Der Widerstand beträgt
bei B = 0 etwa 50 Ω; bei B = 0,3 T ist er auf
den Wert 1,4 · 50 Ω angestiegen, bei B = 1 T auf
5 · 50 Ω. Durch eine Wechsel-Vormagnetisierung
lassen sich Flußdichten im mT-Bereich messen. Der
Widerstand ist ein reiner Wirkwiderstand, der nicht
von der Richtung des Magnetfeldes abhängt.
Meßtechnik
10.3 Magnetische Feldstärke
In Materialien, in denen die Permeabilitätszahl mr
konstant ist (mr ⫽ f(i)), wird die magnetische Feld-
stärke dadurch bestimmt, daß man die magnetische
Flußdichte B mit einem der oben genannten Verfah-
ren mißt und über die Beziehung B = m0 · mr · H die
Feldstärke errechnet.
In ferromagnetischen Materialien ändert sich die Per-
meabilitätszahl mr mit der Flußdichte B. Zur Messung
nutzt man aus, daß in parallelen magnetischen Kreisen
die magnetische Spannung gleich groß ist. Der eine
Kreis ist der Kreis mit dem ferromagnetischen Materi-
al, der andere parallele Kreis ein Luftkreis. Wird in
beiden Kreisen ein homogenes Feld erzeugt, bestimmt
man die Feldstärke im Luftkreis und hat damit gleich-
zeitig den Wert für den anderen Kreis. Die Feldstärke
im Luftkreis wird über die induzierte Spannung gemes-
sen, indem von den Formeln (VI.55) und F = B · A
= m · H · A Gebrauch gemacht wird.
UH/V
1,0
UH = f(B)
Bild VI-24
1,0 B/T Hallsonde
a) Schaltsymbol
b) Aufbau
c) Kennlinie RHY 10
RHY 10 (Siemens)
10.4 Permeabilität
Die magnetischen Eigenschaften ferromagnetischer
Werkstoffe werden häufig durch die Magnetisie-
rungskurven B = f(H) beschrieben. Ändert man die
Feldstärke periodisch zwischen einem positiven und
einem gleich großen negativen Wert, bekommt man
die Hystereseschleife nach Bild VI-25.
Im Teil a) ist die Meßschaltung zu deren Aufnahme
dargestellt. Die magnetische Feldstärke H(t) ist dem
Strom i1(t) = Im · sin wt in der Primärspule proportio-
nal. Dieser Strom wird als proportionaler Spannungs-
fall u1(t) = i1(t) · R1 dem X-Verstärker eines Oszil-
loskops zugeführt. Damit ist u1(t) = k · H(t). Die
Flußdichte B(t) wird über F(t) ermittelt. Für die in
der Sekundärspule induzierte Spannung u2(t) gilt
nach Gleichung (VI.54): u2(t) = – N · dF(t)/dt. Für
F(t) = Fm · sin wt ergibt sich u2(t) = – N · w · Fm
× cos wt = –N · w · Bm · A · cos wt.
Zwischen B(t) und H(t) besteht aber noch eine Pha-
senverschiebung von 90º. Deshalb wird die Spannung
u2(t) zunächst über einen Tiefpaß aus R2 und C ge-
schickt und anschließend dem Y-Verstärker des
Oszilloskops zugeführt. Dieser Tiefpaß wirkt dann
als Integrierer mit einer Phasenverschiebung von
nahezu – 90º, wenn seine Grenzfrequenz wesentlich
geringer ist als die Frequenz der den Transformator
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen 773

R2 Bild VI-25
Messung der Hystereseschleife
U u2(t) a) Meßschaltung
R1 C b) Hystereseschleife

i1(t) u1(t)

N Neukurve Br N
Br magn. Remanenz
(Restmagnetismus) H
Hc Koerzitivfeldstärke Hc

speisenden Spannung. Mit R2 = 1 MΩ und C = 1 mF werden. Der dargestellten Hystereseschleife läßt

ergibt sich eine Grenzfrequenz von etwa 1 Hz, und
damit ist diese Bedingung bei einer Transformator-
speisung mit 50 Hz erfüllt.
Über die Messung der Scheitelwerte von B und H
nach einem der oben beschriebenen Verfahren kann
auf der X- und Y-Achse eine Skalierung angebracht
sich die flußdichteabhängige Permeabilität gemäß
B = m · H entnehmen. Die von der Hystereseschleife
eingeschlossene Fläche ist der für die Wirbelströme
aufzubringenden Arbeit proportional. Weiterhin las-
sen sich die Koerzitivfeldstärke Hc und die Rema-
nenzflußdichte Br ablesen.

VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen

Tabelle VII-1 Vor- und Nachteile des elektrischen Messens nichtelektrischer Größen

Vorteile Nachteile
Hohe Meßgenauigkeit Meist Hilfsenergie erforderlich
Große Empfindlichkeit Manchmal höherer Preis
Meist geringe Rückwirkung auf den Meßkreis
Gute Anpassungsmöglichkeit an die Meßgröße
Einfache Meßwertübertragung über 2-Draht-Leitung oder drahtlos
Einfache Speicherung, Registrierung und Weiterverarbeitung
Grenzfrequenz der Meßeinrichtung wesentlich höher als die der zu
messenden Größe
Große Ausgangsleistung durch elektrische Verstärker

Die elektrische Messung nichtelektrischer Größen
gewinnt zunehmend an Bedeutung, da einerseits sehr
leistungsfähige Meßverfahren entwickelt worden sind
und andererseits die Meßdatenverarbeitung auf elek-
trischem Wege in Rechnern geschieht und damit die
Umsetzung der nichtelektrischen Größen in elek-
trische Größen zwingend notwendig ist. In Tabelle
VII-1 sind einige Vor- und Nachteile der elektrischen
Messung nichtelektrischer Größen gegenüber der
nichtelektrischen Messung dargestellt.
In Bild VII-1 ist eine Meßeinrichtung zur Messung
nichtelektrischer Größen mit den verwendeten spe-
ziellen Bezeichnungen dargestellt. Ein Teil der Be-
griffe wurde schon im Kapitel I.1 erläutert.
774
Hilfsenergie
Meßglieder
Meßobjekt
Sensor Umformer Umformer
Δu ΔR ΔU1
Meßgröße Widerstands- Brücken- Spannungs-
Temperatur thermometer schaltung verstärker
Δu ΔR ΔU1
ck1 = ck2 = ck3 =
ΔR ΔU1 ΔU2
ck = ck1 · ck2 · ck3 · ck4 =
 Meßkette: Die gesamte Meßeinrichtung wird als
Meßkette bezeichnet. Sie beginnt bei dem Meß-
objekt, dessen nichtelektrische Größe, hier am
Beispiel der Temperaturmessung dargestellt, ge-
messen werden soll. Die Meßgröße Temperatur
wird von einem Sensor oder Meßaufnehmer er-
faßt, der das erste von mehreren Meßgliedern ist.
Der Sensor kann entweder aktiv oder passiv sein.
Ein aktiver Sensor setzt die thermische Energie in
elektrische Energie um. So steht beim Thermoele-
ment eine reale Spannungsquelle mit temperaturab-
hängiger Leerlaufspannung und Innenwiderstand
zur Verfügung, der ein Strom entnommen werden
kann. Beim passiven Sensor wird eine elektrische
Größe durch die nichtelektrische Größe beeinflußt
(in ihrem Wert geändert), wie das bei den tempera-
turabhängigen Widerständen, beispielsweise Wi-
derstandsthermometern, NTC- und PTC-Wider-
ständen, der Fall ist. Der sich ändernde Wider-
standswert kann nicht direkt ausgewertet werden,
sondern muß erst über einen Spannungsteiler oder
einen eingeprägten konstanten Strom in eine aus-
wertbare Spannungsänderung umgesetzt werden.
Das geschieht in einem weiteren Meßglied.
Manche Meßeinrichtungen erfordern drei oder mehr
Meßglieder, wie z.B. die Kraftmessung mit Deh-
nungsmeßstreifen (Kapitel VII.2.1). Die zu messende
Kraft wird zunächst in eine Längenänderung, dann in
eine Widerstandsänderung, diese in eine Spannungs-
änderung und schließlich in einen Zeigerausschlag um-
gesetzt. Ziel der Meßtechnik ist es, bei aktiven Senso-
ren die nichtelektrische Energie direkt, also ohne Zwi-
schenschalten weiterer Energieformen, in elektrische
Energie umzusetzen. Bei passiven Sensoren versucht
man, die Zahl der Meßglieder so klein wie möglich zu
halten. Am Ende der Meßkette steht der Ausgeber, der
das Signal zur Anzeige und/oder zur Auswertung oder
Weiterverarbeitung (Rechner) bereitstellt.
 Meßglied-, Meßkettenkoeffizient: Die Eigenschaf-
ten der einzelnen Meßglieder werden durch den
Meßgliedkoeffizienten cki erfaßt, der definiert ist
als das Verhältnis von Eingangsgröße zu Ausgangs-
Meßtechnik
Bild VII-1
Prinzip einer Meßkette
Auswerter
Ausgeber
ΔU2 g
Spannungs- Meßwert
messer
ΔU2
ck4 = g
Δu
g
größe. Das Verhalten der gesamten Meßeinrich-
tung ergibt sich dann durch Multiplikation der
einzelnen Meßgliedkoeffizienten zum Meßketten-
koeffizienten ck (siehe Beispiel VII.1).
 Beispiel VII.1: Temperaturmessung mit Widerstandsthermome-
ter; Bild VII-1 und Kapitel VII.1.1. R(J) = R0 · (1 + a · DJ) =
R0 + R0 · a · DJ; R(J) – R0 = DR = R0 · a · DJ. Daraus ergibt sich
der Meßgliedkoeffizient ck1 mit a = 4 · 10–3/ºC und R0 = 100 Ω zu:
ck1 = DJ/DR = 1/(R0 · a) = 2,5 ºC/Ω.
Wird DR in einer Viertelbrücke gemessen, so gilt für ck2 mit
DU1 ≈ Usp · DR/(4 · R) (Näherungslösung, siehe Tabelle VI-1; im
folgenden als exakte Beziehung verwendet): ck2 = DR/DU1 =
4 · R/Usp = 40 Ω/V = 40 mΩ/mV (mit Usp = 10 V).
Ein eventuell erforderlicher Spannungsverstärker mit der Aus-
gangsspannung DU2 ist gekennzeichnet durch ck3 = DU1/DU2 =
1 mV/1000 mV („Verstärkung“ 1/ck3 = 1000).
Abweichend von Bild VII-1 wird der Zusammenhang zwischen
DU2 des Verstärkers und dem Strom DIi eines Zeigerinstrumentes
über ck4 zugeordnet: ck4 = DU2/DIi = 1 mV/10 mA („Innenwider-
stand“ ck4 = 100 Ω). Schließlich werden Strom und Ausschlag Dg
über ck5 erfaßt: ck5 = 10 mA/1 Skt.
Den Zusammenhang zwischen der Temperatur und den Skalentei-
len erhält man durch Multiplikation der 5 Meßgliedkoeffizienten
zum Meßkettenkoeffizienten ck:
ck = ck1 · ck2 · ck3 · ck4 · ck5
ck = (2,5ºC/Ω) · (40 mΩ/mV) · (1 mV/1000 mV) · (1 mV/10 mA)
ck = · (10 mA/1 Skt
ck = 10–4 ºC/Skt
In Bild VII-1 wird DU2 auf einen Spannungsmesser gegeben.
Dann gilt ck4 = DU2/g, ck = DJ/g.
Hinweise:
1. Die Meßgliedkoeffizienten werden in der Regel auch dann mit
Einheiten angegeben, wenn sie dimensionslos sind, siehe ck3.
2. Teile oder Vielfache der Einheiten sind beliebig wählbar, soll-
ten sich aber an der Praxis orientieren:
ck4 = 1 mV/10 mA = 1 V/10 mA = 100 V/1 A. Hier entspricht
die Angabe 1 mV/10 mA am ehesten den in der Schaltung auf-
tretenden Größen.
3. Die Bedeutung (Definition) eines Meßglied- oder Meßketten-
koeffizienten läßt sich in der Regel an seinen Einheiten able-
sen.
4. Auch wenn „Skt.“ (Skalenteile) keine Einheit ist, wurde sie
hier zum besseren Verständnis verwendet.
1 Meßaufnehmer
Zunächst werden die physikalischen Prinzipien eini-
ger wichtiger Aufnehmer aus meßtechnischer Sicht
dargestellt.
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen 775

1.1 Ohmsche Aufnehmer Besonders zuverlässig sind Drahtpotentiometer nach

Es werden Widerstände betrachtet, die im hier vor-
kommenden Frequenzbereich weder eine kapazitive
noch eine induktive Komponente besitzen. Der elekt-
rische Widerstand R berechnet sich zu
l r⋅ l
R= = (VII.1)
g⋅ A A
l Länge des Leiters in m, A Querschnittsfläche des Leiters in m2,
g elektrische Leitfähigkeit in 1/(Ω · m), r spezifischer elektrischer
Widerstand in Ω · m
Um den Wert des Widerstandes zu ändern, gibt es
mehrere Möglichkeiten:
1. Ändern der Länge l: Über einen Schleifkontakt
wird nur ein Teil des Gesamtwiderstandes R erfaßt.
Das Prinzip ist vom Potentiometer her bekannt, wobei
das Verändern der Schleiferstellung entweder durch
eine Drehbewegung (Drehpotentiometer mit Teilwi-
derstand Ra, Bild VII-2a) oder eine Linearbewegung
(Linearpotentiometer, „Flachbahnpotentiometer“ mit
Teilwiderstand Rx, Bild VII-2a, b) erfolgen kann. Im
einfachen Fall besteht der Widerstand aus einer
Kohleschicht oder aus leitfähigem Kunststoff. Über
einen Schleifkontakt aus Metall wird der Teilwider-
stand abgegriffen.
R R
Ra
Rx
Bild VII-2b. Allerdings können die über den Schleifer
abgegriffenen Widerstandswerte nur stufig eingestellt
werden. Die meßtechnische Erfassung des Wider-
standswertes geschieht entweder über einen Span-
nungsteiler (Bild VII-2c), eine Stromquelle (Bild
VII-2d) oder in einer Brückenschaltung (Kapitel
VI.6.1, Tabelle VI-1 und Gleichung VI.16). Hat das
Spannungsmeßgerät (Bilder VII-2c, d) einen entspre-
chend hohen Eingangswiderstand (I ≈ 0), besteht eine
lineare Beziehung zwischen Widerstandswert und
zugeordneter Spannung. Damit kann man mit diesen
Potentiometern Längen und Drehwinkel erfassen.
 Beispiel VII.2: Ein Draht-Potentiometer mit R = 1000 Ω besteht
aus N = 1000 Windungen. Dann kann der über den Schleifer ab-
gegriffene Widerstand in Stufen von 1000 Ω/N = 1 Ω eingestellt
werden. Dabei wird angenommen, daß der Schleifer ideal von
Windung zu Windung übergreift. Man beachte, daß der relative
Fehler durch diese Stufigkeit dann besonders groß ist, wenn
kleine Widerstandswerte abgegriffen werden und ein Wider-
standswert genau in der Mitte zwischen zwei abgreifbaren Werten
eingestellt werden soll. Die maximal mögliche Abweichung zwi-
schen Ist- und Sollwert beträgt ± 0,5 R/N, hier also ± 0,5 Ω, unab-
hängig vom abgegriffenen Widerstandswert. Der maximal mögli-
che relative Fehler nimmt also mit abnehmendem abgegriffenen
Widerstandswert zu. So ergibt sich bei einem einzustellenden Wi-
derstandswert von 20,5 Ω ein relativer Fehler von ± 0,5 Ω/
20,5 Ω ≈ ± 2,4%. Deshalb werden manchmal Potentiometer mit
einem Drehwinkel von 270º eingesetzt, wobei für die eigentliche
Messung nur der Bereich von 180º bis 270º ausgenutzt wird. Da-
durch bleibt der Fehler durch die Stufigkeit in vorgegebenen
Grenzen.

1 2 a 2. Ändern von g oder r: Die elektrische Leitfähigkeit

1 bzw. der spezifische Widerstand kann durch Tempe-
x ratureinwirkung (Widerstandsthermometer, NTC-,
l PTC-Widerstände), Lichteinwirkung (Fotowider-
2
a) 1 Schleifer stände), mechanische Dehnung oder Stauchung (Deh-
2 Widerstandsmaterial nungsmeßstreifen) und Magnetfeldeinwirkung (ma-
auf Träger gnetfeldabhängige Widerstände) geändert werden
R (Tabelle VII-2).
Rx 3. Ändern der Fläche A: Hier ist im wesentlichen der
1 Schleifer bereits im vorigen Kapitel genannte und im Kapitel
1 2 Wicklung aus
VII.2.1 näher beschriebene Dehnungsmeßstreifen zu
3 Widerstandsdraht
3 Träger nennen. Die relative Dehnung Dl/l eines elektrischen
b) 2
Leiters hat auch eine relative Flächenänderung zur
Folge, die über die Querkontraktionszahl im „K-Fak-
I=0 I=0 tor“ erfaßt ist.
U1 R I1 R
Rv Rv 1.2 Kapazitive Aufnehmer
U2 U2
Die Kapazität eines Plattenkondensators berechnet
Rv sich unter Vernachlässigung der Randeffekte nach der
U2 = U1 U2 = I1· Rv Formel
R
U2 ~ Rv ~ x bzw. a U2 ~ Rv ~ x bzw. a C = e0 · er · A/d (VII.2)
c) d) er Dielektrizitätszahl; A Plattenfläche in m2; d Plattenabstand in m

Bild VII-2 Potentiometer Hierin können er, A und d verändert werden. Aus
a) Schichtpotentiometer der sich dann ändernden Kapazität kann bei bekann-
b) Drahtpotentiometer tem rechnerischem Zusammenhang die zu messende
c) Auswerteschaltung mit Größe bestimmt werden. Dies sind in der Regel: 1.
Spannungsquelle Längen oder Abstände, erfaßt über d, 2. Drehwinkel,
d) Auswerteschaltung mit Stromquelle gemessen über A nach dem Prinzip des Drehkonden-
776 Meßtechnik

Tabelle VII-2 Messung elektrischer und nichtelektrischer Größen durch Widerstandsänderungen

Einflußgröße Widerstandsänderung
Temperatur T R(T) Widerstand bei der Temperatur T
R0 Widerstand bei der Temperatur T0, häufig 0 ºC
Abhängigkeit des Widerstandes von der Temperatur:
1. R(T) = R0(1 + A(T – T0) + B( T – T0)2), gilt allgemein für metallische Leiter,
z.B. Cu, Pt, Ni.
Näherung: R(T) ≈ R0(1 + A(T – T0)), für A wird hier auch a verwendet.
A (bzw. a), B Materialkonstanten; A im Bereich + ( 3 ... 6 ) ⋅ 10–3 K–1, B im Bereich
(– 1 ... + 10) ⋅ 10–6 K–2; Silizium-Temperatursensoren A ≈ 7,7 ⋅ 10–3 K–1,
B ≈ 19 ⋅ 10–6 K–2; R0 im Bereich (1 ... 10) kΩ.
2. R(T) = R0 exp (B(1/T – 1/T0 )), gilt für spezielle Materialien, hier NTC-Widerstand,
B Materialkonstante in der Größenordnung 3000 K bis 4000 K.
3. R(T) = RN exp (a(T – TN)), gilt für spezielle Materialien, hier PTC-Widerstand,
näherungsweise in einem begrenzten, technisch ausgenutzten Temperaturbereich
Tmax ≥ T ≥ TN gültig; Typenspektrum für TN im Bereich von ca. – 20 ºC bis 350 ºC
und für RN im Bereich von ca. 1 Ω bis 100 kΩ;
a Materialkonstante im Bereich (0,1 ... 0,7) K–1 oder meist angegeben in der Form
(10 ... 70)%/K.
Licht, hier R(E) = R0(E/E0)–g; Fotowiderstand
Beleuchtungsstärke E R(E) Widerstand bei der Beleuchtungsstärke E; R0 Widerstand bei der Beleuchtungs-
stärke E0; g Materialkonstante im Bereich 0,5 ... 1,2.
Kraft, hier DR/R = K ⋅ Dl/l;
mechanische relative K Materialkonstante, mit „K-Faktor“ bezeichnet; bei Dehnungsmeßstreifen (DMS)
Dehnung Dl/l eines gilt: K ≈ 2. DR/R relative Widerstandsänderung des DMS; Dl/l relative Längen-
elektrischen Leiters änderung von DMS und Werkstück, auf den der DMS aufgeklebt ist.
Magnetfeld, RB = R0(1 + k · B2);
hier magnetische RB Widerstand bei der Flußdichte B; R0 Widerstand bei der Flußdichte 0; k Material-
Flußdichte B konstante, angegeben wird meist RB /R0, liegt bei B = 1 T im Bereich 5 bis 15; R0 im
Bereich ca. 10 Ω bis 1 kΩ.

falls an dieser Kapazität bei Speisung aus einer sinus-

C C3 förmigen Wechselstromquelle bekannter Frequenz
Usp oder durch Einfügen in eine Wechselstrommeß-
I
Ud0 brücke. Die entsprechenden Formeln sind in
G U C2 C4 Bild VII-3 eingetragen. Zur Berechnung der Span-
C
nung Ud0 in der Brückendiagonalen wird Gleichung
(VI.7) verwendet, wobei für die Widerstände R1 bis
C – C2
U=I· 1 Ud0 = Usp R4 die Wechselstromwiderstände Z1 = 1/jwC1 bis
jωc 2(C + C2)
Z4 = 1/jwC4 der als ideal angenommenen Kondensa-
mit C3 = C4
U=I· d toren eingesetzt werden. C3 und C4 sind hier gleich
jωe0erA
e0 · er · A groß gewählt worden; sie können auch unterschied-
– C2 liche Werte aufweisen und damit dem Meßaufbau
C: Plattenkondensator d
Ud0 = Usp e · e · A angepaßt werden. Der mathematische Zusammen-
2 (
0
d
r
(
+ C2 hang zwischen der Kapazität C und der zu messenden
Größe wird in die Skala analog anzeigender Meßge-
C: Plattenkondensator räte eingearbeitet oder bei digital anzeigenden Meß-
Bild VII-3 Meßschaltungen für kapazitive geräten softwaremäßig berücksichtigt.
Aufnehmer

sators, und 3. Füllstände in Behältern, erfaßt über das

1.3 Induktive Aufnehmer
von Luft verschiedene er des eingefüllten Mediums. Die Induktivität L einer Spule nach Bild VII-4a mit
Gemessen wird zunächst die Kapazität C nach der Länge l, der Querschnittsfläche A = r2 · p, der
Bild VII-3 entweder durch Erfassen des Spannungs- Windungszahl N und einem Material innerhalb der
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen 777

Spule mit der Permeabilität m = m0 · mr berechnet sich Licht ist der vom Auge wahrnehmbare Teil der Strah-
für r << l näherungsweise aus lung. Da die von einer Lichtquelle ausgesendete
L ≈ N2m0 mr · A/l (VII.3) Strahlung meist aus einem Gemisch verschiedener
Frequenzen und damit Farben besteht, muß der opti-
N Windungszahl; mr Permeabilitätszahl; A Spulenquerschnittsfläche in
m2; l Spulenlänge in m sche Aufnehmer auf diesen Frequenzbereich abge-
stimmt werden; er muß dort seine größte spektrale
Im Gegensatz zu den kapazitiven Aufnehmern kann
Empfindlichkeit aufweisen.
in der Praxis nur die Permeabilitätszahl mr geändert
Zu den wichtigen optischen Aufnehmern zählen: Foto-
werden, indem ein Material mit mr ⫽ 1 mehr oder
widerstand (wurde bereits bei den ohmschen Aufneh-
weniger tief in die Spule eingetaucht wird. Die Mög-
mern behandelt), Fotodiode und Fotovervielfacher.
lichkeit, die Induktivität durch Abgreifen von Teil-
windungen über Schleifkontakte zu ändern, wird
1.4.1 Fotodiode
kaum angewendet, da hierfür die Potentiometergeber
besser geeignet sind. Die Meßverfahren zur Messung Sie kann entweder aktiv oder passiv betrieben werden
der Induktivität L nach Bild VII-4b entsprechen (Bild VII-5). Die typische Kennlinie ist im Teil a
denen der kapazitiven Aufnehmer. Die Ableitung dargestellt. Zum Kennlinienfeld im IV. Quadranten
von Ud0 geschieht auf die gleiche Weise wie zu gehört die Schaltung b, in der die Fotodiode als
Bild VII-3b beschrieben. Es gilt L3 = L4. Induktive aktives Element geschaltet ist. Der von ihr gelieferte
Aufnehmer werden bevorzugt zur Messung von Strom ist der Beleuchtungsstärke E proportional.
Längen bzw. Abständen eingesetzt. Durch Einfügen eines Widerstandes R kann eine
proportionale Spannung UL ⵑ E abgegriffen werden.
A m0 · mr Nähert sich allerdings die Spannung über der Foto-
diode ihrer Schwellspannung, wirkt dies wie eine
r
parallel liegende Diode und ergibt die nach rechts
steil ansteigenden Kennlinienabschnitte. Im III. Qua-
l dranten wird die Fotodiode mit der Schaltung nach
a) Bild VII-5c in Sperrichtung und damit passiv betrie-
ben. Der Sperrstrom steigt mit steigender Beleuch-
L L3 tungsstärke E, wobei der Zusammenhang zwischen
Usp Sperrstrom und Beleuchtungsstärke linear ist. Über
I einen Widerstand R kann eine entsprechende Span-
Ud0
G L U L2 L4 nung UR erzeugt werden.
Beide Betriebsarten sind zur Messung der Beleuch-
tungsstärke E geeignet, wobei der passive Betrieb zwar
L2 – L
eine Hilfsspannungsquelle erfordert, aber durch die in
U = I · jωL Ud0 = Usp Sperrichtung vorgespannte Diode eine kleine Sperr-
2(L2 + L)
m0 mr A N 2 schichtkapazität und damit eine hohe Grenzfrequenz
mit L3 = L4
U = I · jω für Wechselgrößen von 10 ... 100 MHz erreicht wird.
l
N2m0mr A In der aktiven Betriebsart erhält man nur wenige kHz.
L2 –
l
≈ Usp 2 1.4.2 Fotovervielfacher
m 0m r A
b) 2 L2 + (
N
l
( Die Wirkungsweise besteht darin, daß Lichtquanten
Spulen ideal aus einer fotoempfindlichen Kathode Elektronen (ent-
sprechend einem Strom iK) auslösen, die auf ihrem
Bild VII-4 Induktive Aufnehmer
Weg zu einer ersten Anode beschleunigt werden, und
a) Zur Berechnung der Induktivität
zwar so, daß jedes Elektron beim Auftreffen mehrere
b) Meßschaltungen
Elektronen (Vervielfachungsfaktor n) auslöst. Diese
Elektronen werden wiederum auf ihrem Weg zu einer
1.4 Optische Aufnehmer zweiten Anode beschleunigt, wo sich die Verviel-
Einheiten für die lichttechnischen Größen sind das fachung wiederholt. Insgesamt sind bis zu k = 10
Lumen (lm) und das Lux (lx). Anoden vorhanden, so daß der Anodenstrom an der
Ein Lumen ist die Einheit des Lichtstromes Φ, der die letzten Anode i = iK · nk beträgt. Fotovervielfacher sind
gesamte von einer Lichtquelle abgegebene Strah- so empfindlich, daß sich bei einem Verstärkungsfaktor
lungsleistung darstellt. Ein Lux ist die Einheit der nk = 108 einzelne Lichtquanten nachweisen lassen.
Beleuchtungsstärke E unter Berücksichtigung der Die für die Meßtechnik wichtigen Eigenschaften der
beleuchteten Fläche. drei aufgeführten Aufnehmer sind in Tabelle VII-3
zusammengestellt. Der Temperatureinfluß wurde nur
Beleuchtungsstärke E = Lichtstrom F/Fläche A; grob klassifiziert angegeben, da er von der jeweiligen
1 lx = 1 lm/m2 (VII.4) Beleuchtungsstärke abhängt.
778 Meßtechnik

UAK
IAK IAK
uA
60
II 40 I IR
20 IL UR
–5 –4 –3 –2 –1 0 0,1 0,2 0,3 0,5 V R
+
UAK R UL –
E = 600 lx –20

1200 lx –40
Bild VII-5
1800 lx –60
b) c) Fotodiode
III IV R = 10kΩ a) Kennlinie
R = 10kΩ
b) aktive
Betriebsart
BPW 20
c) passive
a) Betriebsart

Tabelle VII-3 Eigenschaften von optischen Aufnehmern

Aufnehmer Fotowiderstand Fotodiode aktiv Fotodiode passiv Fotovervielfacher

2 3 8
Grenzfrequenz in Hz 10 10 10 102
Stromempfindlichkeit in 102 10–1 10–1 105
mA/lx
Material CdS Si Si Sb, Cs
max. spektrale 0,65 0,85 0,85 0,4
Empfindlichkeit bei der
Wellenlänge l in mm
Temperatureinfluß groß mittel mittel sehr klein
auf die Meßgröße

1.5 Ladungsliefernde Aufnehmer Widerstand Ri des Piezomaterials ausgleichen. Das

elektrische Ersatzschaltbild zeigt Bild VII-6b.
Bei bestimmten Kristallen (z.B. Quarz oder Barium-
titanat) oder organischen Polymeren (z.B. Polyvinyl- F
idendifluorid PVDF) treten zwei Effekte auf.
1. Piezoelektrischer Effekt: Durch mechanische Ver- ++++ u u
formung tritt an den gegenüberliegenden Seiten eines –––– i Cp
Ri
Plättchens eine Ladungsverschiebung und damit eine
Polarisation auf (Bild VII-6a). Da der elektrische
F
Widerstand der Materialien sehr hoch ist
(r > 1013 Ω · cm), hat eine Ladungsänderung DQ eine a) b)
Spannungsänderung DU gemäß DQ = C · DU zur
Folge, wobei man diese Spannung über entsprechend Bild VII-6 Piezoaufnehmer
angebrachte Elektroden abgreifen kann. Damit ist die a) Aufbau
Spannung eine Funktion der Verformung oder der die b) Ersatzschaltbild
Verformung bewirkenden Größe, z.B. einer Kraft. Die
 Beispiel VII.3: Ein Piezomaterial hat folgende Daten:
Ladungsänderung ist der Kraftänderung proportional. kp = 10–11 A · s/N, Fläche A = 10 cm2, Dicke d = 1 mm,
DQ = kp · DF ⇒ DF = Cp · DU/kp ; r = 1014 Ω · cm, er = 5, F = 10 N
Daraus lassen sich folgende Größen berechnen:
kp ≈ (2 ... 250) · 10–12 A · s/N (VII.5) Innenwiderstand Ri = r · d/A = (1014 · 0,1/10) Ω · cm · cm/cm2
= 1012 Ω
Darin ist kp die piezoelektrische Konstante. Die durch Kapazität Cp = e0 · er · A/d = (8,85 · 10–12 · 5 · 10–3/10–3) F = 44 pF
eine konstante Krafteinwirkung entstandene Span- Ladung Q = kp · F = 10–11 · 10 A · s = 10–10 A · s
nung steht allerdings nicht beliebig lange zur Ver- Spannung U = 10–10 A · s/44 pF = 2,27 V
fügung, da sich die Ladungen über den endlichen Entladezeitkonstante t = Ri · Cp = 1012 · 44 · 10–12 s = 44 s
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen
Soll die Entladezeitkonstante durch ein angeschlosse-
nes Spannungsmeßgerät nicht wesentlich verringert
werden, ist der Innenwiderstand des Spannungsmeß-
gerätes größer als Ri zu wählen. Häufig wird die zu
messende Spannung zunächst einem elektronischen
Meßverstärker mit entsprechend hohem Eingangswider-
stand zugeführt und erst anschließend gemessen.
2. Pyroelektrischer Effekt: Bei den genannten Mate-
rialien wird eine Polarisation auch durch Tempera-
turänderungen hervorgerufen. Der formelmäßige
Zusammenhang lautet:
DQ = kq · A · DT (VII.6)
kq pyroelektrische Konstante in As/(m2 K); A Fläche in m2; DT Tem-
peraturänderung in K
Dieser Effekt wird häufig bei den Bewegungsmeldern
eingesetzt. Eine sich nähernde Person bewirkt durch
ihre Körperwärme eine Änderung der Umgebungs-
temperatur, die von dem pyroelektrischen Aufnehmer
erfaßt wird.
 Beispiel VII.4: Eine 50 mm dicke Scheibe liefert mit kq =
2 · 10–4 As/(m2 K), er = 50 und DT = 1 K:
DU = DQ/C = kq · A · DT/(e0 · er · A/d) = kq · DT · d/(e0 · er)
DU = 2 · 10–4 · 1 · 50 · 10–6/(8,85 · 10–12 · 50) V = 20 V
Das Ersatzschaltbild ist gleich dem des Piezoaufneh-
mers in Bild VII-6b.
1.6 Thermische Aufnehmer
Zu den wichtigsten thermischen Aufnehmern gehören
temperaturabhängige Widerstände (Ohmsche Auf-
nehmer), pyroelektrische Aufnehmer (Ladungslie-
fernde Aufnehmer) und Thermoelemente.
1.6.1 Thermoelemente
Verbindet man zwei elektrisch leitende, unterschied-
liche Materialien nach Bild VII-7a punktförmig mit-
einander und hat diese Verbindungsstelle die Tem-
peratur TM, so entsteht dort eine Thermospannung
(Seebeck-Effekt).
Thermospannung Uth = kAB · TM (VII.7)
kAB Thermoempfindlichkeit der Materialien A und B in V/K oder
mV/100 K; TM Temperatur der Verbindungsstelle
Sie ist der Temperatur der Verbindungsstelle propor-
tional. Die Konstante kAB ist die Thermoempfindlich-
keit und wird in der Regel in mV/100 K angegeben.
Die Indizierung gibt die Richtung der Spannung,
bezogen auf die Materialien A und B, an. Ist kAB
positiv, hat Material A das positivere Potential ge-
genüber Material B. In der Praxis bezieht man zur
Angabe der Thermoempfindlichkeit die einzelnen
Materialien (x) auf das Bezugsmaterial Platin (Pt) und
gibt dann kxPt an. Zur Bestimmung von kAB bildet man
die Differenz:
kAB = kAPt – kBPt (VII.8)
In der Praxis treten Thermospannungen grundsätzlich
bei Temperaturdifferenzen auf. Insofern entspricht
779
Bild VII-7a nicht der Wirklichkeit. Vielmehr muß die
entstehende Spannung gemessen oder anderweitig
ausgewertet werden. Dazu wird an die zwei freien
Enden nach Bild VII-7b ein Meßgerät angeschlossen,
von dem angenommen werden soll, daß es einen
durchgehenden elektrischen Kreis aus einem Material
besitzt (Beispiel: Drehspulmeßwerk mit Cu-Zulei-
tungen, Cu-Anschlußklemmen, internen Cu-Leitern,
Cu-Drehspule). Dann entsteht an jeder Verbindungs-
stelle zweier unterschiedlicher Materialien eine
Thermospannung, deren Wert nach Gleichung (VII.7)
eingesetzt wird. Die drei Teilspannungen werden zur
Gesamt-Leerlaufspannung Uth0 addiert (Strom durch
das Meßgerät zu Null angenommen).
Uth0 = U1 + U2 + U3 = kCA · T1 + kAB · T2 + kBC · T3;
mit Gleichung (VII.8) folgt daraus
Uth0 = (kCPt – kAPt) T1 + (kAPt – kBPt) T2
Uth0 = + (kBPt – kCPt) T3
und nach einer Umformung und entsprechender Zu-
sammenfassung
Uth0 = kCPt(T1 – T3) + kAPt(T2 – T1) + kBPt(T3 – T2).
Sorgt man dafür, daß die beiden zum Meßgerät füh-
renden Verbindungsstellen die gleiche Temperatur
besitzen, also T1 = T3 und wählt die für die Praxis
anschaulichen Bezeichnungen T1 = T3 = TV als Tem-
peratur der Vergleichsstelle und T2 = TM als Tempera-
tur der Meßstelle, dann vereinfacht sich die Formel
zu:
Uth0 = kAPt(TM – TV) + kBPt(TV – TM)
Schließlich wird unter Verwendung von Gleichung
(VII.8) daraus:
Uth0 = (kAPt – kBPt) · (TM – TV)
Uth0 = kAB · (TM – TV) (VII.9)
Die Spannung Uth0 ist der Temperaturdifferenz
TM – TV proportional. Um die Temperatur TM messen
zu können, muß die Temperatur TV bekannt sein. In
der Praxis wird die Temperatur TV der Vergleichsstel-
le durch z.B. „Eiswasser“ mit 0 ºC (genau + 0,01 ºC)
hergestellt und die zwei Verbindungsstellen in dieses
Eis-Wasser-Gemisch eingetaucht.
In Bild VII-7c sind zwei gängige Ausführungsformen
von Thermoelementen zum Messen auch in Flüssig-
keiten dargestellt. Um die Vergleichsstelle aus dem
Anschlußkopf an einen geeigneteren Ort zu verlegen,
werden Ausgleichsleitungen nach Bild VII-7d ver-
wendet, die aus dem gleichen Material wie das
eigentliche Thermoelement bestehen, aber billiger
und flexibel sind. Damit entstehen im Anschlußkopf
keine Thermospannungen.
Der in der Meßschaltung nach Bild VII-7e fließende
Strom berechnet sich aus I = Uth0/(Ri + RI), worin Ri
der Innenwiderstand des Thermoelementes und RI der
des Meßinstrumentes ist. Der Innenwiderstand des
Thermoelementes ergibt sich durch den ohmschen
Widerstand der Thermoelementanordnung.
780 Meßtechnik

TM Anschlußkopf Bild VII-7

Material Material Thermoelemente
A B a) theoretisches Prinzip
b) praktisches Modell
Uth Anschlußklemme c) Ausführungsformen
a) Anschlußsockel d) Ausgleichsleitung
Haltering e) Meßschaltung
T2 Halterohr

Material U2 Material Anschlagflansch

A B
U1 U3
keramisches

Nennlänge
T1 T3
Schutzrohr
Material Material
V Meßeinsatz
C C
Uth0
b) c)

Anschlußkopf Meßstelle
TV
Material Material A
A
TM Material C TV
I
Material Material B
B TV TM V
Ausgleichsleitung
d) e) TV

Tabelle VII-4 Thermoempfindlichkeit geeigneter  Beispiel VII.5: Ein Thermoelement aus der Materialkombination
Eisen-Konstantan liefert bei einer zu messenden Temperatur
Thermoelement-Materialien
TM = 800 ºC und einer Temperatur der Vergleichsstelle von
TV = 0 ºC eine Thermo-Leerlaufspannung von Uth0 = (kFe Konst)
Material x kxPt in mV/100 K × (TM – TV) ≈ 5,2 · (800 – 0) K · mV/100 K = 41,6 mV.

Konstantan – 3,47 ... – 3,04 Da die entstehenden Thermospannungen relativ klein

sind, ist Silizium ein bevorzugtes Thermoelementmate-
Nickel – 1,9 ... – 1,3
rial. Allerdings gibt es bei der Fertigung zur Zeit noch
Platin – 0,0 technologische Probleme, die den Einsatz erschweren.
Tabelle VII-5 enthält häufig verwendete Material-
Kupfer + 0,75 kombinationen und deren Eigenschaften.

Eisen + 1,9 1.7 Chemische Aufnehmer

Nickel-Chrom + 2,2
Silizium + 42 ... + 50
In Tabelle VII-4 sind die Thermoempfindlichkeiten
einiger Materialien gegenüber Platin eingetragen.
Zwar sind theoretisch alle elektrischen Leiter un-
tereinander zu Thermoelementen zu kombinieren,
aber nur wenige Paarungen erfüllen die in der Praxis
gestellten Forderungen: Die Verbindungsstelle muß
schweißbar, die Schweißstelle muß über lange
Zeit chemisch und mechanisch stabil und die
Thermoempfindlichkeit sollte so groß wie möglich
sein.
Chemische Aufnehmer werden zunehmend für Mes-
sungen im Zusammenhang mit Prozeßsteuerungen
und der Umweltmeßtechnik eingesetzt. Hier sollen
einige wenige vorgestellt werden: pH-Wert-Meßein-
richtung mit Glaselektrode, Aufnehmer zur Messung
der Sauerstoffkonzentration und Aufnehmer zur
Messung von Gaskonzentrationen allgemein.
1.7.1 pH-Wert-Meßeinrichtung mit Glaselektrode
Der pH-Wert ist der mit –1 multiplizierte dekadische
Logarithmus der Konzentration von H+-Ionen. Eine
Lösung mit dem pH-Wert 7 ist neutral (z.B. Trink-
wasser), ein pH-Wert < 7 kennzeichnet saure, ein pH-
Wert > 7 alkalische Flüssigkeiten.
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen
Tabelle VII-5 Eigenschaften häufig verwendeter Thermoelemente
Materialkombination A-B Typ maximal meßbare Temperatur in ºC
Eisen-Konstantan J ca. 1800
Kupfer-Konstantan T ca. 1400
Nickelchrom-Nickel K ca. 1300
Platinrhodium-Platin, R, S, B ca. 1700 ... 1800
verschiedene Legierungen
möglich
Den Aufbau einer Meßsonde zeigt Bild VII-8. Die
Glaselektrode G ist mit einer Flüssigkeit vorgegebe-
ner Wasserstoffionenkonzentration pH0 gefüllt und
nach unten hin so dünn, daß eine gewisse Leitfähig-
keit (Widerstand 107 ... 1010 Ω) zur Flüssigkeit mit
der gesuchten Konzentration pHx besteht. Die Be-
zugselektrode B ist mit einer speziellen Salzlösung
gefüllt und steht über das poröse Glasgefäß in relativ
guter elektrischer Verbindung mit der Meßflüssigkeit.
Für die sich einstellende Spannung UpH ist folgender
Zusammenhang gefunden worden: UpH = 2 · 10–4
× T · (pH0 – pHx) V/K. Mit T = 273 K, entsprechend
0 ºC, folgt daraus
UpH0 = 0,0546 · (pH0 – pHx) in V (VII.10)
Unterscheiden sich beide pH-Werte um 1 (pH0 >
pHx), beträgt die Spannung 54,6 mV. Da der Innen-
widerstand dieser Spannungsquelle im Bereich
107 ... 1010 Ω liegt, muß das Meßgerät zur Span-
nungsmessung einen wesentlich höheren Eingangs-
widerstand aufweisen. Deshalb setzt man häufig spe-
zielle Meßverstärker mit entsprechend hohen Ein-
gangswiderständen ein.
U man erreicht, daß sich die Spannung an der Sonde im
G B
M 1.8 Aufnehmer zur Messung
G Glasmeßelektrode enthält
Flüssigkeit mit pH0 Bild VII-8
B Bezugselektrode Messung des
M Meßflüssigkeit mit pHx pH-Wertes mit
U Meßspannung Glaselektroden
Die Glaselektrode hat nur eine begrenzte Lebensdau-
er und muß jeweils nach einigen Jahren ausgetauscht
werden. Deshalb hat man nach weiteren Meßmög-
lichkeiten gesucht. Zur Zeit sind pH-Wert-Aufnehmer
mit Feldeffekttransistor in der Entwicklung, die zwar
eine höhere Lebensdauer, aber nicht die Zuverlässig-
keit der Glaselektrodenausführung haben.
781
kAB in mV/100 K
ca. 5,2
ca. 4,2
ca. 3,7
ca. 0,6 ... 1,1
1.7.2 Aufnehmer zur Messung
der Sauerstoffkonzentration
Erhitzt man Keramik aus Zirkonoxid (ZrO2) und
Yttriumoxid (Y2O3) auf mindestens 350 ºC, leitet sie
Sauerstoffionen. Nach Bild VII-9a bringt man an den
gegenüberliegenden Seiten poröse Platinelektroden
an. Stehen die zwei Elektroden unter dem Einfluß
unterschiedlicher Sauerstoff-Partialdrücke p1 und p2,
so entsteht eine Spannung
U 0 = 0 , 05 ⋅ T ⋅ lg ( p 2 / p 1 ) ⋅
mV
in mV (VII.11)
K
T Keramiktemperatur in K; p1, p2 Partialdrücke in Pa oder bar
Bei T = 800 K und p2 = 10 · p1 ergibt sich ein Wert
von U0 = 40 mV.
Eine Sonderausführung ist die aus der Automobil-
technik bekannte Lambda-Sonde (Bild VII-9b). Erhält
der Motor genau soviel Sauerstoff, wie zur vollstän-
digen Verbrennung des Kraftstoffes erforderlich ist,
so ist l = 1; bei l < 1 fehlt Sauerstoff, und man
spricht von „fettem Gemisch“, bei l > 1 ist zu viel
Sauerstoff und damit ein „mageres Gemisch“ vorhan-
den. Durch Verwendung des Platin-Katalysators hat
Bereich 0,9 ≤ l ≤ 1,1 sehr stark ändert, nämlich von
ca. 1 V auf 40 mV (Leerlaufkennlinie Bild VII-9b:
p*1 ist der Partialdruck des thermodynamischen
Gleichgewichtes).
von Gaskonzentrationen allgemein
Bild VII-10 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines
Aufnehmers der Firma Figaro. Durch den Heizdraht
wird die Oberfläche soweit erhitzt, daß die im Innern
befindlichen Gase entweder oxidieren oder reduzie-
ren und eine Elektronenverarmung oder Anreiche-
rung bewirken. Damit ändert sich die Leitfähigkeit
zwischen den Elektroden, und der Widerstand ist ein
Maß für die Gaskonzentration. Prinzipiell reagieren
diese Aufnehmer auf Konzentrationsänderungen so-
wohl von reduzierenden Gasen wie H2, CO, CH4,
Kohlenwasserstoffen und Alkoholen als auch von
oxidierenden Gasen wie N2 und O2, so daß eine
Widerstandsänderung nicht einem bestimmten Gas
782 Meßtechnik

p1 p2 Abgas
Pt-Elek- 1000 1,9·10–27
troden p1* in bar
O1 O2
mV
U0 U0
600
Pt Pt Luft
ZrO2
400
Y2O3 ZrO2
keram. Schutzschicht 200
T>350°C u0
0
0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
l
p1* siehe Text

a) b)
Bild VII-9 Aufnehmer zur Messung der Sauerstoffkonzentration
a) Prinzip
b) Lambda-Sonde: Aufbau und Leerlaufspannung

Luft

Elektrode 10
R
R0 Methan

Heizdraht

1
Elektrode
Kohlenmonoxid
gesintertes Isobutan
Keramikrohr SnO2

Wasserstoff
0,1
Ethanol
500 1000 2000 5000 10000
Konzentration [ppm]
a) b)

Bild VII-10 Gassensor (Fa. Figaro)

a) Aufbau
b) Kennlinie

zugeordnet werden kann. Ändert allerdings nur ein 2 Meßverfahren

Gas seine Konzentration, während die der anderen
vorhandenen Gase konstant bleibt, läßt sich die Gas-
konzentration messen. Nach diesem Verfahren wer-
den z.B. Räume mit Gasheizanlagen auf ausströmen-
des Erdgas (CH4) überwacht.
Durch die erforderliche Heizleistung von einigen
Watt sind diese Aufnehmer nicht für Batteriebetrieb
geeignet. Wurde die Heizung unterbrochen, stellt sich
erst nach einer Betriebszeit von einigen Tagen der
stabile Arbeitspunkt wieder ein. Eventuell ist sogar
eine Neukalibrierung erforderlich.
Ergänzend zu den im Kapitel „Meßaufnehmer“ be-
schriebenen Meßverfahren sollen hier einige weitere
vorgestellt werden, wobei es sich um eine kleine
Auswahl unter einer Vielzahl von eingesetzten Ver-
fahren handelt. Dabei wird das der Messung zugrunde
liegende Verfahren etwas ausführlicher gezeigt, um
damit das Verständnis für hier nicht aufgeführte
Verfahren zu erleichtern.
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen
2.1 Kraftmessung
mit Dehnungsmeßstreifen (DMS)
Die Messung von Kräften geschieht in der Mehrzahl
der Anwendungen mit Dehnungsmeßstreifen, weil
dieses Verfahren sehr genau und technisch ausgereift
ist. Das Prinzip beruht darauf, daß ein Meßkörper
(z.B. ein Stab) durch die Einwirkung einer Kraft (Zug
oder Druck) eine Längenänderung erfährt. Auf diesen
Meßkörper ist ein elektrischer Leiter aufgeklebt, der
den Längenänderungen zwangsweise folgen muß.
Dadurch wird der Leiter länger und dünner oder
kürzer und dicker und ändert seinen elektrischen
Widerstand. Der mathematische Zusammenhang
zwischen der Widerstandsänderung und der Kraft läßt
sich für verschiedene Meßkörper ableiten, das Ergeb-
nis wird im folgenden angegeben.
Dehnungsmeßstreifen (DMS) werden nach Bild
VII-11d entweder als Drahtgitter-DMS oder als
Folien-DMS mit aufgedampftem Meßdraht in den
Vorzugswerten 120 Ω, 350 Ω und 600 Ω hergestellt.
Bestimmte Anwendungen erfordern einen geeigneten
DMS-Aufbau; so dient beispielsweise die DMS-
Rosette zum Messen von mehrachsigen mechani-
schen Spannungsverteilungen. Der Zusammenhang
zwischen der relativen Längenänderung Dl/l des
Meßkörpers und damit des DMS und der relativen
Widerstandsänderung DR/R ist gegeben durch
DR/R = K · Dl/l = K · e mit e = Dl/l (VII.12)
Formelzeichen siehe Text
K steht für K-Faktor. Sein Wert ist materialabhängig.
Für metallische Leiter gilt K ≈ 2. Die maximale rela-
tive Dehnung emax beträgt für Metalle ≈10–3, damit
man im elastischen Bereich bleibt. Daraus folgt die
maximale relative Widerstandsänderung zu 2 ⋅ 10–3.
Um derart kleine Widerstandsänderungen messen zu
können, werden DMS in Brückenschaltungen einge-
setzt. Gleichung (VII.12) gilt auch für den Fall, daß
der Meßkörper gestaucht wird. Dann sind DR/R und e
negativ einzusetzen, Bild VII-11b, c.
Ein Problem beim Einsatz von Dehnungsmeßstreifen
ist die Temperaturabhängigkeit des elektrischen Wider-
standes. Bei einer Temperaturänderung von 1 ºC
errechnet sich die relative Widerstandsänderung von
Kupfer mit a = 4 · 10–3/K zu:
R = R0(1 + a · DT) = R0 + R0 · a · DT
⇒ (R – R0)/R0 = DR/R0 = a · DT = (4 · 10–3/K) · 1 K
⇒ (R – R0)/R0 = 4 · 10–3
Damit bewirkt eine Temperaturänderung von 1/2 ºC
die gleiche Widerstandsänderung wie die maximal
zulässige Dehnung emax. Um dennoch mit DMS
sinnvoll messen zu können, wird folgerndermaßen
verfahren:
Erstens wählt man als Material für die DMS Konstan-
tan mit a < ⏐10–5 K–1⏐, und zweitens verwendet man
in der Brückenschaltung zwei oder vier DMS. Beim
Einsatz von zwei DMS spricht man von einer Halb-
brücke, bei vier DMS von einer Vollbrücke. Die zwei
783
DMS in der Halbbrücke werden „untereinander“
angeordnet. Da sich deren Widerstände – gleiche
Temperatur vorausgesetzt – gleichsinnig mit der
Temperatur ändern, wird die Spannung in der Brü-
ckendiagonalen von Temperaturänderungen unab-
hängig. Natürlich muß man dafür sorgen, daß ein
DMS gedehnt, der andere gestaucht wird, da sich
andernfalls auch die Nutzsignale aufheben würden.
Durch die gegensinnigen Widerstandsänderungen der
DMS erhält man bei der Halbbrücke weiterhin ein
größeres Ausgangssignal gegenüber dem Einsatz von
nur einem DMS. Sind außerdem die Widerstandsän-
derungen bei Dehnung und Stauchung gleich groß
(+ DR und – DR), ergibt sich ein linearer Zusammen-
hang zwischen der Widerstandsänderung und der
Spannung Ud0 in der Brückendiagonalen. Man wird
deshalb die Halbbrücke der Viertelbrücke vorziehen.
Kann man Dehnung und Stauchung nicht gleichzeitig
mit zwei DMS erfassen, wählt man trotzdem zwei
DMS, von denen einer die Dehnung oder Stauchung
erfaßt, der andere als „Dummy“ in innigem Wärme-
kontakt zum messenden DMS steht, aber nicht aufge-
klebt wird. Er besorgt dann lediglich die Temperatur-
kompensation.
Bei der Verwendung von vier DMS in einer Voll-
brücke gelten die gleichen Aussagen wie bei der
Halbbrücke mit dem Zusatz, daß die Spannung in der
Brückendiagonalen nochmals größer ist, maximal
doppelt so groß, wenn + DR und – DR gegeben sind.
Die Anordnung der DMS ist in der Brückenschaltung
so zu wählen, daß sich die zwei gestauchten diagonal
gegenüberliegen, ebenso die zwei gedehnten.
Als Meßkörper (Bild VII-11a, b, c) werden in der
Regel ein einseitig fest eingespannter Stab, ein in
Längsrichtung mit einer Kraft beaufschlagter Zylin-
der, auch Kraftmeßdose genannt, und ein tordierter
Stab zur Messung des Drehmomentes verwendet. In
Tabelle VII-6 sind die für diese Meßkörper mög-
lichen Anordnungen für DMS und die sich daraus
ergebenden Spannungen Ud0 aufgeführt. Dazu wurde
in Gleichung (VI.7) für die Widerstände jeweils
Ri ± DRi, i = 1 ... 4, eingesetzt. Häufig sind die Wider-
stände Ri gleich groß, d.h. R1 = R2 = R3 = R4 = R, weil
die Brückenschaltung dann die größte Empfind-
lichkeit besitzt und damit maximales Ud0 liefert. In
Tabelle VII-6 ist diese Dimensionierung zugrunde
gelegt. Für die genannten Meßkörper gelten die fol-
genden Beziehungen:
1. Einseitig fest eingespannter Stab: Die Dehnung ist
abhängig vom Ort des Aufklebens, die Abhängig-
keit ist in Gleichung (VII.13) gegeben und in Bild
VII-11a erläutert.
6⋅ x ⋅ F
so = mit su = –so ; s = e · E (VII.13)
b⋅h2
so Spannung auf der Oberseite und su Spannung auf der Unterseite
des Balkens in N/m2; F Kraft in N; b Balkenbreite in m; h Balkenhöhe
in m; x Aufklebeort der DMS, vom freien Balkenende aus gemessen;
e = Dl/l relative Dehnung oder Stauchung; E Elastizitätsmodul in
N/m2
784 Meßtechnik

F Für a), b), c) gilt: Bild VII-11

DMS mit e0 K ≈ 2, materialabhängig Anordnung von
μ = 0,3 Dehnungsmeßstreifen
1,4 DMS gedehnt a) einseitig eingespannter Stab
1 h 2 DMS gestaucht b) Kraftmeßdose
4 c) Torsionsstab
b
x d) Technische Ausführungen

a)
e0 = –eu = 6·x·F 2 = Δl
E·b·h l ( ( = K1 · ΔR
0 R
e1 e2 Mt
F

1 2
d
45°
e1 1 2 e2
Mt
DMS
DMS

Fläche A

–e2 = F = Δl = 1 · −ΔR e1 = Mt
16(1+m) Δl
= = 1 ·
ΔR
A·E l K R E·π·d3 l K R
e1 = – m · e2 e2 = – e1
b) c)

Abdeckung
Abdeckung Verankerung

Träger Träger Meßgitter Verstärkung Anschlüsse

Meßgitter Anschlüsse

Verankerung
aktive Meßgitterlänge aktive Meßgitterlänge

DMS mit Drahtmeßgitter DMS mit Folienmeßgitter

d)

DMS-Rosette

su = – so gilt nur für den Fall, daß die DMS oben und man zwei DMS aufkleben, die in der Brückenschal-
unten genau untereinander aufgeklebt sind. tung diagonal angeordnet werden müssen. Diese
Ein Sonderfall ergibt sich, wenn der Balken nur von Anordnung ist weder temperaturkompensiert noch
oben oder nur von unten zugänglich ist. Dann kann liefert sie eine lineare Abhängigkeit zwischen Ud0
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen 785

und DR/R. Einziger Vorteil: Die Spannung Ud0 ist s F

doppelt so groß wie beim Einsatz nur eines DMS. Bei e= = (VII.14a)
E A⋅E
der Vollbrücke müssen die zwei DMS oben genau E Elastizitätsmodul in N/m ; A Fläche des Zylinders in m2; F Kraft
2

nebeneinander angeordnet werden, und die zwei in N

DMS unten müssen sich genau unter den zwei oberen
befinden, damit gleiche Dehnungen oder Stauchun-
gen erfolgen und die berechnete Abhängigkeit gültig
ist.
2. Kraftmeßdose: Bei Dehnung (+ e) oder Stauchung
(– e) eines Zylinders in Längsrichtung findet gleich-
zeitig eine Umfangsabnahme (– DU/U) oder -zu-
nahme (+ DU/U) in Querrichtung statt. Beide haben
entgegengesetztes Vorzeichen und sind über die
Querkontraktionszahl m = 0,3 miteinander verknüpft:
DU/U = – 0,3 · e. Kraftmeßdosen werden als Voll-
brücke aufgebaut und sind damit temperaturkompen-
siert. Die Abhängigkeit zwischen DR/R und Ud0 ist
wegen m ⫽ 1 nichtlinear.
Der Zusammenhang zwischen e und der Kraft F er-
gibt sich mit dem Hookschen Gesetz und der Bezie-
hung „Spannung gleich Kraft pro Fläche“ zu
Tabelle VII-6 Meßkörper mit Dehnungsmeßstreifen
Darin ist A die Querschnittsfläche des Voll- oder
Hohlzylinders. In der Regel werden Hohlzylinder
verwendet, da sie gegenüber Vollzylindern bei gleicher
Querschnittsfläche eine größere Stabilität aufweisen.
3. Tordierter Stab: Die relative Widerstandsänderung
DR/R hängt mit dem Torsionsmoment Mt wie folgt
zusammen:
16 ⋅ (1 + m )
ΔR
= K ⋅ Mt ⋅ (VII.14b)
R E⋅p⋅d 3
K K-Faktor (K ≈ 2); m Querkontraktionszahl (m = 0,3); E Elastizitäts-
modul in N/m2; d Torsionsstabdurchmesser in m; M t Torsionsmoment
in Nm
Bei der gezeigten Anordnung von 4 DMS sind deren
Dehnung und Stauchung entgegengesetzt gleich groß,
so daß sich ein linearer Zusammenhang zwischen
DR/R und Ud0 ergibt.

einseitig eingespannter Stab

F
R + ΔR 1 3
1 R ΔR
Usp Ud0 = –Usp
Ud0 2R
R − ΔR 2 4 R
2

F
R + ΔR 1 3 R − ΔR
1,4 ΔR
Usp Ud0 = –Usp
Ud0 R
R − ΔR 2 4 R + ΔR
2,3

R + ΔR 1 3
1,4 R ΔR
Usp Ud0 = –Usp 2R + ΔR
R 2Ud04 R + ΔR

F
Kraftmeßdose
1 2 4 3
R + m·ΔR 1 3 R − ΔR ΔR(1+m)
Usp Ud0 = –Usp
Ud0 2R + ΔR(m–1)
R − ΔR 2 4 R + m·ΔR
Mantelabwicklung

Torsion Mt
3 R + ΔR 1 3 R − ΔR
1 2 ΔR
Usp Ud0 = –Usp
Ud0 R
4 R − ΔR 2 4 R + ΔR
786 Meßtechnik

Da die Spannung in der Brückendiagonalen bei allen
drei aufgeführten Meßkörpern maximal einige mV
beträgt, verwendet man häufig zur Speisung der
Brücke eine sinusförmige Wechselspannung mit
420 Hz oder 10 kHz. Dann kann zur Messung der
Brückendiagonalspannung ein selektiver Wechsel-
spannungsverstärker mit phasenempfindlichem
Gleichrichter eingesetzt werden, so daß Meßfehler
durch Störeinflüsse verringert werden.
2.2 Füllstandsmessung und Messung
der Foliendicke
Das Prinzip beruht darauf, daß das Dielektrikum Luft
eines Plattenkondensators durch einen Stoff mit er > 1
verdrängt wird. Damit ändert sich die Kapazität der
Gesamtanordnung. Bild VII-12 zeigt zwei Modelle.
Das erste dient zur Messung der Füllstandshöhe, das
zweite zur Messung der Foliendicke von Kunst-
stoffolien.
In der Praxis hat sich bewährt, die relative Änderung
der Kapazität DC/C0 in Abhängigkeit von der gesuch-
ten Füllstandshöhe h oder Foliendicke d anzugeben.
Dabei ist C0 die Kapazität für h = 0 oder d = 0. Die
angegebenen Formeln sind entsprechend dargestellt.
1. Füllstandsmessung: Es wird ein rechteckförmiger
Behälter verwendet, bei dem zwei gegenüberliegende
Seiten mit Folie beklebt oder bedampft sind und bei
einem elektrisch leitenden Schüttgut oder einer elekt-
risch leitenden Flüssigkeit mit einer Kunststoff-Iso-
lierschicht versehen sind. Von Vorteil ist, daß die
Meßeinrichtung nicht in den Füllraum hineinragt und
damit nicht beschädigt werden kann und auch den
Füllvorgang nicht behindert. Ist die Oberfläche durch
eine Kunststoffschicht abgedeckt, können auch agres-
sive Medien eingefüllt werden. Bei körnigem Schütt-
gut ist die obere Füllhöhe nicht eindeutig festgelegt,
kann aber meist durch Erfahrungswerte oder durch
Glätten der Oberfläche ausreichend genau erfaßt
werden.
2. Foliendicke: Man kann zeigen, daß die Kapazität
der Anordnung nicht davon abhängt, wo sich die
Folie innerhalb der Kondensatorplatten befindet. Die
Dicke d der Folie wird über die Kapazität der Kon-
densatoranordnung gemessen und bei einer Abwei-
chung vom Sollwert entsprechend eingestellt, wenn
sie sich auf dem Weg von der Spritzdüse zu der Auf-
wickelrolle befindet. Dabei darf die Folie nicht be-
rührt werden, da sie noch heiß ist und sich im Zu-
stand der Vernetzung befindet.
2.3 Drehzahlmessung
Die Drehzahl wird in min–1 angegeben, die Drehfre-
quenz in s–1. Zur Messung der Drehzahl kann im
einfachsten Fall ein Impuls pro Umdrehung erzeugt
und die Zahl der Impulse für genau eine Minute
erfaßt werden. Dieses Verfahren ist nur sinnvoll,
wenn sich die Drehzahl innerhalb der Meßzeit 1 min

Kondensatorplatten Bild VII-12

Kapazitive Verfahren
zur Messung von
a) Füllstand
Fläche A
b) Foliendicke
er = 1
er = 1 d D

H er > 1

h er > 1
l

b
e0·H·l e0·A
C0 = C(h = 0) = C0 = C(d = 0) =
b D
ΔC = C(h > 0) – C0 ΔC = C(d > 0) – C0
= e0er·h·l + e0(H – h)·l – e0·H·l = e0·A · (er – 1)·d
b b b D d(1 – er) + erD
= e0·l ·h (er – 1) (C(d>0): Reihenschaltung zweier
b Kondensatoren)
ΔC = h (e – 1) ΔC = (er – 1)·d
r
C0 H C0 d(1 – er) + erD

a) b)
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen 787

nicht ändert. Außerdem muß eine Minute gewartet Es stehen Meßeinrichtungen mit einem maximalen p
werden, bis das Meßergebnis zur Verfügung steht. In von etwa 5000 zur Verfügung (Bild VII-13c).
der Praxis werden deshalb pro Umdrehung mehrere
 Beispiel VII.6: Eine Drehzahl wird mit einem Geber mit p = 120
Impulse erzeugt. Dann gilt folgender Zusammenhang
gemessen. Wählt man p · t = 1 min, dann verringert sich die Meß-
zwischen der Zahl der Impulse und der Drehzahl: zeit auf (1/120) min = 0,5 s, und die Zahl N der Impulse entspricht
der Drehzahl in min–1. Auf diese Weise ist auch das Erfassen der
Impulszahl N = n · p · t (VII.15)
Drehzahlerhöhung von Motoren vom Einschaltmoment bis zum
N gezählte Impulse; n Drehzahl in min–1; p Zahl der Impulse pro Erreichen der Nenndrehzahl möglich. Beträgt die Meßzeit ande-
Umdrehung; t Meßzeit in min rerseits 1 min, erhält man bei einer (konstanten) Drehzahl von
3000 min–1 eine Anzeige N = 3000 · 120 = 360 000. Hier wird
Darin ist N die Zahl der in der Zeit t in einem elektro- man zweckmäßigerweise p = 100 wählen und erhält dann
nischen Zähler gezählten Impulse, n die gesuchte N = 300 000. Bei entsprechender Kommasetzung ergibt sich die
Drehzahl n = 3000,00 min–1.
Drehzahl in min–1, p die Zahl der Impulse pro Um-
drehung und t die Zeit in min, während der die Im- In Bild VII-13 sind einige digitale Verfahren zur
pulse gezählt werden. Man wird zweckmäßigerweise Drehzahlmessung dargestellt. Bild VII-13a zeigt eine
p · t so wählen, daß sich als Einheit 1 min ergibt, Anwendung des Induktionsgesetzes. Nähert sich der
denn dann entspricht die Zahl N der Drehzahl n. Setzt Magnet der Spule, nimmt der magnetische Fluß zu,
man voraus, daß der Fehler der Meßeinrichtung ver- beim Entfernen ab. Durch diese Flußänderungen wird
nachlässigbar klein ist, was in der Regel auch zutrifft, eine Spannung in der Spule induziert, die aber mit
dann ergeben sich für p > 1 folgende Vorteile: sinkender Drehzahl kleiner wird. Bei diesem Verfah-
ren hat der Einsatz mehrerer Magnete auf der Welle
1. Die Drehzahl als Zahl N steht in weniger als
noch den zusätzlichen Vorteil, daß die durch einen
1 Minute zur Verfügung und ermöglicht das Er-
Magneten entstehende Unwucht bei mehreren Mag-
fassen von Drehzahländerungen.
neten verringert werden kann.
2. Bei unveränderter Meßzeit steht die Drehzahl als
Eine Weiterentwicklung zeigt Bild VII-13b (nach
Zahl N mit einer höheren Stellenzahl und damit
Unterlagen der Fa. Vakuumschmelze). Durch den
höherer Genauigkeit zur Verfügung. Vorausset-
Einsatz magnetfeldabhängiger Schalter hängt die
zung ist, daß sich die Drehzahl während der Meß-
Signalhöhe nicht mehr von der Drehzahl ab. Das ent-
zeit nicht ändert.
sprechend geformte Rad muß an oder auf der Welle
angebracht werden.
M M S Der Vorteil der Verfahren nach Bild VII-13a und b
liegt darin, daß sie sehr betriebssicher sind. Das gilt
W u auch für das im Bild VII-13c dargestellte optische
Verfahren. Als Lichtsender werden Leuchtdioden
(LED) verwendet, und die Lichtempfänger sind Foto-
M Magnete
W Welle dioden. Auf der Welle werden industriell gefertigte
S Spule mit Eisenkernen Kunststoffscheiben mit Kreissegmenten angebracht,
bei denen sich lichtdurchlässige und lichtundurchläs-
a) SM sige Segmente abwechseln. Die Anzahl der auf einer
SE RM Scheibe angeordneten Segmente kann bis zu maximal
SM Schaltmagnet
RM Rücksetzmagnet 10 000 (5000 lichtdurchlässige und 5000 lichtun-
SE Sensorelement durchlässige) betragen.
b) Die analogen Verfahren zur Drehzahlmessung, die
u.a. nach dem Prinzip des Wechselstromgenerators
Licht-
empfänger aufgebaut sind („Dynamoprinzip“), verlieren an Be-
Lichtquelle Segmentscheibe deutung, weil die Auswertung bzw. Anzeige auf digi-
talem Wege geschieht und der mechanische Ver-
schleiß der Digitalverfahren geringer ist.
2.4 Durchflußmessung
Bei den in Bild VII-14 gezeigten Durchflußmessern
Prinzip einer
Segmentscheibe ist der Momentanwert der Drehzahl der Flügel- oder
c)
Turbinenräder dem Momentanwert der Menge des
durchfließenden Mediums und damit seiner Ge-
Bild VII-13 Digitale Verfahren schwindigkeit proportional. Zur Bestimmung des
zur Drehzahlmessung gesamten in einer gegebenen Zeit durchgeflossenen
a) Spannungsinduktion Mediums müssen die Momentanwerte der Drehzahl
b) Fe-Blendenrad addiert werden, d.h., es muß die Gesamtzahl der
(nach Unterlagen Fa. VAC) Umdrehungen erfaßt werden. Deshalb ist die Durch-
c) optische Verfahren flußmessung verbunden mit einer Drehzahlmessung,
788
wobei die erforderliche Summenbildung häufig über
ein mechanisches Zählwerk geschieht („Wasserzähler“
im Haushalt). Beim Flügelradzähler werden die Flügel
tangential angeströmt, beim Woltmann-Zähler axial.
Bei den Durchflußmessern nach dem Verdrängungs-
prinzip, wie sie bei den Gasmengenzählern im Haus-
halt angewendet werden, rollen zwei Ovalräder aufein-
ander und zur Meßkammer hin ab und schließen ein
bestimmtes Volumen des Mediums ein (Ovalradzähler
Bild VII-14c). Wird die Zahl der Umdrehungen erfaßt,
ist auch das insgesamt durchgeströmte Volumen des
Mediums bekannt. Die Drehung der Ovalräder wird
durch den Druck des anströmenden Mediums auf das
untere Rad im Bild VII-14c links bewirkt.
a) b)
c)
Beim Prinzip der magnetischen Induktion nutzt man
die Kraftwirkung auf bewegte elektrische Ladungen
Q im Magnetfeld aus (Bild VII-15). Sie ist durch
Fm = Q · v · B gegeben, wobei B und v senkrecht auf-
einander stehen. Dann ist Fm wiederum senkrecht zu
B und v. Die magnetische Flußdichte B wird durch
einen von außen angebrachten Magneten erzeugt. Die
erforderlichen elektrischen Ladungen Q stehen bei
Flüssigkeiten durch die meist vorhandene Dissozia-
tion in Form von Ionen zur Verfügung. In die Wand
des Rohres werden an zwei gegenüberliegenden Stel-
len elektrische Kontakte in das elektrisch nichtlei-
tende Rohr eingebracht, an denen die Spannung
abgegriffen wird. Die elektrische Kraft ist durch
Fe = Q · E = Q · U/d gegeben. Es gilt Fm = Fe und
damit v = U/(B · d). Der Durchfluß, also das pro
Zeiteinheit durchströmende Volumen V ′ in m3/s
errechnet sich bei gegebener Strömungsgeschwindig-
Meßtechnik
keit n und der Fläche A aus V = v · A = v · d 2 · p/4.
Dann folgt für das pro Zeiteinheit durchströmende
Volumen V ´:
V ´ = (d 2 · p/4) · (U/(B · d)) = (d · p/4) · (U/B) (VII.16)
d Rohrdurchmesser in m, U gemessene Spannung an den Elektroden
in V, B magnetische Flußdichte in Vs/m2
 Beispiel VII.7: Ein Dauermagnet erzeugt eine Flußdichte von
B = 0,1 Vs/m2; der Rohrdurchmesser beträgt d = 5 cm. Bei einer
Strömungsgeschwindigkeit des Mediums von n = 0,1 m/s ergibt
sich eine Spannung von U = 10–1 (Vs/m2) · 5 · 10–2 m · 10–1 (m/s)
= 5 · 10–4 V = 500 mV. Für V ´ folgt daraus V ´ = (5 · 10–2 m · p/4)
× (5 · 10–4 V/(10–1 Vs/m2)) = 1,96 · 10–4 m3/s.
Die entstehenden Spannungen liegen im mV- oder
mV-Bereich. Der Innenwiderstand dieser Spannungs-
Bild VII-14
Durchflußmessung (nach Unterlagen
Fa. Siemens (a, b) und Fa. Orlicek (c))
a) Flügelradzähler
b) Woltmanzähler
c) Ovalradzähler
quelle ist sehr groß (Megaohm-Bereich). Deshalb
sind geeignete Maßnahmen zur Störunterdrückung
erforderlich.
Bei der Ultraschall-Durchflußmessung nach Bild VII-
16 erzeugen zwei Ultraschallsender (S1, S2) kurze
Ultraschallimpulse, die auf die zugeordneten Empfän-
ger (E1, E2) gerichtet sind und von diesen empfangen
werden. c ist die Geschwindigkeit, mit der sich der
Ultraschall in dem im Rohr befindlichen Medium
ausbreitet, wenn dieses ruht. Strömt das Medium mit
der Geschwindigkeit v durch das Rohr, breiten sich die
Schallwellen vom Sender S1 langsamer als mit c aus.
Der genaue Wert ergibt sich aus c1 = c – v · cos a.
Entsprechend folgt für die Geschwindigkeit der von
S2 ausgesendeten Schallimpulse c2 = c + v · cos a.
Mit der Entfernung L der zwei Sender und Empfänger
voneinander folgt für die Laufzeiten
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen 789

B Bild VII-15 wird. Für die Frequenzen f1 und f2 der Sender S1 und
Durchflußmessung S2 folgt
nach dem Prinzip
1 c − v ⋅ cosα
der magnetischen f1 = = ;
v Induktion t1 L
(VII.20)
Fm 1 c + v ⋅ cosα
f2 = = ;
t2 L
d
Aus der Differenz dieser zwei Frequenzen
2 ⋅ v ⋅ cosα
f2 − f1 = (VII.21)
L
I ergibt sich für die Strömungsgeschwindigkeit v un-
abhängig von der Schallgeschwindigkeit c
U L
v= ( f2 − f1 ) (VII.22)
2 ⋅ cosα

v 2.5 Zeit- und Frequenzmessung

B Die Messung der Zeit und der Frequenz geschieht auf
digitalem Wege, wobei die Meßeinrichtung die Mes-
sung von Zeit und Frequenz ermöglicht. Das Prinzip
ist in Bild VII-17 dargestellt.
Ein Normalfrequenzgenerator stellt die Zeiteinheit in
L L Form einer Sekunde oder dekadischer Teile oder
t1 = ; t2 = (VII.17)
c − v ⋅ cos α c + v ⋅ cos α Vielfache davon dar. Das periodische Signal mit der
Die Laufzeitdifferenz berechnet sich zu zu messenden Frequenz fx wird zunächst einer Ein-
gangsschaltung zugeführt, die den Spannungswert an
v ⋅ cosα die Erfordernisse der nachfolgenden Torschaltung an-
t1 − t2 = 2 ⋅ L (VII.18)
c 2 − v 2 ⋅ cos2 α paßt. Sie enthält einen Abschwächer für große Signal-
amplituden, einen Verstärker für kleine Signalam-
E2 S1 plituden und eine Signalformerstufe. Letztere wandelt
das Eingangssignal in ein rechteckförmiges Signal
mit gleicher Frequenz um. Weiterhin können fre-
c + v · cosa quenzselektive Filter zugeschaltet werden, die uner-
c – v · cosa wünschte Störfrequenzanteile ausfiltern. Außerdem
V
kann häufig ein Gleichanteil im Meßsignal durch
einen Kondensator unterdrückt werden (entsprechend
a L den Schalterstellungen AC oder DC beim Oszil-
loskop). Die Torschaltung besteht aus einem UND-
S2 E1 Glied und läßt das Signal mit der Frequenz fx für die
von der Zeiteinheit vorgegebene Zeit passieren. Die
Impulse werden vom Zähler gezählt. Nach Schließen
Bild VII-16 Ultraschall-Durchflußmessung des Tores wird der Zählerstand in die Anzeige über-
nommen und sichtbar gemacht. Wählt man als Tor-
In Flüssigkeiten kann der Term v2 · cos2 a in Glei- zeit nicht eine Sekunde, sondern dekadische Teile
chung (VII.18) vernachlässigt werden, so daß sich als oder Vielfache davon, muß in der Anzeige lediglich
Näherungslösung ergibt das Komma entsprechend gesetzt werden. Je kürzer
die Torzeit gewählt wird, desto schneller steht das
v ⋅ cosα c 2 ( t1 − t2 ) Meßergebnis zur Verfügung, allerdings mit vermin-
t1 − t2 ≈ 2 ⋅ L ⇒v≈ (VII.19) derter Stellenzahl, da in der vorgegebenen Zeit weni-
c 2
2 ⋅ L ⋅ cosα
ger Zählimpulse in den Zähler gelangen. Für genaue
Das Meßergebnis hängt allerdings noch von der Messungen wird man deshalb Torzeiten von z.B. 10 s
Schallausbreitungsgeschwindigkeit c ab. Um diese wählen.
Abhängigkeit auszuschalten, hat man z.B. die An- Die Steuerung hat innerhalb eines Meßzyklus haupt-
steuerung der Ultraschallsender so gewählt, daß ein sächlich folgende Aufgaben: Setzen des Zählerstan-
Schallimpuls, von S1 ausgesendet und von E1 emp- des auf Null; Öffnen der Torschaltung für die einge-
fangen, sofort wieder von S2 ausgesendet wird, von stellte Zeit (...; 0,1 s; 1 s; 10 s; ...); Speichern des
E2 empfangen und unverzögert von S1 ausgegeben aktuellen Zählerstandes für die Anzeige in einem
790
Eingangs- Zeit
Meßsignal
schaltung X1 Start- X2
& Zähler
fx (Verstärker, Stop
tx Filter ...) Frequenz
X3
Frequenz Zeit
Frequenz- Normal-
a) teiler frequenz-
0,1Hz generator
1Hz
10Hz 10MHz
Anzeigespeicher; Ansteuerung der Anzeigen im meist
verwendeten Multiplexverfahren; Ansteuerung eines
weiteren Zählers zur Bereitstellung der Torzeit.
Die Torzeit wird dadurch gewonnen, daß ein Quarz-
oszillator auf einer relativ hohen Frequenz von
1 MHz oder 10 MHz schwingt. Diese Oszillatoren sind
sehr frequenzstabil, wenn man die beiden wesent-
lichen Einflußgrößen „Temperatur“ und „Alterung“
so weit wie möglich ausschaltet. Die Temperatur-
abhängigkeit der Frequenz von ≤⏐±10–5 K–1⏐ kann
durch Wahl einer optimalen Schnittebene für den
Quarz und durch Einbau in einen Thermostaten weiter
verringert werden. Zur Herabsetzung der Frequenz-
änderung infolge Alterung von ≤⏐±10–5 a–1⏐werden
die Quarze dadurch künstlich gealtert, daß man sie
etlichen Temperaturzyklen aussetzt. Zahl, Tempe-
raturendwerte und Dauer dieser Zyklen sind Erfah-
rungswerte; sie liegen bei etwa 20 Zyklen von
Zimmertemperatur bis 80 ºC über eine Dauer von
mehreren Stunden.
Die Frequenz des Quarzoszillators wird über einen
Zähler aus mehreren Zähldekaden geteilt, wobei z.B.
eine Frequenz von 1 Hz einer Periodendauer von 1 s
entspricht und diese dann zur Öffnung der Torschal-
tung verwendet wird. Andere Toröffnungszeiten
werden durch Zu- oder Abschalten einzelner Zählde-
kaden erreicht.
Die Messung von Zeiten oder Periodendauern ge-
schieht dadurch, daß das Eingangssignal mit der zu
messenden Periodendauer tx mit der ersten positiven
Flanke die Torschaltung öffnet und mit der folgenden
wieder schließt. Während das Tor geöffnet ist, zählt
der Zähler die Impulse des Quarzoszillators. Damit ist
sein Zählerstand der Periodendauer tx proportional. Es
ist deshalb wichtig, daß die Frequenz des Quarz-
Meßtechnik
Bild VII-17
Zeit- und Frequenzmessung
X4
Anzeige a) Prinzip
b) Ablaufdiagramm
Steuer-
ung
Start Stop
X1
X2
b) X3
X4
oszillators möglichst hoch ist, damit der Zähler auch
bei kleinen Periodendauern im ms-Bereich noch aus-
reichend Impulse zählen kann und so eine möglichst
hohe Auflösung des Meßwertes möglich ist.
Da man hohe Frequenzen und große Periodendauern
mit hoher Stellenzahl und bei entsprechender Zähler-
konstruktion auch mit hoher Genauigkeit messen
kann, sollte man von dem zu messenden Signal
zunächst die Größenordnung der Frequenz bestim-
men und bei Frequenzen < 10 kHz die Periodendauer
und bei Periodendauern < 100 ms die Frequenz mes-
sen. Die gesuchte Größe wird über die Beziehung
f = 1/T berechnet. Komfortable Zähler wenden dieses
Verfahren bereits automatisch an.
2.6 Weg- und Winkelmessung
Mit den im Kapitel VII.1 vorgestellten ohmschen,
kapazitiven und induktiven Aufnehmern können auch
Wege (Abstände) und Drehwinkel gemessen wer-
den.
In Bild VII-18 ist das jeweilige Meßprinzip gezeigt.
Wenn möglich, werden Differentialausführungen ver-
wendet, da die Kennlinie einer angestrebten linearen
Abhängigkeit nahe kommt.
Für die resistiven Wegaufnehmer stehen Ausführun-
gen von einigen mm bis zu einem Meter zur Verfü-
gung. Die Winkelaufnehmer werden auch für Winkel
bis zu 360º gefertigt. Bei den induktiven Wegauf-
nehmern läßt sich erkennen, daß die Kennlinie der
Differential-Ausführung bereichsweise nahezu linear
ist und außerdem positive und negative Wege vom
Bezugspunkt aus meßbar sind. Bei den kapazitiven
Aufnehmern wird die Kapazität sowohl durch eine
wegproportionale Abstandsänderung als auch durch
eine wegproportionale Flächenänderung variiert. Ver-
VII Meßverfahren zur Messung nichtelektrischer Größen 791

wendet man einen Differentialkondensator und mißt Für die Wechselstrom-Meßbrücken werden Frequen-
die Kapazitätsänderung in einer Wechselstrom-Brü- zen im kHz-Bereich verwendet, um den Einfluß
ckenschaltung, erhält man einen linearen Zusammen- von Oberschwingungen der 50-Hz-Energieversor-
hang zwischen Weg- und Kapazitätsänderung. Auch gung klein zu halten. Außerdem lassen sich Filter-
die induktiven Differentialausführungen werden zum schaltungen zur Messung der Spannung in der Brü-
Messen in Brückenschaltungen eingefügt. ckendiagonalen mit kleineren Bauelementewerten
realisieren.
R R Bei den kodierten Weg- und Winkelaufnehmern ist
Ra
Rx jeder Weglänge oder jedem Drehwinkel ein eindeutig
kodiertes digitales Signal zugeordnet (Bild VII-19).
1 2 a Diese Signale haben den Vorteil, daß sie auch in einer
1
gestörten Umgebung eine weitgehend sichere Meß-
x
l signalübertragung gestatten. Außerdem steht das
2 Signal in einer für die Weiterverarbeitung in einem
1 Schleifer Rechner geeigneten Form zur Verfügung. Auch der
2 Widerstandsmaterial Meßaufbau ist relativ störunanfällig. Für die Kodie-
auf Träger
rung der Scheiben wird häufig nicht der Binärcode
Rx R Rα R verwendet, der eine eindeutig zugeordnete Stellen-
wertigkeit aufweist, sondern der Gray-Code, bei dem
sich zwei benachbarte Codewörter nur in einer Stelle
0 0 unterscheiden. Da die einzelnen Kodierungen bei
l x 270° a Weg- oder Winkeländerungen nacheinander über-
a) strichen werden, sind Übertragungsfehler einfach
erkennbar. Allerdings benötigt das Auswertegerät
einen Codewandler.
Fläche A Fläche A
1 C0 Inkrementale Wegaufnehmer verwenden nach Bild
3 Usp VII-20a eine Leiste aus Glas oder Kunststoff (1), auf
e
d d Ud0 der in Querrichtung abwechselnd lichtdurchlässige
C0 und lichtundurchlässige Segmente aufgebracht wur-
2
den. Dieser Streifen wird an dem Gegenstand befes-
C tigt, dessen Weg gemessen werden soll. Das von
1,2 ortsfeste Platten
3 bewegliche Platte einer Lichtquelle ausgesendete Licht wird bei Be-
wegung des Gegenstandes um eine Rasterlänge Dr
Ud0 = – Usp x
C∞ d durch die ortsfeste Leiste (2) einmal unterbrochen.
d Zählt man die Zahl der Hell-Dunkel-Wechsel oder
b) der Dunkel-Hell-Wechsel und erhält den Wert n, so
ist der zurückgelegte Weg n · Dr.
0 L Soll auch die Richtung des Weges von einem Be-
x
Ud0 zugspunkt aus erfaßt werden, bringt man nach
Bild VII-20b auf dem ortsfesten Streifen (2) zwei
Hell-Dunkel-Segmente an, die einen Abstand von
mr ® 1 L∞ 0 x Dr + Dr/4 zueinander haben. Trifft das Maximum
L∞ = L(x → ∞) von u1 mit einer ansteigenden Spannung u2 zusam-
= L(m = m0) men, bewegt sich der Gegenstand nach rechts, bei
einer Linksbewegung trifft das Maximum von u1 mit
einer abfallenden Spannung u2 zusammen.
Ud0
R0 Zur Festlegung des Bezugswertes für den Weg (x = 0)
x
Ud0 muß der Gegenstand in eine vorgesehene Position
Usp
0 gebracht und der Zähler auf Null gesetzt werden. Auf
0 x die Streifen lassen sich Raster mit einem Abstand von
R0
minimal einigen mm aufbringen. Damit sind auch
Wegmessungen bis zu dieser Größenordnung herab
möglich.
c)

Bild VII-18 Weg- und Winkelmessung: Prinzip und 2.7 Beschleunigungsmessung

Kennlinie von Die Messung nutzt den Zusammenhang zwischen der
a) ohmschen Kraft F und der Beschleunigung a (F = a · m) aus. In
b) kapazitiven Bild VII-21a ist ein gedämpftes Feder-Masse-System
c) induktiven Aufnehmern dargestellt. Wird das Gehäuse beschleunigt, ändert
792 Meßtechnik

x=0 Bild VII-19

0
1 Kodierte Weg- und
2 Winkelaufnehmer
3

31 max
4

10 x
16 x 5
31 max 26 6
x 7
31 max
x=0 8

31 max
xmax
9

20 x
10000 11010 10
11
Wegaufnehmer, binär koordiniert
12
13
001011 14
15
a = 11
63 · 360° 16
17
18
a=0 19
20
000000 Wegaufnehmer 21
111111 Gray-kodiert 22
a = 360° 23
24
25
26
45 27
101101 a = 63 · 360° 28
29
Winkelaufnehmer, binär koordiniert
30
xmax 31

die Masse wegen ihrer Trägheit ihre Lage innerhalb Eigenfrequenz w 02 = c / m dieses schwingungsfähigen
des Gehäuses. Die zugeordnete Differentialgleichung
Systems ist sehr groß.
lautet:
2. Kleine Masse, weiche Feder und große Dämpfung
d2yM dy M (m und c klein, w groß):
m⋅ + w⋅ + c⋅ yM
dt 2 dt Dann folgt in erster Näherung
d 2 yG w dy M d 2 yG
= −m = −m⋅a (VII.23) ⋅ ≈− (VII.25)
dt 2 m dt dt 2
F