Lösungen Ubungen WET 2

a) Ag, Cu, Au, Al

b) Gewicht/Dichte, Korrosionsbeständigkeit, Preis, Festigkeit, Temperaturkoeffizient, Lötbarkeit,

Thermospannung,

ttkeia derKanpuaci
hctidr p ** kll kestil veia L

d) Leitfähigkeit sinkt durch Behinderung der Leitungselektronen an Korngrenzen, Defekten, Texturen,

Versetzungen. Durch Wärmebehandlung können derartige Effekte zum Teil wieder rückgängig
gemacht werden.

e) Ab einer bestimmten geringer werdenden Schichtdicke wird die Wanderung der Elektronen durch
die Randzonen mit beeinflusst und vergróssert den Widerstand (Flächenwiderstand).

a) 138 2

b)U=(7.510 V/K+3.2510V/K}100K=4 mV

3. d{Cu}/d(AI)=0.8

a) Erhöhung/Einstellung des Widerstands, Maximale Korrosionsbeständigkeit

b) Cr/Ni, Cr/AP

c)Sic,Mosi:/Sio
Lösungen Ubungen WET 2

a) Ein varistor ist ein spannungsabhangiger Widerstand? Bei hohen spannungen nimmt der
Widerstand drastisch ab.

b) Sic,Zn

c)Uberspannungsschutz

d) Widerstand mit positivem Temperaturkoeffiziente)

e) Der Widerstand steigt bei Erwärmung abrupt und nichtlinear an.

6.

a) Stoffschlüssiger Kontakt: Verschmelzen oder chemisches Verbinden von Kontakten (z.B. Löten,
Schweissen, Kleben, Umspritzen.)

Kraftschlüssiger Kontakt: Mechanische Verbindung (z.B. Klemmen, Stecken, Schrauben.)

b) Reinigung der Oberflächen, Dosierung von Flussmittel, Erwärmung und Zuführung des Lots,
Temporāre Fixierung der Lotstelle

c) Andere Verarbeitungstemperaturen, Benetzungsverhaliten, höhere Preise

Erklären Sie die Grundzüge / Prinzipien der in folgender Abbildung gezeigten Techniken zur
Herstellung von Leiterbahnen auf Platinen.

Positiv-Verfahren 7 olbdruck SiS

beichtebe Teile unlöelich)

lbsich)

Negativ- Vertanien leban

Positiv-Verfahren: Abdeckung/temporärer Schutz belichteter Strukturen

Negativ-Verfahren: Abdeckung/temporärer Schutz unbelichteter Strukturen

Foto-Lack kann entweder mit Licht vernetzen (unlöslich, negativ) oder durch Lichteinstrahlung
löslich gemacht werden (positiv)

Siebdruck: Auftrag Fotolack nur an gewünschten Stellen (nicht vollflächig)

 C

Chmelz Barrie 1500

Vergleich: S+ MK

N 2130

3,00
1600
AIAS 2,16 120

20 40 60 8D

1465 300 onzentration %

GaAs 238 1 29
R6O0
Zustundsdiagramm des Systems Ga:AS/ial"
w

1:300

In Sh

zentr

C:3-1017nm s h: 4.13 1015 eV s

Sie sollen eine Rot emittierende LED (650 nm) aus GaAsP entwickeln. Welcher
Zusammensetzung entspricht das?

In welchem Lichtbereich emittiert GaN?

Aus welchem Material stellen Sie eine grüune LED (550 nm) her?

In welcher Richtung fliessen die Elektronen beim Betrieb der LED, von der p- zur
n-Seite oder umgekehrt?
 aw
C:310 nm s h:4.1310-16eVs

Sie sollen eine Rot emittierende LED (650 nm) aus GaAsP entwickeln. Welcher
Zusammensetzung entspricht das?

In welchem Lichtbereich emittiert GaN?

Aus welchem Material stellen Sie eine grüne LED (550 nm) her?

In welcher Richtung fliessen die Elektronen beim Betrieb der LED, von der p- zur
n-Seite oder umgekehrt?

40% GaP, 60 % GaAs

375 rm

GaP

Von n zup
Ubungen WET3

a) Zeichnen Sie die Bändermodelle für einen Leiter, Halbleiter, Isolator.

b)Nennen
Siejezweitypische
Element-
undVerbindungshalbleiter
c) Zeichnen Sie in einem Diagramm den Verlauf der Fermifunktion für 0 K und eine höhere
Temperatur. Zeichnen Sie im Diagramm zusātzlich die Grenzen von Valenz- und Leitungsband für
einen Isolator und einen Halbleiter.

d) Wie lautet die Fermifunktion?

e) Wie hoch ist im Falle von Silizium (Bandlücke Eg =1,1 eV) die Wahrscheinlichkeit, dass bei
Raumtemperatur (25 °C) ein thermisch angeregtes Elektron in das Leitungsband übergeht?

[Boltzmankonstante:86 10° eV K]
#) Skizzieren Sie ein Arrheniusdiagramm für die elektrische Leitfähigkeit eines dotierten Halbleiters.

8) Wie kann man die Bandlücke eines Halbleiters bestimmen?

h) Skizzieren Sie die Situation am unbelasteten p-n Kontakt durch Einbezug des Bändermodels und
Ferminiveaus.

a) Berechnen Sie die Emissionswellenlänge einer InP-LED (Bandlücke 1.27 eV).

[Planck'sches Wirkungsquantum, 4,136 103 eVs, Lichtgeschwindigkeit 299 792 458 ms]

b) Was bedeutet

-Fluoreszenz

-Phosporeszenz

Luminiszenzkonversion

a) Nennen Sie die Schritte zur Herstellung eines Si-Wafers, beginnend mit SiO2 aus Ausgangsstoff.

b) Nennen Sie die Schritte zur Herstellung eines MOSFET auf einem Si-Wafer.

4.

Ein Transistor habe einen Kollektorstrom von 50 mA bei einer Emitterspannung von 1 V. Erhoht man

die Emitterspannung auf 2 V, steigt der Kollektorstrom auf 200 mA.

Berechnen Sie den Kollektorstrom, der bei einer weiteren Erhöhung der Emitterspannung auf 3V
und 5 Vfliesst.
Ubungen WET 3

LOsungen Ubungen WET 3

w
1eungsbend

LUgSDEnd
Leitungsben

valerzband
Valorzoand Vaonzbard

b) Si, Ge GaAs, GaP usw.

C)

LB1901R10

EF

** *** S Ialbleter

VD Iseltor

f(E)

d)

JE)E-E, T +1
YR

4.4 10

t)

Stope intrinsic behaviar)

slope

(extriesicbehavior)
Ubungen WET 3

8) Messung der Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit, Auftragen als Arrhenius-Diagramm

n)

dpHsbe

a) 975 r

b)

Fluoreszenz sotortige

Phosporeszenz verzogerte EmissionnachBestrahlungmit kurzwelligerStrahlung

-Luminiszenzkonversion Umwandlung der Welenlänge von Licht durch Absorption/Emission

Herstellungvon Rohsilicium
(SiO2+C Si+CO2)
ReinsiliciumSi+ 3HCI SiHCl3+ H2;DestillationvonSiHCla;4SiHClh
+2H 4003Si +SiCla+8HCI
Zonenschmelzen

Einkristallzüchtung

Sägen, Polieren, Markieren

idation

Photoresist

Lithographie

Atzen/ Freilegen

Dotierung freigelegter Bereiche

Metallisierung (Bgfs zuvor Aufbringung Diffusionsbarriere)

Ubungen WET3

4.

lc=loeB

Mit 200mA/50mA=e8- Verhält manB= 0,72Vundlo= 12,5mA.Für3Verrechnetsichdann

802 mA und für 5 V 12'967 mA.
Ubungen WET 4

1.

a) Welche Eigenschaften werden zur Charakterisierung von Isolierstoffen herangezogen (elektrische

und nichtelektrische)?

b) Aus welchen Oxiden setzt sich Steatit zusammen?

a) Welche Grössen bestimmen die Leistungsfähigkeit bzw. Kapazität eines Kondensators?

b) Wie lautet die entsprechende Gleichung?

c) Welche Werkstoffe kommen als Dielektrika in Kondensatoren zum Einsatz?

d) Wie ist ein Elektrolytkondensator aufgebaut und wie wird er hergestellt?

e) Wie ist ein MK Wickelkondensator aufgebaut?

)Wie ist ein Keramikschichtkondensator

aufgebaut?WelchesferroelektrischeMaterialwird
typischerweise verwendet?

a) Können alle Metalle bei ausreichend tiefen Temperaturen supraleitend werden?

b) Was ist die Sprungtemperatur?

c) Wie andern sich die magnetischen Eigenschaften bei Erreichen der Sprungtemperatur?

d) Von welchem Strukturtyp leiten sich keramische Hochtemperatursupraleiter ab?

e) Welche Formel hat der bekannteste keramische Hochtemperatursupraleiter?

) Warum kann man mit Hilfe von Supraleitern besonders leistungsstarke elektromagnetische Spulen
herstellen ?

8) Nennen Sie drei typische Anwendungen für Hochtemperatursupraleiter?

a) was bedeutet Diamagnetisch, Paramagnetisch, Ferromagnetisch, Ferrimagnetisch?

b) Nennen Sie drei typische ferromagnetische Metalle.

c) Was ist die Remanente Flussdichte und die Koerzitivfeldstärke? Zeichnen Sie eine typische
Magnetisierungskurve.

d) Was unterscheidet einen Hartmagneten von einem weichmagneten?

e) Welche Werkstoffe kommen typischerweise als Hart- und Weichmagnetische Ferrite zum Einsatz?

) Was ist das maximale Energieprodukt?

8) Welche Bedeutung hat die Curie-Temperatur für ferromagnetische Werkstoffe?

Lösungen Ubungen WET 4

a) Durchgangswiderstand, Oberflächenwiderstand, Durchschlagfestigkeit, Lichtbogenfestigkeit,

Kriechstromfestigkeit, Permittivität, Dielektrischer Verlustfaktor, Elektrostatische Aufladung,
Formbeständigkeit, Wasseraufnahme, Brandverhalten

b)Mg0,sio (egfs.+AlkOs)

2.

a) relative Permittivität, Abstand und Grösse der Plattern

b) C=eo EA/d

c) Keramik, Kunststoff, Papier, Oxide

d) Oberflächlich oxidierte Metallanode, Elektrolyt (trocken/fest), Metall- oder Graphitkathode,

Herstellung durch in situ Oxidation (Formierung).

e) Aufgewickelte metallisierte Kunststofffolie.

) Schichtweiser Aufbau Keramik-Folie/Metallschicht (Siebdruck), Abwechselnde

Schichtkontaktierung über Stirnflächen

a) Nein, nur 27 werden unter Normaldruck Supraleitend

b) Sprungtemperatur ist die Temperatur, unterhalb derer die Supraleitung auftritt, d.h. der
elektrische Widerstand verschwindet.

c) Von paramagnetisch zu diamagnetisch.

d) Perovskit

e)YBa2Cu
O
) Keine Eigenerwärmung

8) Kurzschluss-Strombegrenzer, Kleine leichte und leistungsfähige Transformatoren und

Generatoren, SalD-Sensoren (Superconducting Intereference Device) zur Detektion schwacher
Magnetfelder, Kernspintomographen für die medizinische Diagnostik, NMR Geräte für chemische
Analytik, Hochleistungsmagneten