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Werkstoffe der Elektrotechnik

1. Werkstoffüberblick

1.1.1. Struktur und Gefüge

Struktur:
- ideale Struktur  reale Struktur (= Gefüge)
- Gesamtheit von Verknüpfungsrelationen zu einem bestimmten Zeitpunkt
zw. den Elementarbausteinen

geometrische Anordnung:

- amorpher Stoff: völlige Unordnung d. Elementarteilchen


- Nahordnung: gewisse Ordnung über 10 – 100 Atomschichten
- Fernordnung: 1000
- Polykristalliner St.: Vielzahl kleiner Kristalle (Kristallite)

Lassen sich nicht exakt def.

Bindung:

Bindungsart Bindungspartner Bindungsenergie

Van-Der-Walls Neutrale oder geladene Teilch. 0,01 ... 0,2


Ionenbindung Ungleich geladene Ionen 3 ... 15
(Coulombkraft)
Atombindung Gleichartige Atome 1 ... 7
(kovalente Bindg.)
Metallische Bindg. Ionen u. freie Elektronen 1 ... 8

- Konstitutionelle Ordnung = Bindungsarten


- Richtungsabhängigkeit u. Orientierung d. Bindungen führen zu
elektrischen u. magnetischen Momenten.

Ideale u. Realstruktur:

Als Ideale Struktur bezeichnet man eine vollkommene geometrische u.


konstitutionelle Fernordnung

Idealkristall:
- periodische Anordung v. Teilchen
- unendlich ausgedehnt
- keine Wärmebewegung

1
Atome der Basis werden zusammengefügt zu einem Gitterpunkt

Vielzahl von Netzebenen im Raum verteilt => Raumebene

Kenntnis der Basis u. des Raumgitters -> Kenntnis des Kristalls

Basisvektoren:

- 3 von einem Ursprung ausgehende Vektoren, die nicht senkrecht sein müssen
- Länge der Basisvektoren heißt Gitterkonst. = |a|

α  (a2, a3)
β  (a1, a3)
γ  (a1, a2)
  
Volumen der Elementarzelle Va  a1 ( a2  a3 )

   
Rm  2a1  a2  a3
  1 1
R1  0  a1  a2  a3 mi  G , i  1,2,3
4 2
 1 1 1
R2  a1  a2  a3 0  n 1
4 4 3
  
Rmn  Rm  Rn

Einfaches Gitter: Gitterpunkte mit gleichen Elementen


Zusammengesetztes Gitter: unterschiedlichen
Primitives G.: Ecken in Elementarzellen besetzt
Nicht primitives G.: weitere Atome in d. Elementarzellen

Auswahl d. Basisvektoren:

1. wählt die kürzesten Transaltionsvektoren


2. Winkel zw. Basisv. Möglichst 90°
3. nach Möglichkeit gleiche Beträge

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Kristallsysteme:

Kristallsystem Beziehung zw. d. Winkeln Beziehung zw. d.


Gitterkonstanten
Triklin α ≠β ≠ γ ≠ α a1≠a2≠a3≠a1
Monoklin α = β = 90° ≠ γ a1≠a2≠a3≠a1
Trigonal α=β=γ a1=a2=a3
(rhomboedrisch)
Rhombisch α = β = γ = 90° a1≠a2≠a3≠a1
(orthorhombisch)
Tetragonal α = β =γ = 90° a1=a2=a3
Kubisch α = β = γ = 90° a1=a2=a3

Einfaches kub. Gitter


Raumzentriertes Gitter
Flächenzentriertes Gitter

Zusätzliche Gitterpunkte:

1. Im Schwerpunkt d. Basisfläche  Basisflächenzentriertes G.


2. Im Schwerpunkt aller Flächen  Flächenzentriertes G.
3. Im Schwerpunkt d. E-zelle  raumzentriertes G.
Richtungsangaben im Gitter:
   
Rm1  1a1  1a2  1a3
   
Rm 2  2a1  2a2  2a3

[111]=[222] identische Richtung


P111  P222 verschiedene Punkte

Beschreibung von Flächen:

A1, A2, A3

x y z
Flächengleichung :    1
A1 A2 A3
mit A1  ma1 , A2  na 2 , A3  pa 3
x y z
x  , y  , z 
a1 a2 a3
x y z
    1
m n p
oder : npx   mp y   mn z   mnp (beschreib
np np np m
die durch Teiler r : x  y  z 
r r r

3
np
h
r
mp
k h, k , l  Millersche Indizes
r
mn
l
r
h  x   ky   lz   s
mnp
s 1 Ebene
r
s...0,1,2  enthält parallele Ebenen  Schar v. Ebenen
s 1 nächste Ebene

1. Achsenabschnitte zählen
2. Kehrwertbildung
3. Ganzzahlig machen

Rechtwinkliges System:

1
h² k² l²
 
a1 ² a2 ² a3 ²

kubisch: a1= a2= a3

a
d hkl 
h²  k ²  l ²

Koordinationszahl:

Anzahl der nächsten Nachbaratome eines Atoms

Raumerfüllungsgrad:

Ist Verhältnis der Atomvolumen zum Gesamtvolumen

Zäsiumchloridstruktur:

 1 1 1
R1  a1  a2  a3
2 2 2
a   
 (nx  x y  nz )
2

2 einfache kubische Gitter um Vektor R1 gegeneinander verschoben.

Natriumchloridstruktur:

4
 1 1 1
R1  a1  a2  a3
2 2 2
a   
 (n x  x y  nz )
2

2 kubisch flächenzentrierte Gitter um Vektor R1 verschoben

Diamantgitter:

 1 1 1
R1  a1  a2  a3
4 4 4

Wenn alle Atome von gleichen Element  Diamantgitter

Zinkblende-gitter:

unterschiedliche Atome
2 kubisch flächenzentrierte Gitter um Vektor R1
verschoben.

Gitter Kubisch- Kub.-flächenzentriert Hexagonal dichteste


raumzentriert (krz) (kfz) Kugelpackung
kub. Dichteste
Kugelpackung
Beispiel Li, Na, Kalium, Cu, Ag, Au, Al, Pb, - Mg, Zink, Ti
Wolfram, -Eisen Eisen, Xe
Koordinationszahl 8 12 12
Raumerfüllungsgrad 0,68 0,74 0,74
Punktlagen der P1(000) P1(000) P2(0 ½ ½) P1(000) P2(⅔ ⅓ ½)
Basisatome P2(½ ½ ½) P3(½ 0 ½) P2(½ ½ 0)

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Realkristall

- Gesamtheit aller Abweichungen vom Idealkristall ist = Gefüge

Gefüge:
- Gesamtheit aller Gitterbaufehler

Realkristall:

1. Gitterbausteine führen Wärmebewegung aus


2. Verunreinigungen o. Dotierungen (chem. Fehlordnung)
3. geometrische Abweichung (strukturelle Fehlordnung)
4. Abweichung d. elektr. Ladungsverteilung (elektrische Fehlordnung)

Gleiche Zusammensetzung der Körner = einphasiger (nur Korngrenzen) Werkstoff


Unterschiedliche Zusammensetzung. d. K. = mehrphasiger (Phasen und Korngrenzen)

Strukturelle und chem. Fehlordnung:

- Elektr. Fehlordnungen resultieren aus chem.


- Dichte der Baufehler sehr gering

Strukturell:
Punktdefekt Liniendefekt Flächendefekt
- in allen 3 Dimensionen In 2 Dimensionen In 1 Dimension
- Störung atomare
Abmessung (eindimensional) (zweidimensional)
(nulldimensional)
Frenkel-fehlordnung Versetzung: Kleinwinkelkorngrenze
-Schraubenversetzung Großwinkelkornzgrenze
-Stufenversetzung Stapelfehler
Zwillingsgrenze

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Chemische Fehlordnung (elektrische):

Substitutionsfehlordnung:
Substituieren = ersetzen
Atome auf regulären Gitterplatz ausgetauscht
 Schwingungsspektrum wird gestört (da andere Masse)
Fremdatom besitzt andere Wertigkeit
 elektr. Fehlordnung

höhere Wertigkeit (Phosphor):

Elektron bleibt übrig


 positiv geladene Störstelle

niedrigere Wertigkeit (Bor):

Elektronenmangel: Defektelektron
negative Störstelle

Abweichung v. der Stöchiometrie:

Im NiO-gitter fehlen Ni-atome


 2 Ladungen fehlen
 2 Defektelektronen werden eingefangen

ZnO

Mehr Zn atome auf zusätzlichen Gitterplätzen


 2 Elektronen im Überschuss

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1.1.2.Atomarer Aufbau

Isoliertes Atom
-4 Quantenzahlen (zur Charakterisierung der Energie)

1.Hauptquantenzahl n
- Hauptenergieniveaus

2.Nebenquantenzahl l
- untergliedert in Teil- o. Nebenniveaus

3.Magnetquantenzahl m
- Einstellung der Elektronen zum äußeren Magnetfeld

4. Spinquantenzahl s=±½
- Eigenrotation der Elektronen um eigene Achse

Pauli-Prinzip: auf einem Energieniveau können nur 2 Elektronen untergebracht werden

Energiespektrum des Wasserstoff:

n=1 Grundzustand
n>1 angeregter Zustand

stärkste Anregung  Ionisierung: Elektron vom


Kern entfernt

c
W ( m)  W ( n )  h  f f

h*f .... Energie des Photons

Reihenfolge d. Energieniveaus in Atomhülle:

- Werden enger und vielfältiger mit zunehmender


Energie
- Tieferliegende Elektronen spielen kaum eine Rolle
- dafür Außen-elektronen (Valenzelektronen)

Nebenquantenzahl l=0 s-Niveau


l=1 p-Niveau
l=2 d-Niveau

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Elektronen im Kristallgitter:

Drune/Riecke (1900)

- Jedes Metallatom gibt 1 Elektron als freies


Leitungselektr. Ab
- Sind im Kristallgitter frei beweglich = Elektr. Gas
- Gehören nicht zu einem einzelnen Atom sondern
ganzen Metallgitter
- Auf Elektr.gas sind Gesetze der kinet. Gastheorie
anwendbar
 unterliegen Boltzmannscher Energiestatistik
- ohne äußeres elektr. Feld
- Elektronen führen Wimmelbewegung aus
- Nicht gleiche Energie und Richtung
- Nur statistisch erklärbar

Teilchenbewegung:

v  Geschwindigkeit der Elektronen in Feldrichtung


v  mittlere Geschwindigkeit  Driftgeschw. v d
v d   H  E  Beweglichkeit mal Feldstärke

ohmesches Gesetz gilt :


S    E  e  n  H  E

n ... Elektronenkonzetration
e ... Elementarladung

Fermi-sches Elektronengas:

- mittlere Energie des Elektronengases ist Temperatur unabhängig


- Hauptenergie steckt in Gitterbausteinen
- Elektronen liefern nur geringen Anteil der Wärmekapazität
- Elektronengas besitzt Nullpunktsenergie (wenn Stoff abgekühlt wird,
bewegen sich Elektronen immer noch)
o In Metallen sind Zahl der Ladungsträger sehr hoch
o  beeinflussen sich gegenseitig
o  Quantenmech. Gesichtspunkte berücksichtigen
o  Pauli-Prinzip gilt für Elektronenverband

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f(w) ... Besetzungswahrscheinlichkeit
WF ... Fermi-energie

Für Metalle:

n ≈ 1023 cm-3
 WF = 5 eV

h²  3n 
Fermi-verteilungsfunktion: wF  3   ²
2m   

h ... planksches Wirkungsquantum = 6,625*10-34 VAs²

Elektronen halten sich nur in Energiebändern auf


Dazwischen nicht (verbotene Zone)
Können durch E-aufnahme oder –abgabe von einem Band zum anderen gelangen
(angeregte Zustände)

Stoff Aktivierungsenergie Austrittsarbeit Primäre

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Wg= WA Ionisierungsenergie
Ge 0,67 4,55 8,10
Si 1,11 4,8 8,14
Au 4,71 9,2
Cu 4,44 7,67

Bändermodelle

Für Leitfähigkeit tragen nur teilweise besetze Bänder bei

a) halbvolles Band
b) volles mit leerem Band überlappt
c) leeres Band (Leitband) durch Aktivierungsenergie von vollem getrennt

bei T=0  Isolator


bei Temp. Erhöhung nimmt spezifischer Widerstand zu
 Halbleiter Wg ≈1 eV

d) Wg >= 2 eV  keine Elektr. im Leitungsband  Isolator

z.B. um Ortsabhängigkeit zu erklären

Energiebandstruktur

Darstellung der Energie über Wellenzahlvektor oder Ort

Ges.: Elektronenenergie = f (Impulsvektor) (Wellenzahlvektor)

2p h
k p
h 
2
k

(wieviele Wellen passen in eine Periode)

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- direkter Halbleiter, weil Max. und
Min direkt gegenüber
- nur Energiezufuhr um Elektr. Ins
Leitband zu schicken

- indirekter Halbleiter
- Energiezufuhr und Impuls
notwendig

wenn W  f ( k ²)
4 ² d ²W dW
F 
h ² dk ² dt
1
analog F a
mo
1 4 ² d ²W
def. : 
meff h ² dk ²

12
1.1.3. Dualismus Welle – Teilchen
Elektromagn. Strahlung:

- sichtbares Licht
- höhen Strahlung
- Röntgenstrahlung

- Bei Exp. hat Strahlung einmal Teilchencharakter, aber auch


- Interferenz, Beugung  Welle

 Modell um beides zu beschreiben gesucht


 Quantentheorie

-bewegtes Teilchen besitzt Wellenlänge = Materiewellenlänge

nach De Broglie:

h h
 
p mv
E  mc ²

relative Masse:

m0
m

1

relative Wellenlänge:


h 1
 c²
m0 v

Quasi-teilchen:

- Im Kristallgitter können Energien nur in bestimmten Portionen


ausgetauscht werden gequandelt)
- Energien können als Teilchen aufgefasst werden = Quasiteilchen,
Anregungsquanten, Schwingungsquanten, Wärmequanten, Photonen

Elektronenstreuung, Spezifischer elektr. Widerstand:

- Widerstand entsteht durch Streuung der Elektronenwelle an


Gitterbausteinen
- Je stärker Schwingung der Gitterbausteine, desto größer Streuung
- Geht Temp. gegen Null, geht auch Widerstand gegen Null
- ρn Restanteil je nach Legierung

13
1
- Mathiessensche Regel     (T )   n

Supraleitung:

auch bei Gitterbaufehlern tritt Effekt ein


nach Bordeen, Cooper, Schrieffer v. 1957

- 2 Leitungselektronen mit
unterschiedlichem Spin treten zu
einem Paar zusammen = Cooper-
Paar
- geben dabei Energie ab
-  Masse nimmt dabei ab, größere Wellenlänge (10 –7 ... 10 –6 m)
- Spin für das Paar hebt sich auf (s=0)
- Werden zu Bosonen, keine fermionen mehr
- Pauli-Prinzip gilt nicht mehr
- Können alle gleiche Wellenlänge und Energie annehmen
- Können gleichen Impuls aufnehmen und sich einheitlich im Feld
bewegen (kohärent)
-  keine Wechselwirkung mit Gitterbausteinen, weil Wellenlänge zu
groß

Elektronengas

Ohne elektr. Feld mit elektr. Feld

Meißner Ochsenfeld-effekt:

- Verdrängung des Magnetfeldes aus dem Leiterinnern


- Effekt rückgängig machen durch:
 Energiezufuhr
 Temperaturerhöhung
 Magnetfelderhöhung (kritische Feldstärke)

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2 Arten der Supraleitung:

1.
- Scharfer Übergang von Normal zum Supraleiter 0,05 K
- sprunghaftes Verschwinden der Erhöhung der magn. Feldstärke
- Hg, Sn, Pb, Al
2.
- allmählicher Übergang 0,5 K
- unvollständiger Meißner-Ochsenfeld-effekt
- 2 kritische Feldstärken Hk1<H<Hk2
- Hk2 (2.Art) > Hk (1. Art)
- V3Ga, Nb (Niob), Nb3Sn, NbT

1.2. Einfluss v. Struktur und Gefüge auf die Eigenschaften


Gefügeunabhängige Eigenschaften:

- von Atomart / Kristallstruktur abh.


- Geringe Änderung durch Umformung, Wärmebehandlung, legieren
- Bsp.: Elastizitätsmodul, Schmelztemp., Austrittsarbeit, Dichte

Gefügeabhängige Eigenschaften:

- durch Realstruktur bedingt


- durch legieren, umformen, Wärmebehandlung, über Größenordnungen
verändern
- Bsp.: Zugfestigkeit, Umformbarkeit, elektr. Leitfähigkeit, chem.
Beständigkeit

Auch Eigenschaften die von beiden abhängen

- Gittertyp bestimmt Härte u. elektr. Leitfähigkeit


- Je komplizierter Gitter, desto härter und spröder
- Bei gleichen Gittertypen ähnl. Eigenschaften

Stoff Elektr. Leitfähigkeit in MS/m Zugfestigkeit in MPa


Reinstes Cu 60 150
Elektro-Cu 99,95% 58 220
E-Cu hartgezogen 56 450

Legierungen:

Mischkristalle:
- Atome der Legierungskomponente werden völlig ungeordnet zugefügt
(einphasiger Werkstoff)
-  Periodizität ist stark gestört
- geringe Leitfähigkeit

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Kristallgemisch
- Einzelkomponenten bilden eigene Kristallite
- Mehrphasiger Werkstoff
- Eigenschaften bestehen aus Einzeleigenschaften

Überstrukturen:
- Fremdatome nur an bestimmten Stellen des Gitters
- Störung nicht zu groß
- Leitfähigkeit > als bei Mischkristallen

Intermetallische Verbindung:
- festes Mischungsverhältnis
- geringe Störung

amorphe Stoffe:
- völlige Unordnung, Gläser, Kunststoffe, Metalle, Halbleiter

schnelle Abkühlung (>10 hoch 4 K/s)


höhere Festigkeit u. Härte
geringe elektr. Leitfähigkeit
höhere Korossionsbeständigkeit

Beeinflussung der Eigenschaften bei Verarbeitung u. Herstellung:

Polyethylen:
- 1. Hochdruckverfahren
o PE niederer Dichte: PE-ND
o Effektiv, geringe Dichte, geringe Festigkeit
- 2. Niederdruckvefahren
o PE-HD
o Wenig effektiv, höhere Dichte und Festigkeit

Rekristallationstemperatur:

- Veränderung der Struktur ab bestimmter Temperatur

Kaltumformung:
- höhere Festigkeit, geringere Leitfähigkeit

Wärmebehandlung:
- Änderung magnetischer Eigenschaften

Sehr dünne Materialien weisen andere Eigenschaften auf:

- sehr dünnes Cu hat anderen Widerstand als dichteres

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Abhängig der Eigenschaft von:
- Temperatur, Luftfeuchtigkeit, Schadstoffen
- Fließender Strom  Migration (Wanderung von Atomen)

Viele sind Reversibel (bei Temp., z.B. Licht)


Irreversibel: Alterserscheinungen (Oxidation von Kunststoffen)

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Prüfung von Werkstoffeigenschaften:

Hauptgruppe der Zielstellung Ausgewählte Zielstellung d.


Prüfverfahren Prüfverfahren d. ausgewählten
Haupt-gruppe verfahren bestimmter
Kenngrößen
Mech.-Technolog. Ermittlung der Härtemessung Zugfestigkeit,
Widerstandsfähigkeit Bruchdehung,
gegen äußere Kräfte Brucheinschnürung
bei statischer u. Kerbschlagversuch Kerbschlagzähigkeit
dynamischer Aufschweißbiegeprobe Nachweis d. Schweiß-
Beanspruchung barkeit
Chemisch Qualitative u. Flammenprobe Nachw. Bestimmter
quantitate Elemente
Bestimmung der
chem.
Zusammensetzung
Korrosionsprüfung Schwitzwasserversuch Widerstandsfähigkeit
gegen Feuchtigkeit u.
Chemikalien
Metallographische Mikroskopische Lichtopt. u. Bestimmung v. Art,
Untersuchung d. elektronenmikroskop. Menge, Größe, Form
Gefügeaufbaus Verfahren u. Anordnung der
Gefügebestandteile
Physikal. Ermittlung elektr., Leitfähigkeitsmessung, Elektr. Leitfähigkeit
magnet., opt., Messung magnetischer Permeabilität
akustischer u. therm. Eigenschaften therm. Fomrbeständigkeit
Eigenschaften Prüfung von Plaste
Zerstörungsfreie

Werkstoffkenngrößen:
Sind messbare Eigenschaften
Es gibt Messvorschriften

Werkstoffkennwert:
Mit Maßzahl und einheit
Eine Kenngröße in Abh. Vom Zustand

1. Mechanische Werkstoffkenngrößen:

Elastizitätsgrenze:
F
Elgr  max [ MPa ]
A

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Querkontraktionszahl: (POISSON-Zahl)

  A / A0
 0  v  0,5
2  l / l0

Elastizitätsmodul:

D Spannung (Kraft je Querschnitt)


E [GPa]
Erel E rel elast. Dehnung

Zugfestigkeit:

Fmax Höchstkraft
Rm  [ MPa ]
A0 ursprüngl. Querschnitt

Streckgrenze:

Re (Beginn des Fließens)

Bruchdehnung:
L  L0 l länge nach Bruch
A n  100   100
L0 l0 urspr. Länge

Brucheinschnürung:

A0  An
Z  100
A0

Kerbschlagzähigkeit:

K0
Kc  [ J / m ²] K ... zum Zerschlagen der Probe verbrauchte Schalgarbeit
A0

Härte:
- Widerstand eines Stoffes gegen das Eindringen eines anderen.

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2.Elektrische und Magnetische Kenngrößen:

Elektr. Leitfähigkeit:

S elektr. Stromdichte
  [S / M ]
E Feldstärke

Oberflächenwiderstand:
U
 s  Rs  [ B ]
I
I
 s  Gs  [SB ]
U

Spezif. Volumenwiderstand:

E 1
  [m]
S 

Durchschlagfestigkeit:

U D Durchschla gspannung
ED   [kV / m]
d Elektrodenabstand

Kriechstromfestigkeit:

Permitivitätszahl:

 Permitivitätszahl
r  
 0 Permitivitätszahl im Vakuum

Verlustfaktor:

P Wirkleistung
tan   
Q Blindleistung

Remanenz (magnet. Kenngröße):

Br Flussdichte bei H=0 [Wb/m²]

Koerzitivfeldstärke:

Hc ... magn. Feldstärke für B=0 [A/m]

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3.thermische Kenngrößen:

Wärmeleitfähigkeit, Wärmeleitzahl:

dQ 1 1 W
   [ ]
dt A dT mK
dx

Spezif. Wärme, spez. Wärmekapazität:

Q J
 [
mT kg  m ]

Temp-Koeffizient:

Lineare Abhängigkeit: Nichtlineare Abh.:

x 1 dx 1
Tkx  
 [1 / K ] Tkx   [1 / K ]
T x0
dT x0

x0 ... Bezugswert der Größe x


∆ x ... Veränderung d. Größe x

21
2. Metalle u. Legierungen

2.1. Metalle

2.1.1. Mechanische Eigenschaften

Kristallstruktur d. Metalle:

Formbeständigkeit:

Elastizitätsmodul Schubmodul Poisson-Zahl


Eisen 220 82 0.33
Aluminium 70 26 0.34
Blei 16 5,5 0.44

Anisotrophie
Richtungsabhängig

E(111) E(100)
Eisen 290 130 in [kN/mm²]

Es gibt bevorzugte Ebenen für Umformung mit dichtester Packung:


Hex (000n) * Eb
Kfz (111)*Eb am besten verformbare Gitter
Krz häufig spröde

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Wärmeumformung:

- Erwärmung über Rekristallationstemperatur

Rekristallationstemperatur:

Stoff Rekristallationstemperatur
Blei 0°C
Alu 150°C
Fe 450 °C
W 1200°C

Betriebstemperatur liegt bei halber Schmelztemperatur

Linearer Ausdehnungskoeffizient:

1 dl
l  
l dT

2.1.2. elektrische Eigenschaften

gute Leiter: ρ = 1,6 ... 2,7 μΩcm


schlechte Leiter: ρ > 10 μΩcm

Massendichte ρm:

Fe: 7,9
Alu: 19,3

Temperaturkoeffizient des spez. Widerstandes:

1 d
  
 dT

für reine Metalle ≈ 0,4% / °C


λ ~ κ ·T Wiedemann-Franz-L. (?)

23
2.2. Legierungen

2.2.1. Mechanische Eigenschaften u. Struktur

Legierung:
- Metallartiger Stoff aus mehreren Elementen mit mind. einem Metall

- Aus einer Phase: homogenes Gefüge


- Mehrere Phasen: heterogenes Gefüge

- Eigenschaften richten sich nach Charakter:

Sind sie in festem/flüssigen Zustand mischbar?


Zustandsdiagramm
Gleichgewichtsvorgänge werden betrachtet:
- ausreichend langsame Abkühlung

Haltepunkt bei z.B. Cu, Ni

Bei Gemisch kein Punkt:


Schmelze und Kristall vorhanden

Komponenten sind gut mischbar:


Ähnliche Kristallstrukturen: Cu / Ni Au / Pt
Cu / Pt Ag / Pd

Kristallite mit unterschiedlicher Konzentration: Seigerung

Hebelgesetz:

mk ... Menge
Kristallite in
der Substanz
mf ... Menge
der Schmelze

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Indium Germanium: nur sehr wenig löslich

Eutektisches System:

- Verschwindende Löslichkeit der Komponenten im festen Zustand


- Beliebige Löslichkeit in der Schmelze
 bestimmte Zusammensetzung = eutektische Zusammensetzung
(Stoff verhält sich wie reines Metall)

- beim Erstarren entstehen Kristallite beider Komponenten


- Erstarrungstemp. des Eutektikums niedriger als die der
Einzelkomponenten
- Einzelkomponenten
mit Überschuss erstarrt
in größeren Kristallen

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Sehr oft gibt es bestimmte Löslichkeit (keine Extreme)

Ebenso: Ag/ Pt Al / Cu
Cd / Zn Al / Zn
Al / Mg Cu / Fe

 Entstehung einer intermetallischen Verbindung

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Peritektische Temperatur:

- bei Überschreiten der Peritektischen Temperatur kommt es zur


Reaktion mit bereits gebildeten Kristallen

- zu 3: β Kristall bleibt übrig, Rest wandelt sich in Verbindung um

Eisenwerkstoffe:

Reines Eisen:

Allotrophie

Kohlenstoff ist wichtigster Legierungspartner des Fe.


γ –Fe: größere Dichte
 Volumenverkleinerung von α  γ

Verwendung von reinem Eisen als Leiter (elektr.) z.B. Elektrode in Gitter und Röhre

Reines Eisen:
- Schmale Hysteresis-
schleife
- weichmagnetischer Werkstoff
- Verwendung für Relaiskerne, -anker,
Magnetjoche

0-2 % Gewicht Kohlenstoff: Stahl


2 – 4,5 % : Gusseisen

Eutektoid: - Bestimmte
Zusammensetzung (ähnlich
wie Eutektikum aber im
festen Zustand)

Lebeburit: - Eutektische Zusammensetzung


von Ferit und Zementit (Fe3C)

1. C in α-Fe gelöst
0,02 % gew. Bei 723 °C
Einlagerungsmischkristall = Ferit
2. C in γ-Fe gelöst
max 2% gew. Bei 1145°C
= Austenit

27
3. C an Fe gebunden
Fe3C Eisenkarbid (= Zementit)
hart und spröde
4. eutektische Zusammensetzung:
4,3 % gew. C
64 % gew. Fe3C + 36 % gew. Ferrit
=Lebeburit
5. eutektoide Zusammensetzung:
0,8% gew. C
Ferrit + Zementit = Perrit
feines, meist Lamellenförmiges Gefüge
6. C elementar im Fe
 Graphit
Ausgeschieden in Form von Kugeln oder Lamellen
7. Mischkristall aus α-Fe + C
durch Einlagerung wird Gitter tetragonal verzerrt
 innere Spannung führt zu höherer Härte = Martensit

Werkstoffverwendung:

Gusseisen:
- spröde und hart
- kann in Formen gegossen werden
- enthält Ferrit (weich), Zementit (hart, spröde), Graphit
- bis 0,8 % C als Zementit
- Rest als Graphit
- Lammellenform verringert Zugfestigkeit
- Zementit hat tragende Funktion
- Graphit gewisse Schmierwirkung
- Ferrit nutzt sich schnell ab
-  es enstehen Vertiefungen
 gleitende Funktion
- in gewissen Mengen auch: Ph, S, Mn, Si enthalten

Stahl:
- C< 0,8 %
- Baustahl
- Unterperlitisch
- Untereutektisch

- 0,8 < C < 2 %


- überperlitisch, übereutektisch
- Härte und Zugfestigkeit
nimmt zu, wird aber auch
spröder
- Lässt sich härten 
Verwendung als Werkzeug

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Härten:

- erwärmen über c) ...d) Gebiet


- viel C in Fe gelöst
- durch Abschrecken wird Ausscheidung von Zementit in Körner
verhindert
- danach wieder erwärmen (anlassen) (bis 250°C) um andere
Eigenschaften zu erhalten
- Härten + Anlassen = Vergüten

Legierte Stähle:
- 1. Bestandteile einbringen die Mischkristalle mit Fe bilden
-  austenitisches Gefüge mit Mn, Ni, Co
-  ferritisch: Cr, Mo, W, V
- 2. Verbinden sich mit Fe zu Karbiden
- W, Ta, V, Nb, Ti
- 3. Bindung von Verunreinigung: O, S, P
- Werkstoffbenennung von Eisen u. Stahl:
DIN 17606

Einteilung nach:

- Zugfestigkeit: in kp / mm²
o Stahl St z.B. St 37
o Grauguß GG Gg18
o Stahlguß GS GS45

- Zusammensetzung:

- 1. unlegierte Stähle:
o < 0,5 Si; 0,8 Mn; 0,1 Al, Ti; 0,25 Cu (in gew. %)
o Gehalt mal 100 z.B. C35 (0,35 % C)

- 2. niedrig legierte Stähle:

Faktor 4 10 100
Cr, Co, Mn, Ni, Si, WAl, Be, C, Nb, Ta, Ti, P, S, N
Va, Zr
o z.B. 13Cr V5 3
0,13 % C 1,25 % Cr 0,3 % V

- 3. hochlegierte Stähle
o x vorgesetzt
o außer C in %

29
o z.B. X10 CrNi 18 8
o 0,1 % C 18% Cr 8% Ni

Werkstoffnummer DIN 17007

‫ٱ ٱٱٱٱ ٱٱ‬
Sortennr.
Zählnr.
Anhängezahl
Werkstoff
Hauptgruppe

Nichteisenmetalle:

Messing: Cu + Zn

1. homogen: α kfz ... 37 % Zn


2. heterogen: α+β krz 37 ... 50 % Zn

bei 37 % gewisse Elastizität


mit Zugabe von Zn lässt sich Härte und Festigkeit steigern
Zugfestigkeit steigt: 500 N / mm²

CuZn 44 44% Zn
(MS 56)

Federn: CuZn 37

Aluminiumlegierungen:

Mg, Mn bilden Mischkristalle


Ausscheidungshärtung

1. nicht aushärtbare: AlMgMn (bis 7% Mg, 1,5 % Mn)


2. aushärtbare: AlCuMg (2,5 ... 4,5 % Cu
0,4 .. 1,5 % Mg
0,5 ... 1 % Mn)

Alu-guß:
Eutektikum mit Si (12 % Si)

2.2.2. Elektrische Eigenschaften der Legierungen:

30
2.3.1. Leiterwerkstoffe:

Ziel: gute Leitung bei geringem Volumen und geringer Masse (z.B. Ag, Au, Cu)

- Al geeignet durch gute Dichtebezogene Leitfähigkeit

Produkt aus Widerstand u. Massendichte:

2.24a) Leitfähigkeit verschiedener Metalle im Vergleich zu Silber


2.24b) Dichtebezogene Leitfähigkeit verschiedener Metalle im Vergleich zu Natrium (wichtig
für Leitungen mit geringem Gewicht (Freileitung), Al besser geeignet als Cu)

Cu reinst IACS DIN E-Cu weich


59,5 104 S/cm 58 104 S/cm 57104 S/cm
> 99,95 % > 99,9 %
Al reinst
38 104 S/cm 36104 S/cm

50 … 150 N /mm²

“Aldrey” Al + 0,6% Si + 0,4 % Mg


350 N / mm² 30 104 S/cm

31
Kupferlegierungen für Anwendung in E-Technik:

Zusammensetzung 104 S/cm


Cu + 0,2% Ag Erweichungstemp 57 Kollektorlamellen
nach Kaltumformung
erhöht
Cu + 0,5 % Te Bessere 55 Maßhaltige Teile
Zerspanbarkeit
Cu + 1,7 % Be Aushärtbar 18 Kontaktfedern
Cu + 1,2 % Cd Höhere Festigkeit 52 Fahrdrähte
Cu + 0,6 % Cr Aushärtbar 48 Schweißelektroden,
Röhrenbau

Temperaturabh. der kritischen Feldstärke:

2
T 
H c  H 0 [1    ]
 Tc 

Sprungtemperatur von YBa2Cu3O7 bei 90 K


(Supraleitung)

2.3.2.Kontaktwerkstoffe:

Prinzipiell:
 geringer Übergangswiderstand
 Vermeidung von Kleben und
Schweißen
 Beständigkeit gegen
Materialwanderung
 Beständigkeit gegen Abbrand beim
Schalten unter Last
 vor Korrosion schützen (Schutzgas,
Edelmetalle)
 meist Legierungen
 Kompromiss zw. Verschleißfestigkeit
und Kontaktwiderstand

32
2.3.3. Widerstände

4 Materialgruppen:

Material Metalle (z.B.Ta) Legierung Ni/Cr Halbleiter Verbundwerkstoffe


(Graphit) Cr/SiO
6 7
Widerstand <10 <10 10 ... 108 ... 109

Präzisionswiderstände:
- kleiner Temperaturkoeffizient
- geringe Thermokraft gegen Cu
- hohe zeitl. Konstanz

Grenztemperatur in °C Thermo-spannung gegen Cu


CuNi44 (Konstantan) 600 -40
CuMn12Ni 140 -0,4
CuMn2Al 200 + 0,1

Heizwiderstände :
- hoher Schmelzpunkt
- hohe chem. Beständigkeit
- stabilität d. Legierung
- ausreichende mech. Wärmefestigkeit

33
maximale Arbeitstemperatur:
Stoff Temp in °C Atmosphäre
CuNi44 600
Pt 1000 Luft
Mo 1500 Wasserstoff
W 1700 “
MoSi2, SiC 1600
NiCr 8020 1200
C 3000

Veränderung des Widerstandes bei Kalt und Betrieb ist zu berücksichtigen.

2.3.4. Messtechnik
Temperaturmessung:
2 Effekte:
- Temperaturabh. Widerstand (fast linear)
- Thermoeffekt (Seebeckeffekt):
 Elektronen führen Wimmelbewegung aus
 Je nach Temp. Unterschiedlich
  diffundieren vom heißeren zum kälteren Ende
 je nach Metall unterschiedlich
 Differenz zw. Metallen messen
 Pt bildet Nullpunkt
 Thermospannung fast linear abh. Von Temp.

Bi-Metall:
- unterschiedliche Längenausdehnung zweier Metalle bei
Erwärmung
- z.B. Messing / Nickel-Eisen

Dehnungsmessstreifen:
- Widerstandsänderung durch mechanische Dehnung:
l 1 l l2
R   
A e  n  n A e  N  n
R l  l
 2  n  2  2
- R l n l
R
allgemein :  k 
R
k  2...4
- l .... Länge
- A ... Querschnitt
- n ... Elektronenkonzentration
-  n ... Elektronenbeweglichkeit
- N=nAl ... Zahl der Elektronen
- ε ... mechanische Dehnung

34
3. Halbleiter

3.1. Allgemeines

Leitungsmechanismen:

- Energie zufuhr  Elektronen aus Valenzband gelangen ins Leitungsband


- Lücke bleibt zurück  von anderen wieder ausgefüllt
- Vorgang nicht überschaubar, weil zu viele Elektronen wandern  Modell
- Lücke bekommt Masse, Lücke == Defektelektron
- Ladungsträgerpaar ensteht = Generation
-  Eigenleitung (Intrinsic-Leitung)
 ohne Dotierung möglich
 bei bestimmter Temp. Stellt sich bestimmte Ladungsträger anzahl
ein
 steigende Leitfähigkeit bei Temperaturerhöhung

Störstellenleitung:

n-Leitung:
 Dotierung mit höherwertigen Atomen (z.B. Si – Phosphor)
 Ein Elektron nicht für Bindung benötigt
  lässt sich durch geringe Energiezufuhr abspalten
 positiv geladene Störstelle bleibt zurück
 (Donator: gibt Störstelle ab)

35
p-Leitung:
 Dotierung mit niederwertigen Atomen (z.B. Si -Bor)
 Loch / Defektelektron bleibt zurück
  Akzeptor
Fermieniveau rückt in Richtung Valenzband nach unten

Störstellenerschöpfung: Störstellenleitung bei Raumtemperatur vollständig ausgebildet


Eigenleitung erst bei höheren Temperaturen (100°C)

Leitfähigkeit:  
S  E
  e( n   n  p   n )

36
3.2. Werkstoffverwendung
Halbleiter

Kristallin amorph

Einkristallin Polykristallin

- hochreines Material benötigt (10-12 Anteil an Fremdstoffen)


- danach dotieren zur gezielten Leitfähigkeitseinstellung
- Halbleiter in der Nähe der IV. Hauptgruppe
- B, C, Si, Ge, Se, teilweise P, Sn, As
- HL aus Verbindung (Verbindungs-HL)
- zw. 3 und 5 wertigen Elementen
- ähnl. Kristallgitter wie Si
- Zn- Blende struktur

- AIII-BV-HL:

- z.B.: Al, Ga, In mit P, As, Sb

GaAs - gute Beweglichkeit der Elektronen


- Gunneffekt-Bauelement
- Hoch- u. Höchstfrequenzkreise
- Transistoren, Dioden, Laserdioden
GaSb - Hochfrequenzdiode λ= 1,6 μm
- μP↑
GaP - Lumineszenz-BE
- Orange-dunkelrot
InAs - Laserdioden λ= 3,1 μm
- Infrarotdetektoren (μn↑)
- Hall-effekt-BE (gute Leitfähigkeit mit wenig
Ladungsträgern benötigt - auch InSb)
InP - Laserdioden
AlSb - Solarzellen

- AII-BVI-HL:

ZnS Fotoelemente
ZnSe Lumineszenz-BE
CdSe Transistoren

Glas-HL (amorph)

- ionische Leitfähigkeit bei Glas (Fensterglas = Na)

37
chalkogenid-Gläser:
- glasartig: κ= 10–6 S/cm
- kristallin: κ= 104 S/cm

Chalkogene:

- amorph u. kristallin kann wechseln


-  Umschalten zw. Hoher und niedriger Leitfähigkeit
- As, S, Te in verschiedenen Kombinationen

Eigenschaften:

- undurchlässig für sichtbares Licht


- durchlässig im Infrarot-bereich (Ultraviolett)
- Schmelztemperatur: 100 ... 450 °C
- Im Hochvakuum verdampfbar
- Spezielle Strom-Spannungskennlinie
- Us = Schwellenspannung

Abhängig von:

- Modifikation des Materials (Herstellung, Behandlung)


- Material
- Dicke d. Schicht
- Temperatur und Feldstärke bei Herstellung

Einsatz:
- Schalter
- Speicher

Vorteile:
- einfacher Aufbau
- preiswerte Herstellung
- sehr hohe Schaltgeschwindigkeit (10–10 s )
- unempfindlich gegen Strahlenschäden

Nachteile:
- Reproduzierbarkeit ungenügend
- Keine ausreichende zuverlässigkeit

Organische Halbleiter:

- κ = 10–12 ... 103 S/cm


- Makromoleküle
- Zunehmende Leitfähigkeit mit zunehmende Temperatur
- Kohlenstoffketten mit alternierenden Doppelbindungen:
–C=C–C=C–

38
- Umgruppierung der Bindungen im elektrischen Feld  Elektronen-wanderung
- Am Ende der Ketten einbringen von Akzeptoren und Donatoren
o z.B.:
- Aromate + Halogene
- Aromate + Metalle
- 2 org. Moleküle

Eigenschaften:
- Abhängigkeit der Leitfähigkeit:
 Temperatur
 Druck
 Lichteinfall
 Spannung

- Verwendung in Sensorik (Lumineszenz, Thermo, Foto...)


- Forschung nach Supraleitern bei Raumtemperatur
- Stoffe, die unter Spannung optische Eigenschaften ändern

Volumenbauelemente:

- von Interesse:
o Ladungsträgerbeweglichkeit (elektr. Widerstand)
o Ladungsträgergeneration u. –rekombination
o Bandstruktur
- in der Regel passive BE
- keine große Anforderung an Reinheit

Thermistor - Großer Temperaturkoeff. polykristallin


- Z.B. Fe2O3 , TiO3
Foto- - starke Absoropint von Photonen in gewünschtem f- Poly- u. ein-
Widerstand bereich kristallin
- große Ladungsträgerlebensdauer
- GaP, CdS, CdSe, PbS, InAs
Hall- - ↑ Ladungsträger bewegl. Einkristallin
generator - ↓ Ladungsträger-konzentration
- ↑ elektr. Leitfähigkeit
- z.b. InAs, InSb
Heiz- - kleiner Temp-koeff. Im Heizbereich Polykristallin
elemente - hohe Temp.beständigkeit
- hoher spez. Widerstand
- Si, MoSi
Gunn-Diode - Bestimmte Bandstruktur Einkr.
- GaAs, InP
HL-dehn- - Änderung der Bandstruktur bei mechn. Deformation Einkr.
messstreifen
Varistor - hoher spez. Widerstand Polykr.
- gr. Abhängigkeit des Widerstandes v. d. Spannung
- SiC

39
Sperrschicht BE:

Übergänge:
- p–n
- n – n+ (n+ = stark dotiert)
- p – p+
- n – ni (ni = Eigenleitung)
- p – pi
- Heteroübergänge (verschiedene HL)
- MIS- strukturen (auch MOS)

Einkristallin, hochrein

a) Elektrische Eigenschaften:
- Aktivierungsenergie (Bandabstand)
- Ladungsträgerbeweglichkeit
- Bandstruktur

b) Darstellbarkeit:
- Herstellung
- Kristallzüchtung

c) Weiterverarbeitbarkeit:
- Dotierbarkeit
- Möglichkeit einer Passiv-Schicht-Bildung an der Oberfläche
- Stabilität bei allen Prozessschritten
- Kontaktierbarkeit
- Herstellung mikroelektr. Strukturen
d) ökonomische Gesichtspunkte

 Si dominierende Rolle

weil:
- geeigneter Bandabstand (1,1 eV)
- ausreichende Lebensdauer, beweglichkeit der Ladungsträger
- reine und fehlerfreie Züchtung von Einkristallen
- es existiert ein stabiles Oxid SiO2 ( planar Technologie)

 breite Anwendung:
- mikroelektr. Schaltkreise
- Transistoren, Diode, Tiristoren
- Hochleistungs-BE
- Z-Diode
- Shottky Diode
- Strahlungsempfänger (kein Emiter)

Se: für (billige) Gleichrichter


Ge: Dioden und Transistoren
Verbindungs-HL: Strahlungsemitter

40
3.3. Herstellung von Halbleitern

Verfahren zur Einkristallherstellung

Verfahren der gerichteten Erstarrung

o Tiegel mit Schmelze und Heizung über dem gesamten


Tiegel
o Keim wird eingebracht und durch Tiegel gezogen
o Kristalle lagern sich an

Nachteil:
o Verunreinigungen können in Schmelze gelangen
o Therm. Spannung zw. Metall u. Tiegelwand
o  Versetzungen
o Wand kann als Keim wirken
o Ungleichmäßige Dotierung durch untersch.
Schmelzenvolumen

Ziehverfahren nach Zochalski

41
Nachteil: Verunreinigung durch Tiegel

- Ungeleichmäßiges Schmelzenvolumen vermindern durch


Schwimmtiegel
- Volumen ist konst, da im Tiegel
immer die gleiche Menge ist

42
Zonenschmelzverfahren:

- Konzentration der Verunreinigung an


einem Ende
- wird dann entfernt

Tiegelfreie Einkristallzüchtung (floating zone technique)

1 Ziehstange
2 Stabhalterung
3 polykristalliner Ausgangsstoff
4 Schmelzzone
5 wassergekühlter Induktor
6 Einkristallkeim
7 Keimhalter

- alle Nachteile bei diesem Verfahren ausgeschlossen


- perfekte Einkristalle in Form und
Zusammensetzung
- Durchmesser: max. 300 mm
- Schmelzzone stabilisiert durch magn. Wirkung der
Wirbelströme durch Induktion und
Oberflächenspannung

43
Verfahren zur Dotierung:

Legierungsverfahren:

Diffusionsverfahren:

aus unerschöpflicher Quelle N(x) t=0 = N0


 x 
N ( x, t )  N 0 erf   D... Diff.koeff.
 2 Dt 
erf ... Fehlerfunktion

aus erschöpflicher Quelle


Q = konst.
Q   x 2 
N ( x, t )  exp    
Dt   2 Dt  
 

44
Diffusionsverfahren + aus der Gasphase

- oft zweistufig
o Vorbehandlungsdiff.
o Tiefendiff.

+ aus dotierten Schicht


+ Mehfachdiff. Für Transistoren
+ Diff. Durch Fenster (Unterdiff.)

Ionenimplantation

- Teilchen werden auf Oberfläche geschossen


- Dringen ein  Dotant, beim Eindringen wird Gitter zerstört
- Muss nachträglich durch Wärmebehandlung ausgeheilt werden

S   x  R 2 
exp    
pr
N ( x, t )  R pr ... mittlere Eindringtiefe
S pr 2   2  
  pr 

S .... Anzahl Elementarladungen
 pr ...Standaradabweichung

Implanter:

- Ionenquelle (Dampf herstellen)


- Durch Gasentladung ionisiert
- Werden beschleunigt, fokusiert
- Verunreinigung im Dampf enthalten
- Ionen werden durch Magnet abgelenkt, Blende  Filterung
- Weiter beschleunigt (300keV)
- Dann auf Scheibe geschossen
- Dosis lässt sich durch geflossenen Strom messen

Epitaxie

Orientiertes Aufwachsen eines Stoffes auf anderen


Homoeptaxie: gleicher Stoff wird aufgetragen
Heteroepitaxie: andere
 Gitterunterschied  Spannung

mit Abscheidung Dotant


entstehen bel. Dotierungsprofile

wichtigste: CVD (chemical vapor deposition)


chemische Dampfphase Abscheidung
900 ... 1900 °C Arbeitsbereich

Verfahren Schichtherstellung

45
- CVD
o Im Reaktor, Abtransport u. Zufuhr in gasförmiger Phase
o Epitaxie, amorphe Stoffe
 Reduktion durch H2 und SiCl4
 SiCl4 + 2 H2  Si + 4 HCl
 SiHCl3 + H2  Si + 3 HCl Trichlorselan SiHCl3
 SiH4  Si + 2H2 Silanpyrolyse
 Diboran B2H6
 Phosphin PH3
 Arsin AsH3

Isolator SiO2

Si(OC2H5)4 Tetraetoxyselan  SiO2 + 4C2H4 + 2 H2O

Vakuumverdampfung v. Al

Vakuum:
- wegen Verunreinigung
- um Dampfteilchen nicht zu
streuen

Ionenstrahlzerstäuber

Ionen schlagen aus Target Teilchen heraus


Ionenstrahlätzen, Trockenätzen, Sputtorn,
Glimmerentladung

SiO2 Oxidation

Si + O2  SiO2

Trockene thermische Oxidation:


- 900 … 1100 °C
- nur O2 anbieten
- kleine Wachstumsrate, aber ausgezeichnete Qualität
-  Gateoxid

Feuchte Thermische Oxidation:

- Reaktionsgas Wasserdampf
- Hohe Wachstumsrate, geringe Qualität
- Wasserstoff wird mit eingebaut

46
Oxidation mit feuchtem Sauerstoff:

- etwas Wasser zugesetzt


- Verwendung als Passivierungsschicht mit großer Dicke = Feldoxid

Strukturierung des Halbleiters


Zeichnung  Vorlage  Schablone  Maske

1. Diffusion durch Maske


2. Schichtätzen durch Maske
3. Oxidation in Maske

Herstellung eines Bipolartransistors


(Isoplanartechnologie mit vergrabenen Kollektor)

- Si-scheibe, n+ (hochdotiert) wird eindiffundiert


- Epitaktisches Aufwachsen einer n-Schicht
- Diffusion eines p-Isoliergrabens
- Diff eines n+ Kollektorschachtes
- Diff. Des p-Basisgebietes und des n+ Emitters
- Aufdampfen von Al-Leiterbahnen
- Kontaktierung

47
4. Dielektrika

4.1. Übersicht über dielektrische Werkstoffe

= Stoffe mit geringer Leitfähigkeit

Unterscheidung nach Anwendung:

Passiv: Isolation stromführender Leitungen


- ohne tragende Eigenschaften (Transformatoröl, Isolierlacke)
- mit tragenden Eigenschaften (Isolator von Freileitung, Substrate für gedruckte
Schaltungen)
Aktiv: Ausnutzung Polarisationserscheinung
- Dielektrika für Kondensator (Erhöhung Kapazität)
- Ferroelektrische WS mit remanenter Polarisation (Informationsspeicher)
- Piezoelektrische WS zur Wandlung mech. Signale

Unterscheidung nach Herkunft:

Natürl. Herkunft Abgwandelte Künstl. WS


Naturprodukte
Organisch Baumwolle Papier Kunststoffe
Anorganisch Glimmer Porzellan Glas

Einteilung der Isolierstoffe nach Wärmebeständigkeit:

Klasse Grenz- Isolierstoffe


temperatur
Y 90°C Baumwolle, Seide, Papier
A 105°C Baumwolle, Seide, Papier, imprägniert oder getränkt mit
flüssigen Isoliermitteln
E 120°C Phenolharz, Melaminharz-Schichtpreßstoff, Polyesterharze
B 130°C Mikanite, Mikafolium, Glasfaserstoffe, gebunden mit
Schellack oder obenstehenden Harzen
F 155°C Glimmer, Glasfaser, gebunden mit Alkydharzen,
H 180°C Silikone, Silikon-kombination mit Glimmer oder
Glasfaserstoffen, Polyimide
C > 180°C Glimmer, Glas, Porzellan, Quarz, Steatit

48
4.2. Makroskopische Eigenschaften:

Werkstoffe Spez. εr Tan δ Durch-


Widerst. schlagfeld-
Bei stärke in
Raumtemp. Kv/cm
In Ωcm
Unpolare Kunststoffe (Polystrol, Polyethylen, > 10 16 2,0-2,5 <0,0005 400
Polytetrafluorethylen
Polare Kunststoff, ungefüllt (PVC, Polyester, 10 12 -10 16 2,5-6 0,001- 150
Mischpolymerisate) 0,02
Kunstharze, gefüllt (Hartpapiere, Hartgewebe, 10 10-10 15 4-10 0,02- 80-150
Kunstharzpressmassen) 0,5
Technische Gläser 10 11-10 16 3,5-12 0,0005- 100-1000
0,01
Silikatkeramiken (Porzellane) 10 11-10 12 4-6,5 0,001- 200-400
0,02
Kondensatorkeramiken ND-Keramiken 10 12-10 13 6-200 <0,0006 100-400
>
HD-Keramiken 10 11 200-10 4 0,0002- 50
0,02

4.2.1. Elektrische Leitfähigkeit:

49
Q  CU
A
C  0
l
D  0E
A
C   0 r
l
D   0 r E
  r 1 elektr. Suszeptibilität

4.2.2. Dielektrische Verluste

Gesamtstrom:
I  I C  IV
Effektivwert des Gesamtstroms
I  I 2 C  I 2V
Dielektr. Verlustfaktor

IV G
tan   
I C C

50
4.3. Atomares Bild
Keramik:
- Polykristallin
- Kristallite durch Korngrenzen getrennt
-  Ersatzschaltbild

Polarisationsmechanismen:

Elektronische Polarisation:

-
Verschiebung der Elektronenhülle
-
Tritt bei allen Substanzen auf (für
nichtpolare Substanzen einziger Mech.)
-
Noch bei sehr hohen Frequenzen
wirksam (geringe Masse der Elektronen)

Ionische Polarisation:

-
Verschiebung der Ionen
-
Langsame Pol., da große Masse der
Ionen und geringe Rüchstellkraft

Orientierungspolarisation:

-
bei Molekülen mit Dipolmoment
-
Temperaturabh.
-
Noch langsamer da ganze Moleküle

Polarisationsanteile zur gesamten elektr. Suszebtibilität addiert:

   el   ion   or

51
ferro-elektr. Stoffe:

-
permanente Dipole parallel ausgerichtet in Domänen
-
Ausrichtung der Domänen im elektr. Feld  hohe Permitivität
-
E=0  remanente Polarisation:
-Domänen drehen sich nicht vollständig in Ausgangslage zurück
-Für Speicherzwecke
-Wird zerstört durch Temperaturerhöhung bis Curietemperatur

Elektr. und Ionische Polarisation ist Schwingungsfähig


 zeigen Resonanzverhalten

4.2.Spezielle Dielektrika

4.2.1.Gase und Flüssigkeiten


Gase:
- besitzen gewisse Ladungsträgerkonzentration
- (durch Radioaktivität, Höhenstrahlung)
- etwa je 103 positive und negative Ionen / cm³
- Ionenbeweglichkeit: 1,4 ... 1,8 cm²/Vs
- Leitfähigkeit: 5 10–16 S/cm
-  gute Isolierfähigkeit

Gas He H2 O2 N2 CO2
Dielektrizität 1,00007 1,00025 1,00049 1,00053 1,00095

52
spezielles Gas SF6:
- F hohe Elektronenaufnahmefähigkeit
- Freie Elektronen werden eingefangen bevor sie zur Ionisation
beitragen  hohe Durchbruchspannung

Isolierende Flüssigkeiten:

Isolieröle:
- Gewinnung durch Destillation und Raffination von Mineralölen
- Mittleres Molekulargewicht 260 – 300
- Einteilung der Kohlenwasserstoffe:

Forderung nach:

- Kältebeständigkeit
- Oxydationsbeständigkeit
- Stabilität im elektr. Feld
- Gute dielektr. Eigenschaften

Anwendung:

1. Trafoöl:
- gute Wärmeleitfähigkeit (Konvektion)
- niedriger Stockpunkt (-40 ... –50 °C)
- max. 95 °C
- höchste Betriebsfeldstärke etwas 10 kV/cm

53
2. Kondensatoröl:
- tränken des Papierdielektrikums bzw. füllen von Hohlräumen
- muss genügend dünnflüssig sein
- höhere Stockpunkt zulässig: 0°C
- verlangt werden: hohe Durchschlagfestigkeit, geringe Leitfähigkeit,
geringe dielektrische Verluste, Stabilität in hohen elektr. Feldern
- Betriebsfeldstärke 100 kV/cm

3. Schalteröl
- Funkenlöschung
- Gutes Trafoöl

4. Kabelöl
- Papierisolation von Kabeln und Hohlräumen füllen
- Unterscheidung von:
- A) Massekabel:
- U < 50 kV
- Hohe Viskosität (z.B. durch Zusatz von Verdickungsmitteln)
- B) Hohl- o. Druckkabel
- U > 50 kV
- Öl steht über Ausgleichgsgefäße unter Druck (1,5 105 .. 106 Pa)

- Qualität sinkt mit Alter


- Durch a) Feuchtigkeitsaufnahme:
-  Leitfähigkeit erhöht, Durchschlagfestigkeit sinkt

H20 gehalt in g/t 1 10 28 100


U in kV /cm >200 200 100 25
- b) Oxidation mit Sauerstoff
-  Säurebildung, asphaltartige Niederschläge
- durch hohe Betriebstemp beschleunigt, und durch Cu und Pb
- verringern durch Inhibitoren (benzolähnl. Kohlenwasserstoffe)
- c) hohe Feldstärken, Glimmentladung
-  Wasserstoff von Ölmolekülen abgespalten
- Bindungen werden frei, kleine Ölmoleküle bilden sich Makromolekülen um

Elektrisch Eigenschaften:

εr = 2,2 ... 2,6 bei Temp.: 20 – 90 °C und Frequenz 50 Hz ... 1 MHz


Neu: Leitfähigkeit = 10-13 S/cm
Alt: =10-11 S/cm

PCB:

- hohes εr = 4,7 ...5,6


- polychloriertes Biphenyl
- bei Brand Bildung von Dioxinen
- durch Silikonöle ersetzt

54
Silikonöle:
- gute Isolierung
- wasserabstoßende Eig.
- Geringe Temperaturabhängigkeit der Viskosität (-50 ... 150 °C)

4.4.2.Organische
Dielektrika

- Baumwolle
- Papier
- Kunststoffe
-

Polymerisation:

Polymerisate:

Polykondensation:

55
- Reaktion zw. 2 Monomeren mit
reaktionsfähigen Endgruppen
- Abspaltung von Reaktionsnebenprodukten
(Wasser, HCl)
- müssen entfernt werden

- Phenolharz, Melaminharz: typische Duromere: lässt sich nach Aushärten nicht


wieder verflüssigen
- Polyamid (Nylon) typ. Plastomere

Polyaddition:

- Umlagerung von H atomen


ohne Abspaltung von
Reaktionsprodukten

Papier als Isoliermaterial:

56
- Cellulose (C6H10O5)n
- Preisgünstig
- εr = 5,6
- tan δ = 5 10-3 bei 1 kHz bis 5 10-2 bei 1 MHz

Phenolharz Melaminharz Expoxidharz Silikonharz Polyesterharz


Papier X X X X X
Baumwolle X
Glas X X X

Polykondensate und Polyadukte:

57
58
4.4.3.Anorganische Dielektrika

Dielektr. Werkstoffe

Kristallin amorph (Glas)

Einkristallin polykristallin (Keramik) - - - - - Glaskeramik

1. SiO2 (Quarz) für piezoelektr. Wandler


2. Al2O3 (Saphir) als Substratmaterial für Siliziumschichten
3. Al2O3:Cr (Rubin)
und 3Y2O3 · 5 Al2O3 für Festköperlaser
4. 3Gd2O3 · 5 Ga2O3 als Substratmaterial für magnet. Schichten, Speicher

BeO Al2O3
- Sehr hohe Wärmeleitfähigkeit - hohe Wärmeleitfähigkeit
- Sockel für Transistoren - Substrate für Dünn- und
Dichschichtschaltungen

Herstellung von Keramiken:

- Mahlen
- Mischen
- Pressen
- Brennen (verfestigen) bei 1100°C- 1400°C  Schwund

59
Porzellan:

- 1 ED steigt
- 2 T steigt
- 3 Festigkeit

Steatit:

- geringer Schwund  gute Maßhaltigkeit


- Cordierit: sehr geringer
therm. Ausdehnungskoeff.
- bei Forsterit: nach Brennen gut
bearbeiten (Ergan)
- Mg-silikate bei 3: für Kondensatoren
elektr. Eig. ähnl. wie Porzellan

- Ti-oxid + erkalkalimetalloxid für hohes εr

Sondersteatit:
εr
MgTiO3 20
CaTiO3 120-180
SrTiO3 220-340
BaTiO3 800-2000

60
Glimmer:

- natürliches Mineral
- lässt sich in dünne Blättchen spalten
- für hochwertige Kondensatoren, Röhrenbau
- εr = 5 ...8, tan δ = 10 -4
- 2 Bedeutende Arten:
- Muskowit: Kal3Si3O10(OH)2
- Phlogpit: KMg3AlSi3O10(OH)2

Gläser:

- Stoffe, die bei Abkühlung aus Schmelze in festen Zustand übergehen ohne zu
kristallisieren
- Amorphe Struktur

61
- Si hat Koordinationszahl 4  tetraedrische Anordnung der Nachbaratome
- In Schmelze völlige Unordnung
- Bei langsamer Abkühlung bilden Tetraeder ein Gitter (Quarzkristall)
- Schnelle Abkühlung  Quarzglas:
- Ausgezeichneter Isolator
- Niedriger Verlustfakor und DZ
- Extrem niedriger therm. Ausdehnungskoeff.

Quarzglas Kalk-Alkali- Bleiglas Bor-(Al-)Silikat-


glas glas
Dichte 2,2 2,3-2,8 2,8-3,6 2,2-2,8
Erweichungspunkt 1500 °C 500-700 400-600 600-900
Ausdehnungsk.10-6 0,5 /°C 8-9 9 3-4
Leitfähigkeit S/cm 10-16 10-10 – 10-16
εr 4,2 6-8 6-8 4-6
tan δ 10-4 2 50-100 10-50 10-50

62
Elektroglas:
- SiO2 + B2O3, A2O3, CaO
- Ρ = 1015 Ωcm
- εr = 6,4
- tan δ = 10-3

Glaskeramik: - auf Basis Li2O/Al2O3/SiO2


- z.B. Ceran

4.5. Ferroelektr. und piezoelektr. Stoffe

Ferroelektr.:
- hohe Polarisierbarkeit
- spontane Polarisation klein
- ohne Feld willkürlich
- mit Feld ausrichtbar
- nach Abschlaten: Remanente Pol. Bleibt
zurück
- BaTiO3
-

- Spontane Polarisation von BaTiO3 in Abh. Von Temp.

- Polarisaition unterhalb der Curietemp. Am höchsten


- Ziel: bei Raumtemperatur

- Temperaturabh. Der DZ von


BaTiO3

63
Curietemperatur ferroelektr. Substanzen:

Piezzoelektrizität:

- durch mechanische Längenänderung wird elektrische Spannung


erzeugt
- bei Ionenkristallen ohne Symmetriezentrum (b)
- durch Kraft, Verschiebung der Ladungsschwerpunkte
- piezoelektr. Ladungskonst. = erzeugte dielektr. Verschiebungsdichte
geteilt durch angelegte mechanische Spannung
- alle ferroelektr. Stoffe sind piezoelektrisch, muss aber nicht
umgekehrt sein
- Beispiele:
- Pb(Zr,Ti)O3: 3 10-10 As/N
- Schwingquarz
- KDP-gruppe
- Seignette-Salz

- Anwendung:
- Mechanisch in elektr. Spannung:
Tonabnehmer, Mikrofone, Beschleunigungsmesser,
-

Druchtasten
- Elektr. in Bewegungsenergie:
Ultraschallerzeugung für Reinigung, Schweißen,
-

Bohren, Therapie
- Elektr.  Mechanisch  Elektr.:
- Oszillatoren, Filter, Verzögerungsleitung

64
4.6. Anwendung dielektr. WS:

Kondensatoren

Keramik~ Kunststofffolien~ Elektrolyt~

Leistungs~ Klein~ Metallschicht Metallfolie Aluminium Tantal

Typ1 Typ2 Typ3 Selbstheilend

Wickel Wickel Schwamm

Typ 1:
- Für Schwingkreise, oder andere mit geringen Verlusten und C= konst.
- Tempkoeff. Beliebig einstellen

Typ 2:
- εr > 500
- große C bei kleinen Abmessungen
- hohe Verluste, nichtlinearer Tempkoeff.
65
Typ 3:
- nutzen von Sperrschichteffekten
- hohes εr

Kunststofffolienkond.:

- Polystrol, Polypropylen, Polycarbonat, PET

Elektrolyt:
- Hohe Kapazität

66
5. Magnetische Werkstoffe
5.1. Magnetische Eigenschaften der Materie

Ursache:
- bewegte Ladung
- bei Dauermagneten: atomarer Aufbau

magnetisches Feld:

- magnet. Feldstärke = H [H]= A/m


-  I   H  ds Ursache ist elektr. Strom
- mit Feldlinien darstellbar

magnetische Induktion B:

- [B] = Vs/ m² = T
- B = μ0 H im Vakuum
- B = μ0 μr H Vermittelt durch Stoff
- B= μ0 H + J J ... magnet. Polarisation
- B= μ0 (H + M) M … Magnetisierung
- σ = μr –1 = M/H σ … magnet. Suszeptibilität

magnetischer Fluß Ф:

-
  B  dA
A

- [Ф ]= Vs

magnetisches Moment:

nach Ampere: [μ] = Am²


-

 F l
 F 
- Kraftmoment je Flußdichte
B B
μr < 1, σ < 0 μr > 1, σ > 0 μr >> 1, σ >> 1
Diamagnetismus Paramagnetismus Ferrimagnetismus
Antiferromagnetismus Ferromagnetismus
Edelgase, Halogene, Alkalimetalle, Fe, Ni, Co
Halbleiter Übergangsmetalle, Seltene
Erden, Sauerstoff

Suszeptibilität ermitteln:

- Magnetfeld will sich immer verdichten


- Substanz in inhomogenes Feld einbringen
-  Kraftwirkung: Diamagn. Subst. Abgestoßen, Para. Angezogen
2
n A
L  r 0 n ... Windungszahl, A ... Fläche, l ... Länge der Spule
l
- durch Fe-kern lässt sich Induktivität weiter verstärken

67
5. 2. Atommodell und Magnetismus

- es existiert eine kleinste Portion


- Bewegung von Ladung ist Ursache
- 1. Elektronenspin:  Magnetisches Dipolmoment
- μe = -9,3 10-24 Am² (= - μB … Bohrsches Magneton)

- 2. Bewegung der Elektronen in Hülle  Bahndrehimpuls

- Wasserstoff kein magnetisches Moment, da Aufenthalt der Elektronen


kugelsymmetrisch angeordnet
- P- orbitale bei vollständiger Besetzung symmetrisch  kein Magn. Moment

Diamagnetismus:

- Bahn und Spinmomente kompensieren sich


- Atom lässt sich mit Leiterschleife vergleichen
- Bei einbringen ins Magnetfeld wird Strom induziert
- Ist entgegengesetzt gerichtet
-  Diamagn. Schwächt Magnetfeld

Paramagnetismus:

- Spin und Bahnmomente nicht kompensiert


- Dipolmomente in allen Richtungen statistisch verteilt
-  ohne äußere Erregung unmagnetsich
- mit Feld Ausrichtung der Dipole  Verstärkung

Ferromagnetismus:

- starke nicht abgesättigte Spinmomente in 3d zuständen (Fe, Co, Ni)

Orientierung der Elementarmagnete:

68
- Mn kann ich günstiges Kristallgitter gebracht werden, so dass ferromagn.
Substanz entsteht  Heussler-Legierung: 76 % Cu, 14 % Mn, 10% Al

Antiferromagnetismus:

- Antiparallele Ausrichtung der


Momente
- Z.B. MnO

Ferrimagnetismus:

- Typische Gruppe sind Ferrite: MeO Fe2O3


- Me = zweiwertiges Ion der Übergangselemente (Mn, Ni, Co, Cu, …)
- Sauerstoffionen bilden kfz Grundgitter
-  kleineren Metallionen können sich tetraedrisch oder oktaedrisch
dazwischen anordnen

69
- Ausrichtung
der

Elementarmagnete in räumlichen Bereichen = Domänen oder Weißsche


Bezirke
- derart, dass Gesamtenergie minimiert wird
- Übegang von einem zum andern innerhalb einer dünnen Schicht
(Blochwand, 500 Atomschichten)

- H = 0: makroskopische Magnetisierung ist Null


- H ↑ : vergrößern derjenigen Bezirke, die spitzen Winkel mit H
bilden, anderen verkleinern sich (Wandverschiebungsprozess)
- Bei großen Feldstärken auch Drehung möglich (Drehprozess)

Reversible und Irreversible Blochwandverschiebung

70
- Bei niedrigen Feldstärken reversibel ( a b)
- Bleibt an Gitterfehlstellen hängen
- Bei zu hoher Feldstärke werden Fehlstellen überschritten, bis zur
nächsten  irreversibel (b  c)
- Drehprozesse (d) sind reversibel

Magnetisierungskurven ferro- ferrimagnetischer WS:

a) Neukurve:

1. reversible Wandverschiebung
2. starker Anstieg der Pol., irrevers. Wandverschiebung
3. reversible Drehporzesse  weiterer Anstieg bis zur
Sättigungspol JS

b) und c) Hystereseschleife der Polarisation:

-
B= μ0 H + J
-
Br … Remanenzinduktion
-
Hc ... Koerzitivfeldstärke

-
B = μ0 μr H
-
μr kann kein Prop.-faktor sein
-
Anfangspermeabilität:
1 dB
-
i  
 o dH H 0
-
Amplitudenpermeabilität:
1 B
-
a  
o H H  Hˆ
-
reversible Permeabilität:
1 B
-
 rev  
o  H AP
-
AP ... Arbeitspunkt

71
-
Bei Verringerung von H geht μa nicht auf Kurve zurück sonder bewegt sich auf
kleinerer Hystereschleife
-
Fläche ist Maß für Verluste im Kern
-
Breite, fast rechteckige Fläche = Hartmagnet

Entmagnetisierung:

-
Stoff in magnetisches Wechselfeld mit abnehmender Amplitude einbringen, oder
-
durch Überschreiten der Curietemp.
-
z.B. Fernsehröhre entmagnetisieren

5.3. Spezielle magnetische Werkstoffe:

5.3.1. Fe, Ni, Co

Sättigungsmagnetisierung in Abh. Von Temperatur:

72
-
zum Erreichen der Sättigungsmagnetisierung notwendige Mindestfeldstärke von
Kristallorientierung abh.:
-

-
beim Fe: <100> ,
-
Ni: <111>  8 Möglichkeiten
-
Co: <0001>

Fe als Weicheisen (schmale Hystereseschleife)


-
Spulenkern, Anker

-
Wirbelstromverluste
- für Trafo kein reines Fe, weil zu hohe Leitfähigkeit
 Legierung mit Si Fe + 0,7 ... 4,5 % Si

oder: Gebiet für Stromfluß einschränken


 dünne Bleche (gegeneinander isoliert)  Stromfluß behindert
aber gute Magnetisierbarkeit in Richtung magn. Fluß gefordert
 Kristallite müssen ausgerichtet werden:
Kaltwalzen und anschließendes Glühen  Goss-textur
Oder Herstellungsverfahren „Würfeltextur“

73
Fe + 35 ... 50 % Co  Sättigungspolarisation lässt sich auf 2,4 T steigern

74
Magnetostriktion:

-
geometr. Abmessung ferro- und ferrimagnet.
WS ändern sich unter Einfluß der
Magnetisierung
-
positiv oder negativ
-
unabh. von Richtung der Feldstärke
-
bei Ultraschallschwingern, magnetostriktive
Filter und Verzögerungsleitung technisch
ausgenutzt
-
bei Fe erst positiv, bei Sättigung negativ

Fe + 36 % Ni:
-
Anfangspermeabilität: 2000-3000
-
bei reversibler Wandverschiebung B
prop. H
-
(für Übertrager in Nachrichtentechnik)

50 Fe 50 Ni:
-
fast rechteckige Hysteresesschleife
-
 Dauermagnet herstellen

Fe + 76 % Ni
-
Hohe Anfangperm.
-
Mit Zusatz von Cu Cr μr = 105
-
spezielle wärmebehandlung nötig
-
„Mumetall, Hyperm 766, Supermally, Ultraperm“

Fe + 36 % Ni:
“Invar” : geringer Ausdehnungskoeff.

75
Bei Bauelementen mit Glas-Metallverbindungen darauf achten, dass Wärmeausdehungskoeff.
über weiten Temp-bereich übereinstimmt:
Weichglas = Vacovit 501 ( 50% Fe Ni )
Hartglas = Vacon 12 (%4 % Fe, 28 % Ni, 18 % Co)

Für Übertrager in Nachrichtentechnik lineares Verhalten gebraucht (Perminvar)


 Fe/Ni/Co legierung

76
5.3.2. Ferrite und Granate:

Ferrite:
-
enthalten Fe+++ Ionen und zweifach positiv geladene Metallionen (können
nichtmagnetisch sein)
-
kristallisieren in Spinell-struktur
-
Magnetit: Fe3O4 bzw. FeO ּFe2O3)
-
Tetraeder [Octaeder] O2-
-
Fe8+++[Fe8+++Fe8++]O322-
-
Resultierendes Moment nur dann, wenn:
-
- Anzahl der mit magnt. Ionen besetzten Tetraeder und Oktaederplätze
verschieden ist
-
- die verschiedenen Metallionen unterschiedl. magnet. Momente besitzen

-
bei Magnetit:
i. magn. Momente der je acht Fe+++ auf tetraeder und octaeder
kompensieren sich
ii. magn. Moment von Fe++ ionen: 8*4 μB = 32 μB je Elementarzelle

-
suche nach WS mit geringer Leitfähigkeit (wegen Wirbelströmen) (kein Magnetit)
-
Ersatz Fe durch Ni
-
Nickelferrit: Fe8+++[Fe8+++Ni8++]O322-
-
8*2 μB = 16 μB
-
Ni, Zn Ferrit : Zn4++Fe4+++[Fe12+++Ni4++]O322-
-
8*5 μB + 4*2 μB = 48 μB
-
Ferrite hergestellt wie Keramik (mahlen, mischen, ... )

-
Meist Verwendung von zusätzlich:
1. MgO, ZnO, BaO (nichtmagn)
2. FeO, MnO, NiO, coO, CuO (magnt.)

Konkrete Ferrite:

-
Fe2O3 / ZnO / MnO:
- bis 1 MHz verwendbar
- Js Hoch,
- Trafo

-
Fe2O3 / ZnO / NiO:
- … 100 MHz
- μi … 1000
-
Fe2O3 / Ni:
-
- … 1 GHz
-
Fe2O3 /MgO / MnO
- hoher spezf. Widerstand
- rechteckige Hystereseschleife
- Mikrowellenferrite
-

77
Granate:

- allgemeine Formel:

- 3 Y2O3 5 X2O3
Y … Ytrium oder Setenerdmetal (Gd)
X = Fe (magn.) oder Al, Ga (nichtmagnt)

YAG nichtmagn.
GGG “
YIG magn. (durch Epitaxie)

- Speicherzwecke, Mikrowellentechnik

5.4. Anwendung magn. WS

Ziel:
-
vergrößerung d. Induktivität von Spulen
-
Leitung des magn. Flusses
-
Verhinderung von Streuflüssen

Verluste in einer Spule:

-
Hystereseverluste
-
Wirbelstromverluste
-
Restverluste (Platzwechsel von C
oder N atomen in Eisen bzw.
Elektronenplatzwechsel in Ferriten)

Skineffekt:

-
im elektr. Leiter fließt Strom I
-
 Magnetfeld
-
 Ladungsträgerfließen wird beeinflusst
-
Strom aus Leiterinnern wird
herausgedrängt
-
Relevant im Hochfrequenzbereich
-
Verringernung der effekt. Permeabilität,
Verlustfaktor steigt

78
Dauermagnet

Messtechnik Nachrichtentechnik Elektr. Maschinentechnik

Elektroakustische Wandler Fernsehtechnik Mikrowellentechnik

79
Inhaltsverzeichnis
1. Werkstoffüberblick..............................................................................................................1
1.1.1. Struktur und Gefüge..............................................................................................1
Struktur:..................................................................................................................1
geometrische Anordnung:.......................................................................................1
Bindung:..................................................................................................................1
Ideale u. Realstruktur:.............................................................................................1
Idealkristall:............................................................................................................1
Basisvektoren:.........................................................................................................2
Auswahl d. Basisvektoren:......................................................................................2
Kristallsysteme:.......................................................................................................2
Zusätzliche Gitterpunkte:....................................................................................3
Beschreibung von Flächen:.................................................................................3
Rechtwinkliges System:......................................................................................4
Koordinationszahl:..............................................................................................4
Raumerfüllungsgrad:...........................................................................................4
Zäsiumchloridstruktur:........................................................................................4
Natriumchloridstruktur:......................................................................................5
Diamantgitter:.....................................................................................................5
Zinkblende-gitter:...............................................................................................5
Realkristall......................................................................................................................6
Gefüge:....................................................................................................................6
Realkristall:.............................................................................................................6
Strukturelle und chem. Fehlordnung:.....................................................................6
Strukturell:..........................................................................................................6
Chemische Fehlordnung (elektrische):...............................................................7
Substitutionsfehlordnung:...............................................................................7
Abweichung v. der Stöchiometrie:..................................................................7
1.1.2.Atomarer Aufbau...................................................................................................8
Energiespektrum des Wasserstoff:..........................................................................8
Reihenfolge d. Energieniveaus in Atomhülle:........................................................8
Teilchenbewegung:.............................................................................................9
Fermi-sches Elektronengas:................................................................................9
Bändermodelle......................................................................................................11
1.1.3. Dualismus Welle – Teilchen................................................................................13
Elektromagn. Strahlung:.......................................................................................13
relative Masse:..................................................................................................13
relative Wellenlänge:.........................................................................................13
Quasi-teilchen:......................................................................................................13
Elektronenstreuung, Spezifischer elektr. Widerstand:......................................13
Supraleitung:.........................................................................................................14
Elektronengas....................................................................................................14
Meißner Ochsenfeld-effekt:..............................................................................14
2 Arten der Supraleitung:..................................................................................15
1.2. Einfluss v. Struktur und Gefüge auf die Eigenschaften.............................................15
Gefügeunabhängige Eigenschaften:......................................................................15
Gefügeabhängige Eigenschaften:..........................................................................15
Auch Eigenschaften die von beiden abhängen.....................................................15
Legierungen:.........................................................................................................15
Mischkristalle:...................................................................................................15
Kristallgemisch.................................................................................................16

80
Überstrukturen:.................................................................................................16
Intermetallische Verbindung:............................................................................16
amorphe Stoffe:.................................................................................................16
Beeinflussung der Eigenschaften bei Verarbeitung u. Herstellung:......................16
Polyethylen:......................................................................................................16
Rekristallationstemperatur:...............................................................................16
Kaltumformung:................................................................................................16
Wärmebehandlung:...........................................................................................16
Abhängig der Eigenschaft von:.........................................................................17
Prüfung von Werkstoffeigenschaften:...................................................................18
Werkstoffkenngrößen:.......................................................................................18
Werkstoffkennwert:...........................................................................................18
1. Mechanische Werkstoffkenngrößen:.................................................................18
Elastizitätsgrenze:.............................................................................................18
Querkontraktionszahl: (POISSON-Zahl)..........................................................19
Elastizitätsmodul:..............................................................................................19
Zugfestigkeit:....................................................................................................19
Streckgrenze:.....................................................................................................19
Bruchdehnung:..................................................................................................19
Brucheinschnürung:..........................................................................................19
Kerbschlagzähigkeit:.........................................................................................19
Härte:.................................................................................................................19
2.Elektrische und Magnetische Kenngrößen:.......................................................20
Elektr. Leitfähigkeit:.........................................................................................20
Oberflächenwiderstand:....................................................................................20
Spezif. Volumenwiderstand:.............................................................................20
Durchschlagfestigkeit:......................................................................................20
Kriechstromfestigkeit:.......................................................................................20
Permitivitätszahl:..............................................................................................20
Verlustfaktor:.....................................................................................................20
Remanenz (magnet. Kenngröße):.....................................................................20
Koerzitivfeldstärke:...........................................................................................20
3.thermische Kenngrößen:....................................................................................21
Wärmeleitfähigkeit, Wärmeleitzahl:.................................................................21
Spezif. Wärme, spez. Wärmekapazität:............................................................21
Temp-Koeffizient:.............................................................................................21
2. Metalle u. Legierungen.....................................................................................................22
2.1. Metalle.......................................................................................................................22
2.1.1. Mechanische Eigenschaften................................................................................22
Formbeständigkeit:...............................................................................................22
Anisotrophie..........................................................................................................22
Wärmeumformung:...............................................................................................23
Rekristallationstemperatur:...............................................................................23
Linearer Ausdehnungskoeffizient:....................................................................23
2.1.2. elektrische Eigenschaften....................................................................................23
Massendichte ρm:...................................................................................................23
Temperaturkoeffizient des spez. Widerstandes:....................................................23
2.2. Legierungen...............................................................................................................24
2.2.1. Mechanische Eigenschaften u. Struktur..............................................................24
Legierung:.............................................................................................................24
Eutektisches System:............................................................................................25

81
Peritektische Temperatur:.....................................................................................26
Eisenwerkstoffe:....................................................................................................27
Allotrophie........................................................................................................27
Reines Eisen:.....................................................................................................27
Lebeburit: - Eutektische Zusammensetzung von Ferit und Zementit (Fe3C).....................27
Werkstoffverwendung:..........................................................................................28
Gusseisen:.........................................................................................................28
Stahl:.................................................................................................................28
Härten:...............................................................................................................28
Legierte Stähle:.................................................................................................29
Einteilung nach:................................................................................................29
Nichteisenmetalle:.................................................................................................30
Aluminiumlegierungen:....................................................................................30
Alu-guß:............................................................................................................30
2.3.1. Leiterwerkstoffe:.................................................................................................31
Kupferlegierungen für Anwendung in E-Technik:................................................31
Temperaturabh. der kritischen Feldstärke:............................................................32
2.3.2.Kontaktwerkstoffe:...............................................................................................32
2.3.3. Widerstände.........................................................................................................33
4 Materialgruppen:................................................................................................33
Präzisionswiderstände:..........................................................................................33
Heizwiderstände :..................................................................................................33
maximale Arbeitstemperatur:............................................................................34
2.3.4. Messtechnik........................................................................................................34
Temperaturmessung:.............................................................................................34
Bi-Metall:..........................................................................................................34
Dehnungsmessstreifen:.....................................................................................34
3. Halbleiter...........................................................................................................................35
3.1. Allgemeines..........................................................................................................35
Leitungsmechanismen:.............................................................................................................35
Störstellenleitung:.................................................................................................35
n-Leitung:..........................................................................................................35
p-Leitung:..........................................................................................................36
3.2. Werkstoffverwendung............................................................................................37
Halbleiter...............................................................................................................37
chalkogenid-Gläser:..........................................................................................38
Chalkogene:..........................................................................................................38
Organische Halbleiter:..........................................................................................38
Volumenbauelemente:...........................................................................................39
Sperrschicht BE:...................................................................................................40
3.3. Herstellung von Halbleitern.......................................................................................41
Verfahren zur Einkristallherstellung.....................................................................41
Verfahren der gerichteten Erstarrung................................................................41
Ziehverfahren nach Zochalski...........................................................................41
Zonenschmelzverfahren:...................................................................................43
Tiegelfreie Einkristallzüchtung (floating zone technique)................................43
Verfahren zur Dotierung:..............................................................................................44
Legierungsverfahren:............................................................................................44
Diffusionsverfahren:.............................................................................................44
Ionenimplantation.................................................................................................45
Implanter:..............................................................................................................45

82
Epitaxie.................................................................................................................45
Verfahren Schichtherstellung................................................................................46
Isolator SiO2.........................................................................................................46
Vakuumverdampfung v. Al...................................................................................46
Ionenstrahlzerstäuber............................................................................................46
Trockene thermische Oxidation:.......................................................................46
Feuchte Thermische Oxidation:........................................................................46
Oxidation mit feuchtem Sauerstoff:..................................................................47
Strukturierung des Halbleiters..............................................................................47
Herstellung eines Bipolartransistors.....................................................................47
4. Dielektrika.........................................................................................................................48
4.1. Übersicht über dielektrische Werkstoffe....................................................................48
4.2. Makroskopische Eigenschaften:................................................................................49
4.2.1. Elektrische Leitfähigkeit:....................................................................................49
4.2.2. Dielektrische Verluste.........................................................................................50
4.3. Atomares Bild............................................................................................................51
Keramik:...............................................................................................................51
Polarisationsmechanismen:...................................................................................51
Elektronische Polarisation:...............................................................................51
Ionische Polarisation:........................................................................................51
Orientierungspolarisation:.................................................................................51
ferro-elektr. Stoffe:............................................................................................52
4.2.Spezielle Dielektrika...................................................................................................52
4.2.1.Gase und Flüssigkeiten........................................................................................52
Gase:.....................................................................................................................52
spezielles Gas SF6:............................................................................................53
Isolierende Flüssigkeiten:.....................................................................................53
Isolieröle:..........................................................................................................53
Anwendung:......................................................................................................53
1. Trafoöl:......................................................................................................53
2. Kondensatoröl:..........................................................................................54
3. Schalteröl..................................................................................................54
4. Kabelöl......................................................................................................54
Elektrisch Eigenschaften:..................................................................................54
PCB:..............................................................................................................54
Silikonöle:.....................................................................................................55
4.4.2.Organische Dielektrika........................................................................................55
Polymerisation:.....................................................................................................55
Polymerisate:.........................................................................................................56
Polykondensation:.................................................................................................56
Polyaddition:.........................................................................................................57
Papier als Isoliermaterial:.....................................................................................57
Polykondensate und Polyadukte:..........................................................................58
4.4.3.Anorganische Dielektrika....................................................................................59
Porzellan:..............................................................................................................60
Steatit:...................................................................................................................60
Sondersteatit:.....................................................................................................60
Glimmer:...............................................................................................................61
Gläser:...................................................................................................................61
Elektroglas:.......................................................................................................63
4.5. Ferroelektr. und piezoelektr. Stoffe...........................................................................63

83
Ferroelektr.:...........................................................................................................63
Curietemperatur ferroelektr. Substanzen:.............................................................64
Piezzoelektrizität:..................................................................................................64
4.6. Anwendung dielektr. WS:..........................................................................................65
Kondensatoren......................................................................................................65
5. Magnetische Werkstoffe....................................................................................................67
5.1. Magnetische Eigenschaften der Materie....................................................................67
Ursache:............................................................................................................67
magnetisches Feld:............................................................................................67
magnetische Induktion B:.................................................................................67
magnetischer Fluß Ф:........................................................................................67
magnetisches Moment:.....................................................................................67
Suszeptibilität ermitteln:...................................................................................67
5. 2. Atommodell und Magnetismus.................................................................................68
Diamagnetismus:...................................................................................................68
Paramagnetismus:.................................................................................................68
Ferromagnetismus:................................................................................................68
Orientierung der Elementarmagnete:....................................................................68
Antiferromagnetismus:.........................................................................................69
Ferrimagnetismus:.................................................................................................69
Reversible und Irreversible Blochwandverschiebung..........................................70
Magnetisierungskurven ferro- ferrimagnetischer WS:.....................................71
Entmagnetisierung:...............................................................................................72
5.3. Spezielle magnetische Werkstoffe:............................................................................72
5.3.1. Fe, Ni, Co............................................................................................................72
Magnetostriktion:..................................................................................................74
Fe + 36 % Ni:....................................................................................................74
50 Fe 50 Ni:......................................................................................................74
Fe + 76 % Ni.....................................................................................................74
Fe + 36 % Ni:....................................................................................................74
5.3.2. Ferrite und Granate:............................................................................................76
Ferrite:...................................................................................................................76
Konkrete Ferrite:...................................................................................................76
Granate:.................................................................................................................77
5.4. Anwendung magn. WS..............................................................................................77
Verluste in einer Spule:.........................................................................................77
Skineffekt:.............................................................................................................77
Dauermagnet.........................................................................................................78

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Werkstoffe
Der
Elektrotechnik

Axel Rieß

11.02.02

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