-1-

Halbleiter 3: verstärkende
Elemente und Rückkopplung

• Der Feldeffekt und Feldeffekttransistor

• Transistorverstärkerstufe

• Ideal verstärkende Elemente

• Das Konzept der Rückkopplung

• Spannungsgegenkopplung und Regelkreis

• Spannungsmitkopplung und Kippschaltungen

(bistabil, astabil, monostabil)
 -2-
Der Feldeffekt
Metall-Isolator-Halbleiterstruktur (MIS)
Metallelektrode

Halbleiter (undotiert)
Isolator

Metallelektrode

MIS mit äußerer Spannung

injizierte und
akkumulierte
Ladung

+ + + + ++ + - - - - - - +- U0 < 0
- - - - - - - + + + + + + +
U0 > 0
 -3-
Der Feldeffekt
Versuchsanordnung
Licht UDS

ID Gold-Elektrode
S D 200nm Si (undotiert)
UGS 400nm SiO2 (Isolator)

725µm n- dotiertes Si (Substrat)

G Ergebnis
ID
Der Drain-Strom (bzw. der Widerstand)
ändert sich in Abhängigkeit von der hell
Beleuchtung (Photoeffekt) und der über
den Isolator angelegten Spannung (Feldeffekt) dunkel

UGS
 -4-
Der Feldeffekttransistor
Schaltsymbol (allgemein) Transferkennlinie (qualitativ)
(Anreicherungstyp, n-Kanal)
D
ID UDS = const.
G
S

Wesensmerkmal ist ein über

die Gate-Source-Spannung UGS
steuerbarer Drain-Strom ID UGS
(bzw. Widerstand).
Uth
(Schwellspannung)
Transistorgleichung (Shockley-Gl.)

  1 
A (
  GS
U − U th ) − U DS  U DS , wenn: U DS ≤ U GS − U th
ID =   
2
 A (U − U )2 , wenn: U DS ≥ U GS − U th
 2 GS th
 -5-
NF-Transistorverstärkerstufe
+UB vereinfachtes Prinzip
der Verstärkerwirkung
R1 R3 C2
ID
C1
ua Arbeits-
ue FET punkt ∆iD ∼ ∆ua
R2
(AP)
0

UGS
ue ua
u‘e u‘a ∆ue

t t t t
… amplituden-
Eingangs- … mit Offset verstärkt und … ohne
spannung für AP invertiert Gl.-Spannung
 -6-
Übertragungsverhalten eines ideal
verstärkenden Elements
digital analog digital

Ua
+15V
Funktionsgenerator

+
Ue V0
− Ua Ue

-15V Sättigung Sättigung

kontinuierlicher
Übertragungsbereich
(ideal: linear)

U=
a V0 ⋅ U e
 -7-
Rückkopplung verstärkender
Elemente
x′= x ± yR
x
x‘
y y= V0 ⋅ x′
+ V0
−

+ Mittkopplung
- Gegenkopplung yR
β
yR= β ⋅ y
x′ = x ± yR = x ± β y = x ± β ⋅ V0 ⋅ x′
y y V0 ⋅ x′
Vges= = =
x x  yR x′  β ⋅ V0 ⋅ x′
′ x′ (1  β ⋅ V0 ) =
x

V0 x
Vges = x′ =
1  β ⋅ V0 β ⋅V0: Kreisverstärkung (1  β ⋅V0 )
 -8-
Der rückgekoppelte Verstärker
Gegenkopplung

V0 x
Vges = x′ =
1 + β ⋅ V0 (1 + β ⋅V0 )

V0 1 x
Vges =
lim =x′ lim
= 0
V0 →∞ 1 + β ⋅ V β V0 →∞ 1 + β ⋅ V
0 0

 Bei sehr großer Leerlaufverstärkung  Bei sehr großer Leerlaufverstärkung

wir das Übertragungsverhalten nur konvergiert die korrigierte Eingangsgröße
noch durch die Gegenkopplung (Differenzgröße) gegen Null!
bestimmt -> wirkt stabilisierend!
 -9-
Schaltungstechnische Realisierung
einer Spannungsgegenkopplung
Variante A Variante B

+ R2 R2
Ue β⋅Ua V0 β=
− R1 + R2
R1
Ua β⋅Ua R1
+
R2
β= Ue V0
R1 + R2 R2 − Ua

Bevorzugt, da Eingang
klarer Massenbezug!
 -10-
Spannungsverhältnisse an einem
gegengekoppelten Verstärker
Schaltung Ergebnisse

Ua
+ V0 Vges = U e′
Ue U‘e V0 Ue
−
Ua 1 0,5 0,5U e
β =1 10 0,91 0, 09U e
100 0,99 0, 009U e
1000 0,999 0, 0009U e
V0 x
Vges = x′ =
1 + β ⋅ V0 (1 + β ⋅V0 ) konvergiert
konvergiert
gegen 1/β
gegen 0!
(wird unabhängig von V0
wirkt stabilisierend!)
 -11-
Geregelte Spannungsquelle
(Regelabweichung)
+
∆ 10k
−
A Ua
Uref β =1 UL
(Soll-Wert) Ua / UL B
(Ist-Wert) IL

Ergebnisse
Schalterposition B
Schalterposition A
U U
Ua
Ua
UL
UL
IL
IL
Regelbereich
 -12-
Der rückgekoppelte Verstärker
Mitkopplung

V0 x
Vges = x′ =
1 − β ⋅ V0 (1 − β ⋅V0 )

Es gibt eine Singularität bei: β ⋅ V =

1 !!!
 -13-
Schaltungstechnische Realisierung
einer Spannungsmitkopplung
Variante A
Alternative Darstellungen
+
Ue β⋅Ua V0
− −
R1
Ue β⋅Ua V0
Ua +
R1
R2 Ua
β=
R1 + R2 R2 R2
β=
R1 + R2 R2

Variante B

R2 R2 Invertierung
β=
R1 + R2 −
− Ue β⋅Ua V0
R1 +
+ R1
Ue β⋅Ua V0
Ua
− Ua
R2
β=
R1 + R2 R2
 -14-
Übertragungsverhalten eines
spannungsmitgekoppelten Verstärkers
−
Ue V0 =10
+
R1 Ua

β = 01 R2
Übertragungskennlinie

β ⋅V0 < 1 β ⋅V0 ≈ 1 β ⋅V0 > 1

Ua Ua Ua

Ue Ue Ue
 -15-
Mitgekoppelter Verstärker
unterkritischer Bereich β ⋅V0 < 1

− Ua
Ue V0
+
R1 Ua
Ue
β ⋅V0 < 1 R
2

V0
Vges = β ⋅V0 → 1 Vges > V0 V0 wird überbetont,
1 − β ⋅ V0 ⇒ eher instabil!
 -16-
Mitgekoppelter Verstärker
kritischer Bereich β ⋅V0 ≈ 1

(analog) Komparator

U+ − Ua =
const. > 0; wenn: U + > U −
U- Ua
Ua =
const. < 0; wenn: U + < U −
Ua

Kleinstmöglicher Analog-Digital-Umsetzer
Ue
 -17-
Mitgekoppelter Verstärker
überkritischer Bereich β ⋅V0 > 1
(invertierender) Schmitt-Trigger Schaltsymbol

−
Ue V0
+
R1 Ua
Übertragungskennlinie
β ⋅V0 > 1 R
2
Ua
U th
U max

Ue
 1
U th U max  β −  ≈ β ⋅ U max
= − U th − U max
 V0 
V0  1
 -18-
Bistabile Kippstufe

> + U th
Ua
− U max
V0 U th
R3 +
< − U th
R1 Ua

β ⋅V0 > 1 R Ue
2

− U th
− U max
Bistabile Kippstufen bilden die
Grundlage für elektronische bistabiler
Speicher (Flip-Flops). Bereich
 -19-
Astabile Kippstufe
Ua Ua U max

Ue t

Ue= UC − U max
R3

−
V0
C +
t
− U th + U th R1 Ua

Schaltung liefert eine Zeitbasis β ⋅V0 > 1 R

2
für zeitgesteuerte Prozesse.
 -20-
Monostabile Kippstufe

R3

Taster

−
< − U th V0
R4 C +
R1 Ua

β ⋅V0 > 1 R
2
 -21-
Spannungsverhältnisse an der
monostabilen Kippstufe
Ua Ua U max

Ue t

Ue= UC − U max
unterdrückter
Durch Diode

extern
Bereich

ausgelöster
Kippvorgang „Treppenhaus-
lichtschaltung“

selbstständig
ausgelöster
t Kippvorgang
− U th + U th