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3 Dioden

3.1 pn-Diode
Die praktische Ausführung eines pn-Überganges wird als D i o d e bezeichnet. Eine Diode ist
ein nichtlineares Bauelement. Wird an eine Diode eine Wechselspannung angelegt, so fließt
ein Strom im Wesentlichen nur in Durchlassrichtung. Auf Grund der Dotierung ist der Strom
in Sperrrichtung iR (Reverse current) bis zu 107 mal kleiner als der Durchlassstrom iF
(Forward current). Er verschwindet wegen der Minoritätsladungen in den feldfreien
Bahngebieten der Diode nicht völlig, erreicht aber bei Sperrspannungen ab ca. 100 mV den
Wert des Sperrsättigungsstromes IS (peak reverse current) und bleibt konstant. In der RLZ
entstehen wegen der Eigenleitung ständig neue Ladungsträger. Unter dem Einfluss der
Feldstärke fließt daher zusätzlich ein temperaturabhängiger Sperrstrom. Dieser verdoppelt
sich bei Si etwa alle 6 K. Die Anzahl dieser Ladungsträgern ist auch von der Breite der RLZ –
und damit von der Höhe der Sperrspannung – abhängig. Das elektrische Verhalten einer
idealen Diode wird zusammen mit dem Verhalten einer realen Diode in Abb. 3-1 für eine
konstante Sperrschichttemperatur dargestellt. Für eine mathematische Beschreibung einer
Diode mit einem idealen pn-Übergang gilt die Shockleysche Diodengleichung Gl. (3-1).
U ė10
I S : Sperrsättigungsstrom IJ10 A
NU T
I = I Sŏʛ e ė1 ʜ U T IJ 26 mV ( 300 K) (3-1)
N : Diodenfaktor, N = 1 ... 3

Durchlasskennlinie
iF
Idealer pn- realer pn-
unterschiedliche Maßstäbe
Übergang Übergang
für die Durchlass- und
Sperrkennlinie !
uF

Sperrsättigungsstrom IS iF

ideal uF
uR
uR

real
iR

Sperrkennlinie iR

Abbildung 3-1 Kennlinie einer Diode mit idealem und realem pn-Übergang
16 3 Dioden

3.1.1 Modellbildung einer realen pn-Diode


Die Kennlinie der Diode nach Abb. 3-1 unterscheidet sich von der idealen Kennlinie. Ein-
flußgröße in Durchlassrichtung ist im Wesentlichen der ohmsche Bahnwiderstand RS. Zur
Nachbildung der Durchlasskennlinie dient daher eine Ersatzschaltung nach Abb 3-2.
D RS iF Abbildung 3-2
Einfluss des Bahnwiderstandes RS
Die Durchlassspannung uF setzt sich zusammen aus
u RS · iF
dem Anteil der idealen Diode D (u) und dem ohmschen
Spannungsabfall am Bahnwiderstand RS (RS iF).
uF
Mit Gl. (3-1) erhält man für den Zusammenhang zwischen uF und iF:
i Fʅ I S
uF NŏU Tŏln ʅ RS iF (3-2)
IS
Durch Ableitung der Gl. (3-2) nach dI erhält man den differenziellen Widerstand rF. Dabei
geht man zur Vereinfachung von einem im Vergleich zu IS großen Durchlassstrom iF aus.
d uF NŏU T
rF ʅ RS für: i F >> I S (3-3)
d iF iF
Gl. (3-3) zeigt, das mit zunehmendem Durchlassstrom sich rF dem ohmschen Bahnwiderstand
RS annähert. Zur näherungsweisen Verlustleistungsberechnung einer pn-Diode bei zeitver-
änderlichen Strömen wird daher eine Knick-Kennlinie nach Abb. 3-3 verwendet. Diese
Kennlinie enthält zwei Parameter:
À die Schwellenspannung UT0 (Threshold voltage) und
À den differenziellen Durchlasswiderstand rF (slope resistance)
UT0 und rF sind in Dioden-Datenblättern angegeben oder werden einer gemessenen Kennlinie
entnommen. Die Ventilwirkung wird in der Ersatzschaltung durch die ideale Diode D darge-
stellt. Zur Bestimmung von rF wird je nach Hersteller eine Tangente bei Nennstrom iF = IFAV
an die gemessene Kennlinie gelegt oder durch 2 vorgegebene Stromwerte (z. B. IFAV und
3 IFAV) wird eine Gerade (Sekante) gelegt. Die Steigung der Geraden ist dann der jeweilige
differenzielle Widerstand rF. UT0 folgt aus dem Schnitt mit der uF-Achse.
Tangente
LF im Nennpunkt ( IF,n ) Abbildung 3-3
Modellbildung einer
IF,n pn-Diode
Dioden-Ersatzschaltbild
'IF UT0
D rF iF

'UF

uF
UT0 uF
3.1 pn-Diode 17

Abb. 3-4a-c zeigt den Einfluss der verschiedenen Modellgrößen auf die Kennlinie. Für Schal-
tungsuntersuchungen genügt die Kennlinie nach Abb. 3-4a als ideale Diode, zur Verlustleis-
tungsberechnung bei zeitveränderlichem Strom dient die Ersatzkennlinie nach Abb. 3-4c.

IF a) IF b) IF c)

UT0 UT0 + rF IF

UF UF UF

Abbildung 3-4 (Knick-)Diodenkennlinien:


a) ideale Diode, b) Diode mit Schwellenspannung UT0, c) wie b) aber mit rF

3.1.2 Die Verlustleistungsberechnung


Die Verlustleistung PV berechnet sich bei zeitveränderlichen Größen aus dem zeitlichen
Mittelwert der Momentanleistung p(t). Bei einer Diode in Durchlassbetrieb beträgt die Mo-
mentanleistung p(t):
uF
iF
p(t) = uF · iF

Mit Hilfe der Ersatzschaltung nach Abb. 3-3 und den Parametern UT0 und rF lässt sich für die
Durchlassspannung uF die Gl. (3-4) angeben:
uF U T0 ʅ r Fŏi F (3-4)

Für die Verlustleistung PV ergibt sich damit:


T T T
1 1 1
PV
T
ĩ u Fŏi Fŏd t U T0ŏ
T
ĩ iFŏd t ʅr Fŏ
T
ĩ i 2Fŏd t
0 0 0

Mit den Abkürzungen IFAV für den arithmetischen Mittelwert und IFRMS für den Effektivwert
lässt sich damit für die Verlustleistung PV angeben:

PV U T0ŏI FAV ʅ r FŏI 2FRMS (3-5)

In Datenblättern werden die Verlustleistungen für häufig vorkommende sinus- und rechteck-
förmigen Kurvenformen die Mittelwerte bzw. Effektivwerte der Ströme in Diagrammen ange-
geben. Bei reinem Gleichstrombetrieb sind Mittel- und Effektivwert gleich. Eine Verlust-
leistungsberechnung nach Gl. (3-6) erfolgt dann mit den Werten direkt aus der Kennlinie nach
Abb. 3-5. Eine Diodenkennlinie mit den entsprechenden Grenzwerten für unterschiedliche
Temperaturen zeigt beispielhaft Abb. 3-6.

PV I dŏU F ʛ I d ʜ (3-6)
18 3 Dioden

Abbildung 3-5
iF Diodenkennlinie R Gleichstrombetrieb

U0
R-Gerade uF
R U0
PV,max iF
Id
Schnittpunkt U 0 ėu F ʛ I d ʜ
Id
R

uF ( Id ) U0 uF

Bei zeitveränderlichen Strömen wird zur näherungsweisen Berechnung von PV die reale
Durchlasskennlinie (Abb. 3-6) durch eine Knickkennlinie nach Abb. 3-3 mit den Kennwerten
UT0 und rF ersetzt.
400
typ. max. Abbildung 3-6

A
Beispielkennlinie einer Diode
iF SKN 100
Die Kennlinien streuen um einen
300 Mittelwert. Zur Orientierung sind
daher die typische und die max.
mögliche Durchlassspannung
ʧiF
angegeben. Die starke Tempera-
turabhängigkeit der Kennlinien
200 ist durch Kennlinien für die ma-
ximale Sperrschichttemperatur
ʧuF dargestellt. Die Ersatzgerade
erhält man durch Anlegen einer
Tangente in den Arbeitspunkt.
100 UT0: Schnittpunkt mit der uF-
25°C Achse
160°C

UT0
ʧ uF
0 rF
0 0,5 1,0 1,5 V 2,0 ʧi F
uF

3.2 pin-Diode
Zur Vergrößerung der Spannungsfestigkeit einer Diode kann eine schwache Dotierung der p-
und n-Schichten gewählt werden (siehe Kapitel 2.2.5), mit dem Nachteil eines hohen Bahn-
widerstandes und damit hoher Durchlassverluste. Für Spannungen > 1 kV erhält man ein
besseres Durchlassverhalten, wenn zwischen einer hochdotierten p- und n-Schicht eine
3.2 pin-Diode 19

eigenleitende Zwischenschicht (i-Schicht von intrinsic) der Breite wi (wi IJ 2 Diffusionsweg-


längen, ca. 100 μm í 300 μm) eingefügt wird (pin-Diode). Oft ist die Mittelschicht fertigungs-
bedingt schwach n-dotiert (nė), was durch die Bezeichnung psn-Diode (s-Schicht, schwach
dotiert) ausgedrückt wird. Abb. 3-7 zeigt den Aufbau einer pin-Leistungsdiode [7]. Darin sind
auch die Spannungsabfälle für den Durchlassbetrieb angegeben. Bei einer pin-Diode ist ein
Kompromiss zwischen Durchlass- und Sperr- und Schaltverhalten erforderlich.
um
upi uin

p+ i n+

wi
Abbildung 3-7 Aufbau einer pin-Leistungsdiode

3.2.1 Das Sperrverhalten


Die Mittelschicht vergrößert gegenüber der pn-Diode die Sperrspannungsfestigkeit um min-
destens den Faktor 5. Die Sperrspannung wird in den drei Zonen der pin-Struktur,
hauptsächlich im i-Gebiet aufgebracht, wodurch die Feldstärke E sich über einen erweiterten
Bereich erstreckt. Im dargestellten Fall nach Abb. 3-8 verläuft die Feldstärke über die gesamte
Mittelschicht bis in die rechte n-Schicht. In der n-Schicht wird die Feldstärke zu Null
abgebaut, weshalb diese Schicht hierbei als Stoppschicht bezeichnet wird.

U(x) Abbildung 3-8


wi
E(x) Raumladungsdichte und Feld-
stärke einer psn- und pin-Diode

ȩ Bei einer pin-Diode verläuft


Upsn ( x )
die Raumladungsdichte ȡ(x)
Upin ( x ) im Mittelgebiet bei Null und
x E(x) ist im Mittelgebiet
Epsn ( x ) konstant.
Epin ( x )

3.2.2 Das Durchlassverhalten


Das Mittelgebiet wird proportional zum Durchlassstrom mit p- und n-Ladungsträgern über-
schwemmt (Diffusionsstrom). Die Rekombination im Mittelgebiet führt zu guten Durchlass-
eigenschaften. Abb. 3-9 zeigt zusätzlich zu den Diffusionsströmen in den p- und n-Zonen den
Rekombinationsstrom ii über das eigenleitende Gebiet. Der Spannungsabfall der Diode im
Durchlassbetrieb, UF, setzt sich nach Abb. 3-7 aus drei Anteilen zusammen. Der Spannungs-
abfall über dem Mittelgebiet, Um, ist abhängig von der Stromdichte (jF) und kann bei sehr
20 3 Dioden

kleinen Stromdichten praktisch vernachlässigt werden. Dann liegt näherungsweise das


Durchlassverhalten einer normalen pn-Diode vor. Bei Stromdichten zwischen 1 bis 100 A/cm²
steigt die Leitfähigkeit des Mittelgebietes proportional zum Durchlassstrom (im Mittelgebiet
fast nur Diffusionsstrom !) durch Überschwemmung mit p- und n-Ladungsträgern an, so dass
Um praktisch konstant bleibt (ca. 50 mV).
metallische Rekombination Um
Leitung
- i = ip + ii + in
+ Driftstrom

ip + - ii

- Diffusionsstrom + -
in
Driftstrom wi
Elektronenstrom p+ i n+
Abbildung 3-9 Stromfluss bei einer realen pin-Diode, Einfluss des Mittelgebietes

Bei noch höheren Stromdichten machen sich Rekombinationsvorgänge an den Rändern des
Mittelgebietes, ein Anstieg des Driftstromes und eine Abnahme des Diffusionsstromes im
Mittelgebiet bemerkbar, so dass Um sich zunehmend proportional zu ʎ i F verhält. Zwar kann
auch für diese Durchlasskennline eine Knickkennlinie nach Abb. 3-3 angegeben werden, die
Gültigkeit ist aber nur für einen Arbeitspunkt hinreichend genau. Für eine allgemein gültige
Kennlinie geben viele Hersteller aufbauend auf Gl. (3-2) eine Gleichung vom Typ Gl. (3-7)
mit den bauteilspezifischen Kennwerten A, B, C und D an.
iF
UF A ʅ BŏiF ʅ Cŏlnʛ ʜ ʅ Dŏ i F ʎ (3-7)
A

10
Abbildung 3-10

8 Durchlasskennlinien verschiedener Leistungsdioden


iF / kA nach Gl. (3-7) mit den Kennwerten nach Tab. 3.1
1 2 3
6 Der Durchlassstrom ist mit maximal 10 kA
gerechnet worden.
4 À Mit den Kennwerten A,B,C,D kann die
Verlustleistung einer Diode über einen weiten
Arbeitsbereich genauer ermittelt werden als mit
2
der Knickkennlinie. Die Knickkennlinie ist nur
für einen Arbeitspunkt exakt.
0
0 1 2 3 4 5
uF / V

Die Kennwerte werden in Datenblättern zur genauen Nachbildung der Durchlasskennlinie zur
Verfügung gestellt. Abb. 3-10 zeigt beispielhaft drei unterschiedliche Dioden-Durchlass-
kennlinien, berechnet mit Gl. (3-7) und den Kennwerten nach Tab. 3.1 (Quelle: Dynex).
3.2 pin-Diode 21

Tabelle 3.1 Bauteilspezifische Koeffizienten

Diodendaten* Kennwerte für Gl. (3-7)**


Kurve Typ URRM IFAVM A B C D
1 DS2101 1500 V 7810 A 0,08171 0,10035 5,71812·10-5 -0,0052908

2 DS2907 5200 V 4914 A -0,04360 0,10422 7,60000·10-5 0,0024300

3 DS2012 6000 V 1320 A 0,81965 -0,13673 5,73000·10-5 0,0424350

*) Gehäusetemperatur 75 °C, URRM und IFAVM ist in Kapitel 3.2.6 definiert.


**) Der Gültigkeitsbereich (Strombereich, Gehäusetemperatur) ist zu beachten.

3.2.3 Das Schaltverhalten


Die Mittelschicht ist im Durchlassbetrieb mit Diffusionsladungen überschwemmt. Diese Dif-
fusionsladungen müssen beim Einschalten in das Mittelgebiet eingebracht werden, beim
Ausschalten müssen die Ladungen aus der Mittelschicht wieder ausgeräumt werden. Beim
Schaltvorgang ändert sich also die Anzahl an Ladungsträgern im Mittelgebiet, weshalb hier
von transienten Trägerdichten gesprochen wird. In Abb. 3-11 sind unterschiedliche
Leitzustände einer psn-Diode dargestellt.

iF + -
p+ n+ p+ n+

n– n–
Dotierungsprofil einer psn- Durchlassbetrieb (iF > 0), das
Struktur (idealisiert) schwach dotierte Mittelgebiet ist mit
Ladungsträgern überschwemmt

p+ n+ p+ n+
+ - RLZ
n– n–
Beginn des Ausschaltvorganges (iF < 0) Tail-Phase (iF ĺ 0)
Die Ladungsträger werden aus dem Ende des Ausschaltvorganges, die rest-
Mittelgebiet abgezogen. Dabei sind die lichen Löcher müssen bei Strom Null
leichtbeweglichen Elektronen zuerst vom durch Rekombination im schwach
linken Rand weg (μn § 3 μp ). dotierten Mittelgebiet abgebaut werden.
Die RLZ nimmt Spannung auf.

Abbildung 3-11 Zum Schaltverhalten der psn-Diode


22 3 Dioden

3.2.3.1 Einschalten
Die härteste Belastung einer pin-Diode liegt beim Einschalten eines eingeprägten Stromes mit
einer Steilheit größer 100 A/μs vor, so
uD wie es bei Freilaufdioden häufig der
iD
Fall ist. Beim Einschalten ist das
I0
iS
Mittelgebiet nur eigenleitend und muss
D von den Rändern her mit Ladungs-
trägern angefüllt werden. Während
S t0 R dieser Zeit verhält sich die Diode wie
ein transienter Widerstand und es ent-
steht eine transiente Überspannung. Die
pin-Diode zeigt beim Einschalten ein
Abbildung 3-12 Einschalten mit eingeprägtem Strom induktives Verhalten. Zur Beschreibung
des Einschaltverhaltens dient eine Er-
satzschaltung nach Abb. 3-12. Nach dem Öffnen des Schalters S zum Zeitpunkt t0 fließt der
eingeprägte Strom I0 über die Diode D. Bei einer hohen Stromsteilheit kommt es zu Über-
spannungen (ûD in Abb. 3-13). Dieser Effekt wird als „Forward-Recovery-Effekt“ bezeichnet.
Er verschwindet bei abnehmender Stromsteilheit, weil sich das Mittelgebiet durch den Ventil-
strom rechtzeitig mit Ladungsträgern anreichern kann [18].

Abbildung 3-13
uD
iD Prinzipieller Spannungs- und Stromverlauf
ûD einer pin- bzw. psn-Diode beim Einschalten
iD mit eingeprägtem Strom
I0 ȩ Der Scheitelwert ûD kann 200 ... 300 V
uD betragen.

t0 t

3.2.3.2 Ausschalten
Zur Beschreibung des Ausschaltverhaltens dient eine Ersatzschaltung nach Abb. 3-14. Für
t < t1 sei iD = I0. Zum Ausschalten der Diode wird bei t = t1 der Schalter S geschlossen. U0
baut in der Induktivität L˂ der Strom iL auf. Die Steilheit von iL ist durch U0 und L˂ bestimmt
[7].

K t1
Lı iL K: ĖI 0 i Dė I 0 ʅi L
iD I 0 ė iL
I0 S uL
iD

uD U0 U0
D M mit: iL t

Abbildung 3-14 Erzwungener Ausschaltvorgang einer Diode und I 0 konstant


3.2 pin-Diode 23

Für den resultierenden Diodenstrom iD folgt aus der Knotenpunktgleichung:


U0
t ʆ t 1 : iD I0 t ʉ t 1 : iD I0 ė ŏʛt ė t 1 ʜ (3-8)
L
˂
Abb. 3-15 zeigt den Stromverlauf und die Spannung an der Diode. Nach dem Erreichen des
Stromnulldurchganges von iD zum Zeitpunkt t = t2 muss zunächst das Mittelgebiet der Diode
von Ladungsträgern ausgeräumt werden. Das Ventil leitet deshalb auch noch nach dem
Stromnulldurchgang weiter. Für Zeiten größer t3 kann sich die Raumladungszone RLZ
aufbauen, d. h. die Diode beginnt bei t3 eine Sperrspannung aufzunehmen. Bei t4 liegt die volle
Spannung U0 an der Diode, der Rückstrom hat seinen Maximalwert IRM (peak reverse
recovery current) erreicht. Für t > t4 verschwinden die restlichen Ladungsträger im i-Gebiet
durch Rekombination, so dass der Rückwärtsstrom einen steilen Stromanstieg zu Null hin
aufweist. Man bezeichnet diesen Abklingvorgang in Abb. 3-15 mit „Soft-Recovery“. Sollten
in diesem Zeitabschnitt jedoch keine Ladungsträger mehr im i-Gebiet vorhanden sein, so reißt
der Diodenstrom plötzlich ab, ein Vorgang der mit „Hard-Recovery“ bzw. „Snap-Off“
bezeichnet wird.

d iD
0 ideale Diode:
dt iD
iD uD iD
I0
uD
iD d iD
I0 uD U0 t
ʆ0
dt

t4
t1 t2 t
t3
IRM U0
d iD
ʇ0
dt URM

d iD
0
dt uD

Abbildung 3-15 Ventilspannung und -strom beim Ausschaltvorgang einer Diode

Da sich das Vorzeichen der Stromsteilheit di/dt beim Erreichen des maximalen Rückstromes
IRM umkehrt, addiert sich nach Abb. 3-14 die Spannung uL zu U0 und die Diode wird mit einer
gefährlich hohen Sperrspannung belastet. In der Praxis führt in diesem Zeitpunkt das Zu-
sammenwirken der Dioden-Sperrschichtkapazität mit den Leitungsinduktivitäten zu Eigen-
schwingungen. Abb. 3-17 zeigt den typischen Verlauf von Diodenstrom und -spannung bei
einem Abschaltvorgang. Abhilfe gegen hohe Überspannungen bietet eine zusätzliche Beschal-
tung mit einem RC-Glied. Diese Beschaltung nach Abb. 3-16 wird als Träger-Stau-
Effekt(TSE)-Beschaltung bezeichnet. Sobald die Diode ihre Sperrfähigkeit erlangt, wechselt
der Rückstrom IRM, der durch L˂ eingeprägt ist, auf die RC-Beschaltung und lädt den Kon-
24 3 Dioden

densator C. Dieser Vorgang ist beendet, sobald die in der Induktivität L˂ gespeicherte Energie
abgebaut ist. Die Wirkung einer TSE-Beschaltung zeigt die Simulation nach Abb. 3-17 mit R =
5 ʰ C = 3 μF, L˂ = 10 μH. Siehe auch [7, 15]. Die Spannungsüberhöhung ǻuC ermittelt sich
näherungsweise nach der in Abb. 3-16 angegebenen Gleichung.

LV uD Abbildung 3-16
iR
TSE-Beschaltung einer Diode
iF D
C R IRC

ʎ
TSE-Beschaltung L
˂
ʧ uCIJ I RM
C
uC

Abbildung 3-17
Simulation des typischen
iF Abschaltverhaltens einer
I0 Leistungsdiode
(siehe Abb. 3-14)
IRM t

U0 t
uF Vergleich:
URM ȩ ohne Beschaltung
ohne Beschaltung
ȩ mit Beschaltung

U0 t
URM
ʧuC uF
mit Beschaltung

3.2.3.3 Schaltverluste
Schaltverluste treten auf, sobald Ventilspannung und Ventilstrom beim Schaltvorgang
ungleich Null sind. In Abb. 3-18 sind der Ventilstrom iV und die Schaltverluste pS beim
Ausschaltvorgang dargestellt. Es ist zu erkennen, dass im Wesentlichen die Restladung QF für
die Schaltverluste pS verantwortlich ist. Die Rückstromspitze IRM ist im Wesentlichen vom
Gleichstrom I0 zu Beginn der Abschaltung und von der Stromsteilheit di/dt abhängig.
3.2 pin-Diode 25

Abbildung 3-18
iD PS = uD ·iD
Strom, Ladung und Verlustleis-
tung beim Ausschaltvorgang
iD
I0 QS: Nachlaufladung

t
QF: Restladung, Hauptursache
trr
der Schaltverluste
tS tF
trr: Sperrverzugszeit
t1 QS QF t
tS: Speicherzeit
IRM tF: Rückstromfallzeit
0,25 IRM
iR pS: Verlustleistung
0,9 IRM

Die Sperrverzugsladung Qrr in Abb. 3-18 ermittelt sich nach Gl. (3-9). (Bei Erwärmung von
25 °C auf 150 °C erfolgt eine Verdopplung bis Verachtfachung von Qrr [18].)

Q rr Q Sʅ Q F ĩ iR dt (3-9)

Der Abbau der Sperrverzugsladung verzögert den Ausschaltvorgang. Dieser Einfluss wird
durch die Sperrverzugszeit trr berücksichtigt. Die Definition von trr ist in Abb. 3-18 mit Hilfe
einer Geradenkonstruktion dargestellt. Der hier dargestellte Fall der Zwangslöschung eines
Diodenstromes nach Abb. 3-18 mit einer Gleichspannung entspricht einem Belastungsfall, der
in der Praxis z. B. bei Freilaufdioden (Freewheeling Diodes) auftritt.

140 iD
I0 d iD Abbildung 3-19
A I0 = 1000 A
120 dt Typischer Verlauf
IRM
100 IRM der Rückstromspitze
Qrr I0 = 200 A
IRM bei verschie-
80 denen Anfangs-
I0 = 50 A strömen I0 und
60
Stromsteilheiten
40

20

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 A
μs
Ģd i D  d tĢ

Ein anderes Anwendungsgebiet sind Gleichrichterdioden (Rectifier-Diodes) in Netzgleich-


richterschaltungen. Hierbei erfolgt die Löschung des Diodenstromes durch eine sinusförmige
Netzspannung, so dass der Stromverlauf eine vergleichsweise geringere Steilheit aufweist. Das
Problem der Rückstromspitze ist jedoch in allen Fällen gegeben und macht eine Beschaltung
erforderlich. Die typische Abhängigkeit der Rückstromspitze IRM von der Stromhöhe zu
Beginn des Ausschaltvorganges (I0) und der Stromsteilheit zeigt Abb. 3-19. Weitere Anwen-
dungsgebiete für Dioden sind Beschaltungsdioden (Snubber-Diodes) sowie Umschwing-
dioden (Crow Bar Diodes) in selbstgeführten Stromrichtern.
26 3 Dioden

3.2.4 Reihenschaltung
Wird die Sperrspannung URM für eine Diode zu hoch, so wird eine Reihenschaltung von nR
Dioden vorgenommen. Weil der Sperrstrom für alle in Reihe geschalteten Dioden gleich groß
ist, stellt sich über die Sperrkennlinien in Abb. 3-20 eine statisch unsymmetrische Spannungs-
aufteilung ein. D1 wird in diesem Beispiel mit der Spitzensperrspannung URRM belastet. Die
Gesamtspannung uR ist die Summe der Einzelspannungen (uR = uR1 + uR2).
iR UR URRM

iR
uR1 D1
D1
uR2
uR
D2
uR2 uR1
D2 IR

Abbildung 3-20 Statische Spannungsaufteilung einer Dioden-Reihenschaltung (nR = 2)

Durch zusätzliche Symmetrierwiderstände RS parallel zu den Dioden muss diese statische


Unsymmetrie in zulässigen Grenzen gehalten werden. Zur Dimensionierung des Widerstandes
RS in Abb. 3-21 wird der Strom im Widerstand mit dem 3...6-fachen des Sperrstromes IR bei
maximaler Sperrschichttemperatur angenommen. Dann arbeitet die Schaltung näherungsweise
als unbelasteter Spannungsteiler.

CS CS Abbildung 3-21
Statische und dynamische Spannungssymmetrierung bei einer
Dioden-Reihenschaltung (nR = 2)
iS RS RS
ȩ Beim Ausschalten tritt zusätzlich zur TSE-Spannungs-
iR belastung eine dynamische Überspannung aufgrund unter-
D1 D2
schiedlicher Speicher- bzw. Sperrverzugsladungen auf.
uR

Sperrt eine der Dioden früher als die restlichen Dioden, so wird diese Diode bis zum Sperren
der restlichen Dioden mit der gesamten Sperrspannung belastet. Es tritt beim Ausschalten eine
dynamische Spannungsunsymmetrie auf. Zur Begrenzung der Spannungsbelastung wird der
Beschaltungskondensator CS so gewählt, dass er sich durch die Differenz der Sperrverzugsla-
dungen ʧQrr der nR Dioden um max. ʧU (= nR UR - Um) auflädt. Für ʧQrr wird in Gl. (3-10)
näherungsweise 0,3 Qrr angenommen. (URRM: Spitzensperrspannung, Um: Gesamtspannung,
m: Fehlverteilungsfaktor analog zu Gl. (3-15))
ʧ Qrr ʛn R ė1ʜŏʧ Qrr
ʧU mŏn R U RRM ėU m ʍ CS ʇ (3-10)
CS mŏnRŏU RRM ė U m

Aufgrund der zusätzlichen Verlustleistungen (Verluste in den Serienwiderständen, nR-fache


Diffusionsspannung, durch Kondensatoren erhöhte Speicherladung) ist eine Reihenschaltung
insbesondere bei Freilaufdioden nicht anzustreben.
3.2 pin-Diode 27

3.2.5 Parallelschaltung
Zur Erhöhung der Stromtragfähigkeit wird eine Parallelschaltung von Dioden nach Abb. 3-22
vorgenommen. Bei gleichen Kennlinien erfolgt die Stromaufteilung symmetrisch, d. h. bei
zwei Dioden (nP = 2) führt jede Diode genau 50 % des Gesamtstromes und es gilt: iF1 = iF2.
Praktisch führen Toleranzen zu einer unsymmetrischen Stromaufteilung und damit auch zu
unterschiedlichen Verlustleistungen der Dioden. Die Stromfehlverteilung führt somit zu einer
geringeren Stromtragfähigkeit der Parallelschaltung als es der Summe der zulässigen Einzel-
ströme (Dauergrenzstrom IFAVM) entspricht.

iF1 Abbildung 3-22


iF Parallelschaltung von nP = 2 Dioden
uF Ėi 0 i Fė iF1 ė i F2
i F1 i F ė i F2 Die Parallelschaltung erzwingt eine
gemeinsame Durchlassspannung uF und
iF2 damit unterschiedliche Ventilströme.

Zur Abschätzung der realen Stromaufteilung müssen die einzelnen Durchlasskennlinien


bekannt sein (Messung). Die Kennlinien sind temperaturabhängig (NTC-Verhalten). Abb. 3-23
zeigt zwei typische Diodenkennlinen bei gleichen Sperrschicht-Temperaturen.

Mittlere Abbildung 3-23


iF Kennlinie
D1 Zwei parallele Dioden (nP = 2 ) mit
ungleichen Kennlinien
D2
D1 führt einen um ǻiF höheren Strom als
D2 und hat deshalb eine höhere Verlust-
iF1
leistung. Die Temperatur von D1 wird
ansteigen, die von D2 sinken.
ǻiF
Folge: Die höhere Verlustleistung von D1
iF2 iF führt wegen des NTC-Verhaltens
zu einem Anstieg von ǻiF.
2
Abhilfe: zum Parallelschalten nur selek-
uF u tierte Kennlinien verwenden.

Für eine Abschätzung der Stromaufteilung wird für eine Diode die um ƗǑ vergrößerte Tempe-
ratur gewählt. Ausgehend von der gemeinsamen Durchlassspannung uF (über die mittlere
Kennlinie bestimmt) können in Abb. 3-23 die Diodenströme iF1 und iF2 abgelesen werden. Der
zulässige Gesamtstrom IT einer Parallelschaltung ist durch die höherbelastete Diode bestimmt
und kleiner als die Summe der einzelnen Maximalströme IM.

Gesamtstrom einer Parallelschaltung I T < n PŏI M (3-11)

Die Reduzierung beschreibt der Reduktionsfaktor ʴ (derating factor) nach Gl. (3-12).

IT
Derating bzw. Reduktionsfaktor ʴ =1 ė ʆ1 (3-12)
nPŏI M
28 3 Dioden

IT = Gesamtstrom der Parallelschaltung


IM = Zulässiger Maximalstrom eines Bauelementes (DC-current rating )
nP = Anzahl parallelgeschalteter Bauelemente.

Beispiel:
IM nP = 2
IT
IM = 800 A
Imin = 640 A
Imin
800 A ʅ640 A
ʴ= 1 ė = 0,1
2ŏ800 A

Durch Umstellung der Gleichung (3-12) erhält man für IT:

I T = ʛ1ėʴ ʜŏnPŏI M (3-13)

Bei der Bemessung der Stromtragfähigkeit IT einer Parallelschaltung von nP Elementen trifft
man folgende Annahmen (worst case):

À Ein Bauelement führt bei max. Sperrschichttemperatur den Maximalstrom IM.

À Alle weiteren Bauelemente führen den Minimalstrom Imin

I T = I M ʅ ʛn P ė 1ʜŏI min (3-14)

Die Abweichung der Strombelastung der Elemente einer Parallelschaltung beschreibt man
durch den Fehlverteilungsfaktor m (mis-sharing factor)

I M ė I min
m = (3-15)
IM

Zu beachten ist, dass der „mis-sharing factor“ m vom Temperaturkoeffizienten (TC) abhängt.
Bei positivem TC (PTC) vergrößert das überlastete Element seinen Durchlasswiderstand und
vermindert so die Fehlverteilung.
À PTC-Bauelemente sind selbstsymmetrierend und lassen sich daher einfach
parallelschalten.
Elemente mit negativen TC (NTC) vermindern bei Überlastung ihren Durchlasswiderstand und
verstärken so die Fehlverteilung. NTC-Elemente sind daher problematisch bei einer Parallel-
schaltung (vgl. Abb. 3-23). Diese Tatsache ist auch bei der Parallelschaltung von Transistor-
modulen mit integrierten Dioden zu berücksichtigen.
3.2 pin-Diode 29

3.2.6 Einsatzkriterien für Dioden


Abb. 3-24 zeigt den typischen Verlauf der Spannungsbelastung einer Diode im Gleichrichter-
betrieb. Bei der Spannungsfestigkeit einer Diode wird zwischen einer periodischen Spann-
nungsbelastung URR (repetitive peak reverse blocking voltage), wie sie bei Wechsel-
spannungsanwendungen z. B. durch periodische Kommutierungsvorgänge auftreten, und nicht
periodische Spannungsspitzen URS (surge peak reverse blocking voltage), wie sie z. B. durch
Schalthandlungen im Versorgungsnetz auftreten können, unterschieden. Zur Auswahl einer
Diode werden dem Spannungsverlauf uR die Werte für URR und URS entnommen.

Abbildung 3-24
t
Sperrspannungsverlauf
einer Diode
ʎ 2ŏU 0 Definition von URS
URR und URR

URS
uR

Eine Diode kann folgende Spannungsfestigkeiten aufweisen:


À URSM > URS
URSM (Maximum surge peak reverse blocking voltage) ist die maximale Spannung die eine
Diode sperren kann. überschreitet uR diesen Wert, so kommt es zum Ausfall der Diode (Kurz-
schluss). Bei der Angabe von URSM wird eine Wiederholfrequenz von 5 Hz angenommen.
À URRM > URR
URRM (Maximum repetitive peak reverse blocking voltage) ist die maximale Spannung welche
die Diode als 10ms-Sinushalbschwingung mit 50 Hz wiederholt sperren kann. Überschreitet
uR diesen Wert, so kommt es im Laufe der Zeit in Folge eines thermischen Durchbruchs eben-
falls zum Ausfall der Diode (typisch: URRM = URSM í 100 V, Bemessung: URRM • 2,5 û0).

Für den Durchlassstrom iF wurden folgende Werte definiert:


À IFAVM
Die Stromtragfähigkeit einer Diode wird durch den Gleichstrom-Mittelwert IFAVM (Maximum
average forward current) ausgedrückt. IFAVM bezieht sich auf eine 180° Sinushalbschwingung
bei einer Gehäusetemperatur von 85 °C. Zwar ist diese Definition willkürlich, erlaubt aber
einen Vergleich der Strombelastbarkeit von Dioden unter einheitlichen Bedingungen.
À IFSM
IFSM ist der maximale Spitzenstrom (Maximum peak forward surge current), den eine Diode
als einmalige 10ms-Sinushalbschwingung mit anschließender Abschaltung (Erholzeit) ohne
Zerstörung führen kann. Dieser Wert ist Grundlage zur Bemessung von Sicherungen und
Schaltgeräten für einen Fehlerfall (Kurzschluss, Überstrom).
À i²t
Folgt aus der Integration des Durchlassstromes. Bei Erreichen des zulässigen Grenzwertes
z. B. infolge einer Überlast muss der Strom abgeschaltet werden (Abkühlungspause).
30 3 Dioden

3.3 Solarzelle
Eine Solarzelle arbeitet nach dem Photoeffekt zur Generation von Ladungsträgern. Dazu hat
die Solarzelle nach Abb. 3-25b physikalisch zwar den gleichen Aufbau wie eine pn-Diode, die
n-seitige Metallelektrode ist aber lichtdurchlässig ausgeführt, z. B. als Gitterstruktur. Bei
Lichteinfall lösen die Photonen Elektronen aus dem Kristallverband und erhöhen so die
Ladungsträgerkonzentration. Der Ausgleich des Konzentrationsgefälles zwischen p- und n-
Zone führt über einen erhöhten Diffusionsstrom zu einer Verbreiterung der Raumladungszone
(siehe Kapitel 2.2). Die Ermittlung von Feldstärke E und Potenzialverlauf ij analog zur
normalen pn-Struktur in Abb. 3-25a zeigt, dass sich am pn-Übergang eine Spannung ausbildet,
die größer ist als die Metall-Halbleiter-Übergangsspannungen, die bisher zu einer elektrischen
Neutralität der Anordnung geführt hatten.
a) Übergang beleuchtet Ladungsträger- b)
Metall- Kathodenanschluss
Halbleiter generation Anti-Reflex-
dunkel Beschichtung
μm
Photonen
+ - 0,5 mm
Photonen

+ -
p - + n
+ -
+ - n
p + -
E
Kontaktgitter
Verbraucher Anodenanschluss

i
U
Abbildung 3-25 Aufbau und Wirkungsweise einer Solarzelle
Die Spannungserhöhung kann außerhalb des pn-Überganges gemessen werden und beträgt bei
Silizium bis ca. 0,5 V. Wird der Stromkreis über einen Widerstand R geschlossen, so treibt
diese Spannung einen Strom i. Elektronen gelangen über den äußeren Stromkreis in die p-Zone
und stören das Gleichgewicht von Diffusions- und Driftstrom. Der Driftstrom gleicht diese
Störung aus, indem er Elektronen von der p-Seite über die RLZ zur n-Seite liefert. So kommt
es in Sperrrichtung zu einem kontinuierlichen Stromfluss, dessen Intensität iPh über einen Pro-
portionalitätsfaktor c0 von der Bestrahlungsstärke E bestimmt ist.
Photostrom i Ph c 0ŏE (3-16)

Zur Aufnahme einer UF(IF)-Kennlinie bei unterschiedlichen Bestrahlungsstärken (mit SH


einstellbar) dient die Schaltung nach Abb. 3-26.

A Abbildung 3-26
SH
IF S Messschaltung für die Kennlinie
nach Abb. 3-27b
R1 R2 R3 V UF
RL SH: Lichtintensität E
S: Leerlaufschalter (U0-Messung)
UH
RL: Belastungswiderstand
3.3 Solarzelle 31

Durch den Photostrom iPh wird die normale Diodenkennlinie in Abb. 3-27a nach unten ver-
schoben, d. h. es fließt ein Sperrstrom (Abb. 3-27b). Für Solarzellen üblich ist die „positive“
Darstellungsart nach Abb. 3-27c.
IF dunkel IF beleuchtet IR beleuchtet

IF IR

Beleuchtungs-
UF stärke UF

a) b) c)
UF UF UF

Abbildung 3-27 Zur Kennlinie eines beleuchteten pn-Überganges

Durch Verringerung des äußeren Widerstandswertes kann der äußere Strom bis zum Kurz-
schlusswert iK gesteigert werden. Je mehr Elektronen der n-Zone über den äußeren Stromkreis
entzogen werden, desto schmaler wird wieder die Raumladungszone. Die Folge ist eine Ab-
nahme der äußeren Spannung bis zum Kurzschlusspunkt bei UF = 0. Als Ersatzschaltbild der
Solarzelle kann ein Modell Abb. 3-28 gewählt werden. Der Photostrom iPh wird durch eine
Stromquelle erzeugt, die über eine reale Diode D kurzgeschlossen ist

K Abbildung 3-28
iPh i Ersatzschaltbild einer Solarzelle zur Nachbildung der
iD gemessenen Kennlinie
R
D u

Der Zusammenhang zwischen Diodenstrom IR und -spannung UF in Abb. 3-27c wird ideal
durch die Shockleysche Diodenkennlinie nach Gl. (3-1) beschrieben. Der Verbraucherstrom i
stellt sich über die Klemmenspannung u nach dem ohmschen Gesetz ein. Diesen idealisierten
Zusammenhang beschreibt Gleichung ( 3-17 ) für den Knoten K in Abb. 3-28.
u
ė I S : 10ė10 A Sperrsättigungsstrom
mUT (3-17)
i iPh ė I Sŏʛ e ė1 ʜ m : 1 ... 5 Diodenfaktor

Abb. 3-29 zeigt die Kennlinie der Klemmenspannung u bei unterschiedlichen Belastungswi-
derständen R. Die Schnittpunkte mit den Achsen sind der Leerlaufpunkt (U0) und der
Kurzschlusspunkt (IK). Die Beleuchtungsstärke und die Temperatur seien konstant. Der Punkt
der maximalen Leistungsabgabe wird mit MPP (maximum power point) bezeichnet. Der
äußere Stromkreis sollte so ausgeführt werden, dass das Produkt von Strom und Spannung
32 3 Dioden

stets ein Maximum ergibt. Bei wechselnden Beleuchtungsverhältnissen muss dazu der Arbeits-
punkt nachgeregelt werden. Da es sich um eine nichtlineare Kennlinie handelt, trifft die bei der
Leistungsanpassung übliche Maßnahme Ri = RA nur näherungsweise zu. Zur graphischen
Ermittlung des optimalen Betriebspunktes kann eine Konstruktion nach Abb. 3-29 durch-
geführt werden. Die Widerstandsgerade Ȋ wird parallel verschoben, bis sie im Punkt MPP
eine Tangente an die Spannungskennlinie bildet ȋ. Die optimale Verbraucher-Widerstands-
gerade (Ropt) verläuft durch den MPP-Punkt. Im Betrieb werden unterschiedliche elektronische
Such- und Probierverfahren zur optimalen Arbeitspunkteinstellung eingesetzt [14].
IK Kurzschlusspunkt (UF = 0)
Punkt maximaler
Abbildung 3-29
P, IR U Leistung (MPP) Belastungskennlinie einer Solarzelle
(Strom, Leistung) und optimaler
IMPP
Arbeitspunkt
Ȋ ȋ
Ȋ: Widerstandsgerade der Quelle
Leerlaufpunkt U0 U MPP
(IR = 0 ) R i,Quelle R opt
P
IK I MPP

ȋ: Tangente an der U-Kennlinie,


UMPP U0 UF parallel zu Ȋ.

Die Bestrahlungsstärke E steuert die Anzahl freier Ladungsträger, damit steuert der Licht-
einfall die Leitfähigkeit. Die Spannung selbst ist von der Materialkombination und Breite der
RLZ bestimmt, und kann durch die Lichtintensität bzw. -farbe nicht über einen material-
typischen Wert gesteigert werden (Abb. 3-30a). Großen Einfluss hat die Temperatur der Solar-
zelle (Paneltemperatur ˊ, Abb. 3-30b). Mit zunehmender Paneltemperatur sinkt die Zellen-
Leerlaufspannung (ǻU0 § 3...5 mV/K) und steigt der Kurzschlussstrom (ǻIK § 1 mA/K).
Solarpanele sind sehr empfindlich gegenüber Teil-Abschattungen (z. B. durch Laub, Schnee,
Schatten durch Bäume, Wolken usw.). Hierdurch bricht die Leistung selbst großflächiger
Solaranlagen deutlich ein.
À Insgesamt sinkt die Leistungsausbeute mit zunehmender Paneltemperatur.
À Die Panelfläche muss gleichmäßig beleuchtet sein.

IR IR

Paneltemperatur
E °
Bestrahlungsstärke
a) b)

UF UF

Abbildung 3-30 Einfluss der Bestrahlungsstärke E und der Paneltemperatur °