elementare Formeln für Halbleiterbauelemente, TU-Berlin elementare Formeln für Halbleiterbauelemente, TU-Berlin

∂n 1 r
= + ⋅ div j n − (r − g )
2 Elektronen im Leitungsband ∂t e Bilanzgleichung
n0 = ∫ f nd(W ) DLB (W )dW
V Leitungsba (Grundformel) ∂p 1 r für Elektronen und Löcher
= − ⋅ div j p − (r − g )
∂t e

n − n0 ∆n
1 R= =
f F (W ) = τn τn Rekombinationsüberschussrate
 W − WF  Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion für Elektronen und Löcher
1 + exp  p − p0 ∆p
 k BT  R= = (mit R = (r - g) und r >> g)
τp τp

1
U
Boltzmannfaktor:
f B (W ) = n p (− w p ) = n p 0 e U T
 W − WF  Boltzmann-Verteilungsfunktion Minoritätsladungsträgerkonzentration am
exp  U RLZ-Rand (-wp) / auf der p-Seite
 k BT  pn ( wn ) = pn 0 e U T RLZ-Rand (wn) / auf der n-Seite

 W −WF 
n = N L ⋅ f B (W ) = N L exp−  L 
Vereinfachte Anzahl
 k BT   U  Diodenkennlinie nach Shockley
der Elektronen J ges = J 0 ⋅  eU T − 1
und Löcher   als Stromdichte
 W − WV   
p = N V ⋅ [1 − f B (W )] = N V exp−  F  als f(WF)
 k BT 

 eD p eD n 
ni2 = n ⋅ p J 0 =  p no + n po  Dunkel- / Sperrstromdichte
Massenwirkungsgesetz  L Ln 
 p

 U  Stromdichte eines
+ − J ges = J 0 ⋅  eU T − 1 − J ph beleuchteten pn-Übergangs
p+ N =n+ N Neutralitätsbedingung im Halbleiter  
D A
  mit Photostromdichte Jph

r r Stromdichtegleichungen
J n = e ⋅ n ⋅ µ n ⋅ E + e ⋅ Dn ⋅ grad ( n ) Kennliniengleichung eines MOSFETs
r r der Elektronen und Löcher W  1 2  im parabolischen Bereich
J p = e ⋅ p ⋅ µ p ⋅ E − e ⋅ Dp ⋅ grad( p ) (Summe aus Feld- und Diffusionsstrom) I D = µ n ⋅ COX
L (U GS − UTH ) ⋅ U DS − 2 U DS  (zusammen mit dem linearen Bereich auch
spezifischer Leitwert für Halbleiter Triodenbereich genannt)
σ = neµ n + peµ p
(aus Feldstrom und ohmschem Gesetz)

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 ergänzende Formeln für Halbleiterbauelemente, TU-Berlin ergänzende Formeln für Halbleiterbauelemente, TU-Berlin
Hinweis: Es wird empfohlen, mindestens die elementaren Formeln zu kennen und zu verstehen.

2ε 0ε r N A 1 RLZ-Ladung auf der n-Seite

QS = A ⋅ e ⋅ N D ⋅ UD −U
1 { e ND N A + ND als Funktion der Spannung
N = N D ⋅ f F (W ) = N D ⋅
+
D Anz. der ionisierten Donatoren
n − HL
 W − WD 
1 + exp F  (n-Dotierung)
 k BT 

eε 0ε r N AND Raumladungszonen- /
CS = A ⋅ (U D − U )−1 Sperrschichtkapazität
1 2 N A + ND
N A− = N A ⋅ [1 − f F (W )] = N A ⋅ Anz. der ionisierten Akzeptoren
 WA − WF 
1 + exp  (p-Dotierung)
 k BT 

Vereinfachung der
eε 0ε r
r r CS ≈ A ⋅ ND (U D − U )−1 Raumladungszonenkapazität
r 2 für eine p+n Diode
J Feld ,n = −e ⋅ n ⋅ vn = e ⋅ n ⋅ µ n ⋅ E Drift- oder Feldstromdichte
r r r
J Feld , p = e ⋅ p ⋅ v p = e ⋅ p ⋅ µ p ⋅ E für Elektronen und Löcher

2
e ⋅ ni  Lp L  U 
CD = A ⋅  + n  exp  Diffusionskapazität
r UT
J Diff , n = −e ⋅ Dn ⋅ [− grad (n)]  ND N A   UT 
Diffusionsstromdichte
r
J Diff , p = e ⋅ D p ⋅ [− grad ( p )] für Elektronen und Löcher

Pmax U ⋅I
FF = = MPP MPP Füllfaktor einer Solarzelle
UL ⋅ IK UL ⋅ IK
 U
 Diodenkennlinie nach Shockley
I ges = I0 ⋅  e UT
− 1
  mit Strom
 

2
U MPP ⋅ I MPP I MPP ⋅ RL,opt
η= = Wirkungsgrad einer Solarzelle
A⋅ E A⋅ E
Umrechnung Strom und Stromdichte
I = J⋅A
mit Querschnittsfläche A [cm²]

ε ε ⋅ L ⋅W
COX = 0 r G Oxidkapazität eines MOSFETs
tOX
2ε 0ε r  N + ND  Raumladungszonenweite
w = wn + w p = ⋅  A  ⋅ (U D − U ) (RLZ-Weite) mit außen angelegter
e  N A ⋅ ND  Spannung U
konstanter Vorfaktor der
µ n ⋅ COX W Kennliniengleichung eines MOSFETs
k= („1/2“ wegen besserer Darstellung der
2 L Kennlinienformel insbesondere in Pinch-Off
Q = A ⋅ e ⋅ N A ⋅ w p = A ⋅ e ⋅ N D ⋅ wn Ladung in der RLZ,
142 4 43 4 142 4 43 4 und Sättigung)
p − HL n − HL es gilt Qp = Qn

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